JP2005221587A

JP2005221587A - 反射型液晶表示装置

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Publication number: JP2005221587A
Application number: JP2004027305A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Yamazaki; 哲広山崎
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2004-02-03
Filing date: 2004-02-03
Publication date: 2005-08-18

Abstract

【課題】画素を高密度に配置した場合でも、半導体基板側に入射する不要光を抑制して、良好な表示品質を実現することが可能な反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチングトランジスタ３３により駆動される画素電極１１をマトリクス状に配置した半導体基板１と、共通な透明電極を形成した透明基板１３とを、前記画素電極と前記透明電極とが対向するように配置し、前記半導体基板と前記透明基板との間に液晶３５を封入してなる反射型液晶表示装置１００において、前記画素電極間に掘り込み部５０を形成すると共に、該掘り込み部に前記画素電極の厚さ以上の厚さで非導電性の光吸収部材２３を形成する。これにより、画素を高密度に配置した場合でも、半導体基板側に入射する不要光を抑制して、良好な表示品質を実現する。
【選択図】図１

Description

本発明は、プロジェクタ等に用いるアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置に係り、特に、読出し光を反射する画素電極間に光吸収部材を設けるようにし、画素サイズを小さくして高密度構造にした場合に、不要な侵入光が増加して表示品質が低下するのを防止するのに好適な構造を有する反射型液晶表示装置に関するものである。

従来、プロジェクタ等に用いる液晶表示装置としてアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置が知られている（特許文献１及び２）。図５はこの従来のアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置の１画素を示す等価回路図である。同図に示すように、このアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置３０は、マトリクス状に配置された複数の画素４０（図５では１つのみ記す）を有している。上記画素４０は、スイッチングトランジスタ３３と、保持容量３４と、反射型の画素電極３７と、これに対向する透明電極３６と、これらの両電極３７、３６間に封止・保持された液晶３５とにより主に構成される。

上記スイッチングトランジスタ３３のゲートＧには、選択線３２が接続されており、ドレインＤには、データ線３１が接続されている。上記選択線３２には、図示しない垂直シフトレジスタより選択信号が出力され、上記データ線３１には、図示しない水平シフトレジスタより、画像に対応した画像信号電圧が出力される。上記保持容量３４の一端は、スイッチングトランジスタ３３のソースＳ及び画素電極３７にそれぞれ接続されており、他端はアースされている。
上記選択線３２に出力される選択信号により選択されたスイッチングトランジスタ３３がオンする。このとき、データ線３１に出力された画像信号電圧は、スイッチングトランジスタ３３のドレインＤ及びソースＳを経て、保持容量３４に印加蓄積される。この画像信号電圧は、同時に画素電極３７にも印加される。所定の電圧に保持されている透明電極３６と画像信号電圧が印加されている画素電極３７との間に生じる電圧により液晶３５は駆動される。この動作が全画素４０について、１フレーム毎に繰り返し行われ、この結果、液晶表示装置３０により画像が表示される。

次に、図６に示した従来の反射型液晶表示装置の素子構造を説明する。図６は従来の反射型液晶表示装置を示す概略断面構成図である。同図には、反射型液晶表示装置３０の１画素分の構造が示されている。半導体基板である例えばＰ型のシリコン基板１の表面には、所定サイズのＮ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃが形成されている。このＮ型拡散層２Ｄ、２Ｓは、図５中のドレインＤ、ソースＳにそれぞれ対応する。
このシリコン基板１を覆って、ＳｉＯ_２よりなる第１の絶縁層３が形成されている。この第１の絶縁層３の上には、ポリシリコンからなるそれぞれ所定の形状の電極部４Ｇ，４Ｃが形成されている。この電極部４Ｇは図５中のゲートＧに対応する。上記電極部４Ｇは、Ｎ型拡散層２ＤとＮ型拡散層２Ｓとの間の上方に、上記電極部４ＣはＮ型拡散層２Ｃの上方にそれぞれ配置されている。そして、上記電極部４Ｇ、４Ｃを含む表面全体を覆ってＳｉＯ_２からなる第２の絶縁層５が形成されている。

上記Ｎ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃ上にある第１の絶縁層３及び第２の絶縁層５の一部、及び電極部４Ｃ上にある第２の絶縁層５の一部はそれぞれ除去されて、その除去箇所にＡｌからなるコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’が形成されている。上記第２の絶縁層５、及びコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’を覆って、Ａｌからなる第１のメタル層が堆積されると共に、その一部が除去されており、これにより上記コンタクト６Ｄに接続された第１のメタル層７Ｄ、上記コンタクト６Ｓ及びコンタクト６Ｃに接続された第１のメタル層７Ｓ、及びコンタクト６Ｃ’に接続された第１のメタル層７Ｃがそれぞれ形成されている。

上記第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃ及びそれらの間隙部を覆って、ＳｉＯ_２からなる第３の絶縁層８及び埋め込み絶縁層２０ＣＤ、２０ＤＳ、２０ＳＣがそれぞれ形成されている。上記第１のメタル層７Ｓ上の第３の絶縁層８の一部を除去して、そこにＡｌからなるコンタクト２１が形成されている。上記第３の絶縁層８及びコンタクト２１上に、所定の形状の第２のメタル層９、９Ｓがそれぞれ形成されている。ここで一方の第２のメタル層９は、後述する侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を減衰する遮光層として機能する。

上記第２のメタル層９と第２のメタル層９Ｓとの間隙部にはＳｉＯ_２からなる埋め込み絶縁層１８が形成されている。また第２のメタル層９、９Ｓ及び埋め込み絶縁層１８を覆って、ＳｉＯ_２からなる第４の絶縁層１０が形成されている。他方の第２のメタル層９Ｓ上の第４の絶縁層１０の一部は除去されて、そこにＡｌからなるコンタクト２２が形成されている。また上記第４の絶縁層１０及びコンタクト２２上に所定の形状のＡｌからなる第３のメタル層を形成し、それを所定の形状に加工することにより画素電極１１（図５中の画素電極３７に対応）が形成されている。ここで互いに隣り合う画素電極１１間には、ＳｉＯ_２からなる埋め込み絶縁層２４が形成されている。そして、上記画素電極１１及び埋め込み絶縁層２４を覆って配向層（図示しない）が形成されている。

一方、透明基板１４上（図中では下側）には、対向電極として全画素に共通する透明電極１３（図５中の透明電極３６に対応）が形成されている。さらに、透明電極１３上（図中では下側）には配向層（図示しない）が形成されている。上記透明基板１４とシリコン基板１とは、透明電極１３と画素電極１１とを向かい合わせて配置され、その間には液晶１２が封入されており、これにより液晶表示装置３０が形成される。ここで反射型液晶表示装置においては、上述したように透明電極１３は全画素に共通する対向電極であり、画素電極１１は反射電極である。

図５中のスイッチングトランジスタ３３は、ドレインＤであるＮ型拡散層２Ｄ、ソースＳであるＮ型拡散層２Ｓ、選択線に接続されるゲートＧである電極部４Ｇと、ソースＳとドレインＤ間の半導体領域より構成される。上記第１のメタル層７Ｄはデータ線に接続される。また第１のメタル層７ＣはＮ型拡散層２Ｃに接続されて、アース電位が与えられる。上記画素電極１１は、第２のメタル層９Ｓ及び第１のメタル層７Ｓを介してＮ型拡散層２Ｓ及び電極部４Ｃにそれぞれ接続されている。また電極部４Ｃと、Ｎ型拡散層２Ｃと、これらの間に配置された第１の絶縁層３とにより保持容量３４が形成される。

このような液晶表示装置３０において、読出し光１５は、透明基板１４側より入射し、液晶１２を通過して画素電極１１で反射されて出射する。この読出し光１５は、液晶１２中を通過する際に、透明電極１３と画素電極１１との間に印加された画像信号電圧に対応した変調（偏光状態が変わる）を受けることにより、画像を表示できるようになっている。このような反射型液晶表示装置３０の利点としては、画素電極１１の下にスイッチングトランジスタ３３等を形成できるため、高密度に画素を配置できる点が上げられる。

特開平０７−５４５４号公報特開平０９−１７１１９５号公報

ところで、この種の反射型液晶表示装置３０においては、上述したように画像を表示する間、読出し光１５が、透明基板１４を通して液晶１２中に照射され、画素電極１１にて反射されて再び液晶１２中を通過して、透明基板１４から外部に出射する。この際、明るい表示画像を得るために、一般的には読出し光１５としては非常に強い光が用いられる。しかし、この場合には、読出し光１５の一部は、透明であるＳｉＯ_２からなる開口部１０Ｋ、１０Ｋ’（埋め込み層２４に対応）、第４の絶縁層１０、埋め込み絶縁層１８、第３の絶縁層８、埋め込み絶縁層２０ＤＳ、２０ＳＣ、第２の絶縁層５及び第１の絶縁層３を反射しながら侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’として伝っていく。そしてこの侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’の一部の光は減衰・吸収されることなくシリコン基板１中に侵入することになる。

この侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’は、シリコン基板１中に入射すると電荷キャリアを発生し、スイッチングトランジスタ３３の誤動作を引き起こし、表示品質の劣化を招くという不都合がある。そのため、この侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’をなくすために、遮光膜として上記第２のメタル層９を設けて隣接する埋め込み絶縁層１８の横方向の長さをできるだけ小さくして侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’が伝わり難くしている。また、画素電極１１の下面上及び第２のメタル層９の上面上には、光吸収効果の優れたＴｉＮ等の薄膜を形成して侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を途中でできるだけ吸収するようにしている。

しかしながら、液晶表示装置の小型化のため、又表示画像の高解像度化のために、画素電極１１のサイズをできるだけ小さくする傾向にあり、この場合には第２のメタル層９（遮光膜）の長さも短くなるため、侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を十分に減衰できずに、スイッチングトランジスタ３３の誤動作を引き起こし易くなる、という問題があった。
また侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を少なくするために、第２のメタル層９の長さの減少を補う目的で、第４の絶縁層１０及び第３の絶縁層８の厚さを薄くすることも考えられるが、この場合にはこれら第４又は第３の絶縁層１０、８の形成時に、この層中に導電性の塵埃などが巻き込まれると、画素電極１１と第２のメタル層９との間及び第２のメタル層９と第１のメタル層７Ｄ、７Ｃとの間に、それぞれ短絡を引き起こし易くなり、液晶表示装置の製造歩留まりを低下させる、という問題があるので採用することはできない。

また、開口部１０Ｋ、１０Ｋ’を通過した光の一部は第２メタル層９で反射して再び開口部１０Ｋ、１０Ｋ’に到達して投射レンズ側に戻ってくるので、この時、液晶１２の偏光状態が散乱などで変化してしまってコントラストを低下させる問題もあった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであり、本発明の目的は、画素を高密度に配置した場合でも、半導体基板側に入射する不要光を抑制して、良好な表示品質を実現することが可能な反射型液晶表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するための手段としての本発明は、スイッチングトランジスタにより駆動される画素電極をマトリクス状に配置した半導体基板と、共通な透明電極を形成した透明基板とを、前記画素電極と前記透明電極とが対向するように配置し、前記半導体基板と前記透明基板との間に液晶を封入してなる反射型液晶表示装置において、前記画素電極間に掘り込み部を形成すると共に、該掘り込み部に前記画素電極の厚さ以上の厚さで非導電性の光吸収部材を形成するようにしたことを特徴とする反射型液晶表示装置である。

本発明の反射型液晶表示装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
画素電極間に光吸収材を設けるようにしたので、画素を高密度に配置した場合でも、半導体基板に入射する不要光を抑制して、良好な表示品質を実現することができる。
また画素電極間が平坦になって不要な反射光をなくすことができるので、その分、高いコントラスト比を得ることができる。

以下、本発明の反射型液晶表示装置の一例について添付図面を参照して説明する。尚、説明の簡便のため、参照符号については従来の装置例と同一の構成に対しては、同一の参照符号を付してその説明を省略する。
＜第１実施例＞
図１は本発明の反射型液晶表示装置の第１実施例を示す概略断面構成図である。この図１中には２画素分の画素４０が示されており、同じ機能の部材には同一の参照番号を付している。
この反射型液晶表示装置１００は、半導体基板として例えばＰ型のシリコン基板１を有している。このＰ型のシリコン基板１の表面には、所定の形状のＮ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃがそれぞれ形成されている。

このシリコン基板１の全表面を覆って、厚さ３５ｎｍのＳｉＯ_２よりなる第１の絶縁層３が形成されている。そして、この第１の絶縁層３の上には、厚さ２５０ｎｍのポリシリコンからなる所定の形状の電極部４Ｇ、４Ｃがそれぞれ形成されている。一方の電極部４ＧはＮ型拡散層２ＤとＮ型拡散層２Ｓとの間隙部の上方に、他方の電極部４ＣはＮ型拡散層２Ｃの上方にそれぞれ配置されている。上記電極部４Ｇ、４Ｃを覆って第１の絶縁層３の上に、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ_２からなる第２の絶縁層５が例えばＣＶＤ法により形成されている。

上記Ｎ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃ上にある第１の絶縁層３と上記第２の絶縁層５の一部、及び電極部４Ｃ上にある上記第２の絶縁層５の一部はそれぞれ除去されて、それらの除去箇所にはＡｌからなるコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’がそれぞれ形成されている。これらのコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’の横方向の幅は０．５μｍである。
上記第２の絶縁層５及びコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’を覆って、Ａｌからなる厚さ５００ｎｍの第１のメタル層が成膜されて、その一部が幅０．８μｍで除去されており、これにより上記コンタクト６Ｄに接続される第１のメタル層７Ｄ、上記コンタクト６Ｓ及びコンタクト６Ｃに接続される第１のメタル層７Ｓ、及び上記コンタクト６Ｃ’に接続される第１のメタル層７Ｃがそれぞれ形成されている。これらの第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃは配線層である。

上記第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃ及びそれらの間隙部を覆って、ＳｉＯ_２からなる厚さ５００ｎｍの第３の絶縁層８及び埋め込み絶縁層２０ＣＤ、２０ＤＳ、２０ＳＣがそれぞれ形成されている。上記埋め込み絶縁層２０ＣＤ、２０ＤＳ、２０ＳＣは、隣り合う上記第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃ間の間隙部に形成されている。上記第１のメタル層７Ｓ上の第３の絶縁層８の一部を除去して、そこにＡｌからなる横及び奥行き幅が０．８μｍであるコンタクト２１が形成されている。また上記第３の絶縁層８及びコンタクト２１上に、これらを覆って所定の形状の厚さ１μｍの第２のメタル層９、９Ｓが形成されている。これらの第２のメタル層９、９Ｓは遮光層の機能を有する。

また、これらの第２のメタル層９、９Ｓの間隙部にはＳｉＯ_２からなる埋め込み絶縁層１８が形成されている。上記両第２のメタル層９、９Ｓ及び埋め込み絶縁層１８を覆って、ＳｉＯ_２からなる厚さ１０００ｎｍの第４の絶縁層１０が形成されている。上記第２のメタル層９Ｓ上の第４の絶縁層１０の一部は除去されて、ここにＡｌからなる横及び奥行き幅が０．８μｍであるコンタクト２２が形成されている。上記第４の絶縁層１０及びコンタクト２２上に、Ａｌからなる厚さ２００ｎｍの第３のメタル層を形成し、それを横及び奥行きがそれぞれ１３μｍになるように加工して画素電極１１が形成されている。

ここで隣り合う画素電極１１間の開口部１０Ｋ、１０Ｋ’において第４の絶縁層１０は、上記画素電極１１の厚さ以上の深さで掘り込まれてここに掘り込み部５０を形成しており、この掘り込み部５０に画素電極１１の厚さ以上の厚さで本発明の特徴とする非導電性の光吸収部材２３が埋め込むようにして形成される。上記掘り込み部５０の形成は、画素電極１１を形成する際のフォトリソグラフィーとドライエッチング等の半導体製造工程の技術を用いることで可能である。また、上記光吸収部材２３としては、ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などに用いられるブラックマトリクス用の材料が利用できる。ここで樹脂タイプのブラックマトリクス材を用いる場合には、画素電極１１を形成後にスピンコートなどにより基板上にブラックマトリクス材を塗布する。その後、プリベークを行うことにより画素電極１１間の段差を埋めるように基板全面にブラックマトリクス材を平坦に形成することができる。この状態で、画素電極１１上のブラックマトリクス材が消滅するまで、Ｏ_２によるアッシングやＣＦ系ガスによるドライエッチングを行えば図１に示すように画素電極１１間への埋め込みが実現できる。

以上のように、上記構造はフォトリソグラフィーなどのパターニング技術を用いずに容易に形成が可能で有るという利点を持つ。尚、ブラックマトリクス材の光吸収はその膜厚に依存するため厚ければ厚いほど良い。図２は代表的なブラックマトリクス材の光学濃度と膜厚との関係を示すグラフであるが、この場合、光吸収部材２３であるブラックマトリクス材の厚さが画素電極１１で通常用いられる０．２μｍ以下では光学濃度が１以下となり、十分な光吸収ができない。従って、本発明の構造では第４の絶縁層１０を掘り込んで掘り込み部５０を形成し、そこまで光吸収部材２３を埋め込むようにしているので光吸収率を大きくすることが可能となる。また前述のように工法も容易である。

一方、透明基板１４上（図１中では下面側）には、全画素４０に共通な透明電極１３が対向して形成されている。さらに、上記透明電極１４上（図１中では下面側）には配向層（図示しない）が形成されている。上記透明基板１４とシリコン基板１とは、透明電極１３と画素電極１１とが向かい合うように配置され、その間には液晶１２が封入されており、これにより反射型液晶表示装置１００が形成される。
ここで、上記反射型液晶表示装置１００では、透明電極１３は、上述のように全画素に共通する対向電極であり、画素電極１１は反射電極である。図５で示されるスイッチングトランジスタ３３に対応するスイッチングトランジスタは、図１中ではドレインＤとなるＮ型拡散層２Ｄと、ソースＳとなるＮ型拡散層２Ｓと、選択線に接続されるゲートとなる電極部４Ｇと、ソースＳとドレインＤ間のシリコン基板１の領域とにより構成される。また第１のメタル層７Ｄはデータ線に接続される。また第１のメタル層７ＣはＮ型拡散層２Ｃに接続されて、アース電位が与えられる。画素電極１１は、第２のメタル層９Ｓ及び第１のメタル層７Ｓを介してＮ型拡散層２Ｓ及び電極部４Ｃに共通に接続されている。また電極部４Ｃと、Ｎ型拡散層２Ｃと、これらの間に配置された第１の絶縁層３とで保持容量３４を形成している。

以上のように形成された反射型液晶表示装置１００においては、読出し光１５は、透明基板１４側より入射する。この読出し光１５の一部は、開口部１０Ｋ、１０Ｋ’からシリコン基板１側に、侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’として侵入しようとするが、この侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’は上記開口部１０Ｋ、１０Ｋ’に設けた光吸収部材２３により大幅に減衰されるため、第２のメタル層９、９Ｓ間の隙間に到達する侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’はほとんど発生せず、シリコン基板１に形成されたトランジスタ３３に達する割合が非常に少なくなり、反射型液晶表示装置１００の表示品質を向上させることができる。
またこの光吸収部材２３の厚さは、光学濃度が十分に大きくなるように画素電極１１の厚さ以上の厚さになるように設定しているので、この点よりも侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’がトランジスタ３３に到達することを略確実に阻止することができ、表示品質を一層向上させることができる。

また、第２のメタル層９からの反射光であって開口部１０Ｋ、１０Ｋ’を抜けて戻ってくる光も大幅に抑制できるため、高いコントラスト比を実現することができる。さらに、画素電極１１間に段差があると液晶１２の配向が乱れてコントラストの低下などの画質劣化を生じるが、本発明の構造では光吸収部材２３が画素電極１１とほぼ同じ高さに埋め込まれるため、液晶１２の配向を均一にでき、この点よりも画質劣化が生じることを防止することができる。

＜第２実施例＞
上記実施例１では画素電極１１間に設けた光吸収部材２３により侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を十分に減衰させることができる。従って、図３に示す第２実施例のように第２のメタル層９、９Ｓ中のパターン間隔Ｌ１を大きく広げるようにしてもよい。これによれば、パターン間の短絡の発生頻度を抑制できるので製品歩留まりを更に向上させることができ、しかも、寄生容量を低減できるので、画質を更に向上させることができる。尚、図３及び以下に説明する図４では、画素電極１１より上方の構造の記載は省略している。

＜第３実施例＞
図４は本発明の反射型液晶表示装置の第３実施例を示す概略断面構成図である。
同図に示すように、この第３実施例は上記第１及び第２実施例で用いた第２のメタル層９、９Ｓを除いた構造である。これは、画素電極１１間に設けた光吸収部材２３により十分に侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を遮断することができるようになったために実現できる構造である。効果としては、侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’の遮断のために全面に形成していた第２のメタル層９、９Ｓを取り除いたことで、ダスト等による第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃと第２のメタル層９、９Ｓ間、及び第３のメタル層である画素電極１１と第２のメタル層９、９Ｓ間のショートを大幅になくすことができ、その分、歩留りを大幅に向上できる。さらにメタルを形成するプロセスが少なくなったことから製品歩留まりを更に向上できる。

本発明の反射型液晶表示装置の第１実施例を示す概略断面構成図である。ブラックマトリクス材の光学濃度と膜厚との関係を示すグラフである。本発明の反射型液晶表示装置の第２実施例を示す概略断面構成図である。本発明の反射型液晶表示装置の第３実施例を示す概略断面構成図である。従来のアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置の１画素を示す等価回路図である。従来の反射型液晶表示装置を示す概略断面構成図である。

符号の説明

１…シリコン基板（半導体基板）、２Ｃ，２Ｄ，２Ｓ…Ｎ型拡散層、３…第１の絶縁層、４Ｃ，４Ｇ…電極部、５…第２の絶縁層、６Ｃ，６Ｃ’，６Ｄ，６Ｓ…コンタクト、７Ｃ，７Ｄ，７Ｓ…第１のメタル層、８…第３の絶縁層、９，９Ｓ…第２メタル層、１０…第４の絶縁層、１１…画素電極、１２…液晶、１３…透明電極、１５…読出し光、１８…埋め込み絶縁層、２０ＣＤ，２０ＤＳ，２０ＳＣ…埋め込み絶縁層、２１…コンタクト、２２…コンタクト、２３…光吸収部材、３３…スイッチングトランジスタ、３４…保持容量、３５…液晶、３６…透明電極、４０…画素、５０…掘り込み部、１００…反射型液晶表示装置。

Claims

スイッチングトランジスタにより駆動される画素電極をマトリクス状に配置した半導体基板と、共通な透明電極を形成した透明基板とを、前記画素電極と前記透明電極とが対向するように配置し、前記半導体基板と前記透明基板との間に液晶を封入してなる反射型液晶表示装置において、
前記画素電極間に掘り込み部を形成すると共に、該掘り込み部に前記画素電極の厚さ以上の厚さで非導電性の光吸収部材を形成するようにしたことを特徴とする反射型液晶表示装置。