JP2005200240A - 板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 - Google Patents
板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005200240A JP2005200240A JP2004005791A JP2004005791A JP2005200240A JP 2005200240 A JP2005200240 A JP 2005200240A JP 2004005791 A JP2004005791 A JP 2004005791A JP 2004005791 A JP2004005791 A JP 2004005791A JP 2005200240 A JP2005200240 A JP 2005200240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- plate
- base plate
- convex portion
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の板上シリコンの製造方法によれば、シリコン融液に下地板を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させる板状シリコンの製造方法において、前記下地板は、該下地板上にある1つの凸部を基準とし、該凸部と最近接する凸部との距離を半径とした前記基準とする凸部の頂部を中心とする円周上に、6つの凸部が略等間隔に存在することを特徴とし、好ましくは、前記凸部の形状が、四角錘または六角錘である。
【選択図】 図1
Description
本発明における、板状シリコンの製造用下地板について、図を用いて詳細に説明する。図1は、本発明における板状シリコンの製造用下地板の概略図であって、(A)は、当該下地板の斜視図であり、(B)は、当該下地板の拡大正面図であり、(C)は、当該下地板表面の凹凸形状部の拡大斜視図である。
本発明の板状シリコンの製造方法で用いる製造装置の一例を、図4を用いて説明する。しかしながら、本発明の板状シリコンを得る装置は、これに限定されるものではない。
次に、図4を用いて、上記本発明における板状シリコンの製造装置を用いた板状シリコンの製造方法について説明する。
比抵抗が2.0Ω・cmになるようにボロン濃度を調整したシリコン原料を、高純度カーボン製るつぼに保護された石英製るつぼ内に入れ、図4に示されるように、チャンバー内に当該るつぼを固定した。
次に得られた板状シリコンを用いて、低コスト太陽電池作製プロセスで、太陽電池の作製を行った。ここでいう低コスト太陽電池作製プロセスとは、電極形成をアルミペーストや銀ペーストのスクリーン印刷で形成するプロセスを意味している。ここではpn接合を持った太陽電池の例を示すが、他の構造、たとえばMIS構造などにも応用可能である。得られた板状シリコンをレーザーで切断し、50mm×50mmの板状シリコンを取り出した。次に、硝酸とフッ酸との混合溶液でエッチングおよび洗浄を行い、その後、水酸化ナトリウムを用いてアルカリエッチングを行った。その後、POCl3拡散によりp型下地板にn+層を形成した。板状シリコン表面に形成されているPSG膜をフッ酸で除去した後、太陽電池の受光面側となるn層上にプラズマCVD装置を用いて窒化シリコン膜を形成した。次に、太陽電池の裏面側となる面にも形成されているn層を弗硝酸でエッチング除去し、p下地板を露出させ、その上に裏面電極およびp+層を同時に形成した。次に、受光面側の電極を、スクリーン印刷法にて形成した。その後、銀電極部分に半田ディップを行い、太陽電池を作製した。
下地板の成長起点凸部の配置を正方格子状(比較例1)、および長短の比が2対1である長方格子状(比較例2)とした以外は、すべて上記実施例1と同様の手順および条件で板状シリコンを作製した。次いで、それぞれの板状シリコンを用いて太陽電池を作製した。得られた太陽電池は、同様にAM1.5、100mW/cm2の照射下にて、「結晶系太陽電池セル出力測定方法(JIS C 8913(1988))」に準拠して、セル特性の評価を行った。それぞれの太陽電池のセル効率縦軸にとり、成長起点凸部の数密度を横軸に取り、両者の関係を、図5にグラフを用いて示す。
下地板として、図3(B)に示した形状の銅製下地板を用い、隣り合う成長起点凸部間の距離を0.3mm、0.5mm、1mm、2mm、3mm、4mm、5mm、6mmと変化させた以外は、すべて実施例1と同様にして板状シリコンを作製した。この場合も実施例1同様、得られた板状シリコンは、図1(C)のような形状となっていた。この板状シリコンは下地板の成長起点となる凸部が配置された対称性を維持しているため、各核発生位置Cの周りに6回対称の形状であった。つまり、1つの核発生位置Cを基準(中心)として、当該位置Cと最近接の核発生位置Cとの距離を半径とした円を描写した場合に、当該円周上に略等間隔に核発生位置Cが6つ存在した。本実施例では、シリコン融液と接触させる際の下地板の表面温度を500℃とした。また、成長起点凸部の高さは0.3mmとしたものを用いた。
次に得られた板状シリコンを用いて、実施例1と同じ手順にて太陽電池を作製した。
下地板を、実施例2と同様の成長起点凸部形状にし、その成長起点凸部の配置が正方格子状のものを比較例1、長短の比が2対1である長方格子状のものを比較例2とした。その他の板状シリコン作製条件、太陽電池作製条件は、実施例2と全く同じとした。得られた太陽電池は、同様にAM1.5、100mW/cm2の照射下にて、「結晶系太陽電池セル出力測定方法(JIS C 8913(1988))」に従って、セル特性の評価を行った。各太陽電池のセル効率を縦軸にとり、成長起点凸部の数密度を横軸に取り、これらの関係を図6にグラフを用いて示す。
Claims (7)
- シリコン融液に下地板を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させる板状シリコンの製造方法において、
前記下地板は、該下地板上にある1つの凸部を基準とし、該凸部と最近接する凸部との距離を半径とした前記基準とする凸部の頂部を中心とする円周上に、6つの凸部が略等間隔に存在することを特徴とする、板状シリコンの製造方法。 - 前記凸部の形状が、四角錘または六角錘であることを特徴とする、板状シリコンの製造方法。
- シリコン融液に下地板を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させる板状シリコンの製造用下地板であって、該下地板上にある1つの凸部を基準とし、該凸部と最近接する凸部との距離を半径とした、前記基準とする凸部の頂部を中心とする円周上に、6つの凸部が略等間隔に存在することを特徴とする、下地板。
- 前記下地板の凹凸部形状は、直線加工部材を用いて、下地板上の互いに60度の角度をなす2つの方向へ切削することにより、製造されることを特徴とする、請求項3に記載の下地板。
- 太陽電池用の板状シリコンであって、該板状シリコン上にある1つの凸部を基準とし、該凸部と最近接する凸部との距離を半径とした、前記基準とする凸部の頂部を中心とする円周上に、6つの凸部が略等間隔に存在することを特徴とする、板状シリコン。
- 請求項1または2に記載の板状シリコンの製造方法で作製した板状シリコン。
- 請求項5に記載の板状シリコンを用いて製造した太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004005791A JP4282492B2 (ja) | 2004-01-13 | 2004-01-13 | 板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004005791A JP4282492B2 (ja) | 2004-01-13 | 2004-01-13 | 板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008281935A Division JP5133848B2 (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 下地板製造方法ならびに下地板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005200240A true JP2005200240A (ja) | 2005-07-28 |
JP4282492B2 JP4282492B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=34819991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004005791A Expired - Fee Related JP4282492B2 (ja) | 2004-01-13 | 2004-01-13 | 板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4282492B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101477949A (zh) * | 2008-01-04 | 2009-07-08 | 陈科 | 硅片和其制造方法及装置 |
-
2004
- 2004-01-13 JP JP2004005791A patent/JP4282492B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101477949A (zh) * | 2008-01-04 | 2009-07-08 | 陈科 | 硅片和其制造方法及装置 |
WO2009104049A1 (zh) * | 2008-01-04 | 2009-08-27 | Chen Ke | 硅片和其制造方法及裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4282492B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6521827B2 (en) | Sheet manufacturing method, sheet, sheet manufacturing apparatus, and solar cell | |
US7659542B2 (en) | Silicon plate, producing method thereof, and solar cell | |
JP2007284343A (ja) | 単結晶または多結晶材料、特に多結晶シリコンの製造装置及び製造方法本特許出願は、2006年4月12日付けで出願されたドイツ特許出願No.102006017621.9−43、発明の名称「単結晶または多結晶材料、特に多結晶シリコンの製造方法」を基礎として優先権主張されている出願である。この優先権主張の基礎となる出願はその開示内容の参照書類として本願書類中に含まれている。 | |
JP5133848B2 (ja) | 下地板製造方法ならびに下地板 | |
JP2003286024A (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
JP5606976B2 (ja) | シリコンインゴット製造装置、シリコンインゴットの製造方法 | |
JP4282492B2 (ja) | 板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 | |
JP4011335B2 (ja) | 固相シートの製造方法 | |
JP2005277186A (ja) | シートおよびその製造方法、ならびにシートを用いた太陽電池 | |
JP4115232B2 (ja) | 板状シリコン、板状シリコンの製造方法、板状シリコンの製造用基板および太陽電池 | |
JP4282278B2 (ja) | 基板、その基板を用いた板状体の製造方法、板状体およびその板状体から作製した太陽電池 | |
JP2003095630A (ja) | シリコンシートとそれを含む太陽電池 | |
JP4134036B2 (ja) | 板状シリコン、板状シリコンの製造方法および板状シリコン製造用基板 | |
JP5213037B2 (ja) | 半導体の製造方法および半導体製造装置 | |
JP4413050B2 (ja) | 板状半導体、それを用いた太陽電池および板状半導体製造用下地板 | |
JP4188725B2 (ja) | 板状シリコンの製造方法、板状シリコン製造用下地板、板状シリコンおよび該板状シリコンを用いた太陽電池 | |
JP2005035814A (ja) | 薄板の製造方法および太陽電池 | |
JP4434837B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2007095972A (ja) | 太陽電池用シリコン基板およびその製造方法 | |
JP5131860B2 (ja) | シリコンシートおよび太陽電池 | |
JP2006062928A (ja) | 半導体基板およびその製造方法、ならびに該半導体基板を用いた光電変換素子 | |
US10065863B2 (en) | Poly-crystalline silicon ingot having a nucleation promotion layer comprising a plurality of chips and chunks of poly-crystalline silicon on the bottom | |
JP5030102B2 (ja) | シート製造方法およびシート製造用基板 | |
JP2022543358A (ja) | 酸素濃度の低い領域を有するリボンまたはウェハの製造 | |
JP2004161583A (ja) | 薄板の製造方法および太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090317 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |