JP2003270653A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method for manufacturing the same

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JP2003270653A JP2002074681A JP2002074681A JP2003270653A JP 2003270653 A JP2003270653 A JP 2003270653A JP 2002074681 A JP2002074681 A JP 2002074681A JP 2002074681 A JP2002074681 A JP 2002074681A JP 2003270653 A JP2003270653 A JP 2003270653A
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Hideo Senda
Yasutoshi Tasaka
Hideshi Yoshida
秀雄 千田
秀史 吉田
泰俊 田坂
Original Assignee
Fujitsu Display Technologies Corp
富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device which has a small change in brightness and maintains display quality in a good condition even when a positional deviation occurs between a pixel electrode and a projection, and to provide a method for manufacturing the same. <P>SOLUTION: A pixel electrode 18 and a TFT (thin film transistor) 10 are formed at the side of a TFT substrate, and a common electrode and a projection 25 are formed at the side of a CF substrate. Then, liquid crystal having negative dielectric anisotropy is enclosed between the TFT substrate and the CF substrate. The projection 25 is formed along a data bus line 16a. The pixel electrode 18 is formed so that overlap width with the projection 25 has a nonuniform shape in one pixel. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入した液晶表示装置及びその製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof sealing a liquid crystal having negative dielectric anisotropy between a pair of substrates. 【0002】 【従来の技術】液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く使用されている。 [0002] The liquid crystal display device, has advantages that the power consumption can be driven at a low voltage as well as a light weight less thin and are widely used in various electronic devices. 【0003】特に、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)等のスイッチング素子が画素毎に設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもCRT(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れたものが得られるようになり、近年、携帯テレビやパーソナルコンピュータ等のディスプレイにも使用されるようになった。 In particular, TFT: a liquid crystal display device of active matrix type (Thin Film Transistor TFT) switching elements such as is provided for each pixel, as good as comparable to CRT in terms of display quality (Cathode-Ray Tube) thing is to be obtained, in recent years, began to also be used in displays such as mobile television or a personal computer. 【0004】一般的なTN(Twisted Nematic )型液晶表示装置は、2枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。 A common TN (Twisted Nematic) liquid crystal display device has a structure in which liquid crystal is sealed between two transparent substrates. それらの透明基板の相互に対向する2つの面(対向面)のうち、一方の面側にはコモン電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他方の面側にはTFT、画素電極及び配向膜等が形成されている。 Of the two surfaces facing each other of their transparent substrate (opposing surface), the common electrode is on one surface side, a color filter and an alignment film, etc. are formed, on the other surface side TFT, a pixel electrode and an alignment film or the like is formed. 更に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。 Furthermore, the opposing surface opposite to the surface of the transparent substrate, and polarizing plates are attached. これらの2枚の偏光板は、 These two polarizing plates,
例えば偏光板の吸収軸が互いに直交するように配置され、これによれば、画素電極とコモン電極との間に電圧を印加しない状態では光を透過し、電圧を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。 For example arranged so that the absorption axis of the polarizing plate are orthogonal to each other, according to this, it transmits light when no voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode, to shield the while applying a voltage mode, that is, the normally white mode. また、2枚の偏光板の吸収軸が平行な場合には、ノーマリーブラックモードとなる。 Further, the absorption axes of the two polarizers are in parallel case is a normally black mode. 以下、TFT及び画素電極等が形成された基板をTFT基板と呼び、コモン電極及びカラーフィルタ等が形成された基板をCF Hereinafter, a substrate on which a TFT and a pixel electrode, etc. are formed is referred to as a TFT substrate, the substrate having a common electrode and color filters and the like are formed CF
基板と呼ぶ。 It is referred to as a substrate. 【0005】一般的なTN型液晶表示装置では、視野角特性が悪く、画面を斜めから見たときにコントラストが著しく低下し、極端な場合には明暗が反転するという欠点がある。 [0005] In general TN liquid crystal display device, the viewing angle characteristic is poor, significantly reduced contrast when the screen is viewed from an oblique, in extreme cases there is a disadvantage that brightness is reversed. 【0006】TN型液晶表示装置よりも視野角特性が優れた液晶表示装置の一つに、VA(Vertical Alignmen [0006] one of a liquid crystal display device viewing angle characteristics are better than the TN-type liquid crystal display device, VA (Vertical Alignmen
t)型液晶表示装置がある。 t) type liquid crystal display device there is. VA型液晶表示装置では、 In the VA-type liquid crystal display device,
負の誘電率異方性を有する液晶と垂直配向膜とを使用する。 Using the liquid crystal and a vertical alignment film having a negative dielectric anisotropy. これにより、VA型液晶表示装置では、画素電極とコモン電極との間に電圧が印加されていないときに液晶分子が基板面に対し垂直に配向し、電圧が印加されると液晶分子は電界に垂直な方向に倒れようとする。 Thus, in VA type liquid crystal display device, oriented perpendicular liquid crystal molecules to the surfaces of the substrates when the voltage between the pixel electrode and the common electrode is not applied, the liquid crystal molecules when a voltage is applied to the electric field It is going to fall in the vertical direction. 【0007】実際のVA型液晶表示装置では、電圧を印加していないときに液晶分子を基板面の法線に対し約1 [0007] In actual VA type liquid crystal display device, with respect to the normal of the substrate surface of the liquid crystal molecules when no voltage is applied about 1
〜5°傾斜(プレチルト)させている。 And then to 5 ° tilt (pretilt). これは、電圧を印加したときに、液晶分子が倒れる方向を偏光板の吸収軸に対し一定の方向に規制するためである。 This means that when a voltage is applied, in order to regulate in a certain direction the direction in which liquid crystal molecules fall to the absorption axis of the polarizing plate. 液晶分子のプレチルト方向を決定する方法には、例えば、配向膜に紫外線を斜め方向から照射する方法がある。 The method for determining the pretilt direction of liquid crystal molecules, for example, a method of irradiating ultraviolet rays from an oblique direction to the alignment film. 通常、一方の基板の表面近傍の液晶分子のプレチルト方向と他方の基板の表面近傍の液晶分子のプレチルト方向とが相互に逆の方向になるようにするが、このような配向方法はホメオトロピック配向と呼ばれる。 Usually, the pre-tilt direction of the liquid crystal molecules near the surface of the pre-tilt direction and the other substrate of the liquid crystal molecules near the surface of one substrate is set to be in the direction opposite to each other, such orientation methods are homeotropic alignment It called the. 【0008】VA型液晶表示装置よりも更に視野角特性が優れた液晶表示装置に、MVA(Multi-domain Varti [0008] The liquid crystal display device having excellent further viewing angle characteristics than the VA-type liquid crystal display device, MVA (Multi-domain Varti
cal Alignment )型液晶表示装置がある。 There is a cal Alignment) type liquid crystal display device. MVA型液晶表示装置では、1画素内に液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域を有している。 The MVA-type liquid crystal display device, the alignment direction of liquid crystal molecules has a plurality of regions different from each other in one pixel. これは、例えば、画素の一部を遮光して紫外線を第1の方向から配向膜の第1 This, for example, the alignment film with ultraviolet rays by shielding a part of the pixel in the first direction 1
の領域に照射した後、次に遮光する部分をずらして、第2の方向から紫外線を配向膜の第2の領域に照射することにより実現することができる。 After irradiating the region, by shifting the portions to be next shading can be achieved by irradiating the ultraviolet ray from the second direction to a second region of the alignment layer. 【0009】ところで、VA型液晶表示装置及びMVA [0009] By the way, VA-type liquid crystal display device and MVA
型液晶表示装置では、負の誘電率異方性を有する液晶分子を使用するので、表示信号が流れるデータバスラインの近傍では、データバスラインから発生する電界の影響を受けて液晶分子が所定の方向に配向せず、ディスクリネーションと呼ばれる配向不良が発生する。 Type liquid crystal display device, because it uses the liquid crystal molecules with negative dielectric anisotropy, in the vicinity of the data bus line through which the display signal, the liquid crystal molecules is given under the influence of the electric field generated from the data bus line not oriented in the direction, orientation defects occur called disclination. ディスクリネーションが発生した部分は表示に寄与しないため、輝度の低下や表示品質の低下の原因となる。 Portion disclination occurs because they do not contribute to the display, causing lowering of the reduction and display quality of the luminance. 【0010】これを防止するために、CF基板側に、データバスラインに沿って延びる突起(土手)を設けることがある。 In order to prevent this, the CF substrate side, there is the provision of protrusions (banks) extending along the data bus line. データバスラインからの電界はデータバスラインに垂直な方向に発生するため、液晶分子はデータバスラインに平行な方向に傾斜しようとする。 The electric field from the data bus line is generated in a direction perpendicular to the data bus line, the liquid crystal molecules to attempt to tilt in a direction parallel to the data bus line. 一方、突起の近傍の液晶分子はデータバスラインに垂直な方向に傾斜しようとするので、データバスラインからの電界の影響が突起により軽減される。 On the other hand, the liquid crystal molecules in the vicinity of the projection so that attempts to tilt in a direction perpendicular to the data bus line, the influence of the electric field from the data bus lines is reduced by the protrusion. これにより、ディスクリネーションの発生が抑制される。 Thus, the occurrence of disclination can be suppressed. 【0011】 【発明が解決しようとする課題】突起によりディスクリネーションを防止するためには、電極と突起との位置関係が重要である。 [0011] In order to prevent disclination by the projection [0005] The positional relationship between the electrode and the protrusion is important. しかしながら、TFT基板とCF基板とを接合する際に生じる位置ずれや、画素電極及び突起等の形成時の生じる位置ずれにより、電極と突起との位置関係が最適な状態からずれでしまうことがある。 However, and displacement caused when bonding the TFT substrate and the CF substrate, the positional deviation of occurrence of the formation of the pixel electrodes and protrusions or the like, the positional relationship between the electrodes and the protrusions may sometimes in deviation from the optimum state . 【0012】図23,図24は、従来の垂直配向型液晶表示装置の問題点を示す模式図である。 [0012] Figure 23, Figure 24 is a schematic diagram showing a problem of a conventional vertical alignment liquid crystal display device. 図23(a) Figure 23 (a)
は、画素電極58と突起65との位置関係が最適な場合を示している。 A positional relationship between the projection 65 and the pixel electrode 58 shows a case optimum. この場合、データバスライン56aから発生する電界の影響がCF基板側の突起65により軽減され、ディスクリネーションは図23(b)に示すように画素電極58よりも外側の部分(図中斜線で示した部分)に発生する。 In this case, the influence of the electric field generated from the data bus lines 56a is reduced by the projection 65 of the CF substrate side, disclination outside portion (in the figure the shaded than the pixel electrode 58 as shown in FIG. 23 (b) generated in the indicated part). この部分はブラックマトリクス(遮光膜)により覆われるので、ディスクリネーションによる表示品質の低下が回避される。 Since this portion is covered by the black matrix (light shielding film), a decrease in display quality due to disclination is avoided. 【0013】図24(a)はCF基板側の突起65が画素電極58に対し左側にずれた例を示している。 [0013] Figure 24 (a) is the protrusion 65 of the CF substrate side is an example shifted to the left relative to the pixel electrode 58. この場合、画素の左側部分では、突起65と画素電極58との重なり幅が小さくなるので、図24(b)に示すように、画素電極58の内側にディスクリネーションが発生する。 In this case, the left portion of the pixel, since the overlapping width of the protrusion 65 and the pixel electrode 58 is reduced, as shown in FIG. 24 (b), disclination occurs inside the pixel electrode 58. また、画素の右側部分では、突起65と画素電極58との重なり幅が大きくなりすぎて、画素電極58の内側に暗部が発生する。 Further, in the right portion of the pixel, the overlap width between the protrusions 65 and the pixel electrode 58 becomes too large, dark area is generated in the inside of the pixel electrode 58. 【0014】このように、従来の垂直配向型液晶表示装置では、画素電極58と突起65との位置関係が最適な状態からずれた場合に、輝度が大きく変化し表示品質が著しく低下してしまうという欠点がある。 [0014] Thus, in the conventional vertical alignment type liquid crystal display device, when displaced from the positional relationship optimal state between the projection 65 and the pixel electrode 58, the display quality varies luminance increases significantly decreases there is a drawback. 【0015】以上から、本発明の目的は、画素電極と突起との間に位置ずれが発生しても、輝度の変化が小さく、表示品質を良好な状態に維持できる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。 [0015] From the above, an object of the present invention, even if misalignment occurs between the protrusion and the pixel electrode, small change in luminance, the liquid crystal display device and a manufacturing method thereof capable of maintaining a display quality in good condition it is to provide a. 【0016】また、本発明の他の目的は、配向不良による輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。 [0016] Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof suppress a decrease in luminance due to poor alignment. 【0017】 【課題を解決するための手段】本願第1の液晶表示装置は、相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極と、前記第2の基板に前記データバスラインに沿って形成され、上から見たときに縁部が前記画素電極に重なる突起とを有し、前記画素 The application first liquid crystal display device SUMMARY OF THE INVENTION comprises a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, the first substrate and the second liquid crystal and the a first of said liquid crystal-side pixel electrode formed on the surface of the substrate, the pixel electrode provided on the first substrate having a negative dielectric anisotropy is sealed between the substrate a data bus line for supplying a display signal to a switching element connected between said pixel electrode data bus lines, gate supplies a signal for driving the switching elements provided on said first substrate and bus lines, said second of said liquid crystal-side common electrode formed on the surface of the substrate, wherein the second board data is formed along the bus line, wherein the pixel edge when viewed from above and a projection overlapping the electrode, the pixel 電極と前記突起との重なり幅が一画素中で均一でないことを特徴とする。 Overlap width between the protrusions and the electrode and wherein the non-uniform in a pixel. 【0018】本発明においては、画素電極と突起との重なり幅が一画素中で均一ではなく、画素電極と突起との重なり幅が大きい部分と、画素電極と突起との重なり幅が小さい部分とを有している。 In the present invention, not uniform overlap width between the projection and the pixel electrode in one pixel, and the overlapping width is larger portion of the projection and the pixel electrode, and the overlapping width is smaller portion of the projection and the pixel electrode have. 【0019】このため、本発明の液晶表示装置は、画素電極と突起と間に位置ずれがない場合の従来の液晶表示装置に比べて輝度は低下する。 [0019] Therefore, the liquid crystal display device of the present invention, the brightness is reduced as compared with the conventional liquid crystal display device when there is no positional deviation between the pixel electrode projections and. しかし、画素電極と突起との間に位置ずれが発生した場合、従来の液晶表示装置では輝度が著しく低下するのに比べて、本発明の液晶表示装置では、位置ずれにより輝度が低下する部分と、逆に輝度が向上する部分とが存在するため、位置ずれによる輝度の低下が少ない。 However, if the positional displacement between the projection and the pixel electrode occurs, in the conventional liquid crystal display device as compared to remarkably decreased brightness, in the liquid crystal display device of the present invention, a portion of the luminance decreases by the positional deviation , since the a part of improving the luminance in the opposite there is less decrease in luminance due to positional deviation. これにより、個々の液晶表示装置の輝度のばらつきが抑制される。 Thus, variations in luminance of the individual liquid crystal display device can be suppressed. 従って、表示品質が良好な液晶表示装置を容易に製造することができる。 Therefore, it is possible to display quality to easily produce a good liquid crystal display device. 【0020】本願第1の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に、画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、第2の基板上に、コモン電極と、前記データバスラインに対向する突起とを形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 The manufacturing method of the first feature of the liquid crystal display device, the first substrate, a pixel electrode, a data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, and the pixel electrode and the data bus line forming a switching element, and forming the the switching element gate bus line for supplying a signal for driving the, on the second substrate, a common electrode, and a projection opposite to said data bus line which connects the a step of, and a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between said second substrate and said first substrate,
前記画素電極は、上から見たときに前記突起との重なり幅が一画素中で部分的に変化するように形成することを特徴とする。 The pixel electrode is characterized in that the overlap width between the protrusions is formed so as to partially change in one pixel when viewed from above. これにより、本願第1の液晶表示装置を製造することができる。 Thus, it is possible to manufacture the present first liquid crystal display device. 【0021】本願第2の液晶表示装置は、相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するスリットと、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのな [0021] The present second liquid crystal display device includes a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, the negative sealed between the first substrate and the second substrate a liquid crystal having a dielectric anisotropy, and the first of said liquid crystal-side pixel electrode formed on the surface of the substrate, and a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules provided on the pixel electrode, the first a data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, a switching element connected between the pixel electrode data bus lines, the provided on the first substrate switching element and the gate bus line for supplying a signal for driving a second and a common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the substrate, the said data bus line side of the edge of the slit of the pixel electrode I of the data bus line 角度が、前記画素電極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とする。 Angle, characterized in that the slits of the other portions of the pixel electrode is smaller than an angle between the data bus lines. 【0022】液晶分子の配向を制御するためのスリットを有する画素を使用した液晶表示装置の場合、データバスラインからの電界の影響により、画素電極の縁部の液晶分子がスリットの方向とは異なる方向に配向して、配向不良による輝度の低下が発生する。 [0022] For the liquid crystal display device using a pixel having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, under the influence of an electric field from the data bus line, the liquid crystal molecules in the edge portions of the pixel electrode is different from the direction of the slit oriented in the direction, reduction in luminance occurs due to alignment failure. 【0023】そこで、本発明においては、画素電極のデータバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのなす角度を、画素電極の他の部分のスリットとデータバスラインとのなす角度よりも小さくしている。 [0023] Therefore, in the present invention, the slit and an angle between the data bus lines of the edges of the data bus lines of the pixel electrode, from the angle between the slit and the data bus lines of the other part of the pixel electrode It is made smaller.
