JP2004054281A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 画像表示領域を有する電気光学装置であって、基板上に、
   前記データ線と、
   前記データ線に交差する方向に沿って形成された走査線と、
   前記走査線及び前記データ線の交点に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタに対応して設けられ、マトリクス状に配列された画素電極と、
   前記画像表示領域に寄与することとなる光が透過する領域の少なくとも一部を除く領域に形成され、少なくとも前記データ線表面上及び前記走査線上に格子状となるように形成された窒化膜と、
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記窒化膜は、前記画素電極、前記走査線及び前記データ線が形成される領域として規定される画像表示領域の周囲に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記窒化膜は、前記画像表示領域の周囲の他、前記データ線上にのみ形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記窒化膜は、前記基板上における光透過領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記データ線上に形成される前記窒化膜の幅は、該データ線の幅よりも大きくされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記窒化膜の縁は、前記データ線の縁よりも、その両側につきそれぞれ０．１〜２．２μｍだけ大きくされていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記窒化膜の厚さは、３〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記基板に電気光学物質を挟んで対向する他の基板と、該他の基板上に前記走査線及び前記データ線と位置的に対応するように形成された遮光膜を更に備え、
   前記窒化膜の幅は、前記遮光膜の幅よりも小さくされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記窒化膜の縁は、前記遮光膜の縁よりも、その両側につきそれぞれ１μｍ以内で小さく形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 前記基板に電気光学物質を挟んで対向する他の基板と、
    該他の基板上に前記走査線及び前記データ線と位置的に対応するように形成された遮光膜を更に備え、
    前記窒化膜の幅は、前記遮光膜の幅よりも大きくされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記窒化膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。