JP2003522288A - Electrode and its application of the semiconductor electroplating device - Google Patents

Electrode and its application of the semiconductor electroplating device

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パスウオーター,ブレント
バツ,ロバート・ダブリユー,ジユニア
ハンセン,カイル・エム
ピース,ステイーブン・エル
ブレツク,マーテイン・シー
ホーゲン,クリス・ケイ
ラドロフ,ラリー・アール
リツツドーフ,トーマス・エル
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Abstract

(57)【要約】 電気メッキすべきウエハの表面を支えるのに有用なウエハ接触電極アセンブリー(24)が記載されている。 (57) Abstract: Useful wafer contacts the electrode assembly to support the surface of the wafer to be electroplated (24) is described. これらの指状部材(235)は、ウエハ(55)の表面の壁面を電気メッキするためにウエハ(55)と対応する陽極との間に電力を供給するのに必要な電気的接触部材になる。 These finger-like members (235) will electrical contact member required to power between for electroplating a wall surface of the wafer (55) a wafer (55) and the corresponding anode . このような伝導性の指状部材(235)は、現存の指状部材を用いる電気メッキ装置および方法を使用してつくられた製品に比べ表面の不規則性が少ない電気メッキ製品を製造するのに有用である。 Such conductive finger member (235) is for producing electroplated product is less surface irregularities as compared to products made using an electroplating apparatus and method using the finger-shaped member existing it is useful to. 特に本発明記載の電極は半導体ウエハに銅をメッキする電気メッキ装置および方法に有用である。 In particular the electrode according to the invention is useful in an electroplating apparatus and method for plating copper on a semiconductor wafer.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【関連出願の相互参照】 本出願は1997年9月30日付けの現在出願中の米国特許願08/____ DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] [CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS This application is US Patent Application 08 / ____ in the current application dated September 30, 1997
_号(代理人事件番号SE10−0139、米国速達郵便ラベル番号EM025 _ No. (Attorney Docket No. SE10-0139, US express mail label number EM025
335115);1997年9月30日付けの現在出願中の米国特許願08/_ 335115); 1997 September 30, dated currently pending US Patent Application 08 / _
____号(代理人事件番号SE10−0122、米国速達郵便ラベル番号EM ____ No. (Attorney Docket No. SE10-0122, US express mail label number EM
0253335067);1997年9月30日付けの現在出願中の米国特許願08/_____号(代理人事件番号SE10−0123、米国速達郵便ラベル番号EM0253335075);1997年9月30日付けの現在出願中の米国特許願08/_____号(代理人事件番号SE10−0125、米国速達郵便ラベル番号EM0253335098);1997年9月30日付けの現在出願中の米国特許願08/_____号(代理人事件番号SE10−0127、米国速達郵便ラベル番号EM0253335084)の一部継続出願である。 0253335067); 1997 September 30, with the current US patent application 08 / _____ issue of pending (Attorney Docket SE10-0123, US express mail label number EM0253335075); 9 May 30, dated currently pending 1997 of US Patent application 08 / _____ No. (Attorney Docket No. SE10-0125, US express mail label number EM0253335098); 1997 September 30, with the current US patent application 08 / _____ issue of pending (Attorney Docket No. SE10 -0127, which is a continuation-in-part application of US express mail label number EM0253335084). これらの特許願は参考のために添付されている。 These patent applications are attached for reference. 【0002】 (アメリカ合衆国連邦政府による支援研究または開発関連事項) なし。 [0002] (United States federal government by supporting research or development-related matters) None. 【0003】 【本発明の背景】 半導体ウエハから半導体の集積回路および他の半導体製品を製造する際、多くの場合集積回路上の種々の装置を他の装置に電気的に連結する相互連結用の金属メッキとしての役目をする多重金属層をウエハ上につくることが必要である。 [0003] semiconductor wafer BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor integrated circuits and other when manufacturing semiconductor products, many of the various devices on which the integrated circuit to other devices for interconnecting electrically connecting it is necessary to create a multi-metal layer which serves as a metal plating on the wafer. 伝統的にはアルミニウムがこのような相互連結に使用されてきたが、現在は銅メッキが好適なことが認められている。 Traditionally Aluminum has been used for such interconnection, now copper plating has been observed that preferred. 【0004】 半導体ウエハ上に銅を被覆することは、特に極めて大きな技術的挑戦であるとされて来た。 [0004] coating the copper on a semiconductor wafer, it came been a particularly tremendous technical challenges. 現在半導体装置の上に銅の層をつくる問題は、信頼性のあるコスト的に効率の良い方法による解決がなされていないために、銅メッキは完全に商業的に完成した形で実現されているとは言えない。 Problem to make a layer of copper on top of the current semiconductor device, because the resolution by cost-effective manner a reliable not been, copper plating is implemented in a fully commercially completed form It can not be said. 【0005】 従来当業界においては装飾電気メッキ法(象眼メッキ法)を使用して銅をメッキする方法が探索されて来た。 [0005] The method of plating copper using decorative electroplating method (inlaid plating method) in the prior art came been explored. この方法では銅のパターンをつくることが望まれるホール、普通にはヴァイア(via)、トレンチ(trench)等と呼ばれる部分および他の凹部が使用される。 Hole it is desired in this method of making a pattern of copper, usually at vias (Via), is part and another recess called trench (Trench) or the like is used. 装飾メッキ法では、先ずウエハに金属の種子層を取り付け、以後の金属を電気メッキする工程ではこれを使用して電流を導く。 A decorative plating method, first wafer mounting seed layer of the metal, directing current using this in the process of electroplating a subsequent metal. 種子層は非常に薄い金属の層であり、一回または多数回の工程で取り付けることができる。 Seed layer is a very thin layer of metal, it may be attached in a single or multiple steps. 例えば物理的な蒸着法または化学的な蒸着法を用いて金属の種子層を沈着させ、厚さ1000Å程度の層をつくることができる。 For example, using a physical vapor deposition or chemical vapor deposition to deposit the seed layer of the metal, it is possible to make a layer having a thickness of about 1000 Å. 種子層は銅、金、ニッケル、パラジウムおよび大部分のまたはすべての他の金属から有利につくることができる。 Seed layer may be made advantageously of copper, gold, nickel, palladium and most or all other metals. 種子層はヴァイア、トレンチまたは凹みになった他の装置的な機能部材の存在によって複雑化した表面の上につくられる。 Seed layer vias are made on the complex surface by the presence of other device functions member became trench or recess. 【0006】 装飾メッキ法においては、種子層の上に電気メッキされる銅の層は素地(bl [0006] In the decorative plating method, a layer of copper is electroplated on top of the seed layer matrix (bl
anket)層の形をしている。 In the form of anket) layer. 素地層は上塗層をつくる程度までメッキされ、 Green layer is plated to the extent of making a topcoat layer,
最終的にはトレンチおよびヴァイアを充填しその上に或る一定量だけ延びた完全な銅の層が与えるられる。 Ultimately it is give a layer of full copper extends by a certain amount over the filled trenches and vias. このような素地層は典型的には厚さが10,000〜 Such substrate layer has typically a thickness of the 10,000
15,000Å(1〜1.5μ)程度である。 It is about 15,000Å (1~1.5μ). 【0007】 素地層を半導体ウエハに電気メッキした後、ヴァイア、トレンチまたは他の凹部の外側にある過剰の金属材料を除去する。 [0007] After the electroplating substrate layer on a semiconductor wafer, vias, to remove excess metal material outside the trenches or other recesses. 金属を除去すると製作される半導体集積回路の中に或るパターンが賦与された金属層が得られる。 Metal layer a pattern is imparted in a semiconductor integrated circuit to be fabricated upon removal of metal is obtained. メッキされた過剰の金属は例えば化学機械的平面化法(planarization)を使用して除去することができる。 Excess metal plated can be removed using, for example, chemical mechanical planarization method (planarization). 化学機械的平面化法は化学的除去剤および露出した金属表面を摩耗させ研磨する研摩材の作用を組み合わせ、電気メッキ工程で被覆された金属層の望ましくない部分を除去する処理工程である。 Chemical mechanical planarization method is the process step of removing the unwanted portion of the chemical removal agent and exposed metal surfaces abrading combining action of abrasive polishing, metal layer coated by electroplating step. 【0008】 半導体ウエハの電気メッキを行なう場合、陽極をメッキ浴の中に入れ、種子層を被覆したウエハを陰極として使用し、メッキすべきウエハの面をメッキ浴の上面に接触させる。 [0008] When performing the electroplating of semiconductor wafers placed an anode in a plating bath, the wafer coated with the seed layer was used as a cathode, contacting the surface of the wafer to be plated on the upper surface of the plating bath. ウエハに必要な陰極電位を与える支持システムによって半導体ウエハを保持する。 Holding a semiconductor wafer by a support system that provides cathodic potential required for the wafer. この支持システムは、ウエハを適切な位置に固定し且つウエハと接触してメッキ操作の電流を通す伝導性の指状部材を具備している。 The support system includes a finger member of conductivity and securing the wafer in position in contact with the wafer through the current of the plating operation. 【0009】 本発明においては、沈着した金属層の均一性に対して半導体と電極との接触が重要であることが見出された。 [0009] In the present invention, the contact between the semiconductor and the electrode was found to be important for the uniformity of the deposited metal layer. 電極の接触が不適当であると、一つのウエハ上におけるメッキ層が不均一になり、それによってウエハ毎の均一性が悪くなる。 When the contact of the electrodes is inappropriate, the plating layer on one of the wafer becomes non-uniform, the uniformity of each wafer is deteriorated thereby. 本発明においては電極の接触に関する種々の問題が認識され、上記の多くの問題に対する解決が与えられている。 In the present invention various problems are recognized regarding contact electrodes, solutions to the above many problems is given. 【0010】 【本発明の簡単な要約】 本明細書においては電気メッキすべきウエハの表面を支持するのに有用なウエハ接触電極アセンブリーが記載されている。 [0010] wafer contact electrode assembly useful for supporting a surface of the wafer to be electroplated in BRIEF SUMMARY OF THE INVENTION The present specification is described. このような指状部材は、ウエハのすべての表面を電気メッキするために、ウエハと対応する陽極との間に電力を与えるのに必要な電気的な接触を提供する。 Such finger-like member, in order to electroplate the entire surface of the wafer, to provide electrical contact necessary to provide power during the wafer and the corresponding anode. このような伝導性の指状部材は、既存の伝導性の指状部材を用いる電気メッキ装置および方法によってつくられた製品に比べ、表面の不規則性が少ない電気メッキ製品を製造するのに有用である。 Such conductive finger-like member, compared with a product made by an electroplating apparatus and method using an existing conductive fingers member, useful for making electroplated product is less surface irregularities it is. 特に、本明細書に記載された電極は、半導体ウエハの銅メッキを行なう電気メッキ装置およびその方法に有用である。 In particular, the electrodes described herein are useful in an electroplating apparatus and method performing copper plating of the semiconductor wafer. 【0011】 本明細書において記載された種々の伝導性電極の構造は、一つまたはそれ以上の個別的な特徴をもっているために、半導体ウエハを電気メッキするのに有利である。 [0011] structures of various conductive electrode as described herein, in order to have one or more individual features, it is advantageous to semiconductor wafers to electroplating. このような特徴の中には下記のすべての特徴の中の一つまたはそれ以上が含まれる。 Such Some features include one or more of all of the following features. (1)この構造では局部的な電流密度の制御、並びにメッキすべきウエハの全表面を横切る電流密度の制御が可能である。 (1) In this structure local current density control, as well as it is possible to control the current density across the entire surface of the wafer to be plated. (2)この構造ではウエハに対し均一なメッキ層を被覆することが容易になる。 (2) coating a uniform plating layer with respect to the wafer is facilitated in this structure. (3)この構造では電極の接触区域が密封でき、従ってメッキ浴に対する電極の露出が減少し、そのため電極のメッキおよび電極上に生成する沈積物が減少する。 (3) can seal the contact area of ​​the electrode in this structure, therefore exposing the electrode is reduced with respect to the plating bath, deposits are reduced to produce on plating and electrode therefor electrodes. (4)この構造では指状部材および接触区域の所またはその周りでの局所的な高い電流密度が減少し、従って一層均一な電流分布が得られる。 (4) In this construction reduces high localized current density at or around the finger members and contact areas, thus obtained a more uniform current distribution. このような因子は電気メッキ工程中メッキ表面の不規則性を減少させるのに貢献することができる。 Such factors can contribute to reduce the irregularities in the electroplating process in the plating surface. その結果半導体ウエハ上に高品質のメッキ層を得ることができる。 As a result it is possible to obtain a high quality plating layer on a semiconductor wafer. また本明細書記載の指状部材を使用すればバッチ製造法において各ウエハ毎の均一性が高くなる。 The uniformity of each wafer in a batch process is increased The use of the finger-like members described herein. 【0012】 本発明はまた本明細書記載の伝導性の指状部材を具備した電気メッキ装置、該伝導性の指状部材を使用する電気メッキ法に関し、さらに本明細書記載の伝導性の指状部材を使用する装置および方法によって製造された半導体ウエハに関する。 [0012] The present invention also electroplating device provided with the conductive finger member described herein relates to an electroplating method using said transmission-conductive finger member further conductive described herein finger Jo member to a semiconductor wafer manufactured by the apparatus and method of use. 【0013】 【詳細な説明】 図1は、例えば半導体ウエハ55上にパターンが賦与された或いは素地の銅メッキ層のようなメッキ層を電気メッキするための、一般的に50で示されたメッキシステムの模式的ブロック図である。 [0013] DETAILED DESCRIPTION FIG. 1, for example, for electroplating a plating layer such as a pattern on the semiconductor wafer 55 is endowed or copper plating layer of base material, generally plating indicated by 50 it is a schematic block diagram of a system. 図示のシステムは一般に主電気メッキ制御システム65と連絡した監視システム60を備えている。 The illustrated system generally includes a monitoring system 60 in communication with the main electroplating control system 65. この監視システム6 This monitoring system 6
0は、半導体ウエハ55の上につくられる特定の製品が電気メッキ装置70へ入れられる前にこれを識別するのに使用される。 0, specific products made on the semiconductor wafer 55 is used to identify this before being placed into an electroplating apparatus 70. 監視システム60によって与えられる情報を用い、主電気メッキ制御システム65はウエハ55上のメッキ層を電気メッキするために電気メッキ装置70で使用される種々のパラメータを設定することができる。 Using information provided by the monitoring system 60, the main electroplating control system 65 is able to set various parameters used in the electroplating apparatus 70 in order to electroplate the plating layer on the wafer 55. 【0014】 図示のシステムにおいては、電気メッキ装置70は一般に電気メッキ室75、 [0014] In the illustrated system, the electroplating apparatus 70 generally electroplating chamber 75,
ローターアセンブリー80およびステーターアセンブリー85を具備している。 And it comprises a rotor assembly 80 and stator assembly 85.
ローターアセンブリー80は半導体ウエハ55、電流制御システム90、および集電アセンブリー(current thief assembly)95を支えている。 Rotor assembly 80 bears the semiconductor wafer 55, a current control system 90 and the collector assembly (current thief assembly) 95,. ローターアセンブリー80、半導体ウエハ55、電流制御システム9 Rotor assembly 80, the semiconductor wafer 55, the current control system 9
0、および集電アセンブリー95はステーターアセンブリー85に対し一緒に回転するように配置されている。 0, and collector assembly 95 is disposed for rotation with respect to stator assembly 85. 電気メッキ室75は陽極アセンブリー100を収納しており、半導体ウエハ55を電気メッキするのに使用される溶液105を含んでいる。 Electroplating chamber 75 is housed an anode assembly 100 includes a solution 105 that is used to electroplate the semiconductor wafer 55. 【0015】 ステーターアセンブリー85はローターアセンブリー80およびそれに付属した機素を支えている。 [0015] The stator assembly 85 is supported Kimoto that came with it 80 and the rotor assembly. ステーター制御システム110はステーターアセンブリー85に対し固定した関係で配置することができる。 Stator control system 110 may be arranged in a fixed relationship relative to stator assembly 85. ステーター制御システム11 Stator control system 11
0は主電気メッキ制御システム65と連絡し、半導体ウエハ55の上に製作される半導体装置の特定の型の識別に関する情報を受取ることができる。 0 communicates with the main electroplating control system 65 may receive information regarding the identification of the particular type of semiconductor device fabricated on a semiconductor wafer 55. ステーター制御システム110はさらに電磁波の通信回線115を含み、これは集電アセンブリー95の個々の部分の所で電流(従って電流密度)を制御するために電流制御システム90によって使用される電流制御システム90の対応する電磁波通信回線120に対し情報をやり取りするのに使用することが好ましい。 Stator control system 110 further includes a communication line 115 of the electromagnetic wave, which is the current control system 90 that is used by the current control system 90 for controlling the current (and therefore current density) at the individual parts of the collector assembly 95 it is preferable that the corresponding use to communicate information to the electromagnetic wave communication line 120. 集電アセンブリー95、ローターアセンブリー80、ステーター制御システム110および電流制御システム90の特定の構造に関してはU. Collector assembly 95, rotor assembly 80, U. for specific structure of the stator control system 110 and the current control system 90 S. S. S. S. N. N. ______( ______ (
代理人事件番号11829US01)に詳細に記載されている。 It is described in detail in attorney docket number 11829US01). 【0016】 操作を行なう場合、プローブ122を半導体ウエハ55に接触させる。 [0016] When performing an operation, contacting the probe 122 to the semiconductor wafer 55. 次に半導体ウエハ66を、例えばステップ・モーターまたは同様物により、半導体ウエハ55の下方の表面が溶液105と最初に接触するまで僅かずつ溶液105の中へと下降させる。 Then the semiconductor wafer 66, for example by a step motor or similar material, the surface of the lower semiconductor wafer 55 is lowered to in the weak portions solution 105 until the first contact with the solution 105. このような最初の接触は、例えば半導体ウエハ55の中を通る電流として測定されるような溶液105を通る電流を検出することによって感知することができる。 Such initial contact can be sensed by detecting a current through the solution 105 as measured as the current through the inside of the semiconductor wafer 55, for example. このような検出はステーター制御システム10、主電気メッキ制御システム65または電流制御システム90によって実現することができる。 Such detection can be implemented by the stator control system 10, the main electroplating control system 65 or the current control system 90. しかしステーター制御システム110によってこの検出を行なうことが好ましい。 However, it is preferable to perform the detection by the stator control system 110. 【0017】 溶液105の表面と半導体ウエハ55の下方の面との間で最初の接触が起こったら、僅かだけウエハ55を溶液105から持ち上げることが好ましい。 [0017] Solving initial contact between the lower surface of the surface of the semiconductor wafer 55 in the solution 105, preferably lifted only slightly the wafer 55 from the solution 105. 溶液1 Solution 1
05の表面張力によってメッキすべき半導体ウエハ55の下方の表面と接触したメニスカスが生じる。 Meniscus in contact with the lower surface of the semiconductor wafer 55 to be plated by the surface tension of 05 occurs. このメニスカスの性質を利用することにより、ウエハ55 By utilizing this property of the meniscus, the wafer 55
の側方部分のメッキが抑制される。 Plating side part is suppressed. メッキ面に所望のメニスカスが生じた後、ウエハの電気メッキを開始することができる。 After the desired meniscus occurs in the plated surface, it is possible to start the electroplating of the wafer. 【0018】 図1に示すシステムには集電アセンブリーを組み込むことができる。 [0018] The system shown in FIG. 1 may incorporate collector assembly. 図2は集電アセンブリー95およびローターアセンブリー80を含むこのようなシステムの一具体化例を示す。 Figure 2 shows an embodiment example of such a system including a collector assembly 95 and rotor assembly 80. 本発明のウエハ電極接触部材はこのようなシステムと組み合わせて使用することができる。 Wafer electrode contact member of the present invention may be used in conjunction with such systems. 【0019】 図示のように、集電アセンブリー95はウエハ55の全周辺縁部の周りに延びた多数の伝導性部分130を具備している。 [0019] As shown, the collector assembly 95 is provided with a plurality of conductive portions 130 extending around the entire peripheral edge of the wafer 55. 集電アセンブリー95はローターアセンブリー80と一緒に回転するように配置されている。 Collector assembly 95 is arranged to rotate with the rotor assembly 80. 図2を参照すれば、プリント回路板135がローターアセンブリー80のハブ210の表面に取り付けられている。 Referring to FIG. 2, the printed circuit board 135 is attached to the surface of the hub 210 of the rotor assembly 80. この回路板135は絶縁用の集電スペーサー215によってハブ2 The circuit board 135 is the hub 2 by the collector spacers 215 for insulation
10から間隔をおいて配置され、多数の固定具220を用いてスペーサー215 Arranged from 10 at a distance, the spacer 215 using a number of fasteners 220
に固定されている。 It has been fixed. スペーサー215は次にスペーサー215とハブ210の両方の固定用の孔225を通って延びた固定具220を使用してローターアセンブリー80のハブ210に固定されている。 The spacer 215 is fixed to the hub 210 of the rotor assembly 80 using the next spacer 215 and fasteners 220 extending through the holes 225 of both the fixing of the hub 210. 【0020】 またローターアセンブリー80のハブ210には、電気メッキ工程中にウエハ55をローターアセンブリー80に固定するための多数の支持部材が取り付けられている。 Further the hub 210 of the rotor assembly 80 includes a plurality of support members for fixing the wafer 55 to the rotor assembly 80 is mounted in the electroplating process. 図示の具体化例においては、支持部材はハブの表面から延びウエハ5 In embodiment example shown, the support member wafer 5 extends from the surface of the hub
5の後側と係合した絶縁用の突起230、および多数の伝導性のウエハ電極23 Side engaged with projections 230 for insulation after 5 and a number of conductive wafer electrodes 23,
5を具備している。 5 is equipped with a. この具体化例の電極235は一般にJ字形の鉤の形をし、メッキすべきウエハの表面上の種子層と接触している。 Electrode 235 of this embodiment example is generally in the shape of a hook of the J-shaped, in contact with the seed layer on the surface of the wafer to be plated. 好ましくは各区画130および電極235にはそれぞれ好ましくは回路板135の上に配置された個別的な抵抗要素が付属している。 Preferably each preferably in each compartment 130 and the electrode 235 comes with a discrete resistive elements arranged on the circuit board 135. 各抵抗要素の抵抗値は個別的に制御できることが好ましい。 The resistance value of each resistor element can preferably be controlled individually. ウエハ55の各指状部材235およびその個別的な区画を通る電流も制御することができる。 Each finger member 235 and the current through its individual sections of the wafer 55 can also be controlled. さらにまた電気メッキ工程中に電気メッキ溶液と接触しているこの指状部材235の伝導性の部分も集電機能を行ない、従って指状部材の区域における電流密度を制御する。 Furthermore the conductive portion of the finger member 235 in contact with the electroplating solution in an electroplating process also performs the current collecting function, thus controlling the current density in the region of the finger-like members. この目的のためには各指状部材235上に露出した金属の量は個々の指状部材235の必要とされる集電量に依存してシステムによって変化することができる。 The amount of metal exposed on each finger-like members 235 for this purpose can be changed by the system depending on the current collector amount required of the individual finger-like members 235. 【0021】 各伝導性の指状部材235は図3Aおよび3Bに示されたような指状部材アセンブリー240の一部であることができる。 [0021] can each conductive finger-like member 235 is part of the finger member assembly 240 as shown in FIGS. 3A and 3B. 図示のように指状部材アセンブリー240は棒255を含む伝動アクチュエータ250を含んでいる。 Yubijo member assembly 240 as shown includes a transmission actuator 250 which includes a rod 255. 棒255は取り外し可能な連結部分260の所で指状部材235と係合し、指状部材235を容易に取り外し取換ることができる。 Bar 255 engages the finger member 235 at the detachable connecting portion 260, a finger-like member 235 can be easily detached To換Ru. さらにアクチュエータ255は図3Aに示されているようにウエハ55に対して指状部材を押すようにバネ265によって偏らせられている。 Further actuator 255 are biased by a spring 265 to push the fingers member to the wafer 55 as shown in Figure 3A. 指状部材235は矢印275の方向に端部252を直接駆動することにより、押してウエハ55を緩めることができる。 Finger member 235 by driving the ends 252 directly in the direction of arrow 275, it is possible to loosen the wafer 55 by pressing. 機械的圧力をかけると指状部材235が図3Bの矢印275の方向に押され、ウエハ55をローターアセンブリー80から取り外すのが容易になる。 Finger member 235 Applying mechanical pressure is pushed in the direction of arrow 275 in FIG. 3B, comprising a wafer 55 to easily detach from the rotor assembly 80. 【0022】 下記の説明では伝導性電極の指状部材および指状部材アセンブリーを構成するアセンブリー、半導体ウエハ保持器および支持部材(並びにそれに付属した駆動システムおよび電子回路システム)の代表的な具体化例を説明する。 [0022] Representative embodied examples below in the description assembly constituting a finger-like member and the Yubijo member assembly conductive electrode, a semiconductor wafer holder and the support member (as well as the drive system and an electronic circuit system supplied thereto) It will be described. 【0023】 図4は半導体ウエハ保持器810の一具体化例の側立面図である。 [0023] FIG. 4 is a side elevational view of one embodying example of the semiconductor wafer retainer 810. 図示のようにウエハ保持器810はWの所に破線で示すような半導体ウエハを処理するのに使用される。 Wafer holder 810 as shown is used to process the semiconductor wafer as shown by the broken line at the W. ウエハ保持器810を用いて行なわれる一つの好適な型の処理法は、半導体ウエハを用いてウエハ保持器110で保持しウエハに電圧を加えてその上に材料をメッキするウエハの電気メッキ法である。 Wafer holder 810 suitable type of processing method of one performed using the electroplating method of wafer plating material thereon by applying a voltage to the held wafer with the wafer holder 110 by using a semiconductor wafer is there. このような処理は図1に破線で示された底半分の部分またはボウル811を含む処理容器または処理室を用いて行なわれ、またそうすることが好適である。 Such processing is performed by using the processing container or the processing chamber comprises a bottom half portion or bowl 811 shown in phantom in FIG. 1, also suitable to do so. 底半分の部分811はウエハ保持器810と共に半導体ウエハ処理用の密封された保護室をつくっている。 Portion 811 of the bottom half is made the protective chamber sealed for semiconductor wafer processing with the wafer holder 810. 従って反応原料を処理室に導入することができる。 Therefore it is possible to introduce the reactants into the processing chamber. ウエハ保持器810の他の態様は、後でもっと詳細に説明するように、処理中保持されたウエハを動かし、回転させ、或いは旋回させるような保持器である。 Another aspect of the wafer holder 810, as will be described later in more detail, moves the wafer held during processing, rotated, or a retainer such as to pivot. 【0024】 図示の具体化例においては、半導体ウエハ保持器810はウエハ支持アセンブリー812を含んでいる。 [0024] In embodiments the illustrated example, a semiconductor wafer holder 810 includes a wafer support assembly 812. ウエハ支持アセンブリー812は処理ヘッドアセンブリーまたは旋回ヘッドアセンブリー814およびヘッドオペレーター、即ち持ち上げ/回転アセンブリー816を含んでいる。 Wafer support assembly 812 includes processing head assembly or swivel head assembly 814 and head operator, i.e. the lifting / rotating assembly 816. 旋回ヘッドアセンブリー814は持ち上げ/回転アセンブリー816と連結して操作される。 Swivel head assembly 814 is operated in conjunction with the lifting / rotating assembly 816. 旋回ヘッドアセンブリー814は処理中半導体ウエハを規定された軸の周りに旋回させるか動かすことができる。 Swivel head assembly 814 can be moved or pivoted about an axis defined the semiconductor wafer during processing. このような旋回は半導体ウエハの表面上に銅のようなメッキ材料を形状に従って被覆するのを補強するために使用することができる。 Such pivoting can be used to reinforce the coating according to the shape of the plating material, such as copper on the surface of the semiconductor wafer. 持ち上げ/回転アセンブリー816は旋回ヘッドアセンブリー814を、好適な処理が行なわれる容器の底半分の部分811との係合を外して持ち上げる。 Lift / rotate assembly 816 to pivot head assembly 814 to lift and remove the engagement with suitable processing portion 811 of the bottom half of the container is performed. このような持ち上げは軸x 1に沿って行なわれることが好ましい。 Such lifting is preferably performed along the axis x 1. 一度持ち上げられると、持ち上げ/回転アセンブリーは軸x 2の周りに旋回ヘッドを回転させてウエハを保持し、ウエハは面を上にして配置され容易にウエハ支持体812から取り外すことができるようになる。 Once lifted, the lifting / rotating assembly rotates the swivel head about the axis x 2 holding the wafer, the wafer will be able to detach easily from the wafer support 812 is disposed in the top surface . 図示の具体化例においては、このような回転は図4に示した配置から約180°の角度で行なわれる。 In embodiment example shown, such rotation is performed at an angle of approximately 180 ° from the arrangement shown in FIG. さらに処理を行なうために、新しいウエハをウエハ保持器810に固定するか、または他の方法で取り付けることができる。 For further processing, it is possible to install a new wafer or fixed to the wafer holder 810, or in other ways. 【0025】 ウエハはロボット制御アームによって自動的にウエハ保持器810から取り外しまたはそれに固定することができる。 The wafer may be secured from the automatic wafer holder 810 by the robot control arm removed or it. 別法としてウエハを手動でウエハ保持器810から取り外しまたはそれに固定することができる。 From the wafer holder 810 wafers manually alternatively may be secured removably or thereto. またウエハ保持器を2 The wafer holder 2
個以上備え付け、多数の半導体ウエハの処理を支援することができる。 Equipped above pieces can support processing of multiple semiconductor wafers. 半導体ウエハを取り外しまたは固定する他の方法も使用可能である。 Other methods of removing or fixing the semiconductor wafer can also be used. 【0026】 図5は図4に示した半導体ウエハ支持アセンブリー812の前断面図である。 [0026] FIG. 5 is a front sectional view of a semiconductor wafer support assembly 812 shown in FIG.
