JP2004022434A - Organic electroluminescent element and its manufacturing method - Google Patents

Organic electroluminescent element and its manufacturing method Download PDF

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JP2004022434A
JP2004022434A JP2002178174A JP2002178174A JP2004022434A JP 2004022434 A JP2004022434 A JP 2004022434A JP 2002178174 A JP2002178174 A JP 2002178174A JP 2002178174 A JP2002178174 A JP 2002178174A JP 2004022434 A JP2004022434 A JP 2004022434A
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Migaku Tada
多田 琢
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Victor Company of Japan Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element having a luminescent layer with excellent emission efficiency and durability, and easy to manufacture. <P>SOLUTION: This organic electroluminescent element is composed by sequentially stacking, on a substrate 1, a positive electrode 2, an organic electroluminescent layer 8A having at least the luminescent layer 4A, and a negative electrode 5. The luminescent layer 4A is formed with: a polymer luminescent material; a low-molecular-weight luminescent material containing a phenylcarbazole group and having a second emission wavelength different from a first emission wavelength of the polymer luminescent material; and a low-molecular-weight luminescent material having a third emission wavelength longer than the first and second emission wavelengths. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法に係り、特に、有機エレクトロルミネセンス発光層を、主に発光性高分子材料より構成し、この発光層に複数の発光性低分子材料を含有させて、低電圧駆動においても、高効率発光を可能とする発光層を有する有機エレクトロルミネセンス素子、及びその発光層の微細パターニングに好適な有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネセンス素子(以下、単に有機EL素子ともいう)は、高速応答性を有し、視野角依存性の無い自発光を、低消費電力で発光する表示素子として、期待され、次世代のディスプレイ等への応用が検討されている。
車載オーディオ用表示パネルとしては、モノカラーを部分的に組み合わせたエリアカラー方式の有機EL素子が実用化されている。携帯電話用には、RGBの微細素子(サブピクセル)をそれぞれマスク蒸着法によりパターニング形成したカラー表示有機EL素子が実用化されている。
【0003】
赤、緑、青(RGB)に対応した表示素子を組み合わせればフルカラー表示も可能であることから、低電圧で駆動して高輝度の発光が可能な高性能有機EL素子についての検討が種々なされている。
図2は、Tangらの報告(Applied Physiscs Letters,51(12),913−915(1987))に示されるような有機EL素子の基本構成を示す概略断面図である。
同図に示すように、有機EL素子10は、透明基板1上に、それぞれ所定形状の陽極2、有機エレクトロルミネセンス層(以下、単に有機EL層ともいう)8、陰極5を順次積層したものより構成されている。
【0004】
基板1は例えばガラスから構成される。
陽極2は、大きな仕事関数を有し透明な物質、例えばインジウム−スズ酸化物(Indium−Tin Oxide:以下、単にITOともいう)から構成される。
有機EL層8は、例えば正孔輸送層3及び発光層4から構成される。なお、有機EL層8には、単一の層よりなる単層型や、複数の異なる材料を電荷注入性、電荷輸送性、発光性等の機能別に積層した積層型等、いろいろの構成がある。
【0005】
正孔輸送層3の例としては、アリールアミン化合物がある。
発光層4を構成する有機材料としては、蛍光性を有する共役および非共役高分子材料から低分子材料、金属錯体さらには燐光発光性を有し非常に高効率で発光する重金属錯体まで幅広く使用される。これらの形成法は、材料により、溶液からの塗布等の湿式法又は真空蒸着などの乾式法とかが選択される。電子輸送性の発光層4の例としては、トリス(8−キノリナート)アルミニウム有機金属錯体(以下、単にAlq3ともいう)がある。
【0006】
陰極5としては、例えばアルミニウム−マグネシウム合金からなる金属電極が形成される。
陽極2と陰極5との間に電源6により所定の電圧を印加すると、陽極2から注入された正孔は正孔輸送層3を通して発光層4に注入され、一方、陰極5から注入された電子は発光層4中を移動し、電子と正孔が発光層4中で結合して、発光光7を放出する。
この発光光7は透明な陽極2と透明基板1を通して、外部に取り出される。このときの発光色は、発光層4の発光色に依存し、単色発光であり、Alq3の場合には、緑色発光である。
発光色は、発光層4にドーピングされる色素によって選択される。
また,最近では緑色燐光発光性のIr錯体fac−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムIr(ppy)3を用いた高効率な発光素子がBaldoらにより報告されている(Applied Physiscs Letters,74(1),4−6(1999))。そこでは、発光材料のホスト材料としてN−フェニルカルバゾールを有する低分子化合物4,4‘−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)が使用されている.
この燐光発光材料Ir(ppy)3を高分子発光層中に分散した素子は,Yangらにより報告されており(Japanese Journal of Applied Physics,39,L828−L829(2000))、電子輸送層をオキサジアゾール化合物で真空成膜したタイプの素子で低分子素子と同様な高効率素子が得られている.
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、発光光を外部に取り出しフルカラーディスプレイとするには、赤、緑、青色発光(RGB)の三種の微細な素子(サブピクセル)を組み合わせて一つの画素(ピクセル)を構成する必要がある。
【0008】
発光層4として低分子材料を用いる場合には、発光層4の形成は乾式法例えば蒸着法により行われる。ここでは、フォトリソグラフィー技術を用いることが出来ないので、マスクを用いた蒸着法になる。微細なピクセル形状の蒸着マスクを、発光層4を形成する基板1上に配置して、基板1とは非接触かつ隙間が出来ないように、高精度(サブピクセルのサイズ)に移動、位置決めすることが必要である。しかし、高精細表示を可能にするため、画素の面積(サイズ)が微細化すれば、これらを実現することは極めて困難となり、生産性の低下は免れないという問題がある。
【0009】
一方、発光層4として、高分子材料を用いる場合は、発光層4の形成は湿式法により行われる。湿式法で発光層4を形成するのは比較的容易である。しかし、高分子材料は、正孔輸送性を示すものが多く、単層の発光層4では十分な特性を確保できない。そのため、電子輸送性を示す低分子材料の層と組み合わせて2層にする構成が必要となるが、蒸着法と湿式法で2層を構成するのは、容易でない。また、発光層4の上に、電子輸送性を示す高分子材料の層を湿式法で形成するのは困難であるという問題がある。
【0010】
これに対して、正孔輸送性を有する高分子材料からなる単層の発光層を形成しておき、この発光層中に電子輸送性を有する低分子材料及び/又は正孔輸送性を有する低分子材料を分散・添加する方式が森らにより提案されている(第38回応用物理学関係連合講演会予稿集,1086(1991))。発光色に対応して、これら発光材料(以下、色素ともいう)である低分子材料を選択することによって、青、緑、赤色のサブピクセルを形成して、フルカラーに対応しようとするものである。
【0011】
ここで、電子輸送性を示す材料としては、オキサジアゾール化合物やトリアゾール化合物が知られている。しかし、これらの材料は、電子輸送性が高いので、発光効率を向上することが出来るが、それ自身が再結合サイトになり易く、高分子材料とは寿命の短いエキサイプレックスを形成し易く、耐久性が得られないという問題があった。
【0012】
一方、色素を添加する方法として、特開平7−235378号公報にはインクジェット法、印刷法等が開示されている.それに対し、本願出願人は、微細化に適した方法を特開2001−313166号公報において提案した。
この方法で一層のサブピクセルの微細化を行うと、サブピクセル間にサブミクロンの重なりが発生するという問題があり、この改善が求められていた。
【0013】
そこで本発明は、上記の問題を解決して、第1の目的として、発光効率が良好であると共に耐久性の優れた、製造の容易な発光層を有する有機エレクトロルミネセンス素子を提供するものであり、第2の目的として、その発光層の微細な画素パターンを生産性良く形成する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法を提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、第1の発明は、基板上に、第1の電極と、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネセンス層と、第2の電極とを順次積層した、有機エレクトロルミネセンス素子において、前記発光層を高分子発光材料と、前記高分子発光材料の第1の発光波長とは異なる第2の発光波長を有するフェニルカルバゾール基を含有する第1の低分子発光材料と、前記第1及び第2の発光波長より長波長である第3の発光波長を有する第2の低分子発光材料とから構成したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子である。また、第2の発明は、第1の基板上に逆テーパーパターンを有するフォトレジスト層を形成する工程と、前記逆テーパー状パターンから露出した前記第1の基板上に色素部を形成する工程と、第2の基板上に画素電極、発光層を順次形成する工程と、前記フォトレジスト層側を前記発光層側に対向させて、前記第1の基板を前記第2の基板上に載置した後、密着する工程と、密着した前記第1の基板及び前記第2の基板を加熱して、前記画素電極に対応する前記発光層中に前記色素部を拡散して、色素層を形成する工程と、前記第1の基板を前記第2の基板上から離間させた後、前記色素層上に共通電極を形成する工程と、からなることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。なお、参照符号については、説明の簡便のため、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略してある。
図1は、本発明の有機EL素子の一実施例の基本構成を示す概略断面図である。
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子10Aは、透明基板1上に、透明な陽極2と、少なくとも発光層4Aを有する有機エレクトロルミネセンス層8Aと、陰極5とを順次積層した有機エレクトロルミネセンス素子において、前記発光層4Aを高分子発光材料と、前記高分子発光材料の第1の発光波長とは異なる第2の発光波長を有するフェニルカルバゾール基を含有する低分子発光材料と、前記第1及び第2の発光波長より長波長である第3の発光波長を有する低分子発光材料とから構成したものである。
【0016】
発光層4Aの主成分を構成する高分子材料としては、ポリフルオレン化合物、ポリフェニレンビニレン化合物、ポリチオフェン化合物、ポリビニルカルバゾール化合物、ポリビニルフェニルカルバゾール化合物、ポリフェニルカルバゾール化合物、ポリビフェニルカルバゾール化合物、ポリターフェニルカルバゾール化合物、ポリカーボネート化合物、ポリアセチレン化合物等のポリマーを用いることが出来る。また、これらのポリマーと、電荷注入機能、電荷輸送機能、色度改善機能を持たせた分子団とのコポリマーを用いることができる。
【0017】
これらの高分子材料に拡散する色素(後述する低分子材料)へのエネルギー移動をさせるために、高分子材料の発光波長は、青色領域から紫外領域間の短波長が望ましく、ピーク波長は490nm以下、エネルギーギャップを2.5eV以上にすることが望ましい。より好ましくは、エネルギーギャップを2.8eV以上にする。
【0018】
上述の高分子材料層の成膜には、通常の湿式法すなわちスピンコート法、キャスト法、ディップ法、スプレー法、ダイコート法、エクストルージョン法、ラングミュアーブロジェット法等を用いることが可能である。高分子材料層の厚みは5〜200nmの範囲内であれば良く、好ましくは20〜100nmの範囲内である。
【0019】
高分子材料層に電子輸送性材料を添加する。電子輸送材料は正孔輸送性の高い高分子材料にとっては、キャリア注入とそのバランスを保つのに必要不可欠なものである。しかしながら、オキサジアゾール化合物やトリアゾール化合物のように電子輸送性が高いものでは、発光効率は向上するが、それ自身が再結合サイトになりやすく、高分子材料と寿命の短いエキサイプレックスを形成しやすく耐久性が得られない、また分離凝集し易い。また,フェナントロリン化合物やバソクプロイン化合物は、その平面構造のために結晶化し易く、これらもまた耐久性が得られにくい。
【0020】
この場合は、やや電子輸送性が低くても正孔輸送性もあるようなバイポーラ性を有し酸化還元に対して安定な挙動を示すN−フェニルカルバゾール基を含有する低分子材料を添加することが好ましい。こうした化合物はビフェニル基、ターフェニル基の両端に結合したN−フェニルカルバゾールを有するものが望ましい。また、これらの材料は、その発光域が紫外〜青域であるため、他の材料に励起エネルギーを伝え易い性質も有しており好適である。
【0021】
図3は、N−フェニルカルバゾール基を含有する低分子材料の一例の化学構造式である。
同図に示すように、n=2でキャリア輸送性はバイポーラ性を有する。
n=2のとき、N,N’−ジカルバゾール−ビフェニルである(発光波長λmax=420nmである)。
次に、発光色を決める低分子発光材料としては、蛍光発光性色素、燐光発光性色素、及び有機金属錯体のうち、蛍光性および燐光性を有し、赤緑青色(RGB)を発色するものであれば使用可能である。
【0022】
赤色(以下,単にRともいう)の色素としては、ポルフィリン化合物、クロリン化合物、ペリレン化合物、ジシアノピラン化合物、スクアリリウム化合物、ジスチリル化合物、ユーロリジン化合物、クマリン化合物、有機金属錯体化合物等の色素を用いることが出来る。
また、緑色(以下,単にGともいう)の色素としては、クマリン化合物、キナクリドン化合物、キノリノール金属錯体化合物、有機金属錯体化合物等の色素を用いることが出来る。
また、青色(以下,単にBともいう)の色素としては、ジスチリルアリール化合物、ジアリールアミン化合物、トリアリールアミン化合物、テトラフェニルブタジエン、ペリレン、キノリノール金属錯体化合物、有機金属錯体化合物等の色素を用いることが出来る。
【0023】
上述の有機金属錯体としては、中心金属が白金属から構成されるのが好ましく、Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Ptの中から選ばれる。配位子は、それぞれ中心金属に応じて2から6配位までの形をとる。配位する元素としては、C,O,N,S等がある。配位子は、キノリナート誘導体、ベンゾキノリナート誘導体、フェニルピリジナート誘導体、ベンゾチエニルピリジナート誘導体、ポルフィン誘導体等が知られており、中心金属と配位子との相互作用により異なる発光色の有機金属錯体が得られる。青色〜赤色の発光材料を適宜選択すればよい。
【0024】
金属有機錯体の例を図4に示す。
図4は、金属有機錯体からなる色素の化学構造式である。
図4の(a)は、M=Ir、m=3のとき、fac−トリス(2−フェニルピリジナート−N,C2’)イリジウムを示し、最大発光波長λmaxは510nmである。
図4の(b)は、M=Ir,n=2のとき、ビス(2−(2‘−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナート−N,C3’)イリジウム(アセチルアセテート)を示し、最大発光波長λmaxは616nmである。また、M=Pt、n=1のとき、ビス(2−(2‘−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナート−N,C3’)プラチナ(アセチルアセテート)を示し、最大発光波長λmaxは610nmである。
【0025】
図4の(c)は、M=Ir,n=2のとき、ビス(2−フェニルピリジナート−N,C2’)イリジウム(アセチルアセテート)を示し、最大発光波長λmaxは516nmである。
図4の(d)は、M=Ir,n=2のとき、ビス(4,6−ジ−フルオロフェニル)−ピリジナート−N,C2’)イリジウム(ピコリナート)を示し、最大発光波長λmaxは475nmである。
ここで、有機EL層8Aとしては、主に高分子材料からなる発光層4Aが形成されるが、一層高効率な有機EL素子を形成するのに、必要に応じて、電極2,5と発光層4A間に、電荷注入層あるいは電荷輸送層を設ける。
【0026】
陽極2と発光層4A間には、ポリチオフェン化合物/ポリスチレンスルフォネート化合物の混合物、ポリアニリン化合物あるいはフタロシアニン化合物等の正孔注入層や複数個のトリアリールアミン基を分子内に含有する正孔輸送性高分子層を必要に応じて形成する。
陰極5と発光層4A間には、BAlq等のアルミニウムキノリノラト錯体、バソクプロイン化合物、フェナントロリン化合物やトリアゾール化合物などの正孔阻止層、キノリノール金属錯体やオキサゾール化合物などの電子輸送層、アルカリ金属、アルカリ土類金属のフッ化物や酸化物などの電子注入層を必要に応じて形成する。
陰極としては、Al、Mg、Li、Ca、Cs等の仕事関数の低い金属あるいはその合金からなる電極さらに必要に応じて透明電極が形成される。
【0027】
次に、発光色素の機能について説明する。
発光層4Aに複数の発光色素(材料)が添加分散されていると、短波長側の発光材料の励起エネルギーから長波長側の発光材料へのエネルギー移動を利用して長波長側の発光材料の発光効率を高めることができる。この場合には、短波長側の発光材料の発光スペクトルと長波長側の発光材料の吸収スペクトルの重なりが大きいほどエネルギー移動の効率が良くなる。
【0028】
また、発光母材(主成分)の発光波長が紫外〜青領域にあり、発光ドーパント(添加成分)が赤色色素である場合には、前述のスペクトルの重なりが少なく且つエネルギーギャップが大きすぎるためエネルギーの移動効率は良くない場合が多い。こうした場合には、エネルギー移動を仲介させるような緑からオレンジ領域に発光および吸収スペクトルを有する材料を用いて青から赤へのエネルギー移動の効率を向上させることができる。この仲介をする材料はアシストドーパントとも呼ばれ、この手法はエネルギーアシスト法とも言われる。このアシストドーパントが緑発光材料であれば、赤緑青(RGB)それぞれに発光とエネルギー移動の機能を持たせることが可能である。
【0029】
そこで、カラー画素を構成するサブピクセルが青色用(以下青色画素ともいう)には、青色発光材料を用いる。緑色用のサブピクセル(以下、緑色画素ともいう)には、緑色発光材料に加えて青色発光材料も含有させる。こうすることにより青から緑へのエネルギー移動がさらに向上する。また、赤色用のサブピクセル(以下,赤色画素ともいう)には、赤色発光材料に加えて、緑色および青色発光材料を含有させ、緑色材料にアシストドーパントの機能も持たせる。これにより、短波長側のエネルギーは効率よく赤色材料に移動することになり,赤色材料の効率が向上する。
【0030】
赤緑青(RGB)色それぞれの発光色素が蛍光発光色素である場合、色素を拡散させる母材となる高分子発光材料の発光ピーク波長が紫外から青色の高エネルギー領域にあること、且つ、フェニルカルバゾール基を有する低分子材料が分散してあることが望ましい。青色サブピクセルには青色蛍光発光色素、緑色サブピクセルには青色発光材料を予め分散してあってもよく、後で拡散させてもよい。緑色(G)、赤色(R)の発光色素は拡散させることになる。拡散順序は青色(B)、緑色(G)、赤色(R)の順が好ましい。これは短波長発光材料からのエネルギーを効率よく所定の発光色素へ移動させるためである。
【0031】
母材への青色発光色素の拡散は、効率向上や色純度向上のために行われる。緑色発光部は、青色(B)色素を含む母材へ少なくとも緑色発光色素を拡散して緑色発光色素へのエネルギー移動を容易にして、発光効率のよい緑色発光が得られる緑色発光部とする。赤色発光部は、青色(B)色素を含む母材に緑色(G)色素も含有しており、赤色(R)色素への青色(B)母材からのエネルギー移動を容易にさせる。ここで、緑色(G)色素が存在しないと青色(B)エネルギーが赤色(R)色素へ完全に移動せず青色()B発光を残したままとなり、極端な場合には青色(B)と赤色(R)の発光により発光が白色系となる。また、赤色(R)色素の濃度管理は他の色素に比べて重要であり、最適な発光効率が得られる濃度にする必要がある。従って、青色(B)色素、緑色(G)色素の拡散が終了した後に、赤色(R)色素を拡散することが望ましい。
【0032】
一方、発光色素を全て燐光発光材料から構成するには、一般的に燐光発光材料は可視域での大きな吸収はなく、紫外から青域に吸収が大きいため、高エネルギー領域で発光する母材の高分子材料とフェニルカルバゾール基を有する低分子材料からのエネルギー移動を利用する。従って、同じサブピクセル内に可視領域で発光する蛍光発光材料が存在していると、紫外から青領域のエネルギーが蛍光発光材料に流れて同時に発光してしまい色度を低下させる原因となるので注意が必要である。
【0033】
以上をまとめると、サブピクセルに含有される発光色素の組合せとしては、下記の図5の示すような組合せが考えられる。
図5は、画素内に拡散する発光色素の組合せ例を示す図である。
同図において、左欄は、組合せの番号を示し、各記号は次のとおりである。Bは青色、Gは緑色、Rは赤色をそれぞれ示し、pは燐光色素を、fは蛍光色素をそれぞれ示す。すなわち、例えば、Bpは青色に発光する燐光色素(青色燐光色素)を示す。
ここで、番号2、番号4、番号8、番号11は、赤色蛍光色素単独で存在しているため発光効率が低下することが考えられる。番号1、番号3、番号5、番号6、番号7、番号9、番号10、又は番号12が好ましい。
【0034】
以下、各実施例、比較例を説明する。
<第1実施例>
基板1には、厚さ0.7mm、50mm角の無アルカリガラス基板を使用した。この基板1上に、シート抵抗が20Ω/cmであるインジウムスズ酸化物(ITO)膜(陽極2である)を形成した。次に、ITO膜を形成後、中性洗剤、純水、アセトン、及びIPA中で、順次、それぞれ10分間ずつ超音波洗浄を行った後、酸素プラズマ中で2分間表面処理を行った。
【0035】
この後、ITO膜上に、正孔注入層3Aとして、厚さ60nmのポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネート(PEDT/PSS)(商品名Baytron4083、バイエル社製)層を形成した。
次に、正孔注入層3A上に、スピンコート法により、厚さ70nmの発光層4Aを形成した。発光層4Aは、高分子発光材料であるポリビニルカルバゾール(PVK)中へ低分子発光材料として、4,4‘−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、およびfac−トリス(2−フェニルピリジナート)イリジウム(III)をそれぞれPVKに対して30wt%,7wt%分散したものより構成されている。
【0036】
発光層4Aを乾燥後、基板1を真空蒸着装置にセットし、陰極5として厚さ30nmのCa層と、厚さ300nmのAg層を蒸着成膜した。
この後、露点温度−70℃の窒素ガス雰囲気下で、ガラスキャップと紫外線硬化樹脂を用いて、1分間紫外線照射により接着剤を硬化させて、封止して第1実施例の有機EL素子を形成した。
得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、最高輝度電流効率で19cd/Aであった。
【0037】
<第1比較例>
第1実施例の有機EL素子において、発光層4Aに分散した低分子発光材料のCBPに代えて、2−(4−ビフェニルイル)−5−(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾール(PBD)を30wt%分散したものを用いた以外は、第1実施例と同様にして、第1比較例の有機EL素子を得た。得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、最高輝度電流効率は19cd/Aであった。
【0038】
<第2実施例>
基板1には、厚さ0.7mm、50mm角の無アルカリガラス基板を使用した。この基板1上に、シート抵抗が20Ω/cmであるインジウムスズ酸化物(ITO)膜(陽極2である)を形成した。次に、ITO膜を形成後、中性洗剤、純水、アセトン、及びIPA中で、順次、それぞれ10分間ずつ超音波洗浄を行った後、酸素プラズマ中で2分間表面処理を行った。
この後、ITO膜上に、正孔注入層3Aとして、厚さ60nmのポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネート(PEDT/PSS)(商品名Baytron4083、バイエル社製)層を形成した。
【0039】
次に、正孔注入層3A上に、スピンコート法により、厚さ70nmの発光層4Aを形成した。発光層4Aは、高分子発光材料であるポリビニルカルバゾール(PVK)中へ低分子発光材料として、4,4‘−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)を分散したものである。組成比はPVK:CBP=77wt%:23wt%とした。
一方、厚さ40nmである緑色発光色素fac−トリス(2−フェニルピリジナート)イリジウム(III)膜(緑色色素膜である)を、厚さ100nmである剥離用Au層を
介して、表面加工済みシリコン基板に形成した。
【0040】
基板1とシリコン基板を、発光層4Aと緑色色素膜とが対向するように配置し、窒素ガス雰囲気中加熱炉で、195℃,10分間加熱し、緑色色素を発光層4Aに拡散した。加熱炉から、取り出し、シリコン基板を基板1から離間した後、基板1を真空蒸着装置にセットし、陰極5として厚さ30nmのCa層と、厚さ300nmのAg層を蒸着成膜した。
この後、露点温度−70℃の窒素ガス雰囲気下で、ガラスキャップと紫外線硬化樹脂を用いて封止を行い、第2実施例の有機EL素子を形成した。
得られた有機EL素子の陽極2及び陰極5間に通電すると、緑色発光が得られ、100cd/m発光時のピーク波長は520nmであり、電流効率は16cd/A,CIE色度は(0.28,0.58)であった。
【0041】
<第2比較例>
第2実施例において、発光層4Aの組成をPVK:PBD=77wt%:23wt%とした以外は、第2実施例と同様にして、第2比較例の有機EL素子を形成した。
陽極2及び陰極5間に通電すると、緑色発光が得られた。100cd/m発光時のピーク波長は520nmであり、電流効率は10cd/A、CIE色度は(0.26,0.52)であり、波長はほぼ同等であった。
【0042】
このように第1及び第2実施例においては、高効率な発光を得ることができた。
第1比較例と対比すると、発光層4Aを構成する母材の高分子発光材料へ添加するキャリア輸送材としては、電子移動度の高いジアゾール系もフェニルカルバゾール系も同様に良好であることが分かる。
しかしながら、微細にパターニングを行う場合の第2比較例と対比すると、緑色色素を高分子材料母材(発光層)に拡散するときの加熱工程を経た場合の両者の特性には差が生じている.電子輸送材それぞれの融点をみると、第2実施例のCBPが281℃,第2比較例のPBDが136℃と大きく異なるために、素子特性に差が生じていることが推定される。すなわちPBDでは融点以上になると母材中で溶融して液体状態となり、表面にブリードしやすくなり、発光層内の電荷輸送バランスが崩れるためと考えられる。
【0043】
次に、以上説明した発光層からなる各色に対応するサブピクセルを高密度に形成する有機EL素子の製造方法を説明する。
<第3実施例>
図6は、本発明の有機EL素子に係る第1の色素スタンプの製造工程図である。
図9は、本発明に係る第1の色素スタンプを用いて有機EL素子を製造するための製造工程図である。
色素スタンプは、発光層のサブピクセルに所定の発光色素を拡散させるために、サブピクセルに対応した形状を有する色素層パターンを形成したものである。
【0044】
まず、図6に示す、第1の色素スタンプの製造方法を説明する。
図6の(a)に示すように、例えば3インチシリコンウェハからなる基板11上に、粘度420mPa・sであるノボラック系ポジ型フォトレジストをスピンコート法により塗布して、厚さ20μmのフォトレジスト層12を形成する。このフォトレジスト層12を100℃で120秒間プリベークを行う。
次に、図6の(b)に示すように、所定の形状の部分の露光部が除去されるような開口部13Cを持つように加工されたフォトマスク13Aを用い、光量1000mj/cmで露光する。ここではフォトマスク13Aの開口部13Cのひとつのパターンサイズは10μm×20μm(略サブピクセルのサイズである)である。
【0045】
次に、図6の(c)に示すように、フォトマスク13Aを取り除き、露光されたフォトレジスト層12の露光部が溶解するアルカリ現像液2.3%TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)で洗浄し、開口部14パターンを形成する。開口部14の底部(基板11側)のサイズは、10μm×20μmであり、入り口部14Aのサイズは6μm×16μmであり、開口部14の側面は逆テーパー形状をしている。これは、露光及び現像条件を選ぶことにより、逆テーパー形状とすることができる。
【0046】
なお、現像後逆テーパー形状が得られるフォトレジスト(感光性樹脂材料)としてはネガ型、ポジ型のいずれでもよいが、ネガ型であれば露光時に光吸収量の差を持たせること、ポジ型であれば現像時に樹脂層の樹脂表面付近と基板表面付近との溶解性の差を利用して基板表面付近をより溶解させて逆テーパー形状を作製することが必要である。比較的厚膜が形成でき、パターン形状のエッジ部も先鋭であることからノボラック系のポジ型感光性樹脂を用いることが望ましい。
【0047】
次に、図6の(d)に示すように、厚さ100nmのAuからなる剥離層(図示しない)と、厚さ40nmである例えばクマリン6からなる色素層15を、蒸着法により順次形成する。
次に、図6の(e)に示すように、例えば粘着テープを用いてフォトレジスト層12上の色素層15を除去して、所定形状の開口部14内の基板11上に色素層15を形成した第1の色素スタンプ20Aを得る。
【0048】
次に、第3実施例の有機EL素子の製造方法を説明する。
まず、図9の(a)に示すように、透明基板21上に所定形状の画素電極22と正孔注入層23及び発光層24を順次形成する。正孔注入層23は、厚さ60nmのPEDT/PSSからなる。発光層24は厚さ80nmである電子輸送材料PBDを30wt%分散したポリビニルカルバゾールからなる。
【0049】
次に、図9の(b)に示すように、先に図6の(a)から(e)で説明した第1の色素スタンプにおいて、緑色の色素層15Gを開口部14Gの基板11上に形成した緑用の第1の色素スタンプ20AGを、発光層24と色素層15Gを対向させて、形成されるべきRGBサブピクセルパターンに対応するように精度良く位置合わせる。その後、基板21に対して基板11を均一に加圧して、発光層24とフォトレジスト層12を密着させる。
次に、図9の(c)に示すように、窒素置換オーブン中にて120℃、10分間加熱を行ない、色素層15Gを発光層24側に移行、拡散させる。これにより、緑色発光のサブピクセル(発光層)24Gが形成される
【0050】
次に、図9の(d)に示すように、緑用の第1の色素スタンプ20AGを取り外し、赤色の色素層15Rを開口部14Rの基板11上に形成した赤用の第1の色素スタンプ20ARを、形成されるべきRGBパターンに対応するように精度良く対向させる。基板21に対して基板11を均一に加圧して、発光層24とフォトレジスト層12を密着させる。
次に、図9の(e)に示すように、窒素置換オーブン中にて120℃、10分間加熱を行ない、色素層15Rを発光層24側に移行、拡散させる。これにより、赤色発光のサブピクセル(発光層)24Rが形成される。
次に、図9の(f)に示すように、赤用の第1の色素スタンプ20ARを取り外し、発光層24上に、電子注入/輸送/正孔素子層25、所定形状の極薄膜の金属電極26及び透明電極27を形成して、有機EL素子30を得る。
【0051】
ここで、色素層として緑色と赤色について、拡散した場合について説明したが、これは、色素を拡散させる発光層24を形成する発光材料の発光がBであり、発光ピーク波長が400nm以上500nm以下である場合に適用される。このときは、拡散する色素はRおよびGの2種類でよい。これよりも短波長で発光する場合にはB発光色素も拡散させる必要がある。
【0052】
上述の色素の拡散において、開口部14G、14Rの側壁の形状が、基板11に対して逆テーパーになっており、色素スタンプ20AG,20ARを発光層24上に配置すると、発光層24に対して順テーパーになっている。従って、側壁に付着した色素の拡散時における離脱を抑制でき、色素の濃度を制御しやすくなる。また、発光層24と接触するフォトレジスト12のエッジが鋭くなっており、密着性を良好なものとするので、この部分での色素のにじみを抑制することができる。すなわち、境界端部で極めて先鋭に拡散可能となる。よって、発光層24の微細なサブピクセルパターンを容易に形成することが出来る。
【0053】
<第4実施例>
図7は、本発明の有機EL素子に係る第2の色素スタンプの製造工程図である。
図10は、本発明に係る第2の色素スタンプを用いて有機EL素子を製造するための製造工程図である。
まず、図7に示す、第2の色素スタンプの製造方法を説明する。
図7の(a)に示すように、例えば3インチシリコンウェハからなる基板11上に、粘度420mPa・sであるノボラック系ポジ型フォトレジストをスピンコート法により塗布して、厚さ20μmのフォトレジスト層12を形成する。このフォトレジスト層12を100℃で120秒間プリベークを行う。
【0054】
次に、図7の(b)に示すように、所定の形状の部分の露光部が除去されるような開口部13Dを持つように加工されたフォトマスク13Bを用い、光量1000mj/cmで露光する。ここではフォトマスク13Bのひとつのパターンサイズは10μm×20μm(略サブピクセルのサイズである)であった。
次に、図7の(c)に示すように、フォトマスク13Bを取り除き、露光されたフォトレジスト層12の露光部が溶解するアルカリ現像液2.3%TMAHで洗浄し、逆テーパーパターン16を形成する。逆テーパーパターン16の底面(基板11側)のサイズは、6μm×16μmであり、上面のサイズは10μm×20μmである。逆テーパーパターン16の側面は逆テーパー形状をしている。
【0055】
次に、図7の(d)に示すように、厚さ100nmのAuからなる剥離層(図示しない)と、厚さ40nmである例えばクマリン6からなる色素層15を、蒸着法により順次形成して、第2の色素スタンプ20Bを得る。
次に、第4実施例の有機EL素子の製造方法を説明する。
まず、図10の(a)に示すように、透明基板21上に所定形状の画素電極22と正孔注入層23及び発光層24を順次形成する。
次に、図10の(b)に示すように、先に図7の(a)から(d)で説明した第2の色素スタンプ20Bにおいて、緑色の色素層15Gが基板11上に形成した逆テーパーパターン上に形成してある緑色用の第2の色素スタンプ20BGを、色素層15Gと発光層24とを対向させて、形成されるべきRGBサブピクセルパターンに対応するように、精度良く位置あわせをする。その後、基板21に対して基板11を均一に加圧して、発光層24に色素層15Gを密着させる。
【0056】
次に、図10の(c)に示すように、窒素置換オーブン中にて所定の温度時間の間、加熱を行ない、色素層15Gを発光層24中に拡散させる。このとき、基板11上の色素層14G蒸発しない条件にする。これにより、緑色発光のサブピクセル(発光層)24Gが形成される。
次に、図10の(d)に示すように、緑用の第2の色素スタンプ20BGを取り外し、赤色の色素層15Rを基板11上に形成した逆テーパーパターン上に形成した赤用の第2の色素スタンプ20BRを、形成されるべきRGBパターンに対応するように、精度良く対向させる。基板21に対して基板11を均一に加圧して、発光層24と色素層15Rを密着させる。
【0057】
次に、図10の(e)に示すように、窒素置換オーブン中にて所定温度で所定時間の間加熱を行い、色素層15Rを発光層24側に拡散させる。このとき、基板11上の色素層15Rが蒸発しない条件にする。これにより、赤色発光のサブピクセル(発光層)24Rが形成される。
次に、図10の(f)に示すように、赤用の第2の色素スタンプ20BRを取り外した後、発光層24上に、電子注入/輸送/正孔素子層25、所定形状の極薄膜の金属電極26及び透明電極27を形成して、有機EL素子30を得る。
ここで、色素層は逆テーパーパターン上に形成されているので、境界部でのダレが少なく、従って、これを用いて発光層に色素を拡散したとき、境界部でのにじみが少なくなる。発光層の微細なサブピクセルパターンを容易に形成することが出来る。
【0058】
<第5実施例>
図8は、本発明の有機EL素子に係る第3の色素スタンプの製造工程図である。
図11は、本発明に係る第3の色素スタンプを用いて有機EL素子を製造するための製造工程図である。
まず、図8に示す、第3の色素スタンプの製造方法を説明する。
始めに、図8の(a)に示すように、クマリン6色素を予め1〜5wt%程度溶解させたフォトレジストをシリコン基板11上に、スピンコート法により塗布して、厚さ20μmの色素含有フォトレジスト層17を形成する。このフォトレジスト層17を所定の温度、時間の間プリベークを行う。
【0059】
次に、図8の(b)に示すように、所定の形状の部分の露光部が除去されるような開口部13Dを持つように加工されたフォトマスク13Bを用い、所定時間フォトレジスト層17を露光する。ここではフォトマスク13Bのひとつのパターンサイズは10μm×20μm(略サブピクセルのサイズである)であった。
次に、図8の(c)に示すように、フォトマスク13Bを取り除き、露光されたフォトレジスト層17の露光部が溶解する所定のアルカリ現像液2.3%TMAHで洗浄し、色素含有逆テーパーパターン18を形成する。色素含有逆テーパーパターン18の底面(基板11側)のサイズは、6μm×16μmであり、上面のサイズは10μm×20μmである。色素含有逆テーパーパターン18の側面は逆テーパー形状をしている。これにより、第3の色素スタンプ20Cが得られる。
【0060】
これは、上述した第2の色素スタンプにおいて、色素層15に代えて、色素含有逆テーパーパターン18としたものであり、発光層24への色素拡散の機能は同様である。
この第3の色素パターン20Cを用いる有機EL素子の製造工程は、図11に示されるが、第3の色素スタンプの作用は、第2の色素スタンプと同様であるので、その説明を省略する。
得られる有機EL素子30において、色素は色素含有逆テーパーパターン上に形成されているので、境界部でのダレが少なく、従って、これを用いて発光層に色素を拡散したとき、境界部でのにじみが少なくなる。発光層の微細なサブピクセルパターンを容易に形成することが出来る。
なお、図12に、このようにして形成された有機EL素子30の断面構成を示す。
【0061】
以上、フォトレジスト層12に形成した開口部14、逆テーパーパターン16及び色素含有逆テーパーパターン18の形状については、10μm×20μmの矩形形状として説明したが、これらの形状はストライプ状,あるいは短冊状が望ましく、短冊状の場合は直線状あるいは階段状とし、この後色素を画素電極上に移行拡散させるために、サブピクセルの面積と略同等面積としておく。各色用には上記開口部等の位置がサブピクセル1ピッチ分異なるフォトマスクを用意しておけばよい。
なお、用いる色素としては、加熱に安定で、蒸着による薄膜形成が可能で、蛍光あるいはリン光を有する赤緑青色(RGB)を発色するものであれば使用できる。
【0062】
赤色(R)色素としては、ポルフィリン化合物、クロリン化合物、ペリレン化合物、ジシアノピラン化合物、スクアリリウム化合物、ジスチリル化合物、ユーロリジン化合物、クマリン化合物等を用いることができる。
また、緑色(G)色素としては、クマリン化合物、キナクリドン化合物、キノリノール金属錯体化合物等を用いることができる。
また、青色(B)色素としては、ジスチリルアリール化合物、ジアリールアミン化合物、トリアリールアミン化合物、テトラフェニルブタジエン、ペリレン等の既存の蛍光色素を用いることができる。
また、IrやPtを中心金属としリガンドを配した金属錯体のような各RGB発光色のリン光色素も用いることができる。
【0063】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は、請求項1記載によれば、発光層を高分子発光材料と、前記高分子発光材料の第1の発光波長とは異なる第2の発光波長を有するフェニルカルバゾール基を含有する第1の低分子発光材料と、前記第1及び第2の発光波長より長波長である第3の発光波長を有する第2の低分子発光材料とから構成したことにより、発光効率が良好であると共に耐久性の優れた、製造の容易な発光層を有する有機エレクトロルミネセンス素子を提供できるという効果がある。
また、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法は、請求項2記載によれば、第1の基板上に逆テーパーパターンを有するフォトレジスト層を形成する工程と、前記逆テーパー状パターンから露出した前記第1の基板上に色素部を形成する工程と、第2の基板上に画素電極、発光層を順次形成する工程と、前記フォトレジスト層側を前記発光層側に対向させて、前記第1の基板を前記第2の基板上に載置した後、密着する工程と、密着した前記第1の基板及び前記第2の基板を加熱して、前記画素電極に対応する前記発光層中に前記色素部を拡散して、色素層を形成する工程と、前記第1の基板を前記第2の基板上から離間させた後、前記色素層上に共通電極を形成する工程と、からなることにより、発光層の微細な画素パターンを生産性良く形成できる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法を提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の一実施例の基本構成を示す概略断面図である。
【図2】有機EL素子の基本構成を示す概略断面図である。
【図3】N−フェニルカルバゾール基を含有する低分子材料の一例の化学構造式である。
【図4】金属有機錯体からなる色素の化学構造式である。
【図5】画素内に拡散する発光色素の組合せ例を示す図である。
【図6】本発明の有機EL素子に係る第1の色素スタンプの製造工程図である。
【図7】本発明の有機EL素子に係る第2の色素スタンプの製造工程図である。
【図8】本発明の有機EL素子に係る第3の色素スタンプの製造工程図である。
【図9】本発明に係る第1の色素スタンプを用いて有機EL素子を製造するための製造工程図である。
【図10】本発明に係る第2の色素スタンプを用いて有機EL素子を製造するための製造工程図である。
【図11】本発明に係る第3の色素スタンプを用いて有機EL素子を製造するための製造工程図である。
【図12】本発明の有機EL素子の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
1…透明基板、2…陽極、3…正孔輸送層、4,4A…発光層、5…陰極、6…電源、7…発光光、8,8A…有機EL層、10,10A…有機EL素子、11…基板、12…フォトレジスト層、13A,13B…フォトマスク、13C…開口部、14,14G,14R…開口部、15,15G,15R…色素層、16,16G,16R…逆テーパーパターン、17…色素含有フォトレジスト,18,18G,18R…色素含有逆テーパーパターン、20A,20AG,20AR,20B,20BG,20BR,20C,20CG,20CR…色素スタンプ、21…透明基板、22…画素電極、23…正孔注入層、24,24G,24R…発光層、25…電子注入/電子輸送/正孔阻止層、26…極薄膜金属電極、27…透明電極、30…有機EL素子。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same, and in particular, an organic electroluminescent light emitting layer is mainly composed of a light emitting polymer material, and the light emitting layer contains a plurality of light emitting low molecular materials. Further, the present invention relates to an organic electroluminescent device having a light emitting layer capable of emitting light with high efficiency even at low voltage driving, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device suitable for fine patterning of the light emitting layer.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Organic electroluminescent elements (hereinafter, also simply referred to as organic EL elements) are expected as display elements that have high-speed response and emit self-luminous light independent of the viewing angle with low power consumption. Applications to displays and the like are being studied.
As an in-vehicle audio display panel, an organic EL device of an area color system in which a mono color is partially combined has been put to practical use. For mobile phones, color display organic EL elements in which RGB fine elements (sub-pixels) are formed by patterning using a mask evaporation method have been put to practical use.
[0003]
Since full-color display is possible by combining display elements corresponding to red, green, and blue (RGB), various studies have been made on high-performance organic EL elements that can be driven at a low voltage and emit light of high luminance. ing.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a basic configuration of an organic EL device as shown in a report by Tang et al. (Applied Physics Letters, 51 (12), 913-915 (1987)).
As shown in FIG. 1, an organic EL device 10 is obtained by sequentially laminating an anode 2 having a predetermined shape, an organic electroluminescent layer (hereinafter, also simply referred to as an organic EL layer) 8 and a cathode 5 on a transparent substrate 1. It is composed of
[0004]
The substrate 1 is made of, for example, glass.
The anode 2 is made of a transparent material having a large work function, for example, indium-tin oxide (hereinafter, also simply referred to as ITO).
The organic EL layer 8 includes, for example, the hole transport layer 3 and the light emitting layer 4. The organic EL layer 8 has various configurations such as a single-layer type composed of a single layer and a laminated type in which a plurality of different materials are laminated according to functions such as charge injection properties, charge transport properties, and luminescence properties. .
[0005]
An example of the hole transport layer 3 is an arylamine compound.
The organic material constituting the light-emitting layer 4 is widely used from conjugated and non-conjugated polymer materials having a fluorescent property to low molecular materials, metal complexes, and heavy metal complexes having a phosphorescent property and emitting light with very high efficiency. You. Depending on the material, a wet method such as coating from a solution or a dry method such as vacuum deposition is selected as these forming methods. An example of the electron-transporting light-emitting layer 4 is a tris (8-quinolinate) aluminum organometallic complex (hereinafter, also simply referred to as Alq3).
[0006]
As the cathode 5, a metal electrode made of, for example, an aluminum-magnesium alloy is formed.
When a predetermined voltage is applied between the anode 2 and the cathode 5 by the power supply 6, the holes injected from the anode 2 are injected into the light emitting layer 4 through the hole transport layer 3, while the electrons injected from the cathode 5 are injected. Moves in the light-emitting layer 4, and electrons and holes are combined in the light-emitting layer 4 to emit light 7.
The emitted light 7 is extracted outside through the transparent anode 2 and the transparent substrate 1. The luminescent color at this time depends on the luminescent color of the luminescent layer 4 and is monochromatic luminescence, and in the case of Alq3, it is green luminescence.
The emission color is selected depending on the dye that is doped in the emission layer 4.
Recently, Baldo et al. Reported a highly efficient light-emitting device using a green phosphorescent Ir complex fac-tris (2-phenylpyridine) iridium Ir (ppy) 3 (Applied Physics Letters, 74 (1) ), 4-6 (1999)). Here, a low molecular weight compound having N-phenylcarbazole 4,4′-N, N′-dicarbazolebiphenyl (CBP) is used as a host material of a light emitting material.
A device in which this phosphorescent material Ir (ppy) 3 is dispersed in a polymer light-emitting layer is reported by Yang et al. (Japanese Journal of Applied Physics, 39, L828-L829 (2000)). A high-efficiency device similar to a low-molecular device has been obtained with a device formed by vacuum deposition of a diazole compound.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in order to extract emitted light to the outside and form a full-color display, it is necessary to configure one pixel (pixel) by combining three kinds of fine elements (sub-pixels) of red, green, and blue light emission (RGB).
[0008]
When a low molecular material is used for the light emitting layer 4, the light emitting layer 4 is formed by a dry method, for example, a vapor deposition method. Here, since a photolithography technique cannot be used, an evaporation method using a mask is used. A deposition mask having a fine pixel shape is arranged on the substrate 1 on which the light-emitting layer 4 is formed, and is moved and positioned with high precision (sub-pixel size) so as not to be in contact with the substrate 1 and to form no gap. It is necessary. However, if the pixel area (size) is reduced in order to enable high-definition display, it is extremely difficult to realize these, and there is a problem that a reduction in productivity is inevitable.
[0009]
On the other hand, when a polymer material is used for the light emitting layer 4, the light emitting layer 4 is formed by a wet method. It is relatively easy to form the light emitting layer 4 by a wet method. However, many polymer materials exhibit a hole transporting property, and a single light emitting layer 4 cannot secure sufficient characteristics. Therefore, a structure in which two layers are combined with a layer of a low molecular material having an electron transporting property is required, but it is not easy to form two layers by a vapor deposition method and a wet method. Further, there is a problem that it is difficult to form a layer of a polymer material having an electron transporting property on the light emitting layer 4 by a wet method.
[0010]
On the other hand, a single-layer light-emitting layer made of a polymer material having a hole-transport property is formed, and a low-molecular material having an electron-transport property and / or a low-molecular material having a hole-transport property are formed in the light-emitting layer. A method of dispersing and adding molecular materials has been proposed by Mori et al. (Proceedings of the 38th Joint Lecture Meeting on Applied Physics, 1086 (1991)). By selecting low-molecular materials, which are these light-emitting materials (hereinafter, also referred to as dyes), according to the light-emitting color, blue, green, and red sub-pixels are formed to achieve full color. .
[0011]
Here, oxadiazole compounds and triazole compounds are known as materials having an electron transporting property. However, these materials have high electron-transport properties and can improve luminous efficiency.However, these materials tend to be recombination sites themselves, easily form exciplexes having a short lifetime with polymer materials, and have high durability. There was a problem that the property could not be obtained.
[0012]
On the other hand, as a method of adding a dye, JP-A-7-235378 discloses an ink jet method, a printing method, and the like. On the other hand, the present applicant has proposed a method suitable for miniaturization in JP-A-2001-313166.
When sub-pixels are further miniaturized by this method, there is a problem that sub-micron overlap occurs between sub-pixels, and this improvement has been demanded.
[0013]
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, and as a first object, provides an organic electroluminescence element having a light-emitting layer that has good luminous efficiency and excellent durability and is easily manufactured. A second object is to provide a method of manufacturing an organic electroluminescence element which forms a fine pixel pattern of the light emitting layer with high productivity.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
As a means for achieving the above object, a first aspect of the present invention is an organic electroluminescent device in which a first electrode, an organic electroluminescent layer having at least a light emitting layer, and a second electrode are sequentially laminated on a substrate. In the luminescence element, the light emitting layer includes a polymer light emitting material, and a first low molecular light emitting material containing a phenylcarbazole group having a second emission wavelength different from the first emission wavelength of the polymer light emitting material. And a second low-molecular-weight light-emitting material having a third emission wavelength longer than the first and second emission wavelengths. Further, the second invention includes a step of forming a photoresist layer having a reverse tapered pattern on the first substrate, and a step of forming a dye portion on the first substrate exposed from the reverse tapered pattern. Forming a pixel electrode and a light emitting layer sequentially on a second substrate, and placing the first substrate on the second substrate with the photoresist layer side facing the light emitting layer side. And a step of heating the first substrate and the second substrate, which are in close contact with each other, and diffusing the dye portion into the light emitting layer corresponding to the pixel electrode to form a dye layer. And forming a common electrode on the dye layer after separating the first substrate from the second substrate. A method for manufacturing an organic electroluminescence device, comprising: .
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings by way of preferred examples. For the sake of simplicity, the same reference numerals are given to the same components, and the description thereof is omitted.
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the basic structure of one embodiment of the organic EL device of the present invention.
The organic electroluminescent device 10A of the present invention is an organic electroluminescent device in which a transparent anode 2, an organic electroluminescent layer 8A having at least a light emitting layer 4A, and a cathode 5 are sequentially laminated on a transparent substrate 1. The light emitting layer 4A comprises a polymer light emitting material; a low molecular light emitting material containing a phenylcarbazole group having a second light emission wavelength different from the first light emission wavelength of the polymer light emitting material; And a low-molecular light emitting material having a third emission wavelength longer than the emission wavelength of No. 2.
[0016]
Examples of the polymer material constituting the main component of the light emitting layer 4A include a polyfluorene compound, a polyphenylenevinylene compound, a polythiophene compound, a polyvinylcarbazole compound, a polyvinylphenylcarbazole compound, a polyphenylcarbazole compound, a polybiphenylcarbazole compound, and a polyterphenylcarbazole compound. And polymers such as polycarbonate compounds and polyacetylene compounds. In addition, copolymers of these polymers and molecular groups having a charge injection function, a charge transport function, and a chromaticity improving function can be used.
[0017]
In order to transfer energy to a dye (low-molecular material described later) that diffuses into these polymer materials, the emission wavelength of the polymer material is desirably a short wavelength between the blue region and the ultraviolet region, and the peak wavelength is 490 nm or less. It is desirable that the energy gap be 2.5 eV or more. More preferably, the energy gap is set to 2.8 eV or more.
[0018]
For forming the above-mentioned polymer material layer, a usual wet method, that is, a spin coating method, a casting method, a dipping method, a spray method, a die coating method, an extrusion method, a Langmuir-Blodgett method, or the like can be used. . The thickness of the polymer material layer may be in the range of 5 to 200 nm, preferably in the range of 20 to 100 nm.
[0019]
An electron transporting material is added to the polymer material layer. An electron transporting material is indispensable for a polymer material having a high hole transporting property to maintain carrier injection and balance. However, compounds with high electron transport properties, such as oxadiazole compounds and triazole compounds, improve luminous efficiency but tend to be recombination sites themselves, and are likely to form short-lived exciplexes with polymer materials. Durability cannot be obtained, and separation and aggregation tend to occur. Further, the phenanthroline compound and the bathocuproin compound are easily crystallized due to their planar structure, and therefore, it is difficult to obtain durability.
[0020]
In this case, a low molecular material containing an N-phenylcarbazole group having a bipolar property and a stable behavior with respect to oxidation and reduction having a slightly low electron transport property but also having a hole transport property is added. Is preferred. Such a compound preferably has N-phenylcarbazole bonded to both ends of a biphenyl group and a terphenyl group. In addition, these materials are preferable because they have a property of easily transmitting excitation energy to other materials because their emission range is from ultraviolet to blue.
[0021]
FIG. 3 is a chemical structural formula of an example of a low molecular weight material containing an N-phenylcarbazole group.
As shown in the figure, when n = 2, the carrier transporting property has a bipolar property.
When n = 2, it is N, N′-dicarbazole-biphenyl (emission wavelength λmax = 420 nm).
Next, low-molecular-weight light-emitting materials that determine the emission color include fluorescent dyes, phosphorescent dyes, and organometallic complexes that have fluorescence and phosphorescence and emit red-green-blue (RGB). If it is, it can be used.
[0022]
As a red (hereinafter, also simply referred to as R) dye, a dye such as a porphyrin compound, a chlorin compound, a perylene compound, a dicyanopyran compound, a squarylium compound, a distyryl compound, a eurolysine compound, a coumarin compound, or an organometallic complex compound may be used. I can do it.
As the green (hereinafter, also simply referred to as G) dye, a dye such as a coumarin compound, a quinacridone compound, a quinolinol metal complex compound, or an organic metal complex compound can be used.
As the blue (hereinafter, also simply referred to as B) dye, a dye such as a distyrylaryl compound, a diarylamine compound, a triarylamine compound, tetraphenylbutadiene, perylene, a quinolinol metal complex compound, or an organometallic complex compound is used. I can do it.
[0023]
The above-mentioned organometallic complex preferably has a central metal composed of a white metal, and is selected from Ru, Rh, Pd, Os, Ir, and Pt. The ligands each take from 2 to 6 coordination, depending on the central metal. The coordinating elements include C, O, N, S and the like. Known ligands include quinolinate derivatives, benzoquinolinate derivatives, phenylpyridinate derivatives, benzothienylpyridinate derivatives, porphine derivatives, and the like.The emission colors differ depending on the interaction between the central metal and the ligand. Is obtained. A blue to red light-emitting material may be appropriately selected.
[0024]
FIG. 4 shows an example of the metal organic complex.
FIG. 4 is a chemical structural formula of a dye composed of a metal organic complex.
FIG. 4A shows that, when M = Ir and m = 3, fac-tris (2-phenylpyridinate-N, C 2 ' ) Indicates iridium, and the maximum emission wavelength λmax is 510 nm.
FIG. 4B shows that when M = Ir, n = 2, bis (2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinate-N, C 3 ' ) Iridium (acetyl acetate), and the maximum emission wavelength λmax is 616 nm. When M = Pt and n = 1, bis (2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinate-N, C 3 ' ) Platinum (acetyl acetate), and the maximum emission wavelength λmax is 610 nm.
[0025]
FIG. 4C shows that when M = Ir, n = 2, bis (2-phenylpyridinate-N, C 2 ' ) Represents iridium (acetyl acetate), and has a maximum emission wavelength λmax of 516 nm.
FIG. 4D shows that when M = Ir, n = 2, bis (4,6-di-fluorophenyl) -pyridinate-N, C 2 ' ) Indicates iridium (picolinate), and the maximum emission wavelength λmax is 475 nm.
Here, as the organic EL layer 8A, the light emitting layer 4A mainly made of a polymer material is formed. However, in order to form a more efficient organic EL element, the electrodes 2 and 5 may be connected to the light emitting layer 5 if necessary. A charge injection layer or a charge transport layer is provided between the layers 4A.
[0026]
Between the anode 2 and the light emitting layer 4A, a hole injection layer such as a mixture of a polythiophene compound / polystyrene sulfonate compound, a polyaniline compound or a phthalocyanine compound, and a hole transporting property containing a plurality of triarylamine groups in the molecule. A polymer layer is formed as needed.
Between the cathode 5 and the light emitting layer 4A, an aluminum quinolinolato complex such as BAlq, a hole blocking layer such as a bathocuproine compound, a phenanthroline compound or a triazole compound, an electron transport layer such as a quinolinol metal complex or an oxazole compound, an alkali metal, an alkali An electron injection layer such as an earth metal fluoride or oxide is formed as necessary.
As the cathode, an electrode made of a metal having a low work function such as Al, Mg, Li, Ca, Cs or the like, or an alloy thereof, and a transparent electrode as necessary are formed.
[0027]
Next, the function of the luminescent dye will be described.
When a plurality of light-emitting dyes (materials) are added and dispersed in the light-emitting layer 4A, the energy transfer from the excitation energy of the light-emitting material on the short wavelength side to the light-emitting material on the long wavelength side is used for the light-emitting material on the long wavelength side. Luminous efficiency can be increased. In this case, the greater the overlap between the emission spectrum of the light emitting material on the short wavelength side and the absorption spectrum of the light emitting material on the long wavelength side, the higher the efficiency of energy transfer.
[0028]
When the emission wavelength of the light-emitting base material (main component) is in the ultraviolet to blue region and the light-emitting dopant (addition component) is a red dye, the above-mentioned spectrum overlap is small and the energy gap is too large, so that the energy is too large. Is often not efficient. In such a case, the efficiency of energy transfer from blue to red can be improved by using a material having an emission and absorption spectrum in the green to orange region that mediates energy transfer. This mediating material is also called an assist dopant, and this method is also called an energy assist method. If this assist dopant is a green light-emitting material, it is possible to give each of red, green and blue (RGB) a function of light emission and energy transfer.
[0029]
Therefore, a blue light-emitting material is used for a sub-pixel constituting a color pixel for blue (hereinafter also referred to as a blue pixel). The green sub-pixel (hereinafter also referred to as a green pixel) contains a blue light emitting material in addition to the green light emitting material. This further improves the energy transfer from blue to green. The red sub-pixel (hereinafter also referred to as a red pixel) contains green and blue light-emitting materials in addition to the red light-emitting material, and the green material also has an assist dopant function. As a result, energy on the short wavelength side efficiently moves to the red material, and the efficiency of the red material is improved.
[0030]
When the red, green, blue (RGB) luminescent dye is a fluorescent luminescent dye, the luminescent peak wavelength of the polymer luminescent material as a base material for diffusing the dye is in a high energy region from ultraviolet to blue, and phenylcarbazole It is desirable that the low molecular material having a group is dispersed. A blue fluorescent pixel may be dispersed in the blue sub-pixel, and a blue light-emitting material may be dispersed in the green sub-pixel, or may be diffused later. The green (G) and red (R) luminescent dyes are diffused. The diffusion order is preferably blue (B), green (G), and red (R). This is for efficiently transferring energy from the short-wavelength light-emitting material to a predetermined light-emitting dye.
[0031]
The diffusion of the blue light-emitting dye into the base material is performed for improving efficiency and color purity. The green light-emitting portion is a green light-emitting portion that diffuses at least a green light-emitting dye into a base material containing a blue (B) dye, facilitates energy transfer to the green light-emitting dye, and obtains green light with high luminous efficiency. The red light-emitting portion also contains a green (G) dye in a base material containing a blue (B) dye and facilitates energy transfer from the blue (B) base material to the red (R) dye. Here, if the green (G) dye is not present, the blue (B) energy does not completely transfer to the red (R) dye, leaving blue () B emission, and in extreme cases, the blue (B) Emission of red (R) light becomes white. In addition, the concentration management of the red (R) dye is more important than other dyes, and it is necessary to set the concentration so as to obtain the optimum luminous efficiency. Therefore, it is desirable to diffuse the red (R) pigment after the diffusion of the blue (B) pigment and the green (G) pigment is completed.
[0032]
On the other hand, in order for the luminescent dye to be composed entirely of a phosphorescent material, the phosphorescent material generally does not have a large absorption in the visible region and has a large absorption in the ultraviolet to blue region. Energy transfer from a high molecular material and a low molecular material having a phenylcarbazole group is used. Therefore, if a fluorescent material that emits light in the visible region is present in the same sub-pixel, energy from the ultraviolet region to the blue region flows into the fluorescent material and emits light at the same time, causing a decrease in chromaticity. is necessary.
[0033]
In summary, as a combination of the luminescent dyes contained in the sub-pixel, a combination as shown in FIG. 5 below can be considered.
FIG. 5 is a diagram showing an example of a combination of luminescent dyes diffused in the pixel.
In the figure, the left column shows the number of the combination, and each symbol is as follows. B indicates blue, G indicates green, R indicates red, p indicates a phosphorescent dye, and f indicates a fluorescent dye. That is, for example, Bp indicates a phosphorescent dye that emits blue light (blue phosphorescent dye).
Here, it is conceivable that the luminous efficiency of No. 2, No. 4, No. 8, and No. 11 is reduced due to the presence of the red fluorescent dye alone. Number 1, number 3, number 5, number 6, number 7, number 9, number 10, or number 12 are preferred.
[0034]
Hereinafter, Examples and Comparative Examples will be described.
<First embodiment>
As the substrate 1, a non-alkali glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a square of 50 mm was used. On this substrate 1, the sheet resistance is 20Ω / cm 2 The indium tin oxide (ITO) film (which is the anode 2) was formed. Next, after forming the ITO film, ultrasonic cleaning was sequentially performed for 10 minutes each in a neutral detergent, pure water, acetone, and IPA, and then surface treatment was performed in oxygen plasma for 2 minutes.
[0035]
Thereafter, a polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDT / PSS) (trade name: Baytron 4083, manufactured by Bayer) having a thickness of 60 nm was formed as a hole injection layer 3A on the ITO film.
Next, a 70 nm-thick light emitting layer 4A was formed on the hole injection layer 3A by spin coating. The light emitting layer 4A is composed of a polymer light emitting material, polyvinyl carbazole (PVK), as a low molecular light emitting material, 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP) and fac-tris (2-phenyl). (Pyridinate) iridium (III) is dispersed in PVK at 30 wt% and 7 wt%, respectively.
[0036]
After the light emitting layer 4A was dried, the substrate 1 was set in a vacuum vapor deposition apparatus, and a Ca layer having a thickness of 30 nm and an Ag layer having a thickness of 300 nm were formed as the cathode 5 by vapor deposition.
Thereafter, in a nitrogen gas atmosphere having a dew point of -70 ° C., the adhesive is cured by irradiating ultraviolet rays for 1 minute using a glass cap and an ultraviolet curable resin, followed by sealing to complete the organic EL device of the first embodiment. Formed.
When the light emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, the maximum luminance current efficiency was 19 cd / A.
[0037]
<First Comparative Example>
In the organic EL device of the first embodiment, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,3 is used instead of the low-molecular-weight light emitting material CBP dispersed in the light emitting layer 4A. An organic EL device of a first comparative example was obtained in the same manner as in the first example, except that 30 wt% of 4-oxadiazole (PBD) was used. When the light emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, the maximum luminance current efficiency was 19 cd / A.
[0038]
<Second embodiment>
As the substrate 1, a non-alkali glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a square of 50 mm was used. On this substrate 1, the sheet resistance is 20Ω / cm 2 The indium tin oxide (ITO) film (which is the anode 2) was formed. Next, after forming the ITO film, ultrasonic cleaning was sequentially performed for 10 minutes each in a neutral detergent, pure water, acetone, and IPA, and then surface treatment was performed in oxygen plasma for 2 minutes.
Thereafter, a polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDT / PSS) (trade name: Baytron 4083, manufactured by Bayer) having a thickness of 60 nm was formed as a hole injection layer 3A on the ITO film.
[0039]
Next, a 70 nm-thick light emitting layer 4A was formed on the hole injection layer 3A by spin coating. The light emitting layer 4A is obtained by dispersing 4,4′-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP) as a low molecular light emitting material in polyvinyl carbazole (PVK) which is a polymer light emitting material. The composition ratio was PVK: CBP = 77 wt%: 23 wt%.
On the other hand, a 40 nm-thick green light-emitting dye fac-tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) film (which is a green dye film) is coated with a 100 nm-thick Au layer for peeling.
And formed on a surface-processed silicon substrate.
[0040]
The substrate 1 and the silicon substrate were arranged so that the light emitting layer 4A and the green dye film faced each other, and were heated in a heating furnace at 195 ° C. for 10 minutes in a nitrogen gas atmosphere to diffuse the green dye into the light emitting layer 4A. After taking out from the heating furnace and separating the silicon substrate from the substrate 1, the substrate 1 was set in a vacuum deposition apparatus, and a Ca layer having a thickness of 30 nm and an Ag layer having a thickness of 300 nm were formed as the cathode 5 by vapor deposition.
Thereafter, sealing was performed using a glass cap and an ultraviolet curable resin in a nitrogen gas atmosphere at a dew point of -70 ° C., thereby forming an organic EL device of the second embodiment.
When current is passed between the anode 2 and the cathode 5 of the obtained organic EL device, green light emission is obtained and 100 cd / m 2 The peak wavelength during light emission was 520 nm, the current efficiency was 16 cd / A, and the CIE chromaticity was (0.28, 0.58).
[0041]
<Second comparative example>
An organic EL device of a second comparative example was formed in the same manner as in the second example except that the composition of the light emitting layer 4A was changed to PVK: PBD = 77 wt%: 23 wt%.
When electricity was supplied between the anode 2 and the cathode 5, green light was emitted. 100 cd / m 2 The peak wavelength at the time of light emission was 520 nm, the current efficiency was 10 cd / A, the CIE chromaticity was (0.26, 0.52), and the wavelengths were almost equal.
[0042]
Thus, in the first and second embodiments, highly efficient light emission was obtained.
In comparison with the first comparative example, it can be seen that as the carrier transporting material to be added to the polymer light emitting material of the base material constituting the light emitting layer 4A, both a diazole-based material having a high electron mobility and a phenylcarbazole-based material are similarly favorable. .
However, when compared with the second comparative example in which fine patterning is performed, there is a difference between the two characteristics when a heating step is performed when the green dye is diffused into the polymer base material (light emitting layer). . Looking at the melting points of the respective electron transporting materials, it is presumed that the CBP of the second embodiment is significantly different from 281 ° C. and the PBD of the second comparative example is significantly different from 136 ° C., thus causing a difference in device characteristics. That is, it is considered that the PBD melts in the base material and becomes a liquid state when the melting point is higher than the melting point, easily bleeds to the surface, and the charge transport balance in the light emitting layer is lost.
[0043]
Next, a method for manufacturing an organic EL element for forming sub-pixels corresponding to each color composed of the light emitting layer described above at high density will be described.
<Third embodiment>
FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a first dye stamp according to the organic EL device of the present invention.
FIG. 9 is a manufacturing process diagram for manufacturing an organic EL element using the first dye stamp according to the present invention.
The dye stamp is formed by forming a dye layer pattern having a shape corresponding to the sub-pixel in order to diffuse a predetermined luminescent dye into the sub-pixel of the light-emitting layer.
[0044]
First, a method for manufacturing the first dye stamp shown in FIG. 6 will be described.
As shown in FIG. 6A, a novolak-based positive photoresist having a viscosity of 420 mPa · s is applied on a substrate 11 made of, for example, a 3-inch silicon wafer by a spin coating method to form a photoresist having a thickness of 20 μm. The layer 12 is formed. The photoresist layer 12 is pre-baked at 100 ° C. for 120 seconds.
Next, as shown in FIG. 6B, using a photomask 13A processed so as to have an opening 13C from which an exposed portion of a predetermined shape is removed, a light amount of 1000 mj / cm. 2 Exposure. Here, one pattern size of the opening 13C of the photomask 13A is 10 μm × 20 μm (substantially the size of a subpixel).
[0045]
Next, as shown in FIG. 6C, the photomask 13A is removed and washed with an alkali developing solution 2.3% TMAH (tetramethylammonium hydroxide) in which the exposed portion of the exposed photoresist layer 12 is dissolved. Then, an opening 14 pattern is formed. The size of the bottom of the opening 14 (substrate 11 side) is 10 μm × 20 μm, the size of the entrance 14A is 6 μm × 16 μm, and the side surface of the opening 14 has an inverted tapered shape. This can be made into an inverse tapered shape by selecting exposure and development conditions.
[0046]
The photoresist (photosensitive resin material) that can obtain an inverted tapered shape after development may be either a negative type or a positive type. If the negative type is used, a difference in light absorption amount at the time of exposure must be provided. If so, it is necessary to produce a reverse tapered shape by further dissolving the vicinity of the substrate surface by utilizing the difference in solubility between the vicinity of the resin surface of the resin layer and the vicinity of the substrate surface during development. Since a relatively thick film can be formed and the edge of the pattern shape is sharp, it is preferable to use a novolak-based positive photosensitive resin.
[0047]
Next, as shown in FIG. 6D, a release layer (not shown) made of Au having a thickness of 100 nm and a dye layer 15 made of, for example, coumarin 6 having a thickness of 40 nm are sequentially formed by an evaporation method. .
Next, as shown in FIG. 6E, the dye layer 15 on the photoresist layer 12 is removed using, for example, an adhesive tape, and the dye layer 15 is formed on the substrate 11 in the opening 14 having a predetermined shape. The formed first dye stamp 20A is obtained.
[0048]
Next, a method of manufacturing the organic EL device according to the third embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 9A, a pixel electrode 22 having a predetermined shape, a hole injection layer 23, and a light emitting layer 24 are sequentially formed on a transparent substrate 21. The hole injection layer 23 is made of PEDT / PSS having a thickness of 60 nm. The light emitting layer 24 is made of polyvinyl carbazole in which an electron transporting material PBD having a thickness of 80 nm is dispersed at 30 wt%.
[0049]
Next, as shown in FIG. 9B, in the first dye stamp described above with reference to FIGS. 6A to 6E, a green dye layer 15G is placed on the substrate 11 of the opening 14G. The formed first dye stamp for green 20AG is accurately aligned with the light emitting layer 24 and the dye layer 15G so as to correspond to the RGB sub-pixel pattern to be formed. Thereafter, the light emitting layer 24 and the photoresist layer 12 are brought into close contact with each other by uniformly pressing the substrate 11 against the substrate 21.
Next, as shown in FIG. 9C, heating is performed at 120 ° C. for 10 minutes in a nitrogen-purging oven to transfer and diffuse the dye layer 15G to the light emitting layer 24 side. Thereby, a green light emitting subpixel (light emitting layer) 24G is formed.
[0050]
Next, as shown in FIG. 9D, the first dye stamp 20AG for green is removed, and the first dye stamp for red in which the red dye layer 15R is formed on the substrate 11 in the opening 14R. The 20AR is accurately opposed to the RGB pattern to be formed. The light emitting layer 24 and the photoresist layer 12 are brought into close contact with each other by uniformly pressing the substrate 11 against the substrate 21.
Next, as shown in FIG. 9E, heating is performed at 120 ° C. for 10 minutes in a nitrogen substitution oven to transfer the dye layer 15R to the light emitting layer 24 side and diffuse it. As a result, a red light emitting subpixel (light emitting layer) 24R is formed.
Next, as shown in FIG. 9 (f), the first dye stamp 20AR for red is removed, and the electron injection / transport / hole element layer 25, the metal of an ultrathin film of a predetermined shape are formed on the light emitting layer 24. The organic EL element 30 is obtained by forming the electrode 26 and the transparent electrode 27.
[0051]
Here, the case where green and red are diffused as the dye layer has been described. This is because the light emission of the light emitting material forming the light emitting layer 24 for diffusing the dye is B, and the light emission peak wavelength is 400 nm or more and 500 nm or less. Applied in some cases. In this case, two types of R and G dyes may be diffused. When light is emitted at a shorter wavelength than this, it is necessary to diffuse the B light-emitting dye.
[0052]
In the above-described diffusion of the dye, the side walls of the openings 14G and 14R are inversely tapered with respect to the substrate 11, and when the dye stamps 20AG and 20AR are arranged on the light emitting layer 24, It has a forward taper. Therefore, the detachment of the dye attached to the side wall during diffusion can be suppressed, and the concentration of the dye can be easily controlled. In addition, since the edge of the photoresist 12 that comes into contact with the light emitting layer 24 is sharp and the adhesion is good, the bleeding of the dye in this portion can be suppressed. In other words, it becomes possible to diffuse extremely sharply at the boundary end. Therefore, a fine sub-pixel pattern of the light emitting layer 24 can be easily formed.
[0053]
<Fourth embodiment>
FIG. 7 is a manufacturing process diagram of a second dye stamp according to the organic EL device of the present invention.
FIG. 10 is a manufacturing process diagram for manufacturing an organic EL element using the second dye stamp according to the present invention.
First, a method for manufacturing the second dye stamp shown in FIG. 7 will be described.
As shown in FIG. 7A, a novolak-based positive photoresist having a viscosity of 420 mPa · s is applied on a substrate 11 made of, for example, a 3-inch silicon wafer by a spin coating method to form a photoresist having a thickness of 20 μm. The layer 12 is formed. The photoresist layer 12 is pre-baked at 100 ° C. for 120 seconds.
[0054]
Next, as shown in FIG. 7B, using a photomask 13B processed to have an opening 13D such that an exposed portion of a predetermined shape is removed, a light amount of 1000 mj / cm. 2 Exposure. Here, one pattern size of the photomask 13B was 10 μm × 20 μm (substantially the size of a subpixel).
Next, as shown in FIG. 7C, the photomask 13B is removed, and the exposed portion of the exposed photoresist layer 12 is washed with an alkali developing solution 2.3% TMAH in which the exposed portion of the photoresist layer 12 is dissolved. Form. The size of the bottom surface (substrate 11 side) of the inverse tapered pattern 16 is 6 μm × 16 μm, and the size of the upper surface is 10 μm × 20 μm. The side surface of the reverse taper pattern 16 has a reverse taper shape.
[0055]
Next, as shown in FIG. 7D, a release layer (not shown) made of Au having a thickness of 100 nm and a dye layer 15 made of, for example, coumarin 6 having a thickness of 40 nm are sequentially formed by an evaporation method. Thus, a second dye stamp 20B is obtained.
Next, a method for manufacturing the organic EL device of the fourth embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 10A, a pixel electrode 22 having a predetermined shape, a hole injection layer 23, and a light emitting layer 24 are sequentially formed on a transparent substrate 21.
Next, as shown in FIG. 10B, in the second dye stamp 20B described above with reference to FIGS. 7A to 7D, the green dye layer 15G is formed on the substrate 11 in reverse. The second dye stamp 20BG for green color formed on the taper pattern is precisely aligned with the dye layer 15G and the light emitting layer 24 so as to correspond to the RGB sub-pixel pattern to be formed. do. After that, the substrate 11 is uniformly pressed against the substrate 21 to bring the dye layer 15G into close contact with the light emitting layer 24.
[0056]
Next, as shown in FIG. 10C, heating is performed in a nitrogen replacement oven for a predetermined temperature time to diffuse the dye layer 15G into the light emitting layer 24. At this time, conditions are set so that the dye layer 14G on the substrate 11 does not evaporate. Thereby, a green light emitting subpixel (light emitting layer) 24G is formed.
Next, as shown in FIG. 10D, the green second dye stamp 20BG is removed, and the red dye layer 15R is formed on the reverse tapered pattern formed on the substrate 11 for the second red dye layer 15R. Of the dye stamps 20BR are accurately opposed to each other so as to correspond to the RGB pattern to be formed. The light emitting layer 24 and the dye layer 15R are brought into close contact with each other by uniformly pressing the substrate 11 against the substrate 21.
[0057]
Next, as shown in FIG. 10E, the dye layer 15R is diffused toward the light emitting layer 24 by heating at a predetermined temperature in a nitrogen substitution oven for a predetermined time. At this time, conditions are set so that the dye layer 15R on the substrate 11 does not evaporate. As a result, a red light emitting subpixel (light emitting layer) 24R is formed.
Next, as shown in FIG. 10F, after removing the second dye stamp 20BR for red, the electron injection / transport / hole element layer 25, the ultrathin film of a predetermined shape is formed on the light emitting layer 24. The organic EL element 30 is obtained by forming the metal electrode 26 and the transparent electrode 27 described above.
Here, since the dye layer is formed on the reverse tapered pattern, the sag at the boundary is small, and therefore, when the dye is diffused into the light emitting layer using this, the bleeding at the boundary is reduced. A fine sub-pixel pattern of the light emitting layer can be easily formed.
[0058]
<Fifth embodiment>
FIG. 8 is a manufacturing process diagram of a third dye stamp according to the organic EL device of the present invention.
FIG. 11 is a manufacturing process diagram for manufacturing an organic EL element using the third dye stamp according to the present invention.
First, a method for manufacturing the third dye stamp shown in FIG. 8 will be described.
First, as shown in FIG. 8A, a photoresist in which a coumarin 6 dye is dissolved in about 1 to 5 wt% in advance is applied on a silicon substrate 11 by a spin coating method, and a 20 μm-thick dye containing A photoresist layer 17 is formed. The photoresist layer 17 is pre-baked for a predetermined temperature and time.
[0059]
Next, as shown in FIG. 8B, using a photomask 13B processed so as to have an opening 13D such that an exposed portion of a predetermined shape is removed, a photoresist layer 17 is formed for a predetermined time. Is exposed. Here, one pattern size of the photomask 13B was 10 μm × 20 μm (substantially the size of a subpixel).
Next, as shown in FIG. 8C, the photomask 13B is removed, and the exposed portion of the exposed photoresist layer 17 is washed with a predetermined alkali developing solution 2.3% TMAH in which the exposed portion is dissolved. A taper pattern 18 is formed. The size of the bottom surface (the substrate 11 side) of the dye-containing reverse taper pattern 18 is 6 μm × 16 μm, and the size of the top surface is 10 μm × 20 μm. The side surface of the dye-containing reverse taper pattern 18 has a reverse taper shape. Thus, a third dye stamp 20C is obtained.
[0060]
This is the same as the second dye stamp described above, except that the dye layer 15 is replaced by the dye-containing reverse taper pattern 18, and the function of dye diffusion to the light emitting layer 24 is the same.
The manufacturing process of the organic EL device using the third dye pattern 20C is shown in FIG. 11, but the operation of the third dye stamp is the same as that of the second dye stamp, and therefore the description thereof is omitted.
In the obtained organic EL device 30, since the dye is formed on the dye-containing reverse taper pattern, the sag at the boundary is small. Therefore, when the dye is diffused into the light emitting layer by using this, the dye at the boundary is Less bleeding. A fine sub-pixel pattern of the light emitting layer can be easily formed.
FIG. 12 shows a cross-sectional configuration of the organic EL element 30 formed as described above.
[0061]
As described above, the shapes of the opening 14, the reverse taper pattern 16, and the dye-containing reverse taper pattern 18 formed in the photoresist layer 12 have been described as rectangular shapes of 10 μm × 20 μm, but these shapes are stripes or strips. In the case of a strip shape, the area is set to be a straight line or a step shape, and then the area is set to be substantially equal to the area of the sub-pixel in order to transfer and diffuse the dye on the pixel electrode. It is sufficient to prepare a photomask in which the positions of the openings and the like are different by one sub-pixel pitch for each color.
As the dye to be used, any dye can be used as long as it is stable to heating, can form a thin film by vapor deposition, and emits red or green blue (RGB) having fluorescence or phosphorescence.
[0062]
As the red (R) dye, a porphyrin compound, a chlorin compound, a perylene compound, a dicyanopyran compound, a squarylium compound, a distyryl compound, an eurolysine compound, a coumarin compound, or the like can be used.
As the green (G) dye, a coumarin compound, a quinacridone compound, a quinolinol metal complex compound, or the like can be used.
As the blue (B) dye, existing fluorescent dyes such as distyrylaryl compounds, diarylamine compounds, triarylamine compounds, tetraphenylbutadiene, and perylene can be used.
In addition, phosphorescent dyes of each RGB emission color, such as a metal complex in which Ir or Pt is used as a central metal and a ligand is arranged, can also be used.
[0063]
【The invention's effect】
As described above, according to the organic electroluminescence device of the present invention, according to the first aspect, the light emitting layer includes a polymer light emitting material and a second light emission wavelength different from the first light emission wavelength of the polymer light emitting material. Consisting of a first low molecular light emitting material containing a phenylcarbazole group having an emission wavelength, and a second low molecular light emitting material having a third emission wavelength longer than the first and second emission wavelengths. By doing so, there is an effect that an organic electroluminescent element having a light emitting layer which has good luminous efficiency and excellent durability and which is easily manufactured can be provided.
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic electroluminescent device, comprising: forming a photoresist layer having a reverse tapered pattern on a first substrate; Forming a dye portion on the first substrate, forming a pixel electrode and a light emitting layer on the second substrate sequentially, and setting the photoresist layer side to face the light emitting layer side; After the first substrate is placed on the second substrate, the step of adhering, and the step of heating the first substrate and the second substrate, which are in close contact with each other, in the light emitting layer corresponding to the pixel electrode A step of forming a dye layer by diffusing the dye portion, and a step of forming a common electrode on the dye layer after separating the first substrate from above the second substrate. By this, the fine pixel pattern of the light emitting layer Method for producing an organic electroluminescent device capable of producing good form there is an effect that it provides.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a basic structure of an embodiment of an organic EL device of the present invention.
FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating a basic configuration of an organic EL element.
FIG. 3 is a chemical structural formula of an example of a low molecular weight material containing an N-phenylcarbazole group.
FIG. 4 is a chemical structural formula of a dye composed of a metal organic complex.
FIG. 5 is a diagram showing an example of a combination of luminescent dyes diffused in a pixel.
FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a first dye stamp according to the organic EL device of the present invention.
FIG. 7 is a manufacturing process diagram of a second dye stamp according to the organic EL element of the present invention.
FIG. 8 is a manufacturing process diagram of a third dye stamp according to the organic EL device of the present invention.
FIG. 9 is a manufacturing process diagram for manufacturing an organic EL element using the first dye stamp according to the present invention.
FIG. 10 is a manufacturing process diagram for manufacturing an organic EL element using the second dye stamp according to the present invention.
FIG. 11 is a manufacturing process diagram for manufacturing an organic EL element using the third dye stamp according to the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the organic EL element of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent substrate, 2 ... Anode, 3 ... Hole transport layer, 4, 4A ... Light emitting layer, 5 ... Cathode, 6 ... Power supply, 7 ... Light emission, 8, 8A ... Organic EL layer, 10, 10A ... Organic EL Element, 11: Substrate, 12: Photoresist layer, 13A, 13B: Photomask, 13C: Opening, 14, 14G, 14R: Opening, 15, 15G, 15R: Dye layer, 16, 16G, 16R: Reverse taper Pattern, 17: Dye-containing photoresist, 18, 18G, 18R: Dye-containing reverse taper pattern, 20A, 20AG, 20AR, 20B, 20BG, 20BR, 20C, 20CG, 20CR: Dye stamp, 21: Transparent substrate, 22: Pixel Electrodes, 23: hole injection layer, 24, 24G, 24R: light emitting layer, 25: electron injection / electron transport / hole blocking layer, 26: extremely thin metal electrode, 27: transparent electrode, 30: yes EL element.

Claims (2)

基板上に、第1の電極と、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネセンス層と、第2の電極とを順次積層した、有機エレクトロルミネセンス素子において、
前記発光層を高分子発光材料と、前記高分子発光材料の第1の発光波長とは異なる第2の発光波長を有するフェニルカルバゾール基を含有する第1の低分子発光材料と、前記第1及び第2の発光波長より長波長である第3の発光波長を有する第2の低分子発光材料とから構成したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
An organic electroluminescent element in which a first electrode, an organic electroluminescent layer having at least a light emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate.
The light emitting layer is a polymer light emitting material, a first low molecular light emitting material containing a phenylcarbazole group having a second emission wavelength different from the first emission wavelength of the polymer light emitting material, An organic electroluminescent device comprising: a second low-molecular light-emitting material having a third emission wavelength longer than the second emission wavelength.
第1の基板上に逆テーパーパターンを有するフォトレジスト層を形成する工程と、
前記逆テーパー状パターンから露出した前記第1の基板上に色素部を形成する工程と、
第2の基板上に画素電極、発光層を順次形成する工程と、
前記フォトレジスト層側を前記発光層側に対向させて、前記第1の基板を前記第2の基板上に載置した後、密着する工程と、
密着した前記第1の基板及び前記第2の基板を加熱して、前記画素電極に対応する前記発光層中に前記色素部を拡散して、色素層を形成する工程と、
前記第1の基板を前記第2の基板上から離間させた後、前記色素層上に共通電極を形成する工程と、
からなることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
Forming a photoresist layer having a reverse taper pattern on the first substrate;
Forming a dye portion on the first substrate exposed from the reverse tapered pattern;
Sequentially forming a pixel electrode and a light emitting layer on the second substrate;
Placing the first substrate on the second substrate with the photoresist layer side facing the light emitting layer side, and then closely contacting the first substrate;
Heating the adhered first substrate and the second substrate to diffuse the dye portion into the light emitting layer corresponding to the pixel electrode, thereby forming a dye layer;
Forming a common electrode on the dye layer after separating the first substrate from the second substrate;
A method for manufacturing an organic electroluminescent device, comprising:
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