JP2003303681A - Organic led element and its manufacturing method as well as organic led display device - Google Patents

Organic led element and its manufacturing method as well as organic led display device

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JP2003303681A
JP2003303681A JP2002106628A JP2002106628A JP2003303681A JP 2003303681 A JP2003303681 A JP 2003303681A JP 2002106628 A JP2002106628 A JP 2002106628A JP 2002106628 A JP2002106628 A JP 2002106628A JP 2003303681 A JP2003303681 A JP 2003303681A
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organic led
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led element
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JP2002106628A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshimasa Fujita
Takashi Ogura
隆 小倉
悦昌 藤田
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a long-life organic LED element having equal or higher luminous efficiency as compared with the case of forming an opposing electrode by resistance heating deposition method, by completely preventing a sputter damage. <P>SOLUTION: In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、有機LED素子およびその製造方法、有機LED表示装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to an organic LED element and a manufacturing method thereof, an organic LED display device. 【0002】 【従来の技術】近年、高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイへのニーズが高まっている。 [0002] In recent years, due to the advanced information, there is a growing demand for flat panel display. フラットパネルディスプレイとしては、非自発光型の液晶ディスプレイ(LCD)、自発光型のプラズマディスプレイ(P The flat panel display, a non-self-luminous liquid crystal display (LCD), a self-luminous plasma display (P
D)、無機エレクトロルミネセンス(IOEL)ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンス(OEL)ディスプレイのエレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイなどが知られている。 D), an inorganic electroluminescence (IOEL) display or an organic electroluminescence (OEL) electroluminescent (EL display) displays are known. これらの中でも、有機ELディスプレイの進歩は特に著しい。 Among these, advances in organic EL displays are particularly pronounced. 【0003】有機ELディスプレイにおいては、ディスプレイを構成する有機LED素子に単純マトリックス駆動をさせて、動画表示を行う技術が知られていた(特開平2−37385号公報、有機エレクトロニクス材料研究会編「有機LED素子の残された重要課題と実用化戦略」(株式会社文伸ブックショップ、1999年7月1 [0003] In the organic EL display, by a simple matrix drive organic LED element constituting a display, a technique of performing moving image display has been known (JP-A-2-37385, JP-Organic Electronics Materials Research Society " organic LED remaining important issue and commercialization strategy of the element "(Ltd. BunShin book shop, July 1999 1
日発行)、55頁参照)。 Day issue), see page 55). しかしながら、上記の方法では線順次駆動を行うので、走査線数が数百本と多い場合には、必要とされる瞬間輝度が数十万〜数百万cd/m However, since the line-sequential driving in the above method, when the number of scanning lines hundreds and large in number instantaneous luminance is required hundred thousands to several millions cd / m
2にも達してしまい、次のような問題があった。 Will be reached in 2, it has the following problems. (1)駆動電圧が高くなり、配線での電圧降下が大きくなる。 (1) the drive voltage increases, the voltage drop of the wiring is increased. (2)高輝度側の低発光効率の領域での駆動が強いられるために、消費電力が大きくなる。 (2) for driving in the region of low luminous efficiency of the high-luminance side is strong, power consumption is increased. 【0004】そこで、上記の問題を解決するために、薄膜トランジスタ(TFT)を用いて、有機LED素子にアクティブマトリクス駆動をさせる有機ELディスプレイが開発された(特開平7―122360号公報、特開平7―122361号公報、特開平7―153576号公報、特開平8―241047号公報、特開平8―22 [0004] In order to solve the above problem, by using a thin-film transistor (TFT), an organic EL display to an active matrix driving organic LED element has been developed (JP-A 7-122360, JP-A No. 7 -122361, JP-A No. 7-153576, JP-A No. 8-241047, JP-A No. 8-22
7276号公報、「有機LED素子の残された重要課題と実用化戦略」(前記、62頁参照)。 7276 JP, "remaining important issue and Feasibility of organic LED element" (the, see page 62). アクティブマトリクス駆動は、単純マトリックス駆動に比べて、低電圧駆動が可能で、発光効率の高い領域での駆動が可能であるために、有機ELディスプレイの消費電力を大幅に低減できる。 The active matrix drive, compared with the simple matrix drive, can be driven at low voltage, since it can be driven by a high emission efficiency region, it is possible to significantly reduce the power consumption of the organic EL display. しかしながら、この有機ELディスプレイでは、有機LED素子の駆動に2つ以上のTFTを用いるので、液晶ディスプレイに比べて、画素における発光領域の開口率が非常に低くなる(特開平7−111341 However, in this organic EL display, since use of two or more TFT for driving the organic LED element, as compared with liquid crystal displays, the aperture ratio of the light-emitting region in the pixel is very low (JP 7-111341
号公報、SID98 DIGEST、11頁参照)。 JP, see SID98 DIGEST, 11 pp.). 【0005】また、画素の開口率を向上する目的で、T Further, for the purpose of improving the aperture ratio of the pixel, T
FT上に絶縁膜を介して有機LED素子を配置し、基板の逆側から発光を取り出す構造の有機ELディスプレイも提案されている(特開平10−162959号公報、 The organic LED element is disposed via an insulating film on FT, organic EL display structure in which light is extracted from the opposite side of the substrate has been proposed (JP-A 10-162959, JP-
特開平10−189252号公報、特開平10−294 JP-10-189252, JP-A No. 10-294
182号公報、特開2001−282123号公報、特開2001−291595号公報参照)。 182, JP 2001-282123, JP-see JP 2001-291595). 【0006】他方、有機LED素子の対向電極の形成方法としては、良好な素子特性(発光効率、寿命)が得られることから、一般に抵抗加熱蒸着法が好適に用いられている。 [0006] On the other hand, as a method for forming the counter electrode of the organic LED element, excellent device characteristics (luminous efficiency, life) because the obtained generally resistive heating deposition method is suitably used. しかしながら、より優れた素子特性(高発光効率、高寿命)を有する有機LED素子を得るために、また下記のような観点から、対向電極の形成方法としては、抵抗加熱蒸着法の代わりにスパッタ法が注目されている。 However, the sputtering method in order to obtain an organic LED element, also from the viewpoint as described below, as a method for forming the counter electrode, instead of the resistance heating vapor deposition method having a superior device characteristics (high luminous efficiency, long life) There has been attracting attention. 【0007】(1)抵抗加熱蒸着用の蒸着用ボートと反応しやすいアルミニウムのような金属を含有する材料を用いて対向電極を形成する場合、抵抗加熱蒸着法では連続形成が困難である(量産性に劣る)という観点(2)基板の逆側から発光を取り出すために必要な透明電極などを形成する観点(3)有機LED層と電極との密着性を向上させて、電極からの電荷の注入効率を向上させる観点【0008】しかしながら、スパッタ法で対向電極を形成するときには、高速電子線、高エネルギー原子、紫外線が、有機LED素子の有機LED層にダメージを与え、有機LED素子の発光特性を劣化させるという問題があった。 [0007] (1) When using a metal-containing material, such as a deposition boat and easily reacts with aluminum for resistance heating evaporation to form a counter electrode, a resistance heating deposition method is difficult continuous form (mass to improve the adhesion between the aspect (3) organic LED layer and an electrode to form a like transparent electrodes needed to extract light emission from that standpoint (2) opposite side of the substrate poor sexual), the charge from the electrode in view of improving the injection efficiency However, when forming the opposite electrode by sputtering, high-speed electron beam, high energy atoms, ultraviolet rays, damage the organic LED layer of the organic LED element, light emission characteristics of the organic LED element there is a problem that degrade. 【0009】そこで、スパッタによるダメージを低減する方法として、例えば、下記の方法が提案されている。 [0009] Therefore, as a method for reducing the damage caused by sputtering, for example, the following methods are proposed. (1)スパッタに対して耐性を有する材料を用いて、有機LED層を形成する方法(SID2001 DIGE (1) resistance by using a material having a relative sputtering, a method of forming an organic LED layer (SID2001 DIGE
ST、31、4、526頁、特表2000−51746 ST, pp. 31,4,526, JP-T 2000-51746
9号公報参照)、(2)有機LED層上に抵抗加熱蒸着法で合金層を形成し、その上にRFマグネトロンスパッタ法またはDCマグネトロンスパッタ法でITO膜からなる透明電極を形成する方法(Appl.Phys.L See JP 9), (2) organic alloy layer is formed LED layer in a resistance heating deposition method, a method (Appl for forming a transparent electrode made of ITO film by the RF magnetron sputtering or DC magnetron sputtering thereon .Phys.L
ett. ett. 、68(19)、1996、2606頁、特開平10−162959号公報、特開平10−29418 , 68 (19), pp. 1996,2606, JP-A 10-162959, JP-A No. 10-29418
2号公報参照)、(3)抵抗加熱法により保護電極を形成し、その保護電極上に誘導結合型スパッタ法により電極を形成する方法(特開平11−162652号公報参照)しかしながら、これらの方法では、スパッタダメージを十分に低減して、抵抗加熱蒸着法で対向電極を形成した場合と同等の発光効率を有する有機LED素子を得ることができなかった。 See 2 No.), (3) by a resistance heating method to form a protective electrode, a method of forming an electrode by inductively coupled sputtering on the protective electrode (see Japanese Patent Laid-Open No. 11-162652) However, these methods in, and sufficiently reduced sputtering damage, it was not possible to obtain an organic LED element having the same light emission efficiency in the case of forming the counter electrode by the resistance heating evaporation method. 【0010】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、スパッタダメージを完全に防止して、抵抗加熱蒸着法で対向電極を形成した場合と比べて、同等以上の高発光効率を有し、 [0010] SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to completely prevent sputtering damage, as compared with the case of forming the counter electrode in a resistance heating evaporation method, have equal or higher luminous efficiency,
かつ長寿命な有機LED素子を提供することを課題とする。 And it is an object to provide a long-life organic LED element. 【0011】 【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれば、基板上に、第1電極、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層および第2電極を順次形成して有機L [0011] Means for Solving the Problems Thus, according to the present invention, on a substrate, a first electrode, an organic sequentially forming the organic LED layer and a second electrode having a light-emitting layer at least one layer L
ED素子を製造するにあたり、第2電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機LED素子の製造方法が提供される。 In producing the ED device, manufacturing method of an organic LED element, characterized in that the second electrode is intermittently formed by the sputtering method is provided. 【0012】また、本発明によれば、上記の有機LED [0014] According to the present invention, the organic LED
素子の製造方法により得られる有機LED素子が提供される。 The organic LED element obtained by the production method of the device is provided. 【0013】さらに、本発明によれば、上記の有機LE Furthermore, according to the present invention, the organic LE
D素子の製造方法により得られ、かつ基板上に予め薄膜トランジスタ(TFT)が形成された有機LED素子が1画素を構成し、かつ薄膜トランジスタ(TFT)がスイッチング用および電流制御用として機能することを特徴とするアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置が提供される。 Obtained by the production method of D element, and characterized in that the organic LED element previously TFT on the substrate (TFT) is formed, constitute one pixel, and a thin film transistor (TFT) serves as a control for switching and the current active matrix driving organic LED display device is provided to. 【0014】 【発明の実施の形態】本発明の有機LED素子の製造方法は、基板上に、第1電極、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層および第2電極を順次形成して有機LED素子を製造するにあたり、第2電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする。 [0014] manufacturing method of an organic LED element of the embodiment of the present invention has, on a substrate, a first electrode, sequentially forming the organic LED layer and a second electrode having a light-emitting layer at least one layer of organic in producing the LED device, and wherein the intermittently formed by the second electrode sputtering. 【0015】本発明の製造方法により得られる有機LE [0015] The organic LE obtained by the production method of the present invention
D素子について、実施形態1〜4として図面を用いて具体的に説明するが、これらの説明により本発明が限定されるものではない。 For D element, it is specifically described with reference to the drawings as embodiments 1 to 4, but the present invention is not limited by these descriptions. 【0016】実施の形態1 本発明の有機LED素子(実施の形態1)の概略断面図を図5に示す。 [0016] The schematic cross-sectional view of an organic LED element according to one invention embodiment (Embodiment 1) shown in FIG. この有機LED素子は、基板6、第1電極11、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層12およびスパッタ法により間欠的に形成された第2電極13が順次積層されてなる。 The organic LED device includes a substrate 6, a first electrode 11, second electrode 13, which is intermittently formed of an organic LED layer 12 and a sputtering method having a light-emitting layer at least one layer formed by sequentially stacking. 【0017】実施の形態2 本発明の有機LED素子(実施の形態2)の概略断面図を図6に示す。 [0017] The schematic cross-sectional view of the organic LED element of the second embodiment present invention (Embodiment 2) shown in FIG. この有機LED素子は、実施の形態1の有機LED層と第2電極との間に、抵抗加熱蒸着法により形成された1層以上の層からなる保護電極を有する。 The organic LED element has a protective electrode consisting of one or more layers formed by resistance heating vapor deposition method between the organic LED layer and the second electrode of the first embodiment.
すなわち、この有機LED素子は、基板6、第1電極1 That is, the organic LED device includes a substrate 6, the first electrode 1
1、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層1 1, the organic LED layer 1 having a light-emitting layer at least one layer
2、保護電極14およびスパッタ法により間欠的に形成された第2電極13が順次積層されてなる。 2, a second electrode 13 which is intermittently formed, which are sequentially laminated with a protective electrode 14 and the sputtering. 【0018】実施の形態3 本発明の有機LED素子(実施の形態3)の概略断面図を図7に示す。 [0018] The schematic cross-sectional view of the organic LED element of the embodiment 3 invention (Embodiment 3) shown in FIG. この有機LED素子は、実施の形態1の有機LED層と第2電極との間に、有機保護層を有する。 The organic LED element is provided between the organic LED layer and the second electrode of the first embodiment, an organic protective layer. すなわち、この有機LED素子は、基板6、第1電極11、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層12、有機保護層15およびスパッタ法により間欠的に形成された第2電極13が順次積層されてなる。 That is, the organic LED device includes a substrate 6, a first electrode 11, the organic LED layer 12 having a light-emitting layer at least one layer, intermittently formed second electrode 13 are sequentially stacked an organic protective layer 15 and the sputtering It is composed of. 【0019】実施の形態4 本発明の有機LED素子(実施の形態4)の概略断面図を図8に示す。 [0019] The schematic cross-sectional view of an organic LED element according to a fourth invention embodiment (Embodiment 4) shown in FIG. 8. この有機LED素子は、実施の形態1の有機LED層と第2電極との間に、実施の形態2の保護電極と実施の形態3の有機保護層とを有する。 The organic LED element is provided between the organic LED layer and the second electrode of the first embodiment, and a organic protective layer of the protective electrode and the embodiment 3 of the second embodiment. すなわち、この有機LED素子は、基板6、第1電極11、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層12、保護電極14、有機保護層15およびスパッタ法により間欠的に形成された第2電極13が順次積層されてなる。 That is, the organic LED device includes a substrate 6, a first electrode 11, the organic LED layer 12 having a light-emitting layer at least one layer of protective electrode 14, a second electrode formed intermittently with an organic protective layer 15 and the sputtering 13, which are sequentially stacked. 【0020】本発明のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置(以下、「有機LED表示装置」という)は、本発明の有機LED素子の製造方法により得られ、かつ基板上に予めTFTが形成された有機LED素子が1画素を構成し、かつTFTがスイッチング用および電流制御用として機能することを特徴とする。 The active matrix driving organic LED display device of the present invention (hereinafter, referred to as "organic LED display device") is obtained by the manufacturing method of the organic LED element of the present invention, and pre-TFT is formed on a substrate the organic LED element constitutes a single pixel, and TFT is characterized in that it functions as a switching TFT and a current control. 本発明の有機LED表示装置について、実施形態5として、図面を用いて具体的に説明するが、この説明により本発明が限定されるものではない。 An organic LED display device of the present invention, as an embodiment 5 will be specifically described with reference to the drawings, but the present invention is not limited by this description. 【0021】実施の形態5 本発明の有機LED表示装置(実施の形態5)の概略断面図と概略平面図をそれぞれ図9および図10に示す。 [0021] shows a schematic cross-sectional view and a schematic plan view of an organic LED display device according to a fifth invention embodiment (Embodiment 5) in FIGS. 9 and 10.
この有機LED表示装置は、画素毎に、基板6上にスイッチング用および電流制御用のTFT7が形成され、電流制御用のTFT7と有機LED素子16の第2電極1 The organic LED display device, each pixel, switching and TFT7 for current control is formed on the substrate 6, the second electrode of TFT7 the organic LED element 16 for current control 1
3がコンタクトホール18を介して電気的に繋がれている。 3 is electrically connected through a contact hole 18. 図9において、8はゲート絶縁膜、9は層間絶縁膜、10は絶縁膜、11は第1電極、12は有機LED 9, the gate insulating film 8, the interlayer insulating film 9, the insulating film 10, the first electrode 11, 12 is an organic LED
層、17は半導体層(活性層)19はゲート、20はソース、21は走査線、22は封止基板(封止膜)、23 Layer 17 is a semiconductor layer (active layer) 19 is a gate, 20 is a source, 21 is a scan line, the sealing substrate 22 (sealing film), 23
は偏光板を示す。 It shows a polarizing plate. また、図10において、24は信号線、25は共通線、26はコンデンサーを示す。 Further, in FIG. 10, 24 denotes a signal line, 25 is a common line, 26 denotes a capacitor. 【0022】また、本発明の有機LED表示装置(実施の形態5)の駆動回路の概略図を図11に示す。 Further, a schematic view of a driving circuit of the organic LED display device of the present invention (Embodiment 5) shown in FIG. 11. 図11 Figure 11
における図番は図9および図10に対応し、それぞれ7 Drawing number corresponds to FIG. 9 and FIG. 10 in, respectively 7
はTFT、16は有機LED素子、21は走査線、25 The TFT, 16 is an organic LED element, 21 is a scan line, 25
は共通線、26はコンデンサーを示す。 The common line, 26 denotes a condenser. 【0023】本発明の有機LED表示装置においては、 [0023] In the organic LED display device of the present invention,
1画素を構成する有機LED素子を1つのTFTで駆動してもよく、複数個のTFTで駆動してもよい。 May be driving an organic LED element constituting one pixel in a single TFT, it may be driven by a plurality of the TFT. 例えば、1画素となる有機LED素子を2つのTFTと1つのコンデンサーの組み合わせで駆動してもよく(例えば、特開平10−189252号公報参照)、1画素となる有機LED素子を4つのTFTと2つのコンデンサーの組み合わせで駆動してもよい(Asia Display/IDW'0 For example, it may be driving an organic LED element as a pixel with a combination of two TFT and one capacitor (e.g., see Japanese Patent Laid-Open No. 10-189252), and four TFT organic LED element to be 1 pixel It may be driven by a combination of two capacitors (Asia Display / IDW'0
1、p.1395参照)。 1, see p.1395). 【0024】これらの有機LED表示装置は、信号線、 [0024] These organic LED display device, a signal line,
走査線、もしくは第1駆動線、第2駆動線に信号パルスを入力して、スイチィング用TFTをスイッチ動作させることにより、このTFTに電気的に結合している画素中の有機LED素子を発光または発光停止させて、動画および静止画の画像表示を行う。 Scan lines, or the first driving line, enter the signal pulse to the second driving line, by the Suichiingu for TFT to switch operation, the organic LED element in pixels that are electrically coupled to the TFT-emitting or emission is stopped, an image is displayed in the moving and still images. 以下、本発明の有機L Hereinafter, the organic L of the present invention
ED素子の構成部分およびその形成方法について、具体的に説明する。 The components and their method of forming ED element will be specifically described. 【0025】1. [0025] 1. 基板本発明で用いられる基板としては、例えば、ガラス、石英などの無機材料;ポリエチレンテレフタレート(PE The substrate used in the substrate present invention, for example, glass, inorganic material such as quartz, polyethylene terephthalate (PE
T)、ポリカルバゾール、ポリイミドなどのプラスチック;アルミナなどのセラミックスなどの絶縁性基板;アルミニウム、鉄などの金属基板にSiO 2 、有機絶縁材料などの絶縁物をコートした基板;アルミニウムなどの金属基板の表面を陽極酸化などの方法で絶縁化処理を施した基板などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 T), polycarbazole, such as polyimide plastic; such as ceramics such as alumina insulating substrate; a metal substrate such as aluminum; aluminum, SiO 2 on metal substrates such as iron, such as an organic insulating material insulator The coated substrate While such substrate subjected to insulation treatment in the method of the surface, such as anodic oxidation and the like, and the present invention is not limited to these. 【0026】また、基板上には、TFTなどのスイッチング素子が形成されていてもよい。 Further, on the substrate, a switching element such as TFT may be formation. ポリシリコンTFT Polysilicon TFT
を低温プロセスで形成する場合には、500℃以下の温度で融解せず、かつ歪みが生じない基板を用いるのが好ましい。 The case of forming a low-temperature process, it is preferable to use a substrate which does not melt, and the distortion is not generated at 500 ° C. or lower. また、ポリシリコンTFTを高温プロセスで形成する場合には、1000℃以下の温度で融解せず、かつ歪みが生じない基板を用いるのが好ましい。 In the case of forming a poly-silicon TFT in high temperature process, it is preferable to use a substrate which does not melt, and the distortion is not generated at 1000 ° C. or lower. 【0027】有機LED層からの発光を基板と逆側(第2電極側)から取り出す場合には、外光が基板上に形成されたTFTに入射して、TFT特性に変化が生じるのを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性基板を用いることが好ましい。 [0027] When the light emitted from the organic LED layer from the side opposite to the substrate side (second electrode side) is incident on the TFT external light is formed on the substrate, preventing the change in the TFT characteristics caused for the purpose, it is preferable to use a light-shielding substrate that combines a light shielding property. 遮光性基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス基板、金属基板に絶縁物をコートした基板、金属基板の表面を酸化などの方法で絶縁化処理を施した基板、ガラス、石英、プラスチックなどの透明基板の表面に遮光性絶縁物をコートした基板などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 The light-shielding substrate, e.g., a ceramic substrate such as alumina, substrate subjected to insulating treatment substrate coated with the metal substrate to the insulator, the surface of the metal substrate by a method such as oxidation, glass, quartz, transparent, such as plastic such as a substrate coated with light-shielding insulator on the surface of the substrate, but the present invention is not limited to these. 【0028】2. [0028] 2. 薄膜トランジスタ(TFT) TFTは、第1電極、有機LED層および第2電極を形成する前に、予め基板上に形成され、スイッチング用および電流制御用として機能する。 A thin film transistor (TFT) TFT, before forming the first electrode, the organic LED layer and a second electrode, formed in advance on the substrate, functioning as a switching TFT and a current control. 本発明で用いられるT T used in the present invention
FTとしては、公知のTFTが挙げられる。 The FT, include known of the TFT. また、本発明では、TFTの代わりにMIMダイオードを用いることもできる。 In the present invention, it is also possible to use a MIM diode instead of a TFT. 【0029】TFTは、公知の材料および構造で、公知の方法を用いて形成することができる。 The TFT is a known material and structure, it can be formed using a known method. TFTの活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウムなどの無機半導体材料、およびポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)誘導体、 As the material of the active layer of the TFT, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, an inorganic semiconductor material such as cadmium selenide, and polythiophene derivatives, Chi off ene oligomer, poly (p- ferrimagnetic vinylene) derivatives ,
ナフタセン、ペンタセンなどの有機半導体材料が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Naphthacene, Organic semiconductor materials such as pentacene and the like, and the present invention is not limited to these. また、TFTの構造としては、例えば、スタガ型、 As the structure of the TFT, for example, staggered,
逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Inverted staggered top gate type, but coplanar type and the like, and the present invention is not limited to these. 【0030】TFTの活性層の形成方法としては、例えば、(1)プラズマCVD法により積層したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、 [0030] As a method for forming the TFT active layer is, for example, (1) a method of the impurity ions doped into amorphous silicon was deposited by a plasma CVD method,
(2)SiH 4ガスを用いたLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、(3)S (2) by an LPCVD method using SiH 4 gas to form an amorphous silicon, after obtaining the polysilicon amorphous silicon is crystallized by solid phase growth method, a method of ion doping by ion implantation, (3) S
26ガスを用いたLPCVD法またはSiH 4ガスを用いたPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザーなどのレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、(4)減圧CVD法またはL The amorphous silicon is formed by a PECVD method using the LPCVD method or the SiH 4 gas was used i 2 H 6 gas, and annealed by laser such as an excimer laser, after obtaining the polysilicon amorphous silicon is crystallized, ion doping how to ion doping by law (low temperature process), (4) low pressure CVD method or L
PCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn +ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス) The polysilicon is laminated by a PCVD method, is thermally oxidized to form a gate insulating film at 1000 ° C. or higher, a gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, the ion doping methods (high temperature process by subsequent ion implantation method )
(5)有機半導体材料をインクジェット法などにより形成する方法、および(6)有機半導体材料の単結晶膜を得る方法などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 (5) Method for forming an organic semiconductor material ink jet method or the like, and (6) a method to obtain a single crystal film of an organic semiconductor material and the like, and the present invention is not limited to these. 【0031】本発明で用いられるTFTのゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、 The gate insulating film of the TFT used in the present invention may be formed using a known material, for example,
PECVD、LPCVD法により形成されたSiO 2 PECVD, SiO 2 formed by the LPCVD method,
ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO 2が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 SiO 2 obtained by the polysilicon film by thermal oxidation and the like, but the present invention is not limited to these. 【0032】また、本発明で用いられるTFTの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第1駆動電極および第2駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、Ta、Al、Cuなどが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Further, the signal electrode lines of the TFT used in the present invention, the scanning electrode line, the common electrode line, a first driving electrode and the second driving electrode may be formed using a known material, for example, Ta , Al, but like Cu and the like, and the present invention is not limited to these. 【0033】2−1. [0033] 2-1. 層間絶縁膜本発明で用いられる層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、ポリイミド、SiO 2などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 An interlayer insulating film used in the interlayer insulating film present invention may be formed using a known material, e.g., polyimide, but like SiO 2 and the like, and the present invention is not limited to these. また、その形成方法としては、CVD、真空蒸着などのドライプロセス、スピンコートなどのウエットプロセスが挙げられ、必要に応じて、フォトリソグラフィー法などによりパターン化することもできる。 Further, examples of the formation method, CVD, a dry process such as vacuum deposition, include wet processes such as spin-coating, if desired, may be patterned by photolithography or the like. 【0034】2−2. [0034] 2-2. 絶縁膜本発明で用いられる絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、SiO 2 、SiN(Si Insulating film used in the insulating film present invention may be formed using a known material, for example, SiO 2, SiN (Si
24 )、TaO(Ta 25 )などの無機材料、アクリル樹脂、レジスト材料などの有機材料などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 2 N 4), an inorganic material such as TaO (Ta 2 O 5), acrylic resins and organic material such as a resist material and the like, and the present invention is not limited to these. また、その形成方法としては、CVD、真空蒸着などのドライプロセス、スピンコートなどのウエットプロセスが挙げられ、必要に応じて、フォトリソグラフィー法などによりパターン化することもできる。 Further, examples of the formation method, CVD, a dry process such as vacuum deposition, include wet processes such as spin-coating, if desired, may be patterned by photolithography or the like. 【0035】有機LED層からの発光を基板の逆側(第2電極側)から取り出す場合には、外光が基板上に形成されたTFTに入射して、TFT特性に変化が生じるのを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることもでき、また上記の絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせても用いることもできる。 [0035] When the light emitted from the organic LED layer from the opposite side of the substrate (second electrode side) is incident on the TFT external light is formed on the substrate, preventing the change in the TFT characteristics caused for the purpose, it can also be used a light-blocking insulating film that combines a light shielding property, can also be used in combination shielding insulating film and said insulating film. 遮光性層間絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクロドンなどの顔料または染料をポリイミドなどの高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリックス材料、Ni x Zn y The light-shielding interlayer insulating film, phthalocyanine, obtained by dispersing a pigment or dye such as Kinakurodon a polymer resin such as polyimide, color resists, black matrix material, Ni x Zn y
Fe 24などの無機絶縁材料などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 An inorganic insulating material such as Fe 2 O 4 and the like, but the present invention is not limited to these. 【0036】2−3. [0036] 2-3. 平坦化膜基板上にTFTなどを形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凹凸によって有機LED素子の欠陥(例えば、画素電極、有機LED層、対向電極の断線、 In the case of forming and TFT flat film on a substrate, unevenness is formed on the surface, defects of the organic LED element by the unevenness (e.g., the pixel electrode, an organic LED layer, disconnection of the opposing electrode,
画素電極と対向電極の短絡など)などが発生する。 Short circuit of the pixel electrode and the counter electrode), etc. occur. これらの欠陥を防止するために、上記の絶縁膜上に平坦化膜(図示せず)を設けてもよい。 In order to prevent these defects, it may be provided planarizing film (not shown) onto the insulating film. 本発明で用いられる平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、SiO 2 、SiN(Si 24 )、TaO(Ta Planarization film used in the present invention may be formed using a known material, for example, SiO 2, SiN (Si 2 N 4), TaO (Ta
25 )などの無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料などの有機材料などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 2 O 5) inorganic material such as polyimide, acrylic resins and organic material such as a resist material and the like, and the present invention is not limited to these. また、その形成方法としては、CVD、真空蒸着などのドライプロセス、スピンコートなどのウエットプロセスが挙げられる。 Further, examples of the formation method, CVD, a dry process such as vacuum deposition, include wet process such as spin coating. 平坦化膜は、単層構造でも多層構造でもよい。 Planarizing film may be a multilayer structure have a single-layer structure. 【0037】3. [0037] 3. 有機LED素子本発明の有機LED素子は、基板上に、第1電極、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層および第2電極を順次形成されてなり、第2電極がスパッタ法により間欠的に形成されてなる。 The organic LED element organic LED element of the present invention, on a substrate, a first electrode made by sequentially forming the organic LED layer and a second electrode having a light-emitting layer at least one layer, intermittently second electrode by a sputtering method It is formed comprising on. 【0038】3−1. [0038] 3-1. 有機LED層有機LED層は、単層構造でも多層構造でもよく、具体的には、下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 The organic LED layer organic LED layer may be a multilayer structure have a single-layer structure, specifically, there may be mentioned the following configurations, the present invention is not limited to these. (1)発光層(2)正孔輸送層/発光層(3)発光層/電子輸送層(4)正孔輸送層/発光層/電子輸送層(5)正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層(6)正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ホールブロッキング層/電子輸送層ここで、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、ホールブロッキング層および電子輸送層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。 (1) light emitting layer (2) hole transport layer / light-emitting layer (3) emitting layer / electron transporting layer (4) Hole-transporting layer / emitting layer / electron transport layer (5) Hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transport layer (6) hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron-transporting layer wherein the light-emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, hole blocking layer, and each layer of the electron transport layer, or a multilayer structure have a single-layer structure. 【0039】発光層は、下記の発光材料のみから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、 The light emitting layer may be constituted of only the light-emitting material below, a hole-transporting material optionally, an electron-transporting material,
添加剤(ドナー、アクセプター等)、発光性のドーパントなどを含んでいてもよい。 Additive (donor, acceptor, etc.), may include such as a light emitting dopant. また、発光層は、前記の材料が高分子材料(結着用樹脂)または無機材料中に分散された構成であってもよい。 Further, the light-emitting layer, the material may be a balanced configuration in a polymer material (binder resin), or the inorganic material. 【0040】発光材料としては、有機LED用の公知の発光材料を用いることができる。 [0040] As the light emitting material, may be a known light emitting material for the organic LED. このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料およびその前駆体などに分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Such luminescent materials, low molecular luminescent material is classified into such a polymer light-emitting materials and their precursors, but illustrate these specific compounds are shown below, but the present invention is not limited to these. 【0041】低分子発光材料としては、例えば、4, [0041] As the low-molecular light emitting material, for example, 4,
4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)などの芳香族ジメチリデン化合物、5 4'-bis (2,2'-diphenyl vinyl) - aromatic dimethylidene compounds such as biphenyl (DPVBi), 5
−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1, - methyl 2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] oxadiazole compounds such as benzoxazole, 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 -t- butylphenyl -1,
2,4−トリアゾール(TAZ)などのトリアゾール誘導体、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの蛍光性有機材料、ならびにアゾメチン亜鉛錯体、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq 3 )などの蛍光性有機金属化合物などが挙げられる。 Triazole derivatives such as 2,4-triazole (TAZ), 1,4-bis (2-methyl styryl) styryl benzene compounds such as benzene, thio pyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone fluorescent organic materials such as derivatives, and azomethine zinc complexes, and fluorescent organic metal compounds such as (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq 3). 【0042】高分子発光材料としては、例えば、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−P [0042] As the polymer light-emitting materials, for example, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-P
PP)、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PP PP), poly [2,5-bis - [2- (N, N, N- triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl - Alto 1,4 phenyl alkylene] dibromide (PP
P−NEt 3+ )、ポリ[2−(2'−エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン] P-NEt 3+), poly [2- (2'-ethylhexyl oxy) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene]
(MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)などのポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(P (MEH-PPV), poly [5-methoxy - (2-propanoate carboxymethyl monkey sulfonyl de) -1,4-phenylene vinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis - (hexyloxy) -1, 4-phenylene - (1-cyanovinylene)] (CN-PPV) polyphenylene vinylene derivatives such as poly (9,9-dioctyl fluorene) (P
DAF)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレニル− DAF), poly (9,9-dioctylfluorenyl -
2,7−ジイル)−コ−(1,4−ビニレンフェニレン)(PDFBP)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−コ−(N,N'−ジフェニル)−N,N'−ジ(p−ブチルフェニル)−1,4− 2,7-diyl) - co - (1,4-vinylene-phenylene) (PDFBP), poly (9,9-dioctyl-2,7-diyl) - co - (N, N'-diphenyl) - N, N'-di (p- butylphenyl) -1,4
ジアミノベンゼン)(PDFDBFDAB)などのポリスピロ誘導体が挙げられる。 Diaminobenzene) (PDFDBFDAB) polyspiro derivatives and the like. 上記の「コ」はコポリマーを意味する。 Of the "U" means a copolymer. 【0043】また、高分子発光材料の前駆体としては、 [0043] In addition, as a precursor of the polymer light-emitting material,
例えば、ポリ(p−フェニレンビニレン)前駆体(Pr For example, poly (p- phenylene vinylene) precursor (Pr
e−PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン)前駆体(Pre−PNV)、ポリ(p−フェニレン)前駆体(Pre−PPP)などが挙げられる。 e-PPV), poly (p- naphthalene vinylene) precursor (Pre-PNV), poly (p- phenylene) precursor (Pre-PPP), and the like. 【0044】発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機LED用の公知のドーパント材料を用いることができる。 [0044] As the light emitting dopant contained in the optionally light-emitting layer, it may be a known dopant material for organic LED. このようなドーパント材料としては、例えば、スチリル誘導体、ペリレン、イリジウム錯体、クマリン誘導体、ルモーゲンFレッド、ジシアノメチレンピラン、フェノキザゾン、ポリフィリン誘導体などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Such dopant material, for example, styryl derivatives, perylene, iridium complexes, coumarin derivatives, Rumogen F Red, dicyanomethylenepyran, Fenokizazon, although such porphyrin derivatives, the present invention is not limited to these . 【0045】電荷輸送層は、正孔輸送層および電子輸送層に分類され、下記の電荷輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤(ドナー、アクセプター等) The charge transport layer is classified into a hole transport layer and an electron transport layer may be composed of only the charge-transporting material of the following optional additives (donor, acceptor, etc.)
などを含んでいてもよい。 The like may be contained. また、発光層は、前記の材料が高分子材料(結着用樹脂)または無機材料中に分散された構成であってもよい。 Further, the light-emitting layer, the material may be a balanced configuration in a polymer material (binder resin), or the inorganic material. 【0046】電荷輸送材料としては、有機LED用、有機光導電体用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。 [0046] The charge transport materials can be used for an organic LED, a known charge transporting material for an organic photoconductor. このような電荷輸送材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Such charge transporting materials are classified into hole transport materials and electron transport materials, but illustrate these specific compounds are shown below, but the present invention is not limited to these. 【0047】正孔輸送材料としては、例えば、無機p型半導体材料;ポルフィリン化合物、N,N'−ビス(3 [0047] As the hole transporting material, for example, inorganic p-type semiconductor material; porphyrin compounds, N, N'-bis (3
−メチルフェニル)−N,N'−ビス(フェニル)−ベンジジン(TPD)、N,N'−ジ(ナフタレン−1− - methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) - benzidine (TPD), N, N'-di (naphthalene-1
イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン(NPD) Yl) -N, N'-diphenyl - benzidine (NPD)
などの芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、 Aromatic tertiary amine compounds such as hydrazone compounds,
キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物などの低分子材料;ポリアニリン(PANI)、ポリアニリン−樟脳スルホン酸(PANI−CSA)、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PSS)、ポリ(トリフェニルアミン) Quinacridone compound, a low molecular material such as a styrylamine compound; polyaniline (PANI), polyaniline - camphorsulfonic (PANI-CSA), 3,4-polyethylene dioxythiophene / polystyrene monkey follower Nate (PEDOT / PSS), poly (tri phenylamine)
誘導体(Poly−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)などの高分子材料;ポリ(p−フェニレンビニレン)前駆体(Pre−PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン)前駆体(Pre−PNV)などの高分子材料の前駆体などが挙げられる。 Derivative (Poly-TPD), polymeric materials such as polyvinyl carbazole (PVCz); poly (p- phenylene vinylene) precursor (Pre-PPV), poly (p- naphthalene vinylene) precursor (Pre-PNV) high, such as precursor of molecular material and the like. 【0048】電子輸送材料としては、例えば、無機n型半導体材料;オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの低分子材料;ポリ(オキサジアゾール)(Poly−OX [0048] As the electron-transporting material, for example, inorganic n-type semiconductor material; oxadiazole derivatives, triazole derivatives, thio pyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, low molecular materials such as fluorenone derivatives ; poly (oxadiazole) (poly-OX
Z)、ポリスチレン誘導体(PSS)などの高分子材料が挙げられる。 Z), and polymer materials such as polystyrene derivatives (PSS) is. 【0049】発光層、正孔輸送層、電子輸送層および正孔注入層などの有機LED層は、上記の材料を含む有機LED層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、 The light-emitting layer, a hole transport layer, an organic LED layers such as an electron-transporting layer and the hole injection layer, an organic LED layer forming coating liquid containing the above materials, a spin coating method,
ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、 A dipping method, a doctor blade method, a discharge coating method,
スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法などの印刷法などの公知のウエットプロセスにより、または上記の材料を用いて、真空蒸着法、 A coating method such as spray coating method, an inkjet method, relief printing method, intaglio printing method, a screen printing method, by a known wet process, such as printing methods such as a micro gravure coating method or by using the above materials, a vacuum deposition method ,
EB法、MBE法、スパッタ法、OVPD法などの公知のドライプロセスにより、もしくは上記の材料を含む有機LED層形成用塗液または上記の材料を用いて、レーザー転写法(例えば、特開平11−260549号公報参照)により形成(成膜)することができる。 EB method, MBE method, a sputtering method, a known dry processes such as OVPD method, or by using a coating solution or the material for an organic LED layer formation containing the above materials, a laser transfer method (for example, JP-A-11- it can be formed (deposited) by reference JP 260 549). なお、ウエットプロセスにより有機LED層を形成する場合には、有機LED層形成用塗液は、レベリング剤などの塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。 In the case of forming the organic LED layer by wet processes, the organic LED layer forming coating solution may contain additives for adjusting physical properties of the coating liquid, such as a leveling agent.
上記の各有機LED層の膜厚は、通常1〜1000nm The film thickness of each organic LED layers described above, usually 1~1000nm
程度である。 It is the degree. 【0050】3−2. [0050] 3-2. 第1電極第1電極は、第2電極と対で、有機LED素子の陽極または陰極として機能する。 First electrode the first electrode is a second electrode and a counter, which functions as an anode or a cathode of the organic LED element. つまり、第1電極(対向電極)を陽極とした場合には、第2電極(画素電極)は陰極となり、第1電極を陰極とした場合には、第2電極は陽極となる。 That is, when the first electrode (counter electrode) and an anode, the second electrode (pixel electrode) becomes the cathode, when the first electrode is a cathode, the second electrode becomes an anode. 【0051】第1電極を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。 [0051] As an electrode material for forming the first electrode may be a known electrode materials. 陽極を形成する電極材料としては、仕事関数が4.5eV以上の金属(A As an electrode material for forming the anode, a work function of more than 4.5eV metal (A
u、Pt、Niなど)および透明電極材料[インジウムと亜鉛からなる酸化物(ITO)、インジウムと錫からなる酸化物(IDIXO)、錫の酸化物(SnO 2 )など]が挙げられる。 u, Pt, Ni, etc.) and a transparent electrode material [oxide of indium and zinc (ITO), oxide of indium and tin (IDIXO), tin oxide (SnO 2), etc.] and the like. また、陰極を形成する電極材料としては、仕事関数が4.5eV以下の金属(Ca、Ce、 Further, as the electrode material for forming the cathode work function 4.5eV following metals (Ca, Ce,
Ba、Al)、前記金属を含有する合金(Mg:Ag合金、Li:Al合金)および薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせたもの(LiF/Al、Li 2 O/Alなど)などが挙げられる。 Ba, Al), the metal alloy containing (Mg: Ag alloy, Li: Al alloy) and a thin film of a combination of a dielectric layer and a metal electrode (LiF / Al, etc. Li 2 O / Al) and the like It is. 【0052】第1電極は、上記の材料を用いてEB法、 [0052] The first electrode may, EB method using the above materials,
スパッタ法、抵抗加熱蒸着法などの公知の方法により形成することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Sputtering, can be formed by a known method such as a resistance heating evaporation method, the present invention is not limited thereto. また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法により、形成した電極をパターン化することもできる。 If necessary, by photolithography Fee Act, the formed electrode can be patterned. その膜厚は、50nm以上が好ましい。 The film thickness is preferably at least 50nm. 膜厚が5 Film thickness of 5
0nm未満の場合には、十分に低い抵抗を得ることができず、駆動電圧の上昇が問題として生じるので好ましくない。 If it is less than 0nm can not obtain a sufficiently low resistance, since the increase in the driving voltage occurs a problem not preferable. 【0053】有機LED層からの発光を第1電極側から取り出す場合には、第1電極として透明電極を用いることが好ましい。 [0053] When light is emitted from the organic LED layer from the first electrode side, it is preferable to use a transparent electrode as the first electrode. この際に用いる透明電極材料としては、 The transparent electrode material for use in this,
ITO、IDIXOが特に好ましい。 ITO, IDIXO is particularly preferred. 透明電極の膜厚は、50〜500nmが好ましく、100〜300nm The film thickness of the transparent electrode, 50 to 500 nm is preferred, 100 to 300 nm
がより好ましい。 It is more preferable. 膜厚が50nm未満の場合には、上記の理由で好ましくなく、膜厚が500nmを超える場合には、光の透過率が低下し、発光効率の低下の問題が生じるので好ましくない。 If the thickness is less than 50nm is not preferable in the above reason, when the film thickness exceeds 500nm, the light transmittance is lowered, since the problem of decrease in emission efficiency caused undesirable. 【0054】また、有機LED層からの発光を第1電極の逆側(第2電極側)から発光を取り出す場合には、第1電極として光を透過させない電極を用いることが好ましい。 [0054] When light is emitted luminescence from the organic LED layer from the opposite side of the first electrode (second electrode side), it is preferable to use an electrode which does not transmit light as the first electrode. この際に用いる電極材料としては、例えば、タンタル、炭素などの黒色電極、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金などの反射性金属電極、透明電極と前記反射性金属電極(反射電極)を組合せた電極などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 The reflective metal electrodes, such as silicon alloy, and the transparent electrode - as the electrode material used in this case, for example, tantalum, black electrode such as carbon, aluminum, silver, gold, aluminum - lithium alloy, aluminum - neodymium alloy, aluminum Although such reflective metal electrode (reflective electrode) and the combined electrode and the like, and the present invention is not limited to these. 画素電極での外光の反射に起因するコントラストの低下を防止する目的で、画素電極として黒色電極を用いるのが好ましい(Asia Display/ID In order to prevent a reduction in contrast due to reflection of external light on the pixel electrode, it is preferable to use a black electrode as a pixel electrode (Asia Display / ID
W'01、p.1415参照) 【0055】3−3. W'01, see p.1415) [0055] 3-3. 第2電極第2電極は、第1電極と対で、有機LED素子の陽極または陰極として機能する。 The second electrode the second electrode, a first electrode and a counter, which functions as an anode or a cathode of the organic LED element. 第2電極を形成する電極材料としては、3−2. As an electrode material for forming the second electrode, 3-2. 第1電極において例示した公知の材料が挙げられる。 Known materials exemplified in the first electrode and the like. 【0056】有機LED層からの発光を第2電極側から取り出す場合には、第2電極として透明電極を用いることが好ましい。 [0056] When light is emitted from the organic LED layer from the second electrode side, it is preferable to use a transparent electrode as the second electrode. このような構成では、基板上に複数のT In such a configuration, a plurality of T on the substrate
FTを設けることができ、開口率の低下を考慮することなしに有機LED素子を設計・作製することができるので好ましい。 FT can be provided, since the decrease in aperture ratio can be designed and fabricated an organic LED element without considering preferred. 【0057】また、有機LED素子の場合には、電極から有機LED層への電子の注入が正孔(ホール)の注入よりも困難であること、電子注入の電極がホール注入の電極よりも安定性が低いことから、電子注入の効率を高めて、高発光効率の有機LED素子を作製するためには、基板側から発光を取り出す場合にも、基板と逆側から発光を取り出す場合にも、第2電極を陰極とするのが好ましい。 [0057] In the case of the organic LED element, it injection of electrons from the electrode to the organic LED layer is more difficult than hole injection (hole), more stable than the electrode of the electrode hole injection electron injection because of the low sex, increasing the efficiency of electron injection, in order to produce an organic LED element having a high luminous efficiency, even when the light is emitted from the substrate side, even when the light is emitted from the side opposite to the substrate side, preferably a cathode and the second electrode. 【0058】この際に用いる透明電極材料としては、I [0058] As a transparent electrode material used in this case, I
TO、IDIXOが特に好ましく、室温形成時の抵抗の観点から、IDIXOが特に好ましい。 TO, particularly preferably IDIXO, from the viewpoint of resistance during room temperature formation, IDIXO is particularly preferred. 透明電極の膜厚は、50〜500nmが好ましく、100〜300nm The film thickness of the transparent electrode, 50 to 500 nm is preferred, 100 to 300 nm
がより好ましい。 It is more preferable. 膜厚が50nm未満の場合には、上記の理由で好ましくなく、膜厚が500nmを超える場合には、光の透過率が低下し、発光効率の低下の問題が生じるので好ましくない。 If the thickness is less than 50nm is not preferable in the above reason, when the film thickness exceeds 500nm, the light transmittance is lowered, since the problem of decrease in emission efficiency caused undesirable. 【0059】本発明においては、第2電極は、スパッタ法により間欠的に形成された1層以上の層からなる。 [0059] In the present invention, the second electrode is comprised of one or more layers which are intermittently formed by the sputtering method. 第2電極を間欠的に形成することにより、連続して形成した場合に生じるスパッタダメージによる有機LED素子の特性(駆動電圧、発光効率、寿命)の劣化を完全に防止することができる。 By intermittently forming the second electrode, it is possible to completely prevent the characteristics of the organic LED element by a sputtering damage caused when forming continuous (driving voltage, luminous efficiency, lifetime) degradation of. つまり、第2電極を間欠的に形成することで、形成時の有機LED層の温度上昇が抑制され、かつ先に形成された層が、次の層を形成する際にスパッタダメージを防止する層として効果的に作用し、有機LED層の損傷が防止されるので、前記のようなスパッタダメージを防止することができる。 In other words, the layer by intermittently forming the second electrode, the temperature rise of the forming time of the organic LED layer suppressed, and the layer formed earlier, to prevent sputtering damage when forming the next layer as effectively act, so damage of the organic LED layer is prevented, thereby preventing the sputtering damage as described above. 【0060】本発明において用いられるスパッタ法としては、DCスパッタ法、DCマグネトロンスパッタ法、 [0060] As the sputtering method used in the present invention, DC sputtering, DC magnetron sputtering,
RFスパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法が挙げられるが、スパッタダメージを効率的に防止するという観点から、DCマグネトロンスパッタ法が特に好ましい。 RF sputtering, including but RF magnetron sputtering method, from the viewpoint of preventing sputtering damage efficiently, DC magnetron sputtering method is particularly preferable. 【0061】第2電極を間欠的に形成する手段としては、例えば、下記の手段が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 [0061] As means for intermittently forming a second electrode, for example, there may be mentioned the following means, the present invention is not limited to these. (1)スパッタ電源をON−OFFする手段、(2)基板ホルダー1とターゲット3との間にシャッター2を設け、このシャッターを開閉させて、基板ホルダー1とターゲット3との間の開放と遮断を繰り返す手段(図1参照)、(3)基板ホルダー1とターゲット3との間にシャッター2を設け、1つの基板ホルダー1に対して複数のターゲット3を並列に設け、搬送系5によりターゲット間に基板を移動させて、基板ホルダー1とターゲット3との間の開放と遮断を擬似的に繰り返す手段(図2参照)、(4)基板ホルダー1とターゲット3との間に開口部を有する回転体のマスク4を設け、このマスク4を回転させて、基板ホルダー1とターゲット3との間の開放と遮断を擬似的に繰り返す手段(図3参照) (5)回転機構を備えた基 (1) means for ON-OFF of the sputtering power source, a shutter 2 between (2) the substrate holder 1 and the target 3 is provided, the shutter is opened and closed, blocking the opening between the substrate holder 1 and the target 3 means for repeating (see FIG. 1), (3) the shutter 2 is provided between the substrate holder 1 and the target 3, a plurality of targets 3 in parallel with one of the substrate holder 1, the target inter-by conveying system 5 by moving the substrate, (see FIG. 2) means for repeating pseudo open the shut-off between the substrate holder 1 and the target 3, the rotation having an opening between the (4) the substrate holder 1 and the target 3 the mask 4 of the body is provided, the mask 4 is rotated (see FIG. 3) means for repeating pseudo open the shut-off between the substrate holder 1 and the target 3 (5) group with a rotating mechanism 板ホルダー1とターゲット3 Plate holder 1 and the target 3
との間に開口部を有する平板のマスク4を設け、この基板ホルダー1をターゲット3上で回転させて、基板ホルダー1とターゲット3との間の開放と遮断を擬似的に繰り返す手段(図4参照) なお、図1〜4には、基板ホルダー1に載置された基板を図示しない。 The mask 4 of a flat plate having an opening between the provided and the substrate holder 1 is rotated on the target 3, means for repeated opening and blocking between the substrate holder 1 and the target 3 in a pseudo manner (FIG. 4 see) Note that in FIGS. 1-4, not shown the substrate placed in the substrate holder 1. 【0062】しかしながら、上記の手段(1)では、電源の立ち上がりなどに時間を必要とし、第2電極の形成時間が長くなるので好ましくない。 [0062] However, the above-mentioned means (1), such as requiring time the rise of the power supply, undesirable formation time of the second electrode becomes long. 第2電極の膜内における膜厚の均一性の観点から、上記の手段(5)が特に好ましい。 From the standpoint of film thickness uniformity in the film of the second electrode, said means (5) is particularly preferred. 【0063】第2電極の形成時におけるスパッタダメージをより効果的に低減する手段として、例えば、下記の手段が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 [0063] As means for reducing the sputter damage during formation of the second electrode more effectively, for example, there may be mentioned the following means, the present invention is not limited to these. (i)手段(2)、(3)、(4)および(5)において、基板ホルダーの基板載置面、すなわち基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とを非平行に配置する手段(図1(b)、図2(b)、図3(b)、図4(b) (I) means (2), (3), (4) and (5), the substrate holder substrate mounting surface, i.e. means for non-parallel to the deposition surface of the substrate and the pair sputtering surface of the target (FIG. 1 (b), the FIG. 2 (b), the FIG. 3 (b), the FIG. 4 (b)
参照) (ii)手段(3)において、基板ホルダーの基板載置面とターゲットの対スパッタ面とが対向しないように、すなわち基板の被成膜面とターゲットとの間にマスクが介在するように各構成要素を配置する手段(図2(c)参照) 【0064】第2電極を間欠的に形成するために、基板ホルダー1とターゲット3との間の開放と遮断とを繰り返すもしくは擬似的に繰り返す際の開放と遮断の間隔は、特に限定されないが、通常、1〜300秒程度である。 In reference) (ii) means (3), as a substrate mounting surface and the pair sputtering surface of the target substrate holders does not face, i.e. so that the mask is interposed between the deposition surface and the target substrate means (see FIG. 2 (c)) [0064] the second electrode to place the components to intermittently formed, repeating the blocking and opening between the substrate holder 1 and the target 3 or artificially opening and spacing of cutoff when repeating is not particularly limited, usually about 1 to 300 seconds. また、第2電極を間欠的に形成するスパッタ法の条件は、用いる材料、作製する有機LED素子の特性などにより適宜選択すればよい。 The condition of the sputtering method for intermittently forming a second electrode, the material used may be appropriately selected due to the characteristics of the organic LED element manufactured. 例えば、DCマグネトロンスパッタ法の場合、基板ホルダーとターゲットとの間隔は1〜50mm程度、装置(チャンバー)はアルゴンガスのような不活性ガスで置換された真空度1×10 -3 For example, in the case of DC magnetron sputtering, the distance between the substrate holder and the target of about 1 to 50 mm, apparatus (chamber) vacuum 1 is replaced with an inert gas such as argon gas × 10 -3 ~
1×10 -2 Torr程度に脱気された雰囲気、スパッタリングパワー100〜1000W程度が好ましい。 1 × 10 -2 Torr about deaerated atmosphere, about sputtering power 100~1000W are preferred. 【0065】3−4. [0065] 3-4. 保護電極本発明の有機LED素子は、有機LED層と第2電極との間に、抵抗加熱蒸着法により形成された1層以上の層からなる保護電極を有するのが好ましい。 The organic LED element of the protective electrode present invention, between the organic LED layer and the second electrode preferably has a protection electrode consisting of one or more layers formed by resistance heating deposition. 保護電極は、 Protection electrode,
スパッタに対して耐性を有する材料、すなわち保護電極上にスパッタ法で第2電極を間欠的に形成する際に有機LED層にダメージを与えない材料で構成される。 Material that is resistant to sputtering, i.e. composed of the second electrode by sputtering on the protective electrode of a material that does not damage the organic LED layer when intermittently formed. 【0066】第2電極を陰極とする場合に、第2電極から有機LED層に効率よく電子を注入させるために、保護電極は、仕事関数が4.5eV以下の金属(Ca、C [0066] When the second electrode is a cathode, in order to inject efficiently electrons into the organic LED layer from the second electrode, the protective electrode, the work function 4.5eV following metals (Ca, C
e、Ba、Al)、前記金属を含有する合金(Mg:A e, Ba, Al), an alloy containing the metal (Mg: A
g合金、Li:Al合金)および薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせたもの(LiF/Al、Li 2 O/A g alloy, Li: Al alloy) and a combination of a dielectric layer and a metal electrode film (LiF / Al, Li 2 O / A
lなど)などの電極材料で形成するのが好ましい。 Preferably formed by electrode material, such as l, etc.). また、第2電極から有機LED層により効果的に電子を注入させるために、保護電極は、第2電極を形成する電極材料より仕事関数の低い電極材料で形成するのがより好ましい。 In order to effectively inject electrons by organic LED layer from the second electrode, the protective electrode is more preferable to form a low electrode work function material than the electrode material forming the second electrode. 【0067】また、第2電極を陽極とする場合に、第2 [0067] Also, when the second electrode and the anode, and the second
電極から有機LED層に効率よく正孔(ホール)を注入させるために、保護電極は、仕事関数が4.5eV以上の金属(Au、Pt、Niなど)などの電極材料で形成するのが好ましい。 To inject efficiently hole-organic LED layer from the electrodes, the protective electrode, the work function is more metals 4.5 eV (Au, Pt, Ni, etc.) preferably formed by electrode material such as . また、第2電極から有機LED層により効果的に正孔を注入させるために、保護電極は、第2電極を形成する電極材料より仕事関数の高い電極材料で形成するのがより好ましい。 Further, in order to inject efficiently hole by organic LED layer from the second electrode, the protective electrode is more preferable to form a high electrode material work function than the electrode material forming the second electrode. 【0068】保護電極は、第2電極より薄いの膜厚であるのが好ましい。 [0068] the protective electrode is preferably in a thickness of thinner than the second electrode. 特に、有機LED層からの発光を第2 In particular, the light emitted from the organic LED layer second
電極側から取り出す場合には、保護電極は、膜厚10n When taken out from the electrode side, the protective electrode has a film thickness 10n
m以下である1層以上の層からなるのが好ましい。 m or less that consist of one or more layers preferred. この膜厚が10nmを超える場合には、保護電極の反射により発光の外部取り出し効率が低下し、有機LED素子の発光効率が低下するので好ましくない。 If this thickness exceeds 10nm, the reflective by external extraction efficiency of light emission decreases in the protective electrode, the emission efficiency of the organic LED element is undesirably reduced. 保護電極は、抵抗加熱蒸着法で形成されるのが好ましい。 Protective electrode are preferably formed by a resistance heating evaporation method. 【0069】有機LED層からの発光を第2電極側から取り出す場合には、第2電極として上記の透明電極が用いられる。 [0069] The light emitted from the organic LED layer when taken out from the second electrode side, the transparent electrode is used as the second electrode. 一般に透明電極は、有機LED層への正孔注入電極として用いられる。 Generally the transparent electrode is used as the hole injecting electrode to the organic LED layer. そこで、保護電極を形成する材料を選択することにより、正孔、電子のいずれか一方の注入を効率よく行うことができる。 Therefore, by selecting a material for forming the protective electrode, a hole, one of the injection of electrons can be efficiently performed. すなわち、保護電極として、仕事関数が4.5eV以上の金属(Au、P That is, as a protective electrode, the work function is 4.5eV or more metals (Au, P
t、Niなど)を用いることにより、正孔の注入をより効率よく行うことができ、また仕事関数が4.5eV以下の金属(Li、Na、K、Rb、Csなどのアルカリ金属、Be、Mg、Ca、Sr、Baなどのアルカリ土類金属、Al)、Ybなどの希土類元素およびその合金、ならびに薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせたもの(LiF/Al、Li 2 O/Alなど)を用いることにより、透明電極から有機LED層への電子の注入をより効率よく行うことができる。 t, by using a Ni etc.), injection of holes can be performed more efficiently and less metal work function 4.5eV (Li, Na, K, Rb, an alkali metal such as Cs, Be, mg, Ca, Sr, alkaline earth metals such as Ba, Al), rare earth elements and alloys thereof, such as Yb, and a combination of a dielectric layer and a metal electrode film (LiF / Al, Li 2 O / Al , etc. ) is used, it is possible to more efficiently perform electron injection into the organic LED layer from the transparent electrode. 【0070】また、有機LED素子では、電極から有機LED層への注入は正孔よりも電子の方がより困難であり、正孔注入電極よりも電子注入電極の方が安定性が低い。 [0070] In the organic LED element, injected from electrodes into the organic LED layer is more difficult towards electrons than holes, the low stability towards the electron injection electrode than the hole injection electrode. これらのことから、有機LED層からの発光を基板と逆側(第2電極側)から取り出す場合に、電極から有機LED層に効率よく電子を注入する(高発光効率の素子を作製する)ためには、保護電極として、仕事関数が4.5eV以下の金属(アルカリ金属、アルカリ土類金属、Al)、希土類元素およびその合金および薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせたもの前記仕事関数の4. From these, when the light emitted from the organic LED layer from the side opposite to the substrate side (second electrode side), (to produce a device with high luminous efficiency) of the organic LED layer from the electrode efficiently injecting electrons for the, as a protective electrode, the following metal work function 4.5 eV (alkali metals, alkaline earth metals, Al), of the work function a combination of a rare earth element and the insulating layer and the metal electrode of the alloy and a thin film Four.
