JP2003332055A - Electro-optical device, its manufacturing method, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, its manufacturing method, and electronic apparatus

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JP2003332055A
JP2003332055A JP2002142135A JP2002142135A JP2003332055A JP 2003332055 A JP2003332055 A JP 2003332055A JP 2002142135 A JP2002142135 A JP 2002142135A JP 2002142135 A JP2002142135 A JP 2002142135A JP 2003332055 A JP2003332055 A JP 2003332055A
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Inventor
Masahiro Uchida
昌宏 内田
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device and its manufacturing method having less dispersion of performance among respective colors, and high durability and reliability, and an electronic apparatus having the electro-optical device. <P>SOLUTION: In the electro-optical device 1, organic EL elements of three colors, red, green and blue are formed in one pixel. The organic EL element of at least one color uses at least one layer of low molecular material, and the remaining organic EL elements use at least one layer of polymeric material. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置とその製造方法及び電子機器に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device and its manufacturing method, and electronic equipment. 【0002】 【従来の技術】近年、自発発光型ディスプレイとして、 [0002] Recently, as a spontaneous emission type display,
発光層に有機物を用いた有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子と称する)の開発が進められている。 The organic electroluminescent device using an organic material in the light-emitting layer (hereinafter, referred to as organic EL element) to develop has been promoted. このような有機EL素子の製造において、発光層形成材料などの機能性材料を所望のパターンに形成するパターニング方法は、特に重要な技術のうちの一つである。 In the production of such an organic EL device, the patterning process for forming a functional material such as a light emitting layer formation material in the desired pattern is one of the particularly important technologies. 【0003】有機EL素子における有機物からなる発光層の形成プロセスとしては、Appl. [0003] The process of forming the light-emitting layer made of an organic substance in the organic EL device, Appl. Phys. Phys. Le Le
tt. tt. 51(12)、21 September 198 51 (12), 21 September 198
7の913ページに示されているように低分子材料を蒸着法で成膜する方法と、Appl. A method of forming a film by vapor deposition of low molecular material, as shown in 7 of 913 pages, Appl. Phys. Phys. Let Let
t. t. 71(1)、7 July 1997の34ページから示されているように高分子材料を塗布する方法が主に開発されている。 71 (1), a method of applying the polymeric material as indicated by 34 pages of 7 July 1997 have been mainly developed. 【0004】カラー化の手段としては、低分子材料を用いる場合、所定パターンのマスク越しに異なる発光色の発光材料を所望の画素対応部分に蒸着し形成するマスク蒸着法が行われている。 [0004] As means for colorization, when using a low molecular material, a mask deposition method of forming and depositing a luminescent material different luminescent colors through the mask of a predetermined pattern to a desired pixel corresponding portion is being performed. 一方、高分子材料を用いる場合には、微細かつ容易にパターニングができることから、 On the other hand, in the case of using a polymer material, since it can finely and easily patterned,
インクジェット法と称される液滴吐出法を用いたカラー化が注目されている。 An ink-jet method called droplet discharge method colorization using has attracted attention. すなわち、フルカラーの有機EL That is, the organic EL full-color
素子を形成する場合、その発光層としては、前述したように全ての色の低分子材料を蒸着法で成膜するか、あるいは全ての色の高分子材料を液滴吐出法等によって塗布するのが一般的である。 When forming the element, the As the light-emitting layer, applied by all colors of the low molecular material or formed by vapor deposition, or all of the droplet discharge method the color of polymeric material such as described above There is common. 【0005】 【発明が解決しようとする課題】ところで、前記の低分子材料と高分子材料とにおいては、現在のところ、例えば青色の発光層材料については、寿命の点で低分子材料の方が高分子材料より優れた材料が多く存在する。 [0005] [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, in the above low molecular materials and polymer materials of the currently For example, for blue light-emitting layer material, the better the low-molecular material in terms of life excellent material from a polymer material there are many. 一方、赤色の発光層材料については、色度や寿命の点で高分子材料の方が低分子材料より優れた材料が多く存在する。 On the other hand, the red light-emitting layer material, towards the polymer material in terms of chromaticity and lifetime are present than excellent material many low molecular materials. しかしながら、前述したように従来では、発光層を、全色を低分子材料とし、これらを用いて蒸着法で形成するか、あるいは全色を高低分子材料とし、これらを用いて塗布法で形成するため、得られる発光層は当然全ての色が低分子材料で形成され、あるいは高分子材料で形成されたものとなっている。 However, in the conventional as described above, the light-emitting layer, all colors and low molecular material, or formed by vapor deposition using these, or all colors and high and low molecular material, formed by a coating method using these Therefore, of course all color light emitting layer obtained has become those formed with low-molecular material, or formed of a polymeric material. 【0006】しかし、このような発光層を有して形成された有機EL素子からなる電気光学装置では、例えばその寿命を考えた場合、赤、青、緑のうちの一色が劣化し、必要となる発光度(輝度)が得られなくなってしまった場合に、その他の色に問題がなくてもその装置自体の寿命がなくなったと考えられ、装置自体の耐久性、信頼性が低いものとなってしまう。 However, in the electro-optical device having such a light-emitting layer The organic EL element formed with a, for example, when considering its life, red, blue, and color deterioration of the green, requires If the luminosity (brightness) has become impossible to obtain made, even if there is no problem with the other colors are considered to have lost the life of the device itself, the durability of the apparatus itself, so as unreliable put away. 本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、各色間の性能のバラツキを少なくし、より耐久性、信頼性の高い電気光学装置とその製造方法、及びこの電気光学装置を備えてなる電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, it is an object to reduce the variation in performance between colors, more durable, and a method of manufacturing the same high reliability electro-optical device, and an electro-optical It is to provide an electronic device to be provided with a device. 【0007】 【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため本発明の電気光学装置では、一画素内に赤、緑、青の三色の有機EL素子が形成されてなる電気光学装置において、少なくとも一色の有機EL素子において少なくとも一層の低分子材料が用いられており、残りの有機EL素子においては少なくとも一層の高分子材料が用いられていることを特徴としている。 [0007] [Means for Solving the Problems] To achieve the object in the electro-optical device of the present invention, red in one pixel, green and blue three-color electro-optical device in which an organic EL element is formed of in, and wherein at least have more of a low molecular material is used, the at least one layer of polymeric material in the remaining organic EL elements are used in at least one color of the organic EL element. この電気光学装置によれば、例えば発光層の形成材料が低分子材料と高分子材料とで構成されていれば、各色毎に寿命などの特性上有利な方の材料が用いられることにより、全ての色間において特性上のバラツキが少ないものとなる。 According to the electro-optical device, for example, if the material for forming the light emitting layer if formed of a low molecular weight material and a polymer material, by the use properties advantageous ones material and life for each color, all It becomes the variation in characteristics is small in the colors. したがって、 Therefore,
寿命、すなわち耐久性に優れ、信頼性の高いものとなる。 Life, i.e. durable, and high reliability. 【0008】また、前記電気光学装置においては、少なくとも一色の有機EL素子の有機層は全て低分子材料から形成されており、残りの有機EL素子の有機層は全て高分子材料から形成されているのが好ましい。 Further, in the electro-optical device is formed at least all color organic layer of the organic EL element is formed from a low molecular material, the organic layer is All polymeric material remaining organic EL element preference is. このようにすれば、少なくとも一色の有機EL素子の有機層ではその全ての層を同一の形成法、例えば蒸着法で形成することができ、同様に、残りの有機EL素子の有機層ではその全ての層を同一の形成法、例えば液滴吐出法で形成することができる。 In this way, at least one color of the same formation method that all layers in the organic layer of the organic EL element can be formed, for example, vapor deposition, similarly, all the organic layers of the remaining organic EL element same forming method a layer of, can be formed, for example, a droplet discharge method. 【0009】また、前記電気光学装置においては、三色全ての有機EL素子において正孔注入/輸送機能を有する有機層は全て高分子材料から形成されているのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, an organic layer having hole injection / transport function in all three colors of the organic EL element is that all are formed from a polymeric material preferably. このようにすれば、三色全ての有機EL素子において正孔注入/輸送機能を共通化することができ、また、これを例えば液滴吐出法で形成することができる。 With this, it is possible to share the hole injection / transport function in all three colors of organic EL devices, also it can be formed this example droplet discharge method. 【0010】また、前記電気光学装置においては、青色発光の有機EL素子は低分子材料を用いて形成されており、緑及び赤色発光の有機EL素子は高分子材料を用いて形成されているのが好ましい。 [0010] Also in the electro-optical device, the organic EL element of blue luminescence are formed using a low molecular material, an organic EL device of green and red emission is formed using a polymeric material It is preferred. このようにすれば、青色発光の有機EL素子を形成する材料として、特に寿命の点で高分子材料より優れた低分子材料を用い、緑色発光及び赤色発光の有機EL素子を形成する材料として、 In this way, as a material for forming the organic EL element of blue emission, as a material, especially with low molecular weight material superior to polymeric materials in terms of life, an organic EL device which emits green light and red light emission,
逆に寿命の点で低分子材料より優れた高分子材料を用いているので、全ての色が寿命の点でより良好になり、したがって、寿命、すなわち耐久性に優れ、信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。 Since conversely in terms of service life is used more excellent polymer material low molecular weight material, all colors become better in terms of life, therefore, life, i.e. durable, reliable electro-optical it can be obtained device. 【0011】また、前記電気光学装置においては、低温ポリシリコンTFTによるアクティブ駆動であるのが好ましい。 Further, in the electro-optical device is preferably an active drive by low-temperature polysilicon TFT. このようにすれば、良好な駆動をなすことができる。 In this way, it is possible to form a good drive. 【0012】また、前記電気光学装置においては、一画素内に赤、緑、青の三色の有機EL素子が形成されてなる電気光学装置において、少なくとも一色の有機EL素子において少なくとも一層を、低分子材料を蒸着法にて形成し、残りの有機EL素子においては少なくとも一層を、高分子材料を液滴吐出法にて形成するのが好ましい。 Further, in the electro-optical device, red in one pixel, green, in the electro-optical device three colors of the organic EL element is formed of blue, at least a further at least one color of the organic EL element, low the molecular material is formed by vapor deposition, at least one layer is the in the remaining organic EL element, it is preferable to form the polymer material by a droplet discharge method. このようにすれば、例えば発光層の形成材料を低分子材料と高分子材料とで構成し、各色毎に寿命などの特性上有利な方の材料を用い、かつその材料に対応した形成法を採用することにより、全ての色間において特性上のバラツキを少なくすることができる。 Thus, for example, the material for forming the light-emitting layer composed of a low molecular weight material and a polymer material, using the characteristic advantageous ones material and life for each color, and forming method corresponding to the material by adopting, it is possible to reduce variations in characteristics between all colors. したがって、寿命、すなわち耐久性に優れ、信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain the life, i.e. durable, reliable electro-optical device. 【0013】また、前記電気光学装置においては、低分子型と高分子型の有機EL素子の陰極をマスク蒸着にて異なる材質のものを分割して形成するようにしてもよい。 Further, in the electro-optical device may be formed by dividing the one cathode of the low-molecular type and a polymer type organic EL device of different materials in mask evaporation. このようにすれば、低分子型の有機EL素子の陰極と高分子型の有機EL素子の陰極とを分割して作り分けるので、それぞれに最も適合した材料を用いることにより、それぞれの有機EL素子により良好な素子性能を発揮させることができる。 Thus, since separately formed by dividing the cathode of the cathode and a polymer type organic EL device with low molecular type organic EL element, by using the most suitable materials to each, each of the organic EL device it can exhibit excellent device performance by. 【0014】また、前記電気光学装置においては、第一陰極を分割し第二陰極を共通に形成するようにしてもよい。 Further, in the electro-optical device may be formed on the common second cathode to divide the first cathode. このようにすれば、特に第一陰極を分割するので、 Thus, since in particular dividing the first cathode,
この第一陰極について低分子型の有機EL素子の陰極部分と高分子型の有機EL素子の陰極部分とを作り分けるようにすることにより、それぞれの有機EL素子により良好な素子性能を発揮させることができる。 By so separately form the cathode portion of the cathode portion and the polymer type organic EL element of the organic EL element of the low molecular weight type for the first cathode, thereby exhibiting excellent device performance by each of the organic EL device can. 【0015】また、前記電気光学装置の製造方法においては、まず、低分子用あるいは高分子用のどちらか一方の陰極のみパターニングし、その後他方の陰極を表示部全体に形成するようにしてもよい。 Further, in the method of manufacturing the electro-optical device, first, patterning only one of the cathode for the low molecular or for polymer may then be formed the other cathode on the entire display unit . このようにすれば、 In this way,
低分子用および高分子用の陰極を作り分けることができ、したがってそれぞれの有機EL素子により良好な素子性能を発揮させることができる。 For low molecular and can be separately formed cathode for polymer, thus it is possible to achieve good device performance by the respective organic EL elements. 【0016】本発明の電気光学装置の製造方法では、液滴吐出法による機能性高分子層の形成を先に行い、次いで真空蒸着法による機能性低分子層を形成し、続いて真空一貫にて陰極を形成することを特徴としている。 [0016] In the method of manufacturing the electro-optical device of the present invention is carried out ahead of the formation of a functional polymer layer by a droplet discharge method, then to form a functional low molecular layer by vacuum deposition, followed by vacuum consistently It is characterized by forming the cathode Te. この電気光学装置の製造方法によれば、機能性低分子層の形成と陰極の形成とを真空一貫して行うことにより、製造の効率化を図ることができる。 According to the method of manufacturing the electrooptical apparatus, by performing the formation of the formation and the cathode functional low molecular layer vacuum consistently, it is possible to improve the efficiency of production. 【0017】本発明の電子機器では、前記の電気光学装置、あるいは前記の製造方法によって得られた電気光学装置を備えてなることを特徴としている。 [0017] In the electronic device of the present invention is characterized by comprising an electro-optical device obtained by the method of the electro-optical device, or the manufacturing. この電子機器によれば、前述したように耐久性に優れ、信頼性の高い電気光学装置を備えているので、より良好な性能を有するものとなる。 According to the electronic apparatus, durable as described above, is provided with the high reliability electro-optical device, it comes to have a better performance. 【0018】 【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the present invention is described in detail.
まず、本発明の電気光学装置について、その概略構成を説明する。 First, an electro-optical device of the present invention, illustrating a schematic configuration thereof. 図1、図2は本発明の電気光学装置を、アクティブマトリクス型のディスプレイに適用した場合の一例を示すもので、これらの図において符号1はディスプレイである。 1 and 2 an electro-optical device of the present invention, shows an example of the application of the active matrix display, reference numeral 1 in these figures is a display. 【0019】図1に本例のディスプレイ1の配線構造の平面模式図を示し、図2には本例のディスプレイ1の平面模式図及び断面模式図を示す。 [0019] Figure 1 shows a schematic plan view of a wiring structure of the display 1 of this embodiment, is a plan schematic view and a schematic sectional view of the display 1 of this embodiment in FIG. 図1に示すように、本例のディスプレイ1は、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線10 As shown in FIG. 1, the display 1 of this embodiment, a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines extending in a direction intersecting the scanning lines 101 10
2と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103 2, a plurality of power lines extending in parallel to the signal lines 102 103
とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101及び信号線102の各交点付近に、画素領域Aが設けられている。 Doo is and has a structure that is wired respectively, in the vicinity of each intersection of the scanning lines 101 and signal lines 102, pixel regions A are provided. 【0020】信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続されている。 [0020] the signal line 102, a shift register, a level shifter, a data-side driving circuit 104 comprises a video line and an analog switch is connected. また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。 The scanning lines 101, a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected. 更に、画素領域Aの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタ122 Further, the first thin film transistor 122 in each pixel region A, a scanning signal through the scanning line 101 is supplied to the gate electrode
と、この第1の薄膜トランジスタ122を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量ca When a storage capacitor ca for holding a pixel signal supplied from the signal line 102 through the first thin film transistor 122
pと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタ123 Second thin film transistor and p, the pixel signal held by the storage capacitor cap is supplied to the gate electrode 123
と、この第2の薄膜トランジスタ123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(電極)111と、この画素電極111と陰極(対向電極)12との間に挟み込まれた発光部110とが設けられている。 When a pixel electrode (electrode) 111 into which a driving current flows from the power line 103 when electrically connected to the power line 103 via the second thin film transistor 123, and the pixel electrode 111 a cathode (counter electrode) 12 a light emitting unit 110 is provided sandwiched between. これら画素電極1 These pixel electrodes 1
11と対向電極12、および発光部110により、本発明における発光素子が構成されている。 The 11 and the counter electrode 12 and the light emitting portion 110, the light emitting element is formed in the present invention. 【0021】係る構成によれば、走査線101が駆動されて第1の薄膜トランジスタ122がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capに状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ123のオン・オフ状態が決まる。 [0021] According to such a configuration, when the scanning line 101 is a first thin film transistor 122 is turned on is driven, the potential of the signal line 102 of the time is stored in the storage capacitor cap, according to the state by the holding capacitor cap Te, it determines on-off state of the second thin film transistor 123. そして、第2の薄膜トランジスタ123のチャネルを介して、電源線103から画素電極111に電流が流れ、更に発光部110を介して陰極12に電流が流れる。 Then, through the channel of the second thin film transistor 123, a current flows into the pixel electrode 111 from the power supply line 103, further current flows to the cathode 12 via the light emitting portion 110. 発光部110 Emitting portion 110
は、これを流れる電流量に応じて発光する。 Emits light in accordance with the amount of current flowing therethrough. 【0022】次に、図2(a)及び図2(b)に示すように、本例のディスプレイ1は、ガラス等からなる透明な基体2と、マトリックス状に配置された発光素子と、 Next, as shown in FIG. 2 (a) and 2 (b), the display 1 of this embodiment includes a transparent substrate 2 made of glass or the like, and light-emitting elements arranged in a matrix,
封止基板を具備している。 It is provided with a sealing substrate. 基体2上に形成された発光素子は、前述したように画素電極111と、発光部110 Emitting element formed on the substrate 2 includes a pixel electrode 111 as described above, the light emitting unit 110
と、陰極12とによって構成されている。 When, is constituted by the cathode 12. 基体2は、例えばガラス等の透明基板であり、基体2の中央に位置する表示領域2aと、基体2の周縁に位置して表示領域2 Substrate 2 is, for example, a transparent substrate such as glass, and a display region 2a located at the center of the base 2, the display located on the periphery of the base body 2 region 2
aの外側に配置された非表示領域2bとに区画されている。 It is partitioned into a non-display region 2b disposed on the outside of a. 表示領域2aは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。 Display region 2a is a region which is formed by light emitting elements arranged in a matrix, also referred to as an effective display area. また、表示領域の外側に非表示領域2bが形成されている。 The non-display area 2b on the outside of the display area is formed. そして、非表示領域2bには、表示領域2a Then, in the non-display area 2b, the display area 2a
に隣接するダミー表示領域2dが形成されている。 Dummy display region 2d adjacent is formed. 【0023】また、図2(b)に示すように、発光素子及びバンク部からなる発光素子部11と基体2との間には回路素子部14が備えられ、この回路素子部14に前述の走査線、信号線、保持容量、第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ123等が備えられている。 Further, as shown in FIG. 2 (b), between the light-emitting device 11 and the base 2 made of a light-emitting element and the bank portion provided with a circuit element portion 14, described above in this circuit element portion 14 scanning lines, signal lines, storage capacitor, a first thin film transistor, such as the second thin film transistor 123 is provided. また、陰極12は、その端部が基体2上に形成された陰極用配線12aに接続しており、この配線の端部がフレキシブル基板5上の配線5aに接続されている。 The cathode 12 has its end portion is connected to a wiring 12a for cathode formed on the substrate 2, the ends of the wires are connected to a wiring 5a on a flexible substrate 5. また、配線5aは、フレキシブル基板5上に備えられた駆動IC6(駆動回路)に接続されている。 The wiring 5a is connected to a drive IC6 provided on the flexible substrate 5 (drive circuit). 【0024】また、図2(a)及び図2(b)に示すように、回路素子部14の非表示領域2bには、前述の電源線103(103R、103G、103B)が配設されている。 Further, as shown in FIG. 2 (a) and 2 (b), in the non-display region 2b of the circuit element portion 14, the aforementioned power lines 103 (103R, 103G, 103B) and is disposed there. また、表示領域2aの図2(a)中両側には、前述の走査側駆動回路105、105が配置されている。 On both sides medium Figure 2 (a) display area 2a, are arranged above the scanning side driving circuit 105, 105. この走査側駆動回路105、105はダミー領域2dの下側の回路素子部14内に設けられている。 The scanning-side driving circuits 105 are provided on the lower side of the circuit element portion 14 of the dummy region 2d. 更に回路素子部14内には、走査側駆動回路105、105 More circuit element portion 14, the scanning-side driving circuits 105
に接続される駆動回路用制御信号配線105aと駆動回路用電源配線105bとが設けられている。 And connected thereto a driving circuit control signal wiring 105a and the power supply line 105b for driving circuits is provided. 更に表示領域2aの図2(a)中上側には検査回路106が配置されている。 Furthermore the upper side middle Figure 2 (a) display region 2a are arranged inspection circuit 106. この検査回路106により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。 The test circuit 106 can perform quality during manufacture and shipment of the display device, the inspection of defects. 【0025】また図2(b)に示すように、発光素子部11上には封止部3が備えられている。 [0025] As shown in FIG. 2 (b), the sealing portion 3 is provided with a on the light-emitting element unit 11. この封止部3 The sealing portion 3
は、基体2に塗布された封止樹脂603と、封止基板6 Includes a sealing resin 603 applied to the substrate 2, a sealing substrate 6
04とから構成されている。 And a 04 Metropolitan. 封止樹脂603は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特にエポキシ樹脂が好適とされる。 The sealing resin 603 is made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin or the like, and particularly an epoxy resin is to be preferred. この封止樹脂603は、基体2の周囲に環状に塗布されており、例えばマイクロディスペンサ等により塗布されたものである。 The sealing resin 603 is applied annularly around the periphery of the substrates 2, and coated by, for example, a micro dispenser. この封止樹脂60 The sealing resin 60
3は、基体2と封止基板604を接合するもので、基体2と封止基板604との間から封止基板604内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極12または発光素子部11内に形成された発光層(図示せず)の酸化を防止する。 3, the substrate 2 and the intended bonding the sealing substrate 604, to prevent penetration of water or oxygen into the interior sealing substrate 604 between the substrate 2 and the sealing substrate 604, a cathode 12 or the light emitting device 11 the oxidation of the light-emitting layer formed within (not shown) to prevent. 封止基板604は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂603を介して基体2に接合されており、 Sealing substrate 604 is made of glass or metal, it is bonded to the substrate 2 through the sealing resin 603,
その内側には表示素子10を収納する凹部604aが設けられている。 A recess 604a for accommodating the display device 10 is provided on its inner side. また、凹部604aには水、酸素等を吸収するゲッター剤605が貼り付けられており、缶封止基板604の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。 Further, the recess 604a of water, oxygen, etc. getter 605 are affixed to absorb, so that it absorbed water or oxygen penetrates into the inside of the can sealing substrate 604. なお、このゲッター剤605は省略しても良い。 It should be noted that this getter agent 605 may be omitted. 【0026】次に、図3に、ディスプレイ1における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。 Next, FIG. 3 shows an enlarged view of the sectional structure of the display region in the display 1. この図3には3 In this Figure 3 3
つの画素領域Aを示している。 One of the shows the pixel regions A. ディスプレイ1は、基体2上に、TFTなどの回路等が形成された回路素子部1 Display 1 on the substrate 2, the circuit element portion 1 circuit and the like are formed, such as TFT
4と、発光部110が形成された発光素子部11とが順次積層されて構成されている。 4, a light emitting element portion 11 where the light emitting portion 110 is formed is formed are sequentially laminated. このディスプレイ1においては、発光部110から基体2側に発した光が、回路素子部14及び基体2を透過して基体2の下側(観測者側)に出射されるとともに、発光部110から基体2の反対側に発した光が陰極12により反射されて、回路素子部14及び基体2を透過して基体2の下側(観測者側)に出射されるようになっている。 In this display 1, light emitted to the substrate 2 side from the light emitting portion 110, while being emitted to the lower side of the substrate 2 passes through the circuit element portion 14 and the base body 2 (observer side), the light emitting unit 110 the light emitted to the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12, and is emitted to the lower side of the substrate 2 passes through the circuit element portion 14 and the base body 2 (observer side). なお、陰極12として透明な材料を用いることにより、この陰極12側から光を出射させることも可能である。 Incidentally, by using a transparent material as the cathode 12, it is possible to emit light from the cathode 12 side. 【0027】回路素子部14には、基体2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜1 [0027] The circuit element portion 14, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 2, an island-shaped semiconductor film 1 made of polycrystalline silicon on the base protective film 2c
41が形成されている。 41 is formed. なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度P Incidentally, the semiconductor film 141, a source region 141a and drain region 141b are high-concentration P
イオン打ち込みにより形成されている。 It is formed by ion implantation. なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。 Incidentally, the portion P is not introduced is a channel region 141c. 更に回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、T Further to the circuit element portion 14, the base protective film 2c and the semiconductor film 141 transparent gate insulating film 142 covering the is formed on the gate insulating film 142 is Al, Mo, Ta, T
i、W等からなるゲート電極143(走査線101)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜1 i, the gate electrode 143 made of W or the like (scanning line 101) is formed, the first interlayer insulating film 144a and the second interlayer insulating film over the gate electrode 143 and the gate insulating film 142 is transparent 1
44bとが形成されている。 44b and are formed. ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。 The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. 【0028】また、第1、第2層間絶縁膜144a、1 Further, the first and second interlayer insulating films 144a, 1
44bを貫通して、半導体膜141のソース・ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145、146が形成されている。 44b through the source-drain region 141a of the semiconductor film 141, contact holes 145 and 146 which are connected to 141b are formed. そして、第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの画素電極1 Then, on the second interlayer insulating film 144b, the transparent pixel electrode 111 made of ITO or the like is formed by patterning into a predetermined shape, one contact hole 145 is the pixel electrode 1
11に接続されている。 It is connected to the 11. また、もう一方のコンタクトホール146が電源線103に接続されている。 Also connected the other contact hole 146 to the power supply line 103. このようにして、回路素子部14には、各画素電極111に接続された第2の薄膜トランジスタ123が形成されている。 In this manner, the circuit element portion 14, the second thin film transistor 123 connected to each pixel electrode 111 is formed. なお、回路素子部14には、前述した保持容量ca Incidentally, the circuit element portion 14, the holding capacitor ca described above
p及び第1の薄膜トランジスタ122も形成されているが、図3ではこれらの図示を省略している。 p and the first thin film transistor 122 is also formed but are not shown in these FIG. 3. 【0029】発光素子部11は、複数の画素電極111 The light emitting element 11, a plurality of pixel electrodes 111
…上の各々に積層された発光部110と、各画素電極1 And ... light emitting portion 110 laminated on each of the above, each pixel electrode 1
11及び発光部110の間に備えられて各発光部110 11 and provided between the light emitting portion 110 the light emitting units 110
を区画するバンク部112と、発光部110上に形成された陰極12とを主体として構成されている。 A bank section 112 for partitioning, as a major component, and a cathode 12 formed on the light emitting portion 110. ここで、 here,
画素電極111は、例えばITOにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されたものである。 Pixel electrode 111 is made of, for example, is formed by ITO, and is formed by patterning in a generally rectangular plan view. この画素電極111の厚さは、50〜200n The thickness of the pixel electrode 111 is, 50 to 200
mの範囲が好ましく、特に150nm程度がよい。 It is preferably in the range of m, and particularly preferably about 150 nm. この各画素電極111…の間にバンク部112が設けられている。 Bank portions 112 are provided in the respective pixel electrodes 111 ... between. 【0030】バンク部112は、基体2側に位置する無機物バンク層112a(第1バンク層)と、基体2から離れて位置する有機物バンク層112b(第2バンク層)とが積層されて構成されたものである。 The bank portion 112 has an inorganic bank layer 112a located on the base 2 side (first bank layer), the organic bank layer 112b (second bank layer) which is positioned away from the substrate 2 and is made by laminating those were. 無機物バンク層、有機物バンク層(112a、112b)は、画素電極111の周縁部上に乗上げるように形成されている。 Inorganic bank layer, the organic bank layer (112a, 112b) is formed so as to ride up on the periphery of the pixel electrode 111. 平面的には、画素電極111の周囲と無機物バンク層112aとが平面的に重なるように配置された構造となっている。 In plan view, the periphery and the inorganic bank layer 112a of the pixel electrode 111 is in the arrangement structure so as to overlap in plan view. また、有機物バンク層112bも同様であり、画素電極111の一部と平面的に重なるように配置されている。 Also, the organic bank layer 112b is also similar, are arranged so as to overlap a part in plan view of the pixel electrode 111. また、無機物バンク層112aは、有機物バンク層112bよりも画素電極111の中央側に更に形成されている。 Also, the inorganic bank layer 112a is further formed on the center side of the pixel electrode 111 than the organic bank layer 112b. このようにして、無機物バンク層11 In this way, the inorganic bank layer 11
2aの各第1積層部112eが画素電極111の内側に形成されることにより、画素電極111の形成位置に対応する下部開口部112cが形成されている。 By the first lamination portion 112e of 2a is formed inside the pixel electrodes 111, lower openings 112c corresponding to formation positions of the pixel electrodes 111 are formed. 【0031】また、有機物バンク層112bには、上部開口部112dが形成されている。 Further, the organic bank layer 112b, the upper opening 112d is formed. この上部開口部11 The upper opening 11
2dは、画素電極111の形成位置及び下部開口部11 2d, the formation position of the pixel electrode 111 and the lower opening 11
2cに対応するように設けられている。 It is provided so as to correspond to 2c. 上部開口部11 The upper opening 11
2dは、図3に示すように、下部開口部112cより広く、画素電極111より狭く形成されている。 2d, as shown in FIG. 3, larger than the lower opening 112c, is formed narrower than the pixel electrode 111. また、上部開口部112dの上部の位置と、画素電極111の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。 In some cases, the upper position of the upper opening 112d, and the end portion of the pixel electrode 111 is formed to be substantially the same position. この場合は、図3に示すように、有機物バンク層1 In this case, as shown in FIG. 3, the organic bank layer 1
12bの上部開口部112dの断面が傾斜する形状となる。 12b cross section of the upper opening 112d is shaped to slope of. そしてバンク部112には、下部開口部112c及び上部開口部112dが連通することにより、無機物バンク層112a及び有機物バンク層112bを貫通する開口部112gが形成されている。 And the bank section 112 by the lower opening 112c and the upper opening 112d are communicated, the opening 112g is formed to penetrate the inorganic bank layer 112a and organic bank layer 112b. 【0032】また、無機物バンク層112aは、例えば、SiO 2 、TiO 2等の無機材料からなることが好ましい。 Further, the inorganic bank layer 112a is, for example, preferably made of an inorganic material of SiO 2, TiO 2 or the like. この無機物バンク層112aの膜厚は、50〜 The thickness of the inorganic bank layer 112a is, 50
200nmの範囲とするのが好ましく、特に150nm It is preferably in the range of 200 nm, in particular 150nm
とするのが望ましい。 To that it is desirable. 膜厚が50nm未満では、無機物バンク層112aが後述する正孔注入層より薄くなり、 Thickness is less than 50 nm, becomes thinner than the hole injection layer inorganic bank layer 112a will be described later,
正孔注入層の平坦性を確保できなくなるおそれがあるからである。 This is because there may not be secured flatness of the hole injection layer. また、膜厚が200nmを越えると、下部開口部112cによる段差が大きくなり、正孔注入層上に積層する後述の発光層の平坦性が確保できなくなるおそれがあるからである。 Further, if the film thickness exceeds 200 nm, the step is increased by the lower opening 112c, because the flatness of the light-emitting layer described later to be laminated on the hole injection layer is liable to not be secured. 【0033】有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。 The organic bank layer 112b is acrylic resin, heat resistance such as polyimide resin is formed from a solvent resistant material. この有機物バンク層112bの厚さは、0.1〜3.5μmの範囲が好ましく、特に2μm The thickness of the organic bank layer 112b is in the range of 0.1~3.5μm are preferred, especially 2μm
程度がよい。 Degree is good. 厚さが0.1μm未満では、後述する正孔注入層及び発光層の合計厚より有機物バンク層112b The thickness is less than 0.1 [mu] m, which will be described later hole injection layer and the total organic bank layer 112b than the thickness of the light-emitting layer
が薄くなり、発光層が上部開口部112dから溢れるおそれがあるからである。 It becomes thin, since the light emitting layer is likely to overflow from the upper opening 112d. また、厚さが3.5μmを越えると、上部開口部112dによる段差が大きくなり、有機物バンク層112b上に形成する陰極12のステップガバレッジが確保できなくおそれがあるからである。 If the thickness exceeds 3.5 [mu] m, step increases by the upper opening 112d, the step coverage of the cathode 12 formed on the organic bank layer 112b is because there is a possibility can not be secured. また、有機物バンク層112bの厚さを2μm以上にすれば、第2の薄膜トランジスタ123との絶縁を高めることができる点でより好ましい。 Further, when the thickness of the organic bank layer 112b above 2 [mu] m, more preferred in that it is possible to enhance the insulation between the second thin film transistor 123. 【0034】また、バンク部112には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とが形成されている。 Further, the bank section 112, a region showing a lyophilic, a region having a lyophobic property are formed. 親液性を示す領域は、無機物バンク層112aの第1積層部1 Region showing a lyophilic property, the first laminated portion of the inorganic bank layer 112a 1
12e及び画素電極111の電極面111aであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。 An electrode surface 111a of 12e and the pixel electrode 111, these regions are surface treated to lyophilic by plasma treatment using oxygen as a process gas. また、撥液性を示す領域は、上部開口部112dの壁面及び有機物バンク層112の上面112fであり、これらの領域は、4フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理(撥液性に処理)されている。 Further, regions having a lyophobic property, a wall and a top 112f of the organic bank layer 112 of the upper opening 112d, these regions, tetrafluoromethane, and the process gas tetrafluoromethane or carbon tetrafluoride surface by plasma treatment using is fluorination treatment (treatment liquid repellency). なお、有機物バンク層は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成してもよい。 Incidentally, the organic bank layer may be formed of a material containing a fluoropolymer. 【0035】発光部110は、本例においては赤の画素Rと緑の画素Gとが、画素電極111上に積層された正孔注入層と、この正孔注入層上に形成された発光層とから構成されたものとなっている。 The light emitting unit 110, in this example the pixel R and the green pixel G of the red, a hole injection layer laminated on the pixel electrode 111, the hole injection layer light emitting layer formed on It has become a thing, which is composed of a. また、青の画素Bは、 In addition, the pixel B of the blue,
画素電極111上に積層された正孔注入層と、正孔注入層上に形成された正孔輸送層と、正孔輸送層上に形成された発光層と、発光層上に形成された電子輸送層とから構成されたものとなっている。 A hole injection layer laminated on the pixel electrode 111, a hole transport layer formed on the hole injection layer, a light emitting layer formed on the hole transport layer was formed on the light emitting layer electron It has become that is composed of a transport layer. すなわち、本例においては、特に赤の画素R及び緑の画素Gにおける発光層が後述するように高分子材料によって形成されており、青の画素Bにおける発光層が低分子材料によって形成されている。 That is, in this embodiment, in particular is formed by a polymeric material as the light emitting layer will be described later in a pixel R and the green pixel G of the red light-emitting layer in the pixel B of the blue is formed by low-molecular material . なお、画素Rや緑の画素Gにおいても、発光層に隣接して電子注入輸送層などを形成しても良い。 Also in the pixel R and the green pixel G, it may form an electron injection-transport layer adjacent to the light emitting layer. 正孔注入層や正孔輸送層は、正孔を発光層に注入する機能を有し、また正孔をその内部において輸送する機能を有する。 A hole injection layer or the hole transport layer has a function of injecting holes into the light emitting layer, and has a function of transporting holes in its interior. このような正孔注入層や正孔輸送層を画素電極11 The hole injection layer and a hole transport layer pixel electrode 11
1と発光層との間に設けることにより、発光層の発光効率、寿命等の素子特性を向上させることができる。 By providing between the 1 and the light-emitting layer, the luminous efficiency of the light-emitting layer, thereby improving the device characteristics of the life or the like. また、発光層では、正孔注入層や正孔輸送層から注入された正孔と、陰極12から注入される電子とが再結合し、 Further, the light-emitting layer, holes injected from the hole injection layer and hole transport layer are recombined and the electrons injected from the cathode 12,
発光がなされるようになっている。 So that the light is emitted. 【0036】発光層は、正孔注入層や正孔輸送層上に形成されたものである。 The light-emitting layer, and is formed on the hole injection layer or the hole transport layer. このような発光層は、前述したように赤色(R)に発光する赤色発光層、緑色(G)に発光する緑色発光層、及び青色(B)に発光する青色発光層の3種類からなっており、各色の発光層がストライプ配置されたものとなっている。 Such light-emitting layer, red emitting layer emitting red (R), as described above, the green light emitting layer that emits green light (G), and consists of three kinds of blue light emitting layer that emits blue light (B) cage, and become a light-emitting layer for each color is arranged in stripes. ここで、画素電極111 Here, the pixel electrode 111
の電極面111a及び無機物バンク層の第1積層部11 The first laminate section 11 of the electrode surface 111a and the inorganic bank layer
2eが親液性を有しているので、発光部110が画素電極111及び無機物バンク層112aに均一に密着し、 Since 2e has a lyophilic property, the light emitting unit 110 are uniformly close contact with the pixel electrode 111 and the inorganic bank layer 112a,
無機物バンク112a上で発光部110が極端に薄くならず、したがって画素電極111と陰極12との短絡が防止されている。 Emitting portion 110 on the inorganic bank 112a is not excessively thin and thus a short circuit between the pixel electrode 111 and the cathode 12 is prevented. また、有機物バンク層112bの上面112f及び上部開口部112d壁面が撥液性を有しているので、発光部110と有機物バンク層112bとの密着性が低くなり、発光部110が開口部112gから溢れて形成されることが防止されている。 Further, since the upper surface 112f and the upper opening 112d wall of the organic bank layer 112b has the liquid repellency, adhesion to the light-emitting portion 110 and the organic bank layer 112b becomes low, the light emitting portion 110 from the opening 112g It is prevented from being formed overflowing. 【0037】陰極12は、本例においては発光素子部1 The cathode 12, in this embodiment the light emitting element 1
1の全面に形成されており、画素電極111と対になって発光部110に電流を流す役割を果たす。 Is formed on one entire surface serves to flow a current to the light emitting portion 110 paired with the pixel electrode 111. この陰極1 The cathode 1
2は、本例では後述するようにLiF/Al(LiFとAlとの積層膜)やMgAg、あるいはにLiF/Ca 2, or MgAg (laminated film of LiF and Al) in the present example LiF / Al as described below or LiF / Ca,
/Al(LiFとCaとAlとの積層膜)によって形成されている。 / Is formed by Al (laminated film of LiF, Ca and Al). なお、このような陰極12上にSiO、S Incidentally, SiO on such a cathode 12, S
iO 2 、SiN等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。 iO 2, may be provided a protective layer for preventing oxidation of SiN or the like. そして、このように形成した発光素子上に封止基板604が配置され、さらに図2(b)に示したように封止基板604が封止樹脂603によって接着されたことにより、ディスプレイ1が構成されている。 And thus it is disposed sealing substrate 604 on the light emitting device formed by further sealing substrate 604 as shown in FIG. 2 (b) are bonded by the sealing resin 603, the display 1 is configured It is. 【0038】次に、このようなディスプレイ1の製造方法を基に、本発明の電気光学装置(ディスプレイ1)の製造方法を説明する。 Next, based on a method of manufacturing such a display 1, a method for manufacturing an electro-optical device of the present invention (display 1). 本例のディスプレイ1の製造方法では、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ処理工程(親液化工程及び撥液化工程を含む)、(3)発光部形成工程、(4)陰極(対向電極)形成工程、及び(5)封止工程を備えて構成されている。 In the manufacturing method of the display 1 of this embodiment, (1) bank section forming process, (including the lyophilic step and the liquid repellency step) (2) plasma treatment step, (3) light-emitting portion forming step, (4) a cathode (opposing electrode) forming step, and (5) it is configured to include a sealing process. なお、製造方法はこれに限られるものではなく、必要に応じてその他の工程が追加され、あるいは一部の工程が除かれることもあるのはもちろんである。 The production method is not limited thereto, is added other steps if necessary, or even located in a part of the process is removed as a matter of course. 【0039】(1)バンク部形成工程バンク部形成工程は、基体2の所定の位置にバンク部1 [0039] (1) bank section forming step the bank portion formation process, the bank portion 1 in a predetermined position of the base 2
12を形成する工程である。 A step of forming a 12. バンク部112は、第1のバンク層として無機物バンク層112aが形成され、第2のバンク層として有機物バンク層112bが形成された構造である。 Bank 112, the inorganic bank layer 112a is formed as a first bank layer is organic bank layer 112b is formed structure as a second bank layer. このようなバンク部112を形成するには、まず、図4に示すように、基体上の所定の位置に無機物バンク層112aを形成する。 Such forming the bank 112, first, as shown in FIG. 4, to form the inorganic bank layer 112a in a predetermined position on the substrate. 無機物バンク層11 Inorganic bank layer 11
2aが形成される位置は、第2層間絶縁膜144b上及び電極(ここでは画素電極111)上である。 Position 2a is formed, a second interlayer insulating film 144b and on the electrodes (here pixel electrode 111) is on. なお、第2層間絶縁膜144bは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部14上に形成されている。 Note that the second interlayer insulating film 144b is a thin film transistor, the scanning line, signal line, etc. are formed on the circuit element portion 14 arranged. 無機物バンク層112aは、例えば、SiO 2 、T Inorganic bank layer 112a is, for example, SiO 2, T
iO 2等の無機物膜を材料として用いることができる。 inorganic films iO 2 or the like can be used as a material.
これらの材料は、例えばCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。 These materials, for example, a CVD method, a coating method, a sputtering method is formed by vapor deposition or the like. この無機物バンク層112aの膜厚としては、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nmとするのが好ましい。 The thickness of the inorganic bank layer 112a, preferably in the range of 50 to 200 nm, preferably in particular to the 150 nm. 【0040】無機物バンク層112は、層間絶縁層11 The inorganic bank layer 112, an interlayer insulating layer 11
4及び画素電極111の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層11 4 and an inorganic film is formed on the entire surface of the pixel electrode 111, by then patterning the inorganic film by a photolithography method or the like, the inorganic bank layer 11 having an opening
2を形成する。 To form a 2. 開口部は、画素電極111の電極面11 Opening, the electrode surface 11 of the pixel electrode 111
1aの形成位置に対応するもので、図4に示すように下部開口部112cとして設けられる。 Corresponds to 1a forming position of, is provided as the lower opening 112c, as shown in FIG. このとき、無機物バンク層112aは画素電極111の周縁部(一部)と重なるように形成される。 In this case, the inorganic bank layer 112a is formed so as to overlap the peripheral portion of the pixel electrode 111 (part). 図4に示すように、画素電極111の一部と無機物バンク層112aとが重なるように無機物バンク層112aを形成することにより、発光層110の発光領域を制御することができる。 As shown in FIG. 4, by forming the inorganic bank layer 112a so that is a part and the inorganic bank layer 112a of the pixel electrode 111, it is possible to control the light emission region of the light emitting layer 110. 【0041】次に、図5に示すように無機物バンク層1 Next, the inorganic bank layer 1 as shown in FIG. 5
12a上に有機物バンク層112bを形成する。 The organic bank layer 112b is formed on the 12a. 有機物バンク層112bの形成材料としては、アクリル樹脂、 As the material of the organic bank layer 112b, an acrylic resin,
ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有するものを用いる。 Heat resistance such as polyimide resins, those having a solvent resistance is used. これらの材料を用い、フォトリソグラフィ技術等によってパターニングすることにより、有機物バンク層112bを形成する。 Using these materials, by patterning by photolithography or the like to form organic bank layer 112b. なお、パターニングする際、有機物バンク層112bに上部開口部112dを形成する。 Note that when patterning to form an upper opening 112d in the organic bank layer 112b.
上部開口部112dは、電極面111a及び下部開口部112cに対応する位置に設けられる。 Upper opening 112d is provided at a position corresponding to the electrode surface 111a and the lower opening 112c. 【0042】上部開口部112dは、無機物バンク層1 The upper opening 112d is, the inorganic bank layer 1
12aに形成された下部開口部112cより広く形成するのが好ましい。 Preferably wider than the lower opening 112c formed in 12a. 更に、有機物バンク層112bはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層の開口部が画素電極111の幅より狭く、有機物バンク層112 Furthermore, the organic bank layer 112b is preferably shaped to have a tapered, opening of the organic bank layer is narrower than the width of the pixel electrode 111, the organic bank layer 112
bの最上面では画素電極111の幅とほぼ同一の幅になるように有機物バンク層を形成するのが好ましい。 Preferably, the top surface of the b forming the organic bank layer to be approximately the same width as the width of the pixel electrode 111. これにより、無機物バンク層112aの下部開口部112c Thus, the lower opening of the inorganic bank layer 112a 112c
を囲む第1積層部112eが、有機物バンク層112b First laminated portion 112e surrounding the has organic bank layer 112b
よりも画素電極111の中央側に延出された形になる。 It will extend out the form on the center side of the pixel electrode 111 than.
このようにして、有機物バンク層112bに形成された上部開口部112d、無機物バンク層112aに形成された下部開口部112cを連通させることにより、無機物バンク層112a及び有機物バンク層112bを貫通する開口部112gが形成される。 In this way, the upper opening formed in the organic bank layer 112b 112d, by communicating the lower opening 112c formed in the inorganic bank layer 112a, opening through the inorganic bank layer 112a and organic bank layer 112b 112g is formed. 【0043】(2)プラズマ処理工程プラズマ処理工程は、画素電極111の表面を活性化すること、更にバンク部112の表面を表面処理する事を目的として行われる。 [0043] (2) plasma treatment step plasma treatment step is to activate the surface of the pixel electrode 111, carried out with the aim of further surface treatment of the surface of the bank portion 112. 特に活性化工程では、画素電極1 In particular, the activation step, the pixel electrode 1
11(ITO)上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行う。 11 (ITO) cleaning on further adjust the work function as the main purpose. また、画素電極111の表面の親液化処理(親液化工程)、バンク部112表面の撥液化処理(撥液化工程)についてもここで行う。 Further, lyophilic process (lyophilic process) on the surface of the pixel electrode 111, it performed here also lyophobic process of the bank portion 112 surface (liquid repellent process). 【0044】このプラズマ処理工程は、例えば(2)− [0044] The plasma treatment step, for example, (2) -
1予備加熱工程、(2)−2活性化処理工程(親液化工程)、(2)−3撥液化処理工程(親液化工程)、及び(2)−4冷却工程に大別される。 1 preheating step, (2) -2 an activation treatment step (lyophilic step), are broadly classified into (2) -3 repellency treatment step (lyophilic step), and (2) -4 a cooling step. なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程の追加や削減を行ってもよい。 It is not limited to such a process may be performed to add or reduce steps as required. 【0045】図6に、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置を示す。 [0045] FIG. 6 shows a plasma treatment apparatus used in the plasma treatment process. 図6に示すプラズマ処理装置50 The plasma processing apparatus 50 shown in FIG. 6
は、予備加熱処理室51、第1プラズマ処理室52、第2プラズマ処理室53、冷却処理室54、これらの各処理室51〜54に基体2を搬送する搬送装置55とから構成されている。 Is a transport device 55 for transporting pre-heating chamber 51, a first plasma treatment chamber 52, a second plasma treatment chamber 53, a cooling treatment chamber 54, the substrate 2 to each of these processing chambers 51-54 . 各処理室51〜54は、搬送装置55 Each processing chamber 51 to 54, transport device 55
を中心として放射状に配置されている。 They are radially arranged around the. 【0046】まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。 Firstly, an outline of the process using these devices. 予備加熱工程は、図6に示す予備加熱処理室51において行われる。 Preheating step is performed in the preheating treatment chamber 51 shown in FIG. そしてこの処理室51により、 And by this treatment chamber 51,
バンク部形成工程から搬送された基体2を所定の温度に加熱する。 Heating the substrate 2 transported from the bank section forming process at a predetermined temperature. 予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。 After the preheating step, performing a lyophilic process and repellency treatment step. すなわち、基体は第1、第2プラズマ処理室52、53に順次搬送され、それぞれの処理室5 That is, the substrate is sequentially conveyed to the first, second plasma treatment chamber 52 and 53, each of the processing chamber 5
2、53においてバンク部112にプラズマ処理を行い親液化する。 Lyophilic by plasma treatment to the bank section 112 in 2, 53. この親液化処理後に撥液化処理を行う。 Perform a liquid repellency treatment after the parent liquefaction process. 撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室54おいて基体を室温まで冷却する。 Transporting the substrate to the cooling processing chamber after the lyophobic treatment, cooling the cooling processing chamber 54 Oite substrate to room temperature. この冷却工程後、 After this cooling process,
搬送装置により次の工程に基体を搬送する。 The transport device transports the substrate to the next step. 【0047】以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。 [0047] In the following, it will be described in detail each step. (2)−1 予備加熱工程予備加熱工程は予備加熱処理室51により行う。 (2) -1 a preheating step preheating step is carried out by preheating treatment chamber 51. この処理室51において、バンク部112を含む基体2を所定の温度まで加熱する。 In the processing chamber 51, heating the substrate 2 including the bank section 112 to a predetermined temperature. 基体2の加熱方法は、例えば処理室51内にて基体2を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体2を加熱する手段がとられている。 The method of heating the substrate 2, for example attached a heater stage for placing a substrate 2 in the processing chamber 51, means for heating the stage every base 2 is taken in this heater. なお、これ以外の方法を採用することも可能である。 It is also possible to employ other methods. 予備加熱処理室51において、例えば70℃〜80℃の範囲に基体2を加熱する。 In the preheating treatment chamber 51, heating the substrate 2 in a range of, for example, 70 ° C. to 80 ° C.. この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体2を事前に加熱し、基体2の温度ばらつきを解消することを目的としている。 This temperature is the treatment temperature in the plasma treatment which is the next step, in accordance with the next step by heating the substrate 2 in advance, it is an object to eliminate the temperature variation of the substrate 2. 【0048】仮に予備加熱工程を加えなければ、基体2 [0048] If to be added to pre-heating step, the substrate 2
は室温から上記のような温度に加熱されることになり、 Will be heated to a temperature such as from room temperature to above,
工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。 Will be the temperature it is always treated with fluctuations in the plasma treatment step from step start to process ends. したがって、基体温度が変化しながらプラズマ処理を行うことは、有機EL素子の特性の不均一につながる可能性がある。 Therefore, by performing a plasma treatment with a substrate temperature changes may lead to non-uniform characteristics of the organic EL element. したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。 Therefore, maintaining the process conditions constant, is to carry out the preheating in order to obtain uniform characteristics. そこで、プラズマ処理工程においては、第1、第2プラズマ処理装置5 Therefore, in the plasma treatment step, first, second plasma processing apparatus 5
2、53内の試料ステージ上に基体2を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ56の温度にほぼ一致させることが好ましい。 When performing lyophilic step or the liquid repellency step in a state of placing the substrate 2 on the sample stage in 2, 53, the preheating temperature, the sample stage 56 to continuously perform the lyophilic step or the liquid repellency step it is preferable to substantially match the temperature.
そこで、第1、第2プラズマ処理装置52、53内の試料ステージが上昇する温度、例えば70〜80℃まで予め基体2を予備加熱することにより、多数の基体にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。 Therefore, first, the temperature of the sample stage in the second plasma processing apparatus 52 and 53 is increased, for example by preheating the advance base 2 to 70 to 80 ° C., the plasma treatment was continuously carried out on a number of substrate even if it can be substantially constant plasma processing conditions in the processing just before the end and after treatment start. これにより、基体2の表面処理条件を同一にし、バンク部112の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。 Thus, the surface treatment conditions of the substrate 2 in the same, it is possible to equalize the wettability to the composition of the bank portion 112, it is possible to manufacture a display device having a constant quality. また、基体2を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。 Further, by previously preheated substrate 2, it is possible to shorten the processing time in the plasma treatment after. 【0049】(2)−2 活性化処理(親液化工程) 次に第1プラズマ処理室52では、活性化処理が行われる。 [0049] (2) In 2 activity process (lyophilic process) Next first plasma treatment chamber 52, the activation process is performed. 活性化処理には、画素電極111における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。 The activation treatment, the adjustment of the work function of the pixel electrode 111, control, cleaning of the surface of the pixel electrode includes lyophilic step of the pixel electrode surface. 親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理(O 2プラズマ処理)を行う。 As lyophilic step, plasma treatment using oxygen as a process gas in the atmosphere (O 2 plasma treatment). 図7には第1プラズマ処理を模式的に示した図である。 The Figure 7 is a diagram showing a first plasma processing schematically. 図7に示すように、バンク部112を含む基体2は加熱ヒータ内蔵の試料ステージ56上に載置され、基体2の上側にはギャップ間隔0.5〜2mm程度の距離をおいてプラズマ放電電極57が基体2に対向して配置されている。 As shown in FIG. 7, the base body 2 including the bank section 112 is placed on the heater built-in sample stage 56, the plasma discharge electrode at a distance of about gap spacing 0.5~2mm on the upper side of the base body 2 57 are arranged opposite to the substrate 2. 基体2は、試料ステージ56によって加熱されつつ、試料ステージ56は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体2に対してプラズマ状態の酸素が照射される。 Base 2, while being heated by the sample stage 56, the sample stage 56 is transported toward the direction indicated by an arrow at a predetermined transport speed, the oxygen in the plasma state is irradiated to the substrate 2 in between. 2プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー100〜800k Condition of the O 2 plasma processing, for example, plasma power 100~800k
W、酸素ガス流量50〜100ml/min、板搬送速度0.5〜10mm/sec、基体温度70〜90℃の条件で行われる。 W, an oxygen gas flow rate of 50-100 ml / min, plate transportation speed 0.5 to 10 mm / sec, performed under the condition of substrate temperature 70 to 90 ° C.. なお、試料ステージ56による加熱は、主として予備加熱された基体2の保温のために行われる。 The heating by the sample stage 56 is carried out mainly for the pre-heated substrate 2 kept. 【0050】このO 2プラズマ処理により、図8に示すように、画素電極111の電極面111a、無機物バンク層112aの第1積層部112e及び有機物バンク層112bの上部開口部112dの壁面ならびに上面11 [0050] The O 2 plasma treatment, as shown in FIG. 8, the electrode surface 111a, a wall surface and the upper surface of the upper opening 112d of the first lamination portion 112e and the organic bank layer 112b of the inorganic bank layer 112a 11 of the pixel electrode 111
2fが親液処理される。 2f is processed parent solution. この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。 By this lyophilic treatment, hydroxyl groups are introduced lyophilic property is imparted to these surfaces. 図9では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。 9 shows a lyophilic treatment portion by the one-dot chain line. なお、このO 2プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるITO表面の洗浄、仕事関数の調整も兼ねている。 Incidentally, the O 2 plasma treatment is not only to impart lyophilic, washing the ITO surface is as the pixel electrode described above, also serves as the adjustment of the work function. 【0051】(2)−3 撥液処理工程(撥液化工程) 次に、第2プラズマ処理室53では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理(CF 4プラズマ処理)を行う。 [0051] (2) -3 lyophobic treatment step (liquid repellency step) Next, in the second plasma treatment chamber 53, as the lyophobic process, the plasma treatment (CF 4 which tetrafluoromethane as the treatment gas in an air atmosphere performing a plasma treatment). 第2 The second
プラズマ処理室53の内部構造は図7に示した第1プラズマ処理室52の内部構造と同じである。 The internal structure of the plasma processing chamber 53 is the same as the internal structure of the first plasma treatment chamber 52 shown in FIG. すなわち、基体2は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体2に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン(四フッ化炭素)が照射される。 That is, the base body 2, while being heated by the sample stage, is conveyed by the sample stage every predetermined conveying speed, tetrafluoromethane in a plasma state to the substrate 2 therebetween is irradiated. CF 4プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー100〜800kW、4フッ化メタンガス流量50〜100ml/min、基体搬送速度0.5〜1020mm/sec、基体温度70〜90℃ CF 4 plasma treatment conditions are, for example, plasma power 100~800KW, 4 tetrafluoromethane gas flow rate of 50-100 ml / min, substrate carrying speed 0.5~1020mm / sec, substrate temperature 70 to 90 ° C.
の条件で行われる。 It is carried out in the conditions. なお、加熱ステージによる加熱は、 It should be noted that the heating by the heating stage,
第1プラズマ処理室52の場合と同様に、主として予備加熱された基体2の保温のために行われる。 As in the first plasma treatment chamber 52, is performed mainly for the pre-heated substrate 2 kept. また、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素) As the treatment gas, tetrafluoromethane
に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。 Limited not, it is also possible to use other fluorocarbon gas. 【0052】CF 4プラズマ処理により、図9に示すように、上部開口部112d壁面及び有機物バンク層の上面112fが撥液処理される。 [0052] The CF 4 plasma treatment, as shown in FIG. 9, the upper surface 112f of the upper opening 112d walls and the organic bank layer is liquid-repellent treatment. この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。 By this liquid repellency treatment, introduces a fluorine group in liquid repellency is imparted to these surfaces. 図9では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。 9 indicates a region having a lyophobic property by a two-dot chain line. 有機物バンク層112bを構成するアクリル樹脂、 Acrylic resin constituting the organic bank layer 112b,
ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。 Organic material such as polyimide resin can be easily lyophobic by fluorocarbon plasma state is irradiated. また、O 2プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。 Also, O 2 who were pretreated by the plasma is easily fluorinated, has a feature that, in the present embodiment is particularly effective. なお、画素電極111の電極面111 The electrode surface 111 of the pixel electrode 111
a及び無機物バンク層112aの第1積層部112eもこのCF 4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与えることは少ない。 first laminated portion 112e of a and the inorganic bank layer 112a is also somewhat affected by the CF 4 plasma treatment, but it is rare to affect the wettability. 図9では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。 9 illustrates a region showing a lyophilic property by the dashed line. 【0053】(2)−4 冷却工程次に冷却工程として、冷却処理室54を用い、プラズマ処理のために加熱された基体2を管理温度まで冷却する。 [0053] (2) -4 a cooling step following the cooling step, using a cooling treatment chamber 54, to cool the substrate 2 which has been heated for the plasma treatment to control temperature. これは、この以降の工程での管理温度まで冷却するために行う工程である。 This is a step for cooling to control temperature in the subsequent steps. この冷却処理室54は、基体2 The cooling treatment chamber 54, the substrate 2
を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体2を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。 Has a plate for placing the, the plate has a water cooling device is built structure to cool the base body 2. また、プラズマ処理後の基体2を室温、または所定の温度(例えば液滴吐出工程を行う管理温度)まで冷却することにより、次の工程において、基体2の温度が一定となり、基体2の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。 Further, by cooling the substrate 2 after the plasma treatment room temperature or to a predetermined temperature (e.g., management temperature at which the liquid droplet discharge step), in the next step, the temperature of the substrate 2 is constant, the temperature change of the substrate 2 it is possible to perform the following steps in absence uniform temperature. したがって、このような冷却工程を加えることにより、液滴吐出法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。 Therefore, by adding such a cooling process, it can be uniformly formed the discharged material by the discharge means of the droplet discharge method, or the like. 例えば、正孔注入層を形成するための材料を含む第1組成物を吐出させる際に、第1組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入層を均一に形成することができる。 For example, at the time of ejecting a first composition containing a material for forming the hole injection layer, a first composition can be discharged continuously at constant volume, uniformly forming the hole injection layer can do. 【0054】上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物バンク層112b及び無機物バンク層112a [0054] The above in the plasma treatment process, the material is different organic bank layer 112b and the inorganic bank layer 112a
に対して、O 2プラズマ処理とCF 4プラズマ処理とを順次行うことにより、バンク部112に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。 Respect, by sequentially performing the O 2 plasma treatment and CF 4 plasma treatment, the area of the lyophilic region and the liquid repellency to the bank portion 112 can be easily provided. 【0055】なお、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図6に示したものに限られず、例えば図1 [0055] In the plasma treatment apparatus used in the plasma treatment step is not limited to that shown in FIG. 6, for example, FIG. 1
0に示すようなプラズマ処理装置60を用いてもよい。 It may be using the plasma processing apparatus 60 shown in 0.
図10に示すプラズマ処理装置60は、予備加熱処理室61と、第1プラズマ処理室62と、第2プラズマ処理室63と、冷却処理室64と、これらの各処理室61〜 The plasma processing apparatus 60 shown in FIG. 10, a preheating treatment chamber 61, a first plasma treatment chamber 62, a second plasma treatment chamber 63, a cooling processing chamber 64, each of these processing chambers 61 to
64に基体2を搬送する搬送装置65とから構成され、 64 is a transport device 65. for conveying the substrate 2, the
各処理室61〜64が、搬送装置65の搬送方向両側(図中矢印方向両側)に配置されてなるものである。 The processing chambers 61 to 64, in which are arranged in a conveying direction on both sides of the conveying device 65 (in the arrow direction on both sides). このプラズマ処理装置60では、図6に示したプラズマ処理装置50と同様に、バンク部形成工程から搬送された基体2を、予備加熱処理室61、第1、第2プラズマ処理室62、63、冷却処理室64に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体2を次の発光部形成工程に搬送する。 In the plasma processing apparatus 60, like the plasma treatment apparatus 50 shown in FIG. 6, the base body 2 which is transported from the bank section forming process, the preheating treatment chamber 61, first, second plasma treatment chamber 62, after the same processing is sequentially transported to the cooling processing chamber 64 in each processing chamber, transporting the substrate 2 to the next light-emitting portion forming step. また、上記プラズマ装置は、大気圧下の装置でなくとも、真空下のプラズマ装置を用いても良い。 Moreover, the plasma apparatus is not necessarily a device under atmospheric pressure, it may be used plasma apparatus under vacuum. 【0056】(3)発光部形成工程本例においては、前述したように赤の画素R及び緑の画素Gにおける発光層を高分子材料によって形成し、一方、青の画素Bにおける発光層を低分子材料によって形成している。 [0056] (3) in the light-emitting portion forming step this example, the light-emitting layer in the pixel R and the green pixel G of the red as described above to form the polymeric material, while the light-emitting layer in the pixel B of the blue low It is formed by molecular material. そして、これに伴い、前述したように赤の画素R及び緑の画素Gを、正孔注入層と発光層とから構成し、一方、青の画素Bを、正孔注入層、正孔輸送層、 Then, with this, the pixel R and the green pixel G of the red, as described above, consist of a hole-injection layer and an emission layer, whereas, the pixel B of blue, a hole injection layer, a hole transport layer ,
発光層、電子輸送層によって構成しているのである。 Emitting layer, with each other to constitute the electron transport layer. なお、特に本例では、高分子材料を液滴吐出法で、また低分子材料を蒸着法で形成するようにしており、また、液滴吐出法で発光層を形成する赤の画素R及び緑の画素G Incidentally, in particular in this example, the polymeric material by a droplet discharge method, also is possible to form a low-molecular material by a vapor deposition method, also, the red forming the light-emitting layer by a droplet discharge method pixel R and the green pixel G of
の発光部を先に、蒸着法で発光層を形成する青の画素R A light emitting portion ahead of the pixels R and blue to form a light emitting layer by vapor deposition
の発光部を後に形成するようにしている。 And so as to form a light-emitting portion after. 【0057】(3)−1 赤の画素R及び緑の画素Gの形成赤の画素R及び緑の画素Gについては、前述したように正孔注入層と発光層とによって構成することから、まず、これらの画素について液滴吐出装置を用いて正孔注入層を形成する。 [0057] (3) -1 for the pixel R and the green pixel G of formation red red pixel R and the green pixel G, since constituted by the hole injection layer and the light-emitting layer as described above, first, , to form the hole injection layer using the droplet ejection apparatus for these pixels. すなわち、正孔注入層形成材料を含む液状体の液滴を電極面111a上に吐出する。 That discharges droplets of the liquid material containing the hole injection layer forming material on the electrode surface 111a. すると、 Then,
液状体は流動性が高いため、水平方向に広がろうとするが、吐出・塗布された位置を囲んでバンク部112が形成されていることなどから、液状体はバンク部112を越えてその外側に広がることが防止されている。 Since the liquid material has high flowability, the outer Although attempts to spread horizontally, and the like that the bank portion 112 is formed to surround the discharge-coated position, liquid material is beyond the bank portion 112 It is prevented from being spread. なお、 It should be noted that,
この正孔注入層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、 The hole injection layer forming step including the subsequent step, water,
酸素の無い雰囲気とすることが好ましい。 It is preferable that the free atmosphere oxygen. 例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。 For example, a nitrogen atmosphere, is carried out in an inert gas atmosphere such as an argon atmosphere preferred. 【0058】ここで、液滴吐出装置は、図11(a)に示すような液滴吐出ヘッド310を備えて構成されたものである。 [0058] Here, the droplet discharge apparatus is configured with a droplet discharge head 310 as shown in FIG. 11 (a). すなわち、この液滴吐出ヘッド310は、例えばステンレス製のノズルプレート312と振動板31 In other words, the droplet discharge head 310, for example a stainless steel nozzle plate 312 diaphragm 31
3とを備え、両者を仕切部材(リザーバプレート)31 Comprising a 3 and, both the partition member (reservoir plate) 31
4を介して接合したものである。 4 is obtained by joining through. ノズルプレート312 Nozzle plate 312
と振動板313との間には、仕切部材314によって複数の空間315と液溜まり316とが形成されている。 And between the vibration plate 313, it is formed a plurality of spaces 315 and a liquid reservoir 316 by the partition member 314.
各空間315と液溜まり316の内部は液状材料で満たされており、各空間315と液溜まり316とは供給口317を介して連通したものとなっている。 Within each space 315 and the liquid reservoir 316 are filled with liquid material, which is what was communicated through the supply port 317 and the spaces 315 and a liquid reservoir 316. また、ノズルプレート312には、空間315から液状材料を噴射するためのノズル孔318が一列に配列された状態で複数形成されている。 Further, in the nozzle plate 312, a plurality formed in a state where the nozzle holes 318 for ejecting the liquid material from the spaces 315 are arranged in a row. 一方、振動板313には、液溜まり316に液状材料を供給するための孔319が形成されている。 On the other hand, the vibrating plate 313, holes 319 for supplying the liquid material are formed in the liquid reservoir 316. 【0059】また、振動板313の空間315に対向する面と反対側の面上には、図11(b)に示すように圧電素子(ピエゾ素子)320が接合されている。 [0059] Also, on the face of the surface opposite to that facing the space 315 of the diaphragm 313, a piezoelectric element (piezo element) 320 is bonded as shown in FIG. 11 (b). この圧電素子320は、一対の電極321の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。 The piezoelectric element 320 is positioned between the pair of electrodes 321, in which is energized which is configured to flex so as to project outwardly. そして、このような構成のもとに圧電素子320が接合されている振動板313は、圧電素子320と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間315の容積が増大するようになっている。 The vibration plate 313 on which the piezoelectric element 320 on the basis of this structure is joined, integral with the piezoelectric element 320 is adapted to flex outward at the same time, whereby the volume of the space 315 so that the increasing. したがって、空間315内に増大した容積分に相当する液状材料が、液溜まり316から供給口317を介して流入する。 Thus, the liquid material corresponding to a volume fraction, which increased in the space 315, flows through the supply port 317 from the liquid reservoir 316. また、このような状態から圧電素子320への通電を解除すると、圧電素子32 Further, when releasing the energization of the piezoelectric element 320 from this state, the piezoelectric element 32
0と振動板313はともに元の形状に戻る。 0 and the vibration plate 313 both return to their original shape. したがって、空間315も元の容積に戻ることから、空間315 Therefore, from the fact that even space 315 returns to its original volume, space 315
内部の液状材料の圧力が上昇し、ノズル孔318から基板に向けて液状材料の液滴322が吐出される。 The pressure inside the liquid material is increased, the droplet 322 of the liquid material is discharged toward the nozzle hole 318 in the substrate. なお、 It should be noted that,
液滴吐出ヘッド310の構造としては、前記の圧電素子320を用いたピエゾジェットタイプ以外の、公知の方式のものを採用してもよい。 The structure of the droplet discharge head 310, except for the piezo jet type using the piezoelectric element 320, may be adopted a known method. 【0060】また、前記正孔注入層の形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物(Baytron−P;バイエルン社の登録商標)が用いられる。 [0060] The material for forming the hole injection layer, for example, a mixture of polythiophene derivatives and polystyrene sulfonic acid such as polyethylene dioxythiophene (Baytron-P; Bavarian Inc. registered trademark). また、このような正孔注入層形成材料を含む液状体としては、前記混合物を極性溶媒に溶解させた組成物が用いられる。 Further, as the liquid material containing such a hole injection layer forming material, the composition obtained by dissolving the mixture in a polar solvent is used. 極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2 The polar solvent, e.g., isopropyl alcohol, normal butanol, .gamma.-butyrolactone, N- methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2
−イミダゾリジノン及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等が挙げられる。 - imidazolidinone and derivatives thereof, Karubito - Le acetate, Buchirukarubito - glycol ethers such as Le acetate, and the like. なお、正孔注入層形成材料については、赤(R)と緑(G)とで同じ材料を用いてもよく、変えてもよい。 Note that the hole injection layer forming material, red (R) and green (G) and the de may be of the same material may be changed. このようにして正孔注入層形成材料を含む液状体を塗布したら、加熱あるいは光照射による乾燥処理等を行い、極性溶媒を蒸発させることなどによって図12に示すように主に画素電極111上に正孔注入層110aを形成する。 Once this manner a liquid containing a hole injection layer forming material is applied, and a drying treatment such as by heating or light irradiation, such as by evaporating the polar solvent on the main pixel electrode 111 as shown in FIG. 12 forming the hole injection layer 110a. ここで、正孔注入層11 Here, the hole injection layer 11
0aが形成された無機物バンク層112aをここでは第1積層部112eという。 0a is here the inorganic bank layer 112a formed of a first laminated portion 112e. 【0061】このような乾燥処理等を行うと、液状体に含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層112 [0061] When performing such a drying process or the like, evaporation of the polar solvent contained in the liquid material, mainly inorganic bank layer 112
a及び有機物バンク層112bに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入層形成材料が濃縮されて析出する。 Happening close to a and the organic bank layer 112b, the hole injection layer forming material in accordance with the evaporation of the polar solvent is precipitated and concentrated. これにより、図12に示したように第1積層部112e上に、正孔注入層形成材料からなる周縁部(図示せず)が形成される。 Thus, on the first lamination portion 112e as shown in FIG. 12, the peripheral portion formed of a hole injection layer forming material (not shown) is formed. この周縁部は、上部開口部112dの壁面(有機物バンク層112b)に密着しており、その厚さが電極面111aに近い側では薄く、電極面111aから離れた側、すなわち有機物バンク層1 The peripheral portion is adhered to the wall surface of the upper opening 112d (organic bank layer 112b), thin on the side whose thickness is close to the electrode surface 111a, the side away from the electrode surface 111a, i.e. organic bank layer 1
12bに近い側で厚くなっている。 It is thicker in the near side to 12b. 【0062】また、これと同時に、乾燥処理によって電極面111a上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面111a上に正孔注入層形成材料からなる平坦部(図示せず)が形成される。 [0062] At the same time, occurs the evaporation of the polar solvent in the electrode surface 111a by the drying process, the flat portion formed of a hole injection layer forming material (not shown) is formed thereby on the electrode surface 111a . 電極面111a上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入層の形成材料が電極面111a上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部が形成される。 Since on the electrode surface 111a is substantially uniform evaporation rate of the polar solvent, the material for forming the hole injection layer is uniformly concentrated on the electrode surface 111a, thereby the flat portion having a uniform thickness is formed. このようにして、 In this way,
周縁部及び平坦部からなる正孔注入層110aが形成される。 Hole injection layer 110a is formed consisting of the peripheral portion and the flat portion. なお、周縁部には形成されず、電極面111a上のみに正孔注入層が形成されていてもよい。 Incidentally, not formed in the peripheral portion may be a hole injection layer is formed only on the electrode surface 111a. また、正孔注入層110aについて、液滴吐出ヘッド10による一回の走査で所望する膜厚が得られない場合には、特に前記の吐出処理を複数回繰り返すようにしてもよい。 Further, the hole injection layer 110a, when the film thickness desired in a single scan by the droplet discharge head 10 can not be obtained, may be especially repeated a plurality of times discharge process of the. 【0063】上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、 [0063] drying process of the above, for example in a nitrogen atmosphere,
室温で圧力を例えば133.3〜13.3Pa(1〜 Pressure, for example 133.3~13.3Pa (1~ at room temperature
0.1Torr)程度にして行う。 0.1Torr) carried out in the degree. 急激に圧力を低下させると液状体が突沸してしまうので好ましくない。 Rapidly undesirably lowering the pressure liquid material resulting in bumping. また、温度を高温にしてしまうと、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成することができない。 Further, when the result in the temperature to a high temperature, the evaporation rate of the polar solvent is increased, it is impossible to form a flat film. したがって、30℃〜80℃の範囲が好ましい。 Therefore, preferably in the range of 30 ° C. to 80 ° C.. 乾燥処理後は、 After the drying process,
窒素中、好ましくは真空中で200℃で10分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入層110a内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。 In nitrogen, preferably by performing a heat treatment of heating approximately 10 minutes at 200 ° C. in a vacuum, it is preferable to remove the polar solvent or water remaining in the hole injection layer 110a. 【0064】次に、前記正孔注入層110a上に発光層を形成するが、これに先立ち、まず、この正孔注入層1 Next, the forms a light emitting layer on the hole injection layer 110a, Prior to this, firstly, the hole injection layer 1
10aの表面を表面改質する。 The surface of 10a surface modification. 次に、前述の正孔注入層形成工程と同様、液滴吐出法によって液状体を正孔注入層110a上に吐出する。 Then, similarly to the hole injection layer forming step described above, for discharging a liquid material on the hole injection layer 110a by a droplet discharge method. その後、吐出した液状体を乾燥処理(及び熱処理)し、図13に示すように正孔注入層110a上に発光層110bを形成し、これにより赤の画素Rの発光部110、及び緑の画素Gの発光部11 Thereafter, the discharged liquid material to drying (and heat), to form a light emitting layer 110b on the hole injection layer 110a as shown in FIG. 13, thereby emitting portion 110 of the red pixel R and the green pixel, G of the light-emitting part 11
0をそれぞれ形成する。 0 to form, respectively. 【0065】発光層110bの形成材料としては、高分子材料が用いられる。 [0065] As the material for forming the light emitting layer 110b, the polymeric material is used. 例えば、以下の[化1]〜[化5]が、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、 For example, the following [Chemical Formula 1] - [formula 5], polyfluorene derivatives, polyphenylene derivatives, polyvinylcarbazole, polythiophene derivatives,
またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープしたものが用いられる。 Or perylene dye these polymeric materials, coumarin dyes, rhodamine dyes, e.g. rubrene, perylene, 9,10-diphenyl anthracene, tetraphenyl butadiene, nile red, coumarin 6, is doped with quinacridone used . なお、赤色発光用の材料と緑色発光用の材料とはそれぞれ別のものが用いられ、したがって予め決められた赤の画素Rに赤色発光用の材料が、また緑の画素Gに緑色発光用の材料がそれぞれ吐出され塗布される。 Incidentally, those respective different than the material for the material and the green light emission of red light emission is used, therefore the material for red light emission pixels R of a predetermined red, also for green light emission in the green pixel G material is applied ejected respectively. 【0066】 【化1】 [0066] [Formula 1] 【0067】 【化2】 [0067] [Formula 2] 【0068】 【化3】 [0068] [Formula 3] 【0069】 【化4】 [0069] [of 4] 【0070】 【化5】 [0070] [of 5] 【0071】非極性溶媒としては、前記正孔注入層11 [0071] As the non-polar solvent, the hole injection layer 11
0aに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。 Preferably ones insoluble in 0a, for example, can be used cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethyl benzene. このような非極性溶媒に発光層110bの形成材料を溶解して液状体とすることにより、正孔注入層110 With liquid material by dissolving the material for forming the light emitting layer 110b to such a non-polar solvent, the hole injection layer 110
aを再溶解させることなく液状体を塗布することができる。 The liquid material can be applied without redissolving a. 【0072】(3)−2 青の画素Gの形成青の画素Bについては、前述したように正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層によって構成する。 [0072] (3) for the pixels B of forming blue -2 blue pixel G, the hole injection layer as described above, a hole transport layer, luminescent layer, constituted by an electron-transporting layer. まず、青の画素Bのみについて、従来公知の蒸着装置を用い、さらに蒸着用マスクを用いることにより、正孔注入層(図示せず)を膜厚20nm程度に形成する。 First, only the pixel B of blue, using a conventionally known vapor deposition apparatus, further by using a deposition mask, to form a hole injection layer (not shown) with a thickness of about 20 nm. すなわち、青の画素Bにのみ選択的に蒸着を行い、赤の画素R That performs a selectively deposited only in the pixel B of the blue, red pixels R
や緑の画素Gなどには正孔注入層の形成材料が蒸着されないようにする。 And the like green pixels G formed material of the hole injection layer from being deposited. ここで、正孔注入層の形成材料としては、例えばCuPc(Copper(II)phthalocyanine)が好適に用いられる。 Here, as the material for forming the hole injection layer, for example, CuPc (Copper (II) phthalocyanine) is preferably used. 【0073】続いて、この正孔注入層上に、該正孔注入層の形成と同様の蒸着法によって正孔輸送層の形成材料を蒸着し、正孔輸送層(図示せず)を膜厚30nm程度に形成する。 [0073] Then, the film thickness is formed on the hole injection layer, a material for forming the hole transport layer was deposited by the same deposition and formation of the hole injection layer, a hole transport layer (not shown) form to about 30nm. そして、これにより図14に示すように、 And, thereby, as shown in FIG. 14,
正孔注入/輸送層110cを形成する。 Forming the hole injection / transport layer 110c. 正孔輸送層の形成材料としては、例えばα−NPD;4,4'-bis[N-(1-na As the material for forming the hole transport layer, for example, α-NPD; 4,4'-bis [N- (1-na
phthyl)-N-phenyl-amino]biphenylや、TPD;N,N'-di phthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl and, TPD; N, N'-di
phenyl-N,N'-bis(3-methyl phenyl)-1,1'-biphenyl-4, phenyl-N, N'-bis (3-methyl phenyl) -1,1'-biphenyl-4,
4'-diamineなどが好適に用いられる。 Such as 4'-diamine is preferably used. 【0074】また、これら正孔注入層及び正孔輸送層については、Baytron−P(登録商標)を液滴吐出法及び乾燥処理で製膜することにより、正孔注入/輸送の機能を併せ持つ層として形成するようにしてもよい。 [0074] Moreover, for these hole injection layer and a hole transport layer, by forming a film Baytron-P (R) by a droplet discharge method and a drying process, a layer having both the functions of hole injection / transport it may be formed as a.
このようにして正孔注入/輸送層110cを形成したら、青色の発光をなす発光層を低分子材料、例えば[化6]に示すDPVBiを用いて蒸着法で形成する。 Once this way to form a hole injection / transport layer 110c, to form a light emitting layer forming a blue light-emitting low molecular weight material, for example, by vapor deposition using a DPVBi shown in Chemical Formula 6]. 【0075】 【化6】 [0075] [of 6] 【0076】この蒸着は、従来公知の蒸着装置により、 [0076] The deposition, by conventional evaporation apparatus,
蒸着マスクを用いることによって行う。 It carried out by using an evaporation mask. すなわち、青の画素Bのみに選択的に蒸着を行い、赤の画素Rや緑の画素Gなどには前記材料が蒸着されないようにする。 That performs a selectively deposited only in the pixel B of the blue and the like pixel R and the green pixel G of the red so that the material is not deposited. このようにして低分子材料を蒸着法で選択的に製膜し、図1 Thus the low-molecular material selectively to form a film by vapor deposition, as shown in FIG. 1
5に示すように膜厚が20nm程度となるように発光層110dを形成したら、この発光層110d上に電子輸送層の形成材料を発光層110dの場合と同様にして蒸着法で製膜し、膜厚が30nm程度となるように電子輸送層110eを形成する。 When the film thickness as shown in 5 to form a light emitting layer 110d so as to be about 20 nm, the material for forming the electron transport layer in the same manner as the light emitting layer 110d and a film by vapor deposition on the light emitting layer 110d, thickness to form an electron transport layer 110e so that the order of 30 nm. そして、これにより青の画素Bの発光部110を形成する。 And, thereby forming a light-emitting portion 110 of the blue pixel B. ここで、電子輸送層の形成材料としては、Alq;tris(8-quinolinolate)alumi Here, as the material for forming the electron-transporting layer, Alq; tris (8-quinolinolate) alumi
num(III)やBAlq;bis(2-methyl-8-quinilinolate) num (III) or BAlq; bis (2-methyl-8-quinilinolate)
(para-phenylphenolato)aluminum(III)、オキサジアゾール誘導体、Bu−PBD;2-(4-biphenyl)-5-(4-terb (Para-phenylphenolato) aluminum (III), oxadiazole derivatives, Bu-PBD; 2- (4-biphenyl) -5- (4-terb
utylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、BND;2,5-bis(1-n utylphenyl) -1,3,4-oxadiazole), BND; 2,5-bis (1-n
aphthyl-1,3,4-oxadiazoleなどが好適に用いられる。 Such aphthyl-1,3,4-oxadiazole is preferably used. 【0077】(4)陰極(対向電極)形成工程次に対向電極形成工程では、図16に示すように、各発光部110及び有機物バンク層112bの全面に陰極(対向電極)12を形成する。 [0077] (4) at the cathode (counter electrode) forming step following the counter electrode formation step, as shown in FIG. 16, forming the cathode (counter electrode) 12 on the entire surface of the light-emitting portions 110 and the organic bank layer 112b. 具体的には、蒸着法によってLiFとAlとをこの順に積層し、積層膜(LiF Specifically, by stacking a LiF and Al in this order by vapor deposition, the laminated film (LiF
/Al)を形成してこれを陰極12とする。 / Al) to form it to the cathode 12. また、Mg In addition, Mg
Ag膜を形成してこれを陰極12としてもよく、さらには、LiFとCaとAlとをこの順に積層して積層膜(LiF/Ca/Al)を形成し、この積層膜を陰極1 Ag film may be a cathode 12 which forms a further, by laminating a LiF, Ca and Al in this order to form a laminated film (LiF / Ca / Al), cathode laminated film 1
2としてもよい。 It may be two. 【0078】なお、この陰極(対向電極)12の形成については、赤、緑の画素R、Gの発光層110bと青の画素Bの発光層110dとを異なる系の材料によって形成しているのに対応して、別の材料で形成するようにしてもよい。 [0078] Incidentally, the cathode for the formation of the (counter electrode) 12, the red, green pixels R, are formed by the material of the different systems and a light emitting layer 110d of the pixel B of the light-emitting layer 110b and the blue G in response to, it may be formed of different materials. 例えば、図17に示すように発光層を高分子材料で形成した赤の画素Rと緑の画素Gとについては、 For example, the light-emitting layer as shown in FIG. 17 for the pixel R and the green pixel G of red formed by polymer material,
CaとAlとをこの順にマスク蒸着で選択的に製膜積層し、積層膜(Ca/Al)からなる高分子用の陰極(対向電極)12aを形成する。 And Ca and Al selectively film formation laminated in mask deposition in this order, to form a cathode for polymer composed of laminated film (Ca / Al) (counter electrode) 12a. 次いで、発光層を低分子材料で形成した青の画素Bについて、MgAgをマスク蒸着で選択的に製膜し、低分子用の陰極(対向電極)12 Then, the pixel B of blue light emitting layer was formed in the low molecular weight material, a MgAg selectively film formation by the mask deposition, cathode for low molecular (counter electrode) 12
bを形成する。 To form a b. なお、この場合に、高分子用の陰極(対向電極)12aと低分子用の陰極(対向電極)12bとは互いに導通するように形成しておく。 In this case, previously formed to conduct with each other as a cathode (counter electrode) 12b for low molecular and a cathode (opposite electrode) 12a for polymer. 【0079】また、陰極(対向電極)12の形成については、図18に示すように青の画素Bに対して例えばM [0079] In addition, the formation of the cathode (counter electrode) 12, for example, M for the pixel B of the blue, as shown in FIG. 18
gAgをマスク蒸着で選択的に製膜し、低分子用の陰極(対向電極)12bを形成した後、全面に例えばCaとAlとをこの順に製膜積層し、積層膜(Ca/Al)からなる高分子用の陰極(対向電極)12cを形成するようにしてもよい。 gAg selectively film formation by the mask deposition, the cathode for low molecular After forming the (counter electrode) 12b, to form a film laminated with the entire surface, for example, Ca and Al in this order, laminated film (Ca / Al) comprising a cathode for polymer may be formed (the counter electrode) 12c. また、図19に示すように、赤の画素Rと緑の画素Gとに例えばCaとAlとをこの順にマスク蒸着で選択的に製膜積層し、積層膜(Ca/Al)からなる高分子用の陰極(対向電極)12aを形成する。 Further, as shown in FIG. 19, a pixel R and the green pixel G and the example Ca and Al red selectively to form a film laminated with a mask vapor deposition in this order, a laminated film (Ca / Al) polymer forming a cathode (counter electrode) 12a of use.
その後、全面に例えばMgAgを製膜し、低分子用の陰極(対向電極)12dを形成するようにしてもよい。 Then, to form a film on the entire surface, for example MgAg, may be formed a cathode for low molecular (counter electrode) 12d. 【0080】また、図20に示すように、青の画素Bに対して例えばMgAgをマスク蒸着で選択的に製膜し、 [0080] Further, as shown in FIG. 20, for example, MgAg for the pixel B of the blue selectively to form a film by mask evaporation,
低分子用の陰極(対向電極)12bを形成した後、赤の画素Rと緑の画素Gとに例えば仕事関数の低いCaをマスク蒸着で選択的に製膜し、高分子用の陰極(対向電極)12eを形成する。 After forming the cathode (counter electrode) 12b for low molecular, low Ca of example work function and the pixel R and the green pixel G of the red selectively to form a film by mask deposition, cathode for polymer (counter forming an electrode) 12e. その後、全面に耐酸化性のある安定な金属として例えばAlを製膜し、第2陰極12f Then, to form a film, for example, Al as a stable metal having oxidation resistance over the entire surface, the second cathode 12f
を形成するようにしてもよい。 It may be form. なお、図20に示した例では、赤の画素Rと緑の画素GとにCa等をマスク蒸着で選択的に製膜し、高分子用の陰極(対向電極)12e In the example shown in FIG. 20, the Ca or the like selectively to form a film by mask deposition on the pixel R and the green pixel G of the red, the cathode for the polymer (counter electrode) 12e
を形成した後、青の画素Bに対してMgAg等をマスク蒸着で選択的に製膜し、低分子用の陰極(対向電極)1 After forming, and the MgAg or the like selectively to form a film by mask deposition with respect to the pixel B of the blue cathode for low molecular (counter electrode) 1
2bを形成するようにしてもよい。 2b may be formed of. 【0081】また、前記例では低分子材料によって青の画素Bの発光層を形成するようにしたが、本発明はこれに限定されることなく、赤の画素Rや緑の画素Gの発光層を低分子材料によって形成してもよい。 [0081] In the above example was to form a light emitting layer of the blue pixel B by the low molecular material, the present invention is not limited thereto, the light emitting layer of red pixels R, green pixels G the may be formed by a low molecular material. (ただし、その場合に赤、緑、青のいずれかの色の画素の発光層については、高分子材料によって形成する。)そして、特に赤の画素Rを低分子材料で蒸着法により形成し、緑の画素G、青の画素Bを高分子材料で液滴吐出法により形成した場合には、図21に示すように、全面にLiFなどのアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の化合物を蒸着し、第1陰極12gを形成する。 (However, red in this case, green, light-emitting layer of any color of blue pixels are formed by a polymeric material.) And in particular is formed by vapor deposition pixel R of the red at a low molecular material, green pixels G, the pixel B blue when formed by a droplet discharge method in the polymer material, as shown in FIG. 21, the entire surface by depositing alkali metal or alkaline earth metal compounds, such as LiF, forming a first cathode 12g. 次いで、緑の画素G Then, the green pixel G
と青の画素Bとに対して例えば仕事関数の低いCaをマスク蒸着で選択的に製膜し、高分子用の陰極(対向電極)12eを形成する。 And a low Ca of example work function with respect to the pixel B of the blue selectively to form a film by mask vapor deposition to form a cathode for polymer (counter electrode) 12e. その後、全面に耐酸化性のある安定な金属として例えばAlを製膜し、第2陰極12f Then, to form a film, for example, Al as a stable metal having oxidation resistance over the entire surface, the second cathode 12f
を形成するようにしてもよい。 It may be form. ここで、赤色の発光をなす発光層を形成するための低分子材料としては、例えば以下の[化7]に示すDCM2 doped Alqが用いられる。 Here, the low-molecular material for forming a luminescent layer constituting the red light emitting, DCM2 Doped Alq is used for example, by the following [Chemical Formula 7]. また、緑色の発光をなす発光層を形成するための低分子材料としては、例えば以下の[化8]に示すQuinacridone doped Alqが用いられる。 As the low-molecular material for forming a luminescent layer constituting the green light, Quinacridone doped Alq is used for example, by the following [Chemical Formula 8]. 【0082】 【化7】 [0082] [of 7] 【0083】 【化8】 [0083] [of 8] 【0084】なお、このようにして形成する陰極(対向電極)12の合計膜厚としては、図16〜図21に示したいずれの場合においても、5〜500nm程度、好ましくは200nm程度とされる。 [0084] As the total thickness of the cathode (opposing electrode) 12 which is formed in this manner, in either case it is shown in FIGS. 16 to 21, about 5 to 500 nm, and preferably from about 200nm . また、このようにして形成した陰極12上に、酸化防止のためSiO 2 、Si Further, on the cathode 12 formed in this manner, SiO 2, Si for preventing oxidation
N等の保護層を設けてもよい。 The protective layer may be provided, such as N. 【0085】(6)封止工程最後に封止工程は、発光素子が形成された基体2と封止基板3bとを封止樹脂3aにより封止する工程である。 [0085] (6) sealing process finally sealing step is a step of sealing by a sealing resin 3a and the base body 2 and the sealing substrate 3b which a light-emitting element is formed.
例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂3aを基体2の全面に塗布し、封止樹脂3a上に封止用基板3bを積層する。 For example, the sealing resin 3a made of thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is applied to the entire surface of the substrate 2, stacking the sealing substrate 3b on the sealing resin 3a. この工程により基体2上に封止部3を形成する。 This step of forming the sealing portion 3 on the substrate 2. 封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。 Sealing step, nitrogen, argon, be carried out in an inert gas atmosphere such as helium preferred. 大気中で行うと、陰極12にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極12に侵入して陰極12が酸化されるおそれがあるので好ましくない。 When carried out in the atmosphere, there is a fear that the cathode 12 water and oxygen from the defect portion when defects such as pinholes have occurred in the cathode 12 to penetrate the cathode 12 is oxidized undesirably. さらに、図2に例示した基板5の配線5aに陰極1 Moreover, the cathode 1 to the wiring 5a of the substrate 5 illustrated in FIG. 2
2を接続するとともに、駆動IC6に回路素子部14の配線を接続することにより、本例のディスプレイ(電気光学装置)1が得られる。 With connecting 2, by connecting the wiring of the circuit element portion 14 to the driving IC 6, the display of the present embodiment (optical device) 1 is obtained. 【0086】次に、このような構成からなるディスプレイ(電気光学装置)1を備えた電子機器の具体例について説明する。 [0086] Next, a specific example of an electronic apparatus having a display (electro-optical apparatus) 1 having the structure described above. 図22(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 22 (a) is a perspective view showing an example of a cellular phone. 図22(a)において、符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記のディスプレイ(電気光学装置)1を用いた表示部を示している。 In FIG. 22 (a), reference numeral 600 denotes a cellular phone body, and reference numeral 601 denotes a display unit using 1 wherein the display (electro-optical device). 図2 Figure 2
2(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。 . 2 (b), a word processor, a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a personal computer. 図22(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号703は情報処理装置本体、符号702は前記のディスプレイ(電気光学装置)1を用いた表示部を示している。 In FIG. 22 (b), the reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, reference numeral 701 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 703 denotes an information processing apparatus main body, reference numeral 702 denotes a display unit using 1 wherein the display (electro-optical device) ing. 図22(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 FIG. 22 (c) is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. 図22(c)において、符号800は時計本体を示し、符号801は前記のディスプレイ(電気光学装置)1を用いた表示部を示している。 In FIG. 22 (c), the reference numeral 800 denotes a watch body, and reference numeral 801 denotes a display unit using 1 wherein the display (electro-optical device). 図22(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、前記のディスプレイ(電気光学装置)1を用いた表示部を備えていることにより、耐久性に優れ、信頼性の高いなど良好な性能を有するものとなる。 Each of the electronic apparatus shown in FIG. 22 (a) ~ (c) is due to the provision of the display displaying unit using the (electro-optical apparatus) 1, durable, and a good and reliable It comes to have a performance. 【0087】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 [0087] The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, it is possible to add various modifications without departing from the scope of the present invention. 例えば、前記例においては、R、G、Bの各発光層110 For example, in the example, R, G, each of the light emitting layer B 110
b、110dを図23(a)に示すようなストライプ配置とした場合について説明したが、図23(b)に示すようなモザイク配置や、図23(c)に示すようなデルタ配置とすることができる。 b, has been described as being 110d stripe arrangement as shown in FIG. 23 (a) and that the mosaic arrangement and as shown in FIG. 23 (b), a delta arrangement as shown in FIG. 23 (c) can. 【0088】 【発明の効果】以上説明したように本発明の電気光学装置によれば、例えば発光層の形成材料が低分子材料と高分子材料とで構成されているので、各色毎に寿命などの特性上有利な方の材料が用いられることにより、全ての色間において特性上のバラツキが少ないものとなる。 [0088] According to the electro-optical device of the present invention described above, according to the present invention, for example because the formation material of the light emitting layer is constituted by the low molecular weight material and a polymer material, and life for each color by properties on favorable towards the material is used, it becomes the variation in characteristics is small among all the colors. したがって、寿命、すなわち耐久性に優れ、信頼性の高いものとなる。 Therefore, the life, i.e. durable, and high reliability.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の電気光学装置をディスプレイに適用した場合の一例の配線構造を示す平面模式図である。 It is a schematic plan view illustrating an example of a wiring structure when the electro-optical device BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] The present invention is applied to a display. 【図2】 本発明の電気光学装置をディスプレイに適用した場合の一例を示す図であって、(a)はディスプレイの平面図、(b)は(a)のAB線矢視断面図である。 The electro-optical device of the present invention; FIG is a view showing one example of applying the display, (a) is a plan view of a display, (b) is the AB cross-sectional view taken along line of (a) . 【図3】 図1、図2に示したディスプレイの要部側断面図である。 [3] FIG. 1 is a main part side sectional view of the display shown in FIG. 【図4】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [4] FIG. 1 is a main portion side sectional for explaining a display method of manufacturing shown in FIG. 【図5】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [5] FIG. 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図6】 ディスプレイの製造に用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図である。 6 is a schematic plan view showing an example of a plasma processing apparatus used in the manufacture of the display. 【図7】 図6に示したプラズマ処理装置の第1プラズマ処理室の内部構造を示す模式図である。 7 is a schematic view showing an internal structure of a first plasma treatment chamber of the plasma processing apparatus shown in FIG. 【図8】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [8] FIG. 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図9】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [9] FIG. 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図10】 ディスプレイの製造に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図である。 10 is a schematic plan view showing another example of a plasma processing apparatus used in the manufacture of the display. 【図11】 液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドの内部構造を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は要部拡大断面図である。 [Figure 11] is a diagram showing the internal structure of the droplet discharge head of the droplet discharge device, a (a) is a perspective view, (b) is a fragmentary enlarged sectional view. 【図12】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [12] FIG 1 is a main portion side sectional for explaining a display method of manufacturing shown in FIG. 【図13】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [13] FIG 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図14】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [14] FIG 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図15】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [15] FIG 1 is a main portion side sectional for explaining a display method of manufacturing shown in FIG. 【図16】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [16] FIG 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図17】 図1、図2に示したディスプレイの製造方法を説明するための要部側断面である。 [17] FIG 1 is a main portion side sectional for explaining a manufacturing method of a display shown in FIG. 【図18】 陰極の形成の他の例を説明するための要部側断面である。 18 is a main part side sectional for explaining another example of forming the cathode. 【図19】 陰極の形成の他の例を説明するための要部側断面である。 19 is a main part side sectional for explaining another example of forming the cathode. 【図20】 陰極の形成の他の例を説明するための要部側断面である。 FIG. 20 is a main part side sectional for explaining another example of forming the cathode. 【図21】 陰極の形成の他の例を説明するための要部側断面である。 21 is a main part side sectional for explaining another example of forming the cathode. 【図22】 (a)から(c)は本発明の電子機器を示す斜視図である。 [Figure 22] from (a) (c) is a perspective view showing the electronic device of the present invention. 【図23】 発光層の配置を示す平面模式図であって、 [Figure 23] A schematic plan view showing the arrangement of the light emitting layer,
(a)がストライプ配置、(b)がモザイク配置、 (A) the stripe arrangement, (b) is a mosaic arrangement,
(c)がデルタ配置を示す図である。 (C) is a diagram showing a delta arrangement. 【符号の説明】 1…ディスプレイ(電気光学装置)、12…陰強(対向電極)、110…発光部、110b、110d…発光層、111…画素電極600…携帯電話本体(電子機器)、700…情報処理装置(電子機器) 800…時計本体(電子機器) [Description of Reference Numerals] 1 ... display (electro-optical device), 12 ... negative strong (counter electrode), 110 ... light-emitting portion, 110b, 110d ... light-emitting layer, 111 ... pixel electrode 600 ... main body of the cellular phone (electronic device), 700 ... information processing device (electronic equipment) 800 ... watch body (electronic equipment)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 一画素内に赤、緑、青の三色の有機EL Red [claimed is: 1. A in one pixel, a green, three colors organic EL of the blue
    素子が形成されてなる電気光学装置において、少なくとも一色の有機EL素子において少なくとも一層の低分子材料が用いられており、残りの有機EL素子においては少なくとも一層の高分子材料が用いられていることを特徴とする電気光学装置。 In the electro-optical device element formed by the formation has at least one layer of low molecular material is used in at least one color of the organic EL element, that at least one layer of polymeric material is used in the remaining of the organic EL device electro-optical device according to claim. 【請求項2】 少なくとも一色の有機EL素子の有機層は全て低分子材料から形成されており、残りの有機EL Wherein at least an organic layer of the color of the organic EL element is all formed from a low molecular material, the remaining organic EL
    素子の有機層は全て高分子材料から形成されていることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置。 The organic layer is All electro-optical device according to claim 1, characterized in that it is formed from a polymeric material of the device. 【請求項3】 三色全ての有機EL素子において正孔注入/輸送機能を有する有機層は全て高分子材料から形成されていることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置。 3. The electro-optical device according to claim 1, characterized in that all are formed from a polymeric material organic layer having hole injection / transport function in all three colors of the organic EL element. 【請求項4】 青色発光の有機EL素子は低分子材料を用いて形成されており、緑及び赤色発光の有機EL素子は高分子材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1〜3記載の電気光学装置。 The organic EL device wherein the blue light-emitting is formed using a low molecular material, according to claim 1, the organic EL device of green and red emission, characterized in that it is formed by using a polymer material to 3 the electro-optical device according. 【請求項5】 低温ポリシリコンTFTによるアクティブ駆動である請求項1〜4記載の電気光学装置。 5. An electro-optical device according to claim 1 to 4, wherein the active drive by low-temperature polysilicon TFT. 【請求項6】 一画素内に赤、緑、青の三色の有機EL Red to [claim 6] in one pixel, green, three-color organic EL of the blue
    素子が形成されてなる電気光学装置において、 少なくとも一色の有機EL素子において少なくとも一層を、低分子材料を蒸着法にて形成し、 残りの有機EL素子においては少なくとも一層を、高分子材料を液滴吐出法にて形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電気光学装置。 In the electro-optical device element formed by the formed, at least more at least one color of the organic EL device, to form a low molecular weight material by vapor deposition method, at least one layer is the in the remaining organic EL element, the polymer material droplets the electro-optical device according to claim 1, characterized in that is formed by discharge method. 【請求項7】 低分子型と高分子型の有機EL素子の陰極をマスク蒸着にて異なる材質のものを分割して形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電気光学装置。 7. The electric according to any one of claims 1 to 6, characterized in that formed by dividing those different materials the cathode of the low-molecular type and a polymer type organic EL element in mask evaporation optical device. 【請求項8】 第一陰極を分割し第二陰極を共通に形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電気光学装置。 8. An electro-optical device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that to form a second cathode to divide the first cathode in common. 【請求項9】 まず、低分子用あるいは高分子用のどちらか一方の陰極のみパターニングし、その後他方の陰極を表示部全体に形成することを特徴とする請求項1〜6 9. First, according to claim 1 to 6, characterized in that patterning only one of the cathode for the low molecular or for polymer, and then form the other cathode on the entire display unit
    のいずれかに記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of. 【請求項10】 液滴吐出法による機能性高分子層の形成を先に行い、次いで真空蒸着法による機能性低分子層を形成し、続いて真空一貫にて陰極を形成することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。 10. performed before the formation of a functional polymer layer by a droplet discharge method, then to form a functional low molecular layer by vacuum deposition, followed by a characterized by forming the cathode by a vacuum consistent the method of manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 1 to 9. 【請求項11】 請求項1〜9のいずれかに記載の電気光学装置、あるいは請求項10記載の製造方法によって得られた電気光学装置を備えてなる電子機器。 11. The electro-optical device, or claim 10 the electronic device comprising an electro-optical device obtained by the method according of any of claims 1-9.
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