JP2003347278A - Substrate treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Substrate treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Info

Publication number
JP2003347278A
JP2003347278A JP2002149020A JP2002149020A JP2003347278A JP 2003347278 A JP2003347278 A JP 2003347278A JP 2002149020 A JP2002149020 A JP 2002149020A JP 2002149020 A JP2002149020 A JP 2002149020A JP 2003347278 A JP2003347278 A JP 2003347278A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
wafer
substrate
processing chamber
cooling
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002149020A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Unryu Ogawa
Tateshi Ueda
立志 上田
雲龍 小川
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
株式会社日立国際電気
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently perform continuous treatment for plasma dry cleaning. <P>SOLUTION: A dry cleaning apparatus which is equipped with a treatment chamber 1 for treating a wafer W, a plasma unit 2 for activating treatment gas for treating the wafer W with plasma, and a lamp 3 for heating the wafer W in the treatment chamber 1 and produces byproducts on the wafer W by supplying active species of the treatment gas activated by the plasma unit 2 into the treatment chamber 1, subjecting it to reaction with an oxide film on the surface of the wafer W, and then heating the wafer W by the lamp 3 is equipped with a treatment chamber cooling mechanism 11 which cools the internal wall of the treatment chamber 1. Consequently, a state in which the treatment chamber 1 itself is heated by the lamp 3, etc., can be evaded, so that a decrease in reaction efficiency in the production of the byproducts can securely be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いて酸化膜の除去その他の処理を行う半導体装置の製造方法と、その方法の実施に使用する基板処理装置とに関する。 The present invention relates to the method of manufacturing the semiconductor device which performs other processes removing the oxide film using plasma, and to a substrate processing apparatus used in the practice of the method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体集積回路その他の半導体装置の製造においては、ウエハに対して成膜及びパターンエッチング等の処理を繰り返し行って、これに所望の素子を多数形成するわけであるが、このように各種の処理を行う過程でウエハを処理装置間で移送する必要がある。 In the manufacture of semiconductor integrated circuits and other semiconductor devices, by repeating a process such as film formation and pattern etching the wafer, which in but not forming a large number of desired elements, such it is necessary to transfer between processing device wafer in the course of performing various processes. そのため、移送のときにウエハが大気にさらされることは不可避であり、ウエハ面の大気にさらされた部分には、大気中の酸素や水分等に起因して自然酸化膜が発生するのが実情である。 Therefore, it is inevitable that the wafer is exposed to the atmosphere at the time of transfer, the atmosphere the exposed portions of the wafer surface, reality is natural oxide film due to oxygen or moisture in the air occurs it is. 自然酸化膜は、半導体装置の電気的特性を劣化させる等の原因となる。 Natural oxide film is responsible for such degrading the electrical characteristics of the semiconductor device. すなわち、例えばシリコンの酸化膜は絶縁体であり、シリコンウエハ内の導電領域に電極を接続しようとする場合、その表面にシリコン酸化膜が残存していると接触抵抗を増大させてしまう。 That is, for example, an oxide film of silicon is an insulator, when attempting to connect the electrodes to a conductive region in the silicon wafer, thereby increasing the contact resistance between the silicon oxide film is left on the surface.
また、シリコンの自然酸化膜は、不完全な結晶を有しており、熱酸化によって意図的に形成したシリコン酸化膜と比べると膜質が劣るため、これがゲート絶縁部に形成されてしまうとリーク電流が大きくなる。 Also, the natural oxide film of silicon has a low crystallinity, since the film quality is inferior as compared with the silicon oxide film intentionally formed by thermal oxidation, when this will be formed on the gate insulating portion leakage current It increases.

【0003】そこで、例えば成膜工程の前処理として、 [0003] Therefore, as a pre-treatment of, for example, film-forming process,
自然酸化膜をウエハの被処理面から除去する表面処理を行う場合がある。 There is a case of performing a surface treatment to remove the natural oxide film from the target surface of the wafer. 従来、酸化膜の除去に当っては、酸化膜の形成されたウエハをフッ酸等の薬液中に浸漬して、 Conventionally, hitting the removal of oxide film, the wafer formed with the oxide film was immersed in a chemical solution such as hydrofluoric acid,
該薬液により酸化膜を除去する所謂ウエット洗浄が一般的に行われていた。 Called wet cleaning to remove the oxide film by chemical solution it has been commonly performed.

【0004】ところが、半導体集積回路の高集積化及び高微細化が推進されるに伴ってパターンの線幅やコンタクトホール径等も小さくなり、例えばコンタクトホールの径は0.2〜0.3μm程度或いはそれ以下になっている。 [0004] However, the line width or contact hole diameter of the pattern with the high integration and miniaturization of semiconductor integrated circuits is propelled also reduced, for example, the diameter of the contact hole 0.2~0.3μm about or less It has become.
そのため、ウエット洗浄では微細なトレンチの洗浄が困難となっている。 Therefore, it has become difficult cleaning fine trench in wet cleaning. 具体的には、薬液がホール内に充分染み込まなかったり、或いは逆に染み込んだ薬液が表面張力のためにホール内から排出できない場合等が生じ、ホール底部の酸化膜を充分に除去できない問題が生じていた。 Specifically, may not impregnated sufficiently into the chemical solution within the hole, or the like when it is not possible to discharge from the hole since chemical soaked conversely due to surface tension, there is a problem that can not be sufficiently removed the oxide film on the hole bottom which was. また、基板上に複数層の積層構造を形成する場合には、当該各層毎にエッチングレートが異なるので、ホール壁面に凸凹が発生する場合がある。 In the case of forming a laminated structure of a plurality of layers on the substrate, the etching rate for each said respective layers are different, there are cases where unevenness occurs in the hole wall. さらに、各層の境界面部分には薬液が浸透し易いために、浸透した薬液によって境界面が過度に削られてしまう問題があった。 Furthermore, the interface portion of each layer for easy chemical to penetrate the boundary surface by the permeated drug solution there is a problem that scraped excessively. さらに、ウエット洗浄は大気中で行うから、酸化膜を除去した後に1〜2原子層分の新たな自然酸化膜が成長するのが実情である。 Furthermore, the wet cleaning because performed in the air, a new native oxide film of 1 to 2 atomic layers after removing the oxide film is the fact is to grow. このような時間と共に成長する自然酸化膜を極力抑えるためには、ウエット洗浄後、一定の時間以内に成膜を行う必要がある。 Such in order to suppress a natural oxide film grows as much as possible with time, after the wet cleaning, it is necessary to perform film formation within a certain time. 従って、ウエット洗浄では、次工程までの時間的な制約が発生することになり、 Therefore, in the wet cleaning, will be time constraints to the next step occurs,
結果的に工程の自由度が小さくなってしまう問題が発生する。 Resulting in freedom of steps becomes to cause problems reduced.

【0005】そこで、上記の問題を解決するものとして、プラズマ処理技術を用いて酸化膜の除去その他の前処理を行うことが提案されている。 [0005] Therefore, as to solve the above problems, carrying out the pretreatment of removing other oxide film by using a plasma processing technique is proposed. これは、薬液によるウエット洗浄に代えて、所定の処理ガス(エッチングガス)を用いて酸化膜を除去する所謂ドライクリーニング法である。 This is instead of the wet cleaning with a chemical solution, a so-called dry cleaning process where the oxide film is removed by using a predetermined processing gas (etching gas).

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者らは酸化膜の除去等にプラズマ処理技術を用いる場合、 [SUMMARY OF THE INVENTION However, the inventors when using a plasma processing technique for removing such the oxide film,
別の課題が生じることを見出した。 It found that another problem arises. 以下、詳細に説明する。 It will be described in detail below.

【0007】例えば、ドライクリーニング法の中には次のようなものがある。 [0007] For example, there is something like the following in the dry cleaning method. すなわち、処理ガスとして例えばN 2 ,NH 3 ,及びNF 3を使用し、まず処理室とは別の領域で上記のガスを活性化し、それらを混合した後に処理室内に導入する。 That is, for example N 2 as a process gas, NH 3, and using NF 3, and activating the gas in a different region from the first process chamber, is introduced into the processing chamber after mixing them. すると、活性化された混合ガスが、処理室内におけるウエハ上の酸化膜と反応し、ウエハ上に副生成物が生成される(副生成物生成工程)。 Then, a mixed gas that is activated to react with the oxide film on the wafer in the processing chamber, by-product is produced on the wafer (by-product formation step). なお、この副生成物は(NH 4 ) 2 SiF 6又はNH 4 Fであることが判っている。 It should be noted that this by-product is found to be (NH 4) 2 SiF 6 or NH 4 F. 次いで、生成した副生成物を除去するためにウエハを加熱処理する(副生成物除去工程)。 Then, heat treatment of wafers in order to remove the generated by-product (by-product removing step). これにより、副生成物が昇華され、結果として酸化膜が除去される。 Thus, by-product sublimed, oxide film is removed as a result.

【0008】ここで、副生成物の生成反応は温度に非常に敏感であり、ウエハの温度をきめ細かく制御する必要がある。 [0008] Here, formation reaction of by-products are very sensitive to temperature, it is necessary to control the temperature of the wafer precisely. しかも、本発明者らの研究によれば、本ドライクリーニング法における副生成物の生成反応に限り、特に室温以下の温度領域で活発化することが判明した。 Moreover, according to the studies of the present inventors, only the generation reaction of by-product in the dry cleaning method, in particular turned out to be activated in the following temperature range room temperature. また、ウエハの温度が上昇するに伴って副生成物の生成速度が低下し、ウエハの温度が50℃を超えると殆ど副生成物が生成されなくなることも判明した。 The production rate of the in accordance with the temperature of the wafer is increased by-product is decreased, the temperature of the wafer has also been found that the most-products exceeds 50 ° C. will not be generated. 従って、本ドライクリーニング法を効率的に行うには、副生成物生成工程においてウエハを室温以下で処理することが望まれる。 Thus, to do this dry cleaning method efficiently, treating the wafer at or below room temperature in the by-product formation step is desired.

【0009】ところが、上記副生成物生成工程において、N 2及びNH 3の混合ガスをプラスマ化する場合には特に高い熱が発生するので、その熱が処理室に伝わってしまうことにより、副生成物の生成反応が妨げられやすい。 [0009] However, in the by-product formation step, since a particularly high heat is generated in the case of plasma of a mixed gas of N 2 and NH 3, by the heat will transmitted to the processing chamber, by-products easily it is prevented formation reaction of the object. このように、本ドライクリーニング法では副生成物生成工程において、高温の発生を伴うプラズマを用いながら、ウエハを室温以下で処理すると云う相反する二つの条件を満足しなければならない。 Thus, in the present dry cleaning method in the by-product formation step, while using plasma with a high temperature generating, it must satisfy two conflicting conditions referred to at room temperature following the wafer. この課題は、酸素プラズマや水素プラズマなどを単独で用いた従来の単なるプラズマドライクリーニング法等にはない本ドライクリーニング法に特有の課題である。 This problem is unique challenges to oxygen plasma and hydrogen plasma, such as the dry cleaning method over traditional mere plasma dry cleaning method using alone.

【0010】また、本ドライクリーニング法を連続的に行う場合、ウエハを室温以下で処理することが望まれる副生成物生成工程と、ウエハを高温処理する必要がある副生成物除去工程とを交互に行うことになる。 Further, when performing the dry cleaning process continuously, alternating with by-product formation step it is desired to process wafers at room temperature or below, and a by-product removal steps that need to be high-temperature processing of the wafer It will be performed in. 従って、 Therefore,
これら双方の工程を同一の処理室内で行おうとする場合には、副生成物除去工程で発生した熱が処理室に蓄積され、後の副生成物生成反応の効率を悪化させる等の課題が生じるため、かかる連続処理を効率的に行うことは困難である。 In the case where an attempt is made to both of these steps in the same processing chamber, heat generated by the by-product removing step is accumulated in the processing chamber, problems such as deteriorating the efficiency of the by-product formation reactions after results Therefore, it is difficult to perform such a continuous processing efficiently. 場合によっては、所望のエッチング選択性が得られなかったり、或いはウエハ表面の酸化膜を充分に除去できないと云った不都合が生じることも考えられる。 In some cases, it is also contemplated that can not be obtained a desired etch selectivity, or inconvenience that say can not be sufficiently removed the oxide film on the wafer surface occurs.

【0011】本発明の目的は、上記ドライクリーニング法において副生成物を効率的に生成できるようにすることである。 An object of the present invention to such by-products can be efficiently produced in the dry cleaning method. また本発明の目的は、上記ドライクリーニング法の連続処理を効率的に行えるようにすることである。 The object of the present invention is to allow continuous processing of the dry cleaning method efficiently.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様によれば、被処理体としての基板を処理する処理室と、前記基板を処理する為に用いる処理ガスをプラズマにより活性化させる活性化手段と、前記処理室内に配置される前記基板を加熱する加熱手段と、を備え、前記活性化手段により活性化された処理ガスの活性種を前記処理室内へ供給することで前記基板上に副生成物を生じさせ、次いで当該基板を前記加熱手段により加熱することで前記副生成物を除去する基板処理装置であって、前記処理室の内壁を冷却する処理室冷却手段を備えた基板処理装置が提供される。 According to a first aspect of the present invention According to an aspect of the activity to activate a processing chamber, the plasma processing gas used to process the substrate for processing a substrate as an object to be processed and means, and a heating means for heating the substrate disposed in the processing chamber, the active species of the activated process gas on the substrate by supplying to the processing chamber by said activating means causing by-products, and then a substrate processing apparatus for removing the by-products by heating the substrate by the heating means, the substrate processing includes a processing chamber cooling means for cooling the inner wall of the processing chamber apparatus is provided.

【0013】この第1の態様においては、処理室冷却手段が処理室の内壁を冷却するから、この処理室自体が加熱手段やプラズマ光によって加熱されてしまうことを回避できる。 [0013] In this first embodiment, since the processing chamber cooling means for cooling the inner wall of the processing chamber it can be avoided that the process chamber itself is heated by the heating means or a plasma beam. これにより、基板上に副生成物を生じさせるときに、処理室内壁からの輻射熱等に起因して副生成物生成の反応効率が低下してしまうことを確実に抑制できる。 Thus, when producing by-products on a substrate, the reaction efficiency due to by-product formation in the radiation heat from the processing chamber walls can reliably suppress the decrease. また、処理室の内壁を冷却することにより、活性種が基板に至る過程で当該活性種そのものも処理室の内壁によって間接的に冷却されるから、副生成物を迅速に生成できる。 Further, by cooling the inner wall of the processing chamber, since the active species it is indirectly cooled by the inner wall of the well treatment chamber the active species itself in the process leading to the substrate, the by-products can be quickly generated. 従って、上記基板の効率的な連続処理を安定して行える。 Therefore, stably performed by an efficient continuous treatment of the substrate.

【0014】本発明の具体的な態様においては、前記処理室冷却手段が、前記処理室の内壁を室温(25℃)以下、 [0014] In a specific embodiment of the present invention, the processing chamber cooling means, the inner wall of the processing chamber at room temperature (25 ° C.) or less,
好ましくは20℃以下に冷却する。 Preferably cooled to 20 ° C. or less. これにより、室温以下の熱環境下で基板上に副生成物を生じさせることができるから、その生成反応の一層の促進が図られる。 Accordingly, since it is possible to produce a by-product on the substrate under the following thermal environment room, further promotion of the formation reaction is achieved.

【0015】本発明の第2の態様によれば、第1の態様による基板処理装置において、前記処理室内に配置され、 According to a second aspect of the invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, it is disposed in the processing chamber,
前記基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台を冷却する載置台冷却手段と、前記基板を前記加熱手段により加熱するときには、当該基板を前記基板載置台から離した状態で支持する一方、前記基板上に副生成物を生じさせるときには当該基板を前記基板載置台に戻す基板移動手段と、をさらに備えた基板処理装置が提供される。 A substrate mounting table mounting the substrate, a mounting table cooling means for cooling the substrate table, the substrate when heated by said heating means, while supported in a state where the substrate was separated from the substrate mounting table when the cause-products on the substrate is a substrate processing apparatus including a substrate moving means for returning the substrate to the substrate table, the more is provided.

【0016】この第2の態様において、基板上に副生成物を生じさせるときには、基板移動手段が基板を基板載置台に戻す。 [0016] In this second embodiment, when producing by-products on a substrate, the substrate moving means returns the mounting table board substrate. 基板載置台は、載置台冷却手段によって冷却されるから、これに載置された基板も冷却されて副生成物の生成反応が促進される。 Substrate mounting table mounting from being cooled by the stand cooling means, also placed on the substrate to be cooled reaction for producing by-products is accelerated. 一方、基板を加熱手段により加熱するときには、基板移動手段が基板を基板載置台から離した状態で支持するから、加熱手段による基板の加熱効果が、載置台冷却手段による冷却効果によって減殺されることはなく、基板のみを効率的に加熱でき、 On the other hand, when the substrate is heated by the heating means, since the substrate moving means is supported in a state of releasing the substrate from the substrate mounting table, the heating effect of the substrate by the heating means is offset by the cooling effect of the mounting table cooling means rather, only it is efficiently heated substrate,
副生成物を迅速かつ確実に除去できる。 The by-products can be quickly and reliably removed. 以上により、基板の連続処理を一層効率的に行える。 Thus, more efficiently perform continuous processing of the substrate.

【0017】本発明の具体的な態様においては、前記載置台冷却手段が、前記基板載置台を室温(25℃)以下、好ましくは20℃以下に冷却する。 In a specific aspect of the present invention, the mounting table cooling means, wherein the substrate mounting table at room temperature (25 ° C.) or less, preferably cooled to 20 ° C. or less. これにより、室温以下の熱環境下で基板上に副生成物を生じさせることができるから、その生成反応の一層の促進が図られる。 Accordingly, since it is possible to produce a by-product on the substrate under the following thermal environment room, further promotion of the formation reaction is achieved.

【0018】本発明においては、前記基板載置台が、石英、SiC、AlN、又はAl 23を用いて構成されているのが好ましい。 In the present invention, the substrate mounting table, quartz, SiC, AlN, or what is constituted with Al 2 O 3 is preferred.

【0019】本発明の具体的な態様においては、前記加熱手段が前記基板を80℃以上、好ましくは90℃以上、より好ましくは100℃以上に加熱する。 [0019] In a specific embodiment of the present invention, the heating means to the substrate 80 ° C. or more, preferably 90 ° C. or higher, more preferably heated to above 100 ° C.. 加熱手段としてはランプを用いるのが好ましい。 Preferably used lamp as the heating means. ランプによれば、ウエハの急加熱が可能であるから、副生成物を短時間で除去できる。 According to the lamp, because it is possible rapid heating of the wafer can be removed by-products in a short time.

【0020】本発明の具体的な態様においては、前記活性化手段は、窒素と水素とを含む窒素水素系ガスをプラズマにより活性化させて得た活性種に、弗化窒素ガスを添加することにより、当該弗化窒素ガスを活性化するように構成される。 [0020] In a specific embodiment of the present invention, the activating means is a nitrogen hydrogen based gas containing nitrogen and hydrogen in the active species obtained by plasma activated, adding nitrogen fluoride gas by configured to activate the nitrogen fluoride gas. 前記窒素水素系ガスとしては、N 2及びNH 3の混合ガス、又はN 2及びH 2の混合ガス等が挙げられる。 Examples of the nitrogen-hydrogen based gas, a mixed gas of N 2 and NH 3, or a mixed gas of N 2 and H 2 and the like.

【0021】本発明の実施態様では、前記活性種を前記基板上の酸化膜と反応させることにより前記副生成物を生じさせる。 [0021] In an embodiment of the present invention produces the by-product by the active species to react with the oxide film on the substrate. ここにいう酸化膜とは、前記基板上に意図的に形成した酸化膜のみならず、意図することなく前記基板上に自然に付着し或いは形成された酸化膜(自然酸化膜)を含む。 The oxide film mentioned here, not only the oxide film is intentionally formed on the substrate, including naturally attached or formed oxide film on the substrate without intending (natural oxide film).

【0022】本発明の第3の態様によれば、基板を処理する為に用いる処理ガスをプラズマにより活性化させて得た活性種を、処理室内に配置された前記基板へ供給することで当該基板上に副生成物を生じさせる副生成物生成工程と、次いで、前記処理室内の基板を所定の温度に加熱することで前記副生成物を除去する副生成物除去工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記副生成物生成工程と前記副生成物除去工程とは、共に前記処理室の内壁を冷却しつつ行う半導体装置の製造方法も提供される。 According to a third aspect of the present invention, the by supplying a process gas used for processing the substrate of the active species obtained by plasma activated, to the substrate placed in the processing chamber a by-product generating step of generating by-products on a substrate, then a semiconductor device having a by-product removing step of removing the by-products by heating the substrate in the processing chamber to a predetermined temperature a method of manufacturing, said the by-product formation step and the by-product removing step is also provided a method of manufacturing a semiconductor device that performs both while cooling the inner wall of the processing chamber.

【0023】この第3の態様においては、副生成物生成工程と副生成物除去工程とを共に処理室の内壁を冷却しつつ行うから、副生成物生成工程では副生成物を効率的に生成できると共に、副生成物除去工程では処理室自体が加熱されてしまうことを回避できる。 [0023] In the third aspect, since performed while cooling the inner wall of the by-product formation step and by-product removal step and together process chamber, a by-product efficiently in by-product formation step generates it is possible, in the by-product removing step can be avoided that the processing chamber itself is heated. また、処理室の内壁を冷却することにより、この処理室内に供給する処理ガスの活性種そのものをも冷却できるから、副生成物生成の反応効率を向上できる。 Further, by cooling the inner wall of the processing chamber, since the active species itself of the processing gas supplied to the processing chamber may also cooled, thereby improving the reaction efficiency of by-product formation. 従って、上記基板の効率的な連続処理を安定して行える。 Therefore, stably performed by an efficient continuous treatment of the substrate.

【0024】本発明の具体的な態様においては、前記副生成物生成工程と前記副生成物除去工程とは、共に前記処理室の内壁を室温(25℃)以下、好ましくは20℃以下に冷却しつつ行う。 [0024] In a specific embodiment of the present invention, cooling the as-product generating step and the by-product removing step, the inner wall of the processing chamber at room temperature (25 ° C.) or less together, preferably 20 ° C. or less do while.

【0025】本発明の第4の態様によれば、第3の態様による半導体装置の製造方法において、前記副生成物生成工程では、所定温度に冷却された基板載置台上に前記基板を載置した状態で、当該基板上に前記副生成物を生じさせ、前記副生成物除去工程では、前記基板を前記基板載置台から離した状態で、前記基板を加熱する半導体装置の製造方法が提供される。 According to a fourth aspect of the invention, the method of manufacturing a semiconductor device according to a third aspect, the at-product generating step, placing the substrate on a mounting table board which is cooled to a predetermined temperature in state, causing the on the substrate by-products, the at-product removing step, in a state in which the substrate is released from the substrate mounting table, a method of manufacturing a semiconductor device for heating the substrate is provided that.

【0026】本発明の具体的な態様においては、前記基板載置台を室温(25℃)以下、好ましくは20℃以下に冷却する。 [0026] In a specific embodiment of the present invention, the room temperature (25 ° C.) the substrate mounting table below, preferably cooled to 20 ° C. or less. また前記副生成物除去工程では、前記基板を80℃ Also, the in-product removal step, 80 ° C. the substrate
以上、好ましくは90℃以上、より好ましくは100℃以上に加熱する。 Or more, preferably 90 ° C. or higher, more preferably heated to above 100 ° C..

【0027】本発明の具体的な態様においては、前記副生成物生成工程では、窒素と水素とを含む窒素水素系ガスをプラズマにより活性化させて得た活性種に、弗化窒素ガスを添加することにより、当該弗化窒素ガスを活性化し、その活性種を前記基板へ供給する。 [0027] In a specific embodiment of the present invention, in the by-product formation step, the nitrogen hydrogen based gas containing nitrogen and hydrogen in the active species obtained by plasma activated, adding nitrogen fluoride gas by activates the nitrogen fluoride gas, supplies the active species into the substrate.

【0028】 [0028]

【発明の実施の形態】図1は、実施の形態によるドライクリーニング装置を示す。 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION show a dry cleaning apparatus according to the embodiment. このドライクリーニング装置は、ウエハ(基板)Wを処理する処理室1と、ウエハWを処理する為に用いる処理ガスをプラズマにより活性化させるリモートプラズマユニット(活性化手段)2と、処理室1内のウエハWを加熱するランプ(加熱手段)3とを備えており、リモートプラズマユニット2で活性化された処理ガスの活性種を処理室1内のウエハWへ供給し、これをウエハW表面の酸化膜と反応させることでウエハW The dry cleaning apparatus includes a processing chamber 1 for processing a wafer (substrate) W, the remote plasma unit (activating means) for the processing gas used to process a wafer W is activated by the plasma and 2, the process chamber 1 and a lamp (heating means) 3 for heating the wafer W, by supplying the active species of the processing gas activated by the remote plasma unit 2 to the wafer W in the processing chamber 1, which surface of the wafer W wafer W by reaction with the oxide film
上に副生成物を生じさせ、次いで当該ウエハWをランプ3により加熱することで副生成物を昇華させて除去するように構成されている。 The by-products cause upward and then is configured to remove a by-product sublimed by heating the wafer W by the lamp 3. そして、このドライクリーニング装置は、処理室1の内壁を冷却する処理室冷却機構 Then, the dry cleaning apparatus, the processing chamber cooling mechanism for cooling the inner wall of the processing chamber 1
(処理室冷却手段)4を備えた点を最大の特徴としている。 And the point having the (processing chamber cooling means) 4 as the greatest feature. 以下、各部について詳細に説明する。 Hereinafter, each component will be described in detail.

【0029】処理室1は、例えばアルミニウムで多角形に形成されており、その内壁にはウエWの汚染等を防止するためにアルマイト処理が施されている。 The processing chamber 1, for example, aluminum is formed on the polygonal, the alumite treatment is applied to the inner wall thereof for preventing the contamination of the upper W. この処理室1には、処理ガスの活性種を導入するための活性種供給口5と、この処理室1内の処理済みガス等を排気するためのガス排気口6とが形成されている。 The processing chamber 1, and the active species supply port 5 for introducing the activated species of the processing gas, and a gas outlet 6 for discharging the treated gas or the like of the processing chamber 1 is formed. ガス排気口6には、図示せぬ真空ポンプ等に通じる排気管が継ぎ手構造により接続されている。 A gas exhaust port 6, an exhaust pipe leading to a vacuum pump (not shown) or the like are connected by joint structure.

【0030】前述した処理室冷却機構4は、図示はしないが、処理室1の壁面に沿って設けられた流路と、この流路に冷却用の流体(冷媒)を循環させる循環装置と、前記冷媒を冷却する冷却手段とを備え、処理室1の内壁を The processing chamber cooling mechanism 4 described above, although not shown, a processing chamber 1 of the flow path provided along the wall surface, a circulation device for circulating the fluid (refrigerant) for cooling the flow path, and a cooling means for cooling the refrigerant, the inner wall of the processing chamber 1
20℃以下に冷却するように構成されている。 20 ° C. and is configured to cool below. 具体的には、前記流路は処理室1の壁内部を通過するように構成されている。 Specifically, the flow path is configured to pass through the walls inside of the processing chamber 1. この流路は、処理室1の壁と一体的に構成できる。 This passage can wall integrally formed in the processing chamber 1. 処理室1の壁面をジャケット構造とすることによっても処理室1の壁と一体的に流路を構成できる。 The walls of the processing chamber 1 can be configured integrally with the flow path and also the processing chamber 1 of the wall by a jacket structure. また流路は、熱伝導率の高い素材からなる冷却パイプによっても構成できる。 The flow path may be configured by a cooling pipe made of high thermal conductivity material. その場合、冷却パイプは処理室1の外壁に沿って張り巡らせてもよい。 In that case, the cooling pipe may be stretched around along the outer wall of the processing chamber 1. また、冷媒としては、冷却水等を用いることができる。 As the refrigerant, it is possible to use cooling water or the like. 一実施例においては、処理室冷却機構4をチラーユニットで構成する。 In one embodiment, configuring the processing chamber cooling mechanism 4 in chiller unit.

【0031】また処理室1内には、アルミニウムやペルチェ素子等のように熱伝導率の高い素材を用いてブロック状に構成されたウエハ載置台(基板載置台)7が配置されている。 [0031] The processing chamber 1, a wafer mounting table so constructed in a block shape by using a high thermal conductivity material like such as aluminum or a Peltier element (substrate table) 7 is disposed. ウエハ載置台7は、ウエハW裏面の略全領域に接するウエハ載置面を有していて、該ウエハ載置面を含むウエハ載置台5の表面は、ウエハWの金属汚染を防ぐために、石英、窒化アルミ、SiC、Al 23 、又はセラミック等の材質でカバー(被覆)されている。 Wafer table 7, have wafer mounting surface in contact with substantially the entire area of ​​the rear surface of wafer W, the surface of the wafer mounting table 5 including the wafer mounting surface, in order to prevent metal contamination of the wafer W, quartz are aluminum nitride, SiC, Al 2 O 3, or a material such as a ceramic cover (cover). ウエハ載置台7は、図示せぬ磁気シール構造を介して処理室1 Wafer stage 7 through the magnetic seal structure (not shown) the treatment chamber 1
の外に配置された回転機構8に繋がれている。 It is connected to the rotating mechanism 8, which is located outside the.

【0032】またウエハ載置台7には、載置台冷却機構 [0032] In addition to the wafer stage 7, the stage cooling mechanism
(載置台冷却手段)9が設けられている。 (Mounting table cooling means) 9 is provided. 載置台冷却機構9は、図示はしないが、ウエハ載置台7に沿って設けられた流路と、この流路に冷却用の流体(冷媒)を循環させる循環装置と、前記冷媒を冷却する冷却手段とを備え、 Table cooling mechanism 9 is, although not shown, for cooling a flow path provided along the wafer mounting table 7, a circulation device for circulating the fluid (refrigerant) for cooling the flow path, the coolant cooling and means,
ウエハ載置台7の表面を20℃以下に冷却するように構成されている。 20 ° C. The surface of the wafer table 7 is configured to cool below. 具体的には、前記流路はウエハ載置台7の内部を通過するように構成されている。 Specifically, the flow path is configured to pass through the inside of the wafer table 7. 冷媒としては、 As the refrigerant,
冷却水等を用いることができる。 Cooling water or the like can be used.

【0033】また処理室1内において、ウエハ載置台7 [0033] In the processing chamber 1, the wafer table 7
の上方には、ランプ3からウエハ載置台7上のウエハW Above the wafer W on the wafer table 7 from the lamp 3
を臨む窓10が設けられている。 Windows 10 facing the are provided. 窓10は、石英ガラスのように赤外線を透過する素材を用いて円形または多角形形状に構成されており、Oリング等を用いて処理室1 Window 10 is configured in a circular or polygonal shape using a material that transmits infrared rays as quartz glass, the process chamber 1 using the O-ring or the like
に気密に設置されている。 It is installed in an air-tight to. なお、窓の大きさはウエハW In addition, the size of the window wafer W
に対応した大きさが望ましいが、それよりも大きくてもよい。 Although desired size corresponding to, or larger than that.

【0034】ランプ3は、ウエハWの被処理面(酸化物が形成されていた面)に赤外線を照射できるようにウエハ載置台7の上方に配置されており、窓8を通して処理室1内のウエハWに赤外線を照射し、これを100℃以上の所定温度に加熱する。 The lamp 3, the processed surface of the wafer W is disposed above the wafer mounting table 7 so as to be able to irradiate the infrared rays (the surface on which the oxide has been formed), the processing chamber 1 through the window 8 irradiating infrared rays onto the wafer W, it is heated to a predetermined temperature above 100 ° C.. このランプ3は、具体的にはハロゲンランプなどから構成されており、窓10と略同じサイズを有している。 The lamp 3 is specifically are composed of a halogen lamp, and has substantially the same size as the window 10. また、ランプ3を取り囲むようにしてランプカバー31が設置されている。 Further, the lamp cover 31 is provided so as to surround the lamp 3. ランプカバー31の内壁は反射手段としての鏡面が形成されており、 The inner wall of the lamp cover 31 is formed with a mirror surface of the reflection means,
ランプ3から発生した赤外線を効率よくウエハWに照射できるようになっている。 It has an infrared generated from the lamp 3 to be irradiated efficiently wafer W.

【0035】また、本ドライクリーニング装置は、ウエハ載置台7に対して鉛直方向(図1中、上下方向)に相対変位するウエハ昇降機構(基板移動手段)11も備える。 Further, the dry cleaning apparatus includes a vertical direction (in FIG. 1, the vertical direction) with respect to the wafer table 7 is also the wafer lifting mechanism (substrate moving means) 11 for relative displacement.
ウエハ昇降機構11は、ウエハ載置台7のウエハ載置面から出没可能に構成された少なくとも3本のリフトピン111a,111b…を用いてウエハWの昇降を行う。 Wafer elevating mechanism 11 has at least three lift pins 111a from the wafer mounting surface of the wafer mounting table 7 is configured to retractably, 111b ... with performing lifting the wafer W.

【0036】すなわち、処理室1外におけるウエハ載置台7の下方に相当する位置にはピン支持部112が配置されている。 [0036] That is, the pin supporting portion 112 is disposed in the position corresponding to beneath the wafer table 7 in outside processing chamber 1. このピン支持部112には、ウエハWを水平に支持できるように配された少なくとも3本のリフトピン111a,111b…が立設されている。 This pin support portion 112 has at least three lift pins 111a arranged so that the wafer W can be horizontally supported, 111b ... are erected. リフトピン111a,111b…の各々は、処理室1の外壁面からウエハ載置面にわたって貫かれた貫通孔12a,12 Lift pins 111a, 111b ... Each of the processing chamber 1 through the pierced across the wafer mounting surface from the outer wall surface holes 12a, 12
b…に挿通されている。 It is inserted into the b ....

【0037】そして、図示せぬ昇降駆動装置によってピン支持部112が鉛直方向に昇降され、このピン支持部112の昇降と共に、各貫通孔12a,12b…に挿通されたリフトピン111a,111b…が昇降し、当該各リフトピンの上端がウエハ載置面から出没するようになっている。 [0037] Then, the pin supporting portion 112 is lifting in the vertical direction by a not shown lifting drive unit, together with the lifting of the pin support portion 112, the through holes 12a, inserted through 12b ... has been lift pins 111a, 111b ... are lifting and, the upper end of the lift pins is adapted to rise from, the wafer mounting surface. なお、昇降駆動装置は、モータや油圧または空気圧シリンダ等を用いたアクチュエータによって構成できる。 Incidentally, the elevation driving unit may be configured by an actuator using a motor or a hydraulic or pneumatic cylinder or the like. 図2は、ランプ3によってウエハWを加熱する際に各リフトピンの上端がウエハ載置面から突出した状態を示しており、同図に示すように、このときには、 Figure 2 shows a state in which the upper end of each lift pin protrudes from the wafer mounting surface when the wafer W is heated by the lamp 3, as shown in the figure, at this time,
ウエハWが当該各ピンによってウエハ載置台7から離され、ランプ3側に持ち上げられる。 Wafer W is separated from the wafer table 7 by the pins, lifted lamp 3 side.

【0038】また、各リフトピン111a,111b… [0038] In addition, each of the lift pins 111a, 111b ...
の下端部には、それぞれ閉塞部材113a,113b… The lower end portions, respectively closing member 113a, 113b ...
が設けられていて、リフトピンによってウエハWが持ち上げられたときには、これら閉塞部材113a,113 Is provided, when the wafer W is lifted by the lift pins, these closure members 113a, 113
b…によって、それぞれ貫通孔12a,12b…の総てが閉塞され、処理室1内の気密が保たれるようになっている。 By b ..., are respectively through-holes 12a, 12b ... all obstruction, airtightness in the processing chamber 1 is adapted to be maintained. 一方、ウエハ載置面にウエハWが載置されているときには、該ウエハWによって貫通孔12a,12b… On the other hand, when the wafer W to the wafer mounting surface is placed, the through hole 12a by the wafer W, 12b ...
が閉塞され、処理室1内の気密が保たれるようになっている。 There has been so blocked, airtightness in the processing chamber 1 is maintained.

【0039】ランプ3によってウエハWを加熱するときに、ウエハWの熱がリフトピンを伝わって逃げないようにするために、上記各リフトピンは熱伝導率が低い素材を用いて構成するのが好ましい。 [0039] When the wafer W is heated by the lamp 3, in order to heat the wafer W is prevented from escaping transmitted the lift pins, preferably each lift pin is formed using a low material thermal conductivity. または、各リフトピン自体をランプ3とは別の熱源によって加熱する構成とすれば、ウエハWの熱が逃げてしまうのを防止できる。 Or, each lift pin itself with the configuration of heating by another heat source lamp 3, it is possible to prevent the heat of the wafer W escapes. なお、リフトピンはピン支持部112で連結されているが、各リフトピンを連結せずに独立させてもよい。 Incidentally, the lift pins have been connected by a pin support 112, may be independently without connecting each lift pin. また、ピン支持部112が処理室1の内部に配置されるように構成してもよい。 Further, it may be configured so that the pin supporting portion 112 is disposed in the interior of the processing chamber 1. さらに、ウエハ載置台7がピン支持部112に対して昇降することにより、リフトピンがウエハ載置面から出没するように構成してもよい。 Further, by the wafer table 7 is moved up and down relative to the pin supporting portion 112, the lift pins may be configured to rise from, the wafer mounting surface.

【0040】リモートプラズマユニット2は、サファイアガラス等で形成された活性種生成室2aと、プラズマ発生のためのエネルギ源としてのマイクロ(μ)波を発生するμ波電源2cと、このμ波電源2cにて発生したμ The remote plasma unit 2, and the active species generation chamber 2a formed in the sapphire glass or the like, a mu wave power 2c for generating electromagnetic (mu) waves as an energy source for plasma generation, the mu wave power μ generated in 2c
波を活性種生成室2aへ効率よく伝える導波管2bとから構成されている。 Waves to the active species generation chamber 2a is composed of a high efficiency transmitting waveguide 2b. なお、μ波電源2cは、例えば2.45 Incidentally, mu wave power 2c is, for example 2.45
ギガヘルツのμ波を発生する。 To generate a μ wave of gigahertz.

【0041】活性種生成室2aは、N 2とH 2の混合ガス The active species generating chamber 2a is a mixed gas of N 2 and H 2
(水素窒素系ガス)を供給する混合ガス配管13と連通している。 In communication with the mixed gas piping 13 for supplying (hydrogen nitrogen-based gas). 混合ガス配管13はN 2ガス源14及びH 2ガス源15に通じている。 Mixed gas piping 13 leads to the N 2 gas source 14 and H 2 gas source 15. 詳細には、混合ガス配管13は各ガス源14,15に向かって途中で二股に分岐しており、分岐した一方の配管(N 2配管)13aがN 2ガス源1 Specifically, the mixed gas piping 13 is branched into two on the way toward the gas source 14 and 15, branched one pipe (N 2 pipe) 13a is N 2 gas source 1
4に接続され、他方の配管(H 2配管)13bがH 2ガス源15に接続されている。 Is connected to the 4, the other pipe (H 2 pipe) 13b is connected to the H 2 gas source 15. さらに当該各ガス配管13a, Furthermore the respective gas pipe 13a,
13bの途中には、それぞれN 2ガス及びH 2ガスの流量を制御するMFC(マスフローコントローラ)16,17が設けられている。 In the middle of 13b is, MFC (mass flow controller) 16, 17 for controlling the flow rate of N 2 gas and H 2 gas are respectively provided.

【0042】また、活性種生成室2aには、混合ガス配管13から導出された水素窒素系ガスを活性化することにより生成した活性種を処理室1側に送出する為のガス導入配管18も接続されている。 Further, the active species generation chamber 2a, also a gas introduction pipe 18 for delivering the active species generated by activating hydrogen nitrogen-based gas derived from the mixed gas piping 13 into the processing chamber 1 side It is connected. このガス導入配管18 The gas introduction pipe 18
は、一端が活性種生成室2aに接続され、他端が活性種供給口5に接続されている。 Has one end connected to the active species generation chamber 2a, the other end is connected to the active species supply port 5. ガス導入配管18の途中には、NF 3配管19が接続されている。 In the middle of the gas introduction pipe 18, NF 3 pipe 19 is connected. NF 3配管19 NF 3 pipe 19
は、一端がガス導入配管18の途中に接続され、他端がNF 3の流量を制御するMFC20を介してNF 3ガス源2 Has one end connected to the middle of the gas introduction pipe 18, NF 3 gas source 2 via the MFC20 other end to control the flow rate of NF 3
1に接続されている。 It is connected to one.

【0043】図3は、NF 3配管19周りの構成を拡大して示したもので、同図に示すように、NF 3ガスをプラズマ化された窒素水素系ガスに添加するに当っては、 [0043] FIG. 3 shows an enlarged structure around NF 3 pipe 19, as shown in the figure, it is hitting the addition of NF 3 gas to the plasma nitrogen hydrogen-based gas,
単にNF 3ガスをプラズマ化された窒素水素系ガス(活性ガス)に合流させるのではなく、NF 3配管19からのN Rather than simply to merge the NF 3 gas to the plasma nitrogen hydrogen-based gas (inert gas), N from NF 3 pipe 19
3ガスを、上流側すなわち活性ガスの流れに逆らう方向(活性種生成室2a側に向かう方向)に向けて導出させるのが好ましい。 The F 3 gas, preferably be led toward the upstream side, that is the direction against the flow of the active gas (the direction toward the active species generation chamber 2a side). これにより、流下しようとする活性ガスの原子とNF 3分子とを効率的に衝突させることができるから、Fラジカルを効率的に励起できる。 Thus, because the atoms and NF 3 molecules of active gas to be flowing down efficiently can collide, efficiently excite F radicals.

【0044】またガス導入配管18は、水平方向(ウエハWの平坦面と平行な方向)に延在していて、このガス導入配管18から導出された活性種は、活性種供給口5 [0044] The gas introduction pipe 18, they extend in the horizontal direction (planar direction parallel to the surface of the wafer W), the gas introducing activated species derived from the pipe 18, the active species supply port 5
からサイドフローでウエハWに供給されるように構成されている。 It is configured to be supplied to the wafer W side flow from. このような構成とすることにより、仮にリモートプラズマユニット2側でパーティクルが発生しても、そのパーティクルがウエハW表面に降り落ちないようになっている。 With such a configuration, even if the particles are generated in the remote plasma unit 2 side, the particles are prevented falling down to the wafer W surface.

【0045】以上のように構成されたドライクリーニング装置の作用は次の通りである。 [0045] The action of the constructed dry cleaning apparatus as described above is as follows. まず、図示せぬ搬送装置または人手により、ウエハWをウエハ載置台7上に載せる。 First, by the transfer device or manpower not shown, it places the wafer W on the wafer table 7. このとき、リフトピン111a,111b…はウエハ載置面から退避しており、ウエハWはウエハ載置台7に直接接した状態で載置される。 At this time, the lift pins 111a, 111b ... are retracted from the wafer mounting surface, the wafer W is placed in a state of being in contact with the wafer loading table 7 directly. ウエハ載置台7は熱伝導率の高い素材で構成されており、載置台冷却機構9 Wafer table 7 is composed of a high thermal conductivity material, the mounting table cooling mechanism 9
によって20℃以下の温度に制御されるから、このウエハ載置台7に接触したウエハWを速やかに冷却できる。 Since is controlled to a temperature of 20 ° C. or less by the wafer W in contact with the wafer table 7 it can be quickly cooled. さらにこのとき、処理室1の内壁は、処理室冷却機構4によって20℃以下に冷却されている。 Moreover this time, the inner wall of the processing chamber 1 is cooled by the processing chamber cooling mechanism 4 to 20 ° C. or less.

【0046】ウエハWを載置した後、N 2ガス源14からN 2配管13aに供給されたN 2ガスと、H 2ガス源1 [0046] After placing the the wafer W, and N 2 gas supplied to the N 2 pipe 13a from the N 2 gas source 14, H 2 gas source 1
5からH 2配管13bに供給されたH 2ガスとが混合ガス配管13で合流し、それらの混合ガス(水素窒素系ガス) 5 and H 2 gas supplied into H 2 pipe 13b from the merged in the mixed gas piping 13, their mixed gas (hydrogen nitrogen-based gas)
が活性種生成室2aを経由してガス導入配管18に送出される。 There is sent to the gas introducing pipe 18 via the active species generation chamber 2a. また、送出された水素窒素系ガスに、NF 3ガス源21から供給されたNF 3ガスが合流し、これらの混合ガスが処理室1内に供給される。 Further, the hydrogen nitrogen-based gas delivered, NF 3 and merging NF 3 gas supplied from the gas source 21, a mixed gas is supplied into the processing chamber 1. これにより、N 2 , As a result, N 2,
2 ,NF 3のフローが始まり、処理室1内はただちに所定の処理圧力に制御される。 H 2, flow of NF 3 starts, the processing chamber 1 is immediately controlled to a predetermined processing pressure. なお、N 2 ,H 2 ,NF 3ガスの供給量は、それぞれMFC16,17,20により独立に制御される。 The supply amount of N 2, H 2, NF 3 gas are respectively controlled independently by MFC16,17,20.

【0047】処理室1内が所定圧力に制御された後、μ [0047] After the inside of the processing chamber 1 is controlled to a predetermined pressure, mu
波電源2cからμ波を発生させる。 Generating a μ-wave from the wave source 2c. 発生したμ波は、導波管2bを伝わり、活性種生成室2aに至る。 Wave μ generated is transmitted through the waveguide 2b, leading to the active species generation chamber 2a. 活性種生成室2aでは、μ波電源2cから導波したμ波によって水素窒素系ガスが活性化(プラズマ化)され、その活性ガスがガス導入配管18に送出される。 The active species generation chamber 2a, hydrogen nitrogen-based gas by the waves μ was guided from the μ-wave power 2c is activated (plasma), the active gas is delivered to the gas introduction pipe 18. 活性ガスが処理室1に向かってガス導入配管18を流れる過程で、当該活性ガスにNF 3ガスが添加される。 Active gas toward the treatment chamber 1 in the process of flowing through the gas introduction pipe 18, NF 3 gas is added to the active gas. これにより、NF 3ガスも活性化され、その活性種(Fラジカル)が発生し、当該活性種が活性種供給口5から処理室1内に供給される。 Thus, NF 3 gas is also activated, generates the active species (F radicals), the active species is supplied into the processing chamber 1 from the active species supply port 5.

【0048】このとき、処理室1の内壁が20℃以下に冷却されているから、活性種がウエハW上の酸化膜に至る過程で当該活性種も処理室1の内壁によって間接的に冷却される。 [0048] At this time, since the inner wall of the processing chamber 1 is cooled to 20 ° C. or less, the active species in the course of active species reach the oxide film on the wafer W is also indirectly cooled by the inner wall of the processing chamber 1 that. また、活性種が供給されているとき、回転機構6がウエハ載置台5を回転させることにより、ウエハWの平坦面に均等に活性種を供給できる。 Further, when the active species is supplied, by the rotation mechanism 6 rotates the worktable 5 wafers, it can be uniformly supplied to the active species on the flat surface of the wafer W. そして、活性種が処理室1内に配置されたウエハW表面の酸化膜と反応して副生成物が形成される(副生成物生成工程)。 Then, the reaction active species and the oxide film placed wafer W surface in the processing chamber 1 by-products are formed (by-product formation step).

【0049】このようにして、ウエハW上に副生成物を形成したならば、上記各ガスの供給を断つと共にプラズマの形成を停止し、処理室1内の残留ガスを排気管8から排気する。 [0049] Thus, if the formation of the by-products onto the wafer W, to stop the formation of plasma with cut off supply of the respective gases, to evacuate the remaining gas in the processing chamber 1 from the exhaust pipe 8 .

【0050】次いで、図2に示すように、ピン支持部1 [0050] Then, as shown in FIG. 2, the pin supporting portion 1
12が上昇することにより、リフトピン111a,11 By 12 rises, the lift pins 111a, 11
1b…によってウエハWをランプ3側に持ち上げる。 1b ... lift the wafer W to the lamp 3 side by the. これにより、ウエハWはウエハ載置台7から離される。 As a result, the wafer W is separated from the wafer table 7. そしてウエハWが、ランプ3に対面する窓10近傍の位置まで持ち上げられた後、ランプ3から窓9を通してウエハWに赤外線を照射することにより、該ウエハWを100 The wafer W is, after being lifted up to the position of the window 10 near facing to the lamp 3, by irradiating infrared rays onto the wafer W through the window 9 from the lamp 3, 100 the wafer W
℃以上に加熱する。 ℃ heating above.

【0051】このとき、ウエハWはウエハ載置台7から離されているから、ランプ3によるウエハWの加熱効果が、載置台冷却機構9による冷却効果によって減殺されることはない。 [0051] At this time, the wafer W is because they are separated from the wafer table 7, the heating effect of the wafer W by the lamp 3 and is not offset by the cooling effect of the mounting base cooling mechanism 9. また、このときウエハWは、真空中にてランプ照射されるため、これを迅速に加熱できる。 At this time the wafer W is to be lamp irradiation in vacuum, which can be quickly heated. ランプ3によってウエハWを加熱しているときにも、ウエハ載置台7、及び処理室1の内壁は、それぞれ載置台冷却機構9、処理室冷却機構4によって冷却され続ける。 When the heating of the wafer W by the lamp 3 is also the inner wall of the wafer mounting table 7, and the processing chamber 1 is a mounting table cooling mechanism 9, respectively, continue to be cooled by the processing chamber cooling mechanism 4.

【0052】なお、ランプ照射時にもウエハWを回転させてもよい。 [0052] In addition, the wafer W may be rotated even when the lamp is illuminated. 回転機構部8によってウエハ載置台7が回転されるときには、ピン支持部112も同時に回転され、これによって、リフトピン111a,111b…によって支持されたウエハWが回転するようになっている。 When the wafer mounting table 7 by the rotation mechanism portion 8 is rotated it is rotated pin support portion 112 at the same time, thereby, the lift pins 111a, the wafer W supported by 111b ... is rotated.

【0053】これにより、ウエハW表面に形成された副生成物が昇華し、昇華した副生成物は排気口6から排気される。 [0053] Thus, by-products formed on the wafer W surface is sublimated, by-product sublimed is exhausted from the exhaust port 6. 結果として、ウエハWの表面に形成されていた酸化膜が除去されることとなる(副生成物除去工程)。 As a result, oxide film formed on the surface of the wafer W is to be removed (by-product removing step). その後、処理済みウエハWをウエハ載置台7から搬出する。 Then, to unload the processed wafer W from the wafer table 7.

【0054】以上説明した副生成物生成工程と、副生成物除去工程とを交互に行うことにより、本ドライクリーニングを連続的に行える。 [0054] and by-product formation step described above, by performing a by-product removing step alternately perform the present dry cleaning continuously.

【0055】このドライクリーニング装置によれば、次のような効果が得られる。 [0055] According to the dry cleaning apparatus, the following effects can be obtained. (1)副生成物生成工程と副生成物除去工程とを共に、処理室1の内壁及びウエハ載置台7を冷却しつつ行うから、これら処理室1及びウエハ載置台7を終始20℃以下に維持できる。 (1) and a by-product generating step and by-product removal steps together, the inner wall and the wafer mounting table 7 of the processing chamber 1 from performing while cooling, these processing chambers 1 and the wafer mounting table 7 throughout the 20 ° C. or less It can be maintained. そして副生成物生成工程では、ウエハW And in by-product formation step, the wafer W
を20℃以下に冷却されたウエハ載置台7に接触させると共に、ウエハW表面の酸化膜には、処理室1の内壁によって間接的に冷却された活性種が供給されるから、副生成物の生成時間を短縮できる。 Together with contacting the wafer mounting table 7 is cooled to 20 ° C. or less, the oxide film on the surface of the wafer W, because indirectly cooled active species by the inner wall of the processing chamber 1 is supplied, by-products You can shorten the generation time. 一方、副生成物除去工程では、ウエハWがウエハ昇降機構11によってウエハ載置台7から離されると共に、このときウエハWはリフトピンのみによって点接触で支持されるから、ウエハWの熱容量を見かけ上、小さくできる。 On the other hand, the by-product removing step, the wafer W is released from the wafer table 7 by the wafer lift mechanism 11, since at this time the wafer W is supported by point contact only by the lift pins, the apparent heat capacity of the wafer W, It can be reduced. 従って、ランプ3によってウエハWを短時間で加熱でき、副生成物の昇華時間を短縮できる。 Thus, the lamp 3 can heat the wafer W in a short time, can be shortened sublimation time of by-products. 以上により、本ドライクリーニング法を用いた枚葉プロセスの連続処理を効率的に行える。 Thus, it performs a continuous process sheetfed process using the dry cleaning process efficiently. さらに、そのような連続処理を同一の処理室1にて行えるから、フットプリントを小さくできる。 Furthermore, since enabling such continuous processing in the same process chamber 1, it can reduce the footprint.

【0056】(2)副生成物除去工程においてウエハW上の副生成物を加熱するときには、単にウエハWをウエハ載置台7から離すだけではなく、該ウエハWをランプ3 [0056] (2) To heat the byproducts on the wafer W in the by-product removing step, not only releases the wafer W from the wafer table 7, the lamp 3 the wafer W
近傍位置まで持ち上げることにより、ウエハW表面の副生成物のみを急速に加熱できる一方、ランプ3からの赤外線がウエハWによって殆ど遮られるから、処理室1内壁及びウエハ載置台7に赤外線が照射されるのを最小限に抑制できる。 By lifting up positions near While only by-products of the wafer W surface can be rapidly heated, since infrared rays from the lamp 3 is shielded almost by the wafer W, infrared rays are irradiated to the processing chamber 1 inner wall and the wafer table 7 that's can be suppressed to a minimum. これにより、本ドライクリーニング処理のスループットを一層向上できる。 Thus, the throughput of the dry cleaning process can be further improved.

【0057】(3)特に、処理ガスの活性種をサイドフローでウエハWに供給する構成であるから、ダウンフローで活性種を供給する場合等に比べると処理室1の全高を低くできる。 [0057] (3) In particular, the active species of the processing gas because it is configured to be supplied to the wafer W side flow, can be lowered and the total height of the processing chamber 1 than in such a case to supply the active species in downflow. これにより、ウエハWをランプ3近傍位置にまで持ち上げることが実現される。 Thus, it is achieved to lift the wafer W up to a lamp 3 vicinity. 具体的には、本ドライクリーニング装置では、副生成物除去工程において、ランプ3とウエハWとの距離を5〜10cm、窓10 Specifically, in the dry cleaning apparatus, the by-product removing step, 5 to 10 cm distance between the lamp 3 and the wafer W, the window 10
とウエハWとの距離を3cm程度にまで短縮できる。 To be able to shorten the distance between the wafer W to about 3cm. また、そのようなウエハWの昇降を短いストロークで行えるから、ウエハWの昇降を迅速に行える。 Further, since it allows the lifting of such wafer W in a short stroke, rapidly perform the lifting of the wafer W. 以上のように、本実施の形態においては、活性種をサイドフローで供給する構成と処理室冷却機構4とが相まって、本ドライクリーニング処理の一層効率的な連続処理を実現している。 As described above, in this embodiment, and supplied active species side-flow and the processing chamber cooling mechanism 4 is coupled, it is realized more efficient continuous processing of the dry cleaning process.

【0058】(4)上記ドライクリーニング装置は、加熱手段が基板の被処理面に対向配置されていると共に、活性化手段により活性化された処理ガスの活性種が基板の被処理面にわたり当該被処理面と平行な方向にサイドフローで供給されるように構成されているが、処理室1内壁を冷却することにより、副生成物除去工程では、当該内壁を介して間接的に冷却された活性種が、熱蓄積されやすい窓3を含む加熱手段周辺部材からの熱輻射を遮るようにして基板の被処理面に供給されるから、熱輻射を遮るための遮蔽板等を必要とせずに、簡素な構成で基板の温度上昇を防止できる。 [0058] (4) The dry cleaning apparatus, the heating means is opposed to the target surface of the substrate, the target active species activated process gas over the surface of the substrate by activating means are configured to be supplied by a side flow to the process in a direction parallel to the surface, by cooling the process chamber 1 inner wall, the by-product removing step, which is indirectly cooled via the inner wall activity species, since is supplied to the processed surface of the substrate so as to block the heat radiation from the heating means surrounding member comprising a heat accumulated susceptible window 3, without the need for shielding plate or the like for shielding heat radiation, the temperature rise of the substrate can be prevented with a simple configuration.

【0059】上記ドライクリーニング装置を用いた一実施例においては次のような効果が得られた。 [0059] the following effects are obtained in one embodiment using the dry cleaning apparatus. (5)シリコン基板の自然酸化膜を除去する場合、自然酸化膜とシリコン下地との間のエッチング選択比を12倍以上とすることができた。 (5) when removing the natural oxide film of the silicon substrate, we were able to 12 times more than the etching selection ratio between the natural oxide film and the silicon substrate. (6)複数回の連続処理を行った後、処理室1内の石英部材(例えば、ウエハ載置台7等)を精密に観察したところ、これに何らの損傷も認められなかった。 (6) After several successive processing, the quartz member in the processing chamber 1 (e.g., a wafer table 7, etc.) was precisely observed, was not observed any damage thereto. これは、処理室1の壁面およびウエハ載置台を冷却したことにより、石英部材の熱劣化が防止されたためであると考えられる。 This can be achieved by cooling the wall surface and the wafer mounting table of the processing chamber 1, it is believed to be due to thermal deterioration of the quartz member is prevented. これにより、石英部材の長寿命化が期待できる。 Thus, the life of the quartz member can be expected.
一方、自然酸化膜は10Å/分以上のエッチングレートで削ることができた。 On the other hand, the natural oxide film could be cut by 10 Å / min or more etch rate. (7)従来5分要していた基板の処理時間を、3分以内に短縮できた。 (7) The processing time of the substrate has been required conventionally 5 minutes, it was reduced within 3 minutes.

【0060】以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はこれに限られない。 [0060] Having described the preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited thereto. 例えは、本発明の処理室冷却手段としては、処理室1の壁に沿って冷媒を巡回させる処理室冷却機構4に限定されるものではなく、処理室冷却機構4に代えて、又は処理室冷却機構4と共に処理室1の外壁に放熱用フィンを設けることとしてもよい。 The example, the process chamber cooling means of the present invention, is not limited to the processing chamber cooling mechanism 4 for cyclically refrigerant along the wall of the processing chamber 1, instead of the processing chamber cooling mechanism 4, or the process chamber the radiation fins on the outer wall of the processing chamber 1 together with the cooling mechanism 4 may be provided. この場合は、放熱用フィンを空冷するとなおよい。 In this case, it is more preferable to air-cooling the radiating fins. また、ガス導入配管18からの活性種を、予備室を介して処理室内1に導入する場合には、その予備室の内壁を冷却する予備室冷却手段を備えるとよい。 Further, the active species from the gas introduction pipe 18, when introduced into the treatment chamber 1 via the protection chamber, may provide a preliminary chamber cooling means for cooling the inner wall of the preliminary chamber. また、活性種生成室2aで生成するプラズマを失活させない範囲でガス導入配管18を冷却することにより、該プラズマ中で励起された活性種を冷却できる。 Further, by cooling the gas introduction pipe 18 to the extent that does not deactivate the plasma generated by the active species generation chamber 2a, it can be cooled excited active species in the plasma.

【0061】その他、ドライクリーニング装置の細部構成および動作に関しては本発明の趣旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。 [0061] Other matters detailed configuration and operation of the dry cleaning apparatus can be changed in design without departing from the scope of the present invention. 例えば、リモートプラズマユニット2は、RF波を発生する高周波発生源と誘導コイルとにより構成して、RF波によりプラズマを発生させるようにしてもよい。 For example, the remote plasma unit 2 is constituted by an induction coil and a high-frequency generation source for generating the RF waves may be adapted to generate a plasma by RF waves. 実施の形態においては本ドライクリーニング処理を連続的に行う場合について説明したが、酸化膜が除去された時点においては、処理室1内を真空または非反応性雰囲気状態とすることができるから、本ドライクリーニング処理後に新たな自然酸化膜が発生することはなく、後の工程までの時間的制約をなくすことができ、工程設計の自由度が広がる。 There has been described a case where the present dry cleaning process is continuously in the embodiment, at the time when the oxide film is removed, because the processing chamber 1 can be a vacuum or a non-reactive atmosphere conditions, the never new native oxide film after the dry cleaning process occurs, it is possible to eliminate the time constraints until a later step, the degree of freedom in process design is increased. また、処理室1と成膜等の後処理用の処理室とを連結することにより、処理済みウエハを一旦大気に暴露することなく後処理を行える。 Also, by connecting the treatment chamber for post-processing such as the processing chamber 1 and film formation can be performed post-processing without exposing the processed wafers once the atmosphere. また、本発明はウエハを含む基板のみならず、酸化膜その他の汚染物が形成された被処理体一般の前処理に広く適用できる。 Further, the present invention is not a substrate comprising a wafer only, can be widely applied to the pretreatment of the workpiece general oxide film other contaminants are formed.

【0062】 [0062]

【発明の効果】本発明によれば、上記ドライクリーニング法において副生成物を効率的に生成できるようになる。 According to the present invention, it becomes possible to efficiently produce a by-product in the dry cleaning method. また本発明によれば、上記ドライクリーニング法の連続処理を効率的に行えるようになる。 According to the present invention, it will allow the continuous processing of the dry cleaning method efficiently.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】実施の形態によるドライクリーニング装置の構成を示したもので、同装置によって副生成物生成工程を実施している状態を示す図である。 [1] shows a configuration of a dry cleaning apparatus according to the embodiment, a diagram showing a state of carrying out the by-product formation step by the apparatus.

【図2】実施の形態によるドライクリーニング装置の構成を示したもので、同装置によって副生成物除去工程を実施している状態を示す図である。 [Figure 2] shows the configuration of a dry cleaning apparatus according to the embodiment, a diagram showing a state of carrying out the by-product removing step by the apparatus.

【図3】NF 3配管まわりの構成を拡大して示した図である。 Figure 3 is an enlarged view showing the NF 3 around the pipe construction.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…処理室、2…リモートプラズマユニット(活性化手段)、3…ランプ(加熱手段)、4…処理室冷却機構(処理室冷却手段)。 1 ... treatment chamber, 2 ... remote plasma unit (activating means), 3 ... lamp (heating means), 4 ... processing chamber cooling mechanism (processing chamber cooling means).

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】基板を処理する処理室と、 前記基板を処理する為に用いる処理ガスをプラズマにより活性化させる活性化手段と、 前記処理室内の基板を加熱する加熱手段と、を備え、 前記活性化手段により活性化された処理ガスの活性種を前記処理室内の基板へ供給することで当該基板上に副生成物を生じさせ、次いで当該基板を前記加熱手段により加熱することで前記副生成物を除去する基板処理装置であって、 前記処理室の内壁を冷却する処理室冷却手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。 With a 1. A processing chamber for processing a substrate, and activating means for activating the process gas by the plasma used to process the substrate, and heating means for heating the substrate in the processing chamber, wherein the causing the active species of the activated process gas by activating means by-products on the substrate in by supplying to the processing chamber of the substrate, and then the by heating the substrate by the heating means by-products the substrate processing apparatus for removing an object, a substrate processing apparatus, characterized in that it includes a processing chamber cooling means for cooling the inner wall of the processing chamber.
  2. 【請求項2】基板を処理する為に用いる処理ガスをプラズマにより活性化させて得た活性種を、処理室内の前記基板へ供給することで当該基板上に副生成物を生じさせる副生成物生成工程と、 次いで、前記処理室内の基板を所定の温度に加熱することで前記副生成物を除去する副生成物除去工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、 前記副生成物生成工程と前記副生成物除去工程とは、共に前記処理室の内壁を冷却しつつ行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Wherein the active species obtained by plasma activated process gas used to process a substrate, by-products to produce a by-product on the substrate in by supplying to the substrate in the processing chamber a generation step, then, a method of manufacturing a semiconductor device having a by-product removing step of removing the by-products by heating the substrate in the processing chamber to a predetermined temperature, said by-product formation the said the process by-product removal step, both a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises carrying out while cooling the inner wall of the processing chamber.
JP2002149020A 2002-05-23 2002-05-23 Substrate treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device Pending JP2003347278A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002149020A JP2003347278A (en) 2002-05-23 2002-05-23 Substrate treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002149020A JP2003347278A (en) 2002-05-23 2002-05-23 Substrate treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003347278A true true JP2003347278A (en) 2003-12-05

Family

ID=29767339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002149020A Pending JP2003347278A (en) 2002-05-23 2002-05-23 Substrate treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003347278A (en)

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244244A (en) * 2004-02-26 2005-09-08 Applied Materials Inc In-situ dry clean chamber for front end of line production
JP2005340787A (en) * 2004-05-21 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd Surface cleaning method for remote plasma generation tube, substrate treatment method using remote plasma generation tube, and substrate treatment equipment
KR101025323B1 (en) 2004-01-13 2011-03-29 가부시키가이샤 아루박 Etching apparatus and etching method
JP2012004188A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Toshiba Corp Etching method
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8975152B2 (en) 2011-11-08 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9023732B2 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9236266B2 (en) 2011-08-01 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299582B2 (en) 2013-11-12 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Selective etch for metal-containing materials
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components

Cited By (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101025323B1 (en) 2004-01-13 2011-03-29 가부시키가이샤 아루박 Etching apparatus and etching method
US8846163B2 (en) 2004-02-26 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Method for removing oxides
JP2011205135A (en) * 2004-02-26 2011-10-13 Applied Materials Inc In situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US8343307B2 (en) 2004-02-26 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly
JP2005244244A (en) * 2004-02-26 2005-09-08 Applied Materials Inc In-situ dry clean chamber for front end of line production
JP2005340787A (en) * 2004-05-21 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd Surface cleaning method for remote plasma generation tube, substrate treatment method using remote plasma generation tube, and substrate treatment equipment
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
JP2012004188A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Toshiba Corp Etching method
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9236266B2 (en) 2011-08-01 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US9012302B2 (en) 2011-09-26 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8975152B2 (en) 2011-11-08 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9887096B2 (en) 2012-09-17 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9607856B2 (en) 2013-03-05 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9093390B2 (en) 2013-03-07 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US9184055B2 (en) 2013-03-15 2015-11-10 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9153442B2 (en) 2013-03-15 2015-10-06 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9023732B2 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9093371B2 (en) 2013-03-15 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9991134B2 (en) 2013-03-15 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9209012B2 (en) 2013-09-16 2015-12-08 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9299582B2 (en) 2013-11-12 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Selective etch for metal-containing materials
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9711366B2 (en) 2013-11-12 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Selective etch for metal-containing materials
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070134821A1 (en) Cluster tool for advanced front-end processing
US9153442B2 (en) Processing systems and methods for halide scavenging
US20110061812A1 (en) Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110065276A1 (en) Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110061810A1 (en) Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20070196011A1 (en) Integrated vacuum metrology for cluster tool
US9093390B2 (en) Conformal oxide dry etch
US20070224839A1 (en) Heat treating apparatus, heat treating method and storage medium
US20060185592A1 (en) Vertical batch processing apparatus
US5240556A (en) Surface-heating apparatus and surface-treating method
US20120285621A1 (en) Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing
US20060163201A1 (en) Plasma processing system and plasma treatment process
US20070181145A1 (en) Method for cleaning process chamber of substrate processing apparatus, substrate processing apparatus, and method for processing substrate
US20030000645A1 (en) Apparatus and method for reducing leakage in a capacitor stack
US6706334B1 (en) Processing method and apparatus for removing oxide film
US7235137B2 (en) Conductor treating single-wafer type treating device and method for semi-conductor treating
US20040194340A1 (en) Method and apparatus for surface treatment
US6729261B2 (en) Plasma processing apparatus
US5928963A (en) Plasma etching method
US20020036066A1 (en) Method and apparatus for processing substrates
US8748322B1 (en) Silicon oxide recess etch
US20070286967A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2004342703A (en) Device and method for plasma treatment
JPH09115895A (en) Plasma treatment apparatus
US20010004066A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus