JP2004505580A - Many space structural formula amplifier - Google Patents

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JP2004505580A JP2002516857A JP2002516857A JP2004505580A JP 2004505580 A JP2004505580 A JP 2004505580A JP 2002516857 A JP2002516857 A JP 2002516857A JP 2002516857 A JP2002516857 A JP 2002516857A JP 2004505580 A JP2004505580 A JP 2004505580A
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non
dielectric waveguide
gunn diode
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シン,チェウン,ウー
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シン,チェウン,ウー
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    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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    • HELECTRICITY
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    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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    • HELECTRICITY
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    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/10Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes

Abstract

本発明は、複数の異なるサイズの非放射誘電体導波路から成る多数スペース構造を備え、その多数スペース構造にガンダイオードを装着することによって、複数の周波数を増幅することができる高周波増幅器に関する。 The present invention comprises a number space structure composed of a non-radiative dielectric waveguides of different sizes, by mounting the Gunn diode to the number space structure, it relates to a high frequency amplifier capable of amplifying a plurality of frequencies. 本発明は、互いにある間隔離れた二枚の金属板の間のスペースに挿入されたガンダイオード;入力波を回転させると共に伝送方向を決定するサーキュレータ;前記サーキュレータに接続されて、入力端子からの入力波を前記サーキュレータに送る第1非放射誘電体導波路;前記サーキュレータに接続されており前記サーキュレータからの入力信号を前記ガンダイオードに送ると共に、前記ガンダイオードからの増幅信号を前記サーキュレータに送り戻す第2非放射誘電体導波路;及び前記サーキュレータに接続されており前記第2非放射誘電体導波路を通じて前記サーキュレータに入ってくる増幅信号を出力端子に送る第3非放射誘電体導波路を含んで成る、多数スペース構造を備えた高周波増幅器を提供する。 The present invention is a Gunn diode which is inserted in two metal plates space apart intervals from one another; circulator determines the transmission direction to rotate the input wave; connected to the circulator, an input wave from the input terminal the first non-radiative dielectric waveguide sent to the circulator; and sends an input signal from the circulator being connected to said circulator to said Gunn diode, a second non-return feed an amplified signal from the Gunn diode to the circulator comprising a third non-radiative dielectric waveguide for sending a and amplified signal coming into the circulator through the connected and the second non-radiative dielectric waveguide to the circulator to the output terminal; radiation dielectric waveguide to provide a high frequency amplifier having a large number space structure. 本発明は、非放射誘電体導波路の複合ブロックから成る共振回路を更に含むことにより、広帯域の増幅機能を提供する。 The present invention, by including a resonant circuit consisting of the composite block of non-radiative dielectric waveguide further provides a broadband amplifying function. 本発明は、多数スペース構造式の非放射誘電体導波路を用いるガンダイオード増幅器を提供することにより、種々の周波数を増幅するための多数のパッケージの製作を不必要にする。 The present invention, by providing a Gunn diode amplifier using nonradiative dielectric waveguide of a number space structure is unnecessary to manufacture a large number of packages for amplifying the various frequencies. 従って、本発明は、経済的な利点がある。 Accordingly, the present invention has economic advantages. 更に、ガンダイオードと誘電体共振回路とを備えた本発明の広帯域増幅器は、現在のマルチメディア時代における超高速の広帯域通信機器にとって非常に有用となり得る。 Furthermore, wideband amplifier of the present invention that includes a Gunn diode and a dielectric resonator circuit can be very useful for ultra high-speed broadband communication equipment at the current multimedia era.

Description

【0001】 [0001]
[技術分野] [Technical field]
この発明は、高周波増幅器に関し、より詳細には、多数スペース構造に作られた様々なサイズの非放射誘電体導波路に装着されたガンダイオードを用いることによって、複数の周波数を増幅することができる多数スペース構造式増幅器に関する。 This invention relates to radio frequency amplifiers and, more particularly, by using a non-radiative dielectric waveguide loaded Gunn diode of various sizes made in many space structure, it is possible to amplify a plurality of frequencies many on the space structure amplifier.
【0002】 [0002]
[背景技術] [Background Art]
コンピュータや情報通信技術が発達するに伴って、個人が扱うデータ量も増加している。 With the computer and telecommunications technology has developed, it has increased the amount of data individuals handled. 更に、最近のマルチメディアの発展によって、個人が用いる情報のフォーマットも文字のテキストから絵や写真へ、更には動画へと変化しつつある。 In addition, some by recent developments in multimedia, the format of the individuals use information from the character of the text to a picture or photo, changing to even more videos. それゆえ、大量の情報をリアルタイムで伝送する緊急の必要性が存在する。 Therefore, there is an urgent need to transmit large amounts of information in real time.
上記の理由によって、移動端末や携帯端末の使用も次第に増加しており、それゆえ、かかる携帯端末への大量の情報の伝達を可能にする大容量超高速の無線通信機器の必要性も増大している。 The above reasons, the use of mobile terminals and mobile terminal also increased gradually, therefore, also increases the need for high capacity ultra-high-speed wireless communications device that enables the transmission of large amounts of information to such mobile terminal ing.
従って、高い周波数と広い帯域を使用することが必要であり、高周波信号を処理し且つブロードバンドを提供することができる増幅器について切実な要求が生じている。 Therefore, it is necessary to use a high frequency and wide band, felt need occurs for an amplifier that can provide processing and broadband high-frequency signal.
【0003】 [0003]
ガリウム砒素(GaAs)製のガンダイオード(Gann diode)は、二つの伝導帯バレーを持つ素子であり、素子の電界強度に起因した電子移動度の差異に応じて、負性抵抗状態になり得る。 Gallium arsenide (GaAs) made of a Gunn diode (Gann Diode) is an element having two conduction band valley, in accordance with the difference in electron mobility due to the electric field strength of the element can be a negative resistance state.
ガンダイオードにバイアス電圧を印加すると、図1のグラフに示すように、二つの増幅領域と一つの発振領域が生じる。 When a bias voltage is applied to the Gunn diode, as shown in the graph of FIG. 1, two amplification region and one of the oscillation region occurs. ここで、低い方のバイアス電圧レベルでの増幅領域を「増幅領域1」と、また、高い方のバイアス電圧レベルでの増幅領域を「増幅領域2」と称する。 Here, the lower "amplification region 1" amplification area in the bias voltage level, also referred to as "amplification region 2" amplification region at higher bias voltage levels. 低い方のバイアス電圧における増幅領域1は、ガンダイオードの内側の電子がLバレーからUバレーへ移動する負性抵抗領域である。 Low amplification region 1 in the bias voltage towards is negative resistance region inside of the electron gun diode moves from L valley to U Valley. このような負性抵抗領域は、増幅領域2でのゲインが得られなくなるまで続く。 Such negative resistance region continues until the gain in the amplification region 2 can not be obtained. このグラフが示すように、ガンダイオードには二つの負性領域があるが、増幅領域1においては、バイアス電圧を印加することができる範囲が非常に限られている。 As this graph, although the Gunn diode has two negative region in the amplification region 1, a range capable of applying a bias voltage is very limited. バイアス回路の不安定性によって、このような増幅領域からの逸脱が容易に生じる。 The instability of the bias circuit, the deviation from such amplification region readily occurs. 従って、増幅器は、増幅領域2に対して設計される。 Therefore, the amplifier is designed for amplification region 2.
【0004】 [0004]
誘電体導波路(dielectric waveguide)やストリップ共振器(strip resonator) のような増幅器を構成するすべての回路要素は、予め定められたある周波数で共振するように設定されているので、増幅領域2を用いて設計された増幅器は、多種類の周波数を運ぶ能力がないという問題を有する可能性がある。 Since all of the circuit elements constituting the amplifier such as a dielectric waveguide (Dielectric Waveguide) and strip resonator (strip Resonator) is set to resonate at a certain predetermined frequency, the amplification region 2 the amplifier is designed with, may have a problem that there is no ability to carry a wide variety of frequencies.
【0005】 [0005]
[発明の開示] [Disclosure of the Invention]
上記の問題を解決するため、本発明の目的は、ガンダイオードの増幅特性を用いて、非放射誘電体導波路(non−radiative dielectric waveguide)を備えた増幅器を提供することである。 To solve the above problems, an object of the present invention, by using the amplification characteristics of Gunn diodes, it is to provide an amplifier having a non-radiative dielectric waveguide (non-radiative dielectric waveguide).
【0006】 [0006]
非放射誘電体導波路を使用するときには、スペースが使用周波数の波長の半分に相当する二枚の金属板の間に回路要素を装着しなくてはならないので、多種類の周波数を増幅するために、ガンダイオードのサイズを変更しなくてはならない。 When using non-radiative dielectric waveguide, since space must be fitted with a circuit element to the two metal plates corresponding to half the wavelength of the used frequency, in order to amplify a wide variety of frequencies, cancer You must change the size of the diode. 本発明の別の目的は、ガンダイオードのサイズに関連する問題を克服するため、多数スペース構造式の非放射誘電体導波路を用いることによって、ガンマウントのサイズにかかわらず、多種類の周波数のための増幅機能を提供することである。 Another object of the present invention is to overcome the problems associated with the size of the Gunn diode, by using a non-radiative dielectric waveguide of a number space structure, regardless of the size of the cancer mounting, many types of frequency and to provide an amplification function for.
【0007】 [0007]
上記目的に従って、本発明は、互いにある間隔離れた二枚の金属板の間のスペースに挿入されたガンダイオード;入力波を回転させるとともに伝達ポートを決定するサーキュレータ;前記サーキュレータに接続されており、入力端子からの入力波を前記サーキュレータに送る第1非放射誘電体導波路;前記サーキュレータに接続されており、前記サーキュレータからの入力信号を前記ガンダイオードに送ると共に、ある比率で増幅された信号をサーキュレータに送り戻す第2非放射誘電体導波路;及び前記サーキュレータに接続されており、前記サーキュレータに入ってきた前記増幅信号を負荷側に送る第3非放射誘電体導波路から成る、多数スペース構造式増幅器器を提供する。 Accordance with the above object, the present invention is a Gunn diode which is inserted in two metal plates space apart intervals from one another; circulator to determine the transfer port rotates the input wave; being connected to said circulator, an input terminal the first non-radiative dielectric waveguide send input wave from said circulator; being connected to said circulator, and sends an input signal from the circulator to the Gunn diode, the amplified signal at a certain ratio to the circulator the second non-radiative dielectric waveguide sent back; and is connected to the circulator, and a third non-radiative dielectric waveguide for sending the amplified signals that have entered the circulator to the load side, a number space structure amplifier to provide a vessel.
【0008】 [0008]
本発明に従ってガンダイオードを用いた増幅器は、ガンダイオードの負性抵抗特性を利用している。 Amplifier using the Gunn diode according to the present invention utilizes a negative resistance characteristic of the Gunn diode.
本発明のガンダイオードを用いた増幅器は、ガンダイオードの負性抵抗の特性反射係数を1よりも大きい値に維持することによって増幅効果を達成している。 Amplifier using the Gunn diode of the present invention achieves an amplifying effect by maintaining the characteristic reflection coefficient of the negative resistance of the Gunn diode to a value greater than 1.
ガンダイオードを用いた本発明の増幅器は、オリジナルに設計された共振点の周りに少なくとも一つの付加的な共振点を備えることにより、増幅された周波数の帯域幅を広げることができる。 Amplifier of the present invention using a Gunn diode is provided with the at least one additional resonance point around the resonance point designed original, it is possible to widen the bandwidth of the amplified frequencies.
前記付加的な共振点は、ガンダイオードとサーキュレータとを接続する非放射誘電体導波路内に置かれている。 It said additional resonance point is placed in a non-radiative dielectric waveguide for connecting the Gunn diode and a circulator.
【0009】 [0009]
[発明を実施する最良の形態] [BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
図2に示すように、本発明による多数スペース構造式増幅器において、入力波は、第1非放射誘電体導波路(15)を通じてサーキュレータ(20)に入る。 As shown in FIG. 2, in a number space structure amplifier according to the present invention, the input wave enters the circulator (20) through the first non-radiative dielectric waveguide (15). 次に、サーキュレータ(20)は、回転作用によって入力波を伝送する方向を決定する。 Next, a circulator (20) determines the direction for transmitting the input wave by rotation action. 入力波は、次の伝達線路である第2非放射誘電体導波路(13)を通じて、ガンダイオード(5)に送られる。 Input waves, through a second non-radiative dielectric waveguide, which is the next transmission line (13) is sent to the Gunn diode (5). ガンダイオードにおいては、負性抵抗の特性によって入力波が増幅されて反射波となるが、入力波はある整数倍で増幅される。 In the Gunn diode is input wave by the characteristics of negative resistance is being amplified reflected wave is amplified by integer multiples in the input wave. この増幅された波は、第2非放射誘電体導波路(13)を通じて、サーキュレータ(20)に伝えられる。 The amplified wave, through the second non-radiative dielectric waveguide (13) is transmitted to the circulator (20). サーキュレータ(20)は、回転作用によって増幅信号のための伝送ポートを決定し、反射波を、第3非放射誘電体導波路(17)を通じて、負荷側の決定されたポートに出力する。 Circulator (20), the transmission port determined for amplification signal by rotation action, the reflected wave, through the third non-radiative dielectric waveguide (17), and it outputs the determined port of the load side.
【0010】 [0010]
図2において、ガンダイオード(5)のインピーダンスを伝送路の特性インピーダンスにおいて正規化したものをZ とすると、ガンダイオード(5)のかかるインピーダンスは、負性抵抗rとリアクタンスjxの直列回路によって表すことができる。 2, a material obtained by normalizing When Z D in the characteristic impedance of the transmission line impedance of the Gunn diode (5), the impedance consuming Gunn diode (5) is represented by a series circuit of a negative resistance r and reactance jx be able to.
ここで、反射係数r は、次の式1によって定義することができる。 Here, the reflection coefficient r N can be defined by the following equation 1.
[式1」 [Formula 1 "
【数1】 [Number 1]
【0011】 [0011]
式を簡単にするために、リアクタンスjxの値として0を代入すると、増幅器の中央周波数における反射係数は次の式2のように定められる。 To simplify the equation, and substituting 0 as the value of the reactance jx, the reflection coefficient at the center frequency of the amplifier is defined as the following equation 2.
[式2] [Equation 2]
【数2】 [Number 2]
【0012】 [0012]
上記の式2において、反射係数が1よりも大きいと、反射波は入射波よりも大きくなり、これは増幅をもたらす。 In Formula 2 above, the reflection coefficient is larger than 1, the reflected wave is larger than the incident wave, which results in amplification. 反射係数は、入力パワーに対する出力パワーの比であるから、ゲインの定義と同じである。 Reflection coefficient from the ratio of output power to input power, is the same as the gain of the definition. それゆえ、パワーゲインは、次の式3で定義される。 Therefore, the power gain is defined by the following equation 3.
[式3] [Equation 3]
【数3】 [Number 3]
【0013】 [0013]
上記式3から、ガンダイオード(5)の負性抵抗値が伝送路の特性インピーダンスに近づくにつれて、増幅ゲインが増加することがわかる。 From the above equation 3, as a negative resistance value of the Gunn diode (5) approaches the characteristic impedance of the transmission line, it can be seen that the amplification gain is increased. 負性抵抗値が1であると、反射係数は無限大の値を持つことになり、それゆえ、入力波がまったくなくても出力波が存在し、振動が生じることになる。 When the negative resistance value is 1, the reflection coefficient will have a value of infinity, therefore, even if there is no input wave at all exist output wave, so that the vibration occurs.
その結果、上記式1において増幅器のゲインの周波数特性は、ガンダイオードのリアクタンスが0となる周波数において最大となる、単純ピークの形状を有する。 As a result, the frequency characteristic of the gain of the amplifier in the formula 1 is maximized at the frequency reactance of the Gunn diode is zero, has the shape of a simple peak.
【0014】 [0014]
他方、非放射誘電体導波路のサイズは、次の式4及び5によって決定することができる。 On the other hand, the size of the non-radiative dielectric waveguide can be determined by the following equation 4 and 5.
[式4] [Equation 4]
【数4】 [Number 4]
[式5] [Equation 5]
【数5】 [Number 5]
上記式において、ε は誘電定数(dielectric constant,(誘導率))であり、λは波長である。 In the above formula, the epsilon r dielectric constant (Dielectric constant, (dielectric constant)) is, lambda is the wavelength.
【0015】 [0015]
通常、ガンダイオード(5)のサイズは、非放射誘電体導波路(13,15,17)が置かれている二枚の金属板(1,3)間のスペースに嵌まり合うものでなければならない。 Usually, the size of the Gunn diode (5), unless those mate in the space between the non-radiative dielectric waveguide (13, 15, 17) is placed two metal plates (1,3) not not. ダイオードマウント(10)のサイズは製造元によって異なり、実際に使われる周波数も用途や目的によって異なる。 The size of the diode mount (10) is different depending on the manufacturer depends actually frequencies applications and purposes to be used. 異なる周波数を用いるには、二枚の金属板(1,3)間のスペースを変える必要がある。 The use of different frequencies, it is necessary to change the space between two metal plates (1,3). 従って、使用周波数に合致するサイズのダイオードを求めることは実際的ではない。 Therefore, it is not practical to obtain the diode size that matches the operating frequency.
【0016】 [0016]
それゆえ、本発明においては、多数スペース構造式の非放射誘電体導波路に作られた増幅器が提供される。 Therefore, in the present invention, an amplifier made in a non-radiative dielectric waveguide of a number space structure is provided. このような増幅器において、ガンダイオード(5)と、増幅信号の入力と出力のための非放射誘電体導波路(13,15,17)とが、二枚の金属板(1,3)間のスペースに装着されており、増幅すべき種々の周波数のために、金属板(1,3)間に多数スペースが形成される。 In such an amplifier, a Gunn diode (5), a non-radiative dielectric waveguide for input and output of the amplified signal and (13, 15, 17), but two metal plates (1,3) between space is mounted on, for a variety of frequencies to be amplified, many spaces are formed between the metal plate (1,3).
【0017】 [0017]
本発明においては、高周波用ガンダイオードばかりでなく、低周波用ガンダイオードをも用いることができる。 In the present invention, not only a high-frequency Gunn diode can also be used a low-frequency Gunn diode. このような場合、低周波用ガンダイオードは、間に形成されるスペースが大きい二枚の金属板間に装着され、金属板間のより小さなスペースには2逓倍又は3逓倍された周波数のための誘電体伝送線路が装着される。 In this case, the low-frequency Gunn diode is space formed is attached to two metal plates large during, for doubling or tripling the frequency in a smaller space between the metal plates dielectric transmission line is mounted. 逓倍された周波数において共振するストリップ共振器又はリード型共振器が、ダイオードと導波路とを接続するように配置され、調和負性抵抗特性を用いて反射波を増幅する。 Strip resonator or lead resonator resonant at the multiplied frequency is arranged so as to connect the diode and the waveguide, amplifying the reflected wave by using the harmonic negative resistance characteristic.
【0018】 [0018]
本発明の上記の目的、特徴及び利点は、本発明についての以下の詳細な記述を通して明らかになるであろう。 The above objects, features and advantages of the present invention will become apparent through the following detailed description of the present invention. 以下は、本発明の好ましい実施例の詳細な説明である。 The following is a detailed description of a preferred embodiment of the present invention.
