JP2005244249A - 結晶性珪素膜の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の非晶質半導体膜102に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、第1の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜上にバリア膜105を形成し、バリア膜105上に周期表の15族に属する元素を含有する第2の非晶質半導体膜106を形成し、結晶性半導体膜104及び第2の非晶質半導体膜106を加熱することにより、金属元素を第2の非晶質半導体膜106に元素を移動させることを特徴とする結晶性半導体膜104の作製方法である。
【選択図】図1
Description
珪素の結晶化を助長する金属元素の作用により結晶化された珪素膜を形成する工程と、
該珪素膜の少なくとも一部の表面にバリア膜を形成する工程と、
該バリア膜上び15族の元素を含有させた珪素膜を成膜する工程と、
加熱処理を施し、前記金属元素を前記珪素膜から前記15族の元素を含有させた珪素膜に移動させる工程と、
前記15族の元素を含有させた珪素膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導膜の作製方法である。
(1)膜厚が珪素膜104の膜厚以上、好ましくは2倍以上。
(2)燐の含有濃度が珪素膜104中のニッケル濃度よりも高いこと。好ましくは5倍上であること
102 非晶質珪素膜
103 表面に接して保持されたニッケル元素
104 結晶性珪素膜
105 熱酸化膜
106 燐を高濃度にドーピングした非晶質珪素膜
201 酸化珪素膜でなるマスク
202 マスク201に形成された開口部
203 表面に接して保持されたニッケル元素
Claims (1)
- 第1の非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第1の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にバリア膜を形成し、
前記バリア膜上に周期表の15族に属する元素を含有する第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜及び前記第2の非晶質半導体膜を加熱することにより、前記金属元素を前記第2の非晶質半導体膜に前記元素を移動させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
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CN102064100B (zh) * | 2009-11-12 | 2013-09-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法 |
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