JP2005183869A

JP2005183869A - 半導体薄膜の製造方法

Info

Publication number: JP2005183869A
Application number: JP2003426175A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Morikawa; 茂森川; Hiroshi Matsumoto; 広松本
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2003-12-24
Filing date: 2003-12-24
Publication date: 2005-07-07

Abstract

【課題】ガラス基板上に形成された半導体薄膜の不純物注入領域を活性化のためのレーザビームをガラス基板の下面側から照射しても、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができるようにする。
【解決手段】例えば、Ｎｄ：ＹＬＦレーザビームを２次高調波に変換したＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は９０％以上と十分に高く、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができる。これに対し、例えば、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は４０％未満であり、ガラス基板にほとんど吸収され、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができない。
【選択図】図９

Description

この発明は、薄膜トランジスタ等を構成する半導体薄膜の製造方法に関する。

例えば、ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法には、ガラス基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜にＸｅＣｌエキシマレーザビームを照射することにより、アモルファスシリコン薄膜を多結晶化してポリシリコン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分離して多数の薄膜トランジスタを形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。

特開平３−２０１５３８号公報

ところで、ポリシリコン薄膜のソース・ドレイン領域となる領域にリンやボロン等からなる不純物を注入すると、結晶中に多くの格子欠陥が発生し、また不純物注入領域によっては非晶質になる。このため、熱処理によって結晶性の回復を図ると同時に、注入された不純物を格子点に置換する活性化処理が必要である。この活性化処理の１つとして、ＸｅＣｌエキシマレーザビームを照射する方法がある。

しかして、上記ＸｅＣｌエキシマレーザビームを照射して活性化を図る方法を、半導体薄膜の上方にゲート電極が配置されたトップゲート型薄膜トランジスタに適用する場合には、ゲート電極をマスクとして半導体薄膜に不純物を注入した後に、活性化のため、上側からＸｅＣｌエキシマレーザビームを照射すると、この照射されたＸｅＣｌエキシマレーザビームがゲート電極に直接当たるため、ゲート電極が溶融して変形したり、最悪の場合にはゲート電極が剥がれたりしてしまう。

そこで、トップゲート型薄膜トランジスタの場合には、活性化のためのＸｅＣｌエキシマレーザビームをガラス基板の下面側から照射することが考えられる。しかしながら、ＸｅＣｌエキシマレーザビームの波長が３０８ｎｍと比較的短いため、ガラス基板の下面側から照射すると、ガラス基板にほとんど吸収され、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができないという問題がある。

そこで、この発明は、活性化のためのレーザビームをガラス基板の下面側から照射しても、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができる半導体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、ガラス基板上に設けられた、不純物注入領域を有する半導体薄膜に、ガラスの透過率が９０％以上である波長領域を有するレーザビームを前記ガラス基板の下面側から照射して、前記半導体薄膜の不純物注入領域の活性化を行なうことを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームの波長は４００ｎｍ以上であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは、波長が４５８ｎｍ以上の固体レーザビームであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは固体レーザビームを２次高調波に変換したレーザビームであることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは全固体レーザビームであることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは全固体レーザビームを２次高調波に変換したレーザビームであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは固体レーザビームを２次高調波に変換した５３０ｎｍ近辺の可視領域の波長のレーザビームであることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記レーザビームはＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５３２ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶ０４／ＳＨＧ（パルス発振、波長５３２ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶ０４／ＳＨＧ（連続発振、波長５３２ｎｍ）のいずれかのレーザビームであることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームはアルゴンレーザビームであることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体薄膜はポリシリコン薄膜であることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記ポリシリコン薄膜によってポリシリコン薄膜トランジスタを形成することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザビームを照射するレーザビーム照射器を用いて、アモルファス状態の前記半導体薄膜を多結晶化して多結晶半導体薄膜とすることを特徴とするものである。

この発明によれば、ガラスの透過率が９０％以上である波長領域を有するレーザビームをガラス基板の下面側から照射しているので、活性化のためのレーザビームをガラス基板の下面側から照射しても、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができる。

