JP2004056745A - Compposite high frequency component - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、に関する。 本発明は、携帯電話端末等の無線回路に用いられる複合高周波部品及びそれを用いた通信機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話端末は高性能化とともに急速に小型化されている。携帯電話端末の小型化を図るため、無線回路に用いられる各高周波部品は小型化が進められている。
【0003】
無線回路に用いられる従来の高周波部品としてbalanced to unbalanced transducer(以下、バラン(balun)と略す)がある。バランは、不平衡線路の信号を平衡線路の信号に変換する機能と平衡線路の信号を不平衡線路の信号に変換する機能とを有するデバイスである。以下、バランの構成の一例が説明される。図13に、バランの一例であるチップ型トランスが示されている。
【0004】
チップ型トランスは、誘電体基板54a〜54eが積層された構造を有している。誘電体基板54a,54eの一方の主面にシールド電極層56,70が形成されている。誘電体基板54bの一方の主面に接続電極層60が形成されている。誘電体基板54cの一方の主面に第1のストリップライン62が形成されている。第1のストリップライン62は、螺旋状の第1及び第2の部分64a,64bから構成されている。誘電体基板54dの一方の主面に螺旋状の第2,第3のストリップライン66,68が形成されている。第2,第3のストリップライン66,68は、第1のストリップライン62の部分64a,部分64bにそれぞれ電磁界結合している。
【0005】
このように、図13のチップ型トランスからなる従来のバランは小型化が進んでいる。また、バランに供給する高周波信号やバランから出力される高周波信号に対して所定の周波数だけを選択的に通過させたり減衰させる機能を有するフィルタも小型化が進んでいる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のバランとフィルタとはそれぞれ別々の回路基板上に実装されている。このようなバランやフィルタの構成は部品点数の増加を招き低コスト化に対する弊害となる。さらには、このような構成は、バランとフィルタとが組み込まれる無線回路の小型化を困難にするだけではなく、無線回路が組み込まれる携帯電話端末などの通信機器の小型化をも困難にする。
【0007】
したがって、本発明は、バランとフィルタとが組み込まれる高周波部品の小型化を図り、延いては、高周波部品が組み込まれる携帯電話端末等の通信機器の小型化を図ることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、要約すると、次の通りである。
【0009】
本発明の複合高周波部品は、上述の課題を解決するために、平衡線路信号と不平衡線路信号とを相互変換するバランと、前記バランに電気的に接続されて所定の周波数成分を通過または減衰させるフィルタとを備えた複合高周波部品である。このような複合高周波部品において本発明は、前記バランや前記フィルタの電極パターンを構成する電極層と誘電体層とを備え、前記誘電体層と前記電極層とを積層一体化している。
【0010】
このような複合高周波部品を備えて通信機器を構成すれば、特性に優れ、しかも小型化が促進された通信機器が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
【0012】
(第1の実施の形態)
図1に、本発明の第1の実施の形態の複合高周波部品1a,1b及びそれを用いた通信機器4が示されている。この通信機器4は、携帯電話端末であって、ベースバンド部5と、発振部6と、周波数変換部7と、複合高周波部品1aと、パワーアンプ8と、アンテナ共用器9と、アンテナ10と、低雑音アンプ11と、複合高周波部品1bと、周波数変換部12と、フィルタ13とを備えている。
【0013】
複合高周波部品1aは、フィルタ3aとバラン2aとを備えている。複合高周波部品1aは、フィルタ3aとバラン2aとを積層構造にして一体化した部品である。同様に、複合高周波部品1bは、フィルタ3bとバラン2bとを備えている。複合高周波部品1bは、フィルタ3bとバラン2bとを積層構造にして一体化した部品である。
【0014】
ベースバンド部5は、送信時にはベースバンド信号を変調してベースバンド変調信号として出力する一方、受信時には変調波をベースバンド信号に復調する。
【0015】
周波数変換部7は、ベースバンド変調信号を周波数変換することで送信信号を作製する。
【0016】
バラン2aは、平衡線路信号として周波数変換部7から出力される送信信号を不平衡線路信号に変換する。
【0017】
フィルタ3aは、バラン2aで不平衡線路信号に変換された送信信号のうち不要な周波数成分を低減する。
【0018】
パワーアンプ8は、バラン2aで不要な周波数成分が低減された送信信号を増幅する。
【0019】
アンテナ共用器9は、送信信号と受信信号とを分離する。
【0020】
アンテナ10は、送信信号を送信波として送信する一方、受信波を受信信号として受信する。
【0021】
発振部6は送信時において、変調信号を送信信号に周波数変換するために周波数変換部7で用いられる高周波信号を発振させる。一方、受信時において発振部6は、受信信号をベースバンド部5への出力に適した周波数に変換するために周波数変換部12で用いられる高周波信号を発振させる。
【0022】
低雑音アンプ11は受信信号を低雑音で増幅する。
【0023】
フィルタ3bは、低雑音アンプ11から出力される増幅受信信号から不要な周波数成分を低減する。
【0024】
バラン2bは、不平衡線路信号としてフィルタ3bから出力される増幅受信信号を平衡線路信号に変換する。
【0025】
周波数変換部12は、バラン2bから出力される平衡線路信号をベースバンド部5への出力に適した周波数に変換する。
【0026】
フィルタ13は、周波数変換部12で周波数変換された信号から不要な周波数成分を低減する。
【0027】
以下、この通信機器4の動作を説明する。
【0028】
まず、送信動作を説明する。ベースバンド部5は、マイクなどから入力された音声信号であるベースバンド信号を変調して変調信号を出力する。周波数変換部7は、ベースバンド部5で変調される変調信号に発振部6から入力される搬送波信号を混合することにより、変調信号を送信信号に周波数変換する。
【0029】
ベースバンド部5と周波数変換部7と発振部6とは平衡線路として機能する。従って周波数変換部7から出力される送信信号は平衡線路信号となる。バラン2aは、周波数変換部7から出力される送信信号を不平衡線路信号に変換する。フィルタ3aは、送信信号の不要周波数成分を低減する。パワーアンプ8は、フィルタ3aの出力信号を増幅して送信信号として出力する。アンテナ共用器9は、送信信号をアンテナ10に導いてアンテナ10から送信波として出力させる。
【0030】
フィルタ3aとパワーアンプ8とアンテナ共用器9とアンテナ10とは、不平衡線路として機能する。
【0031】
次に受信動作を説明する。アンテナ10は受信波を受信する。アンテナ共用器9は、アンテナ10で受信された受信信号を受信側の低雑音アンプ11に導く。低雑音アンプ11は受信信号を増幅する。フィルタ3bは、低雑音アンプ11の出力信号から不要な周波数成分の信号を低減する。
【0032】
アンテナ10とアンテナ共用器9と低雑音アンプ11とフィルタ3bとは不平衡線路として機能する。従ってフィルタ3bから出力される信号は不平衡線路信号となる。バラン2bは、フィルタ3bから出力される信号を平衡線路信号に変換する。周波数変換部12は、発振部6から供給される周波数変換用搬送波とバラン2bから出力される出力信号とを混合して、ベースバンド部5の周波数信号に変換する。フィルタ13は、周波数変換された信号の不要周波数成分を低減する。ベースバンド部5は、フィルタ13の出力信号を復調する。復調された信号は、音声としてスピーカ等(図示せず)から出力される。なお、発振部6と周波数変換部12とフィルタ13とベースバンド部5とは平衡線路として機能する。
【0033】
以下に、通信機器4に組み込まれる複合高周波部品1a,1bが説明される。
【0034】
図2に、複合高周波部品1a,1bの等価回路が示される。図2の等価回路において、フィルタ3a,3bは、不平衡型端子14と、入出力結合容量15,17と、段間結合容量16と、共振器18,19とによって構成されている。
【0035】
バラン2a,2bは、第1の伝送線路20と、第2の伝送線路21と、第3の伝送線路電極層22と、平衡型端子23,24と、結合容量25とによって構成されている。
【0036】
入出力結合容量15の一方の端面電極が不平衡型端子14に接続されている。入出力結合容量15の他方の端面電極が段間結合容量16の一方の端面電極に接続されている。段間結合容量16の他方の端面電極が入出力結合容量17の一方の端面電極に接続されている。このように、不平衡型端子14に入出力結合容量15、段間結合容量16、及び入出力結合容量17がこの順に直列に接続されている。
【0037】
入出力結合容量15の他方の端面電極と段間結合容量16の一方の端面電極とは、共振器18に接続されている。段間結合容量15の他方の端面電極と入出力結合容量17の一方の端面電極とは、共振器19に接続されている。
【0038】
入出力結合容量17の他方の端面電極は、第1の伝送線路20の一端に接続されている。第1の伝送線路20の他端は結合容量25の一方の端面電極に接続されている。結合容量25の他方の端面電極は接地されている。
【0039】
平衡型端子23は、第2の伝送線路21の一端に接続されている。第2の伝送線路21の他端は接地されている。平衡型端子24は、第3の伝送線路22の一端に接続されている。第3の伝送線路22の他端は接地されている。
【0040】
フィルタ3a,3bはノッチフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタであってもよい。また、バラン2a,2bの回路構成は、上記以外の他の回路構成を用いてもよい。
【0041】
複合高周波部品1a,1bは結合容量25を備えていなくてもよい。すなわち、図3にこのような複合高周波部品1a,1bの等価回路が示されている。図3から明らかなように、第1の伝送線路20の他端は結合容量25が接続されておらず開放となっている。
【0042】
図4に複合高周波部品1a,1bの分解斜視図が示されている。図4に示すように、複合高周波部品1a,1bは、順次積層配置された複数の誘電体層30〜39と電極層15a〜22a,25a,41〜43とを備えている。誘電体層30〜39それぞれは、3.2mm×2.5mm×1.3mmの矩形形状を有している。誘電体層30〜39それぞれは、比誘電率εr=58のBi−Ca−Nb−O系の材料から構成されている。電極層15a〜22a,25a,41〜43は、銀または銅を主成分とする材料から構成されている。電極層15a〜22a,25a,41〜43は印刷等の手法により誘電体層30〜39上に形成されている。
【0043】
誘電体層30〜39から構成された積層体は立方体形状を有している。この積層体の側面に端面電極44,45と端面電極14a,23a,24a,40とが形成されている。
【0044】
前記積層体は互いに対向する側面対(以下、対向側面対という)を一対有している。端面電極44と端面電極45とは、前記積層体の一方の対向側面対を構成する側面それぞれに設けられている。端面電極44,45は図示しない接地端子に接続されている。端面電極14a,23a,24a,40は、前記積層体の他方の対向側面対に設けられている。具体的には、端面電極14a,24aは、前記他方の対向側面対を構成する一つの側面に設けられている。端面電極23a,40は、前記他方の対向側面対を構成するもう一つの側面に設けられている。
【0045】
誘電体層30,34,38の上面それぞれに第1〜第3のシールド電極層41,42,43が形成されている。第1〜第3のシールド電極層41,42,43それぞれは端面電極44,45に接続されている。
【0046】
誘電体層31の上面に第2の伝送線路電極層21aと結合容量電極層25aとが形成されている。第2の伝送線路電極層21aの一端は端面電極23aに接続されている。第2の伝送線路電極層21aの他端は端面電極45に接続されている。結合容量電極層25aは端面電極45に接続されている。
【0047】
誘電体層32の上面に第1の伝送線路電極層20aが形成されている。第1の伝送線路電極層20aの一端は端面電極40に接続されている。第1の伝送線路電極層20aの他端は開放されている。
【0048】
誘電体層33の上面に第3の伝送線路電極層22aが形成されている。第3の伝送線路電極層22aの一端は端面電極24aに接続されている。第3の伝送線路電極層22aの他端は端面電極45に接続されている。
【0049】
誘電体層35の上面に入出力結合容量電極層15a,17aが形成されている。入出力結合容量電極層15aの一端は端面電極14aに接続されている。入出力結合容量電極層17aの一端は端面電極40に接続されている。
【0050】
誘電体層36の上面に共振器電極層18a,19aが形成されている。これら共振器電極層18a,19aの一端は端面電極44に接続されている。
【0051】
誘電体層37の上面に段間結合容量電極層16aが形成されている。
【0052】
次に、複合高周波部品1a,1bの動作が説明される。
【0053】
誘電体層35〜37の部分は、図1のフィルタ3aまたはフィルタ3bとして機能する。すなわち、端面電極14aは不平衡端子14として機能する。端面電極14aに接続された入出力結合容量電極層15aは入出力結合容量15の一方の容量電極として機能する。入出力容量電極層15aと共振器電極層18aとが互いに容量結合することで、入出力結合容量15が形成される。
【0054】
共振器電極層18a,19aはそれぞれ共振器18,19として機能する。共振器電極層18a,19aは誘電体層36上において互いに近接して形成されている。これにより、共振器電極層18aと共振器電極層19aとは互いに電磁界結合する。
【0055】
段間結合容量電極層16aは、共振器電極層18aと共振器電極層19aとにそれぞれ容量結合する。これにより、段間結合容量16が形成される。入出力容量電極層17aは、共振器電極層19aに容量結合する。これにより入出力結合容量17が形成される。
【0056】
このように、誘電体層35〜37の積層部位は2段のバンドパスフィルタとして機能する。
【0057】
誘電体層31〜33の積層部位は、図1のバラン2a,2bとして機能する。すなわち、第1の伝送線路電極層20a,第2の伝送線路電極層21a,第3の伝送線路電極層22aは、それぞれ第1の伝送線路20,第2の伝送線路21,第3の伝送線路22として機能する。
【0058】
第2の伝送線路電極層21aの一端に接続された端面電極23aは一方の平衡型端子23として機能する。第3の伝送線路電極層22aの一端に接続された端面電極24aは他方の平衡型端子24として機能する。結合容量電極層25aは第1の伝送線路電極層20aの他端に容量結合する。これにより、結合容量25が形成される。第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとはそれぞれ第1の伝送線路電極層20aに電磁界結合する。
【0059】
第2の伝送線路電極層21aは誘電体層31に形成されている。第3の伝送線路電極層22aは誘電体層33に形成されている。第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとが異なる誘電体層31,33に形成されることで、次のように利点を有している。第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとの間の不要な電磁界結合が抑制される。これにより不要な電磁界結合によるバラン2a,2bの特性劣化が防止される。
【0060】
また、結合容量電極層25Aが設けられることにより、容量値が任意に変更可能な容量を一つ追加することが可能となる。そのため、このような機能を有する容量を追加する分だけ、複合高周波部品1a,1bの設計の自由度が増大する。
【0061】
バラン2a,2bの主構成体である共振器電極層18a,19aと、フィルタ3a,3bの主構成体である第1〜第3の伝送線路電極層20a〜22aとは、誘電体層34,35を介して互いに分離配置されている。そのため、バラン2a,2bとフィルタ3a,3bとの間の不要な電磁界結合が抑制される。これにより不要な電磁界結合によるバラン2a,2bやフィルタ3a,3bの特性劣化が防止される。このような不要な電磁界結合の抑制効果は、誘電体層34にシールド電極層42が設けられていることでさらに有効となっている。
【0062】
端面電極40は、入出力結合容量電極層17aと第1の伝送線路電極層20aとを接続することにより、フィルタ3a,3bとバラン2a,2bとを接続している。このように、フィルタ3a,3bとバラン2a,2bとは、端面電極40という比較的容易に形成することができる接続構造体により接続されている。
【0063】
誘電体層35〜37の積層部位は、誘電体層38の第3のシールド電極層43と誘電体層34の第2のシールド電極層42とによって挟まれる構造を有している。
【0064】
誘電体層31〜33の積層部位は、誘電体層34の第2のシールド電極層42と誘電体層30の第1のシールド電極層41とによって挟まれている構造を有している。
【0065】
複合高周波部品1a,1bは、上記したシールド電極層による挟持構造を有することで、次のような利点を有している。複合高周波部品1a,1bは、外部からのノイズの影響の排除と、フィルタ3a,3bとバラン2a,2bとの間の電磁界結合の防止とを図ることができる。これにより、特性の劣化を抑えることができる。
【0066】
複合高周波部品1a,1bは、誘電体層30〜39を積層して一体焼成することによって製造される。これにより、複合高周波部品1a,1bは積層一体化構造を有する。そのため、バランとフィルタとを別々に回路基板に実装する場合に比べて、複合高周波部品1a,1bは小型化されている。
【0067】
また、複合高周波部品1a,1bは、バラン2a,2bとフィルタ3a,3bとが一体化されているので、無線回路の部品点数の削減を図ることができる。そのため、このような特徴を有する複合高周波部品1a,1bを通信機器4に実装すると、小型化及び低コスト化を図ることができる。さらには、部品点数の削減により、通信機器4の製造作業の効率化を図ることができる。
【0068】
複合高周波部品1a,1bは、バラン2a,2bとフィルタ3a,3bとを積層一体化したものである。そのため、複合高周波部品1a,1bはバラン2a,2bとフィルタ3a,3bとの間のインピーダンスを容易に整合することができる。具体的には、バラン2a,2bの形成部位における誘電体層30〜39の誘電率と、フィルタ3a,3bの形成部位における誘電体層30〜39の誘電率とを任意に設定する(互いに異なるように設定する)ことによって、バラン2a,2bとフィルタ3a,3bとの間のインピーダンスを容易に整合することができる。
【0069】
これにより、インピーダンスを整合させるための整合素子を使用する必要がなくなる。このことによってもさらなる部品点数の削減を実現することができる。したがって、複合高周波部品1a,1bをさらに小型化することができる。
【0070】
また、複合高周波部品1a,1bでは、バラン2a,2bやフィルタ3a,3bを構成する容量の構成要素として、誘電体層30〜39が用いられている。そのため、これら容量の構成要素となる誘電体を別途用意して誘電体層30〜39内に組み込む必要がなくなる。その分、複合高周波部品1a,1bの小型化を図ることができる。
【0071】
複合高周波部品1a,1bは、誘電体層30〜39からなる積層体の側面に形成された端面電極14a,23a,24a,40や端面電極44,45によって、誘電体層30〜39の各誘電体層間の接続やバラン2a,2bとフィルタ3a,3bとの間の接続行われる。端面電極は比較的容易に形成することができる接続構造体である。そのため、端面電極によって上記接続を実施している複合高周波部品1a,1bでは、その接続に要する構造が簡単になる分、製造コストの低減が図れる。
【0072】
また、端面電極14a,23a,24a,40等をトリミングすることにより、バラン2a,2bやフィルタ3a,3bの電気特性を容易に調整することができる。
【0073】
複合高周波部品1a,1bは次の点において、フィルタ3a,3bの電気特性の調整がさらに容易となっている。
【0074】
複合高周波部品1a,1bを回路基板に実装する場合、誘電体層30が回路基板に対向する向きにして複合高周波部品1a,1bを回路基板に実装することができる。このような実装構成にすると、回路基板から最も離間した位置にフィルタ3a,3bが配置されることになる。そうした場合、フィルタ3a,3bに対する他の電気要素の影響が最も小さくなる。この状態で、端面電極14a,23a,24a,40,第3のシールド電極層43等に対してトリミングを施せば、フィルタ3a,3bの電気特性の調整をさらに容易に調整することが可能となる。
【0075】
本発明の複合高周波部品は、携帯電話端末としての通信機器4に限らず、自動車電話端末、PHS端末、及びこれらの端末についての無線基地局などに組み込むことができる。要するに、その回路構成の一部にバランとフィルタとが有する通信機器であれば、本発明を実施することができる。
【0076】
複合高周波部品1a,1bを構成する誘電体層30〜39の材料及びサイズは、本実施の形態で説明したものに限定されるものではなく、他の材料や他のサイズであってもよい。すなわち、比誘電率εrが本実施の形態とは異なった材料で誘電体層30〜39が形成されても上述した実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、各誘電体層30〜39のサイズが上述した実施の形態で説明したものと異なるサイズであってもよい。さらには、本発明は、必ずしも各誘電体層30〜39が同一の材料を用いて形成される必要がなく、各誘電体層30〜39のうち少なくとも2つ誘電体層の比誘電率εrが異なっているような場合も可能である。比誘電率εrが異なる誘電体層30〜39を有する複合高周波部品1a,1bは、異種積層技術により製造することができる。
【0077】
さらに、図5に示すように、誘電体層33を省略したうえで、第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとを誘電体層31に設けても構わない。逆に、図6に示すように、誘電体層31を省略したうえで、第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとを誘電体層33に設けても構わない。
【0078】
第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとを同一の誘電体層に形成する場合、第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとの電磁界結合により、バラン2a,2bの特性が若干ながら劣化するものの、複合高周波部品1a,1bを構成する誘電体層の数を少なくすることができる。これにより、複合高周波部品1a,1bの製造コストの削減と小型化とを促進することができる。
【0079】
さらには、複合高周波部品1a,1bは、実装に際しても次のような利点がある。すなわち、本実施形態の複合高周波部品1a,1bの構成では、図4に示すように、フィルタ3a,3bを回路基板Aに対向させた状態で、複合高周波部品1a,1bを回路基板Aに実装することができる。具体的には、誘電体層30の外側面を回路基板Aに対する実装面にすることができる。
【0080】
このような実装構造では、接地状態を強化することができる。なお、この場合、第2の伝送線路電極層21aと第3の伝送線路電極層22aとを同一の誘電体層に形成しても構わないし、異なった誘電体層に形成しても構わない。
【0081】
逆に、バラン2a,2bを回路基板Aに対向させた状態で、複合高周波部品1a,1bを回路基板Aに実装することができる。具体的には、誘電体層39の外側面を回路基板Aに対する実装面にすることができる。
【0082】
また、図7に示すように、誘電体層30〜39からなる積層体の側面に接地電極50,51が設けられてもよい。この場合、端面電極14a,24aが設けられた前記積層体の側面に接地電極50が設けられる。端面電極23a,40が設けられた前記積層体の側面に接地電極51が設けられる。さらには、同一側面に設けられた端面電極(14a,24a),(23a,40)の間に接地電極50,51がそれぞれ設けられる。
【0083】
同一側面に設けられた端面電極(14a,24a),(23a,40)は、一方がバラン2a,2bに接続され、他方がフィルタ3a,3bに接続されている。そのため、複合高周波部品1a,1bの特性を向上させるうえでは、同一側面上の端面電極(14a,24a),(23a,40)を電気的に分離するのが好ましい。
【0084】
図7に示される構成では、同一側面に設けられた端面電極(14a,24a),(23a,40)の間に接地電極50,51がそれぞれ設けられている。そのため、これら端面電極(14a,24a),(23a,40)どうしの電気的分離が確実になり、複合高周波部品1a,1bの特性が向上する。
【0085】
また、図7に示される構成では、端面電極44,45の幅w1が前記積層体の側面の幅w2より狭くなっている(w1<w2)。そのため、実装に際して側面電極44,45に接触する接続部材(半田,導電性接着剤等)の容積を小さくすることができる。これにより、一つの複合高周波部品を回路基板Aに実装する際において必要となる面積を小さくすることが可能となり、その分、複合高周波部品1a,1bの実装構造の小型化を図ることができる。
【0086】
また、w1<w2に設定することにより、次のような利点もある。図7に示される複合高周波部品1a,1bの構成においては、端面電極23a,24aを端面電極44のある方向に向かってさらにその外側に引き出す場合がある。このような引出電極パターンは、複合高周波部品1a,1bの実装基板に設けられる。
【0087】
端面電極44が積層体の側面全面に形成されていると、上記引出電極パターンは、端面電極44を一旦回避したうえで端面電極44のある方向に引き出されたパターン形状とならざるを得ない。しかしながら、そのようなパターン構成では、回避パターンを設ける分、引出電極パターンが長くなってしまう。
【0088】
これに対して、図7に示す構成では、積層体の側面の両端に端面電極44の無形成領域が存在している。そのため、上記引出電極パターンが端面電極44の無形成領域を通過することは構造的に可能となる。これにより、上記引出電極パターンを、端面電極44を回避することなく端面電極44のある方向に向かって直線的に引き出されたパターンにすることができる。そのようなパターン構成では、回避パターンを設ける必要がない分、引出電極パターンが短くなる。
【0089】
また、図7において、バラン2a,2bとフィルタ3a,3bとのうちの一方を端面電極14a,24aに接続し、他方を端面電極23a,40に接続してもよい。そうすると、バラン2a,2bの入出力端とフィルタ3a,3bの入出力端とが前記積層体の互いに対向する側面それぞれに分離配置されることになる。そうすれば、バラン2a,2bとフィルタ3a,3bとの電気的分離が確実になり、複合高周波部品の特性が向上する。
【0090】
さらに、ビア電極を用いて誘電体層30〜39の各誘電体層間の接続を行っても構わない。ビア電極は次にように形成される。誘電体層30〜39の各誘電体層のいずれかにスルーホールが形成され、形成されたスルーホールに銀または銅を主成分とする導電性ペーストが充填される。そのうえで、誘電体層30〜39を一体焼成することによりこれらのビア電極は形成される。
【0091】
一般的に、端面電極を形成するよりはビア電極を形成する方が製造コストを安価にすることができる。従って、ビア電極により、誘電体層30〜39の各層間のいずれかを接続することにより製造コストが削減される。
【0092】
さらに、フィルタ3a,3bは、ノッチフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタであっても同様の効果を有する。
【0093】
さらに、複合高周波部品1a,1bは、その回路構成によっては、他の枚数の誘電体層から構成されていても構わない。
【0094】
さらに、複合高周波部品1a,1bは、誘電体層30〜39が一体焼成されていなくても構わず、バランとフィルタとが別々に回路基板に実装されることなく、一体化されて回路基板に実装されるものでありさえすればよい。
【0095】
以上説明したように、本実施の形態では、バランやフィルタを使用する無線回路やその無線回路を使用する携帯電話端末などの通信機器をさらに小型化することができる。
【0096】
(第2の実施の形態)
図8に、本発明の第2の実施の形態の複合高周波部品100を用いた通信機器の送信側無線回路部が示されている。本実施の形態の通信機器とは携帯電話端末であって、図8は送信側無線回路部のブロック図である。
【0097】
本実施の形態の送信側無線回路部は、複合高周波部品100、入力端子104a,104b、周波数変換部105、パワーアンプ106、出力端子107、及び補助接続端子108が備えられている。
【0098】
複合高周波部品100は、バラン102とフィルタ103とが備えられている。バラン2とフィルタ3とは積層一体化されている。バラン102は、第2,第3の接続端子102a,102bと、第1の接続端子102cとが備えられている。バラン102は、平衡線路の信号としてパワーアンプ106から出力される送信周波数信号を不平衡線路の信号に変換している。平衡線路の信号である送信周波数信号は第2,第3の接続端子102a,102bからバラン102に入力される。不平衡線路の信号であるバラン102の出力は第1の接続端子102cから出力される。
【0099】
フィルタ103は、バラン102で不平衡線路の信号に変換された信号のうち不要な周波数成分の信号を低減している。周波数変換部105は、変調された信号を周波数変換して送信信号に周波数変換している。パワーアンプ106は、送信信号を増幅している。図8において図示されていないが、入力端子104a,104bから出力端子107までの各部は容量やインダクタなどの整合回路素子を介して接続されている。
【0100】
次に、このように構成された本実施の形態の送信側無線回路部の動作を説明する。
【0101】
周波数変換部105は、入力端子104a,104bから入力される変調信号に、図示しない発振部から入力される搬送波信号を混合している。これにより、周波数変換部105は、変調信号を送信信号に周波数変換する。パワーアンプ106は、周波数変換部105の出力信号を増幅して送信信号として出力する。周波数変換部105とパワーアンプ106とは平衡回路として機能する。従ってパワーアンプ106から出力される送信周波数の信号は平衡線路信号となる。
【0102】
バラン102は、パワーアンプ106から出力される送信信号を不平衡線路信号に変換する。フィルタ103は、送信信号の不要周波数成分を低減する。フィルタ103は、送信信号を出力端子107を介して図示されていないアンテナまたはアンテナスイッチなどに出力する。フィルタ103は不平衡回路として機能する。
【0103】
複合高周波部品100の補助接続端子108にはパワーアンプ106が接続されている。パワーアンプ106の電源は補助接続端子108を介して電源供給部200から供給される。電源は、バラン102及び、バラン102とパワーアンプ106とを接続する信号線を介してパワーアンプ106に供給される。
【0104】
次に、このような送信側無線回路部の回路の一部を構成する複合高周波部品100について説明する。
【0105】
図9に、複合高周波部品100の内部回路構成が示されている。
【0106】
図9の回路において、不平衡型端子である出力端子107、入出力結合容量115,117、段間結合容量116、及び共振器118,119によってフィルタ103が構成されている。
【0107】
第1の伝送線路120A、第2の伝送線路121、第3の伝送線路120B、第4の伝送線路122、平衡型端子である第2,第3の接続端子102a,102b、不平衡型端子である第1の接続端子102c、接地容量125、及び補助接続端子108によってバラン102が構成されている。第1の伝送線路120Aと第3の伝送線路120Bとは互いに結合して一体の伝送線路を構成している。第1の伝送線路120Aと第2の伝送線路121とは互いに電磁界結合された一対の伝送線路対を構成している。第3の伝送線路120Bと第4の伝送線路122とは互いに電磁界結合された一対の伝送線路対を構成している。
【0108】
出力端子107に入出力結合容量115の一方の容量電極が接続されている。入出力結合容量115の他方の容量電極に、段間結合容量116の一方の容量電極が接続されている。段間結合容量116の他方の容量電極に、入出力結合容量117の一方の容量電極が接続されている。このように、出力端子107に入出力結合容量115、段間結合容量116、及び入出力結合容量117がこの順に直列に接続されている。
【0109】
入出力結合容量115の他方の容量電極と段間結合容量116の一方の容量電極とに共振器118が接続されている。段間結合容量116の他方の容量電極と入出力結合容量117の一方の容量電極とに共振器119が接続されている。入出力結合容量117の他方の容量電極にバラン102の第1の接続端子102cが接続されている。
【0110】
第1の接続端子102cに第1の伝送線路120Aの一端が接続されている。第1の伝送線路102Aの他端と第3の伝送線路120Bの一端とは互いに連結されている。第3の伝送線路120Bの他端は開放されている。バラン102の第2の接続端子102aに第2の伝送線路121の一端が接続されている。第2の伝送線路121の他端は接地容量125を介して接地されているとともに、補助接続端子108に接続されている。バラン102の第3の接続端子102bに第4の伝送線路122の一端が接続されている。第4の伝送線路122の他端は容量125を介して接地されているとともに、補助接続端子108に接続されている。
【0111】
図10に複合高周波部品100の分解斜視図が示されている。複合高周波部品100は、順次積層配置された誘電体層130〜140と電極層120Aa,120Ba,…とを備えている。誘電体層130〜140それぞれは、3.2mm×2.5mm×1.3mmの矩形形状を有している。誘電体層130〜140それぞれは比誘電率εr=58のBi−Ca−Nb−O系の材料から構成されている。電極層120Aa,120Ba,…は、銀または銅を主成分とする材料から構成されている。電極層120Aa,120Ba,…は印刷等の手法により誘電体層130〜140上に形成されている。
【0112】
誘電体層130〜140から構成された積層体は立方体形状を有している。この積層体の側面に端面電極144〜149と端面電極114a,123a,124a,126aとが形成されている。
【0113】
前記積層体は互いに対向する側面対(以下、対向側面対という)を一対有している。端面電極144〜146は、前記積層体の一方の対向側面対を構成する側面それぞれに設けられている。具体的には、端面電極144は、前記一方の対向側面対を構成する一つの側面に設けられている。端面電極145,146は、一方の対向側面対を構成するもう一つの側面に設けられている。端面電極144〜146は、図示していない接地端子に接続されている。
【0114】
端面電極147〜149は、前記積層体の他方の対向側面対を構成する側面それぞれに設けられている。具体的には、端面電極147,148は、前記他方の対向側面対を構成する一つの側面に設けられている。端面電極149は、前記他方の対向側面対を構成するもう一つの側面に設けられている。
【0115】
端面電極114a,124aは、前記他方の対向側面対を構成するもう一つの側面(端面電極149の形成側面)に設けられている。端面電極123aは、前記他方の対向側面対を構成する一つの側面(端面電極147,148の形成側面)に設けられている。端面電極126aは、前記一方の対向側面対を構成するもう一つの側面(端面電極145,146の形成側面)に設けられている。
【0116】
誘電体層130,135,139の上面には、それぞれ第1〜第3のシールド電極層141〜143が形成されている。第1〜第3のシールド電極層141〜143は、それぞれ端面電極144〜146に接続されている。
【0117】
誘電体層131の上面に結合容量電極層125aが形成されている。結合容量電極層125aは端面電極126aに接続されている。
【0118】
誘電体層132の上面に第2の伝送線路電極層121aが形成されている。第2の伝送線路電極層121aの一端は端面電極123aに接続されている。第2の伝送線路電極層121aの他端は端面電極126aに接続されている。
【0119】
誘電体層133の上面に第1,第3の伝送線路電極層120Aa,120Baが形成されている。第1の伝送線路電極層120Aaの一端は端面電極147に接続されている。第1の伝送線路120Aaの他端は第3の伝送線路電極層120Baの一端に連結結合されている。第3の伝送線路電極層120Baの他端は開放されている。
【0120】
誘電体層134の上面に第4の伝送線路電極層122aが形成されている。第4の伝送線路電極層122aの一端は端面電極124aに接続されている。第4の伝送線路電極層122aの他端は端面電極126aに接続されている。端面電極126aは、図10において図示されていない補助接続端子108に接続されている。
【0121】
誘電体層136の上面には、入出力結合容量電極層115a,117aが形成されている。入出力結合容量電極層115aの一端は端面電極114aに接続されている。入出力結合容量電極層117aの一端は端面電極147に接続されている。
【0122】
誘電体層137の上面には電極パターンからなる共振器電極層118a,119aが形成されている。共振器電極層118a,119aの一端は端面電極144に接続されている。
【0123】
誘電体層138の上面には段間結合容量電極層116aが形成されている。
【0124】
次に、複合高周波部品100の動作が説明される。
【0125】
誘電体層136〜138の積層部位は、フィルタ103として機能する。すなわち、端面電極114aは不平衡端子である出力端子107として機能する。端面電極114aに接続された入出力結合容量電極層115aは、入出力結合容量115の一方の容量電極として機能する。入出力結合容量電極層115aと共振器電極層118aとは、誘電体層137を間にして互いに容量結合することにより、入出力結合容量115として機能する。
【0126】
共振器電極層118a,119aはそれぞれ共振器118,119として機能する。共振器電極層118aと共振器電極層119aとは誘電体層137上において近接して形成されている。これにより、共振器電極層118aと共振器電極層119aとは互いに電磁界結合する。
【0127】
段間結合容量電極層116aは、共振器電極層118aと共振器電極層119aとにそれぞれ容量結合する。これにより、段間結合容量116が形成される。入出力結合容量電極層117aは共振器電極層119aに容量結合する。これにより、入出力結合容量117が形成される。
【0128】
このように、誘電体層135〜137の積層部位は2段のバンドパスフィルタとして機能する。
【0129】
誘電体層131〜134の積層部位はバラン102として機能する。すなわち、端面電極123aは第2の伝送線路電極層121aに接続されており、平衡型端子である第2の接続端子102aとして機能する。端面電極124aは第4の伝送線路電極層122aに接続されており、平衡型端子である第3の接続端子102bとして機能する。
【0130】
第2の伝送線路電極層121aは第1の伝送線路電極層120Aaと電磁界結合している。第4の伝送線路電極層122aは第3の伝送線路電極層120Baと電磁界結合している。
【0131】
結合容量電極層125aと第1のシールド電極層141とは誘電体層131を介して容量結合している。これにより、接地容量125が形成される。端面電極126aは補助接続端子108として機能する。
【0132】
補助接続端子108である端面電極126aから供給される電源電流成分は第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとを通過する。したがって、第2,第4の伝送線路電極層121a,122aは電源電流成分に対するチョークインダクタの役割を果たす。これにより、外付けのインダクタは不用となる。
【0133】
なお、第2,第4の伝送線路121,122においてチョークインダクタ成分が不足する場合は、図11Aに示すように、第2,第4の伝送線路121,122と補助接続端子108との間にインダクタ127を接続配置すればよい。そうすれば、第2,第4の伝送線路121,122は本来必要なインダクタ値よりも小さい値で済み、小型化に有利となる。
【0134】
図10に示す構造では、結合容量電極層125aは端面電極126aに接続されている。そして、結合容量電極層125aは端面電極126aを介して第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとに接続されている。これにより、第2,第4の伝送線路電極層121a,122aは接地容量125を介して接地されることになる。したがって、補助接続端子108として機能する端面電極126aから供給される電源電流が接地電位に流れることが防止される。そのため、第2,第3の接続端子102a,102bに接続される能動素子(パワーアンプ106等)の電源供給線路としてバラン102を使用することができる。また、接地容量125を積層体内に形成しているので、部品点数の増加を防ぐことができる。
【0135】
なお、図9に示す複合高周波部品100の内部回路構成では、第2の伝送線路121と第4の伝送線路122とがともに1つの接地容量125に接続されている。しかしながら、本発明の構成はこれに限るものではない。第2の伝送線路121と第4の伝送線路122とが互いに異なる2つの結合容量に接続されてそれぞれ接地されている構成であってもよい。すなわち、図11Bに示されるように、第2の伝送線路121は第1の接地容量125bを介して接地されている。第2の伝送線路121は補助接続端子108aに接続されている。第4の伝送線路122は第2の接地容量125cを介して接地されている。さらに第4の伝送線路122は補助接続端子108bに接続されている。この構成では、第2,第4の伝送線路121,122それぞれに応じて、接地容量125b,125cと、補助接続端子108a,108bとが設けられている。
【0136】
この場合、第2の伝送線路121は誘電体層132に形成される。第4の伝送線路122は誘電体層134に形成される。このように、第2の伝送線路121と第4の伝送線路122とを異なった誘電体層に形成することによって第2の伝送線路121と第4の伝送線路122との間の不要な電磁界結合を抑制することができる。従って、不要な電磁界結合によるバラン102の特性の劣化を防ぐことができる。
【0137】
誘電体層136〜138の積層部位は、誘電体層139の上面の第3のシールド電極層143と誘電体層135の上面の第2の第2のシールド電極層142とによって挟まれている構造を有している。また、誘電体層131〜134の積層部位は、誘電体層135の上面の第2のシールド電極層142と誘電体層130の上面の第1の第1のシールド電極層141とによって挟まれている構造を有している。
【0138】
複合高周波部品100は、上記したシールド電極層による挟持構造を有することで、次のような利点を有している。すなわち、複合高周波部品100は、外部からのノイズの影響の排除と、フィルタ103とバラン102とが電磁界結合の防止とを図ることができる。これにより、複合高周波部品100の特性の劣化を抑えることができる。
【0139】
複合高周波部品100は、誘電体層130〜140の各誘電体層を積層して一体焼成することによって製造される。これにより、複合高周波部品100は積層一体化構造を有する。そのため、バラン102とフィルタ103とを別々に回路基板に実装する場合に比べて、複合高周波部品100は小型化されている。
【0140】
また、複合高周波部品100は、バラン102とフィルタ103とが一体化されているので、無線回路の部品点数の削減を実現することができる。そのため、このような特徴を有する複合高周波部品100を送信側無線回路部に実装すると、小型化及び低コスト化を図ることができる。さらには、部品点数の削減により、通信機器4の製造作業の効率化を図ることができる。
【0141】
複合高周波部品100は、バラン102とフィルタ103とを積層一体化したものである。そのため、複合高周波部品100は、バラン102とフィルタ103との間のインピーダンスを容易に整合することができる。インピーダンスを整合させるための整合素子を使用する必要がなくなる。このことによってもさらなる部品点数の削減を実現することができる。そのため、通信機器をより小型化することができる。
【0142】
複合高周波部品100を構成する誘電体層130〜140の材料及びサイズは、本実施の形態で説明したものに限定されるものではなく、他の材料や他のサイズであってもよい。すなわち、比誘電率εrが本実施の形態とは異なった材料で誘電体層130〜140が形成されても上述した実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、各誘電体層130〜140のサイズが上述した実施の形態で説明したものと異なるサイズであってもよい。さらには、本発明は、必ずしも各誘電体層130〜140を同一の材料を用いて形成する必要もなく、各誘電体層130〜140のうち少なくとも2つ誘電体層の比誘電率 SUB>Rが異なっているような場合も可能である。
【0143】
本実施の形態では、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが互いに異なる誘電体層に形成されているとして説明したが、これに限らず、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路122aとが同一の誘電体層に形成されていても構わない。例えば、図12Aに示されるように、誘電体層134が設けられず、第2の伝送線路電極層121aが形成されている誘電体層132の上面に第4の伝送線路電極層122aが形成されても構わない。あるいは、図示はしないが、誘電体層132が設けられず、誘電体層134の上面に、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが設けられても構わない。
【0144】
このように第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが同一の誘電体層に形成される場合、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが電磁界結合することにより、バラン102の特性が若干ながら劣化するものの、複合高周波部品100を構成する誘電体層の数を少なくすることができる。
【0145】
また、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが、第1の伝送線路電極層120aと同一の誘電体層に形成されても構わない。例えば、図12Bに示すように、誘電体層132,134が設けられず、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが誘電体層133の上面に形成されても構わない。
【0146】
誘電体層133は、第1,第3の伝送線路電極層120Aa,120Baが既に形成されている。第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが第1,第3の伝送線路電極層120Aa,120Baと同一の誘電体層に形成されると次のような利点がある。第1,第3の伝送線路電極層120Aa,120Baが結合することにより、バラン102の特性が若干ながら劣化するものの、誘電体層の数をさらに少なくすることができる。従って、複合高周波部品100の製造コストを削減できるとともに、複合高周波部品100をさらに小型化することができる。
【0147】
複合高周波部品100では、バラン102にパワーアンプ106を接続するとともに補助接続端子108に電源供給部200を接続することにより、バラン102を介して、電源供給部200からパワーアンプ106に電源を供給することができる。
【0148】
複合高周波部品100は、図10に示す積層構成を有することで、比較的簡単な構成で本発明の高周波部品を構成することができる。
【0149】
複合高周波部品100は、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとが端面電極126aを介して接続されている。そのため、これら伝送線路電極層121a,122aを外部に接続する構成を一つに集約することが可能となり、構成が簡略化されている。
【0150】
複合高周波部品100は、補助接続端子108となる端面電極126aが、第2の伝送線路電極層121aと第4の伝送線路電極層122aとの間の接続端に接続されている。そのため、補助接続端子108と第2,第4の伝送線路電極層121a,122aとの間の接続構成を一つに集約することが可能となり、構成が簡略化されている。
【0151】
本実施の形態では、複合高周波部品100を回路基板に実装する場合、バラン102が基板対向面側に位置され、フィルタ103が基板非対向面側に位置させるとして説明した。しかしながら、本実施の形態では、フィルタ103が基板対向面側に位置され、バラン102が基板非対向面側に位置させても構わない。このようにフィルタ103が基板対向面側に配置されることにより、接地状態を強化することができる。なお、この場合、第2の伝送線路121と第4の伝送線路122とを同一の誘電体層に形成しても構わないし、異なった誘電体層に形成しても構わない。
【0152】
本実施の形態では、誘電体層130〜140の側面に形成した端面電極114a,123a,124aや、端面電極148などによって、誘電体層130〜140の各誘電体層間の接続を行うとした。しかしながら、本発明はこれに限らず、端面電極や端面電極の代わりに、ビア電極を用いて誘電体層130〜140の各誘電体層間の接続を行っても構わない。
【0153】
一般的に、端面電極や端面電極を形成するよりはビア電極を形成する方が製造コストはかからない。従って、ビア電極により、誘電体層130〜140の各層間のいずれかを接続することにより製造コストを削減することができる。
【0154】
さらには、フィルタ103は、ノッチフィルタ,ローパスフィルタ,ハイパスフィルタであっても同様の効果を有する。
【0155】
本実施の形態の複合高周波部品100は、誘電体層130〜140の11枚の誘電体層から構成されているとして説明した。しかしながら、本発明はこれに限らず、複合高周波部品100の回路構成によっては、他の枚数の誘電体層から構成されていても構わない。
【0156】
本発明の通信機器は、上述した各実施の形態における携帯電話端末の送信側無線回路に限らず実施することができる。例えば、ブルートゥース無線モジュール,PHS端末などに本発明を実施することができる。要するに、本発明の通信機器は、その回路の一部に本発明の高周波部品を用いている通信機器でありさえすればよい。
【0157】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、バランとフィルタとが組み込まれる高周波部品の小型化を図り、延いては、高周波部品が組み込まれる携帯電話端末等の通信機器の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における通信機器の構成を示すブロック図である。
【図2】第1の実施の形態における複合高周波部品の等価回路図である。
【図3】第1の実施の形態における複合高周波部品の他の等価回路図である。
【図4】第1の実施の形態における複合高周波部品の構造を示す分解斜視図である。
【図5】第1の実施の形態における複合高周波部品の他の構造を示す分解斜視図である。
【図6】第1の実施の形態における複合高周波部品の他の構造を示す分解斜視図である。
【図7】第1の実施の形態における複合高周波部品の外観形状の一例を示す斜視図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態における通信機器の送信側無線回路部の構成を示すブロック図である。
【図9】第2の実施の形態における複合高周波部品の内部回路構成を示す等価回路図である。
【図10】第2の実施の形態における複合高周波部品の構造を示す分解斜視図である。
【図11】図11Aは、第2の実施の形態における複合高周波部品の他の構造を示す等価回路図であり、図11Bは、第2の実施の形態における複合高周波部品の他の構成を示す等価回路図である。
【図12】図12Aは、第2の実施の形態における複合高周波部品の他の構成を示す分解斜視図であり、図12Bは、第2の実施の形態における複合高周波部品の他の構成を示す分解斜視図である。
【図13】従来のバランの例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
1a,1b複合高周波部品 2aバラン
2bバラン 3aフィルタ
3bフィルタ 4通信機器
5ベースバンド部 6発振部
7周波数変換部 8パワーアンプ
9アンテナ共用器9 10アンテナ
11低雑音アンプ 12周波数変換部
13フィルタ 14不平衡型端子
14a端面電極 15,17入出力結合容量
15a入出力結合容量電極層 16a段間結合容量電極層
17a入出力結合容量電極層 40端面電極
16段間結合容量 18,19共振器
18a,19a共振器電極層 20第1の伝送線路
20a第1の伝送線路電極層 21第2の伝送線路
21a第2の伝送線路電極層 22第3の伝送線路
22a第3の伝送線路電極層 23平衡型端子
23a端面電極 24平衡型端子
24a端面電極 25結合容量
25a結合容量電極層 30〜39誘電体層
40端面電極 41第1のシールド電極層
42第2のシールド電極層 43第3のシールド電極層
44,45端面電極 100複合高周波部品
102バラン 102a第2の接続端子
102b第3の接続端子 102c第1の接続端子
103フィルタ 104a,104b入力端子
105周波数変換部 106パワーアンプ
107出力端子 108補助接続端子
108a,108b補助接続端子 114a端面電極
115入出力結合容量 115a,117a入出力結合容量電極層
116段間結合容量 116a段間結合容量電極層
117入出力結合容量 117a入出力結合容量電極層
118共振器 118a共振器電極層
119共振器 119a共振器電極層
120A第1の伝送線路 120Aa第1の伝送線路電極層
120B第3の伝送線路 120Ba第3の伝送線路電極層
121第2の伝送線路 121a第2の伝送線路電極層
122第4の伝送線路 122a第4の伝送線路電極層
123a端面電極 124a端面電極
125接地容量 125a結合容量電極層
125b第1の接地容量 125c第2の接地容量
126a端面電極 130〜140誘電体層
141第1のシールド電極層 142第2のシールド電極層
143第3のシールド電極層 144〜149端面電極
200電源供給部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to: The present invention relates to a composite high-frequency component used for a wireless circuit such as a mobile phone terminal and a communication device using the same.
[0002]
[Prior art]
Mobile phone terminals are rapidly becoming smaller with higher performance. In order to reduce the size of mobile phone terminals, miniaturization of each high-frequency component used in a wireless circuit has been promoted.
[0003]
As a conventional high-frequency component used in a wireless circuit, there is a balanced to unbalanced transducer (hereinafter abbreviated as balun). A balun is a device that has a function of converting an unbalanced line signal into a balanced line signal and a function of converting a balanced line signal into an unbalanced line signal. Hereinafter, an example of the configuration of the balun will be described. FIG. 13 shows a chip type transformer which is an example of a balun.
[0004]
The chip type transformer has a structure in which
[0005]
As described above, the size of the conventional balun including the chip type transformer shown in FIG. 13 has been reduced. Further, filters having a function of selectively passing or attenuating only a predetermined frequency with respect to a high-frequency signal to be supplied to the balun or a high-frequency signal output from the balun have been reduced in size.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional balun and filter are mounted on separate circuit boards, respectively. Such a configuration of the balun and the filter causes an increase in the number of components, which is an adverse effect on cost reduction. Further, such a configuration not only makes it difficult to reduce the size of a wireless circuit in which the balun and the filter are incorporated, but also makes it difficult to reduce the size of communication devices such as a mobile phone terminal in which the wireless circuit is incorporated.
[0007]
Therefore, an object of the present invention is to reduce the size of a high-frequency component in which a balun and a filter are incorporated, and further to reduce the size of a communication device such as a mobile phone terminal in which the high-frequency component is incorporated. .
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is summarized as follows.
[0009]
In order to solve the above-mentioned problems, a composite high-frequency component according to the present invention includes a balun for mutually converting a balanced line signal and an unbalanced line signal, and a predetermined frequency component that is electrically connected to the balun and passes or attenuates. A composite high-frequency component comprising a filter for causing In such a composite high-frequency component, the present invention includes an electrode layer and a dielectric layer that constitute the electrode pattern of the balun or the filter, and the dielectric layer and the electrode layer are laminated and integrated.
[0010]
If a communication device is configured with such a composite high-frequency component, a communication device having excellent characteristics and having a reduced size can be obtained.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, details of the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
[0012]
(First Embodiment)
FIG. 1 shows composite high-
[0013]
The composite high-
[0014]
The
[0015]
The frequency converter 7 generates a transmission signal by frequency-converting the baseband modulation signal.
[0016]
The
[0017]
The
[0018]
The power amplifier 8 amplifies the transmission signal from which unnecessary frequency components have been reduced by the
[0019]
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
The
[0023]
The
[0024]
The
[0025]
The
[0026]
The
[0027]
Hereinafter, the operation of the communication device 4 will be described.
[0028]
First, the transmission operation will be described. The
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
Next, the receiving operation will be described. The
[0032]
The
[0033]
Hereinafter, the composite high-
[0034]
FIG. 2 shows an equivalent circuit of the composite high-
[0035]
Each of the
[0036]
One end face electrode of the input /
[0037]
The other end face electrode of the input /
[0038]
The other end face electrode of the input /
[0039]
The
[0040]
The
[0041]
The composite high-
[0042]
FIG. 4 is an exploded perspective view of the composite high-
[0043]
The laminate composed of the
[0044]
The laminate has a pair of side surfaces facing each other (hereinafter, referred to as a pair of opposed side surfaces). The
[0045]
First to third shield electrode layers 41, 42, 43 are formed on the upper surfaces of the
[0046]
On the upper surface of the
[0047]
The first transmission
[0048]
The third transmission
[0049]
On the upper surface of the
[0050]
The
[0051]
The inter-stage coupling
[0052]
Next, the operation of the composite
[0053]
The portions of the
[0054]
The
[0055]
The inter-stage coupling
[0056]
Thus, the laminated portion of the
[0057]
The stacked portions of the
[0058]
The
[0059]
The second transmission
[0060]
Further, by providing the coupling capacitance electrode layer 25A, it is possible to add one capacitance whose capacitance value can be arbitrarily changed. Therefore, the degree of freedom in designing the composite high-
[0061]
The
[0062]
The
[0063]
The layered portion of the
[0064]
The laminated portion of the
[0065]
The composite high-
[0066]
The composite
[0067]
Further, in the composite high-
[0068]
The composite
[0069]
This eliminates the need to use a matching element for matching the impedance. This also makes it possible to further reduce the number of parts. Therefore, the composite
[0070]
In the composite high-
[0071]
The composite high-
[0072]
Also, by trimming the
[0073]
The composite high-
[0074]
When mounting the composite high-
[0075]
The composite high-frequency component of the present invention is not limited to the communication device 4 as a mobile phone terminal, but can be incorporated in a mobile phone terminal, a PHS terminal, and a wireless base station for these terminals. In short, the present invention can be implemented as long as the communication device includes a balun and a filter in a part of the circuit configuration.
[0076]
The materials and sizes of the
[0077]
Further, as shown in FIG. 5, the
[0078]
When the second transmission
[0079]
Furthermore, the composite high-
[0080]
In such a mounting structure, the grounding state can be strengthened. In this case, the second transmission
[0081]
Conversely, the composite high-
[0082]
Further, as shown in FIG. 7,
[0083]
One of the end surface electrodes (14a, 24a) and (23a, 40) provided on the same side surface is connected to the
[0084]
In the configuration shown in FIG. 7,
[0085]
Further, in the configuration shown in FIG. 7, the width w1 of the
[0086]
Setting w1 <w2 also has the following advantages. In the configuration of the composite high-
[0087]
If the
[0088]
On the other hand, in the configuration shown in FIG. 7, regions where the
[0089]
7, one of the
[0090]
Further, the connection between the dielectric layers of the
[0091]
In general, forming a via electrode can reduce the manufacturing cost, rather than forming an end face electrode. Therefore, by connecting any one of the
[0092]
Further, the
[0093]
Further, the composite high-
[0094]
Furthermore, the composite high-
[0095]
As described above, in this embodiment, a wireless circuit using a balun or a filter and a communication device such as a mobile phone terminal using the wireless circuit can be further reduced in size.
[0096]
(Second embodiment)
FIG. 8 shows a transmission-side wireless circuit section of a communication device using the composite high-
[0097]
The transmitting-side wireless circuit unit according to the present embodiment includes a composite high-
[0098]
The composite high-
[0099]
The
[0100]
Next, the operation of the transmission-side wireless circuit unit according to the present embodiment thus configured will be described.
[0101]
The
[0102]
The
[0103]
The
[0104]
Next, the composite high-
[0105]
FIG. 9 shows an internal circuit configuration of the composite high-
[0106]
In the circuit of FIG. 9, the
[0107]
The
[0108]
One capacitance electrode of the input /
[0109]
A
[0110]
One end of the
[0111]
FIG. 10 is an exploded perspective view of the composite high-
[0112]
The laminate composed of the
[0113]
The laminate has a pair of side surfaces facing each other (hereinafter, referred to as a pair of opposed side surfaces). The
[0114]
The
[0115]
The
[0116]
First to third shield electrode layers 141 to 143 are formed on the upper surfaces of the
[0117]
The coupling
[0118]
The second transmission
[0119]
The first and third transmission line electrode layers 120Aa and 120Ba are formed on the upper surface of the dielectric layer 133. One end of the first transmission line electrode layer 120Aa is connected to the
[0120]
The fourth transmission
[0121]
On the upper surface of the
[0122]
On the upper surface of the
[0123]
On the upper surface of the
[0124]
Next, the operation of the composite high-
[0125]
The laminated portion of the
[0126]
The
[0127]
The inter-stage coupling
[0128]
As described above, the laminated portion of the
[0129]
The laminated portion of the
[0130]
The second transmission
[0131]
The coupling
[0132]
The power supply current component supplied from the
[0133]
When the choke inductor component is insufficient in the second and
[0134]
In the structure shown in FIG. 10, the coupling
[0135]
In the internal circuit configuration of the composite high-
[0136]
In this case, the
[0137]
The stacked portion of the
[0138]
The composite high-
[0139]
The composite high-
[0140]
In the composite high-
[0141]
The composite
[0142]
The material and size of the
[0143]
In the present embodiment, the second transmission
[0144]
When the second transmission
[0145]
Further, the second transmission
[0146]
In the dielectric layer 133, the first and third transmission line electrode layers 120Aa and 120Ba are already formed. When the second transmission
[0147]
In the composite high-
[0148]
Since the composite
[0149]
In the composite high-
[0150]
In the composite high-
[0151]
In the present embodiment, when the composite high-
[0152]
In this embodiment, the connection between the dielectric layers of the
[0153]
In general, forming a via electrode is less costly than forming an end face electrode or an end face electrode. Therefore, by connecting any one of the
[0154]
Further, the same effect can be obtained even if the
[0155]
The composite high-
[0156]
The communication device of the present invention can be implemented without being limited to the transmitting-side wireless circuit of the mobile phone terminal in each of the above-described embodiments. For example, the present invention can be applied to a Bluetooth wireless module, a PHS terminal, and the like. In short, the communication device of the present invention only needs to be a communication device using the high-frequency component of the present invention for a part of its circuit.
[0157]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the size of a high-frequency component in which a balun and a filter are incorporated, and to further reduce the size of a communication device such as a mobile phone terminal in which the high-frequency component is incorporated. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a communication device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
FIG. 3 is another equivalent circuit diagram of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
FIG. 4 is an exploded perspective view showing the structure of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
FIG. 5 is an exploded perspective view showing another structure of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
FIG. 6 is an exploded perspective view showing another structure of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
FIG. 7 is a perspective view illustrating an example of an external shape of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of a transmission-side wireless circuit unit of a communication device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing an internal circuit configuration of the composite high-frequency component according to the second embodiment.
FIG. 10 is an exploded perspective view showing the structure of the composite high-frequency component according to the second embodiment.
FIG. 11A is an equivalent circuit diagram illustrating another structure of the composite high-frequency component according to the second embodiment, and FIG. 11B is another configuration of the composite high-frequency component according to the second embodiment. It is an equivalent circuit diagram.
FIG. 12A is an exploded perspective view illustrating another configuration of the composite high-frequency component according to the second embodiment, and FIG. 12B is a diagram illustrating another configuration of the composite high-frequency component according to the second embodiment. It is an exploded perspective view.
FIG. 13 is an exploded perspective view showing an example of a conventional balun.
[Explanation of symbols]
1a, 1b composite
3b filter 4 communication equipment
5
7 frequency converter 8 power amplifier
9
11
13
14a
15a input / output coupling
17a input / output coupling
16-
18a, 19a
20a first transmission
21a second transmission
22a third transmission
23a
24a
25a coupling capacitance electrode layer 30-39 dielectric layer
40
42 second
44,45
102
102b
103
105
107
108a, 108b
115 input /
116-
117 input /
118
119
120A first transmission line 120Aa first transmission line electrode layer
120B third transmission line 120Ba third transmission line electrode layer
121
122
123a
125
125b
126a end face electrode 130-140 dielectric layer
141 first
143 third shield electrode layer 144-149 end face electrode
200 power supply
Claims (35)
前記バランに電気的に接続されて所定の周波数成分を通過または減衰させるフィルタと、
を備えた複合高周波部品であって、
前記バランや前記フィルタの電極パターンを構成する電極層と、
誘電体層と、
を備え、
前記誘電体層と前記電極層とを積層一体化する複合高周波部品。A balun for converting between balanced line signals and unbalanced line signals,
A filter electrically connected to the balun to pass or attenuate a predetermined frequency component,
A composite high-frequency component comprising:
An electrode layer constituting an electrode pattern of the balun and the filter,
A dielectric layer;
With
A composite high-frequency component in which the dielectric layer and the electrode layer are laminated and integrated.
前記電極層は、
前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に配置された第1のシールド電極層と、
前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に配置された第2の伝送線路電極層と、
前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に配置された結合容量電極層と、
前記第3の誘電体層と前記第4の誘電体層との間に配置された第1の伝送線路電極層と、
前記第4の誘電体層と前記第5の誘電体層との間に配置された第3の伝送線路電極層と、
前記第5の誘電体層と前記第6の誘電体層との間に配置された第2のシールド電極層と、
前記第6の誘電体層と前記第7の誘電体層との間に配置された入出力結合容量電極層と、
前記第7の誘電体層と前記第8の誘電体層との間に配置された複数の共振器電極層と、
前記第8の誘電体層と前記第9の誘電体層との間に配置された結合容量電極層と、
前記第9の誘電体層と前記第10の誘電体層との間に配置された第3のシールド電極層と、
を有し、
前記第1〜第10の誘電体層の側面に、前記入出力結合容量電極層と前記第1の伝送線路電極層とを接続する端面電極を設ける請求項1記載の複合高周波部品。The dielectric layer has first to tenth dielectric layers sequentially stacked and arranged,
The electrode layer,
A first shield electrode layer disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer;
A second transmission line electrode layer disposed between the second dielectric layer and the third dielectric layer;
A coupling capacitor electrode layer disposed between the second dielectric layer and the third dielectric layer;
A first transmission line electrode layer disposed between the third dielectric layer and the fourth dielectric layer;
A third transmission line electrode layer disposed between the fourth dielectric layer and the fifth dielectric layer;
A second shield electrode layer disposed between the fifth dielectric layer and the sixth dielectric layer;
An input / output coupling capacitance electrode layer disposed between the sixth dielectric layer and the seventh dielectric layer;
A plurality of resonator electrode layers disposed between the seventh dielectric layer and the eighth dielectric layer;
A coupling capacitor electrode layer disposed between the eighth dielectric layer and the ninth dielectric layer;
A third shield electrode layer disposed between the ninth dielectric layer and the tenth dielectric layer,
Has,
2. The composite high-frequency component according to claim 1, wherein an end face electrode for connecting the input / output coupling capacitance electrode layer and the first transmission line electrode layer is provided on a side surface of the first to tenth dielectric layers.
前記電極層は、
前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に配置された第1のシールド電極層と、
前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に配置された第2の伝送線路電極層と、
前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に配置された第3の伝送線路電極層と、
前記第3の誘電体層と前記第4の誘電体層との間に配置された第1の伝送線路電極層と、
前記第4の誘電体層と前記第5の誘電体層との間に配置された第2のシールド電極層と、
前記第5の誘電体層と前記第6の誘電体層との間に配置された入出力結合容量電極層と、
前記第6の誘電体層と前記第7の誘電体層との間に配置された複数の共振器電極層と、
前記第7の誘電体層と前記第8の誘電体層との間に配置された結合容量電極層と、
前記第8の誘電体層と前記第9の誘電体層との間に配置された第3のシールド電極層と、
を有し、
前記第1〜第10の誘電体層の側面に、前記入出力結合容量電極層と前記第1の伝送線路電極層とを接続する端面電極を設ける請求項1記載の複合高周波部品。The dielectric layer has first to ninth dielectric layers sequentially stacked and arranged,
The electrode layer,
A first shield electrode layer disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer;
A second transmission line electrode layer disposed between the second dielectric layer and the third dielectric layer;
A third transmission line electrode layer disposed between the second dielectric layer and the third dielectric layer;
A first transmission line electrode layer disposed between the third dielectric layer and the fourth dielectric layer;
A second shield electrode layer disposed between the fourth dielectric layer and the fifth dielectric layer;
An input / output coupling capacitance electrode layer disposed between the fifth dielectric layer and the sixth dielectric layer;
A plurality of resonator electrode layers disposed between the sixth dielectric layer and the seventh dielectric layer;
A coupling capacitor electrode layer disposed between the seventh dielectric layer and the eighth dielectric layer;
A third shield electrode layer disposed between the eighth dielectric layer and the ninth dielectric layer,
Has,
2. The composite high-frequency component according to claim 1, wherein an end face electrode for connecting the input / output coupling capacitance electrode layer and the first transmission line electrode layer is provided on a side surface of the first to tenth dielectric layers.
前記電極層は、
前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に配置された第1のシールド電極層と、
前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に配置された第1の伝送線路電極層と、
前記第3の誘電体層と前記第4の誘電体層との間に配置された第2の伝送線路電極層と、
前記第3の誘電体層と前記第4の誘電体層との間に配置された第3の伝送線路電極層と、
前記第4の誘電体層と前記第5の誘電体層との間に配置された第2のシールド電極層と、
前記第5の誘電体層と前記第6の誘電体層との間に配置された入出力結合容量電極層と、
前記第6の誘電体層と前記第7の誘電体層との間に配置された複数の共振器電極層と、
前記第7の誘電体層と前記第8の誘電体層との間に配置された結合容量電極層と、
前記第8の誘電体層と前記第9の誘電体層との間に配置された第3のシールド電極層と、
を有し、
前記第1〜第10の誘電体層の側面に、前記入出力結合容量電極層と前記第1の伝送線路電極層とを接続する端面電極を設ける請求項1記載の複合高周波部品。The dielectric layer has first to ninth dielectric layers sequentially stacked and arranged,
The electrode layer,
A first shield electrode layer disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer;
A first transmission line electrode layer disposed between the second dielectric layer and the third dielectric layer;
A second transmission line electrode layer disposed between the third dielectric layer and the fourth dielectric layer;
A third transmission line electrode layer disposed between the third dielectric layer and the fourth dielectric layer;
A second shield electrode layer disposed between the fourth dielectric layer and the fifth dielectric layer;
An input / output coupling capacitance electrode layer disposed between the fifth dielectric layer and the sixth dielectric layer;
A plurality of resonator electrode layers disposed between the sixth dielectric layer and the seventh dielectric layer;
A coupling capacitor electrode layer disposed between the seventh dielectric layer and the eighth dielectric layer;
A third shield electrode layer disposed between the eighth dielectric layer and the ninth dielectric layer,
Has,
2. The composite high-frequency component according to claim 1, wherein an end face electrode for connecting the input / output coupling capacitance electrode layer and the first transmission line electrode layer is provided on a side surface of the first to tenth dielectric layers.
前記容量と前記バランとの間に設けられた補助接続端子と、
を有する請求項1記載の複合高周波部品。A capacitor provided between the balun and ground;
An auxiliary connection terminal provided between the capacitor and the balun;
The composite high-frequency component according to claim 1, comprising:
前記バランに接続されて、前記電源供給部から電源を供給される能動素子と、
を有する請求項25記載の複合高周波部品。A power supply unit connected to the auxiliary connection terminal;
An active element connected to the balun and supplied with power from the power supply unit;
26. The composite high-frequency component according to claim 25, comprising:
一方の伝送線路対は互いに電磁界結合された第1,第2の伝送線路を有し、
前記第1の伝送線路の一端に第1の接続端子を、前記第2の伝送線路の一端に第2の接続端子をそれぞれ設け、
他方の伝送線路対は互いに電磁界結合された第3,第4の伝送線路を有し、
前記第4の伝送線路の一端に第3の接続端子を設け、
前記第2の接続端子と前記第3の接続端子とにより平衡端子を構成し、
前記第1の伝送線路の他端と前記第3の伝送線路の一端とを結合し、
前記第2,第4の伝送線路の他端それぞれを前記容量を介して接地し、
前記第2,第4の伝送線路の他端と前記容量との間に前記補助接続端子を設ける請求項25記載の複合高周波部品。The balun has two transmission line pairs,
One transmission line pair has first and second transmission lines electromagnetically coupled to each other,
A first connection terminal provided at one end of the first transmission line, and a second connection terminal provided at one end of the second transmission line;
The other transmission line pair has third and fourth transmission lines electromagnetically coupled to each other,
A third connection terminal is provided at one end of the fourth transmission line,
A balanced terminal is constituted by the second connection terminal and the third connection terminal;
Coupling the other end of the first transmission line and one end of the third transmission line,
The other ends of the second and fourth transmission lines are grounded via the capacitors,
26. The composite high-frequency component according to claim 25, wherein the auxiliary connection terminal is provided between the other ends of the second and fourth transmission lines and the capacitor.
前記インダクタンスと前記誘電体層と前記電極層とを積層一体化する請求項25記載の複合高周波部品。Providing an inductance between the auxiliary connection terminal and the balun,
26. The composite high-frequency component according to claim 25, wherein the inductance, the dielectric layer, and the electrode layer are laminated and integrated.
請求項27記載の複合高周波部品。Arranging the transmission line pairs of each set on the same plane,
A composite high-frequency component according to claim 27.
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---|---|
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108814A (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | Balance filter |
JP2006121404A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | Balance filter |
WO2007086405A1 (en) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Balun and electronic device using this |
WO2007100003A1 (en) | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Soshin Electric Co., Ltd. | Module and passive part |
JP2007318661A (en) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Kyocera Corp | Bandpass filter, high frequency module using the same and radio communication device using the same |
US7397328B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-07-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Balanced filter device |
JP2008167105A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Metals Ltd | Laminated balun transformer and high frequency component |
JP2009033524A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | Bandpass filter and radio communication module and radio communication equipment using the same |
JP2010154474A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | Thin-film balun |
JP2010154473A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | Thin-film balun |
JPWO2009005079A1 (en) * | 2007-07-03 | 2010-08-26 | 双信電機株式会社 | Unbalanced to balanced converter |
US7800465B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-21 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passive component |
JP2011015082A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Tdk Corp | Thin-film balun |
JP2011015197A (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Tdk Corp | Thin film balun |
JP2011015081A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Tdk Corp | Thin-film balun |
JP2011044961A (en) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Tdk Corp | Thin-film balun |
US8648667B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-02-11 | Tdk Corporation | Thin film balun |
US8797118B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-08-05 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passive component |
-
2002
- 2002-08-02 JP JP2002225843A patent/JP2004056745A/en not_active Withdrawn
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108814A (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | Balance filter |
US7397328B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-07-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Balanced filter device |
US7868718B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-01-11 | Taiyo Yuden, Co., Ltd. | Balanced filter device |
JP2006121404A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | Balance filter |
US7800465B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-21 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passive component |
US7595703B2 (en) | 2006-01-25 | 2009-09-29 | Panasonic Corporation | Balun and electronic device using this |
WO2007086405A1 (en) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Balun and electronic device using this |
CN101326678B (en) * | 2006-01-25 | 2012-07-25 | 松下电器产业株式会社 | Balance-unbalance converter and electronic device using this |
US8040208B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-10-18 | Soshin Electric Co., Ltd. | Module and passive part |
WO2007100003A1 (en) | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Soshin Electric Co., Ltd. | Module and passive part |
JP2007318661A (en) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Kyocera Corp | Bandpass filter, high frequency module using the same and radio communication device using the same |
JP2008167105A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Metals Ltd | Laminated balun transformer and high frequency component |
JPWO2009005079A1 (en) * | 2007-07-03 | 2010-08-26 | 双信電機株式会社 | Unbalanced to balanced converter |
US8228133B2 (en) | 2007-07-03 | 2012-07-24 | Soshin Electric Co., Ltd. | Unbalanced-balanced converter |
JP2009033524A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | Bandpass filter and radio communication module and radio communication equipment using the same |
US8797118B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-08-05 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passive component |
JP2010154473A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | Thin-film balun |
JP2010154474A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | Thin-film balun |
US8648667B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-02-11 | Tdk Corporation | Thin film balun |
JP2011015081A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Tdk Corp | Thin-film balun |
JP2011015082A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Tdk Corp | Thin-film balun |
US9077059B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-07-07 | Tdk Corporation | Thin film balun |
US9300023B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-03-29 | Tdk Corporation | Thin film balun |
JP2011015197A (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Tdk Corp | Thin film balun |
JP2011044961A (en) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Tdk Corp | Thin-film balun |
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