JP2005062725A - Display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of preventing a display defect in a emission-line state with high reliability. <P>SOLUTION: The display device comprises a plurality of gate lines Y, a plurality of signal lines X crossing those gate lines Y, a plurality of display pixels PX which are arranged nearby intersections of the plurality of gate lines Y and the plurality of signal lines X, a gate line driving circuit 15 which selectively drives the plurality of gate lines Y, a plurality of switch parts S1, S2, ..., which output an external video signal to the plurality of signal lines X, a plurality of thin-film transistors 13 which are driven through corresponding gate lines Y to supply video signals on the corresponding signal lines X to corresponding display pixels PX, and a protecting circuit 36 which removes undesirable reverse bias high voltages applied to the plurality of switching element parts S1, S2, ..., through the plurality of signal lines X. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、一般に複数の表示画素が単一のスイッチング素子に共通に接続される表示装置に関し、特にこれら表示画素がスイッチング素子の出力電圧に比べて高電圧に設定される配線に隣接する表示装置に関する。   The present invention generally relates to a display device in which a plurality of display pixels are commonly connected to a single switching element, and in particular, a display device adjacent to a wiring in which these display pixels are set to a higher voltage than the output voltage of the switching element. About.

近年では、コンピュータのオペレーションシステムの改善、もしくはアプリケーションの改善に伴って、マルチメディアやインターネットで扱う動画等の大量の情報を表示できることが液晶表示装置に要求されている。さらに、用途によっては、オフィス、自宅、その他の場所に容易に移動できるような可搬性も要求されている。このため、液晶表示装置の薄型化、軽量化、大画面化、高精細化が精力的に図られている。   In recent years, along with improvements in computer operation systems or applications, liquid crystal display devices are required to be able to display a large amount of information such as videos handled by multimedia and the Internet. Further, depending on the application, portability that allows easy movement to an office, home, or other places is also required. For this reason, liquid crystal display devices are vigorously reduced in thickness, weight, screen size, and resolution.

液晶表示装置は、一般に液晶層がアレイ基板および対向基板間に液晶層を挟持した構造を有する。例えばアクティブマトリクス型液晶表示装置では、アレイ基板がマトリクス状に配置される複数の画素電極、これら画素電極の行に沿って配置される複数のゲート線、これら画素電極の列に沿って配置される複数の信号線、およびこれら走査線および信号線の交差位置近傍に配置される複数の画素スイッチング素子を含む。また、対向基板は複数の画素電極に対向する単一の対向電極を含む。液晶層は複数の画素電極および対向電極と協力して、これら電極間の電位差に対応する画像を表示する複数の表示画素を構成する。各画素スイッチング素子は例えばアモルファスシリコンまたはポリシリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)により構成され、各々ゲート線からの制御により信号線からの映像信号を取り込んで画素電極に印加する。   A liquid crystal display device generally has a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between an array substrate and a counter substrate. For example, in an active matrix liquid crystal display device, an array substrate is arranged along a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a plurality of gate lines arranged along the row of these pixel electrodes, and a column of these pixel electrodes. It includes a plurality of signal lines and a plurality of pixel switching elements arranged in the vicinity of the intersection positions of these scanning lines and signal lines. The counter substrate includes a single counter electrode that faces the plurality of pixel electrodes. The liquid crystal layer forms a plurality of display pixels that display an image corresponding to a potential difference between the electrodes in cooperation with the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. Each pixel switching element is constituted by a thin film transistor (TFT) using, for example, an amorphous silicon or polysilicon thin film, and takes in a video signal from a signal line and applies it to a pixel electrode under control from each gate line.

最近では、画素スイッチング素子がポリシリコン薄膜トランジスタである場合に、この画素スイッチング素子と同一プロセスで形成されるポリシリコン薄膜トランジスタを用いてゲート線駆動回路および信号線駆動回路の一部あるいは全部をアレイ基板と一体化することが試みられている(例えば、特許文献1参照)。このような構成は、アレイ基板に接続される外部ユニットとしてゲート線駆動回路および信号線駆動回路を設ける場合よりも総部品点数やアレイ基板および外部ユニット間の接続配線数等を低減できる。   Recently, when the pixel switching element is a polysilicon thin film transistor, a part of or all of the gate line driving circuit and the signal line driving circuit are formed as an array substrate using the polysilicon thin film transistor formed by the same process as the pixel switching element. It is attempted to integrate them (for example, see Patent Document 1). Such a configuration can reduce the total number of components, the number of connection wirings between the array substrate and the external unit, and the like as compared with the case where the gate line driving circuit and the signal line driving circuit are provided as external units connected to the array substrate.

