JP2005183488A - High frequency module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品が実装されてなるセラミック多層基板と、このセラミック多層基板に装着されたシールドケースとを有する高周波モジュールに関する。 The present invention relates to a high-frequency module having a ceramic multilayer substrate on which electronic components are mounted, and a shield case mounted on the ceramic multilayer substrate.
近年、人工衛星から送出された信号を受信して車両のナビゲーションを行う装置、いわゆるカーナビゲーション装置が普及しつつある。カーナビゲーション装置においては、人工衛星から送出された信号を受信するアンテナモジュールが用いられる。 2. Description of the Related Art In recent years, devices that receive a signal transmitted from an artificial satellite and perform navigation of a vehicle, so-called car navigation devices, are becoming popular. In the car navigation apparatus, an antenna module that receives a signal transmitted from an artificial satellite is used.
従来のアンテナモジュール100は、図9に示すように、セラミック多層基板101を備えており、このセラミック多層基板101の主面に電子部品102が実装され、裏面側に平面アンテナ(図示せず。)が実装される。また、アンテナモジュール100は、受信する信号にノイズが混入することを防止するために、セラミック多層基板101にシールドケース103が装着されている。 As shown in FIG. 9, the conventional antenna module 100 includes a ceramic multilayer substrate 101, the electronic component 102 is mounted on the main surface of the ceramic multilayer substrate 101, and a planar antenna (not shown) on the back surface side. Is implemented. Further, in the antenna module 100, a shield case 103 is mounted on the ceramic multilayer substrate 101 in order to prevent noise from being mixed into a received signal.
このシールドケース103の装着構造としては、図10に示すように、セラミック多層基板101の端面にスルーホール101aを形成するとともに、シールドケース103の端縁部に設けた突起103aをスルーホール101aに挿入した状態で半田接合する構造とされている。また、特開2001−308235号公報の図4にも同様な構造が開示されている。
ところで、従来の高周波モジュール100におけるシールドケース103の装着構造においては、セラミック多層基板101の端面にスルーホール101aを形成する必要があることから、セラミック多層基板101の表面に実装する電子部品102の実装可能面積が制限されてしまう。また、スルーホール101aを形成することにより、セラミック多層基板101の内層における配線面積も制限される。このため、従来の高周波モジュール100は、セラミック多層基板101の面積を縮小して小型化を図ることに限界があった。 By the way, in the mounting structure of the shield case 103 in the conventional high frequency module 100, since it is necessary to form the through-hole 101a in the end surface of the ceramic multilayer substrate 101, the mounting of the electronic component 102 mounted on the surface of the ceramic multilayer substrate 101 is required. The possible area is limited. Further, by forming the through hole 101a, the wiring area in the inner layer of the ceramic multilayer substrate 101 is also limited. For this reason, the conventional high-frequency module 100 has a limit in reducing the area of the ceramic multilayer substrate 101 and reducing the size.
また、従来の高周波モジュール100において、スルーホール101aや突起103aを設けない構成とした場合、シールドケース103及びセラミック多層基板101が共に微小なサイズとされていることから、シールドケース103をセラミック多層基板101に対して位置決めした状態で接合することが困難であるという問題があった。 Further, in the conventional high-frequency module 100, when the through hole 101a and the protrusion 103a are not provided, the shield case 103 and the ceramic multilayer substrate 101 are both of a very small size. There was a problem that it was difficult to join in a state of being positioned with respect to 101.
そこで、本発明は、上述した従来の実情に鑑みてなされたものであり、シールドケースをセラミック多層基板に対して高精度に位置決めして接合可能であるとともに、より一層の小型化を図ることが可能な高周波モジュールを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-described conventional situation, and can shield and position the shield case with respect to the ceramic multilayer substrate with high accuracy and can further reduce the size. An object is to provide a possible high-frequency module.
本発明に係る高周波モジュールは、電子部品が実装されてなるセラミック多層基板と、前記セラミック多層基板における前記電子部品が配設された側の主面をシールドするシールドケースと、前記セラミック多層基板における前記主面上の角部に導電性材料によって形成されたランド部と、前記セラミック多層基板における前記主面上に形成された凸部とを備え、前記シールドケースは、壁部が前記凸部に衝合した状態で前記シールドケースを前記セラミック多層基板に対して位置決めされるとともに、前記壁部が前記ランド部に半田接合されることにより前記ランド部に接地した状態で前記セラミック多層基板に対して
装着されていることを特徴とするものである。
The high-frequency module according to the present invention includes a ceramic multilayer substrate on which electronic components are mounted, a shield case that shields a main surface of the ceramic multilayer substrate on which the electronic components are disposed, and the ceramic multilayer substrate. A land portion formed of a conductive material at a corner portion of the main surface; and a convex portion formed on the main surface of the ceramic multilayer substrate. The shield case has a wall portion that is opposed to the convex portion. The shield case is positioned with respect to the ceramic multilayer substrate in a combined state, and the wall portion is attached to the ceramic multilayer substrate while being grounded to the land portion by soldering to the land portion. It is characterized by being.
以上のように構成された本発明に係る高周波モジュールによれば、セラミック多層基板の主面上に形成された凸部にシールドケースの壁部を衝合することによってセラミック多層基板とシールドケースとを高精度に位置決めすることができる。また、セラミック多層基板の主面に形成されたランド部とシールドケースの壁部とが半田接合された構造を有していることから、半田接合部が、セラミック多層基板に対するシールドケースの装着と、シールドケースの接地とを兼ねることができ、モジュールサイズの小型化を図ることが可能である。 According to the high-frequency module according to the present invention configured as described above, the ceramic multilayer substrate and the shield case are joined by abutting the wall portion of the shield case with the convex portion formed on the main surface of the ceramic multilayer substrate. Positioning can be performed with high accuracy. Further, since the land portion formed on the main surface of the ceramic multilayer substrate and the wall portion of the shield case have a structure joined by soldering, the solder joint portion is attached to the ceramic multilayer substrate with the shield case, It can also serve as a ground for the shield case, and the module size can be reduced.
本発明に係る高周波モジュールは、セラミック多層基板上に凸部が形成されていることから、シールドケースを凸部に合わせてセラミック多層基板上に載置するだけで位置決めすることができ、治具等を不要とすることができる。また、半田接合時にもシールドケースの位置を保持することができ、半田接合することによりシールドケースとランド部とを接地することができる。 Since the high-frequency module according to the present invention has a convex portion formed on the ceramic multilayer substrate, it can be positioned simply by placing the shield case on the ceramic multilayer substrate in accordance with the convex portion, a jig, etc. Can be made unnecessary. Further, the position of the shield case can be maintained even during solder joining, and the shield case and the land portion can be grounded by solder joining.
したがって、従来の装着構造で必要とされていたスルーホールや突起を不要とすることができ、シールドケースの形状を簡素化して低コスト化を図ることができる。また、セラミック多層基板の表面に実装する電子部品の実装可能面積だけでなく、セラミック多層基板の内層における配線面積を十分に確保することができる。 Therefore, the through holes and protrusions required in the conventional mounting structure can be eliminated, and the shape of the shield case can be simplified and the cost can be reduced. Moreover, not only the mounting area of the electronic component mounted on the surface of the ceramic multilayer substrate but also a sufficient wiring area in the inner layer of the ceramic multilayer substrate can be secured.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図1及び図2に示す高周波モジュール10について説明する。本例においては、カーナビゲーション装置に用いられるアンテナモジュールを想定して高周波モジュール10を説明するが、本発明は、セラミック多層基板及びシールドケースを備える高周波モジュールであれば任意のものに適用可能であり、例えば、いわゆる衛星ラジオ放送を受信するためのアンテナモジュールに適用するとしてもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Below, the high frequency module 10 shown in FIG.1 and FIG.2 is demonstrated. In this example, the high-frequency module 10 is described assuming an antenna module used in a car navigation apparatus, but the present invention can be applied to any high-frequency module including a ceramic multilayer substrate and a shield case. For example, the present invention may be applied to an antenna module for receiving so-called satellite radio broadcasts.
高周波モジュール10は、図1及び図2に示すように、セラミック多層基板11と、このセラミック多層基板11の実装された主面11aに種々の電子部品12と、主面11a側に装着されるシールドケース13とを備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the high-frequency module 10 includes a ceramic multilayer substrate 11, various electronic components 12 on the main surface 11a on which the ceramic multilayer substrate 11 is mounted, and a shield mounted on the main surface 11a side. Case 13 is provided.
セラミック多層基板11の主面11a側の四隅には、導電性材料によって薄膜状に形成されたランド部14が形成されている。なお、ランド部14は、半田20が盛りつけられることから、所定の耐熱性を有する材料、又は形状で形成されていることが望ましい。また、ランド部14には、金属等の導電性材料によって形成された凸部15が形成されている。 At the four corners on the main surface 11a side of the ceramic multilayer substrate 11, land portions 14 formed in a thin film shape with a conductive material are formed. The land portion 14 is preferably formed of a material or shape having a predetermined heat resistance since the solder 20 is deposited. Further, the land portion 14 is formed with a convex portion 15 made of a conductive material such as metal.
シールドケース13は、セラミック多層基板11における主面11a上に形成された電子部品12を覆うに十分な高さ及び大きさで形成されている。また、シールドケース13の角部には、ランド部14に対応した位置に、この凸部15に衝合する衝合部13aが形成されている。 The shield case 13 is formed with a height and size sufficient to cover the electronic component 12 formed on the main surface 11 a of the ceramic multilayer substrate 11. In addition, an abutting portion 13 a that abuts on the convex portion 15 is formed at a corner portion of the shield case 13 at a position corresponding to the land portion 14.
なお、図1及び図2においては、電子部品12が実装されたセラミック多層基板11とシールドケース13とを分離した状態、すなわちシールドケース13をセラミック多層基板11に装着する前の状態を示す分解図であり、図1は平面図、図2は側面図である。 1 and 2, the ceramic multilayer substrate 11 on which the electronic component 12 is mounted and the shield case 13 are separated, that is, an exploded view showing a state before the shield case 13 is attached to the ceramic multilayer substrate 11. FIG. 1 is a plan view and FIG. 2 is a side view.
以上の構造とされた高周波モジュール10は、シールドケース13をセラミック多層基
板11に装着するに際して、図3及び図4に示すように、衝合部13a(壁部)を凸部15に衝合させた状態で位置決めして載置され、図5及び図6に示すように、衝合部13aとランド部14との間に半田20が盛られることによって接合される。また、これにより、高周波モジュール10は、シールドケース13が半田20を介してランド部14に接地されている。なお、図4及び図6は、セラミック多層基板11にシールドケース13を装着した状態の下で、半田20を盛りつける前後をそれぞれ示す要部拡大図である。
In the high-frequency module 10 having the above structure, when the shield case 13 is mounted on the ceramic multilayer substrate 11, the abutting portion 13a (wall portion) abuts the convex portion 15 as shown in FIGS. As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the solder 20 is placed between the abutting portion 13 a and the land portion 14 so as to be joined. Accordingly, in the high-frequency module 10, the shield case 13 is grounded to the land portion 14 via the solder 20. 4 and 6 are enlarged views showing the main parts before and after placing the solder 20 in a state where the shield case 13 is mounted on the ceramic multilayer substrate 11. FIG.
以上のように構成された高周波モジュール10では、セラミック多層基板11の主面11a上に形成された凸部15にシールドケース13の衝合部13a(壁部)を衝合する構造とされていることから、セラミック多層基板11とシールドケース13とを高精度に位置決めすることができる。また、セラミック多層基板11の主面11aに形成されたランド部14とシールドケース13の衝合部13aとが半田接合された構造を有していることから、半田接合部が、セラミック多層基板11に対するシールドケース13の装着と、シールドケース13の接地とを兼ねることができ、モジュールサイズの小型化を図ることが可能である。 The high-frequency module 10 configured as described above has a structure in which the abutting portion 13a (wall portion) of the shield case 13 is abutted against the convex portion 15 formed on the main surface 11a of the ceramic multilayer substrate 11. Therefore, the ceramic multilayer substrate 11 and the shield case 13 can be positioned with high accuracy. Further, since the land portion 14 formed on the main surface 11 a of the ceramic multilayer substrate 11 and the abutting portion 13 a of the shield case 13 are joined by soldering, the solder joining portion is the ceramic multilayer substrate 11. The shield case 13 can be attached to the ground and the shield case 13 can be grounded, so that the module size can be reduced.
また、高周波モジュール10においては、セラミック多層基板11上に凸部15が形成されていることから、シールドケース13を凸部15に合わせてセラミック多層基板11上に載置するだけで位置決めすることができ、治具等を不要とすることができ、組み立て時の作業効率を向上させることができる。また、半田接合時にもシールドケース13の位置を保持することができ、半田接合することによりシールドケース13とランド部14とを接地することができる。 In the high-frequency module 10, since the convex portion 15 is formed on the ceramic multilayer substrate 11, it is possible to position the shield case 13 by simply placing it on the ceramic multilayer substrate 11 in accordance with the convex portion 15. This can eliminate the need for jigs and the like, and can improve the work efficiency during assembly. Further, the position of the shield case 13 can be maintained even during solder joining, and the shield case 13 and the land portion 14 can be grounded by solder joining.
したがって、従来の装着構造で必要とされていたスルーホールや突起を不要とすることができ、シールドケース13の形状を簡素化して低コスト化を図ることができる。また、セラミック多層基板11の表面に実装する電子部品12の実装可能面積だけでなく、セラミック多層基板11の内層における配線面積を十分に確保することができる。 Therefore, the through holes and protrusions required in the conventional mounting structure can be eliminated, and the shape of the shield case 13 can be simplified and the cost can be reduced. Further, not only the mounting area of the electronic component 12 mounted on the surface of the ceramic multilayer substrate 11 but also a sufficient wiring area in the inner layer of the ceramic multilayer substrate 11 can be secured.
なお、以上の説明においては、凸部15を導電性材料によって形成するとしたが、凸部15の大きさを比較的小さく形成するなどして、ランド部14に盛りつける半田20との電気的な接続を十分に確保できる場合には、例えば樹脂材料などの非導電性材料によって凸部15を形成するとしてもよい。ただし、このような場合であっても、凸部15を導電性材料によって形成することにより、電気的な接続をより確実に行うことができる。 In the above description, the convex portion 15 is formed of a conductive material. However, electrical connection with the solder 20 to be mounted on the land portion 14 by forming the convex portion 15 to be relatively small. May be formed of a non-conductive material such as a resin material, for example. However, even in such a case, electrical connection can be more reliably performed by forming the convex portion 15 with a conductive material.
また、上述の説明においては、薄膜状に形成されたランド部14に凸部15が形成された構造について説明したが、半田20の盛りつけを確実に行うに十分な程度に凸部15の大きさを大きく形成した場合には、図7に示すように、ランド部14を形成せず、凸部15を導電性材料によって形成し、シールドケース13の衝合部13aと凸部15との間に半田20を盛りつけるとしてもよい。すなわち、この場合には、凸部15にランド部14としての機能を持たせることができる。 In the above description, the structure in which the protrusions 15 are formed on the land portions 14 formed in a thin film shape has been described. However, the size of the protrusions 15 is sufficient to ensure that the solder 20 is arranged. 7, as shown in FIG. 7, the land portion 14 is not formed, the convex portion 15 is formed of a conductive material, and the shield case 13 is formed between the abutting portion 13 a and the convex portion 15. The solder 20 may be arranged. That is, in this case, the convex portion 15 can have a function as the land portion 14.
さらに、上述の説明においては、ランド部14上に凸部15を形成するとしたが、例えば図8に示すように、凸部15をセラミック多層基板11の角部ではない縁部に形成するとしてもよい。すなわち、凸部15を形成する位置は、シールドケース13をセラミック多層基板11に対して十分確実に位置決めすることができれば、角部に限定されず、任意である。なお、図8に示す例では、シールドケース13の壁部に対して内側から凸部15が衝合する場合の例を示している。また、図8においては、凸部15とシールドケース13の壁部との衝合状態を明示するために、シールドケース13を透過して示す。 Further, in the above description, the convex portion 15 is formed on the land portion 14. However, for example, as shown in FIG. 8, the convex portion 15 may be formed on an edge portion that is not a corner portion of the ceramic multilayer substrate 11. Good. That is, the position where the convex portion 15 is formed is not limited to the corner portion as long as the shield case 13 can be positioned sufficiently reliably with respect to the ceramic multilayer substrate 11, and is arbitrary. In the example shown in FIG. 8, an example in which the convex portion 15 abuts against the wall portion of the shield case 13 from the inside is shown. Further, in FIG. 8, the shield case 13 is shown in a transparent manner in order to clearly show the abutting state between the convex portion 15 and the wall portion of the shield case 13.
10 高周波モジュール
11 セラミック多層基板
11a 主面
12 電子部品
13 シールドケース
13a 衝合部(壁部)
14 ランド部
15 凸部
20 半田
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 High frequency module 11 Ceramic multilayer substrate 11a Main surface 12 Electronic component 13 Shield case 13a Abutting part (wall part)
14 Land 15 Protrusion 20 Solder
Claims (4)
前記セラミック多層基板における前記電子部品が配設された側の主面をシールドするシールドケースと、
前記セラミック多層基板における前記主面上の角部に導電性材料によって形成されたランド部と、
前記セラミック多層基板における前記主面上に形成された凸部とを備え、
前記シールドケースは、壁部が前記凸部に衝合した状態で前記シールドケースを前記セラミック多層基板に対して位置決めされるとともに、前記壁部が前記ランド部に半田接合されることにより前記ランド部に接地した状態で前記セラミック多層基板に対して装着されていること
を特徴とする高周波モジュール。 A ceramic multilayer substrate on which electronic components are mounted;
A shield case that shields the main surface of the ceramic multilayer substrate on which the electronic component is disposed;
Land portions formed of a conductive material at corners on the main surface of the ceramic multilayer substrate;
A convex portion formed on the main surface of the ceramic multilayer substrate,
The shield case is positioned with respect to the ceramic multilayer substrate in a state where the wall portion is in contact with the convex portion, and the land portion is formed by soldering the wall portion to the land portion. A high-frequency module, wherein the high-frequency module is attached to the ceramic multilayer substrate in a state of being grounded on the substrate.
を特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the convex portion is formed on the land portion.
を特徴とする請求項2記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 2, wherein the convex portion is made of a conductive material.
を特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。
The high-frequency module according to claim 1, wherein the land portion is formed in a convex shape and has a function as the convex portion.
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