JP2004080026A - Organic thin film transistor, its fabrication, and semiconductor device with organic thin film transistor - Google Patents

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JP2004080026A JP2003284511A JP2003284511A JP2004080026A JP 2004080026 A JP2004080026 A JP 2004080026A JP 2003284511 A JP2003284511 A JP 2003284511A JP 2003284511 A JP2003284511 A JP 2003284511A JP 2004080026 A JP2004080026 A JP 2004080026A
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Shuji Fukai
Yoshiharu Hirakata
Ryota Imabayashi
Tetsuji Ishitani
今林 良太
平形 吉晴
深井 修次
石谷 哲二
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce costs for materials, large expenses and man-hours for efforts of device maintenance in fabrication of an organic thin film transistor.
SOLUTION: A space is formed between a first substrate 1 where an organic semiconductor film is formed, and a second substrate which is used for absorption of a material by spacing with an insulation film formed in a specific area between the substrates. A material for organic semiconductor film is absorbed into the space by its capillary effect, and a uniform organic semiconductor film is fabricated. The fabrication of the organic semiconductor film is controlled well with the insulation film formed in a specific area which works as a spacer to keep the space between the substrates.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

本発明は、有機半導体膜を有する薄膜トランジスタ及びその作製方法に関する。 The present invention relates to a thin film transistor and a manufacturing method thereof having an organic semiconductor film. また、本発明は上記薄膜トランジスタを備えた半導体素子、及び半導体素子を備えた半導体装置並びにそれらの作製方法に関する。 Further, the present invention is a semiconductor device having the thin film transistor, and a semiconductor device and a manufacturing method thereof provided with the semiconductor element.

近年、薄膜半導体を有する薄膜トランジスタ(TFT)を備えた表示装置に関する研究が進められている。 Recently, the research on a display device having a thin film transistor (TFT) having a thin film semiconductor is underway. このTFTを備えた表示装置は、CRTと比べ低消費電力で省スペースであり、パソコンやPDAの表示部として使用されつつある。 Display with the TFT device is a space with low power consumption compared with CRT, it is being used as a display unit of the personal computer or PDA. このようなTFTは、これまで非晶質珪素や結晶質珪素などの無機半導体材料を用いて作製されるものがほとんどであったが、無機半導体材料を用いてTFTを形成する場合には、半導体膜などの製造プロセスにおける処理温度が350℃を越えるため、有用な多くの基板物質が使用できなくなるといった問題を抱えている。 Such TFT is thus far those made with inorganic semiconductor material such as amorphous silicon or crystalline silicon was mostly, in the case of forming a TFT using an inorganic semiconductor material, the semiconductor since the processing temperature in the manufacturing process, such as film exceeds 350 ° C., it has problems such as much substrate materials useful unusable.

そこで無機材料とは別に、有機材料を用いて半導体膜が形成された有機半導体膜を有する薄膜トランジスタ(以下、有機TFTという)の研究が行われている。 So apart from the inorganic material, a thin film transistor having an organic semiconductor film which a semiconductor film is formed using an organic material (hereinafter, referred to as organic TFT) has been studied. 有機TFTは、低温で形成することができるため、基板にプラスチック材料を使用できる。 Organic TFT, it is possible to form at a low temperature, the plastic material can be used as the substrate. その結果、軽くて柔軟性があるデバイスを得ることができる。 As a result, it is possible to obtain a device with light and flexible. 更に有機TFTは、安価な基板材料に形成されるためデバイスの製造価格を低く設定でき、またデバイスが低電圧駆動できるというメリットも有している。 Moreover organic TFT can be set inexpensive manufacturing price of a device to be formed on a substrate material low, the device also has an advantage that can be driven at a lower voltage.

このような有機半導体膜のうち、高分子系の材料を用いるものは、ディッピング法、キャスト法、バーコート法、スピンコート法、スプレー法、インクジェット法又は印刷法が用いられている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。 Among such organic semiconductor film, which uses a material of a polymer system, a dipping method, a casting method, a bar coating method, a spin coating method, a spray method, an inkjet method or a printing method is used (for example, patent Document 1, Patent Document 2). また、低分子系の材料を用いる有機半導体膜は、蒸着法等が用いられている(例えば、特許文献3、特許文献4参照)。 Also, the organic semiconductor film in which a low molecular weight material, a vapor deposition method or the like is used (e.g., Patent Document 3, Patent Document 4). そして膜厚の均一性等の向上といった点から、スピンコート法や蒸着法がよく利用されている。 The terms such as improved uniformity such a thickness, a spin-coating method or an evaporation method is well utilized.
特開2000−29403号公報 JP 2000-29403 JP 特開2000−269504号公報 JP 2000-269504 JP 特開平8−228035号公報 JP-8-228035 discloses 特開平10−125924号公報 JP 10-125924 discloses

しかしながら、上記のいずれの作製方法では専用の装置が必要なこと、材料の使用量に対して形成される有機半導体膜がわずかであり、その殆どが破棄されてしまう問題があった。 However, in any of the above-mentioned method of manufacturing may require special equipment, is only an organic semiconductor film formed with respect to the amount of material, there is a problem that most are destroyed. 更に、この無駄に破棄される材料の汚れを除去するために、装置カップやチャンバー内の掃除といった装置メンテナンスを頻繁に実施する必要があった。 Furthermore, in order to remove stains of wastefully discarding the materials, it was necessary to frequently carry out the apparatus maintenance such cleaning devices cups and chamber. 従って、これら材料にかかるコストや装置メンテナンスの手間だけでも多大な費用や工数が必要となっていた。 Therefore, even in the only labor cost and equipment maintenance according to these materials a great deal of cost and man-hours was necessary. その結果、製品価格への影響だけでなく、無駄に破棄される材料や廃液の面から考えて環境に望ましくなかった。 As a result, not only the impact on product prices, was not desirable to the environment to think in terms of materials and waste, which is waste discarded.

また、特にスピンコート法では膜の塗り分けが難しく、パターンを形成するには、全面に有機膜を成膜後にパターニングを行う必要があるが、精度良く行うことは難しかった。 In particular it is difficult to separate application of the film by spin coating, to form a pattern, it is necessary to perform patterning the organic film after the film formation on the entire surface, it is difficult to accurately. また、蒸着法においては、有機物材料によっては、昇華温度と熱分解温度とが近いものがあり、熱分解してしまう恐れがあった。 In the vapor deposition method, depending on the organic material, there are those with the sublimation temperature and the thermal decomposition temperature is close, there is a fear that thermal decomposition. また、インクジェット法、印刷法、その他の方法は、一般的な実用段階の手法になってはいなかった。 Further, an inkjet method, a printing method, other methods, were not become a common practice stage approach.

また上述した方法では、有機半導体膜の膜厚を薄く且つ均一に形成することが難しく、TFT特性を得ることが難しかった。 In the above method, it is difficult to thinly and uniformly form the thickness of the organic semiconductor film, it is difficult to obtain TFT characteristics.

そこで、本発明は高価な専用の装置に依存せず、材料を効率よく使用できる有機半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。 Accordingly, the present invention does not depend on the apparatus expensive dedicated, and to provide a manufacturing method of an organic semiconductor film that can be used better material efficiency. また、材料の熱分解が問題とならず、パターニング工程が不要である作製工程が簡略化される有機TFTの作製方法を提供することを課題とする。 Further, not the thermal decomposition of the material is a problem, a manufacturing process patterning process is unnecessary and to provide a manufacturing method of an organic TFT to be simplified.

更に本発明は、有機半導体膜の膜厚を薄く且つ均一に形成することができる有機半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。 The present invention aims to provide a manufacturing method of an organic semiconductor film can be thin and uniformly formed film thickness of the organic semiconductor film.

上記問題を鑑み、本発明は溶液が間隙に吸い込まれる現象を利用した方法(以下、単に注入法と表記する)により、有機半導体膜を作製することを特徴とする。 In view of the above problems, the present invention is a method (hereinafter, simply referred to as injection method) utilizing a phenomenon that the solution is drawn into the gap by, characterized in that to produce the organic semiconductor film. すなわち本発明は、有機半導体膜を形成する場所(間隙)に有機半導体膜材料を含む溶液を注入し、その後乾燥させて溶媒を飛ばし、均一で且つ膜厚の薄い有機半導体膜を作製する。 That is, the present invention relates to an organic semiconductor film by injecting a solution containing the organic semiconductor film material on the location (gap) forming a, then dried skipping the solvent, and to prepare a thin organic semiconductor film thicknesses uniform.

具体的には、有機半導体膜を形成する第1の基板と、注入の補助に用いる第2の基板とを重ね合わせ、特定の場所に形成された絶縁膜とにより基板間に間隙を形成し、有機半導体膜材料を含む溶液中に両基板の一部分(角部を含む)、代表的には一つの端(以下、単に端又は縁と表記する)を浸し、この間隙に対する毛細管現象により有機半導体膜材料を注入して均一な有機半導体膜を作製し、有機TFTを完成させる。 Specifically, a first substrate for forming an organic semiconductor film, superposing a second substrate used in the auxiliary injection, and form a gap between the substrates by an insulating film formed to a specific location, the organic semiconductor film material in a solution containing the two substrates portion (including corners), one end (hereinafter, simply referred to as an end or edge) is typically immersed, organic semiconductor film by capillary action for this gap by injecting material to produce a uniform organic semiconductor film, thereby completing the organic TFT.

また、有機半導体膜を形成する第1の基板の端と、注入の補助に用いる第2の基板の端とを一致しないように重ね合わせ(オフセット構造)、特定の場所に形成された絶縁膜により基板間に間隙を形成し、その端に有機半導体膜材料を含む溶液を垂らし、この間隙に溶液が吸い込まれることにより有機半導体膜材料を注入して均一な有機半導体膜を作製してもよい。 Further, an end of the first substrate to form an organic semiconductor film, superposed (offset structure) so as not to coincide with the end of the second substrate used in the auxiliary injection, the insulating film formed in specific locations forming a gap between the substrates, dropped a solution containing an organic semiconductor film material on its end, the solution in the gap is uniform organic semiconductor film by injecting an organic semiconductor film material may be manufactured by being sucked. もちろん、オフセット構造を用いて有機半導体膜材料を含む溶液中に浸し、この間隙に対する毛細管現象により注入しても構わない。 Of course, immersed in a solution containing an organic semiconductor film material using the offset structure, it may be injected by a capillary phenomenon for this gap. なお、両基板の端を一致しないように重ね合わるとは、両基板の少なくとも一端の面がずれるように重ね合わせることである。 Note that the Kasaneawaru not to match the edges of both substrates, it is to be superimposed so that at least one end surface of the two substrates are shifted. 一方、両基板の端を一致するように重ね合わせるとは、両基板の少なくとも一端の面が揃うように重ね合わせることである。 On the other hand, the superimposed so as to match the edge of the substrates is to be superimposed so that at least one end surface of the two substrates are aligned.

このような特定の場所に形成された絶縁膜により、制御よく有機半導体膜を形成することができる。 Such particular location which is formed on the insulating film, it is possible to form a well controlled organic semiconductor film. 更に上述したように、絶縁膜は基板間の間隙、すなわち間隔(ギャップ)を保持するスペーサを兼ねている。 Further, as described above, the insulating film also serves as a spacer for holding the gap between the substrates, i.e., the interval (gap). なお本発明の有機半導体膜の作製は、大気圧や嫌気雰囲気下で行えばよい。 Note Preparation of the organic semiconductor film of the present invention may be carried out under atmospheric pressure or anaerobic atmosphere. なお、嫌気雰囲気下とは水分や酸素を避けた雰囲気であり、例えば窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気である。 Note that the anaerobic atmosphere is an atmosphere which avoid moisture and oxygen, an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. 更に、一旦水分や酸素を除去する目的で減圧雰囲気とし、その後不活性ガスを供給した雰囲気であってもよい。 Furthermore, once a reduced pressure atmosphere in order to remove moisture and oxygen, or may be subsequently atmosphere an inert gas is supplied.

以上のような本発明により、半導体膜の膜厚を非常に薄く(数十〜100Å程度)形成することができる。 The present invention as described above, very the thickness of the semiconductor film thin (several tens ~100A) can be formed. 更に本発明により、効率よく有機半導体膜を形成することができ、作製工程の簡略化が期待できる。 Furthermore the present invention, it is possible to effectively form the organic semiconductor film can be expected to simplify the manufacturing process.

