JP2005012201A - Exposure method, aligner and device manufacturing method - Google Patents

Exposure method, aligner and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2005012201A
JP2005012201A JP2004156545A JP2004156545A JP2005012201A JP 2005012201 A JP2005012201 A JP 2005012201A JP 2004156545 A JP2004156545 A JP 2004156545A JP 2004156545 A JP2004156545 A JP 2004156545A JP 2005012201 A JP2005012201 A JP 2005012201A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
substrate
projection
optical
liquid
system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004156545A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5143331B2 (en )
Inventor
Shigeru Hirukawa
茂 蛭川
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70341Immersion

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure method by which a high-precision pattern transcription is made even in those cases where liquid immersion exposure of a substrate is performed through liquid between a projection optical system and the substrate. <P>SOLUTION: An liquid immersion region is formed on at least the part of the substrate including the projection region of the projection optical system, while a mask pattern image is projected on the substrate through the liquid between the projection optical system and the substrate as well as the projection optical system. When the substrate is exposed, adjustment is made so that the desired pattern image can be projected on the substrate in accordance with the distribution of exposure light EL incident on the liquid between the projection optical system and the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で基板にパターンを露光する露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus for exposing a pattern on a substrate while forming the liquid immersion area between the projection optical system and the substrate, and a device manufacturing method.

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。 Semiconductor devices and liquid crystal display devices, to transfer a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, is manufactured by a so-called photolithography technique. このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。 An exposure apparatus used in this photolithographic process, and a substrate stage that supports the mask stage and the substrate supporting the mask, the pattern of the mask through a projection optical system while moving the mask stage and the substrate stage sequentially it is transferred onto the substrate. 近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。 Recently for higher resolution of the projection optical system in order to cope with higher integration of the device pattern it is desired. 投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 Resolution of the projection optical system, as the exposure wavelength used becomes shorter, also increases the larger the numerical aperture of the projection optical system. そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。 Therefore, the exposure wavelength used in exposure apparatuses has shortened year by year wavelength has increased numerical aperture of projection optical systems. そして、現在主流の露光波長は、KrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されつつある。 The mainstream exposure wavelength currently is the 248nm from a KrF excimer laser, it is being further also commercialized 193nm of ArF excimer laser with a short wavelength. また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。 Further, when exposure is performed, similarly to the resolution depth of focus (DOF) is also important. 解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。 The resolution R, and the depth of focus δ are represented by the following expressions.
R=k ・λ/NA … (1) R = k 1 · λ / NA ... (1)
δ=±k ・λ/NA … (2) δ = ± k 2 · λ / NA 2 ... (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k 、k はプロセス係数である。 Here, lambda is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, k 1, k 2 represent the process coefficients. (1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。 (1) and (2), in order to enhance the resolution R, then shorten the exposure wavelength lambda, and the numerical aperture NA is increased, it can be seen that the depth of focus δ becomes narrower.

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のマージンが不足する恐れがある。 If the depth of focus δ is too narrowed, it is difficult to match the substrate surface with respect to the image plane of the projection optical system, a margin during the exposure operation may be insufficient. そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献1に開示されている液浸法が提案されている。 Therefore, by substantially shortening the exposure wavelength and a method of widening the depth of focus, for example, immersion method disclosed in Patent Document 1 it has been proposed. この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の1/n(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。 This liquid immersion method fills the space between the lower and the substrate surface of the projection optical system with a liquid such as water or an organic solvent, the wavelength of the exposure light in the liquid, refraction 1 / n (n in the air in the liquid by utilizing the fact that becomes usually about 1.2 to 1.6) with improved resolution by a factor, it is that the depth of focus is magnified about n times.
国際公開第99/49504号パンフレット International Publication No. WO 99/49504

ところで、液浸法を適用した場合、マスク上のパターンの分布等に応じて投影光学系と基板との間に存在する液体に入射する露光光に分布が生じる。 In the case of applying the liquid immersion method, a distribution of exposure light incident on the liquid present between the projection optical system and the substrate depending on the distribution and the like of the pattern on the mask occurs. このような露光光を照射することにより、液体の温度分布が生じ、その結果、液体を介して基板上に形成されるパターン像の像面変化(傾き等)や倍率・ディストーション等の各収差の変動を引き起こす可能性があった。 By irradiating such exposure light, the temperature distribution of the liquid occurs, as a result, the image plane variation of pattern image through a liquid formed on a substrate (inclination etc.) or the aberrations such as magnification, distortion there is a possibility that the cause of the change.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、投影光学系と基板との間の液体を介して基板を液浸露光する場合に精度良くパターン転写できる露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, can be accurately pattern transfer exposure method and apparatus in the case of the liquid immersion exposure of the substrate through a liquid between the projection optical system and the substrate, and and to provide a device manufacturing method.

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1〜図16に対応付けした以下の構成を採用している。 To solve the above problems, the present invention adopts the following constructions corresponding to Figs. 1 to 16 as illustrated in embodiments. 但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。 However, parenthesized reference numerals affixed to respective elements merely exemplify the elements by way of example and are not intended to limit the respective elements.

本発明の第1の態様によれば、マスク(M)のパターン(MP)の像を、投影光学系(PL)と基板(P)の間の液体(1)を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、前記液体に入射する露光光(EL)の分布に応じてパターン像の投影状態を調整することと;前記調整された投影状態で基板を露光することを含む露光方法が提供される。 According to a first aspect of the present invention, an image of the mask (M) of a pattern (MP), it is projected onto a substrate through a liquid (1) between the projection optical system and (PL) of the substrate (P) exposing the substrate in the projection state of being the adjustment; an exposure method for exposing a substrate, it and adjusting the projection state of the pattern image according to the distribution of the exposure light (EL) that enters the liquid by the exposure method comprising is provided.

本発明によれば、投影光学系と基板との間の液体に入射する露光光に分布が生じて液体に温度分布が生じても、この露光光の分布に応じて露光条件、例えば、パターン像の投影状態を調整等することで、パターンを基板上に所望の状態で転写できる。 According to the present invention, even when the temperature distribution profile in the exposure light incident on the liquid occurs in the liquid between the projection optical system and the substrate occurs, the exposure condition according to the distribution of the exposure light, for example, the pattern image by adjusting such a projection state of, it can be transferred in a desired state a pattern on a substrate. 本明細書において、「パターン像の投影状態の調整」とは、パターン像の像面位置のみならず、パターン像の倍率やディストーションなどの結像特性で代表されるパターン像の状態を調整することをいう。 In the present specification, the "adjustment of the projection state of the pattern image" includes not only the image surface position of the pattern image, adjusting the state of the pattern image represented by the imaging characteristics such as the magnification and distortion of the pattern image the say. この調整は、パターン像の投影状態を調整するための各種調整を含み、パターン像の像面と基板の露光面の位置関係の調整や投影光学系の調整のみならず、露光光の波長調整、露光光の光路中の光学部材の調整(位置調整、温度調整など)や交換、マスクの位置調整、あるいは基板に至るまでの光路の雰囲気、例えば、温度、圧力、気体濃度を調節することも含み、それゆえ、基板と投影光学系との間に供給される液体の温度や流量や成分などを変更または調節することも含まれる。 This adjustment includes various adjustments for adjusting the projection state of the pattern image, not only the adjustment of the adjustment and the projection optical system of the position relationship between the image plane and the exposure surface of the substrate of the pattern image, the wavelength adjustment of the exposure light, adjustment (position adjustment, temperature adjustment, etc.) of the optical member on the optical path of the exposure light or exchange, the atmosphere of the optical path of up to the position adjustment of the mask or the substrate, for example, also include adjusting the temperature, pressure, gas concentration , therefore, also includes changing or adjusting the temperature and flow rate and composition of the liquid supplied between the substrate and the projection optical system.

本発明の第2の態様に従えば、マスクのパターンの像を、投影光学系(PL)と基板(P)の間の液体(1)を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、前記マスク(M)上のパターン(MP)の分布に応じてパターン像の投影状態を調整することと;前記調整された投影状態で基板(P)を露光することを含む露光方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, the image of the pattern of the mask, exposing a substrate by projecting onto the substrate via the projection optical system and (PL) and a liquid (1) between the substrate (P) including exposing a substrate (P) in a projection state of being the adjustment; an exposure method, the projection state of the pattern image that the adjusting according to the distribution of the pattern (MP) on the mask (M) exposure method is provided.

本発明によれば、マスク上のパターンの分布に応じて投影光学系と基板との間の液体に入射する露光光に分布が生じ、これにより液体に温度分布が生じても、マスク上のパターンの分布に応じてパターン像の投影状態を調整等することで、パターンを基板上に所望の状態で転写できる。 According to the present invention, the distribution in the exposure light incident on the liquid between the projection optical system and the substrate according to the distribution of the pattern on the mask is generated, even if thereby the temperature distribution occurs in the liquid, the pattern on the mask by the projection state of the pattern image is adjusted or the like according to the distribution, can be transferred in a desired state a pattern on a substrate.

本発明の第3の態様に従えば、マスクのパターンの像を、投影光学系(PL)と基板(P)の間の液体(1)を介して基板(P)上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、前記露光に先立って、前記投影光学系(PL)を介して前記液体(1)に入射する露光光の分布情報を計測することと;前記計測された分布情報に基づいてパターン像の投影状態を調整しながら、基板(P)を露光することを含む露光方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, a substrate by projecting an image of the pattern of the mask, through a liquid (1) between the projection optical system and (PL) of the substrate (P) on the substrate (P) an exposure method for exposing a, prior to the exposure, and by measuring the distribution information of the exposure light incident on the liquid (1) through said projection optical system (PL); the measured distribution information while adjusting the projection state of the pattern image based on the exposure method comprising exposing a substrate (P) is provided.

本発明によれば、液体に入射する露光光の分布情報を予め計測し、この計測結果に基づいて露光中にパターン像の投影状態を調整等することにより、液体に入射する露光光に分布が生じて液体の温度が部分的に変化しても、パターン像の投影状態の調整を精度良く行いつつパターンを基板上に所望の状態で転写できる。 According to the present invention, previously measured distribution information of the exposure light incident on the liquid, by adjusting such a projection state of the pattern image during exposure based on the measurement result, a distribution of exposure light incident on the liquid even if the temperature of the liquid changes partially caused, it can be transferred in a desired state a pattern on a substrate while performing accurately adjust the projection state of the pattern image.

本発明の第4の態様に従えば、基板(P)を所定方向に移動しながら、パターンの像を液体を介して前記基板上に投影光学系(PL)により投影することによって前記基板を露光する露光方法であって、前記所定方向(X)と交差する方向(Y)における前記液体(1)の温度分布を計測することと;前記計測された温度分布情報に基づいてパターン像(MP)の投影状態を調整することと;前記パターン像(MP)の投影状態で基板を露光することを含む露光方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, exposing a substrate by projecting a substrate (P) while moving in a predetermined direction, the projection optical system onto the substrate an image of a pattern through a liquid by (PL) an exposure method for it and to measure the temperature distribution in the predetermined direction (X) and a direction crossing said in (Y) liquid (1); pattern image on the basis of the measured temperature distribution information (MP) and adjusting the projection state; exposure method comprising exposing a substrate with a projection state of the pattern image (MP) is provided.

本発明によれば、基板を移動しながら液浸露光する際、基板の移動方向と交差する方向における液体の温度分布を計測し、この計測結果に基づいて露光時におけるパターン像の投影状態を調整等することにより、液体の温度が部分的に変化しても、パターン像の投影状態の調整を精度良く行ってパターンを基板上に所望の状態で転写できる。 According to the present invention, the liquid immersion exposure while moving the substrate, to measure the temperature distribution of the liquid in the direction intersecting the movement direction of the substrate, adjusting the projection state of the pattern image at the time of exposure on the basis of the measurement result by equal, even if the temperature of the liquid is changed in part, a pattern performed accurately adjusting the projection state of the pattern image can be transferred in a desired state on the substrate.

本発明の第5の態様に従えば、マスクのパターンの像を、投影光学系(PL)と基板(P)の間の液体(1)を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、前記基板(1)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)上に配置された温度センサ(90、91)を使って、前記液体の温度分布を計測することと;基板ステージ上の基板を露光することとを含む露光方法が提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, the image of the pattern of the mask, exposing a substrate by projecting onto the substrate via the projection optical system and (PL) and a liquid (1) between the substrate (P) an exposure method, wherein by using a substrate temperature sensor disposed on the holding to a movable substrate stage (PST) and (1) (90, 91), and by measuring the temperature distribution of the liquid; the exposure method comprising the method comprising exposing a substrate on the substrate stage is provided.

本発明によれば、基板ステージ上に配置された温度センサを使って液浸領域を形成する液体の温度分布を直接計測することにより、液体の温度分布情報を精度良く求めることができる。 According to the present invention, by measuring the temperature distribution of the liquid forming the liquid immersion area with a temperature sensor arranged on the substrate stage directly, can be accurately calculated temperature distribution information of the liquid. そして、計測した液体の温度分布情報に基づいて、パターン像の投影状態の調整等を適切に行うことができ、パターンを基板上に所望の状態で転写できる。 Then, based on the measured temperature distribution information of the liquid, it is possible to appropriately perform the adjustment of the projection state of the pattern image, it can be transferred in a desired state a pattern on a substrate.

ここで、上記調整は、上述したように、投影光学系の結像特性調整(光学特性調整)、投影光学系と液体とを介して形成される像面と基板との位置関係の調整、及び液浸領域を形成するための液体の温度調整(温度分布調整)を含む。 Here, the adjustment, as described above, the imaging characteristics adjustment of projection optical system (optical property adjusting), the adjustment of the positional relationship between the image surface and the substrate to be formed via the projection optical system and the liquid, and including temperature control of the liquid for forming the liquid immersion region (temperature distribution adjustment).

本発明の第6の態様に従えば、所定パターン(MP)の像を液体(1)を介して基板に投影することによって基板(P)を露光する露光装置であって: 前記パターンの像を基板(P)に投影する投影光学系(PL)と;前記投影光学系の像面付近に移動可能に配置され、前記液体の温度を計測する温度センサ(90、91)とを備える露光装置が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus which exposes a substrate (P) by projecting a substrate through a liquid (1) an image of a predetermined pattern (MP): the image of the pattern a projection optical system for projecting the substrate (P) and (PL); movably disposed near the image plane of the projection optical system, an exposure apparatus and a temperature sensor (90, 91) for measuring the temperature of said liquid It is provided.

本発明によれば、移動可能な温度センサを使って液浸領域を形成する液体の温度や温度分布を直接計測することができる。 According to the present invention, it is possible to measure the temperature and temperature distribution of the liquid forming the liquid immersion area with a temperature sensor movable directly. したがって、計測した液体温度情報に基づいて、パターン像の投影状態の調整等を適切に行うことができ、パターンを基板上に所望の状態で転写できる。 Therefore, based on the measured fluid temperature information, it is possible to appropriately perform the adjustment of the projection state of the pattern image, it can be transferred in a desired state a pattern on a substrate.

本発明の第7の態様に従えば、所定パターンの像を液体を介して基板(P)に投影することによって基板を露光する露光装置であって:前記パターンの像を基板に投影する投影光学系(PL)と;露光中に前記基板を所定方向(X)に移動するための基板ステージと;前記液体の温度を計測するために前記所定方向(X)と垂直な方向(Y)に互いに離れて配置された複数のセンサ素子(81a〜81f、82a〜82f、91)を有する温度センサ(81、82、90)とを備える露光装置(EX)が提供される。 According to a seventh aspect of the present invention, an image of a predetermined pattern An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting onto the substrate (P) through a liquid: projection optics projects the image of the pattern onto the substrate system (PL) and; each other in the predetermined direction (X) and perpendicular to measure the temperature of the liquid (Y); and a substrate stage for moving the substrate in a predetermined direction (X) during the exposure apart arranged plurality of sensor elements (81a~81f, 82a~82f, 91) exposure apparatus and a temperature sensor (81,82,90) having (EX) is provided.

本発明によれば、基板の移動方向と交差する方向における液体の温度分布を複数のセンサ素子を使って直接計測することができる。 According to the present invention, it is possible to measure the temperature distribution of the liquid in the direction intersecting the moving direction of the substrate directly using a plurality of sensor elements. したがって、計測した液体温度情報に基づいて、露光時におけるパターン像の投影状態の調整等を精度良く実行することができる。 Therefore, based on the measured fluid temperature information, the adjustment of the projection state of the pattern image at the time of exposure can be accurately performed.

本発明の第8の態様に従えば、所定パターン(MP)の像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって:前記パターンの像を基板に投影する投影光学系(PL)と;基板と投影光学系との間に前記液浸領域を形成するために、複数の位置(53a〜53f、54a〜54f)からそれぞれ異なる温度の液体(1)を供給可能な液体供給機構(50、51、52)とを備える露光装置(EX)が提供される。 An eighth aspect of the present invention, an image of a predetermined pattern (MP) The exposure apparatus exposes a substrate by projecting a substrate through a liquid: projection optics projects the image of the pattern onto the substrate system and (PL); in order to form the liquid immersion area between the substrate and the projection optical system, a plurality of positions (53a to 53f, 54A~54f) different temperatures of the liquid from (1) capable of delivering an exposure device and a liquid supply mechanism (50,51,52) (EX) is provided.

本発明によれば、液体供給機構が複数の位置からそれぞれ異なる温度の液体を供給することにより、液浸領域の液体の温度分布を調整して一様にすることができる。 According to the present invention, by the liquid supply mechanism supplies the different temperatures of the liquid from a plurality of locations, it can be made uniform by adjusting the temperature distribution of the liquid immersion area. したがって、液体の温度が部分的に変化することに起因するパターン劣化の発生を抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the occurrence of the pattern deterioration temperature of the liquid is due to changes in part.

本発明の第9の態様に従えば、パターン(MP)の像を液体(1)を介して基板(P)に投影することによって基板を露光する露光装置であって:前記パターンの像を基板に投影する投影光学系(PL)と;前記パターンの分布を測定するセンサ(20,60)と:前記センサで測定されたパターンの分布に基づいて、パターンの像の投影状態を調整する制御装置(CONT)とを備える露光装置が提供される。 According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a substrate by projecting onto the substrate (P) through a liquid (1) an image of a pattern (MP): a substrate an image of the pattern projecting the projection optical system and (PL); a sensor for measuring the distribution of the pattern (20, 60): based on the distribution of the pattern measured by the sensor, the control device for adjusting the projection state of the image of the pattern (CONT) and an exposure apparatus equipped with is provided.

本発明の第10の態様に従えば、パターン(MP)の像を液体(1)を介して基板(P)に投影することによって基板を露光する露光装置であって:前記パターンの像を基板に投影する投影光学系(PL)と;前記基板上の液体を回収する液体回収機構(例えば52,52a〜52f)と; 前記液体回収機構により回収された液体の温度を計測する温度センサ(例えば82a〜82f)とを備える露光装置が提供される。 According to a tenth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a substrate by projecting onto the substrate (P) through a liquid (1) an image of a pattern (MP): a substrate an image of the pattern a projection optical system for projecting the (PL) in; liquid recovery mechanism which recovers the liquid on the substrate (for example 52,52A~52f); temperature sensor for measuring the temperature of the liquid recovered by the liquid recovery mechanism (e.g. 82A~82f) an exposure device comprising a are provided.

本発明の第11の態様に従えば、パターンの像を液体を介して前記基板上に投影することにより前記基板を露光する露光方法であって、前記パターン像が投影される基板上の液体の温度分布に応じて露光条件を設定することとと、前記設定された露光条件で基板を露光することを含む露光方法が提供される。 According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting an image of a pattern on the substrate through a liquid, the liquid on the substrate where the pattern image is projected and to setting the exposure conditions in accordance with the temperature distribution, the exposure method comprising exposing a substrate with the set exposure conditions are provided.

本発明の第12の態様に従えば、上記記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。 According to a twelfth aspect of the present invention, a method for producing a device, comprising using the exposure method described above is provided. また、本発明の第13の態様に従えば、上記記載の露光装置(EX)を用いることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。 Further, according to a thirteenth aspect of the present invention, a method for producing a device, comprising using the exposure apparatus of the above described (EX) is provided. 本発明によれば、良好なパターン転写精度で形成されたパターンを有し、所望の性能を発揮できるデバイスを提供できる。 According to the present invention, has been formed with good pattern transfer precision pattern can provide a device which can exhibit desired performance.

本発明によれば、所望の状態でパターン像を基板上に投影することができ、高性能なデバイスが製造できる。 According to the present invention, it is possible to project the pattern image onto the substrate in a desired state, a high-performance device can be manufactured.

以下、本発明の露光装置の実施形態を図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。 Will now be described with reference to the drawings an embodiment of the exposure apparatus of the present invention, the present invention is not limited to these embodiments.

第1実施形態 図1は、本発明の露光装置の第1実施形態を示す概略構成図である。 First Embodiment FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of an exposure apparatus of the present invention. 図1において、露光装置EXは、主に、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTと、制御装置CONTに接続され、マスクMのパターンMPの分布情報を含む露光動作に関する各種情報を記憶した記憶装置MRYとを備えている。 1, the exposure apparatus EX, mainly illumination for illuminating a mask stage MST that supports a mask M, a substrate stage PST which supports a substrate P, the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL an optical system IL, a projection optical system PL which projects an image of a pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL onto exposed on the substrate P that is supported by the substrate stage PST, the control that controls the overall operation of the exposure apparatus EX a device CONT, are connected to the control unit CONT, and a storage device MRY for storing various kinds of information about the exposure operation including distribution information of the pattern MP of the mask M.

本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体1を供給する液体供給機構10と、基板P上の液体1を回収する液体回収機構30とを備えている。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the exposure wavelength to a liquid immersion exposure apparatus that applies the liquid immersion method to substantially widen the depth of focus is improved substantially shortened by resolution, on the substrate P the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1, and a liquid recovery mechanism 30 which recovers the liquid 1 on the substrate P. 本実施形態において、液体1には純水を用いた。 In the present embodiment, pure water is used for the liquid 1. 露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体1により投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の少なくとも一部に液浸領域AR2を形成する。 The exposure apparatus EX, the pattern image of at least the mask M while transferred onto the substrate P, on at least a part of the substrate P including the projection area AR1 of the projection optical system PL by the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 to form the liquid immersion area AR2. 具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの先端部に配置されている光学素子2と基板Pの表面(露光面)との間に液体1を満たし、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体1及び投影光学系PLを介してマスクMのパターン像を基板P上に投影して露光する。 Specifically, the exposure apparatus EX, the liquid 1 filled between the surface of the optical element 2 and the substrate P disposed on the tip portion of the projection optical system PL (exposure surface), the projection optical system PL and the substrate via the liquid 1 and the projection optical system PL between P exposed by projecting the pattern image of the mask M onto the substrate P.

ここで、本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向(所定方向)において互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつ、マスクMに形成されたパターンMPを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。 In the present embodiment, while synchronously moving the mask M and the substrate P as the exposure apparatus EX in the scanning direction different orientations in the (predetermined direction) (reverse), the substrate pattern MP formed on the mask M P when using the scanning type exposure apparatus that exposes (so-called scanning stepper) is described as an example. 以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向、所定方向)をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸方向及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。 In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction, predetermined direction) of the mask M and the substrate P in a horizontal plane in the X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane a Y-axis direction (non-scanning direction), the direction that matches the optical axis AX of the projection optical system PL in the X-axis direction and the Y-axis direction perpendicular to the Z-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわり方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and Z-axis directions, respectively, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction. なお、ここで、「基板」とは、半導体ウエハ上にレジストのような感光性材料を塗布したものを含み、「マスク」とは、基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。 Here, "substrate" includes those obtained by coating a photosensitive material such as resist on a semiconductor wafer, a "mask", a reticle wherein a device pattern is formed that is reduction projected onto the substrate including.

