JP2005191460A - Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2005191460A
JP2005191460A JP2003434057A JP2003434057A JP2005191460A JP 2005191460 A JP2005191460 A JP 2005191460A JP 2003434057 A JP2003434057 A JP 2003434057A JP 2003434057 A JP2003434057 A JP 2003434057A JP 2005191460 A JP2005191460 A JP 2005191460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
semiconductor
substrate
electrode
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003434057A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobukatsu Saito
信勝 斎藤
Toshio Hamano
寿夫 浜野
Takumi Ihara
匠 井原
Atsukazu Shimizu
敦和 清水
Original Assignee
Fujitsu Ltd
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, 富士通株式会社 filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2003434057A priority Critical patent/JP2005191460A/en
Publication of JP2005191460A publication Critical patent/JP2005191460A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75314Auxiliary members on the pressing surface
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75314Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75315Elastomer inlay
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981Apparatus chuck
    • H01L2224/75986Auxiliary members on the pressing surface
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981Apparatus chuck
    • H01L2224/75986Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75988Material of the auxiliary member

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent solder bump from being crushed at the time of bump bonding, and the solder bumps adjacent each other from being touched regarding the manufacturing method of a semiconductor apparatus which has a treatment of bonding the solder bump prepared in a semiconductor chip to a substrate. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the semiconductor apparatus includes a process of bonding a solder bump 4 arranged in a semiconductor chip 1 to an electrode 5 formed in a substrate 2. In the method, the semiconductor chip 1 is transferred toward the substrate 2 until the solder bump 4 touches the electrode 5, and after the solder bump 4 has touched the electrode 5, transferring of the semiconductor chip 1 is adjusted so that a clearance between the semiconductor chip 1 and the electrode 5 may keep a predetermined distance. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体チップに設けられたはんだバンプを基板に接合する処理を有する半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device having a process of bonding solder bumps provided on a semiconductor chip to a substrate.
一般に、半導体チップをマザーボード等の基板或は他の半導体基板上に実装する方法として、半導体チップにはんだバンプを設け、このはんだバンプを基板に形成された電極に接合する方法(フリップチップ接合法)が多用されている。このフリップチップ接合法によれば、ワイヤを用いたワイヤボンディング法に比べて端子数を多くすることができるため、高密度化に対応することができる(例えば、特許文献1参照)。   Generally, as a method of mounting a semiconductor chip on a substrate such as a mother board or other semiconductor substrate, a method of providing a solder bump on the semiconductor chip and bonding the solder bump to an electrode formed on the substrate (flip chip bonding method) Is frequently used. According to the flip chip bonding method, the number of terminals can be increased as compared with the wire bonding method using a wire, so that it is possible to cope with higher density (for example, see Patent Document 1).
従来、一般にフリップチップ接合法を用いて基板に接合される半導体チップは、バンプ数が5000個以下、バンプ間のバンプピッチが176μm〜250μmであった。また、使用されるバンプサイズとしては、直径が80μm〜120μm、高さが70μm〜100μm程度であった。図1を用いて、従来のこの種のはんだバンプを基板の電極に接合する方法について説明する。   Conventionally, a semiconductor chip generally bonded to a substrate using a flip chip bonding method has 5000 bumps or less and a bump pitch between the bumps of 176 μm to 250 μm. The bump size used was about 80 μm to 120 μm in diameter and about 70 μm to 100 μm in height. A conventional method of joining this type of solder bump to an electrode of a substrate will be described with reference to FIG.
図1(A)は、半導体チップ1及びこれが接合される基板2が半導体製造装置に装着された状態を示している。この半導体製造装置はフリップチップボンダであり、半導体チップ1を装着する装着ツール6及び半導体チップ1を加熱する上部加熱ヒータ7が上部に設けられており、また下部には基板2を装着するステージ8及び基板2を加熱する下部加熱ヒータ9が設けられている。装着ツール6及び上部加熱ヒータ7は、図示しない移動装置により図中矢印Z1,Z2方向に移動可能な構成とされている。尚、はんだバンプ4は半導体チップ1に形成されたパッド3に配設されている。   FIG. 1A shows a state in which a semiconductor chip 1 and a substrate 2 to which the semiconductor chip 1 is bonded are mounted on a semiconductor manufacturing apparatus. This semiconductor manufacturing apparatus is a flip chip bonder, which is provided with a mounting tool 6 for mounting the semiconductor chip 1 and an upper heater 7 for heating the semiconductor chip 1, and a stage 8 for mounting the substrate 2 at the lower part. And the lower heater 9 which heats the board | substrate 2 is provided. The mounting tool 6 and the upper heater 7 are configured to be movable in the directions of arrows Z1 and Z2 in the drawing by a moving device (not shown). Note that the solder bumps 4 are disposed on the pads 3 formed on the semiconductor chip 1.
はんだバンプ4を電極5に接合するには、先ず半導体チップ1を装着ツール6に装着すると共に、基板2をステージ8に装着する。装着ツール6及びステージ8は、いずれも吸着手段(例えば、エア式の吸着チャック)を設けている。よって、この吸着チャックにより、半導体チップ1及び基板2は装着ツール6及びステージ8に装着される。   In order to join the solder bump 4 to the electrode 5, first, the semiconductor chip 1 is mounted on the mounting tool 6 and the substrate 2 is mounted on the stage 8. Both the mounting tool 6 and the stage 8 are provided with suction means (for example, an air-type suction chuck). Therefore, the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are mounted on the mounting tool 6 and the stage 8 by this suction chuck.
半導体チップ1が装着ツール6に装着され、基板2がステージ8に装着された状態では、図1(A)に示すようにはんだバンプ4は電極5から離間した状態となっている。この状態で、上部加熱ヒータ7及び下部加熱ヒータ9に予備加熱用の通電が行なわれ、半導体チップ1及び基板2の予備加熱(例えば、200℃)が開始される。   When the semiconductor chip 1 is mounted on the mounting tool 6 and the substrate 2 is mounted on the stage 8, the solder bumps 4 are separated from the electrodes 5 as shown in FIG. In this state, the upper heater 7 and the lower heater 9 are energized for preheating, and preheating (for example, 200 ° C.) of the semiconductor chip 1 and the substrate 2 is started.
