JP2003262888A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置及び電子機器

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JP2003262888A JP2002363864A JP2002363864A JP2003262888A JP 2003262888 A JP2003262888 A JP 2003262888A JP 2002363864 A JP2002363864 A JP 2002363864A JP 2002363864 A JP2002363864 A JP 2002363864A JP 2003262888 A JP2003262888 A JP 2003262888A
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    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート電極及び走査線の配置関係の調整がよ
り容易に実現されるとともに、TFTの正確な駆動が可
能とされた電気光学装置を提供する。 【解決手段】 本発明の電気光学装置は、TFTアレイ
基板(10)上に、画素電極(9a)とこれに接続され
たTFT(30)、このTFTに接続された走査線(3
30a)及びデータ線(6a)を備え、前記走査線は、
前記TFTのチャネル領域(1a´)に対向する部分に
ゲート電極としての幅広部(331a)を有するととも
に他の部分に幅狭部(332a)を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動が可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具
備してなる電子機器の技術分野に属する。

【0002】

【背景技術】従来、液晶等の電気光学物質を挟持してな
る一対の基板と、前記電気光学物質に対して電界を印加
するため前記一対の基板のそれぞれに設けられた電極等
とを備える電気光学装置が知られている。ここに、前記
電極は、前記電気光学物質に電界を印加し、該電気光学
物質の状態を適宜変化させるために利用される。そし
て、このような電気光学装置によれば、該装置に対し
て、例えば光源から発せられた光等を入射させるととも
に、電気光学物質の状態を上述の如く適宜変化させれ
ば、該光の透過率を制御することが可能となり、もって
画像の表示を実現することが可能となる。

【0003】そして、このような電気光学装置において
は、前記一対の基板の一方において、前記電極としてマ
トリクス状に配列された画素電極を備えるとともに、該
画素電極の各々に接続された薄膜トランジスタ(Thin F
ilm Transistor;以下適宜、「TFT」という。)、該
TFTの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行
に設けられた走査線及びデータ線等を備えることで、い
わゆるアクティブマトリクス駆動が可能なものが知られ
ている。これにより、前記画素電極、あるいは前記走査
線及び前記データ線により画される一つ一つの画素毎
に、前記電気光学物質に対する電界の印加を制御して、
画素毎に光の透過率を制御することが可能となる。

【0004】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おける電気光学装置には、次のような問題があった。す
なわち、上述したようなアクティブマトリクス駆動が可
能な電気光学装置においては、そもそもTFTを正確に
駆動する必要があるが、近年の電気光学装置に対する高
精細化ないし小型化の要請を満たしながら、それを実現
することはより困難になっているということである。

【0005】ここで、TFTは、チャネル領域、ソース
領域及びドレイン領域を有する半導体層と、該半導体層
における前記チャネル領域の少なくとも一部を覆うよう
に絶縁膜を介して設けられたゲート電極を備え、該ゲー
ト電極に対する通電・非通電を通じて、前記チャネル領
域に電界を印加・非印加することで、電流の流れを制御
する。

【0006】この際、前記チャネル領域の長さ、いわゆ
る「チャネル長」や、その幅、いわゆる「チャネル幅」
をどのようにするか、換言するとチャネル領域の大きさ
をどの程度にするかは、TFTの特性を決める上で重要
な事項となる。また、それに加えて、該チャネル領域上
における前記ゲート電極の配設態様をどのようにするか
も極めて重要である。ちなみに、従来においては、ゲー
ト電極として、前記走査線に電気的に接続されている導
電性部材や、前記走査線の一部を構成している部材があ
てられることがあったが、このような場合には、走査線
それ自体とチャネル領域との配設態様も問題となる。

【0007】要するに、TFTないしチャネル領域と、
走査線ないしゲート電極との好適な配置関係を、上述し
た電気光学装置の高精細化という要請をも加味した上で
実現することが求められており、かつ、そのように構成
されたTFT等による正確な動作を実現することが求め
られているということになるが、これは容易なことでは
ない。

【0008】例えば、電気光学装置を駆動するために
は、TFT及び走査線ないしゲート電極だけ存在すれば
よいというのでは勿論なく、その他各種の構成要素を備
える必要があるが、それらとの兼ね合いの中で、上記し
たような配置・調整を達成することは一般に困難である
ことが容易に想像しえる。また、TFTについては、前
記チャネル領域に対して光が入射すると、光リーク電流
が発生するという不都合が生じるから、これを防止しな
ければならないという要請もある。すなわち、TFT
は、各画素において実際に画像表示に寄与する光が透過
又は反射により出射する領域たる光透過域、より具体的
には画素電極から、可能な限り離隔した方が好ましい
が、高精細化が要求される中でこれを満たさなければな
らないとすると、上述の配置・調整には、より困難な課
題を抱えることとなる。

【0009】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、ゲート電極及び走査線の配置関係の調整がよ
り容易に実現されるとともに、TFTの正確な駆動が可
能とされた電気光学装置及び該電気光学装置を具備して
なる電子機器を提供することを課題とする。

【0010】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に
延びる走査線及び該走査線に交差する方向に延びるデー
タ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応
して設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジス
タに対応して設けられた画素電極とを備え、前記走査線
は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する部
分にゲート電極としての幅広部を有するとともに、他の
部分に幅狭部を有している。

【0011】本発明の電気光学装置によれば、走査線及
びデータ線を介して走査信号及び画像信号を薄膜トラン
ジスタに供給することにより、画素電極をアクティブマ
トリクス駆動できる。

【0012】そして特に、本発明では、前記走査線は、
前記薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する部分に
ゲート電極としての幅広部を有するとともに、他の部分
に幅狭部を有していることから、走査線の狭小化等を実
現しうるにもかかわらず、薄膜トランジスタないしその
チャネル領域と走査線との配置関係の調整・決定を、従
来に比べて容易に実現しうることになる。

【0013】例えば、前記画素電極がマトリクス状に複
数配列されている場合においては、それら一つ一つの画
素電極の角部から最も離れた位置、換言すれば、四つの
画素電極を想定したときに、隣接し、かつ対向する角部
間のちょうど中間地点に、薄膜トランジスタのチャネル
領域が位置するように当該薄膜トランジスタを形成する
ことが一般的に好ましい(なぜなら、光透過域から最も
離れているから)が、そのような場合において、チャネ
ル領域を前記中間地点を含み隣接する画素電極間の中間
を縫うように延在させることで、チャネル長を好適にと
ることが可能な上、これに交差するように走査線を設け
るとともに該走査線の幅広部が前記チャネル領域につい
てのみ存在するような構成を実現することが可能とな
る。したがって、この場合においては、好適なチャネル
長の確保、すなわち、薄膜トランジスタの好適な動作の
確保及び走査線の狭小化、すなわち、電気光学装置の高
精細化ないし小型化という、いわば相反するともみえる
要請が、ともに実現されることになる。また、この場
合、上述の仮定から当然に、薄膜トランジスタないしチ
ャネル領域に対する光入射を極力防止することも可能で
ある。

【0014】このように、本発明によれば、電気光学装
置の高精細化という要請を満たしながら、薄膜トランジ
スタ及び走査線ないしゲート電極との配置態様に関する
調整を好適に実施することが可能となる。また、このこ
とは、上述の走査線及び薄膜トランジスタ以外の、電気
光学装置を構成する各種の要素の配置を調整・決定する
上でも、好ましい影響を与える。さらに、本発明によれ
ば、薄膜トランジスタの正確な駆動を実現することもで
き、これにより、表示すべき画像の品質を高く保持する
ことも可能となる。

【0015】なお、本発明において、「幅広」というの
は、「幅狭部」が有する幅に対して広いという意味であ
り、「幅狭」というのは、「幅広部」が有する幅に対し
て狭いという意味である。要するに、「幅広部」及び
「幅狭部」というときの具体的な広狭の程度は、両者の
相対的な関係で決せられる。また、これに関連して、幅
広部、あるいは幅狭部が実際に有すべき幅値は、理論
的、経験的、実験的、あるいはシミュレーション等によ
って適宜決定しうる。

【0016】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
幅広部は、前記幅狭部から延設されて形成されている部
分を含む。

【0017】この態様によれば、幅広部及び幅狭部を有
する走査線を、比較的容易に形成することが可能とな
る。具体的には例えば、幅広部及び幅狭部がいわば一体
的であるようなパターンを形成することを前提とした、
公知のフォトリソグラフィ及びエッチングを用いること
により、本態様に係る走査線を容易に形成することが可
能となる。

【0018】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記幅広部は、前記幅狭部に接続されて形成されている部
分を含む。

【0019】この態様によれば、例えば、幅広部は、別
に用意された導電部材等を幅狭部に対して接続すること
により形成されている部分を含むことになる。このよう
な場合であっても、比較的容易に幅広部を形成すること
が可能となる。

【0020】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記走査線は、前記チャネル領域の延在する方向と交わる
方向に延在しており、前記幅広部は、当該チャネル領域
の延在する方向の一方又は両方に延在している。

【0021】この態様によれば、幅広部は、チャネル領
域の延在する一方又は両方に延在されていることから、
薄膜トランジスタ及び走査線との配置態様の調整を、よ
り好適に実施しうることになる。また、この態様によれ
ば、チャネル長に応じた適切なゲート電極が形成される
ことになるから、チャネル領域に対する電界の印加が、
より効果的に実施されることになる。

【0022】また、このように、幅広部たるゲート電極
が、チャネル領域となるべき部分にいわば追随するよう
な形で設けられる態様によれば、例えば、いわゆる自己
整合的な薄膜トランジスタの形成(すなわち、ゲート電
極をマスクとして、イオン注入工程を行うことにより、
チャネル領域に相隣接するソース領域及びドレイン領域
の形成)を容易に行うことができる。ただし、この場
合、厳密にいえば、ゲート電極となるべき幅広部を形成
した後に、前記イオン注入工程を行うことで、チャネル
領域が形成されることになる。

【0023】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画素電極は、マトリクス状に配列がなされてなり、前
記チャネル領域は、平面的に見て前記走査線を挟んで相
隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第1間隙
と、前記データ線を挟んで相隣接する画素電極間を縫っ
て延びる長手状の第2間隙とが交わる交点領域内に形成
されている。

【0024】この態様は、既に述べた態様に類似し、本
発明の作用効果が最も効果的に発揮されうる態様の一つ
である。

【0025】すなわち、この態様によれば、薄膜トラン
ジスタのチャネル領域が、マトリクス状に複数配列され
た画素電極において、その交点領域内に形成されてい
る。ここに、交点領域とは、平面的に見て前記走査線を
挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第
1間隙と前記データ線を挟んで相隣接する画素電極間を
縫って延びる長手状の第2間隙とが交わる領域である。
このような構成により、該チャネル領域に対する光の入
射は生じにくい状態が現出されている。

【0026】そして、このような作用効果を有しなが
ら、走査線は、前記チャネル領域に対向するようにゲー
ト電極としての幅広部を有していることから、チャネル
領域ないし薄膜トランジスタと、ゲート電極ないし走査
線との配置態様を最も好適に決定しうるとともに、好適
なチャネル長の確保と走査線の狭小化をも実現すること
が可能となるのである。

【0027】この態様では特に、前記幅狭部は、前記第
1間隙の中央よりもずれた位置に形成され、前記幅広部
は、前記交点領域内において前記第1間隙の中央に形成
されている。

【0028】このような構成によれば、走査線の幅狭部
は、隣接する画素電極間を縫うようには存在するが、そ
の中央には存在せず、該中央よりもずれた位置に形成さ
れる。このことにより、まず第1に、表示画像の品質向
上を図ることができる。これは、とりわけ電気光学装置
の一例たる液晶表示装置等において該当し、その理由は
以下の事情による。

【0029】すなわち、本態様では、前記液晶表示装置
に通常設けられる配向膜上の凸部、とりわけ前記幅狭部
の「高さ」に起因して形成される凸部に対するラビング
処理を実施すると、該凸部においてラビングのムラが生
じることに着目し、更には、前記凸部において、ラビン
グの擦り上げ(すなわち、凸部を登る方向)に係る部分
と擦り下げ(すなわち、凸部を下る方向)に係る部分と
では、前記ムラの程度に差があることに着目する。

【0030】より具体的には、例えば、前記擦り上げに
係る部分の方が、前記擦り下げに係る部分よりも、前記
ムラが生じにくい。

【0031】そして、上記したようなムラをそのままに
放置すると、液晶の配向不良等を招来し、電気光学装置
の動作不良の原因となる場合がある。上述の擦り上げ及
び擦り下げ間のムラの程度の差にしたがって言えば、後
者の方が前者の方よりも、液晶の配向不良等を招来する
可能性が高いことになる。

【0032】ここで、本態様における幅狭部が、前記画
素電極間の第1間隙の中央から外れた位置に形成される
ことが意味を帯びる。すなわち、幅狭部をこのような位
置に形成することによれば、該幅狭部に起因する凸部の
頂点もまた、第1間隙の中央から外れた位置に形成され
ることになり、このことは、当該第1間隙に対応する領
域上に、当該凸部のほぼ半斜面だけを存在させるような
構成を採ること、すなわち該領域上に、前記擦り下げに
係る部分だけを存在させるような構成を採ることが可能
であることを意味する。そして、この場合において、遮
光膜を前記第1間隙に対応するように設ければ、前記擦
り下げに係る部分だけを有効に遮光すること、つまりム
ラの影響が最も生じると考えられる凸部の当該部分を有
効に遮光することが可能となるのである。

【0033】以上の結果、本態様によれば、ムラの影響
による電気光学装置の動作不良等を生じさせることが殆
どなく、また、ムラの影響がより生じにくいと考えられ
る凸部の擦り上げに係る部分は、画像表示に寄与する光
を透過可能のままにしておくことになるから、画素開口
率の向上、すなわち画像は明るいままこれを維持するこ
とが可能となるのである。結局、本態様によれば、以上
述べたような意味において、表示画像の品質向上が図ら
れることになるのである。

【0034】また、幅狭部を、第1間隙の中央よりもず
れた位置に形成することによれば、第2に、電気光学装
置の設計の自由度を向上すること、また、薄膜トランジ
スタに対する光入射をより効果的に防止することができ
る。これは以下の事情による。

【0035】すなわち、本態様における幅狭部は、隣接
する画素電極間の第1間隙を縫うようには存在するが、
その中央には存在しない。このため例えば、第1間隙の
領域中、幅狭部が設けられていない領域を利用すること
により、平面的にみて、該幅狭部に平行に該幅狭部と同
一膜から構成された容量線等の他の配線を配線すること
が可能となる。すなわち、設計の自由度が増大するので
ある。

【0036】また、上述のような場合に、幅狭部は中央
線からはずれているものの、幅広部はその幅広の程度を
調整することにより、例えば、一方側のみを幅広に広げ
たり、一方側を大きく幅広に且つ他方側を小さく幅広に
することで、ゲート電極としての幅広部を、間隙の中央
に配置させることが可能となる。このように、走査線の
位置によらずにゲート電極の配置を遮光性を高めるのに
都合の良い位置に配置できるので、或いはゲート電極の
配置を遮光性を高めるのに都合の良い位置に配置しなが
ら、走査線の配置を間隙内における任意の位置に配置で
きるので、最終的には、走査線配置を含めた配線配置の
自由度を高めつつ遮光性が本質的に高い薄膜トランジス
タを実現できる。

【0037】この構成では更に、前記幅広部は、前記交
点領域内において前記第2間隙の中央に形成されている
ようにするとよい。

【0038】このような構成によれば、チャネル領域
は、既述した言い方に沿えば、四つの画素電極を想定し
た場合に、隣接し、又は対向する、該電極の角部から最
も離れた位置に形成されることになる。すなわち、該チ
ャネル領域に対しては、最も光の入射が発生しにくい状
態が現出されることになる。

【0039】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板には、前記走査線に沿って溝が掘られており、前
記走査線は該溝内に直接又は層間絶縁膜を介して少なく
とも部分的に埋め込まれている。

【0040】この態様によれば、走査線が基板に形成さ
れた溝内に埋め込まれていることから、該走査線自身が
有する高さに起因して、その上層として形成される層間
絶縁膜、或いは画素電極及び配向膜等の表面に段差を生
じさせることを未然に防止することができる。つまり、
当該表面を極めて良好に平坦化することができる。そし
て、このように配向膜等の表面が平坦であると、該配向
膜に対するラビング処理を好適に実施することができ、
該配向膜に接する液晶分子の配向状態を良好に維持する
ことができる。したがって、本態様によれば、配向不良
が生じる可能性を減退させ、該配向不良の部分を起因と
する光抜け等の発生を極力防止することができることに
なるから、高品質な画像を表示することが可能となる。

【0041】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記幅狭部は、前記溝内に埋め込まれているとともに前記
走査線に沿って延びる埋め込み部分と、前記溝内に埋め
込まれないとともに前記埋め込み部と並んで前記走査線
に沿って延びる非埋め込み部分とを有し、該非埋め込み
部分の存在によって、前記画素電極の下地は、前記走査
線に沿って盛り上がっている。

【0042】この態様によれば、前記幅狭部は埋め込み
部と非埋め込み部とを有している。そして、これら埋め
込み部及び非埋め込み部はいずれも走査線に沿って延び
ており、このうち非埋め込み部分の存在によって、前記
画素電極の下地は、前記走査線に沿って盛り上がってい
る。

【0043】これによれば、まず、埋め込み部に関して
は、上述の平坦化にかかる作用効果が同様に得られるこ
とになる。つまり、該埋め込み部上の上層として形成さ
れる層間絶縁膜、或いは画素電極及び配向膜等の表面は
極めて良好な平坦性を呈示することになり、当該部分に
おける配向不良等を生じさせる可能性を低減することが
できる。

【0044】次に、非埋め込み部に関しては、該非埋め
込み部の上層として形成される前記配向膜等の表面に、
あえて走査線に沿った凸部を含む段差が形成されるが如
き状態になるから、上述の平坦化に係る作用効果は得ら
れないものの、次のような利点を得ることができる。

【0045】まず、本発明に係る電気光学装置では、液
晶の劣化を防止し装置寿命の長期化等を図るとともに、
表示画像上のクロストークやフリッカ等を低減すること
を目的として、前記画素電極を二つの群に分けた上、こ
れらを別々の周期で反転駆動する駆動方法が採用される
ことがある。すなわち、第1の周期で反転駆動されるた
めの第1の画素電極群と、第1の周期と相補の第2の周
期で反転駆動されるための第2の画素電極群とを含む複
数の画素電極が基板上に平面配列されており、(i)反転
駆動時に各時刻において相互に逆極性の駆動電圧で駆動
される相隣接する画素電極と(ii)反転駆動時に各時刻に
おいて相互に同一極性の駆動電圧で駆動される相隣接す
る画素電極との両者が存在している。ここで、前記
(i)に該当する画素電極がデータ線に沿う方向に並べ
られ、前記(ii)に該当する画素電極が走査線に沿う
方向に並べられているとすると、或る一の走査線に沿う
方向に並ぶ画素電極が一の極性で駆動されるとともに、
前記或る一の走査線に相隣接する他の走査線に沿う方向
に並ぶ画素電極が前記一の極性の反対の極性で駆動され
るということになる(いわゆる「1H反転駆動」)。

【0046】しかしながら、この場合、データ線に沿っ
て相隣接する画素電極間では、逆極性の駆動電圧による
駆動に基づく横電界が発生することになる。このような
横電界は、画素電極及び対向電極間で発生する電界(前
記横電界に対する「縦電界」と呼べる。)に乱れを生じ
させるおそれがあり、その結果、液晶分子の配向状態を
所望通りにとらせることが困難となり、画像表示に影響
を及ぼす可能性がある。

【0047】そして、本態様では、このような不具合の
発生する可能性がある場合において、画素電極の下地に
形成された、走査線に沿う凸部が特有の意義を帯びてく
ることになる。

【0048】すなわち、第1に、各画素電極の縁部が前
記段差上に位置するように形成されるとすれば、各画素
電極と対向電極との間に生じる縦電界を、相隣接する画
素電極(特に、異なる画素電極群に属する画素電極)の
間に生じる横電界と比べて、相対的に強められる。即
ち、一般に電界は電極間の距離が短くなるにつれて強く
なるので、段差の高さの分だけ、画素電極の縁部が対向
電極に近づき、両者間に生じる縦電界が強められるので
ある。第2に、各画素電極の縁部がこの段差上に位置す
るか否かに拘わらず、相隣接する画素電極(特に、異な
る画素電極群に属する画素電極)の間に生じる横電界が
段差の存在により段差の誘電率に応じて弱められると共
に横電界が通過する電気光学物質の体積を(段差で部分
的に置き換えることにより)減ずることによっても、当
該横電界の電気光学物質に対する作用を低減できる。従
って、反転駆動方式に伴う横電界による液晶の配向不良
等の電気光学物質の動作不良を低減できる。この際、上
述のように画素電極の縁部は、段差上に位置してもよい
し位置していなくてもよく、更に段差の傾斜した或いは
略垂直な側面の途中に位置していてもよい。

【0049】加えて、電気光学物質の動作不良個所を隠
すための遮光膜も小さくできるので、光抜け等の画像不
良を起こさずに各画素の開口率を高めることも可能とな
る。

【0050】以上説明したように、本態様によれば、第
一に埋め込み部の存在により、前述した平坦化に係る作
用効果を得ることができると同時に、第二に非埋め込み
部の存在により、走査線に沿う凸部を含む段差をあえて
形成することにより、横電界の発生を防止するという作
用効果を得ることができる。

【0051】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記画素電極に接続されており蓄積容量を構成する画素電
位側容量電極と、該画素電位側容量電極に誘電体膜を介
して対向配置されており前記蓄積容量を構成する固定電
位側容量電極を含む容量線とを更に備えてなり、前記容
量線は、前記走査線に沿って延びる本線部と前記データ
線に沿って延びる部分とを有し、前記容量線における前
記データ線に沿って延びる部分の幅は、当該データ線の
幅と同一又はより広く形成されている。

【0052】この態様によれば、画素電極には、画素電
位側容量電極と固定電位側容量電極とが対向配置されて
なる蓄積容量が接続されているので、画素電極に書き込
まれた画像信号の電圧を長期にわたって保持できる。そ
して特に、本態様においては、容量線における前記デー
タ線に沿って延びる部分の幅は、当該データ線の幅と同
一又はより広く形成されていることにより、容量線をよ
り低抵抗化することが可能となる。また、本態様におい
ては、上述のように容量線の低抵抗化を実現しうること
から、装置全体から見て、容量線の狭小化、ひいては蓄
積容量の狭小化を達成しうることとなり、その結果、開
口率の向上を図ることができる。ここで、「容量線の狭
小化」というとき、容量線自体は、その幅がデータ線の
幅と同一か、又は「より広く」形成されるのであるか
ら、一見矛盾するかのように見えるが、そこに想定され
ている幅広・幅狭という概念は、あくまでも容量線とデ
ータ線との相対的な関係から決定されるべきものである
から、装置全体から見れば、従来に比べて、「容量線の
狭小化」が達成しうるのである。なお、上述にいう幅広
・幅狭、あるいは本発明にいう「より広く」という場合
の、具体的な幅値は、理論的・実験的・経験的、あるい
はシミュレーションによって、適宜好適なものを決定し
うる。

【0053】さらに、本態様によれば、上述の低抵抗化
だけではなく、薄膜トランジスタ、とりわけそのチャネ
ル領域に対する光入射を、従来に比べてより効果的に防
止することが可能となる。というのも、既述したよう
に、従来においては、データ線の裏面等で反射した光が
迷光となって、結局、薄膜トランジスタに入射する場合
があったところ、本態様によれば、そのような迷光であ
っても、データ線の幅と同一か、又はより広く形成され
た容量線により、その光の進行が遮られる可能性が高く
なるからである。

【0054】以上のことから、本発明によれば、容量線
の低抵抗化により、従来問題となっていたクロストーク
や焼き付き等の問題が生じる可能性が低減する。また、
薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生が低減さ
れることにより、高い品質をもつ画像を表示することが
可能となる。

【0055】また、本発明においては、容量線におい
て、前記データ線に沿って延びる部分が存在しているこ
とにより、蓄積容量の増大化を実現することができる。
これも、高い品質をもつ画像の表示に大きく資すること
になる。

【0056】なお、上述したような光遮蔽機能を、より
好適に発揮させるためには、容量線を構成する材料とし
て、光遮光性の優れたものをあてるとよい。例えば、A
l(アルミニウム)、Cu(銅)、Ti(チタン)、C
r(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタ
ル)、Mo(モリブデン)等のうち少なくとも一つを含
む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイ
ド、これらを積層したもの等が好適に使用できる。ま
た、これに加えて、例えば、ポリシリコン等の光吸収性
の材料を使用することもできる。

【0057】この態様では、前記データ線は、前記薄膜
トランジスタに重なる部分が局所的に幅広に形成されて
おり、前記容量線における前記データ線に沿って延びる
部分の幅は、前記データ線における幅広に形成されてい
ない部分の幅より広く且つ前記データ線における前記幅
広に形成された部分の幅と同一に形成されているように
構成するとよい。

【0058】このような構成によれば、データ線におけ
る薄膜トランジスタに重なる部分が局所的に幅広に形成
されている。そして、この幅広に形成された部分の幅
は、前述した容量線におけるデータ線に沿って延びる部
分の幅と同一とされている。すなわち、これによると、
該薄膜トランジスタの上方には、いずれも幅広に形成さ
れたデータ線及び容量線が形成されていることになる。
したがって、該薄膜トランジスタの上方からの光入射を、
より確実に防止することができる。

【0059】より具体的には例えば、容量線が高融点金
属等からなる場合においては、該容量線単独で、透過率
にして0.1%程度(OD(Optical Density)値で
は、2以上)の遮光性能を発揮させることができる。し
かしながら、当該容量線に対してシリサイド化処理等を
実施すると、その組成が変化すること等により、その遮
光性能が低下する場合がある。この場合、前述の透過率
0.1%以上の遮光性能しか享受できないという場合も
あり得る。

【0060】しかるに、本態様においては、このような
高融点金属膜からなる容量線に重ねて、データ線もまた
存在する。このように、容量線及びデータ線の重なり合
いにより、薄膜トランジスタの遮光を行う構成を採用す
れば、これらの透過率の積算値に該当する遮光性能を得
ることができる。例えば、データ線がアルミニウム等か
らなる場合においては、透過率にして、0.001%以
下程度(OD値では、4以上)の遮光性能を発揮させる
ことができる。

【0061】なお、本態様では特に、容量線におけるデ
ータ線に沿って延びる部分の幅が広いとは、データ線に
おける幅広に形成されていない部分の幅よりも広いとい
う意味である。

【0062】あるいは、前記データ線は、前記薄膜トラ
ンジスタに重なる部分が局所的に幅広に形成されてお
り、前記容量線における前記データ線に沿って延びる部
分の幅は、前記データ線における幅広に形成されていな
い部分の幅より広く且つ前記データ線における前記幅広
に形成された部分の幅より狭く形成されている。

【0063】この態様によれば、データ線における薄膜
トランジスタに重なる部分が局所的に幅広に形成されて
いる。すなわち、これによると、該薄膜トランジスタの
上方には、いずれも幅広に形成されたデータ線及び容量
線が形成されていることになる。したがって、該薄膜ト
ランジスタの上方からの光入射を、より確実に防止する
ことができる。

【0064】なお、本態様では特に、容量線におけるデ
ータ線に沿って延びる部分の幅は、幅広に形成されたデ
ータ線より幅狭に形成されている。つまり、当該部分に
おいて、データ線は容量線よりも幅狭とされている。こ
れにより、例えばデータ線を光反射率の高いアルミニウ
ム等で構成する場合において、入射光が電気光学装置内
部の何らかの要素で反射して生じる迷光や、いったん電
気光学装置を出射した光が該電気光学装置外部の何らか
の要素で反射して再び電気光学装置に戻ってくる戻り
光、或いは電気光学装置が複数設置されるカラー表示可
能な液晶プロジェクタ等の投射型表示装置において他の
電気光学装置を出射した光が当該電気光学装置に戻って
くる戻り光等が、前記データ線で反射することによって
迷光を増大させるという事態を防止することができる。
これは、データ線における幅広に形成された部分が、容
量線に比べて相対的に幅狭に形成されているからであ
る。

【0065】このような薄膜トランジスタに重なる部分
が幅広に形成されたデータ線を備える態様では、前記容
量線は、前記薄膜トランジスタと前記データ線との間の
積層位置に配置されており、前記データ線は、前記薄膜
トランジスタに重なる部分に加えて、前記薄膜トランジ
スタとの接続用のコンタクトホールが設けられた部分
が、幅広に形成されているように構成するとよい。

【0066】このような構成によれば、このコンタクト
ホールのために、遮光膜としての容量線を設けることが
できなくても、その分の遮光性能の低下を、データ線を
幅広に形成することで補うことが可能となる。

【0067】あるいは、前記データ線は、前記薄膜トラ
ンジスタごとに、前記薄膜トランジスタに重なる部分か
ら前記コンタクトホールが設けられた部分までが連続し
て幅広に形成されているように構成するとよい。

【0068】このような構成によれば、薄膜トランジス
タに対する遮光をより確実になしうる。

【0069】なお、薄膜トランジスタに重なる部分にお
ける幅広に形成された部分と、コンタクトホールが設け
られた部分における幅広に形成された部分とは、別々に
幅広に形成されていてもよい。薄膜トランジスタに重な
る部分とコンタクトホールが設けられた部分とを近接配
置して、当該態様の如く、連続して幅広に形成すると、
幅広に形成する領域をむやみに広げないで済むので、内
面反射を増大させない観点から有利である。

【0070】本発明の電気光学装置の他の態様によれ
ば、前記基板に電気光学物質を介して対向配置された他
の基板と、該他の基板上に形成された遮光膜とを更に備
えてなり、前記データ線及び前記容量線における前記デ
ータ線に沿って延びる部分の幅は、前記遮光膜の幅より
も狭い。

【0071】この態様によれば、前記他の基板から光が
入射すると仮定すると、その光の入射側から順に、遮光
膜、データ線及び容量線という積層構造を構築すること
が可能となる。ここで、このうちの前者の幅は、後二者
の幅よりも広い。すなわち、入射光は、より幅広の遮光
膜によってその進行が遮られることになり、そこを通り
抜けた光だけが、データ線及び容量線に到達することに
なる。更に、遮光膜を通り抜けた光が、データ線及び容
量線に到達する場合には、これらデータ線及び容量線に
よる前述の遮光機能の発揮を期待することができる。要
するに、本態様によれば、薄膜トランジスタの耐光性を
より高めることができ、光リーク電流の発生する可能性
をより減退させることができる。

【0072】なお、本態様にいう「遮光膜」は、例えば
前記画素電極がマトリクス状に配列されるのであれば、
該画素電極の間隙を縫うようにストライプ状、或いは格
子状に形成することが可能である。また、場合により、
該遮光膜を、例えばクロム或いはクロミナ等の光吸収性
材料及びアルミニウム等の光反射性材料からなる積層構
造として形成することも可能である。

【0073】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置(ただし、その各種態様を含む。)を具備し
てなる。

【0074】本発明の電子機器によれば、例えば、上述
したように、薄膜トランジスタと走査線との配置態様の
好適な調整を行うことができる電気光学装置を具備して
なることにより、薄膜トランジスタの正確な動作、また
これによる高品質な画像の表示が可能な、例えば、液晶
プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワー
ドプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型の
ビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電
話、POS端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現
することができる。

【0075】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【0076】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【0077】まず、本発明の実施形態における電気光学
装置の画素部における構成について、図1から図4を参
照して説明する。ここに、図1は、電気光学装置の画像
表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複
数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたT
FTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であ
る。そして、図3は、図2のA−A´断面図である。な
お、図3においては、各層・各部材を図面上で認識可能
な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺
を異ならしめてある。また、図4は、図2に示す走査線
のみを抜き出してその形状を示す平面図である。

【0078】図1において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には、それぞれ、画素電極9aと当該画
素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30と
が形成されており、画像信号が供給されるデータ線6a
が当該TFT30のソースに電気的に接続されている。
データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Sn
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給
するようにしてもよい。

【0079】また、TFT30のゲートに走査線330
aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線330aにパルス的に走査信号G1、G2、…、G
mを、この順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に
接続されており、スイッチング素子であるTFT30を
一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ
線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを
所定のタイミングで書き込む。

【0080】画素電極9aを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S
1、S2、…、Snは、対向基板に形成された対向電極
との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧
レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として
電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをも
つ光が出射する。

【0081】ここで保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成さ
れる液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。

【0082】以下では、上記データ線6a、走査線33
0a、TFT30等による、上述のような回路動作が実
現される電気光学装置の、より具体的な構成について、
図2及び図3を参照して説明する。

【0083】まず、本実施形態に係る電気光学装置は、
図2のA−A´断面図たる図3に示すように、TFTア
レイ基板10と、これに対向配置される透明な対向基板
20とを備えている。TFTアレイ基板10は、例え
ば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対
向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からなる。

【0084】図3に示すように、TFTアレイ基板10
には、画素電極9aが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16
が設けられている。画素電極9aは、例えばITO(In
dium Tin Oxide)膜等の透明導電性膜からなる。

【0085】他方、対向基板20には、その全面に渡っ
て対向電極21が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設
けられている。対向電極21は、例えばITO膜等の透
明導電性膜からなる。

【0086】次に、図2において、電気光学装置のTF
Tアレイ基板10上には、マトリクス状に複数の画素電
極9a(点線部9a´により輪郭が示されている)が設
けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿って
アルミニウム膜のデータ線6a及びポリシリコン膜の走
査線330aが設けられている。

【0087】走査線330aは、ポリシリコン膜の半導
体層1aのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネ
ル領域1a´に対向するように配置されており、走査線
330aはゲート電極として機能する。すなわち、走査
線330aとデータ線6aとの交差する箇所にはそれぞ
れ、チャネル領域1a´に走査線330aの幅広部33
1a(後述)がゲート電極として対向配置された画素ス
イッチング用のTFT30が設けられている。換言すれ
ば、本実施形態におけるTFT30、その中でもチャネ
ル領域1a´は、マトリクス状に複数配列された画素電
極9aにおいて、その交点領域内に形成されている。こ
こで、交点領域とは、平面的に見て前記走査線を挟んで
相隣接する画素電極9a間を縫って延びる長手状の第1
間隙(図2中ではX方向)と前記データ線6aを挟んで
相隣接する画素電極9a間を縫って延びる長手状の第2
間隙(図2中ではY方向)とが交わる領域である。より
具体的に図2に沿って言えば、例えば、左上に示される
画素電極9aの右下角部、右上に示される画素電極9a
の左下角部、左下に示される画素電極9aの右上角部、
及び、右下に示される画素電極9aの左上角部、のそれ
ぞれから最も離れた位置が、それに該当することとな
る。このような位置にTFT30が形成されていること
により、該TFT30のチャネル領域1a´に対して
は、直接的な光入射が生じがたい状況が現出されている
ことになる。

【0088】TFT30は、図3に示すように、LDD
(Lightly Doped Drain)構造を有しており、その構成
要素としては、上述したようにゲート電極として機能す
る走査線330aからの電界によりチャネルが形成され
る半導体層1aのチャネル領域1a´、走査線330a
と半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
2、半導体層1aにおける低濃度ソース領域1b及び低
濃度ドレイン領域1c並びに高濃度ソース領域1d及び
高濃度ドレイン領域1eを備えている。

【0089】なお、TFT30は、好ましくは図3に示
したようにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域1b
及び低濃度ドレイン領域1cに不純物の打ち込みを行わ
ないオフセット構造をもってよいし、走査線330aの
一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物
を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度
ドレイン領域を形成するセルフアライン型のTFTであ
ってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング
用TFT30のゲート電極を、高濃度ソース領域1d及
び高濃度ドレイン領域1e間に1個のみ配置したシング
ルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート
電極を配置して、デュアルゲート、あるいはトリプルゲ
ート以上でTFTを構成しても良い。さらに、TFT3
0を構成する半導体層1aはポリシリコン膜に限らず、
アモルファスシリコン膜や単結晶シリコン膜でも構わな
い。単結晶シリコン膜の形成には、貼り合わせ法等の公
知の方法を用いることができる。半導体層1aを単結晶
シリコン膜とすることで、特に周辺回路の高性能化を図
ることができる。

【0090】ここで本実施形態においては特に、このT
FT30のゲート電極として機能する上記走査線330
aは、図2に示すように、当該ゲート電極として機能す
る部分、すなわちTFT30のチャネル領域1a´に対
向して存在する部分が、他の部分に比べて幅広に形成さ
れている。すなわち、図2において、走査線330a
は、図2中Y方向に延在するチャネル領域1a´に対応
するように、図2中Y方向に延在する幅広部331a
と、隣接する画素電極9a間を縫うように延在する幅狭
部332aとを有している。図4においては、その形態
が明瞭となるように、走査線330aの形状パターンの
みを図示している。

【0091】ちなみに、この走査線330aの幅広部3
31aは、本実施形態において、幅狭部332aから延
設されて形成されている。すなわち、幅広部331a及
び幅狭部332aは、いわば一体的に形成されているの
である。このような形状は、例えば、当該幅広部331
a及び幅狭部332aにより形作られる一体的な形状
(図4参照)を有するパターンを形成することを前提と
した、公知のフォトリソグラフィ及びエッチングによっ
て、容易に形成することが可能である。ただし、本発明
は、このような形態に限定されるものではなく、例え
ば、幅狭部332aに対して、別途用意した別の導電性
部材を接続することにより、幅広部331aを形成する
ような形態であっても、その範囲内に収めるものであ
る。

【0092】さて一方、図1に示した、蓄積容量70
が、図3に示すように、TFT30の高濃度ドレイン領
域1e及び画素電極9aに接続された画素電位側容量電
極としての中継層71と、固定電位側容量電極としての
容量線300の一部とが、誘電体膜75を介して対向配
置されることにより形成されている。この蓄積容量70
によれば、画素電極9aにおける電位保持特性を顕著に
高めることが可能となる。

【0093】中継層71は、例えば導電性のポリシリコ
ン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただ
し、中継層71は、後に詳述する容量線300と同様
に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成し
てもよい。中継層71は、画素電位側容量電極としての
機能のほか、コンタクトホール83及び85を介して、
画素電極9aとTFT30の高濃度ドレイン領域1eと
を中継接続する機能をもつ。

【0094】このように中継層71を利用すれば、層間
距離が例えば2000nm程度と長くても、両者間を一
つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避し
つつ、比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホール
で両者間を良好に接続することができ、画素開口率を高
めることが可能となる。また、コンタクトホール開孔時
におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。

【0095】容量線300は、例えば金属又は合金を含
む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。
この容量線300は、平面的に見ると、図2に示すよう
に、走査線330aの形成領域に重ねて形成されてい
る。より具体的には容量線300は、走査線330aに
沿って延びる本線部と、図中、データ線6aと交差する
各個所からデータ線6aに沿ってY方向における上方に
夫々突出した突出部と、コンタクトホール85に対応す
る個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち
突出部は、走査線330a上の領域及びデータ線6a下
の領域を利用して、蓄積容量70の形成領域の増大に貢
献する。

【0096】また、容量線300は、例えば、Ti、C
r、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも
一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシ
リサイド、これらを積層したもの等からなり、蓄積容量
70の固定電位側容量電極としての機能のほか、TFT
30の上側において入射光からTFT30を遮光する遮
光層としての機能をもつ。ただし、容量線300は、例
えば導電性のポリシリコン膜等からなる第1膜と高融点
金属を含む金属シリサイド膜等からなる第2膜とが積層
された多層構造をもってもよい。

【0097】また、容量線300は、好ましくは、画素
電極9aが配置された画像表示領域からその周囲に延設
され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされ
る。このような定電位源としては、後述するデータ線駆
動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよい
し、対向基板20の対向電極21に供給される定電位で
も構わない。

【0098】誘電体膜75は、図3に示すように、例え
ば膜厚5〜200nm程度の比較的薄いHTO(High T
emperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxid
e)膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等
から構成される。蓄積容量70を増大させる観点から
は、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体
膜75は薄いほどよい。

【0099】図2及び図3においては、上記のほか、T
FT30の下側に、下側遮光膜11aが設けられてい
る。下側遮光膜11aは、格子状にパターニングされて
おり、これにより各画素の開口領域を規定している。な
お、開口領域の規定は、図2中Y方向に延びるデータ線
6aと図2中X方向に延びる容量線300とが相交差し
て形成されることによっても、なされている。また、下
側遮光膜11aについても、前述の容量線300の場合
と同様に、その電位変動がTFT30に対して悪影響を
及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲
に延設して定電位源に接続するとよい。

【0100】また、TFT30下には、下地絶縁膜12
が設けられている。下地絶縁膜12は、下側遮光膜11
aからTFT30を層間絶縁する機能のほか、TFTア
レイ基板10の全面に形成されることにより、TFTア
レイ基板10の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残
る汚れ等で画素スイッチング用のTFT30の特性変化
を防止する機能を有する。

【0101】加えて、走査線330a上には、高濃度ソ
ース領域1dへ通じるコンタクトホール81及び高濃度
ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83がそれ
ぞれ開孔された第1層間絶縁膜41が形成されている。

【0102】第1層間絶縁膜41上には、中継層71、
及び容量線300が形成されており、これらの上には高
濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール81及び
中継層71へ通じるコンタクトホール85がそれぞれ開
孔された第2層間絶縁膜42が形成されている。

【0103】なお、本実施形態では、第1層間絶縁膜4
1に対しては、約1000℃の焼成を行うことにより、
半導体層1aや走査線330aを構成するポリシリコン
膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第
2層間絶縁膜42に対しては、このような焼成を行わな
いことにより、容量線300の界面付近に生じるストレ
スの緩和を図るようにしてもよい。

【0104】第2層間絶縁膜42上には、データ線6a
が形成されており、これらの上には中継層71へ通じる
コンタクトホール85が形成された第3層間絶縁膜43
が形成されている。

【0105】第3層間絶縁膜43の表面は、CMP(Ch
emical Mechanical Polishing)処理等により平坦化さ
れており、その下方に存在する各種配線や素子等による
段差に起因する液晶層50の配向不良を低減する。

【0106】ただし、このように第3層間絶縁膜43に
平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、TFTアレ
イ基板10、下地絶縁膜12、第1層間絶縁膜41及び
第2層間絶縁膜42のうち少なくとも一つに溝を掘っ
て、データ線6a等の配線やTFT30等を埋め込むこ
とにより、平坦化処理を行ってもよい。

【0107】以上説明したような構成となる本実施形態
の電気光学装置によれば、上述したように、走査線33
0aが、幅広部331a及び幅狭部332aを有すると
ともに、前記幅広部331aがTFT30のチャネル領
域1a´に対向するように設けられることから、TFT
30と走査線330aとの配置態様の調整・決定を容易
になしうる。

【0108】例えば、既に説明を加えた図2における、
TFT30及び走査線330aの配置関係は、TFT3
0のチャネル領域1a´に対する光入射を効果的に防止
するという要請に応えうる好適な配置関係の一例を示す
ものであるが、その他にも例えば、図5及び図6等に示
すような配置関係を実現することができる。ここに、図
5は、図2と同趣旨の図であるが、当該図とはTFT及
び走査線の配置関係が異なる態様となるもの、図6は、
図4と同様に、図5に示す走査線の形状パターンのみを
示す図である。

【0109】図5及び図6おいては、走査線330a
´、より正確には、その幅狭部332a´は、走査線3
30a´を挟んで相隣接する画素電極9a間を縫って延
びる長手状の第1間隙の中央よりもずれた位置に形成さ
れている。そして、幅広部331a´は、図5又は図6
中Y方向における上方にのみ突出した形として形成され
ている。なお、チャネル領域1a´の配置位置、すなわ
ち幅広部331a´の配置位置は、図2と異ならない。

【0110】このような配置関係となる場合、まず第1
に、表示画像の品質向上を図ることができる。これは以
下の事情による。すなわち、本実施形態に係る電気光学
装置では、上述したように、画素電極9a上に配向膜1
6が設けられているが、この配向膜16の表面には一般
に、該配向膜16下に形成される各種構成要素の「高
さ」に起因した凹凸が存在する場合がある。ここにいう
「各種構成要素」の中には、本形態に係る走査線330
´aも含まれる。図7は、図5におけるB−B’線に沿
った断面図を示しており、該走査線330a´の幅狭部
332a´の「高さ」に起因した凸部501が、配向膜
16上に形成されている様子が示されている。

【0111】しかしながら、このような凸部501が生
じると、配向膜16に対して実施される上述したラビン
グ処理にムラを生じさせるおそれがある。このムラは、
液晶の配向不良等を招来し、電気光学装置の動作不良の
原因となる場合がある。したがって、従来においては、
上述のような凸部501付近に、遮光膜を設けることで
入射光を遮蔽すること、すなわち、当該遮光膜に到達し
た入射光は、該遮光膜により反射又は吸収されることで
画像表示に寄与しないこと等が行われていた。

【0112】この際問題となるのは、画素開口率の向上
という要請を満たしながら、上述の遮光膜を設けなけれ
ばならないことにある。すなわち、凸部501に対応す
るように、ただ単に遮光膜を設けるのでは、徒に画素開
口率を低下させることになり、画像の明るさを損なう。
といって、凸部501のごく一部にだけ遮光膜を設ける
のでは、十分な遮光を行うことができずコントラスト比
の低下を招くことになるほか、該凸部501における前
記ムラの影響を受けて、電気光学装置の動作不良等を招
くことになる。

【0113】ここで、本実施形態では、凸部501に上
述したようなムラが生じること、より進んで、前記凸部
501において、ラビングの擦り上げ(すなわち、凸部
501を登る方向)に係る部分(図7における符号50
1a。以下「擦り上げ部501a」と称す。)と擦り下
げ(すなわち、凸部501を下る方向)に係る部分(図
7における符号501b。以下「擦り下げ部501b」
と称す。)とでは、前記ムラの程度に差があることに着
目する。

【0114】より具体的には、例えば、前記擦り上げ部
501aの方が、前記擦り下げ部501bよりも、前記
ムラが生じにくいこと、つまり、擦り下げ部501bの
方が、液晶の配向不良等を招来する可能性が高いことに
着目する。

【0115】ここで、本実施形態においては、図5にお
ける走査線330a´方向に隣接する幅狭部332a´
が、画素電極間9a間の中央(図7における二点鎖線参
照)から外れた位置に形成されていることが意味を帯び
る。すなわち、幅狭部332a´を図7に示すような位
置に形成することによれば、該幅狭部332a´に起因
する凸部501の頂点501Pもまた、隣接する画素電
極間9a間の中央から外れた位置に形成されることにな
り、このことは、当該第1間隙に対応する領域上に、当
該凸部501のほぼ半斜面だけを存在させるような構成
を採ること、すなわち該領域上に、前記擦り下げ部50
1bだけを存在させるような構成を採ることが可能であ
ることを意味する。そして、この場合において、遮光性
の容量線300及び中継層71を、図7に示すように、
前記隣接する画素電極間9a間に対応するように設けれ
ば、前記擦り下げ部501bだけを有効に遮光するこ
と、つまりムラの影響が最も生じると考えられる凸部5
01の当該部分を有効に遮光することが可能となるので
ある。

【0116】以上の結果、本形態によれば、ムラの影響
による電気光学装置の動作不良等を生じさせることが殆
どなく、また、ムラの影響がより生じにくいと考えられ
る凸部501aの擦り上げ部501aは、画像表示に寄
与する光を透過可能のままにしておくことになるから、
画素開口率の向上、すなわち画像は明るいままこれを維
持することが可能となるのである。結局、本形態によれ
ば、以上述べたような意味において、表示画像の品質向
上が図られることになるのである。

【0117】また、幅狭部332a´を、第1間隙の中
央よりもずれた位置に形成することによれば、第2に、
電気光学装置の設計の自由度を向上すること、また、T
FT30に対する光入射をより効果的に防止することが
できる。これは以下の事情による。

【0118】すなわち、本形態における幅狭部332a
´は、隣接する画素電極9a間の第1間隙を縫うように
は存在するが、その中央には存在しない。このため例え
ば、第1間隙の領域中、幅狭部332a´が設けられて
いない領域を利用することにより、平面的にみて、該幅
狭部332a´に平行に該幅狭部332a´と同一膜か
ら構成された容量線300等の他の配線を配線すること
が可能となる。すなわち、設計の自由度が増大するので
ある。

【0119】また、上述のような場合に、幅狭部332
a´は中央線からはずれているものの、幅広部331a
´はその幅広の程度を調整することにより、例えば、一
方側のみを幅広に広げたり、一方側を大きく幅広に且つ
他方側を小さく幅広にすることで、ゲート電極としての
幅広部331a´を、間隙の中央に配置させることが可
能となる。本形態においては、図5及び図6に示すよう
に、幅広部331a´は、一方側のみに広げられている
ことがわかる。このように、走査線330a´の位置に
よらずにゲート電極の配置を遮光性を高めるのに都合の
良い位置に配置できるので、或いはゲート電極の配置を
遮光性を高めるのに都合の良い位置に配置しながら、走
査線330a´の配置を間隙内における任意の位置に配
置できるので、最終的には、走査線330a´の配置を
含めた配線配置の自由度を高めつつ遮光性が本質的に高
いTFT30を実現できるのである。

【0120】要するに、図5及び図6に示す形態によれ
ば、表示画像の品質向上、設計の自由度向上及びTFT
30における光リーク電流の低減等の要請を達成しなが
ら、チャネル領域1a´ないしTFT30と、ゲート電
極ないし走査線330a´との配置関係を好適に調整・
決定することができることになる。

【0121】以上述べたように、本実施形態に係る電気
光学装置によれば、走査線がゲート電極としての幅広部
及び幅狭部を有することにより、上述した各種要請や電
気光学装置それ自体の高精細化といった一般的要請等に
応えながら、チャネル領域ないしTFTと、ゲート電極
ないし走査線との配置関係を好適に調整・決定すること
ができるのである。

【0122】(第2実施形態)以下では、本発明の第2
の実施形態について、図8乃至図11を参照しながら説
明する。ここに図8及び図10はそれぞれ、図2と同趣
旨の図であって、同図とはTFTアレイ基板10上に溝
が形成されている点及び該溝内に走査線の少なくとも一
部が埋め込まれている点等について異なる態様を示すも
のであり、図9及び図11はそれぞれ、第2実施形態に
係る走査線の幅狭部における形態について、その断面の
様子とともに示す斜視図である(図9は、図8に対応し
ており、図8中におけるZ1‐Z1´線での断面が、図
9中におけるZ1‐Z1´断面に対応している。また、
図11は、図10に対応しており、図10中におけるZ
2‐Z2´線での断面が、図9中におけるZ2‐Z2´
断面に対応している。)。また、図12は、図10のT
−T´断面図である。なお、第2実施形態の電気光学装
置の基本的な構成及び作用等は上記第1実施形態と同様
であるので、以下では、第2実施形態において特徴的な
部分について主に説明を加えることとする。また、図8
及び図12で使用する符号は、実質的に同一の要素を指
し示す場合においては、前述までに参照した図1乃至図
7において使用した符号と同一のものを使用することと
する。

【0123】まず、第2実施形態の一態様では、図8及
び図9に示すように、TFTアレイ基板10に走査線方
向に沿って溝3G1が形成されている。この溝3G1
は、TFT30の半導体層1aが形成されている領域を
除いて形成されている。これにより、溝3G1は、それ
のみに着目すると、平面視してマトリクス状に配列され
るように形成されていることになる(図8参照)。そし
て、走査線340aは、その幅狭部342aがこの溝3
G1内にいわば完全に埋め込まれるようにして形成され
ている(図9参照)。

【0124】他方、第2実施形態の他の態様では、図1
0及び図11に示すように、前記溝3G1と略同様に、
TFTアレイ基板10上に溝3G2が形成されている。
ただし、この溝3G2は、前記溝3G1に比べて、若干
狭く形成することが好ましい。そして、走査線350a
は、その幅狭部352aがこの溝3G2に沿って形成さ
れている。幅狭部352aは、その一部が溝3G2内に
埋め込まれた埋め込み部352aBと、該埋め込み部3
52aBと平行して延在し溝3G2に埋め込まれない非
埋め込み部352aNBとを有している。このうち非埋
め込み部352aBは、TFTアレイ基板10の表面上
に形成されることになる。

【0125】なお、第2実施形態の一態様及び他の態様
においては、図8及び図10に示すように、TFTアレ
イ基板10にデータ線方向に沿って溝6G1が形成され
ている。そして、データ線6aは、この溝6G1内にい
わば完全に埋め込まれるようにして形成されている。加
えて、溝6G1には半導体層1aもいわば完全に埋め込
まれるようにして形成されている。

【0126】このような構成を擁する第2実施形態の電
気光学装置によれば、次のような作用効果が奏されるこ
ととなる。まず、走査線340a及び350aのいずれ
についても、溝3G1又は3G2にその全部又は一部が
埋め込まれていることから、図9及び図11に示すよう
に、この埋め込み部分においては、下地絶縁膜12と走
査線340a及び走査線350aの埋め込み部352a
Bの表面高さがほぼ同じで平坦性が維持されている。こ
れにより、当該走査線340a及び350aの上層とし
て形成される第1乃至第3層間絶縁膜41乃至43、或
いは画素電極9a及び配向膜16の平坦性も良好に確保
され得ることになる。したがって、第2実施形態によれ
ば例えば、配向膜16の表面には前記幅狭部342a又
は前記埋め込み部352aBに沿うような段差は殆ど生
じないから、該配向膜16に対するラビング処理を好適
に実施することができ、配向不良等を殆ど発生させるこ
とがなく、更には、該配向不良を原因とする光抜け及び
これに基づく画質劣化等をほとんど発生させることもな
いという作用効果が得られることになる。

【0127】このような作用効果は、溝6G1の存在に
より、データ線6aに沿う部分についても同様に得られ
る。

【0128】また、図10及び図11においては特に、
非埋め込み部352aNBが存在することにより、次の
ような作用効果が得られる。以下、これを詳しく説明す
る。

【0129】まず、本実施形態のような電気光学装置で
は、一般に、直流電圧印加による電気光学物質の劣化防
止、表示画像におけるクロストークやフリッカの防止な
どのために、各画素電極9aに印加される電圧極性を所
定規則で反転させる反転駆動方式が採用される場合があ
る。より具体的に、いわゆる「1H反転駆動方式」につ
いて説明すると、次のようである。

【0130】まず、図13(a)に示すように、n(但
し、nは自然数)番目のフィールド或いはフレームの画
像信号を表示する期間中には、画素電極9a毎に+又は
−で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、行毎に同一
極性で画素電極9aが駆動される。その後図13(b)
に示すように、n+1番目のフィールド或いは1フレー
ムの画像信号を表示するに際し、各画素電極9aにおけ
る液晶駆動電圧の極性は反転され、このn+1番目のフ
ィールド或いは1フレームの画像信号を表示する期間中
には、画素電極9a毎に+又は−で示す液晶駆動電圧の
極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極9aが駆
動される。そして、図13(a)及び図13(b)に示
した状態が、1フィールド又は1フレームの周期で繰り
返される。これが、1H反転駆動方式による駆動であ
る。この結果、直流電圧印加による液晶の劣化を避けつ
つ、クロストークやフリッカの低減された画像表示を行
える。尚、1H反転駆動方式によれば、後述する1S反
転駆動方式と比べて、図中縦方向(Y方向)のクロスト
ークが殆ど無い点で有利である。

【0131】ところが、図13(a)及び図13(b)
から分かるように、1H反転駆動方式では、図中縦方向
(Y方向)に相隣接する画素電極9a間で横電界が発生
することになる。これらの図では、横電界の発生領域C
1は常時、Y方向に相隣接する画素電極9a間の間隙付
近となる。このような横電界が印加されると、相対向す
る画素電極と対向電極との間の縦電界(即ち、基板面に
垂直な方向の電界)の印加が想定されている電気光学物
質に対して、液晶の配向不良の如き電気光学物質の動作
不良が生じ、この部分における光抜け等が発生してコン
トラスト比が低下してしまうという問題が生じる。

【0132】これに対し、横電界が生じる領域を遮光膜
により覆い隠すことは可能であるが、これでは横電界が
生じる領域の広さに応じて画素の開口領域が狭くなって
しまうという問題点が生じる。特に、画素ピッチの微細
化により相隣接する画素電極間の距離が縮まるのに伴っ
て、このような横電界は大きくなるため、これらの問題
は電気光学装置の高精細化が進む程深刻化してしまう。

【0133】しかるに、第2実施形態中、前記の図10
及び図11に示す形態においては、非埋め込み部352
aNBの高さに起因した段差が、縦方向に相隣接する画
素電極9a(即ち、逆極性の電位が印加される相隣接す
る画素電極9a)の間に形成されることになる。この段
差の存在によれば、該段差上に配置された画素電極9a
の縁付近における縦電界を強めると共に横電界を弱める
ことが可能となる。より具体的には、図12に示すよう
に、段差430上に配置された画素電極9aの縁付近と
対向電極21との距離を段差430の高さの分だけ狭め
る。従って、図13に示した横電界の発生領域C1にお
いて、画素電極9aと対向電極21との間における縦電
界を強めることができるのである。そして、図12にお
いて、相隣接する画素電極9a間の間隙は一定であるた
め、間隙が狭まる程に強まる横電界の大きさも一定であ
る。よって、図13に示した横電界の発生領域C1にお
いて、縦電界をより支配的にすることにより、横電界に
よる液晶の配向不良を防止できるのである。更に、絶縁
膜からなる段差430の存在により、横電界の強度も弱
められると共に、横電界が存在する段差430に置き換
えられた分だけ横電界の影響を受ける液晶部分が減るの
で、当該横電界の液晶層50に対する作用を減ずること
ができる。

【0134】なお、上述では、1H反転駆動について説
明したが、本発明は、このような駆動方式に限定して適
用されるものではない。例えば、同一列の画素電極を同
一極性の電位により駆動しつつ、係る電圧極性を列毎に
フレーム又はフィールド周期で反転させる1S反転駆動
方式も、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可
能ならしめる反転駆動方式として用いられているが、本
発明は、これに対して適用可能である。更に、列方向及
び行方向の両方向に相隣接する画素電極間で、各画素電
極に印加される電圧極性を反転させるドット反転駆動方
式も開発されているが、本発明は、これに対しても適用
することが可能であることは言うまでもない。

【0135】なお、第2実施形態においては、幅狭部3
42a及び352aが、図2に示したように、相隣接す
る画素電極9a間の第1間隙の中央を縫うようにして形
成されている態様について説明したが、本発明は、この
ような形態に限定されるものではない。すなわち、図5
及び図6に示したように、幅狭部を前記第1間隙の中央
から外れた位置に延在するように形成する態様におい
て、図8から図11に示したような溝3G1又は3G2
を併せもつ形態としてよい。このようなものとしては例
えば、図14及び図15に示すような形態を採用するこ
とが可能である。ここに図14は、図2と同趣旨の図で
あって、同図とはTFTアレイ基板10上に溝が形成さ
れている点及び走査線の幅狭部が第1間隙の中央から外
れて形成されている点等について異なる態様を示すもの
であり、図15は、図14のT−T´断面図である。

【0136】図14において、走査線360aは、図5
及び図6と比べて、幅狭部362aが相隣接する画素電
極9a間を縫って延びる長手状の第1間隙の中央よりも
ずれた位置に形成されている点は同じであるが、幅狭部
362aがTFTアレイ基板10上に形成された溝3G
1´に沿って形成されている点、また、幅広部361a
が、図14中下方にのみ突出した形として形成されてい
る点が異なっている。これにより、当該走査線360a
の幅狭部362aは、第1間隙の中央からみて図中上方
よりに形成されることとなり、したがって、該幅狭部3
62aは、画素電極9aと中継層71とを接続するため
のコンタクトホール85の直下に位置するように形成さ
れることになる。なお、この幅狭部362aは、溝3G
1´内に完全に埋め込まれるようにして形成されてい
る。

【0137】このような構成によると、図15に示され
るように、コンタクトホール85は、溝3G1´内に埋
め込まれて形成された走査線360aの上に形成される
ことになる。言い換えると、コンタクトホール85は、
走査線360aの高さに起因した段差が殆ど生じていな
い第3層間絶縁膜43の表面を前提として形成すること
が可能となる。

【0138】ちなみに、このような図14及び図15に
示す形態においては特に、コンタクトホール85の形成
を比較的容易且つ確実に行うことができるという利点が
得られる。すなわち、仮に幅狭部ないし走査線の高さに
起因する段差が第3層間絶縁膜43の表面に現れる場合
を仮定すると、コンタクトホール85の形成は、当該段
差の頂上或いはその稜面上に対して行わなければならな
いという不具合を被る可能性がある。本形態では、この
ような不利益を被らなくて済むのである。

