JP2005159331A - 液晶表示装置及びその作製方法、並びに液晶テレビ受像機 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を製造することを特徴とするものである。選択的にパターンを形成可能な方法として、導電層や絶縁層など形成し対し、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出して所定のパターンを形成することが可能な、液滴吐出法を用いる。
【選択図】 図7
Description
第1の実施の形態として、チャネル保護型の薄膜トランジスタの作製方法及びそれを用いた液晶表示装置について説明する。
第1の実施の形態では、第1電極224とソース及びドレインに接続する配線220とが直接コンタクトを形成する構成について示したが、他の形態として、この両者の間に絶縁層を介在させても良い。
第3の実施の形態として、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製方法とそれを用いた液晶表示装置について説明する。
第4の実施の形態として、液滴吐出法により作製されるトップゲート型のTFT及びそれを用いた液晶表示装置について、図19を参照して説明する。
第1の実施の形態、第2の実施の形態、第3の実施の形態によって作製される液晶表示パネルにおいて、半導体層をSASで形成することによって、図3で説明したように、走査線駆動回路を基板100上に形成することができる。
図26は走査線入力端子部と信号線入力端子部とに保護ダイオードを設けた一態様について図26を参照して説明する。図26において画素102にはTFT260と容量素子265が設けられている。このTFT260と容量素子265は第1の実施の形態のスイッチングTFT233と容量素子234と同様な構成を有している。
まず、COG方式を採用した液晶表示装置について、図17を用いて説明する。図17(A)と(B)は、基板1001上に文字や画像などの情報を表示する画素部1002、走査線駆動回路1003、1004が設けられた液晶表示装置を示している。
第7の実施の形態により作製される液晶表示パネルによって、液晶テレビ受像機を完成させることができる。図23は液晶テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図を示している。液晶表示パネルには、図1で示すような構成として画素部401のみが形成されて走査線駆動回路403と信号線駆動回路402とがTAB方式により実装される場合と、図2に示すような構成として画素部401とその周辺に走査線駆動回路403と信号線駆動回路402とがCOG方式により実装される場合と、図3に示すようにSASでTFTを形成し、画素部401と走査線駆動回路403を基板上に一体形成し信号線駆動回路402を別途ドライバICとして実装する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
104信号線入力端子、105走査線ドライバIC、106信号線ドライバIC、
107走査線駆動回路、108保護回路、
200TFT基板、201導電体層、202、219〜221配線、
203、250、279ゲート電極、204容量配線、205、214絶縁体層、
207ゲート絶縁層、208第1絶縁体層、
209第2絶縁体層、210第3絶縁体層、
211、217、251、278半導体層、
212、225、227、240絶縁体層、
213、216マスク、215、218n型半導体層、
222、223n型半導体層、224、274第1電極、
226シール材、228第2電極、229対向基板、230液晶層、
232配線基板、233スイッチング用TFT、234、265容量素子、
235〜238接続配線、241、242開口部、244配向膜、
252チャネル保護用の絶縁層、253、256、271、272、273配線、
254、255共通電位線、257回路基板、258冷陰極管、
259導光板、260TFT、261〜264保護ダイオード、
266、267偏光板、268着色層、270容量配線、276、277n型半導体層、
291スイッチング用TFT、293容量部、301、304n型半導体層、
302マスク、303、309半導体層、
305、306配線、307、308n型半導体層、310第1電極、311絶縁体層、
312シール材、313配向膜、314対向電極、315基板、316液晶層、
317接続端子、
401画素部、402信号線駆動回路、403走査線駆動回路、404チューナ、
405映像波増幅回路、406映像信号処理回路、407コントロール回路、
408信号分割回路、409音声波増幅回路、410音声信号処理回路、
411制御回路、412入力部、413スピーカ、500パルス出力回路、
501バッファ回路、502画素、
601〜635nチャネル型TFT、
801筐体、802表示画面、803スピーカ、804操作スイッチ、
1001基板、1002画素部、1003走査線駆動回路、1004走査線駆動回路、
1005マザー基板、1006フレキシブル配線、1007ドライバIC、
1008大型基板、1009フレキシブル配線、1010ドライバIC、
1401液滴吐出手段、1402撮像手段、1403ヘッド、1404制御手段、
1405記憶媒体、1406画像処理手段、1407コンピュータ、
1408マーカー
Claims (13)
- 液晶を狭持する一方の基板に、導電性のナノ粒子が融合及び/又は融着して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と接して形成され窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層と、酸化珪素層を少なくとも含むゲート絶縁膜と、半導体層とが基板側から積層された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極とが備えられていることを特徴とする液晶表示装置。
- 液晶を狭持する一方の基板に、導電性のナノ粒子が融合及び/又は融着して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と接して形成され窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層と、酸化珪素層を少なくとも含むゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース及びドレインに接続され導電性のナノ粒子が融合及び/又は融着して形成された前記配線に接して形成された窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層とが基板側から積層された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極とが備えられたことを特徴とする液晶表示装置。
- 液晶を狭持する一方の基板に、導電性のナノ粒子が融合及び/又は融着して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と接して形成され窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層と、酸化珪素層を少なくとも含むゲート絶縁膜と、半導体層とが基板側から積層された第1の薄膜トランジスタと、前記第1の薄膜トランジスタと接続する画素電極と、前記第1の薄膜トランジスタと同じ層構造で形成された第2の薄膜トランジスタにより構成される駆動回路と、前記駆動回路から延在し、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極と接続する配線とが備えられていることを特徴とする液晶表示装置。
- 液晶を狭持する一方の基板に、導電性のナノ粒子が融合及び/又は融着して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と接して形成され窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層と、酸化珪素層を少なくとも含むゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース及びドレインに接続され導電性のナノ粒子が融合及び/又は融着して形成された前記配線に接して形成された窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層とが基板側から積層された第1の薄膜トランジスタと、前記第1の薄膜トランジスタと接続する画素電極と、前記第1の薄膜トランジスタと同じ層構造で形成された第2の薄膜トランジスタにより構成される駆動回路と、前記駆動回路から延在し、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極と接続する配線とが備えられていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記導電性材料が、Ag若しくはAgを含む合金であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2又は4において、前記半導体層が、水素とハロゲン元素を含み、結晶構造を含むセミアモルファス半導体であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項2又は4において、前記駆動回路が、nチャネル型の薄膜トランジスタのみで構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタは、前記半導体層が、水素とハロゲン元素を含み、結晶構造を含む半導体であって、5〜15cm2/V・secの電界効果移動度で動作可能な薄膜トランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一項の液晶表示装置で、表示画面を構成したことを特徴とする液晶テレビ受像器。
- 絶縁表面を有する基板上に、液滴吐出法でゲート電極を形成する第1の段階と、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層、半導体層、絶縁層を積層形成する第2の段階と、
前記ゲート電極と重なる位置に、液滴吐出法で第1のマスクを形成する第3の段階と、
前記第1のマスクにより、前記絶縁層をエッチングしてチャネル保護層を形成する第4の段階と、
一導電型の不純物を含有する半導体層を形成する第5の段階と、
前記ゲート電極を含む領域に、液滴吐出法で第2のマスクを形成する第6の段階と、
前記一導電型の不純物を含有する半導体層と、前記半導体層とをエッチングする第7の段階と、
液滴吐出法で、ソース及びドレイン配線を形成する第8の段階と、
前記ソース及びドレイン配線をマスクとして、前記チャネル保護層上の前記一導電型の不純物を含有する半導体層をエッチングする第9の段階
の各段階を含むことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に、液滴吐出法でゲート電極と、接続配線を形成する第1の段階と、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層、半導体層、絶縁層を積層形成する第2の段階と、
前記ゲート電極と重なる位置に、液滴吐出法で第1のマスクを形成する第3の段階と、
前記第1のマスクにより、前記絶縁層をエッチングしてチャネル保護層を形成する第4の段階と、
一導電型の不純物を含有する半導体層を形成する第5の段階と、
前記ゲート電極を含む領域に、液滴吐出法で第2のマスクを形成する第6の段階と、
前記一導電型の不純物を含有する半導体層と、前記半導体層とをエッチングする第7の段階と、
前記ゲート絶縁層を選択的にエッチングして、前記接続配線の一部を露出させる第8の段階と、
液滴吐出法で、ソース及びドレイン配線を形成すると共に、少なくとも一方の配線を前記接続配線と接続する第9の段階と、
前記ソース及びドレイン配線をマスクとして、前記チャネル保護層上の前記一導電型の不純物を含有する半導体層をエッチングする第10の段階
の各段階を含むことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項10又は11において、前記第2の段階は、大気に晒すことなく連続的に行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
- 請求項10又は11において、前記ゲート絶縁膜は、第1の窒化珪素膜と、酸化珪素膜と、第2の窒化珪素膜を順次積層することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
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