半導体チップ1及び基板2が所定の予備加熱温度まで上昇すると、半導体チップ1と基板2との位置決め処理が行なわれた上で、図示しない移動装置により半導体チップ1は基板2に向け移動(下動)される。これにより、はんだバンプ4は電極5に近接してゆき、やがてはんだバンプ4と電極5は当接した状態となる。   When the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are raised to a predetermined preheating temperature, the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are positioned, and the semiconductor chip 1 is moved (downwardly moved) toward the substrate 2 by a moving device (not shown). ) As a result, the solder bump 4 approaches the electrode 5 and eventually the solder bump 4 and the electrode 5 come into contact with each other.
図1(B)は、はんだバンプ4と電極5は当接した状態を示している。この当接状態となると、上部加熱ヒータ7及び下部加熱ヒータ9に対する通電量が増加され、これにより半導体チップ1及び基板2に対し予備加熱よりも更に高い温度での加熱(例えば260℃)が実施される。また、上記のようにはんだバンプ4が電極5と当接した後も、移動装置は半導体チップ1を基板2に向け所定の圧力(例えば、1個のはんだバンプに対し1gf)で加圧するよう制御されている。   FIG. 1B shows a state in which the solder bump 4 and the electrode 5 are in contact with each other. In this contact state, the energization amount to the upper heater 7 and the lower heater 9 is increased, whereby the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are heated at a temperature higher than the preheating (for example, 260 ° C.). Is done. Further, even after the solder bump 4 contacts the electrode 5 as described above, the moving device controls the semiconductor chip 1 so as to press the semiconductor chip 1 toward the substrate 2 with a predetermined pressure (for example, 1 gf for one solder bump). Has been.
この状態は、所定時間(例えば、10〜20分)維持される。これにより、はんだバンプ4は溶融して電極5に接合され、半導体チップ1と基板2は電気的に接続される。続いて、冷却処理が実施され、はんだバンプ4の冷却が行なわれる。これにより、はんだバンプ4は固化し、半導体チップ1と基板2は機械的に固定される。続いて、装着ツール6による半導体チップ1の吸着、及びステージ8による基板2の吸着が停止され、これにより半導体チップ1が接合された基板2は、半導体製造装置から取り外される。尚、半導体製造装置から取り外された基板2は、リフロー炉に入れられ本加熱処理が実施される。
特開2000−332060号公報(第2−3頁、第2図)
This state is maintained for a predetermined time (for example, 10 to 20 minutes). Thereby, the solder bump 4 is melted and joined to the electrode 5, and the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are electrically connected. Subsequently, a cooling process is performed, and the solder bumps 4 are cooled. As a result, the solder bumps 4 are solidified, and the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are mechanically fixed. Subsequently, the suction of the semiconductor chip 1 by the mounting tool 6 and the suction of the substrate 2 by the stage 8 are stopped, whereby the substrate 2 to which the semiconductor chip 1 is bonded is removed from the semiconductor manufacturing apparatus. In addition, the board | substrate 2 removed from the semiconductor manufacturing apparatus is put into a reflow furnace, and this heat processing is implemented.
JP 2000-33060 A (page 2-3, FIG. 2)
ところで、近年では半導体チップ1の更なる高密度化が進んでおり、これに伴い半導体チップ1の小型化が図られる(例えば、□16mm×24mm)と共に、これに設けられるはんだバンプ数は増大している。具体的には、配設されるバンプ数は160000個に至っており、これに伴いバンプ間のバンプピッチが10μm〜40μmと狭ピッチ化している。また、使用されるはんだバンプのサイズについても、直径が5μm〜25μm、高さが3μm〜20μmと微細化している。   By the way, in recent years, the density of the semiconductor chip 1 is further increased, and accordingly, the semiconductor chip 1 is reduced in size (for example, □ 16 mm × 24 mm) and the number of solder bumps provided on the semiconductor chip 1 is increased. ing. Specifically, the number of arranged bumps has reached 160,000, and accordingly, the bump pitch between the bumps is narrowed to 10 μm to 40 μm. Also, the size of the solder bump used is miniaturized with a diameter of 5 μm to 25 μm and a height of 3 μm to 20 μm.
このように、バンプ間ピッチが狭ピッチ化し、これに伴いはんだバンプのサイズが微細化してくると、従来の半導体装置の製造方法(バンプ接合方法)では、接合時にバンプが潰れ、また隣接するバンプ間が接触してしまうという問題点があった。   As described above, when the pitch between the bumps becomes narrower and the size of the solder bumps becomes finer, the bumps are crushed at the time of bonding in the conventional semiconductor device manufacturing method (bump bonding method), and adjacent bumps There was a problem that the space contacted.
具体的には、前記したように従来方法では、はんだバンプ4と電極5とが当接した後、加熱しつつ所定の圧力(例えば、1gf/1Bump)で半導体チップ1を基板2に向け加圧することが行なわれている。従来のようにバンプ間ピッチが比較的広ピッチで、バンプサイズも大きい場合には、加熱・加圧処理を実施してもはんだバンプ4が潰れるようなことはなかった。しかしながら、近年のようにバンプ間ピッチが狭ピッチ化しバンプサイズも微細化してくると、上記の加圧力及びツールの熱膨張に耐えることができず、図1(C)に示すようにはんだバンプ4が潰れ、またこれにより隣接するバンプ間で接触が発生する。   Specifically, as described above, in the conventional method, after the solder bump 4 and the electrode 5 are in contact with each other, the semiconductor chip 1 is pressed toward the substrate 2 with a predetermined pressure (for example, 1 gf / 1 Bump) while heating. Has been done. When the bump pitch is relatively wide and the bump size is large as in the prior art, the solder bumps 4 were not crushed even when the heating / pressurizing process was performed. However, if the pitch between bumps becomes narrower and the bump size becomes finer as in recent years, it cannot withstand the pressure and thermal expansion of the tool, and solder bumps 4 as shown in FIG. Will collapse and this will cause contact between adjacent bumps.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、バンプ接合時にはんだバンプが潰れたり、隣接するはんだバンプ間で接触が発生したりすることを防止しうる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device capable of preventing a solder bump from being crushed or a contact between adjacent solder bumps being prevented during bump bonding. An object is to provide a manufacturing apparatus.
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。   In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.
請求項1記載の発明は、
半導体チップに配設されたはんだバンプを基板に形成された電極に接合する工程を含む半導体装置の製造方法において、
前記はんだバンプが前記電極に接触するまでは前記半導体チップを基板に向け移動させ、
前記はんだバンプが前記電極に接触した後は、前記半導体チップと前記電極との離間距離が所定距離を維持するよう、前記半導体チップの移動を調整することを特徴とするものである。
The invention described in claim 1
In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of bonding solder bumps arranged on a semiconductor chip to an electrode formed on a substrate,
Move the semiconductor chip toward the substrate until the solder bump contacts the electrode,
After the solder bump contacts the electrode, the movement of the semiconductor chip is adjusted so that the distance between the semiconductor chip and the electrode is maintained at a predetermined distance.
上記発明によれば、はんだバンプが電極に接触した後においては、半導体チップと電極との離間距離は所定距離に維持されるため、はんだバンプに過大な荷重が印加されることはなくなる。よって、半導体チップの高密度化によりはんだバンプが微細化しても、バンプ接合時にはんだバンプが潰れたり、隣接するはんだバンプ間で接触が発生したりすることを防止できる。   According to the above invention, after the solder bump contacts the electrode, the separation distance between the semiconductor chip and the electrode is maintained at a predetermined distance, so that an excessive load is not applied to the solder bump. Therefore, even if the solder bumps are miniaturized by increasing the density of the semiconductor chip, it is possible to prevent the solder bumps from being crushed at the time of bump bonding or from being contacted between adjacent solder bumps.
また、請求項2記載の発明は、
請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記はんだバンプが前記電極に接触した後は、前記はんだバンプの接合を行なうために用いるツールが熱膨張した量に対応する寸法だけ、前記半導体チップを前記電極に対して離間するよう移動させることを特徴とするものである。
The invention according to claim 2
In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
After the solder bump contacts the electrode, the tool used for bonding the solder bump is moved away from the electrode by a dimension corresponding to the amount of thermal expansion. It is a feature.
上記発明によれば、接合時にはんだバンプを溶融するために加熱処理が行なわれ、これによりはんだバンプの接合を行なうために用いるツールが熱膨張しても、このツールの熱膨張量に対応する寸法だけ、半導体チップは電極に対して離間するよう移動されるため、バンプ接合時にはんだバンプが潰れたり、隣接するはんだバンプ間で接触が発生したりすることを防止できる。   According to the above invention, even if the heat treatment is performed to melt the solder bump at the time of joining, and the tool used for joining the solder bump is thermally expanded, the dimension corresponding to the thermal expansion amount of the tool. However, since the semiconductor chip is moved away from the electrodes, it is possible to prevent the solder bumps from being crushed during bump bonding or contact between adjacent solder bumps.
また、請求項3記載の発明は、
請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを前記電極に対して離間させる移動は、前記はんだバンプに対して加熱を開始した加熱開始時と同時、或は加熱開始時よりも前に開始されることを特徴とするものである。
The invention according to claim 3
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2.
The movement for separating the semiconductor chip from the electrode is started at the same time when heating is started with respect to the solder bump or before the start of heating. .
上記発明によれば、はんだバンプが加熱により軟化した状態では半導体チップの電極に対する離間移動は開始されているため、荷重によりはんだバンプが潰れることを確実に防止することができる。   According to the above-described invention, when the solder bump is softened by heating, the separation movement of the semiconductor chip with respect to the electrode is started, so that the solder bump can be reliably prevented from being crushed by the load.
また、請求項4記載の発明は、
はんだバンプが設けられた半導体チップを装着する装着治具と、前記半導体チップを加熱する加熱ヒータとを有しており、ステージ上に装着された基板に形成された電極に前記はんだバンプを接合する半導体装置の製造装置において、
前記装着治具と前記半導体チップとの間、または前記加熱ヒータと前記装着治具との間に、前記基板に対する前記半導体チップの傾きを補正する傾き補正部材を設けたことを特徴とするものである。
The invention according to claim 4
A mounting jig for mounting a semiconductor chip provided with solder bumps and a heater for heating the semiconductor chip are provided, and the solder bumps are bonded to electrodes formed on a substrate mounted on a stage. In semiconductor device manufacturing equipment,
An inclination correction member for correcting an inclination of the semiconductor chip relative to the substrate is provided between the mounting jig and the semiconductor chip or between the heater and the mounting jig. is there.
また、請求項5記載の発明は、
はんだバンプが設けられた半導体チップを装着する装着治具と、前記半導体チップを加熱する加熱ヒータとを有しており、ステージ上に装着された基板に形成された電極に前記はんだバンプを接合する半導体装置の製造装置において、
前記ステージの前記基板が装着される側に、前記はんだバンプの接合時に前記基板に対する前記半導体チップの傾きを補正する傾き補正部材を設けたことを特徴とするものである。
The invention according to claim 5
A mounting jig for mounting a semiconductor chip provided with solder bumps and a heater for heating the semiconductor chip are provided, and the solder bumps are bonded to electrodes formed on a substrate mounted on a stage. In semiconductor device manufacturing equipment,
An inclination correction member for correcting an inclination of the semiconductor chip with respect to the substrate at the time of joining the solder bumps is provided on the stage mounting side of the stage.
上記請求項4乃至5記載の発明によれば、基板に対する半導体チップの傾きを補正する傾き補正部材を設けたことにより、全てのはんだバンプを確実に電極に接合することができ、半導体チップの基板に対する接合信頼性を高めることができる。   According to the fourth to fifth aspects of the present invention, by providing the inclination correction member for correcting the inclination of the semiconductor chip with respect to the substrate, all the solder bumps can be reliably bonded to the electrodes, and the semiconductor chip substrate It is possible to improve the bonding reliability with respect to.
