JP2004296538A - 2次元フォトニック結晶面発光レーザ - Google Patents

2次元フォトニック結晶面発光レーザ Download PDF

Info

Publication number
JP2004296538A
JP2004296538A JP2003083706A JP2003083706A JP2004296538A JP 2004296538 A JP2004296538 A JP 2004296538A JP 2003083706 A JP2003083706 A JP 2003083706A JP 2003083706 A JP2003083706 A JP 2003083706A JP 2004296538 A JP2004296538 A JP 2004296538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photonic crystal
lattice
dimensional
light
surface emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003083706A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4484134B2 (ja
Inventor
Susumu Noda
進 野田
Hikari Yokoyama
光 横山
Kojiro Sekine
孝二郎 関根
Eiji Miyai
英次 宮井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Japan Science and Technology Agency
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2003083706A priority Critical patent/JP4484134B2/ja
Application filed by Japan Science and Technology Agency, Konica Minolta Inc filed Critical Japan Science and Technology Agency
Priority to PCT/JP2004/003987 priority patent/WO2004086575A1/ja
Priority to CA2521005A priority patent/CA2521005C/en
Priority to EP04722669A priority patent/EP1610427B1/en
Priority to KR1020057017316A priority patent/KR100792078B1/ko
Priority to CNB2004800079501A priority patent/CN100433473C/zh
Priority to DE602004015090T priority patent/DE602004015090D1/de
Publication of JP2004296538A publication Critical patent/JP2004296538A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4484134B2 publication Critical patent/JP4484134B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18355Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a defined polarisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11Comprising a photonic bandgap structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18338Non-circular shape of the structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)

Abstract

【課題】面発光された光が単峰性の直線偏光であると共に、Q値の高い2次元フォトニック結晶面発光レーザを得る。
【解決手段】キャリアの注入により発光する活性層(第1媒質)12又はその近傍に、屈折率の異なる第2媒質からなるフォトニック結晶周期構造体21を2次元の周期で配列した2次元フォトニック結晶面発光レーザ。フォトニック結晶20の格子構造は正方格子又は直交格子であり、並進対称性を備えるが回転対称性を備えていない。あるいは、フォトニック結晶20の格子構造は正方格子又は直交格子であり、2次元文様の分類方法でp1、pm、pg又はcmのいずれかである。最も好ましくは格子点の形状はほぼ三角形である。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、2次元フォトニック結晶面発光レーザ、特に、キャリアの注入により発光する活性層又はその近傍に、2次元的に屈折率周期を配置したフォトニック結晶周期構造体を備え、フォトニック結晶により共振して面発光する2次元フォトニック結晶面発光レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
【特許文献1】
特開2000−332351号公報
【特許文献2】
特開2003−23193号公報
【0003】
従来、基板面から垂直方向にレーザ光を出射する面発光レーザが種々開発、研究されている。面発光レーザは同一基板上に多数の素子を集積(アレイ化)でき、各素子からコヒーレントな光が並列的に出射されるため、並列光ピックアップ、並列光伝送、光並列情報処理の分野での用途が期待されている。
【0004】
この種の面発光レーザとして、フォトニック結晶を利用した2次元フォトニック結晶面発光レーザが特許文献1に開示されている。フォトニック結晶とは、光の波長と同程度もしくはより小さい屈折率周期を有する結晶であり、誘電体の多次元周期構造体では半導体の結晶中で電子状態にバンドギャップが生じることと同様の原理により、光の導波を抑制する波長帯(フォトニックバンドギャップ)が生じ、光を2次元又は3次元に閉じこめることが可能である。
【0005】
前記特許文献1に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザは、キャリアの注入により発光する活性層の近傍に、2次元的に屈折率周期を配置したフォトニック結晶周期構造体を備え、フォトニック結晶により共振して面発光するものである。
【0006】
具体的には、図25に示すように、2次元フォトニック結晶面発光レーザ10は、概略、基板11上に下部クラッド層12、活性層13、上部クラッド層14が積層され、下部クラッド層12には活性層13の近傍に2次元フォトニック結晶20が内蔵されている。
【0007】
基板11は、例えば、n型InPの半導体材料からなる。下部クラッド層12及び上部クラッド層14は、例えば、それぞれn型及びp型InPの半導体層であり、活性層13よりも屈折率が低い。2次元フォトニック結晶20は、下部クラッド層12に形成した空孔(フォトニック結晶周期構造体21、格子点とも称する)にて構成され、下部クラッド層12とは屈折率の異なる媒質が2次元の周期で配列された正方格子や三角格子からなっている。空孔内にはSiN等を充填してもよい。活性層13は、例えば、InGaAs/InGaAsP系の半導体材料を用いた多重量子井戸構造からなっており、キャリアの注入により発光する。
【0008】
下部クラッド層12及び上部クラッド層14により活性層13を挟んでダブルヘテロ接合を形成し、キャリアを閉じこめて発光に寄与するキャリアを活性層13に集中させるようになっている。
【0009】
基板11の底面及び上部クラッド層14の上面には金等からなる下部電極16及び上部電極17が形成されている。電極16,17間に電圧を印加することにより活性層13が発光し、該活性層13から漏れた光が2次元フォトニック結晶20に入射する。2次元フォトニック結晶20の格子間隔に波長が一致する光は、2次元フォトニック結晶20により共振して増幅される。これにより、上部クラッド層14の上面(電極17の周囲に位置する発光領域18)からコヒーレントな光が面発光される。
【0010】
ここで、図26に示すような正方格子からなる2次元フォトニック結晶20について共振作用を説明する。なお、格子形状は正方格子に限らず、直交格子等であってもよい。
【0011】
2次元フォトニック結晶20は、第1媒質12内に空孔等の第2媒質21と直交する2方向に同じ周期で形成した正方格子からなっている。正方格子はΓ−X方向とΓ−M方向の代表的な方向を有している。Γ−X方向に隣接する第2媒質21の間隔をaとすると、第2媒質21を格子点とした一辺がaの正方形からなる基本格子Eが形成されている。
【0012】
波長λが基本格子Eの格子間隔aに一致する光LがΓ−X方向に進行すると、光Lは格子点で回折される。このうち、光Lの進行方向に対して0°、±90°、180°の方向に回折された光のみがブラッグ条件を満たす。さらに、0°、±90°、180°の方向に回折された光の進行方向にも格子点が存在するため、回折光は再度進行方向に対して0°、±90°、180°方向に回折する。
【0013】
光Lが1回又は複数回の回折を繰り返すと、回折光が元の格子点に戻るため共振作用が生じる。また、図26の紙面に垂直な方向に1次回折された光もブラッグ条件を満たす。このため、共振によって増幅された光が上部クラッド層14を介して出射され、面発光機能を有することになる。また、全ての格子点でこの現象が生じるため、面内全域でコヒーレントなレーザ発振が可能である。
【0014】
前記フォトニック結晶を利用した2次元的な共振現象を、より定量的に考えるために、2次元正方格子フォトニック結晶における光の分散関係を図27に示す。図27において、横軸は波数ベクトルと称する光の波数の向きと大きさを表す。縦軸は光の周波数にa/cを乗じて無次元化した規格化周波数である。ここで、cは光速(単位:m/sec)で、aは格子間隔(単位:m)である。
【0015】
光のエネルギーの伝播速度である群速度vは、∂ω/∂kで表されるので、図27においてその傾きが0となるバンド端では、光の群速度は0となり、定在波が生じることを意味する。従って、様々なバンド端において、それぞれのバンド端に応じた特徴あるレーザ発振が可能となる。なかでも、ポイントS(Γ点第2群)のバンド端が前記4波の結合と、面に垂直な方向に光を取り出せる発振点である。
【0016】
図28に前記ポイントSの詳細を示す。図28を参照すると、Γ点のバンド端には一つの二重縮退をしたバンド端III、IVを含む四つのバンド端(モード)I、II、III、IVがあり、レーザ発振はこの四つのバンド端(モード)のいずれかで生じるものと考えられる。
【0017】
これら四つのモードのうち、バンド端III、IVの2点は縮退しているため、縮退の性質により電界分布が一義的には決まらず不安定になる。また、縮退していない他の二つのモードI、IIは、偏光が特異であり、図29及び図30に示すような特徴を有している。図29はモードIの面発光成分の電界分布を示し、図30はモードIIの面発光成分の電界分布を示している。
【0018】
図29及び図30から明らかなように、モードI、II共に、偏光方向が場所により異なっているため、偏光が揃っていることが要求される用途では使用できないという問題点を有している。また、発光面の中心部においては互いに打ち消し合う方向に電界が重なり合うので、結果的に周辺のみが明るく、中心部は暗いドーナツ状の発光をしていることになる。
【0019】
また、二重縮退したモードIII、IVについては、前述の如く、縮退の性質により電界分布が一定にならないので、このモードIII、IVでも偏光は一義的に決まらず不安定になる。そこで、本発明者らは、偏光方向をある特定の方向に揃えることを検討し、2次元フォトニック結晶を構成する格子点の形状を適切に設計することにより、偏光が一方向に揃えることが可能であることを見出した(特許文献2参照)。
【0020】
その一例として、格子点の形状が楕円形状をなす場合の発振点付近のバンド構造を図31に示し、その電界分布を図32〜図35に示す。
【0021】
図31に示すバンド構造により、格子点形状が真円形状のとき縮退していたモードIII、IVは完全に縮退が解けて新たなモードIII’、IV’になっていることが分かる。なお、格子点形状の楕円化により得られたモードをエネルギーの低いほうから、モードI’、II’、III’、IV’と名付け、真円の場合のモードと区別することにする。
【0022】
また、格子点形状の楕円化による効果で非常に重要な点として、縮退の解けたモードIII’及びモードIV’は勿論のこと、モードI’及びモードII’においても偏光方向が一方向に揃っていることが電界分布を示す図32〜図35から明らかである。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、モードIII’、IV’は偏光方向に加えて位相も発光面の全ての場所で揃っている。これに対し、モードI’、II’は偏光方向は揃っているが、中心部を挟んで上下(モードI’)もしくは左右(モードII’)で位相が180°反転しているため、発光面の中心部では互いに電界が打ち消しあって暗くなる双峰性の発振をするという問題点が見られた。
【0024】
さらに、フォトニック結晶の共振器としての性質により、モードI’、II’のほうがモードIII’、IV’よりもQ値が高く、モードIII’、IV’を発振モードとして選択すると、モードI’、II’を発振モードとして選択した場合に比べると、閾値が高くなるという問題点も見られた。即ち、使いやすい単峰性の直線偏光と、低閾値化(Q値が高い)の両立が困難である。
【0025】
そこで、本発明の目的は、面発光された光が単峰性の直線偏光であると共に、Q値の高い2次元フォトニック結晶面発光レーザを提供することにある。
【0026】
【発明の構成、作用及び効果】
以上の目的を達成するため、第1の発明は、キャリアの注入により発光する活性層又はその近傍に、屈折率の異なる媒質を2次元の周期で配列したフォトニック結晶周期構造体を内蔵した2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、前記フォトニック結晶の格子構造が、正方格子又は直交格子であり、並進対称性を備えるが回転対称性を備えていないフォトニック結晶を内蔵していることを特徴とする。
【0027】
第2の発明は、キャリアの注入により発光する活性層又はその近傍に、屈折率の異なる媒質を2次元の周期で配列したフォトニック結晶周期構造体を内蔵した2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、前記フォトニック結晶の格子構造が、正方格子又は直交格子であり、2次元文様のIUC(International Union of Crystallography in 1952)の分類方法でp1、pm、pg又はcmのいずれかであるフォトニック結晶を内蔵していることを特徴とする。
【0028】
前記第1及び第2の発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいては、フォトニック結晶の格子構造を並進対称性を備えるが回転対称性を備えていない構造とすることにより、換言すれば、前記分類方法でp1、pm、pg又はcmのいずれかとすることにより、面発光された光が単峰性の直線偏光であると共に、Q値を高く(閾値を低く)することができる。
【0029】
第1及び第2の発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、フォトニック結晶の格子点の形状はほぼ三角形であることが好ましい。また、フォトニック結晶の格子点の形状は、比較的大きなほぼ円形状と比較的小さなほぼ円形状の組み合わせで構成してもよい。あるいは、フォトニック結晶の格子点が屈折率の異なる2種類以上の媒質若しくは屈折率分布を持つ媒質によって構成されていてもよい。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザの実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【0031】
(格子点が三角形状の場合)
本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザは、図1にその平面構造を示すように、屈折率n1の第1媒質(下部クラッド層)12に屈折率n2(但し、n1≠n2)の第2媒質(フォトニック結晶周期構造体、格子点とも記す)21を正方格子状に配置した2次元フォトニック結晶20からなる。この基本的な構造は図25に示した従来の面発光レーザと同様であり、図26に示した原理により面発光する。
【0032】
図1に示す2次元フォトニック結晶20はそのフォトニック周期構造体21の形状を三角形として正方格子を構成したもので、並進対称性を備えるが回転対称性を備えてはいない。
【0033】
図2〜図5に、フォトニック結晶周期構造体21を三角形状とすることにより得られる面発光成分の電界分布を示す。この2次元フォトニック結晶20にあっても四つのモードが存在し、それぞれモードI”、II”、III”、IV”と名付ける。図2〜図5から明らかなように、全てのモードで単峰性の直線偏光発振が得られていることが分かる。
【0034】
モードI”、II”、III”、IV”は、それぞれ格子点形状が楕円形状である場合のモードI’、II’、III’、IV’(図32〜図35参照)と同類のモードであるため、モードI”、II”はモードIII”、IV”に比べて共振器としてのQ値が高く、閾値が低くなる利点を有している。即ち、モードI”、II”において低閾値と単峰性が両立できている。従って、格子点が三角形状の2次元フォトニック結晶20ではモードI”又はモードII”を発振モードとして使用することになる。
【0035】
前述の現象は以下のように理解される。2次元フォトニック結晶は、発光面に対して垂直方向に光を取り出すタイプのレーザであり、取り出される光の偏光はフォトニック結晶を構成している周期的な屈折率分布のうち、屈折率の低い部分に分布している電界の方向で決定される。格子点形状が楕円の場合、例えば、モードI’の場合、図32(B)に示したフォトニック結晶領域における電界分布を見ると、電界は屈折率の低い楕円格子点を挟んで、その上下に、右方向に進む電界と、左方向に進む電界が存在するために、この光が回折により、フォトニック結晶から取り出され、干渉を経た結果、電界は図32(A)に示したように中心を挟んで上下で位相が異なる電界分布を有している。
【0036】
一方、例えば、モードIV’の場合、図35(B)に示したフォトニック結晶領域における電界分布を見ると、電界は屈折率の低い楕円格子点を一方向に貫くように分布しているために、この光が回折により、フォトニック結晶から取り出され、干渉を経た結果、電界は図35(A)に示したように一方向に揃っている。
【0037】
従って、直線偏光を持った単峰性の電界分布を備えた放射モードを得るには、2次元フォトニック結晶の面内で屈折率の低い第2媒質に、方向の揃った電界を分布させればよいことになる。
【0038】
そこで、図6〜図8に格子点を真円形状、楕円形状及び三角形状とした場合のモードI、I’、I”における電界分布の様子を模式的に示す。図6(A)、図7(A)、図8(A)はフォトニック結晶内部での電界分布を示し、図6(B)、図7(B)、図8(B)は屈折率の低い第2媒質(2次元フォトニック周期結晶構造体)において1周期分取り出した場合の電界分布を示す。また、図6(C)、図7(C)、図8(C)は発光面に垂直方向に取り出された成分の電界分布を示す。図9及び図10にはさらに詳細な電界分布を示し、図9は格子点が真円形状の場合、図10は格子点が三角形状の場合をそれぞれ示す。
【0039】
ところで、格子点を三角形状とした場合、発光面に垂直方向に取り出された成分の電界分布は、図8に示すように、厳密には、屈折率の低い第2媒質部分に分布する電界を180°回転させた像になる。
【0040】
図11〜図13に、前記図6〜図8と同様に、格子点を真円形状、楕円形状及び三角形状とした場合のモードII、II’、II”における電界分布の様子を模式的に示す。
【0041】
(格子点形状の条件及び種類)
図8及び図13に明らかなように、格子点を三角形状とした本質的な特徴は、屈折率の周期と電界分布の周期をずらすことにある。このような現象は格子点が三角形状である場合だけではなく、2次元フォトニック結晶を構成している格子構造が下記の条件を満たすことによって得られる。
【0042】
即ち、格子構造が、回転対称性を含まない正方格子構造又は直交格子構造であればよい。一般に、2次元の繰り返し文様は、IUC(International Union of Crystallography in 1952)の分類方法で17種に分類できることが知られている。17種とは、p1、pm、pg、cm、p2、pmm、pgg、cmm、pmg、p4、p4m、p4g、p3、p31m、p3m1、p6、p6mである。そのうち、回転対称性を含まない文様は、以下の表1に示すように、p1、pm、pg、cmの4種である。三角形状の格子構造の場合はpmに相当する。
【0043】
【表1】
Figure 2004296538
【0044】
鏡映とは、図14(A)に示すように、鏡映軸に対して線対称な文様をいう。すべり鏡映とは、図14(B)に示すように、鏡映文様がすべり鏡映軸に対して平行移動した場合をいう。
【0045】
次に、格子点形状として考えられる種々の形状を図15〜図24に文様の種類(p1、pm、pg、cmのいずれか)と共に示す。なお、各図15〜図21においては格子点形状の角部が90°ないしそれ以下の角度に描かれているが、実際に加工された周期構造体にあっては、それらの角部は丸みを有している。
【0046】
並進対称性を備えるが回転対称性を備えていない格子構造は、一つ一つの格子点形状を変えなくても、図22又は図23に示すように、真円形状の格子点21に小さな円形状21’を付加することにより実現できる。また、小円形状の付加の仕方も、数周期に1回でよい。要するに、個々の格子点形状のみならず、格子構造の全体として、有限サイズの基本格子が定義でき、それが正方格子又は直交格子として繰り返される文様であればよい。
【0047】
また、図24に示すように、格子点形状自体は真円であっても、格子点に第3の屈折率n3の媒質を設けることで、pmの文様に相当する格子構造を実現できる。第1媒質に空孔を形成した後、該空孔に屈折率n2、n3の媒質を充填すればよい。あるいは、屈折率n2の媒質を空気とすれば、屈折率n3の媒質を半円形状に充填すればよい。また、格子点は屈折率の異なる2種以上の屈折率分布を持つ媒質によって充填されていてもよい。
【0048】
(他の実施形態)
なお、本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザは前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【0049】
特に、半導体層、フォトニック結晶、電極の材料や、光の偏光を揃えるための構造等は任意である。また、フォトニック結晶周期構造体は、下部クラッド層以外に、上部クラッド層内の活性層近傍もしくは活性層内に設けてもよい。
【0050】
また、第1媒質と第2媒質の屈折率の関係は、前記実施形態においては第2媒質の屈折率が第1媒質の屈折率よりも低いものとして説明したが、逆の関係であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザの結晶面構造の一例(格子点が三角形状)を示す平面図。
【図2】図1に示すフォトニック結晶の面発光成分(モードI”)の電界分布を示すチャート図。
【図3】図1に示すフォトニック結晶の面発光成分(モードII”)の電界分布を示すチャート図。
【図4】図1に示すフォトニック結晶の面発光成分(モードIII”)の電界分布を示すチャート図。
【図5】図1に示すフォトニック結晶の面発光成分(モードIV”)の電界分布を示すチャート図。
【図6】格子点を真円形状とした場合のモードIにおける電界分布を示すチャート図。
【図7】格子点を楕円形状とした場合のモードI’における電界分布を示すチャート図。
【図8】格子点を三角形状とした場合のモードI”における電界分布を示すチャート図。
【図9】格子点を真円形状とした場合のモードIに関して、(A)はフォトニック結晶領域における電界分布を示すチャート図、(B)は面発光成分の電界分布を示すチャート図。
【図10】格子点を三角形状とした場合のモードI”に関して、(A)はフォトニック結晶領域における電界分布を示すチャート図、(B)は面発光成分の電界分布を示すチャート図。
【図11】格子点を真円形状とした場合のモードIIにおける電界分布を示すチャート図。
【図12】格子点を楕円形状とした場合のモードII’における電界分布を示すチャート図。
【図13】格子点を三角形状とした場合のモードII”における電界分布を示すチャート図。
【図14】鏡映及びすべり鏡映を示す説明図。
【図15】格子点形状とその配列の他の例を示す平面図。
【図16】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図17】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図18】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図19】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図20】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図21】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図22】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図23】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図24】格子点形状とその配列のさらに他の例を示す平面図。
【図25】本発明に先行する2次元フォトニック結晶面発光レーザを示す斜視図。
【図26】2次元フォトニック結晶面発光レーザの共振作用を示す説明図。
【図27】格子点が真円形状である2次元正方格子フォトニック結晶における光の分散関係を示すバンド図。
【図28】図27のポイントSの詳細を示すバンド図。
【図29】格子点が真円形状であるモードIの面発光成分の電界分布を示すチャート図。
【図30】格子点が真円形状であるモードIIの面発光成分の電界分布を示すチャート図。
【図31】格子点を楕円形状とした2次元正方格子フォトニック結晶における光の分散関係を示すバンド図。
【図32】格子点を楕円形状としたモードI’に関して、(A)は面発光成分の電界分布を示すチャート図、(B)はフォトニック結晶領域における電界分布を示すチャート図。
【図33】格子点を楕円形状としたモードII’の面発光成分の電界分布を示すチャート図。
【図34】格子点を楕円形状としたモードIII’の面発光成分の電界分布を示すチャート図。
【図35】格子点を楕円形状としたモードIV’に関して、(A)は面発光成分の電界分布を示すチャート図、(B)はフォトニック結晶領域における電界分布を示すチャート図。
【符号の説明】
12…第1媒質(下部クラッド層)
20…2次元フォトニック結晶
21…第2媒質(フォトニック結晶周期構造体、格子点)

Claims (5)

  1. キャリアの注入により発光する活性層又はその近傍に、屈折率の異なる媒質を2次元の周期で配列したフォトニック結晶周期構造体を内蔵した2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、
    前記フォトニック結晶周期構造体の格子構造が、正方格子又は直交格子であり、並進対称性を備えるが回転対称性を備えていないフォトニック結晶を内蔵していること、
    を特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  2. キャリアの注入により発光する活性層又はその近傍に、屈折率の異なる媒質を2次元の周期で配列したフォトニック結晶周期構造体を内蔵した2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、
    前記フォトニック結晶周期構造体の格子構造が、正方格子又は直交格子であり、2次元文様のIUC(International Union of Crystallography in 1952)の分類方法でp1、pm、pg又はcmのいずれかであるフォトニック結晶を内蔵していること、
    を特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  3. 前記フォトニック結晶の格子点の形状がほぼ三角形であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  4. 前記フォトニック結晶の格子点の形状が、比較的大きなほぼ円形状と比較的小さなほぼ円形状の組み合わせからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  5. 前記フォトニック結晶の格子点が、屈折率の異なる2種類以上の媒質若しくは屈折率分布を持つ媒質によって構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の2次元結晶面発光レーザ。
JP2003083706A 2003-03-25 2003-03-25 2次元フォトニック結晶面発光レーザ Expired - Lifetime JP4484134B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003083706A JP4484134B2 (ja) 2003-03-25 2003-03-25 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
CA2521005A CA2521005C (en) 2003-03-25 2004-03-23 Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
EP04722669A EP1610427B1 (en) 2003-03-25 2004-03-23 Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
KR1020057017316A KR100792078B1 (ko) 2003-03-25 2004-03-23 2차원 포토닉 결정면 발광레이저
PCT/JP2004/003987 WO2004086575A1 (ja) 2003-03-25 2004-03-23 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
CNB2004800079501A CN100433473C (zh) 2003-03-25 2004-03-23 二维光子晶体面发光激光器
DE602004015090T DE602004015090D1 (de) 2003-03-25 2004-03-23 Zweidimensionaler, oberflächenemittierender laser mit photonischem kristall

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003083706A JP4484134B2 (ja) 2003-03-25 2003-03-25 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004296538A true JP2004296538A (ja) 2004-10-21
JP4484134B2 JP4484134B2 (ja) 2010-06-16

Family

ID=33094971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003083706A Expired - Lifetime JP4484134B2 (ja) 2003-03-25 2003-03-25 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP1610427B1 (ja)
JP (1) JP4484134B2 (ja)
KR (1) KR100792078B1 (ja)
CN (1) CN100433473C (ja)
CA (1) CA2521005C (ja)
DE (1) DE602004015090D1 (ja)
WO (1) WO2004086575A1 (ja)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358313A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Koputeitsuku:Kk ソフト・フオ−カス・レンズ
WO2005086302A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2006128011A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
WO2007029661A1 (ja) 2005-09-05 2007-03-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
WO2007029538A1 (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
WO2007088739A1 (ja) * 2006-02-03 2007-08-09 The Furukawa Electric Co., Ltd. 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2007116584A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2008243962A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Kyoto Univ 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2010023842A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 独立行政法人科学技術振興機構 2次元フォトニック結晶レーザ
JP2011176092A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子用基板および発光素子
WO2011108510A1 (ja) * 2010-03-01 2011-09-09 国立大学法人京都大学 フォトニック結晶レーザ
JP2012104524A (ja) * 2010-11-05 2012-05-31 Canon Inc 面発光レーザ