5eV以下の金属、希土類金属およびその合金、ならびに薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わせたものを用い、第2電極として透明電極を用いた方が好ましい。 5eV following metals, using a combination of rare earth metals and their alloys, as well as the insulating layer and the metal electrode of the thin film, it is preferable to use a transparent electrode as the second electrode. 【0071】3−5. [0071] 3-5. 有機保護層本発明の有機LED素子は、有機LED層と第2電極との間に、有機保護層を有するのが好ましい。 The organic LED element of the organic protective layer present invention, between the organic LED layer and the second electrode preferably have an organic protective layer. 有機保護層は、スパッタに対して耐性を有する材料、すなわち有機保護層上にスパッタ法で第2電極を間欠的に形成する際に有機LED層にダメージを与えない材料から構成される。 The organic protective layer is composed of material, i.e. a material that does not damage the organic LED layer when intermittently forming the second electrode by a sputtering method in an organic protective layer which is resistant to sputtering. 【0072】有機保護層を形成する材料としては、例えば、銅フタロシアニン化合物(CuPc)、キナクリドン化合物、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体などの低分子材料;ポリチオフェン誘導体、アニリン誘導体、ポリ(トリフェニルアミン誘導体)(Pol [0072] As a material for forming the organic protective layer, for example, a copper phthalocyanine compound (CuPc), quinacridone compounds, (8-hydroxyquinolinato) low molecular weight material such as aluminum complex; polythiophene derivatives, aniline derivatives, poly (triphenyl amine derivatives) (Pol
y−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)、 y-TPD), polyvinylcarbazole (PVCz),
ポリ(フェニルキノザリン)(PPQ)、ポリスチレンサルフォネイト誘導体(PSS)、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PSS)、ポリアニリン(PANI)、 Poly (phenylquinoxaline The phosphorus) (PPQ), polystyrene monkey follower Nate derivative (PSS), 3,4-polyethylene dioxythiophene / polystyrene monkey follower Nate (PEDOT / PSS), polyaniline (PANI),
ポリキノリン、ポリキノキサリン、ポリヒドラジン、ポリピリジン、ポリビニレン誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、ポリベンゾビスオキサゾール(PBO)、ポリベンゾビスチアゾール(PBT)などの高分子材料などが挙げられる。 Polyquinoline, polyquinoxaline, polyhydrazine, polypyridine, polyvinylene derivatives, poly oxadiazole derivatives, polybenzobisoxazole (PBO), such as a polymeric material such as polybenzobisthiazole (PBT) and the like. これらの中でも、有機LED素子の発光特性、寿命の観点から、ポリチオフェン誘導体およびアニリン誘導体が特に好ましい。 Among these, the light emitting properties of the organic LED element, in terms of lifetime, polythiophene derivatives and aniline derivatives are particularly preferred. 【0073】また、上記の材料は、一般に正孔輸送材料として用いられるが、金属、金属イオンまたはイオン性有機材料、特にアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンおよび希土類元素から選択される元素をドープすることで電子輸送材料の機能をもたせるのが好ましい。 [0073] Also, the above materials generally is used as a hole transporting material, a metal, metal ion or ionic organic materials, in particular doped with an element selected from alkali metal ions, alkaline earth metal ions and rare earth elements preferably impart a function of the electron transporting material by. 【0074】有機保護層は、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法などの印刷法などの公知のウエットプロセスにより形成することができる。 [0074] The organic protective layer, spin coating method, a dipping method, a doctor blade method, ejection coating, a coating method such as spray coating method, an inkjet method, relief printing method, intaglio printing method, a screen printing method, a micro gravure coating method it can be formed by a known wet process, such as printing method such as. 【0075】有機保護膜の膜厚は、5〜200nmが好ましく、10〜100nmが特に好ましい。 [0075] The film thickness of the organic protective film is preferably 5 to 200 nm, 10 to 100 nm is particularly preferred. 膜厚が5n The film thickness is 5n
m以下未満の場合には、スパッタダメージを効果的に防止することができないので好ましくない。 If it is less than m or less, it is impossible to prevent sputtering damage effectively unfavorable. また、膜厚が200nmを超える場合には、有機LED素子としての発光特性、寿命が悪化するので好ましくない。 Also, if the film thickness exceeds 200nm, the emission characteristics of the organic LED element, because life is undesirably poor. 【0076】4. [0076] 4. 偏光板本発明の有機LED素子には、偏光板を設けるのが好ましい。 The organic LED element of the polarizing board book invention is preferably provided a polarizing plate. 用いられる偏光板としては、従来の直線偏光板と1/4λ板を組み合わせたものが好ましい。 The polarizing plate used, a combination of conventional linear polarizing plate and 1 / 4.lamda plate is preferred. これにより、有機LED素子としてのコントラストを向上させることができる。 Thus, it is possible to improve the contrast of the organic LED element. 【0077】5. [0077] 5. 封止膜、封止基板本発明の有機LED素子には、封止膜、封止基板を設けるのが好ましい。 Sealing film, the organic LED element of the sealing substrate present invention, sealing film, to dispose the sealing substrate preferred. 用いられる封止膜および封止基板は、 Sealing film and the sealing substrate is used,
公知の封止材料および封止方法を用いて形成することができる。 It can be formed using a known sealing materials and sealing method. 具体的には、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスをガラス、金属などで封止する方法、および不活性ガス中に酸化バリウムなどの吸湿剤などを混入する方法が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Specifically, nitrogen gas, glass an inert gas such as argon gas, a method for sealing with a metal, and a method of mixing a moisture absorption agent such as barium oxide and the like in an inert gas, the present invention It is not limited by these. また、第2電極上に樹脂を直接スピンコートもしくは貼り合わせて封止膜とすることもできる。 It is also possible to sealing resin directly spin-coated or bonded with on the second electrode.
この封止膜により、外部からの素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、有機LED素子の寿命が向上する。 This sealing film, it is possible to prevent mixing of oxygen and moisture into the device from the outside, thereby improving the lifetime of the organic LED element. 封止膜の膜厚または封止基板の厚さは、通常0.1〜2nm程度である。 Thickness or the thickness of the sealing substrate of the sealing film is usually about 0.1 to 2 nm. 【0078】6. [0078] 6. 遮光膜(遮光層) 本発明の有機LED素子には、遮光膜を設けるのが好ましい。 The organic LED element of the light-shielding film (light shielding layer) the present invention is preferably provided a light shielding film. 遮光膜は、有機LED層からの発光がTFTに達するのを防止する位置、具体的には、有機LED層からの発光がTFTの半導体層に入射してくる光路上、および有機LED層からの発光が透明電極に反射してTFT Light-shielding film, a position to prevent the light emitted from the organic LED layer reaches TFT, specifically, an optical path light emitted from the organic LED layer comes incident on the semiconductor layer of the TFT, and an organic LED layer emission is reflected to the transparent electrode TFT
の半導体層に入射してくる光路上に設けることができる。 It may be provided to come incident on the semiconductor layer optical path. 【0079】遮光膜は、有機LED層からの発光のピーク波長における透過率が10%以下となるような層構成にするのが好ましい。 [0079] shielding film, the transmittance at the peak wavelength of light emitted from the organic LED layer is preferably the layer structure such that 10% or less. これにより、有機LED素子からの発光および外光がTFTの半導体層に入射することに起因するTFT特性の変化、劣化を効果的に抑制することができる。 Thus, it is possible to effectively suppress changes in the TFT characteristics, the deterioration of emission and ambient light from the organic LED element is caused to enter the semiconductor layer of the TFT. 遮光膜は、各種絶縁膜または電極と兼用することができ、具体的には、ゲート絶縁膜を遮光層とする遮光性ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を遮光層とする遮光性層間絶縁膜、絶縁膜を遮光層とする遮光性絶縁膜、画素電極を遮光層とする遮光性画素電極などが挙げられる。 Shielding film, various insulating films or electrodes and can be used also, specifically, light-shielding gate insulating film for the gate insulating film and the light shielding layer, light-shielding interlayer insulating film and the light-shielding layer of the interlayer insulating film, insulation light-shielding insulating film to the film light blocking layer, such as light-shielding pixel electrodes and the light-shielding layer and a pixel electrode and the like. また、これら遮光層は複数個組み合わせて用いることもできる。 These light-shielding layers may also be used in combination of a plurality. 【0080】遮光膜は、有機LED層からの発光波長を吸収し得る材料(例えば、フタロシアニン、キナクロドンなどの顔料または染料をポリイミドなどの高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリックス材料、Ni x Zn y Fe 24などの無機絶縁材料)、有機LED層からの発光波長を反射し得る材料(例えば、 [0080] shielding film, a material that can absorb the emission wavelength of the organic LED layer (e.g., those phthalocyanine, a pigment or dye such as Kinakurodon dispersed in a polymer resin such as polyimide, color resists, black matrix material, Ni x Zn inorganic insulating material such as y Fe 2 O 4), a material capable of reflecting the emission wavelength of the organic LED layer (e.g.,
アルミニウム等の金属をポリイミドなどの高分子樹脂に分散したもの)を用いて形成するか、もしくは10〜5 Or a metal such as aluminum is formed by using a material obtained by dispersing a polymer resin such as polyimide), or 10-5
00nm程度の適切な膜厚の絶縁膜(例えば、Si 00nm about appropriate thickness of the insulating film (for example, Si
2 )をアモルファスシリコン、ポリシリコンなどで挟み、それらの間で起こる光の干渉を用いて、有機LED O 2) amorphous silicon, sandwiched between polysilicon, using the interference of light that takes place between them, an organic LED
層からの発光波長を吸収し得る層構成にすることにより得られる。 Obtained by the layer structure capable of absorbing the emission wavelength of the layers. 遮光膜または遮光層の膜厚は、通常10〜5 Thickness of the light-shielding film or the light shielding layer is usually 10 to 5
00nm程度である。 It is about 00nm. 【0081】 【実施例】本発明を実施例および比較例に基づいてさらに具体的に説明するが、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。 [0081] more specifically described based on Examples and Comparative Examples EXAMPLES present invention, but the present invention is not limited by these examples. 【0082】比較例1 第1電極(透明電極)として膜厚150nmのITO膜が、幅2mm×長さ50mmにパターン形成されたガラス基板上に、抵抗加熱真空蒸着法により、正孔輸送層としてN,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N' [0082] Comparative Example 1 The first electrode (transparent electrode) as a film thickness 150 nm ITO film of a glass substrate in the patterned width 2 mm × length 50 mm, by resistance heating vacuum deposition method, a hole transport layer N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N '
−ジフェニルベンジジン(NPD)を膜厚40nmになるように成膜した。 - diphenyl benzidine (NPD) was deposited to a thickness of 40 nm. 次に、抵抗加熱真空蒸着法により、 Then, by resistance heating vacuum deposition method,
発光層として(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq 3 )を膜厚60nmになるように成膜した。 As a light emitting layer (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq 3) was deposited to a film thickness of 60 nm. 最後に、幅2mmの開口部を有するシャドーマスクを用いて、第2電極としてアルミニウムとリチウム(アルミニウム99.8wt%:リチウム0.2wt%)を膜厚100nm、幅2mm、長さ50mmになるように抵抗加熱蒸着装置で共蒸着して、有機LED素子を作製した。 Finally, using a shadow mask having an opening of width 2 mm, aluminum and lithium is used as the second electrode (aluminum 99.8 wt%: Lithium 0.2 wt%) film thickness 100 nm, width 2 mm, so that the length 50mm It was co-deposited by resistance heating deposition apparatus, to produce an organic LED element. 【0083】比較例2 第2電極をDCマグネトロンスパッタ法で連続的に成膜すること以外は、比較例1と同様にして、有機LED素子を作製した。 [0083] except that the Comparative Example 2 second electrode successively formed by DC magnetron sputtering, in the same manner as in Comparative Example 1, to produce an organic LED element. 次のようにして第2電極を成膜した。 The second electrode was formed in the following manner. 第1電極、電子輸送層および発光層が形成されたガラス基板と、Li:Al合金(リチウム0.2wt%:アルミニウム99.8wt%)からなるターゲットとを、DC A glass substrate on which the first electrode, an electron transport layer and the luminescent layer are formed, Li: Al alloys: a target made of (Li 0.2 wt% aluminum 99.8 wt%), DC
マグネトロンスパッタ装置のチャンバーに設置した。 It was placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. なお、ガラス基板を保持する基板ホルダーとターゲットとを、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが平行になるように配置し、その間隔は20mmとし、これらの間にはシャッターを設置した。 Incidentally, the substrate holder and the target for holding a glass substrate, and arranged so that the deposition surface and the pair sputtering surface of the target substrate are parallel, the interval is set to 20 mm, placed shutter between these did. チャンバー内を真空度1×10 -6 Torrまで脱気し、真空度が3×10 -3 The chamber was evacuated to a vacuum degree of 1 × 10 -6 Torr, the vacuum degree of 3 × 10 -3
Torrになるまでアルゴンガスを導入した。 Argon gas was introduced until Torr. 次いで、 Then,
シャッターを開放した状態で、基板温度を室温とし、スパッタリングパワー800Wで、膜厚が100nmになるまで第2電極を連続的に成膜した。 With opened shutter, a substrate temperature of room temperature, at sputtering power 800 W, film thickness was continuously formed a second electrode until 100 nm. 【0084】実施例1 基板ホルダーとターゲットとの間に設置されたシャッターを30秒間隔で連続的に開閉して、膜厚が100nm [0084] successively opened and closed in the installed 30 second intervals the shutter between the first embodiment the substrate holder and the target, the film thickness is 100nm
になるまで間欠的に第2電極を成膜すること以外は、比較例2と同様にして、有機LED素子を作製した(図1 Except that deposited intermittently second electrode until, in the same manner as in Comparative Example 2, to produce an organic LED element (Fig. 1
(a)参照)。 (A) see). 【0085】実施例2 DCマグネトロンスパッタ装置のチャンバー内のガラス基板を保持する基板ホルダーとターゲットとの間に、開口部を有する回転体のマスクを設置し、このマスクを速度30秒/回で回転させて、膜厚が100nmになるまで間欠的に第2電極を15分間で成膜すること以外は、 [0085] between the substrate holder and the target for holding a glass substrate in the chamber of Example 2 DC magnetron sputtering apparatus, and install masks rotating body having an opening, rotating the mask at a rate of 30 seconds / time by, except that the film thickness is deposited by intermittently second electrode until the 100 nm 15 minutes,
比較例2と同様にして、有機LED素子を作製した(図3(a)参照)。 In the same manner as in Comparative Example 2, to produce an organic LED element (see Figure 3 (a)). 【0086】実施例3 DCマグネトロンスパッタ装置のガラス基板を保持する基板ホルダーに回転機構を設置し、この回転機構を速度30秒/回で回転させて、膜厚が100nmになるまで間欠的に第2電極を15分間で成膜すること以外は、比較例2と同様にして、有機LED素子を作製した(図4 [0086] established a rotation mechanism on the substrate holder for holding a glass substrate of Example 3 DC magnetron sputtering apparatus, the rotation mechanism is rotated at a speed of 30 sec / cycle, intermittently second until the film thickness becomes 100nm except for forming the second electrode for 15 minutes in the same manner as in Comparative example 2, to produce an organic LED element (Fig. 4
(a)参照)。 (A) see). 【0087】実施例4 DCマグネトロンスパッタ装置にLi:Al合金からなるターゲット10個を5cm間隔で並列に配置し、このターゲットに対面して平行移動が可能なようにガラス基板を保持する基板ホルダーを設置し、ターゲットが配列された直線上を5分間かけて基板を移動させ、間欠的に第2電極を成膜すること以外は、比較例2と同様にして、有機LED素子を作製した。 [0087] Example 4 DC magnetron sputtering apparatus Li: the target 10 made of Al alloy are arranged in parallel at 5cm intervals, a substrate holder for holding a glass substrate so as to allow parallel movement facing this target installed, the target moves the substrate over a 5 minute period on a straight line are arranged, except that the deposition of the intermittent second electrode, in the same manner as in Comparative example 2, to produce an organic LED element. なお、基板の移動は、 It should be noted that the movement of the substrate,
基板とターゲットとの間の開放と遮断の繰り返しに換算した場合、60秒間隔になる(図2(a)参照) 【0088】実施例5 基板ホルダーとターゲットとを、すなわち基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とを非平行に配置したこと以外は、実施例3と同様にして、有機LED素子を作製した(図1(b)参照)。 Open and when converted to the repetition of the blocking, the 60 second interval (see FIG. 2 (a)) [0088] and Example 5 the substrate holder and the target, i.e. the deposition surface of the substrate between the substrate and the target and except to the arrangement of the pair sputtering surface of the target non-parallel, in the same manner as in example 3, to produce an organic LED element (see Figure 1 (b)). 【0089】実施例6 保護電極層として、抵抗加熱蒸着法により膜厚50nm [0089] As Example 6 protective electrode layer, a thickness of 50nm by a resistance heating deposition method
のセシウム(Cs)を発光層(Alq 3 )と第2電極との間に設けたこと以外は、実施例5と同様にして有機L Organic L of the light-emitting layer cesium (Cs) and (Alq 3) except that provided between the second electrode, in the same manner as in Example 5
ED素子を作製した。 To prepare an ED element. 【0090】実施例7 保護電極層として、抵抗加熱蒸着法により膜厚10nm [0090] As Example 7 protective electrode layer, the film thickness 10nm by resistance heating deposition
のセシウムを発光層(Alq 3 )と第2電極との間に設けたこと以外は、実施例5と同様にして有機LED素子を作製した。 The cesium emitting layer (Alq 3) except that provided between the second electrode, to produce an organic LED element in the same manner as in Example 5. 【0091】実施例8 保護電極層として、抵抗加熱蒸着法により膜厚5nmのセシウムを発光層(Alq 3 )と第2電極の間に設けたこと以外は、実施例5と同様にして有機LED素子を作製した。 [0091] As Example 8 protective electrode layer, the light emitting layer of cesium thickness 5nm by a resistance heating evaporation method and (Alq 3), except that disposed between the second electrode, the organic LED in the same manner as in Example 5 a device was prepared. 【0092】以上のようにして作製した有機LED素子に直流電圧を印加して、有機LED素子が発光輝度10 [0092] by applying a DC voltage to the organic LED element manufactured as described above, the organic LED element emitting intensity 10
0cd/m 2で発光したときの駆動電圧と発光効率を測定した。 The driving voltage and luminous efficiency when emitted in the 0 cd / m 2 was measured. また、有機LED素子に直流電圧を印加して、 Further, by applying a DC voltage to the organic LED element,
有機LED素子が定電流駆動で初期発光輝度100cd Initial emission luminance 100cd organic LED element is driven at a constant current
/m 2から50cd/m 2に低下するまでの輝度半減寿命を測定した。 / Brightness half-life from m 2 to decrease to 50 cd / m 2 was measured. 【0093】 【表1】 [0093] [Table 1] 【0094】実施例1と比較例1では、同等の性能を有する有機LED素子が得られた。 [0094] In Example 1 and Comparative Example 1, the organic LED element having a similar performance was obtained. しかし、実施例1のような本発明の方法によれば、抵抗加熱蒸着法における量産性の問題を解決することができる。 However, according to the method of the present invention as in Example 1, it is possible to solve the productivity problems in a resistance heating deposition method. 【0095】比較例3 ガラス基板上に、マスクを用いた抵抗加熱蒸着法により、第1電極としてアルミニウムとリチウム(アルミニウム99.8wt%:リチウム0.2wt%)を、膜厚100nm、幅2mm×長さ50mmになるように共蒸着させた。 [0095] Comparative Example 3 on a glass substrate by a resistance heating vapor deposition method using a mask, aluminum and lithium is used as the first electrode: (aluminum 99.8 wt% lithium 0.2 wt%), thickness 100 nm, width 2 mm × were co-deposited so that the length of 50 mm. 次に真空蒸着法により、発光層としてAlq By then vacuum deposition method, Alq as a light-emitting layer
3を60nmになるように成膜した。 3 was formed so as to 60nm. 次に真空蒸着法により、正孔輸送層としてNPDを膜厚が60nmになるように成膜した。 Then by a vacuum deposition method, the thickness of the NPD as a hole transport layer was deposited to a 60 nm. 【0096】最後に、次のようにして第2電極を成膜した。 [0096] Finally, by forming a second electrode in the following manner. 第1電極、電子輸送層および発光層が形成されたガラス基板と、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(I First electrode, an electron transport layer and the glass substrate in which the light-emitting layer is formed, an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (I
DIXO、Inの原子数比In/(In+Zn)=0. DIxOs, the atomic ratio of In In / (In + Zn) = 0.
83)からなるターゲットとを、DCマグネトロンスパッタ装置のチャンバーに設置した。 And a target consisting of 83), was placed in a chamber of a DC magnetron sputtering apparatus. なお、ガラス基板を保持する基板ホルダーとターゲットとを、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが非平行になるように配置し、その間隔は100mmとし、これらの間にはシャッターを設置した。 Incidentally, the substrate holder and the target for holding a glass substrate, and arranged so that the deposition surface and the pair sputtering surface of the target substrate is not parallel, the interval is set to 100 mm, the shutter between these installed. チャンバー内を真空度1×10 -6 Vacuum chamber of 1 × 10 -6
Torrまで脱気し、真空度が3×10 -3 Torrになるまでアルゴンと酸素の混合ガス(比率99:1)を導入した。 Evacuated to Torr, degree of vacuum argon and oxygen mixed gas until 3 × 10 -3 Torr (ratio 99: 1) was introduced. 次いで、シャッターを開放した状態で、基板温度を室温とし、スパッタリングパワー800Wで、膜厚が150nmになるまで第2電極を連続的に成膜した。 Then, in the open state of the shutter, the substrate temperature was room temperature, the sputtering power 800 W, film thickness was continuously formed a second electrode until 150 nm. 【0097】実施例9 基板ホルダーとターゲットとの間に設置されたシャッターを20秒間隔で連続的に開閉して、膜厚が100nm [0097] successively opened and closed in the installed shutter 20 second interval between the Example 9 the substrate holder and the target, the film thickness is 100nm
になるまで間欠的に第2電極を5分間で成膜すること以外は、比較例3と同様にして、有機LED素子を作製した(図3(b)参照)。 Except that deposited by intermittently second electrode 5 minutes until, in the same manner as in Comparative Example 3, to produce an organic LED element (see Figure 3 (b)). 【0098】実施例10 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚1nmの銅フタロシアニン化合物(CuPc)を正孔輸送層(NP [0098] As Example 10 organic protective layer, a hole transport layer of copper phthalocyanine compound having a thickness of 1nm to (CuPc) by a vacuum deposition method (NP
D)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例9 D) and except that provided between the between the second electrodes, Example 9
と同様にして有機LED素子を作製した。 To produce an organic LED element in the same manner as. 【0099】実施例11 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚5nmのCu [0099] As Example 11 organic protective layer, having a thickness of 5nm by vacuum deposition Cu
Pcを電子輸送層(NPD)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例10と同様にして有機LED素子を作製した。 The Pc electron transport layer (NPD) except that provided between the between the second electrodes, to produce an organic LED element in the same manner as in Example 10. 【0100】実施例12 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚10nmのC [0100] As Example 12 organic protective layer, having a thickness of 10nm by vacuum deposition C
uPcを電子輸送層(NPD)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例10と同様にして有機LED素子を作製した。 Except that provided between the electron transporting layer and (NPD) and between the second electrodes of UPC, to produce an organic LED element in the same manner as in Example 10. 【0101】実施例13 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚50nmのC [0102] As Example 13 organic protective layer, having a thickness of 50nm by vacuum deposition C
uPcを電子輸送層(NPD)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例10と同様にして有機LED素子を作製した。 Except that provided between the electron transporting layer and (NPD) and between the second electrodes of UPC, to produce an organic LED element in the same manner as in Example 10. 【0102】実施例14 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚100nmのCuPcを電子輸送層(NPD)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例10と同様にして有機LED [0102] As Example 14 organic protective layer, except the provision of the CuPc having a thickness of 100nm between the electron transporting layer and (NPD) and between the second electrode by a vacuum deposition method, in the same manner as in Example 10 organic LED
素子を作製した。 A device was prepared. 【0103】実施例15 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚200nmのCuPcを電子輸送層(NPD)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例10と同様にして有機LED [0103] As Example 15 organic protective layer, except the provision of the CuPc having a thickness of 200nm between the electron transporting layer and (NPD) and between the second electrode by a vacuum deposition method, in the same manner as in Example 10 organic LED
素子を作製した。 A device was prepared. 【0104】比較例4 有機保護層として、真空蒸着法により膜厚300nmのCuPcを電子輸送層(NPD)と第2電極間との間に設けたこと以外は、実施例10と同様にして有機LED [0104] As Comparative Example 4 an organic protective layer, except the provision of the CuPc having a thickness of 300nm between the electron transporting layer and (NPD) and between the second electrode by a vacuum deposition method, in the same manner as in Example 10 organic LED
素子を作製した。 A device was prepared. 【0105】比較例5 ガラス基板上に、マスクを用いた抵抗加熱蒸着法により、膜厚100nm、幅2mm×長さ50mmになるように銀を蒸着させた。 [0105] Comparative Example 5 On a glass substrate, by resistance heating vapor deposition method using a mask, film thickness 100 nm, was deposited with silver so that the width of 2 mm × length 50 mm. その上に、銀蒸着で使用した同様のマスクを用いた抵抗加熱蒸着法により、膜厚1nm、 Thereon by resistance heating deposition method using the same mask used in a silver deposition, thickness 1 nm,
幅2mm×長さ50mmになるようにカルシウムを蒸着させ、銀とカルシウムの積層体からなる第1電極を形成した。 Width 2 mm × deposited calcium so that the length 50 mm, to form a first electrode made of a laminate of silver and calcium. 次に、発光層形成用塗液として、ポリ(9,9− Next, as a light emitting layer forming coating solution, poly (9,9
ジオクチルフルオレン)(PDAF)を含むトルエン溶液を調製し、スピンコート法により前記塗液を塗布して、膜厚80nmの発光層を成膜した。 Dioctyl fluorene) (PDAF) toluene solution containing prepared, by applying the coating solution by spin coating, thereby forming a light-emitting layer having a thickness of 80 nm. 次に、得られた基板を100℃、1時間加熱乾燥を行った。 Next, 100 ° C. The obtained substrate was subjected to 1 hour heat drying. 【0106】最後に、次のようにして第2電極を成膜した。 [0106] Finally, by forming a second electrode in the following manner. 第1電極および発光層が形成されたガラス基板と、 A glass substrate on which the first electrode and the light emitting layer is formed,
In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO、I An In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO, I
nの原子数比In/(In+Zn)=0.83)からなるターゲットとを、DCマグネトロンスパッタ装置のチャンバーに設置した。 And a target made of n atomic ratio In / (In + Zn) = 0.83), was placed in a chamber of a DC magnetron sputtering apparatus. なお、ガラス基板を保持する基板ホルダーとターゲットとを、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが非平行になるように配置し、その間隔は100mmとし、これらの間にはシャッターを設置した。 Incidentally, the substrate holder and the target for holding a glass substrate, and arranged so that the deposition surface and the pair sputtering surface of the target substrate is not parallel, the interval is set to 100 mm, the shutter between these installed. チャンバー内を真空度1×10 -6 Torrまで脱気し、真空度が3×10 -3 Torrになるまでアルゴンと酸素の混合ガス(比率99:1)を導入した。 The chamber was evacuated to a vacuum degree of 1 × 10 -6 Torr, the vacuum degree of argon and oxygen mixed gas until 3 × 10 -3 Torr (ratio 99: 1) was introduced. 次いで、シャッターを開放した状態で、基板温度を室温とし、スパッタリングパワー800Wで、膜厚が150n Then, in the open state of the shutter, the substrate temperature was room temperature, the sputtering power 800 W, film thickness 150n
mになるまで第2電極を連続的に成膜した。 The second electrode was continuously formed until to m. 【0107】実施例16 3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PSS)を含む有機保護層形成用塗液を調製し、スピンコート法により前記塗液を塗布して、発光層と第2電極との間に膜厚20nm [0107] The organic protective layer-forming coating liquid containing Example 16 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene monkey follower Nate (PEDOT / PSS) was prepared, by applying the coating solution by spin coating, emission thickness between the layer and the second electrode 20nm
の有機保護層を成膜し、DCマグネトロンスパッタ装置のガラス基板を保持する基板ホルダーに回転機構を設置し、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが非平行になるように配置し、この回転機構を速度30秒/ The organic protective layer was formed, it was placed a rotating mechanism to a substrate holder for holding a glass substrate of DC magnetron sputtering device, arranged so that the deposition surface of the substrate and the pair sputtering surface of the target is nonparallel , the rotating mechanism speed 30 sec /
回で回転させて、膜厚が150nmになるまで間欠的に第2電極を5分間で成膜すること以外は、比較例5と同様にして、有機LED素子を作製した。 Rotated at times, except that the film thickness is deposited intermittently second electrode until the 150nm for 5 minutes, in the same manner as in Comparative Example 5, to produce an organic LED element. 【0108】実施例17 有機保護層を形成する材料として、PEDOT/PSS [0108] As a material for forming the embodiment 17 the organic protective layer, PEDOT / PSS
の代わりにポリアニリン(PANI)を用い、その膜厚を100nmとしたこと以外は、実施例16と同様にして有機LED素子を作製した。 Using polyaniline (PANI) instead of, except that the film thickness and 100 nm, to manufacture an organic LED element in the same manner as in Example 16. 【0109】比較例6 ガラス基板上に、反射電極として、マスクを用いた抵抗加熱蒸着法により、膜厚100nm、幅2mm×長さ5 [0109] Comparative Example 6 On a glass substrate, a reflective electrode, by resistance heating vapor deposition method using a mask, the film thickness 100 nm, a width 2 mm × length 5
0mmになるように銀を蒸着させた。 Silver by vapor deposition so as to 0mm. その上に、第1電極として、銀蒸着で使用した同様のマスクを用いたRF Thereon, RF of the first electrode, and using the same mask used in a silver deposition
マグネトロンスパッタ法により、膜厚150nm、幅2 By magnetron sputtering, film thickness 150 nm, a width 2
mm×長さ50mmになるようにITOを蒸着させた。 mm × was deposited an ITO so the length 50 mm.
次に、ITOの抵抗を下げるために、この基板を400 Next, in order to reduce the resistance of the ITO, the substrate 400
℃で加熱処理した。 It was heat-treated at ℃. 次に、発光層形成用塗液として、P Next, as a light emitting layer forming coating liquid, P
DAFを含むトルエン溶液を調製し、スピンコート法により前記塗液を塗布して、膜厚80nmの発光層を成膜した。 The toluene solution was prepared containing DAF, by coating the coating liquid by spin coating, thereby forming a light-emitting layer having a thickness of 80 nm. 次に、得られた基板を100℃、1時間加熱乾燥を行った。 Next, 100 ° C. The obtained substrate was subjected to 1 hour heat drying. 【0110】最後に、次のようにして第2電極を成膜した。 [0110] Finally, by forming a second electrode in the following manner. 反射電極、第1電極および発光層が形成されたガラス基板と、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(ID Reflective electrodes, and the glass substrate on which the first electrode and the light emitting layer is formed, an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (ID
IXO、Inの原子数比In/(In+Zn)=0.8 IXO, the atomic ratio of In In / (In + Zn) = 0.8
3)からなるターゲットとを、DCマグネトロンスパッタ装置のチャンバーに設置した。 And a target made of 3) was placed in a chamber of a DC magnetron sputtering apparatus. なお、ガラス基板を保持する基板ホルダーとターゲットとを、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが非平行になるように配置し、その間隔は100mmとし、これらの間にはシャッターを設置した。 Incidentally, the substrate holder and the target for holding a glass substrate, and arranged so that the deposition surface and the pair sputtering surface of the target substrate is not parallel, the interval is set to 100 mm, the shutter between these installed. チャンバー内を真空度1×10 -6 The chamber vacuum 1 × 10 -6 T
orrまで脱気し、真空度が3×10 -3 Torrになるまでアルゴンと酸素の混合ガス(比率99:1)を導入した。 evacuated to orr, vacuum of argon and oxygen mixed gas until 3 × 10 -3 Torr (ratio 99: 1) was introduced. 次いで、シャッターを開放した状態で、基板温度を室温とし、スパッタリングパワー800Wで、膜厚が150nmになるまで第2電極を連続的に成膜した。 Then, in the open state of the shutter, the substrate temperature was room temperature, the sputtering power 800 W, film thickness was continuously formed a second electrode until 150 nm. 【0111】実施例18 保護電極層として、抵抗加熱蒸着法により膜厚5nmのカルシウムを発光層と第2電極との間に成膜し、DCマグネトロンスパッタ装置のガラス基板を保持する基板ホルダーに回転機構を設置し、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが非平行になるように配置し、この回転機構を速度30秒/回で回転させて、膜厚が150 [0111] As Example 18 protective electrode layer, the resistance heating vapor deposition method to deposit a calcium film thickness 5nm between the light emitting layer and the second electrode, rotating the substrate holder for holding a glass substrate of DC magnetron sputtering apparatus established a mechanism, arranged so that the deposition surface and the pair sputtering surface of the target substrate is not parallel to rotate the rotating mechanism at a speed 30 sec / time, the film thickness is 150
nmになるまで間欠的に第2電極を5分間で成膜すること以外は、比較例6と同様にして、有機LED素子を作製した。 Except that deposited intermittently second electrode 5 minutes until nm, similarly as in Comparative Example 6, to produce an organic LED element. 【0112】実施例19 保護電極層を設ける代わりに、有機保護層として膜厚4 [0112] Instead of providing the Example 19 the protective electrode layer, the film thickness as the organic protective layer 4
0nmのポリスチレンスルフォン酸セシウム(PSS) Polystyrene sulfonic acid cesium 0nm (PSS)
を発光層と第2電極との間に設けたこと以外は、実施例18と同様にして有機LED素子を作製した。 The except that provided between the light-emitting layer and the second electrode, to produce an organic LED element in the same manner as in Example 18. なお、有機保護層は、PSSを含む有機保護層形成用塗液を調製し、スピンコート法により前記塗液を塗布することにより成膜した。 Note that the organic protective layer, an organic protective layer-forming coating liquid containing PSS were prepared and deposited by coating the coating liquid by spin coating. 【0113】以上のようにして作製した有機LED素子に直流電圧を印加して、有機LED素子が発光輝度10 [0113] by applying a DC voltage to the organic LED element manufactured as described above, the organic LED element emitting intensity 10
0cd/m 2で発光したときの駆動電圧と発光効率を測定した。 The driving voltage and luminous efficiency when emitted in the 0 cd / m 2 was measured. また、有機LED素子に直流電圧を印加して、 Further, by applying a DC voltage to the organic LED element,
有機LED素子が定電流駆動で初期発光輝度100cd Initial emission luminance 100cd organic LED element is driven at a constant current
/m 2から50cd/m 2に低下するまでの輝度半減寿命を測定した。 / Brightness half-life from m 2 to decrease to 50 cd / m 2 was measured. 【0114】 【表2】 [0114] [Table 2] 【0115】実施例20 遮光性基板としてアルミナ基板(厚さ:2.0mm(± [0115] Example 20 light-shielding substrate as an alumina substrate (thickness: 2.0 mm (±
3.0%)、抵抗値:>10 14 Ω・cm、軟化点:14 3.0%), the resistance value:> 10 14 Ω · cm, softening point: 14
00℃)を用意し、この基板上に、SiH 4の分解によるLP−CDV法により膜厚50nmのα−Si膜を成膜し、その後、固相成長法によりα−Siを多結晶化した。 00 ° C.) was prepared, on a substrate, forming a alpha-Si film having a film thickness of 50nm by LP-CDV method by decomposition of SiH 4, then polycrystallized the alpha-Si by solid phase epitaxy . 次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部からなるPoly−Si膜をエッチング加工し、ゲート絶縁膜としてPoly−Siを1000℃以上で熱酸化して、膜厚100nmのSiO 2を形成した。 Next, the channel part, the Poly-Si film made of the source and drain portions is etched, it is thermally oxidized at 1000 ° C. or more Poly-Si as a gate insulating film, thereby forming a SiO 2 film thickness 100 nm. この後、ゲート電極として膜厚100nmのアルミニウムをスパッタ法により成膜した。 This was formed by sputtering an aluminum film thickness 100nm as a gate electrode. そして、ゲート電極をパターニングした。 Then, by patterning the gate electrode. また、コンデンサーの下部電極を加工した。 Further, to process the lower electrode of the capacitor. この後、ゲート電極側面を陽極酸化し、オフセット部を形成し、その後、イオン打ち込み法によりソース・ドレイン部にリンを高濃度にドープした。 Thereafter, a gate electrode side is anodized to form an offset portion and then doped with phosphorus to a high concentration into the source and drain portions by an ion implantation method. 走査線を形成し、この後、絶縁膜として膜厚300nmのSiO 2膜を形成した。 Forming a scan line, after which the formation of the SiO 2 film having a film thickness of 300nm as an insulating film. コンタクトホールを開口し、さらにソースメタル、 A contact hole is opened, further source metal,
共通電極を形成し、コンデンサーの上部電極を形成し、 The common electrode is formed, to form an upper electrode of the capacitor,
高温プロセスによりPoly−Si TFTを形成した。 To form a Poly-Si TFT with a high temperature process. 【0116】次に、遮光性絶縁膜として、Ni 0.7 Zn [0116] Next, as a light-shielding insulating film, Ni 0.7 Zn
0.3 Fe 24ターゲットを用いたスパッタ法により、基板の全面に膜厚2μmの無機黒色絶縁膜を成膜した。 By sputtering using a 0.3 Fe 2 O 4 target was deposited inorganic black insulating film having a thickness of 2μm on the entire surface of the substrate. ここで、可視光領域での透過率は2%以下であった。 Here, the transmittance in the visible light region was 2% or less. 次に、ドレイン電極と電気的に接続できるようにフォトリソグラフィー法によりコンタクトホールを画素の中央部に設けた。 Then, it provided the contact hole in the center of the pixel by photolithography to allow electrically connected to the drain electrode. これにより画素に均等に電流を供給することができる。 Thus it is possible to supply uniformly current to the pixel. 次に、スパッタ法により遮光性絶縁膜上に膜厚3μmのアルミニウムを成膜した。 It was then deposited aluminum having a thickness of 3μm on the light-shielding insulating film by sputtering. 次に、これの厚さ4μm分を研磨することにより、遮光性絶縁膜とコンタクトホールを含めて平坦化した。 Next, by polishing the thickness 4μm content of which was flattened, including light-shielding insulating film and contact hole. 【0117】次に、反射電極として、抵抗加熱蒸着装置を用いた真空蒸着法により、膜厚100nmの銀をマスク蒸着した。 [0117] Then, as a reflection electrode, by resistance heating vapor deposition apparatus a vacuum evaporation using, masked deposited silver film thickness 100 nm. その上に、第1電極として、RFマグネトロンスパッタ装置およびIDIXOターゲットを用いたスパッタ法により、膜厚150nmのIDIXO膜を成膜した。 Thereon, as the first electrode by a sputtering method using an RF magnetron sputtering apparatus and IDIXO target was deposited IDIXO film having a thickness of 150 nm. 次に、フォトリソグラフィー法によりIDIX Then, IDIX by photolithography
Oをパターン化した。 O was patterned. 次に、画素電極間に、SiO 2からなるテーパー状の絶縁膜を成膜した。 Then, between the pixel electrode was deposited a tapered insulating film made of SiO 2. これにより画素電極のエッジ部での電界集中による素子の劣化を防止することができる。 Thus it is possible to prevent deterioration of the device due to electric field concentration at the edge portion of the pixel electrode. 【0118】まず、4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PS [0118] First, 4-polyethylene dioxythiophene / polystyrene monkey follower Nate (PEDOT / PS
S)水溶液を用いたスピンコート法により、膜厚50n By a spin coating method using the S) aqueous solution, the film thickness 50n
mの正孔輸送層を成膜した。 Thereby forming a hole transport layer of m. 次に、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)を含む赤色発光層形成用塗液を調製し、インクジェット法により前記塗液を赤色発光画素となる領域に印刷して、膜厚50nmの赤色発光層を成膜した。 Next, poly [2,5-bis - (hexyloxy) -1,4-phenylene - (1-cyanovinylene)] The red light-emitting layer forming coating solution was prepared containing (CN-PPV), wherein an ink jet method printing in a region to be the coating liquid and the red light emitting pixel, thereby forming a red light-emitting layer having a thickness of 50nm. 次に、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法により、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq 3 )を緑色発光画素となる領域に蒸着して、膜厚50nmの緑色発光層を成膜した。 Then, by resistance heating vapor deposition method using a shadow mask, by depositing a region to be a green light-emitting pixels (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq 3), it was deposited a green light-emitting layer having a thickness of 50nm . 次に、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDA Next, poly (9,9-dioctyl fluorene) (PDA
F)を含む青色発光層形成用塗液を調製し、インクジェット法により前記塗液を青色発光画素となる領域に印刷して、膜厚50nmの青色発光層を成膜した。 The blue light-emitting layer forming coating solution was prepared containing F), the coating liquid was printed in a region to be a blue light-emitting pixel by the ink jet method, thereby forming a blue light-emitting layer having a thickness of 50nm. 次に、カルシウムを用いた抵抗加熱蒸着法により、膜厚5nmの保護電極を成膜した。 Then, by resistance heating evaporation method using calcium was deposited protective electrode having a film thickness of 5 nm. 【0119】最後に、次のようにして第2電極を成膜した。 [0119] Finally, by forming a second electrode in the following manner. TFT、遮光性絶縁膜、反射電極および各発光層が形成されたガラス基板と、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO、Inの原子数比In/(In+ TFT, light-blocking insulating film, a glass substrate having a reflective electrode and the light emitting layer is formed, an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO, the atomic ratio of In In / (In +
Zn)=0.83)からなるターゲットとを、DCマグネトロンスパッタ装置のチャンバーに設置した。 And a target made of Zn) = 0.83), was placed in a chamber of a DC magnetron sputtering apparatus. なお、 It should be noted that,
DCマグネトロンスパッタ装置のガラス基板を保持する基板ホルダーに回転機構を設置し、基板の被成膜面とターゲットの対スパッタ面とが非平行になるように配置し、その間隔は100mmとした。 The glass substrate is placed a rotation mechanism on the substrate holder for holding a DC magnetron sputtering apparatus, and arranged so that the deposition surface and the pair sputtering surface of the target substrate is not parallel, the spacing was 100 mm. チャンバー内を真空度1×10 -6 Torrまで脱気し、真空度が3×10 -3 The chamber was evacuated to a vacuum degree of 1 × 10 -6 Torr, the vacuum degree of 3 × 10 -3
Torrになるまでアルゴンと酸素の混合ガス(比率9 Until Torr argon and oxygen mixed gas (ratio 9
9:1)を導入した。 9: 1) was introduced. 次いで、この回転機構を速度30 Then, the speed 30 of the rotating mechanism
秒/回で回転させて、基板温度を室温とし、スパッタリングパワー800Wで、膜厚が150nmになるまで5 Rotate seconds / time, the substrate temperature was room temperature, the sputtering power 800 W, until a film thickness of 150 nm 5
分間で第2電極を連続的に成膜した。 The second electrode was continuously formed in minutes. 【0120】以上のようにして作製したアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の信号線に電源を接続し、走査線に順次走査信号を印加したところ、全画素から、低電圧で、発光ムラのない発光が観測された。 [0120] Connect the power to the signal line of the above, the active matrix driving organic LED display device manufactured, was sequentially applied scan signals to the scan lines, from all the pixels, at a low voltage, no uneven light emission light emission was observed. 【0121】 【発明の効果】本発明の有機LED素子の製造方法は、 [0121] manufacturing method of an organic LED element of the present invention exhibits,
基板上に、第1電極、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層および第2電極を順次形成して有機LED On a substrate, a first electrode, an organic sequentially forming the organic LED layer and a second electrode having a light-emitting layer at least one layer of LED
素子を製造するにあたり、第2電極をスパッタ法により間欠的に形成するので、スパッタダメージを完全に防止して、抵抗加熱蒸着法で対向電極を形成した場合と比べて、同等以上の高発光効率を有し、かつ長寿命な有機L In producing the element, since the second electrode is intermittently formed by the sputtering method, to completely prevent sputtering damage, as compared with the case of forming the counter electrode by the resistance heating evaporation method, equal or higher luminous efficiency It has, and long lifetime organic L
ED素子を提供することができる。 It is possible to provide an ED element. 【0122】つまり、第2電極を間欠的に形成することにより、連続して形成した場合に生じるスパッタダメージによる有機LED素子の特性(駆動電圧、発光効率、 [0122] That is, by intermittently forming the second electrode, characteristics (driving voltage of the organic LED element by a sputtering damage caused when formed continuously, the luminous efficiency,
寿命)の劣化を完全に防止することができる。 It is possible to completely prevent the deterioration of life). つまり、 That is,
第2電極を間欠的に形成することで、形成時の有機LE By intermittently forming the second electrode, when forming the organic LE
D層の温度上昇が抑制され、かつ先に形成された層が、 Temperature rise of the D layer is suppressed, and the previously formed layer,
次の層を形成する際にスパッタダメージを防止する層として効果的に作用し、有機LED層の損傷が防止でき、 Effectively acts as a layer for preventing sputtering damage when forming the next layer, can be prevented damage to the organic LED layer,
スパッタダメージのない発光特性の優れた有機LED素子を提供することができる。 It is possible to provide an excellent organic LED element having no light-emitting characteristics sputtering damage.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の有機LED素子における第2電極を間欠的に形成する手段(2)を示すの概略断面図である。 Is a schematic cross-sectional view of showing the means for intermittently formed (2) BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS second electrode in the organic LED element of the present invention; FIG. 【図2】本発明の有機LED素子における第2電極を間欠的に形成する手段(3)を示すの概略断面図である。 2 is a schematic cross-sectional view show the means (3) for intermittently forming a second electrode in the organic LED element of the present invention. 【図3】本発明の有機LED素子における第2電極を間欠的に形成する手段(4)を示すの概略断面図である。 3 is a schematic cross-sectional view of showing the means (4) for intermittently forming a second electrode in the organic LED element of the present invention. 【図4】本発明の有機LED素子における第2電極を間欠的に形成する手段(5)を示すの概略断面図である。 4 is a schematic cross-sectional view of showing the means (5) for intermittently forming a second electrode in the organic LED element of the present invention. 【図5】本発明の有機LED素子(実施の形態1)の概略断面図である。 5 is a schematic sectional view of an organic LED element (Embodiment 1) of the present invention. 【図6】本発明の有機LED素子(実施の形態2)の概略断面図である。 6 is a schematic sectional view of an organic LED element (Embodiment 2) of the present invention. 【図7】本発明の有機LED素子(実施の形態3)の概略断面図である。 7 is a schematic sectional view of an organic LED element (third embodiment) of the present invention. 【図8】本発明の有機LED素子(実施の形態4)の概略断面図である。 8 is a schematic sectional view of an organic LED element (Embodiment 4) of the present invention. 【図9】本発明の有機LED表示装置(実施の形態5) The organic LED display device of the present invention; FIG Embodiment 5
の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of. 【図10】本発明の有機LED表示装置(実施の形態5)の概略平面図である。 10 is a schematic plan view of an organic LED display device (Embodiment 5) of the present invention. 【図11】本発明の有機LED表示装置(実施の形態5)の駆動回路の概略図である。 11 is a schematic diagram of a driving circuit of the organic LED display (Embodiment 5) of the present invention. 【符号の説明】 1 基板ホルダー2 シャッター3 ターゲット4 マスク5 搬送系6 基板7 薄膜トランジスタ(TFT) 8 ゲート絶縁膜9 層間絶縁膜10 絶縁膜11 第1電極12 有機LED層13 第2電極14 保護電極15 有機保護層16 有機LED素子17 半導体層(活性層) 18 コンタクトホール19 ゲート20 ソース21 走査線22 封止基板(封止膜) 23 偏光板24 信号線25 共通線26 コンデンサー [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 substrate holder 2 shutter 3 target 4 mask 5 conveying system 6 substrate 7 a thin film transistor (TFT) 8 gate insulating film 9 interlayer insulating film 10 insulating film 11 first electrode 12 organic LED layer 13 second electrode 14 protective electrodes 15 The organic protective layer 16 organic LED element 17 semiconductor layer (active layer) 18 contact hole 19 gate 20 source 21 scanning lines 22 a sealing substrate (sealing film) 23 polarizer 24 signal line 25 common line 26 condenser

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB03 AB18 CB01 CB04 CC01 DB03 FA01 FA02 4K029 AA09 BA50 BC09 BD00 CA05 DA12 DC16 DC34 DC39 JA02 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 3K007 AB03 AB18 CB01 CB04 CC01 DB03 FA01 FA02 4K029 AA09 BA50 BC09 BD00 CA05 DA12 DC16 DC34 DC39 JA02

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板上に、第1電極、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層および第2電極を順次形成して有機LED素子を製造するにあたり、第2電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機LED素子の製造方法。 To the Claims 1] on the substrate, a first electrode, in manufacturing the organic LED element by sequentially forming an organic LED layer and a second electrode having a light-emitting layer at least one layer, the second electrode method for producing an organic LED element, characterized in that the intermittently formed by a sputtering method. 【請求項2】 スパッタ法が、DCマグネトロンスパッタ法である請求項1に記載の有機LED素子の製造方法。 2. A sputtering method, a manufacturing method of an organic LED element according to claim 1 which is DC magnetron sputtering. 【請求項3】 第2電極をスパッタ法により間欠的に形成する手段が、 (a)基板ホルダーとターゲットとの間にシャッターを設け、シャッターを開閉する手段、 (b)基板ホルダーとターゲットとの間にシャッターを、基板ホルダーに対して複数のターゲットを設け、複数のターゲットの間に基板ホルダーを移動させ、基板ホルダーとターゲットとの間の開放と遮断を繰り返す手段、 (c)基板ホルダーとターゲットとの間に開口部を有する回転体のマスクを設け、マスクを回転させる手段、および(d)回転機構を備えた基板ホルダーとターゲットとの間に開口部を有する平板のマスクを設け、基板ホルダーを回転させる手段のいずれかである請求項1または2に記載の有機LED素子の製造方法。 3. A means for intermittently forming the second electrode by a sputtering method, a shutter provided between (a) a substrate holder and the target, means for opening and closing the shutter, and (b) a substrate holder and the target the shutter between, a plurality of targets with respect to the substrate holder moves the substrate holder between a plurality of targets, means for repeated opening and blocking between the substrate holder and the target, (c) a substrate holder and the target the mask of a flat plate having an opening between the mask of the rotating body is provided, and the substrate holder with means for rotating the mask, and (d) is rotating mechanism target having an opening between the provided substrate holder method for producing an organic LED element according to claim 1 or 2 which is either means for rotating the. 【請求項4】 手段(a)、(b)、(c)または(d)において、基板ホルダーの基板載置面とターゲットの対スパッタ面とを非平行に配置する請求項3に記載の有機LED素子の製造方法。 Wherein means (a), (b), (c) or (d), the organic according to claim 3, non-parallel to a substrate mounting surface of the substrate holder and the pair sputtering surface of the target method for manufacturing an LED element. 【請求項5】 手段(b)において、基板ホルダーの基板載置面とターゲットの対スパッタ面とが対向しないように各構成要素を配置する請求項3または4に記載の有機LED素子の製造方法。 5. A means (b), a manufacturing method of an organic LED element according to claim 3 or 4 and the substrate mounting surface and the pair sputtering surface of the target substrate holders are arranged each component so as not to face . 【請求項6】 第2電極をスパッタ法により間欠的に形成する手段が、手段(d)である請求項3または4に記載の有機LED素子の製造方法。 6. A means for intermittently forming the second electrode by a sputtering method, a manufacturing method of an organic LED element according to claim 3 or 4 is a section (d). 【請求項7】 さらに、有機LED層と第2電極との間に、抵抗加熱蒸着法により、1層以上の層からなる保護電極を形成する工程を含む請求項1〜6のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法。 7. Furthermore, between the organic LED layer and the second electrode, by resistance heating vapor deposition method, any one of the preceding claims comprising the step of forming a protective electrode consisting of one or more layers method for producing an organic LED element according to. 【請求項8】 保護電極が、第2電極より薄い膜厚である請求項7に記載の有機LED素子の製造方法。 8. A protective electrode, method of manufacturing an organic LED element according to claim 7 which is a thin film thickness than the second electrode. 【請求項9】 保護電極が、膜厚10nm以下である1 9. protective electrode is a film thickness of 10nm or less 1
    層以上の層からなる請求項7または8に記載の有機LE Organic LE according to claim 7 or 8 comprising a layer or layers
    D素子の製造方法。 Method for producing a D element. 【請求項10】 保護電極が、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類元素から選択される元素を含有する請求項7〜9のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法。 10. protective electrode is an alkali metal, a manufacturing method of an organic LED element according to any one of claims 7 to 9 containing an element selected from alkaline earth metals and rare earth elements. 【請求項11】 さらに、有機LED層と第2電極との間に、有機保護層を形成する工程を含む請求項1〜10 11. Furthermore, between the organic LED layer and the second electrode, according to claim 10 comprising the step of forming an organic protective layer
    のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法。 Method for producing an organic LED element according to any one of. 【請求項12】 有機保護層が、ポリチオフェン誘導体またはアニリン誘導体により構成される請求項11に記載の有機LED素子の製造方法。 12. The organic protective layer, the manufacturing method of an organic LED element according to claim 11 constituted by a polythiophene derivative or aniline derivative. 【請求項13】 有機保護層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類元素から選択される元素を含有する請求項11または12に記載の有機LED素子の製造方法。 13. The organic protective layer, an alkali metal, a manufacturing method of an organic LED element according to claim 11 or 12 containing an element selected from alkaline earth metals and rare earth elements. 【請求項14】 第2電極が、透明電極である請求項1 14. The method of claim 1, the second electrode is a transparent electrode
    〜13のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法。 Method for producing an organic LED element according to any one of to 13. 【請求項15】 さらに、基板と第1電極との間に、反射電極を形成する工程を含み、第1電極が透明電極である請求項1〜14のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法。 15. Furthermore, between the substrate and the first electrode includes the step of forming a reflective electrode, an organic LED element according to any one of claims 1 to 14 the first electrode is the transparent electrode the method of production. 【請求項16】 透明電極が、インジウム(In)および亜鉛(Zn)からなる酸化物、またはインジウム(I 16. Transparent electrodes, an oxide of indium (In) and zinc (Zn) or indium, (I
    n)および錫(Sn)からなる酸化物により構成される請求項14または15に記載の有機LED素子の製造方法。 Method for producing an organic LED element according to claim 14, or 15 by an oxide consisting of n) and tin (Sn). 【請求項17】 基板上に、予め薄膜トランジスタ(T To 17. on a substrate, pre-TFT (T
    FT)を形成する工程を含む請求項1〜16のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法。 Method for producing an organic LED element according to any one of claims 1 to 16 comprising the step of forming a FT). 【請求項18】 請求項1〜17のいずれか1つに記載の有機LED素子の製造方法により得られる有機LED 18. The organic LED obtained by the production method of an organic LED element according to any one of claims 1 to 17
    素子。 element. 【請求項19】 請求項17に記載の有機LED素子の製造方法により得られる有機LED素子が1画素を構成し、かつ薄膜トランジスタ(TFT)がスイッチング用および電流制御用として機能することを特徴とするアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 19. Configure organic LED element is one pixel obtained by the production method of an organic LED element according to claim 17, and a thin film transistor (TFT) is characterized in that it functions as a switching TFT and a current control active matrix driving organic LED display device.
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