本発明によれば、半導体チップの高密度化によりはんだバンプが微細化しても、バンプ接合時にはんだバンプが潰れたり、隣接するはんだバンプ間で接触が発生したりすることを防止できる。また、全てのはんだバンプを確実に電極に接合することができるため、半導体チップの基板に対する接合信頼性を高めることができる。   According to the present invention, even if the solder bumps are miniaturized by increasing the density of the semiconductor chip, it is possible to prevent the solder bumps from being crushed during bump bonding or contact between adjacent solder bumps. Moreover, since all the solder bumps can be reliably bonded to the electrodes, the bonding reliability of the semiconductor chip to the substrate can be improved.
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。   Next, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
図2は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を実施するのに用いる半導体製造装置10Aを示している。周知のように、半導体装置は多数の工程を経て製造されるが、本実施例は半導体チップ1に設けられたはんだバンプ4を基板2に形成された電極5に接合する方法に特徴を有しており、他の製造工程は周知の工程を用いている。このため以下の説明では、はんだバンプ4を電極5に接合する方法についてのみ図示して説明するものとする。   FIG. 2 shows a semiconductor manufacturing apparatus 10A used for carrying out a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention. As is well known, a semiconductor device is manufactured through a number of processes, but this embodiment is characterized by a method of joining solder bumps 4 provided on a semiconductor chip 1 to electrodes 5 formed on a substrate 2. Other manufacturing processes use known processes. For this reason, in the following description, only the method of joining the solder bump 4 to the electrode 5 will be illustrated and described.
尚、本実施例で用いるウェハ1に設けられたはんだバンプ4は、バンプサイズが直径5μm〜25μm、高さが3μm〜20μmと微細化されたものであり、またバンプ間のバンプピッチも10μm〜40μmと狭ピッチ化されたものである。   Incidentally, the solder bumps 4 provided on the wafer 1 used in this embodiment are miniaturized with a bump size of 5 μm to 25 μm in diameter and 3 μm to 20 μm in height, and a bump pitch between the bumps of 10 μm to The pitch is reduced to 40 μm.
本発明方法に用いる半導体製造装置10Aはフリップチップボンダであり、大略すると移動装置11,制御装置13,装着ツール16,上部加熱ヒータ17,ステージ18,及び下部加熱ヒータ19等により構成されている。移動装置11は、その下部に装着ツール16及び上部加熱ヒータ17が設けられている。   The semiconductor manufacturing apparatus 10A used in the method of the present invention is a flip chip bonder, and roughly comprises a moving device 11, a control device 13, a mounting tool 16, an upper heater 17, a stage 18, a lower heater 19, and the like. The moving device 11 is provided with a mounting tool 16 and an upper heater 17 at the lower part thereof.
装着ツール16はエア式の吸着チャックが設けられており、この吸着チャックの吸着作用により半導体チップ1は装着ツール16に装着(固定)される。この装着ツール16の上部には、半導体チップ1を加熱する上部加熱ヒータ17が一体的に設けられている。この一体化した装着ツール16及び上部加熱ヒータ17は、移動装置11により図中矢印Z1,Z2方向に移動可能な構成とされている。   The mounting tool 16 is provided with an air-type suction chuck, and the semiconductor chip 1 is mounted (fixed) on the mounting tool 16 by the suction action of the suction chuck. An upper heater 17 that integrally heats the semiconductor chip 1 is integrally provided on the mounting tool 16. The integrated mounting tool 16 and upper heater 17 can be moved by the moving device 11 in the directions of arrows Z1 and Z2 in the figure.
また、装着ツール16の下方位置には、ステージ18及び下部加熱ヒータ19が設けられている。このステージ18及び下部加熱ヒータ19は固定されており、本実施例では移動は行なわない構成とされている。ステージ18はエア式の吸着チャックが設けられており、この吸着チャックの吸着作用により基板2はステージ18に装着(固定)される。このステージ18の下部には、基板2を加熱する下部加熱ヒータ19が一体的に設けられている。   A stage 18 and a lower heater 19 are provided below the mounting tool 16. The stage 18 and the lower heater 19 are fixed and are not moved in this embodiment. The stage 18 is provided with an air-type suction chuck, and the substrate 2 is mounted (fixed) on the stage 18 by the suction action of the suction chuck. A lower heater 19 for integrally heating the substrate 2 is integrally provided below the stage 18.
制御装置13は、移動装置11及び各加熱ヒータ17,19に接続されている。この制御装置13は、移動装置11による半導体チップ1の上下移動の制御を行なうと共に、各加熱ヒータ17,19の温度制御も行なうものである。   The control device 13 is connected to the moving device 11 and the heaters 17 and 19. The control device 13 controls the vertical movement of the semiconductor chip 1 by the moving device 11 and also controls the temperature of the heaters 17 and 19.
続いて、上記した半導体製造装置10Aを用いてはんだバンプ4を電極5に接合する方法について説明する。はんだバンプ4を電極5に接合するには、先ず半導体チップ1を装着ツール16に装着すると共に、基板2をステージ18に装着する。   Next, a method for joining the solder bump 4 to the electrode 5 using the semiconductor manufacturing apparatus 10A described above will be described. In order to join the solder bump 4 to the electrode 5, first, the semiconductor chip 1 is mounted on the mounting tool 16 and the substrate 2 is mounted on the stage 18.
半導体チップ1が装着ツール16に装着され、基板2がステージ18に装着された状態では、図3(A)に示すようにはんだバンプ4は電極5から離間した状態となっている。この状態で、上部加熱ヒータ17及び下部加熱ヒータ19に予備加熱用の通電が行なわれ、半導体チップ1及び基板2の予備加熱(例えば、200℃)が開始される。   When the semiconductor chip 1 is mounted on the mounting tool 16 and the substrate 2 is mounted on the stage 18, the solder bumps 4 are separated from the electrodes 5 as shown in FIG. In this state, energization for preheating is performed on the upper heater 17 and the lower heater 19, and preheating (for example, 200 ° C.) of the semiconductor chip 1 and the substrate 2 is started.
半導体チップ1及び基板2が所定の予備加熱温度まで上昇すると、制御装置13により移動装置11は半導体チップ1と基板2との位置決め処理を行なう。この位置決め処理が終了すると、制御装置13は装着ツール16及び上部加熱ヒータ17が下動するよう移動装置11を駆動制御する。これにより、半導体チップ1は基板2に向け移動(下動)される。これにより、はんだバンプ4は電極5に近接してゆき、やがてはんだバンプ4と電極5は当接した状態となる。   When the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are raised to a predetermined preheating temperature, the control device 13 causes the moving device 11 to perform a positioning process between the semiconductor chip 1 and the substrate 2. When this positioning process is completed, the control device 13 drives and controls the moving device 11 so that the mounting tool 16 and the upper heater 17 move downward. As a result, the semiconductor chip 1 is moved (moved downward) toward the substrate 2. As a result, the solder bump 4 approaches the electrode 5 and eventually the solder bump 4 and the electrode 5 come into contact with each other.
図3(B)は、はんだバンプ4と電極5は当接した状態を示している。制御装置13は、はんだバンプ4と電極5は当接したことを図示しないセンサーにより検知しうる構成とされている。このはんだバンプ4と電極5は当接した後の半導体チップ1の移動方法を、図4を参照しつつ以下説明する。   FIG. 3B shows a state in which the solder bump 4 and the electrode 5 are in contact with each other. The control device 13 is configured to be able to detect that the solder bump 4 and the electrode 5 are in contact with each other by a sensor (not shown). A method of moving the semiconductor chip 1 after the solder bumps 4 and the electrodes 5 contact each other will be described below with reference to FIG.
尚、図4において、横軸は時間を示し、左側の縦軸は温度、右側の縦軸ははんだバンプ4(半導体チップ1)の移動量を示している。また、矢印Aで示す特性は装着ツール16及びステージ18の温度(これは半導体チップ1及び基板2の温度と等価)を示し、矢印Bで示す特性は移動装置11による半導体チップ1のZ1,Z2方向の移動量を示し、矢印Cで示す特性は装着ツール16のステージ18に対する高さ(これは、電極5に対する半導体チップ1の高さと等価)を示している。   In FIG. 4, the horizontal axis represents time, the left vertical axis represents temperature, and the right vertical axis represents the amount of movement of the solder bump 4 (semiconductor chip 1). The characteristic indicated by the arrow A indicates the temperature of the mounting tool 16 and the stage 18 (this is equivalent to the temperature of the semiconductor chip 1 and the substrate 2), and the characteristic indicated by the arrow B indicates Z1, Z2 of the semiconductor chip 1 by the moving device 11. The amount of movement in the direction is indicated, and the characteristic indicated by the arrow C indicates the height of the mounting tool 16 relative to the stage 18 (this is equivalent to the height of the semiconductor chip 1 relative to the electrode 5).
前記したように、はんだバンプ4と電極5とが当接する前は、半導体チップ1及び基板2は予備加熱がされており、その温度は例えば、200℃とされている(図4に矢印T1で示す)。これに対し、はんだバンプ4と電極5が当接状態(図4に矢印T2で示す)となると、上部加熱ヒータ17及び下部加熱ヒータ19に対する通電量が増加され、これにより半導体チップ1及び基板2に対し予備加熱よりも更に高い例えば260℃での加熱が実施される(矢印A参照)。これにより、はんだバンプ4は溶融を開始する。   As described above, before the solder bumps 4 and the electrodes 5 contact each other, the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are preheated, and the temperature thereof is, for example, 200 ° C. (in FIG. 4, an arrow T1). Show). On the other hand, when the solder bump 4 and the electrode 5 are in contact with each other (indicated by the arrow T2 in FIG. 4), the energization amount to the upper heater 17 and the lower heater 19 is increased, and thereby the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are increased. On the other hand, for example, heating at 260 ° C., which is higher than the preheating, is performed (see arrow A). As a result, the solder bump 4 starts to melt.
ところで、上記のようにはんだバンプ4と電極5とが当接した後に上部加熱ヒータ17及び下部加熱ヒータ19の加熱温度が上昇することにより、各加熱ヒータ17,19自体、及び各加熱ヒータ17,19と一体的に設けられている装着ツール16やステージ18に熱膨張(以下、この熱膨張を当接後熱膨張という)が発生する。   By the way, as described above, the heating temperatures of the upper heater 17 and the lower heater 19 rise after the solder bumps 4 and the electrodes 5 come into contact with each other. Thermal expansion (hereinafter, this thermal expansion is referred to as “thermal expansion after contact”) occurs in the mounting tool 16 and the stage 18 that are provided integrally with 19.
この当接後熱膨張は、はんだバンプ4と電極5との当接位置に対し上部においては、半導体チップ1を図中矢印Z1方向に移動させる力となる。また、上記の当接位置に対し下部においては、基板2を図中矢印Z2方向に移動させる力として作用する。従って、仮に移動装置11が停止させたとしても、当接後熱膨張により発生する力は、はんだバンプ4を上下から潰す方向に作用し、よってはんだバンプ4は潰れてしまう。   This post-contact thermal expansion becomes a force for moving the semiconductor chip 1 in the direction of the arrow Z1 in the figure at the upper part with respect to the contact position between the solder bump 4 and the electrode 5. Further, in the lower part with respect to the contact position, it acts as a force for moving the substrate 2 in the direction of the arrow Z2 in the figure. Therefore, even if the moving device 11 is stopped, the force generated by the thermal expansion after contact acts in the direction of crushing the solder bump 4 from above and below, and thus the solder bump 4 is crushed.