図示のように、支持アセンブリー812はローター820と連結して操作されるモーター818を含んでいる。 As shown, the support assembly 812 includes a motor 818 which is operated in conjunction with the rotor 820. ローター820はローター旋回軸822の周りに回転するように取り付けられ、少なくとも1個のウエハ接触電極アセンブリー8 Rotor 820 is mounted for rotation about the rotor pivot 822, at least one wafer contact electrode assembly 8
12を取り付けるために載せるプラットフォームの役目をする。 Serve platform placed for attaching 12. ローター820 Rotor 820
の上に2個以上のウエハ接触電極アセンブリーを取り付けることが好ましい。 It is preferred to attach the two or more wafer contact electrode assembly over. さらに好ましくは4個またはそれ以上、もっと好ましくは6個またはそれ以上のこのような指状部材アセンブリーが取り付けられている。 More preferably 4 or more, and more preferably it is attached six or more such finger member assembly. 好適な指状部材アセンブリーは半導体ウエハ保持器810の上に半導体ウエハを用いて固定するかまたは他の方法で保持し、ウエハの電気化学的な沈着過程中に電気的接触を与えるのに使用される。 Suitable finger member assembly is used to hold or otherwise fixed using a semiconductor wafer on a semiconductor wafer retainer 810 to provide electrical contact during the electrochemical deposition process of the wafer that. 【0027】 各電極アセンブリー824はアクチュエータ825に操作時に連結されるか、 [0027] or each electrode assembly 824 is connected when operating the actuator 825,
或いはそれに付属している。 Or that comes with it. アクチュエータは、ウエハがウエハ保持器から取り外されているかこれに取り付けられる係合解除位置と、処理を行なうためにウエハがウエハ保持器に固定されている係合位置との間で指状部材アセンブリーを移動させる助けをする空気式連結機構であることが好ましい。 Actuator wafer and the disengaged position attached thereto or is removed from the wafer holder, the finger member assembly between an engaged position in which the wafer for the processing are fixed to the wafer holder preferably a pneumatic coupling mechanism which helps to move the. これに関しては後で詳述する。 It will be described in detail later in this regard. 【0028】 図6は図5の線6−6に沿って効果的に切ったローター820の上面図、即ち平面図である。 [0028] Figure 6 is a top view of the rotor 820 is cut into effectively along line 6-6 of FIG. 5, i.e., a plan view. 図示のようにローター820は一般に円形であり、上から見るとほぼ連続した底面を有する舵輪の輻(ヤ)に似ている。 Rotor 820 as shown is generally circular and resembles a view from above when the steering wheel with a substantially continuous bottom surface spokes (Ya). ローター826はローターの軸822がある中心の所にローターの中心部材826を含んでいる。 Rotor 826 includes a central member 826 of the rotor at the center there is a shaft 822 of the rotor. 多数の支柱または輻828がローターの中心826に結合または連結され、外側に延びてローターの周辺部材830と一緒になりこれを支持している。 Number of struts or spokes 828 are coupled or connected to the center 826 of the rotor, and this will be with peripheral members 830 of the rotor extends outwardly supported. 指状部材アセンブリー824はウエハWのような半導体ウエハと係合する位置にある。 Finger member assembly 824 is positioned to the semiconductor wafer and the engagement such as a wafer W. ウエハW Wafer W
は処理中それが占める位置に破線で図示されている。 It is shown in broken lines in a position occupied by it during processing. ウエハがこのように係合すると、ウエハはローターに関し処理を行ない得る適切な位置に保持される。 When the wafer is thus engaged, the wafer is held in an appropriate position may perform processing relates rotor. このような処理には、或るウエハまたは他のウエハの一つまたはそれ以上の表面または部分に、材料の層をつくるのに効果的な処理条件にウエハを露出する処理が含まれる。 Such treatment, in one or more surfaces or portions of some wafers or other wafers includes a process of exposing the wafer to an effective process conditions to make a layer of material. このような処理にはまた、処理環境の内部においてウエハを移動させ、 Also in this process, by moving the wafer in the interior of the processing environment,
層状の材料の形状に適合した被覆を強化または改善する処理が含まれる。 It includes processing to enhance or improve a coating adapted to the shape of the layered material. このような処理はウエハの上方またはその上部に電気メッキされた層をつくるのに効果的な処理条件にウエハを露出する処理法を含むことができ、また含むことが好ましい。 Such processing can include processing method for exposing a wafer to effective process conditions to make the upward or layers are electroplated on the top of the wafer, also preferably includes. 【0029】 図7〜9を参照すれば、指状部材アセンブリーの一具体化例の種々の図が示されている。 [0029] Referring to Figures 7-9, various views of one implementation of a finger-like member assembly is shown. 図7は指状部材アセンブリーの分離した側断面図である。 Figure 7 is a side sectional view of separated fingers member assembly. 図8は図7 8 is a diagram 7
から90°回転させた指状部材アセンブリーの側立面図である。 From a side elevational view of the finger-like member assembly is rotated 90 °. 図9は指状部材アセンブリーおよびそれに付属したローター構造物の部分拡大断面図である。 Figure 9 is a partially enlarged cross-sectional view of the finger-like member assembly and rotor structures came with it. 図7および8に記載された指状部材アセンブリーは処理ヘッドまたは旋回ヘッドアセンブリー(図4および5)をヘッドオペレーターまたは持ち上げ/回転アセンブリー816により半導体ウエハを受ける位置へと動かしたまたは回転させた場合に占めると思われるような相対的な位置で示されている。 Finger member assembly described in FIGS. 7 and 8 if were to move or rotate to a position for receiving a semiconductor wafer by a head operator or lift / rotate assembly 816 processing head or swivel head assembly (Fig. 4 and 5) It is shown in relative positions such as seems to be occupied. 図7および8においてこの指状部材アセンブリーは図9に示された位置から約180°回転させた向きをもっている。 The finger member assembly has an orientation that is rotated approximately 180 ° from the position shown in FIG 7 and 8. 旋回ヘッドアセンブリー814は半導体ウエハを受けるために図4および5に示された位置から180°回転させられているから、典型的にはこのように変化する。 Since swivel head assembly 814 has been rotated 180 ° from the position shown in Figures 4 and 5 for receiving a semiconductor wafer, typically changes as this. 従って指状部材アセンブリー824もそのように回転するであろう。 Accordingly finger member assembly 824 will also rotate so that its. これよりも少ししか回転しないことも可能である。 It is also possible to not only rotate a little than this. 【0030】 指状部材アセンブリー824は指状部材アセンブリーのフレーム832を含んでいる。 The finger member assembly 824 includes a frame 832 of the finger member assembly. 好ましくは指状部材アセンブリーのフレーム832は密封された接触スリーブの形で備えられ、角度をもった溝孔832aを含んでいるが図8にはその一部しか示されていない。 Preferably the frame 832 of the finger member assembly provided in the form of sealed contact sleeve has included slot 832a having an angle not illustrated only partially in FIG. 8. 後で説明するように、角度が付けられた溝孔832a As described later, angled slot 832a
は指状部材アセンブリーを好ましくは空気式機構により長手方向および横方向の両方に動かし得ることが有利である。 Preferably a finger-like member assembly is advantageous to be moved in both the longitudinal and transverse directions by pneumatic mechanism. 【0031】 指状部材アセンブリーのフレーム832は指状部材アセンブリーのフレームの外側のフランジ834を含み、これは図9に示されているようにローター820 The finger member assembly frame 832 includes an outer flange 834 of the frame of the finger-like member assembly which, as shown in Figure 9 the rotor 820
の内側の駆動板部分836と係合している。 It is engaged with the drive plate portion 836 of the inner. このような係合はローター820に関し指状部材アセンブリーのフレーム832を固定または配置するのに有利である。 Such engagement is advantageous to fix or position the frame 832 of the finger member assembly relates rotor 820. これによってさらに指状部材アセンブリーまたはその一部はローターに関して移動し、半導体ウエハと係合することができる。 This makes it possible to further finger member assembly or a portion thereof moves with respect to the rotor, engages a semiconductor wafer. 【0032】 図5および図7〜9を参照すれば、指状部材アセンブリーは指状部材アセンブリーを係合した位置および係合が解除された位置の間に動かすのに使用される指状部材アセンブリー駆動システムを含んでいる。 [0032] Referring to FIGS. 5 and 7-9, the finger-like member assembly finger member assembly used to move between positions where the position and the engagement engage the finger member assembly is released and a drive system. 指状部材アセンブリー駆動システムは軸受838および該軸受の近傍で作動するコレット840を含んでいる。 Finger member assembly drive system includes a collet 840 which operates in the vicinity of the bearing 838 and the bearing.
軸受838は空気式駆動源を受ける軸受容器839を含んでおり、該駆動源の切離された一部が図9の該容器の上方に示されている。 The bearing 838 includes a bearing receptacle 839 for receiving the pneumatic drive source, a part that was detached with the driving source is shown in the upper of the container of Figure 9. 空気式駆動源はコレット8 Pneumatic drive source collet 8
40を、従って指状部材アセンブリー824の一部を長手方向に往復運動させまた回転させる役目をする。 40, thus serves to reciprocated also rotate a portion in the longitudinal direction of the finger-like member assembly 824. 長手方向の往復運動は、指状部材アセンブリーのフレーム832とバネ座844との間に動作するように取り付けられたバネ842の形の偏倚機構によって行なわれる。 Reciprocation in the longitudinal direction is performed by the finger-like member assembly frame 832 and biasing mechanism in the form of a spring 842 which is mounted to operate between the spring seat 844. この構造によって指状部材アセンブリーのフレーム832とバネ座844との間に偏りが生じ、指状部材は偏ってウエハと係合する。 Deviation is generated between the finger member assembly frame 832 and spring seat 844 This structure, the finger member engages the wafer biased. 指状部材アセンブリー駆動システムの偏倚機構によって行なわれるような上記の空気式駆動源との間の共同作用により、コレット840は引き出しおよび引き込みの両方の運動モードにおいて長手方向に往復運動することができる。 The synergy between the pneumatic drive source as performed by the finger-like member assembly drive system biasing mechanism, collet 840 can be reciprocated in the longitudinal direction in the movement mode of both the drawer and retraction.
このように指状部材アセンブリー824は第1の位置の方へ偏り該第1の位置から遠ざかる第2の位置へと動き得る偏らせられた部分を含んでいる。 Thus Yubijo member assembly 824 includes a second to to have been biased moveable part position of moving away from the position of the bias first towards the first position. 指状部材アセンブリーを用いて長手方向に往復運動させる他の方法も可能である。 Other methods for reciprocating in a longitudinal direction using a finger member assembly are possible. 【0033】 図5および図8を参照すれば、好ましくは指状部材アセンブリーは、保持されたウエハに電気的にバイアスをかけそれに電流を供給するのに使用される指状部材アセンブリーの電気系を含んでいる。 [0033] Referring to FIGS. 5 and 8, preferably finger-shaped member assembly, electrical system of the finger member assembly which is used to supply electrical bias current to it is held wafer which comprise. 指状部材アセンブリーの電気系はピン連結器846および指状部材848を含んでいる。 Electrical system of the finger-like member assembly includes a pin connector 846 and Yubijo member 848. ピン連結器846は電線585 Pin connector 846 wire 585
および付属したスリップ・リング機構(slip ring mechanis And it comes with a slip-ring mechanism (slip ring mechanis
m)を介して電源(図示せず)に対し電気的な連結を行なっている。 Power supply via the m) (not shown) to have performed an electrical connection. ピン連結器846はまた角度をもった溝孔832aの内部に跨がり、指状部材アセンブリーが長手方向および回転方向の両方に動き得る範囲の限界を機械的に規定している。 Pin connector 846 straddles also inside a slot 832a having an angle, finger member assembly is mechanically define the limits of the range that can move in both the longitudinal and rotational directions. 【0034】 指状部材848は、図18に最も良く示されているように、コレット840の遠い方の端部分とネジによって係合しているナット850により、コレット84 The finger member 848, as best shown in FIG. 18, a nut 850 engaged by farther end portion and the screw of the collet 840, collet 84
0にまたはその内部に固定または取り付けられている。 0 or is fixed or mounted therein. 回転防止用のピン852 Pin for anti-rotation 852
はコレット840の内部で指状部材848を固定し、その間の相対的な回転を防いでいる。 The finger-shaped member 848 is fixed inside the collet 840 and prevents relative rotation therebetween. 電流は連結器846からコレット840を通って指状部材860へ導かれる。 Current is conducted through the collet 840 from the coupler 846 to the finger member 860. これらの部材は例えばステンレス鋼のような電気伝導体である。 These members are electrically conductive, such as stainless steel. 指状部材およびコレットはその上にTEFLONその他のような誘電体の被膜856が被覆されていることができる。 Finger members and the collet can be coated 856 is coated in TEFLON other such dielectric thereon. 本発明の一形態においてはコレット840および指状部材860はその中に追出し用のガスを通すらめに、中空、管状につくられている。 Lame In one embodiment of the present invention is a collet 840 and Yubijo member 860 through the gas for purge therein, is made hollow, tubular. 【0035】 指状部材アセンブリー824は随時遠い方の先端即ち指状の先端854を含んでいることができる。 The finger member assembly 824 may include a tip i.e. finger tip 854 which is further from time to time. 先端854はその中に追出し用のガスの通路をもっている。 Tip 854 has a passage of the gas for purge therein. 指状の先端854は半導体ウエハと係合し(図9参照)、ウエハ保持器810 Finger tip 854 the semiconductor wafer engages (see Fig. 9), the wafer holder 810
に対するウエハの位置を保持または固定する助けをする。 Help to hold or fix the position of the wafer relative. 指状の先端854はまた指状部材アセンブリーと電気的にバイアスをかけて電流を通し得るウエハとの間を操作の際に電気的に連結する助けとなる。 Finger tip 854 also helps to electrically connected during operation between the wafer may conduct current over the finger member assembly and electrically biased. 指状の先端854は、下記のようにして半導体ウエハが一度固定されると、半導体ウエハの表面を電気的に接触させるための電極接触部858を含んでいることができる。 Finger tip 854 can include the semiconductor wafer as follows is once fixed, the electrode contact portion 858 for electrically contacting the surface of the semiconductor wafer. 【0036】 指状部材アセンブリー駆動システムのインターフェースは操作する際に指状部材アセンブリー駆動システムに連結され、指状部材アセンブリーを係合位置および係合解除位置の間で動かす。 The finger member assembly drive system interface is connected to Yubijo member assembly drive system when operated, it moves the finger-like member assembly between the engaged position and disengaged position. 指状部材アセンブリー駆動システム・インターフェースの一つの機素は指状部材のアクチュエータ862である。 One of the machine element of the finger-like member assembly drive system interface is an actuator 862 of the finger member. 指状部材のアクチュエータ862は指状部材アセンブリーを係合位置と係合解除位置との間で動かすために取り付けられている。 The actuator 862 of the finger member is mounted to move the finger member assembly between an engaged position and a disengaged position. 指状部材のアクチュエータ862は軸受容器8 The actuator 862 of the finger-like members are bearing container 8
39と係合し、指状部材アセンブリー824を係合位置と係合解除位置との間で動かすことによって動作する。 39 engages, operates by moving the finger member assembly 824 between an engaged position and a disengaged position. 係合位置において指状の先端854は半導体ウエハに突き当たって係合する。 Finger tip 854 in the engaged position engages abuts against the semiconductor wafer. 係合解除位置においては指状の先端854はウエハから遠ざかるように動く。 Finger tip 854 in the disengaged position moves away from the wafer. 【0037】 指状部材アセンブリー駆動システムのインターフェースは空気式アクチュエータ825(図5)を含んでいる。 The finger member assembly drive system interface includes pneumatic actuator 825 (Fig. 5). 空気式アクチュエータ825は作動リング86 Pneumatic actuator 825 actuating ring 86
3に連結されて動作し、それに作用して駆動板を図5で見て垂直な方向へ往復運動させる。 Is connected to 3 in operation, it is reciprocated in the direction perpendicular to look at the drive plate in FIG. 5 acts on it. 指状部材のアクチュエータ862は、空気的に作動させた場合指状部材のアクチュエータを動かして図5の破線に沿い軸受容器839と係合するような方法で作動リング863と連結されて動作する。 The actuator 862 of the finger member is operated is connected to the actuating ring 863 in such a way as to engage the bearing container 839 along to move the actuator when the finger-like member which pneumatically actuates the broken line in FIG. 5. これによって指状部材アセンブリーを第1の運動経路の軸864に沿って長手方向に動かすことができる。 This can be moved in the longitudinal direction of the finger member assembly along the axis 864 of the first motion path. 【0038】 空気式アクチュエータの連結部825はまた二次的な連結865を含んでいる。 The connecting portion 825 of the pneumatic actuator also includes a secondary connection 865. 二次的な連結865も空気式であり、連結アーム867を含んでいる。 Secondary coupling 865 is also pneumatic and includes a connecting arm 867. 連結アーム867はアクチュエータのトルク・リング869と連結されるかこれと一緒になっている。 Connecting arm 867 is together with this or is connected to the torque ring 869 of the actuator. 好ましくはトルク・リング869はローター820と同心をなし(図6)、各指状部材のアクチュエータを回路的に一緒に連結している。 Preferably, the torque ring 869 forms a rotor 820 concentrically (Fig. 6), are connected actuator circuit to together of each finger member. 空気式オペレーター871は、力をかけ角度的に移動するトルク・リングによって連結を作動させるための二次的な連結865と連結することが有利である。 Pneumatic operator 871, it is advantageous to couple the secondary coupling 865 for operating the coupling by the torque ring to angularly move apply force. これによって指状部材アセンブリーは係合位置へとまた係合位置から回転させる。 This finger member assembly rotates from or engaged position to the engaged position. 【0039】 指状部材アクチュエータの係合ビット862は、空気式連結825の影響の下で、指状部材アセンブリーを動かし、さらに特定的に述べれば軸864に沿った第1の軸の移動経路に沿ってコレット840および指状部材848を動かす。 The finger-like members actuator engagement bits 862, under the influence of pneumatic connection 825, moving the finger member assembly, the moving path of the first axis along the axis 864 Stated more specifically along move the collet 840 and Yubijo member 848. 指状部材のアクチュエータの係合ビット862は次に空気式オペレーター871の影響の下でねじ回しのように各ビットの軸の周りを回転させられる。 Engagement bit 862 of the actuator finger member is rotated about an axis of each bit like a screwdriver then under the influence of pneumatic operator 871. これによってコレット840および指状部材848に対し第2の角度的な運動を行なわせる。 This causes the second angular movement relative to the collet 840 and Yubijo member 848. このような第2の運動によって指状部材は図10に示されるように角度的な移動が生じるのに十分な回転を行なう。 Such second finger member by movement performs rotation sufficient to angular movement occurs as shown in FIG. 10. 係合位置と係合解除位置との間のこのような指状部材アセンブリーの運動は、旋回ヘッドアセンブリー814が図4の位置から面を上向きにした状態へと180°動いた際に起こる。 Movement of such finger-shaped member assembly between the engaged position and the disengaged position occurs when the swivel head assembly 814 is moved 180 ° to a state in which the upward surface from the position of FIG. 【0040】 係合ビット862にはその中を通る追出し用のガスの通路を備えることができる。 [0040] engagement bit 862 may comprise a passage of the gas for out add therethrough. ガスは管893を介して供給され、指状部材アセンブリーの中を通過してゆく。 Gas is supplied through the pipe 893, it slides into pass through the finger member assembly. 【0041】 図10は係合位置および係合解除位置における指状部材アセンブリーの一部、 FIG. 10 is a part of the finger-like member assembly in the engaged position and disengaged position,
およびその間でのウエハWの運動を示す図である。 And is a diagram showing the movement of the wafer W therebetween. 係合解除位置においては、指状部材848は半導体ウエハの近傍に位置し、指状の先端および電極接触部はウエハWと重なっていない。 In the disengaged position, the finger-like member 848 is located in the vicinity of the semiconductor wafer, finger tip and electrode contact portion does not overlap the wafer W. 係合位置においては、指状の先端はウエハと重なり、 In the engaged position, the finger tip overlaps with the wafer,
電極はウエハに接触する。 Electrodes in contact with the wafer. 指状部材アセンブリーは好適に作動されると係合解除位置から遠ざかる第1の方向へ動く。 Finger member assembly moves in a first direction away from suitably actuated by the disengaged position. このような第1の方向は長手方向であり、 The first direction is a longitudinal direction,
第1の運動経路の軸864に沿っていることが好ましい。 It is preferable that along the axis 864 of the first motion path. このような長手方向の運動は直線的であり、図7および8に示す矢印Aの方向である。 Movement of such longitudinal direction is straight, a direction of an arrow A shown in FIGS. 7 and 8. この運動は指状部材アセンブリーを図7で破線で示した位置へと動かす。 This movement moves to a position indicated by a broken line the finger member assembly in FIG. このような運動は作動リング863(図5)に作用する空気式オペレーター825によって行なわれる。 Such movement is effected by pneumatic operator 825 which acts on the actuating ring 863 (FIG. 5). これによって次に指状部材アクチュエータ862が指状部材アセンブリー82 This then finger member actuator 862 is a finger-like member assembly 82
4と係合する。 4 and engaging. このような直線運動は角度をもった溝孔832aによって制限される。 Such linear movement is limited by the slot 832a having an angle. しかる後指状部材アセンブリーは第1の方向とは異なる第2の方向へ動くことが好ましく、また第1の運動経路の軸864の周りで回転することが好ましい。 Thereafter the finger-like member assembly is preferably moved to a second direction different from the first direction, and it is preferable to rotate about the axis 864 of the first motion path. このようなことは図10に示されており、ここでは第2の方向は係合位置と係合解除位置との間で一般的にアーチ形の経路を規定している。 Such fact is illustrated in Figure 10, here we define a generally pathway arcuate between the second direction engaging position and a disengaged position. このような回転運動は指状部材アクチュエータを空気的に係合させて回転を起こさせる二次的な連結865によって行なわれる。 Such rotational movement is performed by secondary coupling 865 to cause the rotation of the finger-shaped member actuator was pneumatically engaged. このような運動をする場合、指状部材アセンブリーは揺動し、半導体ウエハが係合して処理を行なうために保持される状態にある待機位置に来る。 When performing such movement, the finger-like member assembly swings, comes to a standby position in which a semiconductor wafer is held in order to perform the engaging process. 一度指状部材アセンブリーが動くか揺動してウエハと重なる位置に来ると、好適な指状部材アクチュエータはバネで偏らせられ、弛緩してウエハに接触する。 Once swung or finger member assembly moves comes to a position overlapping with the wafer, the preferred finger member actuator is biased by a spring, relaxed in contact with the wafer. ウエハが指状の先端854によってウエハのスタンドオフ(s Wafer finger-shaped tip 854 by a wafer of the stand-off (s
tandoff)865に突き当たって係合し、旋回ヘッドアセンブリー814 Tandoff) engages hits the 865, swivel head assembly 814
が回転して図4に示す位置に戻った後、係合したウエハは図9に示したようになる。 After There returned to the position shown in FIG. 4 rotates, engaged wafer is as shown in FIG. このように空気的に支援された係合は好ましくは運動経路の軸864に沿って図10の紙面の方へ向う方向に起こる。 The pneumatically assisted engagement as preferably takes place in a direction toward the direction of the plane of FIG. 10 along the axis 864 of the motion path. 【0042】 図7に示すように、指状部材848はコレット840から遠ざかるように延び、好ましくはコレット840と指状の先端854の間の屈曲部866を含んでいる。 [0042] As shown in FIG. 7, the finger-like members 848 extending away from the collet 840 preferably includes a bend 866 between collet 840 and finger tip 854. 好適な屈曲部は約180°逆方向に向った屈曲部であり、これは指状部材アセンブリーが係合位置の方へ或いはその中へと動く際指状の先端854をウエハWの方へ向ける役目をする。 Suitable bent portion is a bent portion toward the approximately 180 ° opposite direction, which directs the finger tip 854 when Yubijo member assembly to move and into or the towards the engaged position toward the wafer W to the role. コレット840、従って指状部材848は長手方向に往復運動して係合位置へと入りまたそこから出ることができる。 Collet 840, thus the finger-like members 848 can exit enters and from there to the engaging position by the reciprocating motion in the longitudinal direction. 【0043】 図11は、銅のような金属を半導体ウエハの上に電気メッキするのに適した他の半導体処理ステーション900の種々の機素を示す。 [0043] Figure 11 shows the various machine elements of other semiconductor processing station 900 suitable for electroplating a metal such as copper on a semiconductor wafer. 処理ステーション900 Processing station 900
の二つの主要部分は一般的に906で示される処理ヘッド、および電気メッキ用のボウルアセンブリー303である。 The two main parts of the generally treatment head represented by 906, and a bowl assembly 303 for electroplating. 【0044】 図11に示されているように、電気メッキ用ボウルアセンブリー303は貯蔵容器317の内部に配置されたカップアセンブリー320を含んでいる。 [0044] As shown in FIG. 11, electroplating bowl assembly 303 includes a cup assembly 320 which is disposed inside the storage container 317. カップアセンブリー320は電気メッキ処理を行なうための化学薬品を保持する流体カップ部分321を含んでいる。 Cup assembly 320 includes a fluid cup portion 321 for holding a chemical for performing electroplating process. 図示の具体化例におけるカップアセンブリーはカップの底323の下方へ延びた垂れ下がったスカート371を有し、液と連絡し且つ貯蔵アセンブリーの室の下方が液で充たされた際集まるガスを放出するための貫通して開いている縦溝をもっていることができる。 Cup assembly in the specification example shown has a skirt 371 hangs down extending downwardly of the cup bottom 323, releases when gathering gas is lower chamber of and storage assembly in communication with the liquid was filled with liquid You can have through to the open longitudinal groove for. カップはポリプロピレンまたは他の適当な材料からつくられることが好ましい。 Cup is preferably made from polypropylene or other suitable material. 【0045】 カップアセンブリー320の底壁にある下方の孔は、ネジによる連結によって高さを調節し得るポリプロピレンの立上り管330に連結されている。 [0045] Below the hole in the bottom wall of the cup assembly 320 is coupled to the riser 330 of polypropylene which can adjust the height by coupling with screws. 立上り管330の第1の端は陽極334を支えている陽極遮蔽材392の後方部分に固定されている。 A first end of the riser 330 is secured to the rear portion of the anode shield member 392 supporting the anode 334. 流体入口ライン325は立上り管330の内部に配置されている。 Fluid inlet line 325 is arranged in the interior of the riser 330.
立上り管330および流体入口ラインの両方は嵌め合い362により処理用のボウルアセンブリーに固定されている。 Both riser 330 and fluid inlet line is fixed to the bowl assembly for processing by fitting 362. 嵌め合い362は立上り管およびライン3 Fitting 362 is rising tube and line 3
25の両方の高さの調節を行なうことができる。 It can be carried out adjustment of both the height of 25. このようにして嵌め合い362 Fitting in this way 362
と立上り管330とを連結すると陽極の位置の垂直方向の調節が容易になる。 And when connecting the riser 330 facilitates vertical adjustment of the position of the anode. 入口ライン325は好ましくはチタンのような伝導性材料からつくられ、電流を陽極334へ導き、流体をカップに供給するのに使用される。 Inlet line 325 is made preferably from a conductive material, such as titanium, lead current to the anode 334, it is used to supply fluid to the cup. 【0046】 処理用の流体は流体入口ライン325を通ってカップに供給され、そこから流体入口孔326を通って進む。 [0046] Fluid for processing is supplied to the cup through the fluid inlet line 325, it proceeds from there through a fluid inlet hole 326. ついでメッキ液はメッキ用流体ポンプ(図示せず)または他の適当な供給装置で供給されて室321を満たす。 Then the plating solution is supplied at a plating fluid pump (not shown) or other suitable supply devices satisfy the chamber 321. 【0047】 カップの側壁322の上部の縁は、カップの内部で電気メッキ溶液の液面を制限する堰をつくっている。 The top edge of the side wall 322 of the cup is making weir to restrict the liquid level of the electroplating solution within the cup. この液面はウエハWの底面だけが電気メッキ溶液と接触するように選ばれる。 This liquid surface is only the bottom surface of the wafer W is chosen such that contact with the electroplating solution. 過剰の溶液はこの上部の縁面を越えて溢流室345の中に流れ出る。 Excess solution flows into the overflow chamber 345 beyond the edge surface of the upper. 室345中の流体の液面は、この液面の高さを適当なセンサーおよびアクチュエータで監視することにより操作の安定性に対して望ましい範囲に保つことが好ましい。 The liquid level of the fluid in the chamber 345 is preferably kept in the desired range for stability of operation by monitoring the height of the liquid surface at the appropriate sensors and actuators. これはいくつかの異なった流出形態を用いて行なうことができる。 This can be done using several different efflux form. 好適な形態では適当なセンサーを用いて高い液面の状態を感知し、次いで制御弁による制御を行なって抜き取りラインから流体を抜き取る形態である。 In a preferred form sensing the state of the high liquid level using a suitable sensor, then a form by performing control of the control valve withdraw fluids from the extraction line. また最終的な流出保護装置として直立管(図示せず)を使用することができる。 Also it can be used standpipe (not shown) as the final outflow protective device. もっと複雑な液面の高さの制御法を使用することもできる。 It is also possible to use a method of controlling more complex liquid surface height. 【0048】 室345からの流出液は適当な貯蔵器に戻すことが好ましい。 The effluent from the chamber 345 is preferably returned to the appropriate reservoir. 次いで液を他のメッキ薬品またはメッキまたは他の処理を行なう液の他の成分で処理し、再使用することができる。 Then the liquid was treated with the other ingredients of other plating chemicals or plating or other process performs the liquid can be reused. 【0049】 電気メッキ装置の好適な使用法では、陽極334は銅または他の金属を半導体材料にメッキすることと関連して使用される消費可能な陽極である。 [0049] In a preferred use of the electroplating device, anode 334 is a consumable anode for use in connection with plating the copper or other metal into the semiconductor material. 特定の陽極はメッキすべき金属および使用するメッキ液の他の特性に依存して変化するであろう。 Specific anode will vary depending on other characteristics of the plating solution metal and used to be plated. また市販されている種々の異なった消費し得る陽極を陽極334として使用することができる。 Also it is possible to use an anode which may consume different of the various commercially available as the anode 334. 【0050】 図11はまた、ウエハWを横切って流体メッキ浴をもっと均一に分配するために、陽極334の上方に備えられた拡散板375を示している。 [0050] Figure 11 also, in order to more evenly distribute the fluid bath across the wafer W, and shows a diffusion plate 375 provided above the anode 334. 拡散板375のすべてまたは一部の上方には流体通路が備えられ、その中に流体が通るようになっている。 Above of all or part of the diffusion plate 375 provided with a fluid passage, so that the passage of the fluid therein. カップアセンブリーの内部における拡散板の高さは拡散器高さ調節機構386を用いて調節することができる。 The height of the diffuser inside the cup assembly can be adjusted by using the diffuser height adjustment mechanism 386. 【0051】 陽極遮蔽材393が陽極遮蔽材固定具394を使用して消費可能な陽極334 [0051] anode shielding material 393 is consumable anode 334 by using the anode shielding material fixture 394
の下側に固定され、メッキ溶液が処理室321に流入する際この溶液が直接衝突するのを防いでいる。 It is fixed to the lower, plating solution the solution when flowing into the processing chamber 321 is prevented from colliding directly. 陽極遮蔽材393および陽極遮蔽材固定具394は好ましくは誘電体材料、例えばポリフッ化ビニリデンまたはポリプロピレンからつくられる。 Anode shielding member 393 and the anode shielding member fastener 394 is preferably made of a dielectric material, such as polyvinylidene fluoride or polypropylene. 陽極遮蔽材は好ましくは厚さが約2〜5mm、さらに好ましくは約3mm The anode shielding material about 2~5mm preferably thick, more preferably about 3mm
である。 It is. 【0052】 陽極遮蔽材は陽極の背面を電気的に絶縁し物理的に保護する役目をする。 [0052] The anode shielding material serves to physically protect and electrically isolate the back of the anode. また有機性のメッキ添加剤の消費を減少させる。 Further reducing the consumption of organic plating additives. 現時点において正確な機構は知られてはいないが、陽極遮蔽材は時間の経過に伴って陽極の背面に起こる或る種の材料破壊を防ぐと信じられている。 Although not exact mechanism is known at the present time, anode shielding material is believed to prevent certain types of material failure occurring on the back of the anode with the passage of time. 陽極を遮蔽しないままにしておくと、有機性の化学的メッキ添加剤は著しく大きな速度で消費される。 If left to shield the anode, organic chemical plating additives are consumed significantly at a greater rate. 遮蔽材を適切に配置することによりこれらの添加剤はそれほど迅速に消費されないようになる。 These additives by suitably arranging the shielding member is prevented from being less rapidly consumed. 【0053】 処理ヘッド906は処理室312の内部で回転させるようにウエハWを保持している。 [0053] processing head 906 holds the wafer W to rotate in the processing chamber 312. 処理ヘッド906はローターの機能部材に対してウエハを保持する、ウエハ係合指状部材979を有するローターアセンブリー984を含んでいる。 Processing head 906 includes a rotor assembly 984 having to hold the wafer against the functional component of the rotor, the wafer engaging finger members 979. 指状部材979はウエハとメッキ用の電源との間に電流を導くようになっていることが好ましく、本明細書に記載された種々の形態に従って集電器として作用するように構成されていることができる。 It is preferable fingers member 979 is adapted to conduct current between the power source for the wafer and the plating, that is configured to act as a current collector in accordance with various embodiments described herein can. 【0054】 図11に示すように、処理ヘッド906の一部は処理用のボウルアセンブリー303に合い、実質的に閉じた室904を収納する実質的に閉じた処理容器をつくっている。 [0054] As shown in FIG. 11, a portion of the processing head 906 is fit into the bowl assembly 303 for processing, and creating a substantially closed treatment container for accommodating a substantially closed chamber 904. 処理ヘッド906は室904の内部で回転するようにウエハWを保持する。 Processing head 906 holding the wafer W so as to rotate within the chamber 904. ローターアセンブリー984はローターの機能部材に対しウエハを保持する多数のウエハに接触した指状部材979を有している。 Rotor assembly 984 has a finger-like member 979 in contact with the plurality of wafer holding the wafer to function member of the rotor. 【0055】 処理ヘッド906はヘッドオペレーター907により支えられている。 [0055] processing head 906 is supported by the head operator 907. ヘッドオペレーター907は処理ヘッドの高さを調節できるように高さの調節可能な上部908を含んでいる。 Head Operator 907 includes an adjustable upper 908 as height can adjust the height of the treatment head. ヘッドオペレーター907はまた水平のピボット軸91 Head Operator 907 also horizontal pivot shaft 91
0の周りにピボット回転するように動作するヘッド連結シャフト909をもっている。 0 have head coupling shaft 909 that operates to pivot around. オペレーター907を用いる処理ヘッドのピボット回転作用により、ウエハWを取り付けまた取り外すために処理ヘッドを開いた即ち面を上にした位置( The pivoting action of the processing head used operator 907, and the or face opened processing head to remove the wafer W mounted also in the upper position (
図示せず)に置くことができる。 It can be placed in the not shown). 図11は処理の準備をするために面を下にした位置にピボット回転させた処理ヘッドを示している。 Figure 11 shows the processing head is pivoted to a position to face the down to prepare for the process. 【0056】 垂直方向および水平方向のピボット回転作用が行なえる種々の適当なヘッドオペレーターをこのシステムに使用することができる。 [0056] can pivot action of the vertical and horizontal directions using a variety of suitable head operator performed in this system. 好適なオペレーターにはまた、処理ヘッドの高さおよび水平のヘッドのピボット軸910の周りにピボット回転した際の角度的な位置を示す位置エンコーダ(図示せず)が取り付けられている。 Suitable operator The position encoder indicating the angular position of when the pivoting about pivot axis 910 of the height and horizontal of the head of the processing head (not shown) is attached. 【0057】 図12および13は処理ヘッド906の一具体化例の他の詳細点を示す。 [0057] Figure 12 and 13 show another detail point of one implementation of a process head 906. 処理ヘッド906はピボットシャフト909と共に動きそれに関して相対的に静止した主要部分を含んでいる。 Processing head 906 includes a main portion that is relatively stationary with respect to movement therewith pivot shaft 909. この主要部分は下記に詳細に説明する回転アセンブリーを支えている。 The main portion is supported rotating assembly to be described in detail below. 【0058】 この主要部分は処理ヘッドのハウジング970および処理ヘッドのフレーム9 [0058] The main portion of the housing 970 and processing head processing head frame 9
82を含んでいる。 It includes a 82. 処理ヘッドのフレーム982は扉板983を含んでいる。 Frame 982 of treatment head includes a door plate 983. 扉のリング部材984は適当な固定具を用いて板983と一緒にされ扉アセンブリーをつくっており、これは処理ヘッドがボウルに合わされる際処理ボウルにの上部の孔を覆う主要部分としての役目をする。 Ring member 984 of the door are made the door assembly is in conjunction with the plate 983 using suitable fasteners, which serves as the main portion covering the upper portion of the hole of the processing bowl when the treatment head is adapted to the bowl do. 【0059】 処理ヘッドのフレームはまたフレームとピボット・シャフトとの連結部985 [0059] the connection between the frame of the processing head also frame and pivot shaft portion 985
を含み、この連結部は処理ヘッドのピボット回転シャフト909を受けこれに固定して連結する2個の取付用リングを含んでいる。 It includes, the connecting portion includes two mounting rings for connecting fixed thereto receives a pivot shaft 909 of the processing head. 図13に示した具体化例においては、ピボット・シャフト連結部の取付用リングは二つの部分からつくられ、 In embodiment example shown in FIG. 13, the attachment ring of the pivot shaft connecting portion is made of two parts,
固定具(図示せず)によって固定されている。 It is secured by fasteners (not shown). ピボット・シャフト連結部の底部935は固定具を使用して扉板983に固定されている。 Bottom 935 of the pivot shaft connecting portion is fixed to the door plate 983 using fasteners. 【0060】 処理ヘッド906は平面図で見た場合一般に丸い形をしている。 [0060] processing head 906 has a rounded shape in general when viewed in plan view. 処理ヘッドの主要部分は第1のハウジング部分971と第2のハウジング部分またはハウジングキャップ972をもったハウジング970を含んでいる。 Major portion of the processing head includes a housing 970 having a first housing portion 971 and the second housing part or the housing cap 972. 室973は処理ヘッドの他の機素、例えば下記に詳細に説明するような旋回用のモーター、指状部材アクチュエータ、および関連したサービス・ラインを収納するために使用される。 Chamber 973 is used to house other machine element of the processing head, for example, turning the motor as described in detail below, the finger-like member actuator, and associated service lines. 【0061】 扉のリング部材984の上面には第1のハウジング部材971の下方の縁を受ける溝が備えられている。 [0061] On the upper surface of the door of the ring member 984 is a groove for receiving the edge of the lower first housing member 971 is provided. 扉のリング部材の外周部は拡張可能な扉の密封部98 Sealing portion of the outer peripheral portion is extensible door door of the ring member 98
7を取付るさ周辺部の溝986を含んでいる。 7 contains a groove 986 near Is Ru mount. 密封部987は処理ボウルの部分を密封し、流体に対して一層密封された処理室をつくっている。 Seal 987 seals the portion of the processing bowl and creating a process chamber that is more sealed against fluid. 【0062】 扉のリング部材984の下面にはローターを受けるための環状の溝988が取り付けられ、これはその中にローターの頂部の周辺部分を極めて近接して受けている。 [0062] annular groove 988 is mounted for receiving the rotor on the lower surface of the door of the ring member 984, which is received in close proximity to the peripheral portion of the top of the rotor therein. この構造によって扉とローターとの間に追出し用のガス(図示せず)を通し、処理用の蒸気がローターの後方および処理ヘッドの主要部分の中にある種々の機構の中へと移動するのを防ぐことができる。 Through gas for purge between the door and the rotor (not shown) by this structure, the steam for process moves into the various mechanisms are in the main part of the rear and the treatment head of the rotor it is possible to prevent. 扉のリング部材の周辺にはさらに処理用のボウルと合わせるのを容易にするための面取りされた下縁部が備えられている。 Lower edge that is chamfered to facilitate keying bowl for further processing the periphery of the door of the ring member is provided. 【0063】 処理ヘッド906はまたウエハ保持器978の形をした可動アセンブリーを含んでいる。 [0063] processing head 906 also includes a movable assembly in the form of a wafer holder 978. このウエハ保持器は半導体ウエハを保持する指状部材979を含んでいる。 The wafer holder includes a finger member 979 for holding a semiconductor wafer. 【0064】 処理ヘッドの主要部分はまた該処理ヘッドの主要部分に対してウエハ保持器を動かすウエハ保持器駆動装置を含んでいる。 [0064] the main part of the treatment head also includes a wafer holder drive device for moving the wafer holder to the main portion of the processing head. 好適な動作はウエハ保持器がそれを回転させるローター駆動装置の形をしているような動作である。 Preferred operation is an operation, such as in the form of a rotor drive device wafer holder rotates it. このローター駆動装置は電気モーター、空気式モーターまたは他の適当な駆動装置であることができる。 The rotor drive can electric motor, a pneumatic motor or other suitable drive device. 図示のように、処理ヘッドはウエハを旋回させる電気モーター980を含んでいる。 As shown, the processing head includes an electric motor 980 for turning the wafer. 【0065】 駆動モーター980はモーターのシャフト918を駆動して回転させるステーターの電機子916を含んでいる。 [0065] driving motor 980 includes an armature 916 of the stator to rotate to drive the shaft 918 of the motor. 駆動モーター980は底部にあるモーターのハウジング922の中の底部モーター軸受921によって支えられている。 Drive motor 980 is supported by the bottom motor bearing 921 in the motor housing 922 at the bottom. 底部のモーター・ハウジング922は扉板983のの中央の孔の所で処理ヘッド90 Treated with the central bore at the motor housing 922 of the bottom door plate 983 head 90
6の主要部分に固定されている。 And it is fixed to the main part of the 6. モーター980は上部のモーター・ハウジングにより適切な位置に保持されている。 Motor 980 is held in place by the upper portion of the motor housing. 駆動モーター980は、旋回モーターのシャフト918と上部のモーター・ハウジングとの間に配置された上部のモーター軸受927により上部のモーター・ハウジング923から回転的に分離されている。 Driving motor 980 is rotationally isolated from top motor housing 923 by top motor bearing 927 disposed between the shaft 918 of the turning motor and the upper portion of the motor housing. 両方のモーター・ハウジングは、モーターのハウジングを通って下方へと延びさらに扉板983の中へ入っている固定具924を使用して処理ヘッドのフレーム982に固定されている。 Both motor housing is fixed to the frame 982 of the processing head using fasteners 924 are located into the further door panels 983 extending downwardly through the motor housing. この固定具924はまたフレームの延長部を通って上方にも延びている。 The fixture 924 also has also extends upward through an extension of the frame. フレームの延長部925は上部フレーム部材926を支えている。 Extension 925 of the frame bears the upper frame member 926. キャップ972はキャップの下方の内部に沿って合わせネジの所で部材926にネジ留めされている。 Cap 972 is screwed into member 926 at the screw fit along the inside of the lower cap. 駆動モーターは、ピボット・シャフト909または処理ヘッドへと延びた他の部材を介して通されている配線を介して電気を供給される電気モーターであることが好ましい。 Drive motor is preferably an electric motor which is supplied with electricity via a wire that is threaded through the other member extending into the pivot shaft 909 or the processing head. 【0066】 駆動モーターの中空のシャフト918はローターアセンブリーを受けている。 [0066] hollow shaft 918 of the drive motor is under the rotor assembly.
このローターアセンブリーはモーターのシャフトに固定され、その中で回転する。 The rotor assembly is secured to the motor shaft and rotates therein. ローターアセンブリー930はローターのシャフト931を含んでいる。 Rotor assembly 930 includes a shaft 931 of the rotor. ローターのシャフト931はローターのシャフトのハブ932を有し、これはローターの内部934につくられたシャフトのハブの受け933の内部に保持されている。 Shaft 931 of the rotor has a hub 932 of the rotor shaft, which is held within the hub receiving 933 of a shaft made within 934 of the rotor. ローターの内部即ち第1の部分934はまたローターの内部駆動板とも呼ばれるが、これはローターの内部のハブ935から外側に延びて周辺の帯状部93 Internal or first portion 934 of the rotor also is also known as internal drive plate of the rotor, which belt portion around the inside of the hub 935 of the rotor extending outwardly 93
6と連結している多数の輻をもっている。 6 has a large number of spokes which are connected with. シャフトのハブ932は嵌め込みリング937を用いハブの受け933の中に保持されている。 Hub 932 of the shaft is held in the receiving 933 of the hub with a fitting ring 937. 【0067】 ローターの内側部分934はまた多数の受け937を含んでいる。 [0067] the inner portion 934 of the rotor also includes a large number of received 937. 受け937 It received 937
は多数のアクチュエータの伝動アセンブリー960を取り付けるのに使用される。 It is used to attach the transmission assembly 960 of the plurality of actuators. これらのアセンブリーの量および場所は処理用途の関数である。 The amount and location of these assemblies is a function of processing applications. . 伝動装置の受け937は伝動アセンブリーまたは指状部材のアクチュエータの下方部分を受けている。 Receiving 937 of the transmission is under the lower portion of the actuator of the transmission assembly or finger-like members. これらの受けは中に指状部材アセンブリー979(図12参照)が通っている底部の孔を有し、伝動アセンブリーに取り付けられている。 These receiving have Yubijo member assembly 979 holes in the bottom (see FIG. 12) runs through the inside, it is attached to the transmission assembly. 【0068】 図12〜16に示した具体化例においては、ローターアセンブリー930はローターの第2の即ち外側の部分940を含んでいる。 [0068] In embodiments the example shown in FIG. 12-16, the rotor assembly 930 includes a second or outer portion 940 of the rotor. ローターの内側および外側の部分は固定具941によって互いに固定されている(図12参照)。 Inner and outer portions of the rotor are fixed to each other by fasteners 941 (see FIG. 12). ローターの外側部分940はローターの面パネル943を含み、これは円板の形をしたローターのの部分940を横切って延び、処理用流体に対する障壁をつくっている。 Outer portion 940 of the rotor comprises a back panel 943 of the rotor, which extends across the portion 940 of the rotor in the shape of a disc, and creating a barrier to processing fluid. ウエハ支持材のスタンドオフ721はローターの面の上に取り付けられ、指状部材979によりかけられる力に抗しウエハの背面を支えている。 Standoff 721 of the wafer support member is mounted on the surface of the rotor, which supports the back of the wafer against the force exerted by the finger member 979. ローターの面にはまたウエハの周辺部の案内ピン722が備えられ、装着時にウエハがローターの面の上の適切な位置に配置されるのを助けることが有利である。 The surface of the rotor also guide pin 722 of the peripheral portion of the wafer is provided, it is advantageous to assist in wafer when worn is properly positioned on the surface of the rotor. 【0069】 ローターの外側部分の背面に沿って、ローターの内側部分934の輻と並んで配置された補強用の隆起942が備えられている。 [0069] along the back of the outer portion of the rotor, ridges 942 for reinforcement arranged alongside spokes of the rotor of the inner portion 934 is provided. この補強用の隆起942は固定具941を受け、ローターの二つの部分を一緒に連結している。 The reinforcing ridge for 942 receives a fastener 941 connects the two parts of the rotor together. ローターの外側部分の周辺には側壁944がある。 The surrounding area of ​​the outer portion of the rotor there is a side wall 944. 周辺の側壁944の上部または背後の縁は環状の溝988の所で扉のリング984に対しきっちりと合う関係をもち、処理用の流体がローターアセンブリーの後側へ移動するのを防いでいる。 Top or behind the edge of the peripheral side wall 944 has a fit To closely related to the door of the ring 984 at the annular groove 988, fluid for processing is prevented from moving to the rear side of the rotor assembly . 【0070】 ローターの外側部分940はまた補強用の隆起942の周辺部の端の所に配列になった突起948を有している。 [0070] has a projection 948 which is an array at the end of the peripheral portion of the rotor of the outer portion 940 is also raised for the reinforcement 942. 突起948の内部に指状部材の通路949があり、これによって指状部材アセンブリー979を指状部材アクチュエータの伝動アセンブリー960に取り付けることができる。 There are passages 949 of the finger-like members inside the protrusion 948, thereby the finger member assembly 979 can be mounted to the transmission assembly 960 of the finger member actuator. 【0071】 ローターのシャフト931はモーターのシャフト918に合い、シャフトの上部から突き出している。 [0071] shaft 931 of the rotor is fit to the shaft 918 of the motor, which protrudes from the top of the shaft. これはローターのシャフト取付用ナット888によって固定されている。 It is secured by a shaft mounting nut 888 of the rotor. またローターのシャフトの上部付近には光学的な回転指示器4 Also near the top of the rotor shaft an optical rotation indicator 4
99がある。 There is a 99. 光学的な回転指示器499はモーターのシャフト918に固定して取付られ、位置センサー499のセンサーの車の上につくられたノッチのような機能部材が光学的に検出されてローターの角度位置を検証する。 Optical rotation indicator 499 attached fixed to the shaft 918 of the motor, functional members such as a notch made on the sensor of the car position sensor 499 is detected optically the angular position of the rotor verification to. 図示されてはいないが、光学的な回転位置センサー499と一緒に使用される光学的な対になった発光−検出器が該車の両側に取付られ、その中に光を選択的に通すようにすることができる。 Although not shown, the light emitting became optical pairs are used together with an optical rotation position sensor 499 - detector mounted on opposite sides of the vehicle, selectively pass light into such it can be. 【0072】 図示の具体化例においては、ローターアセンブリーには角度位置のエンコーダ498が備えられている。 [0072] In embodiments the illustrated example, the encoder 498 of the angular position is provided in the rotor assembly. 図示のようにエンコーダ498は処理ヘッドの主要部分に対して静止しているようにモーターの上部ハウジング923に取付られている。 Encoder 498 as shown is mounted on the upper housing 923 of the motor to be stationary relative to the main portion of the processing head. 角度位置のエンコーダ498および光学的な回転位置センサー499は公知方法でモーターのシャフトおよびローターアセンブリーの速度、加速度および正確な回転位置を制御することができる。 Encoder 498 and an optical rotation position of the angular position sensor 499 may be controlled speed of the motor shaft and the rotor assembly, the acceleration and precise rotational position in a known manner. 【0073】 電気メッキを行なうには、指状部材979を通してウエハに電流を供給する。 [0073] To do electroplating, and supplies a current to the wafer through the finger-like members 979.
電流を電極の指状部材979に供給するために、ローターのハブから指状部材のアクチュエータ960へと伝導性の電線(図示せず)が備えられている。 In order to supply current to the finger member 979 of the electrode, and the conductive wire from the hub of the rotor to the actuator 960 of the finger-like member (not shown) is provided. 電流は、シャフト918および931の上端の近所に取付られた回転式電気連結器68 Current rotary electric coupler was mounted in the neighborhood of the upper end of the shaft 918 and 931 68
7に連結されている配線(図示せず)を用い、ローターの中空のシャフトを通して電極の指状部材979に供給される。 Using the coupled in which wiring (not shown) to 7, is supplied to the finger-like members 979 of the electrode through the hollow shaft of the rotor. 【0074】 図17〜19に指状部材アクチュエータの伝動装置960の一具体化例をさらに詳細に示す。 [0074] Figure 17-19 illustrates in more detail a specific flounder gearing 960 Yubijo member actuator. 伝動装置960の下端は指状部材のヘッドの取付用の受け954 Receiving 954 at the lower end of the transmission 960 for attachment of the head of the finger-like members
を含んでいる。 It contains. 受け954には指状部材をその受けに固定するために含まれた固定部材が備えられていることが有利である。 The receiving 954 is advantageous that the fixing member included in order to secure the finger-shaped member to the receiving is provided. 図示のように、この受けは銃剣型の回転してはめ込む固定ピンの溝955を含んでいる。 As shown, the receiving includes a groove 955 of the fixing pin fitting by rotation of the bayonet type. 固定ピンの溝955は横方向に取付られた指状部材取付用のピン956(図29参照)を受ける。 Groove 955 of the fixing pin receives a pin 956 for the finger-like members attached was mounted in the horizontal direction (see FIG. 29). このピン956は指状部材アセンブリーに取付られた回転式のまたは他の適当なピンである。 The pin 956 is a rotary or other suitable pins attached to the finger-like member assembly. 【0075】 伝動装置アセンブリー960は伝動装置の基台961を含み、これにはローターに装着する際保持器951が接触する取付用の切り欠き962が取付られている。 [0075] transmission assembly 960 includes a base 961 of the transmission, which the notches 962 for mounting the retainer 951 is in contact when mounting the rotor is attached. 基台961はまた伝動シャフト963を受ける中央の通路を含んでいる。 Base 961 also includes a central passageway for receiving the transmission shaft 963. シャフト963は中央の通路の内部でピボット運動および軸方向の運動の両方を行なう。 Shaft 963 performs both pivoting and axial movement within the central passageway. シャフトおよび基台961はシャフトの相対的な運動を制御するように一緒に動作するような構造をもっている。 Shaft and base 961 has a structure to work together to control the relative movement of the shaft. これによりシャフトおよびそれに保持された指状部材979に対し組み合わされたピボット運動および軸方向の運動が賦与される。 Accordingly shaft and pivoting and axial movement are combined to finger member 979 held thereby is imparted. 図示のように、シャフトのカム操作制御部材(shaft camm As shown, the shaft of the cam operation control member (, shaft CAMM
ing control member)965と係合したシャフトの通路または溝954の形で無活動機構(inactive mechanism)が備えられている。 ing control member) 965 engaged with inactivity mechanism in the form of a shaft of the passages or grooves 954 (inactive mechanism) is provided. 溝のカムとしての動作は、螺線状に前進させて約60°の回転範囲内でピボット回転させることによって与えられる。 Operation as the cam groove is provided by pivoting within the range of rotation of about 60 ° it is advanced to the spiral shape. それに付随した軸方向の移動量は約5〜20mm、さらに好ましくは約10〜15mmである。 Amount of axial movement that is associated therewith is approximately 5 to 20 mm, more preferably about 10-15 mm. 【0076】 この具体化例のカム操作制御部材965はボール支持固定具967を使用して溝964の中に保持されたボール966の形をしている。 [0076] Camming control member 965 of this embodiment example is in the form of a ball 966 which is held in the groove 964 by using the ball support fixture 967. 固定具967はボールの部分を受けるボールの受けをもっている。 Fixture 967 has a received the ball to receive a portion of the ball. また固定具967は指状部材979 The fixture 967 is a finger-like member 979
に電気を供給する際の便利な電気接触端子として役立つ。 To serve as a convenient electrical contact terminals when supplying electricity. 【0077】 シャフト963にはバネ保持器969を受けているシャフトの内部通路968 [0077] internal passage 968 of the shaft receiving the spring retainer 969 to the shaft 963
が備えられている。 It is provided. バネ保持器969は指状部材取付用のバネ938と機械的に係合する係合ヘッドをもっている。 The spring retainer 969 has an engagement head that mechanically engages the spring 938 for the finger-like member mounted. バネ938は、溝955によって偏らせられた関係に保持された固定ピン956を使用し、個々の指状部材アセンブリー97 The spring 938 is to use a fixed pin 956 which is held in relation to have been biased by the grooves 955, each finger member assembly 97
9を固定した位置に偏らせる役目をする。 9 serves to bias in a fixed position. バネ保持器969は固定ネジ939によって該通路の中に固定されている。 The spring retainer 969 is fixed to the inside of the passage by a fixing screw 939. 【0078】 図19に示されているように、アクチュエータの伝動装置960は軸受657 [0078] As shown in FIG. 19, the transmission 960 of the actuator bearing 657
を使用してシャフト963の上端に連結されている伝動ヘッド656を含み、これはヘッド部材658および659に関してシャフトをピボット回転させる。 Use includes a transmission head 656 which is connected to the upper end of the shaft 963, which pivoting the shaft with respect to the head member 658 and 659. ヘッド部材658および659はこれらの間に軸受を掴み、またヘッド固定具66 Head members 658 and 659 grip the bearings between them, also the head fastener 66
0によって連結されている。 They are connected to each other by 0. ヘッド固定具660は一対のヘッド案内棒661の中にねじ込まれている。 Head fastener 660 is threaded into a pair of head guide rods 661. ヘッド案内棒661は伝動装置の基底961をつくっている二つの案内通路662によって滑り込まされて収納される。 Head guide rod 661 and accommodated therein slid by two guide passage 662 that makes the base 961 of the transmission. ヘッドアセンブリーはヘッドの二つの偏倚バネ664によって上方に偏らせられる。 Head assembly is biased upward by two biasing spring 664 of the head. ボール96 Ball 96
6と溝964との間の係合により、バネ664の作用によるヘッドアセンブリーの上方への運動が制限される。 Engagement between 6 and grooves 964, upward movement of the head assembly by the action of the spring 664 is limited. 【0079】 シャフト963の下端は、指状部材979の汚染を防ぐ役目をするシャフトの密封部材667を用いて基底961に対し密封されている。 [0079] the lower end of the shaft 963 is sealed to base 961 by using a sealing member 667 of the shaft which serves to prevent contamination of the finger-like members 979. シャフト963はまた横方向の孔665を有し、これは回転式電気接点からローターのシャフトの下方へ走っている配線(図示せず)を受ける電気連結部材として使用される。 Shaft 963 also has a transverse bore 665, which is used as an electrical connecting member for receiving a wire running from the rotating electrical contacts below the rotor shaft (not shown). この配線は固定ネジ(図示せず)によって孔665に固定されている。 The wire is fixed to the hole 665 by a fixing screw (not shown). 【0080】 伝動装置960は伝動ヘッドの押下げリング683(図12)によって作動される。 [0080] transmission 960 is actuated by depression of the transmission head-up ring 683 (FIG. 12). 押下げリング683はオペレーター出力連結リング684(図13)に連結されている。 Pressing ring 683 is coupled to the operator output connection ring 684 (FIG. 13). オペレーター出力連結リングは固定具によって空気式アクチュエータ・エンジン691の出力シャフトに固定されている。 Operator output coupling ring is fixed to the output shaft of the pneumatic actuator engine 691 by fasteners. 図13に示されているように、空気式多岐管692を使用して空気をアクチュエータ・エンジン691 As shown in Figure 13, actuator engine 691 air using pneumatic manifold 692
に供給する。 Supplied to. この好適な構造では、上方および下方へ動いて伝動ヘッド658を押下げ、軸方向の運動およびピボット運動を組み合わせて指状部材を動作させるような出力を与える3個のアクチュエータ・エンジン691が示されている。 In this preferred structure, pressing the transmission head 658 moves upward and downward, three actuators engine 691 to combine axial movement and pivotal movement provides an output that operates the finger-shaped member is shown ing. 【0081】 指状部材979はアクチュエータの伝動装置690によって図16に示される位置に偏らせられる。 [0081] finger member 979 is biased into the position shown in Figure 16 by the transmission 690 of the actuator. この位置において指状部材979はウエハに方へ偏らせられ、部材721に対してウエハを固定する。 Finger member 979 at this position is biased towards the wafer to fix the wafer with respect to member 721. アクチュエータのエンジンの出力が引延されると、リング683および684を押下げ、その結果伝動ヘッド658 When the output of the actuator of the engine is 引延, down presses the ring 683 and 684, so that transmission heads 658
の方への駆動を行なう。 Carry out the drive towards the of. これによって指状部材979は図16の内向きの引っ込んだ位置から図15の外向きに引き出された位置へと動かされ、処理ヘッドからウエハを取り外すのが容易になる。 This finger-shaped member 979 is moved to a position drawn outward in FIG. 15 from the inward of retracted position of FIG. 16, it is easy to remove the wafer from the processing head. 【0082】 アクチュエータの伝動装置の他の具体化例を図20〜26に示す。 [0082] shows another embodiment example of an actuator of the transmission in FIG. 20-26. これらの図に示された具体化例はいくつかの点で上記の具体化例とは異なっている。 Specifically flounder shown in these figures differs from the above embodiment examples in several respects. 第1に、図20〜26のアクチュエータの伝動装置は二重ボールのカム型のアクチュエータを使用している。 First, transmission of the actuator of Figure 20-26 uses a cam-type actuator of the double ball. 二重ボール型のアクチュエータは前の具体化例における単一の溝のシャフトではなく二重の溝のついたシャフトをもっている。 Double ball actuator has a shaft with a double groove rather than a single groove of the shaft in the previous embodiment example. 第2に、このアクチュエータの伝動装置は特別な構造のために製造が容易である。 Second, transmission of the actuator is easy to manufacture because of the special structure. 第3に、 Third,
この伝動装置にはウエハに関する指状部材の回転運動の程度を調節するのに使用できる取付けアセンブリーが備えられている。 Mounting assembly that can be used to adjust the degree of rotational movement of the finger member about the wafer is provided in the transmission. 【0083】 二重ボール、カム型のアクチュエータの第1の具体化例を図20〜24の10 [0083] double ball 10 in FIG. 20 to 24 the first embodiment example of an actuator of the cam-type
00の所に一般的に示す。 00 generally shown in the place of. 図示のように、アクチュエータ1000は中心に配置されたシャフト1013を具備し、このシャフトは個々のウエハの接触電極の対応する合致部分を受けるための、その中心部分を通って配置された穿孔部を含んでいる。 As shown, the actuator 1000 comprises a shaft 1013 disposed at the center, for the shaft to receive the corresponding mating portions of the contact electrodes of the individual wafers, the perforations disposed through the central portion which comprise. この穿孔部の中にはリー(Lee)型のバネ1002が配置され、保持用のバネ1012でその中に固定されている。 The spring 1002 of Lee (Lee) type in the perforated portion is arranged, and is secured therein by a spring 1012 for holding. アクチュエータ1000はスリーブ1008を通ってその下方部分に配置され、この部分は次に環状の取付部10 The actuator 1000 is disposed on the lower part through the sleeve 1008, the mounting portion 10 this portion is then annular
09と係合している。 09 and are engaged with. 第2のリー型のバネ1003がシャフト1013の周りに同軸をなして配置されている。 Second Lee-type spring 1003 is arranged in a coaxially about the shaft 1013. スリーブ1008は通路1004を含み、この通路の中にO−リング1016を入れて外側のハブアセンブリー940に対して密封を行なう。 The sleeve 1008 includes a passageway 1004, performs sealing against the outside of the hub assembly 940 to put O- ring 1016 into the passageway. 【0084】 バネ1003はスリーブアセンブリー1008とその下方部分の所で、また保持器アセンブリー1015とその上方部分の所で係合している。 [0084] The spring 1003 is engaged at its lower portion a sleeve assembly 1008, also the retainer assembly 1015 in its upper portion at. 図示の具体化例においては、保持器アセンブリー1015はシャフト1013の上方の通路に対して軸受1018を固定している上方の軌道輪1014および下方の軌道輪10 In embodiment example shown, the retainer assembly 1015 raceway 10 of the upper bearing ring 1014 and lower fixing the bearing 1018 against the upper passage of the shaft 1013
11を含んでいる。 It includes a 11. 図示のように下方の軌道輪1011はバネ1003の上部と係合しているフランジ部分を含んでいる。 Bearing ring 1011 downward as shown includes a flange portion engaged with the upper portion of the spring 1003. 上方の軌道輪1014および下方の軌道輪1011は、上方の軌道輪1014の上面と係合した上部の唇状部および下方の軌道輪1011の底面と係合した下部の唇状部を有するキャップ1019によって一緒に保持されている。 Above the bearing ring 1014 and lower bearing ring 1011, a cap 1019 with a lower portion of the lip which engages the bottom surface engagement with the upper surface engaged with the upper portion of the lip part and the lower bearing ring 1011 of the upper bearing ring 1014 It is held together by. キャップ1019はプラスティックスまたはテフロン材料からつくられていることが好ましい。 Cap 1019 is preferably is made of plastics or teflon material. 下方の唇状部はキャップ1019 Lip The lower cap 1019
が組み立ておよび/または取外しの際に上方および下方の軌道輪の上に嵌まることができるような寸法をもっていることが好ましい。 There it is preferable to have dimensions such that it can fit over the bearing ring of the upper and lower during assembly and / or removal. 図示の方法で組み立てると、保持器アセンブリー1015はシャフト1013に連結された指状部材の電極を電極が半導体ウエハと係合する位置に偏らせてるようにバネ1003と接触する。 When assembled in the illustrated manner, the cage assembly 1015 contacts the spring 1003 as biased in a position to engage the linked-electrode semiconductor wafer to the electrode fingers member to the shaft 1013. さらに保持器アセンブリー1015は伝導装置を組立てまた解体することができる容易な方法を提供する。 Furthermore retainer assembly 1015 provides an easy way can be assembled also dismantle conducting device. 【0085】 図22に示されているように、二重軸受カム機構は個々の指状部材電極をピボット回転させるのに用いられる。 [0085] As shown in FIG. 22, the double bearing cam mechanism is used the individual finger-like members electrode for pivoting. この目的のために、シャフト1013にはその外側の表面に2個のカム溝が備えられている。 For this purpose, the shaft 1013 is provided with two cam grooves on its outer surface. 各カム溝はその中に配置された対応する軸受1017を含んでいる。 Each cam groove includes a corresponding bearing 1017 disposed therein. 円形の保持用のバネ1016は、スリーブ1 The spring 1016 for circular holding the sleeve 1
008の上部の所でカラー1020の個々の通路の中に軸受1017を保持し、 Holding the bearing 1017 in the individual passages of the color 1020 in 008 of the upper place,
シャフト1013の個々の溝の内部で該シャフトに接触している。 In contact with the shaft within the individual grooves of the shaft 1013. 【0086】 シャフト1013は伝導性材料からつくられ、個々の指状部材電極に対する電気メッキ用の電力の接続を容易にしていることが好ましい。 [0086] Shaft 1013 is made from a conductive material, it is preferable to facilitate the connection of the power for electroplating to individual finger-like members electrode. 連結ピン1010はシャフト1013の対応する孔1021を通って延びている。 Connecting pin 1010 extends through a corresponding hole 1021 of the shaft 1013. 固定用のピン10 Pin for the fixed 10
22はシャフト1013の上方部分を通って延び、孔1021の内部で連結ピン1010と係合し、適切な電気的連結がなされることを保証している。 22 extends through the upper portion of the shaft 1013, internally engaged with the connecting pin 1010 of the hole 1021, which ensures that proper electrical connection is made. 【0087】 ここに記載された具体化例の伝動装置のアクチュエータおよびそれに取付られた指状部材電極はウエハに対し種々の初期角度位置で固定することができ、従ってメッキすべき表面との指状部材電極の接触点を調節することができる。 [0087] actuators and it attached finger-member electrode gearing embodying examples described herein can be fixed to the wafer at various initial angular position, thus fingers and the surface to be plated it is possible to adjust the contact point of the member electrodes. このような柔軟性によってメッキすべき表面にメッキ用の電力が供給される接触点を変えることができる。 Power for plating on the surface to be plated This flexibility can be varied contact points supplied. 【0088】 図21および24はそれぞれアクチュエータの伝動装置の上面図および透視図である。 [0088] Figures 21 and 24 are a top view and perspective view of the transmission of the actuator, respectively. 図示のように、アクチュエータの伝動装置1000は半径方向の経路に沿って連続している環状の取付部1009を通して配置された取付用の孔101 As shown, the holes 101 for mounting the transmission device 1000 of the actuator disposed through the annular attachment portion 1009 is continuous along the radial direction of the path
8を含んでいる。 It contains 8. このようにアクチュエータの伝動装置1000をローターの内側部分934およびローターの外側部分940に取付け、個々の指状部材電極がウエハと接触する位置および程度を変更することができる。 Thus mounting the transmission 1000 of the actuator to the inner portion 934 and the rotor of the outer portion 940 of the rotor, it is possible to change the position and extent individual finger-like members electrode is in contact with the wafer. 図27および28はローターの外側部分940およびローターの内側部分934に対するこのような伝動装置の取付け部分を示す。 27 and 28 show the mounting portions of such gear relative to the outer part 940 and the rotor of the inner portion 934 of the rotor. 図示のように、アクチュエータの伝動装置960 As shown, the actuator of the transmission 960
は最も反時計方向に回した位置で取付けられている。 Is mounted at a position turned to the most counterclockwise. 伝動装置960は、単に固定部材1024を弛め伝動装置960を時計方向に回転させることにより、もっと時計方向に向いた位置へ来るように回転させることができる。 Transmission 960, the transmission device 960 simply loosen the fixing member 1024 by rotating clockwise, it can be rotated to come into a position facing the more clockwise. 【0089】 図25および26には、ローターの内側部分934および外側部分940に固定するための予め定められた角度関係を二つしかかもたない他の具体化例が示されている。 [0089] Figure 25 and 26, have been shown embodied examples predetermined angular relationship to only two or have not other for securing the inner portion 934 and outer portion 940 of the rotor. 図示のように、この別の具体化例では環状の取付部1009の両側に二つの取付け用の孔1038が備えられている。 As illustrated, a hole 1038 for two attachment are provided on both sides of the In another embodiment examples annular mounting portion 1009. 従ってこの具体化例においては伝動装置960をローターに取付けるために選択できる位置は二つしか備えられておらず、従って個々の指状部材がウエハの上に延びることができる位置は二つしかない。 Thus the position can be selected for attachment to the rotor of the transmission device 960 in this embodiment example is not only two provided, thus the position is only two, which may extend over each finger-like member of the wafer . この具体化例の残りの機素に関しては、図20〜25に関連して説明した具体化例と実質的に同様である。 For the rest of the machine element of this embodiment example is substantially similar to the embodiment example described with reference to FIG. 20-25. 【0090】 溝付きのシャフトは、各溝の内部に含まれて係合位置と係合解除位置との間でアクチュエータの操作を滑らかに切換えるボール軸受を有し、このシャフトによって係合/係合解除作用の際にアクチュエータのシャフトの力および摩擦が分配される。 [0090] grooved shaft has a ball bearing smoothly switch the operation of the actuator between contained within the engaged position and the disengaged position of the grooves, the engagement / engagement by the shaft shaft force and friction of the actuator is distributed when clearing action. これによってシャフトに沿った孤立した区域に摩擦力が集中するのが避けられ、アクチュエータが円滑にまた一層支障なく操作される。 This is avoided frictional force isolated zones along the shaft is concentrated, the actuator is operated smoothly also more without any problem. それによって最終的には指状部材電極と電気メッキ面との接触点の位置決めの均一性が大きくなり、電極の接点と表面との間で一層支障のない接触力が得られる。 Thereby ultimately increases the uniformity of the positioning of the contact point between the finger-like member electrode and the electroplating surface, the contact force without further hinder between the contacts and the surface of the electrode is obtained. 電極の接触が改善されると電気メッキは一層均一になる。 Electroplating the contact electrode is improved becomes more uniform. 【0091】 図15は面を上に向けて指状部材979が延び出しているローターの外側部分940の前面を示し、これと共に図16はウエハの接触電極の好適な運動を示している。 [0091] Figure 15 shows the front of the outer portion 940 of the rotor which is facing upwards extending out the finger-shaped member 979, which in conjunction with FIG. 16 shows a preferred movement of the contact electrodes of the wafer. 図示のように、この具体化例の指状部材はJ字形をしており、指状部材のピボット軸953の周りでピボット動作を行ない得るように取付けられている。 As shown, the finger-like members of this embodiment example is a J-shape, is mounted so as may perform pivoting about the pivot axis 953 of the finger-like members. ピボット動作は外側に向った位置と内側に向った位置との間の範囲に亙っていることが好ましい。 Pivoting action is preferably extend over a range between a position towards the position and inner side toward the outside. 外側に向った位置においてはJ字形の指状部材は外側に引き出されて位置しており、ウエハの周縁部から外れている。 Finger member of J-shaped at a position outward is located is pulled out to the outside, it is out of the periphery of the wafer. 好適な外側に向った位置を図15に示す。 FIG. 15 shows positions towards the appropriate outer. この外側に向った位置では、J字形の指状部材の鉤状の部分は該指状部材に隣接したウエハの周に対しする接線から約15°の角度だけ外側に向いている。 This was at a position toward the outside, the hook-shaped portion of the finger member of the J-shaped faces outward by an angle of approximately 15 ° from the tangent to relative circumference of the wafer adjacent to the finger-like member. 内側に向った位置では指状部材は図16に示すように内側に向いてウエハと係合するように位置している。 Finger member at a position towards the inside is positioned to engage the wafer facing inward as shown in FIG. 16. この内側に向いた位置では、J字形の指状部材の鉤状の部分は該指状部材に隣接したウエハの周に対しする接線から約45°の角度だけ内側に向いている。 In the position facing the inner hook-shaped portion of the finger member of the J-shaped facing inwardly by an angle of approximately 45 ° from the tangent to relative circumference of the wafer adjacent to the finger-like member. 【0092】 ローターアセンブリーの面にはウエハのスタンドオフ支持材721が取付けられ、この支持材は、指状部材がウエハを保持する引っ込んだ位置にある際指状部材の係合端を補うような位置をとっている。 [0092] The surface of the rotor assembly standoff support 721 of the wafer is attached, the support material, so as to compensate for the engaging end of the finger-like member when in the retracted position where the finger-shaped member to hold the wafer have taken Do not position. このような構造によりそのウエハまたは他のウエハは指状部材とスタンドオフとの間で確実に把持される。 Its wafers or other wafers by such structure is reliably gripped between the fingers member and standoff. 【0093】 係合を行なう指状部材はピボット運動を行なう他に、ローターの面の方へまたそれから離れる方へ軸方向に運動する。 [0093] finger member for engagement in addition to performing the pivoting movement, moves in the axial direction towards the surface of the rotor also to away therefrom. 内側へ向った位置において、指状部材はウエハの方へと引っ込み、ウエハの周に隣接した縁の帯状部に沿いウエハの露出した前面と係合する。 At a location toward the inner, finger-shaped member is retracted toward the wafer to expose the front surface and the engagement of the wafer along the belt portion adjacent edge periphery of the wafer. 外側へ向った位置において、指状部材はウエハの面から離れて延び出し、指状部材がウエハからピボット回転して離れる際の摩擦作用を防いでいる。 At a location outwardly, finger-like member extends out away from the plane of the wafer, the finger-like member is prevented from rubbing action when away pivoted from the wafer. ピボット成分と軸方向の成分の両方を含むこの複合作用は図14のローターに対する透視的な関係で示した指状部材のアクチュエータの伝動装置96 Transmission of the actuator finger member shown this combined action including both the pivot component and the axial component in the perspective relationship for the rotor of Figure 14 96
0を用いて達成される。 It is achieved by using a 0. 伝動装置960はローターの内側部分934の伝動装置の受け937の内部に取付けられている。 Transmission 960 is mounted within the receiving 937 of the transmission of the inner portion 934 of the rotor. 伝動装置はさらに固定具によってローターの内側部分934に固定された伝動装置保持器951によって取付けられている。 Transmission is mounted by transmission retainer 951 that is fixed to the inner portion 934 of the rotor by further fasteners. 【0094】 処理ヘッドはまたウエハ検出サブシステムを含んでいることが好ましい。 [0094] processing head also preferably includes a wafer detection sub-system. このサブシステムによりウエハがローターに把持されているかどうかを処理ヘッドが決定し得るようになる。 Wafer comes to be determined whether a treatment head or being grasped in the rotor by the subsystem. システムが電力の中断を経験するか、或いはまたウエハが機械の中に存在する可能性がある何等かの状態でシステムが開始される場合には、このことは特に重要である。 If the system is either experience a power interruption, or alternatively the wafer systems some kind of state that may be present in the machine is started, this is particularly important. この場合、ウエハまたは中にウエハが把持されている処理ステーションの間違った取り扱いを防ぐためにコントロールシステムに操作場の安全対策を含ませることができる。 In this case, it is possible to include operations field safety measures to control systems in order to prevent the handle wafer to the wafer or in the wrong of processing stations being grasped. 【0095】 図12に示されているように、処理ヘッドのフレーム部分983には検出器3 [0095] As shown in FIG. 12, the detector 3 in the frame portion 983 of the treatment head
9を取付けるのに使用される適当な形をした凹みの取付け部分738が備えられている。 Mounting portion 738 of the recess has a suitable shape to be used to attach the 9 is provided. 検出器739は図12の向きで下方に通過するビームを放出する光学的な発光−検出ユニットであることが好ましい。 Detector 739 optical emission emits a beam which passes downwardly in the orientation of FIG. 12 - is preferably a detection unit. 放出されたビームはローターの外側部分の面のパネルの中につくられるウエハ検出器のウィンドウ741を通過する。 The emitted beam passes through the wafer detector window 741 made in the panel surface of the outer portion of the rotor. ウィンドウは分離した挿入物であることができ、或いはもっと好ましくはローターの面のパネル943の薄い寸法をもったパネル部分であることができる。 The window can be a insert isolated, or more preferably be a panel portion having a thin dimension of the panel 943 side of the rotor.
ローターの面のパネルは使用する検出器のビームに対して透明な材料からつくられることが有利である。 Panel surface of the rotor is advantageously made of a material transparent to the beam of detector used. 例えば適当な薄い寸法、例えば約1〜5mmの範囲のポリフッ化ビニリデンからつくることができる。 For example suitable thin dimensions, can be made for example of polyvinylidene fluoride in the range of about 1 to 5 mm. 【0096】 適当な検出器739はSunxの商標RX−LS200型、および他の市販の検出器である。 [0096] is a suitable detector 739 TM RX-LS 200 type SUNX, and other commercially available detectors. 好適な検出器は一対のビーム検出器(個別的には示されていない)によって検出を行なう赤外線ビーム発光器(個別的には示されていない)である。 Suitable detectors are a pair of beam detectors infrared radiation emitter for detecting the (not not shown in the individual) (not shown in the individual). この赤外線ビーム発光器および赤外線ビーム検出器はウエハ検出器として機能する同じユニットの一部であることが好ましい。 It is preferred that the infrared radiation emitter and an infrared radiation detector are part of the same unit that functions as a wafer detector. ウエハ検出器は三角形モードで動作することが好ましい。 Wafer detector is preferably operated in a triangle mode. 三角形モードにおいては、反射されたビームの角度が重要な識別パラメータである。 In triangle mode, the angle of the reflected beam is an important identification parameters. ウィンドウ741によって反射されたびビームの一部は通常の検出角の範囲外にある反射角で一対の検出器に入射する。 Incident on a pair of detectors at a reflection angle that is outside the normal detection angle part of beauty beam reflected by the window 741. 従ってウィンドウ741によって反射されるビームの一部は最小になっており、このような反射によって検出器が始動されることはない。 Thus the portion of the beam that is reflected by the window 741 is at a minimum, does not detectors is triggered by such reflection. その代わり、一対のビーム検出器は、そのウエハまたはウィンドウから遠い所にある他のウエハの表面に付随した反射角で入射する反射ビームを感知するように調節されている。 Instead, a pair of beam detectors is adjusted so as to sense the reflected beam incident on the reflection angle associated with the surface of another wafer in far from the wafer or window. ウエハ保持器にウエハが保持されていない場合、検出器は存在しないことを感知し、制御システムはこのことを使ってウエハ支持部材の中にウエハが存在しないことを示す。 If the wafer on the wafer holder is not held, the detector senses that there is no, the control system indicates that the wafer is not present in the wafer support member using this. 【0097】 一般に好適なウエハ検出サブシステムに使用される放射された赤外線ビームは、放射された赤外線ビームがウィンドウを通過した後ウエハにより反射され再びウィンドウを通るような位置にウィンドウ741の一つが配置されるようにローターが位置している場合、静止した位置に把持されたウエハまたは他の半導体ウエハの存在を十分に検出することができる。 [0097] Generally emitted IR beam is used in a suitable wafer detection subsystem, a window 741 in a position such as to pass again the window is reflected by the wafer after emitted IR beam passes through the window arrangement If the rotor is positioned as the presence of a gripped wafer or other semiconductor wafer in a stationary position it can be sufficiently detected. このような検出システムはローターおよびおよびその上に把持されたウエハが回転いる場合には検出できるには不十分である。 Such detection systems are insufficient to be detected when the rotor and and gripping wafers thereon are rotated. 本発明はローターが回転している間でも感知できる状態で実施することもできる。 The present invention can also be carried out in a state that can be sensed even while the rotor is rotating. 【0098】 図示のウエハ検出器の配置は、処理用の液がローターの後方の空間に入る原因となる孔を用いずに、ローターの面パネルの完全に後方に取り付け得るという明確な利点をもっている。 [0098] arrangement shown in the wafer detector, without using a hole the liquid for treatment is responsible for entering the space behind the rotor, have a clear advantage be mounted entirely behind the back panel of the rotor . これによって保守の手間が減少し、信頼性が改善され、 This labor of maintenance is reduced, improved reliability,
製造コストが単純化される。 Production cost is simplified. 【0099】 図29〜48は多数の異なった電極指状部材の形を示す。 [0099] Figure 29-48 illustrates the form of a number of different electrode finger member. 図29は銅で素地のメッキを行なう際に半導体ウエハを接触させることを意図した用途をもつ指状部材アセンブリー631を示す。 Figure 29 shows a finger-like member assembly 631 with the intended application contacting the semiconductor wafer when performing plating matrix with copper. 指状部材アセンブリー631はステンレス鋼、チタン、白金メッキチタンまたは他の貴金属のような電気伝導性の材料からJ字形につくられた指状部材のシャフト632を含んでいる。 Finger member assembly 631 stainless steel contains titanium, the shaft 632 of platinized titanium or other electrically conductive fingers member made in J-shape from a material such as a noble metal. 指状部材アセンブリーはまたアクチュエータの伝動装置960の受け954の中に収納されている一体となった指状部材のヘッド633を含んでいる。 Finger member assembly also includes a head 633 of the finger-like member which is integral, which is housed in a receiving 954 of the transmission 960 of the actuator. このヘッドはピン状の孔を有し、 The head has a pin-shaped hole,
この孔はその中にある固定ピン956を受け、アクチュエータの伝動装置960 This hole receives the fixing pin 956 within it, the actuator of the transmission 960
の受けの中につくられた固定用の溝955と係合する。 It engages with the groove 955 for fixing made in the receiving of. 【0100】 指状部材アセンブリー631は誘電体材料の鞘634および635を含んでいる。 [0100] finger member assembly 631 includes a sheath 634 and 635 of the dielectric material. 誘電体材料の鞘634および635は指状部材のシャフトに被覆されたポリフッ化ビニリデン被膜または他の非伝導層からつくることができる。 Sheath 634 and 635 of the dielectric material may be formed from a non-conducting layer shaft coated a polyvinylidene fluoride film or other finger-like members. 誘電体材料の鞘は電極のシャフトの限られた部分で接触ヘッド636の近傍だけに取り付けられていることが好ましい。 It is preferred sheath of dielectric material mounted only in the vicinity of the contact head 636 in a limited portion of the shaft of the electrode. 接触ヘッドは直接ウエハと接触し電極と例えばウエハ上の種子層の間に電流を通す接触面637をもっている。 Contact head has a contact surface 637 to pass current between the seed layer on the direct contact with the wafer electrode for example a wafer. この接触面637は流体浸漬境界639とほぼ等しい高さの所に配置されている。 The contact surface 637 is arranged at the substantially equal height as the fluid immersion boundary 639. 浸漬境界は処理中のメッキ液の概略の高さを示している。 Immersion boundary represents the height of the outline of the plating solution during processing. 【0101】 誘電体材料の鞘を限定された区域に被覆すると、ウエハ支持部材で把持された半導体ウエハに対して行なわれるメッキの均一性の改善に役立つ。 [0102] Upon coating the sheath a limited area of ​​the dielectric material, help improve the uniformity of the plating is performed on the semiconductor wafers held by the wafer support member. 電極指状部材の浸漬可能な表面には、電極の浸漬可能な区域の約25〜75%を占める誘電体材料の鞘を取り付けることが最も良い。 The immersible surface of the electrode finger member, it is best to attach the sheath of dielectric material, which accounts for approximately 25-75% of the immersible area of ​​the electrode. これらの量は接触面を該区域の一部として考えていない。 These amounts are not considered part of the compartment area contact surfaces. 【0102】 図29の具体化例は、処理中メッキ液の中に位置するような、浸漬線639から下方へ向い電極指状部材のシャフトの外面の約50%を覆う二つの区域634 [0102] Specific flounder 29, such as to be located in the processing in the plating solution, the two zones 634 covering about 50% of the outer surface of the shaft of the electrode fingers member facing the immersion line 639 downwardly
および635を含んでいる。 And it includes a 635. 第1の誘電体材料の区域634は接触面637の近傍にある。 Area 634 of the first dielectric material in the vicinity of the contact surface 637. 第1の電気伝導層の区域642は誘電体材料の区域634と接触面6 The contact surface area 642 of the first electrically conductive layer and the region 634 of the dielectric material 6
37との間に存在する。 It exists between the 37. 第2の電気伝導層の区域643は第1および第2の誘電体材料の区域634および635の間にある。 Zone 643 of the second electrically conductive layer is between zones 634 and 635 of the first and second dielectric materials. 第3の電気伝導区域644は第2 The third electrically conductive region 644 second
の誘電体材料の区域635と浸漬線639の間にある。 It is between the zone 635 of the dielectric material immersed line 639. 電気伝導区域642〜6 Electrical conductivity zone 642-6
44は、指状部材のヘッド633を通してメッキ浴の中に含まれるメッキ液へ直接電流を供給するメッキ用の電流を通す電流移送区域である。 44 is a current transport zone through a current for plating supplying direct current to the plating liquid contained in the plating bath through the head 633 of the finger member. これにより銅または他のメッキ金属で素地メッキされるウエハの表面を横切って、均一な電流密度および均一な電圧分布を与えることができる。 Accordingly across the surface of the wafer to be green body plated with copper or other plating metal, it can provide a uniform current density and uniform voltage distribution. 【0103】 図30は、直ぐ上で説明した電極631と同じような多くの機能部材を有する他のメッキシステムのウエハ支持用の電極651を示す。 [0103] Figure 30 shows an electrode 651 of the wafer support other plating system having a similar number of functional members and the electrode 631 as described immediately above. 同様な部分を示すために同じ参照番号が用いられている。 And the same reference numbers are used to indicate like parts. しかし電極651は3個の電流移送区域64 But the electrode 651 three current transport zone 64
2〜644をもっている。 It has a 2-644. 区域642〜644の大きさおよび形は電極631の対応する区域とは幾分異なっている。 The size and shape of the area from 642 to 644 is somewhat different from the corresponding area of ​​the electrode 631. 特定的に云えば、第2および第3の電流移送区域643および644はシャフトに沿って細長くなっている。 Speaking specifically, second and third current transport zone 643 and 644 is elongated along the shaft. 第2の誘電体材料の区域635は短くなっている。 Zone 635 of the second dielectric material is shorter. また第3の誘電体材料の区域653が含まれている。 Also it contains areas 653 of the third dielectric material. 第3の誘電体材料の鞘654は浸漬された誘電区域653をつくり、 Sheath 654 of the third dielectric material creates a dielectric area 653 which is immersed,
浸漬線639の上方をヘッド633へと延びている。 The upper dip line 639 and extends to the head 633. 浸漬された電流移送区域の面積は浸漬された表面積の25〜75%、特に約50%である。 Area of ​​immersed current transport zone 25-75% of the immersed surface area, in particular about 50%. 【0104】 電極651には遠い方の接触挿入部材655が取り付けられている。 [0104] contact insert 655 farther to the electrode 651 is mounted. 挿入部材655は電極シャフトの遠い方の端につくられた挿入部材の受け616の内部に収納されている。 Insert member 655 is accommodated in the receiving 616 of the insert member made on the end facing away of the electrode shaft. 挿入部材の接触先端655は保持されるウエハと接触する接触面617を規定している。 Contact tip 655 of the insert member defines a contact surface 617 that contacts the wafer to be held. 挿入部材の接触部は伝導性の材料からつくられ、これは好ましくは白金またはステンレス鋼のような非腐食性材料である。 Contact portion of the insert member is made from a conductive material, which is preferably non-corrosive material such as platinum or stainless steel. 【0105】 図31は電極指状部材979の形をした他の電極指状部材の構成を示している。 [0105] Figure 31 shows the structure of another electrode finger member in the form of the electrode fingers member 979. この図において電極指状部材631および651と同様な部分には同様な番号が付けられている。 It is labeled with like numerals represent like parts to the electrode finger members 631 and 651 in FIG. 電極のシャフトは誘電体材料の鞘621で覆われており、この鞘は電極のシャフトの大部分を覆い、接触面637の直ぐ隣の第1の電流伝導区域642だけが残されている。 Shaft of the electrode is covered with a sheath 621 of the dielectric material, the sheath covers the majority of the shaft of the electrode, only the first current conducting zone 642 immediately adjacent the contact surface 637 is left. この構造は電極631および651とは対照的である。 This structure is in contrast to the electrodes 631 and 651. 何故なら電極指状部材979は電極の浸漬部分の25%を占める電流移送区域をもっていないからである。 The electrode finger member 979 because is because not have a current transport zone which accounts for 25% of the immersed portion of the electrode. この構造はまた、接触面637と除去されたまたは遠いところにある電流伝導区域との間に挿入されている誘電体材料の区域によって分離される方法で露出した電流移送区域をもっていない。 This structure also does not have a current transport zone exposed in a manner separated by areas of dielectric material is inserted between the current conduction region in the contact surface 637 and where to or farther removed. 【0106】 図32は浸漬した電流移送区域642〜644を有する他の電極指状部材60 [0106] Figure 32 Other electrode finger member having a current transport zone 642-644 immersed in 60
1を示す。 Shows the 1. この指状部材も誘電体材料の区域634および635をもっている。 The finger member also has an area 634 and 635 of the dielectric material.
この図の誘電体材料の区域635は上記の他の電極に比べて異なった形および被覆面積をもっている。 Section 635 of the dielectric material in this figure has a different shape and coverage than other electrodes of the. この構造では誘電体材料の鞘は電極のJ字形の屈曲部の外径部に沿って延びている。 This structure extends along the outer diameter of the bent portion of the J-shaped sheath of dielectric material electrode. 曲がった上方の縁はJ字形の屈曲部の内径部を覆う重なったウエッブ部分603をつくるように延びている。 Curved upper edge extends so as to make the web portions 603 which overlap to cover the inside diameter portion of the bent portion of the J-shape. この図の電極を使用する幾つかの処理の方がメッキの均一性に関する性能が優れていることが見出された。 Towards the several processing using electrodes of this figure it was found to be superior in performance regarding the uniformity of the plating. 【0107】 電極631、651および601を本発明の新規方法に使用することが好適である。 [0107] It is preferred to use the electrode 631,651 and 601 to the novel method of the present invention. これらの方法は半導体製品またはウエハの表面を接触面で電極と接触させる工程を含んでいる。 These methods include the step of contacting with the electrode at the interface of the surface of the semiconductor product or wafer. またこの方法は電極の一部または幾つかの部分を、典型的には当業界に公知の種々の成分を含む溶液および混合物であるメッキ溶液を含んだメッキ浴の中に浸漬する工程を含んでいる。 Also a part or some parts of the method electrodes typically include a step of dipping into the plating bath containing a plating solution is a solution and mixtures containing various known components in the art there. またこの方法は半導体製品の処理表面をメッキ浴で湿潤する工程を含むことが好ましい。 It is preferable the method comprising the step of wetting the treated surface of the semiconductor product on the plating bath. さらに電極およびメッキ浴に電流を通し、ウエハまたは他の製品の少なくとも処理表面の上に電気メッキを行なう工程が含まれる。 Furthermore conduct current to the electrodes and the plating baths include the step of performing electroplating on at least the processing surface of the wafer or other products. さらにこの方法は、電流の一部を少なくとも一つの電極の電気伝導区域に沿って電極とメッキ浴との間に直接流す工程を含むことが有利である。 Furthermore, the method advantageously comprises a step of flowing directly between along the electrically conductive region of the at least one electrode portion of the current electrodes and the plating bath. 電気伝導区域は接触面から実質的な距離、例えば5mm以上の距離だけ間隔をおかれ、またそれから誘電体材料の鞘を介在させて離されていることが好ましい。 Electrically conductive area substantial distance from the contact surface, for example, placed by a distance of more than 5 mm, also it is preferred that then are separated by interposing a sheath of dielectric material. 【0108】 図33は、浸漬線639の上方から接触挿入部材の側壁619まで延びた完全な誘電体材料の鞘682を含むこと以外は電極指状部材651と同様な他の電極指状部材681を示す。 [0108] Figure 33 is a complete dielectric materials other similar to the electrode finger member 651 except that comprise a sheath 682 of the electrode finger member extending from above the immersed wire 639 to the sidewall 619 of the contact insert 681 It is shown. この構造には、浸漬または層を被覆する他の方法で電極のシャフトの上に被覆し得るポリフッ化ビニリデンのような被覆層682を使用すことが好ましい。 The structure, preferably to use a coating layer 682 such as polyvinylidene fluoride may be coated on the shaft of the other methods electrodes covering the immersion or layer. この構造は電極のシャフトの遠い方の端の上を被覆し挿入部分の接触部材または先端655の側壁に関し密封関係にある誘電体材料の層を含んでいる。 This structure includes a layer of dielectric material in sealing relationship relates the side walls of the contact member or tip 655 of the insertion portion covering the upper end of the farther of the shaft of the electrode. 誘電体材料の被膜または他の層682により腐食性の処理液が排除される。 Corrosive treatment liquid is eliminated by coating or other layer 682 of dielectric material. 接触先端は非腐食性の材料、例えば白金からつくられることが好ましいから、腐食作用に直接露出される電極の唯一の材料は非腐食性の先端であり、これは困難な操作条件にもかかわらず良好な使用特性を保持することができる。 Since the contact tip noncorrosive material, preferably made for example of platinum, only material of the electrodes exposed directly to the corrosive effects is the tip of a non-corrosive, which despite the difficult operating conditions it is possible to retain good use properties. 【0109】 さらに、挿入された接触先端655および受け616の間につくられる接合部が被覆され、処理室に存在する腐食性のメッキ液および蒸気に直接曝されることが防がれるから、この電極681の構成は特に有利である。 [0109] Further, the junction created between the inserted contact tip 655 and the receiving 616 is covered, since it is directly exposed to corrosive plating solution and vapor present in the process chamber is prevented, the configuration of the electrode 681 is particularly advantageous. 【0110】 上記のウエハ接触部材を使用する方法は、例えば接触挿入部材655のような接触部材の上にある例えば面617のような接触面を使用し、ウエハの表面を電極アセンブリーと接触させる工程を含んでいる。 [0110] step of contacting methods using wafer contact member is carried out by using a contact surface, such as that for example the surface 617 on the contact member, such as contact insert 655, the surface of the wafer and the electrode assembly It contains. 接触挿入部材は電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられている。 Contact insert is attached to the end of the farther of the shaft of the electrode. さらにまた接触部材に対し密封を行なう関係で該遠い方の端の周りにつくられた誘電体材料の層が備えられていることが好ましい。 It is preferable that provided further also a layer of dielectric material made around the distal There how end in relation performing sealing against the contact member. この方法はさらに、例えばウエハをメッキ材料でメッキするのに使用されるメッキ浴の中で、ウエハの処理表面を浸漬するかまたは他の湿潤処理を行なう工程を含んでいることが好ましい。 The method further example the wafer in the plating bath used to plate with a plating material preferably contains a step of performing or other wet processing immersing the treated surface of the wafer. またこの方法は好ましくは接触部材の接合部、例えば接触部材655と受け616の間につくられた接合部から、液化したメッキ浴を排除する工程を含んでいる。 This method also is preferably the junction of the contact member, the created joints between eg contact member 655 and the receiving 616, including the step of eliminating the liquefied plating bath. この方法はさらに、電流を接触部材に、 The method further current contact member,
また半導体ウエハと電極アセンブリーとの間に通すことによりウエハをメッキ材料で電気メッキする工程を含んでいる。 Also it includes the step of electroplating the wafer with a plating material by passing between the semiconductor wafer and the electrode assembly. 接触面のメッキ層は下記に詳細に説明するようなメッキ材料からつくられていることがさらに好ましい。 Plated layer of the contact surface, it is more preferable that is made of plating material as described in detail below. この方法は珪素またはその酸化物のような半導体材料の表面に銅をメッキするのに使用することが最も好適である。 This method is most preferred to use for plating copper on the surface of the semiconductor material such as silicon or an oxide thereof. 【0111】 図34および35は電極接触指状部材2026の他の具体化例を示す。 [0111] Figures 34 and 35 show another embodiment example of the electrode contact finger member 2026. 指状部材2026はステンレス鋼、チタン、白金メッキチタン、または白金メッキした他の貴金属のような鍛造して所望の形にするのに適した伝導性金属からつくられたシャフト2027を具備している。 Finger members 2026 stainless steel, has provided titanium, platinized titanium or shaft 2027 made of conductive metal suitable for the desired shape forged by such as platinum plated other precious metals, . 図示の具体化例もJ字形をしている。 Embodying example shown also has a J-shape. 指状部材2026も接触先端2028を有し、これは他の伝導性金属、例えば白金、 Finger member 2026 also has a contact tip 2028, which other conductive metals, such as platinum,
銅、タンタル、白金メッキタングステンまたは白金メッキした他の金属から成っている。 Copper, tantalum, is made of platinum-plated tungsten or platinum plated other metals. 先端2028はプレス接触嵌め込み(pressed interfe Tip 2028 press contact fitting (pressed interfe
rence fit)として知られている方法でシャフトの中にプレスすることにより指状部材2027に取り付けられている。 It is attached to the finger-shaped member 2027 by pressing in of the shaft in a manner known as rence fit). これは拡散接合法によって取り付けることもできる。 This can also be attached by diffusion bonding. シャフトは誘電体材料で被覆することができる。 The shaft may be coated with a dielectric material. この電極の構成によって指状部材のシャフトに使用したものとは異なった金属から成る接触先端の使用が可能になる。 It allows the use of a contact tip made of a different metal as that used for the shaft of the finger-like member by the configuration of the electrode. この指状部材は、接触先端には少量の伝導性金属、 The finger member is the contact tip a small amount of conductive metal,
特に高価な金属を使用し、一方シャフトに対しては適当ではあるが廉価な金属を使用できるという点で有用である。 Using the particularly expensive metal, there is adequate is useful in that it can use inexpensive metal for the other hand shaft. この接触先端はメッキ工程およびその条件に対してむくの(solid)金属よりも堅牢である。 The contact tip is more robust than (solid) metal solid respect plating process and its conditions. メッキ金属層の剥離、製品またはウエハの汚染、および不適切な電流の伝導性(即ちメッキされた先端、例えばPt/TiがPtメッキの部分を失い始める際、露出した下地金属が酸化されて非伝導性の被膜を生じることが原因)などメッキによる接触に伴う問題が避けられる。 Peeling of the plated metal layer, contamination of the product or the wafer, and improper current conduction (i.e. plated tip, for example, when the Pt / Ti begins to lose part of the Pt plating, the exposed underlying metal is oxidized non causing the conductive coating caused) avoids problems associated with contact by plating such. またその結果、特に先端がむくの単一の金属の先端の場合には、堅牢性が大きく、もっと烈しい洗滌スケジュールおよび過程に適した電極が得られる。 The result, especially in the case of a single metal tip of the tip solid has a high robustness, the electrode is obtained which is suitable for more vigorous washing schedules and processes. この指状部材も誘電体材料、例えばポリフッ化ビニリデンで随時被覆することができる。 The finger members may also be optionally coated dielectric material, for example, polyvinylidene fluoride. この被覆は電極の一部、例えば約10〜90%に亙るか、または表面積の約25〜75%であることができる。 The coating can be part of the electrode, for example, or ranges from about 10-90%, or about 25 to 75% of the surface area. 【0112】 図36〜39は指状部材のシャフト2031およびピン2032を具備した他のウエハ接触部材2030を示す。 [0112] Figure 36-39 illustrates another wafer contact member 2030 provided with the shaft 2031 and pin 2032 of the finger member. この指状部材は、メッキ装置の指状部材アセンブリーに取り付けるための固定ピンを受ける孔2033をもっている。 The finger member has a hole 2033 for receiving a fixing pin for attaching the finger member assembly of the plating apparatus. この具体化例においては、指状部材には白金被覆は使用されておらず、従って電極指状部材の使用寿命が増加している。 In this embodiment example, the finger-shaped member platinum coating is not used, therefore the service life of the electrode finger member is increased. 指状部材はチタンまたは他の適当な金属からつくられ、ついで誘電体材料が被覆されている。 Finger-like member made of titanium or other suitable metal, and then are dielectric material is coated. さらに、比較的高価な金属である白金が少量しか使用されていないから、この指状部材アセンブリー2030は或る種の他の指状部材電極に比べて低価格で製造することができる。 Further, since platinum is a relatively expensive metal is not used only a small amount, the finger member assembly 2030 can be manufactured at a low cost compared to other finger members electrode certain. ピン2032 Pin 2032
の中へプレスしてこれを接触点として作用させ、また集電部材として用いることができる。 And pressed by the action of this as the contact point into a, also it can be used as the current collecting member. 金属のピンはむくの材料であるから、これは金属層を被覆してつくられたものよりも堅牢な指状部材である。 Since the pin of the metal is a material of the solid, which is a robust finger members than those made by covering the metal layer. ピン2032は腐食防止性を高くし、電気的接点としての一体性を大きくするために拡散接合法によって取り付けることができる。 Pin 2032 can be attached by diffusion bonding in order to increase the corrosion resistance, increase the integrity of the electrical contact. この具体化例においては、ピンを「軸上の」集電部材と呼ぶ。 In this embodiment example, a pin is referred to as "on-axis" current collecting member. このものも誘電体材料、例えばポリフッ化ビニリデンで部分的に被覆することができる。 This shall be a dielectric material, it may be partially covered, for example polyvinylidene fluoride. この被膜は電極の一部、例えば約10〜90%に亙るか、または表面積の約2 The coating portion of the electrode, for example, or ranges from about 10% to 90%, or about the surface area 2
5〜75%であることができる。 It can be 5 to 75%. 【0113】 図40〜41は指状部材2041およびバネ付きのピン2042を具備した他の指状部材アセンブリー2040を示す。 [0113] Figure 40-41 illustrates another finger member assembly 2040 provided with the finger member 2041 and pin 2042 of the spring-loaded. この具体化例においては、指状部材の先端の接触部材は丸まった先端をもっている。 In this embodiment example, the contact member at the tip of the finger-like member has a rounded tip. 丸まった先端は、先端が最初メッキすべき表面に接触した際に起こる局所的な高い電流密度を減少させる助けになる。 Rounded tip, helps to reduce the high local current density which occurs when the tip is in contact with the first plated surface to be. このような高い電流密度は電気メッキの際にメッキの均一性を変動させ不適切にする恐れがある。 Such a high current density which may be unsuitable varying the plating uniformity during electroplating. またこのような形状は、先端が90°の縁をもっている場合にメッキ工程中に起こる可能性があるような、ウエハから指状部材自身の方へ電流が迂回して戻ってくる可能性を無くすことができる。 Also such a shape, the tip is such that can occur during the plating process if they have an edge of 90 °, the current from the wafer towards the finger members themselves eliminate the possibility of coming back to bypass be able to. このアセンブリーはポリフッ化ビニリデンのような誘電体材料の被膜を含み、この被膜は電極の一部、 The assembly comprises a coating of a dielectric material such as polyvinylidene fluoride, the coating portion of the electrode,
例えば約10〜90%に亙るか、または表面積の約25〜75%であることができる。 Can be, for example whether ranges from about 10-90%, or about 25 to 75% of the surface area. 【0114】 図41〜43の例は指状部材2051、ボンネット型取付部のブート(boo [0114] example of FIG. 41 to 43 finger-shaped member 2051, boot bonnet mounting portion (boo
t、脚覆い)2052およびバネ付きのピン2053を有する丸まった先端をもつ電極指状部材の具体化例を示す。 t, shows a concrete example of the electrode fingers member having a rounded distal end having a pin 2053 with leg covering) 2052 and the spring. ボンネット型のブートはフッ素エラストマー、例えばAFLASまたはKAL−REZから成り、これらの材料は電気メッキに使用するメッキ溶液に対して不活性でなければならない。 Bonnet boot consists fluoroelastomers, e.g. AFLAS or KAL-REZ, these materials must be inert to the plating solution used for electroplating. このブートはバネ付きのピン2053がメッキ溶液に露出するのを保護する。 This boot protects the pin 2053 with the spring is exposed to the plating solution. このことは、メッキ処理の一部として指状部材がひっくりかえされ、溶液が指状部材から下方へ滴り落ちる場合に特に有用である。 This finger-shaped member is turned over as part of the plating process is particularly useful if the solution drips from the finger-shaped member downwardly. この場合機械的および電気的な連結が乱され、指状部材または装置の望ましくない区域に金属がメッキされるような問題が生じる恐れがあるからである。 In this case disturbed mechanical and electrical connection, metal unwanted areas of the finger-like members or devices there is a fear that problems such as plating. それ以外の点においてこの具体化例は図39〜40の指状部材と同様である。 The specific flounder in other respects is the same as the finger member of Figure 39-40. 【0115】 図44は651と同様な特徴を有する他の電極指状部材583を示す。 [0115] Figure 44 shows another electrode finger member 583 having the same characteristics as 651. このような同様の特徴をもつ部材には同じ参照番号を付けて識別を行なうことにする。 The members with such similar features will be performing identification with the same reference numbers.
電極指状部材583は、電極のシャフトの遠い方の端に至るヘッド633の間で電極のシャフト584がカバーまたはブート585で被覆されているという点で指状部材651と異なっている。 Electrode finger member 583 is different from the finger member 651 in that the shaft 584 of the electrode between the head 633 reaches the end of the farther of the shaft of the electrode is covered with a cover or the boot 585. ブート585は電極のヘッド633付近から遠い方の接触唇状部まで連続的な覆いが得られるようにつくられていることが好ましい。 Boot 585 is preferably a continuous covering from near the head 633 of the electrode to the farther the contact lip of the is designed to obtain. このブートは接触挿入部材655の付近でさらに他の機能部材を含んでいる。 The boot includes a further functional member in the vicinity of the contact insert 655. 特定的に云えば、このブートは電極シャフトの遠い方の端面588の上方へ延びたスカート部分587を含んでいる。 Speaking specifically, the boot includes a skirt portion 587 which extends upwardly farther end face 588 of the electrode shaft. 挿入部材655の接触面617は、スカート部分587の端の上につくられた遠い方の接触唇状部586とほぼ同じ高さであることが好ましい。 The contact surface 617 of the insert member 655 is preferably a contact lip 586 that is further made on the edge of the skirt portion 587 is approximately the same height. このスカート部分は、接触させられるウエハまたは他の半導体ウエハの表面と接触する変形可能な密封材としての役目をする。 The skirt portion serves as a deformable sealing member in contact with the contacted is a wafer or other semiconductor wafer surface. 別法として、接触部617はフォトレジスト層等の深さに対応した距離だけスカートを越えて延びていることができる。 Alternatively, the contact portion 617 may extend beyond the skirt by a distance corresponding to the depth such as a photoresist layer. 【0116】 この電極の形状はパターンを賦与されたメッキ操作に使用することができる。 [0116] The electrode shape can be used in the plating operation endowed with the pattern.
この場合には接触部はフォトレジスト層または同様物の深さを越えて種子層または同様物と接触し、同時にスカートは接触部の区域に直接沈着が起こるのを防ぐ助けをする。 Contact portion in this case is in contact with the seed layer or the like was beyond the depth of the photoresist layer or the like thereof, simultaneously skirt which helps to prevent the direct deposition in the area of ​​the contact portion occurs. 図45および46はこのような使用法を示している。 Figure 45 and 46 illustrates such use. この方法は半導体ウエハの表面に、特にこの図において太い黒線によって示されたような予め薄い金属種子層562が被覆された基質または他の下地層561を有する半導体ウエハWに、金属をメッキする工程を含んでいる。 This method of semiconductor wafer surface, particularly a semiconductor wafer W having a substrate or other underlying layer 561, such advance thin metal seed layer 562 is coated as shown by thick black lines in the figure, plating a metal it includes the step. 基質および種子層の上にあるフォトレジスト層564にはヴァイアまたは他の孔563が存在している。 The photoresist layer 564 above the substrate and the seed layer is present vias or other holes 563. 【0117】 図45は、表面と接触する準備を行なうような係合解除位置にある電極583 [0117] Figure 45 is the disengaged position as makes preparations in contact with the surface electrode 583
を示し、図41は種子層と接触したウエハの表面の方へ引き込まれた電極583 Are shown, Figure 41 is the electrode 583 drawn toward the surface of the wafer in contact with the seed layer
を示す。 It is shown. 係合した位置において接触面617は孔563を通って延び、フォトレジスト層または他の被覆層で被覆されていない種子層562の露出区域と直接電気的に接触している。 The contact surface 617 in the engaged position extending through the holes 563, contacts the photoresist layer or other exposed areas directly seed layer 562 that is not covered electrically with a coating layer. スカート587およびそれに取り付けられた唇状部586 Skirt 587 and lip 586 attached thereto
をフォトレジスト層564の外面に対して押し下げることにより密封が行なわれる。 Sealing is performed by depressing a against the outer surface of the photoresist layer 564. 【0118】 このような電極の構造を使用する新規方法には、所望の機能部材、例えば電極指状部材583のような特徴をもった部材を有する電極アセンブリーを選ぶ工程を含んでいる。 [0118] The novel method of using such a structure of the electrode includes the step of selecting the electrode assembly having the desired function member, for example, members having the features such as the electrode finger member 583. 特定的に述べればこの選択工程は電極のブートまたは他の密封部材によって取り囲まれた電極接触部を有する電極アセンブリーを選ぶ工程を含んでいることが好ましい。 The selection process Stated in particular it preferably includes the step of selecting an electrode assembly having an electrode contact portion which is surrounded by the boot or other seal member of the electrode. この方法はまたフォトレジスト層564のような被覆された表面部分を密封部材またはブートと係合させる工程を含んでいる。 The method also includes the step of engaging the sealing member or boot and the coated surface portion, such as a photoresist layer 564. 密封は唇状部586がフォトレジストの表面に対して係合することによって規定される連続した周辺の密封線の周りで行なうことができる。 Sealing can lip 586 is carried around the sealing line around successive defined by engagement with the surface of the photoresist. 種子層に対して密封を行なうと密封線またはブートが種子層と係合する区域の付近で侵食効果または腐食効果が起こる原因になり得るから、唇状部をフォトレジストの面に対して係合させ、 Since seeds and performing seal against layer sealing line or boot may cause the erosion effects or corrosion effects occur in the vicinity of the zone for engagement with the seed layer, engaging the lip with respect to the surface of the photoresist then,
種子層562に対しては係合させないことが重要である。 It is important not engaged for the seed layer 562. このような侵食または腐食作用は種子層が不連続になったり或いは完全に分離する原因になることさえある。 Such erosion or corrosion may even cause the seed layer to separate or or completely discontinuous. 不連続な或いは分離した接触区域があるとメッキが失敗する結果になる。 If there is a discontinuous or discrete contact area results in plating to fail.
何故ならメッキを行なうのに電流を必要とする電極付近の区域に必要な電流が均一に伝わらないからである。 This is because is not transmitted to the uniform current required in the area near the electrode which requires current to perform is because plating. 密封部が被膜に対して係合すると、電極のブートおよびウエハの処理された表面により密封された空間が密封部の内部に閉じ込められる。 When the sealing unit is engaged with the film, the space sealed by the treated surface of the boot and the wafer electrodes is confined to the inside of the sealing portion. 【0119】 この新規方法はさらに密封部内部のヴァイアまたは他の孔を閉じる工程を含んでいる。 [0119] containing this novel method further closes the seal inside the vias or other hole process. このヴァイアは処理表面上に存在し、その中に電気的な接触を行なう露出した種子層が付属している。 The vias are present on the treated surface, the exposed seed layer is supplied for electrical contacts therein. ヴァイアは電極指状部材アセンブリーと、金属を電気メッキするためにウエハを横切って電流を通すのに使用される種子層とを直接接触させるのに必要である。 Vias is the electrode finger member assembly, it is necessary to across the wafer contacting the seed layer used to pass current directly to electroplating metal. 即ちこの方法はさらに種子層をヴァイアを介して電極の接触部と接触させ、電極アセンブリーと種子層との間に電気を伝導する連結をつくる工程を含んでいる。 That the method is further seed layer is contacted with the contact portion of the electrode through the vias, comprise the step of making a connection to conduct electricity between the electrode assembly and the seed layer. この接触工程は種子層に接し密封された空間で閉じ込められている接触面を用いて行なうことが有利である。 The contacting step it is advantageous to carry out using a contact surface that is confined in a sealed space in contact with the seed layer. 他の電極に関連して上記に説明された他の望ましい特性を使用してもこの工程を実施する際の利点を得ることができる。 It can be in relation to the other electrode even using other desirable properties described above take advantage of carrying out this process. 【0120】 さらにこの方法はウエハの処理表面をメッキ液または他の処理液で湿潤する工程を含んでいる。 [0120] Further the method comprises the step of wetting the treated surface of the wafer in the plating solution or other processing solution. これは典型的には、本明細書の他の場所で詳細に説明したように、ウエハ保持器をウエハの外側の処理面がメッキ浴の中のメッキ液と直接接触する位置まで下降させることによって行なわれる。 This includes typically, as described in detail elsewhere herein, the wafer holder outer treated surface of the wafer by lowering to a position in direct contact with the plating solution in the plating bath It is carried out. 【0121】 またこの方法は、電流を電極およびメッキ浴に通して処理表面の露出した種子層の上で電気メッキを行なう工程を含むことが好ましい。 [0121] The method also preferably includes the step of performing electroplating on the exposed seed layer through the processing surface current to the electrodes and the plating bath. このような露出した種子層の区域は溝、ヴァイアまたは他の機能部材等のような種子層562を被覆しているフォトレジスト層564が存在しない場所であることができる。 Such exposed areas of the seed layer can be a groove, vias or location photoresist layer 564 does not exist the seed layer 562 covers such as other functional elements. 電流によってこのような露出した種子層の上に電気メッキを行なうことができる。 Current makes it possible to perform electroplating on such exposed seed layer. 【0122】 さらにこれらの方法は、密封された空間からメッキ液または他の処理液を排除し、電極との接触部分の直ぐ近傍の区域でメッキまたはその他の作用が実質的に減少するか全く行なわれないようにする工程を含んでいることが好ましい。 [0122] Further, these methods eliminates plating solution or other treatment liquid from the sealed space, the plating or other actions in the area of ​​the immediate vicinity of the contact portion of the electrode is substantially or completely made reduced preferably comprises the step of so no. 【0123】 図46および47は本明細書に記載されたメッキシステムのさらに他の特徴に従ったウエハ接触電極の予備コンディショニング操作を示している。 [0123] Figure 46 and 47 show the preconditioning operation of wafer contact electrodes in accordance with a still further feature of the plating system described herein. 図46は電極614の遠い方の端を示す。 Figure 46 shows the end of the farther the electrode 614. 電極614は他の点では上記の電極681と同様である。 Electrode 614 is otherwise similar to the above electrode 681. 電極指状部材614の遠い方の端の所にステンレス鋼またはタングステンのような材料からつくられた遠い方の露出表面615がある。 There is the electrode fingers farther exposed surface 615 of made of a material such as stainless steel or tungsten at the end of the farther the member 614. この遠い方の露出した表面615の近所の電極の外側の部分に沿って誘電体材料の鞘616が取り付けられている。 Sheath 616 of dielectric material is mounted along the outer portions of the farther neighborhood electrodes exposed surfaces 615 of the. 【0124】 図47はその上に接触面のメッキ層618を沈着させてつくられた電極614 [0124] Figure 47 is electrodes 614 made by depositing a plating layer 618 of the contact surface thereon
を示す。 It is shown. この層618は電極614が一緒に使用されるべき半導体ウエハの上にメッキされるのと同じか非常に似通った材料からつくられていることが好ましい。 This layer 618 is preferably electrode 614 is made from the same or very similar material as is plated on a semiconductor wafer to be used together. 例えば半導体装置の上に銅をメッキする場合には、層618は同じメッキ浴からメッキされる層であるか、或いはメッキされるべき半導体装置の上に沈着させる銅の組成と同じかまたは非常に似た組成の層618を与えるメッキ浴からメッキされる層である。 For example, when plating copper on a semiconductor device, the layer 618 or a layer is plated from the same bath, or the same or very the composition of the copper to be deposited on the semiconductor device to be plated a layer to be plated from the plating bath to provide a layer 618 having a composition similar. 好ましくは露出した遠い方の表面615をメッキ浴の中に入れ、浴および電極の遠い方の端614に電流を通す。 Preferably the surface 615 which is further exposed placed in the plating bath, passing an electric current through the end 614 of the farther of the bath and the electrode. これによってメッキが行なわれ層618が沈着する。 This plating is performed by layer 618 is deposited. 得られた層は厚さが好ましくは少なくとも1μ、さらに好ましくは1〜100μの範囲にある。 The resulting layer is preferably thick least 1 [mu], more preferably in the range of from 1 to 100 microns. 別法とした得られた層の厚さは少なくとも0.01μ、好ましくは約0.1〜約100μである。 The thickness of the alternative and the resulting layer at least 0.01 micron, preferably from about 0.1 to about 100 microns. 【0125】 この方法および得られた構造物により、半導体装置のメッキ操作中該半導体装置にメッキされるのと同じか非常によく似た材料から成る予備コンディショニングされた電極接触面が得られる。 [0125] This method and resulting structure, the electrode contact surface is preconditioned made of the same or very similar material as is plated in a plating operation in the semiconductor device of the semiconductor device can be obtained. 同じか同様な材料を使用すると、関連する金属が似ていないことによって生じる電池反応または他の型の化学反応が起こるのが防がれる。 Using the same or similar materials, the cell reaction or other types of chemical reactions caused by the associated metal does not resemble occurs is prevented. 【0126】 予備コンディショニングされたウエハ接触電極は、半導体ウエハの表面を電極の一部をなす接触面の所で電極と接触させる工程を含む半導体ウエハの表面に金属メッキする方法に使用することができる。 [0126] preconditioned wafers contact electrodes can be used in a method of metal plating on the surface of a semiconductor wafer comprising the step of contacting with the electrode at the contact surface forming the surface portion of the electrode of the semiconductor wafer . 接触面は接触面のメッキ層によって覆われているかまたは実質的に覆われている。 The contact surface is covered or substantially covered by the plating layer of the contact surface. 接触面のメッキ層は処理中に半導体ウエハにメッキされるべきメッキ材料と同じかまたは化学的に似ている接触面のメッキ材料からつくられている。 Plated layer of the contact surface is made of a plating material of the contact surfaces resembling same or chemically with the plating material to be plated on a semiconductor wafer during processing. この方法はまたウエハの処理された表面をメッキ浴の中に浸漬するかメッキ液またはメッキ用の流体を使用して湿潤する工程を含んでいる。 The method also includes the step of the treated surface of the wafer using a fluid for either plating solution or plating is immersed in a plating bath to wet. その代わりに接触面の層としてメッキ材料を沈着させる他の方法を用いることもできる。 It is also possible to use other methods of depositing a plating material as the layer of the contact surface instead. さらにこの方法はウエハとこのような接触面メッキ層をもつ電極との間に電流を通すことによりウエハのメッキ材料を半導体ウエハに電気メッキする工程を含んでいる。 The method includes the step of electroplating a plating material of the wafer to the semiconductor wafer by passing a current between electrodes having such a contact surface plated layer and the wafer further. この方法は銅の接触面メッキ層を使用して銅を半導体にメッキする場合に特に有利である。 This method is particularly advantageous for plating copper on a semiconductor by using the contact surface plated layer of copper. 【0127】 この方法および得られた構造物から、半導体装置のメッキ操作中に該半導体装置にメッキされるのと同じか非常によく似た材料から成る予備コンディショニングされた電極接触面が得られる。 [0127] From the method and resulting structure, pre-conditioned the electrode contact surface during plating operations consisting of the same or very similar material as is plated to said semiconductor device of the semiconductor device can be obtained. 同じか同様な材料を使用すると、関連する金属が似ていないことによって生じる電池反応または他の型の化学反応が起こるのが防がれる。 Using the same or similar materials, the cell reaction or other types of chemical reactions caused by the associated metal does not resemble occurs is prevented. 【0128】 上記のシステムに対してはその基本的な記載から逸脱することなく多くの変形を行なうことができる。 [0128] For the above system can perform many variations without departing from the basic description. 以上本発明を種々の特定な具体化例を参照して実質的に詳細に説明したが、当業界の専門家は添付特許請求の範囲記載の事項および精神を逸脱することなく、種々の変更を行ない得ることを認識すべきである。 Although the present invention has been substantially fully described with reference to various specific instantiation examples, those skilled in the art without departing from the teachings and spirit according the appended claims, various changes it should be appreciated that be done. 【図面の簡単な説明】 【図1】 電気メッキシステムの模式的ブロック図。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic block diagram of an electroplating system. 【図2】 図1の電気メッキシステムに使用できる集電アセンブリーの種々の機素の透視図。 [Figure 2] a perspective view of the various machine elements of the collector assembly can be used in the electroplating system of FIG. 【図3Aおよび3B】 図1の電気メッキシステムに使用できるウエハ接触電極を一般的に示す図。 Figure 3A and 3B] generally shown FIG wafer contact electrodes that can be used in the electroplating system of FIG. 【図4〜6】 図1の電気メッキシステムに使用できるウエハ保持器アセンブリーの一具体化例を示す図。 Figure 4-6 is a diagram showing an embodied example of the wafer retainer assembly can be used in the electroplating system of FIG. 【図7〜10】 図4〜6に示したウエハ保持器アセンブリーに配置されたウエハと接触により係合しまた係合解除が行われるようにウエハの接触電極を作動させるのに用いられる種々の機素の一具体化例。 [7-10] 4-6 in the wafer holder by contact with the assembly in place wafers engaged also in various used to actuate the contact electrodes of the wafer so that disengagement takes place as shown one implementation of the machine element. 【図11〜16】 半導体ウエハの表面を電気メッキするのに使用できる反応器アセンブリーの他の具体化例。 [Figure 11-16] Another embodiment example of a reactor assembly that can be used the surface of the semiconductor wafer to electroplating. 【図17〜28】 図11〜16に示された反応器アセンブリーの具体化例に使用できる種々の指状部材伝動アセンブリー。 [Figure 17-28] Various finger member transmission assembly that may be used to embody examples of the reactor assembly shown in Figure 11-16. 【図29〜48】 上記反応器アセンブリーに使用するのに適したウエハ指状部材接触部の種々の具体化例。 [Figure 29-48] Various embodiment examples of the wafer fingers member interface suitable for use in the reactor assembly.

【手続補正書】 【提出日】平成12年5月12日(2000.5.12) 【手続補正1】 【補正対象書類名】明細書【補正対象項目名】特許請求の範囲【補正方法】変更【補正の内容】 【特許請求の範囲】 【請求項1】 中に存在する処理溶液を保持し得る処理室、および 処理される表面を有する微小電子加工物を受けるヘッド・アセンブリーを具備 し、 該ヘッド・アセンブリーが、 該微小電子加工物を適切な位置に保持して処理されるべき表面を処理溶液と接 触させる加工物保持器、および 通過する電力を受取り伝導することができる電気伝導性の経路を有する少なく とも1個の電極指状部材を含み、 該少なくとも1個の電極指状部材は遠い方の端へと延び且つ処理中微小電子加 工物と接触してその中に電力を通す電極のシャフトを有し [Procedure amendment] [filing date] 2000 May 12 (2000.5.12) [Amendment 1] [corrected document name] range [correction method] of the specification [correction target item name] claims comprising a head assembly which receives the microelectronic workpiece having changed [correction of contents] claims 1. a process chamber capable of retaining the processing solution present in, and processing the surface to the head assembly is, fine small electron workpiece holding a surface to be processed the processing solution and the tangent touching causes the workpiece holder in position, and electrical conductivity can conduct receives power passing path includes at least one electrode finger member having a power therein in contact with said at least one electrode finger like member and extending and processed in the micro electronic pressure engineering product to the end farther It has a shaft passing electrode いることを特徴とす る微小電子加工物を処理するための装置。 Apparatus for it to process microelectronic workpieces you wherein you are. 【請求項2】 電気メッキ制御システムおよび映像システムをさらに含んで いることを特徴とする請求項1記載の装置。 2. A device according to claim 1, characterized in that it further comprises an electroplating control system and a video system. 【請求項3】 該装置は電気メッキ液を含む処理溶液を使用して微小電気加 工物の上に1種またはそれ以上の金属を電気メッキするのに用いられ、該装置は さらに処理室の中に配置された陽極を含んでいることを特徴とする請求項1記載 の装置。 Wherein said apparatus is used to electroplate the one or more metals on a micro-electro-pressurized Engineering product using a process solution comprising an electroplating solution, of the apparatus further treatment chamber the apparatus of claim 1, wherein the containing the arranged anode in. 【請求項4】 該加工物に電気メッキしたのと同じ主要金属を含むメッキ用 金属で接触面が予めコンディショニングされていることを特徴とする請求項3記 載の装置。 Wherein said workpiece to claim 3 Symbol mounting device, characterized in that the contact surface with the plating metal is pre-conditioned to contain the same major metal that was electroplated. 【請求項5】 ヘッド・アセンブリーはさらにステーターおよびローターを 具備し、該加工物の保持器および該少なくとも1個の電極指状部材がローターの 上に取り付けられてステーターおよび処理室に関し回転運動を与え、処理中微小 電気加工物を回転させることを特徴とする請求項1記載の装置。 5. The head assembly further comprises a stator and a rotor, even without retainer and said at of the workpiece is one electrode finger member mounted on the rotor provide a rotary motion relates stator and the processing chamber the apparatus of claim 1, wherein the rotating processing in micro-electro workpiece. 【請求項6】 該少なくとも1個の指状部材のアクチュエータはアクチュエ ータ・エンジンを含み、さらに少なくとも一つのアクチュエータの伝動装置を含 み、この伝動装置はアクチュエータ・エンジンの動作を介して制御できるように 係合されていることを特徴とする請求項1記載の装置。 Actuator 6. The at least one finger-like member includes a actuator engine further look including the transmission of at least one actuator, the transmission can be controlled through the operation of the actuator Engine the apparatus of claim 1, wherein the engaged so. 【請求項7】 該ヘッド・アセンブリーはさらに、アクチュエータ・エンジ ンにより制御された運動を行なうためにアクチュエータ・エンジンに連結され且 つ該アクチュエータの伝動装置に制御可能なように係合されている駆動部分をさ らに含み、該アクチュエータの伝動装置は該駆動部分による運動に応答して動く アクチュエータのシャフト、およびアクチュエータのシャフトと係合して該アク チュエータのシャフトの軸方向の移動により該シャフトのピボット作用を行なわ せるようなシャフトの案内を含んでいることを特徴とする請求項6記載の装置。 7. The head assembly further drive being engaged so as to be controlled to a transmission of the concatenated且 one said actuator to actuator engine to perform the movement controlled by the actuator engine moiety is wherein La, transmission of the actuator shaft of the actuator that moves in response to movement by said drive portion, and engaged with the actuator shaft by the movement in the axial direction of the shaft of the actuator of the shaft apparatus according to claim 6, characterized in that it comprises a guide shaft such as to perform the pivoting action. 【請求項8】 該シャフトの案内は該シャフトの案内の中につくられた溝と 係合したボールを含んでいることを特徴とする請求項7記載の装置。 8. The apparatus of claim 7, wherein the guide of the shaft, characterized in that it contains a groove engaged with a ball made in a guide of the shaft. 【請求項9】 該溝はピボット運動の範囲に亙り螺旋状の前進を行なわせる ような形をしていることを特徴とする請求項8記載の装置。 9. The groove apparatus of claim 8, wherein the shaped like causes advancement spiral over the range of pivotal motion. 【請求項10】 該電気伝導性の経路は該ボールと該アクチュエータのシャ フトとを含み、該ボールと該アクチュエータのシャフトは電気伝導性の材料から つくられていることを特徴とする請求項8記載の装置。 Path 10. electrical conductivity and a finisher shift of the ball and the actuator, according to claim 8, characterized in that the shaft of the ball and the actuator is made of a material of electrically conductive the apparatus according. 【請求項11】 電極の指状部材は処理用の電力を受取るための連結ピンを 含んでいることを特徴とする請求項1記載の装置。 11. finger members electrode apparatus according to claim 1, characterized in that it comprises connecting pins for receiving power for the process. 【請求項12】 該電極の指状部材はJ字形をしていることを特徴とする請 求項1記載の装置。 12. finger member of the electrode device Motomeko 1, wherein a has a J-shape. 【請求項13】 該電極の指状部材は該指状部材の少なくとも一部を覆う少 なくとも一つの誘電体の鞘を含んでいることを特徴とする請求項7記載の装置。 13. finger member of the electrode device according to claim 7, characterized in that it includes a sheath of one dielectric even without least to cover at least a portion of the finger-like members. 【請求項14】 ヘッド・アセンブリーはさらに、加工物の支持器によって 支えられた微小電子加工物の外側の周辺の周りに配置されている集電装置を含ん でいることを特徴とする請求項1記載の装置。 14. The head assembly further claim 1, characterized in that contains a current collector which is disposed around the periphery of the outer microelectronic workpieces supported by the supporting device of the workpiece Dale the apparatus according. 【請求項15】 該集電装置は多数の電気的に絶縁された区域を含んでいる ことを特徴とする請求項14記載の装置。 15. the current collector device apparatus according to claim 14, wherein the includes a number of electrically isolated regions. 【請求項16】 該接触部分は誘電体材料からつくられたフードを含み、該 フードは加工物の電気メッキを行なう際接触ヘッドの近傍の加工物の区域を遮蔽 するような寸法をもっていることを特徴とする請求項1記載の装置。 16. The contact portion comprises a hood made of a dielectric material, that the hood which have dimensioned to shield the areas of the workpiece in the vicinity of the contact head in performing electroplating of the workpiece the apparatus of claim 1, wherein. 【請求項17】 該接触ヘッドは電極のシャフトの遠い方の端に取り付けら れた接触部分の一部としてつくられていることを特徴とする請求項1記載の装置 17. The apparatus of claim 1, wherein the said contact head that is made as part of the farther end mounting et a contact portion of the shaft of the electrode. 【請求項18】 金属を微小電子加工物にメッキするのに用いられる微小電 子電気メッキ装置に使用するための微小電子加工物の保持器において、 該加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触するような位置に加工 物を支えるように取り付けられた加工物の支持部材、および 通過する電力を受取り伝導することができる電気伝導性の経路を有する少なく とも1個の電極の指状部材を含み、 該少なくとも1個の電極の指状部材は、遠い方の端へと延び出し且つ処理中微 小電子加工物と接触してその中に電力を通す電極のシャフトを有していることを 特徴とする微小電子加工物保持器。 18. The retainer of microelectronic workpieces for use in small electronic electroplating apparatus used to plate the metal microelectronic workpiece, at least one processing surface of the workpiece plating bath the support member, and at least having an electrically conductive path capable of conducting receive electric power passing through the one electrode finger member of workpieces such mounted to support the workpiece to a position in contact with the wherein the finger-like members of one electrode the at least, has a shaft of the electrode through the power therein in contact with far in and processed extends out to the edge towards fine small electron workpiece microelectronic workpiece holder according to claim. 【請求項19】 該少なくとも一つの指状部材アクチュエータはアクチュエ ータのエンジンを含み、また該保持器はアクチュエータ・エンジンの作用を介し て制御できるように係合したアクチュエータの伝動装置をさらに含んでいること を特徴とする請求項18記載の微小電子加工物保持器。 19. The at least one finger member actuator includes an engine of actuator, also the retainer further comprises a gearing engaged actuator to be controlled through the action of the actuator engine microelectronic workpiece holder of claim 18, wherein the are. 【請求項20】 該微小電子加工物保持器は、アクチュエータ・エンジンに より制御された運動を行なうためにアクチュエータ・エンジンに連結され且つ該 アクチュエータの伝動装置に制御できるように係合させる駆動部分をさらに含み 、該アクチュエータの伝動装置は該駆動部分による運動に応答して動くアクチュ エータのシャフト、およびアクチュエータのシャフトと係合して該アクチュエー タのシャフトの軸方向の移動により該シャフトのピボット作用を行なわせるシャ フトの案内を含んでいることを特徴とする請求項19記載の微小電子加工物保持 器。 20. The fine small electron workpiece retainer, the engaged to the drive portion to be able to control the transmission of the concatenated and the actuator to the actuator engine for more controlled movement in the actuator engine further comprising, transmission of the actuator of the actuator that moves in response to movement by said drive section shaft, and engaged with the actuator shaft of the actuator the pivot action of the shaft by axial movement of the shaft microelectronic workpiece holder according to claim 19 characterized in that it comprises a guide of Sha shift to be performed. 【請求項21】 該シャフトの案内は該シャフトの案内の中につくられた溝 と係合したボールを含んでいることを特徴とする請求項20記載の微小電子加工 物保持器。 21. microelectronic workpiece holder of claim 20, wherein the guide of the shaft that includes a groove engaged with a ball made in a guide of the shaft. 【請求項22】 該溝はピボット運動の範囲に亙り螺旋状の前進を行なわせ るような形をしていることを特徴とする請求項21記載の微小電子加工物保持器 22. The groove microelectronic workpiece holder of claim 21, wherein the has a so that shape to perform the forward spiral over the range of pivotal motion. 【請求項23】 電気伝導性の経路は該ボールと該アクチュエータのシャフ トとを含み、該ボールと該アクチュエータのシャフトは電気伝導性の材料からつ くられていることを特徴とする請求項21記載の微小電子加工物保持器。 23. The electrical conductive path includes a Schaff bets of the ball and the actuator, according to claim 21, characterized in that the shaft of the ball and the actuator are saddle material Karatsu electrically conductive microelectronic workpiece holder according. 【請求項24】 電極の指状部材は処理用の電力を受取るための連結ピンを 含んでいることを特徴とする請求項18記載の微小電子加工物保持器。 24. finger member microelectronic workpiece holder of claim 18, wherein the includes a connecting pin for receiving power for the processing of the electrode. 【請求項25】 該電極の指状部材はJ字形をしていることを特徴とする請 求項18記載の微小電子加工物保持器。 25. Motomeko 18 microelectronic workpiece holder according fingers member of the electrode, characterized in that has a J-shape. 【請求項26】 該電極の指状部材は該指状部材の少なくとも一部を覆う少 なくとも一つの誘電体の鞘を含んでいることを特徴とする請求項18記載の微小 電子加工物保持器。 26. finger member of the electrode holding finger shape that covers at least a part even without least, characterized in that it includes a sheath of one dielectric claim 18 microelectronic workpieces according member vessel. 【請求項27】 該接触部分は誘電体材料からつくられたフードを含み、該 フードは加工物の電気メッキを行なう際接触ヘッドの近傍の加工物の区域を遮蔽 するような寸法をもっていることを特徴とする請求項18記載の微小電子加工物 保持器。 27. The contact portion comprises a hood made of a dielectric material, that the hood which have dimensioned to shield the areas of the workpiece in the vicinity of the contact head in performing electroplating of the workpiece microelectronic workpiece holder of claim 18, wherein. 【請求項28】 少なくとも一つの電極の指状部材は該電極の指状部材を微 小電子加工物保持器に連結するための取り付け面をもっていることを特徴とする 請求項18記載の微小電子加工物保持器。 28. At least the finger-like member of one electrode microelectronic processing according to claim 18, wherein the has a mounting surface for connecting the finger-like members of the electrode to the fine small electron workpiece holder object retainer. 【請求項29】 該取り付け面は、多数の角度位置の一つにおいて該電極の 指状部材を該微小電子加工物保持器に連結するための多数の孔から成るパターン を有していることを特徴とする請求項18記載の微小電子加工物保持器。 29. The mounting surface, that in one of a number of angular positions has a pattern consisting of a large number of holes for connecting the finger-like members of the electrode to the fine small electron workpiece holder microelectronic workpiece holder of claim 18, wherein. 【請求項30】 該取り付け面は、多数の角度位置の一つにおいて該電極の 指状部材を該微小電子加工物保持器に連結するための曲がった溝孔を含んでいる ことを特徴とする請求項18記載の微小電子加工物保持器。 30. The mounting surface is characterized in that in one of a number of angular positions includes a curved slot for connecting the finger-like members of the electrode to the fine small electron workpiece holder microelectronic workpiece holder of claim 18, wherein. 【請求項31】 該接触面は電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられた 接触部分の一部としてつくられていることを特徴とする請求項18記載の微小電 子加工物保持器。 31. The contact surface is very small electronic workpiece holder of claim 18, wherein the is made as part of the farther end contact portion attached to the the shaft of the electrode. 【請求項32】 該接触面は、加工物に電気メッキすべき金属と同じ主要金 属を含むメッキ材料で予備コンディショニングされていることを特徴とする請求 項18記載の微小電子加工物保持器。 32. The contact surface, the workpiece microelectronic workpiece holder of claim 18, wherein that the pre-conditioned with a plating material containing the same key metals and the metal to be electroplated. 【請求項33】 金属を微小電子加工物にメッキするのに用いる微小電子電 気メッキ装置に使用される微小電子加工物保持器において、 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支え るように取り付けられた加工物支持部材、 電気伝導性をもち供給される電力を受取って伝えることができる経路を有し、 且つ遠い方の端へと延びた電極のシャフトを有する少なくとも1個の電極指状部 材、および 該電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられ、処理中電力を供給するために 微小電子加工物と接触する電気的な接触面を提供する接触部分を具備しているこ とを特徴とする微小電子加工物保持器。 33. A metal microelectronic workpiece holder for use in microelectronic electric plating apparatus used to plate the microelectronic workpiece, at least one processing surface of the workpiece is in contact with the plating bath position in workpieces supported workpiece attached to so that the support member has a path of electrical conductivity can be transmitted receive power has supplied, and the farther the shaft of the electrode extending into the end of the at least one electrode finger member, and attached to the end of the farther of the shaft of the electrode, the contact portion provides an electrical contact surface that contacts the microelectronic workpiece to supply processing power having microelectronic workpiece holder, characterized in that you are provided with. 【請求項34】 該接触部分が耐食性の金属からつくられていることを特徴 とする請求項33記載の微小電子加工物保持器。 34. A microelectronic workpiece holder of claim 33, wherein said contact portion is characterized in that it is made from corrosion-resistant metals. 【請求項35】 該接触部分が白金からつくられていることを特徴とする請 求項33記載の微小電子加工物保持器。 35. Motomeko 33 microelectronic workpiece holder according to the contact portion is characterized in that it is made of platinum. 【請求項36】 さらに、電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りに つくられた誘電体の層を具備し、該層は該接触部分の側壁に対して密封をつくり 、該電極のシャフトと該接触部分との連結部からメッキ用の液を排除しているこ とを特徴とする請求項33記載の微小電子加工物保持器。 36. Furthermore, comprising a layer of produced dielectric around at least farther end of the shaft of the electrode, said layer creating a seal against the side wall of the contact portion, and the shaft of the electrode the contact portion with the microelectronic workpiece holder of claim 33, wherein that you have eliminated the liquid for plating the connection of. 【請求項37】 金属を微小電子加工物にメッキするのに用いる微小電子電 気メッキ装置に使用される微小電子加工物保持器において、 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支え るように取り付けられた加工物支持部材、および 電気伝導性をもち供給される電力を受取って伝えることができる少なくとも一 つの電極指状部材を具備し、 該少なくとも一つの電極指状部材はその一部をなす接触面を有し、該接触面は 微小電子加工物の面に係合してその間に電力を供給するようになっており、 該接触面は、加工物に電気メッキすべき金属と同じ主要金属を含む含金属接触 面メッキ材料からつくられた接触面メッキ層を、該接触面にメッキすることによ り予備コンディショニングされていることを特徴とする微小電 37. The metal microelectronic workpiece holder for use in microelectronic electric plating apparatus used to plate the microelectronic workpiece, at least one processing surface of the workpiece is in contact with the plating bath position in workpiece attached to so that support the workpiece support member, and electrical conductivity comprising at least one electrode finger member may convey receive power has supplied, the at least one electrode finger Jo member has a contact surface forming a part hereof, the contact surface is arranged to supply power therebetween engages the surface of the microelectronic workpiece, the contact surface is electrically to the workpiece fine conductive, characterized in that the contact surface plated layer made of a metal-containing contact surface plating material containing the same primary metal as the metal to be plated, are by Ri preconditioned to plating on the contact surface 加工物保持器。 Workpiece holder. 【請求項38】 該接触面メッキ層は該接触面メッキ材料を該接触面に電気 メッキすることによりつくられていることを特徴とする請求項37記載の微小電 子加工物保持器。 38. The contact surface plated layer 37. micro electronic workpiece retainer, wherein the are made by electroplating the contact surfaces plating material on the contact surface. 【請求項39】 該接触面メッキ層は微小電子加工物にメッキされたのと同 じ金属からつくられていることを特徴とする請求項37記載の微小電子加工物保 持器。 39. The contact surface plated layer microelectronic workpiece hold of Claim 37, wherein the are made from the same metal as was plated microelectronic workpiece. 【請求項40】 微小電子加工物の電気メッキ中該微小電子加工物に電力を 供給する伝導性の電極において、 電気伝導性材料から成るシャフト、 電気メッキすべき電気伝導性の加工物と接触するように該指状のシャフトの一 端に配置された電気伝導性の接触ヘッド、および 該指状のシャフト一部を覆い、メッキすべき加工物の表面における電流密度を 調節するように該指状のシャフトの電気伝導性の部分を電気メッキ浴に露出させ る誘電材料の鞘を具備することを特徴とする伝導性電極。 40. In conductive electrode for supplying power during electroplating microelectronic workpiece fine small electron workpiece, contacts the shaft of electrically conductive material, and the workpiece electrically conductive to be electroplated finger-shaped one end into arranged electrically conductive contact head of the shaft so that, and covers a portion finger-like shaft, the finger-like so as to adjust the current density at the surface of the workpiece to be plated conductive electrode, characterized in that the electrically conductive portion of the shaft comprises a sheath of dielectric material Ru is exposed to the electroplating bath. 【請求項41】 該接触ヘッドは、加工物に電気メッキすべき金属と同じ主 要金属を含むメッキ材料で予備コンディショニングされていることを特徴とする 請求項40記載の伝導性電極。 41. The contact head is conductive electrode of claim 40, wherein the being preconditioned with a plating material containing the same major metal as the metal to be electroplated to the workpiece. 【請求項42】 該接触部分は誘電体材料からつくられたフードを含み、該 フードは加工物の電気メッキを行なう際接触ヘッドの近傍の加工物の区域を遮蔽 するような寸法をもっていることを特徴とする請求項40記載の伝導性電極。 42. The contact portion comprises a hood made of a dielectric material, that the hood which have dimensioned to shield the areas of the workpiece in the vicinity of the contact head in performing electroplating of the workpiece conductive electrode of claim 40, wherein. 【請求項43】 該少なくとも一つの電極の指状部材は加工物の支持部材か ら延び出し、また該加工物の支持部材から延び出して電気メッキ工程中メッキ浴 の内部に浸漬されるような寸法と配置をもった浸漬可能部分を有することを特徴 とする請求項40記載の伝導性電極。 43. as immersed the at least finger-shaped member of one electrode extends out support member or al of the workpiece, also inside the electroplating process in the plating bath extends out from the support member of the workpiece conductive electrode of claim 40, characterized in that it comprises a submersible portion having the arrangement as dimensions. 【請求項44】 該浸漬可能部分は、誘電材料の浸漬された区域の該接触部 分に隣接した一つの区域を含んでいることを特徴とする請求項43記載の伝導性 電極。 44. The immersible portion, the conductive electrode of claim 43, wherein the includes one area adjacent to the contact portion partial immersion areas of the dielectric material. 【請求項45】 該浸漬可能部分は 接触部分に隣接した第1の浸漬された誘電材料の区域、 該第1の浸漬された誘電材料の区域に隣接した第1の電気伝導性の区域、およ 該第1の電気伝導性の区域に隣接した第2の浸漬された誘電材料の区域を含ん でいることを特徴とする請求項43記載の伝導性電極。 45. The immersible portion first immersion areas of the dielectric material, the first electrically conductive region adjacent to the immersed areas of the dielectric material of the first adjacent to the contact portion, contact good beauty first second submerged dielectric material conductivity electrode according to claim 43, wherein the containing Dale that areas of adjacent to the electrically conductive area. 【請求項46】 微小電子加工物の表面に金属をメッキする方法において、 微小電子加工物の表面を電極の一部をなす接触面において電極と接触させ、 電極の一部をメッキ浴の中に浸漬し、 微小電子加工物の処理面をメッキ浴で湿潤させ、 電極およびメッキ浴を通じて電力を供給して微小電子加工物の処理面に電気メ ッキがなされるようにし、 供給電力の一部を分岐し、該接触面から或る距離をおいて隔てられた少なくと も一つの電気伝導性の区域に沿って電極とメッキ浴との間に直接電力を供給する 工程を含むことを特徴とする方法。 11. 46. A method for plating a metal on the surface of the microelectronic workpiece, is contacted in a contact surface forming a part of the surface electrode of the microelectronic workpiece and electrode, a part of the electrode in the plating bath immersion, the treated surface of the microelectronic workpiece is wetted by the plating bath, by supplying electric power through the electrodes and the plating bath so as to treated surface of the microelectronic workpiece electroplated Tsu key is made, part of the supply electric power It is branched, and comprising the step of supplying a direct power between the least electrode and the plating bath along the region of one electrical conductivity even spaced at a distance from the contact surface how to. 【請求項47】 微小電子加工物が処理表面を有し、該処理表面は被覆され た表面の部分と種子層の部分とを含むようなパターン賦与処理がなされており、 該被覆表面の部分は該種子層の部分の上にあるフォトレジストまたは他の非伝導 性の被膜で被覆されており、該種子層の部分は露出した種子層の区域を含み、種 子層の一部を露出させて処理を行なう微小電子加工物の表面に金属をメッキする 方法において、 電極のブートによって取り囲まれた電極の接触部分を有する電極アセンブリー を選び、 該電極のブートを用いて処理表面の被覆された部分と係合させ、該電極のブー トを被覆された表面部分と接触させそれに対して密封を行ない、該電極のブート と微小電子加工物の処理表面とにより該密封部の内部に閉じ込められた密封区間 の中に 47. microelectronic workpiece having a treated surface, the treated surface is made a pattern imparted process to include a portion of the part and the seed layer of the coated surface, the portion of the coated surface is coated with a photoresist or other non-conductive coating is on a portion of said seed layer, part of said seed layer comprises an area of the exposed seed layer to expose a portion of the seed child layer a method for plating a metal on the surface of the microelectronic workpiece to perform processing to select an electrode assembly having a contact portion surrounded by the boot of the electrode the electrode, and the coated portion of the treated surface using a boot of the electrode engaged with, is contacted with the coated surface portion booting of the electrodes subjected to seal against it, the sealing section trapped inside the said sealing portion by the process surface of the boot contacting a microelectronic workpiece of the electrode among ッキ液が入らないようにし、 処理表面の上に存在し種子層に対して電気的な接触を行なうための露出された 種子層の部分を有する該密封部の内部のヴァイアを閉じ、 該種子層を該ヴァイアを介して該電極接触部と接触させ、電極アセンブリーと 該種子層との間に電気的な伝導連結経路をつくり、この際この接触は接触層と接 し該密封区間の内部に閉じ込められている接触面を使用して該電極接触部により 行なわれ、 微小電子加工物の処理表面をメッキ液で湿潤させ、 電極とメッキ浴に電力を供給して微小電子加工物の処理表面の露出された種子 層の上に電気メッキを行ない、 メッキ液が密封された空間に入らないようにして接触部の周りにおけるメッキ 作用を実質的に減少させることを特徴とする方法。 Tsu liquid is prevented from entering, closing the interior of the vias in said sealing portion having an exposed portion of the seed layer for electrically contact with present on the treated surface seed layer, said seed the layers in contact with the electrode contact portion through the vias, making electrical conduction connection path between the electrode assembly and the seeds layer, inside the case the contact is contact with the contact layer said sealing section using a contact surface that is confined performed by the electrode contact portion, the treated surface of the microelectronic workpiece is wetted by the plating solution, the treated surface of the microelectronic workpiece by supplying electric power to the electrodes and the plating bath on the exposed seed layer subjected to electroplating, wherein the substantially reducing the plating action in around the contact portion is prevented from entering into a space plating liquid is sealed.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 08/940,686 (32)優先日 平成9年9月30日(1997.9.30) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 08/988,333 (32)優先日 平成9年9月30日(1997.9.30) (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 08/940,685 (32)優先日 平成9年9月30日(1997.9.30) (33)優先権主張国 米国(US) (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,LS ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (31) priority claim No. 08 / 940,686 (32) priority date 1997 September 30 (1997.9.30) (33) priority country the United States (US) ( 31) priority claim No. 08 / 988,333 (32) priority date 1997 September 30 (1997.9.30) (33) priority country the United States (US) (31) priority claim number 08 / 940,685 (32) priority date 1997 September 30 (1997.9.30) (33) priority country the United States (US) (81) designated States EP (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, L U, MC, NL, PT, SE), OA (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, GM, KE, LS ,M W,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY ,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM ,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CN,CZ,DE,DK,EE,ES,F I,GB,GE,GH,HU,IL,IS,JP,KE ,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS, LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,M X,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT, UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 ガイアー,ハリー・ジエイ アメリカ合衆国モンタナ州59901カリスペ ル・グリーンブライアードライブ110 (72)発明者 グラハム,ロイド・ダブリユー アメリカ合衆国モンタナ州5990 , M W, SD, SZ, UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, F I, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK , LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, M X, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW (72) inventor Gaia, Harry self-defense United States Montana 59901 Karisupe Le Greenbriar drive 110 (72) inventor Graham, Lloyd Daburiyu United States Montana 5990 1カリスペ ル・グリーンブライアードライブ110 (72)発明者 ハンセン,カイル・エム アメリカ合衆国モンタナ州59901カリスペ ル・グリーンブライアードライブ110 (72)発明者 ホーゲン,クリス・ケイ アメリカ合衆国モンタナ州59901カリスペ ル・デイリードライブ289 (72)発明者 パスウオーター,ブレント アメリカ合衆国モンタナ州59937ホワイト フイツシユ・ヒドンバリードライブ745 (72)発明者 ピース,ステイーブン・エル アメリカ合衆国モンタナ州59937ホワイト フイツシユ・ヒドンバリードライブ745 (72)発明者 ラドロフ,ラリー・アール アメリカ合衆国モンタナ州59904カリスペ ル・ピーオーボツクス7010 (72)発明者 リツツドーフ,トーマス・エル アメリカ合衆国モンタナ州59904カリスペ ル・ピーオーボツクス7010 (72)発明者 ターナー,ジエフリー・ 1 Karisupe Le Greenbriar drive 110 (72) inventor Hansen, Kyle M. United States Montana 59901 Karisupe Le Greenbriar drive 110 (72) inventor Hogen, 59901 Karisupe Le Daily drive Chris Kay United States Montana 289 ( 72) inventor pass water, Brent United States Montana 59937 White Fuitsushiyu-hidden Valley drive 745 (72) inventor piece, Suteibun El United States Montana 59937 White Fuitsushiyu-hidden Valley drive 745 (72) inventor Radorofu, Larry Earl United States Montana 59904 Karisupe Le Piobotsukusu 7010 (72) inventor Ritsutsudofu, Thomas El United States Montana 59904 Karisupe Le Piobotsukusu 7010 (72) inventor Turner, Jiefuri - アイ アメリカ合衆国モンタナ州59904カリスペ ル・ピーオーボツクス7010 Fターム(参考) 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 CA15 CB02 CB04 CB06 CB09 CB15 CB21 GA16 Ai United States Montana 59904 Karisupe Le Piobotsukusu 7010 F-term (reference) 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 CA15 CB02 CB04 CB06 CB09 CB15 CB21 GA16

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 加工物の電気メッキを行なう際加工物にメッキ用の電力を供給する伝導性の電極において、該電極は 電気伝導性の材料から成るシャフト、 指状部材のシャフトの端に配置され電気メッキすべき加工物と接触させる電気伝導性の接触ヘッド、および 指状部材のシャフトの伝導性の部分を電気化学的メッキ浴に露出させるように指状部材のシャフトの一部を覆い、メッキすべき加工物の表面の電流密度を調節する誘電体材料の鞘を具備していることを特徴とする電極。 11. Claims 1. A conductive electrode for supplying electric power for plating the workpiece when performing electroplating of the workpiece, the electrode is made of electrically conductive material shaft, the finger-like members shaft of electrically conductive contact head which is arranged on the end of the shaft into contact with the workpiece to be electroplated, and Yubijo member to the conductive portion of the shaft of the finger member is exposed to electrochemical plating baths some covered, characterized in that it comprises a sheath of dielectric material for adjusting the current density of the surface of the workpiece to be plated electrodes. 【請求項2】 誘電体材料の鞘は電極の表面積の約25〜約75%を占めていることを特徴とする請求項1記載の伝導性電極。 2. A dielectric sheath material conductive electrode according to claim 1, characterized in that it accounts for about 25 to about 75 percent of the surface area of ​​the electrode. 【請求項3】 該接触ヘッドは、加工物の上に電気メッキすべき金属と同じかまたは同様な金属で予備コンディショニングされていることを特徴とする請求項1記載の伝導性電極。 Wherein said contacting head, conductive electrode according to claim 1, characterized in that it is pre-conditioned with the same or similar metal as the metal to be electroplated onto the workpiece. 【請求項4】 接触ヘッドは一般に半球状の形をした接触部分を含んでいることを特徴とする請求項1記載の伝導性電極。 4. The conductive electrode of claim 1, wherein the contact head comprising a contact portion generally has a hemispherical shape. 【請求項5】 接触ヘッドは誘電体材料からつくられたフードを含み、該フードは加工物の電気メッキ中接触ヘッドの近傍の加工物の区域を遮蔽するような寸法をもっていることを特徴とする請求項1記載の伝導性電極。 5. A contact head comprises a hood made of a dielectric material, the hood is characterized in that it has dimensions such to shield the areas of the workpiece in the vicinity of electroplating in the contact head of the workpiece conductive electrode of claim 1, wherein. 【請求項6】 接触ヘッドはシャフトの伝導性材料とは異なった伝導性材料からつくられていることを特徴とする請求項1記載の伝導性電極。 6. Contact head conductive electrode according to claim 1, characterized in that it is made from a different conductive material than the conductive material of the shaft. 【請求項7】 接触ヘッドは白金からつくられていることを特徴とする請求項6記載の伝導性電極。 7. A contact head is conductive electrode according to claim 6, characterized in that it is made of platinum. 【請求項8】 接触ヘッドはシャフトに拡散接合されていることを特徴とする請求項1記載の伝導性電極。 8. The contact head is conductive electrode according to claim 1, characterized in that it is diffusion bonded to the shaft. 【請求項9】 半導体を電気メッキする装置に使用する半導体加工物の保持器に置いて、該保持器は 該加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触するような位置に加工物を支えるように取り付けられた加工物の支持部材、および 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝え得る少なくとも1個の電極指状部材を具備し、 該少なくとも1個の指状部材は加工物の支持部材から延び出し、加工物の支持部材から延び出すような形をもち且つ延び出すように配置された電気メッキ過程中メッキ浴の内部に浸漬される浸漬可能な部分を有し、 該少なくとも1個の指状部材は加工物の表面と係合しそれに電流を導く接触部を構成する部分を有し、 該浸漬可能な部分には、該浸漬可能な部分の少なくとも一つの浸漬された誘電体材 9. Place the cage of a semiconductor workpiece to be used in the semiconductor the electroplating device, at least one processing surface of the retainer the workpiece the workpiece in a position to contact the plating bath support of the workpiece which is mounted so as to support, and includes at least one electrode finger member may convey receive the current supplied has its electrical conductivity, the at least one finger member is processed extends out from the support member of the object has an internal immersible portion which is immersed in the arranged electroplated process in the plating bath as extending out have and shaped like extending out from the support member of the workpiece, the at least one finger-like member has a portion which constitutes a contact portion for guiding the surface and engage it in the current workpiece, the said immersible portion, is at least one of the immersion of the immersible portion dielectric material 区域構成部分の上に誘電体の表面が備えられ、さらに該浸漬可能な部分には、電気メッキ操作中集電を行なうために該浸漬可能な部分の少なくとも一つの電気伝導性区域構成部分が備えられていることを特徴とする半導体加工物保持器。 Provided with a surface of the dielectric on the area component, and more the immersible portion, at least one electrically conductive area components of the immersible portion to perform an electroplating operation in collector is provided semiconductor workpiece holder, characterized in that are. 【請求項10】 該浸漬可能な部分には浸漬可能な部分の25%を越える程度に該少なくとも一つの浸漬された誘電体材料区域が備えられていることを特徴とする請求項9記載の半導体加工物保持器。 10. The semiconductor of claim 9, wherein the said the immersible portions said to the extent that more than 25% of the immersible portion of at least one immersion dielectric material region is provided workpiece holder. 【請求項11】 該浸漬可能な部分には浸漬可能な部分の約25〜約75% 11. about 25 to about 75 percent of the immersible portion to the immersible portion
    の範囲に亙り該少なくとも一つの浸漬される誘電体材料の区域が備えられていることを特徴とする請求項9記載の半導体加工物保持器。 Semiconductor workpiece holder of claim 9, wherein the is provided with said over a range of at least one immersed the area of ​​the dielectric material. 【請求項12】 該浸漬可能な部分は該接触部の近傍において該浸漬される誘電体材料の区域の一つを含んでいることを特徴とする請求項9記載の半導体加工物保持器。 12. A semiconductor workpiece holder of claim 9, wherein said immersible portion, characterized in that it contains one of the areas of the dielectric material is the immersion in the vicinity of the contact portion. 【請求項13】 該浸漬可能な部分は 接触部に隣接した第1の浸漬される誘電体材料の区域、 該第1の浸漬される誘電体材料区域に隣接した第1の電気伝導性の区域、 該第1の電気伝導性区域に隣接した第2の浸漬される誘電体材料の区域を含んでいることを特徴とする請求項9記載の半導体加工物保持器。 13. The first dip is the area of ​​the dielectric material, the first electrically conductive region adjacent the dielectric material zone is immersed in the first with the immersible portion is adjacent to the contact portion , semiconductor workpiece holder of claim 9, wherein the includes a second zone of the immersed the dielectric material adjacent to the electrically conductive region of the first. 【請求項14】 半導体の電気メッキ装置に使用される半導体加工物保持器において、該保持器は 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支えるように取り付けられた加工物支持部材、 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝え得る少なくとも1個の電極指状部材を具備し、 該少なくとも1個の指状部材は加工物の支持部材から延び出し、加工物の支持部材から延び出すような形をもち且つ延び出すように配置された電気メッキ過程中メッキ浴の内部に浸漬されている浸漬可能な部分を有し、 該少なくとも1個の指状部材は加工物の表面と係合しそれに電流を導く接触部を構成する部分を有し、 さらに該接触部から間隔を置いて配置された区域に沿って電極指状部材に供給される電流の一部を 14. A semiconductor workpiece holder to be used in semiconductor electroplating apparatus, the retainer at least one processing surface of the workpiece is mounted to support the workpiece at a position in contact with the plating bath workpiece support member, includes at least one electrode finger member may convey receive the current supplied has its electrical conductivity, the at least one finger-like member extends out from the support member of the workpiece, has an inner immersed in and immersible portion to the deployed electroplated process in the plating bath as extending out have and shaped like extending out from the support member of the workpiece, one finger member said at least one current that is supplied to the surface and engage it has a portion which constitutes a contact portion for guiding the current, the electrode finger member along a further zone which is spaced from the contact portion of the workpiece the part 接メッキ浴に導く手段が備えられていることを特徴とする半導体加工物保持器。 Semiconductor workpiece holder, wherein a means for guiding the contact plating bath is provided. 【請求項15】 半導体製品を電極の一部をなす接触面の所で電極と接触させ、 電極の一部をメッキ浴の中に浸漬し、 半導体製品の処理表面をメッキ浴で湿潤させ、 電極およびメッキ浴に電流を流して半導体製品の処理表面に電気メッキを行ない、 流された電流の一部を該接触面から間隔をおいて配置された電極の少なくとも一つの電気伝導性区域に沿って電極とメッキ浴との間に直接通す工程を含むことを特徴とする半導体製品の表面に金属をメッキする方法。 15. A semiconductor product is contacted with electrodes at the contact surface forming a part of the electrode, a part of the electrode immersed in the plating bath, wetted with plating bath processing the surface of the semiconductor product, electrode and by applying a current to the plating bath subjected to electroplating on the treated surface of the semiconductor product, a portion of the flow current along at least one electrically conductive area of ​​the electrode which is spaced from the contact surface method of plating a metal surface of a semiconductor product which comprises a step of passing directly between the electrode and the plating bath. 【請求項16】 金属を半導体の加工物にメッキするのに用いる半導体電気メッキ装置に使用される半導体加工物保持器において、該保持器は 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支えるように取り付けられた加工物支持部材、 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝え得る少なくとも1個の電極指状部材を具備し、 該少なくとも1個の電極指状部材は半導体加工物と係合しその間に電流を通す接触面を構成する部分をもち、 該接触面は、半導体加工物にメッキされる加工物メッキ材料と同様な金属を含む接触面メッキ材料からつくられる接触面メッキ層を該接触面上にメッキすることにより予備コンディショニングされていることを特徴とする半導体加工物保持器。 16. A semiconductor workpiece holder used in semiconductor electroplating apparatus used to plate metal on a semiconductor workpiece, the retainer at least one processing surface of the workpiece is in contact with the plating bath workpiece support member mounted so as to support the workpiece at the location, includes at least one electrode finger member may convey receive the current supplied has its electrical conductivity, one electrode finger said at least Jo member has a portion which constitutes the contact surface through a current between them semiconductor workpiece engages, said contact surface, the contact surface plating materials include similar metal and workpiece plating material to be plated in a semiconductor workpiece semiconductor workpiece holder, characterized in that it is pre-conditioned by plating on the contact surface a contact surface plated layer made from. 【請求項17】 該接触面メッキ層は厚さが少なくとも0.1μであることを特徴とする請求項16記載の半導体加工物保持器。 17. A semiconductor workpiece holder of claim 16, wherein the said contact surface plated layer has a thickness of at least 0.1 [mu]. 【請求項18】 該接触面メッキ層は該接触面メッキ材料を接触面に電気メッキすることによりつくられることを特徴とする請求項16記載の半導体加工物保持器。 18. The contact surface plated layer semiconductor workpiece holder of claim 16, wherein the made by electroplating the contact surface the contact surface plating material. 【請求項19】 該接触面メッキ層は該加工物メッキ材料からつくられることを特徴とする請求項16記載の半導体加工物保持器。 19. The contact surface plated layer semiconductor workpiece holder of claim 16, wherein the made from the workpiece plating material. 【請求項20】 金属を半導体の加工物にメッキするのに用いる半導体電気メッキ装置に使用される半導体加工物保持器において、該保持器は 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支えるように取り付けられた加工物支持部材、 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝え得る少なくとも1個の電極指状部材を具備し、 該少なくとも1個の電極指状部材は半導体加工物と係合してその間に電流を通すための、該少なくとも1個の電極指状部材の一部をなす接触面の層をつくる手段を有し、 該接触面の層をつくる手段は半導体加工物にメッキされるべき加工物メッキ材料と同様な金属含有接触材料からつくられることを特徴とする半導体加工物保持器。 20. A semiconductor workpiece holder used in semiconductor electroplating apparatus used to plate metal on a semiconductor workpiece, the retainer at least one processing surface of the workpiece is in contact with the plating bath workpiece support member mounted so as to support the workpiece at the location, includes at least one electrode finger member may convey receive the current supplied has its electrical conductivity, one electrode finger said at least Jo member for passing a current therebetween engages the semiconductor workpiece, the at least comprises means for creating a layer of the contact surface forming part of one electrode finger member, a layer of the contact surfaces making means semiconductor workpiece holder, characterized in that it is made from a workpiece plating material and similar metal-containing contact material to be plated in the semiconductor workpiece. 【請求項21】 該接触面の層をつくる手段は厚さが少なくとも0.1μであることを特徴とする請求項20記載の半導体加工物保持器。 21. A semiconductor workpiece holder of claim 20, wherein the means thickness to make the layer of the contact surface is at least 0.1 [mu]. 【請求項22】 該接触面の層をつくる手段は該接触面メッキ材料を接触面に電気メッキすることによりつくられることを特徴とする請求項20記載の半導体加工物保持器。 22. A semiconductor workpiece retainer means for making a layer of the contact surfaces according to claim 20, wherein a made by electroplating the contact surface the contact surface plating material. 【請求項23】 該接触面材料は該加工物メッキ材料からつくられることを特徴とする請求項20記載の半導体加工物保持器。 23. A semiconductor workpiece holder of claim 20, wherein said contact surface material, characterized in that it is made from the workpiece plating material. 【請求項24】 半導体加工物の表面に金属をメッキする方法において、該方法は 半導体加工物の表面を電極の一部をなす接触面の所で電極と接触させ、この際該接触面は接触面メッキ層で覆われ、該接触面メッキ層は接触面メッキ材料からつくられるようにし、 半導体製品の処理表面を半導体加工物の上に加工物メッキ材料をメッキするのに使用されるメッキ浴の中に浸漬し、 半導体加工物と電極との間に電流を通し、該電流を接触面メッキ層に通して半導体加工物の上に加工物メッキ材料を電気メッキする工程を含むことを特徴とする方法。 24. A method of plating a metal on a surface of a semiconductor workpiece, the method comprising contacting the electrode at the contact surface forming a part of the surface electrode of the semiconductor workpiece, the Sai該 contact surface contacts covered with a surface plating layer, the contact surface plated layer is to be made from the contact surface plating material, the plating bath used to plate the workpiece plating material on a semiconductor workpiece processing surface of the semiconductor product immersed in, conducting current between the semiconductor workpiece and the electrode, characterized in that it comprises a step of electroplating a workpiece plating material on a semiconductor workpiece through the electric current to the contact surface plating layer Method. 【請求項25】 該接触面メッキ層は該加工物メッキ材料からつくられることを特徴とする請求項24記載の方法。 25. The contact surface plating layer The method of claim 24, wherein the made from the workpiece plating material. 【請求項26】 該接触面メッキ層は該加工物メッキ材料からつくられることを特徴とする請求項24記載の方法。 26. The contact surface plating layer The method of claim 24, wherein the made from the workpiece plating material. 【請求項27】 金属を半導体の加工物にメッキするのに用いる半導体電気メッキ装置に使用される半導体加工物保持器において、該保持器は 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支えるように取り付けられた加工物支持部材、 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝え得ることができ且つ遠い方の端へと延びた電極のシャフトを有する少なくとも1個の電極指状部材、 該電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられ、処理中電流を伝えるために半導体加工物と接触する電気的接触面を与える接触部分を具備していることを特徴とする半導体加工物保持器。 27. A semiconductor workpiece holder used in semiconductor electroplating apparatus used to plate metal on a semiconductor workpiece, the retainer at least one processing surface of the workpiece is in contact with the plating bath workpiece support member mounted so as to support the workpiece at the location, at least having an electrically conductive glutinous can be conveyed receive the current supplied thereto and farther electrodes extending into the end of the shaft 1 number of electrode fingers member, attached to the end of the farther of the shaft of the electrode, and characterized in that it comprises a contact portion providing electrical contact surface that contacts the semiconductor workpiece to convey the process in current semiconductor workpiece holder to. 【請求項28】 該接触部分は腐食耐性をもつ金属からつくられていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 28. A semiconductor workpiece holder of claim 27, wherein said contacting portion, characterized in that is made of a metal having a corrosion resistance. 【請求項29】 該接触部分は白金からつくられていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 29. A semiconductor workpiece holder of claim 27, wherein said contacting portion, characterized in that are made of platinum. 【請求項30】 該電極のシャフトはステンレス鋼またはチタンからつくられていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 30. A semiconductor workpiece holder of claim 27, wherein the shaft of the electrode is made of stainless steel or titanium. 【請求項31】 該接触部分は白金からつくられ、該電極のシャフトはステンレス鋼またはチタンからつくられていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 31. The contact portion is made of platinum, a semiconductor workpiece holder of claim 27, wherein the shaft of the electrode is made of stainless steel or titanium. 【請求項32】 電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りにつくられた誘電体材料の層をさらに含み、該接触部分の側壁に対して密封を行ないメッキ液が電極のシャフトと該接触部分との間につくられた接合部に入らないようになっていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 32. further comprising at least farther layer made dielectric material around the edge of the shaft of the electrode, the shaft and the contact portion of the plating solution subjected to seal against the side wall of the contact portion electrode semiconductor workpiece holder of claim 27 characterized in that it created was prevented from entering the joint between the. 【請求項33】 電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りにつくられた誘電体プラスティックス材料の誘電体材料の層をさらに含み、該接触部分の側壁に対して密封を行ないメッキ液が電極のシャフトと該接触部分との間につくられた接合部に入らないようになっていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 33. further comprising a layer of dielectric material of the dielectric plastics material made around at least farther end of the shaft of the electrode, the plating solution subjected to seal against the side wall of the contact portion electrode the shaft and the semiconductor workpiece holder of claim 27 characterized in that it created was prevented from entering the joint between the contact portion. 【請求項34】 電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りにポリフッ化ビニルデンからつくられた誘電体の層をさらに含み、該接触部分の側壁に対して密封を行ないメッキ液が電極のシャフトと該接触部分との間につくられた接合部に入らないようになっていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 Comprises 34. Further at least farther layer of dielectric made from polyvinylidene fluoride vinylidene around the edge of the shaft of the electrode, the plating solution subjected to seal against the side wall of the contact portion and the shaft of the electrode semiconductor workpiece holder of claim 27 characterized in that it created was prevented from entering the joint between the contact portion. 【請求項35】 電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りに被覆された誘電体の層をさらに含み、該接触部分の側壁に対して密封を行ないメッキ液が電極のシャフトと該接触部分との間につくられた接合部に入らないようになっていることを特徴とする請求項27記載の半導体加工物保持器。 35. A further comprises at least farther layer of coated dielectric around the end of the shaft of the electrode, the plating solution subjected to seal against the side wall of the contact portion and the shaft and the contact portion of the electrode semiconductor workpiece holder of claim 27 characterized in that it created was prevented from entering the joint between the. 【請求項36】 金属を半導体の加工物にメッキするのに用いる半導体電気メッキ装置に使用される半導体加工物保持器において、該保持器は 加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触する位置で加工物を支えるように取り付けられた加工物支持部材、 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝えることができ且つ遠い方の端へと延びた電極のシャフトを有する少なくとも1個の電極指状部材、 該電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられ、処理中電流を伝えるために半導体加工物と接触する電気的接触面を与える接触部分、 電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りに該接触部分に接してメッキ液が電極のシャフトと該接触部分との間につくられた接合部に入らないようにつくられた誘電体の層を具備してい 11. 36. A semiconductor workpiece holder used in semiconductor electroplating apparatus used to plate metal on a semiconductor workpiece, the retainer at least one processing surface of the workpiece is in contact with the plating bath at least one having a shaft of the workpiece workpiece support member mounted so as to support and has electrical conductivity can tell receive the current supplied thereto and farther electrodes extending into the edge at the position of the electrode fingers member, attached to the end of the farther of the shaft of the electrode, the contact portions provide electrical contact surface that contacts the semiconductor workpiece to convey the process in current, at least farther end of the shaft of the electrode plating solution in contact with the contact portion is not provided with a layer of produced dielectric prevented from entering the joint made between the shaft and the contact portion of the electrode around the ことを特徴とする半導体加工物保持器。 Semiconductor workpiece holder, characterized in that. 【請求項37】 半導体加工物の上に金属をメッキするのに用いる電気メッキ装置に使用される半導体加工物の保持器において、該保持器は 該加工物の少なくとも一つの処理表面がメッキ浴と接触するような位置に加工物を支えるように取り付けられた加工物の支持部材、 電気伝導性をもちそれに供給される電流を受取って伝えることができ、遠い方の端の方へ延びた電極のシャフトを有する少なくとも1個の電極指状部材、 該電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられ、処理中に半導体の加工物と接してその間に電流を通す電気的な接触面を与える接触部分、 電極のシャフトの少なくとも遠い方の端の周りおよび該接触部分に接して、メッキ液が電極のシャフトと該接触部分との間につくられた接合部に入らないようにする誘電体材料 37.] retainer semiconductor workpieces for use in an electroplating apparatus for use in plating a metal on a semiconductor workpiece, at least one processing surface of the retainer the workpiece and the plating bath support of the workpiece which is mounted so as to support a workpiece in a position to contact has electrical conductivity can tell receive the current supplied thereto, the electrodes extending toward the farther end at least one electrode finger member, mounted on the end facing away of the shaft of the electrode, the contact portions provide electrical contact surfaces in contact with the semiconductor of the workpiece during processing pass current between them having a shaft, in contact with and around the contact portion of at least farther end of the shaft of the electrode, a dielectric material such plating solution from entering the joint made between the shaft and the contact portion of the electrode 被覆をつくる手段を具備していることを特徴とする半導体加工物保持器。 Semiconductor workpiece holder, characterized in that it comprises means for making the coating. 【請求項38】 半導体の加工物の表面に金属をメッキする方法において、 38. A method of plating a metal on the surface of the semiconductor of the workpiece,
    該方法は 接触部分の上につくられた接触面を用いて半導体の加工物の表面を電極アセンブリーと接触させ、ここで該接触部分は電極のシャフトと該接触部分との間に存在する接触部分の接合部の所で電極のシャフトの遠い方の端に取り付けられており、該電極アセンブリーは該電極のシャフトの遠い方の端の周りに該接触部分に対し密封関係をなすようにつくられた誘電体の層をもっており、 半導体加工物の処理表面の上に加工物メッキ材料をメッキするのに使用するメッキ浴の液の中に半導体加工物の処理表面を浸漬し、 該誘電体の層を使用して該接触部分の接合部にメッキ浴の液が入らないようにし、 該接触部分および半導体加工物と電極アセンブリーとの間に電流を通すことにより半導体加工物の上に半導体加工物メッキ材料を電気 Contact portion that exists between the method by contacting the surface of the semiconductor workpiece and the electrode assembly with a contact surface made on the contact portion, wherein the contact portion is a shaft and the contact portion of the electrode It is attached to the end of the farther of the shaft of the electrode at the junction of the electrode assembly was made to form a sealing relationship with respect to the contact portion around the end of the farther of the shaft of the electrode It has a layer of dielectric, workpiece treated surface of a semiconductor workpiece by immersing the plated material in liquid plating bath used to plate onto the treated surface of the semiconductor workpiece, the layer of dielectric use as liquid bath at the junction of the contact portion does not enter the semiconductor workpiece plating material on a semiconductor workpiece by passing an electric current between said contact portion and the semiconductor workpiece and the electrode assembly electrical メッキする工程を含むことを特徴とする方法。 Method characterized by comprising the step of plating. 【請求項39】 該接触面のメッキ層は該加工物メッキ材料からつくられることを特徴とする請求項38記載の方法。 39. The plating layer of the contact surface 39. The method of claim 38, wherein the made from the workpiece plating material. 【請求項40】 該接触部分は非腐食性の金属からつくられていることを特徴とする請求項38記載の方法。 40. The method of claim 38, wherein said contacting portion, characterized in that is made from non-corrosive metal. 【請求項41】 該接触部分は白金からつくられていることを特徴とする請求項38記載の方法。 41. The contact portion The method of claim 38, wherein the are made of platinum. 【請求項42】 半導体加工物が処理表面を有し、該処理表面は被覆された表面の部分と種子層の部分とを含むようなパターン賦与処理がなされており、該被覆表面の部分は該種子層の部分の上にあるフォトレジストまたは他の非伝導性の被膜で被覆されており、該種子層の部分は露出した種子層の区域を含み、種子層の一部を露出させて処理を行なう半導体加工物の表面に金属をメッキする方法において、該方法は、 電極のブートによって取り囲まれた電極の接触部分を有する電極アセンブリーを選び、 該電極のブートを用いて処理表面の被覆された部分と係合させ、該電極のブートを被覆された表面部分と接触させそれに対して密封を行ない、該電極のブートと半導体加工物の処理表面とにより該密封部の内部に閉じ込められた密封区間 42. A includes a semiconductor workpiece processing surface, the treated surface pattern imparted process have been made to include a portion of the part and the seed layer of the coated surface, the portion of the coated surface is the is coated with a photoresist or other non-conductive coating is on a portion of the seed layer, part of said seed layer comprises an area of ​​the exposed seed layer, a process to expose a portion of the seed layer a method for plating a metal on the surface of a semiconductor workpiece to perform, the method to select the electrode assembly having a contact portion surrounded by the boot of the electrode the electrode, the coated portion of the treated surface using a boot of the electrode engaged with, is contacted with the coated surface portion of the boot of the electrodes subjected to seal against it, the electrode of the boot and the semiconductor workpiece processing surface and the sealing section trapped inside the said sealing portion 中にメッキ液が入らないようにし、 処理表面の上に存在し種子層に対して電気的な接触を行なうための露出された種子層の部分を有する該密封部の内部のヴァイアを閉じ、 該種子層を該ヴァイアを介して該電極接触部と接触させ、電極アセンブリーと該種子層との間に電気的な伝導連結経路をつくり、この際この接触は接触層と接し該密封区間の内部に閉じ込められている接触面を使用して該電極接触部により行なわれ、 半導体加工物の処理表面をメッキ液で湿潤させ、 電極とメッキ浴に電流を通して半導体加工物の処理表面の露出された種子層の上に電気メッキを行ない、 メッキ液が密封された空間に入らないようにして接触部の周りにおけるメッキ作用を実質的に減少させることを特徴とする方法。 The so plating solution from entering, closing the interior of the vias in said sealing portion having an exposed portion of the seed layer for electrically contacting to the presence and the seed layer on the treated surface in, the the seed layer through the vias to contact with the electrode contact portion, make an electrical conduction connection path between the electrode assembly and the seeds layer, this time the contact with the interior of the sealed zone in contact with the contact layer using a contact surface that is confined performed by the electrode contact portion, the treated surface of the semiconductor workpiece is wetted by the plating solution, the exposed seed layer of the treated surface of the semiconductor workpiece through current to the electrodes and the plating bath wherein the substantially reducing subjected to electroplating, the plating action in around the contact portion is prevented from entering into a space plating liquid is sealed over. 【請求項43】 半導体加工物を処理するのに使用する半導体加工物の支持部材において、 支えられた加工物の位置を決めるための加工物の支持部材の一部をなす指状部材の搭載部分、 該指状部材搭載部分を通って延びた少なくとも一つの指状部材のピボット軸の周りでピボット回転するように、該指状部材搭載部分の上に取り付けられた少なくとも一つの指状部材アセンブリー、 該指状部材のピボット軸の周りで少なくとも一つの指状部材アセンブリーをピボット回転させるように取り付けられた少なくとも一つの指状部材アセンブリーのアクチュエータを具備し、 該指状部材アセンブリーは該指状部材アセンブリーが該半導体加工物と係合している係合位置と、該指状部材アセンブリーが該半導体加工物から遠ざかっている係合解除位 In support of 43. Semiconductor workpieces for use in processing semiconductor workpieces, mounting portions of the finger-like members forming part of the support member of the workpiece for positioning of a workpiece which is supported , so as to pivot about the pivot axis of the at least one finger-like member extending through the finger-like member mounted portion, at least one finger member assembly mounted on the finger-like member mounted portion, at least one finger-like member assembly comprising at least one finger member assembly of the actuator is mounted so as to pivot, the finger-like member assembly finger-like member assembly about the pivot axis of the finger-like members engaging position but engaged with the semiconductor workpiece, the disengagement position where said finger-like member assembly is moving away from the semiconductor workpiece との間を動き得るようになっていることを特徴とする半導体加工物の支持部材。 A support member of a semiconductor workpiece, characterized in that adapted for movement between a. 【請求項44】 該指状部材搭載部分は半導体加工物の他の部分に関して回転するように取り付けられ、処理中必要に応じ半導体加工物を回転させるローターであることを特徴とする請求項43記載の半導体加工物の支持部材。 44. A finger-like member mounted portion mounted to rotate with respect to other portions of the semiconductor workpiece according to claim 43, wherein it is a rotor for rotating the semiconductor workpiece as required during processing support member of a semiconductor workpiece. 【請求項45】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは、該係合位置と係合解除位置との間を動く場合に該指状部材アセンブリーをピボット回転させ且つ軸方向に動かす指状部材アクチュエータであることを特徴とする請求項43記載の半導体加工物の支持部材。 45. The actuator of the at least one finger-like member, the finger-like member actuator that moves the finger-like member assembly and axially to pivot when moved between the engaging position and the disengaged position support member according to claim 43 semiconductor workpiece, wherein a is. 【請求項46】 該指状部材アセンブリーはJ字形をしていることを特徴とする請求項43記載の半導体加工物の支持部材。 46. ​​A finger-like member assembly support member of claim 43 semiconductor workpiece, wherein the has a J-shape. 【請求項47】 該指状部材アセンブリーの少なくとも一部を覆う少なくとも一つの誘電体材料の鞘をさらに含んでいることを特徴とする請求項43記載の半導体加工物の支持部材。 47. The finger-shaped member assembly covering at least a portion of at least one dielectric material supporting member of claim 43 semiconductor workpiece, wherein the include further sheath. 【請求項48】 該指状部材アセンブリーはJ字形をしており、該指状部材アセンブリーの少なくとも一部を覆う少なくとも一つの誘電体材料の鞘をさらに含んでいることを特徴とする請求項43記載の半導体加工物の支持部材。 48. A finger-like member assembly is of a J-shape, claim, characterized in that it further comprises a sheath of at least one dielectric material covering at least a portion of the finger-like member assembly 43 a support member of a semiconductor workpiece according. 【請求項49】 半導体加工物を処理するのに使用される半導体加工物の支持部材において、 処理ヘッドの主要部分、 処理ヘッドの主要部分に関して回転運動をするように取り付けられ、処理中半導体加工物を回転させることができる指状部材搭載部分を含んだローター、 該ローターの上で回転運動を行なわせるために該指状部材搭載部分の上に取り付けられ且つ該搭載部分に関し少なくとも一つの指状部材搭載部分を通って延びた指状部材のピボット軸の周りでピボット回転するように取り付けられている少なくとも一つの指状部材アセンブリー、 該指状部材のピボット軸の周りに少なくとも一つの指状部材アセンブリーをピボット回転させるように取り付けられた少なくとも一つの指状部材アセンブリーのアクチュエータを具備し、 該 In support of 49. The semiconductor workpiece that is used to process the semiconductor workpiece, the main portion of the processing head mounted for rotational movement with respect to the main portion of the processing head, the processing in the semiconductor workpiece including finger-like member mounted portion can rotate the rotor, at least one finger member relates and the mounting portion mounted on a finger-like member mounted portion to effect a rotational movement on the rotor at least one finger member assembly is mounted for pivoting about the pivot axis of the finger-like members extending through the mounting portion, at least one finger member assembly about the pivot axis of the finger-like members the comprising at least one finger member assembly of the actuator is mounted so as to pivot, said 状部材アセンブリーは該指状部材アセンブリーが該半導体加工物と係合している係合位置と、該指状部材アセンブリーが該半導体加工物から遠ざかっている係合解除位置との間を動き得るようになっていることを特徴とする半導体加工物の支持部材。 Jo member assembly and engaged position said finger-like member assembly is engaged with the semiconductor workpiece, such that the finger-like member assembly for movement between a disengaged position where moving away from the semiconductor workpiece a support member of a semiconductor workpiece, characterized in that has become. 【請求項50】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは、該係合位置と該係合解除位置との間で動く場合該指状部材アセンブリーに対しピボット回転および軸方向の運動の両方を行なわせる指状部材アクチュエータを含んでいることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 The actuator of claim 50 wherein said at least one finger-like member, made both pivoting and axial movement relative to the finger-like member assembly when moving between the engagement position and the engagement release position support member according to claim 49 semiconductor workpiece, wherein the includes a finger member actuator that. 【請求項51】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは処理ヘッドの主要部分の上に取り付けられたアクチュエータ・エンジンを含んでいることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 51. The at least one actuator finger member supporting member according to claim 49 semiconductor workpiece, wherein the include an actuator engine mounted on the main part of the treatment head. 【請求項52】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは処理ヘッドの主要部分の上に取り付けられたアクチュエータ・エンジンを含み、さらに 該アクチュエータ・エンジンによって制御下に係合させられる少なくとも一つのアクチュエータの伝動装置を含んでいることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 52. The at least one actuator finger member includes an actuator engine mounted on the main part of the processing head, further the at least one actuator which is engaged under control by the actuator engine support member according to claim 49 semiconductor workpiece, wherein the include gearing. 【請求項53】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは処理ヘッドの主要部分の上に取り付けられたアクチュエータ・エンジンを含み、さらに 該処理ヘッドの主要部分に取り付けられ、該アクチュエータ・エンジンに連結されてアクチュエータ・エンジンによる制御された運動を行なわせるための駆動部分、 該駆動部分により制御下において係合させられる少なくとも一つのアクチュエータの伝動装置を具備し、該少なくとも一つのアクチュエータの伝動装置は駆動部分による運動に応答して動くアクチュエータのシャフトを含み、該アクチュエータのシャフトはピボット回転および軸方向の運動の両方を行なうように取り付けられ、該指状部材アセンブリーは係合位置と係合解除位置との間で動く際ピボット回転および軸方向の The actuator of claim 53 wherein said at least one finger-like member includes an actuator engine mounted on the main part of the treatment head, is further attached to the main portion of the treatment head is connected to the actuator engine driving portion, provided with a transmission of at least one actuator is engaged under control by the driving portion, the transmission of the at least one actuator driving portion for causing a controlled movement by the actuator engine Te includes an actuator shaft that moves in response to movement by the shaft of the actuator is mounted so as to perform both pivoting and axial movement, the finger-like member assembly between the engaging position and the disengaged position pivotable and axially when moving between 動の両方を行なうように該アクチュエータのシャフトに連結されていることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 Support member according to claim 49 semiconductor workpiece, wherein the is connected to the shaft of the actuator so as to perform both dynamic. 【請求項54】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは処理ヘッドの主要部分の上に取り付けられたアクチュエータ・エンジンを含み、さらに 該処理ヘッドの主要部分に取り付けられ該アクチュエータ・エンジンに連結されてアクチュエータ・エンジンによる制御された運動を行なわせるための駆動部分、 該駆動部分により制御下において係合させられる少なくとも一つのアクチュエータの伝動装置を具備し、 該少なくとも一つの伝動装置は該駆動部分による運動に応答して動くアクチュエータのシャフトを含み、該アクチュエータのシャフトはピボット回転および軸方向の運動の両方を行なうように取り付けられ、該指状部材アセンブリーは係合位置と係合解除位置との間で動く際ピボット回転および軸方向の運動の両方を行な The actuator of claim 54 wherein said at least one finger-like member includes an actuator engine mounted on the main part of the treatment head, is further coupled to the actuator engine mounted to the main portion of the processing head driving part for causing the controlled movement by the actuator engine, comprising a transmission of at least one actuator is engaged under control by the driving portion, the at least one gearing movement by said drive portion It includes an actuator shaft that moves in response to the shaft of the actuator is mounted so as to perform both pivoting and axial movement, the finger-like member assembly between an engaged position and a disengaged position row both pivoting and axial movement when moving うように該アクチュエータのシャフトに連結されており、 また該少なくとも一つの伝動装置はその上に取り付けられ且つその一部をなすシャフトの案内を含み、該シャフトの案内はアクチュエータのシャフトの軸方向の運動がまたシャフトをピボット回転させるようにアクチュエータのシャフトと係合していることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 Is connected to the shaft of the actuator to Migihitsuji, also includes a guide shaft which forms the at least one gearing part thereof and mounted thereon, the guide of the shaft in the axial direction of the actuator shaft support member according to claim 49 semiconductor workpiece, wherein the movement also engages the actuator shaft so as to pivot the shaft. 【請求項55】 該少なくとも一つの指状部材のアクチュエータは処理ヘッドの主要部分の上に取り付けられたアクチュエータ・エンジンを含み、さらに 該処理ヘッドの主要部分に取り付けられ該アクチュエータ・エンジンに連結されてアクチュエータ・エンジンによる制御された運動を行なわせるための駆動部分、 該駆動部分により制御下において係合させられる少なくとも一つのアクチュエータの伝動装置を具備し、 該少なくとも一つの伝動装置は該駆動部分による運動に応答して動くアクチュエータのシャフトを含み、該アクチュエータのシャフトはピボット回転および軸方向の運動の両方を行なうように取り付けられ、該指状部材アセンブリーは係合位置と係合解除位置との間で動く際ピボット回転および軸方向の運動の両方を行な The actuator of claim 55 wherein said at least one finger-like member includes an actuator engine mounted on the main part of the treatment head, is further coupled to the actuator engine mounted to the main portion of the processing head driving part for causing the controlled movement by the actuator engine, comprising a transmission of at least one actuator is engaged under control by the driving portion, the at least one gearing movement by said drive portion It includes an actuator shaft that moves in response to the shaft of the actuator is mounted so as to perform both pivoting and axial movement, the finger-like member assembly between an engaged position and a disengaged position row both pivoting and axial movement when moving うように該アクチュエータのシャフトに連結されており、 また該少なくとも一つの伝動装置はその上に取り付けられ且つその一部をなすシャフトの案内を含み、該シャフトの案内はアクチュエータのシャフトの軸方向の運動がまたシャフトをピボット回転させるようにアクチュエータのシャフトの中につくられた溝と係合するボールを含んでいることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 Is connected to the shaft of the actuator to Migihitsuji, also includes a guide shaft which forms the at least one gearing part thereof and mounted thereon, the guide of the shaft in the axial direction of the actuator shaft support member according to claim 49 semiconductor workpiece according to motion it is also characterized in that it comprises a ball groove engaging made in the actuator shaft so as to pivot the shaft. 【請求項56】 該指状部材アセンブリーはJ字形をしていることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 56. A finger-like member assembly support member of claim 49 semiconductor workpiece, wherein the has a J-shape. 【請求項57】 該指状部材アセンブリーの少なくとも一部を覆う少なくとも一つの誘電体材料の鞘をさらに含んでいることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 57. A finger-like member assembly covering at least a portion of at least one dielectric material supporting member of claim 49 semiconductor workpiece, wherein the include further sheath. 【請求項58】 該指状部材アセンブリーはJ字形をしており、該指状部材アセンブリーの少なくとも一部を覆う少なくとも一つの誘電体材料の鞘をさらに含んでいることを特徴とする請求項49記載の半導体加工物の支持部材。 58. The finger-shaped member assembly is of a J-shape, claim, characterized in that it further comprises a sheath of at least one dielectric material covering at least a portion of the finger-like member assembly 49 a support member of a semiconductor workpiece according. 【請求項59】 半導体加工物を処理するのに使用される半導体加工物の支持部材において、 加工物の支持部材を位置させるための加工物の支持部材の一部をなす指状部材搭載部分、 指状部材搭載部分を通って延びた少なくとも一つの指状部材のピボット軸の周りにピボット回転させるための、該指状部材搭載部分の上に取り付けられた少なくとも一つの指状部材アセンブリー、 該指状部材のピボット軸の周りに少なくとも一つの指状部材アセンブリーをピボット回転させるための手段を備えた少なくとも一つの指状部材アセンブリーのアクチュエータを具備し、 該指状部材アセンブリーは該指状部材アセンブリーが該半導体加工物と係合している係合位置と、該指状部材アセンブリーが該半導体加工物から遠ざかっている係合解除位置と 59. In support of the semiconductor work-piece that is used to process a semiconductor workpiece, the finger-like member mounted portion forming part of the support member of the workpiece for the support member is positioned in the workpiece, for pivoting about a pivot axis of the at least one finger-like member extending through the finger-like member mounted portion, at least one finger member assembly mounted on a finger-like member mounted portion, finger comprising at least one finger member assembly of the actuator includes means for pivoting the at least one finger member assembly about the pivot axis of the Jo member, the finger-like member assembly is finger-shaped member assembly engaging position in engagement with the semiconductor workpiece, and a disengaged position where said finger-like member assembly is moving away from the semiconductor workpiece 間を動き得るようになっていることを特徴とする半導体加工物の支持部材。 A support member of a semiconductor workpiece, characterized in that adapted for movement between. 【請求項60】 該指状部材搭載部分は加工物の支持物の他の部分に関し回転するように取り付けられ処理中必要に応じ半導体の加工物を回転させるローターであることを特徴とする請求項59記載の半導体加工物の支持部材。 60.] finger-like member mounted portion claims, characterized in that a rotor for rotating a workpiece of a semiconductor necessary during processing mounted for rotation relates another part of the support of the workpiece a support member of a semiconductor workpiece according 59. 【請求項61】 該指状部材はJ字形をしていることを特徴とする請求項5 Claim 61. The finger-shaped member is characterized in that has a J-shape 5
    9記載の半導体加工物の支持部材。 A support member of a semiconductor workpiece according 9. 【請求項62】 該指状部材アセンブリーの少なくとも一部を覆う少なくとも必要に応じ誘電体材料の鞘をさらに含んでいることを特徴とする請求項59記載の半導体加工物の支持部材。 62.] finger-shaped support member of claim 59 semiconductor workpiece, wherein in that the assembly of further comprises a sheath of dielectric material according to at least required to cover at least a portion. 【請求項63】 半導体加工物を処理するのに使用される半導体加工物の支持部材において、 加工物の支持部材を位置させるための加工物の支持部材の一部をなす指状部材搭載部分、 指状部材搭載部分を通って延びた少なくとも一つの指状部材のピボット軸の周りにピボット回転させるための、該指状部材搭載部分の上に取り付けられた少なくとも一つの指状部材アセンブリー、 該指状部材のピボット軸の周りに少なくとも一つの指状部材アセンブリーをピボット回転させまた該指状部材のピボット軸に沿って軸方向に動か両方の手段を備えた少なくとも一つの指状部材アセンブリーのアクチュエータを具備し、 該指状部材アセンブリーは該指状部材アセンブリーが該半導体加工物と係合している係合位置と、該指状部材アセンブリーが該 63. In support of the semiconductor work-piece that is used to process a semiconductor workpiece, the finger-like member mounted portion forming part of the support member of the workpiece for the support member is positioned in the workpiece, for pivoting about a pivot axis of the at least one finger-like member extending through the finger-like member mounted portion, at least one finger member assembly mounted on a finger-like member mounted portion, finger at least one finger member assembly of at least one comprising both means moving axially along the pivot axis of the pivot is not also the finger-like members of the finger member assembly actuator about a pivot axis Jo member provided, the finger-like member assembly and engaged position said finger-like member assembly is engaged with the semiconductor workpiece, the finger-like member assembly said 導体加工物から遠ざかっている係合解除位置との間を動き得るようになっていることを特徴とする半導体加工物の支持部材。 A support member of a semiconductor workpiece, characterized in that adapted for movement between a disengaged position that away from the conductor the workpiece. 【請求項64】 該指状部材の搭載部分は、加工物の支持部材の他の部分に関し回転するように取り付けられ処理中必要に応じ半導体加工物を回転させるローターであることを特徴とする請求項63記載の半導体加工物の支持部材。 Mounting portion 64. The finger-like members, wherein, wherein the other semiconductor workpieces needed in mounted for rotation process relates portion of the support member of the workpiece is a rotor rotating a support member of a semiconductor workpiece claim 63, wherein. 【請求項65】 該指状部材はJ字形をしていることを特徴とする請求項6 65. A finger-like member according to claim, characterized in that has a J-shape 6
    3記載の半導体加工物の支持部材。 3 the supporting member of the semiconductor workpiece according. 【請求項66】 該指状部材アセンブリーの少なくとも一部を覆う少なくとも必要に応じ誘電体材料の鞘をさらに含んでいることを特徴とする請求項63記載の半導体加工物の支持部材。 66. The finger-shaped support member of claim 63 semiconductor workpiece, wherein the include assembly further sheath of dielectric material according to at least required to cover at least a portion.
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