JP2003300155A - Grinding method and grinding device - Google Patents
Grinding method and grinding deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研削量を高精度に制御することにより、より
きめ細かな研削を可能として板状物を所望の厚さに加工
できる研削方法及び研削装置を提供する。
【解決手段】 研削手段２２を研削送りして被加工物を
研削し、研削送り停止後も更に研削を続行して研削中に
おけるモータ４０の負荷電流値を計測すると共に、厚さ
計測手段４４を用いて研削送り停止後の研削中における
被加工物の厚さを計測して研削量を算出し、負荷電流値
と研削量との対応データを予め作成して記憶しておき、
実際に被加工物を研削送り停止後に所定量研削する際
は、モータ４０の負荷電流値を計測しながら研削を遂行
し、対応データにおける所定の研削量に対応する負荷電
流値の変化量を求め、計測した負荷電流値が当該変化量
だけ変位した時に研削を終了する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinding method and a grinding device capable of processing a plate-like object to a desired thickness by controlling a grinding amount with high accuracy to enable finer grinding. SOLUTION: Grinding means 22 grinds and feeds a workpiece to grind a workpiece, continues grinding even after the grinding feed is stopped, measures a load current value of a motor 40 during grinding, and controls a thickness measuring means 44. The grinding amount is calculated by measuring the thickness of the workpiece during the grinding after the grinding feed is stopped using, and the corresponding data between the load current value and the grinding amount is created and stored in advance,
When actually grinding the workpiece by a predetermined amount after the grinding feed is stopped, the grinding is performed while measuring the load current value of the motor 40, and the change amount of the load current value corresponding to the predetermined grinding amount in the corresponding data is obtained. When the measured load current value is displaced by the change amount, the grinding is finished.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、板状物の面を研削
する研削方法及び研削装置に関し、特に板状物を高精度
に所望の厚さに仕上げることができる研削方法及び研削
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a grinding method and a grinding apparatus for grinding a surface of a plate-like object, and more particularly to a grinding method and a grinding apparatus capable of highly accurately finishing a plate-like object to a desired thickness.
【０００２】[0002]
【従来の技術】板状物の面を研削する研削装置として
は、例えば図５に示す構成の研削装置６０が知られてい
る。この研削装置６０は、板状物を吸引保持して回転可
能なチャックテーブル６１と、チャックテーブル６１に
保持された板状物を研削する研削手段６２とを備えてい
る。2. Description of the Related Art As a grinding device for grinding the surface of a plate-like object, for example, a grinding device 60 having a structure shown in FIG. 5 is known. The grinding device 60 includes a chuck table 61 that is capable of sucking and holding a plate-shaped object and rotatable, and a grinding unit 62 that grinds the plate-shaped object held by the chuck table 61.
【０００３】研削手段６２は、下部に研削砥石６３が固
着された研削ホイール６４と、研削ホイール６４を支持
するマウンタ６５と、ハウジング６６によって回転可能
に支持され垂直方向の軸心を有するスピンドル６７と、
スピンドル６７を回転駆動するモータ６８とから概ね構
成されている。The grinding means 62 includes a grinding wheel 64 having a grinding wheel 63 fixed to the bottom thereof, a mounter 65 for supporting the grinding wheel 64, and a spindle 67 rotatably supported by a housing 66 and having a vertical axis. ,
It is generally composed of a motor 68 for rotationally driving the spindle 67.
【０００４】ハウジング６６は取付板６９を介して支持
部７０に固定され、支持部７０は壁部７１に沿って垂直
方向に配設されたガイドレール７２に摺動可能に係合し
ている。また、壁部７１の裏側にはパルスモータ７３に
よって回転するボールネジ７４が垂直方向に配設されて
おり、ボールネジ７４を回転させるパルスモータ７３
は、制御手段７５による制御の下でパルスモータドライ
バ７６によって駆動される。The housing 66 is fixed to a supporting portion 70 via a mounting plate 69, and the supporting portion 70 is slidably engaged with a guide rail 72 arranged in a vertical direction along a wall portion 71. Further, a ball screw 74 rotated by a pulse motor 73 is vertically arranged on the back side of the wall portion 71, and the pulse motor 73 rotating the ball screw 74.
Are driven by a pulse motor driver 76 under the control of the control means 75.
【０００５】ハウジング６６からは取付板６９、支持部
７０及び壁部７１を貫通して昇降部７７が水平方向に延
び、昇降部７７の内部に備えたナット（図示せず）がボ
ールネジ７４に螺合し、パルスモータドライバ７６から
のパルス数に応じてボールネジ７４が回転するのに伴い
昇降部７７と一体となった研削手段６２が上下動する構
成となっている。また、ボールネジ７４と平行に配設さ
れたリニアスケール７８によって昇降部７７の位置が計
測され、その情報が制御手段７５に伝達される。From the housing 66, an elevating part 77 extends horizontally through the mounting plate 69, the supporting part 70 and the wall part 71, and a nut (not shown) provided inside the elevating part 77 is screwed onto the ball screw 74. In addition, the grinding means 62 integrated with the elevating part 77 moves up and down as the ball screw 74 rotates according to the number of pulses from the pulse motor driver 76. Further, the position of the elevating part 77 is measured by a linear scale 78 arranged in parallel with the ball screw 74, and the information is transmitted to the control means 75.
【０００６】制御手段７５はサーボドライバ７９にも接
続され、サーボドライバ７９はチャックテーブル６１の
下部に備えたエンコーダ８０及びサーボモータ８１に接
続されており、チャックテーブル６１は、制御部７５に
よる制御の下でサーボドライバ７９に駆動されて回転す
る。The control means 75 is also connected to a servo driver 79, and the servo driver 79 is connected to an encoder 80 and a servo motor 81 provided under the chuck table 61. The chuck table 61 is controlled by the control section 75. It rotates by being driven by the servo driver 79 below.
【０００７】例えば半導体ウェーハの面を研削する場合
は、チャックテーブル６１において研削しようとする面
を上にして半導体ウェーハＷを保持し、モータ６８によ
る駆動により研削ホイール６４を回転させると共に、パ
ルスモータ７３による駆動によりボールネジ７４を回転
させて研削手段６２を下降させ（研削送りし）、回転す
る研削砥石６３を半導体ウェーハＷの面に接触させる。
このとき、昇降部７７の垂直方向の位置がリニアスケー
ル７８によって計測され、その情報が制御手段７５に伝
達されて研削手段６２の昇降が精密に制御されることに
より、半導体ウェーハＷを所定量研削する。更に、触針
式の厚さ計測手段を用いてチャックテーブル６１の表面
と半導体ウェーハＷの表面との位置の差を求めて半導体
ウェーハＷの厚さを計測し、所望の厚さに仕上げること
としている。For example, when grinding the surface of a semiconductor wafer, the semiconductor wafer W is held with the surface to be ground on the chuck table 61 facing up, the grinding wheel 64 is rotated by the drive of the motor 68, and the pulse motor 73 is used. Is driven to rotate the ball screw 74 to lower the grinding means 62 (grinding feed), and the rotating grinding wheel 63 is brought into contact with the surface of the semiconductor wafer W.
At this time, the vertical position of the elevation unit 77 is measured by the linear scale 78, and the information is transmitted to the control unit 75 to precisely control the elevation of the grinding unit 62, thereby grinding the semiconductor wafer W by a predetermined amount. To do. Further, the thickness of the semiconductor wafer W is measured by obtaining the difference in position between the surface of the chuck table 61 and the surface of the semiconductor wafer W using a stylus type thickness measuring means, and the desired thickness is obtained. There is.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パルス
モータ７３に供給される１パルスあたりの研削手段６２
の研削送り量は最小でも５μｍ程度であり、これ以下に
することは困難である。従って、例えばあと２μｍだけ
研削したいというような場合には、その要求を満たすこ
とはできない。However, the grinding means 62 for each pulse supplied to the pulse motor 73.
The minimum grinding feed amount is about 5 μm, and it is difficult to set the grinding feed amount below this value. Therefore, for example, when it is desired to grind only 2 μm, the requirement cannot be met.
【０００９】また、パルスの供給を止めて研削送りを停
止した時点では半導体ウェーハＷが所望の厚さに形成さ
れていたとしても、研削送りを停止した後に、半導体ウ
ェーハＷの研削面から研削歪み層を除去するために、ス
パークアウトと称している研削送りを行わない状態での
研削を行っているが、研削砥石６３が半導体ウェーハＷ
に接触しなくなるまでスパークアウトを遂行すると、例
えば２．５μｍ程研削されてしまい、この場合は所望の
厚さより２．５μｍ程薄くなってしまうという問題があ
る。Further, even if the semiconductor wafer W is formed to have a desired thickness at the time when the pulse supply is stopped and the grinding feed is stopped, after the grinding feed is stopped, the grinding strain from the grinding surface of the semiconductor wafer W is reduced. In order to remove the layer, grinding is performed in a state where grinding feed called spark-out is not carried out.
If the spark-out is carried out until it no longer contacts the ground, for example, it will be ground by about 2.5 μm, and in this case, there is a problem that it becomes thinner than the desired thickness by about 2.5 μm.
【００１０】また、スパークアウトを遂行する際には、
半導体ウェーハＷに傷がつくのを防止する必要があり、
上記触針式の厚さ計測手段を用いることができないた
め、半導体ウェーハＷの厚さを正確に把握することがで
きない。When performing a spark out,
It is necessary to prevent the semiconductor wafer W from being scratched,
Since the stylus type thickness measuring means cannot be used, the thickness of the semiconductor wafer W cannot be accurately grasped.
【００１１】従って、板状物の研削においては、研削量
を高精度に制御することにより、よりきめ細かな研削を
可能として板状物を所望の厚さに加工できるようにする
ことに課題を有している。Therefore, in the grinding of a plate-like object, there is a problem in that the plate-like object can be machined to a desired thickness by controlling the grinding amount with high precision to enable finer grinding. is doing.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持するチャ
ックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工
物を研削する研削手段と、研削手段を研削送りする研削
送り手段と、チャックテーブルに保持された被加工物の
厚さを計測する厚さ計測手段とを少なくとも備えた研削
装置を用いて被加工物を研削する研削方法であって、研
削手段は、研削砥石と、研削砥石が装着されるスピンド
ルと、スピンドルを回転駆動するモータとから構成さ
れ、研削手段を研削送りして被加工物を研削し、研削送
り停止後も更に研削を続行して研削中におけるモータの
負荷電流値を計測すると共に、厚さ計測手段を用いて研
削送り停止後の研削中における被加工物の厚さを計測し
て研削量を算出し、負荷電流値と研削量との対応データ
を予め作成して記憶しておき、 実際に被加工物を研削
送り停止後に所定量研削する際は、モータの負荷電流値
を計測しながら研削を遂行し、対応データにおける所定
の研削量に対応する負荷電流値の変化量を求め、計測し
た負荷電流値がその変化量だけ変位した時に研削を終了
する研削方法を提供する。As a concrete means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides a chuck table for holding a workpiece, a grinding means for grinding the workpiece held by the chuck table, A grinding method for grinding a work piece by using a grinding device having at least a grinding feed means for feeding the grinding means and a thickness measuring means for measuring the thickness of the work piece held on a chuck table. The grinding means is composed of a grinding wheel, a spindle on which the grinding wheel is mounted, and a motor that drives the spindle to rotate.The grinding means grinds and feeds the workpiece, and even after the grinding feed is stopped, While continuing the grinding to measure the load current value of the motor during grinding, the thickness measurement means is used to measure the thickness of the workpiece during grinding after the grinding feed is stopped to calculate the grinding amount, Corresponding data between the load current value and the grinding amount are created and stored in advance.When actually grinding the workpiece by a predetermined amount after the grinding feed is stopped, the grinding is performed while measuring the load current value of the motor. Provided is a grinding method in which a change amount of a load current value corresponding to a predetermined grinding amount in correspondence data is obtained, and grinding is terminated when the measured load current value is displaced by the change amount.
【００１３】そしてこの研削方法は、被加工物が半導体
ウェーハであることを付加的要件とする。This grinding method has the additional requirement that the work piece is a semiconductor wafer.
【００１４】また本発明は、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物
を研削する研削手段と、研削手段を研削送りする研削送
り手段と、研削送りを制御する研削制御手段と、チャッ
クテーブルに保持された被加工物の厚さを計測する厚さ
計測手段とを少なくとも備えた研削装置であって、研削
手段は、研削砥石と、研削砥石が装着されるスピンドル
と、スピンドルを回転駆動するモータとから構成され、
研削制御手段は、研削時のモータの負荷電流値を検出す
る電流値検出手段と、厚さ計測手段によって計測された
被加工物の厚さから研削量を算出する研削量算出手段
と、電流値検出手段によって検出された負荷電流値と研
削量算出手段によって算出した研削量との対応データを
作成して記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された対
応データと電流値検出手段によって検出した実際の負荷
電流値とから研削量を求めて研削送り手段を制御する制
御手段とから構成される研削装置を提供する。Further, the present invention controls a chuck table for holding a workpiece, a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table, a grinding feed means for feeding the grinding means by grinding, and a grinding feed. A grinding device comprising at least a grinding control means and a thickness measuring means for measuring the thickness of a workpiece held on a chuck table, the grinding means comprising a grinding wheel and a spindle on which the grinding wheel is mounted. And a motor that rotationally drives the spindle,
The grinding control means includes a current value detecting means for detecting a load current value of the motor during grinding, a grinding amount calculating means for calculating a grinding amount from the thickness of the workpiece measured by the thickness measuring means, and a current value. Storage means for creating and storing correspondence data between the load current value detected by the detection means and the grinding amount calculated by the grinding amount calculation means, and the actual data detected by the correspondence data and current value detection means stored in the storage means And a control means for controlling a grinding feed means by obtaining a grinding amount from the load current value of the grinding machine.
【００１５】そしてこの研削装置は、被加工物が半導体
ウェーハであることを付加的要件とする。This grinding apparatus has an additional requirement that the work piece is a semiconductor wafer.
【００１６】このように構成される研削方法及び研削装
置によれば、研削手段を研削送りして被加工物を研削
し、研削送り停止後も更に研削を続行して研削中におけ
るモータの負荷電流値を計測すると共に、研削送り停止
後の研削による研削量を算出し、負荷電流値と研削量と
の対応データを予め作成して記憶しておき、実際に研削
送り停止後に被加工物を所定量研削する際には、モータ
の負荷電流値を計測しながら研削を遂行し、記憶してお
いた対応データに基づき所望の研削量に対応する負荷電
流値の変化量を求め、計測した負荷電流値がその変化量
だけ変位した時に当該所定量研削されたものとして研削
を終了することとしたため、研削送り停止後に行われる
研削による研削量も勘案して所望の厚さに仕上げること
ができる。According to the grinding method and the grinding apparatus configured as described above, the grinding means grinds and feeds the object to be ground, and after the grinding feed is stopped, the grinding is further continued and the load current of the motor during grinding is increased. In addition to measuring the value, calculate the amount of grinding by grinding after stopping the grinding feed, create and store the correspondence data of the load current value and the grinding amount in advance, and store the workpiece after the grinding feed is actually stopped. When performing quantitative grinding, the grinding is performed while measuring the load current value of the motor, the change amount of the load current value corresponding to the desired grinding amount is obtained based on the stored corresponding data, and the measured load current When the value is displaced by the change amount, the grinding is finished assuming that the grinding is performed by the predetermined amount. Therefore, the desired thickness can be obtained in consideration of the grinding amount by the grinding performed after the grinding feed is stopped.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例とし
て、図１に示す研削装置１０及びこの研削装置１０を用
いた板状物の研削方法について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As an example of an embodiment of the present invention, a grinding device 10 shown in FIG. 1 and a plate-like object grinding method using the grinding device 10 will be described.
【００１８】まず研削装置１０の概要について説明する
と、研削装置１０には、板状物を収容するカセット１
１、１２と、カセット１１からの板状物の搬出またはカ
セット１２への板状物の搬入を行う搬出入手段１３と、
被加工物の位置合わせを行う中心合わせテーブル１４
と、被加工物を搬送する第一の搬送手段１５及び第二の
搬送手段１６と、板状物を吸引保持するチャック面を有
する３つのチャックテーブル１７、１８、１９と、チャ
ックテーブル１７、１８、１９を自転及び公転可能に支
持するターンテーブル２０と、各チャックテーブルに保
持された板状物を研削する第一の研削手段２１及び第二
の研削手段２２と、研削後の板状物を洗浄する洗浄手段
２３と、研削を制御する研削制御手段２４とを備えてい
る。First, an outline of the grinding device 10 will be described. The grinding device 10 includes a cassette 1 for accommodating a plate-like object.
1, 12 and a carry-in / carry-out means 13 for carrying out a plate-like object from the cassette 11 or carrying a plate-like object into the cassette 12.
Centering table 14 for aligning the workpiece
A first transport means 15 and a second transport means 16 for transporting a workpiece, three chuck tables 17, 18, 19 having chuck surfaces for sucking and holding a plate-like material, and chuck tables 17, 18 , 19 are rotatably and revolvably supported, a first grinding means 21 and a second grinding means 22 for grinding the plate-like object held by each chuck table, and a plate-like object after grinding. A cleaning unit 23 for cleaning and a grinding control unit 24 for controlling grinding are provided.
【００１９】カセット１１には研削前の板状物、例えば
半導体ウェーハＷが複数段に重ねて収納されており、搬
出入手段１３によって１枚ずつピックアップされて中心
合わせテーブル１４に載置される。そしてここで板状物
の位置合わせが行われた後、第一の搬送手段１５に吸着
され第一の搬送手段１５が旋回動することによって、チ
ャックテーブル１７に板状物が載置される。Plate-like objects before grinding, for example, semiconductor wafers W are stacked in a plurality of stages in the cassette 11, and are picked up one by one by the loading / unloading means 13 and placed on the centering table 14. Then, after the plate-like object is aligned here, the plate-like object is placed on the chuck table 17 by being sucked by the first carrying means 15 and pivoting the first carrying means 15.
【００２０】次に、ターンテーブル２０が所要角度（本
実施の形態のようにチャックテーブルが３つの場合は１
２０度）回転して半導体ウェーハＷが載置されたチャッ
クテーブル１７が第一の研削手段２１の直下に位置付け
られる。このとき、ターンテーブル２０の回転前にチャ
ックテーブル１７が位置していた位置には、チャックテ
ーブル１８が自動的に位置付けられる。そして、カセッ
ト１１から次に研削する半導体ウェーハＷが搬出されて
中心合わせテーブル１４に載置され、位置合わせがなさ
れた後、第一の搬送手段１５によってチャックテーブル
１８に搬送されて載置される。一方、第一の研削手段２
１の直下に位置付けられた板状物は、第一の研削手段２
１の作用を受けて上面が研削される。ここでは例えば粗
研削が行われる。Next, the turntable 20 has a required angle (1 in the case of three chuck tables as in the present embodiment).
The chuck table 17 on which the semiconductor wafer W is placed after being rotated by 20 degrees is positioned immediately below the first grinding means 21. At this time, the chuck table 18 is automatically positioned at the position where the chuck table 17 was positioned before the turntable 20 was rotated. Then, the semiconductor wafer W to be ground next is unloaded from the cassette 11 and placed on the centering table 14, and after being aligned, it is transported to the chuck table 18 by the first transporting means 15 and placed on it. . On the other hand, the first grinding means 2
The plate-like object positioned immediately below 1 is the first grinding means 2
The upper surface is ground under the action of 1. Here, for example, rough grinding is performed.
【００２１】そして粗研削が行われた後は、ターンテー
ブル２２が所要角度回転し、チャックテーブル１７に保
持された半導体ウェーハＷが第二の研削手段２２の直下
に位置付けられ、第二の研削手段２２の作用を受けて上
面を研削される。ここでは例えば仕上げ研削が行われ
る。またこのときチャックテーブル１８は第一の研削手
段２１の直下に位置付けられ、ここで第一の研削手段２
１の作用を受けて粗研削が行われる。After the rough grinding is performed, the turntable 22 is rotated by a required angle, the semiconductor wafer W held on the chuck table 17 is positioned immediately below the second grinding means 22, and the second grinding means is used. The upper surface is ground under the action of 22. Here, for example, finish grinding is performed. At this time, the chuck table 18 is positioned immediately below the first grinding means 21, and here the first grinding means 2 is used.
Rough grinding is performed under the action of 1.
【００２２】第一の研削手段２１及び第二の研削手段２
２は、起立した壁部２５に対して上下動可能となってい
る。ここで、壁部２５の内側の面には一対のガイドレー
ル２６、２７及びボールネジ２８、２９が垂直方向に併
設され、ボールネジ２８はパルスモータ３０に連結され
パルスモータ３０に駆動されて回転し、ボールネジ２９
はパルスモータ３１に連結されパルスモータ３１に駆動
されて回転する構成となっている。First grinding means 21 and second grinding means 2
2 can move up and down with respect to the standing wall portion 25. Here, a pair of guide rails 26 and 27 and ball screws 28 and 29 are vertically provided on the inner surface of the wall portion 25. The ball screw 28 is connected to the pulse motor 30 and is driven by the pulse motor 30 to rotate. Ball screw 29
Is connected to the pulse motor 31 and driven by the pulse motor 31 to rotate.
【００２３】第一の研削手段２１は支持部３２に固定さ
れており、支持部３２はガイドレール２６に摺動可能に
係合していると共に、支持部３２の内部のナット（図示
せず）がボールネジ２８に螺合しており、ボールネジ２
８の回転に伴って支持部３２及び第一の研削手段２１が
上下動する構成となっている。The first grinding means 21 is fixed to a supporting portion 32, the supporting portion 32 is slidably engaged with the guide rail 26, and a nut (not shown) inside the supporting portion 32 is provided. Is screwed into the ball screw 28, and the ball screw 2
The support portion 32 and the first grinding means 21 move up and down with the rotation of 8.
【００２４】また、第二の研削手段２２は、支持部３３
に固定されており、支持部３３はガイドレール２７に摺
動可能に係合していると共に、支持部３３の内部のナッ
ト（図示せず）がボールネジ２９に螺合しており、ボー
ルネジ２９の回転に伴って支持部３３及び第一の研削手
段２２が上下動する構成となっている。The second grinding means 22 has a supporting portion 33.
The support portion 33 is slidably engaged with the guide rail 27, and a nut (not shown) inside the support portion 33 is screwed into the ball screw 29. The support portion 33 and the first grinding means 22 move up and down with the rotation.
【００２５】このようにして、ガイドレール２６、２
７、ボールネジ２８、２９、パルスモータ３０、３１、
支持部３２、３３は、第一の研削手段２１及び第二の研
削手段２２を研削送りする研削送り手段５０を構成して
いる。In this way, the guide rails 26, 2
7, ball screws 28, 29, pulse motors 30, 31,
The supporting portions 32 and 33 configure a grinding feed means 50 that feeds the first grinding means 21 and the second grinding means 22 by grinding.
【００２６】第一の研削手段２１は、垂直方向の軸心を
有するスピンドル３４と、スピンドル３４に連結されス
ピンドル３４を回転駆動するモータ３５と、スピンドル
３５の下端に形成されたマウンタ３６と、マウンタ３６
に固定される研削ホイール３７とから概ね構成されてお
り、研削ホイール３７の下部には粗研削用の研削砥石３
８が固着されている。The first grinding means 21 includes a spindle 34 having a vertical axis, a motor 35 connected to the spindle 34 to drive the spindle 34 to rotate, a mounter 36 formed at the lower end of the spindle 35, and a mounter. 36
And a grinding wheel 37 that is fixed to the grinding wheel 37.
8 is fixed.
【００２７】一方、第二の研削手段２２は、垂直方向の
軸心を有するスピンドル３９と、スピンドル３９に連結
されスピンドル３９を回転駆動するモータ４０と、スピ
ンドル３９の下端に形成されたマウンタ４１と、マウン
タ４１に固定される研削ホイール４２とから概ね構成さ
れており、研削ホイール４２の下部には仕上げ研削用の
研削砥石４３が固着されている。また、第二の研削手段
２２によって研削された板状物の厚さを計測するハイト
ゲージ等の厚さ計測手段４４が第二の研削手段２２の下
方に配設されている。On the other hand, the second grinding means 22 includes a spindle 39 having a vertical axis, a motor 40 connected to the spindle 39 to rotate the spindle 39, and a mounter 41 formed at the lower end of the spindle 39. , A grinding wheel 42 fixed to the mounter 41, and a grinding wheel 43 for finish grinding is fixed to the lower portion of the grinding wheel 42. Further, a thickness measuring means 44 such as a height gauge for measuring the thickness of the plate-like material ground by the second grinding means 22 is arranged below the second grinding means 22.
【００２８】研削制御手段２４は、第二の研削手段２２
を構成するモータ４０に接続されモータ４０の負荷電流
を計測する電流値検出手段４５と、厚さ計測手段４４に
よる計測結果から研削量を算出する研削量算出手段４６
と、電流値検出手段４５及び研削量算出手段４６と接続
された記憶手段４７と、実際の研削を制御する制御手段
４８とから構成される。制御手段４８は、パルスモータ
ドライバを内蔵し、少なくともパルスモータ３１に接続
され、パルス信号の供給によりパルスモータ３１を駆動
して第二の研削手段２２を上下動させることができる。The grinding control means 24 is the second grinding means 22.
Current value detecting means 45 which is connected to the motor 40 constituting the above and measures the load current of the motor 40, and grinding amount calculating means 46 which calculates the grinding amount from the measurement result by the thickness measuring means 44.
A storage means 47 connected to the current value detection means 45 and the grinding amount calculation means 46, and a control means 48 for controlling actual grinding. The control means 48 has a built-in pulse motor driver, is connected to at least the pulse motor 31, and can drive the pulse motor 31 by supplying a pulse signal to move the second grinding means 22 up and down.
【００２９】第一の研削手段２１は、モータ３５に駆動
されてスピンドル３４及び研削砥石３８が回転すると共
に、パルスモータ３０に駆動されて第一の研削手段２１
が下降し（研削送りされ）、回転する研削砥石３８が半
導体ウェーハＷに接触して押圧力を加えることにより、
半導体ウェーハＷの面を粗研削する。The first grinding means 21 is driven by the motor 35 to rotate the spindle 34 and the grinding wheel 38, and is also driven by the pulse motor 30 to drive the first grinding means 21.
Is lowered (ground and fed), and the rotating grinding wheel 38 comes into contact with the semiconductor wafer W to apply a pressing force,
The surface of the semiconductor wafer W is roughly ground.
【００３０】同様に、第二の研削手段２２は、モータ４
０に駆動されてスピンドル３９及び研削砥石４３が回転
すると共に、パルスモータ３１に駆動されて第二の研削
手段２２が下降し（研削送りされ）、回転する研削砥石
４３が半導体ウェーハＷに接触して押圧力を加えること
により、半導体ウェーハＷの面を仕上げ研削する。Similarly, the second grinding means 22 is connected to the motor 4
The spindle 39 and the grinding wheel 43 are rotated by being driven to 0, and the second grinding means 22 is lowered (ground and fed) by being driven by the pulse motor 31 so that the rotating grinding wheel 43 comes into contact with the semiconductor wafer W. The surface of the semiconductor wafer W is finish-ground by applying a pressing force by pressing.
【００３１】仕上げ研削の際は、厚さ計測手段４４を用
いて半導体ウェーハＷの厚さが逐次計測され、そのデー
タが研削量算出手段４６に転送される。研削量算出手段
４６においては、研削前の半導体ウェーハＷの厚さと研
削された半導体ウェーハＷの厚さとの差を求めることに
より研削量を求め、記憶手段４７に転送することができ
る。During the finish grinding, the thickness of the semiconductor wafer W is successively measured by the thickness measuring means 44, and the data is transferred to the grinding amount calculating means 46. In the grinding amount calculation means 46, the grinding amount can be obtained by calculating the difference between the thickness of the semiconductor wafer W before grinding and the thickness of the ground semiconductor wafer W, and can be transferred to the storage means 47.
【００３２】電流値検出手段４５は、モータ４０の負荷
電流値を検出する機能を有し、実際の仕上げ研削を行う
前に、仕上げ研削しようとする半導体ウェーハＷと同じ
材質のダミーウェーハを予め研削した際のモータ４０の
負荷電流を計測して記憶手段４７に転送し、記憶手段４
７においては、例えば図２に示すグラフのように、時間
の経過との関係で負荷電流値を記憶させておく。The current value detecting means 45 has a function of detecting the load current value of the motor 40, and before the actual finish grinding, a dummy wafer made of the same material as the semiconductor wafer W to be finish ground is ground in advance. The load current of the motor 40 at that time is measured and transferred to the storage means 47, and the storage means 4
7, the load current value is stored in relation to the passage of time as shown in the graph of FIG. 2, for example.
【００３３】また、研削量算出手段４６は、厚さ計測手
段４４における計測値に基づいて研削量を算出する機能
を有し、実際の仕上げ研削を行う前に、仕上げ研削しよ
うとする半導体ウェーハＷと同じ材質のダミーウェーハ
を予め研削した際の厚さ計測手段４４における計測値か
ら研削量を算出して記憶手段４７に転送し、記憶手段４
７においては、例えば図３に示すグラフのように、時間
の経過との関係で研削量の変化を記憶させておく。Further, the grinding amount calculating means 46 has a function of calculating the grinding amount based on the measurement value of the thickness measuring means 44, and the semiconductor wafer W to be finish-ground before the actual finish grinding. The grinding amount is calculated from the measured value of the thickness measuring means 44 when the dummy wafer of the same material as that of FIG.
7, the change in the grinding amount is stored in relation to the passage of time as shown in the graph of FIG. 3, for example.
【００３４】図２のグラフにおいては、横軸を時間ｔ
［秒］、縦軸を負荷電流値Ｉ［アンペア］としており、
第二の研削手段２２の研削送りを停止してスパークアウ
トを開始した時点をｔ＝０としている。負荷電流値はｔ
＝０において最も高く、研削を続けると時間の経過と共
に小さくなり、半導体ウェーハＷとの接触がなくなり無
荷重となるｔ＝ｔ１の時点から一定の値となる。In the graph of FIG. 2, the horizontal axis represents time t.
[Seconds], the vertical axis is the load current value I [ampere],
The time point when the grinding feed of the second grinding means 22 is stopped and the spark out is started is t = 0. The load current value is t
It is the highest at = 0, and becomes smaller with the lapse of time as the grinding continues, and becomes a constant value from t = t 1 when there is no contact with the semiconductor wafer W and no load is applied.
【００３５】一方、図３のグラフにおいては、横軸を時
間ｔ［秒］、縦軸を研削量Ｄ［μｍ］としており、図２
のグラフと同様にスパークアウトの開始時点をｔ＝０と
している。ｔ＝０においては研削量は０であり、スパー
クアウトを遂行することにより研削量が増加し、半導体
ウェーハＷとの接触がなくなり無荷重となるｔ＝ｔ１の
時点から一定の値を維持する。On the other hand, in the graph of FIG. 3, the horizontal axis represents time t [seconds] and the vertical axis represents grinding amount D [μm].
As in the graph of, the spark-out start time is set to t = 0. grinding amount in t = 0 is 0, the grinding amount is increased by performing the spark-out, to maintain a constant value from the eliminating of t = t 1 at which no load point contact with the semiconductor wafer W .
【００３６】図２のグラフと図３のグラフとは、共に横
軸が時間ｔであり、ｔ＝０の時点も共にスパークアウト
開始時であるため、図４に示すように、これら２つのグ
ラフに表された負荷電流値と研削量とは対応させること
ができる。そして、研削しようとする半導体ウェーハＷ
と同じ材質のダミーウェーハを研削することにより、図
４に示すような負荷電流値と研削量とを対応させた対応
データを予め作成して記憶手段４７に記憶させておくこ
とにより、実際のスパークアウト中には、その対応デー
タを利用して、実際の研削中に計測した負荷電流値から
研削された量を推定して求めることが可能となる。In both the graph of FIG. 2 and the graph of FIG. 3, the horizontal axis represents time t, and the spark out start also occurs at the time t = 0. Therefore, as shown in FIG. The load current value and the amount of grinding represented by can be made to correspond. Then, the semiconductor wafer W to be ground
By grinding a dummy wafer made of the same material as the above, correspondence data corresponding to the load current value and the grinding amount as shown in FIG. 4 is created in advance and stored in the storage means 47. During the out, the corresponding data can be used to estimate and obtain the amount of grinding from the load current value measured during the actual grinding.
【００３７】図４の例においては、スパークアウト開始
時（ｔ＝０）の最大負荷電流値が７．５［Ａ］であり、
スパークアウトの遂行によって徐々に負荷電流値が小さ
くなり、研削砥石４３と半導体ウェーハＷとの接触がな
くなった時点ｔ１で負荷電流値は４．５［Ａ］となり、
その後はその値を維持するデータが予め記憶されてい
る。In the example of FIG. 4, the maximum load current value at the start of sparkout (t = 0) is 7.5 [A],
The load current value gradually decreases due to the execution of the spark-out, and the load current value becomes 4.5 [A] at the time t 1 when the grinding wheel 43 and the semiconductor wafer W are no longer in contact with each other.
After that, data for maintaining the value is stored in advance.
【００３８】一方、研削量は、研削の遂行に伴いその値
を増していき、研削砥石４３と半導体ウェーハＷとの接
触がなくなったとき、即ち負荷電流値が４．５［Ａ］と
なった時点ｔ１で研削量は２．５μｍとなり、その後は
その値を維持するデータが予め記憶されている。On the other hand, the grinding amount increases with the progress of grinding, and when the grinding stone 43 and the semiconductor wafer W are no longer in contact with each other, that is, the load current value becomes 4.5 [A]. At time t 1 , the grinding amount becomes 2.5 μm, and thereafter, data for maintaining the value is stored in advance.
【００３９】実際の研削においては、スパークアウト開
始時の負荷電流値は必ずしも一定ではないが、最大負荷
電流値７．５［Ａ］よりは小さく、負荷電流値の変化量
と研削量との間には一定の関係があるため、このグラフ
に基づいて研削量を求めることができる。以下では、ス
パークアウトによる所望の研削量が１μｍである場合を
例に挙げて説明する。In actual grinding, the load current value at the start of spark-out is not always constant, but it is smaller than the maximum load current value of 7.5 [A] and is between the change amount of the load current value and the grinding amount. Since there is a fixed relationship between the two, the grinding amount can be obtained based on this graph. Hereinafter, a case where the desired grinding amount by spark-out is 1 μm will be described as an example.
【００４０】実際の仕上げ研削におけるスパークアウト
開始時の負荷電流値が、例えば６．８［Ａ］であった場
合、このときのグラフにおける時間をｔ＝ｔ２とする
と、ｔ＝ｔ２においては対応する研削量が０．８μｍと
なっている。従って、グラフにおける研削量が１．８μ
ｍとなったときにスパークアウトによって１μｍ研削さ
れることになる。When the load current value at the start of spark out in the actual finish grinding is, for example, 6.8 [A], assuming that the time in the graph at this time is t = t 2 , at t = t 2 . The corresponding grinding amount is 0.8 μm. Therefore, the grinding amount in the graph is 1.8μ
When it reaches m, it will be ground by 1 μm due to spark out.
【００４１】研削量が１．８μｍになる時点をｔ＝ｔ３
とすると、ｔ＝ｔ３となる時点における負荷電流値は
５．２［Ａ］である。即ち、実際の研削において電流値
検出手段４５における検出値が５．２［Ａ］になったと
きにスパークアウトを停止すれば、所望の研削量である
１μｍだけ研削することができる。従って、負荷電流値
が５．２［Ａ］になった時点で、第二の研削手段２２を
例えば０．５〜２．０μｍ／秒程の低速で上昇させれ
ば、高精度に研削量を１μｍとすることができる。When the grinding amount reaches 1.8 μm, t = t 3
Then, the load current value at the time point t = t 3 is 5.2 [A]. That is, if the spark-out is stopped when the detected value of the current value detecting means 45 reaches 5.2 [A] in the actual grinding, the desired grinding amount of 1 μm can be ground. Therefore, when the load current value reaches 5.2 [A], if the second grinding means 22 is raised at a low speed of, for example, 0.5 to 2.0 μm / sec, the grinding amount can be accurately adjusted. It can be 1 μm.
【００４２】第二の研削手段２２はパルスモータ３１に
駆動されて昇降するため、パルスモータ３１に供給する
パルス数によって垂直方向の位置を制御することができ
るが、１パルスあたりの研削送り量は５μｍ程度である
ため、従来の制御方法では、それ以下の僅かな研削、例
えば１μｍ、２μｍといった研削送りを行うことはでき
なかった。Since the second grinding means 22 is driven by the pulse motor 31 to move up and down, the vertical position can be controlled by the number of pulses supplied to the pulse motor 31, but the grinding feed amount per pulse is Since it is about 5 μm, the conventional control method cannot carry out a slight grinding less than that, for example, a grinding feed of 1 μm or 2 μm.
【００４３】また従来は、パルスモータ３１に対するパ
ルスの供給を止めて研削送りを停止した時点では半導体
ウェーハＷが所望の厚さになっていたとしても、研削に
より生じた研削歪み層を除去するために、その後もスパ
ークアウトによる研削を行う必要があり、実際には半導
体ウェーハが所望の厚さより薄く形成されてしまうとい
う問題もあった。即ち、スパークアウトによる研削量は
考慮されていなかった。Further, conventionally, even if the semiconductor wafer W has a desired thickness at the time when the supply of the pulse to the pulse motor 31 is stopped and the grinding feed is stopped, the grinding strain layer generated by grinding is removed. In addition, it is necessary to carry out grinding by spark-out after that, and there is also a problem that the semiconductor wafer is actually formed thinner than a desired thickness. That is, the grinding amount due to spark out was not taken into consideration.
【００４４】しかし、図４に示したように、ダミーウェ
ーハのスパークアウトによる負荷電流値と研削量との関
係を予め求めておけば、この関係から所望の研削量に達
する時の負荷電流値を予め知ることができるため、負荷
電流値を検出しながら研削を行い、検出した負荷電流値
が所定の負荷電流値になった時に、所望の研削量に達し
たと判断できる。そして、所望の研削量に達した時に研
削を終了すれば、スパークアウトによる研削量を考慮に
入れた上で、半導体ウェーハＷの厚さを高精度に仕上げ
ることができる。However, as shown in FIG. 4, if the relationship between the load current value due to spark-out of the dummy wafer and the grinding amount is obtained in advance, the load current value when the desired grinding amount is reached can be obtained from this relationship. Since it can be known in advance, it is possible to judge that the desired amount of grinding has been reached when the grinding is performed while detecting the load current value and the detected load current value reaches a predetermined load current value. Then, if the grinding is finished when the desired grinding amount is reached, the thickness of the semiconductor wafer W can be finished with high accuracy in consideration of the grinding amount due to spark-out.
【００４５】また、スパークアウトによる研削では、第
二の研削手段２２の撓み等の荷重に対する反力に起因し
て研削が行われると考えられるが、当該反力により研削
される研削量に対応する負荷電流値をダミーウェーハを
スパークアウトすることによって求めているため、負荷
電流値の変化を知ることで正確な研削量を求めることが
でき、半導体ウェーハＷを高精度に所望の厚さに仕上げ
ることができる。Further, in the grinding by spark-out, it is considered that the grinding is performed due to the reaction force against the load such as the bending of the second grinding means 22, and it corresponds to the grinding amount ground by the reaction force. Since the load current value is obtained by sparking out the dummy wafer, an accurate grinding amount can be obtained by knowing the change in the load current value, and the semiconductor wafer W can be finished to a desired thickness with high accuracy. You can
【００４６】なお、本実施の形態においては、第二の研
削手段２２による研削に本発明を適用した場合について
説明したが、第一の研削手段２１による研削に適用する
ことも可能である。また、研削手段が一つの研削装置に
も適用できる。In the present embodiment, the case where the present invention is applied to the grinding by the second grinding means 22 has been described, but the invention can be applied to the grinding by the first grinding means 21. Also, the grinding means can be applied to a single grinding device.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る研削
方法及び研削装置によれば、研削手段を研削送りして被
加工物を研削し、研削送り停止後も更に研削を続行して
研削中におけるモータの負荷電流値を計測すると共に、
研削送り停止後の研削による研削量を算出し、負荷電流
値と研削量との対応データを予め作成して記憶してお
き、実際に研削送り停止後に被加工物を所定量研削する
際には、モータの負荷電流値を計測しながら研削を遂行
し、記憶しておいた対応データに基づき所望の研削量に
対応する負荷電流値の変化量を求め、計測した負荷電流
値がその変化量だけ変位した時に当該所定量研削された
ものとして研削を終了することとしたため、研削送り停
止後に行われる研削による研削量も勘案して所望の厚さ
に仕上げることができる。従って、従来不可能であった
数μｍ程度の僅かな研削を高精度に行うことが可能とな
り、被加工物を高精度に所望の厚さに仕上げることがで
きる。As described above, according to the grinding method and the grinding apparatus of the present invention, the grinding means grinds and feeds the workpiece, and even after the grinding feed is stopped, the grinding is further continued to grind. While measuring the load current value of the motor in the
Calculate the amount of grinding by grinding after stopping the grinding feed, create and store the corresponding data of the load current value and the grinding amount in advance, and when actually grinding the workpiece by the predetermined amount after stopping the grinding feed. Grinding is performed while measuring the load current value of the motor, the change amount of the load current value corresponding to the desired grinding amount is obtained based on the stored corresponding data, and the measured load current value is only the change amount. Since the grinding is finished assuming that the predetermined amount has been ground when displaced, it is possible to finish to a desired thickness in consideration of the grinding amount by grinding performed after the grinding feed is stopped. Therefore, it becomes possible to perform a small amount of grinding of about several μm, which has been impossible in the past, with high precision, and it is possible to finish the workpiece with a desired thickness with high precision.
【図１】本発明に係る研削装置の構成の一例を示す説明
図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a configuration of a grinding device according to the present invention.
【図２】研削時の負荷電流値の変化を示すグラフであ
る。FIG. 2 is a graph showing changes in load current value during grinding.
【図３】同研削時の研削量の変化を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing changes in the grinding amount during the same grinding.
【図４】同研削時の負荷電流値と研削量との対応を示す
グラフである。FIG. 4 is a graph showing a correspondence between a load current value and a grinding amount during the same grinding.
【図５】従来の研削装置の構成を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional grinding device.
１０…研削装置 １１、１２…カセット １３…搬出入手段 １４…中心合わせテーブル １５…第一の搬送手段 １６…第二の搬送手段 １７，１８、１９…チャックテーブル ２０…ターンテーブル ２１…第一の研削手段 ２２…第二の研削手段 ２３…洗浄手段 ２４…研削制御手段 ２５…壁部 ２６、２７…ガイドレール ２８、２９…ボールネジ ３０、３１…パルスモータ ３２、３３…支持部 ３４…スピンドル ３５…モータ ３６…マウンタ ３７…研削ホイール ３８…研削砥石 ３９…スピンドル ４０…モータ ４１…マウンタ ４２…研削ホイール ４３…研削砥石 ４４…厚さ計測手段 ４５…電流値検出手段 ４６…研削量算出手段 ４７…記憶手段 ４８…制御手段 ５０…研削送り手段 ６０…研削装置 ６１…チャックテーブル ６２…研削手段 ６３…研削砥石 ６４…研削ホイール ６５…マウンタ ６６…ハウジング ６７…スピンドル ６８…モータ ６９…取付板 ７０…支持部 ７１…壁部 ７２…ガイドレール ７３…パルスモータ ７４…ボールネジ ７５…制御手段 ７６…パルスモータドライバ ７７…昇降部 ７８…リニアスケール ７９…サーボドライバ ８０…エンコーダ ８１…サーボモータ 10 ... Grinding device 11, 12 ... Cassette 13 ... Carry-in / out means 14 ... Centering table 15 ... 1st conveyance means 16 ... 2nd conveyance means 17, 18, 19 ... Chuck table 20 ... Turntable 21 ... First grinding means 22 ... Second grinding means 23 ... Cleaning means 24 ... Grinding control means 25 ... Wall part 26, 27 ... Guide rail 28, 29 ... Ball screw 30, 31 ... Pulse motors 32, 33 ... Support section 34 ... Spindle 35 ... Motor 36 ... Mounter 37 ... Grinding wheel 38 ... Grinding wheel 39 ... Spindle 40 ... Motor 41 ... Mounter 42 ... Grinding wheel 43 ... Grinding wheel 44 ... Thickness measuring means 45 ... Current value detecting means 46 ... Grinding amount calculation means 47 ... Storage means 48 ... Control means 50 ... Grinding feeding means 60 ... Grinding device 61 ... Chuck table 62 ... Grinding means 63 ... Grinding wheel 64 ... Grinding wheel 65 ... Mounter 66 ... Housing 67 ... Spindle 68 ... Motor 69 ... Mounting plate 70 ... Support part 71 ... Wall part 72 ... Guide rail 73 ... Pulse motor 74 ... Ball screw 75 ... Control means 76 ... Pulse motor driver 77 ... Lifting unit 78 ... Linear scale 79 ... Servo driver 80 ... Encoder 81 ... Servo motor
Claims (4)
と、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削す
る研削手段と、該研削手段を研削送りする研削送り手段
と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚さを
計測する厚さ計測手段とを少なくとも備えた研削装置を
用いて被加工物を研削する研削方法であって、 該研削手段は、研削砥石と、該研削砥石が装着されるス
ピンドルと、該スピンドルを回転駆動するモータとから
構成され、 該研削手段を研削送りして被加工物を研削し、研削送り
停止後も更に研削を続行して研削中におけるモータの負
荷電流値を計測すると共に、該厚さ計測手段を用いて研
削送り停止後の研削中における該被加工物の厚さを計測
して研削量を算出し、負荷電流値と該研削量との対応デ
ータを予め作成して記憶しておき、 実際に被加工物を研削送り停止後に所定量研削する際
は、モータの負荷電流値を計測しながら研削を遂行し、
該対応データにおける所定の研削量に対応する負荷電流
値の変化量を求め、計測した負荷電流値が該変化量だけ
変位した時に研削を終了する研削方法。1. A chuck table for holding a workpiece, a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table, a grinding feed means for feeding the grinding means by grinding, and a chuck table held by the chuck table. A grinding method for grinding a work piece using a grinding device having at least a thickness measuring means for measuring the thickness of the work piece, wherein the grinding means is a grinding grindstone and the grinding grindstone is mounted on the grinding grindstone. And a motor for driving the spindle to rotate. The grinding means feeds the grinding object to grind the workpiece, and after the grinding feeding is stopped, the grinding is further continued and the load current of the motor during grinding. In addition to measuring the value, the thickness measuring means is used to measure the thickness of the workpiece during grinding after the grinding feed is stopped to calculate the grinding amount, and the corresponding data of the load current value and the grinding amount. Created in advance Stored advance, when the predetermined amount of grinding actually a workpiece after grinding feed stopped, perform grinding while measuring the load current of the motor,
A grinding method in which a change amount of a load current value corresponding to a predetermined grinding amount in the corresponding data is obtained, and the grinding is terminated when the measured load current value is displaced by the change amount.
１に記載の研削方法。2. The grinding method according to claim 1, wherein the workpiece is a semiconductor wafer.
と、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削す
る研削手段と、該研削手段を研削送りする研削送り手段
と、該研削送りを制御する研削制御手段と、該チャック
テーブルに保持された被加工物の厚さを計測する厚さ計
測手段とを少なくとも備えた研削装置であって、 該研削手段は、研削砥石と、該研削砥石が装着されるス
ピンドルと、該スピンドルを回転駆動するモータとから
構成され、 該研削制御手段は、研削時の該モータの負荷電流値を検
出する電流値検出手段と、該厚さ計測手段によって計測
された被加工物の厚さから研削量を算出する研削量算出
手段と、該電流値検出手段によって検出された負荷電流
値と該研削量算出手段によって算出した研削量との対応
データを作成して記憶する記憶手段と、該記憶手段に記
憶された対応データと該電流値検出手段によって検出し
た実際の負荷電流値とから研削量を求めて該研削送り手
段を制御する制御手段とから構成される研削装置。3. A chuck table for holding a workpiece, a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table, a grinding feed means for feeding the grinding means by grinding, and a grinding feed for controlling the grinding feed. A grinding device comprising at least a grinding control means and a thickness measuring means for measuring the thickness of a workpiece held on the chuck table, wherein the grinding means is a grinding grindstone and the grinding grindstone is mounted on the grinding grinder. And a motor for driving the spindle to rotate. The grinding control means includes a current value detecting means for detecting a load current value of the motor during grinding and a thickness measuring means for measuring the load current value. A grinding amount calculation means for calculating the grinding amount from the thickness of the workpiece, and corresponding data of the load current value detected by the current value detection means and the grinding amount calculated by the grinding amount calculation means are created. It comprises a storage means for storing and a control means for controlling the grinding feed means by obtaining a grinding amount from the corresponding data stored in the storage means and the actual load current value detected by the current value detection means. Grinding equipment.
３に記載の研削方法。4. The grinding method according to claim 3, wherein the workpiece is a semiconductor wafer.
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