JP2005262127A - Nozzle washing apparatus and substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve washing effect in washing treatment of a discharge nozzle for discharging a prescribed treating liquid with respect to washing technique for the discharge nozzle. <P>SOLUTION: A guide block 743 for approaching below a discharge port 41a of a slit nozzle 41 is provided at a washing section 74 for washing a slit nozzle 41. Gas nozzles 710 for blowing gaseous nitrogen and washing nozzles 750 for ejecting rinse liquid LQ are provided and further a suction mechanism sucks the lower part of the discharge port 41a of the slit nozzle 41. Thickness of the guide block 743 in a X-axis direction is made to be larger than the width of the discharge port 41a in the X-axis direction, and thereby adjustment is performed so that suction force by the suction mechanism may not directly act on the discharge port 41a. Thereby suction force of the suction mechanism can be raised and washing effect is improved. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄する技術に関する。   The present invention relates to a technique for cleaning a discharge nozzle that discharges a predetermined processing liquid.

液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板(以下、単に「基板」と称する)などの表面にレジストなどの処理液を塗布する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、吐出ノズルからレジスト液を吐出することにより、基板の表面にレジスト液の塗布膜を形成する。   A substrate processing apparatus for applying a processing liquid such as a resist to the surface of a glass square substrate for liquid crystal, a semiconductor wafer, a flexible substrate for film liquid crystal, a photomask substrate, a color filter substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”), and the like. Are known. In such a substrate processing apparatus, a resist liquid coating film is formed on the surface of the substrate by discharging the resist liquid from the discharge nozzle.

図18ないし図20は、レジスト液を基板に塗布する基板処理装置において、塗布処理を繰り返すことによりレジスト液の付着物が吐出ノズルに残留する様子を段階的に示した概念図である。図18は初期状態で、スリットノズル100の先端部が正常な状態を示す。また、図19は数十枚の基板に対して塗布処理を行った状態を示し、図20は数百枚の基板に対して塗布処理を行った状態を示す。すなわち、このような基板処理装置において基板に繰り返し塗布処理を行うと、吐出口101周辺やスリットノズル100の先端部側面にレジスト液Rが徐々に残留する。   FIG. 18 to FIG. 20 are conceptual diagrams showing stepwise how the resist solution deposits remain in the discharge nozzle by repeating the coating process in the substrate processing apparatus for applying the resist solution to the substrate. FIG. 18 shows an initial state where the tip of the slit nozzle 100 is normal. FIG. 19 shows a state where the coating process is performed on several tens of substrates, and FIG. 20 shows a state where the coating process is performed on several hundred substrates. That is, when the coating process is repeatedly performed on the substrate in such a substrate processing apparatus, the resist solution R gradually remains around the discharge port 101 and the side surface of the tip of the slit nozzle 100.

特に、スリットノズル100を用いて塗布処理を行う基板処理装置(スリットコータ)では、図19および図20に示すように、レジスト液Rが不均一に付着した状態のスリットノズル100で塗布処理を行うと、スジ状の塗布ムラが発生する。したがって、安定した塗布処理を行うためには、吐出口101周辺に残留しているレジスト液Rを定期的に洗浄除去する必要がある。このような理由から、従来からノズル洗浄処理を行う基板処理装置が提案されており、例えば特許文献1に記載されている。   In particular, in a substrate processing apparatus (slit coater) that performs a coating process using the slit nozzle 100, the coating process is performed with the slit nozzle 100 in a state where the resist solution R adheres unevenly, as shown in FIGS. And streaky coating unevenness occurs. Therefore, in order to perform a stable coating process, it is necessary to periodically remove the resist solution R remaining around the discharge port 101. For these reasons, a substrate processing apparatus that performs a nozzle cleaning process has been proposed, and is described in, for example, Patent Document 1.

従来の基板処理装置は、洗浄液を吐出する洗浄ノズルを備えており、ノズル洗浄処理においては、この洗浄ノズルから吐出ノズルの先端部に向けて洗浄液を供給する手法が一般的である。そして、その洗浄効果を高めるためには、洗浄液の供給量を増加させるとともに、洗浄に使用された洗浄液をすみやかに吸引排出することが求められる。すなわち、吐出ノズルの先端部を吸引する際の吸引力を高めることが求められる。   A conventional substrate processing apparatus includes a cleaning nozzle that discharges a cleaning liquid. In the nozzle cleaning process, a method of supplying a cleaning liquid from the cleaning nozzle toward the tip of the discharge nozzle is generally used. In order to enhance the cleaning effect, it is required to increase the supply amount of the cleaning liquid and to quickly suck and discharge the cleaning liquid used for the cleaning. That is, it is required to increase the suction force when sucking the tip of the discharge nozzle.

特開平11−074179号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-074179

ところが、従来の基板処理装置では、吸引力を上昇させると吐出口から吐出ノズル内に充填されたレジスト液Rが吸引され、引き出されてしまうという問題があった。特に、この問題はレジスト液(処理液)が低粘度である場合に顕著となる。   However, in the conventional substrate processing apparatus, there is a problem that when the suction force is increased, the resist solution R filled in the discharge nozzle is sucked and drawn out from the discharge port. In particular, this problem becomes remarkable when the resist solution (treatment solution) has a low viscosity.

図21は、レジスト液Rが引き出された部分にエアが混入している状態を示す。また、図22は、レジスト液Rが引き出された部分に洗浄液(リンス液LQ)が混入している状態を示す。このように、従来の基板処理装置では、洗浄力を高めるために吸引力を上昇させると、洗浄後の吐出ノズルが長手方向に不均一になるなど状態が悪化するため、吸引力を増加させることができず、洗浄処理における洗浄効果を向上させるには限界があった。   FIG. 21 shows a state where air is mixed in the portion from which the resist solution R has been drawn. FIG. 22 shows a state where the cleaning liquid (rinsing liquid LQ) is mixed in the portion from which the resist liquid R is drawn. As described above, in the conventional substrate processing apparatus, if the suction force is increased in order to increase the cleaning power, the discharge nozzle after cleaning becomes non-uniform in the longitudinal direction, so that the suction power is increased. However, there is a limit to improving the cleaning effect in the cleaning process.

また、従来の基板処理装置では、ノズル洗浄処理が終了した状態においても、吐出ノズルの先端部側面にスジ状の付着物が残留するという問題があった。図23は、従来の基板処理装置において、ノズル洗浄処理の後に見られるスジ状の付着物RLを示す図である。図23に示すような付着物RLは、スリットノズル100の先端部側面の洗浄液が供給される範囲のうち最も高い位置付近において、溶解したレジスト液と洗浄液との混合液が滞留するなどして形成されるものである。このような付着物RLによっても洗浄後のスリットノズル100の状態が悪化する。   In addition, the conventional substrate processing apparatus has a problem that streaky deposits remain on the side surface of the tip of the discharge nozzle even after the nozzle cleaning process is completed. FIG. 23 is a diagram showing streaky deposits RL that are found after the nozzle cleaning process in a conventional substrate processing apparatus. The deposit RL as shown in FIG. 23 is formed in the vicinity of the highest position in the range in which the cleaning liquid on the side surface of the tip of the slit nozzle 100 is supplied, such as a mixture of dissolved resist liquid and cleaning liquid stays. It is what is done. Such a deposit RL also deteriorates the state of the slit nozzle 100 after cleaning.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、吐出ノズルの洗浄処理における洗浄効果を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to improve the cleaning effect in the cleaning process of the discharge nozzle.

上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて吐出口から所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を吸引口より吸引する吸引手段とを備え、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 is a nozzle cleaning device for cleaning a discharge nozzle that discharges a predetermined processing liquid from a discharge port provided at a tip portion, in the vicinity of the tip portion of the discharge nozzle. A cleaning liquid supply unit that supplies a predetermined cleaning liquid from the discharge port toward the nozzle, and a suction unit that sucks the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply unit from the suction port, and the vicinity of the discharge port is the predetermined process. The suction force of the suction means is adjusted so that the liquid substantially stops.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、前記吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材をさらに備え、前記吸引手段の吸引口が、前記遮断部材の下方から吸引を行うことによって、前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。   The invention of claim 2 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 1, having a thickness equal to or greater than the width in the short direction of the discharge port of the discharge nozzle, and in the vicinity below the discharge port of the discharge nozzle. And a suction port of the suction unit adjusts the suction force of the suction unit in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by performing suction from below the blocking member. And

また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記遮蔽部材は、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することを特徴とする。   Further, the invention of claim 3 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 2, wherein the shielding member has a guide surface for guiding the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means downward. It is characterized by that.

また、請求項4の発明は、請求項1の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吸引手段は、前記吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。   Further, the invention of claim 4 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 1, wherein the suction means performs suction from the side of the tip of the discharge nozzle, thereby near the discharge port of the discharge nozzle. The suction force of the suction means in is adjusted.

また、請求項5の発明は、請求項4の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吸引手段の吸引口は、前記洗浄液供給手段の吐出口よりも前記吐出ノズルに近接配置されることを特徴とする。   Further, the invention of claim 5 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 4, wherein the suction port of the suction unit is arranged closer to the discharge nozzle than the discharge port of the cleaning liquid supply unit. Features.

また、請求項6の発明は、請求項4または5の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を、前記吐出ノズルの先端部下方に設けられた排出口から排出することを特徴とする。   The invention of claim 6 is the nozzle cleaning device according to the invention of claim 4 or 5, wherein the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means is provided below the tip of the discharge nozzle. It is characterized by discharging from the outlet.

また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部下方に配置され、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有する案内部材をさらに備えることを特徴とする。   The invention of claim 7 is a nozzle cleaning apparatus according to the invention of claim 6, which is arranged below the tip of the discharge nozzle and directs the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means downward. It further comprises a guide member having a guide surface for guiding.

また、請求項8の発明は、請求項1ないし7のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置を調整する調整手段をさらに備えることを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the nozzle cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising an adjusting means for adjusting a supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means. Features.

また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記調整手段は、所定の厚みを有するスペーサであることを特徴とする。   A ninth aspect of the present invention is the nozzle cleaning apparatus according to the eighth aspect of the present invention, wherein the adjusting means is a spacer having a predetermined thickness.

また、請求項10の発明は、請求項1ないし9のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、前記洗浄液供給手段を前記所定の方向に沿って移動させる走査機構をさらに備えることを特徴とする。   The invention of claim 10 is the nozzle cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction, and the cleaning liquid supplying means is It further comprises a scanning mechanism that moves along a predetermined direction.

また、請求項11の発明は、請求項1ないし9のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、前記洗浄液供給手段は、前記吐出ノズルの先端部における前記所定の方向の全幅に渡ってほぼ同時に前記所定の洗浄液を供給することを特徴とする。   The invention of claim 11 is the nozzle cleaning device according to any one of claims 1 to 9, wherein the discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction, and the cleaning liquid supply means includes: The predetermined cleaning liquid is supplied almost simultaneously over the entire width in the predetermined direction at the tip of the discharge nozzle.

また、請求項12の発明は、請求項1ないし11のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部に所定の気体を供給する気体供給手段をさらに備え、前記気体供給手段による前記所定の気体の供給位置は、前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置より上方とされていることを特徴とする。   The invention of claim 12 is the nozzle cleaning device according to any one of claims 1 to 11, further comprising a gas supply means for supplying a predetermined gas to the tip of the discharge nozzle, wherein the gas The supply position of the predetermined gas by the supply means is above the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means.

また、請求項13の発明は、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段とを備え、前記洗浄液供給手段が、前記吐出ノズルの先端部に向けて前記所定の洗浄液を吐出する複数の洗浄ノズルを備え、前記複数の洗浄ノズルのうち少なくとも1つの洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置が、他の洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置に対して、高さ方向に異なるように配置されていることを特徴とする。   Further, the invention of claim 13 is a nozzle cleaning device for cleaning a discharge nozzle for discharging a predetermined processing liquid from a discharge port provided at a tip portion, wherein the predetermined cleaning liquid is directed toward the vicinity of the tip portion of the discharge nozzle. And a suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means, and the cleaning liquid supply means discharges the predetermined cleaning liquid toward the tip of the discharge nozzle. A plurality of cleaning nozzles, and a supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one cleaning nozzle among the plurality of cleaning nozzles is higher than a supply position of the predetermined cleaning liquid by another cleaning nozzle. It is characterized by being arranged differently.

また、請求項14の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置とを備え、前記ノズル洗浄装置が、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段とを備え、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。   Further, the invention of claim 14 is a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing solution to a substrate, and is provided at a front end portion on a holding means for holding the substrate and on the surface of the substrate held by the holding means. A discharge nozzle that discharges a predetermined processing liquid from the discharge port, and a nozzle cleaning device that cleans the discharge nozzle. The nozzle cleaning device supplies a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the tip of the discharge nozzle. A cleaning liquid supply means; and a suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means, and the suction force of the suction means so that the vicinity of the discharge port is substantially a stopping point of the predetermined processing liquid. It is characterized by adjusting.

また、請求項15の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置とを備え、前記ノズル洗浄装置が、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段とを備え、前記洗浄液供給手段が、前記吐出ノズルの先端部に向けて前記所定の洗浄液を吐出する複数の洗浄ノズルを備え、前記複数の洗浄ノズルのうち少なくとも1つの洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置が、他の洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置と、高さ方向に異なるように配置されていることを特徴とする。   The invention of claim 15 is a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing solution to a substrate, the holding means for holding the substrate, and the front surface of the substrate held by the holding means. A discharge nozzle that discharges a predetermined processing liquid from the discharge port, and a nozzle cleaning device that cleans the discharge nozzle. The nozzle cleaning device supplies a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the tip of the discharge nozzle. A cleaning liquid supply means; and a suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means, wherein the cleaning liquid supply means discharges the predetermined cleaning liquid toward the tip of the discharge nozzle. A cleaning nozzle, and the supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one of the plurality of cleaning nozzles is the supply position of the predetermined cleaning liquid by another cleaning nozzle. Characterized in that it is arranged differently in height direction.

請求項1ないし12および14に記載の発明では、吐出口近傍が所定の処理液のほぼ停留点となるように吸引手段の吸引力を調整することにより、吸引によって洗浄液と汚染物とをすみやかに排出しつつ、吐出口から吐出ノズル内の処理液が引き出されることを抑制することができる。   According to the first to twelfth and twelfth and fourteenth aspects of the present invention, by adjusting the suction force of the suction means so that the vicinity of the discharge port is substantially the stopping point of the predetermined processing liquid, the cleaning liquid and the contaminants can be quickly removed by suction. It is possible to prevent the processing liquid in the discharge nozzle from being drawn out from the discharge port while discharging.

請求項2に記載の発明では、吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材をさらに備え、吸引手段の吸引口が、遮断部材の下方から吸引を行うことによって、吐出ノズルの吐出口近傍における吸引手段の吸引力を調整することにより、請求項1に記載の発明を容易に実現することができる。   In the second aspect of the present invention, the suction port of the suction means further includes a shielding member having a thickness equal to or greater than the width of the discharge port of the discharge nozzle in the short direction, and disposed near the lower portion of the discharge port of the discharge nozzle. The invention according to claim 1 can be easily realized by adjusting the suction force of the suction means in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by performing suction from below the blocking member.

請求項3に記載の発明では、洗浄液供給手段により供給された所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することにより、洗浄液をさらにすみやかに排出することができる。   In the third aspect of the invention, the cleaning liquid can be discharged more promptly by having the guide surface that guides the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means downward.

請求項4に記載の発明では、吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、吐出ノズルの吐出口近傍における吸引手段の吸引力を調整することにより、請求項1に記載の発明を容易に実現することができる。   In the invention according to claim 4, the invention according to claim 1 is easily achieved by adjusting the suction force of the suction means in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by performing suction from the side of the tip of the discharge nozzle. Can be realized.

請求項6に記載の発明では、洗浄液供給手段によって供給された所定の洗浄液を、吐出ノズルの先端部下方に設けられた排出口から排出することにより、吸引手段だけによらず洗浄液を排出することができるので、吸引手段として小容量の機構を採用することができる。   In the invention described in claim 6, by discharging the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means from the discharge port provided below the tip of the discharge nozzle, the cleaning liquid is discharged not only by the suction means. Therefore, a small capacity mechanism can be adopted as the suction means.

請求項7に記載の発明では、吐出ノズルの先端部下方に配置され、洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することにより、洗浄液の排出口からの排出をより効果的に行うことができる。   According to the seventh aspect of the present invention, the cleaning liquid is discharged from the discharge port by having a guide surface that is disposed below the tip of the discharge nozzle and guides the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means downward. Can be performed more effectively.

請求項8に記載の発明では、洗浄液供給手段による所定の洗浄液の供給位置を調整する調整手段をさらに備えることにより、処理液の付着状況に応じて、洗浄する位置を柔軟に調整することができる。   According to the eighth aspect of the present invention, the cleaning position can be flexibly adjusted in accordance with the state of adhesion of the processing liquid by further including an adjusting means for adjusting the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means. .

請求項9に記載の発明では、調整手段は、所定の厚みを有するスペーサであることにより、請求項8に記載の発明を容易に実現することができる。   In the ninth aspect of the invention, the adjusting means is a spacer having a predetermined thickness, so that the invention of the eighth aspect can be easily realized.

請求項10に記載の発明では、吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、洗浄液供給手段を所定の方向に沿って移動させる走査機構を備えることにより、装置全体を小型化することができる。   In the invention described in claim 10, the discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction, and the entire apparatus is miniaturized by including a scanning mechanism that moves the cleaning liquid supply means along the predetermined direction. Can do.

請求項11に記載の発明では、洗浄液供給手段は、吐出ノズルの先端部における所定の方向の全幅に渡ってほぼ同時に所定の洗浄液を供給することにより、ノズル洗浄に要する時間を短縮することができる。   In the invention according to claim 11, the cleaning liquid supply means can reduce the time required for nozzle cleaning by supplying the predetermined cleaning liquid almost simultaneously over the entire width in the predetermined direction at the tip of the discharge nozzle. .

請求項12に記載の発明では、吐出ノズルの先端部に所定の気体を供給する気体供給手段を備え、気体供給手段による所定の気体の供給位置は、洗浄液供給手段による所定の洗浄液の供給位置より上方とされていることにより、洗浄液の乾燥を促進させることができる。   In the twelfth aspect of the invention, the gas supply means for supplying a predetermined gas to the tip of the discharge nozzle is provided, and the supply position of the predetermined gas by the gas supply means is higher than the supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply means. By being above, drying of a washing | cleaning liquid can be accelerated | stimulated.

請求項13および15に記載の発明では、複数の洗浄ノズルのうち少なくとも1つの洗浄ノズルによる所定の洗浄液の供給位置が、他の洗浄ノズルによる所定の洗浄液の供給位置に対して、高さ方向に異なるように配置されていることにより、吐出ノズルにスジ状の付着物が残留することを防止することができる。したがって、洗浄効果を向上させることができる。   In the inventions according to claims 13 and 15, the supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one of the plurality of cleaning nozzles is higher than the supply position of the predetermined cleaning liquid by the other cleaning nozzles. By arranging them differently, it is possible to prevent streaky deposits from remaining on the discharge nozzle. Therefore, the cleaning effect can be improved.

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<1. 第1の実施の形態>
図1は、本発明に係る基板処理装置1を示す斜視図である。また、図2は、基板処理装置1における塗布処理に係る主な構成を示す側面図である。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. FIG. 2 is a side view showing a main configuration related to the coating process in the substrate processing apparatus 1.

なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。   In FIG. 1, for the sake of illustration and explanation, the Z-axis direction is defined as the vertical direction and the XY plane is defined as the horizontal plane, but these are defined for convenience in order to grasp the positional relationship. The directions described below are not limited. The same applies to the following figures.

基板処理装置1は、本体2と制御部8とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板(以下、単に「基板」と称する)90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするためのフォトリソグラフィプロセスにおいて、基板90の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液を塗布する装置として変形利用することもできる。   The substrate processing apparatus 1 is roughly divided into a main body 2 and a control unit 8, and a square glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device is a substrate to be processed (hereinafter simply referred to as “substrate”) 90. In a photolithography process for selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, the coating processing apparatus is configured to apply a resist solution as a processing solution to the surface of the substrate 90. Therefore, in this embodiment, the slit nozzle 41 discharges the resist solution. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be modified and used not only as a glass substrate for a liquid crystal display device but also as a device for applying a processing liquid to various substrates for a flat panel display.

本体2は、基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状を有する例えば一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。   The main body 2 includes a stage 3 that functions as a holding table for mounting and holding the substrate 90 and also functions as a base for each attached mechanism. The stage 3 is made of, for example, an integral stone having a rectangular parallelepiped shape, and its upper surface (holding surface 30) and side surfaces are processed into flat surfaces.

ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。保持面30には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置1において基板90を処理する間、基板90を吸着することにより、基板90を所定の水平位置に保持する。また、保持面30には、図示しない駆動手段によって上下に昇降自在な複数のリフトピンLPが、適宜の間隔をおいて設けられている。リフトピンLPは、基板90を取り除く際に基板90を押し上げるために用いられる。   The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane and serves as a holding surface 30 for the substrate 90. A number of vacuum suction ports (not shown) are formed on the holding surface 30 in a distributed manner, and the substrate 90 is held in a predetermined horizontal position by sucking the substrate 90 while the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90. To do. The holding surface 30 is provided with a plurality of lift pins LP that can be moved up and down by driving means (not shown) at appropriate intervals. The lift pins LP are used to push up the substrate 90 when the substrate 90 is removed.

保持面30のうち基板90の保持エリア(基板90が保持される領域)を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール31が固設される。走行レール31は、架橋構造4の両端部の最下方に固設される図示しない支持ブロックとともに、架橋構造4の移動を案内し(移動方向を所定の方向に規定する)、架橋構造4を保持面30の上方に支持するリニアガイドを構成する。   A pair of running rails 31 extending in parallel in a substantially horizontal direction are fixed to both ends of the holding surface 30 across the holding area of the substrate 90 (region where the substrate 90 is held). The traveling rail 31 guides the movement of the bridging structure 4 together with a support block (not shown) fixed at the lowermost part of both ends of the bridging structure 4 (the moving direction is defined in a predetermined direction), and holds the bridging structure 4. A linear guide supported above the surface 30 is configured.

ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4が設けられている。架橋構造4は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部40と、その両端を支持する昇降機構43,44とから主に構成される。   Above the stage 3, a bridging structure 4 is provided that extends substantially horizontally from both sides of the stage 3. The bridging structure 4 is mainly composed of, for example, a nozzle support portion 40 that uses carbon fiber reinforced resin as an aggregate, and lifting mechanisms 43 and 44 that support both ends thereof.

ノズル支持部40には、スリットノズル41が取り付けられている。図1においてY軸方向に長手方向を有するスリットノズル41には、スリットノズル41へレジスト液を供給する配管やレジスト用ポンプなどを含むレジスト供給機構6(図2)が接続されている。基板90の表面を走査しつつ、レジスト用ポンプにより供給されたレジスト液を、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)に吐出することにより、スリットノズル41は基板90にレジスト液を塗布する。ここで、レジスト塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。   A slit nozzle 41 is attached to the nozzle support portion 40. In FIG. 1, a resist supply mechanism 6 (FIG. 2) including a pipe for supplying a resist solution to the slit nozzle 41 and a resist pump is connected to the slit nozzle 41 having a longitudinal direction in the Y-axis direction. By scanning the surface of the substrate 90 and discharging the resist solution supplied by the resist pump to a predetermined region on the surface of the substrate 90 (hereinafter referred to as “resist application region”), the slit nozzle 41 is A resist solution is applied to the substrate 90. Here, the resist application region is a region in the surface of the substrate 90 where the resist solution is to be applied, and is usually a region obtained by excluding a region having a predetermined width along the edge from the entire area of the substrate 90. It is.

昇降機構43,44は、スリットノズル41の両側に分かれて、ノズル支持部40によりスリットノズル41と連結されている。昇降機構43,44は主にACサーボモータ43a,44aおよび図示しないボールネジからなり、制御部8からの制御信号に基づいて、架橋構造4の昇降駆動力を生成する。これにより、昇降機構43,44は、スリットノズル41を並進的に昇降させる。また、昇降機構43,44は、スリットノズル41のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。   The elevating mechanisms 43 and 44 are divided on both sides of the slit nozzle 41 and connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support portion 40. The elevating mechanisms 43 and 44 are mainly composed of AC servomotors 43 a and 44 a and a ball screw (not shown), and generate elevating driving force for the bridging structure 4 based on a control signal from the control unit 8. Thereby, the raising / lowering mechanisms 43 and 44 raise / lower the slit nozzle 41 in translation. The lifting mechanisms 43 and 44 are also used to adjust the posture of the slit nozzle 41 in the YZ plane.

架橋構造4の両端部には、ステージ3の両側の縁側に沿って、それぞれ固定子(ステータ)50aと移動子50bおよび固定子51aと移動子51bを備える一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50,51が、それぞれ固設される。また、架橋構造4の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ52,53が、それぞれ固設される。リニアエンコーダ52,53は、リニアモータ50,51の位置を検出する。これらリニアモータ50,51とリニアエンコーダ52,53とが主として、架橋構造4が走行レール31に案内されつつステージ3上を移動するための走行機構5を構成する。制御部8は、リニアエンコーダ52,53からの検出結果に基づいてリニアモータ50の動作を制御し、ステージ3上における架橋構造4の移動、つまりはスリットノズル41による基板90の走査を制御する。   A pair of AC coreless linear motors (hereinafter simply referred to as “stator”) and a “moving element 50b” and “stator 51a” and “moving element 51b” are provided at both ends of the bridging structure 4 along the edges on both sides of the stage 3, respectively. , Abbreviated as “linear motor”.) 50 and 51 are fixed. In addition, linear encoders 52 and 53 each having a scale portion and a detector are fixed to both ends of the bridging structure 4. The linear encoders 52 and 53 detect the positions of the linear motors 50 and 51. The linear motors 50 and 51 and the linear encoders 52 and 53 mainly constitute the traveling mechanism 5 for moving the bridge structure 4 on the stage 3 while being guided by the traveling rail 31. The controller 8 controls the operation of the linear motor 50 based on the detection results from the linear encoders 52 and 53, and controls the movement of the bridging structure 4 on the stage 3, that is, the scanning of the substrate 90 by the slit nozzle 41.

本体2の保持面30において、保持エリアの(−X)方向側には、開口32が設けられている。開口32はスリットノズル41と同じくY軸方向に長手方向を有し、かつ該長手方向長さはスリットノズル41の長手方向長さとほぼ同じである。また、開口32の下方の本体2の内部には、ノズル初期化機構7が設けられている。ノズル初期化機構7は、基板90へのレジスト液の塗布(以下、「本塗布処理」と称する)に先立って行われる、予備処理(後述する)に際し用いられる。   On the holding surface 30 of the main body 2, an opening 32 is provided on the (−X) direction side of the holding area. The opening 32 has a longitudinal direction in the Y-axis direction similar to the slit nozzle 41, and the longitudinal length is substantially the same as the longitudinal direction length of the slit nozzle 41. A nozzle initialization mechanism 7 is provided inside the main body 2 below the opening 32. The nozzle initialization mechanism 7 is used in a preliminary process (described later) that is performed prior to the application of a resist solution to the substrate 90 (hereinafter referred to as “main coating process”).

開口32内に設けられたノズル初期化機構7は、予備塗布機構73を備えている。予備塗布機構73は、回転駆動力を生成する回転機構730、回転機構730によって回転するローラ731、ローラ731を内部に収容する略箱状の筐体732、およびローラ731の付着物を掻き取る液切りブレード733を備えている。   The nozzle initialization mechanism 7 provided in the opening 32 includes a preliminary application mechanism 73. The preliminary application mechanism 73 includes a rotation mechanism 730 that generates a rotational driving force, a roller 731 that is rotated by the rotation mechanism 730, a substantially box-shaped housing 732 that accommodates the roller 731 inside, and a liquid that scrapes off deposits on the roller 731. A cutting blade 733 is provided.

ローラ731は、筐体732の上面開口部から一部が露出するように配置され、その円筒側面はレジスト液が塗布される塗布面となっている。基板処理装置1では、予備塗布処理において、スリットノズル41からローラ731に対してレジスト液が吐出される。なお、予備塗布処理とは、本塗布処理の前に、ローラ731の上方に移動したスリットノズル41から少量のレジスト液を吐出することにより、ローラ731にレジスト液を予備的に塗布する処理である。本実施の形態における基板処理装置1は、予備塗布処理により、スリットノズル41の状態をY軸方向に均一化させる。   The roller 731 is disposed so that a part thereof is exposed from the upper surface opening of the housing 732, and the cylindrical side surface is an application surface to which a resist solution is applied. In the substrate processing apparatus 1, a resist solution is discharged from the slit nozzle 41 to the roller 731 in the preliminary coating process. The pre-coating process is a process for pre-coating the resist solution onto the roller 731 by discharging a small amount of the resist solution from the slit nozzle 41 moved above the roller 731 before the main coating process. . The substrate processing apparatus 1 in the present embodiment makes the state of the slit nozzle 41 uniform in the Y-axis direction by the preliminary coating process.

ローラ731の塗布面は、筐体732内部の下方において、貯留された洗浄液に浸るようになっている。すなわち、予備塗布処理においてレジスト液が塗布された塗布面は、回転機構730により下方に移動し、洗浄液によって洗浄される。また、洗浄後、洗浄液から引き上げられた塗布面に付着している汚染物は、液切りブレード733によって掻き取られる。このようにして、塗布面はローラ731が一回転する間に清浄な状態に回復され、スリットノズル41によって予備塗布処理が行われるときに、スリットノズル41を汚染させることのないようにされている。   The application surface of the roller 731 is immersed in the stored cleaning liquid below the inside of the housing 732. That is, the application surface on which the resist solution is applied in the preliminary application process is moved downward by the rotating mechanism 730 and is cleaned by the cleaning solution. Further, after cleaning, contaminants adhering to the coating surface pulled up from the cleaning liquid are scraped off by the liquid draining blade 733. In this way, the coating surface is restored to a clean state during one rotation of the roller 731 so that the slit nozzle 41 is not contaminated when the preliminary coating process is performed by the slit nozzle 41. .

また、ノズル初期化機構7はノズル洗浄機構70を備えている。図3は、ノズル洗浄機構70の構成を示す図である。ノズル洗浄機構70は、ガス供給機構71、吸引機構72、洗浄部74、洗浄液供給機構75、および駆動機構76を備えており、主に先述のノズル洗浄処理を行う機構である。なお、図3において図示を省略しているが、ガス供給機構71、吸引機構72、洗浄液供給機構75、および駆動機構76は、それぞれ制御部8と信号の送受信が可能な状態で接続されており、これらの各機構は制御部8からの制御信号により制御される。   The nozzle initialization mechanism 7 includes a nozzle cleaning mechanism 70. FIG. 3 is a diagram illustrating the configuration of the nozzle cleaning mechanism 70. The nozzle cleaning mechanism 70 includes a gas supply mechanism 71, a suction mechanism 72, a cleaning unit 74, a cleaning liquid supply mechanism 75, and a drive mechanism 76, and is a mechanism that mainly performs the above-described nozzle cleaning processing. Although not shown in FIG. 3, the gas supply mechanism 71, the suction mechanism 72, the cleaning liquid supply mechanism 75, and the drive mechanism 76 are connected to the control unit 8 in a state where signals can be transmitted and received. These mechanisms are controlled by a control signal from the control unit 8.

ガス供給機構71は、図示しないボンベから供給配管を介して洗浄部74に窒素ガスを供給する機構である。洗浄部74に供給された窒素ガスは、ガスノズル710から所定の方向に向けて噴出される(詳細後述)。なお、本実施の形態における基板処理装置1では、不活性ガスとして窒素ガスを用いるが、不活性ガスは窒素ガスに限られるものではない。また、清浄な気体であれば、空気(圧空:加圧された空気)でもよい。   The gas supply mechanism 71 is a mechanism for supplying nitrogen gas from a cylinder (not shown) to the cleaning unit 74 via a supply pipe. The nitrogen gas supplied to the cleaning unit 74 is ejected from the gas nozzle 710 in a predetermined direction (details will be described later). In the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, nitrogen gas is used as the inert gas, but the inert gas is not limited to nitrogen gas. Moreover, if it is a clean gas, air (pressure air: pressurized air) may be used.

吸引機構72は、廃棄配管を介して洗浄部74に設けられている吸引口720(図5)から、洗浄液や洗浄液によって除去されたレジスト液などの吸引を行う機構である。なお、吸引機構72としては、従来から一般的に知られている機構を採用することができる。例えば、真空発生装置やコンプレッサーを用いて吸引する機構であってもよいし、吸引ポンプと気液分離BOXとからなる機構などであってもよい。また、例えば、必要な用力が得られるのであれば、工場内に設けられている排気設備を用いてもよい。   The suction mechanism 72 is a mechanism for sucking the cleaning liquid and the resist liquid removed by the cleaning liquid from the suction port 720 (FIG. 5) provided in the cleaning section 74 via the waste pipe. As the suction mechanism 72, a conventionally known mechanism can be employed. For example, a suction mechanism using a vacuum generator or a compressor may be used, or a mechanism including a suction pump and a gas-liquid separation box may be used. Further, for example, an exhaust facility provided in a factory may be used as long as necessary power can be obtained.

洗浄部74は、主にベース740、スペーサ741、吐出部742、ガイドブロック743、支持部材744から構成され、本塗布処理を繰り返すことによってスリットノズル41の先端部側面に付着したレジスト液を、ノズル洗浄処理において洗浄除去する機能を有している。   The cleaning unit 74 mainly includes a base 740, a spacer 741, a discharge unit 742, a guide block 743, and a support member 744, and the resist solution attached to the side surface of the tip of the slit nozzle 41 by repeating this coating process is used as a nozzle. It has a function of cleaning and removing in the cleaning process.

洗浄部74の各構成の基台として機能するベース740は、駆動機構76と連結されており、駆動機構76によってY軸方向に往復移動することが可能とされている。   A base 740 that functions as a base of each component of the cleaning unit 74 is connected to the drive mechanism 76 and can be reciprocated in the Y-axis direction by the drive mechanism 76.

スペーサ741は、所定の厚みを有する板状の部材であって、ベース740と吐出部742との間に着脱可能な状態で挿入される。本実施の形態においてスペーサ741は、ベース740の裏面から吐出部742に向けて挿入されるボルトによって固定されており、当該ボルトを緩めることによって取り外すことができる。   The spacer 741 is a plate-like member having a predetermined thickness, and is inserted between the base 740 and the discharge part 742 in a detachable state. In the present embodiment, the spacer 741 is fixed by a bolt inserted from the back surface of the base 740 toward the discharge portion 742, and can be removed by loosening the bolt.

このように、ベース740と吐出部742との間に配置されるスペーサ741を、厚みの異なるものに適宜交換することにより、吐出部742のZ軸方向の位置を調整することができる。後述のように、吐出部742の所定の位置には、洗浄ノズル750が設けられており、吐出部742のZ軸方向の位置を調整することは、洗浄ノズル750の高さ位置(Z軸方向の位置)を調整することに相当する。したがって、本実施の形態におけるノズル洗浄機構70は、洗浄液供給機構75によって供給される洗浄液の供給位置をZ軸方向に調整することができる。   Thus, the position of the discharge part 742 in the Z-axis direction can be adjusted by appropriately replacing the spacer 741 disposed between the base 740 and the discharge part 742 with a different thickness. As will be described later, a cleaning nozzle 750 is provided at a predetermined position of the discharge unit 742, and adjusting the position of the discharge unit 742 in the Z-axis direction depends on the height position of the cleaning nozzle 750 (Z-axis direction). Is equivalent to adjusting the position). Therefore, the nozzle cleaning mechanism 70 in the present embodiment can adjust the supply position of the cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply mechanism 75 in the Z-axis direction.

図4は、吐出部742の対向面742aの正面図である。吐出部742は、ガスノズル710および洗浄ノズル750が所定の位置関係で配置されるように規定する部材である。これにより、ガスノズル710による窒素ガスの供給位置および洗浄ノズル750による洗浄液の供給位置が決定される。なお、図4におけるZ1ないしZ4は、対向面742aにおけるガスノズル710および洗浄ノズル750のZ軸方向の座標を示す。また、本実施の形態における吐出部742は、Z1ないしZ4が等間隔に規定されているがこれに限られるものではない。   FIG. 4 is a front view of the facing surface 742 a of the discharge unit 742. The discharge part 742 is a member that defines the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 to be arranged in a predetermined positional relationship. Thereby, the supply position of the nitrogen gas by the gas nozzle 710 and the supply position of the cleaning liquid by the cleaning nozzle 750 are determined. Note that Z1 to Z4 in FIG. 4 indicate coordinates in the Z-axis direction of the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 on the facing surface 742a. Further, in the discharge unit 742 in the present embodiment, Z1 to Z4 are defined at equal intervals, but the present invention is not limited to this.

スリットノズル41の先端部に対向するように配置される対向面742aは、スリットノズル41の先端部の傾斜に応じて、YZ平面に対して所定の角度の傾きを有する斜面となっている。対向面742aには、図3に示すように、ガスノズル710および洗浄ノズル750が分布しており、それぞれガス供給機構71および洗浄液供給機構75と連通接続されている。   The facing surface 742a disposed so as to face the front end portion of the slit nozzle 41 is an inclined surface having an inclination of a predetermined angle with respect to the YZ plane according to the inclination of the front end portion of the slit nozzle 41. As shown in FIG. 3, a gas nozzle 710 and a cleaning nozzle 750 are distributed on the facing surface 742a, and are connected to a gas supply mechanism 71 and a cleaning liquid supply mechanism 75, respectively.

ガスノズル710からは、ガス供給機構71によって供給された窒素ガスがスリットノズル41に向けて吹き付けられる。これにより、ノズル洗浄処理によってスリットノズル41に付着した洗浄液が効率よく揮発する(あるいは吹き飛ばされる)。なお、洗浄ノズル750から吐出された洗浄液は、スリットノズル41と衝突することによって、吐出されたときの高さ位置よりも若干高い位置にまで飛散する。本実施の形態における基板処理装置1では、図4に示すように、ガスノズル710による窒素ガスの供給位置が洗浄液の飛散位置より上方となるように、ガスノズル710を洗浄ノズル750より上方に設けている。これにより、ノズル乾燥処理において、スリットノズル41をより効率よく乾燥させることができる。   From the gas nozzle 710, nitrogen gas supplied by the gas supply mechanism 71 is blown toward the slit nozzle 41. Thereby, the cleaning liquid adhering to the slit nozzle 41 by the nozzle cleaning process is efficiently volatilized (or blown off). Note that the cleaning liquid discharged from the cleaning nozzle 750 scatters to a position slightly higher than the height position when the cleaning liquid collides with the slit nozzle 41. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the gas nozzle 710 is provided above the cleaning nozzle 750 so that the supply position of the nitrogen gas by the gas nozzle 710 is above the spray position of the cleaning liquid. . Thereby, the slit nozzle 41 can be dried more efficiently in the nozzle drying process.

また、ガスノズル710は、下方ガスノズル710aと上方ガスノズル710bから構成される。対向面742aにおいて、下方ガスノズル710aはZ3の高さ位置に配置され、上方ガスノズル710bは下方ガスノズル710aより上方のZ4の高さ位置に配置される。   The gas nozzle 710 includes a lower gas nozzle 710a and an upper gas nozzle 710b. On the facing surface 742a, the lower gas nozzle 710a is disposed at the height position of Z3, and the upper gas nozzle 710b is disposed at the height position of Z4 above the lower gas nozzle 710a.

また、洗浄ノズル750は、下方洗浄ノズル750aと上方洗浄ノズル750bから構成される。対向面742aにおいて、下方洗浄ノズル750aはZ1の高さ位置に配置され、上方洗浄ノズル750bは下方洗浄ノズル750aより上方のZ2の高さ位置に配置される。   The cleaning nozzle 750 includes a lower cleaning nozzle 750a and an upper cleaning nozzle 750b. On the facing surface 742a, the lower cleaning nozzle 750a is disposed at the height position of Z1, and the upper cleaning nozzle 750b is disposed at the height position of Z2 above the lower cleaning nozzle 750a.

図5は、洗浄部74のガイドブロック743を示す斜視図である。ガイドブロック743は、Y軸方向にほぼ均一な断面を有する棒状の部材であり、そのX軸方向の厚みはスリットノズル41の吐出口41aの幅(X軸方向の幅)以上で、かつ、支持部材744のX軸方向の幅未満である。   FIG. 5 is a perspective view showing the guide block 743 of the cleaning unit 74. The guide block 743 is a rod-like member having a substantially uniform cross section in the Y-axis direction, and the thickness in the X-axis direction is equal to or greater than the width of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 (width in the X-axis direction). The width of the member 744 is less than the width in the X-axis direction.