図１はこの発明の製造方法により製造された液晶表示素子の一例の要部の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、ガラス基板１上の画素回路部形成領域に画素電極２およびこの画素電極２に接続されたＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３が設けられ、ガラス基板１上の周辺駆動回路部形成領域にＮＭＯＳ薄膜トランジスタ４とＰＭＯＳ薄膜トランジスタ５とからなるＣＭＯＳ薄膜トランジスタが設けられている。

各薄膜トランジスタ３、４、５は、ガラス基板１の上面に設けられた第１および第２の下地絶縁膜６、７の上面の各所定の箇所にそれぞれ設けられたポリシリコン薄膜８、９、１０を備えている。この場合、第１の下地絶縁膜６は窒化シリコンからなり、第２の下地絶縁膜７は酸化シリコンからなっている。

ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３、４はＬＤＤ(Lightly Doped Drain）構造となっている。すなわち、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３、４のポリシリコン薄膜８、９の中央部は真性領域からなるチャネル領域８ａ、９ａとされ、その両側はｎ型不純物低濃度領域からなるソース・ドレイン領域８ｂ、９ｂとされ、さらにその両側はｎ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域８ｃ、９ｃとされている。一方、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタ５のポリシリコン薄膜１０の中央部は真性領域からなるチャネル領域１０ａとされ、その両側はｐ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域１０ｂとされている。

ポリシリコン薄膜８、９、１０を含む第２の下地絶縁膜７の上面にはゲート絶縁膜１１が設けられている。各チャネル領域８ａ、９ａ、１０ａ上におけるゲート絶縁膜１１の上面の各所定の箇所にはそれぞれゲート電極１２、１３、１４が設けられている。ゲート電極１２、１３、１４を含むゲート絶縁膜１１の上面には層間絶縁膜１５が設けられている。

ポリシリコン薄膜８のソース・ドレイン領域８ｃ上における層間絶縁膜１５およびゲート絶縁膜１１にはコンタクトホール１６が設けられている。ポリシリコン薄膜９のソース・ドレイン領域９ｃ上における層間絶縁膜１５およびゲート絶縁膜１１にはコンタクトホール１７が設けられている。ポリシリコン薄膜１０のソース・ドレイン領域１０ｂ上における層間絶縁膜１５およびゲート絶縁膜１１にはコンタクトホール１８が設けられている。

各コンタクトホール１６、１７、１８内およびその各近傍の層間絶縁膜１５の各上面にはそれぞれソース・ドレイン電極１９、２０、２１が設けられている。ソース・ドレイン電極１９、２０、２１を含む層間絶縁膜１５の上面にはオーバーコート膜２２が設けられている。オーバーコート膜２２の上面の所定の箇所には画素電極２が設けられている。画素電極２は、オーバーコート膜２２の所定の箇所に設けられたコンタクトホール２３を介してＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１９に接続されている。

次に、上記構成の液晶表示素子の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ガラス基板１の上面にプラズマＣＶＤ法により基板温度３５０℃程度で窒化シリコンからなる第１の下地絶縁膜６、酸化シリコンからなる第２の下地絶縁膜７およびアモルファスシリコン薄膜（アモルファス半導体薄膜）３１を連続して成膜する。この場合、第１の下地絶縁膜６の膜厚は２００ｎｍ程度とし、第２の下地絶縁膜７の膜厚は１００ｎｍ程度とした。また、アモルファスシリコン薄膜３１の膜厚は、その内部での光干渉により、後工程で照射するレーザビームの吸収率がほぼピークとなる膜厚例えば６２ｎｍ程度とした。

次に、水素含有量の多いプラズマＣＶＤ法で成膜したアモルファスシリコン薄膜３１の含有水素を除去するために、窒素ガス雰囲気中において４５０℃程度の温度で２時間程度の脱水素処理を行なう。この脱水素処理は、アモルファスシリコン薄膜３１に後工程でレーザビームの照射により高エネルギーを与えると、アモルファスシリコン薄膜３１中の水素が突沸して欠陥が生じるので、これを回避するために行なうものである。

次に、図３に示すように、アモルファスシリコン薄膜３１に上側から固体レーザビームを照射することにより、アモルファスシリコン薄膜３１を多結晶化してポリシリコン薄膜（多結晶半導体薄膜）３２とする。この場合、固体レーザビームとしては、Ｎｄ：ＹＬＦレーザビームを２次高調波に変換したＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームを用いる。

ところで、アモルファスシリコン薄膜３１の膜厚は、その内部での光干渉により、波長５２７ｎｍのＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧレーザビームの吸収率がほぼピークとなる膜厚例えば６２ｎｍ程度であるため、アモルファスシリコン薄膜３１の光吸収率がかなり増加する。この結果、アモルファスシリコン薄膜３１を多結晶化するために照射するＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧレーザビームのサイズを大きくしても、単位面積当たりの実質的なレーザエネルギー強度を高くすることができる。

次に、ポリシリコン薄膜３２をパターニングすることにより、図４に示すように、第２の下地絶縁膜７の上面の各所定の箇所にポリシリコン薄膜８、９、１０を形成する。次に、図５に示すように、ポリシリコン薄膜８、９、１０を含む第２の下地絶縁膜７の上面にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１１を膜厚１００ｎｍ程度に成膜する。次に、各ポリシリコン薄膜８、９、１０の中央部上におけるゲート絶縁膜１１の上面の各所定の箇所に、スパッタ法により成膜された膜厚３００ｎｍ程度のＭｏ膜をパターニングすることにより、ゲート電極１２、１３、１４を形成する。

次に、各ゲート電極１２、１３、１４をマスクとしてｎ型不純物を低濃度で注入する。一例として、リンイオンを加速エネルギー７０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０¹³ａｔｍ／ｃｍ²の条件で注入する。すると、各ポリシリコン薄膜８、９、１０の各ゲート電極１２、１３、１４の両側における領域がｎ型不純物低濃度領域となる。

次に、図６に示すように、ゲート電極１２、１３、１４を含むゲート絶縁膜１１の上面に、ポリシリコン薄膜８、９のｎ型不純物高濃度領域８ｃ、９ｃ形成領域に対応する部分に開口部３３ａを有するレジストパターン３３を形成する。次に、レジストパターン３３をマスクとしてｎ型不純物を高濃度で注入する。一例として、リンイオンを加速エネルギー７０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０¹⁵ａｔｍ／ｃｍ²の条件で注入する。すると、ポリシリコン薄膜８、９のゲート電極１１、１２下の領域が真性領域からなるチャネル領域８ａ、９ａとなり、その両側がｎ型不純物低濃度領域からなるソース・ドレイン領域８ｂ、９ｂとなり、さらにその両側がｎ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域８ｃ、９ｃとなる。この後、レジストパターン３３を剥離する。

次に、図７に示すように、ゲート電極１２、１３を含むゲート絶縁膜１１の上面に、ポリシリコン薄膜１０に対応する部分に開口部３４ａを有するレジストパターン３４を形成する。次に、レジストパターン３４およびゲート電極２４をマスクとしてｐ型不純物を高濃度で注入する。一例として、ボロンイオンを加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０¹⁵ａｔｍ／ｃｍ²の条件で注入する。すると、ポリシリコン薄膜１０のゲート電極１４下の領域が真性領域からなるチャネル領域１０ａとなり、その両側がｐ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域１０ｂとなる。この後、レジストパターン３４を剥離する。

次に、図８に示すように、ポリシリコン薄膜８、９、１０にガラス基板１の下面側から固体レーザビームを照射することにより、不純物注入領域の活性化を行なう。この場合も、固体レーザビームとしては、Ｎｄ：ＹＬＦレーザビームを２次高調波に変換したＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームを用いる。

ここで、レーザビームの波長とレーザビームのガラス基板に対する透過率との関係を調べたところ、図９に示す結果が得られた。この場合、ガラス基板として、日本電気硝子（株）製の厚さ０．７ｍｍ、屈折率１．５２のＯＡ−１０を用いた。図９から明らかなように、レーザビームの波長が約２５０ｎｍから４００ｎｍ未満では、波長が増加するにつれてガラス基板に対する透過率は０％から次第に増加して９０％程度となり、レーザビームの波長が４００ｎｍ以上になると、ガラス基板に対する透過率は飽和して９０％以上と十分に高い値となる。

したがって、波長５２７ｎｍであるＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振）レーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は９０％以上と十分に高く、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができる。これに対し、例えば波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザビームの場合には、ガラス基板に対する透過率は４０％未満であり、ガラス基板にほとんど吸収され、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができない。

したがって、図８に示すように、ポリシリコン薄膜８、９、１０にガラス基板１の下面側からＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームを照射しても、不純物注入領域の活性化を十分に行なうことができる。この場合、窒化シリコンからなる第１の下地絶縁膜６の屈折率は１．８９程度であり、酸化シリコンからなる第２の下地絶縁膜７の屈折率は１．４６程度であるので、これらの下地絶縁膜を介しても、十分なエネルギー密度でポリシリコン薄膜８、９、１０の不純物注入領域の活性化を行なうことができる。

また、ポリシリコン薄膜８、９、１０に回路基板１の下面側から照射されたＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）レーザビームのエネルギーは、ポリシリコン薄膜８、９、１０にほとんど吸収される。この結果、ポリシリコン薄膜８、９、１０上に設けられたゲート電極１２、１３、１４にダメージを与えることはない。

次に、図１に示すように、ゲート電極１２、１３、１４を含むゲート絶縁膜１１の上面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコンからなる層間絶縁膜１５を膜厚４００ｎｍ程度に成膜する。次に、ポリシリコン薄膜８のソース・ドレイン領域８ｃ上における層間絶縁膜１５およびゲート絶縁膜１１にコンタクトホール１６を形成し、またポリシリコン薄膜９のソース・ドレイン領域９ｃ上における層間絶縁膜１５およびゲート絶縁膜１１にコンタクトホール１７を形成し、さらにポリシリコン薄膜１０のソース・ドレイン領域１０ｂ上における層間絶縁膜１５およびゲート絶縁膜１１にコンタクトホール１８を形成する。

次に、各コンタクトホール１６、１７、１８内およびその各近傍の層間絶縁膜１５の各上面に、スパッタ法により連続して成膜された膜厚５００ｎｍ程度のＡｌ膜および膜厚５０ｎｍ程度のＩＴＯコンタクト用のＭｏ膜をパターニングすることにより、ソース・ドレイン電極１９、２０、２１を形成する。次に、ソース・ドレイン電極１９、２０、２１を含む層間絶縁膜１５の上面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコンからなるオーバーコート膜２２を成膜する。

次に、画素回路部形成領域に形成されたＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１９上におけるオーバーコート膜２２の所定の箇所にコンタクトホール２３を形成する。次に、オーバーコート膜２２の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜された膜厚５０ｎｍ程度のＩＴＯ膜をパターニングすることにより、画素電極２をコンタクトホール２３を介してＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１９に接続させて形成する。かくして、図１に示す液晶表示素子が得られる。

ところで、上記実施形態では、アモルファスシリコン薄膜の多結晶化とポリシリコン薄膜の不純物注入領域の活性化とを固体レーザビームの照射により行なっているので、１台の固体レーザビーム照射器でアモルファスシリコン薄膜の多結晶化とポリシリコン薄膜の不純物注入領域の活性化とを行なうことが可能となり、設備費を低減することができる。

