JP2004525503A - 改善された一時的熱インピーダンスを有するパワーモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば高パワーコンバータ、IGBT、パワーMOSFET、パワーダイオード、あるいはDCBセラミック上のパワーデバイスの組合せのような電子パワーデバイスを具備する構成に関する。パワーデバイスのDCBセラミックは、パワーデバイスの散逸パワーを排除するために、ヒートシンクによって直接冷却される。
【0002】
パワーデバイスと電気コンタクト層との間の熱抵抗を低減するために、溶剤内に金属粉末、好ましくは銀粉を含有するペーストを有するパワーデバイスを下面に提供し、圧力焼結処理を利用してこれらの前処理されたパワーデバイスを平面形のコンタクト層に接合することが欧州特許第0242626B1号公報において提案されている。平面形の接触部と、接触のための高熱伝導性銀の使用とによってパワーデバイスとコンタクト層との間の熱移動が改良されることが可能となった。
【0003】
パワーデバイスの冷却における他の改良は、過去に、いわゆるDCBセラミック(DCB=直接銅ボンディング)を用いて成功している。このために、独国特許出願公開第19700963A1号明細書では、銅で両面を積層したセラミック基板上で、パワーデバイスをDCBセラミックの上面にはんだ付けし、DCBセラミックの下面をリードフレームとして働く金属板上にはんだ付けすることが提案されている。この金属板は、接合された冷却装置に分散された熱を与える。DCBセラミックの上部銅層は、構成(中断)されることによって、パワーデバイスとそれらの下面で接触させるための導体トラックが形成される。パワーデバイスの更なる接触は、結合線を用いてそれらの上面で行われる。
【0004】
一方がコンタクト層上にパワーデバイスを圧力焼結し、他方が冷却装置への金属板の更なる接合のための金属板上にDCBセラミックをはんだ付けする、上述した2つの処理方法の利点を組み合わせることが望まれた場合、パワーデバイスを構成するための少なくとも2つの異なる処理技術、すなわち圧力焼結およびはんだ付け技術を採用しなければならない。冷却装置への接合を行うためには、パワーデバイスの金属ベースプレートが熱伝導性ペーストによって従来方法で冷却装置に接合されるので、一般に、更なる処理技術も必要となる。但し、パワーデバイスの構成および接合技術に多数の異なる処理技術を使用すると、パワーデバイスを製造する処理が複雑且つ高価となる。
【0005】
上述の従来技術に基づき、本発明による目的は、熱負荷の変動に大きく影響されない改良された熱的挙動を有するパワーモジュールを提供することである。
【0006】
本発明によれば、この目的は、圧力焼結処理によって単に接合されるだけの構成のパワーモジュールによって達成される。一時的熱的挙動についてのさらなる改良のため、パワーデバイスには、追加的熱キャパシタンスが取り付けられる。
【0007】
本発明による電子パワーモジュールは、少なくとも1つの電子パワーデバイス、DCBセラミック基板、ヒートシンク、および少なくとも1つの追加的熱キャパシタンスを具備し、
a)電子モジュールデバイスは、それらの下面の焼結層によってDCBセラミック基板の上部銅層に接合され、
b)DCBセラミック基板の上部銅層は、パワーデバイスの電気的接触のための銅導体トラックに構成され、
c)DCBセラミック基板の下部銅層は、焼結層によってヒートシンクに接合され、
d)パワーデバイスの上面は、焼結層によって追加熱キャパシタンスに接合される。
【0008】
本発明によるパワーモジュールの更なる有利な実施形態は、従属請求項に包含される。
【0009】
下記の利点は主に本発明によって達成される。
【0010】
ヒートシンク上にモジュールを搭載するために、パワーモジュールの従来のモジュール構造内に使用される金属ベースプレートを不要にすることで、パワーデバイスからヒートシンク内への放熱の熱除去が改良される。ヒートシンクへのDCBセラミックの直接接合は、従来の構造と比べて本発明によるパワーモジュールの定常状態熱抵抗を50%まで改良する。
【0011】
従来のベースプレートを不要にすることでもたらされる構造の体積低減も、一時的熱的挙動に対して重大な要素である、構造の熱キャパシタンスを低減する効果がある。一時的熱負荷の下でも最適に本発明によるパワーモジュールの改良熱移動を利用するために、パワーモジュールは、パワーデバイスの表面に追加熱キャパシタンスを包含する。その結果、一時的に起こる放熱パワーのピーク値が熱キャパシタンス内で緩衝され、パワーモジュールの一時的熱的挙動が改良される。パワーデバイスに直接配置された熱キャパシタンスによって、パワーモジュールの一時的熱抵抗が、25〜30%だけ、好ましくは半分まで低減される。
【0012】
パワーモジュールを構成するための接合技術としての圧力焼結プロセスの限定的使用により、熱負荷変動に関するその負荷変動抵抗が、従来のはんだ付け技術によって構成されたパワーモジュールと比べて決定的に増加する。マイナス55℃から125℃までの温度範囲内の熱負荷変動の下、少なくとも12の因数だけ負荷変動抵抗の増加は、はんだ付け接合によって構成されたパワーモジュールと比べて圧力焼結接合技術によって構成されたパワーモジュールで達成可能となる。
【0013】
はんだ付け処理と比べると、焼結接合は、固相反応の結果として生成される。これは、215℃から250℃までの範囲内の処理温度で生成される圧力焼結接合を、同温度あるいはそれよりも高い動作温度下で使用できるという結果を有する。一方で、同処理温度での次の構成要素の実装がゆえに可能となるので、異なる溶融温度のはんだではんだ付けを行うという問題がもはや生じない。他方、圧力焼結技術は、このために不可欠な処理技術における改造無しで、SiCベース(炭化珪素ベース)上への将来のパワーデバイスの構成にも使用できる。
【0014】
更なる利点は、圧力焼結接合の品質にある。特に、大表面積の場合、はんだ付け接合内には、たいていボイド(空気封入)が存在する。これらのボイドは、ときにははんだ付け接合の50%まで占め、結果的に熱抵抗を上昇させることになる。圧力焼結接合は、他方、大表面積に対してさえも、ボイドのない品質で30マイクロメートル未満の薄い層厚みで生成されることができる。
【0015】
本発明の典型的実施形態を図に基づいて以下でより詳細に提示し、説明する。
【0016】
図1において、2つのパワーデバイス1、好ましくは半導体パワーデバイスは、銅層3上に圧力焼結層2で実装されている。銅層3は、パワーデバイスをそれらの下面で電気的に接触させる働きをする。このために、銅層は、多数の独立した導体トラックを形成するように構成あるいは中断されても良い。その結果、多数のパワーデバイスでも、互いに関係なく接触することができる。銅層3は、いわゆるDCBセラミック(直接銅結合セラミック)の一構成部分である。DCBセラミックは、上部銅層3、セラミック層4および下部銅層5を具備する。セラミック層4は、例えば、酸化アルミニウムから、好ましくはAl2O3から形成される。下部銅層は、銅ヒートシンク6に構造体をさらに接合する働きをする。この接合は、更なる圧力焼結層7によっても生成される。銅ヒートシンクは、好ましくは冷却チャネル8で形成されるので、大量の分散パワーでさえも冷却チャネル内に流れる冷却媒体で排除されることができる。銅ヒートシンク6は、主にパワーデバイス1の定常状態冷却を実行する。一時的に起こるパワーデバイスの一時的熱負荷に対して、追加熱キャパシタンス9、9a、9bがパワーデバイスの上面に取り付けられる。これらの熱キャパシタンスは、パワーデバイス1上の圧力焼結層10によっても取り付けられる。好ましい実施形態において、熱キャパシタンス9は、モリブデンから製造される。
【0017】
圧力焼結接合層2、7、10は、それぞれ接合される表面部分の少なくとも一方に塗布される溶剤に沈殿した銀粉によって生成される。続いて、沈殿防止剤を、150℃〜250℃の温度で蒸発させる。接合されるべき表面部分を、一方が他方の上から積み重なるように配置し、銀層を215℃〜250℃の温度で、1〜2分間にわたり40Mpaの圧力で押圧する。押圧中、圧力が液圧条件を達成するために、シリコンゴムを介してデバイスに結合される。
【0018】
接合されるべき表面部分は、使用されるべき圧力焼結処理のため非酸化状態でなければならない。ゆえに、表面部分を接合する前に、存在する可能性のある酸化膜を除去するためにそれらを適切に処理することが推奨される。他の可能性としては、銀または金のような、貴金属の層で、それぞれ互いに接合される構成要素を金属化することである。金メッキは、酸化膜が長期保存されていても個々の構成要素の表面に形成するのを、確実に防止する。パワーモジュールの特に好ましい構造では、パワーデバイス1、DCBセラミック3、4、5、銅ヒートシンク6、および熱キャパシタンス9、9a、9b、12が、ゆえにそれぞれ金メッキされる。
【0019】
パワーデバイスの更なる接触に関しては、電気コンタクト11a、11bが熱キャパシタンス9、9a、9bのそれらの上面に取り付けられても良い。多数のコンタクトが上面に取り付けられることになる場合、異なるコンタクト11a、11bがモリブデン製の単一熱キャパシタンスによって短絡されるので、多数の独立した熱キャパシタンスを上面に取り付けることも推奨される。パワーモジュールの上面への追加的接触は、従来の結合線技術により構成されることができる。パワーモジュール構造における圧力焼結層の融解は、文頭で説明したように、ここでは懸念する必要はない。但し、可能であれば、圧力焼結技術も、コンタクト11a、11bに対して推奨できる。図1では、追加上部電気コンタクト11a、11bは、ゆえに、圧力焼結処理によってパワーモジュールに同様に接合される銅ラグとして形成される。従来の結合線接触構造についての説明は省略している。モリブデン熱キャパシタンスへの銅ラグの表面部分の圧力焼結接合は、熱キャパシタンスから銅ラグへの放熱を追加的に促進させる。
【0020】
図2の典型的実施形態では、図1における3つの独立したモリブデン熱キャパシタンスは、DCBセラミックの形態の単一熱キャパシタンス12に置き換えられる。このDCBセラミックもまた、下部銅層13、セラミック層14および上部銅層15によって形成される。この典型的実施形態においても、単一熱キャパシタンス12が、圧力焼結層10によって電子パワーデバイス1の上面に取り付けられる。パワーデバイス1の上面での接触のために、DCBセラミックの下部銅層13は、導体トラックがパワーデバイスの独立した接合のために銅層に形成されるように、構成且つ中断されても良い。単一熱キャパシタンスの形成は、たった1つの構成要素しかパワーデバイスの上面に接合されなくても良いので、パワーモジュールの構成において利点を有する。パワーデバイスを電気的に切り換えるために上面に実装されたDCBセラミックを使用すると、パワーデバイスの低誘導接触ともなるので、切換損失が回避され、パワーデバイスの切換時間も短縮される。DCBセラミックは、好ましくはアルミニウム−炭化珪素(AlSiC)セラミックで形成される。
【0021】
実験室の試験では、2〜3ミリメートルの層厚さが図1の典型的実施形態からのモリブデン熱キャパシタンスに特に有利であることを示した。2ミリメートルの厚さのモリブデン熱キャパシタンスを用いると、本発明によるパワーモジュールの一時的熱抵抗と定常状態熱抵抗との両方を、はんだ付け接合技術により、且つ熱キャパシタンスの追加も必要なく従来方法で構成されたパワーモジュールと比べて半減することができる。一時的熱抵抗は、この場合、経時平均した定常状態分散パワーに対する一時的熱負荷の下でのパワーデバイスの最大温度変化の比として定義される。熱抵抗が半減すると、本発明によるパワーモジュールが従来のパワーモジュールと比べて、動作できる分散パワー密度の倍増が可能となる。
【0022】
熱抵抗はまた、図2の典型的実施形態と多少対応するように、上面に配置されたDCBセラミックの熱キャパシタンスによってかなり改良される。但し、DCBセラミックの熱キャパシタンスの熱抵抗の半減を達成するために、0.8ミリメートルの厚さのモリブデン層が、上面に配置されたDCBセラミックとパワーデバイスとの間に提供されなければならない。
【0023】
圧力焼結処理によって構成されたパワーモジュールは、高周囲温度、および何度も熱負荷変動が起こる周囲条件下での使用に特に適している。半導体デバイスに対する高温や頻繁な熱負荷変動がある環境は、例えば、自動車の内燃機関の直ぐ近く(エンジンルーム内)に見られる。このような用途においては、パワーデバイスは、SiCパワーデバイスが有利である。炭化珪素を基礎にした半導体デバイスは、約250℃までの高温での用途に対し不可欠な熱安定性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】上面にモリブデンの熱キャパシタンスを搭載した本発明による水冷パワーモジュールの概略構造を示す。
【図2】上面にDCBセラミックを搭載した本発明による水冷パワーモジュールの概略構造を示す。
Claims (13)
- 少なくとも1つの電子パワーデバイス(1)と、DCBセラミック基板(3、4、5)と、ヒートシンク(6)と、少なくとも1つの追加熱キャパシタンス(9、9a、9b、12)とを具備する電子パワーモジュールであって、
a)前記電子パワーデバイス(1)は、それらの下面が焼結層(2)によって前記DCBセラミック基板の上部銅層(3)に接合され、
b)前記DCBセラミック基板の上部銅層(3)は、前記パワーデバイス(1)の電気接触用の銅導体トラックに構成され、
c)前記DCBセラミック基板の下部銅層(5)は、焼結層(7)によって前記ヒートシンクに接合され、
d)前記パワーデバイス(1)の上面は、焼結層(10)によって少なくとも1つの前記追加熱キャパシタンス(9、9a、9b、12)に接合される、電子パワーモジュール。 - 前記焼結層(2、7、10)が、210℃〜250℃の範囲内の温度、および40メガパスカルの圧力の下で作製される、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記追加熱キャパシタンス(9、9a、9b)がモリブデンから作製される、請求項1あるいは2に記載のパワーモジュール。
- 前記追加熱キャパシタンス(12)がDCBセラミックである、請求項1あるいは2に記載のパワーモジュール。
- 前記追加熱キャパシタンス(9、9a、9b、12)が、複合材料AlSiCから形成される、請求項1あるいは2に記載のパワーモジュール。
- モリブデン層が、前記追加熱キャパシタンス(12)と前記パワーデバイス(1)との間にそれぞれ配置される、請求項4に記載のパワーモジュール。
- 前記パワーデバイス(1)が、それらの上面が前記追加熱キャパシタンス(9、9a、9b、12)によってそれぞれ接触されることを特徴とする、請求項1あるいは2に記載のパワーモジュール。
- 前記パワーデバイス(1)の接触が、結合線接触によってそれらの上面で行われる、請求項7に記載のパワーモジュール。
- 前記パワーデバイス(1)の接触が、焼結層によって前記追加熱キャパシタンス(9a、9b)に接合される銅ラグ(11a、11b)によって行われる、請求項7に記載のパワーモジュール。
- 前記パワーデバイス(1)の接触が、DCBセラミックとして形成される前記追加熱キャパシタンス(12)の下部銅層(13)によって行われる、請求項7に記載のパワーモジュール。
- 前記ヒートシンク(6)が銅ヒートシンクである請求項1〜10のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記ヒートシンク(6)が、前記パワーデバイス(1)の放熱を吸収させるための冷却媒体がその内部を流れる冷却チャネル(8)を追加的に有する、請求項1〜10のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記パワーデバイス(1)がSiCパワーデバイスである、請求項1〜12のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
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