【0019】 [0019]
図3は、この発明の多数スペース構造式増幅器を一部破断して示す図である。 Figure 3 is a diagram showing a partially cutaway many spaces structural formula amplifier of the present invention.
図3に示すように、入力波は、第1の非放射誘電体導波路を通じてサーキュレータ(20)へ送られる。 As shown in FIG. 3, the input wave is transmitted to the circulator (20) through the first non-radiative dielectric waveguide. 伝達方向がサーキュレータ(20)の回転によって決定された後、その入力波は第2の非放射誘電体導波路(13)を通じてガンダイオードに入る。 After the transmission direction is determined by the rotation of the circulator (20), the input waves into the Gunn diode through a second non-radiative dielectric waveguide (13). ガンダイオード(5)では、逓倍された周波数に対する増幅比は、負性抵抗特性によって決定される。 In Gunn diode (5), the amplification ratio multiplied frequency is determined by the negative resistance characteristics. ここでは、反射された出力波は入力波よりも大きいので、入力波に対する出力波の比が増幅比である。 Here, the reflected output wave is greater than the input wave, the ratio of the output wave to the input wave is amplified ratio. ガンダイオード(5)で逓倍された増幅波は、第2の非放射誘電体導波路(13)を通じてサーキュレータ(20)に送られる。 Amplified wave is then multiplied by the Gunn diode (5) it is sent to the circulator (20) through the second non-radiative dielectric waveguide (13). 伝達方向がサーキュレータ(20)の回転によって決定された後、かかる波は、反射波として、非放射誘電体導波路(17)を通じて負荷側へ出力される。 After the transmission direction is determined by the rotation of the circulator (20), such waves as reflected waves, are outputted to the load side through the non-radiative dielectric waveguide (17).
【0020】 [0020]
前記ダイオード(5)とダイオードマウント(10)とを支持するベースは、ガンダイオードとダイオードマウント(10)とのサイズに適合するサイズの金属板から成り、それらの金属板間のスペースが使用周波数に相当している。 Base for supporting said diode (5) and the diode mount (10) consists of a Gunn diode and a diode mount (10) and the metal plate sized according to the size of, the space of these metal plates are used frequency corresponding to that. このようなベースが、多数スペース構造を持つように構成されている。 Such base is configured to have a number space structure.
【0021】 [0021]
本発明によって、同じサイズのガンダイオード(5)を用いながら、用途に応じて種々の周波数を発生させることができる増幅器を構成することができる。 The present invention, while using a Gunn diode (5) of the same size, it is possible to configure the amplifier capable of generating various frequencies depending on the application.
【0022】 [0022]
非放射誘電体導波路(13,15,17)のサイズは、使用する周波数に従って式4及び式5によって決定され、同様にして非放射誘電体導波路(13,15,17)を形成する金属板間のスペースも決定される。 The size of the non-radiative dielectric waveguide (13, 15, 17) is determined by the formula 4 and formula 5 according to the frequency to be used, metal forming in the same manner as non-radiative dielectric waveguide (13, 15, 17) space between the plates is also determined. しかしながら、ダイオードマウント(10)のサイズは、製造元によって異なっているので、種々の異なるサイズの要素を備える回路を構成するのに、多数スペース構造が用いられる。 However, the size of the diode mount (10), since different by the manufacturer, to construct the circuit comprising an element of a variety of different sizes, a large number space structure used.
【0023】 [0023]
ここでは、ガンダイオード(5)と非放射誘電体導波路(13)との接続は、ストリップ共振器(8)によって作られ、その共振器の金属部分の長さが使用周波数を決定する。 Here, the connection of the gun diode (5) and a non-radiative dielectric waveguide (13) is made by the strip resonator (8), the length of the metal portion of the resonator determines the operating frequency.
金属板の長さが使用周波数の波長の半分よりも長ければ周波数は低くなり、金属板の長さが短ければ、共振周波数は高くなる。 Frequency Longer than half the wavelength of the used frequency length of the metal plate is low, is shorter the length of the metal plate, the resonance frequency becomes higher.
【0024】 [0024]
サーキュレータの接続領域においては不要モードが生じる可能性があるので、非放射誘電体導波路(13,15,17)とサーキュレータ(20)との間の接続領域にはモードサプレッサ(6)が挿入される。 Since the connection area of ​​the circulator is likely to have unwanted mode occurs, the mode suppressor in the connection area between the non-radiative dielectric waveguide and (13, 15, 17) and a circulator (20) (6) is inserted that.
【0025】 [0025]
増幅領域2は、増幅領域1よりも良好な増幅特性を有しているとともにより安定であるので、上記の増幅器にバイアス電圧を印加する必要があるときには、そうした電圧は増幅領域2に印加される。 Amplification region 2 are the more stable with has a good amplification characteristics than amplification region 1, when it is necessary to apply a bias voltage to the amplifiers, such voltage is applied to the amplification region 2 .
【0026】 [0026]
図4は、本発明によるガンダイオード増幅器の周波数特性を示すグラフである。 Figure 4 is a graph showing a frequency characteristic of the Gunn diode amplifier according to the present invention.
本発明のガンダイオード増幅器は、増幅領域1を使用する場合には、13dBのゲインを有するが、増幅領域2を使用する場合には、図4に示すように24dBという高いゲインを示すことになる。 Gunn diode amplifier of the present invention, when using the amplification region 1 has a gain of 13 dB, when using the amplification region 2 will exhibit a high gain of 24dB as shown in FIG. 4 .
バイアス電圧の変化1mVに対するゲインの変化は、増幅領域1では0.203dB/mVであるが、増幅領域2では、この変化は0.38dB/mVである。 Gain changes to change 1mV bias voltage is a 0.203dB / mV in amplification region 1, the amplification region 2, this change is 0.38 dB / mV. このように、増幅領域2が示すゲインの変化はより少ないことがわかる。 Thus, the change of the gain indicated by the amplification region 2 it can be seen that fewer.
【0027】 [0027]
図5は、本発明による増幅器の別の実施例を一部破断して示す図である。 Figure 5 is a diagram showing a partially cutaway of another embodiment of an amplifier according to the present invention.
大量のデータを伝送するために高い周波数を用いる場合に、高周波数用のガンダイオードを入手するのが難しいときは、低周波数用のガンダイオードを用いて高い周波数のための増幅器を構成することができる。 In the case of using a higher frequency in order to transmit the large amount of data, when it is difficult to obtain a Gunn diode for high frequency, it is possible to configure the amplifier for high frequency using a Gunn diode for the low frequency it can. 図5に示すような多数スペース式非放射誘電体導波路構造においては、バイアス電圧を、低周波数用のガンダイオード(5)を通じて、金属板(1)間の低周波数レベルのための大きなスペースに対して印加することができる。 In many space type nonradiative dielectric waveguide structure as shown in FIG. 5, a bias voltage through the Gunn diode for the low frequency (5), a large space for the low-frequency level between the metal plate (1) it can be applied for. ガンダイオード振動周波数の2逓倍又は3逓倍の周波数のための非放射誘電体導波路(13,15,17)を、金属板間のより狭いスペースに配置することができる。 The nonradiative dielectric waveguide (13, 15, 17) for frequency doubling or tripling of the Gunn diode oscillation frequency, can be arranged in a narrower space between the metal plates. ガンダイオードと非放射誘電体導波路との間には、逓倍周波数で共振するストリップ共振器(8)又はレード型共振器が配置される。 Between the Gunn diode and a non-radiative dielectric waveguide, strip resonator that resonates at a multiplying frequency (8) or delayed-type resonators are arranged. このようにして、反射波は、高調波を用いて負性抵抗特性によって増幅される。 In this manner, the reflected wave is amplified by the negative resistance characteristics with harmonics.
このように、多数スペース式非放射誘電体導波路における周波数逓倍型の増幅器は、ガンダイオードの周波数よりも2倍又は3倍の高い周波数用として構成することができる。 Thus, the frequency multiplying type of amplifier in a number space type nonradiative dielectric waveguide can be configured for two or three times the frequency higher than the frequency of the Gunn diode.
【0028】 [0028]
同様に、本発明の別の実施例として、逓倍共振点に関して増幅される周波数の帯域を拡張するために、オリジナルの共振点に加えてもう一つの共振点を付加的に挿入することができる。 Similarly, as another embodiment of the present invention, in order to expand the band of frequencies to be amplified with respect to multiplication resonance point can be inserted another resonance point additionally in addition to the original resonance point. このような増幅器について、以下に詳細に説明する。 Such amplifiers will be described in detail below. 増幅特性の一つとして、非放射誘電体導波路と素子とを選択するのに応じて、ある帯域を持つ周波数共振が設定される。 One of the amplification characteristic, in response to selecting the non-radiative dielectric waveguide and the element, the frequency resonance with a certain bandwidth is set. このように、図6に示す増幅器の等価回路に示すように、L1とC1の値に応じて、ある周波数が共振する。 Thus, as shown in an equivalent circuit of the amplifier shown in FIG. 6, according to the value of L1 and C1, it resonates certain frequency. L2とC2について別の共振点を作り、その共振点をL1とC1についてのオリジナルの共振点の近くに置くと、トータルでの周波数特性は両方の共振点を含み、その結果、一つだけのオリジナルの共振点を持つ増幅器よりも広い帯域を持つ増幅器を構成することができる。 For L2 and C2 create another resonance point, placing the resonance point near the original resonance point of L1 and C1, the frequency characteristic of the total includes both resonance points, as a result, only one of it is possible to configure the amplifier having a bandwidth wider than the amplifier with the original resonance point.
【0029】 [0029]
このようにして、オリジナルな共振回路にもう一つの共振回路を外付けして加えることで複合回路を構成して、(図6に示すように)付加的な共振回路にはオリジナルな共振回路の共振点とは僅かに違った共振点を持つことで、図7に示すように、広範な増幅帯域を持つ増幅器を得ることができる。 In this way, it constitutes a composite circuit by adding externally attached another resonant circuit original resonant circuit (as shown in FIG. 6) in the additional resonant circuit of the original resonant circuit the resonance point to have a slightly different resonance points, as shown in FIG. 7, it is possible to obtain an amplifier having a broad amplification band.
同様にして、二つの外的な共振回路を挿入して増幅器に三つの共振点を持たせることで、図8に示すように幅広に広がった周波数特性を得ることができる。 Similarly, by providing a three resonance points to the amplifier by inserting the two external resonant circuit, it is possible to obtain a frequency characteristic that spread wider as shown in FIG.
【0030】 [0030]
非放射誘電体導波路ブロックから成る外付け共振回路を用いる広帯域の周波数特性を持つ増幅器を構成する原理を以下に記す。 The principle of constituting an amplifier having a frequency characteristic of the wideband using an external resonant circuit composed of the non-radiative dielectric waveguide block described below.
本発明の実施例に従って非放射誘電体導波路ブロックを用いた共振回路が、図9に示すように構成することができる。 Resonant circuits using nonradiative dielectric waveguide block in accordance with an embodiment of the present invention may be configured as shown in FIG.
先ず、図9に示すように非放射誘電体導波路ブロックを用いてマルチストリップ共振器を構築する。 First, to construct a multi-strip resonator using non-radiative dielectric waveguide block as shown in FIG. この基本的な構造において、l1,d1,及びl2の値を得るために、図9に示す共振回路は図10に示す等価回路に変換されて解析される。 In this basic structure, in order to obtain the value of l1, d1, and l2, the resonant circuit shown in FIG. 9 is analyzed and converted to the equivalent circuit shown in FIG. 10.
ここで、対称的なT型回路は減衰領域を表しており、η は線路の特性インピーダンスを表しXpj,Xsj(j=1〜n+1)は減衰領域の直列又は並列なアーム部のインピーダンスであり、lj の関数として表される。 Here, symmetrical T-circuit represents the attenuation region, eta D is Xpj represents the characteristic impedance of the line, Xsj (j = 1~n + 1 ) is an impedance of the series or parallel arm portions of the damping region , it expressed as a function of lj.
【0031】 [0031]
T型回路部分を図11に示すようなインピーダンスインバータ回路に変換すると、図10に示す等価回路は、図12に示す等価回路として表すことができる。 When converting a T-type circuit portion to the impedance inverter circuit as shown in FIG. 11, the equivalent circuit shown in FIG. 10 can be represented as an equivalent circuit shown in FIG. 12. 図10において共振器の長さ、dj (j=1〜n)は、両側のインピーダンスから成るXpj, Xsj,Xpj+1,及びXsj+1であり、これらは、位相定数βで表された、次の式6及び7で定義される。 Resonator length in FIG. 10, dj (j = 1~n) is xpj made from both sides of the impedance, XSJ, xpj + 1, and a XSJ + 1, they are represented by phase constant beta, the following equation 6 and it is defined by 7.
[式6] [Equation 6]
【数6】 [6]
[式7] [Equation 7]
【数7】 [Equation 7]
【0032】 [0032]
従って、次の式8及び9で表される設計公式を用いて、誘電体ブロックから複合共振回路を設計し製作することができる。 Therefore, using the design formula represented by the following formula 8 and 9, it can be fabricated by designing the composite resonant circuit from the dielectric block.
[式8] [Equation 8]
【数8】 [Equation 8]
[式9] [Equation 9]
【数9】 [Equation 9]
:中心周波数 Δf:帯域λgo:f における導波路内の波長λ :f における自由空間波長H :負荷インピーダンス【0033】 f 0: center frequency Delta] f: band Ramudago: wavelength in the waveguide at f 0 λ 0: free space wavelength at f 0 H D: load impedance [0033]
上記の目的、特徴、及び利点は添付の図面を参照した以下の詳細な説明によって明らかになるであろう。 Additional objects, features, and advantages will become apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.
以下は、添付図面を参照してされた、本発明の実施例の詳細な説明である。 Below were with reference to the accompanying drawings, a detailed description of embodiments of the present invention.
図13は、本発明の別の実施例による外的付加の共振器を一つ備えた増幅器を示す図である。 Figure 13 is a diagram showing an amplifier having one resonator external addition according to another embodiment of the present invention.
図13は、ガンダイオード増幅器(5)と一つの外付けされた非放射誘電体導波路(13)とを用いた共振回路によって実現された広帯域の増幅器を示す。 Figure 13 shows a broadband amplifier which is realized by the Gunn diode amplifier (5) and one external, non-radiation dielectric waveguide (13) and resonant circuit using.
【0034】 [0034]
本発明においては、ガンダイオード(5)は、二枚の金属板間のある大きさに定められたサイズのスペースに装着されている。 In the present invention, the Gunn diode (5) is mounted in the space of the size prescribed in size with two metal plates. 第1非放射誘電体導波路(15)からの入力波は、サーキュレータ(20)内での回転と伝達方向の決定に従って、第2非放射誘電体導波路(13)を通じてガンダイオード(5)へ送られる。 Input wave from the first non-radiative dielectric waveguide (15), as determined by the rotation transmitting direction in the circulator (20), the second non-radiative dielectric waveguide (13) through the Gunn diode (5) Sent. 波はガンダイオード(5)において増幅され、伝達方向はサーキュレータ(20)内での回転に従って決定され、次に、出力波が第3非放射誘電体導波路(17)を通じて伝達される。 Wave is amplified in cancer diode (5), transmission direction is determined according to rotation within the circulator (20), then the output wave is transmitted through the third non-radiative dielectric waveguide (17).
【0035】 [0035]
ストリップ共振器(8)は、前記ガンダイオード(5)と第2非放射誘電体導波路(13)との間に装着されて、両者を接続している。 Strip resonator (8), the Gunn diode (5) is mounted between the second non-radiative dielectric waveguide (13) are connected to each other. 第2非放射誘電体導波路(13)とストリップ共振器(8)との接続領域には、モードサプレッサ(6)が挿入されている。 The connection region of the second non-radiative dielectric waveguide (13) the strip resonator (8), the mode suppressor (6) is inserted.
第1非放射誘電体導波路(15)は、入力端子からの入力波をサーキュレータ(20)に伝送し、サーキュレータ(20)に接続されている第3非放射誘電体導波路(17)はガンダイオードで増幅された波を出力ポートに伝送する。 The first non-radiative dielectric waveguide (15) transmits the input wave from the input terminal to the circulator (20), the third non-radiative dielectric waveguide that is connected to the circulator (20) (17) cancer transmitting the amplified waves diode to the output port.
【0036】 [0036]
図13に示すように、第1非放射誘電体導波路(15)から入力された入力波は、サーキュレータ(20)の回転作用によって伝送方向が決定された後、第2非放射誘電体導波路(13)を通ってガンダイオード(5)ヘ入力される。 As shown in FIG. 13, the input waves inputted from the first non-radiative dielectric waveguide (15), after the transmission direction is determined by the rotational action of the circulator (20), a second non-radiative dielectric waveguide (13) through the Gunn diode (5) is f input. ガンダイオード(5)においては、入力波は予め定められたレベルで増幅され、反射波として出力される。 In Gunn diode (5), the input wave is amplified at a predetermined level, is output as a reflected wave. このように増幅された反射波は、第2非放射誘電体導波路(13)を通じて出力され、増幅されて、第2非放射誘電体導波路(13)上の一つ又はそれ以上の共振回路(11,12)によって定まる共振点のオーバーレイを通って広帯域信号となり、更にサーキュレータ(20)に伝送される。 The amplified reflected wave in this way is output through the second non-radiative dielectric waveguide (13), is amplified, a second non-radiative dielectric waveguide (13) on one or more of the resonant circuit It becomes wideband signal through the overlay of the resonance point determined by (11,12), and transmitted further to the circulator (20).
【0037】 [0037]
サーキュレータ(20)は、次に、増幅された広帯域信号として入力された反射波を回転し、そうした信号を伝送すべき方向を決定し、信号を第3非放射誘電体導波路(17)を通じて負荷側に伝達する。 Circulator (20) is then rotated the input reflected waves as an amplified broadband signal, to determine the direction to be transmitted such signal, the load signal through the third non-radiative dielectric waveguide (17) transmitted to the side.
ガンダイオード(5)とマウント(10)のサイズが第2非放射誘電体導波路(13)に適合しない場合には、大きいが間隔の狭い金属板を備えた多数スペース構造式導波路が用いられる。 If the size of the Gunn diode (5) and mount (10) is incompatible with the second non-radiative dielectric waveguide (13) is large, but a large number space structure-guiding waveguide having a narrow metal plate spaced used .
共振点のオーバーレイを通じて広帯域周波数を作り出すために、一つ又はそれ以上の共振回路(11,12)が第2非放射誘電体導波路(13)に挿入される場合には、周波数は増幅されて、図14のグラフに示されているように、約750MHzの幅広い周波数帯域を持つようになる。 To produce a wideband frequency through overlay resonance point, when one or more resonant circuits (11, 12) is inserted into the second non-radiative dielectric waveguide (13), the frequency is amplified , as shown in the graph of FIG. 14, it will have a wide frequency range of approximately 750 MHz. 図4に示すようにガンダイオード(5)を備えるのみの増幅器では3000MHzの通過帯域をもつが、外付けの共振器を挿入することによって、広帯域の増幅を得ることができる。 The only amplifier comprises a Gunn diode (5), as shown in FIG. 4 with a passband from 3000MHz, but by inserting an external resonator, it is possible to obtain an amplified broadband.
【0038】 [0038]
他方、伝達すべきデータが増加し使用される周波数が高くなる場合で、しかし、高周波用ガンダイオードを適用することができず、しかも低周波用ガンダイオードによる高周波増幅を行うことが必要な場合には、本発明の多数スペース構造を用いることができる。 On the other hand, if the frequency data to be transmitted is increased using is high, however, can not be applied to high frequency Gunn diode, yet when it is necessary to perform high-frequency amplification by the low-frequency Gunn diode it can be used multiple space structure of the present invention. 多数スペース構造においては、金属板間において低周波数用の大きなスペースにバイアス電圧が印加されると、負性抵抗特性が作り出される。 In many space structure, the bias voltage to the large space for the low frequency is applied in the metal plates, negative resistance characteristic is produced. 金属板間の小さい方のスペース間においては、ガンダイオードの振動周波数よりも2倍又は3倍の高い周波数を発振するストリップ共振回路又はリード型共振回路が、非放射誘電体導波路に配置される。 In the space between the smaller metal plates, strips resonant circuit or leaded resonant circuit oscillates twice or 3 times higher frequency than the vibration frequency of the Gunn diode is arranged in a non-radiative dielectric waveguide . このように、ガンダイオードにおいて、その負性抵抗特性によって増幅された反射波は、広帯域周波数になるように増幅される。 Thus, in cancer diode, the reflected wave amplified by the negative resistance characteristic is amplified such that the broadband frequency.
【0039】 [0039]
上記に詳細に説明したように、本発明は、ガンダイオードと多数スペース式非放射誘電体導波路構造とを用いた増幅器を構成しており、複数の周波数を増幅するために多くのパッケージを製作する必要がないので、経済的な利点を有している。 As explained in detail above, the present invention constitutes an amplifier using a Gunn diode and a number space type nonradiative dielectric waveguide structure, manufacture many packages to amplify a plurality of frequencies it is not necessary to have an economic advantage.
【0040】 [0040]
本発明は、ガンダイオードと誘電体共振回路とを備えた広帯域増幅器を提供することによって、今日のマルチメディア時代において、超高速の広帯域通信装置の発展に寄与することができる。 The present invention, by providing a wideband amplifier and a Gunn diode and a dielectric resonator circuit in today's multimedia age, it is possible to contribute to the development of ultra high-speed broadband communication device.
【0041】 [0041]
本発明の好ましい実施例は、本発明を説明するために挙げられたものである。 Preferred embodiments of the present invention are those listed to illustrate the present invention. 関連する分野に属する者であれば、本発明の概念及び範囲内において、本発明の特徴を修正し、変更し、或いはそれに付加することができ、それゆえ、そのような修正、変更又は付加は、特許請求の範囲に含められるとみなされる。 If a person belonging to the relevant art, within the spirit and scope of the present invention to modify the characteristics of the present invention, change, or can be added to it, therefore, such modifications, changes or additions , it is considered to be included within the scope of the appended claims.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】 [Figure 1]
図1は、通常のガンダイオードの増幅領域と振動領域とを示すグラフである。 Figure 1 is a graph showing the amplification region and the vibration area of ​​the conventional Gunn diode.
【図2】 [Figure 2]
図2は、本発明によるガンダイオードを用いた増幅器の構造を示す図である。 Figure 2 is a diagram showing a structure of an amplifier with Gunn diode according to the present invention.
【図3】 [Figure 3]
図3は、この発明による多数スペース構造式増幅器を一部破断して示す図である。 Figure 3 is a diagram illustrating a multiple space structure amplifier according to the present invention partially broken.
【図4】 [Figure 4]
図4は、この発明による多数スペース構造式増幅器の周波数特性を示すグラフである。 Figure 4 is a graph showing a frequency characteristic of a large number space structure amplifier according to the present invention.
【図5】 [Figure 5]
図5は、この発明による多数スペース構造式増幅器の別の実施例を一部破断して示す図である。 Figure 5 is a diagram showing a partially cutaway of another embodiment of a multiple space structure amplifier according to the present invention.
【図6】 [Figure 6]
図6は、この発明による多数スペース構造式増幅器の別の実施例を提供するための付加的な共振器を備えた回路の等価回路を示す図である。 Figure 6 is a diagram showing an equivalent circuit of a circuit with additional resonators to provide another embodiment of a multiple space structure amplifier according to the present invention.
【図7】 [7]
図7は、一つの外部共振点を持つように設計された広帯域増幅器の周波数特性を示すグラフである。 Figure 7 is a graph showing the frequency characteristics of the designed broadband amplifier to have one external resonance point.
【図8】 [Figure 8]
図8は、二つの外部共振点を持つように設計された広帯域増幅器の周波数特性を示すグラフである。 Figure 8 is a graph showing the frequency characteristics of the designed broadband amplifier to have two external resonance.
【図9】 [9]
図9は、この発明による別の実施例において、非放射誘電体導波路に装着された共振器を一部破断して示す図である。 9, in another embodiment according to the invention, showing a resonator mounted in a non-radiative dielectric waveguide partially broken.
【図10】 [Figure 10]
図10は、図9に示す非放射誘電体導波路上に装着された共振回路の等価回路を示す図である。 Figure 10 is a diagram showing an equivalent circuit of a non-radiative dielectric waveguide mounted resonant circuits on shown in FIG.
【図11】 [11]
図11は、図10に示すT型回路を、インピーダンスインバータ回路とともに示す図である。 Figure 11 is a T-type circuit shown in FIG. 10 is a diagram showing along with the impedance inverter circuit.
【図12】 [Figure 12]
図12は、図9に示す非放射誘電体導波路上の共振回路のためのインバータを用いた等価回路を示す図である。 Figure 12 is a diagram showing an equivalent circuit using the inverters for the resonant circuit on the non-radiative dielectric waveguide shown in Fig.
【図13】 [13]
図13は、この発明による別の実施例に従った、一つの外部共振器を付加した広帯域増幅器の回路を示す図である。 13, according to another embodiment of this invention, showing the circuit of a wideband amplifier that adds one of the external cavity.
【図14】 [Figure 14]
図14は、図13に示すこの発明の実施例である広帯域増幅器の増幅特性を示すグラフである。 Figure 14 is a graph showing the amplification characteristic of the wide-band amplifier which is an embodiment of the invention shown in FIG. 13.

Claims (10)

  1. 互いにある間隔離れた二枚の金属板の間のスペースに挿入されたガンダイオード; Gunn diode which is inserted in two metal plates space apart an interval from each other;
    入力波を回転させると共に伝達方向を決定するサーキュレータ; Circulator for determining the transmitting direction to rotate the input wave;
    前記サーキュレータに接続されており、入力端子からの入力波を前記サーキュレータに送る第1非放射誘電体導波路; It is connected to the circulator, the first non-radiative dielectric waveguide for sending the input wave from the input terminal to the circulator;
    前記サーキュレータに接続されており、前記サーキュレータからの入力信号を前記ガンダイオードに送ると共に前記ガンダイオードからの増幅信号を前記サーキュレータに送り戻す第2非放射誘電体導波路;及び前記サーキュレータに接続されており、前記第2非放射誘電体導波路を通じて前記サーキュレータに入ってくる前記増幅信号を出力端子に送る第3非放射誘電体導波路; Is connected to the circulator, an input signal from the circulator second non-radiative dielectric waveguide sends back an amplified signal from the Gunn diode to the circulator and sends to the Gunn diode; connected to, and the circulator cage, third non-radiative dielectric waveguide for sending the amplified signal coming into the circulator through the second non-radiative dielectric waveguide to the output terminal;
    から成る高周波増幅のための多数スペース構造式増幅器。 Number space structure amplifier for radio frequency amplifier comprising a.
  2. 前記入力波の増幅は、前記ガンダイオードの負性抵抗特性を利用することによって得られることから成る請求項1に記載の多数スペース構造式増幅器。 The amplification of the input wave, a number space structure amplifier according to claim 1 comprising a can be obtained by utilizing the negative resistance characteristic of the Gunn diode.
  3. 前記ガンダイオードは互いにある間隔離れた二枚の金属板の間のスペースに装着され;そして非放射誘電体導波路は、多数スペース構造を形成する二枚の金属板間の異なるサイズのスペースに装着されていることから成る請求項1に記載の多数スペース構造式増幅器。 The Gunn diode is mounted on two metal plates space apart some distance from each other; and a non-radiative dielectric waveguide is mounted at different space sizes two metal plates to form multiple space structure number space structure amplifier according to claim 1 which consists of are.
  4. ストリップ共振器が前記ガンダイオードと前記非放射誘電体導波路とを接続しており、前記ストリップ共振器の長さが使用周波数を決定していることから成る請求項1に記載の多数スペース構造式増幅器。 It has connecting strips resonator and said Gunn diode and the non-radiative dielectric waveguide, many space structure according to claim 1 consisting of the length of the strip resonator is determined using the frequency amplifier.
  5. 前記サーキュレータと非放射誘電体導波路との接続のために、不要なモードを除去するモードサプレッサが用いられていることから成る請求項1に記載の多数スペース構造式増幅器。 The circulator and the non-radiative dielectric for connection to the waveguide, a large number space structure amplifier according to claim 1 consisting of the mode suppressor for removing unnecessary mode is used.
  6. 前記ガンダイオードと前記非放射誘電体導波路とは、基本振動周波数の逓倍周波数で共振する周波数逓倍型のストリップ共振器によって接続されていることから成る請求項1に記載の多数スペース構造式増幅器。 The Gunn diode and said a non-radiative dielectric waveguide, many space structure amplifier according to claim 1 which consists of are connected by frequency multiplying type of strip resonator which resonates at a multiplying frequency of the fundamental vibration frequency.
  7. 前記ガンダイオードの負性抵抗特性として、反射係数は1より大きいことから成る請求項2に記載の多数スペース構造式増幅器。 The Gunn diode as a negative resistance characteristic, the reflection coefficient number space structure amplifier according to claim 2 consisting of greater than 1.
  8. 互いにある間隔離れた二枚の金属板の間のスペースに挿入されたガンダイオード; Gunn diode which is inserted in two metal plates space apart an interval from each other;
    入力波を回転させると共に伝達方向を決定するサーキュレータ; Circulator for determining the transmitting direction to rotate the input wave;
    前記サーキュレータに接続されて、入力端子からの入力波を前記サーキュレータに送る第1非放射誘電体導波路; It is connected to the circulator, the first non-radiative dielectric waveguide for sending the input wave from the input terminal to the circulator;
    前記サーキュレータに接続されていると共に共振回路の複合ブロックを備え、前記サーキュレータからの入力信号を前記ガンダイオードに送ると共に前記ガンダイオードからの増幅信号を前記サーキュレータに送り戻す第2非放射誘電体導波路; Comprising a composite block of the resonant circuit with the connected to the circulator, the second non-radiative dielectric waveguide the amplified signal from the Gunn diode and sends an input signal from the circulator to the Gunn diode sends back to the circulator ;
    前記サーキュレータに接続されており、前記サーキュレータに入ってくる前記増幅信号を出力端子に送る第3非放射誘電体導波路;及び前記ガンダイオードと前記各非放射誘電体導波路を接続するストリップ共振器から成る、高周波増幅のための多数スペース構造式増幅器。 Is connected to the circulator, third non-radiative dielectric waveguide transmitting the amplified signal coming into the circulator to the output terminal; strip resonator for connecting and each non-radiation dielectric waveguide and the Gunn diode consisting of numerous space structure amplifier for radio frequency amplifier.
  9. 前記第2非放射誘電体導波路に装着された前記共振回路は、基本共振点の周りに一つ又はそれ以上の共振点を提供して共振周波数のオーバーレイを形成することから成る請求項8に記載の多数スペース構造式増幅器。 It said second non-radiative dielectric waveguide is mounted the said resonant circuit, in claim 8 which comprises one or more of providing a resonance point to form an overlay of the resonance frequency around the fundamental resonance point number space structure amplifier according.
  10. ガンダイオードが金属板の間の大きなスペースに挿入されており; Gunn diode is inserted into a large space of the metal plates;
    低周波用ガンダイオードの発振周波数の逓倍周波数のための非放射誘電体導波路が金属板間の小さいスペースに装着されており; Nonradiative dielectric waveguide for multiplying the frequency of the oscillation frequency of the low-frequency Gunn diode is mounted in a small space in the metal plates;
    より高い周波数で共振するストリップ共振器が前記ガンダイオードと前記非放射誘電体導波路とを接続して反射波の大きさを増幅することから成る多数スペース構造式増幅器。 Higher strip resonator that resonates at a frequency above Gunn diode and the non-radiative dielectric waveguide and connects to the reflected wave magnitude number space structure amplifier consists of amplifying.
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