JP2005136103A - Resin sealed semiconductor device and its manufacturing method, and lead frame used therefor - Google Patents

Resin sealed semiconductor device and its manufacturing method, and lead frame used therefor Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve heat dissipation characteristics and simplify a wire bonding process by improving the shape of a common-use lead frame. <P>SOLUTION: The common-use lead frame 20 is formed in an integral and continuous shape. A strip 26 which becomes an external extraction terminal 15 on the cathode (K) side after cutting tie bars, and a wide portion 25 which eventually becomes a heat slinger 12 of a resin sealed semiconductor device 11 whereon a semiconductor chip 3 is mounted and secured, are not separated from each other. By this structure, the wire bonding of the K-side external extraction terminal 15 and a top electrode of the semiconductor chip 3 is not necessary, and heat dissipation characteristics can be improved. In a mid point between a bonding post formation section 28 which becomes an external extraction terminal 14 on the anode (A) side and the strip 26, a temporary terminal 29 is located, and the tip of the temporary terminal 29 is sunk into an eventually formed resin seal 18 by a predetermined amount, thereby preventing the leakage of molten resin outside even if a common-use metal mold for resin sealing is used. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いられるリードフレームに関し、特に、いわゆる３本足用の樹脂封止用金型の設計を変えることなくそのまま使用できるようにし、かつ、放熱特性等の電気的特性の向上を図り得る改良型リードフレームを使用して製作した樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, a method for manufacturing the same, and a lead frame used for the same, and in particular, can be used as it is without changing the design of a so-called three-leg resin-encapsulating mold, and The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device manufactured using an improved lead frame capable of improving electrical characteristics such as heat dissipation characteristics and a manufacturing method thereof.

図４及び図５に、従来の樹脂封止半導体装置をイメージ図として示す。
なお、図４は該半導体装置の平面を示したイメージ図、図５は該半導体装置の側面を示したイメージ図である。
これらの図において、樹脂封止型半導体装置１は、リードフレームから不要部分をタイバカットして形成された放熱板２の略中央に、半導体チップ３を搭載・固着し、この半導体チップ３の表面電極と、図４における図示右側に配置された外部導出端子４のヘッダ部４ａとの間をボンディンブワイヤ６ａで接続している。また、半導体チップ３を搭載・固着した放熱板２の一部表面と、図４における図示左側に配置された外部導出端子５のヘッダ部５aとの間をボンディングワイヤ６ｂで接続している。
なお、この例では半導体チップ３の表面（上面）側にアノード電極が形成され、その裏面（下面）側にはカソード電極が形成されているので、ボンディングワイヤ６ａで接続された外部導出端子４はダイオードのアノード端子、ボンディングワイヤ６ｂで接続された外部導出端子５はそのカソード端子となっている。 4 and 5 show image views of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
4 is an image diagram showing a plan view of the semiconductor device, and FIG. 5 is an image diagram showing a side surface of the semiconductor device.
In these drawings, a resin-encapsulated semiconductor device 1 has a semiconductor chip 3 mounted and fixed substantially at the center of a heat sink 2 formed by cutting an unnecessary portion from a lead frame. Are connected by a bonding wire 6a to the header portion 4a of the external lead-out terminal 4 arranged on the right side of FIG. Also, a bonding wire 6b connects between a partial surface of the heat sink 2 on which the semiconductor chip 3 is mounted and fixed and the header portion 5a of the external lead-out terminal 5 arranged on the left side in FIG.
In this example, since the anode electrode is formed on the front surface (upper surface) side of the semiconductor chip 3 and the cathode electrode is formed on the rear surface (lower surface) side thereof, the external lead-out terminal 4 connected by the bonding wire 6a is The external lead-out terminal 5 connected by the anode terminal of the diode and the bonding wire 6b is the cathode terminal.

上記のようにボンディング工程を終了した組立体を１単位としてリードフレームの長手方向に、通常１０〜２０連一体型として形成される。
上記のように半導体チップ３のダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程を終了したリードフレームは、その所定部分を樹脂封止するために樹脂封止用金型に挿入される。
すなわち、図５の断面イメージ図において、半導体チップ３が搭載された放熱板２の下側に樹脂封止用金型内で熔融樹脂が回り込み、外部導出端子４，５の一部が外部に露出する以外はリードフレームの全体が完全に樹脂封止されるように周知の方法でトランスファモールド工程が実施される。 As described above, the assembly after completing the bonding process is usually formed as a unit of 10 to 20 units in the longitudinal direction of the lead frame as a unit.
The lead frame which has completed the die bonding process and the wire bonding process of the semiconductor chip 3 as described above is inserted into a resin sealing mold in order to resin seal a predetermined portion thereof.
That is, in the cross-sectional image diagram of FIG. 5, the molten resin wraps around in the resin sealing mold below the heat sink 2 on which the semiconductor chip 3 is mounted, and a part of the external lead-out terminals 4 and 5 are exposed to the outside. Except for the above, the transfer molding process is performed by a known method so that the entire lead frame is completely resin-sealed.

続いて、余分な部分を切断除去する周知のタイバカット工程を経ることにより、図４及び図５に示した外形の樹脂封止型半導体装置が完成する。
なお、この時、図４において、その中央に位置する外部導出端子７は、放熱板２と一体的に形成されているので、ボンディングワイヤ６ｂで接続された外部導出端子５と同電位となっているが、この例では２端子構造のダイオードを形成するものであるため、かかる外部導出端子７は本来必要ないものである。
そこで、樹脂封止部８の端面８ａから外部に突出した部分は、タイバカット時のカッタ刃先逃げ量程度の小片部９を残してカットされる。
その結果、両端の外部導出端子４，５の端子間距離Ｌ２は、上記のようなダイオードの場合、Ｌ１＝０．１インチ（２．５４ｍｍ）ピッチで配置されるので、Ｌ２は、その２倍の０．２インチ（５．０８ｍｍ）となっている。 Subsequently, a resin-sealed semiconductor device having the outer shape shown in FIGS. 4 and 5 is completed through a well-known tie-bar cutting process for cutting and removing excess portions.
At this time, in FIG. 4, the external lead-out terminal 7 located at the center thereof is formed integrally with the heat sink 2, and therefore has the same potential as the external lead-out terminal 5 connected by the bonding wire 6b. However, in this example, since a diode having a two-terminal structure is formed, the external lead-out terminal 7 is not originally necessary.
Therefore, the portion protruding from the end face 8a of the resin sealing portion 8 to the outside is cut, leaving a small piece portion 9 that is about the cutter blade tip escape amount during tie bar cutting.
As a result, the distance L2 between the external lead-out terminals 4 and 5 at both ends is arranged at a pitch of L1 = 0.1 inch (2.54 mm) in the case of the diode as described above. 0.2 inches (5.08 mm).

ところで、上記のような樹脂封止型半導体装置、例えば電力用ダイオードに使用される半導体チップは、近年、その電気特性、例えば耐電圧特性（定格逆電圧（ＶＲ）特性）が、ウエハ製造工程等の技術進歩により著しく向上し、保証耐圧が、ＶＲ＝６００〜１２００Ｖ，あるいはそれ以上の高耐圧にも耐えられるチップ構造が開発され市場に安定供給されている。
しかしながら、この高耐圧半導体チップが、例えば図４及び図５に示したような樹脂封止型半導体装置に組み込まれた時、製品として得られる最終的な保証耐圧は、中央部に位置する外部導出端子７と右側に位置する外部導出端子４が外部（空気中）に露出された時に確保される距離によって決まる。
すなわち、中央部の外部導出端子７の右側面からさらにその右側外部導出端子４の左側面までの距離をＬｉｓｏとすると、このＬｉｓｏが絶縁（沿面）距離となる。そして、この半導体装置の例では、Ｌｉｓｏ＝１．２ｍｍであるので、周知の電気的基準（１０００Ｖ／１ｍｍ）を適用すれば、ＶＲ≒１２００Ｖがせいぜいということになる。また、次の半導体組立工程で必要となる半田プレディップを経るとその厚さ分だけさらに間隔が狭まってしまう。 By the way, the resin-encapsulated semiconductor device as described above, for example, a semiconductor chip used for a power diode, has recently had its electrical characteristics, for example, withstand voltage characteristics (rated reverse voltage (V R ) characteristics), a wafer manufacturing process. As a result of such technological advances, a chip structure that can withstand a high withstand voltage of V R = 600 to 1200 V or higher has been developed and is stably supplied to the market.
However, when this high withstand voltage semiconductor chip is incorporated in a resin-encapsulated semiconductor device as shown in FIGS. 4 and 5, for example, the final guaranteed withstand voltage obtained as a product is derived from an externally located central portion. It is determined by the distance secured when the terminal 7 and the external lead-out terminal 4 located on the right side are exposed to the outside (in the air).
That is, if the distance from the right side surface of the external lead-out terminal 7 at the center to the left side surface of the right external lead-out terminal 4 is Liso, this Liso is an insulation (creeping) distance. In this example of the semiconductor device, Liso = 1.2 mm. Therefore, if a known electrical standard (1000 V / 1 mm) is applied, V R ≈1200 V is at most. In addition, when the solder pre-dip necessary for the next semiconductor assembly process is performed, the distance is further reduced by the thickness.

要は、肝心の半導体チップ３の耐電圧性能が著しく向上し、更なる高耐圧化に向け開発が進んでいるにもかかわらず、それを包み込むパッケージの改善が追従できないでいるため、実質上得られる、使用可能な耐電圧が当該パッケージによって制限される結果になっていると言っても過言ではない。
加えて、半導体チップ３の耐電圧性能が著しく向上するのであれば、パッケージの将来的な技術発展への備えとして、同一外形パッケージでも、より高耐圧なチップ搭載保証が可能な組立構造が求められることになる。 The point is that the withstand voltage performance of the essential semiconductor chip 3 has been remarkably improved, and the development of the package that encloses it has not been able to follow up despite the fact that development has been progressing toward higher withstand voltage. It is no exaggeration to say that the usable withstand voltage is limited by the package.
In addition, if the withstand voltage performance of the semiconductor chip 3 is remarkably improved, an assembly structure capable of guaranteeing a higher withstand voltage chip mounting even for the same external package is required as a preparation for future technological development of the package. It will be.

次に、図６乃至図９を参照して、本発明の背景技術を引き続き詳述する。
なお、図６はここで取り上げる樹脂封止型半導体装置の電気的極性（アノード側・カソード側）を示したシンボル図、図７は該半導体装置の平面イメージ図、図８は放熱板２の下面（裏面）側が封止樹脂部８の外部に露出せず、一定の厚さ（ｔＲ）の薄い樹脂封止部８０を備えた絶縁型半導体装置のイメージ図、図９は放熱板２の裏面側が封止樹脂部８の外部に露出した非絶縁型半導体装置のイメージ図である。
さて、市場ニーズとして、図８に示したような絶縁型半導体装置であって、しかも図７のような外部導出端子の配置、すなわち、アノード（Ａ）端子を右側、カソード（Ｋ）端子を左側とし、Ａ−Ｋ端子間距離を０．２インチ（５．０８ｍｍ）とした図６のシンボル図のようなダイオード構造を備えた半導体装置が求められる場合がある。
なお、この場合、Ａ，Ｋ端子は左右逆でも良い。 Next, the background art of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
6 is a symbol diagram showing the electrical polarity (anode side / cathode side) of the resin-encapsulated semiconductor device taken up here, FIG. 7 is a plan image view of the semiconductor device, and FIG. FIG. 9 is an image diagram of an insulating semiconductor device having a thin resin sealing portion 80 with a constant thickness (t R ) that is not exposed to the outside of the sealing resin portion 8, and FIG. 3 is an image diagram of a non-insulated semiconductor device exposed to the outside of a stop resin portion 8. FIG.
Now, as market needs, it is an insulated semiconductor device as shown in FIG. 8 and the arrangement of external lead-out terminals as shown in FIG. 7, that is, the anode (A) terminal is on the right side and the cathode (K) terminal is on the left side. In some cases, a semiconductor device having a diode structure as shown in the symbol diagram of FIG. 6 in which the distance between the AK terminals is 0.2 inches (5.08 mm) may be required.
In this case, the A and K terminals may be reversed left and right.

かかる場合に、電気的に絶縁型であるということは、つまり、熱的にも絶縁型（遮断型）であることを示す。すなわち、図８の形状は、放熱面が露出した非絶縁型である図９の形状に比べて、絶縁型であるが故に薄い樹脂封止部８０の厚さ（ｔＲ）を介して図示しない冷却フィン側への放熱が主となるので、本質的に放熱特性が劣るという性質を有している。
因みに、絶縁型半導体装置におけるＣｕの熱伝導率は、３９８Ｗ／ｍ・Ｋ（当社製品）であり、樹脂封止部に使用されたエポキシ樹脂の熱伝導率は、０．７Ｗ／ｍ・Ｋ（通常品）〜２．５Ｗ／ｍ・Ｋ（絶縁型）であるから、そのような熱伝導率の下、上記のように薄い樹脂封止部８０を介して放熱されるため、放熱特性が劣ることになる。
そして、忘れてならないこととして、上記図８の絶縁型パッケージに求められることは、電気的な絶縁性に特に優れていることが必須の条件である。
しかしながら、上記した「電気絶縁性の確保」と「放熱特性の向上」という課題は、絶えず二律背反の関係にあり、両者を都合良く折り合いを付けさせるのには苦労するところである。 In such a case, being electrically insulated means that it is thermally insulated (cut-off). That is, the shape of FIG. 8 is not illustrated through the thickness (t R ) of the thin resin sealing portion 80 because it is an insulating type compared to the shape of FIG. Since heat dissipation to the cooling fin side is mainly performed, the heat dissipation characteristic is essentially inferior.
Incidentally, the thermal conductivity of Cu in the insulating semiconductor device is 398 W / m · K (our product), and the thermal conductivity of the epoxy resin used for the resin sealing portion is 0.7 W / m · K ( Normal product) to 2.5 W / m · K (insulation type), so that heat is dissipated through the thin resin sealing portion 80 as described above under such thermal conductivity, resulting in poor heat dissipation characteristics. It will be.
In addition, it should be remembered that what is required of the insulating package shown in FIG. 8 is an essential condition that is particularly excellent in electrical insulation.
However, the above-mentioned issues of “ensuring electrical insulation” and “improving heat dissipation characteristics” are constantly in a trade-off relationship, and it is difficult to make a good compromise between the two.

以上に述べたように、図８の構造の絶縁型半導体装置が図９の非絶縁型半導体装置に比べて放熱特性が劣っている問題に加えて、次に図１０を参照して絶縁型半導体装置の放熱経路についての問題を考察する。
図１０において、半導体チップ３の内部、主としてＰＮ接合面で発生した熱は、該半導体チップ３の裏面側に接着するＣｕ製の放熱板２に伝わり、その熱の一部が中央に配置された外部導出端子７を介して空気中に放熱し、また、放熱板２の下部にあるエポキシ樹脂から成る薄い樹脂封止部８０を介して（ただし、この場合、前述したように熱伝導率＝０．７〜２．５Ｗ／ｍ・Ｋ程度と、Ｃｕの熱伝導率（３９８Ｗ／ｍ・Ｋ）に比べて約２桁も熱伝導率が劣ることになる。）、さらにその下部に設けられた冷却フィン（図示せず）に伝熱され、空気中に放熱される。 As described above, in addition to the problem that the insulating semiconductor device having the structure of FIG. 8 is inferior in heat dissipation characteristics compared to the non-insulating semiconductor device of FIG. 9, referring to FIG. Consider the problem with the heat dissipation path of the device.
In FIG. 10, the heat generated inside the semiconductor chip 3, mainly at the PN junction surface, is transferred to the Cu heat sink 2 bonded to the back surface side of the semiconductor chip 3, and a part of the heat is arranged in the center. Heat is radiated into the air via the external lead-out terminal 7 and is also passed through the thin resin sealing portion 80 made of epoxy resin at the lower part of the heat radiating plate 2 (in this case, thermal conductivity = 0 as described above) About 7 to 2.5 W / m · K, which is about two orders of magnitude lower than the thermal conductivity of Cu (398 W / m · K).) Heat is transferred to a cooling fin (not shown) and radiated into the air.

また、カソード（Ｋ）側の外部導出端子５を介して放熱される放熱経路もある。
図１０の絶縁型半導体装置における主電流経路を通るＫ側外部導出端子５への熱の経路は、半導体チップ３→Ｃｕ製放熱板２→ボンディングワイヤ６ｂ→外部導出端子５へとなる。
因みに、ボンディングワイヤ６ｂとして使用するＡｌ（アルミニウム）太線ワイヤの熱伝導率は、Ｃｕの熱伝導率よりもかなり劣り、２３７Ｗ／ｍ・Ｋであることが周知である。また、その線径は、高々３００〜５００μｍであり、また、線長は、２〜５ｍｍであるから、この細くて長い距離を経なければ外部導出端子５への放熱が達成されないという問題がある。したがって、おそらくはＫ側外部導出端子５側への放熱は、殆ど有効に機能していないということが予想される。 There is also a heat dissipation path that dissipates heat through the external lead-out terminal 5 on the cathode (K) side.
The heat path to the K-side external lead-out terminal 5 passing through the main current path in the insulated semiconductor device of FIG. 10 is as follows: semiconductor chip 3 → Cu heat sink 2 → bonding wire 6 b → external lead-out terminal 5.
Incidentally, it is well known that the thermal conductivity of an Al (aluminum) thick wire used as the bonding wire 6b is considerably inferior to that of Cu and is 237 W / m · K. In addition, since the wire diameter is 300 to 500 μm at most and the wire length is 2 to 5 mm, there is a problem that heat radiation to the external lead-out terminal 5 is not achieved unless this thin and long distance is passed. . Therefore, it is expected that the heat radiation to the K-side external lead-out terminal 5 side is hardly functioning effectively.

さらに加えて、例えばボンディングワイヤとしてＡｌ線を用いた場合、ボンディング面は、通常は全てＮｉ等のメッキ面であることが必須となる。
すなわち、Ａ，Ｋ端子となる外部導出端子４，５のボンディング領域は勿論のこと、Ｃｕ製の放熱板２上にもＮｉメッキが施されていることが必要となる。
なぜなら、これらＮｉ等のメッキを施さないムクのＣｕ表面は、例えばＮｉであればそのＮｉ表面に比べ非常に酸化し易く安定したボンディング作業が困難となるからである。
さらにはＮｉ表面はＣｕ表面に比べ硬い表面となるので、太線ワイヤを用いてボンディングを行なう場合、一般的に使用される超音波Ａｌ線ボンディング時のエネルギーが良く伝わり、より安定したボンディング結果が得られるようにするためである。 In addition, for example, when an Al wire is used as a bonding wire, it is essential that the bonding surface is usually a plated surface such as Ni.
That is, it is necessary that Ni plating is applied to the heat sink 2 made of Cu as well as the bonding regions of the external lead-out terminals 4 and 5 that become the A and K terminals.
This is because the Cu surface of Muku which is not plated with Ni or the like is, for example, Ni, very easily oxidized compared to the Ni surface, making stable bonding work difficult.
Furthermore, since the Ni surface is harder than the Cu surface, when bonding is performed using a thick wire, the energy used for ultrasonic Al wire bonding, which is generally used, is transmitted well, resulting in a more stable bonding result. This is to make it possible.

他方、放熱板２にＣｕムク面が用いられた時、エポキシ樹脂とＣｕ製の放熱板２間の接着強度がより増大し、プレシャ・クッカ・テスト（ＰＣＴ）試験等において、つまり、Ｃｕ端子とエポキシ樹脂界面から侵入する、水分に対する耐性試験等で、より効果的となることが明らかとなっている。 On the other hand, when a Cu muku surface is used for the heat radiating plate 2, the adhesion strength between the epoxy resin and the Cu heat radiating plate 2 is further increased, and in a pressure cooker test (PCT) test or the like, It has become clear that it becomes more effective in a resistance test against moisture entering from the epoxy resin interface.

次に、外部導出端子５にボンディングワイヤ６ｂをボンディングすること自体についても考察する。
一般に工程が１つ増加すれば、それがまた不良品発生原因を招く。つまり、Ｋ側ワイヤボンディングによる工程があればその工程の信頼性が、余分に保証されなければならず、Ａ側、すなわち外部導出端子４側のワイヤボンディングの保証に加えて更なる不良発生原因が課され、またそのための対策が必要となるという問題点がある。 Next, the bonding itself of the bonding wire 6b to the external lead-out terminal 5 will also be considered.
In general, if the number of steps increases by one, it also causes a defective product. In other words, if there is a process by K-side wire bonding, the reliability of the process must be additionally guaranteed, and in addition to the guarantee of wire bonding on the A side, that is, the external lead-out terminal 4 side, there is a cause of further failure. There is a problem that it is imposed and countermeasures are required.

特開２００２−２５２３１９号公報JP 2002-252319 A

以上述べてきたように、図４及び図５に示したようなダイオード構造の電力用絶縁型半導体装置では、まとめると以下のような解決すべき課題がある。
（１）絶縁距離（Ｌｉｓｏ）が充分確保できないので、該絶縁距離間の放電耐圧（Ｖｉｓｏ）が下がり、半導体チップ３自体が本来有する耐圧を充分生かした最終製品としての耐圧保証が得られない。
（２）Ｃｕ製放熱板２の熱が主電流経路のＫ端子側に充分伝わらないため、製品としての放熱特性が、もともとこの種の絶縁型半導体装置の放熱特性が悪いことに輪を掛けてさらに損なわれている。
（３）外部から侵入する水分に対するＰＣＴ等の対策も、Ｃｕ製放熱板２に全面Ｎｉメッキが必須条件付のため、より困難となっている。
（４）Ｋ側外部導出端子５へのボンディングという余分な工程を必要とし、これがまた不良発生原因を招来させている。
（５）以上の総合的な結果として、完成した半導体装置としての逆耐圧特性（ＶＲ）が充分に得られず、放熱特性（Ｒｔｈ）を悪くし、また、Ｋ側外部導出端子５へのボンディングをするため、ボンディングワイヤを介在させる分だけ、順方向電圧降下特性（ＶＦ）を損ねてしまう。 As described above, the power-isolated semiconductor device having a diode structure as shown in FIGS. 4 and 5 has the following problems to be solved.
(1) Since a sufficient insulation distance (Liso) cannot be secured, the discharge withstand voltage (Viso) between the insulation distances is lowered, and a withstand voltage guarantee as a final product that sufficiently utilizes the inherent withstand voltage of the semiconductor chip 3 itself cannot be obtained.
(2) Since the heat of the Cu heat sink 2 is not sufficiently transmitted to the K terminal side of the main current path, the heat dissipation characteristics as a product are originally affected by the poor heat dissipation characteristics of this type of insulated semiconductor device. It is further damaged.
(3) Countermeasures such as PCT against moisture entering from the outside are also more difficult because the entire surface of the Cu heat sink 2 needs to be plated with Ni.
(4) An extra step of bonding to the K-side external lead-out terminal 5 is required, which also causes a cause of defects.
(5) As a result of the above overall, the reverse breakdown voltage characteristic (V R ) as a completed semiconductor device cannot be sufficiently obtained, the heat dissipation characteristic (Rth) is deteriorated, and the K-side external lead-out terminal 5 is connected. Since bonding is performed, the forward voltage drop characteristic (V F ) is impaired by the amount of the bonding wire interposed.

本発明は、上記の各課題を解決するためになされたもので、概略次のような事項を目的とする。
（１）図４に示した従来構造の絶縁型半導体装置と類似の樹脂パッケージに収められた電力用ダイオードが抱える種々の課題を解消すること。
（２）半導体チップの有する本来の耐圧特性を、樹脂パッケージ上の制約から解放し、しかも同一外形形状の樹脂パッケージであれば、より放電耐圧（Ｖｉｓｏ）能力を向上させること。
（３）Ｋ側外部導出端子へのボンディングを廃止し、また、Ｃｕ製放熱板への全面でのＮｉメッキを廃止し、不要な組立工程を排除して、より信頼性に富んだ組立構造の実現を図ること。
（４）従来から使用されている複数種類の半導体装置を製作する場合の共用リードフレームを改良し、従来の組立工程とも共通性を持たせ、専用金型の設計や新たな設備投資を必要とせず、また、追加工程が仮に発生した場合でも最小限に留め製造コストの上昇を生じさせないようにすること。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and has the following general objects.
(1) To solve various problems of power diodes housed in a resin package similar to that of the conventional insulating semiconductor device shown in FIG.
(2) The inherent breakdown voltage characteristic of the semiconductor chip is released from the restrictions on the resin package, and the discharge breakdown voltage (Viso) capability is further improved if the resin package has the same outer shape.
(3) The bonding to the K-side external lead-out terminal has been abolished, and the Ni plating on the entire surface of the Cu heat sink has been abolished, eliminating unnecessary assembly processes, resulting in a more reliable assembly structure. Realize.
(4) Improve the common lead frame when manufacturing multiple types of semiconductor devices that have been used in the past, and have commonality with the conventional assembly process, requiring a dedicated mold design and new capital investment In addition, even if an additional process occurs, it should be kept to a minimum so as not to cause an increase in manufacturing cost.

請求項１に記載の発明は、リードフレームの第１タイバから幅方向に直角に延出した３本のリード部を有する複数種類の樹脂封止型半導体装置を製作する際に使用される共用リードフレームにおいて、
両側に位置するリード部の一方と一体的に形成され、かつ、他方のリード部側に延び、該他方のリード部とは分離されている幅広部と、前記両端に位置する２本のリード部の中間に位置し、特定種類の樹脂封止型半導体装置を製作した場合に、該半導体装置の樹脂封止部に対して、先端部が該樹脂封止部の端面から内部に所定寸法だけ埋没するように、前記幅広部と分離して形成された前記第１タイバから延出の中間リード部とを有することを特徴とするリードフレームである。 The invention according to claim 1 is a common lead used when manufacturing a plurality of types of resin-encapsulated semiconductor devices having three lead portions extending perpendicularly in the width direction from the first tie bar of the lead frame. In the frame,
A wide portion formed integrally with one of the lead portions located on both sides and extending to the other lead portion side and separated from the other lead portion, and two lead portions located on both ends When a specific type of resin-encapsulated semiconductor device is manufactured, the tip of the resin-encapsulated portion of the semiconductor device is embedded within a predetermined dimension from the end surface of the resin-encapsulated portion. As described above, the lead frame includes an intermediate lead portion extending from the first tie bar formed separately from the wide portion.

請求項２に記載の発明は、前記リードフレームが、銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金によって製作され、前記両端に位置するリード部のうち、少なくも一方リード部の先端位置のボンディングポスト部となる部分にニッケル（Ｎｉ）メッキが施され、他の部分はＣｕ又はＣｕ合金のムク面であることを特徴とする請求項１に記載したリードフレームである。 According to a second aspect of the present invention, the lead frame is made of copper (Cu) or a Cu alloy, and at least one of the lead portions located at the both ends is a bonding post portion at the tip position of one lead portion. 2. The lead frame according to claim 1, wherein nickel (Ni) plating is applied to the other portion, and the other portion is a rough surface of Cu or a Cu alloy.

請求項３に記載の発明は、前記幅広部とリード部との連結部分を、他方に位置するリード部側に面積を拡張して放熱面積を増大させたことを特徴する請求項１又は請求項２に記載されたリードフレームである。   The invention according to claim 3 is characterized in that the area of the connecting portion between the wide portion and the lead portion is expanded to the side of the lead portion located on the other side to increase the heat radiation area. 2. The lead frame described in 2.

請求項４に記載の発明は、両側に配置された外部導出端子のうち、一方の外部導出端子の先端部に形成したボンディングポスト部とは分離して配置された幅広のチップダイボンディング領域を有し、かつ、他方の外部導出端子と連続して一体的に形成された放熱板と、該放熱板の前記チップダイボンディング領域に搭載・固着された半導体チップと、該半導体チップの表面電極と一方の外部導出端子の前記ボンディングポスト部とを連結するボンディングワイヤと、前記半導体チップが搭載・固着された放熱板及び該放熱板に一体的に連続して形成された外部導出端子の少なくとも根本部及び前記一方の外部導出端子の前記ボンディングポスト部を少なくとも含むようにモールドして形成された樹脂封止部とを備え、両側の前記外部導出端子間には、リードフレームのタイバカット時に中央の小片状外部導出端子の一部が前記樹脂封止部に残存するようにタイバカットすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。 The invention according to claim 4 has a wide chip die bonding region arranged separately from the bonding post portion formed at the tip of one of the external lead terminals arranged on both sides. And a heat sink formed continuously and integrally with the other external lead-out terminal, a semiconductor chip mounted and fixed in the chip die bonding region of the heat sink, and a surface electrode of the semiconductor chip A bonding wire that connects the bonding post portion of the external lead terminal, a heat sink on which the semiconductor chip is mounted and fixed, and at least a root portion of the external lead terminal formed integrally and continuously on the heat sink, and A resin sealing portion formed by molding so as to include at least the bonding post portion of the one external lead-out terminal, and the external lead-out terminals on both sides To is a resin-sealed semiconductor device characterized by bar cutting as part of the central piece shaped external lead-out terminal when bar cutting of the lead frame remains in the resin sealing portion.

請求項５に記載の発明は、両側に位置するリード部の一方と一体的に連続して形成され、かつ、他方のリード部側に延び、該他方のリード部とは分離されている幅広部と、前記両端に位置する２本のリード部の中間に位置し、特定種類の樹脂封止型半導体装置を製作した場合に、該半導体装置の樹脂封止部に対して、先端部が該樹脂封止部の端面から内部に所定寸法だけ埋没するように、前記幅広部と分離して形成された前記第１タイバから延出の中間リード部とを有するリードフレームを用い、前記幅広部への半導体チップの搭載・固着及び該半導体チップの表面電極と一方のリードとのワイヤボンディングを行なって所定の組立体を製造する工程と、該組立工程を経たフレームを樹脂封止用金型に装着し、封止樹脂を充填して所定の位置に樹脂封止部を形成する工程と、該工程を経て取り出したリードフレームを所定の位置でタイバカットし、両側の該外部導出端子間に位置し、前記樹脂封止部内に残存する小片状の外部導出端子を抜き取るか又はそのまま残存させる工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。 The invention according to claim 5 is a wide portion formed integrally and continuously with one of the lead portions located on both sides, and extending toward the other lead portion and separated from the other lead portion. And when a specific type of resin-encapsulated semiconductor device is manufactured, the tip of the resin-encapsulated portion of the semiconductor device is positioned in the middle of the two lead portions located at both ends. Using a lead frame having an intermediate lead portion extending from the first tie bar formed separately from the wide portion so as to be buried within a predetermined dimension from the end face of the sealing portion, A process of manufacturing a predetermined assembly by mounting and fixing a semiconductor chip and wire bonding between a surface electrode of the semiconductor chip and one lead, and mounting the frame after the assembly process on a resin sealing mold Fill the sealing resin with the predetermined position A step of forming a resin sealing portion, and a lead frame taken out through the step is tie-bar cut at a predetermined position, located between the external lead-out terminals on both sides, and remaining in the resin sealing portion. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising a step of extracting or leaving the lead-out terminal as it is.

請求項１に記載の発明によれば、例えば図３のような３本足のリードフレーム形状となり、従来から３本足用として設計された樹脂封止用金型にそのまま装着することができる。特に、中央部分に位置する第１タイバから延出した小片状の仮端子部２９の存在、すなわち、その先端部が前記金型中央部の凹所を塞ぐため、樹脂モールド工程を実施する際に、熔融樹脂の外部への漏れが効果的に防止できる。 According to the first aspect of the present invention, for example, a three-legged lead frame shape as shown in FIG. 3 is formed, and it can be directly mounted on a resin-sealing mold designed for three legs. In particular, the presence of the small temporary terminal portion 29 extending from the first tie bar located in the central portion, that is, when the tip portion closes the recess in the central portion of the mold, the resin molding process is performed. In addition, leakage of the molten resin to the outside can be effectively prevented.

請求項２に記載の発明によれば、少なくも一方のリード部の先端位置のボンディングポスト部となる部分のみにニッケル（Ｎｉ）メッキが施され、他の部分はＣｕ又はＣｕ合金のムク面のリードフレームとしたので、半導体装置として組立てる場合にワイヤボンディングが通常通り行なえ、かつ、他の部分はＣｕ又はＣｕ合金のムク面であるので、エポキシ樹脂等の封止用樹脂との接着性が格段に良くなり、半導体装置として組立てた場合の水分に対する耐性試験（ＰＣＴ）等で優れた効果が発揮できる。 According to the second aspect of the present invention, nickel (Ni) plating is applied only to the portion that becomes the bonding post portion at the tip position of one of the lead portions, and the other portion is made of Cu or a Cu alloy mump surface. Since it is a lead frame, wire bonding can be performed as usual when assembling as a semiconductor device, and the other part is a Cu or Cu alloy uncoated surface, so the adhesiveness with an epoxy resin or other sealing resin is exceptional. It is possible to achieve an excellent effect in a moisture resistance test (PCT) when assembled as a semiconductor device.

請求項３に記載の発明によれば、リードフレームの幅広部とリード部との連結部分を、他方に位置するリード部側に面積を拡張できるようにしたので、半導体装置として組立てた場合に放熱面積が増大し、また、一方のボンディングワイヤがなく、かつ、半導体チップを搭載した幅広部の放熱板が直接、外部導出端子に連なっていることと合わせて、放熱効果が著しく向上する。 According to the third aspect of the present invention, since the area of the connecting portion between the wide portion of the lead frame and the lead portion can be expanded to the lead portion side located on the other side, heat dissipation can be achieved when the semiconductor device is assembled. The heat radiation effect is remarkably improved in combination with the fact that the area is increased and there is no bonding wire on one side and the wide heat radiation plate on which the semiconductor chip is mounted is directly connected to the external lead-out terminal.

請求項４に記載の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のリードフレームを使用した樹脂封止型半導体装置なので、総合的に放熱特性、耐湿性に優れ、両端外部導出端子間の絶縁距離（Ｌｉｓｏ）の拡大に伴う放電耐圧（Ｖｉｓｏ）の増大、それらによる逆耐圧特性（ＶＲ）、順電圧降下特性（ＶＦ）の向上等の優れた電気的特性が得られる。 According to the invention described in claim 4, since it is a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame according to any one of claims 1 to 3, the heat dissipation characteristics and moisture resistance are comprehensively excellent, and both ends are external. Excellent electrical characteristics such as an increase in discharge withstand voltage (Viso) with an increase in the insulation distance (Liso) between the lead-out terminals, an improvement in reverse withstand voltage characteristics (V R ), and forward voltage drop characteristics (V F ) are obtained. It is done.

請求項５に記載の発明によれば、請求項４に記載した樹脂封止型半導体装置を製造する工程において、両側の外部導出端子間に位置し、樹脂封止部内に残存する小片状の外部導出端子を抜き取るか又はそのまま残存させる工程を有するようにしたので、例えば該小片状端子を抜き取る工程を追加するにしても製品コストアップに繋がるほどの追加工程ではなく、それよりも遥かに重要な利点となる製品の電気的特性の向上を期待できるなどの効果がある。 According to the fifth aspect of the present invention, in the step of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth aspect, the small piece-like shape is located between the external lead-out terminals on both sides and remains in the resin-encapsulated portion. Since there is a step of extracting or leaving the external lead-out terminal as it is, for example, even if a step of extracting the small piece terminal is added, it is not an additional step that leads to an increase in product cost, and much more than that. There is an effect that improvement of electrical characteristics of the product, which is an important advantage, can be expected.

複数種類の樹脂封止型半導体装置を製作するための共用リードフレームの形状を、一方の外部導出端子及び中央の小片状外部導出端子となる部分で改良し、放熱特性や半導体装置として組立完成した場合の逆耐圧特性、順方向電圧降下特性などの向上を実現できた。   The shape of the shared lead frame for manufacturing multiple types of resin-encapsulated semiconductor devices has been improved at the part that becomes one external lead-out terminal and the small piece-shaped external lead-out terminal, and the heat dissipation characteristics and semiconductor device assembly are completed. In this case, the reverse breakdown voltage characteristics, forward voltage drop characteristics, etc. can be improved.

本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装置のイメージ図を図１及び図２に示す。
なお、図１は樹脂封止型半導体装置の平面透視的イメージ図、図２は同じくその側面透視的イメージ図である。
先ず、本発明の絶縁型かつ樹脂封止型半導体装置の構造的な特徴をまとめて述べれば以下の通りである。
（１）Ｋ側外部導出端子がＣｕ製放熱板と一体化され、連続していること。
（２）したがって、Ｋ側外部導出端子と該放熱板とのボンディングワイヤによる接続がなくなっていること。
（３）中央に配置される小片状外部導出端子は、樹脂モールド工程後に通常は抜き取られているために存在せず、その跡に凹部を有していること。
（４）上記（３）により中央の外部導出端子が存在しないために、Ａ側外部導出端子とＫ側外部導出端子との絶縁距離（Ｌｉｓｏ）が、Ｌｉｓｏ＝１．２ｍｍから３．９ｍｍに広がっていること。
（５）両側の外部導出端子の中央に配置される外部導出端子は、Ｃｕ製放熱板と分離され、その離間距離はプレスカットの最小寸法（Ｌｐｃ）を保持し、また、Ｋ側外部導出端子の放熱板との一体的連結部は相対的に広い面積を有するように従来よりも拡大されているか、該外部導出端子根本のボンディングポスト近傍の形状は、従来と同じとしてあり、かつ、該連結部の板厚は、放熱に有利なように曲げ加工性を考慮しつつ、最大限厚くなるように配慮していること。
（６）図１におけるＡ１−Ａ２ラインとＢ１−Ｂ２ラインで囲まれた部分のうち、少なくともリードフレームのＡ側ボンディングポスト部分に相当する部分にはＮｉが施されていること。
（７）Ｃｕ製放熱板の表面には、上記Ａ側ボンディングポスト部分を除いてＮｉメッキが施されていないこと。また、Ａ，Ｋ側外部導出端子の表面にも前記一方のボンディングポスト部分を除いてＮｉメッキが施されていないこと。
なお、Ａ側、Ｋ側はその位置を左右変更し得るものである。 An image diagram of a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention is shown in FIGS.
FIG. 1 is a planar perspective image diagram of the resin-encapsulated semiconductor device, and FIG. 2 is a side perspective image diagram thereof.
First, the structural features of the insulating and resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be summarized as follows.
(1) The K-side external lead-out terminal is integrated with the Cu heat sink and is continuous.
(2) Therefore, the connection by the bonding wire between the K-side external lead-out terminal and the heat sink is eliminated.
(3) The small external lead-out terminal arranged at the center does not exist because it is normally extracted after the resin molding step, and has a recess in the trace.
(4) Since there is no central external lead terminal according to (3) above, the insulation distance (Liso) between the A side external lead terminal and the K side external lead terminal is increased from Liso = 1.2 mm to 3.9 mm. That.
(5) The external lead-out terminal arranged at the center of the external lead-out terminals on both sides is separated from the Cu heat sink, the separation distance holds the minimum size (Lpc) of the press cut, and the K-side external lead-out terminal The joint part with the heat sink is enlarged so as to have a relatively wide area, or the shape in the vicinity of the bonding post of the external lead terminal is the same as the conventional one, and the connection The thickness of the part shall be considered to be as thick as possible while considering bending workability to be advantageous for heat dissipation.
(6) Of the portion surrounded by the A1-A2 line and the B1-B2 line in FIG. 1, Ni is applied to at least a portion corresponding to the A-side bonding post portion of the lead frame.
(7) The surface of the Cu heat sink is not subjected to Ni plating except for the A-side bonding post portion. Also, Ni plating is not applied to the surfaces of the A and K side external lead terminals except for the one bonding post portion.
The positions of the A side and the K side can be changed left and right.

次に、本発明の上記樹脂封止型半導体装置の具体的な構成を説明する。
図１及び図２において、樹脂封止型半導体装置１１は、Ｃｕ製放熱板１２を有する。この放熱板１２は従来とその形状が大きく異なり、Ｋ側の外部導出端子１５と一体的に連結され、該外部導出端子１５に対して半導体チップ３が搭載される相対的広い面積のチップダイボンディング領域１２ａがフラグ状に図示右側に拡大している。図示右側に位置するＡ側の外部導出端子１４は、従来と同様に放熱板１２の前記チップダイボンディング領域１２ａから所定の間隔を持って分離・形成されている。 Next, a specific configuration of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be described.
1 and 2, the resin-encapsulated semiconductor device 11 has a Cu heat sink 12. This heat radiating plate 12 is greatly different from the conventional one, and is integrally connected to the K-side external lead-out terminal 15 so that the semiconductor chip 3 is mounted with respect to the external lead-out terminal 15. The region 12a is enlarged in the shape of a flag on the right side in the figure. The A-side external lead-out terminal 14 located on the right side of the figure is separated and formed at a predetermined interval from the chip die bonding region 12a of the heat sink 12 as in the conventional case.

上記Ａ側の外部導出端子１４とＫ側の外部導出端子１５との間には、その中央に配置された従来の外部導出端子は存在せず、樹脂封止部１８を形成後、この実施例では抜き取られ図示のように点線で示した小片状の外部導出端子１７の跡として樹脂封止部１８の端面に凹部１９が形成されるのみである。もともとこの実施例で示した絶縁型かつ封止樹脂型半導体装置のみを形成する場合には、上記中央に配置された外部導出端子１７は不要なものであるが、複数種類の半導体装置を共通のリードフレーム及び共通の樹脂封止用金型を用いて製作するために上記のような形状的工夫をこらしている。
なお、上記小片状の外部導出端子１７は樹脂封止部１８中に残存させても良い。
なぜなら、上記タイプの半導体装置を形成する場合、かかる外部導出端子１７は不要であり、電気的にどこにも接続されず、かつ、外部導出端子１４，１５間で有効な絶縁距離（Ｌｉｓｏ）には何等影響を与えないからである。 There is no conventional external lead terminal disposed in the center between the A-side external lead-out terminal 14 and the K-side external lead-out terminal 15, and this embodiment is formed after the resin sealing portion 18 is formed. Then, the recess 19 is only formed on the end surface of the resin sealing portion 18 as a trace of the small external lead-out terminal 17 extracted and indicated by a dotted line as shown in the figure. Originally, when only the insulating and sealing resin type semiconductor device shown in this embodiment is formed, the external lead-out terminal 17 arranged at the center is unnecessary, but a plurality of types of semiconductor devices are shared. In order to manufacture using a lead frame and a common resin-sealing mold, the above-mentioned shape is devised.
The small piece-like external lead-out terminal 17 may be left in the resin sealing portion 18.
This is because when the semiconductor device of the type described above is formed, the external lead-out terminal 17 is unnecessary, is not electrically connected anywhere, and has an effective insulation distance (Liso) between the external lead-out terminals 14 and 15. This is because it has no effect.

上記Ｋ側外部導出端子１５のボンディングポスト部１５ａの領域を、Ａ側外部導出端子１４のボンディングポスト部１４ａの方向に拡大して放熱面積を広くとることもできる。
すなわち、図１において、方向の異なる間隔の狭いハッチングを施した部分が放熱面積を拡大した部分であり、この場合、樹脂封止部１８に残存する中央の小片状外部導出端子１７の端部とプレスカットの最少寸法（Ｌｐｃ）だけ離間して形成されている。
上記のような形状的工夫により放熱面積を増大させつつ、しかも外部導出端子１４，１５間の絶縁距離（Ｌｉｓｏ）を、Ｌｉｓｏ≒３．９ｍｍと従来の約２倍とすることができる。前述のように、中央に位置する外部導出端子１７が放熱板１２と分離され電気的には電位を有さないからこのような形状的工夫が可能となる。 The area of the bonding post portion 15a of the K-side external lead-out terminal 15 can be expanded in the direction of the bonding post portion 14a of the A-side external lead-out terminal 14 to increase the heat radiation area.
That is, in FIG. 1, the hatched portions with different intervals in the direction are the portions where the heat radiation area is enlarged. In this case, the end portion of the central small external lead-out terminal 17 remaining in the resin sealing portion 18 And the minimum size (Lpc) of the press cut.
While the heat radiation area can be increased by the above-described shape improvement, the insulation distance (Liso) between the external lead-out terminals 14 and 15 can be approximately double that of the conventional one, Liso≈3.9 mm. As described above, the external lead-out terminal 17 located at the center is separated from the heat radiating plate 12 and does not have an electric potential, so that such a shape device can be achieved.

上記ボンディングポスト部１４ａ，１５ａを含む図示Ａ１−Ａ２ライン及びＢ１−Ｂ２ラインで囲まれる範囲は、帯状に前記ハッチングとは方向の異なる比較的幅の広いハッチングで示したＮｉメッキが施されている。これは本発明の構造の場合、Ｋ側外部導出端子１５にはボンディングワイヤをボンディングする必要がなく、したがってボンディングポスト部１５ａも、その表面へのＮｉメッキを必要としないが、Ａ側外部導出端子１４のボンディングポスト部１４ａへのＮｉメッキを効率良く行なうために帯状のメッキ領域としたものである。
一方、放熱板１２のチップダイボンディング領域１２ａにはＮｉメッキが施されず、Ｃｕの表面がムクの状態で露出している。樹脂封止部１８との接着を強固にするためである。
また、外部導出端子１４，１５のボンディングポスト部１４ａ，１５ａに連なる他の部分もＮｉメッキが施されていないので、上記と同様に樹脂封止部１８との接着が強固になり、外部導出端子１４，１５を伝わって外部から侵入する水分等を効果的に防止できるようになる。 The range surrounded by the illustrated A1-A2 line and B1-B2 line including the bonding post portions 14a, 15a is Ni-plated in a band shape, which is indicated by a relatively wide hatching that is different in direction from the hatching. . In the case of the structure of the present invention, it is not necessary to bond a bonding wire to the K-side external lead-out terminal 15, and therefore the bonding post portion 15a also does not require Ni plating on its surface. In order to efficiently perform Ni plating on the 14 bonding post portions 14a, a band-shaped plating region is used.
On the other hand, the Ni plating is not performed on the chip die bonding region 12a of the heat radiating plate 12, and the surface of Cu is exposed in a muffled state. This is to strengthen the adhesion with the resin sealing portion 18.
In addition, since other portions connected to the bonding post portions 14a and 15a of the external lead terminals 14 and 15 are not subjected to Ni plating, the adhesion to the resin sealing portion 18 is strengthened similarly to the above, and the external lead terminals It becomes possible to effectively prevent moisture and the like entering from the outside through the lines 14 and 15.

上記放熱板１２のチップダイボンディング領域１２ａには、従来と同様に半導体チップ３が搭載・固着され、該半導体チップ３の表面に形成したアノード電極金属と外部導出端子１４のボンディングポスト部１４ａとは、Ａｌ（アルミニウム）線等のボンディングワイヤ１６ａにより結線される。
一方、Ｋ側の外部導出端子１５は放熱板１２と一体的に形成されているので、ボンディングワイヤによる結線は必要がない。
以上の構造を１単位としたものがリードフレームの長手方向に１０〜２０連形成され、このリードフレームが樹脂封止用金型内に挿入され周知のトラスファモールド法により所定位置に樹脂封止部１８が形成される。
なお、上記の実施例では絶縁型半導体装置を例としているので、上記金型内で放熱板１２の裏面側にも熔融樹脂が回り込み厚みの薄い樹脂封止部１８ａが形成される（図２参照）。
そして、上記金型内から取り出したリードフレームのタイバを所定の位置でカットして最終的に図１及び図２に示した樹脂封止型半導体装置１１が完成する。 The semiconductor chip 3 is mounted and fixed to the chip die bonding region 12a of the heat radiating plate 12 as in the prior art, and the anode electrode metal formed on the surface of the semiconductor chip 3 and the bonding post portion 14a of the external lead-out terminal 14 are And a bonding wire 16a such as an Al (aluminum) wire.
On the other hand, the K-side external lead-out terminal 15 is formed integrally with the heat radiating plate 12, so that it is not necessary to connect with a bonding wire.
The above structure as one unit is formed in 10-20 series in the longitudinal direction of the lead frame, and this lead frame is inserted into a resin sealing mold and resin sealed at a predetermined position by a well-known transfer mold method. Part 18 is formed.
In the above embodiment, an insulating semiconductor device is taken as an example, so that the molten resin wraps around the back surface of the heat sink 12 in the mold to form a thin resin sealing portion 18a (see FIG. 2). ).
Then, the lead frame tie bar taken out from the mold is cut at a predetermined position, and the resin-encapsulated semiconductor device 11 shown in FIGS. 1 and 2 is finally completed.

図３は、上記本発明の樹脂封止型半導体装置１１や他のタイプの半導体装置を製作する場合に共通して用いられる共用リードフレームの一実施例を示す平面図ある。
図において、２０はリードフレーム全体を示し、このリードフレーム２０は、第１タイバ２１及び第２タイバ２２が設けられ、これら第１タイバ２１及び第２タイバ２２間は、後にタイバカットされて外部導出端子１４，１５（図１参照）となるリード部２３，２４により連結されている。
第１タイバ２１には、幅方向（図３の上部方向）に比較的幅の狭い短冊部２６を介して一体的に連続して形成された幅広部２５を有する。この幅広部２５は後に放熱板１２となる部分である。また、この幅広部２５の上端は略半円弧状に切除した切欠部２７が形成されている。この切欠部２７は後に成形される樹脂封止部に設けられる取り付け孔の逃げを形成している。 FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of a common lead frame used in common when manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device 11 of the present invention and other types of semiconductor devices.
In the figure, reference numeral 20 denotes the entire lead frame, and the lead frame 20 is provided with a first tie bar 21 and a second tie bar 22, and the tie bar is cut later between the first tie bar 21 and the second tie bar 22 to external lead-out terminals. 14 and 15 (see FIG. 1) are connected by lead portions 23 and 24.
The first tie bar 21 has a wide portion 25 formed integrally and continuously via a strip portion 26 having a relatively narrow width in the width direction (upward direction in FIG. 3). The wide portion 25 is a portion that will later become the heat radiating plate 12. Further, the upper end of the wide portion 25 is formed with a notch 27 cut out in a substantially semicircular arc shape. The notch 27 forms a relief for a mounting hole provided in a resin sealing portion to be molded later.

上記第１タイバ２１には、リード部２４の延長線上に、後にＡ側の外部導出端子となるボンディングポスト形成部２８が設けられている。また、前記短冊部２６とボンディングポスト形成部２８との間の略中央には仮端子部２９が、第１タイバ部２１から直角方向に突出するように形成されている。
なお、上記の仮端子部２９は、最終製品として本発明で得ようする半導体装置には不要な部分であるが、中央部を含めて外部導出端子を３本必要する半導体装置用として設計されたリードフレーム用金型を使用する際に、金型内に導入された熔融樹脂が、当該仮端子部２９が存在しないと、その部分から樹脂が外部に漏れ出してしまうおそれがあり、これを防止する必要から該仮端子部２９を形成したものである。それ故、この仮端部２９の突出寸法が重要であり、仮想線Ｋで示した樹脂封止部１８内に約１．５ｍｍ程度没入することを想定した寸法となっている。 The first tie bar 21 is provided with a bonding post forming portion 28 on the extended line of the lead portion 24, which later becomes an A lead-out terminal. In addition, a temporary terminal portion 29 is formed at a substantially center between the strip portion 26 and the bonding post forming portion 28 so as to protrude from the first tie bar portion 21 in a right angle direction.
The temporary terminal portion 29 is an unnecessary portion for the semiconductor device to be obtained by the present invention as a final product, but is designed for a semiconductor device that requires three external lead-out terminals including the central portion. When using the lead frame mold, the molten resin introduced into the mold, if the temporary terminal portion 29 does not exist, may cause the resin to leak out from the portion, thus preventing this. Therefore, the temporary terminal portion 29 is formed. Therefore, the projecting dimension of the temporary end portion 29 is important, and is a size that is assumed to be immersed in the resin sealing portion 18 indicated by the phantom line K by about 1.5 mm.

なお、上記リードフレーム２０において、前述した図１のボンディングポスト部１５ａを横方向に拡張して放熱面積を拡大する場合には短冊部２６に、仮端子部２９の上端から少なくともプレスカット寸法（Ｌｐｃ）だけ離間するようにして幅広面積部（図示せず）を設けるようにすれば良い。 In the lead frame 20, when the bonding post portion 15 a of FIG. 1 described above is expanded in the lateral direction to increase the heat dissipation area, the strip portion 26 is at least pressed from the upper end of the temporary terminal portion 29 (Lpc). ) And a wide area portion (not shown) may be provided.

次に、実施例２で示した改良型リードフレームを使用する場合の効果について、図１１乃至図１３を参照して詳述する。
すなわち、本発明のリードフレーム２０（図３参照）を使用する以前は、図１１のようなリードフレームを使用していた。このリードフレームは特許文献１に記載した特開２００２−２５２３１９号公報、特にその図３に記載されたリードフレームと同一である。そして、このリードフレームＭ１（公報では符号３５、以下かっこして符号のみを示す。）の幅広部２５（９４ａ）上に２個の半導体チップを搭載・固着させ、この半導体チップの表面電極部とボンディングポスト形成部２８（１０），３０(８)とをボンディングワイヤ（図１１では図示せず。公報図３（Ｃ）では、符号１４，１７）で接続し、電気回路的にアノード・コモンあるいはカソード・コモンの半導体装置を構成するものである。
このリードフレームＭ１（３５）を本発明のような単一回路のダイオードを構成する場合にも共用するようにしている。 Next, the effect when the improved lead frame shown in the second embodiment is used will be described in detail with reference to FIGS.
That is, before using the lead frame 20 of the present invention (see FIG. 3), a lead frame as shown in FIG. 11 was used. This lead frame is the same as the lead frame described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-252319 described in Patent Document 1, particularly, FIG. Then, two semiconductor chips are mounted and fixed on the wide portion 25 (94a) of the lead frame M1 (reference numeral 35 in the official gazette, and only the reference numerals are shown below), and the surface electrode portion of the semiconductor chip Bonding post forming portions 28 (10) and 30 (8) are connected to each other by bonding wires (not shown in FIG. 11; reference numerals 14 and 17 in FIG. 3C), and are electrically connected to anode common or It constitutes a cathode common semiconductor device.
This lead frame M1 (35) is also used in the case of constituting a single circuit diode as in the present invention.

ところで、当然ながらリードフレームを共用せずにそれぞれ要求される回路構成に適したリードフレームを製作し、また、そのリードフレーム専用の樹脂封止用金型を設計して用いることもできる。しかし、かかる場合には最終製品のコストアップが甚だしくこの種製品の熾烈な価格競争に打ち勝つことができない。
そこで、金型を別個に設計する必要がなく如何に他の種類の半導体装置にも共用できるリードフレームを設計するかが製品コストアップを抑える鍵となっている。
上記のような理由から図１２に示したリードフレームＭ２の改善策では、放熱性の向上や一方の外部導出端子へのボンディングが不要になるなどの利点が生じるが、根本的にアノード・コモンあるいはカソード・コモンとなるいわゆる３本足の半導体装置は製作することができず、共用リードフレーム製作上の改善策という意図が没却される。 Of course, it is possible to manufacture a lead frame suitable for each required circuit configuration without sharing the lead frame, and to design and use a resin sealing mold dedicated to the lead frame. However, in such a case, the cost of the final product is so great that it cannot overcome the fierce price competition of this kind of product.
Therefore, designing a lead frame that can be shared with other types of semiconductor devices without the need to design a mold separately is the key to reducing the product cost.
For the reasons described above, the improvement of the lead frame M2 shown in FIG. 12 has advantages such as improved heat dissipation and the need for bonding to one external lead-out terminal. The so-called three-legged semiconductor device that becomes the cathode common cannot be manufactured, and the intention of improving the common lead frame is lost.

また、仮に樹脂封止用金型のみ共用のものを用い、図１２に示した２端子用専用リードフレームＭ２を装着した場合、中央のリード部に相当する部分が存在しないために、その部分が空所となって金型内部と外部が導通してしまい、図１３の一点差線の丸Ｃで示した部分から熔融樹脂が外部に漏れ出してしまうおそれがある。
そこで、本発明では３端子との共用リードフレームであることを前提に、また、樹脂封止用金型も共用であることを前提に最大限の改善をなすことを企図したもので、この集大成が図３に示した形状のリードフレーム２０である。
すなわち、金型内からの樹脂漏れ問題は、中央部に仮端子部２９を残存させ、その先端部を樹脂封止部８０内に約１．５ｍｍ程度埋没ように設計し、後に必要に応じて抜き取ることが可能なようにする。放熱性やＫ側外部導出端子へのボンディングに伴う種々の問題は、フラグ状の幅広部２５を短冊部２６と一体的に結合することにより解決している。 Further, if a resin sealing mold only is used and the 2-terminal dedicated lead frame M2 shown in FIG. 12 is mounted, there is no portion corresponding to the central lead portion. There is a possibility that the inside and outside of the mold are electrically connected to each other and the molten resin leaks to the outside from the portion indicated by a circle C in the dashed line in FIG.
Therefore, the present invention is intended to make the utmost improvement on the premise that the lead frame is shared with 3 terminals and the resin sealing mold is also shared. Is the lead frame 20 having the shape shown in FIG.
That is, the problem of resin leakage from the inside of the mold is that the temporary terminal portion 29 is left in the central portion and the tip portion is designed to be buried in the resin sealing portion 80 by about 1.5 mm, and later if necessary. Make it possible to extract. Various problems associated with heat dissipation and bonding to the K-side external lead-out terminal are solved by integrally coupling the flag-like wide portion 25 with the strip portion 26.

なお、樹脂封止部１８に残存させた外部導出端子１７を抜き取る場合には、樹脂封止部１８内に１．５ｍｍ程度埋没しているだけなので、僅かな機械的な力を加えることにより容易に抜き取ることができる。この場合には、結果としてその抜き取り工程が付加されるが、Ｋ側外部導出端子１５へのワイヤボンディング工程がなくなったことの効果に比較すれば問題にする程の追加工程ではないと言うことができる。そして、もし、中央の外部導出端子１７を残存させたままで差し支えなければ引き抜き工程は省略することが可能となり、追加工程の問題も皆無となる。
因みに、本発明の樹脂封止型半導体装置の場合、前記端子１７は、放熱板１２のカソード電位とは絶縁性の高い封止樹脂によって絶縁されており、電位を持たない浮遊電位となっている。 When the external lead-out terminal 17 remaining in the resin sealing portion 18 is extracted, it is easily buried by applying a slight mechanical force because it is only buried in the resin sealing portion 18 by about 1.5 mm. Can be extracted. In this case, the extraction step is added as a result, but it may be said that the additional step is not a problem as compared with the effect that the wire bonding step to the K-side external lead-out terminal 15 is eliminated. it can. If the central external lead-out terminal 17 is left as it is, the pulling process can be omitted, and there is no problem in the additional process.
Incidentally, in the case of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the terminal 17 is insulated from the cathode potential of the heat radiating plate 12 by a highly insulative encapsulating resin, and has a floating potential having no potential. .

よって、逆バイアス時には、Ａ−Ｋ間の中間電位となる可能性はあるとしても、この条件で問題のない場合には引き抜き工程をなくしても充分な絶縁距離（Ｌｉｓｏ）が確保され、したがって、絶縁耐圧（Ｖｉｓｏ）も確保されると考えられる。
なお、具体的には樹脂封止部１８中に、前記外部導出端子１７の引き抜き跡として残った凹部１９が形成され、あるいは前記外部導出端子１７を残したままで、Ｌｉｓｏ＝１．２ｍｍ（従来）であったが、Ｌｉｓｏ＝３．９ｍｍ（本発明）が確保される。その結果、単純計算によれば、Ｖｉｓｏ＝１２００Ｖ（従来）であったものが、３９００Ｖ（本発明）にと絶縁耐圧が大幅に、しかも、同一外形のパッケージを用いて確保されることになる。 Therefore, even if there is a possibility of an intermediate potential between A and K at the time of reverse bias, if there is no problem under this condition, a sufficient insulation distance (Liso) is ensured without the drawing process, and therefore It is considered that the withstand voltage (Viso) is also secured.
Specifically, the resin sealing portion 18 is formed with a recess 19 left as an extraction trace of the external lead-out terminal 17 or with the external lead-out terminal 17 left, Liso = 1.2 mm (conventional) However, Liso = 3.9 mm (the present invention) is secured. As a result, according to a simple calculation, Viso = 1200V (conventional), but withstand voltage is significantly increased to 3900V (present invention), and a package having the same external shape is secured.

次に、図１１に示した従来のリードフレームと比較すると、従来のリードフレームでは放熱板２５と一体となった中央の外部導出端子が、該放熱板２の中央下部を占有していたため、該放熱板２５の形状が制限されていた。しかし、本発明のリードフレームによれば、その部分に余裕ができるので、前述したように必要に応じてその部分の面積を横方向に拡大することができる。このことにより、さらに主回路を通るＫ側外部導出端子１５への放熱効果が図１の太線Ｆで示したような経路を経て重畳されることになる。 Next, in comparison with the conventional lead frame shown in FIG. 11, in the conventional lead frame, the central external lead-out terminal integrated with the heat sink 25 occupied the lower center of the heat sink 2. The shape of the heat sink 25 was limited. However, according to the lead frame of the present invention, there is a margin in that portion, and as described above, the area of that portion can be expanded in the lateral direction as necessary. As a result, the heat radiation effect to the K-side external lead-out terminal 15 passing through the main circuit is further superimposed through a route as indicated by the thick line F in FIG.

また、本発明のリードフレームでは、Ｎｉメッキをリードフレームの全面ではなく帯状、あるいは部分的に施すことが可能となるので、該リードフレームのコスト・ダウンが可能となることは勿論、Ｃｕのムクの表面がそれ以外の部分に用いることができ、封止用樹脂との接着強度の増加によりＰＣＴ等に対する耐性の向上や、また、外部導出端子の半田メッキ処理が非常に楽になるという効果が生じる。 Further, in the lead frame of the present invention, it is possible to apply Ni plating not to the entire surface of the lead frame, but also to form a strip or a part thereof. The surface can be used for other parts, and the effect of improving the resistance to PCT and the like due to the increase in the adhesive strength with the sealing resin, and the solder plating treatment of the external lead-out terminal becomes very easy. .

以上を総合した効果として、上記リードフレームを使用して最終的に図１に示した本発明に係る実施例１の樹脂封止型半導体装置１１を組立てた場合、Ｖｉｓｏ，ＶＲ，ＶＦ，Ｒｔｈ等の特性を向上させることできることはいうまでもない。
また、本発明の他の目的であった、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、樹脂モールド工程、タイバカット工程、検査工程等の各工程で従来の工程との両立・共通性、また、新規投資や大した追加工程を伴うことなく、総合的に見てＫ側外部導出端子５へのボンディング工程の廃止による効果、及び本発明によって得られる新たな効果を比較考量すれば、本発明の優れたところが自ずと明らかとなる。 As a combined effect, when the resin-encapsulated semiconductor device 11 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is finally assembled using the above lead frame, Viso, V R , V F , Needless to say, characteristics such as Rth can be improved.
In addition, in other processes of the present invention, such as a die bonding process, a wire bonding process, a resin molding process, a tie bar cutting process, and an inspection process, compatibility and commonality with conventional processes, as well as new investment and large If the effects of the abolishment of the bonding process to the K-side external lead-out terminal 5 and the new effects obtained by the present invention are weighed together without any additional process, the superiority of the present invention is naturally found. It becomes clear.

なお、上記実施例１及び実施例２では、放熱板１２の裏面側に薄い樹脂封止部１８ａを形成する絶縁型かつ樹脂封止型半導体装置を例にして述べてきたが、勿論類似の非絶縁型かつ樹脂封止型半導体装置に上記本発明思想を反映させることは充分可能である。   In the first and second embodiments, the insulating and resin-encapsulated semiconductor device in which the thin resin-encapsulated portion 18a is formed on the back side of the heat sink 12 has been described as an example. The above idea of the present invention can be reflected in the insulating and resin-encapsulated semiconductor device.

本発明の樹脂封止型半導体装置の平面から見たイメージ図である。（実施例１）It is the image figure seen from the plane of the resin-sealed semiconductor device of this invention. Example 1 上記半導体装置の側面から見たイメージ図である。It is the image figure seen from the side of the said semiconductor device. 上記半導体装置に使用する本発明リードフレームの一部を示す平面図である。（実施例２）It is a top view which shows a part of lead frame of this invention used for the said semiconductor device. (Example 2) 従来の樹脂封止型半導体装置の平面から見たイメージ図である。It is the image figure seen from the plane of the conventional resin-encapsulated semiconductor device. 上記従来の半導体装置の側面から見たイメージ図である。It is the image figure seen from the side of the said conventional semiconductor device. 本発明で対象とする半導体装置の回路構成を示すシンボル図である。It is a symbol figure which shows the circuit structure of the semiconductor device made into object by this invention. 従来例として説明するために用いた樹脂封止型半導体装置の平面から見たイメージ図である。It is the image figure seen from the plane of the resin-sealed semiconductor device used in order to explain as a conventional example. 上記半導体装置のタイプで絶縁型を説明するために用いた側面イメージ図である。It is a side image figure used in order to explain an insulation type in the type of the above-mentioned semiconductor device. 上記半導体装置のタイプで非絶縁型を説明するために用いた側面イメージ図である。It is a side image figure used in order to explain a non-insulation type in the type of the above-mentioned semiconductor device. 上記絶縁型半導体装置であって、その端子配置を説明するための平面イメージ図である。It is the said insulation type semiconductor device, Comprising: It is a plane image figure for demonstrating the terminal arrangement | positioning. 従来の３端子リードフレームの一部を示す平面図である。It is a top view which shows a part of conventional 3 terminal lead frame. 上記従来のリードフレームの改良型リードフレームの一部を示す平面図である。It is a top view which shows a part of improved lead frame of the said conventional lead frame. 上記改良型リードフレームの欠点を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the fault of the said improved type lead frame.

符号の説明Explanation of symbols

１１ 樹脂封止型半導体装置
１２ 放熱板
１２ａ チップボンディング領域
１４ Ａ側外部導出端子
１４ａ，１５ａ ボンディングポスト部
１５ Ｋ側外部導出端子
１６ａ ボンディングワイヤ
１７ 抜き取られた外部導出端子
１８ 樹脂封止部
１８ａ 薄い樹脂封止部
１９ 凹部
２０ リードフレーム
２１ 第１タイバ
２２ 第２タイバ
２３，２４ リード部
２５ 幅広部
２６ 短冊部
２７ 切欠部
２８，３０ ボンディングポスト形成部
２９ 仮端子部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Resin sealing type | mold semiconductor device 12 Heat sink 12a Chip bonding area | region 14 A side external derivation | leading-out terminal 14a, 15a Bonding post part 15 K side external derivation | leading-out terminal 16a Bonding wire 17 Extracted external derivation terminal 18 Resin sealing part 18a Thin resin Sealing part 19 Recess 20 Lead frame 21 First tie bar 22 Second tie bar 23, 24 Lead part 25 Wide part 26 Strip part 27 Notch part 28, 30 Bonding post forming part 29 Temporary terminal part

Claims (5)

リードフレームの第１タイバから幅方向に直角に延出した３本のリード部を有する複数種類の樹脂封止型半導体装置を製作する際に使用される共用リードフレームにおいて、
両側に位置するリード部の一方と一体的に形成され、かつ、他方のリード部側に延び、該他方のリード部とは分離されている幅広部と、前記両端に位置する２本のリード部の中間に位置し、特定種類の樹脂封止型半導体装置を製作した場合に、該半導体装置の樹脂封止部に対して、先端部が該樹脂封止部の端面から内部に所定寸法だけ埋没するように、前記幅広部と分離して形成された前記第１タイバから延出の中間リード部とを有することを特徴とするリードフレーム。 In a common lead frame used when manufacturing a plurality of types of resin-encapsulated semiconductor devices having three lead portions extending perpendicularly in the width direction from the first tie bar of the lead frame,
A wide portion formed integrally with one of the lead portions located on both sides and extending to the other lead portion side and separated from the other lead portion, and two lead portions located on both ends When a specific type of resin-encapsulated semiconductor device is manufactured, the tip of the resin-encapsulated portion of the semiconductor device is embedded within a predetermined dimension from the end surface of the resin-encapsulated portion. As described above, the lead frame includes an intermediate lead portion extending from the first tie bar formed separately from the wide portion. 前記リードフレームが、銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金によって製作され、前記両端に位置するリード部のうち、少なくも一方のリード部先端位置のボンディングポスト部となる部分にニッケル（Ｎｉ）メッキが施され、他の部分はＣｕ又はＣｕ合金のムク面であることを特徴とする請求項１に記載したリードフレーム。 The lead frame is made of copper (Cu) or a Cu alloy, and nickel (Ni) plating is applied to at least one of the lead portions located at both ends of the lead frame to become a bonding post portion. 2. The lead frame according to claim 1, wherein the other portion is a rough surface of Cu or a Cu alloy. 前記幅広部とリード部との連結部分を、他方に位置するリード部側に面積を拡張して放熱面積を増大させたことを特徴する請求項１又は請求項２に記載されたリードフレーム。 3. The lead frame according to claim 1, wherein an area of the connecting portion between the wide portion and the lead portion is extended to a lead portion located on the other side to increase a heat radiation area. 両側に配置された外部導出端子のうち、一方の外部導出端子の先端部に形成したボンディングポスト部とは分離して配置された幅広のチップダイボンディング領域を有し、かつ、他方の外部導出端子と連続して一体的に形成された放熱板と、該放熱板の前記チップダイボンディング領域に搭載・固着された半導体チップと、該半導体チップの表面電極と一方の外部導出端子の前記ボンディングポスト部とを連結するボンディングワイヤと、前記半導体チップが搭載・固着された放熱板及び該放熱板に連続して一体的に形成された外部導出端子の少なくとも根本部及び前記一方の外部導出端子の前記ボンディングポスト部を少なくとも含むようにしてモールドして形成された樹脂封止部とを備え、両側の前記外部導出端子間には、リードフレームのタイバカット時に、中央の小片状外部導出端子の一部が前記樹脂封止部に残存するようにタイバカットすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 Of the external lead-out terminals arranged on both sides, it has a wide chip die bonding region arranged separately from the bonding post formed at the tip of one external lead-out terminal, and the other external lead-out terminal A heat sink integrally formed continuously, a semiconductor chip mounted and fixed in the chip die bonding region of the heat sink, a surface electrode of the semiconductor chip, and the bonding post portion of one external lead-out terminal A bonding wire for connecting the semiconductor chip, a heat sink on which the semiconductor chip is mounted and fixed, and at least a root portion of the external lead terminal formed integrally with the heat sink and the bonding of the one external lead terminal A resin sealing portion formed by molding so as to include at least a post portion, and between the external lead-out terminals on both sides, lead frames During the bar cutting, the center of the small pieces externally drawn resin-sealed semiconductor device in which a part is characterized in that tie-bar cutting to remain in the resin sealing portion of the pin. 両側に位置するリード部の一方と一体的に形成され、かつ、他方のリード部側に延び、該他方のリード部とは分離されている幅広部と、前記両端に位置する２本のリード部の中間に位置し、特定種類の樹脂封止型半導体装置を製作した場合に、該半導体装置の樹脂封止部に対して、先端部が該樹脂封止部の端面から内部に所定寸法だけ埋没するように、前記幅広部と分離して形成された前記第１タイバから延出の中間リード部とを有するリードフレームを用い、前記幅広部への半導体チップの搭載・固着及び該半導体チップの表面電極と一方のリードとのワイヤボンディングを行なって所定の組立体を製造する工程と、該組立工程を経たフレームを樹脂封止用金型に装着し、封止樹脂を充填して所定の位置に樹脂封止部を形成する工程と、該工程を経て取り出したリードフレームを所定の位置でタイバカットし、両側の外部導出端子間に位置し、前記樹脂封止部内に残存する小片状の外部導出端子を抜き取るか又はそのまま残存させる工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。

A wide portion formed integrally with one of the lead portions located on both sides and extending to the other lead portion side and separated from the other lead portion, and two lead portions located on both ends When a specific type of resin-encapsulated semiconductor device is manufactured, the tip of the resin-encapsulated portion of the semiconductor device is embedded within a predetermined dimension from the end surface of the resin-encapsulated portion. Thus, using a lead frame having an intermediate lead portion extending from the first tie bar formed separately from the wide portion, mounting and fixing of the semiconductor chip to the wide portion and the surface of the semiconductor chip A process of manufacturing a predetermined assembly by performing wire bonding between the electrode and one of the leads, and mounting the frame that has undergone the assembly process on a mold for resin sealing and filling the sealing resin into a predetermined position Forming a resin sealing portion; and A step of cutting the lead frame taken out in a predetermined position at a predetermined position, and extracting or leaving the small lead-out external lead terminals remaining in the resin sealing portion between the external lead terminals on both sides; A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising:

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KR101063276B1 (en) 2010-03-23 2011-09-07 산켄덴키 가부시키가이샤 The semiconductor device

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