そこで本発明では、はんだバンプ4と電極5とが当接した後、制御装置13が移動装置11を制御し、装着ツール16及び上部加熱ヒータ17をZ2方向に、即ち半導体チップ1が電極5に対して離間する方向に移動させる構成とした(図4の矢印Bで示す特性を参照)。この際、装着ツール16及び上部加熱ヒータ17のZ2方向への移動量(移動寸法)は、当接後熱膨張量に対応した移動量となるよう設定されている。   Therefore, in the present invention, after the solder bump 4 and the electrode 5 come into contact with each other, the control device 13 controls the moving device 11, and the mounting tool 16 and the upper heater 17 are moved in the Z2 direction, that is, the semiconductor chip 1 is placed on the electrode 5. In contrast, it is configured to move in the direction of separation (see the characteristic indicated by arrow B in FIG. 4). At this time, the movement amount (movement dimension) of the mounting tool 16 and the upper heater 17 in the Z2 direction is set to be a movement amount corresponding to the post-contact thermal expansion amount.
この方法を用いることにより、当接後熱膨張が発生しても、この当接後熱膨張に対応する寸法だけ半導体チップ1は電極5に対して離間するため、図4に矢印Cで示すように、電極5に対する半導体チップ1の離間位置は一定の位置に維持保持される。よって、本実施例に係る接合方法を用いることにより、半導体チップ1の高密度化によりはんだバンプ4が微細化しても、バンプ接合時にはんだバンプ4が潰れたり、隣接するはんだバンプが接触したりすることを防止できる。   By using this method, even if thermal expansion after contact occurs, the semiconductor chip 1 is separated from the electrode 5 by a dimension corresponding to the thermal expansion after contact, as shown by an arrow C in FIG. In addition, the separation position of the semiconductor chip 1 with respect to the electrode 5 is maintained and held at a fixed position. Therefore, by using the bonding method according to the present embodiment, even when the solder bumps 4 are miniaturized due to high density of the semiconductor chip 1, the solder bumps 4 are crushed or adjacent solder bumps are in contact with each other during the bump bonding. Can be prevented.
また、図4に示されるように、本実施例では半導体チップ1を電極5に対して離間移動させる開始時期を、はんだバンプ4に対して加熱を開始する加熱開始時T2と同時となるよう設定している。これにより、はんだバンプ4が加熱により軟化或は溶融した状態では、半導体チップ1の電極5に対する離間移動は開始されているため、はんだバンプ4が潰れることをより確実に防止することができる。尚、半導体チップ1を電極5に対して離間移動させる開始時期は、必ずしもはんだバンプ4に対して加熱を開始する加熱開始時T2と同時とする必要はなく、加熱開始時T2よりも前から開始されることとしてもよい。   In addition, as shown in FIG. 4, in this embodiment, the start time for moving the semiconductor chip 1 away from the electrode 5 is set to coincide with the heating start time T2 when the solder bump 4 starts to be heated. doing. Thereby, when the solder bump 4 is softened or melted by heating, the separation movement of the semiconductor chip 1 with respect to the electrode 5 is started, so that the solder bump 4 can be more reliably prevented from being crushed. The start time for moving the semiconductor chip 1 away from the electrode 5 does not necessarily have to be the same as the heating start time T2 for starting the heating of the solder bumps 4, and starts before the heating start time T2. It may be done.
上記した移動装置11を制御装置13により駆動制御することによる半導体チップ1と電極5との離間距離を一定に保つ処理は、所定時間(例えば、10〜20分)維持される。図3(C)は、半導体チップ1と電極5との離間距離を一定に保っている状態を示している。同図に示すように、この状態においてはんだバンプ4が潰れたり、隣接するはんだバンプが接触したりすることはない。   The process of keeping the separation distance between the semiconductor chip 1 and the electrode 5 by driving the moving device 11 controlled by the control device 13 constant is maintained for a predetermined time (for example, 10 to 20 minutes). FIG. 3C shows a state in which the distance between the semiconductor chip 1 and the electrode 5 is kept constant. As shown in the figure, in this state, the solder bumps 4 are not crushed and adjacent solder bumps are not in contact.
この所定時間内に、はんだバンプ4は電極5に接合され、半導体チップ1と基板2は電気的に接続される。続いて、冷却処理が実施され、はんだバンプ4の冷却が行なわれる。これにより、はんだバンプ4は固化し、半導体チップ1と基板2は機械的に固定される。続いて、装着ツール16による半導体チップ1の吸着、及びステージ18による基板2の吸着が停止され、これにより半導体チップ1が接合された基板2は、半導体製造装置10Aから取り外される。尚、半導体製造装置10Aから取り外された基板2は、リフロー炉に入れられ本加熱処理が実施される。   Within this predetermined time, the solder bump 4 is bonded to the electrode 5 and the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are electrically connected. Subsequently, a cooling process is performed, and the solder bumps 4 are cooled. As a result, the solder bumps 4 are solidified, and the semiconductor chip 1 and the substrate 2 are mechanically fixed. Subsequently, the suction of the semiconductor chip 1 by the mounting tool 16 and the suction of the substrate 2 by the stage 18 are stopped, whereby the substrate 2 to which the semiconductor chip 1 is bonded is removed from the semiconductor manufacturing apparatus 10A. In addition, the board | substrate 2 removed from 10 A of semiconductor manufacturing apparatuses is put into a reflow furnace, and this heat processing is implemented.
続いて、本発明に係る半導体製造装置について説明する。図5乃至図7は、本発明の第1乃至第3実施例である半導体製造装置10B〜10Dを示している。この各半導体製造装置10B〜10Dは、図2に示した半導体製造装置10Aと基本構成は同一である。このため、図1に示した半導体製造装置10Aと同一構成については同一符号を付してその説明は省略するものとする。   Subsequently, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described. 5 to 7 show semiconductor manufacturing apparatuses 10B to 10D according to first to third embodiments of the present invention. Each of the semiconductor manufacturing apparatuses 10B to 10D has the same basic configuration as the semiconductor manufacturing apparatus 10A shown in FIG. For this reason, the same components as those of the semiconductor manufacturing apparatus 10A shown in FIG.
