JP2003282988A - マトリクス型圧電／電歪デバイス及び製造方法 - Google Patents
マトリクス型圧電／電歪デバイス及び製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低電圧で大変位が得られ、応答速度が速く、
且つ、発生力が大きく、実装性に優れ、高集積化が可能
であり、作用対象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩
く、混合する等の作用を行えるか、または、それら作用
を受け作動する圧電／電歪デバイスと、その製造方法を
提供する。 【解決手段】 厚肉のセラミック基体２上に、圧電／電
歪体４と少なくとも一対の電極１８，１９とを有し、略
柱体形状をなす複数の圧電／電歪素子３１が立設された
マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、複数の圧電／電
歪素子３１が、セラミック基体２とそれぞれ一体的に接
合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置され、
圧電／電歪体４の側面上に一対の電極１８，１９が形成
され、圧電／電歪体４の側面のうち少なくとも電極１
８，１９が形成される面の粒内破壊を受けている結晶粒
子が１０％以下であり、圧電／電歪体４のセラミック基
体２との接合部近傍が曲面１３を形成する。
且つ、発生力が大きく、実装性に優れ、高集積化が可能
であり、作用対象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩
く、混合する等の作用を行えるか、または、それら作用
を受け作動する圧電／電歪デバイスと、その製造方法を
提供する。 【解決手段】 厚肉のセラミック基体２上に、圧電／電
歪体４と少なくとも一対の電極１８，１９とを有し、略
柱体形状をなす複数の圧電／電歪素子３１が立設された
マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、複数の圧電／電
歪素子３１が、セラミック基体２とそれぞれ一体的に接
合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置され、
圧電／電歪体４の側面上に一対の電極１８，１９が形成
され、圧電／電歪体４の側面のうち少なくとも電極１
８，１９が形成される面の粒内破壊を受けている結晶粒
子が１０％以下であり、圧電／電歪体４のセラミック基
体２との接合部近傍が曲面１３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、マトリクス型の
圧電／電歪デバイスに関する。より詳細には、光変調
器、光スイッチ、電気スイッチ、マイクロリレー、マイ
クロバルブ、搬送装置、ディスプレイ及びプロジェクタ
等の画像表示装置、画像描画装置、マイクロポンプ、液
滴吐出装置、更には、微小混合装置、微小撹拌装置、微
小反応装置、各種センサ、等に使用され、高い発生力と
大きな変位を兼ね備え、圧電／電歪体の電界誘起歪みの
横効果により、圧電／電歪体がセラミック基体主面に対
して垂直方向の伸縮変位乃至伸縮振動を発現し、作用対
象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩く（衝撃を与え
る）、混合する、等の作用を行う若しくはそれら作用を
受けて作動するマトリクス型圧電／電歪デバイスと、そ
の製造方法に関する。
圧電／電歪デバイスに関する。より詳細には、光変調
器、光スイッチ、電気スイッチ、マイクロリレー、マイ
クロバルブ、搬送装置、ディスプレイ及びプロジェクタ
等の画像表示装置、画像描画装置、マイクロポンプ、液
滴吐出装置、更には、微小混合装置、微小撹拌装置、微
小反応装置、各種センサ、等に使用され、高い発生力と
大きな変位を兼ね備え、圧電／電歪体の電界誘起歪みの
横効果により、圧電／電歪体がセラミック基体主面に対
して垂直方向の伸縮変位乃至伸縮振動を発現し、作用対
象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩く（衝撃を与え
る）、混合する、等の作用を行う若しくはそれら作用を
受けて作動するマトリクス型圧電／電歪デバイスと、そ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 近年、光学、精密機械、半導体製造等
の分野において、サブミクロンのオーダーで光路長や位
置を調整する変位制御素子が所望されるようになってき
ている。これに応え、強誘電体や反強誘電体に電界を加
えたときに起こる逆圧電効果や電歪効果等に基づくとこ
ろの歪みを利用したアクチュエータやセンサ等の圧電／
電歪デバイスの開発が進められている。これら電界誘起
歪みを利用する変位制御素子は、従来のサーボモータ、
パルスモータ等による電磁方式等に比較して、微小変位
制御が容易であり、機械／電気エネルギー変換効率が高
く省電力化が図れ、超精密に実装出来て製品の小型軽量
化に寄与出来る、等の特徴を有し、応用分野は拡大の一
途を辿るものと考えられている。
の分野において、サブミクロンのオーダーで光路長や位
置を調整する変位制御素子が所望されるようになってき
ている。これに応え、強誘電体や反強誘電体に電界を加
えたときに起こる逆圧電効果や電歪効果等に基づくとこ
ろの歪みを利用したアクチュエータやセンサ等の圧電／
電歪デバイスの開発が進められている。これら電界誘起
歪みを利用する変位制御素子は、従来のサーボモータ、
パルスモータ等による電磁方式等に比較して、微小変位
制御が容易であり、機械／電気エネルギー変換効率が高
く省電力化が図れ、超精密に実装出来て製品の小型軽量
化に寄与出来る、等の特徴を有し、応用分野は拡大の一
途を辿るものと考えられている。
【０００３】 例えば、光スイッチにおいては、入力光
の伝達経路の切り替えを行うアクチュエータとして、圧
電／電歪デバイスを用いることが提案されている。光ス
イッチの一例を図２（ａ）、図２（ｂ）に示す。図２
（ａ）、図２（ｂ）に示される光スイッチ２００は、光
伝達部２０１と光路変更部２０８とアクチュエータ部２
１１とからなる。詳細には、光伝達部２０１は、光路変
更部２０８に対向する面の一部に設けられる光反射面１
０１、及び、光反射面１０１を起点に３方向に向けて設
けられる光伝達経路２０２，２０４，２０５を有し、
又、光路変更部２０８は、光伝達部２０１の光反射面１
０１に移動可能な状態で近接され、透光性の材質からな
る光導入部材２０９、及び、光を全反射する光反射部材
２１０を有し、更には、アクチュエータ部２１１は、外
部信号により変位し、変位を光路変更部２０８に伝達す
る機構を有する。
の伝達経路の切り替えを行うアクチュエータとして、圧
電／電歪デバイスを用いることが提案されている。光ス
イッチの一例を図２（ａ）、図２（ｂ）に示す。図２
（ａ）、図２（ｂ）に示される光スイッチ２００は、光
伝達部２０１と光路変更部２０８とアクチュエータ部２
１１とからなる。詳細には、光伝達部２０１は、光路変
更部２０８に対向する面の一部に設けられる光反射面１
０１、及び、光反射面１０１を起点に３方向に向けて設
けられる光伝達経路２０２，２０４，２０５を有し、
又、光路変更部２０８は、光伝達部２０１の光反射面１
０１に移動可能な状態で近接され、透光性の材質からな
る光導入部材２０９、及び、光を全反射する光反射部材
２１０を有し、更には、アクチュエータ部２１１は、外
部信号により変位し、変位を光路変更部２０８に伝達す
る機構を有する。
【０００４】 光スイッチ２００は、図２（ａ）に示す
ように、電圧の印加等の外部信号によりアクチュエータ
部２１１が作動し、アクチュエータ部２１１の変位によ
り光路変更部２０８が光伝達部２０１から離隔され、光
伝達部２０１の光伝達経路２０２に入力された光２２１
が、屈折率を所定の値に調節してある光伝達部２０１の
光反射面１０１において透過することなく全反射し、出
力側の一の光伝達経路２０４に伝達される。
ように、電圧の印加等の外部信号によりアクチュエータ
部２１１が作動し、アクチュエータ部２１１の変位によ
り光路変更部２０８が光伝達部２０１から離隔され、光
伝達部２０１の光伝達経路２０２に入力された光２２１
が、屈折率を所定の値に調節してある光伝達部２０１の
光反射面１０１において透過することなく全反射し、出
力側の一の光伝達経路２０４に伝達される。
【０００５】 一方、この状態から、逆に、アクチュエ
ータ部２１１を非作動状態とすると、図２（ｂ）に示す
ように、アクチュエータ部２１１の変位が元に戻り、光
路変更部２０８の光導入部材２０９が、光伝達部２０１
に光の波長以下の距離で接触するため、光伝達経路２０
２に入力された光２２１は、光導入部材２０９により光
伝達部２０１から光導入部材２０９に取り出され、光導
入部材２０９の中を透過する。この光導入部材２０９の
中を透過した光２２１は、光反射部材２１０まで達する
が、この光反射部材２１０の反射面１０２で反射される
ことにより、光伝達部２０１の光反射面１０１で反射し
た光とは異なる出力側の他の光伝達経路２０５に伝達さ
れる。
ータ部２１１を非作動状態とすると、図２（ｂ）に示す
ように、アクチュエータ部２１１の変位が元に戻り、光
路変更部２０８の光導入部材２０９が、光伝達部２０１
に光の波長以下の距離で接触するため、光伝達経路２０
２に入力された光２２１は、光導入部材２０９により光
伝達部２０１から光導入部材２０９に取り出され、光導
入部材２０９の中を透過する。この光導入部材２０９の
中を透過した光２２１は、光反射部材２１０まで達する
が、この光反射部材２１０の反射面１０２で反射される
ことにより、光伝達部２０１の光反射面１０１で反射し
た光とは異なる出力側の他の光伝達経路２０５に伝達さ
れる。
【０００６】 このように、光路変更機能を有する光ス
イッチのアクチュエータ部に圧電／電歪デバイスが好適
に用いられる。中でも複数チャンネル間でスイッチング
を行うマトリクススイッチを構成するにあたっては、本
願出願人の先の発明である特許第２６９３２９１号公報
に開示されるような、ユニモルフ乃至バイモルフ型（以
下、これらを屈曲変位素子ともよぶ）の圧電／電歪素子
を、複数個配置した圧電／電歪デバイスが好適に採用さ
れる。屈曲変位素子は、振動板と圧電／電歪素子とから
構成され、電界印加時の圧電／電歪素子自身の僅かな伸
縮歪みを屈曲モードに変換して屈曲変位とするため、圧
電／電歪素子の素子長に比例して大きな変位を得ること
は容易である。
イッチのアクチュエータ部に圧電／電歪デバイスが好適
に用いられる。中でも複数チャンネル間でスイッチング
を行うマトリクススイッチを構成するにあたっては、本
願出願人の先の発明である特許第２６９３２９１号公報
に開示されるような、ユニモルフ乃至バイモルフ型（以
下、これらを屈曲変位素子ともよぶ）の圧電／電歪素子
を、複数個配置した圧電／電歪デバイスが好適に採用さ
れる。屈曲変位素子は、振動板と圧電／電歪素子とから
構成され、電界印加時の圧電／電歪素子自身の僅かな伸
縮歪みを屈曲モードに変換して屈曲変位とするため、圧
電／電歪素子の素子長に比例して大きな変位を得ること
は容易である。
【０００７】 しかしながら、歪みの変換を行うため、
圧電／電歪素子の直接の発生歪みにかかる発生応力を、
そのまま利用することが出来ず、変位と同時に発生力を
大きくすることは非常に困難なものであった。加えて、
素子長の増加に伴い、必然的に共振周波数が低下するた
め、応答速度も同時に満足し難いものであった。
圧電／電歪素子の直接の発生歪みにかかる発生応力を、
そのまま利用することが出来ず、変位と同時に発生力を
大きくすることは非常に困難なものであった。加えて、
素子長の増加に伴い、必然的に共振周波数が低下するた
め、応答速度も同時に満足し難いものであった。
【０００８】 そして、上記したような光スイッチの更
なる高性能化を図るにあたっては、次のような少なくと
も２つの要望がある。先ず、ＯＮ／ＯＦＦ比（コントラ
スト）を大きくとりたいという要望である。この場合、
上記した光スイッチ２００においては、光路変更部２０
８の光伝達部２０１との接触・離隔動作を確実に行うこ
とが重要であり、そのためにはアクチュエータ部は大き
なストローク、即ち、大きく変位するものであることが
好ましい。
なる高性能化を図るにあたっては、次のような少なくと
も２つの要望がある。先ず、ＯＮ／ＯＦＦ比（コントラ
スト）を大きくとりたいという要望である。この場合、
上記した光スイッチ２００においては、光路変更部２０
８の光伝達部２０１との接触・離隔動作を確実に行うこ
とが重要であり、そのためにはアクチュエータ部は大き
なストローク、即ち、大きく変位するものであることが
好ましい。
【０００９】 次に、スイッチングにかかる損失を小さ
くしたいという要望である。この場合、光路変更部２０
８の面積を大きくしつつ光伝達部２０１との実質的な接
触面積を増やすことが重要であるが、そのような接触面
積の増加は、離隔にかかる確実性を低下させる要因とな
るので、アクチュエータ部には大きな力を発生出来るも
のが必要となる。即ち、光スイッチの高性能化にあたっ
ては、アクチュエータ部として、変位と力を同時に発生
出来る圧電／電歪デバイスが望まれているのである。
くしたいという要望である。この場合、光路変更部２０
８の面積を大きくしつつ光伝達部２０１との実質的な接
触面積を増やすことが重要であるが、そのような接触面
積の増加は、離隔にかかる確実性を低下させる要因とな
るので、アクチュエータ部には大きな力を発生出来るも
のが必要となる。即ち、光スイッチの高性能化にあたっ
ては、アクチュエータ部として、変位と力を同時に発生
出来る圧電／電歪デバイスが望まれているのである。
【００１０】 更には、これら個々の圧電／電歪素子
は、互いに独立して形成されているものが好ましい。互
いに独立とは、互いに干渉しない、つまり、発生した変
位並びに発生した力を、互いに拘束しないことを意味す
る。
は、互いに独立して形成されているものが好ましい。互
いに独立とは、互いに干渉しない、つまり、発生した変
位並びに発生した力を、互いに拘束しないことを意味す
る。
【００１１】 例えば、図３に示した圧電／電歪デバイ
ス１４５は、図４に示す断面図のように、圧電／電歪素
子１７８の作動により屈曲変位している。互いの圧電／
電歪素子１７８は、隔壁１４３の剛性により、隣接する
圧電／電歪素子と機械的に独立するようにされている。
ス１４５は、図４に示す断面図のように、圧電／電歪素
子１７８の作動により屈曲変位している。互いの圧電／
電歪素子１７８は、隔壁１４３の剛性により、隣接する
圧電／電歪素子と機械的に独立するようにされている。
【００１２】 しかしながら、基体１４４は構造体とし
て一体的であり、圧電／電歪素子１７８が作用する振動
板も連続体である。従って、隣接する圧電／電歪素子は
隔壁１４３で独立されてはいるものの、圧電／電歪素子
１７８の作動によって生じる振動板の引っ張り乃至圧縮
応力が、互いに何らかの影響を与えていることは否定出
来ない。特に、高い密度で圧電／電歪素子が形成されて
いる場合には、その恐れが大きくなる。
て一体的であり、圧電／電歪素子１７８が作用する振動
板も連続体である。従って、隣接する圧電／電歪素子は
隔壁１４３で独立されてはいるものの、圧電／電歪素子
１７８の作動によって生じる振動板の引っ張り乃至圧縮
応力が、互いに何らかの影響を与えていることは否定出
来ない。特に、高い密度で圧電／電歪素子が形成されて
いる場合には、その恐れが大きくなる。
【００１３】 一方、図５に断面図を示す圧電／電歪デ
バイス１５５では、振動板２１８を支える側壁２１９
が、隣接する側壁２１９と独立しているため、隣接素子
への影響はない。
バイス１５５では、振動板２１８を支える側壁２１９
が、隣接する側壁２１９と独立しているため、隣接素子
への影響はない。
【００１４】 このように個々の圧電／電歪素子が互い
に独立して形成されているものの別の態様として、特許
第３０５８１４３号の第１図に表されるアクチュエータ
がある。それはインクジェット方式記録装置に最適な圧
電アクチュエータであり、駆動機構として機能する柱状
の圧電素子が碁盤目状に平面配置された圧電アクチュエ
ータとして開示されている。そして、その圧電アクチュ
エータは、電極構成が簡素な圧電横効果型の圧電素子の
採用により、複数行且つ複数列（即ち碁盤目状）からな
る圧電素子を基板上に高集積に配置出来、インクジェッ
ト方式の記録装置における単位面積あたりのインク吐出
ノズル数を高めることが出来る効果を有するとされてい
る。
に独立して形成されているものの別の態様として、特許
第３０５８１４３号の第１図に表されるアクチュエータ
がある。それはインクジェット方式記録装置に最適な圧
電アクチュエータであり、駆動機構として機能する柱状
の圧電素子が碁盤目状に平面配置された圧電アクチュエ
ータとして開示されている。そして、その圧電アクチュ
エータは、電極構成が簡素な圧電横効果型の圧電素子の
採用により、複数行且つ複数列（即ち碁盤目状）からな
る圧電素子を基板上に高集積に配置出来、インクジェッ
ト方式の記録装置における単位面積あたりのインク吐出
ノズル数を高めることが出来る効果を有するとされてい
る。
【００１５】 しかしながら、開示された圧電アクチュ
エータは、予め共通電極乃至印加電極が塗布されたグリ
ーンシートを積層して焼成した後に、柱状の圧電素子を
分離独立させるためにダイシングソーにより溝を加工し
たものであることから、次に示す少なくとも２つの問題
を抱えていた。
エータは、予め共通電極乃至印加電極が塗布されたグリ
ーンシートを積層して焼成した後に、柱状の圧電素子を
分離独立させるためにダイシングソーにより溝を加工し
たものであることから、次に示す少なくとも２つの問題
を抱えていた。
【００１６】 先ず、駆動柱電極が圧電素子内に予め収
容された構造であることから、焼成時の歪みの影響を受
け、分離独立された個々の圧電素子の電極−圧電体から
なる層構造が不均一になり易く、素子間に特性のバラツ
キを引き起こすという問題を内在していた。加えて、そ
の焼成歪みを考慮すると、自ずから素子寸法（幅乃至厚
さ）は大きくならざるを得ず、従ってピッチも小さくす
ることが困難であった。開示された形態例によれば、圧
電素子の幅が０．３ｍｍ、溝の幅が０．２０９〜０．７
１８ｍｍであり、概ね１ｍｍ2あたり１つの圧電素子が
配置される密度であるが、これは、近時におけるインク
ジェットプリンタに求められる解像度に対応するには十
分な集積度とはいい難い。
容された構造であることから、焼成時の歪みの影響を受
け、分離独立された個々の圧電素子の電極−圧電体から
なる層構造が不均一になり易く、素子間に特性のバラツ
キを引き起こすという問題を内在していた。加えて、そ
の焼成歪みを考慮すると、自ずから素子寸法（幅乃至厚
さ）は大きくならざるを得ず、従ってピッチも小さくす
ることが困難であった。開示された形態例によれば、圧
電素子の幅が０．３ｍｍ、溝の幅が０．２０９〜０．７
１８ｍｍであり、概ね１ｍｍ2あたり１つの圧電素子が
配置される密度であるが、これは、近時におけるインク
ジェットプリンタに求められる解像度に対応するには十
分な集積度とはいい難い。
【００１７】 又、この集積度は、上記した図２
（ａ）、図２（ｂ）に示す態様を一例とする光スイッチ
においても満足出来るものではない。今後、光電変換し
ない光ネットワークシステムの構築が進むに従い光交換
器の回線数が増す一方で、光交換器は、より小型化が求
められ、光交換器に用いられる光スイッチも、信号の伝
播損失の面から、より高集積なものが要求される。しか
しながら、上記圧電アクチュエータの集積度は、そのよ
うな光スイッチの要求に十分に応えられるものではなか
った。
（ａ）、図２（ｂ）に示す態様を一例とする光スイッチ
においても満足出来るものではない。今後、光電変換し
ない光ネットワークシステムの構築が進むに従い光交換
器の回線数が増す一方で、光交換器は、より小型化が求
められ、光交換器に用いられる光スイッチも、信号の伝
播損失の面から、より高集積なものが要求される。しか
しながら、上記圧電アクチュエータの集積度は、そのよ
うな光スイッチの要求に十分に応えられるものではなか
った。
【００１８】 次いで、開示された圧電アクチュエータ
の分離独立した圧電素子は、ダイシングソー加工により
形成されてなるが、加工上の制約により溝の深さ、即
ち、圧電素子の高さは小さく制限されざるを得ないもの
であった。発生変位が圧電素子の高さに依存する横効果
型素子にとって、その高さに制限があっては、得られる
変位も十分なものではなく、高集積度と高特性の指標で
ある圧電素子（圧電体）のアスペクト比（高さ／厚さ）
を大きくすることは出来ないものであったのである。従
って、インクジェットプリンタに限らず、光スイッチ等
のアクチュエータ部としても好ましいものではない。
の分離独立した圧電素子は、ダイシングソー加工により
形成されてなるが、加工上の制約により溝の深さ、即
ち、圧電素子の高さは小さく制限されざるを得ないもの
であった。発生変位が圧電素子の高さに依存する横効果
型素子にとって、その高さに制限があっては、得られる
変位も十分なものではなく、高集積度と高特性の指標で
ある圧電素子（圧電体）のアスペクト比（高さ／厚さ）
を大きくすることは出来ないものであったのである。従
って、インクジェットプリンタに限らず、光スイッチ等
のアクチュエータ部としても好ましいものではない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】 以上の説明の通り、
発生変位と発生力とを両立し、尚且つ、独立して極高密
度に配置可能であるアクチュエータ等の圧電／電歪デバ
イスが求められており、本発明は、このような要求に応
えるべくなされたものである。即ち、上記背景のもとに
なされた本発明の目的とするところは、低電圧で大変位
が得られ、応答速度が速く、且つ、発生力が大きく、
又、実装性に優れ、より高集積化が可能であり、作用対
象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩く（衝撃を与え
る）、混合する、等の作用を行える、若しくは、それら
作用を受け作動する圧電／電歪デバイスと、その製造方
法を提供することにある。
発生変位と発生力とを両立し、尚且つ、独立して極高密
度に配置可能であるアクチュエータ等の圧電／電歪デバ
イスが求められており、本発明は、このような要求に応
えるべくなされたものである。即ち、上記背景のもとに
なされた本発明の目的とするところは、低電圧で大変位
が得られ、応答速度が速く、且つ、発生力が大きく、
又、実装性に優れ、より高集積化が可能であり、作用対
象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩く（衝撃を与え
る）、混合する、等の作用を行える、若しくは、それら
作用を受け作動する圧電／電歪デバイスと、その製造方
法を提供することにある。
【００２０】 そして、その圧電／電歪デバイスを、光
変調器、光スイッチ、電気スイッチ、マイクロリレー、
マイクロバルブ、搬送装置、ディスプレイ及びプロジェ
クタ等の画像表示装置、画像描画装置、マイクロポン
プ、液滴吐出装置、更には、微小混合装置、微小撹拌装
置、微小反応装置、各種センサ、等に適用し、これらの
性能向上を図ることにある。研究が重ねられた結果、以
下に示すマトリクス型圧電／電歪デバイス及び製造方法
により、上記目的が達成可能であることが見出された。
変調器、光スイッチ、電気スイッチ、マイクロリレー、
マイクロバルブ、搬送装置、ディスプレイ及びプロジェ
クタ等の画像表示装置、画像描画装置、マイクロポン
プ、液滴吐出装置、更には、微小混合装置、微小撹拌装
置、微小反応装置、各種センサ、等に適用し、これらの
性能向上を図ることにある。研究が重ねられた結果、以
下に示すマトリクス型圧電／電歪デバイス及び製造方法
により、上記目的が達成可能であることが見出された。
【００２１】
【課題を解決するための手段】 先ず、本発明によれ
ば、厚肉のセラミック基体上に、圧電／電歪体と少なく
とも一対の電極とを有し略柱体形状をなす複数の圧電／
電歪素子が立設されてなり、圧電／電歪体の変位により
駆動するマトリクス型圧電／電歪デバイスが提供され
る。このマトリクス型圧電／電歪デバイスは、複数の圧
電／電歪素子が、セラミック基体とそれぞれ一体的に接
合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置され、
圧電／電歪体の側面上に一対の電極が形成され、圧電／
電歪体の側面のうち少なくとも前記電極が形成される面
の結晶粒子状態は粒内破壊を受けている結晶粒子が１０
％以下であるとともに、圧電／電歪体のセラミック基体
との接合部近傍が曲面を形成することを特徴としてい
る。
ば、厚肉のセラミック基体上に、圧電／電歪体と少なく
とも一対の電極とを有し略柱体形状をなす複数の圧電／
電歪素子が立設されてなり、圧電／電歪体の変位により
駆動するマトリクス型圧電／電歪デバイスが提供され
る。このマトリクス型圧電／電歪デバイスは、複数の圧
電／電歪素子が、セラミック基体とそれぞれ一体的に接
合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置され、
圧電／電歪体の側面上に一対の電極が形成され、圧電／
電歪体の側面のうち少なくとも前記電極が形成される面
の結晶粒子状態は粒内破壊を受けている結晶粒子が１０
％以下であるとともに、圧電／電歪体のセラミック基体
との接合部近傍が曲面を形成することを特徴としてい
る。
【００２２】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスにおいては、圧電／電歪素子の圧電／電歪体の面
の輪郭度が、概ね８μｍ以下であることが好ましい。更
に、概ね柱体形状の圧電／電歪素子は、高さと、水平断
面において中心軸を通る最短距離（以下、圧電／電歪素
子の厚さともいう）との比（即ち、高さ：厚さであり圧
電／電歪素子のアスペクト比を指す）が、概ね２０：１
〜２００：１であることが好ましく、その圧電／電歪素
子の水平断面において中心軸を通る最短距離は３００μ
ｍ以下であることが好ましい。
バイスにおいては、圧電／電歪素子の圧電／電歪体の面
の輪郭度が、概ね８μｍ以下であることが好ましい。更
に、概ね柱体形状の圧電／電歪素子は、高さと、水平断
面において中心軸を通る最短距離（以下、圧電／電歪素
子の厚さともいう）との比（即ち、高さ：厚さであり圧
電／電歪素子のアスペクト比を指す）が、概ね２０：１
〜２００：１であることが好ましく、その圧電／電歪素
子の水平断面において中心軸を通る最短距離は３００μ
ｍ以下であることが好ましい。
【００２３】 又、本発明に係るマトリクス型圧電／電
歪デバイスにおいては、概ね柱体形状の圧電／電歪素子
の高さと、圧電／電歪素子と隣接する圧電／電歪素子と
の間隔との比が、概ね２０：１〜２００：１であること
が好ましい。更に、圧電／電歪体の側面が、概ね一様な
表面状態を有し、その側面において、Ｒｔで表される表
面粗さが９μｍ以下であり、且つ、Ｒａで表される表面
粗さが０．１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。
尚更に、圧電／電歪体のセラミック基体との接合部近傍
に形成される曲面の曲率半径が２０〜１００μｍである
ことが好ましい。
歪デバイスにおいては、概ね柱体形状の圧電／電歪素子
の高さと、圧電／電歪素子と隣接する圧電／電歪素子と
の間隔との比が、概ね２０：１〜２００：１であること
が好ましい。更に、圧電／電歪体の側面が、概ね一様な
表面状態を有し、その側面において、Ｒｔで表される表
面粗さが９μｍ以下であり、且つ、Ｒａで表される表面
粗さが０．１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。
尚更に、圧電／電歪体のセラミック基体との接合部近傍
に形成される曲面の曲率半径が２０〜１００μｍである
ことが好ましい。
【００２４】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスでは、概ね柱体形状の圧電／電歪素子は、圧電／
電歪体の水平断面が平行四辺形であり、電極が圧電／電
歪体の断面の長辺を含む側面に形成されてなることが好
ましい。又、本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスは、圧電／電歪体の電界誘起歪みの縦効果及び横効
果の何れをも利用し得る圧電／電歪デバイスであるが、
横効果による変位に基づき圧電／電歪素子がセラミック
基体主面に対して垂直方向に伸縮することが好ましい。
バイスでは、概ね柱体形状の圧電／電歪素子は、圧電／
電歪体の水平断面が平行四辺形であり、電極が圧電／電
歪体の断面の長辺を含む側面に形成されてなることが好
ましい。又、本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスは、圧電／電歪体の電界誘起歪みの縦効果及び横効
果の何れをも利用し得る圧電／電歪デバイスであるが、
横効果による変位に基づき圧電／電歪素子がセラミック
基体主面に対して垂直方向に伸縮することが好ましい。
【００２５】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの材料に関しては、セラミック基体と圧電／電歪
素子を構成する圧電／電歪体とが同じ材料からなること
が好ましい。圧電／電歪体としては、圧電セラミック
ス、電歪セラミックス、反強誘電体セラミックスのうち
の何れかの材料、若しくは、これらと高分子圧電材料と
の複合材料を、好適に用いることが出来る。
バイスの材料に関しては、セラミック基体と圧電／電歪
素子を構成する圧電／電歪体とが同じ材料からなること
が好ましい。圧電／電歪体としては、圧電セラミック
ス、電歪セラミックス、反強誘電体セラミックスのうち
の何れかの材料、若しくは、これらと高分子圧電材料と
の複合材料を、好適に用いることが出来る。
【００２６】 上記したマトリクス型圧電／電歪デバイ
スでは、隣接する圧電／電歪素子の間に壁部が形成され
てなる態様をとることが出来る。又、セラミック基体に
おける圧電／電歪素子が配置される面とは反対側の面
に、電極端子が形成されてなり、電極と電極端子とが、
セラミック基体に形成されたスルーホール乃至ビアホー
ルを経由して配線されている態様をとることが好まし
い。
スでは、隣接する圧電／電歪素子の間に壁部が形成され
てなる態様をとることが出来る。又、セラミック基体に
おける圧電／電歪素子が配置される面とは反対側の面
に、電極端子が形成されてなり、電極と電極端子とが、
セラミック基体に形成されたスルーホール乃至ビアホー
ルを経由して配線されている態様をとることが好まし
い。
【００２７】 次いで、本発明によれば、以下に示すマ
トリクス型圧電／電歪デバイスの第１及び第２の製造方
法が提供される。
トリクス型圧電／電歪デバイスの第１及び第２の製造方
法が提供される。
【００２８】 先ず、本発明に係るマトリクス型圧電／
電歪デバイスの第１の製造方法は、厚肉のセラミック基
体上に概ね柱体形状をなす複数の圧電／電歪素子が二次
元に整列配置されてなり、圧電／電歪素子は圧電／電歪
体と少なくとも一対の電極とを有し、圧電／電歪体の側
面のうち少なくとも電極が形成される面に占める粒内破
壊粒子の割合が１％以下であり、圧電／電歪体のセラミ
ック基体との接合部近傍が曲面を形成するマトリクス型
圧電／電歪デバイスを製造する方法である。この製造方
法は、圧電／電歪材料を主成分とする複数のセラミック
グリーンシートを用意する第一の工程と、複数のセラミ
ックグリーンシートの所定の位置に、少なくとも２の隅
を曲線とした概ね直角四辺形状を含む孔部を設ける第二
の工程と、孔部を設けた複数のセラミックグリーンシー
トを積層し、貫通孔を有するセラミックグリーン積層体
を得る第三の工程と、セラミックグリーン積層体を焼成
一体化し、貫通孔を有するセラミック積層体を得る第四
の工程と、少なくともセラミック積層体の貫通孔を構成
する側壁に電極を形成する第五の工程と、セラミック積
層体の貫通孔上を、貫通孔の並びに垂直であり且つ貫通
孔開口面に垂直な方向に切断し、櫛歯状セラミック積層
体を得る第六の工程と、櫛歯状セラミック積層体の櫛歯
に対し、第六の工程にかかる切断面に垂直であり且つ前
記櫛歯の並びに垂直に切込みを入れる第七の工程と、を
有するところに特徴がある。
電歪デバイスの第１の製造方法は、厚肉のセラミック基
体上に概ね柱体形状をなす複数の圧電／電歪素子が二次
元に整列配置されてなり、圧電／電歪素子は圧電／電歪
体と少なくとも一対の電極とを有し、圧電／電歪体の側
面のうち少なくとも電極が形成される面に占める粒内破
壊粒子の割合が１％以下であり、圧電／電歪体のセラミ
ック基体との接合部近傍が曲面を形成するマトリクス型
圧電／電歪デバイスを製造する方法である。この製造方
法は、圧電／電歪材料を主成分とする複数のセラミック
グリーンシートを用意する第一の工程と、複数のセラミ
ックグリーンシートの所定の位置に、少なくとも２の隅
を曲線とした概ね直角四辺形状を含む孔部を設ける第二
の工程と、孔部を設けた複数のセラミックグリーンシー
トを積層し、貫通孔を有するセラミックグリーン積層体
を得る第三の工程と、セラミックグリーン積層体を焼成
一体化し、貫通孔を有するセラミック積層体を得る第四
の工程と、少なくともセラミック積層体の貫通孔を構成
する側壁に電極を形成する第五の工程と、セラミック積
層体の貫通孔上を、貫通孔の並びに垂直であり且つ貫通
孔開口面に垂直な方向に切断し、櫛歯状セラミック積層
体を得る第六の工程と、櫛歯状セラミック積層体の櫛歯
に対し、第六の工程にかかる切断面に垂直であり且つ前
記櫛歯の並びに垂直に切込みを入れる第七の工程と、を
有するところに特徴がある。
【００２９】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法においては、セラミックグリー
ン積層体が、少なくとも２種類のセラミックグリーンシ
ートの積層物からなり、セラミックグリーンシートその
一は、２の隅が曲線とされた複数の概ね直角四辺形状の
孔部を形成した所定数のセラミックグリーンシートであ
り、セラミックグリーンシートその二は、複数の、概ね
直角四辺形状の孔部とその孔部に連通する別の孔部を形
成した所定数のセラミックグリーンシートであることが
好ましい。その別の孔部は、概ね直角四辺形状の孔部に
連通するとともにセラミックグリーンシート端部とも連
通するスリットであることが好ましい。
バイスの第１の製造方法においては、セラミックグリー
ン積層体が、少なくとも２種類のセラミックグリーンシ
ートの積層物からなり、セラミックグリーンシートその
一は、２の隅が曲線とされた複数の概ね直角四辺形状の
孔部を形成した所定数のセラミックグリーンシートであ
り、セラミックグリーンシートその二は、複数の、概ね
直角四辺形状の孔部とその孔部に連通する別の孔部を形
成した所定数のセラミックグリーンシートであることが
好ましい。その別の孔部は、概ね直角四辺形状の孔部に
連通するとともにセラミックグリーンシート端部とも連
通するスリットであることが好ましい。
【００３０】 又、本発明に係るマトリクス型圧電／電
歪デバイスの第１の製造方法は、セラミック積層体を切
断し、別の孔部をそれぞれ開口させる工程を有すること
が好ましい。更に、第七の工程における切込みが、ワイ
ヤーソー加工により行われることが好ましく、第五の工
程の後であって、第七の工程の前に、櫛歯の間に充填材
を詰める工程を有することが好ましい。
歪デバイスの第１の製造方法は、セラミック積層体を切
断し、別の孔部をそれぞれ開口させる工程を有すること
が好ましい。更に、第七の工程における切込みが、ワイ
ヤーソー加工により行われることが好ましく、第五の工
程の後であって、第七の工程の前に、櫛歯の間に充填材
を詰める工程を有することが好ましい。
【００３１】 次に、本発明に係るマトリクス型圧電／
電歪デバイスの第２の製造方法は、厚肉のセラミック基
体上に概ね柱体形状をなす複数の圧電／電歪素子が二次
元に整列配置されてなり、圧電／電歪素子は圧電／電歪
体と少なくとも一対の電極とを有し、圧電／電歪体の側
面のうち少なくとも電極が形成される面に占める粒内破
壊粒子の割合が１０％以下であり、圧電／電歪体のセラ
ミック基体との接合部近傍が曲面を形成する圧電／電歪
デバイスを製造する方法である。この製造方法は、圧電
／電歪材料を主成分とするセラミックグリーン成形体を
用意する工程Ａと、少なくともセラミックグリーン成形
体を含むセラミック前駆体を焼成し、一体的なセラミッ
ク焼成体を得る工程Ｂと、セラミック焼成体に、遊離砥
粒を加工媒体とした機械加工法によって複数の第１のス
リットを形成する工程Ｃと、第１のスリットの側面に電
極を形成する工程Ｄと、第１のスリットに交差する複数
の第２のスリットを形成する工程Ｅとを有するところに
特徴がある。
電歪デバイスの第２の製造方法は、厚肉のセラミック基
体上に概ね柱体形状をなす複数の圧電／電歪素子が二次
元に整列配置されてなり、圧電／電歪素子は圧電／電歪
体と少なくとも一対の電極とを有し、圧電／電歪体の側
面のうち少なくとも電極が形成される面に占める粒内破
壊粒子の割合が１０％以下であり、圧電／電歪体のセラ
ミック基体との接合部近傍が曲面を形成する圧電／電歪
デバイスを製造する方法である。この製造方法は、圧電
／電歪材料を主成分とするセラミックグリーン成形体を
用意する工程Ａと、少なくともセラミックグリーン成形
体を含むセラミック前駆体を焼成し、一体的なセラミッ
ク焼成体を得る工程Ｂと、セラミック焼成体に、遊離砥
粒を加工媒体とした機械加工法によって複数の第１のス
リットを形成する工程Ｃと、第１のスリットの側面に電
極を形成する工程Ｄと、第１のスリットに交差する複数
の第２のスリットを形成する工程Ｅとを有するところに
特徴がある。
【００３２】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第２の製造方法においては、セラミックグリー
ン成形体が、複数のセラミックグリーンシートを積層し
てなることが好ましい。又、セラミック前駆体が、少な
くとも、スルーホール乃至ビアホールを有するセラミッ
クグリーン基体とセラミックグリーン成形体とからなる
ことが好ましい。又、上記した工程Ｃの後であって、工
程Ｅの前に、第１のスリットに充填材を詰める工程を有
することが好ましい。
バイスの第２の製造方法においては、セラミックグリー
ン成形体が、複数のセラミックグリーンシートを積層し
てなることが好ましい。又、セラミック前駆体が、少な
くとも、スルーホール乃至ビアホールを有するセラミッ
クグリーン基体とセラミックグリーン成形体とからなる
ことが好ましい。又、上記した工程Ｃの後であって、工
程Ｅの前に、第１のスリットに充填材を詰める工程を有
することが好ましい。
【００３３】 又、本発明に係るマトリクス型圧電／電
歪デバイスの第２の製造方法においては、機械加工法と
してワイヤーソー加工法を用いることが好ましい。ワイ
ヤーソー加工法を用いる場合には、セラミック焼成体を
厚さ方向に加工し第一の切込溝を得る第一の切込加工
と、第一の切込加工位置から所定寸法ずらしセラミック
焼成体を厚さ方向に加工し第二の切込溝を得る第二の切
込加工と、第二の切込溝の内部から第一の切込溝の内部
に向かって第三の切込加工を行い、第一の切込溝と第二
の切込溝との間の部位を切除することにより、上記第１
のスリット及び／又は第２のスリットを形成することが
好ましい。このとき、第一の切込加工の後であって、第
二の切込加工の前に、第一の切込溝に充填材を詰めるこ
とが好ましい。
歪デバイスの第２の製造方法においては、機械加工法と
してワイヤーソー加工法を用いることが好ましい。ワイ
ヤーソー加工法を用いる場合には、セラミック焼成体を
厚さ方向に加工し第一の切込溝を得る第一の切込加工
と、第一の切込加工位置から所定寸法ずらしセラミック
焼成体を厚さ方向に加工し第二の切込溝を得る第二の切
込加工と、第二の切込溝の内部から第一の切込溝の内部
に向かって第三の切込加工を行い、第一の切込溝と第二
の切込溝との間の部位を切除することにより、上記第１
のスリット及び／又は第２のスリットを形成することが
好ましい。このとき、第一の切込加工の後であって、第
二の切込加工の前に、第一の切込溝に充填材を詰めるこ
とが好ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】 以下に、本発明のマトリクス型
圧電／電歪デバイス及び製造方法について、実施の形態
を具体的に説明するが、本発明は、これらに限定されて
解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限
りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修
正、改良を加え得るものである。
圧電／電歪デバイス及び製造方法について、実施の形態
を具体的に説明するが、本発明は、これらに限定されて
解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限
りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修
正、改良を加え得るものである。
【００３５】 尚、本発明に係るマトリクス型圧電／電
歪デバイスは、電界によって誘起される歪みを利用して
まとまった機能を果たすユニットを示し、圧電／電歪素
子を構成要素とするアクチュエータ、センサ等を含むも
のである。又、狭義の意味での、印加電界に概ね比例し
た歪み量を発生する圧電効果、印加電界の二乗に概ね比
例した歪み量を発生する電歪効果を利用する圧電／電歪
デバイスに限定されず、強誘電体材料全般に見られる分
極反転、反強誘電体材料に見られる反強誘電相−強誘電
相間の相転移、等の現象を利用する圧電／電歪デバイス
も含まれる。従って、本明細書中で単に圧電特性と記す
ときにも、これら現象に基づく特性を含むことが理解さ
れるべきである。又、分極処理が行われるか否かについ
ても、圧電／電歪デバイスを構成する圧電／電歪素子の
圧電／電歪体に用いられる材料の性質に基づいて適宜決
定される。従って、本明細書中において、分極処理する
という場合には、分極処理が必要な材料を対象としてい
ることが前提であると理解されるべきである。
歪デバイスは、電界によって誘起される歪みを利用して
まとまった機能を果たすユニットを示し、圧電／電歪素
子を構成要素とするアクチュエータ、センサ等を含むも
のである。又、狭義の意味での、印加電界に概ね比例し
た歪み量を発生する圧電効果、印加電界の二乗に概ね比
例した歪み量を発生する電歪効果を利用する圧電／電歪
デバイスに限定されず、強誘電体材料全般に見られる分
極反転、反強誘電体材料に見られる反強誘電相−強誘電
相間の相転移、等の現象を利用する圧電／電歪デバイス
も含まれる。従って、本明細書中で単に圧電特性と記す
ときにも、これら現象に基づく特性を含むことが理解さ
れるべきである。又、分極処理が行われるか否かについ
ても、圧電／電歪デバイスを構成する圧電／電歪素子の
圧電／電歪体に用いられる材料の性質に基づいて適宜決
定される。従って、本明細書中において、分極処理する
という場合には、分極処理が必要な材料を対象としてい
ることが前提であると理解されるべきである。
【００３６】 以下、図面を参酌しながら説明する。図
１（ａ）は、本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの一実施形態を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、
図１（ａ）におけるＱ視側面図であり、図１（ｃ）は、
図１（ａ）におけるＲ視側面図である。図示されるよう
にマトリクス型圧電／電歪デバイス１は、セラミック基
体２上に、圧電／電歪体４と一対の電極１８，１９とか
らなる複数の圧電／電歪素子３１が形成されてなり、圧
電／電歪体４がセラミック基体２上で変位を起こすこと
により駆動する圧電／電歪デバイスである。マトリクス
型圧電／電歪デバイス１は、本発明に係るマトリクス型
圧電／電歪デバイスに共通する以下の特徴を有する。
１（ａ）は、本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの一実施形態を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、
図１（ａ）におけるＱ視側面図であり、図１（ｃ）は、
図１（ａ）におけるＲ視側面図である。図示されるよう
にマトリクス型圧電／電歪デバイス１は、セラミック基
体２上に、圧電／電歪体４と一対の電極１８，１９とか
らなる複数の圧電／電歪素子３１が形成されてなり、圧
電／電歪体４がセラミック基体２上で変位を起こすこと
により駆動する圧電／電歪デバイスである。マトリクス
型圧電／電歪デバイス１は、本発明に係るマトリクス型
圧電／電歪デバイスに共通する以下の特徴を有する。
【００３７】 １）二次元整列配置圧電／電歪素子
【００３８】 上記した図３に示す従来の圧電／電歪デ
バイス１４５のように、ユニモルフ乃至バイモルフ型の
圧電／電歪素子が基体上に並んで形成されているのでは
なく、１つの厚肉で実質中実なセラミック基体２上に二
次元マトリクス状に、複数の圧電／電歪素子３１が、互
いに独立し、且つ、それぞれセラミック基体２と一体化
して整列配置されている。このような素子配列にかかわ
る部位並びに圧電／電歪素子の変位発現の基点となる部
位に、接着剤等が介在しない構造なので、初期的な素子
寸法、素子ピッチ等の精度が高いことは勿論のこと、介
在物の劣化という現象が生じ得ないので、長期間にわた
って高い寸法精度、圧電／電歪素子特性が維持出来る。
バイス１４５のように、ユニモルフ乃至バイモルフ型の
圧電／電歪素子が基体上に並んで形成されているのでは
なく、１つの厚肉で実質中実なセラミック基体２上に二
次元マトリクス状に、複数の圧電／電歪素子３１が、互
いに独立し、且つ、それぞれセラミック基体２と一体化
して整列配置されている。このような素子配列にかかわ
る部位並びに圧電／電歪素子の変位発現の基点となる部
位に、接着剤等が介在しない構造なので、初期的な素子
寸法、素子ピッチ等の精度が高いことは勿論のこと、介
在物の劣化という現象が生じ得ないので、長期間にわた
って高い寸法精度、圧電／電歪素子特性が維持出来る。
【００３９】 そして、光スイッチやマイクロバルブ、
あるいは、画像表示装置等の圧電／電歪デバイスとして
利用する際には、より高精度に実装することが可能とな
り、又、一体化した構造であることから強度面にも優
れ、実装作業そのものが容易となる。
あるいは、画像表示装置等の圧電／電歪デバイスとして
利用する際には、より高精度に実装することが可能とな
り、又、一体化した構造であることから強度面にも優
れ、実装作業そのものが容易となる。
【００４０】 マトリクス型圧電／電歪デバイスの二次
元の配列については、それぞれ直交した配列に限らず、
その交差角は３０°であっても、４５°であってもよ
く、目的、用途によって決定されるものである。
元の配列については、それぞれ直交した配列に限らず、
その交差角は３０°であっても、４５°であってもよ
く、目的、用途によって決定されるものである。
【００４１】 ここで厚肉とは、基体をダイヤフラムと
して機能させるものではないという意味で使用してい
る。セラミック基体の厚さは、その上に形成される圧電
／電歪素子が発生した応力を受けても変形しない程度で
あればよい。加えて、セラミック基体の強度、圧電／電
歪デバイスのハンドリング性、等を改善する目的で、他
の部材をセラミック基体に接合することも好ましい。
して機能させるものではないという意味で使用してい
る。セラミック基体の厚さは、その上に形成される圧電
／電歪素子が発生した応力を受けても変形しない程度で
あればよい。加えて、セラミック基体の強度、圧電／電
歪デバイスのハンドリング性、等を改善する目的で、他
の部材をセラミック基体に接合することも好ましい。
【００４２】 ２）相互完全独立圧電／電歪素子
【００４３】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１にお
いては、変位を起こすのはセラミック基体２上に露わな
圧電／電歪素子３１部分のみであり、セラミック基体２
の構造として圧電／電歪体４が発生する電界誘起歪みが
元で変形する部分がなく、個々の圧電／電歪素子３１
は、セラミック基体と一体化した構造であっても、隣接
する圧電／電歪素子３１とは完全に独立していて、互い
の変位を妨げることがない。従って、より低電圧で、よ
り大きな変位を安定して得ることが出来る。
いては、変位を起こすのはセラミック基体２上に露わな
圧電／電歪素子３１部分のみであり、セラミック基体２
の構造として圧電／電歪体４が発生する電界誘起歪みが
元で変形する部分がなく、個々の圧電／電歪素子３１
は、セラミック基体と一体化した構造であっても、隣接
する圧電／電歪素子３１とは完全に独立していて、互い
の変位を妨げることがない。従って、より低電圧で、よ
り大きな変位を安定して得ることが出来る。
【００４４】 ３）低粒内破壊面に電極形成
【００４５】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１にお
いては、圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電歪体４
の側面のうち少なくとも電極が形成される面を構成する
圧電／電歪材料の結晶粒子が、その粒子内部で破壊を受
けた粒子を１０％以下の割合となるように、より好まし
くは１％以下の割合となるように、構成されている。表
面は概ね一様な状態であり、面相がほぼ均質で表面状態
の差違分布が極めて小さい。
いては、圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電歪体４
の側面のうち少なくとも電極が形成される面を構成する
圧電／電歪材料の結晶粒子が、その粒子内部で破壊を受
けた粒子を１０％以下の割合となるように、より好まし
くは１％以下の割合となるように、構成されている。表
面は概ね一様な状態であり、面相がほぼ均質で表面状態
の差違分布が極めて小さい。
【００４６】 面相が均質であることから応力分布が小
さく、後述する高アスペクト比な構造であっても、素子
の変形が小さく、素子寸法の精度は勿論、ピッチ精度も
維持し易い。加えて、低駆動電圧化のために圧電／電歪
素子（圧電／電歪体）の厚さを薄くし、圧電／電歪素子
の体積に対し表面の割合の多い設計を採用しても、圧電
セラミック粒子内のクラック等の欠陥が少ないので、本
来有する圧電／電歪材料の特性を優位に引き出すことが
出来る。
さく、後述する高アスペクト比な構造であっても、素子
の変形が小さく、素子寸法の精度は勿論、ピッチ精度も
維持し易い。加えて、低駆動電圧化のために圧電／電歪
素子（圧電／電歪体）の厚さを薄くし、圧電／電歪素子
の体積に対し表面の割合の多い設計を採用しても、圧電
セラミック粒子内のクラック等の欠陥が少ないので、本
来有する圧電／電歪材料の特性を優位に引き出すことが
出来る。
【００４７】 又、膜状の電極を圧電／電歪体４の側面
に形成した際に、アンカー効果が適度に得られ、表面が
概ね一様、均質な状態であることとも併せ、電極面全体
が安定した密着状態となる。更に、電極面に粒内破壊粒
子が極少ないことから、信号電圧を印加した際に発生す
る歪みが結晶粒子全体から得られるとともに歪みの伝達
ロスが少なく、上記電極の密着性と相まって、圧電／電
歪素子の発生変位、発生力、又、発生電荷とも大きな値
を得ることが出来る。
に形成した際に、アンカー効果が適度に得られ、表面が
概ね一様、均質な状態であることとも併せ、電極面全体
が安定した密着状態となる。更に、電極面に粒内破壊粒
子が極少ないことから、信号電圧を印加した際に発生す
る歪みが結晶粒子全体から得られるとともに歪みの伝達
ロスが少なく、上記電極の密着性と相まって、圧電／電
歪素子の発生変位、発生力、又、発生電荷とも大きな値
を得ることが出来る。
【００４８】 尚、本発明において粒内破壊を受けてい
る結晶粒子の割合（例えば１０％以下）とは、圧電／電
歪体の側面（電極形成面）において、研磨、切断等の加
工により、結晶粒子本来の凹凸を表さず平面状（平坦）
に破壊されたものをいい、圧電／電歪体の側面を走査型
電子顕微鏡で観察し、撮影像上で上記様相を示す部位の
面積が観察視野面積に占める割合を算出することで求め
られる。例えば、撮影像を画像処理し、該当する様相部
位とそれ以外の部位とを濃淡で２値化し、割合を求めれ
ばよい。
る結晶粒子の割合（例えば１０％以下）とは、圧電／電
歪体の側面（電極形成面）において、研磨、切断等の加
工により、結晶粒子本来の凹凸を表さず平面状（平坦）
に破壊されたものをいい、圧電／電歪体の側面を走査型
電子顕微鏡で観察し、撮影像上で上記様相を示す部位の
面積が観察視野面積に占める割合を算出することで求め
られる。例えば、撮影像を画像処理し、該当する様相部
位とそれ以外の部位とを濃淡で２値化し、割合を求めれ
ばよい。
【００４９】 ４）接合部曲面形成
【００５０】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、
側面を表す図１（ｂ）、図１（ｃ）から理解されるよう
に、圧電／電歪素子３１（圧電／電歪体４）のセラミッ
ク基体２との接合部近傍が曲面１３を形成している。即
ち、圧電／電歪体４はセラミック基体２と接合する辺り
でセラミック基体２と離れた部分（例えば最上面）より
セラミック基体２と平行な面の断面積が大きい裾野状を
形成している（以下、圧電／電歪体のセラミック基体と
の接合部近傍を、裾野部ともいう）。従って、作用方向
が定まり易く、破損し難い。又、裾野状であることか
ら、基体部と圧電／電歪体との接合部分での電極膜の連
続性が向上し、圧電／電歪体４の側面電極と外部配線と
の接合信頼性は、より高くなる。
側面を表す図１（ｂ）、図１（ｃ）から理解されるよう
に、圧電／電歪素子３１（圧電／電歪体４）のセラミッ
ク基体２との接合部近傍が曲面１３を形成している。即
ち、圧電／電歪体４はセラミック基体２と接合する辺り
でセラミック基体２と離れた部分（例えば最上面）より
セラミック基体２と平行な面の断面積が大きい裾野状を
形成している（以下、圧電／電歪体のセラミック基体と
の接合部近傍を、裾野部ともいう）。従って、作用方向
が定まり易く、破損し難い。又、裾野状であることか
ら、基体部と圧電／電歪体との接合部分での電極膜の連
続性が向上し、圧電／電歪体４の側面電極と外部配線と
の接合信頼性は、より高くなる。
【００５１】 特に、上記接合部分では形成した電極膜
の膜厚が厚くなり、不均一な状態を形成し易く、付着強
度を増すための熱処理時の断線や、圧電／電歪素子を駆
動させたときの変位等による断線を惹起し易い。更に
は、マトリクス型圧電／電歪デバイス１に対する被作用
体からの反作用に対する耐性が向上し、例えば座屈し難
く、曲がり難くなる。
の膜厚が厚くなり、不均一な状態を形成し易く、付着強
度を増すための熱処理時の断線や、圧電／電歪素子を駆
動させたときの変位等による断線を惹起し易い。更に
は、マトリクス型圧電／電歪デバイス１に対する被作用
体からの反作用に対する耐性が向上し、例えば座屈し難
く、曲がり難くなる。
【００５２】 接合部近傍の曲面１３の半径は２０〜１
００μｍであることが好ましい。２０μｍよりも小さく
なると接合部近傍をＲ状にする効果が得難くなり、一
方、１００μｍより大きくなると強度面では有効である
ものの、裾野部における圧電／電歪素子３１の電極間距
離が大きくなることに加え、裾野部の割合が大きくなる
ことから、効率よく圧電／電歪素子３１を駆動すること
が出来難くなる。
００μｍであることが好ましい。２０μｍよりも小さく
なると接合部近傍をＲ状にする効果が得難くなり、一
方、１００μｍより大きくなると強度面では有効である
ものの、裾野部における圧電／電歪素子３１の電極間距
離が大きくなることに加え、裾野部の割合が大きくなる
ことから、効率よく圧電／電歪素子３１を駆動すること
が出来難くなる。
【００５３】 ５）電極端子形成
【００５４】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、
圧電／電歪素子３１がセラミック基体２上に立設され、
圧電／電歪体４の側面のうち、対向する距離の短い方の
側面に、電極１８，１９が形成されている。換言すれ
ば、電極１８，１９は、圧電／電歪素子３１の圧電／電
歪体４におけるセラミック基体２と平行方向の断面形
状、即ち、平行四辺形の一態様である長方形の、長辺を
含む側面に形成されている。
圧電／電歪素子３１がセラミック基体２上に立設され、
圧電／電歪体４の側面のうち、対向する距離の短い方の
側面に、電極１８，１９が形成されている。換言すれ
ば、電極１８，１９は、圧電／電歪素子３１の圧電／電
歪体４におけるセラミック基体２と平行方向の断面形
状、即ち、平行四辺形の一態様である長方形の、長辺を
含む側面に形成されている。
【００５５】 そして、セラミック基体２を挟んで圧電
／電歪素子３１が配置される面とは反対側の面に、電極
端子２０，２１が形成されていて、電極１８と電極端子
２０、及び、電極１９と電極端子２１とが、セラミック
基体２の内部に形成され、導電性材料が充填されたビア
ホール２２により配線している。当然ながら、ビアホー
ル２２の代わりに、内面に導電性材料が塗布されたスル
ーホールでもかまわない。このように駆動部である圧電
／電歪素子３１とは反対側に電極端子を形成しておくこ
とにより、後に電界をかけるための電源接続作業が容易
となり、製造工程に起因する歩留まり低下を防止し得
る。
／電歪素子３１が配置される面とは反対側の面に、電極
端子２０，２１が形成されていて、電極１８と電極端子
２０、及び、電極１９と電極端子２１とが、セラミック
基体２の内部に形成され、導電性材料が充填されたビア
ホール２２により配線している。当然ながら、ビアホー
ル２２の代わりに、内面に導電性材料が塗布されたスル
ーホールでもかまわない。このように駆動部である圧電
／電歪素子３１とは反対側に電極端子を形成しておくこ
とにより、後に電界をかけるための電源接続作業が容易
となり、製造工程に起因する歩留まり低下を防止し得
る。
【００５６】 ６）伸縮変位
【００５７】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、
圧電／電歪体４の伸縮する電界誘起歪みを屈曲モードの
変位に変換して利用するものではなく、その伸縮を、そ
のまま変位として利用する圧電／電歪デバイスなので、
大変位を得るための設計値を、発生力並びに応答性を低
下させることなく決定することが容易である。
圧電／電歪体４の伸縮する電界誘起歪みを屈曲モードの
変位に変換して利用するものではなく、その伸縮を、そ
のまま変位として利用する圧電／電歪デバイスなので、
大変位を得るための設計値を、発生力並びに応答性を低
下させることなく決定することが容易である。
【００５８】 ７）分極及び駆動電界の平行性
【００５９】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１にお
いては、圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電歪体４
は、図１（ａ）中、セラミック基体２の主面に平行なＰ
方向に分極されている。そして、電極端子２０，２１に
電源を接続し、電極１８側を正極、電極１９側を負極と
して電圧をかけることにより、駆動電界が方向Ｅに形成
される。即ち、圧電／電歪体４の分極電界と駆動電界と
が、同一方向になっている。
いては、圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電歪体４
は、図１（ａ）中、セラミック基体２の主面に平行なＰ
方向に分極されている。そして、電極端子２０，２１に
電源を接続し、電極１８側を正極、電極１９側を負極と
して電圧をかけることにより、駆動電界が方向Ｅに形成
される。即ち、圧電／電歪体４の分極電界と駆動電界と
が、同一方向になっている。
【００６０】 その結果、圧電／電歪体４の電界誘起歪
みの横効果に基づき、圧電／電歪素子３１がセラミック
基体２の主面に対し垂直にＳ方向に収縮し、又、これと
は逆に分極Ｐの方向とは１８０°反対の電界（但し、分
極反転が生じない電界強度）で伸長する。ここで、主面
とは、セラミック基体２の各面のうち、圧電／電歪体が
形成されている面を指す。
みの横効果に基づき、圧電／電歪素子３１がセラミック
基体２の主面に対し垂直にＳ方向に収縮し、又、これと
は逆に分極Ｐの方向とは１８０°反対の電界（但し、分
極反転が生じない電界強度）で伸長する。ここで、主面
とは、セラミック基体２の各面のうち、圧電／電歪体が
形成されている面を指す。
【００６１】 圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電
歪体４の分極電界と駆動電界とが平行であることから、
製造工程において、例えば、シアーモード（ｄ１５）
等、分極方向と駆動電界とが平行ではないモードを利用
する場合に必要な仮の分極用電極を作製し電界をかける
必要がなく、スループットの向上が図れる。
歪体４の分極電界と駆動電界とが平行であることから、
製造工程において、例えば、シアーモード（ｄ１５）
等、分極方向と駆動電界とが平行ではないモードを利用
する場合に必要な仮の分極用電極を作製し電界をかける
必要がなく、スループットの向上が図れる。
【００６２】 又、分極処理に関わりなく、キュリー温
度以上の高い温度での加熱を伴う製造プロセスを適用す
ることが可能である。従って、圧電／電歪デバイスを、
例えば、回路基板に固定・結線する際に、はんだリフロ
ー等によるはんだ付けや、熱硬化型接着が実施可能であ
り、圧電／電歪デバイスを適用した製品の製造工程を含
め、スループットの向上がいっそう図られ、製造コスト
の低減が導かれる。そして、高い電界強度で駆動して
も、分極状態が変化してしまうことがなく、むしろ、よ
り好ましい分極状態となり得て、安定して高い歪み量を
得ることが出来る。従って、よりコンパクトにすること
が出来、圧電／電歪デバイスとして好ましい。
度以上の高い温度での加熱を伴う製造プロセスを適用す
ることが可能である。従って、圧電／電歪デバイスを、
例えば、回路基板に固定・結線する際に、はんだリフロ
ー等によるはんだ付けや、熱硬化型接着が実施可能であ
り、圧電／電歪デバイスを適用した製品の製造工程を含
め、スループットの向上がいっそう図られ、製造コスト
の低減が導かれる。そして、高い電界強度で駆動して
も、分極状態が変化してしまうことがなく、むしろ、よ
り好ましい分極状態となり得て、安定して高い歪み量を
得ることが出来る。従って、よりコンパクトにすること
が出来、圧電／電歪デバイスとして好ましい。
【００６３】 ８）輪郭度に優れた圧電／電歪体
【００６４】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、
図１（ａ）に示されるように上記接合部近傍の曲面を除
いて概ね直方体を呈するが、後述する製造方法により、
圧電／電歪素子３１の圧電／電歪体４にかかる面の輪郭
度が概ね８μｍ以下となるように成形されている。従っ
て、変位や発生力を意図する方向に意図する量で作用さ
せることが容易であり、圧電／電歪素子３１の特性を効
率よく利用出来るという利点を有する。又、優れた輪郭
度であるために、圧電／電歪素子３１を作動させ、ある
対象を、押す、叩く等の作用から受ける反作用に対し
て、高い耐性を示し、高アスペクト比な細く背の高い圧
電／電歪素子であっても、折れ、割れ等の破損が生じ難
い。
図１（ａ）に示されるように上記接合部近傍の曲面を除
いて概ね直方体を呈するが、後述する製造方法により、
圧電／電歪素子３１の圧電／電歪体４にかかる面の輪郭
度が概ね８μｍ以下となるように成形されている。従っ
て、変位や発生力を意図する方向に意図する量で作用さ
せることが容易であり、圧電／電歪素子３１の特性を効
率よく利用出来るという利点を有する。又、優れた輪郭
度であるために、圧電／電歪素子３１を作動させ、ある
対象を、押す、叩く等の作用から受ける反作用に対し
て、高い耐性を示し、高アスペクト比な細く背の高い圧
電／電歪素子であっても、折れ、割れ等の破損が生じ難
い。
【００６５】 尚、面の輪郭度は、日本工業規格Ｂ０６
２１「幾何偏差の定義及び表示」に示されている。面の
輪郭とは機能上定められた形状をもつように指定した表
面であって、面の輪郭度とは理論的に正確な寸法によっ
て定められた幾何学的輪郭からの面の輪郭の狂いの大き
さをいう。
２１「幾何偏差の定義及び表示」に示されている。面の
輪郭とは機能上定められた形状をもつように指定した表
面であって、面の輪郭度とは理論的に正確な寸法によっ
て定められた幾何学的輪郭からの面の輪郭の狂いの大き
さをいう。
【００６６】 ９）高アスペクト比な圧電／電歪素子
【００６７】 一般に、マトリクス型圧電／電歪デバイ
スを構成する個々の圧電／電歪素子は、
スを構成する個々の圧電／電歪素子は、
【００６８】
【数１】
で表される数式に従う変位を発生し、一方、
【００６９】
【数２】
で表される数式に従う応力ＦBを発生する。つまり、変
位と発生力とは、別個に設計が可能なのである。ここ
で、Ｔは圧電／電歪体の厚さ、Ｌはその高さ、Ｗは幅で
あり、
位と発生力とは、別個に設計が可能なのである。ここ
で、Ｔは圧電／電歪体の厚さ、Ｌはその高さ、Ｗは幅で
あり、
【００７０】
【数３】
は弾性コンプライアンスである。従って、これらの数式
からわかるように、形状として、圧電／電歪体の厚さＴ
を薄く、そして高さＬを高くすることが、変位と発生力
を両立する上で有利であるが、従来、そのようなアスペ
クト比（Ｌ／Ｔ）の大きい板状体の取扱いは非常に困難
で、且つ、精度よく並べることは不可能であった。
からわかるように、形状として、圧電／電歪体の厚さＴ
を薄く、そして高さＬを高くすることが、変位と発生力
を両立する上で有利であるが、従来、そのようなアスペ
クト比（Ｌ／Ｔ）の大きい板状体の取扱いは非常に困難
で、且つ、精度よく並べることは不可能であった。
【００７１】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイス１は、後述する製造方法により、圧電／電歪素子
３１を個々に取り扱うことなく、又、圧電／電歪素子３
１を個々に並べる必要もなく、基体２と一体的に形成さ
れるとともに、アスペクト比が２０〜２００であり高ア
スペクト比な圧電／電歪素子になっており（図１（ａ）
〜図１（ｃ）では高さ方向を省略して描いている）、低
駆動電圧で、大きな変位並びに発生力が得られるように
構成されている。
バイス１は、後述する製造方法により、圧電／電歪素子
３１を個々に取り扱うことなく、又、圧電／電歪素子３
１を個々に並べる必要もなく、基体２と一体的に形成さ
れるとともに、アスペクト比が２０〜２００であり高ア
スペクト比な圧電／電歪素子になっており（図１（ａ）
〜図１（ｃ）では高さ方向を省略して描いている）、低
駆動電圧で、大きな変位並びに発生力が得られるように
構成されている。
【００７２】 １０）高集積圧電／電歪素子
【００７３】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１は、
後述する製造方法により、圧電／電歪素子３１の圧電／
電歪体４の厚さＴが３００μｍ以下であり薄く形成され
ている。加えて、駆動電極を圧電体４の外表面に形成し
た構造であり、圧電／電歪素子３１は従来になく高い集
積度で配置され得る。ピッチとしては、１ｍｍは勿論の
こと０．５ｍｍ以下でも基体２上に圧電／電歪素子３１
を二次元配置することが可能である。
後述する製造方法により、圧電／電歪素子３１の圧電／
電歪体４の厚さＴが３００μｍ以下であり薄く形成され
ている。加えて、駆動電極を圧電体４の外表面に形成し
た構造であり、圧電／電歪素子３１は従来になく高い集
積度で配置され得る。ピッチとしては、１ｍｍは勿論の
こと０．５ｍｍ以下でも基体２上に圧電／電歪素子３１
を二次元配置することが可能である。
【００７４】 又、９）高アスペクト比な圧電／電歪素
子の項で記したように、圧電／電歪素子３１を個々に取
り扱うことなく、又、圧電／電歪素子３１を個々に並べ
る必要もなく、基体２と一体的に形成されることから、
高アスペクト比体を高密度に配置することが出来る。具
体的には、圧電／電歪素子３１の配置密度は、圧電／電
歪素子３１の高さＬと、圧電／電歪素子３１と隣接する
圧電／電歪素子３１との間隔と、の比が概ね２０：１〜
２００：１になるような配置密度である。この高い集積
度を有するマトリクス型圧電／電歪デバイス１は、今後
開発される光交換器用の光スイッチやインクジェットプ
リンタ用のプリントヘッド、等に用いられるアクチュエ
ータとして好適である。
子の項で記したように、圧電／電歪素子３１を個々に取
り扱うことなく、又、圧電／電歪素子３１を個々に並べ
る必要もなく、基体２と一体的に形成されることから、
高アスペクト比体を高密度に配置することが出来る。具
体的には、圧電／電歪素子３１の配置密度は、圧電／電
歪素子３１の高さＬと、圧電／電歪素子３１と隣接する
圧電／電歪素子３１との間隔と、の比が概ね２０：１〜
２００：１になるような配置密度である。この高い集積
度を有するマトリクス型圧電／電歪デバイス１は、今後
開発される光交換器用の光スイッチやインクジェットプ
リンタ用のプリントヘッド、等に用いられるアクチュエ
ータとして好適である。
【００７５】 １１）圧電／電歪体側面の平滑性
【００７６】 マトリクス型圧電／電歪デバイス１にお
いては、圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電歪体４
の側面の表面粗さＲｔが９μｍ以下であり、表面粗さＲ
ａが０．１μｍ〜０．５μｍである。従って、表面が概
ね平滑且つ一様、均質な状態であることから、圧電／電
歪体４の厚さのバラツキが小さく、圧電／電歪体４の側
面への膜状の電極１８，１９の付着性がよく、又、均一
に形成出来るため、圧電／電歪体４を有効に駆動出来
る。つまり、圧電／電歪素子３１として、電界印加時の
応力分布が小さく、破損等を引き起こし難く、信頼性が
高く、更に、発生変位、発生力の偏りが、より小さく、
作用方向が、より均一になり得る。
いては、圧電／電歪素子３１を構成する圧電／電歪体４
の側面の表面粗さＲｔが９μｍ以下であり、表面粗さＲ
ａが０．１μｍ〜０．５μｍである。従って、表面が概
ね平滑且つ一様、均質な状態であることから、圧電／電
歪体４の厚さのバラツキが小さく、圧電／電歪体４の側
面への膜状の電極１８，１９の付着性がよく、又、均一
に形成出来るため、圧電／電歪体４を有効に駆動出来
る。つまり、圧電／電歪素子３１として、電界印加時の
応力分布が小さく、破損等を引き起こし難く、信頼性が
高く、更に、発生変位、発生力の偏りが、より小さく、
作用方向が、より均一になり得る。
【００７７】 表面粗さＲｔが９μｍより大きくなった
り、表面粗さＲａが０．５μｍより大きい場合には、圧
電／電歪体４の側面（表面）を均一にコートすることが
困難となり、緻密で均一な膜厚を有する電極の形成が困
難となる。加えて、表面粗さＲｔ、表面粗さＲａが大き
くなると、圧電／電歪体を挟んで対向する電極間距離が
不均一になるため、電界集中乃至分布が生じ易くなる。
り、表面粗さＲａが０．５μｍより大きい場合には、圧
電／電歪体４の側面（表面）を均一にコートすることが
困難となり、緻密で均一な膜厚を有する電極の形成が困
難となる。加えて、表面粗さＲｔ、表面粗さＲａが大き
くなると、圧電／電歪体を挟んで対向する電極間距離が
不均一になるため、電界集中乃至分布が生じ易くなる。
【００７８】 又、表面粗さＲａが０．１μｍより小さ
い場合には、電極（膜）の内部応力が大きくなり、圧電
／電歪素子の駆動に伴う経時的な剥がれが生じ易くな
る。従って、圧電／電歪体側面と電極との付着強度の低
減、圧電／電歪素子３１の有効電極面積の減少、不均一
な電界誘起歪みにより、効果的に圧電特性等を発現させ
ることが出来なくなるとともに、特性も不安定になり易
い。
い場合には、電極（膜）の内部応力が大きくなり、圧電
／電歪素子の駆動に伴う経時的な剥がれが生じ易くな
る。従って、圧電／電歪体側面と電極との付着強度の低
減、圧電／電歪素子３１の有効電極面積の減少、不均一
な電界誘起歪みにより、効果的に圧電特性等を発現させ
ることが出来なくなるとともに、特性も不安定になり易
い。
【００７９】 特に、表面粗さＲｔが９μｍより大きい
場合には、マトリクス型圧電／電歪デバイス１として、
作用印加時の反作用に対する強度、例えば座屈強度、曲
げ強度、のバラツキが圧電／電歪素子３１間で大きくな
り、安定して駆動するマトリクス型圧電／電歪デバイス
となり難い。
場合には、マトリクス型圧電／電歪デバイス１として、
作用印加時の反作用に対する強度、例えば座屈強度、曲
げ強度、のバラツキが圧電／電歪素子３１間で大きくな
り、安定して駆動するマトリクス型圧電／電歪デバイス
となり難い。
【００８０】 尚、表面粗さとは、日本工業規格Ｂ０６
０１”表面粗さ−定義及び表示”による表面粗さを指
し、表面粗さＲａとは、日本工業規格Ｂ０６０１−１９
８２に定める中心線平均粗さをいい、粗さ曲線を中心線
から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られた
面積を長さＬで割った値に相当する。一般には、表面粗
さ測定器に表示される目盛りから直読する。又、表面粗
さＲｔとは、測定表面における最高点と最低点との差に
て定義される最大高さＲｍａｘと同義である。
０１”表面粗さ−定義及び表示”による表面粗さを指
し、表面粗さＲａとは、日本工業規格Ｂ０６０１−１９
８２に定める中心線平均粗さをいい、粗さ曲線を中心線
から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られた
面積を長さＬで割った値に相当する。一般には、表面粗
さ測定器に表示される目盛りから直読する。又、表面粗
さＲｔとは、測定表面における最高点と最低点との差に
て定義される最大高さＲｍａｘと同義である。
【００８１】 以下、引き続き本発明に係るマトリクス
型圧電／電歪デバイスの実施形態について、図面を参酌
しながら、説明する。以下に示すマトリクス型圧電／電
歪デバイスにおいても、少なくとも上記した１）〜７）
の特徴を備えており、好ましくは上記した８）〜１１）
の特徴を備えてなる。
型圧電／電歪デバイスの実施形態について、図面を参酌
しながら、説明する。以下に示すマトリクス型圧電／電
歪デバイスにおいても、少なくとも上記した１）〜７）
の特徴を備えており、好ましくは上記した８）〜１１）
の特徴を備えてなる。
【００８２】 図９は、本発明に係るマトリクス型圧電
／電歪デバイスの他の実施形態を示す斜視図である。マ
トリクス型圧電／電歪デバイス９０は、セラミック基体
２上に、裾野部が曲面１３を形成した圧電／電歪体４と
一対の電極１８，１９とからなる複数の圧電／電歪素子
３３が隣接して形成され、隣接した２つ１組の圧電／電
歪素子３３のセラミック基体２とは反対側の面を平板７
で塞ぎ、セル３を形成してなる。圧電／電歪体４が印加
電界によりセラミック基体２上で歪みを発現し、圧電／
電歪素子３３が伸縮し駆動する。
／電歪デバイスの他の実施形態を示す斜視図である。マ
トリクス型圧電／電歪デバイス９０は、セラミック基体
２上に、裾野部が曲面１３を形成した圧電／電歪体４と
一対の電極１８，１９とからなる複数の圧電／電歪素子
３３が隣接して形成され、隣接した２つ１組の圧電／電
歪素子３３のセラミック基体２とは反対側の面を平板７
で塞ぎ、セル３を形成してなる。圧電／電歪体４が印加
電界によりセラミック基体２上で歪みを発現し、圧電／
電歪素子３３が伸縮し駆動する。
【００８３】 １組の圧電／電歪素子３３は、ともに同
時に伸ばし縮ませてもよく、一方のみを伸ばすか縮ませ
てもよく、一方を伸ばし他方を縮ませるといった反対動
作をさせることも好ましい。例えば、作用面である平板
７を被加圧物体に押し当てる動作をするとき、圧電／電
歪素子３３をともに同時に伸ばす動作によれば、１つの
圧電／電歪素子３３により伸ばす場合に比べて、平板７
を通して、より大きな駆動力により被加圧物体を押圧す
ることが出来る。
時に伸ばし縮ませてもよく、一方のみを伸ばすか縮ませ
てもよく、一方を伸ばし他方を縮ませるといった反対動
作をさせることも好ましい。例えば、作用面である平板
７を被加圧物体に押し当てる動作をするとき、圧電／電
歪素子３３をともに同時に伸ばす動作によれば、１つの
圧電／電歪素子３３により伸ばす場合に比べて、平板７
を通して、より大きな駆動力により被加圧物体を押圧す
ることが出来る。
【００８４】 これは上記した数１〜数３の式からわか
るように、圧電／電歪素子の幅Ｗを２Ｗとしたことと同
じことによる。加えて、本セル構造は、圧電／電歪体の
厚さＴを小さくしても平板７が存在することにより、単
体で構成したものよりも機械的強度が高く、且つ、変
位、発生力とも大きく出来、好ましい。又、一方を伸ば
し他方を縮ませるといった反対動作、又は一方だけを駆
動することにより、平板７の水平面から角度をつけて傾
けることが可能となり、例えば、平板７をマイクロミラ
ーにより構成して、マイクロミラーで入射した光の反射
角を変えるといった、例えばプロジェクタ、光スイッチ
等に用いられる光学系への応用が広がる。
るように、圧電／電歪素子の幅Ｗを２Ｗとしたことと同
じことによる。加えて、本セル構造は、圧電／電歪体の
厚さＴを小さくしても平板７が存在することにより、単
体で構成したものよりも機械的強度が高く、且つ、変
位、発生力とも大きく出来、好ましい。又、一方を伸ば
し他方を縮ませるといった反対動作、又は一方だけを駆
動することにより、平板７の水平面から角度をつけて傾
けることが可能となり、例えば、平板７をマイクロミラ
ーにより構成して、マイクロミラーで入射した光の反射
角を変えるといった、例えばプロジェクタ、光スイッチ
等に用いられる光学系への応用が広がる。
【００８５】 図２６は、本発明に係るマトリクス型圧
電／電歪デバイスの更に他の実施形態を示す斜視図であ
る。マトリクス型圧電／電歪デバイス２６０は、セラミ
ック基体２上に、裾野部が曲面１３を形成した一対の圧
電／電歪体４と電極１８，６９とからなる複数の圧電／
電歪素子４４が隣接して形成されてなる。そして、セラ
ミック基体２を挟んで圧電／電歪素子４４が配置される
面とは反対側の面に向けて、セラミック基体２中を貫通
し導電性材料が塗布されたスルーホール１２８，１２９
が形成され、図示しない電極端子に接続される。
電／電歪デバイスの更に他の実施形態を示す斜視図であ
る。マトリクス型圧電／電歪デバイス２６０は、セラミ
ック基体２上に、裾野部が曲面１３を形成した一対の圧
電／電歪体４と電極１８，６９とからなる複数の圧電／
電歪素子４４が隣接して形成されてなる。そして、セラ
ミック基体２を挟んで圧電／電歪素子４４が配置される
面とは反対側の面に向けて、セラミック基体２中を貫通
し導電性材料が塗布されたスルーホール１２８，１２９
が形成され、図示しない電極端子に接続される。
【００８６】 裾野部が曲面１３を形成した一対の圧電
／電歪体４の間には、可撓性の高い導電体、例えば接着
性を有する導電性樹脂、が挿入されていて、この導電体
を一方の電極６９として機能させる。電極６９は、圧電
／電歪体４が発生する歪みを阻害させない程度の可撓性
を備えていればよい。又、一対の圧電／電歪体４の、電
極６９とは反対側の面には、それぞれ電極１８が形成さ
れる。即ち、圧電／電歪素子４４は、圧電／電歪体４と
電極１８，６９とからなる１つの圧電／電歪素子が、電
極６９を共有して合体したものである。
／電歪体４の間には、可撓性の高い導電体、例えば接着
性を有する導電性樹脂、が挿入されていて、この導電体
を一方の電極６９として機能させる。電極６９は、圧電
／電歪体４が発生する歪みを阻害させない程度の可撓性
を備えていればよい。又、一対の圧電／電歪体４の、電
極６９とは反対側の面には、それぞれ電極１８が形成さ
れる。即ち、圧電／電歪素子４４は、圧電／電歪体４と
電極１８，６９とからなる１つの圧電／電歪素子が、電
極６９を共有して合体したものである。
【００８７】 マトリクス型圧電／電歪デバイス２６０
においては、圧電／電歪素子４４を構成する一対の圧電
／電歪体４の単体が、より薄く且つより高く形成出来る
ので、変位を発現し易い。一方、圧電／電歪素子４４と
しては、可撓性の導電体（電極６９）を介して対向させ
た一対の圧電／電歪体４で構成されており、尚且つ、一
対の圧電／電歪体４の裾野部は曲面１３を形成している
ため、機械強度が確保される。従って、低駆動電圧で大
変位、大応力が得られ、高性能な圧電／電歪素子として
機能し得る。上記のマトリクス型圧電／電歪デバイス９
０と比較しても、更に、圧電／電歪素子の形状効果を有
利に適用することが可能である。
においては、圧電／電歪素子４４を構成する一対の圧電
／電歪体４の単体が、より薄く且つより高く形成出来る
ので、変位を発現し易い。一方、圧電／電歪素子４４と
しては、可撓性の導電体（電極６９）を介して対向させ
た一対の圧電／電歪体４で構成されており、尚且つ、一
対の圧電／電歪体４の裾野部は曲面１３を形成している
ため、機械強度が確保される。従って、低駆動電圧で大
変位、大応力が得られ、高性能な圧電／電歪素子として
機能し得る。上記のマトリクス型圧電／電歪デバイス９
０と比較しても、更に、圧電／電歪素子の形状効果を有
利に適用することが可能である。
【００８８】 図示しないが、３つ以上の圧電／電歪素
子を１組として圧電／電歪素子３３のセラミック基体２
とは反対側の面を平板７で塞ぐように繋げてもかまわな
い。又、４つの側面を圧電／電歪素子３３で構成し閉じ
られたセル３を形成することも出来る。
子を１組として圧電／電歪素子３３のセラミック基体２
とは反対側の面を平板７で塞ぐように繋げてもかまわな
い。又、４つの側面を圧電／電歪素子３３で構成し閉じ
られたセル３を形成することも出来る。
【００８９】 図２１は、本発明に係るマトリクス型圧
電／電歪デバイスの更に他の実施形態を示す斜視図であ
る。マトリクス型圧電／電歪デバイス２１０は、一軸方
向に隣接する圧電／電歪素子３９の間に壁部８を設けて
なる。本構造に従えば、隣接する圧電／電歪素子３９間
の電気的干渉を防止し得るとともに、壁部８をマトリク
ス型圧電／電歪デバイスの作用対象との接合部として用
いることが出来るので、圧電／電歪デバイス作動時の被
作用体における近隣部位からの作用伝播を効果的に抑制
することが可能である。本発明のマトリクス型圧電／電
歪デバイスの特徴である、各圧電／電歪素子間の動作干
渉が極めて小さいことに加え、発生した変位乃至力を、
所定の部位近傍に集中的に作用させることが可能である
ため、作用効率の高い圧電／電歪デバイスが実現する。
電／電歪デバイスの更に他の実施形態を示す斜視図であ
る。マトリクス型圧電／電歪デバイス２１０は、一軸方
向に隣接する圧電／電歪素子３９の間に壁部８を設けて
なる。本構造に従えば、隣接する圧電／電歪素子３９間
の電気的干渉を防止し得るとともに、壁部８をマトリク
ス型圧電／電歪デバイスの作用対象との接合部として用
いることが出来るので、圧電／電歪デバイス作動時の被
作用体における近隣部位からの作用伝播を効果的に抑制
することが可能である。本発明のマトリクス型圧電／電
歪デバイスの特徴である、各圧電／電歪素子間の動作干
渉が極めて小さいことに加え、発生した変位乃至力を、
所定の部位近傍に集中的に作用させることが可能である
ため、作用効率の高い圧電／電歪デバイスが実現する。
【００９０】 電圧を印加していない状態において、壁
部と圧電／電歪素子とは、図２１に示されるマトリクス
型圧電／電歪デバイス２１０のように同一高さである必
要はなく、例えば、図２２に示されるマトリクス型圧電
／電歪デバイス２２０のように、壁部の方が圧電／電歪
素子より低くなっていてもよく、更には、図２３に示さ
れるマトリクス型圧電／電歪デバイス２３０のように、
壁部の方が圧電／電歪素子より高くなっていてもよく、
作用の対象に応じて適宜選択することが出来る。
部と圧電／電歪素子とは、図２１に示されるマトリクス
型圧電／電歪デバイス２１０のように同一高さである必
要はなく、例えば、図２２に示されるマトリクス型圧電
／電歪デバイス２２０のように、壁部の方が圧電／電歪
素子より低くなっていてもよく、更には、図２３に示さ
れるマトリクス型圧電／電歪デバイス２３０のように、
壁部の方が圧電／電歪素子より高くなっていてもよく、
作用の対象に応じて適宜選択することが出来る。
【００９１】 又、壁部は、一軸方向に隣接する圧電／
電歪素子の間に設けられるだけではなく、二軸方向に隣
接する圧電／電歪素子の間に設けられることも、勿論好
ましい。図２４に示されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イス２７０は、その一実施形態である。マトリクス型圧
電／電歪デバイス２７０においては、圧電／電歪素子４
５に対して、壁部８が二軸方向に隣接するため、圧電／
電歪素子４５から受ける作用が、上記したマトリクス型
圧電／電歪デバイス２１０，２２０，２３０に比較し
て、より逃げ難い。
電歪素子の間に設けられるだけではなく、二軸方向に隣
接する圧電／電歪素子の間に設けられることも、勿論好
ましい。図２４に示されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イス２７０は、その一実施形態である。マトリクス型圧
電／電歪デバイス２７０においては、圧電／電歪素子４
５に対して、壁部８が二軸方向に隣接するため、圧電／
電歪素子４５から受ける作用が、上記したマトリクス型
圧電／電歪デバイス２１０，２２０，２３０に比較し
て、より逃げ難い。
【００９２】 尚、壁部は、圧電／電歪素子と同材料で
構成されることになるため、次のような構成をとり得
る。第１に、予め壁部としての目的で形成し、ビアホー
ル、スルーホール等の配線部分を設けないように圧電／
電歪デバイスを形成する。第２に、圧電／電歪素子とし
ての配線等は有しているが、実際には素子として利用せ
ず、壁部としてのみ機能させるようにしてもかまわな
い。
構成されることになるため、次のような構成をとり得
る。第１に、予め壁部としての目的で形成し、ビアホー
ル、スルーホール等の配線部分を設けないように圧電／
電歪デバイスを形成する。第２に、圧電／電歪素子とし
ての配線等は有しているが、実際には素子として利用せ
ず、壁部としてのみ機能させるようにしてもかまわな
い。
【００９３】 図２５は、本発明に係るマトリクス型圧
電／電歪デバイスの更に他の実施形態を示す斜視図であ
る。マトリクス型圧電／電歪デバイス２５０は、隣接す
る圧電／電歪素子４３の間のセラミック基体２の表面に
溝部９を形成してなる。本構造に従えば、溝部９により
隣接する圧電／電歪素子４３における対向電極面を異な
る極性にすることが容易に出来る。又、溝部９の形成に
より圧電／電歪素子４３間の絶縁距離を大きくとれるの
で、圧電／電歪素子４３間のピッチを小さくしても短絡
等が生じる可能性を小さくすることが出来る。
電／電歪デバイスの更に他の実施形態を示す斜視図であ
る。マトリクス型圧電／電歪デバイス２５０は、隣接す
る圧電／電歪素子４３の間のセラミック基体２の表面に
溝部９を形成してなる。本構造に従えば、溝部９により
隣接する圧電／電歪素子４３における対向電極面を異な
る極性にすることが容易に出来る。又、溝部９の形成に
より圧電／電歪素子４３間の絶縁距離を大きくとれるの
で、圧電／電歪素子４３間のピッチを小さくしても短絡
等が生じる可能性を小さくすることが出来る。
【００９４】 図３０に示すマトリクス型圧電／電歪デ
バイス２８０は、高いアスペクト比を有した圧電／電歪
素子４６を高ピッチ（高密度）で配列してなる。本発明
によれば、このような一方向に寸法の大きい圧電／電歪
素子４６であっても、個々の圧電／電歪素子をハンドリ
ングする、即ち、基体２と圧電／電歪素子４６とを貼り
付ける、並びに、基体２どうしを貼り付ける、必要はな
く、意図した所定のピッチで、二次元に、歩留まりよく
配列することが可能である。
バイス２８０は、高いアスペクト比を有した圧電／電歪
素子４６を高ピッチ（高密度）で配列してなる。本発明
によれば、このような一方向に寸法の大きい圧電／電歪
素子４６であっても、個々の圧電／電歪素子をハンドリ
ングする、即ち、基体２と圧電／電歪素子４６とを貼り
付ける、並びに、基体２どうしを貼り付ける、必要はな
く、意図した所定のピッチで、二次元に、歩留まりよく
配列することが可能である。
【００９５】 尚、実際の使用にあたっては、各圧電／
電歪素子４６間への異物の進入による絶縁性低下の防
止、ハンドリング性の向上、等のために、各圧電／電歪
素子４６間に、変位並びに発生力を阻害しないだけの可
撓性のある絶縁体を充填することが好ましい。本発明に
おいて有利に採用されるピッチは２ｍｍ以下であり、好
ましくは１ｍｍ以下、更に好ましくは０．１〜０．５ｍ
ｍである。
電歪素子４６間への異物の進入による絶縁性低下の防
止、ハンドリング性の向上、等のために、各圧電／電歪
素子４６間に、変位並びに発生力を阻害しないだけの可
撓性のある絶縁体を充填することが好ましい。本発明に
おいて有利に採用されるピッチは２ｍｍ以下であり、好
ましくは１ｍｍ以下、更に好ましくは０．１〜０．５ｍ
ｍである。
【００９６】 図１２に示すマトリクス型圧電／電歪デ
バイス３７０は、上記マトリクス型圧電／電歪デバイス
２８０と同様に、高いアスペクト比を有した圧電／電歪
素子を高密度に配列してなるものであり、セラミック基
体４７２を貫通する図示しないビアホールと、セラミッ
ク基体４７２の圧電／電歪素子が配置される面とは反対
側の面に実装された配線基板３７１によって、電極端子
３２１を圧電／電歪デバイス前面に配置したものであ
る。このような構成をとることによって、電極端子３２
１と電源との接合が容易になり、又、配線基板３７１を
ハンドリングに利用することも可能となる。
バイス３７０は、上記マトリクス型圧電／電歪デバイス
２８０と同様に、高いアスペクト比を有した圧電／電歪
素子を高密度に配列してなるものであり、セラミック基
体４７２を貫通する図示しないビアホールと、セラミッ
ク基体４７２の圧電／電歪素子が配置される面とは反対
側の面に実装された配線基板３７１によって、電極端子
３２１を圧電／電歪デバイス前面に配置したものであ
る。このような構成をとることによって、電極端子３２
１と電源との接合が容易になり、又、配線基板３７１を
ハンドリングに利用することも可能となる。
【００９７】 図３３は、本発明に係るマトリクス型圧
電／電歪デバイスの一実施形態を示す斜視図である。マ
トリクス型圧電／電歪デバイス８０は、セラミック基体
２上に、裾野部が曲面１３を形成した圧電／電歪体１４
と、一対の電極、詳細には一対の共通電極２８，２９及
び内部電極４８，４９と、からなる複数の圧電／電歪素
子３２が形成されてなり、圧電／電歪体１４が印加電界
によりセラミック基体２上で歪みを発現することにより
駆動する圧電／電歪デバイスである。
電／電歪デバイスの一実施形態を示す斜視図である。マ
トリクス型圧電／電歪デバイス８０は、セラミック基体
２上に、裾野部が曲面１３を形成した圧電／電歪体１４
と、一対の電極、詳細には一対の共通電極２８，２９及
び内部電極４８，４９と、からなる複数の圧電／電歪素
子３２が形成されてなり、圧電／電歪体１４が印加電界
によりセラミック基体２上で歪みを発現することにより
駆動する圧電／電歪デバイスである。
【００９８】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイス８０は、上記説明したマトリクス型圧電／電歪デ
バイスと同様に、少なくとも、１）二次元整列配置圧電
／電歪素子、２）相互完全独立圧電／電歪素子、３）低
粒内破壊面に電極形成、４）接合部曲面形成、５）電極
端子形成、６）伸縮変位、７）分極及び駆動電界の平行
性、という特徴を有し、好ましくは、８）輪郭度に優れ
た圧電／電歪体、９）高アスペクト比な圧電／電歪素
子、１０）高集積圧電／電歪素子、１１）圧電／電歪体
側面の平滑性、という特徴を有する。
バイス８０は、上記説明したマトリクス型圧電／電歪デ
バイスと同様に、少なくとも、１）二次元整列配置圧電
／電歪素子、２）相互完全独立圧電／電歪素子、３）低
粒内破壊面に電極形成、４）接合部曲面形成、５）電極
端子形成、６）伸縮変位、７）分極及び駆動電界の平行
性、という特徴を有し、好ましくは、８）輪郭度に優れ
た圧電／電歪体、９）高アスペクト比な圧電／電歪素
子、１０）高集積圧電／電歪素子、１１）圧電／電歪体
側面の平滑性、という特徴を有する。
【００９９】 しかしながら、マトリクス型圧電／電歪
デバイス８０は、次の２点において、上記説明したマト
リクス型圧電／電歪デバイスの態様とは異なる。
デバイス８０は、次の２点において、上記説明したマト
リクス型圧電／電歪デバイスの態様とは異なる。
【０１００】 先ず、上記のマトリクス型圧電／電歪デ
バイス１と同様に、セラミック基体２を挟んで圧電／電
歪素子３２が配置される面とは反対側の面に電極端子が
形成され各電極と各電極端子とがビアホールで導通する
態様をとり得るが、一方、略直方体状の圧電／電歪素子
がセラミック基体上に立設され圧電／電歪体の側面に、
単に一対の電極が形成されている圧電／電歪素子ではな
く、圧電／電歪素子は、セラミック基体上に層状の圧電
／電歪体と層状の内部電極とが交互に複数層積層されて
いる点で異なる。即ち、図３３に示されるマトリクス型
圧電／電歪デバイス８０では、上記のマトリクス型圧電
／電歪デバイス１と同様に、圧電／電歪素子の側面（低
粒内破壊面）に電極が形成されているが、後述するよう
に、これらは内部電極とそれぞれ１層おきに接合される
ものであって、各１層おきの内部電極に、同じ信号を印
加するための共通電極として機能するものである。
バイス１と同様に、セラミック基体２を挟んで圧電／電
歪素子３２が配置される面とは反対側の面に電極端子が
形成され各電極と各電極端子とがビアホールで導通する
態様をとり得るが、一方、略直方体状の圧電／電歪素子
がセラミック基体上に立設され圧電／電歪体の側面に、
単に一対の電極が形成されている圧電／電歪素子ではな
く、圧電／電歪素子は、セラミック基体上に層状の圧電
／電歪体と層状の内部電極とが交互に複数層積層されて
いる点で異なる。即ち、図３３に示されるマトリクス型
圧電／電歪デバイス８０では、上記のマトリクス型圧電
／電歪デバイス１と同様に、圧電／電歪素子の側面（低
粒内破壊面）に電極が形成されているが、後述するよう
に、これらは内部電極とそれぞれ１層おきに接合される
ものであって、各１層おきの内部電極に、同じ信号を印
加するための共通電極として機能するものである。
【０１０１】 次に、上記のマトリクス型圧電／電歪デ
バイス１と同様に分極電界と駆動電界とは平行なのであ
るが、マトリクス型圧電／電歪デバイス１が圧電／電歪
体の電界誘起歪みの横効果による変位に基づき圧電／電
歪素子がセラミック基体主面に対し垂直方向に伸縮する
のに対し、圧電／電歪体の電界誘起歪みの縦効果による
変位に基づき、圧電／電歪素子がセラミック基体主面に
対して垂直方向に伸縮する点で異なる。
バイス１と同様に分極電界と駆動電界とは平行なのであ
るが、マトリクス型圧電／電歪デバイス１が圧電／電歪
体の電界誘起歪みの横効果による変位に基づき圧電／電
歪素子がセラミック基体主面に対し垂直方向に伸縮する
のに対し、圧電／電歪体の電界誘起歪みの縦効果による
変位に基づき、圧電／電歪素子がセラミック基体主面に
対して垂直方向に伸縮する点で異なる。
【０１０２】 図３４は、図３３におけるマトリクス型
圧電／電歪デバイス８０の圧電／電歪素子３２を、共通
電極２８，２９及び内部電極４８，４９を通る垂直断面
を側面から見た図である。マトリクス型圧電／電歪デバ
イス８０は、圧電／電歪素子３２が、層状の圧電／電歪
体１４と層状の内部電極４８，４９とが交互に積層され
てなっていて、圧電／電歪体１４を１０層有する。用
途、目的によって適宜決められることとなるが、アクチ
ュエータ特性の安定面、製造のし易さから圧電／電歪層
の積層数は好ましくは１０〜２００層である。
圧電／電歪デバイス８０の圧電／電歪素子３２を、共通
電極２８，２９及び内部電極４８，４９を通る垂直断面
を側面から見た図である。マトリクス型圧電／電歪デバ
イス８０は、圧電／電歪素子３２が、層状の圧電／電歪
体１４と層状の内部電極４８，４９とが交互に積層され
てなっていて、圧電／電歪体１４を１０層有する。用
途、目的によって適宜決められることとなるが、アクチ
ュエータ特性の安定面、製造のし易さから圧電／電歪層
の積層数は好ましくは１０〜２００層である。
【０１０３】 マトリクス型圧電／電歪デバイス８０に
おいては、圧電／電歪素子３２を構成する圧電／電歪体
１４は、例えば図中Ｐ方向に分極されている。そして、
電極端子２０，２１に電源を接続し、共通電極２８，２
９間に共通電極２８側を正、共通電極２９側を負にして
電圧を印加することにより、Ｅ方向の電界が形成され
る。即ち、分極が互いに反対方向の層状の圧電／電歪体
１４が内部電極４８，４９を挟んで積層されてなり、各
々の圧電／電歪体１４においては、分極と駆動電界と
が、同一方向になっている。その結果、圧電／電歪体１
４には電界誘起歪みが発現し、その縦効果による変位に
基づき、圧電／電歪素子３２がセラミック基体２の主面
に対しその積層方向であるＳ方向に伸縮する。従来のユ
ニモルフやバイモルフのような屈曲変位ではなく、電界
誘起歪みを直接利用した伸縮変位であるため、発生力は
大きく、且つ、応答速度も高い。
おいては、圧電／電歪素子３２を構成する圧電／電歪体
１４は、例えば図中Ｐ方向に分極されている。そして、
電極端子２０，２１に電源を接続し、共通電極２８，２
９間に共通電極２８側を正、共通電極２９側を負にして
電圧を印加することにより、Ｅ方向の電界が形成され
る。即ち、分極が互いに反対方向の層状の圧電／電歪体
１４が内部電極４８，４９を挟んで積層されてなり、各
々の圧電／電歪体１４においては、分極と駆動電界と
が、同一方向になっている。その結果、圧電／電歪体１
４には電界誘起歪みが発現し、その縦効果による変位に
基づき、圧電／電歪素子３２がセラミック基体２の主面
に対しその積層方向であるＳ方向に伸縮する。従来のユ
ニモルフやバイモルフのような屈曲変位ではなく、電界
誘起歪みを直接利用した伸縮変位であるため、発生力は
大きく、且つ、応答速度も高い。
【０１０４】 更に、このタイプの圧電／電歪素子は、
電界誘起歪みの横効果を利用する図１（ａ）等に開示し
たものと比較しても、発生力、応答速度の点で優れる。
個々の層が発現する変位量は小さいが、圧電／電歪層の
層数、より正確には圧電／電歪層と一対の電極からなる
組の数に比例した変位量となるので、大変位を得るには
総数を増せばよい。尚、層数の増加に伴い、共通電極と
内部電極との導通に対する信頼性が低下し易くなる点、
静電容量が増加するため消費電力が大きくなる点、製造
工数も多くかかる点、に留意が必要である。
電界誘起歪みの横効果を利用する図１（ａ）等に開示し
たものと比較しても、発生力、応答速度の点で優れる。
個々の層が発現する変位量は小さいが、圧電／電歪層の
層数、より正確には圧電／電歪層と一対の電極からなる
組の数に比例した変位量となるので、大変位を得るには
総数を増せばよい。尚、層数の増加に伴い、共通電極と
内部電極との導通に対する信頼性が低下し易くなる点、
静電容量が増加するため消費電力が大きくなる点、製造
工数も多くかかる点、に留意が必要である。
【０１０５】 又、この図３３に示されるようなマトリ
クス型圧電／電歪デバイス８０においては、低電圧で駆
動出来るように、圧電／電歪体１４の１層当たりの厚さ
は、１００μｍ以下とすることが好ましく、１０〜８０
μｍとすることがより好ましい。
クス型圧電／電歪デバイス８０においては、低電圧で駆
動出来るように、圧電／電歪体１４の１層当たりの厚さ
は、１００μｍ以下とすることが好ましく、１０〜８０
μｍとすることがより好ましい。
【０１０６】 次に、本発明に係るマトリクス型圧電／
電歪デバイスの適用例を掲げて、図面を参酌しながら説
明する。
電歪デバイスの適用例を掲げて、図面を参酌しながら説
明する。
【０１０７】 図６（ａ）、図６（ｂ）は、本発明のマ
トリクス型圧電／電歪デバイスをマイクロバルブにアク
チュエータとして適用した例を示す図であり、図６
（ａ）はマイクロバルブのアクチュエータ部の斜視図で
あり、図６（ｂ）はマイクロバルブの垂直断面図であ
る。マイクロバルブ６５は、弁座部６４とアクチュエー
タ部６１とを備えてなり、マトリクス型圧電／電歪デバ
イスをアクチュエータ部６１として用いるマイクロバル
ブである。
トリクス型圧電／電歪デバイスをマイクロバルブにアク
チュエータとして適用した例を示す図であり、図６
（ａ）はマイクロバルブのアクチュエータ部の斜視図で
あり、図６（ｂ）はマイクロバルブの垂直断面図であ
る。マイクロバルブ６５は、弁座部６４とアクチュエー
タ部６１とを備えてなり、マトリクス型圧電／電歪デバ
イスをアクチュエータ部６１として用いるマイクロバル
ブである。
【０１０８】 弁座部６４は、アクチュエータ部６１の
複数の圧電／電歪素子３７と対をなす開口部６３を有
し、アクチュエータ部６１は、圧電／電歪素子３７が外
部信号により変位し、圧電／電歪素子３７のセラミック
基体２とは反対側の面に弁体部６６を備えている。そし
て、アクチュエータ部６１の圧電／電歪素子３７の変位
を通じて、弁座部６４の開口部６３に弁体部６６を接近
／離反させて、開口部６３の通過断面積を変更すること
が出来る。この動作を通じて、開口部６３を通過する例
えば流体６７等の流量を調節し得る。
複数の圧電／電歪素子３７と対をなす開口部６３を有
し、アクチュエータ部６１は、圧電／電歪素子３７が外
部信号により変位し、圧電／電歪素子３７のセラミック
基体２とは反対側の面に弁体部６６を備えている。そし
て、アクチュエータ部６１の圧電／電歪素子３７の変位
を通じて、弁座部６４の開口部６３に弁体部６６を接近
／離反させて、開口部６３の通過断面積を変更すること
が出来る。この動作を通じて、開口部６３を通過する例
えば流体６７等の流量を調節し得る。
【０１０９】 マイクロバルブ６５は、圧電／電歪素子
３７の変位量を変えることにより開口部６３の通過断面
積を自在に調節することが出来る。図６（ｂ）に圧電／
電歪素子３７の状態を模式的に示す。ここで圧電／電歪
素子が先の図１（ａ）に示されるタイプの素子であれ
ば、図６（ｂ）中において左側の圧電／電歪素子３７ａ
は所定の印加電圧で縮んだ状態であり、このとき弁体部
６６は開口部６３を全開にして、開口部６３を通過する
流体６７の流量を最大にする。図６（ｂ）中において右
側の圧電／電歪素子３７ｃは非作動状態であり、このと
き弁体部６６は開口部６３を全閉にして、開口部６３を
流体６７は通過出来ない。圧電／電歪素子３７の変位量
を変えて圧電／電歪素子３７ａ〜圧電／電歪素子３７ｃ
の間の任意の状態にすることが出来、その結果、開口部
６３の通過断面積が自在に調節され、開口部６３を通過
する流体６７等の流量も調節される。図６（ｂ）中にお
ける真中の圧電／電歪素子３７ｂの状態は、その一例で
ある。従って、マイクロバルブ６５は、ＯＮ−ＯＦＦ弁
のみならず調節弁として機能し得る。
３７の変位量を変えることにより開口部６３の通過断面
積を自在に調節することが出来る。図６（ｂ）に圧電／
電歪素子３７の状態を模式的に示す。ここで圧電／電歪
素子が先の図１（ａ）に示されるタイプの素子であれ
ば、図６（ｂ）中において左側の圧電／電歪素子３７ａ
は所定の印加電圧で縮んだ状態であり、このとき弁体部
６６は開口部６３を全開にして、開口部６３を通過する
流体６７の流量を最大にする。図６（ｂ）中において右
側の圧電／電歪素子３７ｃは非作動状態であり、このと
き弁体部６６は開口部６３を全閉にして、開口部６３を
流体６７は通過出来ない。圧電／電歪素子３７の変位量
を変えて圧電／電歪素子３７ａ〜圧電／電歪素子３７ｃ
の間の任意の状態にすることが出来、その結果、開口部
６３の通過断面積が自在に調節され、開口部６３を通過
する流体６７等の流量も調節される。図６（ｂ）中にお
ける真中の圧電／電歪素子３７ｂの状態は、その一例で
ある。従って、マイクロバルブ６５は、ＯＮ−ＯＦＦ弁
のみならず調節弁として機能し得る。
【０１１０】 尚、開口部６３及び弁体部６６の形状は
本例に限定されるものではなく、圧電／電歪素子３７の
変位量と流体６７等の通過流量との関係をリニアにする
か２次曲線的にするか、等の検討を行い、一般の弁と同
様に開口部６３及び弁体部６６の形状を決定することが
出来る。
本例に限定されるものではなく、圧電／電歪素子３７の
変位量と流体６７等の通過流量との関係をリニアにする
か２次曲線的にするか、等の検討を行い、一般の弁と同
様に開口部６３及び弁体部６６の形状を決定することが
出来る。
【０１１１】 マイクロバルブは、開口部を通過する流
体等の流量が自在に変えられるため、流体、例えば空気
が、開口部から吹き出るときの圧力を自在に変えること
も可能である。従って、マイクロバルブは、その圧力を
利用して開口部上面の圧力を波打つように変えること等
の手段により、開口部上面に載った被搬送体を、所定の
一の場所から所定の他の場所へ位置決めしながら移送す
る、といった搬送装置として用いることが可能である。
紙のような軽量被搬送体であれば、浮かせながら非接触
で搬送することも出来、このような搬送装置は、印刷面
を掴み代にすることが好ましくない印刷物等の搬送には
好適である。
体等の流量が自在に変えられるため、流体、例えば空気
が、開口部から吹き出るときの圧力を自在に変えること
も可能である。従って、マイクロバルブは、その圧力を
利用して開口部上面の圧力を波打つように変えること等
の手段により、開口部上面に載った被搬送体を、所定の
一の場所から所定の他の場所へ位置決めしながら移送す
る、といった搬送装置として用いることが可能である。
紙のような軽量被搬送体であれば、浮かせながら非接触
で搬送することも出来、このような搬送装置は、印刷面
を掴み代にすることが好ましくない印刷物等の搬送には
好適である。
【０１１２】 図７（ａ）、図７（ｂ）は、本発明のマ
トリクス型圧電／電歪デバイスを光干渉計と組み合わ
せ、光変調器とした例を示す図であり、図７（ａ）は光
干渉計の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡＡ
断面を示す図である。光干渉計７４は、２つの方向性結
合器７３と、それらを２本のアーム光導波路コア部７７
ａ，７７ｂで接続したものであり、光変調器７５は、そ
の光干渉計７４に光導波路コア部７７ａ，７７ｂの何れ
か片方の少なくとも一部分に応力を印加するためのアク
チュエータ部７１を備える。
トリクス型圧電／電歪デバイスを光干渉計と組み合わ
せ、光変調器とした例を示す図であり、図７（ａ）は光
干渉計の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡＡ
断面を示す図である。光干渉計７４は、２つの方向性結
合器７３と、それらを２本のアーム光導波路コア部７７
ａ，７７ｂで接続したものであり、光変調器７５は、そ
の光干渉計７４に光導波路コア部７７ａ，７７ｂの何れ
か片方の少なくとも一部分に応力を印加するためのアク
チュエータ部７１を備える。
【０１１３】 具体的には、例えば図７（ｂ）のよう
に、基板７２（例えばシリコン）上のクラッド部７７ｃ
と光導波路コア部７７ａ，７７ｂからなる光導波路７７
（例えば石英導波路、ポリイミド等のポリマー導波路）
に対して、片側の光導波路コア部７７ａに対向してアク
チュエータ部７１が配設されている。アクチュエータ部
７１と光導波路７７との間に空隙をもたせ、必要なとき
に接触して応力がかかるような構成であっても、空隙を
もたずに常に接触した状態で、その状態から応力を印加
する構成でもよい。前者の場合、更に、電圧印加によっ
て、それら空隙をなくすとともに応力が印加されるもの
であっても、逆に、初期の状態で応力が印加されてお
り、電圧印加によって応力が低減され空隙を形成するも
のであってもよいのである。
に、基板７２（例えばシリコン）上のクラッド部７７ｃ
と光導波路コア部７７ａ，７７ｂからなる光導波路７７
（例えば石英導波路、ポリイミド等のポリマー導波路）
に対して、片側の光導波路コア部７７ａに対向してアク
チュエータ部７１が配設されている。アクチュエータ部
７１と光導波路７７との間に空隙をもたせ、必要なとき
に接触して応力がかかるような構成であっても、空隙を
もたずに常に接触した状態で、その状態から応力を印加
する構成でもよい。前者の場合、更に、電圧印加によっ
て、それら空隙をなくすとともに応力が印加されるもの
であっても、逆に、初期の状態で応力が印加されてお
り、電圧印加によって応力が低減され空隙を形成するも
のであってもよいのである。
【０１１４】 そして光の変調は、光導波路コア部７７
ａへ応力を印加すると、そのコアの屈折率が変わり、そ
の結果、２本のアーム光導波路コア部７７ａ，７７ｂを
伝送するそれぞれの光に位相差が生じ、その位相差に応
じた強度の光を出力出来る。特定の位相差にすれば、伝
送する光の消灯（ＯＦＦ）、点灯（ＯＮ）の２値を出力
可能である。
ａへ応力を印加すると、そのコアの屈折率が変わり、そ
の結果、２本のアーム光導波路コア部７７ａ，７７ｂを
伝送するそれぞれの光に位相差が生じ、その位相差に応
じた強度の光を出力出来る。特定の位相差にすれば、伝
送する光の消灯（ＯＦＦ）、点灯（ＯＮ）の２値を出力
可能である。
【０１１５】 従って、この光変調器を二次元的に配置
すれば、上記したＯＮ−ＯＦＦ機能を利用して、伝送経
路のスイッチングを行わせることが出来る。本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスは基体部を有し、面
として構成されているので、このような二次元に配列し
た光干渉計と対向して配置させるのに好適であり、又、
本発明に係るのマトリクス型圧電／電歪デバイスの大き
な発生変位をもってすれば、対向させる場合の空隙精度
もそれほど必要としない。更に、光導波路コアの屈折率
変化には比較的大きな応力を要するが、これも本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの高い発生力をも
ってすれば容易に実現出来る。
すれば、上記したＯＮ−ＯＦＦ機能を利用して、伝送経
路のスイッチングを行わせることが出来る。本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスは基体部を有し、面
として構成されているので、このような二次元に配列し
た光干渉計と対向して配置させるのに好適であり、又、
本発明に係るのマトリクス型圧電／電歪デバイスの大き
な発生変位をもってすれば、対向させる場合の空隙精度
もそれほど必要としない。更に、光導波路コアの屈折率
変化には比較的大きな応力を要するが、これも本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの高い発生力をも
ってすれば容易に実現出来る。
【０１１６】 又、通常、このような屈折率変化には光
導波路材料の熱光学効果を利用するものが一般的である
が、そのような熱を用いるものは、クロストークを低減
させたり、応答性を高めるための除熱機構が必須であ
り、更に、スイッチ自体の昇温による誤動作を防止する
ために、冷却等の空調下で使用するなどの制約を強いら
れる場合がある。応力による屈折率制御を用いれば、そ
のような制約は排除出来、熱源を要さないので消費電力
的にも有利なスイッチが実現出来る。
導波路材料の熱光学効果を利用するものが一般的である
が、そのような熱を用いるものは、クロストークを低減
させたり、応答性を高めるための除熱機構が必須であ
り、更に、スイッチ自体の昇温による誤動作を防止する
ために、冷却等の空調下で使用するなどの制約を強いら
れる場合がある。応力による屈折率制御を用いれば、そ
のような制約は排除出来、熱源を要さないので消費電力
的にも有利なスイッチが実現出来る。
【０１１７】 本発明のマトリクス型圧電／電歪デバイ
スは、先に図２（ａ）、図２（ｂ）に示した光スイッチ
２００においても、図示されたアクチュエータ部２１１
の代わりに、アクチュエータ部として採用することが出
来る。
スは、先に図２（ａ）、図２（ｂ）に示した光スイッチ
２００においても、図示されたアクチュエータ部２１１
の代わりに、アクチュエータ部として採用することが出
来る。
【０１１８】 図２（ａ）、図２（ｂ）に示される光ス
イッチ２００は、光伝達部２０１と光路変更部２０８と
アクチュエータ部２１１とからなり、光伝達部２０１
は、光路変更部２０８に対向する面の一部に設けられる
光反射面１０１、及び、光反射面１０１を起点に３方向
に向けて設けられる光伝達経路２０２，２０４，２０５
を有し、又、光路変更部２０８は、光伝達部２０１の光
反射面１０１に移動可能な状態で近接され、透光性の材
質からなる光導入部材２０９、及び、光を全反射する光
反射部材２１０を有し、更には、アクチュエータ部２１
１は、外部信号により変位し、変位を光路変更部２０８
に伝達する機構を有するものであり、アクチュエータ部
２１１の作動により、光伝達部２０１の光反射面１０１
に、光路変更部２０８を接触又は離隔させて、光伝達経
路２０２に入力した光２２１を、光伝達部２０１の光反
射面１０１で全反射させて出力側の特定の光伝達経路２
０４に伝達させたり、光導入部材２０９に取り出し光反
射部材２１０の光反射面１０２で全反射させて出力側の
特定の光伝達経路２０５に伝達させたりすることが出来
る。このような光スイッチ２００において、屈曲変位を
発するアクチュエータ部２１１に代えて、本発明のマト
リクス型圧電／電歪デバイスをアクチュエータ部に採用
することにより、コントラストの高い、低損失な光スイ
ッチにすることが可能である。
イッチ２００は、光伝達部２０１と光路変更部２０８と
アクチュエータ部２１１とからなり、光伝達部２０１
は、光路変更部２０８に対向する面の一部に設けられる
光反射面１０１、及び、光反射面１０１を起点に３方向
に向けて設けられる光伝達経路２０２，２０４，２０５
を有し、又、光路変更部２０８は、光伝達部２０１の光
反射面１０１に移動可能な状態で近接され、透光性の材
質からなる光導入部材２０９、及び、光を全反射する光
反射部材２１０を有し、更には、アクチュエータ部２１
１は、外部信号により変位し、変位を光路変更部２０８
に伝達する機構を有するものであり、アクチュエータ部
２１１の作動により、光伝達部２０１の光反射面１０１
に、光路変更部２０８を接触又は離隔させて、光伝達経
路２０２に入力した光２２１を、光伝達部２０１の光反
射面１０１で全反射させて出力側の特定の光伝達経路２
０４に伝達させたり、光導入部材２０９に取り出し光反
射部材２１０の光反射面１０２で全反射させて出力側の
特定の光伝達経路２０５に伝達させたりすることが出来
る。このような光スイッチ２００において、屈曲変位を
発するアクチュエータ部２１１に代えて、本発明のマト
リクス型圧電／電歪デバイスをアクチュエータ部に採用
することにより、コントラストの高い、低損失な光スイ
ッチにすることが可能である。
【０１１９】 続いて、本発明に係るマトリクス型圧電
／電歪デバイスをアクチュエータ部として適用した光ス
イッチの他の実施形態について説明する。
／電歪デバイスをアクチュエータ部として適用した光ス
イッチの他の実施形態について説明する。
【０１２０】 図１６に示される光スイッチ２９０は、
２００１年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエ
ティ大会予稿集Ｐ１８２に公表されているものである。
光スイッチ２９０は、光導波路部材１７７に光導波路コ
ア部１７７ａ〜１７７ｄが互いに交差するように形成さ
れ、且つ、その交差部分である光路変更部２９８ａ〜２
９８ｄに切込みが形成されてなる。
２００１年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエ
ティ大会予稿集Ｐ１８２に公表されているものである。
光スイッチ２９０は、光導波路部材１７７に光導波路コ
ア部１７７ａ〜１７７ｄが互いに交差するように形成さ
れ、且つ、その交差部分である光路変更部２９８ａ〜２
９８ｄに切込みが形成されてなる。
【０１２１】 光スイッチ２９０は、アクチュエータ部
等の駆動機構の動作を用いて、その切込みを変形させる
ことによって、光学的に不連続な部分を形成し、何れか
の光導波路コア部１７７ａ〜１７７ｄに入力された光の
伝送経路を、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄにおいて変
え得るマトリクススイッチである。尚、図１６において
は、光導波路コア部１７７ａに入力された光２２３の伝
送経路を、光路変更部２９８ｂにおいて、光導波路コア
部１７７ｂに変える様子を表している。
等の駆動機構の動作を用いて、その切込みを変形させる
ことによって、光学的に不連続な部分を形成し、何れか
の光導波路コア部１７７ａ〜１７７ｄに入力された光の
伝送経路を、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄにおいて変
え得るマトリクススイッチである。尚、図１６において
は、光導波路コア部１７７ａに入力された光２２３の伝
送経路を、光路変更部２９８ｂにおいて、光導波路コア
部１７７ｂに変える様子を表している。
【０１２２】 光スイッチ２９０では、クロストークを
小さくするために、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄの切
込みを、より大きく開かせることが重要である。そのた
めには、アクチュエータ部（駆動機構）に大変位が要求
される。
小さくするために、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄの切
込みを、より大きく開かせることが重要である。そのた
めには、アクチュエータ部（駆動機構）に大変位が要求
される。
【０１２３】 又、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄが、
光学的不連続状態と連続状態とを、良好に再現し得るこ
とが重要である。そのためには、比較的、高ヤング率な
材料を光導波路部材１７７の材料として適用し、光路変
更部２９８ａ〜２９８ｄの切込みの復元動作が有利に行
われるようにすることが好ましい。従って、高ヤング率
な材料を歪ませるためには、アクチュエータ部として、
大きな発生力が要求される。
光学的不連続状態と連続状態とを、良好に再現し得るこ
とが重要である。そのためには、比較的、高ヤング率な
材料を光導波路部材１７７の材料として適用し、光路変
更部２９８ａ〜２９８ｄの切込みの復元動作が有利に行
われるようにすることが好ましい。従って、高ヤング率
な材料を歪ませるためには、アクチュエータ部として、
大きな発生力が要求される。
【０１２４】 更に、通常、光導波路コア部１７７ａ〜
１７７ｄは、高精度且つ高集積なパターン形成が可能な
フォトリソグラフィー法によって形成されるため、アク
チュエータ部には、高い位置精度と高密度化が要求され
る。
１７７ｄは、高精度且つ高集積なパターン形成が可能な
フォトリソグラフィー法によって形成されるため、アク
チュエータ部には、高い位置精度と高密度化が要求され
る。
【０１２５】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスは、圧電／電歪体の電界誘起歪みを直接利用する
ものであることから発生力が大きく、圧電／電歪素子を
高アスペクト比にすることが容易であることから発生変
位も大きく出来る。且つ、各圧電／電歪素子は、それぞ
れセラミック基体に対して貼り付けられたものではな
く、マトリクス状に一体的に構成されたものであること
から、接着にかかる寸法ずれ、傾きが小さく、高密度な
構成も容易に実現出来る。尚且つ、各圧電／電歪素子を
構成する圧電／電歪体はセラミック基体と接合する辺り
で裾野状を形成していることから作用方向が定まり易く
強度に優れ、圧電／電歪素子を構成する圧電／電歪体の
側面の表面は概ね一様であり電極の付着性がよく電界印
加時の応力分布が小さいことから破損等を引き起こし難
く信頼性が高い。従って、本発明に係るマトリクス型圧
電／電歪デバイスは、光スイッチ２９０のアクチュエー
タ部として好適である。
バイスは、圧電／電歪体の電界誘起歪みを直接利用する
ものであることから発生力が大きく、圧電／電歪素子を
高アスペクト比にすることが容易であることから発生変
位も大きく出来る。且つ、各圧電／電歪素子は、それぞ
れセラミック基体に対して貼り付けられたものではな
く、マトリクス状に一体的に構成されたものであること
から、接着にかかる寸法ずれ、傾きが小さく、高密度な
構成も容易に実現出来る。尚且つ、各圧電／電歪素子を
構成する圧電／電歪体はセラミック基体と接合する辺り
で裾野状を形成していることから作用方向が定まり易く
強度に優れ、圧電／電歪素子を構成する圧電／電歪体の
側面の表面は概ね一様であり電極の付着性がよく電界印
加時の応力分布が小さいことから破損等を引き起こし難
く信頼性が高い。従って、本発明に係るマトリクス型圧
電／電歪デバイスは、光スイッチ２９０のアクチュエー
タ部として好適である。
【０１２６】 図１７は、図１６に示す光スイッチ２９
０のＣＣ断面を表し、光導波路コア部１７７ａを有する
光伝達部２８１と、圧電／電歪素子２９２を有するアク
チュエータ部２９１と、を示す断面図である。アクチュ
エータ部２９１として、例えば図１（ａ）に示されるマ
トリクス型圧電／電歪デバイス１が採用されており、光
路変更部２９８ａ〜２９８ｄ（切込み）に対応して配設
されている。
０のＣＣ断面を表し、光導波路コア部１７７ａを有する
光伝達部２８１と、圧電／電歪素子２９２を有するアク
チュエータ部２９１と、を示す断面図である。アクチュ
エータ部２９１として、例えば図１（ａ）に示されるマ
トリクス型圧電／電歪デバイス１が採用されており、光
路変更部２９８ａ〜２９８ｄ（切込み）に対応して配設
されている。
【０１２７】 尚、以下に、光スイッチ２９０のアクチ
ュエータ部２９１に適用するマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの態様を例示して説明するが、本発明に係るマト
リクス型圧電／電歪デバイスの何れの態様もアクチュエ
ータ部２９１としての適用が可能である。
ュエータ部２９１に適用するマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの態様を例示して説明するが、本発明に係るマト
リクス型圧電／電歪デバイスの何れの態様もアクチュエ
ータ部２９１としての適用が可能である。
【０１２８】 図１７は、光スイッチのアクチュエータ
部として、図１に示されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イス１を適用した例である。図１７に示される状態にお
いて、光スイッチ２９０は、光路変更部２９８ａにおけ
るアクチュエータ部２９１の圧電／電歪素子２９２は非
作動状態であり、光導波路コア部１７７ａへの作用はな
い。従って、光路変更部２９８ａの切込みは閉じ、光学
的に光導波路コア部１７７ａは連続な状態を維持してい
る。このとき、導入された光２２３は、光路変更部２９
８ａを直進する。
部として、図１に示されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イス１を適用した例である。図１７に示される状態にお
いて、光スイッチ２９０は、光路変更部２９８ａにおけ
るアクチュエータ部２９１の圧電／電歪素子２９２は非
作動状態であり、光導波路コア部１７７ａへの作用はな
い。従って、光路変更部２９８ａの切込みは閉じ、光学
的に光導波路コア部１７７ａは連続な状態を維持してい
る。このとき、導入された光２２３は、光路変更部２９
８ａを直進する。
【０１２９】 光路変更部２９８ｂにおけるアクチュエ
ータ部２９１の圧電／電歪素子２９２は作動状態であ
り、変位並びに応力を光導波路コア部１７７ａに作用さ
せ、光路変更部２９８ｂの切込みを開いている。即ち、
光路変更部２９８ｂにおいて光導波路コア部１７７ａは
光学的に不連続となり、導入された光２２３は、光路変
更部２９８ｂで全反射し、光導波路コア部１７７ｂへ伝
送される。
ータ部２９１の圧電／電歪素子２９２は作動状態であ
り、変位並びに応力を光導波路コア部１７７ａに作用さ
せ、光路変更部２９８ｂの切込みを開いている。即ち、
光路変更部２９８ｂにおいて光導波路コア部１７７ａは
光学的に不連続となり、導入された光２２３は、光路変
更部２９８ｂで全反射し、光導波路コア部１７７ｂへ伝
送される。
【０１３０】 アクチュエータ部（圧電／電歪素子）の
作動状態若しくは非作動状態と、光導波路コア部への作
用の有無とは、上記した場合とは逆であっても、勿論よ
い。即ち、アクチュエータ部の作動状態が作用なく（図
１７中で光路変更部２９８ａの状態）、一方、非作動状
態が作用有り（図１７中で光路変更部２９８ｂの状態）
の場合であってもよい。又、光路変更部に作用を与える
圧電／電歪素子の厚さＭ（図１７中に示す）は、光路変
更部の切込みの開閉動作に支障がない範囲において、よ
り小さい方が、圧電／電歪素子に要求される変位量も小
さくなるため、好ましい。
作動状態若しくは非作動状態と、光導波路コア部への作
用の有無とは、上記した場合とは逆であっても、勿論よ
い。即ち、アクチュエータ部の作動状態が作用なく（図
１７中で光路変更部２９８ａの状態）、一方、非作動状
態が作用有り（図１７中で光路変更部２９８ｂの状態）
の場合であってもよい。又、光路変更部に作用を与える
圧電／電歪素子の厚さＭ（図１７中に示す）は、光路変
更部の切込みの開閉動作に支障がない範囲において、よ
り小さい方が、圧電／電歪素子に要求される変位量も小
さくなるため、好ましい。
【０１３１】 図１８は、光スイッチのアクチュエータ
部として、図２１に示されるマトリクス型圧電／電歪デ
バイス２１０を適用した例である。マトリクス型圧電／
電歪デバイス２１０の壁部８を光導波路支持部２９４と
することにより、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄの切込
みを開閉させるために必要な変位量を小さくすることが
出来る。即ち、光導波路支持部２９４を設けることによ
り、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄの切込みを開かせる
ための曲率半径が小さくなるため、アクチュエータ部２
９１の圧電／電歪素子２９２の変位が小さくても、切込
みを開かせることが可能である。更に、この利点によ
り、切込みの開口動作に余裕が生じるため、スイッチン
グにかかる信号の漏洩、損失の低減が図られ、より好ま
しい。
部として、図２１に示されるマトリクス型圧電／電歪デ
バイス２１０を適用した例である。マトリクス型圧電／
電歪デバイス２１０の壁部８を光導波路支持部２９４と
することにより、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄの切込
みを開閉させるために必要な変位量を小さくすることが
出来る。即ち、光導波路支持部２９４を設けることによ
り、光路変更部２９８ａ〜２９８ｄの切込みを開かせる
ための曲率半径が小さくなるため、アクチュエータ部２
９１の圧電／電歪素子２９２の変位が小さくても、切込
みを開かせることが可能である。更に、この利点によ
り、切込みの開口動作に余裕が生じるため、スイッチン
グにかかる信号の漏洩、損失の低減が図られ、より好ま
しい。
【０１３２】 図１９は、光導波路部材の両面（上下）
にアクチュエータ部を設けた例である。アクチュエータ
部２９１に適用可能なマトリクス型圧電／電歪デバイス
の態様は、上記したように、本発明に係る全てのマトリ
クス型圧電／電歪デバイスの態様が該当するが、例え
ば、好ましくは図２１に示されるマトリクス型圧電／電
歪デバイス２１０を用いることが出来る。このように光
導波路部材１７７の上下にアクチュエータ部２９１を設
けることにより、光路変更部の切込みの閉口精度を向上
させることが出来るとともに、スイッチングにかかる応
答速度を高めることが可能である。
にアクチュエータ部を設けた例である。アクチュエータ
部２９１に適用可能なマトリクス型圧電／電歪デバイス
の態様は、上記したように、本発明に係る全てのマトリ
クス型圧電／電歪デバイスの態様が該当するが、例え
ば、好ましくは図２１に示されるマトリクス型圧電／電
歪デバイス２１０を用いることが出来る。このように光
導波路部材１７７の上下にアクチュエータ部２９１を設
けることにより、光路変更部の切込みの閉口精度を向上
させることが出来るとともに、スイッチングにかかる応
答速度を高めることが可能である。
【０１３３】 図１７及び図１８に示されるような光導
波路部材の片面にのみアクチュエータ部を設けた場合に
は、光路変更部の切込みの開口から閉口への状態変化
は、光導波路部材に用いられる材料の弾性的復元力に従
うため、光導波路部材として柔らかい材料を用いた場合
は、この復元（上記状態変化）に比較的長い時間を要し
てしまう。このことは、次のスイッチ動作に移るまでの
時間に影響するため、復元は速ければ速いだけ好まし
い。又、復元とは光学的に連続な状態に戻ることを意味
しているが、材料劣化等で、特に、長期間動作させた場
合に復元精度が低下し、信号の漏洩、損失増大を招くお
それがある。
波路部材の片面にのみアクチュエータ部を設けた場合に
は、光路変更部の切込みの開口から閉口への状態変化
は、光導波路部材に用いられる材料の弾性的復元力に従
うため、光導波路部材として柔らかい材料を用いた場合
は、この復元（上記状態変化）に比較的長い時間を要し
てしまう。このことは、次のスイッチ動作に移るまでの
時間に影響するため、復元は速ければ速いだけ好まし
い。又、復元とは光学的に連続な状態に戻ることを意味
しているが、材料劣化等で、特に、長期間動作させた場
合に復元精度が低下し、信号の漏洩、損失増大を招くお
それがある。
【０１３４】 しかしながら、図１９に示すように、光
導波路部材の両面にアクチュエータ部を設けた場合に
は、光路変更部の切込みに対し、上下両方向に配設され
たアクチュエータ部２９１の圧電／電歪素子２９２の作
用によって、強制的に光路変更部の切込みを挟み込め
ば、このような問題は解決出来る。即ち、光導波路部材
１７７を両面から押圧することにより、閉口精度が保て
るとともに、アクチュエータ部２９１（圧電／電歪素子
２９２）の応答速度で、開口から閉口への状態変化を実
施出来る。従って、光導波路部材の両面にアクチュエー
タ部を設ける構成は、低損失、低漏洩で、高速なスイッ
チの実現に有利である。
導波路部材の両面にアクチュエータ部を設けた場合に
は、光路変更部の切込みに対し、上下両方向に配設され
たアクチュエータ部２９１の圧電／電歪素子２９２の作
用によって、強制的に光路変更部の切込みを挟み込め
ば、このような問題は解決出来る。即ち、光導波路部材
１７７を両面から押圧することにより、閉口精度が保て
るとともに、アクチュエータ部２９１（圧電／電歪素子
２９２）の応答速度で、開口から閉口への状態変化を実
施出来る。従って、光導波路部材の両面にアクチュエー
タ部を設ける構成は、低損失、低漏洩で、高速なスイッ
チの実現に有利である。
【０１３５】 図２０に示す光スイッチは、図１９に示
す例と概ね同様な光スイッチであるが、アクチュエータ
部２９１と光導波路部材１７７との接合において、アク
チュエータ部２９１を構成する壁部８と、光導波路部材
１７７との間に、より剛性の高い光導波路固定板２８６
を介して接合したところにおいて異なる例である。本構
造によれば、光導波路コア部の平坦性が向上し、アクチ
ュエータ部２９１の圧電／電歪素子２９２上面（作用
面）と光導波路部材１７７との間隔を、高精度に保つこ
とが出来、スイッチ動作の精度を高めることが出来る。
す例と概ね同様な光スイッチであるが、アクチュエータ
部２９１と光導波路部材１７７との接合において、アク
チュエータ部２９１を構成する壁部８と、光導波路部材
１７７との間に、より剛性の高い光導波路固定板２８６
を介して接合したところにおいて異なる例である。本構
造によれば、光導波路コア部の平坦性が向上し、アクチ
ュエータ部２９１の圧電／電歪素子２９２上面（作用
面）と光導波路部材１７７との間隔を、高精度に保つこ
とが出来、スイッチ動作の精度を高めることが出来る。
【０１３６】 尚、図１９、図２０において、光導波路
部材１７７の上下に配設されるアクチュエータ部２９１
は、互いに同じ態様である必要はない。例えば、上側に
は図１（ａ）に示すマトリクス型圧電／電歪デバイス１
を、下側には図２１に示すマトリクス型圧電／電歪デバ
イス２１０を、配設することが可能である。
部材１７７の上下に配設されるアクチュエータ部２９１
は、互いに同じ態様である必要はない。例えば、上側に
は図１（ａ）に示すマトリクス型圧電／電歪デバイス１
を、下側には図２１に示すマトリクス型圧電／電歪デバ
イス２１０を、配設することが可能である。
【０１３７】 続いて、本発明のマトリクス型圧電／電
歪デバイスを適用した光反射機構について説明する。
歪デバイスを適用した光反射機構について説明する。
【０１３８】 図１３は、光反射機構の一実施形態を示
す斜視図であり、図１４及び図１５は、図１３に示す光
反射機構３４０のＤＤ断面の一部を表した図であり、そ
れぞれある動作状態を示している。光反射機構３４０
は、プロジェクタ、光スイッチ等に用いられ、そのアク
チュエータ部２９１として、本発明に係るマトリクス型
圧電／電歪デバイスを好適に用いることが出来る。
す斜視図であり、図１４及び図１５は、図１３に示す光
反射機構３４０のＤＤ断面の一部を表した図であり、そ
れぞれある動作状態を示している。光反射機構３４０
は、プロジェクタ、光スイッチ等に用いられ、そのアク
チュエータ部２９１として、本発明に係るマトリクス型
圧電／電歪デバイスを好適に用いることが出来る。
【０１３９】 光反射機構３４０は、マイクロミラー等
の光反射板３１１がマトリクス状に並ぶ光反射部３１３
とアクチュエータ部３９１とからなり、各光反射板３１
１に相対する位置に圧電／電歪素子３９２が配設されて
いる。例えば図２１に示されるマトリクス型圧電／電歪
デバイス２１０を代表的形態とする壁部を有する本発明
に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスをアクチュエー
タ部３９１として用い、その壁部たる光反射板支持部３
１２により光反射板３１１の一端を支持する。そして、
アクチュエータ部３９１（圧電／電歪素子３９２）の作
動により、光反射板３１１は光反射板支持部３１２との
間に傾斜角を形成し、進入してきた光２２４の反射角を
変化させる。この反射角の有無により、プロジェクタで
あれば各画素の色形成を行い、又、光スイッチであれば
信号の伝送経路を切り替える。
の光反射板３１１がマトリクス状に並ぶ光反射部３１３
とアクチュエータ部３９１とからなり、各光反射板３１
１に相対する位置に圧電／電歪素子３９２が配設されて
いる。例えば図２１に示されるマトリクス型圧電／電歪
デバイス２１０を代表的形態とする壁部を有する本発明
に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスをアクチュエー
タ部３９１として用い、その壁部たる光反射板支持部３
１２により光反射板３１１の一端を支持する。そして、
アクチュエータ部３９１（圧電／電歪素子３９２）の作
動により、光反射板３１１は光反射板支持部３１２との
間に傾斜角を形成し、進入してきた光２２４の反射角を
変化させる。この反射角の有無により、プロジェクタで
あれば各画素の色形成を行い、又、光スイッチであれば
信号の伝送経路を切り替える。
【０１４０】 図１３〜図１５に示す態様のように、本
発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスを採用した
アクチュエータ部は、隣り合う圧電／電歪素子３９２ど
うしのピッチ、及び、光反射板支持部３１２を構成する
壁部どうしのピッチ、は同じであるが、圧電／電歪素子
３９２と隣接する壁部とは、図示されるように、異なる
ピッチで並ぶような構成であってもよい。勿論、圧電／
電歪素子３９２が、必ずしも同じピッチで並んでいる必
要はない。
発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスを採用した
アクチュエータ部は、隣り合う圧電／電歪素子３９２ど
うしのピッチ、及び、光反射板支持部３１２を構成する
壁部どうしのピッチ、は同じであるが、圧電／電歪素子
３９２と隣接する壁部とは、図示されるように、異なる
ピッチで並ぶような構成であってもよい。勿論、圧電／
電歪素子３９２が、必ずしも同じピッチで並んでいる必
要はない。
【０１４１】 アクチュエータ部に適用される本発明の
マトリクス型圧電／電歪デバイスは、発生力が大きくと
れるので、剛性の高い光反射板を適用し平坦度に優れた
光反射面が構成出来、光反射機構として、より好ましい
ものとなり得る。更に、この発生力の利点は、壁部（光
反射板支持部）と圧電／電歪素子との距離を小さく出来
るので、反射角の大きな反射機構を容易に実現出来る。
マトリクス型圧電／電歪デバイスは、発生力が大きくと
れるので、剛性の高い光反射板を適用し平坦度に優れた
光反射面が構成出来、光反射機構として、より好ましい
ものとなり得る。更に、この発生力の利点は、壁部（光
反射板支持部）と圧電／電歪素子との距離を小さく出来
るので、反射角の大きな反射機構を容易に実現出来る。
【０１４２】 尚、光反射機構は、図１３〜図１５に示
す光反射機構３４０の態様に限定されない。アクチュエ
ータ部と光反射部とを接合せず、光反射板の一部を圧電
／電歪素子の作動により変位させ、反射角を変化させる
ようなものであってもよい。加えて、圧電／電歪素子の
タイプとしては、電圧印加により収縮するものでも伸長
するものでも利用可能である。
す光反射機構３４０の態様に限定されない。アクチュエ
ータ部と光反射部とを接合せず、光反射板の一部を圧電
／電歪素子の作動により変位させ、反射角を変化させる
ようなものであってもよい。加えて、圧電／電歪素子の
タイプとしては、電圧印加により収縮するものでも伸長
するものでも利用可能である。
【０１４３】 本発明のマトリクス型圧電／電歪デバイ
スは、上記具体例に加え、その変位、振動に基づく作用
を用いて、液体と液体、液体と固体、液体と気体との混
合、撹拌及び反応、等を、極微小なエリアで、且つ、微
小量で行う種々の装置に利用することも出来る。又、外
部からの応力を感知する二次元の圧力センサとしても利
用出来る。
スは、上記具体例に加え、その変位、振動に基づく作用
を用いて、液体と液体、液体と固体、液体と気体との混
合、撹拌及び反応、等を、極微小なエリアで、且つ、微
小量で行う種々の装置に利用することも出来る。又、外
部からの応力を感知する二次元の圧力センサとしても利
用出来る。
【０１４４】 次に、本発明に係るマトリクス型圧電／
電歪デバイスの製造方法について説明する。本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスの製造方法は第１及
び第２の２つの製造方法からなる。以下、第１の製造方
法から順次、説明する。尚、本明細書において、単に本
発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの製造方法
というときには、第１の製造方法及び第２の製造方法の
両方を指す。
電歪デバイスの製造方法について説明する。本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスの製造方法は第１及
び第２の２つの製造方法からなる。以下、第１の製造方
法から順次、説明する。尚、本明細書において、単に本
発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの製造方法
というときには、第１の製造方法及び第２の製造方法の
両方を指す。
【０１４５】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法は、圧電／電歪材料を主成分と
する複数のセラミックグリーンシートを用意する第一の
工程と、複数のセラミックグリーンシートの所定の位置
に少なくとも２の隅を曲線とした概ね直角四辺形状を含
む孔部を設ける第二の工程と、孔部を設けた複数のセラ
ミックグリーンシートを積層し貫通孔を有するセラミッ
クグリーン積層体を得る第三の工程と、セラミックグリ
ーン積層体を焼成一体化し貫通孔を有するセラミック積
層体を得る第四の工程と、少なくともセラミック積層体
の貫通孔を構成する側壁に電極を形成する第五の工程
と、セラミック積層体の貫通孔上を貫通孔の並びに垂直
であり且つ貫通孔開口面に垂直な方向に切断し櫛歯状セ
ラミック積層体を得る第六の工程と、櫛歯状セラミック
積層体の櫛歯に対し第六の工程にかかる切断面に垂直で
あり且つ櫛歯の並びに垂直に切込みを入れる第七の工程
と、を有することに特徴がある。本発明に係るマトリク
ス型圧電／電歪デバイスの第１の製造方法においては、
このようにセラミックグリーンシート積層法を用いるこ
とが好ましく、又、セラミックグリーンシートに孔部を
形成する際には、ダイとパンチからなる金型を用いた打
ち抜き加工を用いることが望ましい。尚、孔部の形成
は、パンチとダイの他、超音波加工法によっても可能で
ある。
バイスの第１の製造方法は、圧電／電歪材料を主成分と
する複数のセラミックグリーンシートを用意する第一の
工程と、複数のセラミックグリーンシートの所定の位置
に少なくとも２の隅を曲線とした概ね直角四辺形状を含
む孔部を設ける第二の工程と、孔部を設けた複数のセラ
ミックグリーンシートを積層し貫通孔を有するセラミッ
クグリーン積層体を得る第三の工程と、セラミックグリ
ーン積層体を焼成一体化し貫通孔を有するセラミック積
層体を得る第四の工程と、少なくともセラミック積層体
の貫通孔を構成する側壁に電極を形成する第五の工程
と、セラミック積層体の貫通孔上を貫通孔の並びに垂直
であり且つ貫通孔開口面に垂直な方向に切断し櫛歯状セ
ラミック積層体を得る第六の工程と、櫛歯状セラミック
積層体の櫛歯に対し第六の工程にかかる切断面に垂直で
あり且つ櫛歯の並びに垂直に切込みを入れる第七の工程
と、を有することに特徴がある。本発明に係るマトリク
ス型圧電／電歪デバイスの第１の製造方法においては、
このようにセラミックグリーンシート積層法を用いるこ
とが好ましく、又、セラミックグリーンシートに孔部を
形成する際には、ダイとパンチからなる金型を用いた打
ち抜き加工を用いることが望ましい。尚、孔部の形成
は、パンチとダイの他、超音波加工法によっても可能で
ある。
【０１４６】 上記第１の製造方法により、貫通孔を構
成する側壁であって（第五の工程まで）櫛歯である（第
六の工程以降）部分が概ね柱体形状をなす複数の圧電／
電歪素子（圧電／電歪体）となり、これが二次元に整列
配置され、又、貫通孔断面の一部を曲線状（第二及び第
三の工程）にすることで、個々の圧電／電歪体のセラミ
ック基体との接合部近傍に曲面が形成されたマトリクス
圧電／電歪デバイスを作製することが出来る。又、圧電
／電歪体の側面のうち少なくとも電極が形成される面の
結晶粒子状態を、粒内破壊を受けている結晶粒子が実質
的にない状態から１％以下で構成することが出来る。
成する側壁であって（第五の工程まで）櫛歯である（第
六の工程以降）部分が概ね柱体形状をなす複数の圧電／
電歪素子（圧電／電歪体）となり、これが二次元に整列
配置され、又、貫通孔断面の一部を曲線状（第二及び第
三の工程）にすることで、個々の圧電／電歪体のセラミ
ック基体との接合部近傍に曲面が形成されたマトリクス
圧電／電歪デバイスを作製することが出来る。又、圧電
／電歪体の側面のうち少なくとも電極が形成される面の
結晶粒子状態を、粒内破壊を受けている結晶粒子が実質
的にない状態から１％以下で構成することが出来る。
【０１４７】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法の概略工程の一例を、図８
（ａ）〜図８（ｆ）に示す。この例は、図１（ａ）に示
したマトリクス型圧電／電歪デバイス１を作製する方法
として示されている。以下、この一例により、具体的に
説明する。
バイスの第１の製造方法の概略工程の一例を、図８
（ａ）〜図８（ｆ）に示す。この例は、図１（ａ）に示
したマトリクス型圧電／電歪デバイス１を作製する方法
として示されている。以下、この一例により、具体的に
説明する。
【０１４８】 先ず、後述する圧電／電歪材料を主成分
とする所定枚数のセラミックグリーンシート（以下、単
にシートともいう）を用意する。セラミックグリーンシ
ートは、従来知られたセラミックス製造方法により作製
出来る。例えば、後述する圧電／電歪材料粉末を用意
し、これにバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を望む組
成に調合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、ド
クターブレード法、リバースロールコーター法等のシー
ト成形法によって、セラミックグリーンシートを形成す
ることが出来る。
とする所定枚数のセラミックグリーンシート（以下、単
にシートともいう）を用意する。セラミックグリーンシ
ートは、従来知られたセラミックス製造方法により作製
出来る。例えば、後述する圧電／電歪材料粉末を用意
し、これにバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を望む組
成に調合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、ド
クターブレード法、リバースロールコーター法等のシー
ト成形法によって、セラミックグリーンシートを形成す
ることが出来る。
【０１４９】 図８（ａ）で、シートをパンチとダイに
より各々打抜加工して、２の隅を曲線とした細長い孔部
１５を複数開けたシート１１６，１１７を得る。更に、
シート１１７には各孔部１５とシートの端部とを連通し
て各孔部１５を開口させるスリット状の孔部２５が設け
られている。そして、これらを所定枚数、最上面及び最
下面がシート１１６になるように、交互に積層・圧着
し、図８（ｂ）に示される所定の厚さを有し貫通孔５及
びスルーホール１２８が形成された圧電／電歪材料を主
成分とするセラミックグリーン積層体３０１を形成す
る。そして、焼成一体化してセラミック積層体３０３を
得る。
より各々打抜加工して、２の隅を曲線とした細長い孔部
１５を複数開けたシート１１６，１１７を得る。更に、
シート１１７には各孔部１５とシートの端部とを連通し
て各孔部１５を開口させるスリット状の孔部２５が設け
られている。そして、これらを所定枚数、最上面及び最
下面がシート１１６になるように、交互に積層・圧着
し、図８（ｂ）に示される所定の厚さを有し貫通孔５及
びスルーホール１２８が形成された圧電／電歪材料を主
成分とするセラミックグリーン積層体３０１を形成す
る。そして、焼成一体化してセラミック積層体３０３を
得る。
【０１５０】 次いで、図８（ｃ）に示すように、貫通
孔５に対面する側壁６（後の櫛歯２６）に電極１８，１
９を形成すると同時に、スルーホール１２８の内壁にも
導電膜を形成する。そして、切断線３５０に沿って、ダ
イシング加工、スライシング加工、ワイヤーソー加工、
研磨加工等の手段によって不要部分を切除し、図８
（ｄ）の通り、櫛歯状セラミック積層体３０４を得る。
孔５に対面する側壁６（後の櫛歯２６）に電極１８，１
９を形成すると同時に、スルーホール１２８の内壁にも
導電膜を形成する。そして、切断線３５０に沿って、ダ
イシング加工、スライシング加工、ワイヤーソー加工、
研磨加工等の手段によって不要部分を切除し、図８
（ｄ）の通り、櫛歯状セラミック積層体３０４を得る。
【０１５１】 尚、図８（ｄ）に示す櫛歯状セラミック
積層体３０４は、図８（ｃ）に示すセラミック積層体３
０３を９０°起こしたところを示しており、図８（ｃ）
に示すセラミック積層体３０３ではスルーホール１２８
開口面（図中手前、ＸＺ平面）が側面を形成している
が、図８（ｄ）に示す櫛歯状セラミック積層体３０４で
はスルーホール１２８開口面は下面になっている。
積層体３０４は、図８（ｃ）に示すセラミック積層体３
０３を９０°起こしたところを示しており、図８（ｃ）
に示すセラミック積層体３０３ではスルーホール１２８
開口面（図中手前、ＸＺ平面）が側面を形成している
が、図８（ｄ）に示す櫛歯状セラミック積層体３０４で
はスルーホール１２８開口面は下面になっている。
【０１５２】 次いで、図８（ｅ）に示すように切込線
３５１に沿って不要部分を切除し、個割の圧電／電歪体
４を得る。その後、必要に応じて分極処理を行い、マト
リクス型圧電／電歪デバイス１を完成する（図８
（ｆ））。
３５１に沿って不要部分を切除し、個割の圧電／電歪体
４を得る。その後、必要に応じて分極処理を行い、マト
リクス型圧電／電歪デバイス１を完成する（図８
（ｆ））。
【０１５３】 尚、本方法ではグリーンシート１１７に
形成される孔部のうち、スルーホールに相当する孔部２
５はグリーンシートの端部と連通する態様となっている
が、図３２（ａ）〜図３２（ｄ）に示すように、それら
孔部が端部と貫通しない態様で（図３２（ａ）における
孔部１２５の如く）形成され、後で図３２（ｃ）で切断
により、スルーホールを貫通させる方法でもよい。
形成される孔部のうち、スルーホールに相当する孔部２
５はグリーンシートの端部と連通する態様となっている
が、図３２（ａ）〜図３２（ｄ）に示すように、それら
孔部が端部と貫通しない態様で（図３２（ａ）における
孔部１２５の如く）形成され、後で図３２（ｃ）で切断
により、スルーホールを貫通させる方法でもよい。
【０１５４】 先ず、所定枚数のセラミックグリーンシ
ートを用意し、図３２（ａ）で、シートをパンチとダイ
により各々打抜加工して、２の隅を曲線とした細長い孔
部１５を複数開けたシート１１６，２１７を得て、更
に、シート２１７には各孔部１５の他にスリット状の孔
部１２５を設ける。そして、これらを所定枚数、最上面
及び最下面がシート１１６になるように、交互に積層・
圧着し、図３２（ｂ）に示されるセラミックグリーン積
層体４０１を形成する。
ートを用意し、図３２（ａ）で、シートをパンチとダイ
により各々打抜加工して、２の隅を曲線とした細長い孔
部１５を複数開けたシート１１６，２１７を得て、更
に、シート２１７には各孔部１５の他にスリット状の孔
部１２５を設ける。そして、これらを所定枚数、最上面
及び最下面がシート１１６になるように、交互に積層・
圧着し、図３２（ｂ）に示されるセラミックグリーン積
層体４０１を形成する。
【０１５５】 そして、焼成一体化してセラミック積層
体４０３を得た後に、図３２（ｃ）に示すように、２つ
の切断線４５０に沿って、ダイシング加工、スライシン
グ加工、ワイヤーソー加工、研磨加工等の手段によって
不要部分を切除し、図３２（ｄ）の通り、櫛歯状セラミ
ック積層体４０４を得る。後は、図８（ｅ）、図８
（ｆ）に準じて、マトリクス型圧電／電歪デバイス１を
完成する。
体４０３を得た後に、図３２（ｃ）に示すように、２つ
の切断線４５０に沿って、ダイシング加工、スライシン
グ加工、ワイヤーソー加工、研磨加工等の手段によって
不要部分を切除し、図３２（ｄ）の通り、櫛歯状セラミ
ック積層体４０４を得る。後は、図８（ｅ）、図８
（ｆ）に準じて、マトリクス型圧電／電歪デバイス１を
完成する。
【０１５６】 図３２（ａ）〜図３２（ｄ）に従う方法
では、孔部１２５がシート２１７内部に形成されるため
ハンドリングに優れる他、シートの変形が抑制されるた
め積層時の位置合わせ精度の向上が図られる。又、スル
ーホール用の孔部は必須ではなく、単に孔部１５のみ有
するシートを積層し、積層体を形成したのち、焼成の前
乃至後に所定位置にスルーホールを形成してもかまわな
いし、スルーホールを形成せず、セラミック基体の圧電
／電歪素子形成面側から駆動する態様でもよい。尚、図
３２（ａ）〜図３２（ｄ）では電極形成過程は省略して
いる。
では、孔部１２５がシート２１７内部に形成されるため
ハンドリングに優れる他、シートの変形が抑制されるた
め積層時の位置合わせ精度の向上が図られる。又、スル
ーホール用の孔部は必須ではなく、単に孔部１５のみ有
するシートを積層し、積層体を形成したのち、焼成の前
乃至後に所定位置にスルーホールを形成してもかまわな
いし、スルーホールを形成せず、セラミック基体の圧電
／電歪素子形成面側から駆動する態様でもよい。尚、図
３２（ａ）〜図３２（ｄ）では電極形成過程は省略して
いる。
【０１５７】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法によれば、得られたマトリクス
型圧電／電歪デバイス１において圧電／電歪素子３１の
変位方向はＹ軸方向（図８（ｆ））であり、セラミック
グリーンシート１１６，１１７の積層方向（Ｚ軸方向、
図８（ａ））とは異なる。即ち、圧電／電歪素子３１の
変位は、シート１１６，１１７の積層数に依存せず、孔
部１５の形状（Ｙ軸方向、図８（ａ））に依存する。
バイスの第１の製造方法によれば、得られたマトリクス
型圧電／電歪デバイス１において圧電／電歪素子３１の
変位方向はＹ軸方向（図８（ｆ））であり、セラミック
グリーンシート１１６，１１７の積層方向（Ｚ軸方向、
図８（ａ））とは異なる。即ち、圧電／電歪素子３１の
変位は、シート１１６，１１７の積層数に依存せず、孔
部１５の形状（Ｙ軸方向、図８（ａ））に依存する。
【０１５８】 圧電／電歪素子３１の形状は、セラミッ
クグリーンシート１１６，１１７の加工形状で概ね決ま
り、孔部１５の開口長手方向を大きくすれば、高アスペ
クト比な形状の圧電／電歪素子３１を、高い精度で再現
性よく形成することが可能である。従って、大変位の圧
電／電歪素子３１を容易に得ることが出来る。又、シー
ト１１６、１１７の厚みは任意に選択出来るが、その厚
みに応じ、孔加工に使用する例えばパンチとダイのクリ
アランスを適正に設定することにより、加工断面の形状
にほぼテーパがつかず、高精度な打抜きが出来、その結
果、圧電／電歪体４の面の輪郭度を、概ね８μｍ以下と
することが出来る。
クグリーンシート１１６，１１７の加工形状で概ね決ま
り、孔部１５の開口長手方向を大きくすれば、高アスペ
クト比な形状の圧電／電歪素子３１を、高い精度で再現
性よく形成することが可能である。従って、大変位の圧
電／電歪素子３１を容易に得ることが出来る。又、シー
ト１１６、１１７の厚みは任意に選択出来るが、その厚
みに応じ、孔加工に使用する例えばパンチとダイのクリ
アランスを適正に設定することにより、加工断面の形状
にほぼテーパがつかず、高精度な打抜きが出来、その結
果、圧電／電歪体４の面の輪郭度を、概ね８μｍ以下と
することが出来る。
【０１５９】 更に、セラミックグリーンシート１１
６，１１７の孔部１５は、任意の形状に加工出来るの
で、孔部１５を２の隅を曲線とした概ね直角四辺形状に
すること（図８（ａ）中の手前側の２の隅が曲線）によ
り、圧電／電歪素子３１の裾野部を、その厚さに応じた
適正な曲率半径を有する曲面に形成することが容易であ
る。加えて、圧電／電歪体４の側面（櫛歯２６の側面）
は、焼成面で形成されることになるので、Ｒｔで表され
る表面粗さを９μｍ以下に、且つ、Ｒａで表される表面
粗さを０．１μｍ以上０．５μｍ以下にすることが出
来、圧電／電歪素子３１の駆動部たる圧電／電歪体４の
側面を平滑にすることが可能である。
６，１１７の孔部１５は、任意の形状に加工出来るの
で、孔部１５を２の隅を曲線とした概ね直角四辺形状に
すること（図８（ａ）中の手前側の２の隅が曲線）によ
り、圧電／電歪素子３１の裾野部を、その厚さに応じた
適正な曲率半径を有する曲面に形成することが容易であ
る。加えて、圧電／電歪体４の側面（櫛歯２６の側面）
は、焼成面で形成されることになるので、Ｒｔで表され
る表面粗さを９μｍ以下に、且つ、Ｒａで表される表面
粗さを０．１μｍ以上０．５μｍ以下にすることが出
来、圧電／電歪素子３１の駆動部たる圧電／電歪体４の
側面を平滑にすることが可能である。
【０１６０】 尚、本発明に係るマトリクス型圧電／電
歪デバイスの第１の製造方法においては、切込、切除、
切断等の加工法としては、加工品質（脱粒、クラック等
の有無）の点で、遊離砥粒を用いた機械加工、特にワイ
ヤーソー加工法、を用いることが好ましい。又、加工対
象に空隙がある場合、加工前に、その部分（例えば貫通
孔５、あるいは櫛歯２６の前後空間）に後で除去可能な
樹脂等を充填し、加工時の破損防止を図ることが好まし
い。
歪デバイスの第１の製造方法においては、切込、切除、
切断等の加工法としては、加工品質（脱粒、クラック等
の有無）の点で、遊離砥粒を用いた機械加工、特にワイ
ヤーソー加工法、を用いることが好ましい。又、加工対
象に空隙がある場合、加工前に、その部分（例えば貫通
孔５、あるいは櫛歯２６の前後空間）に後で除去可能な
樹脂等を充填し、加工時の破損防止を図ることが好まし
い。
【０１６１】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法においては、打抜加工（又は超
音波加工等）の後に焼成を行い焼成後には加工を施して
いないので、焼成後にダイサー、スライサー等の固定砥
粒を用いた加工を行う場合と比較して、被加工体に対す
るダメージが小さいことから、微小な構造も容易に形成
出来る。従って、被加工面の表面において粗さが小さく
且つ均質になり、加工した圧電／電歪体の側面（表面）
に電極を形成する際に、電極と圧電／電歪体との付着性
が良好であり、圧電特性を、より効果的に引き出すこと
が出来る。
バイスの第１の製造方法においては、打抜加工（又は超
音波加工等）の後に焼成を行い焼成後には加工を施して
いないので、焼成後にダイサー、スライサー等の固定砥
粒を用いた加工を行う場合と比較して、被加工体に対す
るダメージが小さいことから、微小な構造も容易に形成
出来る。従って、被加工面の表面において粗さが小さく
且つ均質になり、加工した圧電／電歪体の側面（表面）
に電極を形成する際に、電極と圧電／電歪体との付着性
が良好であり、圧電特性を、より効果的に引き出すこと
が出来る。
【０１６２】 図１０は、圧電／電歪材料からなる焼成
試験片に対して、スライサー加工（砥粒＃１０００の
例）を行った場合の切断表面を拡大（倍率１０００倍）
したＳＥＭ写真であり、図２８は、その切断側面を拡大
した断面拡大模式図である。又、図１１は、パンチ＆ダ
イを用いて打抜加工を行った後に焼成した同材料の試験
片の切断表面を拡大（倍率１０００倍）したＳＥＭ写真
であり、図２９は、その切断側面を拡大した断面拡大模
式図である。
試験片に対して、スライサー加工（砥粒＃１０００の
例）を行った場合の切断表面を拡大（倍率１０００倍）
したＳＥＭ写真であり、図２８は、その切断側面を拡大
した断面拡大模式図である。又、図１１は、パンチ＆ダ
イを用いて打抜加工を行った後に焼成した同材料の試験
片の切断表面を拡大（倍率１０００倍）したＳＥＭ写真
であり、図２９は、その切断側面を拡大した断面拡大模
式図である。
【０１６３】 図１０により、スライサー加工を行った
試料には、部位ＡＡと部位ＢＢが観察される。部位ＡＡ
は、加工により圧電／電歪体結晶粒子が粒子内で破壊さ
れ平坦な研磨面相であり、部位ＢＢは粒子表面が現れて
いる面相であり、これらの面相が混在し、一様とはなっ
ていないことがわかる。砥石の番手を上げることにより
一様な面相とすることは出来るが、その面相は部位ＡＡ
で支配される状態、即ち、圧電／電歪体の表面が粒子内
破壊した結晶で構成されたものとなる。又、図２８よ
り、スライサー加工を行った試料には、マイクロクラッ
ク１９１や粒内破壊セラミック結晶粒子１９２の存在が
示される。
試料には、部位ＡＡと部位ＢＢが観察される。部位ＡＡ
は、加工により圧電／電歪体結晶粒子が粒子内で破壊さ
れ平坦な研磨面相であり、部位ＢＢは粒子表面が現れて
いる面相であり、これらの面相が混在し、一様とはなっ
ていないことがわかる。砥石の番手を上げることにより
一様な面相とすることは出来るが、その面相は部位ＡＡ
で支配される状態、即ち、圧電／電歪体の表面が粒子内
破壊した結晶で構成されたものとなる。又、図２８よ
り、スライサー加工を行った試料には、マイクロクラッ
ク１９１や粒内破壊セラミック結晶粒子１９２の存在が
示される。
【０１６４】 一方、パンチ＆ダイによる打抜加工を行
った試料（図１１）には、図１０に見られた部位ＡＡの
ような部位が認められず、粒子内を破壊したような面相
はほとんどなく、部位ＤＤとして一様であり、均質な面
が観察されている。又、図２９に示されるように、マイ
クロクラックも生じず、セラミック結晶粒子１９３の状
態は、粒内破壊を受けている結晶粒子が実質上なしに等
しい。このように、打抜加工の後に焼成すれば、試料の
切断表面において、粒内破壊を受けた結晶粒子を実質的
にない状態から１％以下の割合とすることが可能であ
る。従って、圧縮残留応力等による特性劣化は、ほぼな
くなる。
った試料（図１１）には、図１０に見られた部位ＡＡの
ような部位が認められず、粒子内を破壊したような面相
はほとんどなく、部位ＤＤとして一様であり、均質な面
が観察されている。又、図２９に示されるように、マイ
クロクラックも生じず、セラミック結晶粒子１９３の状
態は、粒内破壊を受けている結晶粒子が実質上なしに等
しい。このように、打抜加工の後に焼成すれば、試料の
切断表面において、粒内破壊を受けた結晶粒子を実質的
にない状態から１％以下の割合とすることが可能であ
る。従って、圧縮残留応力等による特性劣化は、ほぼな
くなる。
【０１６５】 尚、粒内破壊を受けている結晶粒子の割
合は、図１０に示す試料の例のように対象となる圧電／
電歪体の表面を電子顕微鏡で観察し、観察視野全域に占
める粒内破壊部位（図１０における部位ＡＡ）の割合
を、面積比として算出したものである。
合は、図１０に示す試料の例のように対象となる圧電／
電歪体の表面を電子顕微鏡で観察し、観察視野全域に占
める粒内破壊部位（図１０における部位ＡＡ）の割合
を、面積比として算出したものである。
【０１６６】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法においては、個割の圧電／電歪
体４を得るため、焼成後に切除加工を行うが、図８
（ｅ）で明示されるように、この被切除加工面は、電極
１８，１９を形成する面ではなく、その加工面は、圧電
／電歪素子３１を機能させるための主面となる面ではな
いために、このような切除面があっても殆ど影響は受け
ない。更に、焼成前に切除加工を行えば、このような心
配はない。
バイスの第１の製造方法においては、個割の圧電／電歪
体４を得るため、焼成後に切除加工を行うが、図８
（ｅ）で明示されるように、この被切除加工面は、電極
１８，１９を形成する面ではなく、その加工面は、圧電
／電歪素子３１を機能させるための主面となる面ではな
いために、このような切除面があっても殆ど影響は受け
ない。更に、焼成前に切除加工を行えば、このような心
配はない。
【０１６７】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法において、セラミックグリーン
シート１１６，１１７の積層時の位置合わせ方法は、例
えば、シート１１６，１１７の外形と、概ね同一の内形
を有する枠内に、シート１１６，１１７を順次重ねる
か、若しくは、ガイドピンを立てて、シート１１６，１
１７に予め開けられたガイド孔を通し順次重ねるか、若
しくは、孔部と同じ形状の所定数のガイドピンを所定ピ
ッチで並べ、孔部自体をガイド孔として、そのガイドピ
ンに通して順次重ねることにより位置合わせし、その
後、加熱圧着してセラミックグリーン積層体３０１の形
成を行うことが出来る。
バイスの第１の製造方法において、セラミックグリーン
シート１１６，１１７の積層時の位置合わせ方法は、例
えば、シート１１６，１１７の外形と、概ね同一の内形
を有する枠内に、シート１１６，１１７を順次重ねる
か、若しくは、ガイドピンを立てて、シート１１６，１
１７に予め開けられたガイド孔を通し順次重ねるか、若
しくは、孔部と同じ形状の所定数のガイドピンを所定ピ
ッチで並べ、孔部自体をガイド孔として、そのガイドピ
ンに通して順次重ねることにより位置合わせし、その
後、加熱圧着してセラミックグリーン積層体３０１の形
成を行うことが出来る。
【０１６８】 又、セラミックグリーンシートの積層手
段として打抜同時積層を適用してマトリクス型圧電／電
歪デバイスを製造すれば、シートの積層ズレが殆ど生じ
ないため、圧電／電歪体４を、より精度よく整列させる
ことが出来るので、圧電／電歪素子３１数の多い、規模
の大きなマトリクス型デバイスの作製に有効である。
段として打抜同時積層を適用してマトリクス型圧電／電
歪デバイスを製造すれば、シートの積層ズレが殆ど生じ
ないため、圧電／電歪体４を、より精度よく整列させる
ことが出来るので、圧電／電歪素子３１数の多い、規模
の大きなマトリクス型デバイスの作製に有効である。
【０１６９】 打抜同時積層とは、セラミックグリーン
シートを打ち抜き、孔部を形成するとともに、積層を後
述する方法により同時に行い、シートを積層しながら孔
部を形成して、打ち抜きの終了とともに積層も完了さ
せ、所定の厚さを有する貫通孔が形成された圧電／電歪
材料を含有するセラミックグリーン積層体を形成する方
法である。尚、この方法では、シートの積層ズレは殆ど
生じないが、図８（ａ）におけるシート１１６とシート
１１７のように異なる孔部形状をかこうしつつシートを
積層することは困難であるので、図８（ｂ）に示すセラ
ミックグリーン積層体３０１を得るためには、最初にス
ルーホールに相当するスリット状の孔部を所定のシート
に加工したものを準備し、その後に同じ形状の孔部を加
工しつつ積層することになる。
シートを打ち抜き、孔部を形成するとともに、積層を後
述する方法により同時に行い、シートを積層しながら孔
部を形成して、打ち抜きの終了とともに積層も完了さ
せ、所定の厚さを有する貫通孔が形成された圧電／電歪
材料を含有するセラミックグリーン積層体を形成する方
法である。尚、この方法では、シートの積層ズレは殆ど
生じないが、図８（ａ）におけるシート１１６とシート
１１７のように異なる孔部形状をかこうしつつシートを
積層することは困難であるので、図８（ｂ）に示すセラ
ミックグリーン積層体３０１を得るためには、最初にス
ルーホールに相当するスリット状の孔部を所定のシート
に加工したものを準備し、その後に同じ形状の孔部を加
工しつつ積層することになる。
【０１７０】 図２７（ａ）〜図２７（ｅ）は、打抜同
時積層の具体的方法を示す図であり、シート１１６の積
層操作をするストリッパ１１を配置したパンチ１０とダ
イ１２からなる金型を用いている。図２７（ａ）は、ダ
イ１２上に最初のシート１１６ａを載せた打ち抜き前の
状態を示し、図２７（ｂ）で、パンチ１０及びストリッ
パ１１を下降させて、シート１１６ａに孔部を打ち抜
く。
時積層の具体的方法を示す図であり、シート１１６の積
層操作をするストリッパ１１を配置したパンチ１０とダ
イ１２からなる金型を用いている。図２７（ａ）は、ダ
イ１２上に最初のシート１１６ａを載せた打ち抜き前の
状態を示し、図２７（ｂ）で、パンチ１０及びストリッ
パ１１を下降させて、シート１１６ａに孔部を打ち抜
く。
【０１７１】 次に、２枚目のシート１１６ｂの打ち抜
き準備に入るが、このとき図２７（ｃ）に示すように、
最初のシート１１６ａは、ストリッパ１１に密着させて
上方に移動させてダイ１２から離す。ストリッパ１１に
シート１１６を密着させる方法は、例えば、ストリッパ
１１に吸引孔を形成して真空吸引すること等で実施出来
る。
き準備に入るが、このとき図２７（ｃ）に示すように、
最初のシート１１６ａは、ストリッパ１１に密着させて
上方に移動させてダイ１２から離す。ストリッパ１１に
シート１１６を密着させる方法は、例えば、ストリッパ
１１に吸引孔を形成して真空吸引すること等で実施出来
る。
【０１７２】 又、２枚目のシート１１６ｂの打ち抜き
準備に入るために、ダイ１２からパンチ１０及びストリ
ッパ１１を引き上げるが、この引き上げている途中は、
パンチ１０の先端部を、一緒に引き上げた最初のシート
１１６ａの孔部の中まで戻さないことが望ましく、又、
止める際には、一緒に引き上げた最初のシート１１６ａ
の最下部より僅かに引き込んだところで止めることが肝
要である。パンチ１０を最初のシート１１６ａの孔まで
戻したり、完全にストリッパ１１の中へ格納してしまう
と、シート１１６は軟質であるため形成した孔が変形し
てしまい、シート１１６を積層して得られる貫通孔５を
形成した際に、貫通孔５を構成する側壁の平坦性が低下
してしまう。
準備に入るために、ダイ１２からパンチ１０及びストリ
ッパ１１を引き上げるが、この引き上げている途中は、
パンチ１０の先端部を、一緒に引き上げた最初のシート
１１６ａの孔部の中まで戻さないことが望ましく、又、
止める際には、一緒に引き上げた最初のシート１１６ａ
の最下部より僅かに引き込んだところで止めることが肝
要である。パンチ１０を最初のシート１１６ａの孔まで
戻したり、完全にストリッパ１１の中へ格納してしまう
と、シート１１６は軟質であるため形成した孔が変形し
てしまい、シート１１６を積層して得られる貫通孔５を
形成した際に、貫通孔５を構成する側壁の平坦性が低下
してしまう。
【０１７３】 図２７（ｄ）は、２枚目のシート１１６
ｂの打ち抜き工程を示し、最初のシート１１６ａをスト
リッパ１１に密着させることで、ダイ１２上に、２枚目
のシート１１６ｂを容易に載置出来、図２７（ｂ）の工
程のように打ち抜き出来、同時に最初のシート１１６ａ
に重ね合わせられる。
ｂの打ち抜き工程を示し、最初のシート１１６ａをスト
リッパ１１に密着させることで、ダイ１２上に、２枚目
のシート１１６ｂを容易に載置出来、図２７（ｂ）の工
程のように打ち抜き出来、同時に最初のシート１１６ａ
に重ね合わせられる。
【０１７４】 そして、図２７（ｃ）、図２７（ｄ）の
工程を繰り返して、打ち抜かれた最初のシート１１６ａ
と２枚目のシート１１６ｂとを重ね合わせて、ストリッ
パ１１により引き上げ、３枚目のシート１１６ｃの打ち
抜き準備に入る。但し、このときもパンチ１０の先端部
を一緒に引き上げたシート１１６の最下部より僅かに引
き込んだところで止めることが肝要である。その後、上
記したようなシートを打ち抜きパンチを積層軸に直前の
シートに重ね合わせる工程を繰り返して必要積層数のシ
ート１１６の打ち抜き及び積層を繰り返す。
工程を繰り返して、打ち抜かれた最初のシート１１６ａ
と２枚目のシート１１６ｂとを重ね合わせて、ストリッ
パ１１により引き上げ、３枚目のシート１１６ｃの打ち
抜き準備に入る。但し、このときもパンチ１０の先端部
を一緒に引き上げたシート１１６の最下部より僅かに引
き込んだところで止めることが肝要である。その後、上
記したようなシートを打ち抜きパンチを積層軸に直前の
シートに重ね合わせる工程を繰り返して必要積層数のシ
ート１１６の打ち抜き及び積層を繰り返す。
【０１７５】 図２７（ｅ）は、打ち抜きを終了した状
態を示している。必要な枚数のシート１１６の打ち抜き
及び積層が終了したら、ストリッパ１１によるシート１
１６の保持を解除し、打ち抜き積層したシート１１６を
ストリッパ１１から引き離して取り出し可能としてい
る。ストリッパ１１からの引き離しは、図示するよう
に、ストリッパ１１下面に引離治具１７を設けることで
確実に行うことが出来る。
態を示している。必要な枚数のシート１１６の打ち抜き
及び積層が終了したら、ストリッパ１１によるシート１
１６の保持を解除し、打ち抜き積層したシート１１６を
ストリッパ１１から引き離して取り出し可能としてい
る。ストリッパ１１からの引き離しは、図示するよう
に、ストリッパ１１下面に引離治具１７を設けることで
確実に行うことが出来る。
【０１７６】 以上述べた操作は、特願２００１−１３
１４９０に記載の製造方法を適用したものであり、この
操作に加え上記スルーホール１２８の形成により、所定
の厚さを有し貫通孔５が形成されたセラミックグリーン
積層体３０１（図８（ｂ））を得ることが出来る。
１４９０に記載の製造方法を適用したものであり、この
操作に加え上記スルーホール１２８の形成により、所定
の厚さを有し貫通孔５が形成されたセラミックグリーン
積層体３０１（図８（ｂ））を得ることが出来る。
【０１７７】 打抜同時積層を行えば、パンチとダイを
用いてセラミックグリーンシート１１６に孔部１５を形
成すると同時にシート１１６の積層を行い、パンチ自体
をシート１１６の積層位置合わせ軸として使用して、パ
ンチにより打ち抜いた孔部１５の変形を防止するため、
孔部１５の変形が発生せず、シート１１６積層間のズレ
量を殆どなくす（５μｍ未満）ことが出来、高い精度で
セラミックグリーン積層体３０１を得ることが出来る。
用いてセラミックグリーンシート１１６に孔部１５を形
成すると同時にシート１１６の積層を行い、パンチ自体
をシート１１６の積層位置合わせ軸として使用して、パ
ンチにより打ち抜いた孔部１５の変形を防止するため、
孔部１５の変形が発生せず、シート１１６積層間のズレ
量を殆どなくす（５μｍ未満）ことが出来、高い精度で
セラミックグリーン積層体３０１を得ることが出来る。
【０１７８】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第１の製造方法では、図８（ｂ）〜図８（ｆ）
に示すように、シート１１６の積層方向（Ｚ軸方向）
は、圧電／電歪体４（圧電／電歪素子３１）のマトリク
ス状配置の一の方向である。従って、この精度が高くな
ることにより、圧電／電歪素子３１の位置ズレが殆どな
くなり、更に優れた輪郭度が得られるとともに、高アス
ペクト比の圧電／電歪素子３１を、高精度且つ高集積に
配置したデバイスを実現出来る。
バイスの第１の製造方法では、図８（ｂ）〜図８（ｆ）
に示すように、シート１１６の積層方向（Ｚ軸方向）
は、圧電／電歪体４（圧電／電歪素子３１）のマトリク
ス状配置の一の方向である。従って、この精度が高くな
ることにより、圧電／電歪素子３１の位置ズレが殆どな
くなり、更に優れた輪郭度が得られるとともに、高アス
ペクト比の圧電／電歪素子３１を、高精度且つ高集積に
配置したデバイスを実現出来る。
【０１７９】 尚、背の高い（厚さに比べて高さの大き
な）高アスペクト比の圧電／電歪素子を構成する場合に
は、焼成過程を含む製造過程でのハンドリングにおい
て、貫通孔間の側壁（圧電／電歪体部分）が変形したり
破損しないように、工夫することが好ましい。例えば、
図８（ｂ）において、セラミックグリーン積層体３０１
に対して、貫通孔５が閉塞するように、セラミックグリ
ーンシートを（図中、上面及び下面に）取り付けて、焼
成することも好ましい。このように別途シートを設けて
も、焼成時には、スルーホール１２８がグリーンシート
中の有機分の分解乃至燃焼に伴うガスの排出口になり、
クラック等が生じることはない。焼成した後に、閉塞部
分（貫通孔を閉塞させるために取り付けたシート相当部
分）を研磨等により除去し、貫通孔を開口させればよ
い。
な）高アスペクト比の圧電／電歪素子を構成する場合に
は、焼成過程を含む製造過程でのハンドリングにおい
て、貫通孔間の側壁（圧電／電歪体部分）が変形したり
破損しないように、工夫することが好ましい。例えば、
図８（ｂ）において、セラミックグリーン積層体３０１
に対して、貫通孔５が閉塞するように、セラミックグリ
ーンシートを（図中、上面及び下面に）取り付けて、焼
成することも好ましい。このように別途シートを設けて
も、焼成時には、スルーホール１２８がグリーンシート
中の有機分の分解乃至燃焼に伴うガスの排出口になり、
クラック等が生じることはない。焼成した後に、閉塞部
分（貫通孔を閉塞させるために取り付けたシート相当部
分）を研磨等により除去し、貫通孔を開口させればよ
い。
【０１８０】 又、図８（ｃ）における圧電／電歪体側
面への電極形成の方法としては、スパッタリング、真空
蒸着、ＣＶＤ、メッキ、塗布、スプレー等で行うことが
出来る。この際、一対の電極が短絡しないようにマスキ
ングを施したのち、実施することが好ましい。更に、各
圧電／電歪素子の初期高さを厳密に一定とする場合、作
用面の平坦度を上げ、対象に対して効果的に作用出来る
ようにする、更に勿論、作用面を鏡面とする、等の目的
で、図８（ｅ）の切除工程の前、若しくは、後に、研磨
を実施することも好ましい。尚、上記した電極形成の際
のマスキング処理は必ずしも必要としない場合がある。
例えば、全面に電極を形成しておいて、研磨によってそ
れらを断線させれば、一対の電極が形成される。
面への電極形成の方法としては、スパッタリング、真空
蒸着、ＣＶＤ、メッキ、塗布、スプレー等で行うことが
出来る。この際、一対の電極が短絡しないようにマスキ
ングを施したのち、実施することが好ましい。更に、各
圧電／電歪素子の初期高さを厳密に一定とする場合、作
用面の平坦度を上げ、対象に対して効果的に作用出来る
ようにする、更に勿論、作用面を鏡面とする、等の目的
で、図８（ｅ）の切除工程の前、若しくは、後に、研磨
を実施することも好ましい。尚、上記した電極形成の際
のマスキング処理は必ずしも必要としない場合がある。
例えば、全面に電極を形成しておいて、研磨によってそ
れらを断線させれば、一対の電極が形成される。
【０１８１】 研磨は、上記目的の他に、図２２及び図
２３に示されるマトリクス型圧電／電歪デバイスのよう
に、壁部と圧電／電歪素子との高さが異なる態様を形成
するためにも採用出来る。一対の電極を形成した後、こ
の一対の電極に電圧を印加し圧電／電歪素子を作動させ
た状態で研磨をすることにより、例えば、作動状態で収
縮するタイプのマトリクス型圧電／電歪デバイスに適用
すれば、図２２に示されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イスのような態様が実現出来、一方、作動状態で伸長す
るタイプのマトリクス型圧電／電歪デバイスに適用すれ
ば、図２３に示されるマトリクス型圧電／電歪デバイス
のような態様が実現出来る。
２３に示されるマトリクス型圧電／電歪デバイスのよう
に、壁部と圧電／電歪素子との高さが異なる態様を形成
するためにも採用出来る。一対の電極を形成した後、こ
の一対の電極に電圧を印加し圧電／電歪素子を作動させ
た状態で研磨をすることにより、例えば、作動状態で収
縮するタイプのマトリクス型圧電／電歪デバイスに適用
すれば、図２２に示されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イスのような態様が実現出来、一方、作動状態で伸長す
るタイプのマトリクス型圧電／電歪デバイスに適用すれ
ば、図２３に示されるマトリクス型圧電／電歪デバイス
のような態様が実現出来る。
【０１８２】 又、第１の製造方法においては、貫通孔
開口面に、更に平板状のグリーンシートを積層した後に
焼成することも好ましい。このような方法により貫通孔
を構成する側壁の形状が安定する。
開口面に、更に平板状のグリーンシートを積層した後に
焼成することも好ましい。このような方法により貫通孔
を構成する側壁の形状が安定する。
【０１８３】 次に、本発明に係るマトリクス型圧電／
電歪デバイスの第２の製造方法について説明する。本発
明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造
方法は、遊離砥粒を加工媒体として用いた機械加工を主
手段とし、圧電／電歪材料を主成分とするセラミックグ
リーン成形体を用意する工程Ａと、少なくともセラミッ
クグリーン成形体を含むセラミック前駆体を焼成し、一
体的なセラミック焼成体を得る工程Ｂと、セラミック焼
成体に、上記機械加工法によって複数の第１のスリット
（一のスリット）を形成する工程Ｃと、第１のスリット
の側面に電極を形成する工程Ｄと、第１のスリットに交
差する複数の第２のスリット（他のスリット）を形成す
る工程Ｅとを有するところに特徴がある。
電歪デバイスの第２の製造方法について説明する。本発
明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造
方法は、遊離砥粒を加工媒体として用いた機械加工を主
手段とし、圧電／電歪材料を主成分とするセラミックグ
リーン成形体を用意する工程Ａと、少なくともセラミッ
クグリーン成形体を含むセラミック前駆体を焼成し、一
体的なセラミック焼成体を得る工程Ｂと、セラミック焼
成体に、上記機械加工法によって複数の第１のスリット
（一のスリット）を形成する工程Ｃと、第１のスリット
の側面に電極を形成する工程Ｄと、第１のスリットに交
差する複数の第２のスリット（他のスリット）を形成す
る工程Ｅとを有するところに特徴がある。
【０１８４】 本発明に係るマトリクス型アクチュエー
タの第２の製造方法おいては、遊離砥粒を用いた機械加
工（切込加工）を好適に用いるため、第１の製造方法と
同様に、ダイサー、スライサー等の固定砥粒を用いた加
工と比較して、被加工体に対するダメージが小さく、微
小な構造も容易に加工出来る。従って、被加工面の表面
において粗さが小さく且つ均質になり、加工した圧電／
電歪体の表面（側面）に電極を形成する際に、電極と圧
電／電歪体との付着性が良好であり、圧電特性を、より
効果的に引き出すことが出来る。尚、砥粒は、炭化珪素
で＃３０００〜＃８０００が好ましい。
タの第２の製造方法おいては、遊離砥粒を用いた機械加
工（切込加工）を好適に用いるため、第１の製造方法と
同様に、ダイサー、スライサー等の固定砥粒を用いた加
工と比較して、被加工体に対するダメージが小さく、微
小な構造も容易に加工出来る。従って、被加工面の表面
において粗さが小さく且つ均質になり、加工した圧電／
電歪体の表面（側面）に電極を形成する際に、電極と圧
電／電歪体との付着性が良好であり、圧電特性を、より
効果的に引き出すことが出来る。尚、砥粒は、炭化珪素
で＃３０００〜＃８０００が好ましい。
【０１８５】 図３８は、圧電／電歪材料からなる試験
片に対して、遊離砥粒を用いた切込加工（ワイヤーソー
＃６０００での加工例）を行った場合の切断表面を拡大
（倍率１０００倍）した図面代替ＳＥＭ写真である。第
１の製造方法の説明において記した如く（図１０に示す
如く）、固定砥粒を用いた切込加工を行った試料では、
圧電／電歪体の表面が粒子内で破壊され、平面状に研磨
を受けた結晶で構成されたものとなるが、図３８から明
らかなように、遊離砥粒を用いた切込加工を行った試料
には、そのような平面状に破壊されたような面相はほと
んどなく、部位ＥＥとして一様であり、均質な面が観察
される。このように、遊離砥粒を用いた切込加工によれ
ば、試料の切断表面において、粒内破壊を受けた結晶粒
子を１０％以下の割合とすることが可能である。従っ
て、上記したように、圧縮残留応力等による特性劣化が
小さい。
片に対して、遊離砥粒を用いた切込加工（ワイヤーソー
＃６０００での加工例）を行った場合の切断表面を拡大
（倍率１０００倍）した図面代替ＳＥＭ写真である。第
１の製造方法の説明において記した如く（図１０に示す
如く）、固定砥粒を用いた切込加工を行った試料では、
圧電／電歪体の表面が粒子内で破壊され、平面状に研磨
を受けた結晶で構成されたものとなるが、図３８から明
らかなように、遊離砥粒を用いた切込加工を行った試料
には、そのような平面状に破壊されたような面相はほと
んどなく、部位ＥＥとして一様であり、均質な面が観察
される。このように、遊離砥粒を用いた切込加工によれ
ば、試料の切断表面において、粒内破壊を受けた結晶粒
子を１０％以下の割合とすることが可能である。従っ
て、上記したように、圧縮残留応力等による特性劣化が
小さい。
【０１８６】 遊離砥粒を加工媒体とした機械加工とし
て、例えば、ワイヤーソー加工、超音波加工、ブラスト
加工、その他種々の加工法を採用することが可能であ
る。特に、切込溝の底部における曲面（Ｒ状）の状態を
容易に制御出来、且つ、高密度で微細な加工が可能であ
り低ダメージであることから、ワイヤーソー加工法を用
いることが好ましい。
て、例えば、ワイヤーソー加工、超音波加工、ブラスト
加工、その他種々の加工法を採用することが可能であ
る。特に、切込溝の底部における曲面（Ｒ状）の状態を
容易に制御出来、且つ、高密度で微細な加工が可能であ
り低ダメージであることから、ワイヤーソー加工法を用
いることが好ましい。
【０１８７】 ワイヤーソー加工を行う場合には、クラ
ックの発生、表面状態の点から、ワイヤー径は概ね３０
〜２００μｍの範囲で行うことが好ましく、その際の加
工速度は、概ね１０〜１００μｍ／ｍｉｎの範囲で行う
ことが好ましい。又、ワイヤーの線速度は、速い方がワ
イヤーの剛性が高まり、加工ブレがなく均一な孔部形成
が出来ることから好ましい。ワイヤーの線速度は、使用
するワイヤー径、加工幅、材料、寸法に応じて、概ね１
０〜８００ｍ／ｍｉｎの範囲で調整することが、より好
ましい。このような条件を採用することにより、焼成し
た後に加工を施す製造方法であっても、加工面の粒内破
壊粒子の割合を１０％以下に抑制可能である。
ックの発生、表面状態の点から、ワイヤー径は概ね３０
〜２００μｍの範囲で行うことが好ましく、その際の加
工速度は、概ね１０〜１００μｍ／ｍｉｎの範囲で行う
ことが好ましい。又、ワイヤーの線速度は、速い方がワ
イヤーの剛性が高まり、加工ブレがなく均一な孔部形成
が出来ることから好ましい。ワイヤーの線速度は、使用
するワイヤー径、加工幅、材料、寸法に応じて、概ね１
０〜８００ｍ／ｍｉｎの範囲で調整することが、より好
ましい。このような条件を採用することにより、焼成し
た後に加工を施す製造方法であっても、加工面の粒内破
壊粒子の割合を１０％以下に抑制可能である。
【０１８８】 以下、遊離砥粒を用いた機械加工法とし
てワイヤーソー加工法を利用した例を掲げ、本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法の
一例を説明する。図３１（ａ）〜図３１（ｈ）は第２の
製造方法の一例の概略工程を示す図である。ここで、例
えば図１（ａ）に示したマトリクス型圧電／電歪デバイ
ス１を作製する方法として説明する。
てワイヤーソー加工法を利用した例を掲げ、本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法の
一例を説明する。図３１（ａ）〜図３１（ｈ）は第２の
製造方法の一例の概略工程を示す図である。ここで、例
えば図１（ａ）に示したマトリクス型圧電／電歪デバイ
ス１を作製する方法として説明する。
【０１８９】 先ず、後述する圧電／電歪材料を主成分
とする所定枚数のセラミックグリーンシートを用意す
る。図３１（ａ）で、後に圧電／電歪素子３１を構成す
るセラミックグリーンシート１６と、後に基体２を構成
するセラミックグリーンシート１１３を、パンチとダイ
により所定外形に打ち抜き加工する。シート１１３には
ビアホール１１２を形成する。これらを、それぞれ所定
枚数、積層・圧着し、セラミックグリーン積層体６０１
及びセラミックグリーン基体６０２を得る（図３１
（ｂ））。
とする所定枚数のセラミックグリーンシートを用意す
る。図３１（ａ）で、後に圧電／電歪素子３１を構成す
るセラミックグリーンシート１６と、後に基体２を構成
するセラミックグリーンシート１１３を、パンチとダイ
により所定外形に打ち抜き加工する。シート１１３には
ビアホール１１２を形成する。これらを、それぞれ所定
枚数、積層・圧着し、セラミックグリーン積層体６０１
及びセラミックグリーン基体６０２を得る（図３１
（ｂ））。
【０１９０】 そして、セラミックグリーン積層体６０
１及びセラミックグリーン基体６０２を積層して、圧電
／電歪材料を主成分とするセラミック前駆体を形成す
る。この場合、シート１６の積層体と、シート１１３の
積層体を作製し、それら２つの積層体を１つのセラミッ
ク前駆体としてもよいし、又、シート１６及びシート１
１３を一括で積層してセラミック前駆体としてもよい。
又、本例ではシート１６には何の孔加工も施されていな
いが、必要に応じて後のワイヤーソー加工用の位置合わ
せ孔、積層時の基準孔等を設けてもよい。その後、焼成
し一体化してセラミック焼成体６０３を得る（図３１
（ｃ））。
１及びセラミックグリーン基体６０２を積層して、圧電
／電歪材料を主成分とするセラミック前駆体を形成す
る。この場合、シート１６の積層体と、シート１１３の
積層体を作製し、それら２つの積層体を１つのセラミッ
ク前駆体としてもよいし、又、シート１６及びシート１
１３を一括で積層してセラミック前駆体としてもよい。
又、本例ではシート１６には何の孔加工も施されていな
いが、必要に応じて後のワイヤーソー加工用の位置合わ
せ孔、積層時の基準孔等を設けてもよい。その後、焼成
し一体化してセラミック焼成体６０３を得る（図３１
（ｃ））。
【０１９１】 次いで、図３１（ｄ）に示すように、所
定ピッチでワイヤーが並ぶワイヤーソー３５２により一
軸に切込加工を行い、セラミック焼成体６０３にスリッ
ト１０５を設ける（図３１（ｅ））。そして、塗布法等
により圧電／電歪体４の側面に電極１８，１９を形成す
る（図３１（ｆ）、及び図１（ａ）参照）。その後、図
３１（ｄ）で加工したスリット１０５に交差する方向
に、所定ピッチでワイヤーが並ぶワイヤーソー３５３に
よりスリット１１５を形成する。そして、必要に応じて
分極処理を行い、マトリクス型圧電／電歪デバイス１を
完成させる（図３１（ｈ））。
定ピッチでワイヤーが並ぶワイヤーソー３５２により一
軸に切込加工を行い、セラミック焼成体６０３にスリッ
ト１０５を設ける（図３１（ｅ））。そして、塗布法等
により圧電／電歪体４の側面に電極１８，１９を形成す
る（図３１（ｆ）、及び図１（ａ）参照）。その後、図
３１（ｄ）で加工したスリット１０５に交差する方向
に、所定ピッチでワイヤーが並ぶワイヤーソー３５３に
よりスリット１１５を形成する。そして、必要に応じて
分極処理を行い、マトリクス型圧電／電歪デバイス１を
完成させる（図３１（ｈ））。
【０１９２】 図３１（ｆ）と図３１（ｇ）で示される
工程の間に、先に形成したスリット１０５に、後に除去
可能な樹脂等の充填材を詰めることが、より好ましい。
次のスリット加工時に、より破損し難くなるからであ
る。又、上記樹脂等の充填の後、次のスリット加工の前
に、圧電／電歪素子の初期高さを揃えるため、又は、作
用面の平坦度を上げて駆動対象に対して効果的に作用出
来るようにするため、若しくは、作用面を鏡面とするた
め、等の目的で研磨を実施することも好ましい。
工程の間に、先に形成したスリット１０５に、後に除去
可能な樹脂等の充填材を詰めることが、より好ましい。
次のスリット加工時に、より破損し難くなるからであ
る。又、上記樹脂等の充填の後、次のスリット加工の前
に、圧電／電歪素子の初期高さを揃えるため、又は、作
用面の平坦度を上げて駆動対象に対して効果的に作用出
来るようにするため、若しくは、作用面を鏡面とするた
め、等の目的で研磨を実施することも好ましい。
【０１９３】 図３７（ａ）〜図３７（ｉ）は、図３３
に示されるマトリクス型圧電／電歪デバイス８０の製造
方法の一例である。製造工程は、概ね上記図３１（ａ）
〜図３１（ｈ）で示した製造方法に準じる。
に示されるマトリクス型圧電／電歪デバイス８０の製造
方法の一例である。製造工程は、概ね上記図３１（ａ）
〜図３１（ｈ）で示した製造方法に準じる。
【０１９４】 最上層を除く各セラミックグリーンシー
トには、それぞれ内部電極４８、４９が所定の位置にス
クリーン印刷等によって形成されている（図３７
（ａ））。それらセラミックグリーンシート３１６，３
１７を交互に積層し、セラミックグリーン積層体７０１
を得る（図３７（ｂ））。このセラミックグリーン積層
体７０１と、別に準備したセラミックグリーン基体７０
２とを積層し、セラミック前駆体を得る（図３７
（ｃ））。次いで、セラミック前駆体を焼成により一体
化し、セラミック焼成体７０３を得る（図３７
（ｄ））。
トには、それぞれ内部電極４８、４９が所定の位置にス
クリーン印刷等によって形成されている（図３７
（ａ））。それらセラミックグリーンシート３１６，３
１７を交互に積層し、セラミックグリーン積層体７０１
を得る（図３７（ｂ））。このセラミックグリーン積層
体７０１と、別に準備したセラミックグリーン基体７０
２とを積層し、セラミック前駆体を得る（図３７
（ｃ））。次いで、セラミック前駆体を焼成により一体
化し、セラミック焼成体７０３を得る（図３７
（ｄ））。
【０１９５】 そして、ワイヤーソー３５２でスリット
１０５を形成する（図３７（ｅ））。スリット１０５が
設けられたことにより、セラミック焼成体７０３の内部
電極４８，４９が、スリット１０５を通して露出する。
内部電極４９は図示されていない（図３７（ｆ））。次
いで、スリット１０５を構成する側壁に塗布法等で電極
２８、２９を形成し、その後、スリット１０５と交差す
る方向に切込線７５１に沿って、ワイヤーソーによりス
リット１１５を形成する（図３７（ｇ）、図３７
（ｈ））。
１０５を形成する（図３７（ｅ））。スリット１０５が
設けられたことにより、セラミック焼成体７０３の内部
電極４８，４９が、スリット１０５を通して露出する。
内部電極４９は図示されていない（図３７（ｆ））。次
いで、スリット１０５を構成する側壁に塗布法等で電極
２８、２９を形成し、その後、スリット１０５と交差す
る方向に切込線７５１に沿って、ワイヤーソーによりス
リット１１５を形成する（図３７（ｇ）、図３７
（ｈ））。
【０１９６】 最後に、切断線７５０に沿って、ワイヤ
ーソー３５３によりセラミック焼成体７０３を切断し、
マトリクス型圧電／電歪デバイス８０を得る（図３７
（ｉ））。図３７（ａ）〜図３７（ｉ）の製造工程にお
いて、充填剤の使用、研磨の有無については、図３１
（ａ）〜図３１（ｈ）の場合と同様に適用出来る。
ーソー３５３によりセラミック焼成体７０３を切断し、
マトリクス型圧電／電歪デバイス８０を得る（図３７
（ｉ））。図３７（ａ）〜図３７（ｉ）の製造工程にお
いて、充填剤の使用、研磨の有無については、図３１
（ａ）〜図３１（ｈ）の場合と同様に適用出来る。
【０１９７】 図３１（ａ）〜図３１（ｈ）、図３７
（ａ）〜図３７（ｉ）に示した本発明に係るマトリクス
型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法の一例は、スリ
ット幅がワイヤー径と同等な、比較的狭いスリットを形
成する場合であるが、幅の広いスリットを形成する場合
には、他の方法を採用することが好ましい場合がある。
（ａ）〜図３７（ｉ）に示した本発明に係るマトリクス
型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法の一例は、スリ
ット幅がワイヤー径と同等な、比較的狭いスリットを形
成する場合であるが、幅の広いスリットを形成する場合
には、他の方法を採用することが好ましい場合がある。
【０１９８】 ワイヤーソー加工により幅の広いスリッ
トを形成しようとしたとき、通常、そのスリットに合う
太いワイヤーを採用するか、そのような太いワイヤーが
ないときには、位置を少しずつずらして何度も加工し、
所定幅のスリットを得ている。
トを形成しようとしたとき、通常、そのスリットに合う
太いワイヤーを採用するか、そのような太いワイヤーが
ないときには、位置を少しずつずらして何度も加工し、
所定幅のスリットを得ている。
【０１９９】 しかし、太いワイヤーを用いた場合に
は、加工速度を速くとれる反面、加工にかかる応力が大
きく、後に圧電／電歪体側面となるスリットを構成する
側壁へのダメージが大きく、特に、厚さが薄い圧電／電
歪素子（圧電／電歪体）を構成する場合には、加工時に
圧電／電歪体が破損したり、破損しないまでもクラック
等を内在し易い。更に、圧電／電歪体の厚さが不均一に
なり易く、セラミック基体と圧電／電歪体との接合部近
傍の曲面の曲率半径も大きくなってしまい、圧電／電歪
素子としての特性に支障が出ることがあり得る。加工面
へのダメージと同様、スリットとスリットの間の寸法
（後の圧電／電歪素子（圧電／電歪体）の厚さ）が小さ
い場合には、特に影響が大きい。従って、ワイヤーソー
での加工にあたっては、細いワイヤーを用いることが加
工品質上好ましい。
は、加工速度を速くとれる反面、加工にかかる応力が大
きく、後に圧電／電歪体側面となるスリットを構成する
側壁へのダメージが大きく、特に、厚さが薄い圧電／電
歪素子（圧電／電歪体）を構成する場合には、加工時に
圧電／電歪体が破損したり、破損しないまでもクラック
等を内在し易い。更に、圧電／電歪体の厚さが不均一に
なり易く、セラミック基体と圧電／電歪体との接合部近
傍の曲面の曲率半径も大きくなってしまい、圧電／電歪
素子としての特性に支障が出ることがあり得る。加工面
へのダメージと同様、スリットとスリットの間の寸法
（後の圧電／電歪素子（圧電／電歪体）の厚さ）が小さ
い場合には、特に影響が大きい。従って、ワイヤーソー
での加工にあたっては、細いワイヤーを用いることが加
工品質上好ましい。
【０２００】 一方、位置をずらして複数回の加工を行
う場合には、加工されるスリットの幅はワイヤー径程度
となるため、細いワイヤーで幅の広いスリットを形成す
るには、スリット加工を繰り返し、幾本も細いスリット
を重ねて幅の広いスリットを形成する必要があり、加工
工数が大きくなり、その加工工数の倍数で加工時間も増
えてしまう。又、必然的に長時間にわたり試料が加工に
晒されることになるため、破損に対する措置を厳重にと
る必要が生じる。
う場合には、加工されるスリットの幅はワイヤー径程度
となるため、細いワイヤーで幅の広いスリットを形成す
るには、スリット加工を繰り返し、幾本も細いスリット
を重ねて幅の広いスリットを形成する必要があり、加工
工数が大きくなり、その加工工数の倍数で加工時間も増
えてしまう。又、必然的に長時間にわたり試料が加工に
晒されることになるため、破損に対する措置を厳重にと
る必要が生じる。
【０２０１】 このような問題を解決することが出来、
加工ダメージの少ない細いワイヤーの使用が可能で、且
つ、工数的にスリット幅に大きく依存せず加工すること
が出来る方法が、２軸加工法である。２軸加工法とは、
セラミック焼成体を厚さ方向に切込加工し第一の切込溝
を得て、第一の切込加工位置から所定寸法ずらしセラミ
ック焼成体を厚さ方向に切込加工し第二の切込溝を得
て、第二の切込溝の内部から第一の切込溝の内部に向か
って切込加工を行い、第一の切込溝と第二の切込溝との
間の部位を切除することにより、幅の大きなスリットを
形成する手段である。
加工ダメージの少ない細いワイヤーの使用が可能で、且
つ、工数的にスリット幅に大きく依存せず加工すること
が出来る方法が、２軸加工法である。２軸加工法とは、
セラミック焼成体を厚さ方向に切込加工し第一の切込溝
を得て、第一の切込加工位置から所定寸法ずらしセラミ
ック焼成体を厚さ方向に切込加工し第二の切込溝を得
て、第二の切込溝の内部から第一の切込溝の内部に向か
って切込加工を行い、第一の切込溝と第二の切込溝との
間の部位を切除することにより、幅の大きなスリットを
形成する手段である。
【０２０２】 この２軸加工法によれば、細線を用いた
加工が可能であり、又、圧電／電歪デバイスの設計に大
きく依存しないので、加工ダメージは最小限に抑えら
れ、加工工数が低減され得る。この場合、第一、第二の
切込溝を得る通常のスリット加工時は、加工効率のよい
ワイヤーの引き戻しサイクルを有したフィード加工（ワ
イヤーの進行を、送り、戻しを行いつつ、徐々に送って
いく方法）で行い、第一、第二の切込溝の間の部位の切
除には、フィードのみ、即ち、一方向のみへのワイヤー
送りで加工することが好ましい。第一、第二の切込溝の
間の部位の切除にワイヤーの進行を一方向のみとするこ
とにより、加工時のワイヤーのブレが、より低減され、
特に、加工初期並びに加工終期の加工環境の変化時に生
じ得るスリットとスリットの間の側壁（後の圧電／電歪
素子（圧電／電歪体）になる部分）の破損が効果的に抑
制出来る。
加工が可能であり、又、圧電／電歪デバイスの設計に大
きく依存しないので、加工ダメージは最小限に抑えら
れ、加工工数が低減され得る。この場合、第一、第二の
切込溝を得る通常のスリット加工時は、加工効率のよい
ワイヤーの引き戻しサイクルを有したフィード加工（ワ
イヤーの進行を、送り、戻しを行いつつ、徐々に送って
いく方法）で行い、第一、第二の切込溝の間の部位の切
除には、フィードのみ、即ち、一方向のみへのワイヤー
送りで加工することが好ましい。第一、第二の切込溝の
間の部位の切除にワイヤーの進行を一方向のみとするこ
とにより、加工時のワイヤーのブレが、より低減され、
特に、加工初期並びに加工終期の加工環境の変化時に生
じ得るスリットとスリットの間の側壁（後の圧電／電歪
素子（圧電／電歪体）になる部分）の破損が効果的に抑
制出来る。
【０２０３】 以下に、図３５（ａ）〜図３５（ｅ）を
参照しながら、第２の製造方法に係る２軸加工法につい
て説明する。
参照しながら、第２の製造方法に係る２軸加工法につい
て説明する。
【０２０４】 図３５（ａ）で、先ず、所定ピッチで並
んだワイヤーソーにより、セラミック焼成体５０３の所
定の位置に、図中においてセラミック焼成体５０３表面
からビアホール１１９までの距離Ｊ以上の深さＫとなる
ように、第一の切込溝３５４を切り込み、形成する。次
に、第一の切込加工で得られた切込溝３５４に樹脂等か
らなる充填材３５９を充填する。そして、切込溝３５４
から、圧電／電歪体の厚さ（若しくは幅）となる距離Ｉ
を隔てて、切込加工を行い、切込溝３５５を得る（図３
５（ｂ））。
んだワイヤーソーにより、セラミック焼成体５０３の所
定の位置に、図中においてセラミック焼成体５０３表面
からビアホール１１９までの距離Ｊ以上の深さＫとなる
ように、第一の切込溝３５４を切り込み、形成する。次
に、第一の切込加工で得られた切込溝３５４に樹脂等か
らなる充填材３５９を充填する。そして、切込溝３５４
から、圧電／電歪体の厚さ（若しくは幅）となる距離Ｉ
を隔てて、切込加工を行い、切込溝３５５を得る（図３
５（ｂ））。
【０２０５】 次に、図３５（ｃ）で、切込溝３５５の
底部から、圧電／電歪素子として残す部分とは反対の方
向に隣接する切込溝３５４に向かって切込加工を行う。
この切込加工によって、切込溝３５４と切込溝３５５は
切込溝３５６によって接続され、その切込溝３５６中に
ビアホール１１９が露出するとともに、不要部３５７が
除去される（図３５（ｄ））。
底部から、圧電／電歪素子として残す部分とは反対の方
向に隣接する切込溝３５４に向かって切込加工を行う。
この切込加工によって、切込溝３５４と切込溝３５５は
切込溝３５６によって接続され、その切込溝３５６中に
ビアホール１１９が露出するとともに、不要部３５７が
除去される（図３５（ｄ））。
【０２０６】 最後に、充填した樹脂等の充填材３５９
を除去し、幅の広いスリット２２５と、スリット２２５
間の後に圧電／電歪体となる側壁２２６とを有する構造
を得る。尚、図３１（ａ）〜図３１（ｈ）に示したスリ
ット１０５に対するスリット１１５のように、スリット
２２５に交差する方向のスリットの加工にあたっても、
同様に実施することが出来る。
を除去し、幅の広いスリット２２５と、スリット２２５
間の後に圧電／電歪体となる側壁２２６とを有する構造
を得る。尚、図３１（ａ）〜図３１（ｈ）に示したスリ
ット１０５に対するスリット１１５のように、スリット
２２５に交差する方向のスリットの加工にあたっても、
同様に実施することが出来る。
【０２０７】 又、２軸加工法において、上記したよう
に切込溝３５５を加工する前に、切込溝３５４に充填材
３５９を充填するとともに、図３６（ａ）、図３６
（ｂ）に示されるような補強部材３４９を、セラミック
焼成体５０３の側面（図３６（ａ））、若しくは、表面
（図３６（ｂ））に配設することが好ましい。先に入れ
た切込溝３５４によって、セラミック焼成体５０３の剛
性が低下し、切込溝３５５の加工にあたってワイヤーが
逃げたり、揺れによって加工ブレが生じ、所望の加工精
度が得られない場合があるが、補強部材３４９の配設に
より、セラミック焼成体５０３の剛性が確保され、上記
した不都合が解消される。又、補強部材３４９は、側面
（図３６（ａ））並びに表面（図３６（ｂ））に、同時
に配設することが、尚好ましい。加えて、切込溝３５４
には、溝幅より若干小さい厚さを有する硬質材料、例え
ばアルミナ、ジルコニア等のセラミックス材料、からな
る板材を充填材３５９とともに充填することも好まし
い。
に切込溝３５５を加工する前に、切込溝３５４に充填材
３５９を充填するとともに、図３６（ａ）、図３６
（ｂ）に示されるような補強部材３４９を、セラミック
焼成体５０３の側面（図３６（ａ））、若しくは、表面
（図３６（ｂ））に配設することが好ましい。先に入れ
た切込溝３５４によって、セラミック焼成体５０３の剛
性が低下し、切込溝３５５の加工にあたってワイヤーが
逃げたり、揺れによって加工ブレが生じ、所望の加工精
度が得られない場合があるが、補強部材３４９の配設に
より、セラミック焼成体５０３の剛性が確保され、上記
した不都合が解消される。又、補強部材３４９は、側面
（図３６（ａ））並びに表面（図３６（ｂ））に、同時
に配設することが、尚好ましい。加えて、切込溝３５４
には、溝幅より若干小さい厚さを有する硬質材料、例え
ばアルミナ、ジルコニア等のセラミックス材料、からな
る板材を充填材３５９とともに充填することも好まし
い。
【０２０８】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの第２の製造方法においては、セラミックグリー
ン成形体を作製するにあたり、セラミックグリーンシー
トを積層する方法の他、プレス成型法、射出成型法等に
よってもセラミックグリーン成形体を作製することが出
来る。得られたセラミックグリーン成形体の一部にスル
ーホール乃至ビアホールを形成し、それを焼成する。
又、スリット加工はセラミック焼成体にかかわらず、セ
ラミックグリーン成形体に対して行うことも出来るが、
セラミック焼成体に対して行う方が加工精度に優れ再現
性が高いので好ましい。
バイスの第２の製造方法においては、セラミックグリー
ン成形体を作製するにあたり、セラミックグリーンシー
トを積層する方法の他、プレス成型法、射出成型法等に
よってもセラミックグリーン成形体を作製することが出
来る。得られたセラミックグリーン成形体の一部にスル
ーホール乃至ビアホールを形成し、それを焼成する。
又、スリット加工はセラミック焼成体にかかわらず、セ
ラミックグリーン成形体に対して行うことも出来るが、
セラミック焼成体に対して行う方が加工精度に優れ再現
性が高いので好ましい。
【０２０９】 以上、本発明に係るマトリクス型圧電／
電歪デバイスの製造方法について説明したが、第１の製
造方法によって作製されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イスは、圧電素子を構成する圧電／電歪体にクラック等
の欠陥が極めて少なく、圧電／電歪体の側面のうち少な
くとも電極が形成される面が、粒内破壊を受けている結
晶粒子が１％以下であるという極めて優れた結晶粒子状
態を有する。従って、圧電特性の劣化が小さく、構造体
としての信頼性が高いことから、高周波駆動のような高
い負荷のかかる用途に好適なデバイスとなる。
電歪デバイスの製造方法について説明したが、第１の製
造方法によって作製されるマトリクス型圧電／電歪デバ
イスは、圧電素子を構成する圧電／電歪体にクラック等
の欠陥が極めて少なく、圧電／電歪体の側面のうち少な
くとも電極が形成される面が、粒内破壊を受けている結
晶粒子が１％以下であるという極めて優れた結晶粒子状
態を有する。従って、圧電特性の劣化が小さく、構造体
としての信頼性が高いことから、高周波駆動のような高
い負荷のかかる用途に好適なデバイスとなる。
【０２１０】 一方、第２の製造方法は、第１の製造方
法に比べ加工の自由度に優り、圧電／電歪素子の形状を
自在に設計出来る上、第２の製造方法により得られるマ
トリクス型圧電／電歪デバイスも、同じように圧電素子
を構成する圧電／電歪体にクラック等の欠陥が少なく、
圧電／電歪体の側面のうち少なくとも電極が形成される
面が粒内破壊を受けている結晶粒子が１０％以下である
という優れた結晶粒子状態を有するが、第１の製造方法
で得られるマトリクス型圧電／電歪デバイスに比べれ
ば、稍、性能面で劣るため、相対的に負荷の小さい低周
波乃至静的な作動を行うデバイスとして好適である。
法に比べ加工の自由度に優り、圧電／電歪素子の形状を
自在に設計出来る上、第２の製造方法により得られるマ
トリクス型圧電／電歪デバイスも、同じように圧電素子
を構成する圧電／電歪体にクラック等の欠陥が少なく、
圧電／電歪体の側面のうち少なくとも電極が形成される
面が粒内破壊を受けている結晶粒子が１０％以下である
という優れた結晶粒子状態を有するが、第１の製造方法
で得られるマトリクス型圧電／電歪デバイスに比べれ
ば、稍、性能面で劣るため、相対的に負荷の小さい低周
波乃至静的な作動を行うデバイスとして好適である。
【０２１１】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デ
バイス及び製造方法について、その実施形態について説
明してきたが、上記態様に限定されるものではないこと
は既に述べた通りである。例えば、マトリクス型圧電／
電歪デバイスは、圧電／電歪素子の作用面として圧電／
電歪体表面をそのまま利用することでもよいが、図９に
示す例の他にも、作用対象の硬さ、使用頻度等に応じ、
別体からなる部材を接合して作用面とする態様をとるこ
とが出来る。又、各圧電／電歪素子駆動用の電極端子に
ついて、セラミック基体の背面に形成することを主に説
明してきたが、勿論、圧電／電歪素子形成面に設けても
よい。更に、セラミック基体背面に電極端子を形成して
いる場合には、圧電／電歪素子駆動用ドライバＩＣ等を
実装したプリント板を、その電極端子に実装することも
好ましい。
バイス及び製造方法について、その実施形態について説
明してきたが、上記態様に限定されるものではないこと
は既に述べた通りである。例えば、マトリクス型圧電／
電歪デバイスは、圧電／電歪素子の作用面として圧電／
電歪体表面をそのまま利用することでもよいが、図９に
示す例の他にも、作用対象の硬さ、使用頻度等に応じ、
別体からなる部材を接合して作用面とする態様をとるこ
とが出来る。又、各圧電／電歪素子駆動用の電極端子に
ついて、セラミック基体の背面に形成することを主に説
明してきたが、勿論、圧電／電歪素子形成面に設けても
よい。更に、セラミック基体背面に電極端子を形成して
いる場合には、圧電／電歪素子駆動用ドライバＩＣ等を
実装したプリント板を、その電極端子に実装することも
好ましい。
【０２１２】 続いて、以下に、本発明のマトリクス型
圧電／電歪デバイスに用いられる材料について説明す
る。
圧電／電歪デバイスに用いられる材料について説明す
る。
【０２１３】 先ず、駆動部である圧電／電歪体の材
料、即ち、圧電／電歪材料について説明する。圧電／電
歪材料としては、圧電効果若しくは電歪効果等の電界誘
起歪みを起こす材料であれば、問われるものではない。
結晶質でも非晶質でもよく、又、半導体セラミックスや
強誘電体セラミックス、あるいは反強誘電体セラミック
スを用いることも可能である。用途に応じて適宜選択し
採用すればよい。又、分極処理が必要な材料であっても
必要がない材料であってもよい。
料、即ち、圧電／電歪材料について説明する。圧電／電
歪材料としては、圧電効果若しくは電歪効果等の電界誘
起歪みを起こす材料であれば、問われるものではない。
結晶質でも非晶質でもよく、又、半導体セラミックスや
強誘電体セラミックス、あるいは反強誘電体セラミック
スを用いることも可能である。用途に応じて適宜選択し
採用すればよい。又、分極処理が必要な材料であっても
必要がない材料であってもよい。
【０２１４】 更には、セラミックスに限定されず、Ｐ
ＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）等の高分子からなる圧
電材料、又は、これら高分子とセラミックスの複合体で
あってもよい。但し、この場合は、高分子材料の耐熱性
の点から、焼成して素子を形成するというものではな
く、高分子材料の熱硬化程度の熱処理を施すことにより
素子を形成する。
ＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）等の高分子からなる圧
電材料、又は、これら高分子とセラミックスの複合体で
あってもよい。但し、この場合は、高分子材料の耐熱性
の点から、焼成して素子を形成するというものではな
く、高分子材料の熱硬化程度の熱処理を施すことにより
素子を形成する。
【０２１５】 尚、圧電／電歪材料として材料強度面に
優れるセラミックスを採用することにより、本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスの特徴の１つである
高アスペクト比な構成を、より有利に実施出来るととも
に、発生変位並びに発生応力を効果的に作用させること
が出来る。更に、材料特性に優れるセラミックスは、高
アスペクト比な構成と相まって、低電圧駆動で高特性な
圧電／電歪素子とする上で好ましい。
優れるセラミックスを採用することにより、本発明に係
るマトリクス型圧電／電歪デバイスの特徴の１つである
高アスペクト比な構成を、より有利に実施出来るととも
に、発生変位並びに発生応力を効果的に作用させること
が出来る。更に、材料特性に優れるセラミックスは、高
アスペクト比な構成と相まって、低電圧駆動で高特性な
圧電／電歪素子とする上で好ましい。
【０２１６】 具体的なセラミックス材料としては、圧
電セラミックス若しくは電歪セラミックスとして、ジル
コン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッ
ケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸
鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、
コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナト
リウムビスマス、チタン酸ビスマスネオジウム（ＢＮＴ
系）、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロ
ンチウムビスマス等を単独、混合物あるいは固溶体とし
て含有するセラミックスが挙げられる。
電セラミックス若しくは電歪セラミックスとして、ジル
コン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッ
ケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸
鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、
コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナト
リウムビスマス、チタン酸ビスマスネオジウム（ＢＮＴ
系）、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロ
ンチウムビスマス等を単独、混合物あるいは固溶体とし
て含有するセラミックスが挙げられる。
【０２１７】 これらのセラミックスは、圧電／電歪体
を構成するセラミックス成分中に５０重量％以上を占め
る主成分であることが好ましく、特に、高い電気機械結
合係数と圧電定数を有し、焼成工程を経ても安定した材
料組成のものが得られ易い点において、ジルコン酸チタ
ン酸鉛（ＰＺＴ系）を主成分とする材料、マグネシウム
ニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）を主成分とする材料、ニッケル
ニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）を主成分とする材料、ジルコン
酸鉛とチタン酸鉛とマグネシウムニオブ酸鉛の混合物あ
るいは固溶体を主成分とする材料、ジルコン酸鉛とチタ
ン酸鉛とニッケルニオブ酸鉛の混合物あるいは固溶体を
主成分とする材料若しくは、チタン酸ナトリウムビスマ
スを主成分とする材料が好適に用いられる。
を構成するセラミックス成分中に５０重量％以上を占め
る主成分であることが好ましく、特に、高い電気機械結
合係数と圧電定数を有し、焼成工程を経ても安定した材
料組成のものが得られ易い点において、ジルコン酸チタ
ン酸鉛（ＰＺＴ系）を主成分とする材料、マグネシウム
ニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）を主成分とする材料、ニッケル
ニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）を主成分とする材料、ジルコン
酸鉛とチタン酸鉛とマグネシウムニオブ酸鉛の混合物あ
るいは固溶体を主成分とする材料、ジルコン酸鉛とチタ
ン酸鉛とニッケルニオブ酸鉛の混合物あるいは固溶体を
主成分とする材料若しくは、チタン酸ナトリウムビスマ
スを主成分とする材料が好適に用いられる。
【０２１８】 更に、上記材料に、ランタン、カルシウ
ム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリ
ウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、
カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イッ
トリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸
化物等を、単独で若しくは混合して、添加したセラミッ
クスを用いてもよい。例えば、主成分であるジルコン酸
鉛とチタン酸鉛及びマグネシウムニオブ酸鉛にランタン
やストロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧
電特性を調整可能となる等の利点を得られる場合があ
る。
ム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリ
ウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、
カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イッ
トリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸
化物等を、単独で若しくは混合して、添加したセラミッ
クスを用いてもよい。例えば、主成分であるジルコン酸
鉛とチタン酸鉛及びマグネシウムニオブ酸鉛にランタン
やストロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧
電特性を調整可能となる等の利点を得られる場合があ
る。
【０２１９】 反強誘電体セラミックスとしては、ジル
コン酸鉛を主成分とするセラミックス、ジルコン酸鉛と
スズ酸鉛の混合物あるいは固溶体からなる成分を主成分
とするセラミックス、ジルコン酸鉛を主成分とし酸化ラ
ンタンを添加したセラミックス、又はジルコン酸鉛とス
ズ酸鉛の混合物あるいは固溶体を主成分とし、ニオブ酸
鉛を添加したセラミックス等が挙げられる。又、セラミ
ック基体の材料としては、圧電／電歪体と熱処理乃至焼
成により一体化出来るものであればよいが、好ましくは
一体化する圧電／電歪体と成分が同等なもの、より好ま
しくは成分並びに組成ともに同一な材料であることが望
ましい。
コン酸鉛を主成分とするセラミックス、ジルコン酸鉛と
スズ酸鉛の混合物あるいは固溶体からなる成分を主成分
とするセラミックス、ジルコン酸鉛を主成分とし酸化ラ
ンタンを添加したセラミックス、又はジルコン酸鉛とス
ズ酸鉛の混合物あるいは固溶体を主成分とし、ニオブ酸
鉛を添加したセラミックス等が挙げられる。又、セラミ
ック基体の材料としては、圧電／電歪体と熱処理乃至焼
成により一体化出来るものであればよいが、好ましくは
一体化する圧電／電歪体と成分が同等なもの、より好ま
しくは成分並びに組成ともに同一な材料であることが望
ましい。
【０２２０】 尚、セラミックス結晶粒の平均粒径は、
駆動部たる圧電／電歪体の機械的強度を重視する設計に
おいては、０．０５〜２μｍであることが好ましい。駆
動部たる圧電／電歪体の機械的強度が高められるからで
ある。駆動部たる圧電／電歪体の伸縮特性を重視する設
計においては、結晶粒の平均粒径は、１〜７μｍである
ことが好ましい。高い圧電特性を得られるからである。
駆動部たる圧電／電歪体の機械的強度を重視する設計に
おいては、０．０５〜２μｍであることが好ましい。駆
動部たる圧電／電歪体の機械的強度が高められるからで
ある。駆動部たる圧電／電歪体の伸縮特性を重視する設
計においては、結晶粒の平均粒径は、１〜７μｍである
ことが好ましい。高い圧電特性を得られるからである。
【０２２１】 電極の材料としては、常温で固体であれ
ば特に規制されるものではなく、例えば金属単体であっ
ても、合金であってもよく、又、酸化ジルコニウム、酸
化ハフニウム、酸化チタン、酸化セリウム等の絶縁性セ
ラミックスと金属単体、若しくはその合金との混合物で
あっても、何ら差し支えない。圧電体焼成前に形成する
場合には、より好ましくは、白金、パラジウム、ロジウ
ム等の高融点貴金属類、あるいは銀−パラジウム、銀−
白金、白金−パラジウム等の合金を主成分とする電極材
料、あるいは白金と基体材料や例えば圧電／電歪材料と
の混合物並びにそのサーメット材料が好適に用いられ
る。
ば特に規制されるものではなく、例えば金属単体であっ
ても、合金であってもよく、又、酸化ジルコニウム、酸
化ハフニウム、酸化チタン、酸化セリウム等の絶縁性セ
ラミックスと金属単体、若しくはその合金との混合物で
あっても、何ら差し支えない。圧電体焼成前に形成する
場合には、より好ましくは、白金、パラジウム、ロジウ
ム等の高融点貴金属類、あるいは銀−パラジウム、銀−
白金、白金−パラジウム等の合金を主成分とする電極材
料、あるいは白金と基体材料や例えば圧電／電歪材料と
の混合物並びにそのサーメット材料が好適に用いられ
る。
【０２２２】 又、圧電／電歪体焼成後に電極形成する
場合であれば、上記した電極材料に加え、アルミニウ
ム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜
鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、銀、スズ、タン
タル、タングステン、金、鉛等の金属単体、あるいは、
これらの合金も採用出来る。
場合であれば、上記した電極材料に加え、アルミニウ
ム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜
鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、銀、スズ、タン
タル、タングステン、金、鉛等の金属単体、あるいは、
これらの合金も採用出来る。
【０２２３】 本発明におけるセラミック基体のビアホ
ールを埋める導体の材料としては、セラミック基体と一
括して焼成した場合でも断線が生じ難く、又、セラミッ
ク基体との接合力が得られるが故に、基体材料と高融点
貴金属類との混合物並びにそのサーメット材料が好適に
用いられる。
ールを埋める導体の材料としては、セラミック基体と一
括して焼成した場合でも断線が生じ難く、又、セラミッ
ク基体との接合力が得られるが故に、基体材料と高融点
貴金属類との混合物並びにそのサーメット材料が好適に
用いられる。
【０２２４】 そして、これらの材料を用いて、スパッ
タリング、真空蒸着、ＣＶＤ、メッキ、等により、電極
を形成することが出来る。又、電極の金属元素を含む有
機金属化合物（レジネート）を用いて、塗布乃至スプレ
ーにより塗膜を形成し、その後、熱処理を施すことによ
って目的の材料からなる電極を得ることも可能である。
タリング、真空蒸着、ＣＶＤ、メッキ、等により、電極
を形成することが出来る。又、電極の金属元素を含む有
機金属化合物（レジネート）を用いて、塗布乃至スプレ
ーにより塗膜を形成し、その後、熱処理を施すことによ
って目的の材料からなる電極を得ることも可能である。
【０２２５】
【発明の効果】 以上、詳述したように、本発明によれ
ば、従来の課題が解決され、より低電圧で大変位が得ら
れ、且つ、発生力が大きく、又、応答速度が速く、実装
性に優れ、従来にない高アスペクト比且つ高集積化が可
能であるマトリクス型の圧電／電歪デバイス、並びに、
その製造方法が提供される。
ば、従来の課題が解決され、より低電圧で大変位が得ら
れ、且つ、発生力が大きく、又、応答速度が速く、実装
性に優れ、従来にない高アスペクト比且つ高集積化が可
能であるマトリクス型の圧電／電歪デバイス、並びに、
その製造方法が提供される。
【０２２６】 そして、このマトリクス型圧電／電歪デ
バイスは、光変調器、光スイッチ、電気スイッチ、マイ
クロリレー、マイクロバルブ、搬送装置、ディスプレイ
及びプロジェクタ等の画像表示装置、画像描画装置、マ
イクロポンプ、液滴吐出装置、更には、微小混合装置、
微小撹拌装置、微小反応装置、各種センサ、等に好まし
く適用することが可能である。
バイスは、光変調器、光スイッチ、電気スイッチ、マイ
クロリレー、マイクロバルブ、搬送装置、ディスプレイ
及びプロジェクタ等の画像表示装置、画像描画装置、マ
イクロポンプ、液滴吐出装置、更には、微小混合装置、
微小撹拌装置、微小反応装置、各種センサ、等に好まし
く適用することが可能である。
【図１】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイ
スの一実施形態を示す図であり、図１（ａ）は斜視図で
あり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＱ視側面図であ
り、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＲ視側面図であ
る。
スの一実施形態を示す図であり、図１（ａ）は斜視図で
あり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＱ視側面図であ
り、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＲ視側面図であ
る。
【図２】 従来の圧電／電歪デバイスの適用例を示す垂
直断面図であり、図２（ａ）は適用例である光スイッチ
においてアクチュエータ部作動状態を表し、図２（ｂ）
は適用例である光スイッチにおいてアクチュエータ部非
作動状態を表す。
直断面図であり、図２（ａ）は適用例である光スイッチ
においてアクチュエータ部作動状態を表し、図２（ｂ）
は適用例である光スイッチにおいてアクチュエータ部非
作動状態を表す。
【図３】 圧電／電歪デバイスの一実施形態を示す斜視
図である。
図である。
【図４】 圧電／電歪デバイスの一実施形態を示す垂直
断面図である。
断面図である。
【図５】 圧電／電歪デバイスの他の実施形態を示す垂
直断面図である。
直断面図である。
【図６】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイ
スの適用例を示す図であり、図６（ａ）は適用例である
マイクロバルブにおけるアクチュエータ部分の斜視図を
示し、図６（ｂ）は適用例であるマイクロバルブの作動
状態を模式的に示す垂直断面図である。
スの適用例を示す図であり、図６（ａ）は適用例である
マイクロバルブにおけるアクチュエータ部分の斜視図を
示し、図６（ｂ）は適用例であるマイクロバルブの作動
状態を模式的に示す垂直断面図である。
【図７】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイ
スの適用例を示す図であり、図７（ａ）は適用例である
光変調器の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ
Ａ断面を示す図である。
スの適用例を示す図であり、図７（ａ）は適用例である
光変調器の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ
Ａ断面を示す図である。
【図８】 図８（ａ）〜図８（ｆ）は本発明に係るマト
リクス型圧電／電歪デバイスの第１の製造方法の一例を
示す説明図である。
リクス型圧電／電歪デバイスの第１の製造方法の一例を
示す説明図である。
【図９】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバイ
スの更に他の実施形態を示す斜視図である。
スの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図１０】 従来の製造方法による被加工面を表す写真
である。
である。
【図１１】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの第１の製造方法による被加工面を表す写真であ
る。
イスの第１の製造方法による被加工面を表す写真であ
る。
【図１２】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図１３】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光反射機構の一実施形態を示す斜視
図である。
イスの適用例である光反射機構の一実施形態を示す斜視
図である。
【図１４】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光反射機構の実施形態を示す断面図
であり、図１３のＤＤ断面の一部を表す図である。
イスの適用例である光反射機構の実施形態を示す断面図
であり、図１３のＤＤ断面の一部を表す図である。
【図１５】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光反射機構の実施形態を示す断面図
であり、図１３のＤＤ断面の一部を表す図である。
イスの適用例である光反射機構の実施形態を示す断面図
であり、図１３のＤＤ断面の一部を表す図である。
【図１６】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光スイッチの他の実施形態を示す斜
視図である。
イスの適用例である光スイッチの他の実施形態を示す斜
視図である。
【図１７】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光スイッチの実施形態を示す断面図
であり、図１６のＣＣ断面を表す図である。
イスの適用例である光スイッチの実施形態を示す断面図
であり、図１６のＣＣ断面を表す図である。
【図１８】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光スイッチの更に他の実施形態を示
す断面図である。
イスの適用例である光スイッチの更に他の実施形態を示
す断面図である。
【図１９】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光スイッチの更に他の実施形態を示
す断面図である。
イスの適用例である光スイッチの更に他の実施形態を示
す断面図である。
【図２０】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの適用例である光スイッチの更に他の実施形態を示
す断面図である。
イスの適用例である光スイッチの更に他の実施形態を示
す断面図である。
【図２１】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図２２】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図２３】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図２４】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図２５】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図２６】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図２７】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの第１の製造方法において、セラミックグリーンシ
ートの打抜同時積層を行う方法の一実施形態を示す工程
説明図であり、図２７（ａ）は、ダイに最初のセラミッ
クグリーンシートを載せた１枚目準備工程を示し、図２
７（ｂ）は、最初のセラミックグリーンシートの打ち抜
き工程を示し、図２７（ｃ）は、２枚目のセラミックグ
リーンシートを載せた２枚目準備工程を示し、図２７
（ｄ）は、２枚目のセラミックグリーンシートの打ち抜
き工程を示し、図２７（ｅ）は、全シートの打ち抜き、
積層を終えてストリッパにより積層したセラミックグリ
ーンシートを離す打抜完了工程を示す図である。
イスの第１の製造方法において、セラミックグリーンシ
ートの打抜同時積層を行う方法の一実施形態を示す工程
説明図であり、図２７（ａ）は、ダイに最初のセラミッ
クグリーンシートを載せた１枚目準備工程を示し、図２
７（ｂ）は、最初のセラミックグリーンシートの打ち抜
き工程を示し、図２７（ｃ）は、２枚目のセラミックグ
リーンシートを載せた２枚目準備工程を示し、図２７
（ｄ）は、２枚目のセラミックグリーンシートの打ち抜
き工程を示し、図２７（ｅ）は、全シートの打ち抜き、
積層を終えてストリッパにより積層したセラミックグリ
ーンシートを離す打抜完了工程を示す図である。
【図２８】 従来の製造方法による被加工面を示す図で
あり、切断側面を表す断面拡大模式図である。
あり、切断側面を表す断面拡大模式図である。
【図２９】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの第１の製造方法による被加工面を示す図であり、
切断側面を表す断面拡大模式図である。
イスの第１の製造方法による被加工面を示す図であり、
切断側面を表す断面拡大模式図である。
【図３０】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
イスの更に他の実施形態を示す斜視図である。
【図３１】 図３１（ａ）〜図３１（ｈ）は、本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の一例を示す工程説明図である。
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の一例を示す工程説明図である。
【図３２】 図３２（ａ）〜図３２（ｄ）は、本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイス第１の製造方法の
他例を示す工程説明図である。
係るマトリクス型圧電／電歪デバイス第１の製造方法の
他例を示す工程説明図である。
【図３３】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの他の実施形態を示す斜視図である。
イスの他の実施形態を示す斜視図である。
【図３４】 図３３に示すマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの垂直断面図である。
イスの垂直断面図である。
【図３５】 図３５（ａ）〜図３５（ｅ）は、本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の一手段であるワイヤーソー加工法において、スリット
を形成する２軸加工法の一例を示す工程説明図である。
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の一手段であるワイヤーソー加工法において、スリット
を形成する２軸加工法の一例を示す工程説明図である。
【図３６】 図３６（ａ）、図３６（ｂ）は、本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の一手段であるワイヤーソー加工法において、スリット
を形成する２軸加工法の一例を示す工程説明図である。
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の一手段であるワイヤーソー加工法において、スリット
を形成する２軸加工法の一例を示す工程説明図である。
【図３７】 図３７（ａ）〜図３７（ｉ）は、本発明に
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の他例を示す工程説明図である。
係るマトリクス型圧電／電歪デバイスの第２の製造方法
の他例を示す工程説明図である。
【図３８】 本発明に係るマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの第２の製造方法による被加工面を表す写真であ
る。
イスの第２の製造方法による被加工面を表す写真であ
る。
１，８０，９０，２１０，２２０，２３０，２５０，２
６０，２７０，２８０，３７０…マトリクス型圧電／電
歪デバイス、２，２７２，３７２，４７２…セラミック
基体、３…セル、４，１４…圧電／電歪体、５…貫通
孔、６，２２６…側壁、７…平板、８…壁部、９…溝
部、１０…パンチ、１１…ストリッパ、１２…ダイ、１
３…曲面、１５，２５，１２５…孔部、１６，１１３，
１１６，１１６ａ〜１１６ｃ，１１７，２１７，３１
６，３１７…セラミックグリーンシート、１７…引離治
具、１８，１９…電極、２０，２１，３２１…電極端
子、２２，２３，２４，１１２…ビアホール、２６…櫛
歯、２８，２９…共通電極、３１，３２，３３，３７，
３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３８，３９，４０，４１，４
３，４４，４５，４６，２９２，３９２…圧電／電歪素
子、４８，４９…内部電極、５８，５９…配線、６１，
７１，２１１，２９１，３９１…アクチュエータ部、６
２…弁座板、６３…開口部、６４…弁座部、６５…マイ
クロバルブ、６６…弁体部、６７…流体、６９…電極、
７２…基板、７３…方向性結合器、７４…光干渉計、７
５…光変調器、７７…光導波路、７７ａ，７７ｂ…光導
波路コア部、７７ｃ…光導波路クラッド部、１０１…光
反射面、１０２…反射面、１０５，１１５，２２５…ス
リット、１１８，１１９…ビアホール（導電材料が充填
されたもの）、１２８，１２９…スルーホール、１４３
…隔壁、１４４…基体、１４５，１５５…圧電／電歪デ
バイス、１７７…光導波路部材、１７７ａ〜１７７ｄ…
光導波路コア部、１７８…圧電／電歪素子、１９１…マ
イクロクラック、１９２…粒内破壊セラミック結晶粒
子、１９３…セラミック結晶粒子、２００，２９０…光
スイッチ、２０１，２８１…光伝達部、２０２，２０
４，２０５…光伝達経路、２０８，２９８ａ，２９８
ｂ，２９８ｃ，２９８ｄ…光路変更部、２０９…光導入
部材、２１０…光反射部材、２１８…振動板、２１９…
側壁、２２１，２２３，２２４…光、２７６，２８６…
光導波路固定部、２９４…光導波路支持部、３０１，４
０１，６０１，７０１…セラミックグリーン積層体、３
０３，４０３…セラミック積層体、３０４，４０４…櫛
歯状セラミック積層体、３１１…光反射板、３１２…光
反射板支持部、３１３…光反射部、３４０…光反射機
構、３４９…補強部材、３５０，４５０，５５０，７５
０…切断線、３５１，７５１…切込線、３５２，３５３
…ワイヤーソー、３５４，３５５，３５６…切込溝、３
５７…不要部、３５９…充填材、３７１…配線基板、６
０２，７０２…セラミックグリーン基体、５０３，６０
３，７０３…セラミック焼成体、Ｅ…駆動電界方向、Ｉ
…距離（圧電／電歪体の厚さ相当）、Ｊ…距離（セラミ
ック焼成体５０３表面からビアホール１１９まで）、Ｋ
…深さ（切込溝３５４）、Ｍ…厚さ（圧電／電歪素子２
９２）、Ｐ…分極電界方向、Ｓ…変位方向。
６０，２７０，２８０，３７０…マトリクス型圧電／電
歪デバイス、２，２７２，３７２，４７２…セラミック
基体、３…セル、４，１４…圧電／電歪体、５…貫通
孔、６，２２６…側壁、７…平板、８…壁部、９…溝
部、１０…パンチ、１１…ストリッパ、１２…ダイ、１
３…曲面、１５，２５，１２５…孔部、１６，１１３，
１１６，１１６ａ〜１１６ｃ，１１７，２１７，３１
６，３１７…セラミックグリーンシート、１７…引離治
具、１８，１９…電極、２０，２１，３２１…電極端
子、２２，２３，２４，１１２…ビアホール、２６…櫛
歯、２８，２９…共通電極、３１，３２，３３，３７，
３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３８，３９，４０，４１，４
３，４４，４５，４６，２９２，３９２…圧電／電歪素
子、４８，４９…内部電極、５８，５９…配線、６１，
７１，２１１，２９１，３９１…アクチュエータ部、６
２…弁座板、６３…開口部、６４…弁座部、６５…マイ
クロバルブ、６６…弁体部、６７…流体、６９…電極、
７２…基板、７３…方向性結合器、７４…光干渉計、７
５…光変調器、７７…光導波路、７７ａ，７７ｂ…光導
波路コア部、７７ｃ…光導波路クラッド部、１０１…光
反射面、１０２…反射面、１０５，１１５，２２５…ス
リット、１１８，１１９…ビアホール（導電材料が充填
されたもの）、１２８，１２９…スルーホール、１４３
…隔壁、１４４…基体、１４５，１５５…圧電／電歪デ
バイス、１７７…光導波路部材、１７７ａ〜１７７ｄ…
光導波路コア部、１７８…圧電／電歪素子、１９１…マ
イクロクラック、１９２…粒内破壊セラミック結晶粒
子、１９３…セラミック結晶粒子、２００，２９０…光
スイッチ、２０１，２８１…光伝達部、２０２，２０
４，２０５…光伝達経路、２０８，２９８ａ，２９８
ｂ，２９８ｃ，２９８ｄ…光路変更部、２０９…光導入
部材、２１０…光反射部材、２１８…振動板、２１９…
側壁、２２１，２２３，２２４…光、２７６，２８６…
光導波路固定部、２９４…光導波路支持部、３０１，４
０１，６０１，７０１…セラミックグリーン積層体、３
０３，４０３…セラミック積層体、３０４，４０４…櫛
歯状セラミック積層体、３１１…光反射板、３１２…光
反射板支持部、３１３…光反射部、３４０…光反射機
構、３４９…補強部材、３５０，４５０，５５０，７５
０…切断線、３５１，７５１…切込線、３５２，３５３
…ワイヤーソー、３５４，３５５，３５６…切込溝、３
５７…不要部、３５９…充填材、３７１…配線基板、６
０２，７０２…セラミックグリーン基体、５０３，６０
３，７０３…セラミック焼成体、Ｅ…駆動電界方向、Ｉ
…距離（圧電／電歪体の厚さ相当）、Ｊ…距離（セラミ
ック焼成体５０３表面からビアホール１１９まで）、Ｋ
…深さ（切込溝３５４）、Ｍ…厚さ（圧電／電歪素子２
９２）、Ｐ…分極電界方向、Ｓ…変位方向。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｂ
１０１Ｃ
１０１Ｄ
(72)発明者 木村 浩二
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
(72)発明者 川口 竜生
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
Ｆターム(参考） 2H041 AA04 AA11 AA16 AB13 AB14
AB18 AB40 AC08 AZ05 AZ08
Claims (26)
- 【請求項１】 厚肉のセラミック基体上に、圧電／電歪
体と少なくとも一対の電極とを有し略柱体形状をなす複
数の圧電／電歪素子が立設されてなり、前記圧電／電歪
体の変位により駆動する圧電／電歪デバイスであって、 前記複数の圧電／電歪素子は、前記セラミック基体とそ
れぞれ一体的に接合され、且つ、互いに独立して二次元
に整列配置され、 前記圧電／電歪体の側面上に前記一対の電極が形成さ
れ、前記圧電／電歪体の側面のうち少なくとも前記電極
が形成される面の結晶粒子状態は粒内破壊を受けている
結晶粒子が１０％以下であるとともに、前記圧電／電歪
体の前記セラミック基体との接合部近傍が曲面を形成す
ることを特徴とするマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項２】 前記圧電／電歪素子の圧電／電歪体の面
の輪郭度が、略８μｍ以下である請求項１に記載のマト
リクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項３】 前記略柱体形状の圧電／電歪素子は、高
さと、水平断面において中心軸を通る最短距離と、の比
が略２０：１乃至２００：１である請求項１又は２に記
載のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項４】 前記圧電／電歪素子の水平断面において
中心軸を通る最短距離が、３００μｍ以下である請求項
３に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項５】 前記略柱体形状の圧電／電歪素子の高さ
と、圧電／電歪素子と隣接する圧電／電歪素子との間隔
と、の比が略２０：１乃至２００：１である請求項１又
は２に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項６】 前記圧電／電歪体の側面が、略一様な表
面状態を有し、前記側面において、Ｒｔで表される表面
粗さが９μｍ以下であり、且つ、Ｒａで表される表面粗
さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下である請求項１に記
載のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項７】 前記曲面の曲率半径が、２０乃至１００
μｍである請求項１に記載のマトリクス型圧電／電歪デ
バイス。 - 【請求項８】 前記略柱体形状の圧電／電歪素子は、 前記圧電／電歪体の水平断面が平行四辺形であり、前記
電極が前記圧電／電歪体の断面の長辺を含む側面に形成
されてなる請求項１に記載のマトリクス型圧電／電歪デ
バイス。 - 【請求項９】 前記圧電／電歪体の電界誘起歪みの横効
果による変位に基づき、前記圧電／電歪素子が前記セラ
ミック基体主面に対して垂直方向に伸縮する請求項１〜
８の何れか一項に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイ
ス。 - 【請求項１０】 前記セラミック基体と前記圧電／電歪
素子を構成する圧電／電歪体とが同じ材料からなる請求
項１〜９の何れか一項に記載のマトリクス型圧電／電歪
デバイス。 - 【請求項１１】 前記圧電／電歪体が、圧電セラミック
ス、電歪セラミックス、反強誘電体セラミックスのうち
の何れかの材料、若しくは、これらと高分子圧電材料と
の複合材料からなる請求項１〜１０の何れか一項に記載
のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項１２】 隣接する前記圧電／電歪素子の間に壁
部が形成されてなる請求項１〜１１の何れか一項に記載
のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項１３】 前記セラミック基体における前記圧電
／電歪素子が配置される面とは反対側の面に、電極端子
が形成されてなり、前記電極と前記電極端子とが、前記
セラミック基体に形成されたスルーホール乃至ビアホー
ルを経由して配線されている請求項１〜１２の何れか一
項に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイス。 - 【請求項１４】 厚肉のセラミック基体上に略柱体形状
をなす複数の圧電／電歪素子が二次元に整列配置されて
なり、前記圧電／電歪素子は圧電／電歪体と少なくとも
一対の電極とを有し、前記圧電／電歪体の側面のうち少
なくとも前記電極が形成される面に占める粒内破壊粒子
の割合が１％以下であり、前記圧電／電歪体のセラミッ
ク基体との接合部近傍が曲面を形成する圧電／電歪デバ
イスの製造方法であって、 圧電／電歪材料を主成分とする複数のセラミックグリー
ンシートを用意する第一の工程と、 前記複数のセラミックグリーンシートの所定の位置に、
少なくとも、２の隅を曲線とした略直角四辺形状を含む
孔部を設ける第二の工程と、 前記孔部を設けた複数のセラミックグリーンシートを積
層し、貫通孔を有するセラミックグリーン積層体を得る
第三の工程と、 前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化し、貫通孔
を有するセラミック積層体を得る第四の工程と、 少なくとも、前記セラミック積層体の貫通孔を構成する
側壁に、電極を形成する第五の工程と、 前記セラミック積層体を、所定の位置で貫通孔の並びに
垂直であり且つ貫通孔開口面に垂直な方向に切断し、櫛
歯状セラミック積層体を得る第六の工程と、 前記櫛歯状セラミック積層体の櫛歯に対し、第六の工程
にかかる切断面に垂直であり且つ前記櫛歯の並びに垂直
に切込みを入れる第七の工程と、 を有することを特徴とするマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの製造方法。 - 【請求項１５】 前記セラミックグリーン積層体が、少
なくとも２種類のセラミックグリーンシートの積層物か
らなり、一は２の隅が曲線とされた複数の略直角四辺形
状の孔部を形成した所定数のセラミックグリーンシー
ト、二は複数の、略直角四辺形状の孔部とその孔部に連
通する別の孔部を形成した所定数のセラミックグリーン
シート、で構成される請求項１４に記載のマトリクス型
圧電／電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項１６】 前記別の孔部が、略直角四辺形状の孔
部に連通するとともに、セラミックグリーンシート端部
とも連通するスリットである請求項１５に記載のマトリ
クス型圧電／電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項１７】 前記セラミック積層体を切断し、前記
別の孔部をそれぞれ開口させる工程を有する請求項１５
に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第七の工程における切込みが、ワ
イヤーソー加工により行われる請求項１４に記載のマト
リクス型圧電／電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第五の工程の後であって、前記第
七の工程の前に、前記櫛歯の間に充填材を詰める工程を
有する請求項１４に記載のマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの製造方法。 - 【請求項２０】 厚肉のセラミック基体上に略柱体形状
をなす複数の圧電／電歪素子が二次元に整列配置されて
なり、前記圧電／電歪素子は圧電／電歪体と少なくとも
一対の電極とを有し、前記圧電／電歪体の側面のうち少
なくとも前記電極が形成される面に占める粒内破壊粒子
の割合が１０％以下であり、前記圧電／電歪体のセラミ
ック基体との接合部近傍が曲面を形成する圧電／電歪デ
バイスの製造方法であって、 圧電／電歪材料を主成分とするセラミックグリーン成形
体を用意する工程Ａと、 少なくとも前記セラミックグリーン成形体を含むセラミ
ック前駆体を焼成し、一体的なセラミック焼成体を得る
工程Ｂと、 前記セラミック焼成体に、遊離砥粒を加工媒体とした機
械加工法によって複数の第１のスリットを形成する工程
Ｃと、 前記第１のスリットの側面に電極を形成する工程Ｄと、 前記第１のスリットに交差する複数の第２のスリットを
形成する工程Ｅと、 を有することを特徴とするマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの製造方法。 - 【請求項２１】 前記セラミックグリーン成形体が、複
数のセラミックグリーンシートを積層してなる請求項２
０に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイスの製造方
法。 - 【請求項２２】 前記セラミック前駆体が、少なくと
も、スルーホール乃至ビアホールを有するセラミックグ
リーン基体と前記セラミックグリーン成形体とからなる
請求項２０又は２１に記載のマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの製造方法。 - 【請求項２３】 前記機械加工法が、ワイヤーソー加工
法である請求項２０に記載のマトリクス型圧電／電歪デ
バイスの製造方法。 - 【請求項２４】 前記セラミック焼成体を厚さ方向に加
工し第一の切込溝を得る第一の切込加工と、第一の切込
加工位置から所定寸法ずらし前記セラミック焼成体を厚
さ方向に加工し第二の切込溝を得る第二の切込加工と、
前記第二の切込溝の内部から前記第一の切込溝の内部に
向かって第三の切込加工を行い、前記第一の切込溝と前
記第二の切込溝との間の部位を切除することにより、前
記第１のスリット及び／又は第２のスリットを形成する
請求項２３に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイスの
製造方法。 - 【請求項２５】 前記第一の切込加工の後であって、前
記第二の切込加工の前に、前記第一の切込溝に充填材を
詰める請求項２４に記載のマトリクス型圧電／電歪デバ
イスの製造方法。 - 【請求項２６】 前記工程Ｃの後であって、前記工程Ｅ
の前に、前記第１のスリットに充填材を詰める工程を有
する請求項２０に記載のマトリクス型圧電／電歪デバイ
スの製造方法。
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142438A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Ricoh Co Ltd | 圧電発電素子 |
| JP2006121028A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Ngk Insulators Ltd | セル駆動型圧電／電歪アクチュエータの製造方法 |
| JP2006203077A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層型圧電構造体の製造方法 |
| JP2006324361A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック積層体の製造方法 |
| JP2007512703A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-17 | ザイネティクス、インク． | 横電気変位型アクチュエータアレイ |
| JP2007225528A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | ２軸加速度センサ |
| JP2007536079A (ja) * | 2004-05-08 | 2007-12-13 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 超音波変換器および超音波変換器の製造方法 |
| WO2010061726A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、超音波振動子および超音波探触子 |
| KR100996741B1 (ko) | 2008-12-17 | 2010-11-25 | 현대중공업 주식회사 | 압전소자를 이용한 발전장치 |
| JP2017526184A (ja) * | 2014-08-26 | 2017-09-07 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | セラミック多層デバイスを製造するための方法およびセラミック多層デバイス |
| JP2018525809A (ja) * | 2015-06-03 | 2018-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | アクチュエータデバイス及びそのアレイ |
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Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2006097522A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Bae Systems Plc | An actuator |
| ATE392719T1 (de) * | 2006-02-16 | 2008-05-15 | Delphi Tech Inc | Verfahren zum herstellen eines piezoelektrischen bauteils |
| FR2913117B1 (fr) | 2007-02-28 | 2009-07-03 | Cie Ind Des Lasers Cilas Sa | Miroir adaptatif piezoelectrique. |
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| US9147826B2 (en) | 2014-01-23 | 2015-09-29 | Tdk Corporation | Thin film piezoelectric element, thin film piezoelectric actuator, and thin film piezoelectric sensor; and hard disk drive, and inkjet printer |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243358A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Sharp Corp | インクジェット記録ヘッド用圧電アクチュエータ |
| JP3144115B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2001-03-12 | ブラザー工業株式会社 | インク噴射装置 |
| JPH08279631A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Brother Ind Ltd | 積層型圧電素子の製造方法 |
| JP3758288B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2006-03-22 | ブラザー工業株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
| US6111818A (en) * | 1997-04-28 | 2000-08-29 | Materials Systems Inc. | Low voltage piezoelectric actuator |
| JP3058143B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2000-07-04 | 日本電気株式会社 | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP3537700B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2004-06-14 | 京セラ株式会社 | 印刷装置 |
| JP2002257845A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ用圧電素子およびその製造方法、この製造方法に用いる研削用砥石 |
-
2002
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142438A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Ricoh Co Ltd | 圧電発電素子 |
| JP2007512703A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-17 | ザイネティクス、インク． | 横電気変位型アクチュエータアレイ |
| JP2007536079A (ja) * | 2004-05-08 | 2007-12-13 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 超音波変換器および超音波変換器の製造方法 |
| JP4809332B2 (ja) * | 2004-05-08 | 2011-11-09 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 超音波変換器および超音波変換器の製造方法 |
| JP2006121028A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Ngk Insulators Ltd | セル駆動型圧電／電歪アクチュエータの製造方法 |
| JP2006203077A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層型圧電構造体の製造方法 |
| JP4563866B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2010-10-13 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック積層体の製造方法 |
| JP2006324361A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック積層体の製造方法 |
| JP2007225528A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | ２軸加速度センサ |
| WO2010061726A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、超音波振動子および超音波探触子 |
| KR100996741B1 (ko) | 2008-12-17 | 2010-11-25 | 현대중공업 주식회사 | 압전소자를 이용한 발전장치 |
| JP2017526184A (ja) * | 2014-08-26 | 2017-09-07 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | セラミック多層デバイスを製造するための方法およびセラミック多層デバイス |
| US10784435B2 (en) | 2014-08-26 | 2020-09-22 | Tdk Electronics Ag | Method for producing ceramic multi-layer components |
| JP2018525809A (ja) * | 2015-06-03 | 2018-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | アクチュエータデバイス及びそのアレイ |
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