JP2003336069A - Sulfonic acid type liquid crystal material, its manufacturing method, proton transporting material, and proton transporting material utilizing molecular configuration by liquid crystalline state - Google Patents

Sulfonic acid type liquid crystal material, its manufacturing method, proton transporting material, and proton transporting material utilizing molecular configuration by liquid crystalline state

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JP2003336069A JP2002144196A JP2002144196A JP2003336069A JP 2003336069 A JP2003336069 A JP 2003336069A JP 2002144196 A JP2002144196 A JP 2002144196A JP 2002144196 A JP2002144196 A JP 2002144196A JP 2003336069 A JP2003336069 A JP 2003336069A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel material having excellent proton transportability, its manufacturing method, a proton transporting material using the same, and a proton transporting method to bring about the excellent proton transportability. <P>SOLUTION: There are provided a sulfonic acid type liquid crystal material represented by formula (1) (wherein A indicates a 5-18C alkylene group, -C<SB>6</SB>H<SB>4</SB>-CH<SB>2</SB>-, -CO-O-(CH<SB>2</SB>)<SB>n-</SB>- or -CO-; and B indicates an alkylene group), its manufacturing method, the proton transporting material using it, and the proton transporting method. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、優れたプロトン輸
送能を有するスルホン酸型液晶材料、その製造方法、そ
れを用いたプロトン輸送材料および液晶状態による分子
配列を利用したプロトン輸送方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sulfonic acid type liquid crystal material having an excellent proton transporting ability, a method for producing the same, a proton transporting material using the same, and a proton transporting method utilizing a molecular arrangement in a liquid crystal state. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、スルホン酸基やホスホン酸基
は、プロトン輸送能を有することは知られている。この
ようなプロトン輸送能を有する有機化合物は、多くの分
野で、研究されている。従来知られているプロトン輸送
の機構は、例えば、ペルフルオロスルホン酸系プロトン
膜を例にとると、膜中にSO3H基からなるかなり大き
なイオンチャンネル(クラスター径数ナノメートル)を
形成し、ここに取りこまれた水分子とチャンネル壁面の
SO3H基の間のH+ホッピングにより、イオン導電性
が得られる。この場合、SO3H基はランダムな位置に
存在することから、かなり不規則なH+ホッピングが起
こると考えられる。これらの膜に限らず、プロトン輸送
に要求されている性質としては、イオンチャンネルがよ
り微細で高密度に分布したものであること等の要望があ
る。
2. Description of the Related Art It has been conventionally known that a sulfonic acid group and a phosphonic acid group have a proton transporting ability. Organic compounds having such a proton transport ability have been studied in many fields. The conventionally known mechanism of proton transport is, for example, in the case of a perfluorosulfonic acid-based proton membrane, a fairly large ion channel (cluster diameter of several nanometers) composed of SO 3 H groups is formed in the membrane. Ion conductivity is obtained by H + hopping between the water molecules trapped in the water and the SO 3 H groups on the channel wall. In this case, since SO 3 H groups are present at random positions, it is considered that fairly irregular H + hopping occurs. Not only these membranes but also the properties required for proton transport include the demand that the ion channels be finer and more densely distributed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】液晶性化合物は、表示
材料として種々の機器で応用され、例えば、時計、電
卓、テレビ、パソコン、携帯電話等で利用されている。
液晶物質には、相転移を与える手段に基づいて、サーモ
トロピック液晶(温度転移型液晶)とリオトロピック液
晶(濃度転移型液晶)に分類される。これらの液晶は分
子配列的に見ると、スメクチック液晶、ネマチック液晶
およびコレスチック液晶の三種類に分類される。特に、
液晶相としてスメクチック相を有する化合物は、そのス
メクチック相の液晶状態において、スメクチック相とい
う分子の重なりが密な液晶状態で重なることは興味深
く、先に、本発明者らは、このスメクチック相の分子配
向に着目し、その特性を利用した電荷の輸送方法(特開
2001−351786号公報)を提案した。
Liquid crystal compounds are applied to various devices as display materials, and are used in, for example, watches, calculators, televisions, personal computers, mobile phones and the like.
Liquid crystal substances are classified into thermotropic liquid crystals (temperature transition type liquid crystals) and lyotropic liquid crystals (concentration transition type liquid crystals) based on the means of giving a phase transition. These liquid crystals are classified into three types, that is, smectic liquid crystals, nematic liquid crystals and cholesteric liquid crystals, in terms of molecular alignment. In particular,
It is interesting that a compound having a smectic phase as a liquid crystal phase, in the liquid crystal state of the smectic phase, the overlapping of molecules called the smectic phase overlap in a dense liquid crystal state, and the present inventors have previously found that the molecular alignment of the smectic phase In view of the above, a method for transporting electric charges utilizing the characteristics (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-351786) was proposed.

【0004】更に、本発明者らは、このスメクチック相
の性質を利用した新規な機能性材料について鋭意研究を
進めるうちに、前記一般式(1)で表される新規なスル
ホン酸型液晶性材料をスクチック相の分子配列を利用し
てプロトンを輸送させると従来になく優れたプロトン輸
送能を発現することを見出し本発明を完成するに至っ
た。
Further, while the inventors of the present invention have been earnestly researching a novel functional material utilizing the property of the smectic phase, the novel sulfonic acid type liquid crystalline material represented by the general formula (1) is obtained. The inventors have found that when protons are transported by utilizing the molecular arrangement of the succinic phase, they exhibit an excellent proton transporting ability than ever before, and have completed the present invention.