また本発明は、特定の場所にのみ有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液、材料のコストを削除することができ、トータルコストを削減することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film only in a specific location, it is possible to remove the device maintenance or cleaning, the cost of materials, it is possible to reduce the total cost. その結果、低価格な有機TFTを備えた半導体装置(デバイス)を提供することができる。 As a result, it is possible to provide a semiconductor device having an inexpensive organic TFT (device). また、本発明は無駄に破棄する材料を無くし、装置メンテナンスや洗浄に伴う廃液がなくなり、環境にも優しい有機半導体膜の作製方法を提供することができる。 Further, the present invention eliminates the wasteful discarding material, there is no waste due to device maintenance and cleaning, it is possible to provide a method for manufacturing a friendly organic semiconductor film to the environment.

このような本発明により、半導体膜の膜厚を薄く形成することができ、更に効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 By the present invention, the film thickness of the semiconductor film can be formed thin, it is possible to form a more efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs.

また本発明は、特定の場所にのみ有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液のコストを削除することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film only in a specific place, it is possible to remove the cost of the apparatus maintenance or cleaning. その結果、トータルコストを削減することができるため、低価格な有機TFTを備えた半導体装置(デバイス)を提供することができる。 As a result, it is possible to reduce the total cost, it is possible to provide a semiconductor device having an inexpensive organic TFT (device). また、本発明は無駄に破棄する材料を無くし、装置メンテナンスや洗浄に伴う廃液がなくなり、環境にも優しい有機半導体膜の作製方法を提供することができる。 Further, the present invention eliminates the wasteful discarding material, there is no waste due to device maintenance and cleaning, it is possible to provide a method for manufacturing a friendly organic semiconductor film to the environment.

以下に、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the drawings.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
本実施の形態では、注入法により有機半導体膜を所定の部分に形成する方法について説明する。 In this embodiment, injection method by a method for forming an organic semiconductor film on a predetermined portion.

図1(A)に示すように、絶縁表面上にゲート電極101と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜となる102(図1(A)のA−A'の断面図参照)と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の端部にかかるように設けられたソース電極及びドレイン電極103と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられ、所望の開口部105を有する絶縁膜(以下、土手と表記する)104とが形成された素子基板110を用意する。 As shown in FIG. 1 (A), a gate electrode 101 over an insulating surface, a gate insulating film provided so as to cover the gate electrode 102 (see sectional view of the A-A 'in FIG. 1 (A)) When a source electrode and a drain electrode 103 provided so as to take the end of the gate electrode through the gate insulating film is provided over the source electrode and the drain electrode, an insulating film (hereinafter having desired openings 105, referred to as bank) 104 and providing a device substrate 110 which is formed. なお、開口部とは隣り合う土手との間に設けられた溝や凹部を含み、開口部の形状や大きさは限定されず、画素間に渡って設けても、各画素に設けても構わない。 Incidentally, wherein a groove or recess provided between a bank adjacent to the opening, the shape and size of the openings is not limited, be provided over between pixels, it may be provided in each pixel Absent. そして素子基板110に、注入する有機半導体材料(以下、有機材料と表記する)に対して良好な濡れ性を有し、平らな面を有する基板(以下、注入補助基板と表記する)112を重ね合わせる(図1の断面図参照)。 And the element substrate 110, the injection organic semiconductor material (hereinafter, referred to as organic material) has good wettability to a substrate having a flat surface (hereinafter, referred to as injection auxiliary board) 112 Lap fit (see sectional view of Figure 1). このとき、濡れ性を向上させるために、注入補助基板112に対して、UV処理を行ってもよいし、界面活性剤等を利用してもよいし、その他有機や無機の材料をスピンコーティング等で塗布しておいてもよい。 At this time, in order to improve the wettability with respect to the injection auxiliary substrate 112 may be subjected to UV treatment, it may be utilized a surfactant or the like, spin coating or the like other organic or inorganic materials in may be coated. なお本実施の形態では注入補助基板112として、表面を研磨処理した、厚さ1.1mmの石英基板を用いた。 Note as an injection auxiliary substrate 112 in this embodiment, the surface was polished was used quartz substrate with a thickness of 1.1 mm.

そして、素子基板110と注入補助基板112とを重ね合わせるよう全面に均一な圧力を加えながら、両基板を固定させる。 Then, while applying a uniform pressure on the entire surface so as to superimpose the injection auxiliary substrate 112 and the element substrate 110, to fix the two substrates. なお、素子基板110と注入補助基板とを接着剤により固定すると好ましい。 It is preferable if the injection auxiliary substrate and the element substrate 110 are fixed by adhesive. このように、注入補助基板を重ね合わせたことにより、土手の開口部が細長い線状(管状)になった間隙115となる(図1(A)のB−B'の断面図参照)。 Thus, by superposition of injection auxiliary substrate, a gap 115 opening of the bank becomes elongated linear (tubular) (see cross-sectional view of B-B 'in FIG. 1 (A)).

次に、溶媒に有機材料を溶かした溶液116を用意する。 Next, to prepare a solution 116 prepared by dissolving an organic material in a solvent. 有機材料としては、有機分子性結晶や有機高分子化合物材料を用いればよい。 As the organic material, it may be used organic molecular crystal or an organic high molecular compound material. 具体的な有機分子結晶は、多環芳香族化合物、共役二重結合系化合物、カロテン、マクロ環化合物又はその錯体、フタロシアニン、電気移動型錯体、テトラチオフルバレン:TCNQ錯体、遊離基、ジフェニルピクリルヒドラジル、色素又はたんぱくが挙げられる。 Specific organic molecular crystal, a polycyclic aromatic compound, a conjugated double bond compound, carotene, macrocycle compound or a complex, phthalocyanine, electric transfer complex, tetrathiofulvalene: TCNQ complexes, free radicals, diphenyl picryl Ruhidorajiru include dyes or proteins. また具体的な有機高分子化合物材料は、π共役系高分子、CT錯体、ポリビニルピリジン、よう素又はフタロシアニン金属錯体などの高分子が挙げられる。 The specific organic polymeric compound material, [pi-conjugated polymers, CT complexes, polyvinyl pyridine, iodine or include polymers such as phthalocyanine metal complex. 特に骨格が共役二重結合から構成されるπ共役系高分子である、ポリアセチレン ポリアニリン、ポリピロール、ポリチエニレン、ポリチオフェン誘導体、ポリ(3ヘキシルチオフェン)[P3HT;ポリチオフェンの3位置に柔軟なアルキル基を導入したポリチオフェン誘導体のアルキル基がヘキシル基である高分子]、ポリ(3アルキルチオフェン)、ポリ(3ドコシルチオフェン)、ポリパラフェニレン誘導体又はポリパラフェニレンビニレン誘導体を用いると好ましい。 In particular skeleton is π-conjugated polymer composed of conjugated double bonds, polyacetylene polyaniline, polypyrrole, polythienylene, polythiophene derivatives, poly (3-hexylthiophene) [P3HT; introduced a flexible alkyl group at the 3-position of the polythiophene polymeric alkyl groups of the polythiophene derivative is hexyl group, poly (3-alkylthiophene), poly (3 docosyl thiophene), preferably using a polyparaphenylene derivative, or a polyparaphenylene vinylene derivative.

また溶媒としては、有機材料をよく溶かし、且つ素子基板や注入補助基板に対して濡れ性が高いものを使用すればよい。 As the solvent, well dissolved organic material, it may be used to have high wettability with respect to and the element substrate and implanted auxiliary substrate. 具体的な溶媒としては、クロロホルム、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、四塩化炭素、ベンゼン、ジクロロベンゼン、メチルエチルケトン又はジオキサンを用いればよい。 Specific solvents, chloroform, toluene, xylene, tetrahydrofuran, carbon tetrachloride, benzene, dichlorobenzene, may be used methyl ethyl ketone or dioxan. また、濡れ性に関しては、素子基板や注入補助基板の表面をUVクリーナー等で処理し、疎水性又は親水性にすることで改善してもよい。 With respect to the wettability, the surface of the element substrate and implanted auxiliary substrate was treated with UV cleaner or the like, may be improved by the hydrophobic or hydrophilic.

なお本実施の形態では、有機材料であるポリ(3ヘキシルチオフェン)を溶媒である3.5 mg/mlのクロロホルムに溶かし、孔径0.5μmのフィルターでろ過して溶液116を調整した。 In the present embodiment, the poly (3-hexylthiophene) is an organic material dissolved in a 3.5 mg / ml chloroform as a solvent, the solution 116 was prepared and filtered through a filter having a pore size of 0.5 [mu] m.

そして図1(B)に示すように、固定した基板に設けられた注入部分117を溶液116に浸す。 Then, as shown in FIG. 1 (B), immersing the injection portion 117 provided on the fixed substrate solution 116. すると毛細管作用により、基板間の間隙115に溶液である有機材料が注入される。 Then by capillary action, the organic material is injected in solution in the gap 115 between the substrates.

その後、乾燥させて溶媒を飛ばすことにより、有機半導体膜を土手の開口部(注入補助基板を重ねた状態では間隙となる)に形成することができる。 Then, by blowing the dried solvent, it is possible to form the organic semiconductor film in the opening of the bank (the gap in the state of extensive injection auxiliary board). なお、このとき溶媒が飛んだ分、有機半導体膜は凝集し薄くなっている。 At this time amount that flew solvent, the organic semiconductor film is thinner aggregate. そして、固定した注入補助基板を素子基板から外し、膜厚の均一な有機半導体膜が形成された有機TFTを得ることができる。 Then, remove the fixed injected auxiliary substrate from the element substrate, it is possible to obtain an organic TFT which uniform organic semiconductor film having a film thickness was formed. また、注入補助基板を素子基板から外した後、乾燥させて溶媒を飛ばしても構わない。 Further, after removing the injected auxiliary substrate from the element substrate, it may be skipped and the solvent is dried.

なお、ソース電極、ドレイン電極やゲート電極と各配線とは、素子基板とTFTとの間でコンタクトを取って接続すればよい。 The source electrode, the drain electrode and the gate electrode and the wiring may be connected taking contact between the element substrate and the TFT. また配線を形成するための層を確保するため、配線層と絶縁膜とを順次積層して形成してもよい。 Also to ensure the layer for forming the wiring may be formed by sequentially laminating a wiring layer and the insulating film. なお必要に応じて、絶縁膜はポリイミドやアクリル等の樹脂材料を用いて平坦化を兼ねてもよいし、酸化膜や窒化膜等の無機材料を成膜後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)による化学機械研磨、機械研磨又はELID等で平坦性を確保してもよい。 Note If necessary, the insulating film may also serve as the planarized by polyimide or resin material such as acrylic, after forming an inorganic material such as oxide or nitride film, a chemical by CMP (Chemical Mechanical Polishing) mechanical polishing may ensure flatness with mechanical polishing or ELID like.

また、開口部を有する土手の形状は適宜設計すればよい。 The shape of the bank having an opening may be appropriately designed. 以下に図2〜図4を用いて、土手形状の例と注入の様子を説明する。 With reference to FIGS below, describing a manner of injection as an example of the bank shape. なお、図2〜図4には、素子基板(第1の基板)と注入補助基板(第2の基板)とを重ね合わせ、固定した状態の上面図を示す。 Incidentally, in the 2 to 4, superimposed the element substrate (first substrate) and an injection auxiliary substrate (the second substrate), a top view of a fixed state. また図2〜図4では、注入部分において第1の基板と第2の基板との端が揃うよう記載されているが、端が一致していない構造(オフセット構造)でも構わない。 Also in FIGS. 2 to 4, but the end of the first substrate and the second substrate is described to align at the injection part, may even structure (offset structure) in which the end does not match.

図2(A)に示す土手201は、TFTの上部、すなわち有機半導体膜が形成される領域のみに間隙が形成されるような形状を有する。 Bank 201 shown in FIG. 2 (A), having a shape as the upper portion of the TFT, i.e. a gap only in the region where the organic semiconductor film is formed is formed. このような形状の土手は、第2の基板との接触面積が大きく、圧力の均一化がはかりやすいため、安定して溶液202の注入を行うことができる。 Bank having such a shape has a large contact area between the second substrate, because the easy scale uniformity of the pressure, it is possible to perform the injection of stable solution 202.

そして図2(B)及び(C)に示すように、注入部分203から溶液202が注入される。 Then, as shown in FIG. 2 (B) and (C), the solution 202 is injected from the injection portion 203. この注入部分203は基板の一端に設ければよく、狭く設ける方が空気等の影響を受けないため、均一に溶液を注入することができる。 The injection portion 203 may be provided on one end of the substrate, for those who provide narrow is not affected by such as air, it can be injected uniformly into solution. また、空気等の影響を低減するには注入部分をオフセット構造とし、溶液202を土手201と接する程度まで浸してもよい。 Further, in order to reduce the influence of air or the like is implanted portion and an offset structure may be immersed to the extent that contact the solution 202 and bank 201.

図3(A)に示す土手301は、有機半導体膜を間隙に注入できる必要部分のみに土手を設ける形状を有する。 Bank 301 shown in FIG. 3 (A), has a shape providing a bank only necessary part capable of injecting an organic semiconductor film in the gap. すなわち、図2(A)の土手201に空間(土手を設けない領域)を設けた形状を有する。 That is, a shape having a space (area without the bank) to the bank 201 of FIG. 2 (A). このように形成された土手は、上部に形成される容量や他の材料による干渉を受けたくない場合に有効である。 The thus formed bank is useful if you do not want to be interference due to capacitive or other material formed on top.

そして図3(B)及び(C)に示すように、注入部分303から溶液302が注入される。 Then, as shown in FIG. 3 (B) and (C), the solution 302 is injected from the injection portion 303. 図2と同様に、空気等の影響を受けないように、注入部分を狭く設けたり、オフセット構造とし溶液302を土手301と接する程度まで浸したりするとよい。 Similar to FIG. 2, so as not to be influenced by air or the like, the injection portion narrowed or provided, may or immersed solution 302 an offset structure to the extent that contact with the bank 301.

図4(A)に示す土手401は、図2(A)に示した土手201と同様な形状を有し、注入部分403を基板の角部に形成した場合である。 Bank 401 shown in FIG. 4 (A), has the same shape as the bank 201 shown in FIG. 2 (A), the injection portion 403 is a case of forming the corner portion of the substrate. このように形成した土手401及び注入部分403により、溶液402への接触面積を小さくできるので、基板から溶液への汚染の可能性を低減でき、空気等の影響を受けずにすむ。 The bank 401 and the injection portion 403 thus formed, since the contact area of ​​the solution 402 can be reduced, the substrate can reduce the possibility of contamination of the solution, not influenced by the air or the like. なお、図4(B)及び(C)は、溶液402が注入されていく状況を示している。 Incidentally, and FIG. 4 (B) and (C) shows a situation where the solution 402 is gradually injected.

更に注入をむらなく均一に行うためには、第1の基板と第2の基板との間隔(ギャップ)や各土手の間隔(幅)を制御してもよい。 Furthermore in order to perform injection of the evenly uniformly may control the first substrate and the spacing (gap) and spacing of each bank of the second substrate (width). 例えばギャップは数μm以下とするのが好ましい。 For example the gap is preferably several μm or less.

以上のように、本発明は特定の場所に形成された絶縁膜や基板に設けられた注入部分により、必要な部分に有機半導体膜を注入することができる。 As described above, the present invention is by injection portion provided on a specific insulating film and substrate which is formed where it is possible to inject an organic semiconductor film in a necessary portion. すなわち本発明の注入法により、効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 That the injection method of the present invention, it is possible to form efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs. また本発明は、特定の場所に有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液のコストを削除することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film in a particular location, it is possible to remove the cost of the apparatus maintenance or cleaning.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
本実施の形態では、第1の基板の端と、第2の基板との端とを一致させないように重ね合わせたオフセット構造であって、有機材料を含む溶液を滴下する場合の例を、図13に示す。 In this embodiment, the end of the first substrate, a offset structure superimposed so as not to coincide with the end of the second substrate, an example of the dropwise addition of a solution containing an organic material, FIG. It is shown in 13.

まず図13(A)に示すように、実施の形態1と同様に絶縁基板1310上にゲート電極1301と、ゲート絶縁膜1302と、ソース電極及びドレイン電極1303と、土手となる絶縁膜1304とを形成し、注入補助基板1312と張り合わせ、間隙1305を形成する。 First, as shown in FIG. 13 (A), a gate electrode 1301 on the same insulating substrate 1310 in the first embodiment, the gate insulating film 1302, a source electrode and a drain electrode 1303, an insulating film 1304 serving as a bank formed, bonding the implanted auxiliary substrate 1312 to form a gap 1305. このとき張り合わせた絶縁基板(第1の基板)1310の一端が注入補助基板(第2の基板)1312の一端よりも長く、ずれた状態としてオフセット領域1320を設けて張り合わせる(図13(A)のA−A'の断面図参照)。 In this case laminated insulating substrate end of the (first substrate) 1310 is longer than the end of the injection auxiliary substrate (the second substrate) 1312 is laminated with an offset region 1320 provided in a state where offset (FIG. 13 (A) Referring sectional view of a-a '). なお、注入補助基板1312を張り合わせるとは、絶縁基板1310と注入補助基板とを固定すればよく、接着剤等で張り合わせると好ましい。 Note that the laminating injection auxiliary substrate 1312 may be fixed to an injection auxiliary substrate and the insulating substrate 1310, the pasted by an adhesive or the like.

そして図13(B)に示すように、オフセット領域1320に有機材料を含む溶液1321を滴下し、間隙に溶液を吸い込ませる。 Then, as shown in FIG. 13 (B), it was added dropwise a solution 1321 containing an organic material in the offset region 1320, thereby sucked the solution into the gap. この滴下箇所はオフセット領域1320に複数箇所設けてもよい。 The dropping point may be provided a plurality of locations in the offset region 1320. なお、溶液1321は実施の形態1に示した有機材料と溶媒とから合成すればよい。 Incidentally, the solution 1321 may be synthesized from an organic material and a solvent shown in the first embodiment. その後、乾燥させて溶媒を飛ばすことにより、有機半導体膜を土手の開口部(第2の基板を重ねた状態では間隙となる)に形成することができる。 Then, by blowing the dried solvent, it is possible to form the organic semiconductor film in the opening of the bank (the gap in a state of overlapping the second substrate). なお、このとき溶媒が飛んだ分、有機半導体膜は凝集し小さくなっている。 At this time amount that flew solvent, the organic semiconductor film is smaller aggregate. そして、固定した注入補助基板を素子基板から外し、膜厚の均一な有機半導体膜が形成された有機TFTを得ることができる。 Then, remove the fixed injected auxiliary substrate from the element substrate, it is possible to obtain an organic TFT which uniform organic semiconductor film having a film thickness was formed.

また、第2の基板を有機TFTの列ごとに滴下を行うことにより、確実に溶液を注入することができる。 Further, by performing the dropwise second substrate for each column of the organic TFT, it is possible to inject reliably solution. 更には有機TFTごとに第2の基板を設けてもよい。 Further it may be provided a second substrate to each organic TFT. 但し、隣接する溶液の影響を受けないようにすることが必要である。 However, it is necessary to prevent the influence of neighboring solutions.

以上のように、溶液を滴下して有機半導体膜を形成することにより、大型基板のように、溶液を注入するために傾けることが困難な場合であっても、容易に有機材料を注入することができ、均一な有機半導体膜を形成することができる。 As described above, by solution dropwise to form an organic semiconductor film, so that a large substrate, even when the solution it is difficult to tilt to inject, injecting easily organic material can be, it is possible to form a uniform organic semiconductor film. また、効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 Further, it is possible to form efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
本実施の形態では、有機半導体材料等が嫌気性のものである場合、TFTの作製工程、特に有機半導体膜の形成である有機材料の注入工程を嫌気雰囲気下で行い、この状態を維持したまま封止を行い密閉する場合の例を、図5を用いて説明する。 While in the present embodiment, when the organic semiconductor material or the like is of anaerobic performs a manufacturing process of a TFT, in particular injection process of the organic material is the formation of the organic semiconductor film under anaerobic atmosphere to maintain this condition an example of sealing a sealing will be described with reference to FIG.

実施の形態1と同様に素子基板(第1の基板)を形成する。 Likewise forming the element substrate (first substrate) in the first embodiment. そして図5(A)に示すように、シール材502を形成し、少なくとも2箇所のシール材のない開口領域501a、501bを有するように第1の基板と第2の基板とを固定させる。 Then, as shown in FIG. 5 (A), a sealing member 502 formed with no sealing member at least two positions opening region 501a, thereby fixing the first substrate and the second substrate so as to have a 501b. そして、第1の基板と第2の基板を重ね合わせ全面に均一に圧をかけて両基板を密着させながら、シール材502を硬化させ張り合わせて密着させる。 Then, while uniformly brought into close contact over pressure both substrates over the entire surface superimposing a first substrate and a second substrate, it is adhered by bonding to cure the sealant 502. なお、シール材502は熱硬化性のエポキシ樹脂からなるものでもよいし、UV硬化性の樹脂を用いればよく、水分や酸素の透過性の低い材料を用いることが望ましい。 Incidentally, the sealing member 502 may be made of thermosetting epoxy resin, may be used UV-curable resin, it is desirable to use a low permeability of moisture and oxygen material. また、シール材が熱硬化性の材料であればオーブンやホットプレート等でシール材を硬化させ、UV硬化性の材料であればUV光を照射し、必要があれば、更にオーブンやホットプレートで焼成し硬化させる。 Further, if the sealing material is a material of the thermosetting sealing material is cured in an oven or a hot plate, if UV curable material is irradiated with UV light, if necessary, further with an oven or hot plate fired and cured.

これにより、第2の基板と土手503との間、つまり有機半導体膜を形成する部分(領域)が細長い線状(管状)になり、間隙504が形成される。 Thus, between the second substrate and the bank 503, that is now part forming the organic semiconductor film (region) elongated linear (tubular), the gap 504 is formed. そして、この状態の基板を不活性ガス(例えば窒素ガス)雰囲気下といった嫌気雰囲気下中に搬送し、張り合わせた基板の開口領域501a、501bの一方を有機材料の注入部分とし、例えば注入部分501bから溶液505の注入を行う。 Then, the substrate is transported in this state during anaerobic atmosphere such as an inert gas (e.g., nitrogen gas) atmosphere, an opening area of ​​the substrate bonding 501a, the injection of the organic material one of 501b, for example, from the injection portion 501b perform the injection of the solution 505. すると、図5(B)に示すように、毛細管現象により細長い間隙504に有機材料が注入される。 Then, as shown in FIG. 5 (B), the organic material is injected into the elongated gap 504 by capillary action.

更に水分や酸素等の影響を極力抑える場合は、高真空を実現できる装置、例えばクライオポンプを有するチャンバー内に、この貼り合せた基板を搬送し、高真空とし所定の圧力値を維持しながら、高純度の窒素を循環しリークさせる。 If further minimize the effects of moisture and oxygen, device capable of realizing a high vacuum, for example in a chamber having a cryopump, conveys the bonded substrates, while maintaining a predetermined pressure value and a high vacuum, circulation is leaked high purity nitrogen. その後、大気圧となったら、溶液505をチャンバー内へ供給し注入部分より注入すればよい。 Thereafter, when a atmospheric pressure, the solution 505 may be injected from the injection portion was fed into the chamber. また、実施の形態2に示したように、オフセット構造として溶液を滴下しても構わない。 Further, as shown in the second embodiment, it may be added dropwise as an offset structure.

その後、第1の基板と第2の基板を張り合わせた状態で、溶媒を自然放置又はベーク等により乾燥させて飛ばし、土手間の間隙504に有機半導体膜が形成される。 Then, in a state of laminating the first substrate and the second substrate, skip the solvent is dried by natural standing or baking etc., organic semiconductor film is formed in the gap 504 between the banks.

最後に、図5(C)に示すように、開口領域501a、501bにUV樹脂からなる封止材506をつけ、UV光を照射して硬化させ第1の基板と第2の基板に挟まれた有機TFTを完成する。 Finally, as shown in FIG. 5 (C), the opening area 501a, with the sealing material 506 made of UV resin 501b, sandwiched between the first substrate and the second substrate is cured by irradiation with UV light to complete the organic TFT was. また乾燥後、不活性ガス雰囲気下のまま開口領域501a、502bを封止することによって、水分や酸素による影響の受けやすい有機材料を用いても有機TFTを作製することが出来る。 The dried, leave open region 501a under an inert gas atmosphere, by sealing the 502b, can also produce an organic TFT using an organic material susceptible to the effects due to moisture or oxygen. 更に、第1の基板に土手を形成し、注入材料を注入して封止するまでの工程を同一のチャンバー内で処理できることが望ましい。 Further, the bank is formed on the first substrate, the injection material injected into that steps required to seal can be processed in the same chamber desirable. また第1の基板と第2の基板間に、シート状の乾燥剤を配置可能なスペース(空間)を設けてもよい。 Also between the first substrate and the second substrate, the sheet-like drying agent may be provided a deployable space (space).

このように形成された有機TFTは、素子内の水分や酸素を極力低減することができ、より長期の信頼性の確保が可能となる。 The thus formed organic TFT can be reduced as much as possible moisture and oxygen in the device, thereby enabling more secure long-term reliability.

また、本発明の注入法により、効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 Moreover, the injection method of the present invention, it is possible to form efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs. また本発明は、特定の場所に有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液のコストを削除することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film in a particular location, it is possible to remove the cost of the apparatus maintenance or cleaning.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
本実施の形態では、ある程度の大きさの基板なら、土手の面積を多少大きくした後、有機TFTを形成すればよいが、基板サイズが大きく、有機半導体膜の成膜範囲が広く配置されている場合の例を、図6を用いて説明する。 In this embodiment, if a certain size of substrate, after slightly increasing the area of ​​the bank, but may be an organic TFT, a large substrate size, are arranged widely deposition range of the organic semiconductor film an example of case will be described with reference to FIG.

図6(A)に示すように、シール材の内側、特に土手602の内側に、土手と同一工程にて、柱状のスペーサ603を形成する。 As shown in FIG. 6 (A), the inside of the sealing material, in particular on the inside of the bank 602 at bank the same step, to form a columnar spacer 603. このように柱状のスペーサ603を形成することにより、大型サイズの第1の基板と第2の基板との間隔(ギャップ)を均一に維持することができ、広範囲に有機半導体膜を形成することができる。 By forming the columnar spacer 603, to form a first substrate and the distance between the second substrate (gap) can be uniformly maintained, extensively organic semiconductor film of a large size it can.

そして図6(B)に示すように、溶液604を用意し、間隔(ギャップ)を均一に維持するように張り合わされた基板を溶液604に浸す。 Then, as shown in FIG. 6 (B), providing a solution 604, dipping the glued substrates to maintain spacing (gap) uniformly to the solution 604. すると毛細管作用により間隙に有機材料が注入される。 Then the organic material is injected into the gap by capillary action. なお、図6(B)及び(C)は、溶液604が注入されていく状況を示している。 Incidentally, FIG. 6 (B) and (C) shows a situation where the solution 604 is gradually injected. 大型基板であり有機半導体膜の成膜範囲が広い場合であっても、効率よく溶液604を注入することができる。 Even if the film formation range is organic semiconductor film is large substrate is wide, it can be injected efficiently solution 604.

更に本実施の形態は、柱状のスペーサの配置を適宜設定することにより、有機半導体膜の形成箇所を制御することができ、ランダムに有機半導体膜を形成することもできうる。 The present embodiment, by setting the arrangement of columnar spacers as appropriate, it is possible to control the area where the organic semiconductor film may also be formed at random organic semiconductor film. また本実施の形態では、実施の形態2に示すオフセット構造を用いて溶液を滴下してもよい。 In the present embodiment, an offset structure in Embodiment 2 solution may be added dropwise using.

以上のような本発明の注入法により、大型基板に対しても効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 The injection method of the present invention as described above, since it is possible to form efficiently the organic semiconductor film with respect to a large-sized substrate, it is possible to reduce the material cost.

(実施の形態5) (Embodiment 5)
本実施の形態では、有機TFTを作製する例を、図7を用いて説明する。 In this embodiment, an example of manufacturing an organic TFT, will be described with reference to FIG. なお、図7(A)は上面図であり、図7(B)は図7(A)のA−A'での断面図である。 Incidentally, FIG. 7 (A) is a top view, FIG. 7 (B) is a sectional view at A-A 'in FIG. 7 (A).

まず、絶縁表面を有する(以下、絶縁基板と表記する)基板701を用意する。 First, having an insulating surface (hereinafter, referred to as an insulating substrate) providing a substrate 701. なお、絶縁基板701は処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板であればよく、ガラス基板、プラスチック基板又は石英基板を用いればよい。 The insulating substrate 701 may be a substrate having heat resistance against the treatment temperature, the glass substrate may be used a plastic substrate or a quartz substrate. そして、絶縁基板701上に膜厚100〜200nmの第1の導電膜を、スパッタリング法にて形成する。 Then, the first conductive film having a thickness 100~200nm on an insulating substrate 701, is formed by sputtering. また、第1の導電膜は、ゲート電極として機能しうる金属材料から形成すれば良く、具体的にはTa、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。 The first conductive film may be formed from a metallic material capable of functioning as a gate electrode, specifically, Ta, W, main component Ti, Mo, Al, an element selected from Cu, or the element it may be an alloy material or a compound material to. その後、第1の導電膜上にレジストを塗布して、ベークを行い、パターン用マスクを用いて露光し、現像を行う。 Then, resist is coated on the first conductive film, baked, exposed using the pattern mask, performing development. そして、第1の導電膜をドライエッチング法によりエッチングし、エッチング後、剥離液を用いてレジストを剥離しゲート電極702を形成する。 Then, the first conductive film is etched by dry etching, after etching, the resist is removed to form a gate electrode 702 by using a stripping solution. なお、本実施の形態ではWを用いてゲート電極702を形成した。 Incidentally, to form the gate electrode 702 using a W in this embodiment.

また、複数のTFTでゲート電極を共通としてもよい。 It is also a common gate electrode at a plurality of the TFT. この構成はアクティブマトリクス回路の画素TFTにおいて有効である。 This configuration is effective in the pixel TFT of the active matrix circuit.

また図示しないが、絶縁基板701とゲート電極702との間に絶縁膜を設けてもよい。 Although not shown, an insulating film may be provided between the insulating substrate 701 and the gate electrode 702. この絶縁膜は外部環境から侵入する水蒸気や有機物ガスのバリア層となり、有機半導体材料等が水蒸気や有機物ガスにより劣化するのを防ぐことができる。 The insulating film becomes a barrier layer of water vapor and organic gas entering from the external environment, organic semiconductor material or the like can be prevented from being deteriorated by water vapor or an organic gas.

そしてゲート電極702を形成した後、第1の絶縁膜703を100〜200nmの厚さで形成する。 And after forming the gate electrode 702, a first insulating film 703 with a thickness of 100 to 200 nm. なお、第1の絶縁膜703はプラズマCVD法又はスパッタリング法を用い、酸化珪素、酸化窒化珪素、その他シリコンを含む絶縁膜で形成する。 Note that the first insulating film 703 by a plasma CVD method or a sputtering method, silicon oxide, silicon oxynitride, is formed of an insulating film containing other silicon. 本実施の形態では、プラズマCVD法を用いて酸化窒化シリコン膜により形成した。 In the present embodiment, it is formed by silicon oxynitride film by plasma CVD. 勿論、第1の絶縁膜703は酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、その他のシリコンを含む絶縁膜を単層又は積層構造として用いても良い。 Of course, the first insulating film 703 is not limited to a silicon oxynitride film may be an insulating film containing other silicon as a single layer or a lamination structure. このように形成された第1の絶縁膜703はゲート絶縁膜として機能する。 The first insulating film 703 is formed so as to function as a gate insulating film.

次いで、スパッタリング法によりゲート絶縁膜703上に第2の導電膜を200nmの厚さで形成する。 Then, the second conductive film is formed to a thickness of 200nm on the gate insulating film 703 by sputtering. ここで成膜する第2の導電膜は、有機半導体膜とオーミック接合する必要がある。 Wherein the second conductive film to be deposited, it is necessary to organic semiconductor film and the ohmic contact. そのため、p型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも大きい仕事関数を持った導電膜材料(金属材料)を用いる必要があり、n型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも小さい仕事関数を持った導電膜材料(金属材料)を用いて第2の導電膜を形成する必要がある。 Therefore, when the p-type organic semiconductor material, it is necessary to use a conductive film material having a larger work function than the ionization potential of the organic semiconductor material (metal material), when n-type organic semiconductor materials, organic it is necessary to form the second conductive film using the ionization potential smaller work with functions conductive film material than the semiconductor material (metal material). 本実施の形態では、有機半導体材料としてp型のPoly(3-hexylthiophene)[イオン化ポテンシャル=4.64]を用いたため、それより仕事関数の高いW[仕事関数=4.75]を用いて形成した。 In this embodiment, for using a p-type Poly (3-hexylthiophene) [ionization potential = 4.64] as an organic semiconductor material, to form therewith a higher work function W [workfunction = 4.75].

その後、第2の導電膜上にレジストを塗布して、ベークを行い、配線パターン用マスクを用いて露光し、現像を行う。 Thereafter, a resist is coated on the second conductive film, baked, exposed using a mask for wiring pattern, for development. そして、ドライエッチングにより第2の導電膜のエッチングを行い、エッチング後、剥離液を用いてレジストを剥離し、一対の第2の導電膜、すなわちソース電極704a、ドレイン電極704bを形成する。 Then, etching of the second conductive film by dry etching, after etching, peeling liquid the resist was removed using a pair of the second conductive film, that is, form the source electrode 704a, the drain electrode 704b.

その後更に、レジストを塗布して、ベークを行い、コンタクト用マスクを使用して露光し、現像を行う。 Then further resist is applied, baked, and exposed using a mask for contact, to perform development. そして、ウェットエッチングによりゲート絶縁膜703のエッチングを行い、エッチング後、剥離液を用いてレジストを剥離する。 Then, etching of the gate insulating film 703 by wet etching, after etching, the resist is peeled off by using a stripping solution. この工程を行うことによりゲート電極702の表面が現れ、ゲート電極への電圧の印加が可能になる。 It appears surface of the gate electrode 702 by performing this process allows application of a voltage to the gate electrode.

次いで、感光性アクリルを塗布して、土手を形成するためのマスクを使用して露光し、現像を行う。 Then, by applying a photosensitive acrylic, and exposed using a mask for forming a bank, to perform development. そして、ベークを行って、ゲート電極上に開口部を有する土手705を形成する。 Then, baked, to form a bank 705 having an opening over the gate electrode. また開口部の裾は45〜60度のテーパ角が付くように形成され、開口部の端面が上端部に第1の曲率半径を有する曲面を有し下端部に第2の曲率半径を有する曲面を有するように形成される。 The skirt of the opening is formed so as to stick the taper angle of 45 to 60 degrees, a curved surface having a second radius of curvature in the lower end portion has a curved surface the end face of the opening portion has a first radius of curvature at an upper end portion It is formed to have. なお、土手の材料はポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド又はBCB(ベンゾシクロブテン)といった有機材料や、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素又はこれらを積層させた積層膜といった珪素を含む無機材料であってもよい。 Incidentally, the bank material polyimide, polyamide, and polyimide amide, or BCB (benzocyclobutene) such organic materials, silicon oxide, an inorganic material containing silicon nitride, silicon oxynitride or silicon such layered film in which these are laminated it may be. また、無機材料を用いたときはドライエッチングを用いて開口部を形成すると好ましい。 Further, it is preferable to form an opening by dry etching when using an inorganic material.

その後、実施の形態1〜4で説明したいずれかの注入法により、溶液を注入し、有機半導体膜706を形成する。 Thereafter, by either injection method described in the first to fourth embodiments, the solution was injected to form the organic semiconductor film 706.

なお、ソース電極、ドレイン電極やゲート電極と各配線とは、素子基板とTFTとの間でコンタクトを取り接続すればよい。 Note that the source electrode, the drain electrode and the gate electrode and the wiring may be connected takes contact between the element substrate and the TFT. すなわちゲート電極取り出しようのコンタクトを介してゲート電極と走査線とを接続する。 That connecting the scan line and the gate electrode through a contact of the gate electrode extraction. また配線を形成するための層を確保するため、配線層と絶縁膜とを順次積層して形成してもよい。 Also to ensure the layer for forming the wiring may be formed by sequentially laminating a wiring layer and the insulating film.

以上のように形成された有機TFTは、効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 The organic TFT formed as described above, it is possible to form efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs. また本発明は、特定の場所に有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液のコストを削除することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film in a particular location, it is possible to remove the cost of the apparatus maintenance or cleaning.

(実施の形態6) (Embodiment 6)
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なり、土手を形成後、ソース電極及びドレイン電極を形成する有機TFTの作製例を、図8を用いて説明する。 In this embodiment, unlike the embodiment described above, after forming the bank, the example of manufacturing the organic TFT forming a source electrode and a drain electrode will be described with reference to FIG.

まず、実施の形態4と同様に絶縁基板801上にゲート電極802を形成する。 First, a gate electrode 802 on the same insulating substrate 801 in the fourth embodiment. このとき、複数のTFTでゲート電極を共通としてもよい。 In this case, it may be common gate electrode at a plurality of the TFT. また図示しないが、絶縁基板801とゲート電極802との間に絶縁膜を設けてもよい。 Although not shown, an insulating film may be provided between the insulating substrate 801 and the gate electrode 802. この絶縁膜は外部環境から侵入する水蒸気や有機物ガスのバリア層となり、有機半導体材料等が水蒸気や有機物ガスにより劣化するのを防ぐことができる。 The insulating film becomes a barrier layer of water vapor and organic gas entering from the external environment, organic semiconductor material or the like can be prevented from being deteriorated by water vapor or an organic gas.

次に、ゲート電極802上にゲート絶縁膜803を形成する。 Next, a gate insulating film 803 on the gate electrode 802. そして、ゲート絶縁膜803上に感光性アクリル材料を塗布し、ベークを行い、土手を形成するためのマスクを用いて露光し、現像を行う。 Then, a photosensitive acrylic material is coated on the gate insulating film 803, baked, exposed using a mask for forming a bank, to perform development. その後、流水洗浄して、ベークを行い、開口部を有する土手804を形成する。 Then rinsed with running, baked, to form a bank 804 having an opening. なお、土手の材料はポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド又はBCB(ベンゾシクロブテン)といった有機材料や、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素又はこれらを積層させた積層膜といった珪素を含む無機材料であってもよい。 Incidentally, the bank material polyimide, polyamide, and polyimide amide, or BCB (benzocyclobutene) such organic materials, silicon oxide, an inorganic material containing silicon nitride, silicon oxynitride or silicon such layered film in which these are laminated it may be. また、無機材料を用いたときはドライエッチングを用いて開口部を形成すると好ましい。 Further, it is preferable to form an opening by dry etching when using an inorganic material.

次いで、スパッタリング法により土手804上に第2の導電膜を200nmの厚さで形成する。 Then, the second conductive film is formed to a thickness of 200nm on the bank 804 by a sputtering method. ここで成膜する第2の導電膜は、有機半導体膜とオーミック接合する必要がある。 Wherein the second conductive film to be deposited, it is necessary to organic semiconductor film and the ohmic contact. そのため、p型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも大きい仕事関数を持った導電膜材料(金属材料)を用いる必要があり、n型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも小さい仕事関数を持った導電膜材料(金属材料)を用いて第2の導電膜を形成する必要がある。 Therefore, when the p-type organic semiconductor material, it is necessary to use a conductive film material having a larger work function than the ionization potential of the organic semiconductor material (metal material), when n-type organic semiconductor materials, organic it is necessary to form the second conductive film using the ionization potential smaller work with functions conductive film material than the semiconductor material (metal material). 本実施の形態においては、有機半導体材料としてp型のPoly(3-hexylthiophene)を用いているので、より仕事関数の高いITOを用いて形成した。 In this embodiment, because of the use of p-type Poly (3-hexylthiophene) as an organic semiconductor material, it is formed using a higher-work function ITO.

そして、ITO上にレジストを塗布し、ベークを行い、配線パターン用マスクを用いて露光し、現像を行う。 Then, a resist is coated on ITO, baked, exposed using a mask for wiring pattern, for development. その後、流水洗浄して、ウェットエッチングによりITOのエッチングを行う。 Then rinsed with running, to etch the ITO by wet etching. エッチング後、剥離液によりレジストを剥がして、ソース電極805a、ドレイン電極805bを形成する。 After etching, peeling the resist by stripping solution to form a source electrode 805a, the drain electrode 805b.

その後更に、レジストを塗布し、ベークを行い、コンタクト用マスクを使用して露光し、現像を行う。 Then further, a resist is coated, baked, and exposed using a mask for contact, to perform development. そして、ウェットエッチングによりゲート絶縁膜803のエッチングを行い、エッチング後、剥離液を用いてレジストを剥離する。 Then, etching of the gate insulating film 803 by wet etching, after etching, the resist is peeled off by using a stripping solution. この工程を行うことによりゲート電極802の表面が現れ、ゲート電極への電圧の印加が可能になる。 It appears surface of the gate electrode 802 by performing this process allows application of a voltage to the gate electrode.

その後、実施の形態1〜4で説明したいずれかの注入法により、溶液を注入し、有機半導体膜806を形成する。 Thereafter, by either injection method described in the first to fourth embodiments, the solution was injected to form the organic semiconductor film 806.

なお、図14で説明したように、ソース電極、ドレイン電極やゲート電極と各配線とは、素子基板とTFTとの間でコンタクトを取り接続して半導体素子を形成する。 As described in FIG. 14, the source electrode, the drain electrode and the gate electrode and the wiring, a semiconductor element is formed by connecting take contact between the element substrate and the TFT. また、図14で示した構成と図8に示す構成とでは土手とソース又はドレイン電極との上下関係が逆であるため、ドレイン電極と電極(画素電極陽極、 又は陰極)との接する面積を広くとることができる。 Further, since the upper and lower relationship between the structure and the bank and the source or drain electrode is in the configuration shown in FIG. 8 shown in FIG. 14 is reversed, the drain electrode and the electrode (pixel electrode, the anode, or cathode) the area in contact with the it can be widened.

その後更に液晶材料や発光層を適宜設けて、液晶表示装置(液晶表示モジュール)やEL表示装置(EL表示モジュール)を完成させればよい。 Thereafter further appropriately provided a liquid crystal material or a light-emitting layer, it is sufficient to complete a liquid crystal display device (liquid crystal display module) and EL display device (EL display module).

以上のように形成された有機TFTは、効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 The organic TFT formed as described above, it is possible to form efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs. また本発明は、特定の場所に有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液のコストを削除することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film in a particular location, it is possible to remove the cost of the apparatus maintenance or cleaning.

また本実施の形態の構成は、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体膜との接触面積が広いため、接触不良が低減される。 The structure of this embodiment has a large contact area between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor film, contact failure can be reduced. また、土手を覆ってソース電極及びドレイン電極が設けられているため、土手を形成する領域のマージンを大きくとることができる。 Further, since the source electrode and the drain electrode to cover the bank is provided, it is possible to increase the margin in the region for forming the bank.

(実施の形態7) (Embodiment 7)
本実施の形態では、有機材料を用いて形成する有機TFTの作製方法を、図9を用いて説明する。 In this embodiment, a manufacturing method of the organic TFT formed using an organic material, will be described with reference to FIG.

図9(A)に示すように、絶縁表面を有する基板901を用意する。 As shown in FIG. 9 (A), providing a substrate 901 having an insulating surface. この基板901は可撓性を有し、透光性を有するものであればよく、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミドなどから選択され、本実施の形態ではプラスチック基板を用いた。 The substrate 901 is flexible, as long as it has translucency, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polycarbonate (PC), such as polyimide selected, using a plastic substrate in this embodiment. なお基板901の実用的な厚さは10〜200μmである。 Incidentally practical thickness of the substrate 901 is 10 to 200 [mu] m.

そして、基板901上にバリア層902を形成する。 Then, a barrier layer 902 on the substrate 901. このバリア層902は、AlO (x)(1-x) (但し、x=0.01〜20atomic%)又は、高周波スパッタリング法で形成された水素を含まない窒化シリコンやその他の絶縁材料で形成するとよい。 The barrier layer 902, AlO (x) N (1 -x) ( where, x = 0.01~20atomic%) or formed of silicon or other insulating material nitride not containing hydrogen formed by RF sputtering Then good. この絶縁材料は外部環境から侵入する水蒸気や有機物ガスのバリア層となり、有機半導体材料等が水蒸気や有機物ガスにより劣化するのを防ぐことができる。 This insulating material comprises a barrier layer of water vapor and organic gas entering from the external environment, organic semiconductor material or the like can be prevented from being deteriorated by water vapor or an organic gas.

そしてバリア層902上に、TFTのゲート電極903として機能する第1の導電膜を、導電性ペースト、又はPEDOT(polythiophene)を用いて形成する。 And on the barrier layer 902, a first conductive film serving as a gate electrode 903 of the TFT, is formed using a conductive paste, or PEDOT a (polythiophene). 導電性ペーストとしては、導電性カーボンペースト、導電性銀ペースト、導電性銅ペースト、導電性ニッケルなどを用い、スクリーン印刷法、ロールコーター法又はインクジェット法で所定のパターンに形成する。 As the conductive paste, using conductive carbon paste, conductive silver paste, conductive copper paste, conductive nickel and the like, a screen printing method to form a predetermined pattern in a roll coater method or an inkjet method. 導電性ペーストで所定のパターンに形成した後は、レベリング、乾燥後、100〜200℃で硬化させる。 After forming a predetermined pattern with a conductive paste, leveling, drying, curing at 100 to 200 ° C..

次いで、図9(B)に示すように、ゲート電極903上にゲート絶縁膜904として機能する第1の絶縁膜を形成する。 Then, as shown in FIG. 9 (B), to form a first insulating film functioning as a gate insulating film 904 on the gate electrode 903. なお、第1の絶縁膜は、ロールコーター法、スプレー法、インクジェット法、スピンコート法、又はスクリーン印刷法などにより、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、非芳香族多官能性イソシアナート、メラミン樹脂を用いて形成する。 Note that the first insulating film, a roll coater method, a spray method, an inkjet method, a spin coating method, a screen printing method, or the like, acrylic resins, polyimide resins, polyamide resins, phenoxy resins, aromatic polyfunctional isocyanate It is formed by a melamine resin. また、ゲート絶縁膜の膜厚は、ゲート電圧を考慮すると100〜200nm程度で形成することが好ましい。 The thickness of the gate insulating film is preferably formed by 100~200nm about considering the gate voltage.

その後、図9(C)に示すように、ゲート絶縁膜904にソース電極905a又はドレイン電極905bとして機能する第2の導電膜を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 9 (C), a second conductive film functioning as a source electrode 905a or drain electrode 905b on the gate insulating film 904. この第2の導電膜の材料としては、多くの有機半導体材料が電荷を輸送する材料がキャリアとして正孔を輸送するp型半導体であることからその半導体層とオーミック接触を取るために仕事関数の大きい金属を用いることが望ましい。 As a material of the second conductive film, many materials organic semiconductor material is to transport charges work function to take the semiconductor layer and the ohmic contact because of its p-type semiconductor for transporting the positive hole as the carrier it is preferable to use a large metal. 具体的には、金や白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属又は合金材料を含む導電性ペーストを印刷法又はロールコーター法を用いて形成する。 Specifically, gold, platinum, chromium, formed by using palladium, aluminum, indium, molybdenum, conductive paste printing method or a roll coater method, which comprises a metal or alloy material such as nickel.