ところで、これら駆動回路はアレイ基板において画像表示領域の周囲に設けられる僅かなスペースに配置されなくてはならない。また、ポリシリコン薄膜トランジスタの性能はアモルファスシリコン薄膜トランジスタより優れているが、単結晶トランジスタに比べるとはるかに劣っている。通常、薄膜トランジスタが信号線駆動回路に組み込まれる場合、この薄膜トランジスタは画素スイッチング素子の薄膜トランジスタと同等の2V〜5Vの耐圧でよいが、映像信号の1水平走査期間に含まれる有効映像期間を全信号線数で割った極めて短い時間内に信号線電位の設定を完了するように極めて高速でスイッチング動作する必要がある。これに対して、薄膜トランジスタがゲート線駆動回路に組み込まれる場合、この薄膜トランジスタは信号線駆動回路に組み込まれる薄膜トランジスタの4〜5倍である15〜20Vの耐圧を必要とするが、1水平走査期間に一回程度の割合でスイッチング動作すればよい。従って、ゲート線駆動回路全体をアレイ基板と一体化することは比較的容易であるが、信号線駆動回路についてはゲート線駆動回路のように容易ではない。このため、信号線駆動回路については、複数の信号線にそれぞれスイッチング素子として接続される薄膜トランジスタ群からなるようなアクティブスイッチングドライバをアレイ基板上に配置し、例えばデジタル・アナログ変換回路(DAC)のような信号線駆動回路の残り駆動部をアレイ基板に接続される外部ユニットに配置することが実用的である。
特開2001−134238号公報
By the way, these drive circuits must be arranged in a small space provided around the image display area on the array substrate. In addition, the performance of polysilicon thin film transistors is superior to that of amorphous silicon thin film transistors, but is far inferior to that of single crystal transistors. Normally, when a thin film transistor is incorporated in a signal line driver circuit, this thin film transistor may have a withstand voltage of 2 V to 5 V, which is equivalent to the thin film transistor of the pixel switching element. It is necessary to perform a switching operation at an extremely high speed so that the setting of the signal line potential is completed within an extremely short time divided by the number. On the other hand, when the thin film transistor is incorporated in the gate line driving circuit, this thin film transistor requires a withstand voltage of 15 to 20 V, which is 4 to 5 times that of the thin film transistor incorporated in the signal line driving circuit. A switching operation may be performed at a rate of about once. Therefore, it is relatively easy to integrate the entire gate line driving circuit with the array substrate, but the signal line driving circuit is not as easy as the gate line driving circuit. For this reason, in the signal line driving circuit, active switching drivers such as thin film transistor groups connected to a plurality of signal lines as switching elements are arranged on the array substrate, for example, a digital-analog conversion circuit (DAC). It is practical to dispose the remaining drive section of the signal line drive circuit in an external unit connected to the array substrate.
JP 2001-134238 A

ところで、アクティブスイッチングドライバをアレイ基板上に配置した液晶表示装置では、線状の表示不良が配線の断線や短絡のような外観上の異常なしに発生している。我々が故障した液晶表示装置を調査したところ、上述のよう表示不良が全体の約1%程度の割合で発生することが確認された。例えば輝線状の表示不良は一般に信号線の断線によって発生するが、信号線用スイッチング素子の動作停止に起因するものもある。高温下での動作信頼性試験を行ったところ、発生頻度としては少ないものの、初期段階で画素の表示不良(点欠陥)であったものが、試験開始から90時間ほど経過した後に信号線用スイッチング素子が正常に動作しなくなって、輝線状表示不良になることが判明した。このような輝線状表示不良は画面品位を著しく損ねる結果となる。   By the way, in the liquid crystal display device in which the active switching driver is arranged on the array substrate, a linear display defect occurs without any abnormality in appearance such as disconnection or short circuit of the wiring. When we investigated the failed liquid crystal display device, it was confirmed that display failure occurred at a rate of about 1% of the whole as described above. For example, the bright line-like display defect is generally caused by the disconnection of the signal line, but may be caused by the operation stop of the signal line switching element. When an operation reliability test was performed at high temperatures, the frequency of occurrence was low, but a pixel display defect (point defect) at the initial stage was a signal line switching after 90 hours had passed since the start of the test. It has been found that the device does not operate normally, resulting in a defective bright line display. Such bright line display defects result in a significant loss of screen quality.

本発明の目的は輝線状表示不良を高い信頼性で防止できる表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a display device that can prevent bright line-like display defects with high reliability.

本発明によれば、複数のゲート線と、これらゲート線に交差する複数の信号線と、複数のゲート線および複数の信号線との交差位置近傍に配置される複数の表示画素と、複数のゲート線を選択的に駆動するゲート線駆動回路と、外部からの映像信号を複数の信号線にそれぞれ出力する複数のスイッチング素子部と、各々対応ゲート線を介して駆動され対応信号線上の映像信号を対応表示画素に供給する複数の薄膜トランジスタと、複数のスイッチング素子部に複数の信号線を介して印加される不所望な逆バイアス高電圧を除去する保護回路とを備える表示装置が提供される。   According to the present invention, a plurality of gate lines, a plurality of signal lines intersecting with the gate lines, a plurality of display pixels arranged in the vicinity of the intersection positions of the plurality of gate lines and the plurality of signal lines, A gate line driving circuit that selectively drives the gate lines, a plurality of switching element units that output external video signals to the plurality of signal lines, and video signals on the corresponding signal lines that are driven through the corresponding gate lines, respectively. A display device is provided that includes a plurality of thin film transistors that supply a corresponding display pixel and a protection circuit that removes an undesired reverse bias high voltage applied to a plurality of switching element portions via a plurality of signal lines.

この表示装置では、保護回路が複数の信号線を介して複数のスイッチング素子部に印加される不所望な逆バイアス高電圧を除去する。例えばゲート線やその他の隣接配線からの高電圧が表示画素に付着した異物や画素内の配線欠陥によって信号線を介してスイッチング素子部を逆バイアスしても、逆バイアス高電圧は保護回路によって除去されるため、スイッチング素子部の特性が逆バイアス高電圧の継続的な印加によって劣化することがない。従って、このスイッチング素子部の動作停止による輝線状表示不良を高い信頼性で防止することができる。   In this display device, the protection circuit removes an undesired reverse bias high voltage applied to the plurality of switching element portions via the plurality of signal lines. For example, the reverse bias high voltage is removed by the protection circuit even if the switching element is reverse-biased through the signal line due to foreign matter adhering to the display pixel due to a high voltage from the gate line or other adjacent wiring or a wiring defect in the pixel. Therefore, the characteristics of the switching element section are not deteriorated by continuous application of the reverse bias high voltage. Therefore, the bright line-like display defect due to the operation stop of the switching element portion can be prevented with high reliability.

本発明によれば、輝線状表示不良を高い信頼性で防止できる表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the display apparatus which can prevent a bright line-like display defect with high reliability can be provided.

以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。この液晶表示装置は例えば対角15インチのサイズに設定される光透過型有効表示領域を有し、ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて構成される。   Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. This liquid crystal display device has a light transmissive effective display area set to a size of, for example, 15 inches diagonal, and is configured using a polysilicon thin film transistor.

図1はこの液晶表示装置の平面構造を概略的に示し、図2は図1に示す液晶表示装置の内部構造を部分的に示し、図3は図1および図2に示すアレイ基板上の回路構成を示す。   1 schematically shows a planar structure of the liquid crystal display device, FIG. 2 partially shows an internal structure of the liquid crystal display device shown in FIG. 1, and FIG. 3 shows a circuit on the array substrate shown in FIGS. The configuration is shown.

図1に示すように、液晶表示装置はアレイ基板ARと、このアレイ基板ARに対して所定の間隔をおいて対向するように配置された対向基板CTと、これらアレイ基板ARと対向基板CTとの間にそれぞれ配向膜を介して挟持される液晶層LQとを備える。アレイ基板ARと対向基板CTとは、これらの外周端部に配置されるシール材によって貼り合わせている。   As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device includes an array substrate AR, a counter substrate CT arranged to face the array substrate AR at a predetermined interval, and the array substrate AR and the counter substrate CT. And a liquid crystal layer LQ that is sandwiched through an alignment film. The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded to each other by a sealing material disposed at the outer peripheral end portions thereof.

アレイ基板ARは、マトリクス状に配置されるm×n個の画素電極11と、これら画素電極11の行に沿って配置されたm本のゲート線Y(Y1,Y2,Y3,…Ym)と、これら画素電極11の列に沿って配置されたn本の信号線X(X1,X2,X3,…Xn)と、これらゲート線Yと信号線Xとの交差位置近傍に配置されたm×n個の画素スイッチング素子13とを備える。対向基板CTは各々対応列の画素電極11に対して形成される赤色(R),緑色(G),および青色(B)のカラーフィルタCFおよびこれらカラーフィルタCF上に形成されm×n個の画素電極11に対向する対向電極10を含む。アレイ基板ARにおいて、各画素電極11はこれらゲート線Yおよび信号線Xによって囲まれた領域で対向基板CT側の対向電極10、カラーフィルタCF、および液晶層LQと協力して表示画素PXを構成する。   The array substrate AR includes m × n pixel electrodes 11 arranged in a matrix, and m gate lines Y (Y1, Y2, Y3,... Ym) arranged along the rows of the pixel electrodes 11. , N signal lines X (X1, X2, X3,... Xn) arranged along the columns of the pixel electrodes 11 and mx arranged near the intersections of the gate lines Y and the signal lines X. and n pixel switching elements 13. The counter substrate CT is formed on the color filters CF of red (R), green (G), and blue (B) formed for the pixel electrodes 11 in the corresponding columns, and m × n pieces of the color filters CF. A counter electrode 10 facing the pixel electrode 11 is included. In the array substrate AR, each pixel electrode 11 constitutes a display pixel PX in cooperation with the counter electrode 10 on the counter substrate CT side, the color filter CF, and the liquid crystal layer LQ in a region surrounded by the gate line Y and the signal line X. To do.

各画素スイッチング素子13はポリシリコン半導体薄膜を用いたポリシリコン薄膜トランジスタからなる。この薄膜トランジスタのゲート電極は対応ゲート線Yに接続され、ソース電極は対応信号線Xに接続され、ドレイン電極は対応画素電極11に接続される。この画素電極11は液晶層LQを介して対向電極CTと液晶容量を構成する。   Each pixel switching element 13 is composed of a polysilicon thin film transistor using a polysilicon semiconductor thin film. The thin film transistor has a gate electrode connected to the corresponding gate line Y, a source electrode connected to the corresponding signal line X, and a drain electrode connected to the corresponding pixel electrode 11. The pixel electrode 11 constitutes a counter electrode CT and a liquid crystal capacitor via the liquid crystal layer LQ.

この液晶表示装置は、m本、例えば768本のゲート線Yを駆動するゲート線駆動回路15、n本、例えば1024×3本の信号線Xを駆動する信号線駆動回路16、並びにゲート線駆動回路15および信号線駆動回路16を制御するプリント回路基板PCBを備える。ゲート線駆動回路15は画素スイッチング素子13と同一プロセスでアレイ基板AR上に一体的に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタを組み合わせて構成される。信号線駆動回路16は画素スイッチング素子13と同一プロセスでアレイ基板AR上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタを組み合わせて構成される選択回路17と、各々ドライバIC18をフレキシブル配線基板上に実装し外部ユニットとしてアレイ基板11に接続されるテープキャリアパッケージTCP1〜TPC6とによって構成される。   This liquid crystal display device includes a gate line driving circuit 15 for driving m, for example, 768 gate lines Y, a signal line driving circuit 16 for driving n, for example, 1024 × 3 signal lines X, and gate line driving. A printed circuit board PCB for controlling the circuit 15 and the signal line driving circuit 16 is provided. The gate line driving circuit 15 is configured by combining polysilicon thin film transistors integrally formed on the array substrate AR by the same process as the pixel switching element 13. The signal line driving circuit 16 includes a selection circuit 17 configured by combining polysilicon thin film transistors formed on the array substrate AR in the same process as the pixel switching element 13, and a driver IC 18 mounted on the flexible wiring substrate as an external unit. The tape carrier packages TCP1 to TPC6 connected to the array substrate 11 are configured.

選択回路17はn本の信号線Xを半数ずつ含むように区分して得られる第1および第2信号線ブロックを各水平走査期間に含まれる有効映像期間において順次選択し、テープキャリアパッケージTCP1〜TCP6から得られる1信号線ブロック分の映像信号を選択信号線ブロックに対応する半数の信号線Xに順次出力するアクティブスイッチングドライバである。   The selection circuit 17 sequentially selects the first and second signal line blocks obtained by dividing the n signal lines X so as to include half of the signal lines X in the effective video period included in each horizontal scanning period. This is an active switching driver that sequentially outputs video signals for one signal line block obtained from the TCP 6 to half the signal lines X corresponding to the selected signal line block.

テープキャリアパッケージTCP1〜TCP6はアレイ基板ARの一辺に沿って並んで固定され、さらにプリント回路基板PCBに接続される。   The tape carrier packages TCP1 to TCP6 are fixed side by side along one side of the array substrate AR, and further connected to the printed circuit board PCB.

このプリント回路基板PCBは、外部からのデジタル映像信号、垂直同期信号、および水平同期信号を受け取り、垂直同期信号、および水平同期信号に基づいて様々な制御信号を発生して映像信号DATAと共に出力する制御IC20および階調基準電圧VREF等を出力する電源回路21などが実装されている。様々な制御信号は水平スタート信号STH、水平クロック信号CKH、垂直スタート信号STV、垂直クロック信号CKV、ロード信号LOAD、ブロック選択信号SEL1,ブロック選択信号SEL2等を含む。水平スタート信号STHは1水平走査期間(1H)において第1および第2信号線ブロックの各々について発生されるパルスであり、水平クロック信号CKHは各水平走査期間において各信号線ブロックの信号線数分発生されるパルスであり、垂直スタート信号STVは1垂直走査期間毎に発生されるパルスであり、垂直クロック信号CHVは各垂直走査期間において走査線数分発生されるパルスであり、ロード信号LOADは1水平走査期間のうちの有効映像期間の前半および後半開始タイミングで低レベルに設定され、この有効映像期間の前半および後半終了タイミングで高レベルに設定される信号である。   This printed circuit board PCB receives an external digital video signal, vertical synchronizing signal, and horizontal synchronizing signal, generates various control signals based on the vertical synchronizing signal and horizontal synchronizing signal, and outputs them together with the video signal DATA. A control IC 20 and a power supply circuit 21 that outputs the gradation reference voltage VREF and the like are mounted. Various control signals include a horizontal start signal STH, a horizontal clock signal CKH, a vertical start signal STV, a vertical clock signal CKV, a load signal LOAD, a block selection signal SEL1, a block selection signal SEL2, and the like. The horizontal start signal STH is a pulse generated for each of the first and second signal line blocks in one horizontal scanning period (1H), and the horizontal clock signal CKH is equal to the number of signal lines in each signal line block in each horizontal scanning period. The vertical start signal STV is a pulse generated every one vertical scanning period, the vertical clock signal CHV is a pulse generated by the number of scanning lines in each vertical scanning period, and the load signal LOAD is This signal is set to a low level at the start timing of the first half and the latter half of the effective video period in one horizontal scanning period, and is set to a high level at the timing of the first half and the second half of the effective video period.

ブロック選択信号SEL1は第1水平走査期間のうちの有効映像期間の前半および後半でそれぞれ低レベルおよび高レベルに設定され、この第1水平走査期間に続く第2水平走査期間のうちの有効映像期間の前半および後半でそれぞれ高レベルおよび低レベルに設定される信号である。ブロック選択信号SEL2は第1水平走査期間のうちの有効映像期間の前半および後半でそれぞれ高レベルおよび低レベルに設定され、この第1水平走査期間に続く第2水平走査期間のうちの有効映像期間の前半および後半でそれぞれ低レベルおよび高レベルに設定される信号である。このレベル関係は、2水平走査期間単位に繰り返される。   The block selection signal SEL1 is set to a low level and a high level in the first half and the second half of the effective video period in the first horizontal scanning period, respectively, and the effective video period in the second horizontal scanning period following the first horizontal scanning period. Are signals set to a high level and a low level in the first half and second half, respectively. The block selection signal SEL2 is set to a high level and a low level in the first half and the second half of the effective video period in the first horizontal scanning period, respectively, and the effective video period in the second horizontal scanning period following the first horizontal scanning period. Are signals set to a low level and a high level in the first half and second half, respectively. This level relationship is repeated every two horizontal scanning periods.

テープキャリアパッケージTCP1〜TCP6の各々は、図3に示すように、プリント回路基板PCBに形成された接続配線上の接続端子に接続される回路基板側パッドPD1と、アレイ基板ARに形成された接続配線上の接続端子に接続されるアレイ基板側パッドPD2と、これらのパッド間を接続する各種配線とを備えている。これらの回路基板側パッドPD1およびアレイ基板側パッドPD2は、異方性導電フィルム(ACF)を介してそれぞれプリント回路基板PCBおよびアレイ基板ARに電気的に接続されている。   As shown in FIG. 3, each of the tape carrier packages TCP1 to TCP6 includes a circuit board side pad PD1 connected to a connection terminal on a connection wiring formed on the printed circuit board PCB, and a connection formed on the array substrate AR. An array substrate-side pad PD2 connected to a connection terminal on the wiring and various wirings for connecting these pads are provided. The circuit board side pad PD1 and the array board side pad PD2 are electrically connected to the printed circuit board PCB and the array board AR, respectively, via an anisotropic conductive film (ACF).

垂直スタート信号STVおよび垂直クロック信号CKVのような制御信号はプリント回路基板PCBからゲート線駆動回路15に供給され、水平スタート信号STH,水平クロック信号CKH,ブロック選択信号SEL1,ブロック選択信号SEL2、ロード信号LOADのような制御信号,デジタル映像信号DATA,および階調基準電圧はVREFプリント回路基板PCBから信号線駆動回路16に供給される。ゲート線駆動回路15は垂直スタート信号STVを垂直クロック信号CKVに同期してシフトすることによりm本のゲート線Yを水平走査期間のうちの有効映像期間のあいだに順次選択するゲート駆動電圧を選択ゲート線Yに供給する。信号線駆動回路16は水平スタート信号STHを水平クロック信号CKHに同期してシフトすることにより各信号線ブロックの信号線Xを順次選択し、これら信号線Xに対して供給される映像信号DATAに基づいて対応信号線ブロックの信号線Xを駆動する。   Control signals such as the vertical start signal STV and the vertical clock signal CKV are supplied from the printed circuit board PCB to the gate line driving circuit 15, and the horizontal start signal STH, the horizontal clock signal CKH, the block selection signal SEL1, the block selection signal SEL2, and the load The control signal such as the signal LOAD, the digital video signal DATA, and the gradation reference voltage are supplied from the VREF printed circuit board PCB to the signal line driving circuit 16. The gate line driving circuit 15 selects a gate driving voltage for sequentially selecting m gate lines Y during the effective video period of the horizontal scanning period by shifting the vertical start signal STV in synchronization with the vertical clock signal CKV. Supply to the gate line Y. The signal line driving circuit 16 sequentially selects the signal lines X of the respective signal line blocks by shifting the horizontal start signal STH in synchronization with the horizontal clock signal CKH, and generates the video signal DATA supplied to these signal lines X. Based on this, the signal line X of the corresponding signal line block is driven.

信号線駆動回路16の各ドライバIC18は、図3に示すようにシフトレジスタ30,データレジスタ31,D/Aコンバータ32,および出力バッファ回路33を含む。シフトレジスタ30は水平スタート信号STHを水平クロック信号CKHに同期してシフトする。データレジスタ31は、ロード信号LOADの立ち下がり後にシフトレジスタ521の制御によりデジタル映像信号DATAを順次取り込み保持する。D/Aコンバータ32は階調基準電圧VREFを分圧することにより所定数の階調電圧を発生し、これら階調電圧をデータレジスタ31に保持された映像信号DATAに対応して選択的に出力することによりD/A変換を行う。出力バッファ回路33はロード信号LOADの立ち上がりに伴って高インピーダンス状態に設定され、ロード信号LOADの立ち下がりに伴ってD/Aコンバータ32からのアナログ映像信号をアレイ基板AR上の選択回路17に水平走査期間のうちの有効映像期間のあいだ出力し、ブランキング期間のあいだは再び出力バッファスイッチにより選択回路17と電気的に切り離されハイインピーダンスに設定される。
選択回路17は、テープキャリアパッケージTCP1〜TCP6側に並ぶ6個の駆動IC18の出力端子OUT1,OUT2…からの映像信号をそれぞれ2本の隣接信号線X1およびX2,X3およびX4,X5およびX6…に水平走査期間のうちの有効映像期間の前後半でそれぞれ分配するn/2個のスイッチ部S1,S2,S3,…を備える。これらスイッチ部S1,S2,S3,…の各々は、ブロック選択信号SEL1,SEL2の制御により出力端子OUT1,OUT2…の対応する1個を対応隣接信号線X1およびX2,X3およびX4,X5およびX6…の一方に接続するスイッチング素子ASW1および対応隣接信号線X1およびX2,X3およびX4,X5およびX6…の他方に接続するスイッチング素子ASW2を含む。
Each driver IC 18 of the signal line driving circuit 16 includes a shift register 30, a data register 31, a D / A converter 32, and an output buffer circuit 33 as shown in FIG. The shift register 30 shifts the horizontal start signal STH in synchronization with the horizontal clock signal CKH. The data register 31 sequentially captures and holds the digital video signal DATA under the control of the shift register 521 after the load signal LOAD falls. The D / A converter 32 generates a predetermined number of gradation voltages by dividing the gradation reference voltage VREF, and selectively outputs these gradation voltages corresponding to the video signal DATA held in the data register 31. Thus, D / A conversion is performed. The output buffer circuit 33 is set to a high impedance state as the load signal LOAD rises, and the analog video signal from the D / A converter 32 is horizontally applied to the selection circuit 17 on the array substrate AR as the load signal LOAD falls. The signal is output during the effective video period of the scanning period, and during the blanking period, it is electrically disconnected from the selection circuit 17 again by the output buffer switch and set to high impedance.
The selection circuit 17 converts the video signals from the output terminals OUT1, OUT2,... Of the six drive ICs 18 arranged on the tape carrier package TCP1 to TCP6 side into two adjacent signal lines X1, X2, X3, X4, X5, X6,. Are provided with n / 2 switch units S1, S2, S3,... Distributed in the first half of the effective video period in the horizontal scanning period. Each of the switch sections S1, S2, S3,... Corresponds to the corresponding one of the output terminals OUT1, OUT2,... Under the control of the block selection signals SEL1, SEL2. Are connected to one of the switching elements ASW1 and corresponding adjacent signal lines X1 and X2, X3 and X4, X5 and X6.

これらスイッチング素子ASW1,ASW2は例えばPチャネルポリシリコン薄膜トランジスタにより構成される。ここでは、n/2本の信号線X1,X3,X5,X7…が第1信号線ブロックとしてスイッチ部S1,S2,S3,…の第1スイッチング素子ASW1に割り当てられ、n/2本の信号線X2,X4,X6,X8…が第2信号線ブロックとしてスイッチ部S1,S2,S3,…の第2スイッチング素子ASW2に割り当てられる。   These switching elements ASW1 and ASW2 are composed of, for example, P-channel polysilicon thin film transistors. Here, n / 2 signal lines X1, X3, X5, X7,... Are assigned as first signal line blocks to the first switching element ASW1 of the switch units S1, S2, S3,. Lines X2, X4, X6, X8... Are assigned to the second switching element ASW2 of the switch units S1, S2, S3,.

例えばブロック選択信号SEL1が低レベルに設定され、スイッチ部S1,S2,S3,…の第1スイッチング素子ASW1を導通させると、出力端子OUT1,OUT2…から出力される映像信号が、水平走査期間のうちの有効映像期間の前半でそれぞれ第1信号線ブロックの信号線X1,X3,X5,X7…に供給される。また、ブロック選択信号SEL2がブロック選択信号SEL1に代わって低レベルに設定され、スイッチ部S1,S2,S3,…の第1スイッチング素子ASW2を導通させると、出力端子OUT1,OUT2…から出力される映像信号が、水平走査期間のうちの有効映像期間の前半でそれぞれ第2信号線ブロックの信号線X2,X4,X6,X8…に供給される。   For example, when the block selection signal SEL1 is set to a low level and the first switching elements ASW1 of the switch units S1, S2, S3,... Are turned on, the video signals output from the output terminals OUT1, OUT2,. Are supplied to the signal lines X1, X3, X5, X7... Of the first signal line block in the first half of the effective video period. Further, when the block selection signal SEL2 is set to a low level in place of the block selection signal SEL1, and the first switching elements ASW2 of the switch sections S1, S2, S3,... Are turned on, they are output from the output terminals OUT1, OUT2,. Video signals are supplied to the signal lines X2, X4, X6, X8... Of the second signal line block in the first half of the effective video period in the horizontal scanning period.

アレイ基板ARはさらに各駆動IC18の全出力端子OUT1,OUT2,OUT3,…からの映像信号を受け取る全スイッチ部S1,S2,S3,…の入力端に接続される第1保護回路35、および全信号線X1,X2,X3,X4,…に接続される第2保護回路36を備える。   The array substrate AR further includes a first protection circuit 35 connected to the input terminals of all the switch units S1, S2, S3,... That receive video signals from all the output terminals OUT1, OUT2, OUT3,. A second protection circuit 36 connected to the signal lines X1, X2, X3, X4,.

第1保護回路35は各々対応入力線を介してスイッチ部S1,S2,S3,…のスイッチング素子ASW1およびASW2に印加される逆バイアス高電圧を除去するn/2個の保護ダイオード部35Dを有する。各保護ダイオード部35Dは基準電位端子VSSと入力端との間において逆バイアス接続された2個のポリシリコン薄膜トランジスタ、および基準電位端子VSSよりも高い電位に設定される電源電位端子VDDと入力端との間において逆バイアス接続された2個のポリシリコン薄膜トランジスタからなる。ここで、奇数番目のスイッチ部S1,S3,…に対する保護ダイオード部35Dでは、4個のポリシリコン薄膜トランジスタがすべてNチャネル型で構成されている。また、偶数番目のスイッチ部S2,S4,…に対する保護ダイオード部35Dでは、4個のポリシリコン薄膜トランジスタがすべてPチャネル型で構成されている。   The first protection circuit 35 has n / 2 protection diode portions 35D for removing the reverse bias high voltage applied to the switching elements ASW1 and ASW2 of the switch portions S1, S2, S3,. . Each protection diode unit 35D includes two polysilicon thin film transistors reverse-biased between the reference potential terminal VSS and the input terminal, and a power supply potential terminal VDD and an input terminal that are set to a potential higher than the reference potential terminal VSS. It consists of two polysilicon thin film transistors connected in reverse bias between each other. Here, in the protection diode portion 35D for the odd-numbered switch portions S1, S3,..., All four polysilicon thin film transistors are N-channel type. Further, in the protection diode portion 35D for the even-numbered switch portions S2, S4,..., All four polysilicon thin film transistors are configured as a P-channel type.

第2保護回路36は各々対応信号線Xを介してスイッチ部S1,S2,S3,…のスイッチング素子ASW1およびASW2に印加される逆バイアス高電圧を除去するn個の保護ダイオード部36Dを有する。各保護ダイオード部36Dは基準電位端子VSSと信号線Xとの間において逆バイアス接続された1個のポリシリコン薄膜トランジスタ、および基準電位端子VSSよりも高い電位に設定される電源電位端子VDDと信号線Xとの間において逆バイアス接続された1個のポリシリコン薄膜トランジスタからなる。ここで、奇数番目のスイッチ部S1,S3,…に対する一対の保護ダイオード部36Dの各々では、2個のポリシリコン薄膜トランジスタがNチャネル型で構成されている。また、偶数番目のスイッチ部S2,S4,…に対する一対の保護ダイオード部35Dの各々では、2個のポリシリコン薄膜トランジスタがPチャネル型で構成されている。   The second protection circuit 36 has n protection diode portions 36D for removing the reverse bias high voltage applied to the switching elements ASW1 and ASW2 of the switch portions S1, S2, S3,. Each protection diode portion 36D includes one polysilicon thin film transistor reverse-biased between the reference potential terminal VSS and the signal line X, and a power supply potential terminal VDD and a signal line set to a potential higher than the reference potential terminal VSS. It consists of one polysilicon thin film transistor connected in reverse bias with X. Here, in each of the pair of protective diode portions 36D for the odd-numbered switch portions S1, S3,..., Two polysilicon thin film transistors are configured as an N-channel type. Further, in each of the pair of protective diode portions 35D for the even-numbered switch portions S2, S4,..., Two polysilicon thin film transistors are configured as a P-channel type.

本実施形態に係る液晶表示装置では、信号線駆動回路16がn本の信号線Xをn/2本ずつ含むように区分して得られる第1および第2信号線ブロックを映像信号DATAの有効映像期間の前半および後半において順次選択する選択回路17およびこの選択回路17によって選択された信号線ブロックに含まれるn/2本の信号線Xを駆動する駆動部として6個の信号線駆動IC18を含む。従って、表示画面の高精細化において接続配線数を低減でき、これらの接続配線間に十分なピッチを確保することができる。また、この接続配線数の低減は表示画面の大型化に伴ってアレイ基板AR上で引き回される配線長に依存した映像信号の劣化も緩和できる。   In the liquid crystal display device according to the present embodiment, the first and second signal line blocks obtained by dividing the signal line driving circuit 16 so that each of the n signal lines X includes n / 2 lines are effective for the video signal DATA. A selection circuit 17 that sequentially selects in the first half and the second half of the video period, and six signal line drive ICs 18 as drive units that drive n / 2 signal lines X included in the signal line block selected by the selection circuit 17. Including. Therefore, the number of connection wirings can be reduced in increasing the definition of the display screen, and a sufficient pitch can be secured between these connection wirings. Further, the reduction in the number of connection wirings can alleviate the deterioration of the video signal depending on the wiring length routed on the array substrate AR as the display screen becomes larger.

また、例えば静電気等による不所望な著しい高電圧がアレイ基板ARの外部から選択回路17の入力端に印加された場合に、保護回路35が選択回路17を保護する。具体的には、この高電圧による電流が保護ダイオード部35Dを介して流れる。これにより、選択回路17のスイッチング素子ASW1およびASW2の破壊を防止することができる。   In addition, the protection circuit 35 protects the selection circuit 17 when an undesirably high voltage due to static electricity or the like is applied to the input terminal of the selection circuit 17 from the outside of the array substrate AR. Specifically, the current due to the high voltage flows through the protection diode portion 35D. Thereby, destruction of the switching elements ASW1 and ASW2 of the selection circuit 17 can be prevented.

さらに、例えば表示画素PXに付着した異物や配線欠陥によって信号線Xとゲート線Yとが短絡し、ゲート線Yからの高電圧が信号線Xを介して選択回路17に印加されて選択回路17のスイッチング素子ASW1およびASW2を逆バイアスした場合に、保護回路36が選択回路17を保護する。具体的には、この高電圧による電流が保護ダイオード部36Dを介して基準電位端子VSS側に流れる。これにより、選択回路17のスイッチング素子ASW1およびASW2が逆バイアスされた状態に維持されることが無くなり、スイッチング素子ASW1またはASW2の特性劣化による動作不良を防止できる。従って動作不良のスイッチング素子ASW1またはASW2に信号線Xを介して接続された1列分の表示画素PXが全て点灯しない輝線状の表示不良によって画面品位が著しく損なわれることが無い。このような輝線状の表示不良が出荷前の初期段階で発生すれば、製品の歩留まりを低下させる致命的な問題となる。また、出荷後の利用段階で発生しても、製品の信頼性を低下させる致命的な問題となる。   Further, for example, the signal line X and the gate line Y are short-circuited due to foreign matters or wiring defects attached to the display pixel PX, and a high voltage from the gate line Y is applied to the selection circuit 17 via the signal line X to be selected. The protection circuit 36 protects the selection circuit 17 when the switching elements ASW1 and ASW2 are reverse-biased. Specifically, a current due to the high voltage flows to the reference potential terminal VSS side via the protection diode portion 36D. As a result, the switching elements ASW1 and ASW2 of the selection circuit 17 are not maintained in a reverse biased state, and an operation failure due to characteristic deterioration of the switching element ASW1 or ASW2 can be prevented. Therefore, the screen quality is not significantly impaired by the bright line-like display defect in which all the display pixels PX for one column connected to the malfunctioning switching element ASW1 or ASW2 via the signal line X are not lit. If such bright line-like display defects occur in the initial stage before shipment, it becomes a fatal problem that reduces the yield of products. Moreover, even if it occurs at the use stage after shipment, it becomes a fatal problem that lowers the reliability of the product.

ちなみに、製品によっては、蓄積容量線が画素電極11の電位変動を低減するために各行の表示画素PXに沿って形成されることがある。この場合、蓄積容量線と信号線とが表示画素PXに付着した異物や配線欠陥によって短絡し、この結果として蓄積容量線からの高電圧が信号線Xを介して選択回路17に印加されて選択回路17のスイッチング素子ASW1およびASW2を逆バイアスする可能性がある。しかし、上述の保護回路36が設けられていれば、この高電圧による電流が保護ダイオード部36Dを介して基準電位端子VDD側に流れる。従って、ゲート線Yと信号線Xとが短絡した場合と同様に選択回路17のスイッチング素子ASW1およびASW2が逆バイアスされた状態に維持されることが無くなり、スイッチング素子ASW1またはASW2の特性劣化による動作不良を防止できる。   Incidentally, depending on the product, the storage capacitor line may be formed along the display pixel PX of each row in order to reduce the potential fluctuation of the pixel electrode 11. In this case, the storage capacitor line and the signal line are short-circuited due to foreign matters or wiring defects attached to the display pixel PX, and as a result, a high voltage from the storage capacitor line is applied to the selection circuit 17 via the signal line X and selected. There is a possibility that the switching elements ASW1 and ASW2 of the circuit 17 are reverse-biased. However, if the above-described protection circuit 36 is provided, this high voltage current flows to the reference potential terminal VDD side via the protection diode portion 36D. Therefore, as in the case where the gate line Y and the signal line X are short-circuited, the switching elements ASW1 and ASW2 of the selection circuit 17 are not maintained in the reverse biased state, and the operation due to the characteristic deterioration of the switching element ASW1 or ASW2 Defects can be prevented.

また、上述の保護回路35および36は、画素スイッチング素子13と同様のプロセスで形成される薄膜トランジスタを用いて構成され、製造プロセスの増大を必要としないため、製造コストの上昇を防止することが可能である。   Further, the above-described protection circuits 35 and 36 are configured using a thin film transistor formed by a process similar to that of the pixel switching element 13 and do not require an increase in the manufacturing process, thereby preventing an increase in manufacturing cost. It is.

尚、本発明は上述の実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can deform | transform variously in the range which does not deviate from the summary.

上述の実施形態では、n本の信号線が第1および第2信号線ブロックに区分されたが、アレイ基板ARと外部との接続配線数を低減するために信号線ブロック数をさらに増大してもよい。   In the above-described embodiment, the n signal lines are divided into the first and second signal line blocks. However, in order to reduce the number of connection lines between the array substrate AR and the outside, the number of signal line blocks is further increased. Also good.

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の平面構造を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the planar structure of the liquid crystal display device which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示す液晶表示装置の内部構造を部分的に示す図である。It is a figure which shows partially the internal structure of the liquid crystal display device shown in FIG. 図1および図2に示すアレイ基板上の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure on the array board | substrate shown in FIG. 1 and FIG.

符号の説明Explanation of symbols

AR…アレイ基板、CT…対向基板、LQ…液晶層、PX…表示画素、11…画素電極、13…画素スイッチング素子、15…ゲート線駆動回路、16…信号線駆動回路、17…選択回路、18…ドライバIC、35…第1保護回路、35D…保護ダイオード部、36…第2保護回路、36D…保護ダイオード部。   AR ... array substrate, CT ... counter substrate, LQ ... liquid crystal layer, PX ... display pixel, 11 ... pixel electrode, 13 ... pixel switching element, 15 ... gate line drive circuit, 16 ... signal line drive circuit, 17 ... selection circuit, 18 ... Driver IC, 35 ... First protection circuit, 35D ... Protection diode part, 36 ... Second protection circuit, 36D ... Protection diode part.

Claims (4)

複数のゲート線と、前記複数のゲート線に交差する複数の信号線と、前記複数のゲート線および前記複数の信号線との交差位置近傍に配置される複数の表示画素と、前記複数のゲート線を選択的に駆動するゲート線駆動回路と、外部からの映像信号を前記複数の信号線にそれぞれ出力する複数のスイッチング素子部と、各々対応ゲート線を介して駆動され対応信号線上の映像信号を対応表示画素に供給する複数の薄膜トランジスタと、前記複数のスイッチング素子部に前記複数の信号線を介して印加される不所望な逆バイアス高電圧を除去する保護回路とを備えることを特徴とする表示装置。   A plurality of gate lines; a plurality of signal lines intersecting with the plurality of gate lines; a plurality of display pixels disposed near intersections of the plurality of gate lines and the plurality of signal lines; and the plurality of gates. A gate line driving circuit for selectively driving the lines, a plurality of switching element units for outputting external video signals to the plurality of signal lines, and video signals on the corresponding signal lines driven through the corresponding gate lines, respectively. Including a plurality of thin film transistors for supplying a corresponding display pixel, and a protection circuit for removing an undesired reverse bias high voltage applied to the plurality of switching element portions via the plurality of signal lines. Display device. 前記複数のスイッチング素子部に映像信号の入力端を介して印加される不所望な逆バイアス高電圧を除去する保護回路をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, further comprising a protection circuit that removes an undesired reverse bias high voltage applied to the plurality of switching elements through an input terminal of a video signal. 各スイッチング素子部は、少なくとも2本の隣接信号線にそれぞれ接続され選択的に導通する複数の薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein each switching element unit includes a plurality of thin film transistors that are respectively connected to at least two adjacent signal lines and selectively conductive. 前記保護回路は基準電位端子と前記信号線との間において逆バイアス接続された少なくとも1個の薄膜トランジスタ、および前記基準電位端子よりも高い電位に設定される電源電位端子と前記信号線との間において逆バイアス接続された少なくとも1個の薄膜トランジスタからなる保護ダイオード部を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The protection circuit includes at least one thin film transistor reverse-biased between a reference potential terminal and the signal line, and a power supply potential terminal set to a potential higher than the reference potential terminal and the signal line. The display device according to claim 1, further comprising: a protection diode unit including at least one thin film transistor connected in reverse bias.
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