JP2003524753A - プラズマ処理操作を監視する方法及び装置 - Google Patents

プラズマ処理操作を監視する方法及び装置

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JP2003524753A JP2000544994A JP2000544994A JP2003524753A JP 2003524753 A JP2003524753 A JP 2003524753A JP 2000544994 A JP2000544994 A JP 2000544994A JP 2000544994 A JP2000544994 A JP 2000544994A JP 2003524753 A JP2003524753 A JP 2003524753A
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オゥドーン スティーブンソン、ジョエル
レーン ジュニア スミス、マイケル
デニーズ ピアドン ワード、パミラ
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サンディア コーポレーション
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、プラズマ処理の多様な側面に広く関し、より詳細には、前記プラズマ処理の監視に関する。一の側面は、何らかの形で、プラズマ監視アセンブリ(174)の較正又は初期化に関する。この種の較正は、プラズマ処理について得られる発光データに伴う波長シフト、強度シフト、あるいはその両方の識別に利用できる。較正光を窓(124)に向けて照射し、この窓を介して発光データを得て、窓の内表面が、それを介して得られる発光データ、発光データ収集装置の動作、あるいはその両方に何らかの影響を与えるものであればそれを測定することができる。もう一つの側面は、少なくとも何らかの形で、処理室(74)内で実施されるプラズマ処理、より特徴的には、目下実施されているプラズマ処理について行われる各種評価に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は、広くはプラズマ処理分野に関し、更に詳しくは前記プラズマ処理の
監視又は評価に関する。 【0001】 (発明の背景) プラズマは、半導体及びプリント配線基板産業における各種工業的処理はもと
より、医療機器産業や自動車産業など様々な業界で利用されている。プラズマの
一般的な一用途として、隔離又は制御環境における材料のエッチング除去がある
。ガラス、シリコン又は他の基板材料、フォトレジスト、蝋、プラスチック、ゴ
ム、生物製剤及び植物などの有機物質、並びに銅、アルミニウム、チタン、タン
グステン及び金などの金属等々、各種材料を一又は複数のプラズマ組成によって
エッチングすることができる。またプラズマは、例えば化学蒸着法など、各種技
法により適切な表面に有機物や金属などの材料を堆積させるために利用される。
スパッタリング操作においてもプラズマを利用して、イオンを発生させることが
でき、このイオンが原料(金属、有機物など)から材料を叩き出し、基板などの
ターゲット表面に前記材料を堆積させる。また表面洗浄、表面活性化、粗面処理
、表面平滑化、微細加工、硬化及びパターンニングなどを含む表面改質操作にお
いてもプラズマが使用される。 【0002】 プラズマ処理操作は、企業の利幅に顕著な影響を与える。これは半導体及びプ
リント配線基板産業に特に言えることである。一つの半導体製造施設が200乃
至300に及ぶ処理室を持つことが可能で、各処理室が商業生産において1時間
につき少なくとも約15乃至20のウェーハを処理しうると仮定する。更に、こ
れら処理室の一つで処理された8インチウェーハ1枚を用いて、ある場合におい
て、各々が実質的に「プレソルド(売約済み)」である少なくとも単価約125
ドルの半導体チップを1,500個まで製造することが可能であると仮定すると
、異常なプラズマ処理を受け、廃棄される一つのウェーハが、少なくとも約18
7,500ドルの収益損失を産むことになる。 【0003】 ウェーハ表面に作用して、該ウェーハから半導体素子を形成する特定のプラズ
マ処理は、一般に、プラズマ製法と称される。当業者は、プラズマ製法を、各工
程が固定された時間周期で実施される一又は複数のプラズマ工程の組合せと見な
している。しかしながら、本発明と関連して使用される「プラズマ製法」は、一
又は複数の明らかに異なるプラズマ工程を含むプラズマ処理プロトコル(例えば
特定の工程の特定の組み合わせ)を意味している。「明らかに異なる」とは、各
プラズマ工程が、処理を受ける製造物(例えばウェーハ)表面に異なる所定の結
果をもたらすことを意味する。プラズマ工程間の差異は、プラズマ組成、処理室
内の温度及び圧力、DCバイアス、励起速度並びに電力設定など、一又は複数の
処理条件が変化することにより識別できるが、前記条件に限定されない。プラズ
マ工程の連続進行により、各プラズマ工程の結果と同様に、プラズマ製法の総括
的又は累積的な所定最終産物をもたらしうる。 【0004】 プラズマ処理は、商業生産施設において、以下の方法でウェーハ表面に施すこ
とができる。複数のウェーハ(例えば24)を収容するカセット又はボートを、
一又は複数の処理室に係合するウェーハ搬送装置が届く位置に設ける。1回につ
き1枚のウェーハが処理室で処理されるが、幾つかの処理室においては、同時プ
ラズマ処理を行うように複数のウェーハを同時に収容してもよい。一又は複数の
品質管理ウェーハを各カセットに入れてもよく、残りのウェーハは一般に製造ウ
ェーハと称される。品質管理及び製造ウェーハは双方とも、処理室内で同一のプ
ラズマ処理を受ける。しかしながら、品質管理ウェーハは、プラズマ処理を検査
又は評価することのみを目的として処理及び保持されるので、半導体素子は品質
管理ウェーハから形成せず、製造ウェーハから形成する。上記製造ウェーハから
半導体素子を実際に形成する前に、ここでプラズマ処理された製造ウェーハを更
に処理する必要がある。 【0005】 多くのプラズマ処理においては、一又は複数の側面から処理を評価するために
監視機構が採用される。ウェーハ表面に施されるプラズマ製法と関連する一般的
な監視技術の一つに、終点検出がある。現行の終点検出機構は、所定のプラズマ
製法における一つのプラズマ工程が完了する時、より詳細には、プラズマ工程に
伴う所定の結果を製造物上に達成し終えた時点を認識するように設計されてなる
。代表的な「所定の」結果とは、多層ウェーハを構成する一層がマスク等により
規定される方法で完全に除去される時点である。多段階プラズマ製法の只一つの
工程の終点を識別するよう設計された従来技術機構も存在するが、公知の機構で
は、多段階プラズマ製法の各工程の終点を識別することができず、更に言えば多
段階製法の二つの工程すらも識別することができない。 【0006】 所定のプラズマ工程をその終点又は終点到達直後に終了させる機能を備えるこ
とにより、多くの点でコストを削減することができる。所望の結果に到達した時
点で所定のプラズマ工程を終了させることにより、プラズマ発生に使用する気体
の量を減らすことができることは明らかである。更に重要な点は、所定のプラズ
マ工程をその終点に到達したとき又はその直後に終了することにより、ウェーハ
が所定の程度を超えてオーバーエッチされることが防止される点である。ウェー
ハのオーバーエッチングは、エッチングされるべき層に隣接する層部分をエッチ
ングするなど、所定限度を超えてウェーハから材料を除去したり、あるいは、ウ
ェーハの他の部分への予期せぬ材料付着(スパッタリング)を招く場合もある。
このウェーハから製造された半導体素子にもたらされる影響として、半導体素子
の品質が低下し、何らかの欠陥又は欠損あるいはその両方がある望ましくない半
導体素子があっても、それが検出されずに消費者の元へ届く可能性がある。ある
いは、ある程度のウェーハのオーバーエッチングであれば、ウェーハは単に廃棄
される結果となる。 【0007】 終点検出は、プラズマ処理に関して理論的には望ましい。商業的製造施設にお
いて終点検出法を実施する試みが為されれば、多少の欠損は明らかとなるであろ
う。初めに、公知の終点検出法は全て、終点の指標として入力して使用する波長
を確認するために、対象となるプラズマ操作をまず化学的に分析することにより
開発された。製造施設は典型的に、多数のプラズマ製法を実施している。同様に
、上記公知の終点検出法は、熟練した化学者を維持することが必要となるのでコ
ストを増加させることとなる。更に、上記技法は、往々にして期待される結果を
生み出さない。すなわち化学者が選択した波長は、理論にのみ基づいているので
、プラズマ工程を実際に実施する際に、実際は全く終点の指標とならないことが
ある。また既知の終点検出技法は、その技法が行われる処理室に依存する。終点
検出法が他の処理室で使用される場合は、正確な結果を得ることができない。し
たがって、化学的な「予備分析」量が減少し、複数の処理室で許容できる程度に
機能するプラズマ監視機構(すなわち適切な終点を識別することのできる汎用プ
ラズマ監視機構)を設けることが望ましい。 【0008】 一般に使用される終点検出法は、対象とするプラズマ工程が終点に達すればそ
のときを知らせるのみで、実際どのようにプラズマ処理が進行するのか、すなわ
ちプラズマ処理の「健康状態」について何ら情報を提供するものではない。プラ
ズマ処理において一般に使用される他の監視法は、この種の欠点を有している。
プラズマを作り出すために使用する供給気体の圧力、温度及び流速が、典型的に
監視される。プラズマに付随する電気系に関する多様な側面も監視され、例えば
プラズマ挙動に影響を与えることから電力設定も利用される。しかしながら、上
記種類の監視操作は、プラズマ処理が実際に進行する様子を必ずしも識別しうる
ものではない。全てのハードウェア設定が正しくとも、多様な理由によりプラズ
マは正常に機能しない場合がある(例えば「不健康な」プラズマ)。プラズマ処
理における誤りは典型的に、ある種の後処理である破壊的試験法により検出され
るので、典型的に複数のウェーハは、誤りが実際に認識され、改善される前の不
完全なプラズマ処理を受けることとなる。したがって、現行のプラズマ処理が実
際どのように進行しているかをよりリアルタイム形式でより正確に示し、それに
より、異常なプラズマ処理を受けるウェーハの数を減少させるプラズマ監視機構
を設けることが望ましい。更に、少なくとも次のウェーハが上記のような異常な
プラズマ処理を受ける前に、プラズマ処理における誤りの存在を認識するプラズ
マ監視機構を設けることが望ましい。 【0009】 半導体製造プロセスの他の部分が、商業的製造施設の利幅に悪影響を与える可
能性もある。往々にしてオペレータが不適切なプラズマ製法を実施すると、製造
されたウェーハは廃棄される。この種の状況を回避するために、プラズマ監視機
構が、所定処理室で行われるべきプラズマ製法を容易に識別することが望ましい
。更に、所定プラズマ製法の各工程の長さは、典型的に、最悪の場合の条件に相
当する一定の時間幅に(すなわち最も遅いプラズマ処理操作がこの時間枠で完了
するように)設定される。実際多くの場合に、この最大設定に到達するよりかな
り前に、各工程は完了し、終点検出の説明において指摘した問題を引き起こす。
したがって、プラズマ製法が一の処理室内で実施される場合、該製法の各工程を
識別し、プラズマ処理の制御に関するこの情報を(例えば現行の工程を終了させ
たり、次のプラズマ工程を開始させたり、あるいはその両方を行うために)利用
することができるプラズマ監視機構を設けることが望ましい。 【0010】 処理室内の製造物(例えばウェーハ)のプラズマ処理は、処理室の内部に影響
を及ぼす可能性があり、この場合は、該処理室内の製造物に対して実施される次
のプラズマ製法に悪影響を及ぼす可能性がある。処理室内で実施されたプラズマ
処理の何らかの副生物が、処理室内表面の一又は数箇所に付着する可能性がある
。これら付着物は、何らかの悪影響を、該処理室内で実施される一又は複数のプ
ラズマ製法(例えば一の処理室を使用して一種以上のプラズマ製法を実施する場
合がある)に与える可能性がある。処理室内表面の付着物は、処理室の性能に次
のような代表的な影響を与える可能性がある。すなわち、プラズマ製法の一又は
複数のプラズマ工程の終点に到達するまで長い時間が必要となる。一又は複数の
プラズマ工程の終点に達しない。現行のプラズマ工程において期待されるものと
は異なる結果が生じてしまう(すなわち予期せぬ、あるいは望ましくない結果)
などである。上記状況に対処するため、一般的に処理室は、所定の周期に基づい
て製造ラインから外されて洗浄されるが、処理室が実際に洗浄が必要な状態にあ
るか否かに関らず、また処理室がこの時点までに良好な洗浄状態にあってもこの
操作が実施される。処理室を製造ラインから外して洗浄すべき場合を識別しうる
プラズマ監視機構を設けることが望ましい。 【0011】 上記付着物に対処するために採用される洗浄操作は、処理室内部のプラズマ洗
浄、処理室内部の湿式洗浄、並びに、室内で実施されるプラズマ処理によって実
際消耗し、そのため一般に「消耗品」と称される処理室特定部品の交換を含む。
プラズマ洗浄は、一般的には製造物が内部に存在しない(例えば、製造ウェーハ
が無い)状態、したがって空の状態にある処理室内で適切なプラズマを発生させ
ることにより、上記付着物に対処するものである。プラズマ洗浄においてプラズ
マは上記付着物に作用し、化学反応、機械的反応、又はその両方によって上記付
着物の厚さを減少させる。プラズマ洗浄の間、発生する気体及び粒子状物質は、
処理室から排出される。プラズマ処理室内で目下行われているプラズマ洗浄の(
健康)状態と終点の両方を正確に識別しうるプラズマ監視機構を設けることが望
ましい。 【0012】 プラズマ洗浄のみでは、処理室内部の状況を改善するのに十分ではない場合も
幾つかある。単独又はプラズマ洗浄と組み合わせて採用しうる他の洗浄法として
は、一般に「湿式洗浄」と称されるものがある。湿式洗浄においては、各種の溶
媒又は類似のものを使用することができ、人手により添加される。これに関し、
対象となるプラズマ処理を減圧し、適切な出入ができるように該処理室を開いて
、該処理室の内表面を人手により拭いて、化学反応、機械的反応、あるいはその
両方により付着物の少なくとも一部を溶媒で除去する。湿式洗浄が、適時に開始
するかあるいは全く省略されるように、プラズマ処理室内部のプラズマ洗浄をそ
れ以上続けても実施的に効果が得られなくなる時点を正確に識別しうるプラズマ
監視機構を設けることが更に望ましい。 【0013】 プラズマ処理装置の内表面のプラズマ洗浄及び湿式洗浄は、多数のプラズマ処
理を処置室内で実施した後に付着物を処理するには効果がない場合がある。処理
装置内表面の十分な分解には、処理室特定部品の交換が必要である。一般にある
種の周期に基づいて交換される処理室の部品としては、シャワーヘッド、ウェー
ハプラットホーム、ウェーハペデスタル、石英ベルジャー、及び石英ベルルーフ
がある。 【0014】 一又は複数の処理室部品を交換した後であって、処理室の商業利用(例えば、
商用目的における処理室内でのウェーハ処理など)を再開する前に、更に言えば
新規処理室の場合に、一般には湿式洗浄実施後、処理室内表面の二次的な処理が
実施される。一般にプラズマ洗浄操作と称されるこの種の操作において新たに密
閉された処理室内にプラズマが導入されるとき、該処理室内に製造物は一切存在
しない。この場合、プラズマ洗浄操作は、湿式洗浄に由来する残留溶媒の問題を
解消するか、処理室内で製造物をプラズマ処理するための新規な処理室部品を用
意するか、あるいはその両方を行うものである。このような場合においてプラズ
マ洗浄操作の状態及び終点の両方を正確に認識しうるプラズマ監視機構を設ける
ことが望ましい。 【0015】 任意種類のプラズマ処理室洗浄後、処理室の任意部品交換後、すなわちその内
部で一度もプラズマ処理が実施されたことのない新規処理室の場合、製造ウェー
ハを処理室に通す前に、調整用ウェーハを処理室に通してもよい。調整用ウェー
ハ操作において、典型的に全プラズマ処理が、対象となる処理室内に配置された
一又は複数の調整用ウェーハに対し施される。調整用ウェーハは単純な「ブラン
ク」であってもよく、幾つかの半導体素子成分を表面上に有するものでもよく、
その表面上に全プラズマ処理が施されることにより、調整用ウェーハは全く変化
しないか、あるいは調整用ウェーハの一部がエッチングされる。しかしながら、
半導体素子は調整用ウェーハからは一切形成されず、その表面にプラズマ製法を
施す間、調整用ウェーハ上に、集積回路がエッチングされることは一切ない。一
方、この種の調整用ウェーハは、刷新され(例えば、調整用ウェーハ操作の間エ
ッチングされた範囲に材料を再堆積させる)調整用ウェーハとして再び使用され
るか、廃棄される。上記調整用ウェーハの処理は、処理室を更に準備又は調整す
るものであり、ある製造条件においては処理室を設置する目的で実施される。調
整用ウェーハの処理がその所定目的を満たした時点を識別するために使用される
素子は今のところ存在しない。したがって、調整用ウェーハ操作の状態と共に、
該操作が終了した時点を正確に認識しうるプラズマ監視機構を設けることが望ま
しい。 【0016】 (発明の要旨) 本発明は、プラズマ処理の多様な面に広く関する。これら多様な面は、4つの
大きなカテゴリーに分類される。一のカテゴリーは、少なくとも何らかの形で、
工程、それに関連する部品、あるいはその両方の較正又は初期化に関する。以下
に記載される第一から第四の側面は、このカテゴリーに含まれる。もう一つのカ
テゴリーは、処理室内で実施されるプラズマ処理、より一般的には目下実施され
ている処理について行われる各種評価(例えばプラズマ状態の評価、プラズマ処
理/プラズマ処理工程識別、プラズマオン測定(plasma ″on″ de
terminations))に、少なくとも何らかの形で関する。以下に記載
の第五から第八の側面は、この第二カテゴリーに含まれる。別なもう一つのカテ
ゴリーは、プラズマ工程(プラズマ洗浄、調整用ウェーハ操作など)又はそれら
の独立又は明瞭に識別しうる部分(多段階プラズマ製法における一プラズマ工程
など)の終点に少なくとも何らかの形で関する。以下に記載の第九から第十三の
側面は、この第三カテゴリーに関する。最後に、本発明に関する第四のカテゴリ
ーは、上記側面の一又は複数が、半導体製造施設においてどのように実施される
かということに関する。以下に記載の第十四から第十七の側面は、この第四のカ
テゴリーに含まれる。 【0017】 本発明の第一の側面は、プラズマ処理操作の監視と関連する較正機能を有して
なるプラズマ処理装置として実現される。プラズマ処理装置は処理室を含んでな
り、該処理室は、該処理室内で実施されるプラズマ処理に晒される内表面と、前
記処理から隔離される外表面とを持つ一つの窓を有してなる。プラズマ発生装置
は、プラズマ処理装置と関連して、プラズマ処理用のプラズマを発生させるもの
である。処理室内にプラズマを発生させるどのような技法及びそれに対応する構
造も、本発明のこの第一の側面に適合しうる。第一の分光計アセンブリ(例えば
、走査型分光計や固体状態分光計など、一又は複数の任意種の分光計)が、処理
室の外側に設置され、第一の光ファイバーケーブルアセンブリ(例えば一又は複
数の光ファイバーケーブル)を介して、前記窓と連動可能に接続されている。ま
た較正用光源も、処理室外側に設置され、第二の光ファイバーケーブルアセンブ
リ(例えば一又は複数の光ファイバーケーブル)を介して前記窓と連動可能に接
続されている。第一及び第二の光ファイバーケーブルアセンブリの端は、窓を通
して伝達されるデータを受け取るための前記連動可能な接続を確立するために、
窓外表面に、好ましくは少し離れて取り付けられる。 【0018】 本発明の第一の側面に係る一態様において、「較正」は、較正用光源によって
窓に送られる較正光に関するデータ(例えば、対応する発光のパターン、強度、
あるいはその両方)と、処理室の窓の内表面によって反射される同一較正光の第
一部分に関するデータ(例えば第一部分のパターン、強度、あるいはその両方)
との比較を含む。処理室の窓の内表面は、処理室内で実施されるプラズマ処理の
影響を典型的に受ける部分である。窓の内表面における変化は、処理室内で実施
されるプラズマ処理についての評価が発光の窓透過に基づくとすれば、そのよう
なあらゆる評価に影響を及ぼす。窓の内表面に及ぶ変化は該内表面による較正光
の反射に影響を与えるので、このような変化は、上記較正光を利用して識別する
ことができる。したがって、本発明の第一の側面に係るこの態様から得られる「
較正」は、上記比較に基づいて、当該機構に対し少なくとも一つの調整を施すこ
とにより、発光に基づくプラズマ監視機構の較正に利用することができる。第一
の側面に係るこの態様で企図される種類の「調整」は、以下に記載の本発明の第
三の側面に関連して行われるものである。 【0019】 本発明の第一の側面による較正と関係する窓の情報は、発光を透過させる処理
装置窓の内表面に特有の情報を含んでいることが好ましい。すなわち、第一の側
面による較正は、窓の外表面ではなく、窓の内表面のみに関与していることが好
ましい。この第一の側面の他の一態様においては、窓の内表面によって反射され
た較正光の一部を、窓に送られた本来の較正光と容易に比較できるように、複数
の工程が実施される。これは、窓を好適に設計することにより達成される。例え
ば、較正光が窓を照射する領域を含む少なくとも窓の一部が、概ね楔形に構成さ
れる(窓の厚さが一様ではない)。この態様における窓形状を他に言い表すと、
窓の内面及び外面の少なくとも一部が非平行状態に設けられてなる。この種の形
状は、第一及び第二の光ファイバーケーブルアセンブリにおける関連する端が、
同軸に設置されるか、少なくとも平行に設置される場合に、特に有用である。こ
れに関し、第一及び第二の光ファイバーケーブルアセンブリの端は、これら光フ
ァイバーケーブルアセンブリの端から延びる基準軸が、直角以外の角度で窓の外
表面とそれぞれ交差し、且つ、少なくとも実質的に垂直に窓の内表面とそれぞれ
交差するように設置される。同様に、窓の外表面が反射する較正光の一部は、第
一光ファイバーケーブルアセンブリの端からそれるので、集光されない。しかし
ながら、窓の内表面が反射する較正光の少なくとも一部は、第一光ファイバーケ
ーブルアセンブリの端に戻されて、第一分光計アセンブリに利用可能となり、し
たがって上記比較に利用可能となる。 【0020】 窓の外表面が反射する較正光の一部ではなく、窓の内表面が反射する較正光の
一部を集める他の方法は、窓の内表面と外表面とが少なくとも実質的に平行(例
えば均一な厚さの窓形状)であるような従来の窓を利用して実施可能である。こ
の場合、第一及び第二の光ファイバーケーブルアセンブリの端は、少なくとも等
しい逆向きの鋭角で窓のほぼ同一領域を目指す(例えば、ほぼ反対の方向から、
直角以外の角度でほぼ同一領域を目指す)ように横向きに設置される。この特徴
を説明するために、窓の内表面及び外表面を通過し、それらと実質垂直な基準面
を仮定する。第二光ファイバーケーブルアセンブリの端は、この基準面の第一端
に設置され、そこから移動して、その端から出る光が直角以外の角度で窓の外表
面と交差するように、少なくともほぼ該基準面の方向に窓に向かって案内される
。第一光ファイバーケーブルアセンブリの端は、この同一基準面の第二端(第一
端と対向関係)に配置され、そこから移動して、窓の内表面が反射する較正光の
少なくとも一部が、第一光ファイバーケーブルアセンブリによって集光され、第
一分光計アセンブリに供給されるように、少なくとも概ね該基準面の方向に、窓
に向かって案内される。窓の厚さは、窓の内表面が反射する較正光の一部が、窓
の外表面が反射する較正光の一部からずれる量を少なくとも部分的に規定し、し
たがって、外表面ではなく窓の内表面が反射する光のみを集光する第一及び第二
の光ファーバーアセンブリの端同士の相対的位置関係に対する感受性を規定する
ものである。 【0021】 また窓の外表面が反射する較正光の一部の影響を減少させるように、すなわち
窓に送られた較正光と、窓の内表面によって反射された較正光の一部とを比較し
うるように、窓の外表面に反射防止塗装を設けることも可能である。内表面及び
外表面に平行な窓をこの構成に採用することも可能であり、そのことにより第一
及び第二の光ファイバーケーブルアセンブリの端は、それぞれの端から突出する
基準軸が、少なくとも実質垂直に内表面及び外表面両方と交差するような向きで
同軸に設置される。窓外表面への反射防止塗装の採用により、窓の外表面で反射
され第一光ファイバーケーブルアセンブリに戻されてこの場合第一分光計アセン
ブリに供給される光の量が減少する。しかしながら、外表面からはまだ多少の反
射光があり、この光は内表面からの所望の反射光と共に第一分光計アセンブリに
供給される。したがって、上記のような反射防止被膜は、窓の内表面及び外表面
で反射された較正光をある程度分離する上記技法と組み合わせて使用することが
好ましい。 【0022】 本発明の第一の側面に係る他の一態様は、光ファイバーケーブルアセンブリに
関する。この固定アセンブリの一の目的は、第一及び第二の光ファイバーケーブ
ルアセンブリにおける一又は複数の関連する端を、窓に対して固定した位置関係
で維持することにある。この固定アセンブリの別の目的は、第一光ファイバーケ
ーブルアセンブリ、第二光ファイバーケーブルアセンブリの一又は複数、より好
ましくはそれぞれを、処理室に付随する窓と脱着可能に連結することにある(例
えばねじ山付き固定具を使用して)。上記固定アセンブリの一態様は、少なくと
も第一及び第二の光ファーバーケーブルアセンブリの端が同軸であり、窓の内表
面によって反射された較正光の一部を、窓の外表面によって反射された較正光の
一部から分離するような形状に窓が構成される場合(例えば、概ね楔形の形状を
窓に適用する)に特に有用である。この場合、固定アセンブリは、窓の外表面の
少なくとも一部と接面するか、該一部に向かって突出してなる陥凹部分を含んで
なる。この陥凹部分を画定する固定アセンブリの表面の少なくとも一部は、窓の
外表面によって反射された較正光の一部を吸収する(すなわち外表面が反射した
光が固定アセンブリ本体を照射すると、その光を吸収する)光吸収性材料を含ん
でなる。第一のポートは、固定アセンブリ内を通り、第一及び第二の光ファイバ
ーケーブルアセンブリそれぞれの端から突出してなる基準軸が、直角以外の角度
で窓の外表面と交差し、更に、少なくとも実質垂直に窓の内表面と交差するよう
な向きで前記陥凹部分と交差する。したがって、固定アセンブリのこの態様を使
用して、窓と、第一及び第二の光ファイバーケーブルアセンブリとを固定した位
置関係で保持することができ、これにより、第一光ファーバーケーブルアセンブ
リが、窓の外表面ではなく窓の内表面でのみ反射された較正光の一部分を集光す
ることが可能になる。 【0023】 本発明の第一の側面に係る別の一態様は、較正用光源を用いて少なくとも二種
の光を利用することに関する。このような較正光の一つは、多数の離散強度ピー
クを含んでなり、一方、それとは別の較正光は、離散ピークを持たない連続強度
(一定強度、連続変化強度、あるいは両者の組み合わせなど)によって定義され
る。加えて、これら較正光の一つを利用して、較正を必要とする条件の一種(窓
を介して得られた発光データに伴う波長シフトなど)を識別することができ、一
方、較正を必要とする別の条件(窓を介して得られた発光データに伴う強度シフ
ト、窓を透過する発光の一部の完全濾光など)に対して、前記較正光とは別の較
正光を利用することができる。上記光源をどのように使用して上記条件を識別す
るかは、第二の側面に関して以下に記載する。したがって、第二の側面に関し以
下に記載する特徴のいずれか一又は複数は、本発明の第一の側面に係るこの態様
に関して同様に記載された種々の特徴と組み合わせて使用することができる。 【0024】 本発明の第二の側面は、プラズマ処理装置のある種の較正の間、識別される一
又は複数の「条件」に関する。この第二の側面に係る各種態様のそれぞれは、処
理室と、該処理室内で実施されるプラズマ処理を、工程中の処理室内に存在する
プラズマについての発光データを利用して監視又は評価するある種のプラズマ監
視アセンブリと、前記プラズマ監視アセンブリと連動可能に接続してなる較正ア
センブリとを含んでなるプラズマ処理装置として実現される。 【0025】 本発明第二の側面に係る較正アセンブリの一態様は、プラズマ監視アセンブリ
を一又は複数の条件に関して較正するものである。前記条件の一つに、対象とな
るプラズマ処理において得られる発光データに関連して確認される波長シフトが
ある。また前記条件の一つに、対象となるプラズマ処理において得られる発光デ
ータに関連して確認される強度シフトがある。更に前記条件の一つに、対象とな
るプラズマ処理に関し得られるべき発光の一部が、窓によって少なくとも実質完
全に濾光(例えば遮蔽)される事項がある。最後に、前記条件の一つとして、窓
が発光の異なる部分に異なる影響を与える事項がある。これは、対象となるプラ
ズマ処理に関して得られる発光データ全体において異なる強度シフト又は複数の
減衰効果が存在する場合である。前記条件のどのような組合せも、本発明第二の
側面に係る較正アセンブリによって識別及び較正できる。 【0026】 本発明第二の側面に係る上記条件いずれかについて、対象とするプラズマ監視
アセンブリを較正及び識別するために、本発明第一の側面に係る上記較正アセン
ブリを使用することができる。波長シフトは、複数の(異なる波長において)変
位した離散強度ピークを有する較正光を利用して識別できる。窓の内表面によっ
て反射される較正光の一部(反射光)に対する、窓に送られる較正光(較正光)
において上記ピークが現れる波長のシフトはいずれも、波長シフトの指標となり
、該シフトは識別可能であり、より好ましくは較正により少なくとも実質的に緩
和される。また強度シフトも、この種の光を利用して、較正光と反射光との間で
ピーク強度がどのように変化するかに注目することにより識別することができる
。反射光における幾つかのピークは、複数の(原文:more than ot
hers)較正光に関して減衰しうるものであり、このことは複数の減衰効果の
存在を示している。較正光に存在するが、反射光では欠如しているピークは、ピ
ークが欠如した波長で濾光が生じていることを示すものである。好ましくは、強
度シフト、完全濾光、及び異なる減衰効果は、離散強度ピークを有する較正光が
前記目的のいずれかに使用される場合よりも更に完全な画像を提供する連続強度
を有する一種の較正光を利用して識別される。すなわち、較正光の強度ピーク間
に存在する波長に対して、窓の挙動に関する情報(すなわち上記波長の強度に及
ぶ窓の影響)は殆どあるいは一切与えられないので、仮説を立てることが必要で
ある。連続強度を持つ較正光を上記目的に使用する場合には、前記仮説は必要な
い。 【0027】 本発明の第三の側面は、プラズマ監視アセンブリの初期化によるプラズマ工程
監視を目的とするものである。プラズマ監視アセンブリは、処理室の窓を介して
発光データを得ることにより、対象となるプラズマ工程(例えば、ある処理室内
で目下実施されている工程)の少なくとも一面を評価するものである。対象とす
るプラズマ工程に関して得られる発光は、第一の波長範囲を画定する約250n
mから約1,000nmまでの波長を少なくとも含んでおり、更には前記範囲全
体にわたって少なくとも1nm毎に含んでなる。 【0028】 この第三の側面に係る第一の態様において、プラズマ監視アセンブリの初期化
は、発光を透過させる窓に較正光を照射すること、該較正光の第一の部分を該窓
から反射させること、並びに、送られた本来の較正光を前記第一の部分と比較す
ることを含む。したがって、第一及び第二の側面における較正に関する上記様々
な特徴の任意の組み合わせは、この第三の側面においても同様に実現できる。較
正光と、反射光の第一の部分との比較が第一の結果(例えば、一若しくは複数の
強度シフト、波長シフト、濾光、あるいはそれらの任意の組合わせ)をもたらす
とき、プラズマ監視アセンブリに関して少なくとも一の調整が実施される。 【0029】 この第三の側面に係る第一態様においてプラズマ監視アセンブリに対して為さ
れる調整は、プラズマ監視アセンブリへの物理的調整を含む。例えば、発光デー
タを得るために分光計アセンブリを使用し、且つ、その分光計アセンブリが少な
くとも一の走査型分光計を含む場合、回折格子、一又は複数の反射鏡、あるいは
その両方を動かして(例えば枢動)、プラズマ監視アセンブリを較正することが
できる。この方法において分光計アセンブリの物理的調整を必要とするプラズマ
監視アセンブリの較正は、一般に、典型的に分光計アセンブリのドリフト現象に
起因する波長シフトに対処するものであるが、この種の物理的調整を使用して、
他の原因による波長シフトに対処することも可能である。プラズマ監視アセンブ
リに対して為される別な調整として、対象とするプラズマ工程で集光又は得られ
る発光の較正、より一般的には、上記発光に相当するデータの較正がある。これ
に関して、この「調整」は、プラズマ監視アセンブリにおける単一較正因子又は
複数較正因子の実装を含んでいてもよい。単一較正因子は典型的に、評価される
べき発光全体にわたって「均一な」強度シフトが存在する場合(例えば、±xの
強度単位は、均一であると見なされる)に使用され、一方、複数較正因子は典型
的に、評価されるべき発光全体にわたって異なる程度の減衰が存在する場合に使
用される。その後、一又は複数の較正因子を実装して、分光計アセンブリの出力
に所望の影響を与えることができる。この態様における別な較正方法は、較正光
と、窓によって反射される較正光の第一部分との比較に基づき、評価されるべき
発光(又はそれに相当するデータ)を正規化する方法である。 【0030】 この第三の側面に係る第二の態様におけるプラズマ監視アセンブリの初期化は
、発光を透過する処理室の窓を監視する工程段階を含む。第二の態様は、約25
0nmから約1,000nmまでの第一の波長範囲内に含まれる第一の波長領域
において、発光が窓により濾光されているか否かを確認する工程段階を更に含み
、前記波長領域は、プラズマ監視アセンブリによる評価のために得られ、利用さ
れる発光を限定するものである。同様に、本発明第二の側面に関して既に説明さ
れた濾光に関する種々の特徴は、第三の側面に係るこの第二の態様にも同様に含
まれる。最後に、第三の側面に係る第二態様は、プラズマ監視アセンブリに、第
一波長領域又は濾光が検出された領域(複数の場合もある)いずれかに含まれる
発光を無視させる工程段階を含む。濾光条件が判明している点が注目に値する。
更に、この場合、窓を交換する勧告が出される。 【0031】 第三の側面に係る第二態様の監視工程は、較正光を窓に向けて照射し、該較正
光の第一部分を窓から反射させ、更に、該較正光と前記第一部分とを比較する工
程段階を含んでいてもよい。同様に、本発明の第一及び第二の側面に関して既に
記載した特徴のいずれか一又は複数を、第三の側面に係る第二態様により同様に
利用することも可能である。また第二態様は、上記較正手順により所定の条件が
識別された場合、プラズマ監視アセンブリに対し少なくとも一の調整を施す工程
段階を含んでいてもよい。同様に、この第三の側面に係る第一態様に関し既に記
載した特徴のいずれか一又は複数を、本発明の第三の側面に係るこの第二態様に
より利用することも可能である。 【0032】 本発明の上記第三の側面に係る第三の態様におけるプラズマ監視アセンブリの
初期化は、処理室の窓を監視する工程段階を含み、対象とするプラズマ工程に係
る発光はこの窓を介して得られる。第三の態様は、約250nmから約1,00
0nmまでの第一の波長範囲に含まれる第一の波長領域において窓が第一の効果
(例えば減衰)を有するものであるか否か、同様に、第一の波長範囲に含まれる
が、第一の効果に関連する第一の波長領域とは異なる第二の波長領域において窓
が第二の効果(例えば減衰)を有するものであるか否かを確認する工程段階を更
に含む。同様に、本発明の第二の側面に関して既に記載した、異なる減衰効果の
識別に関する種々の特徴は、第三の側面に係るこの第三態様にも同様に含まれる
。最後に、第三の側面に係る第三の態様は、前記第一及び第二の効果のいずれか
が識別された場合に、プラズマ監視アセンブリに対し少なくとも一の調整を施す
工程段階を含む。同様に、第三の側面に係る第一の態様に関して既に記載した特
徴のいずれか一又は複数は、第三の側面に係るこの第三態様においても同様に利
用することができる。 【0033】 第三の側面に係る第三の態様の監視工程は、較正光を窓に向かって照射し、こ
の較正光の第一部分を窓で反射させ、更に該較正光と前記第一部分とを比較する
工程段階を含んでいてもよい。同様に、本発明の第一及び第二の側面に関して既
に記載した特徴のいずれか一又は複数は、第三の側面に係るこの第三態様によっ
ても同様に利用しうる。また第三の態様は、上記較正手順において所定条件が識
別された場合に、プラズマ監視アセンブリに対して少なくとも一の調整を施す工
程段階を含んでいてもよい。同様に、この第三の側面に係る第一の態様に関して
既に記載した特徴のいずれか一又は複数も、本発明第三の側面に係るこの第三態
様によって利用しうる。 【0034】 本発明の第四の側面は、プラズマ工程を監視する方法に関し、該方法は、プラ
ズマ工程が行われる処理室の窓を監視することを含む。これに関し、多数の製造
物が処理室内に装填され(少なくとも1枚のウェーハ)、その後、この製造物表
面にプラズマ処理が施され(例えばプラズマ製法)、プラズマ工程に関するデー
タ(例えば、工程実施中の処理室内のプラズマの発光)が、処理室の窓を介して
得られる。プラズマ工程は、処理室の窓を介して得られたデータと、窓の監視と
の両方に基づいて評価される。 【0035】 上記第四の側面に係る第一の態様において、窓の監視は、より具体的には、窓
の実際の状態を監視する工程段階を含んでいる。ここで対象とする第二の態様に
おいて、窓の状態は、プラズマ処理に関して得られたデータを利用せずに監視さ
れる。すなわち、処理室内で実施されるプラズマ処理に関して得られたデータは
、本発明第四の側面に係るこの第一の態様において窓状態を監視する工程段階に
は一切利用されない。 【0036】 種々の特徴は、本発明第四の側面に係る上記第一の態様に利用可能であり、こ
れらの特徴は、上記第一の態様において、単独又は任意の組合せで利用しうる。
ここで対象とする第一態様の二次的な特徴として、処理室内でプラズマ処理を実
施する間の窓状態の監視を禁止することも可能である。すなわち、窓状態の監視
、プラズマ処理の実施は、重なり合わない別々の時点で実施することができる。
典型的に、窓を利用して得られる当該プラズマ処理データに窓の内表面が及ぼす
影響を確認するために、処理室内で対象とするプラズマ処理を実施する前に窓状
態が監視される。同様に、本発明第二の側面に関して既に記載した、「識別可能
条件」(例えば、波長シフト、強度シフト、濾光、均一減衰効果(強度)、複数
減衰効果(強度)、)、並びに、上記条件がどのように識別されるかということ
(例えば較正光を窓に向けて照射し、この光と窓の内表面で反射した較正光の一
部とを比較する)に関する特徴のいずれか一又は複数は、本発明第四の側面に係
るこの第一の態様においても同様に実現しうる。一又は複数の上記「条件」が識
別されると、プラズマ監視アセンブリに対して少なくとも一の調整が施される。
各種の「調整」が、本発明際三の側面に関して既に記載されており、上記特徴の
いずれか一又は複数は、第四の側面に係るこの第一態様にも同様に含まれる。 【0037】 ここで対象とする第四の側面に係る第二態様は、第一の態様に関して既に記載
した方法と異なる方法による窓の監視を特徴とする。これに関し、この第二態様
の監視工程は、較正光を窓に向けて照射し、この較正光の第一部分を窓の内表面
で反射させ、更に窓の送られた本来の較正光と、窓の内表面によって反射された
較正光の前記一部とを比較する工程段階を含む。同様に、本発明第一及び第二の
側面に関して既に記載した特徴の一又は複数は、第四の側面に係るこの第二の態
様にも同様に含まれる。このような処理室窓の監視により識別しうる条件の種類
は、本発明第二の側面に関連して既に記載されており、前記特徴のいずれか一又
は複数も同様に、第四の側面に係るこの第二の態様に含まれる。 【0038】 本発明の第五の側面は、処理室内にプラズマが存在するか動作状態にある場合
を、機械を利用する光学的分析(すなわち目視によらない)に基づいて識別する
ことに関する。より具体的には、第五の側面は、処理室内から発光を得て、前記
発光を評価し、処理室内でプラズマを発生させ、更に、処理室内にプラズマが存
在する場合を、機械を利用して処理室内からの発光を評価することにより識別す
ることに関する。 【0039】 本発明の上記第五の特徴によって、種々の機能が利用でき、これらの機能は単
独ならびに何らかの組合せで使用できる。たとえば、光学的分析によって、チャ
ンバ内にいつプラズマが存在するかを明らかにするためには、種々の手法を実行
することになる。チャンバ内にプラズマが到来する時間は、処理チャンバ内から
の光の放射が、ある前もって決められた出力をいつ越える(たとえば、チャンバ
内での光の放射強度またはその強度のある一部がある量を越える)かを決定する
ことによって明らかにできる。また光学的分析によっていつプラズマが存在する
かを明らかにすることは、光の放射が時間の経過とともにどう変化するかを評価
する方向に転換されうる。たとえば、チャンバ内にプラズマが存在しない場合、
それに対応してチャンバから放射される光の放射は存在しないことになる。した
がって、明確化の手順は、単に「暗い」状態から「明るい」状態への何らかの変
化に注目する方向に向けられることがある。光学的分析によって、チャンバ内に
いつプラズマが存在するかを判断する別の方法は、チャンバ内からの光の放射が
、少なくともある強度をもった、少なくともある数の分離性の強度ピークをいつ
含むかを決定することである。最終的に、プラズマがチャンバ内に存在すること
が分っている場合に、チャンバ内からの現在の光の放射が、そのチャンバから前
もって得られたコンピュータで読取り可能な媒体上に記録された少なくともある
ひとつの出力といつ合致するかを判断することによって、チャンバ内のプラズマ
の存在を明らかにできる。 【0040】 主題の第五の特徴に統合可能な別の機能は、プラズマがチャンバ内に存在して
以後の製品の処理に関する。ある実施例において、チャンバの窓は、上で検討し
た本発明の第四の特徴に従ってモニタリングできる。これらのモニタリング操作
は、プラズマが、この第五の特徴によって与えられた著名な光学的分析によって
、チャンバ内で最初に確認されたときに、自動的に終了できる。別の実施例では
、チャンバ内で行われたプラズマ工程は、プラズマモニタリングユニットによっ
てモニタリングできる。このプラズマモニタリングユニットは、上で検討した本
発明の第三の特徴に従って校正できる。これらの校正操作は、プラズマが、この
第五の特徴によって与えられた著名な光学的分析を通じてチャンバ内で確認され
たときに自動的に終了できる。 【0041】 本発明の第六の特徴は、少なくとも処理チャンバ内で前もって行われたプラズ
マ工程から得られた光放射データを含み、かつこれと正に同じ処理チャンバ内で
引き続き行われたプラズマ工程を評価するために使われている、プラズマスペク
トルディレクトリに関する。このプラズマスペクトルディレクトリは、コンピュ
ータで読取り可能な記憶媒体に保存されており、記述を容易にするために、複数
のデータ入力をもつ第一のデータ構造を含んでいる。これらのデータ入力には、
主題のプラズマ工程中の少なくとも1回から得られた光放射のデータ代表値が含
まれており、このデータは、第一のカテゴリ、第二のカテゴリおよび第三のカテ
ゴリの中のひとつを伴っている。 【0042】 この第一のカテゴリを伴うデータ入力は、チャンバ内ですでに実施ずみの、そ
してそれに続くプラズマ工程を判断するときのもとになる「標準」を定義する、
これらのプラズマ工程である。処理チャンバ内で行われるプラズマ工程は、それ
らが、第一のカテゴリを伴う少なくともひとつのデータ入力に「対応する」かど
うか、または「合致する」かどうかを決定するために評価される。ここで第一の
カテゴリを伴うプラズマ工程のこれらの種類は、「通常」運転として特徴付ける
ことができる。この場合、第一のカテゴリを伴うプラズマ工程は、少なくとも実
質的に何の異常もなしに進行したものと仮定される。そしてこの工程は、それら
が事実上何らかの実質的異常または逸脱なしに進行したことを確認するために、
ある方法で試験できる。 【0043】 処理チャンバ内のプラズマの光放射は、ふつう任意のプラズマ工程が「通常の
」状態で進行しているかどうかを反映する。これに関して、第一のカテゴリのデ
ータ入力を伴う光放射は、少なくともこの範囲では1ナノメートルごとに、そし
て主題のプラズマ工程からは少なくとも1秒ごとに、少なくとも約250ナノメ
ートルから約1,000ナノメートルの波長を含むことが望ましい。主題の処理
チャンバ内で引続き行われたプラズマ工程の評価は、このデータをすべて利用す
る必要はないが、希望するか必要とする場合、利用可能である。さらに、主題の
プラズマ工程の全体についての代表的データ、または少なくともプラズマが安定
化されて以後のその工程の一部が、第一のカテゴリを伴うデータ入力に含まれる
。 【0044】 事実上、どの種類のプラズマ工程でも、プラズマ工程がある状態で進行中であ
るという指示をその光放射データによって与えられるかぎり、第一のカテゴリを
伴うデータ入力に含めることができる。ひとつ以上のプラズマ処方(生産ウェー
ハ、認定用ウェーハまたはその両方)、プラズマ清掃(湿式清掃の前または後)
、および調整ウェーハ操作は、それぞれプラズマスペクトルディレクトリに含ま
れ、第一のカテゴリを伴うことがある。この種類のプラズマ工程の複数の「種」
も、第一のカテゴリとともに、プラズマスペクトルディレクトリ内に含まれるこ
とがある(たとえば、種々の種類のプラズマ処方)。同じ「種」の複数のデータ
入力も、同じく第一のカテゴリとともに、プラズマスペクトルディレクトリ内に
含めてよい(たとえば、同じ種類の製品上で行われる同じプラズマ処方の複数の
入力)。 【0045】 主題の第六の特徴の第二のカテゴリを伴うデータ入力は、処理チャンバ内です
でに行われた、そして少なくともひとつの異常または逸脱に遭遇した、これらの
プラズマ工程である(たとえば、プラズマ処方、プラズマ清掃、調整ウェーハ操
作)。この異常または逸脱は、ふつう処理チャンバ内のプラズマの光放射の変化
によって表され、その原因はこれら光放射を見直すことによって確認できる。こ
の見直しは、ふつう主題のプラズマ工程が終了してから行われる。上記の波長内
で光放射データを得ると、異常または逸脱を代表する光放射データが、事実上第
二のカテゴリを伴うデータ入力の包含に対して利用できるようになる可能性が高
まる。 【0046】 異常または逸脱の識別または原因は、第二のカテゴリに伴うデータ入力に何ら
かのやり方で含まれる。この情報に基づいて各種の処置を開始することができる
。主題の処理チャンバ内の主題のプラズマ工程において異常が発生したことを関
係者に知らせるために、警報等(聴覚的、視覚的または両方)を出すことがある
。異常についての特定の情報も、異常または逸脱を表明または是正するひとつ以
上の方法と同様に利用できる。最終的に、是正処置は希望に応じて自動的に遂行
できる。 【0047】 一般的に、異常が発生した全運転は、第二のカテゴリを伴うデータ入力内に含
まれない。その代わり、主題の異常または逸脱の存在を反映するこれらの光放射
のみがそのようなデータ入力に代表的に含まれる。これは、主題のプラズマ工程
中に単一点のみから、または複数回数の点から得られた光放射データを含むこと
がある。また第二のカテゴリを伴うデータ入力すべてに含まれる光放射は、上記
波長範囲に入ることがある。ただし、異常または逸脱が、主題プラズマ工程につ
いて得られた光放射のある部分においてのみ反映されている場合、第二のカテゴ
リを伴う主題データ入力に対して、この部分のみをプラズマスペクトルディレク
トリに含める必要がある。 【0048】 主題の第六の特徴と関連する第三のカテゴリを伴うデータ入力は、すでに処理
チャンバ内で行われたこれらプラズマ工程であり、プラズマスペクトルディレク
トリに対して「未知」である。すなわち、主題プラズマ工程から得られた光放射
は、第一のカテゴリまたは第二のカテゴリを伴うデータ入力すべてとの対応に失
敗した。さらに、こうなった理由は、まだ判明しておらず、もっと正確に言えば
、その原因は、まだコンピュータで読取り可能な記憶媒体上でのデータ入力を伴
っていない。データ入力がプラズマスペクトルディレクトリ内に記録されており
、第三のカテゴリを伴っている各事例を、二つの状況が代表的に包含することに
なる。まだプラズマスペクトルディレクトリ内に記録されておらず、第一のカテ
ゴリを伴っているプラズマ工程は、そのような状況のひとつである。この場合、
主題プラズマ工程全体は、プラズマスペクトルディレクトリ内に記録でき、第三
カテゴリを伴うことができる。このデータ入力がいったん、実質的に異常または
逸脱なしに進行した、あるいは進行したと仮定された、新しいプラズマ工程であ
ると確認されると、そのデータ入力は第三カテゴリから第一カテゴリに「転送」
される。プラズマスペクトルディレクトリ内に記録されていないが、第二カテゴ
リを伴う異常、に遭遇したプラズマ工程も、第三のカテゴリのもとにデータ入力
に記録されることになる。この場合、ふつう、異常または逸脱の最初の発生から
プラズマ工程の終了までのデータのみが、第三のカテゴリを伴うデータ入力に記
録されることになる。このプラズマ工程から得られる光放射データについて引続
き行われる評価は、「新しい」異常に遭遇したことを明らかにすることがある。
異常の原因が確認された場合、第三カテゴリを伴う主題データ入力から得られる
データの全部または一部が、その後第二カテゴリに「転送」されることがある。 【0049】 本発明の第七の特徴は、少なくとも何らかの方法でプラズマ工程を評価するた
めに使うことのできる種々の分析手法に関する。この第七の特徴の第一の実施例
において、コンピュータで読取り可能な記憶媒体が複数のデータ入力を含む。こ
れらデータのうち少なくともひとつが、第六の特徴に関連して上記で検討した第
一のカテゴリの種類を伴い、一方これらデータ入力のうち少なくともひとつが、
第六の特徴に関連して上記で検討した第二のカテゴリの種類を伴う。第七のこの
最初の実施例によって具体化された評価手法は、まず主題プラズマ工程が、第一
のカテゴリを伴う任意のデータ入力に対応するかどうかを決定する。そのような
対応は、主題プラズマ工程を「通常」等として特徴付けるのに使われる。主題プ
ラズマ工程が、時間を問わず、第一のカテゴリのもとにある少なくともひとつの
データ入力に対応しない場合、第七の特徴の第一の実施例は、主題プラズマ工程
が、既知の異常または逸脱に遭遇したかどうか調べるために、第二のカテゴリの
もとにあるこれらデータ入力を「検索」することになる。したがって、第二のカ
テゴリのもとにあるデータ入力は各事例において検索されることはない。 【0050】 本発明の第七の特徴の上記第一の実施例によって、種々の機能を利用でき、こ
れらの機能は、上記第一の実施例において単独で、ならびにあらゆる組合せにお
いて使用できる。まず、第六の特徴に関連して上記で検討した各種特徴および概
念の各々は、第七の特徴のこの第一の実施例に対して均等に適用でき、かつその
実施例と統合することができる。また、主題プラズマ工程の光放射データが、任
意のデータ入力に準拠または対応するかどうかを判断する方法は種々存在する。
準拠または対応は、現在の光放射が、データ入力から得られた関連光放射のパタ
ーンと「合致」するかどうかの決定に基づいて行うことができる。また、なにが
「関連の」光放射かは、数々の特徴付けに従って決まる可能性がある。たとえば
、現在の光放射を伴う時間は、これらの放射が任意のデータ入力に対応するかど
うかを判断する基準として使用できる。すなわち、主題光放射が得られた時間は
、任意のデータ入力からのどの光放射が、主題の比較(すなわち、主題光放射と
同時に得られたデータ入力からの光放射の選択)に対して使用されるのだろうか
ということを識別するために、使用されると考えられる。これの代わりに、主題
プラズマ工程が、第一のカテゴリを伴うデータ入力のうち少なくともひとつと同
じ状態で、ただし同じ速度である必要性は必ずしもなしに、進行中かどうかを判
断するために、単に評価されることもある。この場合、時間は限定的基準ではな
いと考えられる。 【0051】 現在のプラズマ工程が、第二のカテゴリを伴うデータ入力に対応する場合、手
動であれ自動であれ、各種の処置を開始できる。たとえば、主題プラズマ工程を
終了し、異常が発生したという警報を発し、さらに処理中の製品に対する処理チ
ャンバの使用を中止し、主題異常またはそれらの組合せの解決を試みるためにプ
ラズマ工程を調整することができる。 【0052】 主題の第七の特徴の第二の実施例は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体を
利用しており、この媒体には、第六の特徴に関連して上記で識別された種類の第
一のカテゴリを伴う第一のデータ入力が含まれている。このデータ入力は、処理
チャンバ内で以前行われたあるプラズマ工程中の複数の異なった時間から得られ
た複数の第一のデータセグメントを含む。各データセグメントは、第一の波長範
囲の定義としての、少なくとも約250ナノメートルから約1,000ナノメー
トルの波長で、かつこの第一の波長範囲を通じて少なくとも1ナノメートルごと
の波長、に対するチャンバ内のプラズマの光放射を含む。この第二の実施例は、
第一の波長範囲にあり、かつこの第一の波長範囲を通じて少なくとも1ナノメー
トルごとの波長における、この同じ処理チャンバで行われた他のプラズマ工程か
らの現在の光放射を得ることを必要とする。現在の光放射と、この波長範囲全体
を通じての、かつ第一の波長範囲全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとの
、第一のデータ入力の少なくともひとつの第一のデータセグメントを伴う、これ
ら光放射と、の間で比較が行われる。この第二の実施例に関連して検討した機能
と、主題の第七の特徴の第一の実施例に関連して上記で検討した機能とが統合さ
れる。 【0053】 主題の第七の特徴の第三の実施例も、コンピュータで読取り可能な記憶媒体を
利用している。第一のプラズマ工程は、処理チャンバ内で行われる。そのチャン
バ内のプラズマの光放射は、第一の波長範囲の定義としての少なくとも約250
ナノメートルから約1,000ナノメートルの波長で、かつこの第一の波長範囲
全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとの波長に対して得られる。このデー
タは、この第一のプラズマ工程中に複数回得られ、そのデータが、コンピュータ
で読取り可能な記憶媒体上の第一のデータ入力内に記録される。第二のプラズマ
工程は、第一のプラズマ工程終了後に行われ、同様のデータが得られる。第二の
プラズマ工程は、第二のプラズマ工程から得られた光放射データの少なくとも一
部に基づいて評価される。場合によっては、第一の波長範囲全体を通じて、かつ
この第一の波長範囲全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとに、第二のプラ
ズマ工程から得られた光放射と、第一のプラズマ工程から得られた光放射とを比
較することが望ましいことがある。ただし、場合によってはこれは、実用的でな
いか、望ましくないか、必要でないことがある。これについて、コンピュータで
読取り可能な記憶媒体上の第一のデータ入力内に記録された第一のプラズマ工程
に関連する第二のプラズマ工程の進捗は、少なくとも50ナノメートルの帯域幅
で、かつこの小さい方の帯域幅全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとの評
価に基づくことがある。 【0054】 小さい方の帯域幅の領域は、各種のやり方における第一のプラズマ工程と関連
して第二のプラズマ工程を評価するために選択できる。以前この同じプラズマ工
程を実施しているときに異常が発生した特定の波長は、主題の評価において使わ
れるべき第一の波長範囲の部分を選択するために使用できる(たとえば、異常ま
たは逸脱を暗示する±25ナノメートルの各波長)。さらに同じ種類のプラズマ
工程上で以前遭遇した各異常を含む波長領域を選択できる。この領域の「幅」は
、2つの極端な波長によって定義できる。しかし、これら各端部上の一種の「バ
ッファ」を含める(たとえば、両端で範囲を25ナノメートルずつ拡張する)こ
とが好ましいと考えられる。最終的に、主題のプラズマ工程の端点、またはその
分離性のもしくは識別できる部分を指示する特定の波長が、主題の評価において
使われるべき第一の波長範囲のその部分を選択するのに使用できる(±25ナノ
メートルのそのような各波長)。個々の端点の指標波長の詳細を、本発明の第九
の特徴に関連して以下に述べる。 【0055】 本発明の第八の特徴は、処理チャンバ内で行われたプラズマ工程の種類の識別
に関する。この特徴は、あるプラズマ工程が、ある種類の量産ウェーハについて
行われているある種類のプラズマ処方であるのか、ある種類の認定用ウェーハに
ついて行われているある種類のプラズマ処方であるのか、ある種類の調整ウェー
ハについて行われているある種類のプラズマ処方であるのか、それともあるチャ
ンバ内で行われているあるプラズマ清掃であるのか、を識別するために使用でき
る。この第八の第一の実施例は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上の少な
くとも2種類のプラズマ処方の保存データに基づいて、ある処理チャンバ内の製
品(たとえば、量産ウェーハ、認定用ウェーハ)上で行われているプラズマ処方
の特定の種類を識別する能力がある。これに関して、コンピュータで読取り可能
な記憶媒体は、複数のデータ入力を含む。これらのデータ入力の第一のものは、
処理チャンバ内の製品について行われた第一のプラズマ処方中の複数回数から得
られた関連データを含む(そして、好ましくは、少なくともプラズマ安定後のこ
の第一のプラズマ処方の全体についての)。これらデータ入力の第二のものは、
同じ処理チャンバ内の製品について行われた第二のプラズマ処方(第一のプラズ
マ処方とは異なる)中の複数回数から得られた関連データを含む(そして、好ま
しくは、少なくともプラズマ安定後のこの第二のプラズマ処方の全体についての
)。同じ処理チャンバ内の製品について行われている主題のプラズマ処方に関す
るデータが得られる。このデータは、現在のプラズマ処方が、コンピュータで読
取り可能な記憶媒体上に保存されている第一のまたは第二の処方と同じ種類のも
のかどうかを判断するのに使われる。好ましくは、この判断は、現在のプラズマ
処方の終了前に、かつ少なくともつぎの製品がチャンバ内に装填される前に、完
了させるべきである。第八の特徴のこの第一の実施例は、主題のプラズマ工程の
識別だけではなく、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上で先行しているプラ
ズマ工程から得られた関連データを含めることによって処理が行われている製品
の種類(たとえば、量産ウェーハなのか認定用ウェーハなのか)を判断するのに
使用できる。すなわち、あるデータ入力内のある種類の量産ウェーハについて行
われたプラズマ処方Aと、別のデータ入力内のある種類の認定用ウェーハについ
ての同じプラズマ処方Aとを含めることによって、現在のプラズマ処方が、量産
ウェーハ対認定用ウェーハについて行われつつあるかどうかを判断する能力が生
じる。 【0056】 本発明の第八の特徴の上記第一の実施例によって、種々の機能を利用でき、こ
れらの機能は、上記第一の実施例において単独で、ならびにあらゆる組合せにお
いて使用できる。まず、現在のプラズマ工程について得られたデータは、処理チ
ャンバ内のプラズマの光放射であると考えられる。これら光放射は、第一の波長
範囲を定義する少なくとも約250ナノメートルから約1,000ナノメートル
(この値を含む)の波長を含むことができ、光放射はこの第一の波長範囲全体を
通じて少なくとも1ナノメートルごとに得ることができる。主題のプラズマ工程
の光放射は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上に保存されている第一およ
び第二のプラズマ処方の間に十分な対応が見られるかどうかを調べるために、こ
れら2種類のプラズマ処方のどちらかまたは両方と比較してもよい。また、この
ように、第七の特徴に関連して上記で検討した手法は、第八の特徴の第一の実施
例においても実施できる。 【0057】 主題の第八の特徴の第二の実施例は、主題のプラズマ処方を入力する場合に、
異常が発生しないことを検証するために、チャンバ内で行われようとしているプ
ラズマ処方を入力する方向、かつ第八の特徴の第一の実施例に関連して上記で検
討した原理を使用する方向、に向けられる。すなわち、主題のプラズマ工程の識
別はこの第八の特徴の第一の実施例に従って判定される。したがって、第八の特
徴の第一の実施例と関連して上で検討した種々の機能の各々は、第八の特徴の第
二の実施例と合併させてもよい。前述の事項に従った光学的分析による主題のプ
ラズマ工程の識別は、つぎに適切な人員(たとえば、画面上)にあるやり方で伝
達される。あるウェーハまたはウェーハの「ロット」に対して間違ったプラズマ
工程が入力された場合、主題のプラズマ工程の識別および適切な人員へのこの識
別結果の伝達が、人員にこの状況を通知することになると考えられる。 【0058】 主題の第八の特徴の第三の実施例は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上
に保存されており、かつ以前同じ処理チャンバ内で行われた、少なくとも2種類
のプラズマ処方に基づいて主題のプラズマ処方を識別することに向けられる。主
題のプラズマ処方の第一の実施が開始され、これは第一または第二のプラズマ処
方のどちらかを伴う種類に属する。プラズマの少なくともひとつの特性が、各主
題のプラズマ処方の実施中にモニタリングされる。第一および第二のプラズマ処
方の両方が、主題のプラズマ処方の第一の実施に対する比較用に利用できる。た
だし、プラズマ処方の第一の実施が、コンピュータで読取り可能な記憶媒体から
得られた第一または第二のどちらかの処方(識別ずみプラズマ処方)であると識
別された後、主題のプラズマ処方について引続いて行われる実施は、少なくとも
当初は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上の識別ずみのプラズマ処方との
関連においてのみ評価される。この実施例は、特にあるカセットの第一のウェー
ハの事例に当てはまり、あるいはウェーハのボートが、前出の事項に従って評価
される。というのは、同じプラズマ処方は、ふつうカセット全体について実施さ
れるからである。したがって、第八の特徴の第三の実施例が、いったん第一のウ
ェーハについて実施中のプラズマ処方の識別を判定すると、カセット内のそれに
続くウェーハすべてが、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上のプラズマ処方
のひとつのみに対して少なくとも初めに評価される。したがって、評価速度の向
上が実現できると考えられる。そのように引続き行われる主題のプラズマ処方の
いずれかが、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上の識別ずみのプラズマ処方
から逸脱する場合、この第三の実施例のある変形が、その時点での新しいプラズ
マ処方の評価に対して利用できる、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上の他
のプラズマ処方を作成する。現在のプラズマ処方がコンピュータで読取り可能な
記憶媒体上に保存されているプラズマ処方との対応に失敗していた場合(すなわ
ち、第一のウェーハが、量産ウェーハであり、かつその認識ずみのプラズマ処方
をもっていたと仮定して)、別の可能性として、認定用ウェーハ対量産ウェーハ
について実施された同じプラズマ処方の何らかのデータ入力をチェックすること
が考えられる。この場合、論理的には、まずコンピュータで読取り可能な記憶媒
体上に保存されている量産ウェーハ用のプラズマ処方に対して、そしてつぎに同
じプラズマ処方ではあるがコンピュータで読取り可能な記憶媒体上に保存されて
いる認定用ウェーハのプラズマ処方に対して、カセット全体を評価することにな
ると考えられる。 【0059】 本発明の第九の特徴は、プラズマ工程(たとえば、プラズマ処方、プラズマ清
掃、調整ウェーハ操作)またはその一部(たとえば、プラズマ処方のプラズマ段
階)が第一のあらかじめ決められた成果(たとえば、ウェーハのような多層構造
品からのある層の腐食による除去)を達成したときの、第一の端点のひとつ以上
の指標を識別するための調査に従事することに関する。これに関して、第一のプ
ラズマ工程は処理チャンバ内で行われる。プラズマの光放射は、このプラズマ工
程中に複数回数得られる。これら光放射は、第一の波長範囲を定義する少なくと
も約250ナノメートルから約1,000ナノメートル(この値を含む)の波長
を含む。光放射は、この第一の波長範囲全体で少なくとも1ナノメートルごとに
得られることが望ましい。これら光放射は、評価または分析され、この分析に基
づいて少なくともひとつの端点指標が選ばれる。 【0060】 本発明の第九の特徴によって、種々の機能を利用でき、これらの機能は、この
第九の特徴に関連して単独で、そしてあらゆる組合せにおいて使用できる。たと
えば、主題の分析に、第一の波長範囲内での複数の個別波長に対する強度対時間
のグラフの作成を含めてよい。グラフは、関連「収集」構造品(たとえば、分光
計)のデータ収集解像に基づいて入手可能な各波長範囲に対して作成することが
望ましい。これらのグラフは、プラズマ工程の実施の結論が出た後、好ましくは
第一の端点が起ったのはいつごろであるべきかについての情報という観点から、
分析される(たとえば、工程状態の知識と腐食除去すべき層の厚さとに基づいて
計算される)。第一の端点が起ったはずの時間近辺で強度が明瞭に変化している
グラフをもつ何らかの波長は、端点指標の潜在的候補として識別されることがあ
る。 【0061】 主題の第九の特徴のさらなる機能は、上記グラフに関する。まず、上に述べた
方法論を使用するにあたって、主題のプラズマ工程にかかわる化学の知識が不要
である。その代わり、広い波長範囲にわたって、かつ第一の端点の少なくともひ
とつの指標を含むはずのデータ収集解像において、データが採取される(たとえ
ば、第一の端点の発生に対応するある変化をこうむる少なくともひとつの特定の
波長)。第一の端点のある端点の指標に対して潜在的候補であるとして選択され
た個々の波長のグラフのパターンは、端点指標として代わりに使われることがあ
る。さらに、主題のグラフは、第一の端点が生じる時まで、ある式または関数(
たとえば、線形関数、一次多項式、二次多項式)によって定義できる。現在のプ
ラズマ処方がもはやこの関数に「適合」しない場合、端点が呼び出される。この
関数の一次および二次導関数が、端点のもっと迅速な決定をもたらすと考えられ
、同じくこの第九の特徴によって熟考される。 【0062】 第一の端点を指示しているとして選択される端点指標を伴う信頼レベルを増す
ために、同じプラズマ工程を複数回実行することが必要となる場合がある。上記
グラフが使われる場合、2回以上の実施の間でのグラフの比較により、同じ状態
に留まるパターンを識別できるが、そのパターンは何らかの種類の変化を受ける
。この変化として、一時的移行、パターンを伴う強度における移行、パターンの
一様な拡大、パターンの一様な縮小、またはそれらのあらゆる組合せが考えられ
る。この種類の変化を受けるパターンは、対応する波長が、事実上第一の端点を
指示しているという指標である。そのような移行を誘発するひとつの「管理」さ
れた方法は、異なった厚さをもつ2種類以上の製品を処理することである。この
事例において事実上特定の波長が第一の端点を暗示している場合、一時的移行が
あるはずである。すなわち、対応するグラフは、厚さの変化に従って移行する変
化を示すはずである。 【0063】 また、第一の端点の少なくともひとつの指標を選ぶために使われる分析には、
強度ピークの存在を確認するために光放射を試験することと、これら強度ピーク
のいずれかが、第一の端点が発生すべき時間の頃合に少なくとも実質的に消える
かどうか判断することと、を含めることができる。これらの種類の強度ピークを
伴うそのような何らかの波長を、第一の端点の指標としてよい。同様に、第一の
端点の少なくともひとつの指標を選択するために使われる分析に、第一の端点が
発生すべき時間の頃合に何らかの強度ピークが現れるどうか判断するための光放
射の試験を含めることができる。また、これらの種類の強度ピークを伴う何らか
のそのような波長は、第一の端点の指標としてよい。さらに、第一の端点の少な
くともひとつの指標を選ぶために使われる分析には、第一の端点が発生すべき時
間の頃合に、何らかの強度ピークが、安定状態に達するかどうか判断するための
光放射の試験を含めることができる。これらの種類の強度ピークを伴う何らかの
そのような波長も、第一の端点の指標としてよい。最終的に、第一の端点の少な
くともひとつの指標を選ぶために使われる分析には、定常状態にあった何らかの
強度ピークが、第一の端点が発生したはずの時間の頃合に変化を受けるかどうか
判断するための光放射の試験を含めることができる。これらの種類の強度ピーク
を伴う何らかのそのような波長も、第一の端点の指標としてよい。前出の事項の
何らかの組合せを、ある端点指標の選択のために使用できる。 【0064】 本発明の第十の特徴は、プラズマ工程の少なくとも2つの特徴のモニタリング
に関する。そのひとつは、プラズマ工程の「健全性」であり、もうひとつはプラ
ズマ工程を伴う少なくともひとつの端点であると考えられる。この第十の特徴は
、処理チャンバ内で製品(たとえば、量産ウェーハ、認定用ウェーハ)に対して
実施されるプラズマ処方、プラズマ清掃(たとえば、湿式清掃によるもの、また
はよらないもの)、および調整ウェーハ操作を含めて、どのプラズマ工程にも適
用できる。 【0065】 さらなる導入方法によって、実質的にプラズマ工程全体が、その「健全性」と
の関連で評価されることがある。ただし、プラズマがふつう不安定な、プラズマ
工程の最初の部分は、例外となる可能性がある。対照的に、端点の識別との関連
におけるプラズマ工程の評価は、主題の端点に到着するはずの時間に接近するま
で開始する必要がない。さらに、プラズマの健全性を評価する頻度が、主題の端
点を識別するために行われる評価の頻度と同じである必要はない。たとえば、プ
ラズマの健全性の査定頻度は、主題の端点の識別に関する評価の頻度より少なく
てよい。 【0066】 上記第十の特徴の第一の実施例において、プラズマ工程は、処理チャンバ内で
行われ、このプラズマ工程は少なくとも第一の端点を伴う。プラズマ工程は、第
一の端点の発生を確認するためにモニタリングされる。第十の特徴の第一の実施
例に対して、本発明の第十一から第十三の特徴に関連して以下に明らかにする手
法を初めとして、何らかの端点検出手法が使われることがある。プラズマ工程中
に、そしてより好ましくはプラズマ工程全体を通じて、プラズマの「状態」も評
価される(ここでも、プラズマがふつう不安定な最初の部分を除外することがあ
る)。第十の特徴の第一の実施例を伴う「状態」を定義するひとつの方法は、そ
の同じ状態と、処理チャンバにおいてプラズマに効果を及ぼすすべてのパラメー
タの累積結果とが、等しいとすることである。これは、チャンバ内のプラズマの
光放射を評価することによって行われる。このチャンバは、少なくとも、第一の
波長範囲の定義としての約250ナノメートルから約1,000ナノメートルの
波長、かつこの第一の波長範囲全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとで、
主題のプラズマ工程中少なくとも複数の異なった時点での波長を含む。現在のプ
ラズマ工程の「健全性」のモニタリングを特徴付けるもうひとつの方法は、それ
が、同じ処理チャンバ内で以前行われた少なくともひとつのプラズマ工程に従っ
て進行中であるかどうか判断することである。したがって、本発明の第七の特徴
との関連で上で検討した機能を、本発明の第十の特徴においても利用してもよい
。 【0067】 この第十の特徴の第二の実施例は、プラズマチャンバ内でプラズマを発生させ
、そのチャンバ内で第一のプラズマ段階を実施することにかかわる。この第一の
プラズマ段階を伴うのは、第一のプラズマ段階があらかじめ決められた第一の結
果をもたらした時の第一の端点である。チャンバ内のプラズマの少なくともひと
つの特性が、第一の時間解像を使って第一のプラズマ段階中に評価される。ふつ
う、等しい増分がこの評価内で使われることになるが、そのようなものは第十の
特徴のこの第二の実施例では不要である。評価は、第一の時間解像とは異なる第
二の時間解像を使って、第一の端点の発生を確認するためにも行われる。上記の
「少なくともひとつの特性」は、主題のプラズマ工程中のプラズマの状態である
ことがある。ただし、この事例は不要である。 【0068】 本発明の第十一の特徴は、一般的にプラズマ工程を伴う第一の端点の発生を確
認するプラズマ工程をモニタリングすることに関する。さらに詳しく言えば、現
在のプラズマ工程を評価して、第十一の特徴における第一の端点を識別するため
に、少なくとも2つの異なった手法が使われる。これらの手法のうちのひとつの
みで第一の端点の発生を確認する場合、またはこれらの手法の各々により第一の
端点の発生を確認する場合、端点が呼び出されることがある。本発明のこの第十
一の特徴は、そこに少なくともひとつの端点をもっている何らかのプラズマ工程
に適用できる(たとえば、処理チャンバ内で製品に対して実施されるプラズマ処
方、プラズマ清掃、および調整ウェーハ操作)。 【0069】 主題の第十一の特徴において使われることのある手法のひとつは、チャンバ内
のプラズマの現在の光放射と、同じ工程における前回に、好ましくは光放射が得
られた時間の直前に、得られたチャンバ内のプラズマの光放射と、の比較にかか
わる。ある実施例においては、これら光放射は、少なくとも約250ナノメート
ルから1,000ナノメートルの、少なくとも約1ナノメートルごとの波長を含
む。これら光放射が、実質的に「適合」である場合(たとえば、現在の光放射パ
ターンと前回の光放射パターンとの差が、実質的にピークと無関係の場合)、特
にプラズマの初めの部分が完成した後、端点に到達したと見なされることがある
。言い方を変えれば、光放射にもはや何の実質的変化もない場合、端点に到達し
たと見なされることがある。主題の第十一の特徴において使われることのある端
点を識別するためのもうひとつの手法は、チャンバ内のプラズマの現在の光放射
と標準との比較にかかわる。この「標準」は、少なくとも端点に到達したと見な
される時点の、同じ処理チャンバにおけるこの同じプラズマ工程の以前の実施か
ら得られた、チャンバ内のプラズマの光放射であることがある。さらにこの標準
は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上に保存されることがある。ある実施
例においては、これら光放射は、少なくとも約250ナノメートルから1,00
0ナノメートルの、少なくとも約1ナノメートルごとの波長を含む。これら光放
射が、実質的に「合致」している場合(たとえば、現在の光放射パターンと前回
の光放射パターンとの差が、実質的にピークと無関係の場合)、特にプラズマの
初めの部分が完成した後、端点に到達したと見なしてよい。 【0070】 さらに、本発明の主題の第十一の特徴において使われることのあるさらに別の
手法は、チャンバ内のプラズマの光放射に反映されている処理チャンバのインピ
ーダンスの少なくとも第一の変化が存在するかどうか判断することを含む。プラ
ズマの「様式上の」変化は、転じて端点を暗示するインピーダンスの変化を暗示
することがある。「様式上の」変化は、むしろプラズマ全体の強度または特定の
波長の強度の突然のかつ重要な増加または減少である。 【0071】 主題の第十一の特徴に関連して端点を識別するために使われることのあるもう
ひとつの手法は、主題のプラズマ工程のプラズマを形成する光の、少なくともひ
とつの個別の波長を、評価することを含む。光のこのひとつの波長は、強度対時
間のグラフが、いつあらかじめ決められた式からあらかじめ決められた量以上か
たよるか(たとえば、現在のデータと主題の式の間の「適合」がいつなくなるか
)を判断するために評価されることがある。したがって、本発明の第九の特徴に
関連して上で検討した機能は、第十一の特徴のこの部分にも同様に関連する。さ
らに、光のいずれかのひとつ以上の個別の波長は、いつ波長の勾配の時間的変化
があらかじめ決められた量以上に変化するかを判断するために評価されることが
ある。二次導関数も同様に使われることがある。 【0072】 本発明の第十二の特徴は、プラズマ工程(たとえば、プラズマ処方、プラズマ
清掃、調整ウェーハ操作)またはそれの分離性のまたは識別可能な部分(複数段
階の処方または工程のプラズマ段階)を伴う第一の端点の発生を確認するための
手法の方向に向けられる。その工程からのチャンバ内のプラズマの光放射が得ら
れる。これら光放射は、第一の波長範囲を定義する少なくとも約250ナノメー
トルから約1,000ナノメートルの波長を含む。光放射を収集するために使わ
れるデータ解像は、約1ナノメートル以下である。これは、光放射が、第一の波
長の全範囲を通じて少なくとも1ナノメートルごとに得られることを意味する。 【0073】 第一の端点の識別は、チャンバ内のプラズマの最新の光放射と第一の出力との
比較に関与する。この第一の出力は、同じプラズマ工程内の以前の時点、好まし
くは、その光放射が現在の新しい光放射との関連において得られた時間の直前に
得られた、チャンバ内のプラズマの光放射であってもよい。この第一の出力は、
端点が発生したはずの時間に以前同じ処理で行われた同じ種類のプラズマ工程か
ら得られた光放射であってもよい。この場合、第一の出力は、コンピュータで読
取り可能な記憶媒体上に保存できることがある。現在の光放射および第一の出力
が少なくとも実質的に「合致」であることを、上記第一の比較が示す場合、特に
プラズマの初めの部分が完成した後、第一の端点に到達したと見なされる。上記
手法による第一の端点の呼び出しにおける信頼性は、第二の手法を使い、それら
両手法が第一の端点に「遭遇」してしまうまでは、第一の端点の呼び出しをひか
えることによって強化できる。本発明の第十一の特徴に関連して上で検討した手
法のいずれかは、この目的に対する第十二の特徴において利用できる。 【0074】 本発明の第十三の特徴は、単一のプラズマ工程における複数の端点の発生を識
別することに関する。多くのプラズマ処方が、いくつかの異なったプラズマ段階
を含むことになる。これらプラズマ段階の各々は、それに伴う識別可能な端点を
もつ。したがって、本発明の第十一の特徴は、これら端点の少なくとも2点の識
別を考慮し、主題のプラズマ工程を伴う各端点を含んでいる。上で検討した第十
一の特徴において識別された各手法は、この第十三の特徴において利用されるこ
とがある。 【0075】 いつ処理チャンバを清掃するかが、本発明の第十四の特徴の主題である。製品
が処理チャンバ内に装填される。処理チャンバは密閉され、そのあとその製品に
ついて第一のプラズマ工程が実施される。そのプラズマ工程に関係するデータが
得られる。このデータからチャンバの状態に関する判断がなされる。詳しく言え
ば、チャンバの清掃を保証するために、以前チャンバ内で実施されたプラズマ工
程によって、チャンバ内部が十分に「汚れている」かどうかについて判断がなさ
れる。この「汚れたチャンバ」が確認された場合、関係者に通知するか、処置を
開始するか、またはこれら両方が行われる。的確な処置として、そのチャンバの
清掃が済むまで、現在のプラズマ工程を終了させるか、警報を発するか、そのチ
ャンバにおけるそれから先のプラズマ工程の実施を中止するか、またはそれらの
組合せを行うことが挙げられる。各種の機能が、本発明の第十四の特徴によって
利用されることがあり、そしてこれらの機能はこの第十四の機能との関連ならび
に何らかの組合せにおいて単独で用いられることがある。現在のプラズマ工程に
ついて得られたデータは、チャンバ内におけるプラズマの光放射のデータである
ことがある。得られた波長は、第一の波長範囲を定義する少なくとも約250ナ
ノメートルから約1,000ナノメートルの波長を含む。上記第一の波長範囲の
全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとのデータが得られると考えられる。 【0076】 処理チャンバを、チャンバ内のプラズマについて得られたデータを使って清掃
すべきかどうかを判断するために多数の手法が実行されることがある。これらの
手法は光放射データとの関連において説明されることになる。現在の光放射(工
程の現在の時点で得られる)と、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上に保存
されている標準とが比較されることがある。この標準は、同じチャンバから、た
だしチャンバが清掃すべきであると判断された、あるいは清掃すべきであると仮
定されたそのチャンバ内で、以前実施されたプラズマ工程から得られた、プラズ
マの光放射であってもよい。現在の光放射が、少なくとも実質的にこの標準と合
致する場合、チャンバは清掃の必要があると見なされることになる。「合致」は
、何らかのパターン認識手法に基づくことがある。この目的に対して、現在の光
放射と標準との間の相違の判断を使用してもよい。 【0077】 いつプラズマについて得られたデータを使ってチャンバを清掃すべきかという
ことを判断するもうひとつの方法として、端点の検出が挙げられる。本発明の第
十から第十三の特徴に関連して上で検討した端点検出手法の各々において、端点
を確認するために、チャンバ内のプラズマに関するデータが使われる。複数段階
のプラズマ工程のいずれかの段階が、あらかじめ設定した最大時間限界を越える
と、そのチャンバは清掃の必要があると見なされる。プラズマ工程全体を完了す
るための合計時間があらかじめ設定した最大時間限界を越える場合、そのチャン
バも、清掃の必要があると見なされる。端点検出手法は、これらの事例の各々に
使われることがある。複数段階のプラズマ工程の場合、その端点は、複数段階工
程の各段階に対して識別されるか、または、その工程で費やした合計時間を求め
るために、単に主題のプラズマ工程における最後の段階の端点が識別されること
がある。 【0078】 プラズマ清掃操作は、本発明の第十五の特徴の中で具体化される。プラズマ清
掃では、プラズマを「空の」チャンバ内に発生させることにより、処理チャンバ
の内部から材料が除去される。プラズマ清掃の間、そのチャンバ内には製品(た
とえば、ウェーハ)が入っていない。「空の」チャンバ内のプラズマの光放射は
、この第十五の特徴の第一の実施例における工程中に複数回得られる。光放射の
少なくともある部分のパターンと、その工程の少なくとも一部の間の第一の標準
パターンとが比較される(たとえば、強度対時間のグラフ)。この標準パターン
は、コンピュータで読取り可能な記憶媒体上に記録できる。さらに、この第一の
標準パターンは、プラズマ清掃がその端点に到達した時点で、同じ処理チャンバ
内で以前行われたプラズマ工程におけるプラズマの光放射から得られることがあ
る。工程中の少なくとも1回で得られた光放射のパターンと第一の標準パターン
とが、互いにあらかじめ決められた量以内にあるとき、そのプラズマ工程が終了
する。「あらかじめ決められた量」は、パターン認識手法を使うこと、ならびに
相違点を考慮し、いつこの相違点が、何らかの実質的強度ピークから少なくとも
実質的に関係なくなるのかに着目することによって、十分検討される。 【0079】 各種の機能を、本発明の第十五の特徴の第一の実施例によって利用し、これら
機能をこの第十五の特徴との関連において、または何らかの組合せにおいて使う
ことができる。少なくとも約250ナノメートルから約1,000ナノメートル
の波長を、第一の波長範囲全体を通じて少なくとも1ナノメートルごとに、含む
波長が、第一の標準パターンと比較するために得られ、利用してもよい。これら
の光放射をすべて、あるいは部分的に利用してもよい。すなわち、この第十五の
特徴の第一の実施例には、プラズマの光放射内の特定の波長のパターンと、対応
する波長を含むことになる第一の標準パターンとを比較することを含む。さらに
、第一の実施例は、現在のプラズマ工程について得られた光放射全体のパターン
と第一の標準パターンとを比較することも含まれる。 【0080】 第一の標準パターンに対して特定の波長を選ぶときには、困難に直面すること
がある。そのような困難のひとつとして、たとえば、波長の移行による、現在の
プラズマ工程の光放射におけるこの特定の波長を発見することを挙げてもよい。
この種の状況を表明するために第十五の特許の第一の実施例において追加の機能
を利用してもよい。これに関して、第一の標準パターンは、複数の波長を含む第
一の標準光放射セグメントの一部になることがある。第一の標準パターンの主題
の波長を伴う強度ピークは、その強度(たとえば、それはある波長の周りの「最
大」強度ピークである)、ひとつ以上の他の強度ピーク(たとえば、主題の波長
は、ある波長領域における「中央」ピークである)、またはそれら両方との関連
において識別されることがある。ここで、第一の標準光放射セグメントにおける
、第一の標準パターンに対する波長の、これら特性に着目することによって、現
在の光放射セグメントにおける主題の波長を識別してもよい。主題の第十五の特
徴の第一の実施例は、現在のパターンと第一の標準パターンとが、互いのあらか
じめ決められた量以内になる前に、主題のプラズマ工程が、あらかじめ決められ
た最大時間限界に到達した場合にも終了させられる。ふつうこれは、現在のプラ
ズマ工程が、処理チャンバの内部を明らかにするのに有効でなかったことを意味
することになる。この種の場合、チャンバの湿式清掃を開始してもよい。そのあ
と、その湿式清掃の残留物を明らかにするために、別のプラズマ清掃操作を開始
してもよい。 【0081】 チャンバー内のプラズマの光放射変化の時間速度を監視することが、プラズマ
洗浄に関する第15の局面の第二実施態様の目的である。これに関して、工程中
の今回の光放出および同じプラズマ工程中の前回(直前の回が好ましい)の光放
出間の差を測定する。この差が第一量より少ないとき、現プラズマ工程を終了す
る。従って、この第二実施態様は、プラズマ洗浄を終了すべき時期を現プラズマ
工程が所望速度で処理チャンバー内部の状態をもはや変化させていない状態と同
一視する。第一実施態様に関連して上記に扱った「付加的な」特徴の全てまたは
一部分をこの第二実施態様でも同様に実行することができる。 【0082】 調整ウェーハ操作は、本発明の第16局面で取り扱う。少なくとも一つの調整
ウェーハは、処理チャンバー内に装填され、それについてプラズマ工程が作動す
る。通常、プラズマ工程は、集積回路以外の調整ウェーハ上にあるパターンまた
は半導体装置と関連しないパターンをエッチングすることになる。調整ウェーハ
のプラズマ処理は、チャンバー内のプラズマ光放出を得ることにより監視する。
いくつもの調整ウェーハは、調整ウェーハ操作が調整ウェーハで行われるプラズ
マ工程の一つの監視結果に基づき終了するまでこのように処理される。その後、
生産ウェーハ操作が開始し、それにより、少なくとも一つの生産ウェーハがチャ
ンバー内に装填され、それについてプラズマレシピ(例えば、一つ以上のプラズ
マ段階)が作動する。これらの生産ウェーハをチャンバーから除去し、それから
少なくとも一つの半導体装置を形成する。さらに、実際に半導体装置が利用でき
るまで、生産ウェーハ処理が必要なこともある。従って、これにより調整ウェー
ハから生産ウェーハを識別する。なぜなら半導体装置は調整ウェーハから形成さ
れないからである。そのかわり、調整ウェーハは、さらに調整ウェーハとして使
用するため、通常、解体されるか、または一新される。 【0083】 様々な特徴は、本発明の第16局面により利用でき、これらの特徴は、この第
16局面に関連して単独および任意に組み合わせて使用することができる。調整
ウェーハ操作の健康状態、生産ウェーハ操作の健康状態またはその両方を評価す
ることができる。それによって、本発明の第7および第10局面に関連して上記
に記載の任意の技術をこの第16局面でも同様に実行することができる。調整ウ
ェーハ操作、生産ウェーハ操作またはその両方で得られた光放出は、少なくとも
約250nmから約1,000nmの波長を含み、このような光放出はこの範囲
にわたって少なくとも1nmごとに得ることができる。このデータの全てまたは
一部分を、調整ウェーハ操作の終結に基づく比較に利用することができる。 【0084】 終点検出技術を用いて調整ウェーハ操作を終了させることができる。従って、
第9から第13局面に関連する上記に記載の任意の終点検出技術は、この第16
局面においても同様に実行することができる。調整ウェーハ操作の終了は、その
工程に関して得られるデータから測定されるように、調整ウェーハに関するプラ
ズマ工程の一連の作動が、互いの特定量内にある時に基づいてもよい。すなわち
、調整ウェーハ操作の終了は、光放出データの評価に従って測定される定常状態
(例えば、一つの調整ウェーハの処理は、次の調整ウェーハの処理と少なくとも
効果的に同じようにみえる)に達した調整ウェーハ操作と同一視することができ
る。調整ウェーハ操作の終了もまた、単に、調整ウェーハ操作に関して得られる
データに基づくことができる。すなわち、生産ウェーハ操作が開始する前にウェ
ーハを分析する必要がない。一つ以上のプラズマ洗浄操作、ウエット洗浄操作ま
たは消耗品の交換もまた、調整ウェーハ操作の開始前に、同様に始めることがで
きる。 【0085】 少なくとも二つの処理チャンバーを含むウェーハ生産システムへのウェーハの
分配管理は、本発明の第17局面により取り扱われる。第一実施態様では、少な
くとも二つのチャンバーが、その中に配置されるウェーハのプラズマ処理に関係
する。これらのチャンバー内で実施される各プラズマ工程は、少なくとも何らか
の点で監視する。ウェーハは、これらのチャンバーの一つでウェーハに関する現
プラズマ工程の監視により、一つ以上の状態の存在が検出されなければ、これら
のチャンバー内で逐次的に処理され続けることになる。これらの状態には、「汚
染チャンバー」、既知の欠陥状態、未知状態またはその組み合わせが含まれる。
ただし、これらの用語は、上記に記載の第6および第14局面に関連して使用さ
れている。この特定チャンバーへのウエファーの分配は、この種の状態の同定後
、直ちに一次停止でき、あるいは一次停止をこれらの種類の特定数の状態が複数
のプラズマ工程で出会うまで遅延させることができる。すなわち、所与のチャン
バーは、この同じ状態(または別の状態)が複数の作動で同定されるまで、「オ
フライン」にすることができない。 【0086】 所与のチャンバー中のウェーハ処理の一次停止は「汚染チャンバー」状態の同
定に基づき、そのチャンバーを何らかの方法で洗浄することができる。プラズマ
洗浄、ウエット洗浄、消耗品の交換またはその任意の組み合わせは、この第17
局面の第1実施態様に関連する適当な「洗浄」として実行される。チャンバーが
洗浄されると、作動プラズマ工程に対してウェーハの分配を再度開始することが
できる。チャンバーの一つでウェーハのプラズマ処理中に既知の欠陥に出会うと
、この欠陥を扱う一つ以上の工程制御パラメーターが変化する。最後に、未知の
状態に出会うと、第一実施態様は、その終了後に該当原因の同定を試みて、プラ
ズマ工程を分析しようとする。 【0087】 第17局面の第二実施態様は、少なくとも三つのチャンバー内の生成物に関す
るプラズマ工程の作動に関する。そのウェーハは、第一配列を用いてこれらのチ
ャンバーに分配される。一つのチャンバーでプラズマ工程の監視により、特定状
態の存在が同定されると、この配列が変化し始める。第一実施態様に関連して上
記で同定した任意の特定の状態は、この第二実施態様にも同様に適用できるだろ
う。これに関して、第一実施態様の該当の特徴は、この第二実施態様でも同様に
実行することができる。 【0088】 最後に、この第17局面の第三実施態様は、プラズマ工程の作動用に少なくと
も二つの処理チャンバーへのウェーハの分配を含む。各プラズマ工程の完了に必
要な時間を監視する。利用される分配配列は、この時間監視に基づく。例えば、
分配配列は、「最速」処理チャンバーを最大限に使用することを意味する。 【0089】 本発明の第18局面は、プラズマ処理操作の監視に用いるある程度の仮想光フ
ィルターに関する。第一波長領域(例えば、第一波長から第二波長に伸びる波長
範囲、帯幅域を規定する距離)にかけての光放出データは、第一処理チャンバー
内で行われる第一プラズマ工程に関して得ることができる。第二波長領域は、第
一プラズマ工程の少なくとも一つの局面を監視するために選択する。この第二波
長領域は、第一波長領域の部分集合(すなわち、より小さい帯域幅)である。す
なわち、第二波長領域は、第一波長領域内に完全に含まれるが、第一波長領域よ
り小さい。従って、所与のプラズマ工程に関して集められている光放出データの
一部分だけを用いて、主題第18局面に従う少なくとも何らかの方法でこの工程
を評価する。 【0090】 プラズマ工程の一部分の監視に一波長領域内または一つの特定波長の光放出デ
ータを必要とするが、同じプラズマ工程の別の部分の監視には異なる波長領域内
または別の波長の光放出データを必要とし得る。同様に、一つの種類のプラズマ
工程の監視に、特定の波長領域内または特定波長の光放出データを必要とするが
、別の種類のプラズマ工程の監視には、別の波長領域内または別の波長の光放出
データを必要とし得る。主題第18局面の有意な有益性は、所与のプラズマ工程
またはその一部分を監視する所望の光放出が、集められている光放出データの第
一波長領域内である限り、これらの任意の科学的モデルを適応させるための物理
学的調整が必要でなくなることである。簡単に言えば、第18局面は、一つの種
類のプラズマ工程の監視に一つの帯域フィルターを必要とする状況および別の種
類のプラズマ工程の監視に別の帯域フィルターを必要とする状況を避ける。主題
第18局面に関して、特定のプラズマ工程の監視に使用すべき光放出を変化させ
るため、あるいは完全に異なるプラズマ工程の監視に使用する光放出データを変
化させるため、監視に所望される光放出データに関する情報だけを変化させる必
要がある。例えば、第一波長領域にわたる光放出データは、データベースのコン
ピュータ読み取り記憶媒体に保存するか、さもなければ、プラズマモニターで使
用するのに所望される第一波長領域の特定の部分集合(例えば、特定波長または
波長領域)についてプラズマモニター(例えば、プラズマ健康状態モジュール、
終点検出モジュール)を選択的に検索できるようにカタログを作ることができる
。すなわち、各波長を何らかの種類の識別名に割り付け、この波長に関する光放
出データの検索に必要なあらゆるものが必須プラズマ監視モジュールに該当の識
別名に入力されるようにできる。特定の波長領域に関する光放出データを検索す
るため、波長領域の二つの各極値に相当する識別名だけが、必須プラズマ監視モ
ジュールに入力されなければならなくなるだろう。比較的大きな波長領域にわた
って光放出データを得ることにより、この相対的に大きな波長領域内の無限数の
部分集合データを効率的に用いて、本発明の主題第18局面に従って任意のプラ
ズマ工程またはその一部分を監視することができる。 【0091】 主題第18局面により監視できる任意のプラズマ工程の一局面は、処理チャン
バーで運転されているプラズマ工程と関連する少なくとも一つの終点の発現を同
定することである。「終点」は、プラズマ工程が特定の所定結果(例えば、特定
層の除去)を得るか、または作用したときと規定する。終点の発現は、第一波長
領域内にそれぞれ含まれる一つ以上の個々の波長の監視により、同じ帯域幅をも
つ必要はないが第一波長領域内にそれぞれ含まれる一つ以上の波長領域の監視に
より、あるいはその任意の組み合わせにより監視することができる。第18局面
により監視できるプラズマ工程の別の局面は、処理チャンバーで目下作動してい
るプラズマ工程が、全く同じ処理チャンバー内で前に行われた少なくとも一つの
プラズマ工程に従って進行しているかどうかを測定することである。これは、全
第一波長領域にかけて光放出データを比較することにより行えるが、これは、第
18局面および監視のため、より小さな波長領域を使用して行うことができる。
これに関して、第二波長領域は、少なくとも50nmの帯域幅をもてるが、第一
波長領域の帯域幅以下になる。 【0092】 所与のプラズマ工程中のプラズマの種々の光放出強度は、一般的に、少なくと
も一つの変化を受け、プラズマ工程にかけては概して多くの変化を受ける。主題
第18局面に従って、プラズマ工程を監視する一つのやり方は、時間に対して第
二波長領域の光放出面積のプロットを生成することである。この意味の「面積」
は、第二波長領域の光放出強度を反映するか、またはこれに関連する。このプロ
ットは、操作人員が調査するコンピュータモニター上その他などに表示すること
ができる。このプロットから時間に対する第二波長領域の光放出面積変化の別の
プロットを生成することができる。このプロットもまた、操作人員が調査するコ
ンピュータモニター上その他などに表示することができる。第二波長領域の時間
に対する面積変化のプロットは、時間に対する第二波長領域の面積を実際にプロ
ットしないで生成できるが、ただそのかわり、時間プロットに対してこの面積を
規定するデータを用いる。いずれにせよ、終点は、時間に対して第二波長領域の
面積変化のプロットで生じるか、または明示される特定事象その他と同一視する
ことができる。例えば、その「事象」は、特定の負勾配域値が時間プロットに対
する面積変化内を超える時、時間プロットに対する面積変化内で負勾配率に特定
の変化が存在する時、正勾配域値が時間プロットに対する面積変化内を超える時
あるい時間プロットに対する面積変化内で正勾配率に特定の変化が存在する時で
もよい。特定時間の終了前に、プラズマ工程またはその一部分に終点が指令され
ないように(例えば、プラズマ処理チャンバー内にやってくるプラズマがプラズ
マ処理を始める特定時間量内に終点を指令させない;プラズマの供給ガスを変化
させるようなあるプラズマレシピーから別のプラズマレシピーにプラズマ処理シ
ステムを変化させる少なくとも一つの変化の特定時間量内に終点を指令させない
)、時間プロットに対する面積変化と関連する平均二乗誤差が特定域値に適合す
るか、または超えなければならないように、および特定時間量の終了後に、プラ
ズマ工程またはその一部分に終点を指令させないように、ある程度の様々な他の
必要条件を用いることができる。 【0093】 複合の波長または波長領域を用いて、主題第18局面に従ってプラズマ工程を
監視でき、これらの各波長または波長領域が、現プラズマ工程に関して光放出デ
ータが収集されている第一波長領域にある限り、プラズマ監視システムを物理学
的に変化させないで再度監視することができる。例えば、第一波長領域内の一つ
の波長領域を特定プラズマ工程の第一段階の第一終点について監視でき、第一波
長領域内の別の/異なる波長領域を同じプラズマ工程の第二段階の第二終点につ
いて監視することができる。これは、プラズマ工程の各段階について行うことが
できる。別の可能性は、現プラズマ工程に関連する少なくとも一つの終点につい
て監視し、同時に、少なくとも50nm帯域幅の波長領域の光放出データを同じ
処理チャンバーで前に実施したプラズマ工程のこの同じ波長領域の光放出データ
と比較することにより、プラズマ工程の健康状態もまた監視することである。 【0094】 本発明の第19局面は、プラズマ工程の特定終点の発現についてプラズマ工程
を監視するのに適当となる波長領域の同定に関する。終点を監視するこの波長領
域は、特定の帯域幅をもつ。この帯域幅に250〜265nmに伸びる波長領域
など、間隔のあいた二つの異なる波長により規定される二つの極値を有する(2
50nmの波長は、主題波長領域の一つの極値であり、265nmの波長は主題
波長領域のもう一方の極値である)。プラズマ工程の各終点は、この第19局面
に従って同定される該当の終点指示波長領域を有することができる。「終点」は
、さらに特定層がウェーハ上でエッチングされた時など、特定の所定結果がプラ
ズマ工程により達成された時である。 【0095】 第19局面は、第一帯域幅をもち、第一プラズマ工程と関連する第一終点の同
定に用いることができる第一波長領域の選択に関連して記載することになる。第
二帯域幅をもつ第二波長領域にかけての光放出データを第一プラズマ工程に関し
て得る。好ましくは、第二波長領域は、約250nmから約1,000nmの範
囲内に少なくとも波長およびこの波長範囲にかけて少なくとも1nmごとに波長
を含む。しかも、これらの光放出を全第一プラズマ工程でなくても大部分の工程
中に、少なくとも1秒ごとにプラズマ工程に関して得るのが好ましい。 【0096】 第二波長領域の第二帯域幅より小さく、さらに、第一プラズマ工程に関して収
集されるべき特定の光放出データを再度規定する第三波長帯域幅を選択する。第
三波長帯域幅をもち、光放出データが第一プラズマ工程に関して収集されている
第二波長領域の部分集合の複数の波長領域についてプロットを生成する。そのと
き、各プロットは、これらの波長領域部分集合の一つに特有なものになり、時間
に対する主題波長領域の面積変化を明示することになる。主題波長領域の面積は
、この特定波長領域の光放出強度を反映するか、または関連する。これらの複数
のプロットから、第一プラズマ工程中の第一終点の発現を同定する第一波長領域
として、少なくとも波長領域を選択する。 【0097】 主題第19局面を説明する以下の実施例を考えよう。少なくとも約250nm
から約1,000nmの波長を含む第二波長にかけて第一プラズマ工程に関する
光放出データを収集する。第三帯域幅は、5nmとして選択することができる。
この5nm帯域幅をもち、適当な終点指示波長領域を同定するためプロットされ
た各波長領域を終点評価波長領域と呼ぶ。第一プラズマ工程の次の実行で第一終
点の指令に使用することになる第一波長領域を同定するため同じ第一プラズマ工
程の詳細な事前情報を得る必要性を少なくするために、様々な終点評価波長領域
の数および領域間の関係を選択し、光放出データが第一プラズマ工程に関して収
集されている第二波長領域の少なくとも大部分、より好ましくは全体をカバーす
る。このように、終点評価波長領域をオーバーラップ関係で配置するか、または
縦につないで配置してもよい。例えば、第一終点評価波長領域は、250〜25
5nm、第二終点評価波長領域は、255〜260nm、第三終点評価波長領域
は、260〜265nmおよび主題実施例の最大995〜1,000の終点評価
波長領域などとすることができる。 【0098】 プロットを各終点評価波長領域について生成すると、プロットを試験して第一
終点を指令する第一波長領域の候補となる一つ以上の終点評価波長領域を同定す
ることができる。第一波長領域の可能な候補として所与の終点評価波長領域を選
択する基本的な基準は、主題終点評価波長領域の時間プロットに対する面積変化
が、何らかの種類の同定可能な事象を有さなければならないことである。この事
象は、第一終点がその工程で生じるべき時間付近に発現する。「同定可能な事象
」には、例えば、特定の負勾配域値が所与の終点波長評価領域の時間プロットに
対する面積変化内を超える時、負勾配率の特定変化が所与の終点波長評価領域の
時間プロットに対する面積変化内にある時、正勾配域値が所与の終点波長評価領
域の時間プロットに対する面積の変化内を超える時、あるいは正勾配率の特定変
化が所与の終点波長評価領域の時間プロットに対する面積変化内にある時を挙げ
ることができる。主題プロットの平均二乗誤差に関して特定の域値に適合するか
、または超えなければならないように、様々な「必要条件」または「先行条件」
を第一波長領域の時間プロットに対する面積変化から終点を指令するのに課すこ
とができる。 【0099】 必須の同定可能なまたは示差的な事象を有さない終点評価波長領域は、第一終
点を指令する第一波長領域として考慮の対象から削除する。必須の示差的なまた
は同定可能な事象を有する唯一の終点評価波長領域が存在すれば、この特定の終
点評価波長領域は、第一終点を指令する第一波長領域として選択することができ
る。多くの場合、複数の終点評価波長領域が存在することになり、その領域での
時間に対する面積変化の各プロットは、第一終点が生じたにちがいない時間付近
で同定可能か、または示差的な事象を示す。これらの若干の終点評価波長領域が
「十分に接近」していれば、第一終点を指令する第一波長領域を選択してこれら
の各終点評価波長領域を包含させることができる。例えば、275〜280波長
領域のプロット、285〜290波長領域のプロットおよび300〜305波長
領域のプロットは、必須の同定可能か、または示差的な事象を有していれば、第
一波長領域は、275〜305nm波長領域として規定できるであろう。最も隣
接する二つの終点評価波長領域を分離する約15nm以上の帯域幅が存在すれば
、これらの二つの最も隣接する終点評価波長領域を結合して特定の第一波長領域
を規定しないほうがよい。すなわち、275〜280nm終点評価波長領域のプ
ロットが必須の同定可能か、または示差的な事象を有すれば、280〜285、
285〜290、290〜295および295〜300nm終点評価波長領域の
プロットが必須の同定可能か、または示差的な事象を有さなければ、300〜3
05終点評価波長領域のプロットが必須の同定可能か、または示差的な事象を有
すれば、時間に対する面積変化のそれぞれのプロットに必須の同定可能か、また
は示差的な事象を示した275〜280と300〜305終点評価波長領域間の
25nmのギャップのため、第一終点を指令する第一波長領域を275〜305
nm波長領域として規定するのは望ましくないだろう。この場合、275〜28
0および300〜305終点評価波長領域は共に、相変わらず第一終点を指令す
る第一評価領域の候補であろう。これらの一つまたは両方の終点評価波長領域は
、生産の精度について試験し、および/または上記に記載の方法で終点を指令す
るため実行されるであろう。 【0100】 本発明の第20局面は、ある程度の「データプレーヤー」としての特徴を有す
ることができる。このプレーヤーにプラズマ工程に関する光放出データを保存し
、その後、これを用いてプラズマ工程が監視または評価されているプラズマ監視
システムまたは方法で一つ以上の変化を評価することができる。すなわち、第2
0局面を用いてプラズマ工程の監視により得られた結果または関連する性能に影
響し得るプラズマ監視システム、特定のプラズマ監視技術またはその両方におい
て、特定の変化または変化の組み合わせを作成する方法に関するある程度の様々
な実験を実施することができる。その主題「監視」は、プラズマの健康状態、終
点またはその両方についてでもよい。好ましくは、第20局面は、遠隔システム
で実行する。このシステムは、少なくとも何らかの方法でプラズマ監視システム
と相互に連絡してあり、プラズマ監視システムの少なくとも一部分を繰り返すか
、またはプラズマ監視システムによく似るため、これらのある程度の実験を生産
に影響を与えないよう「オフライン」で実施してもよい。これは、以下に示す本
発明の第21局面に関して議論する。 【0101】 「データプレーヤー」とそのプラズマ処理操作の監視に関する価値を実施例に
より説明することができる。290〜295nm波長領域を監視して第一プラズ
マ工程で第一終点を指令する状況、さらに、250〜1,000nmに伸びる波
長領域に対する光放出データをこの第一プラズマ工程の第一実行の全体にわたっ
て得るか、収集し、保存したことを考えよう。この第一プラズマ工程のこの第一
実行の終了後、ある程度の「試験」を行い、250〜1,000nm波長領域内
の異なる波長領域が同じ処理チャンバーのこの同じ第一プラズマ工程の次の実行
で第一終点を指令するのにより適当になるかどうかを評価することができる。こ
れは、第一終点の指令に用いられている終点検出モジュールの第一プラズマ工程
の第一実行に関する光放出データを「再生」し、次に、この終点モジュールに第
一終点を指令する異なる波長領域を監視させることにより行うことができる。例
えば、終点検出モジュールは、次に、その生産設定で第一終点を指令するのに実
際に用いた290〜295nm波長領域に対して400〜405nm波長領域を
調べるよう命令することができるであろう(例えば、第一終点(しかし、290
〜295nm光放出データによる)の指令に元来使用された同じ終点演算法に4
00〜405nm光放出データを供給し、この新しいデータで第一終点が指令さ
れる時を調べる)。終点検出モジュールの他のパラメーターをこの同じ全般的方
法で変更し、試験してもよい。異なる終点検出技術もまた、この同じ全般的方法
で試験することができる。プラズマ健康状態を監視する異なる波長領域および/
またはプラズマ健康状態を監視する異なる技術も同様に、この同じ全般的方法で
試験することができる。 【0102】 本発明の第21局面は、ある程度のプラズマ監視ネットワークである。この第
21局面の第一実施態様は、複数のチャンバー群を含むプラズマ処理システムで
ある。各チャンバー群は、少なくとも一つのプラズマ処理チャンバーおよび少な
くとも一つのプラズマ監視システムを含む。このシステムは、特定チャンバー群
の少なくとも一つの処理チャンバーと相互に連結している。全チャンバー群に単
一のプラズマ監視システムがあり、各チャンバーが、それ自体のプラズマ監視シ
ステムを有するか、または単一のプラズマ監視システムがこのような処理チャン
バー全てではなく、所与のチャンバー群内の複数の処理チャンバーに情報を提供
してもよい。 【0103】 さらに、第21局面の第一実施態様は、洗浄室システムを含む。一つ以上の洗
浄室は、この洗浄室システムを規定することができる。各チャンバー群は、洗浄
室システム内に含まれる。一般的に、複数のチャンバー群は、同じ洗浄室に位置
することになる。しかし、この第21局面の第一実施態様は、一つ以上のチャン
バー群が複数の異なる洗浄室に位置する状況をカバーする。 【0104】 主要遠隔ステーションは、各チャンバー群のプラズマ監視システムと作動的に
相互連結している。この主要遠隔ステーションは、洗浄室システムの外側に配置
され、ディスプレー(例えば、コンピュータモニター)およびデータ登録装置(
例えば、キーボード)を含む。複数の各チャンバー群に対して別個のチャンバー
群遠隔ステーションが存在することもある。主要遠隔ステーションのように、各
チャンバー群遠隔ステーションは、洗浄室システムの外側に配置され、ディスプ
レー(例えば、コンピュータモニター)およびデータ登録装置(例えば、キーボ
ード)を含む。しかし、主要遠隔ステーションとは異なり、所与のチャンバー群
遠隔ステーションは、その関連チャンバー群のプラズマ監視システムとだけ、作
動的に相互連結し、それによって、いかなる他のチャンバー群のプラズマ監視シ
ステムとも連結しない。 【0105】 本発明の第21局面の上記に記載の第一実施態様における特徴の様々な改良点
および様々な他の特徴を個々にか、または任意に組み合わせて実行することがで
きる。主要遠隔ステーションは、所与のチャンバー群のチャンバー群遠隔ステー
ションよりもこの同じ所与のチャンバー群の所与のプラズマ監視システムにアク
セスする大きな権利をもつことができる。例えば、複数モジュールは、各プラズ
マ監視システムと関連することができる。主要遠隔ステーションは、プラズマ監
視システム基盤を介して該当のチャンバー群遠隔ステーション(すなわち、単一
チャンバー群のプラズマ監視システムとインターフェースで接続するチャンバー
群遠隔ステーション)より多くのモジュールにアクセスできる。 【0106】 上記に記載の実施例は、データプレーヤーモジュール、統計分析モジュール、
制御モジュールおよびデータ調査モジュールを含む。データプレーヤーモジュー
ルは、本発明の第20局面に関して上記に記載の特徴を有することができる。統
計分析モジュールは様々な種類の統計分析を引き受けるために設定することがで
きる。例えば、単一処理チャンバーの性能をそれ自体に対して統計学的に分析で
きるであろう(例えば、時間に対する性能変動)。しかも、一つの処理チャンバ
ーの性能を同じか、または異なるチャンバー群で別の処理チャンバーの性能に関
して統計分析することができるであろう。すなわち、単一チャンバー群の性能を
それ自体に対して統計的に分析できるであろう(例えば、時間に対する性能変動
)。しかも、特定のチャンバー群の性能を一つ以上のチャンバー群に関して統計
学的に分析できるであろう。 【0107】 制御モジュールは、関連プラズマ監視システムの性能、より詳細には、関連プ
ラズマ監視システムと関連する一つ以上の変動パラメーターを制御する。代表的
なパラメーターは、プラズマ工程と関連する特定の終点を指令するため監視され
ている波長領域、特定処理チャンバーの現プラズマ工程の性能を同じ処理チャン
バーの同じプラズマ工程の前の実行と比較するため監視されている波長領域、時
間調整の検討(例えば、プラズマ工程の様々な局面の監視を開始するか、終結す
るか、その両方のとき)を含むことになるだろう。一般的に、主要遠隔ステーシ
ョンだけが所与のプラズマ監視システムの制御モジュールにアクセスすることに
なり、従って、この同じプラズマ監視システムと関連するチャンバー群遠隔ステ
ーションだけが一つ以上のデータプレーヤーモジュール、統計分析モジュールま
たはデータ調査モジュールへアクセスできることになる。 【0108】 最後に、データ調査モジュールは、少なくとも何らかの方法で特定の処理チャ
ンバーで作動されている現プラズマ工程を図示する。データ調査モジュールを設
定して複合チャンバーで作動されている複合プラズマ工程を同時に表示すること
ができる。データ調査モジュールによるプラズマ工程の調査法の代表例は、特定
終点の指令に用いられている特定波長領域の時間に対する面積変化のプロットを
表示すること、終点を指令するため特定波長のプロットを表示することあるいは
この同じプラズマ工程の前の実行に関連して現プラズマ工程の進行状況に関する
一つ以上のプロットを表示することになろう。 【0109】 本発明は、次に、その様々な関連する特徴を明示する助けとなる添付図面に関
して記載することになる。本発明の一つの適用は、プラズマを利用して少なくと
も一つの機能を提供するか、または少なくとも一つの所定の結果を得る工程につ
いてであり、本発明は、以降、これに関連して記載することになる。より詳細に
は、本発明は、半導体装置を形成するウェーハなどに関するプラズマ工程の作動
に関して記載することになる(例えば、「所定の結果」が一つ以上の層の除去で
あるエッチング、所定の結果が一つ以上のフィルムの蓄積である化学蒸気沈着、
所定の結果が材料の付加または除去であるスパッターリング)。 【0110】 (詳細な説明) <ウエファ製造システム2−図1> 図1はウェーハ製造システム2であり、通常、ウェーハ18に対して、一つま
たはそれ以上のプラズマをベースとするプロセス(一回または複数のステップ)
を、実行するためのものである。半導体デバイスは、集積回路チップを含む、シ
ステム2により処理されたウェーハ18から作ることができる。システム2は、
通常、複数のウェーハ18を収容することができ、これらウェーハ18を、シス
テム2へ、またシステム2から、容易に運ぶことができるウェーハ・カセット6
を含む。一つのウェーハ・カセットは、ウェーハ製造システム2の、二つの各ロ
ード・ロック・チャンバ28内に配置されている。ウェーハ処理組立体44は、
各ロード・ロック・チャンバ28内に送られて、ウェーハ・カセット6からウェ
ーハ18の中の少なくとも一つを取り出し、ウェーハ18を、ウェーハ製造シス
テム2の複数の処理チャンバ36のうちの一つに送る。(図は、四つのチャンバ
36a−dを示す。)他の装置も、本発明の目的のために使用することができる
。 【0111】 ウェーハ処理組立体44、及びウェーハ製造システム2の種々の他の構成部材
は、主制御ユニット(以後、「MCU58」と呼ぶ)により制御される。ある実
施形態の場合には、MCU58は、少なくとも一つのコンピュータが読むことが
できる記憶媒体と、デスクトップ・パソコンまたは衛星ターミナルを持つメイン
フレームのような、少なくとも一つのプロセッサを持つコンピュータである。ウ
ェーハ製造システム2の一つまたはそれ以上の他の構成部材と一緒に、MCU5
8を、適当に集積すると、MCU58を、(例えば、各チャンバ36でプラズマ
を制御するような)一つまたはそれ以上の、好適には、ウェーハ製造システム2
のすべてのチャンバ36を制御するための主コントローラとすることができる。
MCU58を、ウェーハ処理組立体44を含むこれら種々の構成部材に対して動
作できるようにインターフェースするように集積することができる。操作スタッ
フに視覚をベースとする情報を提供するディスプレイ59(例えば、CRT、ま
たはコンピュータ・モニタ)、及び操作スタッフが、ウェーハ製造システム2が
使用する、またはウェーハ製造システム2に関連する情報を入力することができ
るようにする、データ入力デバイス60(例えば、マウス、ライトペン、キーボ
ード)のような他のハードウェアも、MCU58に動作できるように相互接続す
ることができる。 【0112】 チャンバ36内のプラズマは、ある種の方法(例えば、材料の予め定めた層を
除去するためのエッチング)で、チャンバ内に収容されているウェーハ18を処
理する。各チャンバ36内のウェーハ18に対して実行されているプラズマ・レ
シピについての光学的放射データを入手することができるように、各チャンバ3
6には透明な窓38が設置されている。プラズマの処理が完了すると、ウェーハ
処理組立体44は、各処理チャンバ36からウェーハ18を取り出し、ウェーハ
18を関連ロード・ロック・チャンバ28内のウェーハ・カセットに戻す。カセ
ット6のうちの一つのカセット内のすべてのウェーハ18がプラズマ処理される
と、そのウェーハ・カセット6は、ロード・ロック・チャンバ28から取り出さ
れ、プラズマ処理される新しいウェーハ18を収容している他のカセット6と交
換される。この作業は、操作スタッフにより手動で行うこともできるし、または
ロボット等により自動的に行うこともできる。 <ウェーハ・カセット6−図2> 図2は、図1のウェーハ製造システム2が内蔵するウェーハ・カセット6の実
施形態の詳細図である。ウェーハ・カセット6は、バック・パネル26により相
互接続している一組の横方向に間隔を持つ側壁部22、及び一組の端部パネル8
により形成されているフレーム10を含む。フレーム10の前部は、実質的に開
いていて、そのため、ウェーハ処理組立体44は、関連するウェーハ・カセット
6からウェーハ18を取り出し、上記カセットにウェーハ18を供給するために
、ウェーハ・カセット6内に前進することもできるし、ウェーハ・カセット6か
ら後退することもできる。複数の縦方向に間隔を持ち、横方向に配置されている
隔壁16(例えば、各隔壁16は、カセット6の縦軸に少なくともほぼ垂直に配
置されている)は、隣接するウェーハ18から間隔を保つために、フレーム10
内に設置されている。隣接する隔壁16の各組は、一枚のウェーハ18を入れる
ことができるポケット14を形成する。プラズマ処理されるウェーハ・カセット
6内へのウェーハ18の挿入は、適当な支持面上にカセット6の端部パネル8の
うちの一つを配置し、入力ポケット14内にウェーハ18が一枚だけ配置される
ように、カセット6内にウェーハ18を手動で挿入することにより行うことがで
きる。ウェーハ・カセット6内にウェーハ18が十分な長さだけ挿入されると、
カセット6を、適当なロード・ロック・チャンバ28に移動させることができる
。その後で、ウェーハ・カセット6の端部8は、その実質的に開いている前面に
ウェーハ処理組立体44がアクセスできるような位置に設置される。ウェーハ製
造システム2は、別の構成のウェーハ・カセット6も使用することができ、カセ
ット6へのウェーハ18の挿入、及びウェーハ製造システム2のロード・ロック
・チャンバ28への、またはロード・ロック・チャンバ28からのカセット6の
移動の中の任意の一つまたはそれ以上のステップを自動化することができる。 <ウェーハ処理組立体44 − 図3A〜図3B> 図3A〜Bは、図1のウェーハ製造システム2が内蔵するウェーハ処理組立体
44の詳細図である。ウェーハ製造システム2は、1994年1月25日付のメ
イダン他の、「ロボット自動ローダ及びロックを備える半導体処理システム」と
いう名称の米国特許第5,280,983号、及び1997年8月12日付のロ
ーランス他の、「2軸磁気結合ロボット」という名称の米国特許第5,656,
902号が開示しているタイプのような、他のタイプのウェーハ処理組立体も使
用することができる。上記両米国特許の全文を引用によって本明細書の記載に援
用する。図3A〜Bのウェーハ処理組立体44は、通常、ウェーハ製造システム
2の中央チャンバ70内に配置されているロボット・ウェーハ・ハンドラ48を
含む。ロード・ロック・チャンバ28及び処理チャンバ36は、ウェーハ処理組
立体44の周囲に配置されている。ロボット・ウェーハ・ハンドラ48は、ウェ
ーハ・ハンドラ48と動作できるようにインターフェースしているウェーハ・ハ
ンドラ制御モータ62により運動する。ウェーハ・ハンドラ48は、MCU58
(図1)と、動作できるようにインターフェースしていて、MCU58により制
御される。ウェーハ・ハンドラ48は、自分自身が、ロード・ロック・チャンバ
28または処理チャンバ36のうちの一つに適当にインターフェースするように
、ウェーハ処理組立体44を位置させるために、ピボット50を中心にしてピボ
ット回転または回転できるように、ピボット50を含む。ウェーハ18は、ウェ
ーハ・カセット6のポケット14のうちの一つのポケット内に配置された場合、
ウェーハ18のうちの一つとインターフェースするウェーハ・ブレード66によ
り、各ロード・ロック・チャンバ28または各処理チャンバ36から取り出され
、各ロード・ロック・チャンバ28または各処理チャンバ36へ供給される。ブ
レード66(図示せず)上にウェーハ18を固定するために、ウェーハ・ブレー
ド66上に、真空チャック等を内蔵させることができる。ウェーハ・ブレード6
6は、適当な位置にウェーハ・ブレード66を軸方向に前進及び後退させるため
の、ピボッタルのような動作により延びたり、縮んだりするアーム組立体54に
相互接続している。 <処理チャンバ72 − 図4及び図5> 図4は、チャンバ36のうちの一つのチャンバとして、図1のウェーハ製造シ
ステムが内蔵することができる処理チャンバの一実施形態である。ウェーハ製造
システム2は、本発明の目的のために、1997年3月25日付のフェアバーン
(Fairbairn)他の、「高密度プラズマCVD及びエッチング反応装置
」という名称の米国特許第5,614,055号、及び1997年6月24日付
のニテチ(Nitescu)他の、「壁部の腐食に対する表面保護手段を備える
プラズマ・エッチング反応装置」という名称の米国特許第5,641,375号
が開示しているものを含む、他のタイプ/構成の処理チャンバを使用することが
できる。両米国特許の全文を引用によって本明細書の記載に援用する。 【0113】 図4の処理チャンバ74は、(すなわち、チャンバ36内に位置するウェーハ
18から、一つまたはそれ以上の層を除去するために)ウェーハ18に対してプ
ラズマ・エッチング作業を実行するのに特に適している。処理チャンバ74は、
チャンバ74の中央の縦軸76の周囲に位置するチャンバ側壁部78を含む。処
理チャンバ74へは、少なくともある場合には、少なくともチャンバ・カバー8
2の一部を、チャンバの側壁部78から取り外すことができるような方法で、チ
ャンバの側壁部78に相互接続しているチャンバ・カバー82を通してアクセス
することができる。図示の実施形態の場合には、チャンバ・カバー82は、保守
または清掃あるいはその両方を行うために、処理チャンバ74の内部にアクセス
するためだけに取り外される。窓ポート124は、チャンバの側壁部78の一部
を通して延びていて、透明な窓112と整合している。窓112は、内面116
及び外面120を含み、処理チャンバ74の外部からプラズマを見ることができ
、さらに、チャンバ74内でウェーハ18に対して行われているプラズマ・レシ
ピに関する光学的放射データを入手するための機構を提供する。 【0114】 チャンバの側壁部78及びチャンバ・カバー82は、それぞれ、透明な誘電体
材料(例えば、石英、サファイヤ)からできているベル・ジャ90及びベル屋根
86により、チャンバ74内で行われているプラズマ処理の影響から保護されて
いる。ベル・ジャ90は、チャンバの側壁部78の内面から、内側(例えば、チ
ャンバ74の中央の縦軸76の方向)に向かって半径方向に間隔を持つ。ベル屋
根86は、ベル・ジャ90の上に配置されていて、エレベータ98との相互接続
を通して、チャンバ74の中央の縦軸76に少なくともほぼ平行な方向に、軸方
向に移動することができる。一つまたはそれ以上の目的のために、エレベータ9
8は移動できることが望ましい。例えば、エレベータ98の運動は、シャワーヘ
ッド94と、ある実施形態の場合には、チャンバ74に対する電極または「プラ
ズマ・ゼネレータ」である、ウェーハ・ペデスタル106/ウェーハ・プラット
フォーム102との間の間隔を変化させるために使用することができる。 【0115】 ウェーハ・ペデスタル106は、間隔を置いて、ベル・ジャ90の半径方向に
内側に配置されていて、ウェーハ・プラットフォーム104は、ウェーハ・ペデ
スタル106の頂部上に位置している。ある実施形態の場合には、ウェーハ・ペ
デスタル104とウェーハ・プラットフォーム104の両方は、シリコンをベー
スとする材料から作られている。何故なら、ウェーハ18も、同様に、シリコン
をベースとする材料から作られているからである。ウェーハ18は、チャンバ7
8の側壁部を通して延びていて、ウェーハ・プラットフォーム104の上面上に
平らに位置していろ、ウェーハ・アクセス80を通して処理チャンバ74内に導
入される。チャンバ74内のウェーハ18上にプラズマ処理が行われている間、
ウェーハ・プラットフォーム104上にウェーハ18を固定するために、ウェー
ハ・プラットフォーム104上に形成されている真空ポート108を通して真空
を吸引したり、または静電荷(図示せず)を使用するというような種々の機構を
使用することができる。この場合もまた、処理チャンバ74へのウェーハ18の
移動は、ウェーハ処理組立体44(図1及び図3A〜B)のウェーハ・ブレード
66により行われる。ウェーハ・ブレード66が処理チャンバ74から引っ込ん
だ後で、プラズマ処理がスタートする前に、処理チャンバ74内で真空が発生す
る。 【0116】 シャワーヘッド94は、軸方向に一緒に移動することができるように、エレベ
ータ98に相互接続している。ある実施形態の場合には、シャワーヘッド94は
、上記の理由で、シリコンをベースとする材料から作られている。シャワーヘッ
ド94は、プラズマのために必要なガスの流れのパターンを形成するように、真
空チャンバ84内に供給ガスを分散させる目的で、一つまたはそれ以上の開口部
(図示せず)を含む。ガスは、石英のベル屋根86内に形成された、ガス入口ポ
ート100を通してシャワーヘッド94に供給される。適当なガスが処理チャン
バ74内に導入された状態で、また(例えば、圧力、温度、流量のような)他の
条件も適当に設定された状態で、ウェーハ・プラットフォーム104上のチャン
バ74内でプラズマを発生するために、一つまたはそれ以上のウェーハ・ペデス
タル106及びシャワーヘッド94に、適当な電圧を掛けることができる。それ
により、ウェーハ・ペデスタル106及びウェーハ・プラットフォーム104、
及びシャワーヘッド94は、すでに説明したように、例示としての実施形態にお
いて、電極として機能する。これらの電極が発生する電界も、電極の間の空間に
プラズマを効果的に形成するために機能する。 【0117】 図5は、所与のプラズマ・プロセス動作のために、図4の処理チャンバ74に
ガスを供給するために使用することができるガス供給システム150の一実施形
態である。他のシステムも同様に使用することができる。ガス供給システム15
0は、複数の貯蔵タンク154を含み、各貯蔵タンクは、直接または間接的に、
処理チャンバ74と流体により相互接続している。貯蔵タンク154b−dは、
真空チャンバ84内でプラズマのガス組成を形成する一つまたはそれ以上のタイ
プの供給ガスを貯蔵するために使用することができる。各貯蔵タンク154b−
dは、ガス・ライン158b−dにより、ミキサ166と相互接続しているが、
この場合、ガス・ライン158eを通して、シャワーヘッド94により、処理チ
ャンバ74に供給する前に、供給ガスを適当に混合することができる。供給ガス
の混合は、マニフォールド(図示せず)内でも行うことができる。上記マニフォ
ールド内には各供給ガスが別々に流れ込むが、このマニフォールドは、処理チャ
ンバ74に内蔵することもできるし、その一部とすることもできる。その後で、
マニフォールドは、ガス入口ポート100とインターフェースするが、このタイ
プのマニフォールドは、ミキサ166と一緒に使用することもできる。場合によ
っては、プラズマを形成するために、処理チャンバ74に供給される供給ガスの
組成は、点火しにくい場合がある。この問題は、貯蔵タンク154a内に、適当
なガスを導入することにより解決することができる。上記供給ガスの組成よりも
、もっと簡単に点火することができるガスの組成が、貯蔵タンク154aに入っ
ている。その後で、貯蔵タンク154b−dからの必要な供給ガスの流れと一緒
に、貯蔵タンク154aから処理チャンバ74へ点火ガスを供給することにより
、またプラズマを発生させる目的で、供給ガスを点火する点火ガスを点火するこ
とにより、影響を受ける。 <プラズマ監視組立体174 − 図6及び図7> 明らかに、上記構成部材は、ウェーハ製造システム2の全体の機能にとって重
要なものである。しかし、本発明は、特に、プラズマ自身の評価を監視するため
のものである。それ故、下記の構成部材は、上記のものを含む任意のタイプのプ
ラズマをベースとするシステムに内蔵させることができる。 【0118】 図6は、プラズマ・プロセスを監視/評価するためのものであり、図1のウェ
ーハ製造システム2が内蔵することができる組立体の一実施形態を示す。プラズ
マ監視組立体174は、窓38を通して、処理チャンバ36からのプラズマの光
学的放射を受信することにより、処理チャンバ36の窓38と動作できるように
インターフェースしている。これらの光学的放射は、窓38の外面または近くに
位置する適当な光ファイバ・ケーブル178により「収集」される。図36及び
図39は、一定の位置関係に、光ファイバ・ケーブル及び処理チャンバの窓を維
持する方法を示す固定金具である。ウェーハ18の処理中の処理チャンバ36内
のプラズマの光学的放射は、光ファイバ・ケーブル178に入り、スペクトロメ
ータ組立体182に送られる。走査タイプのスペクトロメータ及びソリッドステ
ート・スペクトロメータの両方を、スペクトロメータ組立体182として使用す
ることができる。組立体182は、また、一つまたはそれ以上の適当に相互接続
しているスペクトロメータを含むこともできる。各スペクトロメータは、異なる
領域から光学的放射データを入手する。スペクトロメータ組立体182は、これ
らの光学的放射を複数の個々の波長に分離し、これらの個々の光学的成分を、対
応する電気信号に変換するために、電荷結合素子のアレー186(以後、「CC
Dアレー186」と呼ぶ)に供給する。 【0119】 コンピュータが読むことができる信号は、CCDアレー186により、プラズ
マ監視組立体174の主要な制御機構であるプラズマ監視制御ユニット128(
以後、「PMCU128」と呼ぶ)に供給される。ある実施形態の場合には、P
MCU128は、少なくとも一つのマザーボード、少なくとも一つのアナログ−
デジタル変換ボード、各マザーボード用の少なくとも一つの中央処理装置(CP
U)、及び少なくとも一つのフロッピー・ディスク・ドライブ、少なくとも一つ
のハードディスク・ドライブ、及び少なくとも一つのCD ROMドライブのよ
うな一つまたはそれ以上のタイプの、コンピュータが読むことができる記憶媒体
を含むように構成することができるコンピュータであるが、これに限定されない
。他のハードウェアを、視覚/オーディオをベースとする情報を、操作スタッフ
に供給するためのディスプレイ130(例えば、CRT、LCDまたはコンピュ
ータ・モニタ)のような、PMCU128、及びスタッフが、プラズマ監視組立
体174が使用する、または上記組立体に関連する情報を入力することができる
ようにするために、一つまたはそれ以上のデー入力デバイス132(例えば、マ
ウス、ライトペン、キーボード)に、動作できるように相互接続することができ
る。各チャンバ36に一つのPMCU128を設置することができるし、または
PMCU128を、複数のチャンバ36にサービスを行うように構成することも
できる。PMCU128は、また、PMCU及びMCU58が相互に通信するこ
とができるように、ウェーハ製造システム2のMCU58に、動作できるように
、インターフェースまたは相互接続することができる。 【0120】 PMCU128は、プラズマ監視モジュール200を含み、その各サブモジュ
ールを、PMCU128関連のコンピュータが読むことができる記憶媒体上(例
えば、携帯コンピュータ・ディスケット上、ハードディスク上、CD上)に記憶
させることができる。図7は、プラズマ監視モジュール200及びこれらのサブ
モジュールを示す。一つのサブモジュールは、現在のプラズマ・プロセス・モジ
ュール250を通して他のサブモジュールにアクセスする一つの方法を提供する
始動モジュール202である。プラズマ監視モジュール200の現在のプラズマ
・プロセス・モジュール250により、チャンバ36内のプラズマの光学的放射
データの評価により、チャンバ36内で行うことができる種々のタイプのプラズ
マ・プロセスの監視または評価を容易に行うことができる。図6の実施形態の場
合には、光学的放射データは、光ファイバ・ケーブル178により収集され、光
をその個々の光学的成分に分割するスペクトロメータ組立体182に供給される
。その後で、すでに説明したように、CCDアレー186を通して、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュール250は、これらの光学的放射成分を表わすデータ
を使用することができる。 【0121】 現在のプラズマ・プロセス・モジュール250を通しての、現在のプラズマ・
プロセスの評価または監視は、好適には、少なくとも、紫外線領域内から近赤外
線領域内までの、そのため可視光線のスペクトルを含む波長を含むように、プラ
ズマからの光学的放射を収集すことにより容易に行うことができる。ある実施形
態の場合には、(例えば、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250により
、適当なスタッフにより手動で)入手し、評価のために使用することができる処
理チャンバ36内のプラズマの光学的放射は、少なくとも約250ナノメートル
から約1,000ナノメートルのこれらの波長を含み、好適には、少なくとも約
150ナノメートルから約1,200ナノメートル(を含めて)これらの波長を
含む。以後、チャンバ36内のプラズマから入手/収集し、上記の各範囲または
帯域幅を含む光学的放射データの上記の必要な範囲または帯域幅は、「好適な光
学的帯域幅」と呼ぶ。 【0122】 好適な光学的帯域幅内及び全体にわたる光学的分解能または波長分解能は、好
適には、約1ナノメートル以下であることが好ましく、より好適には、約0.5
ナノメートル以下であることが好ましい。(現在、0.4の波長分解能が考慮の
対象になっている。)本明細書における「波長分解能」という用語は、収集する
、問題の光学的放射データの、隣接する波長間の間隔の長さを意味する。それ故
、チャンバ36内のプラズマから、光学的放射データを収集するために使用して
いる波長分解能が、1ナノメートルである場合には、好適な光学的帯域幅内及び
ぞの全体にわたって、任意の二つのデータ点の間には、1ナノメートル以上の間
隔は存在しない。通常、好適な光学的帯域幅内及びぞの全体にわたって、等しい
間隔が波長分解能について使用されるが、「波長分解能」は、等しい間隔、等し
くない間隔及びこの両方を含んでいてもかまわない。以後、光学的分解能または
波長分解能の上記大きさを、「好適なデータ分解能」と呼ぶ。 【0123】 現在のチャンバ36内のプラズマの光学的放射データの大きさに関連する現在
のプラズマ・プロセス・モジュール250の有効性に関連するもう一つの係数は
、問題のプラズマ・プロセス中にこのデータを採取した回数である。チャンバ3
6内のプラズマの光学的放射データは、好適には、少なくとも1秒毎に含まれて
いることが好ましいく、より好適には、少なくとも1/3秒毎に含まれているこ
とが好ましい。チャンバ36内のプラズマに関する光学的放射データを収集する
回数に関連して、通常、等しい間隔が使用されるが、等しい時間的間隔、等しく
ない時間的間隔、及び両方を使用することもできる。以後、チャンバ36内のプ
ラズマの光学的放射データを入手するための上記タイミングの大きさを、「好適
なデータ収集時間分解能」と呼ぶ、 図6のスペクトロメータ組立体182は、上記基準に適合するものでなければ
ならないし、実行の回数を使用することができる。例えば、スペクトロメータ組
立体182は、スペクトロメータ組立体182が、好適なデータ分解能により、
(例えば、それぞれが、データの喪失の可能性が少なくなり、さらに、スペクト
ルのセグメントの整合を容易にするように重畳している、250〜550ナノメ
ートルの波長の第一の光学的放射セグメントまたは領域の走査、500〜750
ナノメートルの波長の第二のセグメントの走査、700〜950ナノメートルの
波長の第三のセグメントの走査のような)好適なデータ収集時間分解能において
、好適な光学的帯域幅を含むデータを入手する目的で、スペクトルを走査するた
めの構造体を含む走査タイプのものであってもよい。スペクトロメータ組立体1
82は、またソリッドステート・デバイスであってもよい。上記走査タイプ類似
の機能を行わせるために、複数のサブユニットまたは処理カードを並列に接続す
ることができる。すなわち、その後で、ソリッドステート・デバイスの各サブユ
ニットまたは処理カードは、好適なデータ分解能により、好適なデータ収集時間
分解能で、好適な光学的帯域幅内の特定の光学的放射セグメントまたは領域に関
する情報を供給する。 <例示としてのプラズマ・レシピ・スペクトル − 図8> 図8は、分析のために現在のプラズマ・プロセス・モジュール200が使用す
る、コンピュータが読むことができる形の代表的または例示としてのスペクトル
である。好適な光学的帯域幅の一部だけが、スペクトル246により表わされる
。しかし、本発明に関連するいくつかの原理について説明する。何故なら、現在
のプラズマ・プロセスの評価は、それぞれの場合、好適な光学的帯域幅全体を必
要としないからである。スペクトル246は、400ナノメートルから約700
ナノメートルの波長範囲内の、図1の処理チャンバ36内で行われているプラズ
マ・プロセス内の、時間内の固定点におけるデータを含む(例えば、現在の時間
)。図8のスペクトル246の種々の特性は、図7の現在のプラズマ・プロ
セス・モジュール250が行う分析の際に使用することができる。これらの特性
は、スペクトル246の全体のパターン、スペクトル246内の一つまたはそれ
以上の輝度ピーク248の位置及び輝度、及び一つまたはそれ以上の輝度ピーク
248の相対的位置及び相対的輝度を含む。 【0124】 図7の現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は、問題の処理チャンバ
36内で前に行われた一つまたはそれ以上のプラズマ・プロセスから入手した、
スペクトルの収集と動作できるようにインターフェースする。一般に、現在のプ
ラズマ・プロセス・モジュール250は、プラズマ処理チャンバ36内で行われ
ている現在のプラズマ・プロセスからデータを受け取り、一つ(調査モジュール
1300)を除くすべての場合、現在のプラズマ・プロセスを評価し、監視する
ために、このデータまたは少なくともその一部を、この同じプラズマ処理チャン
バ36内で前に行われた一つまたはそれ以上のプラズマ・プロセスからのデータ
と比較する。この比較により、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の
、どのサブモジュールが使用されているかにより、現在のプラズマ・プロセスに
関するある種の情報を入手することができる。これらの各サブモジュールについ
ては、関連する図面のところでより詳細に説明する。しかし現在のプラズマ・プ
ロセス・モジュール250によりアクセスするために、データをどのように編成
したらいいのかを理解すれば、これらのサブモジュールを、容易にもっと完全に
理解することができる。 <プラズマ・スペクトル・ディレクトリ284 − 図9〜図12B> 図9は、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250が使用するために編成
することができる従来のプラズマ・プロセスに関するデータの収集方法の一実施
形態である。図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284は、分類上類似
のデータの多数のサブディレクトリまたはサブセットを含んでいて、通常、(デ
ィレクトリ284内のデータは、ある方法で、特定のチャンバ36にインデック
スされていた場合には、複数のチャンバ36に対して同じディレクトリ284を
使用することができるけれども)、一つの処理チャンバ36に特有なものであり
、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の一つまたはそれ以上のサブモ
ジュールによりアクセスされ、好適には、コンピュータが読むことができる媒体
、またはPMCU(例えば、一つまたはそれ以上のコンピュータ・ディスケット
、ハードディスク、一つまたはそれ以上のCDS)に関連していることが好まし
い。プラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のこれら各サブディレクトリ内
の各データ入力内に含まれている関連データは、スペクトル(光学的放射データ
)であり、一つの場合(校正光線サブディレクトリ310のスペクトル)を除く
すべての場合、別段の表示がない限り、関連時間における処理チャンバ36内の
、通常、好適な光学的帯域幅内の、好適なデータ分解能での、プラズマのスペク
トルである。 【0125】 処理チャンバ36内で現在行われているプラズマ・プロセスの評価/監視のた
めのソートの基準として使用されるプラズマ・プロセス、またはプラズマ・プロ
セス中に、プラズマの状況または状態を査定するために使用されるプラズマ・プ
ロセスは、「「正常な」プラズマ・プロセスのスペクトル」という名称で、参照
番号288が付いていている(以後、「正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88」と呼ぶ)、図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のサブディ
レクトリに記憶される。処理チャンバ36内で行われた一つまたはそれ以上のプ
ラズマ・プロセスからの実際のスペクトル・データは、このチャンバ36に関連
する正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶される。上記のプラズ
マ・レシピ、プラズマ・クリーニング作業またはプラズマ・クリーニング(前に
湿式クリーニングを行った場合、または行わなかった場合)、及びウェーハの状
態調整作業、及びこれら各分類内のプラズマ・プロセスの一回またはそれ以上の
実行のような、プラズマ・プロセスの種々の分類または属は、正常なスペクトル
・サブディレクトリ288内に記憶することができる。プラズマ・プロセスの各
分類は、正常なスペクトル・サブディレクトリ288の「ホルダー」等の内部で
編成することができるし、またはそれを、(例えば、「正常な」プラズマ・レシ
ピ用のホルダー、チャンバ36の最初の湿式クリーニングを行わないで実行して
いる「正常な」プラズマ・クリーニングの別のホルダー、チャンバ36の湿式ク
リーニングの後で実行している「正常な」プラズマ・クリーニング用の別のホル
ダー、及び「正常な」ウェーハの状態調整作業用の別のホルダーのような)類似
のプロセスを分類別に一緒にグループ分けするために、プラズマ・プロセスの特
定の分類/属を表わすものとして識別するコードを持つこともできる。 【0126】 スペクトル・データは、この同じ処理チャンバ36内で行った後続のプラズマ
・プロセスが、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶している、
少なくとも一つのプラズマ・プロセスに従って行われているかどうか判断するた
めに、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250により使用される。それに
より、正常なスペクトル・サブディレクトリ288への入力は、この少し後で、
この同じ処理チャンバ36で行われるプラズマ・プロセスの評価の「モデル」ま
たは「基準」として使用される。正常なスペクトル・サブディレクトリ288へ
の実際のデータの入力方法は、始動モジュール202及び図13〜図14のとこ
ろで、後で詳細に説明する。現在のところでは、正常なスペクトル・サブディレ
クトリ288への上記入力は、問題のチャンバ36内で行われた実際のプラズマ
・プロセスからのものであるといっておけば十分であろう。これらのプラズマ・
プロセスが、必要なまたは所定の方法で、より詳細に説明すると、何等の実質的
な/有意のエラーまたは省略なしで進行したことは、(例えば、後プラズマ処理
試験により)確認されるか、または想定(及び通常、後で確認)される。処理チ
ャンバ36内で現在行われているプラズマ・プロセスを評価するために、現在の
プラズマ・プロセス・モジュール250及び正常なスペクトル・サブディレクト
リ288を使用するのには、任意のプラズマ・プロセスの予備分析または予備知
識は必要ない。所与のチャンバ36内で行われたプラズマ・プロセスABCから
のスペクトル・データは、この同じチャンバ36内のこの同じプラズマ・プロセ
スABCが、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に前に記録したプラ
ズマ・プロセスABCからのスペクトル・データに従って進行したかどうか判断
する目的で、単に一日だけ、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記
録することができる。 【0127】 処理チャンバ36内でプラズマ・プロセスを実行している間に遭遇したエラー
または省略は、「「異常な」プラズマ・プロセスのスペクトル」という名称であ
り、参照番号292がついている、図9のプラズマ・スペクトル・サブディレク
トリ284(以後、「異常なスペクトル・サブディレクトリ292」と呼ぶ)の
サブディレクトリ内に収容される。正常なスペクトル・サブディレクトリ288
のところですでに説明した任意のプラズマ・プロセスに関連するデータも、異常
なスペクトル・サブディレクトリ292に記憶され、上記の編成技術もここで使
用することができる。異常なスペクトル・サブディレクトリ292への入力は、
処理チャンバ36内で行われた所与のプラズマ・プロセスが、必要なまたは所定
の方法で進行しなかった時(例えば、プロセスが、正常なスペクトル・サブディ
レクトリ288の関連プラズマ・プロセスに従って進行しなかった場合)、さら
に、エラーまたは省略の一つの原因または複数の原因が、プラズマ・スペクトル
・ディレクトリ284に識別された時行われる。これは、通常、最初に発生した
問題のプラズマ・プロセス内のエラーまたは省略の時からのスペクト・データ、
または恐らく問題プラズマ・プロセスの残りからのスペクトル・データの少なく
ともその部分の分析を必要とする。プラズマ・プロセス内のエラーまたは省略は
、通常、処理チャンバ36内のプラズマのスペクトル内にはっきりと認められる
。さらに、好適なデータ分解能で、及び好適なデータ収集時間分解能で、好適な
光学的帯域幅内の現在のプラズマ・プロセスに関するデータを入手することによ
って、問題のエラーまたは省略を示す光学的放射データを入手する機会が増える
。 【0128】 現在のプラズマ・プロセス・モジュール250を決定する際に、処理チャンバ
36内で行われている現在のプラズマ・プロセスに関するスペクトル・データが
、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の対応するスペクトル・データ
からズレている場合には、モジュール250は、現在のプラズマ・プロセスに関
するこの「ズレているスペクトル・データ」を、異常なスペクトル・サブディレ
クトリ292内のスペクトル・データと比較する。現在のプラズマ・プロセス・
モジュール250が、処理チャンバ36内で現在行われているプラズマ・プロセ
スからのスペクトル・データと、異常なスペクトル・サブディレクトリ292内
のスペクトル・データとが「一致」していると識別した場合には、任意の数の行
動をスタートすることができる。これらの行動は、図14のプロセス警告モジュ
ール428のところで後でもっと詳細に説明するように、エラー状態の適当な警
告の発行、チャンバ36の制御の、またはチャンバ36の制御に関する、あるい
は両方の一つまたはそれ以上の面へのアドレスを含むことができる。 【0129】 正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶している任意のプラズマ
・プロセスと「一致」しない、またさらに、異常なスペクトル・サブディレクト
リ292内の対応するスペクトル・データと「一致」しない、問題の処理チャン
バ36内で現在行われている、プラズマ・プロセスからのスペクトル・データは
、「「未知の」プラズマ・プロセスのスペクトル」という名称で、参照番号29
6がついている(以後、「未知のスペクトル・サブディレクトリ296」と呼ぶ
)プラズマ・スペクトルディレクトリのサブディレクトリ内に記録される。処理
チャンバ36内で現在行われているプラズマ・プロセスからのデータが、未知の
スペクトル・サブディレクトリ296に記録される状況は多数ある。現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュール250にとって「新しい」任意のエラーまたは省略
(すなわち、異常なスペクトル・サブディレクトリ292内に前に記録されなか
ったエラーまたは省略を示すスペクトル・データ)は、未知のスペクトル・サブ
ディレクトリ296内に記録中の現在プラズマ・プロセスからの関連データにな
る。未知のスペクトル・サブディレクトリ296に入力することができる他の状
況とは、処理チャンバ36内で現在行われているプラズマ・プロセスが、現在の
プラズマ・プロセス・モジュール250に対して、実際に新しいプラズマ・プロ
セスである場合である。すなわち、問題のプラズマ・プロセスは、必要なまたは
予め定めた方法で非常に良好に処理中であるが、この特定のプラズマ・プロセス
に関するデータは、図9の正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に前に
記録されてなかった。それ故、現在のプラズマ・プロセスのスペクトル・データ
は、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の任意のプラズマ・プロセス
に一致しないし、異常なスペクトル・サブディレクトリ292内の対応するスペ
クトル・データと一致すべきではない。動作中に「未知の」状況に遭遇した場合
には、適当な警告を発行することができ、現在のプロセスの制御にアドレスする
ことができるし、または両方を行うこともできる。 【0130】 前のプラズマ・プロセスからの未知のスペクトル・サブディレクトリ296内
に記録したスペクトル・データは、通常、プロセスが終了した後のある時点でス
タッフにより分析される。未知のスペクトル・サブディレクトリ296内に記録
したプラズマ・プロセスからのスペクトル・データが、新しいプラズマ・プロセ
スであると識別された場合であって、このスペクトル・データを、この同じ処理
チャンバ36に関するこの同じプラズマ・プロセスのもう一つの実行を評価する
ための基準として使用することを決定した場合には、このスペクトル・データを
、正常なスペクトル・サブディレクトリ292に移動させることができる。また
、未知のスペクトル・サブディレクトリ296から、異常なスペクトル・サブデ
ィレクトリ292へ入力を行うこともできる。未知のスペクトル・サブディレク
トリ296内に記録している特定のプラズマ・プロセスからの、スペクトル・デ
ータの分析は、そのスペクトル・データが、そのスペクトル・データにより識別
することができる一つまたはそれ以上の特定のエラー/省略に関連しているとい
う結論に導く場合がある。その後で、未知のスペクトル・サブディレクトリ29
6からの関連スペクトル・データは、異常なスペクトル・サブディレクトリ29
2に移される。 【0131】 図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284は、全プラズマ・プロセス
または一つのステップまたは複数のステップのプラズマ・レシピまたは他のプラ
ズマ・プロセスのような、その識別できる部分の終点に到着した時間を示すデー
タを含む。プラズマ・プロセスまたはその識別できる部分に関する「終点」は、
プラズマ・プロセス中の処理チャンバ36内のプラズマが、所定のある結果を達
成した時点である。プラズマ・レシピ内の各プラズマ・ステップは、通常、チャ
ンバ36の第一の湿式クリーニングを行わないで開始したプラズマ・クリーニン
グの終了のように、チャンバ36を湿式クリーニングした後で開始したプラズマ
・クリーニング、及びウェーハ状態調整動作の時のように、通常、必要な所定の
結果が達成されたことを示す、その対応するスペクトル内に一つまたはそれ以上
の特性を含む。チャンバ36内で行ったプラズマ・プロセスのスペクトル・デー
タは、問題のプラズマ・プロセスまたはプラズマ・プロセス・ステップに到着し
た終点を示す一つまたはそれ以上のスペクトル(または、一つまたはそれ以上の
個々の波長のようなその部分)を識別するために、プラズマ・プロセスが終了し
た後で、分析することができる。プラズマ・プロセスの上記の種々の分類からの
終点を示すスペクトル・データは、「終点特性のスペクトル」という名称で、参
照番号316がついている、図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284
のサブディレクトリ(以後、「終点サブディレクトリ316」と呼ぶ)に記憶す
ることができる。現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は、チャンバ3
6の制御またはチャンバ36の制御に関する一つまたはそれ以上の面にアドレス
する目的で、終点状態の識別の警告を発行するために、終点サブディレクトリ3
16内に含まれている情報を使用することができる。 【0132】 チャンバ36内でのプラズマ・プロセスの複数の実行は、プラズマ・プロセス
の性質似より、チャンバ36を「老化」させる場合がある。この老化は、なんら
かの方法で、チャンバ36の性能を劣化させる場合がある。チャンバ36がある
種のクリーニングを必要としているという徴候は、チャンバ36内のプラズマの
スペクトルに反映される場合がある。スペクトル・データは、処理チャンバ36
の内部の「クリーニング」を行うことが望ましい状態に対応する、図9のプラズ
マ・スペクトル・ディレクトリ284に内蔵させることができる。「汚染したチ
ャンバ状態」のスペクトル・データは、異常なスペクトル・サブディレクトリ2
92に記録することができる。その場合、「汚染したチャンバ状態」は、異常な
サブディレクトリ292に関する上記の説明と一致する未知エラーまたは省略と
しての特徴を持つ。別の方法としては、図9に示すように、「「汚染したチャン
バ状態」サブディレクトリのスペクトル」の性質を持ち、参照番号300がつい
ている別のサブディレクトリ(以後、「チャンバ状態サブディレクトリ300」
と呼ぶ)を使用することができる。現在のプラズマ・プロセス・モジュール25
0は、処理チャンバ36がクリーニングを必要としている場合を識別し、さらに
、その後で、適当な行動を取ることを考慮するように、「汚染したチャンバ状態
」に関するこの情報を使用することができる。 【0133】 図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284の最後のサブディレクトリ
は、チャンバ36からのプラズマのスペクトルを含んでいない校正光線スペクト
ル・サブディレクトリ310である。代わりに、サブディレクトリ310は、一
つまたはそれ以上の校正光線の、一つまたはそれ以上のスペクトルを記憶してい
る。一般に、そのスペクトルが、校正光線スペクトル・サブディレクトリ310
内に含まれている校正光線は、処理チャンバ36の窓38に送られる。サブディ
レクトリ310からの校正光線のスペクトル・パターンと、処理チャンバ36上
の窓38の内面40が反射する校正光線のその部分のスペクトル・パターンとの
比較が行われる。この比較の結果は、図40〜図48の校正モジュール562の
ところでさらに詳細に説明する現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の
動作に関連して実行される校正のタイプ及び量を決定するために使用される。 【0134】 図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284及びそのサブディレクトリ
の上記構造体は、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250が使用するため
に、分類別に類似のデータを組織する通常の構造体である。現在のプラズマ・プ
ロセス・モジュール250が使用するデータを、実際に記憶する方法は、本発明
の目的に特に関連していない。しかし、データは、現在のプラズマ・プロセス・
モジュール250が、タイムリーにその監視/評価機能を実行することができる
ような方法で、記憶しなければならないことを理解されたい。好適には、上記実
行は、ほぼ「リアルタイム」で行い、1秒以下の短時間で取得し、分析し、モジ
ュール250全体を制御できることが好ましい。より詳細には、データの取得、
そのデータの分析、及び上記分析に基づくプロトコルの開始は、すべて、現在の
プラズマ・プロセス・モジュール250を通して1秒以内に完了することができ
る。 【0135】 図9のところで説明したディレクトリ/サブディレクトリの構造体に関連して
、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250によるスペクトル・データの記
憶について説明を続けるが、図10は、このディレクトリ/サブディレクトリの
構造体内へのデータの記憶方法の一実施形態を示す。プラズマ・スペクトル・デ
ィレクトリ284は、図9のサブディレクトリと同じサブディレクトリを持つこ
とができる。しかし、この図は、便宜上、正常なスペクトル・サブディレクトリ
288、及び異常なスペクトル・サブディレクトリ292と、図示の正常なスペ
クトル・サブディレクトリ288に記憶することができる、一つの種類のプラズ
マ・プロセスに関するデータだけを示している(プラズマ・レシピ)。図10の
正常なスペクトル・サブディレクトリ288を再検討すると、プラズマ・スペク
トル・ディレクトリ284に関連する処理チャンバ36内の製品に対して実行し
た、複数のプラズマ・レシピのスペクトルが、それぞれ、それ自身の主データ3
50内に記憶されることを示す。これはまた、正常なサブディレクトリ288内
の記憶したプラズマ・プロセスの他の分類に関連する場合である。すなわち、各
主データ入力350は、この同じ処理チャンバ36内で行われるプラズマ・プロ
セスを評価するために使用される情報を記憶するために予約される。 【0136】 所与のプラズマ・プロセスの各主データ入力350は、それと関連する複数の
データ・セグメント354を含み、これら各データ・セグメント354は、ある
時点の、好適には、好適な光学的帯域幅内の、好適なデータ分解能での、処理チ
ャンバ36内のプラズマの少なくとも一つのスペクトル(例えば、図8)を含む
。各データ・セグメント354に関連するスペクトルは、好適な光学的帯域幅を
カバーする一つのスペクトルとして記憶することもできるし、好適な光学的帯域
幅を集合的にカバーする複数のスペクトルとして記憶することもできる。データ
・セグメント354のスペクトルは、好適なデータ収集時間分解能により、(例
えば、図6のプラズマ監視組立体174により、または図31〜図37の実施形
態のうちのいずれかにより)チャンバ36上の窓38を通して、処理チャンバ3
6内でプラズマ・プロセスを実行中周期的に採取される。プラズマ・プロセスの
全体は、この方法で、正常なスペクトル・サブディレクトリ288に記憶するこ
とができるが、場合によっては、最初にチャンバ36内に入った場合、プラズマ
はどちらかというと不安定である。それ故、この不安定な時間帯からの正常なス
ペクトル・サブディレクトリ288内の光学的データは保持しないことが望まし
い。 【0137】 図10に示すように、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内のプラズ
マ・プロセス全体は、所与の分類または属内の複数の全く異なるタイプまたは種
類のプラズマ・プロセスからなる。プラズマ・レシピAは、主データ入力350
aの下に記憶される。このプラズマ・レシピAは、主データ入力350bの下に
記憶される、プラズマ・レシピBとは異なるものであり、主データ入力350c
の下に記憶されるプラズマ・レシピ「X」とも異なるものである。同じプラズマ
・レシピまたはプロセスの複数の実行も、そうしたい場合には、正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288内に記録することができる(図示せず)。例えば、
関連処理チャンバ36内の同じタイプの製品に対するプラズマ・レシピAの二つ
の別々の実行からのスペクトル・データは、実際に、正常なスペクトル・サブデ
ィレクトリ288に記録することができる。問題の処理チャンバ36内の製品に
対して実行中の現在のプラズマ・レシピの評価は、潜在的に、これら主データ入
力350の両方に関する現在のプロセスに関する光学的放射の比較を含む。 【0138】 図10の正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の光学的放射データは
、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250による正常なスペクトル・サブ
ディレクトリ288の探索の速度を増進、冗長なデータ記憶の排除または両方の
ために合併または濃縮することができる。図11は、プラズマ・レシピA−Dが
ディレクトリ288a内に記憶されている一例に対する正常なスペクトル・サブ
ディレクトリ288aの場合に、上記のことを実行することができる一つの方法
を示す。同じ原理を、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶して
いる任意のタイプのプラズマ・プロセスに対して適用することができる。 【0139】 主データ入力358aの下のプラズマ・レシピA、及び主データ入力358b
の下のプラズマ・レシピBは、それぞれ、(最初の時間データは、問題のプラズ
マ・レシピに対するサブディレクトリ288aに記録される)時間tから、(
「n番目」の時間データが、問題のプラズマ・レシピに対するサブディレクトリ
288aに記録される)時間tまでの現在のプラズマ・プロセス・モジュール
250の目的のために、同じスペクトルを持つ。この時間帯のスペクトルを、正
常なスペクトル・サブディレクトリ288内に2回(一回目は、プラズマ・レシ
ピAに対する主データ入力358aの下に、そしてもう一回は、プラズマ・レシ
ピBに対する主データ入力358bの下に)記憶する代わりに、この時間帯から
の複数のスペクトルが、共通のデータ・セグメント362a−c内に一回だけ記
憶される。明らかに、三つまたはそれ以上の共通のデータ・セグメント362を
使用することができる。しかし、それにより、共通のデータ・セグメント362
a−cは、主データ入力358aの下のプラズマ・レシピA、及び主データ入力
358bの下のプラズマ・レシピBの両方に関連する。しかし、(すなわち、時
点tnの後で、正常なスペクトル・サブディレクトリ288a内に、最初の時間
データが記録される)tn+1の時点で、また、図11の例のプラズマ・レシピ
の終わりまで、主データ入力358aの下のプラズマ・レシピA、及び主データ
入力358bの下のプラズマ・レシピBは、現在のプラズマ・プロセス・モジュ
ール250の目的のために異なるものである。それ故、主データ入力358aの
下のプラズマ・レシピA、及び主データ入力358bの下のプラズマ・レシピB
は、それぞれ、tn+1から(時点tの後で、正常なスペクトル・サブディレ
クトリ288a内に、「x番目」の時間データが記録される)tn+xまでの時
間帯の間、それ自身の個々のデータ・セグメント36a−cを含む。各プラズマ
・レシピA及びBは、図11の例の目的のために同じ時間(すなわち、時点t
+x)に終了する。しかし、商業的設定の場合はそうでなくてもよい。 【0140】 図11の正常なスペクトル・サブディレクトリ288bは、また、それぞれ、
プラズマ・レシピC及びDのために、主データ入力358c及び358dを持つ
。プラズマ・レシピA及びBに関連して使用した同じデータ記憶コンセプトが、
同様に、正常なスペクトル・サブディレクトリ288a内のプラズマ・レシピC
及びDに対しても使用される。主データ入力358cの下のプラズマ・レシピC
、及び主データ入力358dの下のプラズマ・レシピDは、時点tからt
での、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の目的のために同じもので
ある。この時間帯のスペクトルを、正常なスペクトル・サブディレクトリ288
b内に2回(一回目は、プラズマ・レシピCに対する主データ入力358cの下
に、そしてもう一回は、プラズマ・レシピDに対する主データ入力358dの下
に)記憶する代わりに、この時間帯からの複数のスペクトルが、正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288aの、共通のデータ・セグメント362d−h内に
一回だけ記憶される。しかし、それにより、共通のデータ・セグメント362d
−hは、主データ入力358cのプラズマ・レシピC、及び主データ入力358
dのプラズマ・レシピDの両方に関連する。しかし、時点tのところで、そし
て、図11の例の時点tn+xまで、主データ入力358cの下のプラズマ・レ
シピCのスペクトル、及び主データ入力358dの下のプラズマ・レシピDは、
現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の目的のために異なるものである
。それ故、主データ入力358cの下のプラズマ・レシピCは、tn+1からt
n+xまでの時間帯の間、それ自身の個々のデータ・セグメント366g−kを
含む。一方、主データ入力358dの下のプラズマ・レシピDは、この同じ時間
帯の間それ実自身の個々のデータ・セグメント3661−pを持つ。しかし、時
点tn+xにおいて、及び図11の例のプラズマ・レシピの終わりまで、主デー
タ入力358cの下のプラズマ・レシピCは、及び主データ入力358dの下の
プラズマ・レシピDは、この場合も、現在のプラズマ・プロセス・モジュール2
50の目的のために、同じものである。それ故主データ入力358cの下のプラ
ズマ・レシピC、及び主データ入力358dの下のプラズマ・レシピDは、t
+xからtn+yまでの時間帯域幅の間、共通のデータ・セグメント362i−
zを持つ。各プラズマ・レシピC及びDは、図11の例の目的のために同じ時間
に終了する。しかし、この場合も、商業的設定の場合はそうでなくてもよい。 【0141】 図10の正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の、主データ入力35
0の下に記憶されている各プラズマ・プロセスの各データ・セグメント354は
、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250により、現在のプラズマ・プロ
セスの監視に関連する多数のデータ・タイプを含むことができる。図12Aは、
種々のデータ・タイプのデータが、各データ・セグメント354に関連するデー
タ・フィールド322に存在する代表的な例を示す。処理チャンバ36内のプラ
ズマのスペクトル・パターンは、現在のプラズマ・プロセスを、プラズマ・スペ
クトル・ディレクトリ284と比較するための有意なデータ・タイプであり、こ
れらのスペクトルは、図12Aの正常なスペクトル・サブディレクトリ288内
のスペクトル・フィールド322Dに記憶される。正常なスペクトル・サブディ
レクトリ288内の各データ・セグメント354も、時間フィールド322aを
含み、この時間フィールド内には、スペクトル・フィールド322d内のスペク
トルに関連する時間(例えば、スペクトルが、プラズマ・プロセス内に取り込ま
れた時間)が記録される。時間フィールド322a内のデータは、後でもっと詳
細に説明するように、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250により種々
の方法で使用される。 【0142】 他の情報は、少なくとも、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の各
主データ入力350に関連する。この場合の「関連する」という用語は、この情
報は、所与のプラズマ・プロセス用の各主データ入力350に対して一回だけ、
または特定の主データ入力350の下のデータ・セグメント354の全数以下の
回数だけ、供給することができることを意味する。しかし、この情報は、冗長に
なるため望ましくない、問題の主データ入力350の各データ・セグメント35
4に対して供給される状況も含む。これらのタイプの情報のためのフィールドと
しては、(例えば、主データ入力350が、プラズマ・レシピ、プラズマ・クリ
ーニング、またはウェーハ状態調整動作である場合を識別するための)プラズマ
・プロセス「属」フィールド322h;(例えば、その上でプラズマ・レシピが
実行され、トラッキングのために使用されるウェーハ18の上に現われる数字ま
たはコードのような識別子に対応する情報のための)ウェーハ識別子フィールド
322b;異なるタイプのプラズマ・レシピ(例えば、プラズマ・レシピA及び
プラズマ・レシピB)のようなプラズマ・プロセス「種類」フィールド322c
(プラズマ・プロセス「属」のサブセット);(例えば、特定のプラズマ・レシ
ピ、または異なる機能を供給するか、そのプロセスの他の部分とは異なる結果を
達成する任意の他のプラズマ・プロセスのステップを識別するための)プラズマ
・プロセス・ステップ・フィールド322e;最大全プラズマ・プロセス・ステ
ップ時間フィールド322f(例えば、多重ステップのプラズマ・レシピまたは
他のプロセスの所与のプロセス・ステップを完了するのに使用することができる
時間の最大の長さ);最大全プラズマ・プロセス時間フィールド322g(例え
ば、全プラズマ・プロセス(その各ステップ)を完了するのに使用することがで
きる最長時間)がある。この情報の中のあるものは、プラズマ・プロセスのある
属、及び/またはあるプラズマ・プロセス属内のある種のプラズマ・プロセスに
は適用できない。上記フィールドに供給された情報は、図6のデータ入力デバイ
ス132により入力することができる。しかし、ウェーハ識別子フィールド32
2bに対する情報は、ウェーハ18から自動的に読み出され、問題の主データ入
力354(例えば、スキャナ)に入力される。 【0143】 図10のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284は、異常なスペクトル・
サブディレクトリ292内に入力用のデータを記憶する一つの方法を示す。図1
0の異常なスペクトル・サブディレクトリ292を再検討すれば、複数の既知の
エラーまたは省略に関するスペクトル・データが、それぞれ、これらのエラーま
たは省略が発生した、同じ処理チャンバ36内で行われる後続のプラズマ・プロ
セスを評価するために、主データ入力346内に記憶されることが分かる。すで
に説明したように、主データ入力346内のこれらエラーは、(例えば、エラー
の原因の解明のように)識別済みであり、それにより、処理チャンバ36内で、
プラズマ・プロセスを実行する場合に遭遇する、「既知の」状態であることが好
ましい。図に示すように、その内部にある特定のエラーを含む各主データ入力3
46は、それに関連する複数のデータ・セグメント354を含み、これら各デー
タ・セグメント354は、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の、対
応するプラズマ・プロセスの関連スペクトルからのズレであり、問題のエラーま
たは省略を示す、処理チャンバ36からのプラズマの、少なくとも一つのスペク
トル(例えば、図8)を含む。異常なスペクトル・サブディレクトリ292の下
の各データ・セグメント354に関するスペクトルは、好適なデータ分解能によ
る、好適な光学的帯域幅であってもよい。別の方法としては、異常なスペクトル
・サブディレクトリ292の下のデータ・セグメント354に関連するスペクト
ルは、問題のエラーを示す特徴を含むスペクトルの、その部分だけを含むことも
できる。(すなわち、好適な光学的帯域幅内に含まれているが、もっと小さい光
学的放射セグメント)。 【0144】 図10は、異常なスペクトル・サブディレクトリ292に関連する別の情報を
示す。異常なスペクトル・サブディレクトリ292の、各主データ入力346の
下のデータ・セグメント354のスペクトル・パターンは、図に示すように、(
例えば、好適なデータ収集時間分解能により)処理チャンバ36内で、全プラズ
マ・プロセスを実行している間に、周期的に記録したものである。全プラズマ・
プロセスに関するデータ異常なサブディレクトリ292内に記録することができ
る。データ・セグメント354m、354q及び354u内の時間tは、問題
のプラズマ・プロセスの最初に入手したスペクトルである。一方、時間tは、
(例えば、そのプロセスの最後のステップの終点、またはステップが一つしかな
い場合には、そのプラズマ・プロセスの終点のような)その終了時の問題のプラ
ズマ・プロセスの最後に入手したスペクトルである。この状況は、異常なスペク
トル・サブディレクトリ292内に、必要のないデータを記憶する結果になる場
合がある。処理チャンバ36内の製品に対して、プラズマ・レシピが実行されて
いて、プラズマ・レシピの最初の90秒間、正常なスペクトル・サブディレクト
リ288に従って、進行した状況を考えてみよう。そのプラズマ・レシピを完了
するのに、(すなわち、そのレシピの最後のステップに関連する結果を達成する
のに)、約10秒しかよけいに掛からなかったと仮定しよう。また、現在のプラ
ズマ・レシピ内の91秒のマークのところでエラーが発生したと仮定しよう。プ
ラズマ・レシピの最初の90秒に関するデータが、この例の現在のプラズマ・レ
シピ内の91秒のマークのところで、もう一度起こった次のエラーに関するある
タイプの表示が供給されない限り、このデータは、異常なスペクトル・サブディ
レクトリ292内に記録するだけの価値がない。この場合、t91のところのス
ペクトルは、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の、任意のプラズマ
・レシピと「一致」しない第一スペクトルである場合がある。この一つのスペク
トルが、エラー(図示せず)を十分に識別した場合には、他のスペクトルを主入
力346の下に含める必要はない。しかし、異常なスペクトル・サブディレクト
リ292内にエラーが識別された後、時点tでプラズマ・プロセスた終了する
までに入手した、すべてのスペクトルを、または種々の時間的間隔の、少なくと
もいくつかのスペクトルを記録することが望ましい。それ故、異常なスペクトル
・サブディレクトリ292の各主データ入力の下のデータ・セグメント354は
、必ずしも、エラーが発生したプラズマ・プロセスの完全な経歴を供給しない。 【0145】 複数のデータ・タイプを、図10の異常なスペクトル・サブディレクトリ29
2の各主データ入力346内の各エラーに関連する各データ・セグメント354
に内蔵させることができる。図12Bは、これらの種々のデータ・タイプが、サ
ブディレクトリ292の各主データ入力346の下の各データ・セグメント35
4に関連するデータ・フィールド338内に含まれている代表的な例を示す。処
理チャンバ36内のプラズマのスペクトル・パターンは、現在のプラズマ・プロ
セスをプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284と比較するための有意なデー
タ・タイプであり、これらのスペクトルは、各データ・セグメント354の、図
12Bの異常なスペクトル・サブディレクトリ292のスペクトル・フィールド
338bに記憶される。さらに、問題のプラズマ・プロセスの分類または属は、
(例えば、プラズマ・レシピ、プラズマ・クリーニング、ウェーハ状態調整動作
のような)、プラズマ・プロセス属フィールド338e内で識別することができ
、プラズマ・プロセスの所与の分類または属の特定のタイプまたは種類は、(例
えば、特定のタイプのプラズマ・レシピのような)プラズマ・プロセス種類フィ
ールド338f内で識別することができ、プラズマ・ステップのタイプは、プラ
ズマ・プロセス・ステップ・フィールド338g内で識別することができる。 【0146】 上記スペクトル以外のデータは、異常なスペクトル・サブディレクトリ292
内の、既知のエラー/省略用の各主データ入力346の下の各データ・セグメン
ト354と関連づけることができる。各主データ入力346の各データ・セグメ
ント354も、問題のデータ・セグメント354内のスペクトルと関連する時間
に関する情報を含むための時間フィールド338aを含むことができる。異常な
スペクトル・サブディレクトリ292内の、既知のエラー/省略に対する各主デ
ータ入力346の下のデータ・セグメント354に関連する他の情報は、エラー
を識別する情報を含む。主データ入力346の下に記憶しているエラーのテキス
トによる識別及び説明は、異常なスペクトル・サブディレクトリ292のエラー
・フィールド338Cに内蔵させることができる。この情報は、通常、スペクト
ルが分析され、エラー/省略の原因が解明された後で、データ入力デバイス13
2(例えば、図6)により、スタッフが手動で入力する。 【0147】 現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は、後でより詳細に説明するよ
うに、エラー識別機能を含む。現在のプラズマ・プロセス・モジュール250が
、現在の光学的放射データと、異常なスペクトル・サブディレクトリ292内の
関連スペクトルまたはその一部との間に一致を認めた場合には、対応するエラー
/省略に関する情報をエラー・フィールド338c内の情報に基づいて発行する
ことができる。さらに、この同じエラー・フィールド338cの内容に基づいて
修正措置を構じることもできる。この点について、異常なスペクトル・サブディ
レクトリ292内の既知のエラー/省略に対する各主データ入力346の下の各
データ・セグメント354も、プロトコル・フィールド338dに内蔵させるこ
とができる。プロトコル・フィールド338d内に含まれている情報は、問題の
エラーまたは省略にアドレスすることができる方法、アドレスすべき方法、特に
、上記エラーにアドレスすることができる、またはアドレスしなければならない
一つの行動または複数の行動に幾分関連している。一つのまたは複数のプロトコ
ルを任意の一つのプロトコル・フィールド338dに記憶することができる(例
えば、ある状態にアドレスするには、二つ以上のプロトコルが適当な場合がある
)。現在のプラズマ・プロセス・モジュール250が、現在のスペクトルと、異
常なスペクトル・サブディレクトリ292内の関連スペクトルとが一致すること
を発見した場合には、対応するエラー/省略へアドレスする方法は、問題のプロ
トコル・フィールド338d内に含まれる情報に基づいて決められる。 【0148】 処理チャンバ36に関連するプロセス制御パラメータ、または条件に関連する
データも、特定のデータ入力用のプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284の
上記各サブディレクトリに内蔵させることができる。特に、異常なスペクトル・
サブディレクトリ292及び未知のスペクトル・サブディレクトリ296の場合
はそうである。これらは、使用中の供給ガスのタイプ、またはプラズマの組成、
チャンバ36の一つまたはそれ以上の領域内の温度、処理チャンバ36内の圧力
、電力設定、及びガス流量のような、プラズマ・プロセス内で、通常、監視され
る条件を含む。 <パターン認識モジュール370 − 図13> 本発明のいくつかの最も重要な原理は、単に、(例えば、チャンバ36内のプ
ラズマのスペクトル・パターンが、プラズマ・スペクトル・ディレクトリ288
の関連サブディレクトリ内の関連スペクトルのパターンと「一致」する場合のよ
うに)あるスペクトル・パターンが、他のスペクトル・パターンと一致するかど
うかに基づくものである。多くの場合、この決定は、図13のパターン認識モジ
ュール370により行うことができる。上記の機能を供給するために、パターン
認識モジュール370は、種々の「パターン認識技術」を使用することができる
。そのようなパターン認識技術のうちの一つを図13のフローチャートで示すが
、この技術は、通常、各点を比較するパターン認識技術を特徴としている。図1
3のパターン認識サブルーチン374が使用する、各点を比較するパターン認識
技術は、ステップ378に含まれている。現在の時点t(時間内の固定点)に
おける現在のスペクトル内の第一の波長の輝度は、目標ディレクトリからの関連
スペクトルの、この同じ第一の波長の輝度と比較される。現在のプラズマ・プロ
セス・モジュール250のどちらかのサブモジュールが、パターン認識モジュー
ル370を呼び出すと、プラズマ・スペクトル・ディレクトリ284の、パター
ンの「一致」を求めて、(及び、それにより、目標ディレクトリを定義するため
に)どの特定のサブディレクトリをモジュール370により調査すべきかを指定
する。パターン認識モジュール370を呼び出すサブモジュールは、また、「一
致」パターンを構成するものも確立する。すなわち、現在のプラズマ・プロセス
・モジュール250の一つのサブモジュールに関連する「一致」パターンは、そ
のサブモジュールに関連する「一致スペクトル」ではない場合もある。 【0149】 二つの問題のスペクトルの輝度が、問題光学的放射内のこの第一の波長のとこ
ろの相互の「一致限界」内にある場合は、二つの問題のスペクトルのパネルは、
最初「一致する」と見なされ、位置がズレていて、第一の波長とは異なり、上記
各点比較分析が反復して行われる第二の「点」を形成する第二の波長のところで
分析が反復して行われる。パターン認識サブルーチン374が使用する特定の「
一致限界」は、すでに説明したように、現在のプラズマ・プロセス・モジュール
250のどのサブモジュールが、パターン認識サブルーチン374を呼び出すか
を指定する。上記の各点比較分析は、通常、予め選択した波長の増分(例えば、
1ナノメートル)のところの、現在のスペクトルの全体の「進行」に合わせて反
復して行われる。通常、一定の波長の増分は、二つの問題のスペクトルの間の比
較が、そのスペクトルの全「帯域幅」全体を通して、「x」ナノメートル毎に行
われるように、ステップ378で使用される。しかし、パターン認識サブルーチ
ン374がチェックする各「点」間の間隔は等しくなくてもよい。 【0150】 上記の各点比較と一緒に使用することができるもう一つの一致基準は、二つの
問題のスペクトルを一致すると見なすには、チェックした点のうちのどのくらい
が、「一致限界」内に含まれてなければならないかに関連する。パターン認識サ
ブルーチン374を呼び出すサブモジュールは、二つのスペクトルが、一致して
いると見なされるように、選択した一致限界内にあるべき問題の各点チェック分
析内で検討された各「点」を必要とする場合がある。別の方法としては、100
%より少ない数値も使用することができる。例えば、一致限界内に点のうちの少
なくとも95%が含まれている場合には、二つの問題のスペクトルは、一致して
いると見なすことができる。さらに、パターン認識サブルーチン374がチェッ
クした多数の点の平均の変動を計算して、予め定めた許容範囲内にあるかどうか
を判断するために、目標ディレクトリからの関連スペクトルに関連する平均と比
較することもできる。「一致」を判断するために、上記の方法の任意の組合せを
使用することができる。 【0151】 多数の要因が、図13のパターン認識サブルーチン374内のステップ378
の実行により達成した結果による精度に影響を与える。上記要因の一つとして、
各点比較技術のところでより詳細に説明する「一致限界」がある。しかし、この
一致限界は、同様に、上記の平均化にも適用することができる。この場合、「一
致限界」は、時点t内のある点のところの現在のスペクトル内の一点に関連す
る輝度が、目標ディレクトリからの関連スペクトルの輝度からズレることができ
る距離であり、パターン認識サブルーチン374の目的のためには、依然として
「一致」と見なすことができる距離である。使用することができる二つのタイプ
の「一致限界」は、生の差基準及び百分率の差基準を含む。「生の差基準」の場
合には、一定の数の輝度単位が確立され、パターン認識サブルーチン374に入
力され、それにより「一致」の境界が定義される(例えば、「一致している」と
見なすためには、パターン認識サブルーチン374がチェックした、現在のスペ
クトルの各波長のところの輝度が、目標ディレクトリからの関連スペクトルの対
応する各波長の輝度の±「x」輝度単位内に必ず含まれるように、「x」が、パ
ターン認識サブルーチン374に入力する数値である場合に、±「x」輝度単位
のところに「生の差基準」を確立することができる)。「百分率の差基準」に基
づく「一致限界」を持つ場合には、一定の百分率が確立され、パターン認識サブ
ルーチン374に入力され、それにより、現在のスペクトルと目標ディレクトリ
からの関連スペクトルの、対応する輝度の間の「一致」の境界が定義される(例
えば、「一致している」と見なすためには、パターン認識サブルーチン374が
チェックした現在のスペクトルの各波長のところの輝度が、目標ディレクトリか
らの関連スペクトルの対応する各波長の輝度の±「x」輝度単位内に必ず含まれ
るように、±「x」%のところに「生の差基準」を確立することができる)。パ
ターン認識サブルーチン374は、「一致限界」として、「生の差基準」及び「
百分率の差基準」の両方を同時に使用することができる。(すなわち、スペクト
ルを「一致している」と見なすためには、両方の基準を満足させなければならな
い。)この「一致限界」は、上記の平均化技術を使用する場合にも、同様に、使
用することができる。とちらのタイプの「一致限界」を使用する場合でも、パタ
ーン認識サブルーチン374が使用できるように、その一致限界が入力される。 【0152】 図13のパターン認識サブルーチン374の結果に起因する精度に影響を与え
るもう一つの要因は、上記各点比較分析で使用する分析波長分解能である。上記
の「分析波長分解能」という用語は、上記の各点比較分析が、問題のスペクトル
全体を通して行う際の波長の増分を意味する。上記各点比較分析のための複数の
波長は、問題のスペクトルの帯域幅全体を通してランダムなものであってもよい
が、好適には、固定波長増分のような一つのパターンを使用することが好ましい
。例えば、分析波長分解能が、1ナノメートルのところに確立され、パターン認
識サブルーチン374に入力された場合には、ステップ378の上記の各点比較
分析は、好適な光学的帯域幅全体を通して、1ナノメートルの増分で実行される
。好適には、パターン認識サブルーチン374が使用する分析波長分解能は、約
2ナノメートル以下であることが好ましく、さらに好適には、約0.5ナノメー
トル以下であることが好ましい。以後、この長さを、好適な分析波長分解能と呼
ぶ。 【0153】 現在のスペクトルが、200ナノメートルから900ナノメートルへ延びてい
る場合、及び分析波長分解能が1ナノメートルである場合の、図13のパターン
認識サブルーチン374のテップ378を要約すると、(処理チャンバ36内で
実行中の現在のプラズマ・プロセスからの)時点tのところの現在のスペクト
ルからの200ナノメートルの波長のところの輝度と、目標ディレクトリからの
関連スペクトルからの輝度との比較が行われる。これら二つの輝度の間の差がパ
ターン認識サブルーチン374に入力した「一致限界」内にある場合には、生の
差基理論を使用するのか、百分率の差理論を使用するのか、またはこれら理論の
組合せを使用するかして(例えば、輝度の差は、輝度単位のある入力数以内でな
ければならないし、二つの理論を組合せた場合には、相互の百分率の点のある入
力数以内でなければならない)、現在のスペクトル及び目標ディレクトリからの
関連スペクトルの200ナノメートルの波長の「点」は、現在の時点tのとこ
ろの「一致」としての特徴を持つ。その後で、各点比較分析が、上記の方法で、
201ナノメートルのところで継続され、最後の900ナノメートルの波長のと
ころに到着するまで、1ナノメートルの増分毎に反復して行われる。その後で、
現在の時点tのところの、現在のスペクトルに対するステップ378の各点比
較の結果は、図13のパターン認識サブルーチン374のステップ380に送ら
れ、それをパターン認識モジュール370を呼び出した現在のプラズマ・プロセ
ス・モジュール250のサブモジュールが使用する。その後で、プラズマ監視動
作の制御は、パターン認識サブルーチン374のステップ382のところで、パ
ターン認識モジュール370を呼び出した現在のプラズマ・プロセス・モジュー
ル250に戻される。 【0154】 あるプラズマ・プロセスは非常に急速に変化し、あるプラズマ・プロセスは、
比較的短時間で終了する(例えば、プラズマ・レシピのあるプラズマ・ステップ
の持続時間は、約5秒以下である)。それ故、スペクトル・データは、少なくと
も1秒毎に採取すべきであり、パターン認識サブルーチン374は、このデータ
の分析をできるだけ速く完了すべきである。プラズマ・プロセスが、図21のプ
ラズマ状態チェックサ・ブルーチン253に関連する、後でより詳細に説明する
プラズマ・レシピである場合には、現在のプラズマ・レシピの識別、及び(例え
ば、プラズマ状態チェックのような)処理チャンバ36の性能の分析は、少なく
とも、チャンバ36内で、このウェーハのプラズマ・レシピの、他の実行を行う
ために、次のウェーハ18が、チャンバ36内に挿入される前に完了していなけ
ればならない。図13のパターン認識サブルーチン374は、処理チャンバ36
内のプラズマのスペクトルの分析を簡単にすることにより、上記要求を満たして
いる。パターン認識サブルーチン374が行う分析全体は、単に、現在のスペク
トルのパターンが、目標ディレクトリからの関連スペクトルのパソコンと「一致
」するかどうかを知るだけである。各限界のところで、パターン認識サブルーチ
ン374が使用する分析の際に、処理チャンバ36内で現在行われているプロセ
スからのプラズマのスペクトル内のピークの位置を発見したり、定義する必要は
ない。また、パターン認識サブルーチン374は、スペクトル分析により、処理
チャンバ36内のプラズマ内に現在含まれている種々の化学的物質を識別するた
めに何も行う必要はない。ここでもまた、サブルーチン374が行う唯一の判断
は、現在のスペクトル・パターンが、目標ディレクトリ内の関連スペクトル・パ
ターンと「一致」するかどうかを判断することだけである。ある実施形態の場合
には、パターン認識サブルーチン374は、約1秒以内に、好適には、約0.5
秒以内に、約1ナノメートル以下の分析波長分解能で、(すなわち、少なくとも
各1ナノメートルの増分で、各点比較分析を実行するように)、少なくとも約1
50ナノメートルから、約1,200ナノメートルの範囲内の波長により定義さ
れたスペクトルに対するステップ378を実行することができる。 <プロセス警告モジュール428 − 図14> 現在のプラズマ・プロセス・モジュール250が遭遇するかも知れない種々の
条件により、制御が、図14のプロセス警告モジュール428に渡される場合も
あり、制御を上記目標と共有する場合も起きてくる。一つまたはそれ以上のサブ
ルーチンを、プロセス警告モジュール428の制御下に置くことができる。これ
ら各サブルーチンは、結果としてプロセス警告モジュール428を作動すること
になる関連条件または状況にどのようにしてアドレスするのかに関連する種々の
オプションを供給することができる。図14のプロセス警告サブルーチン432
の場合には、二つの種類の行動、すなわち、一つまたはそれ以上の警告の発行、
及びなんらかの方法で問題のプラズマ・プロセスの制御へのアドレスを利用する
ことができる。 【0155】 図14のプロセス警告サブルーチン432のアラーム警告機能が、問題の条件
または状況に関連して、そのステップ454において作動可能にした場合には、
一つまたはそれ以上のアラーム、警告等を作動させることができる。プロセス警
告サブルーチン432のステップ458において、少なくとも一つの視覚的アラ
ームを作動させることができる。例示としての視覚的アラームは、(例えば、点
滅する光のような)関連状態の存在の一般的な表示、(例えば、識別した状態ま
たは状況のテキストによる説明のような)問題の状態のもっと詳細な表示、また
は両方を含む。問題の状態に関連する情報を表示することができる場所としては
、問題の状態が位置する特定の処理チャンバ36に関連するディスプレイ130
、ウェーハ製造システム2用のソートの主制御パネルを特徴とするウェーハ製造
システム2に関連するディスプレイ59、ウェーハ製造システム2を内蔵する全
製造施設用の任意の主制御パネル、その上にウェーハ製造システム2が設置され
ている任意のコンピュータ・ネットワーク、またはこれらの任意の組合せ等があ
る。他の視覚的表示も、単独で、または上記のオーディオ、及び任意の他のタイ
プのアラームと組合せて、使用することができる。 【0156】 図14のプロセス警告サブルーチン432の制御下で使用することができる他
のオプションは、少なくともなんらかの方法で、プラズマ・プロセスの制御に関
連があり、プロセス警告サブルーチン432のステップ436によりアクセスす
ることができる。プロセス警告サブルーチン432の作動をトリガする、一つの
状態、または状態それ自身の識別に関連する任意のスペクトルをサブルーチン4
32のステップ448に内蔵させることもできるし、上記ステップに関連づける
こともできる。チャンバ36内で、このスペクトルまたは状態に遭遇した場合に
に対して確立した一つまたはそれ以上のプロトコルを関連ステップ450に内蔵
させることができる。複数のスペクトルまたは状態を、任意の一つのステップ4
48内蔵することもできる。ステップ448に含まれている、または関連してい
るこれらのスペクトル/状態間の共通のものは、その関連ステップ450が内蔵
する分類上類似のプロトコルである。 【0157】 図14は、五つの分類上のプロトコルである。ステップ450aは、一つまた
はそれ以上のプロセス制御パラメータを修正したプロトコル分類を示す。異常な
スペクトル・サブディレクトリ292からの一つまたはそれ以上のスペクトル、
一つまたはそれ以上の状態、または両方をステップ450aにアクセスするプロ
セス警告サブルーチン432のステップ448aに内蔵することができる。ステ
ップ450aは、チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ内の問題の状態に、
(例えば、修正/修復のような)「アドレス」を行おうとするプロトコル分類用
のものである。プロセス警告サブルーチン432のステップ450aに関連する
プロトコルは、問題の状態にアドレスするのに適当であると、すでに判断された
方法で、一つまたはそれ以上のプロセス制御パラメータの修正または調整をもっ
と詳細に行う。(例えば、図1のPMCU128からMCU58に、ウェーハ製
造システム2を制御する適当な信号を送ることによって)プロセス警告サブルー
チン432を適当なプロセス・コントローラに動作できるように接続しているイ
ンターフェースを通して、ウェーハ製造システム2を内蔵している施設が必要と
した場合には、現在のプラズマ・プロセスに関連するプロセス制御パラメータの
調整を自動的に行うことができる。一つまたはそれ以上のプロセス制御パラメー
タの手動調整も、プロセス警告サブルーチン432のステップ450aが対象に
しようとしている。この場合のステップ450aを実行すると、その結果、必要
な場合には、適当なスタッフが、手動で適当な行動をスタートすことができるよ
うに、問題の状態に関連するプロトコルを上記スタッフに知らせる。 【0158】 図14の一つの「修正プロセス制御パラメータ」プロトコルの表示に拘らず、
ステップ448aに関連する異なるスペクトル/状態に対して、異なるプロセス
制御修正をスタートさせることができることを理解されたい。一つまたはそれ以
上のスペクトルを、ある方法で、プロセス制御パラメータの修正を必要とする状
態と関連づけることができる。一方、他の状態に関連する一つまたはそれ以上の
スペクトルは、他の方法で、プロセス制御パラメータの修正を必要とする場合が
ある。さらに、ステップ448aに関連する任意の一つまたはそれ以上のスペク
トル、または一つまたはそれ以上の状態は、それに関連する一つまたはそれ以上
のプロセス制御プロトコルを含むことができる。例えば、ステップ450aが、
関連するプロセス・コントローラと一緒に直接集積されていない場合には、関連
する状態にアクセスするためにとることができる修正行動のリストを適当なスタ
ッフが考慮できるように供給することができる。ウェーハ製造システム2に関連
する一つまたはそれ以上のコントローラとの集積ステップ450aは、任意の一
つまたはそれ以上のスペクトル/状態に対して、依然として、複数のプロセス制
御プロトコルを使用することができる。ステップ448aに関連する問題の状態
にアドレスしようとする試みは、最初、この状態及びステップ450aに関連す
る第一のプロトコルを通して追跡することができる。問題の状態へのアドレスが
うまくいかなかった場合には、問題の状態及びステップ450aに関連する第二
のプロトコルをとることができ、その後も同じである。 【0159】 図14のプロセス警告サブルーチン432に内蔵することができる他の分類上
のプロトコルは、現在のプラズマ・プロセスの終了に関連する。一つまたはそれ
以上の状態を表わす一つまたはそれ以上のスペクトル、または状態それ自身の識
別は、ステップ450bにアクセスするサブルーチン432のステップ448b
に内蔵することもできるし、上記ステップと関連づけることもできる。ステップ
450bは、問題のプラズマ・プロセス・モジュールの終了の方に向けられる一
つまたはそれ以上のプロトコルを含む。しかし、通常、現在のプラズマ・プロセ
スの終了は、単に、チャンバ36及びプラズマの発生を担当する電気構成部材へ
のガスの流れを終了するだけの結果になる。(例えば、MCU68に適当な信号
を送っているPMCU128によるように)、プロセス警告サブルーチン432
を適当なプログラム・コントローラに動作できるように接続しているインターフ
ェースを通してウェーハ製造システム2を内蔵する施設が要求した場合には、現
在のプラズマ・プロセスの終了を自動的に行うことができる。ステップ450b
は、現在のプラズマ・プロセスに手動による終了も考慮の対象にしている。この
場合、その後で、ステップ450bを実行すると、単に、適当なスタッフに、処
理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスの終了が、必要な場合に
は、適当な措置を手動でとることができるようにするように勧告されたある状態
が終了したことを知らせる結果になる。 【0160】 図14のプロセス警告サブルーチン432を通して、クリーニング動作をスタ
ートさせることもできる。異常なスペクトル・サブディレクトリ292、または
チャンバ状態サブディレクトリ300からの一つまたはそれ以上のスペクトルは
、または、この場合も、単に関連状態の識別は、ステップ450eにアクセスす
る、サブルーチン432のステップ448aに内蔵することもできるし、関連づ
けることもできる。ステップ450eは、処理チャンバ36の内部のある種のク
リーニングのスタート用のプロトコルを含む。(例えば、MCU58に適当な信
号を送っているPMCU128によるように)、プロセス警告サブルーチン43
2を適当なプログラム・コントローラに接続しているインターフェースを通して
、ウェーハ製造システム2を内蔵する施設が要求した場合には、クリーニング作
業の終了を自動的に行うことができる。ステップ450eは、これら措置の手動
による終了も考慮の対象にしている。この点に関して、図14のプロセス警告サ
ブルーチン432内で、ステップ450eを実行すると、単に、スタッフに、汚
染したチャンバ状態が検出されたために、処理チャンバ36内で実行中の現在の
プラズマ・プロセスを終了するようにとの、また、続いて、クリーニング作業を
手動でスタートするようにとの勧告が行われたことを知らせる結果になる。 【0161】 ステップ448eに関連する一つまたはそれ以上のスペクトル/状態は、ステ
ップ450e内の異なるプロトコルと関連づけることができる。例えば、ステッ
プ448eに関連する一つまたはそれ以上のスペクトル/状態に対応するステッ
プ450eの一つのプロトコルは、上記に従ってスタートさせることができるプ
ラズマ・クリーニング作業に関連づけることができる。ステップ448eに関連
する他のスペクトルまたは状態は、上記に従ってスタートさせることができる湿
式クリーニングに関連するステップ450eのプロトコルにアクセスすることが
できる。 【0162】 その存在により、なんらかの方法で、ウェーハ分配シーケンスが影響を受ける
ような性質のチャンバ36内でのスペクトルまたは状態は、ステップ448cに
内蔵することもできるし、上記ステップと関連させることもできる。それにより
、ステップ450cのところで説明したプロトコルは、ウェーハ18が、図59
〜図60のところでより詳細に説明するウェーハ分配モジュール1384を通し
てウエファ製造システム2の種々の処理チャンバ36に分配される方法にアドレ
スする。プロセス警告サブルーチン432を、適当なプロセス・コントローラ(
例えば、ウェーハ分配モジュール1384、MCU58)に、動作できるように
接続しているインターフェースを通してウェーハ製造システム2を内蔵する施設
が要求した場合には、ウェーハ製造システム2の処理チャンバ36への、ウェー
ハ18の分配シーケンスへのアドレスを自動的に行うことができる。プロセス警
告サブルーチン432のステップ450cの実行が、単に、スタッフに、問題の
状態が存在するために、システム2のチャンバ36への分配シーケンスに、手動
でアドレスするようにとの勧告が行われたことを知らせるだけの結果になる場合
がある。 【0163】 最後に、図14のプロセス警告サブルーチン432を通してプラズマ・プロセ
ス/プラズマ・プロセス・ステップの終点にアドレスすることができる。この点
に関して、問題のプラズマ・プロセスの、または(例えば、プラズマ・プロセス
・ステップのような)その個々の部分の終点を示す一つまたはそれ以上のスペク
トル、またはプラズマ・プロセス/プラズマ・プロセス・ステップ自身の識別を
ステップ448dに内蔵することもできるし、上記ステップに関連づけることも
できる。ステップ450dのところで説明したプロトコルは、特定の終点の発生
の識別にアドレスする方法をアドレスする。これは、プラズマ・プロセスの性質
によって、問題のプラズマ・プロセス/プロセス・ステップの終了、(例えば、
問題のプラズマ・ステップが所与のプラズマ・レシピの最後のステップ、または
他のプロセスでない場合のような)次のプラズマ・プロセス/ステップのスター
ト、または両方を含む。上記の場合にように、ステップ450dは、スタート自
動技術及び手動技術を考慮の対象にしようとしている。 【0164】 プラズマ監視動作の制御は、(ステップ454で、アラーム警告機能が作動で
きる場合には)ステップ440を通して、または(ステップ436で、プロセス
制御機能が作動できる場合)にはステップ462を通して放棄される。状況によ
り、制御は、プロセス警告モジュール370を呼び出した現在のプラズマ・プロ
セス・モジュール250の特定のサブモジュールに戻される。使用できるもう一
つのオプションとしては、特定の場合またはすべての場合に、プラズマ監視動作
の制御をステップ440または462を実行することにより、図7の始動モジュ
ール202へ戻す方法がある。 <始動モジュール−図15〜図16> 種々の「サブモジュール」を通した現在のプラズマ・プロセスの評価のための
現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は、すでに概略説明し、以降の関
連図面のところでさらに詳細に説明するように、(例えば、チャンバ36内のプ
ラズマのスペクトルのような)、処理チャンバ36での出来事に関する情報を使
用することができる。現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の種々の「
サブモジュール」へのアクセスは、図15の始動モジュール202により制御す
ることができる。それ故、始動モジュール202は、現在のプラズマ・プロセス
・モジュール250を通して、入手することができる種々のオプション用のソー
トの主メニューと見なすことができる。 【0165】 図15に始動モジュール202が使用することができる始動ルーチンのある実
施形態を示すが、この実施形態は、上記の「主メニュー類似の」機能を供給する
。始動ルーチン203により、スタッフは、基本的には、ある種の方法で、プラ
ズマ監視動作の制御を、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の適当な
サブモジュールに渡すことができるようにとるべき措置のタイプを「入力」する
ことができる。「入力」は、PMCU128(例えば、図6)に関連するディス
プレイ上にとることができるすべての措置のリストを表示し、スタッフが、デー
タ入力デバイス132により追跡すべきオプションを選択することができように
することにより行うことができる。他のオプションは、スタッフが、データ入力
デバイス132により、スタートさせる措置を入力することができるようにする
。さらに他のオプションは、始動ルーチンを、種々のオプションのリストを通し
て順次スクロール・ダウンさせるためのためのものである。最後に、入力を行う
必要はない。何故なら、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は、現在
のプラズマ・プロセス・モジュール250を、(例えば、種々のサブディレクト
リを調査するために、適当な命令を使用して)プラズマ・スペクトル・ディレク
トリ284と直ちに比較することができるからである。 【0166】 始動ルーチン203により、三つの「分類上の」措置をスタートさせることが
できる。最初に、ある校正動作を、ステップ140を実行することにより校正モ
ジュール562にアクセスする始動ルーチン203のステップ136により行う
ことができる。校正モジュール562については、図40〜図48のところでよ
り詳細に説明する。チャンバ36内で行う現在のプラズマ・プロセスに関する調
査は、ステップ144によりスタートさせることができる。例えば、特定のプラ
ズマ・プロセスまたはプラズマ・プロセス・ステップの終点を示す一つまたはそ
れ以上の特性を識別するために調査を行うことができる。この調査は、図49〜
図51Cのところでより詳細に説明する調査モジュール1300を呼び出す始動
ルーチン203のステップ148を実行することにより行われる。 【0167】 図15の始動ルーチン203を通して、使用することができる最後のオプショ
ンは、現在のプラズマ・プロセス(すなわち、プラズマ・スペクトル・ディレク
トリ284内に記録していないチャンバ36内で実行した任意のプラズマ・プロ
セス)に関連する。プラズマ処理品質チェック/製造ウェーハ(ステップ230
)のようなプラズマ・プロセス、最初にチャンバ36の湿式クリーニングを行わ
ない、プラズマ・クリーニング作業(ステップ234)、チャンバ36を、湿式
クリーニング(ステップ238)した後で行ったプラズマ・クリーニング作業、
及びウェーハ状態調整作業(ステップ242)には、それぞれ、始動ルーチン2
03を通してアクセスすることができる。これらタイプのプラズマ・プロセス、
その特定の部分、または両方の終点は、図52〜図58のところでより詳細に説
明する、また始動ルーチン203MPステップ240が呼び出す、終点検出モジ
ュール1200により決定することができる。これらタイプのプラズマ・プロセ
スの「状態」は、また、図21〜図25のところでより詳細に説明する、また始
動ルーチン203のステップ236を、実行することにより呼び出されるプラズ
マ状態チェック・サブルーチン252により評価することができる。 【0168】 図15の始動ルーチン203のステップ236は、プラズマ状態チェック評価
に関連していて、図16の始動サブルーチン204を呼び出す。二つの主オプシ
ョンは、図16の始動サブルーチン204により、「プラズマ状態チェック」に
関連して追跡することができる。現在のプラズマ・プロセスも、チャンバ36内
で、次に実行されるプラズマ・プロセスを評価するための基準として使用される
、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記録することができるし、ま
たは現在のプラズマ・プロセスは、正常なスペクトル・サブディレクトリ288
に対して評価することができる。この点に関して、図16の始動サブルーチン2
04のステップ208は、問題の処理チャンバ36内で実行されるプラズマ・プ
ロセスを、そのチャンバ36に関連する正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88内に、記録すべきかどうかについて問い合わせる。ステップ208の問い合
わせに対する「応答」が「はい」である場合には、始動サブルーチン204は、
ステップ224に進み、そこで処理チャンバ36内のプラズマの状態、特に、現
在のプラズマ・プロセス・モジュール250による光学的分析により、プラズマ
が「発生している」かどうかについての判断が行われる。チャンバ36内で、プ
ロセスが「発生している」かどうかを判断する一つの方法は、処理チャンバ36
から入手したスペクトルが、プラズマ・スペクトル・ディレクトリ284内に記
憶している任意のスペクトル、または図13のパターン認識モジュール370に
よるように、そのサブディレクトリの中の任意のものと、「一致」しているかど
うかを判断する方法である。このことを行うことができるもう一つの方法は、処
理チャンバ36の内部からのスペクトルのうちの任意のスペクトルが、少なくと
も最も低いある輝度の、ある数の別々のピークを持つ時点を決定する方法である
。パターン認識モジュール370のところで説明した、上記の同じ原理を使用し
て、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250により、このタイプのスペク
トルを識別することができる。チャンバ36内部からの光学的放射内に、少なく
ともある変化が発生した時点の決定も、(例えば、「暗い」状態から「明るい」
状態へ変化するように)プラズマが「発生している」ことを示すことができる。
プラズマが、処理チャンバ36内で、発生しているかどうかについての判断方法
がどうであれ、「プラズマ発生」の表示は、操作スタッフ、または一つまたはそ
れ以上の上記方法内の他のスタッフに正しく伝えられる。 【0169】 プラズマが処理チャンバ36内で発生すると、始動サブルーチン204は、ス
テップ228に進み、そこで現在のプラズマ・プロセスの少なくともスペクトル
・データが、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記録される。好適
には、このスペクトル・データは、好適なデータ解像度で、好適なデータ収集時
間解像度で、好適な光学的帯域幅を含むことが好ましい。プラズマ・プロセスが
終了した後で、サブルーチン204は、ステップ226により、図15の「主メ
ニュー類似の」始動ルーチン203に戻る。 【0170】 図16の始動ルーチン204により使用することができる別の方法は、正常な
スペクトル・サブディレクトリ288内に記録してあるスペクトル・データに対
して、処理チャンバ36内で実行する、現在のプラズマ・プロセスを評価する方
法である。図16の例の場合には、このことは、始動サブルーチン204をステ
ップ212に進める、「いいえ」の論理状態で、始動サブルーチン204のステ
ップ208から抜け出すことである。ステップ212は、処理チャンバ36内で
実行するプラズマ・プロセスを正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の
スペクトル・データに対して評価すべきかどうかについての問い合わせを行う。
始動サブルーチン204の下で使用することができる二つの主オプションは、デ
ータの記録か、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内にすでに記録して
いるスペクトル・データに対しての現在のプラズマ・プロセスのスペクトル・デ
ータの評価であり、さらに、サブルーチン204のステップ208において、デ
ータを正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記録しないという「決定
」が行われているために、サブルーチン204はステップ212に到着している
ため、ステップ212における「いいえ」という応答は、始動を行うために始動
サブルーチン204に再度送られる。しかし、ステップ212での「はい」とい
う応答に応えて、始動サブルーチン204は、ステップ212からステップ21
6に進む。ステップ216は、処理チャンバ36内において、プラズマが発生し
ているかどうかについて問い合わせを行うために、上記のステップ224と同じ
ものである。処理チャンバ36内にプラズマが発生すると、始動サブルーチン2
04は、220に進み、そこでプラズマ・プロセスの状態を査定することができ
るように、プラズマ監視動作の制御が、プラズマ状態チェック・モジュール25
2に渡される。「記録」オプションまたは「比較」オプションは、始動サブルー
チン203のところで説明した方法以外の方法で表示することができる。 <プラズマ状態評価> 図7のプラズマ状態チェック・モジュール252は、また、図32の実施形態
に内蔵されていて、問題のチャンバ36内のプラズマの全体の状態、または「プ
ラズマの状態」を評価する。本明細書で使用する「プラズマの状態」という用語
は、使用できるウェーハとなる通常の「正常な」プラズマの行動と比較した場合
の、プラズマの性能に関連する場合のプラズマ・プロセスの状態または状況を意
味する。プラズマの「状態」という用語は、処理チャンバ内のプラズマに対して
影響を持つすべてのパラメータの累積結果と特徴とすることができる。他の表を
使用すれば、「プラズマ状態」という用語は、正常なスペクトル・サブディレク
トリ288内に記憶している一つまたはそれ以上のプラズマ・プロセスに従って
、現在のプラズマ・プロセスが進行している状態と同じ意味である。この点に関
して、プラズマ状態チェック・モジュール252は、プラズマ・プロセス中に、
正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の関連スペクトルまたはその一部
を持つ光学的放射の少なくとも一部の比較により、処理チャンバ36内で行われ
ている現在のプラズマ・プロセスが、「正常に」行われているかどうかを判断す
ることができる。チャンバ36内のプラズマのスペクトル・パターンは、プラズ
マ・プロセスが進行するにつれて変化する。さらに、チャンバ36内のプラズマ
のスペクトル・パターンは、実行中のプラズマ・プロセスの分類により異なる。
このことは、プラズマ・レシピからの例示としてのスペクトル、最初に、チャン
バ36を湿式クリーニングしないで行ったプラズマ・クリーニング、チャンバ3
6を湿式クリーニングした後で行ったプラズマ・クリーニング、及び以下に説明
するウェーハ状態調整作業を見れば分かる。それぞれの場合、「輝度」曲線が、
「y」軸に沿って描かれ、「カウント」単位で表示される。この曲線は、輝度レ
ベルを反映していて、一方、「波長」曲線は、ナノメートル単位で「x」軸に沿
って描かれる。 <例示としてのプラズマ・レシピ・スペクトル − 図17A〜C> 図17A〜Cは、チャンバ36内で、ウェーハ18に対して行われる複数のス
テップからなるプラズマ・レシピの一例である。これらの図においては、処理チ
ャンバ36内のプラズマのスペクトルは、現在のプラズマ・ステップ内の変化に
つれて変化する。図17A〜Cは、それぞれ、例示としてのプラズマ・レシピA
の例示としての第一のプラズマ・ステップのスペクトル744、及びこの同じプ
ラズマ・レシピAの第二のプラズマ・ステップのスペクトル752、及びこの同
じプラズマ・レシピAの例示としての第三のプラズマ・ステップのスペクトル7
60を示す。これら各スペクトル744、752、760は、それぞれ、種々の
波長のところで変化する輝度の多数のピーク748、756お764を特徴とす
る。スペクトル744、752、760を比較すると、無制限に下記のものを含
む、これらの関連するパターンが相互に異なっていることが分かる。1)約42
5ナノメートルの波長領域において、図17Aのスペクトル744内のピーク7
48aは、約3、300の輝度を持ち、図17Bのスペクトル752内のピーク
756aは、約3,000の輝度を持ち、図17Cのスペクトル760のピーク
764aは、約2,100の輝度を持つ。2)約475ナノメートルの波長領域
において、図17Aのスペクトル744内のピーク748bは、約3,200の
輝度を持ち、図17Bのスペクトル752内のピーク756aは、約3,900
の輝度を持ち、図17Cのスペクトル760はピークを持たないが、対応する輝
度(ノイズ)は約500である。3)約525ナノメートルの波長領域において
、図17Aのスペクトル744内のピーク748cは、4,000以上の輝度を
持ち、図17Bのスペクトル752内のピーク756cは、約3、400の輝度
を持ち、図17Cのスペクトル760のピーク764cは、約2,750の輝度
を持つ。4)約587ナノメートルの波長領域において、図17Aのスペクトル
744内はピークを持たないが、輝度は約500(ノイズ)であり、図17Bの
スペクトル752は、ピークを持たないが、輝度は約490(ノイズ)であり、
図17Cのスペクトル760のピーク764dは、約3、000の輝度を持つ。
スペクトル744、752、760の間のこれらの違いは、プラズマ・レシピの
種々のステップを区別することができること、及びプラズマ・レシピを実行中の
、チャンバ36内のプラズマの、スペクトル・パターンを評価することにより、
プラズマ・レシピの進行を評価することができることを示している。 <湿式クリーニングを行わない、例示としてのプラズマ・クリーニング作業のス
ペクトル − 18A〜C> 図18A〜Cは、処理チャンバ36内のプラズマの光学的放射が、最初にチャ
ンバ36を、湿式クリーニングしないで行ったプラズマ・クリーニング中にどの
ように変化するかを示すための代表的なスペクトルである。図18Aは、処理チ
ャンバ36が汚染している状態での、例示としてのプラズマのスペクトル770
であり、一方、プラズマは、内部にウェーハが入っていない場合の、処理チャン
バ36内のプラズマである。図18Bは、チャンバの汚染した状態がプラズマ・
クリーニングにより除去され始めた、プラズマ・クリーニングの中間段階の、こ
の同じ例示としてのプラズマのスペクトル774である。最後に、図18Cは、
プラズマ・クリーニングの終了時のこの同じ例示としてのプラズマのスペクトル
778である、上記時点において、処理チャンバ36の内部は、(例えば、製造
したウェーハ18上に、集積回路のパターンをエッチングするための)商業的製
造段階に戻った状態にあるもの思われる。スペクトル778は、製造を再開する
ために適当な状態にあるチャンバ36を示しているウェーハ製造システム2を実
行している施設のオペレータにより選択することができる。しかし、チャンバ4
74が製造再開の状態にある場合、「輝線」が必ずしも現われないことを理解さ
れたい。それ故、「清浄なチャンバ状態」を示すスペクトル778の選択は、幾
分いいかげんなものである。 【0171】 各スペクトル770、774、及び778は、それぞれ、種々の波長のところ
で輝度が変化する多数のピーク772、776及び780を特徴としている。無
制限に下記のものを含むスペクトル770、774及び778を比較すると、そ
の関連パターンが実際に異なっていることが分かる。1)約625ナノメートル
の波長領域において、図18Aのスペクトル770内のピーク772eは、約5
00の輝度を持ち、図18Bのスペクトル774内のピーク776eは、約30
0の輝度を持ち、図18Cのスペクトル778は実質的にピークを持たない。2
)約675ナノメートルの波長領域において、図18Aのスペクトル770内の
ピーク772fは、約4,000の輝度を持ち、図18Bのスペクトル774内
のピーク776fは、約1,000の輝度を持ち、図18Cのスペクトル778
は実質的にピークを持たない。3)約685ナノメートルの波長領域において、
図18Aのスペクトル770内のピーク772gは、約3,400の輝度を持ち
、図18Bのスペクトル774内のピーク776gは、約2,200の輝度を持
ち、図18Cのスペクトル778のピーク780gは約700の輝度を持つ。ス
ペクトル770、774及び778の間のこれらの違いは、プラズマ・クリーニ
ング中、チャンバ36内のプラズマのスペクトル・パターンに、プラズマ・クリ
ーニングの進行が、はっきり現われていることを示す。 【0172】 種々の要因により、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に、プラズ
マ・クリーニングの一つまたはそれ以上の入力が、必要になる場合がある。例え
ば、チャンバ36が、第一のタイプのプラズマ・レシピを、実行した後で行われ
るプラズマ・クリーニングのスペクトル・データは、チャンバ36が、第一のタ
イプのプラズマ・レシピとは異なる、第二のタイプのプラズマ・レシピを、実行
した後で実行されるプラズマ・クリーニングとは、異なるように見える場合があ
る。 <湿式クリーニングを実行した後の、例示としてのプラズマ・クリーニング動作
のスペクトル − 図19A〜C> 図19A〜Cは、湿式クリーニングを行った後での、チャンバ36のあるプラ
ズマ・クリーニングの代表的なスペクトルである。図19Aは、チャンバ36の
プラズマ・クリーニングのスタート時の、処理チャンバ36内の例示としてのプ
ラズマのスペクトル1328であり、一方、図19Bは、上記プラズマ・クリー
ニングの中間段階における、例示としてのプロプラズマのスペクトル1336で
ある。一方、図19は、チャンバ36のプラズマ・クリーニングの終わりのとこ
ろの、例示としてのプラズマのスペクトル1344を示す。各スペクトル132
8、1336、及び1344は、それぞれ、種々の波長のところで輝度が変化す
る、多数のピーク1332、1336及び1348を特徴としている。無制限に
下記のものを含むスペクトル1328、1340及び1344を比較すると、そ
の各パターンが異なっていることが分かる。1)約625ナノメートルの波長領
域において、図19Aのスペクトル1328内のピーク1332eは、約600
の輝度を持ち、図19Bのスペクトル1336内のピーク1340eは、約50
0の輝度を持ち、図19Cのスペクトル1344のピーク1348eは約450
の輝度を持つ。2)約668ナノメートルの波長領域において、図19Aのスペ
クトル1328内のピーク1332fは、約4,000の輝度を持ち、図50B
のスペクト1336内のピーク1340fは、、約1,000の輝度を持ち、図
19Cのスペクトル1344のピーク1348fは、約400の輝度を持つ。3
)約685ナノメートルの波長領域において、図19Aのスペクトル1328内
のピーク1332gは、約3,400以上の輝度を持ち、図19Bのスペクトル
1336内のピーク1340gは、約2,300の輝度を持ち、図19Cのスペ
クトル1344のピーク1348gは約1,400の輝度を持つ。スペクトル1
328、1336及び1344の間のこれらの違いは、プラズマ・クリーニング
中、チャンバ36内のプラズマのスペクトル・パターンに、プラズマ・クリーニ
ング作業の進行が、はっきり現われていることを示す。 【0173】 種々の要因により、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に、プラズ
マ・クリーニングの一つまたはそれ以上の入力が、必要になる場合がある。例え
ば、チャンバ36が、湿式クリーニングを実行した後で、チャンバ36内で行わ
れるプラズマ・クリーニングのスペクトル・データは、湿式クリーニングを行わ
なかった、新しいチャンバ36に対して実行されるプラズマ・クリーニングとは
異なる。さらに、チャンバ36が、第一のタイプのプラズマ・レシピを行った後
で実行される、プラズマ・クリーニングのスペクトル・データは、チャンバ36
が、第一のタイプのレシピとは異なる第二のタイプのプラズマ・レシピを、実行
した後で実行されるプラズマ・クリーニングとは、異なるように見える場合があ
る。 <例示としてのウェーハ状態調整作業スペクトル−図20A〜C> ウェーハ状態調整作業の代表的なスペクトルが、図20A〜Cに示されている
。図20Aはウェーハ調整作業のスタートにおける処理中のチャンバ36の中の
例示としてのプラズマのスペクトル1288を示している。図20bは、ウェー
ハ調整作業における中間点における例示としてのプラズマのスペクトル1292
を示しており、図20Cはウェーハ調整作業の終りにおける例示としてのプラズ
マのスペクトル1296を示している。1288、1292及び1296の各ス
ペクトルは、各種の周波数で強度が変化しているいくつかのピーク1290、1
294、及び1298によってそれぞれ特徴付けられる。スペクトル1288、
1292、及び1296によって、それぞれのパターンにおけるある種の違いが
あることが示されている。それは次のものを含むが、それらに限定されるわけで
はない。1)約440ナノメートルの波長領域において、図20Aのスペクトル
1288の中のピーク1290aの強度は約3,550であり、図20Bのスペ
クトル1292の中のピーク1294aの強度は約3,750であり、そして図
20Cのスペクトル1296の中のピーク1298aの強度は約4,000であ
る。2)約525ナノメートルの波長領域において、図20Aのスペクトル12
88の中のピーク1290bの強度は約2,800であり、図20Bのスペクト
ル1292の中のピーク1294bの強度は、約2,900であり、そして図2
0Cのスペクトル1296の中のピーク1298bの強度は約2,800である
。3)約595ナノメートルの波長領域において、図20Aのスペクトル128
8の中のピーク1290dの強度は約2,100であり、図20Bのスペクトル
1292の中のピーク1294dの強度は約2,150であり、そして図20C
のスペクトル1296の中のピーク1298dの強度は約2,125である。4
)約675ナノメートルの波長領域において、図20Aのスペクトル1288の
中のピーク1290eの強度は約600であり、図20Bのスペクトル1292
の中のピーク1294eの強度は約250であり、そして図20Cのスペクトル
1296の中にはピークはない。5)約685ナノメートルの波長領域において
、図20Aのスペクトル1288の中のピーク1290fの強度は、約1,46
0であり、図20Bのスペクトル1292の中のピーク1294fの強度は60
0であり、そして図20Cのスペクトル1296の中にはピークはない。スペク
トル1288、1292、及び1296の間のこれらの違いはウェーハ調整作業
の進行が、その作業の間のチャンバ36の中のプラズマのスペクトル・パターン
において明らかであることを示している。 【0174】 各種の要因に依存して、正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中でウ
ェーハ調整作業の2つ以上のエントリが必要となる可能性がある。例えば、チャ
ンバ36がプラズマ・クリーニングがされただけの後で実行されたプラズマ調整
作業のスペクトル・データは、プラズマ・クリーニング、湿式クリーニングの両
方が行われ、そして次にふたたびプラズマ・クリーニングされた後のチャンバ3
6において実行されたウェーハ状態調整作業のスペクトル・データとは異なって
見える可能性がある。さらに、チャンバ36が第1のタイプのプラズマ・レシペ
を実行した後で実行されたウェーハ状態調整作業のスペクトル・データは、第1
のタイプのプラズマ・レシペとは異なっている第2のタイプのプラズマ・レシペ
をチャンバ36が実行していた後で実行されたウェーハ状態調整作業とは異なっ
て見える可能性がある。 <プラズマ状状態チェック・モジュール252 − 図21〜図25> 図7及び図32の現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は任意のプラ
ズマ・プロセスの状態を監視するために利用できる。それは先ず最初に処理中の
チャンバ36の内部で、そのスペクトル・データの少なくとも一部分を、正常な
スペクトル・サブディレクトリ288(図9)の中に記憶されているスペクトル
・データの少なくとも一部分と比較することによって行われる。プラズマ・レシ
ペ(製品ウェーハ18またはクォリフィケーション・ウェーハ18のどれかにお
いて実行される)、プラズマ・クリーニング(湿式クリーニングを行う、または
行わない)、及びウェーハ状態調整作業、及び任意の他のプラズマ・プロセスの
状態を、それぞれプラズマ状態チェック・モジュール252によって評価するこ
とができる。プラズマ状態チェック・モジュール252が異常なスペクトル・サ
ブディレクトリ292及びチャンバ36の中で実行されている現在のプラズマ・
プロセスのプラズマ状態チェック評価においても使われる未知のスペクトル・サ
ブディレクトリ296の中に記憶されている、異なる分類のプラズマ・プロセス
の存在をどのように処理するかは、実際には好みの問題である。複数の分類のプ
ラズマ・プロセスの存在を処理するいくつかの方法は、プラズマ状態チェック・
モジュール252による評価のスピードに影響する可能性がある。例えば、プラ
ズマ状態チェック・モジュール252は正常なスペクトル・ディレクトリ288
及び異常なスペクトル・ディレクトリ292の中に記憶されている同じ分類また
は属のプラズマ・プロセスに対する現在のプラズマ・プロセスの比較を制限する
可能性がある。適切な「識別情報」を、正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88の中に記憶されている各プラズマ・プロセスに関連するプラズマ・プロセス
の属フィールド322h(図12A)及び、異常なスペクトル・サブディレクト
リ292の中に記憶されている各プラズマ・プロセス(またはその一部分)に関
連するプラズマ・プロセスの属フィールド333e(図12B)の中に入力する
ことができる。さらに、チャンバ36の中で実行されるべき現在のプラズマ・プ
ロセスは、同じ方法でプラズマ状態チェック・モジュール252に対して識別す
ることができる。これは図15の始動モジュール202を通して実現することが
できる(例えば、スタートアップ・サブルーチン203のステップ230、23
4、238、及び242の中での適切なプロセスの分類または属の識別情報など
によって実現され、それはサブルーチン203のステップ236へ渡され、そし
て次にプラズマ状態チェック・モジュール252へ渡すことができる)。正常な
スペクトル・サブディレクトリ288及び異常なスペクトル・サブディレクトリ
292(現在のプラズマ・プロセスと比較される)の中のエントリの数を減らす
ことによって、プラズマ状態チェック・モジュール252による現在のプラズマ
・プロセスの状態の評価のスピードが増加する可能性があり、普通はスピードが
増加する。しかし、現在のプラズマ・プロセスとの比較のために利用できる、正
常なスペクトル・サブディレクトリ288及び/または異常なスペクトル・サブ
ディレクトリ292からのデータを選択する時にプラズマ・プロセスの分類また
は属の一致の基準を課さないことに対する利点があり得る。 【0175】 プラズマの状態は、チャンバ36の中の現在のプラズマ・プロセスからの光放
射を「好適なデータ分解能」に基づいていて「好適な分析波長分解能」を使って
いる「好適な光学的帯域幅」の内部の少なくともその波長にわたってプラズマ・
スペクトル・ディレクトリ284と比較することによって評価することも好まし
い。しかし、ある場合においては、チャンバ36の中のプラズマの光学的放射デ
ータのいくつかのサブセットを使ってそのプラズマの状態を監視することができ
る。そのような状況の1つは、処理スピードが1つの問題であるか、あるいは問
題となり得る時である。プラズマ・プロセスの状態を監視するために光学的放射
データの量を選択するいくつかの方法がある。図9の異常なスペクトル・サブデ
ィレクトリ292の中のデータを使って、プラズマの状態を監視する目的でレビ
ューすることができるデータのサブセットを発生することができる。例えば、プ
ラズマの状態評価は、チャンバ36の内部で以前に行われたプロセスにおいて発
生した誤差を示している波長を含む光学的放射セグメントについて行うことがで
きる。1つの代替案は、以前のプラズマ・プロセスからの誤差を示している異常
なスペクトル・サブディレクトリ292におけるスペクトルの各波長の各側に±
25ナノメートルの光学的放射セグメントを定義する方法である。例えば、以前
の実行からの誤差が325、425、及び575の波長において反映されていた
場合、プラズマの状態は300〜350、400〜450、及び550〜600
の各ナノメートル波長領域を調べることによって評価することができる。プラズ
マの状態を監視するためのより小さい光学的放射セグメントは、異常なスペクト
ル・サブディレクトリ292からの誤差を示している各波長を含む1つの範囲を
定義することによっても選択することができる。例えば、以前の実行からの誤差
が325、425、及び575の波長において反映されていた場合、そのプラズ
マの状態は約325ナノメートルから約575ナノメートルまでの波長領域を調
べることによって評価することができる。この範囲の各端点に「バッファ」を含
める(例えば、その範囲の各端点において約25ナノメートルだけ延長する)こ
とが望ましい場合もある。上記はさらに、チャンバ36の中で実行されるべき同
じタイプのプラズマ・プロセス(例えば、同じプラズマ・レシペ)からの誤差だ
けを含む光学的放射セグメントに対してプラズマの状態評価を制限することによ
ってさらに制限することができる。最後に、そのプラズマ・プロセスまたはその
ディスクリート部分の端点上の情報を使って、プラズマの状態に関連して評価さ
れる波長を定義することができる。端点検出モジュール1200及び図52に関
連して以下にさらに詳細に説明されるように、端点は1つまたはそれ以上の特別
の波長における変化に基づいて呼び出すことができる。プラズマの状態は端点を
呼び出すために使われる各波長の回りの±25ナノメートルの領域を調べること
によって評価することができる。前記にもかかわらず、プラズマの状態は「好適
なデータ分解能」において収集されたデータにおける少なくとも50ナノメート
ルの波長にわたって評価されるべきであり、そして「好適な光学的帯域幅」を使
って行われることが、この場合も好ましい。 <プラズマ状態チェック・サブルーチン253−図21> サブルーチンの1つの実施形態が図21に示されており、プラズマ状態チェッ
ク・モジュール252によって使って、それを現在のプラズマ・プロセスが図9
の正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されている少なくとも
1つのプラズマ・プロセス(例えば、「健康な」プラズマを示している)に従っ
て進行しているかどうかを評価することができる。同様に、スペクトル・データ
は処理中のチャンバ36の内部で実行されつつある現在のプラズマ・プロセスの
実行全体を通じて実行中に行われることが好ましい。やや不安定であるプラズマ
・プロセスの第1の部分に対して考察が加えられるべきである。その現在のプラ
ズマ・プロセスからのスペクトル・データが、正常なスペクトル・サブディレク
トリ288の内部に記憶されている任意のプラズマ・プロセスに現在のプラズマ
・プロセスが「一致」しているかどうかを判定するために、先ず最初にその正常
なスペクトル・サブディレクトリ288に対して比較される。現在のプラズマ・
プロセスが正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されている少
なくとも1つのプラズマ・プロセスに「一致している」限り、現在のプラズマ・
プロセスは「正常」または「健康的である」として特徴付けられ、そしてプラズ
マ状態チェック・サブルーチン253が正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88に対する「一致している」スペクトルに対してサーチを制限することを続け
る。しかし、プラズマ・プロセスの望ましい最終結果に及ぼすタイプの逆の影響
を有する可能性のある誤差または逸脱がプラズマ・プロセスの間に存在すること
がよくあり、そしてこれはチャンバ36の中のプラズマのスペクトルから識別可
能であるはずである。 【0176】 現在実行中のプラズマ・プロセスにおける誤差または逸脱がある時に、チャン
バ36の中のプラズマのスペクトルは正常なスペクトル・サブディレクトリ28
8の中に記憶されているどのプラズマ・プロセスにも「一致」しなくなっている
はずである。そこで、プラズマ状態チェック・サブルーチン253は、現在のプ
ラズマ・プロセスを評価するための正常なスペクトル・サブディレクトリ288
についてのそのサーチを打ち切り、現在のプラズマ・プロセスを図9の異常なス
ペクトル・サブディレクトリ292と比較することを開始する。この同じチャン
バ36上でのプラズマ状態チェック・サブルーチン252が前に遭遇した、そし
てそれぞれの原因が識別されているプラズマ・プロセスにおける誤差または逸脱
が異常なスペクトル・サブディレクトリ292の中に記録される。現在のプラズ
マ・プロセスのスペクトル・データが異常なスペクトル・サブディレクトリ29
2の中の少なくとも1つのスペクトルに「一致」していた場合に開始することが
できるアクションは、適切な警告を発することから、図4のプロセス警告サブル
ーチン432に関連して上で説明されたようなウェーハ生産システム2の1つま
たはそれ以上のプロセス制御フィーチャのアドレッシングまでの範囲に及ぶ。 【0177】 正常なスペクトル・サブディレクトリ288及び異常なスペクトル・サブディ
レクトリ292の中のデータのすべてが処理中のチャンバ36から得られ、その
上でプラズマ状態チェック・モジュール252が現在実行中の任意のプラズマ・
プロセスを評価するために使われており、あるいはこの同じチャンバ36の中で
実行されたものである。正常なスペクトル・サブディレクトリ288及び異常な
スペクトル・サブディレクトリ292に対する情報のライブラリを作ることは、
プラズマ状態チェック・サブルーチン253がチャンバ36及びその中で実行さ
れているプラズマ・プロセスから「学習する」ことができるための時間が掛かる
。従って、現在のプラズマ・プロセスからのプラズマのスペクトル・データが正
常なスペクトル・サブディレクトリ288または異常なスペクトル・サブディレ
クトリ296のいずれにおいても、プラズマ状態チェック・サブルーチン253
によって見つけられない状況が発生する可能性がある。このタイプの情報は、図
9の未知のスペクトル・サブディレクトリ296の中にサブルーチン253のた
めに記憶される。スペクトル・データが正しく分析されて、その「原因」が識別
されるまで、それは「未知の状態」のままである可能性があり、原因が分かった
時点で、関連するスペクトル・データを正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88または異常なスペクトル・サブディレクトリ292のいずれかに対して転送
し、処理中のチャンバ36及びその関連するプラズマ・プロセスのプラズマ状態
チェック・サブルーチン253の知識を更新することができる。 【0178】 ここで、プラズマ状態チェック・サブルーチン253の詳細が、プラズマ・プ
ロセスがチャンバ36の中のウェーハ18について実行されつつあるプラズマ・
レシペである場合において説明される。ウェーハ18上でプラズマ・レシペを実
行するための1つの例示としての一般的手順は次の通りである。先ず最初に、複
数の製品ウェーハ18、及び1つまたはそれ以上のクォリフィケーション・ウェ
ーハも入っている可能性のあるカセット6が、ロード・ロック・チャンバ28(
図21)の中に転送される。ウェーハ処理組立体44が、ウェーハ18の1つを
カセット6から取り出し、その同じものを処理中のチャンバ36の中に転送する
。この時点で、チャンバ36の中のプラズマはオフになっている。チャンバ36
が封止され、そしてプラズマがウェーハ18上でプラズマ・レシペを実行するた
めに点火される。代表的な慣習は同じプラズマ・レシペをカセット6全体におい
て実行することである。第1のウェーハ18についてのプラズマ・レシペの完了
後に、そのプラズマがオフにされ、チャンバ36が開かれ、そしてウェーハ処理
組立体44がチャンバ36からウェーハ18を引き出し、そしてその同じものを
カセット6の中の対応しているスロットに対して戻す。カセット6のウェーハ1
8のすべてがこの方法で処理されると(普通は、24枚のウェーハ18を有する
カセット6に対して1〜3枚のクォリフィケーション・ウェーハが使われ、それ
はカセット6の内部の任意の場所に含めることができる)、カセット6はロード
・ロック・チャンバ28から取り除かれ、そしてウェーハ18の別のカセット6
と置き換えられる。次に、プラズマ処理されたカセット6からのクォリフィケー
ション・ウェーハ18がテストされ(破壊的または非破壊的に)、一方、半導体
デバイスをその製品ウェーハ18から形成することができる。 【0179】 クォリフィケーション・ウェーハまたは製品ウェーハは18について実行され
るプラズマ・プロセスは処理中のチャンバ36の中において、プラズマ状態チェ
ック・モジュール252によって評価される。1つの製品ウェーハ18が処理中
のチャンバ36から取り除かれる時点と、チャンバ36の中にロードされている
次の製品ウェーハ18についてプラズマ・レシペが開始される時点との間には1
分以下の経過時間しか存在しないのが普通である。プラズマ状態チェック・モジ
ュール252はプラズマ・レシペが次の製品ウェーハ18について開始される前
に、製品ウェーハ18について実行されたプラズマ・レシペの評価を完了するこ
とができる。というのは、プラズマ状態チェック・モジュール252は純粋のパ
ターン認識技法に効果的に依存し、化学的分析または化学的種類識別技法には依
存しないからである。さらに、そして以下にさらに詳しく説明されるように、プ
ラズマ状態チェック・モジュール252はプラズマ・プロセスのアイデンティテ
ィを決定することができるだけでなく、そのプラズマ・プロセスがクォリフィケ
ーション・ウェーハ18と製品ウェーハ18との関係において実行されているこ
とを判定することができる。 【0180】 現在時刻tにおいて処理中のチャンバ36の中の製品について実行されてい
る現在のプラズマ・プロセスに関連するデータが、ステップ254の実行によっ
て図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253によって評価されるため
に得られる。上記のように、ステップ254は単に「スペクトル」または光学的
放射データに関連して図21において参照されているが、他のタイプのデータ(
例えば、関連するスペクトルがチャンバ36から得られたプラズマ・レシペに入
る時刻など)を同様にこの時点で関連付けて採取することができる。次にプラズ
マ状態チェック・サブルーチン253のステップ258において、ステップ25
4において得られた現在のプラズマ・プロセス(現在のプラズマ・プロセス)の
スペクトルと、正常なスペクトル・サブディレクトリ288からの関連するスペ
クトル(記憶されているプラズマ・プロセス)との間の比較が行われる。プラズ
マ・プロセスの状態をプロセス状態チェック・モジュール252によって評価す
ることができる方法についての初期理解を容易にするために、正常なスペクトル
・ディレクトリ288がこの後、その中に単独のプラズマ・プロセスだけが記憶
されているとして(「レシペA」)説明される。複数のプラズマ・プロセスが正
常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されている場合の状況にお
けるプラズマ状態チェック・モジュール252によって現在のプラズマ・プロセ
スの状態を扱う方法については、図22〜図24に関連して以下に提示されるプ
ラズマの状態/プロセス認識サブルーチン790、852、及び924の説明の
中で示される。 【0181】 プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ258は、図13のパ
ターン認識モジュール370を呼び出して、現在時刻tにおけるチャンバ36
の中のプラズマのスペクトルと、正常なスペクトル・サブディレクトリ288か
らのレシペAの関連スペクトルとの間の比較分析を行う。これは正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288に対してパターン認識モジュール370によって使
われる「ターゲット・ディレクトリ」を設定するサブルーチン253のステップ
258によって影響される。次に、正常なスペクトル・サブディレクトリ288
だけがこの時点でプラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ258
の実行によってサーチされ、現在時刻tにおける現在のスペクトルと、正常な
スペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されているレシペAとの間に「
一致」が存在するかどうかが判定される。レシペAのどのスペクトルがこの瞬間
に現在のスペクトルと比較されるかについてはサブルーチン253のループ19
0の説明が完了した後、以下に説明される。 【0182】 図13のパターン認識モジュール370は、主題の例において現在時刻t
おけるスペクトル(プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ25
4からの)と、正常なスペクトル・サブディレクトリ288からのレシペAの関
連スペクトルとの間に「一致」が存在するかどうかを判定した後、図21のプラ
ズマ状態チェック・サブルーチン253に対してそのプラズマの監視作業の制御
を返す。パターン認識モジュール370による分析の結果(「一致」または「不
一致」)は、実際には図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253のス
テップ260に対して提供される。現在時刻tにおける現在のスペクトルが、
レシペAの関連スペクトルと「一致」していた場合、プラズマ状態チェック・サ
ブルーチン253による評価が正常サブディレクトリ288に関連して継続され
る。この点において、プラズマ状態チェック・サブルーチン253は、ステップ
261において処理中のチャンバ36の中で行われている現在のプラズマ・プロ
セスが終了されたかどうか、さらに実際的には、サブルーチン253によって評
価されるべきチャンバ36の中で実行されている主題の現在のプラズマ・プロセ
スからのスペクトルがあるかどうかに関して問い合わせる。主題の現在のプラズ
マ・プロセスについての他の情報は、プラズマ状態チェック・サブルーチン25
3のステップ194の実行によって提供することができ、それは以下にさらに詳
しく説明されるように、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の他のサ
ブモジュール(例えば、チャンバ状態評価機能にアクセスするため、終点判定機
能にアクセスするための)を呼び出す。 【0183】 プラズマ状態チェック・サブルーチン253によって評価されるための現在の
プラズマ・プロセスについての追加の光学的放射データがステップ278の実行
によって利用できるようになる。ステップ278において、サブルーチン253
の「クロック」が実効的にリセットされる。サブルーチン253のステップ27
8は所定のインクリメント「n」だけ「クロック」の調整をより詳しく提供し、
それによって現在の時刻tを「n」のインクリメントだけ増加させる。「n」
の大きさは分析されることになる収集されたデータの部分を定義する。データの
すべて、あるいはその一部分だけを分析することができる(例えば、光学的放射
データの1つおきの「ピース」だけを実際に分析することができる)。これ以降
では、この概念は「分析時間分解能」と呼ばれる。1つの実施形態においては、
プラズマの状態に関連する「分析時間分解能」は少なくとも1秒ごとであり、3
00ミリ秒ごとであることがさらに好ましい。次に、プラズマ状態チェック・サ
ブルーチン253は、ステップ254に戻り、そこで現在のプラズマ・プロセス
の実行からの処理中のチャンバ36の中のプラズマの次のスペクトルが、新しい
現在時刻tにおいてサブルーチン253に対して得られ、上記に従って同じよ
うに評価することができる。 【0184】 プラズマ状態チェック・サブルーチン253を通じて現在時刻tにおけるチ
ャンバ36の中のプラズマの現在スペクトルと比較するための、正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288の中に記憶されているプラズマ・プロセスの「関連
スペクトル」が何であるかを定義するためのいくつかの方法がある。対応関係は
時間に依存する場合があり、そしてこれ以降では「時間依存条件(time d
ependency requirement)」と呼ばれる。正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288の中に記憶されている唯一のプラズマ・プロセスが
レシペAである主題の例において、現在時刻tにおいてチャンバ36の中のプ
ラズマのスペクトルと比較されるべきレシペAの関連スペクトルは、時間依存条
件が使われた場合、この同じ現在時刻tに関連するレシペAに対するそのスペ
クトルに制限されることになる。すなわち、時刻tにおける現在のプラズマ・
プロセスの間のチャンバ36の中のプラズマのスペクトルは、プラズマ状態チェ
ック・サブルーチン253のステップ258の実行によって同じ時刻tに関連
するレシペAのスペクトルと比較され、時刻t2における現在のプラズマ・プロ
セスの間のチャンバ36の中のプラズマのスペクトルは、サブルーチン253の
ステップ258の実行によって同じ時刻t2に関連するレシペAのスペクトルと
比較されることになり、以下同様に行われる。「関連スペクトル」が何であるか
を決定するために、この時間依存条件を、パターン認識モジュール370によっ
てプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のどのサブディレクトリが「サー
チされているか」とは無関係に使うことができる。 【0185】 理論的には、時間依存条件は正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中
に記憶されている任意の1つまたはそれ以上のプラズマ・プロセスに従って現在
のプラズマ・プロセスが進行しているかどうかを評価するために受け入れ可能な
1つの方法である。実際的な観点から、それは必ずしも必要なケースではない。
同じプラズマ・レシペが普通は実行されるウェーハ・カセット6の中のウェーハ
18全体を通じての変動は、チャンバ36の中で実行されている現在のプラズマ
・レシペの1つまたはそれ以上のプラズマ・ステップを完了するために必要な時
間の量に影響する可能性がある。例えば、プラズマ・レシペのあるステップによ
ってエッチングで取り去られるべきある層の厚さは、受け入れ可能な許容範囲内
でウェーハ18からウェーハ18へ変化する可能性がある。また、チャンバ36
の内部の状態もその物質に対して与えられたプラズマ・レシペまたは任意のプラ
ズマ・プロセスの1つまたはそれ以上のプラズマ・ステップの終点に達するため
に必要な時間の量に影響する。例えば、チャンバ36の内部がその内部のデポジ
ットの形成によって、その内部から物質がエッチングで取り去られることによっ
て、あるいはその両方によって老化するにつれて、チャンバ36の性能は変化す
る可能性がある。チャンバ36の性能の変化は与えられたプラズマ・レシペの1
つまたはそれ以上のステップの終点に達するために必要な時間の量を変化させる
可能性がある。他の要因がチャンバ36の中で実行される他のタイプのプラズマ
・プロセスに関連するタイミングの問題に影響する可能性がある。これらのタイ
プの要因を考慮しなかった場合、プラズマ状態チェック・サブルーチン253が
偽のアラーム、すなわち、より詳しく言えば、そのようなケースでなかった時に
正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されている少なくとも1
つのプラズマ・プロセスに現在のプラズマ・プロセスが適合しないことの指示を
発行する結果になる。 【0186】 時間依存性の要件に対する代替案が現在のプラズマ・プロセスからの現在時刻
におけるチャンバ36の中のプラズマのスペクトルと比較するための、正常
なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されている与えられたプラズ
マ・プロセスの「関連スペクトル」が何であるかを決定するために存在する。プ
ラズマ状態チェック・サブルーチン253のコンテキストにおける、そして実際
には現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の各サブモジュールに対する
「関連」という用語は、チャンバ36の中で現在実行されているプラズマ・プロ
セスが、同じスピードである必要は必ずしもなく、従って時間依存性である必要
はないが、正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されている少
なくとも1つのプラズマ・プロセスと首尾一貫している方法で進行しているかど
うかを単純に意味することができる。これ以降では、このことは「進行依存性の
要件」と呼ばれ、次の例によって示される。現在時刻tにおけるプラズマ状態
チェック・サブルーチン253に対して得られた第1のスペクトルが、主題の例
における正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中のレシペAの1つまた
はそれ以上のスペクトルと比較される。現在時刻tにおいてチャンバ36の中
のプラズマのスペクトルに一致し、そしてそれに関連する時間の最も早いレシペ
Aのスペクトルが、レシペAの現在状態スペクトルとして識別される。これは、
与えられたプラズマ・プロセスの中の時刻tにおけるスペクトルが、例えば、
この同じプラズマ・プロセスの中の時刻t100におけるスペクトルと実質的に
同じである、可能性は少ないが、可能な状況を考慮する。プラズマ状態チェック
・サブルーチン253に対して得られた次のスペクトル、あるいはこの例におい
ては時刻t2におけるスペクトルが先ず最初に正常なスペクトル・サブディレク
トリ288の中のレシペAのこの同じ現在状態スペクトルと比較される。現在時
刻t2における現在のスペクトルがレシペAの現在状態スペクトルと依然として
一致していた場合、レシペAの現在状態スペクトルは不変のままになる。しかし
、現在時刻t2においてチャンバ36の中の製品について実行されている現在の
プラズマ・レシペからのチャンバ36の中のプラズマのスペクトルがレシペAの
現在状態スペクトルと一致しなかった場合、パターン認識モジュール370はこ
の現在のスペクトルがレシペAの中の現在状態スペクトルに続く(時間的に)レ
シペAのスペクトルと一致しているかどうかを調べる。現在時刻tにおける処
理中のチャンバ36の中のプラズマの現在スペクトルと現在状態スペクトルに続
くレシペAのスペクトルとの間の「一致」は、現在のプラズマ・プロセスがしか
るべく進行していることを意味し、そしてこの時間的に後のレシペAの中の「一
致しているスペクトル」が、ここでのレシペAの現在状態スペクトルであること
を意味する。上記の論理は正常なスペクトル・サブディレクトリ288のレシペ
Aに従って現在のプラズマ・プロセスが進行している限り繰り返され続ける。こ
の進行依存性の要件はプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のどのサブデ
ィレクトリがパターン認識モジュール370によってサーチされているかとは無
関係に使うことができる。さらに、その論理は現在のスペクトルが現在状態スペ
クトルに続いている「時間的に」次のスペクトルに対して先ず最初にチェックさ
れ、そして次にそのプロセスが進行しているかどうかを決定する目的のために一
致がなかった場合にのみ、現在状態スペクトルへ戻される(例えば、同じレート
での進行を仮定し、必要な場合にのみ振り返ってみる)ようにすることができる
。 【0187】 プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ254、258、26
0、261、及び278によって定義されるループ190が、2つのイベントの
うちの1つが発生するまで再実行され続ける。プラズマ状態チェック・サブルー
チン253がループ190から脱出することになる1つのイベントは、上記に従
って現在のプラズマ・プロセスについてのスペクトル・データのすべてがサブル
ーチン253によって評価された時である。すなわち、処理中のチャンバ36の
中で実行された現在のプラズマ・プロセスの全体が、正常なスペクトル・サブデ
ィレクトリ288の中に記録されている少なくとも1つのプラズマ・プロセス(
「少なくとも1つの」は正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に与え
られたプラズマ・プロセスの1つに異常が含まれる可能性があることを指してい
る)または主題の例のレシペAの中のプロセスに従って進行したことを意味する
。次に、プラズマ監視作業の制御が、プラズマ状態チェック・サブルーチン25
3から、例えば、プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ279
の実行によって図15の始動モジュール202へ返される。「正常な」実行の結
果は「正常実行」ログ・ファイルの中に記録することができることに留意された
い。図12Aに示されているようなデータをこの「正常実行」ログ・ファイルの
中に含めることができ、そして主題のプラズマ・プロセスの履歴レコードを提供
する。データの記憶空間が問題である場合、このデータを保存したい場合であっ
ても、その履歴レコードからスペクトル・データが省略される可能性がある。さ
らに、この履歴データは現在のプラズマ・プロセス・モジュール250によるア
クセスのために記憶されている必要はない。例えば、履歴データはウェーハ生産
システムに関連するネットワーク、または任意の他のデータ記憶領域に記憶する
ことができる。 【0188】 また、プラズマ状態チェック・サブルーチン253は、この現在のスペクトル
が、正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されているどのプラ
ズマ・プロセスとも「一致」しなくなった時にも、ループ190から脱出するこ
とができる(図9の正常なスペクトル・サブディレクトリ288に関連する現在
時刻tにおける現在スペクトルの評価)。これは処理中のチャンバ36の内部
の製品について現在のプラズマ・レシペが実行されているある時点において、主
題の例における正常なスペクトル・サブディレクトリ288のレシペAと「一致
」していなかった時のケースである。このケースにおけるプラズマ状態チェック
・サブルーチン253のステップ260へ戻されて提供される図13のパターン
認識モジュール370の結果は、サブルーチン253がステップ260からステ
ップ266へ進行するる原因となる。 【0189】 プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ266は図13のパタ
ーン認識モジュール370を呼び出して、現在時刻tにおけるチャンバ36の
中のプラズマのスペクトルと、異常なスペクトル・サブディレクトリ292の関
連スペクトルとの間の比較分析を行う。これはパターン認識モジュール370に
よって異常なスペクトル・サブディレクトリ292に対して使われるターゲット
・ディレクトリを設定するサブルーチン253のスペクトル266によって実行
される。その時、異常なスペクトル・サブディレクトリ292だけが、ステップ
266の実行によってパターン認識モジュール370によってサーチされ、現在
時刻tにおけるチャンバ36の中のプラズマの現在のスペクトルと、異常なス
ペクトル・サブディレクトリ292の中に記憶されている関連スペクトルとの間
の「一致」があるかどうかを判定する。 【0190】 パターン認識モジュール370によって提供される上記の分析を使って、現在
時刻tにおける処理中のチャンバ36の中のプラズマの現在のスペクトルと、
図9の異常なスペクトル・サブディレクトリ292のスペクトルが実際に比較さ
れることに関連して、いくつかのオプションが存在する。異常なスペクトル・サ
ブディレクトリ292の中に記憶されている各スペクトルは、チャンバ36の内
部からそのスペクトルが得られたプラズマ・プロセスへ入る時刻(すなわち、そ
の対応しているt)に関連する時刻を、異常なスペクトル・サブディレクトリ
292の中に記憶されている各スペクトルが有していることが好ましい。パター
ン認識モジュール370による「一致」に対する異常なスペクトル・サブディレ
クトリ292のサーチは、同じ現在時刻t、あるいは主題の現在時刻tの各
側における所定の量の範囲内の時刻(例えば、主題の現在時刻tの±「x」秒
)において記録されたスペクトルに限定することができる。例えば、現在のスペ
クトルが処理中のチャンバ36の中で実行されつつあるプラズマ・プロセスへ入
って20秒で得られた場合、図13のパターン認識サブルーチン374のステッ
プ386によって実現されるポイントごとの分析を、この期間の±10秒(また
は他の所望の量)以内において記録された異常なスペクトル・サブディレクトリ
292の中のスペクトルだけに関連して実行することができる。 【0191】 リファインするサーチ基準として使うことができる異常なスペクトル・サブデ
ィレクトリ292の別のサブセットは、プラズマ・プロセスの分類/属であるか
、あるいはプラズマ・プロセスのタイプ/属(例えば、特定のタイプのプラズマ
・レシペ)であるプラズマ・プロセスの分類/属の内部のプラズマ・プロセス・
タイプまたは種類であってもよい。すなわち、その処理中のチャンバ36の内部
の製品について現在実行されているのと少なくとも同じ可能性があるプラズマ・
プロセスに関連する異常なスペクトル・サブディレクトリ292の中のスペクト
ルだけが、プラズマ・プロセス基準を使ってパターン認識モジュール370によ
って分析される。「潜在的な」一致ング・プロセスがこの状況において使われる
。というのは、現在のプラズマ・プロセスにおける誤り発生の時刻において、プ
ラズマ状態チェック・モジュール252は現在のプラズマ・プロセスの識別を正
常なスペクトル・サブディレクトリ288の内部の単独のプラズマ・プロセスに
対して狭めなくてもよいからである。プラズマ状態チェック・モジュール252
が処理中のチャンバ36の中の製品について実行されている現在のプラズマ・プ
ロセスを識別する方法については、図22〜図24のプラズマの状態/プロセス
認識サブルーチン700、852、及び924に関連して以下に説明される。 【0192】 プラズマ・プロセスのプラズマ・ステップは、異常なスペクトル・サブディレ
クトリ292のスペクトルがそれに対してパターン認識モジュール370によっ
て分析されるリファイン用のサーチ基準としても使うことができる。すなわち、
処理中のチャンバ36の内部で実行されている現在のプラズマ・ステップとの一
致がまだあり得る複数のステップのプラズマ・プロセスのうちの1つのステップ
と関連する異常なスペクトル・サブディレクトリ292の中のスペクトルだけが
、この場合にパターン認識モジュール370によって分析される。この状況にお
いてはプラズマ・プロセスのプラズマ・ステップのマッチングに関連して「ポテ
ンシャル(potential)」が使われる。というのは、現在のプラズマ・
ステップにおける誤りがあった時点で、プラズマ状態チェック・モジュール25
2は、現在のプラズマ・ステップ及び、正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88の内部の単独プラズマ・プロセスの単独プラズマ・ステップに対するプロセ
スの識別を狭めていない可能性があるからである。プラズマ状態チェック・モジ
ュール252が処理中のチャンバ36において実行されている現在のプラズマ・
プロセスの現在のプラズマ・ステップを識別することができる方法は、図25に
関連して以下に説明されるプラズマ状態/プロセス・ステップ認識サブルーチン
による方法である。 【0193】 前記の任意の組合せを、異常なスペクトル・サブディレクトリ292のサーチ
を最初にリファインするための初期サーチ基準として使うことができる。最後に
、リファイン用のサーチ基準を使う必要はない。すなわち、「一致」のために異
常なスペクトル・サブディレクトリ292のサーチは、現在時刻tにおける現
在のスペクトルを、異常なスペクトル・サブディレクトリ292の中の各スペク
トルと比較することができ、それによって、必要な「初期一致」基準として与え
られたプラズマ・プロセスの分類/プラズマ・ステップ要素の中の時間要素及び
プラズマ・プロセスの分類/プラズマ・プロセス・タイプの両方を取り除くこと
ができる。 【0194】 パターン認識モジュール370は、現在時刻tにおけるチャンバ36の中の
プラズマのスペクトル(プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ
254からの)と、異常なスペクトル・サブディレクトリ292からの関連スペ
クトルとの間の「一致」があるかどうかを判定した後、図21のプラズマ状態チ
ェック・サブルーチン253に対してプラズマ監視作業の制御を返す。パターン
認識モジュール370による分析の結果(「一致」または「不一致」)が図21
のプラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ276に対して提供さ
れる。現在時刻tにおける処理中のチャンバ36の中のプラズマの現在のスペ
クトルが異常なスペクトル・サブディレクトリ292の中の少なくとも1つのス
ペクトルと「一致」していた場合、プラズマ状態チェック・サブルーチン253
は実効的に2つのアクションを取り、これらのアクションは同時に行われること
を含めて、任意の順序で行うことができる。これらのアクションのうちの1つは
、プラズマ状態チェック・サブルーチン253が、図14に関連して上で説明さ
れたプロセス警告モジュール428を呼び出すステップ274へ進むことである
。一般に、警告は異常状態の識別に関して発行される可能性があり、ウェーハ生
産システム2の制御に向けられる可能性があり、あるいはプロセス警告モジュー
ル428を通じて両方とも発行される可能性がある。このタイプのケースにおい
てプラズマ状態チェック・サブルーチン253によって取られるもう1つのアク
ションは、履歴の目的のために、残っているプラズマ・プロセスのデータを「異
常実行」ログ・ファイルの中に記録することである。 【0195】 最低限、スペクトル・データが現在時刻tに対するステップ264の実行を
通じて「異常実行」ログ・ファイルの中に記録される(サブディレクトリ288
の中に記憶されているどの関連プラズマ・プロセスとも「一致」しなかったが、
異常なスペクトル・サブディレクトリ292の中の少なくとも1つのエントリに
「一致」した最初のスペクトル)。図21のプラズマ状態チェック・サブルーチ
ン253のステップ264からステップ265へ進行して現在のプラズマ・プロ
セスのステータスに関して決定が行われる。プラズマ・プロセスの任意の終了、
またはより正確には残りのプロセスについてのデータの記録を取ることによって
、サブルーチン253がステップ267へ進み、そこでプラズマ監視作業の制御
が、例えば、図15の始動モジュール202へ返される可能性がある。誤りが識
別された後のプラズマ・プロセスの継続によって、サブルーチン253はステッ
プ265からステップ268へ進み、そこで現在時刻tが「n」のファクタだ
け増加され、チャンバ36の中のプラズマの別のスペクトルがこの新しい現在時
刻tにおいて、「異常実行」ログ・ファイルの中の記録のためのステップ27
2によって得られる。「n」の大きさは「好適な分析時間分解能」とすることが
できる。ステップ264、265、268、及び272は上記の方法で繰り返さ
れ続け、現在のプラズマ・プロセスが終了されるまで、「異常実行」ログ・ファ
イルの中にデータを記録し続け、現在のプラズマ・プロセスが終了した時点で、
サブルーチン253は上記のようにステップ267において脱出する。 【0196】 現在時刻tにおける処理中のチャンバ36の中のプラズマの現在のスペクト
ルが正常なスペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されているどのプラ
ズマ・プロセスとも「一致」せず、またさらに、この現在のスペクトルが異常な
スペクトル・サブディレクトリ292の中に記憶されているどの関連スペクトル
とも「一致」しない状況になることがある。これはここでは「未知状態」と呼ば
れる。図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253は脱出のステップ2
76によってこのタイプの状況を扱い、そこでサブルーチン253は実効的に2
つのアクションを取り、そしてこれらのアクションは同時に行われことを含めて
任意の順序で行うことができる。これらのアクションのうちの1つはプラズマ状
態チェック・サブルーチン253が図14に関連して上で説明されたプロセス警
告モジュール428を呼び出すステップ256を実行するアクションである。一
般に、警告は未知状態の存在に関して発行される可能性があり、ウェーハ生産シ
ステム2の制御に向けられる可能性があり、あるいは両方ともプロセス警告モジ
ュール428を通じて発行される可能性がある。このタイプのケースにおいてプ
ラズマ状態チェック・サブルーチン253によって取られるもう1つの「アクシ
ョン」は、未知のスペクトル・サブディレクトリ296の中にプラズマ・プロセ
スの残りのデータを記録することである。 【0197】 最低限、現在時刻tに対するステップ270の実行によってスペクトル・デ
ータが未知のスペクトル・サブディレクトリ296の中に記録される(正常なス
ペクトル・サブディレクトリ288の中に記憶されているどの関連プラズマ・プ
ロセスとも「一致」せず、また、異常なスペクトル・サブディレクトリ292の
中のどの関連エントリとも「一致」しなかった最初のスペクトル)。プラズマ状
態チェック・サブルーチン253のステップ270からステップ283へ進行し
て、現在のプラズマ・プロセスが終了された(例えば、チャンバ36の中のプラ
ズマが「オフ」になっている)かどうかについて判定が行われる。プラズマ・プ
ロセスの任意の終了によって、サブルーチン253はステップ281へ進むこと
になり、そこでプラズマ監視作業の制御が、例えば、図15の始動モジュール2
02へ返される可能性がある。未知の状態に出会った後、プラズマ・プロセスの
継続によってサブルーチン253はステップ283からステップ280へ進み、
そこで現在時刻tが「n」(例えば、「好適なデータ終了時間分解能」)のフ
ァクタだけ増加され、チャンバ36の中のプラズマの別のスペクトルが未知のス
ペクトル・サブディレクトリ296の中への記録のために、ステップ282を通
じてこの新しい現在時刻tにおいてサブルーチン253に対して得られる。ス
テップ270、283、280、及び282は、現在のプラズマ・プロセスが終
了されるまで、あるいはそのプロセスの残りについてのデータがサブディレクト
リ296の中に記録されるまで繰り返し継続され、その時点でサブルーチン25
3は上記のようにステップ281において脱出する。 【0198】 未知のスペクトル・サブディレクトリ296の中に記録されるプラズマ・プロ
セスの実行は、普通は上記のように未知状態の原因を識別しようとしてそれ以降
で分析される。その未知状態が実際に1つの新しいプラズマ・プロセスであるこ
とが分かった場合、未知のスペクトル・サブディレクトリ296の中に記録され
たそのデータを正常なスペクトル・サブディレクトリ288へ転送することがで
きる。次に、この新しいプラズマ・プロセスからの新しいスペクトル・パターン
が、この同じ処理中のチャンバ36におけるプラズマ・プロセスのそれ以降の実
行を評価するために利用できるようになる。その未知状態が、原因が関連付けら
れて誤りであることが分かった場合、未知のスペクトル・サブディレクトリ29
6の中に記録された主題の実行からのデータのいくつかまたはすべてを異常なス
ペクトル・サブディレクトリ292へ転送することができる。その時、新しく識
別された誤り状態を表す少なくとも1つの新しいスペクトル・パターンが、プラ
ズマ状態チェック・モジュール252を通じて、この同じ処理中のチャンバ36
におけるプラズマ・プロセスのそれ以降の実行を評価するために利用できるよう
になる。 <プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790−図22> プラズマ状態チェック・モジュール252に使用することができるサブルーチ
ンのもう一つの実施形態を図22に示す。図22のサブルーチン790では、プ
ラズマの状態または状況を評価するだけではなく、処理チャンバ36内で進行中
の特定のプラズマ・プロセスも特定する。つまり、サブルーチン790は、プラ
ズマ・プロセスの識別を判断することができる(例えば、タイプの異なるプラズ
マ・レシピを区別する、同一のプラズマ・レシピが生産ウェーハ18上で実行さ
れる場合とクォリフィケーション・ウェーハ18上で実行される場合とを区別す
る等)。それ故に、サブルーチン790はプラズマ状態チェック/プロセス認識
サブルーチン790として特徴付けられる。プラズマ状態チェック/プロセス認
識サブルーチン790は、対象チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロ
セスを図9の正常なスペクトル・サブディレクトリ288中に記憶された多数の
プラズマ・プロセスに対して評価することが可能な一つの方法も提示する。これ
らとまったく同じ原理が、図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253
内で実施される。 【0199】 プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790が実際に処理チャン
バ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスの分析を開始する前に、多数の先
行条件を処理しなければならない。これらのステップの実行を含む命令は、本発
明においては重要ではない。プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン
790の初期化には、サブルーチン790のステップ796において図13のパ
ターン認識モジュール370に関係する目標ディレクトリを図9の正常なスペク
トル・ディレクトリ288に設定することが含まれる。一般に、パターン認識モ
ジュール370は、サブルーチン790では「実行スペクトル」(すなわち、処
理チャンバ36内で実行中のプラズマ・プロセスの間に処理チャンバ36からと
ったプラズマのスペクトル)のパターンを正常なスペクトル・サブディレクトリ
288内に記憶されているプラズマ・プロセスと比較するのに使用される。 【0200】 処理チャンバ36内でプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン79
0によって実行中の現在のプラズマ・プロセスの分析の準備は、サブルーチン7
90による現在のプラズマ・プロセスと比較するための正常なスペクトル・サブ
ディレクトリ288内の第一のプラズマ・プロセスを「呼び出す」かまたは「フ
ラグを付ける」ステップ816の実行も必要とする。サブルーチン790のロジ
ックは、処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと、一回につ
き一つだけの正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されているプ
ラズマ・プロセスとを比較する。すなわち、サブルーチン790は最初に現在の
プラズマ・プロセスを正常なスペクトル・サブディレクトリ288内のプロセス
Aと比較する。現在のプラズマ・プロセスがプロセスAから逸脱する場合には、
サブルーチン790は次に対象のプラズマ・プロセス全体を、正常なスペクトル
・サブディレクトリ288内のプロセスBと比較する。現在のプラズマ・プロセ
スがプロセスBから逸脱する場合に限り、正常なスペクトル・サブディレクトリ
288内に記憶された他のプラズマ・プロセスが、一回につき一つだけ、プラズ
マ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790によって現在のプラズマ・プ
ロセスと比較される。図21に関連して前述したプラズマ状態チェック・サブル
ーチン253の事例と同様、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン
790は、正常なスペクトル・サブディレクトリ292内に記憶されているすべ
てのプラズマを現在のプラズマ・プロセスとの比較に利用できるようにするよう
に設定することもできるし、あるいは前述の選別基準を使用することもできる。 【0201】 プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790が取得した処理チャ
ンバ36内のプラズマの第一のスペクトルはステップ794の実行を経るが、こ
れはサブルーチン790の初期化の一部でもある。このスペクトルは時間t
以下「開始時刻t」)に関係し、その分析が完了するまで、サブルーチン79
0が取得した各スペクトルと共に記憶される。現在のプラズマ・プロセスのスペ
クトルの保持に失敗すると、サブルーチン790は「一回に一プロセス」という
その比較ロジックを使用できなくなる。 【0202】 チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと比較される正常なスペ
クトル・サブディレクトリ292に記憶される第一のプラズマ・プロセスが、プ
ロセスAであると仮定する。サブルーチン790によって評価される各プラズマ
・プロセスについて繰り返されるサブルーチン790の第一のステップはステッ
プ798であり、ここで現在時刻tという変数が導入され、またここでこの現
在時刻tは、開始時刻tと等しく設定される。処理チャンバ36内で実行中
の現在のプラズマ・プロセスとステップ816からのデータとの比較は、プラズ
マ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790が図13のパターン認識モジ
ュール370へ進むように指示されるステップ800で行われる。現在時刻t
における処理チャンバ36からのプラズマのスペクトルの分析は、ステップ80
0で行われ、この現在のスペクトルのパターンが正常なスペクトル・サブディレ
クトリ288のプロセスAの該当するスペクトルと「一致」するかどうかを判断
する。図13に関連して前述したように、この「一致判断」は事実上は、現在の
スペクトルのパターンが、それと「一致」すると見なされるべき正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288からのプロセスAの該当スペクトルのパターンに十
分に似ているかどうかを判断する、上記の2つのスペクトルのパターン比較であ
る。正常なスペクトル・サブディレクトリ288からの所与のプラズマ・プロセ
スのどのスペクトルがサブルーチン790によって現在時刻tにおけるチャン
バ36内のプラズマのスペクトルと比較されるかに関しての「該当性」は、図2
1のプラズマ状態チェック・サブルーチン253に関して上述した、時間依存性
の要件または進行依存性の要件のいずれかに従って判断される。 【0203】 ステップ800からの分析の結果は、プラズマ状態チェック/プロセス認識サ
ブルーチン790のステップ812において評価される。現在時刻tにおける
現在のプラズマ・プロセスに関連する処理チャンバ36内のプラズマのスペクト
ルが正常なスペクトル・サブディレクトリ288内のプロセスAの該当スペクト
ルと「一致」する場合は、サブルーチン790は、その結果が表示されるステッ
プ802へ進む。例えば、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン7
90が処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスを現在時刻t
においてプロセスAと一致すると判断したという操作スタッフへの指示が、ディ
スプレイ130(図6)上に表示されたり、上述のその他の方法で示される。こ
の時点で、処理チャンバ36内で現在実行中のプラズマ・プロセスが絶対的にプ
ロセスAであるということは不正確であり、従って適切ではない。厳密にいえば
、現在のプラズマ・プロセスとこの時点までの正常なスペクトル・サブディレク
トリ288との比較はプロセスAに限定されていた。現在時刻tまでのチャン
バ36内のプラズマのスペクトルは、実際には正常なスペクトル・サブディレク
トリ288内に記憶されている一つまたはそれ以上のプラズマ・プロセスの該当
スペクトルとも「一致」する。しかし、プラズマ状態チェック/プロセス認識サ
ブルーチン790が採用したロジックは処理チャンバ36内で実行中の現在のプ
ラズマ・プロセスを正常なスペクトル・サブディレクトリ288内のプラズマ・
プロセスに対し一回につき一つだけ評価するためのものであるため、このことは
まだ判断されていない。従って、この時点で言えることは、現在のプラズマ・プ
ロセスがプロセスAである可能性があるということだけである。 【0204】 現在のプラズマ・プロセスの評価状態は、プラズマ状態チェック/プロセス認
識サブルーチン790のステップ806でチェックされる。ステップ806の実
行は、現在のプラズマ・プロセスからのデータがすべてサブルーチン790によ
って評価された(例えば、プラズマが「終わり」になるまでの取得された全デー
タが評価された)場合に決定される。現在のプラズマ・プロセスが存続する場合
、または光放射データ全部の評価を怠った場合には、プラズマ状態チェック/プ
ロセス認識サブルーチン790は、現在時刻tを増分「n」で補正するステッ
プ804へ進む。「n」の大きさは分析時間分解能を規定し、優先分析時間分解
能を実施することが望ましい。例えば、開始時刻tが1秒に設定され(ここで
サブルーチン790についての初期スペクトルがステップ794で読み取られた
)、変数「n」が2秒に設定された場合、既存のステップ804における現在時
刻tは3秒になる。この新しい現在時刻tにおける処理チャンバ36からの
スペクトルは、サブルーチン790についてステップ808で取得され、サブル
ーチン790は、この新しいスペクトルのパターンが、レシピAの該当スペクト
ルのパターンと「一致」するかどうかを判断するために上記の手順に沿って比較
されるステップ800へ戻る。 【0205】 ステップ800、812、802、806、804、及び808は、2つの条
件のうち1つが成立するまで処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プ
ロセスを正常なスペクトル・サブディレクトリ288(対象例中のプロセスA)
に記憶されているプラズマ・プロセスの一つと比較するために実行が繰り返され
るループ818を規定する。この2条件のうちの1つは、現在のプラズマ・プロ
セスが完了し、かつ正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されて
いるプラズマ・プロセス全部が「一致」する場合である。この場合、このサブル
ーチンはステップ806からステップ810へ抜ける。プラズマ監視操作の制御
は、ステップ810から、例えば図15の始動モジュール202へ戻される。 【0206】 サブルーチン790がループ818を抜けるもう一つの条件は、その時点の現
在時刻tにおける処理チャンバ36内のプラズマのスペクトルが、プラズマ状
態チェック/プロセス認識サブルーチン790によって現在使用されている正常
なスペクトル・サブディレクトリ288(主たる例中のプロセスA)内に記憶さ
れているプラズマ・プロセスの該当スペクトルと「一致」しない場合である。こ
の場合、サブルーチン790は、ステップ812からステップ814へ抜ける。
ステップ814は、基本的には、サブルーチン790のループ818によって正
常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されている各プラズマ・プロ
セスが現在のプラズマ・プロセスと比較されたかどうかを問い合わせる。サブル
ーチン790がループ818を抜けた後に、まだ現在のプラズマ・プロセスの比
較基準として使用されていないプラズマ・プロセスが正常なスペクトル・サブデ
ィレクトリ288内に記憶された中に一つでも残っていれば、プラズマ状態チェ
ック/プロセス認識サブルーチン790は、正常なスペクトル・サブディレクト
り288内に記憶されている次のプラズマ・プロセスに関するデータをサブルー
チン790で使用するためにある方法で呼び出す、ステップ814からステップ
822までに進む。正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されて
いるプラズマ・プロセスに関するこのデータは、サブルーチン790によって時
toから最新の現在時刻tまでの(すなわち、このプラズマ・プロセスの最
初から)現在のプラズマ・プロセスに対して評価するために呼び出される。つま
りサブルーチン790は、現在時刻tが開始時刻tに戻されるステップ82
2からステップ798へ戻り、現在のプラズマ・プロセスを正常なスペクトル・
サブディレクトリ288内に記憶された次のプラズマ・プロセスに対して上述の
方法で評価するために、サブルーチン790のループ818に入る。 【0207】 チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスが正常なスペクトル・サ
ブディレクトリ288内に記憶されたどのプラズマ・プロセスとも「一致」しな
い事例もある。この場合、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン7
90はステップ814を抜けてステップ820へ進む。ステップ820のプロト
コルは、通常、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790に、現
在のプラズマ・レシピが異常なスペクトル・サブディレクトリ292内に記憶さ
れている既知のエラー/異常に遭遇したかどうかを判断するよう命令する。その
ため、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790は、その場合に
備えて、異常なスペクトル・サブディレクトリ292及び未知のスペクトル・サ
ブディレクトリ296に属する図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン2
53の一部分を含むことができる(すなわち、サブルーチン253のステップ2
66に始まりそれ以後のすべてを含む)。 【0208】 図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253に関連して説明された方
法で異常なスペクトル・サブディレクトリ292と比較される現在のプラズマ・
プロセスのスペクトルは、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶
されたどのプラズマ・プロセスとも一致する最後の現在時刻tのスペクトルに
(いつかは)続くスペクトルになるだろう。tが1秒であり「n」が2秒であ
る例を考えると、そこではさらに現在のプラズマ・プロセスが時間t39までプ
ロセスAと「一致」し、現在のプラズマ・プロセスが時間t61までプロセスB
と「一致」し、現在のプラズマ・プロセスは時間tまでに限ってプロセスCと
「一致」する。なんらかの逸脱が特定される前に正常なスペクトル・サブディレ
クトリ288内に記憶されているいずれかのプラズマ・プロセスへ向かって最も
長い時間続行した処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスから
のスペクトルは、時間61におけるプロセスBからのスペクトルになる。このた
め、時間t63におけるスペクトルが、図21のプラズマ状態チェック・サブル
ーチン253に関連して上記に説明した方法で異常なスペクトル・サブディレク
トリ292と比較されるスペクトルになる。 【0209】 プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790によって識別された
プラズマ・プロセスが正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶され
ているプラズマ・レシピであった場合、サブルーチン790を変形したものを実
施することができ、これによってプラズマ状態チェック評価のスピードが高まる
だろう。チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスが(プラズマ状態
チェック/プロセス認識サブルーチン790によって評価されうるプラズマ・プ
ロセスのカテゴリーのうち唯一の)プラズマ・レシピであることをサブルーチン
790が識別すると、サブルーチン790のロジックは、以後、サブルーチン7
90が少なくとも先行してサブルーチン790によって識別された正常なスペク
トル・サブディレクトリ288からのそのプラズマ・レシピを使ってチャンバ3
6内で実行する後続の各プラズマ・プロセスの分析を開始するように変更できる
。正常なスペクトル・サブディレクトリ288からの「一致」するプラズマ・プ
ロセスがサブルーチン790によって現在のプラズマ・プロセスに対して評価さ
れた最後の一つであった場合は、それをチャンバ36内で実行する次のプラズマ
・プロセスと比較される正常なスペクトル・サブディレクトリ288からの第一
のプラズマ・プロセスにすることによって、相当量のプラズマ状態チェック評価
時間が節減できる。同一のプラズマ・レシピは、通常、所与のカセット6から各
生産ウェーハ18上で実行されるために、これは、プラズマ状態チェック/プロ
セス認識サブルーチン790を生産ウェーハ18のカセット6上で実行されるプ
ラズマ・レシピを評価するために使用する場合に、特に有用である可能性がある
。サブルーチン790がクォリフィケーション・ウェーハ18上で実行される同
一のプラズマ・レシピと生産ウェーハの場合とを区別する能力は、これと同一線
上のいっそうのバリエーションをもたらす。第一のウェーハ18が実際は生産ウ
ェーハ18であり、またそのプラズマ・レシピはこのプラズマ・レシピの最初の
実行時に生産ウェーハ18になるものと識別されたと仮定する。その後に処理さ
れた各ウェーハ18は、正常なスペクトル・サブディレクトリ288からの生産
ウェーハ18のために実行されるプラズマ・レシピに対して最初にチェックする
ことができ、次に正常なスペクトル・サブディレクトリ288からのクォリフィ
ケーション・ウェーハ18のために実行されるプラズマ・レシピに対してチェッ
クする。 <プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン852−図23> 図22のプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン790は「直列的
」ロジックを組み入れたものと説明することができる。すなわち、現在時刻t
における処理チャンバ36内のプラズマの現在のスペクトルは、正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288内に記憶されているプラズマ・プロセスのうち一回
につき一つに対してのみ関連づけられる。プロセス状態チェック・モジュール2
52に使用され、「並列的」ロジックによって進行するプラズマ状態チェック/
プロセス認識サブルーチンを、図23に示す。図23のプラズマ状態チェック/
プロセス認識サブルーチン852は、図13のパターン認識モジュール370の
ための目標ディレクトリが正常なスペクトル・サブディレクトリ288に設定さ
れる(すなわち、「一致」するスペクトルの検索が正常なスペクトル・サブディ
レクトリ288から始まる)ステップ854から開始する。プラズマ状態チェッ
ク/プロセス認識サブルーチン852のもう一つの予備的ステップは、正常なス
ペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されている各プラズマ・プロセスが
サブルーチン852で評価されるように論理演算子フラグを「T」に設定する
ステップ856である。ステップ854及び856が実行される命令は、本発明
に関しては特に重要ではない。 【0210】 処理チャンバ36の結果に基づいて実行中の現在のプラズマ・プロセスに関連
するデータは、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン852ではス
テップ860において取得される。このデータには、少なくとも優先光学帯域幅
を使用し優先データ分解能においてチャンバ36から取得された現在時刻t
おける処理チャンバ36内でのプラズマ・プロセス実行中の処理チャンバ36内
のプラズマのスペクトルが含まれる。基本的に、比較はその後、現在時刻t
おけるこの現在のスペクトルのパターンを用いて、今の現在時刻tまで処理チ
ャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと一致した、正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288内に記憶されている各プラズマ・プロセスの該当の
スペクトルについて行われ、この比較はその後の現在時刻tにおけるスペクト
ルが正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されているこれらのプ
ラズマ・プロセスと比較される前に行われる。別の言い方をすると、現在のプラ
ズマ・プロセスは、効果のうえでは、現時点までに処理チャンバ474内で実行
中の現在のプラズマ・プロセスと「一致」した、正常なスペクトル・サブディレ
クトリ288内に記憶されている各プラズマ・プロセスと同時に比較される。現
在時刻tにおける現在のスペクトルが正常なスペクトル・サブディレクトリ2
88内に記憶されている特定のプラズマ・プロセスと一致しない場合は、このプ
ラズマ・プロセスは可能性のあるプラズマ・プロセスのリストからはずされ、後
時の新しい現在時刻tにおけるスペクトルはもはやこのプラズマ・プロセスと
は比較されない。正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されてい
る所与のプラズマ・プロセスのスペクトルがサブルーチン852で現在時刻t
におけるチャンバ36内のプラズマのスペクトルと比較されることに関しての「
該当性」は、図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253に関して上述
した、時間依存性の要件または進行依存性の要件のいずれかに従って判断される
。さらに、図21に関して上述したプラズマ状態チェック・サブルーチン253
の場合と同様、図23のプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン85
2は、正常なスペクトル・サブディレクトリ292内に記憶されているすべての
プラズマ・プロセスを現在のプラズマ・プロセスとの比較に使えるように設定す
ることもできるし、あるいはサブルーチン852を、それら一定のプラズマ・プ
ロセスのみがプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン852に使える
ように構成することもできる。 【0211】 プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン852のステップ860か
らの現在時刻tにおけるスペクトルは、効果のうえでは、プラズマ状態チェッ
ク/プロセス認識サブルーチン852の本体によって、正常なスペクトル・サブ
ディレクトリ288内に記憶されている該当するプラズマ・プロセスのそれぞれ
と、同時に比較される。かかるプラズマ・プロセスのそれぞれと関連する論理演
算子「フラグ」は先行するステップ856において「T」に設定されているた
め、サブルーチン852は、ステップ864(プロセスA)、880(プロセス
B)、及び892(プロセス「X」)を通ってステップ868(プロセスA)、
884(プロセスB)、及び892(プロセス「X」)へ進み、ここでサブルー
チン852は図13のパターン認識モジュール370へ進むよう命令される。パ
ターン認識モジュール370は、現在時刻tにおける現在のスペクトルのパタ
ーンが正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されている対象のプ
ラズマ・プロセスの該当スペクトルと「一致」するかどうかを判断する(ステッ
プ868の場合はプロセスA,ステップ884の場合はプロセスB,ステップ8
96の場合は、プロセス「X」)。現在時刻tにおける現在のスペクトルが対
象のプラズマ・プロセスの該当スペクトルと「一致」する場合は、サブルーチン
852は、現在時刻tを要素「n」ずつ増やすことによってサブルーチン85
2の「クロック」を補正するステップ872へ進む。「n」の大きさは分析時間
分解能を規定する。次にサブルーチン852は、ステップ872から、まだ処理
チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと「一致」する可能性があ
る正常なスペクトル・サブディレクトリ288からのすべてのプラズマ・プロセ
スが適切なスタッフに対して表示される(例えば、図6のディスプレイ132上
)、ステップ916へ進む。次に、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブル
ーチン852でのこの新しい現在時刻tにおけるもう一つのスペクトルがステ
ップ860へ戻って取得され、上に説明したことが、ステップ918で注記した
通り、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン852による現在のプ
ラズマ・プロセス全体の評価が完了していない限り繰り返される。現在のプラズ
マ・プロセスが終了し、すべてのスペクトル・データがプラズマ状態チェック/
プロセス認識サブルーチン852によって評価されたときに、サブルーチン85
2はステップ918から、プラズマ監視操作の制御が、例えば、図15の始動モ
ジュール202へ戻される920へ進む。 【0212】 サブルーチン852で使用中の正常なスペクトル・サブディレクトリ288内
に記憶されているいくつかのプラズマ・プロセスは、いつかは処理チャンバ36
内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと「一致」しなくなる。すなわち、パタ
ーン認識モジュール370は、現在時刻tにおけるスペクトルのパターンが正
常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されている対象プラズマ・プ
ロセスの該当スペクトルと一致しないと判断する。すると、ステップ868、8
84、及び896のうち一つまたはそれ以上のステップが、それぞれのプラズマ
・プロセスの論理演算子「フラグ」を「F」に設定する(プロセスAについて
はステップ876、プロセスBについてはステップ888、プロセス「X」につ
いてはステップ900において)という方法で抜けていく。自己の論理演算子「
フラグ」を「F」に設定する正常なスペクトル・サブディレクトリ288にお
けるなんらかのプラズマ・プロセスは、もはやサブルーチン852を通ってパタ
ーン認識モジュール370によって処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズ
マ・プロセスとは比較されない。プロセスA用の論理演算子「フラグ」が「F
」に設定されている場合には、ステップ864を通り、プロセスAに関連するス
テップ868は迂回され、プロセスB用の論理演算子「フラグ」が「F」に設
定されている場合には、ステップ880を通り、プロセスBに関連するステップ
884は迂回され、またプロセス「X」用の論理演算子「フラグ」が「F」に
設定されている場合には、ステップ892を通り、プロセス「X」に関連するス
テップ896は迂回される。 【0213】 正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されているプラズマ・プ
ロセスのうち最低一つでもステップ860からの新しい増分時間tそれぞれに
おいて各スペクトルと「一致」するかぎり、プラズマ状態チェック/プロセス認
識サブルーチン852はステップ904及び912を経由して継続する。しかし
、そうではない場合は、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン85
2はステップ904からステップ908へ抜ける。ステップ908のプロトコル
は、処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスが異常なスペクト
ル・サブディレクトリ292内に記憶されている既知のエラー/異常に遭遇した
かどうかを判断するよう命令される。そのため、プラズマ状態チェック/プロセ
ス認識サブルーチン852は、その場合に備えて、異常なスペクトル・サブディ
レクトリ292及び未知のスペクトル・サブディレクトリ296に属する図21
のプラズマ状態チェック・サブルーチン253の一部分を含むことができる(す
なわち、サブルーチン253のステップ266に始まりそれ以後のすべてを含む
が、図示せず)。プラズマ状態チェック・サブルーチン253のステップ266
において異常なスペクトル・サブディレクトリ292と比較されるスペクトルは
、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン852のステップ860か
らの最後の現在時刻tに関係するスペクトルになる。 【0214】 今度は、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に3個のプラズマ・プ
ロセスが記録されている例(例えば、プロセス「X」がプロセスCであるもの)
を考えるが、ここでステップ872からの「n」は1秒であり、ステップ860
は最初に時間tについて実行され、時間依存性の要件は正常なスペクトル・サ
ブディレクトリ288内に記憶されている所与のプラズマ・プロセスからの該当
スペクトルが何かを定義するためにサブルーチン852によって使用されており
、処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスは現在時刻t10
でプロセスA、B、及びCのそれぞれに一致する(すなわち、ステップ868(
プロセスA)、884(プロセスB)、及び896(プロセスC)はそれぞれ1
0回実行される)。次に、サブルーチン852の「クロック」はステップ872
においてt11へ補正され、この新しい時間t11における処理チャンバ36内
のプラズマのスペクトルはサブルーチン852のステップ860において取得さ
れ、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されている各プラズマ
・プロセスに関係する論理演算子「フラグ」がまだ「T」である(ステップ8
64、880、及び892はそれぞれ「イエス」の条件で抜ける)ため、サブル
ーチン852はステップ868、884、及び896へ進む。この現在時刻t
においては、現在のプラズマ・プロセスは正常なスペクトル・サブディレクト
リ288からのプロセスA及びBとはまだ一致するが、この現在時刻t11にお
いてはサブディレクトリ288のプロセスCとはもう一致しないと仮定する。こ
の場合、プロセスAのステップ868及びプロセスBのステップ884はそれぞ
れまだ「イエス」で抜け、サブルーチン852のクロックがt12へ補正される
ステップ872へ進む。プロセスA及びBの論理演算子「フラグ」がまだ「T
」である一方、プロセスCのステップ896は、プロセスCの論理演算子「フラ
」を「F」に設定するステップ900へ抜ける。このように、ステップ91
6は、現在のプラズマ・プロセスはこの時点でプロセスA及びBの可能性だけで
あることを示す。 【0215】 新しい時間t12のスペクトルは主たる例中のサブルーチン852のステップ
860において取得され、サブルーチン852は正常なスペクトル・サブディレ
クトリ288内に記憶されているプラズマ・プロセスのそれぞれについての論理
演算子チェックへ進む。サブルーチン852は、処理チャンバ36内で実行中の
現在のプラズマ・プロセスと主たる例のプロセスA及びBとの比較を、プロセス
Aについてはステップ864及び868、プロセスBについてはステップ880
及び884を通じて、続ける。しかし、プロセスCに関係するステップ892は
関係する比較ステップ896を迂回し、代わりにステップ904へ進むため、プ
ロセスCはもはや現在時刻t12における現在のプラズマ・プロセスとは比較さ
れない。サブルーチン852は、ステップ904におけるプロセスA及びBのそ
れぞれの論理演算子「フラグ」がステップ904からのロジックに基づいてこ
のときの現在時刻t12においてまだ「T」であるため、処理チャンバ36内で
実行中の現在のプラズマ・プロセスと正常なスペクトル・サブディレクトリ28
8との比較に進む。 【0216】 今度は、現在時刻t12におけるスペクトルが同じ時刻t12においてプロセ
スAのスペクトルと一致する(ステップ868を経由して)が、プロセスBとは
一致しない(ステップ884を経由して)例を考える。プロセスBの論理演算子
「フラグ」は次にステップ888で「F」に設定される。さらに、サブルーチ
ン852の「クロック」はステップ872でt13へ補正され、ステップ916
は正常なスペクトル・サブディレクトリ288からのプロセスAだけが処理チャ
ンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスである可能性が残っていること
を示す。この新しい現在時刻t13についてのスペクトルは、主たる例のサブル
ーチン852のステップ860において取得され、サブルーチン852は、サブ
ルーチン852が使用可能な正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記
憶された各プラズマ・プロセスについての論理演算子チェックへ進む。サブルー
チン852は、処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスをプロ
セスAのみと比較することを、関係するステップ864及び868を通じて続け
る。プロセスBに関係するステップ880は関係する比較ステップ884を迂回
し、ステップ904へ進むようにサブルーチン852に命令するため、またプロ
セスCに関係するステップ892は関係する比較ステップ896を迂回し、代わ
りにステップ904へ進むようにサブルーチン852に命令するため、プロセス
B及びCはもはや現在のプラズマ・プロセスとは比較されない。サブルーチン8
52は、プロセスAの論理演算子「フラグ」がこのときの現在時刻t13にお
いてまだ「T」であるため、ステップ904を経由して処理チャンバ36内で実
行中の現在のプラズマ・プロセスと正常なスペクトル・サブディレクトリ288
との比較に進む。 【0217】 正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されているプラズマ・プ
ロセスのうち少なくとも一つが一致した状態(上述の例におけるプロセスA)で
の処理チャンバ36内で実行中のプラズマ・プロセス全部の完了は、サブルーチ
ン852をステップ918から抜け出させ、ステップ920へ進ませる。プラズ
マ監視操作の制御は、この後プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン
852のステップ920によって、例えば、図13の始動モジュール202へ戻
される。 <プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン924−図24> プラズマ状態チェック・モジュール252が使用できるプラズマ状態チェック
・サブルーチンのさらにもう一つの実施形態を、図24に示す。プラズマ状態チ
ェック/プロセス認識サブルーチン924は、通常、処理チャンバ36内で実行
中のプラズマ・プロセスと正常なスペクトル・サブディレクトリ288との間の
比較の速度の向上を、少なくとも最初はサブディレクトリ288内の検索をサブ
ディレクトリ288の一つのプラズマ・プロセスに制限することによって達成す
ることを命令される。この点について、スタッフは、どのプラズマ・プロセスを
処理チャンバ36内で実行するべきかを指示することが許される。例えば、ディ
スプレイ130上のプラズマ・レシピのリストの中から実行すべきプラズマ・レ
シピを選択するために、主制御ユニット58のデータ入力デバイス60(図1)
を使用することができる。始動モジュール202は、図16の始動ルーチン20
3のステップ230の実行に必要になれば、レシピを入力するようにスタッフに
対して促すことができる。もっと典型的な例では、ウェーハ18の一定のロット
上で実行するべきレシピは組み立て設備内のどこか(例えば主制御盤)で入力さ
れ、チャンバ36がこのロットをこのウェーハ18から「読み取った」時に、こ
のロットに関して入力されたプラズマ・レシピが自動的に実行される。 【0218】 ステップ928でこの選択が行われると、プラズマ状態チェック/プロセス認
識サブルーチン924は、このプラズマ・プロセスが実際に正常なスペクトル・
サブディレクトリ288内に記憶されていることを確認するためにステップ93
2へ進む。図12Aのプロセス属フィールド322h(例えば、プラズマ・レシ
ピ、プラズマ・クリーン、状態調整ウェーハ)、及び/またはプロセス種タイプ
・フィールド322c(例えば、特定のプラズマ・レシピ)の中の情報は、図2
4のプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン924のステップ932
で使用することができる。 【0219】 現在時刻tにおける処理チャンバ36内のプラズマのスペクトルは、ステッ
プ928で選択または入力されたプロセスがステップ936の実行中に正常なス
ペクトル・サブディレクトリ288内に所在する場合には、サブルーチン924
のステップ940で取得される。この現在のスペクトルは、正常なスペクトル・
サブディレクトリ288内の選択されたプラズマ・プロセスの該当スペクトルと
比較される。レシピ認識サブルーチン924のステップ944における比較は、
現在時刻tにおける現在のスペクトルのパターン(処理チャンバ36内で実行
中の現在のプラズマ・プロセスからの)が正常なスペクトル・サブディレクトリ
288内に記憶されている選択されたプラズマ・プロセスの該当スペクトルと「
一致」するかどうかを判断する。ステップ944における「一致」は、図15の
パターン認識モジュール370を通じて評価することができる。正常なサブディ
レクトリ288内の選択されたプラズマ・プロセスのどのスペクトルがパターン
認識モジュール370によって現在時刻tにおけるチャンバ36内のプラズマ
のスペクトルと比較されるかに関しての「該当性」は、図21のプラズマ状態チ
ェック・サブルーチン253に関して上述した、時間依存性の要件または進行依
存性の要件のいずれかに従って判断される。 【0220】 プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン924のステップ944に
おいて「一致」するものがあれば、多数の活動が行われるが、これらのステップ
を実行する命令は本発明に関しては比較的重要性が低い。まず、プラズマ状態チ
ェック/プロセス認識サブルーチン924の「クロック」が、新しい現在時刻t
を得るためにステップ948で要素「n」(これが分析時間分解能を規定する
)によって補正される。さらに、ステップ964の実行によって現在の操作のプ
ラズマ・プロセスの識別が適切なスタッフに対して表示される(例えば、図6の
ディスプレイ130上)。最後にステップ958が、現在のプラズマ・プロセス
の全データが評価されたかどうかについて問い合わせる。 【0221】 プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン924のステップ940、
944、948、964、及び958は、処理チャンバ36内の結果に関して実
行中の現在のプラズマ・プロセスがステップ928からの選択されたプラズマ・
プロセスと「一致」するかぎり、かつ現在のプラズマ・プロセスに関する全デー
タがサブルーチン924によって評価されるまで繰り返され、全データの評価が
終わった場合にはプラズマ監視操作の制御は、サブルーチン924のステップ9
62の実行を通して、例えば、図15の始動モジュール202へ移される。現在
のプラズマ・プロセスがステップ928からのプロセスと「一致」しないと、プ
ラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン924はステップ944からオ
プション・モジュール952へ進む。オプション・モジュール952は、ステッ
プ928において選択されたプラズマ・プロセスが最初に正常なスペクトル・サ
ブディレクトリ299に所在していない場合にもアクセスされることに留意され
たい。プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン924がどのようにし
てこれらのタイプの状況へ進むかは、ウェーハ製造システム2を実施する施設の
オペレータによって決定されるようである。現在のプラズマ・プロセスに対する
比較のための正常なスペクトル・サブディレクトリ288全体へのアクセスは、
図21のプラズマ状態チェック・サブルーチン253、図22のプラズマ状態チ
ェック/プロセス認識サブルーチン790、または図23のプラズマ状態チェッ
ク/プロセス認識サブルーチン852を呼び出すプロトコルを含むステップ96
0によって実施される。現在のプラズマ・プロセスがプラズマ状態チェック/プ
ロセス認識サブルーチン924のステップ928において選択されたプロセスか
ら逸脱したことの通知は、図14に関連して上述したプロセス警告モジュール4
28を呼び出し、またプロセス・サブルーチン432のステップ436において
プロセス制御機能が可能になっている場合には、この状況に関連して1つまたは
複数のプロトコルをも提供する可能性のあるステップ956の実行を通じて提供
される。現在のプラズマ・プロセスを終了させる(たとえそれが有効なプラズマ
・プロセスであっても)などの他のオプションも提供されうる(図示せず)。 【0222】 サブルーチン924のバリエーションの一つは、同一のプラズマ・レシピは通
常はカセット6全体に関して実行されるという事実、及びカセット6は生産ウェ
ーハ18とともに一つまたはそれ以上のクォリフィケーション・ウェーハ18を
内部に持つ可能性があるという事実に関連する。たとえこれらのウェーハ18上
で同一のプラズマ・レシピが実行されるとしても、生産ウェーハ18とクォリフ
ィケーション・ウェーハ18との間の一定の差異は、それぞれのスペクトル・パ
ターンの差を生む可能性がある。サブルーチン924のロジックは、最初に現在
のプラズマ・プロセスを正常なスペクトル・サブディレクトリ288内の生産ウ
ェーハ18に関連する同一のプラズマ・レシピと比較し、現在のプラズマ・レシ
ピが生産ウェーハ18のプラズマ・レシピに「似て」いない場合に限って現在の
プラズマ・レシピを正常なスペクトル・サブディレクトリ288内のクォリフィ
ケーション・ウェーハ18に関連する同一のプラズマ・レシピと比較するもので
ある。さらに、この同一のプラズマ・レシピが生産ウェーハ及びクォリフィケー
ション・ウェーハの両方に登場することは、そのプラズマ・レシピがサブルーチ
ン924の入力である場合に図23のプラズマ状態チェック/プロセス認識サブ
ルーチン852に関連して上述した形で同時に評価されるものになりうる。 <プラズマ状態チェック/プロセス・ステップ認識サブルーチン972−図25
> プラズマ状態チェック・モジュール252が使用できるサブルーチンのもう一
つの実施形態を、図25に示す。図25のサブルーチン972は、処理チャンバ
36内で実行中のプラズマ・プロセスからプラズマの状態を監視したり評価する
だけではなく、サブルーチン972は処理チャンバ36内で実行中の現在のプラ
ズマ・プロセスの現在のプラズマ・ステップを識別することもできる。このよう
に、サブルーチン972はプラズマ状態チェック/プロセス・ステップ認識サブ
ルーチン972としての特性を示す。2つの要素が、このプラズマ・ステップ識
別機能をもたらす鍵である。一つは、上記の図17A〜Cにおいて示した多段式
レシピの場合に区別が可能であるように、対象プラズマ・プロセスのステップが
その対象スペクトルに関して実際には十分に異なることである。もう一つは、図
12Aに関連して上述したプラズマ・ステップ・フィールド322eへの情報入
力を通じてのように、プラズマ・ステップの識別がある形でその対応するスペク
トルと関連することである。 【0223】 プラズマ状態チェック/プロセス・ステップ認識サブルーチン972は「並列
的」ロジックで、図23のプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン8
52と同じ形で進行する。図25のプラズマ状態チェック/プロセス・ステップ
認識サブルーチン972は、図13のパターン認識モジュール370の目標ディ
レクトリが正常なスペクトル・サブディレクトリ288に設定されるステップ9
76から始まる(すなわち、「一致する」スペクトルの検索が正常なスペクトル
・サブディレクトリ288で始まる)。プラズマ状態チェック/プロセス・ステ
ップ認識サブルーチン972のもう一つの予備的ステップは、正常なスペクトル
・サブディレクトリ288内に記憶されている各プラズマ・プロセスについて、
論理演算子フラグを「T」に設定するステップ980である。ステップ976
及び980が実行される命令は、本発明にとっては特に重要ではない。 【0224】 処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスに関連するデータが
、サブルーチン972のステップ984で取得される。このデータの中には、現
在時刻tにおいて処理チャンバ36内で実行中のプラズマ・プロセスの実行の
間の処理チャンバ36内のプラズマのスペクトルが含まれる。基本的には、現在
時刻tにおけるこの現在のスペクトルのパターンと、この時点の現在時刻t
まで現在のプラズマ・プロセスと一致しまたサブルーチン972に使用可能にな
っている正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶されている各プラ
ズマ・プロセスの該当スペクトルのパターンとの比較は、その後行われる。この
比較は、後時の現在時刻tに関係するスペクトルのパターンが正常なスペクト
ル・サブディレクトリ288内に記憶されているこれら同一のプロセスと比較さ
れる前に行われる。別の言い方をすれば、現在のプラズマ・プロセスは、効果の
うえでは、現時点までに現在のプラズマ・プロセスと「一致」し、かつサブルー
チン972に使用できる、正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に記憶
されている各プラズマ・プロセスと、同時に比較される。現在のプラズマ・プロ
セスからの現在時刻tにおけるスペクトルが正常なスペクトル・サブディレク
トリ288内の特定のプロセスと一致しない場合はいつでも、このプラズマ・プ
ロセスは可能性のあるプラズマ・プロセスのリストから削除され、後時の新しい
現在時刻tにおけるスペクトルはもはやこの特定のプラズマ・プロセスとは比
較されない。選択されたプラズマ・プロセスのどのスペクトルがサブルーチン9
72で現在時刻tにおけるチャンバ36内のプラズマのスペクトルと比較され
るかに関しての「該当性」は、図21のプラズマ状態チェックサブルーチン25
3に関して上述した、時間依存性の要件または進行依存性の要件のいずれかにし
たがって判断される。さらに、図21に関して上述したプラズマ状態チェックサ
ブルーチン253の場合と同様、図25のプラズマ状態チェック/プロセス・ス
テップ認識サブルーチン972は、正常なスペクトル・サブディレクトリ292
内に記憶されているすべてのプラズマ・プロセスを現在のプラズマ・プロセスと
の比較に使えるように構成することもできるし、あるいはサブルーチン972を
、上述のなんらかの方法で、それら一定のプラズマ・プロセスのみがサブルーチ
ン972に使えるように構成することもできる。 【0225】 プラズマ状態チェック/プロセス・ステップ認識サブルーチン972のステッ
プ984からの現在時刻tにおけるスペクトルは、効果のうえでは、サブルー
チン972の本体を最初に通過するときに、正常なスペクトル・サブディレクト
リ288内に記憶されている各プラズマ・プロセスと同時に比較される。各プラ
ズマ・プロセスに関係する論理演算子「フラグ」は先行のステップ980にお
いて「T」に設定されたので、サブルーチン972は、ステップ988(プロセ
スA)、996(プロセスB)、及び1004(プロセス「X」)を通ってステ
ップ992(プロセスA)、1000(プロセスB)、及び1008(プロセス
「X」)へ進み、そこでサブルーチン972は図13のパターン認識モジュール
370へ進むように命令される。パターン認識モジュール370は、現在時刻t
における現在のスペクトルのパターンが正常なスペクトル・サブディレクトリ
288内に記憶されている対象プラズマ・プロセスの該当スペクトルのパターン
と「一致」するかどうかを判断する(ステップ992の場合はプロセスA、ステ
ップ1000の場合はプロセスB、ステップ1008の場合はプロセス「X」)
。現在時刻tにおける現在のスペクトルのパターンがサブディレクトリ288
の対象プラズマ・プロセスの該当スペクトルのパターンと「一致」する場合は、
サブルーチン972はサブルーチン972のクロックが現在時刻tを要素「n
」ずつ増やすことによって補正されるステップ1012へ進む。「n」の大きさ
は分析時間分解能を規定する(すなわち、収集したデータのどの部分が実際に分
析されるか)。次にサブルーチン972は、ステップ1012から、まだ処理チ
ャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと「一致」する可能性がある
正常なスペクトル・サブディレクトリ288からのすべてのプラズマ・プロセス
が適切なスタッフに対して表示される(例えば、図6のディスプレイ130上)
、ステップ1016へ進む。さらに、これらの可能性のあるプラズマ・プロセス
それぞれの具体的なプロセス・ステップがあれば、ステップ1016でそれも表
示される。次に、この新しい現在時刻tにおけるもう一つのスペクトルがステ
ップ984へ戻って取得され、上に説明したことが、ステップ1044で注記し
た通り、プラズマ状態チェック/プロセス・ステップ認識サブルーチン972に
よる現在のプラズマ・プロセス全体の評価が完了していない限り繰り返される。
プラズマ・プロセスが終了し、すべてのスペクトル・データがプラズマ状態チェ
ック/プロセス・ステップ認識サブルーチン972によって評価されたときに、
サブルーチン972は、ステップ1044から、プラズマ監視操作の制御が、例
えば、図15の始動モジュール202へ戻される1048へ進む。 【0226】 正常なスペクトル・サブディレクトリ288内のいくつかのプラズマ・プロセ
スは、いつかは処理チャンバ36内で実行中の現在のプラズマ・プロセスと「一
致」しなくなる。すなわち、パターン認識モジュール370は、現在時刻t
おけるスペクトルのパターンが正常なスペクトル・サブディレクトリ288内に
記憶されている対象プラズマ・プロセスの該当スペクトルのパターンと一致しな
いと判断する。すると、ステップ992、1000、及び1008のうち一つま
たはそれ以上のステップが、それぞれのプラズマ・プロセスの論理演算子「フラ
」を「F」に設定する(プロセスAについてはステップ1020、プロセス
Bについてはステップ1024、プロセス「X」についてはステップ1028に
おいて)という方法で抜けていく。自己の論理演算子「フラグ」を「F」に設
定する正常なスペクトル・サブディレクトリ288に記憶されているなんらかの
プラズマ・プロセスは、もはやパターン認識モジュール370によって現在のプ
ラズマ・プロセスと比較されない。プロセスA用の論理演算子「フラグ」が「
F」に設定されている場合には、ステップ988を通り、プロセスAに関連する
ステップ992は迂回され、プロセスB用の論理演算子「フラグ」が「F」に
設定されている場合には、ステップ996を通り、プロセスBに関連するステッ
プ1000は迂回され、またプロセス「X」用の論理演算子「フラグ」が「F
」に設定されている場合には、ステップ1004を通り、プロセス「X」に関連
するステップ1008は迂回される。 【0227】 正常なスペクトル・サブディレクトリ288からのプラズマ・プロセスのうち
最低一つでもステップ984からの新しい増分時間tそれぞれにおいて各スペ
クトルと「一致」するかぎり、プラズマ状態チェック/プロセス・ステップ認識
サブルーチン972はステップ1032及び1036を経由して継続する。しか
し、そうではない場合は、サブルーチン972はステップ1032からステップ
1040へ進む。ステップ1040のプロトコルは、処理チャンバ36内で実行
中の現在のプラズマ・プロセスが異常なスペクトル・サブディレクトリ292内
に記憶されている既知のエラー/異常に遭遇したかどうかを判断するよう命令さ
れる。そのため、プラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチン972は、
異常なスペクトル・サブディレクトリ292及び未知のスペクトル・サブディレ
クトリ296に属する図21のプラズマ状態チェックサブルーチン253の一部
分を含むことができる(すなわち、サブルーチン253のステップ266に始ま
りそれ以後のすべてを含む)。したがって、異常なスペクトル・サブディレクト
リ292と比較されるスペクトルは、プラズマ状態チェック/プロセス・ステッ
プ認識サブルーチン972のステップ984からの最後の現在時刻tに関係す
るスペクトルになる。 <例示としての「老化チャンバ」スペクトル−図26A〜図26C> プラズマ健康モジュール252の主な目的は、チャンバ36内におけるプラズ
マ・プロセスの実行に使用するプラズマの健全性を監視することである。上述し
たように、チャンバ36内の製品でプラズマ・プロセスを実行すると、結局はそ
の性能に悪影響を与える。この「エージング」チャンバ状態は、常にではないま
でも、往々にしてプラズマ・プロセス中のチャンバ36におけるプラズマのスペ
クトルを反映する。チャンバ36が「加齢」するにつれ、長時間にわたってプラ
ズマのスペクトルのパターンが変化する様子を、図26Aから図26Cに示す。 【0228】 図26Aは、処理チャンバ36がクリーンな状態である場合に、製品(例えば
、「健全」なプラズマ)で対応するプラズマ製法を実行する間の例示としてのプ
ラズマのスペクトル1052を示す。図26Bは、処理チャンバ36内で幾つか
のプラズマ・レシピを実行した後、チャンバ36内でこの同じプラズマ・レシピ
を実際に製品で実行する間の、この同じ例示としてのプラズマのスペクトル10
60を表す。図26Aと図26Bに関連する時の間にチャンバ36内で実行する
プラズマ・レシピは、チャンバ36を老化し始めるが、チャンバ36の内部は、
チャンバ36をクリーニングする必要があるほどプラズマの健全性を十分に劣化
していない。最後に、図26Cは、図26Aから図26Bに示したのと同じチャ
ンバ36で同じプラズマ・レシピを製品で実行中、処理チャンバ36内で製品に
以前のプラズマ・レシピを実行すると、処理チャンバ36の内部の状態をさらに
劣化させる場合の、この同じ例示としてのプラズマのスペクトル1068を示す
。このスペクトル1068は、ウエハ生産システム2を実装する設備のオペレー
タが、、クリーニングの状態であるチャンバ36を示すもの(例えば、「汚染し
た/健全でないプラズマ」、「汚染したチャンバ」状態)として選択することが
できる。例えば、チャンバ36内で処理された製品が何らかの方法で不良であり
、製品の分析がチャンバ36の状態まで遡って追跡する場合、この不良製品に関
連する運転からのスペクトル・データは、問題の状態を示すものとして選択する
ことができる。しかし、チャンバ36内で処理された製品の健全性が損なわれ始
める前に、汚染したチャンバ状態を識別させることが望ましいことが理解される
。つまり、汚染したチャンバ状態のために製品が失われることがないよう、チャ
ンバ36の状態が劣化し、それに伴ってチャンバが汚染する傾向を識別すること
が望ましい。これは、汚染したチャンバ状態で不良製品が生産されるより前の運
転(これによって生産された製品はまだ不良品ではないが)から生じる関連のス
ペクトル・データによって実現することができる。 【0229】 スペクトル1052、1060及び1068は、様々な波長(「x」軸に沿っ
てナノメートル単位でプロット)にある様々な輝度(「y」軸に沿ってプロット
し、輝度レベルを反映する「カウント」で表現)の幾つかのピークそれぞれ10
56、1064及び1072で特徴づけられる。スペクトル1052、1060
及び1068を比較すると、それに関連するパターンが実際に、例えば、以下の
ように異なることが判明する。1)440ナノメートルの波長領域では、図26
Aのスペクトル1052のピーク1056aは約3,300の輝度を有し、図2
6Bのスペクトル1060のピーク1064aは約3,3000の輝度を有し、
図26Cのスペクトル1068のピーク1062aは約2,700の輝度を有し
、2)約525ナノメートルの波長領域では、図26Aのスペクトル1052の
ピーク1056bは約2,900の輝度を有し、図26Bのスペクトル1060
のピーク1064bは約2,900の輝度を有し、図26Cのスペクトル106
8のピーク1072bは約2,100の輝度を有し、3)約560ナノメートル
の波長領域では、図26Aのスペクトル1052のピーク1−56Dは約400
の輝度を有し、図26Bのスペクトル1060のピーク1064dは約700の
輝度を有し、図26Cのスペクトル1068のピーク1072dは約1,200
の輝度を有し、4)約595ナノメートルの輝度範囲では、図26Aのスペクト
ル1052のピーク1056eは約2,100の輝度を有し、図26Bのスペク
トル1060のピーク1064eは約2,000の輝度を有し、図26Cのスペ
クトル1068のピーク1072eは約2,000の輝度を有し、5)約625
ナノメートルの波長領域では、図26Aのスペクトル1052にはほぼピークが
ないが、この領域は約200(ノイズ)の輝度を有し、図26Bのスペクトル1
060のピーク1064fは約900の輝度を有し、図26Cのスペクトル10
68のピーク1072fは約1,500の輝度を有する。これらは幾つかの例に
すぎない。というのは、図26Aのスペクトル1052のピーク1056、図2
6Bのスペクトル1060のピーク1064、及び図26Cのスペクトル106
8のピーク1072のピークが、個々の波長及び輝度の1つ以上について、チャ
ンバ36を清掃する時期を決定するベースとしてこれらのスペクトルのタイプを
使用できるような方法で異なることが明白だからである。つまり、スペクトル1
052、1060、1068間のパターンの特殊性を使用して、清掃日程に関し
て処理チャンバ36の状態を適切な人員に通知することができる。 【0230】 少なくとも清掃を必要とするチャンバ36を指示するものとされる図9のプラ
ズマ・スペクトル・ディレクトリ284にスペクトルをインプリメントするには
、少なくとも2つのオプションがある。汚染したチャンバ状態のプラズマのスペ
クトルは、図9の異常スペクトル・サブディレクトリ292に含めることができ
る。この場合、図21のプラズマ健全性サブルーチン253、図22のプラズマ
健全性/プロセス認識サブルーチン790、図23のプラズマ健全性/プロセス
認識サブルーチン852、図24のプラズマ健全性/プロセス認識サブルーチン
924、及び図25のプラズマ健全性/プロセス・ステップ認識サブルーチン9
72はそれぞれ、上述した方法で「チャンバ状態監視」機能を含む。汚染したチ
ャンバ状態を指示する1つまたは複数のスペクトルを入手する方法は、以下の通
りである。処理チャンバ36で製品に実行中のプラズマ・レシピが、正常スペク
トル・サブディレクトリ288に格納されたどのプラズマ・レシピとも「一致」
せず、さらに図21のプラズマ健全性サブルーチン253に関連して上記で検討
したような異常スペクトル・サブディレクトリ292に格納された既知のエラー
/異常のいずれとも「一致」しない状態を考えてみる。このプラズマ・レシピか
らのプラズマのスペクトルを、未知スペクトル・サブディレクトリ296に格納
する。このプラズマ・レシピからのスペクトルをその後検査して、汚染したチャ
ンバ状態に関連するものと決定されると、正常スペクトル・サブディレクトリ2
88または異常スペクトル・サブディレクトリ292のどの項目とも「一致」し
ないこのプラズマ・レシピからのスペクトルの少なくとも1つを、汚染したチャ
ンバ状態を指示するものとして選択することができる。次に、このスペクトルを
既知のエラー状態として識別するよう、このスペクトルを異常スペクトル・サブ
ディレクトリ292に転送してよい。この同じチャンバ36内でその後、プラズ
マ・プロセスを実行時にこの同じ状態に遭遇した場合に(自動的または手動で)
インプリメントできるプロトコルは、図14のプロセス警告サブルーチン432
の検討で上述した通りである。以上の検討と矛盾せず、汚染したチャンバ状態の
1つまたは複数の警告を発することもできる。 <チャンバ状態モジュール1084−図27〜図29> 汚染したチャンバ状態を指示するスペクトルをインプリメントする別の方法は
、このデータをチャンバ状態サブディレクトリ300に含め、プラズマ健全性モ
ジュール252とは別個のチャンバ状態モジュール1084を使用することであ
る。チャンバ状態サブディレクトリ300との比較分析を通してチャンバ36の
状態監視に使用することができるサブルーチンの1つの実施形態を、図27に示
す。図27のチャンバ状態サブルーチン406をインプリメントして、チャンバ
36で現在実行中のプラズマ・プロセスを監視する方法が幾つかある。図16の
プラズマ健全性サブルーチン253のループ190は、ステップ194のプロト
コルを含み、図27のチャンバ状態サブルーチン406を呼び出すことができる
。つまり、サブルーチン406は、サブルーチン253について現在時間t
おける現在スペクトルが獲得されるサブルーチン253のステップ254を実行
するごとに、プラズマ健全性サブルーチンm253によって呼び出すことができ
る。この同じスペクトルは、サブルーチン206のステップ410を実行するこ
とにより、チャンバ状態サブルーチン406で入手可能になる。次に、このスペ
クトルのパターンを、ステップ412におけるチャンバ状態サブディレクトリ3
00のスペクトルのパターンと比較する(サブルーチン406のステップ408
は、図13のパターン認識モジュール370の目標ディレクトリをチャンバ状態
サブディレクトリ300に設定する)。特に、チャンバ状態サブルーチン406
のステップ412は、サブルーチン406を図13のパターン認識モジュール3
70へと進行させる。その時の現在時間tにおける処理チャンバのプラズマの
スペクトルのパターンが、チャンバ状態サブディレクトリ300のどのスペクト
ルのパターンとも「一致」しない場合は、チャンバ状態サブルーチン406がス
テップ414からステップ416へと進む。次に、図21のプラズマ健全性サブ
ルーチン253のループ190へと制御が戻り、ここでそのステップ278にお
いて「n」の増分で「クロック」を調節する。次に、図21のプラズマ健全性サ
ブルーチン253からのループ190のステップ194に再度遭遇するこの新し
い現在時間5cで、チャンバ状態サブルーチン406の別のスペクトルを獲得し
、これは上述した分析を繰り返すため、図27のチャンバ状態サブルーチン40
6を呼び出す。プラズマ健全性の評価を提供するサブルーチン790、852、
924及び972のいずれも、このタイプの機能(図示せず)を含むことができ
る。 【0231】 図27のチャンバ状態サブルーチン406は、2つの状態の一方に遭遇するま
で、上述した方法で引き続き実行される。第1の状態は、現在のプラズマ状態に
関する全データが評価され、プラズマ処理作業が終了した場合など、図21のプ
ラズマ健全性サブルーチン253を通してプラズマ関し作業が終了した場合であ
る。第2の状態は、上述した方法でチャンバ状態サブルーチン406を終了させ
るが、パターン認識モジュール370が、現在時間tにおける処理チャンバ3
6内のプラズマのスペクトルとチャンバ状態サブディレクトリ300にある少な
くとも1つのスペクトルとの間に一致があることを指示した状態である。この場
合、サブルーチン406はステップ414からステップ418へとすすみ、図4
4のチャンバ状態サブルーチン406が制御をプロセス警告モジュールへと移し
、汚染したチャンバ状態に関連して上述した動作のいずれかを開始することがで
きる。 【0232】 チャンバ状態サブルーチン406は、プラズマ健全性モジュール252にアク
セスするごとに(例えば、開始ルーチン203のステップ236にチャンバ状態
サブルーチン406を呼び出すプロトコルを含めることによって)、プラズマ健
全性モジュール252と平行して実行することができる。この場合、クロックを
調節する追加的ステップ、さらにこのステップ及びステップ41−、412及び
414で規定されたループを、本明細書で提示する他のサブルーチンと同様の方
法で含めることになる。 【0233】 チャンバ36内にあるプラズマの現在のスペクトル・パターンを、以前に汚染
されたチャンバ状態に関連づけたスペクトルのパターンと比較する以外に、処理
チャンバ36の内部が清掃すべき状態にあるタイミングを決定する方法が複数あ
る。このような方法の1つは、図28に示すチャンバ状態サブルーチン1088
によってインプリメントされる。チャンバ状態サブルーチン1088が使用する
前提は、複数ステップのプラズマ・プロセスのうち任意のプラズマ・ステップが
、そのプラズマ・ステップについて以前に確立された時間制限より長くかかる場
合は、処理チャンバ36の内部が、清掃作業を使用すべきポイントまで劣化して
いる、ということである。プラズマ・ステップの終了に必要な時間は、処理チャ
ンバ36の内部の状態が劣化するにつれ増加することがある。一例として、任意
のプラズマ・ステップは、「クリーン」な処理チャンバ36では所望の/所定の
最終結果を達成するために30秒かかるが、「清掃」サイクルに関連して中間時
間にあるチャンバ36では50秒かかり、汚染されたチャンバ状態では70秒以
上かかることがある。場合によっては、処理チャンバ36は、実際に、プラズマ
・ステップの結果が決して実現できないポイントまで劣化している。したがって
、チャンバ状態サブルーチン1088は、所与のプラズマ・ステップがその関連
する時間制限より長くかかった場合、関連する原因は汚染されたチャンバ状態の
存在であると仮定する。 【0234】 チャンバ状態サブルーチン1088は、分析を実行するためにプラズマ・プロ
セスと実行すべきプロセス・ステップとの両方のアイデンティティを「知る」必
要があるので、チャンバ状態サブルーチン1088を何らかの方法で(例えば、
それに組み込むか、それと同時に呼び出すことにより)、図22のプラズマ健全
性/プロセス認識サブルーチン790、図23のプラズマ健全性/プロセス認識
サブルーチン852、または図24のプラズマ健全性/プロセス認識サブルーチ
ン924のうち任意の1つまたは複数の作業と統合することができる。このケー
スのそれぞれで、プラズマ・プロセスのアイデンティティが決定されたら、この
プラズマ・プロセスに含まれる特定の各プラズマ・ステップが分かる。また、チ
ャンバ状態サブルーチン1088は、何らかの方法で、チャンバ36内で現在実
行中のプラズマ・ステップを識別する図25のプラズマ健全性/プロセス・ステ
ップ認識サブルーチン972と統合することもできる。 【0235】 図28を参照すると、チャンバ36内で実行するプラズマ・プロセスの各プラ
ズマ・ステップに最大時間制限がある場合、それはステップ1092でチャンバ
状態サブルーチン1088によって獲得するとよい。要員は、チャンバ状態サブ
ルーチン1088のステップ1092のためのデータ入力装置132で、プラズ
マ・プロセスの対象プラズマ・ステップに関する最大時間制限を手作業で入力す
ることができる。より好ましい方法は、これらの時間制限を、正常スペクトル・
サブディレクトリ288(図12A)に格納された状態のプラズマ・プロセスの
主データ項目350の最大合計プロセス・ステップ時間フィールド322fに含
めることである。最大時間制限は、経験的に決定し、対象最大合計プロセス・ス
テップ時間フィールド322fに入力することができる。あるいは、ステップ1
092で言及された制限は、単にウェーハ生産システム2を使用する製造施設の
オペレータが、所望の生産速度を維持するのに必要であると決定した時間と一致
してもよく、これを対象最大合計プロセス・ステップ時間フィールド322fに
入力する。これで、チャンバ状態サブルーチン1088のステップ1092の情
報を、チャンバ36内で現在実行中のプラズマ・プロセス・ステップと関連し図
12Aの対応する最大合計プロセス・ステップ時間フィールド322fから自動
的に検索することができる。 【0236】 処理チャンバ36内で現在実行中のプラズマ・プロセスの各プラズマ・ステッ
プ完了に必要な時間の量は、チャンバ状態サブルーチン1088のステップ10
96で監視する。プラズマ・ステップ・クロック(図示せず)は、対象プラズマ
・ステップが開始すると開始し、このプラズマ・ステップが完了するまで停止し
ない。ステップ1096は、図52から図58に関連して以下で検討するエンド
ポイント検出モジュール1200を使用して、現プラズマ・ステップのエンドポ
イントを識別することができる。比較は、チャンバ状態サブルーチン1088の
ステップ1100で、ステップ1096から現プラズマ・ステップに費やした時
間と、ステップ1092からの関連する最大時間制限との間で実行される。この
制限を超えない限り、チャンバ状態サブルーチン1088はステップ1108を
進め、ここでは現プラズマ・プロセスが終了したか決定する。プラズマ・プロセ
スが継続していると、チャンバ状態サブルーチン1088は、上述したようにス
テップ1096及び1100を実行して分析を継続することができる。しかし、
プラズマ・プロセスが終了すると、サブルーチン1088はステップ1108か
らステップ1112へと進み、ここでプラズマ監視作業の制御は、例えば、図1
5の開始モジュール202へと戻る。 【0237】 チャンバ状態サブルーチン1088は、現プラズマ・プロセス・ステップで費
やした時間が対応する最大時間制限を超えない限り、上述した方法で実行し続け
る。この場合、チャンバ状態サブルーチン1088はステップ1100からステ
ップ1104へと進み、ここで汚染したチャンバ状態のために図14のプロセス
警告モジュール428を呼び出し、これで上述したタイプの動作を実行すること
ができる。図14のプロセス警告モジュール428が、モジュール428と呼ば
れるモジュールに制御を戻すよう構成されている場合、チャンバ状態サブルーチ
ン1088は、ステップ1104の後にステップを含み、プラズマ監視作業の制
御を、例えば、図15の開始モジュール202に戻すことができる。 【0238】 処理チャンバ36の内部が清掃する状態にあるタイミングを決定する別の方法
は、図29に示すチャンバ状態サブルーチン1120によって実現され、図28
に関連して上述したチャンバ状態サブルーチン1088と同じ方法でインプリメ
ントすることができる。チャンバ状態サブルーチン1120が使用する前提は、
プラズマ・プロセス全体(全てのプラズマ・ステップ)の完了に必要な時間が、
プラズマ・プロセス完了のために以前に確立した時間制限より長くかかった場合
は、処理チャンバ36の内部が、清掃作業を使用すべきポイントまで劣化してい
るということである。プラズマ・プロセス全体の完了に必要な時間は、内面に付
着物が形成するなど、処理チャンバ36の内部の状態が劣化するにつれて増加す
る。一例として、任意のプラズマ・ステップは、「クリーン」な処理チャンバ3
6では所望の/所定の最終結果を達成するために180秒かかるが、「清掃」サ
イクルに関連して中間時間にあるチャンバ36では220秒かかり、汚染された
チャンバ状態では300秒以上かかることがある。場合によっては、処理チャン
バ36は、実際に、プラズマ・ステップの結果が決して実現できないポイントま
で劣化している。したがって、チャンバ状態サブルーチン1120は、所与のプ
ラズマ・ステップがその関連する時間制限より長くかかった場合、関連する原因
は汚染されたチャンバ状態の存在であると仮定する。 【0239】 チャンバ状態サブルーチン1120は、分析を実行するためにプラズマ・プロ
セスのアイデンティティを「知る」必要があるので、チャンバ状態サブルーチン
1120を何らかの方法で(例えば、それに組み込むか、それと同時に呼び出す
ことにより)、図22のプラズマ健全性/プロセス認識サブルーチン790、図
23のプラズマ健全性/プロセス認識サブルーチン852、または図24のプラ
ズマ健全性/プロセス認識サブルーチン924のうち任意の1つまたは複数の作
業と統合することができる。また、チャンバ状態サブルーチン1088は、何ら
かの方法で、チャンバ36内で現在実行中のプラズマ・ステップを識別する図2
5のプラズマ健全性/プロセス・ステップ認識サブルーチン972、さらに個々
のプロセス・ステップと統合することもできる。 【0240】 図29を参照すると、チャンバ36内で実行するプラズマ・プロセスの最大時
間制限は、ステップ1124でチャンバ状態サブルーチン1120に入力する。
要員は、チャンバ状態サブルーチン1120のステップ1124のためのデータ
入力装置132で、対象プラズマ・ステップに関する最大時間制限を手作業で入
力することができる。より好ましい方法は、これらの時間制限を、正常スペクト
ル・サブディレクトリ288に格納された状態のプラズマ・プロセスの主データ
項目350の最大合計プロセス・ステップ時間フィールド322gに含めること
である。最大時間期間は、経験的に決定し、対象最大合計プロセス・ステップ時
間フィールド322gに入力することができる。あるいは、ステップ1124で
言及された制限は、単にウェーハ生産システム2を使用する製造施設のオペレー
タが、所望の生産速度を維持するのに必要であると決定した時間と一致してもよ
く、これを対象最大合計プロセス・ステップ時間フィールド322gに入力する
。これで、ステップ1124の情報を、チャンバ36内で現在実行中のプラズマ
・プロセス・ステップと関連し図12Aの対応する最大合計プロセス・ステップ
時間フィールド322gから自動的に検索することができる。 【0241】 処理チャンバ36内で現在実行中のプラズマ・プロセスの各プラズマ・ステッ
プ完了に必要な時間の量は、チャンバ状態サブルーチン1120のステップ11
28で監視する。レシピ・クロック(図示せず)は、(例えば、プラズマがチャ
ンバ36内で「オン」になるなど)プラズマ・ステップが開始すると開始し、(
例えば、プラズマがチャンバ36内で「オフ」になるなど)このプラズマ・ステ
ップが完了するまで停止しない。ステップ1128は、図52から図58に関連
して以下で検討するエンドポイント検出モジュール1200を使用することがで
きる。比較は、チャンバ状態サブルーチン1120のステップ1132で、ステ
ップ1128から現プラズマ・ステップに費やした時間と、ステップ1124か
らの関連する最大時間制限との間で実行される。この制限を超えない限り、チャ
ンバ状態サブルーチン1120はステップ1140を進め、ここでは現プラズマ
・プロセスが終了したか決定する。プラズマ・プロセスが継続していると、チャ
ンバ状態サブルーチン1120は、上述した方法でステップ1128及び113
2を実行して分析を継続することができる。しかし、プラズマ・プロセスが終了
すると、サブルーチン1120はステップ1140からステップ1144へと進
み、ここでプラズマ監視作業の制御は、例えば、図15の開始モジュール202
へと戻る。 【0242】 チャンバ状態サブルーチン1120は、現プラズマ・プロセス・ステップで費
やした時間が対応する最大時間制限を超えない限り、上述した方法で実行し続け
る。この場合、チャンバ状態サブルーチン1120はステップ1132からステ
ップ1136へと進み、ここで汚染したチャンバ状態に基づいて図14のプロセ
ス警告モジュール428を呼び出し、これで上述した動作を実行することができ
る。図14のプロセス警告モジュール428が、モジュール428と呼ばれるモ
ジュールに制御を戻すよう構成されている場合、チャンバ状態サブルーチン11
20は、ステップ1136の後にステップを含み、プラズマ監視作業の制御を、
例えば、図15の開始モジュール202に戻すことができる。 <清掃手順の例示としてのスペクトル−図30A〜図30D> 上述した方法のいずれかで「汚染されたチャンバ状態」が識別された後のある
時に、チャンバ36が何らかのタイプの清掃作業を実行する。図30Aから図3
0Dは、様々な段階におけるチャンバ36のプラズマのスペクトル・パターンの
違いを示し、現プラズマ・プロセス・モジュール250が対象プラズマ・プロセ
スの健全性を評価できる方法ばかりでなく、スペクトルの分析によりプラズマ・
プロセスの異なるタイプを識別できる方法をも図示する。図30Aは、清掃作業
が必要であると判断された処理チャンバ36内で実行されているプラズマ・レシ
ピの例示としてのスペクトルである。図30Aのこのスペクトル1440を、同
じ処理チャンバ36のこの同じプラズマ・レシピであるが、クリーンな状態で、
製品ウェーは18の処理のためにチャンバ36の準備をするウェーハ調整作業が
完了した後である図30Dのスペクトル1450とを比較してみる。様々な波長
で、この2つのスペクトル1440及び1450のピークの異なる輝度に留意さ
れたい。図30Aのスペクトル1440には550ナノメートル波長領域の周囲
に2つの強いピークがあり、図30Dのスペクトル1450のこの波長領域にあ
る唯一の強いピークに匹敵する。図30Aのスペクトル1440には、625ナ
ノメートル波長領域の周囲に強いピークが存在し、図30Dのスペクトル145
0には匹敵する強いピークがないことにも留意されたい。これらの違いは、処理
チャンバ36を少なくとも何らかの方法で清掃すべきタイミングを識別するため
、容易に識別することができる。 【0243】 図30に示す清掃プロトコルは、チャンバ36の内面を1つまたは複数の適切
な溶剤で拭き取れるよう、チャンバ36を換気して開く湿式清掃で開始する。プ
ラズマ清掃作業は、以前にもチャンバ36内で実行することができたが、所望の
程度までチャンバ36の内部の状態に十分対処することはできなかった。湿式清
掃の後、チャンバ36を再密封し、中に製品がない状態でプラズマをチャンバ3
6内に導入する。図38Bのスペクトル1444は、このようなプラズマ清掃作
業の開始時において、製品がない状態での処理チャンバ36内の例示としてのプ
ラズマである。図30Bからのこのスペクトル1444を、この粉次処理チャン
バ36のこの同じプラズマであるが、プラズマ清掃によって湿式清掃からの残滓
を全て除去した後の図30Cのスペクトル1448と比較してみる。様々な波長
で、特に図30Bのスペクトル1444が2つの有意のピークを有し、この同じ
ピークの輝度が図30Cのスペクトル1448では非常に減少している650ナ
ノメートルと750ナノメートル間の波長領域で、この2つのスペクトル144
4と1448とのピークの異なる輝度に留意されたい。 【0244】 最後に、プラズマ清掃終了時のスペクトル1448と、ウェーハ調整作業終了
時のスペクトル1450とを比較してみる。図30Cのスペクトル1448は、
湿式清掃の残滓に適切に対処したチャンバ36のプラズマ清掃の終了時における
、処理チャンバ36内の例示としてのプラズマである。図30Cのこのスペクト
ル1448を、この同じ処理チャンバ36のこの同じプラズマであるが、チャン
バ36内で幾つかの調整ウェーハを処理した後の図30Dのスペクトル1450
と比較してみる。様々な波長の、特に図30Cのスペクトル1448は2つのピ
ークを有し、図30Dのスペクトル1450はこの領域にピークがない、650
ナノメートルと750ナノメートル間の波長領域における、この2つのスペクト
ル1448と1450とのピークの異なる輝度に留意されたい。 <プラズマ監視アセンブリ500−図31〜図36> 自身内で実行するプラズマ・プロセスによる処理チャンバ36の内部の劣化は
、プラズマに曝されるチャンバ36の窓38の内面も劣化する(外面42はプラ
ズマから隔離され、したがってプラズマの影響を受けない)。チャンバ38のプ
ラズマの光照射の性質を有する現プラズマ・プロセス・モジュール250のデー
タは、窓38を通して獲得されることを思い出されたい。したがって、窓38が
劣化するにつれ、現プラズマ・プロセス・モジュール250の結果の信頼性も劣
化することがある。この状態、及び現プラズマ・プロセス・モジュール250に
よって提供される結果の信頼性に悪影響を与えるような他の状態に対処する実施
形態を、プラズマ監視組立体500の性質を有する図31に示す。 【0245】 図31のプラズマ監視組立体500は、図6のプラズマ監視組立体175に関
連して上記で検討した機能を全て含む。この点で、プラズマ監視組立体500は
プラズマ監視モジュール1560(図31から図32)を含み、これは図7のプ
ラズマ監視モジュール200に関連して上記で識別したものと同じモジュールを
全て含み、PMCU128’の一部(例えば、同じ現プラズマ・プロセス・モジ
ュール250及びそのサブモジュール全部)である。さらに、スペクトロメータ
組立体106及びCCDアレイ548も、図6のプラズマ監視組立体174の同
様に識別された構成要素に関して同じである。現プラズマ・プロセス・モジュー
ル250によりプラズマ・プロセスの評価精度を上げることは、校正機能のため
、プラズマ監視組立体500を通してモジュール250のデータを獲得すること
によって実行できる。特に、プラズマ監視組立体500、とくにそのプラズマ監
視モジュール560は、図32に示すようなプラズマ監視モジュール560の一
部でもある窓監視または校正モジュール562を含む窓監視または校正組立体5
52を含む。したがって、PMCU128’は、図6のプラズマ監視組立体17
4に関連して上記で提示したものと同じであるが、校正モジュール562に関連
してこの追加の機能を含む。したがって、図31のPMCU128に関連して「
第一」の名称を使用する。 【0246】 校正組立体552は、図6のプラズマ監視組立体174に対して図31のプラ
ズマ監視組立体500に特定の利点を提供する。図31の校正組立体552は、
2つの主要な機能を提供する。その機能の1つは、処理チャンバ36内における
プラズマのスペクトルの任意の波長のズレについて、現プラズマ・プロセス・モ
ジュール250(図7及び図32)を校正することである。波長のズレは、スペ
クトロメータ組立体506に帰されるが、他の理由からも存在することができる
。図31の校正組立体552によって提供される別の機能は、処理チャンバ36
内におけるプラズマのスペクトルの任意の輝度ズレについて、現プラズマ・プロ
セス・モジュール250を校正することである。輝度のズレは、獲得される光照
射が通るチャンバ36の窓38の「老化」によるものであるが、他の状態にも帰
すことができる。図31の窓478は図6に示した窓38とは異なる形状を有す
るので、窓ばかりでなく処理チャンバにも異なる参照番号を使用する。したがっ
て、参照番号474で識別される窓31の処理チャンバは、図1に示す1つまた
は複数のチャンバ36の代わりに使用することができる。 【0247】 図31の校正組立体552は、光ファイバ・ケーブル組立体504によって処
理チャンバ474の窓とインタフェースをとる機能を果たす校正用光源556を
含む。1つの実施形態では、この校正用光源556は、実際には第1校正用光源
556a及び第2校正用光源556bを有する。第1校正用光源556aは、第
1タイプの光を使用して、プラズマ監視組立体500に関連する波長のズレを識
別する。輝度のズレは、第1タイプの光とは異なる第2タイプの光を使用する第
2校正用光源556bを通して識別される。波長及び輝度のズレをそれぞれ識別
するために異なる2タイプの光を使用することに関連する利点は、校正モジュー
ル562及び図40から図48に関連して扱う。好ましくはないが、輝度のズレ
と波長のズレとの両方の識別に、同じタイプの光(例えば、複数の別個の輝度ピ
ークを有する光)を使用することができる。 【0248】 光ファイバ・ケーブル・アセンブリ504は、窓478とスペクトロメータ組
立体506とのインタフェースをとる機能も果たし、したがって窓監視組立体5
52は窓478の状態を直接監視することができる。概して、校正光線は、好ま
しくは処理チャンバ474内にプラズマがない時に、校正用光源556から光フ
ァイバ・ケーブル組立体504を通して窓478へと配向される。したがって、
校正組立体552の操作は、いかなる意味でもチャンバ内のプラズマに依存せず
、そのデータは実際に、プラズマに関連するいずれのデータからも独立している
。校正光線の一部は窓478によって反射し、光ファイバ・ケーブル組立体50
4によってスペクトロメータ組立体506へと配向される。 【0249】 図31のスペクトロメータ組立体506は、ソリッドステート・タイプである
ことが好ましく、1つの実施形態では、3つの個々のソリッドステート・スペク
トロメータ516a〜cを含み、それぞれが図33に示すような異なる波長領域
を分析する。この場合、スペクトロメータ516aは246ナノメートルから5
70ナノメートルの領域を分析し、スペクトロメータ516bは535ナノメー
トルから815ナノメートルの領域を分析し、スペクトロメータ516cは78
5ナノメートルから1014ナノメートルの領域を分析することができる。個々
のスペクトロメータ516間の重複は、この場合も3つのスペクトル区間の位置
合わせを容易にし、遷移領域で光照射データが失われる可能性を低下させる。こ
れらのスペクトロメータ516はそれぞれ、図34でさらに詳細に図示されてい
る光ファイバ・ケーブル組立体504によって、効果的な並列関係で相互接続さ
れる。 【0250】 図34の光ファイバ・ケーブル組立体504は、6本の外部ケーブル512に
よって囲まれた3本の内部ケーブル508を含む。校正用光源556からの光線
は、図40から図48の校正モジュール562に関連して以下で検討する校正作
業中に、外部ケーブル512を通して窓478に配向され、窓478から反射す
る光線(さらに校正組立体552が起動または運転していない時に、それに関し
てチャンバ474内でプラズマ・プロセスの運転中にチャンバ474内からの光
線)は、光ファイバ・ケーブル組立体504の内部ケーブル508を通してスペ
クトロメータ組立体506に配向される。光ファイバ・ケーブル組立体504の
1本の内部ケーブル508は、図33に示すように、スペクトロメータアセンブ
リ506の各スペクトロメータ516に配向される。校正用光源556からスペ
クトロメータ組立体506が受信するこのデータは、窓474の内面482から
直接受信するので、窓478の内面の状態を直接監視するものとして、校正組立
体552を特徴づけるのに適切である。 【0251】 校正組立体552の1つの機能は、プラズマ・プロセス中に窓478の内面4
82が処理チャンバ474から放射される光線に与える影響があれば、それを決
定することである。というのは、この光線が現プラズマ・プロセス・モジュール
250に使用されるからである。校正組立体552は、窓478の外面486の
存在にも対応する。図31及び図35で見られるように、窓478の外面486
及び内面482は非平行関係で配置される。言い換えると、図31及び図35の
両方で示すように、窓478の内面482は、校正用光源556からの光線の主
軸と一致する基準軸490に対して少なくともほぼ垂直に配置される。というの
は、これが窓478に向かうからである。一方、窓478の外面486は、この
基準軸490に対して非垂直に配置される。1つの実施形態では、基準軸490
と窓478の外面586との間の角度は、約2°から約45°の範囲内であり、
別の実施形態では、この角度は臨界角度未満である。この窓478の内面482
と外面486との相対的配置は、窓478の外面486から反射する校正光線の
その部分を、軸490から離し、それによってスペクトロメータ組立体506へ
と至る光ファイバ・ケーブル組立体504の内部ケーブル508から離す効果を
有する。したがって、校正光線を校正用光源556から光ファイバ・ケーブル組
立体504を通して窓478へと送ると、光ファイバ・ケーブル組立体504の
内部ケーブル508が「見る」光線の唯一の有意部分は、窓478の外面486
からではなく、窓478の内面482から反射する光である。窓478の内面4
82は、処理チャンバ474内でプラズマ・プロセスを実行することによって影
響され、したがって窓478を通して処理チャンバ474から放射される光線に
影響する。したがって、窓監視組立体552による校正作業中にスペクトロメー
タ組立体506が受ける光線は、窓486の内面482の状態をより正確に表す
。少なくとも校正光線が外面486に衝突する領域で窓478の外面486に広
域反射防止膜(例えば、多層または積層構造)を組み込むことによって、さらな
る向上を実現することができる。このようなタイプの膜は、外面486によって
反射する校正光線の量を減少させることにより、窓478の外面486から内面
482へと通過する校正光線の量を増加させる。 【0252】 校正モジュール562ばかりでなく現プラズマ・プロセス・モジュール250
の操作のためにも、光ファイバ・ケーブル組立体504とチャンバ474の窓4
78との適切な相対的位置を維持することが重要である。光ファイバ・ケーブル
組立体504と窓478とを相互接続する1つの方法を、取付具組立体1532
の性質を有する図36で示す。取付具組立体1534は、窓478をしっかり保
持する窓取付具1538を含み、これと処理チャンバ474とを(例えば、1つ
または複数のねじ締結具で)着脱式に相互接続できるようにする。空隙または窪
み1542が窓取付具1538の内側部分に存在し、窓478の外面486とイ
ンタフェースをとる。窪み1542を画定する窓取付具1538の表面は、校正
作業中に窓478の外面486で反射する校正用光源506からの校正光線の任
意の部分を吸収するよう、黒色陽極酸化する。光線吸収被膜を使用してこの機能
を提供することもできる。 【0253】 取付具組立体1534は、(例えば、1つまたは複数のねじ締結具で)窓取付
具1538と(例えば、着脱式に)適切に相互接続するファイバ取付具1546
も含む。これにより、窓取付具1538の窪み1542は、窓478の外面48
6及びファイバ取付具1546の裏側の一部によって、組み立てた状態では閉じ
た空間である。窪み1542を閉じるファイバ取付具1546の一部の適切な処
理もインプリメントして、窓478の外面486で反射する校正光線の部分が、
窓478の内面482で反射する校正光源の部分と干渉する可能性を低下させ、
光ファイバ・ケーブル組立体504を介してスペクトロメータ組立体506に設
けることができる。 【0254】 光ファイバ・ケーブル組立体504は、ファイバ取付具1546のファイバ取
付継手1554と、内部ケーブル508及び外部ケーブル512の両方を収容す
る光ファイバ・ケーブル組立体504(図34)の端部とによって、ファイバ取
付具1546と着脱式に相互接続される。内部ケーブル508及び外部ケーブル
512の端部は、ファイバ取付具1546を通って延在するポート1550と軸
方向に位置合わせした状態で窓478の外面486に向かって突き出し、窓取付
具1538の窪み1542と交差する。したがって、校正用光源556からの校
正光線は、外部ケーブル512、ファイバ取付具1546のポート1550、窓
取付具1538の窪み1542を通して窓478の外面486へと配向される。
窓478の内面482で反射する校正光源は、窓取付具1538の窪み1542
、ファイバ取付具1546のポート1550を通って進み、光ファイバ・ケーブ
ル組立体504の内部ケーブル508に入って、スペクトロメータ組立体506
へと進む。以上の構成を使用して校正作業を実行する特定の方法を、図40から
図48の校正モジュール562に関連して述べる。 <プラズマ監視アセンブリ700−図37〜図39> 窓の外面で反射する校正光線の部分が窓の内面で反射する校正光線の部分と干
渉する可能性を低下させ、校正モジュール562(図32)に設けたプラズマ監
視組立体の別の実施形態を、図37に示す。この実施形態は、図31のプラズマ
監視組立体500の代わりに使用することができるが、図31に示す形状のほう
が好ましい。図37のプラズマ監視組立体700は、概して、校正組立体726
、PMCU128’(図1及び図32)の一部である校正モジュール572(図
32)、及びプラズマ監視モジュール560(図32及び図37)を含む。スペ
クトロメータ組立体712、CCDアレイ716、及び校正用光源728は、図
31の実施形態で同様に識別された構成要素と同じである。その結果、図37の
プラズマ監視組立体700は、主に校正構成要素の光学的配置構成に関して、図
31のプラズマ監視組立体500とは異なる。 【0255】 校正組立体726の1つの機能は、窓38の内面40が処理チャンバ36から
放射される光線に与える影響があれば、それを決定することである。校正組立体
726は、窓38の外面42の存在にも対応する。図37から図38で示すよう
に、処理チャンバ36の窓38は、(図1及び図6で示すように)ほぼ平行な関
係で配置される内面40と外面42とを含む。外面42で反射する光線が校正モ
ジュール562に及ぼす影響を減少させるため、校正組立体726は、校正用光
源728と窓38とのインタフェースをとる機能を果たす光ファイバ・ケーブル
704、及び窓38とスペクトロメータ組立体723とのインタフェースをとる
機能を果たす別の光ファイバ・ケーブル708を使用する。光ファイバ・ケーブ
ル704を配置して、校正用光源728からの光が垂直以外の角度で窓38の外
面42と衝突するようにし、光ファイバ・ケーブル708を配置して、窓の内面
40で反射する校正光線の部分のみを受け、窓38の外面42で反射する光線は
一切受けないようにする。これは図38に図示され、この図では軸736が窓3
8の外面42で反射する校正光線の部分に対応し、軸736は窓38の外面42
で反射する校正光線の部分に対応して、軸740が窓38の内面40で反射する
校正光線の部分に対応する(反射は図示せず)。1つの実施形態では、軸732
と窓38の外面42との間の角度αは、約10°から約70°の範囲であり、軸
740と窓38の内面40との間の角度θは約10°と約70°との間であり、
軸746と740とは約2mmから約20mmの範囲の量だけずれる。 【0256】 窓38の内面40、窓38の外面42、光ファイバ・ケーブル704、及び光
ファイバ・ケーブル708の上述した相対的配置は、窓38の外面42で反射す
る校正光線の部分が、光ファイバ・ケーブル708に入射しないような方法で反
射するという効果を有する。したがって、校正光線を校正用光源728から光フ
ァイバ・ケーブル704を通して窓38へと送ると、光ファイバ・ケーブル70
8が「見る」光線の唯一の有意部分は、窓38の外面42からではなく、窓38
の内面40から反射する光である。窓38の内面40は、処理チャンバ36内で
プラズマ・プロセスを実行することによって影響され、したがって窓36を通し
て処理チャンバ36から放射される光線に影響する。したがって、窓監視組立体
700による校正作業中にスペクトロメータ組立体712が受ける光線は、窓3
6の内面40の状態をより正確に表す。 【0257】 図37で示す配置構成のさらなる向上は、少なくとも校正光線が外面42に衝
突する領域で窓38の外面42に広域反射防止膜(例えば、多層または積層構造
)を組み込むことによって実現することができる。このようなタイプの膜は、外
面42によって反射する校正光線の量を減少させることにより、窓38の外面4
2から内面40へと通過する校正光線の量を増加させる。実際、図31に示す実
施形態は、上述した膜を窓38に含め、光ファイバ・ケーブル組立体504の端
部が窓38に向かって突き出して、外面42及び内面40の両方に対して少なく
ともほぼ垂直の角度を形成する図37の実施形態で示したタイプの窓とともに使
用することができる。この配置構成は、窓38の外面42に反射防止膜が存在す
るにもかかわらず、校正光線の一部がなお反射して、この変形(図示せず)の光
ファイバ・ケーブル組立体504の内部ケーブルに向かうという点で、それほど
好ましくない。これにより、窓38の内面40で反射して内部ケーブル508へ
と戻る校正光線の部分と多少干渉する。 【0258】 校正モジュール562ばかりでなく現プラズマ・プロセス・モジュール250
の操作のためにも、図37の実施形態で光ファイバ・ケーブル704と光ファイ
バ・ケーブル708とチャンバ36の窓38との適切な相対的位置を維持するこ
とが重要である。これらを相互接続する1つの方法を、取付具組立体1564の
性質を有する図39で示す。取付具組立体1564は、窓38をしっかり保持す
る窓取付具1568を含み、これと処理チャンバ36とを(例えば、1つまたは
複数のねじ締結具で)着脱式に相互接続できるようにする。空隙または窪み15
72が窓取付具1568の内側部分に存在し、窓38の外面42とインタフェー
スをとる。 【0259】 取付具組立体1564は、(例えば、1つまたは複数のねじ締結具で)窓取付
具1568と適切に相互接続するファイバ取付具1576も含む。これにより、
窓取付具1568の窪み1572は、窓38の外面42及びファイバ取付具15
76の裏側の一部によって、組み立てた状態では閉じた空間である。光ファイバ
・ケーブル704及び708はそれぞれ、ファイバ取付具1576と着脱式に相
互接続される。ファイバ取付具1576のファイバ取付具継手1580bは、校
正用光源704からの光ファイバ・ケーブル704と適切な相互接続を確立する
よう、適切な方向で配置され、ファイバ取付具1576のファイバ取付具継手1
580aは、スペクトロメータ組立体712に至る光ファイバ・ケーブル708
と適切な相互接続を確立するよう、適切な方向で配置される。光ファイバ・ケー
ブル704及び708の端部は、適切な角度で、それぞれポート1584a及び
1584bと軸方向に位置合わせした状態で、窓38の外面42に向かって突き
出す。ポート1584a及び1584bはそれぞれ、ファイバ取付具1576を
通って延在し、窓取付具1568の窪み1572と交差する。したがって、校正
用光源728からの校正光線は、光ファイバ・ケーブル704、ファイバ取付具
1576のポート1584b、窓取付具1568の窪み1572を通して窓47
8の外面42へと配向される。窓38の内面40で反射する校正光源は、窓取付
具1568の窪み1572、ファイバ取付具1576のポート1584aを通っ
て進み、光ファイバ・ケーブル708に入って、スペクトロメータ組立体712
へと進む。以上の構成を使用して校正作業を実行する特定の方法を、図40から
図48の校正モジュール562に関連して述べる。 【0260】 (例えば、光ファイバ・ケーブル組立体504、光ファイバ・ケーブル704
、光ファイバ・ケーブル708、またはこれとインタフェースをとるアダプタの
)光ファイバ・ケーブル端部1587を相互接続する装置の別の実施形態を、取
付具組立体1586の形態で図61に示す。取付具組立体1586は、概して、
処理チャンバ36と適切に相互接続することができるハウジング1588を含み
、したがってハウジング1588の口1598は、少なくともある程度(つまり
、光線が光ファイバ・ケーブル端部1587へと通過できるほど)チャンバ36
の窓38と位置合わせされる。適切なシール・リング1592をこの相互接続部
の中に配置し、その一部とすることができる。ケーブル・マウント1590を、
光ファイバ端部1587が実際に取り付けられたハウジング1588の口159
8の少なくとも一部に入れる。ケーブル・マウント1590とハウジング158
8との間には適切なインタフェース関係が存在し、したがってケーブル・マウン
ト1590が、したがって光ファイバ・ケーブル端部1587が、少なくとも特
定の動作範囲(例えば、反車軸1595に対して任意の方向に7°)にわたって
ハウジング1588に対して動作し、ケーブル・マウント1590が、したがっ
て関連の光ファイバ・ケーブル端部1587が(例えば、ボール・ソケット様接
続部を使用して)配向する処理チャンバ内の位置を変更することができる。幾つ
かの理由で、光ファイバ・ケーブル/ケーブル組立体の端部をチャンバ36内の
様々な位置に集束させることが望ましい。ケーブル・マウント1590及び光フ
ァイバ・ケーブル端部1587が所望の方向に突き出している場合、締付板15
96をねじ1597によってハウジング1588に向け、ケーブル・マウント1
590をハウジング1588と締付板1596との間に強制的に保持することが
できる。ロック位置を確立して、ケーブル・マウント1590の軸1593を(
例えば、校正手順の)基準軸1595と位置合わせしてもよい。 <校正モジュール562−図40〜図48> 図31の校正組立体552と図37の校正組立体726は両方とも、図40に
示す校正モジュール562を含む。このモジュール562は、図31のスペクト
ロメータ組立体506及び図37のスペクトロメータ組立体712それぞれから
の出力の校正に使用することができる。便宜上、図31のスペクトロメータ組立
体506のみに関して検討を続けるが、図37のスペクトロメータ組立体712
にも同様のことが等しく当てはまる。 【0261】 スペクトロメータ組立体506からの出力は、温度などの様々な要素のため、
スペクトロメータ組立体506の寿命を通して「ドリフト」する傾向がある。ス
ペクトロメータ組立体506からの出力がドリフトすると、現プラズマ・プロセ
ス・モジュール250によって評価されるスペクトルの波長がずれる。ドリフト
の一例では、実際は490ナノメートルの波長である処理チャンバ474からの
スペクトルのピークが、このドリフトのためにスペクトロメータ組立体506の
出力では491ナノメートルの波長に現れることがある。さらに、窓478は、
つまり処理チャンバ474内のプラズマの代表的スペクトルの1つまたは複数の
領域に輝度ズレを提供することにより、窓474を通ってスペクトロメータ組立
体506へと向かう現プラズマ・プロセスからのプラズマのスペクトルに影響を
与えることがある。これらの状態のいずれにも対処しないと、現プラズマ・プロ
セス・モジュール250の性能に悪影響を与えることがある。 【0262】 図32の校正モジュール562の1つの実施形態を、図40に詳細に示し、こ
れは上述した波長及び輝度ズレ状態の両方を説明する。校正モジュール562は
、処理チャンバ474内にプラズマが一切ない状態で実行され、ウェーハ生産シ
ステム2を使用して施設が決定した回数(例えば、1日1回、シフト交換毎)で
実行される校正ルーチン564を含む。校正ルーチン564は、上述した方法の
いずれかで処理チャンバ474内のプラズマの存在を検出し、このようなプラズ
マが検出されると(図示せず)、校正ルーチン564を出るよう、命令を含むこ
とができる。校正ルーチン564のステップ568は、校正用光源556に校正
光線を窓478に送るよう指示する。その後、ステップ572は、校正ルーチン
564に適切な校正サブルーチンまで進むよう指示する。 【0263】 図40のステップ572で言及した校正サブルーチンは、図41に示す校正サ
ブルーチン576を含んでもよい。概して、校正サブルーチン576は、スペク
トロメータ組立体506に関連して少なくとも1つの調節を実行し、窓478を
通して獲得されたスペクトル・データに伴う波長ズレを補償するよう指示される
。補償は、校正サブルーチン576のステップ580で、窓478へと配向され
る校正用光源556からの校正光線のスペクトルと、窓478の内面482から
反射してスペクトロメータ組立体506へと提供される校正光線のスペクトルと
の間で実行される。校正作業中には処理チャンバ474内にプラズマが存在しな
いので、スペクトロメータ組立体506が受ける光線は、窓478の内面482
で反射した校正光線の部分に限定され、したがって窓478の状態、得意その内
面482を直接監視することになる。校正サブルーチン576のステップ584
では、ステップ580の比較から波長のズレ全てに留意し、プラズマ監視組立体
500に関して調節を実行して、サブルーチン576のステップ588における
このズレを考慮し、プラズマ監視作業の制御は、校正サブルーチン576のステ
ップ592によって図32の始動モジュール202へと移る。 【0264】 校正サブルーチン576のステップ580における対象スペクトルの比較と、
サブルーチン576のステップ584における波長ズレの識別とは、以下の方法
で実現することができる。窓478に送られる校正光線のスペクトルは、図9の
校正光線サブディレクトリ310から獲得することができる。このスペクトルを
分析し、このスペクトルにおける1つまたは複数の輝度ピークの位置、及び場合
によってはこれら輝度ピークの相対的波長の配置を識別する。「ピーク」とは、
所定の波長範囲(例えば、約2ナノメートル以下)にわたって存在する所定の量
(例えば、少なくとも約100輝度単位)より輝度が大きいスペクトルの任意の
部分とすることができる。したがって、窓478に送られる校正光線のスペクト
ルの上述した分析は、単に、適切な波長解像度を使用して、このスペクトルの少
なくとも一部にわたって輝度に注目することを含む。例えば、このスペクトルに
ある1つまたは複数のピークは、校正光線サブディレクトリ310からの校正光
線のスペクトル強度を、このスペクトルの少なくとも一部にわたって0.5ナノ
メートル増加する毎に識別し、上記で規定したように任意の輝度ピークを識別す
ることができる。これらのピークを識別した後、その相対的波長位置に留意され
たい。 【0265】 窓478に送られる校正光線の、上述した方法で識別された輝度ピークは、波
長のズレがなければ(以下で述べる特定の光学的原理を考慮に入れ、これも以下
で述べる窓478による輝度のズレがないとすると)、窓478の内面482で
反射した校正光線のその部分と、同じ波長及び「同じ」輝度レベルに現れるはず
である。1つまたは複数のピークの位置及び輝度を、窓478に送られた校正光
線について注目したので、波長のズレの量は、単純に窓478の内面482で反
射する校正光線の部分にある同じピークを探し、対応する波長のズレがあるか注
目することによって識別できる。窓478の内面482で反射する校正光線の部
分の対応するピークを識別するには、(例えば、特定の波長の周囲で最大のピー
クを求めることにより)ピークの輝度のみで十分なことがあるが、場合によって
は識別されたピークの相対的位置が望ましい/必要であることもある。 【0266】 図41の校正サブルーチン574に関連して扱う波長のズレの概念を、図42
から図43でさらに扱う。波長のズレの識別にとって適切である校正光線のスペ
クトル672の1つの実施形態が、図42に図示され、この校正光源は、校正組
立体552の校正用光源556(図31)、及び図41の校正サブルーチン57
6で使用することができる。スペクトル672は、様々な輝度の複数の別個の輝
度ピーク674によって特徴付けられ、これは波長のズレを検出するのに望まし
く、1つの実施形態では、水銀光源からのもので、上述した第1校正用光源55
6aを備える。これらの特徴を有する他の光源を使用してもよい。「輝度」は「
y」軸に沿ってプロットされて、輝度レベルを反映する「カウント」の単位で表
現され、「波長」は「x」軸に沿ってプロットされて、ナノメートル単位で示さ
れる。図42は、対象の例で窓478に送られる校正光線の実際のパターンを示
す。処理チャンバ474の「クリーン」な窓478の内面482から、図42に
示す校正光線が反射することにより、スペクトロメータ組立体506によって出
力されるスペクトル676の1つの実施形態を、図43に示す(窓478がプラ
ズマ・プロセスにまだ曝されていない場合)。スペクトル676は、様々な輝度
のピーク678が複数あることを特徴とし、この場合も「輝度」は「y」軸に沿
ってプロットされて、輝度レベルを反映する「カウント」の単位で表現され、「
波長」は「x」軸に沿ってナノメートル単位でプロットされる。 【0267】 最初に、図42のスペクトル672を図43のスペクトル676と比較すると
、その個々の輝度がかなり大きく変化することを示す。これは特定の光学的原理
によるものである。概して、窓478の形成に通常使用される材料は、校正用光
源556から窓478に向かう校正光線の約6%を反射する。特に、元々窓47
8に送られる校正光線の6%は、図35に示す軸494に沿って窓478の外面
486で反射し、光線の残りの94%は窓478を透過し続ける。この光線が窓
478の内面482に遭遇すると、光線の6%が内面482に反射されて外面4
86に向かい、この光線の残りの94%は、処理チャンバ474に入射する(つ
まり5.64%)。内面482で反射したこの光線は、再び外面486と衝突死
、これはこの光線の6%をチャンバ474へと反射し、94%は外面486を通
過する。したがって、スペクトロメータ組立体506の出力校正のために校正用
光源445から元々送られた光線の約5.3%が、実際には光ファイバ・ケーブ
ル組立体504の内部ケーブル508に入射し、スペクトロメータ組立体506
に提供される。この光学的原理は、図43のスペクトル676と図42のスペク
トル672との輝度の違いを説明し、校正手順には考慮しなければならない。 【0268】 図43のスペクトル676を、上述した方法で図42のスペクトル672と比
較し、スペクトロメータ組立体506からの出力を波長のズレに関して校正する
必要があるか、決定することができる。図43のスペクトル676のピーク67
8は、図43のスペクトル672の対応するピーク674と同じ波長に現れなけ
ればならない。例えば、図43のピーク678aと図42のピーク674aとは
同じ波長で、図43のピーク678bと図42のピーク674bとは同じ波長、
図43のピーク678cと図42のピーク674cは同じ波長、以下同様でなけ
ればならない。図示の例では、スペクトル676及び672の対応するピークは
適切に位置合わせされるか、同じ波長にある。したがって、図41の校正サブル
ーチン567のステップ580及び584では、波長のズレは識別されたい。さ
らに、校正サブルーチン576のステップ584を実行して波長のズレが識別さ
れない場合、サブルーチン576のステップ588の実行により、プラズマ監視
組立体500に関する調節は実行されない。次に、プラズマ監視作業の制御は、
サブルーチン576のステップ592を実行することにより、例えば、図15の
始動モジュール202に移される。 【0269】 スペクトル672と575とのピークが全く同じ波長にあると、現プラズマ・
プロセス・モジュールの精度が改善される。ステップ580及び584に関連す
る波長のズレの限界が「0」で、注目したスペクトルのピークのオフセットがさ
らに小さい量である場合、プラズマ監視組立体500に関してステップ588で
実行する調節は、それに応じて「小さく」なる。しかし、プラズマ監視組立体5
00に関連して調節を開始する波長のズレの量は、ゼロである必要はない。つま
り、ステップ588でプラズマ監視組立体500に関する調節を実行するまでに
、特定量の波長のズレが許容される。例えば、1つの実施形態では、サブルーチ
ン576のステップ580及び584で少なくとも特定量の波長のズレが識別さ
れない限り、プラズマ監視組立体500に関する調節は実行しない(例えば、何
らかの調節を実行するには、少なくとも約0.25ナノメートルの波長のズレが
必要である)。 【0270】 図41の校正サブルーチン564のステップ584で、許容量より大きいの波
長のズレが識別されると、前述のようにサブルーチン576のステップ588が
プラズマ監視組立体500に関する調節を提供する。この「プラズマ監視組立体
500に関連して少なくとも調節を実行する」には、少なくとも2つのオプショ
ンが存在する。1つの代替方法は、スペクトロメータ組立体506が走査タイプ
である場合は、それを物理的に調節する。図44は、走査タイプであるスペクト
ロメータ516a’の1つの実施形態を示す。スペクトロメータ516a’は、
光ファイバ・ケーブル組立体504の内部ケーブル508aからスペクトロメー
タ516a’に入射する光線が通る口520を含む。口520を通過する工船は
、鏡524によって格子532へと反射する。鏡524と格子532は両方とも
、それぞれ鏡回転軸528及び格子回転軸536を通して旋回運動するよう装着
することができる。鏡524及び格子532の動作は、モータ540及びギアボ
ックス544の影響を受ける。モータ540は、PMCU128’とインタフェ
ースをとる機能を果たす。図43のスペクトル676のピーク678が図42の
スペクトル672の対応するピーク674と適切に位置合わせされるよう、1つ
または複数の鏡524及び格子532の動作を使用することができる。その後、
スペクトロメータ組立体506による波長のズレの存在は、波長のズレがもう軽
減されているので、現プラズマ・プロセス・モジュール250によって提供され
る結果の信頼性に悪影響を与えない。 【0271】 図41の校正サブルーチン576のステップ588で言及される調節を実行す
る別の方法は、何らかの方法でデータを「回帰フィット」させることである。こ
のオプションは、スペクトロメータ組立体504のためにどのタイプのスペクト
ロメータを実現するかに関係なく、使用することができる。図43のスペクトル
676と図42のスペクトル672とを比較して、波長のズレ(対応するピーク
674と678が適切に位置合わせされているので、図示せず)の存在を識別す
る例を考えてみる。スペクトロメータ組立体506からの出力を回帰フィットさ
せて、気づいた波長のズレを説明する。実際には図33に示す複数のスペクトロ
メータ516などの複数のスペクトロメータであるソリッドステート・スペクト
ロメータ組立体504を使用する場合は、関連するスペクトロメータ516によ
りズレたスペクトルのその部分のみを、上述した方法で回帰フィットする必要が
ある。 【0272】 校正サブルーチン576によって識別された波長のズレの存在に関する情報も
、現プラズマ・プロセス・モジュール250、特に図13のパターン認識モジュ
ール370に入力し、現プラズマ処理作業からのスペクトルをプラズマ・スペク
トル・ディレクトリ284のスペクトルと比較した場合に、この波長のズレを説
明することができる。処理チャンバ474からの現在のスペクトルにある200
ナノメートルの波長を評価し、200ナノメートルの波長で校正組立体552に
よって1ナノメートルの波長のズレが識別された場合を考えてみる。このデータ
・ポイントをプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のスペクトルと比較す
ることを調べてみる場合、パターン認識モジュール370に200ナノメートル
波長について1ナノメートルの波長のズレを「入力」すると、パターン認識モジ
ュール370に実際に対応するスペクトルの201ナノメートルの波長を調査し
、この場合は2つの輝度がパターン認識モジュール370の輝度一致制限に入る
か決定する。したがって、波長のズレが存在しても、図32の現プラズマ・プロ
セス・モジュール250によって提供される結果の信頼性に悪影響を与えない。 【0273】 図31の校正組立体552、及び図40の校正モジュール574を含むことも
使用し、処理チャンバ474のプラズマのスペクトルに輝度のズレがある場合に
、スペクトロメータ組立体506からの出力を校正することができる。スペクト
ルの輝度のズレは、通常は、窓478の「老化」によるものである。窓478の
「老化」とは、本明細書では、処理チャンバ474内で実行するプラズマ・プロ
セスが、(例えば、内面482に付着物を形成する、内面482を腐食する、内
面482の付着物形成と腐食とが組み合わされるなど)何らかの方法で窓478
の内面482に影響を与えることを意味する。往々にして、これらの付着物は、
窓478を通過してスペクトロメータ組立体516(図31)に向かうチャンバ
474の光線の輝度を低下させる。これらの場合、窓478によるスペクトルの
輝度のズレを考慮に入れないと、現プラズマ・プロセス・モジュール250によ
って提供される結果の信頼性にも悪影響を与えることがある。ポイント毎に分析
する図13のパターン認識サブルーチン374を、パターン認識モジュール37
0で使用して、現在のスペクトルのパターンをプラズマ・スペクトル・ディレク
トリ284(図9)のスペクトルと比較し、輝度の「一致限界」が(パーセンテ
ージ差のベースで)10%に設定されている場合を考えてみる。窓478を通し
て照射される光線の輝度が30%減少するよう、窓478の内面482に特定の
付着物が形成していることも仮定する。この場合、処理チャンバ474内のプラ
ズマが健全でも、窓478を通して照射される光線は、チャンバ474の内側に
あるプラズマの実際の輝度のわずか70%となる。したがって、パターン認識サ
ブルーチン374は、プラズマが実際には健全であっても、現在のスペクトルが
プラズマ・スペクトル・ディレクトリ284の関連するサブディレクトリにある
どのスペクトルとも「一致」しないことを指示する(その「一致限界」が、対象
スペクトルの対応する波長の輝度の10%変動であり、窓の付着物がチャンバか
らの光線の輝度を30%減少させたからである)。したがって、パターン認識サ
ブルーチン374及び現プラズマ・プロセス・モジュール250によって「誤っ
たマイナス」が報告される。 【0274】 図40の校正モジュール574は、窓478を通って放射された状態のチャン
バ474のプラズマのスペクトルにおける上述したタイプの輝度のズレを考慮に
入れるため調節するよう概ね指示された校正サブルーチンも含むことができる。
このようなサブルーチンの1つの実施形態を、校正サブルーチン600の性質を
有する図45に示す。校正サブルーチン600中には、または少なくともそのデ
ータを獲得している時には、チャンバ474内にプラズマが存在しない。さらに
、上記によるプラズマの検出は、サブルーチン600を通して校正作業を自動的
に終了することができる。最後に、サブルーチン600は、ウェーハ生産システ
ム2を使用して施設のオペレータが確立する定期的ベースで(例えば、1日1回
)実行することができる。 【0275】 比較は、校正サブルーチン600のステップ604で、校正用光源556から
窓478に向かい、校正光線スペクトル・サブディレクトリ310に格納できる
校正光線のスペクトルと、窓478の内面482で反射し、スペクトロメータ組
立体506に提供される校正光線の部分のスペクトルとの間で実行される。この
時点でチャンバ474内にプラズマがないので、スペクトロメータ組立体506
に提供される光線は、窓478の内面482で反射する校正光線の部分に制限さ
れるはずである。したがって、校正サブルーチン600は、実際に、チャンバ4
74内で実行されるプラズマ・プロセスの悪影響を受ける窓478のその部分の
状態を監視/評価する。 【0276】 校正サブルーチン600のステップ604における対象スペクトルの比較、及
びサブルーチン600のステップ608における輝度のズレの識別は、以下の方
法で実現することができる。窓478に送られる校正光線のスペクトルは、図9
の校正光線サブディレクトリ310から獲得することができる。その輝度ピーク
は、場合によってはその相対的波長の配置とともに、図41の校正サブルーチン
576に関して上述した方法で識別される。これらの同じピークは、窓478の
内面482で反射する校正光線のその部分で、(波長のズレがないものと仮定し
て)同じ波長及び(上述した光学的原理を考慮に入れて)「同じ」輝度レベルに
現れるはずである。窓478に送られた校正光線について1つまたは複数のピー
クの位置及び輝度が識別されているので、輝度のズレの量は、単に窓478の内
面482で反射する校正光線のその部分の同じピークを探し、対応する輝度のズ
レに注目することによって識別することができる。窓478の内面482で反射
する校正光線の部分で対応するピークを識別するには、(例えば、特定の波長の
周囲で最大のピークを探すなど)ピークの輝度のみで十分であるが、場合によっ
ては識別したピークの相対的位置を求めることが望ましい/必要である。 【0277】 図45の校正サブルーチン600に関連して述べた輝度のズレの概念を、図4
6A及び図47Aに関連して、さらに述べる。校正光線のスペクトル682の1
つの実施形態を図46A(例えば、水銀灯または約200ナノメートルから約1
,000ナノメートルの波長によって規定される光線を有する同様の校正用光源
)で示し、この校正用光源は、校正組立体552(図31)の校正用光源556
及び校正サブルーチン600(図45)によって使用し、輝度のズレを識別する
ことができる。図46Aのスペクトル682は、輝度が様々な複数の別個の輝度
ピーク686を特徴とする。「輝度」は「y」軸に沿ってプロットされて、輝度
レベルを反映する「カウント」単位で表現され、「波長」は「x」軸に沿ってプ
ロットされ、ナノメートル単位である。図46Aは、対象例の窓478に送られ
た光線の、窓478が複数のプラズマ・プロセスに曝された場合(例えば、「老
化」した窓478)の実際のパターンを示す。上述した工学的原理を考慮に入れ
、処理チャンバ474の老化した窓478の内面482から反射した校正光線の
部分を表す、スペクトロメータ組立体506の出力するスペクトル690の1つ
の実施形態を、図47Aに示す。スペクトル690は、様々な波長の複数の別個
のピーク694を特徴とし、「輝度」は「y」軸に沿ってプロットされて、輝度
レベルを反映する「カウント」単位で表現され、「波長」は「x」軸に沿ってプ
ロットされ、ナノメートル単位である。 【0278】 図47Aのスペクトル690を図46Aのスペクトル682と比較して、スペ
クトロメータ組立体506からの出力を、老化した窓478などにより、の輝度
のズレについて校正する必要があるか判断することができる。この比較は、図4
5の校正サブルーチン600のステップ604で再度実行される。図46Aのス
ペクトル690のピーク694は、(波長のズレに関してスペクトロメータ組立
体506の出力の校正に関して上記で検討したように)図46Aのスペクトル6
82の対応するピーク686と同じ波長で現れるばかりでなく、同じ輝度レベル
でもあるはずである。例えば、図46Aのピーク694a及び図46Aのピーク
686aは、同じ輝度レベルであり、図46Aのピーク694b及び図46Aの
ピーク686bは同じ輝度レベルであり、図46Aのピーク694c及び図46
Aのピーク686cは同じ輝度レベルであり、以下同様でなければならない。し
かし、これは該当しない。 【0279】 図47Aのスペクトル690のピーク694aは、図46Aのスペクトル68
2に対応するピーク、つまりピーク686aとほぼ同じ輝度(約9300)であ
る。しかし、図46Aのスペクトル690のピーク694bは約5,100の輝
度を有し、図46Aのスペクトル682の対応するピーク、つまりピーク686
bは約11,100の輝度を有する。つまり、約450ナノメートル波長領域で
、約6000輝度単位の輝度低下または約54%の輝度低下がある。さらに、図
47Aのスペクトル690のピーク694cは、約9,600の輝度を有し、図
46Aのスペクトル682の対応するピーク、つまりピーク686cの輝度は、
約12,000の輝度を有する。つまり、約760ナノメートルの波長領域に約
2,400輝度単位の輝度低下または約20%の輝度低下があった。したがって
、窓478は、窓478を通して獲得されるスペクトル全体に同じ減衰効果を有
するものではない。むしろ、窓478は、スペクトルの一部(例えば、450n
m領域)に第1減衰効果を、前述した方法でパターンを比較することによって識
別されるスペクトルの別の部分(例えば、760nm領域)に第2減衰効果を有
する。校正サブルーチン600のステップ612は、プラズマ監視組立体500
に関して少なくとも1つの調節を実行して、これらのタイプの輝度のズレを明ら
かにし、次に図45の校正サブルーチン600のステップ614によって、図3
2の始動モジュール202に制御が移る。 【0280】 校正サブルーチン572のステップ612で言及した調節は、概して、図46
Aのスペクトル682(校正用光源556から窓478に送られる校正光源)に
したがって図47Aのスペクトル690(窓478の内面482が反射した校正
光線)を正規化するものと見ることができる。データを「正規化」する1つの方
法は、「回帰フィット」による。このオプションは、スペクトロメータ組立体5
06のためにどのタイプのスペクトロメータを実現するかに関係なく使用するこ
とができ、したがってこのオプションは、走査タイプのスペクトロメータにもソ
リッドステート・スペクトロメータにも使用することができる。対象の調節を特
徴づける別の方法は、校正係数または利得の概念によるものである。「均一」な
輝度のズレがある場合は、現在のプラズマ・プロセスで収集される光照射データ
に1つの校正係数または利得を適用することができる。これで、複数の校正係数
または利得により、上記にしたがって識別した複数の減衰効果に対応することが
できる。反射光線のスペクトルの1つまたは複数の部分が、その1つの校正係数
または利得の適用を必要とし、対象のスペクトルの1つまたは複数の部分が、別
の校正係数または利得の適用を必要とし、以下同様にすることができる。最後に
、スペクトロメータ組立体506を何らかの方法で操作し、より多くの光線を獲
得することができるが、これは上記ほど好ましくない。 【0281】 図47Aのスペクトル690と図46Aのスペクトル682との間の比較が輝
度のズレの存在を示す例を考えてみる。スペクトロメータ組立体506からの出
力を回帰フィットし、識別された輝度のズレを明らかにすることができる。ある
いは、この輝度のズレの存在に関する情報を現在のプラズマ・プロセス・モジュ
ール250、特に図13のパターン認識モジュール370に入力し、現プラズマ
・プロセスからのスペクトルをプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のス
ペクトルと比較した場合の輝度のズレを明らかにすることができる。 【0282】 本明細書で述べた校正サブルーチンのいずれかにより、プラズマ監視組立体5
00に関して実行する調節に、制限を使用することができる。例えば、輝度のズ
レに対応するために必要な校正または利得の量が第1限界(またはそれに関する
波長のズレ)を超えた場合、プラズマ監視組立体500によって提供される結果
の精度が、望ましくない程度まで影響を受ける程度まで、窓478が劣化または
老化しているというメッセージを、適切な要員に表示することができる。あるい
は、この第1限界を超えると、実際にプラズマ監視組立体50が使用不能になり
、操作要員に対応する指示が提供される。上述した第1限界より高い限界を加え
、プラズマ監視組立体500の使用不能を引き起こすこともできる(つまり、第
1限界を超えると警告し、第2のより高い制限を越えると使用不能になる)。 【0283】 図46Aに示し上記で検討した校正光線は、複数の別個の輝度ピークを有する
。したがって、図45のサブルーチン600では31のデータ・ポイントのみ評
価して、窓478がそれを通過する光照射に及ぼす影響を識別することができる
(つまり、輝度ピークが31しかなく、残りは単なるノイズである)。これらピ
ークの間のこの波長で、窓478が光照射に与える影響について、仮定しなけれ
ばならない。校正用光源556(図31)が使用できる校正光線及び輝度のズレ
を識別する校正サブルーチン600(図45)の実施形態は、これらのタイプの
仮定を不要とし、図46Bで表される。図46Bの校正光線は、図46Bの校正
光源が輝度の連続体を表すが、図46Aの校正光源は複数の別個の輝度ピークを
有するという点で、図46Aで示すものとは異なるタイプである。この光線は、
上述した第2校正用光源556bが使用する第2タイプでよい(第1タイプは、
波長のズレを識別する図42/42Aの校正光線である)。1つの実施形態では
、輝度のズレを識別する校正光線は、少なくとも好ましい光学的帯域を含む波長
によって画定される白色光源である。したがって、校正用光源556は実際には
、波長のズレ(例えば、図42/46A)を識別する1タイプの光源を含み、輝
度のズレ(例えば、図46B)を識別するために異なる光源を使用することがで
きる。 【0284】 図46Bのスペクトル666(窓478に送られる校正光線)と図47Bのス
ペクトル670(窓478の内面482で反射し、スペクトロメータ組立体50
6に提供される校正光線の部分)との比較は、図46A及び図47Aに関して検
討したのと同じ方法で実行することができる。しかし、連続した輝度を有する校
正光線を使用することによって、窓478の挙動に関するより完全な「絵」が提
供される。複数の輝度ピークしかなく、その間に効果的な「ノイズ」があるスペ
クトル(例えば、図42/46A)の場合より、比較に使用できるデータ・ポイ
ントが多いからである。さらに、図46Bのスペクトル666と図47Bのスペ
クトル670を比較すると、窓478がスペクトルの異なる部分に対していかに
異なる影響を有するかが示される。輝度は異なっても、スペクトル666とスペ
クトル670の形状は、約200nmと575nmの波長の間ではいかに概ね同
じであるが、スペクトル666とスペクトル670の形状は、約575nm及び
950nmの波長ではいかに異なるか、留意されたい。特に、約575nmから
950nmの波長における図47Bのスペクトル670は、図46Bのスペクト
ル666の対応する部分より「さらに平坦」である。したがって、窓478は、
概ね約200nmから575nmの波長領域における光照射に1タイプの影響を
有し、概ね約575nmから900nmの波長領域における光照射に別の異なる
影響を有する。 【0285】 図40の校正モジュールが使用することができる校正サブルーチンの別の実施
形態を、図48に示す。校正サブルーチン616は、窓478が、窓478を通
して照射されるスペクトル・データの異なる部分に異なる減衰効果を有するタイ
ミングを識別することができる。さらに、サブルーチン616は、窓478が完
全に濾過するが、それでもスペクトル・データの様々な部分が窓478を通して
照射されるタイミングを識別することもできる。校正サブルーチン616は、図
46Bに示す光源のように、これらの機能を提供するよう連続する輝度を有する
光源を使用することが好ましい。 【0286】 次に図48を参照すると、校正サブルーチン616はステップ620から開始
し、ここで校正用光源556から窓478へと送られる校正光線のスペクトル(
以下、サブルーチン616のための「基準スペクトル」と呼ぶ)(例えば、図4
6B)と、窓478の内面482で反射する校正光線の部分のスペクトル(以下
、サブルーチン616のための「反射スペクトル」と呼ぶ)(例えば、図47B
)との比較を介し知る。基準スペクトルと反射スペクトルとの間に輝度の「変化
」があれば、全て、校正サブルーチン616のステップ624で確認される。ス
テップ620及び624は、図41の校正サブルーチン576のステップ580
及び584及び図45の校正サブルーチン600のステップ604及び608に
よって提示されたのと同じタイプの論理を使用することができる。図48の校正
サブルーチン616のステップ624で言及された輝度の「変化」とは、図13
のパターン認識モジュール360に関連して上記で検討したような、予め規定さ
れた公差または「一致限界」である。つまり、反射スペクトルの各「ポイント」
が基準スペクトルの対応する「ポイント」の「一致限界」内にある場合は、校正
サブルーチン616がステップ628に進む。ステップ628は、プラズマ監視
組立体500に校正の必要がないことを示し、制御が図15の始動モジュール2
02に渡される。 【0287】 反射スペクトルと基準スペクトルとの間に輝度の「変化」がある(例えば、ポ
イント毎の分析で、1つまたは複数のポイントにおける反射スペクトルと基準ス
ペクトルの比較で「一致限界」を超える)場合、校正サブルーチン616はステ
ップ624からステップ632へと進む。ステップ632は、対象となる輝度の
基準に関して反射スペクトルが基準スペクトルとはいかに異なるかを分析する。
基準スペクトルに対して反射スペクトルに「均一の」輝度のズレがあった場合、
校正サブルーチン616はステップ636へと進み、ここでは単一の校正係数ま
たは均一の利得を反射スペクトル全体に(したがって現在のプラズマ・プロセス
中に獲得された光照射データに)適用し、これを基準スペクトルにしたがって「
正規化」する。次に、校正サブルーチン616のステップ640を介して、図1
5の始動モジュール202へと制御を移す。校正サブルーチン616のステップ
632に関して、「均一」とは固定した数の輝度単位に制限される必要はなく(
例えば、反射スペクトル全体が基準スペクトル全体から同じ量だけ異なる必要は
なく)、生の差、データの差、またはその組合せを「一致限界」として使用する
ことができる。というのは、これらの項目が図13のパターン認識モジュール3
70に関して使用されているからである。例えば、反射スペクトルの各波長間に
、基準スペクトルの対応する波長に対して±5%以内の変化がある場合、これは
校正サブルーチン616のステップ632では「均一な」輝度のズレと見なすこ
とができる。 【0288】 校正サブルーチン616のステップ632における反射スペクトルと基準スペ
クトルとの比較で、基準スペクトルに対して反射スペクトルに「均一な」輝度の
ズレがないと示された場合は、サブルーチン616がステップ632からステッ
プ644へと進む。概して、ステップ644は、反射スペクトルの任意の波長範
囲にわたってデータの完全な濾過の証拠があるか決定するよう指示される。特定
の状態では、窓478の内面482は、特定の波長範囲の光照射が完全に遮断さ
れるような影響を受ける(例えば、窓478がこの波長範囲にわたって不透明に
なり、これは対象となるスペクトルにおいてゼロの輝度レベルを含む比較的低い
輝度の有効な水平線によって明白である)。一例では、窓478が約300から
400ナノメートルの波長範囲にわたって光照射に対して不透明になるが、収集
されてスペクトロメータ組立体(図31)に提供される光の他の波長では、少な
くともある程度透明である。 【0289】 本明細書で検討するように、反射スペクトルの任意の波長範囲に「完全な濾過
」があると、校正サブルーチン616はステップ644からステップ648へと
進む。完全に濾過された領域のデータは、校正サブルーチン616のステップ6
48で規定されるように、図32の現プラズマ・プロセス・モジュール250に
よって提供されるその後の全ての分析で無視される。さらに、少なくとも2つの
異なる校正係数が、この同じステップ648で規定されるように、反射スペクト
ルのデータのその他の異なる部分に適用されるか、濾過されていない部分の基準
スペクトルに対して反射スペクトルが正規化される。再び、基準スペクトルに対
する反射スペクトルの輝度のズレは、サブルーチン616のステップ632では
「非均一」であり、したがって反射スペクトルに単一の校正係数を適用すること
は、この場合の基準スペクトルに対して反射スペクトルの「正規化」に適切では
ないことを想起されたい。 【0290】 前述したように、その後に実行され、現プラズマ・プロセス・モジュール25
0によって分析される任意のプラズマ・プロセスの分析は、所望の光照射データ
の部分のみに制限される。窓478が完全に濾過した波長領域内のデータは無視
される。したがって、校正サブルーチン616は、ステップ648から図14の
プロセス警告モジュール428にも進むようプログラムすることができる。プロ
セス警告サブルーチン432を通して1つまたは複数の警告を発することができ
る。例えば、窓478が老化し、交換すべき時期であり、現プラズマ・プロセス
・モジュール250でさらに実行して得られる結果は、現プラズマ・プロセスか
らの特定のデータが比較分析で無視されるので、不正確な結果を提供する、また
はその両方であることを作業要員に通告することが適切である。代替的に、及び
ウェーハ生産システム2を組み込んだ施設のオペレータの所望にしたがい、校正
サブルーチン616のステップ644を「はい」の状態で出ると、プロセス警告
モジュール428は窓478が交換されるまで(図示せず)さらなるプラズマ処
理作業を全て終了する。 【0291】 反射スペクトルのデータが完全に濾過されていない場合、図48の校正サブル
ーチン616の制御は、ステップ644からステップ656へ渡される。これで
、ステップ656による反射スペクトルの校正は、反射スペクトル全体で少なく
とも2つの異なる校正係数または複数の利得を適用するか、上記で検討したよう
に正規化する必要がある。再び、ステップ632で、基準スペクトルに対する反
射スペクトルの輝度のズレが均一ではなく、したがって基準スペクトルにしたが
う反射スペクトルの「正規化」には単一の校正係数を適用することが適切ではな
いと決定されたことを思い出されたい。ステップ656の場合は、1つの校正係
数を200ナノメートルから500ナノメートルの波長領域にわたって反射スペ
クトルに適用し、異なる校正係数を501〜900ナノメートルの波長領域にわ
たって反射スペクトルに適用することができる。次に、校正サブルーチン616
はステップ656を出てステップ660に入り、制御を、例えば、図15の始動
モジュール202に移すことができる。 【0292】 図48の校正サブルーチン616は、窓478を監視し、その結果に基づいて
その後のプラズマ・プロセスの評価方法を規定することを特徴とする。サブルー
チン616を通した窓478の状態監視により、窓478を通るチャンバ474
からの光照射が有意に減衰しないか、わずかに減衰して完全には濾過しないと判
断された場合、校正サブルーチン616は、スペクトロメータ組立体506から
の「正規化」出力をプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284のスペクトルと
比較することにより、プラズマ監視作業が正常に進んでいることを提供する。チ
ャンバ474から窓478を通る光照射に何らかの減衰があり、校正サブルーチ
ン616の実行によって、特定の波長範囲にわたってスペクトル・データが多少
完全に濾過されたことが識別される状態であると、異なる評価技術を使用するよ
う指示される。特に、分析で所望のデータの一部が無視される。 <調査モジュール1300−図49〜図51C及び図62〜図63> 図7及び図32の現行プラズマ・プロセス・モジュール250に関連して上記
で説明された評価は全て、何らかの形でプラズマ・プロセスの「健全さ」に関す
るものであった。現行プラズマ・プロセス・モジュール250を通じて利用可能
なもう1つの種類の評価は、プラズマ・プロセスまたはその一部分の終点に関す
るものである。プラズマ清掃、ウェーハのコンディショニング操作、及び(検定
用ウェーハ18または生産用ウェーハ18の何れかに対して行われる)プラズマ
・レシペの各ステップは各々通常関連する終点(プラズマ・エッチングにおける
材料の層の完全な除去といった所期/所定の結果が達成される時点)を有するが
、これは通常チャンバ36内のプラズマの光学的放射に反映されるので、それが
「終点」を呼び出すために使用される。以下生産用ウェーハ18に対するプラズ
マ・レシペ作業のプラズマ・ステップに関連する終点を論じるが、これは上記で
特定されたものを無制限に含む、1つまたはそれ以上の終点を有する任意のプラ
ズマ・プロセスに等しく適用可能である。 【0293】 あるプラズマ・ステップについて現行プラズマ・プロセス・モジュール250
を通じて終点を識別する1つの方法では、同じ処理チャンバ36内のこの同じプ
ラズマ・ステップの少なくとも1つの以前の実行のある種の分析を行う必要があ
る。これに関連して、現行プラズマ・プロセス・モジュール250にはそのサブ
モジュールであり図49に示される調査モジュール1300が含まれる。調査モ
ジュール1300には調査サブルーチン1478が含まれるが、これは処理チャ
ンバ36内のプラズマの光学的放射のどんな特性が対象プラズマ・ステップの終
点を示すかを識別するため実行され、対象プラズマ・ステップの終点の発生を識
別する図7及び図32の終点検出モジュール1200によって使用される。 【0294】 調査モジュール1300は、ステップ144及び148の実行を通じて図15
の起動モジュール202を通じてアクセスされる。図49の調査サブルーチン1
478が通常設定され、同じプラズマ・ステップの多数の実行を評価し、終点を
呼び出すために使用されるチャンバ36内のプラズマの光学的放射データを識別
する。終点に関するある種の情報は1回の実行だけの光学的放射データを見るこ
とで得られる。図49の調査サブルーチン1478は、プラズマ・ステップの終
点に達するために必要な時間の長さの時間推定といったプラズマ・ステップのあ
る種の知識を利用するが、それは必ずしも必要ではない。1つの実施形態では、
このアプリオリな知識が使用され、この終点を含む時点でのプラズマ・ステップ
について光学的放射データが得られる。これに関連して、対象プラズマ・ステッ
プを完了する(終点に達する)時間推定teがステップ1480の実行によって
サブルーチン1478に入力される。終点に達する時間推定は、例えば、対象処
理のエッチング速度とエッチングされる層の厚さの知識に基づいて計算される。
対象終点に関連する時間を識別するもう1つの方法は現行プラズマ・プロセスに
関するデータを使用する。これに関連して、サブルーチン1478について光学
的放射が得られる各時点で(例えば、好適光帯域幅にわたって、かつ好適データ
解像度で)、その光学的放射の合計輝度が、その光学的放射の各個別波長の輝度
を合計することで計算される。2つの時間的に隣接した光学的放射の間の上記の
合計に大きな変化があれば、それがその時点で発生した終点を示すことがある。 【0295】 サブルーチン1478のステップ1490は製品が処理チャンバ36内にロー
ドされることを示し、ステップ1482はその後、望ましいプラズマ・ステップ
を開始する適当な条件でプラズマを処理チャンバ36内に導入することでプラズ
マ・ステップが開始されることを示す。プラズマ・ステップ中の処理チャンバ3
6内のプラズマの光学的放射は、好適には好適データ解像度での好適光帯域幅を
使用して、ステップ1484の実行を通じてサブルーチン1478の現行時間t
でサブルーチン1478について得られる。サブルーチン1478の「クロッ
ク」の調整がステップ1486で行われ、現行時間tが増分「n」だけ増やさ
れる。好適には、「n」は好適データ収集時間解像度に設定される。新しい現行
時間tが時間推定teに関連する所定の値より小さい場合、サブルーチン14
78のステップ1488によってサブルーチン1478はステップ1488を出
てステップ1484に戻り、上記を反復する。ステップ1488で参照された「
所定の値」はステップ1480による時間推定teでもよいが、プラズマ・ステ
ップの終点に実際に到達した時点の光学的放射データが確実に得られるさらに大
きな値を使用することが望ましい。上記を特徴付けるもう1つの方法は、終点を
示す1つまたはそれ以上の波長を識別できるように、プラズマがチャンバ36か
ら消失するまでの光学的放射データを記録することである。 【0296】 調査サブルーチン1478のステップ1484、1486、及び1488は基
本的に、好適データ収集帯域幅内、好適データ解像度、及び好適データ収集時間
解像度での対象プラズマ・ステップ全体の光学的放射データを得ることに向けら
れる。このデータはこの時点で分析され、終点インディケータの候補となる光学
的放射データの特性が識別される。しかし、好適には、同じ処理チャンバ36内
のこの同じプラズマ・ステップの多数の実行について上記によるデータが得られ
る。これは、望ましい量のプラズマ・ステップの実行(少なくとも2回)につい
て上記が反復されることを示すサブルーチン1478のステップ1492の実行
を通じて実現される。望ましい量のデータ(望ましい回数の実行)が得られると
、調査サブルーチン1478のステップ1496の実行を通じてデータが分析さ
れ、終点インディケータとして使用される光学的放射データまたはその一部分が
識別される。この分析は現在手作業で行われている。 【0297】 調査サブルーチン1478のステップ1496に関連する分析は一般に、プラ
ズマ・ステップの終点が発生したと考えられる時間付近のある種の認識可能また
は識別可能な変化を経験する光学的放射の線(例えば、個々の波長)を識別する
ことに向けられる。特定の波長を終点インディケータの可能な候補とする1つの
種類の変化が、図50A〜Cに示される光学的放射データを検討することで例示
される。これらのデータは各々、3つの特定の波長λ1、λ2及びλ3について
、対象プラズマ・ステップの終点を含みうる時間を通る輝度対時間のグラフを表
す。このグラフは、処理チャンバ36内のウェーハ18に対する対象プラズマ・
ステップの1回の実行から得られた光学的放射データから生成されたものである
。好適には、この種のグラフは、光学的放射データを収集する際使用される光解
像度に基づいて得られる光の各波長について得られる。 【0298】 プラズマ・ステップのこの最初の実行から波長λ1に関する図50Aを検討す
ると、プラズマ・ステップ中のどの時点でも実際の識別可能な変化はないことが
示される。すなわち、図50Aの波長λ1の線はほぼ水平である。しかし、図5
0Bの波長λ2のグラフは、その放射の線の2つの明瞭な変化を示している。1
つの変化は約15秒の目盛で発生し、もう1つの変化は約40秒の目盛で現れる
。図50Cの波長λ3のグラフも放射の線の2つの明瞭な変化を有している。1
つの変化は約20秒の目盛で発生し、もう1つの変化は約40秒の目盛で現れる
。従って、関連期間にわたる放射の線全体に識別可能な変化がないため、波長λ
1は対象ステップについて終点を示さないものとして除外されるが、波長λ2及
びλ3の両方は各々、対応する放射の線に少なくとも1つの明瞭な変化を有する
ため終点インディケータの候補として残る。 【0299】 終点の時間推定といったプラズマ・ステップのある種の知識を有することで、
対象プラズマ・プロセスに対して得られたデータのいくつかの波長、特定の波長
に関するグラフ中に発生したいくつかの変化、またはそれらの両方が除去される
ことがある。例えば、対象プラズマ・ステップの終点に達する時間推定が40秒
付近のどこかであった場合、それぞれ波長λ2及びλ3に関する輝度対時間グラ
フの15及び20秒時間間隔で発生する変化は、終点の時間推定からの時間的隔
たりのため除去されることがある。しかし、波長λ2及びλ3の両方は、それら
のグラフには各々40秒目盛付近の変化が存在するためまだ終点インディケータ
の候補である。この時点では、同じ処理チャンバ36でのプラズマ・ステップの
別の実行に関するデータという性質の追加データを得ることなしには最終的な決
定はなされない。プラズマの全ての変化はプラズマの健全さを監視する際重要で
あり、終点インディケータの確立に関して無視される場合でも注意すべきである
ということに注意することは重要である。 【0300】 図51A〜Cは、図50A〜Cに示された同じ波長λ1、λ2及びλ3に関す
るものであるが、処理チャンバ36内の同じプラズマ・ステップの別の実行に由
来する光学的放射データを示す。図51Aの波長λ1のグラフはやはり、この波
長λ1からは終点について何も導出されないことを示している。図51Bの波長
λ2のグラフは図50Bに示されるものと少なくともほぼ同じである。放射の線
の2つの明瞭な変化は、例えば、弁の開/閉といった処理のある変化によるもの
でありうる。図51Cの波長λ3のグラフは同じ一般的パターンを有するが、2
つの明瞭な変化は図50Cに示される実行より約5秒後で発生している。これは
、波長λ3が終点の時間が許容可能な時間差だけ変化する対象プラズマ・ステッ
プの終点を反映するものであることを示しているかもしれない。 【0301】 上記を要約すると、対象ステップの終点に対応する変化を経験する波長は、様
々な波長のグラフを実行毎に比較し、実行毎に一般に同じであるが、いくつかの
種類の変化を有するパターンを識別することで識別される。例えば、この変化は
1つまたはそれ以上の時間的シフト、輝度シフト、パターンの拡大及びパターン
の縮小である。こうした種類の変化は、時間的シフトを発生するプラズマ・ステ
ップによって処理される層の厚さといった、実行毎に変化する要素による。従っ
て、終点を示す特定の波長を識別する1つの方法は、終点が発生する時間が変化
するように、各々エッチングで除去される異なった厚さの層を有する多数の製品
について同じプラズマ・プロセスを実行することである。終点を示す変化を有す
る波長は、対象となる(終点「付近の」)変化がやはり時間的にシフトする波長
である。 【0302】 調査モジュール1300を通じて終点を示す可能性のある波長が識別されると
、この情報を使用して終点を識別する終点検出技術がやはり必要である。こうし
た技術の1つは、対象波長の輝度対時間のグラフの終点を示すものとして選択さ
れた変化が発生するまでの部分のパターンの定義を必要とする。グラフのこの部
分の定義はある等式または関数(例えば線形関数、1次多項式、2次多項式)を
通じて行われる。対応する波長がもはやその等式または関数に適合しない場合、
この同じプラズマ・ステップの次の実行について終点に到達したものと考えられ
る。もう1つの選択肢はこの関数の1次または2次導関数を使って結果として得
られる線の傾きを識別することである。現行光学的放射の時間による傾きの変化
がグラフ化されることもある。このグラフが対象関数の第1または第2導関数に
よって識別されたものから所定の量より大きく逸脱する時終点が呼び出される。 【0303】 現行プラズマ・プロセスについて収集された光学的放射データから終点に到達
したという同じ種類の表示をどの波長が提供するかを特徴付ける他の方法もある
。調査サブルーチン1478について得られた光学的放射データ、さらに詳しく
言うと輝度対時間のグラフが検討され、処理全体を通じて変化し終点が発生する
時間付近で定常状態に達するピークが識別されることがある。さらに、こうした
グラフが検討され、その処理について定常状態に留まり終点が発生する時間付近
で変化し始めるピークが識別されることもある。この挙動の小さな部分集合には
、終点の発生が疑われる時間付近で疑わしい波長(単数または複数)が背景に退
き、新しい波長が現れる挙動が含まれる。 【0304】 プラズマ・プロセスまたはその不連続部分の終点は1つまたはそれ以上の波長
領域で明らかなこともある。通常どの特定の波長領域が何らかの形で対象終点を
示すかを識別するため調査が行われなければならない。この特定の関数に影響す
る調査モジュール1300の適当なサブルーチンの実施形態が図62に例示され
る。調査サブルーチン1650はステップ1652で開始され、1つまたはそれ
以上の終点評価波長領域が選択される。すなわち、対象終点を示す可能性がある
か決定するために検討される1つまたはそれ以上の波長領域が選択される。使用
の際、現行プラズマ・プロセスについて大きな光学的放射データ・セグメントが
収集されるが、この場合終点モジュール1200によってある種の仮想フィルタ
が使用され、以下図64に関連してさらに詳細に論じられる方法で終点を呼び出
すこのデータの部分だけを評価するこの光学的放射データの部分集合に焦点が絞
られる。従って、各場合で同じ光学装置が使用されている(すなわち、この場合
終点を呼び出すために使用される波長領域を形成するため物理フィルタは必要な
い)ため、1つの波長を使用して1つのプラズマ・プロセスに関する終点を呼び
出し、全く異なった波長領域を使用して別のプラズマ・プロセスに関する終点を
呼び出すことは容易である。 【0305】 終点評価波長領域を選択する1つの方法は、大きな波長領域にわたって複数の
終点評価波長領域を検討するために使用される調査波長を識別する(すなわち、
大きな波長領域または大きな帯域幅を有する波長領域の複数の部分集合を見る)
ことである。例えば、調査帯域幅が5ナノメートルとして選択され、終点評価波
長領域が終点評価波長領域が、やはり好適には何らかの所与のプラズマ・プロセ
スから収集されるデータである好適光帯域幅全体を通じて評価される。上記で示
したように、好適光帯域幅には少なくとも約250ナノメートルから約1,00
0ナノメートルまでの波長が含まれる。従って、第1終点評価波長領域は150
〜155ナノメートルとなり、第2終点評価波長領域は155〜160ナノメー
トルとなり、第3終点評価波長領域は160〜165ナノメートルとなり、以下
上限に達するまで続く。選択された終点評価波長領域は重なり合う必要はないが
、上記の方法で重なり合うこともあり、端と端を接した形で配置されることもあ
る。 【0306】 図62の調査サブルーチン1650はステップ1654に続き、製品(例えば
、1つまたはそれ以上のウェーハ)が処理チャンバ36にロードされる。製品の
ない処理チャンバ36内で実行されるプロセスについて終点が呼び出されること
もあるので、ステップ1654はこの種のプロセスについて終点波長領域を識別
するため調査がなされる場合緩和されることがある。それにもかかわらずプラズ
マ・プロセスは調査サブルーチン1650のステップ1656によって示される
ように実行される。ステップ1658によって示されるように、好適にはプラズ
マ・プロセス全体を通じて、さらに好適には好適光帯域幅、好適データ解像度、
及び好適収集時間解像度を使用して、光学的放射データが得られる。 【0307】 対象プラズマ・プロセスから収集された光学的放射データに基づいて、図62
の調査サブルーチン1650のステップ1660及び1662によって示される
ようにいくつかのグラフが生成される。ステップ1658が示すように、終点評
価波長領域範囲対時間のグラフが、好適には対象プラズマ・プロセス全体または
その一部分にわたって、各終点評価波長領域について生成される(すなわち、ス
テップ1658によって参照されるグラフ上の1つのデータ点について時間t
の対象終点評価波長領域のスペクトル・パターンの下の範囲が決定/計算され、
ステップ1658によって参照されるグラフ上の別のデータ点について時間t2
の対象終点評価波長領域のスペクトル・パターンの下の範囲が決定/計算される
、等である)。時間に伴うこの範囲の変化はまた、ステップ1662によって示
されるように、各終点評価波長領域についてグラフ化される。 【0308】 終点は、ステップ1662の対象である1つまたはそれ以上のグラフの何らか
の識別可能な事象、変化、または状態の存在によって示される。これに関連して
、調査サブルーチン1650のステップ1664は、ステップ1662からの所
与のグラフがその全体にわたって有意でない変化しか有さない場合、この特定の
グラフに対応する終点評価波長領域は、終点波長領域候補としての検討から棄却
されることを示している。(例えば、グラフが事実上水平の線である場合)。逆
に、ステップ1666は、何らかの終点評価波長領域に関するステップ1662
のグラフが少なくともある程度の有意さの何らかの識別可能な事象、変化、また
は状態を有する場合、対応する終点評価波長領域は、対象プラズマ・プロセスに
関連する何らかの終点を示しうるものであることを示している。 【0309】 図62の調査サブルーチン1650のステップ1662のグラフからの波長領
域候補の選択は、図63A〜Hに示されるグラフによって表される。図63A〜
Hの各調査波長領域は5ナノメートル帯域幅を有し、好適光帯域幅内である。図
63Aの終点評価波長領域1690、図63Dの終点評価波長領域1693、図
63Fの終点評価波長領域1695、及び図63Hの終点評価波長領域1697
は各々、(例えば未加工の差、百分率差ベース、またはここで説明されるように
両方を使用して)ほぼ水平であるか、または水平基準線から所定の量より大きく
逸脱しない変化対時間のグラフ1698を有する。これは調査サブルーチン16
50のステップ1664の目的で「有意でないもの」を定義するために使用され
、終点評価波長領域1690、1693、1695、及び1697は棄却される
か、または図62の調査サブルーチンのステップ1664を通じて終点インディ
ケータとして検討されない。逆に、終点評価波長領域1691、1692、16
94、及び1696は各々この許容差を越えるグラフ1698を有しているので
、図62の調査サブルーチン1650のステップ1666を通じて対象プラズマ
・プロセスに関連する何らかの終点を示すものでありうる(例えば、終点インデ
ィケータ候補である)。図63Bの終点評価波長領域1691と図63Eの終点
評価波長領域1694は各々、時間tを中心とするある種の釣鐘形曲線を形成
する時間に伴う範囲の変化のグラフ1698を有している。図63Cの終点評価
波長領域1692は、初め少なくともほぼ水平に進み、時間tでかなり急激に
上昇し、その後再び少なくともほぼ水平に進む範囲の変化対時間のグラフ169
8を有する。図63Gの終点評価波長領域1696は、初め少なくともほぼ水平
に進み、時間t2のある高さ水準まで徐々に上昇し、その後かなり急激にほぼ水
平に進む範囲の変化対時間のグラフ1698を有する。 【0310】 範囲の変化対時間の対応するグラフの中に識別可能または有意の事象、変化ま
たは状態を有する全ての終点評価波長領域が必ずしも適当な終点インディケータ
であるわけではない。ある特定の終点評価波長領域について範囲の変化対時間の
グラフの有意の変化が、処理チャンバ36内にプラズマが現れるある時間内(例
えば、20秒以内)、処理チャンバ36内のプラズマが消失するある時間内(例
えば、10秒以内)、またはレシペの変化または1つのプラズマ・レシペから別
のプラズマ・レシペへの移行のある時間内(例えば、10秒以内)に発生する場
合、その特定の終点評価波長領域が実際に何らかの種類の終点を示す見込みはな
い。こうした制限の外にある範囲の変化対時間のグラフは、対応する終点評価波
長領域がまだ終点を示す可能性があることを意味している。しかし、大きな変化
はまた、少なくとも一般的には、対象プロセスに関連するある終点が発生した時
間に相関するに違いない。このさらなる基準を満たす範囲の変化対時間のグラフ
を有する各終点評価波長領域は、個別または組み合わせて、対象プラズマ・プロ
セスの終点を呼び出すために使用される。 【0311】 「個別」及び「組み合せ」の意味するところが例によって示される。図62の
調査サブルーチン1650からの2つの終点評価波長領域がプラズマ・プロセス
の65秒付近で対応する範囲の変化対時間のグラフに有意な事象を有し、さらに
それが終点が発生した時間付近であったと想定されたい。「個別」とはこれらの
調査波長領域の1つまたは両方を使用して上記で説明された方法で終点を呼び出
すことを意味する。「組み合わせ」とはこれらの2つの調査波長領域が十分に近
い(例えば互いに15ナノメートル以内)場合、終点を呼び出すために使用され
る波長領域はこれらの終点評価波長領域の両方を含むよう定義されることを意味
する(例えば、1つの終点評価波長領域が200〜205ナノメートルで、もう
1つの終点評価波長領域が210〜215ナノメートルであり、各々がプラズマ
・プロセスの関連時期付近に必要な「有意な事象」を有する範囲の変化対時間の
グラフを有した場合、終点波長領域は200〜215ナノメートルとして選択す
ることができる)。 <終点検出モジュール1200−図52〜図58及び図64> プラズマ・プロセス(例えば、プラズマ清掃、ウェーハのコンディショニング
操作)またはその不連続部分(例えば、プラズマ・レシペの1つまたはそれ以上
のステップ、多重ステップ・プラズマ・レシペの全てのステップ)の終点の実際
の検出は、図7及び図32の現行プラズマ・プロセス・モジュールの使用を通じ
て、さらに詳しく言うと、終点検出モジュール1200を通じて実現される。当
初いくつかのコメントがモジュール1200に対してなされる。まず、終点検出
モジュール1200は1つの終点だけを有するプラズマ・プロセスの終点を識別
するために使用される。対応する多数の終点を有する多重ステップ・プラズマ・
プロセスも終点検出モジュール1200を通じて評価される。多重プラズマ・プ
ロセスの2つかそれ以上のプラズマ・ステップは各々、終点検出モジュール12
00を通じて識別される対応する終点を有する。終点を有する多重ステップ・プ
ラズマ・プロセスの全てのステップも終点検出モジュール1200を通じて識別
される。 【0312】 終点検出モジュール1200は多数の技術を同時に利用し、プラズマ・プロセ
スまたはその一部分の終点の発生を識別する。これが実現される1つの方法は、
2つかそれ以上の異なった終点検出技術を利用し、これらの技術の何れか1つが
対象終点を識別した時終点を呼び出すことである。この文脈で「異なった」とは
、単にその技術によって使用されるデータだけでなく、技術自体が異なっている
ということを意味する。これが実現されるもう1つの方法は、2つかそれ以上の
終点検出技術を利用し、これらの技術の少なくとも2つが対象終点を識別した時
終点を呼び出すことである。このオプションは、終点が実際に適切に識別された
という信頼度を向上することで、さらに「ロバスト」な終点検出器を提供する(
例えば、終点が発生したことが統計的により信頼できる)。 【0313】 終点検出モジュール1200は図14のプロセス警告モジュール428に干渉
することがある。例えば、終点検出モジュール1200を通じて終点が識別され
ると、終点状態に関する情報が図14のプロセス警告サブルーチン432の「警
告」機能を通じて適当な作業員に提供される。終点検出モジュール1200を通
じた終点の識別に関連するプラズマ・プロセスの制御も、プロセス警告サブルー
チン432の「プロセス制御」機能を通じて影響される。モジュール1200を
通じた終点の識別が使用され、プロセス警告サブルーチン432を通じて上記で
説明された方法で、現行プラズマ・プロセスまたはその不連続部分(例えばプラ
ズマ・ステップ)を終了したり、現行プラズマ・プロセスの次の局面(例えば、
次のプラズマ・ステップ)を開始したり、またはそれらの両方を行うことがある
。 【0314】 好適には、現行プラズマ・プロセスはその健全さ(すなわち、上記で論じられ
たプラズマ健全度モジュール252によるプラズマの健全さ)と終点検出モジュ
ール1200による終点の両方に関連して評価される。ほぼ全体(プラズマが最
初に出現しプラズマがまだ不安定な最初の部分を除くことがある)を通じたプラ
ズマの健全さを監視することが有益であるが、終点検出モジュール1200はプ
ラズマ・プロセスの開始時に開始される必要はない。その代わり、終点モジュー
ル1200は好適には、プロセスの中間時間(例えば、対象プロセスまたはその
一部分の少なくとも1/2)に終点を識別する現行プラズマ・プロセスの評価を
開始する。しかし、1つまたはそれ以上の終点を識別するためモジュール120
0にプラズマ・プロセス全体を評価させること自体悪いことではない。ただそれ
は不必要にプロセス時間/能力を「消費」する。さらに、プラズマ健全度評価と
終点評価は同じ周波数または分析時間解像度で実行される必要はない。プラズマ
の健全さが検査される時間の量は終点を識別するためプラズマ・プロセスが検査
される時間より大きい。例えば、プラズマの光学的放射はプラズマ健全度評価の
ため少なくとも1秒ごとに検査されるが、終点を識別するためには少なくとも3
00ミリ秒ごとに検査される。 【0315】 プラズマ健全度モジュール252によるプラズマ健全度評価に関するもう1つ
の特徴が各終点検出サブルーチンに含まれ、それは以下扱われる。プラズマ健全
度モジュール252は、現行プラズマ・プロセスについて誤った、または不明な
状態を識別すると、終点検出モジュール1200の動作に影響することがある。
例えば、終点検出モジュール1200は、プラズマ健全度モジュール252によ
って誤ったまたは不明な状態が識別されたため終点が呼び出されないという情報
を適当な人員に表示することで、その状態に応答するように構成される。さらに
、終点検出モジュール1200が処理チャンバ36の制御によって検証されると
、プラズマ健全度モジュール252を通じた誤った、または不明な状態の識別に
よって、終点検出モジュール1200がプラズマ・プロセスの変化に影響を与え
、終点の識別の後現行プラズマ・プロセスを終了したり、次のプラズマ・プロセ
スを開始したり、またはそれらの両方を行う能力を終了する。すなわち、プラズ
マの健全さがプラズマ健全度モジュール252によって許容されない場合、そう
した状況で得られた終点情報は信頼できないので、終点検出モジュール1200
は「遮断」または不能になる。 【0316】 1つまたはそれ以上の上記の種類の特徴が以下扱われる各終点検出サブルーチ
ンに組み込まれる。終点検出モジュール1200を通じた終点検出に関してここ
で示される議論の残りの部分はプラズマ・レシペのプラズマ・ステップだけに関
連する。しかし、それは任意の種類のプラズマ関連プロセスに関する終点検出に
適用可能である。 【0317】 図7及び図32の終点モジュール1200によって呼び出される終点検出サブ
ルーチンの1つの実施形態が図52に示される。終点検出サブルーチン1456
が使用され、プラズマ・レシペの所与のプラズマ・ステップがその意図する目的
に影響したか、または望ましい結果を達成したかを決定する。ステップ1460
の実行を通じて、サブルーチン1456について現行時間tの処理チャンバ3
6内のプラズマの現行スペクトルが得られる。終点サブディレクトリ316によ
る処理チャンバ36からのこのスペクトルの評価がステップ1464でなされ、
終点に到達したかが決定される。ステップ1464によって考察される1つの技
術は、処理チャンバ36からのこのスペクトル、またはその一部分が図9の終点
サブディレクトリ316の少なくとも1つのスペクトルと「一致」するかを決定
することである。終点が達成されたはずの時同じプラズマ・ステップの前の実行
中に同じ処理チャンバ36から得られたスペクトルといったある波長範囲(例え
ば、好適データ解像度を使用する好適光帯域幅)にわたる光学的放射データが終
点サブディレクトリ316に格納される。処理チャンバ36内のプラズマのスペ
クトルのパターンは通常終点が達成された後の時間ほぼ一定である。従って、同
じ処理チャンバ36内のこのプラズマ・ステップの前の実行からのデータを分析
することで、終点が発生した時間付近の実際の有意な変化を経験しない複数のス
ペクトルの識別を可能にする。こうしたスペクトルは好適光帯域幅及び好適デー
タ解像度によって定義される。1つまたはそれ以上のこうした「定常状態」スペ
クトルは、終点検出サブルーチン1456のステップ1468で「一致」を識別
する目的で現行スペクトルと比較するため終点サブディレクトリ316に含まれ
る。「一致」があるかを見るため、ステップ1464及び1468は図13のパ
ターン認識モジュール370を利用する。 【0318】 図52の終点検出サブルーチン1456のステップ1468で終点を示す「一
致」を識別する別の方法が存在する。図49の調査モジュール1300によって
識別された1つまたはそれ以上の波長はある等式または関数によって定義される
同じ処理チャンバ36内の同じプラズマ・ステップの前の実行からの輝度対時間
の対応するグラフを有することがある。この場合、ステップ1464を通じた評
価は、同じ処理チャンバ36内の同じプラズマ・プロセスの次の実行のこの波長
の光学的放射データをグラフ化し、このデータが実際にこの等式または関数に適
合するかを決定することである。その場合、(例えば線形適合技術、多項式適合
技術等を利用して)現行光データがもはやその等式または関数に適合しない時、
すなわち調査モジュール1300に関連して上記で論じられた「変化」が発生し
た時間付近で終点が呼び出される。この種の現行データを評価するために使用さ
れる他の技術は、この等式または関数の第1導関数または第2導関数を利用して
線形関数を定義し、この関数からの偏差が上記で示したある場合より容易に識別
されるようにすることである(すなわち、現行光データの時間に伴う傾きの変化
のグラフが第1または第2導関数によって定義された傾きから大きく逸脱する時
)。 【0319】 1つまたはそれ以上の特定の波長の挙動に基づいて終点を呼び出す能力を向上
する機能が本発明に組み込まれる。終点を示す波長が図49の調査モジュール1
300を通じて識別されると、こうした特定の波長のある種の関連特性も同様に
留意されたい。終点インディケータとして1つの波長だけが選択された場合を検
討されたい。この波長のピークの輝度が示され、同じプラズマ・プロセスのその
後の実行でのそれを識別することがある。例えば、対象波長はある波長領域内の
最大ピークを表すことがある。従って、スペクトルのある範囲内の最大ピークを
探すことで、その後の実行中の対象波長が発見される。さらに、対象波長のピー
クの「位置」は1つまたはそれ以上の他のピークに関連して識別される。例えば
、対象波長は、ある波長領域内の2つの大きなピークの間に位置するピークによ
って表される。従って、対象波長は、プラズマの光学的放射中のこのパターンを
探すことでその後の実行中に発見される。 【0320】 現行時間tの処理チャンバ36内のプラズマのスペクトルの評価が、終点に
まだ到達していないことを示す場合、終点検出サブルーチン1456はステップ
1468からステップ1476及び1470に進むが、これらのステップは任意
の順序で実行される。ステップ1476は、現行時間tを「n」倍だけ増やす
ことでサブルーチン1456の「クロック」をリセットする。「n」の大きさは
分析時間解像度を定義する。ステップ1470は現行プラズマ・プロセスが終了
したかの決定を行う。チャンバ36内でいつプラズマが「オン」であるかの決定
に関連して上記で論じられた同じ種類の技術がステップ1470で使用される。
現行プラズマ・プロセスが終了しない限り、サブルーチン1456はステップ1
460に戻り、そこで上記で説明された分析を反復するためこの新しい現行時間
でサブルーチン1456について別のスペクトルが得られる。プラズマ・プ
ロセスが終了した場合、サブルーチン1456はステップ1470からステップ
1466に進み、そこでプラズマ監視操作の制御は例えば図15の始動モジュー
ル202に戻される。プラズマ・プロセスが終了する時間までに終点が検出され
なかった場合、プラズマ健全度モジュール252が必ずしも何らかの誤り、また
は逸脱を識別していなくとも、終点が検出されずそうした状態があったかもしれ
ないという情報が人員に提供される。 【0321】 図52の終点検出サブルーチン1456は、ステップ1468がステップ14
64及び1468を通じて終点を識別するまで上記の方法で実行を続ける。この
時サブルーチン1456はステップ1468からステップ1474に進み、そこ
で図14のプロセス警告モジュール428が呼び出される。そこでは、(プロセ
ス警告サブルーチン432のステップ454及び458の実行を通じて)対象プ
ラズマ・ステップの終点に到達したことを人員に通告する動作がなされ、プラズ
マ・プロセスの制御に関連する動作(例えば、次のプラズマ・ステップを開始す
る、または対象ステップがそのレシペの最後のステップである場合プラズマ・レ
シペを終了する)がなされ、またその両方がなされる。プロセス警告モジュール
428または終点検出サブルーチン1456のステップ1472を通じて、プラ
ズマ監視操作の制御はその後、例えば図15の始動モジュール202に戻る。 【0322】 終点モジュール1200を通じてアクセスされる終点検出サブルーチンの他の
実施形態が図53に示される。図53の終点検出サブルーチンはステップ151
0で開始され、サブルーチン1506について現行時間tでの処理チャンバ3
6内のプラズマのスペクトルが得られる。ステップ1514ではこのスペクトル
と「基準」スペクトルが互いに減算される。ステップ1514の関連では差だけ
が重要である。すなわち、現行スペクトルが「基準」スペクトルから減算される
かまたはその逆かは特に重要ではない。好適には、基準スペクトルと獲得される
現行プラズマ・プロセスのスペクトルは好適光帯域幅と好適データ解像度によっ
て定義される。 【0323】 終点検出サブルーチン1506のステップ1514の「基準」スペクトルにつ
いて少なくとも2つの代替案が実現される。ステップ1514の「基準」スペク
トルは図9の終点サブディレクトリ316から検索されることがある。好適には
、終点検出サブルーチン1506のステップ1514の「基準」スペクトルであ
る終点サブディレクトリ316からのスペクトルは同じプラズマ・プロセスに関
連するスペクトルである。すなわち、ステップ1514の「減算」に含まれる終
点サブディレクトリ316のスペクトルは、終点が少なくとも発生したと想定さ
れるプラズマ・プロセス中の時間の同じ処理チャンバ36内の同じプラズマ・プ
ロセスの前の実行に由来するスペクトルである。終点サブディレクトリ316に
含めるためこのスペクトルを選択する方法は上記で示された議論による。さらに
、ウェーハ製造システム2と現行プラズマ・プロセス・モジュール250の間の
直接通信、またはレシペ、レシペ・ステップ等が処理チャンバ36内で実行され
るプラズマ・プロセスに関するレシペ、レシペ・ステップ等が検出されたことを
識別するパターン認識モジュール370により作業員によって提供される情報が
使用され、ステップ1514に関連する「減算」で使用するため終点サブディレ
クトリ316からこのスペクトルを選択する。ステップ1514を目的とする「
基準」スペクトルを得るもう1つの選択肢は、ステップ1510で現行スペクト
ルが得られる同じプラズマ・プロセスからの時間的に前の(例えば、現行時間t
の直前の)スペクトルである。例えば、現行時間tのスペクトルと現行時間
−nのスペクトルがステップ1514で互いに減算される。 【0324】 終点検出サブルーチン1514のステップ1514の実行による現行時間t
の処理チャンバ36内のプラズマの現行スペクトルと「基準」スペクトルの減算
によって差を示す出力が生成される。ステップ1518でサブルーチン1506
が、この差がある所定の許容差内であると決定した場合、終点に到達したものと
考えられ、サブルーチンはステップ1518からステップ1530に進み、上記
による動作のため制御がプロセス警告モジュール428に移される。そうでない
場合、サブルーチン1506はステップ1518から先に進み、ステップ152
2及び1524を実行する。ステップ1522及び1524が実行される順序は
特に関連性はない。ステップ1522は、現行時間tを「n」倍増やすことで
サブルーチン1506の「クロック」をリセットする。「n」の大きさは分析時
間解像度を定義する。ステップ1524は現行プラズマ・プロセスが終了したか
に関する決定を行う。チャンバ36内でいつプラズマが「オン」であるかの決定
に関連して上記で論じられた同じ種類の技術がステップ1524で使用される。
現行プラズマ・プロセスが終了していない限り、サブルーチン1506はステッ
プ1510に戻り、上記で説明された分析を反復するためこの新しい現行時間t
でのサブルーチン1506のための別のスペクトルが得られる。プラズマ・プ
ロセスが終了している場合、サブルーチン1506はステップ1524からステ
ップ1528に進み、プラズマ監視操作の制御は例えば、図15の始動モジュー
ル202に戻される。 【0325】 図53の終点検出サブルーチン1506のステップ1518で言及された「差
」は基準線輝度といった所定の許容差と比較される。未加工差ベース、百分率差
ベース、またはそれらの両方が使用されこの許容差を確立する。例えば、ステッ
プ1514の「減算」に含まれる全てのデータ点が互いに±「x」輝度単位以内
である場合、サブルーチン1506はステップ1518からステップ1530に
進められる。別言すれば、ステップ1514によって定義される差にもはや有意
なピークがない場合、終点検出サブルーチン1506の目的では終点に到達した
と考えられる。こうした種類の概念は図54A〜C、図55A〜C及び図56A
〜Cを参照して例示される。 【0326】 図54Aのスペクトル1496aは、処理チャンバ36内の製品に対して実行
されるプラズマ・ステップの初期部分(例えば、現行時間t)の処理チャンバ
36内のプラズマを表す(例えば、図54Aのスペクトルは、図53の終点検出
サブルーチン1506のステップ1510の現行時間tのスペクトルである)
。スペクトル1496aは様々な波長の様々な輝度で複数の輝度ピーク1498
aを有する。図54Bのスペクトル1500は終点検出サブルーチン1506の
ステップ1514の「基準」スペクトルであり、様々な波長の様々な輝度の複数
のピーク1502によって定義される。図54Cは、出力1504aの性質を帯
びた、図54Aのスペクトル1496aと図54Cのスペクトル1500の間の
「差」の例である。図54Cの出力1504aは、図53の終点検出サブルーチ
ン1506の論理に基づき終点に到達していないことを示す有意なピークを有す
ることに留意されたい。 【0327】 図55Aのスペクトル1496bは、図54Aに示される同じプラズマ・ステ
ップの中間時間(例えば、現行時間t30)の処理チャンバ36内のプラズマを
表す(すなわち、図55Aのスペクトルは図53の終点検出サブルーチン150
6のステップ1510の現行時間tのスペクトルである)。図55Bのスペク
トル1500はここでも終点検出サブルーチン1506のステップ1514の「
基準」スペクトルであり、図55Cは、出力1504bの性質を帯びた、図55
Aのスペクトル1496bと図55Bのスペクトル1500の間の「差」を示す
。図55Cの出力1504bは、終点検出サブルーチン1506の論理に基づき
終点に到達していないことを示す有意なピークをまだ有することに留意されたい
。しかし、図55Cの出力1504bのピークの大きさが図54Cの出力150
4aのピークの大きさより小さい点で、プラズマ・ステップが進行していること
に留意されたい。 【0328】 図56Aのスペクトル1496cは、図54A及び図55Aに示される同じプ
ラズマ・ステップの終了近く(例えば、現行時間t45)の処理チャンバ36内
のプラズマを表す(すなわち、図56Aのスペクトルは図53の終点検出サブル
ーチン1506のステップ1510の現行時間tのスペクトルである)。図5
6Bのスペクトル1500はここでも終点検出サブルーチン1506のステップ
1514の「基準」スペクトルであり、図56Cは、出力1504cの性質を帯
びた、図56Aのスペクトル1496cと図56Bのスペクトル1500の間の
「差」を示す。図56Cの出力1504cには今や有意なピークはなく、これは
終点検出サブルーチン1506の論理に基づき終点に到達したことを示すことに
留意されたい。従って、上記による動作に対して図56Aのスペクトルが出現す
る時サブルーチン1506によって終点が呼び出される。 【0329】 図7及び図32の終点検出モジュール1200によって利用されるサブルーチ
ンの他の実施形態が図57に示される。一般に、図57の終点検出サブルーチン
1204は、所与のプラズマ・プロセスまたはその不連続部分(例えば、プラズ
マ・ステップ)の終点を、終点が発生した時間付近のチャンバ36またはその一
部内の「モードの」変化に関連させる。多くの場合、終点に到達する時間には処
理チャンバ36に関連するインピーダンスの変化が存在する。このインピーダン
スの変化は、処理チャンバ36またはその一部内のプラズマの「モードの」変化
に反映されることが多い。一方プラズマの変化はその光学的放射に反映される。
このモードの変化のみに基づいて(すなわち、図57の終点検出サブルーチン1
204のみによって)終点を呼び出すことができる。しかし、好適には、終点を
識別するこの「モードの」変化は他の終点識別技術(例えば、図52の終点検出
サブルーチン1456、図53の終点検出サブルーチン1506)と組み合わせ
て使用される。 【0330】 ステップ1208で図57の終点検出サブルーチン1204について光学的放
射データが得られる。この光学的データはさらに詳しく言うと、時間tc1の処
理チャンバ36内のプラズマのものである。ステップ1212で2つの他の時間
関連変数が導入される。ステップ1212で時間tc1+nが時間tc2に等し
く設定される。すなわち、時間tc2は時間tc1より増分「n」だけ大きい。
このサブルーチンでの「n」の大きさは分析時間解像度を定義する。処理チャン
バ36内のプラズマの光学的放射は、終点検出サブルーチン1204のステップ
1216の実行を通じてこの時間tc2について得られる。 【0331】 終点検出サブルーチン1204のステップ1220で、時間tc1及びtc2
に対する現行値の光学的放射の輝度が互いに比較される。ステップ1224の実
行を通じてこれら2つの時間の光学的放射の間の差が所定の量(例えば、ある大
きさの増大または減少)より小さいと判定される場合、サブルーチン1204は
ステップ1224からステップ1228に進む。ステップ1228で時間tc2
は時間tc1に等しく設定され、終点検出サブルーチン1204によって新しい
時間tc2のスペクトル・データが得られ、上記を反復するためステップ121
2に戻る。プラズマ・プロセスが終了している場合サブルーチン1204が上記
を出るため、制御が例えば図15の始動モジュール202に戻されるステップ1
244に進むことでこの機能を提供するステップ1240が組み込まれる。以下
によりステップ1236の実行を通じて終点が呼び出された後制御が始動モジュ
ール202に戻されることもある。 【0332】 時間tc1及びtc2に関連する光学的放射の間の差が終点検出サブルーチン
1204のステップ1224に関連する所定の量より常に大きい場合、これは終
点を示すプラズマの上記の「モードの」変化を示すものでありうる。しかし、こ
れはこの時点の「モードの」変化の種類を決定的に示すものではない。急速かつ
急激に出現し、同じプラズマ・プロセスのその後の実行で持続的に観察される、
終点が発生したと推定される時間付近で発生するプラズマに関連する「モードの
」変化だけが、終点で発生するインピーダンスの変化を示す。従って、サブルー
チン1204を信頼し、ステップ1232の実行を通じてプロセス警告モジュー
ル428の実行により終点を呼び出す前に、サブルーチン1204が使用される
個々のプラズマ・プロセスを複数回実行することが望ましいことがある。終点を
呼び出すために他の終点検出技術が使用される時、終点に到達したことを確認し
たり、その信頼度を向上するためサブルーチン1204が使用されることもある
。 【0333】 図57の終点検出サブルーチン1204に関連する「モードの」変化は1つま
たはそれ以上の特定の波長に関連して監視されるが、定義上プラズマの性能に影
響を与え、光学的放射範囲を通じて検出される(但し、波長の中には他よりも大
きいモードの変化の影響を示すものもある)。例えば、ステップ1224に関す
る差に関連する光学的放射は単一の波長に関するものでよい。さらに、ステップ
1224に関する差に関連する光学的放射は複数の波長に由来することもあり、
その場合インピーダンスの変化を示しうる「差」はこうした波長の中1つまたは
それ以上が上記の「モードの」変化を示す時のものである。もう1つの選択肢は
ある帯域幅にわたって「モードの」変化を監視することである。これに関連して
、図58に示される出力1260はプラズマ・ステップを通じた時間全体にわた
るチャンバ36内のプラズマの輝度の変化を例示する。さらに詳しく言うと、出
力1260の各点は、現行時間(例えば、t)と前の時間(例えば、tc−n
)の好適光帯域幅及び好適データ解像度にわたるチャンバ36内のプラズマの光
学的放射の差を例示する。好適には、出力1260を定義する各データ点は、チ
ャンバ36から光学的放射データが得られる2つの隣接する時間の間の差である
。図58の出力1260に見られるように、35秒の目盛と40秒の目盛付近に
プラズマの輝度の有意な変化が存在する。これは、図57の終点検出サブルーチ
ン1204が終点に関連させる、処理チャンバ36に関連するインピーダンスの
変化に関連しうる種類の「モードの」変化である。 【0334】 終点検出モジュール1200のを通じて終点を呼び出す別の方法が、終点検出
サブルーチン1670の形態で図64に例示されている。サブルーチン1670
には準備または初期化ステップ1672及び1674が含まれるが、これらは任
意の順序で実行される。ステップ1672では終点波長領域が選択される。1つ
またはそれ以上の終点波長領域が使用され、対象プラズマ・プロセス内の特定の
終点を呼び出す。様々な実現代替案が存在する。終点波長領域のいずれかの関連
グラフによって示される場合、または全ての関連終点波長領域に関連グラフによ
って示される場合のみ終点「A」が呼び出される。1つの終点波長領域が終点「
A」の主要インディケータとして指定され、同じ終点に関連する他の終点波長領
域は、主要終点波長領域による終点「A」の呼び出しが正しいという信頼度を向
上するためにだけ使用される。 【0335】 ステップ1674はある種の別の初期化ステップであり、(例えば調査モジュ
ール1300を通じて)特定の終点を示すものと決定された、ステップ1672
で選択された終点波長領域に関連するあるパターンを識別する方法の選択に向け
られる。この事象を識別する方法に関してはすでに様々な代替案が議論されてお
り、それらは図64の終点検出サブルーチン1670でも使用される。特定の終
点が特定の波長または波長領域の挙動に基づいて呼び出されるか否か、特定の終
点を示すこの特定の波長または波長領域の「パターン」を識別する1つの方法は
ステップ1674によって示されるアルゴリズムによるものである。多数のアル
ゴリズムが関連するパターンを識別しそれらを終点と同一視するために利用され
るので、こうしたアルゴリズムは終点アルゴリズムとして特徴付けられる。ある
状況に適した1つの種類の終点アルゴリズムは、終点波長/波長領域に関連する
グラフの負の傾きがあるしきい値を越える時を識別するものである(「終点アル
ゴリズムA1」)。ある状況に適した別の種類の終点アルゴリズムは、終点波長
/波長領域に関連するグラフの負の傾きの割合の少なくともある程度の変化が存
在する時を識別するものである(「終点アルゴリズムA2」)。ある状況に適し
たまた別の種類の終点アルゴリズムは、終点波長/波長領域に関連するグラフの
正の傾きがあるしきい値を越える時を識別するものである(「終点アルゴリズム
B1」)。ある状況に適したまた別の種類の終点アルゴリズムは、終点波長/波
長領域に関連するグラフの正の傾きの割合の少なくともある程度の変化が存在す
る時を識別するものである(「終点アルゴリズムB2」)。こうした終点アルゴ
リズムに関連して言及されるグラフとは、対象終点波長領域に関する時間に伴う
範囲の変化のグラフである。終点アルゴリズムA1、A2、B1、またはB2の
何れかによる終点呼び出しの前兆またはそれに先立つ状態には、終点波長/波長
領域の対象グラフの平均二乗誤差のあるしきい値に一致するかまたはそれを越え
ることが含まれる。 【0336】 図64の終点検出サブルーチン1670のステップ1676によって示される
対象プラズマ・プロセスの実行中、ステップ1678によって示されるようにプ
ラズマの光学的放射が得られる。好適にはこうした光学的放射は好適光帯域幅を
包含し、さらに好適データ解像度及び好適データ収集時間解像度を使用して得ら
れる。この光学的放射データは好適には、ログ・ファイルのようなコンピュータ
可読格納媒体及び/またはプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284に格納さ
れる。何れにしても、光学的放射データを備える様々な波長は個別に識別できる
ように何らかの形で登録される。その後対象プラズマ・プロセスの終点がステッ
プ1680の実行を通じて、上記で説明された何れかの形で(例えば、終点アル
ゴリズムA1、A2、B1、B2の何れかを通じて)呼び出される。例えば、現
行プラズマ・プロセスに関する入力光学的放射データを登録した後、終点検出モ
ジュール1200によって使用されるためある指定されたデータが検索または隔
離されることがある。 【0337】 終点モジュール1200による終点の呼び出しには、図64の終点検出サブル
ーチン1670によって強調される多数の主要な態様が存在する。まず、ステッ
プ1672で多数の終点波長領域が選択され、ステップ1676のプラズマ・プ
ロセス(例えば、プラズマ・レシペの多数のステップ)の多数の終点を呼び出す
。もう1つの要点は、終点検出サブルーチン1670を使用するプラズマ監視シ
ステムには、特定の終点を呼び出す際に使用することが望ましい波長領域を変更
するためにハードウェアの変更が必要ないということである。これは仮想帯域通
過フィルタまたは仮想フィルタリング技術として特徴付けられる。全体を通じて
注意されるように、光学的放射は好適には好適光帯域幅、好適データ解像度、及
び好適データ収集時間解像度の任意のプラズマ・プロセスについて収集され、コ
ンピュータ可読格納媒体に格納される。さらに、終点は、好適光帯域幅内に含ま
れるが、好適光帯域幅の全体を構成しないある波長または波長領域に基づいて呼
び出されるものとして説明される。すなわち、ここで説明される終点インディケ
ータは好適光帯域幅の単なる部分集合として説明されている。しかし、好適光帯
域幅内の光学的放射データはそれにもかかわらず対象プラズマ・プロセスについ
て収集されたものである。ここで説明される方法でこの光学的放射データを適切
に格納することで、終点の呼び出しで使用するため終点モジュール1200によ
ってその任意の特定の部分を呼び出しまたは検索することができる(例えば、収
集されたデータの任意の部分は終点アルゴリズムA1、A2、B1、B2によっ
て使用される)。これは望ましい光学的放射を得るためのフィルタを追加するこ
となくなされるので、終点モジュール1200は仮想帯域通過フィルタ能力を有
している(すなわち、プラズマの健全さを監視し、及び/または1つまたはそれ
以上の終点を呼び出すために、プラズマ・プロセスに関するある量のデータを収
集し、その後このデータの一部を選択するだけで、光学的システムの変更を必要
としないフィルタリング機能が提供されるので、「仮想的」であると説明される
)。これは、大きな範囲の光学的放射データが収集されているため、終点を示す
と想定される、または識別される光学的放射データの値を変更するだけで、従っ
てハードウェアの変更を行う必要なしに、任意の種類のプラズマ・プロセスに関
する任意の種類の終点を呼び出すために使用されるという点で、終点モジュール
1200を非常に「包括的な」ものにする。 <ウェーハ分配モジュール1384−図59〜図60> 現行プラズマ・プロセス・モジュール250によって提供される様々な上記の
評価は図59〜図60のウェーハ分配モジュールに情報を提供し、ウェーハ製造
システム2の様々な処理チャンバ36へのウェーハの分配に何らかの種類の影響
を有する。ウェーハ分配モジュール1384によって使用されるサブルーチンの
1つの実施形態が図69に例示される。図55のサブルーチン1388にはステ
ップ1392、1396、1400、及び1402が含まれるが、ここでプロト
コルは各チャンバ36a〜d(図1)についてプラズマ・プロセス製品モジュー
ル252に進むウェーハ分配サブルーチン1388に関するものである。サブル
ーチン1388はもちろん異なった数の処理チャンバ36を有するウェーハ製造
システムにも対応する。これらの処理チャンバ38a〜dの各々で製品に対して
実行される現行プラズマ・レシペの監視は1404のプロトコルに含まれる。何
れかのチャンバ36a〜dで製品に対して実行される現行プラズマ・レシペの標
準スペクトル・サブディレクトリからの偏差がステップ1408で留意されたい
。任意の処理チャンバ36内で製品に対して実行される現行プラズマ・レシペが
標準スペクトル・サブディレクトリ288内のプラズマ・レシペに「一致」しな
い場合、このチャンバ36へのウェーハ18の分配は停止される。これは、図2
1〜図25のプラズマ・プロセス製品モジュール252によって識別される対象
プラズマ・レシペの誤り、図21〜図25のプラズマ・プロセス製品モジュール
252による対象プラズマ・レシペ中の不明な条件の識別、または図27〜図2
9の何れかのチャンバ状態モジュール1084による不潔なチャンバ状態の識別
による。この種の事象が最初に発生した際に停止が実現されることもあるが、ウ
ェーハ分配サブルーチン1388は、所定の数の連続プラズマ・レシペがあるチ
ャンバ36について標準スペクトル・サブディレクトリ288から逸脱するまで
、または一定の数のプラズマ・レシペのある割合があるチャンバ36について標
準スペクトル・サブディレクトリ288から逸脱する時(例えば、3つの実行の
中少なくとも1つが標準スペクトル・サブディレクトリ288のプラズマ・レシ
ペと一致しない場合)までは停止がないように構成されることもある。 【0338】 図7及び図32のウェーハ分配モジュール1384によって使用されるサブル
ーチンの他の実施形態が図60に例示される。このサブルーチン1416にはス
テップ1420、1424、1428、及び1430が含まれるが、ここでプロ
トコルは対応する処理チャンバ36a〜d(図1)の各々についてプラズマ・プ
ロセス製品モジュール252に進むウェーハ分配サブルーチン1416に関する
ものである。サブルーチン1416はもちろん異なった数の処理チャンバ74を
有するウェーハ製造システムにも対応する。これらの処理チャンバ36a〜dの
各々で製品に対して実行される現行プラズマ・レシペの監視はステップ1432
のプロトコルに含まれる。各チャンバ36で各プラズマ・レシペを実行するため
に必要な合計時間もステップ1432で注意される。ステップ1432はそれに
よって、図52〜図58に関連して上記で論じられた終点モジュール252と共
に、図21〜図25に関連して上記で論じられたプラズマ処理製品モジュール2
52を使用する。これらのチャンバ36へのウェーハ18の分配順序はステップ
1436で注意される各プラズマ・レシペを完了するために必要な合計時間に基
づく。 【0339】 ウェーハ分配サブルーチン1416のステップ1436の論理は、最も短い量
の時間にプラズマ・レシペを実行する処理チャンバ36に優先順位が与えられる
というもののことがある。すなわち、チャンバ36へのウェーハ18の分配順序
は、「最も速い」処理チャンバ36を最も多く利用するというものとなる。「最
も速い」チャンバが36aで利用可能である(すなわち、製品が入っていない)
場合、ステップ1436の論理は、別のチャンバ(例えば、チャンバ36b)が
次のウェーハ18を受け取るよう「予定」されていてもこのチャンバ36aにウ
ェーハ18を提供するようウェーハ処理組立体44に指示する。また、ステップ
1436の論理は、最も長い期間にわたってプラズマ・レシペを実行する処理チ
ャンバ36に優先権が与えられるというもののこともある。プラズマ・レシペを
実行するために必要な時間が長くなるということは、チャンバ36が不潔になり
、図27〜図29のチャンバ状態モジュール1084に関連して上記で論じられ
たように近い将来「清掃」が必要になるということを示す。この場合、ウェーハ
製造システム2を組み込んだ施設の作業員は、あるチャンバ36が近い将来清掃
のため「ラインから外される」ということが決定されると、そのチャンバ36の
運転を最大にしようと決定することがある。 <プラズマ監視ネットワーク1610− 図65〜図66> ウェーハ製造施設は、通常、(例えば、共通のウェーハ処理組立体44により
サービスを受け、共通のMCU58により制御される処理チャンバ36のグルー
プを持つチャンバ36の複数のグループのような)複数のウェーハ製造システム
2を使用する。複数のウェーハ製造システム2を、ネットワークで結ぶ一つの方
法を、図66のプラズマ監視ネットワークの形で示す。図65は、四つのウェー
ハ製造システム2a−dを示す。しかし、プラズマ監視ネットワーク1610の
原理を使用して、任意の数のウェーハ製造システム2をネットワークで結ぶこと
ができる。ネットワーク1610上の各ウェーハ製造システム2は、図に示すよ
うに、適当な包囲バリヤ1648で囲まれている、一つのクリーン・ルーム16
46に収容されている。しかし、プラズマ監視ネットワーク1610は、任意の
数のクリーン・ルーム1646(図示せず)内に位置する、ウェーハ製造システ
ム2を相互接続するために使用することができる。 【0340】 図に示すように、各ウェーハ製造システム2は、それ自身の主制御ユニット5
8、説明のように、プラズマ処理動作システム(図示せず)の監視に基づいて、
少なくともなんらかの方法で、動作を制御するために、適当に動作できるように
相互接続することができるプラズマ監視制御ユニット128を含む。所与のウェ
ーハ製造システム2用の、プラズマ監視制御ユニット128は、そのシステム2
内の各チャンバ36内で行われる、プラズマ・プロセスを同時に監視することが
できるように構成することができるし、さらに、あるウェーハ製造システム2用
の所与のプラズマ監視制御ユニット128は、各チャンバ毎に制御することがで
きる(すなわち、複数のチャンバ36用に、一つのプラズマ監視制御ユニット1
28を使用することができるが、プラズマ監視制御ユニット128は、これら各
チャンバ36内のプラズマ監視動作を、別々に制御することができるように、構
成することもできる)。 【0341】 所与の各ウェーハ製造システム2の、主制御ユニット58及びプラズマ監視制
御ユニット128の両方は、クリーン・ルーム1646の外に位置する遠隔チャ
ンバ・グループ局1614に、動作できるように相互接続している。遠隔の主局
1630も、クリーン・ルーム1646の外に位置していて、プラズマ監視ネッ
トワーク1610上の各ウェーハ製造システム2の、主制御ユニット58及びプ
ラズマ監視制御ユニット128に、動作できるように相互接続している。各遠隔
チャンバ・グループ局1614、及び遠隔主局1630は、適当なディスプレイ
(例えば、コンピュータ・モニタ)、及びデータ入力デバイス(例えば、キーボ
ード、マウス)を持つことができる。 【0342】 特定のウェーハ製造システム2の主制御ユニット58、及び所与のウェーハ製
造システム2のプラズマ監視制御ユニット128へのアクセスは、アクセス・モ
ジュール1682により制御される。各遠隔チャンバ・グループ局1614及び
遠隔主局1630に関連する、アクセス・モジュール1682が設置されている
。アクセス・モジュール1682は、複数のモジュールまたはアクセス可能な品
目を持つ。各遠隔チャンバ・グループ局1614及び遠隔主局1630の上で柔
軟に処理を行うことができる。すなわち、プラズマ監視ネットワーク1610は
、各遠隔チャンバ・グループ局1614、及び遠隔主局1630がアクセスする
ことができる、図66のどれかのモジュールを調整するように、「プログラム」
することができる。この柔軟性のために、図66のモジュールへのアクセスは、
遠隔主局1630 及び各遠隔チャンバ・グループ局1614に対して異なり、
図66のモジュールへのアクセスは、一つまたはそれ以上の遠隔チャンバ・グル
ープ局1614、またはその任意の組合せの間で異なる。図66のモジュールも
、プラズマ監視ネットワーク1510に内蔵して、またはネットワークで結ばれ
ていない環境内で、クリーン・ルーム1646内で、任意の一つまたはそれ以上
のプラズマ監視制御ユニット128が使用できるようにすることもできるし、内
蔵させることもできることに留意されたい。 【0343】 多くの場合、任意の遠隔チャンバ・グループ局1614も、遠隔主局1630
も、任意の主制御ユニット58の動作を制御刷すために、上記ユニットにアクセ
スすることはできない。しかし、ことタイプのアクセスは、プロセス制御モジュ
ール1681を通して、関連アクセス・モジュール1682により制御すること
ができる。所与のアクセス制御モジュール1681がオンになると、対応するM
CU58へアクセスできるようになる。逆に、所与のアクセス制御モジュール1
681が「オフ」になると、対応するMCU58へのアクセスができなくなる。 【0344】 遠隔主局1630及び種々の遠隔チャンバ・グループ局1614にとっては、
一つまたはそれ以上のプラズマ監視制御ユニット128にアクセスするのは、極
普通のことである。このタイプのアクセスも、その対応するアクセス・モジュー
ル1682により制御される。プラズマ監視ネットワーク1610上で、上記の
方法で使用することができるモジュールの中の一つとしては、データ・プレーヤ
・モジュール1684がある。データ・プレーヤ・モジュール1684は、基本
的には、プラズマ・スペクトル・ディレクトリ284内に記録した、またはある
チャンバ36上で前に実行した、プラズマ・プロセスからのデータ・ログ・ファ
イル内に記録した光学的放射データを、遠隔主局1630及び/または対応する
遠隔チャンバ・グループ局1614上で、ある意味で、「再実行」することがで
きるようにする。すなわち、この同じデータは、問題の処理チャンバ36におい
て、プラズマ監視モジュール200が使用した、同じ現在のプラズマ・プロセス
・モジュール250を含む、データ・プレーヤ・モジュール1684により再使
用される。例えば、データ・プレーヤ・モジュール1684の、終点検出モジュ
ール1200を、変更することができる。重要なことは、クリーン・ルーム16
46内の関連するチャンバ36のところで、プラズマ監視制御ユニット128に
対して、上記変更が実際には行われないことである。その後で、これらの変更の
影響を、前のプラズマ・プロセスからの、光学的放射データにより分析すること
ができる。そうすることにより、必ずしも製造に影響を与えないで、本当の光学
的放射データについて、適当な実験を行うことができる。 【0345】 所与のデータ・プレーヤ・モジュール1684上で、終点モジュール1200
を「変更する」ために、多くの方法を使用することができる。例えば、終点イン
ディケータ候補としての、異なる波長または波長領域の実行可能性を、(例えば
、終点アルゴリズムA1、A2、B1、B2により)上記方法の中のどれかより
、終点を呼び出そうと試みることにより、試験することができる。異なる終点検
出技術の実行可能性も、図64の終点検出サブルーチン1670のところで説明
する、終点アルゴリズムA2から、終点アルゴリズムA1へ変更するなどして、
データ・プレーヤ・モジュール1684により試験することができる。データ・
プレーヤ・モジュール1684を使用して、試験することができるもう一つの可
能な変更は、図64の終点検出サブルーチン1670のところで説明した、自乗
平均エラーに対する域値を修正する方法である。時間関連の設定も、終点モジュ
ール1200をプログラムするために使用される、データ・プレーヤ・モジュー
ル1684により修正することができる。種々の時間関連の基準を、終点モジュ
ール1200、またはそのサブルーチンの中の一つに、入力することができる。
(例えば、プラズマがチャンバ内に発生してから、少なくとも「x」秒の間は、
終点を呼び出さないように)ある時間が経過する前に終点を呼び出さないように
、及び/または(例えば、プラズマがチャンバ内に最初に発生してから、「y」
秒経過するまで、終点モジュール1200により、終点が呼び出されないように
)ある時間が経過するまで終点を呼び出さないように、データ・プレーヤ・モジ
ュール1684の終点検出モジュール1200に、命令を入力することができる
。また、プラズマ状態チェック・モジュール252も変更することができ、デー
タ・プレーヤ・モジュール1684により、任意の前のプラズマ・プロセスから
の、光学的放射データを使用して試験することができる。 【0346】 プラズマ監視ネットワーク1610上で、使用することができる他のモジュー
ルとしては、統計アナライザ・モジュール1686がある。基本的には、統計ア
ナライザ・モジュール1686は、一つまたはそれ以上のウェーハ製造システム
2、または任意のその組合せの、過去の性能の種々の面を評価するために、所与
のウェーハ製造システム2内の、一つまたはそれ以上のチャンバ36の、過去の
性能の種々の面を評価するために、使用することができる。例えば、統計アナラ
イザ・モジュール1686は、任意の必要な時間の間、自身へのあるウェーハ製
造システム2内の、一つのチャンバ36の過去の性能を、それ自身と、またこの
同じウェーハ製造システム2内の他のチャンバ36と、また、異なるウェーハ製
造システム2内の他のチャンバ36と、比較するために使用することができる。
あるウェーハ製造システム2を、統計アナライザ・モジュール1686により、
任意の時間の間、それ自身と、または他のウェーハ製造システム2と比較するこ
とができる。統計アナライザ・モジュール1686により、任意の他の統計的分
析も使用することができる。 【0347】 チャンバ36のところでの、あるプラズマ監視制御ユニット128の動作の制
御は、図66の遠隔制御モジュール1688により影響を受ける場合がある。例
えば、ある遠隔チャンバ・グループ局1614、遠隔主局1630、またはその
任意の組合せは、現在のプラズマ・プロセスにおいて、または問題のチャンバ3
6内で実行される次の現在のプラズマ・プロセス上での動作に影響を与えるため
に、チャンバ36における、問題のプラズマ監視制御ユニット128の、任意の
一つまたはそれ以上のプラズマ監視モジュール200の、任意の一つまたはそれ
以上のサブモジュールに、ある種の変更を行うことができる。この変更は、問題
のプラズマ状態チェック・モジュール252、及び終点モジュール1200に関
連する、ある種の変更を行うことができる機能を含む。これらの変更を行うため
のアクセスは、そのウェーハ製造システム2全体に対する、遠隔チャンバ・グル
ープ局1614に対して行うことができ、または、ウェーハ製造システム2内の
各チャンバに対して行うことができる。通常、遠隔チャンバ・グループ局161
4は、遠隔制御モジュール1688により、その各チャンバの中のどれかのため
の、各プラズマ監視制御ユニット128にアクセスしない。(すなわち、所与の
遠隔制御モジュールを「オン」にすると、上記のアクセスを行うことができ、所
与の遠隔制御モジュールを「オフ」にすると、上記アクセスを行うことができな
い。)ある場合には、遠隔主局1630は、制御モジュール1688により、そ
の各チャンバ36において、種々のプラズマ監視制御ユニット128にアクセス
することができ、他の場合には、遠隔主局1630ですら、クリーン・ルーム1
646内の種々のチャンバのところの、種々のプラズマ監視制御ユニット128
にアクセスすることができない。 【0348】 最後に、プロセス再検討モジュール1690を通して、プラズマ監視ネットワ
ーク1610により、アクセスした指定のウェーハ製造システム2内の、指定の
チャンバ36上で現在の実行中の、プラズマ・プロセスに関するデータを、検討
することができるように、任意の一つまたはそれ以上の遠隔チャンバ・グループ
局1614、遠隔主局1630、またはその任意の組合せは、プロセス再検討モ
ジュール1689を使用することができる。例えば、プロセス再検討モジュール
1690は、一つまたはそれ以上のプロセスの同時の再検討を含む、(例えば、
プラズマ・プロセスまたはその任意の一部を反映していて、終点波長及び/また
は波長領域の曲線を含むデータのような)処理チャンバ36内の任意のチャンバ
内で、実行されているプラズマ・プロセスを、遠隔主局1630が、検討するこ
とができるようにすることができる。しかし、遠隔チャンバ・グループ局161
4は、通常、それ自身のウェーハ製造システム2の、チャンバ36内で実行され
ている、プラズマ・プロセスを検討するために、プロセス再検討モジュール16
90により、アクセするだけである。しかし、任意の一つまたはそれ以上の遠隔
チャンバ・グループ局1614の、プロセス再検討機能は、異なるウェーハ製造
システム2内で実行されている、プラズマ・プロセスも再検討できるように、拡
張することができる。 <結論> 上記のプラズマ監視組立体174、500及び700は多くの利点を持つ。一
つの利点は、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250のロジック、及びそ
の種々のサブモジュールを任意のタイプのプラズマ・チャンバと一緒に使用でき
ることであり、さらに、任意のタイプのプラズマ・プロセスを評価すために使用
することができることである。あるチャンバ・タイプ/設計のにおいてモジュー
ル250を使用したり、その後で、他のチャンバ・タイプ/設計のこの同じモジ
ュールを変更し使用するために、モジュール250またはそのサブモジュールの
中のどれかを有意にな修正する必要がない。同様に、あるタイプのプラズマ・プ
ロセスのモジュール250を使用したり、少し異なるプラズマ・プロセスにおい
て。この同じモジュール250、またはそのサブモジュールの中の任意のものを
修正する必要がない。この意味で、モジュール250は、一般的なプラズマ監視
ツールである。 【0349】 プラズマ監視組立体174、500、700のもう一つの利点は、全く同じタ
イプのプラズマ・プロセスを行っている時、処理チャンバ内で行われたプラズマ
・プロセスを評価するのに使用するデータを、この全く同じ処理チャンバから入
手することである。この意味で、組立体174、500、700を特定の処理チ
ャンバ上に設置した場合、組立体174、500、700は、そのチャンバに対
して特定なものになる。所与のプラズマ・レシピが、あるチャンバに対してある
方法で、他のチャンバに対しては他の方法で動作するという事実は、プラズマ監
視組立体174、500、700にとって重要なことではない。各組立体174
、500、700は、その関連するチャンバの特異性に適合し、その特定のチャ
ンバに対するプラズマ・スペクトル・ディレクトリ284作成するために、その
チャンバ上での、実際のプラズマ・プロセスの実行により、そのチャンバについ
ての知識を得る。この場合も、各チャンバは、その内部において、所与のプラズ
マ・チャンバに関する、所与のプラズマ・プロセスの評価に使用した、すべての
情報をこの全く同じ所処理チャンバから入手した、それ自身のプラズマ・スペク
トル・ディレクトリ284を含む。 【0350】 現在のプラズマ・プロセスに関する有意な情報は、現在のプラズマ・プロセス
製品モジュール250、及びその種々のサブモジュールにより、入手することが
できる。モジュール250は、現在のプラズマ・プロセスが、この同じチャンバ
上のこの同じプラズマ・プロセスの、一つまたはそれ以上の前の実行と、同じよ
うに進行しているかどうかを判断する能力;所与のプラズマ・ステップの終点に
到着したかどうかを判断する能力;プラズマ・レシピ内の各プラズマ・ステップ
の終点に到着したかどうかを判断する能力;操作スタッフへの現在のプラズマ・
レシピを識別する能力;操作スタッフへの現在のプラズマ・ステップを識別する
能力;チャンバを清掃すべき時を判断する能力;及び各プラズマ・クリーニング
、及びウェーハ状態調整動作を終了することができる時を判断する能力を持つ。
この情報の使用方法は、通常、ウェーハ製造システム2を内蔵する施設のオペレ
ータの判断に委ねられている。例えば、現在のプラズマ・プロセス・モジュール
250は、単に、現在のプラズマ・プロセスの情報源として使用されるだけであ
る。現在のプラズマ・プロセス・モジュール250は、また、モジュール250
が供給する情報に基づいて、プラズマ・プロセス動作の制御を自動化するために
、システム2に対するプロセス制御を、モジュール250に持たせることにより
、ウェーハ製造システム2の動作において、もっと積極的な役割を行うことがで
きる。任意のサブモジュールを、情報だけ、プロセス制御だけ、または両方のた
めに使用されるようにプログラムすることができる種々の組合せも使用すること
ができる。これらのタイプの問題を処理する柔軟性が、現在のプラズマ・プロセ
ス・モジュール250のモジュール構造により供給される。この場合、モジュー
ル250及びその各サブモジュールは、この場合も、好適には、(例えば、一つ
またはそれ以上のハードディスク、フロッピー・ディスク、シップ・ドライブ・
ディスク、CDSのような、コンピュータが読むことができるメモリのような)
、コンピュータが読むことができる、データ記憶媒体上に記憶することが好まし
い。それ故、現在のプラズマ・プロセス・モジュール250の構造を変更を、容
易に行うことができる。 【0351】 本発明の上記の説明は、説明のためだけのものである。さらに、上記説明は、
本発明を、本明細書に記載して実施形態に制限するものではない。従って、関連
技術の上記の開示、技術及び知識に関する変更及び修正は、本発明の範囲に含ま
れる。上記実施形態は、さらに、本発明を実行する周知の最善の方法を説明する
ためのものであり、他のものは、当業者が、上記または他の実施形態で、及び本
発明の特定の用途及び使用が必要とする種々の修正と一緒に、本発明を使用でき
るようにするものである。添付の特許請求の範囲は、従来技術が許す程度に他の
実施形態を含むと解釈すべきである。 【図面の簡単な説明】 【図1】 ウェーハ製造システムの略図である。 【図2】 図1のウェーハ製造システムが内蔵するウェーハ・カセットの一
実施形態の斜視図である。 【図3A】 それぞれ、図1のウェーハ製造システムが内蔵するウェーハ処
理組立体の一実施形態の平面図及び側面図である。 【図3B】 それぞれ、図1のウェーハ製造システムが内蔵するウェーハ処
理組立体の一実施形態の平面図及び側面図である。 【図4】 図1のウェーハ製造システムが内蔵することができる、プラズマ
処理チャンバ、すなわち、ドライ・エッチング・チャンバの一実施形態の断面図
である。 【図5】 図4の処理チャンバ用のガス供給システムの一実施形態の略図で
ある。 【図6】 図1のウェーハ製造システムが内蔵することができるプラズマ監
視組立体の一実施形態の略図である。 【図7】 図6のプラズマ監視システムが使用するプラズマ監視モジュール
の一実施形態のフローチャートである。 【図8】 図1のシステム上で動作することができるプラズマ・レシピの一
実施形態の特殊なパターンである。 【図9】 プラズマ監視動作の際に使用することができるプラズマ・スペク
トル・ディレクトリ及びその種々のサブディレクトリの一実施形態のフローチャ
ートである。 【図10】 図9のプラズマ・スペクトル・ディレクトリの種々のサブディ
レクトリ用に使用することができる一般的なデータ管理構造体の一実施形態のフ
ローチャートである。 【図11】 図10の一般的なデータ管理構造体内でデータを凝縮/強化す
る方法の一実施形態のフローチャートである。 【図12A】 図9の正常なスペクトル・サブディレクトリ用に使用するこ
とができるデータ管理構造体の一実施形態である。 【図12B】 図9の異常なスペクトル・サブディレクトリ、及び未知のス
ペクトル・サブディレクトリ用に使用することができる、データ管理構造体の一
実施形態である。 【図13】 図1の処理チャンバ内で実行中のプラズマ・プロセスの評価中
に、図7及び図32の現在のプラズマ・プロセス・モジュールが使用することが
できるパターン認識モジュールの一実施形態のフローチャートである。 【図14】 図1の処理チャンバ内で実行中のプラズマ・プロセスの評価の
際に、図7及び図32の現在のプラズマ・プロセス・モジュールが使用すること
ができるプロセス警告モジュールの一実施形態のフローチャートである。 【図15】 図1の処理チャンバ内で実行中のプラズマ・プロセスの評価の
ために、図7及び図32の現在のプラズマ・プロセス・モジュールにアクセスす
るための、始動モジュールの一実施形態のフローチャートである。 【図16】 図15の始動モジュールによりアクセスすることができる始動
サブルーチンの一実施形態のフローチャートである。 【図17A】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができるあるタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、3ステップ・プラズマ・レシピの例示としてのスペクト
ルである。 【図17B】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができるあるタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、3ステップ・プラズマ・レシピの例示としてのスペクト
ルである。 【図17C】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができるあるタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、3ステップ・プラズマ・レシピの例示としてのスペクト
ルである。 【図18A】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる他のタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、それぞれ、プラズマ・クリーニング動作のスタート時、
中間、及び終わりに、チャンバの第一の湿式クリーニングを行わない、プラズマ
・クリーニング動作の例示としてのスペクトルである。 【図18B】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる他のタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、それぞれ、プラズマ・クリーニング動作のスタート時、
中間、及び終わりに、チャンバの第一の湿式クリーニングを行わない、プラズマ
・クリーニング動作の例示としてのスペクトルである。 【図18C】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる他のタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、それぞれ、プラズマ・クリーニング動作のスタート時、
中間、及び終わりに、チャンバの第一の湿式クリーニングを行わない、プラズマ
・クリーニング動作の例示としてのスペクトルである。 【図19A】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる他のタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、それぞれ、プラズマ状態調整動作のスタート時、中間、
及び終わりに、チャンバの湿式クリーニングを行った後で行うプラズマ・クリー
ニング動作の例示としてのスペクトルである。 【図19B】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる他のタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、それぞれ、プラズマ状態調整動作のスタート時、中間、
及び終わりに、チャンバの湿式クリーニングを行った後で行うプラズマ・クリー
ニング動作の例示としてのスペクトルである。 【図19C】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる他のタイプのプラズマ
・プロセス、すなわち、それぞれ、プラズマ状態調整動作のスタート時、中間、
及び終わりに、チャンバの湿式クリーニングを行った後で行うプラズマ・クリー
ニング動作の例示としてのスペクトルである。 【図20A】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる、他のタイプのプラズ
マ・プロセス、すなわち、それぞれ、ウェーハ条件調整動作のスタート時、中間
、及び終わりの上記ウェーハ条件調整動作の例示としてのスペクトルである。 【図20B】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる、他のタイプのプラズ
マ・プロセス、すなわち、それぞれ、ウェーハ条件調整動作のスタート時、中間
、及び終わりの上記ウェーハ条件調整動作の例示としてのスペクトルである。 【図20C】 図1の処理チャンバのうちのいずれかで実行し、現在のプラ
ズマ・プロセス・モジュールにより監視することができる、他のタイプのプラズ
マ・プロセス、すなわち、それぞれ、ウェーハ条件調整動作のスタート時、中間
、及び終わりの上記ウェーハ条件調整動作の例示としてのスペクトルである。 【図21】 図7及び図32のプラズマ状態チェック・モジュールが使用す
ることができるプラズマ状態チェック・サブルーチンの一実施形態のフローチャ
ートである。 【図22】 図7及び図32のプラズマ状態チェック・モジュールが使用す
ることができるプラズマ状態チェック・サブルーチンの他の実施形態のフローチ
ャートである。 【図23】 図7及び図32のプラズマ状態チェック・モジュールが、使用
することができるプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチンの一実施形
態のフローチャートである。 【図24】 図7及び図32のプラズマ状態チェック・モジュールが使用す
ることができるプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチンの他の実施形
態のフローチャートである。 【図25】 図7及び図32のプラズマ状態チェック・モジュールが、使用
することができるプラズマ状態チェック/プロセス認識サブルーチンの一実施形
態のフローチャートである。 【図26A】 それぞれ、「清浄な」処理チャンバから、「老化」処理チャ
ンバから、及び「汚染した」処理チャンバからの例示としてのスペクトルである
。 【図26B】 それぞれ、「清浄な」処理チャンバから、「老化」処理チャ
ンバから、及び「汚染した」処理チャンバからの例示としてのスペクトルである
。 【図26C】 それぞれ、「清浄な」処理チャンバから、「老化」処理チャ
ンバから、及び「汚染した」処理チャンバからの例示としてのスペクトルである
。 【図27】 図7及び図32のチャンバ状態モジュールが内蔵することがで
きるチャンバ状態サブルーチンの一実施形態のフローチャートである。 【図28】 図7及び図32のチャンバ状態モジュールが内蔵することがで
きるチャンバ状態サブルーチンの他の実施形態のフローチャートである。 【図29】 図7及び図32のチャンバ状態モジュールが内蔵することがで
きるチャンバ状態サブルーチンの他の実施形態のフローチャートである。 【図30A】 それぞれ、湿式クリーニングの終わり、プラズマ・クリーニ
ングの終わり、ウェーハ条件調整動作の終わりに、「汚染したチャンバ」状態の
処理チャンバからの例示としてのスペクトルである。 【図30B】 それぞれ、湿式クリーニングの終わり、プラズマ・クリーニ
ングの終わり、ウェーハ条件調整動作の終わりに、「汚染したチャンバ」状態の
処理チャンバからの例示としてのスペクトルである。 【図30C】 それぞれ、湿式クリーニングの終わり、プラズマ・クリーニ
ングの終わり、ウェーハ条件調整動作の終わりに、「汚染したチャンバ」状態の
処理チャンバからの例示としてのスペクトルである。 【図30D】 それぞれ、湿式クリーニングの終わり、プラズマ・クリーニ
ングの終わり、ウェーハ条件調整動作の終わりに、「汚染したチャンバ」状態の
処理チャンバからの例示としてのスペクトルである。 【図31】 図7の現在のプラズマ・プロセス・モジュール、及び校正モジ
ュールを含む、図1のウェーハ製造システムが内蔵することができるプラズマ監
視組立体の他の実施形態の略図である。 【図32】 図31のプラズマ監視組立体、及び図37のプラズマ監視組立
体が使用することができるプラズマ監視モジュールの一実施形態のフローチャー
トである。 【図33】 図3のスペクトロメータ組立体の一実施形態の略図である。 【図34】 動作できるように、図31の窓及びプラズマ監視組立体のイン
ターフェースとしての働きをする光ファイバ・ケーブル組立体の一実施形態であ
る。 【図35】 図31の窓の内面及び外面により供給され、反射された校正光
線の軸の略図である。 【図36】 図31の処理チャンバ上に窓を持つ、図34の光ファイバ・ケ
ーブル組立体を相互接続するための固定金具組立体の一実施形態である。 【図37】 図7の現在のプラズマ・プロセス・モジュールを含み、また校
正モジュールを含む、図1のウェーハ製造システムが内蔵することができるプラ
ズマ監視組立体の他の実施形態の略図である。 【図38】 図37の窓の内面及び外面により供給され、反射された校正光
線の軸の略図である。 【図39】 図37の構成の処理チャンバ上に窓を持つ光ファイバ・ケーブ
ルを相互接続するための固定金具組立体の一実施形態である。 【図40】 図32の校正モジュールの一実施形態のフローチャートである
。 【図41】 図40の校正モジュールが使用することができる校正サブルー
チンの一実施形態のフローチャートである。 【図42】 図40の校正モジュールが使用することができる校正光線のス
ペクトルの一実施形態である。 【図43】 少なくともその上に堆積物がほとんどない場合に、処理チャン
バの窓の内面により反射される、図42の校正光線のその部分のスペクトルの一
実施形態である。 【図44】 図31のスペクトロメータ組立体が使用することができ、図4
0の校正モジュールにより動作できるようにインターフェースされる、スペクト
ロメータの他の実施形態のカッタウェイ図である。 【図45】 図40の校正モジュールが使用することができる、校正サブル
ーチンの他の実施形態のフローチャートである。 【図46A】 輝度のズレの状態を識別するために、図40の校正モジュー
ルが使用することができる校正光線のスペクトルの一実施形態である。 【図46B】 輝度のズレの状態を識別するために、図40の校正モジュー
ルが使用することができる校正光線のスペクトルの他の実施形態である。 【図47A】 劣化または老化した場合に、処理チャンバの窓の内面により
反射される、図46Aの校正光線のその部分のスペクトルの一実施形態である。 【図47B】 劣化または老化した場合に、処理チャンバの窓の内面により
反射される、図46Bの校正光線のその部分のスペクトルの一実施形態である。 【図48】 図40の校正モジュールが使用することができる校正サブルー
チンの他の実施形態のフローチャートである。 【図49】 図7及び図32の調査モジュールが使用することができる、調
査サブルーチンの一実施形態のフローチャートである。 【図50A】 図1のチャンバのうちの一つ内の製品上のプラズマ・レシピ
の一つの実行から、図49の調査サブルーチンが発生した三つの波長に対する、
輝度対時間の例示としての曲線である。 【図50B】 図1のチャンバのうちの一つ内の製品上のプラズマ・レシピ
の一つの実行から、図49の調査サブルーチンが発生した三つの波長に対する、
輝度対時間の例示としての曲線である。 【図50C】 図1のチャンバのうちの一つ内の製品上のプラズマ・レシピ
の一つの実行から、図49の調査サブルーチンが発生した三つの波長に対する、
輝度対時間の例示としての曲線である。 【図51A】 図50A〜C内の同じ三つの波長に対する輝度対時間の例示
としての曲線であるが、同じ処理チャンバ内の製品上の同じプラズマ・レシピの
他の実行からのものである。 【図51B】 図50A〜C内の同じ三つの波長に対する輝度対時間の例示
としての曲線であるが、同じ処理チャンバ内の製品上の同じプラズマ・レシピの
他の実行からのものである。 【図51C】 図50A〜C内の同じ三つの波長に対する輝度対時間の例示
としての曲線であるが、同じ処理チャンバ内の製品上の同じプラズマ・レシピの
他の実行からのものである。 【図52】 図7及び図32の終点検出モジュールが使用することができる
終点検出サブルーチンの一実施形態のフローチャートである。 【図53】 図7及び図32の終点検出モジュールが使用することができる
終点検出サブルーチンの他の実施形態のフローチャートである。 【図54A】 プラズマ・プロセス・ステップのスタート時の、処理チャン
バからの例示としてのスペクトルである。 【図54B】 図53の終点検出サブルーチンが基準として使用するための
、図54Aのプラズマ・プロセス・ステップの終点を示しているために選択され
た、例示としてのスペクトルである。 【図54C】 図53の終点検出サブルーチンによる、図54A及び図54
Bのスペクトル間の違いである。 【図55A】 図54Aのプラズマ・プロセス・ステップの中間時点での、
処理チャンバからの例示としてのスペクトルである。 【図55B】 図54Bからの同じスペクトルである。 【図55C】 図53の終点検出サブルーチンによる、図55A及び図55
Bのスペクトル間の違いである。 【図56A】 図54Aのプラズマ・プロセス・ステップの終点の、処理チ
ャンバからの例示としてのスペクトルである。 【図56B】 図54Bからの同じスペクトルである。 【図56C】 図53の終点検出サブルーチンによる、図55A及び55B
のスペクトル間の違いである。 【図57】 図7及び図32の終点検出モジュールが使用することができる
、終点検出サブルーチンの他の実施形態のフローチャートである。 【図58】 図57の終点検出サブルーチンによるプラズマ・プロセス・ス
テップの終点を示す例示としての光学的放射出力である。 【図59】 図7及び図32のウェーハ分配モジュールが内蔵することがで
きるウェーハ分配サブルーチンの一実施形態のフローチャートである。 【図60】 図7及び図19のウェーハ分配モジュールが内蔵することがで
きるウェーハ分配サブルーチンの他の実施形態のフローチャートである。 【図61】 光ファイバを処理チャンバと相互接続させるための固定金具の
他の実施形態である。 【図62】 終点用のインジケータを持つ波長領域を識別するための調査サ
ブルーチンの他の実施形態である。 【図63】 図63A〜図63Hは種々の波長領域に対する面積の変化対時
間の曲線である。 【図64】 終点検出サブルーチンの他の実施形態である。 【図65】 プラズマ監視ネットワークの一実施形態である。 【図66】 図65のプラズマ監視ネットワークにアクセスすることができ
る種々のモジュールである。

【手続補正書】 【提出日】平成12年12月27日(2000.12.27) 【手続補正1】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図1 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図1】 【手続補正2】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図2 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図2】 【手続補正3】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図8 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図8】 【手続補正4】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図17A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図17A】 【手続補正5】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図17B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図17B】 【手続補正6】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図17C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図17C】 【手続補正7】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図18A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図18A】 【手続補正8】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図18B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図18B】 【手続補正9】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図18C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図18C】 【手続補正10】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図19A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図19A】 【手続補正11】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図19B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図19B】 【手続補正12】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図19C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図19C】 【手続補正13】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図20A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図20A】 【手続補正14】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図20B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図20B】 【手続補正15】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図20C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図20C】 【手続補正16】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図26A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図26A】 【手続補正17】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図26B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図26B】 【手続補正18】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図26C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図26C】 【手続補正19】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図30A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図30A】 【手続補正20】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図30B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図30B】 【手続補正21】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図30C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図30C】 【手続補正22】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図30D 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図30D】 【手続補正23】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図36 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図36】 【手続補正24】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図42 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図42】 【手続補正25】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図43 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図43】 【手続補正26】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図44 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図44】 【手続補正27】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図46A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図46A】 【手続補正28】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図46B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図46B】 【手続補正29】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図47A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図47A】 【手続補正30】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図47B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図47B】 【手続補正31】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図50A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図50A】 【手続補正32】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図50B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図50B】 【手続補正33】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図50C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図50C】 【手続補正34】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図51A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図51A】 【手続補正35】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図51B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図51B】 【手続補正36】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図51C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図51C】 【手続補正37】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図54A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図54A】 【手続補正38】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図54B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図54B】 【手続補正39】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図54C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図54C】 【手続補正40】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図55A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図55A】 【手続補正41】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図55B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図55B】 【手続補正42】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図55C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図55C】 【手続補正43】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図56A 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図56A】 【手続補正44】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図56B 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図56B】 【手続補正45】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図56C 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図56C】 【手続補正46】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図63 【補正方法】変更 【補正の内容】 【図63】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05H 1/00 H01L 21/302 E (31)優先権主張番号 09/065,245 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,006 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,359 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/064,793 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/064,957 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,680 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/064,991 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,257 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,307 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,274 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/064,970 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,247 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/064,965 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,195 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,362 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/064,972 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/065,358 (32)優先日 平成10年4月23日(1998.4.23) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 09/290,903 (32)優先日 平成11年4月12日(1999.4.12) (33)優先権主張国 米国(US) (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,UG,ZW),E A(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ ,TM),AE,AL,AM,AT,AU,AZ,BA ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU, CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD,G E,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS ,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK, LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,M N,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU ,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM, TR,TT,UA,UG,UZ,VN,YU,ZA,Z W (72)発明者 スティーブンソン、ジョエル オゥドーン アメリカ合衆国 87111 ニューメキシコ 州 アルバカーキ コータデリア エヌ. イー. 6000 ナンバー1108 (72)発明者 ワード、パミラ デニーズ ピアドン アメリカ合衆国 87124 ニューメキシコ 州 リオ ランチョ バックボード ロー ド エス.イー. 696 Fターム(参考) 2G020 AA03 AA04 AA05 BA20 CA03 CB36 CC02 CC07 CC63 CD24 CD36 CD37 CD38 CD39 CD51 2G043 AA03 CA02 FA07 HA05 JA04 KA01 KA02 KA03 LA03 MA06 NA06 NA13 5F004 AA16 BA00 BC06 BD04 BD05 CB09

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 第1のプラズマステップを含むプラズマプロセスを監視する
    ための方法であって、 前記プロセスチャンバ内にプラズマを発生するステップと、 前記第1プラズマステップを、前記発生ステップを用いて実行するステップで
    あって、前記第1プラズマステップの第1の終点が、前記第1プラズマステップ
    が第1の予め決められた結果をもたらしたときに存在するステップと、 前記プロセスチャンバにおける前記プラズマの状態を評価するステップであっ
    て、前記状態が、前記プロセスチャンバ内の前記プラズマに影響を与える全ての
    パラメータの累積結果であるステップと、 前記実行ステップを監視して前記第1プラズマステップの前記第1終点の発生
    を識別するステップとを含む方法。 【請求項2】 前記プラズマプロセスが、前記プロセスチャンバ内において
    少なくとも1つの生成物に関して行われるプラズマ手順、プラズマクリーニング
    操作、プラズマ調節操作、および認証ウェーハ操作からなる群から選択される請
    求項1に記載の方法。 【請求項3】 前記評価ステップが、前記プロセスチャンバにおける前記プ
    ラズマの約250ナノメータから約1000ナノメータにわたる第1の波長範囲
    内における光学発光を、前記実行ステップ中の、少なくとも複数の異なる回数で
    、かつ前記第1波長範囲の全体にわたって少なくとも1ナノメータ毎に評価する
    ことを含む請求項1に記載の方法。 【請求項4】 前記評価ステップが、第1の状態、すなわち前記実行ステッ
    プが前記実行ステップと関連する第1の標準に従わずに続行している状態を識別
    したときに前記監視ステップを終了させるステップをさらに含む請求項1に記載
    の方法。 【請求項5】 前記監視ステップが、 前記プロセスチャンバ内において前記プラズマの光学発光を、前記実行ステッ
    プ中に少なくとも複数の異なる回数得ることと、 前記複数の異なる回数毎に、前記光学発光を、その前の光学発光と比較するこ
    とと、 前記比較ステップから得られた前記光学発光が互いに予め決められた量の範囲
    内にあるときを判断しかつこれを前記第1終点と等しいとみなすこととを含む請
    求項1に記載の方法。 【請求項6】 前記複数の異なる回数の各々における前記光学発光が、関連
    するパターンを有し、前記比較ステップが、前記比較ステップから得られた前記
    光学発光の前記パターンを比較することを含み、前記判断ステップの前記予め決
    められた量が、前記比較ステップから得られた前記光学発光の前記パターンが合
    致しているとみなされるときを定義する請求項5に記載の方法。 【請求項7】 前記比較ステップが、第1回目の前記光学発光と、その直前
    の回の前記光学発光とを比較することを含む請求項5に記載の方法。 【請求項8】 前記監視ステップが、 前記プロセスチャンバにおいて前記プラズマの光学発光を前記実行ステップ中
    に少なくとも複数の異なる回数得ることと、 前記光学発光を、前記複数の異なる回数の各々において少なくとも1つの標準
    と比較することと、 前記複数の異なる回数のうちの少なくとも1つから得られる前記光学発光が前
    記少なくとも1つの標準の予め決められた量の範囲内にあるときを判断し、かつ
    これを前記第1終点と等しいとみなすこととを含む請求項1に記載の方法。 【請求項9】 前記少なくとも1つの標準が、同一の前記プロセスチャンバ
    における、その前の回の同一の実行ステップにより得られたものである請求項8
    に記載の方法。 【請求項10】 前記少なくとも1つの標準がコンピュータで解読可能な記
    憶媒体に記憶される請求項8に記載の方法。 【請求項11】 前記複数の異なる回数の各々における前記光学発光が関連
    するパターンを有し、前記少なくとも1つの標準が標準パターンであり、前記比
    較ステップが、前記複数の異なる回数の各々における前記光学発光の前記パター
    ンを前記標準パターンと比較することを含み、かつ、前記判断ステップの前記予
    め決められた量が、前記複数の異なる回数の少なくとも1つから得られる前記光
    学発光の前記パターンと前記標準パターンとが合致しているとみなされるときを
    定義する請求項8に記載の方法。 【請求項12】 前記監視ステップが、前記第1終点の発生に関して前記実
    行ステップを、第1および第2の技術を用いて監視することを含み、前記第1技
    術は第2技術と異なり、かつ、前記第1終点は前記第1技術および第2技術の少
    なくとも一方により識別可能である請求項1に記載の方法。 【請求項13】 前記第1および第2の技術が、各々、前記プロセスチャン
    バのインピーダンスにおいて少なくとも第1の変化が生じたときを判断すること
    と、前記プロセスチャンバ内における第1の波長全体にわたる前記プラズマの光
    学発光を前記実行ステップ中に少なくとも複数回評価することと、前記プロセス
    チャンバにおける前記プラズマの少なくとも1つの個々の波長を前記実行ステッ
    プ中に少なくとも複数回評価することからなる群から選択される請求項12に記
    載の方法。 【請求項14】 前記監視ステップが、前記プロセスチャンバにおいて少な
    くとも第1のインピーダンスの変化があるかどうかを判断し、かつこれを前記第
    1終点と等しいとみなすことを含む請求項1に記載の方法。 【請求項15】 前記判断ステップが、前記実行ステップ中の前記プロセス
    チャンバ内における前記プラズマの光学発光の少なくとも一部の変化に基づいて
    いる請求項14に記載の方法。 【請求項16】 前記監視ステップが、前記プロセスチャンバにおける前記
    プラズマの少なくとも1つの個々の波長を前記実行ステップ中に少なくとも複数
    回評価することを含む請求項1に記載の方法。 【請求項17】 少なくとも1つの個々の波長を評価する前記ステップが、
    前記少なくとも1つの個々の波長の、時間に対する強度のプロットが予め決めら
    れた量よりも大きく予定式から逸脱するときを判断することと、前記少なくとも
    1つの個々の波長の、時間に対する強度の前記プロットの勾配の変化の時間速度
    が、予め決められた量よりも大きく逸脱するときを判断することと、それらの組
    合せとから成る群から選択された技術を用いることを含む請求項16に記載の方
    法。 【請求項18】 前記プラズマプロセスが、さらに、前記発生ステップから
    生じた前記プラズマにおける変化を少なくとも通じて前記第1プラズマステップ
    と異なる第2のプラズマステップを含み、さらに、 前記第2プラズマステップを、前記導入ステップを用いて前記第1プラズマス
    テップの前記実行の後に行うステップであって、前記第2プラズマステップが第
    2の予め決められた結果をもたらしたときに前記第2プラズマステップの第2終
    点が存在するステップと、 前記第2プラズマステップの前記実行を監視して、前記第2プラズマステップ
    の前記第2終点の発生を識別するステップと、 前記第2プラズマステップの前記実行の完了後に前記発生ステップを終了する
    ステップであって、前記第1および第2の終点が前記終了ステップの前に識別さ
    れるステップとを含む請求項1に記載の方法。 【請求項19】 プロセスチャンバにおいて実行されるプラズマプロセスの
    ための、第1プラズマステップを含むプラズマ監視システムであって、前記プラ
    ズマステップの第1終点が、前記第1プラズマステップの予め決められた第1の
    結果が達成されたときであり、前記システムが、 コンピュータで解読可能な記憶媒体を含み、該記憶媒体が、 前記プラズマプロセスにおけるデータを受けかつ前記第1プラズマステップを
    含む手段と、 前記第1プラズマステップの実行中の前記プラズマの状態を、データを受ける
    ための前記手段に提供される前記第1プラズマステップに関するデータから評価
    する手段であって、前記状態が、前記プロセスチャンバ内の前記プラズマに影響
    を与える全てのパラメータの累積結果である手段と、 前記第1終点の発生を、データを受けるための前記手段に提供される前記第1
    プラズマステップに関するデータから識別するための手段とを含むプラズマ監視
    システム。 【請求項20】 前記プラズマプロセスが、前記プロセスチャンバ内の少な
    くとも1つの生成物に関して行われるプラズマ手順、プラズマ洗浄操作、プラズ
    マ調整操作および認定ウェーハ操作とから成る群から選択される請求項19に記
    載のシステム。 【請求項21】 データを受けるための前記手段が、前記プロセスチャンバ
    内における前記プラズマの、約250ナノメータ〜約1000ナノメータにわた
    る第1の波長範囲内における光学発光を示すデータを、前記第1プラズマステッ
    プ中の少なくとも複数の異なる回数で、かつ前記第1波長範囲の全体にわたって
    少なくとも1ナノメータ毎に受けるための手段を含む請求項19に記載のシステ
    ム。 【請求項22】 さらに、前記評価手段が第1の状態を識別したときに前記
    手段を不可能にするための手段を含み、前記第1の状態は、前記第1プラズマス
    テップが、前記第1プラズマステップに関連する第1の標準に従わずに続行して
    いる状態である請求項19に記載のシステム。 【請求項23】 前記識別手段が、 前記第1プラズマステップ中の少なくとも複数の異なる回数の、前記プロセス
    チャンバ内における前記プラズマの光学発光を示すデータを受けるための手段と
    、 前記複数の異なる回数毎に前記光学発光を、その前の光学発光と比較するため
    の手段と、 前記比較手段から得られた前記光学発光が、互いに予め決められた量の範囲に
    あるときを判断し、かつこれを前記第1終点と等しいとみなすための手段と、 前記比較手段からの前記光学発光が互いに予め決められた量の範囲にあるとき
    を判断しかつこれを前記第1終点と等しいとみなすための手段とを含む請求項1
    9に記載のシステム。 【請求項24】 前記獲得手段から得られた前記光学発光が関連するパター
    ンを有し、前記比較手段が、前記比較手段から得られた前記光学発光の前記パタ
    ーンを比較するための比較手段を含み、前記判断手段の前記予め決められた量が
    、前記比較手段から得られた前記光学発光の前記パターンが合致するときを定義
    する請求項23に記載のシステム。 【請求項25】 該比較手段が、第1時間での該光学放射を、その直前の時
    間からの該光学発射と比較する請求項23に記載のシステム。 【請求項26】 該識別手段が: 該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複数個の異なる時間で、該処理チャ
    ンバ内の該プラズマの光学放射を表わすデータを受ける手段と; 該複数個の異なる時間のそれぞれにおいて該光学放射を少なくとも1個の基準
    と比較する手段と; 該複数個の異なる時間の少なくとも1個からの該光学放射が、該少なくとも1
    個の基準の所定量内になる時間を決定する手段と、 から成る請求項19に記載のシステム。 【請求項27】 該少なくとも1個の基準が、該コンピュータ読み取り可能
    な格納媒体上に格納される請求項26に記載のシステム。 【請求項28】 該複数個の異なる時間のそれぞれからの該光学放射が1個
    の関連パターンを有し、該少なくとも1個の基準が基準パターンを有し、該比較
    手段が、該複数個の異なる時間のそれぞれからの該光学放射の該パターンを該基
    準パターンと比較する手段から成り、該決定手段の該所定量が、該比較手段から
    の該パターンが一致したとみなされる時点を定義する請求項26に記載のシステ
    ム。 【請求項29】 該識別手段が、第1および第2手法を用いて、該第1端点
    の発生がないか該第1プラズマ・ステップを監視する手段から成り、該第1手法
    が該第2手法とは異なる請求項19に記載のシステム。 【請求項30】 該処理チャンバのインピーダンスの少なくとも第1変化が
    あった時点を決定する手段と、該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複数個
    の時間において、第1波長範囲内で該処理チャンバでの該プラズマの光学放射を
    評価する手段と、該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複数個の時間におい
    て、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の波長を評価する手段とか
    ら成る集団から、該第1および第2手法のそれぞれが選択される請求項29に記
    載のシステム。 【請求項31】 該識別手段が、該処理チャンバのインピーダンスに少なく
    とも第1変化があるかどうかを決定する手段とから成る請求項19に記載のシス
    テム。 【請求項32】 該決定手段が、該第1プラズマ・ステップ中の該処理チャ
    ンバ内の該プラズマの光学放射の少なくとも一部における変化に基づく請求項3
    1に記載のシステム。 【請求項33】 該識別手段が、該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも
    複数個の時間において該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の
    波長を評価する手段から成る請求項19に記載のシステム。 【請求項34】 少なくとも1個の個々の波長を評価する該手段が、該少な
    くとも1個の個々の波長の強度対時間のプロットが所定方程式からの所定量を超
    えて逸脱した時点を決定する手段と、該少なくとも1個の個々の波長の強度対時
    間の該プロットの傾斜の変化の速度が所定量を超えて逸脱した時点を決定する手
    段と、その組み合わせとから成る集団から選択された手法の使用から成る請求項
    33に記載のシステム。 【請求項35】 該プラズマ・プロセスが、該第1プラズマ・ステップとは
    異なる第2プラズマ・ステップから成り、該第2プラズマ・ステップの第2端点
    が、該第2プラズマ・ステップの第2結果が得られた時点であり、該コンピュー
    タ読み取り可能な格納媒体がさらに: 該データ受信手段に供給された該第2プラズマ・ステップのデータから該第2
    端点の発生を識別する手段から成る請求項19に記載のシステム。 【請求項36】 少なくとも第1プラズマ・ステップを実行するシステムで
    あって: 窓から成る処理チャンバと; 該処理チャンバと流体相互接続された第1気体入口と第1気体出口と; 該プラズマ・チャンバ内にあるプラズマ発生器であって、該プラズマ発生器を
    起動している時に、該処理チャンバ内で該第1プラズマ・ステップが実行でき、
    該第1プラズマ・ステップが第1所定結果を生成する際に、該第1プラズマ・ス
    テップの第1端点があるプラズマ発生器と; 該処理チャンバ内の該プラズマの状態を評価する手段であって、該状態が、該
    処理チャンバ内の該プラズマに影響を持つすべてのパラメータの累積結果である
    手段と; 該第1プラズマ・ステップの該第1端点を識別する手段と、 から成るシステム。 【請求項37】 第1プラズマ・ステップから成るプラズマ・プロセスを監
    視する方法であって: 該処理チャンバ内でプラズマを発生させ; 該発生ステップを用いて、該処理チャンバで該第1プラズマ・ステップを実行
    し、該第1プラズマ・ステップが第1所定結果を生成した時である該第1プラズ
    マ・ステップの第1端点があり; 第1時間分解能を用いて、該実行ステップの少なくとも一部の間、該処理チャ
    ンバ内の該プラズマの少なくとも1個の特徴を評価することから成る第1評価ス
    テップを実行し、該第1時間分解能が、第1評価ステップの該実行が実施される
    隣接時間の各対が該第1時間分解能に等しい量以下であることを意味し; 該第1プラズマ・ステップの該第1端点が発生したかどうかを識別し、該識別
    ステップが、第2時間分解能を用いて、該実行ステップの少なくとも一部の間に
    、該プラズマに関連するデータを評価することから成る第2評価ステップを実行
    することから成り、該第2時間分解能が、第2評価ステップの該実行が実施され
    る隣接時間の各対が該第2時間分解能に等しい量以下であることを意味し、該第
    2時間分解能が該第1時間分解能とは異なるステップから成る方法。 【請求項38】 第1評価ステップの該実行が、該処理チャンバ内の該プラ
    ズマの状態の評価から成り、該状態が、該処理チャンバ内の該プラズマに影響を
    持つすべてのパラメータの累積結果である請求項37に記載の方法。 【請求項39】 該第1時間分解能が該第2時間分解能より大きい請求項3
    8に記載の方法。 【請求項40】 該第1時間分解能が該第2時間分解能より大きい請求項3
    7に記載の方法。 【請求項41】 第1プラズマ・ステップと第2プラズマ・ステップとから
    成るプラズマ・プロセスを監視する方法であって: 一定量の製品を処理チャンバ内に搭載し; 該処理チャンバ内で該製品をプラズマにさらし; 該製品に該第1プラズマ・ステップを実行し、該第1プラズマ・ステップが該
    製品に関する第1所定結果を生成した時である該第1プラズマ・ステップの第1
    端点があり; 該第1プラズマ・ステップの該実行を監視し、該第1端点の発生を識別し; 該製品に該第2プラズマ・ステップを実行し、該第2プラズマ・ステップが該
    製品に関する第2所定結果を生成した時である該第2プラズマ・ステップの第2
    端点があり、該第2所定結果が該第1所定結果とは異なり; 該第2プラズマ・ステップの該実行を監視し、該第2端点の発生を識別し; 該第1および第2端点の両方が識別された後、該処理チャンバから該製品を取
    り出すステップから成る方法。 【請求項42】 処理チャンバ内で第1製品に実行されるプラズマ・プロセ
    ス用プラズマ監視システムであって、該プラズマ・プロセスが第1および第2プ
    ラズマ・ステップから成り、該第1プラズマ・ステップの第1端点が、該第1製
    品に対する該第1プラズマ・ステップの第1所定結果が得られた時であり、該第
    2プラズマ・ステップの第2端点が、該第1製品に対する該第2プラズマ・ステ
    ップの第2所定結果が得られた時であり、該第2所定結果が該第1所定結果とは
    異なるシステムであって: コンピュータ読み取り可能な格納媒体であって: 該プラズマ・プロセスに関するデータを受理し、該第1および第2プラズマ・
    ステップのそれぞれに関するデータを含む手段と; 該データ受理手段に提供された該第1プラズマ・ステップからの該第1端点の
    発生を識別する手段と; 該データ受理手段に提供された該第2プラズマ・ステップからの該第2端点の
    発生を識別する手段とから成るコンピュータ読み取り可能な格納媒体とから成る
    システム。 【請求項43】 処理チャンバ内で第1製品にプラズマ・プロセスを実行す
    るシステムであって:該プラズマ・プロセスが第1および第2プラズマ・ステッ
    プから成り、該第1プラズマ・ステップの第1端点が、該第1製品に対する該第
    1プラズマ・ステップの第1所定結果が得られた時であり、該第2プラズマ・ス
    テップの第2端点が、該第1製品に対する該第2プラズマ・ステップの第2所定
    結果が得られた時であり、該第2所定結果が該第1所定結果とは異なるシステム
    であって: 製品アクセス口と窓とから成る処理チャンバで、該処理チャンバの内部と外部
    との間の製品の移動が該製品アクセス口を介して行われる処理チャンバと; 該処理チャンバと流体相互接続された第1気体入口と第1気体出口と; 該プラズマ・チャンバ内にあるプラズマ発生器であって、該プラズマ発生器の
    起動後に、該処理チャンバ内で該第1および第2プラズマ・ステップが該第1製
    品に実行できるプラズマ発生器と; コンピュータ読み取り可能な格納媒体であって: 該第1プラズマ・ステップの該第1端点が発生した時点を識別する手段と; 該第2プラズマ・ステップの該第2端点が発生した時点を識別する手段とか
    ら成るコンピュータ読み取り可能な格納媒体と、 から成るプラズマ監視システム。 【請求項44】 第1プラズマ・ステップから成るプラズマ・プロセスを監
    視する方法であって: 該処理チャンバ内でプラズマを発生させ; 該製品に該第1プラズマ・ステップを実行し、該第1プラズマ・ステップが第
    1所定結果を生成した時である該第1プラズマ・ステップの第1端点があり; 該第1プラズマ・ステップの該実行を監視し、該第1端点の発生を識別し、該
    監視ステップが、第1および第2手法を用いて、該第1端点が発生したかどうか
    、該実行ステップを監視することから成るステップから成る方法。 【請求項45】 該プラズマ・プロセスが、該処理チャンバ内で少なくとも
    1個の製品に実行するプラズマ法と、プラズマ清掃操作と、プラズマ調整操作と
    、条件設定ウェハ操作とから成る集団から選択される請求項44に記載の方法。 【請求項46】 該実行ステップ中の複数個の異なる時間から、約250ナ
    ノメータ〜約1,000ナノメータの第1波長範囲で、該第1波長範囲で少なく
    とも1ナノメータごとに該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射を獲得するス
    テップからさらに成る請求項44に記載の方法。 【請求項47】 該獲得ステップから引き出された隣接波長の各対間の間隔
    が、同一間隔と、異なる間隔と、同一間隔と異なる間隔の組み合わせとから成る
    集団から選択される請求項46に記載の方法。 【請求項48】 該第1識別ステップが: 該実行ステップ中の少なくとも複数個の異なる時間で、該処理チャンバ内の該
    プラズマの光学放射を獲得し; 該複数個の異なる時間のそれぞれでの該光学放射を、それより前の該複数個の
    異なる時間からの該光学放射と比較し; 該比較ステップからの該光学放射が、たがいに所定量内にあり、これを該第1
    端点と等しくなる時点を決定するステップから成る請求項44に記載の方法。 【請求項49】 該比較ステップが、第1時間での該光学放射を、直前の時
    間からの該光学放射と比較することから成る請求項48に記載の方法。 【請求項50】 該複数個の異なる時間のそれぞれでの該光学放射が関連パ
    ターンを有し、該比較ステップが、該比較ステップからの該光学放射の該パター
    ンを比較することから成り、該決定ステップの該所定量が、該比較ステップから
    の該光学放射の該パターンが一致するとみなされる時点を定義する請求項48に
    記載の方法。 【請求項51】 該識別ステップの該第1手法が: 該実行ステップの少なくとも複数個の異なる時間において、該処理チャンバ内
    で該プラズマの光学放射を獲得し; 該複数個の時間のそれぞれでの該光学放射を、少なくとも1個の基準と比較し
    ; 該複数個の時間の少なくとも1個からの該光学放射が、該少なくとも1個の基
    準の所定量内にあり、これを第1端点と等しくなる時点を決定するステップから
    成る請求項44に記載の方法。 【請求項52】 同じ該処理チャンバ内で同じ該実行ステップの以前の実行
    から、該少なくとも1個の基準を得る請求項51に記載の方法。 【請求項53】 該少なくとも1個の基準がコンピュータ読み取り可能な格
    納媒体上に格納される請求項51に記載の方法。 【請求項54】 該複数個の異なる時間のそれぞれでの該光学放射が関連パ
    ターンを有し、該少なくとも1個の基準が基準パターンで、該比較ステップが、
    該複数個の異なる時間のそれぞれにおける該光学放射の該パターンを該基準パタ
    ーンと比較することから成り、該決定ステップの該所定量が、該複数個の異なる
    時間の少なくとも1個からの該光学放射の該パターンと該基準パターンとが一致
    するとみなされる時点を定義する請求項51に記載の方法。 【請求項55】 該第1手法が、該処理チャンバのインピーダンスに少なく
    とも第1変化があるかどうかを決定することから成る請求項44に記載の方法。 【請求項56】 該決定ステップが、該実行ステップ中の該処理チャンバか
    らの該プラズマの光学放射の少なくとも一部の変化に基づく請求項55に記載の
    方法。 【請求項57】 インピーダンス・ステップでの少なくとも第1変化がある
    時点の該識別が、第1および第2条件の少なくとも一方の存在を識別することか
    ら成り、該第1条件が、第1時間の期間以内の時間だけ続く第1所定量を超える
    、該処理チャンバ内の該プラズマの第1波長での強度の変化であり、該第2条件
    が、第2時間の期間以内の時間だけ続く第2所定量を超える、該処理チャンバ内
    の該プラズマの複数個の波長の平均強度の変化である請求項55に記載の方法。 【請求項58】 該第1手法が、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時
    間において、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評
    価することから成る請求項44に記載の方法。 【請求項59】 少なくとも1個の個々の波長の該評価が、該少なくとも1
    個の個々の波長の強度対時間のプロットが所定方程式からの所定量を超えて逸脱
    した時点を決定し、該少なくとも1個の個々の波長の強度対時間の該プロットの
    傾斜の変化の速度が所定量を超えて逸脱した時点を決定し、さらにその組み合わ
    せとから成る集団から選択された手法の使用から成る請求項58に記載の方法。 【請求項60】 少なくとも1個の個々の波長の該評価が、該少なくとも1
    個の個々の波長の強度対時間のプロットが所定方程式からの所定関数を超えて逸
    脱した時点を決定し、該所定関数の第1導関数の出力が所定量を超えて逸脱した
    時点を決定し、該所定関数の第2導関数の出力が所定量を超えて逸脱した時点を
    決定し、さらにその組み合わせとから成る集団から選択された手法の使用から成
    る請求項58に記載の方法。 【請求項61】 該第1および第2手法が、該処理チャンバのインピーダン
    スに少なくとも第1変化がある時点を決定し、該実行ステップ中の少なくとも複
    数個の時間において、第1波長で該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射を評
    価し、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時間で該処理チャンバ内の該プラ
    ズマの少なくとも1個の個々の波長を評価することとから成る集団からそれぞれ
    が選択される請求項61に記載のシステム。 【請求項62】 該第1および第2手法が、該処理チャンバのインピーダン
    スに少なくとも第1変化がある時点を決定し、該実行ステップ中の少なくとも複
    数個の時間において、第1波長で該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射の変
    化の速度を評価し、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時間において、第1
    基準に関して第1波長で該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射を評価し、所
    定関数との合致に関して、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時間において
    、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評価し、該所
    定関数の少なくとも1個の導関数の出力に関して、該実行ステップ中の少なくと
    も複数個の時間において、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個
    々の波長を評価することから成る集団から選択される請求項44に記載の方法。 【請求項63】 該処理チャンバ内の該プラズマの状態を評価するステップ
    からさらに成り、該状態が、該処理チャンバ内の該プラズマに影響を持つすべて
    のパラメータの累積結果である請求項44に記載の方法。 【請求項64】 該評価ステップが、該実行ステップ中の少なくとも複数個
    の異なる時間から、約250ナノメータ〜約1,000ナノメータの第1波長範
    囲で、該第1波長範囲で少なくとも1ナノメータごとに該処理チャンバ内の該プ
    ラズマの光学放射を監視することから成る請求項62に記載の方法。 【請求項65】 該プラズマ・プロセスが第2プラズマ・ステップからさら
    に成り: 該第2プラズマ・ステップを実行し、該第2プラズマ・ステップが第2所定結
    果を生成した時である該第2プラズマ・ステップの第2端点があり、該第2所定
    結果が該第1所定結果とは異なり; 該第2プラズマ・ステップの該実行を監視し、該第2端点の発生を識別し; 該第1および第2端点ステップが識別されると、該生成ステップを終了するス
    テップからさらに成る請求項44に記載の方法。 【請求項66】 処理チャンバ内で実行されるプラズマ・プロセス用プラズ
    マ監視システムであって、該プラズマ・プロセスが第1プラズマ・ステップから
    成り、該第1プラズマ・ステップの第1端点が、該第1プラズマ・ステップの第
    1所定結果が得られた時であるシステムであって: コンピュータ読み取り可能な格納媒体であって: 該プラズマ・プロセスに関するデータを受理し、該第1および第2プラズマ・
    ステップに関するデータを含む手段と; 該データ受理手段に提供された該第1プラズマ・ステップからの該第1端点の
    発生を識別する手段で、該識別手段が第1および第2手法から成り、該第1手法
    が該第2手法とは異なり、該第1端点が、該第1および第2手法の少なくとも一
    方によって識別可能である手段とから成るシステム。 【請求項67】 該プラズマ・プロセスが、該処理チャンバ内で少なくとも
    1個の製品に実行するプラズマ法と、プラズマ清掃操作と、プラズマ調整操作と
    、条件設定ウェハ操作とから成る集団から選択される請求項66に記載のシステ
    ム。 【請求項68】 該データ受理手段が、該第1プラズマ・ステップ中の少な
    くとも複数個の異なる時間から、約250ナノメータ〜約1,000ナノメータ
    の第1波長範囲で、該第1波長範囲で少なくとも1ナノメータごとに該処理チャ
    ンバ内の該プラズマの光学放射を表わすデータを受理する手段からさらに成る請
    求項66に記載のシステム。 【請求項69】 該受理手段に提供される隣接波長の各対間の間隔が、同一
    間隔と、異なる間隔と、同一間隔と異なる間隔の組み合わせとから成る集団から
    選択される請求項68に記載のシステム。 【請求項70】 該第1手法が: 該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複数個の異なる時間において、該処
    理チャンバ内の該プラズマの光学放射を表わすデータを受理する手段と; 該複数個の異なる時間における該光学放射を、該複数個の異なる時間より前か
    らの該光学放射と比較する手段と; 該比較手段からの該光学放射がたがいの所定量内である時点を決定する手段と
    から成る請求項68に記載のシステム。 【請求項71】 該比較手段が、第1時間での該光学放射を、直前の時間か
    らの該光学放射と比較する請求項70に記載のシステム。 【請求項72】 該獲得手段からの該光学放射が関連パターンを有し、該比
    較手段が、該比較手段からの該光学放射の該パターンを比較する手段から成り、
    該決定手段の該所定量が、該比較手段からの該光学放射の該パターンが一致する
    とみなされる時点を定義する請求項70に記載のシステム。 【請求項73】 該第1手法が: 該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複数個の異なる時間において、該処
    理チャンバ内の該プラズマの光学放射を表わすデータを受理する手段と; 該複数個の時間のそれぞれでの該光学放射を、少なくとも1個の基準と比較し
    ; 該複数個の時間の少なくとも1個からの該光学放射が、該少なくとも1個の基
    準の所定量内にある時点を決定する手段とから成る請求項66に記載のシステム
    。 【請求項74】 同じ該処理チャンバ内で同じ該第1プラズマ・ステップの
    以前の実行から、該少なくとも1個の基準を得る請求項73に記載のシステム。 【請求項75】 該少なくとも1個の基準がコンピュータ読み取り可能な格
    納媒体上に格納される請求項73に記載のシステム。 【請求項76】 該複数個の異なる時間のそれぞれでの該光学放射が関連パ
    ターンを有し、該少なくとも1個の基準が基準パターンを有し、該比較手段が、
    該複数個の異なる時間のそれぞれにおける該光学放射の該パターンを該基準パタ
    ーンと比較する手段から成り、該決定ステップの該所定量が、該比較手段からの
    該パターンが一致するとみなされる時点を定義する請求項73に記載のシステム
    。 【請求項77】 該識別手段が、該処理チャンバのインピーダンスに少なく
    とも第1変化があるかどうかを決定する手段から成る請求項68に記載のシステ
    ム。 【請求項78】 該決定手段が、該第1プラズマ・ステップ中の該処理チャ
    ンバからの該プラズマの光学放射の少なくとも一部の変化に基づく請求項77に
    記載のシステム。 【請求項79】 該決定手段が、第1および第2条件の少なくとも一方の存
    在を識別する手段から成り、該第1条件が、第1時間の期間以内の時間だけ続く
    第1所定量を超える、該第1プラズマ・ステップ中の該処理チャンバ内の該プラ
    ズマの第1波長での強度の変化であり、該第2条件が、第2時間の期間以内の時
    間だけ続く第2所定量を超える、該第1プラズマ・ステップ中の該処理チャンバ
    内の該プラズマの複数個の波長の平均強度の変化である請求項77に記載のシス
    テム。 【請求項80】 該識別手段が、該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも
    複数個の時間において、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々
    の波長を評価する手段から成る請求項66に記載のシステム。 【請求項81】 少なくとも1個の個々の波長を評価する該手段が、該少な
    くとも1個の個々の波長の強度対時間のプロットが所定方程式からの所定量を超
    えて逸脱した時点を決定する手段と、該少なくとも1個の個々の波長の強度対時
    間の該プロットの傾斜の変化の速度が所定量を超えて逸脱した時点を決定する手
    段と、その組み合わせとから成る集団から選択された手法の使用から成る請求項
    80に記載のシステム。 【請求項82】 該第1および第2手法が、該処理チャンバのインピーダン
    スに少なくとも第1変化がある時点を決定する手段と、該第1プラズマ・ステッ
    プ中の少なくとも複数個の時間において、第1波長で該処理チャンバ内の該プラ
    ズマの光学放射を評価する手段と、該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複
    数個の時間で該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評
    価する手段とから成る集団からそれぞれが選択される請求項66に記載のシステ
    ム。 【請求項83】 該第1および第2手法が、該処理チャンバのインピーダン
    スに少なくとも第1変化がある時点を決定する手段と、該第1プラズマ・ステッ
    プ中の少なくとも複数個の時間において、第1波長で該処理チャンバ内の該プラ
    ズマの光学放射の変化の速度を評価する手段と、該第1プラズマ・ステップ中の
    少なくとも複数個の時間において、第1基準に関して第1波長で該処理チャンバ
    内の該プラズマの光学放射を評価する手段と、所定関数との合致に関して、該実
    行ステップ中の少なくとも複数個の時間において、該処理チャンバ内の該プラズ
    マの少なくとも1個の個々の波長を評価する手段と、該所定関数の少なくとも1
    個の導関数の出力に関して、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時間におい
    て、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評価する手
    段から成る集団から選択される請求項66に記載のシステム。 【請求項84】 該コンピュータ読み取り可能な格納媒体が: 該データ受理手段に供給される該第1プラズマ・ステップに関するデータから
    の、少なくとも該第1プラズマ・ステップ中の該プラズマの状態を表わすデータ
    を評価する手段であって、該状態が、該処理チャンバ内の該プラズマに影響を持
    つすべてのパラメータの累積結果である請求項66に記載のシステム。 【請求項85】 該プラズマ・プロセスが、該第1プラズマ・ステップとは
    異なる第2プラズマ・ステップから成り、該第2プラズマ・ステップの第2端点
    が、該第2プラズマ・ステップの所定結果が得られた時点であり、該コンピュー
    タ読み取り可能な格納媒体が: 該データ受理手段に供給される該第2プラズマ・ステップに関するデータから
    該第2端点の発生を識別する手段で、第2端点を識別する該手段が該第1および
    第2手法から成り、該第2端点が、該第1および第2手法の少なくとも一方によ
    って識別可能である手段とからさらに成る請求項66に記載のシステム。 【請求項86】 処理チャンバ内で第1製品にプラズマ・プロセスを実行す
    るシステムであって、該プラズマ・プロセスが第1プラズマ・ステップから成り
    、該第1プラズマ・ステップの第1端点が、該第1プラズマ・ステップの第1結
    果が得られた時点であるシステムであって: 処理チャンバと; 該処理チャンバと流体相互接続された第1気体入口と第1気体出口と; 該プラズマ・チャンバ内にあるプラズマ発生器であって、該プラズマ発生器の
    起動後に、該処理チャンバ内で該第1プラズマ・ステップが実行できるプラズマ
    発生器と; コンピュータ読み取り可能な格納媒体であって: 該プラズマ・プロセスに関するデータを受理し、該第1プラズマ・ステップ
    に関するデータを含む手段と; 該受理手段に供給された該第1プラズマ・ステップに関するデータから該第
    1端点の発生を識別し、該識別手段が第1および第2手法から成り、該第1手法
    が該第2手法とは異なり、該第1端点が、該第1および第2手法の少なくとも一
    方によって識別可能である手段とから成る前記格納媒体と、 を備えたシステム。 【請求項87】 第1プラズマ・ステップから成るプラズマ・プロセスを監
    視する方法であって: 該処理チャンバ内でプラズマを発生させ; 該発生ステップを用いて、該第1プラズマ・ステップを実行し、該第1プラズ
    マ・ステップが第1所定結果を生成した時である該第1プラズマ・ステップの第
    1端点があり; 該実行ステップを監視し、該第1端点の発生を識別し、該監視ステップが: 該実行ステップ中の複数個の異なる時間から、約250ナノメータ〜約1,
    000ナノメータの第1波長範囲で、該第1波長範囲で少なくとも1ナノメータ
    ごとに該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射を獲得し; 該複数個の異なる時間のそれぞれにおける該光学放射を第1出力と比較し; 該複数個の異なる時間の少なくとも1個からの該光学放射が、該第1出力の
    所定量内にあり、これを該第1端点と等しくなる時点を決定することから成る第
    1手法を用いることから成るステップから成る方法。 【請求項88】 該プラズマ・プロセスが、該処理チャンバ内で少なくとも
    1個の製品に実行するプラズマ法と、プラズマ清掃操作と、プラズマ調整操作と
    、条件設定ウェハ操作とから成る集団から選択される請求項87に記載の方法。 【請求項89】 該獲得ステップから引き出された隣接波長の各対間の間隔
    が、同一間隔と、異なる間隔と、同一間隔と異なる間隔の組み合わせとから成る
    集団から選択される請求項89に記載の方法。 【請求項90】 該複数個の異なる時間のそれぞれでの該光学放射が関連パ
    ターンを有し、該第1出力が第1出力パターンを有し、該比較ステップが、該複
    数個の時間のそれぞれでの該光学放射の該パターンを該第1出力パターンとする
    ことから成り、該決定ステップの該所定量が、該複数個の異なる時間の少なくと
    も1個からの該光学放射の該パターンと該第1出力パターンとが一致するとみな
    される時点を定義する請求項87に記載の方法。 【請求項91】 該比較ステップの該第1出力が、該獲得ステップからの該
    複数個の異なる時間より早い時間からの該光学放射から成る請求項87に記載の
    方法。 【請求項92】 該比較ステップの該第1出力が、該獲得ステップからの直
    前の時間からの該光学放射である請求項91に記載の方法。 【請求項93】 該比較ステップの該第1出力が、同じ該処理チャンバ内で
    同じ該実行ステップの以前の実行から得られた請求項87に記載の方法。 【請求項94】 該第1出力がコンピュータ読み取り可能な格納媒体上に格
    納される請求項93に記載の方法。 【請求項95】 該監視ステップが、該第1手法とは異なる第2手法を用い
    ることから成り、該第1端点が、該第1および第2手法の少なくとも一方によっ
    て識別可能である手段から成る請求項87に記載のシステム。 【請求項96】 該第2手法が、該処理チャンバのインピーダンスに少なく
    とも第1変化がある時点を決定し、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時間
    において、該処理チャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評価
    することから成る集団から選択される請求項95に記載の方法。 【請求項97】 該第2手法が、該処理チャンバのインピーダンスに少なく
    とも第1変化がある時点を決定し、所定関数との合致に関して、該実行ステップ
    中の少なくとも複数個の時間において、該処理チャンバ内の該プラズマの少なく
    とも1個の個々の波長を評価し、該所定関数の少なくとも1個の導関数の出力に
    関して、該実行ステップ中の少なくとも複数個の時間において、該処理チャンバ
    内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評価することから成る集団から
    選択される請求項95に記載の方法。 【請求項98】 該実行ステップ中の該処理チャンバ内の該プラズマの状態
    を評価し、該状態が、該処理チャンバ内の該プラズマに影響を持つすべてのパラ
    メータの累積結果である請求項87に記載の方法。 【請求項99】 該決定ステップが、該複数個の時間のそれぞれの該光学放
    射と該第1出力の間の差分を決定することから成り、該所定量が、該差分にいか
    なる実質的なピークもない時点である請求項87に記載の方法。 【請求項100】 該プラズマ・プロセスがさらに第2プラズマ・ステップ
    から成り: 該第1プラズマ・ステップの後に、該第2プラズマ・ステップを実行し、該第
    2プラズマ・ステップの第2端点が、該第2プラズマ・ステップが、該第1所定
    結果とは異なる第2所定結果を生成した時であり; 該第2プラズマ・ステップの該実行を監視し、該第2端点の発生を識別し; 該第1および第2端点ステップが識別されると、該生成ステップを終了するス
    テップからさらに成る請求項87に記載の方法。 【請求項101】 処理チャンバ内で実行されるプラズマ・プロセス用プラ
    ズマ監視システムであって、該プラズマ・プロセスが第1プラズマ・ステップか
    ら成り、該第1プラズマ・ステップの第1端点が、第1所定結果が得られた時で
    あるシステムであって: コンピュータ読み取り可能な格納媒体であって: 該第1プラズマ・ステップの1個の少なくとも一部に関連する第1出力で、
    該第1出力が、該処理チャンバ内での該第1プラズマ・ステップの1個の実行中
    における、該処理チャンバからの光学放射を表わすデータであり、該光学放射が
    、約250ナノメータ〜約1,000ナノメータの第1波長範囲内にあり、該第
    1波長範囲で少なくとも1ナノメータごとである第1出力と; 該第1端点が現在の該第1プラズマ・ステップで生じた時点を識別する手段
    で: 少なくとも該第1波長範囲内で、該現在の該第1プラズマ・ステップ中の少
    なくとも複数個の異なる定数で、該第1波長範囲内で少なくとも1ナノメータご
    とに、該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射を表わすデータを受理する手段
    と; 該複数個の異なる時間のそれぞれにおける該光学放射を、該第1出力と比較
    する手段と; 該複数個の異なる時間の少なくとも1個からの該光学放射が、該現在の該第
    1プラズマ・ステップのための該第1端点に到達したとみなされる時点で、該第
    1出力の所定量内である時点を決定する手段とから成る識別手段とから成る前記
    格納媒体と、 を備えたシステム。 【請求項102】 該プラズマ・プロセスが、該処理チャンバ内で少なくと
    も1個の製品に実行するプラズマ法と、プラズマ清掃操作と、プラズマ調整操作
    と、条件設定ウェハ操作とから成る集団から選択される請求項101に記載のシ
    ステム。 【請求項103】 該決定手段が、該複数個の時間のそれぞれの該光学放射
    と該第1出力の間の差分を獲得する手段から成り、該所定量が、該差分にいかな
    る実質的なピークもない時点である請求項101に記載のシステム。 【請求項104】 該複数個の異なる時間のそれぞれでの該光学放射が関連
    パターンを有し、該第1出力が第1出力パターンを有し、該比較手段が、該複数
    個の時間のそれぞれでの該光学放射の該パターンを該第1出力パターンとする手
    段から成り、該決定手段の該所定量が、該複数個の異なる時間の少なくとも1個
    からの該光学放射の該パターンと該第1出力パターンとが一致するとみなされる
    時点を定義する請求項101に記載の方法。 【請求項105】 該第1出力が、該現在の該第1プラズマ・ステップから
    の該複数個の異なる時間より早い時間からの該光学放射から成る請求項101に
    記載の方法。 【請求項106】 該第1出力が、該現在の該第1プラズマ・ステップから
    の直前の時間からの該光学放射である請求項105に記載の方法。 【請求項107】 該第1出力が、該現在の該第1プラズマ・ステップより
    以前の該第1プラズマ・ステップの実行から得られた請求項101に記載の方法
    。 【請求項108】 該識別手段が、該第1手法とは異なる第2手法から成り
    、該第1端点が、該第1および第2手法の少なくとも一方によって識別可能であ
    る請求項101に記載のシステム。 【請求項109】 該第2手法が、該処理チャンバのインピーダンスに少な
    くとも第1変化がある時点を決定する手段と、該現在の該第1プラズマ・ステッ
    プ中の少なくとも複数個の時間において、該処理チャンバ内の該プラズマの少な
    くとも1個の個々の波長を評価する手段から成る集団から選択される請求項10
    8に記載のシステム。 【請求項110】 該第2手法が、該処理チャンバのインピーダンスに少な
    くとも第1変化がある時点を決定する手段と、所定関数との合致に関して、該現
    在の該第1プラズマ・ステップ中の少なくとも複数個の時間において、該処理チ
    ャンバ内の該プラズマの少なくとも1個の個々の波長を評価する手段と、該所定
    関数の少なくとも1個の導関数の出力に関して、該現在の該第1プラズマ・ステ
    ップ中の少なくとも複数個の時間において、該処理チャンバ内の該プラズマの少
    なくとも1個の個々の波長を評価する手段とから成る集団から選択される請求項
    108に記載のシステム。 【請求項111】 該コンピュータ読み取り可能な格納媒体が: 該受理手段に供給される該現在の該第1プラズマ・ステップに関するデータか
    ら該現在の該第1プラズマ・ステップ中の該プラズマの状態を評価する手段をさ
    らに備え、該状態が、該処理チャンバ内の該プラズマに影響を持つすべてのパラ
    メータの累積結果である請求項101に記載のシステム。 【請求項112】 該プラズマ・プロセスが、該第1プラズマ・ステップと
    は異なる第2プラズマ・ステップからさらに成り、該第2プラズマ・ステップの
    第2端点が、該第2プラズマ・ステップの第2所定結果が得られた時であり、該
    コンピュータ読み取り可能な格納媒体が: 該第2プラズマ・ステップの1個の少なくとも一部を伴う第2出力で、該第2
    出力が該処理チャンバ内の該第2プラズマ・ステップの1個の実行中の、該処理
    チャンバからの光学放射を表すデータであり、該光学放射が、少なくとも該第1
    波長範囲内で、該第1波長範囲内で少なくとも1ナノメータごとである第2出力
    と; 現在の該第2プラズマ・ステップ用の該第2端点の発生を識別する手段とから
    さらに成る請求項101に記載のシステム。 【請求項113】 処理チャンバ内でプラズマ・プロセスを実行するシステ
    ムであって、該プラズマ・プロセスが第1プラズマ・ステップから成り、該第1
    プラズマ・ステップの第1端点が、該第1プラズマ・ステップの第1所定結果が
    得られた時点であるシステムであって: 処理チャンバと; 該処理チャンバと流体相互接続された第1気体入口と第1気体出口と; 該プラズマ・チャンバ内にあるプラズマ発生器であって、該プラズマ発生器の
    起動後に、該処理チャンバ内で該第1プラズマ・ステップが実行できるプラズマ
    発生器と; コンピュータ読み取り可能な格納媒体であって: 該第1プラズマ・ステップの1個の少なくとも一部を伴う第1出力で、該第
    1出力が該処理チャンバ内の該第1プラズマ・ステップの1個の実行中の、該処
    理チャンバからの光学放射を表すデータであり、該光学放射が、少なくとも約2
    50ナノメータ〜約1,000ナノメータの第1波長範囲内で、該第1波長範囲
    内で少なくとも1ナノメータごとである第1出力と; 現在の該第1プラズマ・ステップ用に該第1端点が生じた時点を識別する手
    段とから成り、該識別手段が: 少なくとも該第1波長範囲内で、該現在の該第1プラズマ・ステップ中の
    少なくとも複数個の異なる定数で、該第1波長範囲内で少なくとも1ナノメータ
    ごとに、該処理チャンバ内の該プラズマの光学放射を表わすデータを受理する手
    段と; 該複数個の異なる時間のそれぞれにおける該光学放射を、該第1出力と比
    較する手段と; 該複数個の異なる時間の少なくとも1個からの該光学放射が、該現在の該
    第1プラズマ・ステップのための該第1端点に到達したとみなされる時点で、該
    第1出力の所定量内である時点を決定する手段とから成る決定手段とから成る第
    1手法から成るコンピュータ読み取り可能な格納媒体と、 から成るシステム。 【請求項114】 プラズマ・プロセスを監視する方法であって: 一定量の製品を処理チャンバ内に搭載し; 該処理チャンバ内で該製品にプラズマ・プロセスを実行し、該処理チャンバが
    窓から成り; 該窓を介して該プラズマ・プロセスに関するデータを獲得し、該獲得ステップ
    が、該実行ステップ中に少なくとも複数回実行され; 該獲得ステップを介する以外に、該窓の状態を監視し; 該獲得ステップと該監視ステップの両方を用いて、該実行ステップを評価する
    ステップから成る方法。 【請求項115】 該搭載ステップが、少なくとも1個のウェハを該処理チ
    ャンバ内に搭載することから成る請求項114に記載の方法。 【請求項116】 該獲得ステップが、該実行ステップ中に該処理チャンバ
    内のプラズマの光学放射を獲得することから成る請求項114に記載の方法。 【請求項117】 該監視ステップが、該実行ステップの実行中に終了する
    請求項114に記載の方法。 【請求項118】 該監視ステップが、第1および第2時間の一方でのみ実
    行され、該第1時間が該実行ステップの実行前で、該第2時間が該実行ステップ
    の該実行後である請求項114に記載の方法。 【請求項119】 該監視ステップが、該実行ステップ中の該処理チャンバ
    内のプラズマに関するいかなるデータからも独立した第1データを評価すること
    から成る請求項114に記載の方法。 【請求項120】 該窓が、該実行ステップにさらされる内表面と、該実行
    ステップから隔離された外表面とから成り、該監視ステップが: 該処理チャンバの外側の位置から該窓に向かって較正光を導光し; 該窓の該内表面から該較正光の第1部を反射し; 該導光ステップからの該較正光を、該反射ステップからの該較正光の該第1部
    と比較するステップから成る請求項114に記載の方法。 【請求項121】 該比較ステップが、該導光ステップからの該較正光の分
    光パターンを、該反射ステップからの該較正光の該第1部の分光パターンと比較
    することから成る請求項120に記載の方法。 【請求項122】 該導光ステップからの該較正光の該分光パターンが、少
    なくとも約200ナノメータ〜約1,000ナノメータの波長を含む第1範囲内
    であり、該反射ステップからの該較正光の該第1部の該分光パターンが該第1範
    囲内であり; 該比較ステップが、約1ナノメータ以下の波長分解能を用いて、該導光ステッ
    プからの該較正光の該分光パターンの強度を、該反射ステップからの該較正光の
    該第1部の分光パターンの強度と比較することから成り、該波長分解能が、該第
    1範囲内で比較された波長の各隣接対間の波長間隔が約1ナノメータ以下である
    請求項121に記載の方法。 【請求項123】 該比較ステップが、該導光ステップからの該較正光と、
    該反射ステップからの該較正光の該第1部との間のいかなる差異にも注目するこ
    とから成る請求項120に記載の方法。 【請求項124】 該比較ステップが、該導光ステップからの該較正光の強
    度を、該反射ステップからの該較正光の該第1部に付属する強度と比較すること
    から成る請求項120に記載の方法。 【請求項125】 該比較ステップが、該窓の該内表面に反射される該導光
    ステップからの該較正光の最大量を説明することから成る請求項120に記載の
    方法。 【請求項126】 該窓の該外表面から該較正光の第2部を反射し; 該較正光の該第2部による該比較ステップへの悪影響を禁止するステップから
    さらに成る請求項120に記載の方法。 【請求項127】 該比較ステップが、該導光ステップからの該較正光と、
    該反射ステップからの該較正光の該第1部との間の強度変化の第1および第2タ
    イプの一方が存在するかどうかを決定することから成る請求項120に記載の方
    法。 【請求項128】 該評価ステップが、単一の較正要因を実行することで該
    決定ステップによって識別された強度変化のいかなる該第1タイプも説明するこ
    とから成る請求項127に記載の方法。 【請求項129】 該説明ステップが、該単一の較正要因を、該複数個の時
    間のそれぞれにおいて、該獲得ステップからの該データに適用することから成る
    請求項128に記載の方法。 【請求項130】 該評価ステップが、複数個の較正要因を実行することで
    該決定ステップによって識別された強度変化のいかなる該第2タイプも説明する
    ことから成る請求項127に記載の方法。 【請求項131】 該説明ステップが、該複数個の較正要因のそれぞれを、
    該複数個の時間のそれぞれにおいて、該獲得ステップからの該データに適用する
    ことから成る請求項130に記載の方法。 【請求項132】 該複数個の較正要因の1番目が、第1波長領域内の該実
    行ステップからの光学放射を表わす該データに適用され、該複数個の較正要因の
    2番目が、該第1波長領域外にある第2波長領域内の該実行ステップからの光学
    放射を表わす該データに適用される請求項131に記載の方法。 【請求項133】 該評価ステップが、該獲得ステップの該複数個の時間の
    それぞれにおいて、該実行ステップからの光学放射を表わすデータを正規化する
    ことで、該決定ステップによって識別される強度変化のいかなる該第2タイプも
    説明することから成る請求項127に記載の方法。 【請求項134】 該比較ステップが、該窓が該実行ステップに伴い、該第
    1波長領域内の光学放射を除外するかどうかを決定することから成る請求項12
    0に記載の方法。 【請求項135】 該評価ステップが: 該除外が、該第1決定ステップの該実行によって確認された場合に、該第1波
    長領域内の該光学放射を無視することから成る請求項134に記載の方法。 【請求項136】 該比較ステップが: 該導光ステップからの該較正光の複数個の強度ピークを識別し; 該識別ステップからの該ピークのいずれかが、該反射ステップからの該較正光
    の該第1部に少なくとも実質的に不在である時点を決定することから成り、該第
    1波長領域を定義する第2決定ステップを実行するステップからさらに成る請求
    項134に記載の方法。 【請求項137】 該除外が、第1決定ステップの該実行により識別された
    場合に、該窓を元に戻すことを推奨するステップからさらに成る請求項134に
    記載の方法。 【請求項138】 該比較ステップが、該導光ステップからの該較正光と、
    該反射ステップからの該較正光の該第1部との間の強度変化と波長変化の少なく
    とも一方が存在することを決定することから成る請求項120に記載の方法。 【請求項139】 前記窓が前記実施段階を行う内側表面と前記実施段階か
    ら隔離される外側表面を有し、前記モニタリング段階が 前記処理室の外部である位置から、前記窓方向に第1の較正光を方向規定す
    る段階、 前記窓の前記内側表面から、前記第1の較正光の第1の部分を反射させる段
    階、および 前記の第1の較正光方向規定段階からの前記第1の較正光と、前記の第1の
    較正光の第1の部分の反射段階からの前記第1の較正光の前記第1の部分とを比
    較する段階を有する第1の較正段階を行う段階、ならびに 前記処理室の外部である位置から、前記窓方向に第2の較正光を方向規定す
    る段階であって、前記第2の較正光が前記第1の較正光とは異なる段階、 前記窓の前記内側表面から、前記第2の較正光の第1の部分を反射させる段
    階、および 前記の第2の較正光方向規定段階からの前記第2の較正光と、前記の第2の
    較正光の第1の部分の反射段階からの前記第2の較正光の前記第1の部分とを比
    較する段階を有する第2の較正段階を行う段階とを有する請求項114に記載の
    方法。 【請求項140】 前記第1の較正実施段階が、前記取得段階に関連する波
    長シフトを報告する段階を有し、前記第2の較正実施段階が、前記取得段階に関
    連する強度シフトを報告する段階を有する請求項139に記載の方法。 【請求項141】 前記第1の較正光が複数の分離した強度ピークを有し、
    前記第2の較正光が連続的強度を有する請求項140に記載の方法。 【請求項142】 前記第1の較正光が複数の分離した強度ピークを有し、
    前記第2の較正光が連続的強度を有する請求項139に記載の方法。 【請求項143】 前記第1の較正実施段階と前記第2の較正実施段階を、
    別個の重複しない時間に行う請求項139に記載の方法。 【請求項144】 前記取得段階からの前記データが、少なくとも約200
    nm〜約1000nmの第1の波長範囲内の波長を含む光学発光を含み、前記モ
    ニタリング段階が、 前記窓が、前記第1の波長範囲内に含まれる第1の波長領域内の前記光学発光
    をフィルター除去するか否かを明らかにする段階を含む請求項114に記載の方
    法。 【請求項145】 前記取得段階からの前記データが、少なくとも約200
    nm〜約1000nmの第1の波長範囲内の波長を含む光学発光を含み、前記モ
    ニタリング段階が、 前記窓が、前記第1の波長範囲内に含まれる第1の波長領域に対する第1の低
    下効果、ならびに前記第1の波長範囲内と前記第1の波長領域外の両方の第2の
    波長領域に対する第2の低下効果を有するか否かを明らかにする段階を含む請求
    項114に記載の方法。 【請求項146】 前記窓の前記内側表面上に形成された堆積物によって前
    記取得段階に対する効果を確認する段階であって、前記モニタリング段階を用い
    る段階をさらに有する請求項114に記載の方法。 【請求項147】 前記モニタリング段階に基づいて前記評価段階に関する
    1以上の調節を行う段階をさらに有する請求項114に記載の方法。 【請求項148】 プラズマ工程のモニタリング方法において、 ある量の製造品を処理室に投入する段階、 前記処理室で前記製造品に対してプラズマ工程を行う段階であって、前記処理
    室が窓を有し、該窓が前記実施段階を行う内側表面と前記実施段階から隔離され
    る外側表面を有する段階、 前記窓を通して前記プラズマ工程に関するデータを取得する段階であって、前
    記実施段階中に少なくとも複数回実施される取得段階、 前記処理室外である位置から前記窓方向へ較正光を方向規定する段階、 前記窓の前記内側表面からの前記較正光の第1の部分を反射する段階、およ
    び 前記方向規定段階からの前記較正光と前記反射段階からの前記較正光の第1
    の部分とを比較する段階とを有する前記窓のモニタリングを行う段階、ならびに 前記取得段階と前記モニタリング段階を用いて、前記実施段階を評価する段階 を有することを特徴とする方法。 【請求項149】 前記投入段階が、前記処理室への1以上のウェハ投入を
    含む請求項148に記載の方法。 【請求項150】 前記取得段階が、前記実施段階中に前記処理室でプラズ
    マの光学発光を取得する段階を有する請求項148に記載の方法。 【請求項151】 前記モニタリング段階が、前記取得段階による以外で前
    記窓の状態をモニタリングする段階を有する請求項148に記載の方法。 【請求項152】 前記モニタリング段階が、前記実施段階実施中に終了す
    る請求項148に記載の方法。 【請求項153】 前記モニタリング段階を、第1回および第2回のいずれ
    か一方のみで行い、前記第1回は前記実施段階実施以前であり、前記第2回は前
    記実施段階実施後である請求項148に記載の方法。 【請求項154】 前記モニタリング段階が、前記実施段階中における前記
    処理室中のプラズマに関係するデータとは独立の第1のデータを評価する段階を
    有する請求項148に記載の方法。 【請求項155】 前記比較段階が、前記方向規定段階からの前記較正光の
    スペクトルパターンと前記反射段階からの前記較正光の前記第1の部分のスペク
    トルパターンとを比較する段階を有する請求項148に記載の方法。 【請求項156】 前記方向規定段階からの前記較正光の前記スペクトルパ
    ターンが約200nm〜約1000nmの波長を含む第1の範囲内であり、前記
    反射段階からの前記較正光の前記第1の部分の前記スペクトルパターンが少なく
    とも前記第1の範囲内にあり、 前記比較段階が、少なくとも前記第1の範囲全体にわたって約1nmごとに、
    前記方向規定段階からの前記較正光の前記スペクトルパターンの強度を、前記反
    射段階からの前記較正光の前記第1の部分の前記スペクトルパターンの強度を比
    較する段階を有する請求項155に記載の方法。 【請求項157】 前記比較段階が、前記方向規定段階からの前記較正光と
    、前記反射段階からの前記較正光の前記第1の部分との差を示す段階を有する請
    求項148に記載の方法。 【請求項158】 前記比較段階が、前記方向規定段階からの前記較正光の
    強度と、前記反射段階からの前記較正光の前記第1の部分に関連する強度とを比
    較する段階を有する請求項148に記載の方法。 【請求項159】 前記比較段階が、前記窓の前記内側表面が反射し得る前
    記方向規定段階からの前記較正光の最大量を報告する段階を有する請求項148
    に記載の方法。 【請求項160】 前記方向規定段階からの前記較正光の第2の部分を前記
    窓の前記外側表面で反射する段階、および 前記較正光の前記第2の部分が前記比較段階に影響することを防止する段階を
    さらに有する請求項148に記載の方法。 【請求項161】 前記比較段階が、前記方向規定段階からの前記較正光と
    前記反射段階からの前記較正光の前記第1の部分との間に第1および第2の種類
    の強度シフトがあるか否かを確認する段階を有し、前記取得段階と前記モニタリ
    ング段階の両方を用いて前記実施段階を評価する段階をさらに有する請求項14
    8に記載の方法。 【請求項162】 前記評価段階が、単一の較正要素を実行することによる
    前記比較段階によって確認されるいずれかの前記第1の種類の強度シフトを報告
    する段階を有する請求項161に記載の方法。 【請求項163】 前記報告段階が、前記評価段階によって用いられる前記
    取得段階からの前記データに対して前記単一の較正要素を適用する段階を有する
    請求項162に記載の方法。 【請求項164】 前記評価段階が、複数の較正要素を実行することによる
    前記比較段階によって確認されるいずれかの前記第2の種類の強度シフトを報告
    する段階を有する請求項161に記載の方法。 【請求項165】 前記報告段階が、前記評価段階によって用いられる前記
    取得段階からの前記データの各種部分に対して前記複数の較正要素それぞれを適
    用する段階を有する請求項164に記載の方法。 【請求項166】 前記複数の較正要素の第1の要素を、第1の波長領域内
    の前記実施段階からの光学発光を代表する前記データに適用し、前記複数の較正
    要素の第2の要素を、前記第1の波長領域外である第2の波長領域内の前記実施
    段階からの光学発光を代表する前記データに適用する請求項165に記載の方法
    。 【請求項167】 前記評価段階が、前記評価段階によって使用される前記
    実施段階からの光学発光を代表するデータを正規化することで前記比較段階によ
    って確認されるいずれかの前記第2の種類の強度シフトを報告する段階を有する
    請求項161に記載の方法。 【請求項168】 前記比較段階が、前記窓が第1の波長領域内の前記実施
    段階からの光学発光をフィルター除去しているか否かを確認する段階を有する第
    1の確認段階を実施する段階を有する請求項148に記載の方法。 【請求項169】 前記取得段階と前記モニタリング段階の両方を用いて前
    記実施段階を評価する段階をさらに有し、該評価段階が、前記フィルター処理が
    前記第1の確認段階実施によって確認される場合には、前記第1の波長領域内の
    前記光学発光を無視する段階を有する請求項168に記載の方法。 【請求項170】 前記比較段階がさらに、 前記方向規定段階からの前記較正光における複数の強度ピークを確認する段階
    、および 前記確認段階からの前記ピークのいずれかが、前記反射段階からの前記較正光
    の前記第1の部分において少なくとも実質的に存在しない時を確認する段階を有
    し、前記第1の波長領域を規定する第2の確認段階を実施する段階をさらに有す
    る請求項168に記載の方法。 【請求項171】 前記フィルター処理が前記第1の確認段階実行段階によ
    って確認されると、前記窓を交換するよう推奨する段階をさらに有する請求項1
    68に記載の方法。 【請求項172】 前記方向規定段階が、前記処理室外である位置から前記
    窓方向に第1の較正光を方向規定する段階および前記処理室外である位置から前
    記窓方向に第2の較正光を方向規定する段階を有し、前記第2の較正光が前記第
    1の較正光とは異なっており、 前記反射段階が、前記窓の前記内側表面からの前記第1の較正光の第1の部分
    を反射する段階および前記窓の前記内側表面からの前記第2の較正光の第1の部
    分を反射する段階を有し、 前記比較段階が、前記の第1の較正光方向規定段階からの前記第1の較正光と
    前記第1の較正光の第1の部分の前記反射段階からの前記第1の較正光の前記第
    1の部分とを比較する段階、ならびに前記の第2の較正光方向規定段階からの前
    記第2の較正光と前記第2の較正光の第1の部分の前記反射段階からの前記第2
    の較正光の前記第1の部分とを比較する段階を有する請求項148に記載の方法
    。 【請求項173】 前記第1の較正光方向規定段階、前記第1の較正光の第
    1の部分の反射段階および前記第1の較正光比較段階が全体で第1の較正実施段
    階を有し、該第1の較正実施段階が前記取得段階に関連する波長シフトを報告す
    るものであり、 前記第2の較正光方向規定段階、前記第2の較正光の第1の部分の反射段階お
    よび前記第2の較正光比較段階が全体で第2の較正実施段階を有し、該第2の較
    正実施段階が前記取得段階に関連する強度シフトを報告するものである請求項1
    72に記載の方法。 【請求項174】 前記第1の較正光が複数の別個の強度ピークを有し、前
    記第2の較正光が連続的強度を有する請求項173に記載の方法。 【請求項175】 前記第1の較正実施段階と前記第2の較正実施段階を、
    別個の重複しない時間に行う請求項173に記載の方法。 【請求項176】 前記第1の較正光が複数の別個の強度ピークを有し、前
    記第2の較正光が連続的強度を有する請求項172に記載の方法。 【請求項177】 前記窓の前記内側表面上に形成された堆積物によって前
    記取得段階に対する効果を確認する段階であって、前記モニタリング段階を用い
    る段階をさらに有する請求項148に記載の方法。 【請求項178】 前記取得段階と前記モニタリング段階の両方を用いて前
    記実施段階を評価する段階、および 前記モニタリング段階に基づいて、前記評価段階に関して1以上の調節を行う
    段階をさらに有する請求項148に記載の方法。 【請求項179】 プラズマ処理システムにおいて、 窓を有する処理室であって、前記窓が前記処理室内で行われるプラズマ工程を
    受ける内側表面と前記プラズマ工程から隔離された外側表面を有する処理室、 前記処理室内のプラズマ発生装置であって、前記プラズマ発生装置が作動して
    いる時に、前記処理室内で前記プラズマ工程を行うことができる発生装置、 前記処理室外に配置された第1の分光器アセンブリ、 前記第1の分光器アセンブリと前記窓とを効果的に接続する第1の光ファイバ
    ーケーブルアセンブリ、 前記処理室外に配置され、較正光を有する較正光源、 前記較正光源と前記窓とを効果的に接続する第2の光ファイバーケーブルアセ
    ンブリ、ならびに 前記第1の分光器アセンブリと効果的に接続されたコンパレータであって、前
    記コンパレータへの第1の入力が、前記第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    を通って前記較正光源によって前記窓に送られる前記較正光に関係するデータで
    あり、前記コンパレータへの第2の入力が、前記窓の前記内側表面によって反射
    された前記較正光の第1の部分に関するものであって、前記第1の光ファイバー
    ケーブルアセンブリを通って前記第1の分光器アセンブリに送られるデータであ
    るコンパレータ を有することを特徴とするシステム。 【請求項180】 前記第1の分光器アセンブリが、1以上の走査型分光器
    および1以上の固体分光器からなる群から選択される請求項179に記載のシス
    テム。 【請求項181】 前記第1の分光器アセンブリが複数の分光器を有し、該
    各分光器が異なる波長領域を担当する請求項179に記載のシステム。 【請求項182】 前記窓が第1の位置と該第1の位置から隔たった第2の
    位置を有し、前記窓の厚さが前記第1の位置から前記第2の位置にかけて徐々に
    変化することで、前記窓によって反射され前記第1の分光器アセンブリと前記コ
    ンパレータが使用する前記第1の光ファイバーアセンブリによって集光される前
    記較正光の部分を前記較正光の前記第1の部分に限定する請求項179に記載の
    システム。 【請求項183】 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    のそれぞれの第1の端部が同軸で配置され、前記窓の前記内側表面がそれぞれ前
    記第2および第1の光ファイバーケーブルアセンブリの前記第1の端部で出入り
    する光の軸に対して少なくとも実質的に垂直に配置されており、前記窓の前記外
    側表面が、それぞれ前記第2および第1の光ファイバーケーブルアセンブリの前
    記第1の端部で出入りする光の前記軸に対して垂直以外の角度で配置され、それ
    らの両方が、前記窓によって反射され前記第1の分光器アセンブリと前記コンパ
    レータが使用する前記第1の光ケーブルアセンブリによって集光される前記較正
    光部分を前記較正光の前記第1の部分に限定する請求項179に記載のシステム
    。 【請求項184】 前記窓の前記内側および外側表面が、平行関係以外の関
    係で配置されていることで、前記窓によって反射され前記第1の分光器アセンブ
    リと前記コンパレータが使用する前記第1の光ケーブルアセンブリによって集光
    される前記較正光部分を前記較正光の前記第1の部分に限定する請求項179に
    記載のシステム。 【請求項185】 前記窓が少なくとも楔型である請求項179に記載のシ
    ステム。 【請求項186】 前記窓方向に向いた前記第2の光ファイバーケーブルア
    センブリの第1の端部が、前記窓方向に向いた前記第1の光ファイバーケーブル
    アセンブリの第1の端部と同軸で配置されていることで、前記窓の前記内側表面
    が反射する前記較正光の前記第1の部分を受光する請求項179に記載のシステ
    ム。 【請求項187】 前記窓の前記内側および外側表面が平行関係以外の関係
    で配置されている請求項186に記載のシステムであって、 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリのそれぞれの前記第1
    の端部を前記窓に関して固定した位置関係に維持するための手段をさらに有する
    ことで、 前記第2の光ファイバーケーブルアセンブリを通って方向規定される前記較正
    光源からの前記較正光が、前記外側表面に対して垂直以外の角度で前記窓の前記
    外側表面に当たることで、前記窓の前記外側表面が反射する前記較正光の少なく
    とも実質的に全ての部分を前記第1の光ファイバーケーブルアセンブリから遠ざ
    かる方向に向け、さらに、前記窓の前記内側表面に当たる前記較正光源からの前
    記較正光の一部が前記窓の前記内側表面に対して少なくとも実質的に垂直に当た
    ることで、前記窓の前記内側表面が反射する前記較正光の前記第1の部分を前記
    第1の光ファイバーケーブルアセンブリ中に向けて、前記コンパレータが使用す
    る前記第1の分光器アセンブリに送るシステム。 【請求項188】 前記第2の光ファイバーケーブルアセンブリを出る光の
    軸が前記内側表面に対して第1の鋭角で前記窓の前記内側表面に当たり、前記第
    1の光ファイバーケーブルアセンブリの端部が、前記内側表面によって反射され
    る前記較正光の前記第1の部分を集光するように配置されており、それによって
    、前記較正光を前記窓の報告に向ける前記第2の光ファイバーケーブルアセンブ
    リの端部が、前記窓が反射する前記較正光の前記第1の部分を受光する前記第1
    の光ファイバーケーブルアセンブリの前記端部とは前記窓を横切る基準面の反対
    側に配置されるようになっている請求項179に記載のシステム。 【請求項189】 前記コンパレータが、前記窓に送られる前記較正光のパ
    ターンを、前記窓の前記内側表面によって反射される前記較正光の前記第1の部
    分のパターンと比較する手段を有する請求項179に記載のシステム。 【請求項190】 前記窓と効果的に接続され前記第1の分光器アセンブリ
    を有するプラズマモニタリングアセンブリ、および 前記コンパレータからの出力に基づいて前記プラズマモニタリングアセンブリ
    に関して1以上の調節を行う手段をさらに有する請求項179に記載のシステム
    。 【請求項191】 前記窓の前記外側表面の少なくとも一部が前記第2の光
    ファイバーケーブルアセンブリと並列に並んだ反射防止コーティングを有する請
    求項179に記載のシステム。 【請求項192】 前記較正光源が第1の較正光源および第2の較正光源を
    有し、前記第1の較正光源が前記第2の較正光源とは異なる種類の光のものであ
    る請求項179に記載のシステム。 【請求項193】 前記第1の較正光源が、複数の別個の強度ピークを有す
    る第1の較正光を有し、前記第2の較正光源が連続的強度を有する第2の較正光
    を有する請求項192に記載のシステム。 【請求項194】 前記第1の較正光源を用いて波長シフトを確認し、前記
    第2の較正光源を用いて強度シフトを確認する請求項192に記載のシステム。 【請求項195】 光ファイバーケーブル固定アセンブリをさらに有する請
    求項179に記載のシステムであって、前記固定アセンブリが凹領域を有し、該
    凹領域は前記窓の前記外側表面の少なくとも一部と前記固定アセンブリを通って
    延びて前記凹領域を横切る第1のポートを接続しており、前記凹領域を規定する
    前記固定アセンブリの少なくとも一部が吸光材料を有し、前記第1および第2の
    光ファイバーケーブルアセンブリの第1の端部が、前記第1のポートと軸方向に
    並んだ前記固定アセンブリに取り付けられており、前記第1および第2の光ファ
    イバーケーブルアセンブリから前記窓の方へ突出した基準軸がそれぞれ、垂直方
    向以外の角度で前記窓の前記外側表面を横切り、それぞれが少なくとも実質的に
    垂直の角度で前記窓の前記内側表面を横切るシステム。 【請求項196】 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    の前記第1の端部が同軸で配置され、前記固定アセンブリと貫通可能な形で(t
    hreadably)接続されている請求項195に記載のシステム。 【請求項197】 プラズマ処理システムにおいて、 窓を有する処理室であって、前記窓が前記処理室内で行われるプラズマ工程を
    受ける内側表面と前記プラズマ工程から隔離された外側表面を有する処理室、 前記処理室内のプラズマ発生装置であって、前記プラズマ発生装置が作動して
    いる時に、前記処理室内で前記プラズマ工程を行うことができる発生装置、 前記処理室外に配置された第1の分光器アセンブリ、 前記第1の分光器アセンブリと前記窓とを効果的に接続する第1の光ファイバ
    ーケーブルアセンブリ、 前記処理室外に配置され、較正光を有する較正光源、ならびに 前記較正光源と前記窓とを効果的に接続する第2の光ファイバーケーブルであ
    って、前記処理室上の前記窓の前記内側および外側表面が平行以外の関係で配置
    されていることで、それぞれ前記内側および外側表面によって反射される前記較
    正光の部分間における干渉を低減するようになっているケーブル を有することを特徴とするシステム。 【請求項198】 前記第1の分光器アセンブリが、1以上の走査型分光器
    および1以上の固体分光器からなる群から選択される請求項197に記載のシス
    テム。 【請求項199】 前記第1の分光器アセンブリが複数の分光器を有し、該
    各分光器が異なる波長領域を担当する請求項197に記載のシステム。 【請求項200】 前記窓が第1の位置と該第1の位置から隔たった第2の
    位置を有し、前記窓の厚さが前記第1の位置から前記第2の位置にかけて徐々に
    変化することで、前記窓によって反射され前記第1の分光器アセンブリと前記コ
    ンパレータが使用する前記第1の光ファイバーアセンブリによって集光される前
    記較正光の部分を前記窓の前記内側表面によって反射される前記較正光の部分に
    限定する請求項197に記載のシステム。 【請求項201】 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    のそれぞれの第1の端部が同軸で配置され、前記窓の前記内側表面がそれぞれ前
    記第2および第1の光ファイバーケーブルアセンブリの前記第1の端部で出入り
    する光の軸に対して少なくとも実質的に垂直に配置されており、前記窓の前記外
    側表面が、それぞれ前記第2および第1の光ファイバーケーブルアセンブリの前
    記第1の端部で出入りする光の前記軸に対して垂直以外の角度で配置され、それ
    らの両方が、前記窓によって反射され前記第1の分光器アセンブリと前記コンパ
    レータが使用する前記第1の光ケーブルアセンブリによって集光される前記較正
    光部分を前記窓の前記内側表面によって反射される前記較正光の部分に限定する
    請求項197に記載のシステム。 【請求項202】 前記窓が少なくとも楔型である請求項197に記載のシ
    ステム。 【請求項203】 前記窓方向に向いた前記第2の光ファイバーケーブルア
    センブリの第1の端部が、前記窓方向に向いた前記第1の光ファイバーケーブル
    アセンブリの第1の端部と同軸で配置されていることで、前記窓の前記内側表面
    が反射する前記較正光の一部を受光する請求項197に記載のシステム。 【請求項204】 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    のそれぞれの前記第1の端部を前記窓に関して固定した位置関係に維持するため
    の手段をさらに有することで、 前記第2の光ファイバーケーブルアセンブリを通って方向規定される前記較正
    光源からの前記較正光が、前記外側表面に対して垂直以外の角度で前記窓の前記
    外側表面に当たることで、前記窓の前記外側表面が反射する前記較正光の少なく
    とも実質的に全ての部分を前記第1の光ファイバーケーブルアセンブリから遠ざ
    かる方向に向け、さらに、前記窓の前記内側表面に当たる前記較正光源からの前
    記較正光の一部が前記窓の前記内側表面に対して少なくとも実質的に垂直に当た
    ることで、前記窓の前記内側表面が反射する前記較正光の少なくとも一部を前記
    第1の光ファイバーケーブルアセンブリ中に向けて、前記第1の分光器アセンブ
    リに送る請求項203に記載のシステム。 【請求項205】 前記第2の光ファイバーケーブルアセンブリを出る光の
    軸が前記内側表面に対して第1の鋭角で前記窓の前記内側表面に当たり、前記第
    1の光ファイバーケーブルアセンブリの端部が、前記内側表面によって反射され
    る前記較正光の前記第1の部分を集光するように配置されており、それによって
    、前記較正光を前記窓の報告に向ける前記第2の光ファイバーケーブルアセンブ
    リの端部が、前記窓の前記内側表面が反射する前記較正光の少なくとも一部を受
    光する前記第1の光ファイバーケーブルアセンブリの前記端部とは前記窓を横切
    る基準面の反対側に配置されるようになっている請求項197に記載のシステム
    。 【請求項206】 前記第1の分光器アセンブリと効果的に接続されたコン
    パレータであって、前記コンパレータへの第1の入力が、前記第2の光ファイバ
    ーケーブルアセンブリを通って前記較正光源によって前記窓に送られる前記較正
    光に関係するデータであり、前記コンパレータへの第2の入力が、前記窓の前記
    内側表面によって反射された前記較正光の第1の部分に関するものであって、前
    記第1の光ファイバーケーブルアセンブリを通って前記第1の分光器アセンブリ
    に送られるデータであるコンパレータをさらに有する請求項197に記載のシス
    テム。 【請求項207】 前記コンパレータが。前記窓に送られる前記較正光のパ
    ターンを、前記窓の前記内側表面によって反射される前記較正光の前記第1の部
    分のパターンと比較する手段を有する請求項206に記載のシステム。 【請求項208】 前記窓と効果的に接続され前記第1の分光器アセンブリ
    を有するプラズマモニタリングアセンブリ、および 前記コンパレータからの出力に基づいて前記プラズマモニタリングアセンブリ
    に関して1以上の調節を行う手段をさらに有する請求項206に記載のシステム
    。 【請求項209】 前記窓の前記外側表面の少なくとも一部が前記第2の光
    ファイバーケーブルアセンブリと並列に並んだ反射防止コーティングを有し、そ
    れを通って前記較正光が前記光ファイバーケーブルアセンブリを出る請求項19
    7に記載のシステム。 【請求項210】 前記較正光源が第1の較正光源および第2の較正光源を
    有し、前記第1の較正光源が前記第2の較正光源とは異なる種類の光のものであ
    る請求項197に記載のシステム。 【請求項211】 前記第1の較正光源が、複数の別個の強度ピークを有す
    る第1の較正光を有し、前記第2の較正光源が連続的強度を有する第2の較正光
    を有する請求項210に記載のシステム。 【請求項212】 前記第1の較正光源を用いて波長シフトを確認し、前記
    第2の較正光源を用いて強度シフトを確認する請求項210に記載のシステム。 【請求項213】 光ファイバーケーブル固定アセンブリをさらに有する請
    求項197に記載のシステムであって、前記固定アセンブリが凹領域を有し、該
    凹領域は前記窓の前記外側表面の少なくとも一部と前記固定アセンブリを通って
    延びて前記凹領域を横切る第1のポートを接続しており、前記凹領域を規定する
    前記固定アセンブリの少なくとも一部が吸光材料を有し、前記第1および第2の
    光ファイバーケーブルアセンブリの第1の端部が、前記第1のポートと軸方向に
    並んだ前記固定アセンブリに取り付けられており、前記第1および第2の光ファ
    イバーケーブルアセンブリから前記窓の方へ突出した基準軸がそれぞれ、垂直方
    向以外の角度で前記窓の前記外側表面を横切り、それぞれが少なくとも実質的に
    垂直の角度で前記窓の前記内側表面を横切るシステム。 【請求項214】 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    の前記第1の端部が同軸で配置され、前記固定アセンブリと貫通可能な形で接続
    されている請求項213に記載のシステム。 【請求項215】 プラズマ処理システムにおいて、 窓を有する処理室であって、前記窓が前記処理室内で行われるプラズマ工程を
    受ける内側表面と前記プラズマ工程から隔離された外側表面を有する処理室、 前記処理室内でプラズマを発生させて、前記処理室内で前記プラズマ工程を行
    う手段、 前記プラズマ工程中に前記窓を通って放射される前記処理室内の前記プラズマ
    の光学発光を取得する手段、 前記取得手段からの出力から、前記プラズマ工程を評価する手段、ならびに 前記評価手段と効果的に接続されている較正アセンブリであって、 較正光を前記窓に方向規定する手段、 前記窓によって反射される前記較正光の一部と前記方向規定手段からの前記
    較正光とを比較する手段、および 前記比較手段によって用いられる前記較正光の前記部分を、前記窓の前記内
    側表面が反射する前記方向規定手段からの前記較正光の一部に制限する手段を有
    するアセンブリ を有することを特徴とするシステム。 【請求項216】 前記取得手段が1以上の分光器を有する請求項215に
    記載のシステム。 【請求項217】 前記評価手段が、現在の前記プラズマ工程からの前記光
    学発光のパターンと、1以上の前記プラズマ工程からの以前の光学発光のパター
    ンとを比較する手段を有する請求項215に記載のシステム。 【請求項218】 前記制限手段が、前記較正光を前記窓に方向規定して、
    前記外側表面に対して垂直以外の角度で前記窓の前記外側表面に当たるようにす
    ることで、前記窓の前記外側表面によって反射される前記較正光の少なくとも実
    質的に全ての部分を方向規定して、前記比較手段が使用できないようにし、前記
    較正光の一部が前記窓の前記内側表面に当たって、前記窓の前記内側表面によっ
    て反射される前記較正光の少なくとも一部を方向規定することで、前期比較手段
    が使用できるようにする請求項215に記載のシステム。 【請求項219】 前記比較手段が、前記方向規定手段からの前記較正光の
    パターンと前記窓が反射する前記較正光の前記部分のパターンとを比較する手段
    を有する請求項215に記載のシステム。 【請求項220】 前記較正アセンブリがさらに、第1および第2の条件の
    それぞれについて前記評価手段を較正するための手段を有し、前記第1の条件が
    前記評価手段が使用する前記光学発光に関連する波長シフトであり、前記第2の
    条件が前記評価手段が使用する前記光学発光に関連する強度シフトである請求項
    215に記載のシステム。 【請求項221】 前記取得手段に関連する前記光学発光が第1の波長範囲
    内であり、前記較正アセンブリがさらに、前記第1の波長範囲内に含まれる第1
    の波長領域内にある前記光学発光を前記窓がフィルター除去しているか否かを確
    認するための手段を有する請求項215に記載のシステム。 【請求項222】 前記取得手段に関連する前記光学発光が第1の波長範囲
    内であり、前記較正アセンブリがさらに、前記窓が前記第1の波長範囲内に含ま
    れる第1の波長領域に対する第1の低下効果、ならびに前記第1の波長範囲内と
    前記第1の波長領域外の両方である第2の波長領域に対する第2の低下効果を有
    するか否かを確認するための手段を有し、前記第1および第2の低下効果が異な
    ったものである請求項215に記載のシステム。 【請求項223】 前記制限手段が、前記窓の前記外側表面の少なくとも一
    部に反射防止コーティングを有する請求項215に記載のシステム。 【請求項224】 前記方向規定手段が第1および第2の較正光を前記窓の
    方に方向規定する手段を有し、前記第1の較正光が前記第2の較正光とは異なる
    種類の光である請求項215に記載のシステム。 【請求項225】 前記第1の較正光が複数の別個の強度ピークを有し、前
    記第2の較正光が連続的強度を有する請求項224に記載のシステム。 【請求項226】 前記第1の較正光源を前記較正アセンブリが用いて前記
    評価手段に関連する波長シフトを確認し、前記第2の較正光源を前記較正アセン
    ブリが用いて前記評価手段に関連する強度シフトを確認する請求項225に記載
    のシステム。 【請求項227】 前記取得手段が第1の光ファイバーケーブルアセンブリ
    を有し、前記較正アセンブリが第2の光ファイバーケーブルアセンブリを有する
    請求項215に記載のシステムであって、さらに光ファイバーケーブル固定アセ
    ンブリを有し、前記固定アセンブリが凹領域を有し、該凹領域は前記窓の前記外
    側表面の少なくとも一部と前記固定アセンブリを通って延びて前記凹領域を横切
    る第1のポートを接続しており、前記凹領域を規定する前記固定アセンブリの少
    なくとも一部が吸光材料を有し、前記第1および第2の光ファイバーケーブルア
    センブリの第1の端部が、前記第1のポートと軸方向に並んだ前記固定アセンブ
    リに取り付けられており、前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブ
    リから前記窓の方へ突出した基準軸がそれぞれ、垂直方向以外の角度で前記窓の
    前記外側表面を横切り、それぞれが少なくとも実質的に垂直の角度で前記窓の前
    記内側表面を横切るように前記窓の形状が決定されており、前記固定アセンブリ
    が前記窓に対して配置されているシステム。 【請求項228】 前記第1および第2の光ファイバーケーブルアセンブリ
    の前記第1の端部が同軸で配置され、前記固定アセンブリと貫通可能な形で接続
    されている請求項227に記載のシステム。 【請求項229】 プラズマ工程をモニタリングする方法において、 前記プラズマ工程中に処理室におけるプラズマの光学発光を取得するプラズマ
    モニタリングアセンブリを始動させる段階であって;前記光学発光が、前記第1
    の波長範囲全体にわたって少なくとも約1nmごとに、第1の波長範囲を規定す
    る少なくとも約250nm〜約1000nmの波長を含み;前記処理室が窓を有
    し、前記プラズマモニタリングアセンブリが前記窓と効果的に接続されており;
    前記始動段階が 前記窓方向に較正光を方向規定する段階であって、前記較正光が第2の波長
    範囲を有する段階、 前記窓からの前記較正光の第1の部分を反射する段階、 前記方向規定段階からの前記較正光を、前記第2の波長範囲を通る前記反射
    段階からの前記較正光の前記第1の部分とを比較する段階、および 前記比較段階が少なくとも第1の結果を得た時点で、前記プラズマモニタリ
    ングアセンブリに関して1以上の調節を行う段階を有する段階 を有することを特徴とする方法。 【請求項230】 前記第2の波長範囲が、少なくとも実質的に前記第1の
    波長範囲に等しい請求項229に記載の方法。 【請求項231】 前記窓が内側表面と外側表面を有し、前記内側表面は前
    記処理室で前記プラズマに曝露され、前記外側表面は前記処理室で前記プラズマ
    から隔離されており、 前記反射段階が、前記窓の前記内側表面からの前記較正光の前記第1の部分を
    反射する段階を有する請求項229に記載の方法。 【請求項232】 前記方向規定段階からの前記較正光が第1のパターンを
    有し、前記反射段階からの前記較正光の前記第1の部分が第2のパターンを有し
    、前記比較段階が、 前記第1のパターンに関する前記第2のパターンでの差を示す段階を有する請
    求項229に記載の方法。 【請求項233】 前記比較段階が、前記方向規定段階からの前記較正光と
    前記第2の波長範囲内のいずれかの箇所での前記反射段階からの前記較正光の前
    記第1の部分との間に第1および第2の強度シフトのいずれかがあるか否かを確
    認する段階を有し、前記第1および第2の種類の強度シフトが異なるものであり
    、前記第1の結果を有するものである請求項229に記載の方法。 【請求項234】 1以上の調節を行う前記段階が、単一の較正要素を実施
    する前記プラズマモニタリングアセンブリによる前記比較段階によって確認され
    るいずれかの前記第1の種類の強度シフトを報告する段階を有する請求項233
    に記載の方法。 【請求項235】 前記報告段階が、前記光学発光を代表するデータに対し
    て前記単一較正要素を適用する段階を有する請求項234に記載の方法。 【請求項236】 1以上の調節を行う前記段階が、複数の較正要素を実施
    する前記プラズマモニタリングアセンブリによる前記比較段階によって確認され
    るいずれかの前記第2の種類の強度シフトを報告する段階を有する請求項233
    に記載の方法。 【請求項237】 前記報告段階が、前記光学発光の異なる部分を代表する
    データに対して前記複数較正要素のそれぞれを適用する段階を有する請求項23
    6に記載の方法。 【請求項238】 前記複数の較正要素の第1を、前記第1の波長範囲内で
    ある第1の波長領域内の前記光学発光を代表するデータに適用し、前記複数の較
    正要素の第2を、前記第1の波長範囲内であってしかも前記第1の波長領域外で
    もある第2の波長領域内の前記光学発光を代表するデータに適用する請求項23
    7に記載の方法。 【請求項239】 前記1以上の調節を行う段階が、前記光学発光を代表す
    るデータを正規化することで、前記比較段階によって確認されるいずれかの前記
    第2の種類の強度シフトを報告する段階を有する請求項223に記載の方法。 【請求項240】 前記比較工程(ステップもしくは段階)は、前記ウイン
    ドウが、前記第1の波長範囲内にある第1の波長領域内の前記発光を遮るかどう
    かを決定する工程を含む第1の決定工程を実行する工程を含む請求項29に記載
    の方法。 【請求項241】 前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、 前記フィルタリングが、前記、第1の決定工程を実行する工程により認識され
    ると、前記プラズマモニタリングアセンブリに、前記第1の波長領域内の前記発
    光を表すデータを無視させる工程を含む請求項240に記載の方法。 【請求項242】 前記比較工程は、さらに、 前記誘導工程からの前記較正光における複数の強度ピークを認識する工程と、 いつ、前記認識工程からの前記ピークのいずれかが、前記反射工程からの前記
    較正光の前記第1の部分内に少なくとも実質的に存在しなくなるか、いずれが前
    記第1の波長領域を規定するかを決定する工程を含む第2の決定工程を実行する
    工程と、 を含む請求項240に記載の方法。 【請求項243】 さらに、 前記フィルタリングが前記、第1の決定工程を実行する工程により認識される
    と、前記ウインドウが置換されるように推奨される工程を含む請求項240に記
    載の方法。 【請求項244】 前記比較工程は、前記誘導工程からの前記較正光と、前
    記反射工程からの前記較正光の前記第1の部分との間に、少なくとも1つの強度
    シフト及び波長シフトがあるかを決定する工程を含む請求項229に記載の方法
    。 【請求項245】 前記プラズマモニタリングアセンブリは第1の分光計を
    備え、前記決定工程は、 前記ウインドウにより引き起こされる前記発光における強度シフトを認識する
    工程を含み、前記認識工程は前記比較工程を使用し、前記、少なくとも1つの調
    整を行う工程は、前記認識工程により認識される前記強度シフトに基づき、前記
    第1の分光計の出力を調整する工程を含む、請求項244に記載の方法。 【請求項246】 前記プラズマモニタリングアセンブリは第1の分光計を
    備え、前記決定工程は、 前記第1の分光計により引き起こされる前記発光における少なくとも0.25
    nmの波長シフトを認識する工程を含み、前記認識工程は前記比較工程を使用し
    、前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、前記認識工程により認識される前
    記波長シフトに基づき、前記第1の分光計の出力の少なくとも1つ及び前記第1
    の分光計の少なくとも1つのコンポーネントを調整する工程を含む、請求項24
    4に記載の方法。 【請求項247】 さらに、 前記プラズマを前記処理チャンバ内に導入する工程と、 前記処理チャンバ中で前記プラズマプロセスを実行する工程と、 少なくとも実質的に前記実行工程全体を通して少なくとも前記第1の波長範囲
    内で、前記第1の波長範囲を通して少なくとも1nm毎に、前記処理チャンバ内
    の前記プラズマの前記発光をモニタする工程と、 前記実行工程中の複数の異なる時間から、前記モニタリング工程からの出力を
    獲得する工程と、 前記複数の異なる時間のそれぞれにおける前記出力を、第1の出力と比較する
    工程であって、前記、前記出力を比較する工程は、前記、前記較正光を比較する
    工程及び対応する、前記、少なくとも1つの調整を行う工程後に実行される、工
    程と、 を含む請求項229に記載の方法。 【請求項248】 それぞれの前記出力は、関連する出力パターンを有し、
    前記第1の出力は複数の第1の出力パターンを有し、前記、前記出力を比較する
    工程は、それぞれの前記出力パターンを前記第1の出力パターンの少なくとも1
    つと比較する工程を含む、請求項247に記載の方法。 【請求項249】 前記、前記出力を比較する工程の前記第1の出力は、前
    記獲得工程からの前記複数の異なる時間の早い方からの前記出力の少なくとも1
    つを含む請求項247に記載の方法。 【請求項250】 前記、前記出力を比較する工程の前記第1の出力は、前
    記獲得工程からのすぐ前の時間の前記出力である請求項249に記載の方法。 【請求項251】 前記、前記出力を比較する工程の前記第1の出力は、前
    記処理チャンバ内での前記実行工程の前の実行から得られる請求項249に記載
    の方法。 【請求項252】 前記ウインドウは、前記チャンバ内で実行されるプラズ
    マプロセスに暴露される内表面と、前記プラズマプロセスから隔離されている外
    表面とを備え、 前記誘導工程は、第1の較正光を前記処理チャンバの外側のある位置から前記
    ウインドウに向かって誘導する工程と、第2の較正光を前記処理チャンバの外側
    のある位置から第2のウインドウに向かって誘導する工程と、を含み、前記第2
    の較正光は前記第1の較正光とは異なり、前記第1及び第2の較正光の少なくと
    も1つは前記第2の波長範囲を有し、 前記反射工程は、前記ウインドウの前記内表面からの前記第1の較正光の第1
    の部分を反射する工程と、前記ウインドウの前記内表面からの第2の較正光の第
    1の分分を反射する工程とを含み、 前記比較工程は、前記、第1の較正光を誘導する工程からの第1の較正光を、
    前記、前記第1の較正光の第1の部分を反射する工程からの前記第1の較正光の
    前記第1の部分と比較する工程と、前記、第2の較正光を誘導する工程からの第
    2の較正光を、前記、前記第2の較正光の第1の部分を反射する工程からの前記
    第2の較正光の前記第1の部分と比較する工程とを含む、 請求項229に記載の方法。 【請求項253】 前記、第1の較正光を誘導する工程と、前記、前記第1
    の較正光の第1の部分を反射する工程と、前記、前記第1の較正光を比較する工
    程は、ひとまとめで、第1の較正を実行する工程を形成し、前記第1の較正を実
    行する工程は、前記プラズマモニタリングアセンブリと関連する波長シフトを説
    明し、 前記、第2の較正光を誘導する工程と、前記、前記第2の較正光の第1の部分
    を反射する工程と、前記、前記第2の較正光を比較する工程は、ひとまとめで、
    第2の較正を実行する工程を形成し、前記、第2の較正を実行する工程は、前記
    プラズマモニタリングアセンブリと関連する強度シフトを説明する、請求項25
    2に記載の方法。 【請求項254】 前記第1の較正光は、複数の分離した強度ピークを有し
    、前記第2の較正光は、連続強度を有する、請求項253に記載の方法。 【請求項255】 前記、第1の較正を実行する工程と、前記、第2の較正
    を実行する工程は、異なる、重なり合わない時間に実行される請求項253に記
    載の方法。 【請求項256】 前記第1の較正光は、複数の分離した強度ピークを有し
    、前記第2の較正光は連続強度を有し、 前記、第1の較正を実行する工程と、前記、第2の較正を実行する工程は、異
    なる、重なり合わない時間に実行される請求項252に記載の方法。 【請求項257】 処理チャンバ内で、前記プラズマプロセス中に、プラズ
    マの発光を獲得するプラズマモニタリングアセンブリを初期化する工程を含むプ
    ラズマプロセスをモニタする方法であって、 前記発光は、少なくとも、約250nmから約1,000nmまでの第1の波
    長範囲内の波長を含み、前記処理チャンバはウインドウを備え、前記プラズマモ
    ニタリングアセンブリは、前記ウインドウと動作的にインターフェースがとられ
    、前記初期化工程は、 前記ウインドウをモニタする工程と、 前記ウインドウが、前記第1の波長範囲内に含まれる第1の波長領域内の前記
    発光を遮るかを決定する工程を含む第1の決定工程を実行する工程であって、前
    記、第1の決定工程を実行する工程は前記モニタリング工程を使用する、工程と 前記フィルタリングが、前記、第1の決定を実行する工程により認識されると
    、前記プラズマアセンブリに、前記第1の波長領域内の前記発光を無視させる工
    程と、 を含む方法。 【請求項258】 前記モニタリング工程は、 較正光を前記ウインドウに向かって誘導する工程であって、前記較正光は第2
    の波長範囲を有する、工程と、 前記ウインドウからの前記較正光の第1の部分を反射する工程と、 前記誘導工程からの前記較正光を、前記第2の波長範囲にわたって前記反射工
    程からの前記較正光の前記第1の部分と比較する工程と、 を含む請求項257に記載の方法。 【請求項259】 前記第2の波長範囲は、少なくとも実質的に前記第1の
    波長範囲と同じである請求項258に記載の方法。 【請求項260】 前記ウインドウは、内表面と外表面とを備え、前記内表
    面は前記処理チャンパ内の前記プラズマに暴露され、前記外表面は前記処理チャ
    ンバ内の前記プラズマから隔離され、 前記反射工程は、前記ウインドウの前記内表面からの前記較正光の前記第1の
    部分を反射する工程を含む請求項258に記載の方法。 【請求項261】 前記比較工程は、前記、第1の決定工程を実行する工程
    を含み、前記、第1の決定工程を実行する工程はさらに、 前記誘導工程からの前記較正光における複数の強度ピークを認識する工程と、 前記認識工程からの前記ピークのいずれかが、いつ、少なくとも実質的に前記
    反射工程からの前記較正光の前記第1の部分中に存在しなくなるか、及びいずれ
    が前記第1の波長領域を規定するかを決定する工程を含む第2の決定工程を実行
    する工程と、 を含む請求項258に記載の方法。 【請求項262】 前記較正光は、連続強度を有し、比較工程は、前記、第
    1の決定工程を実行する工程を含み、前記、第1の決定工程を実行する工程はさ
    らに、 前記反射工程からの前記較正光の前記第1の部分内のいずれかの領域が、前記
    第1の波長領域を規定する少なくとも実質的に0である強度を有するかを決定す
    る工程を含む請求項258に記載の方法。 【請求項263】 前記ウインドウは、前記処理チャンバ内で実行されるい
    ずれかの前記プラズマプロセスに暴露される内表面と、前記プラズマプロセスか
    ら隔離された外表面とを備え、 前記誘導工程は、第1の較正光を前記ウインドウに向かって、前記処理チャン
    バの外側のある1つの位置から誘導する工程と、第2の較正光を前記ウインドウ
    に向かって前記処理チャンバの外側のある1つの位置から誘導する工程と、を含
    み、前記第2の較正光は前記第1の較正光とは異なり、前記第1及び第2の較正
    光の少なくとも1つは前記第2の波長範囲を有し、 前記反射工程は、前記ウインドウの前記内表面からの前記第1の較正光の第1
    の部分を反射する工程と、前記内表面からの前記第2の較正光の第1の部分を反
    射する工程と、を含み、 前記比較工程は、前記、第1の較正光を誘導する工程からの前記第1の較正光
    と、前記、前記較正光の第1の部分を反射する工程からの前記第1の較正光の前
    記第1の部分とを比較する工程と、前記、第2の較正光を誘導する工程からの前
    記第2の較正光と、前記、前記第2の較正光の第1の部分を反射する工程からの
    前記第2の較正光の前記第1の部分とを比較する工程と、を含む、請求項258
    に記載の方法。 【請求項264】 前記、第1の較正光を誘導する工程と、前記、前記第1
    の較正光の第1の部分を反射する工程と、前記、前記第1の較正光を比較する工
    程とは、ひとまとめで、第1の較正を実行する工程を形成し、前記、第1の較正
    を実行する工程は、プラズマモニタリングアセンブリと関連する波長シフトを説
    明し、 前記、第2の較正光を誘導する工程と、前記、前記第2の較正光の第1の部分
    を反射する工程と、前記、前記第2の較正光を比較する工程とは、ひとまとめで
    、第2の較正を実行する工程を形成し、前記、第2の較正を実行する工程は、プ
    ラズマモニタリングアセンブリと関連する強度シフトを説明すると共に前記、第
    1の決定工程を実行する工程を含む、請求項263に記載の方法。 【請求項265】 前記第1の較正光は、複数の分離した強度ピークを有し
    、前記第2の較正光は連続強度を有する請求項264に記載の方法。 【請求項266】 前記、第1の較正を実行する工程と、前記、第2の較正
    を実行する工程は、異なる、重なり合わない時間に実行される請求項264に記
    載の方法。 【請求項267】 前記第1の較正光は、複数の分離した強度ピークを有し
    、前記第2の較正光は連続強度を有し、前記、第1及び第2の較正光を誘導する
    工程は、異なる、重なり合わない時間に実行される請求項263に記載の方法。 【請求項268】 さらに、 前記ウインドウが、前記第1の波長範囲内にあると共に前記第1の波長領域外
    にある第2の波長領域に対し実質的に一定の減衰効果を有するかどうかを決定す
    る工程を含む第2の決定工程を実行する工程と、 前記、実質的に一定の減衰効果が、前記、第2の決定工程を実行する工程によ
    り認識されると、前記プラズマモニタリングアセンブリに関して少なくとも1つ
    の調整が行われる工程と、 を含む請求項257に記載の方法。 【請求項269】 前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、前記、実質
    的に一定の減衰効果を、単一の較正係数を実行する前記プラズマモニタリングア
    センブリにより説明する工程を含む請求項268に記載の方法。 【請求項270】 さらに、 前記ウインドウが、前記第1の波長範囲内にあると共に前記第1の波長領域外
    にある第2の波長領域に対し第1の減衰効果を有するかどうか、同様に、前記第
    1の波長範囲内にあると共に前記第1及び第2の波長領域のそれぞれの領域外に
    ある第3の波長領域に対し第2の減衰効果を有するかどうかを決定する工程を含
    む第2の決定工程を実行する工程と、 前記第1及び第2の減衰効果のいずれかが、前記、第2の決定工程を実行する
    工程により認識されると、前記プラズマモニタリングアセンブリに関して少なく
    とも1つの調整が行われる工程と、 を含む請求項257に記載の方法。 【請求項271】 前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、前記第2の
    波長領域内の前記発光を表すデータに第1の較正係数を適用する工程と、前記第
    3の波長領域内の前記発光を表すデータに第2の較正係数を適用する工程と、を
    含む請求項270に記載の方法。 【請求項272】 前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、前記第2及
    び第3の波長領域内の前記発光を表すデータを正規化する工程を含む請求項27
    0に記載の方法。 【請求項273】 処理チャンバ内で、プラズマプロセス中に、プラズマの
    発光を獲得するプラズマモニタリングアセンブリを初期化する工程を含むプラズ
    マプロセスをモニタする方法であって、 前記発光は、少なくとも、約250nmから約1,000nmまでの第1の波
    長範囲内の波長を含み、前記処理チャンバはウインドウを備え、前記プラズマモ
    ニタリングアセンブリは、前記ウインドウと動作的にインターフェースがとられ
    、前記初期化工程は、 前記ウインドウをモニタする工程と、 前記ウインドウが、前記第1の波長範囲内に含まれる第1の波長領域に対し第
    1の減衰効果を有するか、同様に、前記第1の波長範囲内にあると共に前記第1
    の波長領域外にある第2の波長領域に対し第2の減衰効果を有するかどうかを決
    定する工程を含む第1の決定工程を実行する工程であって、前記、第1の決定を
    実行する工程は前記モニタリング工程を使用する、工程と 前記第1及び第2の減衰効果のいずれかが、前記、第1の決定工程を実行する
    工程により認識されると、前記プラズマアセンブリに関し、少なくとも1つの調
    整を行う工程と、 を含む、プラズマプロセスをモニタするための方法。 【請求項274】 前記モニタリング工程は、 較正光を前記ウインドウに向かって誘導する工程であって、前記較正光は第2
    の波長範囲を有する、工程と、 前記ウインドウからの前記較正光の第1の部分を反射する工程と、 前記誘導工程からの前記較正光と、前記反射工程からの前記較正光の前記第1
    の部分とを、前記第2の波長範囲にわたり、比較する工程と、 を含む請求項273に記載の方法。 【請求項275】 前記第2の波長範囲は、前記第1の波長範囲と少なくと
    も実質的に同じである請求項274に記載の方法。 【請求項276】 前記ウインドウは、内表面と外表面とを備え、前記内表
    面は前記処理チャンパ内の前記プラズマに暴露され、前記外表面は前記処理チャ
    ンバ内の前記プラズマから隔離され、 前記反射工程は、前記ウインドウの前記内表面からの前記較正光の前記第1の
    部分を反射する工程を含む請求項274に記載の方法。 【請求項277】 前記ウインドウは、前記処理チャンバ内で実行される前
    記プラズマプロセスのいずれかに暴露される内表面と、前記プラズマプロセスか
    ら隔離されている外表面とを備え、 前記誘導工程は、第1の較正光を前記処理チャンバの外側のある位置から前記
    ウインドウに向かって誘導する工程と、第2の較正光を前記処理チャンバの外側
    のある位置から第2のウインドウに向かって誘導する工程と、を含み、前記第2
    の較正光は前記第1の較正光とは異なり、前記第1及び第2の較正光の少なくと
    も1つは前記第2の波長範囲を有し、 前記反射工程は、前記ウインドウの前記内表面からの前記第1の較正光の第1
    の部分を反射する工程と、前記ウインドウの前記内表面からの前記第2の較正光
    の第1の部分を反射する工程とを含み、 前記比較工程は、前記、第1の較正光を誘導する工程からの第1の較正光を、
    前記、前記第1の較正光の第1の部分を反射する工程からの前記第1の較正光の
    前記第1の部分と比較する工程と、前記、第2の較正光を誘導する工程からの第
    2の較正光を、前記、前記第2の較正光の第1の部分を反射する工程からの前記
    第2の較正光の前記第1の部分と比較する工程とを含む、請求項274に記載の
    方法。 【請求項278】 前記、第1の較正光を誘導する工程と、前記、前記第1
    の較正光の第1の部分を反射する工程と、前記、前記第1の較正光を比較する工
    程は、ひとまとめで、第1の較正を実行する工程を形成し、前記、第1の較正を
    実行する工程は、前記プラズマモニタリングアセンブリと関連する波長シフトを
    説明し、 前記、第2の較正光を誘導する工程と、前記、前記第2の較正光の第1の部分
    を反射する工程と、前記、前記第2の較正光を比較する工程は、ひとまとめで、
    第2の較正を実行する工程を形成し、前記、第2の較正を実行する工程は、前記
    プラズマモニタリングアセンブリと関連する強度シフトを説明し、前記、第1の
    決定工程を実行する工程を含む、請求項277に記載の方法。 【請求項279】 前記第1の較正光は、複数の分離した強度ピークを有し
    、前記第2の較正光は、連続強度を有する、請求項278に記載の方法。 【請求項280】 前記、第1の較正を実行する工程と、前記、第2の較正
    を実行する工程は、異なる、重なり合わない時間に実行される請求項278に記
    載の方法。 【請求項281】 前記第1の較正光は、複数の分離した強度ピークを有し
    、前記第2の較正光は連続強度を有し、 前記、第1の及び第2の較正を誘導する工程は、異なる、重なり合わない時間
    に実行される請求項277に記載の方法。 【請求項282】 前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、前記第1の
    波長領域内の前記発光を表すデータに第1の較正係数を適用する工程と、前記第
    2の波長領域内の前記発光を表すデータに第2の較正係数を適用する工程と、を
    含む請求項273に記載の方法。 【請求項283】 前記、少なくとも1つの調整を行う工程は、前記第1の
    波長領域内の前記発光を表すデータを正規化する工程と、前記第2の波長領域内
    の前記発光を表すデータを正規化する工程とを含む請求項273に記載の方法。 【請求項284】 さらに、 前記ウインドウが、前記第1の波長範囲内にあると共に前記第1及び第2の波
    長領域のそれぞれの領域外にある第3の波長領域内の前記プラズマの前記発光を
    遮るかどうかを決定する工程を含む第2の決定工程を実行する工程であって、前
    記、第2の決定工程を実行する工程は前記モニタリング工程を使用する、工程と
    、 前記フィルタリングが、前記、第2の決定を実行する工程により認識されると
    、前記プラズマモニタリングアセンブリに、前記第3の波長領域内の前記発光を
    表すデータを無視させる工程と、 を含む請求項273に記載の方法。 【請求項285】 前記モニタリング工程は、 較正光を前記ウインドウに向かって誘導させる工程であって、前記較正光は第
    2の波長範囲を有する、工程と、 前記ウインドウからの前記較正光の第1の部分を反射する工程と、 を含み、前記、第2の決定工程を実行する工程は、 前記誘導工程からの前記較正光における複数のピークを認識する工程と、 いつ、前記認識工程からの前記ピークのいずれかが、前記反射工程からの前記
    較正光の前記第1の部分において、少なくとも実質的に無くなるか、及び、いず
    れが前記第3の波長領域を規定するかを決定する工程を含む第3の決定工程を実
    行する工程と、 を含む請求項284に記載の方法。 【請求項286】 前記モニタリング工程は、 較正光を前記ウインドウに向かって誘導する工程であって、前記較正光は第2
    の波長範囲を有し、前記較正光は連続強度を有する、工程と、 前記ウインドウからの前記較正光の第1の部分を反射する工程とを含み、前記
    、第2の決定工程を実行する工程は、 前記反射工程からの前記較正光の前記第1の部分内のいずれかの領域が、前記
    第1の波長領域を規定する少なくとも実質的に0の強度を有するかどうかを決定
    する工程を含む、請求項284に記載の方法。 【請求項287】 ウインドウを備える処理チャンバであって、前記ウイン
    ドウは、前記チャンバ内で実行されるプラズマプロセスに暴露される内表面と、
    前記プラズマプロセスから隔離された外表面とを備える、処理チャンバと、 前記処置チャンバ内で前記プラズマプロセスを実行するために、前記処理チャ
    ンバ内でプラズマを発生させるための手段と、 前記プラズマプロセス中に前記ウインドウを通して発光される、前記チャンバ
    内の前記プラズマの発光を獲得するための手段と、 前記獲得手段からの出力により前記プラズマプロセスを評価するための手段と
    、 前記評価手段と動作的に接続された較正アセンブリであって、前記較正アセン
    ブリは、第1及び第2の条件のそれぞれに対し、前記評価手段を較正するための
    手段を備え、前記第1の条件は前記評価手段により使用される前記発光と関連す
    る波長シフトであり、前記第2の条件は、前記評価手段により使用される前記発
    光と関連する強度シフトである、較正アセンブリと、 を備えるプラズマ処理システム。 【請求項288】 前記獲得手段は、少なくとも1つの分光計を備える請求
    項287に記載のシステム。 【請求項289】 前記評価手段は、現在のプラズマプロセスからの前記発
    光のパターンを、少なくとも1つの前駆プラズマプロセスからの時間的に前の発
    光のパターンと比較するための手段を備える、請求項287に記載のシステム。 【請求項290】 前記較正手段は、 較正光を前記ウインドウに向かって誘導する手段と、 前記ウインドウにより反射された前記較正光の一部を前記誘導手段からの前記
    較正光と比較するための手段と、 を備える請求項287に記載のシステム。 【請求項291】 前記較正手段は、さらに、前記比較手段により使用され
    る前記較正光の前記一部を、前記ウインドウの前記内表面により反射される前記
    誘導手段からの前記較正光の一部に限定するための手段を備える請求項290に
    記載のシステム。 【請求項292】 前記限定手段は、前記較正光を前記ウインドウまで誘導
    し、前記ウインドウの前記外表面に、前記外表面に対し垂直以外のある角度で衝
    突させ、前記ウインドウの前記外表面により反射された前記較正光の少なくとも
    実質的に全ての部分を誘導し、前記比較手段により使用されることができなくな
    るようにし、そのため、前記較正光の一部が前記ウインドウの前記内表面に衝突
    し、前記ウインドウの前記内表面により反射された前記較正光の少なくとも一部
    が誘導され、前記比較手段により使用されることが可能となる、誘導手段を備え
    る請求項291に記載のシステム。 【請求項293】 前記限定手段は、前記ウインドウの前記外表面の少なく
    とも一部上に反射防止コーティングを備える請求項291に記載のシステム。 【請求項294】 前記比較手段は、前記誘導手段からの前記較正光のパタ
    ーンを、前記ウインドウにより反射された前記較正光の前記一部のパターンと比
    較するための手段を含む請求項290に記載のシステム。 【請求項295】 前記獲得手段に関連する前記発光は、第1の波長範囲内
    であり、前記較正アセンブリはさらに、前記ウインドウが前記第1の波長範囲内
    に含まれる第1の波長領域内の前記発光を遮るかどうかを決定するための手段を
    備える請求項287に記載のシステム。 【請求項296】 前記獲得手段に関連する前記発光は、第1の波長範囲内
    であり、前記較正アセンブリはさらに、前記ウインドウが前記第1の波長範囲内
    に含まれる第1の波長領域に対し第1の減衰効果を有するか、同様に、前記第1
    の波長範囲内であると共に前記第1の波長領域外である第2の波長領域に対し第
    2の減衰効果を有するかどうかを決定するための手段であって、前記第1及び第
    2の減衰効果は異なる、手段を備える請求項287に記載のシステム。 【請求項297】 前記較正手段は、第1の較正光源と第2の較正光源とを
    備え、前記第1の較正光源は第2の較正光源とは異なる型の光である、請求項2
    87に記載のシステム。 【請求項298】 前記第1の較正光源は、複数の分離した強度ピークを有
    し、前記第2の較正光源は連続強度を有する請求項297に記載のシステム。 【請求項299】 前記第1の較正光源は、前記第1の条件を認識するため
    に前記較正手段により使用され、前記第2の較正光源は前記第2の条件を認識す
    るために前記較正手段により使用される請求項298に記載のシステム。 【請求項300】 前記獲得手段は、第1の光ファイバケーブルアセンブリ
    を備え、前記較正手段は、第2の光ファイバケーブルアセンブリを備え、前記シ
    ステムはさらに、光ファイバケーブル固定アセンブリを備え、前記固定アセンブ
    リは、前記ウインドウの前記外表面の少なくとも一部と結合される凹部領域と前
    記固定アセンブリを通って延在し前記凹部領域と交差する第1のポートとを備え
    、前記凹部領域を規定する前記固定アセンブリの少なくとも一部は、光吸収材料
    を備え、前記第1及び第2の光ファイバケーブルアセンブリの第1の端は、前記
    第1のポートと軸合わせして前記固定アセンブリに取付けられ、前記ウインドウ
    が形成され、前記固定アセンブリが前記ウインドウに対し配置され、前記第1及
    び第2の光ファイバケーブルアセンブリの前記第1の端から前記ウインドウに向
    かって突出している基準軸がそれぞれ、垂直以外の角度で前記ウインドの前記外
    表面と交差し、それぞれが、少なくとも、実質的に垂直な角度で前記ウインドウ
    の前記内表面と交差する請求項287に記載のシステム。 【請求項301】 前記第1及び第2の光ファイバケーブルアセンブリの前
    記第1の端は、同軸に配置され、糸のように前記固定アセンブリと相互結合され
    ている請求項300に記載のシステム。 【請求項302】 ウインドウを備える処理チャンバであって、前記ウイン
    ドウは、前記チャンバ内で実行されるプラズマプロセスに暴露される内表面と、
    前記プラズマプロセスから隔離された外表面とを備える、処理チャンバと、 前記処置チャンバ内で前記プラズマプロセスを実行するために、前記処理チャ
    ンバ内でプラズマを発生させるための手段と、 前記プラズマプロセス中に前記ウインドウを通して発光される、前記チャンバ
    内の前記プラズマの発光を獲得するための手段であって、前記発光は第1の波長
    範囲内にある、手段と、 前記獲得手段からの出力により前記プラズマプロセスの評価を行う手段と、 前記評価手段と動作的に接続された較正アセンブリであって、前記較正アセン
    ブリは、前記ウインドウが前記第1の波長範囲内に含まれる第1の波長領域内の
    前記発光のいずれかを遮るかどうかを決定するための手段を備える、手段と、 を備えるプラズマ処理システム。 【請求項303】 前記獲得手段は、少なくとも1つの分光計を備える請求
    項302に記載のシステム。 【請求項304】 前記評価手段は、現在の前記プラズマプロセスからの前
    記発光のパターンを、少なくとも1つの前記プラズマプロセスからの時間的に前
    の発光のパターンと比較するための手段を備える、請求項302に記載のシステ
    ム。 【請求項305】 前記決定手段は、 較正光を前記ウインドウに向かって誘導する手段と、 前記ウインドウにより反射された前記較正光の一部を前記誘導手段からの前記
    較正光と比較するための手段と、 を備える請求項302に記載のシステム。 【請求項306】 前記決定手段は、さらに、前記比較手段により使用され
    る前記較正光の前記一部を、前記ウインドウの前記内表面により反射される前記
    誘導手段からの前記較正光の一部に限定するための手段を備える請求項305に
    記載のシステム。 【請求項307】 前記限定手段は、前記較正光を前記ウインドウまで誘導
    し、前記ウインドウの前記外表面に、前記外表面に対し垂直以外のある角度で衝
    突させ、前記ウインドウの前記外表面により反射された前記較正光の少なくとも
    実質的に全ての部分を誘導し、前記比較手段により使用されることができなくな
    るようにし、そのため、前記較正光の一部が前記ウインドウの前記内表面に衝突
    し、前記ウインドウの前記内表面により反射された前記較正光の少なくとも一部
    が誘導され、前記比較手段により使用されることが可能となる、誘導手段を備え
    る請求項306に記載のシステム。 【請求項308】 前記限定手段は、前記ウインドウの前記外表面の少なく
    とも一部上に反射防止コーティングを備える請求項306に記載のシステム。 【請求項309】 前記決定手段は、前記誘導手段からの前記較正光のパタ
    ーンを、前記ウインドウにより反射された前記較正光の前記一部のパターンと比
    較するための手段を含む請求項305に記載のシステム。 【請求項310】 前記較正アセンブリはさらに、前記評価手段に関連する
    波長シフトを認識する手段を備える請求項305に記載のシステム。 【請求項311】 前記誘導手段は、第1の較正光を前記ウインドウに誘導
    する手段を備え、前記認識手段は、第2の較正光を前記ウインドウに誘導する手
    段を備え、前記第1の較正光は前記第2の較正光とは異なる型の光である請求項
    310に記載のシステム。 【請求項312】 前記第2の較正光は複数の分離した強度ピークを有し、
    前記第1の較正光は連続強度を有する請求項311に記載のシステム。 【請求項313】 前記獲得手段は、第1の光ファイバケーブルアセンブリ
    を備え、前記較正手段は、第2の光ファイバケーブルアセンブリを備え、前記シ
    ステムはさらに、光ファイバケーブル固定アセンブリを備え、前記固定アセンブ
    リは、前記ウインドウの前記外表面の少なくとも一部と結合される凹部領域と前
    記固定アセンブリを通って延在し前記凹部領域と交差する第1のポートとを備え
    、前記凹部領域を規定する前記固定アセンブリの少なくとも一部は、光吸収材料
    を備え、前記第1及び第2の光ファイバケーブルアセンブリの第1の端は、前記
    第1のポートと軸合わせして前記固定アセンブリに取付けられ、前記ウインドウ
    が形成され、前記固定アセンブリが前記ウインドウに対し配置され、前記第1及
    び第2の光ファイバケーブルアセンブリの前記第1の端から前記ウインドウに向
    かって突出している基準軸がそれぞれ、垂直以外の角度で前記ウインドの前記外
    表面と交差し、それぞれが、少なくとも、実質的に垂直な角度で前記ウインドウ
    の前記内表面と交差する請求項302に記載のシステム。 【請求項314】 前記第1及び第2の光ファイバケーブルアセンブリの前
    記第1の端は、同軸に配置され、糸のように前記固定アセンブリと相互結合され
    ている請求項313に記載のシステム。 【請求項315】 前記較正アセンブリはさらに、前記ウインドウが前記第
    1の波長範囲内にあると共に第1の波長領域外にある第2の波長領域に対し第1
    の減衰効果を有するか、同様に、前記第1の波長範囲内にあると共に前記第1及
    び第2の波長領域のそれぞれの領域外である第3の波長領域に対し第2の減衰効
    果を有するかどうかを決定するための手段であって、前記第1及び第2の減衰効
    果は異なる、手段を備える請求項302に記載のシステム。 【請求項316】 前記較正アセンブリは、さらに、第1及び第2の条件の
    それぞれに対し評価する手段を較正する手段を備え、前記第1の条件は前記評価
    手段により使用される前記発光に関連する波長シフトであり、前記第2の条件は
    前記評価手段により使用される前記発光に関連する強度シフトである請求項30
    2に記載のシステム。 【請求項317】 ウインドウを備える処理チャンバであって、前記ウイン
    ドウは、前記チャンバ内で実行されるプラズマプロセスに暴露される内表面と、
    前記プラズマプロセスから隔離された外表面とを備える、処理チャンバと、 前記処置チャンバ内で前記プラズマプロセスを実行するために、前記処理チャ
    ンバ内でプラズマを発生させるための手段と、 前記プラズマプロセス中に前記ウインドウを通して発光される、前記チャンバ
    内の前記プラズマの発光を獲得するための手段であって、前記発光は第1の波長
    範囲内にある、手段と、 前記獲得手段からの出力により前記プラズマプロセスの評価を行う手段と、 前記評価手段と動作的に接続された較正アセンブリであって、前記較正アセン
    ブリは、前記ウインドウが前記第1の波長範囲内に含まれる第1の波長領域に第
    1の減衰効果を有するか、同様に、前記第1の波長範囲内であると共に前記第1
    の波長領域外である第2の波長領域に第2の減衰効果を有するかどうかを決定す
    るための手段を備え、前記第1及び第2の減衰効果は異なる、較正アセンブリと
    、 を備えるプラズマ処理システム。 【請求項318】 前記獲得手段は、少なくとも1つの分光計を備える請求
    項317に記載のシステム。 【請求項319】 前記評価手段は、現在の前記プラズマプロセスからの前
    記発光のパターンを、少なくとも1つの前記プラズマプロセスからの時間的に前
    の発光のパターンと比較するための手段を備える、請求項317に記載のシステ
    ム。 【請求項320】 前記決定手段は、較正光を前記ウインドウに向かって誘
    導する手段と、 前記ウインドウにより反射された前記較正光の一部を前記誘導手段からの前記
    較正光と比較するための手段と、 を備える請求項317に記載のシステム。 【請求項321】 前記決定手段は、さらに、前記比較手段により使用され
    る前記較正光の前記一部を、前記ウインドウの前記内表面により反射される前記
    誘導手段からの前記較正光の一部に限定するための手段を備える請求項320に
    記載のシステム。 【請求項322】 前記限定手段は、前記較正光を前記ウインドウまで誘導
    し、前記ウインドウの前記外表面に、前記外表面に対し垂直以外のある角度で衝
    突させ、前記ウインドウの前記外表面により反射された前記較正光の少なくとも
    実質的に全ての部分を誘導し、前記比較手段により使用されることができなくな
    るようにし、そのため、前記較正光の一部が前記ウインドウの前記内表面に衝突
    し、前記ウインドウの前記内表面により反射された前記較正光の少なくとも一部
    が誘導され、前記比較手段により使用されることが可能となる、誘導手段を備え
    る請求項320に記載のシステム。 【請求項323】 前記限定手段は、前記ウインドウの前記外表面の少なく
    とも一部上に反射防止コーティングを備える請求項320に記載のシステム。 【請求項324】 前記決定手段は、前記誘導手段からの前記較正光のパタ
    ーンを、前記ウインドウにより反射された前記較正光の前記一部のパターンと比
    較するための手段を備える請求項320に記載のシステム。 【請求項325】 前記較正アセンブリはさらに、前記評価手段に関連する
    波長シフトを認識するための手段を備える請求項320に記載のシステム。 【請求項326】 前記誘導手段は、第1の較正光を前記ウインドウに誘導
    する手段を備え、前記認識手段は、第2の較正光を前記ウインドウに誘導する手
    段を備え、前記第1の較正光は前記第2の較正光とは異なる型の光である請求項
    325に記載のシステム。 【請求項327】 前記第2の較正光は複数の分離した強度ピークを有し、
    前記第1の較正光は連続強度を有する請求項326に記載のシステム。 【請求項328】 前記獲得手段は、第1の光ファイバケーブルアセンブリ
    を備え、前記較正手段は、第2の光ファイバケーブルアセンブリを備え、前記シ
    ステムはさらに、光ファイバケーブル固定アセンブリを備え、前記固定アセンブ
    リは、前記ウインドウの前記外表面の少なくとも一部と結合される凹部領域と前
    記固定アセンブリを通って延在し前記凹部領域と交差する第1のポートとを備え
    、前記凹部領域を規定する前記固定アセンブリの少なくとも一部は、光吸収材料
    を備え、前記第1及び第2の光ファイバケーブルアセンブリの第1の端は、前記
    第1のポートと軸合わせして前記固定アセンブリに取付けられ、前記ウインドウ
    が形成され、前記固定アセンブリが前記ウインドウに対し配置され、前記第1及
    び第2の光ファイバケーブルアセンブリの前記第1の端から前記ウインドウに向
    かって突出している基準軸がそれぞれ、垂直以外の角度で前記ウインドの前記外
    表面と交差し、それぞれが、少なくとも、実質的に垂直な角度で前記ウインドウ
    の前記内表面と交差する請求項320に記載のシステム。 【請求項329】 前記第1及び第2の光ファイバケーブルアセンブリの前
    記第1の端は、同軸に配置され、糸のように前記固定アセンブリと相互結合され
    ている請求項328に記載のシステム。 【請求項330】 前記較正アセンブリはさらに、前記ウインドウが前記第
    1の波長範囲内に含まれると共に前記第1及び第2の波長領域のそれぞれの領域
    外にある第3の波長領域の前記発光のいずれかを遮るかどうかを決定するための
    手段を備える請求項317に記載のシステム。 【請求項331】 前記較正アセンブリは、さらに、第1及び第2の条件の
    それぞれに対し評価する手段を較正する手段を備え、前記第1の条件は前記評価
    手段により使用される前記発光に関連する波長シフトであり、前記第2の条件は
    前記評価手段により使用される前記発光に関連する強度シフトである請求項31
    7に記載のシステム。 【請求項332】 処理チャンバ内で実行されるプラズマプロセスをモニタ
    するための方法であって、該方法は、 前記処理チャンバ内の発光を獲得する工程と、 第1のコンピュータにより、前記、発光獲得工程の出力を評価する工程と、 前記処理チャンバ内でプラズマを発生させる工程と、 前記評価工程により、前記、発生手段の開始を認識する工程と、 を含む方法。 【請求項333】 プラズマ・モニター・システムであって、 前記処理チャンバ内から光放射を得るための手段と、 前記手段の出力を評価するための手段と、第1コンピュータを評価して備える
    ための前記手段、 前記処理チャンバ内にプラズマを発生するための手段と、ならびに 生成するための前記手段の活性化を識別するための手段と、評価するための前
    記手段を識別して評価するための前記手段である処理チャンバを備えることを特
    徴とするプラズマ・モニター・システム。 【請求項334】 処理チャンバ内の第1製造物に実行するプラズマ処理の
    ためのプラズマ・モニタ・システムであって、前記処理チャンバ内の光放射のデ
    ータ見本を受け取るための手段と、 受け取るための前記手段に与えられる前記データを評価するための手段と、な
    らびに 何時プラズマが最初に前記処理チャンバ内に存在するかを識別するための手段
    と、評価するための前記手段を識別して備えるための前記手段を備えるコンピュ
    ータの読み取り可能な記憶媒体を備えることを特徴とする前記システム。 【請求項335】 プラズマ処理を実行するためのシステムであって、 処理チャンバと プラズマ発生装置が活性化す場合の前記処理チャンバ内の製造物に実行できる
    前記プラズマ・チャンバ内のプラズマ発生装置と、 前記処理チャンバに有効にインタフェースされ、コンピュータ読み取り可能な
    記憶媒体を備え、前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は複数のデータ・エ
    ントリを備える第1データ構造体を備えるプラズマ・モニタ組み立てと、各前記
    データ・エントリがそれぞれ第1、第2、および第3カテゴリの1つに関連付け
    られ、前記第1カテゴリが前記処理チャンバ内で実行されて少なくとも実質的に
    いかなるエラーなしで進行すると想定される第1タイプの前記プラズマ処理用に
    確保され、前記第2カテゴリは、少なくとも1つのエラーが第2タイプの前記プ
    ラズマ処理中に発生して少なくとも前記の1つのエラーが以来前記コンピュータ
    読み取り可能な記憶媒体の前記第1データ構造体内で識別されている前記処理チ
    ャンバ内で実行されている第2タイプの前記プラズマ処理用に確保され、ならび
    に前記第3カテゴリは、前記第1カテゴリに関連付けされているいかなる前記デ
    ータ・エントリに対応できず、そして前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体
    の前記第1データ構造体内のいかなる可能な原因にまだ関連付けられている前記
    処理チャンバ内で実行されている第3タイプの前記プラズマ処理用に確保される
    ことを特徴とする前記システム。 【請求項336】 請求項335記載のシステムであって、 第1前記データ・エントリが1つの前記第1タイプの前記プラズマ処理の1つ
    のエントリの第1データ見本を含み、そして第2前記データ・エントリが少なく
    とも1回、第1エラーが前記の1つの前記第2タイプの前記プラズマ処理中に発
    生し、第2データが前記の第1エラーを示して前記第2前記データ・エントリ内
    に識別される1つの前記第2タイプの前記プラズマ処理の1つのエントリの第2
    データ見本を含むシステム。 【請求項337】 請求項335記載のシステムであって、 前記第1カテゴリに関連付けられた各前記データが1つの前記第1タイプの前
    記プロジェクト中に少なくとも複数回、プラズマの光放射のデータ見本を備える
    システム。 【請求項338】 請求項338記載のシステムであって、 前記光放射が少なくとも1ナノメータごとに少なくとも約250〜約1,00
    0ナノメータの波長を含むシステム。 【請求項339】 請求項335記載のシステムであって、 前記の複数データ・エントリの第1部分が前記第1カテゴリに関連付けられ、
    前記第1部分の少なくとも1つの前記データ・エントリは、前記処理チャンバ内
    の製造物に以前に実行した第1プラズマ・レシピからであり、前記第1プラズマ
    ・レシピは前記第2プラズマ・レシピと異なるシステム。 【請求項340】 請求項335記載のシステムであって、 前記の複数データ・エントリの第1部分は、前記第1カテゴリに関連付けされ
    、少なくとも前記第1部分の2つの前記データ・エントリは、以前に前記処理チ
    ャンバ内の製造物に実行した2つの第1プラズマ・レシピからであるシステム。 【請求項341】 請求項335記載のシステムであって、 前記第1カテゴリを有する各前記データ・エントリが前記処理チャンバ内で実
    行される将来の前記プラズマ処理を推定するための標準として前記プラズマ発生
    装置が使用できるシステム。 【請求項342】 請求項335記載のシステムであって、 前記第2カテゴリに関連付けられた各前記データ・エントリが1つの前記第2
    タイプの前記プラズマ処理中および少なくとも1つの前記エラー示す間に前記処
    理チャンバ内プラズマの光放射のデータ見本を備えるシステム。 【請求項343】 請求項335記載のシステムであって、 前記複数のデータ・エントリの第1部分が前記第2カテゴリに関連付けられ、
    前記第1部分の少なくと1つの前記データ・エントリが前記処理チャンバ内の製
    造物に以前に実行した第1プラズマ・レシピからであり、そして前記第1部分の
    少なくとも1つの前記データ・エントリが前記処理チャンバ内の製造物に以前に
    実行した第2プラズマ・レシピからであり、前記第1プラズマ・レシピが前記第
    2プラズマ・レシピと異なるシステム。 【請求項344】 請求項335記載のシステムであって、 前記複数のデータ・エントリの第1部分が前記第2カテゴリに関連付けられ、
    前記第1部分の少なくとも2つの前記データ・エントリが前記処理チャンバ内で
    以前に実行した2つの第1プラズマ・レシピからであり、そしてそれぞれ第1お
    よび第2エラーを示すデータを含み、前記第1および第2エラーが異なるシステ
    ム。 【請求項345】 請求項335記載のシステムであって、 前記第3カテゴリに関連付けられている各前記データ・エントリが少なくとも
    1回、1つの前記第3タイプの前記プラズマ処理中に前記処理チャンバでのプラ
    ズマの光放射のデータ見本を備えるシステム。 【請求項346】 請求項345記載のシステムであって、 前記光放射が少なくとも約250〜約1,000ナノメータの波長を1ナノメ
    ータごとに含むシステム。 【請求項347】 請求項335記載のシステムであって、 1つの前記データ・エントリは、少なくとも1回、第1エラーが前記の1つの
    前記第3タイプの前記プラズマ処理中に発生し、前記の第1エラーが識別されな
    い前記処理チャンバ内で以前に実行した1つの前記第3タイプの前記プラズマ処
    理に関係するシステム。 【請求項348】 請求項335記載のシステムであって、 1つの前記データ・エントリは、実施上いかなるエラーなしに進行し、しかし
    前記第1カテゴリに関連付けられた前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の
    前記第1データ構造体内に含まれていなかった、前記処理チャンバ内で以前に実
    行した1つの前記第3タイプの前記プラズマ処理に関係するシステム。 【請求項349】 請求項335記載のシステムであって、さらに、 前記の第3プラズマ処理カテゴリに関連付けされているいかなる前記データ・
    エントリの少なくとも1部分を前記の第1および第2のプラズマ処理カテゴリに
    転送するための手段を備えることを特徴とするシステム。 【請求項350】 請求項335記載のシステムであって、 前記プラズマ・モニタ組み立てが、さらに前記のコンピュータ読み取り可能な
    記憶媒体の前記第1データ構造体に対する現在の前記プラズマ処理を比較するた
    めの手段を備える装置。 【請求項351】 請求項335記載のシステムであって、 前記第1データ構造体が、前記処理チャンバ、プラズマのクリーニング・オペ
    レーション、プラズマ・コンディショニング・オペレーション、および定量化ウ
    ェーハ・オペレーション中に少なくとも1つの製造物に実行されるプラズマ・レ
    シピから成るグループから選択された前記プラズマ処理用に使用できるシステム
    。 【請求項352】 処理チャンバ内で実行されるプラズマ・モニタ・システ
    ムであって、 複数のデータ・エントリから成る第1データ構造体と、各前記データ・エント
    リがそれぞれ第1、2、3カテゴリの1つに関連付けられ、前記第1カテゴリは
    、前記処理チャンバ内で実行されて少なくとも実際上いかなるエラーなしで進行
    すると想定される第1タイプの前記プラズマ処理用に確保され、前記第2カテゴ
    リは、前記第2タイプの前記プラズマ処理中に少なくとも1つのエラーが発生し
    、以来、少なくとも1つのエラーが前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の
    前記第1データ構造体内で識別された前記処理チャンバ内で実行される第2タイ
    プの前記プラズマ処理用に確保され、および前記第3カテゴリは、前記第1カテ
    ゴリに関連付けられているいかなる前記データ・エントリへの対応にも機能せず
    、そして前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の第1データ構造体内のいか
    なる可能性のある原因にもまだ関連付けられていない前記処理チャンバ内で実行
    されている第3タイプの前記プラズマ処理用に確保され、ならびに 前記第1データ構造体内の少なくとも1つの前記データ・エントリに対する現
    在の前記プラズマ処理を比較するための手段とを備えるコンピュータ読み取り可
    能な記憶媒体を備えることを特徴とする前記システム。 【請求項353】 請求項352記載のシステムであって、 比較するための前記手段が、前記第2カテゴリに関連付けられているいかなる
    前記データ・エントリに対して前記現在の前記プラズマ処理を比較する前に、前
    記第1カテゴリに関連付けられている各前記データ・エントリに対して前記現在
    のプラズマ処理を比較するための手段を備えるシステム。 【請求項354】 プラズマ処理を実行するためのシステムを初期化するた
    めの方法であって、 処理チャンバ、および前記処理チャンバに有効にインタフェースされるプラズ
    マ・モニタ組み立てを備え、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備え、前記
    コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は複数のデータ・エントリを備える第1デ
    ータ構造体を備え、そしてプラズマ処理段階の遂行は前記プラズマ・チャンバ内
    にプラズマを発生する段階を構成し、前記処理チャンバ内に前記プラズマの光放
    射を入手し、そして前記発生段階を終了させ、 第1の前記遂行段階を実行し、 前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記第1データ構造体内の第1デ
    ータ・エントリを記録する第1の記録段階を実行し、前記第1の前記データ・エ
    ントリは、第1前記遂行段階の前記実行の前記入手段階からの第1出力を備え、 前記第1の前記データ・エントリ内の第1カテゴリとともに、関連する前記第
    1出力を備える第1の関連段階を実行し、前記第1カテゴリは、前記処理チャン
    バ内で実行され、そして少なくとも実際上エラーなしで進行すると想定される、
    第1タイプの前記遂行段階用に確保され、 第2の前記遂行段階を実行し、 第2の前記データ・エントリを前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に記
    録する第2記録段階を実行し、前記第2の前記データ・エントリは、前記実行の
    第2前記遂行段階の前記入手段階からの第2出力を備え、 前記第2前記データ・エントリ内の第2カテゴリの前記第2出力の少なくとも
    1部分を関連させる第2関連段階を実行し、前記第2カテゴリは、少なくとも1
    つのエラーが前記第2カテゴリタイプの前記プラズマ処理中に発生し、以来、前
    記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記第1データ構造体内で少なくとも
    1つのエラーが識別された前記処理チャンバ内で実行されている第2タイプの前
    記遂行段階のために確保され、 第3の前記遂行段階を実行し、 前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記入手段階からの第3出力を備
    える第3記録遂行段階を実行し、前記第3前記データ・エントリは、第3の前記
    遂行段階を前記実行する前記入手段階からの第3出力を備え、 前記データ・エントリ内の第3カテゴリとともに前記第3出力の1部分を関連
    させる第3関連段階を実行し、前記第3カテゴリは、前記処理チャンバ内で実行
    され、前記第1カテゴリと関連付けされるいかなる前記データ・エントリとの対
    応できず、そしていかなる可能性のある原因にもまだ関連付けられていない第3
    タイプの前記遂行段階用に確保される 段階を備えることを特徴とするシステム。 【請求項355】 請求項354記載の方法であって、 プラズマ処理段階の遂行が、前記処理チャンバ、プラズマ・クリーニング・オ
    ペレーション、プラズマ・コンディショニング、および定量化ウェーハ・オペレ
    ーション中に少なくとも1つの製造物に実行されるプラズマ・レシピから成るグ
    ループからのプラズマ処理の遂行を備えるシステム。 【請求項356】 請求項354記載の方法であって、 前記入手段階が、1ナノメータごとに少なくとも約250〜約1,000ナノ
    メータの波長を入手するシステム 【請求項357】 請求項354記載の方法であって、 第1記録段階の前記実行が、第1前記遂行段階を前記実行中に少なくとも複数
    の異なる回数からの前記第1出力を前記第1データ・エントリに記録する方法。 【請求項358】 請求項354記載の方法であって、さらに、 第1前記遂行段階の前記実行の完了後、実際上いかなるエラーなしで進行する
    第1前記遂行段階の前記実行の確認段階を備える方法。 【請求項359】 請求項354記載の方法であって、さらに、 第2関連段階の前記実行および前記第3カテゴリの前記第2出力の前記の少な
    くとも1部分を関連させる第4関連段階を実行し、 第2の前記遂行段階を前記実行後に前記第3カテゴリに関連付けされている前
    記第2出力を解析し、 前記第3カテゴリの前記第2出力の少なくとも1部分を前記第2カテゴリに転
    送し、前記転送段階は、前記解析段階の完了後に実行され、前記第2出力の1部
    分の前記第3カテゴリとの関連付けは、前記転送後には残っていない 段階を備える方法。 【請求項360】 請求項359記載の方法であって、 前記解析段階が、第2前記遂行段階の前記実行中に発生した第1エラーを識別
    し、前記転送段階からの前記第2出力の少なくとも1部分が前記第1エラーを示
    すことを備える方法。 【請求項361】 請求項361記載の方法であって、 前記転送段階からの前記第2出力の前記の少なくとも1部分を、第2の前記遂
    行段階の全体前記実行の全体よりも少ないところからとする方法。 【請求項362】 請求項359記載の方法であって、 前記転送段階からの前記第2出力の少なくとも1部分を、第2前記遂行段階の
    前記実行時の単一ポイントからとする方法。 【請求項363】 請求項354記載の方法であって、さらに、 第1関連段階の前記実行前に第4関連段階を実行し、前記第3カテゴリの第1
    記録段階の前記実行からの第1出力を関連させ、 第1前記遂行段階の前記実行後、前記第3カテゴリに関連付けられている前記
    第1出力を解析し、ならびに 前記第1出力の少なくとも1部分を転送し、前記転送段階は、前記解析段階の
    完了後に実行され、前記第1出力の1部分の前記第3カテゴリとの関連付けは、
    前記転送後には残っていない、 前記段階を備える方法。 【請求項364】 請求項363記載の方法であって、 前記転送段階に関連付けられている前記第1出力の少なくとも1部分は、第1
    前記遂行段階の前記実行中に複数回数において第1前記遂行段階の前記実行から
    の前記入手段階からの前記第1出力とする方法。 【請求項365】 コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備えるプラズマ
    ・モニタ組み立てを使用してプラズマ処理をモニタする方法であって、 前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、複数のデータ・エントリを有す
    る第1データ構造体を備え、前記データ・エントリの少なくとも1つは第11カ
    テゴリに関連付けられ、そして前記データ・エントリの少なくとも1つは第2カ
    テゴリに関連付けられ、前記第1カテゴリに関連付けられている各前記データ・
    エントリが、前記処理チャンバ段階での1つの前記プラズマ処理の実行中に複数
    の異なる回数からの複数の第1データ・セグメントを含み、前記第1カテゴリに
    関連付けられている各前記データ・エントリが規格を定義し、ならびに前記第2
    カテゴリに関連付けられている各前記データ・エントリは、エラーが発生したと
    きのある回において前記処理チャンバ段階の1つの前記プラズマ処理の実行中に
    少なくとも1つの第2データ・セグメントを備え、前記の少なくとも1つの第2
    データ・セグメントは、前記エラーを示し、そして前記の少なくとも1つの第2
    データ・セグメントを保存する前記データ・エントリ内に識別される方法であり
    、 前記処理チャンバ内で第1前記プラズマ処理を実行し、 前記第1前記プラズマ処理が、前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前
    記第1データ構造体での前記第1カテゴリに関連付けられているいかなる前記デ
    ータ・エントリに相当するかどうかを判断させる第1判断段階を実行し、 ならびに 前記第1前記プラズマ処理が、前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前
    記第1データ構造体での前記第2カテゴリに関連付けられているいかなる前記デ
    ータ・エントリに相当するかどうかを判断させる第2判断段階を実行し、第2判
    断段階の前記実行は、第2条件が発生したときのみに実行され、前記第1条件は
    、前記第1前記プラズマ処理が第1判断段階の前記実行中に前記第1カテゴリに
    関連付けられているいかなる前記データ・エントリにも対応できない場合であり
    、 これらの段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項366】 請求項365記載の方法であって、 前記第1データ構造体が、前記処理チャンバ、プラズマ・クリーニング・オペ
    レーション、プラズマ・コンディショニング・オペレーション、および定量化ウ
    ェーハ・オペレーションでの製造物に実行されるプラズマ・レシピから成るグル
    ープから選択される前記プラズマ処理用に使用できる方法。 【請求項367】 請求項365記載の方法であって、 前記第1データ構造体が、前記第1カテゴリに関連付けられている複数のデー
    タ・エントリを備え、前記第1カテゴリに関連付けられている第1前記データ・
    エントリは、第1前記プラズマ・レシピからとし、そして前記第1カテゴリに関
    連付けられている第2前記データ・エントリは、第2前記プラズマ・レシピから
    とし、前記第1プラズマ・レシピおよび前記第2プラズマ・レシピは異なる方法
    。 【請求項368】 請求項365記載の方法であって、 前記第1データ構造体は、前記第1カテゴリに関連付けられている複数のデー
    タ・エントリを備え、前記データ・カテゴリに関連付けられている第1前記デー
    タ・エントリは、第1前記プラズマ・レシピからとし、前記第1カテゴリに関連
    付けられている第2前記データ・エントリも同一の前記第1プラズマ・レシピか
    らとする方法。 【請求項369】 請求項365記載の方法であって、さらに、 第1前記プラズマ処理段階の前記実行からの現在データを入手し、第1判断段
    階の前記実行は、前記現在データが、前記第1カテゴリに関連付けられている少
    なくとも1つの前記データ・エントリからの少なくとも1つの前記第1データ・
    セグメントの事前に決めた許容内にあるかどうかを判断する段階を備えることを
    特徴とする方法。 【請求項370】 請求項365記載の方法であって、さらに、 第1前記プラズマ処理段階の前記実行からの現在データを入手し、第1判断段
    階の前記実行は、前記現在データのパターンが前記第1カテゴリに関連付けられ
    ている前記データ・エントリの少なくとも1つからの前記第1データ・セグメン
    トの少なくとも1つのパターンと少なくとも実施上一致するかどうかを判断する
    ことを特徴とする方法。 【請求項371】 請求項365記載の方法であって、さらに、 初回の第1前記プラズマ処理段階の前記実行から現在データを入手し、第1判
    断段階の前記実行は、前記初回前記現在データは、前記第1カテゴリに関連付け
    られている前記データ・エントリの少なくとも1つの事前に定義した許容内であ
    るかどうかを判断する段階を特徴とする方法。 【請求項372】請求項365記載の方法であって、さらに、 第1プラズマ処理段階の前記実行から前記処理チャンバ内のプラズマの現在光
    放射を入手し、前記第1カテゴリに関連付けられている各前記データ・エントリ
    の各前記第1データ・セグメントは、前記の1つの前記プラズマ処理の前記実行
    中に複数の異なる回数から前記処理チャンバ内のプラズマの保存済みの光放射を
    備え、前記第1カテゴリに関連付けられている各前記データ・エントリに関し、
    第1判断段階の前記実行は、 前記現在の光放射が現在時間で第2条件を満たすかどうかを判断する第3判断
    段階を実行し、前記第2条件は、前記データ・エントリからの第1データ・セグ
    メントの少なくとも1つの前記保存済み光放射の前記現在時間での前記現在の光
    放射が事前に定義した許容内にあることであり、 第1判断段階の前記実行が前記第2条件を識別する場合は、現在の前記第1デ
    ータ・セグメントとして前記第1データ・セグメントの前記の少なくとも1つの
    一番早い時間を指定し、 第3判断段階の前記実行が前記第2条件を識別しない場合は、前記データ・エ
    ントリに関連する第1判断段階の前記実行を終了させ、 第3判断段階の前記実行が第2条件を識別する場合、そして前記ループに関連
    付けられている既存段階の実行までループを繰り返し、 第1増分によって前記現在時間を増大し、 前記現在時間の前記現在の光放射が第3条件を満たすかどうかを判断する
    第4判断段階を実行し、前記第3条件は、前記現在時間の前記現在光放射が、前
    記現在の前記第1データ・セグメントに続いて次回時の前記第1データ・セグメ
    ントの前記保存済み光放射の事前に定義した許容内であることであり、 第4判断段階の前記実行が前記第3条件を識別しなかった場合にのみ第5
    判断段階を実行し、第5判断段階の前記実行は、前記現在時間の前記現在の光放
    射が第4条件を満たすかどうかを判断し、 前記第4条件は、前記現在時間の前記現在の光放射が、前記現在の前記第
    1データ・セグメントの前記保存済み光放射の事前に定義した許容内にあること
    であり、 第5および6条件の少なくとも1つが存在すると、前記ループを出て、前
    記第5条件は、第5判断段階の前記実行が実行され、そして第4条件を識別しな
    かった場合であり、前記第6条件は、第1前記プラズマ処理段階の前記実行から
    の前記現在の光放射のすべてが第1判断段階の前記実行によって評価された場合
    であり、 第4判断段階の前記実行が前記第3条件を識別した場合にのみ前記現在の
    第1データ・セグメントに等しい前記次回の前記第1データ・セグメントを設定
    する 段階を備えることを特徴とする前記ループ を備える方法。 【請求項373】 請求項365記載の方法であって、さらに、 第1前記プラズマ処理段階の前記実行から現在データを入手し、第2判断段階
    の前記実行は、第2条件が存在するかどうかを判断し、前記第2条件は、前記現
    在データが、前記第2カテゴリに関連付けられている前記データ・エントリの少
    なくとも1つからの前記第2データ・セグメントの少なくとも1つの事前に定義
    した許容内にあることであり、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項374】 請求項373記載の方法であって、さらに、 前記第2条件が存在する場合は、第1アクションを始動し、前記第1アクショ
    ンは、第1前記プラズマ処理段階の前記実行を終了させるグループから選択され
    、前記第2条件の存在に関する警報を出し、前記チャンバ内の製造物へのプラズ
    マ処理の追加実行を中断し、前記第2条件の存在に基づく第1前記プラズマ処理
    段階の前記実行からの前記処理チャンバ内のプラズマに影響を及ぼす少なくとも
    1つの処理制御パラメータの調整を始動し、ならびに前記の組み合わせ、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項375】 請求項365記載の方法であって、さらに、 第1前記プラズマ処理段階の前記実行から現在データを入手し、第2判断段階
    の前記実行は、前記現在データのパターンが少なくとも実際上、前記第2カテゴ
    リに関連付けられている前記データ・エントリの少なくとも1つからの前記第2
    データ・セグメントの少なくとも1つのパターンに一致するかどうかを判断する
    、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項376】 請求項365記載の方法であって、さらに、 第1前記プラズマ処理段階の最初の前記実行から現在データを入手し、第2判
    断段階の前記実行は、前記初回の前記現在データが、前記初回に関連付けられて
    いる前記第2データ・セグメントの少なくとも1つから、そして前記第2カテゴ
    リに関連付けられている前記データ・エントリの少なくと1つから事前に定義し
    た許容内にあるかどうかを判断する、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項377】 請求項365記載の方法であって、さらに、 前記第1データ構造体がさらに前記第3カテゴリを備え、前記第3カテゴリに
    関連付けられている各前記データ・エントリが、前記第1カテゴリに関連付けら
    れているいかなる前記データ・エントリに対応せず、そして前記第2カテゴリに
    関連付けられているいかなる前記データ・エントリに対応しなかった前記処理チ
    ャンバ段階での1つの前記プラズマ処理の実行から少なくとも1つの第3データ
    ・セグメントを備え、前記方法は、さらに前記第1前記プラズマ処理が、前記第
    1カテゴリに関連付けられている少なくとも1つに対応せず、そして前記第2カ
    テゴリに関連付けられている少なくとも1つの前記データ・エントリに対応しな
    い場合、第1前記プラズマ処理段階の前記実行からのデータの記録段階を備え、
    前記記録段階は前記第1データ構造体に行なわれ、前記データ・エントリを定義
    し、前記方法は、さらに前記第3カテゴリの前記記録段階からの前記データ・エ
    ントリでの前記データに関連性を持たせる段階を備える方法。 【請求項378】 請求項377記載の方法であって、さらに、 第1前記プラズマ処理段階の前記実行完了後、前記記録段階に関連付けられて
    いる前記データを解析し、ならびに 前記第3カテゴリから前記記録段階に関連付けられている少なくとも1部分を
    前記第2カテゴリに転送し、前記転送段階は、前記解析完了後に実行される 各段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項379】 請求項378記載の方法であって、さらに、 前記解析段階が、第1前記プラズマ処理段階の前記実行中に発生した第1エラ
    ーを識別し、そして前記転送段階に関連付けられている前記データの少なくとも
    1部分が前記第1エラーを示す方法。 【請求項380】 請求項378記載の方法であって、さらに、 前記転送段階からの前記データの少なくとも1部分を第1前記プラズマ処理段
    階の前記実行の全体よりも少なくする方法。 【請求項381】 請求項378記載の方法であって、さらに、 前記転送段階からの前記データの少なくとも1部分を第1前記プラズマ処理段
    階の前記実行時の単一ポイントからとする方法。 【請求項382】 請求項377記載の方法であって、さらに、 前記プラズマ処理の前記実行の完了後、前記記録段階に関連付けられている前
    記データを解析し、ならびに 前記第3カテゴリからの前記記録段階からの前記データの少なくとも1部分を転
    送し、前記転送段階は、前記解析段階の完了後に実行される 段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項383】 請求項382記載の方法であって、さらに、 前記転送段階に関連付けられている前記データの少なくとも1部分は、前記プ
    ラズマ処理段階の前記実行中の複数回からとし、そして前記処理チャンバでの前
    記プラズマが安定した後、第1前記プラズマ処理段階の前記実行の全体見本とす
    る方法。 【請求項384】 請求項365記載の方法であって、さらに、 前記第1条件が存在する場合、さらに第2判断段階の前記実行が、前記第1プ
    ラズマ処理は、前記第2カテゴリに関連付けられている少なくとも1つ前記デー
    タ・エントリに相当することを判断する場合は、第1アクションを始動し、前記
    第1アクションは、第1前記プラズマ処理段階の前記実行を終了させるグループ
    から選択され、前記第1条件の存在に関連する警報を出し、前記処理チャンバ内
    の製造物へのプラズマ処理の追加実行を一時停止し、第1前記プラズマ処理段階
    の前記実行から前記処理チャンバ内のプラズマに影響を及ぼす少なくとも1つの
    処理制御パラメータの調整を始動し、前記のいかなる組み合わせの段階をも備え
    ることを特徴とする方法。 【請求項385】 前記プラズマ・モニタ組み立てを使用してプラズマ処理
    をモニタ する方法であって、 コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備え、前記コンピュータ読み取り可能
    な記憶媒体は、第1カテゴリに関連付けられ、そして前記処理チャンバ段階での
    第1前記プラズマ処理の実行中の複数の異なる回数からの複数の第1データ・セ
    グメントを有する第1データ・エントリを備える第1データ構造体を備え、前記
    データ・エントリは、第1規格を定義し、そして各前記第1セグメントは、第1
    前記プラズマ処理段階の前記実行中の前記処理チャンバでのプラズマの光放射の
    データ見本を備え、前記光放射は、第1波長範囲を定義する、1ナノメータごと
    に少なくとも約250〜約1,000ナノメータの波長を有することを特徴とし
    、前記方法は、 前記処理チャンバ内の第2前記プラズマ処理を実行し、第2プラズマ処理段階
    の前記実行中に少なくとも初回に前記処理チャンバでのプラズマの現在光放射を
    入手し、前記光放射は、前記第1波長範囲内にあって、前記第1波長範囲を介し
    て少なくとも1ナノメータごとにあり、 前記第1波長範囲を介して、そして前記の第1波長範囲を介して少なくとも1
    ナノメータごとに前記データ・エントリからの前記第1データ・セグメントの少
    なくとも1つと前記現在の光放射を比較する段階を備えることを特徴とする前記
    方法。 【請求項386】 請求項385記載の方法であって、 前記第1データ構造体が、前記処理チャンバ、プラズマ・クリーニング・オペ
    レーション、プラズマ・コンディショニング・オペレーション、および定量化ウ
    ェーハ・オペレーションでの製造物に実行されるプラズマ・レシピから成るグル
    ープから選択される前記プラズマ処理用に使用できる方法。 【請求項387】 請求項385記載の方法であって、 第2前記プラズマ処理段階の前記実行が、前記処理チャンバ内の製造物にプラ
    ズマ・レシピを実行する方法。 【請求項388】 請求項385記載の方法であって、 前記入手段階は、第2前記プラズマ処理段階の前記実行中に複数回で前記プラ
    ズマの前記光放射を入手し、前記複数回は前記の初回とする方法。 【請求項389】 請求項385記載の方法であって、 前記入手段階は、第2前記プラズマ処理段階の実行中に約1秒以下の等しい時
    間間隔で前記現在の光放射を入手し、前記の複数時間間隔は前記の初回とする方
    法。 【請求項390】 請求項385記載の方法であって、 前記比較段階は、前記初回での前記光放射のパターンが、前記第1データ・エ
    ントリの少なくとも1つの第1データ・セグメントに関連付けられている前記光
    放射のパターンに少なくとも実際上一致するかどうかを判断する方法。 【請求項391】 請求項385記載の方法であって、 前記比較段階は、前記第1データ・エントリの前記の少なくとも1つの第1デ
    ータ・セグメントに関連付けられている前記光放射内の相当するポイントに関連
    する前記入手段階からの前記光放射内の複数のデータ・ポイントを評価し、各前
    記ポイントはある波長を有し、前記比較段階で使用される至近前記波長間の最大
    隔離は、約1ナノメータとする方法。 【請求項392】 請求項385記載の方法であって、 前記の比較段階からの前記第1データ・セグメントの前記の少なくとも1つは
    、前記の初回にも関連付けられている前記データ・エントリからの前記の第1デ
    ータ・セグメントとする方法。 【請求項393】 請求項385記載の方法であって、さらに、 初回期間によって前記初回を増大し、そして前記入手段階および比較段階を繰
    り返す段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項394】 請求項385記載の方法であって、さらに、 前記比較段階が第1結果を出す場合に第1アクションを始動し、前記第1結果
    は、前記現在の光放射が事前に定義した許容以上によって少なくとも1つの第1
    データ・セグメントに関連付けられている前記光放射からそれることであり、前
    記第1アクションは、第2前記プラズマ処理段階の前記実行を終了するグループ
    から選択され、前記比較段階によって直面させられている前記第1結果に関連す
    る警報を出し、前記処理チャンバ内の製造物に実行される追加プラズマ処理の実
    行を一時停止し、第2前記プラズマ処理段階の前記実行中に前記処理チャンバ内
    のプラズマに影響を及ぼす少なくとも1つの処理制御パラメータの調整を始動し
    、そして前記のいかなる組み合わせの段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項395】 コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備える前記プラ
    ズマ・モニタ組み立てを使用してプラズマ処理をモニタするための方法であって
    、前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、第1データ構造体を備え、前記
    方法は、 前記処理チャンバ内の第1前記プラズマ処理を実行し、 第1プラズマ処理段階の前記実行中に少なくとも複数回で前記処理チャンバ内
    のプラズマの第1光放射データを入手し、 前記第1データ構造体の第1データ・エントリを記録し、前記第1データ・エ
    ントリは、第1規格を定義し、そして第1前記プラズマ処理段階中に複数の異な
    る回数からの複数の第1データ・セグメントを備え、各前記第1データ・セグメ
    ントは、前記複数回数の1つから前記第1光放射のデータ見本を備え、前記第1
    光放射は、少なくとも1ナノメータごとに約250〜約1,000ナノメータま
    での波長を含み、そして第1波長範囲を定義し、 前記処理チャンバ内で前記プラズマ処理を実行し、 第2前記プラズマ処理段階の前記実行中に少なくとも複数回数で前記処理チャ
    ンバ内のプラズマの第2光放射データを入手し、前記第2光放射は、前記第1波
    長幅内、そして前記第1波長幅内で少なくとも1ナノメータごとに波長を備え、 前記記録段階を使用して第2前記プラズマ処理の前記実行、および第2光放射
    段階の前記入手に関連付けられている複数回数の各々からの前記第2放射の少な
    くとも1部分を評価する、 段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項396】 請求項385記載の方法であって、 前記評価段階が、第2光放射放射段階の前記入手に関連付けられている前記複
    数回各々からの前記第2光放射の1部分のみ使用する方法。 【請求項397】 請求項385記載の方法であって、さらに、 第2前記プラズマ処理段階の前記実行前に前記処理チャンバ内の前記プラズマ
    処理で発生したエラーを示す少なくとも1つの波長を識別し、ならびに 前記評価段階のために前記第1波長範囲のサブセットを選択し、前記サブセッ
    トは、前記識別段階からの少なくとも1つの波長を含む、 段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項398】 請求項387記載の方法であって、 前記サブセットは、少なくとも50ナノメータ帯域幅であり、ならびに前記評
    価段階は、50ナノメータ帯域幅を介して前記評価段階を少なくとも1ナノメー
    タ増分ごとに実行する方法。 【請求項399】 コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を使用して処理チ
    ャンバ内の製造物にプラズマ処理を実行するための方法であって、前記コンピュ
    ータ読み取り可能な記憶媒体は、複数のデータ・エントリを備え、第1前記デー
    タ・エントリは、第1の規格に従って進行した前記処理チャンバ内の製造物に実
    行する第1前記プラズマ処理に関連する複数のデータ・セグメントを備え、第2
    前記データ・エントリは、第2の規格に従って進行した前記処理チャンバ内の製
    造物に実行する第2前記プラズマ処理に関連する複数のデータ・セグメントを備
    え、前記第1前記プラズマ処理は、前記第2前記プラズマ処理とは異なるタイプ
    であり、前記方法は、 所定量の製造物を前記処理チャンバに積み込み、 第3前記プラズマ処理を前記処理チャンバ内の前記製造物に実行し、 前記プラズマ処理のデータを入手し、ならびに 前記第3前記プラズマ処理が、前記第1および第2の前記プラズマ処理の1つ
    と同じタイプかどうかを判断し、前記判断段階は、前記入手段階を使用し、第3
    前記プラズマ処理段階の前記実行中に実行され、 前記段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項400】 請求項399記載の方法であって、 前記第1前記プラズマ処理および前記第2前記プラズマ処理の識別は、それぞ
    れ前記第1および第2前記データ・エントリに関連する前記コンピュータ読み取
    り可能な記憶媒体に用意される方法。 【請求項401】 請求項399記載の方法であって、 荷積み段階は、少なくとも1つのウェーハを前記処理チャンバに積み込む方法
    。 【請求項402】 請求項399記載の方法であって、 前記入手データ段階は、第3前記プラズマ処理段階の前記実行中に前記処理チ
    ャンバ内プラズマの現在光放射を入手し、ならびに前記第1および第2データ・
    エントリの前記データ・セグメントは、それぞれ前記第1および第2の前記プラ
    ズマの処理中からの前記処理チャンバ内プラズマの光放射とする方法。 【請求項403】 請求項402記載の方法であって、 前記現在の光放射および前記保存済み光放射が少なくとも1ナノメータごとに
    少なくとも約250〜約1,000ナノメータ(250および1,000ナノメ
    ータを含む)の波長を有し、ならびに第1波長範囲を定義する方法。 【請求項404】 請求項403記載の方法であって、 前記判断段階は、前記現在の光放射が前記第1および第2データ・エントリの
    少なくとも1つからの前記データ・セグメントの少なくとも1つの前記保存済み
    光放射の事前に定義した許容内にあるかどうかを判断する方法。 【請求項405】 請求項403記載の方法であって、 前記判断段階は、前記現在の光放射のパターンが、少なくとも実際上、第1お
    よび第2データ・エントリの少なくとも1つからの前記データ・セグメントの少
    なくとも1つの前記保存済み光放射パターンに一致するかどうかを判断する方法
    。 【請求項406】 請求項403記載の方法であって、 前記判断段階は、前記初回に関連付けられている1つの前記データ・セグメン
    トの前記保存済み光放射の初回の前記現在の光放射が事前に定義した許容内にあ
    ることであり、さらに前記第1および第2データ・エントリの少なくとも1つか
    らかどうかを判断する方法。 【請求項407】 請求項403記載の方法であって、前記第1および第2
    データ・エントリに関連して、前記判断段階は、 現時での前記現在の光放射が第1条件を満たすかどうかを判断する第1判断段
    階を実行し、前記第1条件は、前記現在時間の光放射が、前記データ・エントリ
    からの前記データ・セグメントの少なくとも1つの前記保存済み光放射の許容内
    にあることであり、 第1判断段階が前記第1条件を識別する場合は、現在の前記第1データ・セグ
    メントとして前記第1データ・セグメントの前記の少なくとも1つの一番早い時
    間を指定し、 第1判断段階の前記実行が前記第1条件を識別しない場合は、前記データ・エ
    ントリに関連する第1判断段階の前記実行を終了させ、 第1判断段階の前記実行が第1条件を識別する場合、そして前記ループに関連
    付けられている既存段階の実行までループを繰り返し、 第1増分によって前記現在時間を増大し、 前記現在時間の前記現在の光放射が第2条件を満たすかどうかを判断する第2
    判断段階を実行し、前記第2条件は、前記現在時間の前記現在光放射が、前記現
    在の前記データ・セグメントに続いて次回時の前記データ・セグメントの前記保
    存済み光放射の事前に定義した許容内であることであり、 第2判断段階の前記実行が前記第2条件を識別しなかった場合にのみ第3判断
    段階を実行し、第3判断段階の前記実行は、前記現在時間の前記現在の光放射が
    第3条件を満たすかどうかを判断し、前記第3条件は、前記現在時間の前記現在
    の光放射が、前記現在の前記データ・セグメントの前記保存済み光放射の事前に
    定義した許容内にあることであり、 第4および5条件の少なくとも1つが存在すると、前記ループを出て、前記第
    4条件は、第3判断段階の前記実行が実行され、そして第3条件を識別しなかっ
    た場合であり、前記第5条件は、第3前記プラズマ処理段階の前記実行からの前
    記現在の光放射のすべてが前記判断段階によって評価された場合であり、 第2判断段階の前記実行が前記第3条件を識別した場合にのみ前記現在のデー
    タ・セグメントに等しい前記次回の前記データ・セグメントを設定する ことを備えることを特徴とする方法。 【請求項408】 請求項399記載の方法であって、さらに、 前記判断段階の結果を表示する 段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項409】 請求項399記載の方法であって、 前記第3プラズマ処理が複数のプラズマ段階を備え、前記方法はさらに前記判
    断段階を使用して、前記複数のプラズマ段階の各々を識別する段階を備え、前記
    識別段階は、第3前記プラズマ処理段階の前記実行中に、そして前記入手段階を
    使用して実行される方法。 【請求項410】 前記処理チャンバ内の製造物にプラズマ処理を実行する
    方法であって、前記方法は、 所定量の製造物を前記処理チャンバに積み込み、 前記処理チャンバ内の前記製造物に実行する前記プラズマ処理のタイプを入力
    し、前記入力段階は、前記処理チャンバに関連付けられている少なくとも1つの
    コントローラであり、 前記入力段階に基づいて前記処理チャンバ内の前記製造物にプラズマ処理を実
    行し、 前記実行段階中に前記処理チャンバ内のプラズマに関連するデータを入手し、 前記入手段階から前記第1プラズマ処理の前記タイプを識別し、ならびに 前記入手段階から、そして前記実行段階中に前記第1前記プラズマ処理のタイ
    プを表示する、 段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項411】 請求項410記載の方法であって、 前記荷積み段階が少なくとも1つのウェーハを前記処理チャンバに積み込む方
    法。 【請求項412】 請求項410記載の方法であって、 前記入手段階が前記実行段階中に前記処理チャンバ内プラズマの現在光放射を
    入手する方法。 【請求項413】 請求項412記載の方法であって、 前記現在の光放射が少なくとも1ナノメータごとに少なくとも約250〜約1
    ,000ナノメータ(250および1,000ナノメータを含む)の波長を有し
    、ならびに第1波長範囲を定義する方法。 【請求項414】 請求項413記載の方法であって、 識別段階が少なくとも1つのデータ・エントリを備える前記コンピュータ読み
    取り可能な記憶媒体システムを使用し、第1前記データ・エントリが、前記処理
    チャンバ内の製造物に以前に実行した第2前記プラズマ処理に関連する複数のデ
    ータ・セグメントを備え、各前記データ・セグメントは、前記第2前記プラズマ
    処理中に前記処理チャンバ内プラズマの光放射を保存し、ならびに前記入手段階
    は、前記実行段階中に前記処理チャンバ内前記プラズマの現在光放射を入手する
    方法。 【請求項415】 請求項414記載の方法であって、 前記識別段階が、前記第1データ・エントリからの少なくと1つの前記データ
    ・セグメントの前記保存済み光放射の事前に定義した許容内にあるかどうかを判
    断する方法。 【請求項416】 請求項414記載の方法であって、 前記識別段階に、前記現在の光放射のパターンが少なくとも実際上、前記第1
    データ・エントリからの前記データ・セグメントの少なくとも1つの前記保存済
    み光放射のパターンに一致するかどうかを判断することを備える方法。 【請求項417】 請求項414記載の方法であって、 前記識別段階に、初回の前記光放射が、前記初回に関連付けられている前記第
    1データ・エントリの前記データ・セグメントの前記保存済み光放射の許容内に
    あるかどうかを判断することを備える方法。 【請求項418】 請求項414記載の方法であって、前記識別段階は、 記現在の光放射が現在時間で第1条件を満たすかどうかを判断する第1判断段
    階を実行し、前記第1条件は、前記第1データ・エントリからの前記データ・セ
    グメントの少なくとも1つの前記保存済み光放射の前記現在の光放射が事前に定
    義した許容内にあることであり、 第1判断段階の前記実行が前記第1条件を識別する場合は、現在の前記データ
    ・セグメントとして前記データ・セグメントの前記の少なくとも1つの一番早い
    時間を指定し、 第1判断段階の前記実行が前記第1条件を識別しない場合は、前記第1データ
    ・エントリに関連する前記判断段階の前記実行を終了させ、 第1判断段階の前記実行が第1条件を識別する場合、そして前記ループに関連
    付けられている既存段階の実行までループを繰り返し、 第1増分によって前記現在時間を増大し、 前記現在時間の前記現在の光放射が第2条件を満たすかどうかを判断する
    第2判断段階を実行し、前記第2条件は、前記現在時間の前記現在光放射が、前
    記現在の前記データ・セグメントに続いて次回時の前記データ・セグメントの前
    記保存済み光放射の事前に定義した許容内であることであり、 第3判断段階の前記実行が前記第2条件を識別しなかった場合にのみ第3
    判断段階を実行し、第3判断段階の前記実行は、前記現在時間の前記現在の光放
    射が第3条件を満たすかどうかを判断し、前記第3条件は、前記現在時間の前記
    現在の光放射が、前記現在の前記データ・セグメントの前記保存済み光放射の事
    前に定義した許容内にあることであり、 第4および5条件の少なくとも1つが存在すると、前記ループを出て、前
    記第4条件は、第3判断段階の前記実行が実行され、そして第3条件を識別しな
    かった場合であり、前記第5条件は、第3前記プラズマ処理段階の前記実行から
    の前記現在の光放射のすべてが判断段階によって評価された場合であり、 第2判断段階の前記実行が前記第2条件を識別した場合にのみ前記現在の
    データ・セグメントに等しい前記次回の前記データ・セグメントを設定する 段階を備えることを特徴とする前記ループ。 【請求項419】 請求項410記載の方法であって、 前記第1前記プラズマ処理が複数のプラズマ段階を備え、前記方法は、前記識
    別段階を使用して、前記複数のプラズマ段階の各々を識別する段階を備える方法
    。 【請求項420】 請求項410記載の方法であって、 前記識別段階がコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を使用し、前記コンピュ
    ータ読み取り可能な記憶媒体が複数のデータ・エントリを備え、第2前記データ
    ・エントリが第2規格に従って進行した前記処理チャンバ内の製造物に以前に実
    行した第2前記プラズマ処理に関連するデータを有し、第3前記データ・エント
    リが第3規格に従って進行した前記処理チャンバ内の製造物に以前に実行した第
    3前記プラズマ処理に関連するデータを有し、前記第2前記プラズマ処理が第2
    タイプに属し、そして前記第3前記プラズマ処理は第3タイプに属し、ならびに
    前記第2および第3タイプが異なる方法。 【請求項421】請求項420記載の方法であって、 前記入力段階は前記プラズマ処理の第2タイプを入力し、前記識別段階は、前
    記入手段階からの前記データを前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記
    第1データ構造体のデータと比較し、ならびに前記方法は、さらに前記第2デー
    タ・エントリの前記データのみに前記比較段階を少なくとも初期に制限する段階
    を備える方法。 【請求項422】 請求項410記載の方法であって、さらに、 前記処理チャンバ内の前記製造物に実行するプラズマ処理の第1タイプに関し
    てオペレータに指示し、ならびに 前記の指示段階の提供後、前記入力段階を実行し、前記指示段階は、入力段階
    に関連付けられている潜在的なオペレータのエラーに対処するために、前記入力
    段階からの前記タイプが前記提供段階からの前記第1タイプに同じかどうかに関
    する情報を提供する、 段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項423】 前記処理チャンバ内の製造物に実行するプラズマ処理用
    のプラズマ・モニタ・システムであって、 コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、 第1データ・エントリを備える第1データ構造体と、前記処理チャンバ内の製
    造物に実行する第1前記プラズマ処理に関連付けられているデータは、前記第1
    データ・エントリに入力でき、 前記第2プラズマ処理中に前記処理チャンバ内の製造物に実行する第2前記プ
    ラズマ処理にデータを受け取る手段と、 前記第2前記プラズマ処理のタイプを判断するための手段と、判断するための
    前記手段は受け取るための前記手段を備え、前記第1データ構造体に保存された
    データを使用し、そして前記第2前記プラズマ処理の停止前に、出力を提供する ことを備える前記媒体 を備えることを特徴とする前記システム。 【請求項424】 請求項423記載のシステムであって、 受け取るための前記手段が前記第2前記プラズマ処理中に前記処理チャンバ内
    プラズマの光放射のデータ見本を受け取るための手段を備えるシステム。 【請求項425】 請求項424記載のシステムであって、 前記現在の光放射が1ナノメータごとに少なくとも約250〜約1,000ナ
    ノメータ(250および1,000ナノメータを含む)の少なくともの波長を有
    し、ならびに第1波長範囲を定義する前記システム。 【請求項426】 請求項423記載のシステムであって、 前記第1前記データ・エントリが前記処理チャンバ内の製造物に実行する前記
    第1プラズマ処理に関連する複数のデータ・セグメントを備え、各前記データ・
    セグメントは、前記第1前記プラズマ処理中に前記処理チャンバ内のプラズマの
    光放射のデータ見本を保存でき、受け取るための前記手段は、前記第2前記プラ
    ズマ処理中に前記処理チャンバ内のプラズマの現在光放射のデータ見本を受け取
    るための手段を備えるシステム。 【請求項427】 請求項426記載のシステムであって、 判断する前記手段が、現在光放射のデータ見本が前記第1データ・エントリか
    らの前記データ・セグメントの少なくとも1つの光放射の前記データ見本の事前
    に定義した許容内にあるかどうかを判断するための手段を備えるシステム。 【請求項428】 請求項426記載のシステムであって、 判断する前記手段が、前記現在の光放射の現在データ見本のパターンが少なく
    とも実際上、前記第1データ・エントリからの前記データ・セグメントの少なく
    とも1つの前記光放射の前駆データ見本のパターンに一致するかどうかを判断す
    ることを備える方法。 【請求項429】 請求項426記載のシステムであって、 判断する前記手段が、初回の現在光放射のデータ見本が、前記初回に関連付け
    られている前記第1データ・エントリからの光放射の前記データ見本の事前に定
    義した許容内にあるかどうかを判断するための手段を備えるシステム。 【請求項430】 請求項426記載のシステムであって、判断するための
    前記手段は、 現在時間の現在光放射の前記データ見本が第1条件を満たすかどうか判断する
    ための手段を備える第1判断手段と、前記第1条件は、前記現在時間の現在光放
    射の前記データ見本が前記第1データ・エントリからの前記データ・セグメント
    の少なくとも1つの光放射前記データ見本の事前に定義した許容内にあることで
    あり、 前記第1判断手段が第1条件を識別する場合は、現在前記のデータ・セグメン
    トとしての前記データ・セグメントの前記の少なくとも1つの一番早い時間を指
    定するための手段と、 前記第1判断手段が前記第1条件を識別しない場合は、前記第1判断手段を非
    活性化するための手段と、 前記第1判断手段が前記第1条件を識別する場合、そして終了のための手段が
    前記ループに関連付けられるまでループを繰り返すための手段と、前記手段は、 第1増分によって前記現在時間を増大するための手段と、 現在時間の現在光放射のデータ見本が、第2条件を満たすかどうかを判断する
    ための第2判断手段と、前記第2条件は、前記現在時間の現在光放射のデータ見
    本が、前記現在の前記データ・セグメントに続いて次回時の前記データ・セグメ
    ントの光放射の前記データ見本の事前に定義した許容内であることであり、 現在時間の現在光放射の前記データ見本が、第3条件を満たすかどうかを判断
    するための第3判断手段と、前記第3条件は、前記現在時間の現在光放射の前記
    データ見本が前記現在の前記データ・セグメントからの光放射の前記データ見本
    の事前に定義した許容内にあることであり、前記第3判断手段は、前記第2判断
    手段が前記第2条件を識別しない場合にのみ活性化され、 第4および第5のいずれか1つが存在する場合に前記ループを終了するための
    手段と、前記第4条件は、前記第3判断手段が活性化されて、前記第3条件を識
    別しない場合であり、第5条件は、前記第2前記プラズマ処理からのすべての前
    記現在の光放射が判断するための前記手段によって評価されていることであり、 前記現在の前記データ・セグメントに等しい前記次回の前記データ・セグメン
    トを設定するための手段と、設定するための前記手段は、前記第2判断手段が前
    記第2条件を識別している場合にのみ活性化される 前記手段を備えることを特長とするシステム。 【請求項431】 請求項423記載のシステムであって、 前記第1前記プラズマ処理が複数のプラズマ段階を備え、前記システムは、さ
    らに判断するための前記手段を使用して、前記複数のプラズマ段階の各々を識別
    するための手段を備えるシステム。 【請求項432】 処理チャンバを備えるプラズマ処理システムをモニタす
    る方法であって、製造物保存装置は複数の製造物、およびコンピュータ読み取り
    可能な記憶媒体を備え、前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体はプラズマ・
    レシピ部を備え、前記プラズマ・レシピ部は複数のデータ・エントリを備え、第
    1前記データ・エントリは第1プラズマ・レシピに関連するデータを備え、第2
    前記データ・エントリは第2プラズマ・レシピに関連するデータを備え、前記第
    1プラズマ・レシピは前記第2プラズマ・レシピとは異なり、そしてプラズマ処
    理段階の実行は、前記製造物保存装置から前記の少なくとも1つの製造物を取り
    除く段階を備え、少なくとも1つの製造物を前記処理チャンバに積み込み、前記
    処理チャンバ内の前記の少なくとも1つの製造物を前記の第1および第2プラズ
    マ・レシピの1つに従ってプラズマに露光し、ならびに前記露光段階後、前記処
    理チャンバから少なくとも1つの製造物を取り除く方法であって、前記方法は、 第1の前記実行段階を実行し、第1の前記実行段階の前記実行の前記露出段階
    は、前記の第1プラズマ・レシピにのみ関連付けられ、 第1の前記実行段階の前記実行中に、前記プラズマの少なくとも1つの特性を
    モニタし、 識別し、第1の前記実行段階の前記実行は、前記モニタ段階からの出力との
    比較に使用できる前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記プラズマ・レ
    シピ部の前記第1および第2の前記データ・エントリの両方を作成することによ
    って前記プラズマ・レシピにのみ関連付けられることを識別し、 第1の前記実行段階の前記実行後、複数の前記実行段階を実行し、複数の実行
    段階の各前記実行の前記実行段階の各々は、前記第1プラズマ・レシピにのみ関
    連付けられることを識別し、前記識別段階は、前記プラズマ・レシピ部の前記第
    1前記データ・エントリのみの前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記
    プラズマ・レシピ部との前記出力のいかなる比較を少なくとも初期に制限する段
    階を備える前記方法。 【請求項433】 請求項432記載の方法であって、 前記実行段階の前記の1つが前記第1の前記データ・エントリに対応しなかっ
    た場合、前記識別段階は、複数実行段階の前記実行の前記実行段階の1つに対す
    る前記プラズマ・レシピ部の前記第2前記データ・エントリをさらに含むために
    、前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記プラズマ・レシピ部との前記
    モニタ段階の前記出力の比較を許容する方法。 【請求項434】 請求項432記載の方法であって、 前記識別段階が、前記プラズマ・レシピ部の前記第1前記データ・エントリの
    みの前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の前記プラズマ・レシピ部との前
    記モニタ段階の前記出力のいかなる比較を常に制限することを許容する方法。 【請求項435】 請求項432記載の方法であって、 前記製造物保存装置が複数のウェーハを備えるウェーハ・カセットおよび前記
    複数製造物を備え、前記カセット内の各前記ウェーハ用の前記実行段階は、前記
    第1プラズマ・レシピを制限するようにし、ならびに各前記識別段階は、これは
    本当であることを検証する方法。 【請求項436】 前記処理チャンバ内の第1製造物に実行する第1プラズ
    マ処理をモニタするための方法であって、前記方法は、 前記第1製造物を前記処理チャンバに積み込み、 前記処理チャンバを密閉し、 前記密閉段階後、前記第1製造物に第1前記プラズマ処理を実行し、 前記実行段階で使用するプラズマのデータを入手し、ならびに 前記処理チャンバが実行段階中に第1条件になっているかどうかを判断し、前
    記第1条件は、以前に前記処理チャンバ内で実行したプラズマ処理によって、前
    記処理チャンバの内部に、望ましくない程度まで前記処理チャンバの性能に影響
    を与えている局面にまで悪影響を及ぼした条件であり、前記判断段階が前記のデ
    ータ入手段階を使用する方法。 【請求項437】 処理チャンバ内の製造物に実行するプラズマ処理用のプ
    ラズマ・モニタ・システムであって、 前記処理チャンバ内の製造物に以前に実行した第1前記プラズマ処理のデータ
    を保存する手段と、 前記処理チャンバ内の製造物に現在実行している第2前記プラズマ処理のデー
    タを保存するための前記手段での前記データと比較する手段と、ならびに 前記処理チャンバが第1条件になっているかどうかを判断するための第1手段
    と、前記第1条件は、以前に前記処理チャンバ内で実行したプラズマ処理によっ
    て、前記処理チャンバの内部に、望ましくない程度まで前記処理チャンバの性能
    に影響を与えている局面にまで悪影響を及ぼした条件であり、判断するための前
    記第1手段は比較するための前記手段を備える前記コンピュータ読み取り可能な
    記憶媒体 を備えることを特長とする前記システム。 【請求項438】 製造物にプラズマ処理を実行するためのシステムであっ
    て、 製造物アクセスおよびウィンドウを備える処理チャンバと、製造物は、前記製
    造物アクセスを介して前記処理チャンバの内部と外部間で転送でき、 前記処理チャンバと流動的に相互接続された第1ガス入口および第1ガス出口
    と、 前記プラズマ・チャンバ内のプラズマ・ゼネレータと、現在の前記プラズマ処
    理は、前記プラズマ・ゼネレータが活性化された場合、前記処理チャンバ内の前
    記製造物に実行でき、 コンピュータ読み取り可能な媒体を備えるプラズマ・モニタ組み立てと、
    前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、 以前に前記処理チャンバ内の製造物に実行した第1の前記プラズマ処理上
    のデータを前記現在の前記プラズマ処理に保存する手段と、 前記処理チャンバ内の製造物に現在実行している前記現在の前記プラズマ
    処理上のデータを、保存するための前記手段で前記第1前記プラズマ処理上の前
    記データと比較するための手段と、 前記処理チャンバが第1条件になっている場合に判断するための手段と、
    前記第1条件は、以前に前記処理チャンバ内で実行したプラズマ処理によって、
    前記処理チャンバの内部に、望ましくない程度まで前記処理チャンバの性能に影
    響を与えている局面にまで悪影響を及ぼした条件であり、判断するための前記第
    1手段は、比較するための前記手段を備えること を特長とする前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 【請求項439】 ウェーハ製造システムを制御するための方法であって、 少なくとも1つのウェーハを第1および第2処理チャンバの各々に分配し、 それぞれの前記処理チャンバに関連付けられている前記分配段階の各実行後、
    それぞれの前記処理チャンバ内で前記の少なくとも1つのウェーハを処理し、前
    記処理段階は、 それぞれの前記処理チャンバ内の少なくとも1つのウェーハにプラズマ処理を
    実行し、 前記実行段階によって使用されるそれぞれの前記処理チャンバ内のプラズマを
    モニタし、 それぞれの前記処理チャンバから前記の少なくとも1つを取り除く段階を備え
    、 前記第1および第2処理チャンバ用の前記取り出し段階後、前記第1および第
    2処理チャンバの各々のために前記分配段階を複数回繰り返し、ならびに それぞれの前記処理チャンバでの第1前記実行段階用の第1前記モニタ段階が
    第1条件を識別する場合は、前記第1および第2処理チャンバのいずれにも関連
    する前記分配段階の少なくとも1つの実行を停止し、前記第1条件は、望ましく
    ない程度までそれぞれの前記処理チャンバの性能に影響を与えている局面にまで
    それぞれの前記処理チャンバ内部がそれぞれの前記処理チャンバで前記処理段階
    を以前に実行して悪影響を及ぼされたときの汚れたチャンバ条件から成るグルー
    プから選択され、周知のエラー条件は、前記第1前記段階がそれぞれの前記処理
    チャンバでの前記実行段階に関連付けられている少なくとも1つの規格に従わず
    に進行した場合であり、未知の条件は、前記第1モニタ段階が、前記第1前記モ
    ニタ段階がそれぞれ前記処理チャンバでの前記処理段階の優先実行において以前
    に遭遇しなかった条件を識別する場合であり、ならびに前記のいずれの組み合わ
    せを備えることを特徴とする前記システム。 【請求項440】 ウェーハ製造システムを制御するための方法であって、 少なくとも1つのウェーハを第1、第2、および第3処理チャンバの各々に分
    配し、 前記分配段階の各実行後、それぞれの前記処理チャンバで少なくとも1つのウ
    ェーハを処理し、前記処理段階は、 それぞれの前記処理チャンバの少なくとも1つのウェーハにプラズマ処理を実
    行し、 前記実行段階によって使用されるそれぞれの前記処理チャンバ内のプラズマを
    モニタし、ならびに 前記処理チャンバから少なくとも1つのウェーハを取り除く段階を備える前記
    処理段階であり、 前記第1、第2、および第3処理チャンバ用の第1分配シーケンスを使用し、
    前記第1分配シーケンスは、はじめに前記第1処理チャンバ、2番目に前記第2
    処理チャンバ、3番目に前記第3処理チャンバ用に実行され、 前記第1処理チャンバでの前記処理段階の少なくとも1つからの前記モニタ段
    階が第1条件を識別する場合は、前記第1分配シーケンスを中止し、ならびに 前記中止段階の実行後、第2分配シーケンスを使用し、前記第2分配シーケン
    スは前記第1分配シーケンスとは異なる 前記段階を備える方法。 【請求項441】 ウェーハ製造システムを制御するための方法であって、 少なくとも1つのウェーハを第1および第2処理チャンバの各々に分配し、 それぞれの前記処理チャンバに関連付けられている前記分配段階の各実行後、
    それぞれの前記処理チャンバ内の少なくとも1つのウェーハを処理し、前記処理
    段階は、 それぞれの前記処理チャンバ内の少なくとも1つのウェーハにプラズマ処理を
    実行し、 それぞれの前記処理チャンバ内の前記プラズマ処理の終了時間をモニタし、な
    らびに それぞれの前記処理チャンバから少なくとも1つのウェーハを取り除く段階を
    備える前記処理段階であり、 前記第1および第2処理チャンバ用の前記取り出し段階後、第1および第2処
    理チャンバの各々のために前記分配段階を複数回繰り返し、 前記第1および第2チャンバの前記処理段階の少なくとも1つの前記モニタ段
    階に基づく前記分配段階用の第1シーケンスを使用する段階を備えることを特徴
    とする前記システム。 【請求項442】 ウェーハ製造システムであって、 ウェーハ・アクセスを備える第1および第2処理チャンバと、前記の第1およ
    び第2処理チャンバに関連付けられているウェーハ・アクセスを介して、前記少
    なくとも1つのウェーハを第1および第2処理チャンバの各々に導入したり、取
    り出したりでき、 第1および第2処理チャンバ内のプラズマを前記の少なくとも1つのウェーハ
    に実行されているプラズマ処理中に評価するための第1および第2手段と、なら
    びに ウェーハを前記第1および第2処理チャンバに分配するための手段と、分配す
    るための前記手段は、評価のため前記第1および第2処理チャンバの各々と効力
    的にインタフェースされ、評価するための第1および第2手段からの1つの出力
    は、分配するための手段によって使用される分配シーケンスに影響を及ぼすこと
    を特徴とする前記システム。 【請求項443】 ウェーハ製造システムであって、 ウェーハ・アクセスを備える第1および第2処理チャンバと、少なくとも1つ
    のウェーハは、それぞれの前記ウェーハ・アクセスを介して少なくとも1つのウ
    ェーハを第1および第2処理チャンバの各々に導入したり、取り出したりでき、 前記第1および第2処理チャンバ内のウェーハに実行したプラズマ処理の完了
    時間をモニタするための第1および第2手段と、ならびに 第1および第2処理チャンバの各々に効力的に関連付けられているウェーハ処
    理システムと、前記ウェーハ処理システムは、モニタするための前記第1および
    第2手段の各々に基づく前記第1および第2処理チャンバへのウェーハの分配シ
    ーケンスを制御するための手段を備え、 【請求項444】 処理チャンバに積み込む製造物にプラズマ・レシピを実
    行するための前記処理チャンバを用意するための方法であって、 プラズマを有する前記処理チャンバ内部から材料を取り出し、前記処理チャン
    バには前記の製造物がすべて無くなり、 前記取り出し段階中に少なくとも複数回、前記処理チャンバ内の前記プラズマ
    の光放射を入手し、 前記入手段階からの前記光放射の少なくとも1部分の現在パターンを第1規格
    パターンと比較し、前記比較段階が少なくとも複数回実行され、ならびに 前記取り出し段階を終了し、前記終了段階が第1条件のために実行され、前記
    第1条件は、前記現在のパターンが前記第1規格パターンの事前に定義した許容
    内にある場合である、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項445】 処理チャンバに積み込む場合の製造物にプラズマ・レシ
    ピを実行するための前記処理チャンバを用意するための方法であって、 プラズマを有する前記処理チャンバ内部から材料を取り出し、前記処理チャン
    バには前記の製造物がすべて無くなり、 前記取り出し段階中に少なくとも複数回、前記処理チャンバ内の前記プラズマ
    の光放射を入手し、 前記入手段階の1つの先行する前記実行からの前記複数光放射の差異を判断し
    、前記判断段階は前記取り出し段階中に複数回実行され、ならびに 前記取り出し段階を終了し、前記終了段階は第1条件のために実行可能であり
    、前記第1条件は、前記比較段階からの前記差異の前記量が第1量を超えないと
    いう条件である、 段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項446】 製造物にプラズマ・レシピを実行するためのシステムで
    あって、 製造物アクセスを備える処理チャンバと、少なくとも1つの製造物は、前記製
    造物アクセスを介して前記処理チャンバ内に導入でき、取り除くための前記手段
    は、前記処理チャンバ内には前記製造物が無くなる間、前記処理チャンバ内にプ
    ラズマを存在させ、 取り除くための前記手段のオペレーション中に少なくとも複数回の取り除くた
    めの前記手段によって使用される前記プラズマの光放射を入手するための手段と
    、 入手するための前記手段の複数回実行の各々から前記光放射の少なくとも1部
    分の現在パターンと第1規格パターンとを比較する手段と、ならびに 取り除くための前記手段を非活性化するための手段と、非活性化するための前
    記手段は、少なくとも1つの第1条件に反応でき、前記第1条件は、入手するた
    めの前記手段の前記複数回実行の少なくとも1回から前記の現在パターンが前記
    第1パターン規格の事前に定義した許容内であるという条件である、 前記手段を備えること特徴とする前記システム。 【請求項447】 製造物にプラズマ・レシピを実行するためのシステムで
    あって、 製造物アクセスを備える処理チャンバであって、製造物は、前記製造物アクセ
    スを介して前記処理チャンバの内部と外部間で転送でき、 前記処理チャンバ内部から材料を取り出し、前記処理チャンバには前記の製造
    物がすべて無くなり、取り除くための前記手段は、前記処理チャンバに前記の製
    造物がすべて無くなる間、前記処理チャンバ内にプラズマを存在させ、 取り除くための前記手段のオペレーション中に少なくとも複数回、前記処理チ
    ャンバ内の前記プラズマの光放射を入手するための手段と、 入手するための前記手段の複数回実行の各々について、現在の前記光放射と先
    行する前記光放射の1つとの間の差異量を判断するための手段と、ならびに 取り除くための前記手段を非活性化する手段と、前記の非活性化する手段は、
    第1条件によって活性化され、前記第1条件は、判断するための前記手段からの
    前記差異量が第1量を超えない場合である、 前記手段を備えることを特徴とする前記システム。 【請求項448】 処理チャンバ内製造物にプラズマ・レシピを実行するた
    めの前記処理チャンバを用意するための方法であって、 コンディショニング・ウェーハを前記チャンバに積み込み、 コンディショニング・ウェーハ段階の積み込み後、前記コンディショニング・
    ウェーハにプラズマ処理を実行し、 前記プラズマ処理段階を実行中に、前記チャンバ内プラズマの光放射をモニタ
    する第1モニタ段階を実行し、ならびに プラズマ処理段階の前記実行後、前記チャンバから前記コンディショニング・
    ウェーハをおろす 段階を備えるコンディショニング・ウェーハ・オペレーションを実行し、 コンディショニング・ウェーハ・オペレーション段階の前記実行を複数回繰り
    返し、 第1モニタ段階の前記実行に基づいて前記繰り返し段階を終了し、ならびに 前記終了段階後、製造ウェーハ・オペレーションを実行し、製造ウェーハ・オ
    ペレーション段階の前記実行は、 製造ウェーハを前記チャンバに積み込み、 製造ウェーハ段階の積み込み後、前記製造ウェーハにプラズマ・レシピを
    実行し、 前記プラズマ・レシピは、前記製造ウェーハに事前に定義した結果を生成する少
    なくとも1つのプラズマ段階を備え、 プラズマ・レシピ段階の前記実行中に前記処理チャンバ内プラズマの光放
    射をモニタする第2モニタ段階を実行し、ならびに プラズマ・レシピ段階の前記実行後、前記処理チャンバから前記製造ウェ
    ーハをおろし、製造ウェーハ・オペレーション段階の前記実行後、少なくとも1
    つの半導体素子が前記製造ウェーハから生成され、半導体素子は、コンディショ
    ニング・ウェーハ・オペレーション段階の前記実行からのいかなる前記コンディ
    ショニング・ウェーハからは生成されない、 段階を備える前記製造ウェーハ・オペレーション段階を 備えることを特徴とする前記方法。 【請求項449】 製造物にプラズマ・レシピを実行するためのシステムで
    あって、 製造物アクセスを備える処理チャンバと、少なくとも1つの製造物は、前記製
    造物アクセスを介して前記チャンバの内部と外部間で転送でき、 前記製造物アクセスを介して前記処理チャンバ内に結果として積み込まれた複
    数のコンディショニング・ウェーハの各々にプラズマ処理を実行するための手段
    を備えるコンディショニング・ウェーハ・オペレーションを実行するための手段
    と、 プラズマ処理を実行するための前記手段のオペレーション中に前記チャンバ内
    プラズマの光放射をモニタするための手段と、 モニタするための前記手段に基づくコンディショニング・ウェーハ・オペレー
    ションを実行するための前記手段を不能にするための手段と、ならびに 不能にするための前記手段の活性化後、製造ウェーハ・オペレーションを実行
    するための手段と、製造ウェーハ・オペレーションを実行するための前記手段は
    、前記製造物アクセスを介して前記処理チャンバ内に積み込まれた製造ウェーハ
    にプラズマ・レシピを実行するための手段を備え、前記プラズマ・レシピは、前
    記製造ウェーハに事前に定義した結果を生成する少なくとも1つのプラズマ段階
    を備え、および少なくとも1つの半導体素子は、製造ウェーハ・オペレーション
    を実行するための前記手段に従って行なわれた後、前記製造ウェーハから生成さ
    れ、コンディショニング・ウェーハ・オペレーションを実行するための前記手段
    のオペレーションに従って行なわれる前記コンディショニング・ウェーハからは
    生成されない、 前記手段を備える前記システム。 【請求項450】 プラズマ処理が第1の事前に定義した結果を達成する場
    合の少なくとも1つの第1終点を有するプラズマ処理の少なくとも1つの終点イ
    ンジケータを選択するための方法であって、 第1プラズマ処理を実行し、 前記実行段階中に少なくとも複数回、前記処理チャンバ内プラズマの光放射を
    入手し、前記入手段階は複数回数の各々において現在の光放射セグメントを入手
    し、前記現在の光放射セグメントは、第1波長範囲を定義する、約1ナノメータ
    を越えない第1波長解像度で少なくとも約250〜約1,000ナノメータ(2
    50および1,000ナノメータを含む)の波長を含む光放射を有し、前記第1
    波長解像度は、前記入手段階による前記第1波長範囲を介して得られる波長の各
    近接ペア間の波長間隔が約1ナノメータを越えないことを意味し、 前記入手段階からの前記光放射を解析し、ならびに 前記第1終点のための前記解析段階からの少なくとも1つの終点インジケータ
    を選択する段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項451】 請求項450記載の方法であって、 前記解析段階が、 前記入手段階からの前記現在の光放射セグメントからの前記第1波長範囲内の
    複数波長用の強度対時間プロットを生成し、前記生成段階は、前記複数波長の各
    々の強度への前記実行段階の時間ベース効果を図示し、 前記実行段階後、前記プロットを解析し、 前記第1終点に到達するための前記第1プラズマ処理に対する第1時間推定に
    関する情報を受け取り、ならびに 少なくとも一般に前記第1時間推定に対応して、ある時間における強度変化を
    有する前記生成段階からの少なくとも1つの前記プロットを識別し、前記選択段
    階は、前記第1プラズマ処理用の前記第1終点のインジケータの潜在的な候補と
    して、前記識別段階からの少なくとも1つに関連付けられている前記波長を選択
    し、 前記段階を備える前記方法。 【請求項452】 請求項451記載の方法であって、 前記生成段階用の前記の複数波長を前記第1前記プラズマに関連する化学知識
    なし選択する方法。 【請求項453】 請求項451記載の方法であって、 前記識別段階の前記の特異な変化を前記の少なくとも1つの前記プロットの勾
    配変化とする前記方法。 【請求項454】 請求項451記載の方法であって、 前記光放射の前記解析が、さらに前記識別段階からの各前記プロットのパター
    ンを示す段階を含み、各前記パターンは、前記第1プラズマ処理段階用の前記の
    第1終点に少なくとも潜在的に相当する領域を囲み、前記方法がさらに前記パタ
    ーンの少なくとも1つを、前記第1終点を示す終点パターンとして選択する段階
    を備える方法。 【請求項455】 請求項454記載の方法であって、 同一の前記処理チャンバ内の前記第1プラズマ処理を連続して実行するために
    、第1変化を経験し、さらに前記第1終点を示すために各前記終点パターンを許
    容し、前記第1変化は、強度の変化、一時の変化、拡大、縮小、および前記の組
    み合わせから成るグループから選択される段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項456】 請求項451記載の方法であって、 前記の光放射段階の前記実行、前記入手、および前記解析を繰り返し、前記方
    法はさらに、前記比較段階からの前記第1プラズマ段階の前記第1終点のインジ
    ケータであるとして、前記波長段階の前記選択から、および少なくとも1つの前
    記波長の選択からの両結果を比較する段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項457】 請求項451記載の方法であって、 前記生成段階が、前記第1波長解像度に基づいて使用できる前記入手段階から
    の前記現在の光放射セグメントからの前記第1波長範囲内の前記波長の各々に対
    して前記プロットを生成する前記方法。 【請求項458】請求項451記載の方法であって、 特異な変化を有する前記プロットの1部分を含まない第1方程式によって前記
    識別段階からの前記プロットの少なくとも1部分を定義し、第1プラズマ処理段
    階の前記動作の連続する実行の前記第1終点は、前記波長の時間に合わせての強
    度変化のプロットが何時、前記第1方程式に基づくかということを根拠とし、前
    記の連続する実行からは、もはや前記第1方程式には合わない、 前記段階をさらに備えることを特徴とする前記方法。 【請求項459】 請求項454記載の方法であって、 特異な変化を有する前記プロットの1部分を含まない第1方程式によって前記
    識別段階からの前記プロットの少なくとも1部分を定義し、第1プラズマ処理段
    階の前記動作の連続する実行の前記第1終点は、前記第1方程式の派生的な出力
    が何時、事前に定義した量を超えて変化するかに基づく、 前記段階をさらに備えることを特徴とする前記方法。 【請求項460】 請求項454記載の方法であって、 前記解析段階は、 前記入手段階からの前記現在の光放射セグメントからの前記第1波長範囲内の
    複数波長用の強度対時間プロットを生成し、前記生成段階は、前記複数波長の各
    々の強度への前記実行段階の時間ベース効果を図示し、前記実行、前記入手、お
    よび前記解析段階は実行を備え、前記方法はさらに、 前記第1実行を実行し、 前記第2実行を実行し、ならびに 前記波長の前記プロットの少なくとも1部パターンが前記第1および第2実行
    の各々に対して実質的に同一で、そしてさらに前記第1および第2実行からの前
    記パターン間に第1変化があった前記第1および第2実行からの前記生成段階か
    らの少なくとも1つの前記波長を識別し、前記の第1変化は、強度変化、一時変
    化、拡大、縮小、および前記の組み合わせから成るグループから選択され、さら
    に前記選択段階は、前記第1プラズマ処理用の前記第1終点のインジケータの潜
    在的な候補として、前記識別段階からの少なくとも1つの前記波長を選択し、 を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項461】 請求項460記載の方法であって、 前記生成段階が、前記第1波長解像度に基づいて使用できる前記入手段階から
    の前記現在の光放射セグメントからの前記第1波長範囲内の前記波長の各々に対
    して前記プロットを生成する前記方法。 【請求項462】 請求項460記載の方法であって、さらに、 第1および第2実行段階の前記実行の各々に対して製造物を前記処理チャンバ
    に積み込み、前記第1実行からの前記製造物は、第1厚みを有し、前記第2実行
    からの前記製造物は、前記第1厚みと異なる第2厚みを有し、ならびに前記第1
    変化は前記一時変化を有する、 段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項463】 請求項450記載の方法であって、 前記解析段階が前記光放射セグメントの少なくともいくつかの強度ピークを識
    別して、前記識別段階からの前記強度ピークのいずれもが少なくとも実際上、前
    記第1終点が発生して相当する前記波長を示す必要のある時間頃に消滅するかど
    うかを判断し、前記選択段階が前記第1終点の前記終点インジケータとして前記
    の相当する前記波長の少なくとも1つを選択する前記方法。 【請求項464】 請求項450記載の方法であって、 前記解析段階は、前記光放射セグメントの少なくともいくつかの強度ピークが
    、前記第1終点が発生して、相当する前記波長を示す必要のある時間頃に現れる
    かどうかを判断し、前記選択段階が前記第1終点の前記終点インジケータとして
    前記の相当する前記波長の少なくとも1つを選択する前記方法。 【請求項465】 請求項450記載の方法であって、 前記解析段階が前記光放射セグメントの少なくともいくつかの強度ピークを識
    別して、前記識別段階からの前記強度ピークのいずれもが少なくとも実際上、前
    記第1終点が発生する必要のある時間頃に消滅するかどうかを判断し、さらに相
    当する前記波長を示す、 前記解析段階は、さらに前記光放射セグメントの少なくともいくつかの強度ピ
    ークが、前記第1終点が発生して相当する前記波長を示す必要のある時間頃に現
    れるかどうかを判断し、 前記選択段階が前記第1終点の前記終点インジケータとして前記の相当する前
    記波長の少なくとも1つを選択する前記方法。 【請求項466】 請求項450記載の方法であって、 前記解析段階は、前記第1終点が発生する必要のある時間頃に安定状態に到達
    する前記光放射セグメントからの強度ピークを識別し、さらに相当する前記波長
    を示し、前記選択段階が前記第1終点の前記終点インジケータとして前記の相当
    する前記波長の少なくとも1つを選択する前記方法。 【請求項467】 請求項450記載の方法であって、 前記解析段階は、前記第1終点が発生する必要のある時間頃までに、そして強
    度ピークをこうむった時間に安定状態であった前記光放射セグメントからの強度
    ピークを識別し、さらに相当する前記波長を示し、前記選択段階が前記第1終点
    の前記終点インジケータとして前記の相当する前記波長の少なくとも1つを選択
    する前記方法。 【請求項468】請求項450記載の方法であって、さらに、 前記処理チャンバでの前記実行段階の連続する実行が第1規格に従って進行し
    ているかどうかを評価するために使用する波長範囲を設定し、前記設定段階は前
    記選択段階に左右される、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項469】請求項468記載の方法であって、 前記設定段階からの前記波長範囲は、前記選択段階からの前記の少なくとも1
    つのインジケータ波長を含む方法。 【請求項470】 請求項468記載の方法であって、 設定段階からの前記波長範囲が少なくとも50ナノメータ帯域幅を含む方法。 【請求項471】 処理チャンバでのプラズマ処理をモニタする方法であっ
    て、 前記処理チャンバ内の第1プラズマ処理を実行し、 前記第1プラズマ処理中に第1帯域幅を有する第1波長領域を介して光放射デ
    ータを入手し、 第2帯域幅領域を有する第2波長領域を選択し、前記第2帯域幅は前記第1帯
    域幅よりも狭く、そして前駆第2波長領域は、全体的に前記第1波長領域内にあ
    り、 前記第1プラズマ処理に関連付けられている前記入手段階からの前記光放射デ
    ータの第1部分を使用して前記第1プラズマ処理の第1縦横比をモニタし、前記
    光放射データの前記第1部分は前記第2波長領域に制限される、 段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項472】 請求項471記載の方法であって、 前記第1波長領域が少なくとも約250〜約1,000ナノメータの範囲内波
    長を含み、ならびに 前記第1プラズマ処理に関連付けられている前記入手段階が、前記第1波長領
    域を介して少なくとも1ナノメータごとに、そして前記第1プラズマ処理の少な
    くともかなりの部分中に少なくとも1秒ごとに前記光放射データを入手する、 前記方法。 【請求項473】 請求項471記載の方法であって、 数え切れないほどの前記第2波長帯域幅を前記選択段階用に使用できる方法。 【請求項474】 請求項471記載の方法であって、 前記第1プラズマ処理は、前記第1プラズマ処理が第1の事前に定義した結果
    に影響を及ぼす場合の第1終点を備え、ならびに 前記モニタ段階が、前記第2波長領域を使用して前記第1終点用の前記プラズ
    マ処理をモニタする、 前記方法。 【請求項475】 請求項471記載の方法であって、 前記モニタ段階が、前記光放射データの前記第1部分を、同一の前記処理チャ
    ンバでの同一の前記第1プラズマ処理処理の優先実行からの光放射データと比較
    する前記方法。 【請求項476】 請求項475記載の方法であって、 前記第2波長帯域幅が少なくとも50ナノメータである前記方法。 【請求項477】 請求項471記載の方法であって、 前記光放射データに相当する光放射の強度は、前記第1プラズマ処理によって
    変化し、 前記モニタ段階がさらに前記光放射データ対時間の前記第1部分領域の第1プ
    ロットを生成し、ならびに 前記領域が前記第1プラズマ処理の時間に合わせてのある点に前記光放射デー
    タの第1部分の前記強度によって定義される、 前記方法。 【請求項478】 請求項477記載の方法であって、さらに 前記第1プロットを少なくとも1つのモニタに表示する段階を備えることを特
    徴とする前記方法。 【請求項479】 請求項477記載の方法であって、 前記モニタ段階がさらに前記光放射データ対時間の前記第1部分領域の第2プ
    ロットを生成する前記方法。 【請求項480】 請求項479記載の方法であって、さらに 前記第2プロットを少なくとも1つのモニタに表示する段階を備えることを特
    徴とする前記方法。 【請求項481】 請求項479記載の方法であって、さらに 事前に定義したイベントが前記第2プロットに関連して発生した場合は、前記
    第1プラズマ処理の第1終点を識別する段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項482】 請求項479記載の方法であって、 前記光放射データに相当する光放射の強度が前記第1プラズマ処理によって変
    化し、 前記モニタ段階がさらに前記光放射データ対時間の第1部分領域での変化の第
    1プロットを生成し、ならびに 前記領域が前記第1プラズマ処理の時間に合わせてのある点での前記光放射デ
    ータの前記強度によって定義される、 前記方法。 【請求項483】 請求項482記載の方法であって、さらに 事前に定義したイベントが前記プロットに関連して発生した場合は、前記第1プ
    ラズマ処理の第1終点を識別する段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項484】 請求項471記載の方法であって、さらに 第3帯域幅を有する第3波長領域を選択し、前記第3帯域幅は前記第1帯域幅
    よりも狭く、前記第3波長領域は全体的に前記第1波長領域内にあり、ならびに
    前記第2および第3波長領域は異なる、 前記方法。 【請求項485】 請求項484記載の方法であって、さらに 前記第3波長領域に制限される前記第1プラズマ処理からの前記光放射データ
    の第2部分を使用して前記第1プラズマ処理の第2縦横比をモニタし、前記第1
    プラズマ処理は、前記第1および第2縦横比を定義する第1および第2段階を備
    え、前記第1プラズマ処理の前記第1段階は、前記第1の事前に定義した結果を
    与え、そして前記第1プラズマ処理の前記第2段階は前記第1の事前に定義した
    結果と異なる第2の事前に定義した結果を与える、 前記段階を備えることを特徴とする方法。 【請求項486】 請求項484記載の方法であって、 前記モニタ段階がさらに前記第3波長領域に制限される前記入手段階からの前
    記光放射データの第2部分を使用して前記第1縦横比をモニタする前記方法。 【請求項487】 請求項471記載の方法であって、さらに 第1セットの光学部品を使用し、前記第1プラズマ処理に関連付けられている
    前記入手段階は第1セットの光学部品を使用する、段階を備え、前記方法は、さ
    らに 前記処理チャンバ内の第2プラズマ処理を実行し、 前記第1セットの光学部品を使用して前記第2プラズマ処理中に前記第1波長
    領域を介して光放射データを入手し、 第3波長帯域幅を有する第3波長領域を選択し、前記第3波長領域は全体的に
    前記第1波長領域内に入り、前記第3波長帯域幅は前記第1波長幅よりも狭く、
    そして前記第3波長領域は前記第2波長帯域幅とは異なり、ならびに 前記第3波長領域に制限される前記第2プラズマ処理に関連付けられている入
    手段階からの前記光放射データの部分を使用して前記第2プラズマ処理の少なく
    とも1つの縦横比をモニタする、 段階を備える前記方法。 【請求項488】 請求項471記載の方法であって、さらに 前記入手段階からの前記光放射データをコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
    に保存し、ならびに 前記光放射データの前記第1部分を前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体
    から取り出し、前記モニタ段階は前記選択段階に応じて実行され、そして前記モ
    ニタ段階は前記取り出し段階を使用する、 前記段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項489】 請求項471記載の方法であって、さらに 第1および第2データ・フィールドをモニタに表示し、前記第2波長領域の極
    限が前記第1および第2波長で定義すると、前記選択段階は第1波長を前記第1
    データ・フィールドに入力し、そして第2波長を第2データ・フィールドに入力
    する、 前記段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項490】 第1プラズマ処理に関連付けられている第1終点を識別
    するために第1波長領域を選択するための方法であって、前記第1終点は、第1
    の事前に定義した結果が前記第1プラズマ処理によって影響を及ぼされる場合で
    あり、そして前記第1波長領域は、前記第1波長領域の極限間で定義される第1
    帯域幅を有し、前記方法は、 第1処理チャンバ内の前記第1プラズマ処理を実行し、 前記実行段階中に第2波長領域を介して光放射データを入手し、前記光放射デ
    ータに相当する光放射の強度は前記第1プラズマ処理中に変化し、そして前記第
    2波長領域は、前記第2波長領域の極限間で定義される第2帯域幅を有し、 前記第2波長帯域幅より狭い第3波長帯域幅を選択し、 前記第2波長領域内の複数の異なる終点評価波長領域用のプロット段階を実行
    し、前記終点評価波長領域の各々は前記第3帯域幅で定義され、そして各前記終
    点評価波長領域用の前記プロット段階は、前記光放射データの1部分領域での変
    化プロットを生成する段階を備え、前記領域は、前記プラズマ処理の時間に合わ
    せてのある点での前記光放射データの前記部分の前記強度によって定義され、な
    らびに プロット段階の前記実行によって与えられる前記プロットの精査から前記第1
    波長領域を選択し、 前記段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項491】 請求項490記載の方法であって、 前記第2波長領域が少なくとも約250〜約1,000ナノメータの範囲内
    波長を含み、ならびに 前記入手段階が前記第2波長領域を介して少なくとも1ナノメータごとに、そ
    して前記第1プラズマ処理の少なくともかなりの部分中に少なくとも1秒ごとに
    前記光放射データを入手する、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項492】 請求項490記載の方法であって、 前記第3波長帯域幅が約5ナノメータである前記方法。 【請求項493】 請求項490記載の方法であって、 前記第3波長帯域幅が約10ナノメータを越えない前記方法。 【請求項494】 請求項490記載の方法であって、 近接の前記終点評価波長領域が重なり合う前記方法。 【請求項495】請求項490記載の方法であって、 各終点波長領域が第1極限から第2極限に延ばし、各前記第1および第2極限
    は特定波長に相当し、そして極限間の距離は前記第3波長帯域幅に相当し、前記
    方法は、前記複数の終点評価波長領域を選択するための第1パターンを使用する
    段階を備え、前記第1パターンは第1波長で開始し、現在の前記終点評価波長領
    域を定義するために前記の第3波長帯域幅を前記第1波長に加え、新しい前記現
    在の終点評価波長領域を定義するために第3波長帯域幅を前記現在の終点評価波
    長領域の前記第2極限に加え、そして前記第3波長帯域幅を前記第2極限段階に
    加えることを複数回繰り返す、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項496】 請求項490記載の方法であって、 前記波長領域が少なくとも約250〜約1,000ナノメータの範囲内波長を
    含み、 前記入手段階が前記第1波長領域を介して少なくとも1ナノメータごとに、そ
    して前記第1プラズマ処理の少なくともかなりの部分中に少なくとも1秒ごとに
    前記光放射データを入手し、ならびに 前記複数の終点評価波長領域は、250〜255ナノメータ、255〜260
    ナノメータ、260〜265ナノメータ、265〜270ナノメータ、以後同様
    に少なくとも1,000波長までとする、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項497】 請求項490記載の方法であって、 前記第1波長領域段階の前記選択は、前記第1終点が発生する必要のある時間
    頃にあるイベントを経験する前記プロットの少なくとも1つを識別し、そして前
    記第1終点を識別するための前記第1波長領域としての前記プロットの少なくと
    も1つに相当する前記終点評価波長領域を使用する、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項498】 請求項490記載の方法であって、 前記第1波長領域段階の前記選択は、前記第1終点が発生する必要のある時間
    頃にあるイベントを経験する前記プロットの少なくとも1つを識別し、そして第
    1終点候補として相当する前記終点評価波長領域を識別し、前記終点グループ化
    内の前記第1終点候補間の波長分離は、約10ナノメータを超えない終点グルー
    プ化に各前記第1終点候補をグループ化し、ならびに前記終点グループの1つの
    グループ内最小波長と、同一の前記終点グループ内の最大波長との間にあるよう
    に前記第1終点を識別するための前記第1波長領域を定義する、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項499】 プラズマ処理をモニタするための方法であって、 第1処理チャンバ内の第1プラズマ処理を始動し、 前記プラズマ処理の光放射データを入手し、 前記入手段階からの前記光放射データをコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
    に保存し、 前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されているプラズマ・モニタ
    ・モジュールを使用して第1モニタ段階を実行し、第1モニタ段階の前記実行は
    、前記入手段階からの前記光放射データの少なくとも1部分を使用して前記第1
    プラズマ処理の少なくとも1つの縦横比をモニタし、 前記第1プラズマ処理を終了し、 第1モニタ段階の前記実行後、前記プラズマ・モニタ・モジュールに関して少な
    くとも1つの調整を行ない、ならびに 少なくとも1つの調整段階を行なった後、前記プラズマ・モニタ・モジュール
    を使用して第2モニタ段階を実行し、第2モニタ段階の前記実行は、前記コンピ
    ュータ読み取り可能な記憶システムからの前記光放射データの少なくとも1部分
    を使用して前記第1プラズマ処理の少なくとも1つの縦横比をモニタする、 ことの前記段階を備えることを特徴とする前記方法。 【請求項500】 請求項499記載の方法であって、 前記入手段階は、約250〜約1,000ナノメータの範囲内波長を少なくと
    も含む第1波長領域に実行され、ならびに 前記入手段階は、前記第1波長領域を介して少なくとも1ナノメータごとに、
    そして前記第1プラズマ処理の少なくともかなりの部分中に少なくとも1秒ごと
    に前記光放射データを入手する、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項501】 請求項499記載の方法であって、 前記第1プラズマ処理は、前記第1プラズマ処理が第1の事前に定義した結果
    に影響を及ぼしたときの第1終点を備え、第1モニタ段階の前記実行に関連付け
    られている少なくとも1つの局面は、前記第1終点の発生用の前記第1プラズマ
    処理をモニタし、ならびに第2モニタ段階の前記実行に関連付けられている少な
    くとも1つの局面は、同様に前記第1終点の発生用の前記第1プラズマ処理をモ
    ニタする、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項502】 請求項499記載の方法であって、 第1モニタ段階の前記実行は、前記入手段階からの前記光放射データの少なく
    とも1部分を同一前記処理チャンバ内の同一前記第1プラズマ処理の優先実行か
    らの光放射データと比較し、ならびに 第2モニタ段階の前記実行は、前記入手段階からの前記光放射データの少なく
    とも1部分を同一前記処理チャンバ内の同一前記第1プラズマ処理の優先実行か
    らの光放射データと比較する、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項503】 請求項499記載の方法であって、 前記製造は、少なくとも1つの調整段階を備え、前記段階は、前記プラズマ・
    モニタ・モジュールの少なくとも1つのパラメータを変更し、第2モニタ段階の
    前記実行によって使用される前記第1プラズマ処理の前記光放射データの波長か
    ら成るグループから選択され、そして第1モニタ段階の前記実行によって使用さ
    れる波長領域とは異なり、前記第1プラズマ処理の前記光放射データの波長領域
    と、前記波長領域は、第2モニタ段階の前記実行によって使用され、第2モニタ
    段階によって使用される波長領域とは異なり、第2モニタ段階の前記実行によっ
    て使用されるモニタ・テクニックと、前記モニタ・テクニックは、第1モニタ段
    階によって使用されるモニタ・テクニックとは異なり、第2モニタ段階の実行が
    前記第1プラズマ処理を始動する時間と、前記時間は、第1モニタ段階の前記実
    行が前記第1プラズマ処理を始動する時間とは異なり、前記第1プラズマ処理の
    時間と、前記時間は、前記プラズマ処理に関連付けられている第1終点が第2モ
    ニタ段階の実行によって呼ばれないかも知れなくなる前の時間であり、前記時間
    は、前記第1プラズマ処理に関連付けられている前記第1終点が第1モニタ段階
    の前記実行によって呼ばれないかも知れない前の前記第1プラズマ処理の時間と
    は異なり、第2モニタ段階の前記実行によって呼ばれないかも知れない後の前記
    第1プラズマ処理での時間と、前記時間は、前記第1終点が第1モニタ段階の前
    記実行によって呼ばれないかも知れない後の時間とは異なり、ならびに前記の組
    み合わせと、前記第1終点は、前記プラズマ処理が第1の事前に定義した結果に
    影響を及ぼした時である、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項504】 請求項499記載の方法であって、 少なくとも1つの調整段階の実行後、第2モニタ段階の前記実行が前記プラズ
    マ・モニタ・モジュール用の前記第1プラズマ処理を再実行する、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項505】 請求項499記載の方法であって、 前記第1処理チャンバが第1クリーン・ルームに配置され、ならびに 第2モニタ段階の前記実行は、前記第1クリーン・ルーム外で実行される、 ことを特徴とする前記方法。 【請求項506】 請求項499記載の方法であって、 複数のチャンバ・クラスタと、各前記チャンバ・クラスタは、少なくとも1つ
    のプラズマ処理チャンバを備え、 指定された前記チャンバ・クラスタの前記処理チャンバの少なくとも1つに相
    互接続されている少なくとも1つのプラズマ・モニタ・システムと、 少なくとも1つのクリーン・ルームを備えるクリーン・ルーム・システムと、
    各チャンバ・クラスタは前記クリーン・ルーム・システム内に収納され、 各前記チャンバ・クラスタの前記プラズマ・モニタ・システムに効力的に相互
    接続されているマスタ・リモート・ステーションと、前記マスタ・リモート・ス
    テーションは、前記クリーン・ルーム・システム外に配置され、ならびに 各前記チャンバ・クラスタ用の独立型チャンバ・クラスタ・リモート・ステー
    ションと、前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステーションは、前記チャンバ
    ・クラスタに関連付けられている前記の少なくとも1つの前記プラズマ・モニタ
    ・システムに効力的に相互接続され、前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステ
    ーションは、前記クリーン・ルーム・システム外に配置されて第2ディスプレイ
    および第2データ・エントリ装置を備え、ならびに各前記チャンバ・クラスタ・
    リモート・ステーションは、唯一単一の前記チャンバ・クラスタの各前記プラズ
    マ・モニタ・システムと相互接続される、 を備えることを特徴とする前記システム。 【請求項507】 請求項506記載のシステムであって、 前記複数のチャンバ・クラスタの各々が同一の前記クリーン・ルームに配置さ
    れる前記方法。 【請求項508】 請求項506記載のシステムであって、 第1前記チャンバ・クラスタは第1前記クリーン・ルーム内に、そして第2前
    記チャンバ・クラスタは第2前記クリーン・ルーム内に配置される前記方法。 【請求項509】 請求項506記載のシステムであって、 前記マスタ・リモート・ステーションは、前記第1前記チャンバ・クラスタ用
    の前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステーションより第1前記チャンバ・ク
    ラスタの前記プラズマ・モニタ・システムに対して異なるアクセス権を有してい
    る前記システム。 【請求項510】 請求項506記載のシステムであって、 前記マスタ・リモート・ステーションは、前記第1チャンバ・クラスタ用の前記
    チャンバ・クラスタ・リモート・ステーションよりも高いアクセス権を有してい
    る前記システム。 【請求項511】 請求項506記載のシステムであって、 第1の前記チャンバ・クラスタ用の前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステ
    ーションは、前記第1の前記チャンバ・クラスタ用の前記プラズマ・モニタ・シ
    ステムに対して第1アクセス権を有し、 第2前記チャンバ・クラスタ用の前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステー
    ションは、前記第2前記チャンバ・クラスタ用の各前記プラズマ・モニタ・シス
    テムに対して第2アクセス権を有し、ならびに 前記第1および第2アクセスは、規模がことなる、 ことを特徴とする前記システム。 【請求項512】 請求項506記載のシステムであって、 各前記プラズマ・モニタ・システムは、複数のモジュールを備え、 前記マスタ・リモート・ステーションは、各前記プラズマ・モニタ・システム
    の前記複数モジュールの各々に対してアクセス権を有し、 各前記チャンバ・クラスタ用の前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステーシ
    ョンは、関連する前記プラズマ・モニタ・システムの前記複数モジュールの1部
    分にのみアクセス権を有する、 ことを特徴とする前記システム。 【請求項513】 請求項506記載のシステムであって、 各前記プラズマ・モニタ・システムは、データ・プレーヤ・モジュール、統計
    解析モジュール、制御モジュール、およびデータ精査モジュールを備え、指定さ
    れた前記チャンバ・クラスタの指定された前記プラズマ・モニタ・システムの前
    記データプレーヤ・モジュールは、前記の指定された前記プラズマ・モニタ・シ
    ステムに変更を加えた後、前記の指定された前記プラズマ・モニタ・システムを
    介して再実行される前記の指定された前記チャンバ・クラスタ内の前記処理チャ
    ンバの1つに実行されたプラズマ処理にデータを許容し、前記の指定された前記
    プラズマ・モニタ・システムの前記統計解析モジュールは、少なくとも1つのタ
    イプの統計解析を前記の指定された前記チャンバ・クラスタに関連して実行する
    ことができ、前記の指定された前記プラズマ・モニタ・システムの前記制御モジ
    ュールは、前記の指定された前記プラズマ・モニタ・システムの少なくとも1つ
    の使用パラメータを修正でき、ならびに前記の指定された前記プラズマ・モニタ
    ・システムの前記データ精査モジュールは、前記に指定された前記チャンバ・ク
    ラスタ内で現在実行されているプラズマ処理のリアルタイム精査を行なえる、 ことを特徴とする前記システム。 【請求項514】 請求項513記載のシステムであって、 前記チャンバ・クラスタ・リモート・ステーションは、関連する前記プラズマ
    ・モニタ・システムの制御モジュールに対してはアクセス権を有していない、 ことを特徴とする前記システム。
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