照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域(照射領域)IAをスリット状に設定する可変視野絞り等で構成されている。 The illumination optical system IL is for illuminating the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL, the exposure light source, an optical integrator for uniforming the illuminance of a light flux emitted from the exposure light source, an optical integrator a condenser lens which collects the exposure light EL from the relay lens system, an illumination region (irradiation area) IA on the mask M with the exposure light beam EL is composed of a variable field diaphragm which sets a slit shape. マスクM上の所定の照明領域IAは、照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。 Predetermined illumination area IA on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. 照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。 As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, for example, emission lines in the ultraviolet region emitted from a mercury lamp (g-rays, h-rays, i-rays) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) far ultraviolet light, such as ( DUV light) and, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) is used. 本実施形態では、ArFエキシマレーザ光を用いた。 In the present embodiment, using an ArF excimer laser beam. 上述したように、本実施形態における液体1は純水を用いたので、露光光ELがArFエキシマレーザ光であっても透過可能である。 As described above, the liquid 1 in this embodiment since with pure water, the exposure light EL can be transmitted even ArF excimer laser beam. 純水は紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)をも透過可能である。 Pure water ultraviolet emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light beam) such as is also permeable to.

マスクステージMSTは、マスクMを支持するものであって、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、即ち、XY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。 The mask stage MST is for supporting the mask M, the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, finely rotatable in the two-dimensional movable and θZ directions in the XY plane. マスクステージMSTは、リニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。 The mask stage MST is driven by mask stage driving unit MSTD such as a linear motor. マスクステージ駆動装置MSTDは、制御装置CONTにより制御される。 The mask stage driving unit MSTD is controlled by the control unit CONT. マスクステージMST上には移動鏡50が設けられている。 Moving mirror 50 is provided on the mask stage MST. また、移動鏡50に対向する位置にはレーザ干渉計51が設けられている。 A laser interferometer 51 is provided at a position opposed to the movement mirror 50. マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計51によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the mask M on the mask stage MST, and the angle of rotation are measured in real time by the laser interferometer 51, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTは、レーザ干渉計51の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することで、マスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行う。 Controller CONT, by driving the mask stage drive apparatus MSTD based on the measurement results of the laser interferometer 51, thereby positioning the mask M supported on the mask stage MST.

投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子(レンズ)2を含む複数の光学素子で構成されている。 Projection optical system PL is for projection exposing the substrate P with the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification beta, the plurality of optical elements including an optical element (lens) 2 provided at the tip portion of the substrate P side in is configured. 投影光学系PLを構成するこれら光学素子は、鏡筒PKで支持されている。 These optical elements constituting the projection optical system PL is supported by a barrel PK. また、投影光学系PLには、この投影光学系PLの結像特性(光学特性)を調整可能な結像特性制御装置3が設けられている。 Further, the projection optical system PL, adjustable imaging characteristic control unit 3 is provided the imaging characteristics of the projection optical system PL (optical characteristics). 結像特性制御装置3は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子の一部を移動可能な光学素子駆動機構を含んで構成されている。 Image formation characteristic control unit 3 is configured to include an optical element-driving mechanism which is capable of moving a portion of the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL. 光学素子駆動機構は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうちの特定の光学素子を光軸AX方向(Z方向)に移動したり、光軸AXに対して傾斜させることができる。 Optics drive mechanism, moving the specific optical element of the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL in the optical axis AX direction (Z-direction), it can be tilted relative to the optical axis AX. また、結像特性制御装置3は、光学素子間の空間の圧力を変動させることができる。 Further, image formation characteristic control unit 3, it is possible to change the pressure in the space between the optical elements. 制御装置CONTを用いて結像特性制御装置3を制御することにより、投影光学系PLの投影倍率やディストーション等の各種収差及び像面位置の投影状態を調整することができる。 By controlling the image formation characteristic control unit 3 by using the control unit CONT, it is possible to adjust the projection state of various aberrations and field position of such projection magnification and distortion of the projection optical system PL.

本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。 In this embodiment, the projection optical system PL is a projection magnification β which is, for example, 1/4 or 1/5 of the reduction system. なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system. また、本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は、鏡筒PKに対して着脱(交換)可能に設けられている。 Further, the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL of this embodiment, is provided detachably with respect to the barrel PK (exchange). また、先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、液浸領域AR2の液体1は光学素子2にのみ接触する。 Further, the optical element 2 of the tip portion is exposed from the barrel PK, the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 makes contact only the optical element 2. これにより、金属からなる鏡筒PKの腐蝕等を防止できる。 This can prevent corrosion and the like of the barrel PK formed of metal.

光学素子2は、蛍石で形成されている。 The optical element 2 is formed of fluorite. 蛍石は純水との親和性が高いので、光学素子2の液体接触面2aの略全面に液体1を密着させることができる。 Fluorite Due to the high affinity with pure water, it can be brought into close contact with the liquid 1 on substantially the entire surface of the liquid contact surface 2a of the optical element 2. すなわち、本実施形態においては、光学素子2の液体接触面2aとの親和性が高い液体(純水)1を供給している。 That is, in the present embodiment, affinity for the liquid contact surface 2a of the optical element 2 is supplying the high liquid (pure water) 1. なお、光学素子2として、水との親和性が高い石英を用いてもよい。 Incidentally, as the optical element 2, affinity for water may be used with high quartz. また、光学素子2の液体接触面2aに親水化(親液化)処理を施して、液体1との親和性をより高めるようにしてもよい。 Also, hydrophilization liquid contact surface 2a of the optical element 2 is subjected to (lyophilic) treatment, it may be further enhance the affinity for the liquid 1.

また、露光装置EXは、フォーカス検出系4を有している。 The exposure apparatus EX includes a focus-detecting system 4. フォーカス検出系4は、発光部4aと受光部4bとを有しており、発光部4aから液体1を介して基板P表面(露光面)に斜め上方から検出光を投射し、その反射光を受光部4bで受光する。 Focus-detecting system 4 has a light emitting portion 4a and the light receiving portion 4b, via the liquid 1 by projecting a detection light obliquely from above on the surface of the substrate P (exposure surface) of the light emitting portion 4a, the reflected light It is received by the light receiving part 4b. 制御装置CONTは、フォーカス検出系4の動作を制御するとともに、受光部4bで受光(検出)した結果に基づいて、所定基準面に対する基板P表面のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出する。 The control unit CONT controls the operation of the focus-detecting system 4, based on the light reception (detection) result in the light receiving section 4b, for detecting the position in the Z-axis direction of the substrate P surface with respect to a predetermined reference plane (focus position) . また、基板P表面における複数の各点での各フォーカス位置を求めることにより、フォーカス検出系4は基板Pの傾斜方向の姿勢を求めることもできる。 Moreover, by determining the respective focus positions at a plurality of points on the surface of the substrate P, the focus-detecting system 4 can also determine the direction of inclination of the posture of the substrate P.

基板ステージPSTは、基板Pを支持するものであって、基板Pを基板ホルダを介して保持するZステージ52と、Zステージ52を支持するXYステージ53と、XYステージ53を支持するベース54とを備えている。 The substrate stage PST is for supporting the substrate P, a Z stage 52 which holds the substrate P via a substrate holder, an XY stage 53 which supports the Z stage 52, a base 54 which supports the XY stage 53 It is equipped with a. 基板ステージPSTは、リニアモータ等の基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。 The substrate stage PST is driven by a substrate stage-driving unit PSTD such as a linear motor. 基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。 The substrate stage-driving unit PSTD is controlled by the control unit CONT. なお、ZステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。 It goes without saying that the Z stage and the XY stage may be integrally provided. 基板ステージPSTのXYステージ53を駆動することにより、基板PのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)の制御が行なわれる。 By driving the XY stage 53 of the substrate stages PST, control of the position in the XY direction of the substrate P (substantially parallel to the image plane position of the projection optical system PL) is performed.

基板ステージPST(Zステージ52)上には、基板ステージPSTとともに投影光学系PLに対して移動する移動鏡55が設けられている。 On the substrate stage PST (Z stage 52), movable mirror 55 is provided to move relative to the projection optical system PL together with the substrate stage PST. また、移動鏡55に対向する位置にはレーザ干渉計56が設けられている。 A laser interferometer 56 is provided at a position opposed to the movement mirror 55. 基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置及び回転角はレーザ干渉計56によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Position and rotation angle of the two-dimensional direction of the substrate P on the substrate stage PST are measured in real time by the laser interferometer 56, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTは、レーザ干渉計56の計測結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを介してXYステージ53を駆動することで、基板ステージPSTに支持されている基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。 The control unit CONT based on the laser interferometer 56 of the measurement result, by driving the XY stage 53 via the substrate stage drive apparatus PSTD, X-axis direction and the Y-axis of the substrate P supported by the substrate stage PST for positioning in the direction.

また、制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTのZステージ52を駆動することにより、Zステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置の制御を行う。 Further, the control unit CONT, by driving the Z stage 52 of the substrate stage PST via the substrate stage drive apparatus PSTD, position in the Z-axis direction of the substrate P held by the Z stage 52 (focus position), and .theta.X, and controls the position in the θY direction. 即ち、Zステージ52は、フォーカス検出系4の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角を制御することによって、基板Pの表面(露光面)と投影光学系PL及び液体1を介して形成される像面とを一致させる。 That, Z stage 52 is operated on the basis of the instruction from the control unit CONT based on the detection result of the focus-detecting system 4, by controlling the focus position (Z position) and inclination angle of the substrate P, the surface of the substrate P to match the image plane formed through the (exposure surface) and the projection optical system PL and the liquid 1.

基板ステージPST(Zステージ52)上には、基板Pを囲むように、表面が平坦な補助プレート57が設けられている。 On the substrate stage PST (Z stage 52), so as to surround the substrate P, the surface is provided with a flat auxiliary plate 57. 補助プレート57は、その表面が基板ホルダに保持された基板Pの表面と略同じ高さとなるように設置されている。 Auxiliary plate 57 is disposed so as to be substantially flush with the the surface of the substrate P held by the substrate holder surface thereof. ここで、基板Pのエッジと補助プレート57との間には1〜2mm程度の隙間があるが、液体1の表面張力によりその隙間に液体1が流れ込むことは殆どなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、補助プレート57により投影光学系PLの下に液体1を保持することができる。 Here, between the auxiliary plate 57 and the edge of the substrate P there is a gap of about 1 to 2 mm, it is hardly liquid 1 flows into the gap owing to the surface tension of the liquid 1, the vicinity of the periphery of the substrate P when exposure also can hold the liquid 1 below the projection optical system PL by the auxiliary plate 57.

液体供給機構10は、基板P上に所定の液体1を供給するものであって、主に、液体1を送出(流出)可能な第1液体供給部11及び第2液体供給部12と、第1液体供給部11に供給管11Aを介して接続されるとともに第1液体供給部11から送出(流出)された液体1を基板P上に供給する供給口を有する第1供給部材13と、第2液体供給部12に供給管12Aを介して接続されるとともに第2液体供給部12から送出(流出)された液体1を基板P上に供給する供給口を有する第2供給部材14とを備えている。 Liquid supply mechanism 10 is for supplying a predetermined liquid 1 onto the substrate P, mainly, sending the liquid 1 (outflow) can first liquid supply unit 11 and the second liquid supply section 12, the delivery is connected via a supply pipe 11A to the first liquid supply portion 11 from the first liquid supply section 11 (outflow) liquid 1 and the first supply member 13 having a supply port for supplying onto the substrate P, the provided is connected via a supply pipe 12A to the second liquid supply section 12 sent from the second liquid supply section 12 (outflow) liquid 1 and the second supply member 14 having a supply port for supplying onto the substrate P ing. 第1及び第2供給部材13、14は基板Pの表面に近接して配置されており、基板Pの面方向において互いに異なる位置に設けられている。 First and second supply members 13, 14 are arranged close to the surface of the substrate P, it is provided at different positions in the surface direction of the substrate P. 具体的には、液体供給機構10の第1供給部材13は、投影領域AR1に対して走査方向の一方の側(−X側)に設けられ、第2供給部材14は、第1供給部材13に対向するように、走査方向の他方の側(+X側)に設けられている。 Specifically, the first supply member 13 of the liquid supply mechanism 10 is provided on one side of the scanning direction (-X side) with respect to the projection area AR1, a second supply member 14, the first supply member 13 as opposed to, it is provided on the other side in the scanning direction (+ X side).

第1及び第2液体供給部11、12は、それぞれ液体1を収容するタンク及び加圧ポンプ等を備えており、供給管11A、12A及び供給部材13、14を介してそれぞれ基板P上に液体1を供給する。 First and second liquid supply sections 11, 12 includes a respective tank and a pressurizing pump for accommodating the liquid 1, the liquid supply pipe 11A, 12A and, respectively via supply members 13, 14 on the substrate P 1 supplies a. また、第1及び第2液体供給部11、12の液体供給動作は、制御装置CONTにより制御される。 The liquid supply operation of the first and second liquid supply sections 11, 12 is controlled by the control unit CONT. 制御装置CONTは、第1及び第2液体供給部11、12から基板P上に供給する単位時間当たりの液体供給量を、それぞれ独立して制御可能である。 The control unit CONT, the liquid supply amount per unit time to be supplied onto the substrate P from the first and second liquid supply sections 11, 12 can be controlled independently. また、第1及び第2液体供給部11、12は、それぞれ液体の温度調整機構を備えており、装置が収容されるチャンバ内の温度と略同じ23℃に調整された液体1を基板P上に安定供給することができる。 The first and second liquid supply units 11 and 12, respectively provided with a temperature adjusting mechanism for the liquid, the liquid 1 that substantially adjusted to the same 23 ° C. and the temperature in the chamber which the device is housed on the substrate P it can be stably supplied to.

液体回収機構30は基板P上の液体1を回収するものであって、基板Pの表面に近接して配置された回収口を有する第1、第2回収部材31、32と、この第1及び第2回収部材31、32に回収管33A、34Aを介してそれぞれ接続された第1及び第2液体回収部33、34とを備えている。 Liquid recovery mechanism 30 has been made to recover the liquid 1 on the substrate P, a first, second recovery members 31, 32 having a recovery port disposed proximate to the surface of the substrate P, the first and and a first and second liquid recovery parts 33 and 34 respectively connected via a recovery tube 33A, 34A to the second recovery members 31, 32. 第1及び第2液体回収部33、34は、例えば、真空ポンプ等の吸引装置及び回収した液体1を収容するタンク等を備えており、基板P上の液体1を第1及び第2回収部材31、32、並びに回収管33A、34Aを介して回収する。 First and second liquid recovery unit 33 and 34, for example, a tank for accommodating the suction device and recovered liquid 1 such as a vacuum pump, the first and second recovery members of the liquid 1 on the substrate P 31 and 32, as well as the recovery pipe 33A, is recovered via 34A. 第1及び第2液体回収部33、34の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid recovery operation of the first and second liquid recovery section 33 is controlled by the control unit CONT. 制御装置CONTは、第1及び第2液体回収部33、34による単位時間当たりの液体回収量を、それぞれ独立して制御可能である。 The control unit CONT, the liquid recovery amount per unit time by the first and second liquid recovery unit 33 can be controlled independently.

図2は、液体供給機構10及び液体回収機構30の概略構成を示す平面図である。 Figure 2 is a plan view showing a schematic configuration of the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 30. 図2に示すように、投影光学系(PL)の投影領域AR1は、Y軸方向(非走査方向)を長手方向とするスリット状(矩形状)に設定されている。 As shown in FIG. 2, the projection area AR1 of the projection optical system (PL) is set to the Y-axis direction (non-scanning direction) of the slit-shaped to the longitudinal direction (rectangular shape). また、液体1が満たされた液浸領域AR2は、投影領域AR1を含むように基板(P)上の一部に形成される。 Further, the liquid immersion area AR2 of the liquid 1 is satisfied, is formed on a part of the substrate (P) so as to include the projection area AR1. 上述したように、液浸領域AR2を形成するために用いられる液体供給機構10の第1供給部材13は投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、第2供給部材14はその反対側の走査方向他方側(+X側)に設けられている。 As described above, the first supply member 13 of the liquid supply mechanism 10 used to form the liquid immersion area AR2 is arranged in the scanning direction one side with respect to the projection area AR1 (-X side), the second supply member 14 is provided on the opposite side of the scanning direction other side (+ X side). 第1及び第2供給部材13、14は、それぞれY軸方向を長手方向とする平面視直線状に形成されている。 First and second supply members 13, 14 are formed in plan view straight to the Y-axis direction is the longitudinal direction, respectively. また、第1及び第2供給部材13、14の供給口は、それぞれY軸方向を長手方向とするスリット状に形成されており、基板Pの表面を向くように設けられている。 The supply port of the first and second supply members 13, 14 is formed a Y-axis direction in a slit shape whose longitudinal direction, respectively, are provided so as to face the surface of the substrate P. 液体供給機構10は、第1及び第2供給部材13、14の供給口より、投影領域AR1のX方向両側から液体1を同時に供給する。 Liquid supply mechanism 10 supplies the supply port of the first and second supply members 13, 14, the liquid 1 in the X direction on both sides of the projection area AR1 simultaneously. このように、本実施形態における液体供給機構10では、投影領域AR1に対して異なる複数の方向・位置から基板(P)上に液体1を供給することができる。 Thus, the liquid supply mechanism 10 in the present embodiment, the liquid 1 may be supplied from different directions and position on the substrate (P) with respect to the projection area AR1.

液体回収機構30の第1及び第2回収部材31、32は、それぞれ基板Pの表面に向くように円弧状に且つ連続的に形成された回収口を有している。 First and second recovery members 31, 32 of the liquid recovery mechanism 30 includes a and continuously formed recovery port arcuately to face the surface of the substrate P respectively. そして、互いに向き合うように配置された第1及び第2回収部材31、32により略円環状の回収口が構成される。 Then, substantially annular recovery port is formed by the first and second recovery members 31, 32 arranged to face each other. 第1及び第2回収部材31、32のそれぞれの回収口は、液体供給機構10の第1及び第2供給部材13、14、並びに投影領域AR1を取り囲むように配置されている。 Each recovery ports of the first and second recovery members 31, 32 first and second supply members 13, 14 of the liquid supply mechanism 10, and is arranged to surround the projection area AR1. また、第1及び第2回収部材31、32のそれぞれの回収口内部には、複数の仕切部材35が設けられている。 Inside each of the recovery ports of the first and second recovery members 31, 32, a plurality of partition members 35 are provided.

第1及び第2供給部材13、14の供給口から基板(P)上に供給された液体1は、投影光学系(PL)の先端部(光学素子2)の下端面と基板(P)との間に濡れ拡がるように供給される。 The first and the liquid 1 supplied onto the substrate (P) from the supply port of the second supply member 13, 14 includes a distal end portion of the projection optical system (PL) the lower end surface (optical element 2) and the substrate (P) It supplied to wets and spreads between. また、投影領域AR1及び第1及び第2供給部材13、14の外側に流出した液体1は、第1及び第2供給部材13、14の外側に配置されている第1及び第2回収部材31、32の回収口より回収される。 The projection area AR1 and the liquid 1, which outflows to the outside of the first and second supply members 13, 14, first and second recovery members 31 disposed on the outer side of the first and second supply members 13, 14 It is recovered from the 32 collection port of.

図3は、基板ステージPSTの平面図である。 Figure 3 is a plan view of the substrate stage PST. 基板ステージPST(Zステージ52)の上面の所定位置には光電センサである光センサ20が配置されている。 The predetermined position of the upper surface of the substrate stage PST (Z stage 52) the optical sensor 20 is arranged a photoelectric sensor. 図3に示す例では、光センサ20はZステージ52上の、基板Pを保持する基板ホルダ以外の位置に設けられている。 In the example shown in FIG. 3, the optical sensor 20 is provided at a position other than the substrate holder for holding on the Z stage 52, the substrate P. 光センサ20は照射される光情報を検出するものであり、具体的には照射される光の光量(照度)を検出する。 Light sensor 20 is for detecting the optical information to be irradiated, in particular for detecting the amount (illuminance) of the incident light. 光センサ20の検出信号は制御装置CONTに出力される。 Detection signals of the optical sensor 20 is outputted to the control unit CONT. 制御装置CONTは、光センサ20の検出結果に基づいて、照射された光の照度及び照度分布を求める。 The control unit CONT based on the detection result of the optical sensor 20 determines the illuminance and the illuminance distribution of the irradiated light. また、この光センサ20を基板ステージPSTを移動させて投影光学系PLの下方に配置することにより、投影光学系PLを通過した露光光ELの照度分布を検出することができる。 Further, by disposing the optical sensor 20 below the projection optical system PL by moving the substrate stages PST, it is possible to detect the illuminance distribution of the exposure light EL that has passed through the projection optical system PL.

光センサ20の受光面(検出領域)の大きさは、投影領域AR1と等しいか、それよりも大きく設定されている。 Size of the light receiving surface of the light sensor 20 (detection region) is either equal to the projected area AR1, it is set larger than that. これにより、光センサ20は、マスクMを通り且つ投影光学系PLを通過する全ての露光光ELを受光可能である。 Thus, the optical sensor 20 can receive all of the exposure light EL passing through the street and the projection optical system PL and the mask M. この光センサ20は、その受光面のZ軸方向における位置が、投影光学系PLの像面(結像面)のZ軸方向における位置と一致するように設けられている。 The optical sensor 20 is positioned in the Z-axis direction of the light-receiving surface is provided so as to match the position in the Z-axis direction of the image plane of the projection optical system PL (image plane). また、光センサ20には、非走査方向(Y軸方向)に複数の受光面が配置されている。 Further, the optical sensor 20 has a plurality of light receiving surfaces are arranged in the non-scanning direction (Y axis direction). これらの複数の受光面は各々独立に照度計測が可能であるので、これらの複数の受光面で計測された照度の出力値がそのまま露光光ELの非走査方向の照度分布を表すことになる。 Since these plurality of light receiving surfaces are each capable of illuminance measured independently, the output value of the illuminance measured by the plurality of light-receiving surface as it represents the illuminance distribution in the non-scanning direction of the exposure light EL.

基板ステージPSTを移動して、光センサ20と投影光学系PLの投影領域AR1とを位置合わせするとともに、図1に示すように、マスクMをマスクステージMSTに載置し、このマスクMを露光光ELにより所定の照明領域IAで照明することにより、光センサ20にマスクM及び投影光学系PLを通過した露光光ELが照射される。 By moving the substrate stages PST, while aligning the optical sensor 20 and the projection area AR1 of the projection optical system PL, as shown in FIG. 1, placing a mask M on the mask stage MST, exposing the mask M by illuminating a predetermined illumination area IA by light EL, the exposure light EL to the light sensor 20 passes through the mask M and the projection optical system PL is irradiated. マスクMは遮光部であるクロムパターンMPを有しているので、光センサ20にはマスクMのパターンMPに応じた照度分布で露光光ELが照射される。 Since the mask M has a chromium pattern MP is shielding portion, the light sensor 20 is the exposure light EL is irradiated with illumination distribution corresponding to the pattern MP of the mask M.

光センサ20は、上述したように、照射される露光光ELのY軸方向における照度分布を検出する。 Light sensor 20, as described above, detects the illuminance distribution in the Y-axis direction of the exposure light EL radiated. 制御装置CONTは、光センサ20の検出結果に基づいて、照明領域IA内でのY軸方向におけるマスクMのパターン分布情報を求める。 The control unit CONT based on the detection result of the optical sensor 20, obtains the pattern distribution information of the mask M in the Y-axis direction in the illumination area IA.

次に、上述した露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について、図4のフローチャート図を参照しながら説明する。 Next, a method for exposing a pattern image of the mask M onto the substrate P by using the exposure apparatus EX described above will be described with reference to the flow chart of FIG. ここで、本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光する。 Here, the exposure apparatus EX of the present embodiment, the pattern image of the mask M to the projection exposure onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X axis direction (scanning direction). 走査露光時には、投影光学系PLの先端部直下のスリット状(矩形状)の投影領域AR1に、照明領域IAに応じたマスクMの一部のパターン像が投影される。 During scanning exposure, the projection area AR1 of the projection optical system PL of the distal end portion directly below the slit-shaped (rectangular shape), a portion of the pattern image of the mask M corresponding to the illumination area IA is projected. このとき、投影光学系PLに対して、マスクMが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、基板PがXYステージ53を介して+X方向(又は−X方向)に、速度β・V(βは投影倍率)で移動する。 At this time, with respect to the projection optical system PL, in synchronization with the mask M is moved at the velocity V in the -X direction (or + X direction), the substrate P via the XY stage 53 in the + X direction (or -X direction a), velocity β · V (β is moved by the projection magnification). 基板P上には複数のショット領域(SA)が設定されており、1つのショット領域(SA)への露光終了後に基板Pがステッピング移動し、基板上の次のショット領域(SA)が走査開始位置に移動する。 On the substrate P has a plurality of shot areas (SA) is set, the substrate P is stepping moved after exposure is completed for one shot area (SA), the next shot area (SA) is the scanning start on the substrate It moved to the position. 以下、ステップ・アンド・スキャン方式によって基板Pを移動しながら各ショット領域SAに対する走査露光処理が順次行われる。 Hereinafter, the scanning exposure process for the shot area SA is sequentially performed while moving the substrate P in the step-and-scan method.

デバイス製造のための液浸露光処理に先立って、マスクステージMSTにマスクMを載置しない状態で、以下のようにして露光光ELの照度分布を計測する。 Prior to immersion exposure for device fabrication, with no placing a mask M on the mask stage MST, as follows to measure the illuminance distribution of the exposure light EL. 制御装置CONTは、照明光学系ILより露光光ELを射出し、投影光学系PLを通過した露光光ELを基板ステージPST上の光センサ20で受光するように照明光学系IL及び基板ステージPSTを制御する。 Controller CONT emits the exposure light EL from the illumination optical system IL, the illumination optical system IL and the substrate stage PST to receive the exposure light EL that has passed through the projection optical system PL by the light sensor 20 on the substrate stage PST Control. こうして、基板ステージPST上(投影光学系PLの像面側)における露光光ELの照度分布を計測する。 Thus, to measure the illuminance distribution of the exposure light EL on the substrate stage PST (the image plane side of the projection optical system PL). これにより、マスクMを介さない投影光学系PLの像面側での露光光ELの照度(基準照度)が求められる。 Accordingly, the exposure light EL on the image plane side of the projection optical system PL without passing through the mask M illuminance (reference illuminance) is calculated. 計測した基準照度は記憶装置MRYに記憶される。 Reference illumination measured is stored in the storage apparatus MRY.

次いで、マスクMをマスクステージMSTにロードする。 Then, to load the mask M on the mask stage MST. 制御装置CONTは、マスクステージMSTにマスクMを載置した状態で、マスクM及び投影光学系PLを通過した投影光学系PLの像面側での露光光ELの照度分布を、光センサ20を用いて求める。 The control unit CONT, while placing a mask M on the mask stage MST, the illuminance distribution of the exposure light EL on the image plane side of the projection optical system PL which has passed through the mask M and the projection optical system PL, the optical sensor 20 determined using. 図5は、マスクM及び投影光学系PLを介した露光光ELの照度分布を光センサ20で計測している状態を示す模式図である。 Figure 5 is a schematic diagram showing a state of measuring the illuminance distribution of the exposure light EL through the mask M and the projection optical system PL by the light sensor 20. 制御装置CONTは、図5に示すように、基板ステージPSTを移動して、光センサ20と投影光学系PLの投影領域AR1との位置合わせを行う。 The control unit CONT, as shown in FIG. 5, by moving the substrate stages PST, to align the optical sensor 20 and the projection area AR1 of the projection optical system PL. この状態で、照明光学系ILより露光光ELを射出することにより、光センサ20にはマスクM及び投影光学系PLを通過した露光光ELが照射される。 In this state, by injecting the exposure light EL from the illumination optical system IL, for example, the exposure light EL passing through the mask M and the projection optical system PL in the optical sensor 20 is irradiated. なお、図5においては、マスクM上のパターンエリアPAにおいて、+Y側の略半分のエリアでクロムパターン(遮光部)MPの密度が高くなっており、パターンエリアPA内のX方向のいずれの位置においてもこのような密度分布となっている。 In FIG. 5, in the pattern area PA on the mask M, + chromium pattern density of the (light-shielding portion) MP stands for half area of ​​Y side it becomes high with any of the X direction in the pattern area PA position It has such a density distribution even. このとき、マスクM上での露光光ELの照明領域(照射領域)IAは、マスクM上のパターンエリアPA内でY軸方向に延びたスリット状に設定されており、そのY軸方向の両端部は遮光帯SB上に位置する。 In this case, the illumination area (irradiation area) IA of the exposure light EL on the mask M is set in a slit shape extending in the Y-axis direction in the pattern area PA on the mask M, both ends of the Y-axis direction parts are located on the light-shielding band SB. マスクM上の照明領域IA内に含まれる部分パターンは、投影光学系PLの投影領域AR1に投影される。 Partial patterns included in the illumination area IA on the mask M is projected onto the projection area AR1 of the projection optical system PL. 光センサ20は、照明領域IA内におけるパターン分布に応じた露光光ELを受光する。 Light sensor 20 receives the exposure light EL in accordance with the pattern distribution in the illumination area IA. 制御装置CONTは、光センサ20の検出結果に基づいて、Y軸方向における照度分布、即ち、液浸露光時における液浸領域AR2を形成する液体1に入射する露光光ELのY軸方向における入射エネルギー分布を求める。 The control unit CONT based on the detection result of the optical sensor 20, the illuminance distribution in the Y-axis direction, i.e., the incident in the Y-axis direction of the exposure light EL that is incident on the liquid 1 for forming the liquid immersion region AR2 during liquid immersion exposure determine the energy distribution.

更に、制御装置CONTは、照明光学系IL及び基板ステージPSTを制御してマスクM上の照明領域IAに露光光ELを照射しながら、露光光ELに対してマスクMを支持するマスクステージMSTをX軸方向に移動する。 Furthermore, the control unit CONT, while exposure light EL onto the illumination area IA on the mask M by controlling the illumination optical system IL and the substrate stages PST, the mask stage MST which supports a mask M relative to the exposure light EL It moves in the X-axis direction. これにより、マスクMのパターンエリアPAの全面に順次露光光ELが照射される。 Thus, sequential exposure light EL is irradiated onto the entire surface of the pattern area PA of the mask M. このとき、光センサ20(基板ステージPST)は移動しない。 In this case, the optical sensor 20 (substrate stage PST) is not moved. マスクM(マスクステージMST)の位置は、レーザ干渉計51により計測される。 Position of the mask M (mask stage MST) is measured by the laser interferometer 51. 制御装置CONTは、レーザ干渉計51によって計測された、マスクMのX軸方向における位置の計測結果と、そのときのマスクMの照明領域IAを通過した露光光ELの光センサ20による検出結果に基づいて、マスクMの走査方向(X軸方向)の各位置における露光光ELの照度分布を求めることにより、投影光学系PLを通過した露光光ELの照度分布情報を求める(ステップS1)。 The control unit CONT, measured by the laser interferometer 51, and the measurement results of the position in the X-axis direction of the mask M, the detection result of the optical sensor 20 of the exposure light EL having passed through the illumination area IA of the mask M at that time based on, by obtaining the illuminance distribution of the exposure light EL at the respective positions in the scanning direction of the mask M (X axis direction), it obtains the illuminance distribution information of the exposure light EL that has passed through the projection optical system PL (step S1).

次いで、制御装置CONTは、マスクMを介さずに検出した露光光ELの照度情報(基準照度)と、マスクMを介して検出した露光光ELの照度情報に基づいて、マスクMのパターン分布(パターンの密度分布)を求める(ステップS2)。 Then, the control unit CONT, the illuminance information of the exposure light EL detected without passing through the mask M (reference illumination), on the basis of the illuminance information of the exposure light EL detected via the mask M, the pattern distribution of the mask M ( obtaining a density distribution) of the pattern (step S2). マスクM及び投影光学系PLを通過した露光光ELの照度分布とマスクMのパターン分布とは対応している。 And it corresponds to the illuminance distribution and the pattern distribution of the mask M in the exposure light EL passing through the mask M and the projection optical system PL. 従って、制御装置CONTは、マスクMを介して検出した露光光ELの照度分布から上記基準照度の照度分布に相当する分を差し引くことにより、マスクMのパターン分布を求めることができる。 Accordingly, the control unit CONT, by subtracting the amount corresponding to the illuminance distribution of the reference illuminance from the illuminance distribution of the exposure light EL detected via the mask M, it is possible to determine the pattern distribution of the mask M. 求めたマスクMのパターン分布情報は、記憶装置MRYに記憶される。 Pattern information of the mask M calculated is stored in the storage apparatus MRY.

次いで、制御装置CONTは、デバイス製造のための液浸露光時に設定されるべき露光量(基板P上での照度)、上記求めたマスクMのパターン分布情報、及び、液浸露光条件に基づいて、液浸露光時における液浸領域AR2の液体1の温度変化情報を推定(算出)する。 Then, the control unit CONT, the exposure amount to be set at the immersion exposure for device fabrication (illuminance on the substrate P), the pattern distribution information of the mask M calculated, and, based on the liquid immersion exposure condition estimates the temperature change information of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 during liquid immersion exposure (calculated). 具体的には、制御装置CONTは、液浸領域AR2における液体温度分布の変化を求める(ステップS3)。 More specifically, the control unit CONT determines the change of the liquid temperature distribution in the liquid immersion area AR2 (Step S3). ここで、液浸露光条件(パラメータ)は、基板Pの移動速度、比熱等の液体1の材料特性、及び、液体供給機構10からの単位時間当たりの液体供給量(流速)を含む。 Here, immersion exposure condition (parameter) includes the movement velocity of the substrate P, the material properties of the liquid 1 of the specific heat, and the liquid supply amount per unit time from the liquid supply mechanism 10 (flow rate). また、上記パラメータに応じたマスクMのパターン分布と液体温度変化量(分布)との関係は予め記憶装置MRYに記憶されており、制御装置CONTはこの記憶されている関係に基づいて、液体温度分布を推定(算出)する。 Also, the relationship between the pattern distribution and the liquid temperature change amount of the mask M corresponding to the parameters (distribution) is stored in advance in the storage device MRY, the control unit CONT based on the relationship that is the storage, the liquid temperature distribution is estimated (calculated). なお、前記関係は、例えば、予め実験やシミュレーションにより求めることができる。 Incidentally, the relationship, for example, can be determined by experiment or simulation. 以下の説明では、液体温度変化量及び液体温度分布を含めて「液体温度分布情報」と適宜称する。 In the following description, including the liquid temperature change amount and the liquid temperature distribution is appropriately referred to as "liquid temperature distribution information".

なお、上記パラメータとして、液体回収機構30の単位時間あたりの液体回収量を追加してもよい。 As the parameters, it may be added to the liquid recovery amount per unit time of the liquid recovery mechanism 30.

次いで、制御装置CONTは、前記求めた液体温度分布情報に基づいて、投影光学系PLと液体1とを介した像面位置変化を含む像特性変化量及び変化分布を求める(ステップS4)。 Then, the control unit CONT based on the liquid temperature distribution information calculated to obtain the image characteristic variation and change distribution including image plane position change via the liquid 1 projection optical system PL (Step S4). なお、以下の説明では、像特性変化量及び変化分布を含めて「像特性変化情報」と適宜称する。 In the following description, including the image characteristic variation and change distribution is appropriately referred to as "image characteristic change information".

ここで、図6及び図7を参照しながら、マスクM上のパターンMPの分布に応じて投影光学系PLと基板Pとの間の液体1が温度変化することについて説明する。 Here, referring to FIGS. 6 and 7, the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P will be explained by changes in temperature according to the distribution of the pattern MP on the mask M. 図6はマスクMのパターンMPを投影光学系PL及び液浸領域AR2の液体1を介して液浸露光している状態を示す模式図、図7は液体の温度分布を示す模式図である。 Figure 6 is a schematic view showing a state in which the pattern MP of the mask M via the liquid 1 of the projection optical system PL and the liquid immersion area AR2 is immersion exposure, FIG. 7 is a schematic diagram showing the temperature distribution of the liquid. なお、図6では、説明の都合上、液体1の図示が省略されている。 In FIG. 6, for convenience of explanation, illustration of the liquid 1 is omitted. 図6に示すように、マスクM上のパターンエリアPAの略半分がクロムパターンMPの密度が高い領域になっている場合、高密度領域の方が光の透過率が低いので、基板P上の投影領域AR1の一方の半分に比べて他方の半分に、一層多くの露光光ELが入射する。 As shown in FIG. 6, if the substantially half of the pattern area PA on the mask M is the density of the chromium pattern MP is in a high region, the direction of the high-density region has a lower transmittance of light, on the substrate P the other half in comparison with one half of the projection area AR1, even many of the exposure light EL is incident. これにより、マスクMのパターン分布に応じて、投影光学系PLと基板Pとの間の液体1に入射する露光光ELの光量分布(照度分布)が生じるとともに、図7に示すように、液体1に点線で示すようなY軸方向の温度傾斜(温度分布の変化)が生じる。 Thus, according to the pattern distribution of the mask M, with the light amount distribution of the exposure light EL that is incident on the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P (illuminance distribution) occurs, as shown in FIG. 7, the liquid 1 to a temperature gradient in the Y-axis direction as shown by the dotted line (the change of the temperature distribution) occurs. 液体1の温度変化は、液体1の屈折率変化を生じさせるため、図7に示す場合には、液体1の温度変化に応じて主にX軸まわりに傾斜したような像面変化が生じる。 Temperature change of the liquid 1, to produce a refractive index change of the liquid 1, in the case shown in FIG. 7, mainly the image surface changes as inclined about the X-axis in accordance with a change in temperature of the liquid 1 occurs. すなわち、液体の屈折率は液体の温度に依存して変化するので、光が液体に進入しそして通過するときの屈折角もまた温度依存性を示し、その結果、像がゆがむことになる(像はY方向に部分的に縮小または拡大する)。 That is, since the refractive index of the liquid varies depending on the temperature of the liquid, the light enters the liquid and the refractive angle is also temperature dependent as it passes through, with the result that the image is distorted (the image partially reduced or enlarged in the Y direction).

そこで、制御装置CONTは、マスクM上のパターンの分布、ひいては投影光学系PLと基板Pとの間の液体1に入射する露光光ELの分布に基づいて液体1の温度分布情報を求め、この求めた温度分布情報に基づいて、像特性変化(像面の位置変化等)を予測する。 Therefore, the control unit CONT, the distribution of the pattern on the mask M, determine the temperature distribution information of the liquid 1 on the basis of the distribution of the exposure light EL that is incident on the liquid 1 between the turn projection optical system PL and the substrate P, the based on the temperature distribution information calculated to predict the image characteristic change (position change of the image plane).

制御装置CONTは、求めた像特性変化情報に基づいて、この像特性を補正する補正量(補正情報)を求める(ステップS5)。 The control unit CONT based on the image characteristic change information calculated, obtaining a correction amount for correcting the image characteristic (correction information) (step S5). ここで、図8を参照しながら、補正量を求める手順の一例について説明する。 Here, referring to FIG. 8, illustrating an example of a procedure for determining the correction amount. なお、以下では説明を簡単にするために、液体1の温度分布の変化により投影光学系PLと液体1とを介して形成される像面位置が変化する場合について説明する。 In the following in order to simplify the explanation, the case where the image plane position formed through the projection optical system PL and the liquid 1 by the change in temperature distribution of the liquid 1 is changed. 投影光学系PLの投影領域AR1のY軸方向における照度分布が、例えば図8(a)に示すように、露光量(照度)が+Y方向のある位置までは一定であり、その後所定の値まで増大した後、さらにその所定の値で一定である場合、投影光学系PLと液体1とを介して形成される像面もまた同様に、温度分布に応じて図8(b)に示す状態となる。 Illuminance distribution in the Y-axis direction of the projection area AR1 of the projection optical system PL is, for example, as shown in FIG. 8 (a), until the position exposure (illumination) is with a + Y direction is constant, until further predetermined value after increased, if more constant at the predetermined value, the image surface is also similarly formed via the liquid 1 projection optical system PL, and the state shown in FIG. 8 (b) depending on the temperature distribution Become. そこで、制御装置CONTは、求めた像特性変化成分(像面位置変化成分)を、図8(c)に示すように、オフセット成分である0次成分、傾斜成分である1次成分、及び、高次成分の複数の成分に分けるとともに、上記各成分についての補正量をそれぞれ求める。 Therefore, the control unit CONT, the determined image characteristic change component (image plane position change component), as shown in FIG. 8 (c), 0-order component is an offset component, the primary component is an inclined component and, together into a plurality of components of high-order components, obtaining a correction amount for each component, respectively. 補正量は、以下のように露光装置の制御を行うことによって補正することができる。 Correction amount can be corrected by controlling the exposure apparatus as follows. 例えば、像面変化の0次成分及び1次成分については、基板ステージPSTの駆動(姿勢)を補正することで、投影光学系PL及び液体1を介して形成される像面と基板Pの表面との位置関係を補正し、高次成分については、投影光学系PLの結像特性制御装置3を駆動することで補正する。 For example, for the 0-order component and the first-order component of the image plane changes, by correcting the driving (posture) of the substrate stages PST, the image plane and the surface of the substrate P that is formed through the projection optical system PL and the liquid 1 correcting the positional relationship between, for high-order component is corrected by driving the image formation characteristic control unit 3 of the projection optical system PL. 本実施形態では、投影領域AR1はY軸方向に延びるスリット状であるため、走査露光中における基板ステージPSTの位置調整は、主にZ軸方向に関する位置調整(フォーカス調整)、及び、θX方向におけるチルト調整(ローリング調整)を行えばよい。 In the present embodiment, since the projection area AR1 is a slit shape extending in the Y-axis direction, positional adjustment of the substrate stage PST during the scanning exposure, mainly the position adjustment in the Z axis direction (focus adjustment), and, in the θX direction it may be carried out a tilt adjustment (rolling adjustment). もちろん、投影領域AR1のX軸方向の幅が大きい場合には、像面と基板の表面との位置を合致させるために、走査露光中において、θY方向におけるチルト調整(ピッチング調整)が行われる。 Of course, if the width of the X-axis direction of the projection area AR1 is large, in order to match the position of the image surface and the surface of the substrate, during the scanning exposure, the tilt adjustment in the θY direction (pitching adjustment) is performed. 制御装置CONTは、マスクMの走査方向(X軸方向)の位置に対応させた補正量(補正情報)を記憶装置MRYに記憶する。 The control unit CONT stores the correction amount in correspondence to the position of the scanning direction of the mask M (X axis direction) (correction information) in the storage device MRY.

投影光学系PL及び液体1を介して形成される像面と基板P表面との位置を合致させるための補正量を求めた後、制御装置CONTは、前記求めた補正量に基づいて、基板Pの姿勢(基板Pの傾き、Z軸方向の位置)を調整しつつ、液浸露光処理を行う(ステップS6)。 After determining the correction amount for matching the position of the image surface and the surface of the substrate P that is formed through the projection optical system PL and the liquid 1, the control unit CONT based on the calculated correction amount, the substrate P posture (inclination of the substrate P, position in the Z-axis direction) while adjusting the performs immersion exposure process (step S6). 即ち、図1に示すように、制御装置CONTは、基板搬送系を使って基板Pを基板ステージPSTにロードした後、液体供給機構10を駆動して基板P上に対する液体供給動作を開始する。 That is, as shown in FIG. 1, the control unit CONT, after loading the substrate P on the substrate stage PST by using the substrate transfer system, the liquid supply mechanism 10 is driven to start the liquid supply operation with respect to the upper substrate P. 液浸領域AR2を形成するために液体供給機構10の第1及び第2液体供給部11、12のそれぞれから送出された液体1は、供給管11A、12A並びに第1及び第2供給部材13、14を介して基板P上に供給され、投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2を形成する。 The first and the liquid 1 sent from the respective second liquid supply units 11 and 12, the supply pipe 11A, 12A and the first and second supply members 13 of the liquid supply mechanism 10 in order to form the liquid immersion area AR2, 14 is supplied onto the substrate P via, to form the liquid immersion area AR2 between the projection optical system PL and the substrate P. このとき、第1及び第2供給部材13、14の供給口は投影領域AR1のX軸方向(走査方向)両側に配置されている。 In this case, the supply port of the first and second supply members 13, 14 are arranged in the X axis direction (scanning direction) on both sides of the projection area AR1. 制御装置CONTは、液体供給機構10の供給口より投影領域AR1の両側で基板P上への液体1の供給を同時に行う制御を実行する。 The control unit CONT executes the control to supply the liquid 1 onto the substrate P simultaneously on both sides of the projection area AR1 from the supply port of the liquid supply mechanism 10. これにより、基板P上に供給された液体1は、少なくとも投影領域AR1より広い範囲の液浸領域AR2を基板P上に形成する。 Accordingly, the liquid 1 supplied onto the substrate P, the liquid immersion area AR2 of the wide range than at least the projection area AR1 is formed on the substrate P.

本実施形態において、投影領域AR1の走査方向両側から基板Pに対して液体1を供給する際、制御装置CONTは、液体供給機構10の第1及び第2液体供給部11、12の液体供給動作を制御し、走査方向に関して、投影領域AR1の手前から供給する単位時間当たりの液体供給量を、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定する。 In this embodiment, when supplying the liquid 1 to the substrate P from the both sides in the scanning direction of the projection area AR1, the control apparatus CONT, the liquid supply operations of the first and second liquid supply sections 11, 12 of the liquid supply mechanism 10 controls, with respect to the scanning direction, the liquid supply amount per unit time supplied from the front of the projection area AR1, is set larger than the liquid supply amount supplied from the opposite side. 例えば、基板Pを+X方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置CONTは、投影領域AR1に対して−X側(即ち、供給口13A)からの液体量を+X側(即ち、供給口14A)からの液体量より多くする。 For example, when the exposure process is performed while moving the substrate P in the + X direction, the control unit CONT, -X side with respect to the projection area AR1 (i.e., the supply port 13A) of the liquid volume from the + X side (i.e., the supply port 14A ) is larger than the liquid amount from. 逆に、基板Pを−X方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域AR1に対して+X側からの液体量を−X側からの液体量より多くする。 Conversely, when the exposure process is performed while moving the substrate P in the -X direction, it is larger than the liquid amount of the liquid amount from the -X side from the + X side with respect to the projection area AR1.

また、制御装置CONTは、液体回収機構30の第1及び第2液体回収部33、34を制御し、液体供給機構10による液体1の供給動作と並行して、基板P上の液体回収動作を行う。 Further, the control unit CONT controls the first and second liquid recovery portion 33, 34 of the liquid recovery mechanism 30, in parallel with the supply operation of the liquid 1 by the liquid supply mechanism 10, the liquid recovery operation of the substrate P do. これにより、第1及び第2供給部材13、14の供給口から供給され投影領域AR1の外側に流れ出る基板P上の液体1は、第1及び第2回収部材33、34の回収口より回収される。 Thus, the liquid 1 on the substrate P that flows to the outside of the first and second supplied from the supply port of the supply members 13, 14 the projection area AR1 is recovered from the recovery port of the first and second recovery members 33, 34 that. このように、液体回収機構30では、投影領域AR1を取り囲むように回収口が設けられているので、基板P上の液体1を回収口から効率的に回収することができる。 Thus, the liquid recovery mechanism 30, since the recovery port is provided to surround the projection area AR1, it is possible to recover the liquid 1 on the substrate P via the recovery port efficiently.

そして、制御装置CONTは、記憶装置MRYに記憶されている補正情報とフォーカス検出系4で検出された基板P表面の位置情報検出結果に基づいて、結像特性制御装置3と基板ステージ駆動装置PSTDとを介して基板Pと像面とのZ軸方向の位置及び傾きの関係を制御しつつ液浸露光する。 Then, the control unit CONT based on the position information detection result of the detected surface of the substrate P by the correction information and the focus-detecting system 4 which is stored in the storage device MRY, imaging characteristic control unit 3 and the substrate stage-driving unit PSTD DOO immersion exposure while controlling the position and inclination of the relation of the Z-axis direction between the substrate P and the image plane through.

これにより、マスクMのパターン分布、即ち、投影領域AR1に入射する露光光ELの分布に応じた液体1の温度分布の変化により像面位置が変化する場合にも、投影光学系PLと液体1とを介して形成される像面と基板P表面(露光面)とを略一致させながら、基板P上のショット領域SAを走査露光することができる。 Thus, the pattern distribution of the mask M, i.e., even when the image plane position is changed by a change in the temperature distribution of the liquid 1 in accordance with the distribution of the exposure light EL that is incident on the projection area AR1, the projection optical system PL and the liquid 1 and an image plane and the surface of the substrate P that is formed through a preparative (exposure surface) while substantially matching can scan exposure shot area SA on the substrate P. これにより、基板P上に所望のパターンを精度良く形成することが可能となる。 Thereby, it becomes possible to accurately form the desired pattern on the substrate P.

以上説明したように、マスクMのパターンMPの分布情報に基づいて基板P上に所望のパターン像が投影されるように、液浸走査露光中の基板Pの位置及び姿勢の調整、並びに結像特性制御装置を用いた投影光学系PLの像面位置の調整などの投影状態の調整を行うことにより、精度良いパターン転写を行うことができる。 As described above, as a desired pattern image on the substrate P based on the distribution information of the pattern MP of the mask M is projected, adjustment of the position and orientation of the substrate P in the immersion scanning exposure in, and imaging by adjusting the projection state such as the adjustment of the image plane position of the projection optical system PL using the characteristic control device, it is possible to perform accurate pattern transfer.

なお、上記図6及び図7に示した例では、マスクM上での照明領域IA内のパターン分布がマスクMの移動に伴ってあまり変化しない場合について説明したが、通常はマスクM上での露光光ELの照明領域IA内におけるパターン分布がマスクMの移動に伴って変化する。 In the example shown in FIGS. 6 and 7, the case has been described where the not so much changed pattern distribution in the illumination area IA on the mask M is with the movement of the mask M, usually on the mask M pattern the exposure light EL in the illumination area IA is changed with the movement of the mask M. この場合、そのマスクMの移動に伴って投影領域AR1(液体1)に入射する露光光ELの分布が変化する。 In this case, distribution of the exposure light EL is changed to enter the projection area AR1 in accordance with the movement of the mask M (liquid 1). この露光光ELの分布の変化に起因して液体1の温度分布が変化するため、像面の位置も液体1の温度分布に応じて変化する。 To change the temperature distribution of the liquid 1 due to changes in the distribution of the exposure light EL, the position of the image plane varies depending on the temperature distribution of the liquid 1. これにより、基板P上に投影されるパターン像が劣化するおそれがある。 Thus, the pattern image projected onto the substrate P may be deteriorated.

しかしながら、本実施形態では、制御装置CONTはマスクMの走査方向(X軸方向)の位置に対応した補正情報が記憶されており、基板Pのショット領域SAの露光中にマスクMの位置(レーザ干渉計51の計測結果)に応じてその補正情報を読み出すようにしているので、正確に基板Pの表面(露光面)を像面に合わせ込むことが可能となる。 However, in this embodiment, the control unit CONT correction information corresponding to the position of the scanning direction of the mask M (X axis direction) is stored, the position of the mask M during the exposure of shot area SA of the substrate P (the laser since the so read out the correction information in accordance with the measurement result) of the interferometer 51, it becomes possible way to push accurately align the surface (exposure surface) of the substrate P on the image plane.

本実施形態では、マスクMの非走査方向(Y軸方向)のパターン分布の変化が少ない場合、マスクMの移動に伴う照明領域IA内のパターン分布の変化、即ち、液体1に入射する露光光ELの強度変化のみを考慮するようにしてもよい。 In the present embodiment, when the change of the pattern distribution in the non-scanning direction of the mask M (Y axis direction) is small, the change of the pattern distribution in the illumination area IA caused by the movement of the mask M, i.e., the exposure light incident on the liquid 1 only the intensity variation of the EL may be taken into consideration. この場合、制御装置CONTは、光センサ20で計測した投影領域AR1のY軸方向(長手方向)における照度分布をX軸方向に関して積算した積算値(積算光量分布)を求め、求めた積算値を、マスクMのX軸方向の位置と対応させて求めることによって、マスクMの移動に伴う照明領域IA内のパターン分布の変化を求めることができる。 In this case, the control unit CONT, the integrated value of the illuminance distribution obtained by integrating the X-axis direction in the Y-axis direction of the projection area AR1 measured by the optical sensor 20 (the longitudinal direction) (the integrated light quantity distribution) determined, the integrated value calculated by obtaining in correspondence with the X-axis direction position of the mask M, it is possible to determine the change in the pattern distribution in the illumination area IA caused by the movement of the mask M.

また、本実施形態においては、液体1の温度変化に起因する像面の変化に応じて基板Pの表面位置を調整したり、結像特性制御装置を用いて投影光学系PLの一部の光学素子を移動させたり光学素子間の空間の圧力を変動することにより、像面位置を調整するようにしているが、基板Pの表面位置の調整と像面位置の調整とのいずれか一方のみを行うようにしてもよい。 In the present embodiment, to adjust the surface position of the substrate P in accordance with the change of the image plane caused by the temperature change of the liquid 1, the optical part of the projection optical system PL by using the image formation characteristic control unit by varying the pressure in the space between the optical elements or move elements, but so as to adjust the image plane position, only one of the adjustment of the adjustment and the image plane position of the surface position of the substrate P it may be performed. また、マスクステージMSTでマスクMの位置を移動したり露光光の波長を微調整して像面位置を調整するようにしてもよい。 It is also possible to adjust the image plane position by finely adjusting the wavelength of the movement or the exposure light the position of the mask M with the mask stage MST. また像面位置の調整は、照明光学系ILの一部の光学部材を動かしたり、交換することによって達成することもできる。 The adjustment of the image plane position, or move a part of the optical member illumination optical system IL, for example, can also be achieved by replacing. さらに露光光ELの光路中の光学部材(投影光学系PL含む)の温度を調整するようにしてもよい。 Further optical member on the optical path of the exposure light EL may be adjusted to a temperature of (the projection including optical system PL).

また、本実施形態において、液体1の温度(分布)変化に起因する像面の変化の補正について説明したが、像面のみならず、倍率やディストーション等の結像特性が液体1の温度分布に基づいて変化する場合についても、マスクMのパターンMPの分布情報(即ち、液体1に入射する露光光ELの分布)に応じて、パターン像の結像特性の調整を行えばよい。 Further, in the present embodiment has described the correction of the variation of an image plane caused by the temperature (distribution) change of the liquid 1, not the image plane only, the imaging characteristics such as the magnification and distortion of the temperature distribution of the liquid 1 for vary also based, in accordance with the distribution information of the pattern MP of the mask M (i.e., the distribution of the exposure light EL that is incident on the liquid 1), may be performed to adjust the imaging characteristic of the pattern image. 結像特性の調整は、像面位置の調整と同様に、投影光学系PLの一部の光学素子を移動したり、光学素子間の空間の圧力を調整することによって達成できる。 Adjustment of imaging characteristics, as well as the adjustment of the image plane position, move the part of the optical element of the projection optical system PL, and can be achieved by adjusting the pressure in the space between the optical elements. また、マスクMを移動したり、露光光ELの波長を微調整することによっても達成できる。 Also, moving the mask M, the wavelength of the exposure light EL can also be achieved by fine adjustment.

また結像特性の調整は、照明光学系ILの一部の光学部材を動かしたり、交換することによって達成することもできる。 The adjustment of the imaging characteristic, or move a part of the optical member illumination optical system IL, for example, can also be achieved by replacing. さらに露光光ELの光路中の光学部材(投影光学系PL含む)の温度を調整するようにしてもよい。 Further optical member on the optical path of the exposure light EL may be adjusted to a temperature of (the projection including optical system PL).

また結像特性の調整として、露光光ELの偏光の状態や波面の状態を調整するようにしてもよい。 As the adjustment of the imaging characteristic may be adjusted state and a state of the wave front of the polarization of the exposure light EL.

本実施形態では、液浸走査露光中に基板P表面と投影光学系PL及び液体1を介した像面との位置を調整する際、フォーカス検出系4で基板P表面位置情報を検出し、このフォーカス検出系4の検出結果に基づいて基板ステージPSTを駆動して基板Pの位置及び姿勢を調整している。 In this embodiment, when adjusting the position of the substrate P surface during immersion scanning exposure and the projection optical system PL and the image plane through the liquid 1, to detect the substrate P surface position information by the focus-detecting system 4, the and adjusting the position and orientation of the substrate P by driving the substrate stage PST based on the detection result of the focus-detecting system 4. ここで、フォーカス検出系4の投光部4aから基板P表面に対して斜め上方から投射される検出光は、液体1中を通過することになるが、液体1の温度変化に応じて屈折率が変化し、基板P表面のフォーカス検出値に誤差が生じる可能性がある。 Here, the detection light projected from the obliquely upward with respect to the surface of the substrate P from the light projecting unit 4a of the focus-detecting system 4 is will pass through the liquid 1 medium, the refractive index in response to the temperature change of the liquid 1 there changes, there is a possibility that an error occurs in the focus detection value of the substrate P surface. この場合、記憶装置MRYに、液体1の温度(温度変化量)と屈折率(屈折率変化量)との関係を予め記憶しておき、ステップS3で求めた液体1の温度変化情報と前記関係とに基づいて液体1の屈折率を求める。 In this case, the storage device MRY, the temperature of the liquid 1 (temperature change amount) and the refractive index stored in advance the relationship between the (refractive index change amount), the relationship between the temperature change information of the liquid 1 determined in Step S3 determining the refractive index of the liquid 1 on the basis of and. 液体1の厚みを考慮した上で、求めた屈折率に基づいてフォーカス検出値を補正する。 In consideration of the thickness of the liquid 1, corrects the focus detection value based on the refractive index obtained. これにより、液体1の温度が変化した場合でも、基板P表面位置情報を求めることができるので、より正確に基板Pの表面と像面との合わせ込みを行うことができる。 Accordingly, even when the temperature of the liquid 1 is changed, it is possible to obtain the substrate P surface position information, it is possible to perform the narrowing more accurate alignment of the surface and the image plane of the substrate P. なお、記憶装置MRYに記憶された液体1の温度と屈折率との関係に基づいて、フォーカス検出系4の検出値に基づく像面と基板表面との位置関係の調整量を補正するようにしてもよい。 Incidentally, on the basis of the relationship between temperature and refractive index of the liquid 1 stored in the storage device MRY, so as to correct the adjustment amount of the positional relationship between the image plane and the substrate surface based on the detection value of the focus-detecting system 4 it may be.

上述したマスクMのパターン分布の計測や、その計測結果に基づく液体温度分布情報及び像特性変化情報を求めることは、少なくともマスクMが変更される毎に行えばよいが、マスクMが変更されない場合でも、定期的に行うようにしてもよい。 If the measured and the pattern distribution of the mask M described above, to obtain the liquid temperature distribution information and the image characteristic change information based on the measurement result may be performed at least every mask M is changed, the mask M is not changed But, it may be on a regular basis. また、マスクMのパターン分布情報を記憶装置MRYに記憶しておくことにより、所定のマスクMを使用した後、一旦アンロードし、再びそのマスクMを使用する際に、マスクMのパターン分布計測を省略し、記憶装置MRYに記憶させておいたパターン分布情報をそのまま用いることもできる。 Further, by storing the pattern distribution information of the mask M in the storage device MRY, after using a predetermined mask M, once unloaded, when using the mask M again, the pattern distribution measurement of the mask M It was omitted, the pattern distribution information which has been stored in the storage unit MRY may be used as it is.

また、本実施形態では、マスクMのパターン分布情報を求めているが、光センサ20で計測される照度分布情報をそのまま用いて、液体の温度分布の変化を求めるようにしてもよい。 Further, in the present embodiment, seeking pattern distribution information of the mask M, the illuminance distribution information measured by the optical sensor 20 used as it is, it may be obtained a change in the temperature distribution of the liquid. この場合、液体1の温度は、マスクMのパターン密度や露光用光源の出力、液浸領域AR2を形成するための単位時間当たりの液体供給量(あるいは流速)、液体や基板Pの比熱等、種々のパラメータに応じて変化する。 In this case, the temperature of the liquid 1, the liquid supply amount (or flow rate) per unit time for forming the output of the pattern density and the exposure light source of the mask M, the liquid immersion area AR2, specific heat of the liquid and the substrate P, It varies depending on various parameters. 記憶装置MRYには、これらパラメータを考慮した照度分布と液体温度変化量との関係がデータテーブルとして予め記憶されていればよい。 The storage device MRY, the relationship between the illuminance distribution and the liquid temperature change amount in consideration of these parameters only need to be stored in advance as a data table. 照度分布と液体温度変化量との関係は、予め実験を行って検証しておいてもよい。 The relationship between the illuminance distribution and the liquid temperature change amount may be previously verified by performing the experiment in advance. また、液浸領域AR2を形成する液体1の種類を変更可能な液浸露光装置の場合には、これら各液体に応じたデータテーブルを記憶装置MRYに予め記憶しておけばよい。 In the case of changeable immersion exposure apparatus the type of the liquid 1 for forming the liquid immersion area AR2 may be previously stored data table according to the respective liquid storage MRY.

投影光学系PLと基板Pとの間に配置される液体1の温度は、露光光ELの基板P表面における反射光に応じて変化することが考えられる。 Temperature of the liquid 1 disposed between the projection optical system PL and the substrate P, it is conceivable that changes according to the reflection light from the surface of the substrate P in the exposure light EL. このような場合、この基板Pの表面の反射率を前記データテーブルのパラメータの1つとしてもよい。 In such a case, the reflectance of the surface of the substrate P may be one of the parameters of the data table.

なお、本実施形態では、マスクMをマスクステージMST上に載置した後に、基板ステージPST上に搭載されている光センサ20を使って投影光学系PLを介した露光光ELの分布情報を計測するとともに、その計測結果に基づいてマスクMのパターンMPの分布を計測しているが、例えば、マスクMのパターン分布情報(例えば、マスクの各位置ごとの密度、透過率)を設計値から求め、その値を記憶装置MRYに記憶し、液浸走査露光する際にこの記憶しておいた分布情報を考慮して、液体1の温度変化や温度分布の変化を予測し、その予測結果に基づいて像特性調整や基板位置調整のような投影状態の調整を行うようにしてもよい。 In the present embodiment, after placing the mask M on the mask stage MST, measure the distribution information of the exposure light EL through the projection optical system PL by using the optical sensor 20 mounted on the substrate stage PST as well as, but measures the distribution of the pattern MP of the mask M on the basis of the measurement result, for example, determined the pattern distribution information of the mask M (for example, the density of each position of the mask, the transmittance) and from the design value , and stores the value in the storage device MRY, taking into account the distribution information that has been the storage in the immersion scanning exposure, predicting a change in temperature changes and temperature distribution of the liquid 1, based on the prediction result it may be adjusted in the projection state such as the image characteristic adjustment and substrate alignment Te.

また、図9に示すように、マスクステージMSTとは別の位置に、マスクMのパターン分布を計測するパターン計測装置60を設けるようにしてもよい。 Further, as shown in FIG. 9, in a different position from the mask stage MST, and be provided with a pattern measuring apparatus 60 for measuring the pattern distribution of the mask M. 図9に示すように、パターン計測装置60は、支持部66に支持されたマスクMの上方に設けられ、マスクMに計測光を照射する投光部61と、マスクMの下方に設けられ、マスクMに照射された計測光に基づきマスクMを透過した光を受光する受光部62とを備えている。 As shown in FIG. 9, the pattern measuring unit 60 is provided above the supported by the support portion 66 mask M, the light projecting unit 61 for irradiating the measuring light to the mask M, is provided below the mask M, and a light receiving portion 62 for receiving the light passing through the mask M based on the irradiated measuring light to the mask M. マスクMは投光部61及び受光部62に対してX軸方向に相対的に移動しながら投光部61より計測光を照射する。 Mask M is irradiated with the measurement light from the light projecting portion 61 while relatively moving in the X-axis direction with respect to the light projecting portion 61 and light receiving portion 62. 受光部62は投光部61と同期移動しながらマスクMの透過光を受光することにより、マスクMのパターンエリアPA全面における計測光の透過光を受光する。 By receiving the light transmitted through the mask M light-receiving portion 62 while synchronously moving light projecting portion 61, it receives the transmitted light of the measurement light in the pattern area PA entire mask M. ここで、マスクMと投光部61及び受光部62との相対移動は、投光部61及び受光部62の位置を固定した状態でマスクMを支持部66とともにX軸方向に移動する構成でもよいし、マスクMの位置を固定した状態で投光部61及び受光部62をX軸方向に同期移動する構成でもよいし、マスクMと投光部61及び受光部62との双方をX軸方向に互いに逆向きに移動する構成であってもよい。 Here, the relative movement between the mask M and the projection portion 61 and the light receiving portion 62, even in a configuration that moves the mask M with the support portion 66 in the X-axis direction while fixing the position of the light projecting portion 61 and light receiving portion 62 good to, it may be configured to synchronously moving light projecting portion 61 and light receiving portion 62 while fixing the position of the mask M in the X-axis direction, X-axis both the mask M and the projection portion 61 and the light receiving unit 62 it may be configured to move in opposite directions to each other in the direction.

受光部62の計測結果は制御装置CONTに出力されるとともに、制御装置CONTは受光部62(パターン計測装置60)の計測結果に基づいてマスクMのパターン分布を求める。 With the measurement result of the light receiving portion 62 is outputted to the control unit CONT, the control unit CONT obtains the pattern distribution of the mask M based on the measurement result of the light receiving section 62 (pattern measuring device 60). パターン計測装置60で計測したマスクMのパターン密度に関する情報は記憶装置MRYに記憶される。 Information about the pattern density of the mask M measured by the pattern measuring device 60 is stored in the storage apparatus MRY. そして、液浸走査露光する際には、この記憶させておいたパターン分布から求めた補正情報に基づいて像特性調整や基板位置調整(投影状態の調整)が行われる。 Then, in the immersion scanning exposure, the image characteristic adjustment and the substrate position adjusted based on the correction information obtained from the pattern distribution which had been the storage (adjustment of the projection state) is performed.

また、マスクステージMSTに支持されたマスクM及び投影光学系PLを介して基板ステージPST(投影光学系PLの像面側)に達する露光光ELの照度分布が、マスクMのパターン(パターン分布)と対応しない場合が考えられる。 Further, the illuminance distribution of the exposure light EL through the mask M and the projection optical system PL is supported by the mask stage MST reach the substrate stage PST (the image plane side of the projection optical system PL) is, the mask M pattern (pattern distribution) If you do not want to support is considered. しかしながら、このような場合でも、上述したように基板ステージPST上の光センサ20で計測された照度分布からマスクのパターン分布を求める代わりに液体の温度分布の変化を直接求め、像特性の調整や基板Pの姿勢調整をすることにより、パターンを基板Pに良好に転写できる。 However, even in such a case, determine the change in the temperature distribution of the liquid directly instead of obtaining the pattern distribution of the mask from the measured illuminance distribution by the optical sensor 20 on the substrate stage PST as described above, Ya adjustment of the image characteristics by the attitude adjustment of the substrate P, and satisfactorily transfer the pattern onto the substrate P.

また、本実施形態では、光センサ20として非走査方向に複数の受光面を有するものを用いたが、小さな受光面を有する光センサ20を基板ステージPSTによってX軸方向又はY軸方向又はその両方に動かして、露光光ELの照度分布を求めるようにしてもよい。 Further, in this embodiment uses one having a plurality of light receiving surfaces in the non-scanning direction as the optical sensor 20, X-axis or Y-axis direction, or both the light sensor 20 by the substrate stage PST with small light-receiving surface by moving, it may be obtained illuminance distribution of the exposure light EL.

第2実施形態 次に、図10を参照しながら本発明の露光装置の第2実施形態について説明する。 Second Embodiment The following describes the second embodiment of the exposure apparatus of the present invention with reference to FIG. 本実施形態においては、マスクMのパターン分布(投影領域AR1に入射する露光光ELの分布)によって、液浸領域AR2の液体1に温度分布が生じないように、即ち、液体1の温度分布を均一化するように調整することで投影状態を調整する。 In the present embodiment, the pattern distribution of the mask M (distribution of the exposure light EL that is incident on the projection area AR1), so that the temperature distribution is not generated in the liquid 1 of the liquid immersion area AR2, i.e., a temperature distribution of the liquid 1 adjusting the projection state by adjusting so as to equalize. 特に、走査方向(X軸方向)と直交する方向であるY軸方向における温度分布を均一化するように調整する。 In particular, adjusted to equalize the temperature distribution in the Y-axis direction is a direction perpendicular to the scanning direction (X axis direction). また、本実施形態では、液体供給機構以外は第1実施形態と同様な構成を有している。 Further, in the present embodiment, other than the liquid supply mechanism has a structure similar to that of the first embodiment. ここで、以下の説明において上述した第1実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 Here, the same reference numerals are used for identical or similar to those in the first embodiment described above in the following description, the explanations thereof are therefore abbreviated or omitted.

図10において、液体供給機構50は、第1液体供給部51と第2液体供給部52とを備えている。 10, the liquid supply mechanism 50 includes a first liquid supply section 51 and the second liquid supply unit 52. 第1液体供給部51には、複数の供給管51a、51b、51c、51d、51e、51fの一端部が接続されており、その他端部には、基板Pに近接して、非走査方向(Y軸方向)に沿って配置された複数の供給口53a、53b、53c、53d、53e、53fが設けられている。 The first liquid supply unit 51, a plurality of supply tubes 51a, 51b, 51c, 51d, 51e, is connected to one end of 51f, the other end thereof, in proximity to the substrate P, the non-scanning direction ( Y-axis direction) is arranged along a plurality of supply ports 53a, 53b, 53c, 53d, 53e, 53f are provided. 同様に、第2液体供給部52には、複数の供給管52a、52b、52c、52d、52e、52fの一端部が接続されており、その他端部には、基板Pに近接して、非走査方向(Y軸方向)に沿って配置された複数の供給口54a、54b、54c、54d、54e、54fが設けられている。 Similarly, the second liquid supply unit 52, a plurality of supply tubes 52a, 52b, 52c, 52d, 52e, one end of 52f is connected to its other end, close to the substrate P, the non a plurality of supply ports 54a arranged along the scanning direction (Y axis direction), 54b, 54c, 54d, 54e, 54f are provided. 液体供給機構50の供給口53a〜53f、54a〜54fは、投影領域AR1(の中心)に対して複数の方向に且つ異なる距離を隔てて設けられている。 Supply port 53a~53f of the liquid supply mechanism 50, 54A~54f is provided at a and different distances in a plurality of directions with respect to the projection area AR1 (the center of). 本実施形態における供給口53a〜53f、54a〜54fはそれぞれY軸方向に並んで配置されており、Y軸方向に離れた複数の位置からそれぞれ液体1を供給する。 Supply port 53a~53f in this embodiment, 54A~54f are arranged in the Y-axis direction, respectively supply the liquid 1 from a plurality of positions spaced in the Y-axis direction.

また、第1及び第2液体供給部51、52は、各供給管51a〜51f、52a〜52fに接続された複数の温度調整機構を備えており、各供給口53a〜53f、54a〜54fからそれぞれ異なる温度の液体1を基板P上に供給可能となっている。 The first and second liquid supply units 51 and 52, each supply pipe 51 a to 51 f, provided with a plurality of temperature adjustment mechanism connected to 52a to 52f, each supply ports 53a to 53f, the 54a~54f the liquid 1 of different temperatures are can be supplied onto the substrate P. 即ち、本実施形態における液浸領域AR2を形成するために基板P上に液体1を供給する液体供給機構50は、複数の位置からそれぞれ異なる温度の液体1を供給可能であり、液体1の供給は複数の位置で行われ、液体供給位置、即ち、供給口53a〜53f、54a〜54fのそれぞれの位置に応じて、液体1の温度を異ならせることができる。 That is, the liquid supply mechanism 50 supplies the liquid 1 onto the substrate P in order to form the liquid immersion area AR2 in this embodiment is capable of supplying different liquids first temperature from a plurality of locations, the supply of the liquid 1 can is performed at a plurality of locations, the liquid supply position, i.e., in accordance with the supply port 53a to 53f, each of the positions of 54A~54f, varying the temperature of the liquid 1. 供給口53a〜53f、54a〜54fは、それぞれ走査方向であるX軸方向に垂直な方向であるY軸方向に離れた複数の位置から、それぞれ異なる温度の液体1を供給可能である。 Supply ports 53a to 53f, 54A~54f from a plurality of positions spaced in the Y-axis direction is a direction perpendicular to the X-axis direction are respectively scanning direction, it can supply the liquid 1 of different temperatures.

また、本実施形態においては、液体1の供給は第1液体供給部51と第2液体供給部52との両方で同時に行わずに、基板Pの走査方向に応じて切り換えて使用される。 In the present embodiment, the supply of the liquid 1 is not performed at the same time in both the first liquid supply section 51 and the second liquid supply unit 52 is used by switching in accordance with the scanning direction of the substrate P. 即ち、基板Pを+X方向に移動しながら走査露光を行う場合には、第1液体供給部51を動作させ、供給口53a〜53fからの液体の供給を行い、基板Pを−X方向に移動しながら走査露光を行う場合には、第2液体供給部52を動作させ、供給口54a〜54fから液体1の供給を行う。 That movement, in the case of performing the scanning exposure while moving the substrate P in the + X direction operates the first liquid supply unit 51 performs the supply of the liquid from the supply port 53a to 53f, the substrate P in the -X direction when performing scan exposure while operates the second liquid supply unit 52, to supply the liquid 1 from the supply port 54A~54f.

液体供給機構50の動作は、制御装置CONTによって制御される。 Operation of the liquid supply mechanism 50 is controlled by the controller CONT. 記憶装置MRYは、予めマスクMのパターン分布情報を記憶している。 Memory MRY stores the pattern distribution information of the pre-mask M. 先に説明したように、マスクMのパターン分布によって、投影光学系PLと基板Pとの間の液体1に入射する露光光ELの分布も変化する。 As described above, the pattern distribution of the mask M, also changes the distribution of the exposure light EL that is incident on the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P. 本実施形態においては、制御装置CONTは、露光光ELの分布に拘わらずに液体1の温度分布が均一化されるように、マスクMのパターン分布情報に基づいて、液体供給機構50の各供給口53a〜53f(または54a〜54f)から供給される液体の温度を制御する。 In the present embodiment, the control unit CONT, as the temperature distribution of the liquid 1 is uniformized regardless of the distribution of the exposure light EL, based on the pattern distribution information of the mask M, the supply of the liquid supply mechanism 50 controlling the temperature of the liquid supplied from the mouth 53a to 53f (or 54a~54f).

例えば、基板Pを+X方向に移動しながら基板P上のショット領域SAを走査露光する場合には、マスクMのパターン分布(液体1に入射する露光光ELの分布)を考慮して、供給口53d、53e、53fからチャンバ内温度と略同じ23℃の液体1を供給し、供給口53a、53b、53cから供給口53d、53e、53fから供給される液体よりも低い温度の液体を供給する。 For example, in the case of scanning exposure shot area SA on the substrate P while moving the substrate P in the + X direction, in consideration of the pattern distribution of the mask M (distribution of the exposure light EL that is incident on the liquid 1), supply port 53d, and supplies 53e, substantially supplies the liquid 1 same 23 ° C. and the chamber temperature from 53f, the supply port 53a, 53b, the supply port 53d from 53c, 53e, the low temperature of the liquid than the liquid supplied from the 53f . これにより、入射する露光光ELの分布(照度分布)に偏りがある場合(例えば、図8(a)参照)でも、露光光ELが通過する液体1の温度分布を均一化することで投影状態を調整することができるので、マスクMのパターンの像を精度良く基板P上に投影することができる。 Thus, if there is a bias in the distribution of the exposure light EL that is incident (illuminance distribution) (e.g., see FIG. 8 (a)) But the projection state by uniformizing the temperature distribution of the liquid 1 through which the exposure light EL passes it is possible to adjust the can project an image of the pattern of the mask M to accurately onto the substrate P.

次に、図10を参照しながら液浸領域における液体の温度を均一化して投影状態を調整する方法について説明する。 Then, the temperature of the liquid in the liquid immersion area homogenized in explaining a method of adjusting a projection state with reference to FIG. まず、液浸露光を行う前に、図4を参照して説明したように、予め液体1に入射する露光光ELの分布を求め(ステップS1)、さらにマスクMのパターン分布(ステップS2)及び液体1の温度分布を求めておく(ステップS3)。 First, before immersion exposure, as described with reference to FIG. 4, obtains the distribution of the exposure light EL that enters in advance to the liquid 1 (step S1), the further pattern distribution of the mask M (Step S2) and previously obtained temperature distribution of the liquid 1 (step S3). この場合、ステップS3では、特に走査方向(X軸方向)と交差する方向であるY軸方向(非走査方向)における液体1の温度分布情報を求める。 In this case, in step S3, in particular determine the temperature distribution information of the liquid 1 in the Y-axis direction intersecting the scanning direction (X axis direction) (non-scanning direction). そして、制御装置CONTは、求めた液体温度分布情報に基づいて、各供給口53a〜53fから供給する液体の温度をそれぞれ調整する。 Then, the control unit CONT based on the liquid temperature distribution information obtained, adjusting each temperature of the liquid supplied from the supply ports 53a to 53f. これにより、液浸領域AR2を形成する液体1の、特にY軸方向における温度を均一化するとともに、液体の温度分布に起因するパターン像の劣化を防止できる。 Accordingly, the liquid 1 for forming the liquid immersion area AR2, especially with equalizing the temperature in the Y-axis direction can prevent degradation of the pattern image due to the temperature distribution of the liquid.

なお、本実施形態においては、基板P上に供給する液体1の温度を調整して、投影光学系PLと基板Pとの間の液体1の温度を均一化するようにしているが、露光光の入射が少ない部分に非露光光(レジストを感光しない赤外線等)を入射してその部分の液体を加熱することで、液浸領域AR2の液体1の温度分布を均一化するようにしてもよい。 In the present embodiment, by adjusting the temperature of the liquid 1 supplied onto the substrate P, but so as to equalize the temperature of the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P, the exposure light by non-exposure light portion incident little (infrared not sensitive resist etc.) is incident to heat the liquid in that portion may be uniform the temperature distribution of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 .

なお、本実施形態において、マスクMのパターン分布に応じて基板上に投影される像の調整(投影状態の調整)を行う際、本実施形態における調整方法と、第1実施形態における調整方法とを組み合わせても構わない。 In the present embodiment, when performing the adjustment of the image projected onto the substrate according to the pattern distribution of the mask M (adjustment of the projection state), the adjusting method in the present embodiment, the adjusting method in the first embodiment it may be combined. 例えば、図8を参照して説明した像面位置変化の0次成分に関しては、基板ステージPSTを使って基板P表面の位置を調整することにより補正する。 For example, with respect to the zero-order component of the reference to the image plane position change explained with FIG. 8, is corrected by adjusting the position of the substrate P surface with the substrate stage PST. また、像面位置変化の1次成分に関しては、結像特性制御装置3等を用いて投影光学系PLの像特性を調整することにより補正する。 As for the first-order component of the image plane position change is corrected by adjusting the image characteristic of the projection optical system PL by using the image formation characteristic control unit 3 and the like. さらに、像面位置変化の高次成分については、複数の供給口53a〜53fからそれぞれ供給される液体の温度を調整することにより補正する。 Furthermore, for the high-order component of the image plane position change is corrected by adjusting the temperature of the liquid supplied from a plurality of supply ports 53a to 53f.

また、本実施形態では、各供給口53a〜53fから供給される液体1の温度を互いに変更することにより、液浸領域AR2の非走査方向における液体温度分布を均一化する構成としたが、例えば、各供給口53a〜53fからそれぞれ単位時間当たりに供給する液体の供給量を変更することによって、液浸領域AR2の非走査方向における液体温度分布を均一化することもできる。 Further, in the present embodiment, by changing the temperature of the liquid 1 supplied from the respective supply ports 53a~53f each other, a configuration for equalizing the liquid temperature distribution in the non-scanning direction of the liquid immersion area AR2, for example, by changing the supply amount of the liquid supplied per each unit time from the supply ports 53a to 53f, it is also possible to equalize the liquid temperature distribution in the non-scanning direction of the liquid immersion area AR2. この場合、単位時間当たりの液体の供給量が多い箇所ほど液体の温度上昇が抑制され、反対に、単位時間当たりの液体の供給量が少ない箇所ほど液体の温度上昇が促進される。 In this case, the temperature rise of the liquid as locations supply amount is large in the liquid per unit time is suppressed, on the contrary, the temperature rise of the liquid as locations supply amount less liquid per unit of time is promoted. なお、各供給口53a〜53fから供給される液体の供給量に応じて、液浸領域AR2を形成する液体1が基板Pに与える圧力が変化し、基板Pの表面とパターン像の結像面との位置合わせに誤差が生じる場合には、各供給口53a〜53fから供給される液体の供給量に応じて基板Pの表面とパターン像の結像面と位置関係を補正してもよい。 Incidentally, in accordance with the supply amount of the liquid supplied from the respective supply ports 53a to 53f, the liquid 1 for forming the liquid immersion area AR2 is the pressure change given to the substrate P, the image plane of the surface pattern image of the substrate P and if an error occurs in the alignment may be correct the positional relationship between the imaging plane of the surface and the pattern image of the substrate P in accordance with the supply amount of the liquid supplied from the respective supply ports 53a to 53f.

また、本実施形態では、各供給口53a〜53fから供給される液体1の温度を互いに変更することにより、液浸領域AR2の非走査方向における液体温度分布を均一化するようにしているが、パターン像の投影状態を所望の状態に調整するために、液浸領域AR2の非走査方向における液体温度分布が不均一になるように各供給口53a〜53fから供給される液体1の温度を互いに調整することもできる。 Further, in the present embodiment, by changing the temperature of the liquid 1 supplied from the respective supply ports 53a~53f each other, but so as to uniform the liquid temperature distribution in the non-scanning direction of the liquid immersion area AR2, the projection state of the pattern image in order to adjust to a desired state, the temperature of the liquid 1 of the liquid temperature distribution in the non-scanning direction is supplied from the respective supply ports 53a~53f to become uneven in the liquid immersion area AR2 to each other It can also be adjusted.

また、本実施形態では、投影光学系PLの投影領域AR1に対してX軸方向(走査方向)の片側から液体1の供給を行う構成としたが、投影領域AR1に関してX軸方向(走査方向)の両側から液体1の供給を行うようにしてもよい。 Further, in the present embodiment, X-axis direction with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL has a configuration for supplying the liquid 1 from one side of (scanning direction), X-axis direction with respect to the projection area AR1 (scanning direction) it may be to supply the liquid 1 from both sides of the. また、更にY軸方向(非走査方向)の片側または両側に液体供給口を設け、X軸及びY軸方向から液体1を供給するようにしてもよい。 Moreover, further liquid supply port is provided on one or both sides in the Y axis direction (non-scanning direction), or may be from the X-axis and Y-axis directions so as to supply the liquid 1. さらに、これらの液体供給口を複数設け、各供給口から異なる温度の液体をそれぞれ供給するようにしてもよい。 Further, a plurality of these liquid supply port may be a liquid temperature different from the supply port to supply respectively.

第3実施形態 次に、本発明の露光装置EXの第3実施形態について、図11を用いて説明する。 Third Embodiment Next, a third embodiment of the exposure apparatus EX of the present invention will be described with reference to FIG. 本実施形態では、液体供給機構及び液体回収機構を以下のように変更した。 In the present embodiment, the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism was changed as follows. 図11において、露光装置EXは、X軸方向に垂直な方向であるZ軸方向に2つ並べて設けられた供給管71、72(供給口71A、72A)を有する液体供給機構10と、供給管71、72に対向するようにZ軸方向に2つ並べて設けられた回収管73、74(回収口73A、74A)を有する液体回収機構30とを備えている。 11, the exposure apparatus EX includes a liquid supply mechanism 10 having a supply pipe 71 provided side by side two in the Z-axis direction which is perpendicular to the X-axis direction (supply port 71A, 72A), the supply pipe 71 and 72 are provided side by side two in the Z-axis direction so as to face the recovery pipe 73, 74 (recovery ports 73A, 74A) and a liquid recovery mechanism 30 having a. 液体供給機構10は、各供給口71A、72Aからそれぞれ温度の異なる液体を供給可能である。 Liquid supply mechanism 10 can supply temperature of different liquids from each supply port 71A, 72A. これにより、液浸領域AR2において、互いに温度の異なる2つの液体層LQ1、LQ2を形成することができる。 Thus, in the liquid immersion area AR2, it is possible to form two liquid layers LQ1, LQ2 having different temperatures from each other.

上記のような方法で液体を供給することで、例えば、投影光学系PLの先端部の光学素子2に接触する上層の液体層LQ1を形成するための液体1を常時略同じ温度で供給し、露光光ELが照射されて温度上昇しやすい基板P表面に接触する下層の液体層LQ2の液体1の温度を、マスクMのパターン分布(入射される露光光の分布)に応じて変更しつつ供給することができる。 By supplying liquid in the above-described methods, e.g., by supplying the liquid 1 for forming the upper liquid layer LQ1 in contact with the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL always substantially at the same temperature, supply temperature of the liquid 1 of the lower liquid layer LQ2 which the exposure light EL is in contact with the irradiated by the temperature rise tends to the surface of the substrate P, while changing in accordance with the pattern distribution of the mask M (distribution of the incident exposure light) can do. 上層の液体層LQ1を形成するための液体1を常時略一定の温度に調整することにより、基板Pから発する熱による熱変化が投影光学系PLの先端部の光学素子2に伝達することを抑制できる。 By adjusting the liquid 1 for forming the upper liquid layer LQ1 always substantially constant temperature, prevent the thermal changes due to heat generated from the substrate P is transmitted to the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL it can. また、下層の液体層LQ2を形成するために供給する液体を、上層の液体層LQ1を形成するために供給する液体より温度を低くするようにしてもよい。 Further, the liquid supplied to form the lower liquid layer LQ2, may be lower temperature than the liquid supplied to form the upper layer of the liquid layer LQ1. もちろん、上層の液体層LQ1を形成する液体1の温度をマスクMのパターン分布(入射される露光光の分布)に応じて変更するようにしてもよい。 Of course, it may be changed according to the temperature of the liquid 1 for forming the upper liquid layer LQ1 to the pattern distribution of the mask M (distribution of the incident exposure light).
また、各供給口71A、72Aから供給される液体の温度は、上層の液体層LQ1の液体の温度と下層の液体層LQ2の液体の温度とがほぼ同一になるようにを調整してもよいし、温度差が生じるように調整してもよい。 The temperature of the liquid supplied from the supply ports 71A, 72A may be adjusted so that the temperature of the liquid temperature and the lower liquid layer LQ2 liquid of the upper liquid layer LQ1 is approximately the same and it may be adjusted so that the temperature difference occurs.

なお、本実施形態において、供給管及び回収管はZ軸方向にそれぞれ2つ設けられているが、3つ以上の任意の数の供給管及び回収管を、それぞれZ軸方向に並べて配置してもよい。 In the present embodiment, the supply tube and the recovery tube is provided two each in the Z-axis direction, three or more arbitrary number of supply tubes and recovery tubes, each arranged in the Z-axis direction it may be. これにより、液体供給機構10は、Z軸方向に離れた複数の位置からそれぞれ異なる温度の液体1を供給可能である。 Thus, the liquid supply mechanism 10 is capable of supplying the liquid 1 of different temperatures from a plurality of locations spaced apart in the Z-axis direction.

また図11においては、X軸方向に離れた供給管71、72と回収管73、74の一組のみを示しているが、供給管と回収管の複数組をY軸方向に並べて配置してもよい。 In Figure 11 shows the supply pipe 71, 72 apart in the X-axis direction a pair of the recovery tube 73 and 74 only, a plurality of sets of supply tubes and recovery tubes arranged side by side in the Y-axis direction it may be.
また、本実施形態おいても、各供給口71A、72Aからそれぞれ単位時間当たりに供給する液体の供給量を異ならせることができる。 Also, be previously present embodiment, it is possible to vary the supply amount of the liquid supplied each supply port 71A, from 72A per each unit time. この場合、液体層LQ1の液体と液体層LQ2の液体との温度が同一となるように、あるいは所望の温度差が生じるように供給口71Aと供給口71Bの供給量を異ならせることができる。 In this case, it is possible to vary so that the temperature of the liquid and the liquid in the liquid layer LQ2 in the liquid layer LQ1 is the same, or the desired and the supply port 71A so that the temperature difference results in a supply amount of the supply port 71B. また、液体層LQ1の液体の流れと液体層LQ2の液体の流れとがほぼ同一の速度となるように、あるいは所望の速度差が生じるように供給口71Aと供給口71Bの供給量を異ならせることもできる。 Also, varied as the flow of the liquid in the liquid layer liquid flow and the liquid layer LQ1 LQ2 is substantially the same speed, or the desired and the supply port 71A so that the speed difference is generated between the supply amount of the supply port 71B it is also possible.

第4実施形態 次に、本発明の露光装置EXの第4実施形態について、図12を用いて説明する。 Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the exposure apparatus EX of the present invention will be described with reference to FIG. 本実施形態では、以下のような液体の温度計測器(センサ)を設けるとともに、第1及び第2液体供給部を液体回収機構として用いる構成とした。 In the present embodiment, provided with a temperature measuring instrument (sensor) of the liquid as described below, it has a configuration using the first and second liquid supply section as the liquid recovery mechanism. 図12に示すように、露光装置EXは、液体の温度を計測するためにY軸方向に離れた複数のセンサ素子81a〜81fを有する温度センサ81、及びセンサ素子82a〜82fを有する温度センサ82を備えている。 As shown in FIG. 12, the exposure apparatus EX, the temperature sensor 82 with a temperature sensor 81, and the sensor element 82a~82f having a plurality of sensor elements 81a~81f apart in the Y-axis direction in order to measure the temperature of the liquid It is equipped with a. センサ素子81a〜81fはそれぞれ供給管51a〜51fに設けられている。 Sensor element 81a~81f is provided in each supply pipe 51 a to 51 f. また、センサ素子82a〜82fはそれぞれ供給管52a〜52fに設けられている。 The sensor element 82a~82f is provided in each supply pipe 52a to 52f.

本実施形態の第1液体供給部51、第2液体供給部52は、それぞれ基板P上の液体1を回収する液体回収機構として機能する。 The first liquid supply section 51, the second liquid supply unit 52 of this embodiment functions as the liquid recovery mechanism which recovers the liquid 1 on the substrate P respectively. 即ち、第1及び第2液体供給部51、52は、供給口及び供給管を介して基板P上の液体1を吸引及び回収することができる。 That is, the first and second liquid supply unit 51, 52 can be sucked and recover the liquid 1 on the substrate P via the supply port and the supply pipe. 例えば、第1液体供給部51が基板P上に液体1を供給している間、第2液体供給部52は液体回収機構として機能し、基板P上の液体1を回収する。 For example, while the first liquid supply unit 51 is supplying liquid 1 onto the substrate P, the second liquid supply section 52 functions as the liquid recovery mechanism to recover the liquid 1 on the substrate P. 回収された液体1は、供給管(回収管)52a〜52fを通過する際、センサ素子82a〜82fで温度が計測される。 Recovered liquid 1 passes through the supply tube (recovery tubes) 52a to 52f, the temperature is measured by the sensor element 82A~82f. つまり、液体回収機構として機能する第2液体供給部52において、Y軸方向に離れた複数の位置に設けられた回収口(供給口)54a〜54eによって基板P上の液体1を回収するとともに、複数のセンサ素子82a〜82fによって複数の位置で回収された液体1の温度をそれぞれ計測することができる。 That is, in the second liquid supply section 52 which functions as the liquid recovery mechanism, as well as recover the liquid 1 on the substrate P by the Y-axis direction away provided in a plurality of positions recovery ports (supply ports) 54A~54e, a plurality of sensor elements 82a~82f temperature of the recovered liquid 1 at a plurality of positions by a can be measured respectively. 同様に、第2液体供給部52が基板P上に液体1を供給している間、第1液体供給部51は液体回収機構として機能し、基板P上の液体1を回収する。 Similarly, while the second liquid supply unit 52 supplies the liquid 1 onto the substrate P, the first liquid supply section 51 functions as the liquid recovery mechanism to recover the liquid 1 on the substrate P. 回収された液体1は、供給管(回収管)51a〜51fを流通する際、センサ素子81a〜81fにより温度が計測される。 Recovered liquid 1 when flowing through the supply pipe (recovery tubes) 51 a to 51 f, the temperature is measured by the sensor element 81 a - 81 f.

次に、図12に示した露光装置EXを用いた液浸露光の手順を、図13に示したフローチャート図を参照しながら説明する。 Next, the procedure of immersion exposure using an exposure apparatus EX shown in FIG. 12 will be described with reference to the flow chart shown in FIG. 13. まず、マスクMをマスクステージMST上にロードするとともに、基板Pを基板ステージPST上にロードする。 First, along with the load the mask M on the mask stage MST, to load the substrate P on the substrate stage PST. 次いで、制御装置CONTは液体供給機構50及び液体回収機構30をそれぞれ駆動して、投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2を形成する。 Then, the control unit CONT drives the liquid supply mechanism 50 and liquid recovery mechanism 30 respectively to form the liquid immersion area AR2 between the projection optical system PL and the substrate P. 次いで、マスクMを露光光ELで照明し、基板Pに対してテスト露光を行う(ステップSB1)。 Then, to illuminate the mask M with the exposure light EL, performs test exposure with respect to the substrate P (Step SB1). 液浸領域AR2の液体1は、露光光ELによりY軸方向を長手方向とするスリット状の投影領域AR1に応じた領域のみ照射されるので、主にY軸方向に温度分布が生じることになる。 The liquid 1 of the liquid immersion region AR2 is because they are irradiated with Y-axis direction only the region corresponding to the slit-shaped projection area AR1 to the longitudinal direction by the exposure light EL, will primarily the temperature distribution occurs in the Y-axis direction . ここで、基板Pとして、デバイス製造用基板とは別のテスト用基板を用いてもよい。 Here, as the substrate P, it may be used another test substrate for a device fabrication substrate.

例えば、基板Pを−X方向に移動しつつ液浸露光するために、第2液体供給部52によって液体が供給されている場合、第1液体供給部51が液体回収機構として機能する。 For example, in order to immersion exposure while moving the substrate P in the -X direction, when the liquid by the second liquid supply unit 52 is supplied, the first liquid supply section 51 functions as the liquid recovery mechanism. そのため、基板P上の液体1は回収管(供給管)51a〜51fを介して回収される。 Therefore, the liquid 1 on the substrate P is recovered through the recovery pipe (supply pipe) 51 a to 51 f. 回収管51a〜51fをそれぞれ流通する液体の温度は、各センサ素子81a〜81fによって計測される。 Temperature of the liquid flowing through the recovery pipe 51a~51f respectively is measured by the sensor elements 81 a - 81 f. 各センサ素子81a〜81fの温度の計測結果は制御装置CONTに出力される。 Measurement results of the temperature of each sensor element 81a~81f is outputted to the control unit CONT. 制御装置CONTは、Y軸方向に並んだ複数のセンサ素子81a〜18fのそれぞれの検出結果に基づいて、液体1のY軸方向における温度分布を求める(ステップSB2)。 The control unit CONT based on the respective detection results of the plurality of sensor elements 81a~18f aligned in the Y-axis direction, determine the temperature distribution in the Y-axis direction of the liquid 1 (step SB2). ここで、液体回収機構として機能する第1液体供給部51は、液体温度を計測可能な量の液体を回収するような構成とすることができる。 The first liquid supply section 51 which functions as the liquid recovery mechanism may be configured so as to recover the liquid amount capable of measuring the fluid temperature.

制御装置CONTは、ステップSB2で求めた液体温度分布に基づいて、投影光学系PLと液体1とを介して基板P上に所望のパターン像が投影されるように、つまり、液浸領域AR2の液体1のY軸方向における温度が均一になるように、第2液体供給部52に接続する各供給口54a〜54fから供給する液体の温度についての補正量を求める(ステップSB3)。 The control unit CONT based on the liquid temperature distribution determined in Step SB2, as the desired pattern image is projected onto the substrate P via the projection optical system PL and the liquid 1, i.e., the liquid immersion area AR2 as the temperature in the Y-axis direction of the liquid 1 is uniform, obtaining a correction amount for the temperature of the liquid supplied from the supply port 54a~54f connected to the second liquid supply unit 52 (step SB3).

次いで、制御装置CONTは、求めた液体温度の補正量に基づいて、各供給口54a〜54fから基板P上に供給する液体1の温度を調整しつつ、実際のデバイス製造のための液浸露光(以下、本露光という)を行う(ステップSB4)。 Then, the control unit CONT based on the correction amount of the obtained liquid temperature, while adjusting the temperature of the liquid 1 supplied from the respective supply ports 54a~54f onto the substrate P, the actual immersion exposure for device fabrication (hereinafter, referred to as main exposure) is performed (step SB4). なお、本露光の際には、第1液体供給部51は、液体回収部として機能しない(機能が解除される)。 At the time of this exposure, the first liquid supply section 51 does not function as the liquid recovery section (function is canceled).

一方、基板Pを+X方向に移動しながら露光する際には、第2液体供給部52が液体回収機構として機能し、上述した手順と同様の手順でテスト露光及び本露光が行われる。 On the other hand, when the exposure is performed while moving the substrate P in the + X direction, the second liquid supply section 52 functions as the liquid recovery mechanism, test exposure and the exposure is performed in a similar procedure to that described above.

なお、本実施の形態では、投影状態の調整方法として、液体1の温度分布を求めた後(ステップSB2)、所望のパターン像が基板P上に投影されるように、供給する液体1の温度を調整したが、上述したように、液体1の単位時間当たりの供給量の調整、基板Pの位置及び姿勢の調整、投影光学系PLの像特性の調整等を行っても構わない。 In this embodiment, as the adjustment method of the projection state, after obtaining the temperature distribution of the liquid 1 (step SB2), as the desired pattern image is projected onto the substrate P, the temperature of the supplied liquid 1 was adjusted, as described above, the adjustment of the supply amount per unit of liquid 1 time, adjustment of the position and orientation of the substrate P, it may be subjected to adjustment of the image characteristic of the projection optical system PL. また、これら各種調整を組み合わせて行っても構わない。 In addition, it may be performed by a combination of these various adjustments.

また、本実施形態においては、複数のセンサ素子81a〜18fのそれぞれの検出結果に基づいて液浸領域AR2の液体1の温度が均一になるように各供給口から供給される液体温度を調整しているが、テスト露光によって基板P上に形成されたパターンの解析を行った後に、各供給口から供給される液体温度の補正量を決定してもよい。 In the present embodiment, by adjusting the liquid temperature to be supplied from the respective supply ports so that the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is uniform on the basis of the respective detection results of the plurality of sensor elements 81a~18f and that is, after the analysis of the pattern formed on the substrate P by the test exposure may determine the correction amount of the liquid temperature to be supplied from the respective supply ports. この場合、液浸領域AR2の液体1の温度が不均一となるように、各供給口から供給される液体温度を調整してもよい In this case, so that the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is nonuniform, may adjust the liquid temperature to be supplied from the respective supply ports

第5実施形態 次に、本発明の露光装置EXの第5実施形態について、図14を用いて説明する。 Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment of the exposure apparatus EX of the present invention will be described with reference to FIG. 14. 本実施形態では、ダミー基板を用いて液体の温度分布を求める構成とした。 In the present embodiment is configured to determine the temperature distribution of the liquid by using a dummy substrate. 図14に示すように、ダミー基板DPの表面に複数の温度センサ90が設けられている。 As shown in FIG. 14, a plurality of temperature sensors 90 are provided on the surface of the dummy substrate DP. ダミー基板DPは、デバイス製造用の基板Pと略同じ大きさ及び形状を有しており、基板Pを保持して移動可能な可動部材である基板ステージPSTに配置可能(保持可能)となっている。 The dummy substrate DP has approximately the same size and shape as the substrate P for device production, become locatable on the substrate stage PST is movable member movable while holding the substrate P (can hold) there. ダミー基板DPは、基板ステージPSTに対して脱着可能である。 Dummy substrate DP is detachable with respect to the substrate stage PST. 即ち、ダミー基板DP上の温度センサ90も基板ステージPSTに対して脱着可能となる。 That is, the temperature sensor 90 on the dummy substrate DP may be detachable from the substrate stage PST.

温度センサ90は、ダミー基板DPの表面に設けられた複数のセンサ素子91を有している。 Temperature sensor 90 includes a plurality of sensor elements 91 provided on the surface of the dummy substrate DP. センサ素子91は、例えば熱電対により構成されている。 Sensor element 91 is constituted by, for example, a thermocouple.

ダミー基板DP上には、ショット領域SA(図6参照)に応じた複数のセンサ配置領域SCが設定されている。 On the dummy substrate DP, a plurality of sensor arrangement areas SC in accordance with the shot area SA (see FIG. 6) is set. このセンサ配置領域SCは、それぞれデバイスパターンが露光されるショット領域SAの大きさ(形状)及び配置と略同じに設定されている。 The sensor arrangement areas SC are each device pattern is sized (shape) and arranged substantially the same set of shot areas SA to be exposed. 本実施形態ではX軸方向及びY軸方向にそれぞれ3箇所ずつ(3×3)、合計9箇所のセンサ配置領域SCが略マトリクス状に設定されている。 Each respectively at three locations in the X-axis direction and the Y-axis direction in the present embodiment (3 × 3), the sensor arrangement areas SC in total nine is set substantially in a matrix.

センサ素子91は、各センサ配置領域SCにそれぞれ平面視マトリクス状に複数配置されている。 Sensor element 91 is arranged in plural and in plan view a matrix to each sensor arrangement areas SC. 本実施形態において、センサ素子91は、1箇所のセンサ配置領域SCに、X軸方向及びY軸方向にそれぞれ5個ずつ(5×5)、合計25個設けられている。 In this embodiment, the sensor element 91, the sensor arrangement areas SC in one place, in the X-axis direction and the Y-axis direction by five each (5 × 5), provided 25 total. 即ち、ダミー基板DP上の温度センサ90は、少なくとも基板P(ダミー基板DP)の非走査方向(Y軸方向)に離れた複数のセンサ素子91を有している。 That is, the temperature sensor 90 on the dummy substrate DP has a plurality of sensor elements 91 spaced at least the substrate P in the non-scanning direction (dummy substrate DP) (Y-axis direction).

温度センサ90のセンサ素子91の検出部(プローブ)は、ダミー基板DPの表面に露出しており、液浸領域AR2の液体1の温度を検出することができる。 Detecting portion of the sensor element 91 of the temperature sensor 90 (probe) is exposed on the surface of the dummy substrate DP, it is possible to detect the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2. この温度センサ90を備えたダミー基板DPを基板ステージPSTで保持することにより、液浸領域AR2の液体1の温度を計測する温度センサ90を投影光学系PLの像面付近に移動可能に配置することができる。 By holding the dummy substrate DP provided with the temperature sensor 90 in the substrate stages PST, arranged movably temperature sensor 90 for measuring the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 in the vicinity of the image plane of the projection optical system PL be able to.

また、投影光学系PLの投影領域AR1を含むショット領域SAに配置されるセンサ素子91は、投影光学系PLの投影領域AR1及びその近傍に配置されることになる。 The sensor element 91 arranged in the shot area SA including the projection area AR1 of the projection optical system PL will be disposed in the projection area AR1 and its vicinity of the projection optical system PL. センサ素子91が投影領域AR1に関して非走査方向(Y軸方向)に複数配置されていることにより、投影領域AR1の少なくとも非走査方向(Y軸方向)における温度分布を計測することができる。 By the sensor element 91 is arranged in plural and in the non-scanning direction (Y axis direction) with respect to the projection area AR1, it is possible to measure the temperature distribution in at least the non-scanning direction of the projection area AR1 (Y-axis direction).

また、各センサ配置領域SCには、センサ素子91(温度センサ90)の温度検出信号を制御装置CONTに送る信号伝達線(ケーブル)93が接続されている。 In addition, each sensor arrangement areas SC, the sensor element 91 (temperature sensor 90) signal transmission line for sending a temperature detection signal to the control unit CONT of (cable) 93 is connected. 信号伝達線の一端部は、各センサ配置領域SCのセンサ素子91(温度センサ90)に接続され、他端部は、ダミー基板DP外部(基板ステージPST外部)の制御装置CONTに接続されている。 One end of the signal transmission line is connected to the sensor element 91 (temperature sensor 90) of the respective sensor arrangement areas SC, the other end is connected to the control unit CONT of the dummy substrate DP external (substrate stage PST outside) . 信号伝達線93は、ダミー基板DPに埋設されており、ダミー基板DPの端部から出た信号伝達線93が制御装置CONTに接続されている。 Signal transmission line 93 is embedded in the dummy substrate DP, the signal transmission lines 93 exiting from the end portion of the dummy substrate DP is connected to the control unit CONT.

また、ダミー基板DPの表面に設けられた各センサ配置領域SCは、互いに異なる光反射率を有するような表面処理されている。 Each sensor arrangement areas SC, which is provided on the surface of the dummy substrate DP is surface treated so as to have a different light reflectivity from each other. 具体的には、各センサ配置領域SCのそれぞれに対して互いに異なる光反射率を有する材料膜がコーティングされている。 More specifically, it is the material film is coated with a different light reflectivity from each other for each of the respective sensor arrangement areas SC. これにより、各センサ配置領域SCに配置されたセンサ素子91(温度センサ90)は、投影光学系PL及び液体1を介して露光光ELが照射された際、互いに異なる光反射条件の下で、液体1の温度を計測することができる。 Thus, the sensor element 91 disposed in each sensor arrangement areas SC (temperature sensor 90), when the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid 1 is irradiated, under different light reflection conditions, it is possible to measure the temperature of the liquid 1.

また、ダミー基板DP上には、各センサ配置領域SC毎にセンサ配置領域SCを所定位置に対して位置合わせするためのアライメントマーク94が設けられている。 Further, on the dummy substrate DP, alignment marks 94 for alignment with respect to a predetermined position of the sensor arrangement areas SC in each sensor arrangement areas SC are provided. アライメントマーク94は、不図示のアライメント系によって検出される。 Alignment mark 94 is detected by the alignment system (not shown). アライメント系はアライメントマーク94の位置の検出結果に基づいて、センサ配置領域SCに配置された温度センサ90(センサ素子91)に対する投影光学系PLの投影領域AR1の位置情報を求める。 Alignment system is based on the detection result of the position of the alignment mark 94, obtains the position information of the projection area AR1 of the projection optical system PL with respect to the sensor arrangement areas temperature sensor 90 disposed in the SC (sensor element 91). 次いで、アライメントマーク94を用いて、各センサ配置領域SCのセンサ素子91と投影光学系PLの投影領域AR1とを位置合わせする。 Then, using the alignment marks 94, aligning the projection area AR1 of the sensor element 91 and the projection optical system PL of each sensor arrangement areas SC. 具体的には、投影光学系PLの投影領域AR1内にセンサ配置領域SCにおいてマトリクス状に配置されたセンサ素子91のうちの非走査方向(Y軸方向)に並んだセンサ素子91が配置されるように、即ち、複数のセンサ素子91のY軸方向の並び方向と投影光学系PLの投影領域AR1の長手方向とが一致するように、位置合わせ処理が行われる。 Specifically, the sensor element 91 is arranged aligned in the non-scanning direction (Y axis direction) of the sensor element 91 arranged in a matrix form in the sensor arrangement areas SC in the projection area AR1 of the projection optical system PL as such, i.e., as the longitudinal direction of the projection area AR1 of the plurality of sensor elements 91 in the Y-axis direction arrangement direction between the projection optical system PL is coincident, the positioning process is performed.

次に、図14に示した温度センサ90で液浸領域AR2の液体1の温度を計測する手順について説明する。 Next, the procedure will be described for measuring the temperature of the liquid 1 in the liquid immersion area AR2 by the temperature sensor 90 shown in FIG. 14. デバイス製造のための液浸露光処理を行う前に、まず、マスクMをマスクステージMSTにロードするとともに、上述した温度センサ90を備えたダミー基板DPを基板ステージPSTにロードする。 Before performing the liquid immersion exposure process for device fabrication, first, the loading of the mask M on the mask stage MST, loading a dummy substrate DP provided with the temperature sensor 90 described above to the substrate stage PST. 次いで、制御装置CONTは、上述したアライメントマーク94の位置を検出し、投影光学系PLの投影領域AR1とセンサ配置領域SCの温度センサ90との位置関係を求め、投影領域AR1の長手方向(Y軸方向)とセンサ素子91のY軸方向に関する並び方向とを一致させる。 Then, the control unit CONT detects the position of the alignment marks 94 described above, obtains the positional relation between the temperature sensor 90 of the projection area AR1 and the sensor arrangement areas SC of the projection optical system PL, and the longitudinal direction (Y of the projection area AR1 axial direction) to match the alignment direction in the Y-axis direction of the sensor element 91. 次いで、制御装置CONTは、液体供給機構50及び液体回収機構30をそれぞれ駆動して投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2を形成するとともに、マスクMを露光光ELで照明する。 Then, the control unit CONT, to form the liquid immersion area AR2 between the projection optical system PL and the substrate P with the liquid supply mechanism 50 and liquid recovery mechanism 30 respectively driven to, to illuminate the mask M with the exposure light EL . マスクM及び投影光学系PLを通過した露光光ELが液体1に照射されることにより、液体1にその露光光ELの照度分布に起因する温度分布が生じる。 By exposure light EL passing through the mask M and the projection optical system PL is irradiated to the liquid 1, the temperature distribution due to the illuminance distribution of the exposure light EL in the liquid 1 occurs. 制御装置CONTは、デバイス製造の際の動作と同様に、マスクMを支持したマスクステージMSTと、ダミー基板DPを支持した基板ステージPSTとをX軸方向に走査移動しつつ、基板ステージPST上に配置された温度センサ90を用いて液浸領域AR2の液体1の温度分布を計測する。 The control unit CONT, as with operation during device fabrication, a mask stage MST which supports a mask M, a substrate stage PST which supports the dummy substrate DP while scanning movement in the X-axis direction, on the substrate stage PST measuring the temperature distribution of the liquid 1 in the liquid immersion area AR2 by using the arranged temperature sensor 90. ショット領域SA(投影領域AR1)のY軸方向の温度分布、ひいてはマスクMのY軸方向のパターン分布は、Y軸方向に並んだ各センサ素子91の検出結果に基づいて計測される。 Y-axis direction temperature distribution of the shot area SA (projection area AR1), the pattern distribution in the Y-axis direction and thus the mask M, is measured on the basis of the detection result of the Y-axis aligned in the direction the sensor element 91. 一方、ショット領域SAのX軸方向の温度分布、ひいてはマスクMのX軸方向のパターン分布は、投影領域AR1に対してX軸方向に走査移動するセンサ配置領域SCにX軸方向に設けられた複数のセンサ素子91の各検出結果に基づいて計測される。 On the other hand, the temperature distribution in the X-axis direction of the shot area SA, and thus the pattern distribution in the X-axis direction of the mask M is provided on the X-axis direction in the sensor arrangement areas SC for scanning movement in the X axis direction with respect to the projection area AR1 It is measured on the basis of the detection results of the plurality of sensor elements 91. これにより、1つのショット領域SAに対するXY方向における液体1の温度分布を計測することができる。 This makes it possible to measure the temperature distribution of the liquid 1 in the XY directions for one shot area SA.

このとき、制御装置CONTは、ダミー基板DP上に複数設定された各センサ配置領域SCについて温度分布計測を行う。 At this time, the control unit CONT performs the temperature distribution measured for each sensor arrangement areas SC, which is more set on the dummy substrate DP. センサ配置領域SCは光反射率がそれぞれ異なるように設定されているため、例えば、デバイス製造時に光反射率(具体的にはフォトレジストの種類)が異なる基板Pを使用する際、各基板Pに応じた光反射条件における液体温度分布情報を計測することができる。 Since the sensor arrangement areas SC light reflectance is set to be different from each example, when light reflectance during device fabrication (in particular the type of photoresist) use different substrate P, on each substrate P it is possible to measure the liquid temperature distribution information in accordance with the light reflection conditions.

制御装置CONTは、ダミー基板DP上に設けられた温度センサ90を用いて計測された液体1の温度情報(温度分布情報)に基づいて、投影光学系PLと液体1とを介して基板P上に所望のパターン像が投影されるように、上述したような各種の動作を実行することができる。 The control unit CONT based on the temperature information of the liquid 1, which is measured using a temperature sensor 90 provided on the dummy substrate DP (temperature distribution information), on the substrate P via the projection optical system PL and the liquid 1 as desired pattern image is projected, it is possible to execute various operations such as those described above. 例えば、結像特性制御装置3の駆動を補正する補正量を求めたり、走査露光時における基板ステージPSTの移動(姿勢)を補正する補正量を求める。 For example, obtain a correction amount for correcting the driving of the image formation characteristic control unit 3 calculates a correction amount for correcting moving (posture) of the substrate stage PST during the scanning exposure. また、上記の第2実施形態のように、液浸領域AR2の液体1の温度が均一になるように、各供給口54a〜54f(53a〜53f)(図10参照)から供給する液体の温度を補正する補正量を求める。 Also, as in the second embodiment described above, such that the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is uniform, the temperature of the liquid supplied from the supply port 54a~54f (53a~53f) (see FIG. 10) obtaining a correction amount for correcting the. これらの求めた補正量は、記憶装置MRYに記憶される。 These calculated correction amount is stored in the storage apparatus MRY.

制御装置CONTが上記補正量を求める処理をしている間、ダミー基板DPが基板ステージPSTからアンロードされるとともに、デバイス製造用の基板Pが基板ステージPSTにロードされる。 While the control unit CONT is the process of obtaining the correction amount, with the dummy substrate DP is unloaded from the substrate stages PST, the substrate P for device production is loaded on the substrate stage PST. 次いで、制御装置CONTは、求めた補正量に基づいて、液浸領域AR2を形成するために供給する液体1の温度を調整したり、投影光学系PLの像特性を調整したり、あるいは基板ステージPSTの移動(姿勢)を調整することにより、投影光学系PLと液体1との介して形成される像面と基板P表目のとの位置関係を調整しつつ、基板Pに対して液浸走査露光を行う。 Then, the control unit CONT based on the correction amount calculated by adjusting the temperature of the liquid 1 supplied in order to form the liquid immersion area AR2 or, to adjust the image characteristics of the projection optical system PL, or the substrate stage by adjusting the movement of the PST (the attitude), while adjusting the positional relationship between the image plane and the substrate P table th city formed through the projection optical system PL and the liquid 1, the liquid immersion with respect to the substrate P perform the scanning exposure.

図15は、温度センサ90を備えるダミー基板DPの別実施例である。 Figure 15 is an alternative embodiment of the dummy substrate DP provided with the temperature sensor 90. 図15において、ダミー基板DP上に温度センサ90の温度検出信号を記憶する記憶素子95が設けられている。 15, the storage element 95 is provided for storing the temperature detection signal of the temperature sensor 90 on the dummy substrate DP. 具体的には、記憶素子95はダミー基板DPに埋設されている。 Specifically, the storage element 95 is embedded in the dummy substrate DP.

図15に示したダミー基板DPを用いて液浸領域AR2の液体1の温度を検出する場合、ダミー基板DPが基板ステージPSTに保持された状態で液浸領域AR2の液体1の温度が検出され、その検出結果は記憶素子95に記憶される。 When detecting the temperature of the liquid 1 in the liquid immersion area AR2 by using the dummy substrate DP shown in FIG. 15, the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is detected in a state in which the dummy substrate DP is held by the substrate stage PST , the detection result is stored in the storage element 95. 次いで、このテスト露光を行った後、ダミー基板DPを基板ステージPSTからアンロードし、記憶素子95に記憶されている温度検出結果を抽出する(読み出す)。 Then, by this test exposure, the dummy substrate DP is unloaded from the substrate stages PST, extracts the temperature detection result stored in the storage device 95 (reading). 制御装置CONTは、デバイス製造のための液浸露光処理を行う際に、抽出した液体の温度情報に基づいて、上記実施形態と同様に、投影光学系PLの像特性を調整するための補正量を求めたり、あるいは液浸領域AR2を形成する液体1の温度を調整するための補正量を求める。 The control unit CONT, when performing liquid immersion exposure for device fabrication, on the basis of the extracted temperature information of the liquid, as in the above embodiment, the correction amount for adjusting the image characteristic of the projection optical system PL the or determined, or obtaining a correction amount for adjusting the temperature of the liquid 1 for forming the liquid immersion area AR2. ダミー基板DPに対して記憶素子95を脱着可能に設けておき、液体1の温度を検出後、この記憶素子95をダミー基板DPから取り外して、記憶素子95に記憶されている液体温度の検出結果を抽出するようにしてもよい。 The storage element 95 with respect to the dummy substrate DP may be provided detachably, after detecting the temperature of the liquid 1, by removing the storage device 95 from the dummy substrate DP, the detection result of the liquid temperature stored in the storage device 95 it may be extracted.

以上説明したように、移動可能な基板ステージPST上に温度センサ90を設けた基板を配置することにより、露光光ELに対して走査移動しながら液体温度計測ができるので、デバイス製造のためのショット領域SAに応じた液浸領域AR2の液体温度分布を計測することができる。 As described above, by placing the substrate provided with a temperature sensor 90 on a movable substrate stages PST, since it is liquid temperature measurement while scanning movement with respect to the exposure light EL, shot for device fabrication it is possible to measure the liquid temperature distribution of the liquid immersion area AR2 corresponding to the area SA. また、デバイス製造用の基板Pと略同一形状のダミー基板DPに温度センサ90を設けたことにより、投影光学系PLとダミー基板DPとの間に液浸領域AR2を良好に形成した状態で、即ち、デバイス製造時の液浸露光条件と略同一の条件で温度計測することができる。 Further, by providing the temperature sensor 90 on the dummy substrate DP in the substrate P is substantially the same shape for device fabrication, in a state that the liquid immersion area AR2 has been satisfactorily formed between the projection optical system PL and the dummy substrate DP, in other words, it is possible to temperature measured by immersion exposure conditions substantially the same conditions at the time of device manufacture. さらに、この計測結果に基づいて、液浸露光時における液体1の温度調整を精度良く行うことができる。 Further, based on this measurement result, the temperature adjustment of the liquid 1 during the liquid immersion exposure can be performed accurately.

また、液浸領域AR2の温度分布は、上述したように、主に露光光ELの照射に起因して生じるが、例えば、露光装置周囲(液浸領域周囲)の温度環境によっても生じることも考えられる。 Further, the temperature distribution of the liquid immersion area AR2, as described above, mainly but caused by the irradiation of the exposure light EL, for example, conceivable that caused by the temperature environment of the exposure apparatus around (immersion area around) It is. この場合、本実施形態のように、温度センサ90で液体温度を直接計測することにより、露光装置周囲の温度環境が変動しても液浸領域AR2の液体温度分布を精度良く計測することができる。 In this case, as in the present embodiment, by measuring the liquid temperature directly by the temperature sensor 90 may be an exposure apparatus ambient temperature environment to measure accurately the liquid temperature distribution of the liquid immersion area AR2 be varied .

なお、本実施形態において、液浸領域AR2の液体1の温度を検出する温度センサ90は、基板ステージPSTに対して脱着可能なダミー基板DP上に設けたが、直接、基板ステージPSTの所定の位置に設けてもよい。 In the present embodiment, a temperature sensor 90 for detecting the temperature of the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is arranged on a removable dummy substrate DP on the substrate stage PST, directly predetermined substrate stage PST it may be provided at the position. また、基板ステージPSTの所定の位置に対して脱着可能に設けてもよい。 It may also be provided detachably with respect to a predetermined position of the substrate stage PST. あるいは、基板ステージPST上の所定の領域内において、この温度センサ90を移動可能に設けてもよい。 Alternatively, in a predetermined region on the substrate stages PST, it may be provided movably this temperature sensor 90. あるいは、投影光学系PLの先端部の光学素子2近傍に、液浸領域AR2の液体温度を検出する温度センサを設けてもよい。 Alternatively, the optical element 2 near the distal end portion of the projection optical system PL, may be provided with a temperature sensor for detecting the liquid temperature of the liquid immersion area AR2.

また、上述の各実施形態においては、主に投影状態を調整するために、各供給口から供給される液体の温度を調整しているが、他の目的のために各供給口から供給される液体の温度を調整しても構わない。 Further, in the embodiments described above, in order to adjust the main projection state, but to adjust the temperature of the liquid supplied from the supply port is supplied from the supply port for other purposes it may be adjusted the temperature of the liquid. 例えば、基板Pの所望の温度分布となるように各供給口から供給される液体の温度を調整するようにしてもよい。 For example, it is also possible to adjust the temperature of the liquid supplied from the supply port to a desired temperature distribution of the substrate P.

上述したように、上記実施形態における液体1は純水を用いた。 As described above, the liquid 1 in the above embodiment with pure water. 純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。 Pure water can be obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, that it has no adverse effects on the photoresist and the optical element (lens) and the like on the substrate P. また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。 Further, pure water has no adverse effects on the environment and contains very few impurities, the action of cleaning the surface of the optical element provided at the end surface of projection optical system PL and the substrate P can be expected.

そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nは略1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、即ち、約134nm程度に短波長化されて高い解像度が得られる。 Then, when the wavelength is using pure water refractive index n of the (water) is said substantially about 1.44, ArF excimer laser light as the light source of the exposure light EL (wavelength 193nm) with respect to the exposure light EL of about 193nm , 1 / n is on the substrate P, that is, a high resolution can be obtained is shortened wavelength to approximately 134 nm. 更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、即ち、約1.44倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 Furthermore, approximately n times the depth of focus than in the air, i.e., to be expanded to about 1.44 times, when the depth of focus approximately the same as that when used in air may be secured to a projection optical It can be further increasing the numerical aperture of the system PL, and resolution improves on this point.

本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。 In the present embodiment, the optical element 2 is attached to the end portion of the projection optical system PL, the optical characteristics of the projection optical system PL by the lens can be performed, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) to adjust the. なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。 The optical element to be attached to the tip of the projection optical system PL, and may be an optical plate used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL. あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。 Alternatively the exposure light EL may be a plane parallel plate that can transmit. 液体1と接触する光学素子を、レンズより安価な平行平面板とすることにより、露光装置EXの運搬、組立、調整時等において投影光学系PLの透過率、基板P上での露光光ELの照度、及び照度分布の均一性を低下させる物質(例えばシリコン系有機物等)がその平行平面板に付着しても、液体1を供給する直前にその平行平面板を交換するだけでよく、液体1と接触する光学素子をレンズとする場合に比べてその交換コストが低くなるという利点がある。 An optical element to make contact with the liquid 1, by an inexpensive plane parallel plate from the lens, transportation of the exposure apparatus EX, the assembly, the transmittance of the projection optical system PL in the adjustment or the like, of the exposure light EL on the substrate P illuminance, and be attached to the illuminance distribution of the agent that reduces the uniformity (e.g. silicon organic matter) is its plane parallel plate, it is sufficient to replace the parallel plane plate immediately before supplying the liquid 1, the liquid 1 its replacement cost as compared with the case of the lens of the optical element in contact with the advantage that low. 即ち、露光光ELの照射によりレジストから発生する飛散粒子、または液体1中の不純物の付着などに起因して液体1に接触する光学素子の表面が汚れるため、その光学素子を定期的に交換する必要があるが、この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、レンズに比べて交換部品のコストが低く、且つ交換に要する時間を短くすることができ、メンテナンスコスト(ランニングコスト)の上昇やスループットの低下を抑えることができる。 That is, since the surface of the optical element due such as to scatter particles generated from the resist by the irradiation of the exposure light EL or attachment of impurities in the liquid 1, into contact with the liquid 1 is dirty, periodically replace the optical element it is necessary, by the optical element is the cheap parallel plane plate, the cost of the exchange part is low as compared with the lens, and it is possible to shorten the time required for replacement, increases the maintenance cost (running cost) it is possible to suppress the reduction of and throughput.

なお、液体1の流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 Incidentally, if the pressure between the substrate P and the optical element at the tip of the projection optical system PL caused by the flow of the liquid 1 is large, instead of the replaceable its optical element, the optical element is moved by the pressure it may be firmly fixed so as not.

なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体1で満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体1を満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the liquid state is between is a configuration that is filled with the liquid 1, for example, fitted with a cover glass comprising a plane parallel plate to the surface of the substrate P and the projection optical system PL and the substrate P surface 1 may be configured to meet.

なお、本実施形態の液体1は水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF レーザである場合、このF レーザ光は水を透過しないので、液体1としてはF レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 Although the liquid 1 of the present embodiment is water, a liquid other than water may be, for example, when the light source of exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser beam is not transmitted through water it may be a fluorine-based fluid such as permeable as fluorine-based oil an F 2 laser light as the liquid 1. また、液体1としては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 Further, as the liquid 1, Besides, if there is transparent to the exposure light EL high as possible refractive index, stable ones (e.g. cedar the photo resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface oil) can also be used. この場合も、用いる液体1の極性に応じて表面処理が行われる。 Again, the surface treatment is performed depending on the polarity of the liquid 1 to be used.

なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for fabricating semiconductor devices but glass substrates for display devices, the original plate of a mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As for the exposure apparatus EX, in the other scanning exposure apparatus by a step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), and the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed, can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper) while stationary. また、本発明は基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 The present invention is also applicable to an exposure apparatus of step-and-stitch method that partially overlaid and transferred at least two patterns on the substrate P.

また、本発明は、ツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention is also applicable to twin stage type exposure apparatus. ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平10−163099号及び特開平10−214783号(対応米国特許6,341,007、6,400,441、6,549,269及び6,590,634)、特表2000−505958号(対応米国特許5,969,441)あるいは米国特許6,208,407に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、それらの開示を援用して本文の記載の一部とする。 The structure and the exposure operation of the twin-stage type exposure apparatus, for example, JP-A-10-163099 and JP-A-10-214783 (corresponding U.S. Pat. 6,341,007,6,400,441,6,549,269 and 6 , 590,634), JP-T-2000-505958 (are disclosed in the corresponding U.S. Patent 5,969,441) or U.S. Patent 6,208,407, permitted by law of the state designated or selected in this international application to the extent that is, with the aid of the disclosure and are hereby.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置等にも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX, the present invention is not limited to semiconductor device fabrication exposure apparatuses that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD ) or it can be widely applied to an exposure apparatus or the like for the production of such as a reticle or mask.

基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 When using a linear motor for the substrate stage PST or the mask stage MST, either of the magnetic floating type may also be employed using the air floating type Lorentz force or reactance force using an air bearing. また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。 Further, each of the stages PST, MST may be a type that moves along a guide or may be the guideless type in which no guide is provided. ステージにリニアモータを用いた例は、米国特許5,623,853及び5,528,118に開示されており、それらの開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、本文の記載の一部として援用する。 An example of the use of the linear motor in a stage is disclosed in U.S. Patent Nos. 5,623,853 and 5,528,118, are allowed their disclosure of the domestic laws and ordinances of the state designated or selected in this international application to the extent, incorporated as part of the description of the body.

各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。 As each of the stages PST, MST driving mechanism, a magnet unit in which magnets are two-dimensional, each of the stages PST by an electromagnetic force is opposed to the armature unit in which to place the coils in a two-dimensional, MST is driven it may be used. この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。 In this case, either one stage PST of the magnet unit and the armature unit is connected MST, and may be provided and the other of the magnet unit and the armature unit stage PST, the moving surface side of the MST.

基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 The reaction force generated by the movement of the substrate stage PST, so as not transmitted to the projection optical system PL, may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member. この反力の処理方法は、例えば、米国特許5,528,118(特開平8−166475号公報)に詳細に開示されており、これらの開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、本文の記載の一部として援用する。 This handling of the reaction force, for example, U.S. Patent 5,528,118 is disclosed in detail in (JP-A-8-166475 JP), the disclosures of which are, designated or selected in this international application countries to the extent permitted by law, it is incorporated as part of the description of the body.

マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Reaction force generated by the movement of the mask stage MST, so as not transmitted to the projection optical system PL, may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member. この反力の処理方法は、例えば、米国特許5,874,820(特開平8−330224号公報)に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、本文の記載の一部とする。 The method for handling the reaction force, for example, U.S. Patent 5,874,820 is disclosed in detail in (JP-A-8-330224 discloses), it is allowed by the laws of the state designated or selected in this international application to the extent, and part of the description of the body.

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy , it is manufactured by assembling. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus is preferably performed in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図16に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 16, a step 201 that performs microdevice function and performance design, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate a step 203 of producing the exposure process step 204 of exposing a pattern of a mask onto a substrate by the exposure apparatus EX of the embodiment described above, a device assembly step (dicing, bonding, including packaging step) 205, an inspection step 206, etc. It is produced through.

本発明の露光装置の第1実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic diagram showing a first embodiment of an exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光装置の一部を構成する液体供給機構及び液体回収機構の概略構成を示す平面図である。 It is a plan view showing a schematic configuration of a liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism constituting a part of an exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光装置の一部を構成する基板ステージの平面図である。 It is a plan view of a substrate stage which constitutes a part of an exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光方法の一実施形態を示すフローチャート図である。 It is a flow chart diagram illustrating one embodiment of an exposure method of the present invention. マスクのパターン分布を計測している状態を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining a state of measuring the pattern distribution of the mask. マスクのパターンを基板に液浸露光している状態を説明するための模式図である。 The pattern of the mask is a schematic view for explaining a state of the liquid immersion exposure on the substrate. 液体の温度分布により投影光学系及び液体を介した像面の位置が変化する様子を説明するための模式図である。 The position of the image plane through the projection optical system and the liquid by the temperature distribution of the liquid is a schematic diagram for explaining how to change. 露光光の分布に応じた像面位置の変化を補正するための補正量を求める手順を示す模式図である。 It is a schematic diagram illustrating a procedure for obtaining a correction amount for correcting the variation of the image plane position corresponding to the distribution of the exposure light. マスクのパターン分布を計測する他の方法を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing another method for measuring the pattern distribution of the mask. 本発明の露光装置の第2実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic diagram showing a second embodiment of the exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光装置の第3実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic diagram showing a third embodiment of the exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光装置の第4実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing a fourth embodiment of an exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光方法の一実施形態を示すフローチャート図である。 It is a flow chart diagram illustrating one embodiment of an exposure method of the present invention. 本発明の露光装置の第5実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic configuration diagram showing a fifth embodiment of an exposure apparatus of the present invention. 図14の変形例を示す概略構成図である。 It is a schematic diagram showing a modification of FIG. 14. 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 Is a flow chart showing an example of a manufacturing process of semiconductor devices.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…液体、3…結像特性制御装置(調整手段)、10…液体供給機構、30…液体回収機構、50…液体供給機構(調整手段)、51…第1液体供給部(調整手段、液体回収機構)、52…第2液体供給部(調整手段、液体回収機構)、81a〜81f…温度センサ、82a〜82f…温度センサ、90…温度センサ、91…センサ素子、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、CONT…制御装置(調整手段)、DP…ダミー基板、EX…露光装置、IA…照明領域(照射領域)、M…マスク、MP…マスクパターン、MST…マスクステージ(調整手段)、P…基板、PL…投影光学系、PST…基板ステージ(可動部材、調整手段) 1 ... Liquid, 3 ... imaging characteristic controller (adjustment means), 10 ... liquid supply mechanism, 30 ... liquid recovery mechanism, 50 ... liquid supply mechanism (adjusting means), 51 ... first liquid supply portion (adjusting means, liquid recovery mechanism), 52 ... second liquid supply unit (adjusting means, the liquid recovery mechanism), 81 a - 81 f ... temperature sensor, 82A~82f ... temperature sensor, 90 ... temperature sensor, 91 ... sensor element, AR1 ... projection area, AR2 ... liquid immersion area, CONT ... controller (adjustment means), DP ... dummy substrate, EX ... exposure apparatus, IA ... illumination area (irradiation area), M ... mask, MP ... mask pattern, MST ... mask stage (adjusting means) , P ... substrate, PL ... projection optical system, PST ... substrate stage (movable member, adjustment means)

Claims (48)

  1. マスクのパターンの像を、投影光学系と基板の間の液体を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、 The image of the pattern of the mask, there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting onto a substrate through a liquid between the projection optical system and the substrate,
    前記液体に入射する露光光の分布に応じてパターン像の投影状態を調整することと; And adjusting the projection state of the pattern image according to the distribution of exposure light incident on the liquid;
    前記調整された投影状態で基板を露光することを含む露光方法。 Exposure method comprising exposing a substrate with the adjusted projection state.
  2. 前記液体に入射する露光光の分布は、前記マスク上のパターンの分布に応じて変化する請求項1に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 1 distribution of the exposure light, which varies according to the distribution of the pattern on said mask incident on the liquid.
  3. マスクのパターンの像を、投影光学系と基板の間の液体を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、 The image of the pattern of the mask, there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting onto a substrate through a liquid between the projection optical system and the substrate,
    前記マスク上のパターンの分布に応じてパターン像の投影状態を調整することと; And adjusting the projection state of the pattern image according to the distribution of the pattern on the mask;
    前記調整された投影状態で基板を露光することを含む露光方法。 Exposure method comprising exposing a substrate with the adjusted projection state.
  4. 前記基板は、露光光と前記マスクとを相対的に移動しながら露光され、前記パターン像の投影状態の調整は、前記露光光と前記マスクとの相対移動に伴う、前記マスク上での前記露光光の照射領域内におけるパターン分布の変化に応じて行われる請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光方法。 The substrate is exposed while relatively moving the said exposure light mask, adjust the projection state of the pattern image, caused by the relative movement of the said exposure light mask, said exposure on the mask the exposure method according to claim 1 which is performed in response to a change in the pattern distribution in the light irradiation area.
  5. マスクのパターンの像を、投影光学系と基板の間の液体を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、 The image of the pattern of the mask, there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting onto a substrate through a liquid between the projection optical system and the substrate,
    前記露光に先立って、前記投影光学系を介して前記液体に入射する露光光の分布情報を計測することと; Prior to the exposure, and by measuring the distribution information of the exposure light entering the liquid through said projection optical system;
    前記計測された分布情報に基づいてパターン像の投影状態を調整して、基板を露光することを含む露光方法。 Exposure method comprising the adjusted projection state of the pattern image based on the measured distribution information to expose the substrate.
  6. 前記基板は、前記露光光に対して所定方向に移動しながら露光され、前記分布情報は、前記所定方向に垂直な方向の入射エネルギー分布である請求項5に記載の露光方法。 The substrate is exposed while being moved in a predetermined direction with respect to the exposure light, wherein the distribution information, the exposure method according to claim 5 predetermined direction is incident energy distribution in the vertical direction.
  7. 基板を所定方向に移動しながら、パターンの像を液体を介して前記基板上に投影光学系により投影することによって前記基板を露光する露光方法であって、 While moving the substrate in a predetermined direction, the image of the pattern there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting a projection optical system onto the substrate through a liquid,
    前記所定方向と交差する方向における前記液体の温度分布を計測することと; And by measuring the temperature distribution of the liquid in the direction intersecting the predetermined direction;
    前記計測された温度分布情報に基づいてパターン像の投影状態を調整することと; And adjusting the projection state of the pattern image based on said measured temperature distribution information;
    前記パターン像の投影状態で基板を露光することを含む露光方法。 Exposure method comprising exposing a substrate with a projection state of the pattern image.
  8. 前記パターン像の投影状態の調整は、前記投影光学系と前記液体とを介して形成される像面と前記基板上の露光面との位置関係の調整を含む請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光方法。 Adjustment of the projection state of the pattern image, any one of claims 1 to 7 comprising a positioning relationship between the projection optical system and the liquid and the image plane formed via the exposure surface of the substrate the exposure method according to claim.
  9. 前記パターン像の投影状態の調整は、前記液浸領域を形成するために供給される液体の温度調整を含む請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光方法。 The adjustment of the projection state of the pattern image, the exposure method according to any one of claims 1-8 comprising a temperature adjustment of the liquid supplied to form the liquid immersion area.
  10. 前記液体の供給は複数の位置で行われ、前記供給位置に応じて前記液体の温度を異ならせる請求項9に記載の露光方法。 The supply of liquid takes place in a plurality of positions, the exposure method according to claim 9 to vary the temperature of the liquid in response to the supply position.
  11. 前記液体の温度分布を、前記基板を保持して移動可能な基板ステージ上に配置された温度センサを使って計測する請求項7に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 7, measured using a temperature sensor that the temperature distribution, which is arranged on a movable substrate stage that holds the substrate of the liquid.
  12. マスクのパターンの像を、投影光学系と基板の間の液体を介して基板上に投影することによって基板を露光する露光方法であって、 The image of the pattern of the mask, there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting onto a substrate through a liquid between the projection optical system and the substrate,
    前記基板を保持して移動可能な基板ステージ上に配置された温度センサを使って、前記液体の温度分布を計測することと; With a temperature sensor disposed on movable substrate stage that holds the substrate, and by measuring the temperature distribution of the liquid;
    基板ステージ上の基板を露光することとを含む露光方法。 The exposure method comprising the method comprising exposing a substrate on the substrate stage.
  13. 前記温度センサは基板ステージに脱着可能である請求項11または12に記載の露光方法。 The temperature sensor exposure method according to claim 11 or 12 which is detachable from the substrate stage.
  14. 前記液体の温度分布は前記露光光の照射によって生じる請求項7〜13のいずれか一項記載の露光方法。 Temperature distribution exposure method of any one of claims 7 to 13 caused by the irradiation of the exposure light of the liquid.
  15. パターンの像を液体を介して前記基板上に投影することにより前記基板を露光する露光方法であって、 An image of a pattern there is provided an exposure method for exposing a substrate by projecting through a liquid onto the substrate,
    前記パターン像が投影される基板上の液体の温度分布に応じて露光条件を設定することとと、 And to setting the exposure conditions in accordance with the temperature distribution of the liquid on the substrate where the pattern image is projected,
    前記設定された露光条件で基板を露光することを含む露光方法。 Exposure method comprising exposing a substrate with the set exposure condition.
  16. 前記液体の温度分布を、前記パターンの分布から求める請求項15に記載の露光方法。 The temperature distribution of the liquid, the exposure method according to claim 15 for determining the distribution of the pattern.
  17. さらに、前記パターンの分布を、パターンに光照射してパターンの透過率を測定することにより求める請求項16に記載の露光方法。 Further, the exposure method of claim 16, determined by the distribution of the pattern, measures the pattern transmittance by light irradiation pattern.
  18. 前記露光条件は、像特性補正量を含み、 The exposure condition includes an image characteristic correction amount,
    さらに、前記液体温度分布情報に基づいて像特性変化情報を求めて、像特性変化情報から像特性補正量を求めることを含み、求めた像特性補正量に基づいてパターン像の投影状態を調整して基板を露光する請求項15〜17のいずれか一項記載の露光方法。 Furthermore, on the basis of the liquid temperature distribution information seeking image characteristic change information comprises finding an image characteristic correction amount from the image characteristic change information, to adjust the projection state of the pattern image based on the image characteristic correction amount determined the exposure method according to any one of claims 15 to 17 which exposes a substrate Te.
  19. 前記露光条件は、基板の姿勢の調整、基板の位置の調整、結像特性の調整、マスク位置の調整及びパターンを照射する光の波長の調整の少なくとも一つを含む請求項15〜18のいずれか一項に記載の露光方法。 The exposure conditions are adjusted in the attitude of the substrate, adjustment of the position of the substrate, adjusting the imaging characteristic, any claim 15 to 18 comprising at least one adjustment of the wavelength of light illuminating the adjustment and pattern of the mask position the exposure method according to an item or.
  20. 前記露光条件は、前記基板上に供給する液体の温度を含む請求項15〜19のいずれか一項に記載の露光方法。 The exposure conditions, exposure method according to any one of claims 15 to 19, including the temperature of the liquid supplied onto the substrate.
  21. 異なる温度の液体を複数の供給口から基板上に供給することで前記液体の温度を調節する請求項20に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 20 for adjusting a temperature of the liquid by supplying onto a substrate a liquid at different temperatures from a plurality of supply ports.
  22. 前記液体の温度分布を、温度センサで測定する請求項15〜21のいずれか一項に記載の露光方法。 The exposure method according to any one of claims 15 to 21 for the temperature distribution of the liquid is measured by the temperature sensor.
  23. 温度センサは、ショット領域に対応する複数の検出部を有するダミー基板である請求項22に記載の露光方法。 Temperature sensor The exposure method according to claim 22 which is a dummy substrate having a plurality of detecting sections corresponding to shot areas.
  24. 請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。 Device manufacturing method using the exposure method according to any one of claims 1 to 23.
  25. 所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって: An image of a predetermined pattern there is provided an exposure apparatus which exposes a substrate by projecting a substrate through a liquid:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と; A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
    前記投影光学系の像面付近に移動可能に配置され、前記液体の温度を計測する温度センサとを備える露光装置。 The projection optical system is movably disposed on the image near the plane of the exposure apparatus and a temperature sensor for measuring temperature of the liquid.
  26. さらに、前記温度センサを保持する可動部材を備える請求項25に記載の露光装置。 Further, the exposure apparatus according to claim 25 comprising a movable member which holds the temperature sensor.
  27. 前記温度センサは前記可動部材に対して脱着可能である請求項26に記載の露光装置。 The temperature sensor exposure apparatus according to claim 26 is detachable with respect to the movable member.
  28. 前記可動部材は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージである請求項26または27に記載の露光装置。 Said movable member, an exposure apparatus according to claim 26 or 27 which is a movable substrate stage that holds the substrate.
  29. 前記基板上に液体を供給する液体供給機構を更に備え、前記液体供給機構は前記温度センサの計測結果に基づいて、前記基板上に供給される液体の温度を調整するする請求項25〜28のいずれか一項に記載の露光装置。 Further comprising a liquid supply mechanism supplies the liquid onto the substrate, the liquid supply mechanism based on a measurement result of the temperature sensor, according to claim 25 to 28 for adjusting the temperature of the liquid supplied onto the substrate any exposure apparatus according to an item.
  30. 前記基板は所定方向に移動しながら露光され、前記温度センサは、前記所定方向に垂直な方向に互いに離れて配置された複数のセンサ素子を有する請求項25〜28のいずれか一項に記載の露光装置。 The substrate is exposed while being moved in a predetermined direction, said temperature sensor, according to any one of claims 25 to 28 having a plurality of sensor elements disposed apart from each other in a direction perpendicular to the predetermined direction exposure apparatus.
  31. 所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって: An image of a predetermined pattern there is provided an exposure apparatus which exposes a substrate by projecting a substrate through a liquid:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と; A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
    露光中に前記基板を移動するための基板ステージと; A substrate stage for moving the substrate during exposure;
    前記液体の温度を計測するために前記所定方向と垂直な方向に互いに離れて配置された複数のセンサ素子を有する温度センサとを備える露光装置。 An exposure device and a temperature sensor having a plurality of sensor elements which are spaced apart from each other in the predetermined direction and a direction perpendicular to measure the temperature of the liquid.
  32. 前記複数のセンサ素子は、前記投影光学系の投影領域の近傍に配置される請求項31に記載の露光装置。 Wherein the plurality of sensor elements, the exposure apparatus according to claim 31, which is arranged in the vicinity of the projection area of ​​the projection optical system.
  33. 前記所定方向に垂直な方向に互いに離れた複数の位置で前記基板上の液体の回収を行う液体回収機構を更に備え、前記複数のセンサ素子は、前記複数の位置で回収された液体の温度をそれぞれ計測する請求項31に記載の露光装置。 Further comprising a liquid recovery mechanism for recovering the liquid on the substrate at a plurality of positions away from each other in a direction perpendicular to said predetermined direction, said plurality of sensor elements, the temperature of the liquid recovered by the plurality of locations An apparatus according to claim 31 for measuring respectively.
  34. 前記温度センサを使って計測された液体の温度情報に基づいて、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板上に所望のパターン像が投影されるようにパターン像の投影状態を調整する調整手段を更に備えた請求項25〜33のいずれか一項記載の露光装置。 Based on the temperature information of the liquid that has been measured using the temperature sensor, a desired pattern image on the substrate through said liquid and said projection optical system adjusts the projection state of the pattern image to be projected exposure apparatus according to any one claim of further comprising an adjusting means according to claim 25 to 33.
  35. 前記調整手段は、前記投影光学系と前記液体とを介して形成される像面と前記基板表面との位置関係を調整する請求項34に記載の露光装置。 The adjusting means, an exposure apparatus according to claim 34 for adjusting the positional relationship between the image surface and the substrate surface to be formed via said said projection optical system liquid.
  36. 前記基板上に液体を供給する液体供給機構を更に備え、前記調整手段は、前記温度センサの計測結果に基づいて前記液体供給機構から供給される液体の温度調整を行う請求項34または35に記載の露光装置。 Further comprising a liquid supply mechanism which supplies the liquid onto the substrate, wherein the adjustment means according to claim 34 or 35 adjusts the temperature of the liquid supplied from the temperature sensor of the measurement result the liquid supply mechanism on the basis of the of the exposure apparatus.
  37. 前記基板上に液体を供給する液体供給機構を更に備え、前記液体供給機構は前記温度センサの計測結果に基づいて、前記基板上に供給される液体の温度を調整するする請求項31〜33のいずれか一項記載の露光装置。 Further comprising a liquid supply mechanism supplies the liquid onto the substrate, the liquid supply mechanism based on a measurement result of the temperature sensor, according to claim 31 to 33 for adjusting the temperature of the liquid supplied onto the substrate exposure apparatus according to any one claim.
  38. 前記基板上に液体を供給する液体供給機構を更に備え、前記液体供給機構は複数の位置からそれぞれ異なる温度の液体を供給する請求項31〜35のいずれか一項記載の露光装置。 Further comprising a liquid supply mechanism supplies the liquid onto the substrate, the exposure apparatus according to any one claim of the liquid supply mechanism according to claim 31 to 35 for supplying the different temperatures of the liquid from a plurality of positions.
  39. 所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって: An image of a predetermined pattern there is provided an exposure apparatus which exposes a substrate by projecting a substrate through a liquid:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と; A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
    基板と投影光学系との間に前記液浸領域を形成するために、複数の位置からそれぞれ異なる温度の液体を供給可能な液体供給機構とを備える露光装置。 In order to form the liquid immersion area, the exposure apparatus comprising a liquid supply mechanism capable of supplying different temperatures of the liquid from a plurality of positions between the substrate and the projection optical system.
  40. 前記基板は所定方向に移動しながら露光され、前記液体供給機構は、前記所定方向に垂直な方向に互いに離れた複数の位置からそれぞれ異なる温度の液体を供給する請求項38または39に記載の露光装置。 The substrate is exposed while being moved in a predetermined direction, the liquid supply mechanism, the exposure of claim 38 or 39 for supplying the different temperatures of the liquid from a plurality of positions spaced from each other in a direction perpendicular to the predetermined direction apparatus.
  41. 前記複数の位置は、前記基板表面に対して垂直な方向に互いに離れている請求項40に記載の露光装置。 Wherein the plurality of locations, the exposure apparatus according to claim 40 are separated from each other in a direction perpendicular to the substrate surface.
  42. 前記基板表面に近い位置から供給される液体の温度は、前記表面により遠い位置から供給される液体の温度より低い請求項41に記載の露光装置。 The temperature of the liquid supplied from the position close to the substrate surface, the exposure apparatus of claim 41 lower than the temperature of the liquid supplied from a distant position by said surface.
  43. パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって: An image of a pattern An exposure apparatus which exposes a substrate by projecting a substrate through a liquid:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と; A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
    前記パターンの分布を測定するセンサと: A sensor for measuring the distribution of the pattern:
    前記センサで測定されたパターンの分布に基づいて、パターンの像の投影状態を調整する制御装置とを備える露光装置。 Based on the distribution of the measured pattern with the sensor, an exposure apparatus and a control device for adjusting the projection state of the pattern image.
  44. パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって: An image of a pattern An exposure apparatus which exposes a substrate by projecting a substrate through a liquid:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と; A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
    前記基板上の液体を回収する液体回収機構と; A liquid recovery mechanism which recovers the liquid on the substrate;
    前記液体回収機構により回収された液体の温度を計測する温度センサとを備える露光装置。 An exposure device and a temperature sensor for measuring the temperature of the liquid recovered by the liquid recovery mechanism.
  45. 前記基板上に液体を供給する液体供給機構を更に備え、前記温度センサの計測結果に基づいて、前記液体供給機構から供給される液体の温度が調整される請求項44記載の露光装置。 Further comprising a liquid supply mechanism which supplies the liquid onto the substrate, on the basis of the temperature sensor measurement result, the exposure apparatus according to claim 44, wherein the temperature of the liquid supplied is adjusted from the liquid supply mechanism.
  46. 前記温度センサの計測結果に基づいて、前記パターン像の投影状態を調整する調整手段をさらに備えた請求項44または45記載の露光装置。 The temperature sensor measurement result on the basis, the pattern image further exposure apparatus according to claim 44 or 45, wherein with adjustment means for adjusting the projection state of the.
  47. 前記温度センサは、前記液体回収機構の回収管内に配置される請求項44記載の露光装置。 The temperature sensor, the exposure apparatus according to claim 44, wherein disposed in the recovery tubes of the liquid recovery mechanism.
  48. 請求項25〜47のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。 Device manufacturing method using the exposure apparatus according to any one of claims 25 to 47.
JP2004156545A 2003-05-28 2004-05-26 Exposure method and an exposure apparatus, and device manufacturing method Active JP5143331B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003151369 2003-05-28
JP2003151369 2003-05-28
JP2004156545A JP5143331B2 (en) 2003-05-28 2004-05-26 Exposure method and an exposure apparatus, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004156545A JP5143331B2 (en) 2003-05-28 2004-05-26 Exposure method and an exposure apparatus, and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005012201A true true JP2005012201A (en) 2005-01-13
JP5143331B2 JP5143331B2 (en) 2013-02-13

Family

ID=34106744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004156545A Active JP5143331B2 (en) 2003-05-28 2004-05-26 Exposure method and an exposure apparatus, and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5143331B2 (en)

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006006562A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation Method of determining exposure conditions, exposure method, exposure apparatus, and method of producing device
JP2006054440A (en) * 2004-07-12 2006-02-23 Nikon Corp Determination method of exposure conditions, exposure method, exposure device and device manufacturing method
WO2006080427A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2006126522A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006332206A (en) * 2005-05-24 2006-12-07 Nikon Corp Exposure apparatus and method for manufacturing same
WO2006137440A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Nikon Corporation Measuring apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2007005571A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Nikon Corp Exposure device and device manufacturing method
JP2007081390A (en) * 2005-08-17 2007-03-29 Nikon Corp Device for observation, device for measurement, device for exposure and method for exposure, method for producing device, substrate for producing device and device for positioning
JP2007103841A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
WO2007066692A1 (en) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device
JP2007519238A (en) * 2004-01-20 2007-07-12 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー Measuring device for a microlithographic projection exposure apparatus and the projection lens
JP2007235179A (en) * 2003-06-09 2007-09-13 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and device manufacturing method
JP2007251161A (en) * 2006-03-13 2007-09-27 Asml Netherlands Bv Lithographic device, control system and method of manufacturing device
KR100819240B1 (en) 2005-04-20 2008-04-02 캐논 가부시끼가이샤 Measuring apparatus of effective light source distribution of illumination optical system of exposure apparatus and exposure apparatus having the same
KR100825932B1 (en) * 2005-04-20 2008-04-28 캐논 가부시끼가이샤 Exposure apparatus, method applied to the apparatus, and device manufacturing method
JP2008147653A (en) * 2006-12-07 2008-06-26 Asml Holding Nv Correction system for thermally induced aberration in liquid immersion lithography, and method therefor
JP2008300772A (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Nikon Corp Immersion exposure apparatus, method for manufacturing device, and evaluation method
JP2009004632A (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Canon Inc Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2009071316A (en) * 2003-10-15 2009-04-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009224806A (en) * 2003-07-16 2009-10-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2010004037A (en) * 2008-06-16 2010-01-07 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus, metrology device, and method of using the same
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012134494A (en) * 2010-12-23 2012-07-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of modifying radiation beam in lithographic apparatus
US8237915B2 (en) 2002-12-10 2012-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for improving an optical imaging property of a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US8344341B2 (en) 2002-11-12 2013-01-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8446568B2 (en) 2002-11-12 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US8941810B2 (en) 2005-12-30 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101499265B1 (en) * 2006-09-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 Immersion exposure apparatus and a liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
KR20150041162A (en) * 2007-01-23 2015-04-15 가부시키가이샤 니콘 Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US9025126B2 (en) 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
US9057967B2 (en) 2002-11-12 2015-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9091940B2 (en) 2002-11-12 2015-07-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method involving a fluid inlet and a fluid outlet
US9188880B2 (en) 2004-08-13 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPH06124873A (en) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc Liquid-soaking type projection exposure apparatus
JPH10154659A (en) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp Focus and tilt adjusting system for lithography aligner, manufacturing device or inspection device
JPH10303114A (en) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp Immersion aligner
WO1999049504A1 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2001337463A (en) * 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp Exposure device, method for manufacturing exposure device and method for manufacturing microdevice

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPH06124873A (en) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc Liquid-soaking type projection exposure apparatus
JPH10154659A (en) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp Focus and tilt adjusting system for lithography aligner, manufacturing device or inspection device
JPH10303114A (en) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp Immersion aligner
WO1999049504A1 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2001337463A (en) * 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp Exposure device, method for manufacturing exposure device and method for manufacturing microdevice

Cited By (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9195153B2 (en) 2002-11-12 2015-11-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9740107B2 (en) 2002-11-12 2017-08-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8344341B2 (en) 2002-11-12 2013-01-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9588442B2 (en) 2002-11-12 2017-03-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097987B2 (en) 2002-11-12 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9885965B2 (en) 2002-11-12 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9057967B2 (en) 2002-11-12 2015-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9366972B2 (en) 2002-11-12 2016-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9360765B2 (en) 2002-11-12 2016-06-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9091940B2 (en) 2002-11-12 2015-07-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method involving a fluid inlet and a fluid outlet
US8446568B2 (en) 2002-11-12 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8237915B2 (en) 2002-12-10 2012-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for improving an optical imaging property of a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US9152058B2 (en) 2003-06-09 2015-10-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a member and a fluid opening
JP4558762B2 (en) * 2003-06-09 2010-10-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9081299B2 (en) 2003-06-09 2015-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving removal of liquid entering a gap
JP2010161421A (en) * 2003-06-09 2010-07-22 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method for manufacturing device
US9541843B2 (en) 2003-06-09 2017-01-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a sensor detecting a radiation beam through liquid
JP2007235179A (en) * 2003-06-09 2007-09-13 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and device manufacturing method
JP2014158053A (en) * 2003-07-16 2014-08-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
US8711323B2 (en) 2003-07-16 2014-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8913223B2 (en) 2003-07-16 2014-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010153913A (en) * 2003-07-16 2010-07-08 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9383655B2 (en) 2003-07-16 2016-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009224806A (en) * 2003-07-16 2009-10-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2012151489A (en) * 2003-07-16 2012-08-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012151488A (en) * 2003-07-16 2012-08-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9733575B2 (en) 2003-07-16 2017-08-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2014241425A (en) * 2003-07-16 2014-12-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus
US8174674B2 (en) 2003-10-15 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009071316A (en) * 2003-10-15 2009-04-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8570486B2 (en) 2003-10-15 2013-10-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007519238A (en) * 2004-01-20 2007-07-12 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー Measuring device for a microlithographic projection exposure apparatus and the projection lens
JP4843503B2 (en) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Measuring device for a microlithographic projection exposure apparatus and the projection lens
US9436095B2 (en) 2004-01-20 2016-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
JP2015135524A (en) * 2004-01-20 2015-07-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for projection lens
US8654308B2 (en) 2004-07-12 2014-02-18 Nikon Corporation Method for determining exposure condition, exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device
JP4655792B2 (en) * 2004-07-12 2011-03-23 株式会社ニコン Method of determining the exposure conditions, and an exposure method, an exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2006054440A (en) * 2004-07-12 2006-02-23 Nikon Corp Determination method of exposure conditions, exposure method, exposure device and device manufacturing method
WO2006006562A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation Method of determining exposure conditions, exposure method, exposure apparatus, and method of producing device
US9188880B2 (en) 2004-08-13 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9268242B2 (en) 2004-08-13 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater and a temperature sensor
JP4565271B2 (en) * 2005-01-31 2010-10-20 株式会社ニコン Exposure method, an exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2006080427A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
KR100825932B1 (en) * 2005-04-20 2008-04-28 캐논 가부시끼가이샤 Exposure apparatus, method applied to the apparatus, and device manufacturing method
US7486379B2 (en) 2005-04-20 2009-02-03 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, method applied to the apparatus, and device manufacturing method
KR100819240B1 (en) 2005-04-20 2008-04-02 캐논 가부시끼가이샤 Measuring apparatus of effective light source distribution of illumination optical system of exposure apparatus and exposure apparatus having the same
US8253924B2 (en) 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP4596191B2 (en) * 2005-05-24 2010-12-08 株式会社ニコン Exposure method and an exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2006126522A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006332206A (en) * 2005-05-24 2006-12-07 Nikon Corp Exposure apparatus and method for manufacturing same
WO2006137440A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Nikon Corporation Measuring apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2007005571A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Nikon Corp Exposure device and device manufacturing method
JP2007081390A (en) * 2005-08-17 2007-03-29 Nikon Corp Device for observation, device for measurement, device for exposure and method for exposure, method for producing device, substrate for producing device and device for positioning
JP2007103841A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
WO2007066692A1 (en) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device
US8547520B2 (en) 2005-12-06 2013-10-01 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8243254B2 (en) 2005-12-06 2012-08-14 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2012178585A (en) * 2005-12-06 2012-09-13 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5194799B2 (en) * 2005-12-06 2013-05-08 株式会社ニコン Exposure method, an exposure apparatus, and device manufacturing method
US9851644B2 (en) 2005-12-30 2017-12-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9436096B2 (en) 2005-12-30 2016-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8947631B2 (en) 2005-12-30 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8941810B2 (en) 2005-12-30 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007251161A (en) * 2006-03-13 2007-09-27 Asml Netherlands Bv Lithographic device, control system and method of manufacturing device
US9482967B2 (en) 2006-03-13 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US9810996B2 (en) 2006-05-09 2017-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
KR101499265B1 (en) * 2006-09-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 Immersion exposure apparatus and a liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
US8736807B2 (en) 2006-12-07 2014-05-27 Asml Holding N.V. Systems and methods for thermally-induced aberration correction in immersion lithography
US7995185B2 (en) 2006-12-07 2011-08-09 Asml Holding N.V. Systems and methods for thermally-induced aberration correction in immersion lithography
JP2008147653A (en) * 2006-12-07 2008-06-26 Asml Holding Nv Correction system for thermally induced aberration in liquid immersion lithography, and method therefor
KR20150041162A (en) * 2007-01-23 2015-04-15 가부시키가이샤 니콘 Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
KR101644479B1 (en) 2007-01-23 2016-08-01 가부시키가이샤 니콘 Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
JP2008300772A (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Nikon Corp Immersion exposure apparatus, method for manufacturing device, and evaluation method
US8625069B2 (en) 2007-06-22 2014-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP2009004632A (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Canon Inc Exposure apparatus and device manufacturing method
US9025126B2 (en) 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2010004037A (en) * 2008-06-16 2010-01-07 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus, metrology device, and method of using the same
US8982316B2 (en) 2008-06-16 2015-03-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, a metrology apparatus and a method of using the apparatus
JP2012134494A (en) * 2010-12-23 2012-07-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of modifying radiation beam in lithographic apparatus
US9146477B2 (en) 2010-12-23 2015-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP5143331B2 (en) 2013-02-13 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20090004580A1 (en) Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US20060170891A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP1571696A1 (en) Exposure apparatus and method for manufacturing device
EP1632991A1 (en) Exposure method, exposure device, and device manufacturing method
US20050219489A1 (en) Exposure apparatus and method for producing device
US20080106707A1 (en) Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20060158626A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005223315A (en) Exposing apparatus and method, and device manufacturing method
JP2005101488A (en) Aligner, exposure method, and manufacturing method of device
US20080043210A1 (en) Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2005191557A (en) Exposure apparatus and method, and manufacturing method of device
JP2004207696A (en) Aligner and method for manufacturing device
WO2004053951A1 (en) Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2005081292A1 (en) Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and device producing method
JP2005236121A (en) Exposure system and device manufacturing method
JP2004259966A (en) Aligner and device manufacturing method
US7483117B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
JP2006114891A (en) Exposure device, exposure method, and device manufacture method
JP2004193252A (en) Exposing method and device manufacturing method
JP2005209705A (en) Exposure device and manufacturing method for device
JP2005129914A (en) Aligner and exposure method, and method for manufacturing device
JP2005252247A (en) Exposure device, exposure method, and method of fabricating the device
JP2005286286A (en) Exposure method, aligner, device manufacturing method
JP2005252246A (en) Exposure device and exposure method, method of controlling position and method of fabricating the device
US20090115977A1 (en) Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101012

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110509

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110517

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20110610

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120824

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121012

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121121

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250