JP2005093180A - マルチエミッタ評価方法、及びマルチエミッタ評価装置 - Google Patents
マルチエミッタ評価方法、及びマルチエミッタ評価装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタを負電位に保持し、前記マルチエミッタに対して一次線を入射させて得た2次的な電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像を得る。次いで、前記マルチエミッタに対してバイアス電圧を印加して得た電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの前記表面像と重畳するようにして放出電子像を得る。次いで、前記電子放出サイトの前記表面像において、各電子放出サイトに対応する前記放出電子像の有無及び明るさの大小から、前記マルチエミッタにおける前記複数の電子放出サイトそれぞれの動作状態を評価する。
【選択図】図4
Description
「高輝度電子源アレイと真空マイクロエレクトロニクスの展開」 「平成13年度公開シンポジウム」予稿集p.19−p.24、"放射顕微鏡を用いたFEAの動作観察" しかしながら、この放出電子像はあたかも夜空の星のように見えるだけであって、個々のチップの電子放出の評価には利用できない。すなわち、この放出電子像上ではゲート電極の形状が観察できないため、たとえば、25個のチップのうちどの位置のチップから電子が放出していて、どの位置のチップから電子が放出していないか、あるいは25個のチップのうちどの位置のチップから最も電子が放出されているかなどを確認することはできない。
(1)マルチエミッタ全体からの、あるいは個々のエミッタからの放出電子像のダイナミカルな挙動の観察・記録が可能なこと、
(2)マルチエミッタの個々のエミッタ形状および個々のゲート電極(引出し電極)開孔形状の観察が可能なこと、
(3)上記(1)と(2)の同時観察が可能であること、及びこれにより両者の対応付けが可能であること、
(4)マルチエミッタからの電子放出特性、特に放出電流の安定性の測定が可能であること、即ち、個々のエミッタあるいはマルチエミッタ全体からの放出電流の安定性の測定が可能なこと、
などを実現することを目的とする。
複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタを負電位に保持する工程と、
前記マルチエミッタに対して一次線を入射させ、前記マルチエミッタから2次的な電子(例えば、一次線が電子の場合の「反射電子」や「2次電子」など、或いは、一次線が紫外線やX線などの場合に放出される「光電子」など)を放出させる工程と、
前記2次的な電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像(個々のエミッタ形状のみならず、個々のゲート電極(引出し電極)開孔形状をも含む像)を得る工程と、
前記マルチエミッタに対してバイアス電圧を印加し、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトから電子を放出させる工程と、
前記電子放出サイトから放出された電子(放出電子)を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの前記表面像と重畳するようにして放出電子像を得る工程と、
を具え、
前記電子放出サイトの前記表面像において、各電子放出サイトに対応する前記放出電子像の有無及び明るさの大小から、前記マルチエミッタにおける前記複数の電子放出サイトそれぞれの動作状態を評価するようにしたことを特徴とする、マルチエミッタ評価方法に関する。
図4は本発明のマルチエミッタ評価装置の一例を示した図である。図4において、6は電子銃(一次線源)であり、10kV程度に加速された電子線(一次線)が電子銃6から放出される。そして、この一次電子線はウィーンフィルタ7に入射する。
2 チップ
3 電気絶縁層
4 ゲート電極
5 電子線通過孔
6 電子銃
7 ウィーンフィルタ
8 試料ステージ
9 マルチエミッタ
10 高電圧電源
11 バイアス電圧電源
12、17、18、19 磁界レンズ
13 電気絶縁体
14 静電レンズ
15 静電レンズ電源
16 蛍光スクリーン
Claims (22)
- 複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタを負電位に保持する工程と、
前記マルチエミッタに対して一次線を入射させ、前記マルチエミッタから2次的な電子を放出させる工程と、
前記2次的な電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像を得る工程と、
前記マルチエミッタに対してバイアス電圧を印加し、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトから電子を放出させる工程と、
前記電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの前記表面像と重畳するようにして放出電子像を得る工程と、
を具え、
前記電子放出サイトの前記表面像において、各電子放出サイトに対応する前記放出電子像の有無及び明るさの大小から、前記マルチエミッタにおける前記複数の電子放出サイトそれぞれの動作状態を評価するようにしたことを特徴とする、マルチエミッタ評価方法。 - 前記一次線は前記マルチエミッタに対し略垂直に入射させることを特徴とする、請求項1に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記一次線は電子線であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記一次線は紫外光又はX線であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記2次的な電子の拡大結像は磁場型レンズ及び/または静電レンズを用いて行うことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記放出電子の拡大結像は磁場型レンズ及び/または静電レンズを用いて行うことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記2次的な電子の拡大結像と前記放出電子の拡大結像とは同一の磁場型レンズ及び/または静電レンズを用いて行うことを特徴とする、請求項6に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの前記表面像及び前記放出電子像は、所定の投影手段上に結像させて得ることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記投影手段は蛍光スクリーンを含むことを特徴とする、請求項8に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの前記表面像及び前記放出電子像は、所定の撮像手段上に結像させて得ることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記撮像手段はCCDカメラを含むことを特徴とする、請求項10に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記一次線を前記マルチエミッタへ向けて偏向させる工程を具えることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 前記一次線が電子である場合の偏向は、ウイーンフィルタを用いて行うことを特徴とする、請求項12に記載のマルチエミッタ評価方法。
- 複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタと、
前記マルチエミッタを負電位に保持するための電圧印加手段と、
前記マルチエミッタに対して一次線を入射させ、前記マルチエミッタから2次的な電子を放出させるための一次線源と、
前記マルチエミッタに対してバイアス電圧を印加し、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトから電子を放出させるためのバイアス電圧印加手段と、
前記2次的な電子及び前記放出電子を拡大結像させるためのレンズ系と、
前記2次的な電子を拡大結像させて得た、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像、及び前記放出電子を拡大結像させて得た、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトからの放出電子像を互いに重畳するようにして投影させるための投影手段と、
を具えることを特徴とする、マルチエミッタ評価装置。 - 前記投影手段は蛍光スクリーンを含むことを特徴とする、請求項14に記載のマルチエミッタ評価装置。
- 複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタと、
前記マルチエミッタを負電位に保持するための電圧印加手段と、
前記マルチエミッタに対して一次線を入射させ、前記マルチエミッタから2次的な電子を放出させるための一次線源と、
前記マルチエミッタに対してバイアス電圧を印加し、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトから電子を放出させるためのバイアス電圧印加手段と、
前記2次的な電子及び前記放出電子を拡大結像させるためのレンズ系と、
前記2次的な電子を拡大結像させて得た、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像、及び前記放出電子を拡大結像させて得た、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトからの放出電子像を互いに重畳するようにして撮像させるための撮像手段と、
を具えることを特徴とする、マルチエミッタ評価装置 - 前記撮像手段はCCDカメラを含むことを特徴とする、請求項16に記載のマルチエミッタ評価装置。
- 前記一次線源は一次線として電子線を放出することを特徴とする、請求項14〜17のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価装置。
- 前記一次線源は一次線として紫外光又はX線を放出することを特徴とする、請求項14〜17のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価装置。
- 前記レンズ系は磁場型レンズ及び/または静電レンズを含むことを特徴とする、請求項14〜19のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価装置。
- 前記一次線を前記マルチエミッタへ向けて偏向させる偏向手段を具えることを特徴とする、請求項14〜20のいずれか一に記載のマルチエミッタ評価装置。
- 前記偏向手段はウイーンフィルタを含むことを特徴とする、請求項21に記載のマルチエミッタ評価装置。
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JP2008027680A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Jfe Engineering Kk | カーボンナノチューブエミッタの電子放出特性評価装置及びその方法 |
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