JP2004281853A - Substrate processing system - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、Siなどの半導体デバイスにおいて、そのデバイスを製造する際に用いられる成膜装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のALD(Atomic layer Deposition)法による成膜を行う半導体デバイス製造装置は、第1のプロセスガスの供給、N2パージ、真空排気、続いて、第2のプロセスガスの供給、N2パージ、真空排気を行い、これらのシーケンスを繰り返すというものであった。
【0003】
しかしながら、これらのステップを単純に繰り返すだけでは、各ステップの時間が長くなるという問題があった。
【0004】
また、プロセスガスの供給が不十分な状態になると、膜厚の均一性が不均一になり、パージが不十分な状態になると、パーティクルが発生するという問題があった。そのために、プロセスガスの供給を十分にし、また、パージも十分にする必要があった。
その結果、トータルのシーケンスの時間が長くなるという欠点があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ALD法等の、基板を収容する反応室内に、第1の反応ガスと第2の反応ガスとを交互に供給し、該基板上に所望の膜を成膜する方法により基板を処理する基板処理装置であって、シーケンスの時間が短く、効率的な成膜を行える基板処理装置を提供することを主な目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
基板を収容する反応室内に、第1の反応ガスと第2の反応ガスとを交互に供給し、該基板上に所望の膜を成膜する基板処理装置であって、
該反応室内への該第1の反応ガスの供給を停止した後に、該第2の反応ガスを該反応室内に供給することで、該第1の反応ガスを排出させる工程と、その後、第2の反応ガスを該基板上に吸着している該第1の反応ガスと反応させて該基板上に膜を成膜させる工程とが実行されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態においては、第1のプロセスガスと第2のプロセスガスとを交互に反応室内に交互に供給してALD法により反応室内の基板に成膜を行う半導体デバイス製造装置において、第1のプロセスガスを流したあと、従来はN2ガスを用いて、反応室内のパージを行っていたが、これを、第2のプロセスガスを用いて反応室内のパージ行うようにする。
【0008】
このようにすれば、第1のプロセスガスを流したあとのN2ガスによる反応室内のパージや真空排気を行う必要がなくなり、シーケンスの時間が短くなって、効率的な成膜を行えるようになる。
【0009】
この方法は、第2のプロセスガスを、プラズマ放電などにより、励起して用いる場合に好適に適用できる。
【0010】
具体的には、例えば、ジクロロシラン(DCS)、およびプラズマ励起したNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSを供給したあとのパージは、プラズマ励起を行っていないNH3を用いてパージを行う。
【0011】
また、本発明の好ましい実施の形態においては、第1のプロセスガスとプラズマ放電により励起した第2のプロセスガスとを交互に反応室内に交互に供給してALD法により反応室内の基板に成膜を行う半導体デバイス製造装置において、プラズマ放電を行う放電領域に第2のプロセスガスを流す際に、プラズマ放電を行うよりも先に放電領域に第2のプロセスガスを流して、放電の準備を行う。
【0012】
プラズマ放電を行うプロセスガスを流す際、放電を行うタイミングよりも先に、プロセスガスを流すようにすると、放電領域をプロセスガスにて置換して、放電時間のすべてを、所望のラジカル等の励起種の供給に使用するのに有効である。第2のプロセスガスを流す前のステップである真空排気の時間が短い、もしくは、第2のプロセスガスを流す前に真空排気を行わない場合に、特に有効となる。
【0013】
具体的には、例えば、ジクロロシラン(DCS)およびプラズマ励起したNH3を用いて、SiNを成膜する際、NH3の放電を行う1〜4sec前に、NH3を流し始めると良い。
【0014】
また、上述したパージ、すなわち、DCSを供給したあとにプラズマ励起を行っていないNH3によって行うパージと同時に実施することができ、より有効性が増すことになる。
【0015】
また、本発明の好ましい実施の形態においては、第1のプロセスガスと第2のプロセスガスとを交互に反応室内に交互に供給してALD法により反応室内の基板に成膜を行う半導体デバイス製造装置において、第1のプロセスガスを第1のノズルから流す際、第2のプロセスガスを流す第2のノズルからN2を流す。さらに、第2のプロセスガスを第2のノズルから流す際、第1のプロセスガスを流す第1のノズルからN2を流すことがより好ましい。
【0016】
これにより、一方のガスが、他方のガスのノズルに入り込むことを防ぐことができ、その結果、パージ時間を短くすることができる。特にノズル形状が複雑化したときには、より顕著に効果が現れる。また、次のステップでN2パージを行う場合には、N2の供給を早く行うことができるようになる。
【0017】
具体的には、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSを供給しているステップでは、NH3のノズルからN2を流し、また、NH3を供給しているステップでは、DCSのノズルからN2を流しておくようにする。
【0018】
また、本発明の好ましい実施の形態においては、第1のプロセスガスと第2のプロセスガスとを交互に反応室内に交互に供給してALD法により反応室内の基板に成膜を行う半導体デバイス製造装置において、第1のプロセスガスを第1のノズルから流す際に、第2のプロセスガスを流す第2のノズルからN2を流し、その後、第2のプロセスガスを第2のノズルから流す際も、続けて第2のノズルからN2を流すようにする。さらに好ましくは、第2のプロセスガスを第2のノズルから流す際に、第1のプロセスガスを流す第1のノズルからN2を流す場合には、その後、第1のプロセスガスを第1のノズルから流す際も、続けて第1のノズルからN2を流すようにする。
【0019】
このようにすると、次のステップでN2パージを行う場合には、N2の供給を早く行うことができるようになる。また、プロセスガスを供給する時に、N2の流量を減少させることで、プロセスガスの供給に対する影響を小さくすることもできる。
【0020】
具体的には、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSの供給、N2パージ、真空排気を行った後、NH3を供給する時も、NH3ノズルからN2を流したままにする。
【0021】
また、本発明の好ましい実施の形態においては、第1のプロセスガスと第2のプロセスガスとを交互に反応室内に交互に供給してALD法により反応室内の基板に成膜を行う半導体デバイス製造装置において、第1のプロセスガスを第1のノズルから流す際に、第2のプロセスガスを流す第2のノズルからN2を流し、その後のパージステップで第2のノズルから流すN2の流量を減らすようにする。さらに好ましくは、第2のプロセスガスを第2のノズルから流す際に、第1のプロセスガスを流す第1のノズルからN2を流す場合には、その後のパージステップで第1のノズルから流すN2の流量を減らすようにする。
【0022】
このようにすると、一方のガスを供給している時、他方のノズルから大流量のN2を流していても、次のパージステップでN2の流量を下げることにより、もう一方のプロセスガスへの切り替えが、早くできるようになる。
【0023】
具体的には、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSを供給している時に、NH3のノズルから大量のN2を流していたとしても、DCSのN2パージステップで、NH3ノズルからのN2流量を減らすことにより、NH3への置換が早くなる。
【0024】
また、本発明の好ましい実施の形態においては、第1のプロセスガスと第2のプロセスガスとを交互に反応室内に交互に供給してALD法により反応室内の基板に成膜を行う半導体デバイス製造装置において、
第1または第2のプロセスガスを、反応室に導入した後、しばらく反応室内に溜めるようにする。これにより、プロセスガスの拡散を進め、ウエハ全体へ吸着させることができる。
【0025】
具体的には、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSを供給する際、排気バルブを閉じておき、ガスを反応室内に溜めるようにすると、膜厚の均一性を上げることができる。
【0026】
次に、図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態であるウエハ等の基板へのプロセス処理例として、CVD法の中の1つであるALD法を用いた成膜処理について説明する。
【0027】
ALD法は、ある成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる2種類(またはそれ以上)の原料となるガスを1種類ずつ交互に基板上に供給し、1原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【0028】
即ち、例えばSiN(窒化珪素)膜形成の場合、ALD法では、DCS(SiH2Cl2、ジクロルシラン)とNH3(アンモニア)を用いて300〜600℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを1種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する(例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、20Åの膜を形成する場合、処理を20サイクル行う)。
【0029】
図1は、本発明の好ましい実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示し、図2は本発明の好ましい実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。加熱手段であるヒータ207の内側に、基板であるウエハ200を処理する反応容器として反応管203が設けられ、この反応管203の下端開口は蓋体であるシールキャップ219により気密部材であるOリング220を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ207、反応管203、及びシールキャップ219により処理炉202を形成している。シールキャップ219には石英キャップ218を介して基板保持手段であるボート217が立設され、前記石英キャップ218はボートを保持する保持体となっている。そして、ボート217は処理炉202に挿入される。ボート217にはバッチ処理される複数のウエハ200が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ207は処理炉202に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱する。
【0030】
そして、処理炉202へは複数種類、ここでは2種類のガスを供給する供給管としての2本のガス供給管232a、232bが設けられる。ここではガス供給管232aからは流量制御手段であるマスフローコントローラ241a及び開閉弁であるバルブ243aを介し、更に後述する処理炉202内に形成されたバッファ室237を介して処理炉202に反応ガスが供給され、ガス供給管232bからは流量制御手段であるマスフローコントローラ241b、開閉弁であるバルブ243bを介し、更に後述するガス供給部249を介して処理炉202に反応ガスが供給されている。
【0031】
処理炉202はガスを排気する排気管であるガス排気管231によりバルブ243dを介して排気手段である真空ポンプ246に接続され、真空排気されるようになっている。尚、このバルブ243dは弁を開閉して処理炉202の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
【0032】
処理炉202を構成している反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間には、反応管203の下部より上部の内壁にウエハ200の積載方向に沿って、ガス分散空間であるバッファ室237が設けられており、そのバッファ室237のウエハ200と隣接する壁の端部にはガスを供給する供給孔であるガス供給孔248aが設けられている。このガス供給孔248aは反応管203の中心へ向けて開口している。このガス供給孔248aは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【0033】
そしてバッファ室237のガス供給孔248aが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル233が、やはり反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の積載方向に沿って配設されている。そしてノズル233には複数のガスを供給する供給孔であるガス供給孔248bが設けられている。このガス供給孔248bの開口面積は、バッファ室237と処理炉202の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくすると良い。
【0034】
ガス供給孔248bの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節することで、まず、各ガス供給孔248bよりガスの流速の差はあるが、流量はほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこの各ガス供給孔248bから噴出するガスをバッファ室237に噴出させて一旦導入し、前記ガスの流速差の均一化を行う。
【0035】
すなわち、バッファ室237において、各ガス供給孔248bより噴出したガスはバッファ室237で各ガスの粒子速度が緩和された後、ガス供給孔248aより処理炉202に噴出する。この間に、各ガス供給孔248bより噴出したガスは、各ガス供給孔248aより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができた。
【0036】
さらに、バッファ室237に、細長い構造を有する棒状電極269及び棒状電極270が上部より下部にわたって電極を保護する保護管である電極保護管275に保護されて配設され、この棒状電極269又は棒状電極270のいずれか一方は整合器272を介して高周波電源273に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、棒状電極269及び棒状電極270間のプラズマ生成領域224にプラズマが生成される。
【0037】
この電極保護管275は、棒状電極269及び棒状電極270のそれぞれをバッファ室237の雰囲気と隔離した状態でバッファ室237に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管275の内部は外気(大気)と同一雰囲気であると、電極保護管275にそれぞれ挿入された棒状電極269及び棒状電極270はヒータ207の加熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管275の内部は窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて棒状電極269又は棒状電極270の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられる。
【0038】
さらに、ガス供給孔248aの位置より、反応管203の内周を120°程度回った内壁に、ガス供給部249が設けられている。このガス供給部249は、ALD法による成膜においてウエハ200へ、複数種類のガスを1種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室237とガス供給種を分担する供給部である。
【0039】
このガス供給部249もバッファ室237と同様にウエハと隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔であるガス供給孔248cを有し、下部ではガス供給管232bが接続されている。
【0040】
ガス供給孔248cの開口面積はバッファ室237と処理炉202の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくすると良い。
【0041】
反応管203内の中央部には複数枚のウエハ200を多段に同一間隔で載置するボート217が設けられており、このボート217は図中省略のボートエレベータ機構により反応管203に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上するためにボート217を回転するための回転手段であるボート回転機構267が設けてあり、ボート回転機構267を回転することにより、石英キャップ218に保持されたボート217を回転するようになっている。
【0042】
制御手段であるコントローラ321は、マスフローコントローラ241a、241b、バルブ243a、243b、243d、ヒータ207、真空ポンプ246、ボート回転機構267、図中省略のボート昇降機構、高周波電源273、整合器272に接続されており、マスフローコントローラ241a、241bの流量調整、バルブ243a、243bの開閉動作、バルブ243dの開閉及び圧力調整動作、ヒータ207温度調節、真空ポンプ246の起動・停止、ボート回転機構267の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御、高周波電極273の電力供給制御、整合器272によるインピーダンス制御が行われる。
【0043】
(第1の実施の形態)
次にALD法による成膜例について、DCS及びNH3ガスを用いてSiN膜を成膜する例で説明する。
【0044】
まず成膜しようとするウエハ200をボート217に装填し、処理炉202に搬入する。搬入、真空引き、昇温待ちの後、次のステップを順次実行する。
【0045】
[ステップ1]
ステップ1では、プラズマ励起の必要なNH3ガスを流す。まずガス供給管232aに設けたバルブ243a、及びガス排気管231に設けたバルブ243dを共に開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、そして、ガス供給孔248aより処理炉202に噴出する。その後、棒状電極269及び棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種として処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、バルブ243dを適正に調整して処理炉202内圧力を10〜100Paとする。マスフローコントローラ241aで制御するNH3の供給流量は1000〜10000sccmである。NH3をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207温度はウエハが300〜600℃になるよう設定してある。NH3は反応温度が高いため、上記ウエハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。このとき、処理炉202内に流しているガスはNH3をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、DCSは存在しない。したがって、NH3は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったNH3はウエハ200上の下地膜と表面反応する。
【0046】
[ステップ2]
ステップ2では、ガス供給管232aのバルブ243aを閉めて、NH3の供給を止める。また、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理炉202を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理炉202から排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理炉202に供給すると、更に残留NH3を排除する効果が高まる。
【0047】
[ステップ3]
ステップ3では、プラズマ励起の必要のないDCSガスを流す。すなわち、残留NH3を処理炉202から排除したら、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにしておき、ガス供給管232bに設けたバルブ243bを開けて、ガス供給管232bからマスフローコントローラ241bにより流量調整されたDCSガスをガス供給部249に供給し、ガス供給孔248cから処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。DCSガスを流すときは、バルブ243dを適正に調整して処理炉202内圧力を700〜3500Paとする。マスフローコントローラ241bで制御するDCSの供給流量は500〜2000sccmである。DCSガスにウエハ200を晒す時間は1〜20秒間である。このときのヒータ207温度は、NH3の供給時と同じくウエハが300〜600℃になるよう設定してある。
【0048】
DCSの供給により、下地膜上のNH3とDCSとが表面反応して、ウエハ200上にSiN膜が成膜される。
【0049】
[ステップ4]
成膜後、バルブ243bを閉じ、DCSガスの供給を止め、バルブ243aを開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、そして、ガス供給孔248aより処理炉202に噴出する。処理炉202をNH3ガスでパージして、残留DCSを処理炉202から排除する。
【0050】
[ステップ5]
残留DCSを処理炉202からNH3ガスでパージした後、棒状電極269及び棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種として処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、バルブ243dを適正に調整して処理炉202内圧力を10〜100Paとする。マスフローコントローラ241aで制御するNH3の供給流量は1000〜10000sccmである。NH3をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207温度はウエハが300〜600℃になるよう設定してある。プラズマにより励起され活性種となったNH3はウエハ200上のSiN膜と表面反応する。
【0051】
上記ステップ3〜5を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のSiN膜を成膜する。
【0052】
本実施の形態では、DCSを供給したあとのパージは、プラズマ励起を行っていないNH3を用いて行っているので、DCSを供給したあとのN2ガスによるパージや真空排気を行う必要がなくなり、シーケンスの時間が短くなって、効率的な成膜を行えるようになる。
【0053】
また、NH3ガスの放電を行うタイミングよりも先に、NH3ガスを流しているので、放電領域であるバッファ室237をNH3ガスにて置換し、その後放電を行うことになり、放電時間のすべてを所望のラジカル等の励起種の供給に使用できるようになる。
【0054】
なお、処理炉202内を排気してNH3ガスを除去してからDCSを流すので、両者はウエハ200に向かう途中で反応しない。供給されたDCSは、ウエハ200に吸着しているNH3とのみ有効に反応させることができる。
【0055】
(第2の実施の形態)
本実施の形態では、DCSを供給しているステップでは、NH3供給ノズルからN2を流し、また、NH3を供給しているステップでは、DCS供給ノズルからN2を流しておくようにする。
【0056】
すなわち、ガス排気管231のバルブ243dは開いた状態で、ガス供給管232bに設けたバルブ243bを開けて、ガス供給管232bからマスフローコントローラ241bにより流量調整されたDCSガスをガス供給部249に供給し、ガス供給孔248cから処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。この時、バルブ243aを開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたN2ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、そして、ガス供給孔248aよりN2ガスを処理炉202に噴出する。
【0057】
また、ガス排気管231のバルブ243dは開いた状態で、バルブ243aを開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出する。棒状電極269及び棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種としてガス供給孔248aより処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。この時、ガス供給管232bに設けたバルブ243bを開けて、ガス供給管232bからマスフローコントローラ241bにより流量調整されたN2ガスをガス供給部249に供給し、ガス供給孔248cからN2ガスを処理炉202に噴出する。
【0058】
これにより、一方のガスが、他方のガスのノズルに入り込むことを防ぐことができ、その結果、パージ時間を短くすることができる。特にノズル形状が複雑化したときには、より顕著に効果が現れる。また、次のステップでN2パージを行う場合には、N2の供給を早く行うことができるようになる。
【0059】
(第3の実施の形態)
本実施の形態では、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSの供給、N2パージ、真空排気を行った後、NH3を供給する時も、NH3ノズルからN2を流したままにする。
【0060】
すなわち、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにしておき、ガス供給管232bに設けたバルブ243bを開けて、ガス供給管232bからマスフローコントローラ241bにより流量調整されたDCSガスをガス供給部249に供給し、ガス供給孔248cから処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。この時、バルブ243aを開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたN2ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、そして、ガス供給孔248aよりN2ガスを処理炉202に噴出する。
【0061】
その後、ガス供給管232bのバルブ243bを閉めて、DCSガスの供給を止める。また、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理炉202を真空排気し、残留DCSを処理炉202から排除する。この際には、バルブ243aを開けたままにして、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたN2ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、そして、ガス供給孔248aよりN2ガスを処理炉202に噴出した状態にしておく。
【0062】
その後、ガス排気管231のバルブ243dは開いた状態で、バルブ243aは開けたままで、ガス供給管232aからN2ガスを供給した状態で、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出する。棒状電極269及び棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種としてガス供給孔248aより処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。この時、ガス供給管232aからはNH3ガスだけでなく、N2ガスも一緒に供給し、NH3ガスをガス供給孔248aより処理炉202に供給する時に、N2ガスも一緒にガス供給孔248aより処理炉202に供給する。
【0063】
このようにすると、次のステップでN2パージを行う場合には、N2の供給を早く行うことができるようになる。また、プロセスガスを供給する時に、N2の流量を減少させることで、プロセスガスの供給に対する影響を小さくすることもできる。
【0064】
(第4の実施の形態)
本実施の形態では、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSを供給している時に、NH3のノズルから大量のN2を流していたとしても、DCSのN2パージステップで、NH3ノズルからのN2流量を減らすことにより、NH3への置換を早くする。
【0065】
すなわち、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにしておき、ガス供給管232bに設けたバルブ243bを開けて、ガス供給管232bからマスフローコントローラ241bにより流量調整されたDCSガスをガス供給部249に供給し、ガス供給孔248cから処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。この時、バルブ243aを開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ241aにより流量調整されたN2ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ大量に噴出し、そして、ガス供給孔248aよりN2ガスを処理炉202に大量に噴出する。
【0066】
その後、ガス供給管232bのバルブ243bを閉めて、DCSガスの供給を止める。ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにしておく。そして、DCSガスの代わりにN2ガスをマスフローコントローラ241bに供給し、バルブ243bを開けて、ガス供給孔248cから処理炉202にN2ガスを供給しつつガス排気管231から排気してDCSのN2パージを行う。この時、バルブ243aを開けたままにして、マスフローコントローラ241aによりガス供給管232aに流れているN2ガスの流量を減少させる。
【0067】
その後、ガス排気管231のバルブ243dは開いた状態で、ガス供給管232aにN2ガスに加えてNH3ガスを供給し、NH3ガスとN2ガスとをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出する。棒状電極269及び棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種としてガス供給孔248aより処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。この時、ガス供給孔248aからはNH3ガスだけでなく、N2ガスも一緒に処理炉202に供給される。
【0068】
このようにすると、一方のガスを供給している時、他方のノズルから大流量のN2を流していても、次のパージステップでN2の流量を下げることにより、もう一方のプロセスガスへの切り替えが、早くできるようになる。
【0069】
(第5の実施の形態)
本実施の形態においては、ジクロロシラン(DCS)およびNH3を用いて、SiNを成膜する際、DCSを供給した後、ガス排気管231のバルブ243dを閉じておき、DCSガスを処理炉202内に溜めるようにすると、膜厚の均一性を上げることができる。これにより、プロセスガスの拡散を進め、ウエハ全体へ吸着させることができる。
【0070】
次に、図3、図4を参照して本発明が好適に適用される基板処理装置の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
筐体101内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット100の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ105が設けられ、カセットステージ105の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ115が設けられ、カセットエレベータ115には搬送手段としてのカセット移載機114が取りつけられている。又、カセットエレベータ115の後側には、カセット100の載置手段としてのカセット棚109が設けられると共にカセットステージ105の上方にも予備カセット棚110が設けられている。予備カセット棚110の上方にはクリーンユニット118が設けられクリーンエアを筐体101の内部を流通させるように構成されている。
【0071】
筐体101の後部上方には、処理炉202が設けられ、処理炉202の下方には基板としてのウエハ200を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート217を処理炉202に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ121が設けられ、ボートエレベータ121に取りつけられた昇降部材122の先端部には蓋体としてのシールキャップ219が取りつけられボート217を垂直に支持している。ボートエレベータ121とカセット棚109との間には昇降手段としての移載エレベータ113が設けられ、移載エレベータ113には搬送手段としてのウエハ移載機112が取りつけられている。又、ボートエレベータ121の横には、開閉機構を持ち処理炉202の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ116が設けられている。
【0072】
ウエハ200が装填されたカセット100は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ105にウエハ200が上向き姿勢で搬入され、ウエハ200が水平姿勢となるようカセットステージ105で90°回転させられる。更に、カセット100は、カセットエレベータ115の昇降動作、横行動作及びカセット移載機114の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ105からカセット棚109又は予備カセット棚110に搬送される。
【0073】
カセット棚109にはウエハ移載機112の搬送対象となるカセット100が収納される移載棚123があり、ウエハ200が移載に供されるカセット100はカセットエレベータ115、カセット移載機114により移載棚123に移載される。
【0074】
カセット100が移載棚123に移載されると、ウエハ移載機112の進退動作、回転動作及び移載エレベータ113の昇降動作の協働により移載棚123から降下状態のボート217にウエハ200を移載する。
【0075】
ボート217に所定枚数のウエハ200が移載されるとボートエレベータ121によりボート217が処理炉202に挿入され、シールキャップ219により処理炉202が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉202内ではウエハ200が加熱されると共に処理ガスが処理炉202内に供給され、ウエハ200に処理がなされる。
【0076】
ウエハ200への処理が完了すると、ウエハ200は上記した作動の逆の手順により、ボート217から移載棚123のカセット100に移載され、カセット100はカセット移載機114により移載棚123からカセットステージ105に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体101の外部に搬出される。尚、炉口シャッタ116は、ボート217が降下状態の際に処理炉202の下面を塞ぎ、外気が処理炉202内に巻き込まれるのを防止している。
カセット移載機114等の搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
【0077】
【発明の効果】
本発明によれば、ALD法等の、基板を収容する反応室内に、第1の反応ガスと第2の反応ガスとを交互に供給し、基板上に所望の膜を成膜する方法により基板を処理する基板処理装置であって、シーケンスの時間が短く、効率的な成膜を行える基板処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示した図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示した図である。
【図3】本発明の実施の形態にかかる縦型の基板処理装置を示す概略斜視図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかる縦型の基板処理装置を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
100…カセット
101…筐体
105…カセットステージ
109…カセット棚
110…予備カセット棚
112…ウエハ移載機
113…移載エレベータ
114…カセット移載機
115…カセットエレベータ
116…炉口シャッタ
118…クリーンユニット
121…ボートエレベータ
122…昇降部材
123…移載棚
124…搬送制御手段
200…ウエハ
202…処理炉
203…反応管
207…ヒータ
217…ボート
218…石英キャップ
219…シールキャップ
220…Oリング
224…プラズマ生成領域
231…ガス排気管
232a、232b…ガス供給管
233…ノズル
237…バッファ室
241a、241b…マスフローコントローラ
243a、243b、243d…バルブ
246…真空ポンプ
248a、248b、248c…ガス供給孔
249…ガス供給部
267…ボート回転機構
269、270…棒状電極
271…アース
272…整合器
273…高周波電源
275…電極保護管
321…コントローラ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a film forming apparatus used in manufacturing a semiconductor device such as Si.
[0002]
[Prior art]
A conventional semiconductor device manufacturing apparatus for performing film formation by an ALD (Atomic layer Deposition) method includes a first process gas supply, a N 2 Purging, evacuation, followed by supply of a second process gas, N 2 2 Purging and evacuation are performed, and these sequences are repeated.
[0003]
However, there is a problem that simply repeating these steps increases the time of each step.
[0004]
Further, when the supply of the process gas is insufficient, the uniformity of the film thickness becomes uneven, and when the purge is insufficient, there is a problem that particles are generated. For this purpose, it is necessary to sufficiently supply the process gas and to sufficiently purge the gas.
As a result, there is a disadvantage that the total sequence time becomes long.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention provides a method of forming a desired film on a substrate by alternately supplying a first reaction gas and a second reaction gas into a reaction chamber containing the substrate, such as an ALD method. A main object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for processing, which has a short sequence time and can perform efficient film formation.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention,
A substrate processing apparatus for alternately supplying a first reaction gas and a second reaction gas into a reaction chamber containing a substrate, and forming a desired film on the substrate,
Stopping the supply of the first reaction gas into the reaction chamber and then supplying the second reaction gas into the reaction chamber, thereby discharging the first reaction gas; Reacting the reaction gas with the first reaction gas adsorbed on the substrate to form a film on the substrate.
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In a preferred embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus in which a first process gas and a second process gas are alternately supplied into a reaction chamber and a film is formed on a substrate in the reaction chamber by an ALD method. , After the first process gas flows, 2 The purging of the reaction chamber is performed by using the gas, but the purging of the reaction chamber is performed by using the second process gas.
[0008]
By doing so, the N 2 gas after the first process gas flows 2 There is no need to purge or evacuate the reaction chamber with a gas, so that the sequence time is shortened and efficient film formation can be performed.
[0009]
This method can be suitably applied when the second process gas is used by being excited by plasma discharge or the like.
[0010]
Specifically, for example, dichlorosilane (DCS) and plasma-excited NH 3 When forming a SiN film by using DCS, purging after supplying DCS is performed using NH that is not subjected to plasma excitation. 3 Purge using.
[0011]
In a preferred embodiment of the present invention, the first process gas and the second process gas excited by the plasma discharge are alternately supplied into the reaction chamber to form a film on the substrate in the reaction chamber by the ALD method. In the semiconductor device manufacturing apparatus, when the second process gas is caused to flow in the discharge region where the plasma discharge is performed, the second process gas is caused to flow in the discharge region prior to performing the plasma discharge to prepare for the discharge. .
[0012]
When a process gas for performing a plasma discharge is supplied, if the process gas is supplied before the timing for performing the discharge, the discharge region is replaced with the process gas, and the entire discharge time is excited by desired radicals or the like. Useful for seed supply. This is particularly effective when evacuation time, which is a step before flowing the second process gas, is short, or when evacuation is not performed before flowing the second process gas.
[0013]
Specifically, for example, dichlorosilane (DCS) and plasma-excited NH 3 When forming a SiN film using 3 1 to 4 sec before the discharge of 3 It is good to start flowing.
[0014]
In addition, the above-mentioned purge, that is, NH that is not subjected to plasma excitation after DCS is supplied. 3 Can be performed at the same time as the purging performed, thereby increasing the effectiveness.
[0015]
In a preferred embodiment of the present invention, a semiconductor device manufacturing method in which a first process gas and a second process gas are alternately supplied into a reaction chamber and a film is formed on a substrate in the reaction chamber by an ALD method. In the apparatus, when the first process gas flows from the first nozzle, the second process gas flows from the second nozzle to N 2 Flow. Further, when the second process gas flows from the second nozzle, N flows from the first nozzle through which the first process gas flows. 2 Is more preferable.
[0016]
This can prevent one gas from entering the nozzle of the other gas, thereby shortening the purge time. In particular, when the nozzle shape is complicated, the effect is more remarkably exhibited. In the next step, N 2 When purging, N 2 Supply can be performed quickly.
[0017]
Specifically, dichlorosilane (DCS) and NH 3 In the step of supplying DCS when forming a SiN film using 3 From the nozzle of N 2 And NH 3 Is supplied from the DCS nozzle to N 2 So that it is flowing.
[0018]
In a preferred embodiment of the present invention, a semiconductor device manufacturing method in which a first process gas and a second process gas are alternately supplied into a reaction chamber and a film is formed on a substrate in the reaction chamber by an ALD method. In the apparatus, when the first process gas flows from the first nozzle, N flows from the second nozzle through which the second process gas flows. 2 After that, when the second process gas flows from the second nozzle, N gas is continuously supplied from the second nozzle. 2 To make it flow. More preferably, when the second process gas flows from the second nozzle, the first process gas flows from the first nozzle to N 2 Then, when the first process gas flows from the first nozzle, N gas is continuously supplied from the first nozzle. 2 To make it flow.
[0019]
In this way, in the next step N 2 When purging, N 2 Supply can be performed quickly. When supplying the process gas, 2 By reducing the flow rate, the influence on the supply of the process gas can be reduced.
[0020]
Specifically, dichlorosilane (DCS) and NH 3 DCS supply and N 2 After purging and evacuating,
[0021]
In a preferred embodiment of the present invention, a semiconductor device manufacturing method in which a first process gas and a second process gas are alternately supplied into a reaction chamber and a film is formed on a substrate in the reaction chamber by an ALD method. In the apparatus, when the first process gas flows from the first nozzle, N flows from the second nozzle through which the second process gas flows. 2 And from the second nozzle in a subsequent purge step 2 Try to reduce the flow rate. More preferably, when the second process gas flows from the second nozzle, N flows from the first nozzle through which the first process gas flows. 2 In the following purge step, N is supplied from the first nozzle. 2 Try to reduce the flow rate.
[0022]
In this way, when one gas is supplied, a large flow rate of N 2 Is flowing in the next purge step 2 By lowering the flow rate of the process gas, it is possible to quickly switch to the other process gas.
[0023]
Specifically, dichlorosilane (DCS) and NH 3 Is used to form a SiN film, and when DCS is supplied, NH 3 Large amount of N from the nozzle 2 Of DCS, N of DCS 2 In the purge step, NH 3 N from nozzle 2 By reducing the flow rate, NH 3 Replacement is faster.
[0024]
In a preferred embodiment of the present invention, a semiconductor device manufacturing method in which a first process gas and a second process gas are alternately supplied into a reaction chamber and a film is formed on a substrate in the reaction chamber by an ALD method. In the device,
After the first or second process gas is introduced into the reaction chamber, it is stored in the reaction chamber for a while. As a result, the diffusion of the process gas can be advanced, and the process gas can be adsorbed on the entire wafer.
[0025]
Specifically, dichlorosilane (DCS) and NH 3 When forming a SiN film and supplying DCS by closing the exhaust valve so that gas is stored in the reaction chamber, uniformity of the film thickness can be improved.
[0026]
Next, a film forming process using an ALD method, which is one of the CVD methods, will be described as an example of a process process on a substrate such as a wafer, which is a preferred embodiment of the present invention, with reference to the drawings.
[0027]
According to the ALD method, two kinds (or more) of raw material gases to be used for film formation are alternately supplied one by one to a substrate under a certain film formation condition (temperature, time, etc.), and one atomic layer unit is used. This is a method of forming a film by utilizing a surface reaction.
[0028]
That is, for example, in the case of forming a SiN (silicon nitride) film, DCS (SiH 2 Cl 2 , Dichlorosilane) and NH 3 High-quality film formation is possible at a low temperature of 300 to 600 ° C. using (ammonia). The gas supply alternately supplies a plurality of types of reactive gases one by one. Then, the film thickness is controlled by the number of cycles of the reactive gas supply (for example, when the film forming speed is 1 ° / cycle, when forming a 20 ° film, 20 cycles of processing are performed).
[0029]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a vertical type substrate processing furnace according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a vertical section of the processing furnace portion, and FIG. 2 shows a vertical type substrate processing furnace according to a preferred embodiment of the present invention. It is a schematic structure figure of a substrate processing furnace, and shows a processing furnace part in a cross section. A
[0030]
The
[0031]
The
[0032]
In the arc-shaped space between the inner wall of the
[0033]
A
[0034]
By adjusting the opening area and the opening pitch of the gas supply holes 248b from the upstream side to the downstream side, first, a gas having a difference in the gas flow velocity from each
[0035]
That is, in the
[0036]
Further, in the
[0037]
The
[0038]
Further, a
[0039]
The
[0040]
When the differential pressure between the
[0041]
A
[0042]
The
[0043]
(First Embodiment)
Next, DCS and NH will be described for an example of film formation by the ALD method. 3 An example in which a SiN film is formed using a gas will be described.
[0044]
First, the
[0045]
[Step 1]
In
[0046]
[Step 2]
In step 2, the valve 243a of the
[0047]
[Step 3]
In
[0048]
By supplying DCS, NH on the underlying film is reduced. 3 And DCS undergo a surface reaction to form a SiN film on the
[0049]
[Step 4]
After the film formation, the valve 243b is closed, the supply of DCS gas is stopped, the valve 243a is opened, and the NH flow rate adjusted by the
[0050]
[Step 5]
The residual DCS is removed from the
[0051]
[0052]
In the present embodiment, the purge after the supply of DCS is performed by NH that is not subjected to plasma excitation. 3 Therefore, N after supplying DCS 2 There is no need to perform gas purging or vacuum evacuation, so that the sequence time is shortened and efficient film formation can be performed.
[0053]
Also, NH 3 Prior to the gas discharge timing,
[0054]
The
[0055]
(Second embodiment)
In the present embodiment, in the step of supplying DCS, NHS is supplied. 3 N from supply nozzle 2 And NH 3 Is supplied from the DCS supply nozzle. 2 So that it is flowing.
[0056]
That is, while the
[0057]
Further, with the
[0058]
This can prevent one gas from entering the nozzle of the other gas, thereby shortening the purge time. In particular, when the nozzle shape is complicated, the effect is more remarkably exhibited. In the next step, N 2 When purging, N 2 Supply can be performed quickly.
[0059]
(Third embodiment)
In this embodiment mode, dichlorosilane (DCS) and NH 3 DCS supply and N 2 After purging and evacuating,
[0060]
That is, the
[0061]
Thereafter, the valve 243b of the
[0062]
After that, the
[0063]
In this way, in the next step N 2 When purging, N 2 Supply can be performed quickly. When supplying the process gas, 2 By reducing the flow rate, the influence on the supply of the process gas can be reduced.
[0064]
(Fourth embodiment)
In this embodiment mode, dichlorosilane (DCS) and NH 3 Is used to form a SiN film, and when DCS is supplied, NH 3 Large amount of N from the nozzle 2 Of DCS, N of DCS 2 In the purge step, NH 3 N from nozzle 2 By reducing the flow rate, NH 3 Faster replacement with
[0065]
That is, the
[0066]
Thereafter, the valve 243b of the
[0067]
After that, while the
[0068]
In this way, when one gas is supplied, a large flow rate of N 2 Is flowing in the next purge step 2 By lowering the flow rate of the process gas, it is possible to quickly switch to the other process gas.
[0069]
(Fifth embodiment)
In the present embodiment, dichlorosilane (DCS) and NH 3 When DCS is supplied when forming a SiN film by using the method described above, the
[0070]
Next, an outline of a semiconductor manufacturing apparatus which is an example of a substrate processing apparatus to which the present invention is suitably applied will be described with reference to FIGS.
On the front side inside the
[0071]
A
[0072]
The
[0073]
The
[0074]
When the
[0075]
When a predetermined number of
[0076]
When the processing on the
The transfer operation of the
[0077]
【The invention's effect】
According to the present invention, a first reaction gas and a second reaction gas are alternately supplied into a reaction chamber accommodating a substrate, such as an ALD method, to form a desired film on the substrate. And a substrate processing apparatus for performing efficient film formation in which the sequence time is short.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a vertical substrate processing furnace according to an embodiment of the present invention, and is a diagram illustrating a processing furnace portion in a vertical cross section.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a vertical type substrate processing furnace according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing a processing furnace portion in a cross section.
FIG. 3 is a schematic perspective view showing a vertical substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic vertical sectional view showing a vertical substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
100 ... cassette
101 ... housing
105: Cassette stage
109 ... cassette shelf
110 ... spare cassette shelf
112 ... Wafer transfer machine
113 ... Transfer elevator
114 ... Cassette transfer machine
115 ... Cassette elevator
116: Furnace shutter
118 ... Clean unit
121 ... Boat elevator
122 ... elevating member
123 ... Transfer shelf
124: transport control means
200 ... wafer
202: Processing furnace
203 ... reaction tube
207 ... heater
217 ... Boat
218 ... Quartz cap
219… Seal cap
220 ... O-ring
224: Plasma generation area
231 ... gas exhaust pipe
232a, 232b ... gas supply pipe
233 ... Nozzle
237 ... Buffer room
241a, 241b ... mass flow controller
243a, 243b, 243d ... valves
246 ... Vacuum pump
248a, 248b, 248c ... gas supply holes
249 ... Gas supply unit
267 ... Boat rotation mechanism
269, 270 ... rod-shaped electrode
271… Earth
272 ... matching device
273 ... High frequency power supply
275 ... Electrode protection tube
321 ... controller
Claims (1)
該反応室内への該第1の反応ガスの供給を停止した後に、該第2の反応ガスを該反応室内に供給することで、該第1の反応ガスを排出させる工程と、その後、第2の反応ガスを該基板上に吸着している該第1の反応ガスと反応させて該基板上に膜を成膜させる工程とが実行されることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for alternately supplying a first reaction gas and a second reaction gas into a reaction chamber containing a substrate, and forming a desired film on the substrate,
Stopping the supply of the first reaction gas into the reaction chamber and then supplying the second reaction gas into the reaction chamber, thereby discharging the first reaction gas; Reacting the reaction gas with the first reaction gas adsorbed on the substrate to form a film on the substrate.
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Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006088062A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device and substrate processing device |
JP2006278497A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for forming silicon nitride film, and its formation program |
US7442656B2 (en) | 2005-06-14 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming silicon oxide film |
JP2008306093A (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | Deposition method and apparatus |
US7632757B2 (en) | 2005-07-06 | 2009-12-15 | Tokyo Electron Limited | Method for forming silicon oxynitride film |
US7758920B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming silicon-containing insulating film |
US20100319619A1 (en) * | 2006-09-01 | 2010-12-23 | Tokyo Electron Limited | Oxidation method and apparatus for semiconductor process |
US7906168B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for forming silicon oxide film |
US7923378B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-04-12 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for forming silicon-containing insulating film |
KR101131709B1 (en) * | 2007-07-25 | 2012-04-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film formation method, apparatus for semiconductor process and computer readable medium |
US8168270B2 (en) | 2006-09-06 | 2012-05-01 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
JP2012114340A (en) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device and semiconductor device manufacturing method |
US8642486B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-02-04 | Tokyo Electron Limited | Thin film forming method, thin film forming apparatus, and program |
KR101369615B1 (en) | 2010-10-26 | 2014-03-03 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate process device and method for manufacturing semiconductor device |
KR20150142591A (en) | 2014-06-11 | 2015-12-22 | (주)디엔에프 | Novel amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si-N bond by using atomic layer deposition |
US20160155627A1 (en) * | 2014-02-12 | 2016-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
KR20160112954A (en) | 2015-03-20 | 2016-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus |
US9472393B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-10-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming silicon oxide film |
KR20170019668A (en) | 2015-08-12 | 2017-02-22 | (주)디엔에프 | The manufacturing method of the silicon nitride film by using plasma enhanced atomic layer deposition |
KR20170110518A (en) | 2016-03-23 | 2017-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Nitride film forming method and storage medium |
KR20180010994A (en) | 2016-07-22 | 2018-01-31 | (주)디엔에프 | The manufacturing method of the silicon nitride film by using plasma enhanced atomic layer deposition |
KR20180014661A (en) | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Method and apparatus for forming nitride film |
KR20180016951A (en) | 2016-08-08 | 2018-02-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus |
US10151029B2 (en) | 2016-08-08 | 2018-12-11 | Tokyo Electron Limited | Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus |
US10312078B2 (en) | 2016-03-23 | 2019-06-04 | Tokyo Electron Limited | Nitride film forming method and storage medium |
US10388511B2 (en) | 2017-05-24 | 2019-08-20 | Tokyo Electron Limited | Method of forming silicon nitride film, film forming apparatus and storage medium |
KR20200094662A (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film forming method |
US10748758B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-08-18 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus |
US10844487B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-11-24 | Tokyo Electron Limited | Film deposition method and film deposition apparatus |
KR20200136386A (en) | 2018-03-29 | 2020-12-07 | 스미토모 세이카 가부시키가이샤 | An aminosilane compound, and a composition for forming a silicone-containing film containing the aminosilane compound |
CN114908337A (en) * | 2022-05-27 | 2022-08-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor processing equipment |
US11952661B2 (en) | 2018-07-13 | 2024-04-09 | Tokyo Electron Limited | Deposition method |
-
2003
- 2003-03-18 JP JP2003073145A patent/JP2004281853A/en active Pending
Cited By (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2006088062A1 (en) * | 2005-02-17 | 2008-07-03 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
US8105957B2 (en) | 2005-02-17 | 2012-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of producing semiconductor device |
WO2006088062A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device and substrate processing device |
US8039404B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-10-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device |
US8227346B2 (en) | 2005-02-17 | 2012-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of producing semiconductor device |
US7779785B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device and substrate processing apparatus |
JP4546519B2 (en) * | 2005-02-17 | 2010-09-15 | 株式会社日立国際電気 | Manufacturing method of semiconductor device |
JP4607637B2 (en) * | 2005-03-28 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Silicon nitride film forming method, silicon nitride film forming apparatus and program |
JP2006278497A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for forming silicon nitride film, and its formation program |
US7625609B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-12-01 | Tokyo Electron Limited | Formation of silicon nitride film |
US7442656B2 (en) | 2005-06-14 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming silicon oxide film |
US7632757B2 (en) | 2005-07-06 | 2009-12-15 | Tokyo Electron Limited | Method for forming silicon oxynitride film |
US7758920B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming silicon-containing insulating film |
US20100319619A1 (en) * | 2006-09-01 | 2010-12-23 | Tokyo Electron Limited | Oxidation method and apparatus for semiconductor process |
US8168270B2 (en) | 2006-09-06 | 2012-05-01 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
TWI462179B (en) * | 2006-09-28 | 2014-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Film formation method and apparatus for forming silicon oxide film |
US7906168B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for forming silicon oxide film |
JP2008306093A (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | Deposition method and apparatus |
TWI478238B (en) * | 2007-06-11 | 2015-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
KR101131709B1 (en) * | 2007-07-25 | 2012-04-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film formation method, apparatus for semiconductor process and computer readable medium |
US7923378B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-04-12 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for forming silicon-containing insulating film |
US8357619B2 (en) | 2008-02-01 | 2013-01-22 | Tokyo Electron Limited | Film formation method for forming silicon-containing insulating film |
US9593422B2 (en) | 2010-10-26 | 2017-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
KR101369600B1 (en) | 2010-10-26 | 2014-03-04 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate process device and method for manufacturing semiconductor device |
KR101369615B1 (en) | 2010-10-26 | 2014-03-03 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate process device and method for manufacturing semiconductor device |
US9175395B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-11-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US9963785B2 (en) | 2010-10-26 | 2018-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP2012114340A (en) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device and semiconductor device manufacturing method |
US8642486B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-02-04 | Tokyo Electron Limited | Thin film forming method, thin film forming apparatus, and program |
US20160155627A1 (en) * | 2014-02-12 | 2016-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
US9728400B2 (en) * | 2014-02-12 | 2017-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
US9472393B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-10-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming silicon oxide film |
KR20150142591A (en) | 2014-06-11 | 2015-12-22 | (주)디엔에프 | Novel amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si-N bond by using atomic layer deposition |
US9916974B2 (en) | 2014-06-11 | 2018-03-13 | Dnf Co., Ltd. | Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition |
KR20160112954A (en) | 2015-03-20 | 2016-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus |
KR20170019668A (en) | 2015-08-12 | 2017-02-22 | (주)디엔에프 | The manufacturing method of the silicon nitride film by using plasma enhanced atomic layer deposition |
US10312078B2 (en) | 2016-03-23 | 2019-06-04 | Tokyo Electron Limited | Nitride film forming method and storage medium |
US9972486B2 (en) | 2016-03-23 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Nitride film forming method and storage medium |
KR20170110518A (en) | 2016-03-23 | 2017-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Nitride film forming method and storage medium |
KR20180010994A (en) | 2016-07-22 | 2018-01-31 | (주)디엔에프 | The manufacturing method of the silicon nitride film by using plasma enhanced atomic layer deposition |
KR20180014661A (en) | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Method and apparatus for forming nitride film |
US10304676B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-05-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for forming nitride film |
KR20180016951A (en) | 2016-08-08 | 2018-02-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus |
US10151029B2 (en) | 2016-08-08 | 2018-12-11 | Tokyo Electron Limited | Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus |
TWI702304B (en) * | 2016-08-08 | 2020-08-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Silicon nitride film deposition method and deposition device |
US10844487B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-11-24 | Tokyo Electron Limited | Film deposition method and film deposition apparatus |
US10388511B2 (en) | 2017-05-24 | 2019-08-20 | Tokyo Electron Limited | Method of forming silicon nitride film, film forming apparatus and storage medium |
TWI721271B (en) * | 2017-05-24 | 2021-03-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Method and device for depositing silicon nitride film |
US10748758B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-08-18 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus |
KR20200136386A (en) | 2018-03-29 | 2020-12-07 | 스미토모 세이카 가부시키가이샤 | An aminosilane compound, and a composition for forming a silicone-containing film containing the aminosilane compound |
US11952661B2 (en) | 2018-07-13 | 2024-04-09 | Tokyo Electron Limited | Deposition method |
KR20200094662A (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film forming method |
US11404265B2 (en) | 2019-01-30 | 2022-08-02 | Tokyo Electron Limited | Film deposition method |
KR102640001B1 (en) | 2019-01-30 | 2024-02-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film forming method |
CN114908337A (en) * | 2022-05-27 | 2022-08-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor processing equipment |
CN114908337B (en) * | 2022-05-27 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor processing equipment |
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