JP2004363292A - Liquid feeder and board treating system - Google Patents

Liquid feeder and board treating system Download PDF

Info

Publication number
JP2004363292A
JP2004363292A JP2003159394A JP2003159394A JP2004363292A JP 2004363292 A JP2004363292 A JP 2004363292A JP 2003159394 A JP2003159394 A JP 2003159394A JP 2003159394 A JP2003159394 A JP 2003159394A JP 2004363292 A JP2004363292 A JP 2004363292A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
pipe
substrate
supply device
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003159394A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4298384B2 (en
Inventor
Takashi Tanaka
隆史 田中
Koji Toyoda
浩司 豊田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2003159394A priority Critical patent/JP4298384B2/en
Priority to TW093113224A priority patent/TWI244132B/en
Priority to CNB2004100459470A priority patent/CN1322550C/en
Priority to KR1020040039924A priority patent/KR100596551B1/en
Publication of JP2004363292A publication Critical patent/JP2004363292A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4298384B2 publication Critical patent/JP4298384B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0225—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work characterised by flow controlling means, e.g. valves, located proximate the outlet
    • B05C5/0237—Fluid actuated valves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the mixing of a liquid into a treating liquid to be fed to a board. <P>SOLUTION: A liquid feeder 30 is provided with a slit nozzle 31, a nozzle pipe 32, a three-way valve 33, a chemical feeder 34, a chemical pipe 35, a cleaning solution feeder 36, a cleaning solution pipe 37, and a solution discharge mechanism 38. A cleaning solution fed from the cleaning solution feeder 36 is discharged from the slit nozzle 31 to clean up a developing solution sticking or remaining in the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 after a development. Then, the cleaning solution is discharged from the cleaning solution pipe 37 by the solution discharge mechanism 38 to make the cleaning solution pipe 37 empty. Afterward, the three-way valve 33 is controlled to make the nozzle pipe 32 communicate with the chemical pipe 35, and the developing solution is fed from the chemical feeder 34. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に処理液を吐出することによって薬液処理を行う基板処理装置に関する。より詳しくは、処理液を供給する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の製造工程においては、塗布装置や現像装置などのように、基板に対して薬液処理を実行する基板処理装置が用いられる。
【０００３】
例えば、塗布装置は、液体タンクなどの液体供給機構から供給されたレジスト液（処理液）をノズルから基板に対して吐出することにより、当該基板にレジスト液を塗布する。塗布装置では、このような処理を行うことによって、ノズルにレジスト液が付着し、これが後の基板処理においてパーティクルの原因となる。また、待機中に配管内のレジスト液が変質するなどの問題がある。そのため、適宜、ノズルや配管内を洗浄する必要があり、例えば、特許文献１には、洗浄機能を備えた塗布装置が記載されている。
【０００４】
特許文献１には、洗浄液（純水やアルカリ水など）を供給する機構を塗布装置の液体供給機構にさらに設け、所定の配管を介して洗浄液をノズルから吐出させる技術が提案されている。すなわち、塗布装置が基板に対する処理を行っていない間に、ノズルから洗浄液を吐出して、ノズルや配管内の洗浄を行う技術が提案されている。そして、塗布装置が通常の基板処理を行う場合には、洗浄液の流路を閉鎖し、洗浄液がノズルに供給されない状態にした上で、ノズルにレジスト液を供給するようにしている。なお、液体の流路を閉鎖する手法としては、開閉バルブや逆止弁などの開閉機構を用いるのが一般的である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１５０３４５公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような開閉機構は、遮断部材を開放位置と閉鎖位置との間で移動させることによって液体の流路を閉鎖する機構である。したがって、流路を閉鎖した場合に、遮断部材を介して２種類の液体が存在する状態（以下、「接液状態」という）が生じる。このような接液状態では、遮断部材のシール効果（液体を遮断する機能の効果）の程度によっては、ノズルに供給される液体に遮断されるべき液体が混入するという問題があった。特に、遮断部材のシール効果が経年変化などによって劣化している場合や、遮断すべき液体の粘度が低く毛細管現象を起こしやすい場合などには、この混入現象は顕著となる。
【０００７】
混入現象の弊害を現像液によって基板を現像処理する場合を例に検証する。現像装置において、現像液はノズルから数Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で吐出される。このとき、１ｃｃ／ｍｉｎ程度の洗浄液（純水）が接液状態によって混入したとすると、吐出される現像液の濃度変化は０．１％となり、十分に現像不良の原因となる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板に対する処理において、２種類以上の液体の混入による処理精度の低下を防止することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して少なくとも１種類の処理液を供給する液供給装置であって、前記少なくとも１種類の処理液を含む複数種類の液体を吐出する吐出手段と、前記複数種類の液体を供給する供給手段と、前記複数種類の液体を前記吐出手段に導く供給流路と、前記複数種類の液体を前記供給手段から前記供給流路まで導く複数の流路と、前記供給流路と前記複数の流路とを連通接続する接続手段と、前記複数の流路のうちの少なくとも１の流路から液体を排液する排液手段とを備える。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る液供給装置であって、前記複数の流路を開閉する開閉手段を備え、前記排液手段が、前記少なくとも１の流路について、前記開閉手段から前記供給手段までの間において液体の排液を行う。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る液供給装置であって、前記開閉手段が、三方弁である。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項２の発明に係る液供給装置であって、前記開閉手段が、逆止弁である。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る液供給装置であって、前記複数種類の液体に純水が含まれ、前記排液手段が、前記複数の流路のうち、純水を導くために使用される流路から液体を排液する。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかの発明に係る液供給装置であって、前記少なくとも１種類の処理液に現像液が含まれる。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項１ないし６のいずれかの発明に係る液供給装置であって、前記少なくとも１種類の処理液にレジスト液が含まれる。
【００１６】
また、請求項８の発明は、基板に対して処理液による薬液処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板に対して処理液を供給する請求項１ないし７のいずれかに記載された液供給装置とを備える。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１８】
＜１． 第１の実施の形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の概略図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００１９】
基板処理装置１は、基板処理装置１に対する基板９０の搬出入を行うインデクサ１０，１１、基板９０を搬送する搬送機構２０、液供給装置３０、および制御装置４０から構成される。基板処理装置１は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、露光処理が行われた基板９０を現像する装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル３１は処理液として現像液を吐出するようになっている。
【００２０】
なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、種々の基板に現像液を吐出することによって現像処理を行う装置として変形利用することもできる。また、基板９０に対して薬液処理を行う液体は現像液に限られるものではなく、例えば、現像液と同様に薬液処理において濃度管理について高い精度が要求されるレジスト液などであってもよい。その場合、基板処理装置１は、基板９０に対してレジスト液を塗布する塗布装置として機能することとなる。
【００２１】
インデクサ１０は、図示しない装置外の搬送機構から基板９０を受け取り、所定の位置に所定の時間保持した後、搬送機構２０に基板９０を受け渡す。また、インデクサ１１は、搬送機構２０から搬出された基板９０を図示しない装置外の搬送機構に払い出す。なお、インデクサ１０，１１は、ＦＯＵＰカセットなどを載置するための載置台や、搬送機構２０との間で基板９０の受け渡しを行う搬送ロボットなどを備えていてもよい。
【００２２】
搬送機構２０は、基板９０を所定の位置に保持した状態で、インデクサ１０からインデクサ１１に向けて搬送する機能を有する。詳細は後述するが、基板処理装置１では、搬送機構２０が基板９０を保持した状態で、基板９０に対する各種の処理が行われる。
【００２３】
図２は、第１の実施の形態における液供給装置３０の構成を示す概略図である。液供給装置３０は、スリットノズル３１、ノズル配管３２、三方弁３３、薬液供給部３４、薬液配管３５、洗浄液供給部３６、洗浄液配管３７、および排液機構３８を備え、薬液供給部３４から供給する現像液をスリットノズル３１から吐出することにより、搬送機構２０に保持された基板９０に現像液を供給する。詳細は後述するが、これにより基板処理装置１は、基板９０に対する現像処理を実行する装置として機能する。
【００２４】
スリットノズル３１は、主にＹ軸方向に伸びる直線状の部材で構成され、搬送機構２０に保持された基板９０に対向する位置に、液体を吐出するためのスリット（図示せず）が設けられている。スリットノズル３１にはノズル配管３２が取り付けられる。スリットノズル３１は、薬液供給部３４から供給される現像液を、前述のスリットから基板９０に対して吐出する。また、スリットノズル３１は、洗浄液供給部３６から供給される洗浄液についても吐出することが可能とされている。
【００２５】
図２に示すように本実施の形態におけるスリットノズル３１には、Ｙ軸方向に沿った３カ所にノズル配管３２が連通接続される。これにより、スリットノズル３１には３カ所から現像液などの液体が供給されるため、Ｙ軸方向の吐出精度が均一化される。なお、スリットノズル３１の液体供給箇所の数は３カ所に限られるものではない。
【００２６】
三方弁３３は、ノズル配管３２に、薬液配管３５および洗浄液配管３７を接続する機能を有する。すなわち、三方弁３３が主に本発明における接続手段に相当する。また、ノズル配管３２に対して、薬液配管３５および洗浄液配管３７のいずれか一方を選択的に連通させ、かつ他方を閉鎖する機能を有しており、本発明における開閉手段にも相当する。
【００２７】
さらに、三方弁３３は、制御装置４０に接続されており、制御装置４０からの制御信号に応じて、開閉動作（流路選択動作）が決定される。例えば、スリットノズル３１に供給する液体として現像液が制御装置４０により選択された場合は、薬液配管３５をノズル配管３２に連通接続させる。これにより、洗浄液配管３７は閉鎖される。
【００２８】
薬液供給部３４は、薬液タンク３４０、送液ポンプ３４１、および開閉弁３４２を備えている。薬液タンク３４０は、現像液を溜めておく貯留槽の機能を有しており、送液ポンプ３４１および開閉弁３４２を介して薬液配管３５に連通接続されている。薬液供給部３４は、開閉弁３４２を開放状態にするとともに、送液ポンプ３４１を駆動することによって、薬液タンク３４０に貯留した現像液を三方弁３３に向けて送り出す。このとき、三方弁３３がノズル配管３２と薬液配管３５とを連通させる状態となっていれば、現像液はスリットノズル３１に供給される。すなわち、薬液供給部３４は、現像液をスリットノズル３１に供給する機能を有する。
【００２９】
洗浄液供給部３６は、開閉弁３６０が開放されることにより、図示しない装置外の洗浄液タンクから所定の圧力によって洗浄液を三方弁３３に向けて送り出す。このとき、三方弁３３がノズル配管３２と洗浄液配管３７とを連通させる状態となっていれば、洗浄液はスリットノズル３１に供給される。すなわち、洗浄液供給部３６は、洗浄液をスリットノズル３１に供給する機能を有する。なお、本実施の形態における基板処理装置１は、洗浄液として純水を用いるため、洗浄液を装置外の洗浄液タンクから供給する構成を採用するが、洗浄液を供給する機構はこれに限られるものではない。例えば、洗浄液供給部３６に送液ポンプや洗浄液タンクを設けて、当該送液ポンプの駆動力によってスリットノズル３１に洗浄液を供給するように構成してもよい。また、洗浄液は純水に限られるものではなく、アルカリ水など、さらに洗浄力のある液体が選択されてもよい。
【００３０】
本実施の形態における基板処理装置１は、薬液供給部３４および洗浄液供給部３６を備えることにより、複数種類の液体（本実施の形態においては現像液と洗浄液）をスリットノズル３１に供給することができる。すなわち、薬液供給部３４および洗浄液供給部３６が主に本発明における供給手段に相当する。
【００３１】
排液機構３８は、開閉弁３８０を備えており、制御装置４０からの制御信号に応じて、開閉弁３８０を開放することにより、洗浄液配管３７内の液体（主に洗浄液）を排液する。
【００３２】
基板処理装置１では、ノズル配管３２、薬液配管３５、および洗浄液配管３７がスリットノズル３１に液体を導く流路を形成している。ノズル配管３２はスリットノズル３１に供給される液体を導く機能を有し、本発明における供給流路に相当する。また、薬液配管３５および洗浄液配管３７が本発明における複数の流路に相当する。なお、これらの流路において、流量調整用のバルブ、パーティクル除去用のフィルタ、および手動弁などが適宜設けられてもよい。
【００３３】
制御装置４０は、一般的なコンピュータの機能を有する装置であり、主に、演算処理を行うＣＰＵおよびデータを記憶する記憶部から構成される（いずれも図示せず）。制御装置４０は、基板処理装置１の各構成と信号の送受信が可能な状態で接続されており、前述のＣＰＵが生成した制御信号に基づいて、各構成を制御する機能を有する。特に、制御装置４０は、液供給装置３０がスリットノズル３１に供給する液体（現像液または洗浄液）を選択し、三方弁３３を制御することによって、選択された液体以外の流路を閉鎖する。このような制御により、基板処理装置１は、スリットノズル３１から処理に応じた液体（選択された液体）を吐出することができるようにされている。
【００３４】
以上が、本実施の形態における基板処理装置１の構成の説明である。次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１における処理は、現像処理と洗浄処理とに大別される。なお、以下の基板処理装置１の動作は、特に断らない限り、制御装置４０からの制御信号に応じて各構成が制御されることによって実現されるものである。
【００３５】
まず、洗浄処理の動作について説明する。基板処理装置１では、前述のように現像処理が行われることによってスリットノズル３１およびノズル配管３２内に現像液が残留する。この残留した現像液は、経時変化などによって変質するため、汚染物となってパーティクルの原因となったり、あるいは後の処理において現像液の濃度に影響を与える原因となる。したがって、基板処理装置１は、現像処理を実行する前に、主にスリットノズル３１、およびノズル配管３２に残留する現像液を除去するための洗浄処理を実行する。
【００３６】
まず、基板処理装置１では洗浄処理を開始するのに先立って、薬液供給部３４が送液ポンプ３４１を停止状態とするとともに、開閉弁３４２を閉鎖状態にする。これにより、スリットノズル３１に対する現像液の供給が停止される。なお、現像液の供給停止処理は、実際には後述する現像処理の終了とともに実行される。また、排液機構３８が開閉弁３８０を閉鎖状態にする。
【００３７】
次に、制御装置４０は、洗浄処理においてスリットノズル３１に供給すべき液体は洗浄液であるから、三方弁３３に対して、ノズル配管３２と洗浄液配管３７とを連通接続するよう制御する。この制御に応じて三方弁３３が、ノズル配管３２と洗浄液配管３７とを選択的に連通接続させ、薬液配管３５は閉鎖される。
【００３８】
次に、洗浄液供給部３６が開閉弁３６０を開放状態にすることにより、スリットノズル３１に洗浄液を供給する。スリットノズル３１に洗浄液が供給されると、スリットノズル３１から洗浄液が吐出される。このとき、洗浄液がスリットノズル３１およびノズル配管３２を通過するため、これらの内部に残留していた現像液などは押し流され、スリットノズル３１およびノズル配管３２が洗浄される。
【００３９】
所定の時間が経過し、スリットノズル３１およびノズル配管３２の洗浄が十分に行われたと制御装置４０が判断すると、制御装置４０は洗浄液供給部３６の開閉弁３６０を閉鎖するよう洗浄液供給部３６に制御信号を出力する。この制御信号に応じて、洗浄液供給部３６が開閉弁３６０を閉鎖状態にすることにより、スリットノズル３１に対する洗浄液の供給が停止され、スリットノズル３１からの洗浄液の吐出が停止する。
【００４０】
次に、排液機構３８が制御装置４０からの制御信号に応じて開閉弁３８０を開放状態にする。これによって、スリットノズル３１、ノズル配管３２、三方弁３３、および洗浄液配管３７内の洗浄液が排液機構３８によって装置外に排液される。これにより、洗浄液配管３７内に洗浄液が残留することが防止され、洗浄液配管３７はほぼ空の状態となる。
【００４１】
本実施の形態における基板処理装置１のように、洗浄液として純水を用いる場合、長時間純水が滞留すると純水中にバクテリアが発生し、パーティクルの原因となるという問題がある。しかし、基板処理装置１では比較的長時間装置が停止する場合であっても、排液機構３８によって純水の滞留を防止しているので、バクテリアの発生を防止することができる。
【００４２】
排液機構３８による排液が終了すると、基板処理装置１における洗浄処理は終了し、基板処理装置１は待機状態となる。
【００４３】
次に、基板処理装置１における現像処理の動作について説明する。現像処理は、基板９０の製造工程において、基板９０に対して実行される液体による処理の一工程である。具体的には、基板９０上の露光処理された感光材料（レジスト）を現像するための処理である。
【００４４】
現像処理は、待機状態の基板処理装置１に、装置外の搬送装置によって露光処理された基板９０が搬入されることにより開始される。装置外の搬送装置は、インデクサ１０に対して基板９０の搬入を行う。
【００４５】
インデクサ１０は、搬入された基板９０を所定の位置に保持しつつ、タイミング調整を行ってから搬送機構２０に受け渡す。このとき、インデクサ１０が基板９０を回転させることにより基板９０の向きを調整するようにしてもよい。
【００４６】
搬送機構２０は、受け取った基板９０を略水平方向に保持しつつ、（＋Ｘ）方向に搬送する。制御装置４０は、図示しないセンサにより、基板９０が所定の位置に配置されたことを検出すると、現像処理においてスリットノズル３１に供給すべき液体は現像液であるから、三方弁３３に対して、ノズル配管３２と薬液配管３５とを連通接続するよう制御する。これによって三方弁３３がノズル配管３２と薬液配管３５とを選択的に連通接続させ、洗浄液配管３７は閉鎖される。
【００４７】
次に、薬液供給部３４が開閉弁３４２を開放するとともに、送液ポンプ３４１を駆動することによって、スリットノズル３１に現像液が供給され、基板９０に対してスリットノズル３１からの現像液の吐出が開始される。
【００４８】
このとき、洗浄液配管３７内は排液機構３８によって液体がほぼ存在しない状態（空状態）にされている。したがって、本実施の形態における基板処理装置１では、現像処理中に三方弁３３において、現像液と洗浄液とが接液状態となることはない。したがって、基板９０に対して吐出される現像液について洗浄液の混入が防止される。これにより、現像液の希釈化などが防止できるため、現像液の濃度管理の精度が向上し、現像不良を防止することができる。
【００４９】
基板９０は、搬送機構２０によって（＋Ｘ）方向に搬送されつつ、スリットノズル３１からの現像液の吐出を受ける。すなわち、基板９０は、スリットノズル３１によりＸ軸方向に沿って走査され、基板９０上の露光された感光材料の現像処理が進行する。
【００５０】
スリットノズル３１による基板９０の走査が終了すると、薬液供給部３４は、開閉弁３４２を閉鎖状態にするとともに、送液ポンプ３４１を停止する。これにより、薬液供給部３４からの現像液の供給が停止され、スリットノズル３１からの現像液の吐出が停止する。
【００５１】
次に、制御装置４０がノズル配管３２と洗浄液配管３７とが連通接続されるように三方弁３３を制御する。これによって三方弁３３がノズル配管３２と洗浄液配管３７とを選択的に連通接続させるとともに、薬液配管３５が閉鎖状態にされる。さらに、排液機構３８が開閉弁３８０を開放状態にして、スリットノズル３１およびノズル配管３２内の現像液を洗浄液配管３７を介して排液する。
【００５２】
これにより、現像処理は終了する。その後、再び前述の洗浄処理が実行され、スリットノズル３１およびノズル配管３２内の洗浄が行われる。なお、洗浄処理は、現像処理が行われるたびに行う必要はなく、例えば、所定回数の現像処理が繰り返された後に、洗浄処理を行うようにしてもよい。
【００５３】
以上のように、本実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対して処理液を供給する前に、排液機構３８が処理液の流路に対して接液状態となる流路（洗浄液配管３７）内の液体を予め排液しておくことにより、処理液に他の液体が接液することを防止することができる。したがって、三方弁３３の経時変化などによって遮断機能が低下した場合や、洗浄液として使用される液体の粘度が低い場合であっても、従来の装置のように、スリットノズル３１に供給される処理液に他の液体が混入することを防止することができる。
【００５４】
また、洗浄液配管３７内に残留する洗浄液を排液機構３８が排液することにより、洗浄液配管３７内の洗浄液の滞留を防止することができる。したがって、特に、洗浄液として純水が用いられ、基板処理装置１が比較的長時間停止する場合であっても、パーティクルの原因となるバクテリアが発生することを防止することができる。これによっても、基板処理装置１の処理精度を向上させることができる。
【００５５】
なお、現像液と洗浄液とが接液状態となることを防止するためには、スリットノズル３１に現像液が供給されている状態において、洗浄液の液面が三方弁３３に接触しなければよい。したがって、排液機構３８が洗浄液配管３７内の洗浄液をすべて排液する必要はない。ただし、洗浄液が純水である場合など、洗浄液の滞留を防止するためには、本実施の形態における基板処理装置１のように、洗浄液配管３７内の洗浄液をすべて排液するように構成することが好ましい。
【００５６】
＜２． 第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、ノズル配管３２、薬液配管３５および洗浄液配管３７を三方弁３３で連通接続するよう構成したが、これらの配管を連通接続する構成としては、三方弁３３に限られるものではない。すなわち、流路を開閉する機能を有しない部材であってもよい。
【００５７】
図３は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における基板処理装置１の液供給装置３０ａを示す概略図である。液供給装置３０ａは、第１の実施の形態における液供給装置３０の三方弁３３が結合部３３ａと置き換わった構成を有している。なお、液供給装置３０ａは、結合部３３ａ以外の構成は液供給装置３０と同様であるため、図示および説明を適宜省略する。
【００５８】
以上のような構成を有する第２の実施の形態における基板処理装置１の洗浄処理および現像処理における動作を説明する。
【００５９】
まず、洗浄処理について説明する。本実施の形態における基板処理装置１では、洗浄処理を開始する前に、薬液供給部３４により送液ポンプ３４１の駆動が停止され、開閉弁３４２が閉鎖状態とされる。また、排液機構３８が開閉弁３８０を閉鎖状態とする。
【００６０】
次に、制御装置４０からの制御信号に応じて、洗浄液供給部３６が開閉弁３６０を開放状態にする。これにより、装置外の洗浄液タンクから洗浄液が洗浄液配管３７に供給され、結合部３３ａおよびノズル配管３２を通過して、スリットノズル３１に供給される。これにより、スリットノズル３１から洗浄液が吐出される。
【００６１】
所定の時間が経過して、スリットノズル３１およびノズル配管３２の洗浄が終了すると、洗浄液供給部３６が開閉弁３６０を閉鎖状態にする。また、排液機構３８が開閉弁３８０を開放することにより、スリットノズル３１、ノズル配管３２、結合部３３ａ、および洗浄液配管３７内に残留した洗浄液を排液する。このとき、結合部３３ａは、三方弁３３に比べて内部構造などが単純であるため、液抜けが良好であり、現像液の残留が効果的に防止される。
【００６２】
排液機構３８による洗浄液の排液が終了すると、排液機構３８は開閉弁３８０を閉鎖状態にする。これにより、本実施の形態における基板処理装置１の洗浄処理が終了し、基板処理装置１は待機状態になる。すなわち、本実施の形態における基板処理装置１においても待機中に洗浄液配管３７内に純水の滞留が生じることが防止される。
【００６３】
次に、現像処理について説明する。基板９０が搬送機構２０により所定の位置まで搬送されると、制御装置４０が使用する液体として現像液を選択し、薬液供給部３４に制御信号を出力する。この制御信号に応じて、薬液供給部３４が、送液ポンプ３４１の駆動を開始するとともに、開閉弁３４２を開放状態にする。
【００６４】
これにより、薬液配管３５に現像液が供給され、薬液配管３５から結合部３３ａに供給された現像液は、洗浄液配管３７にも流入する。しかし、洗浄液供給部３６の開閉弁３６０および排液機構３８の開閉弁３８０が閉鎖状態であるため、現像液の洗浄液配管３７への流入は、一定量で停止し、以後、薬液配管３５から供給される現像液は結合部３３ａおよびノズル配管３２を介してスリットノズル３１に供給される。これにより、スリットノズル３１から現像液の吐出が開始される。
【００６５】
このとき、洗浄液配管３７内の現像液は、開閉弁３６０において、洗浄液と接液状態となるため、洗浄液配管３７内には洗浄液が混入する。しかし、洗浄液配管３７は現像液の流路と空間的には接続されているものの、直接的には現像液の流路とはならないため、洗浄液配管３７内の液体はほとんど流動しない。したがって、結合部３３ａ（現像液の実質的な流路）から比較的離れた位置にある開閉弁３６０において、現像液と洗浄液とが接液状態となり、洗浄液配管３７内の現像液が一部希釈されたとしても、現像処理に与える影響はほとんどない。