第1乃至第3実施例である半導体製造装置10B〜10Dは、いずれも装着された半導体チップ1の有する傾きを補正する傾き補正部材15A〜15Cを設けたことを特徴とするものである。この補正部材15A〜15Cは、例えば樹脂よりなる膜状或はブロック状の部材であり、弾性変形可能な材質が選定されている。従って、補正部材15A〜15Cは、押圧されることにより弾性変形すると共に、押圧解除されることにより元の形状に弾性復元する。   The semiconductor manufacturing apparatuses 10B to 10D according to the first to third embodiments are characterized in that inclination correction members 15A to 15C for correcting the inclination of the mounted semiconductor chip 1 are provided. The correction members 15A to 15C are film-like or block-like members made of, for example, resin, and a material that can be elastically deformed is selected. Accordingly, the correction members 15A to 15C are elastically deformed when pressed, and are elastically restored to their original shapes when released.
第1実施例に係る半導体製造装置10Bは、図5に示すように、補正部材15Aを装着ツール16の半導体チップ1が装着される側に設けた構成とされている。また、第2実施例に係る半導体製造装置10Cは、図6に示すように、補正部材15Bを装着ツール16と上部加熱ヒータ17との間に設けた構成とされている。更に、第3実施例に係る半導体製造装置10Dは、図7に示すように、補正部材15Cを下部に配設されたステージ18の基板2が装着される側に設けた構成とされている。   As shown in FIG. 5, the semiconductor manufacturing apparatus 10 </ b> B according to the first example has a configuration in which a correction member 15 </ b> A is provided on the side of the mounting tool 16 on which the semiconductor chip 1 is mounted. Further, the semiconductor manufacturing apparatus 10C according to the second embodiment is configured such that a correction member 15B is provided between the mounting tool 16 and the upper heater 17 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 7, the semiconductor manufacturing apparatus 10D according to the third embodiment has a configuration in which a correction member 15C is provided on the side of the stage 18 disposed at the lower side where the substrate 2 is mounted.
この構成とすることにより、基板5に対する半導体チップ1の傾きを補正することができ、はんだバンプ4と電極5の位置を常に正規な状態(水平に対向する状態)とすることができる。即ち、半導体装置の小型化の要求により、半導体チップ1の薄型化を図るため、その背面1aを研磨するいわゆるバックグラインドが実施されている。このバックグラインドを実施した後は、半導体チップ1の背面1aに傾きが発生することがある。   With this configuration, the inclination of the semiconductor chip 1 with respect to the substrate 5 can be corrected, and the positions of the solder bumps 4 and the electrodes 5 can always be in a normal state (a state in which they are horizontally opposed). That is, in order to reduce the thickness of the semiconductor chip 1 in response to a demand for downsizing the semiconductor device, so-called back grinding is performed to polish the back surface 1a. After the back grinding, the back surface 1a of the semiconductor chip 1 may be inclined.
この傾きが発生した半導体チップ1を装着ツール16に装着すると、背面1aが装着ツール16に装着されるため、半導体チップ1のはんだバンプ4が形成された面が基板2に対して傾いた状態となってしまう。そして、この状態ではんだバンプ4を電極5に接合する処理を行なうと、全てのはんだバンプ4が電極5に当接しない状態が発生し、よって半導体チップ1と基板2との接続不良が発生してしまうおそれがある。   When the tilted semiconductor chip 1 is mounted on the mounting tool 16, the back surface 1 a is mounted on the mounting tool 16, so that the surface on which the solder bumps 4 of the semiconductor chip 1 are formed is tilted with respect to the substrate 2. turn into. If the process of joining the solder bumps 4 to the electrodes 5 is performed in this state, a state in which all the solder bumps 4 do not come into contact with the electrodes 5 occurs, and thus a connection failure between the semiconductor chip 1 and the substrate 2 occurs. There is a risk that.
しかしながら、第1乃至第3実施例である半導体製造装置10B〜10Dのように半導体チップ1の有する傾きを補正する傾き補正部材15A〜15Cを設けることにより、基板5に対する半導体チップ1の傾きを補正することができ、はんだバンプ4と電極5の位置を常に正規な状態(水平に対向する状態)とすることができる。これにより、全てのはんだバンプ4を確実に電極5に接合することができ、半導体チップ1の基板2に対する接合信頼性を高めることができる。   However, the inclination of the semiconductor chip 1 relative to the substrate 5 is corrected by providing the inclination correction members 15A to 15C for correcting the inclination of the semiconductor chip 1 as in the semiconductor manufacturing apparatuses 10B to 10D according to the first to third embodiments. The positions of the solder bumps 4 and the electrodes 5 can always be in a normal state (a state in which they are horizontally opposed). Thereby, all the solder bumps 4 can be reliably bonded to the electrode 5, and the bonding reliability of the semiconductor chip 1 to the substrate 2 can be improved.
図1は、従来の一例であるはんだバンプを基板に形成された電極に接合する方法を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a conventional method for joining solder bumps to electrodes formed on a substrate. 図2は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法に用いる半導体製造装置を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus used in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図3は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 図4は、加熱ヒータ及び移動装置の制御の一例を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an example of control of the heater and the moving device. 図5は、本発明の第1実施例である半導体製造装置を示す図である。FIG. 5 shows a semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図6は、本発明の第2実施例である半導体製造装置を示す図である。FIG. 6 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図7は、本発明の第3実施例である半導体製造装置を示す図である。FIG. 7 shows a semiconductor manufacturing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
符号の説明Explanation of symbols
1 半導体チップ
2 基板
4 はんだバンプ
5 電極
10A〜10D 半導体製造装置
11 移動装置
13 制御装置
15A〜15C 補正部材
16 装着ツール
17 上部加熱ヒータ
18 ステージ
19 下部加熱ヒータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 2 Board | substrate 4 Solder bump 5 Electrode 10A-10D Semiconductor manufacturing apparatus 11 Movement apparatus 13 Control apparatus 15A-15C Correction member 16 Installation tool 17 Upper heater 18 Stage 19 Lower heater

Claims (5)

  1. 半導体チップに配設されたはんだバンプを基板に形成された電極に接合する工程を含む半導体装置の製造方法において、
    前記はんだバンプが前記電極に接触するまでは前記半導体チップを基板に向け移動させ、
    前記はんだバンプが前記電極に接触した後は、前記半導体チップと前記電極との離間距離が所定距離を維持するよう、前記半導体チップの移動を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
    In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of bonding solder bumps arranged on a semiconductor chip to an electrode formed on a substrate,
    Move the semiconductor chip toward the substrate until the solder bump contacts the electrode,
    A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: adjusting the movement of the semiconductor chip so that a distance between the semiconductor chip and the electrode is maintained at a predetermined distance after the solder bump contacts the electrode.
