JP2005072151A - Electromagnetic wave absorber and package for high frequency circuit using the same - Google Patents

Electromagnetic wave absorber and package for high frequency circuit using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave absorber which has an excellent electromagnetic absorbing characteristic in a high frequency band. <P>SOLUTION: The electromagnetic wave absorber consists of a ceramic sintered body which includes an insulation layer and a conductive layer. The insulation layer and the conductive layer contain the same oxide magnetic material and are integrally sintered together. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マイクロ波、ミリ波等の高周波帯域で使用される電磁波吸収体、およびこの電磁波吸収体を配設した高周波回路用パッケージに関する。特に、携帯電話やアンテナスイッチモジュール等に用いられる高周波回路用パッケージに関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave absorber used in a high frequency band such as a microwave and a millimeter wave, and a high frequency circuit package provided with the electromagnetic wave absorber. In particular, the present invention relates to a high-frequency circuit package used for a mobile phone, an antenna switch module, and the like.

高周波回路用パッケージ内の気密封止は、通常、金属またはセラミック等からなる直方体状の蓋体をパッケージベースに取り付けて封止することにより行われている。このような高周波回路用パッケージ内部には直方体状の空洞が形成されるため、直方形空洞共振器と同様に高周波回路用パッケージの内部には空洞共振が発生する。前記空洞共振は高周波回路内部の寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で生じるので、この周波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の回路素子を高周波回路用パッケージに実装する場合には、前記空洞の寸法を小さくすることによって、遮断周波数を前記素子が動作する周波数帯域よりも十分に高くしている。ところが、この方法では素子の動作周波数が高周波化するに伴い、素子が動作する周波数帯域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなるという問題があった。近年、この問題を解決するために、電磁波吸収体を高周波回路用パッケージの一部または内部に装着して、空洞共振時の電界エネルギーまたは磁界エネルギーを吸収することにより、空洞共振を抑制する方法が採られるようになってきている。   The hermetic sealing in the high frequency circuit package is usually performed by attaching a rectangular parallelepiped lid made of metal or ceramic to the package base and sealing. Since a rectangular parallelepiped cavity is formed inside such a high-frequency circuit package, cavity resonance occurs inside the high-frequency circuit package as in the rectangular cavity resonator. Since the cavity resonance occurs in a frequency band higher than the cutoff frequency determined by the dimensions inside the high frequency circuit, when mounting a high frequency semiconductor element or other circuit element operating in this frequency band in a high frequency circuit package, By reducing the size, the cut-off frequency is made sufficiently higher than the frequency band in which the element operates. However, this method has a problem that the frequency at which cavity resonance occurs is lower than the frequency band in which the element operates as the operating frequency of the element increases. In recent years, in order to solve this problem, there is a method for suppressing cavity resonance by attaching an electromagnetic wave absorber to a part or inside of a high frequency circuit package and absorbing electric field energy or magnetic field energy at the time of cavity resonance. It has come to be adopted.

また、導電性材料を主成分とする電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内に装着したり、高周波回路用パッケージの蓋体として使用したりすると、高周波回路用パッケージ内に実装された増幅器のアイソレーション特性が劣化していた。すなわち、高周波回路用パッケージ及び高周波半導体素子に形成された高周波伝送線路を伝搬するマイクロ波、ミリ波により、パッケージ蓋体を介する電流が流れるため、高周波信号の帰還に起因する不要な発振が生じる。このような問題を解決するため、電気的絶縁性を有する電磁波吸収体を高周波回路用パッケージの蓋体の内側に配設して、高周波回路用パッケージの蓋体に流れる高周波電流を抑制する方法が採られている。   Also, if an electromagnetic wave absorber mainly composed of a conductive material is mounted in a high frequency circuit package or used as a lid for a high frequency circuit package, the isolation of the amplifier mounted in the high frequency circuit package The characteristics were degraded. That is, since the current through the package lid flows by microwaves and millimeter waves propagating through the high-frequency transmission line formed in the high-frequency circuit package and the high-frequency semiconductor element, unnecessary oscillation due to the feedback of the high-frequency signal occurs. In order to solve such a problem, there is a method in which an electromagnetic wave absorber having electrical insulation is disposed inside the lid of the high frequency circuit package to suppress the high frequency current flowing through the lid of the high frequency circuit package. It is taken.

このような高周波回路用パッケージに配設される電磁波吸収材料は、磁性材料、導電性材料、誘電性材料に大きく分類される。このような電磁波吸収体が電磁波エネルギーを吸収する原理について説明する。電波吸収体に外部から入射した電磁波エネルギーが熱に変換され、その結果電磁波が吸収されることを式に表すと、例えば式（１）のようになる。   Electromagnetic wave absorbing materials disposed in such high-frequency circuit packages are broadly classified into magnetic materials, conductive materials, and dielectric materials. The principle that such an electromagnetic wave absorber absorbs electromagnetic wave energy will be described. When the electromagnetic wave energy incident on the radio wave absorber from the outside is converted into heat and the electromagnetic wave is absorbed as a result, the equation (1) is obtained, for example.

Ｐ＝（１／２）ωμ０μｒ”｜Ｈ｜２ ＋（１／２）ωε０εｒ”｜Ｅ｜２ ・・・（１）
ここで、Ｐ：吸収される電磁波エネルギー
Ｅ：電界
Ｈ：磁界
ω：電磁波の角周波数
μ０ ：真空の透磁率
ε０ ：真空の誘電率
μｒ”：電磁波吸収体の複素比透磁率の虚数部
εｒ”：電磁波吸収体の複素比誘電率の虚数部
式（１）から、複素比透磁率、複素比誘電率の虚数部が大きいと、電磁波吸収体によって電磁波吸収エネルギーが吸収されやすいことがわかる。また、この虚数部が大きな材料を用いると、電磁波吸収層の厚みを薄くすることができる。 P = (1/2) ωμ 0 μ r "| H | 2 + (1/2) ωε 0 ε r" | E | 2 ··· (1)
Where P: absorbed electromagnetic wave energy E: electric field H: magnetic field ω: electromagnetic wave angular frequency μ 0 : vacuum permeability ε 0 : vacuum permittivity μ r ″: imaginary number of complex relative permeability of electromagnetic wave absorber Ε r ″: imaginary part of complex relative permittivity of electromagnetic wave absorber
From the equation (1), it can be seen that when the imaginary part of the complex relative permeability and the complex relative permittivity is large, the electromagnetic wave absorption energy is easily absorbed by the electromagnetic wave absorber. Further, when a material having a large imaginary part is used, the thickness of the electromagnetic wave absorbing layer can be reduced.

磁性材料が高周波領域において電磁波を吸収するのは、磁性材料の複素比透磁率の虚数部によって起こる磁気損失によって、高周波の電磁波エネルギーが熱エネルギーに変換されるためと考えられる。磁性材料に入射した電磁波のうち熱エネルギーに変換されなかった電磁波の一部は磁性材料を透過する。また、導電性材料は、電圧を加えると電流が流れ、電気エネルギーが消費される抵抗体である。抵抗体が高周波の電磁波を吸収するのは、抵抗体中に電界が発生すると、抵抗体中で電磁波エネルギーが熱エネルギーに変換されるためと考えられる。導電性材料が効率良く電磁波を吸収するためには、一般に複素比誘電率の虚数部が大きいことが必要である。また、誘電性材料が高周波領域において電磁波を吸収するのは、誘電性材料の持つ誘電損失が熱エネルギーに変換されるためと考えられる。ただし、一般に誘電性材料はＧＨｚ帯のような高い周波数の電磁波は吸収しにくい性質を有する。ＧＨｚ帯の高周波の電磁波を吸収するためには、磁性材料と誘電性材料または／および導電性材料とを組合せるか、好ましくは磁性材料と導電性材料とを組み合わせることが行われている。   The reason why the magnetic material absorbs electromagnetic waves in the high frequency region is considered to be that high frequency electromagnetic energy is converted into thermal energy by magnetic loss caused by the imaginary part of the complex relative permeability of the magnetic material. A part of the electromagnetic wave that has not been converted into thermal energy among the electromagnetic wave incident on the magnetic material passes through the magnetic material. In addition, the conductive material is a resistor that consumes electric energy when a voltage is applied, and consumes electrical energy. The reason why the resistor absorbs the high-frequency electromagnetic wave is considered to be that when an electric field is generated in the resistor, the electromagnetic wave energy is converted into thermal energy in the resistor. In order for the conductive material to efficiently absorb electromagnetic waves, it is generally necessary that the imaginary part of the complex relative dielectric constant is large. The dielectric material absorbs electromagnetic waves in the high frequency region because the dielectric loss of the dielectric material is converted into thermal energy. However, in general, a dielectric material has a property that it is difficult to absorb electromagnetic waves having a high frequency such as a GHz band. In order to absorb high frequency electromagnetic waves in the GHz band, a combination of a magnetic material and a dielectric material or / and a conductive material, or preferably a combination of a magnetic material and a conductive material is performed.

また、ＭＨｚ帯で優れた電磁波吸収特性有する電磁波吸収体として、磁性材料である軟磁性フェライト板に導電性材料である金属板を張り付けた２層構造の電磁波吸収体が知られている。この２層構造は、電磁波吸収体の面が空気等の気体と面している場合、電磁波吸収体表面での電磁波の反射をできるだけ低減させるために考案されたものである。従来、電磁波吸収体と気体との間の反射がゼロの場合の電磁波吸収体の特性インピーダンスＺｃは、理想的には次式で表されるとされている。 As an electromagnetic wave absorber having excellent electromagnetic wave absorption characteristics in the MHz band, an electromagnetic wave absorber having a two-layer structure in which a metal plate as a conductive material is attached to a soft magnetic ferrite plate as a magnetic material is known. This two-layer structure has been devised to reduce the reflection of electromagnetic waves on the surface of the electromagnetic wave absorber as much as possible when the surface of the electromagnetic wave absorber faces a gas such as air. Conventionally, the characteristic impedance Z c of the electromagnetic wave absorber when the reflection is zero between the electromagnetic wave absorber and gas, ideally there is a represented by the following formula.

Ｚｃ ＝η（μｒ ／εｒ ）１／２ （２）
ここで、 η：空気等の気体の特性インピーダンス
μｒ ：複素比透磁率
εｒ ：複素比誘電率
しかしながら、ＧＨｚ帯のような高周波領域では、導電性板と磁性板とを２層構造にしてＺｃを整合させただけでは、電磁波吸収特性に優れた電磁波吸収体を提供することができない。この理由は、ＧＨｚ帯のような高周波領域では波長が短いため、導電性板と磁性板との境界面で電磁波の反射が起こりやすいためと考えられる。 Z c = η (μ r / ε r ) 1/2 (2)
Here, η: Characteristic impedance of gas such as air μ r : Complex relative permeability ε r : Complex relative permittivity However, in a high frequency region such as the GHz band, the conductive plate and the magnetic plate have a two-layer structure. only aligned with Z c can not provide an electromagnetic wave absorber excellent in the electromagnetic wave absorption characteristics. The reason for this is thought to be that electromagnetic waves are likely to be reflected at the interface between the conductive plate and the magnetic plate because the wavelength is short in a high frequency region such as the GHz band.

したがって、高周波回路用パッケージ内に配設される電磁波吸収体としては、第１に電磁波を効率良く吸収させるため使用周波数帯における複素比誘電率と複素比透磁率が大きく、第２に導電性材料と磁性材料とを組合せ、両者を一体的に形成させて電磁波の反射を抑制した電磁波吸収体が望まれている。特に、近年の高周波回路用パッケージの高周波化に伴ってＧＨｚ帯の高周波を吸収する電波吸収体の出現が強く望まれてきた。   Therefore, as an electromagnetic wave absorber disposed in the package for a high frequency circuit, first, in order to efficiently absorb electromagnetic waves, the complex relative permittivity and the complex relative permeability in the operating frequency band are large, and secondly, a conductive material. There is a demand for an electromagnetic wave absorber that combines a magnetic material and a magnetic material to form both of them integrally to suppress reflection of electromagnetic waves. In particular, with the recent increase in the frequency of high-frequency circuit packages, there has been a strong demand for the appearance of a radio wave absorber that absorbs high frequencies in the GHz band.

例えば、高周波回路用パッケージの内部に装着される電磁波吸収体としては、高周波回路用パッケージのパッケージ蓋体の裏面に装着した、直方体の形状を有するフェライトシートあるいはフェライト塗料からなる電磁波吸収体７２（不図示）が知られている（特許文献１）。   For example, as an electromagnetic wave absorber attached to the inside of a high frequency circuit package, an electromagnetic wave absorber 72 (not suitable) made of a ferrite sheet or ferrite paint having a rectangular parallelepiped shape attached to the back surface of the package lid of the high frequency circuit package. (Patent Document 1).

また、電磁波吸収特性を向上させるため、フェライト粒子と導電性セラミック粒子とを混合分散後、成形して作製した電磁波吸収体（特許文献２）、結晶系がスピネル形あるいはマグネトプランバイト形の組成を有するフェライト磁性粉末と、セラミック粉末とを重量比９９．５：０．５〜９０：１０で混合した混合粉末からなる電磁波吸収体用複合粉末材料（特許文献３）等が知られている。   In addition, in order to improve electromagnetic wave absorption characteristics, an electromagnetic wave absorber produced by mixing and dispersing ferrite particles and conductive ceramic particles (Patent Document 2), and a crystal system having a spinel type or magnetoplumbite type composition. An electromagnetic wave absorber composite powder material (Patent Document 3) and the like made of a mixed powder obtained by mixing a ferrite magnetic powder and a ceramic powder in a weight ratio of 99.5: 0.5 to 90:10 are known.

また、図１２に示すように、特許文献４には、高周波回路基板が実装されたパッケージベースと、パッケージベース上の高周波回路基板を封止するようにパッケージベース上に配設された誘電性材料からなる封止基板と、封止基板の外側に配設された電磁波吸収体と、電磁波吸収体を包囲して配設された導電性の金属製キャップにより構成された高周波回路用パッケージが開示されている。   As shown in FIG. 12, Patent Document 4 discloses a package base on which a high-frequency circuit board is mounted and a dielectric material disposed on the package base so as to seal the high-frequency circuit board on the package base. A high frequency circuit package comprising: a sealing substrate comprising: an electromagnetic wave absorber disposed outside the sealing substrate; and a conductive metal cap disposed so as to surround the electromagnetic wave absorber. ing.

また、特許文献５には、高周波半導体素子が実装されたパッケージベースと、高周波半導体素子に形成された高周波伝送線路と、パッケージベース上に配設された金属製キャップと、金属製キャップの内側に配設された電磁波吸収体とから高周波回路用パッケージにおいて、さらに高周波伝送線路側の電磁波吸収体の一部に導電性の金属膜を貼り付けた高周波回路用パッケージが開示されている。
特開平６−２３６９３５号公報 特開平６−１３７８０号公報 特開２００２−２８９４１３号公報 特開２０００−１３８４９５号公報 特開２００３−６０１０１号公報 Patent Document 5 discloses a package base on which a high-frequency semiconductor element is mounted, a high-frequency transmission line formed on the high-frequency semiconductor element, a metal cap disposed on the package base, and an inner side of the metal cap. There is disclosed a high frequency circuit package in which a conductive metal film is attached to a part of the electromagnetic wave absorber on the high frequency transmission line side in the high frequency circuit package from the disposed electromagnetic wave absorber.
JP-A-6-236935 JP-A-6-13780 JP 2002-289413 A JP 2000-138495 A Japanese Patent Laid-Open No. 2003-60101

しかしながら、特許文献１に開示されている高周波回路用パッケージ内部に装着されるフェライトシートやフェライト塗料は、少なくともおよそ２０重量％の合成樹脂を含有するため耐難燃性が劣るといった問題があった。この問題を解決するために、合成樹脂にデカブロモジフェニルオキサイド、ＴＢＡエポキシオリゴマー・ポリマー、ＴＢＡカーボネートオリゴマー等の難燃剤を添加することが行われている。このような難燃剤はＢｒやＣｌを含むため、加熱するとＢｒ、Ｃｌ元素を含む脱離ガスが発生する。このような難燃剤を含む電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内部に装着すると、パッケージ蓋体とパッケージベースとの接合時や高周波回路用パッケージとマザーボードとの接合時の加熱によって、Ｂｒ、Ｃｌ元素を含む脱離ガスが高周波回路用パッケージ４０内部に充満する。このような脱離ガスは腐食性があることから、高周波回路用パッケージ内部に実装される半導体素子（不図示）や、パッケージベースに形成される伝送線路（不図示）等を腐食させるといった問題があった。また、合成樹脂を含有するフェライトシートやフェライト塗料は一般に気孔率が大きく、水分や腐食性ガスを透過させやすいため、高信頼性が必要な高周波回路用パッケージの蓋体として用いることができなかった。   However, the ferrite sheet and ferrite paint mounted in the high-frequency circuit package disclosed in Patent Document 1 have a problem that the flame resistance is inferior because they contain at least about 20% by weight of a synthetic resin. In order to solve this problem, flame retardants such as decabromodiphenyl oxide, TBA epoxy oligomer / polymer, and TBA carbonate oligomer are added to the synthetic resin. Since such a flame retardant contains Br and Cl, desorption gas containing Br and Cl elements is generated when heated. When an electromagnetic wave absorber containing such a flame retardant is installed inside a high frequency circuit package, Br and Cl elements are removed by heating at the time of bonding of the package lid and the package base or bonding of the high frequency circuit package and the motherboard. The contained desorption gas fills the inside of the high-frequency circuit package 40. Since such desorbed gas is corrosive, there is a problem of corroding a semiconductor element (not shown) mounted inside a high frequency circuit package, a transmission line (not shown) formed on the package base, and the like. there were. In addition, ferrite sheets and ferrite paints containing synthetic resins generally have high porosity and are easy to permeate moisture and corrosive gases, so they cannot be used as lids for high-frequency circuit packages that require high reliability. .

また、フェライト粒子と導電性セラミック粒子を混合分散後、成形して作製した特許文献２に開示されている電磁波吸収体は、Ｓｎｏｅｋの限界によってフェライトによる電磁波吸収がｋＨｚ〜ＭＨｚ帯の周波数でしか実質的に起こらないと共に、フェライト焼結体中に含まれる導電性粒子の複素比誘電率の虚数部による電磁波エネルギーの損失が周波数の増加と共に小さくなるため、ＧＨｚ帯以上の周波数の電磁波の吸収が困難であるという問題があった。また、特許文献２に開示されている電磁波吸収体はフェライト粒子と導電性セラミック粒子とを混合分散後、成形して製造しているので粒子同士の結合が弱く、導電性粒子やセラミック粒子が剥離して高周波回路用パッケージ内に放出され、高周波回路用パッケージ内の高周波半導体素子や高周波回路にこの剥離した粒子が接触し、高周波回路用パッケージの誤作動を招くという問題があった。   Further, the electromagnetic wave absorber disclosed in Patent Document 2 prepared by mixing and dispersing ferrite particles and conductive ceramic particles and then forming the electromagnetic wave is substantially absorbed only at frequencies in the kHz to MHz band by ferrite due to the limit of Snoek. The loss of electromagnetic wave energy due to the imaginary part of the complex relative permittivity of the conductive particles contained in the ferrite sintered body becomes smaller as the frequency increases, making it difficult to absorb electromagnetic waves with frequencies above the GHz band. There was a problem of being. In addition, the electromagnetic wave absorber disclosed in Patent Document 2 is manufactured by mixing and dispersing ferrite particles and conductive ceramic particles, and forming them, so that the bonding between the particles is weak and the conductive particles and ceramic particles are peeled off. Then, it is discharged into the high-frequency circuit package, and the peeled particles come into contact with the high-frequency semiconductor element and the high-frequency circuit in the high-frequency circuit package, causing a malfunction of the high-frequency circuit package.

また、前記脱離ガスの発生を抑制するために、機能性セラミック、例えば、ＮｉーＺｎフェライトを電磁波吸収体に用いることも考えられるが、ＮｉーＺｎフェライトを構成するFｅ２Ｏ３は通常５０ｍｏｌ％未満であり、数ＭＨｚ程度の周波数帯域を対象とした電磁波吸収体にしか用いることができなかった。これに対し、近年、１０ＧＨｚ以上の高周波帯域に使用する電磁波吸収体が求められているが、このようなＮｉーＺｎフェライトを１０ＧＨｚ以上の高周波数帯域を対象とした電磁波吸収体に用いても所望の電磁波吸収特性が得られないという問題があった。 In order to suppress the generation of the desorbed gas, a functional ceramic, for example, Ni—Zn ferrite may be used for the electromagnetic wave absorber, but Fe 2 O 3 constituting the Ni—Zn ferrite is usually 50 mol. It was less than% and could only be used for an electromagnetic wave absorber intended for a frequency band of about several MHz. In contrast, in recent years, there has been a demand for an electromagnetic wave absorber used in a high frequency band of 10 GHz or higher. However, even if such Ni—Zn ferrite is used for an electromagnetic wave absorber intended for a high frequency band of 10 GHz or higher, it is desirable. There was a problem that the electromagnetic wave absorption characteristics of the film could not be obtained.

また、１０ＧＨｚ以上の高周波帯域で使用される近年の高周波回路用パッケージの出現に伴って高周波回路用パッケージの小型化が顕著になってきていると共に、１０ＧＨｚ以上の高周波帯域で使用される高周波回路用パッケージの内部に装着される電磁波吸収体が求められている。磁性粉末とセラミック粉末との混合物からなる特許文献３に開示されている電磁波吸収体は、軽量化のため磁性粉末に電磁波を吸収しにくいセラミック粒子を分散させているため電磁波吸収特性が低下するという問題があった。また、特許文献３に記載の電磁波吸収体は、およそ１ＧＨｚ以上の高周波では複素透磁率の虚数部が小さくなるため、１ＧＨｚ以上の周波数の電磁波の吸収が困難であるという問題があった。   Further, with the advent of high-frequency circuit packages used in a high-frequency band of 10 GHz or more in recent years, the miniaturization of high-frequency circuit packages has become remarkable, and for high-frequency circuits used in a high-frequency band of 10 GHz or more. There is a need for an electromagnetic wave absorber that is mounted inside a package. The electromagnetic wave absorber disclosed in Patent Document 3 composed of a mixture of magnetic powder and ceramic powder has reduced electromagnetic wave absorption characteristics because ceramic particles that hardly absorb electromagnetic waves are dispersed in the magnetic powder for weight reduction. There was a problem. Further, the electromagnetic wave absorber described in Patent Document 3 has a problem that it is difficult to absorb an electromagnetic wave having a frequency of 1 GHz or more because the imaginary part of the complex permeability becomes small at a high frequency of about 1 GHz or more.

また、特許文献２、３に開示された電磁波吸収体は、電磁波の多くを透過させる。このため、特許文献２、３に開示された電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内に配設する場合は、高周波回路から不要な高周波が発振されないように金属製キャップを高周波回路用パッケージの蓋体として装着する必要があった。   Moreover, the electromagnetic wave absorber disclosed in Patent Documents 2 and 3 transmits most of the electromagnetic waves. For this reason, when the electromagnetic wave absorber disclosed in Patent Documents 2 and 3 is disposed in a high frequency circuit package, a metal cap is attached to the high frequency circuit package lid so that unnecessary high frequencies are not oscillated from the high frequency circuit. It was necessary to install as.

また、特許文献４の高周波回路用パッケージにおいては、電磁波吸収体と金属製キャップの両方を装着する必要があるため、高周波回路用パッケージの小型化が困難であると共に、多大な製造コストがかかるという問題があった。   Moreover, in the high frequency circuit package of Patent Document 4, since it is necessary to attach both an electromagnetic wave absorber and a metal cap, it is difficult to reduce the size of the high frequency circuit package, and a large manufacturing cost is required. There was a problem.

また、特許文献５の高周波回路用パッケージは、電磁波吸収体の主面の一部に導電性の金属膜を接着した後、金属膜を高周波伝送路と対向させて電磁波吸収体を蓋体の内側に設けなければならなかったため、製造コストが高くなるという問題があった。   In the high frequency circuit package disclosed in Patent Document 5, a conductive metal film is bonded to a part of the main surface of the electromagnetic wave absorber, and then the electromagnetic wave absorber is placed inside the lid so that the metal film faces the high frequency transmission path. Therefore, there is a problem that the manufacturing cost becomes high.

また、特許文献２〜５の電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ蓋体内部に半田を用いて固定する場合、蓋体と電磁波吸収体との接合強度を上げるため電磁波吸収体３０の当接面に、例えばＣｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層を順次メタライジングしてから電磁波吸収体を接合する必要があった。このため、電磁波吸収体の蓋体への接合コストが多大になるという問題点があった。   Moreover, when fixing the electromagnetic wave absorber of patent documents 2-5 inside the package cover body for high frequency circuits using solder, in order to raise the joint strength of a cover body and an electromagnetic wave absorber, it will contact on the contact surface of the electromagnetic wave absorber 30 For example, it was necessary to join the electromagnetic wave absorber after sequentially metalizing the Cr layer, the Ni layer, and the Au layer. For this reason, there existed a problem that the joining cost to the cover body of an electromagnetic wave absorber became large.

そこで本発明は、電磁波吸収特性の良好な電磁波吸収体を提供することを目的とする。特に高周波帯域において良好な電磁波吸収特性を示す電磁波吸収体を提供することを目的とする。また、高周波回路用パッケージに高周波回路用パッケージから発生する不要な電磁波を効率良く吸収し、かつ高周波回路用パッケージ内へ微粒子が脱落しない高信頼性の本発明の電磁波吸収体を配設することにより、空洞共振が抑制され、アイソレーション特性の良好な高周波回路用パッケージを提供することを目的とする。また、高周波回路用パッケージ蓋体に本発明の電磁波吸収体を半田で固定する場合、半田と電磁波吸収体とを低コストで強固に固定できる高周波回路用パッケージを提供することを目的とする。また、特に１０ＧＨｚ以上の高周波帯域を対象としたアイソレーション特性の良好な高周波回路用パッケージを提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the electromagnetic wave absorber with a favorable electromagnetic wave absorption characteristic. In particular, an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave absorber that exhibits good electromagnetic wave absorption characteristics in a high frequency band. In addition, the high-frequency circuit package can efficiently absorb unnecessary electromagnetic waves generated from the high-frequency circuit package, and the high-reliability electromagnetic wave absorber of the present invention in which fine particles do not fall into the high-frequency circuit package. An object of the present invention is to provide a package for a high-frequency circuit in which cavity resonance is suppressed and the isolation characteristic is good. It is another object of the present invention to provide a high frequency circuit package capable of firmly fixing the solder and the electromagnetic wave absorber at low cost when the electromagnetic wave absorber of the present invention is fixed to the high frequency circuit package lid with solder. It is another object of the present invention to provide a high-frequency circuit package with good isolation characteristics especially for a high-frequency band of 10 GHz or more.

本発明の電磁波吸収体は、絶縁層と導電層を有するセラミック焼結体からなり、前記絶縁層と前記導電層が同じ酸化物磁性材料を含有し、かつ一体的に焼結されていることを特徴とする。   The electromagnetic wave absorber of the present invention comprises a ceramic sintered body having an insulating layer and a conductive layer, and the insulating layer and the conductive layer contain the same oxide magnetic material and are integrally sintered. Features.

また、２５℃〜１００℃における体積固有抵抗が１０−２〜１０３Ω・ｃｍであることを特徴とする。 Further, the volume resistivity at 25 ° C. to 100 ° C. is 10 −2 to 10 3 Ω · cm.

また、絶縁層の２５℃〜１００℃における表面抵抗率が１０５〜１０１４Ωであることを特徴とする。 The surface resistivity of the insulating layer at 25 ° C. to 100 ° C. is 10 5 to 10 14 Ω.

また、酸化物磁性材料がＭｎＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４から選ばれる少なくとも１種の結晶相、もしくはこれらのうち少なくとも２種の固溶体を含有することを特徴とする。 The oxide magnetic material is characterized by containing at least one crystal phase selected from MnFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and ZnFe 2 O 4 , or at least two solid solutions thereof.

また、導電層がＦｅ３Ｏ４を含有することを特徴とする。 Further, the conductive layer contains Fe 3 O 4 .

また、金属元素としてのＦｅの含有量がＦｅ２Ｏ３換算で７０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とする。 Further, characterized in that the content of Fe as the metal element is 70～95Mol% in terms of Fe 2 O 3.

本発明の高周波回路用パッケージは、上記電磁波吸収体を内部に配設したことを特徴とする。   The high frequency circuit package of the present invention is characterized in that the electromagnetic wave absorber is disposed inside.

また、上記電磁波吸収体を蓋体として用いたことを特徴とする。   Further, the electromagnetic wave absorber is used as a lid.

また、高周波半導体素子と、高周波半導体素子を配設するための回路基板と、回路基板を配設するためのパッケージベースと、高周波半導体素子と電気的に接続されかつ高周波半導体素子からの高周波信号を伝送するための高周波伝送線路と、パッケージベースと繋がりかつ高周波半導体素子、回路基板および高周波伝送線路を収納するための蓋体とを具備し、パッケージベースと蓋体で囲まれた空洞の内面に電磁波吸収体を配設し、高周波半導体素子と対向する基板の主面を導電層、主面の裏面または基板の側面のいずれかを絶縁層としたことを特徴とする。   A high-frequency semiconductor element; a circuit board for disposing the high-frequency semiconductor element; a package base for disposing the circuit board; and a high-frequency signal electrically connected to the high-frequency semiconductor element. An electromagnetic wave is formed on the inner surface of the cavity surrounded by the package base and the lid, the radio frequency transmission line for transmitting, and the lid for connecting the package base and accommodating the high-frequency semiconductor element, the circuit board and the high-frequency transmission line. An absorber is provided, and the main surface of the substrate facing the high-frequency semiconductor element is a conductive layer, and either the back surface of the main surface or the side surface of the substrate is an insulating layer.

また、高周波半導体素子と、高周波半導体素子を配設するための回路基板と、回路基板を配設するためのパッケージベースと、高周波半導体素子と電気的に接続されかつ高周波半導体素子からの高周波信号を伝送するための高周波伝送線路と、パッケージベースと繋がりかつ高周波半導体素子、回路基板および高周波伝送線路を収納するための蓋体とを具備し、蓋体が電磁波吸収体からなり、パッケージベースと蓋体とで囲まれた空洞内面の高周波半導体素子と対向する蓋体の主面を導電層、蓋体の端面または外周面のいずれかを絶縁層としたことを特徴とする。   A high-frequency semiconductor element; a circuit board for disposing the high-frequency semiconductor element; a package base for disposing the circuit board; and a high-frequency signal electrically connected to the high-frequency semiconductor element. A high-frequency transmission line for transmission and a lid for connecting the high-frequency semiconductor element, the circuit board, and the high-frequency transmission line connected to the package base, the lid being made of an electromagnetic wave absorber, the package base and the lid The main surface of the lid body facing the high-frequency semiconductor element on the inner surface of the cavity surrounded by is a conductive layer, and either the end surface or the outer peripheral surface of the lid body is an insulating layer.

また、高周波伝送線路の伝送特性が、パッケージベース単体で測定したときの伝送特性と実質的に等しいことを特徴とする。   In addition, the transmission characteristic of the high-frequency transmission line is substantially equal to the transmission characteristic when measured by a single package base.

また、電磁波吸収体と高周波伝送線路との距離を０．１ｍｍ以上としたことを特徴とする。   In addition, the distance between the electromagnetic wave absorber and the high-frequency transmission line is 0.1 mm or more.

また、周波数１０ＧＨｚ以上における電磁波の減衰量が２ｄＢ以上である電磁波吸収体を用いたことを特徴とする。   In addition, an electromagnetic wave absorber having an electromagnetic wave attenuation amount of 2 dB or more at a frequency of 10 GHz or more is used.

高周波における電磁波吸収特性に優れた電磁波吸収体を提供することが可能となる。また、高周波における空洞共振が抑制され、アイソレーション特性に優れた高周波回路用パッケージを提供することができる。これによって、本発明の高周波回路用パッケージを搭載した通信用機器、コンピュータ、家電製品等の品質を向上させることが可能となる。例えば、本発明の高周波回路用パッケージを、無線通信において使用される携帯電話に搭載することによって、高品質のデータ送受信が可能となる。   It is possible to provide an electromagnetic wave absorber excellent in electromagnetic wave absorption characteristics at high frequencies. In addition, it is possible to provide a package for a high-frequency circuit in which cavity resonance at high frequencies is suppressed and the isolation characteristics are excellent. This makes it possible to improve the quality of communication devices, computers, home appliances, and the like that are equipped with the high-frequency circuit package of the present invention. For example, high-quality data transmission / reception can be performed by mounting the high-frequency circuit package of the present invention on a mobile phone used in wireless communication.

以下、図に基づき本発明について詳述する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１に示すように、本発明の電磁波吸収体３０は絶縁層４８と導電層４４とを有するセラミック焼結体であって、絶縁層４８と導電層４４が同じ酸化物磁性材料を含有し、かつ一体的に焼結されていることが重要である。これによって、電磁波吸収特性に優れた電磁波吸収体３０を提供することができる。本発明の電磁波吸収体３０の主面５６を導電層４４とするとは、主面５６の大部分を導電層とするということを示し、好ましくは主面５６の面積の９０％以上を導電層４４とする。図１（ａ）の電磁波吸収体３０は、主面５６および主面５６の裏面が導電層４４、主面５６の端面が絶縁層４８からなる。図１（ｂ）の電磁波吸収体３０は、主面５６が導電層４４、主面５６の裏面と側面が絶縁層４８である。図１（ｃ）の電磁波吸収体３０は、蓋体状の形状をしており、外側が絶縁層４８、内側が導電層４４からなる。   As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave absorber 30 of the present invention is a ceramic sintered body having an insulating layer 48 and a conductive layer 44, and the insulating layer 48 and the conductive layer 44 contain the same oxide magnetic material, It is important that they are integrally sintered. Thereby, the electromagnetic wave absorber 30 excellent in electromagnetic wave absorption characteristics can be provided. When the main surface 56 of the electromagnetic wave absorber 30 of the present invention is the conductive layer 44, it means that most of the main surface 56 is a conductive layer, and preferably 90% or more of the area of the main surface 56 is the conductive layer 44. And In the electromagnetic wave absorber 30 of FIG. 1A, the main surface 56 and the back surface of the main surface 56 include the conductive layer 44, and the end surface of the main surface 56 includes the insulating layer 48. In the electromagnetic wave absorber 30 of FIG. 1B, the main surface 56 is the conductive layer 44, and the back surface and side surfaces of the main surface 56 are the insulating layers 48. The electromagnetic wave absorber 30 in FIG. 1C has a lid-like shape, and includes an insulating layer 48 on the outside and a conductive layer 44 on the inside.

また、電磁波吸収体３０は、図２、３に示したように高周波回路用パッケージ４０の内部に配設したり、図４〜６に示したように高周波回路用パッケージ４０の蓋体５２として配設したりすることができる。これによって、空洞共振が抑制され、アイソレーション特性に優れた高周波回路用パッケージを提供することができる。   The electromagnetic wave absorber 30 is disposed inside the high frequency circuit package 40 as shown in FIGS. 2 and 3, or as the lid 52 of the high frequency circuit package 40 as shown in FIGS. Can be set up. Accordingly, it is possible to provide a package for a high-frequency circuit in which cavity resonance is suppressed and the isolation characteristics are excellent.

また、電磁波吸収体３０の２５〜１００℃における体積固有抵抗は、１０−２〜１０３Ω・ｃｍであることが好ましい。これによって、高周波回路用パッケージ４０の１０ＧＨｚ以上における空洞共振をさらに抑制することができる。この理由は、体積固有抵抗が１０−２Ω・ｃｍよりも小さいと電磁波吸収体３０によって電磁波が反射されやすくなることによって、導電性材料による電磁波吸収が著しくなくなるためである。また、体積固有抵抗が１０３Ω・ｃｍよりも大きいと、電磁波吸収体３０の導電性が低下するため、導電性材料による電磁波吸収が著しくなくなるためである。 The volume resistivity of the electromagnetic wave absorber 30 at 25 to 100 ° C. is preferably 10 −2 to 10 3 Ω · cm. Thereby, cavity resonance at 10 GHz or more of the high-frequency circuit package 40 can be further suppressed. This is because, when the volume resistivity is smaller than 10 −2 Ω · cm, the electromagnetic wave is easily reflected by the electromagnetic wave absorber 30, so that the electromagnetic wave absorption by the conductive material is remarkably lost. Further, if the volume resistivity is larger than 10 3 Ω · cm, the conductivity of the electromagnetic wave absorber 30 is lowered, and the electromagnetic wave absorption by the conductive material is remarkably lost.

また、電磁波吸収体３０の絶縁層４８の２５℃〜１００℃における表面抵抗率を１０５〜１０１４Ωとすることが好ましい。これによって、高周波回路用パッケージ４０のアイソレーション特性をさらに向上させることができる。この理由は、高周波回路用パッケージ４０内にアンプが配設されている場合、アンプ周辺上部に表面抵抗率が１０５Ωよりも小さい電磁波吸収体が配設されていると、アンプにより高周波信号を著しく増幅させることができないため好ましくないからであり、表面抵抗率が１０１４Ωよりも大きい電磁波吸収体３０を製造することが困難なため好ましくないからである。 The surface resistivity of the insulating layer 48 of the electromagnetic wave absorber 30 at 25 ° C. to 100 ° C. is preferably 10 5 to 10 14 Ω. Thereby, the isolation characteristic of the high frequency circuit package 40 can be further improved. This is because, when an amplifier is disposed in the high frequency circuit package 40, if an electromagnetic wave absorber having a surface resistivity smaller than 10 5 Ω is disposed at the upper periphery of the amplifier, a high frequency signal is transmitted by the amplifier. This is because it is not preferable because it cannot be remarkably amplified, and it is not preferable because it is difficult to manufacture the electromagnetic wave absorber 30 having a surface resistivity larger than 10 14 Ω.

また、電磁波吸収体３０の導電層４４の表面抵抗率は１０−４〜１０３Ω・ｃｍであることが好ましい。これによって、高周波回路用パッケージ４０の１０ＧＨｚ以上における空洞共振をさらに抑制することができる。 The surface resistivity of the conductive layer 44 of the electromagnetic wave absorber 30 is preferably 10 −4 to 10 3 Ω · cm. Thereby, cavity resonance at 10 GHz or more of the high-frequency circuit package 40 can be further suppressed.

また、電磁波吸収体３０の主面５６の厚みに対する導電層４４の厚みの割合の下限は３０％、上限は１００％であることが好ましい。下限を３０％としたのは、３０％以上では高周波回路用パッケージ４０の空洞共振抑制効果を十分発揮することができるからである。   The lower limit of the ratio of the thickness of the conductive layer 44 to the thickness of the main surface 56 of the electromagnetic wave absorber 30 is preferably 30%, and the upper limit is preferably 100%. The reason why the lower limit is set to 30% is that when 30% or more, the cavity resonance suppressing effect of the high-frequency circuit package 40 can be sufficiently exhibited.

また、絶縁層４８は、電磁波吸収体の表面から内部への深さ方向の少なくとも０．５ｍｍまでの範囲に形成されていることが好ましい。この理由は、絶縁層４８がこの範囲に形成された電磁波吸収体３０を周波数１０ＧＨｚ以上で作動する高周波回路用パッケージ４０内部に配設したり、高周波回路用パッケージ４０の蓋体５２として用いたりする場合、高周波回路用パッケージ４０内の空洞共振を特に抑制し、かつアイソレーション特性を向上できるからである。   The insulating layer 48 is preferably formed in a range of at least 0.5 mm in the depth direction from the surface to the inside of the electromagnetic wave absorber. This is because the electromagnetic wave absorber 30 having the insulating layer 48 formed in this range is disposed inside the high frequency circuit package 40 that operates at a frequency of 10 GHz or more, or is used as the lid 52 of the high frequency circuit package 40. This is because the cavity resonance in the high-frequency circuit package 40 can be particularly suppressed and the isolation characteristics can be improved.

また、導電層４４と絶縁層４８の境界においては、導電率が傾斜していることが好ましい。すなわち、電磁波吸収体３０の表面の絶縁層４８を少しずつ研磨していくと次第に研磨面の導電率が低下し、研磨代が一定値以上では研磨面の表面は表面抵抗率が低下し導電性を有する面となる。   In addition, the conductivity is preferably inclined at the boundary between the conductive layer 44 and the insulating layer 48. That is, when the insulating layer 48 on the surface of the electromagnetic wave absorber 30 is polished little by little, the conductivity of the polished surface gradually decreases, and when the polishing allowance exceeds a certain value, the surface resistivity of the polished surface decreases and the conductivity becomes low. It becomes the surface which has.

本発明の電磁波吸収体３０の材料の組成、結晶相について説明する。高周波回路用パッケージ４０内の高周波の空洞共振を抑制するためには、電磁波吸収体３０に含有される酸化物磁性体材料が、金属元素としてＣａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｒｕ、Ｒｈ、希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有することが好ましい。さらに好ましくは、ＭｎＭｎ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＣｒ２Ｏ４、ＭｎＶ２Ｏ４、Ｍｎ２ＴｉＯ４、ＭｎＲｈ２Ｏ４、ＭｎＧｅＯ３、ＦｅＦｅ２Ｏ４、ＦｅＣｒ２Ｏ４、ＦｅＶ２Ｏ４、Ｆｅ２ＴｉＯ４、Ｆｅ２ＧｅＯ４、ＦｅＣｏ２Ｏ４、ＦｅＴｉＯ３、ＣｏＣｏ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＣｏＣｒ２Ｏ４、Ｃｏ２ＧｅＯ４、Ｃｏ２ＴｉＯ４、ＣｏＲｈ２Ｏ４、ＣｏＭｎＯ３、ＣｏＴｉＯ３、ＮｉＭｎ２Ｏ４、ＮｉＭｎＯ３、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＮｉＣｒ２Ｏ４、ＮｉＣｏ２Ｏ４、ＮｉＧｅ２Ｏ４、ＮｉＲｈ２Ｏ４、ＮｉＴｉＯ３、ＣｕＭｎ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４、ＣｕＣｒ２Ｏ４、ＣｕＲｈ２Ｏ４、ＣｕＲｈ２Ｏ４、ＺｎＭｎ２Ｏ４、ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４、Ｚｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＭｎＯ３、ＭｇＭｎ２Ｏ４、ＭｇＦｅ２Ｏ４、ＭｇＣｒ２Ｏ４、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＶ２Ｏ４、Ｍｇ２ＴｉＯ４、ＭｇＭｎＯ３、ＬｉＶ２Ｏ４、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、ＢａＦｅ１８Ｏ２７、ＢａＺｎＦｅ１７Ｏ２７、ＢａＺｎ１．５Ｆｅ１７．５Ｏ２７、ＢａＭｎＦｅ１６Ｏ２７、ＢａＮｉ２Ｆｅ１６Ｏ２７、ＢａＮｉ０．５ＺｎＦｅ１６．５Ｏ２７、ＢａＣｏ０．７５Ｚｎ０．７５Ｆｅ１６．５Ｏ２７、Ｂａ２Ｍｇ２Ｆｅ１２Ｏ２２、Ｂａ２Ｎｉ２Ｆｅ１２Ｏ２２、Ｂａ２Ｚｎ２Ｆｅ１２Ｏ２２、Ｂａ２Ｚｎ１．５Ｆｅ１２．５Ｏ２２、Ｂａ２Ｃｏ２Ｆｅ１２Ｏ２２、Ｂａ３Ｃｏ２Ｆｅ２４Ｏ４１、Ｒ３Ｆｅ５Ｏ１２（Ｒは希土類元素）、ＲＦｅＯ３（Ｒは希土類元素）から選ばれる少なくとも１種の結晶相を主成分として含有する。特に好ましくは、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４から選ばれる少なくとも１種の結晶相、もしくはこれらのうち少なくとも２種の固溶体を含有する。最も好ましくは、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４のうち少なくとも１種、もしくはこれらの固溶体を含有する。 The composition and crystal phase of the material of the electromagnetic wave absorber 30 of the present invention will be described. In order to suppress high-frequency cavity resonance in the high-frequency circuit package 40, the oxide magnetic material contained in the electromagnetic wave absorber 30 includes Ca, Mg, Sr, Ba, Cr, Mn, Fe, and the like as metal elements. It is preferable to contain at least one element selected from Co, Ni, Cu, Zn, Y, Ru, Rh, and a rare earth element. More preferably, MnMn 2 O 4, MnFe 2 O 4, MnCr 2 O 4, MnV 2 O 4, Mn 2 TiO4, MnRh 2 O 4, MnGeO 3, FeFe 2 O 4, FeCr 2 O 4, FeV 2 O 4 , Fe 2 TiO 4 , Fe 2 GeO 4 , FeCo 2 O 4 , FeTiO 3 , CoCo 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , CoCr 2 O 4 , Co 2 GeO 4 , Co 2 TiO 4 , CoRh 2 O 4 , CoMnO 3 , CoTiO 3 , NiMn 2 O 4 , NiMnO 3 , NiFe 2 O 4 , NiCr 2 O 4 , NiCo 2 O 4 , NiGe 2 O 4 , NiRh 2 O 4 , NiTiO 3 , CuMn 2 O 4 , CuFe 2 O 4 , CuCr 2 O 4, CuRh 2 O 4, CuRh 2 O 4, ZnMn 2 O 4, Z nCr 2 O 4 , ZnFe 2 O 4 , Zn 2 TiO 4 , ZnMnO 3 , MgMn 2 O 4 , MgFe 2 O 4 , MgCr 2 O 4 , MgAl 2 O 4 , MgV 2 O 4 , Mg 2 TiO 4 , MgMnO 3 , LiV 2 O 4 , BaFe 12 O 19 , BaFe 18 O 27 , BaZnFe 17 O 27 , BaZn 1.5 Fe 17.5 O 27 , BaMnFe 16 O 27 , BaNi 2 Fe 16 O 27 , BaNi 0.5 ZnFe 16 .5 O 27, BaCo 0.75 Zn 0.75 Fe 16.5 O 27, Ba 2 Mg 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Ni2Fe 12 O 22, Ba 2 Zn 2 Fe 12 O 22, Ba 2 Zn 1. 5 Fe 12.5 O 22, Ba 2 Co 2 Fe 12 O 22, Ba 3 Co 2 Fe 4 O 41, R 3 Fe 5 O 12 (R is a rare earth element), RFeO 3 (R is a rare earth element) mainly containing at least one crystalline phase selected from. Particularly preferably, it contains at least one crystal phase selected from MnFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and ZnFe 2 O 4 , or at least two solid solutions thereof. Most preferably, it contains at least one of NiFe 2 O 4 and ZnFe 2 O 4 , or a solid solution thereof.

また、高周波回路用パッケージ４０内の高周波の空洞共振を抑制するためには、絶縁層４８がＦｅＦｅ２Ｏ４、ＦｅＣｒ２Ｏ４、ＦｅＣｏ２Ｏ４、ＣｏＣｏ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＣｏＣｒ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＮｉＣｒ２Ｏ４、ＮｉＣｏ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４、ＣｕＣｒ２Ｏ４、ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４、ＭｇＦｅ２Ｏ４、ＭｇＣｒ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、Ｏ、ＣｏＯから選ばれる少なくとも１種の結晶相を含有し、導電層４４がＣｒ２Ｏ３、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＦｅＯ、Ｆｅ３Ｏ４、ＺｎＯ、ＬａＣｒＯ３、ＬａＦｅＯ３、ＬａＣｒＯ３、ＬａＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＬａＳｒＺｒＯ３、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＦｅＯ３から選ばれる少なくとも１種の結晶相を含有する。特に好ましくは、絶縁層４８がＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｏＯから選ばれる少なくとも１種の結晶相を含有し、導電層４４がＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＦｅＯ、Ｆｅ３Ｏ４から選ばれる少なくとも１種の結晶相を含有する。 In order to suppress high-frequency cavity resonance in the high-frequency circuit package 40, the insulating layer 48 is made of FeFe 2 O 4 , FeCr 2 O 4 , FeCo 2 O 4 , CoCo 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , CoCr. 2 O 4, NiFe 2 O 4 , NiCr 2 O 4, NiCo 2 O 4, CuFe 2 O 4, CuCr 2 O 4, ZnCr 2 O 4, ZnFe 2 O 4, MgFe 2 O 4, MgCr 2 O 4, MnFe 2 O 4 , O, containing at least one crystal phase selected from CoO, and the conductive layer 44 is Cr 2 O 3 , MnO, Mn 3 O 4 , Co 3 O 4 , FeO, Fe 3 O 4 , ZnO, LaCrO 3, LaFeO 3, LaCrO 3 , LaCoO 3, LaNiO 3, LaSrZrO 3, FeAl 2 O 4, SrCrO 3, Sr uO 3, CaRuO 3, containing at least one crystalline phase selected from SrFeO 3. Particularly preferably, the insulating layer 48 contains at least one crystal phase selected from Fe 2 O 3 , NiO and CoO, and the conductive layer 44 is MnO, Mn 3 O 4 , Co 3 O 4 , FeO and Fe 3 O. 4 contains at least one crystal phase selected from 4 ;

最も好ましくは、導電層４４および絶縁層４８が共に結晶相としてＮｉＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４のうち少なくとも１種もしくはこれらの固溶体、並びにＦｅ２Ｏ３を主成分として含有し、導電層４４が結晶相としてＦｅ３Ｏ４を含有する。これによって、誘電損失と磁気損失の両方を効率よく電磁波吸収体により発生させることができるため、特に空洞共振が抑制され、アイソレーション特性の良好な高周波回路用パッケージを得ることができる。 Most preferably, the conductive layer 44 and the insulating layer 48 both contain at least one of NiFe 2 O 4 and ZnFe 2 O 4 as a crystal phase, or a solid solution thereof, and Fe 2 O 3 as main components. Contains Fe 3 O 4 as a crystalline phase. As a result, both dielectric loss and magnetic loss can be efficiently generated by the electromagnetic wave absorber, so that a cavity resonance is particularly suppressed, and a high frequency circuit package with good isolation characteristics can be obtained.

また、電磁波吸収体３０に含まれる導電層４４と絶縁層４８の結晶相は、Ｘ線回折法、Ｘ線回折法と透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を併用した方法等により同定する。   The crystalline phases of the conductive layer 44 and the insulating layer 48 included in the electromagnetic wave absorber 30 are identified by an X-ray diffraction method, a method using a combination of an X-ray diffraction method and a transmission electron microscope (TEM), or the like.

また、電磁波吸収体３０は、金属元素としてＦｅをＦｅ２Ｏ３換算で７０〜９５ｍｏｌ％含有することが好ましい。これによって、特に１０ＧＨｚ以上の高周波帯域における電磁波の吸収特性を向上させることができる。また、スピネル構造を有するＮｉＦｅ2Ｏ4相はコランダム構造を有するＦｅ２Ｏ３相よりも緻密化し易いため、本発明の高周波回路用パッケージ４０に配設される電磁波吸収体に含まれる酸化物磁性材料をＮｉＦｅ２Ｏ４とすることによって、高周波回路用パッケージ４０の外部から内部へ浸透する水分や有害ガスによって高周波半導体素子１８や高周波伝送線路２２等が腐食されることがなくなる。 Further, the electromagnetic wave absorber 30 preferably contains 70～95Mol% of Fe as the metal element in terms of Fe 2 O 3. Thereby, it is possible to improve electromagnetic wave absorption characteristics particularly in a high frequency band of 10 GHz or more. Further, since the NiFe 2 O 4 phase having a spinel structure is easier to be densified than the Fe 2 O 3 phase having a corundum structure, the oxide magnetism contained in the electromagnetic wave absorber disposed in the high-frequency circuit package 40 of the present invention. By using NiFe 2 O 4 as the material, the high frequency semiconductor element 18, the high frequency transmission line 22, and the like are not corroded by moisture or harmful gas that permeates from the outside to the inside of the high frequency circuit package 40.

また、本発明では、高周波回路用パッケージ４０の蓋体の材質として金属を用いる場合、電磁波吸収体３０の表層にＮｉＦｅ２Ｏ４相からなる酸化物磁性材料を析出させることにより、電磁波吸収体３０の表面にＮｉ層、Ａｕ層のみを順次メタライジング後に、電磁波吸収体３０と高周波回路用パッケージ４０の蓋体とを半田により密着することができる。すなわち、これによって電磁波吸収体３０の表面にＣｒ層を設ける必要がなくなるため、製造コストを低減させることができる。 In the present invention, when a metal is used as the material of the lid of the high frequency circuit package 40, the electromagnetic wave absorber 30 is deposited by depositing an oxide magnetic material made of NiFe 2 O 4 phase on the surface layer of the electromagnetic wave absorber 30. After sequentially metalizing only the Ni layer and the Au layer on the surface, the electromagnetic wave absorber 30 and the lid of the high-frequency circuit package 40 can be brought into close contact with the solder. That is, this eliminates the need to provide a Cr layer on the surface of the electromagnetic wave absorber 30, thereby reducing the manufacturing cost.

また、電磁波吸収体３０は、ＦｅをＦｅ２Ｏ３を換算で７０〜９５ｍｏｌ％含有させることが好ましい。この理由はＦｅ含有量がＦｅ２Ｏ３換算で７０ｍｏｌ％未満であると、電磁波吸収体３０の磁気損失による電磁波吸収特性を著しく向上させることができないと共に、電磁波吸収体を低温で焼結させることが困難となるからである。また、Ｆｅ含有量がＦｅ２Ｏ３換算で９５ｍｏｌ％よりも多いと、１０ＧＨｚ以上の高周波帯域での電磁波吸収特性を著しく向上させることができないからである。 Further, the electromagnetic wave absorber 30, it is preferred to incorporate 70～95Mol% of Fe in terms of Fe 2 O 3. The reason is that when the Fe content is less than 70 mol% in terms of Fe 2 O 3 , the electromagnetic wave absorption characteristics due to the magnetic loss of the electromagnetic wave absorber 30 cannot be remarkably improved and the electromagnetic wave absorber is sintered at a low temperature. This is because it becomes difficult. Further, when the Fe content is more than 95 mol% in terms of Fe 2 O 3 , the electromagnetic wave absorption characteristics in a high frequency band of 10 GHz or more cannot be remarkably improved.

本発明の電磁波吸収体３０は例えば以下の方法によって作製される。   The electromagnetic wave absorber 30 of the present invention is produced by the following method, for example.

電磁波吸収体３０に含有される酸化物磁性材料がＮｉＦｅ２Ｏ４である場合について説明する。出発原料として、比表面積が２ｍ２／ｇ以上のＦｅ２Ｏ３とＮｉＯの粉末を秤量し、水とともにボールミルまたはビーズビルに投入調合した後、平均粒径が０．６〜２μｍとなるまで湿式混合・粉砕したスラリーを得る。また、空洞共振を更に抑制した高周波回路用パッケージ４０を得るためには、ＺｎＯ、ＣｕＯの少なくとも一種の原料粉末をＦｅ２Ｏ３とＮｉＯの合計１００ｍｏｌ部に対して２〜１０ｍｏｌ部添加することが好ましい。得られたスラリーに有機結合剤を添加混合後、噴霧乾燥機により乾燥・造粒し、得られた造粒粉を公知の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、所定形状の成形体を得る。好ましくは、前記スラリーを乾燥して、得られた乾燥粉を７００〜９００℃程度で仮焼し、得られた仮焼粉に水を加えて仮焼粉の平均粒径が２μｍ以下となるまで、ボールミルやビーズミルで粉砕した後、有機結合材を添加混合後、噴霧乾燥機にて再度乾燥、造粒、成形し成形体を得る。そして、酸素分圧が０．１５気圧以下の雰囲気中で、上記成形体を１０００〜１４００℃で０〜１０時間焼成後、さらに３００〜５００℃／時間で降温し、電磁波吸収体３０を作成する。ここで、粉末加圧成形法を用いる場合、その成形圧を例えば４６０〜１９００ＭＰａとして成形することが、成形体を焼成して得られる緻密な電磁波吸収体３０を作製するために好ましい。 The case where the oxide magnetic material contained in the electromagnetic wave absorber 30 is NiFe 2 O 4 will be described. As a starting material, a powder of Fe 2 O 3 and NiO having a specific surface area of 2 m 2 / g or more is weighed and mixed with water in a ball mill or bead building, and then wet until the average particle size becomes 0.6 to 2 μm. A mixed and ground slurry is obtained. In addition, in order to obtain the high frequency circuit package 40 in which the cavity resonance is further suppressed, it is necessary to add 2 to 10 mol parts of at least one raw material powder of ZnO and CuO with respect to a total of 100 mol parts of Fe 2 O 3 and NiO. preferable. After adding and mixing an organic binder to the obtained slurry, the mixture is dried and granulated with a spray dryer, and the resulting granulated powder is molded into a predetermined shape by a known molding means, for example, a powder pressure molding method. obtain. Preferably, the slurry is dried, and the obtained dry powder is calcined at about 700 to 900 ° C., and water is added to the obtained calcined powder until the average particle size of the calcined powder becomes 2 μm or less. After pulverizing with a ball mill or bead mill, an organic binder is added and mixed, and then dried, granulated, and molded again with a spray dryer to obtain a molded body. Then, the molded body is fired at 1000 to 1400 ° C. for 0 to 10 hours in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 0.15 atm or less, and then the temperature is further lowered at 300 to 500 ° C./hour to create the electromagnetic wave absorber 30. . Here, in the case of using the powder pressure molding method, it is preferable to mold the molding pressure at, for example, 460 to 1900 MPa in order to produce a dense electromagnetic wave absorber 30 obtained by firing the molded body.

また、前記焼成中に、絶縁層４８を形成させようとする表面のみをＮｉＯ粉末に埋設することが重要である。これにより、ＮｉＯ粉末に埋設されて焼成された電磁波吸収体３０の表面に絶縁層４８を形成させ、ＮｉＯ粉末に埋設されずに焼成された電磁波吸収体の表面に導電層４４を形成させることができる。   Also, it is important that only the surface on which the insulating layer 48 is to be formed is embedded in the NiO powder during the firing. Thereby, the insulating layer 48 is formed on the surface of the electromagnetic wave absorber 30 embedded and fired in the NiO powder, and the conductive layer 44 is formed on the surface of the electromagnetic wave absorber fired without being embedded in the NiO powder. it can.

特に、前記焼成において酸素分圧が０．１気圧以下の雰囲気中で焼成することにより、電磁波吸収体３０の２５℃〜１００℃における体積固有抵抗を１０−２〜１０３Ωに制御した電磁波吸収体３０を作製することができる。また、焼成温度を１２５０℃〜１３５０℃で焼成することにより、絶縁層４８の２５℃〜１００℃における表面抵抗率を１０５〜１０１４Ωに制御した電磁波吸収体３０を得ることができる。 In particular, the electromagnetic wave absorption in which the volume resistivity at 25 ° C. to 100 ° C. of the electromagnetic wave absorber 30 is controlled to 10 −2 to 10 3 Ω by baking in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 0.1 atm or less in the baking. The body 30 can be produced. Further, by firing the firing temperature at 1250 ° C. to 1350 ° C., the surface resistivity at 25 ° C. to 100 ° C. of the insulating layer 48 can be obtained an electromagnetic wave absorber 30 is controlled to 10 5 ~10 14 Ω.

また、電磁波吸収体３０に含まれる酸化物磁性材料がＮｉＦｅ２Ｏ４以外の場合の電磁波吸収体３０は例えば次のように製造する。前記酸化物磁性材料がＮｉＣｒ２Ｏ４、ＮｉＣｏ２Ｏ４の場合は、出発原料のＦｅ２Ｏ３をＣｒ２Ｏ３またはＣｏＯに置き換えて製造できる。また、前記酸化物磁性材料がＣｏＦｅ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４の場合は、出発原料のＮｉＯ粉末および成形体を埋設するための粉末をそれぞれＣｏＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯに置き換えて製造できる。 The electromagnetic wave absorber 30 when the oxide magnetic material contained in the electromagnetic wave absorber 30 is other than NiFe 2 O 4 is manufactured as follows, for example. When the magnetic oxide material is NiCr 2 O 4 or NiCo 2 O 4 , it can be manufactured by replacing the starting material Fe 2 O 3 with Cr 2 O 3 or CoO. When the oxide magnetic material is CoFe 2 O 4 , CuFe 2 O 4 , or ZnFe 2 O 4 , the starting NiO powder and the powder for embedding the compact are replaced with CoO, CuO, and ZnO, respectively. Can be manufactured.

また、電磁波吸収体３０は、直方体形状の基板に限らず、円柱、円錐、三角柱、三角錐、それらの組み合わせからなる形状でも良い。   The electromagnetic wave absorber 30 is not limited to a rectangular parallelepiped substrate, and may be a cylinder, a cone, a triangular prism, a triangular pyramid, or a combination thereof.

本発明の高周波回路用パッケージ４０は、上述したように電磁波吸収体３０を高周波回路用パッケージ４０の内部に配設したものである。好ましくは、本発明の高周波回路用パッケージ４０は、断面図を図２に示すように、高周波半導体素子２６と、高周波半導体素子２６を配設するための回路基板１８と、回路基板１８を配設するためのパッケージベース１４と、高周波半導体素子２６と電気的に接続されかつ高周波半導体素子２６からの高周波信号を伝送するための高周波伝送線路２２と、パッケージベース１４と繋がりかつ高周波半導体素子２６、回路基板１８および高周波伝送線路２２を収納するための蓋体とを具備し、パッケージベース１４と蓋体２６で囲まれた空洞の内面に電磁波吸収体３０を配設し、高周波半導体素子２６と対向する電磁波吸収体３０の主面５６を導電層４４、主面５６の裏面または側面のいずれかを絶縁層４８とする。これによって、ＧＨｚ帯以上の周波数帯域で空洞共振を特に抑制した高周波回路用パッケージ４０を提供することができる。好ましくは図３に示すように、パッケージベース１４にグラウンド電極を設ける。   As described above, the high-frequency circuit package 40 of the present invention has the electromagnetic wave absorber 30 disposed in the high-frequency circuit package 40. Preferably, the high-frequency circuit package 40 of the present invention is provided with a high-frequency semiconductor element 26, a circuit board 18 for arranging the high-frequency semiconductor element 26, and the circuit board 18 as shown in a sectional view in FIG. A package base 14, a high-frequency semiconductor element 26, a high-frequency transmission line 22 that is electrically connected to the high-frequency semiconductor element 26 and transmits a high-frequency signal from the high-frequency semiconductor element 26; The substrate 18 and a lid for housing the high-frequency transmission line 22 are provided. An electromagnetic wave absorber 30 is disposed on the inner surface of the cavity surrounded by the package base 14 and the lid 26 and faces the high-frequency semiconductor element 26. The main surface 56 of the electromagnetic wave absorber 30 is the conductive layer 44, and either the back surface or the side surface of the main surface 56 is the insulating layer 48. Accordingly, it is possible to provide the high-frequency circuit package 40 in which cavity resonance is particularly suppressed in a frequency band higher than the GHz band. Preferably, a ground electrode is provided on the package base 14 as shown in FIG.

本発明の高周波回路用パッケージ４０に配設されるセラミック基板からなる電磁波吸収体３０は導電層４４と絶縁層４８が一体的に焼結されているため、磁性材料による電磁波吸収と導電性材料による電磁波吸収とが同時に可能となる。このため、従来の高周波回路用パッケージのように磁性材料からなる電磁波吸収体と導電性材料からなる電磁波吸収体の両方を高周波回路用パッケージに配設したり、導電性材料と絶縁性材料とを混合分散させて電磁波吸収体を作成後に高周波回路用パッケージに配設したりする必要がない。また、蓋体２６が金属等の導電性材料からなる場合、主面５６の裏面または側面のいずれかを絶縁層４８とすることによって、電磁波吸収体３０と蓋体２６との電気的絶縁が可能となるため、電磁波吸収体３０と高周波伝送線路２２との電磁界結合を抑制し、アイソレーション特性に優れた高周波回路用パッケージ４０を得ることができる。   In the electromagnetic wave absorber 30 made of the ceramic substrate disposed in the high frequency circuit package 40 of the present invention, since the conductive layer 44 and the insulating layer 48 are integrally sintered, the electromagnetic wave absorption by the magnetic material and the conductive material are used. Electromagnetic wave absorption is possible at the same time. For this reason, both the electromagnetic wave absorber made of a magnetic material and the electromagnetic wave absorber made of a conductive material are disposed in the high frequency circuit package as in the conventional high frequency circuit package, or the conductive material and the insulating material are There is no need to disperse and disperse the electromagnetic wave absorber to prepare a high frequency circuit package. Further, when the lid body 26 is made of a conductive material such as metal, the electromagnetic wave absorber 30 and the lid body 26 can be electrically insulated by using either the back surface or the side surface of the main surface 56 as the insulating layer 48. Therefore, the electromagnetic wave coupling between the electromagnetic wave absorber 30 and the high frequency transmission line 22 can be suppressed, and the high frequency circuit package 40 having excellent isolation characteristics can be obtained.

また、本発明の高周波回路用パッケージ４０は、上述したように蓋体５２として電磁波吸収体３０を用いたものである。好ましくは、図４に示したように、高周波半導体素子２６と、高周波半導体素子２６を配設するための回路基板１８と、回路基板１８を配設するためのパッケージベース１４と、高周波半導体素子２６と電気的に接続されかつ高周波半導体素子２６からの高周波信号を伝送するための高周波伝送線路２２と、パッケージベース１４と繋がりかつ高周波半導体素子２６、回路基板１８および高周波伝送線路２２を収納するための蓋体５２とを具備すし、蓋体５２が電磁波吸収体３０からなり、パッケージベース１４と蓋体５２とで囲まれた空洞内面の高周波半導体素子２６と対向する蓋体５２の主面を導電層４４、蓋体５２の端面または外周面のいずれかを絶縁層４８とする。これによって、ＧＨｚ帯以上の周波数帯域で特に空洞共振を抑制した高周波回路用パッケージ４０を提供することができる。さらに好ましくは図５に示すように、パッケージベース１４にグラウンド電極を設ける。ここで言う端面とは、図４、５においてパッケージベース１４と蓋体５２が接触している面である。   The high frequency circuit package 40 of the present invention uses the electromagnetic wave absorber 30 as the lid 52 as described above. Preferably, as shown in FIG. 4, the high-frequency semiconductor element 26, the circuit board 18 for arranging the high-frequency semiconductor element 26, the package base 14 for arranging the circuit board 18, and the high-frequency semiconductor element 26 And a high-frequency transmission line 22 for transmitting a high-frequency signal from the high-frequency semiconductor element 26, and for connecting the high-frequency semiconductor element 26, the circuit board 18, and the high-frequency transmission line 22 connected to the package base 14. The lid 52 is made of the electromagnetic wave absorber 30, and the main surface of the lid 52 facing the high-frequency semiconductor element 26 on the inner surface of the cavity surrounded by the package base 14 and the lid 52 is a conductive layer. 44. Either the end surface or the outer peripheral surface of the lid 52 is used as the insulating layer 48. As a result, it is possible to provide the high frequency circuit package 40 in which the cavity resonance is particularly suppressed in the frequency band higher than the GHz band. More preferably, a ground electrode is provided on the package base 14 as shown in FIG. The end surface referred to here is a surface where the package base 14 and the lid 52 are in contact with each other in FIGS.

また、図４、５の高周波回路用パッケージ４０に配設される電磁波吸収体３０は導電層４４と絶縁層４８が一体的に焼結されているため、磁性材料による電磁波吸収と導電性材料による電磁波吸収とが同時に可能となる。蓋体５２は電磁波吸収体３０を兼ねているため、従来の高周波回路用パッケージのように高周波回路用パッケージ内に電磁波吸収体を配設する必要がなく、したがって部品点数を削減できると共に高周波回路用パッケージを小型化でき、また製造コストを低減することもできる。また、図６のようにパッケージベース１４を容器状とし蓋体を基板状の電磁波吸収体３０とした高周波回路用パッケージ４０とすることもできる。   4 and 5, since the conductive layer 44 and the insulating layer 48 are integrally sintered, the electromagnetic wave absorber 30 disposed in the high frequency circuit package 40 shown in FIGS. 4 and 5 absorbs the electromagnetic wave by the magnetic material and the conductive material. Electromagnetic wave absorption is possible at the same time. Since the lid 52 also serves as the electromagnetic wave absorber 30, there is no need to dispose the electromagnetic wave absorber in the high frequency circuit package unlike the conventional high frequency circuit package, and therefore the number of parts can be reduced and the high frequency circuit can be used. The package can be reduced in size and the manufacturing cost can be reduced. In addition, as shown in FIG. 6, a high-frequency circuit package 40 in which the package base 14 is a container and the lid is a substrate-like electromagnetic wave absorber 30 may be used.

本発明の高周波回路用パッケージを構成する各部材の好ましい形態について説明する。高周波半導体素子２６は、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯのいずれかに、必要に応じて例えば不純物を拡散技術によりドープしてＰＮ接合しソース、ドレイン、ゲートを形成してなり、電圧を印加することにより例えば１００ＭＨｚ〜４０ＧＨｚの高周波信号を発信する。パッケージベース１４はセラミック、樹脂等からなる。高周波伝送線路２２は例えばマッチング回路、分布常数回路、パッシブ回路、コントロール回路、アンプ、ミキサ、検波回路のいずれかの回路を回路基板１８上に形成してなり、具体的には例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等のマイクロストリップライン、ワイヤボンド、抵抗体、コンデンサ等を含む。回路基板１８は、セラミック、樹脂等からなる。蓋体２６はセラミック、金属、樹脂等から構成され、蓋体５２は電磁波吸収体３０を兼ねている。本発明の高周波回路用パッケージは、パッケージベース１４上に、高周波伝送線路２２と高周波半導体素子２６を形成した回路基板１８を配設後、蓋体とパッケージベース１４を公知の方法例えばガラス接合により接着して封止する。また、図２、３のように蓋体２６の内側に電磁波吸収体３０を配設した配設後、パッケージベース１４と蓋体２６とを接着する。また上述の通り、好ましくは図３に示すようにパッケージベース１４の下面と内部にグランド層を設ける。   The preferable form of each member which comprises the package for high frequency circuits of this invention is demonstrated. The high-frequency semiconductor element 26 is formed by, for example, doping impurities into any one of Si, Ge, Se, Te, GaAs, GaP, GaN, InSb, CdS, ZnTe, and ZnO, for example, by a diffusion technique, and performing a PN junction. , A drain and a gate are formed, and a high frequency signal of, for example, 100 MHz to 40 GHz is transmitted by applying a voltage. The package base 14 is made of ceramic, resin, or the like. The high-frequency transmission line 22 is formed by, for example, forming a matching circuit, a distributed constant circuit, a passive circuit, a control circuit, an amplifier, a mixer, or a detection circuit on the circuit board 18, and specifically, for example, Au, Ag, Includes microstrip lines such as Cu, wire bonds, resistors, capacitors, and the like. The circuit board 18 is made of ceramic, resin, or the like. The lid body 26 is made of ceramic, metal, resin or the like, and the lid body 52 also serves as the electromagnetic wave absorber 30. In the high-frequency circuit package of the present invention, a circuit board 18 on which a high-frequency transmission line 22 and a high-frequency semiconductor element 26 are formed is disposed on the package base 14, and the lid and the package base 14 are bonded together by a known method such as glass bonding. And seal. 2 and 3, after the electromagnetic wave absorber 30 is disposed inside the lid body 26, the package base 14 and the lid body 26 are bonded. Further, as described above, a ground layer is preferably provided on the lower surface and inside of the package base 14 as shown in FIG.

また、回路基板１８に配設された高周波半導体素子２６と高周波伝送線路２２の例を図７に示す。入力端子側の電極１３ｄから入力した高周波信号は、高周波半導体素子２６、抵抗体６４、コンデンサ６８、負極１３ｂ、正極１３ｃ、ワイヤボンディングにより形成された金属ワイヤ１５、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロウェーブＩＣ）により構成された回路を経て出力端子側の電極１３ｅより高周波の出力信号として出力される。   An example of the high-frequency semiconductor element 26 and the high-frequency transmission line 22 disposed on the circuit board 18 is shown in FIG. The high-frequency signal input from the electrode 13d on the input terminal side is composed of the high-frequency semiconductor element 26, the resistor 64, the capacitor 68, the negative electrode 13b, the positive electrode 13c, the metal wire 15 formed by wire bonding, and the MMIC (monolithic microwave IC). Then, the output signal is output as a high-frequency output signal from the electrode 13e on the output terminal side.

また、本発明の高周波回路用パッケージ４０を無線通信のキャリア周波数ｆで無線通信する装置として用いる場合を例として説明する。例えば、送受信機能を有するＧａＡｓからなる高周波半導体素子１８にベースバンド信号を入力するための入力端子（不図示）と、高周波半導体素子１８からベースバンド信号を出力するための出力端子（不図示）と、高周波半導体素子１８を電気的に制御するための制御用端子（不図示）とを具備し、前記入力端子、前記出力端子、前記制御用端子を高周波回路用パッケージ４０の外側端部に設け、回路基板上１８に設けた高周波半導体素子２６、高周波伝送線路２２およびこれらの端子とを電気的に接続する。前記入力端子、前記出力端子、前記制御用端子には、前記無線通信のキャリア周波数ｆよりも低周波の中間波信号、ベースバンド信号、電源信号、制御用信号から選ばれる信号が通過する。高周波伝送線路２２は、パッケージベース１４に形成されたマイクロストリップライン、高周波半導体素子１８と前記マイクロストリップラインとを接合するための金属ワイヤ等から構成される。   Further, the case where the high frequency circuit package 40 of the present invention is used as an apparatus for wireless communication at a carrier frequency f of wireless communication will be described as an example. For example, an input terminal (not shown) for inputting a baseband signal to the high-frequency semiconductor element 18 made of GaAs having a transmission / reception function, and an output terminal (not shown) for outputting a baseband signal from the high-frequency semiconductor element 18 A control terminal (not shown) for electrically controlling the high-frequency semiconductor element 18, and the input terminal, the output terminal, and the control terminal are provided at the outer end of the high-frequency circuit package 40, The high-frequency semiconductor element 26 provided on the circuit board 18, the high-frequency transmission line 22, and these terminals are electrically connected. A signal selected from an intermediate wave signal, a baseband signal, a power supply signal, and a control signal having a frequency lower than the carrier frequency f of the wireless communication passes through the input terminal, the output terminal, and the control terminal. The high-frequency transmission line 22 includes a microstrip line formed on the package base 14, a metal wire for joining the high-frequency semiconductor element 18 and the microstrip line, and the like.

また、本発明の高周波回路用パッケージ４０は、高周波伝送線路２２の伝送特性が、パッケージベース１４単体で測定したときの伝送特性と実質的に等しいことが好ましい。パッケージベース１４単体とは、パッケージベース１４上に回路基板を配設し、パッケージベース１４にグラウンド電極を設け、かつ蓋体２６、５２、電磁波吸収体３０を配設していない状態である。この状態では、上方に電磁波を反射する物体が無く、空洞共振や信号の減衰がないため高周波伝送線路２２は理想的な伝送特性を示す。このパッケージベース１４単体のときの高周波伝送線路２２の伝送特性は、４端子回路をインピーダンスが較正された高周波電源に接続したときの電力透過係数（Ｓ２１）のことであり、蓋体２６と電磁波吸収体基板３０を備えた高周波回路用パッケージ４０、または蓋体５２を備えた高周波回路用パッケージとしたときの高周波伝送線路２２の電力透過係数（Ｓ２１）を同様に測定し、両者のＳ２１の差が０．２ｄＢ以下であれば実質的に等しいものとする。好ましくは両者のＳ２１の差が０．１ｄＢ以下である。 In the high-frequency circuit package 40 of the present invention, it is preferable that the transmission characteristics of the high-frequency transmission line 22 are substantially equal to the transmission characteristics when measured by the package base 14 alone. The package base 14 alone is a state in which a circuit board is disposed on the package base 14, a ground electrode is disposed on the package base 14, and the lids 26 and 52 and the electromagnetic wave absorber 30 are not disposed. In this state, there is no object that reflects electromagnetic waves upward, and there is no cavity resonance or signal attenuation, so the high-frequency transmission line 22 exhibits ideal transmission characteristics. The transmission characteristic of the high-frequency transmission line 22 when the package base 14 is a single unit is a power transmission coefficient (S 21 ) when the four-terminal circuit is connected to a high-frequency power source whose impedance is calibrated. The power transmission coefficient (S 21 ) of the high-frequency transmission line 22 when the high-frequency circuit package 40 including the absorber substrate 30 or the high-frequency circuit package including the lid 52 is measured in the same manner, and both S 21 If the difference between them is 0.2 dB or less, they are substantially equal. Preferably, the difference between the two S 21 is 0.1 dB or less.

また、本発明の高周波回路用パッケージ４０は、基板形状の電磁波吸収体３０、または蓋体５２からなる電磁波吸収体と高周波伝送線路２２との距離ｄ１を０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。電磁波吸収体と高周波伝送線路２２との距離ｄ１が０．１ｍｍより近くなると高周波伝送線路を流れる信号が減衰しやすいため好ましくない。また、高周波伝送線路にアンプを具備する場合、アンプ周辺でのアイソレーション特性の劣化を抑制するためには、距離ｄ１の上限を３ｍｍとすることが好ましい。距離ｄ１とは、高周波伝送線路２２と電磁波吸収体基板３０との最短距離、高周波伝送線路２２と蓋体５２との最短距離のことを言い、最短距離が測定できる位置で高周波回路用パッケージ４０を切断しｄ１を測定する。 In the high frequency circuit package 40 of the present invention, the distance d 1 between the high frequency transmission line 22 and the electromagnetic wave absorber 30 having the substrate shape or the lid body 52 and the high frequency transmission line 22 is preferably 0.1 mm or more. If the distance d 1 between the electromagnetic wave absorber and the high-frequency transmission line 22 is less than 0.1 mm, it is not preferable because a signal flowing through the high-frequency transmission line is easily attenuated. In the case of including an amplifier in the high frequency transmission line, in order to suppress the deterioration of the isolation characteristic in the peripheral amplifier, it is preferable that the upper limit of the distance d 1 and 3 mm. The distance d 1 means the shortest distance between the high-frequency transmission line 22 and the electromagnetic wave absorber substrate 30 and the shortest distance between the high-frequency transmission line 22 and the lid body 52. The high-frequency circuit package 40 can be measured at a position where the shortest distance can be measured. cutting the measuring the d 1.

また、本発明の高周波回路用パッケージ４０は、周波数１０ＧＨｚ以上における電磁波の減衰量が２ｄＢ以上である電磁波吸収体３０を用いることが、高周波回路用パッケージ４０内の空洞共振を抑制し、かつアイソレーション特性を向上させるために好ましい。周波数１０ＧＨｚ以上における電磁波の減衰量が２ｄＢ以上である電磁波吸収体３０は、上述した電磁波吸収体３０の材料により構成することが好ましい。   In addition, the high frequency circuit package 40 of the present invention uses the electromagnetic wave absorber 30 having an electromagnetic wave attenuation of 2 dB or more at a frequency of 10 GHz or more, thereby suppressing cavity resonance in the high frequency circuit package 40 and isolation. It is preferable for improving the characteristics. The electromagnetic wave absorber 30 whose attenuation of electromagnetic waves at a frequency of 10 GHz or more is 2 dB or more is preferably composed of the material of the electromagnetic wave absorber 30 described above.

なお、高周波回路用パッケージ４０の蓋体５２を本発明の電磁波吸収体３０により形成した場合、気孔率が２％以下である緻密な焼結体とすることが高周波回路用パッケージ４０の気密性を向上させるために好ましい。   When the lid 52 of the high frequency circuit package 40 is formed by the electromagnetic wave absorber 30 of the present invention, the high frequency circuit package 40 can be hermetically sealed with a dense sintered body having a porosity of 2% or less. It is preferable for improvement.

まず図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す電磁波吸収体３０を次のように作製した。   First, the electromagnetic wave absorber 30 shown in FIGS. 1A, 1B and 1C was produced as follows.

出発原料として、比表面積が２〜３ｍ２／ｇの各粉末を表１のモル比の組成となるよう秤量し、水とともにボールミルまたはビーズビルに投入調合した後、平均粒径が０．８〜１．２μｍとなるまで湿式混合・粉砕しスラリーを得た。得られたスラリーを乾燥して、得られた乾燥粉を７００〜９００℃程度で仮焼し、得られた仮焼粉に水を加えて仮焼粉の平均粒径が２μｍ以下となるまで、ボールミルやビーズミルで粉砕した後、有機結合材を添加混合し、噴霧乾燥機にて乾燥、造粒した。得られた造粒体を、成形圧４６０〜１９００ＭＰａで成形し所定形状の成形体を得た。そして、酸素分圧が表１に示した雰囲気中（酸素の残部は窒素）で、得られた成形体を表１に示した焼成温度で４時間保持して焼成後、さらに３００〜５００℃／時間で降温し、焼結体からなる電磁波吸収体３０を作成した。なお、電磁波吸収体３０に絶縁層４８を形成させようとする成形体の表面のみを表１に示す埋設用粉末に埋設して焼成した。 As a starting material, each powder having a specific surface area of 2 to 3 m 2 / g was weighed so as to have a composition with a molar ratio shown in Table 1, and charged into a ball mill or bead building together with water. The slurry was obtained by wet mixing and pulverizing to 1.2 μm. The obtained slurry is dried, the obtained dried powder is calcined at about 700 to 900 ° C., and water is added to the obtained calcined powder until the average particle size of the calcined powder becomes 2 μm or less. After pulverizing with a ball mill or bead mill, an organic binder was added and mixed, dried and granulated with a spray dryer. The obtained granulated body was molded at a molding pressure of 460 to 1900 MPa to obtain a molded body having a predetermined shape. Then, in an atmosphere having an oxygen partial pressure shown in Table 1 (the remainder of oxygen is nitrogen), the obtained molded body was held at the firing temperature shown in Table 1 for 4 hours and then fired, and further 300 to 500 ° C / The temperature was lowered over time to prepare an electromagnetic wave absorber 30 made of a sintered body. Note that only the surface of the molded body on which the insulating layer 48 is to be formed on the electromagnetic wave absorber 30 was embedded in the embedding powder shown in Table 1 and fired.

得られた電磁波吸収体３０の２５℃における体積固有抵抗と表面抵抗率を三菱油化株式会社のロレスタＨＰまたはロレスタＦＰを用いて測定した。また、各面の結晶相をＸ線回折法または微小部Ｘ線回折法により同定した。   The volume specific resistance and surface resistivity at 25 ° C. of the obtained electromagnetic wave absorber 30 were measured using a Loresta HP or Loresta FP manufactured by Mitsubishi Yuka Co., Ltd. Moreover, the crystal phase of each surface was identified by the X-ray diffraction method or the micro X-ray diffraction method.

次に、図７のように高周波伝送線路２２とＧａＡｓからなる高周波半導体素子２６をアルミナからなる回路基板１８上に構成した。また、Ａｕメッキ付きコバール（ＫＯＶ）製からなる蓋体２６をパッケージベース１４に固定する前に、この空洞内に、導電層４４にＮｉ、Ａｕ層を順次メッキした厚さ０．２〜２ｍｍの電磁波吸収体３０（図１（ａ）、（ｂ））を金属製の蓋体２６の内側に半田付けして固定した。高周波回路用パッケージ４０内の空洞は、外径８ｍｍ×８ｍｍ、高さ０．２〜６ｍｍの大きさを有するものとした。電磁波吸収体３０を配設した蓋体２６とパッケージベース１４とをガラスにより接合し、出力端子側の電極１３ｅから１０ＧＨｚおよび１２ＧＨｚの高周波信号を出力させた。また、電磁波吸収体３０を配設した蓋体２６の代わりに図１（ｃ）の蓋体５２を用いて同様に出力端子側の電極１３ｅから１０ＧＨｚおよび１２ＧＨｚの高周波信号を出力させた。その結果、いずれの高周波回路用パッケージ４０内にも空洞共振が発生しなかった。   Next, as shown in FIG. 7, a high-frequency transmission line 22 and a high-frequency semiconductor element 26 made of GaAs were formed on a circuit board 18 made of alumina. Further, before fixing the cover 26 made of Kovar (KOV) with Au plating to the package base 14, the conductive layer 44 is sequentially plated with Ni and Au layers in a thickness of 0.2 to 2 mm in this cavity. The electromagnetic wave absorber 30 (FIGS. 1A and 1B) was soldered and fixed to the inside of the metal lid 26. The cavity in the high-frequency circuit package 40 has an outer diameter of 8 mm × 8 mm and a height of 0.2 to 6 mm. The lid body 26 provided with the electromagnetic wave absorber 30 and the package base 14 were joined by glass, and high frequency signals of 10 GHz and 12 GHz were output from the electrode 13e on the output terminal side. In addition, 10 GHz and 12 GHz high frequency signals were similarly output from the electrode 13 e on the output terminal side using the lid 52 of FIG. 1C instead of the lid 26 provided with the electromagnetic wave absorber 30. As a result, no cavity resonance occurred in any of the high-frequency circuit packages 40.

また、図１（ａ）、（ｂ）の形状の電磁波吸収体３０（外径６×６×１ｍｍ）を設けたＡｕメッキ付きコバール（ＫＯＶ）製からなる蓋体２６と、高周波伝送線路２２としてマイクロストリップラインを設けた回路基板１８をアルミナセラミックからなるパッケージベース１４に配設したパッケージベース１４とを図３のように重ねて、パッケージベース単体での高周波回路用パッケージ４０の伝送特性を評価した。高周波回路用パッケージ４０内の空洞は、外径８ｍｍ×８ｍｍ、高さ０．２〜６ｍｍの大きさを有するものとした。電磁波吸収体３０は、蓋体２６をパッケージベース１４に固定する前に、この空洞内に、導電層４４にＮｉ、Ａｕ層を順次メッキした厚さ０．２〜２ｍｍの電磁波吸収体３０を金属製の蓋体２６の内側に半田付けして固定した。得られた高周波回路用パッケージの伝送特性は、ネットワークアナライザーを用いて１００ＭＨｚ〜４０ＧＨｚの周波数帯で、パッケージベース１４単体での電力透過係数Ｓ２１と、高周波伝送線路２２と電磁波吸収体３０の主面５６との距離を０〜６ｍｍとしたときのＳ２１とを測定し、両者の差ΔＳ２１（Ａ）が０．１ｄＢ以下であれば良好と判断し○、それ以外を伝送特性が悪いと判断し×とした。 Further, a lid 26 made of Kovar (KOV) with Au plating provided with an electromagnetic wave absorber 30 (outer diameter 6 × 6 × 1 mm) having the shape shown in FIGS. The circuit board 18 provided with the microstrip line is overlapped with the package base 14 provided on the package base 14 made of alumina ceramic as shown in FIG. 3, and the transmission characteristics of the high-frequency circuit package 40 using the package base alone are evaluated. . The cavity in the high-frequency circuit package 40 has an outer diameter of 8 mm × 8 mm and a height of 0.2 to 6 mm. The electromagnetic wave absorber 30 is formed by metalizing the electromagnetic wave absorber 30 having a thickness of 0.2 to 2 mm in which Ni and Au layers are sequentially plated on the conductive layer 44 in the cavity before fixing the lid body 26 to the package base 14. The inside of the lid 26 made of solder was fixed by soldering. The transmission characteristics of the obtained high frequency circuit package are as follows. The power transmission coefficient S 21 of the package base 14 alone, the high frequency transmission line 22, and the main surface of the electromagnetic wave absorber 30 in the frequency band of 100 MHz to 40 GHz using a network analyzer. S 21 when the distance to 56 is set to 0 to 6 mm is measured, and if the difference ΔS 21 (A) between them is 0.1 dB or less, it is judged as good, and the others are judged as bad in transmission characteristics. X.

また、電磁波吸収体３０の１０〜４０ＧＨｚにおける電磁波の減衰量を次のように測定した。先ず、図８に示すように、伝送線路２２が形成されたパッケージベース１４上に、伝送線路２２を覆うように電磁波吸収体３０を載置した。ここで、パッケージベース１４の外形寸法は１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５mmとした。次に、伝送線路２２にプローブ１７を押し当て、プローブ１７から同軸ケーブル（不図示）を介して接続されるネットワークアナライザー（不図示）により、周波数帯域１０〜４０ＧＨｚで電力反射係数Ｓ１１、電力透過係数Ｓ２１を測定した。電磁波吸収体３０の装着によって得られる電磁波の減衰量は、電力反射係数をＳ１１、電力透過係数をＳ２１をとする時、｜Ｓ２１／（１−Ｓ１１）｜により計算した。なお、図８に示すパッケージベース１４単体の電力透過係数Ｓ２１は−１．５ｄＢ以上であった。 Moreover, the attenuation amount of the electromagnetic wave in 10-40 GHz of the electromagnetic wave absorber 30 was measured as follows. First, as shown in FIG. 8, the electromagnetic wave absorber 30 was placed on the package base 14 on which the transmission line 22 was formed so as to cover the transmission line 22. Here, the external dimensions of the package base 14 were 10 mm × 10 mm × 0.5 mm. Next, the probe 17 is pressed against the transmission line 22, and the power reflection coefficient S 11 and the power transmission are transmitted in a frequency band of 10 to 40 GHz by a network analyzer (not shown) connected from the probe 17 via a coaxial cable (not shown). the coefficient S 21 was measured. Attenuation of the obtained electromagnetic wave by the mounting of the electromagnetic wave absorber 30, S 11 power reflection coefficient, when the power transmission coefficient and the S 21, | S 21 / ( 1-S 11) | was calculated by. Incidentally, the package base 14 itself of the power transmission coefficient S 21 of FIG. 8 was at least -1.5 dB.

また、電磁波吸収体３０を高周波回路用パッケージ４０内へ配設することによって得られる空洞共振抑制の効果については、図９に示すように、伝送線路２２が形成されたパッケージベース１４と、パッケージベース１４上に取り付けられた、８ｍｍ×８ｍｍ×０．８ｍｍの空洞を有するＡｕメッキ付きコバール（ＫＯＶ）製のパッケージ蓋体２６とからなる高周波回路用パッケージ４０を用いて評価した。高周波伝送線路２２にプローブ１７を押し当て、プローブ１７から同軸ケーブル（不図示）を介して接続されるネットワークアナライザー（不図示）により１０〜４０ＧＨｚにおいて電磁波吸収体３０を装着したときの電力透過係数Ｓ２１と、電磁波吸収体３０を装着しないときの電力透過係数Ｓ２１との差の絶対値△Ｓ２１（Ｂ）が０．１ｄＢ未満であったものを空洞共振抑制の効果があったものとして○、△Ｓ２１（Ｂ）が０．１ｄＢ以上であったものを空洞共振抑制の効果がないものとして×とした。 As for the effect of suppressing the cavity resonance obtained by disposing the electromagnetic wave absorber 30 in the high frequency circuit package 40, as shown in FIG. 9, the package base 14 in which the transmission line 22 is formed, and the package base Evaluation was performed using a package 40 for a high-frequency circuit comprising a package lid 26 made of Kovar (KOV) with Au plating and having a cavity of 8 mm × 8 mm × 0.8 mm, which is mounted on the substrate 14. Power transmission coefficient S when the electromagnetic wave absorber 30 is attached at 10 to 40 GHz by a network analyzer (not shown) connected to the high-frequency transmission line 22 through the probe 17 via a coaxial cable (not shown). 21, the absolute value of the difference between the power transmission coefficient S 21 when not wearing the electromagnetic wave absorber 30 △ S 21 (B) is less than 0.1dB as what was the effect of cavity resonance suppression ○ , ΔS 21 (B) was 0.1 dB or more, and x was regarded as having no effect of suppressing cavity resonance.

また、図１（ｃ）の形状の電磁波吸収体３０からなる蓋体５２（外径１０×１０ｍｍ）と、高周波伝送線路２２としてマイクロストリップラインを設けた回路基板１８をアルミナセラミックからなるパッケージベース１４に配設したパッケージベース１４とを図４のように重ねて、パッケージベース単体での高周波回路用パッケージ４０の伝送特性を評価した。パッケージベース１４単体での電力透過係数Ｓ２１と、蓋体５２を配設したときの高周波回路用パッケージ４０のＳ２１とを測定し、両者の差からΔＳ２１（Ａ）を評価し、同様にΔＳ２１（Ａ）が０．１ｄＢ以下であれば良好と判断し○、それ以外を伝送特性が悪いと判断し×とした。また、高周波回路用パッケージ４０内の空洞共振抑制の効果については、高周波伝送線路２２が形成されたパッケージベース１４と、パッケージベース１４上に取り付けられた、電磁波吸収体３０からなる蓋体５２を有する高周波回路用パッケージ４０を用いて評価した。高周波伝送線路２２にプローブ１７を押し当て、プローブ１７から同軸ケーブルを介して接続されるネットワークアナライザーにより１０〜４０ＧＨｚにおいて蓋体５２を装着したときの電力透過係数Ｓ２１と、蓋体５２を装着しないときの電力透過係数Ｓ２１との差の絶対値△Ｓ２１（Ｂ）が０．１ｄＢ未満であったものを空洞共振抑制の効果があったものとして○、△Ｓ２１（Ｂ）が０．１ｄＢ以上であったものを空洞共振抑制の効果がないものとして×とした。 A package base 14 made of alumina ceramic is provided with a circuit board 18 provided with a microstrip line as the lid 52 (outer diameter 10 × 10 mm) made of the electromagnetic wave absorber 30 having the shape of FIG. The package base 14 arranged in the above is overlapped as shown in FIG. 4 to evaluate the transmission characteristics of the package 40 for a high frequency circuit as a single package base. A power transmission coefficient S 21 of the package base 14 alone, by measuring the S 21 of the high-frequency circuit package 40 when disposed the lid 52, to evaluate [Delta] S 21 a (A) from the difference between the two, as well If ΔS 21 (A) was 0.1 dB or less, it was judged as good, and other than that, it was judged that the transmission characteristics were bad, and x was judged. The effect of suppressing the cavity resonance in the high-frequency circuit package 40 includes a package base 14 on which the high-frequency transmission line 22 is formed, and a lid 52 made of an electromagnetic wave absorber 30 attached on the package base 14. Evaluation was performed using the high-frequency circuit package 40. Pressing the probe 17 to the high frequency transmission line 22, the power transmission coefficient S 21 when mounting the lid 52 in 10~40GHz by a network analyzer that is connected via a coaxial cable from the probe 17, not fitted with a lid 52 When the absolute value ΔS 21 (B) of the difference from the power transmission coefficient S 21 is less than 0.1 dB, it is assumed that the effect of suppressing the cavity resonance is ○, and ΔS 21 (B) is 0. A value of 1 dB or more was marked as x because there was no effect of suppressing cavity resonance.

これらの結果を表１、図１０に示した。表１から明らかなように、本発明の範囲内である試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１４は、１００ＭＨｚ〜４０ＧＨｚにおいてΔＳ２１（Ａ）が０．１ｄＢ以下となり高周波伝送線路２２の伝送特性が良好で、空洞共振も発生しなかった。 These results are shown in Table 1 and FIG. As is apparent from Table 1, sample Nos. Within the scope of the present invention. 1-No. In No. 14, ΔS 21 (A) was 0.1 dB or less at 100 MHz to 40 GHz, the transmission characteristics of the high-frequency transmission line 22 were good, and no cavity resonance occurred.

また、例えば、試料Ｎｏ．１の１００ＭＨｚ〜４０ＧＨｚのＳ２１を図１０（ｂ）に示したように、パッケージベース１４単体での伝送特性（図１０（ａ））と０．１ｄB以内のＳ２１が得られた。試料Ｎｏ．４は電磁波吸収体３０と高周波伝送線路２２との距離が０．１ｍｍ未満と非常に近接しているため、４０ＧＨｚにおけるＳ２１がー１．８ｄＢとなり、試料Ｎｏ．１〜３、５〜１４に比べて高周波伝送線路２２の伝送特性（アイソレーション）を著しく改善することができなかった。 Also, for example, sample No. As shown in FIG. 10B, S 21 of 100 MHz to 40 GHz of No. 1 was obtained with transmission characteristics (FIG. 10A) of the package base 14 alone and S 21 within 0.1 dB. Sample No. 4 is the distance between the electromagnetic wave absorber 30 and the high-frequency transmission line 22 is in close proximity and very less than 0.1 mm, next S 21 Gar 1.8dB at 40 GHz, Sample No. Compared with 1 to 3 and 5 to 14, the transmission characteristics (isolation) of the high-frequency transmission line 22 could not be remarkably improved.

また、試料Ｎｏ．１、２に用いた電磁波吸収体３０の絶縁層４８と導電層４４からはＪＣＰＤＳのＮｏ．１０−０３２５のＮｉＦｅ２Ｏ４相が含まれ、導電層４４にはさらにＦｅ３Ｏ４相が含まれていることがＸ線回折法により明らかとなった。 Sample No. From the insulating layer 48 and the conductive layer 44 of the electromagnetic wave absorber 30 used for 1 and 2, the JCPDS No. The X-ray diffraction method revealed that 10-0325 NiFe 2 O 4 phase was contained, and that the conductive layer 44 further contained Fe 3 O 4 phase.

一方、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１５〜１８は、ΔＳ２１（Ａ）が０．１ｄＢよりも大きくなって高周波伝送線路の伝送特性が劣化したり、△Ｓ２１（Ｂ）が０．１ｄＢ以上となって空洞共振抑制の効果がなかったりした。また、図１１（ａ）に示したように、電磁波吸収体を配設しなかった試料Ｎｏ．１５では、２６ＧＨｚ付近に大きな空洞共振のピークが発生した。また、図１１（ｂ）、（ｃ）に示したように、試料Ｎｏ．１６、１８のＳ２１は、周波数が高くなるにつれてＳ２１が急激に小さくなり、伝送特性が悪くなった。 On the other hand, sample no. For 15 to 18, ΔS 21 (A) is larger than 0.1 dB and the transmission characteristics of the high-frequency transmission line are deteriorated, or ΔS 21 ( B) is 0.1 dB or more and the effect of suppressing cavity resonance is obtained. I did not. Further, as shown in FIG. 11A, the sample No. in which the electromagnetic wave absorber was not provided was arranged. 15, a large cavity resonance peak occurred in the vicinity of 26 GHz. In addition, as shown in FIGS. S 21 of 16, 18, S 21 becomes abruptly smaller as the frequency becomes higher, the transmission characteristic worsens.

なお、表１に示した組成は、例えば試料Ｎｏ．１の場合はＦｅ２Ｏ３とＮｉＯのモル比が０．９：０．１であることを示す。また、各電磁波吸収体の組成は出発原料と焼成後とで同じであることをＩＣＰ発光分光分析により確認した。また、表１において試料Ｎｏ．１５のｄ１は蓋体と高周波伝送線路との距離を示す。 The composition shown in Table 1 is, for example, sample No. The case of 1 indicates that the molar ratio of Fe 2 O 3 and NiO is 0.9: 0.1. Further, it was confirmed by ICP emission spectroscopic analysis that the composition of each electromagnetic wave absorber was the same between the starting material and after firing. In Table 1, sample No. D 1 of 15 indicates the distance between the lid and the high-frequency transmission line.

Figure 2005072151
Figure 2005072151

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の高周波回路用パッケージに配設される電磁波吸収体の断面図である。(A)-(c) is sectional drawing of the electromagnetic wave absorber arrange | positioned at the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージに配設される回路基板および高周波伝送線路である。It is the circuit board and high frequency transmission line which are arrange | positioned at the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージに配設される電磁波吸収体を装着することによって得られる電磁波の減衰量を測定する装置の断面図である。It is sectional drawing of the apparatus which measures the attenuation amount of the electromagnetic wave obtained by mounting | wearing with the electromagnetic wave absorber arrange | positioned at the package for high frequency circuits of this invention. 本発明の高周波回路用パッケージの空洞共振抑制を評価するための断面図である。It is sectional drawing for evaluating the cavity resonance suppression of the package for high frequency circuits of this invention. （ａ）、（ｂ）は、実施例の高周波回路用パッケージのＳ２１を示すグラフである。(A), (b) is a graph showing the S 21 of a high-frequency circuit package of Example. （ａ）〜（ｃ）は、比較例の高周波回路用パッケージのＳ２１を示すグラフである。(A) ~ (c) is a graph showing the S 21 of a high-frequency circuit package of the comparative example. 従来の高周波回路用パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the conventional high frequency circuit package.

符号の説明Explanation of symbols

１３：電極
１３ａ：グラウンド電極
１３ｂ：負極
１３ｃ：正極
１３ｄ：入力端子側の電極
１３ｅ：出力端子側の電極
１４、７３：パッケージベース
１５：ワイヤ
１７：プローブ
１８：高周波半導体素子
２０：電磁波の減衰量を測定する装置
２２：高周波伝送線路
２６、５２、７１：蓋体
３０、７２：電磁波吸収体
４０、７０：高周波回路用パッケージ
５６：主面
６０：ＭＭＩＣ
６４：抵抗体
６８：コンデンサ
７４：高周波回路基板
７５：誘電体基板
７６：金属壁 13: Electrode 13a: Ground electrode 13b: Negative electrode 13c: Positive electrode 13d: Input terminal side electrode 13e: Output terminal side electrode 14, 73: Package base 15: Wire 17: Probe 18: High frequency semiconductor element 20: Attenuation of electromagnetic wave 22: High-frequency transmission lines 26, 52, 71: Cover body 30, 72: Electromagnetic wave absorber 40, 70: High-frequency circuit package 56: Main surface 60: MMIC
64: resistor 68: capacitor 74: high frequency circuit board 75: dielectric substrate 76: metal wall

Claims (13)

絶縁層と導電層を有するセラミック焼結体からなり、前記絶縁層と前記導電層が同じ酸化物磁性材料を含有し、かつ一体的に焼結されていることを特徴とする電磁波吸収体。 An electromagnetic wave absorber comprising an ceramic sintered body having an insulating layer and a conductive layer, wherein the insulating layer and the conductive layer contain the same oxide magnetic material and are integrally sintered. ２５℃〜１００℃における体積固有抵抗が１０−２〜１０３Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収体。 2. The electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the volume resistivity at 25 ° C. to 100 ° C. is 10 −2 to 10 3 Ω · cm. 前記絶縁層の２５℃〜１００℃における表面抵抗率が１０５〜１０１４Ωであることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to claim 1 or 2, wherein a surface resistivity of the insulating layer at 25 ° C to 100 ° C is 10 5 to 10 14 Ω. 前記酸化物磁性材料がＭｎＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４から選ばれる少なくとも１種の結晶相、もしくはこれらのうち少なくとも２種の固溶体を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波吸収体。 The oxide magnetic material contains at least one crystal phase selected from MnFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and ZnFe 2 O 4 , or at least two solid solutions thereof. The electromagnetic wave absorber in any one of -3. 前記導電層がＦｅ３Ｏ４を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the conductive layer contains Fe 3 O 4 . 金属元素としてのＦｅの含有量がＦｅ２Ｏ３換算で７０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電磁波吸収体。 Electromagnetic wave absorber according to claim 1 in which the content of Fe as the metal element is characterized by a 70～95Mol% in terms of Fe 2 O 3. 請求項１〜６のいずれかに記載の電磁波吸収体を内部に配設したことを特徴とする高周波回路用パッケージ。 A package for a high-frequency circuit, wherein the electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 6 is disposed therein. 前記電磁波吸収体を蓋体として用いたことを特徴とする高周波回路用パッケージ。 A package for a high-frequency circuit, wherein the electromagnetic wave absorber is used as a lid. 高周波半導体素子と、前記高周波半導体素子を配設するための回路基板と、前記回路基板を配設するためのパッケージベースと、前記高周波半導体素子と電気的に接続されかつ前記高周波半導体素子からの高周波信号を伝送するための高周波伝送線路と、前記パッケージベースと繋がりかつ前記高周波半導体素子、前記回路基板および前記高周波伝送線路を収納するための蓋体とを具備し、前記パッケージベースと前記蓋体で囲まれた空洞の内面に前記電磁波吸収体を配設し、前記高周波半導体素子と対向する前記基板の主面を導電層、前記主面の裏面または前記基板の側面のいずれかを絶縁層としたことを特徴とする請求項７に記載の高周波回路用パッケージ。 A high-frequency semiconductor element; a circuit board on which the high-frequency semiconductor element is disposed; a package base on which the circuit board is disposed; a high-frequency semiconductor element electrically connected to the high-frequency semiconductor element and from the high-frequency semiconductor element A high-frequency transmission line for transmitting a signal, and a lid for connecting the high-frequency semiconductor element, the circuit board, and the high-frequency transmission line connected to the package base, the package base and the lid The electromagnetic wave absorber is disposed on the inner surface of the enclosed cavity, the main surface of the substrate facing the high-frequency semiconductor element is a conductive layer, and either the back surface of the main surface or the side surface of the substrate is an insulating layer. The high-frequency circuit package according to claim 7. 高周波半導体素子と、前記高周波半導体素子を配設するための回路基板と、前記回路基板を配設するためのパッケージベースと、前記高周波半導体素子と電気的に接続されかつ前記高周波半導体素子からの高周波信号を伝送するための高周波伝送線路と、前記パッケージベースと繋がりかつ前記高周波半導体素子、前記回路基板および前記高周波伝送線路を収納するための蓋体とを具備し、該蓋体が前記電磁波吸収体からなり、前記パッケージベースと前記蓋体とで囲まれた空洞内面の前記高周波半導体素子と対向する前記蓋体の主面を導電層、前記蓋体の端面または外周面のいずれかを絶縁層としたことを特徴とする請求項８に記載の高周波回路用パッケージ。 A high-frequency semiconductor element; a circuit board on which the high-frequency semiconductor element is disposed; a package base on which the circuit board is disposed; a high-frequency semiconductor element electrically connected to the high-frequency semiconductor element and from the high-frequency semiconductor element A high-frequency transmission line for transmitting a signal, and a lid for connecting the high-frequency semiconductor element, the circuit board, and the high-frequency transmission line connected to the package base, the lid being the electromagnetic wave absorber The main surface of the lid facing the high-frequency semiconductor element on the inner surface of the cavity surrounded by the package base and the lid is a conductive layer, and either the end surface or the outer peripheral surface of the lid is an insulating layer. The high frequency circuit package according to claim 8, wherein the high frequency circuit package is provided. 前記高周波伝送線路の伝送特性が、前記パッケージベース単体で測定したときの伝送特性と実質的に等しいことを特徴とする請求項９または１０に記載の高周波回路用パッケージ。 11. The high frequency circuit package according to claim 9, wherein a transmission characteristic of the high frequency transmission line is substantially equal to a transmission characteristic measured by the package base alone. 前記電磁波吸収体と前記高周波伝送線路との距離を０．１ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の高周波回路用パッケージ。 The high frequency circuit package according to any one of claims 9 to 11, wherein a distance between the electromagnetic wave absorber and the high frequency transmission line is 0.1 mm or more. 周波数１０ＧＨｚ以上における電磁波の減衰量が２ｄＢ以上である電磁波吸収体を用いたことを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載の高周波回路用パッケージ。 The package for a high frequency circuit according to any one of claims 7 to 12, wherein an electromagnetic wave absorber having an electromagnetic wave attenuation amount of 2 dB or more at a frequency of 10 GHz or more is used.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007110000A (en) * 2005-10-17 2007-04-26 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Power semiconductor module
JP2007295557A (en) * 2006-03-31 2007-11-08 Nitta Ind Corp Magnetic shield sheet, method for improving non-contact ic card transmission, and non-contact ic card hold container
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