【0005】即ち、本発明は、優れたプロトン輸送能を
有する新規な液晶材料、その製造方法、それを用いるプ
ロトン輸送材料及び優れたプロトン輸送能を発現させる
ためのプロトン輸送方法を提供することを目的とする。
That is, the present invention provides a novel liquid crystal material having an excellent proton-transporting ability, a method for producing the same, a proton-transporting material using the same, and a proton-transporting method for expressing the excellent proton-transporting ability. To aim.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる実
情において、第1に、下記一般式(1)
SUMMARY OF THE INVENTION In the actual situation, the present inventors firstly describe the following general formula (1):

【化8】 (式中、Aは炭素数5〜18のアルキレン基、−C64
−CH2−、−CO−O−(CH2n−又は−CO−、
Bはアルキレン基を示す。)で表されることを特徴とす
るスルホン酸型液晶材料を、第2に下記一般式(2)
[Chemical 8] (In the formula, A is an alkylene group having 5 to 18 carbon atoms, -C 6 H 4
-CH 2 -, - CO-O- (CH 2) n - or -CO-,
B represents an alkylene group. ) A sulfonic acid type liquid crystal material represented by the following general formula (2)

【化9】 (式中、Aは炭素数5〜18のアルキレン基、−C64
−CH2−、−CO−O−(CH2n−又は−CO−、
Xはハロゲン原子を示す。)で表されるハロゲン化物
と、下記一般式(3)
[Chemical 9] (In the formula, A is an alkylene group having 5 to 18 carbon atoms, -C 6 H 4
-CH 2 -, - CO-O- (CH 2) n - or -CO-,
X represents a halogen atom. ) And the following general formula (3)

【化10】 で表される4,4’−ビフェノールとを反応させて、下
記一般式(4)
[Chemical 10] By reacting with 4,4′-biphenol represented by the following general formula (4)

【化11】 (式中、Aは前記と同義。)で表されるフェノール誘導
体を得た後、次いで、得られた一般式(4)で表される
フェノール誘導体と、下記一般式(5)
[Chemical 11] (In the formula, A has the same meaning as above.) After obtaining the phenol derivative represented by the following formula, the obtained phenol derivative represented by the formula (4) and the following formula (5)

【化12】 (式中、Xはハロゲン原子、Bはアルキレン基、Mはア
ルカリ金属原子を示す。)で表されるハロゲン化スルホ
ン酸塩とを反応させて、下記一般式(6)
[Chemical 12] (In the formula, X represents a halogen atom, B represents an alkylene group, and M represents an alkali metal atom.), And the halogenated sulfonate represented by the following formula (6)

【化13】 (式中、A、B、Mは前記と同義。)で表されるスルホ
ン酸塩を得、次いで得られた一般式(6)で表されるス
ルホン酸塩と酸とを反応させることを特徴とする下記一
般式(1)
[Chemical 13] (Wherein A, B, and M have the same meanings as described above), and the obtained sulfonate represented by the general formula (6) is reacted with an acid. The following general formula (1)

【化14】 (式中、A、Bは前記と同義。)で表されるスルホン酸
型液晶材料の製造方法を、第3に、前記一般式(1)で
表されるスルホン酸型液晶材料を含有することを特徴と
するプロトン輸送材料を、第4に前記プロトン輸送材料
をスメクチック相の液晶状態で用いることを特徴とする
液晶状態による分子配列を利用したプロトン輸送方法
を、第5に前記プロトン輸送材料をスメクチック相から
の相転移で生じる固体状態で用いることを特徴とする液
晶状態による分子配列を利用したプロトン輸送方法を提
供する。
[Chemical 14] (In the formula, A and B have the same meanings as described above.) Thirdly, the method for producing a sulfonic acid type liquid crystal material represented by the general formula (1) contains a sulfonic acid type liquid crystal material. Fourthly, a proton transporting method using a molecular arrangement in a liquid crystal state, characterized in that the proton transporting material is used in a liquid crystal state of a smectic phase. Provided is a method for transporting a proton using a molecular arrangement in a liquid crystal state, which is used in a solid state generated by a phase transition from a smectic phase.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 (スルホン酸型液晶材料)本発明の前記一般式(1)で
表されるスルホン酸型液晶材料(以下、化合物(1)と
いう)の式中、Aはアルキレン基、−C64−CH
2−、−CO−O−(CH2)n−又は−CO−で表され
る基で、アルキレン基は直鎖状または分岐状のどちらで
もよい。このアルキレン基としては具体的には炭素数5
〜18のものが好ましく、例えば、ヘキシレン基、オク
タデシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン
基、テトラデシレン基等が挙げられ、この中、炭素数6
〜12のアルキレン基が特に好ましい。また、−CO−
O−(CH2n−のnは1〜18のものが特に好まし
い。本発明の化合物(1)において、Bはアルキレン基
を表し、直鎖状又は分岐状のどちらでもよい。具体的に
は炭素数1〜18のものが好ましく、例えばメチレン
基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、
ペンタメチレン基、エチルエチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ヘキシレン基、オクタデシレン基、ノニレ
ン基、デシレン基、ドデシレン基等が挙げられ、この
中、炭素数3〜10のアルキレン基が特に好ましい。A
及びBは同じアルキレン基であってもよいし、異なるア
ルキレン基であってもよい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below. (Sulfonic acid type liquid crystal material) sulfonic acid-type liquid crystal material represented by the above general formula (1) of the present invention (hereinafter, Compound (1) hereinafter) wherein, A is an alkylene group, -C 6 H 4 -CH
In the group represented by 2-, -CO-O- (CH2) n- or -CO-, the alkylene group may be linear or branched. Specifically, the alkylene group has 5 carbon atoms.
To 18 are preferable, and examples thereof include a hexylene group, an octadecylene group, a nonylene group, a decylene group, a dodecylene group, and a tetradecylene group. Among these, 6 carbon atoms are included.
Particularly preferred are alkylene groups of -12. Also, -CO-
O- (CH 2) n - is of n things 1-18 are particularly preferred. In the compound (1) of the present invention, B represents an alkylene group, which may be linear or branched. Specifically, those having 1 to 18 carbon atoms are preferable, for example, methylene group, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group,
Pentamethylene group, ethylethylene group, propylene group,
Examples thereof include a butylene group, a hexylene group, an octadecylene group, a nonylene group, a decylene group, and a dodecylene group. Among them, an alkylene group having 3 to 10 carbon atoms is particularly preferable. A
And B may be the same alkylene group or different alkylene groups.

【0008】化合物(1)の好ましい化合物としては、
3−[6−(ヘプチルオキシ)ビフェニルオキシ]プロピ
ルスルホン酸、4−[6−(ヘプチルオキシ)ビフェニ
ルオキシ]ブチルスルホン酸、5−[6−(ヘプチルオキ
シ)ビフェニルオキシ]ペンチルスルホン酸、6−[6−
(ヘプチルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘキシルスルホ
ン酸、7−[6−(ヘプチルオキシ)ビフェニルオキシ]
ヘプチルスルホン酸8−[6−(ヘプチルオキシ)ビフ
ェニルオキシ]オクチルスルホン酸9−[6−(ヘプチル
オキシ)ビフェニルオキシ]ノニルスルホン酸、10−
[6−(ヘプチルオキシ)ビフェニルオキシ]デシルスル
ホン酸、3−[6−(オクチルオキシ)ビフェニルオキ
シ]プロピルスルホン酸、4−[6−(オクチルオキシ)
ビフェニルオキシ]ブチルスルホン酸、5−[6−(オク
チルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘプチルスルホン酸、
6−[6−(オクチルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘキシ
ルスルホン酸、7−[6−(オクチルオキシ)ビフェニ
ルオキシ]ヘプチルスルホン酸8−[6−(オクチルオキ
シ)ビフェニルオキシ]オクチルスルホン酸9−[6−
(オクチルオキシ)ビフェニルオキシ]ノニルスルホン
酸、10−[6−(オクチルオキシ)ビフェニルオキシ]
デシルスルホン酸、3−[6−(ノニルオキシ)ビフェ
ニルオキシ]プロピルスルホン酸、4−[6−(ノニルオ
キシ)ビフェニルオキシ]ブチルスルホン酸、5−[6−
(ノニルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘプチルスルホン
酸、6−[6−(ノニルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘキ
シルスルホン酸、7−[6−(ノニルオキシ)ビフェニ
ルオキシ]ヘプチルスルホン酸8−[6−(ノニルオキ
シ)ビフェニルオキシ]オクチルスルホン酸9−[6−
(ノニルオキシ)ビフェニルオキシ]ノニルスルホン
酸、10−[6−(ノニルオキシ)ビフェニルオキシ]デ
シルスルホン酸、3−[6−(デシルオキシ)ビフェニ
ルオキシ]プロピルスルホン酸、4−[6−(デシルオキ
シ)ビフェニルオキシ]ブチルスルホン酸、5−[6−
(デシルオキシ)ビフェニルオキシ]ペンチルスルホン
酸6−[6−(デシルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘキシ
ルスルホン酸、7−[6−(デシルオキシ)ビフェニル
オキシ]ヘプチルスルホン酸8−[6−(デシルオキシ)
ビフェニルオキシ]オクチルスルホン酸、9−[6−(デ
シルオキシ)ビフェニルオキシ]ノニルスルホン酸、1
0−[6−(デシルオキシ)ビフェニルオキシ]デシルス
ルホン酸、3−[6−(ウンデシルオキシ)ビフェニル
オキシ]プロピルスルホン酸、4−[6−(ウンデシルオ
キシ)ビフェニルオキシ]ブチルスルホン酸、5−[6−
(ウンデシルオキシ)ビフェニルオキシ]ヘプチルスル
ホン酸、6−[6−(ウンデシルオキシ)ビフェニルオ
キシ]ヘキシルスルホン酸、7−[6−(ウンデシルオキ
シ)ビフェニルオキシ]ヘプチルスルホン酸8−[6−
(ウンデシルオキシ)ビフェニルオキシ]オクチルスル
ホン酸、9−[6−(ウンデシルオキシ)ビフェニルオ
キシ]ノニルスルホン酸、10−[6−(ウンデシルオキ
シ)ビフェニルオキシ]デシルスルホン酸、等を例示す
ることができる。
Preferred compounds of the compound (1) include
3- [6- (heptyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid, 4- [6- (heptyloxy) biphenyloxy] butylsulfonic acid, 5- [6- (heptyloxy) biphenyloxy] pentylsulfonic acid, 6- [6-
(Heptyloxy) biphenyloxy] hexylsulfonic acid, 7- [6- (heptyloxy) biphenyloxy]
Heptylsulfonic acid 8- [6- (heptyloxy) biphenyloxy] octylsulfonic acid 9- [6- (heptyloxy) biphenyloxy] nonylsulfonic acid, 10-
[6- (heptyloxy) biphenyloxy] decylsulfonic acid, 3- [6- (octyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid, 4- [6- (octyloxy)
Biphenyloxy] butylsulfonic acid, 5- [6- (octyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid,
6- [6- (octyloxy) biphenyloxy] hexylsulfonic acid, 7- [6- (octyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid 8- [6- (octyloxy) biphenyloxy] octylsulfonic acid 9- [6 −
(Octyloxy) biphenyloxy] nonylsulfonic acid, 10- [6- (octyloxy) biphenyloxy]
Decyl sulfonic acid, 3- [6- (nonyloxy) biphenyloxy] propyl sulfonic acid, 4- [6- (nonyloxy) biphenyloxy] butyl sulfonic acid, 5- [6-
(Nonyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid, 6- [6- (nonyloxy) biphenyloxy] hexylsulfonic acid, 7- [6- (nonyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid 8- [6- (nonyloxy) biphenyloxy] Octyl sulfonic acid 9- [6-
(Nonyloxy) biphenyloxy] nonylsulfonic acid, 10- [6- (nonyloxy) biphenyloxy] decylsulfonic acid, 3- [6- (decyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid, 4- [6- (decyloxy) biphenyloxy ] Butylsulfonic acid, 5- [6-
(Decyloxy) biphenyloxy] pentylsulfonic acid 6- [6- (decyloxy) biphenyloxy] hexylsulfonic acid, 7- [6- (decyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid 8- [6- (decyloxy)
Biphenyloxy] octylsulfonic acid, 9- [6- (decyloxy) biphenyloxy] nonylsulfonic acid, 1
0- [6- (decyloxy) biphenyloxy] decylsulfonic acid, 3- [6- (undecyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid, 4- [6- (undecyloxy) biphenyloxy] butylsulfonic acid, 5 -[6-
(Undecyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid, 6- [6- (undecyloxy) biphenyloxy] hexylsulfonic acid, 7- [6- (undecyloxy) biphenyloxy] heptylsulfonic acid 8- [6-
Examples include (undecyloxy) biphenyloxy] octylsulfonic acid, 9- [6- (undecyloxy) biphenyloxy] nonylsulfonic acid, 10- [6- (undecyloxy) biphenyloxy] decylsulfonic acid, and the like. be able to.

【0009】(製造方法)次に、化合物(1)の製造方
法について説明する。本発明の製造方法は、基本的に下
記の三つの反応工程からなるものである。 <第一工程>第一工程は、下記の反応式(A)
(Production Method) Next, a method for producing the compound (1) will be described. The production method of the present invention basically comprises the following three reaction steps. <First Step> The first step is the following reaction formula (A).

【化15】 (式中、A、Xは前記と同義。)で示される反応によ
り、前記一般式(4)で示されるフェノール誘導体を製
造する工程である。
[Chemical 15] (In the formula, A and X have the same meanings as described above.) In the step of producing the phenol derivative represented by the general formula (4).

【0010】第一工程の反応は、前記一般式(2)で表
されるハロゲン化物と前記一般式(3)で表される4,
4’−ビフェノールとを塩基の存在下に反応させる。
The reaction in the first step is performed by reacting the halide represented by the general formula (2) with the halide represented by the general formula (3).
React with 4'-biphenol in the presence of base.

【0011】塩基としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化カルシウム、炭酸
カルシウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等の無
機塩基類、トリメチルアミン、N,N−ジメチルシクロ
ヘキシルアミン、N,N−ジエチルシクロヘキシルアミ
ン、N,N−ジメチルベンジルアミン、N,N’−ジメ
チルピペラジン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−
ジエチルアニリン,N,N,N’,N’−テトラメチル
−1,3−プロパンジアミン、ピリジン、α−ピコリ
ン、β−ピコリン、γ−ピコリン、4−エチルモルホリ
ン、トリエチレンジアミン、1,3−ジアザビシクロ
[5,4,0]ウンデセン、1,8−ジアザビシクロ
[5,4,0]−7−ウンデセン、N−エチルピペリジ
ン、キノリン、イソキノリン、N,N−ジメチルピペラ
ジン、N,N−ジエチルピペラジン、キナルジン、2−
エチルピリジン、4−エチルピリジン、3,5−ルチジ
ン、2,6−ルチジン、4−メチルモルホリン、2,
4,6−コリジン等の有機塩基類、ピリジル基やジメチ
ルアミノベンジル基を有するイオン交換樹脂等の1種又
は2種以上で用いられるが、特にこれらに限定されるも
のではない。これら塩基の添加量は、4,4‘−ビスフ
ェノールに対して通常1〜2倍モル、好ましくは1〜
1.2倍モルである。
Examples of the base include inorganic bases such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium hydrogen carbonate, calcium hydroxide, calcium carbonate, barium hydroxide and calcium hydroxide, trimethylamine. , N, N-dimethylcyclohexylamine, N, N-diethylcyclohexylamine, N, N-dimethylbenzylamine, N, N'-dimethylpiperazine, N, N-dimethylaniline, N, N-
Diethylaniline, N, N, N ', N'-tetramethyl-1,3-propanediamine, pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline, 4-ethylmorpholine, triethylenediamine, 1,3-diazabicyclo [5,4,0] undecene, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, N-ethylpiperidine, quinoline, isoquinoline, N, N-dimethylpiperazine, N, N-diethylpiperazine, quinaldine , 2-
Ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 3,5-lutidine, 2,6-lutidine, 4-methylmorpholine, 2,
The organic bases such as 4,6-collidine and the like, and the ion-exchange resins having a pyridyl group or a dimethylaminobenzyl group may be used alone or in combination of two or more, but are not particularly limited thereto. The addition amount of these bases is usually 1 to 2 times mol, preferably 1 to 4, mol of 4,4′-bisphenol.
It is 1.2 times the molar amount.

【0012】反応溶媒としては、例えば、ジオキサン、
テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル
類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル
類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、アセトン、水等の1種又は2種以上で
用いられる。
As the reaction solvent, for example, dioxane,
One or more of ethers such as tetrahydrofuran and dibutyl ether, nitriles such as acetonitrile and propionitrile, alcohols such as methanol and ethanol, dimethylformamide, acetone, water and the like are used.

【0013】前記一般式(3)で表される4,4‘−ビ
スフェノールの添加量は、前記一般式(2)で表される
ハロゲン化物に対して、1〜1.5倍モル、好ましくは
1〜1.2倍モルである。
The addition amount of 4,4'-bisphenol represented by the general formula (3) is 1 to 1.5 times mol, preferably the molar amount of the halide represented by the general formula (2). It is 1 to 1.2 times the molar amount.

【0014】反応条件としては、反応温度が0〜100
℃、好ましくは20〜50℃であり、反応時間が0.5
〜50時間、好ましくは10〜30時間で反応を行う。
The reaction conditions include a reaction temperature of 0 to 100.
C, preferably 20-50 C, with a reaction time of 0.5
The reaction is carried out for ~ 50 hours, preferably 10-30 hours.

【0015】反応終了後、所望により常法により酸で洗
浄し、抽出、洗浄、脱水、再結晶、カラムクロマトグラ
フィー等の精製の諸操作を経て前記一般式(4)で表さ
れるフェノール誘導体を得る。
After completion of the reaction, if desired, the product is washed with an acid by a conventional method, and subjected to various purification operations such as extraction, washing, dehydration, recrystallization and column chromatography to give the phenol derivative represented by the general formula (4). obtain.

【0016】<第二工程>第二工程は、下記反応式
(B)
<Second Step> The second step is the following reaction formula (B).

【化16】 (式中、A、Bは前記と同義。Xはハロゲン原子、Mは
アルカリ金属原子を示す。)で表される反応により、前
記一般式(6)で表されるスルホン酸塩を製造する工程
である。
[Chemical 16] (In the formula, A and B are as defined above. X is a halogen atom and M is an alkali metal atom.) To produce the sulfonate represented by the general formula (6). Is.

【0017】第二工程で用いる原料の前記一般式(5)
で表されるハロゲン化スルホン酸塩は、公知の方法によ
り製造することができ、その一例を示せば、下記反応式
(C)
The above-mentioned general formula (5) of the raw material used in the second step
The halogenated sulfonate represented by the following formula can be produced by a known method, and if one example thereof is shown, the following reaction formula (C)

【化17】 (式中、B、Mは前記と同義。Xはハロゲン原子を示
す。)で表される反応により、目的とする前記一般式
(5)で表されるハロゲン化スルホン酸塩を容易に製造
することができる(J.Med.Chem.,Vol.
35,224143−4149,1992)。また、例
えば、BrCH2SO3Na、Br(CH23SO3
a、Br(CH24SO3Na等は東京化成工業(株)で
市販されている。
[Chemical 17] (In the formula, B and M have the same meanings as described above, and X represents a halogen atom.) To easily produce the desired halogenated sulfonate represented by the general formula (5). (J. Med. Chem., Vol.
35, 224143-3149, 1992). Further, for example, BrCH 2 SO 3 Na, Br (CH 2 ) 3 SO 3 N
a, Br (CH 2 ) 4 SO 3 Na and the like are commercially available from Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.

【0018】第二工程の反応は、前記一般式(4)で表
されるフェノール誘導体と前記一般式(5)で表される
ハロゲン化スルホン酸塩とを塩基の存在下に反応させ
る。
In the reaction of the second step, the phenol derivative represented by the general formula (4) and the halogenated sulfonate represented by the general formula (5) are reacted in the presence of a base.

【0019】塩基としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化カルシウム、炭酸
カルシウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等の無
機塩基類、トリメチルアミン、N,N−ジメチルシクロ
ヘキシルアミン、N,N−ジエチルシクロヘキシルアミ
ン、N,N−ジメチルベンジルアミン、N,N’−ジメ
チルピペラジン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−
ジエチルアニリン,N,N,N’,N’−テトラメチル
−1,3−プロパンジアミン、ピリジン、α−ピコリ
ン、β−ピコリン、γ−ピコリン、4−エチルモルホリ
ン、トリエチレンジアミン、1,3−ジアザビシクロ
[5,4,0]ウンデセン、1,8−ジアザビシクロ
[5,4,0]−7−ウンデセン、N−エチルピペリジ
ン、キノリン、イソキノリン、N,N−ジメチルピペラ
ジン、N,N−ジエチルピペラジン、キナルジン、2−
エチルピリジン、4−エチルピリジン、3,5−ルチジ
ン、2,6−ルチジン、4−メチルモルホリン、2,
4,6−コリジン等の有機塩基類、ピリジル基やジメチ
ルアミノベンジル基を有するイオン交換樹脂等の1種又
は2種以上で用いられるが、特にこれらに限定されるも
のではない。これら塩基の添加量は、前記一般式(4)
で表されるフェノール誘導体に対して通常2〜8倍モ
ル、好ましくは3〜5倍モルである。
As the base, inorganic bases such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium hydrogen carbonate, calcium hydroxide, calcium carbonate, barium hydroxide, calcium hydroxide, and trimethylamine. , N, N-dimethylcyclohexylamine, N, N-diethylcyclohexylamine, N, N-dimethylbenzylamine, N, N'-dimethylpiperazine, N, N-dimethylaniline, N, N-
Diethylaniline, N, N, N ', N'-tetramethyl-1,3-propanediamine, pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline, 4-ethylmorpholine, triethylenediamine, 1,3-diazabicyclo [5,4,0] undecene, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, N-ethylpiperidine, quinoline, isoquinoline, N, N-dimethylpiperazine, N, N-diethylpiperazine, quinaldine , 2-
Ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 3,5-lutidine, 2,6-lutidine, 4-methylmorpholine, 2,
The organic bases such as 4,6-collidine and the like, and the ion-exchange resins having a pyridyl group or a dimethylaminobenzyl group may be used alone or in combination of two or more, but are not particularly limited thereto. The addition amount of these bases is the same as in the general formula (4).
It is usually 2 to 8 times mol, preferably 3 to 5 times mol, of the phenol derivative represented by.

【0020】反応溶媒としては、例えば、ジオキサン、
テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル
類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル
類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、アセトン、水等の1種又は2種以上で
用いられる。
Examples of the reaction solvent include dioxane,
One or more of ethers such as tetrahydrofuran and dibutyl ether, nitriles such as acetonitrile and propionitrile, alcohols such as methanol and ethanol, dimethylformamide, acetone, water and the like are used.

【0021】前記一般式(5)で表されるハロゲン化ホ
スホン酸塩の添加量は、前記一般式(4)で表されるフ
ェノール誘導体に対して、2〜8倍モル、好ましくは3
〜5倍モルである。
The addition amount of the halogenated phosphonate represented by the general formula (5) is 2 to 8 times, preferably 3 times the molar amount of the phenol derivative represented by the general formula (4).
~ 5 times the molar amount.

【0022】反応条件としては、反応温度が0〜100
℃、好ましくは20〜80℃であり、反応時間が0.5
〜100時間、好ましくは10〜50時間で反応を行
う。
The reaction conditions include a reaction temperature of 0 to 100.
℃, preferably 20-80 ℃, reaction time 0.5
The reaction is carried out for -100 hours, preferably 10-50 hours.

【0023】反応終了後、所望により再結晶、洗浄等の
常法の精製手段により精製後、乾燥して目的とする前記
一般式(6)で表されるスルホン酸塩を得る。
After completion of the reaction, if desired, the product is purified by a conventional purification means such as recrystallization and washing, and then dried to obtain the desired sulfonate represented by the general formula (6).

【0024】<第三工程>第三工程は、下記反応式
(C)
<Third Step> The third step is the following reaction formula (C).

【化18】 (式中、A、B、Mは前記と同義。)で表される反応に
より、前記一般式(1)で表されるスルホン酸型液晶材
料を得る工程である。
[Chemical 18] (In the formula, A, B, and M have the same meanings as described above.) In the process, the sulfonic acid type liquid crystal material represented by the general formula (1) is obtained.

【0025】第三工程の反応は、前記一般式(6)で表
されるスルホン酸塩と酸とを反応させる。
In the reaction of the third step, the sulfonate represented by the general formula (6) is reacted with an acid.

【0026】酸としては、特に制限はなく、例えば、塩
酸、硝酸、燐酸、硫酸等の通常用いられる酸を用いるこ
とができる。酸の添加量は、前記一般式(6)で表され
るスルホン酸塩に対して、1倍モル以上である。
The acid is not particularly limited and, for example, commonly used acids such as hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid and sulfuric acid can be used. The amount of the acid added is 1 time mol or more with respect to the sulfonate represented by the general formula (6).

【0027】反応溶媒としては、水、アセトン、メタノ
ール、エタノール又はこれらの混合溶媒が用いられる。
As the reaction solvent, water, acetone, methanol, ethanol or a mixed solvent thereof is used.

【0028】反応条件としては、反応温度が0〜100
℃、好ましくは20〜50℃であり、反応時間が0.5
〜50時間、好ましくは10〜30時間で反応を行う。
The reaction conditions include a reaction temperature of 0 to 100.
C, preferably 20-50 C, with a reaction time of 0.5
The reaction is carried out for ~ 50 hours, preferably 10-30 hours.

【0029】反応終了後、濾過、洗浄、乾燥して目的と
する前記一般式(1)で表される重合性基を有するスル
ホン酸型液晶材料を得る。
After completion of the reaction, filtration, washing and drying are carried out to obtain the desired sulfonic acid type liquid crystal material having a polymerizable group represented by the general formula (1).

【0030】(プロトン輸送材料)次に、本発明のプロ
トン輸送材料について説明する。本発明にかかるプロト
ン輸送材料は、化合物(1)を含有するものであり、化
合物(1)を単独、それらを2種以上用いた混合物、又
は化合物(1)を含有する組成物として用いることがで
きる。かかる組成物は、化合物(1)を少なくとも30
重量%以上、好ましくは50重量%以上、さらに好まし
くは90重量%以上含有する。かかる組成物中の他の成
分としては、スメクチック相あるいはネマチック相を示
す液晶化合物、アルキルスルホン酸、ナフィオン膜系の
構造を持つ化合物、アルキルカルボン酸、アルキルスル
ホン酸等が挙げられる。組成物は、以下のように調製す
ることができる。即ち、化合物(1)と所望の上記成分
を溶媒に溶解した後、溶媒を加熱、減圧等で除去する
か、化合物(1)と所望の上記成分を混合し、加熱溶融
するか、又はスパッタリング、真空蒸着等を行うことに
より調製することができる。
(Proton Transport Material) Next, the proton transport material of the present invention will be described. The proton transport material according to the present invention contains the compound (1), and may be used as the compound (1) alone, as a mixture of two or more kinds thereof, or as a composition containing the compound (1). it can. Such a composition comprises at least 30 compounds (1).
It is contained in an amount of not less than 50% by weight, preferably not less than 50% by weight, more preferably not less than 90% by weight. Other components in the composition include a liquid crystal compound exhibiting a smectic phase or a nematic phase, an alkylsulfonic acid, a compound having a Nafion film system structure, an alkylcarboxylic acid, an alkylsulfonic acid and the like. The composition can be prepared as follows. That is, after dissolving the compound (1) and the desired above components in a solvent, the solvent is removed by heating, reduced pressure, or the like, or the compound (1) and the desired above components are mixed and melted by heating, or sputtering, It can be prepared by performing vacuum deposition or the like.

【0031】(プロトン輸送方法)次に、本発明のプロ
トン輸送方法について説明する。本発明にかかるプロト
ン輸送方法は、前記化合物(1)を含有するプロトン輸
送材料をスメクチック相の液晶状態で用いる(以下、
「1のプロトン輸送方法」と呼ぶ。)か、またはスメク
チック相からの相転移で生じる固体状態、具体的には、
結晶相、ガラス状態、不定形固体で用いる(以下、「2
プロトン輸送方法」と呼ぶ。)ことで優れたプロトン輸
送能を発現する。
(Proton Transport Method) Next, the proton transport method of the present invention will be described. The proton transport method according to the present invention uses the proton transport material containing the compound (1) in a liquid crystal state in a smectic phase (hereinafter,
This is referred to as "1 proton transport method". ) Or a solid state resulting from a phase transition from a smectic phase, specifically,
Used in crystalline phase, glassy state, amorphous solid (hereinafter referred to as “2
Proton transport method ". ) Thereby exhibiting excellent proton transport ability.

【0032】前記1のプロトン輸送方法は、本発明のプ
ロトン輸送材料を所定の温度でスメクチック相とし、こ
のスメクチック相の液晶状態でプロトン輸送を行うもの
である。この場合、スメクチック相は、A、B、C、
D、E、F、G、Hの何れの相の状態であってもよい。
The above-mentioned proton transport method is one in which the proton transport material of the present invention is brought into a smectic phase at a predetermined temperature, and the proton transport is carried out in the liquid crystal state of this smectic phase. In this case, the smectic phases are A, B, C,
It may be in any of the D, E, F, G, and H phases.

【0033】前記2のプロトン輸送方法は、本発明のプ
ロトン輸送材料を一旦加温してスメクチック相とし、こ
の状態から降温を行うことによりスメクチック相の分子
配向を維持した固体状態でプロトン輸送を行うものであ
る。
In the second proton transport method, the proton transport material of the present invention is once heated to a smectic phase, and the temperature is lowered from this state to carry out proton transport in a solid state in which the molecular orientation of the smectic phase is maintained. It is a thing.

【0034】従来のスルホン酸基を有する化合物のプロ
トン輸送の機構は、図1に示すが如くSO3H基からな
るかなり大きなイオンチャンネル(クラスター径数ナノ
メートル)を形成し、ここに取りこまれた水分子とチャ
ンネル壁面のSO3H基の間のH+ホッピングにより、イ
オン伝導性が得られるものである。これに対して、本発
明のプロトン輸送材料において、上記した液晶相として
スメクチック相を有する化合物を用いた場合には、スメ
クチック相状態において図2に示すが如く層状配列を持
った配向をとり、イオン導電性基となるスルホン酸基の
部分を、液晶状態で密に重ねた状態でプロトン輸送を行
うことから効率的なプロトン輸送を行うことができる。
As shown in FIG. 1, the conventional mechanism of proton transport in a compound having a sulfonic acid group forms a considerably large ion channel (cluster diameter of several nanometers) composed of SO 3 H group, and is incorporated therein. Ion conductivity is obtained by H + hopping between the water molecules and SO 3 H groups on the channel wall surface. On the other hand, in the proton transport material of the present invention, when the compound having a smectic phase as the above-mentioned liquid crystal phase is used, in the smectic phase state, an orientation having a layered arrangement as shown in FIG. Efficient proton transport can be performed because the sulfonic acid group portion serving as a conductive group is closely stacked in a liquid crystal state for proton transport.

【0035】本発明にかかるプロトン輸送材料及びプロ
トン輸送方法は、優れたプロトン輸送能を有するもので
あり、例えば、電池の電解質、表示素子、エレクトロク
ロミック素子、各種センサーの電解質、燃料電池の電解
質膜の原料として好適に用いることができる。
The proton-transporting material and the proton-transporting method according to the present invention have excellent proton-transporting ability. For example, electrolytes for batteries, display elements, electrochromic elements, electrolytes for various sensors, and electrolyte membranes for fuel cells. It can be preferably used as a raw material of.

【0036】[0036]

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1 <第一工程> ・4−デシルオキシフェニルフェノールの合成 水酸化ナトリウム0.02mol(94%;0.85
g)をエタノール50mlに溶解した。この溶液を4,
4’−ビフェノール0.02mol(3.72g)を溶
解させた100mlエタノールに少しずつ加え、エタノ
ールを減圧除去した。残さに150mlのDMFを加
え、加温しながら溶解した(A液)。1−ブロモデカン
0.02molを50mlのDMFに溶解した(B
液)。40℃で攪拌しながら、B液をA液に30分かけ
て滴下し、24時間反応させた。反応終了後、反応液を
冷却し、300ml冷希塩酸(蒸留水270ml+HC
l25ml+氷)中に注ぎ、200mlのジエチルエー
テルで抽出した後、冷蒸留水で洗浄した。エーテル層は
無水硫酸ナトリウムで一晩脱水した。次いで硫酸ナトリ
ウムをろ過して除き、更にエーテルを減圧除去した。残
さにヘキサン200mlを加え、加温しながら30分攪
拌後、ろ過により得られた沈澱物に、更にヘキサン20
0mlを加え、攪拌し、ろ過して沈澱物を得た。これに
ベンゼン150mlを加え加温し、ベンゼン可溶部分を
ベンゼンを用いたカラムクロマトグラフィーで精製して
4−デシルオキシフェニルフェノールを得た。
EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. Example 1 <First step> -Synthesis of 4-decyloxyphenylphenol 0.02 mol (94%; 0.85) of sodium hydroxide
g) was dissolved in 50 ml of ethanol. Add this solution to 4,
To 100 ml ethanol in which 0.02 mol (3.72 g) of 4'-biphenol was dissolved was added little by little, and ethanol was removed under reduced pressure. To the residue was added 150 ml of DMF and dissolved while heating (solution A). 0.02 mol of 1-bromodecane was dissolved in 50 ml of DMF (B
liquid). While stirring at 40 ° C., solution B was added dropwise to solution A over 30 minutes and reacted for 24 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was cooled and 300 ml of cold dilute hydrochloric acid (distilled water 270 ml + HC
125 ml + ice), extracted with 200 ml of diethyl ether, and washed with cold distilled water. The ether layer was dehydrated with anhydrous sodium sulfate overnight. The sodium sulfate was then filtered off and the ether was removed under reduced pressure. 200 ml of hexane was added to the residue, and the mixture was stirred for 30 minutes while heating, and the precipitate obtained by filtration was further mixed with 20 ml of hexane.
0 ml was added, stirred and filtered to obtain a precipitate. To this, 150 ml of benzene was added and heated, and the benzene-soluble portion was purified by column chromatography using benzene to obtain 4-decyloxyphenylphenol.

【0037】<第二工程・第三工程> ・3−[6−(デシルオキシ)ビフェニルオキシ]プロピ
ルスルホン酸の合成 DMF25ml中に1,8−ジアザビシクロ[5,4,
0]−7−ウンデンセン(DBU)0.008mol
(1.22g)と前記で得られた4−デシルオキシフェ
ニルフェノール0.002mol、3−ブロモプロパン
スルホン酸ナトリウム(東京化成工業社製)0.008
mol(1.80g)を溶解させ、窒素雰囲気下、60
℃で48時間攪拌した。反応終了後、溶媒を濃縮しジエ
チルエーテルを加え、濾過することにより沈澱を得た。
次に、沈澱を蒸留水でよく洗浄した。次に、洗浄後の沈
澱を6mol/LのHCl中で24時間攪拌後、反応液
を濾過し、次いで、真空乾燥して3−[6−(デシルオ
キシ)ビフェニルオキシ]プロピルスルホン酸0.18
gを得た。 (同定データ)1 H−NMR(δ,d−DMSO) 0.93(t,3H)、1.2〜1.5(m,14H)、
1.7〜1.8(m,2H)、2.0〜2.1(m,2
H)、2.6〜2.7(m,2H)、4(t,2H)、
4.1(t,2H)、7.0〜7.1(m,4H)、7.
5〜7.6(m,4H)
<Second Step / Third Step> -Synthesis of 3- [6- (decyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid 1,8-diazabicyclo [5,4,4] in 25 ml of DMF.
0] -7-undensen (DBU) 0.008 mol
(1.22 g) and 4-decyloxyphenylphenol obtained above (0.002 mol), sodium 3-bromopropanesulfonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 0.008
Mol (1.80 g) was dissolved, and under a nitrogen atmosphere, 60
Stir at 48 ° C. for 48 hours. After completion of the reaction, the solvent was concentrated, diethyl ether was added, and the precipitate was obtained by filtration.
Next, the precipitate was washed thoroughly with distilled water. Next, the washed precipitate was stirred in 6 mol / L HCl for 24 hours, the reaction solution was filtered, and then vacuum dried to obtain 3- [6- (decyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid 0.18
g was obtained. (Identification data) 1 H-NMR (δ, d-DMSO) 0.93 (t, 3H), 1.2 to 1.5 (m, 14H),
1.7 to 1.8 (m, 2H), 2.0 to 2.1 (m, 2)
H) 2.6-2.7 (m, 2H), 4 (t, 2H),
4.1 (t, 2H), 7.0-7.1 (m, 4H), 7.
5 to 7.6 (m, 4H)

【0038】更に、得られた化合物の相転移温度を測定
し、下記の結果が得られた。
Further, the phase transition temperature of the obtained compound was measured and the following results were obtained.

【数1】 Cyst.;結晶、SmA;スメクチックA相、Is
o.;等方性液体
[Equation 1] Cyst. ; Crystal, SmA; Smectic A phase, Is
o. Isotropic liquids

【0039】<プロトン輸送能の評価>ITO電極を備
えたセル(電極面積:0.16cm2、電極間距離:5
0μm、EHC社製)に実施例1で得られた3−[6−
(デシルオキシ)ビフェニルオキシ]プロピルスルホン
酸20mgを132℃以上の温度でセル中に注入した。
次いで、40℃まで除々に冷却し、セルに微小電流計
(株式会社アドバンテスト社製R8340)にて、0.
5Vの電圧をかけ50℃(固体状態)と115℃(液晶
状態)での単位体積当りの電流値を測定した。その結果
を表1に示した。
<Evaluation of Proton Transportability> A cell equipped with an ITO electrode (electrode area: 0.16 cm 2 , distance between electrodes: 5)
0 [mu] m, manufactured by EHC) and obtained with 3- [6-
20 mg of (decyloxy) biphenyloxy] propylsulfonic acid was injected into the cell at a temperature of 132 ° C. or higher.
Then, the cell was gradually cooled to 40 ° C., and the cell was measured with a micro-ammeter (R8340 manufactured by Advantest Co., Ltd.) to reach 0.
A voltage of 5 V was applied and the current value per unit volume at 50 ° C. (solid state) and 115 ° C. (liquid crystal state) was measured. The results are shown in Table 1.

【表1】 [Table 1]

【0040】また、セル注入後急冷により液晶の分子配
列を破壊した場合の50℃の単位面積当りの電流値は
1.8×10-6μA/cm2であった。
The current value per unit area at 50 ° C. was 1.8 × 10 −6 μA / cm 2 when the molecular alignment of the liquid crystal was destroyed by rapid cooling after the cell injection.

【0041】以上の結果より液晶状態では104〜105
倍のプロトン移動が、また除冷により液晶時の分子配向
を保った固体状態では10倍のプロトン移動が起こった
と考えられる。
From the above results, 10 4 to 10 5 in the liquid crystal state
It is considered that a double proton transfer occurred, and a 10-fold proton transfer occurred in the solid state in which molecular orientation during liquid crystal was maintained by cooling.

【0042】[0042]

【発明の効果】上記したとおり、本発明のスルホン酸型
液晶材料は、優れたプロトン輸送能を有する新規な化合
物であり、この液晶化合物をスメクチック相の液晶状態
又はスメクチック相からの相転移で生じる固体状態で用
いることにより優れたイオン伝導性を示す。従って、本
発明のホスホン酸型液晶材料は、例えば、電池の電解
質、表示素子、エレクトクロミック素子、各種センサー
の電解質、燃料電池の電解質として好適に用いることが
できる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the sulfonic acid type liquid crystal material of the present invention is a novel compound having an excellent proton transporting ability, and this liquid crystal compound is produced by the liquid crystal state of the smectic phase or the phase transition from the smectic phase. It exhibits excellent ionic conductivity when used in the solid state. Therefore, the phosphonic acid type liquid crystal material of the present invention can be suitably used as, for example, an electrolyte of a battery, a display element, an electrochromic element, an electrolyte of various sensors, and an electrolyte of a fuel cell.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 従来のスルホン酸基を有する化合物のプロト
ン輸送の機構を示す概略図。
FIG. 1 is a schematic view showing a mechanism of proton transport of a conventional compound having a sulfonic acid group.

【図2】 本発明のスルホン酸型液晶材料をスメクチッ
ク相の液晶状態で用いた際のプロトン輸送の機構を示す
概略図。
FIG. 2 is a schematic view showing a mechanism of proton transport when the sulfonic acid type liquid crystal material of the present invention is used in a liquid crystal state of a smectic phase.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 (式中、Aは炭素数5〜18のアルキレン基、−C64
−CH2−、−CO−O−(CH2n−又は−CO−、
Bはアルキレン基を示す。)で表されることを特徴とす
るスルホン酸型液晶材料。
1. The following general formula (1): (In the formula, A is an alkylene group having 5 to 18 carbon atoms, -C 6 H 4
-CH 2 -, - CO-O- (CH 2) n - or -CO-,
B represents an alkylene group. ) A sulfonic acid type liquid crystal material characterized by being represented by:
【請求項2】 下記一般式(2) 【化2】 (式中、Aは炭素数5〜18のアルキレン基、−C64
−CH2−、−CO−O−(CH2n−又は−CO−、
Xはハロゲン原子を示す。)で表されるハロゲン化物
と、下記一般式(3) 【化3】 で表される4,4’−ビフェノールとを反応させて、下
記一般式(4) 【化4】 (式中、Aは前記と同義。)で表されるフェノール誘導
体を得た後、次いで、得られた一般式(4)で表される
フェノール誘導体と、下記一般式(5) 【化5】 (式中、Xはハロゲン原子、Bはアルキレン基、Mはア
ルカリ金属原子を示す。)で表されるハロゲン化スルホ
ン酸塩とを反応させて、下記一般式(6) 【化6】 (式中、A、B、Mは前記と同義。)で表されるスルホ
ン酸塩を得、次いで得られた一般式(6)で表されるス
ルホン酸塩と酸とを反応させることを特徴とする下記一
般式(1) 【化7】 (式中、A、Bは前記と同義。)で表されるスルホン酸
型液晶材料の製造方法。
2. The following general formula (2): (In the formula, A is an alkylene group having 5 to 18 carbon atoms, -C 6 H 4
-CH 2 -, - CO-O- (CH 2) n - or -CO-,
X represents a halogen atom. ) And the following general formula (3): By reacting with 4,4'-biphenol represented by the following general formula (4): (In the formula, A has the same meaning as described above.) After obtaining the phenol derivative represented by the following general formula (4), the phenol derivative represented by the following general formula (5) (In the formula, X is a halogen atom, B is an alkylene group, and M is an alkali metal atom.) And is reacted with a halogenated sulfonate to give a compound represented by the following general formula (6): (Wherein A, B, and M have the same meanings as described above), and the obtained sulfonate represented by the general formula (6) is reacted with an acid. The following general formula (1) (In the formula, A and B are as defined above.) A method for producing a sulfonic acid type liquid crystal material.
【請求項3】 前記一般式(1)で表されるスルホン酸
型液晶材料を含有することを特徴とするプロトン輸送材
料。
3. A proton transport material comprising the sulfonic acid type liquid crystal material represented by the general formula (1).
【請求項4】 請求項3記載のプロトン輸送材料をスメ
クチック相の液晶状態で用いることを特徴とする液晶状
態による分子配列を利用したプロトン輸送方法。
4. A proton transport method using molecular alignment in a liquid crystal state, wherein the proton transport material according to claim 3 is used in a liquid crystal state in a smectic phase.
【請求項5】 請求項3記載のプロトン輸送材料をスメ
クチック相からの相転移で生じる固体状態で用いること
を特徴とする液晶状態による分子配列を利用したプロト
ン輸送方法。
5. A proton transport method using molecular alignment in a liquid crystal state, wherein the proton transport material according to claim 3 is used in a solid state generated by a phase transition from a smectic phase.
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