JP2004261801A - Device and method for curing and device for forming application film - Google Patents

Device and method for curing and device for forming application film Download PDF

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智弘 井関
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Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique to reduce the temperature for curing in a cure unit in which a substrate on which application liquid is applied such as a wafer is heated and an application film on the wafer is cured.
SOLUTION: In the above cure unit(a cure unit 3), the wafer W on which the application liquid is applied is put on a heat plate 32 in a first processing chamber S1 and bake processing is conducted by heating the wafer at a first temperature. In the state where the above wafer is put on the heat plate 32, the application film on the wafer is cured by heating the wafer on the heat plate 32 at a higher temperature of curing process than the first temperature, irradiating ultraviolet rays toward the wafer.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやFPD基板(フラットパネルディスプレイ用基板)等の基板に層間絶縁膜等の塗布膜を形成するための硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置に関する。 The present invention is, for example, hardening processing apparatus and method for forming a coating film such as an interlayer insulating film on a substrate such as a semiconductor wafer or a FPD substrate (substrate for a flat panel display), and to a coating film forming apparatus.

半導体デバイスの製造工程において、例えばSOD(Spin on Dielectric)システムにより層間絶縁膜を形成する場合がある。 In the manufacturing process of semiconductor devices, there is a case of forming an interlayer insulating film by, for example, SOD (Spin on Dielectric) system. このSODシステムでは、例えば半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)上に塗布材料をスピンコートし、次いで加熱等の物理的処理や化学的処理を施して、層間絶縁膜を形成している。 This SOD system, for example by spin coating a coating material on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer"), then subjected to physical treatment or chemical treatment such as heating, to form an interlayer insulating film. 具体的には例えばシクロブテン系ポリマーの絶縁膜材料の1つである商品名シルクよりなる塗布液を用いた処理の場合、塗布液が塗布されたウエハに対して例えば320℃程度の温度で1分程度加熱するベーク処理を行った後、450℃程度、酸素濃度が20ppm以下の条件で5分程度キュア処理を行なうことにより、塗布膜を硬化させて層間絶縁膜を形成している。 Specifically, if treatment with tradename coating solution consisting of silk, which is one of the insulating film material of example cyclobutene-based polymer, 1 minute at a temperature of, for example, about 320 ° C. relative to the coating solutions are coated wafer after the baking process of degree heat, about 450 ° C., by the oxygen concentration is carried out for 5 minutes to cure treatment under the following conditions 20 ppm, and an interlayer insulating film to cure the coating film.

前記キュア処理を行う装置としては、塗布液が塗布されたウエハを一枚ずつ加熱するための第1の処理室と、加熱処理されたウエハを冷却すると共に、第1の処理室に対してキュア装置の外部からウエハを受け渡しを行うための冷却処理室と、を備えた構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 Said as a device for performing curing process, to cool the first treatment chamber for the coating solution is heated one by one coated wafer, the heated processed wafer, curing the first processing chamber configuration and a cooling processing chamber for the wafers for transferring from an external device has been proposed (e.g., see Patent Document 1). 前記第1の処理室では設定温度が200〜470℃に設定可能なホットプレートの表面にウエハを載置することにより、所定のキュア処理が行われる。 Wherein the first processing chamber by setting the temperature to place the wafer on the surface of the settable hotplate 200-470 ° C., a predetermined curing treatment is performed.

特開2000−124206号公報 JP 2000-124206 JP

しかしながら、特許文献1の構成では、商品名シルクよりなる塗布液を用いる場合、キュア処理の温度が450℃程度必要であるが、このような高温で処理を行うと、パターンの微細化が進む将来では、熱によりデバイスに悪影響を及ぼす懸念がある。 However, in the configuration of Patent Document 1, when using a coating solution consisting of trade name silk, the temperature of the curing process is necessary about 450 ° C., when performing processing at such a high temperature, future miniaturization of patterns proceeds So there is a bad influence concerns a device by heat.

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板に紫外線を照射しながら、塗布膜を硬化させるための硬化処理を行うことにより、硬化処理時の処理温度を低下させる技術を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and its object is, while irradiating ultraviolet rays to the substrate, by performing the curing treatment for curing the coating film, lowering the processing temperature during the curing process to provide a technique for.

本発明の硬化処理装置は、塗布液が塗布された基板を加熱することにより基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理装置において、塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ所定温度に加熱するための第1の処理室と、この第1の処理室に設けられ、加熱プレートに載置された基板に対して紫外線を照射するための第1の照射部と、前記第1の処理室と連通して接続され、塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整するための第2の処理室と、を備えたことを特徴とする。 Curing apparatus of the present invention is a curing apparatus for curing the coating film on the substrate by heating the substrate on which the coating liquid has been applied, by placing the substrate on which the coating liquid has been applied to the heating plate, the a first processing chamber for heating to a predetermined temperature the substrate one by one, is provided to the first process chamber, a first illumination for irradiating the ultraviolet rays substrate placed in a heating plate and parts, are connected in communication with the first processing chamber, adjusting the substrate coating liquid has been applied is placed on the temperature control plate, the substrate to a temperature lower than the processing temperature of the curing treatment one by one a second processing chamber for, characterized by comprising a.

ここで前記温調プレートは、例えば第1の処理室の加熱プレートの上方側の位置と第2の処理室との間を移動自在に構成される。 Wherein said temperature control plate, for example movably configured between the upper side of the position of the first processing chamber heating plate and the second processing chamber. この場合、例えば加熱プレートに載置された基板を昇降部材により上昇させた後、基板と加熱プレートとの間に温調プレートを進入させ、次いで昇降部材を降下させることにより、加熱プレートから温調プレートに基板が受け渡されるように構成される。 In this case, for example, after the substrate placed in a heating plate is raised by the lifting member, thereby advancing the temperature control plate between the substrate and the heating plate, then by lowering the lifting member, the temperature control of the heating plate plate configured so that the substrate is delivered to. また前記第1の処理室と第2の処理室との間に形成された温調プレートの通過口には、この通過口を開閉するためのシャッタが設けられている。 Further the first processing chamber and the passage openings of the temperature control plate which is formed between the second processing chamber is provided with a shutter for opening and closing the passage port.

さらに本発明では、前記第1の処理室では塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して第1の温度で加熱する加熱処理と、加熱処理が行われた基板を前記加熱プレートに載置したまま、引き続き第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱しながら基板に対して紫外線を照射して基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理と、を行うための制御部を備えるようにしてもよいし、前記第2の処理室では塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して第1の温度で加熱する加熱処理を行い、第1の処理室では加熱処理が行われた基板を加熱プレートに載置し、第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱しながら基板に対して紫外線を照射して基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理を行うための制御部を備えるようにしてもよい。 Further, in the present invention, a heat treatment wherein the first processing chamber is heated at a first temperature by placing the substrate on which the coating liquid has been applied to the heating plate, the substrate heat treatment is performed on the heating plate while placed, a control unit for performing a curing process to cure the coating film on the substrate, the continues irradiated with ultraviolet light to the first substrate while heating at a temperature of higher curing than the temperature it may be, in the second process chamber performing heat treatment for heating at a first temperature by placing the substrate on which the coating liquid has been applied to the temperature control plate, the heat treatment in the first treatment chamber was placed on the heating plate substrate is performed, the ultraviolet is irradiated with for performing the curing treatment to cure the coating film on the substrate relative to the substrate while heating at a temperature of higher curing than the first temperature it may be provided with a control unit of.

このような硬化処理装置では、基板に対して紫外線を照射しながら、この基板を加熱することにより基板上の塗布膜を硬化させているので、紫外線を照射しない場合に比べて低い温度で塗布膜の硬化を図ることができ、デバイスへの熱による悪影響の発生を抑えることができる。 In such curing devices, while irradiating ultraviolet rays to the substrate, since the cured coating film on the substrate by heating the substrate, the coating film at a temperature lower than without irradiation with ultraviolet light it is possible to cure, it is possible to suppress the generation of adverse effects of heat to the device.

また本発明では、塗布膜が硬化された基板に第1の照射部とは異なる波長の紫外線を照射するための第2の照射部をさらに備えるようにしてもよい。 In the present invention, it may further comprise a second irradiation section for irradiating the ultraviolet rays having a wavelength different from the first irradiation unit to the substrate the coating film is cured. この際例えば前記第2の照射部を前記第2の処理室に設け、温調プレートに載置された基板に対して所定の波長の紫外線を照射するようにしてもよい。 In this case for example provided with the second irradiation unit to the second processing chamber may be irradiated with ultraviolet light of a predetermined wavelength with respect to substrate placed in a temperature control plate. さらに本発明では、前記第1の処理室と第2の処理室とに不活性ガスを供給するための不活性ガス供給部と、前記第1の処理室と第2の処理室とを排気するための排気手段と、を備えるようにしてもよい。 Further, in the present invention, the exhaust the first process chamber and the inert gas supply unit for supplying an inert gas into the second process chamber, and said first processing chamber and the second process chamber and exhaust means for, may include a. ここで前記塗布膜は絶縁膜であり、第1の照射部から基板に照射される紫外線は波長が300nm〜400nmの紫外線である。 Wherein the coating film is an insulating film, ultraviolet light emitted from the first irradiation unit to the substrate is ultraviolet radiation having a wavelength of 300 nm to 400 nm. また前記加熱処理はベーク処理である。 Also, the heat treatment is a baking process. さらに第2の照射部から基板に紫外線を照射することにより絶縁膜の改質処理を行うようにしてもよい。 It may perform modification process of the insulation film by further irradiation of ultraviolet rays from the second irradiation unit to the substrate.
また上記硬化処理装置において、前記加熱プレートを上下方向に移動可能にしてもよいし、更に前記第1の処理室内に、第1の照射部の劣化を判断するセンサと、前記センサからの信号に基づいて、前記加熱プレートを上昇させる制御部と、を備えるようにしてもよい。 In the curing processing apparatus, to the heating plate may be movable in the vertical direction, the further the first processing chamber, a sensor for determining the deterioration of the first irradiating unit, a signal from the sensor based on a control unit to increase the heating plate, it may be provided with a. 更にまた上記硬化処理装置において、前記第1の照射部は2つの異なった波長の紫外線を照射するようにしてもよい。 In still yet the curing device, the first irradiation unit may be irradiated with ultraviolet light of two different wavelengths. この場合、第1の照射部は、第1の処理室と第2の処理室との間を移動することができる。 In this case, the first illumination unit is able to move between a first process chamber and the second process chamber.