そして、図9(D)に示すように、ソース電極905a又はドレイン電極905b上に土手906として設けられる第2の絶縁膜を形成する。 Then, as shown in FIG. 9 (D), to form a second insulating film provided as a bank 906 on the source electrode 905a or drain electrode 905b. なお、第2の絶縁膜は有機半導体膜を注入するために、ゲート電極上方に開口部が形成されるようにロールコーター法、スプレー法、インクジェット法、スピンコート法又はスクリーン印刷法などにより、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、非芳香族多官能性イソシアナート、メラミン樹脂を用いて形成する。 In order second insulating film to inject organic semiconductor film, a roll coater method so as to form openings above the gate electrode, a spray method, an inkjet method, a spin coating method or a screen printing method, acrylic resin, polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin, aromatic polyfunctional isocyanate is formed by a melamine resin. また、本実施の形態は、実施の形態5で説明したように土手を形成後にソース電極及びドレイン電極を形成しても構わない。 Further, in the present embodiment, it may be a source electrode and a drain electrode after the formation of the bank, as described in the fifth embodiment.

その後、実施の形態1〜4で説明したいずれかの注入法により、溶液を注入する。 Thereafter, by either injection method described in the first to fourth embodiments, the solution is injected. また特に大型基板の場合や、第1の基板及び第2の基板が柔軟性に富む場合などは実施の形態2で説明したように溶液を滴下する方法により有機材料を注入することが好ましい。 In the case and in particular a large substrate, it is preferable to inject an organic material by a method such as when the first substrate and the second substrate rich in flexibility of dropping a solution as described in the second embodiment. そして、図9(E)に示すように、自然放置又はベークにより溶媒をとばし、有機半導体膜907を形成する。 Then, as shown in FIG. 9 (E), skip the solvent by natural standing or baked to form the organic semiconductor film 907.

次いで、図9(F)に示すように、パッシベーション膜908を形成する。 Then, as shown in FIG. 9 (F), a passivation film 908. パッシベーション膜は、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜といった珪素を含む絶縁材料で形成すればよい。 The passivation film is a silicon nitride film may be formed of an insulating material containing silicon such as a silicon oxynitride film.

その後、図14で説明したように、ソース電極、ドレイン電極やゲート電極と各配線(図9では図示しない)とは、素子基板とTFTとの間でコンタクトを取り接続して半導体素子を形成し、更に液晶材料や発光層を適宜設けて、液晶表示装置(液晶表示モジュール)やEL表示装置(EL表示モジュール)を完成させればよい。 Thereafter, as described in FIG. 14, the source electrode, the drain electrode and the gate electrode and the wiring (not shown in FIG. 9), the semiconductor device is formed by connecting take contact between the element substrate and the TFT further appropriately provided a liquid crystal material or a light-emitting layer, it is sufficient to complete a liquid crystal display device (liquid crystal display module) and EL display device (EL display module).

なお本実施の形態において、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜上に窒素を有する絶縁膜を形成するとよい。 Note that in this embodiment, the first insulating film, it is preferable to form an insulating film containing nitrogen on the second insulating film. その結果、水分や酸素、さらには有機物ガスによる有機材料等の劣化を防止することができる。 As a result, moisture and oxygen, and further to prevent deterioration of the organic material due to organic gas.

以上のように全てを有機化合物材料で形成された有機TFTは軽く、可撓性を有する半導体装置(具体的には液晶表示装置、EL表示装置又はその他の表示装置)を得ることが出来る。 The organic TFT formed of an organic compound material all as described above lightly, flexible (liquid crystal display device in particular, EL display devices, or other display device) A semiconductor device having a can be obtained. また、安価な有機材料を用いて形成でき、更には破棄する材料が非常に少ないため、半導体装置のコストを削減することができる。 Moreover, can be formed by using an inexpensive organic material, even for very small discarded material, it is possible to reduce the cost of the semiconductor device.

特に本実施の形態のような有機TFTは、1枚のパネルに情報を視覚的に表示する画素部と、各種情報を送受信する通信機能と、情報を記憶又は加工するコンピュータ機能など全てを集積するシステム・オン・パネルに適応することが可能となる。 Especially organic TFT as in the present embodiment, the integrated pixel portion for visually displaying the information on the one panel, and a communication function of transmitting and receiving various information, all such computers function of storing or processing the information it is possible to adapt the system-on-panel.

(実施の形態8) (Embodiment 8)
本実施の形態では、有機TFTを半導体装置の画素部のTFTに用いた例を、図14及び図15を用いて説明する。 In this embodiment, an example using an organic TFT in the TFT of the pixel portion of the semiconductor device will be described with reference to FIGS. 14 and 15.

図14(A)、図14(A)のA−A'における断面図である図14(B)に示すように、素子基板1401上に配線(信号線)1411を形成し、配線1411を覆うように絶縁膜1416を形成する。 FIG. 14 (A), the as shown in FIG. 14 (B) is a sectional view along A-A 'of FIG. 14 (A), to form the wiring (signal line) 1411 on the element substrate 1401 to cover the wiring 1411 forming an insulating film 1416 so. そして、絶縁膜1416上に配線1411と交差するようにゲート配線(走査線)1412を形成し、ゲート配線を覆うように絶縁膜1417を形成する。 Then, the gate wiring so as to intersect with the wiring 1411 over the insulating film 1416 to form a (scanning lines) 1412, an insulating film 1417 to cover the gate wiring. このとき絶縁膜1416、1417は、ポリイミドやアクリル等の樹脂材料を用いて平坦化を兼ねてもよいし、酸化膜や窒化膜等の無機材料を成膜後CMP(Chemical Mechanical Polishing)による化学機械研磨、機械研磨又はELID等で平坦性を確保してもよい。 In this case the insulating film 1416,1417, using the polyimide or resin material such as acrylic may also function as a planarizing, chemically by after forming the inorganic material such as an oxide film or a nitride film CMP (Chemical Mechanical Polishing) Machine polishing may ensure flatness with mechanical polishing or ELID like.

次いで、第1のコンタクトを介してゲート電極1402とゲート配線1412とを接続する。 Then, to connect the gate electrode 1402 and the gate wiring 1412 through the first contact. その後、例えば図7で示したように、ゲート絶縁膜1403を形成し、ソース電極1405a及びドレイン電極1405bを形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 7, for example, a gate insulating film 1403, a source electrode 1405a and the drain electrode 1405b. そして、第2のコンタクトを介してソース電極1405aと配線(信号線)1411とを接続する。 Then, to connect the source electrode 1405a and the wiring (signal line) 1411 via the second contact.

そして、ソース電極1405a、ドレイン電極1405b上に土手1404を形成し、実施の形態1乃至4のいずれかに示したように有機材料を土手の間隙に注入する。 Then, the source electrode 1405a, a bank 1404 is formed on the drain electrode 1405b, the organic material as described in any of Embodiments 1 to 4 is injected into the space of the bank. 注入後、乾燥させて溶媒を飛ばし、有機半導体膜1406が形成される。 After implantation, dried skipping the solvent, the organic semiconductor film 1406 is formed.

その後、ドレイン電極1405bと接するように電極1413(液晶表示装置の場合は画素電極、EL表示装置の場合陽極(又は陰極)に相当する)を形成し半導体素子が形成される。 Thereafter, (the pixel electrode in the case of a liquid crystal display device, when the EL display device corresponds to an anode (or cathode)) electrode 1413 in contact with the drain electrode 1405b formed semiconductor elements are formed. そして、液晶材料や発光層を適宜設けて、更に異方性導電膜を介してFPCを接着し、外部端子と接続して液晶表示装置(液晶表示モジュール)やEL表示装置(EL表示モジュール)を完成させる。 Then, by providing a liquid crystal material or a light-emitting layer as appropriate, to adhere the FPC further via the anisotropic conductive film, a liquid crystal display device connected to an external terminal (the liquid crystal display module) and EL display device (EL display module) Finalize.

次に図14とは異なる構成の画素部を、図15を用いて説明する。 Then the pixel portion having a structure different from that of FIG. 14 will be described with reference to FIG. 15.

図15(A)、図15(A)のA−A'における断面図である図15(B)に示すように、素子基板1501上に配線(信号線)1511を形成し、配線1511を覆うように絶縁膜1516を形成する。 FIG. 15 (A), the as shown in Fig. 15 (B) is a sectional view along A-A 'in FIG. 15 (A), the forming wires (signal lines) 1511 on the element substrate 1501 to cover the wiring 1511 forming an insulating film 1516 so. そして、絶縁膜1516上に配線1511と交差するようにゲート電極1502となる導電膜を形成し、ゲート配線を覆うように絶縁膜1417を形成する。 Then, a conductive film to be the gate electrode 1502 so as to cross the wiring 1511 over the insulating film 1516 is formed, an insulating film 1417 to cover the gate wiring. このとき絶縁膜1516は、ポリイミドやアクリル等の樹脂材料を用いて平坦化を兼ねてもよいし、酸化膜や窒化膜等の無機材料を成膜後CMP(Chemical Mechanical Polishing)による化学機械研磨、機械研磨又はELID等で平坦性を確保してもよい。 In this case the insulating film 1516, using a polyimide or a resin material such as acrylic may also function as a planarizing, chemical mechanical polishing by the post-deposition CMP (Chemical Mechanical Polishing) an inorganic material such as an oxide film or a nitride film, it may ensure flatness with mechanical polishing or ELID like.

次いで、例えば図8で示したように、ゲート絶縁膜1503を形成し、ゲート電極1502上方に開口部(第2の基板を重ねた状態では間隙となる)が設けられた土手1504を形成する。 Then, as shown in FIG. 8, for example, a gate insulating film 1503, (the gap in a state of overlapping second substrate) opening in the gate electrode 1502 above to form a bank 1504 is provided. そして、土手1504を覆うようにソース電極1505a及びドレイン電極1505bを形成する。 Then, to cover the bank 1504 to form the source electrode 1505a and the drain electrode 1505b. そして、コンタクトを介してソース電極1505aと配線(信号線)1511とを接続する。 Then, to connect the source electrode 1505a and the wiring (signal line) 1511 via a contact. その後、実施の形態1乃至4のいずれかに示したように有機材料を土手1504の間隙に注入する。 Thereafter, the organic material as described in any of Embodiments 1 to 4 is injected into the space of the bank 1504. 注入後、乾燥させて溶媒を飛ばし、有機半導体膜1506が形成される。 After implantation, dried skipping the solvent, the organic semiconductor film 1506 is formed.

その後、ドレイン電極1505bと接するように電極1513(液晶表示装置の場合は画素電極、EL表示装置の場合陽極(又は陰極)に相当する)を形成し半導体素子が形成される。 Thereafter, (the pixel electrode in the case of a liquid crystal display device, when the EL display device corresponds to an anode (or cathode)) electrode 1513 in contact with the drain electrode 1505b formed semiconductor elements are formed. そして、液晶材料や発光層を適宜設けて、更に異方性導電膜を介してFPCを接着し、外部端子と接続して液晶表示装置(液晶表示モジュール)やEL表示装置(EL表示モジュール)を完成させる。 Then, by providing a liquid crystal material or a light-emitting layer as appropriate, to adhere the FPC further via the anisotropic conductive film, a liquid crystal display device connected to an external terminal (the liquid crystal display module) and EL display device (EL display module) Finalize.

図15の構成では、ゲート配線が不要であるため、ゲート配線とゲート電極とを接続するコンタクト形成が不要となり、マスク枚数を低減することができる。 In the configuration of FIG. 15, since the gate wiring is not necessary, contact formation for connecting the gate line and the gate electrode is not required, it is possible to reduce the number of masks. また本実施の形態は、列方向でゲート電極を共通とすることができるため、画素部に用いることが好ましい。 Also the present embodiment, it is possible to a common gate electrode in the column direction, it is preferable to use the pixel unit.

なお、図14及び図15に示す有機TFTは、実施の形態5乃至7のいずれの方法を用いて形成してもよく、特に実施の形態7を用いて形成することにより、軽量で柔軟性に富んだ液晶表示装置やEL表示装置を形成することができる。 Note that the organic TFT shown in FIGS. 14 and 15 may be formed by any method of the fifth to seventh embodiment, by forming especially with the seventh embodiment, the flexible lightweight it is possible to form a liquid crystal display device or an EL display device rich. また、図14及び図15では、本発明の有機TFTを画素部に用いたが、TFT特性の優れた有機TFTを駆動回路部に用いても構わない。 Further, in FIGS. 14 and 15, but the organic TFT of the present invention is used in a pixel portion, it may be used a good organic TFT of the TFT characteristics to the drive circuit unit.

以上のように形成された半導体装置(液晶表示装置やEL表示装置)は、効率よく有機半導体膜を形成することができるため、材料コストを削減することができる。 Above semiconductor device formed as (a liquid crystal display device or an EL display device), it is possible to form efficiently the organic semiconductor film can be reduced material costs. また本発明は、特定の場所に有機半導体膜を形成することができるため、装置メンテナンスや洗浄液のコストを削除することができる。 The present invention, it is possible to form the organic semiconductor film in a particular location, it is possible to remove the cost of the apparatus maintenance or cleaning.

(実施例1) (Example 1)
本実施例では、本発明の有機TFTを用いて、Vd−Id特性、VG−Id特性を測定した。 In this embodiment, by using the organic TFT of the present invention, Vd-Id characteristics were measured VG-Id characteristics. なお測定試料の有機TFTは図10に示すように、大気中において、石英基板上にタングステンからなるゲート電極1003を設け、ゲート電極上にゲート絶縁膜を設け、ゲート絶縁膜上にタングステンからなるソース電極1001とドレイン電極1002とがくし状に交差するように設け、ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体膜が設けられている構成である。 Incidentally, as the organic TFT of the measurement sample is shown in FIG. 10, the source in the atmosphere, a gate electrode 1003 made of tungsten on a quartz substrate provided with a gate insulating film formed on the gate electrode, made of tungsten on the gate insulating film provided so as to cross the electrode 1001 and the drain electrode 1002 Togakushi form a structure in which the organic semiconductor film is provided between the source electrode and the drain electrode. そして、各ソース電極1001、ドレイン電極1002、ゲート電極1003には測定電圧を印加したり、電流を検出したりするための測定用パッド(ソース電極用パッド1011、ドレイン電極用パッド1012、ゲート電極用パッド1013)が設けられている。 Each source electrode 1001, the drain electrode 1002, or by applying a measurement voltage to the gate electrode 1003, measuring pad (source electrode pad 1011 for and detect the current, the drain electrode pads 1012, a gate electrode pad 1013) is provided.

また、有機TFTのチャネル長はソース電極とドレイン電極との間(図10においてLで示す)の総和で与えられ、L=3μmであり、チャネル幅はソース電極とドレイン電極とが重なる領域の長さ(図10においてWで示す)の総和で与えられ、ソース電極とドレイン電極との間隔を3μmとしたので、W=7840mmである。 The channel length of an organic TFT is given by the sum between the source electrode and the drain electrode (shown as L in FIG. 10), a L = 3 [mu] m, the channel width of the overlapping region and the source electrode and the drain electrode length given by the sum of the (indicated by W in FIG. 10), since the distance between the source electrode and the drain electrode was 3 [mu] m, it is W = 7840mm.

図11には、図10に示す有機TFTにVG=−3、−6、−9、−12、−15、−18、−21Vの電圧を印加したときの、それぞれのVd−Id特性を大気中で測定結果を示す。 Figure 11, VG = -3 in the organic TFT shown in FIG. 10, -6, -9, -12, -15, atmospheric -18, when a voltage is applied to the -21 V, each Vd-Id characteristics the measurement results are shown in the middle. また、図12にはVd=−5Vの電圧を印加したときの、各ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極の電流とゲート電圧とを大気中で測定したV−I特性の結果を示す。 Also shown at the time of applying a Vd = -5V voltage in FIG. 12, the source electrode, the drain electrode, the result of the V-I characteristics were measured in the air and current and the gate voltage of the gate electrode. 更に図11及び図12の結果から、移動度を求めると3×10 -6 cm 2 /V・sであり、オンオフ比は14となった。 Further, from the results of FIGS. 11 and 12, a when determining the mobility of 3 × 10 -6 cm 2 / V · s, on-off ratio became 14.

TFT特性は、半導体膜の膜厚やチャネル形成領域のW/L比に依存しているが、本発明のように形成された有機TFTは、半導体膜の膜厚を薄く形成することができるため、上記のようなTFT特性(移動度やオンオフ比)を得ることができる。 Since the TFT characteristics is dependent on the W / L ratio of the film thickness and the channel formation region of the semiconductor film, formed organic TFT as in the present invention, which can form a thin film thickness of the semiconductor film , it is possible to obtain a TFT characteristics (mobility and on-off ratio) as described above.

本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention. 本発明の土手の形状及び注入過程を示す図。 View showing the shape and injection process of the bank of the present invention. 本発明の土手の形状及び注入過程を示す図。 View showing the shape and injection process of the bank of the present invention. 本発明の土手の形状及び注入過程を示す図。 View showing the shape and injection process of the bank of the present invention. 本発明の土手の形状及び注入過程を示す図。 View showing the shape and injection process of the bank of the present invention. 本発明の土手の形状及び注入過程を示す図。 View showing the shape and injection process of the bank of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention. 測定に用いた本発明の有機薄膜トランジスタを示す図。 It shows an organic thin film transistor of the present invention used for the measurement. 本発明の有機薄膜トランジスタを用いた測定結果を示す図。 It shows the measurement results using the organic thin film transistor of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタを用いた測定結果を示す図。 It shows the measurement results using the organic thin film transistor of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention. 本発明の有機薄膜トランジスタの作製方法を示す図。 It shows a method for manufacturing an organic thin film transistor of the present invention.

Claims (25)

  1. 絶縁表面を有する第1の基板上に第1の導電膜を形成し、 A first conductive film formed on the first substrate having an insulating surface,
    前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、 A first insulating film formed on the first conductive film,
    前記第1の絶縁膜上に一対の第2の導電膜を形成し、 Forming a pair of second conductive film on the first insulating film,
    前記一対の導電膜上に第2の絶縁膜を形成し、 A second insulating film formed on said pair of conductive films,
    前記第1の導電膜上の前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、 An opening formed in the second insulating film on said first conductive film,
    前記第1の基板に第2の基板を重ね合わせ、 Superposing a second substrate to said first substrate,
    前記開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 A manufacturing method of the organic thin film transistor, which comprises injecting a solution containing an organic material and a solvent in the opening.
  2. 絶縁表面を有する第1の基板上に第1の導電膜を形成し、 A first conductive film formed on the first substrate having an insulating surface,
    前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、 A first insulating film formed on the first conductive film,
    前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、 A second insulating film formed on the first insulating film,
    前記第1の導電膜上の前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、 An opening formed in the second insulating film on said first conductive film,
    前記第2の絶縁膜上に一対の第2の導電膜を形成し、 Forming a pair of second conductive film on the second insulating film,
    前記第1の基板に第2の基板を重ね合わせ、 Superposing a second substrate to said first substrate,
    前記開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入し、 A solution containing an organic material and a solvent is injected into the opening,
    前記溶媒を乾燥させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 A manufacturing method of the organic thin film transistor, characterized in that drying the solvent.
  3. 請求項1又は2において、前記開口部を前記第1の導電膜上方に形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 According to claim 1 or 2, a method for manufacturing an organic thin film transistor and forming the opening in the first conductive film upward.
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、前記開口部は第2の絶縁膜間に形成された間隙であることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In any one of claims 1 to 3, a method for manufacturing an organic thin film transistor, wherein the opening is a gap formed between the second insulating film.
  5. 請求項1乃至4のいずれか一において、前記重ね合わせた第1の基板及び第2の基板の一部分を、前記有機材料を含む溶液に浸たして前記開口部に前記有機材料を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In any one of claims 1 to 4, a portion of the first substrate and the second substrate having the superimposed, injecting the organic material into the opening plus immersed in a solution containing an organic material a manufacturing method of the organic thin film transistor according to claim.
  6. 請求項1乃至5のいずれか一において、前記重ね合わせた第1の基板及び第2の基板の角部を、前記有機材料を含む溶液に浸たして前記開口部に前記有機材料を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In any one of claims 1 to 5, the corner portion of the first substrate and the second substrate having the superimposed, injecting the organic material into the opening plus immersed in a solution containing an organic material a manufacturing method of the organic thin film transistor, characterized in that.
  7. 請求項1乃至6のいずれか一において、前記第1の基板の端と前記第2の基板の端とが一致した領域から、前記開口部に前記有機材料を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In any one of claims 1 to 6, from the end of the second substrate and the end of the first substrate match area, the organic thin film transistor, which comprises injecting the organic material in the opening a method for manufacturing a.
  8. 請求項1乃至6のいずれか一において、前記第1の基板の端と前記第2の基板の端とが一致しない領域から、前記開口部に前記有機材料を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In any one of claims 1 to 6, from the region where the end of the first substrate and the end of the second substrate do not match, an organic thin film transistor, which comprises injecting the organic material in the opening a method for manufacturing a.
  9. 請求項8において、前記第1の基板の端と前記第2の基板の端とが一致しない領域に前記有機材料を含む溶液を滴下し、前記開口部に前記有機材料を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 According to claim 8, and characterized in that the end of the first substrate and the end of the second substrate was added dropwise and containing an organic material in a region that does not match, injecting the organic material in the opening a manufacturing method of an organic thin film transistor.
  10. 請求項1乃至9のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 9,
    前記第2の基板の対向する辺にシール材を形成し、前記シール材を硬化させ前記第1の基板と前記第2の基板とを固定し、 The sealing material is formed on the opposite sides of the second substrate, curing the sealing material is fixed and said second substrate and said first substrate,
    嫌気雰囲気下において、前記開口部に前記溶液を注入し、前記第1の基板と第2の基板とを封止材により封止することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 Under anaerobic atmosphere, the solution was injected into the opening, the first substrate and the manufacturing method of the organic thin film transistor which is characterized in that sealing by a sealing material and a second substrate.
  11. 請求項1乃至9のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 9,
    前記第2の基板の対向する辺にシール材を形成し、前記シール材を硬化させ前記第1の基板と前記第2の基板とを固定し、 The sealing material is formed on the opposite sides of the second substrate, curing the sealing material is fixed and said second substrate and said first substrate,
    嫌気雰囲気下において、前記開口部に前記溶液を注入し、前記溶媒を乾燥させた後に前記第1の基板と第2の基板とを封止材により封止することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 Under anaerobic atmosphere, the solution was injected into the opening, making the organic thin film transistor which is characterized in that sealing by a sealing material and said first and second substrates after the solvent was dried Method.
  12. 請求項1乃至11のいずれか一において、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜は導電性ペーストから形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In any one of claims 1 to 11, wherein the first conductive layer or the second conductive film manufacturing method of an organic thin film transistor, characterized in that it is formed of a conductive paste.
  13. 請求項12において、スクリーン印刷法、ロールコーター法又はインクジェット法により前記導電性ペーストを形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。 In claim 12, a screen printing method, a manufacturing method of an organic thin film transistor and forming the conductive paste by a roll coater method or an inkjet method.
  14. 絶縁表面上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた一対の第2の導電膜と、前記一対の第2の導電膜上に設けられた開口部を有する第2の絶縁膜と、前記開口部のみに設けられた有機半導体膜と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 A first conductive film provided on an insulating surface, the first insulating film and said first pair provided on the insulating film of the second conductive film formed on the first conductive film When the organic thin film transistor and having a second insulating film having an opening provided on the pair of the second conductive film, and a organic semiconductor film provided only in the opening.
  15. 絶縁表面上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた一対の第2の導電膜と、前記開口部のみに設けられた有機半導体膜と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 A first conductive film provided on an insulating surface, wherein the first insulating film provided on the first conductive film, the first second having an opening provided on the insulating film the organic thin film transistor and the insulating film, and a pair of second conductive film formed on the second insulating film, an organic semiconductor film provided only in the opening, characterized in that it has a.
  16. 請求項14又は15において、前記開口部は前記第1の導電膜上方に設けられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 According to claim 14 or 15, an organic thin film transistor wherein the opening is characterized in that provided above said first conductive film.
  17. 請求項14乃至16のいずれか一において、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜は導電性ペーストからなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 In any one of claims 14 to 16, wherein the first conductive layer or the second conductive film is an organic thin film transistor, comprising the conductive paste.
  18. 請求項14乃至17のいずれか一において、前記第1の導電膜はゲート電極として機能することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 In any one of claims 14 to 17, an organic thin film transistor, wherein the first conductive film serves as a gate electrode.
  19. 請求項14乃至18のいずれか一において、前記一対の第2の導電膜はソース電極及びドレイン電極として機能することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 In any one of claims 14 to 18, an organic thin film transistor, wherein said pair of second conductive film serving as a source electrode and a drain electrode.
  20. 請求項14乃至19のいずれか一において、前記第1の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 In any one of claims 14 to 19, an organic thin film transistor, wherein the first insulating film functions as a gate insulating film.
  21. 請求項14乃至20のいずれか一において、前記第2の絶縁膜はアクリル、ポリイミド、窒化酸化珪素又は窒化珪素からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 In any one of claims 14 to 20, wherein the second insulating film is an organic thin film transistor, wherein acrylic, polyimide, that consist of silicon oxynitride or silicon nitride.
  22. 絶縁基板上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、 In a semiconductor device having a plurality of organic thin film transistor provided on an insulating substrate,
    前記有機薄膜トランジスタは第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた一対の第2の導電膜と、前記一対の第2の導電膜上に設けられた開口部を有する第2の絶縁膜と、前記開口部のみに設けられた有機半導体膜と、を有し、 Wherein the organic thin film transistor first conductive film, a first insulating film formed on the first conductive film, and a pair of second conductive film formed on the first insulating film, the and a second insulating film having an opening provided on a pair of the second conductive film, and a organic semiconductor film provided only in the opening,
    前記第1の導電膜は複数の有機薄膜トランジスタで共有して設けられていることを特徴とする半導体装置。 Wherein a said first conductive film is provided so as to share with a plurality of organic thin film transistors.
  23. 絶縁基板上に設けられた複数の有機薄膜トランジスタを有する半導体装置において、 In a semiconductor device having a plurality of organic thin film transistor provided on an insulating substrate,
    前記有機薄膜トランジスタは第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた一対の第2の導電膜と、前記開口部のみに設けられた有機半導体膜と、を有し、 Said organic thin film transistor first conductive film, a first insulating film formed on the first conductive film, a second insulating film having an opening provided on said first insulating film has a second insulating layer a second conductive pair provided on the film, and an organic semiconductor film provided only in the opening,
    前記第1の導電膜は複数の有機薄膜トランジスタで共有して設けられていることを特徴とする半導体装置。 Wherein a said first conductive film is provided so as to share with a plurality of organic thin film transistors.
  24. 請求項22又は23において、前記第1の導電膜は信号線と平行に設けられていることを特徴とする半導体装置。 According to claim 22 or 23, wherein the first conductive film and wherein a is provided in parallel with the signal line.
  25. 請求項22又は23において、前記第1の導電膜は信号線と交差して設けられていることを特徴とする半導体装置。 According to claim 22 or 23, wherein the first conductive film and wherein a is provided to intersect the signal lines.

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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173616A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Samsung Electronics Co Ltd Organic thin-film transistor indicating panel and method of manufacturing it
JP2006253674A (en) * 2005-03-09 2006-09-21 Samsung Electronics Co Ltd Organic thin film transistor display panel and manufacturing method thereof
JP2006270093A (en) * 2005-03-19 2006-10-05 Samsung Sdi Co Ltd Organic thin film transistor, flat panel display provided with the same, and manufacturing method of organic thin film transistor
JP2007036259A (en) * 2005-07-27 2007-02-08 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor substrate and method of making same
JP2007043160A (en) * 2005-08-01 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd Flat display device and manufacturing method thereof
JP2007164191A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Samsung Electronics Co Ltd Organic thin film transistor display panel and method for manufacturing the same
JP2007214015A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk Capture agent of water and oxygen, and organic electronic device
JP2007288130A (en) * 2006-04-17 2007-11-01 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic thin film transistor, manufacturing method thereof, and display utilizing it
KR100780066B1 (en) * 2004-09-03 2007-11-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 A field-effect transistor comprising a layer of an organic semiconductor
JP2008520086A (en) * 2004-11-09 2008-06-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Self-aligned process for producing an organic transistor
JP2008235861A (en) * 2007-02-21 2008-10-02 Toppan Printing Co Ltd Thin film transistor array, method of manufacturing the same, and active matrix display using the same
JP2009038337A (en) * 2007-07-11 2009-02-19 Ricoh Co Ltd Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same
JP2009105258A (en) * 2007-10-24 2009-05-14 Konica Minolta Holdings Inc Method for manufacturing of thin-film transistor, thin-film transistor and display unit
JP2009105413A (en) * 2004-12-08 2009-05-14 Samsung Sdi Co Ltd Method for forming conductive pattern, and thin film transistor using the same and method for manufacturing the same
US7569851B2 (en) 2005-09-30 2009-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic thin film transistor array panels
US7575952B2 (en) 2005-11-02 2009-08-18 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor device having organic semiconductor film
US7585713B2 (en) 2007-04-27 2009-09-08 Hitachi, Ltd. Method for exposing photo-sensitive SAM film and method for manufacturing semiconductor device
US7622738B2 (en) 2005-12-13 2009-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having a multi-layer conductive layer and manufacturing method therefore
US7679712B2 (en) 2006-04-12 2010-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display comprising a semiconductor formed in an opening of a partition formed on a source electrode and a drain electrode and method of manufacturing thereof
US7902602B2 (en) 2004-06-24 2011-03-08 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor with stacked organic and inorganic layers
US7989143B2 (en) 2006-05-30 2011-08-02 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having an organic thin film transistor
JP2011181724A (en) * 2010-03-02 2011-09-15 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Method for manufacturing organic thin film, and organic device using the same
US8053850B2 (en) 2005-06-30 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute structure, micromachine, organic transistor, electric appliance, and manufacturing method thereof
US8258004B2 (en) 2005-11-19 2012-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2013211588A (en) * 2008-01-11 2013-10-10 Japan Science & Technology Agency Field effect transistor, manufacturing method of field effect transistor, intermediate body, and second intermediate body
WO2014136953A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-12 国立大学法人神戸大学 Organic semiconductor thin film production method
US8963141B2 (en) 2010-09-22 2015-02-24 Toppan Printing Co., Ltd. Thin-film transistor, fabrication method thereof, and image display device
JP5916976B2 (en) * 2006-05-18 2016-05-11 コニカミノルタ株式会社 Method for forming an organic thin film transistor, and an organic thin film transistor
JPWO2014045543A1 (en) * 2012-09-21 2016-08-18 凸版印刷株式会社 A thin film transistor and a manufacturing method thereof, an image display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086041A (en) * 1994-06-22 1996-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element and its production
JPH11330004A (en) * 1998-03-27 1999-11-30 Lucent Technol Inc Method for producing fine body structure and mold therefor
JP2000269504A (en) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd Semiconductor device, its manufacture and liquid crystal display device
JP2001244467A (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd Coplanar semiconductor device, display device using it, and method for its manufacture

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086041A (en) * 1994-06-22 1996-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element and its production
JPH11330004A (en) * 1998-03-27 1999-11-30 Lucent Technol Inc Method for producing fine body structure and mold therefor
JP2000269504A (en) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd Semiconductor device, its manufacture and liquid crystal display device
JP2001244467A (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd Coplanar semiconductor device, display device using it, and method for its manufacture

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902602B2 (en) 2004-06-24 2011-03-08 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor with stacked organic and inorganic layers
KR100780066B1 (en) * 2004-09-03 2007-11-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 A field-effect transistor comprising a layer of an organic semiconductor
JP2008520086A (en) * 2004-11-09 2008-06-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Self-aligned process for producing an organic transistor
JP2009105413A (en) * 2004-12-08 2009-05-14 Samsung Sdi Co Ltd Method for forming conductive pattern, and thin film transistor using the same and method for manufacturing the same
JP2006173616A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Samsung Electronics Co Ltd Organic thin-film transistor indicating panel and method of manufacturing it
JP2006253674A (en) * 2005-03-09 2006-09-21 Samsung Electronics Co Ltd Organic thin film transistor display panel and manufacturing method thereof
US7714321B2 (en) 2005-03-19 2010-05-11 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic thin film transistor, flat display device including the same, and method of manufacturing the organic thin film transistor
JP2006270093A (en) * 2005-03-19 2006-10-05 Samsung Sdi Co Ltd Organic thin film transistor, flat panel display provided with the same, and manufacturing method of organic thin film transistor
JP4602920B2 (en) * 2005-03-19 2010-12-22 三星モバイルディスプレイ株式會社 The organic thin film transistor, a flat panel display device, and a method of manufacturing the organic thin film transistor comprising the same
US8686405B2 (en) 2005-06-30 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute structure, micromachine, organic transistor, electric appliance, and manufacturing method thereof
US8053850B2 (en) 2005-06-30 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute structure, micromachine, organic transistor, electric appliance, and manufacturing method thereof
JP2007036259A (en) * 2005-07-27 2007-02-08 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor substrate and method of making same
US7808044B2 (en) 2005-07-27 2010-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate and method of making the same
JP2007043160A (en) * 2005-08-01 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd Flat display device and manufacturing method thereof
US7619245B2 (en) 2005-08-01 2009-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel display and manufacturing method of flat panel display
US7682886B2 (en) 2005-08-01 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel display and manufacturing method of flat panel display
US7569851B2 (en) 2005-09-30 2009-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic thin film transistor array panels
US7575952B2 (en) 2005-11-02 2009-08-18 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor device having organic semiconductor film
US8258004B2 (en) 2005-11-19 2012-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7622738B2 (en) 2005-12-13 2009-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having a multi-layer conductive layer and manufacturing method therefore
JP2007164191A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Samsung Electronics Co Ltd Organic thin film transistor display panel and method for manufacturing the same
JP2007214015A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk Capture agent of water and oxygen, and organic electronic device
US7679712B2 (en) 2006-04-12 2010-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display comprising a semiconductor formed in an opening of a partition formed on a source electrode and a drain electrode and method of manufacturing thereof
US8208086B2 (en) 2006-04-17 2012-06-26 Lg Display Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the organic thin film transistor, and display apparatus using the same
JP4625443B2 (en) * 2006-04-17 2011-02-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド A method of manufacturing an organic thin film transistor
JP2007288130A (en) * 2006-04-17 2007-11-01 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic thin film transistor, manufacturing method thereof, and display utilizing it
JP5916976B2 (en) * 2006-05-18 2016-05-11 コニカミノルタ株式会社 Method for forming an organic thin film transistor, and an organic thin film transistor
US7989143B2 (en) 2006-05-30 2011-08-02 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having an organic thin film transistor
JP2008235861A (en) * 2007-02-21 2008-10-02 Toppan Printing Co Ltd Thin film transistor array, method of manufacturing the same, and active matrix display using the same
US8110858B2 (en) 2007-02-21 2012-02-07 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor array, method for manufacturing the same, and active matrix type display using the same
US7585713B2 (en) 2007-04-27 2009-09-08 Hitachi, Ltd. Method for exposing photo-sensitive SAM film and method for manufacturing semiconductor device
JP2009038337A (en) * 2007-07-11 2009-02-19 Ricoh Co Ltd Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same
JP2009105258A (en) * 2007-10-24 2009-05-14 Konica Minolta Holdings Inc Method for manufacturing of thin-film transistor, thin-film transistor and display unit
JP2013211588A (en) * 2008-01-11 2013-10-10 Japan Science & Technology Agency Field effect transistor, manufacturing method of field effect transistor, intermediate body, and second intermediate body
JP2011181724A (en) * 2010-03-02 2011-09-15 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Method for manufacturing organic thin film, and organic device using the same
US8963141B2 (en) 2010-09-22 2015-02-24 Toppan Printing Co., Ltd. Thin-film transistor, fabrication method thereof, and image display device
JPWO2014045543A1 (en) * 2012-09-21 2016-08-18 凸版印刷株式会社 A thin film transistor and a manufacturing method thereof, an image display device
US9472673B2 (en) 2012-09-21 2016-10-18 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing same, and image display apparatus
WO2014136953A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-12 国立大学法人神戸大学 Organic semiconductor thin film production method
JPWO2014136953A1 (en) * 2013-03-08 2017-02-16 国立大学法人神戸大学 Method for manufacturing an organic semiconductor thin film

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