JP2005123419A - Wiring board, method of forming wiring pattern, and organic el panel - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To surely prevent occurrence of migration between wire electrodes without the need for provision of a new processing step. <P>SOLUTION: A wiring pattern 2 including at least two wiring electrodes 2A, 2B located close to each other and brought into different potential levels is formed on an insulating board 1. The wiring electrode 2A set at a higher potential level side in the two wiring electrodes 2A, 2B contains a metallic element liable to the migration. A conductive pattern 3 is made of a conductive material not containing the metallic element liable to cause the migration, between the two wiring electrodes 2A, 2B in order to prevent the occurrence of migration between the wiring electrodes 2A, 2B located close to each other, and is set to the same potential level as or the higher potential level than the wiring electrode 2A set to the higher potential level. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板、配線パターンの形成方法、有機ELパネルに関するものである。   The present invention relates to a wiring board, a method for forming a wiring pattern, and an organic EL panel.

近年、電子機器或いは電子部品の小型化及び高性能化の要求に応じるために配線の高密度化,低抵抗化が進められているが、これに合わせてマイグレーション(migration)による性能低下や故障の問題が顕在化してきた。ここでいうマイグレーションとは、配線電極を形成する金属が隣接する配線電極間に形成される電界によって絶縁基板の表面又は内部を経時的に移行する現象をいい、各種の条件にもよるが、通常は配線電極間が高電界である(配線電極間の電位差が大きく、配線電極間の距離が短い)程発生し易く、また、配線電極を低抵抗にするために銀(Ag),銅(Cu),錫(Sn),鉛(Pb)等の金属またはこれらの金属を含む合金を電極材料として用いる場合に発生し易くなる。したがって、配線の高密度化と低抵抗化(高性能化)を進める際に、マイグレーションの防止は避けて通れない重要な課題になっている。   In recent years, in order to meet the demand for miniaturization and high performance of electronic equipment or electronic components, wiring density and resistance have been reduced. The problem has become apparent. Migration here refers to a phenomenon in which the metal forming the wiring electrode moves over time on the surface or inside of the insulating substrate due to the electric field formed between adjacent wiring electrodes, although it depends on various conditions, Is more likely to occur as the electric field between the wiring electrodes is higher (the potential difference between the wiring electrodes is larger and the distance between the wiring electrodes is shorter), and silver (Ag), copper (Cu ), Tin (Sn), lead (Pb), or other metals or alloys containing these metals are easily generated as electrode materials. Therefore, prevention of migration has become an important issue that cannot be avoided when increasing the density and resistance (performance) of wiring.

そして、高精細な画像表示を目標に開発が進められているディスプレイ装置にあっては、各画素を駆動するために引き出された配線電極が高密度化の傾向にあり、特に、駆動電流の大小によって発光特性が変化してしまい表示性能に大きな影響を与えてしまう有機ELパネルにおいては、配線電極の低抵抗化の要求が高くなっている。したがって、高精細且つ高画質の有機ELパネルを形成するには、マイグレーションを生じ易い低抵抗の材料を用いて、高密度に配線電極を形成する必要があり、前述したマイグレーションの防止は重要な課題になっている。   In a display device that has been developed for the purpose of high-definition image display, the wiring electrodes drawn out for driving each pixel tend to have a high density, and in particular, the drive current is small or large. In the organic EL panel in which the light emission characteristics change due to the above, and the display performance is greatly affected, there is an increasing demand for lower resistance of the wiring electrodes. Therefore, in order to form a high-definition and high-quality organic EL panel, it is necessary to form wiring electrodes at a high density using a low-resistance material that easily causes migration. It has become.

マイグレーションの防止策としては各種の提案が為されている。例えば下記特許文献1,2においては、配線基板の上面に、銀、アルミニウム或いはこれらの金属の合金を含む複数個の配線導体を間に10μm〜100μmの間隔を空けて並設すると共に、これら配線導体をエポキシ樹脂を主成分とする保護層で共通に被覆し、この保護層の中に0.5μm〜5.0μmの特定樹脂フィラーを特定配分で含有させることが開示されている。   Various proposals have been made to prevent migration. For example, in Patent Documents 1 and 2 below, a plurality of wiring conductors containing silver, aluminum, or an alloy of these metals are juxtaposed on the upper surface of the wiring board with an interval of 10 μm to 100 μm between them. It is disclosed that a conductor is commonly covered with a protective layer mainly composed of an epoxy resin, and a specific resin filler of 0.5 μm to 5.0 μm is contained in the protective layer in a specific distribution.

特開2001−237523号公報JP 2001-237523 A

特開2001−339143号公報JP 2001-339143 A

前述した従来技術によると、配線電極を保護層で覆うものであるから、保護層を形成する工程が新たに付加されることになり、生産性の面で問題がある。また、保護層内で特定樹脂フィラーを特定配分で含有させる必要があるので、保護層の形成自体が煩雑であると同時にコスト高になってしまうという問題がある。   According to the above-described prior art, since the wiring electrode is covered with the protective layer, a process for forming the protective layer is newly added, and there is a problem in terms of productivity. Moreover, since it is necessary to contain a specific resin filler in a specific distribution in the protective layer, there is a problem that the formation of the protective layer itself is complicated and at the same time the cost is increased.

更には、保護層によって配線電極間のマイグレーションを防止するには、各配線電極の側面を含む全体を完全に保護層で覆わなければならないが、現実的には高密度化された配線を保護層によって完全に覆うことは困難であり、これを実現しようとすると、保護層形成時における樹脂の粘性等の物理的性質を適正に調整することが必要になるなどの煩雑さが加わることになる。また、配線間隔が10μmより更に小さい超高密度配線を対象とする場合には、その困難さが更に増すことになるので、保護層によるマイグレーション防止策は有効な対策にならないという問題がある。   Furthermore, in order to prevent migration between the wiring electrodes by the protective layer, the entire side including the side surfaces of each wiring electrode must be completely covered with the protective layer. Therefore, it is difficult to completely cover the surface, and if this is to be realized, the physical properties such as the viscosity of the resin at the time of forming the protective layer need to be appropriately adjusted. In addition, in the case of targeting an ultra-high-density wiring whose wiring interval is further smaller than 10 μm, the difficulty is further increased. Therefore, there is a problem that the migration preventing measure by the protective layer is not an effective measure.

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、保護層を形成する新たな工程を付加することなく確実に配線電極間のマイグレーションを防止すること、また、配線間隔が更に近接した場合にも効果的にマイグレーションを防止できること、更にはマイグレーションの防止によって有機ELパネル等のディスプレイ装置の高性能化を達成できること等が本発明の目的である。   This invention makes it an example of a subject to cope with such a problem. That is, it is possible to reliably prevent migration between wiring electrodes without adding a new process for forming a protective layer, to effectively prevent migration even when the wiring interval is closer, and to further prevent migration. It is an object of the present invention to achieve high performance of a display device such as an organic EL panel by prevention.

このような目的を達成するために、本発明による配線基板、配線パターンの形成方法、有機ELパネルは、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。   In order to achieve such an object, a wiring board, a method for forming a wiring pattern, and an organic EL panel according to the present invention include at least the configurations according to the following independent claims.

[請求項1]互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板であって、前記2本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする配線基板。   [Claim 1] A wiring pattern having at least two wiring electrodes close to each other and having different potential states is formed on an insulating substrate, and at least a wiring electrode on the high potential side of the two wiring electrodes. A wiring board containing a metal element that easily causes migration, and is made of a conductive material that does not contain the metal element that easily causes migration between the two wiring electrodes. A wiring board, wherein a conductive pattern having a potential state equal to or higher than that of an electrode is formed.

[請求項7]互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンの形成方法であって、前記配線電極として前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターンを形成すると共に、該下地パターンと同材料で、前記2本の配線電極間に、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンを形成する工程と、前記下地パターン上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程とを有することを特徴とする配線パターンの形成方法。   [Claim 7] A wiring pattern having at least two wiring electrodes in close proximity to each other and having different potential states is formed on an insulating substrate, and at least the wiring electrode on the high potential side of the two wiring electrodes. A method of forming a wiring pattern including a metal element that is likely to cause migration, wherein the base electrode is formed of a conductive material that does not include the metal element that is likely to cause migration as the wiring electrode. Forming a conductive pattern between the two wiring electrodes and having the same potential as or higher than the wiring electrode on the high potential side, and the metal element on the base pattern. And a step of selectively covering with the conductive material contained therein.

[請求項10]第1電極と第2電極との間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して基板上に複数の有機EL素子を形成し、前記第1電極から引き出された配線パターンと前記第2電極から引き出された配線パターンとを前記基板上に形成した有機ELパネルであって、前記配線パターンにおいて、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極が形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にはマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、前記2本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする有機ELパネル。   [Claim 10] A plurality of organic EL elements are formed on a substrate by sandwiching an organic material layer including an organic light-emitting functional layer between the first electrode and the second electrode, and the wiring led out from the first electrode An organic EL panel in which a pattern and a wiring pattern drawn from the second electrode are formed on the substrate, wherein at least two wiring electrodes that are close to each other and have different potential states are formed in the wiring pattern. Among the two wiring electrodes, at least the wiring electrode on the high potential side includes a metal element that easily causes migration, and the metal element that easily causes migration is included between the two wiring electrodes. An organic EL panel comprising a conductive pattern made of a non-conductive material and having a potential state equal to or higher than that of the wiring electrode on the high potential side. .

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1及び図3の(a)は本発明の一実施形態に係る配線基板の要部構成を示す説明図であり、これらの図の(b)はその電位状態を示す線図である。本実施形態の配線基板としては、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極2A,2Bを有する配線パターン2が絶縁性の基板1上に形成されており、この2本の配線電極2A,2Bのうち少なくとも高電位側の配線電極2Aにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれていることが前提になる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 and FIG. 3 (a) are explanatory views showing the main configuration of a wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is a diagram showing the potential state thereof. As the wiring board of the present embodiment, a wiring pattern 2 having at least two wiring electrodes 2A and 2B that are close to each other and have different potential states is formed on an insulating substrate 1, and the two wirings It is assumed that at least the wiring electrode 2A on the high potential side of the electrodes 2A and 2B contains a metal element that easily causes migration.

そして、本発明の実施形態では、近接した配線電極2Aと配線電極2Bとの間のマイグレーションを防止するために、2本の配線電極2A,2Bの間に、マイグレーションが生じ易い金属元素が含まれない導電材料からなり、高電位側の配線電極2Aと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン3が形成されている。   In the embodiment of the present invention, in order to prevent migration between the adjacent wiring electrodes 2A and 2B, a metal element that easily causes migration is included between the two wiring electrodes 2A and 2B. A conductive pattern 3 is formed which is made of a non-conductive material and has the same potential as or higher than the wiring electrode 2A on the high potential side.

これによると、高電位側の配線電極2Aの周囲に生じるマイグレーションを生じ易い金属元素の金属イオン(図では銀イオンAgを示している。)が、電位差のある配線電極2A,2B間に形成される電界勾配aの上に乗らない状況を形成できる。これによって、金属イオンの移行を防ぎ、マイグレーションの発生を根本的に防止することができる。 According to this, a metal ion of a metal element that is likely to cause migration around the wiring electrode 2A on the high potential side (in the figure, silver ions Ag + ) is formed between the wiring electrodes 2A and 2B having a potential difference. It is possible to form a situation where the electric field gradient a is not taken. Thereby, migration of metal ions can be prevented, and migration can be fundamentally prevented.

なお、ここでいう電位状態とは、配線電極2A,2B或いは導電性パターン3に印加される定常的な電圧による電位状態を指すだけでなく、これらに印加される電圧の時間的な平均によって表される相対的な電位状態を指すものとする。したがって、各配線電極2A,2Bへ各種の信号が供給された場合に瞬間的に前述した電位状態の関係が崩れるものであっても、時間的な平均によって前述した電位状態の関係が保たれるものであれば本発明の実施形態に成りうる。   The potential state here refers not only to a potential state due to a steady voltage applied to the wiring electrodes 2A and 2B or the conductive pattern 3, but also represented by a temporal average of the voltages applied thereto. The relative potential state to be applied. Therefore, even if various potential signals are instantaneously broken when various signals are supplied to the respective wiring electrodes 2A and 2B, the aforementioned potential state relationship is maintained by temporal averaging. Anything can be an embodiment of the present invention.

これに対して、図2は、このような導電性パターン3を形成していない配線基板の例を示している。この場合には、多少配線電極2A,2B間の間隔を空けたとしても、配線電極2Aの周囲に生じる金属イオンが配線電極2A,2B間に形成される電界勾配aの上に乗ってしまうことになり、この電界勾配aによって経時的に金属イオンの移動が生じ、その後、移動した金属イオンが析出して両電極間を導通することになる。このように本発明の実施形態に係る前提の状態で前述した導電性パターン3を形成しない場合には、多少配線電極の間隔を拡げたとしても、時間の問題でマイグレーションによる電極間の短絡不具合が起こることになる。   On the other hand, FIG. 2 shows an example of a wiring board in which such a conductive pattern 3 is not formed. In this case, even if the space between the wiring electrodes 2A and 2B is somewhat increased, the metal ions generated around the wiring electrode 2A may ride on the electric field gradient a formed between the wiring electrodes 2A and 2B. The electric field gradient a causes the movement of metal ions over time, and then the moved metal ions are deposited to conduct between the electrodes. As described above, when the conductive pattern 3 described above is not formed in the premise according to the embodiment of the present invention, even if the interval between the wiring electrodes is slightly increased, a short-circuit failure between the electrodes due to migration may occur due to time problems. Will happen.

図1及び図3の実施形態を個々に詳しく説明すると、図1の実施形態では、導電性パターン3は、高電位側の配線電極2Aに沿って形成され、この配線電極2Aに少なくとも1箇所、好ましくは複数箇所で接続されている。図示では2箇所で接続している状態が示されているが、これに限らず2箇所以上で接続しても良い。また接続箇所は配線電極の端部付近や中間付近等で接続していればよい。特に配線電極の幅に対して配線方向に長い電極の場合には、端部付近と中間付近で複数の接続箇所を作ることで以下に示す作用を効果的に得ることができる。   1 and 3 will be described in detail individually. In the embodiment of FIG. 1, the conductive pattern 3 is formed along the wiring electrode 2A on the high potential side, and at least one place on the wiring electrode 2A. Preferably, they are connected at a plurality of locations. In the drawing, a state in which the connection is made at two places is shown, but the present invention is not limited to this, and the connection may be made at two or more places. Moreover, the connection location should just be connected near the edge part of wiring electrode, intermediate | middle vicinity, etc. In particular, in the case of an electrode that is long in the wiring direction with respect to the width of the wiring electrode, the following operation can be effectively obtained by forming a plurality of connection locations near the end and near the middle.

この実施形態の作用を説明すると、配線電極2Aに沿って形成された導電性パターン3が配線電極2Aに少なくとも1箇所で接続されることによって、導電性パターン3と配線電極2Aは常に同電位になるので、配線電極2Aから導電性パターン3が形成された箇所間に電位がフラットな状態が形成されることになる。これによって、配線電極2Aの周辺に生じた金属イオンが電界勾配aに乗ることがなく、配線電極2Aから配線電極2Bに向かう金属イオンの移行を防止することができる。   Explaining the operation of this embodiment, the conductive pattern 3 formed along the wiring electrode 2A is connected to the wiring electrode 2A at least at one place, so that the conductive pattern 3 and the wiring electrode 2A are always at the same potential. Therefore, a flat state is formed between the portions where the conductive pattern 3 is formed from the wiring electrode 2A. Thus, metal ions generated around the wiring electrode 2A do not ride on the electric field gradient a, and migration of metal ions from the wiring electrode 2A toward the wiring electrode 2B can be prevented.

図3の実施形態では、導電性パターン3は、高電位側の配線電極2Aに沿って独立して形成され、この配線電極2Aより高い電位状態になるように電圧Vが印加されている。 In the embodiment of FIG. 3, the conductive pattern 3 is formed independently along the wiring electrode 2A of the high potential side, the voltage V 0 is applied so that a higher potential than that the wiring electrode 2A.

この実施形態によると、電圧Vが印加された導電性パターン3の存在によって、配線電極2Aから導電性パターン3が形成された箇所間に配線電極Bに向かう勾配とは逆勾配の電界勾配bが形成されることになる。これによって、配線電極2Aの周辺に生じた金属イオンは寧ろ配線電極2A側に戻されることになり、この金属イオンが電界勾配aに乗ることはなく、配線電極2Aから配線電極2Bに向かう金属イオンの移行を防止することができる。 According to this embodiment, due to the presence of the conductive pattern 3 to which the voltage V 0 is applied, the electric field gradient b is opposite to the gradient from the wiring electrode 2A toward the wiring electrode B between the portions where the conductive pattern 3 is formed. Will be formed. As a result, the metal ions generated around the wiring electrode 2A are returned to the wiring electrode 2A side, and the metal ions do not ride on the electric field gradient a, and the metal ions head from the wiring electrode 2A toward the wiring electrode 2B. Can be prevented.

前述した各実施形態において、少なくとも高電位側の配線電極2Aは、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれていることが前提になるが、その金属元素が含まれる状態はどのような状態であっても良い。例えば、配線電極2A全体にその金属元素が含まれる状態であっても良いし、或いは、下地パターンを形成してその上に前述の金属元素が含まれている導電材料が被覆されている状態であっても良い。後者の場合には、下地パターンを導電性パターン3と同材料で形成することで、下地パターンと導電性パターン3を同工程で形成することが可能になり、これによると既存配線パターンの形成に特に工程を付加することなく導電性パターン3を形成することができる。   In each of the embodiments described above, it is assumed that at least the wiring electrode 2A on the high potential side includes a metal element that is likely to cause migration, but what is the state in which the metal element is included? Also good. For example, the wiring electrode 2A may be in a state in which the metal element is contained, or in a state in which a base pattern is formed and a conductive material containing the metal element is covered thereon. There may be. In the latter case, the base pattern and the conductive pattern 3 can be formed in the same process by forming the base pattern with the same material as that of the conductive pattern 3. In particular, the conductive pattern 3 can be formed without adding a process.

前述したマイグレーションを生じ易い金属元素としては、前述した銀(Ag)の他に、銅(Cu)、錫(Sn)、鉛(Pb)等を挙げることができる。前述した実施形態においては、これらのいずれかを選択して採用することができる。特に、低抵抗の配線電極を形成するためにしばしば用いられている銀パラジウム(AgPd)合金を、前述の金属元素が含まれている実用的な導電材料として挙げることができる。   Examples of the metal element that easily causes migration include copper (Cu), tin (Sn), and lead (Pb) in addition to the above-described silver (Ag). In the embodiment described above, any of these can be selected and employed. In particular, a silver-palladium (AgPd) alloy often used for forming a low-resistance wiring electrode can be cited as a practical conductive material containing the aforementioned metal element.

次に、このような実施形態に係る配線基板上に形成される配線パターンの形成方法の一例を説明する。図4は、その各工程を示す説明図であるが、図1の実施形態におけるX−X断面図に対応した図を示している。   Next, an example of a method for forming a wiring pattern formed on the wiring board according to such an embodiment will be described. FIG. 4 is an explanatory view showing each process, and shows a diagram corresponding to the XX cross-sectional view in the embodiment of FIG.

この実施形態では、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極2A,2Bを有する配線パターン2が絶縁性の基板1上に形成され、2本の配線電極2A,2Bのうち少なくとも高電位側の配線電極2Aにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンを形成する方法が前提になっている。そして、配線電極2Aとしてマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターン2a1を形成すると共に、下地パターン2a1と同材料で、2本の配線電極2A,2B間に、配線電極2Aと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン3を形成する工程(同図(a)及び同図(b)参照)と、下地パターン2a1上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程(同図(c)参照)とを有するものである。   In this embodiment, a wiring pattern 2 having at least two wiring electrodes 2A and 2B that are close to each other and have different potential states is formed on an insulating substrate 1, and at least of the two wiring electrodes 2A and 2B. It is premised on a method of forming a wiring pattern containing a metal element that easily causes migration in the wiring electrode 2A on the high potential side. Then, as the wiring electrode 2A, a base pattern 2a1 made of a conductive material not containing a metal element that easily causes migration is formed, and the wiring electrode is formed between the two wiring electrodes 2A and 2B with the same material as the base pattern 2a1. The step of forming the conductive pattern 3 having the same potential as or higher than 2A (see FIGS. 1A and 1B) and the underlying pattern 2a1 by the conductive material containing the metal element And a step of selectively covering (see FIG. 5C).

各工程に沿って更に詳しく説明する。先ず、図4(a)に示すように基板1上に導電性材料からなる単一被膜2aが形成される。この被膜2aは、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電材料からなるものであって、材料に応じて蒸着,スパッタリング等の各種成膜技術によって成膜される。   Further details will be described along each step. First, as shown in FIG. 4A, a single coating 2a made of a conductive material is formed on the substrate 1. The coating 2a is made of a conductive material that does not contain a metal element that easily causes migration, and is formed by various film forming techniques such as vapor deposition and sputtering according to the material.

次に、同図(b)に示すように、被膜2aに対して配線電極2A,2Bを含む配線パターン2及び導電性パターン3に応じたパターン形成がなされる。この工程としては、周知のフォトリソグラフィーを用いた微細パターン形成工程を採用することができる。また、比較的間隔が広いパターンを形成する場合には、必要なパターンを有するマスクを介した成膜によって、同図(a)の工程を省いたパターン形成を行うこともできる。このような工程によると、下地パターン2a1、導電性パターン3、配線電極2Bの配線パターンを単一の工程で同時に形成することができる。なお、図1の実施形態に対応する場合には、導電性パターン3は、配線電極2Aに沿って形成され、配線電極2Aにおける下地パターン2a1と少なくとも1箇所、好ましくは複数箇所で接続されたパターンに形成されることになる。   Next, as shown in FIG. 4B, a pattern corresponding to the wiring pattern 2 including the wiring electrodes 2A and 2B and the conductive pattern 3 is formed on the coating 2a. As this step, a fine pattern forming step using well-known photolithography can be employed. In the case of forming a pattern with a relatively wide interval, pattern formation can be performed by omitting the process of FIG. 5A by film formation through a mask having a necessary pattern. According to such a process, the wiring pattern of the base pattern 2a1, the conductive pattern 3, and the wiring electrode 2B can be simultaneously formed in a single process. In the case corresponding to the embodiment of FIG. 1, the conductive pattern 3 is formed along the wiring electrode 2A, and is connected to the ground pattern 2a1 in the wiring electrode 2A at least at one place, preferably at a plurality of places. Will be formed.

その後は、同図(c)に示すように、下地パターン2a1上にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれる導電材料を選択的に被覆して被覆層2a2を形成する。この被覆層2a2によって、配線電極2A或いはその他の配線パターン2を低抵抗の配線にすることができる。   After that, as shown in FIG. 3C, the covering layer 2a2 is formed by selectively covering the base pattern 2a1 with a conductive material containing a metal element that easily causes migration. With this coating layer 2a2, the wiring electrode 2A or other wiring pattern 2 can be made into a low resistance wiring.

このような実施形態の形成方法によると、マイグレーションを防止するために形成される導電性パターン3を、他の配線パターンを形成する工程の中に含めて同工程で形成することができるので、別工程が付加されること無く、マイグレーション防止を図った配線基板を形成することができる。また、従前から下地パターン2a1上に被覆層2a2を形成して低抵抗の配線パターンを形成していた場合には、配線パターンにおける材料や基本的な構造を変えることなく、パターン形成の設計を若干変更するだけで、マイグレーション防止に有効な導電性パターン3を形成することができる。したがって、格別なコストアップ無しに有効なマイグレーション対策が実行可能である。   According to the formation method of such an embodiment, the conductive pattern 3 formed to prevent migration can be included in the process of forming another wiring pattern and formed in the same process. A wiring board that prevents migration can be formed without adding a process. In the case where the coating layer 2a2 has been formed on the base pattern 2a1 to form a low-resistance wiring pattern, the pattern formation design is slightly changed without changing the material or basic structure of the wiring pattern. The conductive pattern 3 effective for preventing migration can be formed only by changing. Therefore, effective migration countermeasures can be executed without any particular cost increase.

以下に、本発明の実施例として、前述した実施形態に係る配線基板又は配線パターンの形成方法が適用される有機ELパネルについて説明する。しかしながら、本発明の実施形態に係る配線基板又は配線パターンの形成方法は、以下の説明に限定されるものではなく、他の配線電極部分、或いは他の電子機器や電子部品にも適用可能であることは言うまでもない。   Hereinafter, as an example of the present invention, an organic EL panel to which the wiring substrate or wiring pattern forming method according to the above-described embodiment is applied will be described. However, the method for forming the wiring board or the wiring pattern according to the embodiment of the present invention is not limited to the following description, and can be applied to other wiring electrode portions, or other electronic devices and electronic components. Needless to say.

図5及び図6は、本発明の実施例に係る有機ELパネルを説明する説明図(断面図)である。図5は図6におけるX−X断面図を示しており、図6は図5におけるX−X断面図を示している。 5 and 6 are explanatory views (cross-sectional views) for explaining the organic EL panel according to the embodiment of the present invention. 5 shows a sectional view taken along line X 2 -X 2 in FIG. 6, and FIG. 6 shows a sectional view taken along line X 1 -X 1 in FIG.

図において、有機ELパネル10の基本構成は、第1電極21と第2電極22との間に有機発光機能層を含む有機材料層23を挟持して基板11上に複数の有機EL素子20を形成したものである。図示の例では、基板11上にシリコン被覆層11aを形成しており、その上に形成される第1電極21をITO等の透明電極からなる陽極に設定し、第2電極22をAl等の金属材料からなる陰極に設定して、基板11側から光を取り出すボトムエミッション方式を構成している。また、有機材料層23としては、正孔輸送層23A,発光層23B,電子輸送層23Cの3層構造の例を示している。そして、基板11と封止部材30とを接着層31を介して貼り合わせることによって基板11上に封止空間30Sを形成し、封止空間30S内に有機EL素子20からなる表示部を形成している。   In the figure, the basic configuration of the organic EL panel 10 includes a plurality of organic EL elements 20 on a substrate 11 with an organic material layer 23 including an organic light emitting functional layer sandwiched between a first electrode 21 and a second electrode 22. Formed. In the illustrated example, the silicon coating layer 11a is formed on the substrate 11, the first electrode 21 formed thereon is set as an anode made of a transparent electrode such as ITO, and the second electrode 22 is made of Al or the like. A bottom emission system is configured in which the cathode is made of a metal material and light is extracted from the substrate 11 side. As the organic material layer 23, an example of a three-layer structure of a hole transport layer 23A, a light emitting layer 23B, and an electron transport layer 23C is shown. And the sealing space 30S is formed on the board | substrate 11 by bonding the board | substrate 11 and the sealing member 30 through the contact bonding layer 31, and the display part which consists of the organic EL element 20 in the sealing space 30S is formed. ing.

有機EL素子20からなる表示部は、図示の例では、第1電極21を絶縁層24で区画すると共に、第2電極22を陰極隔壁25によって絶縁区画しており、区画された第1電極21の下に各有機EL素子20による単位表示領域(20R,20G,20B)を形成している。また、封止空間30Sを形成する封止部材30の内面には乾燥手段32が取り付けられて、湿気による有機EL素子20の劣化を防止している。   In the example shown in the figure, the display unit composed of the organic EL element 20 has the first electrode 21 partitioned by an insulating layer 24 and the second electrode 22 insulated by a cathode partition wall 25, and the partitioned first electrode 21 is partitioned. A unit display area (20R, 20G, 20B) is formed by each organic EL element 20 below. Moreover, the drying means 32 is attached to the inner surface of the sealing member 30 that forms the sealing space 30S to prevent the organic EL element 20 from being deteriorated due to moisture.

そして、図5は陰極となる第2電極22の引出配線部を示している。第2電極22の引出配線部には、第1電極21と同材料,同工程で形成される下地パターン12a1が第1電極21とは絶縁層24で絶縁された状態でパターン形成されている。この下地パターン12a1の引出部分には、配線の低抵抗化を図るために、銀パラジウム(AgPd)合金等を含む低抵抗の導電材料(マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている導電材料)からなる被覆層12a2が形成されており、更にその上に必要に応じてIZO等の保護被膜12a3が形成されて、下地パターン12a1,被覆層12a2,保護被膜12a3によって配線電極12aが形成されている。そして、その封止空間30S内端部に第2電極22の端部22aが接続されている。   FIG. 5 shows the lead-out wiring portion of the second electrode 22 that becomes the cathode. In the lead-out wiring portion of the second electrode 22, a base pattern 12 a 1 formed by the same material and in the same process as the first electrode 21 is formed in a pattern insulated from the first electrode 21 by the insulating layer 24. In order to reduce the resistance of the wiring, the lead-out portion of the base pattern 12a1 is made of a low-resistance conductive material (a conductive material containing a metal element that easily causes migration) including a silver palladium (AgPd) alloy or the like. A coating layer 12a2 is formed, and a protective coating 12a3 such as IZO is formed on the coating layer 12a2 as necessary, and a wiring electrode 12a is formed by the base pattern 12a1, the coating layer 12a2, and the protective coating 12a3. The end 22a of the second electrode 22 is connected to the inner end of the sealed space 30S.

一方、図6は陽極となる第1電極21の引出配線部を示している。第1電極21の引出配線部では、第1電極21を延出して封止空間外に引き出すことによって配線電極12bを形成している。   On the other hand, FIG. 6 shows the lead-out wiring portion of the first electrode 21 that becomes the anode. In the lead wiring portion of the first electrode 21, the wiring electrode 12 b is formed by extending the first electrode 21 and pulling it out of the sealing space.

図7は、このような有機ELパネル10の配線電極の配線パターンを示す説明図(平面図)である。陽極を形成する第1電極21,陰極を形成する第2電極22のそれぞれから引き出された配線電極12b,12aは、そのまま延出すると互いに直交する方向に引き出されることになるが、図示のように、一方を屈曲させて有機ELパネル10の同一辺側に全ての配線電極12a,12bを向けるように配線パターンを設計するケースが多くなっている(図において、Pが陽極側の配線パターン領域、N,Nが陰極側の配線パターン領域)。このような配線パターンを形成することで、フレキシブル回路基板等の回路基板と接続する接続領域40を一箇所に形成することが可能になり、一回の接続工程(一般には、異方性導電膜を介した熱圧着工程等によってなされる)で陽極側と陰極側の接続を同時に行うことができるようになる。また、接続される回路基板の形態自体も一つの基板で形成できるようになる。 FIG. 7 is an explanatory view (plan view) showing a wiring pattern of wiring electrodes of such an organic EL panel 10. When the wiring electrodes 12b and 12a drawn from the first electrode 21 forming the anode and the second electrode 22 forming the cathode are extended as they are, they are drawn in directions orthogonal to each other. In many cases, a wiring pattern is designed so that one of the wiring electrodes 12a and 12b is directed to the same side of the organic EL panel 10 by bending one side (in the drawing, P is a wiring pattern region on the anode side, N 1 and N 2 are wiring pattern regions on the cathode side). By forming such a wiring pattern, it is possible to form a connection region 40 connected to a circuit board such as a flexible circuit board in one place, and a single connection process (generally, an anisotropic conductive film). In this case, the anode side and the cathode side can be connected simultaneously. In addition, the circuit board to be connected can be formed on a single board.

しかしながら、このような配線パターンを形成することによって、図示のA部及びA部の中央部分で、陽極側の配線電極と陰極側の配線電極が互いに近接配置されることになる。ここで陰極側の配線電極は、表示部の駆動上、殆どの時間が逆バイアス電圧の印加状態にあり、各配線の走査時のみ接地電位側に電位を落とすことがなされるので、時間平均でみると陽極側よりは相対的に高い電位状態になっている。一方、陽極側の配線電極は、常時は接地電位側に電位状態が落とされており、信号印加時のみ高電位側に電圧印加がなされるので、時間平均でみると陰極側よりは相対的に低い電位状態になっている。 However, by forming such a wiring pattern, the central portion of the A 1 parts and A 2 parts shown, so that the wiring electrodes of the wiring electrode and the cathode side of the anode side are arranged close to each other. Here, the cathode side wiring electrode is in a state of applying a reverse bias voltage for most of the driving time of the display unit, and the potential is dropped to the ground potential side only during scanning of each wiring. As a result, the potential is relatively higher than that on the anode side. On the other hand, the potential of the wiring electrode on the anode side is normally lowered to the ground potential side, and voltage is applied to the high potential side only when a signal is applied. It is in a low potential state.

また、高電位側の配線電極になる陰極側の配線電極には、前述したように銀パラジウム(AgPd)合金等を含む低抵抗の導電材料(マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている導電材料)からなる被覆層12a2が形成されているので、図8(A部拡大図)に示すように、有機ELパネル10の基板11上のA,A部の中央部では、互いに近接し互いに異なる電位状態となる2本の配線電極12A,12Bが絶縁性の基板11上に形成され、高電位側の配線電極12Aにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板(本発明の前提構成)が形成されていることになる。 In addition, as described above, the low-resistance conductive material containing silver palladium (AgPd) alloy or the like (conductive material containing a metal element that easily causes migration) is used for the cathode-side wiring electrode that becomes the high-potential-side wiring electrode. since the coating layer 12a2 made of) are formed, as shown in FIG. 8 (a 1 part enlarged view), the central portion of the a 1, a 2 parts on the substrate 11 of the organic EL panel 10, close to each other Two wiring electrodes 12A and 12B having different potential states are formed on the insulating substrate 11, and a wiring substrate containing a metal element that easily causes migration to the wiring electrode 12A on the high potential side (in the present invention) (Prerequisite configuration) is formed.

そして、本発明の実施例に係る有機ELパネル10においては、図8に示すように、2本の配線電極12A,12B間に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない導電性材料からなり、高電位側の配線電極12Aと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン13を形成している。   And in the organic electroluminescent panel 10 which concerns on the Example of this invention, as shown in FIG. 8, it consists of a conductive material which does not contain the metal which is easy to produce migration between two wiring electrodes 12A and 12B, and is high. A conductive pattern 13 is formed that is in the same potential as or higher than the potential-side wiring electrode 12A.

導電性パターン13の詳細については、図示の実施例では前述した図1或いは図4の実施形態を適用したものであり、配線電極12Aに沿って形成されたパターン部分13aと配線電極12Aの下地パターン12a1との接続を図るパターン部分13bとからなるものである。導電性パターン13の形成は図4に示したように、配線電極12Aの下地パターン12a1と同材料,同工程で形成することができる。ここでは、導電性パターン13として図1に示した実施形態を適用したが、図3に示した実施形態を同様に適用することもできる。   As for the details of the conductive pattern 13, the embodiment shown in FIG. 1 or FIG. 4 is applied in the illustrated example, and the pattern portion 13a formed along the wiring electrode 12A and the underlying pattern of the wiring electrode 12A. 12a1 and a pattern portion 13b for connection with 12a1. As shown in FIG. 4, the conductive pattern 13 can be formed in the same material and in the same process as the base pattern 12a1 of the wiring electrode 12A. Here, the embodiment shown in FIG. 1 is applied as the conductive pattern 13, but the embodiment shown in FIG. 3 can also be applied in the same manner.

このような本発明の実施例に係る有機ELパネル10によると、陰極側から引き出された配線電極12Aと陽極側から引き出された配線電極12Bが近接配置され、陰極側の配線電極12Aの低抵抗化を図るためにマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれる導電材料を用いたとしても、配線電極12Aの周囲に生じた金属イオン(銀イオンAg+)が配線電極12Bに向かう電界勾配の上に乗ることがないので、金属イオンが配線電極12B側へ移行することを防止することができる。これによって、マイグレーションによる陰陽極間の短絡或いは配線電極を流れる電流の変動等の不具合を未然に回避することができる。   According to the organic EL panel 10 according to the embodiment of the present invention, the wiring electrode 12A drawn out from the cathode side and the wiring electrode 12B drawn out from the anode side are arranged close to each other, and the low resistance of the wiring electrode 12A on the cathode side is arranged. Even if a conductive material containing a metal element that is likely to cause migration is used for the purpose of forming a metal layer, metal ions (silver ions Ag +) generated around the wiring electrode 12A are placed on an electric field gradient toward the wiring electrode 12B. Therefore, it is possible to prevent the metal ions from moving to the wiring electrode 12B side. As a result, it is possible to avoid problems such as a short circuit between negative and positive electrodes due to migration or fluctuations in the current flowing through the wiring electrodes.

以下、本発明の実施例に係る有機ELパネル10の各構成要素について、更に具体的な構成を示す。   Hereinafter, a more specific configuration will be shown for each component of the organic EL panel 10 according to the embodiment of the present invention.

a.基板;
有機ELパネル10の基板11としては、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチック等を用いることができる。
a. substrate;
The substrate 11 of the organic EL panel 10 is preferably a flat plate or film having transparency, and the material may be glass or plastic.

b.電極;
前述の実施例では、第1電極21を陽極、第2電極22を陰極として、第1電極21側から正孔輸送層23A,発光層23B,電子輸送層23Cを積層させているが、本質的には、第1電極21,第2電極22のどちらを陰極又は陽極に設定しても構わない。電極材料としては、陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム(Cr),モリブデン(Mo),ニッケル(Ni),白金(Pt)等の金属膜やITO,IZO等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg)等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Cr,NiO,Mn等の酸化物を使用できる。また、第1電極21,第2電極22ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にする。
b. electrode;
In the foregoing embodiment, the hole transport layer 23A, the light emitting layer 23B, and the electron transport layer 23C are stacked from the first electrode 21 side using the first electrode 21 as an anode and the second electrode 22 as a cathode. In this case, either the first electrode 21 or the second electrode 22 may be set as a cathode or an anode. As an electrode material, the anode is made of a material having a higher work function than the cathode, and a metal film such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), nickel (Ni), platinum (Pt), or a metal oxide film such as ITO or IZO. A transparent conductive film such as is used. Conversely, the cathode is made of a material having a work function lower than that of the anode, and is made of a metal film such as aluminum (Al) or magnesium (Mg), an amorphous semiconductor such as doped polyaniline or doped polyphenylene vinylene, Cr 2 O 3 , NiO, Mn 2 O 5 and other oxides can be used. When both the first electrode 21 and the second electrode 22 are made of a transparent material, a reflection film is provided on the electrode side opposite to the light emission side.

c.有機材料層;
有機材料層23は、前述した実施例のように、正孔輸送層23A,発光層23B,電子輸送層23Cの組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層23A,発光層23B,電子輸送層23Cはそれぞれ1層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層23A,電子輸送層123Cについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層,電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層23A,発光層23B,電子輸送層23Cは従来の使用されている材料(高分子材料、低分子材料を問わない)を適宜選択可能である。
c. Organic material layer;
The organic material layer 23 is generally a combination of a hole transport layer 23A, a light emitting layer 23B, and an electron transport layer 23C as in the above-described embodiment, but the hole transport layer 23A, the light emitting layer 23B, and the electron transport layer are combined. 23C may be provided by laminating not only one layer but also a plurality of layers, and either one or both of the hole transport layer 23A and the electron transport layer 123C may be omitted. . It is also possible to insert organic material layers such as a hole injection layer and an electron injection layer depending on the application. For the hole transport layer 23A, the light emitting layer 23B, and the electron transport layer 23C, a conventionally used material (regardless of a polymer material or a low molecular material) can be appropriately selected.

また、発光層23Bを形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(りん光)を呈するもののいずれであっても構わない。   In addition, as a light emitting material for forming the light emitting layer 23B, light emitting material (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state, light emission (phosphorescence) when returning from the triplet excited state to the ground state is exhibited. Any one of them can be used.

d.封止部材;
有機ELパネル10において、有機EL素子20を気密に封止するための封止部材30としては、金属製,ガラス製,プラスチック製等による板状部材又は容器状部材を用いることができる。ガラス製の封止基板にプレス成形,エッチング,ブラスト処理等の加工によって封止用凹部(一段掘り込み、二段掘り込みを問わない)を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス(プラスチックでも良い)製のスペーサにより基板11との間に封止空間30Sを形成することもできる。
d. Sealing member;
In the organic EL panel 10, as the sealing member 30 for hermetically sealing the organic EL element 20, a plate-like member or container-like member made of metal, glass, plastic, or the like can be used. It is possible to use a glass sealing substrate in which a concave portion for sealing (regardless of one-stage digging or two-stage digging) is formed by processing such as press molding, etching, blasting, or flat glass. The sealing space 30 </ b> S can be formed between the substrate 11 and the substrate 11 using a spacer made of glass (or plastic).

e.接着層;
有機ELパネル10における接着層31を形成する接着剤は、熱硬化型,化学硬化型(2液混合),光(紫外線)硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂,エポキシ樹脂,ポリエステル,ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
e. Adhesive layer;
As the adhesive for forming the adhesive layer 31 in the organic EL panel 10, a thermosetting type, a chemical curing type (two-component mixing), a light (ultraviolet) curing type, or the like can be used, and acrylic resin, epoxy resin, Polyester, polyolefin and the like can be used. In particular, it is preferable to use an ultraviolet curable epoxy resin adhesive that does not require heat treatment and has high immediate curing properties.

f.乾燥手段;
乾燥手段32は、ゼオライト,シリカゲル,カーボン,カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物,金属ハロゲン化物,過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン,キシレン,脂肪族有機溶剤等の石油系溶媒に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン,ポリイソプレン,ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
f. Drying means;
The drying means 32 is a physical desiccant such as zeolite, silica gel, carbon or carbon nanotube, a chemical desiccant such as alkali metal oxide, metal halide or chlorine peroxide, or an organometallic complex in toluene, xylene or aliphatic organic. It can be formed with a desiccant dissolved in a petroleum solvent such as a solvent, a desiccant in which desiccant particles are dispersed in a binder such as polyethylene, polyisoprene, and polyvinyl cinnaate having transparency.

g.有機EL表示パネルの各種方式等;
本発明の実施例となる有機ELパネルとしては、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の設計変更が可能である。例えば、有機EL素子の発光形態は、前述した実施例のように基板11側から光を取り出すボトムエミッション方式でも、基板11とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式でも構わない。また、本発明の実施例に係る有機ELパネル10は単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式(CF方式、CCM方式)、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式(フォトブリーチング方式)、2色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式(SOLED(transparent Stacked OLED)方式)等を採用することができる。
g. Various types of organic EL display panels;
Various design changes can be made to the organic EL panel as an embodiment of the present invention without departing from the gist of the present invention. For example, the light emission form of the organic EL element may be a bottom emission method in which light is extracted from the substrate 11 side as in the above-described embodiment, or a top emission method in which light is extracted from the opposite side to the substrate 11. In addition, the organic EL panel 10 according to the embodiment of the present invention may be a single color display or a multi-color display. In order to realize the multi-color display, it is needless to say that a separate coloring method is included. Multiple light emission methods such as a combination of a single color light emitting functional layer such as white or blue with a color conversion layer made of a color filter or a fluorescent material (CF method, CCM method), irradiating an electromagnetic wave to the light emitting area of the single color light emitting functional layer, etc. (Photo bleaching method), a method in which unit display regions of two or more colors are stacked vertically to form one unit display region (SOLED (transparent stacked OLED) method), or the like can be employed.

本発明の各実施形態又は実施例の特徴をまとめると以下の通りである(以下の符号は、図1〜図8の各図に対応している。)。   The characteristics of each embodiment or example of the present invention are summarized as follows (the following symbols correspond to the respective drawings in FIGS. 1 to 8).

一つには、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極2A,2B(12A,12B)を有する配線パターンが絶縁性の基板1(11)上に形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極2A(12A)にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板を前提として、2本の配線電極2A,2B(12A,12B)の間に、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、高電位側の配線電極2A(12A)と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン3(13)が形成されていることを特徴としている。   For example, a wiring pattern having at least two wiring electrodes 2A and 2B (12A and 12B) that are close to each other and have different potential states is formed on the insulating substrate 1 (11). Assuming a wiring board containing a metal element that is likely to cause migration in at least the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side of the wiring electrodes, between the two wiring electrodes 2A, 2B (12A, 12B), The conductive pattern 3 (13) is formed of a conductive material that does not include a metal element that easily causes migration, and has the same potential as or higher than the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side. It is characterized by.

これによると、マイグレーションを生じ易い金属元素を含む導電材料は一般に低抵抗であるから、高電位側の配線電極2A(12A)の抵抗を下げて配線の導電性を向上させることができ、また、導電性パターン3(13)の存在によってマイグレーションを防止することができるので、異なる電位状態となる2本の配線電極2A,2B間を近接配置して配線パターンの高密度化を図った場合にも短絡等の不具合を回避することができる。   According to this, since the conductive material containing a metal element that is likely to cause migration generally has a low resistance, the resistance of the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side can be lowered to improve the conductivity of the wiring. Since migration can be prevented by the presence of the conductive pattern 3 (13), even when the wiring patterns 2A and 2B in different potential states are arranged close to each other to increase the density of the wiring pattern. Problems such as a short circuit can be avoided.

また一つには、前述した配線基板において、導電性パターン3(13)は、高電位側の配線電極2A(12A)に沿って形成され、配線電極2A(12A)に少なくとも1箇所、好ましくは複数箇所で接続されていることを特徴とする。これによると、導電性パターン3と高電位側の配線電極2Aとを接続することによって同電位にすることができ、これにより高電位側の配線電極2Aの近くで低電位側に向けた電界勾配を作らないので、マイグレーションの発生を防止することができる。また、配線電極2A(12A)と複数箇所で接続することで、配線電極2A(12A)の全域でマイグレーションの発生を防止することができ、長尺な配線電極2A(12A)に対しても、確実に導電性パターン3(13)の電位を配線電極2Aと同電位にすることができる。また、導電性パターン3(13)を配線電極2Aと一箇所のみで接続した場合には、終端がフリーなパターンになってノイズを拾ったり、或いは逆に不要輻射が増大する可能性があるが、複数箇所の接続によってこのような不具合が生じない。   In addition, in the wiring board described above, the conductive pattern 3 (13) is formed along the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side, and at least one place on the wiring electrode 2A (12A), preferably It is connected at a plurality of locations. According to this, the same potential can be obtained by connecting the conductive pattern 3 and the wiring electrode 2A on the high potential side, whereby an electric field gradient directed toward the low potential side near the wiring electrode 2A on the high potential side. Does not create migration, so that migration can be prevented. In addition, by connecting to the wiring electrode 2A (12A) at a plurality of locations, occurrence of migration can be prevented throughout the wiring electrode 2A (12A), and even for the long wiring electrode 2A (12A), The potential of the conductive pattern 3 (13) can be reliably made the same as that of the wiring electrode 2A. Further, when the conductive pattern 3 (13) is connected to the wiring electrode 2A only at one place, there is a possibility that the termination becomes a free pattern to pick up noise or conversely increase unnecessary radiation. Such a problem does not occur due to the connection at a plurality of locations.

また一つには、前述した配線基板において、導電性パターン3(13A)は、高電位側の配線電極2A(12A)に沿って独立して形成され、この配線電極以上の電位状態になるように電圧印加がなされていることを特徴とする。これによると、配線電極2A(12A)から導電性パターン3に至る電界勾配を、配線電極2A(12A)の周囲に生じる金属イオンが配線電極2A側に戻る勾配にすることができ、マイグレーションの発生を確実に防止することが可能になる。   In addition, in the wiring board described above, the conductive pattern 3 (13A) is formed independently along the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side so as to have a potential state higher than that of the wiring electrode. A voltage is applied to the above. According to this, the electric field gradient from the wiring electrode 2A (12A) to the conductive pattern 3 can be a gradient in which metal ions generated around the wiring electrode 2A (12A) return to the wiring electrode 2A side, and migration occurs. Can be reliably prevented.

また一つには、前述した配線基板において、高電位側の配線電極2A(12A)は、導電性パターン3(13)と同材料で形成された下地パターン2a1(12a1)上に前記金属元素が含まれている導電材料が被覆されていることを特徴とする。これによると、導電性パターン3(13)の形成を下地パターン2a1(12a1)と同工程で形成することができるようになるので、従前から下地パターン2a1(12a1)と被覆層2a2(12a2)とによって配線電極2A(12A)を形成していた場合には、特に工程を追加することなくマイグレーション防止策となる導電性パターン3(13)を形成することができる。   Moreover, in the wiring board described above, the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side has the metal element formed on the base pattern 2a1 (12a1) formed of the same material as the conductive pattern 3 (13). The conductive material contained is coated. According to this, since the conductive pattern 3 (13) can be formed in the same process as the base pattern 2a1 (12a1), the base pattern 2a1 (12a1) and the covering layer 2a2 (12a2) are conventionally used. When the wiring electrode 2A (12A) is formed by the above, the conductive pattern 3 (13) that serves as a migration prevention measure can be formed without any additional process.

また一つには、前述した配線基板において、前記金属元素は、銀(Ag),銅(Cu),錫(Sn),鉛(Pb)のいずれかであることを特徴とする。これらの金属元素を含む導電材料はいずれも低抵抗であるので、この導電性材料を用いることで配線電極の導電性能を向上させることができる。   Further, in the wiring board described above, the metal element is any one of silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), and lead (Pb). Since any of the conductive materials containing these metal elements has low resistance, the conductive performance of the wiring electrode can be improved by using this conductive material.

また一つには、前述した配線基板において、前記金属元素が含まれている導電材料には銀パラジウム(AgPd)合金が含まれていることを特徴とする。これによると、一般に低抵抗配線材料として良く用いられている銀パラジウム(AgPd)合金に対しても有効なマイグレーション対策を施すことができる。   In addition, in the wiring board described above, the conductive material containing the metal element contains a silver palladium (AgPd) alloy. According to this, an effective migration measure can be applied to a silver palladium (AgPd) alloy that is generally used as a low resistance wiring material.

また一つには、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極2A,2B(12A,12B)を有する配線パターンが絶縁性の基板1(11)上に形成され、2本の配線電極2A,2B(12A,12B)のうち少なくとも高電位側の配線電極2A(12A)にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンの形成方法を前提として、配線電極2A(12A)としてマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターン2a1(12a1)を形成すると共に、下地パターン2a1(12a1)と同材料で、2本の配線電極2A,2B(12A,12B)間に、高電位側の配線電極2A(12A)と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン3(13)を形成する工程と、下地パターン2a1(12a1)上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程とを有することを特徴とする。   In addition, a wiring pattern having at least two wiring electrodes 2A and 2B (12A and 12B) that are close to each other and have different potential states is formed on an insulating substrate 1 (11). The wiring electrode 2A (12A) is premised on a method of forming a wiring pattern in which at least the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side of the wiring electrodes 2A, 2B (12A, 12B) contains a metal element that easily causes migration. The base pattern 2a1 (12a1) made of a conductive material that does not contain a metal element that easily causes migration is formed, and the two wiring electrodes 2A and 2B (12A and 12B are made of the same material as the base pattern 2a1 (12a1). ) Between the wiring electrodes 2A (12A) on the high potential side and the conductive pattern 3 (13) that has a potential state higher than that. And having the steps of, a step of selectively coated base pattern 2a1 on (12a1) of a conductive material that includes the metal element.

これによると前述したマイグレーション防止策を施した配線基板を形成するに際して、配線電極2A(12A)の下地パターン2a1(12a1)と同材料で導電性パターン3(13)を形成できるので、下地パターン2a1(12a1)を有する配線電極2A(12A)を備えた従前の配線パターンに対して別途材料を用意することなく導電性パターン3(13)を形成することができる。   According to this, when forming the wiring board on which the above-mentioned migration prevention measure is formed, the conductive pattern 3 (13) can be formed with the same material as the base pattern 2a1 (12a1) of the wiring electrode 2A (12A), so the base pattern 2a1 The conductive pattern 3 (13) can be formed without preparing a separate material for the conventional wiring pattern including the wiring electrode 2A (12A) having (12a1).

また一つには、前述した配線パターンの形成方法において、前記導電性パターン3(13)は、高電位側の配線電極2A(12A)に沿って形成され、配線電極2A(12A)における下地パターン2a1(12a1)と少なくとも1箇所、好ましくは複数箇所で接続されていることを特徴とする。これによると、前述した配線パターンの形成方法において、導電性パターン3と高電位側の配線電極2Aとを接続することによって同電位にすることができ、これにより高電位側の配線電極2Aの近くで低電位側に向けた電界勾配を作らないので、マイグレーションの発生を防止することができる。また、配線電極2A(12A)と複数箇所で接続することで、配線電極2A(12A)の全域でマイグレーションの発生を防止することができ、長尺な配線電極2A(12A)に対しても、確実に導電性パターン3(13)の電位を配線電極2Aと同電位にすることができる。これによって、前述した導電性パターン3(13)のマイグレーション防止効果を確実に得ることができる。また、導電性パターン3(13)を配線電極2A(12A)と一箇所のみで接続した場合には、終端がフリーなパターンになってノイズを拾ったり、或いは逆に不要輻射が増大する可能性があるが、複数箇所の接続によってこのような不具合が生じない。   Further, in the wiring pattern forming method described above, the conductive pattern 3 (13) is formed along the wiring electrode 2A (12A) on the high potential side, and the underlying pattern in the wiring electrode 2A (12A). 2a1 (12a1) is connected to at least one place, preferably a plurality of places. According to this, in the above-described wiring pattern forming method, the same potential can be obtained by connecting the conductive pattern 3 and the high-potential-side wiring electrode 2A, and thereby close to the high-potential-side wiring electrode 2A. Since no electric field gradient is generated toward the low potential side, the occurrence of migration can be prevented. In addition, by connecting to the wiring electrode 2A (12A) at a plurality of locations, occurrence of migration can be prevented throughout the wiring electrode 2A (12A), and even for the long wiring electrode 2A (12A), The potential of the conductive pattern 3 (13) can be reliably made the same as that of the wiring electrode 2A. Thereby, the migration preventing effect of the conductive pattern 3 (13) described above can be reliably obtained. In addition, when the conductive pattern 3 (13) is connected to the wiring electrode 2A (12A) only at one location, the termination may be a free pattern to pick up noise or conversely increase unnecessary radiation. However, such a problem does not occur due to the connection at a plurality of locations.

また一つには、前述した配線パターンの形成方法において、導電性パターン3(13)と下地パターン2a1(12a1)とは、単一被膜に対して施される一工程のパターン形成工程によって同時に形成されることを特徴とする。これによると、導電性パターン3(13)の形成に別途工程を追加する必要がないので従前の工程に対して生産性に影響なくマイグレーション防止を図った配線パターンを形成することができる。   In addition, in the wiring pattern forming method described above, the conductive pattern 3 (13) and the base pattern 2a1 (12a1) are simultaneously formed by a single pattern forming process applied to a single film. It is characterized by being. According to this, since it is not necessary to add a separate process to the formation of the conductive pattern 3 (13), it is possible to form a wiring pattern that prevents migration with respect to the previous process without affecting the productivity.

また一つには、第1電極21と第2電極22との間に有機発光機能層を含む有機材料層23を挟持して基板11上に複数の有機EL素子20を形成し、第1電極21から引き出された配線パターン12bと第2電極22から引き出された配線パターン12aとを基板11上に形成した有機ELパネル10を前提として、これらの配線パターン12a,12bにおいて、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極12A,12Bが形成され、2本の配線電極12A,12Bのうち少なくとも高電位側の配線電極12Aにはマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、2本の配線電極12A,12Bの間に、マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、高電位側の配線電極12Aと同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターン13が形成されていることを特徴とする。   Alternatively, a plurality of organic EL elements 20 are formed on the substrate 11 by sandwiching an organic material layer 23 including an organic light emitting functional layer between the first electrode 21 and the second electrode 22, and the first electrode On the premise of the organic EL panel 10 in which the wiring pattern 12b drawn from the wiring pattern 12b and the wiring pattern 12a drawn from the second electrode 22 are formed on the substrate 11, these wiring patterns 12a and 12b are close to each other and different from each other. At least two wiring electrodes 12A and 12B that are in a potential state are formed, and at least the wiring electrode 12A on the high potential side of the two wiring electrodes 12A and 12B contains a metal element that easily causes migration. Between the wiring electrodes 12A and 12B, the wiring electrode 12A is made of a conductive material that does not contain a metal element that easily causes migration, and is on the high potential side. Wherein the conductive patterns 13 at the same potential or higher potential state is formed.

これによると、前述したマイグレーション対策を施した配線基板を備えた有機ELパネルを得ることができるので、引出配線電極間の高密度化が可能なると共に、マイグレーションを生じ易いが低抵抗の導電材料を引出配線電極に用いることで、引出配線電極の延長化が可能であると共に、表示部への電流供給を安定化させることもでき、有機ELパネル10の高精細化,高画質化を達成することができる。   According to this, since an organic EL panel provided with a wiring board with the above-described migration countermeasures can be obtained, it is possible to increase the density between the lead-out wiring electrodes, and to easily cause migration, but to use a low-resistance conductive material. By using the lead-out wiring electrode, the lead-out wiring electrode can be extended and the current supply to the display unit can be stabilized, thereby achieving high definition and high image quality of the organic EL panel 10. Can do.

また、前述した有機ELパネル10において、2本の配線電極12A,12Bは、一方が第1電極21から引き出された配線パターンの一つであり、他方が第2電極22から引き出された配線パターンの一つであることを特徴とする。これによると、陰極側から引き出された引出配線電極と陽極側から引き出された引出配線電極が近接配置される配線パターンを形成した場合にもマイグレーションによる不具合を回避できるので、引出配線電極における配線パターンの設計を集約化することができる。   Further, in the organic EL panel 10 described above, one of the two wiring electrodes 12A and 12B is one of the wiring patterns drawn from the first electrode 21 and the other is the wiring pattern drawn from the second electrode 22. It is one of these. According to this, even when a wiring pattern is formed in which the lead-out wiring electrode drawn from the cathode side and the lead-out wiring electrode drawn from the anode side are arranged close to each other, it is possible to avoid problems due to migration, so the wiring pattern in the lead-out wiring electrode The design can be consolidated.

本発明の実施形態に係る配線基板の要部構成及び電位状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principal part structure and electrical potential state of the wiring board which concern on embodiment of this invention. 導電パターンを形成しない配線基板の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the wiring board which does not form a conductive pattern. 本発明の実施形態に係る配線基板の要部構成及び電位状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principal part structure and electrical potential state of the wiring board which concern on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the formation method of the wiring pattern which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係る有機ELパネルを説明する説明図である(図6におけるX−X断面図)。It is an explanatory view illustrating the organic EL panel according to an embodiment of the present invention (X 2 -X 2 cross-sectional view in FIG. 6). 本発明の実施例に係る有機ELパネルを説明する説明図である(図5におけるX−X断面図を示している。)。Is an explanatory view illustrating the organic EL panel according to an embodiment of the present invention (showing the X 1 -X 1 cross-sectional view in FIG.). 本発明の実施例に係る有機ELパネルの配線電極の配線パターンを示す説明図(平面図)。Explanatory drawing (plan view) which shows the wiring pattern of the wiring electrode of the organic electroluminescent panel which concerns on the Example of this invention. 図7におけるA部拡大図である。 1 part enlarged view A in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,11 基板
2 配線パターン
2A,2B,12A,12B,12a,12b 配線電極
2a1,12a1 下地パターン
2a2,12a2 被覆層
3 導電性パターン
10 有機ELパネル
20 有機EL素子
21 第1電極
22 第2電極
23 有機材料層
24 絶縁層
25 陰極隔壁
30 封止部材 30S 封止空間
31 接着層
32 乾燥剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11 Substrate 2 Wiring pattern 2A, 2B, 12A, 12B, 12a, 12b Wiring electrode 2a1, 12a1 Base pattern 2a2, 12a2 Covering layer 3 Conductive pattern 10 Organic EL panel 20 Organic EL element 21 First electrode 22 Second electrode 23 Organic Material Layer 24 Insulating Layer 25 Cathode Partition 30 Sealing Member 30S Sealing Space 31 Adhesive Layer 32 Desiccant

Claims (11)

互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線基板であって、
前記2本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする配線基板。
A metal pattern having at least two wiring electrodes that are close to each other and in different potential states is formed on an insulating substrate, and at least one of the two wiring electrodes is likely to cause migration to the wiring electrode on the high potential side A wiring board containing elements,
A conductive pattern is formed between the two wiring electrodes, which is made of a conductive material that does not contain the metal element that easily causes migration, and has the same potential as or higher than that of the wiring electrode on the high potential side. A wiring board characterized by being made.
前記導電性パターンは、前記高電位側の配線電極に沿って形成され、該高電位側の配線電極に少なくとも1箇所で接続されていることを特徴とする請求項1に記載された配線基板。   2. The wiring board according to claim 1, wherein the conductive pattern is formed along the wiring electrode on the high potential side, and is connected to the wiring electrode on the high potential side at at least one location. 前記導電性パターンは、前記高電位側の配線電極に沿って独立して形成され、該高電位側の配線電極以上の電位状態になるように電圧印加がなされていることを特徴とする請求項1に記載された配線基板。   The conductive pattern is formed independently along the wiring electrode on the high potential side, and a voltage is applied so as to be in a potential state higher than the wiring electrode on the high potential side. The wiring board described in 1. 前記高電位側の配線電極は、前記導電性パターンと同材料で形成された下地パターン上に前記金属元素が含まれている導電材料が被覆されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載された配線基板。   The high-potential-side wiring electrode is formed by coating a conductive material containing the metal element on a base pattern formed of the same material as the conductive pattern. The wiring board described in any one. 前記金属元素は、銀(Ag),銅(Cu),錫(Sn),鉛(Pb)のいずれかであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載された配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the metal element is any one of silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), and lead (Pb). 前記金属元素が含まれている導電材料には銀パラジウム(AgPd)合金が含まれていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載された配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the conductive material containing the metal element contains a silver palladium (AgPd) alloy. 互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極を有する配線パターンが絶縁性の基板上に形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれている配線パターンの形成方法であって、
前記配線電極として前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなる下地パターンを形成すると共に、該下地パターンと同材料で、前記2本の配線電極間に、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンを形成する工程と、
前記下地パターン上を前記金属元素が含まれる導電材料によって選択的に被覆する工程とを有することを特徴とする配線パターンの形成方法。
A metal pattern having at least two wiring electrodes that are close to each other and in different potential states is formed on an insulating substrate, and at least one of the two wiring electrodes is likely to cause migration to the wiring electrode on the high potential side A method of forming a wiring pattern containing an element,
As the wiring electrode, a base pattern made of a conductive material not containing the metal element that easily causes migration is formed, and the high potential side wiring is formed between the two wiring electrodes with the same material as the base pattern. Forming a conductive pattern that is at the same potential as or higher than the electrode; and
And a step of selectively covering the base pattern with a conductive material containing the metal element.
前記導電性パターンは、前記高電位側の配線電極に沿って形成され、前記高電位側の配線電極における下地パターンと少なくとも1箇所で接続されていることを特徴とする請求項7に記載された配線パターンの形成方法。   8. The conductive pattern according to claim 7, wherein the conductive pattern is formed along the high-potential side wiring electrode, and is connected to the base pattern in the high-potential side wiring electrode at at least one location. A method of forming a wiring pattern. 前記導電性パターンと前記下地パターンとは、単一被膜に対して施される一工程のパターン形成工程によって同時に形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載された配線パターンの形成方法。   9. The method of forming a wiring pattern according to claim 7, wherein the conductive pattern and the base pattern are simultaneously formed by a single pattern forming process applied to a single film. . 第1電極と第2電極との間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して基板上に複数の有機EL素子を形成し、前記第1電極から引き出された配線パターンと前記第2電極から引き出された配線パターンとを前記基板上に形成した有機ELパネルであって、
前記配線パターンにおいて、互いに近接し互いに異なる電位状態となる少なくとも2本の配線電極が形成され、前記2本の配線電極のうち少なくとも高電位側の配線電極にはマイグレーションを生じ易い金属元素が含まれており、
前記2本の配線電極の間に、前記マイグレーションを生じ易い金属元素が含まれない導電性材料からなり、前記高電位側の配線電極と同電位又はそれより高い電位状態になる導電性パターンが形成されていることを特徴とする有機ELパネル。
A plurality of organic EL elements are formed on a substrate by sandwiching an organic material layer including an organic light emitting functional layer between the first electrode and the second electrode, and the wiring pattern drawn from the first electrode and the second electrode An organic EL panel in which a wiring pattern drawn out from an electrode is formed on the substrate,
In the wiring pattern, at least two wiring electrodes that are close to each other and have different potential states are formed, and at least the wiring electrode on the high potential side of the two wiring electrodes contains a metal element that easily causes migration. And
A conductive pattern is formed between the two wiring electrodes, which is made of a conductive material that does not contain the metal element that easily causes migration, and has the same potential as or higher than that of the wiring electrode on the high potential side. Organic EL panel characterized by being made.
前記2本の配線電極は、一方が前記第1電極から引き出された配線パターンの一つであり、他方が前記第2電極から引き出された配線パターンの一つであることを特徴とする請求項10に記載された有機ELパネル。   The one of the two wiring electrodes is one of wiring patterns drawn from the first electrode, and the other is one of wiring patterns drawn from the second electrode. 10. The organic EL panel described in 10.
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