JP2004536917A5

JP2004536917A5 -

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Publication number: JP2004536917A5
Application number: JP2003515578A
Authority: JP
Filing date: 2002-07-17
Publication date: 2006-01-05

Description

何年か前、米国特許第４３２３６６８号に、ホスゲンとサリチル酸メチルの反応によって生成したジアリールカーボネートを、ＢＰＡのようなビスフェノールと反応させて比較的温和な条件下でポリカーボネートを製造できるということが報じられた。この方法では、高分子量のポリカーボネートを得るために比較的高レベルのエステル交換触媒（ステアリン酸リチウムなど）を使用している。この触媒は反応後生成物ポリカーボネート中に残存するので、溶融ポリカーボネート反応において高い触媒使用量は極めて望ましくない。ポリカーボネート中にエステル交換触媒が存在すると、吸水の増大、高温でのポリマー分解及び変色の促進によって、ポリマーから製造された製品の有用寿命を短縮しかねない。
米国特許第４３２３６６８号欧州特許出願公開第０９８２３４０号明細書特開昭６３−０２３９２６号公報米国特許第５６９６２２２号明細書米国特許第６３００４５９号明細書

Claims

１００〜３５０℃の温度範囲の１以上の温度、毎分５０〜５００回転のスクリュー速度範囲の１以上のスクリュー速度で、エステル交換触媒の存在下、
（Ａ）エステル置換ジアリールカーボネートと１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物を含む混合物、及び
（Ｂ）エステル置換フェノキシ末端基を含む１種以上の前駆体ポリカーボネート
からなる群から選択される１種以上の出発材料を押出すことを含んでなるポリカーボネートの製造方法。
前記エステル置換ジアリールカーボネートが下記式の構造Ｉを有する、請求項１記載の方法。

式中、Ｒ¹は各々独立にＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はＣ₄〜Ｃ₂₀アリール基であり、Ｒ²は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリール基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルコキシ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールオキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルチオ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキルチオ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルスルフィニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールスルフィニル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルスルホニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキルスルホニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールスルホニル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールオキシカルボニル基、Ｃ₂〜Ｃ₆₀アルキルアミノ基、Ｃ₆〜Ｃ₆₀シクロアルキルアミノ基、Ｃ₅〜Ｃ₆₀アリールアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄₀アルキルアミノカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₄₀シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₄₀アリールアミノカルボニル基又はＣ₁〜Ｃ₂₀アシルアミノ基であり、ｂは各々独立に０〜４の整数である。
前記エステル置換ジアリールカーボネートが、ビス（メチルサリチル）カーボネート、ビス（プロピルサリチル）カーボネート及びビス（ベンジルサリチル）カーボネートからなる群から選択される、請求項２記載の方法。
前記ジヒドロキシ芳香族化合物が下記式の構造IIを有するビスフェノールである、請求項１記載の方法。

式中、Ｒ³〜Ｒ¹⁰は独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はＣ₆〜Ｃ₂₀アリール基であり、Ｗは結合、酸素原子、イオウ原子、ＳＯ₂基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀脂肪族基、Ｃ₆〜Ｃ₂₀芳香族基、Ｃ₆〜Ｃ₂₀環式脂肪族基又は次式の基である。

式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は独立に水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基、若しくはＣ₄〜Ｃ₂₀アリール基であるか、又はＲ¹¹とＲ¹²とが一緒になってＣ₄〜Ｃ₂₀環式脂肪族環を形成しており、この環は適宜１以上のＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₂₀アリール、Ｃ₅〜Ｃ₂₁アラルキル、Ｃ₅〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はこれらの組合せで置換されていてもよい。
前記前駆体ポリカーボネートが下記式の構造IIIを有するエステル置換フェノキシ末端基を含む、請求項１記載の方法。

式中、Ｒ¹はＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はＣ₄〜Ｃ₂₀アリール基であり、Ｒ²は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリール基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルコキシ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールオキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルチオ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキルチオ基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルスルフィニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールスルフィニル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルスルホニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキルスルホニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールスルホニル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀アリールオキシカルボニル基、Ｃ₂〜Ｃ₆₀アルキルアミノ基、Ｃ₆〜Ｃ₆₀シクロアルキルアミノ基、Ｃ₅〜Ｃ₆₀アリールアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄₀アルキルアミノカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₄₀シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ₄〜Ｃ₄₀アリールアミノカルボニル基又はＣ₁〜Ｃ₂₀アシルアミノ基であり、ｂは０〜４の整数である。
ビスフェノールＡとビス（メチルサリチル）カーボネートとエステル交換触媒を含む固体混合物を、１００〜３５０℃の範囲の１以上の温度、５０〜５００ｒｐｍの範囲の１以上のスクリュー速度で押出して生成物ポリカーボネートを形成することを含んでなるポリカーボネートの製造方法であって、上記混合物が、混合物中に存在するジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり０．９５〜１．０５モルのビス（メチルサリチル）カーボネートを含む、方法。
ビスフェノールＡとビス（メチルサリチル）カーボネートとエステル交換触媒を含む混合物を１〜１００ｍｍＨｇの圧力で１５０〜２００℃の範囲の温度に加熱しながら副生物のサリチル酸メチルを除去して一部結晶性の前駆体ポリカーボネートを得る段階（Ｉ）、
上記一部結晶性の前駆体ポリカーボネートを粉砕する段階（II）、
上記一部結晶性の前駆体ポリカーボネートを１００〜３５０℃の範囲の１以上の温度、５０〜５００ｒｐｍの範囲の１以上のスクリュー速度で押出す段階（III）
を含んでなるポリカーボネートの製造方法。
ビスフェノールＡとビス（メチルサリチル）カーボネートとエステル交換触媒を含む混合物を１〜１００ｍｍＨｇの圧力で１５０〜２００℃の範囲の温度に加熱しながら副生物のサリチル酸メチルを除去して前駆体ポリカーボネートを得る段階（Ｉ）と、
上記前駆体ポリカーボネートを１００〜３５０℃の範囲の１以上の温度、５０〜５００ｒｐｍの範囲の１以上のスクリュー速度で押出す段階（II）と
を含んでなるポリカーボネートの製造方法。
１００〜３５０℃の温度範囲の１以上の温度で、エステル交換触媒の存在下、
（Ａ）エステル置換ジアリールカーボネートと１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物を含む混合物、及び
（Ｂ）エステル置換フェノキシ末端基を含む１種以上の前駆体ポリカーボネート
からなる群から選択される１種以上の出発材料を押出すことを含んでなるポリカーボネートの製造方法であって、
上記押出があるスクリュー速度を有する押出機で実施され、上記出発材料がある供給速度で押出機に導入され、供給速度とスクリュー速度とがある比を有しており、押出機中に導入される出発材料（ポンド／時）と毎分回転数（ｒｐｍ）で表したスクリュー速度との比が０．０１〜１００の範囲内に入るように押出機を作動させる、方法。
（Ａ）ビスフェノールＡとビス（メチルサリチル）カーボネートとエステル交換触媒を含む混合物であって、混合物中に存在するジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり０．９５〜１．０５モルのビス（メチルサリチル）カーボネートを含む混合物を、あるスクリュー速度を有する押出機にある供給速度で導入し（供給速度とスクリュー速度とはある比を有する）、ポンド／時で表した供給速度と毎分回転数（ｒｐｍ）で表したスクリュー速度との比が０．０１〜１００の範囲内に入るように作動させた押出機で１００〜３５０℃の範囲の１以上の温度で押出し、
（Ｂ）生成物ポリカーボネートを回収する
ことを含んでなるポリカーボネートの製造方法。