JP2005259960A - Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005259960A JP2005259960A JP2004069031A JP2004069031A JP2005259960A JP 2005259960 A JP2005259960 A JP 2005259960A JP 2004069031 A JP2004069031 A JP 2004069031A JP 2004069031 A JP2004069031 A JP 2004069031A JP 2005259960 A JP2005259960 A JP 2005259960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cassette
- slot
- wafer cassette
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に半導体集積回路装置の製造工程における半導体ウエハの並べ替えに適用して有効な技術に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique effective when applied to rearrangement of semiconductor wafers in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device.
例えば、本発明者が検討した技術として、半導体集積回路装置の製造工程における半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と称する)の並べ替えに関しては、以下の技術が挙げられる。 For example, as a technique studied by the present inventor, the following techniques can be cited regarding rearrangement of semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as “wafers”) in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device.
ハンドラがローダ部のカセットからウエハを順次に取り出し、そのウエハのウエハ番号を印字読み取り部によって読み取り、検査対象のウエハについては検査部に搬入して検査を実施し、その検査を実施している間に、検査対象外のウエハについても順次に印字読み取り部によってウエハ番号を読み取り、ウエハ番号が所定の順序となるように、カセットに収容されているウエハの並べ替えを行うことにより、並べ替え処理および検査処理に要する全体としての処理時間を短縮することのできるウエハ処理装置(例えば、特許文献1参照)。 While the handler sequentially takes out the wafers from the cassette of the loader unit, reads the wafer number of the wafers by the print reading unit, carries the wafer to be inspected into the inspection unit, performs the inspection, and performs the inspection In addition, the wafer numbers that are not to be inspected are sequentially read by the print reading unit, and the wafers stored in the cassette are rearranged so that the wafer numbers are in a predetermined order. A wafer processing apparatus capable of reducing the overall processing time required for inspection processing (see, for example, Patent Document 1).
ロットごとに区分けされたウエハを1枚ずつ厚さ計測機に取り出し、バーコードマークを利用してそのウエハに関する情報とともに、厚さ情報を厚さ情報記憶部に記憶し、すべての計測が終了するまで仮置き用カセットで元の状態を再現しながら、ハンドリングロボットによりバッチ用カセットにバッチごとにウエハを収納することにより、自動的にウエハを厚さ分類し、工程内の無人化を図ることのできるウエハ厚さ分類装置(例えば、特許文献2参照)。
ところで、前記のような半導体集積回路装置の製造方法の技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。 By the way, as a result of examination of the technique of the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device as described above, the following has been clarified.
半導体集積回路装置の市場における問題発生時の原因分析などを容易にするため、すなわち、トレーサビリティ向上のため、レーザを用いて文字などの記号をウエハ裏面にマーキングするレーザマーキング装置を導入することが必要となってきた。しかし、レーザマーキング工程が追加されることとなり、工程が一つ増えてしまい、工数・単価の増加、TAT(Turn Around Time)の増加および装置オペレータの増員が問題となった。 In order to facilitate analysis of causes when problems occur in the semiconductor integrated circuit device market, that is, to improve traceability, it is necessary to introduce a laser marking device that uses a laser to mark characters and other symbols on the backside of the wafer It has become. However, a laser marking process is added, and the number of processes increases by one, which increases man-hours and unit prices, increases TAT (Turn Around Time), and increases the number of equipment operators.
図15に、本発明者が本発明の前提として検討したレーザマーキング工程前後の工程の一例を示す。半導体集積回路装置の製造工程において、前工程(ステップS600)の後、バンプ(BUMP)を形成し(ステップS601)、プローブ検査(P検)を行い(ステップS602)、ウエハ検査(W検)を行い(ステップS603)、裏面研削(BG)を行い(ステップS604)、ウエハ並べ替え装置によりウエハの並べ替えを行う(ステップS605a)。チップ出荷の場合は、ステップS605aのウエハ並べ替えの後、ウエハ裏面へのレーザマーキングを行い(ステップS605b)、ダイシング、治具詰め等を行い(ステップS606)、チップを出荷する(ステップS607)。ウエハ出荷の場合は、ステップS605aのウエハ並べ替えの後、ウエハの出荷を行う(ステップS608)。 FIG. 15 shows an example of steps before and after the laser marking step studied by the inventor as a premise of the present invention. In the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device, after the previous step (step S600), bumps (BUMP) are formed (step S601), probe inspection (P inspection) is performed (step S602), and wafer inspection (W inspection) is performed. (Step S603), back grinding (BG) is performed (step S604), and the wafer is rearranged by the wafer rearrangement apparatus (step S605a). In the case of chip shipment, after the wafer rearrangement in step S605a, laser marking is performed on the back surface of the wafer (step S605b), dicing, jig filling, etc. are performed (step S606), and chips are shipped (step S607). In the case of wafer shipment, the wafer is shipped after the wafer rearrangement in step S605a (step S608).
ステップS604の裏面研削(BG)工程では、一つの装置で複数枚のウエハを同時に処理するため、処理装置のトラブル発生時に人手作業などが加わると、ウエハカセット内のウエハ並び順が入れ替わってしまうことがある。P検データ(プローブ検査結果)は、データ1枚目がウエハカセット1枚目に対応し、以下順番通りに並んでいるため、カセット内のウエハ並び順が入れ替わってしまうと、P検データとウエハの対応がとれなくなってしまう。そのため、裏面研削工程後は、ウエハ並べ替え装置を用いて、ウエハカセット内のウエハ並び順を元に戻す必要がある。 In the back grinding (BG) process in step S604, since a plurality of wafers are processed simultaneously by one apparatus, the order of the wafers in the wafer cassette may be changed if a manual operation is added when a trouble occurs in the processing apparatus. There is. In the P inspection data (probe inspection result), the first data corresponds to the first wafer cassette and is arranged in the following order. Therefore, if the wafer arrangement order in the cassette is changed, the P inspection data and the wafer are changed. Will not be able to respond. Therefore, after the back surface grinding process, it is necessary to restore the wafer arrangement order in the wafer cassette using the wafer rearrangement apparatus.
そこで、本発明の目的は、半導体集積回路装置の製造工程において、ウエハ裏面研削後のウエハ並べ替えを効率的に行い、工数・単価、TATおよび装置オペレータ等を削減することができる技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a technique capable of efficiently performing wafer rearrangement after wafer back grinding in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device and reducing man-hours / unit price, TAT, equipment operator, and the like. There is.
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、ウエハ処理工程を終えた各ウエハについてプローブ検査をし、前記ウエハの裏面を研削し、マーキング装置を用いて、前記ウエハ表面に印字されているロット番号およびウエハ番号を読み取り、前記ロット番号および前記ウエハ番号を前記ウエハ裏面にマーキングし、読み取った前記ウエハ番号に基づいて、前記マーキング装置を用いて、ウエハカセット内の前記各ウエハを前記プローブ検査順に並べ替えることにより、ウエハ並べ替え工程とマーキング工程を一つの装置で行うことが可能となる。 That is, in the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a probe inspection is performed on each wafer after the wafer processing step, the back surface of the wafer is ground, and the surface of the wafer is printed using a marking device. The lot number and the wafer number are read, the lot number and the wafer number are marked on the back surface of the wafer, and the probe inspection is performed on each wafer in a wafer cassette using the marking device based on the read wafer number. By rearranging in order, the wafer rearrangement step and the marking step can be performed by one apparatus.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
(1)ウエハ並べ替えとウエハ裏面へのレーザマーキングが同一の装置で可能となる。 (1) Wafer rearrangement and laser marking on the backside of the wafer can be performed with the same apparatus.
(2)ウエハ並べ替え工程とレーザマーキング工程を一つの装置で行うことができるため、工程を一つ削減することが可能となる。 (2) Since the wafer rearrangement step and the laser marking step can be performed with one apparatus, it is possible to reduce one step.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.
図1は本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における製造工程を示す工程フロー図、図2は本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における各工程の処理拠点を示す図である。 FIG. 1 is a process flow diagram showing a manufacturing process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows each process in the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows the processing base of.
まず、図1により、本実施の形態における製造工程の一例を説明する。本実施の形態による半導体集積回路装置の製造工程では、前工程(ステップS600)の後、バンプ(BUMP)を形成し(ステップS601)、プローブ検査(P検)を行い(ステップS602)、ウエハ検査(W検)を行い(ステップS603)、裏面研削(BG)を行い(ステップS604)、ウエハ並べ替え機能付きのレーザマーキング装置により、ウエハ裏面へのレーザマーキングとウエハの並べ替えを行う(ステップS605)。チップ出荷の場合は、ステップS605の裏面レーザマーキングとウエハ並べ替えの後、ダイシング、治具詰めを行い(ステップS606)、チップを出荷する(ステップS607)。ウエハ出荷の場合は、ステップS605のウエハ並べ替えの後、ウエハの出荷を行う(ステップS608)。 First, an example of the manufacturing process in the present embodiment will be described with reference to FIG. In the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment, after the previous process (step S600), bumps (BUMP) are formed (step S601), probe inspection (P inspection) is performed (step S602), and wafer inspection is performed. (W inspection) is performed (step S603), back surface grinding (BG) is performed (step S604), and laser marking and wafer rearrangement are performed on the wafer rear surface by a laser marking device with a wafer rearrangement function (step S605). ). In the case of chip shipment, dicing and jig packing are performed after the rear surface laser marking and wafer rearrangement in step S605 (step S606), and the chip is shipped (step S607). In the case of wafer shipment, the wafer is shipped after the wafer rearrangement in step S605 (step S608).
ステップS600の前工程(ウエハ処理工程)では、リソグラフィ、不純物導入、拡散、酸化、エッチングなどの処理を行い、ウエハ表面上に回路素子パターンを形成する。 In the pre-process (wafer processing process) of step S600, processes such as lithography, impurity introduction, diffusion, oxidation, and etching are performed to form a circuit element pattern on the wafer surface.
ステップS601のバンプ形成工程では、金(Au)などによりパッド上に突起状の電極(バンプ)を形成する。 In the bump forming step in step S601, a protruding electrode (bump) is formed on the pad with gold (Au) or the like.
ステップS602のプローブ検査工程では、電極に針(プローブ)を当て、電気的特性のテストを行う。プローブ検査は、ウエハカセット内の各スロットに入っているウエハをスロットの順番で順次取り出して実施される。ウエハカセット内のスロット番号はウエハ番号に対応している。また、P検データ(プローブ検査結果)は、プローブ検査順に記憶されている。すなわち、ウエハ番号順・スロット番号順に記憶されている。 In the probe inspection process in step S602, a needle (probe) is applied to the electrode to test the electrical characteristics. The probe inspection is performed by sequentially taking out the wafers in the respective slots in the wafer cassette in the order of the slots. The slot number in the wafer cassette corresponds to the wafer number. The P test data (probe test results) is stored in the order of probe tests. That is, they are stored in order of wafer number and slot number.
ステップS603のウエハ検査工程では、ウエハの外観検査などを行う。 In the wafer inspection process in step S603, an appearance inspection of the wafer is performed.
ステップS604のウエハ裏面研削工程では、ウエハ表面を樹脂テープ材で保護し、ステージに真空吸着し、ダイヤモンド砥石などでウエハ裏面を研削し、保護テープ剥離、ウエハ洗浄を行う。ウエハの裏面研削は、複数枚のウエハを同時に処理するため、装置トラブルなどにより、ウエハカセット内のウエハの順番が入れ替わってしまうことがある。そのため、後で、ウエハ番号順にウエハカセット内のウエハを並べ替えることが必要となる。 In the wafer back grinding process in step S604, the wafer surface is protected with a resin tape material, vacuum-adsorbed on a stage, the wafer back surface is ground with a diamond grindstone, and the protective tape is peeled off and the wafer is cleaned. Since wafer backside grinding processes a plurality of wafers simultaneously, the order of the wafers in the wafer cassette may be changed due to an apparatus trouble or the like. Therefore, it is necessary to rearrange the wafers in the wafer cassette later in the order of the wafer numbers.
ステップS605の裏面レーザマーキング、ウエハ並べ替え工程では、ウエハ並べ替え機能付きのレーザマーキング装置により、ウエハ表面に印字されているロット番号、ウエハ番号などの情報を読み取って、ウエハの裏面に、ロット番号、ウエハ番号、チップアドレス、バンプ拠点、製造年月などの情報をチップごとにマーキングする。また、空いた時間を利用してカセット内のウエハ並べ替えを行う。ウエハの並べ替えは、P検データと対応がとれるようにするため、読み取ったウエハ番号の順で並べ替える。 In the back surface laser marking and wafer rearrangement process in step S605, the lot number and wafer number information printed on the wafer surface is read by a laser marking device with a wafer rearrangement function, and the lot number is printed on the rear surface of the wafer. Information such as wafer number, chip address, bump base, and manufacturing date is marked for each chip. Further, the wafers in the cassette are rearranged using the free time. The wafers are rearranged in the order of the read wafer numbers in order to be able to correspond to the P inspection data.
ステップS606のダイシング、治具詰め工程では、ウエハをチップ単位に分割(カット)し、良品チップを選別して出荷用パレットに載せ替える。その際、ウエハ番号の順で出荷用パレットに収納され、出荷される。 In the dicing and jig packing process in step S606, the wafer is divided (cut) into chips, and non-defective chips are selected and placed on a shipping pallet. At that time, the wafers are stored in a shipping pallet in the order of the wafer numbers and shipped.
次に、図2により、本実施の形態における各工程の処理拠点の一例を説明する。図1に示した各処理工程は、すべての工程が一つの事業所すなわち一つの拠点で実施されるわけではなく、生産状況に応じて複数の処理拠点で実施される。処理拠点としては、同じ会社内の異なる工場の場合もあれば、外注先の他社工場の場合もある。例えば、図2に示すように、前工程は、前工程部門a、前工程部門b、前工程部門c、前工程部門dの拠点で実施される。前工程部門a12、前工程部門b13および前工程部門c14で処理されたウエハは受け入れ部門a16で受け入れが実施され、バンプ部門a17、バンプ部門b18、バンプ部門c19、バンプ部門d20およびバンプ部門e21へ配分されバンプが形成される。前工程部門d15で処理されたウエハはバンプ部門e21で受け入れが実施されバンプが形成される。バンプが形成されたウエハは受け入れ部門b22で受け入れが実施され、P検査部門a23、P検査部門b24、P検査部門c25、P検査部門d26およびP検査部門e27へ送られてプローブ検査が実施される。また、バンプ部門e21でバンプが形成されたウエハはP検査部門f28へ送られてプローブ検査が実施される。P検査部門a23、P検査部門b24、P検査部門c25、P検査部門d26およびP検査部門e27でプローブ検査が実施されたウエハはBG部門a29で裏面研削が実施され、P検査部門f28でプローブ検査が実施されたウエハはBG部門b30で裏面研削が実施される。BG部門a29で裏面研削が実施されたウエハは受け入れ部門c31で受け入れが実施され、後工程部門a33、後工程部門b34、後工程部門c35および後工程部門d36へ払い出される。BG部門b30で裏面研削が実施されたウエハは受け入れ部門d32で受け入れが実施され、後工程部門a33、後工程部門b34、後工程部門c35および後工程部門d36へ払い出される。後工程部門a33、後工程部門b34、後工程部門c35および後工程部門d36において、裏面レーザマーキング、ウエハ並び替え、ダイシングおよび治具詰めが実施され、後工程部門a33でウエハから分割されたチップは出荷検査部門a37で出荷検査が実施され、出荷される。後工程部門b34、後工程部門c35および後工程部門d36でウエハから分割されたチップは出荷検査部門b38で出荷検査が実施され、出荷される。なお、後工程において、ウエハがチップ単位に分割される。 Next, referring to FIG. 2, an example of the processing base of each process in the present embodiment will be described. Each processing step shown in FIG. 1 is not performed at one business site, that is, one site, but is performed at a plurality of processing sites according to the production status. The processing base may be a different factory within the same company, or a subcontractor's other factory. For example, as shown in FIG. 2, the pre-process is performed at the base of the pre-process department a, the pre-process department b, the pre-process department c, and the pre-process department d. Wafers processed in the pre-process department a12, the pre-process department b13, and the pre-process department c14 are accepted in the accept department a16, and are distributed to the bump department a17, bump department b18, bump department c19, bump department d20, and bump department e21. And bumps are formed. The wafer processed in the pre-process department d15 is accepted in the bump department e21 to form bumps. The wafer on which the bumps are formed is received by the receiving department b22 and sent to the P inspection department a23, the P inspection department b24, the P inspection department c25, the P inspection department d26, and the P inspection department e27 for probe inspection. . Further, the wafer on which the bump is formed in the bump section e21 is sent to the P inspection section f28, and the probe inspection is performed. Wafers subjected to probe inspection in the P inspection department a23, P inspection department b24, P inspection department c25, P inspection department d26 and P inspection department e27 are subjected to back grinding in the BG department a29 and probe inspection in the P inspection department f28. The wafer subjected to is subjected to back grinding at the BG department b30. The wafer subjected to the back grinding in the BG department a29 is accepted in the receiving department c31 and is delivered to the post-process department a33, the post-process department b34, the post-process department c35, and the post-process department d36. The wafer subjected to back grinding in the BG department b30 is accepted in the acceptance department d32 and delivered to the post-process department a33, the post-process department b34, the post-process department c35, and the post-process department d36. In the post-process department a33, the post-process department b34, the post-process department c35, and the post-process department d36, back surface laser marking, wafer rearrangement, dicing, and jig filling are performed. Shipment inspection is carried out in the shipment inspection department a37 and shipped. The chips divided from the wafers in the post-process department b34, the post-process department c35, and the post-process department d36 are shipped and inspected in the shipping inspection department b38. In the subsequent process, the wafer is divided into chips.
図3は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法により製造される半導体集積回路装置の実装例を示す断面図である。本実施の形態による半導体集積回路装置は、例えばLCDドライバとされ、LSIチップ39、バンプ40、リード41、基板42、テープ43、レジン44などからなり、LSIチップ39上にはバンプ40が形成され、バンプ40と基板42上のリード41が接続され、LSIチップ39はテープ43により固定され、レジン44により封止されている。後工程によりウエハから分割され、出荷されたLSIチップ39は、LSIチップ39の受け入れ先で実装される。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mounting example of a semiconductor integrated circuit device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention. The semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment is an LCD driver, for example, and includes an
図4は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法によりレーザマーキングされたLSIチップの裏面を示す図である。図4に示すように、LSIチップ39の裏面は、後述するウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置により、製造年月、ロット番号、バンプ拠点、ウエハ番号、ウエハ内チップアドレスなどがマーキングされる。なお、バンプ拠点は、バンプが形成された拠点を示す。チップアドレスは、ウエハ内の各チップの座標を示す。また、ウエハ番号は、ウエハカセット内のスロット番号に対応する。
FIG. 4 is a view showing the back surface of the LSI chip laser-marked by the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the manufacturing date, lot number, bump base, wafer number, in-wafer chip address, and the like are marked on the back surface of the
図5は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法において処理されるウエハの表面を示す図である。図5に示すように、ウエハ45の表面には、複数のLSIチップ39が形成され、ウエハ45外周のオリエンテーションフラット付近には、製品品種名、ロット番号、ウエハ番号などが印字されている。後述するウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置は、これらのロット番号、ウエハ番号を読み取り、それらに基づいてウエハ45裏面へのレーザマーキングおよびウエハ並べ替えを行う。
FIG. 5 is a diagram showing the surface of a wafer to be processed in the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, a plurality of
図6は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置の構成を示すブロック図、図7はウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置の構成を示す平面図である。図6および図7に示すように、本実施の形態によるウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4は、半導体ウエハ搬送部1a、画像読取認識部5、レーザマーク部8、待機用ウエハカセット(第2ウエハカセット)9などから構成され、半導体ウエハ搬送部1a、画像読取認識部5およびレーザマーク部8は、制御部6と電気的に接続され、制御部6により制御されるようになっている。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a laser marking device with a wafer rearrangement function in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows a configuration of the laser marking device with a wafer rearrangement function. FIG. As shown in FIGS. 6 and 7, the laser marking device 4 with a wafer rearrangement function according to the present embodiment includes a semiconductor wafer transfer unit 1a, an image reading
図7は、ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4を上方から見た図である。図7に示すように、半導体ウエハ搬送部1aは、搬送アーム1およびウエハカセットステージ10、待機用ウエハカセット9などから構成され、搬送アーム1はウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4の中央付近に配置されている。
FIG. 7 is a view of the laser marking device 4 with a wafer rearrangement function as viewed from above. As shown in FIG. 7, the semiconductor wafer transfer unit 1a includes a
制御部6は、ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4内のそれぞれの機能を制御するものである。半導体ウエハ搬送部1aは、レーザマーク部8と画像読取認識部5とウエハカセットステージ10と待機用ウエハカセット9の間で、搬送アーム1によりウエハを運ぶものである。画像読取認識部5は、ウエハ表面に印字されているロット番号、ウエハ番号などを画像認識により読み取るものである。また、ウエハのオリエンテーションフラットやノッチの位置合わせも併せて実行する。画像認識手段としては、例えばOCR(Optical Character Reader)などが用いられる。レーザマーク部8は、ウエハ裏面に製造年月、ロット番号、ウエハ番号、バンプ拠点、チップアドレスなどをチップごとにレーザで印字するものである。ウエハカセットステージ10は、ウエハが入っているウエハカセット(第1ウエハカセット)2を置くものである。ウエハカセットステージ10は、図7では、一つであるが、これに限定されることはなく、複数個あってもよい。複数個のウエハカセットステージ10があれば、複数のウエハカセット2を同時に処理することができる。待機用ウエハカセット9は、ウエハ並べ替えのために、一時的にウエハを待機させるウエハカセットであり、バッファとして使用される。なお、ホスト7は、制御部6を介してウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4との間で、レシピなどの処理データの授受や全体制御を行うホストコンピュータである。
The
図8は、図7のウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置の動作フローを示すフローチャートである。図8により、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法の一実施例をウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4を用いて説明する。 FIG. 8 is a flowchart showing an operation flow of the laser marking apparatus with a wafer rearrangement function of FIG. With reference to FIG. 8, an example of a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment will be described using a laser marking device 4 with a wafer rearrangement function.
まず、オペレータが、ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4のウエハカセットステージ10に、ウエハの入ったウエハカセット2をセットする。
First, the operator sets the
オペレータが、着工スタート指示をすると、搬送アーム1は、ウエハカセットステージ10上のウエハカセット2からウエハを1枚抜き取り、そのウエハを画像読取認識部5へロードする(ステップS100)。
When the operator gives an instruction to start construction, the
画像読取認識部5は、ウエハ表面に印字されているロット番号、ウエハ番号を画像認識する。また、オリエンテーションフラット(ノッチ)の位置合わせを実行する(ステップS101)。
The image reading and
ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4は、画像認識したロット番号をキーにホスト7に問い合わせを行い、ロット番号に対応したレシピを呼び出す。問い合わせができなかった場合、またはウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4がマニュアルモードのときは、オペレータがレシピを入力する(ステップS102)。
The laser marking device 4 with a wafer rearrangement function makes an inquiry to the
搬送アーム1により、画像読取認識部5からレーザマーク部8へウエハを移動する(ステップS103)。
The wafer is moved from the image reading
レーザマーク部8で、ウエハ裏面にレシピ指示によりマーキングを行う(ステップS104)。
The
マーキング終了後、搬送アーム1により、レーザマーク部8からウエハカセット2へウエハを移動し、画像認識により読み取ったウエハ番号と同一のウエハカセットスロットにアンロード(回収、収納)を行う(ステップS105)。この時、ステップS106で、当該ウエハ番号と同一のウエハカセットスロットにウエハがないか否かを確認し、ウエハがない場合すなわちスロットが空いている場合(Yes)は、そのままアンロードする(ステップS107)。当該スロットに他のウエハが存在している場合(No)は、ウエハを待機用ウエハカセット9に一時的にロード(収納)する(ステップS108)。
After the marking, the wafer is moved from the
ステップS109で、ウエハカセット2内にあるすべてのウエハが着工完了しているか否かを確認し、全ウエハが着工完了していない場合(No)は、ステップS100〜ステップS109を繰り返す。
In step S109, it is confirmed whether or not all the wafers in the
ウエハカセット2内にあるすべてのウエハが着工完了している場合(Yes)は、ステップS110へ進み、ロードしたウエハがすべてウエハカセット2内にアンロードされているか否かを確認する。ウエハカセット2からロードしたウエハがすべてアンロードされている場合(Yes)は、そのまま着工終了する。
If all the wafers in the
ウエハカセット2からロードしたウエハがすべてウエハカセット2にアンロードされていない場合(No)は、待機用ウエハカセット9で一時待機しているウエハをウエハ番号と同一のスロットにすべてアンロードを行い(ステップS111)、着工終了する。
When all the wafers loaded from the
したがって、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法によれば、全ウエハの着工完了後に、待機用ウエハカセット9で一時待機しているウエハのウエハ番号と同一のスロットに当該ウエハをアンロードすることにより、ウエハの並べ替えが同一の装置で可能となり、工程を一つ削減することが可能となる。 Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment, after the completion of all the wafers, the wafer is unloaded into the same slot as the wafer number of the wafer temporarily waiting in the standby wafer cassette 9. By loading, wafers can be rearranged with the same apparatus, and one process can be reduced.
図9は、図7のウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置の他の動作フローを示すフローチャートである。図9により、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法の他の実施例をウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4を用いて説明する。 FIG. 9 is a flowchart showing another operation flow of the laser marking apparatus with a wafer rearrangement function of FIG. With reference to FIG. 9, another example of the semiconductor integrated circuit device manufacturing method according to the present embodiment will be described using a laser marking device 4 with a wafer rearrangement function.
図9において、ステップS200〜ステップS204は、前記図8に示した前記実施例のステップS100〜ステップS104と同じであるので、説明を省略する。 In FIG. 9, steps S200 to S204 are the same as steps S100 to S104 of the embodiment shown in FIG.
ステップS204でウエハ裏面にマーキングを行っている間、その待ち時間を利用して、ウエハカセット2内の次スロットに入っている他のウエハを、搬送アーム1により、ウエハカセット2から画像読取認識部5へロードする(ステップS205)。
While marking on the back surface of the wafer in step S204, the waiting time is used to transfer another wafer in the next slot in the
ステップS204のマーキングが終了したら、マーキングが終了したウエハを、搬送アーム1によりレーザマーク部8からウエハカセット2へ移動し、画像認識により読み取ったウエハ番号と同一のウエハカセットスロットにアンロードを行う(ステップS206)。この時、ステップS207で、当該ウエハ番号と同一のウエハカセットスロットにウエハがないか否かを確認し、スロットが空いている場合(Yes)は、当該ウエハ番号と同じ番号のウエハカセットスロットへアンロードする(ステップS208)。当該スロットに他のウエハが存在している場合(No)は、ウエハを待機用ウエハカセット9に一時的にロードする(ステップS209)。
When the marking in step S204 is completed, the marking-completed wafer is moved from the
ステップS210で、ウエハカセット2内にあるすべてのウエハが着工完了しているか否かを確認し、全ウエハが着工完了している場合(Yes)は、そのまま着工終了する。
全ウエハが着工完了していない場合は、ステップS211へ進み、ウエハカセット2の空きスロット番号が、待機用ウエハカセット9に一時待機中のウエハ番号と同じか否かを確認し、同じでない場合(No)は、ステップS201へ進む。ウエハカセット2の空きスロット番号が、待機用ウエハカセット9に一時待機中のウエハ番号と同じ場合(Yes)は、ウエハカセット2の空きスロット番号と同じウエハ番号のウエハを、搬送アーム1により待機用ウエハカセット9からウエハカセット2へ移動し、ウエハカセット2内の当該空きスロットにそのウエハをアンロードし(ステップS212)、ステップS201へ進む。
In step S210, it is checked whether or not all the wafers in the
If all the wafers have not been started, the process proceeds to step S211, where it is confirmed whether the empty slot number of the
したがって、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法によれば、ウエハカセット2において、待機用ウエハカセット9で一時待機しているウエハのウエハ番号と同一のスロットが空いた時に、当該ウエハをアンロードすることにより、ウエハの並べ替えが同一の装置で可能となり、工程を一つ削減することが可能となる。
Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment, when the same slot in the
図10はウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置の他の構成を示す平面図である。図10に示すウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4aは、前記図7に示したウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4の待機用ウエハカセット9に代えて、アンロード用ウエハカセットステージ11およびウエハカセット(第2ウエハカセット)3を設けたものである。ロード用ウエハカセットステージ10は、これから着工するウエハが入ったウエハカセット(第1ウエハカセット)2を置く所である。アンロード用ウエハカセットステージ11は、着工完了したウエハが入るウエハカセット3を置く所である。ロード用ウエハカセットステージ10およびアンロード用ウエハカセットステージ11は、図10ではそれぞれ一つずつであるが、これに限定されることはなく、それぞれ複数個あってもよい。それぞれ複数個のウエハカセットステージがあれば、複数のウエハカセットを同時に処理することができる。
FIG. 10 is a plan view showing another configuration of the laser marking apparatus with a wafer rearrangement function. A
図11は、図10のウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4aの動作フローを示すフローチャートである。図11により、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法の一実施例をウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4aを用いて説明する。
FIG. 11 is a flowchart showing an operation flow of the
まず、オペレータが、着工前のウエハが入ったウエハカセット2をロード用ウエハカセットステージ10に、アンロード用の空のウエハカセット3をアンロード用ウエハカセットステージ11にセットする(ステップS300)。
First, the operator sets the
オペレータが、着工スタート指示をすると、搬送アーム1は、ウエハカセットステージ10上のウエハカセット2からウエハを1枚抜き取り、そのウエハを画像読取認識部5へロードする(ステップS301)。
When the operator gives an instruction to start construction, the
画像読取認識部5は、ウエハ表面に印字されているロット番号、ウエハ番号を画像認識する。また、オリエンテーションフラット(ノッチ)の位置合わせを実行する(ステップS302)。
The image reading and
ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4aは、画像認識したロット番号をキーにホスト7に問い合わせを行い、ロット番号に対応したレシピを呼び出す。問い合わせができなかった場合、またはウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4aがマニュアルモードのときは、オペレータがレシピを入力する(ステップS303)。
The
搬送アーム1により、画像読取認識部5からレーザマーク部8へウエハを移動する(ステップS304)。
The wafer is moved from the image reading
レーザマーク部8で、ウエハ裏面にレシピ指示によりマーキングを行う(ステップS305)。
The
ステップS305でウエハ裏面にマーキングを行っている間、その待ち時間を利用して、ウエハカセット2内の次スロットに入っている他のウエハを、搬送アーム1により、ウエハカセット2から画像読取認識部5へロードする(ステップS306)。
While marking on the back surface of the wafer in step S305, the waiting time is used to transfer another wafer in the next slot in the
ステップS305のマーキングが終了したら、マーキングが終了したウエハを、搬送アーム1によりレーザマーク部8からアンロード用ウエハカセットステージ11上のウエハカセット3へ移動し、画像認識により読み取ったウエハ番号と同一のスロットにアンロードを行う(ステップS307)。
When the marking in step S305 is completed, the marking-completed wafer is moved from the
ステップS308で、ウエハカセット2内にあるすべてのウエハが着工完了しているか否かを確認し、全ウエハが着工完了していない場合(No)は、ステップS302〜ステップS308を繰り返す。全ウエハが着工完了している場合は、そのまま着工終了する。
In step S308, it is confirmed whether or not all the wafers in the
したがって、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法によれば、ロード用ウエハカセットステージ10上のウエハカセット2のウエハは、すべてアンロード用ウエハカセットステージ11上のウエハカセット3に移り変わる。このとき、ウエハ番号順に並び替わるので、ウエハの並べ替えが同一の装置で可能となり、工程を一つ削減することが可能となる。
Therefore, according to the semiconductor integrated circuit device manufacturing method of the present embodiment, all the wafers in
図12はウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置の他の構成を示す平面図である。図12に示すウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bは、前記図7に示したウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4の待機用ウエハカセット9をなくしたものである。なお、ウエハカセットステージ10は、図12では一つであるが、これに限定されることはなく、複数個あってもよい。複数個のウエハカセットステージがあれば、複数のウエハカセットを同時に処理することができる。
FIG. 12 is a plan view showing another configuration of the laser marking apparatus with a wafer rearrangement function. The
図13は、図12のウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bの動作フローを示すフローチャートである。図13により、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法の一実施例をウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bを用いて説明する。
FIG. 13 is a flowchart showing an operation flow of the
まず、オペレータが、ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bのウエハカセットステージ10に、ウエハの入ったウエハカセット2をセットする。
First, the operator sets the
オペレータが、着工スタート指示をすると、搬送アーム1は、ウエハカセットステージ10上のウエハカセット2からウエハを1枚抜き取り、そのウエハを画像読取認識部5へロードする(ステップS400)。
When the operator gives an instruction to start construction, the
画像読取認識部5は、ウエハ表面に印字されているロット番号、ウエハ番号を画像認識する。また、オリエンテーションフラット(ノッチ)の位置合わせを実行する(ステップS401)。
The image reading and
ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bは、画像認識したロット番号をキーにホスト7に問い合わせを行い、ロット番号に対応したレシピを呼び出す。問い合わせができなかった場合、またはウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bがマニュアルモードのときは、オペレータがレシピを入力する(ステップS402)。
The
搬送アーム1により、画像読取認識部5からレーザマーク部8へウエハを移動する(ステップS403)。
The wafer is moved from the image reading
レーザマーク部8で、ウエハ裏面にレシピ指示によりマーキングを行う(ステップS404)。
The
ステップS404でウエハ裏面にマーキングを行っている間、その待ち時間を利用して、マーキング中ウエハのウエハ番号(画像認識により読み取ったウエハ番号)とロード元(ウエハカセット2)のスロット番号が同じ場合は、ウエハカセット2内の次着工ウエハ(次スロットに入っている他のウエハ)を、順番通りにウエハカセット2から抜き出し、画像読取認識部5へ搬送アーム1によりロードする。マーキング中ウエハのウエハ番号とロード元のスロット番号が異なる場合は、マーキング中ウエハのウエハ番号と同じスロット番号にあるウエハを、ウエハカセット2から抜き出し、画像読取認識部5へ搬送アームによりロードする(ステップS405)。
While marking is performed on the back surface of the wafer in step S404, when the waiting time is used, the wafer number of the wafer being marked (wafer number read by image recognition) and the slot number of the load source (wafer cassette 2) are the same. In the
ステップS404のマーキングが終了したら、マーキングが終了したウエハを、搬送アーム1によりレーザマーク部8からウエハカセット2へ移動し、画像認識により読み取ったウエハ番号と同一のウエハカセットスロットにアンロードを行う(ステップS406)。
When the marking in step S404 is completed, the marking-completed wafer is moved from the
ステップS407で、ウエハカセット2内にあるすべてのウエハが着工完了しているか否かを確認し、全ウエハが着工完了していない場合(No)は、ステップS400〜ステップS407を繰り返す。全ウエハが着工完了している場合(Yes)は、そのまま着工終了する。
In step S407, it is checked whether or not all the wafers in the
したがって、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法によれば、マーキング中ウエハのウエハ番号と同じスロットに他のウエハが存在している場合は、そのウエハを次着工ウエハとして抜き出し、当該スロットを空けておくことにより、ウエハ番号と同一のスロットにマーキング後のウエハをアンロードすることができるので、ウエハの並べ替えが同一の装置で可能となり、工程を一つ削減することが可能となる。 Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment, if another wafer exists in the same slot as the wafer number of the wafer being marked, the wafer is extracted as the next process wafer. By leaving the slot open, the wafer after marking can be unloaded in the same slot as the wafer number, so the wafer can be rearranged with the same equipment, and one process can be reduced. Become.
図14は、図12のウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bの他の動作フローを示すフローチャートである。図14により、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法の他の実施例をウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置4bを用いて説明する。
FIG. 14 is a flowchart showing another operation flow of the
図14において、ステップS500〜ステップS504は、前記図13に示した前記実施例のステップS400〜ステップS404と同じであるので、説明を省略する。 In FIG. 14, steps S500 to S504 are the same as steps S400 to S404 of the embodiment shown in FIG.
ステップS504でウエハ裏面にマーキングを行っている間、その待ち時間を利用して、ウエハカセット2内の次着工ウエハ(次スロットに入っている他のウエハ)を、搬送アーム1により、ウエハカセット2から画像読取認識部5へロードする(ステップS505)。
While marking is performed on the back surface of the wafer in step S504, the next processing wafer (other wafers in the next slot) in the
着工済みのウエハで、ウエハ番号と置かれているスロット番号が違っているものがあり、かつ、ウエハ番号と同じ番号のスロットにウエハがない場合は、着工済みのウエハを搬送アーム1で取り出し、ウエハ番号と同じスロット番号に置く(ステップS506)。
If there is a wafer that has been started and the slot number is different from the wafer number, and there is no wafer in the slot with the same number as the wafer number, the processed wafer is taken out by the
ステップS504のマーキング終了後、レーザマーク部8から搬送アーム1により、ウエハカセット2内のウエハ番号と同一のウエハカセットスロットにアンロードを行う。ウエハ番号と同一のウエハカセットスロットに既にウエハがある場合は、ロード元の空いているスロットにアンロードを行う(ステップS507)。
After completion of the marking in step S504, unloading is performed from the
ステップS508で、ウエハカセット2内にあるすべてのウエハが着工完了しているか否かを確認し、全ウエハが着工完了していない場合(No)は、ステップS501〜ステップS508を繰り返す。全ウエハが着工完了している場合(Yes)は、そのまま着工終了する。
In step S508, it is confirmed whether or not all the wafers in the
したがって、本実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法によれば、マーキング中の待ち時間を利用して、ウエハカセット2内にある着工済みのウエハを並べ替えることにより、ウエハの並べ替えが同一の装置で可能となり、工程を一つ削減することが可能となる。
Therefore, according to the manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device of the present embodiment, the wafers can be rearranged by rearranging the completed wafers in the
なお、レーザマーキングに要する時間は、ウエハ1枚当たり約2分であり、ウエハのロードやアンロードのウエハ搬送に要する時間はオリエンテーションフラット(ノッチ)の位置合わせを含めて約70秒ほどである。ウエハ2枚目以降は、レーザマーキングを行っている間にウエハ搬送を行うことができるので、実質的な搬送時間は短縮される。したがって、レーザマーキング中の待機時間を利用して、他のウエハの並べ替えが可能となる。また、ウエハ処理中は、レーザマーク部8に1枚、画像読取認識部5に1枚のウエハが載っているため、ウエハカセットステージ10上のウエハカセット2からは、2枚のウエハが抜き取られていることになる。
The time required for laser marking is about 2 minutes per wafer, and the time required for wafer loading and unloading is about 70 seconds including alignment of the orientation flat (notch). Since the second and subsequent wafers can be transferred while performing the laser marking, the substantial transfer time is shortened. Therefore, other wafers can be rearranged using the standby time during laser marking. During wafer processing, one wafer is placed on the
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
例えば、前記実施の形態においては、半導体集積回路装置としてLCDドライバについて説明したが、これに限定されるものではなく、他の半導体集積回路装置についても適用可能である。 For example, in the above embodiment, the LCD driver has been described as the semiconductor integrated circuit device. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to other semiconductor integrated circuit devices.
また、前記実施の形態においては、マーキング装置としてレーザマーキング装置について説明したが、これに限定されるものではなく、インクなどを使用した他のマーキング装置についても適用可能である。 Moreover, in the said embodiment, although the laser marking apparatus was demonstrated as a marking apparatus, it is not limited to this, It can apply also to the other marking apparatus which uses ink etc.
以上に述べたように、本願において開示される発明は、半導体集積回路装置の製造ライン等について適用可能である。 As described above, the invention disclosed in the present application can be applied to a production line of a semiconductor integrated circuit device.
1 搬送アーム
1a 半導体ウエハ搬送部
2 ウエハカセット(第1ウエハカセット)
3 ウエハカセット(第2ウエハカセット)
4,4a,4b ウエハ並べ替え機能付きレーザマーキング装置
5 画像読取認識部
6 制御部
7 ホスト
8 レーザマーク部
9 待機用ウエハカセット(第2ウエハカセット)
10,11 ウエハカセットステージ
12 前工程部門a
13 前工程部門b
14 前工程部門c
15 前工程部門d
16 受け入れ部門a
17 バンプ部門a
18 バンプ部門b
19 バンプ部門c
20 バンプ部門d
21 バンプ部門e
22 受け入れ部門b
23 P検査部門a
24 P検査部門b
25 P検査部門c
26 P検査部門d
27 P検査部門e
28 P検査部門f
29 BG部門a
30 BG部門b
31 受け入れ部門c
32 受け入れ部門d
33 後工程部門a
34 後工程部門b
35 後工程部門c
36 後工程部門d
37 出荷検査部門a
38 出荷検査部門b
39 LSIチップ
40 バンプ
41 リード
42 基板
43 テープ
44 レジン
45 ウエハ
DESCRIPTION OF
3 Wafer cassette (second wafer cassette)
4, 4a, 4b Laser marking device with
10, 11
13 Pre-processing department b
14 Pre-processing department c
15 Previous process department d
16 Accepting department a
17 Bump category a
18 Bump category b
19 Bump category c
20 Bump category d
21 Bump category e
22 Accepting department b
23P inspection department a
24P inspection department b
25P inspection department c
26P inspection department d
27P inspection department e
28 P Inspection Department f
29 BG category a
30 BG category b
31 Accepting department c
32 Accepting department d
33 Post-processing department a
34 Post-process department b
35 Post-processing department c
36 Post-processing department d
37 Shipping Inspection Department a
38 Shipping Inspection Department b
39
Claims (7)
(a)ウエハ処理工程を終えた各ウエハについてプローブ検査をする工程;
(b)前記ウエハの裏面を研削する工程;
(c)マーキング装置を用いて、前記ウエハ表面に印字されているロット番号およびウエハ番号を読み取り、前記ロット番号および前記ウエハ番号を前記ウエハ裏面にマーキングする工程;
(d)前記工程(c)で読み取った前記ウエハ番号に基づいて、前記マーキング装置を用いて、ウエハカセット内の前記各ウエハを前記プローブ検査順に並べ替える工程。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including the following steps:
(A) a step of performing probe inspection on each wafer after the wafer processing step;
(B) grinding the back surface of the wafer;
(C) using a marking device, reading a lot number and a wafer number printed on the wafer surface, and marking the lot number and the wafer number on the back surface of the wafer;
(D) A step of rearranging the wafers in a wafer cassette in the order of the probe inspection using the marking device based on the wafer number read in the step (c).
(e)前記ウエハをチップ単位に分割する工程。 The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1 further includes the following steps:
(E) A step of dividing the wafer into chips.
前記工程(d)は、以下の下位工程を含む:
(d1)前記工程(c)の番号読み取りのため、第1ウエハカセット内の第1スロットから第1ウエハを取り出す工程;
(d2)前記第1ウエハについて前記工程(c)のマーキングをした後、前記第1ウエハの前記ウエハ番号に対応する前記第1ウエハカセット内の第2スロットに第2ウエハがある場合は、第2ウエハカセット内に前記第1ウエハを一時的に保管する工程;
(d3)前記第1ウエハカセット内のすべての前記各ウエハについて前記工程(c)のマーキングをした後、前記第2ウエハカセット内に一時的に保管されている前記第1ウエハを、前記第1ウエハカセット内の前記第2スロットに収納する工程。 The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
Said step (d) comprises the following substeps:
(D1) A step of taking out the first wafer from the first slot in the first wafer cassette for reading the number in the step (c);
(D2) After marking the first wafer in the step (c), if there is a second wafer in the second slot in the first wafer cassette corresponding to the wafer number of the first wafer, Temporarily storing the first wafer in a two-wafer cassette;
(D3) After marking in the step (c) for all the wafers in the first wafer cassette, the first wafer temporarily stored in the second wafer cassette is transferred to the first wafer cassette. Storing in the second slot in the wafer cassette;
前記工程(d)は、以下の下位工程を含む:
(d1)前記工程(c)の番号読み取りのため、第1ウエハカセット内の第1スロットから第1ウエハを取り出す工程;
(d2)前記第1ウエハについて前記工程(c)のマーキングをした後、前記第1ウエハの前記ウエハ番号に対応する前記第1ウエハカセット内の第2スロットに第2ウエハがある場合は、第2ウエハカセット内に前記第1ウエハを一時的に保管する工程;
(d3)前記第1ウエハカセット内の前記第2スロットから前記第2ウエハが取り出され、前記第2スロットが空いた時、前記第2ウエハカセット内に一時的に保管されている前記第1ウエハを、前記第1ウエハカセット内の前記第2スロットに収納する工程。 The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
Said step (d) comprises the following substeps:
(D1) A step of taking out the first wafer from the first slot in the first wafer cassette for reading the number in the step (c);
(D2) After marking the first wafer in the step (c), if there is a second wafer in the second slot in the first wafer cassette corresponding to the wafer number of the first wafer, Temporarily storing the first wafer in a two-wafer cassette;
(D3) The first wafer is temporarily stored in the second wafer cassette when the second wafer is taken out from the second slot in the first wafer cassette and the second slot is empty. Is stored in the second slot in the first wafer cassette.
前記工程(d)は、以下の下位工程を含む:
(d1)前記工程(c)の番号読み取りのため、第1ウエハカセット内の第1スロットから第1ウエハを取り出す工程;
(d2)前記第1ウエハについて前記工程(c)のマーキングをした後、前記第1ウエハの前記ウエハ番号に対応する第2ウエハカセット内の第2スロットに前記第1ウエハを収納する工程。 The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
Said step (d) comprises the following substeps:
(D1) A step of taking out the first wafer from the first slot in the first wafer cassette for reading the number in the step (c);
(D2) A step of storing the first wafer in a second slot in a second wafer cassette corresponding to the wafer number of the first wafer after marking in the step (c) for the first wafer.
前記工程(d)は、以下の下位工程を含む:
(d1)前記工程(c)の番号読み取りのため、前記ウエハカセット内の第1スロットから第1ウエハを取り出す工程;
(d2)次に着工するウエハとして、前記第1ウエハの前記ウエハ番号に対応する前記ウエハカセット内の第2スロットから第2ウエハを取り出す工程;
(d3)前記第1ウエハについて前記工程(c)のマーキングをした後、前記ウエハカセット内の前記第2スロットに前記第1ウエハを収納する工程。 The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
Said step (d) comprises the following substeps:
(D1) taking out the first wafer from the first slot in the wafer cassette for reading the number in the step (c);
(D2) a step of taking out the second wafer from the second slot in the wafer cassette corresponding to the wafer number of the first wafer as a wafer to be started next;
(D3) A step of storing the first wafer in the second slot in the wafer cassette after marking the step (c) on the first wafer.
前記工程(d)は、以下の下位工程を含む:
(d1)前記工程(c)の番号読み取りのため、前記ウエハカセット内の第1スロットから第1ウエハを取り出す工程;
(d2)前記第1ウエハについて前記工程(c)のマーキングをしている間に、前記ウエハカセット内の第2スロットに収納されている着工済みの第2ウエハの前記ウエハ番号に対応する第3スロットが空いている場合は、前記第2ウエハを前記第2スロットから取り出し、前記第3スロットに収納する工程;
(d3)前記第1ウエハについて前記工程(c)のマーキングをした後、前記第1ウエハに対応する前記ウエハカセット内の第4スロットが空いている場合は、前記第1ウエハを前記第4スロットに収納し、前記第4スロットが空いていない場合は、前記第1ウエハを前記第1スロットに収納する工程。 The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
Said step (d) comprises the following substeps:
(D1) taking out the first wafer from the first slot in the wafer cassette for reading the number in the step (c);
(D2) While marking the first wafer in the step (c), a third corresponding to the wafer number of the second wafer that has been started and stored in the second slot in the wafer cassette. If the slot is vacant, the step of removing the second wafer from the second slot and storing it in the third slot;
(D3) After marking the first wafer in the step (c), if the fourth slot in the wafer cassette corresponding to the first wafer is empty, the first wafer is moved to the fourth slot. And storing the first wafer in the first slot when the fourth slot is not empty.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004069031A JP2005259960A (en) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004069031A JP2005259960A (en) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005259960A true JP2005259960A (en) | 2005-09-22 |
Family
ID=35085395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004069031A Pending JP2005259960A (en) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005259960A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046420A (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社ディスコ | Method of managing wafer |
-
2004
- 2004-03-11 JP JP2004069031A patent/JP2005259960A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046420A (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社ディスコ | Method of managing wafer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6256549B1 (en) | Integrated manufacturing solutions | |
JP2014022445A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
JP2003224177A (en) | Centering apparatus and semiconductor manufacturing apparatus | |
US6830941B1 (en) | Method and apparatus for identifying individual die during failure analysis | |
JP4509901B2 (en) | Semiconductor component manufacturing system, control device, and computer program | |
US6756796B2 (en) | Method of search and identify reference die | |
US7534655B2 (en) | Method of arranging dies in a wafer for easy inkless partial wafer process | |
US6165805A (en) | Scan tool recipe server | |
JP2018121015A (en) | Processing apparatus | |
JP2005259960A (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device | |
US6599763B1 (en) | Wafer randomization and alignment system integrated into a multiple chamber wafer processing system | |
US20050098779A1 (en) | Production process for producing semiconductor devices, semiconductor devices produced thereby, and test system for carrying out yield-rate test in production of such semiconductor devices | |
US20090096462A1 (en) | Wafer testing method | |
JPH09306873A (en) | Wafer dividing system | |
US6957116B2 (en) | Quality assurance system and method | |
US20030155280A1 (en) | Semiconductor device inspection system | |
JP2849519B2 (en) | Semiconductor device bonding equipment | |
JP2004241697A (en) | Manufacture management apparatus for semiconductor wafer | |
JP2004214453A (en) | Method and apparatus for die bonding semiconductor element | |
JPH01304721A (en) | Semiconductor substrate with maker | |
JP4632659B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH07135226A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH06310582A (en) | Inspection data control method and apparatus | |
JP2979682B2 (en) | Method of assembling semiconductor device using map | |
JP2932404B2 (en) | Semiconductor test method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20061106 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090804 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20091201 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |