JP2003347610A - 酸化物超電導薄膜の熱処理方法 - Google Patents
酸化物超電導薄膜の熱処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に設けた酸化物超電導薄膜の表面形状
において、その凹凸を減少させること。 【解決手段】 酸化物超電導薄膜の熱処理方法は、基板
１の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ
膜２を基板１上に成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加
熱する。
において、その凹凸を減少させること。 【解決手段】 酸化物超電導薄膜の熱処理方法は、基板
１の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ
膜２を基板１上に成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加
熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品搭載用基
板や高周波素子用の基板、および高速回路等に使用する
酸化物超電導薄膜積層基板に関する。
板や高周波素子用の基板、および高速回路等に使用する
酸化物超電導薄膜積層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＹＢＣＯ（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ）薄膜を
形成するための絶縁基板材料として、これまでに用いら
れてきたものには、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳＺ、（Ｌａ，Ｓｒ）２ＡｌＴａ
Ｏ６、ＬａＡｌＯ３等があるが、これらのうち、高周波
素子用の基板として使用する場合には、誘電率が低いこ
とが重要となってくる。
形成するための絶縁基板材料として、これまでに用いら
れてきたものには、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＴｉＯ３、ＹＳＺ、（Ｌａ，Ｓｒ）２ＡｌＴａ
Ｏ６、ＬａＡｌＯ３等があるが、これらのうち、高周波
素子用の基板として使用する場合には、誘電率が低いこ
とが重要となってくる。
【０００３】よって、これらの材料の中で最も誘電率の
低いＳｉＯ２（εｒ〜４）上へ酸化物超電導薄膜を形成
することが重要であるが、ＳｉＯ２がアモルファスな材
料であること、またＳｉがＹＢＣＯと激しく反応し、超
電導特性を損失させてしてしまうことから、バッファー
層なしでは適用することができないという問題がある。
低いＳｉＯ２（εｒ〜４）上へ酸化物超電導薄膜を形成
することが重要であるが、ＳｉＯ２がアモルファスな材
料であること、またＳｉがＹＢＣＯと激しく反応し、超
電導特性を損失させてしてしまうことから、バッファー
層なしでは適用することができないという問題がある。
【０００４】また、サファイヤ基板Ａｌ２Ｏ３も同様で
ある。
ある。
【０００５】そこで、ＭｇＯまたは、ＬａＡｌＯ３がＹ
ＢＣＯ薄膜の実用化基板材料として考えられてきた。と
ころが、ＬａＡｌＯ３は製造ロットごとに誘電率がバラ
ツキ、ＭｇＯの誘電率が９．７程度の誘電率と比べＬａ
ＡｌＯ３は２６程度と大きい。そこで、ＭｇＯ基板が重
要な実用基板となっている。
ＢＣＯ薄膜の実用化基板材料として考えられてきた。と
ころが、ＬａＡｌＯ３は製造ロットごとに誘電率がバラ
ツキ、ＭｇＯの誘電率が９．７程度の誘電率と比べＬａ
ＡｌＯ３は２６程度と大きい。そこで、ＭｇＯ基板が重
要な実用基板となっている。
【０００６】従来、ＭｇＯ基板を用いた利用例として
は、ＭｇＯ基板上にＹＢＣＯ薄膜をｃ軸配向させたもの
が殆どである。
は、ＭｇＯ基板上にＹＢＣＯ薄膜をｃ軸配向させたもの
が殆どである。
【０００７】その場合、ＭｇＯ基板とＹＢＣＯ薄膜のａ
−ｂ面内の格子整合がよくなく、通常のＭｇＯ基板上に
成長させたＹＢＣＯ薄膜の凹凸は大きい。
−ｂ面内の格子整合がよくなく、通常のＭｇＯ基板上に
成長させたＹＢＣＯ薄膜の凹凸は大きい。
【０００８】例えば、図２に示すように、レーザー・ア
ブレーション（ＰＬＤ）法によって、ＭｇＯ基板１上に
厚さ３００ｎｍを成長させたＹＢＣＯ薄膜２の凹凸１１
は、１０ｎｍから１５ｎｍにて、上部がやや平坦になっ
ている四角錐が大小敷き詰められている形状である。
ブレーション（ＰＬＤ）法によって、ＭｇＯ基板１上に
厚さ３００ｎｍを成長させたＹＢＣＯ薄膜２の凹凸１１
は、１０ｎｍから１５ｎｍにて、上部がやや平坦になっ
ている四角錐が大小敷き詰められている形状である。
【０００９】この様な大きな凹凸があっても、マイクロ
波デバイスの受動デバイス、例えば、１ＧＨｚから５Ｇ
Ｈｚの領域の特定周波数で用いられるバンド・パスフィ
ルターとしては、通常金属の金（Ａｕ）などと比べ十分
小さな表面抵抗を持っているので利用に供されている。
波デバイスの受動デバイス、例えば、１ＧＨｚから５Ｇ
Ｈｚの領域の特定周波数で用いられるバンド・パスフィ
ルターとしては、通常金属の金（Ａｕ）などと比べ十分
小さな表面抵抗を持っているので利用に供されている。
【００１０】ランプエッジ構造のジョセフソン接合素子
を用いる応用分野では、１０ｎｍから１５ｎｍのＹＢＣ
Ｏ薄膜の凹凸では使用できない。
を用いる応用分野では、１０ｎｍから１５ｎｍのＹＢＣ
Ｏ薄膜の凹凸では使用できない。
【００１１】そこで、そのような用途では、従来、液相
成長（ＬＰＥ）法にて、１０μｍ以上の厚さでＭｇＯ基
板上にＹＢＣＯ薄膜を成長させ、表面を研磨して凹凸を
３ｎｍ程度に平坦化し、そのまま使用したり、その上部
にＹＢＣＯ薄膜をホモエピ成長させ平坦なＹＢＣＯ薄膜
表面を得ている。
成長（ＬＰＥ）法にて、１０μｍ以上の厚さでＭｇＯ基
板上にＹＢＣＯ薄膜を成長させ、表面を研磨して凹凸を
３ｎｍ程度に平坦化し、そのまま使用したり、その上部
にＹＢＣＯ薄膜をホモエピ成長させ平坦なＹＢＣＯ薄膜
表面を得ている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＰＥ
法にて、ＭｇＯ基板上に１０μｍ以上の厚さでＹＢＣＯ
薄膜を成長させ、表面を研磨して凹凸を３ｎｍ程度に平
坦化するという工程は、その工程が長いばかりでなく高
価であるという問題がある。
法にて、ＭｇＯ基板上に１０μｍ以上の厚さでＹＢＣＯ
薄膜を成長させ、表面を研磨して凹凸を３ｎｍ程度に平
坦化するという工程は、その工程が長いばかりでなく高
価であるという問題がある。
【００１３】そこで、本発明の技術的課題は、局所的で
はあるが平坦度を凹凸で３ｎｍ程度にすることができ、
さらに工程が簡単であるため、安価に結果を得る酸化物
超電導薄膜とその製造方法と、その熱処理方法とを提供
することにある。
はあるが平坦度を凹凸で３ｎｍ程度にすることができ、
さらに工程が簡単であるため、安価に結果を得る酸化物
超電導薄膜とその製造方法と、その熱処理方法とを提供
することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に、前記基板の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有す
るＹＢＣＯ膜を成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加熱
し、前記酸化物超電導薄膜の表面形状を改善することを
特徴とする酸化物超電導薄膜の熱処理方法が得られる。
に、前記基板の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有す
るＹＢＣＯ膜を成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加熱
し、前記酸化物超電導薄膜の表面形状を改善することを
特徴とする酸化物超電導薄膜の熱処理方法が得られる。
【００１５】また、本発明によれば、前記基板の材料と
して、ＭｇＯを用い、前記酸化物超電導薄膜としてＹＢ
ＣＯ薄膜を用いることを特徴とする前記酸化物超電導薄
膜の熱処理方法が得られる。
して、ＭｇＯを用い、前記酸化物超電導薄膜としてＹＢ
ＣＯ薄膜を用いることを特徴とする前記酸化物超電導薄
膜の熱処理方法が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記急速過熱で
は、１分間を越えない時間で室温から３５０℃乃至５０
０℃の１００％酸素雰囲気に晒すことを特徴とする前記
いずれか一つに記載の酸化物超電導薄膜の熱処理方法が
得られる。
は、１分間を越えない時間で室温から３５０℃乃至５０
０℃の１００％酸素雰囲気に晒すことを特徴とする前記
いずれか一つに記載の酸化物超電導薄膜の熱処理方法が
得られる。
【００１７】また、本発明によれば、基板上に成長した
前記基板の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹ
ＢＣＯ膜であって、酸素を含む雰囲気中で急速加熱し、
酸化物超電導薄膜の表面形状が改善されていることを特
徴とする酸化物超電導薄膜が得られる。
前記基板の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹ
ＢＣＯ膜であって、酸素を含む雰囲気中で急速加熱し、
酸化物超電導薄膜の表面形状が改善されていることを特
徴とする酸化物超電導薄膜が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記基板の材料は
ＭｇＯからなり、前記酸化物超電導薄膜は、ＹＢＣＯ薄
膜であることを特徴とする前記酸化物超電導薄膜が得ら
れる。
ＭｇＯからなり、前記酸化物超電導薄膜は、ＹＢＣＯ薄
膜であることを特徴とする前記酸化物超電導薄膜が得ら
れる。
【００１９】また、本発明によれば、前記急速加熱は、
１分間を越えない時間で室温から３５０℃乃至５００℃
の１００％酸素雰囲気に晒すことであることを特徴とす
る前記いずれか一つに記載の酸化物超電導薄膜が得られ
る。
１分間を越えない時間で室温から３５０℃乃至５００℃
の１００％酸素雰囲気に晒すことであることを特徴とす
る前記いずれか一つに記載の酸化物超電導薄膜が得られ
る。
【００２０】また、本発明によれば、基板上に、前記基
板の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ
膜を成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加熱し、前記酸
化物超電導薄膜の表面形状を改善することを特徴とする
酸化物超電導薄膜の製造方法が得られる。
板の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ
膜を成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加熱し、前記酸
化物超電導薄膜の表面形状を改善することを特徴とする
酸化物超電導薄膜の製造方法が得られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記基板の材料と
して、ＭｇＯを用い、前記酸化物超電導薄膜としてＹＢ
ＣＯ薄膜を用いることを特徴とする前記酸化物超電導薄
膜の製造方法が得られる。
して、ＭｇＯを用い、前記酸化物超電導薄膜としてＹＢ
ＣＯ薄膜を用いることを特徴とする前記酸化物超電導薄
膜の製造方法が得られる。
【００２２】また、本発明によれば、前記急速過熱は、
１分間を越えない時間で室温から３５０℃乃至５００℃
の１００％酸素雰囲気に晒すことを含むことを特徴とす
る前記いずれか一つの酸化物超電導薄膜の製造方法が得
られる。
１分間を越えない時間で室温から３５０℃乃至５００℃
の１００％酸素雰囲気に晒すことを含むことを特徴とす
る前記いずれか一つの酸化物超電導薄膜の製造方法が得
られる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２４】図１（ａ）及び（ｂ）は夫々本発明の実施
の形態による酸化物超電導薄膜を示す平面図及び断面図
である。図１（ａ）及び（ｂ）において、ＭｇＯの基板
１の上にＹＢＣＯからなる酸化物超電導薄膜２の表面に
は、５０ｎｍ程度の高さをもつ大きな突起３があるが、
その太さ（幅）は、大きくても約０．２μｍであり、ほ
とんどは０．１μｍ程度である。また、その密度は２μ
ｍ平方で、２０個程度である。
の形態による酸化物超電導薄膜を示す平面図及び断面図
である。図１（ａ）及び（ｂ）において、ＭｇＯの基板
１の上にＹＢＣＯからなる酸化物超電導薄膜２の表面に
は、５０ｎｍ程度の高さをもつ大きな突起３があるが、
その太さ（幅）は、大きくても約０．２μｍであり、ほ
とんどは０．１μｍ程度である。また、その密度は２μ
ｍ平方で、２０個程度である。
【００２５】図２は、酸化物超電導薄膜準備材を示す図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図２
を参照すると、酸化物超電導薄膜準備材２０は、ＭｇＯ
基板１上にＹＢＣＯ薄膜２が形成されている。この酸化
物超電導薄膜準備材２０は、通常のＰＬＤ法によって作
製されている。また、ＹＢＣＯ薄膜２の表面の凹凸１１
は１０ｎｍから１５ｎｍである。
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図２
を参照すると、酸化物超電導薄膜準備材２０は、ＭｇＯ
基板１上にＹＢＣＯ薄膜２が形成されている。この酸化
物超電導薄膜準備材２０は、通常のＰＬＤ法によって作
製されている。また、ＹＢＣＯ薄膜２の表面の凹凸１１
は１０ｎｍから１５ｎｍである。
【００２６】本発明に係る酸化物超電導薄膜は、次のよ
うに処理される。
うに処理される。
【００２７】まず、温度を３５０℃乃至５００℃に保
ち、酸素を充満した炉を準備する。その炉の中に、室温
の酸化物超電導薄膜準備材２０を数秒、長くても１分以
内に挿入し急加熱する。
ち、酸素を充満した炉を準備する。その炉の中に、室温
の酸化物超電導薄膜準備材２０を数秒、長くても１分以
内に挿入し急加熱する。
【００２８】上記急加熱した酸化物超電導薄膜は上記設
定温度に保持する時間、ならびに室温に戻す時間に関し
ては、酸素雰囲気を保持しているかぎり、それほどセン
シティブではない。
定温度に保持する時間、ならびに室温に戻す時間に関し
ては、酸素雰囲気を保持しているかぎり、それほどセン
シティブではない。
【００２９】例えば、１数分の保持時間から数時間の保
持時間、数分で室温に戻すから数時間で戻してよい。急
加熱が本質的なものである。
持時間、数分で室温に戻すから数時間で戻してよい。急
加熱が本質的なものである。
【００３０】この熱処理によって、図１に示す酸化物超
電導薄膜１０が得られる。
電導薄膜１０が得られる。
【００３１】次に、本発明の具体例を図面に基づき説明
する。
する。
【００３２】（例１）図２に示すように、酸化物超電導
薄膜準備材２０は、ＭｇＯ基板１上に作製されたＹＢＣ
Ｏ薄膜２であり、通常のＰＬＤ法によって厚さ３００ｎ
ｍ近傍に作製したものである。
薄膜準備材２０は、ＭｇＯ基板１上に作製されたＹＢＣ
Ｏ薄膜２であり、通常のＰＬＤ法によって厚さ３００ｎ
ｍ近傍に作製したものである。
【００３３】ＹＢＣＯ薄膜２の表面の凹凸１１は図２に
示すような１０ｎｍから１５ｎｍである。さらに、室温
の上記酸化物超電導薄膜準備材２０をピンセットで保持
したセラミックボートに乗せ、そのまま温度を５００℃
に保ち、酸素を充満した炉の中に挿入し、上記酸化物超
電導薄膜準備材２０を急加熱する。
示すような１０ｎｍから１５ｎｍである。さらに、室温
の上記酸化物超電導薄膜準備材２０をピンセットで保持
したセラミックボートに乗せ、そのまま温度を５００℃
に保ち、酸素を充満した炉の中に挿入し、上記酸化物超
電導薄膜準備材２０を急加熱する。
【００３４】酸素中で三時間、その温度に保持して、そ
の後、酸素を流したまま、炉の加熱電源を切り、自然冷
却する。５０℃以下の室温近傍になるまで４時間経過し
た。
の後、酸素を流したまま、炉の加熱電源を切り、自然冷
却する。５０℃以下の室温近傍になるまで４時間経過し
た。
【００３５】上記炉から取り出した酸化物超電導薄膜の
表面の凹凸を図１に示す。
表面の凹凸を図１に示す。
【００３６】図１に示すように、５０ｎｍ程度の高さを
もつ大きな突起３があるが、その太さは約大きくても
０．２μｍであり、ほとんどは０．１μｍ程度である。
その密度は２μｍ平方で、２０個程度である。
もつ大きな突起３があるが、その太さは約大きくても
０．２μｍであり、ほとんどは０．１μｍ程度である。
その密度は２μｍ平方で、２０個程度である。
【００３７】その大きな突起物３を除いたＹＢＣＯ薄膜
２の平坦部５の凹凸は大きくても６ｎｍよりも小さく、
かつ平滑である。
２の平坦部５の凹凸は大きくても６ｎｍよりも小さく、
かつ平滑である。
【００３８】平滑部は２ｎｍよりも小さく、ＬＰＥ法の
膜を研磨した時と同等な平滑度を示した。
膜を研磨した時と同等な平滑度を示した。
【００３９】（例２）炉の温度を３５０℃にした以外
は、上記例１と同じ条件にして熱処理した場合は、上記
大きな突起３の高さが２５ｎｍ程度と、５００℃の場合
と比べ半減していた。
は、上記例１と同じ条件にして熱処理した場合は、上記
大きな突起３の高さが２５ｎｍ程度と、５００℃の場合
と比べ半減していた。
【００４０】このように、本発明の実施の形態による酸
化物超電導薄膜の熱処理方法によれば、極めて簡単な方
法により、研磨した平滑度と同等の値を局所的に得るこ
とができた。この平滑部分は一辺が０．３μｍ程度の正
方形で得られるので、この部分に微細なデバイスを設け
ることができる。
化物超電導薄膜の熱処理方法によれば、極めて簡単な方
法により、研磨した平滑度と同等の値を局所的に得るこ
とができた。この平滑部分は一辺が０．３μｍ程度の正
方形で得られるので、この部分に微細なデバイスを設け
ることができる。
【００４１】また、電子ビームやイオンビームを用いた
ナノテク・加工技術をもってすれば、一辺が０．３μｍ
の正方形は決して小さな領域ではない。
ナノテク・加工技術をもってすれば、一辺が０．３μｍ
の正方形は決して小さな領域ではない。
【００４２】更に，本発明の実施の形態による酸化物超
電導薄膜の熱処理方法によれば、研磨による残留ストレ
スも基板中には存在しないという利点も備えている。
電導薄膜の熱処理方法によれば、研磨による残留ストレ
スも基板中には存在しないという利点も備えている。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、極めて
簡単な方法により、研磨した平滑度と同等の値を局所的
に得ることができる酸化物超電導薄膜とその熱処理方法
とその製造方法とを提供することができる。
簡単な方法により、研磨した平滑度と同等の値を局所的
に得ることができる酸化物超電導薄膜とその熱処理方法
とその製造方法とを提供することができる。
【００４４】また、本発明によれば、研磨による残留ス
トレスも基板中には存在しない酸化物超電導薄膜とその
熱処理方法とその製造方法とを提供することができる。
トレスも基板中には存在しない酸化物超電導薄膜とその
熱処理方法とその製造方法とを提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による酸化物超電導薄膜を
示す部分図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図であ
る。
示す部分図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図であ
る。
【図２】酸化物超電導薄膜準備材の形状を示す図で、従
来技術による酸化物超電導薄膜を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図である。
来技術による酸化物超電導薄膜を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図である。
１ 基板（ＭｇＯ）
２ 酸化物超電導薄膜（ＹＢＣＯ）
３ 突起（凹凸）
５ 平坦部
１０ 酸化物超電導薄膜
２０ 酸化物超電導薄膜準備材
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 克己
東京都江東区東雲一丁目14番３号 財団法
人 国際超電導産業技術研究センター 超
電導工学研究所内
(72)発明者 榎本 陽一
東京都江東区東雲一丁目14番３号 財団法
人 国際超電導産業技術研究センター 超
電導工学研究所内
Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BC53 DA03 ED06 FE03
FE11 HA08 SA04
4M113 AD36 AD37 BA01 BA11 BA21
BA29 BA30 CA39
5G321 AA04 CA24 DB46 DB47
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に、前記基板の熱膨張係数より小
さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ膜を成長し、酸素を含
む雰囲気中で急速加熱し、前記酸化物超電導薄膜の表面
形状を改善することを特徴とする酸化物超電導薄膜の熱
処理方法。 - 【請求項２】 前記基板の材料として、ＭｇＯを用い、
前記酸化物超電導薄膜としてＹＢＣＯ薄膜を用いること
を特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導薄膜の熱処
理方法。 - 【請求項３】 前記急速過熱では、１分間を越えない時
間で室温から３５０℃乃至５００℃の１００％酸素雰囲
気に晒すことを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化
物超電導薄膜の熱処理方法。 - 【請求項４】 基板上に成長した前記基板の熱膨張係数
より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ膜であって、酸
素を含む雰囲気中で急速加熱し、酸化物超電導薄膜の表
面形状が改善されていることを特徴とする酸化物超電導
薄膜。 - 【請求項５】 前記基板の材料はＭｇＯからなり、前記
酸化物超電導薄膜は、ＹＢＣＯ薄膜であることを特徴と
する請求項４に記載の酸化物超電導薄膜。 - 【請求項６】 前記急速加熱は、１分間を越えない時間
で室温から３５０℃乃至５００℃の１００％酸素雰囲気
に晒すことであることを特徴とする請求項４又は５に記
載の酸化物超電導薄膜。 - 【請求項７】 基板上に、前記基板の熱膨張係数より小
さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ膜を成長し、酸素を含
む雰囲気中で急速加熱し、前記酸化物超電導薄膜の表面
形状を改善することを特徴とする酸化物超電導薄膜の製
造方法。 - 【請求項８】 前記基板の材料として、ＭｇＯを用い、
前記酸化物超電導薄膜としてＹＢＣＯ薄膜を用いること
を特徴とする請求項７に記載の酸化物超電導薄膜の製造
方法。 - 【請求項９】 前記急速過熱は、１分間を越えない時間
で室温から３５０℃乃至５００℃の１００％酸素雰囲気
に晒すことを含むことを特徴とする請求項７又は８に記
載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154216A JP2003347610A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 酸化物超電導薄膜の熱処理方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154216A JP2003347610A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 酸化物超電導薄膜の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347610A true JP2003347610A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29771067
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002154216A Withdrawn JP2003347610A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 酸化物超電導薄膜の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003347610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006082747A1 (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導薄膜材料、超電導線材およびこれらの製造方法 |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002154216A patent/JP2003347610A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006082747A1 (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導薄膜材料、超電導線材およびこれらの製造方法 |
| JP2006216365A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜材料、超電導線材およびこれらの製造方法 |
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