これにより、画素電極の縁部の液晶には、データバスラインの電界によりデータバスラインに垂直な方向に傾斜しようとする力と、スリットの方向に傾斜しようとする力とが作用し、所望の方向に液晶分子を傾斜させることが可能になる。 Thus, the liquid crystal the edge of the pixel electrode, and a force to be inclined in a direction perpendicular to the data bus lines by the electric field of the data bus lines, and power and action to be inclined in the direction of the slit, the desired it is possible to tilt the liquid crystal molecules in the direction. 従って、画素電極の縁部の配向不良の発生が回避され、液晶表示装置の輝度を向上させることができる。 Thus, the orientation defective edge of the pixel electrode can be avoided, thereby improving the brightness of the liquid crystal display device. 【0024】本願第2の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 The manufacturing method of the present second liquid crystal display device, the first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, a switching element connected between said pixel electrode and the data bus lines, and forming with said switching element gate bus line for supplying a signal for driving the, on a second substrate, forming a common electrode has a step, and a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between said first substrate and said second substrate,
前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのなす角度を、前記画素電極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さくすることを特徴とする。 Characterized in that less than said slit and an angle between the data bus lines of the data bus line side of the edge, the angle of the slit and the data bus lines of the other part of the pixel electrode of the pixel electrode to. これにより、本願第2の液晶表示装置を製造することができる。 Thus, it is possible to manufacture the present second liquid crystal display device. 【0025】本願第3の液晶表示装置は、相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するスリットと、前記画素電極の表面を覆う配向膜と、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、前記配向膜のうちの前記画素電極の前記データバス [0025] The present third liquid crystal display device includes a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, the negative sealed between the first substrate and the second substrate a liquid crystal having a dielectric anisotropy, and the pixel electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the first substrate, and a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules provided on the pixel electrode, the pixel electrode and an alignment film covering the surface, and the first data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, and a switching element connected between said pixel electrode and the data bus lines, the a signal and the gate bus line supplies for driving the switching element provided on the first substrate, and said second common electrode formed on the surface of the liquid crystal side of the substrate, of the alignment layer said data bus of said pixel electrodes イン側の縁部の部分に傾斜垂直配向処理が施されており、傾斜垂直配向処理方向と前記データバスラインとのなす角度が、前記スリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とする。 Inclined vertical alignment treatment to the portion of the in-side edge portion is subjected, the angle formed between the inclined vertical alignment treatment direction and the data bus lines is smaller than the angle between the said slit data bus line and features. 【0026】本発明においては、画素電極の表面を覆う配向膜のうち、画素電極のデータバスライン側の縁部の部分にはデータバスラインに対しほぼ平行な方向に傾斜垂直配向処理を施している。 [0026] In the present invention, among the alignment film covering the surface of the pixel electrode, the portion of the edge of the data bus lines of the pixel electrode is subjected to tilt vertically aligning treatment in a direction substantially parallel to the data bus line there. これにより、画素電極の縁部の液晶には、データバスラインの電界によりデータバスラインに垂直な方向に傾斜しようとする力と、スリットの方向に傾斜しようとする力と、傾斜垂直配向処理の方向に傾斜しようとする力とが作用し、所望の方向に液晶分子を傾斜させることが可能になる。 Thus, the liquid crystal the edge of the pixel electrode, and a force to be inclined by the electric field of the data bus line in a direction perpendicular to the data bus line, the force tending to tilt in the direction of the slits, the inclined homeotropic alignment treatment acts as a force to tilt in the direction, it becomes possible to tilt the liquid crystal molecules in a desired direction. 従って、画素電極の縁部の配向不良の発生が回避され、液晶表示装置の輝度を向上させることができる。 Thus, the orientation defective edge of the pixel electrode can be avoided, thereby improving the brightness of the liquid crystal display device. 【0027】本願第3の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、 The manufacturing method of the present third liquid crystal display device, the first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, a switching element connected between said data bus lines and the pixel electrode, and the gate bus line for supplying a signal for driving the switching element,
前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、 Forming an alignment film covering the surface of the pixel electrode,
前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記データバスラインに対しほぼ平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有することを特徴とする。 Among the alignment layer, and a step of performing inclined vertical alignment treatment in a direction substantially parallel to said data bus line side edges said data bus line to a portion of the pixel electrode, on the second substrate, the common electrode forming a, characterized in that a step of encapsulating the liquid crystal having negative dielectric anisotropy between said first substrate and the second substrate. これにより、本願第3の液晶表示装置を製造することができる。 Thus, it is possible to manufacture the present third liquid crystal display device. 【0028】本願第4の液晶表示装置は、相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記画素電極の第1の領域に第1の方向に向けて形成された第1のスリット、及び前記画素電極の第2の領域に第2の方向に向けて形成された第2のスリットと、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆い、前記データバスラインに平行な方 The fourth aspect liquid crystal display device includes a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, the negative sealed between the first substrate and the second substrate a liquid crystal having a dielectric anisotropy, the pixel electrode formed on the surface of the liquid crystal side of the first substrate, the first formed toward the first direction in a first region of the pixel electrode data bus lines of the slits, and supplies a second slit formed toward the second direction in a second region of the pixel electrode, a display signal to the pixel electrode provided on said first substrate When a switching element connected between said pixel electrode data bus lines, and the first provided on the substrate and the gate bus line for supplying a signal for driving the switching element, the surface of the pixel electrode the cover, parallel to the data bus line に傾斜垂直配向処理が施された配向膜と、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、前記画素電極の前記第1の領域及び前記第2の領域は水平方向に隣接し、前記第1及び第2 In the inclined alignment film vertically aligned process has been performed, the second and a common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the substrate, the first region and the second region of the pixel electrode is adjacent to the horizontal direction, the first and second
のスリットのうちの前記第1の領域及び前記第2の領域の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前記第1及び第2のスリットの他の部分と前記データバスラインとのなす角度よりも大きいことを特徴とする。 Said first region and the angle between the portion near the boundary between the data bus lines of the second region of the slit, the first and other portions of the second slit and said data bus line It is larger than the angle of. 【0029】画素電極に、スリットの方向が相互に異なる第1及び第2の領域を水平方向に隣接して設けた場合、第1及び第2の領域の境界部分ではスリットにより液晶分子の配向方向を規制することができないので、第1及び第2の領域の境界部分の液晶分子は傾斜垂直配向処理の方向に配向する。 [0029] pixel electrode, when the direction of the slits is provided adjacent the first and second regions different from each other in the horizontal direction, the alignment direction of liquid crystal molecules by the boundary of the first and second regions slit it is not possible to regulate the liquid crystal molecules at the boundary of the first and second regions are oriented in the direction of the inclined vertical alignment treatment. 液晶分子の配向方向はその近傍の他の液晶分子の配向方向に影響されるので、第1及び第2の領域の境界部分に比較的太い幅の線状の暗部が発生する。 Since the alignment direction of liquid crystal molecules is affected by the orientation direction of the other liquid crystal molecules in the vicinity thereof, linear dark relatively thick width boundary portions of the first and second regions is generated. 【0030】そこで、本発明においては、画素電極に設けた第1及び第2のスリットのうちの第1及び第2の領域の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、第1及び第2のスリットの他の部分とデータバスラインとのなす角度よりも大きくしている。 [0030] Therefore, in the present invention, the first and the angle between the portion near the boundary between the data bus lines of the second region of the first and second slits formed in the pixel electrode, the first It is made larger than and an angle formed between the other portions and the data bus line of the second slit. これにより、第1及び第2の領域の境界近傍の液晶分子には、傾斜垂直配向処理の方向に配向しようとする力と、第1及び第2のスリットの方向に配向しようとする力とが作用し、所望の方向に液晶分子を傾斜させることが可能になる。 Thus, the liquid crystal molecules in the vicinity of the boundary between the first and second regions, and the force to be oriented in the direction of the inclined vertical orientation treatment, and a force to be oriented in the direction of the first and second slits acts, it is possible to tilt the liquid crystal molecules in a desired direction. 従って、画素電極の縁部の配向不良の発生が回避され、液晶表示装置の輝度を向上させることができる。 Thus, the orientation defective edge of the pixel electrode can be avoided, thereby improving the brightness of the liquid crystal display device. 【0031】本願第4の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、 The manufacturing method of the present fourth liquid crystal display device, the first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, a switching element connected between said data bus lines and the pixel electrode, and the gate bus line for supplying a signal for driving the switching element,
前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、 Forming an alignment film covering the surface of the pixel electrode,
前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記データバスラインと平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2 Among the alignment layer, and a step of performing the tilt vertical alignment treatment portion of the edge of the data bus line side to the data bus line in a direction parallel to the pixel electrode, the second substrate, forming a common electrode step and the said first substrate second to
の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、前記スリットは、前記画素電極の第1 And a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between the substrates, the slit is first of said pixel electrodes
の領域では第1の方向に向けて形成し、前記第1の領域に水平方向に隣接する第2の領域では第2の方向に向けて形成し、且つ、前記スリットのうち前記第1の領域と前記第2の領域との境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前記スリットの他の部分と前記データバスラインとのなす角度よりも大きくなるように形成することを特徴とする。 In the region is formed toward the first direction, said second region horizontally adjacent to the first region is formed toward the second direction, and said first region of said slit and characterized in that the angle between the portion near the boundary between the data bus lines of the second region is formed to be larger than the angle between the other portions of the slit and the data bus line to. これにより、本願第4の液晶表示装置を製造することができる。 This makes it possible to produce a fourth aspect the liquid crystal display device. 【0032】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。 [0032] BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 【0033】(第1の実施の形態)図1は本発明の第1 [0033] (First Embodiment) FIG. 1 is the first of the present invention
の実施の形態の液晶表示装置の構造を示す平面図、図2 Plan view showing the structure of a embodiment of a liquid crystal display device, FIG. 2
は図1のI−I線による断面図、図3は図1のII−II線による断面図である。 The cross-sectional view taken along line II of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II-II of Figure 1. 【0034】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して配置されたガラス基板11,21と、これらのガラス基板11,21間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶30と、ガラス基板11の下に配置された偏光板3 The liquid crystal display device of this embodiment, the glass substrates 11 and 21 disposed facing, a liquid crystal 30 having a negative dielectric anisotropy is sealed between these glass substrates 11 and 21 , the polarizing plate 3 arranged beneath the glass substrate 11
1と、ガラス基板21の上に配置された偏光板32とにより構成されている。 1 and is constituted by a polarizer 32 disposed on the glass substrate 21. 【0035】ガラス基板11の上には、図1に示すように、水平方向に延びる複数本のゲートバスライン12a [0035] On a glass substrate 11, as shown in FIG. 1, the gate bus line 12a of the plurality of horizontally extending
と、垂直方向に延びる複数本のデータバスライン16a When, a plurality of vertically extending data bus lines 16a
とが形成されている。 Door is formed. これらのゲートバスライン12a These gate bus line 12a
及びデータバスライン16aにより区画される領域がそれぞれ画素領域である。 Regions defined is a picture area by and the data bus lines 16a. また、ガラス基板11上には、 Further, on the glass substrate 11,
各画素領域を横断するように、蓄積容量バスライン12 So as to cross the respective pixel regions, the storage capacitor bus line 12
bが形成されている。 b is formed. 【0036】各画素領域には、それぞれTFT(スイッチング素子)10と、ITO(Indium-Tin Oxide)等の透明導電体材料からなる画素電極18とが形成されている。 [0036] In each pixel region, and each TFT (switching element) 10, a pixel electrode 18 made of a transparent conductive material such as ITO (Indium-Tin Oxide) is formed. TFT10はゲートバスライン12aの一部をゲート電極としている。 TFT10 is a gate electrode part of the gate bus line 12a. また、TFT10のドレイン電極1 In addition, the drain of the TFT10 electrode 1
6bはデータバスライン16aに接続され、ソース電極16cは画素電極18に接続されている。 6b is connected to the data bus lines 16a, the source electrode 16c is connected to the pixel electrode 18. 【0037】データバスライン16aには表示信号が供給され、ゲートバスライン12aには所定のタイミングで走査信号が供給される。 [0037] The data bus line 16a is supplied display signal, the gate bus line 12a scanning signal at a predetermined timing is supplied. ゲートバスライン12aを介して走査信号が供給されたTFT10はオン状態になり、画素電極18に表示信号が書き込まれる。 TFT10 to scan signals through the gate bus line 12a is supplied is turned on, the display signal to the pixel electrode 18 is written. これにより、画素電極18とコモン電極24との間に存在する液晶分子の配向方向が変化し、光の透過率が変化する。 Thus, the alignment direction of liquid crystal molecules present varies between the pixel electrode 18 and the common electrode 24, light transmittance is changed. 画素毎に透過率を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。 By controlling the transmittance for each pixel, it is possible to display a desired image on the liquid crystal display device. 【0038】本実施の形態においては、画素電極18 [0038] In this embodiment, the pixel electrode 18
は、一般的な矩形ではなく、上部から中央部にかけて幅が連続的に減少し、中央部から下部にかけて幅が連続的に増大する形状に形成されている。 Is not a general rectangular, the width from the upper toward the center portion to decrease continuously, and the central portion is formed in a shape in which the width toward the bottom increases continuously. 【0039】図2,図3の断面図を参照して、ガラス基板(TFT基板)11側の構成を更に詳細に説明する。 FIG. 2, with reference to the sectional view of FIG. 3, a more detailed description of the configuration of the glass substrate (TFT substrate) 11 side.
ガラス基板11の上には、Cr(クロム)等の金属によりゲートバスライン12a及び蓄積容量バスライン12 On a glass substrate 11, the gate bus line 12a and the storage capacitor bus lines 12 a metal such as Cr (chromium)
bが形成されている。 b is formed. また、ガラス基板11の上にはシリコン酸化物(SiO 2 )等からなる絶縁膜13が形成されており、ゲートバスライン12a及び蓄積容量バスライン12bはこの絶縁膜13に覆われている。 The silicon oxide on the glass substrate 11 is an insulating film 13 made of (SiO 2) or the like is formed, the gate bus line 12a and the storage capacitor bus lines 12b are covered with the insulating film 13. 【0040】絶縁膜13上には、TFT10の動作層となるシリコン膜(アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜)14が形成されており、シリコン膜14の上には、シリコン窒化物等の絶縁材料からなるチャネル保護膜15と、高濃度に不純物が導入されたシリコン膜と金属膜とが積層されてなるドレイン電極16b及びソース電極16cとが形成されている。 [0040] On the insulating film 13 is formed with a silicon film (an amorphous silicon film or a polysilicon film) 14 serving as the active layer of the TFT 10, on the silicon film 14, an insulating material such as silicon nitride a channel protection film 15 made of a heavily doped drain and a silicon film and a metal film to which an impurity is introduced are laminated on the electrode 16b and a source electrode 16c is formed. ドレイン電極16b及びソース電極16cは、いずれもシリコン膜14上からチャネル保護膜15上に延出して形成されている。 Drain electrode 16b and the source electrode 16c is formed both extending over the silicon film 14 on the channel protection film 15. また、ドレイン電極16b及びソース電極16cと同じ配線層に、データバスライン16aが形成されている。 Also, the same wiring layer as the drain electrode 16b and a source electrode 16c, the data bus lines 16a are formed. 【0041】絶縁膜13の上には絶縁膜17が形成されており、データバスライン16a、ドレイン電極16b [0041] On the insulating film 13 is formed an insulating film 17, the data bus lines 16a, the drain electrode 16b
及びソース電極16cはこの絶縁膜17に覆われている。 And the source electrode 16c is covered with the insulating film 17. 絶縁膜17上には画素電極18が形成されている。 On the insulating film 17 is a pixel electrode 18 is formed.
この画素電極18は、絶縁膜17に形成されたコンタクトホールを介してTFT10のソース電極16cと電気的に接続されている。 The pixel electrode 18 is connected to the source electrode 16c and electrically in TFT10 via a contact hole formed in the insulating film 17. この画素電極18の表面は、ポリイミド等からなる垂直配向膜19により覆われている。 The surface of the pixel electrode 18 is covered with the vertical alignment film 19 made of polyimide or the like. 【0042】一方、ガラス基板(CF基板)21の下には、各画素領域の間及びTFT形成領域を覆うようにブラックマトリクス22が形成されている。 On the other hand, under the glass substrate (CF substrate) 21, a black matrix 22 so as to cover between and TFT forming region of each pixel region is formed. また、ガラス基板21の下には、各画素毎に、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)のいずれか1色のカラーフィルタ23が形成されている。 Further, under the glass substrate 21, for each pixel, a red (R), green (G) and the color filter 23 of any one color of blue (B) are formed. 【0043】カラーフィルタ23の下には、ITO等の透明導電体材料からなるコモン電極24が形成されており、コモン電極24の下には樹脂等の誘電体材料からなるからなる突起25が、データバスライン16aに沿って形成されている。 [0043] Under the color filter 23 is formed a common electrode 24 made of a transparent conductive material such as ITO, projection 25 consisting of a dielectric material such as resin under the common electrode 24, along the data bus lines 16a are formed. コモン電極24及び突起25の表面は、ポリイミド等からなる垂直配向膜26に覆われている。 Surface of the common electrode 24 and the projections 25 are covered with a vertical alignment film 26 made of polyimide or the like. 【0044】本実施の形態においては、ゲートバスライン12a及びデータバスライン16aの幅はいずれも5 [0044] In this embodiment, both the width of the gate bus lines 12a and the data bus lines 16a 5
μmである。 It is μm. また、ゲートバスライン12aの配設ピッチは200μm、データバスライン16aの配設ピッチは70μmである。 Further, the arrangement pitch of the gate bus line 12a is 200 [mu] m, arrangement pitch of the data bus lines 16a is 70 [mu] m. 更に、画素電極28の上部及び下部における幅が61μm、中央部における幅が57μmであり、画素電極18とデータバスライン16aとの間隔は3μmである。 Furthermore, the width of the top and bottom of the pixel electrode 28 is 61 [mu] m, the width at the central portion is 57 .mu.m, the distance between the pixel electrode 18 and the data bus lines 16a is 3 [mu] m. 更にまた、セルギャップは3〜5μm Furthermore, the cell gap 3~5μm
である。 It is. 更にまた、データバスライン16aの上方のブラックマトリクス22の幅は11μm、突起25の高さは0.5μm、突起25の幅は17μmである。 Furthermore, the width of the upper of the black matrix 22 of the data bus line 16a is 11 [mu] m, the height of the projection 25 is 0.5 [mu] m, the width of the projection 25 is 17 .mu.m. 従って、突起25はブラックマトリクス22から両側にそれぞれ3μmだけはみ出している。 Accordingly, the protrusion 25 protrudes only respectively 3μm to both sides from the black matrix 22. また、画素電極18及び突起25に位置ずれがないとすると、上から見たときの画素電極18と突起25との重なり幅の最小値は1μ Further, when there is no positional deviation in the pixel electrode 18 and the projections 25, the minimum value of the overlapping width of the pixel electrode 18 and the projection 25 when viewed from above 1μ
m、最大値は5μmとなる。 m, the maximum value is 5 [mu] m. 【0045】なお、突起25の高さが0.1μm未満の場合は突起25により液晶分子の配向方向を規制する効果が十分でない。 [0045] In the case the height of the projection 25 is smaller than 0.1μm is not sufficient effect of regulating the alignment direction of liquid crystal molecules by the protrusions 25. 一方、突起25の高さが1μmを超えると、位置ずれに対するマージンが少なくなる。 On the other hand, if the height of the protrusions 25 is greater than 1 [mu] m, the margin is reduced with respect to the position deviation. このため、突起25の高さは0.1〜1μmとすることが好ましい。 Therefore, the height of the projection 25 is preferably set to 0.1 to 1 [mu] m. 【0046】また、画素電極18の最も幅が広い部分と狭い部分との差が4μm未満の場合は、位置ずれに対するマージンが少ない。 [0046] In the case the difference between the widest part and narrow part of the pixel electrode 18 is less than 4 [mu] m, less margin for positional displacement. 一方、画素電極18の最も幅が広い部分と狭い部分との差が8μmを超える場合は、画素電極18に対する突起25の位置ずれが無い場合であっても、輝度が大きく低下してしまう。 On the other hand, if the difference between the widest part and narrow part of the pixel electrode 18 is more than 8 [mu] m, even when there is no positional deviation of the protrusions 25 to the pixel electrode 18, the luminance is lowered greatly. このため、、画素電極18の最も幅が広い部分と狭い部分との差は、4〜 The difference between the widest part and narrow part of the order ,, pixel electrode 18, 4
8μmとすることが好ましい。 It is preferable that the 8μm. 【0047】ガラス基板11側の垂直配向膜19及びガラス基板21側の垂直配向膜26には、液晶分子が基板面に対し1〜5°程度傾斜するように、傾斜垂直配向処理が施されている。 [0047] the glass substrate 11 side of the vertical alignment film 19 and the glass substrate 21 side of the vertical alignment film 26, as the liquid crystal molecules are tilted approximately 1 to 5 ° to the substrate surface, is subjected inclined vertical alignment treatment there. 但し、画素の上半分の領域では液晶分子が上側から下側に向う方向に傾斜するように、画素の下半分の領域では液晶分子が下側から上側に向う方向に傾斜するように、傾斜垂直配向処理が施されている。 However, as the liquid crystal molecules in the upper half of the region of pixels to be inclined in a direction toward the lower side from the upper side, in the region of the lower half of the pixel inclined in the direction in which the liquid crystal molecules are directed from the lower side to the upper, inclined vertical the alignment process is performed.
この傾斜垂直配向処理は、例えば紫外線を垂直配向膜1 The inclined vertical orientation treatment, for example, ultraviolet vertical alignment film 1
9,26に対し斜め方向から照射することにより行われる。 9, 26 to be performed by irradiating from an oblique direction. また、垂直配向膜19,26に対しラビングすることによっても傾斜垂直配向処理を達成することができる。 Further, it is also possible to achieve tilting vertical orientation treatment by rubbing to the vertical alignment film 19, 26. 【0048】図4,図5は第1の実施の形態の効果を示す模式図である。 [0048] Figure 4, Figure 5 is a schematic diagram showing the effects of the first embodiment. 図4(a)は画素電極18と突起25 4 (a) is projecting a pixel electrode 18 25
との位置関係が最適な状態を示しており、図4(b)は図4(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示している。 Positional relationship indicates an optimum condition of the FIG. 4 (b) shows the state of occurrence of disclination in the state shown in Figure 4 (a). また、図5(a)は画素電極1 Further, FIG. 5 (a) pixel electrode 1
8に対し突起25の位置がずれた状態を示しており、図5(b)は図5(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示している。 8 shows a state in which the position is shifted in the projection 25 with respect to, FIG. 5 (b) shows the state of occurrence of disclination in the state shown in Figure 5 (a). 【0049】図4(a)に示すように、画素電極18と突起25との位置関係が最適な状態では、図4(b)中に丸印で示す部分でディスクリネーションが最も小さくなる。 [0049] As shown in FIG. 4 (a), the positional relationship is an optimal state of the pixel electrode 18 and the projection 25, the smallest disclination at a portion indicated by a circle in FIG. 4 (b). そして、画素電極18の上部、下部及び中央部でディスクリネーションによる輝度の低下が発生するものの、その程度は比較的小さい。 The upper portion of the pixel electrode 18, although reduction in luminance due to the disclination in the lower and central portion occurs, its extent is relatively small. 【0050】一方、図5(a)に示すように、画素電極18に対し突起25の位置が水平方向にずれた場合は、 On the other hand, as shown in FIG. 5 (a), if the position of the projection 25 with respect to the pixel electrode 18 is shifted in the horizontal direction,
図5(b)に示ようにディスクリネーションが最も小さくなる位置が変化するものの、通常の位置ずれの範囲では、位置ずれが無い場合と同様に、4箇所の位置でディスクリネーションが最も小さくなる。 Although shown so disclination is minimized in the position in FIG. 5 (b) changes in the range of normal position deviation, as if there is no positional deviation, the smallest disclination at four positions Become. また、ディスクリネーションによる輝度の低下は部分的に発生するものの、その程度は比較的小さい。 Although reduction in luminance due to disclination partially generated, the degree is relatively small. 【0051】例えば、画素電極18に対し突起25が水平方向に2μmずれた場合、従来の液晶表示装置(図2 [0051] For example, if the projection 25 with respect to the pixel electrode 18 is shifted 2μm horizontally, the conventional liquid crystal display device (FIG. 2
3,図24参照)では15%程度の輝度の低下が発生する。 3, decrease in brightness of about 15% in FIG. 24) is generated. 一方、本実施の形態の液晶表示装置では、位置ずれが無いときは従来の液晶表示装置に比べて輝度が7%程度減少する。 On the other hand, in the liquid crystal display device of this embodiment, when there is no positional deviation brightness decreases approximately 7% in comparison with the conventional liquid crystal display device. しかし、画素電極18に対し突起25が水平方向に2μmずれた場合であっても、位置ずれがない場合に比べて輝度が約5%しか低下しない。 However, even when the projection 25 with respect to the pixel electrode 18 is shifted 2μm horizontally, not decreased only about 5% luminance as compared with the case where there is no positional deviation. 【0052】従って、本実施の形態の液晶表示装置では、個々の液晶表示装置の表示品質のばらつきが回避される。 [0052] Accordingly, in the liquid crystal display device of this embodiment, variations in display quality of the individual liquid crystal display device can be avoided. その結果、位置ずれに起因する不良品の発生率が低減されるという効果を奏する。 As a result, an effect that occurrence of defective products caused by the positional deviation is decreased. 【0053】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について、図1〜図3を参照して説明する。 [0053] Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal display device of this embodiment will be described with reference to FIGS. 【0054】まず、TFT基板となるガラス基板11を用意し、このガラス基板11の上に下地絶縁膜(図示せず)としてシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を、例えば15〜300nmの厚さに形成する。 [0054] First, a glass substrate 11 serving as a TFT substrate, a silicon oxide film or a silicon nitride film as the base insulating film (not shown) is formed on the glass substrate 11, for example, to a thickness of 15~300nm to. その後、スパッタ法により、下地絶縁膜の上にCr膜を約150nmの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりCr膜をパターニングしてゲートバスライン12a及び蓄積容量バスライン12bを形成する。 Thereafter, by sputtering, the Cr film was formed to a thickness of about 150nm on the underlying insulating film, by patterning the Cr film by photolithography to form a gate bus line 12a and the storage capacitor bus line 12b. 【0055】次に、ガラス基板11の上側全面に、CV Next, the entire upper surface of the glass substrate 11, CV
D(Chemical Vapor Deposition )法によりシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を約300nmの厚さに形成して、絶縁膜13とする。 The silicon oxide film or a silicon nitride film is formed to a thickness of about 300nm by D (Chemical Vapor Deposition) method, an insulating film 13. その後、絶縁膜13上にシリコン膜14を約50nmの厚さに形成する。 Thereafter, a silicon film 14 to a thickness of about 50nm on the insulating film 13. シリコン膜1 Silicon film 1
4はアモルファスシリコンにより形成されていてもよく、ポリシリコンにより形成されていてもよい。 4 may be formed of amorphous silicon, it may be formed of polysilicon. 【0056】次に、シリコン膜14上に、CVD法によりシリコン窒化膜を約50〜200nmの厚さに形成する。 Next, on the silicon film 14, a silicon nitride film to a thickness of about 50~200nm by CVD. そして、フォトリソグラフィ法によりシリコン窒化膜をパターニングして、チャネル保護膜15を形成する。 Then, by patterning the silicon nitride film by photolithography to form a channel protective film 15. 【0057】次に、ガラス基板11の上側全面に、n + Next, on the entire upper surface of the glass substrate 11, n +
型シリコン膜を約30nmの厚さに形成し、更にその上にTi(チタン)/Al(アルミニウム)/Ti(チタン)を順次積層する。 Forming a silicon film with a thickness of about 30 nm, further sequentially laminating the Ti (titanium) / Al (aluminum) / Ti (titanium) thereon. そして、これらのn +型シリコン膜及び金属膜(Ti/Al/Ti膜)をパターニングして、データバスライン16a、ドレイン電極16b及びソース電極16cを形成する。 Then, by patterning these n + -type silicon layer and the metal film (Ti / Al / Ti film), the data bus lines 16a, the drain electrode 16b and the source electrode 16c are formed. また、このとき同時にシリコン膜14を所定の形状にパターニングする。 Further, patterning the silicon film 14 At the same time in a predetermined shape. 【0058】次に、ガラス基板11の上側全面に、例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を約100〜60 Next, on the entire upper surface of the glass substrate 11, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film of about 100 to 60
0nmの厚さに形成し、絶縁膜17とする。 Formed to a thickness of 0 nm, and the insulating film 17. そして、フォトリソグラフィ法により、絶縁膜17にソース電極1 Then, by photolithography, the source electrode 1 to the insulating film 17
6cに到達するコンタクトホールを形成する。 Forming a contact hole reaching the 6c. 【0059】次に、スパッタ法により、ガラス基板11 Next, by a sputtering method, a glass substrate 11
の上側全面にITO膜を約70nmの厚さに形成し、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、画素電極18を形成する。 The ITO film was formed to a thickness of about 70nm on the entire upper surface of the ITO film is patterned by photolithography to form the pixel electrode 18. この場合、図1に示すように、画素電極18は、上部から中央部にかけて幅が連続的に減少し、中央部から下部にかけて幅が連続的に増加する形状とする。 In this case, as shown in FIG. 1, the pixel electrode 18, the width toward the center portion continuously decreases from the top, the width from the central portion to the lower portion is a continuously increasing shape. この画素電極18は、絶縁膜17 The pixel electrode 18, the insulating film 17
に設けられたコンタクトホールを介してTFT10のソース電極16cに電気的に接続される。 It is electrically connected to the source electrode 16c of the TFT10 via a contact hole provided in the. 【0060】その後、画素電極18の表面を、ポリイミド等からなる垂直配向膜19で被覆する。 [0060] Then, the surface of the pixel electrode 18 is coated with a vertical alignment film 19 made of polyimide or the like. そして、この垂直配向膜19に、紫外線照射又はラビングによる傾斜垂直配向処理を施す。 Then, the vertical alignment film 19 is subjected to tilt vertical alignment treatment by ultraviolet irradiation or rubbing. このようにして、TFT基板が形成される。 In this way, TFT substrate. 【0061】一方、CF基板となるガラス基板21の上にCr膜を形成し、このCr膜をパターニングして、ブラックマトリクス22を形成する。 [0061] On the other hand, a Cr film was formed on a glass substrate 21 serving as a CF substrate, and patterning the Cr film, to form a black matrix 22. その後、赤色、緑色及び青色の感光性樹脂を使用して、ガラス基板21の上に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ23を形成する。 Thereafter, red, using the green and blue photosensitive resin, to form red, green, and blue color filters 23 on the glass substrate 21. 【0062】その後、ガラス基板21の上にITO膜を約70nmの厚さに形成し、コモン電極24とする。 [0062] Then, to a thickness of about 70nm of ITO film on a glass substrate 21, a common electrode 24. そして、このコモン電極24の上にフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像処理を施して、突起25を形成する。 Then, a photoresist film is formed on the common electrode 24, it is subjected to exposure and development treatment to form a protrusion 25. この突起25は、TFT基板側のデータバスライン16aに対向する位置に形成する。 The projection 25 is formed in a position opposed to the TFT substrate side of the data bus lines 16a. その後、コモン電極24及び突起25の表面を、ポリイミド等からなる垂直配向膜26で被覆する。 Thereafter, the surface of the common electrode 24 and the protrusion 25 are covered with a vertical alignment film 26 made of polyimide or the like. そして、この垂直配向膜26 Then, the vertical alignment film 26
に、紫外線照射又はラビングによる傾斜垂直配向処理を施す。 In, subjected to gradient vertical alignment treatment by ultraviolet irradiation or rubbing. 【0063】垂直配向膜19,26へ傾斜配向を行う場合、次のような方法が考えられる。 [0063] When performing tilt alignment to vertical alignment film 19 and 26, the following method is conceivable. 図1において、TF In FIG. 1, TF
T基板に形成された垂直配向膜19には、紙面の上から下に向う方向の傾斜垂直配向処理を施し、CF基板に形成された垂直配向膜26には、紙面の下から上に向う方向の傾斜垂直配向処理を施す。 The T-substrate vertical alignment film 19 formed is subjected to tilt vertical alignment treatment direction toward the bottom from the top of the paper, the vertical alignment film 26 formed on the CF substrate, the direction toward the top from the bottom of the paper subjected to a tilt vertical alignment treatment. これは、モノドメインと呼ばれる配向方法で、パネル全体に一様な方向の傾斜垂直配向が与えられることとなる。 This is so that the orientation method called monodomain given inclination vertical alignment uniform direction throughout the panel. 【0064】また、もう一つの方法も考えられる。 [0064] Further, it is also considered another way. 図1 Figure 1
において、蓄積容量バスライン12bを境とした2つの領域に、それぞれ別の方向に傾斜垂直配向処理を施す。 In, the two regions with the boundary of the storage capacitor bus lines 12b, subjected to each inclined vertical alignment treatment to another direction.
例えば、TFT基板に形成された垂直配向膜19に、蓄積容量バスライン12bを境として上半分の領域には上から下へ向かう方向の傾斜垂直配向処理を施し、下半分には下から上へ向う方向の傾斜垂直配向処理を施す。 For example, the vertical alignment film 19 formed on the TFT substrate, the storage capacitor in the upper half region of the bus line 12b as a boundary subjected to tilt vertical alignment treatment direction from top to bottom, from bottom to top in the bottom half an inclined vertical alignment treatment direction towards applied. 一方、CF基板に形成された垂直配向膜26には、蓄積容量バスライン12bを境として上半分の領域には下から上へ向う方向の傾斜垂直配向処理を施し、下半分の領域には上から下へ向う方向の傾斜垂直配向処理を施す。 On the other hand, CF to the vertical alignment film 26 formed on the substrate, the storage capacitor in the upper half region of the bus line 12b as a boundary subjected to tilt vertical alignment treatment direction towards from bottom to top, top to the area of ​​the lower half performing tilt vertical alignment treatment direction toward to bottom. これにより、一つの画素内で2つの配向方向をもつことが可能となる。 Thus, it is possible to have two orientation directions in one pixel. 【0065】次に、ガラス基板11及びガラス基板21 Next, the glass substrate 11 and the glass substrate 21
を、配向膜19,26が形成された面を対向させて配置する。 And placing the surface of the alignment film 19, 26 is formed to face. この場合に、ガラス基板11及びガラス基板21 In this case, the glass substrate 11 and the glass substrate 21
の間隔が一定となるように、両者の間にスペーサを介在させる。 So that the distance is constant, interposing a spacer between them. そして、ガラス基板11とガラス基板21との間に、負の誘電率異方性を有する液晶30を封入する。 Then, between the glass substrate 11 and the glass substrate 21, to enclose the liquid crystal 30 having a negative dielectric anisotropy. 【0066】次いで、ガラス基板11の下に偏光板31 [0066] Subsequently, a polarizing plate 31 under the glass substrate 11
を配置し、ガラス基板21の上に偏光板32を配置する。 Was placed, polarizing plates arranged 32 on the glass substrate 21. これらの偏光板31,32は、相互に吸収軸が直交するように配置することが必要である。 These polarizing plates 31 and 32, it is necessary to mutually absorption axes are arranged perpendicular. このようにして、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。 Thus, the liquid crystal display device of the present embodiment is completed. 【0067】(変形例1)図6は、第1の実施の形態の変形例1に係る液晶表示装置を示す平面図である。 [0067] (Modification 1) FIG. 6 is a plan view showing a liquid crystal display device according to the first modification of the first embodiment. 変形例1が第1の実施の形態と異なる点は画素電極18の形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施の形態と同様であるので、ここでは重複する部分の説明は省略する。 Modification 1 is in the different shape of the first the embodiment differs from the embodiment the pixel electrode 18, since the other configurations are the same as the form of essentially a first embodiment, wherein the portion of overlap description thereof is omitted. 【0068】変形例1においては、画素電極18が、上側が狭く下側が狭い台形形状に形成されている。 [0068] In the first modification, the pixel electrode 18, the upper narrow lower side is formed in a narrow trapezoidal shape. 例えば、画素電極18の上辺の長さは57μm、下辺の長さは61μmである。 For example, the length of the upper side of the pixel electrode 18 is 57 .mu.m, the length of the lower side is 61 [mu] m. そして、画素電極18と突起25との間に位置ずれが無いとすると、画素電極18の中央部でディスクリネーションが最も小さくなるように、突起25の位置及びサイズが設定されている。 Then, when there is no positional deviation between the pixel electrode 18 and the projection 25, as disclination is minimized at the center of the pixel electrode 18, the position and size of the protrusions 25 is set. 【0069】図7(a)は画素電極18と突起25との位置関係が最適な状態を示す図であり、図7(b)は図7(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示す図である。 [0069] FIG. 7 (a) is a diagram showing the positional relationship between the optimal state of the pixel electrode 18 and the projection 25, FIG. 7 (b) of disclination in the state shown in FIG. 7 (a) it is a diagram illustrating a generation state. また、図8(a)は画素電極1 Further, FIG. 8 (a) pixel electrode 1
8に対し突起25の位置が水平方向にずれた状態を示す図であり、図8(b)は図8(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示す図である。 8 to a diagram showing a state where the position of the projection 25 is shifted in the horizontal direction, FIG. 8 (b) is a view showing a state of generation of disclination in the state shown in FIG. 8 (a). 【0070】図7(a)に示すように、画素電極18と突起25との位置関係が最適な状態では、図7(b)に丸印で示す部分でディスクリネーションが最も小さくなる。 [0070] As shown in FIG. 7 (a), the positional relationship is an optimal state of the projection 25 and the pixel electrode 18 becomes the smallest disclination at a portion indicated by a circle in FIG. 7 (b). そして、画素電極18の上部及び下部でディスクリネーションによる輝度の低下が発生するものの、その程度は比較的小さい。 Then, although the reduction in luminance due to the disclination at the top and bottom of the pixel electrode 18 is generated, the degree is relatively small. 【0071】一方、図8(a)に示すように、画素電極18に対し突起25の位置がずれた場合は、図8(b) [0071] On the other hand, as shown in FIG. 8 (a), if the position of the projection 25 is shifted to the pixel electrode 18, and FIG. 8 (b)
に示すようにディスクリネーションが最も小さくなる位置が変化するものの、通常の位置ずれの範囲では、位置ずれが無いときと同様に、2箇所の位置でディスクリネーションが最も小さくなる。 Although disclination changed smallest position, as shown, in the range of normal position displacement, similarly to when there is no positional deviation, the smallest disclination at two positions. また、ディスクリネーションにより輝度の低下は部分的に発生するものの、その程度は比較的小さい。 Although reduction in luminance by disclination partially generated, the degree is relatively small. 【0072】(変形例2)図9は、第1の実施の形態の変形例2に係る液晶表示装置を示す平面図である。 [0072] (Modification 2) FIG. 9 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a second modification of the first embodiment. 変形例2が第1の実施の形態と異なる点は画素電極18の形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施の形態と同様であるので、ここでは重複する部分の説明は省略する。 Modification 2 is in differ shape of the first the embodiment differs from the embodiment the pixel electrode 18, since the other configurations are the same as the form of essentially a first embodiment, wherein the portion of overlap description thereof is omitted. 【0073】変形例2においては、画素電極18のデータバスライン16aに平行する2つの辺に、4μmの振幅で矩形の凹凸が設けられている。 [0073] In the second modification, the two sides parallel to the data bus line 16a of the pixel electrode 18, a rectangular concave-convex is provided with an amplitude of 4 [mu] m. 本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、画素電極18に対し突起25の位置がずれたとしても、輝度の低下の割合は少ない。 Also in this embodiment, as in the first embodiment, even when deviated position of projection 25 with respect to the pixel electrode 18, the rate of decrease in brightness is small. 【0074】(変形例3)図10は、第1の実施の形態の変形例3に係る液晶表示装置を示す平面図である。 [0074] (Modification 3) FIG. 10 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third modification of the first embodiment. 変形例3が第1の実施の形態と異なる点は画素電極18の形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第1 That the third modification differs from the first embodiment is that the shape of the pixel electrode 18 are different, the other configurations are basically first
の実施の形態と同様であるので、ここでは重複する部分の説明は省略する。 Is the same as in the embodiment, description thereof will be omitted for portions which are the same here. 【0075】変形例3においては、画素電極18のデータバスライン16aに平行する2つの辺の近傍に、幅が4μmの矩形のスリットが垂直方向に並んで形成されている。 [0075] In the modified example 3, in the vicinity of the two sides parallel to the data bus line 16a of the pixel electrode 18, the width is a rectangular slit of 4μm are formed side by side in the vertical direction. 本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、画素電極18に対し突起25の位置がずれたとしても、輝度の低下の割合は少ない。 Also in this embodiment, as in the first embodiment, even when deviated position of projection 25 with respect to the pixel electrode 18, the rate of decrease in brightness is small. 【0076】これらの第1の実施の形態及びその変形例1〜3に示すように、画素電極の形状を、画素電極と突起との重なり幅が一画素中で均一でない形状にすることにより、位置ずれによる輝度の低下が抑制される。 [0076] As shown in embodiment and the third modifications of the first embodiment of the shape of the pixel electrodes, by the shape overlapping width between the projection and the pixel electrode is not uniform in one pixel, decrease in brightness can be suppressed by the positional deviation. 【0077】図11は、横軸にCF基板の水平方向の位置ずれ量をとり、縦軸に輝度低下率をとって、従来例1 [0077] Figure 11 takes a position displacement amount in the horizontal direction of the CF substrate on the horizontal axis and the luminance reduction ratio on the vertical axis, the conventional example 1
〜3、実施例1〜4の位置ずれに対する輝度低下率の変化をシミュレーションした結果を示す図である。 To 3 is a diagram showing the results of simulation of changes in the luminance reduction rate relative to the position deviation of Examples 1-4. 【0078】従来例1〜3は画素電極が矩形の液晶表示装置(図23,図24参照)であり、位置ずれが無い場合の画素電極と突起との重なり幅はそれぞれ1μm、3 [0078] Conventional Examples 1 to 3 pixel electrode rectangular liquid crystal display device (Fig. 23, see FIG. 24), and each pixel electrode in the absence of misalignment overlap width between the protrusions 1 [mu] m, 3
μm、5μmである。 μm, is 5μm. 実施例1,2は画素電極が台形の液晶表示装置(図6参照)であり、画素電極の上側の辺の長さと下側の辺の長さとの差は、それぞれ6μm、4 Examples 1 and 2 is a liquid crystal display device the pixel electrodes are trapezoidal (see FIG. 6), the difference between the length of the upper length of the side and the lower side of the pixel electrode, respectively 6 [mu] m, 4
μmである。 It is μm. 実施例3,4は画素電極の縁部に凹凸が設けられた液晶表示装置(図9参照)であり凹凸の振幅はそれぞれ6μm、4μmである。 Examples 3 and 4 are each a is the amplitude of the unevenness LCD unevenness is provided on the edge portion of the pixel electrode (see FIG. 9) 6 [mu] m, is 4 [mu] m. 【0079】図12は、横軸にCF基板の水平方向の位置ずれ量をとり、縦軸に輝度変化率をとって、従来例1 [0079] Figure 12 takes a position displacement amount in the horizontal direction of the CF substrate on the horizontal axis and the luminance variation rate on the vertical axis, the conventional example 1
〜3、実施例1〜4の液晶表示装置の位置ずれ幅と輝度変化率との関係を示す図である。 To 3 is a diagram showing the relationship between the position shift width and the luminance change of the liquid crystal display device of Example 1-4. 但し、図12では、位置ずれが無いときの輝度を基準にしている。 However, in FIG. 12, based on the brightness when there is no positional deviation. 【0080】これらの図11,図12から、従来例1〜 [0080] These 11, from 12, the conventional example 1
3ではいずれも位置ずれにより輝度が大きく変化するのに対し、実施例1〜4では位置ずれに対する輝度の変化量が小さいことがわかる(第2の実施の形態)以下、本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置について説明する。 By both the 3 position shift while brightness greatly changes, it can be seen that the variation in luminance with respect to positional displacement in Examples 1 to 4 is small (second embodiment) Hereinafter, a second of the present invention a liquid crystal display device of the embodiment will be described. 【0081】例えば、1画素内で液晶分子の配向方向が4方向のマルチドメインを達成するためには、図13に示すようにスリット37aの向きが相互に異なる4つの領域に分割された画素電極37を使用することが考えられる。 [0081] For example, 1 to the alignment direction of liquid crystal molecules in the pixel to achieve a 4-way multi-domain pixel electrode to which a direction of the slit 37a as shown in FIG. 13 is divided into four regions different from each other it is conceivable to use a 37. 【0082】すなわち、第1の領域(右上の領域)ではスリット37aがX軸方向(水平方向)に対し45°の角度で設けられており、第2の領域(左上の領域)ではスリット37aがX軸方向に対し135°の角度で設けられており、第3の領域(左下の領域)ではスリット3 [0082] That is, the first region (upper right region), the slit 37a is provided at an angle of 45 ° with respect to the X-axis direction (horizontal direction), a second region (upper left region), the slit 37a with respect to the X-axis direction is provided at an angle of 135 °, the third region (lower left region), the slit 3
7aがX軸方向に対し225°の角度で設けられており、第4の領域(右下の領域)ではスリット37aがX 7a is provided at an angle of 225 ° with respect to the X-axis direction, the fourth region (region lower right), the slit 37a is X
軸方向に対し315°の角度で設けられている。 It is provided at an angle of 315 ° with respect to the axial direction. なお、 It should be noted that,
この例の液晶表示装置のコモン電極側には、スリットや突起等は設けられていない。 The common electrode side of the liquid crystal display device of this embodiment, slits or projections or the like are not provided. また、2枚の偏光板は、吸収軸が相互に直交し、且つスリット37aに対し45° Further, two polarizing plates, absorption axes are orthogonal to each other, and 45 ° to the slits 37a
の角度となるように配置される。 It is arranged so as to be angular. 【0083】このような形状の画素電極37を使用した場合は、画素電極37とコモン電極との間に電圧を印加すると、液晶分子30aはスリット37aと平行な方向に傾斜する。 [0083] When using the pixel electrode 37 having such a shape, when a voltage is applied between the pixel electrode 37 and the common electrode, liquid crystal molecules 30a are inclined in a direction parallel to the slit 37a. このとき、4つの領域の境界部分の電極のエッジの影響により、第1の領域と第3の領域とでは液晶分子30aの倒れる方向が逆になり、第2の領域と第4の領域とでは液晶分子30aの倒れる方向が逆になる。 At this time, due to the influence of the four electrodes of the edge of the boundary of the region, in the first region and the third region to reverse the direction in which the liquid crystal molecules fall 30a, in the second region and the fourth region direction is to reverse the fall of the liquid crystal molecules 30a. 従って、液晶分子30aの傾斜方向は4つの領域でそれぞれ異なり、4ドメイン配向が実現される。 Accordingly, the inclination direction of the liquid crystal molecules 30a are different respectively in four regions, 4-domain orientation can be realized. 【0084】しかし、このような画素電極37を用いた液晶表示装置を作成して実際に駆動すると、画素電極3 [0084] However, when actually driving to create a liquid crystal display device using such a pixel electrode 37, the pixel electrode 3
7の幅方向の両縁部に暗部が発生し、輝度が低下してしまう。 Dark portion is generated at both edge portions of 7 width direction, brightness is reduced. これは、以下のように考えることができる。 This can be considered as follows. 【0085】図14は図13に示す形状の画素電極37 [0085] Figure 14 is a pixel electrode 37 having the shape shown in FIG. 13
を用いた液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device using. 但し、図14ではTFTの図示を省略している。 However, it is not shown in TFT in FIG. 【0086】この図14に示すように、データバスライン16aから十分に離れた部分の液晶分子は、データバスライン16aからの電界の影響を受けないので、スリット38aの方向に配向する。 [0086] As shown in FIG. 14, the liquid crystal molecules of sufficiently distant portions from the data bus lines 16a, so not subject to the electric field effect of the data bus lines 16a, oriented in the direction of the slit 38a. 一方、データバスライン16aの近傍の液晶分子は、データバスライン16aからの電界の影響により、データバスライン16aに垂直な方向に配向する。 Meanwhile, the liquid crystal molecules in the vicinity of the data bus line 16a is under the influence of an electric field from the data bus lines 16a, aligned in a direction perpendicular to the data bus line 16a. この液晶分子の影響により、画素電極37の縁部の液晶分子はスリット37aの方向とは異なる方向に配向し、配向不良が発生する。 The effect of this liquid crystal molecules, liquid crystal molecules in the edge portions of the pixel electrodes 37 are aligned in a direction different from the direction of the slit 37a, the orientation defect occurs. 【0087】第2の実施の形態の液晶表示装置は、このようなデータバスライン16aからの電界の起因する輝度の低下を防止することを目的としている。 [0087] The liquid crystal display device of the second embodiment is intended to prevent a decrease in luminance due the electric field from such data bus lines 16a. 【0088】図15は本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図16は図15のIII −III 線による断面図である。 [0088] Figure 15 is a plan view showing a liquid crystal display device of the second embodiment of the present invention, FIG 16 is a sectional view according to III -III line in FIG. なお、本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、画素電極の形状が異なること、及びCF基板側に突起が設けられていないことにあり、その他の構成は基本的に第1の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。 Incidentally, The present embodiment is different from the first embodiment, the shape of the pixel electrodes are different, and CF is in the substrate side protrusion is not provided, other configurations are basically first is the same as in the embodiment, description of the same portions will be omitted. 【0089】ガラス基板11の上には複数本のゲートバスライン12aと複数本のデータバスライン16aとが形成されている。 [0089] a plurality of gate bus lines 12a and a plurality of data bus lines 16a on top of the glass substrate 11 is formed. これらのゲートバスライン12a及びデータバスライン16aにより区画された領域がそれぞれ画素領域である。 Region defined by the gate bus lines 12a and the data bus lines 16a are each pixel region. 各画素領域には、TFT10及び画素電極38が形成されている。 Each pixel region, TFT 10 and the pixel electrode 38 is formed. 【0090】画素電極38は、スリット38aの向きが相互に異なる4つの領域に分かれている。 [0090] The pixel electrode 38, the orientation of the slit 38a is divided into four regions different from each other. すなわち、第1の領域(右上の領域)ではスリット38aがX軸方向(水平方向)に対し45°の角度で設けられており、第2の領域(左上の領域)ではスリット38aがX軸方向に対し135°の角度で設けられており、第3の領域(左下の領域)ではスリット38aがX軸方向に対し2 That is, the first region (upper right region), the slit 38a is provided at an angle of 45 ° with respect to the X-axis direction (horizontal direction), a second region (upper left region), the slit 38a is X-axis direction provided at an angle of 135 ° with respect to, 2 third region (lower left region), the slit 38a is to the X-axis direction
25°の角度で設けられており、第4の領域(右下の領域)ではスリット38aがX軸方向に対し315°の角度で設けられている。 Provided at an angle of 25 °, the fourth region (region lower right), the slit 38a is provided at an angle of 315 ° with respect to the X-axis direction. 但し、いずれの領域においても、 However, in any of the area,
データバスライン16aから約15μmのところでスリット38aが屈曲しており、画素の縁部ではスリット3 A slit 38a is bent at the data bus line 16a of about 15 [mu] m, the slits 3 are at the edge of the pixel
8aとデータバスライン16aとのなす角度(鋭角側の角度)が約20°となっている。 Angle between 8a and the data bus lines 16a (acute angle side) is about 20 °. 【0091】スリット38aの幅は約3μmであり、スリット38aの配設ピッチは約6μmである。 [0091] The width of the slit 38a is about 3 [mu] m, arrangement pitch of the slits 38a is approximately 6 [mu] m. また、2 In addition, 2
枚の偏光板は、吸収軸が相互に直交し、且つ、スリット38aに対し45°の角度となるように配置される。 Polarizing plates are absorption axes are orthogonal to each other, and are arranged so that an angle of 45 ° to the slit 38a. 【0092】本実施の形態においては、第1の実施の形態と同様に、ゲートバスライン12aの配設ピッチは2 [0092] In this embodiment, like the first embodiment, the arrangement pitch of the gate bus line 12a 2
00μm、データバスライン16aの配設ピッチは70 00μm, the arrangement pitch of the data bus line 16a is 70
μm、データバスライン16aの上方のブラックマトリクスの幅は11μmである。 [mu] m, the width of the upper of the black matrix of the data bus lines 16a is 11 [mu] m. 【0093】一方、CF基板側には、第1の実施の形態と同様に、ブラックマトリクス22、カラーフィルタ2 [0093] On the other hand, the CF substrate side, as in the first embodiment, the black matrix 22, a color filter 2
3、コモン電極24及び垂直配向膜26が形成されている。 3, the common electrode 24 and the vertical alignment film 26 is formed. 但し、本実施の形態では、CF基板側には突起は設けられていない。 However, in the present embodiment, the CF substrate side projection is not provided. 【0094】図17は、本実施の形態の液晶表示装置の白表示時の液晶分子の配向状態を示す模式図である。 [0094] Figure 17 is a schematic diagram showing the alignment state of the liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device of this embodiment. なお、図17ではTFTの図示を省略している。 Incidentally, it is not shown in TFT in FIG. 【0095】この図17に示すように、データバスライン16aの近傍の液晶分子は、データバスライン16a [0095] As shown in FIG. 17, the liquid crystal molecules in the vicinity of the data bus lines 16a, the data bus lines 16a
からの電界の影響により、データバスライン16aに対し垂直な方向に倒れようとする。 Due to the influence of the electric field from the, to the data bus line 16a is going to fall in a direction perpendicular. 一方、データバスライン16aから十分に離れた部分では、液晶分子はデータバスライン16aからの電界の影響を受けないので、スリット38aに平行な方向、すなわちデータバスライン16aに対し45°の方向に倒れようとする。 On the other hand, is sufficiently distant portions from the data bus lines 16a, the liquid crystal molecules are not affected by the electric field from the data bus lines 16a, the direction parallel to the slit 38a, i.e. in the direction of 45 ° to the data bus lines 16a It is going to fall. 【0096】画素電極38の縁部の液晶分子には、スリット38aに平行な方向に倒れようとする力と、データバスライン16aの近傍の液晶分子の影響によりデータバスライン16aに垂直な方向に倒れようとする力とが作用する。 [0096] the liquid crystal molecules in the edge portions of the pixel electrode 38, a force to fall down in a direction parallel to the slit 38a, the influence of the liquid crystal molecules in the vicinity of the data bus lines 16a in a direction perpendicular to the data bus lines 16a and a force to be going to fall acts. その結果、画素電極38の縁部の液晶分子はデータバスライン16aに対しほぼ45°の方向に倒れる。 As a result, the liquid crystal molecules in the edge portions of the pixel electrode 38 fall in the direction of approximately 45 ° to the data bus lines 16a. これにより、画素電極38の縁部における配向不良が防止され、液晶表示装置の輝度が向上する。 Thus, alignment defects is prevented at the edge of the pixel electrode 38, the brightness of the liquid crystal display device is improved. 【0097】実際に上記の構成の液晶表示セルを作製して輝度を調べたところ、図13に示す画素電極37を使用した液晶表示セルに比べて、輝度が約16%向上した。 [0097] When actually examined brightness to produce a liquid crystal display cell of the above structure, as compared with the liquid crystal display cell using the pixel electrode 37 shown in FIG. 13, luminance is improved by about 16%. 【0098】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法について、図15,図16を参照して説明する。 [0098] Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal display device of this embodiment, FIG. 15 will be described with reference to FIG. 16. 【0099】まず、TFT基板となるガラス基板11を用意し、このガラス基板11の上に下地絶縁膜(図示せず)を例えば15〜300nmの厚さに形成する。 [0099] First, a glass substrate 11 serving as a TFT substrate, a base insulating film (not shown) is formed on the glass substrate 11 to a thickness of, for example, 15 to 300 nm. この下地絶縁膜の上にCr膜を約150nmの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりCr膜をパターニングして、ゲートバスライン12a及び蓄積容量バスライン(図示せず)を形成する。 This Cr film on the underlying insulating film is formed to a thickness of about 150 nm, and patterning the Cr film by photolithography to form a gate bus line 12a and the storage capacitor bus line (not shown). 【0100】次にガラス基板11の上側全面にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を約300nmの厚さに形成して、絶縁膜13とする。 [0100] Then, a silicon oxide film or a silicon nitride film on the entire upper surface of the glass substrate 11 to a thickness of about 300 nm, and the insulating film 13. その後、絶縁膜13上に、T Thereafter, on the insulating film 13, T
FT10の動作層となるシリコン膜を約50nmの厚さに形成する。 The silicon film serving as the active layer of the FT10 is formed to a thickness of about 50nm. 【0101】次に、シリコン膜上にCVD法によりシリコン窒化膜を形成し、このシリコン窒化膜をパターニングしてチャネル保護膜を形成する。 Next, a silicon nitride film formed by a CVD method on the silicon film to form a channel protective film by patterning the silicon nitride film. 【0102】次に、ガラス基板11の上側全面にn +型シリコン膜を形成し、更にその上に、Ti/Al/Ti [0102] Then, the n + -type silicon layer is formed on the entire upper surface of the glass substrate 11, further thereon, Ti / Al / Ti
膜を形成する。 To form a film. そして、これらのTi/Al/Ti膜及びn Then, these Ti / Al / Ti film and the n +型シリコン膜をパターニングして、データバスライン16a、ドレイン電極16b及びソース電極16c + -type silicon film is patterned to the data bus lines 16a, the drain electrode 16b and a source electrode 16c
を形成する。 To form. 【0103】次に、ガラス基板11の上側全面に、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を約100〜600nm [0103] Next, on the entire upper surface of the glass substrate 11, approximately a silicon oxide film or a silicon nitride film 100~600nm
の厚さに形成し、絶縁膜17とする。 Of it is formed with a thickness, an insulating film 17. そして、絶縁膜1 Then, the insulating film 1
7に、ソース電極16cに到達するコンタクトホールを形成する。 7, a contact hole reaching the source electrode 16c. 【0104】次に、スパッタ法により、ガラス基板11 [0104] Next, by sputtering, the glass substrate 11
の上側全面にITO膜を約70nmの厚さに形成し、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、画素電極38を形成する。 The ITO film was formed to a thickness of about 70nm on the entire upper surface of the ITO film is patterned by photolithography to form the pixel electrode 38. この場合、画素電極3 In this case, the pixel electrode 3
8には、図15に示すようにスリット38aを形成しておく。 The 8, previously formed slits 38a as shown in FIG. 15. 【0105】その後、画素電極38の表面を、ポリイミド等からなる垂直配向膜19で被覆する。 [0105] Then, the surface of the pixel electrode 38 is coated with a vertical alignment film 19 made of polyimide or the like. 【0106】一方、CF基板となるガラス基板21の上にCr膜を形成し、このCr膜をパターニングして、ブラックマトリクス22を形成する。 [0106] On the other hand, a Cr film was formed on a glass substrate 21 serving as a CF substrate, and patterning the Cr film, to form a black matrix 22. その後、赤色、緑色及び青色の感光性樹脂を使用して、ガラス基板21の上に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ23を形成する。 Thereafter, red, using the green and blue photosensitive resin, to form red, green, and blue color filters 23 on the glass substrate 21. 【0107】その後、ガラス基板21の上にITO膜を約70nmの厚さに形成し、コモン電極24とする。 [0107] Then, to a thickness of about 70nm of ITO film on a glass substrate 21, a common electrode 24. そして、このコモン電極24の表面をポリイミド等からなる垂直配向膜26で被覆する。 Then, coating the surface of the common electrode 24 in vertical alignment film 26 made of polyimide or the like. 【0108】次に、ガラス基板11及びガラス基板21 [0108] Next, the glass substrate 11 and the glass substrate 21
を、配向膜19,26が形成された面を対向させて配置し、両者の間にスペーサを介在させる。 The alignment film 19, 26 are opposed to formed surface disposed, interposing a spacer between them. そして、ガラス基板11とガラス基板21との間に、負の誘電率異方性を有する液晶30を封入する。 Then, between the glass substrate 11 and the glass substrate 21, to enclose the liquid crystal 30 having a negative dielectric anisotropy. 【0109】次いで、ガラス基板11の下に偏光板31 [0109] Subsequently, a polarizing plate 31 under the glass substrate 11
を配置し、ガラス基板21の上に偏光板32を配置する。 Was placed, polarizing plates arranged 32 on the glass substrate 21. これらの偏光板31,32は、相互に吸収軸が直交するように配置する。 These polarizing plates 31 and 32 are mutually absorption axes are arranged perpendicular. このようにして、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。 Thus, the liquid crystal display device of the present embodiment is completed. 【0110】なお、本実施の形態の液晶表示装置にポリマーにより配向を固定した液晶を使用してもよい。 [0110] It is also possible to use a liquid crystal with a fixed orientation by a polymer in a liquid crystal display device of this embodiment. これは、例えば紫外線照射により重合する性質を有するモノマーを含んた液晶をTFT基板とCF基板との間に封入して形成する。 This means, for example a liquid crystal containing a monomer having the property of polymerizing by irradiation with ultraviolet rays to form and sealed between the TFT substrate and the CF substrate. そして、白表示になるように画素電極に十分高い電圧を印加し、その状態で液晶に紫外線を照射して、液晶層にモノマーが重合してポリマーとなった領域を形成する。 Then, by applying a sufficiently high voltage to the pixel electrode so that the white display, by irradiating ultraviolet rays to the liquid crystal in this state, to form a region where the monomer becomes polymerized to a polymer in the liquid crystal layer. このように、予め輝度が高い状態で液晶層にポリマーを形成しておくことにより、液晶層の液晶分子の配向方向が固定されるため、画素電極に印加する電圧を通常の表示時の電圧にしても、ディスクリネーションが拡大することがなく、輝度の高い液晶表示装置を実現することができる。 Thus, by forming the polymer in the liquid crystal layer in advance a high luminance state, the alignment direction of liquid crystal molecules of the liquid crystal layer is fixed, the voltage applied to the pixel electrode voltage during normal display even, without the disclination is enlarged, it is possible to realize a high luminance liquid crystal display device. 【0111】(第3の実施の形態)図18は本発明の第3の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。 [0111] (Third Embodiment) FIG. 18 is a plan view showing a liquid crystal display device of the third embodiment of the present invention. 本実施の形態が第2の実施の形態と異なる点は、画素電極の形状が異なること、及びTFT基板側の配向膜の一部に傾斜垂直配向処理が施されていることにあり、その他の構成は基本的に第2の実施の形態と同様であるので、 This embodiment is different from the second embodiment, the shape of the pixel electrodes are different, and is in the inclined vertical alignment treatment to a part of the alignment film on the TFT substrate is subjected, other since the structure is the same as the form of essentially a second embodiment,
重複する部分の説明は省略する。 Description of the overlapping parts will be omitted. 【0112】本実施の形態の液晶表示装置においても、 [0112] In the liquid crystal display device of this embodiment,
画素電極39はスリット39aの向きが相互に異なる4 Pixel electrodes 39 faces the slit 39a are different from each other 4
つの領域に分かれている。 One of is divided into regions. すなわち、第1の領域(右上の領域)ではスリット39aがX軸方向(水平方向)に対し45°の角度で設けられており、第2の領域(左上の領域)ではスリット39aがX軸方向に対し135° That is, the first region (upper right region), the slit 39a is provided at an angle of 45 ° with respect to the X-axis direction (horizontal direction), a second region (upper left region), the slit 39a is X-axis direction 135 ° with respect to
の角度で設けられており、第3の領域(左下の領域)ではスリット39aがX軸方向に対し225°の角度で設けられており、第4の領域(右下の領域)ではスリット39aがX軸方向に対し315°の角度で設けられている。 Provided at an angle, the third region (lower left region), the slit 39a is provided at an angle of 225 ° with respect to the X-axis direction, the fourth region (region lower right), the slit 39a It is provided at an angle of 315 ° with respect to the X-axis direction. 【0113】この画素電極39を覆う垂直配向膜のうち、データバスライン16aから15μmまでの部分には、図中矢印で示す方向に液晶分子が傾斜するように、 [0113] Of the vertical alignment film covering the pixel electrode 39, the portion of the data bus lines 16a to 15 [mu] m, so that the liquid crystal molecules are inclined in the direction indicated by the arrow,
すなわち画素の上側半分の領域(第1及び第2の領域) That the upper half of the pixel region (the first and second regions)
では上側から下側に向う方向に液晶分子が倒れ、画素の下側半分の領域(第3及び第4の領域)では下側から上側に向う方向に液晶分子が倒れるように、傾斜垂直配向処理が施されている。 In fall down the liquid crystal molecules in a direction toward the lower side from the upper side, to fall liquid crystal molecules from the lower side in the region (third and fourth regions) of the lower half of the pixels in the direction toward the upper side, inclined vertical alignment treatment It has been subjected to. 傾斜垂直配向処理は、例えば露光マスクを用いて配向膜の所定部分に紫外線を斜め方向から照射することにより実現する。 Inclined vertical alignment process is realized by irradiating ultraviolet rays from an oblique direction at a predetermined portion of the alignment film by using, for example, exposure mask. 【0114】図19は本実施の形態の液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図である。 [0114] Figure 19 is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device of this embodiment. 但し、図19ではTFTの図示を省略している。 However, it is not shown in TFT in FIG. 【0115】この図19に示すように、データバスライン16aの近傍の液晶分子は、データバスライン16a [0115] As shown in FIG. 19, the liquid crystal molecules in the vicinity of the data bus lines 16a, the data bus lines 16a
からの電界の影響により、データバスライン16aに対し垂直な方向に倒れようとする。 Due to the influence of the electric field from the, to the data bus line 16a is going to fall in a direction perpendicular. 一方、データバスライン16aから十分に離れた部分の液晶分子は、データバスライン16aからの電界の影響を受けないので、スリット39aに平行な方向、すなわちデータバスライン1 On the other hand, the liquid crystal molecules of sufficiently distant portions from the data bus line 16a is not affected by the electric field from the data bus lines 16a, the direction parallel to the slit 39a, that is, the data bus line 1
6aに対し45°の方向に倒れようとする。 Likely fall in the direction of 45 ° to 6a. 【0116】画素電極39の縁部の液晶分子には、スリット39aに平行な方向に倒れようとする力と、データバスライン16aの近傍の液晶分子の影響によりデータバスライン16aに対し垂直な方向に倒れようとする力と、垂直配向膜の傾斜垂直配向処理方向に倒れようとする力とが作用する。 [0116] the liquid crystal molecules in the edge portions of the pixel electrode 39, the force and the direction perpendicular to the data bus line 16a due to the influence of the liquid crystal molecules in the vicinity of the data bus lines 16a to going to fall in the direction parallel to the slit 39a a force going to fall into a force to fall down the inclined vertical alignment treatment direction of the vertical alignment film is applied. その結果、画素電極39の縁部の液晶分子はデータバスライン16aに対しほぼ45°の方向に倒れる。 As a result, the liquid crystal molecules in the edge portions of the pixel electrode 39 fall in the direction of approximately 45 ° to the data bus lines 16a. これにより、画素電極39の縁部における配向不良が防止され、液晶表示装置の輝度が向上する。 Thus, alignment defects is prevented at the edge of the pixel electrode 39, the brightness of the liquid crystal display device is improved. 【0117】実際に上記の構成の液晶表示セルを作製して輝度を調べたところ、配向膜に傾斜垂直配向処理が施されていない場合に比べて輝度が約16%向上した。 [0117] When actually examined brightness to produce a liquid crystal display cell of the above structure, the brightness was improved by about 16% as compared with the case where the inclined vertical alignment treatment to the alignment film is not subjected. 【0118】本実施の形態の液晶表示装置は、画素電極39を図18に示す形状に形成すること、及びTFT基板側の配向膜のうちデータバスライン16aの近傍の部分に傾斜垂直配向処理を施すことを除けば、第2の実施の形態と同様にして製造することができる。 [0118] The liquid crystal display device of the present exemplary embodiment may be formed in a shape of a pixel electrode 39 in FIG. 18, and the inclined vertical alignment treatment portion in the vicinity of the data bus lines 16a of the alignment film on the TFT substrate except performing, it can be produced in the same manner as the second embodiment. 【0119】なお、本実施の形態においては、傾斜垂直配向処理方向をデータバスライン16aに平行な方向としたが、これにより、本発明の液晶表示装置の傾斜垂直配向処理方向がデータバスライン16aに平行な方向に限定されるものではない。 [0119] Incidentally, in this embodiment, the inclined vertical alignment treatment direction and the direction parallel to the data bus lines 16a, thereby, tilting the vertical alignment treatment direction data bus line 16a of the liquid crystal display device of the present invention It is not limited to a direction parallel to. すなわち、傾斜垂直配向処理方向とデータバスライン16aとのなす角度をスリット39aとデータバスライン16aとのなす角度よりも小さくすれば、画素の縁部での配向不良による輝度の低下を抑制する効果を得ることができる。 That is, if an angle between the inclined vertical alignment treatment direction and the data bus lines 16a smaller than the angle between the slit 39a and the data bus lines 16a, suppressing a decrease in luminance due to alignment defects at the edge of the pixel effect it is possible to obtain. 【0120】(第4の実施の形態)図13に示すように液晶分子の配向方向を規制するためのスリットを設けた画素電極を使用する液晶表示装置の場合、画素電極のスリットだけで液晶分子を所定の方向に配向させるようにすると応答速度が遅くなるとともに、液晶分子の配向方向を完全に制御することが難しいという欠点があるため、配向膜に予め一定方向の配向規制力を与えておき、 [0120] For the liquid crystal display device using a pixel electrode provided with slits for controlling the alignment direction of liquid crystal molecules as shown in (Fourth Embodiment) FIG. 13, the liquid crystal molecules just slits of the pixel electrode with the response speed so as to orient in a predetermined direction is slow, because of the disadvantage that it is difficult to completely control the orientation of the liquid crystal molecules, in advance given orientation regulating force of the predetermined direction to the alignment film ,
電圧印加時の液晶分子の倒れる方向を決めておくことが好ましい。 It is preferable to decide the direction in which the liquid crystal molecules tilt when a voltage is applied. 【0121】図20は、このような液晶表示装置の例を示す模式図である。 [0121] Figure 20 is a schematic diagram showing an example of such a liquid crystal display device. この液晶表示装置は、スリット17 The liquid crystal display device, a slit 17
aの向きが相互に異なる4つの領域に分割された画素電極39を有し、且つ画素の上半分の領域の配向膜には液晶分子が上側から下側に向う方向に配向し、画素の下半分の領域の配向膜には液晶分子が下側から上側に向う方向に配向するように傾斜垂直配向処理が施されている。 a direction of a pixel electrode 39 which is divided into four regions different from each other, and the alignment film in the upper half region of pixels aligned in the direction toward the lower liquid crystal molecules from the upper side, below the pixel inclined vertical alignment treatment to orient in the direction in which the liquid crystal molecules are directed from the lower side to the upper side the alignment film of the half area is applied. 【0122】このような液晶表示装置では、データバスライン16aから十分に離れた部分では、データバスライン16aからの電界の影響はなく、液晶分子はスリット39aの方向に配向する。 [0122] In such a liquid crystal display device, a sufficiently distant portions from the data bus lines 16a, no influence of the electric field from the data bus lines 16a, the liquid crystal molecules are aligned in the direction of the slit 39a. しかし、画素の中心、すなわち第1の領域と第2の領域との境界部分及び第3の領域と第4の領域との境界部分ではスリットがないため、 However, because there is no slit at the boundary portion between the boundary portion and the third region and the fourth region of the center, i.e., the first region and the second region of the pixel,
液晶分子は傾斜垂直配向処理方向(データバスライン1 Liquid crystal molecules are inclined vertical alignment treatment direction (the data bus line 1
6aに対し平行な方向)に配向する。 Oriented in a direction parallel) to 6a. この液晶分子の影響を受けて、画素の中心部近傍(図中破線で囲んだ部分)の液晶分子は、スリット37aとは異なる方向に傾斜して配向不良が発生する。 Under the influence of the liquid crystal molecules, liquid crystal molecules in the central portion near the pixel (in the drawing the portion surrounded by a broken line), the orientation defect occurs inclined in a direction different from the slit 37a. これにより、画素の中心部近傍に比較的太い幅の縦線状の暗部が発生する。 Accordingly, the vertical line-shaped dark portion of relatively thick width near the center of the pixel is generated. 【0123】第4の実施の形態の液晶表示装置は、このような画素の中心部に発生する縦線状の暗部の幅を縮小することを目的としている。 [0123] The liquid crystal display device of the fourth embodiment is intended to reduce the vertical line-shaped dark portion having a width which occurs in the center of the pixel. 【0124】図21は本発明の第4の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。 [0124] Figure 21 is a plan view showing a liquid crystal display device of the fourth embodiment of the present invention. なお、本実施の形態が第2の実施の形態と異なる点は、画素電極の形状が異なること、及び配向膜に傾斜垂直配向処理が施されていることにあり、その他の構成は基本的に第2の実施の形態と同様であるので、重複する部分の説明は省略する。 Incidentally, The present embodiment is different from the second embodiment, the different shapes of the pixel electrodes, and is in the inclined vertical alignment treatment to the alignment film is applied, other configurations are basically is the same as the second embodiment, description of the overlapping parts will be omitted. 【0125】本実施の形態の液晶表示装置では、第2の実施の形態と同様に、画素電極40が、スリット40a [0125] In the liquid crystal display device of the present embodiment, as in the second embodiment, the pixel electrode 40, slits 40a
の向きが相互に異なる4つの領域に分かれている。 Orientation is divided into four regions different from each other. 但し、画素の中心近傍でスリット40aは屈曲しており、 However, the slit 40a is bent near the center of the pixel,
この部分のスリット40aの方向はデータバスライン1 Direction of the slit 40a of the partial data bus line 1
6aに対し45°よりも垂直に近い方向に傾いている。 It is inclined in a direction close to perpendicular than 45 ° to 6a. 【0126】この画素電極40は垂直配向膜に覆われている。 [0126] The pixel electrode 40 is covered with a vertical alignment film. 画素の上側半分の領域(第1及び第2の領域)の垂直配向膜には上側から下側に向う方向に液晶分子が配向するように傾斜垂直配向処理が施されており、画素の下側半分の領域(第3及び第4の領域)の垂直配向膜には下側から上側に向う方向に液晶分子が配向するように傾斜垂直配向処理が施されている。 The vertical alignment film of the upper half region of the pixel (first and second regions) are inclined vertically orientation treatment is performed so that liquid crystal molecules are oriented in a direction toward the lower side from the upper side, the lower side of the pixel inclined vertical alignment treatment so that the liquid crystal molecules are oriented in a direction toward from the lower side to the upper side is subjected to a vertical alignment film half region (the third and fourth regions). 傾斜垂直配向処理は、例えば配向膜に対し紫外線を斜め方向から照射することにより実現される。 Inclined vertical alignment process is realized by irradiating ultraviolet rays from an oblique direction with respect to for example the orientation film. 【0127】図22は本実施の形態の液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図である。 [0127] Figure 22 is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device of this embodiment. 但し、図22ではTFTの図示を省略している。 However, it is not shown in TFT in FIG. 【0128】この図22に示すように、第1の領域と第2の領域の境界部分、及び第3の領域と第4の領域との境界部分の液晶分子は、傾斜垂直配向処理の方向に倒れようとする。 [0128] As shown in FIG. 22, the boundary portion of the first region and the second region, and the liquid crystal molecules at the boundary between the third region and the fourth region in the direction of the inclined homeotropic alignment treatment It is going to fall. 一方、画素の中心、すなわち第1の領域と第2の領域との境界及び第3の領域と第4の領域との境界から十分に離れた部分では、液晶分子はスリット40 On the other hand, the center of the pixel, i.e. in the first region and the boundary, and the third region sufficiently distant portion from the boundary between the fourth region and the second region, the liquid crystal molecules are slit 40
aに平行な方向に倒れようとする。 It is going to fall in a direction parallel to the a. 【0129】画素の中心部近傍の液晶分子は、スリット40aに平行な方向に倒れようとする力と、傾斜垂直配向処理により規制される方向に倒れようとする力とが作用し、その結果、データバスライン16aに対しほぼ4 [0129] The liquid crystal molecules in the central portion near the pixel has a force to fall down in a direction parallel to the slit 40a, a force to fall down in the direction regulated by the inclined vertical alignment treatment is applied, as a result, almost to the data bus line 16a 4
5°の方向に倒れる。 Fall in the direction of 5 °. これにより、画素の中央の縦線状の暗部(図中、破線で示す部分)の幅が縮小され、液晶表示装置の輝度が向上する。 Thus, (in the figure, the portion indicated by a broken line) vertical line-shaped dark portion in the center of the pixel width is reduced, the brightness of the liquid crystal display device is improved. 【0130】実際に上記の構成の液晶表示セルを作製して輝度を調べたところ、画素の中央部でスリットが屈曲していない場合に比べて輝度が約26%向上した。 [0130] When actually examined brightness to produce a liquid crystal display cell of the above structure, the brightness as compared with the case where the slit is not bent at the central portion of the pixel is improved by about 26%. 【0131】本実施の形態の液晶表示装置は、画素電極40を図21に示す形状に形成すること、及び画素の上側半分の領域の配向膜に液晶分子が上側から下側に向う方向に配向するように傾斜垂直配向処理を施し、下側半分の領域の配向膜に液晶分子が下側から上側に向い方向に配向するように傾斜垂直配向処理を施すことを除けば、第2の実施の形態と同様にして製造することができる。 [0131] The liquid crystal display device of this embodiment, the orientation of the pixel electrode 40 be formed to the shape shown in FIG. 21, and the orientation film of the upper half of the pixels in the direction toward the lower liquid crystal molecules from the upper side an inclined vertical alignment treatment applied to, except that applying inclined vertical alignment treatment so that the liquid crystal molecules are oriented in a direction opposite from the lower side to the upper side the alignment film of the lower half of the region, of the second embodiment it can be prepared analogously to the form. 【0132】(付記1)相互に対向して配置された第1 [0132] (Note 1) first disposed so as to face each other
の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2 A substrate and a second substrate, the first substrate and the second
の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極と、前記第2の基板に前記データバスラインに沿って形成され、上から見たときに縁部が前記画素電極に重なる突起とを有し、前記画素電極と前記突起との重なり幅が一画素中で均一でないことを特徴とする液晶表示装置。 Liquid crystal and a pixel electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the first substrate, the pixel provided on the first substrate having a negative dielectric anisotropy is sealed between the substrate and supplies a data bus line for supplying a display signal to the electrodes, a switching element connected between the pixel electrode data bus lines, a signal for driving the switching elements provided on said first substrate and the gate bus line, wherein the common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the second substrate, is formed along the data bus lines on the second substrate, the edge when viewed from above the has a projection and overlapping the pixel electrodes, a liquid crystal display device, wherein the overlapping width of the protrusion and the pixel electrode is not uniform in one pixel. 【0133】(付記2)前記画素電極が、上部及び下部の幅に比べて中央部の幅が狭い形状であることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。 [0133] (Note 2) the pixel electrode, a liquid crystal display device according to note 1, wherein the width of the central portion as compared with the upper and lower width of narrow shape. 【0134】(付記3)前記画素電極が、台形形状であることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。 [0134] (Supplementary Note 3) the pixel electrode, a liquid crystal display device according to note 1, which is a trapezoidal shape. 【0135】(付記4)前記画素電極の縁部には、凹凸及びスリットのいずれかが設けられていることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。 [0135] (Supplementary Note 4) at the edge of the pixel electrode, a liquid crystal display device according to note 1, wherein the one of the irregularities and the slits are provided. 【0136】(付記5)前記画素電極の上及び前記コモン電極の上にはそれぞれ傾斜垂直配向処理が施された配向膜が形成されていることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。 [0136] (Supplementary Note 5) The liquid crystal display device according to note 1, wherein the orientation film inclined vertical alignment treatment each were subjected on the upper and the common electrode of the pixel electrode is formed. 【0137】(付記6)前記配向膜には、液晶分子が第1の方向に傾斜垂直配向するように傾斜垂直配向処理が施された第1の領域と、液晶分子が第2の方向に傾斜垂直配向するように傾斜垂直配向処理が施された第2の領域とが設けられていることを特徴とする付記5に記載の液晶表示装置。 [0137] (Supplementary Note 6) wherein the alignment film includes a first region in which the liquid crystal molecules are tilted vertically orientation treatment so as to be inclined vertically aligned in a first direction is applied, the liquid crystal molecules are inclined in a second direction the liquid crystal display device according to note 5, characterized in that the second region inclined vertical alignment treatment to orient vertically is applied is provided. 【0138】(付記7)第1の基板上に、画素電極と、 [0138] (Supplementary Note 7) on the first substrate, a pixel electrode,
該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、 A data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode,
前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、 A switching element connected between said pixel electrode and the data bus line, a step of forming a gate bus line for supplying a signal for driving the switching element,
第2の基板上に、コモン電極と、前記データバスラインに対向する突起とを形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、前記画素電極は、上から見たときに前記突起との重なり幅が一画素中で部分的に変化するように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 Having a second substrate, a common electrode, and forming a protrusion opposed to the data bus line, a negative dielectric anisotropy between said second substrate and said first substrate and a step of sealing the liquid crystal, the pixel electrode, the liquid crystal display device comprising the the overlapping width of the projection is formed so as to partially change in one pixel when viewed from above Production method. 【0139】(付記8)相互に対向して配置された第1 [0139] The first, which is disposed opposite to (Supplementary Note 8) Mutual
の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2 A substrate and a second substrate, the first substrate and the second
の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するスリットと、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのなす角度が、前記画素電極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置 A liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sealed between the substrates, the orientation of the pixel electrode formed on the surface of the liquid crystal side of the first substrate, liquid crystal molecules provided on the pixel electrode a slit for controlling, said first data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, and a switching element connected between said pixel electrode and the data bus lines, said first a signal and the gate bus line for supplying for driving the switching element provided on the first substrate, and said second common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the substrate, the data of the pixel electrode the liquid crystal display device in which the slit and an angle between the data bus line of the edge of the bus line side, characterized in that the slits of the other portions of the pixel electrode is smaller than an angle between the data bus lines 【0140】(付記9)前記画素電極は、スリットの向きが異なる複数の領域を有することを特徴とする付記1 [0140] (Supplementary Note 9) the pixel electrode, Appendix 1, characterized in that it comprises a plurality of regions where the direction of the slit are different
0に記載の液晶表示装置。 0 liquid crystal display device according to. 【0141】(付記10)第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのなす角度を、前記画素電極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さくすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 [0141] (Supplementary Note 10) on the first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, and the pixel electrode and the data bus line a switching element connected between, and forming with said switching element gate bus line for supplying a signal for driving the, on the second substrate, forming a common electrode, wherein the first substrate negative between the second substrate and the dielectric constant and a step of sealing a liquid crystal having anisotropic, the pixel electrode and the data bus line side of the edge of the slit and the data bus line the angle Nasu, a method of manufacturing a liquid crystal display device, which comprises less than the angle of the slit and the data bus lines of the other part of the pixel electrode. 【0142】(付記11)相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するスリットと、前記画素電極の表面を覆う配向膜と、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、前記配向膜のうちの前記画素電極の前記データバスライン側の縁部 [0142] (Supplementary Note 11) a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, the negative dielectric anisotropy is sealed between the first substrate and the second substrate a liquid crystal having a pixel electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the first substrate, and a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules provided on the pixel electrode, an alignment film covering the surface of the pixel electrode When, with the first data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, and a switching element connected between said pixel electrode and the data bus lines, said first substrate and the gate bus line for supplying a signal for driving the switching element is provided, and a second common electrode formed on the surface of the liquid crystal side of the substrate, the pixel electrode of said alignment layer the data bus line side of the edge 部分に傾斜垂直配向処理が施されており、傾斜垂直配向処理方向と前記データバスラインとのなす角度が、前記スリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。 Has been decorated inclined vertical alignment treatment to the portion, a liquid crystal display device which forms an angle with the inclined vertical alignment treatment direction and the data bus line, wherein the smaller than the angle between the slit and the data bus line . 【0143】(付記12)前記画素電極は、スリットの向きが異なる複数の領域を有することを特徴とする付記11に記載の液晶表示装置。 [0143] (Supplementary Note 12) the pixel electrode, a liquid crystal display device according to note 11, wherein a plurality of areas where the direction of the slits are different. 【0144】(付記13)第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記データバスラインに対しほぼ平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 [0144] (Supplementary Note 13) on the first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, the pixel electrode and the data bus line a switching element connected between said gate supplying a signal for driving the switching element bus line, a step of forming an alignment film covering the surface of said pixel electrodes, out of the alignment film, the pixel electrode wherein the data bus line side step of performing inclined vertical alignment treatment in a direction substantially parallel to the data bus line portion of the edge of the second substrate, forming a common electrode, the first method of manufacturing a liquid crystal display device characterized by a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between the substrates and the second substrate. 【0145】(付記14)相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、前記画素電極の第1の領域に第1の方向に向けて形成された第1のスリット、及び前記画素電極の第2の領域に第2の方向に向けて形成された第2のスリットと、前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆い、前記データバスラインに平行な方向に傾斜垂直配 [0145] (Supplementary Note 14) a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, the negative dielectric anisotropy is sealed between the first substrate and the second substrate a liquid crystal having the pixel electrode formed on the surface of the liquid crystal side of the first substrate, a first slit in a first region of the pixel electrode is formed toward the first direction, and wherein a second slit formed toward the second direction in the second region of the pixel electrode, the first data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, the pixel electrode wherein a switching element connected between the data bus lines, and the first provided on the substrate and the gate bus line for supplying a signal for driving the switching element, covering the surface of the pixel electrode, the data and inclined vertical distribution in a direction parallel to the bus line 処理が施された配向膜と、前記第2 And alignment film processing is performed, the second
の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、前記画素電極の前記第1の領域及び前記第2の領域は水平方向に隣接し、前記第1及び第2のスリットのうちの前記第1の領域及び前記第2の領域の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前記第1及び第2のスリットの他の部分と前記データバスラインとのなす角度よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 Of and a liquid crystal-side common electrode formed on the surface of the substrate, the first region and the second region of the pixel electrode is adjacent to the horizontal direction, of the first and second slits angle of the first region and the angle between the second boundary vicinity portion of the region and the data bus lines out is, the first and other portions of the second slit and said data bus line the liquid crystal display device and greater than. 【0146】(付記15)第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記データバスラインと平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、前記スリットは、前記画素電極の第1の領域では第1の方向に向けて形成し、前記 [0146] (Supplementary Note 15) on the first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, and the pixel electrode and the data bus line a switching element connected between said gate supplying a signal for driving the switching element bus line, a step of forming an alignment film covering the surface of said pixel electrodes, out of the alignment film, the pixel electrode wherein the portion of the edge of the data bus line side and the data bus line and the step of performing inclined vertical alignment treatment in a direction parallel to the second substrate, forming a common electrode, wherein the first substrate and a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between said second substrate and said slit is in a first region of the pixel electrode is formed toward the first direction and, the 1の領域に水平方向に隣接する第2の領域では第2の方向に向けて形成し、且つ、前記スリットのうち前記第1の領域と前記第2の領域との境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前記スリットの他の部分と前記データバスラインとのなす角度よりも大きくなるように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 In the second region horizontally adjacent to the first region is formed toward the second direction, and wherein the vicinity of the boundary portion between the first region and the second region of the slit data method of manufacturing a liquid crystal display device which forms an angle with the bus lines, and forming to be larger than the angle of the other portions of the slit and the data bus line. 【0147】 【発明の効果】以上説明したように、本願第1の液晶表示装置によれば、画素電極とデータバスラインとの重なり幅が一画素中で均一でないので、画素電極に対しデータバスラインが位置ずれしても、輝度の低下を抑制することができる。 [0147] As has been described in the foregoing, according to the present first liquid crystal display device, since the overlapping width of the pixel electrode and the data bus lines are not uniform in one pixel, a data bus to the pixel electrode even lines are misaligned, it is possible to suppress a decrease in luminance. 【0148】本願第2の液晶表示装置によれば、画素電極のデータバスライン側の縁部のスリットとデータバスラインとのなす角度が画素電極の他の部分のスリットとデータバスラインとのなす角度よりも小さいので、データバスラインからの電界による画素電極の縁部での液晶分子の配向不良が抑制される。 [0148] The present According to the second liquid crystal display device, formed by the slit and the data bus lines of the other part of the angle is the pixel electrode between the slit and the data bus line of the edge of the data bus lines of the pixel electrode It is smaller than the angle, alignment failure of the liquid crystal molecules at the edge of the pixel electrode due to the electric field from the data bus lines is suppressed. これにより、白表示時の輝度が向上するという効果が得られる。 Accordingly, the effect is obtained that improves the brightness of the white display. 【0149】本願第3の液晶表示装置によれば、配向膜のうち、画素電極のデータバスライン側の縁部の部分にはデータバスラインに傾斜垂直配向処理が施されており、傾斜垂直配向処理方向とデータバスラインとのなす角度が、スリットとデータバスラインとのなす角度よりも小さいので、データバスラインからの電界による画素電極の縁部での液晶分子の配向不良が抑制される。 [0149] According to the present third liquid crystal display device, of the alignment films, and the inclined vertical alignment process on the data bus line is subjected to the edges of the data bus lines of the pixel electrodes, tilted vertically aligned the angle between the process direction and the data bus line, is smaller than the angle between the slit and the data bus line, the orientation defect of the liquid crystal molecules at the edge of the pixel electrode due to the electric field from the data bus lines is suppressed. これにより、白表示時の輝度が向上するという効果が得られる。 Accordingly, the effect is obtained that improves the brightness of the white display. 【0150】本願第4の液晶表示装置によれば、第1及び第2のスリットのうちの第1及び第2の領域の境界近傍の部分とデータバスラインとのなす角度が、第1及び第2のスリットの他の部分とデータバスラインとのなす角度よりも大きいので、第1及び第2の領域の境界部分での液晶分子の配向不良が抑制される。 [0150] According to a fourth aspect a liquid crystal display device, the first and the angle between the vicinity of the boundary between the portion and a data bus line in the second region of the first and second slits, the first and second since 2 is greater than the angle between the other portions and the data bus lines of the slits, alignment defects are suppressed in the liquid crystal molecules at the boundary portions of the first and second regions. これにより、白表示時の輝度が向上するという効果が得られる。 Accordingly, the effect is obtained that improves the brightness of the white display.

【図面の簡単な説明】 【図1】図1は本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の構造を示す平面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing a structure of a liquid crystal display device of the first embodiment of the present invention. 【図2】図2は図1のI−I線による断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view along the line I-I in FIG. 【図3】図3は図1のII−II線による断面図である。 Figure 3 is a cross-sectional view taken along line II-II of Figure 1. 【図4】図4(a)は第1の実施の形態の液晶表示装置において、画素電極と突起との位置関係が最適な状態を示す図、図4(b)は図4(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示す図である。 [4] FIG. 4 (a) In the liquid crystal display device of the first embodiment, shows the positional relationship between the optimal state of the projection and the pixel electrode, FIG. 4 (b) FIGS. 4 (a) is a diagram showing the occurrence of disclination in the state shown. 【図5】図5(a)は第1の実施の形態の液晶表示装置において、画素電極に対し突起の位置がずれた状態を示す図、図5(b)は図5(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示す図である。 In [5] 5 (a) is a liquid crystal display device of the first embodiment and shows a state where misaligned projections to the pixel electrode, FIG. 5 (b) shown in FIG. 5 (a) is a diagram showing the occurrence of disclination in the state. 【図6】図6は、第1の実施の形態の変形例1に係る液晶表示装置を示す平面図である。 Figure 6 is a plan view showing a liquid crystal display device according to the first modification of the first embodiment. 【図7】図7(a)は変形例1の液晶表示装置において、画素電極と突起との位置関係が最適な状態を示す図、図7(b)は図7(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示す図である。 [7] FIG. 7 (a) in the liquid crystal display device of the modified example 1, shows the positional relationship between the optimal state of the projection and the pixel electrode, FIG. 7 (b) is in the state shown in FIG. 7 (a) it is a diagram showing the occurrence of disclination when. 【図8】図8(a)は変形例1の液晶表示装置において、画素電極に対し突起の位置が水平方向にずれた状態を示す図、図8(b)は図8(a)に示す状態のときのディスクリネーションの発生状態を示す図である。 [8] FIG. 8 (a) in the liquid crystal display device of the modified example 1, shows a state in which the position is shifted in the horizontal direction of the projection with respect to the pixel electrode, FIG. 8 (b) shown in FIG. 8 (a) is a diagram showing the occurrence of disclination in the state. 【図9】図9は、第1の実施の形態の変形例2に係る液晶表示装置を示す平面図である。 Figure 9 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a second modification of the first embodiment. 【図10】図10は、第1の実施の形態の変形例3に係る液晶表示装置を示す平面図である。 Figure 10 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third modification of the first embodiment. 【図11】図11は、横軸にCF基板の水平方向の位置ずれ量をとり、縦軸に輝度低下率をとって、従来例1〜 Figure 11 is the horizontal axis represents the position displacement amount in the horizontal direction of the CF substrate, taking the luminance reduction ratio on the vertical axis, the conventional example 1
3、実施例1〜4の位置ずれに対する輝度低下率の変化をシミュレーションした結果を示す図である。 3 is a diagram showing the results of simulation of changes in the luminance reduction rate relative to the position deviation of Examples 1-4. 【図12】図12は、横軸にCF基板の水平方向の位置ずれ量をとり、縦軸に輝度変化率をとって、従来例1〜 Figure 12, takes the position displacement amount in the horizontal direction of the CF substrate on the horizontal axis and the luminance variation rate on the vertical axis, the conventional example 1
3、実施例1〜4の液晶表示装置の位置ずれ幅と輝度変化率との関係を示す図である。 3 is a diagram showing the relationship between the position shift width and the luminance change of the liquid crystal display device of Example 1-4. 【図13】図13は、1画素内で液晶分子の配向方向が4方向のマルチドメインを達成するための画素電極の例を示す平面図である。 Figure 13 is a plan view showing an example of a pixel electrode for orientation of the liquid crystal molecules to achieve 4-way multi-domain in one pixel. 【図14】図14は図13に示す形状の画素電極を用いた液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図である。 Figure 14 is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device using the pixel electrodes having the shape shown in FIG. 13. 【図15】図15は本発明の第2の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。 Figure 15 is a plan view showing a liquid crystal display device of the second embodiment of the present invention. 【図16】図16は図15のIII −III 線による断面図である。 Figure 16 is a sectional view according to III -III line in FIG. 【図17】図17は、第2の実施の形態の液晶表示装置の白表示時の液晶分子の配向状態を示す模式図である。 Figure 17 is a schematic diagram showing the alignment state of the liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device of the second embodiment. 【図18】図18は本発明の第3の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。 Figure 18 is a plan view showing a liquid crystal display device of the third embodiment of the present invention. 【図19】図19は第3の実施の形態の液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図である。 Figure 19 is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device of the third embodiment. 【図20】図20は、配向膜に予め一定方向の配向規制力を与えておき、電圧印加時の液晶分子の倒れる方向を決めるようにした液晶表示装置の例を示す模式図である。 Figure 20 is an alignment film in advance given orientation regulating force of the constant direction, which is a schematic diagram showing an example of a liquid crystal display apparatus that determines the direction in which the liquid crystal molecules tilt when a voltage is applied. 【図21】図21は本発明の第4の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。 Figure 21 is a plan view showing a liquid crystal display device of the fourth embodiment of the present invention. 【図22】図22は第4実施の形態の液晶表示装置の白表示時における液晶分子の配向方向を示す模式図である。 Figure 22 is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules in the white display of the liquid crystal display device of the fourth embodiment. 【図23】図23(a),(b)は従来の液晶表示装置を示す図であり、図23(a)は画素電極と突起との位置関係が最適な場合を示し、図23(b)はそのときのディスクリネーションの発生状態を示している。 [23] FIG. 23 (a), (b) is a diagram showing a conventional liquid crystal display device, FIG. 23 (a) shows a case where the positional relationship between the projection and the pixel electrode is best, FIG. 23 (b ) shows the state of occurrence of disclination at that time. 【図24】図24(a),(b)は従来の液晶表示装置を示す図であり、図24(a)は突起が画素電極に対し左側にずれた例を示し、図24(b)はそのときのディスクリネーションの発生状態を示している。 [24] FIG. 24 (a), (b) is a diagram showing a conventional liquid crystal display device, FIG. 24 (a) shows an example in which projections are displaced to the left relative to the pixel electrode, FIG. 24 (b) It shows the state of occurrence of disclination at that time. 【符号の説明】 10…TFT、 11,21…ガラス基板、 12a…ゲートバスライン、 13,17…絶縁膜、 14…シリコン膜、 15…チャネル保護膜、 16a,56a…データバスライン、 16b…ドレイン電極、 16c…ソース電極、 18,37,38,39,40,58…画素電極、 19,26…垂直配向膜、 22…ブラックマトリクス、 23…カラーフィルタ、 24…コモン電極、 25,65…突起、 31,32…偏光板、 37a,38a,39a,40a…スリット。 [Description of Reference Numerals] 10 ... TFT, 11 and 21 ... glass substrate, 12a ... gate bus lines, 13 and 17 ... insulating film, 14 ... silicon film, 15 ... channel protective film, 16a, 56a ... the data bus lines, 16b ... drain electrode, 16c ... source electrode, 18,37,38,39,40,58 ... pixel electrode, 19 and 26 ... vertical alignment film 22 ... black matrix, 23 ... color filter, 24 ... common electrode, 25,65 ... projection, 31 ... polarizing plate, 37a, 38a, 39a, 40a ... slit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀史 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内(72)発明者 千田 秀雄 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内Fターム(参考) 2H092 GA13 HA04 JA24 JB05 NA04 PA01 PA08 PA09 QA09 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Yoshida Hideshi Kanagawa Prefecture, Nakahara-ku, Kawasaki, Kamikodanaka 4 chome No. 1 Fujitsu within Co., Ltd. (72) inventor Hideo Senda Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Nakahara-ku, Kamikodanaka 4-chome 1 Ban No. 1 Fujitsu Limited in the F-term (reference) 2H092 GA13 HA04 JA24 JB05 NA04 PA01 PA08 PA09 QA09

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、 前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、 前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、 前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極と、 前記第2の基板に前記データバスラインに沿って形成され、上から見たときに縁部が前記画素電極に重なる突起とを有し、 前記画素電極と前記突起との重なり幅が一 A first substrate and a second substrate disposed opposite to the Claims 1] mutually negative dielectric filled between the first substrate and the second substrate a liquid crystal having a rate anisotropy, and the first of said liquid crystal-side pixel electrode formed on the surface of the substrate, and the first provided on the substrate and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode the a switching element connected between the pixel electrode and the data bus lines, and the first provided on the substrate and the gate bus line for supplying a signal for driving the switching element, the second substrate a common electrode formed on the surface of the liquid crystal side, is formed along the data bus lines on the second substrate, and a projection edge when viewed from above overlaps the pixel electrode, wherein overlap width between the projection and the pixel electrode is one 画素中で均一でないことを特徴とする液晶表示装置。 The liquid crystal display device, characterized in that non-uniform in the pixels. 【請求項2】 第1の基板上に、画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、 第2の基板上に、コモン電極と、前記データバスラインに対向する突起とを形成する工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 前記画素電極は、上から見たときに前記突起との重なり幅が一画素中で部分的に変化するように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 To 2. A first substrate, a pixel electrode, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, a switching element for connecting between said pixel electrode and the data bus line, the switching forming a gate bus line for supplying a signal for driving the device, on the second substrate, and forming a common electrode, and a projection opposite to said data bus lines, said first substrate and a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between said second substrate, said pixel electrode overlaps the width of the protrusion when seen from above in a pixel manufacturing method of a liquid crystal display device, and forming to partially change. 【請求項3】 相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、 前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、 前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するスリットと、 前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、 前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、 前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのなす角度が、前記画素電 A 3. A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, a negative dielectric anisotropy is sealed between the first substrate and the second substrate liquid crystal and the a first of said liquid crystal-side pixel electrode formed on the surface of the substrate, and a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules provided on the pixel electrode, the pixel provided on the first substrate and supplies a data bus line for supplying a display signal to the electrodes, a switching element connected between the pixel electrode data bus lines, a signal for driving the switching elements provided on said first substrate and the gate bus line, the second and a common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the substrate, an angle between the data bus line side of the edge of the slit and the data bus lines of the pixel electrode but the pixel collector の他の部分のスリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device comprising a smaller than the angle between the other portions of the slit between the data bus lines. 【請求項4】 第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインとを形成する工程と、 第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 前記画素電極の前記データバスライン側の縁部のスリットと前記データバスラインとのなす角度を、前記画素電極の他の部分のスリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さくすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 4. A first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, and the pixel electrode and the data bus line wherein a switching element connected between, and forming with said switching element gate bus line for supplying a signal for driving the, on the second substrate, forming a common electrode, and the first substrate and a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between the second substrate, the angle of the slit and the data bus lines of the data bus line side of the edge of the pixel electrode the method of manufacturing a liquid crystal display device, which comprises less than the angle of the slit and the data bus lines of the other part of the pixel electrode. 【請求項5】 相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、 前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、 前記画素電極に設けられて液晶分子の配向を制御するスリットと、 前記画素電極の表面を覆う配向膜と、 前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、 前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、 前記配向膜のうちの前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分 Having a first substrate and a second substrate disposed 5. opposite one another, the negative dielectric anisotropy is sealed between the first substrate and the second substrate a liquid crystal, a pixel electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the first substrate, and a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules provided on the pixel electrode, an alignment film covering the surface of the pixel electrode, said first data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, and a switching element connected between said pixel electrode and the data bus line, provided on said first substrate a signal and the gate bus line supplies for driving the switching element, and a common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the second substrate Te, the data of the pixel electrode of said alignment layer part of the edge of the bus line side に傾斜垂直配向処理が施されており、 Inclination vertical alignment process has been subjected to,
    傾斜垂直配向処理方向と前記データバスラインとのなす角度が、前記スリットと前記データバスラインとのなす角度よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。 The liquid crystal display device which forms an angle with the inclined vertical alignment treatment direction and the data bus line, wherein the smaller than the angle between the slit and the data bus line. 【請求項6】 第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、 前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記データバスラインに対しほぼ平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、 第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 6. A first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, and the pixel electrode and the data bus line a switching element connected between a signal supply gate bus lines for driving the switching element, a step of forming an alignment film covering the surface of said pixel electrodes, out of the alignment layer, the said pixel electrodes a step of performing a tilt vertical alignment treatment in a direction substantially parallel to said data bus line to a portion of the edge of the data bus line side, on the second substrate, forming a common electrode, wherein the first substrate method of manufacturing a liquid crystal display device characterized by a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between said second substrate and. 【請求項7】 相互に対向して配置された第1の基板及び第2の基板と、 前記第1の基板及び前記第2の基板の間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶と、 前記第1の基板の前記液晶側の面に形成された画素電極と、 前記画素電極の第1の領域に第1の方向に向けて形成された第1のスリット、及び前記画素電極の第2の領域に第2の方向に向けて形成された第2のスリットと、 前記第1の基板に設けられて前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、 前記画素電極と前記データバスラインとの間に接続されたスイッチング素子と、 前記第1の基板に設けられて前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、 前記画素電極の表面を覆い、前記データバスラインに平行な方向に傾斜垂直配向処理 Having a first substrate and a second substrate 7. disposed opposite to each other, a negative dielectric anisotropy is sealed between the first substrate and the second substrate liquid crystal and the pixel electrode formed on the surface of the liquid crystal side of the first substrate, a first slit in a first region of the pixel electrode is formed toward the first direction, and the pixel electrode wherein a second slit formed toward the second direction in the second region, said first data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode provided on the substrate, and the pixel electrode a switching element connected between the data bus line, a signal gate bus line supplies for driving the switching element provided on the first substrate, covering the surface of the pixel electrode, the data bus line inclined vertical alignment treatment in a direction parallel to the 施された配向膜と、 前記第2の基板の前記液晶側の面に形成されたコモン電極とを有し、 前記画素電極の前記第1の領域及び前記第2の領域は水平方向に隣接し、前記第1及び第2のスリットのうちの前記第1の領域及び前記第2の領域の境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前記第1及び第2のスリットの他の部分と前記データバスラインとのなす角度よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 And decorated with the alignment layer, and a common electrode formed on a liquid-crystal-side surface of the second substrate, the first region and the second region of the pixel electrode is adjacent to the horizontal direction , the first region and the angle of the second boundary vicinity portion of the region and the data bus lines of the first and second slits, another of said first and second slits a liquid crystal display device being greater than the angle of the portion and the data bus line. 【請求項8】 第1の基板上に、液晶分子の配向を制御するスリットを有する画素電極と、該画素電極に表示信号を供給するデータバスラインと、前記画素電極と前記データバスラインとの間を接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を供給するゲートバスラインと、前記画素電極の表面を覆う配向膜とを形成する工程と、 前記配向膜のうち、前記画素電極の前記データバスライン側の縁部の部分に前記データバスラインと平行な方向に傾斜垂直配向処理を施す工程と、 第2の基板上に、コモン電極を形成する工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶を封入する工程とを有し、 前記スリットは、前記画素電極の第1の領域では第1の方向に向けて形成し、前記第1の領 8. A first substrate, a pixel electrode having a slit for controlling alignment of the liquid crystal molecules, and the data bus line for supplying a display signal to the pixel electrode, and the pixel electrode and the data bus line a switching element connected between a signal supply gate bus lines for driving the switching element, a step of forming an alignment film covering the surface of said pixel electrodes, out of the alignment layer, the said pixel electrodes wherein the step of performing said data bus lines and the inclined vertical alignment treatment in a direction parallel to the edges of the data bus line side, on the second substrate, forming a common electrode, and the first substrate and a step of sealing a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy between the second substrate, the slit is in a first region of the pixel electrode is formed toward the first direction, the first of Ryo に水平方向に隣接する第2の領域では第2の方向に向けて形成し、且つ、 In the second region is formed toward the second direction that is horizontally adjacent to, and,
    前記スリットのうち前記第1の領域と前記第2の領域との境界近傍の部分と前記データバスラインとのなす角度が、前記スリットの他の部分と前記データバスラインとのなす角度よりも大きくなるように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 The angle between the portion near the boundary between the data bus lines between the first region and the second region of said slit is larger than the angle between the other portions of the slit and the data bus line manufacturing method of a liquid crystal display device, and forming so that.
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