JP2004304527A - Gate drive circuit and power control method therefor - Google Patents

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Koichi Suda
晃一 須田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gate drive circuit and a power control method therefor in a MOS gate drive power IC, for use as a power supply of an upper arm drive circuit for supplying a gate signal to the main IGBT 21 of the upper arm of an inverter, with a simple and stable power supply without need of preparing a special power supply. <P>SOLUTION: In a period of being unable to perform bootstrap charge (a period of an IGBT 21 of a lower arm being off, and a floating potential at a point A remaining in a high potential), a power supply capacitor 10 can be charged by repeated charge pump operations of charging an auxiliary capacitor 19 from a power supply 6, and discharging from the auxiliary capacitor 19 to power supply capacitor 10 by alternately driving a PMOS 17 and an NMOS 18. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インバータ装置に適用して好適なＭＯＳゲート駆動用のパワーＩＣ等のゲート駆動回路及びその電源制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のインバータ装置用のＭＯＳゲート駆動用パワーＩＣに関しては、フローティング電位基準の上アーム回路の電源は、スイッチングレギュレータ等で独立に与えるものがある。また、特許文献１に開示されているように、下アームの主スイッチング素子のＯＮ期間に、この下アーム主スイッチング素子を通して、上アーム回路の電源用コンデンサに充電するブートストラップ方式が知られている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２０４１４９号公報（図１、段落００２０他）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のブートストラップ方式での上アーム回路の電源を形成する方式では、上アームの主スイッチング素子（以下、ＩＧＢＴ又はＭＯＳデバイス）のオン期間には、電源用コンデンサの電荷が放電され、電源電圧の低下を招く。従って、上アームの主ＭＯＳスイッチング素子のオン期間が比較的長い場合には不適である。このため、主ＩＧＢＴの電流容量が数１００［Ａ］クラスの場合や、サーボモータ駆動用などにおいては、専用に電源を用いざるを得ない場合が多い。
【０００５】
本発明の目的は、専用電源を用いることなく、上アーム回路の電源を形成できるゲート駆動回路及びその電源制御方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下アームの主スイッチング素子のオン期間に、この主スイッチング素子を介してブートストラップ動作で上アーム回路の電源用コンデンサを充電し、上アームの主スイッチング素子のオン期間すなわち下アームの主スイッチング素子のオフ期間であり、かつフローティング電位が高い期間には、電源から補助コンデンサを充電し、この補助コンデンサから電源用コンデンサを充電するチャージポンプ方式で上アーム回路の電源用コンデンサを充電することを特徴とする。
【０００７】
本発明は、他の一面において、電力変換器内で直列接続された一対の主スイッチング素子のうち上アーム素子に対するゲート駆動信号を出力する上アーム回路の電源用コンデンサと、下アームの主スイッチング素子を通して前記電源用コンデンサを充電する充電回路とを備え、フローティング電位を基準とする上アームのゲート駆動信号と、アース電位を基準とする下アームのゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路において、フローティング電位が高電位にある期間に、充放電用スイッチング素子を駆動して、補助コンデンサの充放電を繰返すことによって、その放電時に前記電源用コンデンサを充電することを特徴とする。
【０００８】
これにより、上アーム回路に専用の電源を用いることなく、簡単な構成のゲート駆動回路又はその電源制御方法を提供することができる。
【０００９】
本発明のその他の目的及び特徴は、以下の実施例の説明で明らかにする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施例によるＭＯＳゲート駆動回路のブロック図である。家電用、産業用あるいは、ＥＶ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ）用等のインバータシステムには、モータ駆動用の３相分のインバータブリッジが用いられる。図には、そのうち１相分の主回路のみを示している。
【００１１】
直流電源１は、３相インバータの１相分を示す上アーム及び下アームの主スイッチング素子（ＩＧＢＴ）２１と２２の直列回路に接続されている。ここでは、ＭＯＳゲート素子としてＩＧＢＴを示しているが、パワーＭＯＳとすることもできる。これらＩＧＢＴの直列接続点Ａは、同期電動機や誘導電動機に代表される３相負荷３の１相端子に接続されている。他の２相分の回路は省略している。
【００１２】
これらの主ＩＧＢＴ２１や２２は、ゲート駆動用パワーＩＣ（ゲート駆動回路）４によって交互にＯＮ／ＯＦＦ駆動される。一実施態様においては、パワーＩＣ４は、制御信号発生部５から数［Ｖ］レベルの上，下入力信号（ＰＷＭ信号）５１，５２を受け、十数［Ｖ］の電源６（Ｖｃｃ）によって、数百［ｍＡ］レベルのＰＷＭパルス列を出力する。これを、必要に応じ、図示しない外部バッファにて数［Ａ］レベルに増幅して主ＩＧＢＴ２１，２２に供給している。この例では、主電源１は数百［Ｖ］レベルである。
【００１３】
次に、パワーＩＣ４内の機能ブロックについて説明する。上アーム回路では、上入力信号５１を入力インターフェース部７で受け、レベルシフト回路８で電位レベルをシフトする。そして、上アームドライブ回路９１を介し、主ＩＧＢＴ（ＭＯＳゲート素子）２１を駆動する。下アーム回路では、下入力信号５２を入力インターフェース部７で受け、下アームドライブ回路９２を介して、主ＩＧＢＴ（ＭＯＳゲート素子）２２を駆動する。
【００１４】
ここで、上アーム回路の電源用コンデンサ１０へのブートストラップ充電及び、電荷汲み上げ（チャージポンプ）動作について説明する。
【００１５】
まず、下アームの主ＩＧＢＴ素子２２がオンすると、ブートストラップ充電回路が構成される。すなわち、電源（Ｖｃｃ）６から、高圧ダイオード１１，１２と、上アーム回路の電源用コンデンサ１０と、Ａ点と、下アームの主ＩＧＢＴ２２を通ってアース（ＧＮＤ）に至る充電経路で、上アーム回路の電源用コンデンサ１０を充電する。
【００１６】
次に、上アームの主ＩＧＢＴ素子２１がオンすると、Ａ点のフローティング電位が、外部高圧直流電源１の電源電圧、例えば約３００［Ｖ］近くまで上昇する。このとき、発振回路１３が、外付け抵抗１４とコンデンサ１５で決る、例えば、１５［ｋＨｚ］の発振周波数で発振動作するように構成されている。この発振回路１３の出力は、チャージポンプ駆動回路１６に与えられ、チャージポンプ駆動回路１６は、その周波数で、外部のｐチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子１７とｎチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子１８を交互にオン／オフ駆動する。ｎチャネルパワーＭＯＳ１８がオンのタイミングで、電源（Ｖｃｃ）６から、ダイオード１１、補助コンデンサ１９、及びｎチャネルパワーＭＯＳ１８の経路で補助コンデンサ１９に充電する。次いで、ｎチャネルパワーＭＯＳ１８がオフし、ｐチャネルパワーＭＯＳ１７がオンする。このとき、充電されていた補助コンデンサ１９から、高圧ダイオード１２、電源用コンデンサ１０、及びｐＭＯＳ１７の経路で、上アーム回路の電源用コンデンサ１０を充電する。この動作により、下アームの主ＩＧＢＴ２２がオフし、Ａ点のフローティング電位が高電位の場合でも、上アーム回路の電源電圧が低下することはない。
【００１７】
この実施例においては、次のようにしてゲート駆動回路４を構成している。すなわち、補助コンデンサ１９と、Ａ点のフローティング電位が高電位にある期間中に、電源６から補助コンデンサ１９の充電と、この補助コンデンサ１９から電源用コンデンサ１０への放電とを交互に繰返す充放電回路を形成している。このため、一対の充放電用スイッチング素子１７，１８と、この充放電用スイッチング素子を発振回路１３の出力に応じて交互にスイッチング制御するチャージポンプ駆動回路１６を備えている。
【００１８】
また、次のようなゲート駆動回路の電源制御方法を採用している。まず、Ａ点のフローティング電位が低電位にある期間に、ゲート駆動回路４の電源６から、下アームの主スイッチング素子２１を通して、電源用コンデンサ１０を充電するステップがある。次に、フローティング電位が高電位にある期間に、前記電源６から補助コンデンサ１９を充電するステップと、この補助コンデンサ１９から前記電源用コンデンサ１０へ放電するステップを交互に繰り返す。
【００１９】
したがって、上アーム回路に専用の電源を用意することなく、比較的簡単に、ＭＯＳゲート駆動用のパワーＩＣ等のゲート駆動回路及びその電源制御方法を提供できる。
【００２０】
この実施例においては、チャージポンンプ動作用のｐチャネルパワーＭＯＳ１７とｎチャネルパワーＭＯＳ１８を、パワーＩＣ４の外部から調達している。しかし、小容量の主ＩＧＢＴ又はＭＯＳゲート素子を駆動するパワーＩＣ４の場合には、これらのスイッチング素子１７，１８を、パワーＩＣ４内に内蔵することもできる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、専用の電源を用いることなく、上アーム回路に安定した電源を確保できるゲート駆動用パワーＩＣ等のゲート駆動回路及びその電源制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるゲート駆動回路を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
１…高圧直流電源、２１，２２…上下の主スイッチング素子（主ＩＧＢＴ）、３…負荷、４…ゲート駆動用パワーＩＣ、５…制御信号発生部、５１，５２…上，下入力信号、６…パワーＩＣ用制御電源（Ｖｃｃ）、７…入力インターフェース部、８…レベルシフト回路、９１，９２…上，下アームドライブ回路、１０…上アーム回路の電源用コンデンサ、１１，１２…高圧ダイオード、１３…発振回路、１４…発振回路用抵抗、１５…発振回路用コンデンサ、１６…チャージポンプ駆動回路、１７…ｐチャネルパワーＭＯＳ、１８…ｎチャネルパワーＭＯＳ、１９…補助コンデンサ。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a gate drive circuit such as a power IC for driving a MOS gate suitable for an inverter device and a power supply control method therefor.
[0002]
[Prior art]
Regarding a conventional power IC for driving a MOS gate for an inverter device, there is a power supply for an upper arm circuit based on a floating potential which is independently provided by a switching regulator or the like. Further, as disclosed in Patent Document 1, a bootstrap method is known in which a power supply capacitor of an upper arm circuit is charged through the lower arm main switching element during the ON period of the lower arm main switching element. .
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-204149 (FIG. 1, paragraph 0020 and others)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional method of forming the power supply of the upper arm circuit in the bootstrap method, the charge of the power supply capacitor is discharged during the ON period of the main switching element (hereinafter, IGBT or MOS device) of the upper arm, and the power supply voltage is reduced. Causes a decline. Therefore, it is not suitable when the ON period of the main MOS switching element of the upper arm is relatively long. For this reason, in the case where the current capacity of the main IGBT is of the order of several hundred [A] or for driving a servomotor, it is often necessary to use a dedicated power supply.
[0005]
An object of the present invention is to provide a gate drive circuit capable of forming a power supply for an upper arm circuit without using a dedicated power supply, and a power supply control method therefor.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, during the ON period of the main switching element of the lower arm, the power supply capacitor of the upper arm circuit is charged by the bootstrap operation via the main switching element, and the ON period of the main switching element of the upper arm, that is, the lower arm is turned on. During the off period of the main switching element and during the period when the floating potential is high, the auxiliary capacitor is charged from the power supply, and the power supply capacitor is charged from the auxiliary capacitor to charge the power supply capacitor of the upper arm circuit. It is characterized by the following.
[0007]
In another aspect, the present invention provides a power supply capacitor for an upper arm circuit that outputs a gate drive signal to an upper arm element of a pair of main switching elements connected in series in a power converter, and a lower arm main switching element. A charging circuit for charging the power supply capacitor through a gate drive circuit that outputs a gate drive signal for the upper arm based on the floating potential and a gate drive signal for the lower arm based on the ground potential. During the period in which the power supply capacitor is at a high potential, the charge / discharge switching element is driven to repeatedly charge / discharge the auxiliary capacitor, thereby charging the power supply capacitor at the time of discharge.
[0008]
This makes it possible to provide a gate drive circuit having a simple configuration or a power supply control method thereof without using a dedicated power supply for the upper arm circuit.
[0009]
Other objects and features of the present invention will become apparent in the following description of the embodiments.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a block diagram of a MOS gate driving circuit according to one embodiment of the present invention. An inverter bridge for three phases for driving a motor is used in an inverter system for home electric appliances, industrial use, EV (Electric Vehicle), and the like. In the figure, only the main circuit for one phase is shown.
[0011]
The DC power supply 1 is connected to a series circuit of main switching elements (IGBTs) 21 and 22 of the upper arm and the lower arm, each representing one phase of a three-phase inverter. Here, an IGBT is shown as the MOS gate element, but it may be a power MOS. The series connection point A of these IGBTs is connected to a one-phase terminal of a three-phase load 3 represented by a synchronous motor or an induction motor. Circuits for the other two phases are omitted.
[0012]
These main IGBTs 21 and 22 are alternately turned on / off by a gate driving power IC (gate driving circuit) 4. In one embodiment, the power IC 4 receives upper and lower input signals (PWM signals) 51 and 52 of several [V] levels from the control signal generator 5, and receives power from a power supply 6 (Vcc) of more than ten [V]. It outputs a PWM pulse train of several hundred [mA] level. This is amplified to several [A] levels by an external buffer (not shown) and supplied to the main IGBTs 21 and 22 as necessary. In this example, the main power supply 1 is at a level of several hundred [V].
[0013]
Next, functional blocks in the power IC 4 will be described. In the upper arm circuit, the upper input signal 51 is received by the input interface section 7 and the level shift circuit 8 shifts the potential level. Then, the main IGBT (MOS gate element) 21 is driven via the upper arm drive circuit 91. In the lower arm circuit, the lower input signal 52 is received by the input interface unit 7, and the main IGBT (MOS gate element) 22 is driven via the lower arm drive circuit 92.
[0014]
Here, the bootstrap charging of the power supply capacitor 10 of the upper arm circuit and the charge pumping (charge pump) operation will be described.
[0015]
First, when the main IGBT element 22 of the lower arm is turned on, a bootstrap charging circuit is formed. That is, the charging path from the power supply (Vcc) 6 to the high-voltage diodes 11 and 12, the power supply capacitor 10 of the upper arm circuit, the point A, and the ground (GND) through the main IGBT 22 of the lower arm. The power supply capacitor 10 of the circuit is charged.
[0016]
Next, when the main IGBT element 21 of the upper arm is turned on, the floating potential at the point A rises to the power supply voltage of the external high-voltage DC power supply 1, for example, about 300 [V]. At this time, the oscillation circuit 13 is configured to oscillate at an oscillation frequency of, for example, 15 [kHz] determined by the external resistor 14 and the capacitor 15. The output of the oscillating circuit 13 is supplied to a charge pump drive circuit 16 which turns on / off the external p-channel power MOS switching element 17 and n-channel power MOS switching element 18 alternately at that frequency. Drive off. When the n-channel power MOS 18 is turned on, the auxiliary capacitor 19 is charged from the power supply (Vcc) 6 through the path of the diode 11, the auxiliary capacitor 19, and the n-channel power MOS 18. Next, the n-channel power MOS 18 turns off and the p-channel power MOS 17 turns on. At this time, the power supply capacitor 10 of the upper arm circuit is charged from the charged auxiliary capacitor 19 through the path of the high voltage diode 12, the power supply capacitor 10, and the pMOS 17. With this operation, the main IGBT 22 of the lower arm is turned off, and the power supply voltage of the upper arm circuit does not decrease even when the floating potential at the point A is high.
[0017]
In this embodiment, the gate drive circuit 4 is configured as follows. That is, during the period when the floating potential of the auxiliary capacitor 19 and the point A is at the high potential, charging and discharging of the auxiliary capacitor 19 from the power supply 6 and discharging from the auxiliary capacitor 19 to the power supply capacitor 10 are alternately repeated. Forming a circuit. For this purpose, a pair of charge / discharge switching elements 17 and 18 and a charge pump drive circuit 16 that alternately controls the switching of the charge / discharge switching elements according to the output of the oscillation circuit 13 are provided.
[0018]
In addition, the following power control method of the gate drive circuit is adopted. First, there is a step of charging the power supply capacitor 10 from the power supply 6 of the gate drive circuit 4 through the main switching element 21 of the lower arm while the floating potential at the point A is at the low potential. Next, while the floating potential is at the high potential, the step of charging the auxiliary capacitor 19 from the power supply 6 and the step of discharging the auxiliary capacitor 19 to the power supply capacitor 10 are alternately repeated.
[0019]
Therefore, a gate drive circuit such as a power IC for driving a MOS gate and a power supply control method thereof can be provided relatively easily without preparing a dedicated power supply for the upper arm circuit.
[0020]
In this embodiment, the p-channel power MOS 17 and the n-channel power MOS 18 for the charge pump operation are procured from outside the power IC 4. However, in the case of the power IC 4 that drives a small-capacity main IGBT or MOS gate element, these switching elements 17 and 18 can be built in the power IC 4.
[0021]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a gate drive circuit such as a gate drive power IC that can secure a stable power supply to the upper arm circuit without using a dedicated power supply, and a power supply control method therefor.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit block diagram showing a gate drive circuit according to one embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... High voltage DC power supply, 21, 22 ... Upper and lower main switching elements (main IGBT), 3 ... Load, 4 ... Power IC for gate drive, 5 ... Control signal generator, 51, 52 ... Upper and lower input signals, 6 ... Control power supply (Vcc) for power IC, 7 ... Input interface unit, 8 ... Level shift circuit, 91, 92 ... Upper and lower arm drive circuit, 10 ... Capacitor for power supply of upper arm circuit, 11, 12 ... High voltage diode, 13 oscillation circuit, 14 oscillation circuit resistor, 15 oscillation circuit capacitor, 16 charge pump drive circuit, 17 p-channel power MOS, 18 n-channel power MOS, 19 auxiliary capacitor.

Claims (8)

電力変換器内で直列接続された一対の主スイッチング素子に対して、フローティング電位を基準とする上アームのゲート駆動信号と、アース電位を基準とする下アームのゲート駆動信号を出力するとともに、上アームのゲート駆動信号を出力する上アーム回路用の電源用コンデンサと、この電源用コンデンサを下アームの主スイッチング素子を通して充電する充電回路を備えたゲート駆動回路において、補助コンデンサと、前記フローティング電位が高電位にある期間中に、電源から前記補助コンデンサの充電と、この補助コンデンサから前記電源用コンデンサへの放電とを交互に繰返す充放電回路を形成する充放電用スイッチング素子と、この充放電用スイッチング素子を駆動する駆動回路を備えたことを特徴とするゲート駆動回路。For a pair of main switching elements connected in series in the power converter, a gate drive signal for the upper arm based on the floating potential and a gate drive signal for the lower arm based on the ground potential are output. In a gate drive circuit including a power supply capacitor for an upper arm circuit for outputting a gate drive signal of an arm and a charging circuit for charging the power supply capacitor through a main switching element of a lower arm, an auxiliary capacitor and the floating potential A charging / discharging switching element forming a charging / discharging circuit that alternately repeats charging of the auxiliary capacitor from a power supply and discharging from the auxiliary capacitor to the power supply capacitor during a period of being at a high potential; A gate drive circuit comprising a drive circuit for driving a switching element. 電力変換器内で直列接続された一対の主スイッチング素子に対して、フローティング電位を基準とする上アームのゲート駆動信号と、アース電位を基準とする下アームのゲート駆動信号を出力するとともに、上アームのゲート駆動信号を出力する上アーム回路用の電源用コンデンサと、この電源用コンデンサを下アームの主スイッチング素子を通して充電するブートストラップ回路を備えたゲート駆動回路において、前記フローティング電位が高電位にある期間中に、電源から補助コンデンサを介して前記電源用コンデンサを充電するチャージポンプ回路を形成する充放電用スイッチング素子と、この充放電用スイッチング素子を駆動するチャージポンプ駆動回路を備えたことを特徴とするゲート駆動回路。For a pair of main switching elements connected in series in the power converter, a gate drive signal for the upper arm based on the floating potential and a gate drive signal for the lower arm based on the ground potential are output. In a gate drive circuit including a power supply capacitor for an upper arm circuit that outputs a gate drive signal of an arm and a bootstrap circuit that charges the power supply capacitor through a main switching element of the lower arm, the floating potential is set to a high potential. During a certain period, a charge / discharge switching element forming a charge pump circuit for charging the power supply capacitor from a power supply via an auxiliary capacitor, and a charge pump drive circuit for driving the charge / discharge switching element are provided. A gate drive circuit characterized by the following. 電力変換器内で直列接続された一対の主スイッチング素子に対して、フローティング電位を基準とする上アームのゲート駆動信号と、アース電位を基準とする下アームのゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路において、フローティング電位を基準とする前記上アームのゲート駆動信号を出力する上アーム回路用の電源用コンデンサと、この電源用コンデンサをブートストラップ動作で充電する充電回路と、フローティング電位が高電位にある期間中に、チャージポンンプ動作で前記電源用コンデンサに充電するチャージポンンプ回路を備えたことを特徴とするゲート駆動回路。A gate drive circuit for outputting a gate drive signal of an upper arm based on a floating potential and a gate drive signal of a lower arm based on a ground potential for a pair of main switching elements connected in series in the power converter. , A power supply capacitor for an upper arm circuit for outputting a gate drive signal of the upper arm based on a floating potential, a charging circuit for charging the power supply capacitor by a bootstrap operation, and a floating potential being high. A gate drive circuit comprising: a charge pump circuit that charges the power supply capacitor by a charge pump operation during a period. 請求項１〜３のいずれかにおいて、発振回路と、この発振回路の出力に応じて一対のスイッチング素子を交互にスイッチング制御する駆動回路と、これらのスイッチング動作により前記電源用コンデンサに充電する充電回路を備えたことを特徴とするゲート駆動回路。4. The oscillation circuit according to claim 1, a drive circuit that alternately controls a pair of switching elements in accordance with an output of the oscillation circuit, and a charging circuit that charges the power supply capacitor by these switching operations. 5. A gate drive circuit comprising: 請求項４において、前記一対のスイッチング素子は、ｐチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子とｎチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子であることを特徴とするゲート駆動回路。5. The gate drive circuit according to claim 4, wherein the pair of switching elements are a p-channel power MOS switching element and an n-channel power MOS switching element. 請求項５において、前記ｐチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子とｎチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子を駆動する駆動回路は、フローティング電位が高い期間に動作するように構成したことを特徴とするゲート駆動回路。6. The gate drive circuit according to claim 5, wherein the drive circuit for driving the p-channel power MOS switching element and the n-channel power MOS switching element operates during a period when the floating potential is high. 請求項５又は６において、前記ｐチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子とｎチャネルパワーＭＯＳスイッチング素子を、ゲート駆動回路を構成するパワーＩＣに外付けしたことを特徴とするゲート駆動回路。7. The gate drive circuit according to claim 5, wherein the p-channel power MOS switching element and the n-channel power MOS switching element are externally connected to a power IC constituting a gate drive circuit. 電力変換器内で直列接続された一対の主スイッチング素子に対して、フローティング電位を基準とする上アームのゲート駆動信号と、アース電位を基準とする下アームのゲート駆動信号を出力するとともに、上アームのゲート駆動信号を出力する上アーム回路用の電源用コンデンサを備えたゲート駆動回路の電源制御方法において、フローティング電位が低電位にある期間に、ゲート駆動回路の電源から下アームの主スイッチング素子を通して前記電源用コンデンサを充電するステップと、フローティング電位が高電位にある期間に、前記電源から補助コンデンサを充電するステップと、この補助コンデンサから前記電源用コンデンサへ放電するステップを備えたことを特徴とするゲート駆動回路の電源制御方法。For a pair of main switching elements connected in series in the power converter, a gate drive signal for the upper arm based on the floating potential and a gate drive signal for the lower arm based on the ground potential are output. In a power supply control method for a gate drive circuit having a power supply capacitor for an upper arm circuit for outputting a gate drive signal for an arm, a main switching element of a lower arm is supplied from a power supply of the gate drive circuit during a period when a floating potential is at a low potential. And charging the auxiliary capacitor from the power supply during a period when the floating potential is at a high potential, and discharging from the auxiliary capacitor to the power supply capacitor. Power control method for the gate drive circuit.
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