【００６６】
スリットノズル３１による基板９０の走査が終了すると、薬液供給部３４は、開閉弁３４２を閉鎖状態にするとともに、送液ポンプ３４１を停止する。これにより、薬液供給部３４からの現像液の供給が停止され、スリットノズル３１からの現像液の吐出が停止する。
【００６７】
次に、排液機構３８が開閉弁３８０を開放状態にして、スリットノズル３１、ノズル配管３２、結合部３３ａ、および洗浄液配管３７内の現像液を排液し、現像処理は終了する。
【００６８】
以上のように、第２の実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対する薬液処理に用いる処理液と他の液との接液状態を生じる位置を、当該処理液の流路から十分に離れた位置となるように構成するとともに、接液状態によって希釈された処理液を適宜排液する排液機構３８を設けることにより、スリットノズル３１から吐出される処理液に他の液体が混入することを抑制することができる。したがって、本実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対して供給される処理液の濃度管理の精度を向上させることができるため、基板９０に対する薬液処理の処理精度を向上させることができる。
【００６９】
＜３． 第３の実施の形態＞
液体の流路を開閉する手段としては、液体を一方向にのみ通過させる一般的な逆止弁を用いて実現するように構成してもよい。
【００７０】
図４は、このような原理に基づいて構成した第３の実施の形態における基板処理装置１の液供給装置３０ｂを示す概略図である。液供給装置３０ｂは、薬液配管３５および洗浄液配管３７を開閉する機構として、逆止弁３９ａ，３９ｂを備えている点が上記実施の形態と異なっている。
【００７１】
逆止弁３９ａは、薬液供給部３４の送液ポンプ３４１が駆動された場合に、薬液配管３５からノズル配管３２に向かって現像液を通過させる。また、逆止弁３９ａは、ノズル配管３２から薬液配管３５に液体（現像液および洗浄液）が逆流することを防止する機能を有する。
【００７２】
逆止弁３９ｂは、洗浄液供給部３６の開閉弁３６０が開放された場合に、洗浄液配管３７からノズル配管３２に向かって洗浄液を通過させる。また、逆止弁３９ｂは、ノズル配管３２から洗浄液配管３７に液体（現像液および洗浄液）が逆流することを防止する。
【００７３】
すなわち、制御装置４０は、逆止弁３９ａ，３９ｂの薬液配管３５および洗浄液配管３７側の液体の圧力を増減を制御することにより、逆止弁３９ａ，３９ｂの開閉を制御することができる。
【００７４】
このような構成を備える第３の実施の形態における基板処理装置１の洗浄処理および現像処理における動作について説明する。
【００７５】
まず、洗浄処理を開始する前に、薬液供給部３４は、送液ポンプ３４１の駆動を停止状態とするとともに、開閉弁３４２を閉鎖状態とする。また、排液機構３８が開閉弁３８０を閉鎖状態とする。
【００７６】
次に、制御装置４０からの制御信号に応じて、洗浄液供給部３６が開閉弁３６０を開放状態にする。これにより、装置外の洗浄液タンクから洗浄液が洗浄液配管３７に供給され、洗浄液配管３７内の洗浄液の圧力が上昇する。したがって、逆止弁３９ｂが開放状態となり、洗浄液が逆止弁３９ｂおよびノズル配管３２を通過して、スリットノズル３１に供給され、スリットノズル３１から洗浄液が吐出される。
【００７７】
所定の時間が経過して、スリットノズル３１およびノズル配管３２の洗浄が終了すると、洗浄液供給部３６が開閉弁３６０を閉鎖状態にする。また、排液機構３８が開閉弁３８０を開放することにより、洗浄液配管３７内に残留した洗浄液を排液する。なお、排液機構３８が洗浄液配管３７内の洗浄液を排液することにより、洗浄液配管３７内の圧力は低下するが、逆止弁３９ｂによってノズル配管３２内の液体が洗浄液配管３７内に逆流することはない。
【００７８】
以上により、本実施の形態における基板処理装置１の洗浄処理が終了し、基板処理装置１は待機状態になる。
【００７９】
次に、現像処理について説明する。基板９０が搬送機構２０により所定の位置まで搬送されると、制御装置４０が使用する液体として現像液を選択し、薬液供給部３４に制御信号を出力する。この制御信号に応じて、薬液供給部３４が、送液ポンプ３４１の駆動を開始するとともに、開閉弁３４２を開放状態にする。
【００８０】
これにより、薬液配管３５に現像液が供給され、薬液配管３５内の現像液の圧力が増加するため、逆止弁３９ａが開放状態となる。したがって、現像液は逆止弁３９ａおよびノズル配管３２を通過してスリットノズル３１に供給され、スリットノズル３１から現像液の吐出が開始される。
【００８１】
このとき、洗浄液配管３７内の洗浄液は、排液機構３８によって予め排液されているため、逆止弁３９ｂにおいて、現像液が洗浄液と接液状態となることはない。
【００８２】
以上のように、第３の実施の形態における基板処理装置１では、液体の流路を開閉する機構として逆止弁３９ａ，３９ｂを用いる液供給装置３０ｂにより、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
また、逆止弁３９ａ，３９ｂを用いることにより、制御装置４０がこれらを直接制御することなく、薬液供給部３４および洗浄液供給部３６を制御するだけで、所望の動作をさせることができる。したがって、制御装置４０による制御を簡素化することができる。
【００８４】
なお、スリットノズル３１およびノズル配管３２内に現像液や洗浄液が残留することを防止するために、スリットノズル３１のＺ軸方向の高さ位置を逆止弁３９ａ，３９ｂのＺ軸方向の高さ位置よりも低くなるように配置することが好ましい。
【００８５】
＜４． 第４の実施の形態＞
第２の実施の形態における液供給装置３０ａでは、薬液配管３５が、ほぼ水平状態で結合部３３ａに連通接続されていた。このような配置によってノズル配管３２と薬液配管３５とが接続される場合、排液機構３８によって排液を行ったとしても、薬液配管３５内の現像液の残留が懸念される。
【００８６】
第１の実施の形態における三方弁３３のように、流路接続機構に流路開閉機構が組み込まれている場合には、洗浄処理中に薬液配管３５を閉鎖することができる。したがって、薬液配管３５内の現像液の残留が問題となることはあまりない。これは、洗浄処理は基板９０に対して行われる処理ではなく、それほどの精度が要求されないことと、洗浄処理中にスリットノズル３１から吐出される洗浄液には、三方弁３３において現像液と接液状態となることにより現像液が混入するが、この程度の混入であれば洗浄液の洗浄力が著しく失われることはないことによる。
【００８７】
しかし、第２の実施の形態における結合部３３ａは、洗浄処理中に薬液配管３５を閉鎖することができない。したがって、薬液配管３５内に現像液が残留した場合、第２の実施の形態における基板処理装置１は、第１の実施の形態における基板処理装置１に比べて、洗浄処理中の洗浄液に現像液が多く混入してしまう。すなわち、これによって洗浄液による洗浄効果が低下する場合には、洗浄処理を開始する前に、薬液配管３５内に残留する現像液を可能な限り減少させておくことが好ましい。
【００８８】
図５は、このような原理に基づいて構成した第４の実施の形態における基板処理装置１の液供給装置３０ｃを示す概略図である。液供給装置３０ｃでは、図５に示すような傾斜をもって薬液配管３５が結合部３３ａに接続されている。すなわち、薬液配管３５が結合部３３ａに向かって下方に傾斜しつつ接続される。
【００８９】
これにより、排液機構３８が開閉弁３８０を開放して洗浄液配管３７内の排液を行った場合に、薬液配管３５内の液体もスムーズに排液され、薬液配管３５内に残留する液体の量が減少する。なお、これ以外の液供給装置３０ｃの構成・動作は、第２の実施の形態における液供給装置３０ａと同様であるため説明を省略する。
【００９０】
以上のように、第４の実施の形態における基板処理装置１のような構成を用いても、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９１】
また、液供給装置３０ｃにおいて、薬液配管３５が結合部３３ａに向かって下方に傾斜しつつ、結合部３３ａに接続される構造となっていることにより、薬液配管３５からの液抜けが向上する。したがって、薬液配管３５内に残留する液体の量が減少するため、例えば、洗浄処理における洗浄液に混入する現像液の量を減少させることができる。
【００９２】
＜５． 第５の実施の形態＞
上記実施の形態における基板処理装置１では、基板９０に対して処理を行う処理液として１種類の液体（現像液）を用いる場合について説明したが、処理液は１種類に限られるものではなく、２種類以上であってもよい。
【００９３】
図６は、このような原理に基づいて構成した第５の実施の形態における基板処理装置１の液供給装置３０ｄを示す概略図である。
【００９４】
液供給装置３０ｄは、図６に示すように、３つの薬液供給部３４ａ，３４ｂ，３４ｃを備えており、それぞれが結合部３３ｂに連通接続されている。各薬液供給部３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、それぞれ上記実施の形態における薬液供給部３４と同様の構成を有しており、それぞれの薬液タンク３４０には互いに異なる処理液を貯留している。
【００９５】
結合部３３ｂは、複数の薬液配管３５が連通接続可能とされている以外は、結合部３３ａと同様の機能・構成を有する部材である。なお、本実施の形態においては、図６に示すように、各薬液配管３５がＺ軸方向に沿って結合部３３ｂに取り付けられるが、例えば、結合部３３ｂの周囲を囲む位置に取り付けられてもよい。
【００９６】
制御装置４０は、基板処理装置１が実行する処理に合わせて、スリットノズル３１から吐出する処理液を選択し、薬液供給部３４ａ，３４ｂ，３４ｃのうちから、選択された処理液を貯留しているものを特定して、スリットノズル３１に供給させる。なお、使用する処理液を切り替える際には、排液機構３８によってスリットノズル３１、ノズル配管３２および結合部３３ｂ内の液体の排液を行い、さらに、洗浄液供給部３６が洗浄液を供給して、洗浄処理を行うようにしてもよい。
【００９７】
以上のように、第５の実施の形態における基板処理装置１においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
また、液供給装置３０ｄが複数の薬液供給部３４ａ，３４ｂ，３４ｃを備えることにより、基板処理装置１によって実行される処理のバリエーションを増加させることができる。
【００９９】
＜６． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１００】
例えば、基板処理装置１は、搬入される基板９０に対して、常に現像処理を行う必要はない。すなわち、基板処理装置１が多重露光プロセスを行うラインに組み込まれている場合などにおいては、複数回の露光処理が繰り返される間、基板処理装置１上を基板９０がスルーされてもよい。上記実施の形態における基板処理装置１は、洗浄処理によってスリットノズル３１に付着した現像液が除去されているため、このように現像処理を行わずに基板処理装置１を通過する基板９０に対して、スリットノズル３１から現像液が落下することがなく、処理不良が防止される。
【０１０１】
また、上記実施の形態では、排液機構３８が、洗浄液配管３７からのみ排液を行っていたが、薬液配管３５についても排液機構３８と同様の機構を設けて排液を行うように構成してもよい。
【０１０２】
また、上記実施の形態では、排液機構３８は吸引機構を設けることなく、排液を行っていたが、別途吸引機構を設けて、洗浄液配管３７内の液体を吸引しつつ排液するように構成してもよい。
【０１０３】
また、流路を開閉する機構や、当該機構を設ける位置などは、上記実施の形態に示したものに限られるものではない。例えば、第３の実施の形態における液供給装置３０ｂの逆止弁３９ａ，３９ｂを開閉弁に置き換え、当該開閉弁を制御装置４０によって制御するようにしてもよい。
【０１０４】
また、第２・第４・第５の実施の形態における液供給装置３０ａ，３０ｃ，３０ｄでは、現像液と洗浄液との接液状態が現像液の流路に近い位置で発生しないように構成していた。しかし、洗浄液配管３７の結合部３３ａ（３３ｂ）側に開閉弁を設ける構成としてもよい。図７は、このような原理に基づいて構成した変形例における液供給装置３０ｅを示す図である。液供給装置３０ｅは、第２の実施の形態における液供給装置３０ａに開閉弁３３ｃを追加した構成を有している。この変形例における排液機構３８は、開閉弁３３ｃが閉鎖された状態において洗浄液配管３７内の液体の排液を行う。これにより、単純構造の結合部３３ａ，３３ｂを用いて薬液配管３５と洗浄液配管３７とを連通接続した場合であっても、現像液と洗浄液との接液状態を防止することができる。なお、図５に示す第４の実施の形態における液供給装置３０ｃ、および図６に示す第５の実施の形態における液供給装置３０ｄについても同様である。
【０１０５】
【発明の効果】
請求項１ないし７に記載の発明では、複数の流路のうちの少なくとも１の流路から液体を排液する排液手段を備えることにより、吐出手段から吐出される液体に他の液体が混入することを抑制することができる。
【０１０６】
請求項２に記載の発明では、排液手段が、少なくとも１の流路について、開閉手段から供給手段までの間において液体の排液を行うことにより、処理液と他の液体との接液状態を防止することができることから、吐出手段から吐出される処理液に他の液体が混入することを防止することができる。
【０１０７】
請求項４に記載の発明では、開閉手段が、逆止弁であることにより、制御を簡素化することができる。
【０１０８】
請求項５に記載の発明では、排液手段が、複数の流路のうち、純水を導くために使用される流路から液体を排液することにより、純水の滞留を防止することによって、パーティクルの原因となるバクテリアの発生を防止することができる。
【０１０９】
請求項６に記載の発明では、少なくとも１種類の処理液に現像液が含まれることにより、供給される現像液の濃度管理の精度を向上させることができ、現像処理精度の向上を図ることができる。
【０１１０】
請求項７に記載の発明では、少なくとも１種類の処理液にレジスト液が含まれることにより、供給されるレジスト液の濃度管理の精度を向上させることができ、塗布処理精度の向上を図ることができる。
【０１１１】
請求項８に記載の発明では、請求項１ないし７のいずれかに記載された液供給装置を備えることにより、基板に供給される処理液の濃度管理の精度が向上することにより、薬液処理精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の概略平面図である。
【図２】第１の実施の形態における基板処理装置の液供給装置を示す概略図である。
【図３】第２の実施の形態における基板処理装置の液供給装置を示す概略図である。
【図４】第３の実施の形態における基板処理装置の液供給装置を示す概略図である。
【図５】第４の実施の形態における基板処理装置の液供給装置を示す概略図である。
【図６】第５の実施の形態における基板処理装置の液供給装置を示す概略図である。
【図７】変形例における基板処理装置の液供給装置を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
２０ 搬送機構（保持手段）
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ 液供給装置
３１ スリットノズル
３２ ノズル配管
３３ 三方弁
３３ａ，３３ｂ 結合部
３３ｃ 開閉弁
３４，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 薬液供給部
３５ 薬液配管
３６ 洗浄液供給部
３７ 洗浄液配管
３８ 排液機構
３９ａ，３９ｂ 逆止弁
４０ 制御装置
９０ 基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a chemical liquid process by discharging a processing liquid onto a substrate. More specifically, the present invention relates to a technique for supplying a processing liquid.
[0002]
[Prior art]
In a substrate manufacturing process, a substrate processing apparatus such as a coating apparatus or a developing apparatus that performs chemical processing on a substrate is used.
[0003]
For example, the coating apparatus applies a resist liquid to a substrate by discharging a resist liquid (processing liquid) supplied from a liquid supply mechanism such as a liquid tank to the substrate from a nozzle. In the coating apparatus, by performing such processing, the resist liquid adheres to the nozzles, which causes particles in the subsequent substrate processing. In addition, there is a problem that the resist solution in the pipe is deteriorated during standby. Therefore, it is necessary to appropriately clean the inside of the nozzle and the pipe. For example, Patent Literature 1 describes a coating apparatus having a cleaning function.
[0004]
Patent Literature 1 proposes a technique in which a mechanism for supplying a cleaning liquid (pure water, alkaline water, or the like) is further provided in a liquid supply mechanism of a coating apparatus, and the cleaning liquid is discharged from a nozzle via a predetermined pipe. That is, a technique has been proposed in which a cleaning liquid is discharged from a nozzle to clean the inside of the nozzle and the piping while the coating apparatus is not performing processing on the substrate. When the coating apparatus performs the normal substrate processing, the flow path of the cleaning liquid is closed so that the cleaning liquid is not supplied to the nozzle, and then the resist liquid is supplied to the nozzle. As a method for closing the liquid flow path, an opening / closing mechanism such as an opening / closing valve or a check valve is generally used.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2000-150345 A
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The opening and closing mechanism as described above is a mechanism for closing the liquid flow path by moving the blocking member between the open position and the closed position. Therefore, when the flow path is closed, a state in which two types of liquids are present via the blocking member (hereinafter, referred to as a “liquid contact state”) occurs. In such a liquid contact state, there is a problem that the liquid to be blocked is mixed with the liquid supplied to the nozzle depending on the degree of the sealing effect of the blocking member (the effect of the function of blocking the liquid). In particular, when the sealing effect of the blocking member is deteriorated due to aging, or when the viscosity of the liquid to be blocked is low and a capillary phenomenon is likely to occur, this mixing phenomenon becomes remarkable.
[0007]
The adverse effect of the mixing phenomenon will be verified by taking, as an example, a case where a substrate is subjected to development processing with a developer. In the developing device, the developing solution is discharged from the nozzle at a flow rate of about several L / min. At this time, if a cleaning liquid (pure water) of about 1 cc / min is mixed in a liquid contact state, the change in the density of the discharged developer becomes 0.1%, which sufficiently causes defective development.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to prevent a decrease in processing accuracy due to mixing of two or more types of liquids in processing a substrate.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, an invention according to claim 1 is a liquid supply device that supplies at least one type of processing liquid to a substrate, and discharges a plurality of types of liquid including the at least one type of processing liquid. Discharging means, a supply means for supplying the plurality of types of liquids, a supply flow path for guiding the plurality of types of liquid to the discharge means, and a plurality of flow paths for guiding the plurality of types of liquid from the supply means to the supply flow path. And a connecting means for connecting and connecting the supply flow path and the plurality of flow paths, and a draining means for discharging liquid from at least one of the plurality of flow paths.
[0010]
The invention according to claim 2 is the liquid supply device according to claim 1, further comprising an opening / closing unit that opens and closes the plurality of channels, wherein the drainage unit is configured to: The liquid is drained between the opening and closing means and the supply means.
[0011]
A third aspect of the present invention is the liquid supply device according to the second aspect of the present invention, wherein the opening / closing means is a three-way valve.
[0012]
A fourth aspect of the present invention is the liquid supply device according to the second aspect of the present invention, wherein the opening / closing means is a check valve.
[0013]
The invention according to claim 5 is the liquid supply device according to any one of claims 1 to 4, wherein the plurality of types of liquids include pure water, and the drainage unit includes the plurality of liquids. The liquid is drained from a channel used to guide pure water.
[0014]
The invention according to claim 6 is the liquid supply device according to any one of claims 1 to 5, wherein the at least one type of processing liquid includes a developer.
[0015]
The invention of claim 7 is the liquid supply device according to any one of claims 1 to 6, wherein the at least one type of processing liquid contains a resist liquid.
[0016]
The invention according to claim 8 is a substrate processing apparatus for performing a chemical solution treatment on a substrate with a processing liquid, wherein the holding means holds the substrate, and the processing liquid is applied to the substrate held by the holding means. And a liquid supply device according to any one of claims 1 to 7.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0018]
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. In FIG. 1, for convenience of illustration and description, the Z-axis direction is defined as a vertical direction, and the XY plane is defined as a horizontal plane. However, they are defined for convenience to grasp the positional relationship. However, each direction described below is not limited. The same applies to the following figures.
[0019]
The substrate processing apparatus 1 includes indexers 10 and 11 for carrying the substrate 90 in and out of the substrate processing apparatus 1, a transport mechanism 20 for transporting the substrate 90, a liquid supply device 30, and a control device 40. The substrate processing apparatus 1 uses a square glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device as a substrate to be processed 90. In a process of selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, an exposure process is performed. Is configured as a device that develops the substrate 90 on which the process has been performed. Therefore, in this embodiment, the slit nozzle 31 discharges the developing liquid as the processing liquid.
[0020]
Note that the substrate processing apparatus 1 can be modified and used as an apparatus that performs a developing process by discharging a developing solution onto various substrates, in addition to a glass substrate for a liquid crystal display device. Further, the liquid for performing the chemical processing on the substrate 90 is not limited to the developer, and may be, for example, a resist liquid that requires high precision in concentration management in the chemical processing similarly to the developer. In that case, the substrate processing apparatus 1 functions as a coating apparatus that applies the resist liquid to the substrate 90.
[0021]
The indexer 10 receives the substrate 90 from a transfer mechanism (not shown) outside the apparatus, holds the substrate 90 at a predetermined position for a predetermined time, and transfers the substrate 90 to the transfer mechanism 20. Further, the indexer 11 pays out the substrate 90 unloaded from the transport mechanism 20 to a transport mechanism (not shown) outside the apparatus. The indexers 10 and 11 may include a mounting table for mounting a FOUP cassette or the like, a transfer robot for transferring the substrate 90 to and from the transfer mechanism 20, and the like.
[0022]
The transport mechanism 20 has a function of transporting the substrate 90 from the indexer 10 to the indexer 11 while holding the substrate 90 at a predetermined position. Although details will be described later, in the substrate processing apparatus 1, various processes are performed on the substrate 90 while the transport mechanism 20 holds the substrate 90.
[0023]
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of the liquid supply device 30 according to the first embodiment. The liquid supply device 30 includes a slit nozzle 31, a nozzle pipe 32, a three-way valve 33, a chemical liquid supply section 34, a chemical liquid pipe 35, a cleaning liquid supply section 36, a cleaning liquid pipe 37, and a drainage mechanism 38, and is supplied from the chemical liquid supply section 34. By discharging the developing solution from the slit nozzle 31, the developing solution is supplied to the substrate 90 held by the transport mechanism 20. As will be described later in detail, the substrate processing apparatus 1 functions as an apparatus that executes a developing process on the substrate 90.
[0024]
The slit nozzle 31 is mainly formed of a linear member extending in the Y-axis direction, and has a slit (not shown) for discharging liquid at a position facing the substrate 90 held by the transport mechanism 20. ing. A nozzle pipe 32 is attached to the slit nozzle 31. The slit nozzle 31 discharges the developing solution supplied from the chemical solution supply unit 34 to the substrate 90 from the aforementioned slit. Further, the slit nozzle 31 can also discharge the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply unit 36.
[0025]
As shown in FIG. 2, nozzle pipes 32 are connected to the slit nozzle 31 in the present embodiment at three locations along the Y-axis direction. Thus, the liquid such as the developing solution is supplied to the slit nozzle 31 from three places, so that the ejection accuracy in the Y-axis direction is made uniform. Note that the number of liquid supply points of the slit nozzle 31 is not limited to three.
[0026]
The three-way valve 33 has a function of connecting a chemical liquid pipe 35 and a cleaning liquid pipe 37 to the nozzle pipe 32. That is, the three-way valve 33 mainly corresponds to the connection means in the present invention. Further, it has a function of selectively communicating one of the chemical liquid pipe 35 and the cleaning liquid pipe 37 with the nozzle pipe 32 and closing the other, and corresponds to the opening / closing means in the present invention.
[0027]
Further, the three-way valve 33 is connected to the control device 40, and an opening / closing operation (flow path selecting operation) is determined according to a control signal from the control device 40. For example, when the developing device is selected by the control device 40 as the liquid to be supplied to the slit nozzle 31, the chemical liquid pipe 35 is connected to the nozzle pipe 32. Thereby, the cleaning liquid pipe 37 is closed.
[0028]
The chemical supply section 34 includes a chemical tank 340, a liquid sending pump 341, and an on-off valve 342. The chemical liquid tank 340 has a function of a storage tank for storing the developer, and is connected to the chemical liquid pipe 35 via a liquid feed pump 341 and an on-off valve 342. The chemical supply unit 34 sends out the developer stored in the chemical tank 340 to the three-way valve 33 by opening the on-off valve 342 and driving the liquid supply pump 341. At this time, if the three-way valve 33 is in a state where the nozzle pipe 32 and the chemical liquid pipe 35 are in communication, the developer is supplied to the slit nozzle 31. That is, the chemical solution supply unit 34 has a function of supplying the developer to the slit nozzle 31.
[0029]
When the on-off valve 360 is opened, the cleaning liquid supply unit 36 sends out the cleaning liquid to the three-way valve 33 at a predetermined pressure from a cleaning liquid tank outside the apparatus (not shown). At this time, if the three-way valve 33 is in a state of communicating the nozzle pipe 32 and the cleaning liquid pipe 37, the cleaning liquid is supplied to the slit nozzle 31. That is, the cleaning liquid supply unit 36 has a function of supplying the cleaning liquid to the slit nozzle 31. Note that the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment employs a configuration in which the cleaning liquid is supplied from a cleaning liquid tank outside the apparatus because pure water is used as the cleaning liquid, but the mechanism for supplying the cleaning liquid is not limited to this. . For example, the cleaning liquid supply unit 36 may be provided with a liquid supply pump or a cleaning liquid tank, and the cleaning liquid may be supplied to the slit nozzle 31 by the driving force of the liquid supply pump. Further, the cleaning liquid is not limited to pure water, and a liquid having more detergency, such as alkaline water, may be selected.
[0030]
The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes the chemical liquid supply unit 34 and the cleaning liquid supply unit 36, so that a plurality of types of liquids (in the present embodiment, the developer and the cleaning liquid) can be supplied to the slit nozzle 31. it can. That is, the chemical liquid supply part 34 and the cleaning liquid supply part 36 mainly correspond to the supply means in the present invention.
[0031]
The drainage mechanism 38 includes an on-off valve 380, and discharges the liquid (mainly the cleaning liquid) in the cleaning liquid pipe 37 by opening the on-off valve 380 in response to a control signal from the control device 40.
[0032]
In the substrate processing apparatus 1, the nozzle pipe 32, the chemical liquid pipe 35, and the cleaning liquid pipe 37 form a flow path that guides the liquid to the slit nozzle 31. The nozzle pipe 32 has a function of guiding the liquid supplied to the slit nozzle 31, and corresponds to a supply channel in the present invention. Further, the chemical liquid pipe 35 and the cleaning liquid pipe 37 correspond to a plurality of flow paths in the present invention. In these channels, a valve for adjusting a flow rate, a filter for removing particles, a manual valve, and the like may be appropriately provided.
[0033]
The control device 40 is a device having functions of a general computer, and mainly includes a CPU for performing arithmetic processing and a storage unit for storing data (both are not shown). The control device 40 is connected to each component of the substrate processing apparatus 1 in a state where signals can be transmitted and received, and has a function of controlling each component based on the control signal generated by the CPU. In particular, the control device 40 selects a liquid (developer or cleaning liquid) to be supplied to the slit nozzle 31 by the liquid supply device 30 and controls the three-way valve 33 to close the flow path other than the selected liquid. With such control, the substrate processing apparatus 1 can discharge a liquid (selected liquid) according to the processing from the slit nozzle 31.
[0034]
The above is the description of the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described. The processing in the substrate processing apparatus 1 is roughly classified into a developing processing and a cleaning processing. The following operation of the substrate processing apparatus 1 is realized by controlling each component according to a control signal from the control device 40, unless otherwise specified.
[0035]
First, the operation of the cleaning process will be described. In the substrate processing apparatus 1, the developing solution is left in the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 by performing the developing process as described above. The remaining developer changes in quality due to aging and the like, and thus becomes a contaminant, causing particles, or affecting the concentration of the developer in later processing. Therefore, before executing the developing process, the substrate processing apparatus 1 mainly executes the cleaning process for removing the developing solution remaining in the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32.
[0036]
First, in the substrate processing apparatus 1, prior to starting the cleaning process, the chemical solution supply unit 34 stops the liquid sending pump 341 and closes the on-off valve 342. Thus, the supply of the developer to the slit nozzle 31 is stopped. Note that the developer supply stop process is actually executed at the same time as the end of the later-described development process. Further, the drainage mechanism 38 closes the on-off valve 380.
[0037]
Next, since the liquid to be supplied to the slit nozzle 31 in the cleaning process is the cleaning liquid, the control device 40 controls the three-way valve 33 so that the nozzle pipe 32 and the cleaning liquid pipe 37 are connected to each other. According to this control, the three-way valve 33 selectively connects the nozzle pipe 32 and the cleaning liquid pipe 37 to communicate with each other, and the chemical liquid pipe 35 is closed.
[0038]
Next, the cleaning liquid is supplied to the slit nozzle 31 by the cleaning liquid supply unit 36 opening the on-off valve 360. When the cleaning liquid is supplied to the slit nozzle 31, the cleaning liquid is discharged from the slit nozzle 31. At this time, since the cleaning liquid passes through the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32, the developer and the like remaining inside these are flushed away, and the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 are cleaned.
[0039]
When a predetermined time has elapsed and the controller 40 determines that the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 have been sufficiently cleaned, the controller 40 instructs the cleaning liquid supply unit 36 to close the on-off valve 360 of the cleaning liquid supply unit 36. Outputs control signal. When the cleaning liquid supply unit 36 closes the on-off valve 360 in response to the control signal, the supply of the cleaning liquid to the slit nozzle 31 is stopped, and the discharge of the cleaning liquid from the slit nozzle 31 is stopped.
[0040]
Next, the drainage mechanism 38 opens the on-off valve 380 in response to a control signal from the control device 40. Thus, the cleaning liquid in the slit nozzle 31, the nozzle pipe 32, the three-way valve 33, and the cleaning liquid pipe 37 is drained out of the apparatus by the drain mechanism 38. This prevents the cleaning liquid from remaining in the cleaning liquid pipe 37, and the cleaning liquid pipe 37 becomes almost empty.
[0041]
When pure water is used as the cleaning liquid as in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, if pure water stays for a long time, bacteria are generated in the pure water, causing a problem of causing particles. However, even in the case where the apparatus is stopped for a relatively long time in the substrate processing apparatus 1, the retention of the pure water is prevented by the drainage mechanism 38, so that the generation of bacteria can be prevented.
[0042]
When the drainage by the drainage mechanism 38 ends, the cleaning processing in the substrate processing apparatus 1 ends, and the substrate processing apparatus 1 enters a standby state.
[0043]
Next, the operation of the development processing in the substrate processing apparatus 1 will be described. The developing process is a process of a liquid process performed on the substrate 90 in the manufacturing process of the substrate 90. Specifically, this is a process for developing the exposed photosensitive material (resist) on the substrate 90.
[0044]
The development processing is started when the substrate 90 that has been subjected to the exposure processing by the transport device outside the apparatus is loaded into the substrate processing apparatus 1 in a standby state. The transfer device outside the device carries the substrate 90 into the indexer 10.
[0045]
The indexer 10 adjusts timing while holding the loaded substrate 90 at a predetermined position, and then transfers the substrate 90 to the transport mechanism 20. At this time, the direction of the substrate 90 may be adjusted by rotating the substrate 90 by the indexer 10.
[0046]
The transport mechanism 20 transports the received substrate 90 in the (+ X) direction while holding it in a substantially horizontal direction. When the control device 40 detects that the substrate 90 is located at a predetermined position by a sensor (not shown), the liquid to be supplied to the slit nozzle 31 in the developing process is a developing solution. The nozzle pipe 32 and the chemical liquid pipe 35 are controlled so as to communicate with each other. Thereby, the three-way valve 33 selectively connects and connects the nozzle pipe 32 and the chemical liquid pipe 35, and the cleaning liquid pipe 37 is closed.
[0047]
Next, the chemical supply unit 34 opens the on-off valve 342 and drives the liquid supply pump 341 to supply the developing solution to the slit nozzle 31 and discharge the developing solution from the slit nozzle 31 to the substrate 90. Is started.
[0048]
At this time, the inside of the cleaning liquid pipe 37 is in a state (empty state) in which almost no liquid is present by the drainage mechanism 38. Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the developing solution and the cleaning solution do not come into contact with each other in the three-way valve 33 during the developing process. Therefore, mixing of the cleaning liquid into the developing liquid discharged to the substrate 90 is prevented. As a result, dilution of the developer can be prevented, so that the precision of the concentration management of the developer is improved, and defective development can be prevented.
[0049]
The substrate 90 receives the discharge of the developer from the slit nozzle 31 while being transported in the (+ X) direction by the transport mechanism 20. That is, the substrate 90 is scanned along the X-axis direction by the slit nozzle 31, and the development processing of the exposed photosensitive material on the substrate 90 proceeds.
[0050]
When the scanning of the substrate 90 by the slit nozzle 31 is completed, the chemical solution supply unit 34 closes the on-off valve 342 and stops the liquid feed pump 341. Thus, the supply of the developer from the chemical solution supply unit 34 is stopped, and the discharge of the developer from the slit nozzle 31 is stopped.
[0051]
Next, the control device 40 controls the three-way valve 33 so that the nozzle pipe 32 and the cleaning liquid pipe 37 are connected to each other. Thereby, the three-way valve 33 selectively connects and connects the nozzle pipe 32 and the cleaning liquid pipe 37, and the chemical liquid pipe 35 is closed. Further, the drainage mechanism 38 opens the on-off valve 380 to drain the developer in the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 through the cleaning liquid pipe 37.
[0052]
Thus, the development processing ends. Thereafter, the above-described cleaning process is performed again, and the inside of the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 is cleaned. The cleaning process does not need to be performed each time the development process is performed. For example, the cleaning process may be performed after a predetermined number of development processes are repeated.
[0053]
As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, before supplying the processing liquid to the substrate 90, the drainage mechanism 38 is brought into contact with the flow path of the processing liquid ( By draining the liquid in the cleaning liquid pipe 37) in advance, it is possible to prevent another liquid from coming into contact with the processing liquid. Therefore, even when the shut-off function is reduced due to the aging of the three-way valve 33 or the viscosity of the liquid used as the cleaning liquid is low, the processing liquid supplied to the slit nozzle 31 is different from the conventional apparatus. It is possible to prevent other liquids from being mixed into the liquid.
[0054]
Further, since the drainage mechanism 38 drains the cleaning liquid remaining in the cleaning liquid pipe 37, it is possible to prevent the cleaning liquid from remaining in the cleaning liquid pipe 37. Therefore, in particular, even when pure water is used as the cleaning liquid and the substrate processing apparatus 1 is stopped for a relatively long time, it is possible to prevent the generation of bacteria that cause particles. Thus, the processing accuracy of the substrate processing apparatus 1 can be improved.
[0055]
In order to prevent the developing liquid and the cleaning liquid from coming into contact with each other, it is sufficient that the liquid surface of the cleaning liquid does not contact the three-way valve 33 while the developing liquid is being supplied to the slit nozzle 31. Therefore, it is not necessary for the drainage mechanism 38 to drain all the cleaning liquid in the cleaning liquid pipe 37. However, in order to prevent stagnation of the cleaning liquid, for example, when the cleaning liquid is pure water, it is necessary to drain all the cleaning liquid in the cleaning liquid pipe 37 as in the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment. Is preferred.
[0056]
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the nozzle pipe 32, the chemical liquid pipe 35, and the cleaning liquid pipe 37 are configured to be connected to each other by the three-way valve 33. However, the configuration for connecting these pipes to each other is limited to the three-way valve 33. is not. That is, a member having no function of opening and closing the flow path may be used.
[0057]
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device 30a of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment configured based on such a principle. The liquid supply device 30a has a configuration in which the three-way valve 33 of the liquid supply device 30 in the first embodiment is replaced with a coupling portion 33a. Since the configuration of the liquid supply device 30a is the same as that of the liquid supply device 30 except for the coupling portion 33a, illustration and description thereof are omitted as appropriate.
[0058]
Operations in the cleaning processing and the developing processing of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment having the above-described configuration will be described.
[0059]
First, the cleaning process will be described. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, before the cleaning process is started, the driving of the liquid feed pump 341 is stopped by the chemical liquid supply unit 34, and the on-off valve 342 is closed. The drainage mechanism 38 closes the on-off valve 380.
[0060]
Next, in response to a control signal from the controller 40, the cleaning liquid supply unit 36 opens the on-off valve 360. As a result, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid tank outside the apparatus to the cleaning liquid pipe 37, passes through the joint 33 a and the nozzle pipe 32, and is supplied to the slit nozzle 31. Thereby, the cleaning liquid is discharged from the slit nozzle 31.
[0061]
When a predetermined time has elapsed and the cleaning of the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 is completed, the cleaning liquid supply unit 36 closes the on-off valve 360. When the drainage mechanism 38 opens the on-off valve 380, the cleaning liquid remaining in the slit nozzle 31, the nozzle pipe 32, the coupling portion 33a, and the cleaning liquid pipe 37 is drained. At this time, since the internal structure and the like of the coupling portion 33a are simpler than the three-way valve 33, the liquid leakage is good, and the residual developer is effectively prevented.
[0062]
When the drainage of the cleaning liquid by the drainage mechanism 38 is completed, the drainage mechanism 38 closes the on-off valve 380. As a result, the cleaning processing of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment ends, and the substrate processing apparatus 1 enters a standby state. That is, even in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the retention of pure water in the cleaning liquid pipe 37 during standby is prevented.
[0063]
Next, the developing process will be described. When the substrate 90 is transported to a predetermined position by the transport mechanism 20, the control device 40 selects a developer as a liquid to be used, and outputs a control signal to the chemical solution supply unit 34. In response to this control signal, the chemical liquid supply unit 34 starts driving the liquid feed pump 341 and opens the on-off valve 342.
[0064]
As a result, the developer is supplied to the chemical pipe 35, and the developer supplied from the chemical pipe 35 to the connecting portion 33 a also flows into the cleaning liquid pipe 37. However, since the on-off valve 360 of the cleaning liquid supply unit 36 and the on-off valve 380 of the drainage mechanism 38 are in a closed state, the flow of the developer into the cleaning liquid pipe 37 is stopped at a fixed amount, and thereafter, the developer is supplied from the chemical liquid pipe 35. The developing solution supplied is supplied to the slit nozzle 31 via the connecting portion 33a and the nozzle pipe 32. Thus, the discharge of the developer from the slit nozzle 31 is started.
[0065]
At this time, since the developing solution in the cleaning liquid pipe 37 comes into contact with the cleaning liquid at the on-off valve 360, the cleaning liquid is mixed into the cleaning liquid pipe 37. However, although the cleaning liquid pipe 37 is spatially connected to the flow path of the developer, it does not directly serve as the flow path of the developer, so that the liquid in the cleaning liquid pipe 37 hardly flows. Therefore, the developer and the cleaning liquid come into contact with each other at the on-off valve 360 which is relatively far from the coupling portion 33a (substantially the flow path of the developer), and the developer in the cleaning liquid pipe 37 is partially diluted. Even if this is done, there is almost no effect on the development processing.
[0066]
When the scanning of the substrate 90 by the slit nozzle 31 is completed, the chemical solution supply unit 34 closes the on-off valve 342 and stops the liquid feed pump 341. Thus, the supply of the developer from the chemical solution supply unit 34 is stopped, and the discharge of the developer from the slit nozzle 31 is stopped.
[0067]
Next, the drainage mechanism 38 opens the on-off valve 380 to drain the developing solution in the slit nozzle 31, the nozzle pipe 32, the connecting portion 33a, and the cleaning liquid pipe 37, and the developing process ends.
[0068]
As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment sets the position where the processing liquid used for processing the chemical liquid on the substrate 90 to come into contact with another liquid from the flow path of the processing liquid. In addition to being configured to be located at a distant position, another liquid is mixed with the processing liquid discharged from the slit nozzle 31 by providing a draining mechanism 38 for appropriately draining the processing liquid diluted by the liquid contact state. Can be suppressed. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment can improve the accuracy of the concentration management of the processing liquid supplied to the substrate 90, so that the processing accuracy of the chemical liquid processing on the substrate 90 can be improved. .
[0069]
<3. Third Embodiment>
The means for opening and closing the liquid flow path may be configured to be realized by using a general check valve that allows the liquid to pass only in one direction.
[0070]
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device 30b of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment configured based on such a principle. The liquid supply device 30b differs from the above-described embodiment in that it has check valves 39a and 39b as a mechanism for opening and closing the chemical liquid pipe 35 and the cleaning liquid pipe 37.
[0071]
The check valve 39a allows the developer to pass from the chemical pipe 35 to the nozzle pipe 32 when the liquid feed pump 341 of the chemical supply section 34 is driven. Further, the check valve 39a has a function of preventing liquids (developing liquid and cleaning liquid) from flowing backward from the nozzle pipe 32 to the chemical liquid pipe 35.
[0072]
The check valve 39b allows the cleaning liquid to pass from the cleaning liquid pipe 37 toward the nozzle pipe 32 when the on-off valve 360 of the cleaning liquid supply unit 36 is opened. Further, the check valve 39b prevents the liquid (the developer and the cleaning liquid) from flowing backward from the nozzle pipe 32 to the cleaning liquid pipe 37.
[0073]
That is, the control device 40 can control the opening and closing of the check valves 39a and 39b by controlling the increase and decrease of the pressure of the liquid on the chemical liquid pipe 35 and the cleaning liquid pipe 37 side of the check valves 39a and 39b.
[0074]
Operations in the cleaning processing and the developing processing of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment having such a configuration will be described.
[0075]
First, before starting the cleaning process, the chemical liquid supply unit 34 stops driving the liquid sending pump 341 and closes the on-off valve 342. The drainage mechanism 38 closes the on-off valve 380.