なお、固体レーザビームとしては、上記Ｎｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）のほかに、Ｎｄ：ＹＡＧ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５３２ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶ０４／ＳＨＧ（パルス発振、波長５３２ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶ０４／ＳＨＧ（連続発振、波長５３２ｎｍ）等の２次高調波に変換した５３０ｎｍ近辺の波長のレーザビームであってもよい。また、全固体（ＤＰＳＳ：Diode Pumped Solid State）レーザビームに限らず、ランプ励起の固体レーザビームであってもよい。さらに、アルゴンレーザビーム（連続発振、波長４５８〜５１５ｎｍ）等の気体レーザビームであってもよい。要は、ガラスの透過率が９０％以上と十分に高い４００ｎｍ以上の波長を有するレーザビームであればよい。

また、上記実施形態では、アモルファスシリコン薄膜の多結晶化を固体レーザビームの照射により行なう場合について説明したが、これに限らず、ＸｅＣｌエキシマレーザの照射により行なうようにしてもよい。この場合、アモルファスシリコン薄膜の膜厚は５０ｎｍ程度としてもよい。

また、上記実施形態では、図６に示すように、ｎ型不純物を高濃度で注入した後に、図７に示すように、ｐ型不純物を高濃度で注入した場合について説明したが、これとは逆に、図７に示すように、ｐ型不純物を高濃度で注入した後に、図６に示すように、ｎ型不純物を高濃度で注入するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタをＬＤＤ構造とした場合で説明したが、これとは逆に、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタをＬＤＤ構造とする場合にも適用することができる。また、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタおよびＰＭＯＳ薄膜トランジスタの双方をＬＤＤ構造とする場合にも適用することができる。また、図１を参照して説明すると、例えばＮＭＯＳ薄膜トランジスタ３において、チャネル領域８ａおよびソース・ドレイン領域８ｂ上におけるゲート絶縁膜１１の上面にゲート電極１２が形成されたものにも適用することができる。

また、上記実施形態では、不純物が注入された半導体薄膜を多結晶半導体であるポリシリコン薄膜としたが、半導体薄膜は多結晶に限らず、非晶質、連続粒界結晶または単結晶の半導体薄膜の場合にも適用することができる。

さらに、この発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示素子に限らず、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示素子等の他の素子にも幅広く適用することができる。

この発明の製造方法により製造された液晶表示素子の一例の要部の断面図。図１に示す液晶表示素子の製造に際し、当初の工程の断面図。図２に続く工程の断面図。図３に続く工程の断面図。図４に続く工程の断面図。図５に続く工程の断面図。図６に続く工程の断面図。図７に続く工程の断面図。レーザビームの波長とレーザビームのガラス基板に対する透過率との関係を示す図。

符号の説明

１ガラス基板
２画素電極
３、４ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ
５ＰＭＯＳ薄膜トランジスタ
６第１の下地絶縁膜
７第２の下地絶縁膜
８、９、１０ポリシリコン薄膜
１１ゲート絶縁膜
１２、１３、１４ゲート電極
１５層間絶縁膜
１９、２０、２１ソース・ドレイン電極
２２オーバーコート膜

Claims

ガラス基板上に設けられた、不純物注入領域を有する半導体薄膜に、ガラスの透過率が９０％以上である波長領域を有するレーザビームを前記ガラス基板の下面側から照射して、前記半導体薄膜の不純物注入領域の活性化を行なうことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームの波長は４００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは、波長が４５８ｎｍ以上の固体レーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは固体レーザビームを２次高調波に変換したレーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは全固体レーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは全固体レーザビームを２次高調波に変換したレーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームは固体レーザビームを２次高調波に変換した５３０ｎｍ近辺の可視領域の波長のレーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項７に記載の発明において、前記レーザビームはＮｄ：ＹＬＦ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５２７ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧ／ＳＨＧ（パルス発振、波長５３２ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶ０４／ＳＨＧ（パルス発振、波長５３２ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶ０４／ＳＨＧ（連続発振、波長５３２ｎｍ）のいずれかのレーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームはアルゴンレーザビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記半導体薄膜はポリシリコン薄膜であることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１０に記載の発明において、前記ポリシリコン薄膜によってポリシリコン薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記レーザビームを照射するレーザビーム照射器を用いて、アモルファス状態の前記半導体薄膜を多結晶化して多結晶半導体薄膜とすることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。