JP2004259966A - Aligner and device manufacturing method - Google Patents

Aligner and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2004259966A
JP2004259966A JP2003049366A JP2003049366A JP2004259966A JP 2004259966 A JP2004259966 A JP 2004259966A JP 2003049366 A JP2003049366 A JP 2003049366A JP 2003049366 A JP2003049366 A JP 2003049366A JP 2004259966 A JP2004259966 A JP 2004259966A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
liquid
substrate
area
projection
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003049366A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4604452B2 (en )
Inventor
Hiroyuki Nagasaka
博之 長坂
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70341Immersion

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner which can suppress a decline in pattern transferring accuracy caused by the temperature change of liquid when carrying out exposure, with a liquid immersion area formed between a projection optical system and a substrate. <P>SOLUTION: In the aligner EX, the liquid immersion area AR2 is formed on part of the substrate P including a projection region AR1 of the projection optical system PL. A pattern image is projected on the substrate P via the liquid 1 located between the projection optical system PL and the substrate P, and then a plurality of shot areas of the substrate P are exposed one by one. In order to form the liquid immersion region AR2, the aligner EX is equipped with a liquid supply mechanism 10 which supplies the liquid 1 to the substrate P at least down a side face 3 near the head of the projection optical system PL. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で基板にパターンを露光する露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method for exposing a pattern on a substrate while forming the liquid immersion area between the projection optical system and the substrate.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。 Semiconductor devices and liquid crystal display devices, to transfer a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, is manufactured by a so-called photolithography technique. このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。 An exposure apparatus used in this photolithographic process, and a substrate stage that supports the mask stage and the substrate supporting the mask, the pattern of the mask through a projection optical system while moving the mask stage and the substrate stage sequentially it is transferred onto the substrate. 近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。 Recently for higher resolution of the projection optical system in order to cope with higher integration of the device pattern it is desired. 投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 Resolution of the projection optical system, as the exposure wavelength to be used is shorter, the higher the larger the numerical aperture of the projection optical system. そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。 Therefore, the exposure wavelength used in exposure apparatuses has shortened year by year wavelength has increased numerical aperture of projection optical systems. そして、現在主流の露光波長はKrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されつつある。 The mainstream exposure wavelength currently is a 248nm from a KrF excimer laser, it is being put to practical use yet ArF excimer laser of short wavelength 193 nm. また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。 Further, when exposure is performed, similarly to the resolution depth of focus (DOF) is also important. 解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。 The resolution R, and the depth of focus δ are represented by the following expressions.
R=k ・λ/NA … (1) R = k 1 · λ / NA ... (1)
δ=±k ・λ/NA … (2) δ = ± k 2 · λ / NA 2 ... (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k 、k はプロセス係数である。 Here, lambda is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, k 1, k 2 represent the process coefficients. (1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。 (1) and (2), in order to enhance the resolution R, then shorten the exposure wavelength lambda, and the numerical aperture NA is increased, it can be seen that the depth of focus δ becomes narrower.
【0003】 [0003]
焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のマージンが不足するおそれがある。 If the depth of focus δ is too narrowed, it is difficult to match the substrate surface with respect to the image plane of the projection optical system, a margin during the exposure operation may be insufficient. そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献1に開示されている液浸法が提案されている。 Therefore, by substantially shortening the exposure wavelength and a method of widening the depth of focus, for example, immersion method disclosed in Patent Document 1 it has been proposed. この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間に水や有機溶媒等の液体を満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の1/n(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。 This liquid immersion method forms an immersion area meets the liquid, such as water or an organic solvent between the lower surface and the substrate surface of the projection optical system, 1 / n of the wavelength of the exposure light in the liquid in the air (n is usually about 1.2 to 1.6 in the refractive index of the liquid) as well as improving the resolution as well be a, is that the depth of focus is magnified about n times.
【0004】 [0004]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
国際公開第99/49504号パンフレット【0005】 Pamphlet No. WO 99/49504 [0005]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
露光装置においては、基板の露光中にフォーカス検出系より基板表面に検出光を投射し、その反射光を受光することで基板表面位置を検出することが一般に行われている。 In the exposure apparatus, projecting a detection light to the substrate surface from the focus detection system during exposure of the substrate, it is common to detect the substrate surface position by receiving the reflected light. 液浸法に基づく液浸露光装置においては投影光学系と基板との間に液浸領域が形成されるが、液体は空気等の気体に比べて比熱が大きく温度変化しやすい。 Although the liquid immersion exposure apparatus based on the liquid immersion method is immersion area is formed between the projection optical system and the substrate, the liquid gas temperature tends to change specific heat larger than that of such air. そのため、温度変化しやすい液浸領域の液体中を検出光が通過すると、その液体の温度変化に基づく屈折率変化の影響を受けて基板表面の面位置が正確に検出できなくなる可能性が生じる。 Therefore, when the liquid temperature labile immersion area detection light passes, the possibility of surface position of the substrate surface can not be accurately detected under the influence of the refractive index change based on the temperature change of the liquid occurs. 液浸領域の外側の基板表面に検出光を投射することも考えられるが、投影領域の面位置情報を精度良く検出するためには投影領域の近傍に検出光を投射することが好ましい。 It is conceivable to project the detection light to the outside of the substrate surface of the liquid immersion area, in order to accurately detect the surface position information of the projection area is preferably projecting detection light in the vicinity of the projection area. 液体の温度管理を厳密に行うことにより検出光が液体中を通過しても基板表面の位置検出を精度良く行うことができるが、温度管理のために装置構成が複雑化する。 Position detection of the detection light is the substrate surface even after passing through the liquid by strictly managing the temperature of the liquid can be a high precision, but complexity of device construction for thermal management.
【0006】 [0006]
また、液浸領域の液体は露光光の照射により温度変化(温度上昇)するが、例えば基板上に複数のショット領域を設定しこれら複数のショット領域のそれぞれを順次露光する際、ある1つのショット領域の露光に用いられ温度上昇した液体が基板上に残存していると、次のショット領域を露光するときに用いる液体が前記温度上昇した液体の影響を受けて液体の屈折率が変動し、パターンの像に悪影響を及ぼす可能性がある。 Further, the temperature change (temperature rise) the liquid immersion area by the irradiation of the exposure light Suruga, for example when setting a plurality of shot areas on the substrate sequentially exposed to each of the plurality of shot areas, certain one-shot when the temperature rises to the liquid used in the exposure area remaining on the substrate, under the influence of liquid the liquid used when exposing the next shot region is the temperature increase refractive index varies in the liquid, pattern image may adversely affect the. この場合、次のショット領域では精度良いパターン転写を行うことができなくなる。 In this case, it becomes impossible to perform accurate pattern transfer for the next shot area.
【0007】 [0007]
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で露光処理する際、液体の温度変化に起因するパターン転写精度の低下を抑制できる露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, when the exposure process in a state of forming a liquid immersion area between the projection optical system and the substrate, the pattern transfer precision due to temperature changes of the liquid and an object thereof is to provide an exposure apparatus and device manufacturing method can suppress the reduction. また本発明は、液浸露光を行う場合にも、投影領域の近傍に検出光を投射して基板表面位置を精度良く検出できる露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The invention also in the case of performing immersion exposure, and to provide an exposure apparatus and device manufacturing method by projecting detection light in the vicinity of the projection area can be detected with high accuracy the surface of the substrate position.
【0008】 [0008]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1〜図18に対応付けした以下の構成を採用している。 To solve the above problems, the present invention adopts the following constructions corresponding to Figs. 1 to 18 as illustrated in embodiments.
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)の投影領域(AR1)を含む基板(P)上の一部に液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と基板(P)との間の液体(1)及び投影光学系(PL)を介してパターン像を基板(P)上に投影し、基板(P)の複数のショット領域(S1〜S12)を順次露光する露光装置において、液浸領域(AR2)を形成するために、投影光学系(PL)の少なくとも先端付近の側面(3)を伝って基板(P)上に液体(1)を供給する液体供給機構(10)を備えたことを特徴とする。 The exposure apparatus of the present invention (EX) is projected part on the substrate (P) including a projection area (AR1) of the optical system (PL) to form a liquid immersion area (AR2), the projection optical system and (PL) liquid (1) and the projection optical system between the substrate (P) through the (PL) the pattern image projected onto the substrate (P), successively a substrate a plurality of shot areas (S1 to S12) of (P) in an exposure apparatus for exposing, to form a liquid immersion area (AR2), the liquid which supplies the liquid (1) onto the substrate (P) down along at least near the tip of the side surface (3) is the projection optical system (PL) characterized by comprising a supply mechanism (10).
【0009】 [0009]
本発明によれば、投影光学系の先端付近の側面を伝って基板上に液体を供給するようにしたので、液浸領域を小さくすることができる。 According to the present invention, since the supply liquid onto the substrate along the side surface near the tip of the projection optical system, it is possible to reduce the liquid immersion area. したがって、基板の面位置情報を検出するための検出光を液浸領域以外の空間(例えば空気中)を通過させつつ投影領域の近傍に投射することができる。 Therefore, it can be projected to the vicinity of the projection area while the detection light for detecting the surface position information of the substrate is passed through a space other than the liquid immersion area (e.g. in air). このように、検出光は温度変化しやすい液体中を通過しないで基板上の投影領域の近傍に投射される構成であるので、液体の温度変化の影響を受けずに基板の面位置情報を精度良く検出することができ、高いパターン転写精度を得ることができる。 Thus, the detection light is a structure that is projected in the vicinity of the projection area on the substrate without passing through the temperature labile liquids, precision surface position information of the substrate without being affected by temperature change of the liquid can be detected with good, it is possible to obtain a high pattern transfer accuracy. また、液浸領域を小さくすることができるので、基板上に配置される液体量を少なくすることができ、これにより液体使用量を抑えることができるとともに、液体の基板(レジスト)表面に対する影響(レジスト溶解など)を最小限に抑えることができる。 Further, it is possible to reduce the liquid immersion area, it is possible to reduce the amount of liquid disposed on the substrate, thereby effects it is possible to suppress the liquid amount, the substrate (resist) the surface of the liquid ( resist dissolution, etc.) can be suppressed to a minimum. また、基板上に配置される液体量を少なくすることで液体の気化も抑えられ、基板のおかれている環境(湿度など)の変動を抑えることができ、これにより各種光学的検出装置の検出光の光路上の屈折率変化が生じる可能性を抑制して所望のパターン転写精度を得ることができる。 Further, vaporization of the liquid is suppressed by reducing the amount of liquid disposed on the substrate, it is possible to suppress variation in environment surrounding the substrate (such as humidity), thereby detecting various optical detector by suppressing the possibility that the refractive index change of the optical path of light occurs can be obtained a desired pattern transfer accuracy.
【0010】 [0010]
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)の投影領域(AR1)を含む基板(P)上の一部に液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と基板(P)との間の液体(1)及び投影光学系(PL)を介してパターン像を基板(P)上に投影し、基板(P)の複数のショット領域(S1〜S12)を順次露光する露光装置において、液浸領域(AR2)を形成するために基板(P)上に液体(1)を供給する液体供給機構(10)と、基板(P)上の第1ショット領域を露光するときに使われた液体(1)が第2ショット領域を露光するときに投影領域(AR1)に入らないように基板(P)上の液体(1)を回収する液体回収機構(20)とを備えたことを特徴とする。 The exposure apparatus of the present invention (EX) is projected part on the substrate (P) including a projection area (AR1) of the optical system (PL) to form a liquid immersion area (AR2), the projection optical system and (PL) liquid (1) and the projection optical system between the substrate (P) through the (PL) the pattern image projected onto the substrate (P), successively a substrate a plurality of shot areas (S1 to S12) of (P) exposure in the exposure apparatus for exposing a liquid supply mechanism which supplies the liquid (1) onto the substrate (P) to form a liquid immersion area (AR2) and (10), the first shot region on the substrate (P) liquid recovery mechanism used liquid (1) to recover the liquid (1) on the substrate (P) not to enter the projection area (AR1) when exposing the second shot area when the (20) characterized by comprising a.
【0011】 [0011]
本発明によれば、基板上の複数のショット領域を順次露光する際、第1ショット領域を露光するときに使われた液体が第2ショット領域を露光するときに投影領域に入らないように回収するようにしたので、第2ショット領域を露光するときに使われる液体は、第1ショット領域を露光したときに使われ露光光の照射により温度上昇している液体の影響を受けない、もしくはその液体の影響が低減されている。 According to the present invention, when successively exposing the plurality of shot areas on the substrate, not to enter the projection area when the liquid that was used when exposing the first shot area is exposed to a second shot area reclaim since the way, the liquid to be used when exposing the second shot area, not affected by the liquid that temperature rise by irradiation of use is the exposure light when exposed to a first shot region, or a the influence of the liquid is reduced. したがって、液体の温度変化に起因する液体の屈折率変動の発生を抑制して精度良いパターン転写を行うことができる。 Therefore, it is possible to perform accurate pattern transfer by suppressing the occurrence of the change in the refractive index of the liquid due to temperature change of the liquid. また、露光に使われた液体は基板(レジスト)表面の不純物を混在している可能性があるが、第1ショット領域を露光するときに使われた液体は回収されて第2ショット領域を露光するときに投影領域に入らないので、各ショット領域のそれぞれについて清浄な液体を使って露光処理できる。 Although used in the exposure liquid is likely to have a mix of impurities of the substrate (resist) surface, exposing the second shot area liquid is recovered which is used when exposing the first shot area It does not enter the projection area when the can exposure process using clean liquid for each of the shot areas. また、1つのショット領域に対して使った液体を直ちに回収することにより、残存する液体の気化に起因する基板の熱変動の発生を抑えることができる。 Further, by immediately collecting the liquid with respect to one shot area, it is possible to suppress the generation of thermal fluctuations of the substrate due to the vaporization of the remaining liquid.
ここで、第1ショット領域及び第2ショット領域は任意の連続した2つのショット領域をいう。 Here, the first shot area and the second shot area refers to any two consecutive shots areas. また、第1ショット領域の露光中に使われた液体とは、少なくとも第1ショット領域の露光中に投影領域内に存在していた、あるいは投影領域を通過した液体を含むものである。 Further, the liquid used during the exposure of the first shot area, is intended to include were present in the projection area at least during the exposure of the first shot region, or passed through the projection area liquid.
【0012】 [0012]
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)の投影領域(AR1)を含む基板(P)上の一部に液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と基板(P)との間の液体(1)及び投影光学系(PL)を介してパターン像を投影領域(AR1)内に投影するとともに、投影領域(AR1)に対して基板(P)を所定の走査方向(X)に移動することによって基板(P)上の複数のショット領域(S1〜S12)のそれぞれを順次露光する露光装置において、液浸領域(AR2)を形成するために基板(P)上に液体(1)を供給する液体供給機構(10)と、液体(1)の供給と並行して基板(P)上の液体(1)の回収を行う液体回収機構(20)とを備え、液体回収機構(20)は、投影領域(AR1)に対して走査方向(X The exposure apparatus of the present invention (EX) is projected part on the substrate (P) including a projection area (AR1) of the optical system (PL) to form a liquid immersion area (AR2), the projection optical system and (PL) with projecting liquid between the substrate (P) (1) and the projection optical system a pattern image via the (PL) in the projection area (AR1) in a predetermined substrate (P) with respect to the projection area (AR1) in the exposure apparatus which sequentially exposes a plurality of shot areas on the substrate (P) by moving (S1 to S12) in the scanning direction (X), the substrate to form a liquid immersion area (AR2) (P ) and a liquid supply mechanism which supplies the liquid (1) (10) above, the liquid recovery mechanism for recovering the liquid (substrate in parallel with the supply of 1) (P) on the liquid (1) and (20) comprising a liquid recovery mechanism (20) is the scanning direction with respect to the projection area (AR1) (X と交差する非走査方向(Y)に離れて配置された、非走査方向(Y)に延びる液体回収口(33A、34A)を有することを特徴とする。 And are spaced apart in the non-scanning direction (Y) intersecting, characterized in that it has a liquid recovery port which extends in the non-scanning direction (Y) (33A, 34A).
【0013】 [0013]
本発明によれば、前のショット領域の露光中に使われた液体をその露光後に効率良く回収でき、複数のショット領域のそれぞれを順次露光する際、基板上に液体が残存する状態が生じるのを抑えることができる。 According to the present invention, the liquid used during the exposure of the previous shot area can be efficiently recovered after the exposure, when sequentially exposed to each of the plurality of shot areas, the condition occurs in which the liquid on the substrate is left it can be suppressed. また、基板の面位置情報を検出するための検出光は、投影領域に対して走査方向に沿う基板上の所定領域(AF領域)に投射される場合が多いが、液体回収機構の液体回収口は、投影領域に対して非走査方向に離れて配置され、非走査方向に延びるように設けられているので、液体回収機構を検出光の光路を遮らない位置に配置することができ、これにより検出光による投影領域の面位置情報検出を円滑且つ高精度に行うことができる。 The detection light for detecting the surface position information of the substrate is often projected on a predetermined region on the substrate along the scanning direction with respect to the projection area (AF area), the liquid recovery port of the liquid recovery mechanism are spaced apart in the non-scanning direction with respect to the projection area, so is provided so as to extend in the non-scanning direction, it can be arranged a liquid recovery mechanism to a position which does not block the light path of the detection light, thereby the surface position information detection of the projection area by detecting light can be performed smoothly and accurately.
【0014】 [0014]
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)の投影領域(AR1)を含む基板(P)上の一部に液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と基板(P)との間の液体(1)及び投影光学系(PL)を介してパターン像を投影領域(AR1)内に投影するとともに、投影領域(AR1)に対して基板(P)を所定の走査方向(X)に移動することによって基板(P)上の複数のショット領域(S1〜S12)のそれぞれを順次露光する露光装置において、液浸領域(AR2)を形成するために基板(P)上に液体(1)を供給する液体供給機構(10)と、液体(1)の供給と並行して、投影領域(AR1)に対して走査方向(X)に離れた回収位置で、基板(P)上の液体(1)の回収を行う液体回収機構(20、31A、3 The exposure apparatus of the present invention (EX) is projected part on the substrate (P) including a projection area (AR1) of the optical system (PL) to form a liquid immersion area (AR2), the projection optical system and (PL) with projecting liquid between the substrate (P) (1) and the projection optical system a pattern image via the (PL) in the projection area (AR1) in a predetermined substrate (P) with respect to the projection area (AR1) in the exposure apparatus which sequentially exposes a plurality of shot areas on the substrate (P) by moving (S1 to S12) in the scanning direction (X), the substrate to form a liquid immersion area (AR2) (P ) and a liquid supply mechanism which supplies the liquid (1) (10) on the supply in parallel with the liquid (1), in the recovery position apart in the scanning direction (X) with respect to the projection area (AR1), the substrate (P) on the liquid recovery mechanism for recovering the liquid (1) (20,31A, 3 A)と、パターン像が形成される像面と基板(P)表面との位置関係を調整するために、基板(P)表面の面位置情報を検出する検出系(60)とを備え、検出系(60)は、投影領域(AR1)と回収位置(31A、32A)との間で面位置情報の検出を行うことを特徴とする。 Provided in A), but in order to adjust the positional relationship between the image surface and the substrate (P) surface pattern image is formed, a detection system for detecting surface position information of the substrate (P) surface and (60), detection system (60), characterized in that to detect the surface position information between the projection area (AR1) and the collecting position (31A, 32A).
【0015】 [0015]
本発明によれば、検出系による面位置情報検出は、投影領域と液体回収位置との間で行われるので、投影領域の近傍において投影領域の面位置情報を精度良く検出することができる。 According to the present invention, surface position information detected by the detection system, since performed between the projection area and the liquid recovery position, it is possible to accurately detect the surface position information of the projection area in the vicinity of the projection area. ここで、基板は所定の走査方向に移動しながら露光されるので、液体供給機構より基板上に供給された液体は基板上の移動方向手前側に拡がらず液浸領域を形成しない。 Here, the substrate because it is exposed while moving in a predetermined scanning direction, the liquid supplied from the liquid supply mechanism on the substrate does not form a liquid immersion region does not spread in the moving direction front side of the substrate. したがって、検出光は液体中を通過することなく基板上の投影領域の近傍に投射可能となるので、投影領域の面位置情報を精度良く検出できる。 Therefore, the detection light is so made possible projection in the vicinity of the projection area on the substrate without passing through the liquid, it can be accurately detect the surface position information of the projection area.
【0016】 [0016]
本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置(EX)を用いることを特徴とする。 A device manufacturing method of the present invention is characterized by using the exposure device described above (EX). 本発明によれば、良好なパターン精度で形成されたパターンを有し、所望の性能を発揮できるデバイスを提供できる。 According to the present invention, has been formed with good pattern accuracy pattern can provide a device which can exhibit desired performance.
【0017】 [0017]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to the accompanying drawings exposure apparatus of the present invention. 図1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 Figure 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。 1, the exposure apparatus EX includes a mask stage MST which supports a mask M, a substrate stage PST which supports a substrate P, an illumination optical system IL which illuminates the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL When the projection optical system PL which the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto exposed on the substrate P that is supported by the substrate stage PST, and a control unit CONT which collectively controls the overall operation of the exposure apparatus EX It is provided.
【0018】 [0018]
また、本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体1を供給する液体供給機構10と、液体供給機構10による液体1の供給と並行して基板P上の液体1を回収する液体回収機構20とを備えている。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the exposure wavelength to a liquid immersion exposure apparatus that applies the liquid immersion method to substantially widen the depth of focus is improved substantially shortened by resolution, substrate a liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1 onto the P, and a liquid recovery mechanism 20 which recovers the liquid 1 on the substrate P concurrently with the supply of the liquid 1 by the liquid supply mechanism 10. 露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体1により投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の一部に液浸領域AR2を形成する。 The exposure apparatus EX, the liquid on a part of the substrate P including the projection area AR1 of the projection optical system PL while, the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 that the transfer of the pattern image of at least the mask M onto the substrate P to form the immersion area AR2. 具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの先端部の光学素子2と基板Pの表面との間を液体1で満たし、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体1及び投影光学系PLを介してマスクMのパターン像を基板P上に投影し、基板Pを露光する。 Specifically, the exposure apparatus EX fills the space between tip portion of the optical element 2 and the substrate P on the surface of the projection optical system PL with a liquid 1, and the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P the pattern image of the mask M is projected onto the substrate P via the projection optical system PL, to expose the substrate P.
【0019】 [0019]
ここで、本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。 In the present embodiment, mutually different orientations (reverse) to a scanning exposure for exposing a pattern formed on the mask M while synchronously moving the substrate P and the mask M and the substrate P in the scanning direction as the exposure apparatus EX when using apparatus (so-called scanning stepper) is described as an example. 以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をY軸方向とする。 In the following description, the optical axis AX as the Z-axis direction and a direction matching of the projection optical system PL, and the synchronous movement direction (scanning direction) of the X-axis direction between the mask M and the substrate P in the Z axis direction perpendicular to the plane, Z-axis direction and the Y-axis direction perpendicular to the direction (non-scanning direction) is the Y-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわり方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and Z-axis directions, respectively, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction. なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上に感光性材料であるフォトレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 The term "substrate" referred to herein includes those obtained by coating a photoresist as a photosensitive material on a semiconductor wafer, and the term "mask" includes a reticle formed with a device pattern that is reduction projected onto the substrate.
【0020】 [0020]
照明光学系ILはマスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。 The illumination optical system IL is intended to illuminate the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL, the exposure light source, an optical integrator for uniforming the illuminance of a light flux emitted from the exposure light source, from the optical integrator a condenser lens for condensing the exposure light EL, relay lens system, and the illumination area on the mask M illuminated with the exposure light EL and a variable field diaphragm which sets a slit shape. マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。 The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. 照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。 As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, for example, emission lines in the ultraviolet region emitted from a mercury lamp (g-rays, h-rays, i-rays) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) far ultraviolet light, such as ( DUV light) and, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) and the like. 本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。 ArF excimer laser light is used in this embodiment.
【0021】 [0021]
マスクステージMSTはマスクMを支持するものであって、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。 The mask stage MST has been made to support the mask M, the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, finely rotatable in the two-dimensional movable and θZ directions in the XY plane. マスクステージMSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。 The mask stage MST is driven by mask stage driving unit MSTD such as a linear motor. マスクステージ駆動装置MSTDは制御装置CONTにより制御される。 The mask stage driving unit MSTD is controlled by the controller CONT. マスクステージMST上には移動鏡50が設けられている。 Moving mirror 50 is provided on the mask stage MST. また、移動鏡50に対向する位置にはレーザ干渉計51が設けられている。 A laser interferometer 51 is provided at a position opposed to the movement mirror 50. マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計51によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the mask M on the mask stage MST, and the angle of rotation are measured in real time by the laser interferometer 51, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTはレーザ干渉計51の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行う。 The control apparatus CONT performs positioning of the mask M supported on the mask stage MST by driving the mask stage drive apparatus MSTD based on the measurement results of the laser interferometer 51.
【0022】 [0022]
投影光学系PLはマスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子(レンズ)2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。 Projection optical system PL has been made to the projection exposure onto the substrate P a pattern of the mask M at a predetermined projection magnification beta, a plurality of optical elements including an optical element (lens) 2 provided at the tip portion of the substrate P side is configured, these optical elements are supported by a barrel PK. 本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。 In this embodiment, the projection optical system PL is a projection magnification β which is, for example, 1/4 or 1/5 of the reduction system. なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system. また、本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKに対して着脱(交換)可能に設けられており、光学素子2には液浸領域AR2の液体1が接触する。 Further, the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL of this embodiment is provided detachably with respect to the barrel PK (exchange), the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 makes contact to the optical element 2 .
【0023】 [0023]
更に、光学素子2を含む投影光学系PLの先端部付近はテーパ状に形成されており、投影光学系PLの先端部付近においてX軸方向(走査方向)両側のそれぞれには傾斜側面3、3が形成されている。 Further, near the distal end of the projection optical system PL including the optical element 2 is formed in a tapered shape, X-axis direction (scanning direction) in the vicinity of the tip portion of the projection optical system PL sloped side Each sides 3,3 There has been formed. 本実施形態では、投影光学系PLの先端部に設けられた光学素子2がテーパ状に形成されており、この光学素子2に傾斜側面3、3が形成されている。 In the present embodiment, the optical element 2 provided at the tip portion of the projection optical system PL are formed in a tapered shape, the inclined side surfaces 3,3 are formed on the optical element 2. なお、傾斜側面3、3は鏡筒PKに形成されていてもよいし、鏡筒PK及び光学素子2に亘って形成されていてもよい。 The inclination sides 3,3 may be formed in the barrel PK, may be formed over the barrel PK and the optical element 2. また、側面3、3のそれぞれに沿うようにガイド板4、4が配置されている。 Moreover, they are arranged guide plates 4,4 along the respective sides 3,3. ガイド板4、4は側面3、3と対向する位置において僅かに離間(例えば1mm程度)するように設けられており、側面3とガイド板4との間には流体1が流通可能である。 Guide plates 4,4 is provided so as to slightly spaced in a position facing the side surface 3,3 (for example, about 1 mm), the fluid 1 can flow between the side surfaces 3 and the guide plate 4.
【0024】 [0024]
基板ステージPSTは基板Pを支持するものであって、基板Pを基板ホルダを介して保持するZステージ52と、Zステージ52を支持するXYステージ53と、XYステージ53を支持するベース54とを備えている。 The substrate stage PST has been made to support the substrate P, a Z stage 52 which holds the substrate P via a substrate holder, an XY stage 53 which supports the Z stage 52, and a base 54 which supports the XY stage 53 It is provided. 基板ステージPSTはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。 The substrate stage PST is driven by a substrate stage-driving unit PSTD such as a linear motor. 基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。 The substrate stage-driving unit PSTD is controlled by the control unit CONT. Zステージ52を駆動することにより、Zステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置が制御される。 By driving the Z stage 52, the position in the Z-axis direction of the substrate P held by the Z stage 52 (focus position), and .theta.X, located in the θY direction is controlled. また、XYステージ53を駆動することにより、基板PのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。 Further, by driving the XY stage 53, the position in the XY direction of the substrate P (substantially parallel to the image plane position of the projection optical system PL) is controlled. すなわち、Zステージ52は、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ53は基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。 That, Z stage 52, autofocusing the surface of the substrate P by controlling the focus position and inclination angle of the substrate P, and the auto-leveling system match an existing image plane of the projection optical system PL, XY stage 53 is the substrate P to position in the X-axis direction and the Y-axis direction. なお、ZステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。 It goes without saying that the Z stage and the XY stage may be integrally provided.
【0025】 [0025]
基板ステージPST(Zステージ52)上には移動鏡55が設けられている。 Movement mirror 55 is provided on the substrate stage PST (Z stage 52). また、移動鏡55に対向する位置にはレーザ干渉計56が設けられている。 A laser interferometer 56 is provided at a position opposed to the movement mirror 55. 基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角はレーザ干渉計56によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the substrate P on the substrate stages PST, and the rotation angle of the θZ direction are measured in real time by the laser interferometer 56, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTはレーザ干渉計56の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの位置決めを行う。 Controller CONT performs positioning of substrate P supported by the substrate stage PST by driving the substrate stage drive apparatus PSTD based on the measurement results of the laser interferometer 56. また、露光装置EXは、基板ステージPSTに支持されている基板P表面の面位置情報を検出するためのフォーカス検出系60(図3参照)を備えている。 The exposure apparatus EX comprises a focus detection system 60 (see FIG. 3) for detecting the surface position information about the surface of the substrate P that is supported by the substrate stage PST. 基板ステージPST上の基板PのZ軸方向の位置情報、及びθX、θY方向の位置情報はフォーカス検出系60によりリアルタイムで検出され、検出結果は制御装置CONTに出力される。 Position information in the Z-axis direction of the substrate P on the substrate stages PST, and .theta.X, position information of the θY direction is detected in real time by the focus detection system 60, detection results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTはフォーカス検出系60の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの位置制御(姿勢制御)を行う。 The control unit CONT performs the detection result to the position control of the substrate P supported by the substrate stage PST by driving the substrate stage drive apparatus PSTD based the focus detection system 60 (attitude control).
【0026】 [0026]
また、基板ステージPST(Zステージ52)上には、基板Pを囲むように補助プレート57が設けられている。 Further, on the substrate stage PST (Z stage 52), an auxiliary plate 57 is provided so as to surround the substrate P. 補助プレート57は基板ホルダに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さの平面を有している。 Auxiliary plate 57 has a plane of substantially the same height as the the surface of the substrate P held by the substrate holder. ここで、基板Pのエッジと補助プレート57との間には1〜2mm程度の隙間があるが、液体1の表面張力によりその隙間に液体1が流れ込むことはほとんどなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、補助プレート57により投影光学系PLの下に液体1を保持することができる。 Here, between the auxiliary plate 57 and the edge of the substrate P there is a gap of about 1 to 2 mm, hardly be liquid 1 flows into the gap owing to the surface tension of the liquid 1, the vicinity of the periphery of the substrate P when exposure also can hold the liquid 1 below the projection optical system PL by the auxiliary plate 57.
【0027】 [0027]
図2は液体供給機構10及び液体回収機構20を示す概略構成図である。 Figure 2 is a schematic diagram showing a liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20. 図2において、液体供給機構10は液浸領域AR2を形成するために所定の液体1を基板P上に供給するものであって、液体1を供給可能な第1液体供給部11及び第2液体供給部12と、その一端部を第1液体供給部11に接続した流路を有する供給管11Aと、その一端部を第2液体供給部12に接続した流路を有する供給管12Aと、投影光学系PLの先端部付近の一方(−X側)の側面3とガイド板4との間に形成され、液体1を流通可能な第1流路13と、他方(+X側)の側面3とガイド板4との間に形成され、液体1を流通可能な第2流路14とを備えている。 2, the liquid supply mechanism 10 be those predetermined liquid 1 for forming the liquid immersion area AR2 is supplied onto the substrate P, the first liquid supply unit 11 and the second liquid capable of supplying the liquid 1 a supply section 12, a supply pipe 11A having a flow passage connecting the one end portion to the first liquid supply unit 11, and the end feed tube 12A having a flow passage connected to the second liquid supply section 12, the projection formed between the side surface 3 and the guide plate 4 in one of the vicinity of the leading end portion of the optical system PL (-X side), a first flow passage 13 can flow the liquid 1, and the side surface 3 of the other (+ X side) is formed between the guide plate 4, and a second flow passage 14 can flow the liquid 1. 第1、第2流路13、14は、上端開口部である入口部13A、14A及び下端開口部である出口部13B、14Bをそれぞれ備えている。 First, second flow path 13 and 14 includes an inlet portion 13A which is the upper end opening, 14A and outlet 13B is a bottom opening, 14B, respectively. そして、供給管11Aの他端部が第1流路13の入口部13Aに接続され、供給管12Aの他端部が第2流路14の入口部14Aに接続されている。 The other end of the supply tube 11A is connected to the inlet portion 13A of the first flow path 13, the other end of the supply tube 12A is connected to the inlet portion 14A of the second flow path 14. また、第1、第2流路13、14それぞれの出口部13B、14Bは基板Pの表面に近接して配置されている。 The first, second passage 13, 14 of the outlet portion 13B, 14B are arranged close to the surface of the substrate P. 第1、第2流路13、14は、第1、第2液体供給部11、12のそれぞれから送出され、供給管11A、12Aを通過した液体1を入口部13A、14Bより入れ、出口部13B、14Bから出すことで、液体1を基板P上に供給する。 First, second flow path 13 and 14, first, transmitted from the respective second liquid supply sections 11, 12, placed supply pipe 11A, the liquid 1 that has passed through the 12A inlet portion 13A, from 14B, the outlet section 13B, by issuing from 14B, supplies the liquid 1 onto the substrate P. すなわち、液体供給機構10は、投影光学系PLの先端部の側面3を伝って基板P上に液体1を供給し、更に具体的には、側面3、3とガイド板4、4との間に形成された第1、第2流路13、14に液体1を流して、基板P上に液体1を供給する。 That is, the liquid supply mechanism 10, the liquid 1 supplied onto the substrate P along the side surface 3 of the tip portion of the projection optical system PL, more specifically, between the side 3,3 and the guide plate 4, 4 first formed, the second flow path 13 to flow the liquid 1, which supplies the liquid 1 onto the substrate P. ここで、第1、第2流路13、14それぞれの出口部13B、14Bは基板Pの面方向において互いに異なる位置に設けられている。 Here, first, second passage 13, 14 of the outlet portion 13B, 14B are provided at positions different from each other in the surface direction of the substrate P. 具体的には、出口部13Bは投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、出口部14Bは他方側(+X側)に設けられている。 Specifically, the outlet 13B provided in the scanning direction one side with respect to the projection area AR1 (-X side), the outlet portion 14B is provided on the other side (+ X side). 液体供給機構10は、第1、第2液体供給部11、12を駆動することにより、第1、第2流路13、14の出口部13B、14Bを介して、走査方向と平行な方向であるX軸方向に関して、投影領域AR1の両側で液体1の供給を同時に行うことができるようになっている。 Liquid supply mechanism 10 by driving the first and second liquid supply sections 11, 12, the first outlet portion 13B of the second flow path 13, through 14B, the scanning direction parallel to the direction for certain X-axis direction, thereby making it possible to supply the liquid 1 simultaneously on the both sides of the projection area AR1.
【0028】 [0028]
第1、第2液体供給部11、12のそれぞれは、液体1を収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。 Each of the first and second liquid supply sections 11, 12, a tank for accommodating the liquid 1, and a pressurizing pump. 第1、第2液体供給部11、12の液体供給動作は制御装置CONTにより制御され、制御装置CONTは第1、第2液体供給部11、12による基板P上に対する単位時間あたりの液体供給量をそれぞれ独立して制御可能である。 First, the liquid supply operation of the second liquid supply unit 11, 12 is controlled by the control unit CONT, the control apparatus CONT liquid supply amount per unit time with respect to the upper substrate P by the first and second liquid supply sections 11, 12 the can be controlled independently.
【0029】 [0029]
本実施形態において、液体1には純水が用いられる。 In the present embodiment, pure water is used for the liquid 1. 純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。 Not only the ArF excimer laser light but, for example, emission lines in the ultraviolet region emitted from a mercury lamp (g-rays, h-rays, i-rays) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light beam) such as It can also be transparent.
【0030】 [0030]
また、液体供給機構10のうち、流路13、14を構成する投影光学系PLの側面3には、液体1との親和性を高める親液化処理(親水化処理)が施されている。 Further, among the liquid supply mechanism 10, the side surface 3 of the projection optical system PL that constitute the flow path 13 and 14, lyophilic treatment to enhance the affinity for the liquid 1 (hydrophilic treatment) is applied. 本実施形態において、液体1は水であるため、側面3には水との親和性に応じた表面処理が施されている。 In this embodiment, the liquid 1 is because it is water, on the side 3 has been subjected to a surface treatment in accordance with the affinity for water. 流路13、14を構成する側面3に親液化処理を施すことにより、流体1は円滑に流通される。 By applying lyophilic treatment on the side surface 3 of the flow path 13 and 14, the fluid 1 is smoothly circulated.
【0031】 [0031]
側面3に対する表面処理は液体1の極性に応じて行われる。 Surface treatment for the side surface 3 is performed depending on the polarity of the liquid 1. 本実施形態における液体1は極性の大きい水であるため、側面3に対する親水化処理として、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することで、この側面3に対して親水性を付与する。 Since the liquid 1 in this embodiment is a great water polar, as a hydrophilic treatment for the side surface 3, for example, by forming a thin film with a substance high polarity molecular structure such as alcohol, hydrophilic with respect to the side surface 3 Give. あるいは、側面3に対して、例えば処理ガスとして酸素(O )を用いてプラズマ処理するO プラズマ処理を施すことによっても親水性を付与することができる。 Alternatively, it is possible to impart hydrophilicity by against the sides 3, for example, as a processing gas oxygen O 2 plasma treatment using a plasma treatment using a (O 2) is subjected. このように、液体1として水を用いる場合には側面3にOH基など極性の大きい分子構造を持ったものを表面に配置させる処理が望ましい。 Thus, the process of arranging the one having a larger molecular structures of the polar such as OH group on the side surface 3 on the surface in the case where water is used as the liquid 1 is desirable. ここで、表面処理のための薄膜は液体1に対して非溶解性の材料により形成される。 Here, a thin film for the surface treatment is formed of a non-soluble material to liquid 1. また、親液化処理は、使用する液体1の材料特性に応じてその処理条件を適宜変更される。 Further, lyophilic treatment is appropriately be changed the processing conditions according to the material properties of the liquid 1 to be used.
【0032】 [0032]
なお、親液化処理は投影光学系PLの側面3のみならず、流路13、14を構成するガイド板4に対しても親液化処理を施すことが可能である。 Incidentally, lyophilic treatment is not only the side surface 3 of the projection optical system PL, and it is possible to perform the lyophilic process against the guide plate 4 constituting the flow path 13, 14.
【0033】 [0033]
図3は液体供給機構10及び液体回収機構20の概略構成を示す斜視図である。 Figure 3 is a perspective view showing a schematic configuration of the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20. 図3に示すように、ガイド板4は断面視コ字状に形成されており側面3に接続されている。 As shown in FIG. 3, the guide plate 4 is connected to the side surface 3 is formed in cross section U-shaped. そして、側面3とガイド板4との間にスリット状の流路13、14が設けられている。 The slit-shaped flow path 13, 14 is provided between the side surface 3 and the guide plate 4. なお、流路13、14それぞれのY軸方向両端は断面視コ字状に形成されたガイド板4の側面により閉塞されている。 Incidentally, each of the Y-axis direction end passage 13 is closed by the side surface of the guide plate 4 formed cross section U-shaped. 流路13、14を流れた液体1はY軸方向に延びる出口部13B、14Bから基板P上に供給される。 Liquid 1 flows through the flow path 13, 14 is an outlet portion 13B extending in the Y-axis direction is supplied from 14B onto the substrate P. また、出口部13Bと出口部14BとのX軸方向における間隔は、投影光学系PLの先端部のX軸方向における大きさ、ひいては投影領域AR1のX軸方向における大きさとほぼ同じ値に設定されている。 The distance in the X-axis direction of the outlet portion 13B and the outlet 14B, the size in the X-axis direction of the distal end portion of the projection optical system PL, is set in turn almost equal to the size in the X-axis direction of the projection area AR1 ing. なお、図3において、光学素子2の上面は球面状に成形されている。 In FIG. 3, the upper surface of the optical element 2 is formed in a spherical shape. また図3においては、簡単のために、光学素子2はXZ平面と平行な二つの側面を持つ形状となっているが、この二つの側面は実際にはXZ平面に対して傾斜した平面、又は曲面である。 In Figure 3 also, for the sake of simplicity, the optical element 2 has a shape having a XZ plane parallel to the two sides, the two sides are in fact inclined with respect to the XZ plane plane, or it is a curved surface.
【0034】 [0034]
また、図3に示すように、露光装置EXは基板P表面の面位置情報を検出するためのフォーカス検出系60を備えている。 Further, as shown in FIG. 3, the exposure apparatus EX includes a focus detection system 60 for detecting the surface position information about the substrate P surface. フォーカス検出系60は、基板P上の投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)の所定領域(以下、適宜「第1AF領域」と称する)AF1において面位置情報を検出する第1検出系61と、他方側(+X側)の所定領域(以下、適宜「第2AF領域」と称する)AF2において面位置情報を検出する第2検出系62とを備えている。 Focus detection system 60 includes first detecting a predetermined area (hereinafter referred to as a "first 1AF region") AF1 in surface position information of the scanning direction one side with respect to the projection area AR1 on the substrate P (-X side) a detection system 61, a predetermined region of the other side (+ X side) and a second detection system 62 which detects the surface position information (hereinafter, appropriately referred to as "second 2AF region") AF2. 本実施形態のフォーカス検出系60(61、62)は所謂斜入射方式フォーカス検出系であって、第1検出系61は、第1AF領域AF1に検出光を斜め方向から投射する投射部61Aと、第1AF領域AF1で反射した反射光を受光する受光部61Bとを備えている。 Focus detection system 60 of this embodiment (61, 62) is a Tokoroihasu incidence type focus detection system, the first detection system 61 includes a projection portion 61A which projects a detecting light from an oblique direction to a 1AF area AF1, and a light receiving portion 61B for receiving the reflected light reflected by the first 1AF area AF1. 一方、第2検出系62は、第2AF領域AF2に検出光を斜め方向から投射する投射部62Aと、第2AF領域AF2で反射した反射光を受光する受光部62Bとを備えている。 On the other hand, the second detection system 62 includes a projection portion 62A projecting obliquely detection light to the 2AF region AF2, and a light receiving portion 62B for receiving the reflected light reflected by the first 2AF region AF2. ここで、投射部61Aと受光部61BとはY軸方向に沿って配置されており、検出光及びその反射光は基板Pの非走査方向であるY軸方向に沿う光路を有する。 Here, the projection portion 61A and the light receiving portion 61B is arranged along the Y-axis direction, the detection light and the reflected light has an optical path along the Y-axis direction which is the non-scanning direction of the substrate P. 同様に、投射部62Aと受光部62BともY軸方向に沿って配置されており、検出光及びその反射光は基板Pの非走査方向であるY軸方向に沿う光路を有する。 Similarly, with the projection portion 62A and the light receiving portion 62B is arranged along the Y-axis direction, the detection light and the reflected light has an optical path along the Y-axis direction which is the non-scanning direction of the substrate P.
【0035】 [0035]
なお、図3においては、フォーカス検出系60の投射部61Aからの検出光は、第1AF領域AF1無いにおいて、走査方向(X方向)に沿って3箇所に投射されているが、非走査方向(Y方向)に沿った複数箇所に投射してもよいし、二次元的な複数箇所に投射するようにしてもよい。 In FIG. 3, the detection light from the projection part 61A of the focus detection system 60, in the absence of a 1AF area AF1, has been projected at three locations along the scanning direction (X direction), the non-scanning direction ( may be projected at a plurality of positions along the Y-direction) may be projected onto a two-dimensional plurality of locations. また1点に投射するようにしてもよい。 Or it may be projected on one point. また、投射部や受光部の位置も図3の位置に限られない。 Also, the position of the projection portion and the light receiving portion is not limited to the position of FIG.
【0036】 [0036]
フォーカス検出系60による基板Pの面位置情報の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはフォーカス検出系60の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPST上の基板Pの位置及び姿勢を制御することで、投影光学系PLのパターン像が形成される像面と基板P表面との位置関係を調整する。 Detection result of the surface position information about the substrate P by the focus-detecting system 60 is output to the control unit CONT, the control unit CONT based on the detection result of the focus detection system 60, on the substrate stage PST via the substrate stage drive apparatus PSTD by controlling the position and attitude of the substrate P, and adjusts the positional relationship between the image plane and the surface of the substrate P on which the pattern image of the projection optical system PL is formed.
【0037】 [0037]
図2及び図3に示すように、基板P上の液体1を回収する液体回収機構20は、第1〜第4液体回収部21〜24(但し、図2には第4液体回収部は図示されていない)と、これら液体回収部21〜24のそれぞれに流路を有する回収管21A〜24Aを介して接続され、基板Pの表面に近接して配置された第1〜第4液体回収部材31〜34とを備えている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid recovery mechanism 20 which recovers the liquid 1 on the substrate P, the first to fourth liquid recovery unit 21 to 24 (however, the fourth liquid recovery unit 2 is shown and are not even) by being connected via a recovery tube 21A~24A having a flow path for each of these liquid recovery unit 21 to 24, first to fourth liquid recovery member disposed close to the surface of the substrate P and a 31 to 34. 第1〜第4液体回収部材31〜34のそれぞれは基板P側に向いた第1〜第4液体回収口31A〜34Aを有している。 Each of the first to fourth liquid recovery member 31 to 34 has first to fourth liquid recovery port 31A~34A facing the substrate P side. 液体回収部21〜24は例えば真空ポンプ等の吸引装置、及び回収した液体1を収容するタンク等を備えており、基板P上の液体1を液体回収部材31〜34及び回収管21A〜24Aを介して回収する。 The liquid recovery unit 21 to 24 for example a suction device such as a vacuum pump, and has a tank for accommodating the liquid 1 recovered, the liquid 1 on the substrate P liquid recovery member 31-34 and the recovery pipe 21A~24A through to recover. 第1〜第4液体回収部21〜24の液体回収動作は制御装置CONTによりそれぞれ独立して制御され、制御装置CONTは第1〜第4液体回収部21〜24による単位時間あたりの液体回収量をそれぞれ独立して制御可能である。 The liquid recovery operation of the first to fourth liquid recovery unit 21 to 24 are controlled independently by the control unit CONT, the controller CONT liquid recovery amount per unit time by the first to fourth liquid recovery unit 21 to 24 the can be controlled independently.
【0038】 [0038]
図4は第1〜第4液体回収部材31〜34の第1〜第4液体回収口31A〜34Aと、投影領域AR1及び第1、第2AF領域AF1、AF2との位置関係を模式的に示す平面図である。 Figure 4 shows the first to fourth liquid recovery port 31A~34A of the first to fourth liquid recovery member 31 to 34, the projection area AR1 and the first, the positional relationship between the first 2AF area AF1, AF2 schematically it is a plan view. 図4に示すように、投影光学系PLの投影領域AR1はY軸方向(非走査方向)を長手方向とする矩形状に設定されている。 As shown in FIG. 4, the projection area AR1 of the projection optical system PL is set to a rectangular shape of the Y-axis direction (non-scanning direction) is the longitudinal direction. また、図4には図示していないが、上述したように液体供給機構10の出口部13B、14BのそれぞれはY軸方向に延びるスリット状であり、出口部13B、14BのX軸方向における間隔は投影領域AR1とほぼ同じ大きさに設定されているので、液体1が満たされる液浸領域AR2は投影領域AR1を含むように基板P上の一部に形成される。 Further, although not shown in FIG. 4, the outlet portion 13B of the liquid supply mechanism 10 as described above, each of 14B is a slit shape extending in the Y-axis direction, distance in the X-axis direction of the outlet portion 13B, 14B since it is set to approximately the same size as the projection area AR1, the liquid immersion area AR2 of the liquid 1 is filled is formed on a part of the substrate P so as to include the projection area AR1.
【0039】 [0039]
第1〜第4液体回収口31A〜34Aのそれぞれは、Y軸方向(非走査方向)に延びるように矩形状に設けられ、Y軸方向に関して所定の長さを有している。 Each of the first to fourth liquid recovery port 31 a to 34, provided in a rectangular shape so as to extend in the Y axis direction (non-scanning direction), and has a predetermined length in the Y-axis direction. 第1〜第4液体回収口31A〜34AそれぞれのY軸方向における長さは投影領域AR1より長く形成されている。 The length in the first to fourth liquid recovery port 31A~34A each Y-axis direction is longer than the projection area AR1. 更に好ましくは、液浸領域AR2のY軸方向における長さ(出口部13B、14BのY軸方向における長さ)より長く形成されている。 More preferably, the length in the Y-axis direction of the liquid immersion area AR2 is formed (outlet 13B, the length in the Y-axis direction 14B) longer. 第1、第2液体回収口31A、32AはX軸方向(走査方向)に関して投影領域AR1の両側に配置され、この投影領域AR1に対して離れた位置に設けられている。 First, second liquid recovery ports 31A, 32A are arranged on both sides of the projection area AR1 in the X axis direction (scanning direction), it is provided in a position away against the projection area AR1. 第3、第4液体回収口33A、34AはX軸方向と交差するY軸方向(非走査方向)に関して投影領域AR1の両側に配置され、この投影領域AR1に対して離れた位置に設けられている。 Third, fourth liquid recovery ports 33A, 34A are arranged on both sides of the projection area AR1 in the Y axis direction crossing the X-axis direction (non-scanning direction), provided in a position away against the projection area AR1 there. 具体的には、第1液体回収口31Aは投影領域AR1に対してX軸方向一方側(−X側)に設けられ、第2液体回収口32Aは他方側(+X側)に設けられ、第3液体回収口33AはY軸方向一方側(−Y側)に設けられ、第4液体回収口34Aは他方側(+Y側)に設けられている。 More specifically, the first liquid recovery port 31A is provided on the X-axis direction on one side with respect to the projection area AR1 (-X side), the second liquid recovery port 32A is provided on the other side (+ X side), the 3 liquid recovery port 33A is provided on the Y-axis direction one side (-Y side), the fourth liquid recovery port 34A is provided on the other side (+ Y side).
【0040】 [0040]
液体回収機構20は、液体回収部21〜24を駆動することにより、液体回収口31A〜34Aを介して基板P上の液体1を回収する。 Liquid recovery mechanism 20 by driving the liquid recovery unit 21 to 24, to recover the liquid 1 on the substrate P via the liquid recovery port 31 a to 34. すなわち、液体回収口31A〜34Aの設置位置が基板P上の液体1の回収を行う回収位置である。 That is, the installation position of the liquid recovery port 31A~34A is recovered position for recovery of the liquid 1 on the substrate P. 液体回収機構20は、第1、第2液体回収部21、22を駆動することにより、投影領域AR1に対してX軸方向に離れた回収位置で、基板P上の液体1の回収を行うことができる。 Liquid recovery mechanism 20 by driving the first and second liquid recovery sections 21, 22, at the recovery position apart in the X axis direction with respect to the projection area AR1, to perform the recovery of the liquid 1 on the substrate P can. また、液体回収機構20は、第3、第4液体回収部23、24を駆動することにより、投影領域AR1に対してY軸方向に離れた回収位置で、基板P上の液体1の回収を行うことができる。 The liquid recovery mechanism 20, the third, by driving the fourth liquid recovery unit 23, the recovery position apart in the Y axis direction with respect to the projection area AR1, the recovery of the liquid 1 on the substrate P It can be carried out.
【0041】 [0041]
図4に示すように、第1AF領域AF1は投影領域AR1と第1液体回収口31Aとの間に設定され、第2AF領域AF2は投影領域AR1と第2液体回収口32Aとの間に設定されている。 As shown in FIG. 4, the 1AF area AF1 is set between the projection area AR1 and the first liquid recovery ports 31A, first 2AF region AF2 is set between the projection area AR1 and the second liquid recovery port 32A ing. すなわち、本実施形態において、フォーカス検出系60(第1、第2検出系61、62)は、第1、第2液体回収口31A、32Aによる液体回収位置のそれぞれと投影領域AR1との間で、基板Pの面位置情報を検出を行うようになっている。 That is, in the present embodiment, the focus detection system 60 (first, second detection system 61, 62) is between the first, second liquid recovery ports 31A, 32A respectively and the projection area AR1 of the liquid recovery position by , and it performs the detection of surface position information of the substrate P.
【0042】 [0042]
面位置情報検出時に用いられる第1、第2AF領域AF1、AF2には液体1が配置されないようになっている。 First used during surface position information detection, the first 2AF area AF1, AF2 so that the liquid 1 is not arranged. すなわち、基板Pの面位置情報検出時に用いられるAF領域AF1、AF2はどちらか一方が非液浸領域となっている。 That, AF area used at the time of surface position information detection of the substrate P AF1, AF2 are either are inactive liquid immersion area.
【0043】 [0043]
投影領域AR1に対してY軸方向両側に設けられた第3、第4回収部材33、34はY軸方向を長手方向とし、投影領域AR1に対してY軸方向に沿って並ぶように設けられ、しかもそのX軸方向の幅は投影領域AR1の幅とほぼ同じに設けられているので、Y軸方向に沿う光路を有し、第1、第2AF領域AF1、AF2に投射される検出光及びその反射光は液体回収部材31〜34によりその光路を遮られないようになっている。 3 provided on the Y-axis direction both sides of the projection area AR1, fourth recovery members 33, 34 is a Y-axis direction is the longitudinal direction, provided so as to be aligned along the Y-axis direction with respect to the projection area AR1 , and since the width of the X-axis direction is provided substantially the same as the width of the projection area AR1, it has an optical path along the Y-axis direction, first, the detection light and is projected to the 2AF area AF1, AF2 the reflected light is made so as not to block the optical path by the liquid recovery member 31-34.
【0044】 [0044]
ここで、液体供給機構10及び液体回収機構20を構成する各部材のうち少なくとも液体1が流通する部材は、例えばポリ四フッ化エチレン等の合成樹脂により形成されている。 Here, members of at least the liquid 1 flows out of the respective members constituting the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 is formed by, for example, polytetrafluoroethylene such as synthetic resin. これにより、液体1に不純物が含まれることを抑制できる。 This can suppress to include impurities in the liquid 1.
【0045】 [0045]
次に、上述した露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について説明する。 Next, the pattern image of the mask M will be described a method for exposing the substrate P by using the exposure apparatus EX described above.
ここで、本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域AR2の液体1及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR1内に投影され、マスクMが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域AR1に対して+X方向(又は−X方向)に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。 Here, the exposure apparatus EX of the present embodiment, the pattern image of the mask M while moving the mask M and the substrate P in the X axis direction (scanning direction) be one which projection exposure onto the substrate P, when the scanning exposure is , part of the pattern image of the mask M is projected in the projection area AR1 via the liquid 1 and the projection optical system PL of the liquid immersion area AR2, the mask M is moved at the velocity V in the -X direction (or + X direction) in synchronism with the velocity beta · V in the + X direction (or -X direction) with respect to the substrate P is the projection area AR1 (beta is the projection magnification) moves. そして、図5の平面図に示すように、基板P上には複数のショット領域S1〜S12が設定されており、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。 Then, as shown in the plan view of FIG. 5, on the substrate P are set a plurality of shot areas S1 to S12, after the exposure is completed for one shot area, the next shot area by the stepping movement of the substrate P There was moved to the scanning start position, hereinafter, the scanning exposure process for the respective shot areas while moving the substrate P is sequentially performed by the step-and-scan method. なお、本実施形態では、制御装置CONTは、投影光学系PLの光軸AXが図5の破線矢印58に沿って進むようにレーザ干渉計56の出力をモニタしつつXYステージ53を移動するものとする。 In the present embodiment, the control unit CONT, which optical axis AX of the projection optical system PL moves the XY stage 53 while monitoring the output of the laser interferometer 56 to travel along a broken line arrow 58 in FIG. 5 to.
【0046】 [0046]
まず、マスクMがマスクステージMSTにロードされるとともに、基板Pが基板ステージPSTにロードされたら、走査露光処理を行うに際し、制御装置CONTは液体供給機構10を駆動し、基板P上に対する液体供給動作を開始する。 First, the mask M is loaded on the mask stage MST, When the substrate P is loaded on the substrate stages PST, when performing the scanning exposure process, the control unit CONT drives the liquid supply mechanism 10, the liquid supply to the upper substrate P to start the operation. 液浸領域AR2を形成するために液体供給機構10の第1、第2液体供給部11、12のそれぞれから供給された液体1は、供給管11A、12Aを流通した後、第1、第2流路13、14を介して基板P上に供給され、投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2を形成する。 The first liquid supply mechanism 10 in order to form the liquid immersion area AR2, the liquid 1 supplied from the respective second liquid supply units 11 and 12, after flowing the supply pipe 11A, a 12A, first, second It is supplied onto the substrate P through the passage 13, to form the liquid immersion area AR2 between the projection optical system PL and the substrate P. ここで、供給管11A、12Aを流通した液体1はスリット状に形成された第1、第2流路13、14の幅方向に拡がり、出口部13B、14Bより基板P上の広い範囲に供給される。 The first liquid 1 flows supply pipe 11A, the 12A is formed in a slit shape, spread in the width direction of the second flow path 13, the supply outlet portion 13B, from 14B to a wide range on the substrate P It is. 第1、第2流路13、14の出口部13B、14Bから基板P上に供給された液体1は、投影光学系PLの先端部(光学素子2)の下端面と基板Pとの間に濡れ拡がるように供給され、投影領域AR1を含む基板P上の一部に液浸領域AR2を形成する。 First, outlet 13B, the liquid 1 supplied from 14B onto the substrate P of the second flow path 13 and 14, between the lower end surface and the substrate P at the end portion of the projection optical system PL (optical element 2) It is supplied as wet spread, to form the liquid immersion area AR2 on a part of the substrate P including the projection area AR1. このとき、制御装置CONTは、液体供給機構10のうち投影領域AR1のX軸方向(走査方向)両側に配置された第1、第2流路13、14の出口部13B、14Bのそれぞれより、投影領域AR1の両側から基板P上への液体1の供給を同時に行う。 At this time, the control unit CONT, the first outlet portion 13B of the second flow path 13, 14 X-axis direction of the projection area AR1 disposed (scanning direction) on both sides of the liquid supply mechanism 10, from each of 14B, performed from both sides of the projection area AR1 of the supply of the liquid 1 onto the substrate P simultaneously.
【0047】 [0047]
本実施形態において、投影領域AR1の走査方向両側から基板Pに対して液体1を供給する際、制御装置CONTは、液体供給機構10の第1、第2液体供給部11、12の液体供給動作を制御し、基板P上の1つのショット領域の走査露光中に、走査方向に関して投影領域AR1の一方側から供給する液体量(単位時間あたりの液体供給量)を、他方側から供給する液体量と異ならせる。 In this embodiment, when supplying the liquid 1 to the substrate P from the both sides in the scanning direction of the projection area AR1, the control unit CONT, the first liquid supply mechanism 10, the liquid supply operation of the second liquid supply sections 11, 12 controls, during scanning exposure of a shot area on the substrate P, the liquid amount supplied from one side of the projection area AR1 in the scanning direction (liquid supply amount per unit time), the liquid amount supplied from the other side It is made different from the. 具体的には、制御装置CONTは、走査方向に関して投影領域AR1の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量を、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定する。 More specifically, the control unit CONT, the liquid supply amount per unit supplied time from the front of the projection area AR1 in the scanning direction is set larger than the liquid supply amount supplied from the opposite side.
【0048】 [0048]
例えば、基板Pを+X方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置CONTは、投影領域AR1に対して−X側(すなわち第1液体供給部11)からの液体量を、+X側(すなわち第2液体供給部12)からの液体量より多くし、一方、基板Pを−X方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域AR1に対して+X側からの液体量を、−X側からの液体量より多くする。 For example, when the exposure process is performed while moving the substrate P in the + X direction, the control unit CONT, the liquid amount from the -X side with respect to the projection area AR1 (i.e. the first liquid supply unit 11), + X side (i.e. the and more than the liquid amount from the second liquid supply section 12), on the other hand, when the exposure process is performed while moving the substrate P in the -X direction, the liquid amount from the + X side with respect to the projection area AR1, from the -X side to more than the amount of liquid. このように、制御装置CONTは、基板Pの移動方向に応じて、第1、第2液体供給部11、12それぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。 Thus, the control unit CONT depending on the direction of movement of the substrate P, changing the first liquid supply amount per each unit of time the second liquid supply sections 11, 12.
【0049】 [0049]
また、制御装置CONTは、液体供給機構10の駆動と並行して、液体回収機構20の第1〜第4液体回収部21〜24を駆動し、基板P上の液体1の回収動作を可能状態とする。 Further, the control unit CONT, in parallel with the driving of the liquid supply mechanism 10, drives the first to fourth liquid recovery unit 21 to 24 of the liquid recovery mechanism 20, allows the recovery operation of the liquid 1 on the substrate P state to. 制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20により基板Pの表面に対する液体1の供給と並行して基板P上の液体1の回収を行いつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体1及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。 The control unit CONT, while performing recovery of the liquid 1 on the substrate P by the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 concurrently with the supply of the liquid 1 to the surface of the substrate P, the substrate stage PST which supports a substrate P X while moving in the axial direction (scanning direction), a pattern image of the mask M via the liquid 1 and the projection optical system PL between the projection optical system PL and the substrate P to the projection exposure onto the substrate P. このとき、液体供給機構10は走査方向に関して投影領域AR1の両側から第1、第2流路13、14を介して液体1の供給を同時に行っているので、液浸領域AR2は均一且つ良好に形成されている。 At this time, since the liquid supply mechanism 10 is performed first from the both sides of the projection area AR1 in the scanning direction, the supply of the liquid 1 via the second channel 13 and 14 at the same time, liquid immersion area AR2 is uniform and good It is formed.
【0050】 [0050]
図6は、基板Pを−X方向に移動しながら基板P上に設定された第1のショット領域(例えば図5のS2、S4など)を露光処理する際の液体1の挙動を示す模式図である。 Figure 6 is a schematic view showing the behavior of the liquid 1 when the exposure process the first shot areas set on the substrate P while moving the substrate P in the -X direction (e.g. S2 in Fig. 5, S4, etc.) it is. 図6において、投影光学系PLと基板Pとの間の空間に対して流路13、14から液体1が同時に供給され、これにより投影領域AR1を含むように液浸領域AR2が形成される。 6, the liquid 1 from the flow path 13, 14 is supplied simultaneously to the space between the projection optical system PL and the substrate P, thereby immersion area AR2 to include the projection area AR1 is formed. ここで、投影領域AR1に対して+X側に設けられてる流路14から供給される液体1の単位時間あたりの液体量が、−X側に設けられている流路13から供給される液体1の単位時間あたりの液体量より多く設定されており、流路14から供給された液体1は−X方向に移動する基板Pに引っ張られるようにして、投影領域AR1に対して−X側に液浸領域AR2が拡がっていく。 Here, the liquid amount of liquid per unit of time the liquid 1 supplied from the projection area AR1 with respect to the + X side flow path 14 provided on is supplied from the flow path 13 provided on the -X side 1 are more than liquid amount per unit of time setting, the liquid 1 supplied from the flow path 14 so as to be pulled by the substrate P moving in the -X direction, liquid on the -X side with respect to the projection area AR1 immersion area AR2 is going to spread.
【0051】 [0051]
基板Pを−X方向に移動しながら第1のショット領域を露光する際、基板Pの面位置情報を検出するために、投影領域AR1に対して+X側の第2AF領域AF2が用いられる。 When exposing the first shot areas while moving the substrate P in the -X direction, in order to detect the surface position information of the substrate P, the 2AF region AF2 on the + X side with respect to the projection area AR1 is used. これにより、投影領域AR1には第2AF領域AF2を通過し、面位置情報を検出された基板P上の所定領域が配置される。 Thus, the projection area AR1 through the first 2AF region AF2, a predetermined region on the substrate P detected surface position information is placed. 制御装置CONTは、フォーカス検出系60のうち第2検出系62の投射部62Aより第2AF領域AF2に対して検出光を投射し、この反射光の受光部62Bでの受光結果に基づいて基板Pの面位置情報を検出し、この面位置情報検出結果に基づいて基板ステージPSTを介して基板Pの位置及び姿勢を制御しつつ投影領域AR1内にパターン像を投影する。 The control unit CONT projects the detecting light relative to the first 2AF region AF2 than the projection portion 62A of the second detection system 62 of the focus detection system 60, the substrate P based on the light reception result of the light receiving portion 62B of the reflected light It detects the surface position information and projects the pattern image within the projection area AR1 while controlling the position and attitude of the substrate P via the substrate stage PST on the basis of the surface position information detection result.
【0052】 [0052]
ここで、液浸領域AR2の液体1は基板Pの−X方向への移動に伴って−X側に引っ張られ、図6に示すように−X側に尾を引くように流れる。 Here, the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is pulled -X side with the movement of the -X direction of the substrate P, flows as a tail on the -X side as shown in FIG. このとき、第2AF領域AF2には液体1が拡がらず、第2AF領域AF2を良好に非液浸領域とすることができる。 In this case, it does not spread liquid 1 in the first 2AF region AF2, can be favorably non-immersion area the first 2AF region AF2. 一方、図6に示すように、第1AF領域AF1の一部に液浸領域AR2が形成される場合があるが、この場合、第1AF領域AF1は面位置情報検出に用いられておらず、上述したように、制御装置CONTは第2AF領域AF2を用いて面位置情報検出を行っているので、基板Pの面位置情報を良好に検出できる。 On the other hand, as shown in FIG. 6, there is a case where the liquid immersion area AR2 is formed in a part of the 1AF area AF1, in this case, the 1AF area AF1 are not used in surface position information detected above as the control unit CONT so doing the surface position information detected by the first 2AF region AF2, it can be satisfactorily detect the surface position information of the substrate P.
【0053】 [0053]
第1のショット領域に対する露光が終了したら、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体供給動作を停止するとともに、前記第1のショット領域とは別の第2のショット領域(例えば図5のS3、S5など)を露光するために、基板Pをステッピング移動する。 After exposure of the first shot area is completed, the control unit CONT stops the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10, the alternative second shot area from the first shot area (for example, FIG. 5 S3 , in order to expose an S5 etc.), stepping moves the substrate P. 具体的には、例えばショット領域S2に対する走査露光処理終了後、このショット領域S2に対してY軸方向に近接したショット領域S3に対して走査露光処理を行うために、制御装置CONTは基板P上の2つのショット領域S2、S3間でY軸方向にステッピング移動する。 Specifically, for example, after the scanning exposure process is completed for the shot area S2, in order to perform the scanning exposure process with respect to the shot-area S3 adjacent to the Y-axis direction with respect to the shot area S2, the control unit CONT on the substrate P stepping movement in the Y-axis direction between the two shot areas S2, S3 of.
【0054】 [0054]
図7は、基板Pを−Y方向にステッピング移動する際の液体1の挙動を示す模式図である。 Figure 7 is a schematic diagram showing the behavior of the liquid 1 when the stepping movement of the substrate P in the -Y direction. ここで、第1のショット領域に対する露光中、及びステッピング移動中に基板P上の液体1のうち一部は投影領域AR1に対して走査方向に離れた位置に設けられた第1液体回収口31A等を介して回収されるが、残りの一部は第1液体回収口31Aに回収されずに、基板P上に残存状態となる。 Here, during the exposure for the first shot area, and a part of the liquid 1 on the substrate P during the stepping movement first liquid recovery port 31A provided at a position spaced in the scanning direction with respect to the projection area AR1 Although such is recovered through, the remaining portion without being recovered in the first liquid recovery ports 31A, the residual state on the substrate P. したがって、ステッピング移動中に、図7に示すように、基板Pでは液体1を配置した状態が生じる。 Thus, during the stepping movement, as shown in FIG. 7, it is caused a state of arranging the liquid 1, the substrate P.
【0055】 [0055]
そして、基板Pが−Y方向にステッピング移動することにより、基板P上に残存した液体1は第3液体回収口33Aに到達する。 Then, the substrate P is by stepping movement in the -Y direction, the liquid 1 remaining on the substrate P reaches the third liquid recovery port 33A. これにより、液体回収機構20は、第1のショット領域の露光終了後の基板Pのステッピング移動中に、第1のショット領域の露光のときに使われた液体1の回収を第3液体回収口33Aを介して行うことができる。 Accordingly, the liquid recovery mechanism 20, during the stepping movement of the substrate P after the exposure of the first shot area, the recovery of the used liquid 1 during the exposure of the first shot region third liquid recovery port 33A can be performed via the. そして、ここでは、第1のショット領域(例えばS2)と第2のショット領域(例えばS3)とはY軸方向に近接しており、液体回収機構20は投影領域AR1に対してY軸方向に離れた第3液体回収口33Aによる回収位置で基板P上の液体1の回収を行う構成となっている。 And here, the first shot area (for example S2) a second shot area (for example, S3) is close to the Y-axis direction, the liquid recovery mechanism 20 in the Y-axis direction with respect to the projection area AR1 It has a configuration in which the recovery of the liquid 1 on the substrate P at a recovery position by the third liquid recovery port 33A away. これにより、基板P上に残存する液体1を無くす、もしくは少なくでき、残存する液体1の気化による基板Pの温度変動等の不都合の発生を抑えることができる。 Thus, eliminating the liquid 1 remaining on the substrate P, or can be reduced, it is possible to suppress the occurrence of inconvenience of temperature variations of the substrate P due to vaporization of the liquid 1 remaining.
【0056】 [0056]
図8は、基板Pを+X方向に移動しながら基板P上に設定された第2のショット領域(例えば図5のS3、S5など)を露光処理する際の液体1の挙動を示す模式図である。 Figure 8 is a schematic view showing the behavior of the liquid 1 when the exposure process the second shot areas set on the substrate P while moving the substrate P in the + X direction (e.g., S3 in FIG. 5, S5, etc.) is there. 図8において、投影光学系PLと基板Pとの間の空間に対して流路13、14から液体1が同時に供給され、これにより投影領域AR1を含むように液浸領域AR2が形成される。 8, the liquid 1 from the flow path 13, 14 is supplied simultaneously to the space between the projection optical system PL and the substrate P, thereby immersion area AR2 to include the projection area AR1 is formed. ここで、投影領域AR1に対して−X側に設けられてる流路13から供給される液体1の単位時間あたりの液体量が、+X側に設けられている流路14から供給される液体1の単位時間あたりの液体量より多く設定されているため、流路13から供給された液体1は+X方向に移動する基板Pに引っ張られるようにして、投影光学系PLと基板Pとの間の空間に円滑に配置される。 Here, the liquid liquid amount per unit time of the liquid 1 supplied from the flow path 13 provided on the -X side with respect to the projection area AR1 is supplied from the flow path 14 provided on the + X side 1 for that many set than the liquid amount per unit time, the liquid 1 supplied from the flow path 13 so as to be pulled by the substrate P moving in the + X direction, between the projection optical system PL and the substrate P It is smoothly arranged in the space.
【0057】 [0057]
基板Pを+X方向に移動しながら第2のショット領域を露光する際、基板Pの面位置情報を検出するために、投影領域AR1に対して−X側の第1AF領域AF1が用いられる。 When exposing the second shot areas while moving the substrate P in the + X direction, in order to detect the surface position information of the substrate P, the 1AF area AF1 of the -X side is used with respect to the projection area AR1. これにより、投影領域AR1には第1AF領域AF1を通過し、面位置情報を検出された基板P上の所定領域が配置される。 Thus, the projection area AR1 through the first 1AF area AF1, a predetermined region on the substrate P detected surface position information is placed. 制御装置CONTは、フォーカス検出系60のうち第1検出系61の投射部61Aより第1AF領域AF1に対して検出光を投射し、この反射光の受光部61Bでの受光結果に基づいて基板Pの面位置情報を検出し、この面位置情報検出結果に基づいて基板ステージPSTを介して基板Pの位置及び姿勢を制御しつつ投影領域AR1内にパターン像を投影する。 The control unit CONT projects the detecting light relative to the first 1AF area AF1 than the projection portion 61A of the first detection system 61 of the focus detection system 60, the substrate P based on the light reception result of the light receiving portion 61B of the reflected light It detects the surface position information and projects the pattern image within the projection area AR1 while controlling the position and attitude of the substrate P via the substrate stage PST on the basis of the surface position information detection result.
【0058】 [0058]
ここで、液浸領域AR2の液体1は基板Pの+X方向への移動に伴って+X側に引っ張られ、図8に示すように+X側に尾を引くように流れる。 Here, the liquid 1 of the liquid immersion area AR2 is pulled with it the + X side with the movement of the + X direction of the substrate P, flows as a tail to the + X side as shown in FIG. このとき、第1AF領域AF1には液体1が配置されず、第1AF領域AF1を良好に非液浸領域とすることができる。 At this time, the first 1AF area AF1 not arranged a liquid 1, may be a good non-immersion area the first 1AF area AF1. 一方、図8に示すように、第2AF領域AF2の一部に液浸領域AR2が形成される場合があるが、この場合、第2AF領域AF2は面位置情報検出に用いられておらず、上述したように、制御装置CONTは第1AF領域AF1を用いて面位置情報検出を行っているので、基板Pの面位置情報を良好に検出できる。 On the other hand, as shown in FIG. 8, there is a case where the liquid immersion area AR2 is formed in a part of the 2AF region AF2, in this case, the 2AF region AF2 are not used in surface position information detected above as the control unit CONT so doing the surface position information detected by the first 1AF area AF1, it can be satisfactorily detect the surface position information of the substrate P.
【0059】 [0059]
このとき、第1のショット領域の露光のときに使われた液体1が、ステッピング移動中に回収しきれない場合があるが、この残存した液体は基板Pの−Y方向へのステッピング移動により投影領域AR1から十分に離れているので、第2ショット領域の露光に影響しない。 In this case, the liquid 1 that was used during the exposure of the first shot area, but may not be completely recovered in the stepping movement, the remaining liquid is projected by a stepping movement of the substrate P in the -Y direction since enough away from the area AR1, it does not affect the exposure of the second shot region. また、この残存した液体1は、第2のショット領域を露光するために基板Pが+X方向に移動することにより、第3液体回収口33Aに回収される。 The liquid 1 that this remains, by the substrate P moves in the + X direction to expose the second shot area is collected in the third liquid recovery port 33A. これにより、液体回収機構20は、第2のショット領域の露光中に、第1のショット領域のときに使われた液体1の残存分の回収を第3液体回収口33Aを介して行うことができる。 Thus, the liquid recovery mechanism 20 during the exposure of the second shot area, is possible to recover the residual fraction liquid 1 used when the first shot region via a third liquid recovery port 33A it can. ここで、液体回収口33AのY軸方向における大きさ(長さ)は、液浸領域AR2のY軸方向における大きさより大きく設定されているので、液体回収機構20は液体回収口より露光に使われた基板P上の液体1を円滑に回収することができる。 The size in the Y-axis direction of the liquid recovery ports 33A (length), because it is larger than the size in the Y-axis direction of the liquid immersion area AR2, the liquid recovery mechanism 20 is used to exposure from the liquid recovery port the liquid 1 on cracking the substrate P can be smoothly recovered.
【0060】 [0060]
以上のように第1のショット領域の露光中、基板Pのステッピング移動中及び第2のショット領域の露光中に、第1のショット領域の露光のときに使われた液体1を回収することで、液体回収機構20は、第1のショット領域を露光したときに使われた液体1が次の第2のショット領域を露光するときに投影領域AR1に入らないように基板P上の液体1を回収している。 During exposure of the first shot area as described above, during the exposure in the stepper movement of the substrate P and the second shot area, by recovering the liquid 1 used during the exposure of the first shot area , the liquid recovery mechanism 20, the liquid 1 on the substrate P not to enter into the projection area AR1 when the liquid 1 that was used when exposing the first shot area is exposed for the next second shot area It recovered and are. これにより、第1のショット領域の露光で使われ、温度上昇している液体1が第2のショット領域を露光するときの投影領域AR1に入ることを防止でき、液体1の温度上昇に起因する投影領域AR1内における液体1の屈折率の変動等の不都合の発生を抑制することができる。 Thus, it used in the exposure of the first shot area, the liquid 1 that the temperature rise can be prevented from entering the projection area AR1 to be used during the exposure of the second shot area, caused by the temperature rise of the liquid 1 the occurrence of inconveniences such as variations in the refractive index of the liquid 1 in the projection area AR1 can be suppressed.
【0061】 [0061]
図6〜図8を参照して説明した手順により、図5に示すショット領域S1〜S6が順次露光される。 By the procedures referenced to describe the to Figs, the shot area S1~S6 shown in FIG. 5 are successively exposed.
図9は、図5に示すショット領域(第1のショット領域)S6の露光終了後、投影領域AR1をショット領域(第2のショット領域)S7に移動するために、基板Pを−X方向に列移動(ステッピング移動)する際の液体1の挙動を示す模式図である。 9, after the exposure of the shot area (first shot region) S6 shown in FIG. 5, in order to move the projection area AR1 in the shot area (the second shot region) S7, the substrate P in the -X direction is a schematic view showing the behavior of the liquid 1 when the column moves (stepping movement). 図9に示すように、液体回収機構20は、ショット領域S6の露光終了後の基板Pの列移動中に、ショット領域S6の露光のときに使われた液体1の回収を第1液体回収口31Aを介して回収することができる。 As shown in FIG. 9, the liquid recovery mechanism 20, while the column movement of the substrate P after the end of exposure shot areas S6, the first liquid recovery port of the recovery of the liquid 1 that was used during the exposure of the shot area S6 31A can be recovered through. そして、ここでは、第1のショット領域S6と第2のショット領域S7とはX軸方向に近接しており、液体回収機構20は投影領域AR1に対してX軸方向に離れた第1液体回収口31Aによる回収位置で基板P上の液体1の回収を行う構成となっている。 And here, the first shot region S6 and the second shot area S7 is close to the X-axis direction, the liquid recovery mechanism 20 first liquid recovery apart in the X axis direction with respect to the projection area AR1 It has a configuration for performing recovery of the liquid 1 on the substrate P at a recovery position by the mouth 31A. これにより、列を変える±X方向へのステッピング移動を行う場合には、液体回収口31A(又は32A)により供給された液体を回収してしまうので、液体1は基板P上に残存せず、残存する液体1に起因する不都合の発生を抑えることができる。 Thus, when performing stepping movement in the ± X direction of changing the column, so would recover the supplied liquid by the liquid recovery ports 31A (or 32A), the liquid 1 does not remain on the substrate P, it is possible to suppress the occurrence of inconveniences due to the liquid 1 remaining.
そして再び、図6〜図8を参照して説明した手順により、図5に示すショット領域S7〜S12が順次露光される。 And again, according to the procedure described with reference to FIGS. 6 to 8, the shot area S7~S12 shown in FIG. 5 are successively exposed.
【0062】 [0062]
以上説明したように、投影光学系PLの先端部の側面3を伝って基板P上に液体1を供給するようにしたので、液浸領域AR2を小さく設定することができる。 As described above, since the to supply the liquid 1 onto the substrate P along the side surface 3 of the tip portion of the projection optical system PL, it can be set small liquid immersion area AR2. したがって、フォーカス検出系60の検出光は非液浸領域を通過して投影領域AR1の近傍に投射されるので、フォーカス検出系60は液体1の温度変化の影響を受けずに精度良く面位置検出できる。 Therefore, the detection light of the focus detection system 60 is projected in the vicinity of the projection area AR1 through the non liquid immersion area, the focus detection system 60 is accurately surface position detection without being influenced by the temperature change of the liquid 1 it can.
【0063】 [0063]
そして、基板P上の複数のショット領域S1〜S12を順次露光する際、第1のショット領域を露光するときに使われ、基板(レジスト)表面の不純物が混在し温度上昇した液体1が次の第2のショット領域を露光するときに投影領域AR1に入らないように回収するようにしたので、第2のショット領域に対しても精度良い露光処理を行うことができる。 Then, when sequentially exposing a plurality of shot areas S1~S12 on the substrate P, is used when exposing the first shot area, the substrate (resist) Liquid 1 impurity is increased in temperature mix of the surface of the following since so as to recover that turning the projection area AR1 when exposing the second shot area, it is possible to perform accurate exposure processing for the second shot area.
【0064】 [0064]
なお、ショット領域の露光中に、露光光(ArFレーザパルス光:例えばパルス周波数4KHz、パルス幅50ns、パワー1.0W/cm )の照射により基板P(主に、レジスト、BARC(反射防止膜))が暖められ、その熱が液体1に伝わり、投影領域AR1内の液体1に温度上昇を引き起こすが、走査露光の場合には、基板の走査方向(−X方向)への移動に伴って液体1も走査方向に400mm/sec程度の速度で流れているので、基板P表面上の200nm以下程度の液体層に1℃以下程度の温度変化が生じるのみである。 Incidentally, during the exposure of the shot area, the exposure light (ArF laser pulse light: for example, a pulse frequency 4 KHz, pulse width 50 ns, the power 1.0 W / cm 2) the substrate P (mainly by the irradiation of the resist, BARC (anti-reflection film )) is warmed, the heat is transferred to the liquid 1, it causes a temperature rise in the liquid 1 in the projection area AR1, in the case of scanning exposure, along with the movement in the scanning direction of the substrate (-X direction) the liquid 1 is also flowing at a rate of about 400 mm / sec in the scanning direction, only the temperature change of the degree 1 ℃ below the liquid layer on the order 200nm or less on the surface of the substrate P is caused. 投影光学系PLと基板P表面との間の液体の厚さを1mm程度とすれば、温度変化を起こす液体の厚さ、及び温度変化量は非常にわずかである。 When the thickness of the liquid between the projection optical system PL and the substrate P surface about 1 mm, the thickness of the liquid causing a temperature change, and the temperature variation is very slight. したがって、投影領域AR1内における液体1の温度変化に伴う波面収差の変化も非常に小さく(0.1mλ以下程度、λ=193nm/1.47)、基板P上に投影されるパターン像に対してほとんど問題とならない。 Thus, even very small changes in wavefront aberration caused by temperature change of the liquid 1 in the projection area AR1 (0.1mλ degree hereinafter, λ = 193nm / 1.47), for the pattern image projected onto the substrate P almost not a problem.
【0065】 [0065]
また、液体回収機構20の液体回収口33A、34Aのそれぞれを、投影領域AR1に対してY軸方向に離れた位置に配置し、しかもその形状をY軸方向に延びるように設けたので、フォーカス検出系60の検出光を投影領域AR1に対してX軸方向に離れたAF領域AF1、AF2に投射する際、液体回収機構20の回収部材33、34を検出光の光路を遮らない位置に配置することができ、これにより検出光による投影領域AR1の面位置情報検出を円滑且つ良好に行うことができる。 Further, the liquid recovery port 33A of the liquid recovery mechanism 20, each of 34A, and located at a distance in the Y axis direction with respect to the projection area AR1, and since provided so as to extend its shape in the Y-axis direction, focus when projecting a detection light detecting system 60 in the AF area AF1, AF2 apart in the X axis direction with respect to the projection area AR1, place the recovery member 33, 34 of the liquid recovery mechanism 20 to a position not blocking the optical path of the detection light it can be, thereby making it possible to perform surface position information detection of the projection area AR1 by the detecting light smoothly and favorably.
【0066】 [0066]
また、基板Pの面位置情報を検出する際に用いるAF領域AF1、AF2は、投影領域AR1と液体回収口の設置位置である液体回収位置との間に設けられているので、投影領域AR1の近傍において投影領域AR1内に配置される基板Pの面位置情報を精度良く検出することができる。 Also, AF area AF1, AF2 used in detecting the surface position information of the substrate P, because provided between the liquid recovery position is a mounting position of the projection area AR1 and the liquid recovery port, of the projection area AR1 the surface position information of the substrate P disposed in the projection area AR1 in the vicinity can be accurately detected.
【0067】 [0067]
また、液体供給機構10は、第1、第2流路13、14を介して投影領域AR1の走査方向両側から液体1を供給するようにしたので、供給された液体1は走査方向に移動する基板Pに引っ張られるようにして投影領域AR1に濡れ拡がるため、液浸領域AR2を投影領域AR1を含むように円滑に形成できる。 Further, the liquid supply mechanism 10, first, since the both sides in the scanning direction of the projection area AR1 via the second channel 13, 14 to supply the liquid 1, the liquid 1 supplied is moved in the scanning direction since wets and spreads in the projection area AR1 so as to be pulled the substrate P, and smoothly formed so that the liquid immersion area AR2 including the projection area AR1. そして、本実施形態では、液体供給機構10は、走査方向に関して、投影領域AR1の手前から供給する液体量を、その反対側で供給する液体量よりも多くするので、基板P上に供給された液体1は、移動する基板Pに引っ張られるようにして基板Pの移動方向に沿って流れ、投影光学系PLと基板Pとの間の空間に引き込まれるようにして円滑に配置される。 In the present embodiment, the liquid supply mechanism 10, in the scanning direction, the liquid amount supplied from the front of the projection area AR1, because more than the liquid amount supplied from the opposite side, is supplied onto the substrate P liquid 1, so as to be pulled by the moving substrate P flows along the moving direction of the substrate P, is smoothly arranged so as to be drawn into the space between the projection optical system PL and the substrate P. したがって、液体供給機構10から供給された液体1は、その供給エネルギーが小さくても投影光学系PLと基板Pとの間に円滑に配置され、液浸領域AR2を良好に形成することができる。 Therefore, the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 may be the even supply energy is small is smoothly arranged between the projection optical system PL and the substrate P, to satisfactorily form the liquid immersion area AR2. そして、走査方向に応じて第1、第2流路13、14それぞれから供給する液体量を変更することで液体1の流れる方向を切り替えることができ、これにより+X方向、又は−X方向のどちらの方向に基板Pを走査する場合にも、投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2を円滑に形成することができ、高い解像度及び広い焦点深度を得ることができる。 The first according to the scanning direction, by changing the amount of liquid supplied from each second flow path 13, 14 can switch the direction of the flow of the liquid 1, thereby the + X direction or either -X direction even in the case of scanning the substrate P in the direction of, the liquid immersion area AR2 between the projection optical system PL and the substrate P can be smoothly formed, it is possible to obtain high resolution and a wide depth of focus.
【0068】 [0068]
なお、本実施形態において、液体供給機構10は基板Pのステッピング移動時に液体1の供給を停止しているが、ステッピング移動時を含む1枚の基板Pに関する一連の露光処理動作が終了するまで(基板Pが基板ステージPSTにロードされて全ショット領域S1〜S12に対する露光処理が終了して基板ステージPSTからアンロードされるまで)液体1を供給し続けてもよい。 In the present embodiment, Until the liquid supply mechanism 10 is stopped the supply of the liquid 1 during the stepping movement of the substrate P, a series of exposure processing operations relating to one substrate P including the time stepping movement is completed ( the substrate P may be continuously supplied Ann until loaded) liquid 1 from the substrate stage PST exposure process is completed for all the shot areas S1~S12 is loaded on the substrate stage PST. これにより、液体1の供給を開始してから液浸領域AR2が形成されるまでの待ち時間を短縮化でき、高スループット化を図れる。 Accordingly, waiting time from the start of the supply of the liquid 1 to the liquid immersion area AR2 is formed can shorten the, thereby a high throughput. また、供給のON・OFFに伴う液体振動(所謂ウォーターハンマー現象)の発生を抑制できる。 Further, it is possible to suppress the occurrence of liquid vibration due to ON · OFF of supply (so-called water hammer phenomenon). なお、ステッピング移動中において液体1が供給され続けても、液体回収機構20は常時駆動しているため、投影領域AR1の外側に流出しようとする液体1は円滑に回収可能である。 Even the liquid 1 is continuously supplied during the stepping movement, since the liquid recovery mechanism 20 are always driven, the liquid 1 to be flow out to the outside of the projection area AR1 is smoothly recoverable. ここで、1枚の基板Pに関する一連の露光処理が終了するまで液体1を供給し続ける際、液体供給機構10は、ショット領域に対する露光中における単位時間あたりの液体供給量に対して、基板Pのステッピング移動中における液体供給量を異ならせてもよい。 Here, when a series of exposure processes regarding one substrate P is continuously supplied to the liquid 1 to the end, the liquid supply mechanism 10, the liquid supply amount per unit time during exposure to the shot area, the substrate P of it may have different liquid supply amount during the stepping movement. 具体的には、液体供給機構10は、基板Pのステッピング移動中での単位時間あたりの液体供給量を、ショット領域の走査露光中の液体供給量より低減する。 Specifically, the liquid supply mechanism 10, the liquid supply amount per unit time in the stepping movement of the substrate P, and reduces the liquid supply amount during the scanning exposure for the shot area. これにより、露光処理に寄与しないステッピング移動中での基板Pに対する液体供給量が抑えられ、露光処理全体における液体使用量を抑えることができる。 Thus, the liquid supply amount is suppressed to the substrate P in a stepping movement which does not contribute to the exposure process, it is possible to suppress the liquid amount in the entire exposure process. このように、液体供給機構10は基板Pの移動動作(ステッピング移動又は走査移動)に応じて第1、第2液体供給部11、12それぞれの単位時間あたりの液体供給量を変えるようにしてもよい。 Thus, even the liquid supply mechanism 10 so as to change the first, the liquid supply amount per each unit of time the second liquid supply sections 11, 12 in response to movement of the substrate P (stepping movement or scanning movement) good.
【0069】 [0069]
また、本実施形態においては、液体回収機構20により第1ショット領域の露光中に使われた液体が、次の第2ショット領域の露光中に投影領域AR1に入らないように液体回収を行っているが、液体回収機構20の液体回収をより円滑に行われるように、基板Pのステッピング移動中の移動経路を工夫するようにしてもよい。 In the present embodiment, the liquid recovery mechanism 20 used during the exposure of the first shot area liquid by performing the liquid recovery not to enter into the exposure of the next second shot area to the projection area AR1 it is but a liquid recovery of the liquid recovery mechanism 20 as more smoothly performed, may be devised movement path during the stepping movement of the substrate P. 例えば、第1ショット領域の露光終了後に、液体回収機構20の液体回収口の位置に向かって基板Pを移動したり、基板Pのステッピング中の移動距離や移動時間を長くすればよい。 For example, after completion of the exposure of the first shot area, or moving the substrate P toward the position of the liquid recovery port of the liquid recovery mechanism 20 may be longer the moving distance and moving time during the stepping of the substrate P. また、第1ショット領域の露光終了後に液体供給機構10から液体の供給を続けて、第1ショット領域の露光中に使われた液体を投影領域AR1から押し出す(遠ざける)ようにしてもよい。 Moreover, continuing the supply from the liquid supply mechanism 10 of the liquid after the exposure of the first shot area, the liquid used during the exposure of the first shot region may be pushed out (away) from the projection area AR1. このとき、液体の供給量や供給位置を調整するようにしてもよい。 At this time, it may be adjusted the supply amount and the supply position of the liquid.
【0070】 [0070]
なお、本実施形態では投影領域AR1の走査方向両側から液体1を供給する際、走査方向に関して手前から供給する液体量をその反対側で供給する液体量よりも多くしているが、投影領域AR1の両側から同量の液体1を同時に供給するようにしてもよい。 Incidentally, when the present embodiment to supply the liquid 1 from the both sides in the scanning direction of the projection area AR1, but is more than the liquid amount supplied amount of liquid supplied at the opposite side from the front in the scanning direction, the projection area AR1 from both sides of the may be supplied to the liquid 1 of the same amount at the same time. これにより、投影光学系PLの先端側面3、3に加わる力を均衡にすることができ、良好なパターン像の投影が期待できる。 This makes it possible to balance the forces applied to the tip side 3,3 of the projection optical system PL, and can be expected projection of good pattern image. 一方、液体1を供給し続けながら、走査方向に応じて投影領域AR1の走査方向両側から供給する液体量を変化させることにより、液体1の使用量を抑えることができる。 On the other hand, while continuing to supply the liquid 1, by changing the amount of liquid supplied from the both sides in the scanning direction of the projection area AR1 in accordance with the scanning direction, it is possible to suppress the amount of the liquid 1.
【0071】 [0071]
なお、本実施形態では、液体供給機構10は第1、第2流路13、14のそそれぞれから液体1を同時に供給しているが、例えば、基板Pを+X側に走査移動する際には第2流路14からの液体供給を停止して第1流路13のみから液体1を供給し、基板Pを−X側に走査移動する際には第1流路13からの液体供給を停止して第2流路14のみから液体1を供給する構成であってもよい。 In the present embodiment, the liquid supply mechanism 10 includes first, but at the same time supplies its from each liquid 1 of the second flow path 13 and 14, for example, when scanning moving the substrate P in the + X side stop supply of the liquid from the second flow path 14 of the liquid 1 is supplied from only the first passage 13, stop supply of the liquid from the first flow path 13 when scanning moving the substrate P in the -X side it may be configured to supply the liquid 1 from only the second passage 14 and.
【0072】 [0072]
なお、本実施形態では投影光学系PLの先端部の側面3に沿うようにガイド板4を設けているが、このガイド板4は無くてもよい。 Although this embodiment is provided with the guide plate 4 along the side surface 3 of the tip portion of the projection optical system PL, the guide plate 4 may be omitted. 側面3を親液化処理することにより、液体供給部及び供給管から側面3に供給された液体1は側面3で保持され、この側面3を伝って基板P上の投影領域AR1の近傍に供給可能である。 By lyophilic side 3, the liquid 1 supplied to the side surface 3 from the liquid supply unit and the supply tube is held by the side surface 3, it can be supplied to the vicinity of the projection area AR1 on the substrate P along the this aspect 3 it is. 一方、ガイド板4を設けることにより、例えば用いる液体1を変更したことにより側面3の親液性が十分でなく、側面3が液体1を保持できない状態が生じても、側面3を伝っている途中の液体1が基板P上に落下するのを防止できる。 On the other hand, by providing the guide plate 4, instead lyophilic side surface 3 is sufficiently by a change in the liquid 1 to be used for example, even if a state in which the side 3 not hold the liquid 1, and along the sides 3 liquid 1 in the process can be prevented from falling onto the substrate P. したがって、落下した液体1に起因する露光ムラの発生や基板Pのレジストへの影響を抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the resist influence on the generation and the substrate P in the exposure unevenness caused by the liquid 1 which has fallen. また、ガイド板4を設けることにより側面3を親液化処理しなくても液体1を基板P上の投影領域AR1の近傍に円滑に供給することができる。 Further, it is possible even without lyophilic side 3 by providing the guide plate 4 to smoothly supply the liquid 1 in the vicinity of the projection area AR1 on the substrate P.
【0073】 [0073]
なお、本実施形態では、第1、第2流路13、14を構成する側面3やガイド板4に対して親液化処理を施すように説明したが、液体回収機構20のうち液体1が流れる流路の表面に対しても親液化処理を施すことができる。 In the present embodiment, first, it has been described as performing a lyophilic process to the side 3 and guide plate 4 constituting the second flow path 13 and 14, the liquid 1 flows out of the liquid recovery mechanism 20 it can be subjected to lyophilic treatment against the surface of the flow channel. 特に、液体回収機構20の液体回収部材に親液化処理を施しておくことにより液体回収を円滑に行うことができる。 In particular, it is possible to perform liquid recovery smoothly by previously subjected to lyophilic treatment to the liquid recovery member of the liquid recovery mechanism 20. あるいは、液体1が接触する投影光学系PLの先端面に対しても親液化処理を施すことができる。 Alternatively, it can be subjected to lyophilic treatment against the distal end surface of the projection optical system PL that liquid 1 makes contact. なお、投影光学系PLの先端面に薄膜を形成する場合、露光光ELの光路上に配置されるものであるため、露光光ELに対して透過性を有する材料で形成され、その膜厚も露光光ELを透過可能な程度に設定される。 In the case of forming a thin film on the front end surface of the projection optical system PL, and since it is disposed on the optical path of the exposure light EL, formed of a material having a transparent property against exposing light EL, even the film thickness It is set to a degree capable of transmitting the exposure light EL.
【0074】 [0074]
なお基板Pの表面にも液体1との親和性に合わせて表面処理を施してもよい。 Incidentally it may be subjected to affinity combined with surface treatment of the liquid 1 on the surface of the substrate P.
【0075】 [0075]
なお、表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。 Incidentally, the thin film for surface treatment may be a single layer film or a film formed of a plurality of layers. また、その形成材料も、金属、金属化合物、及び有機物など、所望の性能を発揮できる材料であれば任意の材料を用いることができる。 Furthermore, the formation material is also a metal, a metal compound, and organic matter, it can be made of any material as long as the material can exhibit the desired performance.
【0076】 [0076]
なお、本実施形態では、第1、第2流路13、14のそれぞれについて第1、第2液体供給部が設けられているように説明したが、液体供給部を1つとし、この1つの液体供給部に供給管11A、12Aを接続するようにしてもよい。 In the present embodiment, for each first first, second flow path 13 and 14, the second liquid supply unit has been described as being provided, the liquid supply unit 1 Tsutoshi, this one supply pipe 11A to the liquid supply unit, may be connected to 12A. この場合、供給管11A、12Aのそれぞれに弁を設け、弁の開度を調整することで第1、第2流路13、14から基板Pへの液体供給量を互いに異なる値に調整することができる。 In this case, the supply pipe 11A, the valve provided in each of 12A, first by adjusting the degree of opening of the valve, by adjusting the second flow path 13, 14 to different values ​​of the liquid supply amount to the substrate P can. 同様に、本実施形態では、液体回収部材31〜34のそれぞれについて液体回収部21〜24が設けられているが、液体回収部を1つとし、この1つの液体回収部と複数の液体回収部材とを回収管で接続する構成であってもよい。 Similarly, in the present embodiment, the liquid recovery section 21 to 24 are provided for each of the liquid recovery member 31 to 34, the liquid recovery unit 1 Tsutoshi, the one liquid recovery unit and a plurality of liquid recovery member DOO 2008 may be a configuration of connecting the recovery pipe.
【0077】 [0077]
なお、本実施形態では、投影光学系PLの側面3(流路13、14)は走査方向両側に設けられているように説明したが非走査方向に設けられていてもよい。 In the present embodiment, the side surface 3 (the flow path 13, 14) of the projection optical system PL has been described as provided on both sides in the scanning direction may be provided in the non-scanning direction.
【0078】 [0078]
なお、液体供給部11、12や、液体回収部21、22は、投影光学系PL及びこの投影光学系PLを支持する支持部材以外の支持部材で支持されることが好ましい。 Incidentally, and the liquid supply unit 11, liquid recovery unit 21 is preferably supported by a supporting member other than the supporting member which supports the projection optical system PL and the projection optical system PL. これにより、液体の供給や回収に伴うポンプ等の動作によって発生した振動が投影光学系PLに伝達することを防ぐことができる。 Accordingly, vibrations generated by the operation of the pump or the like due to the supply and recovery of the liquid can be prevented from being transmitted to the projection optical system PL.
【0079】 [0079]
以下、本発明の他の実施形態について説明する。 Hereinafter, a description of another embodiment of the present invention. ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。 In the following description, the same reference numerals are given to identical or similar to those in the embodiments described above, simplified or omitted.
図10は液体回収機構の液体回収口の他の配置例を示す模式図である。 Figure 10 is a schematic diagram showing another arrangement example of the liquid recovery port of the liquid recovery mechanism. 図10に示すように、投影領域AR1に対してY軸方向両側には、Y軸に関して傾斜した液体回収口33B、33C、及び液体回収口34B、34Cがそれぞれ設けられている。 As shown in FIG. 10, the Y-axis direction both sides of the projection area AR1, the liquid recovery port 33B that is inclined with respect to the Y axis, 33C, and the liquid recovery port 34B, 34C, respectively. ここで、液体回収口33B、33C、34B、34Cを有する液体回収部材はフォーカス検出系の検出光の光路を遮らない位置に設けられている。 Here, the liquid recovery port 33B, 33C, 34B, the liquid recovery member with 34C is provided at a position that does not block the light path of the focus detection system of the detection light. このように、投影領域AR1に対してY軸方向に設けられる液体回収口は、投影領域AR1と平行且つ並んで設けられる必要はなく、投影領域AR1に対してずれた位置に設けられていてもよい。 Thus, the liquid recovery port provided in the Y axis direction with respect to the projection area AR1, need not be arranged side by side parallel to and the projection area AR1, be provided at a position shifted with respect to the projection area AR1 good. 液体回収口を投影領域AR1に対してずれた位置に設けたり傾斜して設けることにより、例えば、第1のショット領域の露光終了後の基板Pのステッピング移動中に、第1のショット領域の露光のときに使われた液体1の回収をより効率的に行うことができる。 By providing the liquid recovery port is inclined or arranged at a position shifted with respect to the projection area AR1, for example, during the stepping movement of the substrate P after the exposure of the first shot area, the exposure of the first shot area can be more efficiently used the recovery of the liquid 1 when the. つまり、液体回収口33A(34A)がその長手方向をY軸方向に一致させ、且つ投影領域AR1に並んで配置されていると、図7等を参照して説明したように、ステッピング移動中に、基板P上の液体1を全部回収しきれない場合が生じるが、図10に示すように、液体回収口をY軸に関して傾斜するように設けることにより、ステッピング移動中において第1のショット領域の露光に使われた基板P上の液体1を全部回収することができる。 In other words, the longitudinal liquid recovery port 33A (34A) is made to coincide in the Y-axis direction and are and are arranged in the projection area AR1, as described with reference to FIG. 7, etc., during the stepping movement Although if that can not be recovered whole liquid 1 on the substrate P is caused, as shown in FIG. 10, by providing the liquid recovery port so as to be inclined with respect to the Y axis, of the first shot area during the stepping movement the liquid 1 on the substrate P that was used in the exposure can be recovered whole.
【0080】 [0080]
図11及び図12は液体回収口の他の実施形態を示す図である。 11 and FIG. 12 is a diagram showing another embodiment of the liquid recovery port. 図11に示すように、複数の液体回収口(液体回収部材)31D…、32D…、33D…、34D…、を断続的に配置する構成であってもよい。 As shown in FIG. 11, a plurality of liquid recovery port (liquid recovery member) 31D ..., 32D ..., 33D ..., 34D ..., may be configured to intermittently position the. また、図12に示すように、液体回収口(液体回収部材)は、投影領域AR1及びAF領域AF1、AF2を囲む形状であってもよい。 Further, as shown in FIG. 12, the liquid recovery port (liquid recovery member) may have a shape that surrounds the projection area AR1 and the AF area AF1, AF2. 図12に示す液体回収口31Kは投影領域AR1及びAF領域AF1、AF2を囲むように平面視矩形状に形成されているが、矩形状以外(例えば円形状)であってもよい。 Although the liquid recovery port 31K shown in FIG. 12 is formed in a rectangular shape in plan view to surround the projection area AR1 and the AF area AF1, AF2, it may be a non-rectangular shape (e.g., circular shape). 液体回収口を投影領域AR1及びAF領域AF1、AF2を囲むように設けることにより、液体回収を確実に行うことができる。 By providing the liquid recovery port so as to surround the projection area AR1 and the AF area AF1, AF2, can be reliably performed liquid recovery. なおこの場合、液体回収口を構成する液体回収部材はフォーカス検出系60の検出光の光路を妨げない位置に設けられている。 It should be noted that in this case, the liquid recovery member that constitutes the liquid recovery port is provided at a position that does not interfere with the optical path of the detection light of the focus detection system 60.
【0081】 [0081]
上記実施形態では、投影光学系PLの側面3はフラット面(断面視直線状)であるように説明したが、図13に示すように、側面3に対して表面積拡大処理、具体的には粗面処理を施してもよい。 In the above embodiment, the side surface 3 of the projection optical system PL has been described as a flat surface (cross section linear), as shown in FIG. 13, the surface area enlargement processing on the side 3, specifically crude it may be subjected to a surface treatment. 粗面処理することにより側面3の表面積が拡大し、液体1をより一層良好に保持可能となるため、ガイド板4を設けなくても液体1を基板P上に円滑に供給することができる。 Expanded surface area of ​​the side surface 3 by surface roughening, since it becomes capable of holding the liquid 1 more better, can not be provided a guide plate 4 smoothly supply the liquid 1 onto the substrate P.
また、側面3は曲面状であってもよい。 Further, it may be a side 3 is a curved surface. 具体的には、図14に示すように、側面3は断面視例えば2次曲線状あるいは円弧状であってもよい。 Specifically, as shown in FIG. 14, the side surface 3 may be a cross-sectional view for example quadratic curved or arcuate. このような形状であっても、液体1を良好に流通可能となる。 Even with such a shape, the good can flow the liquid 1. 特に、側面3をサイクロイド曲線状にすることにより、入口部13A(14A)から出口部13B(14B)に流体1が到達する時間を短縮できる。 In particular, by making the side surface 3 in a cycloid shape, it is possible to shorten the time fluid 1 reaches the inlet 13A (14A) to the outlet 13B (14B). ここで、側面3は投影光学系PLの中央部(光軸)に対して外側に膨らむ曲面であることが好ましい。 Here, it is a preferred aspect 3 is a curved surface bulging outward with respect to the central portion of the projection optical system PL (optical axis).
そして、図13や図14に示した側面3に対しても、親液化処理を施すことができる。 Even with respect to the side surface 3 as shown in FIGS. 13 and 14, it can be subjected to a lyophilic treatment.
【0082】 [0082]
また近年、基板Pを保持するステージを2つ搭載したツインステージ型露光装置が登場しているが、本発明はツインステージ型露光装置にも適用可能である。 In recent years, although a twin-stage type exposure apparatus equipped with two stages for holding the substrate P have appeared, the present invention is also applicable to twin stage type exposure apparatus.
図15はツインステージ型露光装置EX2の概略構成図である。 Figure 15 is a schematic diagram of a twin-stage type exposure apparatus EX2. ツインステージ型露光装置EX2は共通のベース71上をそれぞれ独立に移動可能な第1、第2基板ステージPST1、PST2を備えている。 The first twin-stage type exposure apparatus EX2 is movable independently on a common base 71, and a second substrate stage PST1, PST2. また、ツインステージ型露光装置EX2は露光ステーションAと計測・交換ステーションBとを有しており、露光ステーションAにはフォーカス検出系60を除いて図1のシステムが全て搭載されている。 Also, twin-stage type exposure apparatus EX2 has a measurement-exchange station B and the exposure station A, the system of Figure 1 are mounted all but the focus detection system 60 to the exposure station A. また、計測・交換ステーションBには、投射部60A及び受光部60Bを有するフォーカス検出系60が搭載されている。 In addition, the measurement and exchange station B, the focus-detecting system 60 with a projecting portion 60A and the light receiving unit 60B is mounted.
【0083】 [0083]
このようなツインステージ型露光装置EX2の基本的な動作としては、例えば露光ステーションAにおいて第2基板ステージPST2上の基板Pの露光処理中に、計測・交換ステーションBにおいて、第1基板ステージPST1上の基板Pの交換及び計測処理が行われる。 The basic operation of such a twin-stage type exposure apparatus EX2, for example, during the exposure process for the substrate P on the second substrate stage PST2 in the exposure station A, the measurement and exchange station B, the first substrate stage on PST1 exchange and measurement process of the substrate P is performed. そして、それぞれの作業が終了すると、第2基板ステージPST2が計測・交換ステーションBに移動し、それと並行して第1基板ステージPST1が露光ステーションAに移動し、今度は第2基板ステージPST2において計測及び交換処理が行われ、第1基板ステージPST1上の基板Pに対して露光処理が行われる。 When each task is completed, the second substrate stage PST2 is moved to the measurement and exchange station B, the same first substrate stage PST1 moves to the exposure station A in parallel, this time measurement the second substrate stage PST2 and replacement processing is performed, the exposure process is performed on the substrate P on the first substrate stage PST1.
【0084】 [0084]
つまり、計測・交換ステーションBにおいてフォーカス検出系60により基板Pの面位置情報が検出され、この検出結果は制御装置CONTに記憶される。 That is, the surface position information of the substrate P by the focus-detecting system 60 in the measurement and exchange station B is detected, the detection result is stored in the control unit CONT. 制御装置CONTは、面位置情報を検出された基板Pを露光ステーションAに移動し、前記記憶した面位置情報に基づいて投影光学系PLの像面と基板Pの表面との位置関係を調整しつつ露光処理する。 The control unit CONT, the substrate P detected surface position information moves to the exposure station A, based on said stored surface position information to adjust the positional relationship between the image surface and the front surface of the substrate P of the projection optical system PL while the exposure process.
【0085】 [0085]
このように、ツインステージ型露光装置EX2の場合には、露光ステーションAにフォーカス検出系60を設けない構成とすることが可能であるため、液体回収部材の設置位置の自由度を増すことができる。 Thus, in the case of the twin-stage type exposure apparatus EX2, since it is possible to adopt a configuration without the focus detection system 60 to the exposure station A, it is possible to increase the degree of freedom of the installation position of the liquid recovery member . そのため、図16に示すように、露光ステーションAにおいては、液体回収部材(液体回収口)を投影領域AR1のより近傍に設けることができ、液体回収動作を円滑に行うことができる。 Therefore, as shown in FIG. 16, in the exposure station A, can be provided the liquid recovery member (liquid recovery port) nearer the projection area AR1, it is possible to perform the liquid recovery operation smoothly. 図16に示す液体回収口31E、32Eはそれぞれ平面視コ字状に形成され投影領域AR1の走査方向両側に配置されており、投影領域AR1を囲むように設けられている。 Liquid recovery port 31E shown in FIG. 16, 32E are formed in the U-shaped plan configuration, respectively arranged on both sides in the scanning direction of the projection area AR1, it is provided so as to surround the projection area AR1. これにより、液体回収機構はこれら液体回収口31E、32Eを介して走査露光中及びステッピング移動中のそれぞれにおいて液体回収を良好に行うことができる。 Accordingly, the liquid recovery mechanism can be performed well fluid recovered in each of these liquid recovery port 31E, during scanning exposure through 32E and in the stepping movement.
【0086】 [0086]
なお、露光ステーションAにもフォーカス検出系を設ける場合、図17に示すように、投影領域AR1に対して液体回収口31E、32Eの外側にAF領域AF1、AF2を設定することができる。 In the case where also provided a focus detection system in the exposure station A, as shown in FIG. 17, the liquid recovery port 31E with respect to the projection area AR1, it is possible to set the AF area AF1, AF2 outside of 32E.
【0087】 [0087]
上述したように、本実施形態における液体1は純水により構成されている。 As described above, the liquid 1 in this embodiment is constituted by pure water. 純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。 Pure water can be obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, that it has no adverse effects on the photoresist and the optical element (lens) and the like on the substrate P. また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。 Further, pure water has no adverse effects on the environment and contains very few impurities, the action of cleaning the surface of the optical element provided at the end face of the surface, and the projection optical system PL of the substrate P can be expected . そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.47であるため、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約131nmに短波長化されて高い解像度が得られる。 Then, when the wavelength is using pure water for refractive index n of the (water) is almost 1.47, ArF excimer laser light as the light source of the exposure light EL (wavelength 193 nm) for the exposure light EL of about 193 nm, the substrate P by 1 / n, ie, to reduce the wavelength is high resolution of about 131nm obtained above. 更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.47倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 Furthermore, approximately n times the depth of focus than in the air, namely to be enlarged to about 1.47 times, when the depth of focus approximately the same as that when used in air may be secured, the projection optical system PL numerical aperture can be further increased, and also the resolution is improved in this respect.
【0088】 [0088]
本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2としてレンズが取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。 In the present embodiment, the lens is mounted as the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL, the optical characteristics of the projection optical system PL by the lens, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) is possible to adjust the it can.
【0089】 [0089]
なお、液体1の流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 Incidentally, if the pressure between the substrate P and the optical element at the tip of the projection optical system PL caused by the flow of the liquid 1 is large, instead of the replaceable its optical element, the optical element is moved by the pressure it may be firmly fixed so as not.
【0090】 [0090]
なお、本実施形態の液体1は水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF レーザである場合、このF レーザ光は水を透過しないので、液体1としてはF レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 Although the liquid 1 of the present embodiment is water, a liquid other than water may be, for example, when the light source of exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser beam is not transmitted through water it may be a fluorine-based fluid such as permeable as fluorine-based oil an F 2 laser light as the liquid 1. この場合、側面3をはじめとする液体1と接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。 In this case, the portion in contact with the liquid 1 including the side face 3, lyophilic treatment by forming a thin film, for example having a molecular structure with small polarity including fluorine material. また、液体1としては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 Further, as the liquid 1, Besides, if there is transparent to the exposure light EL high as possible refractive index, stable ones (e.g. cedar the photo resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface oil) can also be used. この場合も表面処理は用いる液体1の極性に応じて行われる。 In this case, the surface treatment is performed depending on the polarity of the liquid 1 to be used.
【0091】 [0091]
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for fabricating semiconductor devices but glass substrates for display devices, the original plate of a mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.
【0092】 [0092]
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As for the exposure apparatus EX, in the other scanning exposure apparatus by a step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), and the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed, can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper) while stationary. また、本発明は基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 The present invention is also applicable to an exposure apparatus of step-and-stitch method that partially overlaid and transferred at least two patterns on the substrate P.
【0093】 [0093]
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX, the present invention is not limited to semiconductor device fabrication exposure apparatuses that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD ) or it can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing such as a reticle or mask.
【0094】 [0094]
基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 When using a linear motor (see USP5,623,853 or USP5,528,118) The substrate stage PST or the mask stage MST, a magnetic levitation type that uses an air floating type Lorentz force or reactance force using air bearings both may be used. また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。 Further, each of the stages PST, MST may be a type that moves along a guide or may be the guideless type in which no guide is provided.
【0095】 [0095]
各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。 As each of the stages PST, MST driving mechanism, a magnet unit in which magnets are two-dimensional, each of the stages PST by an electromagnetic force is opposed to the armature unit in which to place the coils in a two-dimensional, MST is driven it may be used. この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。 In this case, either one stage PST of the magnet unit and the armature unit is connected MST, and may be provided and the other of the magnet unit and the armature unit stage PST, the moving surface side of the MST.
【0096】 [0096]
基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 The reaction force generated by the movement of the substrate stage PST, so as not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-166475 discloses (USP5,528,118), using a frame member machine to be released to the floor (ground).
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Reaction force generated by the movement of the mask stage MST, so as not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-330224 discloses (US S / N 08 / 416,558), the frame member may be released to mechanically floor (ground) using a.
【0097】 [0097]
以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy , it is manufactured by assembling. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacturing of the exposure apparatus is preferably performed in a clean room in which temperature and cleanliness are controlled.
【0098】 [0098]
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図18に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 18, a step 201 that performs microdevice function and performance design, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate a step 203 of producing the exposure process step 204 of exposing a pattern of a mask onto a substrate by the exposure apparatus EX of the embodiment described above, a device assembly step (dicing, bonding, including packaging step) 205, an inspection step 206, etc. It is produced through.
【0099】 [0099]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明によれば、投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で露光処理する際、基板の面位置情報を検出するための検出光の光路を非液浸領域に設けることができる。 According to the present invention, when the exposure process in a state of forming a liquid immersion area between the projection optical system and the substrate, providing a light path of the detection light for detecting the surface position information of the substrate in the non-immersion area can. したがって、基板の面位置情報を精度良く検出することができ、高精度なパターン転写精度を得ることができる。 Therefore, the surface position information of the substrate can be accurately detected, it is possible to obtain a highly precise pattern transfer accuracy. また、基板上の複数のショット領域を順次露光する際、第1ショット領域を露光するときに使われた液体が第2ショット領域を露光するときに投影領域に入らないように回収するようにしたので、第2ショット領域を露光するときに使われる液体は、第1ショット領域を露光したときに使われ露光光の照射により温度上昇している液体の影響を受けずに精度良い露光処理を行うことができる。 Also, when sequentially exposing a plurality of shot areas on the substrate, and so that the liquid that was used when exposing the first shot area to recover that turning the projection area when exposing the second shot area since the liquid to be used when exposing the second shot area, performs accurate exposure processing without being affected by the liquid in which they are temperature rise by irradiation of use is the exposure light when exposed to the first shot region be able to.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
【図2】図1の要部拡大図であって本発明の特徴的部分である液体供給機構及び液体回収機構の概略構成を示す図である。 2 is a diagram showing the schematic configuration of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism, which is a characteristic part of the present invention there is provided a main part enlarged view of FIG.
【図3】本発明の特徴的部分である液体供給機構及び液体回収機構の概略構成を示す斜視図である。 3 is a perspective view showing the schematic configuration of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism, which is a characteristic part of the present invention.
【図4】投影領域及びAF領域と液体回収口との位置関係を模式的に示す平面図である。 4 is a plan view schematically showing the positional relationship between the projection area and the AF area and the liquid recovery port.
【図5】基板上に設定されたショット領域を示す図である。 5 is a diagram illustrating a shot areas set on a substrate.
【図6】露光動作中の液体の挙動を示す模式図である。 6 is a schematic diagram showing the behavior of the liquid during the exposure operation.
【図7】露光動作中の液体の挙動を示す模式図である。 7 is a schematic diagram showing the behavior of the liquid during the exposure operation.
【図8】露光動作中の液体の挙動を示す模式図である。 8 is a schematic diagram showing the behavior of the liquid during the exposure operation.
【図9】露光動作中の液体の挙動を示す模式図である。 9 is a schematic diagram showing the behavior of the liquid during the exposure operation.
【図10】液体回収機構の液体回収口の他の実施形態を示す図である。 10 is a diagram showing another embodiment of the liquid recovery port of the liquid recovery mechanism.
【図11】液体回収機構の液体回収口の他の実施形態を示す図である。 11 is a diagram showing another embodiment of the liquid recovery port of the liquid recovery mechanism.
【図12】液体回収機構の液体回収口の他の実施形態を示す図である。 12 is a diagram showing another embodiment of the liquid recovery port of the liquid recovery mechanism.
【図13】投影光学系の側面の他の実施形態を示す側断面図である。 13 is a side cross sectional view of another embodiment of a side of the projection optical system.
【図14】投影光学系の側面の他の実施形態を示す側断面図である。 14 is a side cross sectional view of another embodiment of a side of the projection optical system.
【図15】本発明の露光装置の他の実施形態を示す図である。 Is a view showing another embodiment of an exposure apparatus of the present invention; FIG.
【図16】液体回収口の他の実施形態を示す図である。 16 is a diagram showing another embodiment of the liquid recovery port.
【図17】液体回収口の他の実施形態を示す図である。 17 is a diagram showing another embodiment of the liquid recovery port.
【図18】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 18 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a semiconductor device.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1…液体、3…側面、4…ガイド板、10…液体供給機構、 1 ... Liquid, 3 ... side, 4 ... guide plate, 10 ... liquid supply mechanism,
11、12…液体供給部、13…第1流路、14…第2流路、 11, 12 ... liquid supply section, 13 ... first flow path, 14: second flow path,
20…液体回収機構、21〜24…液体回収部、31〜34…液体回収部材、 20 ... liquid recovery mechanism, 21 to 24 ... liquid recovery unit, 31 to 34 ... liquid recovery member,
31A〜34A…液体回収口、60…フォーカス検出系、AR1…投影領域、 31 a to 34 ... liquid recovery port, 60 ... focus detection system, AR1 ... projection area,
AR2…液浸領域、CONT…制御装置、EX…露光装置、M…マスク、 AR2 ... immersion area, CONT ... controller, EX ... exposure apparatus, M ... mask,
P…基板、PL…投影光学系、S1〜S12…ショット領域 P ... substrate, PL ... projection optical system, S1~S12 ... shot area

Claims (21)

  1. 投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記基板との間の液体及び前記投影光学系を介してパターン像を前記基板上に投影し、前記基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置において、 The liquid immersion area is formed on a portion of the substrate including a projection area of ​​the projection optical system, the liquid and the pattern image via the projection optical system projected onto the substrate between the substrate and the projection optical system in the exposure apparatus which sequentially exposes a plurality of shot regions of the substrate,
    前記液浸領域を形成するために、前記投影光学系の少なくとも先端付近の側面を伝って前記基板上に液体を供給する液体供給機構を備えたことを特徴とする露光装置。 In order to form the liquid immersion area, the exposure apparatus comprising the liquid supply mechanism supplies the liquid onto the substrate along the side surface of at least near the tip of the projection optical system.
  2. 前記液体供給機構は、前記側面に沿うように配置されたガイド板を有し、前記側面と前記ガイド板との間に前記液体を流して前記基板上に液体を供給することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 The liquid supply mechanism, wherein said has arranged the guide plate along the side surface, characterized by flowing said liquid supplying a liquid onto the substrate between the guide plate and the side surface the exposure apparatus in claim 1, wherein.
  3. 前記液体の供給と並行して前記基板上の液体の回収を行う液体回収機構を更に備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a liquid recovery mechanism in parallel with the supply of the liquid performed to recover the liquid on the substrate.
  4. 前記液体回収機構は、第1ショット領域を露光したときに使われた液体が次の第2ショット領域を露光するときに前記投影領域に入らないように前記基板上の液体を回収することを特徴とする請求項3記載の露光装置。 The liquid recovery mechanism, characterized in that the liquid that was used when exposing the first shot area recovering the liquid on the substrate that turning the projection area when exposing the next second shot area exposure apparatus according to claim 3,.
  5. 投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記基板との間の液体及び前記投影光学系を介してパターン像を前記基板上に投影し、前記基板の複数のショット領域を順次露光する露光装置において、 The liquid immersion area is formed on a portion of the substrate including a projection area of ​​the projection optical system, the liquid and the pattern image via the projection optical system projected onto the substrate between the substrate and the projection optical system in the exposure apparatus which sequentially exposes a plurality of shot regions of the substrate,
    前記液浸領域を形成するために前記基板上に液体を供給する液体供給機構と、 A liquid supply mechanism which supplies the liquid onto the substrate to form the liquid immersion area,
    前記基板上の第1ショット領域を露光するときに使われた液体が第2ショット領域を露光するときに前記投影領域に入らないように前記基板上の液体を回収する液体回収機構とを備えたことを特徴とする露光装置。 And a liquid recovery mechanism used liquid is recovering the liquid on the substrate that turning the projection area when exposing the second shot area when exposing the first shot region on the substrate exposure and wherein the.
  6. 前記第2ショット領域は前記第1ショット領域の所定方向に近接しており、前記液体回収機構は、前記投影領域に対して所定方向に離れた位置で前記基板上の液体回収を行うことを特徴とする請求項4又は5記載の露光装置。 The second shot area is close to the predetermined direction of the first shot area, the liquid recovery mechanism, characterized in that at a position spaced a predetermined direction with respect to the projection area perform liquid recovery on said substrate the exposure apparatus according to claim 4 or 5, wherein the.
  7. 前記液体回収機構は、前記投影領域に対して前記所定方向と直交する方向に離れた位置で前記基板上の液体回収を行うことを特徴とする請求項6記載の露光装置。 The liquid recovery mechanism, the exposure apparatus according to claim 6, characterized in that the liquid recovery on the substrate at a position apart in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the projection area.
  8. 前記液体回収機構は、前記第1ショット領域の露光終了後の前記基板のステッピング移動中に、前記第1ショット領域の露光のときに使われた液体の回収を行うことを特徴とする請求項4又は5記載の露光装置。 The liquid recovery mechanism according to claim 4, characterized in that performing during said stepping movement of the substrate after the exposure of the first shot region, recovery of the liquid that was used during the exposure of the first shot area or 5 exposure apparatus according.
  9. 前記液体回収機構は、前記第2ショット領域の露光中に、前記第1ショット領域の露光のときに使われた液体の回収を行うことを特徴とする請求項8記載の露光装置。 The liquid recovery mechanism, during said exposure of the second shot area, an exposure apparatus according to claim 8, characterized in that the recovery of the liquid that was used during the exposure of the first shot area.
  10. 前記液体供給機構は、前記第1ショット領域の露光終了後も、前記第1ショット領域に露光中と同じ液体供給口からの液体供給を続けることを特徴とする請求項4〜9のいずれか一項記載の露光装置。 The liquid supply mechanism, said after the exposure of the first shot region, any one of the claims 4-9, characterized in that continuing a liquid supply from the same liquid supply port and during exposure to the first shot region exposure apparatus claim, wherein.
  11. 前記液体供給機構は、前記投影領域の両側で前記液体供給を続けることを特徴とする請求項10記載の露光装置。 The liquid supply mechanism, the exposure apparatus according to claim 10, wherein the continuing the liquid supply on both sides of the projection area.
  12. 前記基板上の複数のショット領域のそれぞれは、前記パターン像が投影される前記投影領域に対して前記基板を所定の走査方向に移動しながら露光され、 Each of the plurality of shot areas on the substrate, wherein the pattern image is exposed while moving the substrate in a predetermined scanning direction with respect to the projection area to be projected,
    前記液体供給機構は、前記走査方向に関して、前記投影領域の両側で前記液体供給を続けることを特徴とする請求項11記載の露光装置。 The liquid supply mechanism with respect to the scanning direction, the exposure apparatus according to claim 11, wherein the continuing the liquid supply on both sides of the projection area.
  13. 前記基板上の複数のショット領域のそれぞれは、前記パターン像が投影される前記投影領域に対して前記基板を所定の走査方向に移動しながら露光され、 Each of the plurality of shot areas on the substrate, wherein the pattern image is exposed while moving the substrate in a predetermined scanning direction with respect to the projection area to be projected,
    前記液体回収機構は、前記投影領域に対して前記走査方向と交差する非走査方向に離れて配置された、前記非走査方向に延びる液体回収口を有することを特徴とする請求項3〜12のいずれか一項記載の露光装置。 The liquid recovery mechanism, disposed apart in the non-scanning direction crossing the scanning direction with respect to the projection area, according to claim 3 to 12, characterized in that it has a liquid recovery port extending in the non-scanning direction exposure apparatus according to any one claim.
  14. 投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記基板との間の液体及び前記投影光学系を介してパターン像を前記投影領域内に投影するとともに、前記投影領域に対して前記基板を所定の走査方向に移動することによって前記基板上の複数のショット領域のそれぞれを順次露光する露光装置において、 The liquid immersion area is formed on a portion of the substrate including a projection area of ​​the projection optical system, projects the liquid and through said projection optical system pattern image between the substrate and the projection optical system in the projection area as well as, in the exposure apparatus which sequentially exposes a plurality of shot areas on the substrate by moving the substrate in a predetermined scanning direction with respect to the projection area,
    前記液浸領域を形成するために前記基板上に液体を供給する液体供給機構と、 A liquid supply mechanism which supplies the liquid onto the substrate to form the liquid immersion area,
    前記液体の供給と並行して前記基板上の液体の回収を行う液体回収機構とを備え、 In parallel with the supply of the liquid and a liquid recovery mechanism for recovering the liquid on the substrate,
    前記液体回収機構は、前記投影領域に対して前記走査方向と交差する非走査方向に離れて配置された、前記非走査方向に延びる液体回収口を有することを特徴とする露光装置。 The liquid recovery mechanism, the projection region being spaced apart in the non-scanning direction crossing the scanning direction with respect to the exposure apparatus characterized by having a liquid recovery port extending in the non-scanning direction.
  15. 前記パターン像が形成される像面と前記基板表面との位置関係を調整するために前記基板表面の面位置情報を検出する検出系を更に備え、 Further comprising a detection system for detecting surface position information of the substrate surface in order to adjust the positional relationship between the image surface and the substrate surface on which the pattern image is formed,
    前記基板上の複数のショット領域のそれぞれは、前記パターン像が投影される前記投影領域に対して前記基板を所定の走査方向に移動しながら露光され、 Each of the plurality of shot areas on the substrate, wherein the pattern image is exposed while moving the substrate in a predetermined scanning direction with respect to the projection area to be projected,
    前記液体回収機構は、前記投影領域に対して走査方向に離れた回収位置で前記基板上の液体の回収を行い、 The liquid recovery mechanism performs the recovery of the liquid on the substrate at the recovery position apart in the scanning direction with respect to the projection area,
    前記検出系は、前記投影領域と前記回収位置との間で前記面位置情報の検出を行うことを特徴とする請求項3〜14のいずれか一項記載の露光装置。 The detection system, the projection area and the exposure apparatus of any one of claims 3 to 14, characterized in that the detection of the surface position information between the recovery position.
  16. 投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記基板との間の液体及び前記投影光学系を介してパターン像を前記投影領域内に投影するとともに、前記投影領域に対して前記基板を所定の走査方向に移動することによって前記基板上の複数のショット領域のそれぞれを順次露光する露光装置において、 The liquid immersion area is formed on a portion of the substrate including a projection area of ​​the projection optical system, projects the liquid and through said projection optical system pattern image between the substrate and the projection optical system in the projection area as well as, in the exposure apparatus which sequentially exposes a plurality of shot areas on the substrate by moving the substrate in a predetermined scanning direction with respect to the projection area,
    前記液浸領域を形成するために前記基板上に液体を供給する液体供給機構と、 A liquid supply mechanism which supplies the liquid onto the substrate to form the liquid immersion area,
    前記液体の供給と並行して、前記投影領域に対して前記走査方向に離れた回収位置で、前記基板上の液体の回収を行う液体回収機構と、 In parallel with the supply of the liquid at a collection position away to the scanning direction with respect to the projection area, and a liquid recovery mechanism for recovering the liquid on the substrate,
    前記パターン像が形成される像面と前記基板表面との位置関係を調整するために、前記基板表面の面位置情報を検出する検出系とを備え、 In order to adjust the positional relationship between the image surface and the substrate surface on which the pattern image is formed, and a detection system for detecting surface position information of the substrate surface,
    前記検出系は、前記投影領域と前記回収位置との間で前記面位置情報の検出を行うことを特徴とする露光装置。 The detection system, an exposure apparatus characterized by the detection of the surface position information between the collecting position and the projection area.
  17. 前記液体回収機構は、前記走査方向と交差する非走査方向に所定の長さを有する液体回収口を備え、 The liquid recovery mechanism includes a liquid recovery port having a predetermined length in the non-scanning direction crossing the scanning direction,
    前記液体回収口は、前記走査方向に関して前記投影領域の両側に配置されていることを特徴とする請求項15又は16記載の露光装置。 The liquid recovery port An exposure apparatus according to claim 15 or 16, wherein that are arranged on both sides of the projection area with respect to the scanning direction.
  18. 前記基板上の複数のショット領域のそれぞれは、前記パターン像が投影される前記投影領域に対して前記基板を所定の走査方向に移動しながら露光され、 Each of the plurality of shot areas on the substrate, wherein the pattern image is exposed while moving the substrate in a predetermined scanning direction with respect to the projection area to be projected,
    前記液体供給機構は、前記走査方向と平行な方向に関して、前記投影領域の両側で液体の供給を同時に行うことを特徴とする請求項1〜17のいずれか一項記載の露光装置。 The liquid supply mechanism with respect to the scanning direction parallel to the direction, the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 17, characterized in that to supply the liquid on both sides of the projection area at the same time.
  19. 前記液体供給機構は、前記投影領域の両側から同量の液体を同時に供給することを特徴とするとする請求項18記載の露光装置。 The liquid supply mechanism, the exposure apparatus of claim 18 wherein characterized by simultaneously supplying the same amount of liquid from both sides of the projection area.
  20. 前記基板上の一つのショット領域の走査露光中に、前記投影領域の一方側から供給される液体量が、他方側から供給される液体量と異なることを特徴とする請求項18記載の露光装置。 During the scanning exposure for one shot area on the substrate, the liquid amount supplied from one side of the projection region, an exposure apparatus according to claim 18, wherein the different liquid amount supplied from the other side .
  21. 請求項1〜請求項20のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。 Device manufacturing method comprising using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to claim 20.
JP2003049366A 2003-02-26 2003-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method Active JP4604452B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049366A JP4604452B2 (en) 2003-02-26 2003-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049366A JP4604452B2 (en) 2003-02-26 2003-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004259966A true true JP2004259966A (en) 2004-09-16
JP4604452B2 JP4604452B2 (en) 2011-01-05

Family

ID=33115102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003049366A Active JP4604452B2 (en) 2003-02-26 2003-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4604452B2 (en)

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005020298A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Nikon Corporation Optical element and exposure device
WO2005029559A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
WO2006041091A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus, device manufacturing method and liquid recovering member for immersion exposure apparatus maintenance
WO2006054682A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-26 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
JP2006165550A (en) * 2004-12-02 2006-06-22 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and device manufacturing method
JP2006186112A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Toshiba Corp Immersion exposing method, immersion type exposing device and method for manufacturing semiconductor device
JP2006190971A (en) * 2004-10-13 2006-07-20 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2006080212A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Nikon Corporation Projection optical system, exposure system, and exposure method
KR100659451B1 (en) 2005-11-18 2006-12-12 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Improved immersion lithography system with wafer sealing mechanisms
WO2007147304A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Immersion flow field maintenance system for immersion lithography machine
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
WO2008037131A1 (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Dual stage positioning and switching system
JP2009117879A (en) * 2004-11-12 2009-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2009141359A (en) * 2007-12-10 2009-06-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009182337A (en) * 2004-11-12 2009-08-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009212539A (en) * 2004-02-18 2009-09-17 Nikon Corp Optical element and exposure apparatus
JP2009272636A (en) * 2008-05-08 2009-11-19 Asml Netherlands Bv Liquid immersion lithographic device, drying device, liquid immersion metro logy device and method for manufacturing device
JP2010098333A (en) * 2004-02-02 2010-04-30 Nikon Corp Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7710653B2 (en) 2005-01-28 2010-05-04 Nikon Corporation Projection optical system, exposure system, and exposure method
US7876418B2 (en) 2002-12-10 2011-01-25 Nikon Corporation Optical element and projection exposure apparatus based on use of the optical element
JP2011254089A (en) * 2004-12-20 2011-12-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
KR101119813B1 (en) 2003-12-15 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 Stage system, exposure apparatus and exposure method
JP2012124539A (en) * 2005-06-21 2012-06-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
JP2012151513A (en) * 2003-08-29 2012-08-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of manufacturing device
US8272544B2 (en) * 2003-10-28 2012-09-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
JP2013016865A (en) * 2008-09-17 2013-01-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating lithographic apparatus
KR101236120B1 (en) * 2004-10-26 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 Substrate processing method, exposure apparatus and method for manufacturing device
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8928857B2 (en) 2009-05-01 2015-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of operating the apparatus
JP2015135524A (en) * 2004-01-20 2015-07-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for projection lens
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9465301B2 (en) 2003-12-23 2016-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
JP2017520792A (en) * 2014-07-01 2017-07-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Method of making a lithographic apparatus and a lithographic apparatus
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265326A (en) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd Exposure device
JPH04340242A (en) * 1991-04-03 1992-11-26 Hitachi Ltd Microscope
JPH11176727A (en) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp Projection aligner
WO1999049504A1 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2004055803A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265326A (en) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd Exposure device
JPH04340242A (en) * 1991-04-03 1992-11-26 Hitachi Ltd Microscope
JPH11176727A (en) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp Projection aligner
WO1999049504A1 (en) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2004055803A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer

Cited By (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7876418B2 (en) 2002-12-10 2011-01-25 Nikon Corporation Optical element and projection exposure apparatus based on use of the optical element
US8767173B2 (en) 2002-12-10 2014-07-01 Nikon Corporation Optical element and projection exposure apparatus based on use of the optical element
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
WO2005020298A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Nikon Corporation Optical element and exposure device
US7697111B2 (en) 2003-08-26 2010-04-13 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
JP2010118678A (en) * 2003-08-26 2010-05-27 Nikon Corp Optical element and exposure apparatus
US8804097B2 (en) 2003-08-29 2014-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012151513A (en) * 2003-08-29 2012-08-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of manufacturing device
US9606448B2 (en) 2003-08-29 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9442388B2 (en) 2003-08-29 2016-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005029559A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US8272544B2 (en) * 2003-10-28 2012-09-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
US8797506B2 (en) 2003-10-28 2014-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
KR101119813B1 (en) 2003-12-15 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 Stage system, exposure apparatus and exposure method
US9684250B2 (en) 2003-12-23 2017-06-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9817321B2 (en) 2003-12-23 2017-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9465301B2 (en) 2003-12-23 2016-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2015135524A (en) * 2004-01-20 2015-07-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for projection lens
JP2010098333A (en) * 2004-02-02 2010-04-30 Nikon Corp Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010098332A (en) * 2004-02-02 2010-04-30 Nikon Corp Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP2009212539A (en) * 2004-02-18 2009-09-17 Nikon Corp Optical element and exposure apparatus
WO2006041091A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus, device manufacturing method and liquid recovering member for immersion exposure apparatus maintenance
JP2006190971A (en) * 2004-10-13 2006-07-20 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101236120B1 (en) * 2004-10-26 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 Substrate processing method, exposure apparatus and method for manufacturing device
US8941808B2 (en) 2004-10-26 2015-01-27 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus rinsing outer contour of substrate with immersion space
US9964861B2 (en) 2004-11-12 2018-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
JP2009182337A (en) * 2004-11-12 2009-08-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9261797B2 (en) 2004-11-12 2016-02-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
JP2009117879A (en) * 2004-11-12 2009-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2012015549A (en) * 2004-11-12 2012-01-19 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US8817231B2 (en) 2004-11-12 2014-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
JP2012039137A (en) * 2004-11-12 2012-02-23 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, and device manufacturing method
US9798247B2 (en) 2004-11-12 2017-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US9645507B2 (en) 2004-11-12 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7710537B2 (en) 2004-11-12 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010118684A (en) * 2004-11-18 2010-05-27 Nikon Corp Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012103269A (en) * 2004-11-18 2012-05-31 Nikon Corp Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012094902A (en) * 2004-11-18 2012-05-17 Nikon Corp Measuring method, loading method, exposure method and device, and method of manufacturing device
US8059260B2 (en) 2004-11-18 2011-11-15 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4877653B2 (en) * 2004-11-18 2012-02-15 株式会社ニコン Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2016040624A (en) * 2004-11-18 2016-03-24 株式会社ニコン Exposure equipment and exposure method and device manufacturing method
US8072578B2 (en) 2004-11-18 2011-12-06 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011155285A (en) * 2004-11-18 2011-08-11 Nikon Corp Exposure device and method of manufacturing device
US8054465B2 (en) 2004-11-18 2011-11-08 Nikon Corporation Position measurement method
KR101493641B1 (en) 2004-11-18 2015-02-13 가부시키가이샤 니콘 Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
US9223230B2 (en) 2004-11-18 2015-12-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2006054682A1 (en) * 2004-11-18 2008-06-05 株式会社ニコン Position measuring method, position control method, measurement method, method loads, an exposure method and an exposure apparatus, and device manufacturing method
US9298108B2 (en) 2004-11-18 2016-03-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101437298B1 (en) 2004-11-18 2014-09-02 가부시키가이샤 니콘 Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
JP2015111682A (en) * 2004-11-18 2015-06-18 株式会社ニコン Exposure device, exposure method and device manufacturing method
US9223231B2 (en) 2004-11-18 2015-12-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9348238B2 (en) 2004-11-18 2016-05-24 Niko Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2006054682A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-26 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
JP2014131082A (en) * 2004-11-18 2014-07-10 Nikon Corp Exposure device
KR101421849B1 (en) 2004-11-18 2014-07-24 가부시키가이샤 니콘 Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
KR101421850B1 (en) 2004-11-18 2014-07-24 가부시키가이샤 니콘 Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
US8576379B2 (en) 2004-11-18 2013-11-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857692B2 (en) 2004-11-18 2018-01-02 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101452483B1 (en) 2004-11-18 2014-10-21 가부시키가이샤 니콘 Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
US7812924B2 (en) 2004-12-02 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006165550A (en) * 2004-12-02 2006-06-22 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US9740106B2 (en) 2004-12-10 2017-08-22 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US9182222B2 (en) 2004-12-10 2015-11-10 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US8462312B2 (en) 2004-12-20 2013-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9417535B2 (en) 2004-12-20 2016-08-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2011254089A (en) * 2004-12-20 2011-12-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
JP2015039038A (en) * 2004-12-20 2015-02-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus
US9835960B2 (en) 2004-12-20 2017-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US8233137B2 (en) 2004-12-20 2012-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9116443B2 (en) 2004-12-20 2015-08-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9329494B2 (en) 2004-12-20 2016-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2006186112A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Toshiba Corp Immersion exposing method, immersion type exposing device and method for manufacturing semiconductor device
JP4551758B2 (en) * 2004-12-27 2010-09-29 株式会社東芝 Method for manufacturing a liquid immersion exposure method and a semiconductor device
WO2006080212A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Nikon Corporation Projection optical system, exposure system, and exposure method
JP4957970B2 (en) * 2005-01-28 2012-06-20 株式会社ニコン A projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US7710653B2 (en) 2005-01-28 2010-05-04 Nikon Corporation Projection optical system, exposure system, and exposure method
KR101236023B1 (en) 2005-01-28 2013-02-21 가부시키가이샤 니콘 Projection optical system, exposure system, and exposure method
US7978310B2 (en) 2005-01-28 2011-07-12 Nikon Corporation Projection optical system, exposure system, and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9360763B2 (en) 2005-05-12 2016-06-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9310696B2 (en) 2005-05-12 2016-04-12 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2012124539A (en) * 2005-06-21 2012-06-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
US9268236B2 (en) 2005-06-21 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method having heat pipe with fluid to cool substrate and/or substrate holder
KR100659451B1 (en) 2005-11-18 2006-12-12 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Improved immersion lithography system with wafer sealing mechanisms
US8130365B2 (en) 2006-06-13 2012-03-06 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Immersion flow field maintenance system for an immersion lithography machine
WO2007147304A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Immersion flow field maintenance system for immersion lithography machine
WO2008037131A1 (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Dual stage positioning and switching system
US8134689B2 (en) 2006-09-22 2012-03-13 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Dual stage positioning and switching system
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8218126B2 (en) 2007-12-10 2012-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009141359A (en) * 2007-12-10 2009-06-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009272636A (en) * 2008-05-08 2009-11-19 Asml Netherlands Bv Liquid immersion lithographic device, drying device, liquid immersion metro logy device and method for manufacturing device
US8345218B2 (en) 2008-05-08 2013-01-01 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus, drying device, immersion metrology apparatus and device manufacturing method
JP2014099655A (en) * 2008-05-08 2014-05-29 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure and method, and lithography device
JP2013016865A (en) * 2008-09-17 2013-01-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating lithographic apparatus
US8730447B2 (en) 2008-09-17 2014-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of operating the apparatus with a humid gas space between a projection system and a liquid confinement structure
US9176371B2 (en) 2008-09-17 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus with a barrier between a projection system and a liquid confinement structure
US9709901B2 (en) 2009-05-01 2017-07-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
US8928857B2 (en) 2009-05-01 2015-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of operating the apparatus
JP2017520792A (en) * 2014-07-01 2017-07-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Method of making a lithographic apparatus and a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP4604452B2 (en) 2011-01-05 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7535550B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP1571698A1 (en) Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
US20050219489A1 (en) Exposure apparatus and method for producing device
US20060176456A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20060023188A1 (en) Exposure apparatus and method for manufacturing device
US20060098177A1 (en) Exposure method, exposure apparatus, and exposure method for producing device
US20060119818A1 (en) Exposure apparatus and method for manufacturing device
US20070242241A1 (en) Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
US20080043210A1 (en) Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2004301825A (en) Surface position detection device, exposure method and method for manufacturing device
JP2004207696A (en) Aligner and method for manufacturing device
JP2005353820A (en) Exposure system and method of manufacturing device
JP2005012201A (en) Exposure method, aligner and device manufacturing method
JP2004207711A (en) Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP2005109426A (en) Aligner, exposure method, and device manufacturing method
JP2005252247A (en) Exposure device, exposure method, and method of fabricating the device
JP2005303167A (en) Stage device and exposure device
JP2005191344A (en) Aligner and manufacturing method of device
JP2005223315A (en) Exposing apparatus and method, and device manufacturing method
JP2004193252A (en) Exposing method and device manufacturing method
JP2005101488A (en) Aligner, exposure method, and manufacturing method of device
JP2004207710A (en) Exposure system, exposure method, and device-manufacturing method
JP2006100686A (en) Stage apparatus and exposure device
JP2005286286A (en) Exposure method, aligner, device manufacturing method
JP2005236121A (en) Exposure system and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090915

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100315

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100506

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100624

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250