US8416826B2 (en) 2009-05-07 2013-04-09 Canon Kabushiki Kaisha Photonic crystal surface emitting laser
WO2014136962A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ素子及びレーザ装置
WO2014136653A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 国立大学法人京都大学 半導体レーザ素子
US8855158B2 (en) 2010-09-16 2014-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
JP2014197665A (ja) * 2013-01-08 2014-10-16 ローム株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2014175447A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
WO2015008627A1 (ja) * 2013-07-16 2015-01-22 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
WO2016031965A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2017150387A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法
JP2019047023A (ja) * 2017-09-05 2019-03-22 株式会社東芝 面発光量子カスケードレーザ
JP2019197933A (ja) * 2019-08-23 2019-11-14 株式会社東芝 面発光量子カスケードレーザ
JP2020024978A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2020136557A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070030873A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Finisar Corporation Polarization control in VCSELs using photonics crystals
CA2653380A1 (en) 2006-05-30 2007-12-13 The Dial Corporation Compositions having a high antiviral efficacy
CN101500418B (zh) 2006-06-02 2014-04-16 日晷公司 抑制流感病毒传播的方法
KR101414911B1 (ko) * 2007-03-23 2014-07-04 스미토모덴키고교가부시키가이샤 포토닉 결정 레이저 및 포토닉 결정 레이저의 제조방법
CN102638001B (zh) * 2011-02-10 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 半导体激光器及其制造方法
US9531160B2 (en) * 2013-03-08 2016-12-27 Japan Science And Technology Agency Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
JP6202572B2 (ja) 2014-02-06 2017-09-27 国立大学法人京都大学 半導体レーザモジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5617445A (en) * 1995-06-07 1997-04-01 Picolight Incorporated Quantum cavity light emitting element
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
US6468823B1 (en) 1999-09-30 2002-10-22 California Institute Of Technology Fabrication of optical devices based on two dimensional photonic crystal structures and apparatus made thereby
CN1156063C (zh) * 2000-06-06 2004-06-30 中国科学院物理研究所 一种光子晶体微腔结构
JP3561244B2 (ja) * 2001-07-05 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 二次元フォトニック結晶面発光レーザ

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358313A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Koputeitsuku:Kk ソフト・フオ−カス・レンズ
WO2005086302A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP4820749B2 (ja) * 2004-03-05 2011-11-24 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
KR101128944B1 (ko) 2004-03-05 2012-03-27 로무 가부시키가이샤 2차원 포토닉 결정 면발광 레이저광원
US7535943B2 (en) 2004-03-05 2009-05-19 Kyoto University Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal
JP2006128011A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
US8379686B2 (en) 2005-09-02 2013-02-19 Kyoto University Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser light source
WO2007029538A1 (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JPWO2007029538A1 (ja) * 2005-09-02 2009-03-19 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
WO2007029661A1 (ja) 2005-09-05 2007-03-15 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
US8711895B2 (en) 2005-09-05 2014-04-29 Kyoto University Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal
JP2007208127A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
US7664158B2 (en) 2006-02-03 2010-02-16 The Furukawa Electric Co., Ltd. Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
WO2007088739A1 (ja) * 2006-02-03 2007-08-09 The Furukawa Electric Co., Ltd. 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2007116584A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Kyoto University 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2007273730A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Kyoto Univ 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
US8923358B2 (en) 2006-03-31 2014-12-30 Kyoto University Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser light source
JP2008243962A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Kyoto Univ 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2010056446A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Japan Science & Technology Agency 2次元フォトニック結晶レーザ
WO2010023842A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 独立行政法人科学技術振興機構 2次元フォトニック結晶レーザ
US8300672B2 (en) 2008-08-29 2012-10-30 Japan Science And Technology Agency Two-dimensional photonic crystal laser
US8416826B2 (en) 2009-05-07 2013-04-09 Canon Kabushiki Kaisha Photonic crystal surface emitting laser
JP2011176092A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子用基板および発光素子
WO2011108510A1 (ja) * 2010-03-01 2011-09-09 国立大学法人京都大学 フォトニック結晶レーザ
JP5709178B2 (ja) * 2010-03-01 2015-04-30 国立大学法人京都大学 フォトニック結晶レーザ
JPWO2011108510A1 (ja) * 2010-03-01 2013-06-27 国立大学法人京都大学 フォトニック結晶レーザ
US9048623B2 (en) 2010-03-01 2015-06-02 Kyoto University Photonic crystal laser
US8855158B2 (en) 2010-09-16 2014-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
JP2012104524A (ja) * 2010-11-05 2012-05-31 Canon Inc 面発光レーザ
US9444222B2 (en) 2013-01-08 2016-09-13 Rohm Co., Ltd. Two dimensional photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers
JP2014197665A (ja) * 2013-01-08 2014-10-16 ローム株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2014136653A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 国立大学法人京都大学 半導体レーザ素子
US9583914B2 (en) 2013-03-04 2017-02-28 Kyoto University Semiconductor laser element
DE112014001115B4 (de) 2013-03-04 2024-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Halbleiterlaserelement mit einer photonischen Kristallstruktur mit abgerundeten Ecken
JP2014197659A (ja) * 2013-03-04 2014-10-16 国立大学法人京都大学 半導体レーザ素子
US9748737B2 (en) 2013-03-07 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser element and laser device
JPWO2014136962A1 (ja) * 2013-03-07 2017-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ素子及びレーザ装置
WO2014136962A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ素子及びレーザ装置
US9660415B2 (en) 2013-04-26 2017-05-23 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser device
JPWO2014175447A1 (ja) * 2013-04-26 2017-02-23 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
WO2014175447A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
US9793681B2 (en) 2013-07-16 2017-10-17 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser device
JPWO2015008627A1 (ja) * 2013-07-16 2017-03-02 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
WO2015008627A1 (ja) * 2013-07-16 2015-01-22 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
WO2016031965A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2017150387A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法
JPWO2017150387A1 (ja) * 2016-02-29 2018-12-20 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法
US10461502B2 (en) 2016-02-29 2019-10-29 Kyoto University Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser and method of manufacturing the same
JP2019047023A (ja) * 2017-09-05 2019-03-22 株式会社東芝 面発光量子カスケードレーザ
JP2020024978A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP7188689B2 (ja) 2018-08-06 2022-12-13 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP7306675B2 (ja) 2019-02-22 2023-07-11 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2020136557A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2019197933A (ja) * 2019-08-23 2019-11-14 株式会社東芝 面発光量子カスケードレーザ
JP7076414B2 (ja) 2019-08-23 2022-05-27 株式会社東芝 面発光量子カスケードレーザ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050111362A (ko) 2005-11-24
EP1610427A1 (en) 2005-12-28
KR100792078B1 (ko) 2008-01-04
JP4484134B2 (ja) 2010-06-16
EP1610427B1 (en) 2008-07-16
EP1610427A4 (en) 2006-10-25
CN100433473C (zh) 2008-11-12
CN1765034A (zh) 2006-04-26
WO2004086575A1 (ja) 2004-10-07
DE602004015090D1 (de) 2008-08-28
CA2521005A1 (en) 2004-10-07
CA2521005C (en) 2011-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4484134B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP3561244B2 (ja) 二次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP6305056B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP6080941B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
US20070075318A1 (en) Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
JP3983933B2 (ja) 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
TWI487224B (zh) 二維光子晶體雷射
JP5138898B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2003273456A (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
WO2005086302A1 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP5183555B2 (ja) 面発光レーザアレイ
JP2023526771A (ja) トポロジー絶縁体表面発光レーザシステム
JP5721422B2 (ja) 面発光レーザ及びアレイ光源
JP4241905B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2006165309A (ja) 半導体レーザ素子
WO2022181723A1 (ja) 2次元フォトニック結晶レーザ
JP4185697B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザアレイ及び2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP4310297B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP5104070B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP5309877B2 (ja) フォトニック結晶面発光レーザ素子
JP2003273454A (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
Khayam et al. In-plane Littrow lasing of broad photonic crystal waveguides
JP2003273455A (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法
JP2019091838A (ja) 面発光量子カスケードレーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090609

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100302

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4484134

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term