JP2003506944A - デジタルアンプのためのブレークビフォーメーク歪みの補償 - Google Patents
デジタルアンプのためのブレークビフォーメーク歪みの補償Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】
【解決手段】 スイッチングアンプにおけるブレークビフォーメーク歪みを低減もしくは除去するための方法および装置が記述されている。スイッチングアンプは、スイッチング信号を生成する入力段を備える。ブレークビフォアメーク歪み補償回路は、スイッチング信号を変動させる。ブレークビフォアメーク生成回路は、変動されたスイッチング信号から2つのドライブ信号を生成する。パワー段は、2つの駆動信号によって交互に駆動される2つのスイッチを備える。ブレークビフォアメーク歪み検出回路は、パワー段の出力接続点における歪みパターンを検出し、検出された歪みパターンに応じてスイッチング信号を変動させるようにブレークビフォアメーク歪み補償回路を制御し、少なくとも一部のブレークビフォアメーク歪みを除去する。
Description
【0001】
本発明は、スイッチングアンプにおける歪みを低減するための技術に関する。
より詳細には、本発明は、デジタルスイッチングアンプにおける「ブレークビフ
ォーメーク」歪みを補償するための方法および装置を提供する。
より詳細には、本発明は、デジタルスイッチングアンプにおける「ブレークビフ
ォーメーク」歪みを補償するための方法および装置を提供する。
【0002】
デジタル電力アンプは、電力効率と信号の忠実性が高いため、その数を増して
いる。オーバーサンプリングとノイズシェーピングの技術を用いるデジタルオー
ディオアンプ100の例が、図1に示されている。入力オーディオ信号は、オー
バーサンプリングされ、1ビットのデジタルデータに変換される。これらのデー
タは、この例では2つのn型トランジスタを含む電力スイッチM1、M2を制御
するために、パワー段ドライバ102によって用いられる。サンプリングによっ
て発生する量子化ノイズを低減するために、アンプ100は、オーディオ信号バ
ンドから量子化ノイズを除去するフィードバックループ内のノイズシェーピング
ループフィルタ104を用いる。インダクタLとコンデンサCAPを含むローパ
スフィルタは、高周波数ノイズを除去し、スピーカ106を駆動する増幅オーデ
ィオ信号を回復する。
いる。オーバーサンプリングとノイズシェーピングの技術を用いるデジタルオー
ディオアンプ100の例が、図1に示されている。入力オーディオ信号は、オー
バーサンプリングされ、1ビットのデジタルデータに変換される。これらのデー
タは、この例では2つのn型トランジスタを含む電力スイッチM1、M2を制御
するために、パワー段ドライバ102によって用いられる。サンプリングによっ
て発生する量子化ノイズを低減するために、アンプ100は、オーディオ信号バ
ンドから量子化ノイズを除去するフィードバックループ内のノイズシェーピング
ループフィルタ104を用いる。インダクタLとコンデンサCAPを含むローパ
スフィルタは、高周波数ノイズを除去し、スピーカ106を駆動する増幅オーデ
ィオ信号を回復する。
【0003】
図1および図2aによると、ブレークビフォーメーク(BBM)生成回路10
8は、コンパレータ110から1ビットのスイッチング信号Yを受信し、互いに
180度位相のずれた2つの信号A、Bを発生する。AとBは、パワー段ドライ
バ102によってレベルシフトされてA’とB’となり、パワートランジスタM
1、M2を交互にオンにするために用いられる。周知のように、AとBのパルス
の間に不感時間(すなわち、AとBの双方がローである時間)がない場合には、
パワートランジスタM1、M2の双方が、同時にオンにされて、(Istで表し
た波形内に示すような)Yの各遷移において正の電力供給VCCから負の電力供
給VSSへの望ましくないおそらく破局的なシュートスルー電流を発生させる電
位状態を生み出す可能性がある。このような状態は、例えば、パワートランジス
タM1、M2の立ち上がりおよび立ち下がり時間だけでなく、パワー段ドライバ
102による信号A、Bの遅延によっても起こりうる。少なくとも、そのような
シュートスルー電流は、スイッチング損失を増大させることにより、アンプの電
力効率を低下させる。最悪の場合、パワートランジスタM1、M2が、ダメージ
を受けて破壊されることもある。
8は、コンパレータ110から1ビットのスイッチング信号Yを受信し、互いに
180度位相のずれた2つの信号A、Bを発生する。AとBは、パワー段ドライ
バ102によってレベルシフトされてA’とB’となり、パワートランジスタM
1、M2を交互にオンにするために用いられる。周知のように、AとBのパルス
の間に不感時間(すなわち、AとBの双方がローである時間)がない場合には、
パワートランジスタM1、M2の双方が、同時にオンにされて、(Istで表し
た波形内に示すような)Yの各遷移において正の電力供給VCCから負の電力供
給VSSへの望ましくないおそらく破局的なシュートスルー電流を発生させる電
位状態を生み出す可能性がある。このような状態は、例えば、パワートランジス
タM1、M2の立ち上がりおよび立ち下がり時間だけでなく、パワー段ドライバ
102による信号A、Bの遅延によっても起こりうる。少なくとも、そのような
シュートスルー電流は、スイッチング損失を増大させることにより、アンプの電
力効率を低下させる。最悪の場合、パワートランジスタM1、M2が、ダメージ
を受けて破壊されることもある。
【0004】
シュートスルー電流を除去し、有害な影響を回避するために、図2bに示すよ
うに、両方の信号がローである際の信号の遷移間に時間を設けるよう、信号A、
Bの間に不感時間(本明細書では、ブレークビフォーメーク(BBM)時間と呼
ぶ)が導入される。これによって確実に、トランジスタの立ち上がりおよび立ち
下がり時間の間に遅延のズレがある際にも、トランジスタM1、M2が同時にオ
ンにならなくなる。入力データBBM<2:0>によって、表1に示すように、
BBM時間の調整を特定のアンプの設計要件に適合させることが可能となる。残
念ながら、BBMジェネレータは、シュートスルー電流を除去する一方で、高調
波歪みを引き起こすことによりアンプの性能を低下させるという影響を与える。
この歪みの性質は、図3a、3b、4a〜4cを参照して以下で説明する。
うに、両方の信号がローである際の信号の遷移間に時間を設けるよう、信号A、
Bの間に不感時間(本明細書では、ブレークビフォーメーク(BBM)時間と呼
ぶ)が導入される。これによって確実に、トランジスタの立ち上がりおよび立ち
下がり時間の間に遅延のズレがある際にも、トランジスタM1、M2が同時にオ
ンにならなくなる。入力データBBM<2:0>によって、表1に示すように、
BBM時間の調整を特定のアンプの設計要件に適合させることが可能となる。残
念ながら、BBMジェネレータは、シュートスルー電流を除去する一方で、高調
波歪みを引き起こすことによりアンプの性能を低下させるという影響を与える。
この歪みの性質は、図3a、3b、4a〜4cを参照して以下で説明する。
【0005】
図1のアンプ100によると、トランジスタM1、M2がBBM時間の間にオ
フである場合、接続点Cの電圧は、寄生キャパシタCPによって決定される。イ
ンダクタLが電流の瞬間的な変化に抵抗するので、アンプの出力電流がCAPを
充電している時には、接続点Cの電圧は、BBM時間の間にVCC(ショットキ
ダイオードD1によってクリップされた電圧)に押し上げられる。一方、出力電
流がCAPを放電している時には、接続点Cの電圧は、VSS(ショットキダイ
オードD2によってクリップされた電圧)に引き下げられる。
フである場合、接続点Cの電圧は、寄生キャパシタCPによって決定される。イ
ンダクタLが電流の瞬間的な変化に抵抗するので、アンプの出力電流がCAPを
充電している時には、接続点Cの電圧は、BBM時間の間にVCC(ショットキ
ダイオードD1によってクリップされた電圧)に押し上げられる。一方、出力電
流がCAPを放電している時には、接続点Cの電圧は、VSS(ショットキダイ
オードD2によってクリップされた電圧)に引き下げられる。
【0006】
【表1】
【0007】
図3aは、アンプ100への入力が接地されている場合にインダクタLを通る
電流を示す。この条件下では、接続点Yの信号は方形波であり、その結果Lを通
る電流は、接続点Yの信号の遷移ごとに極性を変化させるのこぎり波によって表
される。逆に、図3bは、アンプへの入力がサイン波である場合の接続点Yの信
号とインダクタLを通る電流のスイッチングパターンを示す。サイン波周期の前
半においては、接続点Yのスイッチングパターンは、トランジスタM1がトラン
ジスタM2よりも頻繁にオンにされて、比較的広いパルス幅を持つよう調節され
る。この期間には、インダクタ電流は、おおむね正であり、CAPを充電しつつ
スピーカ106へと流れる。サイン波周期の後半においては、接続点Yのスイッ
チングパターンは、トランジスタM2がトランジスタM1よりも頻繁にオンにさ
れて、比較的狭いパルス幅を持つよう調節される。これにより、おおむね負のイ
ンダクタ電流が発生し、CAPから放電しつつスピーカ106から流れ出る。サ
イン波のゼロ交差付近では、接続点Yのスイッチングパターンは、インダクタ電
流がY接続点の信号の遷移ごとに極性が切り替わる状態を引き起こす図3aに示
されたパターンに類似している。
電流を示す。この条件下では、接続点Yの信号は方形波であり、その結果Lを通
る電流は、接続点Yの信号の遷移ごとに極性を変化させるのこぎり波によって表
される。逆に、図3bは、アンプへの入力がサイン波である場合の接続点Yの信
号とインダクタLを通る電流のスイッチングパターンを示す。サイン波周期の前
半においては、接続点Yのスイッチングパターンは、トランジスタM1がトラン
ジスタM2よりも頻繁にオンにされて、比較的広いパルス幅を持つよう調節され
る。この期間には、インダクタ電流は、おおむね正であり、CAPを充電しつつ
スピーカ106へと流れる。サイン波周期の後半においては、接続点Yのスイッ
チングパターンは、トランジスタM2がトランジスタM1よりも頻繁にオンにさ
れて、比較的狭いパルス幅を持つよう調節される。これにより、おおむね負のイ
ンダクタ電流が発生し、CAPから放電しつつスピーカ106から流れ出る。サ
イン波のゼロ交差付近では、接続点Yのスイッチングパターンは、インダクタ電
流がY接続点の信号の遷移ごとに極性が切り替わる状態を引き起こす図3aに示
されたパターンに類似している。
【0008】
背景として図3aおよび3bの説明を考慮し、図4a〜4cを参照して、BB
M歪みの性質を説明する。図4aは、接続点Yのスイッチングパターンが方形波
である場合を示す。この場合、図示するように、所定のBBM時間を持つ波形A
、Bとなる。インダクタLを通る電流も示されている。t1とt2の間、すなわ
ちBBM時間には、トランジスタM1、M2は両方ともオフであり、接続点Cの
電圧は、インダクタ電流によりCPから放電されるため、VSSに引き下げられ
る。t2とt3の間には、M2がオンにされて、接続点Cの電圧をVSSに保つ
と共に、インダクタ電流が極性を変化させる。t3とt4の間、すなわち次のB
BM時間には、トランジスタM2は再びオフにされ、接続点Cの電圧は、インダ
クタ電流が違う方向に流れるため、VCCに押し上げられる。t5以降では、こ
のスイッチングパターンが繰り返されるのだが、接続点YおよびCの信号を比較
することにより、入力が方形波である場合にBBM時間が出力スイッチングパタ
ーンに影響を及ぼさないことを確認できる。
M歪みの性質を説明する。図4aは、接続点Yのスイッチングパターンが方形波
である場合を示す。この場合、図示するように、所定のBBM時間を持つ波形A
、Bとなる。インダクタLを通る電流も示されている。t1とt2の間、すなわ
ちBBM時間には、トランジスタM1、M2は両方ともオフであり、接続点Cの
電圧は、インダクタ電流によりCPから放電されるため、VSSに引き下げられ
る。t2とt3の間には、M2がオンにされて、接続点Cの電圧をVSSに保つ
と共に、インダクタ電流が極性を変化させる。t3とt4の間、すなわち次のB
BM時間には、トランジスタM2は再びオフにされ、接続点Cの電圧は、インダ
クタ電流が違う方向に流れるため、VCCに押し上げられる。t5以降では、こ
のスイッチングパターンが繰り返されるのだが、接続点YおよびCの信号を比較
することにより、入力が方形波である場合にBBM時間が出力スイッチングパタ
ーンに影響を及ぼさないことを確認できる。
【0009】
図4bは、接続点Yのスイッチングパターンが、図3bのサイン波周期の前半
を参照して上述したように比較的広いパルス幅を持つ場合を示す。上述のように
、これは、CAPを充電しつつスピーカ106へと流れるインダクタ電流に対応
する。時刻t1では、M2がオフにされ、M1がt2でオンにされるまでのBB
M時間の間インダクタ電流によって接続点Cの電圧はVSSに保たれる。M1が
t2でオンにされると、接続点Cの電圧は、VCCに引き上げられる。t3でM
1が再びオフにされると、接続点Cの電圧は、インダクタ電流によって再びVS
Sに引き下げられる。次のBBM時間(t3〜t4)の後には、M2がオンにさ
れ、接続点Cの電圧は、VSSに保たれる。接続点YとCの信号を比較すること
により、(接続点Cにおける)出力パルス幅は、BBM時間だけ(接続点Yにお
ける)入力パルス幅よりも狭くなることがわかる。
を参照して上述したように比較的広いパルス幅を持つ場合を示す。上述のように
、これは、CAPを充電しつつスピーカ106へと流れるインダクタ電流に対応
する。時刻t1では、M2がオフにされ、M1がt2でオンにされるまでのBB
M時間の間インダクタ電流によって接続点Cの電圧はVSSに保たれる。M1が
t2でオンにされると、接続点Cの電圧は、VCCに引き上げられる。t3でM
1が再びオフにされると、接続点Cの電圧は、インダクタ電流によって再びVS
Sに引き下げられる。次のBBM時間(t3〜t4)の後には、M2がオンにさ
れ、接続点Cの電圧は、VSSに保たれる。接続点YとCの信号を比較すること
により、(接続点Cにおける)出力パルス幅は、BBM時間だけ(接続点Yにお
ける)入力パルス幅よりも狭くなることがわかる。
【0010】
図4cは、接続点Yのスイッチングパターンが、図3bのサイン波周期の後半
を参照して上述したように比較的狭いパルス幅を持つ場合を示す。上述のように
、これは、寄生キャパシタCPを充電するインダクタ電流に対応する。時刻t1
では、M1がオフにされ、M2がt2でオンにされるまでのBBM時間の間接続
点Cの電圧はVCCに保たれる。M2がt2でオンになると、接続点Cの電圧は
VSSに引き下げられる。M2がt3で再びオフにされると、接続点Cの電圧は
、インダクタ電流によって再びVCCに引き上げられる。次のBBM時間(t3
〜t4)の後には、M1がオンにされ、接続点Cの電圧は、VCCに保たれる。
接続点YとCの信号を比較することにより、(接続点Cにおける)出力パルス幅
は、BBM時間の分だけ(接続点Yにおける)入力パルス幅よりも広くなること
がわかる。
を参照して上述したように比較的狭いパルス幅を持つ場合を示す。上述のように
、これは、寄生キャパシタCPを充電するインダクタ電流に対応する。時刻t1
では、M1がオフにされ、M2がt2でオンにされるまでのBBM時間の間接続
点Cの電圧はVCCに保たれる。M2がt2でオンになると、接続点Cの電圧は
VSSに引き下げられる。M2がt3で再びオフにされると、接続点Cの電圧は
、インダクタ電流によって再びVCCに引き上げられる。次のBBM時間(t3
〜t4)の後には、M1がオンにされ、接続点Cの電圧は、VCCに保たれる。
接続点YとCの信号を比較することにより、(接続点Cにおける)出力パルス幅
は、BBM時間の分だけ(接続点Yにおける)入力パルス幅よりも広くなること
がわかる。
【0011】
このように、例えばサイン波の入力については、接続点Cの出力スイッチング
パターンにより、入力信号のゼロ交差において歪みが比較的小さくなるかもしく
は無くなる。しかしながら、接続点Cにおけるパルス幅は、サイン波周期の他の
部分ではBBM時間全体の分だけ削減もしくは増加されることがある。出力波形
におけるこれらの変化は入力信号に依存するため、望ましくない歪みが発生する
ことになる。したがって、この歪みを低減もしくは除去することのできる技術を
提供することが望まれる。
パターンにより、入力信号のゼロ交差において歪みが比較的小さくなるかもしく
は無くなる。しかしながら、接続点Cにおけるパルス幅は、サイン波周期の他の
部分ではBBM時間全体の分だけ削減もしくは増加されることがある。出力波形
におけるこれらの変化は入力信号に依存するため、望ましくない歪みが発生する
ことになる。したがって、この歪みを低減もしくは除去することのできる技術を
提供することが望まれる。
【0012】
本発明によると、BBM時間をループ遅延に変換することにより、デジタルス
イッチングアンプにおける「ブレークビフォーメーク」(BBM)時間による歪
みを低減もしくは除去できる技術が提供されている。歪み検出回路が、BBM歪
みを検出し、歪み補償回路が、入力パルスを予め成形して後に続くBBM回路に
よって引き起こされる歪みを補償する。すなわち、歪み補償回路は、出力パルス
が、BBM時間の分だけ入力パルスから遅延されはするけれども、BBM歪みを
ほとんどもしくは全く受けないように入力パルスのパターンを「予め歪ませる」
のである。
イッチングアンプにおける「ブレークビフォーメーク」(BBM)時間による歪
みを低減もしくは除去できる技術が提供されている。歪み検出回路が、BBM歪
みを検出し、歪み補償回路が、入力パルスを予め成形して後に続くBBM回路に
よって引き起こされる歪みを補償する。すなわち、歪み補償回路は、出力パルス
が、BBM時間の分だけ入力パルスから遅延されはするけれども、BBM歪みを
ほとんどもしくは全く受けないように入力パルスのパターンを「予め歪ませる」
のである。
【0013】
このように、本発明は、スイッチング信号を生成するための入力段を持つスイ
ッチングアンプを提供する。ブレークビフォーメーク歪み補償回路は、スイッチ
ング信号を変動させる。ブレークビフォーメーク生成回路は、変動されたスイッ
チング信号から2つの駆動信号を生成する。パワー段は、2つの駆動信号によっ
て交互に駆動される2つのスイッチを備える。ブレークビフォーメーク歪み検出
回路は、パワー段の出力接続点における歪みパターンを検出するとともに、検出
された歪みパターンに応じてスイッチング信号を変動させるようにブレークビフ
ォーメーク歪み補償回路を制御して、少なくとも一部のブレークビフォーメーク
歪みを除去する。
ッチングアンプを提供する。ブレークビフォーメーク歪み補償回路は、スイッチ
ング信号を変動させる。ブレークビフォーメーク生成回路は、変動されたスイッ
チング信号から2つの駆動信号を生成する。パワー段は、2つの駆動信号によっ
て交互に駆動される2つのスイッチを備える。ブレークビフォーメーク歪み検出
回路は、パワー段の出力接続点における歪みパターンを検出するとともに、検出
された歪みパターンに応じてスイッチング信号を変動させるようにブレークビフ
ォーメーク歪み補償回路を制御して、少なくとも一部のブレークビフォーメーク
歪みを除去する。
【0014】
本発明は、さらに、変動されたスイッチング信号から2つの駆動信号を生成す
るためのブレークビフォーメーク生成回路と、2つの駆動信号によって交互に駆
動される2つのスイッチを含むパワー段とを備えるスイッチングアンプにおける
ブレークビフォーメーク歪みを低減する方法を提供する。歪みパターンは、パワ
ー段の出力接続点において検出される。スイッチング信号は、検出された歪みパ
ターンに応じて、ブレークビフォーメーク生成回路の前段階で変動され、これに
より、ブレークビフォーメーク歪みの少なくとも一部が除去される。
るためのブレークビフォーメーク生成回路と、2つの駆動信号によって交互に駆
動される2つのスイッチを含むパワー段とを備えるスイッチングアンプにおける
ブレークビフォーメーク歪みを低減する方法を提供する。歪みパターンは、パワ
ー段の出力接続点において検出される。スイッチング信号は、検出された歪みパ
ターンに応じて、ブレークビフォーメーク生成回路の前段階で変動され、これに
より、ブレークビフォーメーク歪みの少なくとも一部が除去される。
【0015】
本明細書の以下の部分と図面を参照することにより、本発明の本質と利点をさ
らに深く理解できる。
らに深く理解できる。
【0016】
本発明の具体的な実施形態によると、BBM歪みを補償する方法は、BBM歪
み自体の性質に従って決定される。すなわち、歪みのパターンは、適切な補償方
法を適用できるように決定される。図5は、そのような技術を組み込んだデジタ
ルスイッチングアンプ500の具体的な実装を示す。図1のアンプ100と異な
り、アンプ500は、さらに、BBM歪みパターン検出回路502と、BBM歪
み補償回路504とを備える。検出回路502は、BBM歪みの性質を決定し、
それに従って補償回路504を制御し、BBMジェネレータ506に信号が入力
される前に接続点Yにおける入力信号から接続点Y‘における補償信号を生成さ
せる。以下で述べるように、これにより、接続点Yの信号に対応する接続点Cの
出力信号において、BBM歪みが除去される。
み自体の性質に従って決定される。すなわち、歪みのパターンは、適切な補償方
法を適用できるように決定される。図5は、そのような技術を組み込んだデジタ
ルスイッチングアンプ500の具体的な実装を示す。図1のアンプ100と異な
り、アンプ500は、さらに、BBM歪みパターン検出回路502と、BBM歪
み補償回路504とを備える。検出回路502は、BBM歪みの性質を決定し、
それに従って補償回路504を制御し、BBMジェネレータ506に信号が入力
される前に接続点Yにおける入力信号から接続点Y‘における補償信号を生成さ
せる。以下で述べるように、これにより、接続点Yの信号に対応する接続点Cの
出力信号において、BBM歪みが除去される。
【0017】
図6aは、接続点Yのスイッチングパターンが、図3bのサイン波の周期前半
を参照して上述したように比較的広いパルス幅を持つ場合を示す。この場合、イ
ンダクタ電流は、スピーカ508に流れ込むとともにキャパシタCAPを充電す
る。これにより、本発明の歪み補償を備えないアンプ(例えば、アンプ100)
においては、図4bを参照して上述したBBM歪みが引き起こされるだろう。こ
のBBM歪みは、接続点Yにおけるパルス幅に比べて接続点Cにおける出力パル
ス幅がBBM時間の分だけ狭くなることによって引き起こされるものである。こ
れを補償するために、歪み補償回路504は、パルスの立ち下がりエッジにBB
M時間を付加することにより、BBMジェネレータ506への信号入力(すなわ
ち、接続点Y´における信号)のパルス幅を広くする。BBMジェネレータ50
6は、接続点Y´の信号を受信し、図6aに示すように接続点A´およびB´に
おいて2つの信号を生成する。これらの信号は、パワートランジスタM1、M2
を制御するために、パワー段ドライバ510によって用いられる。
を参照して上述したように比較的広いパルス幅を持つ場合を示す。この場合、イ
ンダクタ電流は、スピーカ508に流れ込むとともにキャパシタCAPを充電す
る。これにより、本発明の歪み補償を備えないアンプ(例えば、アンプ100)
においては、図4bを参照して上述したBBM歪みが引き起こされるだろう。こ
のBBM歪みは、接続点Yにおけるパルス幅に比べて接続点Cにおける出力パル
ス幅がBBM時間の分だけ狭くなることによって引き起こされるものである。こ
れを補償するために、歪み補償回路504は、パルスの立ち下がりエッジにBB
M時間を付加することにより、BBMジェネレータ506への信号入力(すなわ
ち、接続点Y´における信号)のパルス幅を広くする。BBMジェネレータ50
6は、接続点Y´の信号を受信し、図6aに示すように接続点A´およびB´に
おいて2つの信号を生成する。これらの信号は、パワートランジスタM1、M2
を制御するために、パワー段ドライバ510によって用いられる。
【0018】
接続点Yにおける入力信号のパルスの立ち下がりエッジにBBM時間を付加し
た結果は、図6aを参照すれば理解できる。BBM時間(すなわち、トランジス
タ両方がオフである時間)は、t2とt3の間およびt4とt5の間である。Y
´およびA´両方における信号がハイからローになるt2では、M1がオフとな
り(M2はすでにオフ)、インダクタ電流が接続点Cの電圧をVSSに引き下げ
、その電圧は、M1がt5において再びオンになるまで保持される。図6aに示
すように、接続点Cにおける出力信号は、BBM時間の分だけ遅延されているこ
とを除けば、接続点Yにおける入力信号に類似しており、すなわち、パルスの歪
みがない。このように、補償回路504によってY´で導入された「予め与えら
れた歪み」は、BBMジェネレータ506によって導入される歪みを打ち消す。
換言すれば、BBM歪みは、効果的にループ遅延に変換されることになる。
た結果は、図6aを参照すれば理解できる。BBM時間(すなわち、トランジス
タ両方がオフである時間)は、t2とt3の間およびt4とt5の間である。Y
´およびA´両方における信号がハイからローになるt2では、M1がオフとな
り(M2はすでにオフ)、インダクタ電流が接続点Cの電圧をVSSに引き下げ
、その電圧は、M1がt5において再びオンになるまで保持される。図6aに示
すように、接続点Cにおける出力信号は、BBM時間の分だけ遅延されているこ
とを除けば、接続点Yにおける入力信号に類似しており、すなわち、パルスの歪
みがない。このように、補償回路504によってY´で導入された「予め与えら
れた歪み」は、BBMジェネレータ506によって導入される歪みを打ち消す。
換言すれば、BBM歪みは、効果的にループ遅延に変換されることになる。
【0019】
図6bは、接続点Yのスイッチングパターンが、図3bのサイン波の周期後半
を参照して上述したように比較的狭いパルス幅を持つ場合を示す。この場合、イ
ンダクタ電流は、キャパシタCAPを放電する。これにより、本発明の歪み補償
を備えないアンプ(例えば、アンプ100)においては、図4cを参照して上述
したBBM歪みが引き起こされるだろう。このBBM歪みは、接続点Yにおける
パルス幅に比べて接続点Cにおける出力パルス幅がBBM時間の分だけ広くなる
ことによって引き起こされるものである。これを補償するために、歪み補償回路
504は、パルスの立ち上がりエッジからBBM時間を「除去」することにより
、BBMジェネレータ506への信号入力(すなわち、接続点Y´における信号
)のパルス幅を狭くする。BBMジェネレータ506は、接続点Y´の信号を受
信し、図6bに示すように接続点A´およびB´において2つの信号を生成する
。これらの信号は、パワートランジスタM1、M2を制御するために、パワー段
ドライバ510によって用いられる。
を参照して上述したように比較的狭いパルス幅を持つ場合を示す。この場合、イ
ンダクタ電流は、キャパシタCAPを放電する。これにより、本発明の歪み補償
を備えないアンプ(例えば、アンプ100)においては、図4cを参照して上述
したBBM歪みが引き起こされるだろう。このBBM歪みは、接続点Yにおける
パルス幅に比べて接続点Cにおける出力パルス幅がBBM時間の分だけ広くなる
ことによって引き起こされるものである。これを補償するために、歪み補償回路
504は、パルスの立ち上がりエッジからBBM時間を「除去」することにより
、BBMジェネレータ506への信号入力(すなわち、接続点Y´における信号
)のパルス幅を狭くする。BBMジェネレータ506は、接続点Y´の信号を受
信し、図6bに示すように接続点A´およびB´において2つの信号を生成する
。これらの信号は、パワートランジスタM1、M2を制御するために、パワー段
ドライバ510によって用いられる。
【0020】
接続点Yにおける入力信号のパルスの立ち上がりエッジにおいてBBM時間分
のパルス幅を削除した結果は、図6bを参照すれば理解できる。BBM時間は、
t2とt3の間およびt4とt5の間である。接続点Y´における信号がローか
らハイになり、接続点B´における信号がハイからローになるt2では、M2が
オフとなり(M1はすでにオフ)、インダクタ電流が接続点Cの電圧をVCCに
押し上げる。この電圧は、M2がt5において再びオンになるまで保持される。
図6bに示すように、接続点Cにおける出力信号は、BBM時間の分だけ遅延さ
れていることを除けば、接続点Yにおける入力信号に類似しており、すなわち、
パルスの歪みがない。ここでも、補償回路504によってY´で導入された「事
前の歪み」は、BBMジェネレータ506によって導入される歪みを打ち消す。
のパルス幅を削除した結果は、図6bを参照すれば理解できる。BBM時間は、
t2とt3の間およびt4とt5の間である。接続点Y´における信号がローか
らハイになり、接続点B´における信号がハイからローになるt2では、M2が
オフとなり(M1はすでにオフ)、インダクタ電流が接続点Cの電圧をVCCに
押し上げる。この電圧は、M2がt5において再びオンになるまで保持される。
図6bに示すように、接続点Cにおける出力信号は、BBM時間の分だけ遅延さ
れていることを除けば、接続点Yにおける入力信号に類似しており、すなわち、
パルスの歪みがない。ここでも、補償回路504によってY´で導入された「事
前の歪み」は、BBMジェネレータ506によって導入される歪みを打ち消す。
【0021】
図6cは、接続点Yのスイッチングパターンが、図3bのサイン波のゼロ交差
領域を参照して上述したように方形波である場合を示す。この場合、インダクタ
電流が、接続点Yにおける信号の遷移ごとに方向を変えるため、図4aを参照し
て上述したように、アンプ100の接続点CにおいてBBM歪みは発生しない。
しかしながら、アンプ400の接続点Cにおける出力を図6aおよび6bを参照
して上述した場合と一致させるために、歪み補償回路504は、接続点Yにおけ
る信号をBBM時間だけ遅延させ、接続点Y´における信号を生成する。図6c
に示すように、接続点Cにおける出力信号は、BBM時間だけ遅延されているこ
とを除けば、接続点Yにおける入力信号に類似している。
領域を参照して上述したように方形波である場合を示す。この場合、インダクタ
電流が、接続点Yにおける信号の遷移ごとに方向を変えるため、図4aを参照し
て上述したように、アンプ100の接続点CにおいてBBM歪みは発生しない。
しかしながら、アンプ400の接続点Cにおける出力を図6aおよび6bを参照
して上述した場合と一致させるために、歪み補償回路504は、接続点Yにおけ
る信号をBBM時間だけ遅延させ、接続点Y´における信号を生成する。図6c
に示すように、接続点Cにおける出力信号は、BBM時間だけ遅延されているこ
とを除けば、接続点Yにおける入力信号に類似している。
【0022】
図7を参照して、図5の歪みパターン検出回路502の具体的な実施形態を説
明する。図6a〜図6cを参照した上の説明から理解されるように、適切なBB
M補償手段を適用するには、歪みパターンの決定が必要である。図4a〜図4c
を参照して上述したように、インダクタ電流の方向に関する3つの関連した歪み
パターンがある。これらは以下の3つのパターンである。接続点Yにおける信号
の遷移ごとにインダクタ電流が方向を変える場合には、BBM歪みは発生しない
(図4a)。インダクタ電流がCAPを充電する場合には、接続点Cにおける信
号の立ち上がりエッジが、接続点Yにおける信号のそれぞれ対応するエッジより
も1BBM時間だけ遅延される(図4b)。インダクタ電流がCAPを放電する
場合には、接続点Cにおける信号の立ち下がりエッジが、接続点Yにおける信号
のそれぞれ対応するエッジよりも1BBM時間だけ遅延される(図4c)。
明する。図6a〜図6cを参照した上の説明から理解されるように、適切なBB
M補償手段を適用するには、歪みパターンの決定が必要である。図4a〜図4c
を参照して上述したように、インダクタ電流の方向に関する3つの関連した歪み
パターンがある。これらは以下の3つのパターンである。接続点Yにおける信号
の遷移ごとにインダクタ電流が方向を変える場合には、BBM歪みは発生しない
(図4a)。インダクタ電流がCAPを充電する場合には、接続点Cにおける信
号の立ち上がりエッジが、接続点Yにおける信号のそれぞれ対応するエッジより
も1BBM時間だけ遅延される(図4b)。インダクタ電流がCAPを放電する
場合には、接続点Cにおける信号の立ち下がりエッジが、接続点Yにおける信号
のそれぞれ対応するエッジよりも1BBM時間だけ遅延される(図4c)。
【0023】
本発明の具体的な実施形態によると、歪みパターンの決定は、アンプ500の
接続点Y´およびCにおけるパルスの間の立ち上がりおよび立ち下がりエッジの
遅延を検出することにより実行される。パルスY´およびCにおけるパルスの立
ち上がりおよび立ち下がりエッジの間の相対遅延を検出することにより、インダ
クタ電流ひいては歪みパターンを決定できる。次に、この情報は、歪み補償回路
504を制御するために用いられる。
接続点Y´およびCにおけるパルスの間の立ち上がりおよび立ち下がりエッジの
遅延を検出することにより実行される。パルスY´およびCにおけるパルスの立
ち上がりおよび立ち下がりエッジの間の相対遅延を検出することにより、インダ
クタ電流ひいては歪みパターンを決定できる。次に、この情報は、歪み補償回路
504を制御するために用いられる。
【0024】
図7および8によると、接続点Y´における信号に対する接続点Cにおける信
号の立ち上がりおよび立ち下がりエッジに関する遅延の間の差を検出する歪みパ
ターン検出回路700が示されている。回路700は、チャージポンプ技術を用
いている。この技術では、10uAの定電流源I0が、積分器キャパシタCI(
2pF)を充電もしくは放電するよう、スイッチS1、S2によって構成されて
いる。スイッチS1、S2は、それぞれ図8のタイミング図に示されている立ち
上がりエッジ遅延(DR)と立ち下がりエッジ遅延(DF)によって制御される
。積分器は、オペアンプOTA1とキャパシタCIとを備える。スイッチS3(
信号PH1によって制御される)は、キャパシタCIと並列に接続されており、
積分器の出力電圧VOをコモンモード電圧VCMにリセットするために用いられ
る。
号の立ち上がりおよび立ち下がりエッジに関する遅延の間の差を検出する歪みパ
ターン検出回路700が示されている。回路700は、チャージポンプ技術を用
いている。この技術では、10uAの定電流源I0が、積分器キャパシタCI(
2pF)を充電もしくは放電するよう、スイッチS1、S2によって構成されて
いる。スイッチS1、S2は、それぞれ図8のタイミング図に示されている立ち
上がりエッジ遅延(DR)と立ち下がりエッジ遅延(DF)によって制御される
。積分器は、オペアンプOTA1とキャパシタCIとを備える。スイッチS3(
信号PH1によって制御される)は、キャパシタCIと並列に接続されており、
積分器の出力電圧VOをコモンモード電圧VCMにリセットするために用いられ
る。
【0025】
遅延の差を計測するために、積分器出力が初めにVCMに設定され、立ち上が
りエッジ遅延時間の間に、スイッチS2が閉じられる。これにより、キャパシタ
CIは放電され、積分器出力電圧は以下の値に充電される:
りエッジ遅延時間の間に、スイッチS2が閉じられる。これにより、キャパシタ
CIは放電され、積分器出力電圧は以下の値に充電される:
【0026】
【数1】
【0027】
立ち下がりエッジ遅延時間の間、S1は閉じられ、さらに、積分器出力電圧を以
下の値に変化させる:
下の値に変化させる:
【0028】
【数2】
【0029】
I0=10uA、CI=2pF、最小BBM時間が40ns(表1参照)とする
と、積分器の出力電圧の初期値VCMからの変化は、以下の式によって与えられ
る:
と、積分器の出力電圧の初期値VCMからの変化は、以下の式によって与えられ
る:
【0030】
【数3】
【0031】
立ち上がりエッジ遅延が立ち下がりエッジ遅延よりもBBM時間だけ短い場合(
例えば、図4b)、積分器出力電圧は、VCMよりも少なくとも200mV高く
なるだろう。逆に、立ち上がりエッジ遅延が立ち下がりエッジ遅延よりもBBM
時間だけ長い場合(例えば、図4c)、積分器出力電圧は、VCMよりも少なく
とも200mV低くなるだろう。このように、遅延の差は、ΔVを検出すること
によって決定できる。
例えば、図4b)、積分器出力電圧は、VCMよりも少なくとも200mV高く
なるだろう。逆に、立ち上がりエッジ遅延が立ち下がりエッジ遅延よりもBBM
時間だけ長い場合(例えば、図4c)、積分器出力電圧は、VCMよりも少なく
とも200mV低くなるだろう。このように、遅延の差は、ΔVを検出すること
によって決定できる。
【0032】
再び図7によると、ΔVを検出しBBM歪みパターンを決定するために、2つ
のコンパレータCOMP1およびCOMP2が用いられる。具体的な実施形態に
よると、これらのコンパレータはそれぞれ、立ち上がりエッジと立ち下がりエッ
ジ間の回路遅延のズレの影響を克服するための100mVの入力DCオフセット
と、固有のコンパレータオフセット電圧を持つよう設計されている。すなわち、
パルス幅の変化の原因が、立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの間の異なる回
路遅延以外にない場合には、2つのコンパレータの出力は、ズレの影響も固有の
オフセット電圧の影響も受けない。実際に、この設計では、50ns程度の大き
さの回路遅延のズレと50mV程度の固有オフセット電圧を許容できる。
のコンパレータCOMP1およびCOMP2が用いられる。具体的な実施形態に
よると、これらのコンパレータはそれぞれ、立ち上がりエッジと立ち下がりエッ
ジ間の回路遅延のズレの影響を克服するための100mVの入力DCオフセット
と、固有のコンパレータオフセット電圧を持つよう設計されている。すなわち、
パルス幅の変化の原因が、立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの間の異なる回
路遅延以外にない場合には、2つのコンパレータの出力は、ズレの影響も固有の
オフセット電圧の影響も受けない。実際に、この設計では、50ns程度の大き
さの回路遅延のズレと50mV程度の固有オフセット電圧を許容できる。
【0033】
立ち下がりエッジ遅延時間の後、スイッチS4が閉じられ(PH2がハイにな
り)、スイッチS5およびS6が開かれる(PH3がローになる)。この構成で
は、表2に示した出力RおよびFの結果の1つを得るために、積分器出力電圧V
OがVCMと比較される。
り)、スイッチS5およびS6が開かれる(PH3がローになる)。この構成で
は、表2に示した出力RおよびFの結果の1つを得るために、積分器出力電圧V
OがVCMと比較される。
【0034】
【表2】
【0035】
PH3(t5)の立ち上がりエッジにおいては、比較結果RおよびFは、フリッ
プフロップDFF1およびDFF3にラッチされ、DFF1およびDFF3の元
のデータは、それぞれDFF2およびDFF4にシフトされる。2つの連続した
比較結果RおよびFが同じである場合には、R´およびF´が用いられ、以下の
ようにBBM歪み補償回路504が制御される。R´=F´=0の場合には、接
続点Yにおけるパルスは、図6cに示したように、補償回路504によってBB
M時間だけ遅延され、Y´が生成される。R´=1であり、かつF´=0の場合
には、接続点Yにおけるパルスは、図6aに示したように、補償回路504によ
って立ち下がりエッジにおいてBBM時間だけ広げられ、Y´が生成される。R
´=0であり、かつF´=1の場合には、接続点Yにおけるパルスは、図6bに
示したように、補償回路504によって立ち上がりエッジにおいてBBM時間だ
け狭められる。
プフロップDFF1およびDFF3にラッチされ、DFF1およびDFF3の元
のデータは、それぞれDFF2およびDFF4にシフトされる。2つの連続した
比較結果RおよびFが同じである場合には、R´およびF´が用いられ、以下の
ようにBBM歪み補償回路504が制御される。R´=F´=0の場合には、接
続点Yにおけるパルスは、図6cに示したように、補償回路504によってBB
M時間だけ遅延され、Y´が生成される。R´=1であり、かつF´=0の場合
には、接続点Yにおけるパルスは、図6aに示したように、補償回路504によ
って立ち下がりエッジにおいてBBM時間だけ広げられ、Y´が生成される。R
´=0であり、かつF´=1の場合には、接続点Yにおけるパルスは、図6bに
示したように、補償回路504によって立ち上がりエッジにおいてBBM時間だ
け狭められる。
【0036】
本発明は、具体的な実施形態を参照して詳細に示され説明されたが、本発明の
意図と範囲から逸脱することなく、開示された実施形態の形態と詳細の変更が可
能であることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、添
付の請求項を参照して決定されるべきである。
意図と範囲から逸脱することなく、開示された実施形態の形態と詳細の変更が可
能であることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、添
付の請求項を参照して決定されるべきである。
【図1】
BBM歪みの問題を示すためのデジタルスイッチングアンプの概略図である。
【図2a】
BBM技術を用いたシュートスルー電流の除去を示すために図1のアンプの様
々な接続点における波形を表す図である。
々な接続点における波形を表す図である。
【図2b】
BBM技術を用いたシュートスルー電流の除去を示すために図1のアンプの様
々な接続点における波形を表す図である。
々な接続点における波形を表す図である。
【図3a】
図1のアンプに関して、入力パルスとインダクタ電流の間の関係を示す図であ
る。
る。
【図3b】
図1のアンプに関して、入力パルスとインダクタ電流の間の関係を示す図であ
る。
る。
【図4a】
BBM歪みのパターンを示す図である。
【図4b】
BBM歪みのパターンを示す図である。
【図4c】
BBM歪みのパターンを示す図である。
【図5】
本発明のBBM歪み補償技術の具体的な実施形態に従って設計されたデジタル
スイッチングアンプの概略図である。
スイッチングアンプの概略図である。
【図6a】
本発明に従って、BBM歪みのパターンに対するBBM歪みの低減を示す図で
ある。
ある。
【図6b】
本発明に従って、BBM歪みのパターンに対するBBM歪みの低減を示す図で
ある。
ある。
【図6c】
本発明に従って、BBM歪みのパターンに対するBBM歪みの低減を示す図で
ある。
ある。
【図7】
本発明の具体的な実施形態に従って設計されたBBM歪みパターン検出回路の
概略図である。
概略図である。
【図8】
図7のBBM歪みパターン検出回路の動作を制御する様々な波形を示すタイミ
ング図である。
ング図である。
100 デジタルオーディオアンプ
102 パワー段階部ドライバ
104 ノイズシェーピングループフィルタ
106 スピーカ
108 ブレークビフォーメーク生成回路
110 コンパレータ
400 アンプ
500 デジタルスイッチングアンプ
502 BBM歪みパターン検出回路
504 BBM歪み補正回路
506 BBMジェネレータ
508 スピーカ
510 パワー段階部ドライバ
700 回路
【手続補正書】
【提出日】平成14年2月15日(2002.2.15)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C
A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM
,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,
GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K
E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS
,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,
MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R
U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM
,TR,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN,YU,
ZA,ZW
(72)発明者 デラノ・ケーリー・エル.
アメリカ合衆国 カリフォルニア州95131
サン・ホセ,フェアウェイ・グリーン・
サークル,1531
Fターム(参考) 5J090 AA01 AA02 AA19 AA41 AA66
CA21 FA00 GN05 HA10 HA19
HA29 HA33 HA38 KA00 KA01
KA05 KA17 KA26 KA33 KA41
KA62 MA20 SA05 TA01 TA06
5J091 AA01 AA02 AA19 AA41 AA66
CA21 FA00 HA10 HA19 HA29
HA33 HA38 KA00 KA01 KA05
KA17 KA26 KA33 KA41 KA62
MA20 SA05 TA01 TA06 UW10
Claims (15)
- 【請求項1】 スイッチングアンプであって、 スイッチング信号を生成する入力段と、 前記スイッチング信号を変動させるブレークビフォーメーク歪み補償回路と、 前記変動されたスイッチング信号から2つの駆動信号を生成するブレークビフ
ォーメーク生成回路と、 前記2つの駆動信号により交互に駆動される2つのスイッチと、出力接続点と
を有するパワー段と、 前記パワー段出力接続点における歪みパターンを検出するブレークビフォーメ
ーク歪み検出回路と、 を備え、 前記ブレークビフォーメーク歪み検出回路は、前記検出された歪みパターンに
応じて前記スイッチング信号を変動させるように、前記ブレークビフォーメーク
歪み補償回路を制御して、ブレークビフォーメーク歪みの少なくとも一部を除去
する、アンプ。 - 【請求項2】 請求項1記載のスイッチングアンプであって、 前記入力段、前記ブレークビフォーメーク歪み補償回路、前記ブレークビフォ
ーメーク生成回路、および前記パワー段は、前記パワー段の前記出力接続点から
前記入力段への連続時間フィードバックが与えられるフィードバックループ内に
構成されている、アンプ。 - 【請求項3】 請求項2記載のスイッチングアンプであって、 前記入力段は、ループフィルタとコンパレータとを備える、アンプ。
- 【請求項4】 請求項1記載のスイッチングアンプであって、 前記ブレークビフォーメーク歪み補償回路は、前記スイッチング信号のパルス
幅を変動させて、前記変動されたスイッチング信号を生成するように構成されて
いる、アンプ。 - 【請求項5】 請求項1記載のスイッチングアンプであって、 前記ブレークビフォーメーク歪みは、複数の歪みパターンのいずれかに該当し
、 前記ブレークビフォーメーク歪み検出回路は、現時点の前記ブレークビフォーメ
ーク歪みが前記複数のパターンのうちのいずれに該当するかを検出するように構
成されている、アンプ。 - 【請求項6】 請求項5記載のスイッチングアンプであって、 前記ブレークビフォーメーク歪み補償回路は、 前記パワー段の前記出力接続点において、立ち上がりエッジと立ち下がりエッ
ジのための、それぞれ第1と第2の遅延時間の間の関係を表す第1の電圧を生成
する第1の回路と、 前記第1の電圧を基準電圧と比較して、現時点の前記ブレークビフォーメーク
歪みが前記複数のパターンのうちのいずれに該当するかを決定する第2の回路と
、 を備える、アンプ。 - 【請求項7】 請求項6記載のスイッチングアンプであって、 前記第1の回路は、前記第1の遅延時間で充電され、前記第2の遅延時間で放
電される積分器を備え、 前記第2の回路は、前記第1と第2の遅延のうちのいずれか一方が他方よりも
閾値以上に長いか否かを決定するコンパレータ回路を備える、アンプ。 - 【請求項8】 請求項7記載のスイッチングアンプであって、 前記第2の回路は、さらに、少なくとも一対の第1と第2の遅延時間のための
前記コンパレータ回路からの出力データの格納要素を備える、アンプ。 - 【請求項9】 スイッチングアンプにおけるブレークビフォーメーク歪みを
低減する方法であって、 前記スイッチングアンプは、 変動されたスイッチング信号から2つの駆動信号を生成するブレークビフォーメ
ーク生成回路と、 前記2つの駆動信号により交互に駆動される2つのスイッチと、出力接続点とを
有するパワー段と、 を備え、 前記歪み低減方法は、 前記パワー段の出力接続点における歪みパターンを検出する工程と、 前記ブレークビフォーメーク生成回路の前段階で、前記検出された歪みパター
ンに応じてスイッチング信号を変動させて、前記ブレークビフォーメーク歪みの
少なくとも一部を除去する工程と、 を備える、歪み低減方法。 - 【請求項10】 請求項9記載の歪み低減方法であって、 前記歪みパターンを検出する工程は、 前記パワー段の前記出力接続点において、立ち上がりエッジと立ち下がりエッ
ジのための、それぞれ第1と第2の遅延時間を決定する工程と、 前記第1と第2の遅延時間のうちのいずれか一方が他方よりも閾値以上に長い
か否かを決定する工程と、 を含む、歪み低減方法。 - 【請求項11】 請求項9記載の歪み低減方法であって、 前記スイッチング信号を変動させる工程は、前記スイッチング信号のパルス幅
を変動させる工程を含む、歪み低減方法。 - 【請求項12】 請求項9記載の歪み低減方法であって、 ブレークビフォーメーク時間は、前記ブレークビフォーメーク生成回路による
ものであり、 前記スイッチング信号の第2のパルス幅よりも前記ブレークビフォーメーク時間
だけ長い第1のパルス幅を有する前記パワー段の出力接続点における出力信号に
前記歪みパターンが該当する、歪み低減方法。 - 【請求項13】 請求項12記載の歪み低減方法であって、 前記スイッチング信号を変動させる工程は、前記スイッチング信号の各立ち上
がりエッジにおいて、ブレークビフォーメーク時間だけ前記第2のパルス幅を狭
くする工程を含む、歪み低減方法。 - 【請求項14】 請求項9記載の歪み低減方法であって、 ブレークビフォーメーク時間は、ブレークビフォーメーク生成回路によるもの
であり、 前記スイッチング信号の第2のパルス幅よりも前記ブレークビフォーメーク時間
だけ短い第1のパルス幅を有する前記パワー段の出力接続点における出力信号に
前記歪みパターンが該当する、歪み低減方法。 - 【請求項15】 請求項14記載の歪み低減方法であって、 前記スイッチング信号を変動させる工程は、前記スイッチング信号の各立ち下
がりエッジにおいて、ブレークビフォーメーク時間だけ前記第2のパルス幅を広
くする工程を含む、歪み低減方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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