このような硬化処理装置では、例えば塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ第1の温度に加熱する加熱処理工程と、次いで加熱処理が行われた基板を前記加熱プレートに載置したまま、引き続き前記基板を一枚ずつ第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱しながら、この基板に所定の波長の紫外線を照射して、基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理工程と、を含むことを特徴とする硬化処理方法や、 In such curing devices, for example, by placing a coating liquid is coated substrate to the heating plate, a heating treatment step of heating the substrate to a first temperature one by one, and then heat treatment is performed the substrate while placed on the heating plate, while continuing heating the substrate to a temperature of higher curing than the first temperature one by one, by irradiating ultraviolet rays of a predetermined wavelength on the substrate, on the substrate hardening method which comprises and a curing treatment step of curing the coating film and,
塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ第1の温度に加熱する加熱処理工程と、次いで加熱処理が行われた基板が載置された温調プレートを加熱プレートの上方側に位置させ、加熱プレートから昇降機構を上昇させて温調プレート上の基板を昇降機構に受け取らせ、次いで温調プレートを加熱プレートの外方側に移動させた後昇降機構を下降させることにより、前記基板を温調プレートから加熱プレートに受け渡し、前記基板を加熱プレートにより一枚ずつ第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱しながら、この基板に所定の波長の紫外線を照射して、基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理工程と、を含むことを特徴とする硬化処理方法が実施される。 The substrate coating solutions are coated by placing in temperature control plate, and the heat treatment step of heating the substrate to a first temperature one by one, then temperature control of the substrate heat treatment is performed is placed plates were positioned on the upper side of the heating plate, raises the lifting mechanism from the heating plates were received substrate temperature control plate to the lifting mechanism, then, after moving the temperature control plate on the outer side of the heating plate lift by lowering mechanism, passing the heated plate the substrate from the temperature control plate, while heating to a temperature of higher curing than the first temperature by sheet by the heating plate said substrate, the predetermined wavelength on the substrate ultraviolet is irradiated with, hardening method which comprises a curing treatment step of curing the coating film on the substrate, a is performed. この際、前記硬化処理工程の後に行われ、塗布膜が硬化された基板に対して塗布膜の硬化処理とは異なる波長の紫外線を照射し、前記塗布膜の改質を行う改質工程をさらに備えるようにしてもよい。 At this time, the place after the hardening treatment process is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength different from the curing of the coating film to the substrate where the coating film is cured, further said modifying step for modifying the coating film it may be provided.

また本発明の塗布膜形成装置では、基板に塗布液を塗布するための塗布ユニットと、前記塗布ユニットにおいて、塗布液が塗布された基板上の塗布液を硬化させる硬化処理装置と、前記塗布ユニットと前記硬化処理装置との間で基板を搬送するための搬送手段とを有し、前記硬化処理装置は、塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ所定温度に加熱するための第1の処理室と、この第1の処理室に設けられ、加熱プレートに載置された基板に対して紫外線を照射するための第1の照射部と、前記第1の処理室と連通して接続され、塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整するための第2の処理室と、を備えたことを特徴とする。 In the coating film forming apparatus of the present invention also includes a coating unit for coating a coating liquid on a substrate, in the coating unit, a curing apparatus for curing the coating solution on the substrate coating liquid has been applied, the coating unit and a conveying means for conveying the substrate between said curing device, the curing device is to place the substrate in which the coating liquid has been applied to the heating plates, one by one said substrates a first processing chamber for heating to a predetermined temperature, is provided to the first process chamber, a first irradiation section for irradiating ultraviolet rays substrate placed in a heating plate, said first is connected in communication with the first processing chamber, the substrate on which the coating liquid has been applied is placed on the temperature control plate, the second for adjusting the substrate to a temperature lower than the processing temperature of the curing treatment one by one characterized by comprising a processing chamber, a.

本発明によれば、塗布膜の硬化処理時に紫外線を照射しているので、硬化処理の温度を低下させることができる。 According to the present invention, since the irradiation of ultraviolet rays during the curing process of the coating film, the temperature of the curing process can be reduced.

以下に本発明の硬化処理装置が組み込まれた塗布膜形成装置の一実施の形態について、例えば商品名「シルク」よりなる塗布液を用いてSiO2膜よりなる層間絶縁膜を形成する場合を例にして説明する。 An embodiment of the curing device integrated coating film forming apparatus of the present invention below, for example, as an example the case of forming an interlayer insulating film composed of SiO2 film by using a coating solution consisting of trade name "Silk" It described Te. ここで、図1は本発明の塗布膜形成装置の一実施の形態に係る全体構成を示す平面図であって、図2はその概略斜視図、図3はその縦断側面図である。 Here, FIG. 1 is a plan view showing the overall arrangement according to an embodiment of the coating film forming apparatus of the present invention, FIG. 2 is its schematic perspective view, FIG. 3 is a vertical sectional side view.

図中B1は、例えば25枚の基板であるウエハWが収納された基板キャリアC(以下[キャリア]という)を搬入出するためのキャリアブロックであり、このキャリアブロックB1は、前記キャリアCを載置するキャリア載置部21と、受け渡し手段22と、を備えている。 Figure B1 is a carrier block for example, the wafer W is 25 sheets of substrates carried into and out housed a substrate carrier C (hereinafter referred to as Carrier]), the carrier block B1 is mounting the carrier C It includes a carrier mounting section 21 for location, and transfer means 22. 前記受け渡し手段22は、キャリアCからウエハWを取り出し、この取り出したウエハWをキャリアブロックB1に隣接して設けられている処理ブロックB2へと受け渡すように、左右、前後に移動自在、昇降自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。 Said transfer means 22 takes out the wafer W from the carrier C, as passed and the extracted wafer W to the processing block B2 that is provided adjacent to the carrier block B1, lateral, movable back and forth, vertically movable , and is configured to be rotatable about a vertical axis.

処理ブロックB2の中央には搬送手段をなす主搬送手段23が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット(SCT)24が、手前側、奥側には複数の処理ユニットを多段に積み重ねた棚ユニットU1,U2が夫々配置されている。 The central processing block B2 a main carrier unit 23 is provided which forms the conveying means, a plurality of coating units (SCT) 24 is to the right as viewed for example the rear surround this front side to the rear side the shelf units U1, U2 stacked a plurality of processing units in multiple stages are respectively arranged. 前記棚ユニットU1,U2は、塗布ユニット24における処理の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わせは例えば図3に示すように、例えば塗布液の塗布前にウエハを所定温度に温調するための温調ユニット(CPL)25、ウエハを加熱して塗布膜を硬化させる処理を行う硬化処理装置をなすキュアユニット(DLC)3が含まれる。 The shelf units U1, U2 is intended to be constructed by combining various and units for performing pre-processing and post-processing in the coating unit 24, the combination is as shown in FIG. 3, for example, for example, the coating liquid temperature control unit for regulating the temperature of the wafer to a predetermined temperature before coating (CPL) 25, includes curing unit (DLC) 3 constituting a curing treatment apparatus for performing a process to cure the coating film by heating the wafer. また棚ユニットU1については、ウエハWを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニット(TRS)26も組み込まれる。 With respect to the shelf units U1, transit unit (TRS) 26 having a delivery table for transferring wafers W is also incorporated.

図3に示す棚ユニットU1,U2の構成は一例であり、これら棚ユニットU1,U2には、ウエハWに施される処理に応じて、既述の処理ユニット以外の処理ユニットを配設してもよいし、所為ユニットの個数やレイアウトは任意に選択できる。 Configuration of the shelf units U1, U2 shown in FIG. 3 is an example, these shelf units U1, U2, depending on the processing to be performed on the wafer W, by disposing a processing unit other than the above-described processing units may be, deed unit number and layout can be arbitrarily selected. 上述した主搬送手段23は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット24及び棚ユニットU1,U2を構成する各ユニット間でウエハWの受け渡しを行うことが可能となっている。 Main transfer means 23 described above is configured to freely rotate about and vertical axis movable for example lifting and back and forth, transferring the wafer W between the units constituting the coating unit 24 and the shelf units U1, U2 it is possible.

続いて上述のキュアユニット3について図4,図5により説明するが、このキュアユニット3は既述のように本発明の硬化処理装置をなすものであり、塗布膜を焼成して硬化させるための硬化処理を行うユニットである。 Then the curing unit 3 above 4, is illustrated by FIG. 5, the curing unit 3, which form a curing apparatus of the present invention as described above, for curing by baking a coating film it is a unit for performing a curing process. 図中30はケーシングであり、このケーシング30内部は仕切り板31により二分割され、図中左側が第1の処理室S1、右側が第2の処理室S2として形成されている。 Figure 30 is a casing, inside the casing 30 is divided into two parts by a partition plate 31, the left side in the figure is the first processing chamber S1, the right are formed as a second processing chamber S2. これら処理室S1,S2は密閉可能に構成され、各処理室S1,S2内は所定の雰囲気に設定できるようになっている。 These processing chambers S1, S2 are configured to be closed, each of the processing chambers S1, the S2 is adapted to be set to a predetermined atmosphere.

第1の処理室S1の内部には、ウエハWを載置して加熱するための、例えば平面形状が円形の加熱プレート32が設けられている。 Inside the first processing chamber S1, for mounting and heating the the wafer W, for example, the planar shape is circular heating plates 32 are provided. この加熱プレート32は例えば熱伝導性に優れた、例えば炭化ケイ素や窒化アルミニウムなどのセラミックスにより構成されている。 The heating plate 32 is composed of ceramics, for example excellent thermal conductivity, such as silicon carbide or aluminum nitride. また加熱プレート32には、加熱手段であるヒータ33が内蔵されており、これにより加熱プレート32に載置されたウエハWは例えば300℃〜470℃に加熱されるようになっている。 Also in the heating plate 32 has a heater 33 is built as a heating means, the wafer W mounted on the heating plate 32 by which is adapted to be heated, for example, 300 ° C. to 470 ° C.. 図中34はヒータ33の電源部であり、制御部Cにより電源部34からヒータ33への電力供給量が制御され、加熱プレート32が所定の温度に維持されるようになっている。 Figure 34 is a power source of the heater 33, the power supply from the power supply unit 34 to the heater 33 is controlled by the control station C, a heating plate 32 is adapted to be maintained at a predetermined temperature.

図中35はウエハWの裏面側を支持して昇降するための昇降ピンであり、この昇降ピン35は昇降機構36により昇降自在に構成されている。 Figure 35 is a lifting pin for lifting and supporting the back side of the wafer W, the lift pins 35 are configured to be movable up and down by an elevating mechanism 36. この昇降機構36の駆動は制御部Cにより制御され、これにより昇降ピン35はウエハWを所定のタイミングで所定の高さに昇降できるようになっている。 Driving of the elevating mechanism 36 is controlled by the control station C, a thereby elevating pins 35 is adapted to be lifting the wafer W to a predetermined height at a predetermined timing. この例では、昇降ピン35と昇降機構36とにより特許請求の範囲の昇降部材が構成されている。 In this example, the lifting member in the claims is composed of the lift pins 35 and the elevating mechanism 36.

そして第1の処理室S1内部の上部側には、加熱プレート32とほぼ対向する位置に第1の照射部41が設けられており、この照射部41には加熱プレート32に載置されたウエハWの表面全体に所定の範囲例えば100nm〜500nm程度の波長の硬化処理用の紫外線を照射するための第1の光源42を備えている。 Wafer and the upper side of the inside the first processing chamber S1, the heating plate 32 and has a first irradiation unit 41 is provided substantially opposite positions, to the irradiation unit 41 which is placed on the heating plate 32 and a first light source 42 for irradiating ultraviolet rays for curing the wavelength of about predetermined range, for example 100nm~500nm to W across the surface of the. 図中43はこの光源42のコントローラであり、このコントローラ43を介して制御部Cにより光源42への電力供給量や光源42の波長が制御されるようになっている。 Figure 43 is a controller of the light source 42, the wavelength of the electric power supply amount and the light source 42 to the light source 42 by the control unit C via the controller 43 are controlled.

ここで有機SOD膜についてキュア処理を行う場合には、波長200nm〜400nm、照射量100J/cm2〜500J/cm2(J/cm2:照射量(積算光量)単位)程度、無機SOD膜についてキュア処理を行う場合には、波長100nm〜200nm、照射量100J/cm2〜300J/cm2程度に設定することが好ましい。 Here, when performing the curing treatment for the organic SOD film, wavelength 200 nm to 400 nm, dose 100J / cm2~500J / cm2: about (J / cm @ 2 irradiation amount (cumulative amount) units), a curing treatment for the inorganic SOD film when performing the wavelength 100 nm to 200 nm, it is preferably set to about dose 100J / cm2~300J / cm2.

また第1の処理室S1のケーシング30の側面には、例えば図示しない供給源から第1の処理室S1内に不活性ガス例えばヘリウムガスや窒素ガスなどを供給するための不活性ガス供給部37が設けられている。 Also on the side surface of the casing 30 of the first processing chamber S1, for example, inert gas supply unit for supplying the like from a supply source (not shown) into the first processing chamber S1 inert gas such as helium gas or nitrogen gas 37 It is provided. さらに第1の処理室S1のケーシング30の底面には、当該処理室内の雰囲気を排気するための排気路38が接続されている。 Further the bottom surface of the casing 30 of the first processing chamber S1, an exhaust passage 38 for exhausting the atmosphere in the process chamber is connected. こうして第1の処理室S1内を排気する一方、不活性ガスを供給することにより、当該処理室S1内を所定の雰囲気例えば酸素濃度が5ppm〜20.6%の低酸素雰囲気に維持することができる。 Thus while evacuating the first processing chamber S1, by supplying an inert gas, that the treatment chamber S1 is a predetermined atmosphere such as oxygen concentration is maintained in a low oxygen atmosphere 5Ppm~20.6% it can.

続いて第2の処理室S2について説明する。 Then the second processing housing S2 will be described. この第2の処理室S2の内部には、ウエハを載置して所定温度に温調するための、例えば板状の温調プレート51が設けられている。 Inside the second processing chamber S2, for temperature control to a predetermined temperature by placing the wafer, for example, plate-shaped temperature control plate 51 is provided. この温調プレート51は、ウエハが載置されたときに、ウエハ裏面側全体が温調プレート51表面と接触する大きさに設定され、例えば熱伝導性に優れた、例えば炭化ケイ素や窒化アルミニウムなどのセラミックスにより構成されている。 The temperature control plate 51, when the wafer is placed, is set to a size that the entire wafer back side is in contact with the temperature control plate 51 surface, for example, excellent thermal conductivity, for example silicon carbide or aluminum nitride, etc. It is constituted by ceramic. またこのプレート51には、所定温度に調整された冷媒が通流するための冷媒流路52が形成されており、こうして温調プレート51に載置されるウエハWが例えば15℃〜50℃から選ばれる所定の温度に調整されるようになっている。 Further to the plate 51, the refrigerant which has been adjusted to a predetermined temperature is formed a coolant flow passage 52 for flowing, thus the wafer W, for example, 15 ° C. to 50 ° C., which is placed on the temperature control plate 51 It is adapted to be adjusted to a predetermined temperature chosen. 図中53は前記冷媒流路52に冷媒を循環供給するための供給路、54は冷媒の温度調整部である。 Figure 53 supply channel for circulating and supplying a coolant to said coolant channel 52, 54 is a temperature adjusting unit of the refrigerant. 前記温度調整部54は制御部Cにより制御され、これにより温調プレート51が所定の温度に維持されるようになっている。 The temperature adjuster 54 is controlled by the control station C, a thereby adapted to the temperature control plate 51 is maintained at a predetermined temperature.

この温調プレート51は、例えば水平駆動部55により、第2の処理室S2の内部をX方向(第2の処理室S2側から第1の処理室S1側に向かう方向)に敷設されたガイドレール56に沿って、第2の処理室S2内と第1の処理室S1の加熱プレート32の上方側の位置との間で、略水平方向に移動自在に構成されている。 The temperature control plate 51, for example by the horizontal driving unit 55, the inside of the second processing housing S2 laid in X direction (direction from the second processing chamber side S2 in the first processing chamber S1 side) guide along the rails 56, between the upper side of the position of the second processing housing S2 in the heating plate 32 of the first processing chamber S1, it is movably configured in a substantially horizontal direction.

また温調プレート51には、図5に示すように、スリット状の切り欠き51a,51bが形成されている。 Also the temperature control plate 51, as shown in FIG. 5, a slit-shaped notches 51a, 51b are formed. この切り欠き51a,51bは、温調プレート51を加熱プレート32の上方側に位置させた状態で、加熱プレート32の昇降ピン35を昇降させたときに、昇降ピン35が干渉しない位置に形成されている。 The notches 51a, 51b is a temperature control plate 51 in a state of being positioned on the upper side of the heating plate 32, when brought into lifting the lift pins 35 of the heating plate 32, is formed at a position elevating pins 35 do not interfere ing. これにより温調プレート51と加熱プレート32との間でウエハの受け渡しが行われるようになっている。 Thereby so transfer of the wafer is carried out between the temperature control plate 51 and the heating plate 32.

つまり温調プレート51に載置されたウエハWを加熱プレート32に受け渡す場合には、前記温調プレート51を加熱プレート32の上方側に位置させ、昇降ピン35を上昇させて当該昇降ピン35にウエハを受け取らせ、次いで温調プレート51を第2の処理室S2に退行させ、この後昇降ピン35を下降させることにより、ウエハWが温調プレート51から加熱プレート32に受け渡される。 That is, if passing the wafer W mounted on the temperature control plate 51 to the heating plate 32, the temperature control plate 51 is positioned on the upper side of the heating plate 32, the raising the lift pins 35 lift pins 35 to thereby receive the wafer, and then regress the temperature control plate 51 to the second processing chamber S2, by lowering the lift pins 35 Thereafter, the wafer W is delivered from the temperature control plate 51 to the heating plate 32. また加熱プレート32に載置されたウエハWを温調プレート51に受け渡す場合には、昇降ピン35を上昇させて加熱プレート32から当該昇降ピン35にウエハを受け取らせ、次いで温調プレート51をウエハWと加熱プレート31との間に位置させ、この後昇降ピン35を下降させることにより、ウエハWが加熱プレート32から温調プレート51に受け渡される。 Further, when transferring the wafer W mounted on the heating plate 32 to the temperature control plate 51 causes receive the wafer to the lift pins 35 from the heating plate 32 to raise the lift pins 35, then the temperature control plate 51 a wafer W is positioned between the heating plate 31, by lowering the lift pins 35 Thereafter, the wafer W is delivered from the heating plate 32 to the temperature control plate 51.

そして第2の処理室S2内部の上部側には、温調プレート51とほぼ対向する位置に、温調プレート51に載置されたウエハWの表面全体に改質用の紫外線を照射するための第2の照射部44が設けられており、この照射部44には温調プレート51に載置されたウエハに所定の範囲例えば100nm〜300nm程度の波長の改質用の紫外線を照射するための第2の光源45を備えている。 And of the upper side inside the second processing chamber S2, substantially opposite positions with temperature control plate 51, for irradiating ultraviolet rays for modifying the entire surface of the wafer W mounted on the temperature control plate 51 is provided with a second irradiation section 44, for irradiating ultraviolet rays for modifying the wavelength of about predetermined range, for example 100nm~300nm to the placed wafer temperature control plate 51 in the irradiation unit 44 and a second light source 45. 図中46はこの光源45のコントローラであり、このコントローラ45を介して制御部Cにより光源45への電力供給量や光源45の波長が制御されるようになっている。 Figure 46 is a controller of the light source 45, the wavelength of the electric power supply amount and the light source 45 to the light source 45 by the control unit C via the controller 45 is adapted to be controlled. ここで改質処理を行う場合には、有機SOD膜、無機SOD膜共に、波長150nm〜200nm、照射量100mJ/cm2程度に設定することが好ましい。 When performing where modification treatment, an organic SOD film, an inorganic SOD film both wavelength 150 nm to 200 nm, is preferably set to about dose 100 mJ / cm @ 2.

また第2の処理室S2のケーシング30の側面には、例えば図示しない供給源から第2の処理室S2内に不活性ガス例えばヘリウムガスや窒素ガスなどを供給するための不活性ガス供給部57が設けられている。 Also on the side surface of the casing 30 of the second processing chamber S2, for example, an inert gas supply for supplying the like from a supply source (not shown) into the second processing chamber S2 inert gas such as helium gas or nitrogen gas 57 It is provided. また第2の処理室S2のケーシング30の底面には、当該処理室内の雰囲気を排気するための排気路58が接続されている。 Also on the bottom surface of the casing 30 of the second processing chamber S2, the exhaust passage 58 for exhausting the atmosphere in the process chamber is connected. こうして第2の処理室S2内を排気する一方、不活性ガスを供給することにより、第2の処理室S2内を所定の雰囲気例えば酸素濃度が5ppm〜20.5%の低酸素雰囲気に維持することができる。 Thus while exhausting the second processing chamber S2, by supplying the inert gas, a predetermined atmosphere such as oxygen concentration in the second processing chamber S2 is maintained in a low oxygen atmosphere 5Ppm~20.5% be able to.

さらに仕切り板31には、温調プレート51が通過するための通過口47が形成されており、この通過口47には例えば上下動するシャッタ47aが設けられている。 The partition plate 31 further temperature control plate 51 is formed with passage holes 47 for passing, it is provided with a shutter 47a which moves up and down, for example, in the passage holes 47. また第2の処理室S2のケーシング30の側面には、ウエハWをキュアユニット3に対して搬入出するための搬送口48が設けられ、この搬送口48はシャッタ48aにより開閉自在に構成されている。 Also on the side surface of the casing 30 of the second processing chamber S2, transfer port 48 for loading and unloading the wafer W to cure unit 3 is provided, the transfer port 48 is configured to be freely opened and closed by a shutter 48a there. これにより、キュアユニット3に対してウエハWを搬入出する場合や、第1の処理室S1と第2の処理室S2との間でウエハを搬送するとき以外は、シャッタ47a,48aを閉じて、各処理室S1,S2内の雰囲気を維持できるようになっている。 Thus, and if the loading and unloading the wafer W to cure unit 3, a first processing chamber S1 except when transferring the wafer between the second processing chamber S2, the shutter 47a, close the 48a , and to be able to maintain the atmosphere of the processing chambers S1, the S2.

続いて前記塗布ユニット24の構成について簡単に説明する。 Then briefly described the structure of the coating unit 24. 先ず塗布ユニット24はウエハの表面に前記塗布液を塗布する処理を行なうものであり、このユニット24では、例えば前記主搬送手段23により基板保持部であるスピンチャックに受け渡され、ウエハWの表面のほぼ中央部に供給ノズルにより塗布膜の塗布液を供給すると共に、予め設定された回転数でスピンチャックを回転させることにより、塗布液をその遠心力によりウエハWの径方向に広げ、こうしてウエハW表面に塗布膜の液膜を形成する処理が行われる。 First coating unit 24 is intended to perform the process of applying the coating liquid to the surface of the wafer, in the unit 24, for example by the main carrier means 23 is passed to the spin chuck which is a substrate holding unit, the surface of the wafer W approximately in the center by the supply nozzle supplies a coating liquid of the coating film, by rotating the spin chuck at a preset rotational speed, spread the coating solution in the radial direction of the wafer W by centrifugal force, thus wafers process for forming a liquid film of the coating film to the W surface is carried out. このような塗布ユニット24には、公知のスピンコート方式の塗布装置を使用することができる。 Such coating unit 24, it is possible to use a coating apparatus known spin coating method. また前記温調ユニット25では、処理容器内において、基板載置部をなす冷却プレートの表面にウエハを所定時間載置することにより、ウエハを所定温度に調整する処理が行われる。 Further, in the temperature control unit 25, in the processing vessel, by a wafer for a predetermined time placed on the surface of the cooling plate forming the substrate mounting portion, the process of adjusting the wafer to a predetermined temperature is performed.

このような塗布膜形成装置におけるウエハの流れについて図6を参照して説明すると、自動搬送ロボット(あるいは作業者)により例えば25枚のウエハWを収納したキャリアCが、外部からキャリアブロックB1のキャリア載置部21に搬入される。 When such flow of the wafer in the coating film forming apparatus will be described with reference to FIG. 6, the carrier C housing the example, 25 wafers W by the automatic transfer robot (or a worker) is, from the outside of the carrier block B1 carrier It is carried into the mounting portion 21. 次いで受け渡し手段22によりこれらキャリアC内からウエハWが取り出され、処理ブロックB2の棚ユニットU1の受け渡しユニット26を介して主搬送手段23に受け渡される。 Then the wafer W from within these carriers C is taken out by the transfer means 22, via a transfer unit 26 of the shelf unit U1 of the processing block B2 is transferred to the main transfer unit 23.

そしてウエハWは主搬送手段23により棚ユニットU1,U2の温調ユニット25に搬送され、ここで所定の温度例えば23℃に調整された後、塗布ユニット24に搬送され、当該ユニット24にて、処理温度例えば23℃の下、例えば商品名「シルク」よりなる塗布液の塗布処理が行われる。 The wafer W by the main transfer unit 23 is transported to the temperature control unit 25 in the shelf unit U1, U2, where after being adjusted to a predetermined temperature, for example 23 ° C., is transported to the coating unit 24, in the unit 24, processing temperature, for example under the 23 ℃, for example coating process of the coating solution consisting of trade name "silk" is performed.

次いでウエハWは主搬送手段23によりキュアユニット3に搬送され、第2の処理室S2の温調プレート51を介して第1の処理室S1の加熱プレート32に受け渡されて、ここで加熱処理であるベーク処理が行われる。 Then the wafer W by the main transfer unit 23 is transported to the curing unit 3, the first processing chamber S1 is passed to the heating plate 32 via the temperature control plate 51 of the second processing chamber S2, wherein the heat treatment baking process is carried out is. このベーク処理とは、低酸素雰囲気にてウエハを加熱して縮重合反応を起こさせ、化学的に塗布膜を硬化させるための低酸素加熱処理である。 And the baking process, by heating the wafer at a low oxygen atmosphere to cause a polycondensation reaction, a low oxygen heat treatment for curing the chemically coated film. 具体的には、処理室S1内に窒素ガスを導入し、所定の低酸素状態例えば許容酸素濃度50ppm以下の雰囲気に設定して、ウエハを第1の温度例えば約320℃程度の温度で約1分間加熱することにより行われる。 Specifically, nitrogen gas was introduced into the processing chamber S1, is set to a predetermined hypoxic example permissible oxygen concentration 50ppm or less of the atmosphere, about the wafer at a first temperature, for example a temperature of about 320 ° C. 1 It carried out by heating minutes.

次いでベーク処理が行われたウエハWは、第1の処理室S1内にて硬化処理であるキュア処理が行われる。 Wafer W which baking is performed then the curing process is carried out a curing treatment in the first treatment chamber S1. ここでキュア処理とは塗布膜を焼成するための加熱処理であり、塗布膜を加熱することにより、架橋またはポロジエンの離脱を行ない塗布膜の硬化を図る処理である。 Wherein a heat treatment for baking the coating film and the curing process, by heating the coating film, a process to achieve the curing of the coating film subjected to release of crosslinking or Porojien. 具体的には、ベーク処理からウエハWをそのまま加熱プレート32上に載置したままの状態で、処理室S1内を所定の低酸素状態例えば許容酸素濃度20ppm以下の雰囲気に設定する。 Specifically, in a state of mounting the baking process a wafer W on it the heating plate 32, to set the processing chamber S1 to the following atmosphere predetermined hypoxia example permissible oxygen concentration 20 ppm. 一方加熱プレート32を所定の温度に加熱し、第1の照射部41により例えば300〜400nmの波長の紫外線をウエハW表面に照射しながら、ウエハを第1の温度より高い硬化処理の温度例えば約400℃程度の温度にて約5分程度加熱することにより行なわれる。 On the other hand the heating plate 32 is heated to a predetermined temperature, while irradiating ultraviolet rays having a wavelength of, for example 300~400nm by the first irradiation unit 41 on the wafer W surface, a temperature for example of about a wafer a first temperature higher than the curing process It carried out by heating about 5 minutes at 400 ° C. temperature of about.

この後、加熱プレート32から温調プレート51にウエハを受け渡し、第2の処理室S2内において温調プレート51によりウエハを室温程度の温度まで冷却する処理が行われる。 Thereafter, transfer the wafer from the heated plate 32 the temperature control plate 51, the process of cooling the wafer to a temperature of about room temperature is performed by the second processing chamber temperature control plate 51 in the S2. この際温調プレート51の温度は約23℃程度に設定され、温調プレート51にウエハを載置して約1分程度そのままの状態に維持することにより、ウエハは室温程度の温度に冷却される。 The temperature of the case temperature control plate 51 is set to about 23 ° C., by maintaining the intact for about one minute by placing the wafer to the temperature control plate 51, the wafer is cooled to about room temperature that.

続いて第2の処理室S2内において、ウエハW表面に形成された絶縁膜の表面を改質する処理が行われる。 Subsequently, in a second processing chamber S2, the process for modifying the surface of the insulating film formed on the wafer W surface is carried out. つまりウエハWを引き続いて温調プレート51に載置したまま、第2の照射部44より、改質用の紫外線例えば波長が172nm程度の紫外線をウエハ表面に例えば10秒程度照射して、塗布膜の表面を改質する。 That while placed subsequently the wafer W to the temperature control plate 51, from the second irradiation portion 44, ultraviolet e.g. wavelength for reforming by irradiation, for example, about 10 seconds on the wafer surface to UV of about 172 nm, the coating film to modify the surface of. 次いで、ウエハWをキュアユニット3から搬出する。 Then, the wafer W is unloaded from the cure unit 3. つまりウエハWを温調プレート51から主搬送手段23に受け渡し、この主搬送手段23より棚ユニットU1の受け渡しユニット26、受け渡し手段22を介して例えば元のキャリアC内に戻される。 That transfer the wafer W from the temperature control plate 51 to the main conveyor means 23, the transfer unit 26 in the shelf unit U1 from the main transfer means 23, is returned to through a transfer means 22 for example in the original carrier C.

ここで塗布膜形成装置におけるウエハの搬送や、キュアユニット3等の各処理ユニットにおけるウエハの処理は制御部C内のプログラムに基づいて行われる。 Wherein the transport and the wafer in the coating film forming apparatus, the processing of the wafer in each processing unit such as a curing unit 3 is performed based on a program in the control unit C. つまり制御部Cは、キュアユニット3の第1の処理室S1にて、ウエハWを加熱プレートに載置して第1の温度で加熱するベーク処理を行い、次いでこのベーク処理が行われたウエハWを前記加熱プレートに載置したまま、引き続き第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱しながら、ウエハに対して所定の波長の紫外線を照射してウエハ上の塗布膜を硬化させる硬化処理と、を行うためのプログラムを備えている。 Wafer that is the control unit C, at the first processing chamber S1 cure unit 3 performs the baking process of heating at a first temperature and the wafer W is mounted on the heating plate, then this baking process is performed while placing the W on the heating plate, curing continues while heating at a first temperature higher curing than the temperature, by irradiating ultraviolet rays of a predetermined wavelength to the wafer to cure the coated film on the wafer and a program for performing processing and the.

このような構成では、キュア処理のときに塗布膜に紫外線を照射しながら、熱エネルギーを与えており、熱エネルギーと紫外線のエネルギーとの組み合わせにより塗布膜の硬化を図っている。 In such a configuration, while irradiating ultraviolet rays to the coated film during the curing process, and applying heat energy, thereby achieving the cure of the coating film by a combination of thermal energy and ultraviolet energy. このため熱エネルギーのみで塗布膜を硬化させる場合よりも、処理時間を延長することなく、処理温度を低下させることができる。 Therefore than when curing the coated film only by the thermal energy, without extending the processing time, it is possible to lower the processing temperature. このためデバイスへの熱影響が排除され、信頼性の高いデバイスを確保することができる。 Therefore thermal influence on the device is eliminated, it is possible to ensure reliable device. また処理時間を延長させる必要がないので、スループットの低下を防ぐことができる。 Also it is not necessary to extend the treatment time, it is possible to prevent a decrease in throughput.

ここで熱エネルギーと紫外線のエネルギーとの組み合わせにより低い温度で塗布膜の硬化を行なうことができる理由について述べる。 Here it will be described why it is possible to perform the curing of the coating film at low temperature by a combination of thermal energy and ultraviolet energy. キュア処理では、図7に示すように、ポロジエンを気化させることにより、アセチレンの三重結合と、酸素の二重結合の、夫々の結合手の一本を切断し、切断された分子同士を点線に示すように接合させてポリマーを形成することが行われるが、ポロジエンの気化温度が高く、これがキュア処理の温度が高温化する一つの原因となっている。 In the curing process, as shown in FIG. 7, by vaporizing the Porojien, and triple bond acetylene, oxygen double bond, cutting the single bonds of each, the cut between molecules in dotted it is carried out to form a polymer by bonding as indicated, higher vaporization temperature of Porojien, but this is the cause of one of the temperature of the curing process is high temperature. ところでキュア処理時に塗布膜に紫外線を照射すると、紫外線によりポロジエンの気化が促進され、アセチレンや酸素の結合手が切断されやすい状態となる。 However when irradiated with ultraviolet rays to the coating film during the curing process, the vaporization of Porojien is promoted by ultraviolet rays, a state in which bond is susceptible to cleavage of acetylene and oxygen. 一方切断された分子同士の接合は、400℃程度の加熱エネルギーにより行われる。 Meanwhile cut bonded between molecules is carried out by heating energy of about 400 ° C.. このように紫外線の照射より、紫外線を照射しない場合よりも低い温度でアセチレンや酸素の結合手を切断することができ、この低い温度で切断された分子の接合が行われるので、紫外線を照射しない場合よりも低い温度で塗布膜の硬化を行なうことができる。 Thus than the irradiation of ultraviolet rays, ultraviolet rays can be a cutting the bonds of acetylene and oxygen at a temperature lower than without irradiation, because the bonding of the molecules cut at this low temperature is performed, not irradiated with ultraviolet light it can be performed curing the coating film at a temperature lower than that.

またこの例では、同じ処理装置でベーク処理とキュア処理とを行っているので、夫々別の装置を用意する場合に比べて処理ユニットが少なくて済む。 In this example, since the performing the baking process and cured at the same processor, requires less processing unit as compared with the case of providing a respective different device. これによりコストダウンを図ることができ、占有面積を小さくすることができるので、スペース的にも有効である。 This makes it possible to reduce the cost, it is possible to reduce the occupied area, it is also effective in space manner. さらにベーク処理装置とキュア処理装置とを別個に用意する場合には、ウエハWは主搬送手段23によりベーク処理装置からキュア処理装置に搬送されるが、ベーク処理装置とキュア処理装置とが離れた場所に配置される場合には、搬送距離が長くなるので搬送に時間がかかって、スループットが悪化してしまう。 Further, when separately prepared and baking apparatus and the curing process unit, the wafer W is transported from the baking apparatus curing process unit by the main carrier means 23, and leaves the baking processing unit and curing apparatus when placed in place, takes time to transport because the transport distance becomes long, the throughput is deteriorated. また主搬送手段23にて搬送する処理ユニット数が多くなるので、搬送プログラムが複雑になってしまう。 Since the number of processing units to be transported is increased by the main carrier means 23, transport the program becomes complicated.

これに対し本発明のようにキュアユニット3の同じ処理室S1にてベーク処理とキュア処理とを行うようにすると、ベーク処理とキュア処理との間にウエハを搬送する必要がないので、その分トータルの処理時間が短縮され、スループット向上を図ることができる。 When contrast to perform the baking process and the curing process in the same process chamber S1 cure unit 3 as in the present invention, there is no need to transfer the wafer between the baking and curing treatment, that amount total processing time is shortened, it is possible to achieve an improvement in throughput.

また上述の例では、改質用の紫外線を照射する第2の照射部44を設け、硬化処理が行われたウエハに改質用の紫外線を照射しているので、塗布膜の表面の有機手が切断され、当該塗布膜と次の膜との密着性を高めることができる。 In the above example, the second irradiation section 44 that irradiates ultraviolet rays of reforming is provided, since the wafer hardening process is performed is irradiated with ultraviolet rays for reforming, organic hand surface of the coating film There is cut, it is possible to increase the adhesion between the coating film and the next film. この際第2の照射部44を第2を処理室S2に設けることにより、キュアユニット3とは別個に改質用の照射部を用意する場合に比べてスペース的に有効であり、また温調プレート51にてウエハを冷却した後、ウエハの搬送を行うことなく、引き続いて改質処理を行うことができるので、ウエハの搬送に要する時間が必要なく、スループットの観点からも有効である。 By providing this time the second irradiation section 44 to the second processing chamber S2, a space effective than in the case of preparing an irradiation unit for separately modifying the curing unit 3, also temperature control after the wafer has been cooled in the plate 51, without the transfer of the wafer, it is possible to perform reforming process subsequently, the time required for transportation of the wafer is not required, it is effective from the viewpoint of throughput.
しかも同じ雰囲気の下で処理を行い、途中で処理装置外の雰囲気に触れることはないので、絶縁性に悪影響を与えるOH基が膜に付着することはない。 Moreover it performs processing under the same atmosphere, since it is not to touch the middle processor outside atmosphere does not OH groups adversely affect insulation is attached to the membrane.

続いて本発明の他の実施の形態について図8を用いて説明する。 Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. この実施の形態が上述の実施の形態と異なる点は、キュアユニット3の第2の処理室S2にてベーク処理を行うことであり、このため温調プレート71には冷媒流路の代わりに加熱手段をなすヒータ72が内蔵されている。 The difference from the embodiment is exemplary described embodiment, and by performing a baking process in the second processing chamber S2 of the curing unit 3, the heating in place of the coolant channel is in the order the temperature control plate 71 heater 72 constituting the means are contained. 図中73はヒータ72の電源部であり、制御部Cにより電源部73からヒータ72への電力供給量が制御され、これにより温調プレート71が所定の温度に維持され、温調プレート71に載置されたウエハWが例えば50℃〜200℃に加熱されるようになっている。 Figure 73 is a power source of the heater 72, the power supply from the power supply unit 73 to the heater 72 is controlled by the control station C, a thereby the temperature control plate 71 is maintained at a predetermined temperature, the temperature control plate 71 wafer W placed is adapted to be heated to, for example, 50 ° C. to 200 DEG ° C.. その他の構成は上述のキュアユニット3と同様であるが、キュアユニット3における処理の後でウエハを室温程度の温度まで冷却するための冷却ユニットが別個に必要となる。 Although other configurations are the same as those curing unit 3 described above, the cooling unit for cooling the wafer to a temperature of about room temperature it is separately required after the process in the curing unit 3. この冷却ユニットは例えば温調ユニット25と同様に構成され、例えば棚ユニットU1,U2に組み込まれる。 The cooling unit is configured the same as the temperature control unit 25 for example, for example, be incorporated into the shelf units U1, U2.

この実施の形態におけるウエハの流れについて図9を参照して説明すると、塗布ユニット24にて塗布液の塗布処理が行われた後、主搬送手段23によりキュアユニット3に搬送されるまでは上述の実施の形態と同様である。 To describe the flow of a wafer in this embodiment with reference to FIG. 9, after the coating process of the coating liquid at coating unit 24 is performed, by the main transfer means 23 until they are transported to the curing unit 3 above it is similar to the embodiment. この後ウエハWは、第2の処理室S2の温調プレート71に受け渡されて、ここで加熱処理であるベーク処理が行われる。 Wafer W After this, the passed in the temperature control plate 71 of the second processing chamber S2, baking is carried out is where heat treatment. つまり処理室S2内に窒素ガスを導入し、所定の低酸素状態例えば許容酸素濃度50ppm以下の雰囲気に設定して、ウエハWを200℃以下の第1の温度例えば約150℃程度にて、約1分間加熱することにより行われる。 That introducing nitrogen gas into the processing chamber S2, it is set to a predetermined hypoxic example permissible oxygen concentration 50ppm or less of the atmosphere at the wafer W 200 ° C. or less first temperature such as about 0.99 ° C. approximately, about It carried out by heating for 1 minute.

次いでベーク処理が行われたウエハWは、温調プレート71から第1の処理室S1の加熱プレート32に受け渡され、ここで硬化処理をなすキュア処理が行われる。 Wafer W which baking is performed then is transferred from the temperature control plate 71 to the heating plate 32 of the first processing chamber S1, the curing process which forms here hardening process is performed. つまり処理室S1内を所定の低酸素状態例えば許容酸素濃度20ppm以下の雰囲気に設定する一方、加熱プレート32を所定温度に加熱し、第1の照射部41により例えば300〜400nmの波長の紫外線をウエハW表面に照射しながら、ウエハを第1の温度よりも高い硬化処理の温度例えば約400℃程度の温度にて約5分程度加熱することにより行なわれる。 That while setting the processing chamber S1 to the predetermined hypoxic example permissible oxygen concentration 20ppm or less of the atmosphere, the heating plate 32 is heated to a predetermined temperature, an ultraviolet ray having a wavelength of, for example 300~400nm by the first irradiation section 41 while irradiating the surface of the wafer W is carried out by heating about 5 minutes at a temperature such as about 400 ° C. temperature of approximately higher curing treatment than the wafer first temperature.

続いて加熱プレート32から温調プレート71にウエハWが受け渡され、第2の処理室S2内においてウエハWを温調プレート71によりベーク処理とほぼ同じ温度例えば150℃程度まで冷却する処理(第1の冷却処理)が行われる。 Then the wafer W is delivered to the temperature control plate 71 from the heating plate 32, the process for cooling the wafer W in the second processing chamber S2 to approximately the same temperature, for example, about 0.99 ° C. and baked by the temperature control plate 71 (first first cooling process) is performed. この際温調プレート71の温度は約150℃程度に設定され、温調プレート71にウエハを載置して約1分程度そのままの状態に維持することにより、ウエハは150℃程度の温度に冷却される。 The temperature of the case temperature control plate 71 is set to about 0.99 ° C., by maintaining the intact for about one minute by placing the wafer to the temperature control plate 71, the wafer is cooled to a temperature of about 0.99 ° C. It is.

続いて第2の処理室S2内において、ウエハW表面に形成された絶縁膜の表面を改質する処理が行われる。 Subsequently, in a second processing chamber S2, the process for modifying the surface of the insulating film formed on the wafer W surface is carried out. つまりウエハWを引き続いて温調プレート71に載置したまま、第2の照射部44より、改質用の紫外線例えば波長が172nm程度の紫外線をウエハ表面に例えば10秒程度照射して、塗布膜の表面を改質する。 That while placed subsequently the wafer W to the temperature control plate 71, from the second irradiation portion 44, ultraviolet e.g. wavelength for reforming by irradiation, for example, about 10 seconds on the wafer surface to UV of about 172 nm, the coating film to modify the surface of. 次いで、ウエハWをキュアユニット3から搬出して、主搬送手段23により冷却ユニットに搬送し、ここでウエハを室温例えば23℃程度まで冷却する処理が行われ(第2の冷却処理)、この後ウエハWは、主搬送手段23より棚ユニットU1の受け渡しユニット26、受け渡し手段22を介して例えば元のキャリアC内に戻される。 Then, the wafer W is unloaded from the curing unit 3, and conveyed to the cooling unit by the main carrier means 23, where the process of cooling the wafer to room temperature for example 23 ° C. about is performed (second cooling process), after this wafer W delivery unit 26 in the shelf unit U1 from the main transfer unit 23 is returned to through a transfer means 22 for example in the original carrier C.

この例では、制御部Cは、前記第2の処理室S2にて塗布液が塗布されたウエハWを温調プレート51に載置して第1の温度で加熱するベーク処理を行い、次いで第1の処理室S1にてベーク処理が行われたウエハWを加熱プレート32に載置し、第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱しながら、ウエハに対して所定の波長の紫外線を照射してウエハ上の塗布膜を硬化させる硬化処理と、を行うためのプログラムを備えている。 In this example, the control unit C performs baking the application liquid in the second process chamber S2 is heated at a first temperature by placing the temperature control plate 51 of the wafer W coated, then the the wafer W which baking was performed in the first processing chamber S1 is placed on the heating plate 32, while heating at a temperature of higher curing than the first temperature, ultraviolet having a predetermined wavelength to the wafer and a program for performing a curing process for curing the coated film on the wafer is irradiated, the.

このように、この実施の形態は、第2の処理室S2にて200℃以下の温度でベーク処理を行うものであるが、ベーク処理で先ず200℃以下の温度まで加熱し、次いでキュア処理で400℃程度の温度まで加熱することにより、ウエハが段階的に加熱されるので温度変化が緩やかになり、急激な温度変化によりダメージを受けやすい材料の塗布膜に対して有効である。 Thus, this embodiment, although performs a baked in the second processing housing S2 at 200 ° C. or less of the temperature and heated to a temperature of below first 200 ° C. in the baking treatment and then in curing process by heating to a temperature of about 400 ° C., since the wafer is heated in stages becomes moderate temperature changes, it is effective against the coating film of susceptible material damaged by rapid temperature changes.

このような構成においても、キュア処理のときに塗布膜に紫外線を照射しながら熱エネルギーを与えており、同じ処理装置でベーク処理とキュア処理とを行っているので、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。 In such a configuration, and applying heat energy while irradiating ultraviolet rays to the coated film during the curing process, since performing a baking process and cured at the same processor, as in the embodiments described above effect can be obtained. またこの実施の形態では、第2の処理室S2にてベーク処理を行い、第1の処理室S1にてキュア処理を行っているが、これらの間では温調プレート71によりウエハが搬送されるので、ベーク処理装置とキュア処理装置とを別個に用意し、主搬送手段23によりこれらの間でウエハを搬送する場合に比べて、搬送時間を短縮でき,搬送プログラムも容易となる。 Also in this embodiment, performs a baked in the second processing chamber S2, is performed to cure treatment in the first treatment chamber S1, the wafer is conveyed by the temperature control plate 71 between these because, a baking apparatus and a curing process unit prepared separately, by the main carrier means 23 as compared with the case of transferring the wafer between these, you can shorten the transfer time, the easy transport program.

以上において、図10に示すように、第1の処理室S1の第1の照射部74に複数の光源、例えば波長の異なった紫外線を照射する第1の光源75、第2の光源76を取り付け、一つをキュア処理用の光源、他の一つを改質用の光源としてもよい。 In the above, as shown in FIG. 10, the attachment plurality of light sources in the first irradiation unit 74 of the first processing chamber S1, for example a first light source 75 for irradiating different UV wavelengths, the second light source 76 , one for curing treatment light source, the other one may be used as a light source for the reforming. またコントローラ77は、第1の光源75と第2の光源76との切り替えなどを行う機能を有している。 The controller 77 has a function of performing such switching between the first light source 75 and the second light source 76. また第1の処理室S1では、キュア処理にEB(電子ビーム)を用いることも可能である。 To the first processing chamber S1, it is also possible to use EB (electron beam) to cure treatment.
なお照射部74が、前記したように、波長の異なった2つの光源である第1の光源75、第2の光源76を有する場合、図11に示すように、照射部74自体が、第1の処理室S1と第2の処理室S2との間を移動するように構成してもよい。 Incidentally, as the irradiation unit 74, described above, when having a first light source 75, second light source 76 are two light sources having different wavelengths, as shown in FIG. 11, the irradiation unit 74 itself, first processing chamber S1 and may be configured to move between a second processing chamber S2. 例えば2つの処理室内の天井部に、両処理室に跨ったレール78を取り付け、照射部74をこのレール78に沿って移動可能とすればよい。 For example the ceiling of the two processing chamber, a rail 78 extending over both the processing chamber mounting may be movable along the irradiating portion 74 in the rail 78.
このように構成すれば、1つのユニットにおいて1つの照射部74を装備するだけで、2つの処理室において、各々別々の処理、すなわち第1の処理室S1では、第1の光源75を使用したキュア処理、第2の処理室S2では、第2の光源76を使用した改質処理を実施することができる。 According to this structure, only equipped with one irradiation unit 74 in one unit, in two processing chambers, each separate processing, that the first treatment chamber S1, using the first light source 75 curing process, the second process chamber S2, it is possible to carry out the reforming process using the second light source 76. この場合のコントローラ77は、光源の切り替えや照射部74の移動も制御する。 Controller 77 in this case also controls movement of the switching and the irradiation unit 74 of the light source.

また例えばキュア処理用の紫外線と改質用の紫外線の波長領域が近い場合であって、キュア処理用の光源にフィルタを組み合わせることにより改質用の紫外線の波長を確保することができる場合には、図12に示すように、照射部の第1の光源101とフィルタ102とを組み合わせて、1つの光源でキュア処理と改質処理の両方を行うようにしてもよい。 Also for example, a case where the wavelength region of the ultraviolet for UV and modification for the curing process is close, if it is possible to ensure the ultraviolet wavelengths of reforming by combining the filter to the light source for curing treatment as shown in FIG. 12, a combination of the first light source 101 and filter 102 of the illumination unit, it may be performed both curing process and the reforming process with a single light source. つまりフィルタ102の装着、取り外しによって、異なった波長の紫外線をウエハWに照射することが可能になり、光源自体は、1つだけ用意すればよい。 That mounting of the filter 102, the removal, it is possible to irradiate the ultraviolet rays of different wavelengths to the wafer W, the light source itself may be only one available.
ところで紫外線照射用の光源、例えば紫外線ランプは、使用しているうちに経年劣化が進み、それに伴って照射エネルギーが弱くなることがある。 By the way the light source for UV irradiation, for example ultraviolet lamps, aging progresses while using, sometimes the irradiation energy becomes weak accordingly. そうすると所定の硬化処理が達成できないおそれがあり、光源の交換が強いられる。 Then there is a possibility that predetermined curing process can not be achieved, the exchange of the light source is strong.
しかしながら、直ちに光源を交換しなくても、照射されるウエハWを、初期状態よりも光源に近づけて、エネルギーの減衰を補うようにすれば、所定のエネルギーの紫外線をウエハWに供給することが可能である。 However, even without immediately replacing the light source, a wafer W to be irradiated, closer to the light source than the initial state, if in order to compensate the attenuation of energy, to supply the ultraviolet predetermined energy to the wafer W possible it is.
それを実現するには、例えば図13に示すように、加熱プレート32を駆動機構110によって上下可能にする。 To realize this, for example, as shown in FIG. 13, to be vertically heating plate 32 by a drive mechanism 110. これによって、第1の光源42が劣化して照射エネルギーが弱くなった場合には、それに応じて、加熱プレート32を上昇させてウエハWの位置を第1の光源42に、より近づけることができ、それによって、ウエハWに対しては所定のエネルギーの紫外線を照射することが可能になる。 Thus, when the first light source 42 is weakened by irradiation energy is deteriorated, accordingly, the position of the wafer W by increasing the heating plate 32 to the first light source 42 can be more close , thereby allowing irradiation of ultraviolet light of predetermined energy to the wafer W.
かかる場合、例えば第1の処理室S1内に、照射される紫外線のエネルギーの強度を測定するセンサ111を設け、このセンサ111からの信号によって、劣化の程度を判断し、その結果に基づいて、駆動機構110による加熱プレート32の上昇量を制御する制御装置112を設ければ、第1の光源42の劣化にかかわらず、ウエハWに対して常に所定量のエネルギーの紫外線を照射することが可能になる。 In this case, for example, into the first processing chamber S1, a sensor 111 for measuring the intensity of the energy of ultraviolet rays irradiated is provided, a signal from the sensor 111, determines the degree of deterioration, on the basis of the result, by providing a control unit 112 for controlling the amount of increase in the heating plate 32 by the drive mechanism 110, irrespective of the deterioration of the first light source 42, it can be always irradiated with ultraviolet rays of a predetermined amount of energy to the wafer W become. またそれによって、第1の光源42に使用する、例えば紫外線ランプの寿命を実質的に延長することが可能である。 Thereby also be used for the first light source 42, it is possible to substantially extend the example, an ultraviolet lamp life.
このようなセンサ111、制御装置112は第2の処理装置S2の第2の光源45に適用してもよい。 Such sensor 111, the controller 112 may be applied to the second light source 45 of the second processing unit S2.

上述の実施の形態では、キュア処理時にウエハに紫外線を照射するようにしたが、紫外線を照射しないでキュア処理を行った後、ウエハに所定の波長の紫外線例えば波長150nm〜200nm程度の紫外線を照射し、この後、ウエハに対して冷却処理(第1の冷却処理)を施すようにしてもよい。 In the embodiment described above irradiation was to irradiate ultraviolet rays to the wafer during the curing process, after the UV is not irradiated with the curing process, the wafer predetermined ultraviolet e.g. having a wavelength of about 150nm~200nm ultraviolet wavelength and, thereafter, it may be subjected to cooling processing (first cooling process) on the wafer. このようにすると、固くてK値が2.9以下の塗布膜を得ることができる。 In this way, hard, K value can be obtained than 2.9 of the coating film. この場合、キュア後の紫外線照射は、第1の処理室S1内において、加熱プレート32上のウエハに対して第1の照射部41により行ってもよいし、第2の処理室S2内において、温調プレート51上のウエハに対して第2の照射部44により行ってもよい。 In this case, UV irradiation after curing, in a first processing chamber S1, the may be performed first radiating unit 41 to the wafer on the heating plate 32, in the second processing chamber S2, it may be performed by the second irradiation section 44 to the wafer on the temperature control plate 51.

さらにまた、ベーク処理を行うときにウエハ上の塗布膜に紫外領域の電磁波を照射するようにしてもよい。 Furthermore, it may be irradiated with electromagnetic wave ultraviolet region to the coating film on the wafer when performing baking processing. このようにベーク処理時に所定の波長の電磁波を照射すると、熱処理のみの場合よりも短時間にて処理が終了するという効果が得られる。 With this irradiation of electromagnetic wave of a predetermined wavelength during baking, the effect is obtained that processing in a short time than in the case of only heat treatment is completed. またこの場合、好適な波長は150nm〜500nm程度である。 Also in this case, the preferred wavelength is about 150 nm to 500 nm.

また本発明では所定の処理が行われるものであれば、塗布ユニットやキュアユニットなどは上述の構成に限らない。 Further, if the present invention in which predetermined processing is carried out, such as coating unit and curing units are not limited to the configuration described above. またウエハ上に形成される塗布膜の種類に応じて、ウエハ表面に塗布された塗布液の溶剤を熱により乾燥させる処理を行う低温加熱ユニットや、キュア処理後のウエハを所定温度に冷却する処理を行う冷却ユニットを棚ユニットU1,U2に配列するようにしてもよい。 The process according to the type of the coating film formed on the wafer, the solvent of the coating solution applied to the wafer surface and a low temperature heating unit for performing a process of drying by heat, cooling the wafer after curing treatment at a predetermined temperature the cooling unit may be arranged in the shelf units U1, U2 performed.

さらにまた本発明は有機SOD膜のみならず、無機SOD膜の形成に適用することができる。 Furthermore, the present invention is not organic SOD film only, can be applied to formation of an inorganic SOD film. この場合例えば塗布液としてはMSQが用いられ、ベーク処理は、酸素濃度が1000ppm以下、処理温度が80℃〜200℃、キュア処理は、酸素濃度が100ppm以下、処理温度が350℃〜425℃、キュア処理時に照射される紫外線は波長100nm〜200nm、照射量が100J/cm2〜300J/cm2、改質時に照射される紫外線は波長150nm〜200nm、照射量が100mJ/cm2の夫々の条件で処理が行われる。 The MSQ is used when for example as a coating liquid, baking treatment, the oxygen concentration is 1000ppm or less, 80 ° C. to 200 DEG ° C. processing temperature, curing process, the oxygen concentration is 100ppm or less, the treatment temperature is 350 ° C. to 425 ° C., UV wavelength 100nm~200nm emitted during the curing process, the irradiation amount of 100J / cm2~300J / cm2, UV wavelength 150nm~200nm irradiated during reforming, the amount of irradiation is treated with each of the conditions of 100 mJ / cm @ 2 It takes place.

さらにまた本発明はSOD法による低誘電率層間絶縁膜の形成のみならず、SOG(Spin On Glass)膜の形成や、レジスト膜、ポリイミド膜、強誘電体、他の絶縁膜等の形成に適用することができる。 Furthermore, the present invention not only the formation of a low dielectric constant interlayer insulating film according to the SOD method, application forms and the SOG (Spin On Glass) film, a resist film, a polyimide film, a ferroelectric, the formation of such other insulating film can do. ここで前記SOG膜とは、CVDで形成された膜は表面が凹凸状態であるので、これを平坦化するために、前記CVD法により形成された膜の表面に形成されるSiO2膜であり、SOD法と同様に、塗布液をウエハ表面にスピンコートした後、ウエハに対して加熱処理を施すことにより、塗布液に含まれる溶媒などを蒸発させ、膜を硬化させることにより形成される。 Here, the SOG film, the film formed by CVD and the surface is in a concavo-convex state, in order to flatten them, a SiO2 film formed on the surface of the film formed by the CVD method, like the SOD method, it was spin-coated a coating liquid on the wafer surface, by performing heat processing for the wafer, evaporated and the solvent contained in the coating liquid, is formed by curing the film.

さらに上述の実施の形態では半導体ウエハを処理する装置について説明したが、FPD(フラットパネルディスプレイ)やマスク等に使用されるガラス基板を処理する装置についても本発明は適用可能である。 Further in the above embodiment has been described apparatus for processing semiconductor wafers but, FPD is also present invention an apparatus for processing a glass substrate used for (Flat Panel Display) or a mask or the like is applicable.

本発明にかかる塗布膜形成装置の一実施の形態の全体構成を示す平面図である。 It is a plan view showing the overall configuration of an embodiment of a coating film forming apparatus according to the present invention. 前記塗布膜形成装置の全体構成を示す概略斜視図である。 It is a schematic perspective view showing the overall configuration of the coating film forming apparatus. 前記塗布膜形成装置の全体構成を示す側面図である。 Is a side view showing an overall configuration of the coating film forming apparatus. 前記塗布膜形成装置に設けられる硬化処理装置(キュアユニット)を示す断面図である。 Wherein a cross-sectional view showing a curing apparatus provided in the coating film forming apparatus (curing unit). 前記硬化処理装置を示す平面図である。 Is a plan view showing the curing unit. 前記塗布膜形成装置におけるウエハの流れを説明するための工程図である。 It is a process diagram for explaining the flow of the wafer in the coating film forming apparatus. 前記硬化処理装置の作用を説明するための説明図である。 It is an explanatory view for explaining the operation of the curing apparatus. 前記塗布膜形成装置に設けられる硬化処理装置の他の例を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing another example of a curing apparatus provided in the coating film forming apparatus. 図8の硬化処理装置が組み込まれた前記塗布膜形成装置におけるウエハの流れを説明するための工程図である。 It is a process diagram for explaining the flow of the wafer in the coating film forming apparatus curing apparatus of FIG. 8 is incorporated. 前記塗布膜形成装置に設けられる硬化処理装置のさらに他の例を示す断面図である。 It is a sectional view showing still another example of a curing apparatus provided in the coating film forming apparatus. 硬化処理装置のさらに他の例を示す断面図である。 Yet another example of a curing apparatus is a sectional view showing a. 硬化処理装置のさらに他の例を示す断面図である。 Yet another example of a curing apparatus is a sectional view showing a. 硬化処理装置のさらに他の例を示す断面図である。 Yet another example of a curing apparatus is a sectional view showing a.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

W 半導体ウエハB1 キャリアブロックB2 処理ブロック W semiconductor wafer B1 carrier block B2 processing block
23 基板搬送手段24 塗布ユニット3 キュアユニットS1 第1の処理室S2 第2の処理室32 加熱プレート41 第1の照射部44 第2の照射部51 温調プレート 23 substrate transfer means 24 coating unit 3 curing units S1 first processing housing S2 the second process chamber 32 heating plate 41 first irradiation section 44 second irradiation section 51 temperature control plate

Claims (19)

  1. 塗布液が塗布された基板を加熱することにより基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理装置において、 In the curing processing apparatus for curing a coating film on the substrate by the coating liquid for heating the substrate coated,
    塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ所定温度に加熱するための第1の処理室と、 By placing the substrate on which the coating liquid has been applied to the heating plate, a first processing chamber for heating said substrate to a predetermined temperature, one by one,
    この第1の処理室に設けられ、加熱プレートに載置された基板に対して紫外線を照射するための第1の照射部と、 Provided in the first process chamber, a first irradiation section for irradiating ultraviolet rays substrate placed in a heating plate,
    前記第1の処理室と連通して接続され、塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整するための第2の処理室と、を備えたことを特徴とする硬化処理装置。 Which is connected a first processing chamber and the communication with, a substrate on which the coating liquid has been applied is placed on the temperature control plate, the substrate for adjusting the temperature lower than the processing temperature of the curing treatment one by one curing apparatus characterized by comprising: a second processing chamber, the.
  2. 前記温調プレートは、第1の処理室の加熱プレートの上方側の位置と第2の処理室との間を移動自在に構成されたことを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 The temperature control plate, curing apparatus according to claim 1, characterized in that it is configured to be movable between an upper side position of the first processing chamber heating plate and the second processing chamber.
  3. 加熱プレートに載置された基板を昇降部材により上昇させた後、基板と加熱プレートとの間に温調プレートを進入させ、次いで昇降部材を降下させることにより、加熱プレートから温調プレートに基板が受け渡されることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 After the substrate placed in a heating plate is raised by the lifting member, thereby advancing the temperature control plate between the substrate and the heating plate, then by lowering the lifting member, a substrate to the temperature control plate from the heating plate receiving hardening processing apparatus according to claim 1, wherein the pass.
  4. 前記第1の処理室と第2の処理室との間に形成された温調プレートの通過口には、この通過口を開閉するためのシャッタが設けられていることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 Wherein the first processing chamber and the passage openings of the temperature control plate which is formed between the second processing chamber, according to claim 1, characterized in that the shutter for opening and closing the passage port is provided curing apparatus according.
  5. 前記第1の処理室では塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して第1の温度で加熱する加熱処理と、加熱処理が行われた基板を前記加熱プレートに載置したまま、引き続き第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱すると共に、基板に対して紫外線を照射して基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理と、を行うための制御部を備えることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 While a heat treatment above in the first processing chamber is heated at a first temperature by placing the substrate on which the coating liquid has been applied to the heating plate, the substrate heat treatment is performed is placed on the heating plate, continuing with heating at a first temperature higher curing than the temperature, and further comprising a control unit for performing a curing process to cure the coating film on the substrate by irradiating ultraviolet rays to the substrate, the curing apparatus according to claim 1, wherein the.
  6. 前記第2の処理室では塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して第1の温度で加熱する加熱処理を行い、第1の処理室では加熱処理が行われた基板を加熱プレートに載置し、第1の温度よりも高い硬化処理の温度で加熱すると共に、基板に対して紫外線を照射して基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理を行うための制御部を備えることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 Wherein in the second process chamber performing heat treatment for heating at a first temperature by placing the substrate on which the coating solution is applied to the temperature control plate, heating the substrate to heat treatment is performed in the first processing chamber placed on the plate, while heating at a first temperature higher curing than the temperature, the ultraviolet is irradiated with a control unit for performing a curing process to cure the coating film on the substrate relative to the substrate hardening processing apparatus according to claim 1, wherein.
  7. 塗布膜が硬化された基板に第1の照射部とは異なる波長の紫外線を照射するための第2の照射部をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の硬化処理装置。 Hardening treatment according to any one of claims 1 to 6 coating film is further comprising a second irradiation section for irradiating the ultraviolet rays having a wavelength different from the first irradiation unit to a substrate which is cured apparatus.
  8. 前記第2の照射部は前記第2の処理室に設けられ、温調プレートに載置された基板に対して所定の波長の紫外線を照射するものであることを特徴とする請求項7記載の硬化処理装置。 The second irradiation unit is provided in the second processing chamber, according to claim 7, characterized in that the irradiation with ultraviolet rays of a predetermined wavelength with respect to substrate placed in a temperature control plate hardening processing apparatus.
  9. 前記第1の処理室と第2の処理室とに不活性ガスを供給するための不活性ガス供給部と、前記第1の処理室と第2の処理室とを排気するための排気手段と、を備えることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の硬化処理装置。 And exhaust means for exhausting the first processing chamber and the inert gas supply unit for supplying an inert gas into the second process chamber, and said first processing chamber and the second process chamber , curing apparatus according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it comprises.
  10. 前記塗布膜は絶縁膜であり、第1の照射部から基板に照射される紫外線は波長が300nm〜400nmの紫外線であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の硬化処理装置。 The coating film is an insulating film, curing apparatus according to any one of ultraviolet light emitted from the first irradiation unit to the substrate wavelengths claims 1, characterized in that an ultraviolet 300 nm to 400 nm 9 .
  11. 前記塗布膜は絶縁膜であり、前記加熱処理は低酸素雰囲気にて基板を加熱して塗布膜の縮重合反応を起こさせ、化学的に塗布膜を硬化させるための低酸素加熱処理であることを特徴とする請求項5又は6記載の硬化処理装置。 Said coating film is an insulating film, wherein the heat treatment is to cause a condensation polymerization reaction of the coating film by heating the substrate at a low oxygen atmosphere, a low oxygen heat treatment for curing the chemically coated film hardening processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein.
  12. 前記塗布膜は絶縁膜であり、第2の照射部から基板に紫外線を照射することにより絶縁膜の改質処理が行われることを特徴とする請求項7又は8記載の硬化処理装置。 The coating film is an insulating film, hardening processing apparatus according to claim 7 or 8, wherein the modification process of the insulation film is carried out by irradiating ultraviolet rays from the second irradiation unit to the substrate.
  13. 前記加熱プレートは、上下方向に移動可能であることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 The heating plate, the curing apparatus according to claim 1, characterized in that it is movable in the vertical direction.
  14. 前記第1の処理室内に、第1の照射部の劣化を判断するセンサと、 In the first processing chamber, a sensor for determining the deterioration of the first irradiating unit,
    前記センサからの信号に基づいて、前記加熱プレートを上昇させる制御部と、を備えたことを特徴とする請求項13記載の硬化処理装置。 Based on the signal from the sensor, curing treatment device according to claim 13, characterized in that it comprises a control unit to increase the heating plate.
  15. 前記第1の照射部は2つの異なった波長の紫外線を照射することが可能であり、さらにこの第1の照射部は、第1の処理室と第2の処理室との間を移動可能であることを特徴とする請求項1記載の硬化処理装置。 The first irradiation unit is capable of irradiating ultraviolet rays of two different wavelengths, further the first irradiation unit is movable between a first processing chamber and the second process chamber hardening processing apparatus according to claim 1, characterized in that there.
  16. 基板に塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、 In the coating film forming apparatus for forming a coating film on a substrate,
    基板に塗布液を塗布するための塗布ユニットと、 A coating unit for coating a coating liquid on a substrate,
    前記塗布ユニットにおいて、塗布液が塗布された基板上の塗布液を硬化させる硬化処理装置と、 In the coating unit, a curing apparatus for curing the coating solution on the substrate coating liquid has been applied,
    前記塗布ユニットと前記硬化処理装置との間で基板を搬送するための搬送手段とを有し、 And a conveying means for conveying the substrate between the coating unit and the hardening device,
    前記硬化処理装置は、 The curing apparatus,
    塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ所定温度に加熱するための第1の処理室と、 By placing the substrate on which the coating liquid has been applied to the heating plate, a first processing chamber for heating said substrate to a predetermined temperature, one by one,
    この第1の処理室に設けられ、加熱プレートに載置された基板に対して紫外線を照射するための第1の照射部と、 Provided in the first process chamber, a first irradiation section for irradiating ultraviolet rays substrate placed in a heating plate,
    前記第1の処理室と連通して接続され、塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ硬化処理の処理温度よりも低い温度に調整するための第2の処理室と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。 Which is connected a first processing chamber and the communication with, a substrate on which the coating liquid has been applied is placed on the temperature control plate, the substrate for adjusting the temperature lower than the processing temperature of the curing treatment one by one coating film forming apparatus characterized by comprising: a second processing chamber, the.
  17. 塗布液が塗布された基板を加熱プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ第1の温度に加熱する加熱処理工程と、 By placing the coating liquid has been applied the substrate to the heating plate, a heating treatment step of heating the substrate to a first temperature, one by one,
    次いで加熱処理が行われた基板を前記加熱プレートに載置したまま、引き続き前記基板を一枚ずつ第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱すると共に、この基板に所定の波長の紫外線を照射して、基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理工程と、を含むことを特徴とする硬化処理方法。 Then leave the substrate heat treatment is performed is placed on the heating plate, subsequently with heating the substrate to a temperature of higher curing than the first temperature one by one, the ultraviolet having a predetermined wavelength on the substrate by irradiation, hardening method which comprises a curing treatment step of curing the coating film on the substrate.
  18. 塗布液が塗布された基板を温調プレートに載置して、前記基板を一枚ずつ第1の温度に加熱する加熱処理工程と、 The substrate coating solutions are coated by placing in temperature control plate, and the heat treatment step of heating the substrate to a first temperature, one by one,
    次いで加熱処理が行われた基板が載置された温調プレートを加熱プレートの上方側に位置させ、加熱プレートから昇降機構を上昇させて温調プレート上の基板を昇降機構に受け取らせ、次いで温調プレートを加熱プレートの外方側に移動させた後昇降機構を下降させることにより、前記基板を温調プレートから加熱プレートに受け渡し、前記基板を加熱プレートにより一枚ずつ第1の温度よりも高い硬化処理の温度に加熱すると共に、この基板に所定の波長の紫外線を照射して、基板上の塗布膜を硬化させる硬化処理工程と、を含むことを特徴とする硬化処理方法。 Then temperature control plate substrate heating has been performed is mounted is positioned on the upper side of the heating plate, the substrate on the temperature control plate is raised the lifting mechanism from the heating plate was received lifting mechanism, then warm by lowering the lifting mechanism after a control plate is moved outward side of the heating plate, passing the heated plate the substrate from the temperature control plate, higher than the first temperature by sheet by the heating plate said substrate while heating to a temperature of the curing process, the curing treatment method this was irradiated with ultraviolet light of a predetermined wavelength in the substrate, characterized in that it comprises a curing treatment step of curing the coating film on the substrate.
  19. 前記硬化処理工程の後に行われ、塗布膜が硬化された基板に対して塗布膜の硬化処理とは異なる波長の紫外線を照射し、前記塗布膜の改質を行う改質工程をさらに備えることを特徴とする請求項17又は18記載の硬化処理方法。 The performed after the curing treatment step is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength different from the curing of the coating film to the substrate where the coating film is cured, further comprising a modification step for modifying the coating film hardening method according to claim 17 or 18 wherein.

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