  2. 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
    前記はんだバンプが前記電極に接触した後は、前記はんだバンプの接合を行なうために用いるツールが熱膨張した量に対応する寸法だけ、前記半導体チップを前記電極に対して離間するよう移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
    In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
    After the solder bump contacts the electrode, the tool used for bonding the solder bump is moved away from the electrode by a dimension corresponding to the amount of thermal expansion. A method of manufacturing a semiconductor device.
  3. 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体チップを前記電極に対して離間させる移動は、前記はんだバンプに対して加熱を開始した加熱開始時と同時、或は加熱開始時よりも前に開始されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
    The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2.
    The movement of separating the semiconductor chip from the electrode is started at the same time when heating is started with respect to the solder bump, or before the start of heating. Production method.
  4. はんだバンプが設けられた半導体チップを装着する装着治具と、前記半導体チップを加熱する加熱ヒータとを有しており、ステージ上に装着された基板に形成された電極に前記はんだバンプを接合する半導体装置の製造装置において、
    前記装着治具と前記半導体チップとの間または前記加熱ヒータと前記装着治具との間に、前記基板に対する前記半導体チップの傾きを補正する傾き補正部材を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
    A mounting jig for mounting a semiconductor chip provided with solder bumps and a heater for heating the semiconductor chip are provided, and the solder bumps are bonded to electrodes formed on a substrate mounted on a stage. In semiconductor device manufacturing equipment,
    An inclination correction member for correcting an inclination of the semiconductor chip with respect to the substrate is provided between the mounting jig and the semiconductor chip or between the heater and the mounting jig. manufacturing device.
  5. はんだバンプが設けられた半導体チップを装着する装着治具と、前記半導体チップを加熱する加熱ヒータとを有しており、ステージ上に装着された基板に形成された電極に前記はんだバンプを接合する半導体装置の製造装置において、
    前記ステージの前記基板が装着される側に、前記はんだバンプの接合時に前記基板に対する前記半導体チップの傾きを補正する傾き補正部材を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
    A mounting jig for mounting a semiconductor chip provided with solder bumps and a heater for heating the semiconductor chip are provided, and the solder bumps are bonded to electrodes formed on a substrate mounted on a stage. In semiconductor device manufacturing equipment,
    An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: an inclination correction member that corrects an inclination of the semiconductor chip with respect to the substrate when the solder bumps are bonded to the side on which the substrate is mounted.
JP2003434057A 2003-12-26 2003-12-26 Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device Pending JP2005191460A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003434057A JP2005191460A (en) 2003-12-26 2003-12-26 Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003434057A JP2005191460A (en) 2003-12-26 2003-12-26 Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005191460A true JP2005191460A (en) 2005-07-14

Family

ID=34791228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003434057A Pending JP2005191460A (en) 2003-12-26 2003-12-26 Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005191460A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013085003A (en) * 2013-02-12 2013-05-09 Fujitsu Semiconductor Ltd Manufacturing apparatus of semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03120844A (en) * 1989-10-04 1991-05-23 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device and its equipment
JPH1032225A (en) * 1996-07-15 1998-02-03 Toshiba Corp Mounting of semiconductor chip and device therefor
JPH10173007A (en) * 1996-12-11 1998-06-26 Mitsubishi Electric Corp Bare chip-mounting apparatus
JP2000349123A (en) * 1999-06-01 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp Mounting of semiconductor element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03120844A (en) * 1989-10-04 1991-05-23 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device and its equipment
JPH1032225A (en) * 1996-07-15 1998-02-03 Toshiba Corp Mounting of semiconductor chip and device therefor
JPH10173007A (en) * 1996-12-11 1998-06-26 Mitsubishi Electric Corp Bare chip-mounting apparatus
JP2000349123A (en) * 1999-06-01 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp Mounting of semiconductor element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013085003A (en) * 2013-02-12 2013-05-09 Fujitsu Semiconductor Ltd Manufacturing apparatus of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4736355B2 (en) Component mounting method
US7299965B2 (en) Method and apparatus for mounting and removing an electronic component
JP2005205418A (en) Joined structure manufacturing method
JP5892682B2 (en) Joining method
TWI728086B (en) Installation device and installation method
TWI603405B (en) Manufacturing apparatus of semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
TWI705120B (en) Method for setting heating conditions of semiconductor wafer during bonding, method for measuring viscosity of non-conductive film, and bonding device
JP2012199358A (en) Chip heating head
JPH09153525A (en) Bonder and bonding method
JP4260712B2 (en) Electronic component mounting method and apparatus
JP2005191460A (en) Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device
WO2003001586A1 (en) Mounting method and device
US10090273B2 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
TWI619215B (en) Heating header of semiconductor mounting apparatus and bonding method for semiconductor
JP2003297878A (en) Component pressurizing and joining device and joining method of component to substrate
JP4210269B2 (en) Ultrasonic flip chip mounting equipment
JP2006147880A (en) Method and device for bonding semiconductor with solder bump
JP5892686B2 (en) Crimping apparatus and temperature control method
JP4043391B2 (en) Electronic component mounting method and mounting apparatus therefor
TWI451508B (en) Pre-heating system and method for silicon dies
KR102252732B1 (en) Die bonding method and die bonding apparatus
JP2699583B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and device
WO2019171835A1 (en) Semiconductor device production method
KR20070022058A (en) Component mounting method and component mounting apparatus
JP2017011137A (en) Pressure heating/cooling device, flip-chip mounting device, flip-chip mounting method and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060925

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20080728

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090602

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100119

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100601