JP2005129519A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device

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JP2005129519A JP2004289742A JP2004289742A JP2005129519A JP 2005129519 A JP2005129519 A JP 2005129519A JP 2004289742 A JP2004289742 A JP 2004289742A JP 2004289742 A JP2004289742 A JP 2004289742A JP 2005129519 A JP2005129519 A JP 2005129519A
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Toshio Ikeda
Yasuo Nakamura
Keiko Saito
Junichiro Sakata
Shunpei Yamazaki
康男 中村
淳一郎 坂田
舜平 山崎
恵子 斎藤
寿雄 池田
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Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device that is high in color purity of light and is high in light extraction efficiency, where sputtering is used to form an electrode on an electroluminescent layer without damage to a layer containing an organic material. <P>SOLUTION: This light-emitting device comprises a first light-emitting element that emits red light, a second light-emitting element that emits green light, a third light-emitting element that emits blue light, and a color filter. The color filter comprises a first coloring layer that selectively transmits red light, a second coloring layer that selectively transmits green light, and a third coloring layer that selectively transmits blue light. The first to third light-emitting elements respectively correspond to the first to third coloring layers. Each of the first to third light-emitting elements has a first electrode, an electroluminescent layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the electroluminescent layer. A layer in the electroluminescent layer in contact with the second electrode contains a metal oxide or a benzoxazole derivative. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光素子を各画素に有する発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device having a light-emitting element in each pixel.

発光素子は自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置(LCD)で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。 Emitting element has high visibility for emitting light themselves, with the required backlight in a liquid crystal display device (LCD) is optimal for thinning requires no, there is no limitation on a viewing angle. そのため発光素子を用いた発光装置は、CRTやLCDに代わる表示装置として注目されており、実用化が進められている。 Therefore the light emitting device using a light emitting element is attracting attention as a display device in place of a CRT or LCD, commercialization has been advanced. 発光素子の1つであるOLED(Organic Light Emitting Diode)は、電場を加えることでルミネッセンス(Electroluminescence)が得られる電界発光材料を含む層(以下、電界発光層と記す)と、陽極と、陰極とを有している。 Is one OLED light emitting elements (Organic Light Emitting Diode) is a layer containing an electroluminescent material luminescence (Electroluminescence) can be obtained by applying an electric field (hereinafter, referred to as an electroluminescent layer), and an anode, a cathode have. 陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが電界発光層で結合することで、発光が得られる。 Holes injected from the anode, that is the electrons injected from the cathode bind with the electroluminescent layer, light emission can be obtained. 電界発光層から得られるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とが含まれる。 The luminescence obtained from the electroluminescent layer include a light emission upon return from a singlet excited state to a ground state (fluorescence) and light emission in returning to a base state from a triplet excited state (phosphorescence).

得られた光は、陽極側でも、陰極側でも、原理的にはどちらからでも取り出すことが可能である。 The resulting light is also on the anode side, at the cathode side, it is possible to retrieve from either the principle. アクティブマトリクス型の発光装置の場合だと、陽極と陰極のうち、配線やトランジスタのゲート電極が形成された基板に対して、より遠い側の電極から光を取り出す方が、高精細化に伴う開口率の低下に依存せずに高い取り出し効率を維持できるので、より望ましい。 That's the case of an active matrix light-emitting device, of the anode and the cathode, the substrate of the gate electrode wiring and transistors are formed, it is better to take out the light from the farther side electrode, an opening associated with high definition since a high extraction efficiency regardless of the reduction rate can be maintained, more desirable. そして電極からの光の取り出しは、光を透過する程度に電極を薄く形成するか、もしくは透明導電膜で電極を形成するか、いずれかの方法を用いることで行なうことができる。 The extraction of light from the electrodes, or forming a thin electrode enough to transmit light, or a transparent conductive film or to form an electrode can be performed by using any method. しかし上記2つの方法のうち、前者の方法では透過率に限界があるため、光の取り出し効率を十分に高めることが難しい。 But among the two methods, for the former method is limited to the transmittance, it is difficult to increase the light extraction efficiency sufficiently.

一方、後者の方法を用いる場合、前者に比べて光の取り出し効率を高めることが比較的容易である。 On the other hand, when using the latter method, it is relatively easy to increase the light extraction efficiency as compared to the former.

しかし、ITO(Indium Tin Oxide)に代表される透明導電膜をスパッタ法で電界発光層上に形成すると、電界発光層内の有機物を有する層が損傷(スパッタダメージ)を受けてしまうという問題があった。 However, when an ITO (Indium Tin Oxide) transparent conductive film typified formed over the electroluminescent layer by sputtering, there is a problem that a layer having an organic substance of the electroluminescent layer will receive damage (sputter damage) It was. なお蒸着法を用いて透明導電膜を形成する場合、該有機物を有する層に与えられる損傷を抑えることができるが、この場合、形成される電極の透過率は低くなり、抵抗率は高くなるため好ましくない。 In the case of forming the transparent conductive film by an evaporation method, it is possible to suppress the damage done to the layer having the organic material, in this case, the transmittance of the electrode to be formed is low, the higher the resistance ratio unfavorable. よって、有機物を含む層に損傷を与えることなく、スパッタ法を用いて電界発光層上に電極を形成することができる、発光装置の提案が望まれている。 Thus, without damaging the layer containing the organic substance, it is possible to form the electrode over the electroluminescent layer by sputtering, proposals of the light emitting device is desired.

また、発光装置でフルカラーの表示を行なうには、R(赤)G(緑)B(青)に対応した三種類の発光素子を用いる方法や、白色発光の発光素子とカラーフィルターを組み合わせる方法を用いるのが一般的である。 Further, to perform full-color display with a light emitting device, a method of using the R (red) G (green) three kinds of light emitting elements corresponding to B (blue), a method of combining a light emitting element and a color filter of the white light emitting it is generally used. しかし前者の場合、R(赤)G(緑)B(青)に対応した発光の色純度を高める必要があり、電界発光材料及び素子構成を最適化するためのコストと時間がかかる。 However the former case, it is necessary to increase the R (red) G (green) B (blue) color purity of light emission corresponding to, costly and time to optimize the electroluminescent material and element structure. また後者の場合、カラーフィルターによって遮蔽された光が無駄になり、消費電力の割に高い輝度が得られないという問題があった。 Also in the latter case, it wasted light that is shielded by the color filters, high brightness in spite of the consumption power is not be obtained.

本発明では、上述した問題に鑑み、有機物を含む層に損傷を与えることなく、スパッタ法を用いて電界発光層上に電極を形成することができ、なおかつ光の色純度が高く、光の取り出し効率が高い、発光装置の提供を課題とする。 In the present invention, in view of the problems mentioned above, without damaging the layer containing an organic material, by a sputtering method can form the electrode over the electroluminescent layer, yet high color purity of light, the light extraction efficiency is high, it is an object to provide a light emitting device.

本発明では、電界発光層のうち、電界発光層上にスパッタ法で形成される電極に最も近い層にエッチングされにくい材料を用いる。 In the present invention, among the electroluminescent layer, using the etched hard material layer closest to the electrode formed by sputtering over the electroluminescent layer. 具体的には、金属酸化物、またはベンゾオキサゾール誘導体を用いることを発案した。 Specifically, any proposed the use of a metal oxide or benzoxazole derivatives.

前記金属酸化物の具体例としては、モリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等が挙げられ、これらは蒸着法によって形成されることが好ましい。 Specific examples of the above metal oxides, molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx) and the like, which is formed by a vapor deposition method it is preferable. またベンゾオキサゾール誘導体の構造を、化学式1に示す。 The structure of the benzoxazole derivative, represented by Chemical Formula 1.

(式中、Arはアリール基を示し、R1〜R4は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基(ただし、炭素数1〜10)、ハロアルキル基(ただし、炭素数1〜10)、アルコキシル基(ただし、炭素数1〜10)、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。) (In the formula, Ar represents an aryl group, R1 to R4 are each independently hydrogen, halogen, a cyano group, an alkyl group (provided that 1 to 10 carbon atoms), a haloalkyl group (provided that 1 to 10 carbon atoms), alkoxyl group (provided that 1 to 10 carbon atoms), a substituted or unsubstituted aryl group, a heterocyclic residue of substituted or unsubstituted.)
そして本発明の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とを有し、前記電界発光層は単層でも多層でもよく、実際に発光が得られる層(発光層)の他に、キャリア(電子・正孔)輸送性の高い材料を含む層や、キャリア注入性の高い材料を含む層などを組み合わせて構成されたものである。 The light emitting device of the present invention includes a first electrode, the first electrode electroluminescent layer formed on, and a second electrode formed on the electroluminescent layer, said electroluminescent layer may be a multilayer either a single layer, the other layers actually emit light can be obtained (light emitting layer), a layer containing a layer containing a high carrier (electrons and holes) transporting material, a high carrier injecting material those formed by combining the like.

そして例えば、陰極を第1の電極、陽極を第2の電極とする場合、前記電界発光層のうち最も陽極に近い、ホール注入性またはホール輸送性を有する層として、上述したエッチングされにくい材料を用いる。 The example, the first electrode cathode, to the anode of the second electrode, closest to the anode of the electroluminescent layer, as a layer having a hole injecting property or hole transport property, a material that hardly etched described above used. 具体的に、ベンゾオキサゾール誘導体を用いる場合は、当該ベンゾオキサゾール誘導体と、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、FeCl 3 、C 60または2,3,5,6−テトラフルオロー7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン(F 4 −TCNQ)のいずれか一または複数の材料とを含む層を、最も陽極に近くなるように形成する。 Specifically, in the case of using a benzoxazole derivative, and the benzoxazole derivatives, tetracyanoquinodimethane (TCNQ), FeCl 3, C 60 or 2,3,5,6-tetrafluoro-over 7,7,8, the layer containing any one or more materials 8 tetracyanoquinodimethane (F 4 -TCNQ), formed as best close to the anode.

また例えば、陽極を第1の電極、陰極を第2の電極とする場合、前記電界発光層のうち最も陰極に近い、電子注入性または電子輸送性を有する層として、上述したエッチングされにくい材料を用いる。 Further, for example, an anode of the first electrode, to the cathode second electrode, closest to the cathode of the electroluminescent layer, as a layer having an electron injecting or electron transporting property, a material that hardly etched described above used. 具体的に、モリブデン酸化物を用いる場合は、当該モリブデン酸化物と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含む層を、最も陰極に近くなるように形成する。 Specifically, in the case of using a molybdenum oxide, and the molybdenum oxide, alkali metal, alkaline earth metal, or a layer containing any one or more materials of the transition metals, as the most close to the cathode Form. またベンゾオキサゾール誘導体を用いる場合は、当該ベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含む層を、最も陰極に近くなるように形成する。 In the case of using a benzoxazole derivative, and the benzoxazole derivative, alkali metal, alkaline earth metal, or a layer containing any one or more materials of a transition metal is formed so as to most close to the cathode. なお、金属酸化物とベンゾオキサゾール誘導体を共に用いていても良い。 Incidentally, it may be used together metal oxide and benzoxazole derivatives.

上記構成により、第2の電極として、スパッタ法で形成した透明導電膜、例えばインジウム錫酸化物(ITO)や珪素を含有したインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化インジウムに2〜20%の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(Indium Zinc Oxide)等を用いても、電界発光層が有する有機物を含む層への、スパッタダメージを抑えることができ、第2の電極を形成するための物質の選択性が広がる。 With the above configuration, the second electrode, a transparent conductive film formed by sputtering, for example, indium tin oxide (ITO) or silicon indium tin oxide containing (ITSO), 2 to 20% of zinc oxide to indium oxide be used such as IZO mixed with (ZnO) (Indium Zinc Oxide), to the layer containing the organic substance electroluminescent layer has, it is possible to suppress the sputtering damage, selecting the material for forming the second electrode sex is spread. そして本発明では、第2の電極側から光を取り出すことで、第1の電極側から光を取り出す場合よりも、光の取り出し効率を高めることができる。 And in the present invention, by which light is extracted from the second electrode side, than the case where light is extracted from the first electrode side, it is possible to increase the light extraction efficiency.

なお、発光素子から得られる光のスペクトルは、比較的広い波長領域にピークを有している場合が多く、そのため色純度が劣るという問題があり、さらに色純度の高さのみならず発光素子の特性には信頼性の高さも要求されている。 Incidentally, the spectrum of light obtained from a light emitting element, often has a peak in a relatively wide wavelength region, there is a problem that since the color purity is poor, the light-emitting element not only more color purity height It is also required reliability level in characteristics. しかし、両方の特性を十分に満たす発光素子を得るには、開発に時間とコストがかかるのが現状である。 However, to obtain a light emitting device which satisfies both properties sufficiently, at present, it takes time and money to develop. そこで本発明の発光装置では、発光の波長領域が異なる複数の発光素子を用い、なおかつカラーフィルターを用いて、発光素子から発せられる光のうち特定の波長領域を有する光のみ取り出す。 Therefore, in the light emitting device of the present invention uses a plurality of light emitting elements wavelength region of the light emitting are different, yet with a color filter, taken only light having a specific wavelength range among the light emitted from the light emitting element. 上記構成により、比較的広い波長領域を有する発光素子を用いても、該発光素子から得られる光のうち、余分な波長領域をカラーフィルターで遮蔽し、必要な波長領域のみを取り出すことができるので、色純度の高さを確保することが容易であり、よって発光素子に用いられる電界発光材料の選択性を広げることができる。 With the above structure, even when using a light-emitting element having a relatively wide wavelength region, of the light obtained from the light emitting element, shielding the extra wavelength region in the color filter, it is possible to take out only the necessary wavelength region , it is easy to secure a high color purity, thus it is possible to widen the selectivity of the electroluminescent material used in the light-emitting element. また、取り出したい光の波長に合わせて電界発光材料を選択することで、白色発光の発光素子とカラーフィルターを組み合わせる場合よりも、カラーフィルターによって遮蔽される光の量を抑えることができ、取り出し効率を高めることができる。 Further, by selecting the electroluminescent material to the wavelength of light desired to be extracted, than when combining light emitting element and a color filter of the white light emission can be suppressed the amount of light shielded by the color filter, the extraction efficiency it can be increased.

なお本発明の発光装置は、アクティブマトリクス型に限定されず、パッシブマトリクス型であっても良い。 Note emitting device of the present invention is not limited to an active matrix type, it may be a passive matrix type.

上述したように本発明では、有機物を含む層に損傷を与えることなく、スパッタ法を用いて電界発光層上に電極を形成することができるので、スパッタダメージに起因する不良が抑制される発光装置を提供することができる。 In the present invention, as described above, without damaging the layer containing the organic substance, it is possible to form the electrode over the electroluminescent layer by sputtering, the light emitting device defects caused by sputter damage is suppressed it is possible to provide a. よって、電界発光層上に形成される電極の材料の選択性を広げることができる。 Therefore, it is possible to widen the material selection of the electrode formed over the electroluminescent layer. また、カラーフィルターを用いることで光の色純度を容易に高めることができ、また白色の発光素子とカラーフィルターを組み合わせる場合に比べて光の取り出し効率を高めることができる。 Further, it is possible to increase the light extraction efficiency compared to the case can be easily improve color purity of light by using a color filter, also combining the white light emitting element and a color filter. そして、例えば信頼性などの色純度以外の特性をある程度優先させることが可能になるので、該電界発光材料の選択性を広げることができる。 Then, for example, since the characteristics other than color purity and reliability it is possible to some extent the priority, it is possible to widen the selectivity of the field emission material.

次に、本発明の発光装置の構成について説明する。 Next, the configuration of the light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置は、三原色、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する複数の画素と、カラーフィルターとを有している。 The light emitting device of the present invention has three primary colors such as red (R), green (G), and a plurality of pixels corresponding to blue (B), and a color filter. そして各画素は発光素子を有しており、該発光素子から発せられる光は、少なくとも画素に対応する色の波長を含んでいる。 And each pixel has a light emitting element, light emitted from the light emitting element includes a wavelength of a color corresponding to at least pixels. ただし、発光素子から発せられる光のスペクトルは全て同じわけではない。 However, the spectrum of light emitted from the light-emitting element is not the same not all.

そして本発明では、カラーフィルターが有する、特定の波長領域の光の透過率が他の領域に比べて著しく高い層(以下、着色層と呼ぶ)を用いて、各発光素子から発せられた光のうち特定の波長領域の光を遮蔽する。 And in the present invention, a color filter, significantly higher layers transmittance of light compared to other regions of a specific wavelength region (hereinafter, referred to as colored layers) using a light emitted from the light emitting element out to shield light in a specific wavelength region. 例えば赤に対応する画素の発光素子から発せられた光は、該着色層によって赤色の波長領域の光が優先的に透過されるようにする。 For example light emitted from the light emitting element of a pixel corresponding to red, light in the red wavelength region is to be preferentially transmitted by the coloring layer. そして他の色に対応する画素でも同様に、対応する色の波長領域の光が優先的に透過されるようにする。 And similarly with pixels corresponding to other colors, the light of the wavelength region of the corresponding color is to be preferentially transmitted.

図1(A)に、発光素子から発せられる光の色と、着色層を透過する光の色との関係を、模式的に示す。 In FIG. 1 (A), the color of light emitted from the light-emitting element, the relationship between the color of light transmitted through the colored layer, shown schematically. 図1(A)では、101が赤色に対応する画素の発光素子であり、該発光素子101から発せられる光には、赤色(R)の光に加えて赤色以外の色(α)の光も混ざっていると仮定する。 In FIG. 1 (A), 101 is a light emitting element of a pixel corresponding to red, the light emitted from the light emitting element 101, even light in the red was added to the light of (R) other than red color (alpha) assume that are mixed. また同様に、102は緑色に対応する画素の発光素子であり、該発光素子102から発せられる光には、緑色(G)の光に加えて緑色以外の色(β)の光が混ざっていると仮定する。 Similarly, 102 is a light emitting element of a pixel corresponding to green, the light emitted from the light emitting element 102, are mixed light of green (G) colors other than green in addition to light (beta) assume that. 103は青色に対応する画素の発光素子であり、該発光素子103から発せられる光には、青色(B)の光に加えて青色以外の色(γ)の光が混ざっていると仮定する。 103 is a light emitting element of a pixel corresponding to blue, it is assumed that the light emitted from the light emitting element 103, are mixed light of blue added to light (B) other than the blue color color (gamma).

また図1(A)には各画素に対応する着色層を示しており、具体的には、発光素子101に対応する着色層104、発光素子102に対応する着色層105、発光素子103に対応する着色層106を図示している。 Also shows a colored layer corresponding to each pixel in FIG. 1 (A), specifically, the colored layer 104 corresponding to the light emitting element 101, the colored layer 105 corresponding to the light emitting element 102, corresponding to the light-emitting element 103 It illustrates the colored layer 106.

着色層104は赤色の波長領域の光を優先的に透過することができる。 Colored layer 104 may transmit light in the red wavelength region preferentially. つまり、発光素子101から発せられた光のうち、赤色以外の色(α)の光は遮蔽されるため、赤色の光のみを優先的に取り出すことができる。 That is, of the light emitted from the light emitting element 101, since the light in the red than the color (alpha) is shielded, it is possible to take out only the preferentially red light. 同様に、着色層105は緑色の波長領域の光を優先的に透過することができる。 Similarly, the colored layer 105 is capable of transmitting light in the green wavelength region preferentially. つまり、発光素子102から発せられた光のうち、緑色以外の色(β)の光は遮蔽されるため、緑色の光のみを優先的に取り出すことができる。 That is, of the light emitted from the light emitting element 102, the light green color other than (beta) is shielded, it is possible to take out only the preferentially green light. また、着色層106は青色の波長領域の光を優先的に透過することができる。 Further, the colored layer 106 may transmit light in the blue wavelength region preferentially. つまり、発光素子103から発せられた光のうち、青色以外の色(γ)の光は遮蔽されるため、青色の光のみを優先的に取り出すことができる。 That is, of the light emitted from the light emitting element 103, since the light in the blue color other than (gamma) is shielded, it is possible to take out only the preferentially blue light.

よって上記構成により、各発光素子101〜103から発せられる光の色純度が多少劣っていたとしても、画素から取り出される光の色純度を高めることができる。 Therefore the above structure, even if the color purity of light emitted from the light emitting elements 101 to 103 was slightly inferior, it is possible to increase the color purity of light extracted from the pixel. なお、各色に対応する画素の発光素子は、当該発光素子から発せられる光のスペクトルが、該対応する色の波長領域において、他の波長領域に比べ、比較的強いピークを有していることが望ましい。 The light-emitting elements of pixels corresponding to each color, the spectrum of light emitted from the light-emitting element, in the wavelength region of the corresponding color, compared with other wavelength regions, to have a relatively strong peaks desirable. 例えば赤色の画素の場合、発光素子から発せられる光のスペクトルは、赤色の波長領域に比較的強いピークを有するようにすれば良い。 For example, in the case of a red pixel, the spectrum of light emitted from the light-emitting element may be to have a relatively strong peaks in the wavelength range of orange to red. 上記構成によって、各色の画素ごとに、遮蔽される光の量を抑制することができ、白色発光の発光素子を用いる場合に比べて効率良く光を取り出すことができる。 The above configuration, for each pixel of each color, it is possible to reduce the amount of light to be shielded, it is possible to take out light efficiently compared with the case of using a white light-emitting elements.

なお図1(A)では、各色の画素ごとに発光素子から得られる光のスペクトルが異なっている例を示したが、本発明はこの構成に限定されない。 In should be noted FIG. 1 (A), the an example is shown in which the spectrum of light obtained from a light emitting element for each pixel of each color is different, the present invention is not limited to this structure. 例えば3色に対応する画素のうち、2つの色に対応する画素が、同じ光のスペクトルが得られる発光素子を有していても良い。 For example among the pixels corresponding to three colors, pixels corresponding to two colors may have a light emitting element spectrum of the same light is obtained.

図1(B)を用いて、赤色に対応する画素の発光素子と、緑色に対応する画素の発光素子とが、同じ光のスペクトルを有している場合の、本発明の構成について説明する。 Figure 1 using (B), a light emitting element of a pixel corresponding to red, a light emitting element of a pixel corresponding to green, when it has a spectrum of the same light, the configuration of the present invention. 図1(B)では、111が赤色に対応する画素の発光素子、112が緑色に対応する画素の発光素子であり、該発光素子111、112から発せられる光には、赤色(R)の光と緑色(G)の光とが混ざっていると仮定する。 In FIG. 1 (B), the light emitting elements of the pixels 111 corresponding to the red, 112 is a light emitting element of a pixel corresponding to green, the light emitted from the light emitting elements 111 and 112, the light of red (R) assume a light green (G) is mixed with. また、113は青色に対応する画素の発光素子であり、該発光素子113から発せられる光には、青色(B)の光に加えて青色以外の色(δ)の光が混ざっていると仮定する。 Also, 113 is a light emitting element of a pixel corresponding to blue, assume that the light emitted from the light emitting element 113, are mixed light of blue added to light (B) other than the blue color color ([delta]) to.

また図1(B)には各画素に対応する着色層を示しており、具体的には、発光素子111に対応する着色層114、発光素子112に対応する着色層115、発光素子113に対応する着色層116を図示している。 Also shows a colored layer corresponding to each pixel in FIG. 1 (B), specifically, the colored layer 114 corresponding to the light emitting element 111, the colored layer 115 corresponding to the light emitting element 112, corresponding to the light-emitting element 113 It illustrates the colored layer 116.

着色層114は赤色の波長領域の光を優先的に透過することができる。 Colored layer 114 may transmit light in the red wavelength region preferentially. よって、発光素子111から発せられた光のうち、緑色(G)の光は遮蔽されるため、赤色の光のみを優先的に取り出すことができる。 Therefore, among the light emitted from the light emitting element 111, since the light in the green (G) is shielded, it is possible to take out only the preferentially red light. 同様に、着色層115は緑色の波長領域の光を優先的に透過することができる。 Similarly, the colored layer 115 is capable of transmitting light in the green wavelength region preferentially. よって、発光素子112から発せられた光のうち、赤色(R)の光は遮蔽されるため、緑色(G)の光のみを優先的に取り出すことができる。 Therefore, among the light emitted from the light emitting element 112, the light of red (R) is shielded, it is possible to take out only the preferentially light of green (G). また、着色層116は青色の波長領域の光を優先的に透過することができる。 Further, the colored layer 116 may transmit light in the blue wavelength region preferentially. つまり、発光素子113から発せられた光のうち、青色以外の色(δ)の光は遮蔽されるため、青色の光のみを優先的に取り出すことができる。 That is, of the light emitted from the light emitting element 113, since the light in the blue color other than ([delta]) is shielded, it is possible to take out only the preferentially blue light.

このように本発明では、電界発光材料の選択性を大幅に広げることができる。 In this way the present invention, it is possible to widen the selectivity of the electroluminescent material significantly.

次に図2を用いて、本発明の発光装置のより具体的な構成について説明する。 Next, referring to FIG. 2, it will be described a more specific configuration of the light-emitting device of the present invention. 図2は、本発明の発光装置における、画素の断面図の一形態である。 2, the light-emitting device of the present invention, is a form of a cross-sectional view of a pixel. 図2では、基板200上に、TFT201〜203と、発光素子204〜206が形成されている。 In Figure 2, on a substrate 200, a TFT201~203, light emitting elements 204-206 are formed. そして、TFT201と発光素子204は、赤色(R)に対応する画素内に設けられており、TFT201によって発光素子204への電流の供給が制御されている。 Then, TFT 201 and the light emitting element 204 is provided in a pixel corresponding to red (R), the supply of current to the light emitting element 204 is controlled by the TFT 201. またTFT202と発光素子205とは緑色(G)に対応する画素内に設けられており、TFT202によって発光素子205への電流の供給が制御されている。 Also the TFT 202 and the light emitting element 205 is provided in the pixel corresponding to green (G), the supply of current to the light emitting element 205 is controlled by the TFT 202. TFT203と発光素子206とは青色(B)に対応する画素内に設けられており、TFT203によって発光素子206への電流の供給が制御されている。 The light emitting element 206 TFT 203 is provided in the pixel corresponding to blue (B), the supply of current to the light emitting element 206 is controlled by the TFT 203.

また207は、発光素子204〜206を封止するためのカバー材であり、透光性を有している。 The 207 is a cover member for sealing the light emitting elements 204 to 206, have translucency. カバー材207には、可視光を遮蔽するための遮蔽膜208と、各色の画素に対応した着色層209〜211とを有するカラーフィルター212が形成されている。 The cover member 207, a shielding film 208 for shielding the visible light, the color filter 212 is formed with a colored layer 209 to 211 corresponding to the pixel of each color. 図2では、着色層209において、発光素子204から発せられる光のうち、赤色の波長領域の光が選択的に透過される。 In Figure 2, the colored layer 209, among the light emitted from the light emitting element 204, light of a red wavelength region is selectively permeable. また着色層210において、発光素子205から発せられる光のうち、緑色の波長領域の光が選択的に透過される。 In the coloring layer 210, among the light emitted from the light emitting element 205, light in a green wavelength region is selectively permeable. また着色層211において、発光素子206から発せられる光のうち、青色の波長領域の光が選択的に透過される。 In the coloring layer 211, among the light emitted from the light emitting element 206, light in the blue wavelength region is selectively permeable.

遮蔽膜208は、発光素子204〜206どうしの間と重なるようにレイアウトされており、遮蔽膜208により、発光素子の光が、隣接する画素に対応する着色層を透過してしまうのを防ぐことができる。 The shielding film 208 is laid so as to overlap with between and if the light emitting element 204 to 206, the shielding film 208, the light emitting element, be prevented from being transmitted through the colored layer corresponding to the adjacent pixels can.

着色層は、一般的に用いられている材料を用いることができ、例えば樹脂等の透光性を有する有機材料に顔料を分散させて形成することができる。 Colored layer, commonly used can be used by which material can be formed by dispersing a pigment in an organic material having a light-transmitting property, for example, resin or the like. また遮蔽膜は、一般的に用いられている材料を用いることができ、Crなどに代表される金属で形成していても良いし、樹脂等の透光性を有する有機材料に黒色の顔料を分散させて形成しても良い。 The shielding film, the material can be used that is generally used, such as may be in the form of a metal typified Cr, a black pigment to the organic material having a light-transmitting resin it may be formed by dispersing. またインクジェット法を用いて着色層をカバー材に形成しても良い。 Or it may be formed in the cover material to the colored layer by an inkjet method.

また発光素子204は、TFT201と電気的に接続された第1の電極213と、第1の電極213上に形成された電界発光層214と、電界発光層214上に形成された第2の電極215を有しており、第1の電極213と、電界発光層214と、第2の電極215とが重なっている部分が、発光素子204に相当する。 The light emitting element 204 includes a first electrode 213 which is electrically connected to the TFT 201, the electroluminescent layer 214 formed over the first electrode 213, a second electrode formed over the electroluminescent layer 214 It has a 215, a first electrode 213, the electroluminescent layer 214, a portion which overlaps with the second electrode 215 corresponds to the light emitting element 204.

また発光素子205は、TFT202と電気的に接続された第1の電極216と、第1の電極216上に形成された電界発光層217と、電界発光層217上に形成された第2の電極215を有しており、第1の電極216と、電界発光層217と、第2の電極215とが重なっている部分が、発光素子205に相当する。 The light emitting element 205 includes a first electrode 216 which is electrically connected to the TFT 202, a first electrode 216 electroluminescent layer 217 formed on the second electrode formed over the electroluminescent layer 217 It has a 215, a first electrode 216, the electroluminescent layer 217, a portion which overlaps with the second electrode 215 corresponds to the light emitting element 205.

また発光素子206は、TFT203と電気的に接続された第1の電極218と、第1の電極218上に形成された電界発光層219と、電界発光層219上に形成された第2の電極215を有しており、第1の電極218と、電界発光層219と、第2の電極215とが重なっている部分が、発光素子206に相当する。 The light emitting element 206 includes a first electrode 218 which is electrically connected to the TFT 203, the electroluminescent layer 219 is formed over the first electrode 218, a second electrode formed over the electroluminescent layer 219 It has a 215, a first electrode 218, the electroluminescent layer 219, a portion which overlaps with the second electrode 215 corresponds to the light emitting element 206.

なお図2では、各色に対応する画素ごとに、含まれる電界発光材料または素子構成が異なる電界発光層214、217、219を用いているが、本発明は必ずしもこの構成に限定されない。 In FIG. 2, each pixel corresponding to each color, although electroluminescent material or element configurations include use different electroluminescent layers 214,217,219, the invention is not limited to this structure. 少なくとも、2つの色に対応する画素において、含まれる電界発光材料または素子構成が互いに異なる電界発光層を用いていれば良い。 At least, in the pixels corresponding to two colors, electroluminescent material or device configuration it is sufficient with different electroluminescent layers together included.

そして本発明では、電界発光層214、217、219上に形成される電極215は、上述したようなITO、ITSO、IZOなどの透明導電膜を用いており、スパッタ法で形成されている。 And in the present invention, electrode 215 is formed over the electroluminescent layer 214,217,219 is, ITO as described above, ITSO, and a transparent conductive film such as IZO, it is formed by sputtering. そして各電界発光層214、217、219は、第2の電極215に接する最も上の層が、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体を含んでいる。 And each electroluminescent layer 214,217,219, the uppermost layer in contact with the second electrode 215 includes a metal oxide or benzoxazole derivative.

次に図3を用いて、本発明の発光素子の構成について説明する。 Next, referring to FIG. 3, the configuration of the light-emitting element of the present invention. 図3に、本発明における発光素子の素子構成を模式的に示す。 3, the element structure of a light-emitting element in the present invention is shown schematically. 本発明の発光素子301は、基板300上に形成された第1の電極302と、第2の電極303と、第1の電極302と第2の電極303間に設けられた電界発光層304とを有する。 Emitting device 301 of the present invention includes a first electrode 302 formed on a substrate 300, a second electrode 303, the first electrode 302 and the electroluminescent layer 304 provided between the second electrode 303 having. なお実際には、基板300と発光素子301間には各種の層または半導体素子などが設けられている。 In fact Incidentally, between the substrate 300 emitting element 301, such as the various layers or the semiconductor element is provided.

第1の電極302と第2の電極303は、いずれか一方が陽極、他方が陰極に相当する。 A first electrode 302 a second electrode 303 is one of an anode and the other corresponds to a cathode. 図3では、第1の電極302を陰極、第2の電極303を陽極とする。 In Figure 3, the cathode of the first electrode 302, the second electrode 303 is an anode. そして本発明では、電界発光層304のうち、電界発光層304上に形成される第2の電極303に最も近い層305に、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体などの、スパッタによりエッチングされにくい材料を含ませる。 And in the present invention, among the electroluminescent layer 304, the layer closest 305 to the second electrode 303 is formed over the electroluminescent layer 304, such as a metal oxide or benzoxazole derivative, a material that hardly etched by sputtering It is included. 具体的に図3では、第2の電極303は陽極である例を示しているので、第2の電極303に最も近い層305にホール注入性をもたせるために、ベンゾオキサゾール誘導体を用いる場合は、当該ベンゾオキサゾール誘導体と、TCNQ、FeCl 3 、C 60またはF 4 −TCNQいずれか一または複数の材料とを含ませる。 Specifically, in FIG. 3, since the second electrode 303 is an example of an anode, in order to have a hole injecting property to the layer closest 305 to the second electrode 303, in the case of using a benzoxazole derivative, and the benzoxazole derivative, TCNQ, FeCl 3, C 60 or F 4 to include a -TCNQ any one or more materials.

また金属酸化物は、モリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等を用いることができる。 The metal oxide is a molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), it can be used tungsten oxide (WOx) or the like. このように金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体を用いることで、第2の電極303をスパッタ法で形成する際に、電界発光層304のうち有機物を含む層へのスパッタダメージを抑制することができる。 By using such a metal oxide or benzoxazole derivatives, in forming the second electrode 303 by sputtering, to suppress the sputtering damage to the layer containing an organic substance of the electroluminescent layer 304. なお、第2の電極303に最も近い層305は、金属酸化物を含んでいる場合でも、ベンゾオキサゾール誘導体を含んでいる場合でも、共に蒸着法を用いて形成することができる。 Incidentally, the closest layer 305 to the second electrode 303, even if it contains a metal oxide, even if it contains benzoxazole derivatives, can be formed both by an evaporation method. また膜厚を10nm以上とすることで、スパッタ法に起因した損傷を抑制する効果を高めることができる。 Also With more than 10nm thickness, it is possible to enhance the effect of suppressing the damage due to sputtering.

なお、逆に第1の電極302が陽極、第2の電極303が陰極である場合、第2の電極303に最も近い層305に電子注入性をもたせるために、金属酸化物、ベンゾオキサゾール誘導体のいずれを用いる場合でも、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料を該層に含ませるようにする。 Note that the first electrode 302 on the contrary anode, if the second electrode 303 is a cathode, in order to provide electron injection into the layer closest 305 to the second electrode 303, a metal oxide, a benzoxazole derivative even when using any alkali metal, alkaline earth metal, or any one or more materials of a transition metal to be contained in the layer.

本発明の発光装置は、カラーフィルターが有する遮蔽膜によって、第1の電極において外光が反射し、鏡面のように画素部に物が映りこむのを防ぐことができる。 The light emitting device of the present invention can be prevented by shielding film color filter has, outside light is reflected at the first electrode, that the things reflected on the pixel portion like a mirror. よって、透過率がカラーフィルターに比べて著しく低い偏光板を用いる必要がなく、光の取り出し効率を飛躍的に高めることができる。 Accordingly, transmittance is not necessary to use a significantly lower polarizing plate as compared to the color filter, the light extraction efficiency can be increased remarkably. また、色純度を高めるために微小共振器(マイクロキャビティー)のような構成を用い、光の減衰による取り出し効率の低下を招くこともない。 Furthermore, the microresonator in order to improve color purity using the configuration as (microcavity), nor causing a decrease in extraction efficiency by attenuation of light.

本実施例では、発光素子と、カラーフィルターが有する着色層及び遮蔽膜との、レイアウトの一形態について説明する。 In this embodiment, a light emitting element, the colored layer and the shielding layer color filter has, for one form of layout is described.

図4(A)に、本発明の発光装置が有する画素の上面図を示す。 In FIG. 4 (A), shows a top view of a pixel included in a light emitting device of the present invention. ただし図4(A)では、カバー材で封止する前の状態を示しており、401〜403は発光素子、404は画素への信号または電源電圧の供給を制御するための配線に相当する。 However, in FIG. 4 (A), the shows the state before sealing with a cover material, 401 to 403 light emitting element, 404 is equivalent to a wiring for controlling the supply of signals or power supply voltage to the pixel. なお各種層間膜及び隔壁は省略して示す。 Note various interlayer film and the partition wall is omitted from illustration. 本実施例では、発光素子401が、赤色(R)に対応する画素に形成されており、発光素子402が、緑色(G)に対応する画素に形成されており、発光素子403が、青色(B)に対応する画素に形成されているものと仮定する。 In this embodiment, the light emitting element 401 is formed in the pixel corresponding to red (R), the light emitting element 402 is formed in the pixel corresponding to green (G), the light emitting element 403, the blue ( assume formed in the pixels corresponding to B).

次に図4(B)に、図4(A)に示した画素をカバー材で封止した様子を示す。 Then in FIG. 4 (B), showing a state in which sealed with a cover member of the pixels shown in FIG. 4 (A). 405は遮蔽膜であり、発光素子401〜403間を埋めるようにレイアウトされている。 405 is a shielding film, are laid so as to fill the space between the light emitting element 401 to 403. そして406〜408は着色層に相当し、遮蔽膜405の開口部に形成されている。 And 406-408 correspond to the colored layer, is formed in the opening of the shielding film 405. そして着色層406により、発光素子401からの光のうち、赤色の波長領域の光を選択的に取り出すことができる。 Then the colored layer 406, of the light from the light emitting element 401 can be extracted selectively light in the red wavelength region. また、着色層407により、発光素子402からの光のうち、緑色の波長領域の光を選択的に取り出すことができる。 Further, the colored layer 407, of the light from the light emitting element 402, light can be extracted in the green wavelength region selectively. 着色層408により、発光素子403からの光のうち、青色の波長領域の光を選択的に取り出すことができる。 The colored layer 408, of the light from the light emitting element 403 can be extracted selectively light in a blue wavelength region.

本実施例では、カラーフィルターによる色純度の向上の仕組みについて説明する。 In this embodiment, a description about how to improve the color purity by color filters.

図5(A)に、着色層における光の波長と透過率の関係を、一例として示す。 In FIG. 5 (A), the relationship between the wavelength and transmittance of light in the colored layer, as an example. 図5(A)では、600nmよりも短い波長領域が、600nmよりも長い波長領域よりも、透過率が著しく低くなっている。 In FIG. 5 (A), a shorter wavelength region than 600nm is also longer wavelength region than 600nm, the transmittance is extremely low.

また図5(B)に、赤色の波長領域の光に、緑色の波長領域の光が混ざっている場合の、スペクトルを示す。 Also in FIG. 5 (B), the light in the red wavelength region, a case where a mix of light in a green wavelength region, shows a spectrum. 図5(B)に示すスペクトルは、700nmを含む赤色の波長領域にピークを有するほか、550〜600nmにおいて小さなショルダーが見られる。 Spectrum shown in FIG. 5 (B), in addition to having a peak in the red wavelength region including the 700 nm, a small shoulder is observed at 550 to 600 nm. このようなスペクトルを有する光は、赤色の純度が低く、若干緑がかって見えてしまう。 Such light having a spectrum, low red purity, thus looks slightly greenish.

そして、図5(B)に示すスペクトルが得られる光を、図5(A)に示す特性を有する着色層に通すことで、図5(C)に示すようなスペクトルを有する光が得られる。 Then, the light obtained spectrum shown in FIG. 5 (B), by passing through the colored layers having the characteristics shown in FIG. 5 (A), light having a spectrum as shown in FIG. 5 (C) is obtained. 具体的に図5(C)では、546nmを含む緑色の波長領域に近い、600nm以下の波長の光が遮蔽されるため、図5(B)のスペクトルが有するショルダーはほぼ低減する。 Specifically, in FIG. 5 (C), the closer to the green wavelength region including the 546 nm, the light having a wavelength of not more than 600nm is shielded, a shoulder having the spectrum shown in FIG. 5 (B) is substantially reduced. 従って、着色層を通して取り出された光は、赤色の色純度が高められる。 Thus, light extracted through the colored layer, the red color purity is enhanced.

なお、赤色、緑色、青色の波長領域は、設計者が所望する色純度の高さに合わせて適宜設定することができる。 Note that the red, green, blue wavelength region can be set as appropriate in accordance with the height of the color purity by the designer desires. より高い色純度が要求される場合、当該色に対応する波長領域の幅を狭めればよい。 If a higher color purity is required, it narrowed the width of the wavelength region corresponding to the color.

本実施例では、本発明の発光装置が有する発光素子の、具体例について説明する。 In this embodiment, the light-emitting element emitting device of the present invention have a specific example will be described.

図6(A)を用いて、青色の波長領域の光が得られる、発光素子の素子構成を示す。 Figure 6 using (A), the light of blue wavelength region obtained showing an element structure of the light-emitting element. 図6(A)に示す発光素子は、基板600上に、第1の電極601と、第1の電極601上に形成された電界発光層602と、電界発光層602上に形成された第2の電極603とを有している。 The light-emitting element shown in FIG. 6 (A), a substrate 600 on a first electrode 601, the electroluminescent layer 602 formed on the first electrode 601, second formed over the electroluminescent layer 602 and a electrode 603. なお図6(A)では、第1の電極601が陰極、第2の電極603が陽極に相当する。 Note that in FIG. 6 (A), the first electrode 601 is a cathode, the second electrode 603 corresponds to the anode.

本発明では、第1の電極601に、一般的に発光素子の陰極に用いられるような仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。 In the present invention, the first electrode 601, typically a metal having a low work function such as those used in the cathode of the light emitting element, an alloy, an electrically conductive compound, and the like can be used a mixture thereof. 具体的には、LiやCs等のアルカリ金属、およびMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Liなど)の他、YbやEr等の希土類金属を用いて形成することもできる。 Specifically, Li or an alkali metal such as Cs, Mg, Ca, or an alkaline earth metal Sr, an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li, etc.) of other rare earth such as Yb or Er It can be formed using a metal. また、電子注入性の高い材料を含む層を第1の電極601に接するように形成するので、アルミニウム等の通常の導電膜も用いることができる。 Further, since a layer containing a high electron-injecting material in contact with the first electrode 601, it can be used normally conductive film such as aluminum.

第2の電極603としては、仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。 As the second electrode 603, it is preferable to use a conductive material having a large work function. 第2の電極603において光を透過させる場合は、透光性の高い材料を用いる。 If that transmits light in the second electrode 603, using a high light-transmitting material. この場合、例えばインジウム−スズ酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素を含むインジウム−スズ酸化物(ITSO)等の透明導電性材料を用いればよい。 In this case, for example, indium - tin oxide (ITO), indium - zinc oxide (IZO), indium oxide containing silicon oxide - may be formed using a transparent conductive material of tin oxide (ITSO), or the like.

また図6(A)では、電界発光層602は、第1〜第5の層604〜608を有している。 Also in FIG. 6 (A), the electroluminescent layer 602 has the first to fifth layers 604-608. 陰極である第1の電極601に接して形成されている第1の層604は、電子注入性の高い材料を用いるのが望ましい。 The first layer 604 which is formed in contact with the first electrode 601 is a cathode, it is desirable to use a high electron injecting material. 具体的には、LiF、CsFなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、CaF 2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Li 2 Oなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。 Specifically, LiF, and alkali metal halides such as CsF, alkaline earth halide such as CaF 2, ultra-thin film of an insulating material as an alkali metal oxide such as Li 2 O is often used. また、リチウムアセチルアセトネート(略称:Li(acac)や8−キノリノラト−リチウム(略称:Liq)などのアルカリ金属錯体も有効である。また、モリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等の金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含むようにしても良い。 Further, lithium acetylacetonate (abbreviation:. Li (acac) and 8-quinolinolato - lithium (abbreviation: Liq) alkali metal complexes, such as is also effective Molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), and a metal oxide or benzoxazole derivatives such as tungsten oxide (WOx), alkali metal, may be included and any one or more materials of alkaline earth metals or transition metals.

また第1の層604上に形成されている第2の層605には、電子輸送性の高い材料を用いることが望ましい。 Also in the second layer 605 which is formed on the first layer 604, it is desirable to use a high electron-transporting material. 具体的には、Alq 3に代表されるような、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体やその混合配位子錯体などを用いることができる。 Specifically, as typified by Alq 3, a metal complex or their mixed ligand complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton can be used. 具体的には、Alq 3 、Almq 3 、BeBq 2 、BAlq、Zn(BOX) 2 、Zn(BTZ) 2などの金属錯体が挙げられる。 Specifically, Alq 3, Almq 3, BeBq 2, BAlq, Zn (BOX) 2, metal complexes such as Zn (BTZ) 2 and the like. さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(OXD−7)などのオキサジアゾール誘導体、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(p−EtTAZ)などのトリアゾール誘導体、TPBIのようなイミダゾール誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)、バソキュプロイン(BCP)などのフェナントロリ Besides the metal complexes, 2- (4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD), 1,3-bis [5-(p oxadiazole derivatives such as -tert- butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (OXD-7), 3- (4-tert- butylphenyl) -4-phenyl -5 - (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2, triazole derivatives such as 4-triazole (p-EtTAZ), imidazole derivatives such as TPBI, bathophenanthroline (BPhen), Fenantorori such bathocuproine (BCP) 誘導体を用いることができる。 It can be used derivatives.

また第2の層605上に形成されている第3の層606には、イオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料を用いるのが望ましい。 Also in the third layer 606 which is formed on the second layer 605, a large ionization potential, and to use a material having a large band gap is desired. 具体的には、例えばペリレン誘導体(ペリレン、アルキルペリレン、アリールペリレンなど)、アントラセン誘導体(アルキルアントラセン、ジアリールアントラセンなど)、ピレン誘導体(アルキルピレン、アリールピレン)などの縮合芳香環を用いることができる。 Specifically, for example, perylene derivatives (perylene, alkyl perylene, and aryl perylene), anthracene derivatives (alkyl anthracene, diaryl anthracene, etc.), pyrene derivatives (alkyl pyrene, aryl pyrene) can be used a condensed aromatic ring such as. また、ジスチリルアリーレン、シロール誘導体、クマリン誘導体、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−(4−ヒドロキシ−ビフェニリル)−アルミニウム(BAlq)などの金属錯体も用いることができる。 Further, distyryl arylene, silole derivatives, coumarin derivatives, bis (2-methyl-8-quinolinolato) - (4-hydroxy - biphenylyl) - metal complexes such as aluminum (BAlq) can be used. 上記材料は、ドーパントとしても、単層膜としても用いることができる。 Said material, as a dopant, can be used as a single layer.

第3の層606上に形成されている第4の層607には、ホール輸送性が高く、結晶性の低い公知の材料を用いることが望ましい。 The fourth layer 607 is formed over the third layer 606, hole-transporting property is high, it is desirable to use a low crystallinity known material. 具体的には芳香族アミン系(すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物が好適であり、例えば、4,4'−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(TPD)や、その誘導体である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)などがある。 Specifically, the aromatic amine-based (that is, benzene rings - one having a nitrogen bond) is preferable compounds, for example, 4,4'-bis [N-(3- methylphenyl) -N- phenylamino ] biphenyl (TPD) or, a derivative thereof such as 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenyl -, and the like amino] biphenyl (α-NPD). 4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)や、MTDATAなどのスターバースト型芳香族アミン化合物も用いることができる。 4,4 ', 4' '- tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (TDATA) and may also be used starburst aromatic amine compounds such as MTDATA. また4,4',4''−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)を用いても良い。 The 4,4 ', 4' '- tris (N- carbazolyl) triphenylamine (abbreviation: TCTA) may be used. また高分子材料としては、良好なホール輸送性を示すポリ(ビニルカルバゾール)などを用いることができる。 As the polymer material, or the like can be used poly (vinyl carbazole) showing good hole transport properties.

また本発明では、第4の層607上に形成されている第5の層608に、ホール注入性が高く、なおかつエッチングされにくい金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体を用いる。 In the present invention, the fifth layer 608 which is formed over the fourth layer 607, the hole injection property is high, yet using the etched refractory metal oxide or benzoxazole derivative.
金属酸化物とベンゾオキサゾール誘導体を両方用いていても良い。 Metal oxide and benzoxazole derivatives may be used both. 上記材料を用いることにより、後にスパッタ法で第5の層608上に第2の電極603を形成する際に、第1〜第4の層に含まれる有機物にスパッタダメージが与えられるのを防ぐことができる。 By using the above materials, in forming the second electrode 603 on the fifth layer 608 by sputtering after, to prevent the sputtering damage given to organic materials contained in the first to fourth layer can. 第5の層608は蒸着法を用いて形成できる。 The fifth layer 608 may be formed by vapor deposition. また第5の層608は、10nm以上の膜厚であることが好ましい。 The fifth layer 608 is preferably in a thickness of more than 10 nm. スパッタ法に起因した損傷を抑制するには、このような膜厚で形成することが有効である。 To suppress the damage due to the sputtering method, it is effective to form at such a film thickness.

なお第5の層608として、ホール輸送性の高い有機材料と併せて金属酸化物を用いても良い。 Note the fifth layer 608 may be a metal oxide in conjunction with a high organic material hole transporting property. 正孔輸送性の高い化合物としては、例えば4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(略称:α−NPD)や4,4'−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(略称:TPD)や4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4',4''−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]−トリフェニルアミン(略称:MTDATA)などの芳香族アミン系(即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する)の化合物が挙げられる。 As the hole transporting compound having high, such as 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenyl - amino] - biphenyl (abbreviation: α-NPD) and 4,4'-bis [N - (3-methylphenyl) -N- phenyl - amino] - biphenyl (abbreviation: TPD) or 4,4 ', 4' '- tris (N, N-diphenyl - amino) - triphenylamine (abbreviation: TDATA) , 4,4 ', 4' '- tris [N-(3- methylphenyl) -N- phenyl - amino] - triphenylamine (abbreviation: MTDATA) an aromatic amine, such as (i.e., a benzene ring - nitrogen compounds of having binding) can be mentioned. 但し、ここに示したものに限らず、その他の物質を用いてもよい。 However, not limited to those shown here may be used other materials. 上記構成により、第5の層608が結晶化するのを抑制することができ、その結果、発光素子の信頼性を高めることができる。 With this configuration, it is possible to fifth layer 608 can be inhibited from crystallizing, as a result, it is possible to improve the reliability of the light emitting element.

さらに、第5の層608を100nm以上の膜厚で形成した場合には、第1の電極601または第2の電極603の膜面に形成された突起或いはこれらの電極間に混入した異物等に起因して生じる、第1の電極601と第2の電極603とのショート(短絡)を抑制することができる。 Furthermore, in the case where the fifth layer 608 was formed with a thickness of more than 100nm is foreign matter in the mixed in between the first electrode 601 or the second protrusion formed on the film surface of the electrode 603 or the electrodes It occurs due to, it is possible to suppress the short circuit between the first electrode 601 and the second electrode 603.

なお金属酸化物は、具体的にはモリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等を用いることができる。 Incidentally metal oxides, specifically can be used molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx) or the like.

また、第5の層608にベンゾオキサゾール誘導体を用いる場合は、当該ベンゾオキサゾール誘導体に加え、TCNQ、FeCl 3 、C 60またはF 4 −TCNQのいずれか一または複数の材料を併せて用い、ホール注入性を高めておくことが望ましい。 Also, if the fifth layer 608 using a benzoxazole derivative, in addition to the benzoxazole derivative, TCNQ, used in conjunction with any one or more materials of FeCl 3, C 60 or F 4 -TCNQ, hole injection it is desirable to raise the resistance.

上記構成を有する発光素子において、第1の電極601と第2の電極603の間に電圧を印加し、電界発光層602に順方向バイアスの電流を供給することで、第3の層606から青色もしくは水色の発光を得ることができる。 In the light-emitting element having the above structure, since the first electrode 601 a voltage is applied between the second electrode 603, supplying a current of a forward bias to the electroluminescent layer 602, the blue third layer 606 or it can be obtained blue luminescent. 水色の光に見えるのは、青色の光に加えて、緑色の光が混ざっているためである。 It looks to blue light, in addition to the blue light because the green light is mixed. 具体例を挙げると、第3の層606に用いられるペリレン誘導体から得られる光は基本的には青色であるが、ドープする濃度を高めていくにつれてエキシマー発光が観測されるため、緑色の光が混じってしまい、水色に近くなってしまう。 Specific examples, light obtained from a perylene derivative used in the third layer 606 are basically the blue, since the excimer emission is observed as will increasing concentrations of doping, the green light will be mixed, it becomes close to the light blue. 本発明では、上記発光素子から得られた光を、カラーフィルターの着色層に通すことで、緑色の波長領域の光を遮蔽し、青色の純度の高い光を得ることができる。 In the present invention, the light obtained from the light-emitting element, is passed through the colored layers of the color filter, and shielding the light in the green wavelength range, it is possible to obtain a high blue purity light.

次に、本発明の発光装置が有する発光素子の、別の具体例について説明する。 Next, the light-emitting element emitting device of the present invention have, for another embodiment will be described.

図6(B)を用いて、青色の波長領域の光が得られる、発光素子の素子構成を示す。 Figure 6 using (B), the light of blue wavelength region obtained showing an element structure of the light-emitting element. 図6(B)に示す発光素子は、基板610上に、第1の電極611と、第1の電極611上に形成された電界発光層612と、電界発光層612上に形成された第2の電極613とを有している。 The light-emitting element shown in FIG. 6 (B), on a substrate 610, a first electrode 611, the electroluminescent layer 612 formed over the first electrode 611, second formed over the electroluminescent layer 612 and a electrode 613. なお図6(B)では、第1の電極611が陰極、第2の電極613が陽極に相当する。 Note that in FIG. 6 (B), the first electrode 611 is a cathode, the second electrode 613 corresponds to the anode. そして電界発光層612は、第1〜第4の層614〜617を有している。 The electroluminescent layer 612 has a first to fourth layers 614 to 617.

第1の電極611は、図6(A)の第1の電極601と同様に、一般的に発光素子の陰極に用いられるような仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが望ましい。 The first electrode 611, the first in the same manner as the electrodes 601, small metal, alloy, electrically conductive compound having a work function as used in the cathode generally light emitting device of FIG. 6 (A), the and of and mixture is desirably used. また第2の電極613は、図6(A)の第2の電極603と同様に、仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。 The second electrode 613, like the second electrode 603 of FIG. 6 (A), it is preferable to use a conductive material having a large work function.

陰極である第1の電極611に接して形成されている第1の層614は、図6(A)の第1の層604と同様に、電子注入性の高い材料を用いるのが望ましい。 The first layer 614 which is formed in contact with the first electrode 611 is a cathode, as in the first layer 604 of FIG. 6 (A), it is desirable to use a high electron injecting material. 第1の層614上に形成されている第2の層615には、図6(A)の第2の層605と同様に、電子輸送性の高い材料を用いることが望ましい。 The second layer 615 is formed on the first layer 614, similarly to the second layer 605 of FIG. 6 (A), it is desirable to use a high electron-transporting material. 第2の層615上に形成されている第3の層616には、図6(A)の第4の層607と同様に、ホール輸送性が高く、結晶性の低い公知の材料を用いることが望ましい。 The third layer 616 is formed on the second layer 615, similarly to the fourth layer 607 of FIG. 6 (A), a hole transporting high, the use of a low crystallinity known material It is desirable そして、第3の層616上に形成されている第4の層617には、図6(A)の第5の層608と同様に、ホール注入性が高く、なおかつエッチングされにくい金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体を用いる。 Then, in the fourth layer 617 that is formed over the third layer 616, similarly to the fifth layer 608 in FIG. 6 (A), the hole injection property is high, yet the etched refractory metal oxide or using benzoxazole derivative.

そして、第2の層615または第3の層616に加えるドーパントの種類によって、緑色の発光が得られたり、赤色の発光が得られたりする。 Then, depending on the type of dopant added to the second layer 615 or the third layer 616, or green light can be obtained, or red light can be obtained. 緑色の発光を得るには、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、Alq 3やトリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(Almq 3 )を第2の層615にドーパントとして加えればよい。 To obtain green light emission, for example, coumarin derivatives, quinacridone derivatives, may be added to Alq 3 and tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (Almq 3) as a dopant in the second layer 615. また上記材料のほかに、トリス(フェニルピリジン)イリジウム錯体などの三重項材料を使っても、緑色の発光が得られる。 Also besides the above materials, even with a triplet material, such as tris (phenylpyridine) iridium complex, a green light emission is obtained. トリス(フェニルピリジン)イリジウム錯体をドーパントとして用いる場合、ホストとしてバイポーラの材料を用いるのが望ましく、さらにこの場合、第1の層614と第2の層615の間に、イオン化ポテンシャルが小さく、バンドギャップの大きなホールブロック性の高い層を形成するのが望ましい。 When using tris (phenylpyridine) iridium complex as the dopant, it is desirable to use a bipolar material as a host, further in this case, between the first layer 614 of the second layer 615, low ionization potential, bandgap it is desirable to form a high layer of large hall block of. ホールブロック性の高い層には、具体的には、BCPなどのフェナントロリン誘導体、あるいはオリゴピリジンなどを用いることができる。 The high layer of hole-blocking, specifically, can be used as a phenanthroline derivative or oligo pyridine, such as BCP.

上記構成を有する発光素子に順方向バイアスの電流を供給することにより、第2の層615から緑色の発光が得られる。 By supplying a current of forward bias to the light-emitting element having the above structure, the green light emission can be obtained from the second layer 615.

なお図6(B)に示した構成を有する発光素子において、赤色の発光を得るには、例えば、ルブレンなどの縮合芳香族化合物、ペリレンジイミド誘導体、オリゴチオフェン、DCM誘導体(4,4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(4−ジアリールアミノ)スチリル−2,5−ピランなどに代表される)、あるいは2,5−ジシアノ−1,4−ビス(4−ジアリールアミノスチリル)ベンゼン誘導体、ベンゾクマリン誘導体、白金オクタエチルポルフィリン錯体などのポルフィリン系材料、トリス(1−ベンゾイルアセトナト)(1、10―フェナントロリン)ユーロピウム錯体などの希土類金属錯体を、第2の層615または第3の層616のいずれか一方に、ドーパントとして加えればよい。 Note in the light-emitting element having the structure shown in FIG. 6 (B), to obtain a red light emission, for example, condensed aromatic compounds such as rubrene, perylene diimide derivatives, oligothiophene, DCM derivative (4,4-dicyano-methylene 2-methyl-6- (4-diarylamino) styryl-2,5-pyran typified), or 2,5-dicyano-1,4-bis (4-diarylamino styryl) benzene derivatives, benzo coumarin derivatives, porphyrin-based materials such as platinum octaethylporphyrin complex, tris (1-benzoyl acetonate) (1,10-phenanthroline) a rare earth metal complex such as europium complex, the second layer 615 or the third layer 616 to either one, it may be added as a dopant.

上記構成を有する発光素子に順方向バイアスの電流を供給することにより、第2の層615または第3の層616のうちドーパントを加えた層から、赤色の発光が得られる。 By supplying a current of forward bias to the light-emitting element having the above structure, a layer obtained by adding a dopant of the second layer 615 or the third layer 616, a red light emission can be obtained.

なお、第2の層615と第3の層616の間に、イオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料を用いた層を設け、上述したドーパントを加えるようにし、当該追加した層から発光を得るようにしても良い。 Between the second layer 615 and third layer 616, a large ionization potential, and a layer using a material having a large band gap is provided, so as to add the above-described dopant, the emission from the layer that the additional get as may be. この場合、当該追加した層のホストとして、Alq 3や2,5−ジシアノ−1,4−ビス(4−ジアリールアミノスチリル)ベンゼン誘導体などを用いるのが望ましい。 In this case, as the host of the added layer, Alq 3 or 2,5-dicyano-1,4-bis (4-diarylamino styryl) to use a benzene derivative is desirable.

上記赤色の発光は、実際には緑色の光が混入しており、オレンジ色もしくは黄色に見えてしまう場合がある。 The red emission is actually have green light is mixed, in some cases visible orange or yellow. 本発明では、上記発光素子から得られた光を、カラーフィルターの着色層に通すことで、緑色の波長領域の光を遮蔽し、赤色の純度の高い光を得ることができる。 In the present invention, the light obtained from the light-emitting element, is passed through the colored layers of the color filter, and shielding the light in the green wavelength range, it is possible to obtain a high red pure light.

なお本発明では、同じスペクトルの光から、カラーフィルターを用いて、互いにスペクトルが異なる2色の発光を得ることもできる。 In the present invention, the light of the same spectrum, using a color filter, it is possible to obtain spectra of emission of two different colors from each other. 例えば青色と緑色が混じった光から、青色の光と、緑色の光を選択して取り出すことが可能である。 For example, from light blue and green are mixed, it can be taken out by selecting the blue light, green light.

図6(A)に示した構成を有する発光素子において、青色と緑色が混じった光を得るには、第3の層606に、緑色の光を得ることができるドーパントおよび青色の光を得ることができるドーパントを加えればよい。 In the light-emitting device having the structure shown in FIG. 6 (A), to obtain a light mixed blue and green, the third layer 606, to obtain a dopant and blue light can be obtained green light it may be added to dopant can. また、図6(B)に示した構成を有する発光素子において、青色と緑色が混じった光を得るには、第2の層615に、緑色の光を得ることができるドーパントと、青色の光を得ることができるドーパントとを、共に加えればよい。 In the light-emitting element having a structure shown in FIG. 6 (B), to obtain a light mixed blue and green, the second layer 615, a dopant can be obtained green light, blue light and a dopant can be obtained, may be added together. 或いは、図6(A)に示した構成を有する発光素子において、第2の層605に緑色の光が得られるドーパントを加えるようにすればよい。 Alternatively, the light-emitting element having a structure shown in FIG. 6 (A), it is sufficient to apply a dopant that green light is obtained in the second layer 605. また、図6(A)に示した構成を有する発光素子において、第3の層606に、立体障害の小さい縮合芳香環(ペリレンおよびその誘導体、ピレン誘導体、アントラセン誘導体など)をドーパントとして高濃度で用いることで、エキシマー発光により青色と緑色が混じった光を得ることができる。 In the light-emitting element having a structure shown in FIG. 6 (A), the third layer 606, small fused aromatic rings (perylene and its derivatives, pyrene derivatives, anthracene derivatives) hindered at high concentration as the dopant the use, it is possible to obtain a light mixed blue and green by excimer emission.

図6(B)に示した構成を有する発光素子において、赤色と緑色が混じった光を得るには、第2の層615に、Alq 3に代表される金属キノリノール錯体などの電子輸送層性のホストを用い、さらに赤色の光が得られるドーパントをドープすればよい。 In the light-emitting device having the structure shown in FIG. 6 (B), to obtain a light red and green are mixed, the second layer 615, the electron-transporting layer of a metal quinolinol complexes typified by Alq 3 using host may be further doped with a dopant red light can be obtained. 或いは、図6(A)に示した構成を有する発光素子において、第3の層606にバイポーラなホストを用い、さらに当該第3の層606に緑色の光が得られるドーパントをドープする。 Alternatively, the light-emitting element having a structure shown in FIG. 6 (A), a bipolar host to the third layer 606, to further dope the third dopant in the layer 606 is green light is obtained. そして第2の層605に電子輸送性のホストを用い、さらに当該第2の層605に赤色の光が得られるドーパントを加えるようにすればよい。 And an electron transporting host in the second layer 605, it is sufficient to further add a dopant to the second layer 605 is a red light is obtained.

なお、図6(A)、図6(B)では、第1の電極が陰極、第2の電極が陽極である場合について説明したが、第1の電極が陽極、第2の電極が陰極であっても良い。 Incidentally, FIG. 6 (A), the in FIG. 6 (B), the first electrode is the cathode while the second electrode has been described for the case where an anode, the first electrode is an anode, with the second electrode is a cathode it may be.

図6(C)に、第1の電極が陽極、第2の電極が陰極であるときの、発光素子の構成を、一例として示す。 In Fig. 6 (C), the first electrode is an anode, when the second electrode is a cathode, a structure of a light-emitting element, as an example. 図6(C)に示す発光素子は、基板620上に、第1の電極621と、第1の電極621上に形成された電界発光層622と、電界発光層622上に形成された第2の電極623とを有している。 The light-emitting element shown in FIG. 6 (C), over a substrate 620, a first electrode 621, an electroluminescent layer 622 which is formed over the first electrode 621, second formed over the electroluminescent layer 622 and a electrode 623. なお図6(C)では、第1の電極621が陽極、第2の電極623が陰極に相当する。 Note that in FIG. 6 (C), the first electrode 621 is an anode, the second electrode 623 corresponds to a cathode.

図6(C)では、第1の電極621として、例えばTiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag等の1つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を用いることができる。 In FIG. 6 (C), the the first electrode 621, for example TiN, ZrN, Ti, W, Ni, Pt, Cr, other single-layer film made of one or more of Ag, etc., a titanium film, an aluminum nitride a stack of a film mainly, it is possible to use a three-layer structure of the film and a titanium nitride film mainly comprising titanium nitride layer and aluminum. また、上記光を反射することができる材料の上に、ITO、ITSO、IZOなどの透明導電膜を積層して、第1の電極621として用いてもよい。 Further, on the material which can reflect the light, ITO, ITSO, by laminating a transparent conductive film such as IZO, may be used as the first electrode 621. 図6(C)では、ガラス基板620に近い方から、Al−Si膜630、Ti膜631、ITO膜632を積層することにより、第1の電極621が形成されている。 In FIG. 6 (C), the from the side closer to the glass substrate 620, by laminating the Al-Si film 630, Ti film 631, ITO film 632, the first electrode 621 is formed.

また第2の電極623として、ITO、IZO、ITSO等の透明導電膜を用いる。 As the second electrode 623, using ITO, IZO, the transparent conductive film of ITSO like.

電界発光層622は、図6(A)または図6(B)と同様に、複数の層で構成されているが、各層の積層する順が図6(C)では逆になっている。 An electroluminescent layer 622, similarly to FIG. 6 (A) or FIG. 6 (B), the but are composed of a plurality of layers, the order of stacking of the layers is reversed in FIG. 6 (C). 図6(C)では、電界発光層622が第1の層624〜第5の層628を有する場合について示している。 In FIG. 6 (C), the case is shown where the electroluminescent layer 622 has a first layer 624~ fifth layer 628.

陽極である第1の電極621に接して形成されている第1の層624には、イオン化ポテンシャルの比較的小さな材料を用いるのが望ましい。 The first layer 624 that is formed in contact with the first electrode 621 is an anode, it to use a relatively small material ionization potential desirable. 大別すると金属酸化物、低分子系有機化合物、および高分子系有機化合物に分けられる。 Metal oxides roughly divided into divided into low molecular weight organic compounds, and high molecular weight organic compound. 金属酸化物であれば、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなど用いることができる。 If metal oxide, for example, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, can be used such as aluminum oxide. 低分子系有機化合物あれば、例えば、m−MTDATAに代表されるスターバースト型アミン、銅フタロシアニン(略称:CuPc)に代表される金属フタロシアニン、フタロシアニン(略称:H 2 Pc)、2,3−ジオキシエチレンチオフェン誘導体などを用いることができる。 If low molecular weight organic compound, for example, starburst amine typified by m-MTDATA, copper phthalocyanine (abbreviation: CuPc) to a metal phthalocyanine represented, phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc), 2,3- di such as polyoxyethylene thiophene derivatives can be used. 低分子系有機化合物と上記金属酸化物とを共蒸着させた膜であっても良い。 A low molecular weight organic compound and the metal oxide may be a film formed by co-evaporation. 高分子系有機化合物であれば、例えば、ポリアニリン(略称:PAni)、ポリビニルカルバゾール(略称:PVK)、ポリチオフェン誘導体などの高分子を用いることができる。 If high molecular weight organic compound, for example, polyaniline (abbreviation: PAni), polyvinyl carbazole (abbreviation: PVK), can be used polymers such as polythiophene derivatives. ポリチオフェン誘導体の一つであるポリエチレンジオキシチオフェン(略称:PEDOT)にポリスチレンスルホン酸(略称:PSS)をドープしたものを用いても良い。 Polyethylenedioxythiophene is one of polythiophene derivative (abbreviation: PEDOT) polystyrene sulfonic acid (abbreviated: PSS) may be used doped with. また、ベンゾオキサゾール誘導体と、TCNQ、FeCl 3 、C 60またはF 4 −TCNQのいずれか一または複数の材料とを併せて用いても良い。 Further, a benzoxazole derivative, TCNQ, may be used together with any one or more materials of FeCl 3, C 60 or F 4 -TCNQ.

また第1の層624上に形成されている第2の層625には、ホール輸送性が高く、結晶性の低い公知の材料を用いることが望ましい。 Also in the second layer 625 which is formed on the first layer 624, a hole-transporting property is high, it is desirable to use a low crystallinity known material. 具体的には、図6(A)の第4の層607と同じ材料を用いることができる。 Specifically, it is possible to use the same material as the fourth layer 607 in FIG. 6 (A).

第2の層625上に形成されている第3の層626には、イオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料を用いるのが望ましい。 The third layer 626 is formed on the second layer 625, a large ionization potential, and to use a material having a large band gap is desired. 具体的には、図6(A)の第3の層606と同じ材料を用いることができる。 Specifically, it is possible to use the same material as the third layer 606 in FIG. 6 (A).

また第3の層626上に形成されている第4の層627には、電子輸送性の高い材料を用いることが望ましい。 Also in the fourth layer 627 that is formed over the third layer 626, it is desirable to use a high electron-transporting material. 具体的には、図6(A)の第2の層605と同じ材料を用いることができる。 Specifically, it is possible to use the same material as the second layer 605 of FIG. 6 (A).

また本発明では、第4の層627上に形成されている第5の層628に、エッチングされにくい金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体を用いる。 In the present invention, the fifth layer 628 which is formed over the fourth layer 627, using the etched refractory metal oxide or benzoxazole derivative. そしてなおかつ電子注入性を高めるように、上述した材料に加え、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを合わせて用いる。 And yet to increase the electron injecting property, in addition to the above-mentioned materials, an alkali metal, is used together with any one or more materials of alkaline earth metals or transition metals. なお、金属酸化物とベンゾオキサゾール誘導体を両方用いていても良い。 Incidentally, it may be used both a metal oxide and a benzoxazole derivative. 上記材料を用いることにより、後にスパッタ法で第5の層628上に第2の電極623を形成する際に、第1〜第4の層に含まれる有機物にスパッタダメージが与えられるのを防ぐことができる。 By using the above materials, in forming the second electrode 623 on the fifth layer 628 by sputtering after, to prevent the sputtering damage given to organic materials contained in the first to fourth layer can. 第5の層628は蒸着法を用いて形成できる。 The fifth layer 628 may be formed by vapor deposition. また第5の層628は、10nm以上の膜厚であることが好ましい。 The fifth layer 628 is preferably in a thickness of more than 10 nm. スパッタ法に起因した損傷を抑制するには、このような膜厚で形成することが有効である。 To suppress the damage due to the sputtering method, it is effective to form at such a film thickness.

さらに、第5の層628を100nm以上の膜厚で形成した場合には、第1の電極621または第2の電極623の膜面に形成された突起或いはこれらの電極間に混入した異物等に起因して生じる、第1の電極621と第2の電極623とのショート(短絡)を抑制することができる。 Furthermore, in the case where the fifth layer 628 was formed with a thickness of more than 100nm is foreign matter in the mixed in between the first electrode 621 or the second protrusion formed on the film surface of the electrode 623 or the electrodes It occurs due to, it is possible to suppress the short circuit between the first electrode 621 and the second electrode 623.

なお金属酸化物は、具体的にはモリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)等を用いることができる。 Incidentally metal oxides, specifically can be used molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx) or the like.

なお図6(B)と同様に、図6(C)に示した発光素子において第3の層626を設けずに、ドーパントにより第2の層625または第4の層627から発光を得るようにしてもよい。 Note similarly to FIG. 6 (B), the without providing the third layer 626 in the light emitting element shown in FIG. 6 (C), and the dopant from the second layer 625 or the fourth layer 627 so as to obtain a light emitting it may be.

本実施例では、本発明の発光装置が有する画素の構成の、一形態について説明する。 In this embodiment, the light emitting device of a pixel having the configuration of the present invention, illustrating an embodiment.

図7に、本実施例の発光装置の断面図を示す。 Figure 7 shows a cross-sectional view of a light emitting device of this embodiment. 図7では、基板7000上に、トランジスタ7001〜7003が形成されている。 In Figure 7, on the substrate 7000, the transistors 7001 to 7003 are formed. トランジスタ7001〜7003は第1の層間絶縁膜7004で覆われており、第1の層間絶縁膜7004上には、コンタクトホールを介してトランジスタ7001〜7003のドレインと電気的に接続されている配線7005〜7007が形成されている。 Transistor 7001 to 7003 is covered with the first interlayer insulating film 7004, on the first interlayer insulating film 7004, the drain of the transistor 7001 to 7003 through the contact hole and electrically the attached wiring 7005 ~7007 is formed.

そして配線7005〜7007を覆うように、第1の層間絶縁膜7004上に、第2の層間絶縁膜7008と第3の層間絶縁膜7009とが積層されている。 And so as to cover the wiring 7005 to 7007, on the first interlayer insulating film 7004, a second interlayer insulating film 7008 and the third interlayer insulating film 7009 are stacked. なお、第1の層間絶縁膜7004と第2の層間絶縁膜7008は、有機樹脂膜、無機絶縁膜、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi−O結合とSi−CHx結晶手を含む絶縁膜等を用いることができる。 Note that the first interlayer insulating film 7004 second interlayer insulating film 7008, an insulating containing organic resin film, an inorganic insulating film, a Si-O bond and Si-CHx crystal hand formed using a siloxane-based material as a starting material it can be used films or the like. 本実施例では非感光性のアクリルを用いる。 In this embodiment, a non-photosensitive acrylic. 第3の層間絶縁膜7009は、水分や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。 The third interlayer insulating film 7009, a material which becomes a cause of promoting the deterioration of the light-emitting element such as moisture and oxygen, using a hard film is transparent as compared to other insulating films. 代表的には、例えばDLC膜、窒化炭素膜、RFスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。 Typically, a DLC film, a carbon nitride film, a silicon nitride film or the like formed by the RF sputtering desirable.

第3の層間絶縁膜7009上には、コンタクトホールを介して配線7005〜7007に電気的に接続された、配線7010〜7012が形成されている。 On the third interlayer insulating film 7009, which is electrically connected to the wiring 7005 to 7007 through a contact hole, wiring 7010-7012 it is formed. 配線7010〜7012の一部は発光素子の第1の電極として機能している。 Part of the wiring 7010 to 7012 functions as a first electrode of the light emitting element. なお図7では、図2に示した画素と異なり、第1の電極とTFTに直接接続されている配線とが異なる層に形成されているので、第1の電極のレイアウトの面積を広げることができ、よって、発光素子として光が得られる領域を広げることができる。 In FIG 7, unlike the pixel shown in FIG. 2, since the wiring is directly connected to the first electrode and the TFT are formed in different layers, it is possible to widen the area of ​​the layout of the first electrode can, thus, it is possible to widen the area where light is obtained as a light-emitting element.

また第3の層間絶縁膜7009上には、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi−O結合とSi−CHx結合を含む絶縁膜や、有機樹脂膜、無機絶縁膜など、を用いて形成された隔壁7013が形成されている。 Also on the third interlayer insulating film 7009 is formed using a siloxane-based material or an insulating film including Si-O bond and Si-CHx bond formed as a starting material, an organic resin film, an inorganic insulating film, a and septum 7013 is formed. 隔壁7013は開口部を有しており、該開口部において、第1の電極として機能する配線7010〜7012と電界発光層7014〜7016と第2の電極7017が重なり合うことで発光素子7018〜7020が形成されている。 Partition wall 7013 has an opening, the opening, the light emitting device 7018-7020 is by the first wiring functions as an electrode 7010-7012 and the electroluminescent layer 7014 to 7016 and the second electrode 7017 overlapping It is formed. 電界発光層7014〜7016は、複数の層が積層された構成を有している。 The electroluminescent layer 7014 to 7016 has a configuration in which a plurality of layers are laminated. なお、隔壁7013及び第2の電極7017上に、保護膜を成膜しても良い。 Incidentally, on the partition wall 7013 and the second electrode 7017, a protective film may be deposited. この場合、保護膜は水分や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。 In this case, the protective film is a material causing to promote deterioration of the light-emitting element such as moisture and oxygen, using a hard film is transparent as compared to other insulating films. 代表的には、例えばDLC膜、窒化炭素膜、RFスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。 Typically, a DLC film, a carbon nitride film, a silicon nitride film or the like formed by the RF sputtering desirable. また上述した水分や酸素などの物質を透過させにくい膜と、該膜に比べて水分や酸素などの物質を透過させやすい膜とを積層させて、保護膜として用いることも可能である。 Further a moisture and oxygen hardly substance is transmitted through such film described above, by laminating the easy film is transmitted through a substance such as moisture and oxygen as compared to the membrane, it is also possible to use as a protective film.

また隔壁7013は、電界発光層7014〜7016が成膜される前に、吸着した水分や酸素等を除去するために真空雰囲気下で加熱しておく。 The partition wall 7013, before the electroluminescent layer 7014-7016 is deposited, previously heated under vacuum to remove adsorbed water, oxygen, and the like. 具体的には、100℃〜200℃、0.5〜1時間程度、真空雰囲気下で加熱処理を行なう。 Specifically, 100 ° C. to 200 DEG ° C., about 0.5 to 1 hour, subjected to a heat treatment in a vacuum atmosphere. 望ましくは3×10 -7 Torr以下とし、可能であるならば3×10 -8 Torr以下とするのが最も望ましい。 Desirably 3 × and 10 -7 Torr or less, if possible 3 × 10 -8 Torr or less is most preferable. そして、隔壁7013に真空雰囲気下で加熱処理を施した後に電界発光層7014〜7016を成膜する場合、成膜直前まで真空雰囲気下に保つことで、信頼性をより高めることができる。 Then, the case of forming the electroluminescent layer from 7,014 to 7,016 after subjected to heat treatment in a vacuum atmosphere on the partition wall 7013, by keeping the vacuum atmosphere until immediately before the film formation, it is possible to improve the reliability.

また隔壁7013の開口部における端部は、隔壁7013上に一部重なって形成されている電界発光層7014〜7016に、該端部において穴があかないように、丸みを帯びさせることが望ましい。 The end portion of the opening portion of the partition wall 7013, the electroluminescent layer 7014 to 7016 which are formed partially overlapped over the partition 7013, so as not red holes in said end, it is desirable to form a round. 具体的には、開口部における隔壁7013の断面が描いている曲線の曲率半径が、0.2〜2μm程度であることが望ましい。 Specifically, the curvature radius of the curve depicting the cross section of the partition 7013 at opening, it is preferable that about 0.2 to 2 .mu.m.

上記構成により、後に形成される電界発光層7014〜7016や第2の電極7017のカバレッジを良好とすることができ、配線7010〜7012と第2の電極7017が電界発光層7014〜7016に形成された穴においてショートするのを防ぐことができる。 With the above structure, the coverage of the electroluminescent layer 7014 to 7016 and the second electrode 7017 to be formed can be improved after the wiring 7010 to 7012 and the second electrode 7017 is formed in the electroluminescent layer 7014 to 7016 it is possible to prevent a short circuit in the hole. また電界発光層7014〜7016の応力を緩和させることで、発光領域が減少するシュリンクとよばれる不良を低減させることができ、信頼性を高めることができる。 Further, by alleviating the stress of the electroluminescent layer from 7,014 to 7,016, it is possible to reduce the defective light emitting region is called shrink to decrease, it is possible to improve the reliability.

なお図7では、隔壁7013として、ポジ型の感光性のアクリル樹脂を用いた例を示している。 In FIG. 7, as a partition 7013, it shows an example of using a positive photosensitive acrylic resin. 感光性の有機樹脂には、光、電子、イオンなどのエネルギー線が露光された箇所が除去されるポジ型と、露光された箇所が残るネガ型とがある。 The photosensitive organic resin, light, electron, and positive compositions that portion is removed the energy line is exposed, such as ion, a negative type exposed portions remain. 本発明ではネガ型の有機樹脂膜を用いても良い。 Organic resin film may be used in the negative type in the present invention. また感光性のポリイミドを用いて隔壁7013を形成しても良い。 Or it may form the partition wall 7013 using a photosensitive polyimide. ネガ型のアクリルを用いて隔壁7013を形成した場合、開口部における端部が、S字状の断面形状となる。 When forming a partition wall 7013 using an acrylic negative type, an end portion of the opening portion, an S-shaped cross section. このとき開口部の上端部及び下端部における曲率半径は、0.2〜2μmとすることが望ましい。 In this case the radius of curvature at the upper end and the lower end of the opening, it is desirable that the 0.2 to 2 .mu.m.

また配線7010〜7012は、光が透過しないような材料を用い、その表面が平坦化されるように、CMP法を用いて研磨、あるいはポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄しても良い。 The wires 7010-7012 are used materials such as light is not transmitted, so that the surface thereof is flattened, or may be by cleaning with a porous body of the polishing, or polyvinyl alcohol by CMP. またCMP法を用いた研磨後に、配線7010〜7012の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよい。 After polishing by the CMP method, ultraviolet irradiation on the surface of the wiring 7010 to 7012, it may be treated with oxygen plasma.

また7021は、発光素子7018〜7020を封止するためのカバー材であり、透光性を有している。 The 7021 is a cover member for sealing the light emitting elements 7018 to 7020, have translucency. カバー材7021には、可視光を遮蔽するための遮蔽膜7022と、各色の画素に対応した着色層7023〜7025とを有するカラーフィルター7026が形成されている。 The cover member 7021, a shielding film 7022 for shielding the visible light, a color filter 7026 is formed with a colored layer 7023 to 7025 corresponding to the pixel of each color. 図7では、着色層7023において、発光素子7018から発せられる光のうち、赤色の波長領域の光が選択的に透過される。 In Figure 7, the colored layer 7023, among the light emitted from the light-emitting element 7018, the light of red wavelength region is selectively permeable. また着色層7024において、発光素子7019から発せられる光のうち、緑色の波長領域の光が選択的に透過される。 In the colored layer 7024, among the light emitted from the light-emitting element 7019, the light of green wavelength region is selectively permeable. また着色層7025において、発光素子7020から発せられる光のうち、青色の波長領域の光が選択的に透過される。 In the colored layer 7025, among the light emitted from the light-emitting element 7020, the light of blue wavelength range are selectively transmitted.

なお図7では、遮蔽膜7022に、黒色の顔料と乾燥剤とを樹脂に分散させて形成する。 In FIG. 7, the shielding film 7022, and a black pigment desiccant formed by dispersing in a resin. 上記構成により、発光素子の劣化を防ぐことができる。 With the above structure, it is possible to prevent the deterioration of the light emitting element.

遮蔽膜7022は、発光素子7018〜7020どうしの間と重なるようにレイアウトされており、遮蔽膜7022により、発光素子の光が、隣接する画素に対応する着色層を透過してしまうのを防ぐことができる。 The shielding film 7022 is laid so as to overlap with between and if the light-emitting element 7018 to 7020, by the shielding film 7022, the light emitting element, be prevented from being transmitted through the colored layer corresponding to the adjacent pixels can.

なお図7では、各色に対応する画素ごとに、含まれる電界発光材料または素子構成が異なる電界発光層7014〜7016を用いているが、本発明は必ずしもこの構成に限定されない。 In FIG. 7, for each pixel corresponding to each color, although electroluminescent material or element configurations include use different electroluminescent layers 7014-7016, the present invention is not limited to this structure. 少なくとも、2つの色に対応する画素において、含まれる電界発光材料または素子構成が互いに異なる電界発光層を用いていれば良い。 At least, in the pixels corresponding to two colors, electroluminescent material or device configuration it is sufficient with different electroluminescent layers together included.

そして本発明では、電界発光層7014〜7016上に形成される第2の電極7017は、上述したようなITO、ITSO、IZOなどの透明導電膜を用いており、スパッタ法で形成されている。 And in the present invention, the second electrode 7017 formed over the electroluminescent layer 7014 to 7016 are, ITO as described above, ITSO, and a transparent conductive film such as IZO, are formed by sputtering. そして各電界発光層7014〜7016は、第2の電極7017に接する最も上の層が、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体を含んでいる。 And each electroluminescent layer 7014-7016 is uppermost layer in contact with the second electrode 7017 is includes a metal oxide or benzoxazole derivative.

なお、カバー材7021と基板7000とによって形成された密閉状態の空間には、不活性ガスまたは樹脂などで充填したり、内部に吸湿性材料(例えば酸化バリウム)を配置したりしても良い。 The space of the sealed state is formed by the cover member 7021 and the substrate 7000, or filled with an inert gas or a resin may be or is disposed a hygroscopic material (e.g., barium oxide) therein. 図8に、図2に示した発光装置において、基板とカバー材とで形成される密閉された空間に、乾燥剤8002が分散された樹脂8001を充填している様子を示す。 8, in the light emitting device shown in FIG. 2, the sealed space formed by the substrate and the cover member, showing how the desiccant 8002 is filled with a resin 8001 that has been dispersed. 図8に示すように、乾燥剤を内部に分散させることで、発光素子の信頼性が向上する。 As shown in FIG. 8, the drying agent by dispersing therein, reliability of the light emitting element is improved.

また、図2、図8では、カバー材にカラーフィルターを設けているが、本発明はこの構成に限定されない。 Also, FIG. 2, 8, is provided with the color filter in the cover material, the present invention is not limited to this structure. 例えば、図9に示すように、発光素子901〜903上に重なるように、インクジェット法などを用いて、着色層904〜906を形成しても良い。 For example, as shown in FIG. 9, so as to overlap on the light-emitting element 901 to 903, using an inkjet method, it may be formed colored layer 904-906. この場合、発光素子901〜903を封止するのに、カバー材ではなく樹脂を用いることができるので、カバー材を設ける場合に比べて光の取り出し効率を高めることができる。 In this case, for sealing the light emitting element 901 to 903, it is possible to use a resin instead of the cover member, it is possible to increase the light extraction efficiency as compared with the case where the cover member.

なお、本発明は上述した作製方法に限定されず、公知の方法を用いて作製することが可能である。 The present invention is not limited to the manufacturing method described above, it can be manufactured by a known method.

本発明の発光装置に用いられるトランジスタは、多結晶半導体を用いたTFTであっても良いし、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体を用いたTFTであっても良い。 Transistor used in the light-emitting device of the present invention may be a TFT using a polycrystalline semiconductor may be a TFT using an amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor. 本実施例では、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体を用いて形成されたTFTの構成について説明する。 In this embodiment, description will be given of a configuration of a TFT formed using an amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor.

図10(A)に、駆動回路に用いられるTFTの断面図と、画素部に用いられるTFTの断面図を示す。 In Fig. 10 (A), it shows a cross-sectional view of a TFT used in a driver circuit, a cross-sectional view of a TFT used in a pixel portion. 1001は駆動回路に用いられるTFTの断面図に相当し、1002は画素部に用いられるTFTの断面図に相当し、1003は該TFT1002によって電流が供給される発光素子の断面図に相当する。 1001 corresponds to a cross-sectional view of a TFT used in the driver circuit, 1002 corresponds to a cross-sectional view of a TFT used in a pixel portion, 1003 is a cross-sectional view of a light emitting device current is supplied by the TFT 1002. TFT1001、1002は逆スタガ型(ボトムゲート型)である。 TFT1001,1002 is an inverted staggered (bottom gate type).

駆動回路のTFT1001は、基板1000上に形成されたゲート電極1010と、ゲート電極1010を覆っているゲート絶縁膜1011と、ゲート絶縁膜1011を間に挟んでゲート電極1010と重なっている、セミアモルファス半導体またはアモルファス半導体で形成された第1の半導体膜1012とを有している。 TFT1001 driving circuit includes a gate electrode 1010 formed on the substrate 1000, the gate insulating film 1011 covering the gate electrode 1010 overlaps with the gate electrode 1010 with the gate insulating film 1011, a semi-amorphous and a first semiconductor film 1012 formed by a semiconductor or an amorphous semiconductor. さらにTFT1001は、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の第2の半導体膜1013と、第1の半導体膜1012と第2の半導体膜1013の間に設けられた第3の半導体膜1014とを有している。 Further TFT1001 is closed and the second semiconductor film 1013 of the pair functioning as a source region or a drain region, a first semiconductor film 1012 and the third semiconductor film 1014 provided between the second semiconductor film 1013 are doing.

図10(A)では、ゲート絶縁膜1011が2層の絶縁膜で形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。 10 In (A), the gate insulating film 1011 is formed of an insulating film of two layers, the present invention is not limited to this structure. ゲート絶縁膜1011が単層または3層以上の絶縁膜で形成されていても良い。 The gate insulating film 1011 may be formed with a single layer or three or more layers of insulating films.

また第2の半導体膜1013は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されており、該半導体膜に一導電型を付与する不純物が添加されている。 The second semiconductor film 1013 is formed of amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, an impurity imparting one conductivity type to the semiconductor film is added. そして一対の第2の半導体膜1013は、第1の半導体膜1012のチャネルが形成される領域を間に挟んで、向かい合っている。 The pair of second semiconductor film 1013, in between the region where a channel of the first semiconductor film 1012 is formed is opposed.

また第3の半導体膜1014は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されており、第2の半導体膜1013と同じ導電型を有し、なおかつ第2の半導体半導体膜1013よりも導電性が低くなるような特性を有している。 The third semiconductor film 1014 is formed of amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, it has the same conductivity type as the second semiconductor film 1013, the conductive is lower than yet the second semiconductor semiconductor film 1013 It has a characteristic such. 第3の半導体膜1014はLDD領域として機能するので、ドレイン領域として機能する第2の半導体膜1013の端部に集中する電界を緩和し、ホットキャリア効果を防ぐことができる。 Since the third semiconductor film 1014 functions as an LDD region, and relax the electric field concentrated on the end portion of the second semiconductor film 1013 which functions as a drain region, it is possible to prevent the hot carrier effect. 第3の半導体膜1014は必ずしも設ける必要はないが、設けることでTFTの耐圧性を高め、信頼性を向上させることができる。 The third semiconductor film 1014 is not necessarily provided, but it enhances the pressure resistance of the TFT is provided, it is possible to improve the reliability. なお、TFT1001がn型である場合、第3の半導体膜1014を形成する際に特にn型を付与する不純物を添加せずとも、n型の導電性が得られる。 In the case TFT1001 is n-type, without adding an impurity imparting particular n-type at the time of forming the third semiconductor film 1014, the n-type conductivity can be obtained. よって、TFT1001がn型の場合、必ずしも第3の半導体膜1014にn型の不純物を添加する必要はない。 Therefore, if the TFT1001 is n-type, it is not always necessary to add an n-type impurity in the third semiconductor film 1014. ただし、チャネルが形成される第1の半導体膜1012には、p型の導電性を付与する不純物を添加し、極力I型に近づくようにその導電型を制御しておく。 However, the first semiconductor film 1012 in which a channel is formed by adding an impurity imparting p-type conductivity, keep controlling the conductivity type so as to approach the I type as possible.

また、一対の第2の半導体膜1013に接するように、2つの配線1015が形成されている。 Also, in contact with the pair of the second semiconductor film 1013, two wiring 1015 is formed. 配線1015の一方は、異方性導電樹脂1050を介してICチップ1051に接続されている。 One of the wiring 1015 is connected to the IC chip 1051 via an anisotropic conductive resin 1050. なおICチップ1051は、単結晶の半導体を用いて形成されていても良いし、ガラス基板上に形成された多結晶半導体を用いて形成されていても良い。 Note IC chip 1051 may be formed using a semiconductor single crystal may be formed by using a polycrystalline semiconductor formed over a glass substrate. なおICチップ1051を発光素子の封止に用いるシール材1052と重なるようにレイアウトすることで、画素部周辺の額縁領域の大きさを抑えることができる。 Note By laying so as to overlap with the sealing material 1052 using the IC chip 1051 for sealing the light emitting element, it is possible to suppress the size of the frame region around the pixel portion.

画素部のTFT1002は、基板1000上に形成されたゲート電極1020と、ゲート電極1020を覆っているゲート絶縁膜1011と、ゲート絶縁膜1011を間に挟んでゲート電極1020と重なっている、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成された第1の半導体膜1022とを有している。 TFT1002 the pixel portion includes a gate electrode 1020 formed on the substrate 1000, the gate insulating film 1011 covering the gate electrode 1020 overlaps with the gate electrode 1020 with the gate insulating film 1011, an amorphous semiconductor or and a first semiconductor film 1022 which is formed in a semi-amorphous semiconductor. さらにTFT1002は、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の第2の半導体膜1023と、第1の半導体膜1022と第2の半導体膜1023の間に設けられた第3の半導体膜1024とを有している。 Further TFT1002 is closed and the second semiconductor film 1023 of the pair functioning as a source region or a drain region, and a third semiconductor film 1024 provided between the first semiconductor film 1022 the second semiconductor film 1023 are doing.

また第2の半導体膜1023は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されており、該半導体膜に一導電型を付与する不純物が添加されている。 The second semiconductor film 1023 is formed of amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, an impurity imparting one conductivity type to the semiconductor film is added. そして一対の第2の半導体膜1023は、第1の半導体膜1022のチャネルが形成される領域を間に挟んで、向かい合っている。 The pair of second semiconductor film 1023 interposed therebetween a region where a channel of the first semiconductor film 1022 is formed is opposed.

また第3の半導体膜1024は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されており、第2の半導体膜1023と同じ導電型を有し、なおかつ第2の半導体膜1023よりも導電性が低くなるような特性を有している。 The third semiconductor film 1024 is formed of amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, has the same conductivity type as the second semiconductor film 1023, yet the second semiconductor film 1023 that conductivity is lower than It has such characteristics. 第3の半導体膜1024はLDD領域として機能するので、ドレイン領域として機能する第2の半導体膜1023の端部に集中する電界を緩和し、ホットキャリア効果を防ぐことができる。 Since the third semiconductor film 1024 functions as an LDD region, and relax the electric field concentrated on the end portion of the second semiconductor film 1023 which functions as a drain region, it is possible to prevent the hot carrier effect. 第3の半導体膜1024は必ずしも設ける必要はないが、設けることでTFTの耐圧性を高め、信頼性を向上させることができる。 The third semiconductor film 1024 is not necessarily provided, but it enhances the pressure resistance of the TFT is provided, it is possible to improve the reliability. なお、TFT1002がn型である場合、第3の半導体膜1024を形成する際に特にn型を付与する不純物を添加せずとも、n型の導電性が得られる。 In the case TFT1002 is n-type, without adding an impurity imparting particular n-type at the time of forming the third semiconductor film 1024, the n-type conductivity can be obtained. よって、TFT1002がn型の場合、必ずしも第3の半導体膜1024にn型の不純物を添加する必要はない。 Therefore, if the TFT1002 is n-type, it is not always necessary to add an n-type impurity in the third semiconductor film 1024. ただし、チャネルが形成される第1の半導体膜1022には、p型の導電性を付与する不純物を添加し、極力I型に近づくようにその導電型を制御しておく。 However, the first semiconductor film 1022 in which a channel is formed by adding an impurity imparting p-type conductivity, keep controlling the conductivity type so as to approach the I type as possible.

また、一対の第2の半導体膜1023に接するように、配線1025が形成されている。 Also, in contact with the pair of the second semiconductor film 1023, the wiring 1025 is formed.

また、TFT1001、1002及び配線1015、1025を覆うように、絶縁膜からなる第1のパッシベーション膜1040、第2のパッシベーション膜1041が形成されている。 Moreover, to cover the TFT1001,1002 and wiring 1015,1025, the first passivation film 1040 made of an insulating film, a second passivation film 1041 is formed. TFT1001、1002を覆うパッシベーション膜は2層に限らず、単層であっても良いし、3層以上であっても良い。 A passivation film covering the TFT1001,1002 is not limited to two layers, it may be a single layer, or may be three or more layers. 例えば第1のパッシベーション膜1040を窒化珪素、第2のパッシベーション膜1041を酸化珪素で形成することができる。 For example, the first passivation film 1040 of silicon nitride, can be a second passivation film 1041 is formed of silicon oxide. 窒化珪素または窒化酸化珪素でパッシベーション膜を形成することで、TFT1001、1002が水分や酸素などの影響により、劣化するのを防ぐことができる。 Silicon nitride or silicon nitride oxide by forming a passivation film can be prevented by the effect of TFT1001,1002 is moisture or oxygen, from deteriorating.

そして、配線1025の一方は、発光素子1003の第1の電極1030に接続されている。 Then, one of the wiring 1025 is connected to a first electrode 1030 of the light emitting element 1003. また第1の電極1030上に接するように、電界発光層1031が、該電界発光層1031に接するように第2の電極1032が形成されている。 Also in contact over the first electrode 1030, an electroluminescent layer 1031, the second electrode 1032 is formed in contact with the electric field light emitting layer 1031.

次に、本発明の発光装置が有するTFTの、図10(A)とは異なる形態について説明する。 Next, the TFT having the light-emitting device of the present invention will be described different forms from that in FIG 10 (A). 図10(B)に、駆動回路に用いられるTFTの断面図と、画素部に用いられるTFTの断面図を示す。 In FIG. 10 (B), shows a cross-sectional view of a TFT used in a driver circuit, a cross-sectional view of a TFT used in a pixel portion. 1101は駆動回路に用いられるTFTの断面図に相当し、1102は画素部に用いられるTFTの断面図に相当し、1103は該TFT1102によって電流が供給される発光素子の断面図に相当する。 1101 corresponds to a cross-sectional view of a TFT used in the driver circuit, 1102 corresponds to a cross-sectional view of a TFT used in a pixel portion, 1103 is a cross-sectional view of a light emitting device current is supplied by the TFT 1102.

駆動回路のTFT1101と画素部のTFT1102は、基板1100上に形成されたゲート電極1110、1120と、ゲート電極1110、1120を覆っているゲート絶縁膜1111と、ゲート絶縁膜1111を間に挟んでゲート電極1110、1120と重なっている、セミアモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成された第1の半導体膜1112、1122とをそれぞれ有している。 TFT1102 of TFT1101 the pixel portion of the driving circuit includes a gate electrode 1110 and 1120 formed on the substrate 1100, the gate insulating film 1111 covering the gate electrode 1110 and 1120, with the gate insulating film 1111 Gate It overlaps with the electrode 1110 and 1120, and a first semiconductor film 1112 and 1122 formed in the semi-amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, respectively. そして、第1の半導体膜1112、1122のチャネル形成領域を覆うように、絶縁膜で形成されたチャネル保護膜1160、1161が形成されている。 Then, so as to cover the channel formation region of the first semiconductor film 1112 and 1122, a channel protection film 1160,1161 formed of an insulating film is formed. チャネル保護膜1160、1161は、TFT1101、1102の作製工程において、第1の半導体膜1112、1122のチャネル形成領域がエッチングされてしまうのを防ぐために設ける。 Channel protective film 1160,1161, in a manufacturing process of TFT1101,1102, the channel formation region of the first semiconductor film 1112 and 1122 is provided in order to prevent from being etched. さらにTFT1101、1102は、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の第2の半導体膜1113、1123と、第1の半導体膜1112、1122と第2の半導体膜1113、1123の間に設けられた第3の半導体膜1114、1124とをそれぞれ有している。 Further TFT1101,1102 is first provided between the pair of second semiconductor films 1113,1123 functioning as a source region or a drain region, a first semiconductor film 1112 and 1122 the second semiconductor film 1113,1123 3 of the semiconductor film 1114,1124 and a have, respectively.

図10(B)では、ゲート絶縁膜1111が2層の絶縁膜で形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。 In FIG. 10 (B), the the gate insulating film 1111 is formed of an insulating film of two layers, the present invention is not limited to this structure. ゲート絶縁膜1111が単層または3層以上の絶縁膜で形成されていても良い。 The gate insulating film 1111 may be formed with a single layer or three or more layers of insulating films.

また第2の半導体膜1113、1123は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されており、該半導体膜に一導電型を付与する不純物が添加されている。 The second semiconductor film 1113,1123 is formed of amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, an impurity imparting one conductivity type to the semiconductor film is added. そして一対の第2の半導体膜1113、1123は、第1の半導体膜1112、1122のチャネルが形成される領域を間に挟んで、向かい合っている。 The pair of second semiconductor films 1113,1123 is sandwiched between a region where a channel of the first semiconductor film 1112 and 1122 are formed is opposed.

また第3の半導体膜1114、1124は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されており、第2の半導体膜1113、1123と同じ導電型を有し、なおかつ第2の半導体膜1113、1123よりも導電性が低くなるような特性を有している。 The third semiconductor film 1114,1124 is formed of amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, it has the same conductivity type as the second semiconductor film 1113,1123, than yet the second semiconductor film 1113,1123 conductivity has a characteristic such that low. 第3の半導体膜1114、1124はLDD領域として機能するので、ドレイン領域として機能する第2の半導体膜1113、1123の端部に集中する電界を緩和し、ホットキャリア効果を防ぐことができる。 Since the third semiconductor film 1114,1124 function as LDD regions, and relax the electric field concentrated on the end portion of the second semiconductor layer 1113,1123, which functions as a drain region, it is possible to prevent the hot carrier effect. 第3の半導体膜1114、1124は必ずしも設ける必要はないが、設けることでTFTの耐圧性を高め、信頼性を向上させることができる。 The third semiconductor film 1114,1124 is not necessarily provided, but it enhances the pressure resistance of the TFT is provided, it is possible to improve the reliability. なお、TFT1101、1102がn型である場合、第3の半導体膜1114、1124を形成する際に特にn型を付与する不純物を添加せずとも、n型の導電性が得られる。 In the case TFT1101,1102 is n-type, without adding an impurity imparting particular n-type at the time of forming the third semiconductor film 1114,1124, n-type conductivity can be obtained. よって、TFT1101、1102がn型の場合、必ずしも第3の半導体膜1114、1124にn型の不純物を添加する必要はない。 Therefore, if TFT1101,1102 is n-type, it is not always necessary to add an n-type impurity in the third semiconductor film 1114,1124. ただし、チャネルが形成される第1の半導体膜1112、1122には、p型の導電性を付与する不純物を添加し、極力I型に近づくようにその導電型を制御しておく。 However, the first semiconductor film 1112 and 1122 where the channel is formed by adding an impurity imparting p-type conductivity, keep controlling the conductivity type as much as possible closer to type I.

また、一対の第2の半導体膜1113、1123に接するように、2つの配線1115と、2つの配線1125が形成されている。 Also, in contact with the pair of second semiconductor films 1113,1123, and two wiring 1115, two wirings 1125 are formed. 配線1115の一方は、異方性導電樹脂1150を介してICチップ1151に接続されている。 One of the wiring 1115 is connected to the IC chip 1151 via an anisotropic conductive resin 1150. なおICチップ1151は、単結晶の半導体を用いて形成されていても良いし、ガラス基板上に形成された多結晶半導体を用いて形成されていても良い。 Note IC chip 1151 may be formed using a semiconductor single crystal may be formed by using a polycrystalline semiconductor formed over a glass substrate. なおICチップ1151を発光素子の封止に用いるシール材1152と重なるようにレイアウトすることで、画素部周辺の額縁領域の大きさを抑えることができる。 Note By laying so as to overlap with the sealing material 1152 using the IC chip 1151 for sealing the light emitting element, it is possible to suppress the size of the frame region around the pixel portion.

また、TFT1101、1102及び配線1115、1125を覆うように、絶縁膜からなる第1のパッシベーション膜1140、第2のパッシベーション膜1141が形成されている。 Moreover, to cover the TFT1101,1102 and wiring 1115,1125, the first passivation film 1140 made of an insulating film, a second passivation film 1141 is formed. TFT1101、1102を覆うパッシベーション膜は2層に限らず、単層であっても良いし、3層以上であっても良い。 A passivation film covering the TFT1101,1102 is not limited to two layers, it may be a single layer, or may be three or more layers. 例えば第1のパッシベーション膜1140を窒化珪素、第2のパッシベーション膜1141を酸化珪素で形成することができる。 For example, the first passivation film 1140 of silicon nitride, can be a second passivation film 1141 is formed of silicon oxide. 窒化珪素または窒化酸化珪素でパッシベーション膜を形成することで、TFT1101、1102が水分や酸素などの影響により、劣化するのを防ぐことができる。 Silicon nitride or silicon nitride oxide by forming a passivation film can be prevented by the effect of TFT1101,1102 is moisture or oxygen, from deteriorating.

そして、配線1125の一方は、発光素子1103の第1の電極1130に接続されている。 Then, one of the wiring 1125 is connected to a first electrode 1130 of the light emitting element 1103. また第1の電極1130上に接するように、電界発光層1131が、該電界発光層1131に接するように第2の電極1132が形成されている。 Also in contact over the first electrode 1130, an electroluminescent layer 1131, the second electrode 1132 is formed in contact with the electric field light emitting layer 1131.

なお本実施例では、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体を用いたTFTで発光装置の駆動回路と画素部を同じ基板上に形成した例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。 In the present embodiment, an example has been described in which a driver circuit and a pixel portion are formed on the same substrate of the light emitting device in TFT using an amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor, the present invention is not limited to this structure. アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体を用いたTFTで画素部を形成し、該画素部が形成された基板に別途形成された駆動回路を貼り付けても良い。 The amorphous semiconductor or a semi-amorphous semiconductor pixel portion formed with a TFT using, may be attached to the driver circuit which is separately formed on a substrate pixel portion is formed.

またゲート電極や配線などをインクジェット法で形成しても良い。 Or it may be a gate electrode and a wiring and the like formed by an inkjet method. 図11(A)に、インクジェット法を用いて形成された画素の断面図を一例として示す。 In FIG. 11 (A), as an example a cross-sectional view of a pixel formed by an inkjet method. 図11(A)において1201はボトムゲート型のTFTであり、発光素子1202と電気的に接続されている。 1201 in FIG. 11 (A) is a bottom gate TFT, and the are electrically connected to the light emitting device 1202. TFT1201は、ゲート電極1203と、ゲート電極1203上に形成されたゲート絶縁膜1204と、ゲート絶縁膜1204上に形成された第1の半導体膜1205と、前記第1の半導体膜1205上に形成された第2の半導体膜1206とを有している。 TFT1201 includes a gate electrode 1203, a gate insulating film 1204 formed on the gate electrode 1203, a first semiconductor film 1205 formed on the gate insulating film 1204 is formed on the first semiconductor film 1205 and and a second semiconductor film 1206. なお第1の半導体膜1205はチャネル形成領域として機能する。 Note the first semiconductor film 1205 functions as a channel formation region. そして第2の半導体膜1206には、導電型を付与する不純物が添加されており、ソースまたはドレインとして機能する。 And in the second semiconductor film 1206, an impurity imparting a conductivity type are added, which functions as a source or a drain.

また第2の半導体膜1206に接するように配線1208が形成されており、配線1208は、発光素子1202が有する第1の電極1209と接続されている。 Also are wired 1208 formed in contact with the second semiconductor film 1206, the wiring 1208 is connected to the first electrode 1209 in the light-emitting element 1202 has. また発光素子1202は、第1の電極1209と、前記第1の電極1209上に形成された電界発光層1210と、前記電界発光層1210上に形成された第2の電極1211とを有している。 The light emitting element 1202 has a first electrode 1209, and the first electrode 1209 electroluminescent layer 1210 formed on, and a second electrode 1211 formed on the electroluminescent layer 1210 there.

図11(A)に示す発光装置では、ゲート電極1203、配線1208、第1の電極1209、電界発光層1210、パターン形成に用いるマスクなどを、インクジェット法で形成することができる。 In the light-emitting device shown in FIG. 11 (A), the gate electrode 1203, the wiring 1208, a first electrode 1209, an electroluminescent layer 1210, and a mask used for patterning, it can be formed by an inkjet method.

また図11(B)に、インクジェット法を用いて形成された画素の断面図を一例として示す。 Also shown in FIG. 11 (B), a cross-sectional view of a pixel formed by an inkjet method as an example. 図11(B)では、ボトムゲート型のTFT1220が有する第1の半導体膜1221上に、第2の半導体膜1222及び配線1223をパターニングする際に、第1の半導体膜1221がエッチングされてしまうのを防ぐことができる絶縁膜(エッチングストッパー)1224が形成されている。 In FIG. 11 (B), on the first semiconductor film 1221 included in TFT1220 bottom gate type, in patterning the second semiconductor film 1222 and the wiring 1223, the first semiconductor film 1221 is etched insulating film (etching stopper) 1224 is formed can be prevented.

本発明の発光装置では、電界発光層上に形成される第2の電極として、透明導電膜を用いている。 In the light emitting device of the present invention, as a second electrode formed over the electroluminescent layer, and a transparent conductive film. 一般的にITO、ITSO、IZOに代表される透明導電膜は、Alなどの金属に比べて導電率が低い傾向にある。 Generally ITO, ITSO, a transparent conductive film typified by IZO is in a low conductivity tendency than metal, such as Al. 第2の電極のシート抵抗が高いと、電圧降下により輝度の低下が起こってしまい好ましくない。 When the sheet resistance of the second electrode is high, undesirably it occurred decrease in luminance due to a voltage drop. そこで本発明では電圧降下を抑えるために、第2の電極よりも導電率の高い材料を用い、第2の電極上に補助電極を形成しても良い。 Therefore, in order to suppress the voltage drop in the present invention, using a material having a higher conductivity than the second electrode may be formed an auxiliary electrode on the second electrode.

図12に、補助電極が形成された、本発明の発光装置の断面図を示す。 12, the auxiliary electrodes are formed, a cross sectional view of a light-emitting device of the present invention. 図12において、1301は発光素子、1302は発光素子1301に電流を供給するためのトランジスタに相当する。 12, 1301 light-emitting element, 1302 corresponds to the transistor for supplying a current to the light emitting element 1301. また1303は第1の電極、1304は電界発光層、1305は第2の電極に相当する。 The 1303 first electrode, 1304 an electroluminescent layer 1305 corresponds to the second electrode. 隔壁1306の開口部において、第1の電極1303と、電界発光層1304と、第2の電極1305とが重なり合っている部分が、発光素子1301に相当する。 In the opening of the partition wall 1306, a first electrode 1303, an electroluminescent layer 1304, the portion overlapping the second electrode 1305 corresponds to the light-emitting element 1301.

第2の電極1305は、ITO、ITSO、IZOに代表される透明導電膜で形成されており、透光性を有している。 The second electrode 1305, ITO, ITSO, which is formed of a transparent conductive film typified by IZO, have translucency. そして第2の電極1305上には、補助電極1307が形成されている。 And on the second electrode 1305, an auxiliary electrode 1307 are formed. 具体的に補助電極1307は、隔壁1306と重なる領域に形成されている。 Specifically the auxiliary electrode 1307 is formed in a region overlapping with the partition wall 1306.

第2の電極1305と補助電極1307との合成抵抗は、第2の電極1305だけの抵抗よりも低いため、補助電極1307を形成することにより、電圧降下に伴う輝度の低下を防ぐことができる。 Combined resistance of the second electrode 1305 and the auxiliary electrode 1307 is lower than the resistance of only the second electrode 1305, by forming the auxiliary electrode 1307, it is possible to prevent a decrease in brightness due to voltage drop.

本実施例では、本発明の発光装置の一形態に相当するパネルの外観について、図13を用いて説明する。 In this embodiment, the appearance of the corresponding panel to an embodiment of the light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 13. 図13(A)は、基板上に形成されたトランジスタ及び発光素子を、カバー材との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図13(B)は、図13(A)のA−A'における断面図に相当する。 FIG. 13 (A) transistor and a light-emitting element formed on a substrate are sealed with a sealant between the cover member, a top view of a panel, FIG. 13 (B) Fig. 13 (A ) a cross-sectional view taken along line a-a 'of.

基板4001上に設けられた画素部4002と、信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。 The pixel portion 4002 provided over the substrate 4001, a signal line driver circuit 4003, so as to surround the scanning line driver circuit 4004, the sealant 4005 is provided. また画素部4002と、信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004の上にカバー材4006が設けられている。 The pixel portion 4002, the signal line driver circuit 4003, the cover material 4006 is provided on the scanning line driver circuit 4004. よって画素部4002と、信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004とは、基板4001とシール材4005とカバー材4006とによって、充填材4007と共に密封されている。 Thus, the pixel portion 4002, the signal line driver circuit 4003 and the scan line driver circuit 4004 by the substrate 4001, the sealant 4005, and the cover member 4006 are sealed together with a filler 4007.

また基板4001上に設けられた画素部4002と、信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有しており、図13(B)では、信号線駆動回路4003に含まれるトランジスタ4008、4009と、画素部4002に含まれるトランジスタ4010とを示す。 The pixel portion 4002 provided over the substrate 4001, a signal line driver circuit 4003, the scan line driver circuit 4004 include a plurality of transistors, in FIG. 13 (B), included in the signal line driver circuit 4003 It shows a transistor 4008,4009, and a transistor 4010 included in the pixel portion 4002.

また4011は発光素子に相当し、トランジスタ4010と電気的に接続されている。 The 4011 corresponds to the light emitting element is electrically connected to the transistor 4010.

また引き回し配線4014は、画素部4002と、信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004に、信号または電源電圧を供給するための配線に相当する。 The lead wiring 4014, a pixel portion 4002, the signal line driver circuit 4003, the scan line driver circuit 4004 corresponds to a wiring for supplying signals or power supply voltage. 引き回し配線4014は、引き回し配線4015を介して接続端子4016と接続されている。 Lead wiring 4014 is connected to a connection terminal 4016 via a lead wiring 4015. 接続端子4016は、FPC4018が有する端子と、異方性導電膜4019を介して電気的に接続されている。 Connection terminal 4016, a terminal included FPC 4018, and is electrically connected via an anisotropic conductive film 4019.

なお、基板4001としては、ガラス、金属(代表的にはステンレス)、セラミックスのほか、プラスチックに代表されるようなフレキシブルな素材を用いることができる。 As the substrate 4001, glass, metal (typically, stainless steel), other ceramics, or a flexible material typified by plastic. プラスチックとしては、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。 As the plastic can FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics) plate, PVF (polyvinyl fluoride) film, a Mylar film, a polyester film or an acrylic resin film. また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。 It is also possible to use a sheet in which aluminum foil is sandwiched by PVF films or Mylar films. またカバー材4006は、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。 The cover material 4006, a glass plate, a plastic plate, a light-transmitting material such as a polyester film, or an acrylic film.

カバー材4006には、着色層4012と遮蔽膜4013とを有するカラーフィルター4017が形成されている。 The cover member 4006, a color filter 4017 is formed with a colored layer 4012 and the shielding film 4013. 着色層4012によって、発光素子4011から発せられた光のうち、特定の波長領域の光が選択的に取り出される。 The colored layer 4012, among the light emitted from the light emitting element 4011, light of a specific wavelength region are selectively extracted.

また、充填材4007としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。 Further, in addition to an inert gas such as nitrogen or argon as the filler 4007, it is possible to use an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, PVC (polyvinyl chloride), acrylic, polyimide, epoxy resin, silicone resin, PVB it can be used (polyvinyl butyral), or EVA (ethylene vinyl acetate). 本実施例では充填材として窒素を用いた。 Nitrogen was used as the filler in the present embodiment.

また充填材4007を吸湿性物質(好ましくは酸化バリウム)もしくは酸素を吸着しうる物質にさらしておくために、カバー材4006の基板4001側の面に凹部4007を設けて吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質を配置しても良い。 Further, in order to (preferably barium oxide) filler 4007 hygroscopic material previously exposed to or a material capable of adsorbing oxygen, adsorb hygroscopic substance or oxygen a recess portion 4007 is provided on the surface of the substrate 4001 side of the cover member 4006 material may be disposed which can be.

本発明の発光装置は、色純度が高く、また消費電力の割に光の取り出し効率が高く、画像のコントラストを高めることができる。 The light emitting device of the present invention has high color purity and high light extraction efficiency despite the power consumption, it is possible to increase the contrast of the image. 従って、太陽光などの外光が照射されていても、消費電力をおさえつつ鮮明な画像を表示することができるため、使用場所を比較的選ばずに使用できるところがメリットとして大きい。 Therefore, be irradiated external light such as sunlight, it is possible to display a clear image while suppressing power consumption, where you can use without relatively chosen place of use is large as merit. 従って、テレビなどの他、携帯用の電子機器などに非常に適している。 Therefore, other such as a television, are very suitable, such as in a portable electronic device.

具体的に本発明の発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD:Digital Versatile Disc)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。 Such electronic devices using a light emitting device specifically present invention, a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, an audio reproducing device (such as car audio and audio components), notebook personal computers, game machines, portable information terminals (mobile computers, cellular phones, portable game machines, and electronic books), image reproducing devices provided with recording media (specifically DVD: Digital Versatile Disc) reproducing a recording medium such as, the image apparatus has a display for displaying a), and the like. これら電子機器の具体例を図14に示す。 Specific examples of these electronic devices are shown in FIG. 14.

図14(A)は表示装置であり、筐体2001、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。 Figure 14 (A) shows a display device including a housing 2001, a display portion 2003, speaker portions 2004, video input terminals 2005, and the like. 本発明の発光装置を表示部2003に用いることで、本発明の表示装置が完成する。 By using the light-emitting device of the present invention to the display portion 2003, a display device of the present invention is completed. 発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。 Light-emitting device requires no backlight because it is of a self-emission type, it can make a thinner display unit than liquid crystal display. なお、発光素子表示装置は、パソコン用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。 In addition, the light-emitting element display device for personal computers, for TV broadcasting reception, includes all display devices for displaying information such as an advertising display.

図14(B)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。 Figure 14 (B) shows a notebook personal computer including a main body 2201, a housing 2202, a display portion 2203, a keyboard 2204, an external connection port 2205, a pointing mouse 2206, and the like. 本発明の発光装置を表示部2203に用いることで、本発明のノート型パーソナルコンピュータが完成する。 By using the light-emitting device of the present invention for the display portion 2203, a notebook personal computer of the present invention is completed.

図14(C)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B2404、記録媒体(DVD等)読み込み部2405、操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。 Figure 14 (C) shows a portable image reproducing device provided with a recording medium (specifically, a DVD playback device), and the main body 2401, a housing 2402, a display portion A 2403, a display portion B 2404, a recording medium (DVD or the like) reading portion 2405, an operation key 2406, a speaker portion 2407, and the like. 表示部A2403は主として画像情報を表示し、表示部B2404は主として文字情報を表示する。 Display unit A2403 mainly displays image information, display unit B2404 mainly displays text information. なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。 Note that the image reproducing device provided with a recording medium includes a home game machine. 本発明の発光装置を表示部A2403、B2404に用いることで、本発明の画像再生装置が完成する。 By using the light-emitting device of the present invention to the display portion A 2403, B 2404, the image reproducing apparatus of the present invention is completed.

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。 As described above, the application range of the present invention can be used in extremely wide, electronic devices in all fields. また、本実施例の電子機器は、実施例1〜7に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。 The electronic device of the present embodiment may use the light emitting device having the configuration in which the structures in Examples 1-7.

発光素子から発せられる光の色と、着色層を透過する光の色との関係を、模式的に示す図。 The color of the light emitted from the light emitting element, the relationship between the color of light transmitted through the colored layer, shown schematically FIG. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置における発光素子の構成を示す図。 Diagram showing the configuration of a light emitting element in the light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置が有する画素の上面図。 Top view of the pixel light-emitting device of the present invention. 着色層における光の波長と透過率の関係を示す図。 Graph showing the relationship between wavelength and transmittance of light in the colored layer. 本発明の発光装置における発光素子の構成を示す図。 Diagram showing the configuration of a light emitting element in the light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の断面図。 Sectional view of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の上面図及び断面図。 Top view and a cross-sectional view of a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置を用いた電子機器の図。 Figure of an electronic apparatus using the light-emitting device of the present invention.

Claims (15)

  1. 第1の発光素子と、第2の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 A first light-emitting element, and the second light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、第1の着色層と、第2の着色層とを有し、 The color filter includes a first colored layer, and a second colored layer,
    前記第1の着色層によって、前記第1の発光素子から発せられる第1の光のうち、第1の波長領域の光が取り出され、 Wherein the first colored layer, of the first light emitted from the first light emitting element, the light of the first wavelength region is extracted,
    前記第2の着色層によって、前記第2の発光素子から発せられる第2の光のうち、第2の波長領域の光が取り出され、 Wherein the second colored layer, of the second light emitted from the second light emitting element, light of the second wavelength region is extracted,
    前記第1の発光素子及び前記第2の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とを有することを特徴とする発光装置。 The first light emitting element and the second light emitting element includes a first electrode, the first electrode electroluminescent layer formed on a second electrode formed on the electroluminescent layer the light emitting device characterized in that it comprises a.
  2. 赤色の光を発する第1の発光素子と、緑色の光を発する第2の発光素子と、青色の光を発する第3の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 Has a first light emitting element which emits red light, a second light emitting element which emits green light, a third light-emitting element which emits blue light and a color filter,
    前記カラーフィルターは、赤色の光を選択的に透過する第1の着色層と、緑色の光を選択的に透過する第2の着色層と、青色の光を選択的に透過する第3の着色層とを有し、 The color filter includes a first colored layer that selectively transmits red light, a second colored layer that selectively transmits green light, the third color which selectively transmits blue light and a layer,
    前記第1乃至第3の発光素子は、前記第1乃至第3の着色層にそれぞれ対応しており、 The first to third light-emitting element corresponds to each of the first to third coloring layers,
    前記第1乃至第3の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とをそれぞれ有し、 The first to third light-emitting element includes a first electrode, said a first electroluminescent layer formed on the electrode, a second electrode formed on the electroluminescent layer, respectively ,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  3. 赤色の光を発する第1の発光素子と、緑色の光を発する第2の発光素子と、青色の光を発する第3の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 Has a first light emitting element which emits red light, a second light emitting element which emits green light, a third light-emitting element which emits blue light and a color filter,
    前記カラーフィルターは、赤色の光を選択的に透過する第1の着色層と、緑色の光を選択的に透過する第2の着色層と、青色の光を選択的に透過する第3の着色層とを有し、 The color filter includes a first colored layer that selectively transmits red light, a second colored layer that selectively transmits green light, the third color which selectively transmits blue light and a layer,
    前記第1乃至第3の発光素子は、前記第1乃至第3の着色層にそれぞれ対応しており、 The first to third light-emitting element corresponds to each of the first to third coloring layers,
    前記赤色の光は、前記第1の着色層によって色純度が高められ、 The red light, the color purity is enhanced by the first colored layer,
    前記緑色の光は、前記第2の着色層によって色純度が高められ、 The green light, the color purity is enhanced by the second colored layer,
    前記青色の光は、前記第3の着色層によって色純度が高められ、 Light of the blue, the color purity is enhanced by the third colored layer,
    前記第1乃至第3の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とをそれぞれ有し、 The first to third light-emitting element includes a first electrode, said a first electroluminescent layer formed on the electrode, a second electrode formed on the electroluminescent layer, respectively ,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  4. 赤色の光を発する第1の発光素子と、緑色の光を発する第2の発光素子と、青色の光を発する第3の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 Has a first light emitting element which emits red light, a second light emitting element which emits green light, a third light-emitting element which emits blue light and a color filter,
    前記カラーフィルターは、赤色の光を選択的に透過する第1の着色層と、緑色の光を選択的に透過する第2の着色層と、青色の光を選択的に透過する第3の着色層と、遮蔽膜とを有し、 The color filter includes a first colored layer that selectively transmits red light, a second colored layer that selectively transmits green light, the third color which selectively transmits blue light It includes a layer, a shielding film,
    前記第1乃至第3の発光素子は、前記第1乃至第3の着色層にそれぞれ対応しており、 The first to third light-emitting element corresponds to each of the first to third coloring layers,
    前記第1乃至第3の発光素子は、隔壁によって分離されており、 The first to third light emitting elements are separated by a partition,
    前記遮蔽膜は、前記隔壁と重なっており、 The shielding film overlaps with said partition wall,
    前記第1乃至第3の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とをそれぞれ有し、 The first to third light-emitting element includes a first electrode, said a first electroluminescent layer formed on the electrode, a second electrode formed on the electroluminescent layer, respectively ,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  5. 第1乃至第3の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 The first to third light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、前記第1乃至第3の発光素子とそれぞれ対応する第1乃至第3の着色層を有し、 The color filter includes a first to third colored layers corresponding respectively to the first to third light emitting element,
    前記第1の発光素子から発せられる光は第1のスペクトルを有し、 Light emitted from the first light emitting element has a first spectrum,
    前記第2の発光素子から発せられる光は第2のスペクトルを有し、 Light emitted from the second light emitting element has a second spectrum,
    前記第3の発光素子から発せられる光は第3のスペクトルを有し、 Light emitted from the third light-emitting element has a third spectrum,
    前記第1の着色層は前記第1のスペクトルが分布している第1の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 The first colored layer can be removed selectively light of a first wavelength region where the first spectrum is distributed,
    前記第2の着色層は前記第2のスペクトルが分布している第2の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 The second colored layer can be removed selectively light of a second wavelength region where the second spectrum is distributed,
    前記第3の着色層は前記第3のスペクトルが分布している第3の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 The third colored layer can be removed selectively light of a third wavelength region in which the third spectrum is distributed,
    前記第1乃至第3の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とをそれぞれ有し、 The first to third light-emitting element includes a first electrode, said a first electroluminescent layer formed on the electrode, a second electrode formed on the electroluminescent layer, respectively ,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  6. 第1乃至第3の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 The first to third light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、前記第1乃至第3の発光素子とそれぞれ対応する第1乃至第3の着色層を有し、 The color filter includes a first to third colored layers corresponding respectively to the first to third light emitting element,
    前記第1の発光素子から発せられる赤色の光は第1のスペクトルを有し、 Light in the red emitted from the first light emitting element has a first spectrum,
    前記第2の発光素子から発せられる緑色の光は第2のスペクトルを有し、 Light green emitted from the second light emitting element has a second spectrum,
    前記第3の発光素子から発せられる青色の光は第3のスペクトルを有し、 Blue light emitted from the third light-emitting element has a third spectrum,
    前記第1の着色層は前記第1のスペクトルが分布している第1の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 The first colored layer can be removed selectively light of a first wavelength region where the first spectrum is distributed,
    前記第2の着色層は前記第2のスペクトルが分布している第2の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 The second colored layer can be removed selectively light of a second wavelength region where the second spectrum is distributed,
    前記第3の着色層は前記第3のスペクトルが分布している第3の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 The third colored layer can be removed selectively light of a third wavelength region in which the third spectrum is distributed,
    前記第1乃至第3の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とをそれぞれ有し、 The first to third light-emitting element includes a first electrode, said a first electroluminescent layer formed on the electrode, a second electrode formed on the electroluminescent layer, respectively ,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  7. 第1乃至第3の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 The first to third light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、前記第1乃至第3の発光素子とそれぞれ対応する第1乃至第3の着色層を有し、 The color filter includes a first to third colored layers corresponding respectively to the first to third light emitting element,
    前記第1の発光素子から発せられる第1の光は第1のスペクトルを有し、 First light emitted from the first light emitting element has a first spectrum,
    前記第2の発光素子から発せられる第2の光は第2のスペクトルを有し、 Second light emitted from the second light emitting element has a second spectrum,
    前記第3の発光素子から発せられる第3の光は第3のスペクトルを有し、 The third light emitted from the third light-emitting element has a third spectrum,
    前記第1の着色層によって、前記第1の光のうち、前記第1のスペクトルが分布している第1の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 By the first colored layer, of the first light, it is possible to extract light of a first wavelength region where the first spectrum is distributed selectively,
    前記第2の着色層によって、前記第2の光のうち、前記第2のスペクトルが分布している第2の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 Wherein the second colored layer, of the second light, it is possible to extract light in a second wavelength region where the second spectrum is distributed selectively,
    前記第3の着色層によって、前記第3の光のうち、前記第3のスペクトルが分布している第3の波長領域の光を選択的に取り出すことができ、 By the third colored layer, of the third light, it is possible to extract light of the third third wavelength region spectrum is distributed in a selective,
    前記選択的に取り出された光は、それぞれ第1乃至第3の光よりも色純度が高められており、 The light selectively extracted is the color purity is enhanced than the first to third light, respectively,
    前記第1乃至第3の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とをそれぞれ有し、 The first to third light-emitting element includes a first electrode, said a first electroluminescent layer formed on the electrode, a second electrode formed on the electroluminescent layer, respectively ,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  8. 第1の発光素子と、第2の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 A first light-emitting element, and the second light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、第1の着色層と、第2の着色層とを有し、 The color filter includes a first colored layer, and a second colored layer,
    前記第1の着色層によって、前記第1の発光素子から発せられる第1の光のうち、第1の波長領域の光が取り出され、 Wherein the first colored layer, of the first light emitted from the first light emitting element, the light of the first wavelength region is extracted,
    前記第2の着色層によって、前記第2の発光素子から発せられる第2の光のうち、第2の波長領域の光が取り出され、 Wherein the second colored layer, of the second light emitted from the second light emitting element, light of the second wavelength region is extracted,
    前記第1の発光素子及び前記第2の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とを有し、 The first light emitting element and the second light emitting element includes a first electrode, the first electrode electroluminescent layer formed on a second electrode formed on the electroluminescent layer have,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  9. 第1の発光素子と、第2の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 A first light-emitting element, and the second light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、第1の着色層と、第2の着色層とを有し、 The color filter includes a first colored layer, and a second colored layer,
    前記第1の着色層によって、前記第1の発光素子から発せられる第1の光のうち、第1の波長領域の光が取り出され、 Wherein the first colored layer, of the first light emitted from the first light emitting element, the light of the first wavelength region is extracted,
    前記第2の着色層によって、前記第2の発光素子から発せられる第2の光のうち、第2の波長領域の光が取り出され、 Wherein the second colored layer, of the second light emitted from the second light emitting element, light of the second wavelength region is extracted,
    前記取り出された光は、それぞれ第1または第2の光よりも色純度が高められており、 The light extracted is enhanced color purity than the first or the second light, respectively,
    前記第1の発光素子及び前記第2の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とを有し、 The first light emitting element and the second light emitting element includes a first electrode, the first electrode electroluminescent layer formed on a second electrode formed on the electroluminescent layer have,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  10. 第1の発光素子と、第2の発光素子と、カラーフィルターとを有し、 A first light-emitting element, and the second light-emitting element, and a color filter,
    前記カラーフィルターは、第1の着色層と、第2の着色層とを有し、 The color filter includes a first colored layer, and a second colored layer,
    前記第1の発光素子から発せられる第1の光のスペクトルと、前記第2の発光素子から発せられる第2の光のスペクトルとは異なっており、 The spectrum of the first light emitted from the first light emitting element is different from the spectrum of the second of the second light emitted from the light emitting element,
    前記第1の着色層によって、前記第1の光のうち、第1の波長領域の光が取り出され、 Wherein the first colored layer, of the first light, the light of the first wavelength region is extracted,
    前記第2の着色層によって、前記第2の光のうち、第2の波長領域の光が取り出され、 Wherein the second colored layer, of the second light, the light of the second wavelength region is extracted,
    前記第1の発光素子及び前記第2の発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された電界発光層と、前記電界発光層上に形成された第2の電極とを有し、 The first light emitting element and the second light emitting element includes a first electrode, the first electrode electroluminescent layer formed on a second electrode formed on the electroluminescent layer have,
    前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体が含まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein one of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the light emitting device characterized in that it contains metal oxides or benzoxazole derivative.
  11. 請求項2乃至請求項10のいずれか1項において、前記第1の電極は陰極、前記第2の電極は陽極であり、前記第2の電極は透明導電膜を用いていることを特徴とする発光装置。 In any one of claims 2 to 10, wherein the first electrode is a cathode, the second electrode is an anode, the second electrode is characterized in that a transparent conductive film the light-emitting device.
  12. 請求項11において、前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、前記ベンゾオキサゾール誘導体に加え、TCNQ、FeCl 3 、C 60またはF 4 −TCNQのいずれか一または複数が含まれていることを特徴とする発光装置。 According to claim 11, of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, in addition to the benzoxazole derivative, TCNQ, FeCl 3, C 60 or F 4 includes any one or more of -TCNQ emitting apparatus characterized by being.
  13. 請求項2乃至請求項10のいずれか1項において、前記第1の電極は陽極、前記第2の電極は陰極であり、前記第2の電極は透明導電膜を用いていることを特徴とする発光装置。 In any one of claims 2 to 10, wherein the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, the second electrode is characterized in that a transparent conductive film the light-emitting device.
  14. 請求項13において、前記電界発光層のうち、前記第2の電極に接する層には、前記金属酸化物または前記ベンゾオキサゾール誘導体に加え、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数が含まれていることを特徴とする発光装置。 According to claim 13, of the electroluminescent layer, wherein the layer in contact with the second electrode, the metal oxide or in addition to the benzoxazole derivative, alkali metal, one either alkaline earth metals or transition metals, or the light emitting device, wherein a plurality are included.
  15. 請求項11乃至請求項14のいずれか1項において、前記透明導電膜は、ITO、ITSO、IZOであることを特徴とする発光装置。 In any one of claims 11 to 14, wherein the transparent conductive film, the light-emitting device according to claim ITO, ITSO, that the IZO.



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