JP2003326500A - ウエーハプロセス用薄板基板構造とこの薄板基板を用いたｍｅｍｓ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大口径ウエーハプロセス工程に適する基板構
造を提供する。 【解決手段】 本体基板と補助基板が接着層により貼り
合せて一体化した構造を形成して、これをウエーハプロ
セス用薄板基板構造とする。補助基板は耐熱性があり容
易に除去可能な材料である。接着層は耐熱性があり容易
に除去可能な材料である。ウエーハプロセス用薄板基板
構造は本体基板ウエーハを薄板化した構造と、薄板化し
た構造の基板ウエーハに、ウエーハプロセスによって所
要のパターンを形成した構造を特徴とし、これによりパ
ッケージング構造のＭＥＭＳ素子を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
技術によりパターンを加工形成する薄型基板の構造に関
し、貼り合せ構造の薄板基板およびこの薄型基板を用い
た素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウエーハ基板上にＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ
−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅ
ｍｓ）素子を一括形成する製造方法では、通常、Ｓｉ基
板を用いた半導体素子や集積回路の製造方法に比べて立
体構造などを構築する必要があるため特殊な技術が利用
されている。これにはＭＥＭＳでは基板材料としてＳｉ
のほかに金属、ガラス、樹脂など、加工法は深い段差や
貫通孔の形成技術、成膜法は内部応力を制御した厚膜形
成技術などが使われる。

【０００３】また、ＭＥＭＳではウエーハプロセスでパ
ッケージングされた素子構造の構築が可能となり、素子
を低コスト化できる大きな利点があるため実用化開発が
進んでいる。ウエーハプロセス・パッケージングでは、
基本的な技術として、例えば、ガラス基板にフィードス
ルー構造を形成するには基板ウエーハに対して高精度な
貫通孔を高速で加工する技術、上記貫通孔を導電材料で
高精度に埋込む技術、および製造工程の途中でＳｉやガ
ラス基板ウエーハを薄板に加工してこれにパターンを形
成する技術、あるいはガラスとＳｉの薄板基板を陽極接
合や熱圧着により接合する技術など多種類の高度な技術
が要求される。上記の製造技術で問題となる点は、基板
ウエーハが大口径になるほどウエーハの機械強度を確保
するために基板の厚さを厚くする必要があることであ
る。厚い基板ウエーハに貫通孔を加工することは、加工
時間が長くなる、孔寸法が大きくなってフィードスルー
を高密度化できない、貫通孔が深いので導電材を埋込み
難くなり、作業時間が長くなる、などの欠点があり、Ｍ
ＥＭＳでは大口径の基板ウエーハを用いてもＳｉ・ＬＳ
Ｉのように大量生産によるコスト低減の効果が十分に得
られない問題があった。

【０００４】基板ウエーハを可能な限り薄板にした場合
は、製造工程の取り扱いで基板が割れる確率が高くな
り、歩留りの低下が避けられない問題があった。このよ
うにＭＥＭＳの製造工程では基板の厚さは素子性能に関
係するばかりでなく、製造コストを決める重要な要因で
ある。例えば６インチの大口径ウエーハの製造工程では
約５００μｍ以下の厚さの基板ウエーハでは通常の取り
扱いが困難であった。速度センサや真空度センサ等とし
て大量生産されているＭＥＭＳデバイスには薄板基板を
用いる必要があるが、これらの製造工程の中には処理温
度が約３５０℃と高い陽極接合技術や熱圧着技術があ
り、薄板基板を取り扱うことが問題であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明はＭＥＭＳ素子
の製造工程において取り扱える薄板基板の構造を提供す
るもので、本発明で解決しようとする課題は、（１）処
理温度が約４００℃に耐える補助基板を有する薄板基板
を取扱う、（２）薄板基板から補助基板の除去を確実に
かつ迅速におこなう、（３）薄板基板に付着した接着層
の除去を確実におこなう、である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記、課題に対して本発
明の基本とすることは、薄板基板は補助基板と接着層に
より貼り合せて一体化した構造を有することを特徴とす
る。本発明の補助基板は耐熱性があり容易にウエットエ
ッチングやプラズマエッチングによって除去可能な材料
から構成されていることを特徴とする。

【０００７】この材料は例えばＳｉ、ＧａＡｓなどの半
導体結晶基板、石英ガラスやパイレックスガラスなどの
絶縁性基板およびＡｌ、Ｔｉなどの除去が容易な金属基
板のいずれかまたは複合体が好ましい。薄板基板と補助
基板を貼り合せするための本発明の接着層は耐熱性があ
り容易にウエットエッチングやプラズマエッチングによ
って除去可能な材料から構成されていることを特徴とす
る。

【０００８】この材料は例えばポリイミド、ポリアミド
などの有機樹脂、シリカ系塗布型絶縁膜形成用樹脂ある
いはＡｕＧｅ合金などの金属薄層、のいずれかまたは複
合体が好ましい。なお、Ｓｉ上にＳｉＣなどの薄板を形
成した原子層レベルの接着層もこの発明に含まれる。本
発明のウエーハプロセス用薄板基板構造は、本体基板ウ
エーハと補助基板ウエーハを接着層により一体化した構
造であって、本体基板ウエーハを薄板化した構造と、薄
板化した構造の基板ウエーハに、ウエーハプロセスによ
って所要のパターンを形成した構造を提供するものであ
る。

【０００９】本発明のウエーハプロセス用薄板基板構造
は、深孔加工された本体基板ウエーハを薄板化したこと
によって貫通孔が形成された薄板構造と、これらの貫通
孔に導電材料を形成してフィードスルー構造体を有する
ものを提供するものである。

【００１０】本発明のウエーハプロセス用薄板基板構造
は、上述した薄板化した構造の基板ウエーハと別の基板
ウエーハとを接合した構造を提供するものである。

【００１１】本発明のウエーハプロセス用薄板基板構造
は、接合した構造基板ウエーハから上記補助基板ウエー
ハと上記接着層とを除去した構造を提供するものであ
る。

【００１２】本発明のウエーハプロセス用薄板基板構造
は上述した薄板構造基板ウエーハを少なくとも１種類使
って、ウエーハプロセスにおいてパッケージングされた
素子構造基板ウエーハを形成し、これを素子ごとに分割
することによってＭＥＭＳ素子が得られるための構造を
提供するものである。

【００１３】本発明のＭＥＭＳ素子製造方法は、本体基
板ウエーハと補助基板ウエーハを接着層により貼り合わ
せて一体化する工程と、本体基板ウエーハを所定の厚さ
に加工し、構造体基板ウエーハを形成する工程と、構造
体ウエーハに所定のパターンや電極を形成する工程と、
本基板ウエーハを別の基板に接合する工程と、この接合
した基板ウエーハから上記補助基板と接合層を除去する
工程と、を基本として製作されるＭＥＭＳ素子の製造方
法を提供するものである。

【００１４】本発明のＭＥＭＳ素子製造方法は、上述し
た製造方法によって製造された基板ウエーハと、別のプ
ロセスによって形成された基板とを接合する工程とか
ら、ウエーハプロセスの中でパッケージングされた素子
構造の基板ウエーハが製作されるＭＥＭＳ素子の製造方
法を提供するものである。

【００１５】本発明のＭＥＭＳ素子製造方法は、本体基
板ウエーハに深孔加工を形成する工程と、本基板ウエー
ハの加工面と補助基板ウエーハの金属層表面とを接着層
によって貼り合わせて一体化する工程と、上記深孔加工
した基板を深孔が貫通するまで研磨やエッチングによっ
て削る工程と、上記貫通孔の底面が金属層となるように
接着層をエッチングする工程と、電解メッキやほかの手
段によって上記貫通孔に金属材形成する工程と、を基本
としてフィードスルー基板ウエーハで製作されるＭＥＭ
Ｓ素子の製造方法を提供するものである。

【００１６】本発明のＭＥＭＳ素子製造方法は、上述し
た製造方法によって製造されたフィードスルー付き基板
ウエーハと、別のプロセスによって形成された基板とを
接合する工程と、上記別のプロセスによって形成された
基板から補助基板と接着層を除去する工程と、上記基板
の除去した面に他のプロセスによって形成された基板と
を接合する工程と、上記フィードスルー付き基板ウエー
ハにある補助基板と接着層を除去する工程と、を基本と
してウエーハプロセスの中でパッケージングされた素子
構造の基板で製作されるＭＥＭＳ素子の製造方法を提供
するものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】（実施例１）大口径基板ウエーハ
を用いて加速度センサを製造する一実施例を説明する。
この製造工程中に本発明の一実施例による薄板基板ウエ
ーハの構造が含まれている。図１から図８はこの主要製
造工程におけるウエーハ基板の中の素子部分の側断面図
である。

【００１８】図１：Ｓｉの補助基板ウエーハ１と加速度
センサの構造体を形成するためのＳｉの本体基板ウエー
ハ３１は接着層２を介して接合される。接着層２は液体
状のポリイミドを塗布により少なくとも一方のＳｉ基板
に形成する。これを半乾燥し、両者の基板を接触させて
加圧と加熱により接着する。 図２：Ｓｉの本体基板ウエーハを所望の構造体の厚さま
でエッチングにより薄板化しＳｉの構造体基板ウエーハ
３を形成する。この厚さは、約１０−２００μｍの範囲
である。 図３：Ｓｉの構造体基板ウエーハ３上にフォトリソグラ
フィとエッチング技術によりパターン４を形成する。こ
のパターンの深さは、約１−２０μｍである。 図４：フォトリソグラフィとエッチング技術によりカン
チレバーパターン５を形成する。これにはドライエッチ
ングのＤｅｅｐ ＲＩＥで垂直断面形状が得られるよう
Ｓｉの貫通孔６を加工してカンチレバーパターン５を形
成する。

【００１９】図５：図４で製作した構造体ウエーハ１４
とフィードスルー付きガラス基板９を陽極接合により接
合する。フィードスルー付きガラス基板９はガラス基板
１０の貫通孔にメタル１１を埋込んでガラス基板の表面
と裏面間に電流パスを形成した構造である。 図６：図５で製作した接合基板からＳｉの補助基板ウエ
ーハ１全部をエッチングによって除去し、ポリイミドの
接着層２を露出させる。Ｓｉのエッチングは工程の途中
まではウエットで処理し最終仕上げはドライ処理が好ま
しい。 図７：図６で製作した接合基板からポリイミドの接着層
２をドライエッチングで完全に除去しＳｉ構造体の一部
にカンチレバーパターン５を形成する。 図８：図７で製作した接合基板のＳｉ面とふた用ガラス
基板５０を陽極接合により接合する。この気密接合は真
空もしくは減圧ガスの雰囲気で行う。最後に製作した３
層構造は、フィードスルー付きガラス基板９、カンチレ
バー構造体Ｓｉ薄板基板３０、ふた用ガラス基板５０か
ら構成されており、この基板ウエーハ７０はウエーハプ
ロセス中で各素子がパッケージングされた構造を持つの
でウエーハパッケージング基板ウエーハと呼ばれる。Ｍ
ＥＭＳの素子は、この基板ウエーハを素子（チップ）に
カットして一括して大量に作られることが特徴である。
以上述べた製造工程の説明で、電極形成などの工程を省
略したが、実際はカンチレバーが上下に振動すると、こ
の上下のガラス面に配置された電極板とカンチレバー電
極による静電容量が変化して、フィードスルーを通して
上部電極４２Ａ，４２Ｂにより静電容量が測定される。
加速度計はこのＭＥＭＳの素子による加速度センサ、制
御回路および表示部などから構成される。

【００２０】本発明による薄板基板は図２から図４まで
の工程で使われている構造のものを基本としている。補
助基板付き薄板基板１４は図５のように別の基板９に接
合されたあと、補助基板１と接着層２を本体基板から除
去して構造体薄板基板３０が上記の別の基板９に形成さ
れることも本発明の特徴である。このような技術を用い
ることにより４インチ以上の大口径ウエーハの製造工程
でも薄板基板をウエーハのまま、従来と同じように取り
扱うことができるので、本構造の基板および製造方法が
大量生産ラインに適合され、製造コストの大幅な低減に
寄与することができる。

【００２１】（実施例２）大口径基板ウエーハを用いて
加速度センサを製造する別の実施例を説明する。この製
造工程中に本発明の別の実施例による薄板基板ウエーハ
の構造が含まれている。図９から図１７はこの主要製造
工程におけるウエーハ基板の中の素子部分の側断面図で
ある。

【００２２】図９：フィードスルー用ガラス基板２１の
表面にＮｉ層２２を形成し、これをパターニングして、
Ｎｉ層をマスクとしてＤｅｅｐ ＲＩＥによりガラスを
約１５０μｍの深さにエッチングして深孔２０を加工す
る。 図１０：深孔２０を加工後、Ｎｉ層２２をウエットエッ
チングで除去する。 図１１：図１０で製作したガラス基板ウエーハ４０の深
孔加工面と接着層２３付きＳｉの補助基板ウエーハ構造
体４１を接触させ、加圧と加熱の条件下で両者を接着す
る。このＳｉの補助基板ウエーハ構造体４１はＳｉの補
助基板ウエーハ２５の表面にメッキ下地用金属層２４と
ポリイミドの接着層２３が積層された構造である。 図１２：図１１で製作した基板ウエーハのガラス基板側
を研磨によって削り、フィードスルー用ガラス基板２１
の厚さを約１００μｍにする。この工程によってフィー
ドスルー用ガラス基板２１に貫通孔２６が形成される。
続いてドライエッチにより貫通孔２６底面の露出したポ
リイミドの接着層２３を除去し、メッキ下地用金属層２
４を露出させる。

【００２３】図１３：図１２で製作した基板ウエーハ４
２に電解メッキ処理により貫通孔２６に銅を埋め込みフ
ィードスルー２７を形成する。フィードスルー用ガラス
基板２１の表面は陽極接合のために鏡面研磨仕上げをす
る。 図１４：図１３で製作した基板ウエーハ４３と実施例１
の図４で製作した構造体ウエーハ１４を接着させ、陽極
接合により両者を接合する。 図１５：図１４で製作した基板ウエーハの構造体ウエー
ハ側に、貼り合せてあった補助基板１と接着層２をエッ
チングにより除去する。 図１６：図１５で製作した基板ウエーハ４５のＳｉ面側
とふた用ガラス基板５０を陽極接合により接合する。 図１７：図１６で製作した基板ウエーハから基板ウエー
ハ４３に貼り合せてあったＳｉの補助基板ウエーハ構造
体４１をエッチングにより除去する。除去する順番はＳ
ｉの補助基板ウエーハ２５，メッキ下地用金属層２４お
よびポリイミドの接着層２３である。以上述べた製造工
程の説明では電極形成などを省略したが、カンチレバー
の振動は上下の電極による静電容量変化としてフィード
スルーを通して上部電極４３Ａ，４３Ｂにより測定され
る。加速度計はこのＭＥＭＳの素子による加速度セン
サ、制御回路および表示部などから構成される。

【００２４】この実施例による薄板基板は図１１から図
１３までの工程で使われている構造のものを基本として
いる。補助基板付き薄板基板４３は図１４のように別の
基板１４に接合され、これに構造体簿板基板３０を接合
したあと、さらに図１６で示したようにふた用ガラス基
板にも接合される。この実施例による最終的に残る薄板
基板６０はフィードスルー付ガラス基板である。このよ
うに４インチ以上の大口径ウエーハの製造工程でも本発
明によるウエーハプロセス用薄板基板構造はウエーハの
まま、従来と同じように取り扱うことができるので、本
構造および製造方法が低コストの大量生産に適合できる
特徴がある。

【００２５】（実施例３）大口径基板ウエーハを用いる
フィードスルー付き薄板基板ウエーハの製造方法の他の
実施例を説明する。この製造工程中に本発明の他の実施
例による薄板基板ウエーハの構造が含まれている。図１
８から図２２はこの主要製造工程におけるウエーハ基板
の中の素子部分の側断面図である。

【００２６】図１８：Ｓｉの基板ウエーハ９０に突起部
パターン９１を形成する。突起部の高さは約５０から２
００μｍで、断面形状は垂直または任意のテーパ角度が
好ましい。また、エッチングの底面は陽極接合や熱圧着
接合に使われることがあるので、精密加工仕上げが好ま
しい。 図１９：この基板ウエーハ９０に絶縁材料の厚膜層９２
を形成する。これはゾル・ゲル法によるＳｉＯ２材料、
ＴＥＯＳ原料を用いて内部応力を制御した厚膜のＳｉＯ
２材料、気相成長による厚膜のＳｉＣ材料、高温、高圧
焼結法によるＡｌＮ材料、および熱圧着などのより耐熱
性のよいポリイミドなどの樹脂材などが好ましい。な
お、Ｓｉ突起部上面が絶縁材料の厚膜層５２から露出し
ていることが好ましいので、研磨加工などの仕上げが必
要な場合がある。 図２０：図１９で形成された基板ウエーハ９３と、実施
例２の図１１で示したものと同様な接着層２３付きＳｉ
の補助基板ウエーハ構造体４１を接触させ、加圧と加熱
の条件下で両者を接着する。このＳｉの補助基板ウエー
ハ構造体４１はＳｉの補助基板ウエーハ２５の表面にメ
ッキ下地用金属層２４とポリイミドの接着層２３が積層
された構造である。 図２１：接合された基板ウエーハから基板ウエーハ９３
の構造材であるＳｉをウエットエッチングとドライエッ
チングを組み合わせたプロセスによって完全に除去す
る。これによって補助基板ウエーハで補強された貫通孔
９４をもつ薄板ウエーハ１００ができる。 図２２：貫通孔９４に電解メッキにより銅または金のよ
うな導電特性のよい金属層のフィードスルー９７を形成
する。この工程で完成したウエーハプロセス用薄板基板
構造ウエーハは、実施例２の図１４に示した構造体ウエ
ーハ４３と同様であり、カンチレバーなどをもつ、別の
構造体ウエーハ１４と接合される。以下の製造工程は、
実施例２の図１５から図１７までの工程と同様である。

【００２７】実施例３のフィードスルー付き薄板基板ウ
エーハの製造方法では、貫通孔加工を必要とせず、加工
しやすいＳｉ材料で型を形成したものをあとから除去す
ることによって貫通孔ができることが特徴である。これ
によって、用途に応じてガラス以外の絶縁材料が選択
（例えば、ＳｉＣやＡｌＮは放熱特性が優れる）できる
こと、製造時間の大幅な短縮ができることなどの特徴が
ある。実施例ではＳｉ基板ウエーハをあらかじめ加工し
てから、薄板層を形成した例を述べたが、本発明の趣旨
からして、薄板層をＳｉ基板ウエーハ上に形成してから
所望のパターン形状加工した用い方であってもよい。こ
の方法では、実施例１の図１から図４で述べたカンチレ
バーがいろいろな種類の材料で形成できる特徴がある。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
本体基板を補助基板に接着したウエーハプロセス用基板
は耐熱性があり、薄板基板構造のまま、別の基板ウエー
ハに陽極接合や熱圧着接合が可能になり、これが大口径
のウエーハを取り扱う製造工程に適用できる特徴があ
る。この結果、大量生産による製造コストの大幅な低減
に寄与される。また、本発明によれば薄板のフィードス
ルー構造の基板が低コストで供給できる特徴がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１の本体基板ウエーハと補助基板ウエ
ーハを接着層により貼り合せて一体化した構造の断面
図。

【図２】 実施例１、図１の本体基板ウエーハを薄板化
した構造の断面図。

【図３】 実施例１、図２の薄板化した構造体基板ウエ
ーハにパターン形成した構造の断面図。

【図４】 実施例１、図３の薄板化した構造体基板ウエ
ーハに全部のパターンを形成した構造体ウエーハの構造
の断面図。

【図５】 実施例１、図４の構造体ウエーハと、別の工
程で製作したフィードスルー付きガラス基板とを陽極接
合で接合した基板ウエーハの構造の断面図。

【図６】 実施例１、図５の基板ウエーハから補助基板
ウエーハを除去し、接着層が残る場合の基板ウエーハの
構造の断面図。

【図７】 実施例１、図６の基板ウエーハから接着層を
除去し、次工程の接合を行う前の基板ウエーハの構造の
断面図。

【図８】 実施例１、図７の基板ウエーハと別の工程で
製作したふた用ガラス基板とを陽極接合で接合して最終
工程のウエーハプロセスでパッケージングされた素子構
造が完成した基板ウエーハの構造の断面図。

【図９】 実施例２のフィードスルー用ガラス基板の表
面にマスクパターンを形成して深孔加工した構造の断面
図。

【図１０】 実施例２、図９の深孔加工したフィードス
ルー用ガラス基板からマスク材を取り去ったガラス基板
ウエーハの構造の断面図。

【図１１】 実施例２、図１０のガラス基板ウエーハ
と、金属層と接合層をもつ補助基板ウエーハ構造体を貼
り合せて一体化した構造の断面図。

【図１２】 実施例２、図１１の、貼り合せて一体化し
た基板ウエーハを削ってガラス基板ウエーハに貫通孔を
形成した構造の断面図。

【図１３】 実施例２、図１２の貫通孔を形成した基板
ウエーハにフィードスルーを形成した構造の断面図。

【図１４】 実施例２、図１３の完成した基板ウエーハ
と別の工程で製作した構造体ウエーハとを陽極接合で接
合した構造の断面図。

【図１５】 実施例２、図１４の基板ウエーハからカン
チレバーパターンがある側の補助基板ウエーハと接着剤
とを除去した構造の断面図。

【図１６】 実施例２、図１５の基板ウエーハとふた用
ガラス基板とを陽極接合で接合した構造の断面図。

【図１７】 実施例２、図１６の接合した基板ウエーハ
から金属層と接合層をもつ補助基板ウエーハ構造体を除
去して最終工程のウエーハプロセスでパッケージングさ
れた素子構造が完成した基板ウエーハの構造の断面図。

【図１８】 実施例３のフィードスルー用基板形成のた
めにＳｉの突起部パターンを持つ基板ウエーハ５０の構
造断面図。

【図１９】 実施例３の図１８に絶縁材料の厚膜層５２
を形成した構造の基板ウエーハの断面図。

【図２０】 実施例３、図１９の基板ウエーハと、金属
層と接合層をもつ補助基板ウエーハ構造体を貼り合せて
一体化した構造の断面図。

【図２１】 実施例３、図２０貼り合せて一体化した基
板ウエーハから基板ウエーハを削って絶縁層に貫通孔を
形成した構造の断面図。

【図２２】 実施例３、図２１の貫通孔を形成した基板
ウエーハにフィードスルーを形成した構造の断面図。

【符号の説明】

１：補助基板ウエーハ ２：接着層 ３：構造体基板ウエーハ ５：カンチレバーパターン ９、６０：フィードスルー付きガラス基板 １４：構造体ウエーハ ２１：フィードスルー用ガラス基板ウエーハ ２７、９７：フィードスルー ３０：構造体薄板基板 ５０：ふた用ガラス基板 ７０，８０：ウエーハプロセス・パッケージング構造の
基板ウエーハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 CA21 CA22 CA23 DA01 DA03 DA04 DA05 DA13 DA15 DA18 EA02 EA06 EA11 EA13 EA14 EA20 FA20

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエーハプロセスで使われる基板におい
   て、本体基板ウエーハと補助基板ウエーハを接着層によ
   り貼り合せて一体化した構造であって、本体基板ウエー
   ハを薄板化した構造と、薄板化した構造の基板ウエーハ
   に、ウエーハプロセスによって所要のパターンを形成し
   た構造を有することを特徴としたウエーハプロセス用薄
   板基板構造。
2. 【請求項２】 請求項１記載のウエーハプロセス用薄板
   基板構造において、深孔加工された本体基板ウエーハを
   用いて薄板化することによって貫通孔が形成される薄板
   構造と、これらの貫通孔に導電材料の形成によってフィ
   ードスルー構造体を有することを特徴としたウエーハプ
   ロセス用薄板基板構造。
3. 【請求項３】 請求項１と２記載の製造方法で形成した
   ウエーハプロセス用薄板基板構造であって、上記補助基
   板としてＳｉまたはＧａＡｓなどの半導体ウエーハを、
   また上記接着層としてポリイミドやポリアミドなどの高
   温用樹脂によって構成されることを特徴としたウエーハ
   プロセス用薄板基板構造。
4. 【請求項４】 請求項１から３記載の製造方法で形成し
   たウエーハプロセス用薄板基板構造であって、これを別
   の基板ウエーハに接合した構造を有することを特徴とし
   たウエーハプロセス用薄板基板構造。
5. 【請求項５】 請求項４記載のウエーハプロセス用薄板
   基板構造ウエーハの製造方法であって、接合した構造基
   板ウエーハから上記補助基板ウエーハと上記接着層とを
   除去した構造を有することを特徴としたウエーハプロセ
   ス用薄板基板構造。
6. 【請求項６】 ウエーハプロセスで使われる基板であっ
   て、請求項１から５記載の薄板構造基板ウエーハを少な
   くとも１種類使って、ウエーハプロセスにおいてパッケ
   ージングされた素子構造基板ウエーハを形成し、これを
   素子ごとに分割することによってＭＥＭＳ素子が得られ
   るものであることを特徴としたウエーハプロセス用薄板
   基板構造。
7. 【請求項７】 ウエーハプロセスで使われる基板におい
   て薄板付の基板ウエーハであって、ウエーハプロセスに
   よって所要のパターンを形成した構造を有し、これを別
   の基板ウエーハと接合または接着したのち、薄板付き基
   板の基板だけを除いた構造を有することを特徴としたウ
   エーハプロセス用薄板基板構造。
8. 【請求項８】 本体基板ウエーハと補助基板ウエーハを
   接着層により貼り合わせて一体化する工程と、本体基板
   ウエーハを所定の厚さに加工し、構造体基板ウエーハを
   形成する工程と、構造体ウエーハに所定のパターンや電
   極を形成する工程と、本基板ウエーハを別の基板に接合
   する工程と、この接合した基板ウエーハから上記補助基
   板と接合層を除去する工程と、を基本として製作される
   ことを特徴としたＭＥＭＳ素子の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項７記載の製造方法によって製造さ
   れた基板ウエーハと、別のプロセスによって形成された
   基板とを接合する工程とから、ウエーハプロセスの中で
   パッケージングされた素子構造の基板ウエーハを製作す
   ることを特徴としたＭＥＭＳ素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 本体基板ウエーハに深孔加工を形成す
    る工程と、本基板ウエーハの加工面と補助基板ウエーハ
    の金属層表面とを接着層によって貼り合わせて一体化す
    る工程と、上記深孔加工した基板を深孔が貫通するまで
    研磨やエッチングによって削る工程と、上記貫通孔の底
    面が金属層となるように接着層をエッチングする工程
    と、電解メッキやほかの手段によって上記貫通孔に金属
    材を形成する工程と、を基本としてフィードスルー基板
    ウエーハを製作することを特徴としたＭＥＭＳ素子の製
    造方法。
11. 【請求項１１】 請求項９記載の製造方法によって製造
    されたフィードスルー付き基板ウエーハと、別のプロセ
    スによって形成された基板とを接合する工程と、上記別
    のプロセスによって形成された基板ウエーハから補助基
    板と接着層を除去する工程と、上記基板の除去した面に
    他のプロセスによって形成された基板とを接合する工程
    と、上記フィードスルー付き基板ウエーハにある補助基
    板と接着層を除去する工程と、を基本としてウエーハプ
    ロセスの中でパッケージングされた素子構造の基板ウエ
    ーハを製作することを特徴としたＭＥＭＳ素子の製造方
    法。