JP2004228182A - 誘導結合プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Gにプラズマ処理を施す誘導結合型プラズマ処理装置において、処理室の上部壁を構成する誘電体壁2に対応する部分に、処理室内に誘導電界を形成する高周波アンテナ13が設けられ、高周波アンテナ13と処理室4内に形成されるプラズマとの間に導電性部材11が設けられ、高周波アンテナ13は、導電性部材11と複数の交差部13bで交差するように設けられ、かつ、1以上の交差部13bにおける前記高周波アンテナ13の位置が複数の交差部13b以外における位置よりも高く構成される。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置(LCD)基板等の被処理基板に対して誘導結合プラズマによりドライエッチング等のプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCD製造プロセスにおいては、被処理基板であるLCDガラス基板に対して、エッチングやスパッタリング、CVD(化学気相成長)等のプラズマ処理が多用されている。
【0003】
このようなプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置としては、種々のものが用いられているが、その中で、高密度プラズマを発生することができるものとして誘導結合プラズマ(ICP)処理装置が知られている。
【0004】
誘導結合プラズマ処理装置としては、真空に保持可能なプラズマ処理を行うための処理室の天井が誘電体壁で構成され、その上に高周波(RF)アンテナが配設されたものが用いられている。そして、この高周波アンテナに高周波電力が供給されることにより、処理室内に誘導電界が形成され、この誘導電界により処理室に導入された処理ガスがプラズマ化し、このようにして形成された処理ガスのプラズマによりエッチング等のプラズマ処理が施される。
【0005】
ところで、近時、処理の効率化等のためLCDガラス基板が著しく大型化しており、一辺が1mを超えるような巨大なものも出現している。このため、LCDガラス基板を処理するための誘導結合プラズマ処理装置も大型化し、したがって、誘電体壁も大型化している。誘電体が大型化すると、処理室の内外の圧力差や自重等に耐えるだけの十分な強度を有するように、その厚さも厚くせざるを得ないが、誘電体壁が厚くなると、高周波アンテナが処理室から遠ざかることとなり、エネルギー効率が悪くなる。
【0006】
これに対して、特許文献1には、シャワーヘッドを構成する金属製のシャワー筐体に支持梁の機能を持たせ、この支持梁によって誘電体壁を支持することにより誘電体壁の撓みを防止し、これにより誘電体壁を薄くしてエネルギー効率を向上させること、およびシャワー筐体と高周波アンテナとが直交するようにして高周波アンテナからの誘導電界が支持梁によって妨げられることを極力防止してエネルギー効率の低下を防止することが開示されている。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−28299公報(特許請求の範囲、段落0041〜0070、図1〜6)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1の技術のように、高周波アンテナと処理室内のプラズマとの間にシャワー筐体のような金属製部材、すなわち導電性部材が存在すると、高周波アンテナと導電性部材との交差部分においてこれらの間に容量結合が生じ、この容量結合によって導電性部材に電流が流れ、この電流とプラズマとが誘導結合して導電性部材直下のプラズマ強度が大きくなり、所望のプラズマの均一性が得られず、処理が不均一になってしまう。
【0009】
このような不都合を回避するために、高周波アンテナを導電性部材から遠ざけると、所望のプラズマの均一性は得られ、処理の均一性は確保されるもののアンテナとプラズマとの距離が大きくなり、プラズマ密度が低下してしまう。
【0010】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、高周波アンテナと処理室内に形成されるプラズマとの間に部分的に導電性部材を有しながら、プラズマ密度を低下させることなく所望のプラズマ均一性を得ることができ、均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合型プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理室の壁部の一部を構成する誘電体壁と、前記誘電体壁を介して前記処理室外に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、前記高周波アンテナと前記処理室内に形成されるプラズマとの間に設けられた導電性部材とを具備し、前記高周波アンテナは、前記導電性部材と複数の交差部で交差するように設けられ、かつ、前記交差部における前記高周波アンテナと前記誘電体壁と距離が、前記複数の交差部以外における前記高周波アンテナと前記誘電体壁との最短距離よりも大きいことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【0012】
また、本発明は、誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前記誘電体壁の上に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、前記高周波アンテナと前記処理室内の被処理基板との間に部分的に設けられた導電性部材とを具備し、前記高周波アンテナは、前記導電性部材と複数の交差部で交差するように設けられ、かつ、1以上の前記交差部における前記高周波アンテナの位置が前記複数の交差部以外における位置よりも高いことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【0013】
本発明によれば、処理室の壁部の一部、特に上部壁を構成する誘電体壁に対応する部分に高周波アンテナを設け、高周波アンテナと処理室内に形成されるプラズマとの間に導電性部材を設けた構成において、高周波アンテナを導電性部材と複数の交差部で交差するように設け、かつ、前記交差部における前記高周波アンテナと前記誘電体壁と距離が、前記複数の交差部以外における前記高周波アンテナと前記誘電体壁との最短距離よりも大きくなるようにして、その部分の容量結合が極力小さくなるようにしたので、その交差部の直下位置のプラズマが強くなることを回避することができる。したがって、プラズマ密度を低下させることなく、所望のプラズマ均一性を確保することができ、均一なプラズマ処理を行うことができる。
【0014】
前記高周波アンテナの前記少なくとも一部の交差部は、前記導電性部材の存在部分を跨ぐように設けることができる。これにより、容易に誘電体壁からの離隔距離を大きくすることができる。また、前記高周波アンテナは、前記導電性部材と直交するように設けられることが好ましい。これにより、高周波アンテナと導電性部材が誘導結合することを極力防止することができ、高周波アンテナからの誘導電界が導電性部材によって妨げられることが防止される。
【0015】
誘電体壁が処理室の上部壁を構成する場合に、導電性部材として、誘電体壁を支持する支持部材を適用することが可能である。この場合に、誘電体壁は、支持部材上で複数の分割片を組み合わせて構成することができる。
【0016】
また、同様に誘電体壁が処理室の上部壁を構成する場合に、前記導電性部材として、誘電体壁に設けられた処理ガスを吐出するシャワーヘッドを適用することが可能である。この場合に、シャワーヘッドが、誘電体壁の支持機能を有するように構成することができる。このようにシャワーヘッドに誘電体壁の支持機能を有する場合に、シャワーヘッドが十字状をなすようにし、誘電体壁は、シャワーヘッド上で複数の分割片を組み合わせて構成することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置を示す断面図である。この装置は、例えばLCDの製造においてLCDガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際に、メタル膜、ITO膜、酸化膜等をエッチングするために用いられる。
【0018】
このプラズマ処理装置は、導電性材料、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器1を有する。この本体容器1は分解可能に組み立てられており、接地線1aにより接地されている。本体容器1は、誘電体壁2により上下にアンテナ室3および処理室4に区画されている。したがって、誘電体壁2は処理室4の天井壁(上部壁)を構成している。誘電体壁2は、Al2O3等のセラミックス、石英等で構成されている。
【0019】
本体容器1におけるアンテナ室3の側壁3aと処理室4の側壁4aとの間には内側に突出する支持棚5が設けられており、この支持棚5の上に誘電体壁2が載置される。したがって、支持棚5は処理室4の壁部の一部として機能する。誘電体壁2と支持棚5はビス6によって固定されており、誘電体壁2と支持棚5との間には、樹脂製のシールリング7(例えば商品名バイトン)が介装されている。
【0020】
図2に示すように、誘電体壁2には十字状をなすシャワーヘッド11が埋設されており、誘電体壁2の下面全面は誘電体カバー10で覆われている。十字状をなすシャワーヘッド11は、誘電体壁2を下から支持しており、支持部材としての機能を有する。また、誘電体壁2は4つの分割片2aからなっており、十字状をなすシャワーヘッド11上でこれら分割片2aを組み立てることで誘電体壁2が構成されるようになっている。なお、上記誘電体壁2を支持するシャワーヘッド11は、複数本のサスペンダ(図示せず)により本体容器1の天井に吊された状態となっている。なお、図2は、誘電体カバー10を取り去った状態を示す底面図である。
【0021】
このシャワーヘッド11は導電性材料、望ましくは金属、例えば汚染物が発生しないようにその内面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。このシャワーヘッド11には水平に伸びるガス流路12が形成されており、このガス流路12には、下方に向かって延び、誘電体カバー10を経て開口する複数のガス吐出孔12aが連通している。一方、誘電体壁2の上面中央には、このガス流路12に連通するようにガス供給管20aが設けられている。ガス供給管20aは、本体容器1の天井からその外側へ貫通し、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理ガス供給系20に接続されている。したがって、プラズマ処理においては、処理ガス供給系20から供給されたエッチング用の処理ガス(ハロゲン含有ガス等)がガス供給管20aを介してシャワーヘッド11内に供給され、その下面のガス供給孔12aから処理室4内へ吐出される。
【0022】
アンテナ室3内には誘電体壁2の上に誘電体壁2に面するように高周波(RF)アンテナ13が配設されている。この高周波アンテナ13は、図3に示すように、ガス供給管20aの外周に設けられた給電部材16から四方に略角形渦巻き状に延びる4つのアンテナ片13aを有しており、平面型の四重アンテナとなっている。給電部材16には整合器14を介して高周波電源15が接続されており、一方、各アンテナ片13aの外側端部は本体容器1を介して接地されている。また、高周波アンテナ13は、十字状のシャワーヘッド11の延材方向にほぼ直交するように配置されている。
【0023】
高周波アンテナ13は、図4に示すように大部分が誘電体壁2に接するように設けられているが、十字状のシャワーヘッド11と交差する交差部13bは、シャワーヘッド11の存在部分を跨ぐようにブリッジを構成している。これにより交差部13bの誘電体壁2からの距離がアンテナ13の他の部分よりも大きくなっている。
【0024】
プラズマ処理中、高周波電源15からは、誘導電界形成用の例えば周波数が13.56MHzの高周波電力が高周波アンテナ13へ供給される。このように高周波電力が供給された高周波アンテナ13により、処理室4内に誘導電界が形成され、この誘導電界によりシャワーヘッド11から供給された処理ガスがプラズマ化される。この際の高周波電源15の出力は、プラズマを発生させるのに十分な値になるように適宜設定される。
【0025】
処理室4内の下方には、誘電体壁2を挟んで高周波アンテナ13と対向するように、LCDガラス基板Gを載置するための載置台としてのサセプタ22が設けられている。サセプタ22は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。サセプタ22に載置されたLCDガラス基板Gは、静電チャック(図示せず)によりサセプタ22に吸着保持される。LCDガラス基板Gがサセプタ22の所定位置に保持された状態では、シャワーヘッド11の十字の交点の位置が基板Gの中心と実質的に一致する。
【0026】
サセプタ22は絶縁体枠24内に収納され、さらに、中空の支柱25に支持される。支柱25は本体容器1の底部を気密状態を維持しつつ貫通し、本体容器1外に配設された昇降機構(図示せず)に支持され、基板Gの搬入出時に昇降機構によりサセプタ22が上下方向に駆動される。なお、サセプタ22を収納する絶縁体枠24と本体容器1の底部との間には、支柱25を気密に包囲するベローズ26が配設されており、これにより、サセプタ22の上下動によっても処理室4内の気密性が保証される。また処理室4の側壁4aには、基板Gを搬入出する搬入出口27が設けられており、この搬入出口27はゲートバルブ27aにより開閉可能となっている。
【0027】
サセプタ22には、中空の支柱25内に設けられた給電棒により、整合器28を介して高周波電源29が接続されている。この高周波電源29は、プラズマ処理中に、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が6MHzの高周波電力をサセプタ22に印加する。このバイアス用の高周波電力により、処理室4内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Gに引き込まれる。
【0028】
さらに、サセプタ22内には、基板Gの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている(いずれも図示せず)。これらの機構や部材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱25を通して本体容器1外に導出される。
【0029】
処理室4の底部には、排気管31を介して真空ポンプ等を含む排気機構30が接続される、この排気機構30により、処理室4が排気され、プラズマ処理中、処理室4内が所定の真空雰囲気(例えば1.33Pa)に設定、維持される。
【0030】
次に、以上のように構成される誘導結合プラズマエッチング装置を用いてLCDガラス基板Gに対してプラズマエッチング処理を施す際の処理動作について説明する。
【0031】
まず、ゲートバルブ27aを開にした状態で搬入出口27から搬送機構(図示せず)により基板Gを処理室4内に搬入し、サセプタ22の載置面に載置した後、静電チャック(図示せず)により基板Gをサセプタ22上に固定する。次に、処理室4内に処理ガス供給系20からエッチングガスを含む処理ガスをシャワーヘッド11のガス吐出孔12aから処理室内に吐出させるとともに、排気機構30により排気管31を介して処理室4内を真空排気することにより、処理室内を例えば1.33Pa程度の圧力雰囲気に維持する。
【0032】
次に、高周波電源15から13.56MHzの高周波を高周波アンテナ13に印加し、これにより誘電体壁2を介して処理室4内に均一な誘導電界を形成する。このようにして形成された誘導電界により、処理室4内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマ中のイオンは、高周波電源29からサセプタ22に対して印加される例えば6MHzの高周波電力によって基板Gに効果的に引き込まれ、基板Gに対してエッチング処理が施される。
【0033】
この場合に、従来のように、高周波アンテナ13が全体的に誘電体壁2に接触している場合には、高周波アンテナ13のシャワーヘッド11との交差部においてこれらが近接するため、その部分においてこれらの間に容量結合が生じる。図5に示すように、この容量結合によってシャワーヘッド11に電流が流れ、この電流とプラズマとが誘導結合してシャワーヘッド11の直下位置においてプラズマ強度が大きくなり、プラズマが不均一となって、結果として均一な処理を行い難くなる。
【0034】
これに対して、本実施形態では、図4に示すように、高周波アンテナ13において、シャワーヘッド11と交差する交差部13bは、シャワーヘッド11の存在部分を跨ぐようにブリッジを構成しており、これにより交差部13bの誘電体壁2からの距離が高周波アンテナ13の他の部分よりも大きくなっている。容量結合による電界強度は距離の2乗に比例するため、このようにブリッジを構成して距離を大きくすることにより、交差部13bとシャワーヘッド11との間に容量結合がほとんど生じない状態とすることができるので、交差部13bの直下位置のプラズマが強くなることを回避することができる。したがって、プラズマ密度を低下させることなく、所望のプラズマ均一性を確保することができ、均一なプラズマ処理を行うことができる。また、高周波アンテナ13と導電性部材であるシャワーヘッド11が近接している場合には、シャワーヘッド11に誘導電流が流れこれによって効率が低下するが、このように交差部13bにおいてこれらの間の距離を大きくすることにより、このような誘導電流を防ぐこともできる。この場合に、交差部13bにおける高周波アンテナ13の離間距離や、ブリッジの形状は、容量結合の大きさ等に応じてプラズマが所望な状態になるように適宜調整すればよい。ブリッジの形状としては、図4のような半円状の他、図6の(a)に示すような矩形状や(b)に示すような台形状等種々の形状が考えられる。また、必要なプラズマ均一性は被処理体である基板Gの形状や大きさによって変化するため、必ずしも全ての交差部13bについてこのようなブリッジを形成する必要はなく、交差部13bのうち容量結合を解消する必要がある部分のみ部分的にこのようなブリッジを形成すればよい。また、高周波アンテナ13とシャワーヘッド11との間の空洞を誘電体で埋めるようにしてもよい。これにより高周波アンテナのブリッジ部の経時変形を防止することができる。
【0035】
本実施形態の誘導結合プラズマ装置は、この他、以下のような効果を奏する。シャワーヘッド11は誘電体壁2の支持部材として機能し、このシャワーヘッド11が図示しないサスペンダーにより本体容器1の天井に吊された状態となっているので、誘電体壁2の撓みが防止される。したがって、誘電体壁2を薄くすることができ、エネルギー効率を向上させることができる。また、誘電体壁2を複数の分割片2aを組み合わせて構成したため、大型の誘電体壁が必要な場合でも製造が容易である。
【0036】
また、高周波アンテナ13は、十字状のシャワーヘッド11の延材方向にほぼ直交するように配置されているので、高周波アンテナ13とシャワーヘッド11が誘導結合することを極力防止することができ、高周波アンテナ13からの誘導電界がシャワーヘッド11によって妨げられることが防止される。
【0037】
さらに、高周波アンテナ13は四重アンテナを構成しているが、このように多重化することにより、インダクタンスを低減してアンテナインピーダンスを低下させ、アンテナ電位を低下させることができ、処理室4内の電界分布をより均一にすることができる。
【0038】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では高周波アンテナとプラズマとの間の導電性部材としてシャワーヘッドを例にとって説明したが、これに限らず、シャワーヘッド機能を有しない単なる支持部材であっても適用可能であるし、その他のいかなる導電性部材であっても同様に適用可能である。
【0039】
また、高周波アンテナの形状は上記実施形態に限るものではなく、上述の四重以外の他の多重アンテナであってもよいし、一重の渦巻きであってもよいし、さらに全く他の形状であってもよい。高周波アンテナは必ずしも誘電体壁に接している必要はなく、所望のプラズマ密度が得られる限り、全体的に誘電体壁から浮いていてもよく、その場合でも容量結合を低減したい交差部において他の部分よりも誘電体壁からの距離を大きくすれば同様の効果を得ることができる。
【0040】
さらに、上記実施の形態では、誘電体壁2を処理室4の天壁を構成するように水平に設け、その上に平面状の高周波アンテナ13を設けた場合について示したが、このような場合に限らず、例えば、誘電体壁が処理室の側壁を構成するようにし、その周囲に高周波アンテナをコイル状に巻回する場合であってもよい。
【0041】
さらにまた、上記実施形態では、本発明をエッチング装置に適用した場合について示したが、エッチング装置に限らず、スパッタリングや、CVD成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができる。さらにまた、被処理基板としてLCD基板を用いたが、本発明はこれに限らず半導体ウエハ等他の基板を処理する場合にも適用可能である。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理室の壁部の一部、特に上部壁を構成する誘電体壁に対応する部分に高周波アンテナを設け、高周波アンテナと処理室内に形成されるプラズマとの間に導電性部材を設けた構成において、高周波アンテナを導電性部材と複数の交差部で交差するように設け、かつ、前記交差部における前記高周波アンテナと前記誘電体壁と距離が、前記複数の交差部以外における前記高周波アンテナと前記誘電体壁との最短距離よりも大きくなるようにして、その部分の容量結合が極力小さくなるようにしたので、その交差部の直下位置のプラズマが強くなることを回避することができる。したがって、プラズマ密度を低下させることなく、所望のプラズマ均一性を確保することができ、均一なプラズマ処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る誘導結合プラズマエッチング装置を示す断面図。
【図2】図1の装置に用いられる誘電体壁のカバー部材を取り去った状態を示す底面図。
【図3】図1の装置の高周波アンテナおよび誘電体壁を示す平面図。
【図4】図1の装置における高周波アンテナとシャワーヘッドとの交差部を拡大して示す断面図。
【図5】従来の高周波アンテナによる誘導電流を説明するための図。
【図6】高周波アンテナとシャワーヘッドとの交差部のブリッジ形状の他の例を示す図。
【符号の説明】
1;本体容器
2;誘電体壁
4;処理室
11;シャワーヘッド(導電性部材)
13;高周波アンテナ
13a;アンテナ片
13b;交差部
20;処理ガス供給系
22;サセプタ
30;排気機構
G;LCD基板
Claims (9)
- 誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の壁部の一部を構成する誘電体壁と、
前記誘電体壁を介して前記処理室外に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、
前記高周波アンテナと前記処理室内に形成されるプラズマとの間に設けられた導電性部材と
を具備し、
前記高周波アンテナは、前記導電性部材と複数の交差部で交差するように設けられ、かつ、前記交差部における前記高周波アンテナと前記誘電体壁と距離が、前記複数の交差部以外における前記高周波アンテナと前記誘電体壁との最短距離よりも大きいことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、
前記処理室外の前記誘電体壁の上に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、
前記高周波アンテナと前記処理室内の被処理基板との間に部分的に設けられた導電性部材と
を具備し、
前記高周波アンテナは、前記導電性部材と複数の交差部で交差するように設けられ、かつ、1以上の前記交差部における前記高周波アンテナの位置が前記複数の交差部以外における位置よりも高いことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 前記高周波アンテナは、前記1以上の交差部において、前記導電性部材の存在部分を跨ぐように設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記高周波アンテナは、前記導電性部材と直交するように設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、誘電体壁を支持する支持部材であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記誘電体壁は、前記支持部材上で複数の分割片を組み合わせて構成されることを特徴とする請求項5に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、誘電体壁に設けられた処理ガスを吐出するシャワーヘッドであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記シャワーヘッドは、前記誘電体壁の支持機能を有することを特徴とする請求項7に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記シャワーヘッドは十字状をなし、前記誘電体壁は、前記シャワーヘッド上で複数の分割片を組み合わせて構成されることを特徴とする請求項8に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
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