[0076]
Next, in response to a control signal from the controller 40, the cleaning liquid supply unit 36 opens the on-off valve 360. Accordingly, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid tank outside the apparatus to the cleaning liquid pipe 37, and the pressure of the cleaning liquid in the cleaning liquid pipe 37 increases. Therefore, the check valve 39b is opened, the cleaning liquid passes through the check valve 39b and the nozzle pipe 32, is supplied to the slit nozzle 31, and the cleaning liquid is discharged from the slit nozzle 31.
[0077]
When a predetermined time has elapsed and the cleaning of the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32 is completed, the cleaning liquid supply unit 36 closes the on-off valve 360. When the drainage mechanism 38 opens the on-off valve 380, the cleaning liquid remaining in the cleaning liquid pipe 37 is drained. The pressure in the cleaning liquid pipe 37 is reduced by the drain mechanism 38 discharging the cleaning liquid in the cleaning liquid pipe 37, but the liquid in the nozzle pipe 32 flows back into the cleaning liquid pipe 37 by the check valve 39b. Never.
[0078]
As described above, the cleaning processing of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment is completed, and the substrate processing apparatus 1 enters a standby state.
[0079]
Next, the developing process will be described. When the substrate 90 is transported to a predetermined position by the transport mechanism 20, the control device 40 selects a developer as a liquid to be used, and outputs a control signal to the chemical solution supply unit 34. In response to this control signal, the chemical liquid supply unit 34 starts driving the liquid feed pump 341 and opens the on-off valve 342.
[0080]
As a result, the developer is supplied to the chemical pipe 35, and the pressure of the developer in the chemical pipe 35 increases, so that the check valve 39a is opened. Therefore, the developer is supplied to the slit nozzle 31 through the check valve 39a and the nozzle pipe 32, and the discharge of the developer from the slit nozzle 31 is started.
[0081]
At this time, since the cleaning liquid in the cleaning liquid pipe 37 has been drained in advance by the drainage mechanism 38, the developer does not come into contact with the cleaning liquid at the check valve 39b.
[0082]
As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment, the liquid supply device 30b using the check valves 39a and 39b as a mechanism for opening and closing the liquid flow path allows the substrate processing apparatus according to the first embodiment to be processed. The same effect as the device 1 can be obtained.
[0083]
Further, by using the check valves 39a and 39b, a desired operation can be performed only by controlling the chemical liquid supply unit 34 and the cleaning liquid supply unit 36 without the control device 40 directly controlling them. Therefore, control by the control device 40 can be simplified.
[0084]
In order to prevent the developer and the cleaning liquid from remaining in the slit nozzle 31 and the nozzle pipe 32, the height of the slit nozzle 31 in the Z-axis direction is set to the height of the check valves 39a and 39b in the Z-axis direction. It is preferable to arrange so that it is lower than the position.
[0085]
<4. Fourth embodiment>
In the liquid supply device 30a according to the second embodiment, the chemical liquid pipe 35 is connected to the connecting portion 33a in a substantially horizontal state. When the nozzle pipe 32 and the chemical pipe 35 are connected by such an arrangement, there is a concern that the developer in the chemical pipe 35 may remain even if the liquid is drained by the drain mechanism 38.
[0086]
As in the case of the three-way valve 33 in the first embodiment, when the flow path opening / closing mechanism is incorporated in the flow path connecting mechanism, the chemical solution pipe 35 can be closed during the cleaning process. Therefore, the problem that the developer remains in the chemical pipe 35 does not often cause a problem. This is because the cleaning process is not a process performed on the substrate 90 and does not require a high degree of accuracy. The cleaning solution discharged from the slit nozzle 31 during the cleaning process is in contact with the developing solution at the three-way valve 33. Although the developing solution is mixed in the state, the cleaning power of the cleaning solution is not remarkably lost at such a level.
[0087]
However, the coupling portion 33a in the second embodiment cannot close the chemical pipe 35 during the cleaning process. Therefore, when the developer remains in the chemical pipe 35, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment is different from the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment in that the developing solution is added to the cleaning solution during the cleaning process. Is mixed in a lot. That is, when the cleaning effect of the cleaning liquid is reduced by this, it is preferable to reduce the developer remaining in the chemical solution pipe 35 as much as possible before starting the cleaning process.
[0088]
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device 30c of the substrate processing apparatus 1 according to the fourth embodiment configured based on such a principle. In the liquid supply device 30c, the chemical liquid pipe 35 is connected to the connecting portion 33a with an inclination as shown in FIG. That is, the chemical liquid pipe 35 is connected while being inclined downward toward the coupling portion 33a.
[0089]
Accordingly, when the drainage mechanism 38 opens the on-off valve 380 to drain the cleaning liquid pipe 37, the liquid in the chemical liquid pipe 35 is also smoothly drained, and the liquid remaining in the chemical liquid pipe 35 is removed. The amount is reduced. The other configuration and operation of the liquid supply device 30c are the same as those of the liquid supply device 30a according to the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
[0090]
As described above, the same effects as those of the second embodiment can be obtained by using the configuration like the substrate processing apparatus 1 in the fourth embodiment.
[0091]
Further, in the liquid supply device 30c, since the chemical liquid pipe 35 is configured to be connected to the coupling part 33a while being inclined downward toward the coupling part 33a, liquid leakage from the chemical liquid piping 35 is improved. Therefore, the amount of the liquid remaining in the chemical liquid pipe 35 is reduced, so that, for example, the amount of the developer mixed into the cleaning liquid in the cleaning processing can be reduced.
[0092]
<5. Fifth Embodiment>
In the substrate processing apparatus 1 in the above embodiment, the case where one type of liquid (developer) is used as the processing liquid for processing the substrate 90 has been described, but the processing liquid is not limited to one type. Two or more types may be used.
[0093]
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device 30d of the substrate processing apparatus 1 according to the fifth embodiment configured based on such a principle.
[0094]
As shown in FIG. 6, the liquid supply device 30d includes three chemical liquid supply units 34a, 34b, and 34c, each of which is connected to the coupling unit 33b. Each of the chemical liquid supply units 34a, 34b, and 34c has the same configuration as the chemical liquid supply unit 34 in the above-described embodiment, and each of the chemical liquid tanks 340 stores a different processing liquid.
[0095]
The connecting portion 33b is a member having the same function and configuration as the connecting portion 33a, except that the plurality of chemical liquid pipes 35 can be connected and connected. In the present embodiment, as shown in FIG. 6, each chemical solution pipe 35 is attached to the joint 33b along the Z-axis direction, but may be attached, for example, at a position surrounding the joint 33b. Good.
[0096]
The control device 40 selects the processing liquid to be discharged from the slit nozzle 31 in accordance with the processing performed by the substrate processing apparatus 1, and stores the processing liquid selected from the chemical liquid supply units 34a, 34b, and 34c. The slit nozzle 31 is specified and supplied to the slit nozzle 31. When the processing liquid to be used is switched, the liquid in the slit nozzle 31, the nozzle pipe 32, and the connecting portion 33b is drained by the drainage mechanism 38, and the cleaning liquid supply section 36 supplies the cleaning liquid, A cleaning process may be performed.
[0097]
As described above, also in the substrate processing apparatus 1 according to the fifth embodiment, the same effects as those of the above embodiment can be obtained.
[0098]
In addition, since the liquid supply device 30d includes the plurality of chemical liquid supply units 34a, 34b, and 34c, variations in processing performed by the substrate processing apparatus 1 can be increased.
[0099]
<6. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.
[0100]
For example, the substrate processing apparatus 1 does not need to always perform the developing process on the substrate 90 carried in. That is, when the substrate processing apparatus 1 is incorporated in a line that performs a multiple exposure process, the substrate 90 may be passed through the substrate processing apparatus 1 while the exposure processing is repeated a plurality of times. In the substrate processing apparatus 1 according to the above-described embodiment, since the developing solution attached to the slit nozzle 31 is removed by the cleaning processing, the substrate 90 that passes through the substrate processing apparatus 1 without performing the developing processing as described above. In addition, the developing solution does not drop from the slit nozzle 31, and processing defects are prevented.
[0101]
In the above-described embodiment, the drainage mechanism 38 drains the liquid only from the cleaning liquid pipe 37. However, the chemical liquid pipe 35 is also provided with a mechanism similar to the drainage mechanism 38 to drain the liquid. May be.
[0102]
Further, in the above embodiment, the drainage mechanism 38 drains the liquid without providing the suction mechanism. However, a separate suction mechanism is provided so that the liquid in the cleaning liquid pipe 37 is drained while being sucked. You may comprise.
[0103]
Further, the mechanism for opening and closing the flow path, the position where the mechanism is provided, and the like are not limited to those described in the above embodiment. For example, the check valves 39a and 39b of the liquid supply device 30b in the third embodiment may be replaced with on-off valves, and the on-off valves may be controlled by the control device 40.
[0104]
The liquid supply devices 30a, 30c, and 30d according to the second, fourth, and fifth embodiments are configured so that the liquid contact state between the developer and the cleaning liquid does not occur at a position near the flow path of the developer. I was However, a configuration in which an on-off valve is provided on the coupling portion 33a (33b) side of the cleaning liquid pipe 37 may be adopted. FIG. 7 is a diagram showing a liquid supply device 30e according to a modification configured based on such a principle. The liquid supply device 30e has a configuration in which an on-off valve 33c is added to the liquid supply device 30a according to the second embodiment. The drainage mechanism 38 in this modification drains the liquid in the cleaning liquid pipe 37 with the on-off valve 33c closed. Accordingly, even when the chemical liquid pipe 35 and the cleaning liquid pipe 37 are connected to each other using the connecting portions 33a and 33b having a simple structure, the liquid contact state between the developing liquid and the cleaning liquid can be prevented. The same applies to the liquid supply device 30c in the fourth embodiment shown in FIG. 5 and the liquid supply device 30d in the fifth embodiment shown in FIG.
[0105]
【The invention's effect】
According to the first to seventh aspects of the present invention, the liquid discharged from the discharge unit is mixed with another liquid by providing the liquid discharge unit for discharging the liquid from at least one of the plurality of flow channels. Can be suppressed.
[0106]
According to the second aspect of the present invention, the liquid discharging means discharges the liquid between the opening and closing means and the supply means for at least one flow path, so that the liquid contacting state between the processing liquid and the other liquid is achieved. Therefore, it is possible to prevent another liquid from being mixed into the processing liquid discharged from the discharging unit.
[0107]
According to the fourth aspect of the present invention, since the opening / closing means is a check valve, control can be simplified.
[0108]
In the invention according to claim 5, the drainage unit discharges the liquid from the channel used to guide the pure water out of the plurality of channels, thereby preventing stagnation of the pure water. In addition, the generation of bacteria that cause particles can be prevented.
[0109]
According to the sixth aspect of the invention, since the developer is contained in at least one type of processing solution, the accuracy of concentration control of the supplied developer can be improved, and the development processing accuracy can be improved. it can.
[0110]
According to the seventh aspect of the present invention, since the resist liquid is contained in at least one type of processing liquid, it is possible to improve the accuracy of concentration control of the supplied resist liquid, and to improve the coating processing accuracy. it can.
[0111]
According to an eighth aspect of the present invention, by providing the liquid supply device according to any one of the first to seventh aspects, the accuracy of controlling the concentration of the processing liquid supplied to the substrate is improved, thereby improving the processing accuracy of the chemical liquid. Can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device of a substrate processing apparatus according to a third embodiment.
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment.
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment.
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a liquid supply device of a substrate processing apparatus according to a modification.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing equipment
20 transport mechanism (holding means)
30, 30a, 30b, 30c, 30d, 30e Liquid supply device
31 slit nozzle
32 nozzle piping
33 Three-way valve
33a, 33b joint
33c on-off valve
34, 34a, 34b, 34c Chemical supply unit
35 Chemical liquid piping
36 Cleaning liquid supply section
37 Cleaning liquid piping
38 Drainage mechanism
39a, 39b Check valve
40 control device
90 substrate

Claims (8)

基板に対して少なくとも１種類の処理液を供給する液供給装置であって、
前記少なくとも１種類の処理液を含む複数種類の液体を吐出する吐出手段と、
前記複数種類の液体を供給する供給手段と、
前記複数種類の液体を前記吐出手段に導く供給流路と、
前記複数種類の液体を前記供給手段から前記供給流路まで導く複数の流路と、
前記供給流路と前記複数の流路とを連通接続する接続手段と、
前記複数の流路のうちの少なくとも１の流路から液体を排液する排液手段と、
を備えることを特徴とする液供給装置。A liquid supply device that supplies at least one type of processing liquid to a substrate,
Discharging means for discharging a plurality of types of liquids including the at least one type of processing liquid;
Supply means for supplying the plurality of types of liquids,
A supply channel for guiding the plurality of types of liquids to the discharge unit,
A plurality of flow paths for guiding the plurality of types of liquid from the supply means to the supply flow path,
Connection means for communicating and connecting the supply flow path and the plurality of flow paths,
Drainage means for draining liquid from at least one of the plurality of flow paths;
A liquid supply device comprising: 請求項１に記載の液供給装置であって、
前記複数の流路を開閉する開閉手段を備え、
前記排液手段が、前記少なくとも１の流路について、前記開閉手段から前記供給手段までの間において液体の排液を行うことを特徴とする液供給装置。The liquid supply device according to claim 1,
Comprising an opening and closing means for opening and closing the plurality of flow paths,
The liquid supply device, wherein the drainage unit drains the liquid from the opening / closing unit to the supply unit for the at least one flow path. 請求項２に記載の液供給装置であって、
前記開閉手段が、三方弁であることを特徴とする液供給装置。The liquid supply device according to claim 2, wherein
The liquid supply device, wherein the opening / closing means is a three-way valve. 請求項２に記載の液供給装置であって、
前記開閉手段が、逆止弁であることを特徴とする液供給装置。The liquid supply device according to claim 2, wherein
The liquid supply device, wherein the opening / closing means is a check valve. 請求項１ないし４のいずれかに記載の液供給装置であって、
前記複数種類の液体に純水が含まれ、
前記排液手段が、前記複数の流路のうち、純水を導くために使用される流路から液体を排液することを特徴とする液供給装置。The liquid supply device according to any one of claims 1 to 4, wherein
Pure water is contained in the plurality of types of liquids,
The liquid supply device, wherein the drainage unit drains liquid from a channel used to guide pure water among the plurality of channels. 請求項１ないし５のいずれかに記載の液供給装置であって、
前記少なくとも１種類の処理液に現像液が含まれることを特徴とする液供給装置。The liquid supply device according to any one of claims 1 to 5, wherein
A liquid supply device, wherein the at least one type of processing liquid includes a developer. 請求項１ないし６のいずれかに記載の液供給装置であって、
前記少なくとも１種類の処理液にレジスト液が含まれることを特徴とする液供給装置。The liquid supply device according to any one of claims 1 to 6, wherein
A liquid supply device, wherein the at least one type of processing liquid includes a resist liquid. 基板に対して処理液による薬液処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板に対して処理液を供給する請求項１ないし７のいずれかに記載された液供給装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus that performs a chemical liquid process on a substrate by a processing liquid,
Holding means for holding the substrate,
A liquid supply device according to claim 1, wherein a processing liquid is supplied to the substrate held by the holding unit.
A substrate processing apparatus comprising:
JP2003159394A 2003-06-04 2003-06-04 Liquid supply apparatus and substrate processing apparatus Expired - Fee Related JP4298384B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003159394A JP4298384B2 (en) 2003-06-04 2003-06-04 Liquid supply apparatus and substrate processing apparatus
TW093113224A TWI244132B (en) 2003-06-04 2004-05-11 Fluid supplying apparatus and substrate processing apparatus
CNB2004100459470A CN1322550C (en) 2003-06-04 2004-05-25 Liquid supplying device and substrate processing device
KR1020040039924A KR100596551B1 (en) 2003-06-04 2004-06-02 Liquid supply device and substrate process device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003159394A JP4298384B2 (en) 2003-06-04 2003-06-04 Liquid supply apparatus and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004363292A true JP2004363292A (en) 2004-12-24
JP4298384B2 JP4298384B2 (en) 2009-07-15

Family

ID=34052463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003159394A Expired - Fee Related JP4298384B2 (en) 2003-06-04 2003-06-04 Liquid supply apparatus and substrate processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4298384B2 (en)
KR (1) KR100596551B1 (en)
CN (1) CN1322550C (en)
TW (1) TWI244132B (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273568A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Hitachi High-Technologies Corp Substrate-treating device, substrate treatment method, and manufacturing method of the substrate
JP2008032885A (en) * 2006-07-27 2008-02-14 Toppan Printing Co Ltd Developing nozzle and developing device
KR100865721B1 (en) 2007-09-11 2008-10-29 세메스 주식회사 Substrate processing apparatus and method of processing substrate
JP2010083116A (en) * 2008-10-03 2010-04-15 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd Path cleaning method for inkjet recording device
US7767026B2 (en) 2005-03-29 2010-08-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016092368A (en) * 2014-11-11 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 Cleaning method of substrate liquid processing device, storage medium, and substrate liquid processing device
KR20180014329A (en) * 2016-07-29 2018-02-08 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2019012791A (en) * 2017-06-30 2019-01-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1885164B (en) * 2005-06-24 2010-04-07 友达光电股份有限公司 Photoresist coating method and photoresist coating apparatus
KR100721289B1 (en) * 2005-11-04 2007-05-25 세메스 주식회사 Keeping apparatus capable of cleaning slit nozzle and method for cleaning slit nozzle using the same
KR101374096B1 (en) * 2006-06-27 2014-03-13 엘지디스플레이 주식회사 Spinless Coater and Coating Method Using The Same
US7621737B2 (en) * 2006-07-19 2009-11-24 3M Innovative Properties Company Die with insert and gas purging method for die
JP5060835B2 (en) * 2006-07-26 2012-10-31 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment
CN101221361B (en) * 2008-01-18 2010-06-09 友达光电股份有限公司 Pipeline pressure balancing system
KR100975129B1 (en) * 2008-06-27 2010-08-11 주식회사 디엠에스 Slit coater having nozzle lip cleaner
CN101639633B (en) * 2008-07-29 2012-02-29 和舰科技(苏州)有限公司 Supply pipeline of developing solution
KR20120053319A (en) 2010-11-17 2012-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Cleaning system for substrate and clening method for the same
US9275852B2 (en) * 2012-05-31 2016-03-01 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
CN103645607B (en) * 2013-12-19 2016-09-07 合肥京东方光电科技有限公司 coating system
CN103736606B (en) * 2013-12-23 2016-04-06 清华大学深圳研究生院 Integrated form outgoing runner structural manufacturing process nozzle
CN104898324B (en) * 2014-03-07 2017-11-17 芝浦机械电子株式会社 Connect liquid processing device, connect liquid processing method, substrate board treatment and substrate processing method using same
JP6454629B2 (en) * 2014-12-16 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing equipment
JP7089902B2 (en) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment, processing liquid discharge method in the substrate processing equipment, processing liquid exchange method in the substrate processing equipment, substrate processing method in the substrate processing equipment
CN110412837A (en) * 2018-04-28 2019-11-05 上海微电子装备（集团）股份有限公司 Flusher, toning system and developing method
JP7132054B2 (en) * 2018-09-21 2022-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2105278U (en) * 1991-11-04 1992-05-27 中国人民解放军第118医院 Automatic make-up device of medicine liquid
CN1038625C (en) * 1993-01-20 1998-06-03 株式会社日立制作所 Solution preventing from adhesion of impurity in liquid and method and apparatus for corrosion by use of same
JP3638803B2 (en) * 1998-11-10 2005-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus having nozzle cleaning function and substrate processing method using the apparatus
US7080651B2 (en) * 2001-05-17 2006-07-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. High pressure processing apparatus and method

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767026B2 (en) 2005-03-29 2010-08-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007273568A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Hitachi High-Technologies Corp Substrate-treating device, substrate treatment method, and manufacturing method of the substrate
JP4703467B2 (en) * 2006-03-30 2011-06-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method
JP2008032885A (en) * 2006-07-27 2008-02-14 Toppan Printing Co Ltd Developing nozzle and developing device
KR100865721B1 (en) 2007-09-11 2008-10-29 세메스 주식회사 Substrate processing apparatus and method of processing substrate
JP2010083116A (en) * 2008-10-03 2010-04-15 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd Path cleaning method for inkjet recording device
JP2016092368A (en) * 2014-11-11 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 Cleaning method of substrate liquid processing device, storage medium, and substrate liquid processing device
KR20180014329A (en) * 2016-07-29 2018-02-08 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102037917B1 (en) * 2016-07-29 2019-10-30 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2019012791A (en) * 2017-06-30 2019-01-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11075094B2 (en) 2017-06-30 2021-07-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100596551B1 (en) 2006-07-06
TW200428510A (en) 2004-12-16
TWI244132B (en) 2005-11-21
CN1322550C (en) 2007-06-20
CN1574221A (en) 2005-02-02
JP4298384B2 (en) 2009-07-15
KR20040104914A (en) 2004-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004363292A (en) Liquid feeder and board treating system
US8398320B2 (en) Non-transitory storage medium for rinsing or developing sequence
KR101184820B1 (en) Developing apparatus, developing method and storage medium
US7237581B2 (en) Apparatus and method of dispensing photosensitive solution in semiconductor device fabrication equipment
US11433420B2 (en) Solution supply apparatus and solution supply method
JPH11340119A (en) Method and device for development processing
US20040062874A1 (en) Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer
JP4815274B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
JP2001077015A (en) Processing solution supply device
JP2005328034A (en) Rinsing treatment method and developing treatment method
JP2018098452A (en) Cleaning chemical supply device, cleaning unit, and storage medium storing program
JP4484639B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2002096030A (en) Treating device using nozzle
CN114570261A (en) Cleaning chemical liquid supply device and cleaning chemical liquid supply method
JPH07283184A (en) Processing device
JP4160651B2 (en) Substrate processing equipment
JP4554236B2 (en) Liquid supply mechanism and liquid supply method
WO2023027100A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP3451567B2 (en) Cleaning equipment
JP2003257830A (en) Developing method and developing device
JPH11156279A (en) Processing solution discharge nozzle of substrate treating device
JP3673400B2 (en) Substrate processing equipment
JPH10303163A (en) Substrate treating device
JP3557581B2 (en) Liquid processing equipment
KR20240030791A (en) Liquid supply unit and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071109

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090414

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4298384

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees