JP2004133281A - Method for manufacturing micro electromechanical device, and projector - Google Patents
Method for manufacturing micro electromechanical device, and projector Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004133281A JP2004133281A JP2002298976A JP2002298976A JP2004133281A JP 2004133281 A JP2004133281 A JP 2004133281A JP 2002298976 A JP2002298976 A JP 2002298976A JP 2002298976 A JP2002298976 A JP 2002298976A JP 2004133281 A JP2004133281 A JP 2004133281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer member
- sacrificial layer
- forming
- light
- sacrifice layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微小電気機械デバイスの製造方法、およびこのデバイスを備えるプロジェクタに関する。
【0002】
【従来の技術】
プロジェクタ等に使用される空間光変調装置の例としてティルトミラーデバイスがある。ティルトミラーデバイスは、高速応答化が容易であること、単板化により小型化が容易であること、経年劣化が少ないこと等の多くの利点を有している。このため、ティルトミラーデバイスは近年、数多く使用されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
ティルトミラーデバイスにより変調された投写画像のコントラスト比は、1000:1程度まで実現されている。さらに、光学系の改良により投写画像の明るさも明るくなっている。
【0004】
図3(a)〜(g)に基づいて、従来のティルトミラーデバイスの製造工程を説明する。図3(a)において、基板200の上に第1電極部201を形成する。図3(b)において、基板200の上と第1電極部201の上とに第1犠牲層部材202を塗布し、第1電極部201上に導通部をパターニングする。図3(c)において、第1犠牲層部材202の上に第2電極部203を形成する。図3(d)において、第1犠牲層部材202と第2電極部203との上に第2犠牲層部材204を塗布して、反射ミラー部の支持部となる部分をパターニングする。
【0005】
図3(e)において、第2犠牲層204の上に反射ミラー部205を形成する。図3(f)において、第1犠牲層部材202と第2犠牲層部材204とをエッチングにより除去する。このような手順で製造される反射ミラー部205をアレイ状に配列してティルトミラーデバイスを構成する。そして、図3(g)に示すように、第1電極部201と第2電極部203に電圧を印加することで、静電力により、反射ミラー部205を変位させる。なお、従来のティルトミラーデバイスの例の一つは、テキサスインスツルメンツ社のDMDである。DMDはテキサスインスツルメンツ社の商標である。
【0006】
【特許文献1】
特開平8−334709号公報(第2図、第4図)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図3(e)、(f)、(g)から明らかなように、従来技術の製造方法により製造されたティルトミラーデバイスの反射ミラー部205には、中央部に凹部206が形成されている。凹部206の領域は、入射光の反射を妨げる。このため、開口率(光の利用効率)を低下させてしまうので問題である。また、凹部206のエッジ部分で入射光が乱反射する場合もある。乱反射光は、ノイズとなり投写像のコントラストを低下させてしまう。
【0008】
さらに、反射ミラー部205をアレイ状に配列した場合、凹部206も規則的に配列される。そして、入射光は、複数の凹部206により回折される。回折光は、投写像のコントラストをさらに低減させるので問題である。
【0009】
凹部206を形成させないためには、例えば、図3(d)で示す第2犠牲層204の中央の凹部に、別部材を充填して塞ぐ方法が考えられる。しかし、この方法では、製造工程が複雑になってしまうので好ましくない。また、反射ミラー部205を形成する前の状態の平坦度を確保することも困難である。凹部206を形成させないための別の方法としては、第2犠牲層部材204の一部が残るように、エッチングによる除去工程を途中で中止することが考えられる。しかし、この方法では、第1犠牲層部材202の一部も残ってしまう。このように、凹部206を形成させない製造工程は複雑となってしまい問題である。
【0010】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであり、高い光利用効率で高コントラストな像を得ることができる微小電気機械デバイスの簡便な製造方法及びプロジェクタを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、基板上に第1電極部を形成する工程と、前記第1電極部上及び前記基板上に第1犠牲層部材を塗布形成する工程と、前記第1電極部上の前記第1犠牲層部材に導通部を形成する工程と、前記第1犠牲層部材上に第2電極部を形成する工程と、前記第1犠牲層部材上及び前記第2電極部上に、前記第1犠牲層部材のエッチング・レートよりも遅いエッチング・レートを有する第2犠牲層部材を塗布形成する工程と、前記第2犠牲層部材上に反射ミラー部を形成する工程と、前記第1犠牲層部材と前記第2犠牲層部材とをエッチングする工程と、前記第1犠牲層部材がすべて除去されて空間層を形成し、前記第2犠牲層部材の一部を前記反射ミラー部の支持部として形成する工程とからなる微小電気機械デバイスの製造方法を提供できる。これにより、高い光利用効率で高コントラストな像を得ることができる微小電気機械デバイスの簡便な製造方法を提供できる。
【0012】
また、本発明の好ましい態様によれば、前記第1犠牲層部材と前記第2犠牲層部材とは、それぞれ異なるレジスト材料からなることが望ましい。これにより、エッチング・レートを簡便に選択できる。
【0013】
また、本発明の好ましい態様によれば、前記第1犠牲層部材と前記第2犠牲層部材とは同一のレジスト材料からなり、前記第1犠牲層部材の前記レジスト材料のベーク温度と前記第2犠牲層部材の前記レジスト材料のベーク温度とを異ならせることで、前記第2犠牲層部材の前記レジスト材料のエッチング・レートを前記第1犠牲層部材の前記レジスト材料のエッチング・レートより遅くすることが望ましい。これにより、同一のレジスト材料を用いた場合でも、エッチング・レートを異ならせることができる。
【0014】
また、本発明によれば、光を供給する光源部と、上述の製造方法による微小電気機械デバイスを備え、入射光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、前記空間光変調装置で変調された光を投写する投写レンズとを有することを特徴とするプロジェクタを提供できる。これにより、高い光利用効率で、空間光変調装置において散乱光や回折光を生じることのない明るく高コントラストな投写像を得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1(a)〜(g)は本発明の第1実施形態に係るティルトミラーデバイスの製造方法の工程を示す図である。以下の製造工程は、いわゆるMEMS技術(Micro−electromechanical systems technology)を用いることができる。図1(a)において、基板100の上にアルミニウムの第1電極部101を形成する。図1(b)において、基板100の上と第1電極部101の上とにレジスト材料からなる第1犠牲層部材102を塗布する。そして、第1電極部101上に足となる導通部をパターニングする。図1(c)において、第1犠牲層部材102の上にアルミニウムの第2電極部103を形成する。図1(d)において、第1犠牲層部材102と第2電極部103との上に、第1犠牲層部材102のエッチング・レートよりも遅いエッチング・レートを有するレジスト部材の第2犠牲層部材104を塗布する。ここで、第1犠牲層部材102としてBaker社製のPR−21(商品名)を、第2犠牲層部材104としてHunt社製のHPR−204(商品名)を用いるか、または第1犠牲層部材102として住友化学社製のPFI−58A7(商品名)を、第2犠牲層部材104として東レ社製のSL−1016(商品名)を用いることができる。
【0016】
図1(e)において、第2犠牲層部材104の上に反射ミラー部105を形成する。図1(f)において、第1犠牲層部材102と第2犠牲層部材104とをエッチングする。第1犠牲層部材102のエッチング・レートに対して、第2犠牲層部材104のエッチング・レートのほうが遅い。従って、第1犠牲層部材102がすべて除去された状態において、第2犠牲層部材104の中央部に第2犠牲層部材104の一部がエッチングされずに残留する。第1犠牲層部材102がすべて除去された部分には空間層102aが形成される。また、第2犠牲層部材104の一部は反射ミラー部105の支持部105aとして形成される。そして、図1(g)に示すように、第1電極部101と第2電極部103に電圧を印加することで、静電力により、反射ミラー部105を変位させる。
【0017】
この製造方法によれば、反射ミラー部105の中央部に従来技術で生じたような凹部を生じることがない。このため、高い光利用効率で、散乱光、回折光を生じることなく高コントラストな像を得ることができる。
【0018】
また、本実施形態において、第1犠牲層部材102と第2犠牲層部材104とを同一のレジスト材料から構成することもできる。レジスト材料は、そのベーク温度によりエッチング・レートが異なる。よって、第1、第2犠牲層部材102、104のベーク温度をそれぞれ異ならせることでエッチング・レートが異なる部材とすることができる。犠牲層にレジスト材料を用いると、エッチング・レートも様々な材料を容易に選択できる。これに加えて、ベーク温度を制御することによっても、様々なエッチング・レートを有する材料を得ることができる。
【0019】
図4は、本実施形態に係る製造方法により製造されたティルトミラーデバイスの概略構成を示す斜視図である。図1(g)内のA−A’断面の対応を図4に示す。対向するサポートポート部110間にヒンジ120が設けられている。ヒンジ120上にヨーク部130が設けられている。そして、ヨーク部130の上に支持部105aが固着されている。第2電極部103に電圧を印加することで静電力が発生する。反射ミラー部105は、発生した静電力により電圧が印加されている第2電極部103の方向へ変位する。この時、ヒンジ120は、反射ミラー部105の変位に伴ってねじれる。そして、反射ミラー部105の端部が第2電極部130に当接した状態で停止する。これとは反対に、対向する第2電極部103に電圧を印加すれば、反射ミラー部105はヒンジ120を軸として反対側に傾く。同様に、反射ミラー部105の端部が第2電極部130に当接した状態で停止する。このようにして、反射ミラー部105を2つの位置状態に制御することができる。これにより、ティルトミラーデバイスに入射する光を不図示のスクリーンの方向(ON)と廃棄する方向(OFF)とに反射させることができる。この結果、入射光を画像信号に応じて変調して射出することができる。
【0020】
(第2実施形態)
図2は、本発明の第2実施形態に係るプロジェクタ300の概略構成を示す図である。プロジェクタ300は、上記第1実施形態で述べたティルトミラーデバイスを備える空間光変調装置306、または反射型ライトバルブ306を有している。光源部301は白色光を供給する。光源部301からの白色光は、前面硝子302を透過する。前面硝子302には、IRコート及びUVコートが施されている。前面硝子302を透過した光は、照度を均一化するためのロッドインテグレータ303に一方の端面から入射する。ロッドインテグレータ303内を多重反射して進行する光は、他方の端面から射出する。ロッドインテグレータ303を射出した光は、光源部301からの光を色分解するためのカラーホイール304に入射する。カラーホイール304には、ダイクロイック膜が螺旋状等の適当な形状に組み合わされて設けられている。ダイクロイック膜は、特定の波長領域の光を透過し、他の波長領域の光を反射させる。例えば白色光を、3つの波長領域の光に色分解する場合は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の光のみをそれぞれ透過させるR光透過ダイクロイック膜、G光透過ダイクロイック膜、B光透過ダイクロイック膜が形成されている。そして、モータMは、カラーホイール304を、光軸AX1と平行な軸AX2を中心に回転させる。
【0021】
カラーホイール304で色分解された光は、リレーレンズ305を経由して反射型の空間光変調装置306へ入射する。反射型の空間光変調装置306は、上述のようにティルトミラーデバイスを用いた光変調装置である。反射型の空間光変調装置306は、画像信号に応じて入射光を変調して射出する。変調された光は、投写レンズ307を経由してスクリーン308の方向へ反射される。投写レンズ307は、反射型の空間光変調装置306に形成されている画像を拡大してスクリーン308へ投写する。これにより、安価で高性能なプロジェクタを得ることができる。特に、ティルトミラーデバイスの反射ミラー中心に凹部(アンカーホール)が存在しない。このため、凹部による散乱光、回折光が生じない。この結果、光源部301からの光を効率良く利用できるため、明るい投写像を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態のティルトミラーデバイスの製造方法の工程を説明する図。
【図2】第2実施形態のプロジェクタの概略構成を説明する図。
【図3】従来の微小電気機械デバイスの製造方法の工程を説明する図。
【図4】上記第1実施形態の製造方法によるティルトミラーデバイスの斜視図。
【符号の説明】
206 凹部、100 基板部、101 第1電極部、102 第1犠牲層部材、102a 空間層、103 第2電極部、104 第2犠牲層部材、105a支持部、105 反射ミラー部、110 サポートポート部、120 ヒンジ、130 ヨーク部、200 基板、201 第1電極部、202 第1犠牲層部材、203 第2電極部、204 第2犠牲層部材、205 反射ミラー部、300 プロジェクタ、301 光源部、302 前面硝子、303 ロッドインテグレータ、304 カラーホイール、305 リレーレンズ、306 空間光変調装置、307 投写レンズ、308 スクリーン、AX1 光軸、AX2軸、M モータ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a micro-electro-mechanical device, and a projector including the device.
[0002]
[Prior art]
An example of a spatial light modulator used for a projector or the like is a tilt mirror device. The tilt mirror device has many advantages, such as easy high-speed response, easy downsizing due to a single plate, and little deterioration over time. For this reason, many tilt mirror devices have been used in recent years (for example, see Patent Document 1).
[0003]
The contrast ratio of the projected image modulated by the tilt mirror device is realized up to about 1000: 1. Further, the brightness of the projected image has been increased by improving the optical system.
[0004]
With reference to FIGS. 3A to 3G, a description will be given of a manufacturing process of a conventional tilt mirror device. In FIG. 3A, a
[0005]
In FIG. 3E, a
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-8-334709 (FIGS. 2 and 4)
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, as is apparent from FIGS. 3E, 3F, and 3G, a
[0008]
Further, when the
[0009]
In order to prevent the
[0010]
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a simple manufacturing method and a projector for a microelectromechanical device capable of obtaining a high-contrast image with high light use efficiency. And
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve the object, according to the present invention, a step of forming a first electrode portion on a substrate, and applying a first sacrificial layer member on the first electrode portion and the substrate Forming, forming a conductive portion on the first sacrificial layer member on the first electrode portion, forming a second electrode portion on the first sacrificial layer member, and forming the first sacrificial layer on the first sacrificial layer member. A step of applying a second sacrificial layer member having an etching rate slower than an etching rate of the first sacrificial layer member on the member and the second electrode portion; and reflecting the second sacrificial layer member on the second sacrificial layer member. Forming a mirror portion, etching the first sacrifice layer member and the second sacrifice layer member, removing the first sacrifice layer member entirely to form a space layer, Forming a part of the member as a supporting portion of the reflection mirror portion, Method of manufacturing comprising a microelectromechanical device can provide. Thus, a simple method for manufacturing a microelectromechanical device capable of obtaining a high-contrast image with high light use efficiency can be provided.
[0012]
According to a preferred aspect of the present invention, it is preferable that the first sacrifice layer member and the second sacrifice layer member are made of different resist materials. Thereby, the etching rate can be easily selected.
[0013]
Further, according to a preferred aspect of the present invention, the first sacrificial layer member and the second sacrificial layer member are made of the same resist material, and the baking temperature of the resist material of the first sacrificial layer member and the second sacrificial layer member are different from each other. Making the baking temperature of the resist material of the sacrificial layer member different from that of the resist material of the second sacrificial layer member so as to be lower than the etching rate of the resist material of the first sacrificial layer member. Is desirable. Thus, even when the same resist material is used, the etching rate can be made different.
[0014]
Further, according to the present invention, a light source unit for supplying light, a microelectromechanical device according to the above-described manufacturing method, a spatial light modulator that modulates incident light according to an image signal, and a spatial light modulator A projection lens having a projection lens for projecting the modulated light can be provided. This makes it possible to obtain a bright, high-contrast projection image with high light use efficiency and without generating scattered light or diffracted light in the spatial light modulator.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(1st Embodiment)
FIGS. 1A to 1G are views showing steps of a method for manufacturing a tilt mirror device according to a first embodiment of the present invention. The following manufacturing process can use a so-called MEMS technology (Micro-electromechanical systems technology). In FIG. 1A, a
[0016]
In FIG. 1E, a
[0017]
According to this manufacturing method, a concave portion unlike the related art does not occur in the central portion of the reflecting
[0018]
Further, in the present embodiment, the first
[0019]
FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a tilt mirror device manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment. FIG. 4 shows the correspondence of the AA ′ cross section in FIG. A
[0020]
(2nd Embodiment)
FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic configuration of a
[0021]
The light color-separated by the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating steps of a method of manufacturing a tilt mirror device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic configuration of a projector according to a second embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating steps of a conventional method for manufacturing a micro electro mechanical device.
FIG. 4 is a perspective view of a tilt mirror device according to the manufacturing method of the first embodiment.
[Explanation of symbols]
206 concave portion, 100 substrate portion, 101 first electrode portion, 102 first sacrifice layer member, 102a space layer, 103 second electrode portion, 104 second sacrifice layer member, 105a support portion, 105 reflection mirror portion, 110 support port portion , 120 hinge, 130 yoke part, 200 substrate, 201 first electrode part, 202 first sacrifice layer member, 203 second electrode part, 204 second sacrifice layer member, 205 reflection mirror part, 300 projector, 301 light source part, 302 Front glass, 303 rod integrator, 304 color wheel, 305 relay lens, 306 spatial light modulator, 307 projection lens, 308 screen, AX1 optical axis, AX2 axis, M motor
Claims (4)
前記第1電極部上及び前記基板上に第1犠牲層部材を形成する工程と、
前記第1電極部上の前記第1犠牲層部材に導通部を形成する工程と、
前記第1犠牲層部材上に第2電極部を形成する工程と、
前記第1犠牲層部材上及び前記第2電極部上に、前記第1犠牲層部材のエッチング・レートよりも遅いエッチング・レートを有する第2犠牲層部材を形成する工程と、
前記第2犠牲層部材上に反射ミラー部を形成する工程と、
前記第1犠牲層部材と前記第2犠牲層部材とをエッチングする工程と、
前記第1犠牲層部材がすべて除去されて空間層を形成し、前記第2犠牲層部材の一部を前記反射ミラー部の支持部として形成する工程とからなる微小電気機械デバイスの製造方法。Forming a first electrode portion on the substrate;
Forming a first sacrificial layer member on the first electrode portion and the substrate;
Forming a conductive portion in the first sacrificial layer member on the first electrode portion;
Forming a second electrode portion on the first sacrificial layer member;
Forming a second sacrificial layer member having an etching rate slower than an etching rate of the first sacrificial layer member on the first sacrificial layer member and the second electrode portion;
Forming a reflection mirror portion on the second sacrificial layer member;
Etching the first sacrificial layer member and the second sacrificial layer member;
Forming a space layer by removing all of the first sacrificial layer member, and forming a part of the second sacrificial layer member as a supporting portion of the reflection mirror section.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法による微小電気機械デバイスを備え、入射光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、
前記空間光変調装置で変調された光を投写する投写レンズとを有することを特徴とするプロジェクタ。A light source unit for supplying light,
A spatial light modulator, comprising: a microelectromechanical device according to the manufacturing method according to claim 1, wherein the spatial light modulator modulates incident light in accordance with an image signal.
A projection lens for projecting light modulated by the spatial light modulator.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002298976A JP2004133281A (en) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | Method for manufacturing micro electromechanical device, and projector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002298976A JP2004133281A (en) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | Method for manufacturing micro electromechanical device, and projector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004133281A true JP2004133281A (en) | 2004-04-30 |
Family
ID=32288244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002298976A Withdrawn JP2004133281A (en) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | Method for manufacturing micro electromechanical device, and projector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004133281A (en) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006215520A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Method for manufacturing optical interference color display |
US7706044B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical interference display cell and method of making the same |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7820470B2 (en) | 2005-07-15 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of micro-electro-mechanical device |
US7835093B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for forming layers within a MEMS device using liftoff processes |
US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
US8064124B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-11-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US8115988B2 (en) | 2004-07-29 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for micro-electromechanical operation of an interferometric modulator |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
-
2002
- 2002-10-11 JP JP2002298976A patent/JP2004133281A/en not_active Withdrawn
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7706044B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical interference display cell and method of making the same |
US8115988B2 (en) | 2004-07-29 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for micro-electromechanical operation of an interferometric modulator |
JP2006215520A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Method for manufacturing optical interference color display |
US7820470B2 (en) | 2005-07-15 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of micro-electro-mechanical device |
US8093088B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of micro-electro-mechanical device |
US8298847B2 (en) | 2005-08-19 | 2012-10-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having support structures with substantially vertical sidewalls and methods for fabricating the same |
US7835093B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for forming layers within a MEMS device using liftoff processes |
US8394656B2 (en) | 2005-12-29 | 2013-03-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US8064124B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-11-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US8164815B2 (en) | 2007-03-21 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US8284475B2 (en) | 2007-05-11 | 2012-10-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of fabricating MEMS with spacers between plates and devices formed by same |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US8830557B2 (en) | 2007-05-11 | 2014-09-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of fabricating MEMS with spacers between plates and devices formed by same |
US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7075702B2 (en) | Micromirror and post arrangements on substrates | |
US6873450B2 (en) | Micromirrors with mechanisms for enhancing coupling of the micromirrors with electrostatic fields | |
JP3889705B2 (en) | Micromirror device, package for micromirror device, and projection system therefor | |
CN100535706C (en) | Micromirrors with off-angle electrodes and stops | |
JP2004133281A (en) | Method for manufacturing micro electromechanical device, and projector | |
JP2002214543A (en) | Microelectrical mechanical system (mems) optical modulator, mems optical module, mems light display system, and mems optical modulation method | |
US7751113B2 (en) | Micromirrors having mirror plates with tapered edges | |
JP2010271443A (en) | Projector and picture-displaying method | |
JP2002122809A (en) | Projection type display device | |
JP2002122808A (en) | Projection type display device | |
JP2003177339A (en) | Movable mirror device and projector adopting the same | |
US11434130B2 (en) | Surface micromachined structures | |
JPH11160635A (en) | Optical element and manufacturing method thereof and device using it | |
US7924489B2 (en) | Hidden micromirror support structure | |
JP2004117573A (en) | Optical switching element, projector, and printer | |
JP4649914B2 (en) | Microelectromechanical element, optical microelectromechanical element, light modulation element, manufacturing method thereof, and laser display | |
KR100512398B1 (en) | Reflection Type Display Apparatus | |
JP2006068843A (en) | Micro electromechanical element, optical micro electromechanical element, light modulation element and laser display | |
JP2004309769A (en) | Video display device, its manufacturing method, projector, and optical device | |
JP2006184588A (en) | Image display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |