JP2005223344A - 半導体ウェーハ、該半導体ウェーハを製造するための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】それぞれ内側の部分スピンドル2A,2Bと外側の部分スピンドル3A,3Bとを備えた2つのダブルスピンドル1A,1Bと、半導体ウェーハ8のローディングおよびアンローディングのための装置と、両ダブルスピンドルの間に配置されたワーク収容部とが設けられており、該ワーク収容部によって半導体ウェーハ8が研削ステップの間、自由にフローティングするように保持されており、部分スピンドルが同軸的に配置されていて、半導体ウェーハ8の両面を研削するための研削砥石4A,4B;6A,6Bを支持しており、ダブルスピンドル1つ当たりそれぞれ少なくとも一方の部分スピンドルがダブルスピンドルの他方の部分スピンドルとは別個に独立して軸方向に移動可能である。
【選択図】図2
Description
a)単結晶シリコンインゴットの製造(結晶成長)
b)シリコンインゴットの、個々のウェーハへの分断(「スライシング」、「ソーイング」)
c)機械的な加工(メカニカル加工)
d)化学的な加工(ケミカル加工)
e)化学機械的な加工(ケモメカニカル加工)
f)場合によってはコーティング。
(1)切断→エッジラウンディング→DDDG→精密ポリシングの各ステップ、
(2)切断→DDDG→エッジラウンディング→精密ポリシングの各ステップ
を有する2つのコア手順に分けられる。
本発明によるDDDG法の使用例として、以下のプロセスパラメータが有利であることが明らかにされる:
粗研削時では、このことは、4〜50μmの粒度と、セラミックまたは金属により結合された砥粒(Abrasiv)としてのダイヤモンドとを有する、内側の部分スピンドルまたは外側の部分スピンドルによって保持された研削砥石、1000〜12000r.p.m.のスピンドル回転数および15〜300μm/分(両スピンドルに関して)のスピンドル送り速度における2×20μm〜2×60μmの研削除去量ならびに5〜100r.p.m.の半導体ウェーハの回転数および0.1〜5リットル/分の水を用いた冷却潤滑である。結果は250〜3000Å RMS(1〜80μm)の粗さおよび0.7〜3μm(粗研削時の、同軸的に配置されたダブルスピンドルを用いた方法の場合)の厚さむらTTV(total thickness variation)を有する、粗研削された面を備えた半導体ウェーハである。
2A,2B 粗研削スピンドル
3A,3B 精密研削スピンドル
4A,4B 研削砥石
5A,5B 研削パッド
6A,6B 研削砥石
7A,7B 研削パッド
8 半導体ウェーハ
9 支持リング
10A,10B 側壁
11A,11B ウォータクッションまたはエアクッション
12 リング
13 真空
14 粗研削目標厚さ
15 精密研削目標厚さ
16 目標形状
17 点接触
18A,18B 引戻し量
19A,19B 送り量
20A,20B 測定手段
21A,21B 角度
22 真空
Claims (19)
- 半導体ウェーハの両面研削を包含する、半導体ウェーハを製造するための方法であって、半導体ウェーハを研削工具によって両面同時に、最初は粗くかつ引き続き精密に研削する形式の方法において、粗研削と精密研削との間に半導体ウェーハを研削機械にチャックしたまま残し、粗研削から精密研削への移行時にほぼ一定の負荷をかけて研削工具を係合させることを特徴とする、半導体ウェーハを製造するための方法。
- 複数の研削砥石を備えた2つのダブルスピンドルの間で半導体ウェーハを研削する、請求項1記載の方法。
- 半導体ウェーハを両面研削の前に半導体結晶から切断し、両面研削の後で研磨する、請求項1または2記載の方法。
- 半導体ウェーハのエッジを両面研削の前または後にエッジラウンディングにより研磨する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体ウェーハを両面研削の後にエッチング剤で処理し、この場合、半導体ウェーハの片面または両面から材料を除去する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体ウェーハに粗研削によって非プレーナな中間形状を付与し、精密研削によってプレーナな最終形状を付与する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体ウェーハを両面研磨の後に、材料を除去するサブアパーチュア法に施し、引き続き研磨する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体ウェーハを両面研削の後に、除去ポリシングと精密ポリシングとに施す、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 除去ポリシングを両面ポリシングまたは片面ポリシングとして実施する、請求項8記載の方法。
- 除去ポリシングを、半導体ウェーハの裏面のポリシングとしてのみ実施する、請求項8記載の方法。
- 半導体ウェーハの裏面の除去ポリシングを、裏面から5μmよりも少ない材料が除去されるショートポリシングとして実施する、請求項10記載の方法。
- 半導体ウェーハを精密ポリシングの前に、材料を除去するサブアパーチュア法に施す、請求項8から11までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体ウェーハをサブアパーチュア法の実施時に磁気レオロジ媒体によって加工する、請求項7または12記載の方法。
- 扁平なワークを両面研削するための装置であって、それぞれ内側の部分スピンドルと外側の部分スピンドルとを備えた2つのダブルスピンドルと、ワークのローディングおよびアンローディングのための装置と、両ダブルスピンドルの間に配置されたワーク収容部とが設けられており、該ワーク収容部によってワークが研削ステップの間、自由にフローティングするように保持されている形式のものにおいて、部分スピンドルが同軸的に配置されていて、ワークの互いに背中合わせに位置する面を研削するための研削砥石を支持しており、ダブルスピンドル1つ当たりそれぞれ少なくとも一方の部分スピンドルがダブルスピンドルの他方の部分スピンドルとは別個に独立して軸方向に移動可能であることを特徴とする、ワークを両面研削するための装置。
- ダブルスピンドルが互いにコリニアに配置されている位置から、ダブルスピンドルが互いに所定の角度を成す位置へダブルスピンドルが傾けられるようになっている、請求項14記載の装置。
- ダブルスピンドルの部分スピンドルが、ダブルスピンドル1つ当たりワークの粗研削のための1つの粗研削砥石とワークの精密研削のための1つの精密研削砥石とを支持している、請求項14または15記載の装置。
- 表側で2mm×2mmの面積の測定窓内の16nmよりも小さなローカル平坦度値および10mm×10mmの面積の測定窓内の40nmよりも小さなローカル平坦度値を有する半導体ウェーハ。
- 表面粗さが最大で200Å RMSである、請求項17記載の半導体ウェーハ。
- 当該半導体ウェーハが主としてシリコン、化合物半導体、「ストレインドシリコン」基板、SOI基板またはsSOI基板から成っている、請求項17または18記載の半導体ウェーハ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004005702A DE102004005702A1 (de) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005223344A true JP2005223344A (ja) | 2005-08-18 |
JP4369378B2 JP4369378B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=34813136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005031112A Expired - Fee Related JP4369378B2 (ja) | 2004-02-05 | 2005-02-07 | 半導体ウェーハ、該半導体ウェーハを製造するための装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050173377A1 (ja) |
JP (1) | JP4369378B2 (ja) |
KR (2) | KR100653345B1 (ja) |
CN (1) | CN100421223C (ja) |
DE (1) | DE102004005702A1 (ja) |
TW (1) | TWI299689B (ja) |
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-
2004
- 2004-02-05 DE DE102004005702A patent/DE102004005702A1/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-02-02 KR KR1020050009458A patent/KR100653345B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-03 TW TW094103461A patent/TWI299689B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-04 US US11/051,894 patent/US20050173377A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-05 CN CNB2005100094033A patent/CN100421223C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-07 JP JP2005031112A patent/JP4369378B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-27 KR KR1020060057927A patent/KR100717208B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-11-16 US US11/941,171 patent/US7867059B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100653345B1 (ko) | 2006-12-01 |
US20090203297A1 (en) | 2009-08-13 |
US7867059B2 (en) | 2011-01-11 |
JP4369378B2 (ja) | 2009-11-18 |
DE102004005702A1 (de) | 2005-09-01 |
KR20060042935A (ko) | 2006-05-15 |
KR20060084408A (ko) | 2006-07-24 |
TWI299689B (en) | 2008-08-11 |
CN1652307A (zh) | 2005-08-10 |
CN100421223C (zh) | 2008-09-24 |
KR100717208B1 (ko) | 2007-05-11 |
TW200526361A (en) | 2005-08-16 |
US20050173377A1 (en) | 2005-08-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080428 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090108 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090204 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090209 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |