JP2005019969A - Method of improving surface roughness of processed film of substrate, and processor for substrate - Google Patents

Method of improving surface roughness of processed film of substrate, and processor for substrate

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JP2005019969A
JP2005019969A JP2004151372A JP2004151372A JP2005019969A JP 2005019969 A JP2005019969 A JP 2005019969A JP 2004151372 A JP2004151372 A JP 2004151372A JP 2004151372 A JP2004151372 A JP 2004151372A JP 2005019969 A JP2005019969 A JP 2005019969A
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裕一郎 稲富
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東京エレクトロン株式会社
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PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the surface roughness of a resist film formed on a wafer.
SOLUTION: The method comprises the steps of: forming the resist film on a surface in a coating development processing system; adjusting an exposure and development processed wafer W to a predetermined temperature; supplying a solvent gas to a front surface of the resist film of the temperature adjusted wafer W to dissolve the front surface of the resist film; thereafter heating the wafer W; volatilizing a solvent in the resist film; and burning and fastening the resist film. Thereby, an irregularity of the front surface of the resist film is leveled and consequently the surface roughness of the resist film is improved.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は,基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置に関する。 The present invention relates to apparatus for methods and substrates for improving the surface roughness of the substrate of the treatment film.

半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,例えば半導体ウェハ(以下「ウェハ」という)の下地膜上にレジスト液が塗布され,レジスト膜が形成されるレジスト塗布処理,ウェハに所定のパターンが露光される露光処理,露光後のウェハが現像される現像処理,ウェハの下地膜などを蝕刻するエッチング処理等が行われて,ウェハ上に所定の回路パターンが形成される。 The photolithography process in a manufacturing process of a semiconductor device, for example, the resist solution on the base film of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") is applied, a resist coating treatment for the resist film is formed, a predetermined pattern is exposed on the wafer that exposure processing, development processing the exposed wafer is developed, taking place etching processing for etching and underlying film of the wafer, a predetermined circuit pattern is formed on the wafer.

上記露光処理においては,平坦なレジスト膜の所定部分に光が照射され,それによって露光部分の現像液に対する溶解性が変化する。 In the exposure processing, light is irradiated to a predetermined portion of the flat resist film, thereby exhibits changed solubility in a developing solution between an exposed portion. 上記現像処理において,ウェハに現像液が供給されると,例えばポジ型のレジストの場合,露光部分のレジスト膜が選択的に溶けて除去され,ウェハ上に所望のレジスト膜のパターンが形成される。 In the developing process, the developing solution to the wafer is supplied, for example, in the case of positive resist, the resist film of the exposed portion is selectively dissolved and removed, the pattern of a desired resist film is formed on the wafer . そして,エッチング処理においては,前記所定パターンのレジスト膜がマスクとしての機能を果たし,下層の下地膜が選択的に蝕刻されていた(例えば特許文献1参照。)。 Then, in an etching process, it serves as a resist film mask of the predetermined pattern, the underlying base film has been selectively etched (for example, see Patent Document 1.).

特開2002−75854号公報 JP 2002-75854 JP

ところで,上述の現像処理が施された後のレジスト膜の表面には,例えば図17に示すように側壁面に複数の横筋が現れて,レジスト膜Rの表面に凹凸ができる。 Meanwhile, on the surface of the resist film after the development processing described above is performed, for example, a plurality of horizontal stripes appear on the side wall surface as shown in FIG. 17, it is unevenness on the surface of the resist film R. これは,露光処理時にウェハの上方から照射される光の波動的性質によるものと考えられる。 This is believed to be due to the wave nature of the light emitted from above the wafer during the exposure process.

上述のようにレジスト膜の表面に凹凸ができて表面が荒くなると,そのレジスト膜をマスクとして下地膜をエッチング処理した時に,下地膜には,例えば前記レジスト膜の横筋に対応したような縦筋などの凹凸が現れる。 When the surface becomes rough and be irregularities on the surface of the resist film, as described above, the base film using the resist film as a mask when etching, the base film, for example vertical stripes as corresponding to horizontal stripes of the resist film irregularities, such as will appear. このように下地膜に縦筋ができて下地膜の表面に凹凸ができると,ウェハ上には精密な回路パターンが形成されず,所望の品質の半導体デバイスが製造されなくなる。 With such possible irregularities in the surface of the vertical stripe can be a base film is the base film, not a precise circuit pattern is formed on the wafer, desired quality semiconductor device is no longer manufactured. 特に,回路パターンが微細化された今日においては,僅かな凹凸が回路パターンの形状に大きく影響するため,レジスト膜の表面の荒れを改善することが重要な課題となっている。 In particular, in today circuit pattern is miniaturized, slight unevenness greatly affects the shape of the circuit pattern, to improve the surface roughness of the resist film has been an important issue.

本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ウェハなどの基板上に形成されたレジスト膜などの処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置を提供することをその目的とする。 The present invention has been made in view of the foregoing, and its object is to provide a processing apparatus of the method and the substrate to improve the surface roughness of the treatment film such as a resist film formed on a substrate such as a wafer to.

上記目的を達成するために,本発明は,基板上に形成された処理膜の表面荒れを改善する方法であって,基板を露光し現像した後に,基板の処理膜の表面のみが溶解するように前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する工程を有している。 To achieve the above object, the present invention provides a method of improving the surface roughness of the treatment film formed on the substrate, after exposing the substrate development, so that only the surface of the substrate of the treatment film to dissolve and a step of supplying the solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film to. なお,このときの「溶解」は,例えば処理膜に溶剤気体が取り込まれ,処理膜が溶けて膨潤した状態をいう。 Incidentally, "dissolution" in this case, for example, the solvent gas is taken into the treatment film, a state in which process the film swells melted.

この発明によれば,基板上の処理膜の表面に溶剤気体が供給されて,処理膜の表面のみが溶解するので,処理膜の表面の凹凸が均され平滑化(スムージング)される。 According to the present invention, the solvent gas on the surface of the treatment film on the substrate is supplied, only the surface of the treatment film to dissolve, leveled surface irregularities of the treatment film is smoothed (smoothing). そしてその後,前記基板を加熱することにより,例えば溶剤気体を吸収して膨潤していた処理膜が乾燥され,焼き締められる。 Thereafter, by heating the substrate, for example, the treatment film which has been swollen by absorbing the solvent gas is dried, tightened baked. この結果,処理膜の表面が平坦になり,処理膜の表面荒れを改善できる。 As a result, the surface of the treatment film is flattened, it can improve the surface roughness of the treatment film.

前記基板上の処理膜の表面荒れを改善する方法は,前記処理膜の表面に溶剤気体を供給する前記工程の前に,基板を所定の温度に温度調節する工程を有していてもよい。 Method for improving the surface roughness of the treatment film on the substrate, before the step of supplying the solvent gas to the surface of the treatment film may have a step of temperature regulating the substrate to a predetermined temperature. 溶剤気体の供給による処理膜表面の溶解の程度は,温度に依存する。 The degree of dissolution of the treatment film surface by the supply of the solvent gas depends on the temperature. したがって,溶剤気体の供給前に,基板の温度を所定の温度に調整しておくことによって,処理膜の表面のみを適正に溶解させることができる。 Therefore, before the supply of the solvent gas, by previously adjusted the temperature of the substrate to a predetermined temperature, it is possible to properly dissolve only the surface of the treatment film. また,前処理の現像処理では,基板面内の温度が僅かに不均一になることがあるので,基板の温度を調節して面内温度の均一性を向上することによって,基板面内において一様に処理膜の表面を溶解させることができる。 Further, in the development process of the pretreatment, the temperature of the substrate surface may become slightly uneven, by improving the uniformity of the in-plane temperature by adjusting the temperature of the substrate, in the substrate flush thereby dissolving the surface of the treatment film as.

また本発明では,基板を露光し現像した後に,基板の表面の一部の領域に前記処理膜の溶剤気体を供給すると共に,当該溶剤気体の供給される領域を移動させることによって,前記処理膜の表面の全面に前記溶剤ガスを供給するようにしてもよい。 In the present invention also, after exposing the substrate development supplies a solvent gas of the treatment film in a partial area of ​​the surface of the substrate, by moving the area to be supplied of the solvent gas, the treatment film entirely to the solvent gas on the surface of the may be supplied.

この発明によれば,基板の表面の一部の領域に溶剤気体を供給しつつ,その供給領域を移動させるので,基板表面の処理膜に,処理膜の表面のみが溶解する程度の適量の溶剤気体を供給することができる。 According to the present invention, while supplying a solvent gas in a partial region of the surface of the substrate, so move the supply area, the treatment film on the substrate surface, an appropriate amount of the solvent to the extent that only surface to dissolution of the treatment film gas can be supplied.
なお前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する際には,基板の上方から基板の全面に向けて前記処理膜の溶剤気体を供給するようにしてもよい。 Note that when supplying the solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film may be supplied to the solvent gas of the treatment film toward the upper side of the substrate on the entire surface of the substrate.

さらにまた本発明においては,基板を露光し現像した後,前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する前に,処理膜における溶解を阻害する保護基を分解するための処理を行ってもよい。 In still yet present invention, carried out after exposing the substrate development, before supplying the solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film, a process for decomposing a protecting group inhibiting dissolution in the treatment film it may be. これによっていわゆるArFレジストにおいても,前記したスムージング効果を好適に実施することが可能になる。 This also in so-called ArF resist, it is possible to suitably implement the smoothing effect described above. 処理膜における溶解を阻害する保護基とは,例えばラクトン基がある。 The protecting groups that inhibit dissolution in the treatment film include, for example, a lactone group.

このような処理膜における溶解を阻害する保護基を分解するための処理としては,紫外線やは電子線の照射を例示できる。 The process for decomposing a protecting group inhibiting dissolution in such treatment film, ultraviolet rays and can illustrate electron beam irradiation.

本発明は,フォトリソ工程におけるレジスト膜のスムージングに特に有効であるが,その場合の溶剤気体は,アセトン,プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA),Nメチル2ピロリジノン(NMP)の各蒸気を用いることができる。 The present invention is particularly effective in smoothing the resist film in the photolithography process, the solvent gas in that case, acetone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), be used each vapor N-methyl 2-pyrrolidinone (NMP) it can. より好ましい使用法については,KrF(波長が248nmの光源)用レジスト膜については,PGMEAが適し,ArF(波長が193nmの光源)用レジスト膜についてはNMPが適している。 For more preferable usage, KrF the resist film (light source wavelength 248 nm) is, PGMEA is suitable, NMP is suitable for ArF (wavelength of 193nm light source) resist film.

本発明の基板の処理装置は,表面に処理膜が形成され,露光処理され現像処理された基板を処理する処理装置であって,基板上の処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給するノズルを備えたことを特徴とする。 The substrate processing apparatus of the present invention, the processing film is formed on the surface, a processing apparatus is an exposure process for processing the developed processed substrate, supplying a solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film on the substrate characterized by comprising a nozzle for.

この発明によれば,基板上に処理膜を形成し,当該基板を露光し現像した後に基板の処理膜の表面に溶剤気体を供給して,処理膜の表面のみを溶解させることができる。 According to the present invention, to form a treated film on the substrate, by supplying a solvent gas after exposing the substrate development on the surface of the substrate of the treatment film can be dissolved only the surface of the treatment film. こうすることによって,処理膜の表面に形成された凹凸が均され平滑化され,処理膜の表面荒れを改善できる。 By doing so, irregularities formed on the surface of the treatment film is smoothed leveled, can improve the surface roughness of the treatment film.

前記基板の処理装置は,前記溶剤気体を吐出している状態の前記ノズルを基板に対して相対的に移動させる移動機構を備えていてもよい。 It said processing unit of the substrate, the nozzle in a state of ejecting the solvent gas may be provided with a moving mechanism for relatively moving the substrate. かかる場合,例えばノズルから溶剤気体を吐出した状態で,当該ノズルを基板の表面上を移動させることによって,処理膜の表面の全面に適量の溶剤気体を供給することができる。 In such a case, in a state of discharging the solvent gas, for example, from the nozzle, by the nozzle is moved over the surface of the substrate, it is possible to supply an appropriate amount of the solvent gas on the entire surface of the treatment film. したがって,処理膜に対し,当該処理膜の表面のみが溶解するように溶剤気体を供給することができる。 Therefore, it is possible to process film, supplying the solvent gas so that only the surface of the treatment film to dissolve.

前記ノズルは,少なくとも基板の直径よりも長い細長の吐出部を有していてもよい。 The nozzle may have a discharge portion of the long slender than the diameter of at least the substrate. かかる場合,例えばノズルを基板上において基板の一端部側から他端部側まで移動させることによって,基板上に形成された処理膜の表面の全面に溶剤気体を供給することができる。 In this case, for example, by moving the nozzle from the one end side of the substrate on the substrate to the other end side, it is possible to supply the solvent gas on the entire surface of the treatment film formed on a substrate.

前記基板の処理装置は,前記基板の温度を調節する温度調節機構を備えていてもよい。 The substrate treatment apparatus may include a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the substrate. この温度調節機構によって,例えば基板に溶剤気体を供給する前に,基板の温度を調節することができる。 This temperature adjusting mechanism, for example, before supplying the solvent gas to the substrate, it is possible to adjust the temperature of the substrate. 溶剤気体による処理膜の溶解は,温度に影響されるので,予め基板を所定の温度に設定しておくことによって,処理膜の表面のみを適正に溶解させることができる。 Dissolution of the treatment film by the solvent gas is affected by the temperature, by setting in advance a substrate to a predetermined temperature, it is possible to properly dissolve only the surface of the treatment film. また,基板面内の温度を均一にすることができるので,基板表面の全面において処理膜表面の溶解を均等に行うことができる。 Further, it is possible to make uniform the temperature of the substrate surface can be performed evenly dissolution of the treatment film surface in the entire surface of the substrate surface.

前記基板の処理装置は,基板を加熱する加熱機構を備えていてもよい。 The substrate treatment apparatus may include a heating mechanism for heating the substrate. かかる場合,基板の処理膜の表面に溶剤気体を供給した後に,基板を熱乾燥し,基板を焼き締めることができる。 In this case, after supplying the solvent gas to the surface of the substrate of the treatment film, the substrate was thermally dried to tighten baked substrate. なお,前記基板の処理装置は,基板を現像処理する現像処理機構を備えていてもよく,この場合同じ装置内で基板を現像し,その後溶剤を供給することができる。 Incidentally, the substrate treatment apparatus may include a developing treatment mechanism for the substrate to development processing, and developing the substrate in this case in the same device, it can then be supplied to the solvent.

前記ノズルは,吐出部の前後,すなわちノズルの移動方向の前後に仕切板を有していてもよい。 The nozzle front and rear of the discharge portion, i.e. may have a partition plate in the longitudinal direction of movement of the nozzle. これによって,吐出部から吐出された溶剤気体が周囲に拡散することを抑えることができ,全体として均一な溶剤気体の供給が行える。 Thus, solvent gas discharged from the discharge portion can be suppressed from being diffused around, allows the supply of a uniform solvent gas as a whole.

本発明によれば,基板の処理膜の表面荒れを改善できるので,例えば基板上に所定寸法の回路パターンが形成され,例えばその後のエッチング処理なども好適に行え,歩留まりの向上が図られる。 According to the present invention, it is possible to improve the surface roughness of the substrate of the treatment film, for example, a circuit pattern having a predetermined size is formed on the substrate, for example, even such subsequent etching process suitably performed, improvement of the yield can be improved.

以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。 The following describes preferred embodiments of the present invention. 図1は,本実施の形態にかかる基板の処理装置が搭載された塗布現像処理システム1の構成の概略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。 Figure 1 is a plan view showing a schematic configuration of the present embodiment of the coating and developing system processor board is mounted according to the first, Figure 2 is a front view of the coating and developing treatment system 1, FIG. 3 is a rear view of the coating and developing processing system 1.

塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている露光装置4との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部5とを一体に接続した構成を有している。 Coating and developing processing system 1, as shown in FIG. 1, for example, or transferring, 25 wafers W to the coating and developing processing system 1 from an external cassette unit, or transferring, the wafer W with respect to the cassette C a cassette station 2, the coating and developing processing and the processing station 3 in which various kinds of processing apparatus formed by a multi-stage arrangement for performing a predetermined processing on single wafer in the process, the exposure device is provided adjacent to the processing station 3 4 It has a structure obtained by connecting together the interface section 5 for delivering the wafer W between the.

カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台6上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。 In the cassette station 2, at predetermined positions on a cassette mounting table 6 the mounting portion, it has a plurality of cassettes C can be mounted in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。 Then, the cassette array direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafers W housed in the cassette C; movably wafer transfer body 7 transportable relative (Z direction vertical direction) along the transport path 8 provided, which can selectively access to each cassette C.

ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。 The wafer carrier 7 includes an alignment function for aligning the wafer W. このウェハ搬送体7は,後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。 The wafer carrier 7 is configured to access a extension unit 32 belonging to the third processing unit group G3 in the processing station 3 side as described later.

処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。 In the processing station 3, its center a main carrier unit 13 is provided, this around the main carrier unit 13 various kinds of processing units constitute processing unit groups are arranged in multiple stages. この塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部5に隣接して配置されている。 In this coating and developing treatment system 1, four processing unit groups G1, G2, G3, G4 are arranged, the first and second processing unit groups G1, G2 are placed on the front side of the coating and developing treatment system 1 is, the third processing unit group G3 is placed adjacent to the cassette station 2, the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface section 5. さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。 It has can be additionally disposed a fifth processing unit group G5 shown by a broken line on the rear side as a further option. 前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G2,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。 The main carrier unit 13, with respect to various kinds of processing units to be described later is located in these processing unit groups G1, G2, G3, G4, G5, it is possible carried into and out the wafer W. なお,処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって任意に選択できる。 It should be noted that the number and arrangement of the processing unit groups can be arbitrarily selected depending on the type of processing to be performed on the wafer W.

第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すようにウェハWにレジスト液を塗布し,ウェハW上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置17と,ウェハWを現像する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。 In the first processing unit group G1, for example, a resist solution is applied to the wafer W as shown in FIG. 2, a resist coating unit 17 for forming a resist film on the wafer W, a developing unit 18 for developing the wafer W There are two-tiered from the bottom in order. 第2の処理装置群G2には,本実施の形態にかかる基板の処理装置としての溶剤供給装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に配置されている。 The second processing unit group G2, a solvent supply unit 19 as the substrate processing apparatus according to this embodiment, a developing unit 20 are two-tiered in order from the bottom.

第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すようにウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWの受け渡しを行うためのエクステンション装置32,レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置33,34,溶剤気体が供給されたウェハWを熱乾燥する加熱装置35,現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置36が下から順に例えば7段に積み重ねられている。 In the third processing unit group G3, for example, a cooling unit 30 for the wafer W to cooling processing, as shown in FIG. 3, an adhesion unit 31 for enhancing adhesion between the resist solution and the wafer W, for passing the wafer W the extension unit 32, the pre-baking unit 33 for evaporating the solvent in the resist solution, the post-baking unit 36 ​​for performing a wafer W that solvent gas is supplied heating device 35 for thermally drying, heat treatment after development There are stacked sequentially example 7 stages from the bottom.

第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置44,45,加熱装置46,ポストベーキング装置47が下から順に例えば8段に積み重ねられている。 In the fourth processing unit group G4, for example, a cooling unit 40, an extension and cooling unit 41 to cool the wafer W mounted thereon, an extension unit 42, a cooling unit 43, post-exposure baking unit 44 for performing heat treatment after exposure, 45, heating device 46, the post-baking unit 47 is for example, eight-tiered in order from the bottom.

インターフェイス部5の中央部には,図1に示すように例えばウェハ搬送体50が設けられている。 At the center portion of the interface portion 5, the wafer carrier 50, for example, as shown in FIG. 1 it is provided. このウェハ搬送体50はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転を自在にできるように構成されている。 The wafer carrier 50 is configured to be freely rotated in the X direction (vertical direction in FIG. 1), Z direction (rotation direction around the Z axis) movement and θ direction (vertical direction) . ウェハ搬送体50は,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び露光装置4に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できる。 The wafer carrier 50, an extension and cooling unit 41 belonging to the fourth processing unit group G4, the extension unit 42, accesses to the peripheral exposure device 51 and an exposure device 4, carry the wafer W to each.

次に,上述の溶剤供給装置19の構成について詳しく説明する。 Next, to describe the details of the configuration of the solvent supply device 19 described above. 図4,5に示すように溶剤供給装置19の筐体19a内の中央部には,ウェハWを保持するチャック60が設けられている。 The central portion of the housing 19a of the solvent supply unit 19 as shown in FIGS. 4 and 5, the chuck 60 is provided for holding the wafer W. チャック60の上面の保持面60aは,水平でウェハWの径と同程度の円形状に形成されている。 The holding surface 60a of the upper surface of the chuck 60 is formed in a circular shape having a diameter approximately the same wafer W in horizontal. チャック60の保持面60aには,図示しない複数の吸引口が設けられており,当該吸引口から吸引することによりウェハWを吸着できる。 The holding surface 60a of the chuck 60, a plurality of suction ports (not shown) is provided, capable of adsorbing the wafer W by suction from the suction port. なお,チャック60には,シリンダなどの昇降駆動部61が設けられており,チャック60の保持面60aを上下動させて,主搬送装置13との間でウェハWを受け渡しできる。 Incidentally, the chuck 60, the elevation drive unit 61 is provided such as a cylinder, the holding surface 60a of the chuck 60 is moved up and down, it passes the wafer W between the main transport apparatus 13.

例えばチャック60の保持面60a内には,ペルチェ素子62が内蔵されている。 For example, the holding surface 60a of the chuck 60, the Peltier element 62 is incorporated. ペルチェ素子62は,保持面60a内において偏りなく均等に配置されている。 Peltier elements 62 are evenly arranged without deviation in the holding plane 60a. ペルチェ素子62の電源63は,温度制御部64によって制御されている。 Power 63 of the Peltier element 62 is controlled by temperature controller 64. この温度制御部64によりペルチェ素子62への給電量を変えることによってペルチェ素子62の温度を調整し,チャック60の保持面60aの温度を所定の温度に設定できる。 By this temperature control unit 64 adjusts the temperature of the Peltier device 62 by varying the amount of power supplied to the Peltier device 62 can set the temperature of the holding surface 60a of the chuck 60 to a predetermined temperature. なお,本実施の形態においては,ペルチェ素子62,電源63及び温度制御部64によって温度調節機構が構成されている。 In the present embodiment, the temperature adjustment mechanism is constituted by the Peltier element 62, power supply 63 and the temperature control unit 64.

チャック60の周囲には,例えば排気用の排気カップ70が設けられている。 Around the chuck 60, for example exhaust cup 70 for exhaust is provided. 排気カップ70は,例えばチャック60の保持面60aの下方に位置している。 Exhaust cup 70, for example located below the holding surface 60a of the chuck 60. 排気カップ70は,例えば円筒状の外カップ71と内カップ72からなる二重構造に有し,当該外カップ71と内カップ72との間に排気通路73が形成されている。 Exhaust cup 70 has, for example, a double structure composed of inner cup 72 and a cylindrical outer cup 71, an exhaust passage 73 is formed between the inner cup 72 and the outer cup 71. 外カップ71と内カップ72との上端部の隙間には,環状の吸入口74が開口し,当該吸入口74は,図5に示すように保持面60aの周縁部に沿うように配置されている。 The gap between the upper end of the inner cup 72 and outer cup 71, open annular inlet 74, the inlet 74 is disposed along the periphery of the holding surface 60a as shown in FIG. 5 there. 外カップ71と内カップ72との下端部の隙間には,溶剤供給装置19の外部に設置された排気装置(図示せず)に通じる排気管75が接続されており,チャック60上の雰囲気を吸入口74から適宜排気できる。 The gap between the lower end of the inner cup 72 and outer cup 71, an exhaust pipe 75 leading to the outside is installed an exhaust system of the solvent supply unit 19 (not shown) is connected, the atmosphere above the chuck 60 It may be appropriately exhaust from the suction port 74.

例えば図5に示すように排気カップ70のX方向負方向(図5の上方向)側の側方には,Y方向(図5の左右方向)に沿ったレール80が設けられている。 For example, (upward direction in FIG. 5) side side of the negative direction in the X-direction of the exhaust cup 70, as shown in FIG. 5, Y-direction rails 80 along the (lateral direction in FIG. 5) is provided. レール80は,例えば排気カップ70の一端部側の外方から他端部側の外方まで設けられている。 Rail 80 is provided, for example, from one end side of the outer side of the exhaust cup 70 to the outside way of the other end side. レール80上には,アーム81が設けられ,アーム81は,駆動部82によってレール80上を移動自在である。 The rails 80 on the arm 81 is provided, the arm 81 is movable rail 80 on the drive unit 82. アーム81には,ウェハWに溶剤気体を吐出するノズルとしての溶剤供給ノズル83が保持されている。 The arm 81, the solvent supply nozzle 83 as a nozzle for discharging a solvent gas to the wafer W is held. したがって,溶剤供給ノズル83は,レール80に沿って排気カップ70の一端部側の外方からチャック60上を通過し排気カップ70の他端部側の外方まで移動できる。 Accordingly, the solvent supply nozzle 83 is movable along the rail 80 from one end side of the outer side of the exhaust cup 70 passes through the chuck 60 on to the outside way of the other end side of the exhaust cup 70. また,溶剤供給ノズル83の移動は,例えば駆動部82の動作を制御する駆動制御部84により制御されており,この駆動制御部84により,溶剤供給ノズル83をY方向に所定の速度で移動させることができる。 Also, the movement of the solvent supply nozzle 83 is, for example, is controlled by the drive control unit 84 for controlling the operation of the driving unit 82, by the drive control unit 84 moves at a predetermined speed of the solvent supply nozzle 83 in the Y-direction be able to. また,駆動部82は,例えばアーム81を上下動させるシリンダなどを備え,溶剤供給ノズル83の高さを調整することができる。 The driving unit 82 includes, for example, a cylinder or the like for vertically moving the arm 81, it is possible to adjust the height of the solvent supply nozzle 83. なお,本実施の形態においては,レール80,アーム81,駆動部82及び駆動制御部84によって移動機構が構成されている。 In this embodiment, the rails 80, the arm 81, the movement mechanism is constituted by the drive unit 82 and a drive control unit 84.

溶剤供給ノズル83は,例えばウェハWの直径よりも長いX方向に沿った細長形状を有し,図6に示すように溶剤供給ノズル83の下面には,長手方向の一端部から他端部に渡って吐出部85が形成されている。 Solvent supply nozzle 83 has, for example, an elongated shape along the long X-direction than the diameter of the wafer W, the lower surface of the solvent supply nozzle 83 as shown in FIG. 6, the other end from the one longitudinal end over discharge portion 85 is formed. 吐出部85には,溶剤供給ノズル83の長手方向に沿って円形の吐出口86が複数形成されている。 The discharge portion 85, a circular discharge port 86 along the longitudinal direction of the solvent supply nozzle 83 are formed. 例えば溶剤供給ノズル83の上部には,図4に示すように溶剤気体供給源87に通じる溶剤供給管88が接続されている。 For example, the upper portion of the solvent supply nozzle 83, a solvent supply pipe 88 leading to the solvent gas supply source 87 as shown in FIG. 4 are connected. 溶剤供給ノズル83は,上部から溶剤気体を導入し,当該溶剤気体を内部を通過させ,溶剤気体を下面の各吐出口86から下方に向けて均等に吐出できる。 Solvent supply nozzle 83 introduces solvent gas from the top, the solvent gas is passed through the interior can be uniformly discharged toward the solvent gas from the lower surface of the discharge port 86 downward.

溶剤気体供給源87は,例えば溶剤供給管88と連通し液体溶剤が貯留された貯留タンク90と,貯留タンク90内に不活性の窒素ガスを供給する窒素ガス供給管91を備えている。 Solvent gas supply source 87, for example, a solvent supply pipe 88 and communicating with the reservoir tank 90 in which the liquid solvent stored, and a nitrogen gas supply pipe 91 for supplying an inert nitrogen gas in the storage tank 90. 窒素ガス供給管91から貯留タンク90の液体溶剤内に窒素ガスを供給することによって,貯留タンク90内で気化している溶剤気体が溶剤供給管88内に圧送され,溶剤気体が溶剤供給管88を通って溶剤供給ノズル83に供給される。 By supplying nitrogen gas into the liquid solvent in the storage tank 90 from the nitrogen gas supply pipe 91, it is pumped to and the solvent gas solvent supply pipe 88 vaporized in the storage tank 90, a solvent supply pipe 88 is the solvent gas It is supplied to the solvent supply nozzle 83 through the. 溶剤としては,例えばアセトン,プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA),Nメチル2ピロリジノン(NMP)を用いることができる。 Examples of the solvent include acetone, may be used propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP).

また,溶剤供給管88には,溶剤気体の流量を検出する流量センサ92と,流量を調節するバルブ93が設けられている。 Further, the solvent supply pipe 88, a flow rate sensor 92 for detecting the flow rate of the solvent gas, a valve 93 for adjusting the flow rate is provided. 流量センサ92で検出された検出結果は,流量制御部94に出力され,流量制御部94は,当該検出結果に基づいてバルブ93の開閉度を調整して溶剤供給ノズル83から吐出される溶剤気体の流量を所定の流量に設定できる。 Detection result detected by the flow rate sensor 92 is outputted to the flow control unit 94, the flow control unit 94, the solvent gas discharged from the solvent supply nozzle 83 by adjusting the opening degree of the valve 93 based on the detection result It can be set for the flow rate to a predetermined flow rate.

溶剤供給装置19は,以上のように構成されている。 Solvent supply unit 19 is constructed as described above. 次に上述の加熱装置35,46の構成について説明する。 Next will be described the above-mentioned arrangement of the heating devices 35 and 46. 例えば加熱装置35は,図7に示すように筐体35a内にウェハWを載置し加熱する熱板100を有している。 For example, the heating device 35 includes a heating plate 100 for placing heating the wafer W in the housing 35a as shown in FIG. 熱板100内には,給電により発熱するヒータ101が内蔵されている。 The heating plate 100, a heater 101 for heating is incorporated by feeding. ヒータ101の電源102は,ヒータ制御部103により制御されており,ヒータ制御部103は,ヒータ101の発熱量を調節して熱板100の温度を制御できる。 Power source 102 of the heater 101 is controlled by the heater control unit 103, the heater control unit 103 can control the temperature of the hot plate 100 by adjusting the heat value of the heater 101.

熱板100の中央部には,上下方向に貫通した貫通孔104が形成されている。 The central portion of the heating plate 100, through hole 104 is formed penetrating in the vertical direction. 貫通孔104には,下方から昇降ピン105が挿入されている。 The through hole 104, the lift pins 105 are inserted from below. 昇降ピン105は,昇降部106により昇降し,熱板100の表面に突出自在になっている。 Lift pins 105 lift the lifting portion 106, and is freely projecting on the surface of the heating plate 100. したがって,ウェハWを昇降ピン105により持ち上げて例えば主搬送装置13と熱板100との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。 Therefore, it is possible to transfer the wafer W between the main transport apparatus 13 and the hot plate 100 for example by lifting by the lifting pin 105 of the wafer W. なお,加熱装置46は,加熱装置35と同様の構成を有しており,その説明は省略する。 The heating device 46 has the same configuration as the heating device 35, and a description thereof will be omitted.

次に,以上のように構成されている溶剤供給装置19及び加熱装置35を備えた塗布現像処理システム1における処理プロセスを説明する。 Next, the treatment process in the coating and developing processing system 1 including the solvent supply unit 19 and the heating apparatus 35 is configured as described above.

先ず,ウェハ搬送体7によりカセットCから未処理のウェハWが1枚取り出され,第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に搬送される。 First, unprocessed wafers W from the cassette C by the wafer carrier 7 is the removed one, is carried to the extension unit 32 included in the third processing unit group G3. 次にウェハWは,主搬送装置13によってアドヒージョン装置31に搬入され,ウェハWに対し,レジスト液の密着性を向上させる例えばHMDSが塗布される。 Then, the wafer W is the main carrier 13 is carried into the adhesion unit 31, to the wafer W, for example, HMDS, whereby the adhesion of the resist solution is applied. 次にウェハWは,クーリング装置30に搬送され,所定の温度に冷却された後,レジスト塗布装置17に搬送される。 Then, the wafer W is transferred to the cooling unit 30, after being cooled to a predetermined temperature, is transported to the resist coating unit 17. レジスト塗布装置17では,ウェハW上にレジスト液が塗布され,処理膜としてのレジスト膜が形成される。 In the resist coating unit 17, a resist liquid is applied onto the wafer W, the resist film as a processing film is formed.

レジスト膜が形成されたウェハWは,主搬送装置13によってプリベーキング装置33,エクステンション・クーリング装置41に順次搬送され,さらにウェハ搬送体50によって,周辺露光装置51,露光装置4に順次搬送され,各装置で所定の処理が施される。 Wafer W on which the resist film has been formed, the pre-baking unit 33 by the main carrier unit 13, it is sequentially carried to the extension and cooling unit 41, further by the wafer carrier 50, the edge exposure unit 51, sequentially conveyed to the exposure device 4, predetermined processing is performed on each unit. 露光装置4において露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬送され,その後ポストエクスポージャーベーキング装置44,クーリング装置43で所定の処理が施された後,現像処理装置18に搬送されて,現像処理が行われる。 Wafer W which finished the exposure processing in the exposure apparatus 4 is carried to the extension unit 42 by the wafer carrier 50, then post-exposure baking unit 44, after a predetermined processing is performed by the cooling unit 43, the developing unit 18 is conveyed, the development process is performed. このとき,ウェハWのレジスト膜の表面には,図13で示したような凹凸ができている。 At this time, the surface of the resist film of the wafer W, and can uneven as shown in FIG. 13. また,図8は,この後の処理プロセスの概要を示すフロー図である。 8 is a flowchart showing an outline of processes that follow.

現像処理が終了したウェハWは,溶剤供給装置19に搬送される。 Wafer W which development processing has been completed is transported to the solvent supply unit 19. 溶剤供給装置19に搬送されたウェハWは,先ず予め所定の設定温度,例えば常温の23℃に維持されたチャック60の保持面60aに保持される。 The wafer W transferred to the solvent supply unit 19 is held first in advance predetermined set temperature, for example, the holding surface 60a of the chuck 60 maintained at room temperature for 23 ° C.. この状態が所定時間維持され,ウェハWが23℃に温度調節される(図8中の工程S1)。 This state is maintained for a predetermined time, the wafer W is thermostated at 23 ° C. (Step S1 in FIG. 8). この間,排気カップ70から排気が行われており,溶剤供給装置19内はパージされている。 During this time, a gas is discharged from the exhaust cup 70, the solvent supply device 19 is purged.

所定時間が経過し,ウェハWの温度が調節されると,溶剤供給ノズル83が排気カップ70の外方からウェハWの一端部,例えばY方向正方向側の上方まで移動する。 Predetermined time has elapsed, the temperature of the wafer W is adjusted, the solvent supply nozzle 83 is moved from the outside of the exhaust cup 70 at one end portion of the wafer W, for example, to above the positive direction side in the Y-direction. そして,例えば排気カップ70からの排気が一旦停止され,溶剤供給ノズル83から一定流量の溶剤気体が吐出され始める(図8中の工程S2)。 Then, for example, exhaust emissions from the cup 70 is temporarily stopped, the solvent gas at a constant flow rate from the solvent supply nozzle 83 begins to discharge (process S2 in FIG. 8). このときウェハ表面の一端部側の所定量域に溶剤気体が供給される。 At this time the solvent gas is supplied in a predetermined amount range of one end side of the wafer surface. 溶剤供給ノズル83から溶剤気体が吐出され始めると,溶剤供給ノズル83が一定速度でウェハWの他端部側,つまりY方向負方向側に向かって移動し,これに伴ってウェハ表面上における溶剤気体の供給領域もY方向負方向側に移動する。 Solvent on the wafer surface when the solvent supply nozzle 83 begins to discharge the solvent gas, the solvent supply nozzle 83 is moved toward the other end side, i.e. Y-direction negative direction side of the wafer W at a constant speed, along with this supply region of the gas is also moved in the Y-direction negative side. そして,溶剤供給ノズル83がウェハWのY方向負方向側の端部の上方まで移動すると,今度は,折り返しウェハWの他端部側から一端部側に移動する。 When the solvent supply nozzle 83 is moved to the upper end of the Y-direction negative direction side of the wafer W, in turn, moves to one end side from the other end side of the folded wafer W. こうして,溶剤供給ノズル83がウェハW上を往復移動し,ウェハW上のレジスト膜の表面に溶剤気体が供給される。 Thus, the solvent supply nozzle 83 reciprocates above the wafer W, the solvent gas is supplied to the surface of the resist film on the wafer W.

こうして,レジスト膜の表面に溶剤気体が供給されると,図9に示すようにレジスト膜Rの表面が溶剤気体を取り込んで,レジスト膜Rの表面のみが溶解し膨潤する。 Thus, the resist film solvent gas on the surface of the is supplied, the surface of the resist film R 9 takes in the solvent gas, only the surface of the resist film R is swollen dissolved. なお,このときの溶剤供給ノズル83の移動速度,吐出量の設定には,レジスト膜Rの表面のみが溶解するように予め実験等で算出された値が用いられる。 The moving speed of the solvent supply nozzle 83 in this case, the discharge amount of the set, only the surface of the resist film R is calculated in advance by experiments or the like so as to dissolve the value is used.

溶剤供給ノズル83が往復移動し終えると,溶剤気体の供給が停止され,再び排気カップ70からの排気が行われる。 When the solvent supply nozzle 83 finishes reciprocates, the supply of the solvent gas is stopped, the exhaust from the exhaust cup 70 is performed again. ウェハWはチャック60から主搬送装置13に受け渡され,加熱装置35に搬送される。 The wafer W is delivered to the main carrier 13 from the chuck 60, and is conveyed to the heating device 35.

加熱装置35に搬送されたウェハWは,予め上昇して待機していた昇降ピン105に受け渡され,熱板100上に載置される。 The wafer W carried to the heating device 35 is transferred to the lift pins 105 that were waiting increased beforehand, is placed on the hot plate 100. 熱板100は,所定の設定温度,例えば110℃程度に維持されており,ウェハWは,この熱板100上で所定時間加熱される。 Heating plate 100, a predetermined set temperature, which is maintained, for example, about 110 ° C., the wafer W is heated for a predetermined time on the hot plate 100. この所定時間の加熱により,レジスト膜R内の溶剤気体が蒸発し,レジスト膜Rが焼き締められる(図8中の工程S3)。 The heating of the predetermined time, the solvent gas in the resist film R to evaporate, the resist film R is tightened baked (step S3 in FIG. 8). こうしてレジスト膜Rは,図9に示すように溶剤気体供給前の厚みに戻される。 Thus the resist film R is returned to the thickness before the solvent gas supply as shown in FIG.

熱乾燥が終了したウェハWは,主搬送装置13により加熱装置35から搬出され,クーリング装置43で冷却された後,ポストベーキング装置47,クーリング装置30に順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。 Wafer W which thermal drying is completed, is unloaded from the heating unit 35 by the main transport apparatus 13, after being cooled by the cooling unit 43, post-baking unit 47, sequentially conveyed to the cooling unit 30, the predetermined processing in each of the units is performed. その後ウェハWは,エクステンション装置32を介してカセットCに戻されて,ウェハWの一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。 The wafer W is then returned to the cassette C through the extension unit 32, a series of photolithography processes for the wafer W is completed.

以上の実施の形態によれば,塗布現像処理システム1に,溶剤供給ノズル83を有する溶剤供給装置19を設けたので,現像処理後にレジスト膜Rの表面に溶剤気体を供給して,レジスト膜Rの表面を溶かし膨潤させて平滑化することができる。 According to the above embodiment, the coating and developing treatment system 1, is provided with the solvent supply unit 19 having the solvent supply nozzle 83, the solvent gas is supplied to the surface of the resist film R after the developing treatment, the resist film R It may be smoothed by swelling dissolving the surface of the. また,塗布液現像処理システム1には,加熱装置35が設けられているので,レジスト膜Rに溶剤気体を供給した後に,ウェハWを加熱し,レジスト膜R中にある余分な溶剤を揮発させることができる。 Further, the coating liquid developing processing system 1, the heating device 35 is provided, after supplying the solvent gas to the resist film R, heating the the wafer W, to volatilize the excess solvent present in the resist film R be able to. この結果,レジスト膜Rの表面に形成されていた凹凸を均してレジスト膜Rの表面荒れを改善することができる。 As a result, it is possible to improve the surface roughness of the resist film R smoothed irregularities that has been formed on the surface of the resist film R. そしてこの後のエッチング処理時に,下地膜が斑なく蝕刻され,ウェハW上に所定形状の回路パターンが形成される。 And during the etching process after this, the base film is mottled without etching, the circuit pattern having a predetermined shape on the wafer W is formed.

溶剤供給装置19では,溶剤供給ノズル83をウェハWに対して移動できるようにしたので,溶剤供給ノズル83から溶剤気体を供給した状態で,当該溶剤供給ノズル83がウェハW上を移動し,レジスト膜Rの全面に適量の溶剤気体を均等に供給することができる。 In solvent supply unit 19, since the solvent supply nozzle 83 has to be moved relative to the wafer W, while supplying the solvent gas from the solvent supply nozzle 83, the solvent supply nozzle 83 moves on the wafer W, the resist the appropriate amount of the solvent gas can be uniformly supplied to the entire surface of the membrane R.

溶剤供給装置19のチャック60にペルチェ素子62を設けて,溶剤気体を供給する前にウェハWの温度を23℃に調整するようにしたので,レジスト膜Rの表面が溶解する最適温度にし,さらにウェハWの面内温度を均等にすることができる。 Provided Peltier element 62 to the chuck 60 of the solvent supply unit 19, since so as to adjust the 23 ° C. The temperature of the wafer W before supplying the solvent gas, the optimum temperature of the surface of the resist film R dissolves, further plane temperature of the wafer W can be made uniform. したがって,レジスト膜Rの表面の溶解を好適に行うことができる。 Therefore, it is possible to suitably perform the dissolution of the surface of the resist film R.

以上の実施の形態では,溶剤供給ノズル83がウェハW上を往復移動することによって,レジスト膜Rに溶剤気体を供給していたが,溶剤供給ノズル83の往路若しくは復路のみで溶剤気体を供給するようにしてもよい。 In the above embodiment, by solvent supply nozzle 83 reciprocates above the wafer W, but the solvent gas has been supplied to the resist film R, and supplies the solvent gas only in the forward or backward path of the solvent supply nozzle 83 it may be so. また,往路で溶剤気体を供給した後,ウェハWを所定角度,例えば90度回転させてその後復路でも溶剤気体を供給してもよい。 Further, after supplying the solvent gas in the forward, or may be supplied for a predetermined angle the wafer W, then return any solvent gas is rotated 90 degrees, for example. かかる場合,例えばチャック60に回転機能を設けて行ってもよい。 In this case, for example, it may be performed by providing a rotation function to the chuck 60.

以上の実施の形態では,溶剤気体の供給前の温度調節を溶剤供給装置19において行っていたが,例えばクーリング装置30,40,43などで行ってもよい。 In the above embodiment, although the temperature adjustment before the supply of the solvent gas has been performed in the solvent supply unit 19, for example it may be carried out in such a cooling unit 30,40,43. かかる場合,現像処理後,ウェハWは,一旦クーリング装置に搬送され,23℃に温度調節された後,溶剤供給装置19に搬送される。 In such a case, after the development treatment, the wafer W is temporarily conveyed to the cooling unit, after being thermostated at 23 ° C., it is conveyed to the solvent supply unit 19.

また,上記実施の形態では,溶剤気体の供給後のウェハWの加熱を加熱装置35で行っていたが,溶剤供給装置19に加熱機構を取り付け,ウェハWの加熱を溶剤供給装置19で行ってもよい。 In the above embodiment, although not subjected to the heat of the wafer W after the supply of the solvent gas in the heating device 35, fitted with a heating mechanism in the solvent supply unit 19, by heating the wafer W in the solvent supply device 19 it may be. かかる場合,例えば図10に示すように溶剤供給装置19のチャック60内には,ヒータなどの発熱体110が内蔵される。 In such a case, the chuck 60 in the solvent supply unit 19 as shown in FIG. 10, for example, heating element 110 such as a heater is incorporated. 発熱体110は,例えば電源111からの給電によって発熱し,その電源111からの給電量は,温度制御部112により制御されている。 Heating element 110, for example, generates heat by power feeding from the power supply 111, the power supply amount from the power supply 111 is controlled by the temperature control unit 112. そして,溶剤供給装置19において,ウェハWに溶剤気体が供給され,その後,同じ溶剤供給装置19内でウェハWが加熱される。 Then, the solvent supply unit 19, the solvent gas is supplied to the wafer W, thereafter, the wafer W is heated in the same solvent supply unit 19. この場合,溶剤気体の供給と加熱を同じ装置内で行うことができ,ウェハWの処理効率を向上させることができる。 In this case, it is possible to perform the heating and the supply of the solvent gas in the same apparatus, it is possible to improve the processing efficiency of the wafer W. なお,この例において,加熱機構は,例えばチャック60,発熱体110,電源111及び温度制御部112により構成されている。 Incidentally, in this example, the heating mechanism is, for example a chuck 60, the heating element 110, and a power supply 111 and the temperature control unit 112.

また,上述の加熱装置35には,冷却機能も備えた加熱・冷却装置を用いてもよい。 Further, the heating device 35 described above may be used heating and cooling apparatus also includes a cooling function. この場合,加熱し昇温したウェハWを直ちに冷却することができる。 In this case, it is possible to immediately cool the heated raised was the wafer W.

さらに,前記実施の形態では,現像処理と溶剤気体の供給処理を別個の装置で行っていたが,同じ装置で行ってもよい。 Furthermore, the above embodiment has been performed supply process of development and the solvent gas in a separate device, or may be performed in the same apparatus. 例えば溶剤供給装置19に現像処理機構を取り付けてもよい。 For example the solvent supply unit 19 may be attached to development mechanism. かかる場合,例えば図11に示すように溶剤供給装置19には,溶剤供給ノズル83の他に,ウェハWに現像液を供給する現像液供給ノズル120と,ウェハWに洗浄液を供給する洗浄ノズル121が設けられている。 In this case, for example, the solvent supply unit 19 as shown in FIG. 11, in addition to the solvent supply nozzle 83, the developing solution supply nozzle 120 for supplying a developing solution to the wafer W, the cleaning nozzle 121 supplies the cleaning solution to the wafer W It is provided. 例えば現像液供給ノズル120は,例えば溶剤供給ノズル83と同様に,レール80上を移動自在なアーム122に保持されている。 For example the developer supply nozzle 120, for example, similarly to the solvent supply nozzle 83 is held to the rail 80 on the movable arm 122. 洗浄ノズル121は,例えば後述の排気カップ123の外側に設けられた垂直軸124の軸周りに回動する保持アーム125に保持されており,排気カップ123の外方からウェハW上方に進退自在になっている。 Cleaning nozzle 121, for example, held by the holding arm 125 to pivot about the axis of the vertical shaft 124 provided outside the exhaust cup 123 to be described later, to freely advance and retreat in the wafer W upward from the outside of the exhaust cup 123 going on. また,図12に示すようにチャック60には,回転駆動部126が取り付けられ,チャック60に保持されたウェハWを所定速度で回転させることができる。 Further, the chuck 60 as shown in FIG. 12, the rotational driving unit 126 is attached, it is possible to rotate the wafer W held on the chuck 60 at a predetermined speed. 排気カップ123は,例えばウェハW上から飛散する現像液を受け止めるように,チャック60の周囲を囲むように形成されている。 Exhaust cup 123, as receiving the developing solution scattering from the wafer W, and is formed to surround the periphery of the chuck 60. なお,他の構成については,上記溶剤供給装置19と同様であるので説明を省略する。 Note that the other configurations, the description thereof is omitted because it is similar to the solvent supply unit 19. また,この例において現像処理機構は,例えば現像液供給ノズル120,チャック60及び排気カップ123で構成されている。 Further, development processing mechanism in this example, for example, the developing solution supply nozzle 120 is constituted by the chuck 60 and exhaust cup 123.

そしてウェハ処理の際には,ポストエクスポージャーベーキング,クーリングが終了したウェハWは,溶剤供給装置19に搬送され,チャック60に保持される。 And during the wafer processing, the wafer W to post-exposure baking, cooling is completed is carried to the solvent supply unit 19, is held on the chuck 60. ウェハWがチャック60に保持されると,現像液供給ノズル120が現像液を吐出しながらウェハWの一端部上から他端部上まで移動し,ウェハWの表面の全面に現像液が供給される。 When the wafer W is held by the chuck 60, the developing solution supply nozzle 120 is moved to the other end from the one end portion of the wafer W while discharging the developing solution, the developing solution is supplied to the entire surface of the wafer W that. こうしてウェハW上に現像液が液盛りされると,所定時間静止現像される。 Thus developer on the wafer W when puddled, is a predetermined time still developing. その後ウェハWが回転され,洗浄ノズル121によりウェハW上に洗浄液が供給されて,ウェハWが洗浄される。 Thereafter, the wafer W is rotated, the cleaning liquid on the wafer W is fed by the cleaning nozzle 121, the wafer W is cleaned. 洗浄が終了すると,ウェハWは高速回転され,乾燥される。 When cleaning is finished, the wafer W is rotated at a high speed, it is dried. ウェハWが乾燥されて一連の現像処理が終了すると,上述したように溶剤供給ノズル83によってウェハWに溶剤気体が供給され,レジスト膜Rの表面荒れが改善される。 When the wafer W is dried series of development processing is completed, the solvent gas is supplied to the wafer W by the solvent supply nozzle 83 as described above, the surface roughness of the resist film R is improved. かかる場合,現像処理と溶剤の供給処理が同じ装置で行われ,ウェハWの搬送時間を省略することができるので,ウェハWの処理効率を向上できる。 In this case, the supply process of the development process and a solvent is carried out in the same apparatus, it is possible to omit the transport time the wafer W, thereby improving the processing efficiency of the wafer W. なお,この例では,溶剤供給装置19に現像処理機構を取り付けていたが,現像処理装置18,20に溶剤供給ノズル83などの溶剤供給機構を取り付けるようにしてもよい。 In this example, it had attached a development mechanism in the solvent supply unit 19 may be attached to the solvent supply mechanism such as the solvent supply nozzle 83 to the developing unit 18, 20.

実際に行った発明者の実験によれば,フォトリソ工程によって形成されたレジストパターンに対して上記したようなスムージングを行った結果,LER(Line Edge Roughness),LWR(Line Width Roughness)共に,スムージングを行わない場合よりも低い値に抑えることができた。 According to the actual inventor experiments performed, a result of performing smoothing as described above with respect to the resist pattern formed by the photolithography process, LER (Line Edge Roughness), LWR (Line Width Roughness) together, smoothing It could be suppressed to a value lower than the case of not performing.

具体的に一例を挙げると,例えばシリコンウエハ上に形成されているパターン化されたレジスト膜(UV135 4100A Barc:AR−5 600A)に対して,スムージング処理を行う前とスムージング処理を行った後のパターンの線幅,LWRについては,図13に示すようになった。 Specifically way of example, for example, a silicon wafer on which is formed patterned resist film: For (UV135 4100A Barc AR-5 600A), after the before and smoothing processing for smoothing the line width of the pattern, for LWR, now shown in FIG. 13. なおこのときの溶剤気体は,アセトンの溶剤蒸気を使用した。 Note the solvent gas at this time was a solvent vapor of acetone. またウエハの温度は23℃,溶剤濃度は4.0Lであった。 The temperature of the wafer is 23 ° C., the solvent concentration was 4.0 L. またアセトンの溶剤蒸気をウエハに供給するにあたっては,溶剤供給ノズル83から溶剤気体を供給しつつ,ノズルをウエハ上で走査させるようにしたが,その際のスキャン速度は,40mm/secに設定した。 In also supplies the solvent vapor of acetone to the wafer while supplying the solvent gas from the solvent supply nozzle 83, but so as to scan the nozzle on the wafer, scan speed at that time was set to 40 mm / sec .

図13の結果からわかるように,スムージング処理を行った後は,パターンの線幅(CD)は,僅かに低下するが,LWRは大幅に改善されている。 As can be seen from the results in Figure 13, after the smoothing processing, the line width of the pattern (CD) is slightly lowered, LWR is significantly improved. したがって,ウエハ上に形成されたレジストパターンの表面が平滑化されたことがわかる。 Thus, the surface of the resist pattern formed on the wafer is seen to have been smoothed.

なお溶剤供給ノズル83から溶剤気体を基板に供給する場合,図14に示したように,溶剤供給ノズル83のノズルの吐出口86とウエハWとの間のギャップは,狭いほど好ましい。 In the case of supplying from the solvent supply nozzle 83 to the solvent gas to the substrate, as shown in FIG. 14, the gap between the discharge port 86 and the wafer W of the nozzle of the solvent supply nozzle 83 is preferably narrower. また溶剤供給ノズル83をスキャンする際の溶剤供給ノズル83の速度は,15mm/sec〜250mm/secが適当である。 The rate of the solvent supply nozzle 83 when scanning the solvent supply nozzle 83 is suitably 15mm / sec~250mm / sec.

溶剤供給ノズル83の吐出口86から溶剤気体を供給する場合,図14に示したように,溶剤供給ノズル83の吐出部85の前後に,仕切板89a,89bを取り付けることが好ましい。 When supplying a solvent gas from the discharge ports 86 of the solvent supply nozzle 83, as shown in FIG. 14, the front and rear of the discharge portion 85 of the solvent supply nozzle 83, it is preferably attached partition plate 89a, a 89b. この仕切板89a,89bによって,ノズルの相対的移動方向の前後に,一種の仕切り壁が形成されるので,吐出口86から供給された溶剤気体が前後方向に拡散することが防止でき,ノズルの相対的移動に伴ってウエハW全面に渡って均一に溶剤気体を供給することができる。 The partition plate 89a, by 89b, before and after the relative movement direction of the nozzle, since a kind of partition wall is formed, the solvent gas supplied from the discharge port 86 can be prevented from being diffused in the longitudinal direction, of the nozzle it can uniformly supply the solvent gas over the entire surface of the wafer W with the relative movement. なお仕切板89a,89bとの間の間隔dは,例えば約20mm程度,仕切板89a,89bの高さ(溶剤供給ノズル83の本体の下端からの長さ)hは,約10mm程度に設定されている。 Note distance d between the partition plates 89a, 89b is, for example, about 20mm or so, the partition plate 89a, is h (the length from the lower end of the main body of the solvent supply nozzle 83) height 89b, is set to about 10mm ing.

なお溶剤気体の供給は,上記したように溶剤供給ノズル83の相対的移動によって溶剤供給領域を逐次移動させ,もって結果的にウエハW全面に渡って供給する方式に限らず,図15に示したように,処理容器151内における載置台152上に載置されたウエハWに対して,上面からウエハW全面に向けて供給する方式を採用してもよい。 Incidentally supply of the solvent gas is successively moves the solvent supply region by the relative movement of the solvent supply nozzle 83 as described above, not only the method of supplying over with and consequently the entire surface of the wafer W, as shown in FIG. 15 as such, the wafer W placed on the mounting table 152 in the processing vessel 151, may employ a method for supplying toward the top surface on the entire surface of the wafer W.

この処理容器151は,容器内上面に,多数の孔153が形成されたバッフル板154を備えており,容器上部にある溶剤気体供給部155から溶剤気体が供給されると,バッフル板154を介して,溶剤気体がウエハWの上面全面に均一に供給される。 The processing container 151 is in the container in the upper surface, provided with a baffle plate 154 which many holes 153 are formed, the solvent gas is supplied from the solvent gas supply unit 155 at the top of the container, through the baffle plate 154 Te, the solvent gas is uniformly supplied to the entire upper surface of the wafer W. なお処理容器151内の雰囲気は,容器内の底部に設けられた排気口156を通じて,排気ポンプ157によって容器外へと排出される。 Incidentally atmosphere in the processing vessel 151 through the exhaust port 156 provided at the bottom of the container, is discharged to the outside of the container by the exhaust pump 157.

ところで発明者の検証によれば,ArFレジストは,溶剤気体を供給してもKrFレジストの場合と比べて,平滑化がしにくいという傾向があることがわかった。 Meanwhile, according to the verification of the inventors, ArF resist, can supply the solvent gas in comparison with the case of the KrF resist, it was found that there is a tendency that it is difficult to be smoothed. その原因はArFレジストは中に存在する保護基,と呼ばれる箇所の一部が溶解性を阻害していると考えられる。 The reason is considered to be part of a portion called protecting groups present, and in ArF resist is inhibited solubility. 保護基としては,例えばラクトン基が挙げられる。 The protecting groups include, for example, a lactone group. そこで溶剤気体を供給する前に,予めそのような保護基を分解しておけば,溶剤気体の供給によって,円滑に平滑化することができる。 So before supplying the solvent gas, in advance if such Oke decomposing the protective group, by the supply of the solvent gas can be smoothly smoothed.

そのような溶解阻害性保護基を分解する手法としては,例えばUVや電子線の照射が挙げられる。 As a method for decomposing such a dissolution inhibiting protecting group include, for example, irradiation with UV or electron beams. そのようないわば表面の改質処理を行う装置としては,例えば図16に示したような処理装置161を提案できる。 Such speak thereby modifying treatment of the surface unit, it may propose processor 161 as shown in FIG. 16 for example.

この処理装置161は処理容器162内に回転載置台163を有し,また容器内の上面には紫外線又は電子線の照射部164を有している。 The processor 161 has twice mounting table 163 in the processing vessel 162, also on the upper surface of the container has an irradiation unit 164 of the ultraviolet or electron beam. そして回転載置台162上に載置されたウエハWを回転させながら,照射部164から紫外線や電子線をウエハWに照射することにより,ウエハW表面の処理膜,例えばレジスト膜を改質して,溶解阻害性保護基を分解することができる。 Then while rotating the wafer W mounted on the rotary mounting table 162, by irradiating the irradiation unit 164 with ultraviolet rays or an electron beam to the wafer W, processing film on the surface of the wafer W, for example, a resist film is reformed it can be decomposed dissolution inhibiting protecting group. またウエハWを回転させながら照射しているので,ウエハWに対して均一に紫外線や電子線を照射することが可能である。 Also since the irradiation while rotating the the wafer W, it is possible to irradiate a uniform ultraviolet rays or electron beams to the wafer W.

このようにしてウエハWの処理膜中の溶解阻害性保護基を分解してから,既述したような溶剤気体を供給することで,たとえレジスト膜がArFレジストであっても,これを好適にスムージングすることが可能である。 Thus after decomposing the dissolution inhibiting protecting group in the treatment film on the wafer W in the, by supplying the solvent gas, such as described above, even if the resist film is a ArF resist, which suitably it is possible to smoothing. しかもこのようないわば前処理をする事により,今まで効き目が無かった溶剤使用してもスムージングすることができるから,溶剤選択の幅が広がる。 Moreover By such a speak pretreatment, because it can be smoothed be used effect was not solvent until now, the width of the solvent selection is increased. そして溶剤選択の幅が増える事により,各ArFレジスト合った溶剤が選択でき,形状等のコントロール性能も優位になる。 And by the width of the solvent selection is increased, the ArF resist suits solvent can be selected, the control performance such as the shape becomes dominant.

以上の実施の形態は,本発明の一例を示すものであり,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。 Above embodiment, showing an example of the present invention, the present invention can take various aspects is not limited to this example. 例えば,本実施の形態では,溶剤供給ノズル83の吐出部85には,複数の円形の吐出口86が形成されていたが,少なくともウェハWの直径よりも長いスリット状の吐出口が形成されていてもよい。 For example, in the present embodiment, the discharge portion 85 of the solvent supply nozzle 83, a plurality of circular discharge ports 86 were formed, have long slit-like discharge port than the diameter of at least the wafer W is formed it may be. また,溶剤供給装置19においてウェハWに対して溶剤供給ノズル83を移動させていたが,ウェハW側を移動させてもよい。 Also, it had to move the solvent supply nozzle 83 to the wafer W in the solvent supply unit 19 may move the wafer W side. さらに,本実施の形態は,ウェハWの処理に関するものであったが,LCD基板,フォトマスク用のガラス基板などの他の基板にも本発明は適用できる。 Further, in this embodiment, but were related to the processing of the wafer W, LCD substrate, but the present invention to other substrates such as a glass substrate for a photomask is applicable.

本実施の形態における塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 It is a plan view showing a schematic configuration of the coating and developing system in this embodiment. 図1の塗布現像処理システムの正面図である。 It is a front view of the coating and developing system of FIG. 図1の塗布現像処理システムの背面図である。 A rear view of the coating and developing system of FIG. 溶剤供給装置の縦断面の説明図である。 It is an explanatory view of a longitudinal section of a solvent supply unit. 溶剤供給装置の横断面の説明図である。 It is an illustration of a cross section of the solvent supply unit. 溶剤供給ノズルの構成を示す斜視図である。 Is a perspective view showing the configuration of a solvent supply nozzle. 加熱装置の構成を示す縦断面の説明図である。 It is an explanatory view of a longitudinal section showing the structure of a heating device. ウェハの処理プロセスの一部を示すフロー図である。 It is a flowchart showing a part of a wafer processing process. レジスト膜の変化の様子を示す説明図である。 Is an explanatory view showing changes of the resist film. 加熱機構を備えた溶剤供給装置の構成を示す縦断面の説明図である。 It is an explanatory view of a longitudinal section showing the configuration of a solvent supply unit with a heating mechanism. 現像処理機構を備えた溶剤供給装置の構成を示す横断面の説明図である。 It is an illustration of a cross section showing the configuration of a solvent supply unit with a developing treatment mechanism. 図11の溶剤供給装置の構成を示す縦断面の説明図である。 It is an explanatory view of a longitudinal section showing the configuration of a solvent supply unit in FIG. 11. 溶剤気体の供給によって平滑化処理を行った際の線幅,LWRの変化を示すグラフとレジストパターンの一部拡大平面図である。 Line width when performing the smoothing process by the supply of the solvent gas is a partially enlarged plan view of the graph and the resist pattern which indicates a change of LWR. 溶剤供給ノズルの吐出部の前後に仕切板を取り付けた様子を示す溶剤供給ノズルの側面図である。 Before and after the discharge portion of the solvent supply nozzle is a side view of the solvent supply nozzle showing a state where attaching the partition plate. ウエハの全面に一度に溶剤気体を供給する処理容器の縦断面の説明図である。 The entire surface of the wafer is an explanatory view of a longitudinal section of the processing chamber for supplying a solvent gas at a time. 紫外線や電子線の照射部を有する処理装置の縦断面の説明図である。 It is an explanatory view of a longitudinal section of the processing apparatus has an irradiation portion of the ultraviolet rays or electron beams. 現像処理後のレジスト膜表面の凹凸を示す説明図である。 Is an explanatory view showing the unevenness of the resist film surface after development.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 塗布現像処理システム 19 溶剤供給装置 60 チャック 70 排気カップ 83 溶剤供給ノズル W ウェハ 1 coating and developing treatment system 19 solvent supply unit 60 chuck 70 exhaust cup 83 solvent supply nozzle W wafer

Claims (17)

  1. 基板上に形成された処理膜の表面荒れを改善する方法であって, A method for improving the surface roughness of the treatment film formed on a substrate,
    基板を露光し現像した後に,基板の処理膜の表面のみが溶解するように前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する工程を有する,ことを特徴とする,基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 After exposure of the substrate development, only the surface of the substrate to be processed film has a step of supplying a solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film to dissolve, characterized in that, the substrate to be processed film how to improve the surface roughness.
  2. 溶剤気体を供給する工程の後,前記基板を加熱する工程をさらに有することを特徴とする,請求項1に記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 After the step of supplying the solvent gas, further comprising a step of heating the substrate, a method for improving the surface roughness of the treatment film on the substrate according to claim 1.
  3. 前記処理膜の表面に溶剤気体を供給する前記工程の前に,基板を所定の温度に温度調節する工程を有することを特徴とする,請求項1又は2に記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 Before said step of supplying the solvent gas to the surface of the treatment film, characterized by having a step of temperature regulating the substrate to a predetermined temperature, surface roughness of the treatment film on the substrate according to claim 1 or 2 how to improve.
  4. 前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する際には,基板の表面の一部の領域に前記処理膜の溶剤気体を供給すると共に,当該溶剤気体の供給される領域を移動させることによって,前記処理膜の表面の全面に前記溶剤気体を供給することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 When supplying the solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film supplies the solvent gas of the treatment film in a partial area of ​​the surface of the substrate, moving a region supplied of the solvent gas it allows and supplying the solvent gas on the entire surface of the treatment film, a method for improving the surface roughness of the treatment film on the substrate according to any one of claims 1 to 3.
  5. 前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する際には,基板の上方から基板の全面に向けて前記処理膜の溶剤気体を供給することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 When supplying the solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film, and supplying the solvent gas of the treatment film toward the upper side of the substrate on the entire surface of the substrate, of claims 1 to 3 method for improving the surface roughness of the treatment film on the substrate according to any one.
  6. 基板を露光し現像した後,前記処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給する前に,処理膜における溶解阻害性保護基を分解するための処理工程を有することを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 After exposure of the substrate development, before supplying the solvent gas of the treatment film to the surface of the treatment film, characterized by having a process for decomposing dissolved inhibiting protecting group in the treatment film, wherein method for improving the surface roughness of the treatment film on the substrate according to any one of claim 1 to 5.
  7. 前記処理工程は,紫外線又は電子線の照射によって行うことを特徴とする,請求項6に記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 It said processing step, and carrying out the irradiation of ultraviolet or electron beam, a method for improving the surface roughness of the treatment film on the substrate according to claim 6.
  8. 前記処理膜はレジスト膜であり,前記溶剤気体は,アセトンの蒸気であることを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 The treatment film is a resist film, the solvent gas, a method of improving characterized in that it is a vapor of acetone, the surface roughness of the substrate processing film according to any one of claims 1 to 7.
  9. 前記処理膜はレジスト膜であり,前記溶剤気体は,プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの蒸気であることを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 The treatment film is a resist film, the solvent gas is characterized in that a vapor of propylene glycol monomethyl ether acetate, improves the surface roughness of the treatment film on the substrate according to any one of claims 1 to 7 Method.
  10. 前記処理膜はレジスト膜であり,前記溶剤気体はNメチル2ピロリジノンの蒸気であることを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の基板の処理膜の表面荒れを改善する方法。 Wherein the treatment film is a resist film, the solvent gas is characterized in that a vapor of N-methyl-2-pyrrolidinone, to improve the surface roughness of the treatment film on the substrate according to any one of claims 1 to 7.
  11. 表面に処理膜が形成され,露光処理され現像処理された基板を処理する処理装置であって, Are processed film is formed on the surface, a processing apparatus is an exposure process for processing the developed treated substrate,
    基板の処理膜の表面に対し処理膜の溶剤気体を供給するノズルを備えたことを特徴とする,基板の処理装置。 Wherein the the surface of the substrate to be processed film with a nozzle for supplying a solvent gas of the treatment film, the substrate processing apparatus.
  12. 前記溶剤気体を吐出している状態の前記ノズルを基板に対して相対的に移動させる移動機構を備えたことを特徴とする,請求項11に記載の基板の処理装置。 Characterized by comprising a moving mechanism for relatively moving the nozzle in a state of ejecting the solvent gas to the substrate, the substrate processing apparatus according to claim 11.
  13. 前記ノズルは,少なくとも基板の直径よりも長い細長の吐出部を有することを特徴とする,請求項11又は12に記載の基板の処理装置。 The nozzle is characterized by having a discharge portion of the longer elongated than the diameter of at least the substrate, the substrate processing apparatus according to claim 11 or 12.
  14. 前記基板の温度を調節する温度調節機構を備えたことを特徴とする,請求項11〜13のいずれかに記載の基板の処理装置。 Characterized by comprising a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the substrate, the substrate processing apparatus according to any one of claims 11 to 13.
  15. 基板を加熱する加熱機構を備えたことを特徴とする,請求項請求項11〜14いずれかに記載の基板の処理装置。 Characterized by comprising a heating mechanism for heating the substrate, the substrate processing apparatus according to any one of claims claim 11 to 14.
  16. 基板を現像処理する現像処理機構を備えたことを特徴とする,請求項11〜15のいずれかに記載の基板の処理装置。 Characterized by comprising a developing treatment mechanism for the substrate to development processing, the substrate processing apparatus according to any one of claims 11 to 15.
  17. 前記ノズルは,吐出部の前後に仕切板を有していることを特徴とする,請求項11〜16のいずれかに記載の基板の処理装置。 The nozzle is characterized in that it has a partition plate to the front and rear of the discharge portion, the substrate processing apparatus according to any one of claims 11 to 16.
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