ガイドブロック743は、1対の支持部材744によってY軸方向の両端部が固定支持され、ベース740に対しては支持部材744を介して取り付けられている。すなわち、ガイドブロック743の下面はベース740から離間しており、ベース740とガイドブロック743との間には空間が形成されている。本実施の形態における洗浄部74では、ベース740とガイドブロック743との相対位置は固定されている。   The guide block 743 is fixedly supported at both ends in the Y-axis direction by a pair of support members 744, and is attached to the base 740 via the support members 744. That is, the lower surface of the guide block 743 is separated from the base 740, and a space is formed between the base 740 and the guide block 743. In the cleaning unit 74 in the present embodiment, the relative position between the base 740 and the guide block 743 is fixed.

また、ガイドブロック743の上面は、スリットノズル41の先端部に近接する近接面743aとなっている。近接面743aはX軸方向の両端に向けて下方に湾曲した曲面である。また、ガイドブロック743の側面のうち吐出部742に対向する面は、YZ平面に略平行なガイド面743bとなっている。ガイド面743bは吐出部742と離間しており、それらの間には空間が形成されている。   The upper surface of the guide block 743 is a proximity surface 743 a that is close to the tip of the slit nozzle 41. The proximity surface 743a is a curved surface that curves downward toward both ends in the X-axis direction. Further, the surface of the guide block 743 that faces the discharge portion 742 is a guide surface 743b that is substantially parallel to the YZ plane. The guide surface 743b is separated from the discharge part 742, and a space is formed between them.

一対の支持部材744のうちの(−Y側)の支持部材744には吸引口720が設けられ、先述の廃棄配管を介して吸引機構72(図3)と連通接続されている。吸引口720は、支持部材744を貫通する孔であって、支持部材744に取り付けられているガイドブロック743より下方に設けられる。   A suction port 720 is provided in the (−Y side) support member 744 of the pair of support members 744, and is connected to the suction mechanism 72 (FIG. 3) through the above-described waste pipe. The suction port 720 is a hole that penetrates the support member 744 and is provided below the guide block 743 attached to the support member 744.

これにより、吸引機構72が吸引を開始すると、ガイドブロック743の下方空間が吸引される。なお、両方の支持部材744に吸引口720を設け、それぞれの方向から吸引機構72が吸引を行うように構成してもよい。   Thereby, when the suction mechanism 72 starts suction, the lower space of the guide block 743 is sucked. Note that suction ports 720 may be provided in both support members 744 so that the suction mechanism 72 performs suction from the respective directions.

図3に戻って、洗浄液供給機構75は、洗浄液ボトルや送液ポンプなどからなる機構であって、供給配管を介して洗浄部74に洗浄液を供給する。   Returning to FIG. 3, the cleaning liquid supply mechanism 75 is a mechanism including a cleaning liquid bottle, a liquid feed pump, and the like, and supplies the cleaning liquid to the cleaning unit 74 via a supply pipe.

駆動機構76は、洗浄部74をY軸方向に移動させる機構である。駆動機構76としては、回転モータとボールネジとを用いた一般的な直動機構を採用することができる。図6は、吐出部742が移動する様子をスリットノズル41とともに示す図である。なお、図6に示すスリットノズル41の位置を、以下、「洗浄位置」と称する。   The drive mechanism 76 is a mechanism that moves the cleaning unit 74 in the Y-axis direction. As the drive mechanism 76, a general linear motion mechanism using a rotary motor and a ball screw can be employed. FIG. 6 is a view showing a state in which the discharge unit 742 moves together with the slit nozzle 41. The position of the slit nozzle 41 shown in FIG. 6 is hereinafter referred to as “cleaning position”.

このように、洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部に対して、吐出部742がY軸方向に往復移動することにより、吐出部742に設けられたガスノズル710および洗浄ノズル750がスリットノズル41の先端部を走査することとなる。なお、駆動機構76は、洗浄部74にスリットノズル41を走査するための動作を行わせるのみならず、洗浄部74をスリットノズル41の下方から退避させる動作も行うことが可能である。これにより、スリットノズル41の先端部が後述する待機ポット77に挿入されるときには、洗浄部74とスリットノズル41とが互いに干渉しないようにされている。   As described above, the discharge unit 742 reciprocates in the Y-axis direction with respect to the tip of the slit nozzle 41 at the cleaning position, so that the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 provided in the discharge unit 742 The tip will be scanned. The drive mechanism 76 not only allows the cleaning unit 74 to perform an operation for scanning the slit nozzle 41, but also allows the cleaning unit 74 to retreat from below the slit nozzle 41. Thereby, when the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is inserted in the waiting pot 77 mentioned later, the washing | cleaning part 74 and the slit nozzle 41 are made not to mutually interfere.

図2に戻って、待機ポット77は、スリットノズル41の長手方向の幅とほぼ同じサイズを有する略箱状の部材である。待機ポット77の内部にはレジスト液の溶剤が貯留されている。待機ポット77は、比較的長時間、本塗布処理が行われない場合において、スリットノズル41の特に吐出口41a付近のレジスト液が乾燥変質しないように設けられる機構である。   Returning to FIG. 2, the standby pot 77 is a substantially box-shaped member having substantially the same size as the width in the longitudinal direction of the slit nozzle 41. In the standby pot 77, a resist solution solvent is stored. The standby pot 77 is a mechanism provided so that the resist solution in the vicinity of the discharge nozzle 41a of the slit nozzle 41 is not dried and deteriorated when the main coating process is not performed for a relatively long time.

待機ポット77の上面には、スリットノズル41の先端部を内部に挿入するための開口部が設けられている。スリットノズル41は、待機中において、洗浄位置からさらにZ軸方向に下降した所定の位置(以下、「待機位置」と称する)に移動する。スリットノズル41が、この待機位置にあるとき、スリットノズル41の先端部は、開口部から待機ポット77の内部に挿入された状態となり、溶剤雰囲気に曝されることにより、レジスト液の乾燥が抑制される。   On the upper surface of the standby pot 77, an opening for inserting the tip of the slit nozzle 41 is provided. During the standby, the slit nozzle 41 moves to a predetermined position (hereinafter referred to as “standby position”) that is further lowered in the Z-axis direction from the cleaning position. When the slit nozzle 41 is in this standby position, the tip of the slit nozzle 41 is inserted into the standby pot 77 from the opening, and exposure to the solvent atmosphere suppresses drying of the resist solution. Is done.

図1に戻って、制御部8は、プログラムに従って各種データを処理する演算部80、プログラムや各種データを保存する記憶部81を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置1に対して必要な指示を入力するための操作部82、および各種データを表示する表示部83を備える。   Returning to FIG. 1, the control unit 8 includes a calculation unit 80 that processes various data according to a program and a storage unit 81 that stores the program and various data. Further, on the front surface, an operation unit 82 for an operator to input necessary instructions to the substrate processing apparatus 1 and a display unit 83 for displaying various data are provided.

制御部8は、図1においては図示しないケーブルにより本体2に付属する各機構と電気的に接続されている。制御部8は、操作部82からの入力信号や、図示しない各種センサなどからの信号に基づいて、昇降機構43,44による昇降動作、走行機構5による走行動作、レジスト供給機構6によるレジスト液の供給動作を制御する。さらにはノズル初期化機構7の各駆動機構、各回動機構および各バルブ等の動作、特に、ガス供給機構71および洗浄液供給機構75の供給流量を制御する。   The control unit 8 is electrically connected to each mechanism attached to the main body 2 by a cable (not shown) in FIG. Based on an input signal from the operation unit 82 or signals from various sensors (not shown), the control unit 8 performs an elevating operation by the elevating mechanisms 43 and 44, a traveling operation by the traveling mechanism 5, and a resist solution by the resist supply mechanism 6. Control the feeding operation. Furthermore, the operation of each drive mechanism, each rotation mechanism, each valve and the like of the nozzle initialization mechanism 7, in particular, the supply flow rate of the gas supply mechanism 71 and the cleaning liquid supply mechanism 75 is controlled.

なお、具体的には、データを一時的に記憶するRAM、読み取り専用のROM、および磁気ディスク装置などが記憶部81に該当する。あるいは、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部82には、ボタンおよびスイッチ類(キーボードやマウスなどを含む。)などが該当する。もしくは、タッチパネルディスプレイのように表示部83の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部83には、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。   Specifically, a RAM that temporarily stores data, a read-only ROM, a magnetic disk device, and the like correspond to the storage unit 81. Alternatively, it may be a storage medium such as a portable magneto-optical disk or a memory card, and a reading device thereof. The operation unit 82 includes buttons and switches (including a keyboard and a mouse). Or what has the function of the display part 83 like a touchscreen display may be used. The display unit 83 corresponds to a liquid crystal display or various lamps.

以上が、本実施の形態における基板処理装置1の機能および構成の説明である。   The above is description of the function and structure of the substrate processing apparatus 1 in this Embodiment.

次に、ノズル洗浄機構70がスリットノズル41の先端部を洗浄する際の動作(ノズル洗浄処理)について説明する。図7ないし図9は、ノズル洗浄処理の様子を示す図である。なお、図7ないし図9におけるスリットノズル41の位置は洗浄位置である。また、図7ないし図9では、支持部材744について図示を省略するとともに、ガイドブロック743およびスリットノズル41は断面として示している。   Next, the operation (nozzle cleaning process) when the nozzle cleaning mechanism 70 cleans the tip of the slit nozzle 41 will be described. 7 to 9 are diagrams showing a state of the nozzle cleaning process. In addition, the position of the slit nozzle 41 in FIGS. 7 to 9 is a cleaning position. 7 to 9, the support member 744 is not shown, and the guide block 743 and the slit nozzle 41 are shown as cross sections.

まず、ノズル洗浄処理に先立って、制御部8が、駆動機構76を制御することにより、退避している洗浄部74を、スリットノズル41に対する洗浄処理を行う位置に移動させる。また、制御部8は、この処理と並行して、昇降機構43,44および走行機構5を制御することにより、スリットノズル41を洗浄位置に移動させる。   First, prior to the nozzle cleaning process, the control unit 8 controls the drive mechanism 76 to move the retracted cleaning unit 74 to a position where the cleaning process for the slit nozzle 41 is performed. In parallel with this processing, the control unit 8 controls the lifting mechanisms 43 and 44 and the traveling mechanism 5 to move the slit nozzle 41 to the cleaning position.

これにより、スリットノズル41と洗浄部74とが、図7に示すような配置関係となる。このとき、図7に示すように、スリットノズル41の先端部側面には、塗布処理を繰り返し行ったことによって、レジスト液が付着している。なお、本実施の形態における基板処理装置1では、ノズル洗浄処理において、スリットノズル41の下端とガイドブロック743の近接面743aとの距離(近接距離)が、約1.5mmとなるように、スリットノズル41の洗浄位置が規定されているが、もちろんこれに限られるものではない。近接距離は、使用される洗浄液の性質や吐出流量などによって予め適切に設定されるものである。   Thereby, the slit nozzle 41 and the washing | cleaning part 74 become the arrangement | positioning relationship as shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 7, the resist solution adheres to the side surface of the tip of the slit nozzle 41 by repeatedly performing the coating process. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, in the nozzle cleaning process, the slit (41) is arranged so that the distance (proximity distance) between the lower end of the slit nozzle 41 and the proximity surface 743a of the guide block 743 is about 1.5 mm. Although the cleaning position of the nozzle 41 is defined, it is of course not limited to this. The proximity distance is appropriately set in advance depending on the properties of the cleaning liquid used, the discharge flow rate, and the like.

ここまでの移動動作によって、ノズル洗浄処理の準備が完了すると、洗浄液供給機構75がバルブを開放状態にすることにより洗浄液の供給を開始し、図8に示すように、洗浄ノズル750がスリットノズル41の先端部側面に向けて洗浄液を吐出させる。洗浄ノズル750が洗浄液を吐出させる動作と並行して、吸引機構72が吸引口720から吸引を開始する。   When the preparation for the nozzle cleaning process is completed by the moving operation so far, the cleaning liquid supply mechanism 75 starts supplying the cleaning liquid by opening the valve, and the cleaning nozzle 750 is moved to the slit nozzle 41 as shown in FIG. The cleaning liquid is discharged toward the side surface of the tip portion. In parallel with the operation in which the cleaning nozzle 750 discharges the cleaning liquid, the suction mechanism 72 starts suction from the suction port 720.

図10は、図8に示す状態の拡大図である。図10に示すように、下方洗浄ノズル750aおよび上方洗浄ノズル750bから洗浄液(リンス液LQ)が吐出され、吐出されたリンス液LQがスリットノズル41の先端部側面に衝突することによって、スリットノズル41の洗浄が行われる。   FIG. 10 is an enlarged view of the state shown in FIG. As shown in FIG. 10, the cleaning liquid (rinsing liquid LQ) is discharged from the lower cleaning nozzle 750 a and the upper cleaning nozzle 750 b, and the discharged rinse liquid LQ collides with the side surface of the tip of the slit nozzle 41, thereby Cleaning is performed.

このとき、下方洗浄ノズル750aから吐出されたリンス液LQによって、スリットノズル41の先端部側面に付着していたレジスト液Rが溶解する。これにより、スリットノズル41の先端部側面には、レジスト液Rとリンス液LQの混合液(比較的レジスト液Rの濃度が高い混合液)が存在することとなる。従来の装置では、洗浄ノズルの高さ位置が段違いに配置されていなかったために、この混合液によって、図23に示すような付着物RLが形成される。   At this time, the resist solution R attached to the side surface of the tip of the slit nozzle 41 is dissolved by the rinse liquid LQ discharged from the lower cleaning nozzle 750a. As a result, a mixed solution of the resist solution R and the rinsing solution LQ (mixed solution having a relatively high concentration of the resist solution R) exists on the side surface of the tip of the slit nozzle 41. In the conventional apparatus, since the height positions of the cleaning nozzles are not arranged at different levels, an adhering substance RL as shown in FIG. 23 is formed by this mixed liquid.

しかし、本実施の形態における基板処理装置1は、下方洗浄ノズル750aに加えて、上方洗浄ノズル750bを備えている。したがって、図10に示すように、上方洗浄ノズル750bによって、下方洗浄ノズル750aによるリンス液LQの供給位置よりもさらに高い位置にリンス液LQが供給される。   However, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment includes an upper cleaning nozzle 750b in addition to the lower cleaning nozzle 750a. Accordingly, as shown in FIG. 10, the rinsing liquid LQ is supplied by the upper cleaning nozzle 750b to a position higher than the supply position of the rinsing liquid LQ by the lower cleaning nozzle 750a.

すなわち、上方洗浄ノズル750bによって供給されたリンス液LQは、下方洗浄ノズル750aがリンス液LQを供給することによって生成された混合液を、さらに上方から下方に向けて洗い流すことができる。したがって、従来の装置のようなスジ状の付着物RLが残留することがなく、ノズル洗浄処理における洗浄効果が向上するため、スリットノズル41の状態を良好に回復させることができる。   In other words, the rinse liquid LQ supplied by the upper cleaning nozzle 750b can wash away the mixed liquid generated by the lower cleaning nozzle 750a supplying the rinse liquid LQ from the upper side to the lower side. Therefore, the streak-like deposit RL as in the conventional apparatus does not remain and the cleaning effect in the nozzle cleaning process is improved, so that the state of the slit nozzle 41 can be recovered satisfactorily.

洗浄ノズル750によって吐出されたリンス液LQは、スリットノズル41の先端部側面に沿って下方に流れ、その一部はスリットノズル41の下面に付着する。しかし、スリットノズル41の下面に付着したリンス液LQは、近接面743aと接触することによって、すみやかに近接面743aに沿って導かれ、両側のガイド面743bに向けて流れる。この流れによってスリットノズル41の下面が洗浄されるとともに、リンス液LQによって溶解したレジスト液Rが、すみやかに除去される。さらに、リンス液LQは、ガイドブロック743のガイド面743bに導かれて、下方に流れる。   The rinse liquid LQ discharged by the cleaning nozzle 750 flows downward along the side surface of the tip of the slit nozzle 41, and a part of the rinse liquid LQ adheres to the lower surface of the slit nozzle 41. However, the rinsing liquid LQ adhering to the lower surface of the slit nozzle 41 is promptly guided along the proximity surface 743a and flows toward the guide surfaces 743b on both sides by coming into contact with the proximity surface 743a. With this flow, the lower surface of the slit nozzle 41 is cleaned, and the resist solution R dissolved by the rinsing solution LQ is quickly removed. Further, the rinse liquid LQ is guided to the guide surface 743b of the guide block 743 and flows downward.

このように、近接面743aが、下方に向けて湾曲する曲面となっていることにより、洗浄部74は、リンス液LQをすみやかに排出することができる。また、ガイドブロック743が、洗浄液供給機構75により供給されたリンス液LQを下方に向けて導くガイド面743bを有することにより、スリットノズル41の下面に付着したリンス液LQをさらにすみやかに排出することができる。   As described above, since the proximity surface 743a is a curved surface that curves downward, the cleaning unit 74 can quickly discharge the rinse liquid LQ. Further, since the guide block 743 has the guide surface 743b that guides the rinse liquid LQ supplied by the cleaning liquid supply mechanism 75 downward, the rinse liquid LQ attached to the lower surface of the slit nozzle 41 can be discharged more quickly. Can do.

前述のように、洗浄ノズル750からリンス液LQが吐出されている間、吸引機構72によってスリットノズル41の下方吸引が行われている。この吸引機構72による吸引力は、図10に示すように、ガイドブロック743によって吐出口41a近傍に直接作用しないように遮断されている。すなわち、洗浄に使用されたリンス液LQは、吐出部742とガイド面743bとの間に形成された空間の上部開口部(Y軸方向に沿ったスリット状の開口部となる)から吸引されることとなる。   As described above, while the rinsing liquid LQ is being discharged from the cleaning nozzle 750, the suction mechanism 72 sucks the slit nozzle 41 downward. As shown in FIG. 10, the suction force by the suction mechanism 72 is blocked by the guide block 743 so that it does not directly act in the vicinity of the discharge port 41a. That is, the rinse liquid LQ used for cleaning is sucked from an upper opening (a slit-shaped opening along the Y-axis direction) in the space formed between the discharge portion 742 and the guide surface 743b. It will be.

スリットノズル41内に充填されているレジスト液Rは、主に(−Z)方向に作用する力によって引き出されるものである。しかし、吸引機構72の吸引力が、図10に下向きの矢印として示すように、吐出口41aから離れた位置に作用すると、吐出口41aの近傍においては、その吸引力は主にX軸方向に作用し、(−Z)方向に作用する吸引力は弱いものとなる。   The resist solution R filled in the slit nozzle 41 is drawn out mainly by a force acting in the (−Z) direction. However, when the suction force of the suction mechanism 72 acts on a position away from the discharge port 41a as shown by a downward arrow in FIG. 10, the suction force is mainly in the X-axis direction in the vicinity of the discharge port 41a. The suction force acting and acting in the (−Z) direction is weak.

洗浄部74において、吸引機構72の吸引力が(−Z)方向に作用する位置は、ガイドブロック743のガイド面743bの位置によって規定される。したがって、ガイドブロック743のX軸方向の厚みを調整することによって、吐出口41aに作用する(−Z)方向の吸引力を調整することができる。   In the cleaning unit 74, the position where the suction force of the suction mechanism 72 acts in the (−Z) direction is defined by the position of the guide surface 743 b of the guide block 743. Therefore, by adjusting the thickness of the guide block 743 in the X-axis direction, the suction force in the (−Z) direction acting on the discharge port 41a can be adjusted.

本実施の形態における洗浄部74では、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるようにガイドブロック743の厚みが予め決定されており、これによってレジスト液Rの流出が抑制される。なお、吸引力が作用する位置が、スリットノズル41の先端部側面の下方となることにより、先端部側面に付着したレジスト液Rを除去したリンス液LQは、すみやかに下方へと吸引排出される。また、ガイドブロック743のX軸方向の厚みによって、吐出部742とガイドブロック743との間隔が規定されるが、この間隔が狭い程、吸引機構72の吸引力が絞られ、スリットノズル41の先端部側面に作用する吸引力は増加する。   In the cleaning section 74 in the present embodiment, the thickness of the guide block 743 is determined in advance so that the vicinity of the discharge port 41a is substantially the stopping point of the resist solution R, and thereby the outflow of the resist solution R is suppressed. . Since the position where the suction force acts is below the side surface of the tip portion of the slit nozzle 41, the rinsing liquid LQ from which the resist solution R attached to the side surface of the tip portion is removed is quickly sucked and discharged downward. . The gap between the discharge unit 742 and the guide block 743 is defined by the thickness of the guide block 743 in the X-axis direction. The narrower the gap is, the narrower the suction force of the suction mechanism 72 is. The suction force acting on the side surface increases.

これにより、本実施の形態におけるノズル洗浄機構70は、ガイドブロック743の厚みによって、吐出口41a内のレジスト液Rに作用する吸引機構72の吸引力を弱めることができるため、従来の装置に比べて多量のリンス液LQを使用しても、吸引機構72の吸引力を適宜上昇させることによって、使用されたリンス液LQをすみやかに吸引排出することができる。したがって、ノズル洗浄処理における洗浄効果を向上させることができる。   As a result, the nozzle cleaning mechanism 70 according to the present embodiment can weaken the suction force of the suction mechanism 72 acting on the resist solution R in the discharge port 41a depending on the thickness of the guide block 743. Even when a large amount of the rinsing liquid LQ is used, the used rinsing liquid LQ can be quickly sucked and discharged by appropriately increasing the suction force of the suction mechanism 72. Therefore, the cleaning effect in the nozzle cleaning process can be improved.

洗浄液供給機構75からのリンス液LQの供給動作、および吸引機構72による吸引動作に並行して、洗浄部74による走査動作が行われる。すなわち、駆動機構76が洗浄部74をY軸方向に沿って、スリットノズル41の全幅にわたって、往復移動させる動作が行われる。   In parallel with the supply operation of the rinse liquid LQ from the cleaning liquid supply mechanism 75 and the suction operation by the suction mechanism 72, the scanning operation by the cleaning unit 74 is performed. That is, the drive mechanism 76 performs an operation of reciprocating the cleaning unit 74 along the Y-axis direction over the entire width of the slit nozzle 41.

これにより、スリットノズル41のY軸方向の全幅にわたって、洗浄ノズル750からリンス液LQが吐出され、ノズル洗浄処理が進行する。このように、駆動機構76によって、洗浄部74による走査を行うことにより、例えば、スリットノズル41の全幅にわたって洗浄ノズル750を配置する必要がなく、装置を小型化することができる。なお、この走査動作を繰り返す回数は任意であって、前回のノズル洗浄処理が行われてから実行された本塗布処理の回数や、使用するレジスト液Rの性質などに応じて予め適切な値が設定されている。   Thereby, the rinsing liquid LQ is discharged from the cleaning nozzle 750 over the entire width of the slit nozzle 41 in the Y-axis direction, and the nozzle cleaning process proceeds. Thus, by performing the scanning by the cleaning unit 74 by the drive mechanism 76, for example, it is not necessary to arrange the cleaning nozzle 750 over the entire width of the slit nozzle 41, and the apparatus can be miniaturized. Note that the number of times of repeating this scanning operation is arbitrary, and an appropriate value is set in advance according to the number of times of the main coating process performed after the previous nozzle cleaning process and the nature of the resist solution R to be used. Is set.

所定回数の走査動作が終了すると、洗浄液供給機構75はリンス液LQの供給を停止する。これにより、洗浄ノズル750によるリンス液LQの吐出が停止する。さらに、ガス供給機構71が窒素ガスの供給を開始し、ガスノズル710から窒素ガスが噴出される。なお、この間も駆動機構76による洗浄部74の走査動作は継続している。   When the predetermined number of scanning operations are completed, the cleaning liquid supply mechanism 75 stops supplying the rinse liquid LQ. Thereby, the discharge of the rinse liquid LQ by the cleaning nozzle 750 is stopped. Further, the gas supply mechanism 71 starts supplying nitrogen gas, and nitrogen gas is ejected from the gas nozzle 710. During this time, the scanning operation of the cleaning unit 74 by the drive mechanism 76 is continued.

このように、ガスノズル710からスリットノズル41の先端部に向けて窒素ガスを噴出しつつ、洗浄部74をY軸方向に沿って移動させることによって、スリットノズル41に付着したリンス液LQの乾燥が促進される。図4に示すように、吐出部742の対向面742aにおいて、全てのガスノズル710が、全ての洗浄ノズル750よりも高い位置に設けられているため、ガスノズル710は、効果的にリンス液LQが付着した領域に窒素ガスを供給することができる。なお、リンス液LQを乾燥させるための走査動作の回数も所定の値が予め設定されている。   In this manner, the rinse liquid LQ attached to the slit nozzle 41 is dried by moving the cleaning unit 74 along the Y-axis direction while blowing nitrogen gas from the gas nozzle 710 toward the tip of the slit nozzle 41. Promoted. As shown in FIG. 4, since all the gas nozzles 710 are provided at positions higher than all the cleaning nozzles 750 on the facing surface 742a of the discharge unit 742, the rinsing liquid LQ adheres effectively to the gas nozzles 710. Nitrogen gas can be supplied to the region. A predetermined value is also set in advance for the number of scanning operations for drying the rinse liquid LQ.

所定回数の走査動作が終了すると、制御部8は、駆動機構76を停止させることにより洗浄部74の走査動作を終了させるとともに、ガス供給機構71を制御して窒素ガスの供給を停止させる。これにより、ガスノズル710による窒素ガスの吹きつけが停止し、スリットノズル41を乾燥させるための走査動作が終了する。   When the predetermined number of scanning operations are completed, the control unit 8 stops the scanning unit 74 by stopping the driving mechanism 76 and controls the gas supply mechanism 71 to stop the supply of nitrogen gas. Thereby, the blowing of nitrogen gas by the gas nozzle 710 is stopped, and the scanning operation for drying the slit nozzle 41 is completed.

以上の動作によって、本実施の形態における基板処理装置1のノズル洗浄処理が終了する。なお、ノズル洗浄処理が終了した後は、予備塗布機構73において予備塗布処理を行い、スリットノズル41の状態を整えてから本塗布処理を行う。ただし、ノズル洗浄処理の後の動作はこれに限られるものではなく、本塗布処理を行うまでに時間がかかるようであれば、スリットノズル41を待機位置に移動させて、スリットノズル41のレジスト液Rの乾燥を防止するようにしてもよい。すなわち、駆動機構76によって洗浄部74をスリットノズル41の下方より退避させて、スリットノズル41を洗浄位置からさらに下降させ、先端部が待機ポット77内の溶剤雰囲気に曝されるようにする。   With the above operation, the nozzle cleaning process of the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is completed. After the nozzle cleaning process is completed, the preliminary application mechanism 73 performs the preliminary application process, and after adjusting the state of the slit nozzle 41, the main application process is performed. However, the operation after the nozzle cleaning process is not limited to this, and if it takes time to perform the main coating process, the slit nozzle 41 is moved to the standby position, and the resist solution of the slit nozzle 41 is moved. R may be prevented from drying. That is, the cleaning mechanism 74 is retracted from below the slit nozzle 41 by the drive mechanism 76, and the slit nozzle 41 is further lowered from the cleaning position so that the tip is exposed to the solvent atmosphere in the standby pot 77.

以上により、本実施の形態における基板処理装置1は、ガイドブロック743が、図7等に示すように、スリットノズル41の吐出口41aの短手方向幅以上の厚みを有し、スリットノズル41の吐出口41aの下方近傍に配置され、吸引機構72の吸引口720が、ガイドブロック743の下方から吸引を行うことによって、スリットノズル41の吐出口41a近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように吸引機構72の吸引力を調整することにより、吸引排出によって洗浄液と汚染物とをすみやかに排出しつつ、吐出口41aからスリットノズル41内のレジスト液Rが引き出されることを抑制することができる。   As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the guide block 743 has a thickness equal to or larger than the width in the short direction of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 as shown in FIG. The suction port 720 of the suction mechanism 72 disposed near the discharge port 41a performs suction from the lower side of the guide block 743, so that the vicinity of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 becomes a substantially stopping point of the resist solution R. In addition, by adjusting the suction force of the suction mechanism 72, it is possible to prevent the resist liquid R in the slit nozzle 41 from being drawn out from the discharge port 41a while quickly discharging the cleaning liquid and contaminants by suction discharge. .

また、ガイドブロック743は、洗浄液供給機構75により供給されたリンス液LQを下方に向けて導くガイド面743bを有することにより、使用されたリンス液LQをさらにすみやかに排出することができる。   Further, the guide block 743 has a guide surface 743b that guides the rinse liquid LQ supplied by the cleaning liquid supply mechanism 75 downward, so that the used rinse liquid LQ can be discharged more quickly.

また、洗浄液供給機構75によるリンス液LQの供給位置を調整するスペーサ741を備えていることにより、状況に応じて洗浄位置を変更することができるため、例えば、レジスト液Rが付着している範囲が異なる場合であっても柔軟に対応することができる。   In addition, since the cleaning position can be changed according to the situation by providing the spacer 741 for adjusting the supply position of the rinse liquid LQ by the cleaning liquid supply mechanism 75, for example, a range where the resist liquid R is attached. Even if they are different, it is possible to respond flexibly.

また、供給位置の調整が、所定の厚みを有するスペーサ741の着脱によって実現されていることにより、複雑な機構を必要とせず容易に実現することができる。   Further, since the adjustment of the supply position is realized by attaching and detaching the spacer 741 having a predetermined thickness, it can be easily realized without requiring a complicated mechanism.

また、洗浄部74をスリットノズル41の長手方向に沿って移動させる駆動機構76を備えることにより、装置全体を小型化することができる。   Further, by providing the drive mechanism 76 that moves the cleaning unit 74 along the longitudinal direction of the slit nozzle 41, the entire apparatus can be reduced in size.

また、スリットノズル41の先端部に窒素ガスを供給するガス供給機構71を備え、ガス供給機構71による窒素ガスの供給位置は、洗浄液供給機構75によるリンス液LQの供給位置より上方とされていることにより、洗浄液の乾燥を促進させることができる。   Further, a gas supply mechanism 71 that supplies nitrogen gas to the tip of the slit nozzle 41 is provided, and the supply position of the nitrogen gas by the gas supply mechanism 71 is above the supply position of the rinse liquid LQ by the cleaning liquid supply mechanism 75. As a result, drying of the cleaning liquid can be promoted.

また、上方洗浄ノズル750bによるリンス液LQの供給位置が、下方洗浄ノズル750aによるリンス液LQの供給位置に対して、高さ方向が異なるように配置されていることにより、スジ状の付着物RL(図23)がスリットノズル41の先端部側面に残留することを防止することができる。したがって、洗浄効果を向上させることができる。   Further, since the supply position of the rinsing liquid LQ by the upper cleaning nozzle 750b is arranged so that the height direction is different from the supply position of the rinsing liquid LQ by the lower cleaning nozzle 750a, the streaky deposit RL It is possible to prevent (FIG. 23) from remaining on the side surface of the tip of the slit nozzle 41. Therefore, the cleaning effect can be improved.

なお、本実施の形態における基板処理装置1では、下方洗浄ノズル750aおよび上方洗浄ノズル750bが同時にリンス液LQを吐出する構成となっている。しかし、例えば、下方洗浄ノズル750aと上方洗浄ノズル750bとを別系統の配管によって洗浄液供給機構75と連通接続し、往路上の走査(吐出部742によるスリットノズル41の走査)においては下方洗浄ノズル750aのみ吐出を行い、復路上の走査においては上方洗浄ノズル750bのみ吐出を行うように制御してもよい。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the lower cleaning nozzle 750a and the upper cleaning nozzle 750b are configured to simultaneously discharge the rinse liquid LQ. However, for example, the lower cleaning nozzle 750a and the upper cleaning nozzle 750b are connected in communication with the cleaning liquid supply mechanism 75 through a separate pipe, and the lower cleaning nozzle 750a is used for scanning on the forward path (scanning of the slit nozzle 41 by the discharge unit 742). It is also possible to perform control so that only the upper cleaning nozzle 750b is discharged in the scanning on the return path.

また、洗浄ノズル750からリンス液LQを吐出させつつ走査動作を行う際に、窒素ガスの吹きつけを並行して行ってもよい。その場合、いわば窒素ガスのカーテンが洗浄ノズル750の上方に形成されるため、リンス液LQのミストなどがスリットノズル41の上方に飛散することを防止することができる。   Further, when performing the scanning operation while discharging the rinse liquid LQ from the cleaning nozzle 750, the nitrogen gas may be blown in parallel. In that case, the so-called nitrogen gas curtain is formed above the cleaning nozzle 750, so that the mist of the rinse liquid LQ and the like can be prevented from scattering above the slit nozzle 41.

<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、吸引機構72の吸引口720が吐出口41aの下方に設けられ、ガイドブロック743の下方からリンス液LQを吸引するように構成していたが、吸引機構72による吸引位置(吸引口が設けられる位置)は、これに限られるものではない。
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the suction port 720 of the suction mechanism 72 is provided below the discharge port 41a and is configured to suck the rinse liquid LQ from below the guide block 743. The position (position where the suction port is provided) is not limited to this.

図11は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態におけるノズル洗浄機構70の構成を示す図である。また、図12は、第2の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。   FIG. 11 is a diagram showing a configuration of the nozzle cleaning mechanism 70 in the second embodiment configured based on such a principle. FIG. 12 is a front view of the facing surface of the discharge unit according to the second embodiment.

本実施の形態におけるノズル洗浄機構70は、第1の実施の形態における洗浄部74の代わりに、洗浄部74aを備えている点が、第1の実施の形態におけるノズル洗浄機構70と異なっている。なお、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の構成については同符号を付し、適宜説明を省略する。   The nozzle cleaning mechanism 70 in the present embodiment is different from the nozzle cleaning mechanism 70 in the first embodiment in that a cleaning unit 74a is provided instead of the cleaning unit 74 in the first embodiment. . In addition, about the structure substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted suitably.

吐出部745は、洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部側面と対向する面として、対向面745aおよび一対の対向面745bを有している。対向面745aは、第1の実施の形態における吐出部742の対向面742aに相当する面であって、図12に示すように、第1の実施の形態とほぼ同様にガスノズル710および洗浄ノズル750が配置されている。   The discharge unit 745 has a facing surface 745a and a pair of facing surfaces 745b as surfaces facing the side surface of the tip of the slit nozzle 41 at the cleaning position. The facing surface 745a is a surface corresponding to the facing surface 742a of the discharge unit 742 in the first embodiment, and as shown in FIG. 12, the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 are substantially the same as in the first embodiment. Is arranged.

一対の対向面745bは、対向面745aと略平行な面として、対向面745aのY軸方向の両側に設けられている。また、各対向面745bは、洗浄位置におけるスリットノズル41の先端部側面に対して、対向面745aよりも近接する位置となるように形成されており、それぞれに吸引口721が設けられている。吸引口721は、吸引配管を介して吸引機構72に連通接続されている。   The pair of facing surfaces 745b are provided on both sides of the facing surface 745a in the Y-axis direction as surfaces substantially parallel to the facing surface 745a. Each facing surface 745b is formed so as to be closer to the side surface of the front end portion of the slit nozzle 41 at the cleaning position than the facing surface 745a, and a suction port 721 is provided for each. The suction port 721 is connected to the suction mechanism 72 through a suction pipe.

図13は、第2の実施の形態におけるノズル洗浄処理において、洗浄ノズル750からリンス液LQが吐出されている様子を示す図である。なお、図13における各部は、XZ平面に平行な面のうち対向面745aと交差する面における断面として示している。   FIG. 13 is a diagram illustrating a state in which the rinsing liquid LQ is discharged from the cleaning nozzle 750 in the nozzle cleaning process according to the second embodiment. In addition, each part in FIG. 13 is shown as a cross section in the surface which intersects the opposing surface 745a among the surfaces parallel to the XZ plane.

図11において、図示を省略していたが、本実施の形態におけるベース740には、ガイドブロック743の下方となる位置に廃液用の排出口740aがY軸方向に沿ったスリット状に設けられており、ガイドブロック743によって下方に導かれたリンス液LQが排出口740aから排出される。これにより、吸引機構72による吸引排出を補完することができる。   Although not shown in FIG. 11, the base 740 in the present embodiment is provided with a waste liquid discharge port 740 a in a slit shape along the Y-axis direction at a position below the guide block 743. The rinse liquid LQ guided downward by the guide block 743 is discharged from the discharge port 740a. Thereby, suction discharge by the suction mechanism 72 can be complemented.

図14は、第2の実施の形態における吸引機構72の作用を説明する図である。なお、図14における各部は、XZ平面に平行な面のうち吸引口721と交差する面における断面として示している。   FIG. 14 is a diagram illustrating the action of the suction mechanism 72 in the second embodiment. Each part in FIG. 14 is shown as a cross section in a plane that intersects the suction port 721 among planes parallel to the XZ plane.

図14に示すように、本実施の形態における基板処理装置1では、吸引口721が洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部の側方に位置しているため、吸引機構72による吸引は、スリットノズル41の先端部の側方から行われる。したがって、スリットノズル41内に充填されているレジスト液Rに作用する吸引機構72の吸引力は、スリットノズル41の先端部下方から吸引する場合に比べて、弱められる。   As shown in FIG. 14, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the suction port 721 is located on the side of the tip of the slit nozzle 41 at the cleaning position, suction by the suction mechanism 72 is performed by the slit. This is performed from the side of the tip of the nozzle 41. Therefore, the suction force of the suction mechanism 72 acting on the resist solution R filled in the slit nozzle 41 is weakened compared to the case of suction from the lower end of the slit nozzle 41.

このように、本実施の形態における基板処理装置1は、吸引口721を吐出部745の対向面745bに設け、スリットノズル41の先端部の側方からリンス液LQの吸引を行うことにより、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整することができる。したがって、吸引機構72の吸引力を増加させても、レジスト液Rがスリットノズル41の外に引き出される現象の発生を抑制することができるため、ノズル洗浄処理の洗浄効果を向上させることができる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment provides the suction port 721 on the opposing surface 745b of the discharge unit 745, and sucks the rinse liquid LQ from the side of the tip of the slit nozzle 41, thereby discharging the liquid. It can be adjusted so that the vicinity of the outlet 41a is substantially the stopping point of the resist solution R. Accordingly, even if the suction force of the suction mechanism 72 is increased, the occurrence of the phenomenon that the resist solution R is drawn out of the slit nozzle 41 can be suppressed, so that the cleaning effect of the nozzle cleaning process can be improved.

また、対向面745bは対向面745aに比べて、スリットノズル41の先端部側面に近接している。したがって、図13と図14とを比較すれば明らかなように、吸引口721は洗浄ノズル750よりもスリットノズル41の先端部側面に近接するように配置される。このように、吸引口721がスリットノズル41の先端部側面に近接することにより、当該先端部側面に付着しているリンス液LQを効率よく吸引排出することができる。   Further, the facing surface 745b is closer to the side surface of the tip of the slit nozzle 41 than the facing surface 745a. Therefore, as apparent from a comparison between FIG. 13 and FIG. 14, the suction port 721 is disposed closer to the side surface of the tip of the slit nozzle 41 than the cleaning nozzle 750. Thus, when the suction port 721 is close to the side surface of the tip of the slit nozzle 41, the rinse liquid LQ adhering to the side of the tip can be efficiently sucked and discharged.

なお、図14では、図示の都合上、ガイドブロック743の周囲にリンス液LQが存在していないかのように示しているが、実際には洗浄部74aの両端部においても洗浄に使用されたリンス液LQの一部がガイドブロック743によって下方に導かれ、排出口740aから排出される。   In FIG. 14, for the convenience of illustration, it is shown that the rinse liquid LQ does not exist around the guide block 743, but actually, it was used for cleaning at both ends of the cleaning section 74a. Part of the rinse liquid LQ is guided downward by the guide block 743 and discharged from the discharge port 740a.

以上のように、第2の実施の形態における基板処理装置1においても、吸引口721をスリットノズル41の先端部の側方に設け、この位置から吸引機構72による吸引を行うことにより、第1の実施の形態における基板処理装置1と同様に、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整することができるため、同様の効果を得ることができる。   As described above, also in the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment, the suction port 721 is provided on the side of the tip of the slit nozzle 41, and suction is performed by the suction mechanism 72 from this position. Similar to the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, since the vicinity of the discharge port 41a can be adjusted so as to be substantially the stopping point of the resist solution R, the same effect can be obtained.

また、リンス液LQをスリットノズル41の先端部下方に設けられた排出口740aから排出することにより、吸引機構72だけによらずリンス液LQを排出することができるので、吸引機構72として小容量の機構を採用することができる。あるいは、リンス液LQをすみやかに排出することができるため、ノズル洗浄処理の洗浄効果を向上させることができる。   Further, since the rinse liquid LQ can be discharged not only by the suction mechanism 72 by discharging the rinse liquid LQ from the discharge port 740a provided below the tip of the slit nozzle 41, the suction mechanism 72 has a small capacity. This mechanism can be adopted. Or since the rinse liquid LQ can be discharged | emitted immediately, the cleaning effect of a nozzle cleaning process can be improved.

また、スリットノズル41の先端部下方に配置され、リンス液LQを下方に向けて導く近接面743aおよびガイド面743bを有するガイドブロック743を備えることにより、リンス液LQの排出口740aからの排出をより効果的に行うことができる。   Further, by providing a guide block 743 having a proximity surface 743a and a guide surface 743b that is disposed below the tip of the slit nozzle 41 and guides the rinse liquid LQ downward, the rinse liquid LQ is discharged from the discharge port 740a. It can be done more effectively.

なお、図11に示すように、本実施の形態における基板処理装置1は、スペーサ741を使用していない。すなわち、洗浄ノズル750の所望する高さ位置によっては、スペーサ741は必ずしも使用されなければならない部材ではなく、取り外されていてもよい。本実施の形態における洗浄部74aにおいては、スペーサ741により吐出部745の高さ調整を行うことにより、吸引口721とスリットノズル41の先端部側面との距離についても調整可能である。この場合は、当該距離が0.1ないし5mm程度となるように調整することが好ましい。   As shown in FIG. 11, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment does not use the spacer 741. That is, depending on the desired height position of the cleaning nozzle 750, the spacer 741 is not necessarily a member that must be used, and may be removed. In the cleaning unit 74a according to the present embodiment, the distance between the suction port 721 and the side surface of the tip of the slit nozzle 41 can be adjusted by adjusting the height of the discharge unit 745 with the spacer 741. In this case, it is preferable to adjust the distance so as to be about 0.1 to 5 mm.

本実施の形態における基板処理装置1では、第1の実施の形態における基板処理装置1と同様のガイドブロック743を用いている。しかし、本実施の形態では、排出口740aからの吸引排出は行わないため、排出口740aからは、主に重力の作用によってリンス液LQが排出されることとなる。これにより、吐出口41aに作用する(−Z)方向の力(レジスト液Rを引き出す原因となる力)は、主に重力となる。したがって、ガイドブロック743はX軸方向の厚みが比較的薄い板状の部材であっても、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整することができる。   In the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, a guide block 743 similar to that in the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment is used. However, in the present embodiment, since the suction and discharge from the discharge port 740a is not performed, the rinse liquid LQ is discharged from the discharge port 740a mainly by the action of gravity. Thereby, the force in the (−Z) direction acting on the discharge port 41a (the force that causes the resist solution R to be pulled out) is mainly gravity. Therefore, even if the guide block 743 is a plate-like member having a relatively small thickness in the X-axis direction, the guide block 743 can be adjusted so that the vicinity of the discharge port 41a is substantially the stopping point of the resist solution R.

<3. 第3の実施の形態>
上記実施の形態のノズル洗浄機構70は、洗浄液を吐出しつつ、スリットノズル41を走査する機構(洗浄部74および駆動機構76)によって、ノズル洗浄処理を行うとして説明したが、ノズル洗浄処理を行う機構は、スリットノズル41の吐出口41aの周辺をY軸方向について、均一に洗浄することができるものであれば、これに限られるものではない。
<3. Third Embodiment>
Although the nozzle cleaning mechanism 70 of the above embodiment has been described as performing the nozzle cleaning process by the mechanism (the cleaning unit 74 and the drive mechanism 76) that scans the slit nozzle 41 while discharging the cleaning liquid, the nozzle cleaning process is performed. The mechanism is not limited to this as long as the periphery of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 can be cleaned uniformly in the Y-axis direction.

図15は、このような原理に基づいて構成した第3の実施の形態における吐出部746と、洗浄位置にあるスリットノズル41との配置関係を示す図である。図15から明らかなように、本実施の形態における吐出部746のY軸方向のサイズは、スリットノズル41の吐出口41aのY軸方向の幅とほぼ等しくなっている。なお、詳細は図示しないが、これと同様に、ベース740、スペーサ741、およびガイドブロック743についても、Y軸方向のサイズが、吐出口41aのY軸方向の幅に応じて決定されている。   FIG. 15 is a diagram showing an arrangement relationship between the discharge unit 746 and the slit nozzle 41 at the cleaning position in the third embodiment configured based on such a principle. As apparent from FIG. 15, the size in the Y-axis direction of the discharge portion 746 in the present embodiment is substantially equal to the width in the Y-axis direction of the discharge port 41 a of the slit nozzle 41. Although not shown in detail, the size in the Y-axis direction of the base 740, the spacer 741, and the guide block 743 is determined according to the width of the discharge port 41a in the Y-axis direction.

すなわち、第3の実施の形態における基板処理装置1の洗浄部74bは、スリットノズル41の吐出口41aのY軸方向の幅とほぼ等しいサイズを有している点が、第1の実施の形態における基板処理装置1の洗浄部74と異なっている。なお、洗浄部74b以外の構成については、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様であるため、説明を適宜省略する。   That is, the cleaning unit 74b of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment has a size substantially equal to the width of the discharge port 41a of the slit nozzle 41 in the Y-axis direction. This differs from the cleaning unit 74 of the substrate processing apparatus 1 in FIG. Since the configuration other than the cleaning unit 74b is substantially the same as that of the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment, the description thereof will be omitted as appropriate.

図16は、第3の実施の形態における吐出部746の対向面746aの正面図である。対向面746aには、ガスノズル710および洗浄ノズル750とが配置される。ガスノズル710は、対向面746aにおいて、洗浄ノズル750の上方となる高さ位置にY軸方向の全幅にわたって配列している。また、洗浄ノズル750のうち、上方洗浄ノズル750bは、対向面746aにおいて、下方洗浄ノズル750aの上方となる高さ位置にY軸方向の全幅にわたって配列している。   FIG. 16 is a front view of the facing surface 746a of the discharge section 746 according to the third embodiment. A gas nozzle 710 and a cleaning nozzle 750 are disposed on the facing surface 746a. The gas nozzle 710 is arranged over the entire width in the Y-axis direction at a height position above the cleaning nozzle 750 on the facing surface 746a. Of the cleaning nozzles 750, the upper cleaning nozzle 750b is arranged over the entire width in the Y-axis direction at a height position above the lower cleaning nozzle 750a on the facing surface 746a.

以上のような構成を有する本実施の形態におけるノズル洗浄処理について簡単に説明する。まず、洗浄液供給機構75がリンス液LQの供給を開始し、洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部に向けて、全ての洗浄ノズル750がリンス液LQを吐出する。この動作と並行して、吸引機構72が吸引を開始する。   The nozzle cleaning process in the present embodiment having the above configuration will be briefly described. First, the cleaning liquid supply mechanism 75 starts to supply the rinsing liquid LQ, and all the cleaning nozzles 750 discharge the rinsing liquid LQ toward the tip of the slit nozzle 41 at the cleaning position. In parallel with this operation, the suction mechanism 72 starts suction.

これにより、スリットノズル41の先端部の洗浄が行われる。本実施の形態における洗浄ノズル750は、スリットノズル41のY軸方向のほぼ全幅にわたって設けられているため、当該先端部の全域についてほぼ同時に洗浄処理が進行する。また、上記実施の形態において説明したように、駆動機構76によって洗浄部74bを吐出口41aに沿って移動させる動作(走査動作)を行う必要はない。これは、窒素ガスを吹き付ける処理(後述)においても同様である。すなわち、第3の実施の形態における駆動機構76は、スリットノズル41が洗浄位置から待機位置に移動する際に、洗浄部74bを退避させる機能のみ有している。   Thereby, the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is wash | cleaned. Since the cleaning nozzle 750 in the present embodiment is provided over substantially the entire width of the slit nozzle 41 in the Y-axis direction, the cleaning process proceeds almost simultaneously over the entire region of the tip portion. Further, as described in the above embodiment, it is not necessary to perform an operation (scanning operation) for moving the cleaning unit 74b along the discharge port 41a by the drive mechanism 76. The same applies to the process of blowing nitrogen gas (described later). That is, the drive mechanism 76 in the third embodiment has only a function of retracting the cleaning unit 74b when the slit nozzle 41 moves from the cleaning position to the standby position.

また、ノズル洗浄処理に使用されるリンス液LQは、第1の実施の形態と同様に、ガイドブロック743の近接面743aおよびガイド面743bによって下方に導かれるとともに、吸引機構72の吸引力によって、すみやかに吸引排出される。   Further, the rinsing liquid LQ used for the nozzle cleaning process is guided downward by the proximity surface 743a and the guide surface 743b of the guide block 743 as in the first embodiment, and by the suction force of the suction mechanism 72, As soon as it is sucked out.

本実施の形態における基板処理装置1においても、ガイドブロック743によって吐出口41aが覆われた状態となっており、吸引機構72の吸引力が直接吐出口41aに作用しないようにされている。すなわち、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整されている。   Also in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the discharge port 41a is covered with the guide block 743 so that the suction force of the suction mechanism 72 does not directly act on the discharge port 41a. That is, the vicinity of the discharge port 41a is adjusted so as to be a substantially stopping point of the resist solution R.

洗浄ノズル750が吐出を開始してから所定の時間が経過すると、洗浄液供給機構75がリンス液LQの供給を停止し、洗浄ノズル750によるリンス液LQの吐出が停止する。   When a predetermined time elapses after the cleaning nozzle 750 starts discharging, the cleaning liquid supply mechanism 75 stops supplying the rinse liquid LQ, and the discharge of the rinse liquid LQ by the cleaning nozzle 750 stops.

次に、ガス供給機構71が窒素ガスの供給を開始し、スリットノズル41の先端部に向けて、全てのガスノズル710が窒素ガスを吹き付ける。これにより、スリットノズル41の先端部に付着したリンス液LQの乾燥が促進される。なお、ガス供給機構71による窒素ガスの供給が行われている間も、吸引機構72による吸引は継続されており、例えば、リンス液LQの成分を含んだ雰囲気や、窒素ガスによって吹き飛ばされたリンス液LQのミストなどがすみやかに吸引排出される。   Next, the gas supply mechanism 71 starts supplying nitrogen gas, and all the gas nozzles 710 spray nitrogen gas toward the tip of the slit nozzle 41. Thereby, drying of the rinse liquid LQ adhering to the front-end | tip part of the slit nozzle 41 is accelerated | stimulated. The suction by the suction mechanism 72 is continued while the supply of the nitrogen gas by the gas supply mechanism 71 is performed. For example, the atmosphere containing the component of the rinse liquid LQ or the rinse blown off by the nitrogen gas is used. The mist of the liquid LQ is quickly sucked and discharged.

ガスノズル710が吹きつけを開始してから所定の時間が経過すると、ガス供給機構71が窒素ガスの供給を停止し、ガスノズル710による窒素ガスの吹きつけが停止する。これにより、本実施の形態におけるノズル洗浄処理が終了する。   When a predetermined time elapses after the gas nozzle 710 starts blowing, the gas supply mechanism 71 stops supplying nitrogen gas, and the nitrogen gas blowing by the gas nozzle 710 stops. Thereby, the nozzle cleaning process in the present embodiment is completed.

このように、本実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41のY軸方向について、同時にノズル洗浄処理の各工程が行われる。したがって、ノズル洗浄処理におけるY軸方向の均一性を向上させることができ、洗浄後のスリットノズル41の状態をY軸方向に均一化させることができる。   Thus, in the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, each process of the nozzle cleaning process is simultaneously performed in the Y-axis direction of the slit nozzle 41. Therefore, the uniformity in the Y-axis direction in the nozzle cleaning process can be improved, and the state of the slit nozzle 41 after cleaning can be made uniform in the Y-axis direction.

以上のように、第3の実施の形態における基板処理装置1においても、第1の実施の形態と同様に、スリットノズル41の吐出口41aがレジスト液Rのほぼ停留点となるように、吸引機構72の吸引力を調整することができ、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。   As described above, also in the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment, suction is performed so that the discharge port 41a of the slit nozzle 41 is substantially the stopping point of the resist solution R, as in the first embodiment. The suction force of the mechanism 72 can be adjusted, and the same effect as in the above embodiment can be obtained.

また、洗浄部74b(吐出部746)が、スリットノズル41の吐出口41aのY軸方向の幅とほぼ同じサイズを有しており、吐出部746において、ガスノズル710および洗浄ノズル750が、吐出口41aの全幅にわたって配置されていることにより、スリットノズル41の全幅にわたって同時にリンス液LQを吐出することができる。したがって、ノズル洗浄処理に要する時間を短縮することができる。   The cleaning unit 74b (discharge unit 746) has substantially the same size as the width in the Y-axis direction of the discharge port 41a of the slit nozzle 41. In the discharge unit 746, the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 are connected to the discharge port. By disposing over the entire width of 41a, the rinse liquid LQ can be discharged simultaneously over the entire width of the slit nozzle 41. Therefore, the time required for the nozzle cleaning process can be shortened.

<4. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
<4. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.

例えば、第2の実施の形態における基板処理装置1のように、スリットノズル41の吐出口41aの側方からリンス液LQを吸引する構造を採用しつつ、第3の実施の形態における基板処理装置1のように、吐出口41aのY軸方向のほぼ全幅を同時に洗浄する構造を採用することもできる。この場合には、吐出部746の対向面746aにおいて、下方洗浄ノズル750aのさらに下方位置に、吸引機構72に連通接続する吸引口を設けるようにしてもよい。また、この場合には、当該吸引口をY軸方向に沿って伸びるスリット状とすることが好ましい。   For example, like the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment, the substrate processing apparatus in the third embodiment while adopting a structure that sucks the rinsing liquid LQ from the side of the discharge port 41a of the slit nozzle 41. As shown in FIG. 1, it is possible to employ a structure in which substantially the entire width of the discharge port 41a in the Y-axis direction is simultaneously cleaned. In this case, a suction port that communicates with the suction mechanism 72 may be provided at a position further below the lower cleaning nozzle 750 a on the facing surface 746 a of the discharge unit 746. In this case, it is preferable that the suction port has a slit shape extending along the Y-axis direction.

また、第1の実施の形態における吐出部742では、対向面742aのY軸方向の両側に下方洗浄ノズル750aが設けられ、対向面742aのY軸方向の中央部に上方洗浄ノズル750bが設けられていたが、洗浄ノズル750の配置はこのような配置に限られるものではない。図17は、変形例における吐出部742の対向面742aの正面図である。このように、対向面742aのY軸方向の両側に上方洗浄ノズル750bが設けられ、対向面742aのY軸方向の中央部に下方洗浄ノズル750aが設けられてもよい。   Moreover, in the discharge part 742 in 1st Embodiment, the lower washing nozzle 750a is provided in the both sides of the Y-axis direction of the opposing surface 742a, and the upper washing nozzle 750b is provided in the center part of the opposing surface 742a in the Y-axis direction. However, the arrangement of the cleaning nozzle 750 is not limited to such an arrangement. FIG. 17 is a front view of the facing surface 742a of the discharge unit 742 in the modification. As described above, the upper cleaning nozzle 750b may be provided on both sides of the opposing surface 742a in the Y-axis direction, and the lower cleaning nozzle 750a may be provided in the central portion of the opposing surface 742a in the Y-axis direction.

また、下方洗浄ノズル750aのY軸方向の位置と、上方洗浄ノズル750bのY軸方向の位置とが一致していてもよい。すなわち、吐出部742,745,746において、下方洗浄ノズル750aの直上に上方洗浄ノズル750bが配置されていてもよい。   Further, the position of the lower cleaning nozzle 750a in the Y-axis direction may be the same as the position of the upper cleaning nozzle 750b in the Y-axis direction. That is, in the discharge units 742, 745, and 746, the upper cleaning nozzle 750b may be disposed immediately above the lower cleaning nozzle 750a.

また、ガスノズル710および洗浄ノズル750の開口部形状は円形に限られるものではなく、Y軸方向に伸びるスリット状の形状を有していてもよい。   Moreover, the opening shape of the gas nozzle 710 and the cleaning nozzle 750 is not limited to a circular shape, and may have a slit shape extending in the Y-axis direction.

本発明に係る基板処理装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to the present invention. 基板処理装置における塗布処理に係る主な構成を示す側面図である。It is a side view which shows the main structures which concern on the coating process in a substrate processing apparatus. 第1の実施の形態におけるノズル洗浄機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the nozzle cleaning mechanism in 1st Embodiment. 第1の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。It is a front view of the opposing surface of the discharge part in 1st Embodiment. ガイドブロックを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a guide block. 吐出部が移動する様子をスリットノズルとともに示す図である。It is a figure which shows a mode that a discharge part moves with a slit nozzle. ノズル洗浄処理の開始時における各構成の配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of each structure at the time of the start of a nozzle cleaning process. ノズル洗浄処理においてリンス液が吐出されている様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the rinse liquid is discharged in the nozzle cleaning process. ノズル洗浄処理において窒素ガスが吹き付けられている様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that nitrogen gas is sprayed in a nozzle cleaning process. 図8の状態を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the state of FIG. 第2の実施の形態におけるノズル洗浄機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the nozzle cleaning mechanism in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。It is a front view of the opposing surface of the discharge part in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態においてリンス液が吐出されている様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the rinse liquid is discharged in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態における吸引機構の作用を説明する図である。It is a figure explaining the effect | action of the suction mechanism in 2nd Embodiment. 第3の実施の形態における吐出部と、洗浄位置にあるスリットノズルとの位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the discharge part in 3rd Embodiment, and the slit nozzle in a washing | cleaning position. 第3の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。It is a front view of the opposing surface of the discharge part in 3rd Embodiment. 変形例における吐出部の対向面の正面図である。It is a front view of the opposing surface of the discharge part in a modification. スリットノズルの先端部の初期状態を示す図である。It is a figure which shows the initial state of the front-end | tip part of a slit nozzle. 数十枚程度の基板に対して塗布処理を行った状態を示す図である。It is a figure which shows the state which performed the application | coating process with respect to about several dozen board | substrates. 数百枚程度の基板に対して塗布処理を行った状態を示す図である。It is a figure which shows the state which performed the application | coating process with respect to about several hundred board | substrates. 従来の基板処理装置の吐出ノズルにおいて、レジスト液が引き出された部分にエアが混入している状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the air is mixing in the part from which the resist liquid was extracted in the discharge nozzle of the conventional substrate processing apparatus. 従来の基板処理装置の吐出ノズルにおいて、レジスト液が引き出された部分に洗浄液(リンス液)が混入している状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the washing | cleaning liquid (rinsing liquid) is mixing in the part from which the resist liquid was extracted in the discharge nozzle of the conventional substrate processing apparatus. 従来の基板処理装置において、ノズル洗浄処理の後に見られるスジ状の付着物を示す図である。In the conventional substrate processing apparatus, it is a figure which shows the stripe-shaped deposit | attachment seen after a nozzle cleaning process.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
2 本体
3 ステージ
30 保持面
41 スリットノズル
41a 吐出口
43,44 昇降機構
5 走行機構
6 レジスト供給機構
7 ノズル初期化機構
70 ノズル洗浄機構
71 ガス供給機構
710 ガスノズル
710a 下方ガスノズル
710b 上方ガスノズル
72 吸引機構
720,721 吸引口
74,74a,74b 洗浄部
740a 排出口
741 スペーサ
742,745,746 吐出部
742a,745a,745b,746a 対向面
743 ガイドブロック(遮断部材、案内部材)
743a 近接面
743b ガイド面
75 洗浄液供給機構
750 洗浄ノズル
750a 下方洗浄ノズル
750b 上方洗浄ノズル
76 駆動機構(走査機構)
77 待機ポット
8 制御部
90 基板
LQ リンス液
R レジスト液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Main body 3 Stage 30 Holding surface 41 Slit nozzle 41a Discharge port 43, 44 Lifting mechanism 5 Traveling mechanism 6 Resist supply mechanism 7 Nozzle initialization mechanism 70 Nozzle cleaning mechanism 71 Gas supply mechanism 710 Gas nozzle 710a Lower gas nozzle 710b Upper gas nozzle 72 Suction mechanism 720, 721 Suction port 74, 74a, 74b Cleaning unit 740a Discharge port 741 Spacer 742, 745, 746 Discharge unit 742a, 745a, 745b, 746a Opposing surface 743 Guide block (blocking member, guide member)
743a Proximity surface 743b Guide surface 75 Cleaning liquid supply mechanism 750 Cleaning nozzle 750a Lower cleaning nozzle 750b Upper cleaning nozzle 76 Drive mechanism (scanning mechanism)
77 Standby pot 8 Control unit 90 Substrate LQ Rinse solution R Resist solution

Claims (15)

先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの先端部付近に向けて吐出口から所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を吸引口より吸引する吸引手段と、
を備え、
前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とするノズル洗浄装置。
A nozzle cleaning device for cleaning a discharge nozzle that discharges a predetermined processing liquid from a discharge port provided at a tip,
Cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid from the discharge port toward the vicinity of the tip of the discharge nozzle;
Suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means from a suction port;
With
A nozzle cleaning device, wherein the suction force of the suction means is adjusted so that the vicinity of the discharge port is substantially a stopping point of the predetermined processing liquid.
請求項1に記載のノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、前記吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材をさらに備え、
前記吸引手段の吸引口が、前記遮断部材の下方から吸引を行うことによって、前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to claim 1,
The discharge nozzle has a thickness that is equal to or greater than the width of the discharge port in the short direction, and further includes a shielding member disposed near the discharge port of the discharge nozzle.
The nozzle cleaning apparatus, wherein the suction port of the suction unit adjusts the suction force of the suction unit in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by performing suction from below the blocking member.
請求項2に記載のノズル洗浄装置であって、
前記遮蔽部材は、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to claim 2,
The nozzle cleaning device, wherein the shielding member has a guide surface that guides the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means downward.
請求項1に記載のノズル洗浄装置であって、
前記吸引手段は、前記吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to claim 1,
The suction unit adjusts the suction force of the suction unit in the vicinity of the discharge port of the discharge nozzle by performing suction from the side of the tip of the discharge nozzle.
請求項4に記載のノズル洗浄装置であって、
前記吸引手段の吸引口は、前記洗浄液供給手段の吐出口よりも前記吐出ノズルに近接配置されることを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to claim 4,
The nozzle cleaning device according to claim 1, wherein the suction port of the suction unit is disposed closer to the discharge nozzle than the discharge port of the cleaning liquid supply unit.
請求項4または5に記載のノズル洗浄装置であって、
前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を、前記吐出ノズルの先端部下方に設けられた排出口から排出することを特徴とするノズル洗浄装置。
A nozzle cleaning device according to claim 4 or 5,
The nozzle cleaning apparatus, wherein the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means is discharged from a discharge port provided below the tip of the discharge nozzle.
請求項6に記載のノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの先端部下方に配置され、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有する案内部材をさらに備えることを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to claim 6,
A nozzle cleaning device, further comprising a guide member disposed below the tip of the discharge nozzle and having a guide surface that guides the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply unit downward.
請求項1ないし7のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置を調整する調整手段をさらに備えることを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to any one of claims 1 to 7,
The nozzle cleaning apparatus further comprising an adjusting unit that adjusts a supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply unit.
請求項8に記載のノズル洗浄装置であって、
前記調整手段は、所定の厚みを有するスペーサであることを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to claim 8,
The nozzle cleaning apparatus, wherein the adjusting means is a spacer having a predetermined thickness.
請求項1ないし9のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、
前記洗浄液供給手段を前記所定の方向に沿って移動させる走査機構をさらに備えることを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to any one of claims 1 to 9,
The discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction,
A nozzle cleaning apparatus, further comprising a scanning mechanism for moving the cleaning liquid supply means along the predetermined direction.
請求項1ないし9のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、
前記洗浄液供給手段は、前記吐出ノズルの先端部における前記所定の方向の全幅に渡ってほぼ同時に前記所定の洗浄液を供給することを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to any one of claims 1 to 9,
The discharge port of the discharge nozzle is a slit extending in a predetermined direction,
The nozzle cleaning apparatus, wherein the cleaning liquid supply means supplies the predetermined cleaning liquid almost simultaneously over the entire width in the predetermined direction at the tip of the discharge nozzle.
請求項1ないし11のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの先端部に所定の気体を供給する気体供給手段をさらに備え、
前記気体供給手段による前記所定の気体の供給位置は、前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置より上方とされていることを特徴とするノズル洗浄装置。
The nozzle cleaning device according to any one of claims 1 to 11,
A gas supply means for supplying a predetermined gas to the tip of the discharge nozzle;
The nozzle cleaning apparatus according to claim 1, wherein a supply position of the predetermined gas by the gas supply unit is higher than a supply position of the predetermined cleaning liquid by the cleaning liquid supply unit.
先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、
前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、
を備え、
前記洗浄液供給手段が、
前記吐出ノズルの先端部に向けて前記所定の洗浄液を吐出する複数の洗浄ノズルを備え、
前記複数の洗浄ノズルのうち少なくとも1つの洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置が、他の洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置に対して、高さ方向に異なるように配置されていることを特徴とするノズル洗浄装置。
A nozzle cleaning device for cleaning a discharge nozzle that discharges a predetermined processing liquid from a discharge port provided at a tip,
Cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the tip of the discharge nozzle;
A suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means;
With
The cleaning liquid supply means
A plurality of cleaning nozzles for discharging the predetermined cleaning liquid toward the tip of the discharge nozzle;
The supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one of the plurality of cleaning nozzles is arranged to be different in the height direction from the supply position of the predetermined cleaning liquid by another cleaning nozzle. A nozzle cleaning device characterized by.
基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、
前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、
を備え、
前記ノズル洗浄装置が、
前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、
を備え、
前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate,
Holding means for holding the substrate;
A discharge nozzle that discharges a predetermined treatment liquid from a discharge port provided at a tip of the substrate held by the holding unit;
A nozzle cleaning device for cleaning the discharge nozzle;
With
The nozzle cleaning device is
Cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the tip of the discharge nozzle;
A suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means;
With
The substrate processing apparatus, wherein the suction force of the suction means is adjusted so that the vicinity of the discharge port is substantially a stopping point of the predetermined processing liquid.
基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、
前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、
を備え、
前記ノズル洗浄装置が、
前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、
を備え、
前記洗浄液供給手段が、
前記吐出ノズルの先端部に向けて前記所定の洗浄液を吐出する複数の洗浄ノズルを備え、
前記複数の洗浄ノズルのうち少なくとも1つの洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置が、他の洗浄ノズルによる前記所定の洗浄液の供給位置と、高さ方向に異なるように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate,
Holding means for holding the substrate;
A discharge nozzle that discharges a predetermined treatment liquid from a discharge port provided at a tip of the substrate held by the holding unit;
A nozzle cleaning device for cleaning the discharge nozzle;
With
The nozzle cleaning device is
Cleaning liquid supply means for supplying a predetermined cleaning liquid toward the vicinity of the tip of the discharge nozzle;
A suction means for sucking the predetermined cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means;
With
The cleaning liquid supply means
A plurality of cleaning nozzles for discharging the predetermined cleaning liquid toward the tip of the discharge nozzle;
The supply position of the predetermined cleaning liquid by at least one cleaning nozzle among the plurality of cleaning nozzles is arranged different from the supply position of the predetermined cleaning liquid by other cleaning nozzles in the height direction. A substrate processing apparatus.
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