【0139】このような作用効果は、次のような観点か
ら捉えることもできる。すなわち、第2実施形態におい
ては、走査線の全部又は一部が溝内に埋め込まれること
により、該走査線の高さを起因とした段差が各層間絶縁
膜の表面上には殆ど生じないことになるから、走査線の
形成位置、或いは延在位置について特に注意を払う必要
がない、換言すれば、走査線方向の隣接する画素電極間
であればどこに形成してもよいということができるので
ある。走査線の形成位置、或いは延在位置を自由に選択
し、且つその上にコンタクトホール等を形成する場合で
あっても、上述のように、該コンタクトホール等の形成
は、前記段差が存在しないことにより、比較的容易且つ
確実に行うことができるからである。

【0140】なお、幅狭部が埋め込み部及び非埋め込み
部からなる場合においては、そのうちの埋め込み部側が
コンタクトホール85の直下に位置するように、溝を形
成すると好ましい。前述した図12は、このような形態
の一例に該当する。

【0141】(第3実施形態)以下では、本発明の第3
の実施形態について、図16乃至図19を参照しながら
説明する。ここに図16は、図2と同趣旨の図であっ
て、同図とはデータ線の形態が異なるものを示す図であ
り、図17は図16のP−P´断面図であり、図18は
図16のQ−Q´断面図であり、図19は図16のR−
R´断面図である。なお、第3実施形態の電気光学装置
の基本的な構成及び作用等は上記第1実施形態と同様で
あるので、以下では、第3実施形態において特徴的な部
分について主に説明を加えることとする。また、図16
乃至図19で使用する符号は、実質的に同一の要素を指
し示す場合においては、前述までに参照した図1乃至図
15において使用した符号と同一のものを使用すること
とする。

【0142】第3実施形態では、図16乃至図19に示
すように、データ線6a1は、TFT30に重なる部分
が局所的に幅広に形成された幅広部6aWを備えてい
る。そして、容量線300におけるデータ線6a1に沿
って延びる部分、すなわち突出部302の幅W1は、第
一に、データ線6a1における幅広部6aW以外の部分
の幅W2´より広く形成されている(特に、図17参
照)。そして第二に、該突出部302の幅W1は、デー
タ線6a1における幅広部6aWの幅W6とほぼ同一に
形成されている(図18参照)。半導体層1aのチャネ
ル領域1a´は、この幅広部6aWの幅方向のほぼ中央
に位置するとともに、走査線3aの幅方向のほぼ中央に
位置する。さらに、第3実施形態では、図16或いは図
18及び図19に示すように、データ線6a1の幅広部
6aWは、マトリクス状に配列されたTFT30ごと
に、該TFT30に重なる部分から該TFT30の半導
体層1aとデータ線6aとを接続するコンタクトホール
81が設けられた部分まで連続している。加えて、第3
実施形態では、図17乃至図19に示すように、対向基
板20上に遮光膜23が形成されている。そして、この
遮光膜23の一本一本の格子の幅WSは、前記の幅広部
6aWよりも大きくされている。

【0143】このような構成となる第3実施形態の電気
光学装置では、次のような作用効果が得られることにな
る。すなわち、第一に、TFT30上には、いずれも幅
広に形成されたデータ線6a1の幅広部6aW及び容量
線300の突出部302が存在することにより、いわば
二重の遮光作用が得られることになる。したがって、T
FT30のチャネル領域1a´に対する光入射は、前記
の実施形態にも増して生じ難く、よって、光リーク電流
も発生し難い。

【0144】特に、第3実施形態においては、TFT3
0上に、このような容量線300に重ねて、データ線6
aの幅広部6aWもまた存在する。この場合、TFT3
0上では、これらの透過率の積算値に該当する遮光性能
を得ることができる。また、半導体層1aのチャネル領
域1a´は、幅広部6aWの幅方向のほぼ中央に位置す
るとともに、走査線3aの幅方向のほぼ中央に位置する
ことから、遮光性能はよりよく享受できる。

【0145】第二に、このような優れた遮光性能に関連
して更に、第3実施形態においては、上述のように、容
量線300の突出部302の幅W1及びデータ線6aの
幅広部6aWの幅W6は、対向基板20上の遮光膜23
の幅WSよりも小さく(即ち、WS<W1、WS<W
6)されている。これによると、TFT30の上方から
入射する光は、まず、遮光膜23で遮られるか、或いは
これを通過しても、次なるデータ線6aの幅広部6aW
で遮られる。更に、入射光が、この幅広部6aWを通過
しても、次なる容量線300の突出部302によって遮
られることになる。要するに、第3実施形態において
は、三重の遮光が実現されることになるから、TFT3
0に対する光入射は更に生じ難い状況にある。

【0146】更に第三に、第3実施形態では、データ線
6aの幅広部6aWが、マトリクス状に配列されたTF
T30ごとに、TFT30に重なる部分からコンタクト
ホール81に至るまで連続して形成されている。ここ
で、このコンタクトホール81は、前述のようにTFT
30の半導体層1aとデータ線6aとを接続するために
設けられているから、当該部分においては、容量線30
0を形成することができないが、第3実施形態では、こ
のコンタクトホール81の形成部位において、TFT3
0の上方と同様に、データ線6aの幅広部6aWが存在
している。したがって、容量線300を形成することが
できない分、被り得る遮光性能の低下は、この幅広部6
aWの存在によって補うことが可能となる。ちなみに、
第3実施形態のように、TFT30上及びコンタクトホ
ール81の形成部位の幅広部6aを連続するように形成
する態様によれば、幅広部6aWの形成領域をむやみに
広げないで済むので、内面反射を増大させない観点から
好ましい。

【0147】以上のように、第3実施形態においては、
各種の作用効果が相俟って、チャネル領域1a´に対す
る光入射の可能性は極めて減退されており、TFT30
における光リーク電流発生、ひいては該光リーク電流を
起因とする画像上のフリッカ等の発生は有効に抑制され
ることになる。

【0148】(電気光学装置の全体構成)以上のように
構成された本実施形態に係る電気光学装置の全体構成
を、図20及び図21を参照して説明する。なお、図2
0は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要
素とともに対向基板20の側からみた平面図であり、図
21は図20のH−H´断面図である。

【0149】図20及び図21において、本実施形態に
係る電気光学装置では、TFTアレイ基板10と対向基
板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10
と対向基板20との間には、液晶層50が封入されてお
り、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表
示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられた
シール材52により相互に接着されている。

【0150】シール材52の外側の領域には、データ線
6aに画像信号を所定のタイミングで供給することによ
り該データ線6aを駆動するデータ線駆動回路101及
び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一
辺に沿って設けられており、走査線3aに走査信号を所
定のタイミングで供給することにより、走査線3aを駆
動する走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する二
辺に沿って設けられている。

【0151】なお、走査線3aに供給される走査信号遅
延が問題にならないのならば、走査線駆動回路104は
片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ
線駆動回路101を画像表示領域10aの辺に沿って両
側に配列してもよい。

【0152】TFTアレイ基板10の残る一辺には、画
像表示領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路1
04間をつなぐための複数の配線105が設けられてい
る。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも一箇
所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20と
の間で電気的に導通をとるための導通材106が設けら
れている。そして、図21に示すように、図20に示し
たシール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が当
該シール材52によりTFTアレイ基板10に固着され
ている。

【0153】図21において、TFTアレイ基板10上
には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線
等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が
形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極
21のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。ま
た、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマテッィ
ク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間
で、所定の配向状態をとる。

【0154】なお、TFTアレイ基板10上には、これ
らのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等
に加えて、複数のデータ線6aに画像信号を所定のタイ
ミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線6
aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための
検査回路等を形成してもよい。

【0155】(電子機器の実施形態)次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに、図22は、投射型カラー表示装置の図式的
断面図である。

【0156】図22において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ1100
は、駆動回路がTFTアレイ基板上に搭載された液晶装
置を含む液晶モジュールを3個用意し、それぞれRGB
用のライトバルブ100R、100G及び100Bとし
て用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロ
ジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色
光源のランプユニット1102から投射光が発せられる
と、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロックミラ
ー1108によって、RGBの三原色に対応する光成分
R、G及びBに分けられ、各色に対応するライトバルブ
100R、100G及び100Bにそれぞれ導かれる。
この際特に、B光は、長い光路による光損失を防ぐため
に、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出
射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介
して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100
G及び100Bによりそれぞれ変調された三原色に対応
する光成分は、ダイクロックプリズム1112により再
度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリー
ン1120にカラー画像として投射される。

【0157】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可
能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、例え
ば、電気泳動装置やエレクトロルミネッセンス表示装置
や、それら電気光学装置を含む及び電子機器もまた、本
発明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図1】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図であ
る。

【図2】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるデ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図3】 図2のA−A´断面図である。

【図4】 図2に示す走査線の形状パターンのみを示す
平面図である。

【図5】 図2と同趣旨の図であって、当該図とは走査
線及びTFTの配置関係が異なる態様となるものを示す
図である。

【図6】 図5に示す走査線の形状パターンのみを示す
平面図である。

【図7】 図5のB−B’断面図である。

【図8】 図2と同趣旨の図であって、同図とはTFT
アレイ基板上に溝が形成されている点及び該溝内に走査
線が埋め込まれている点等について異なる態様を示すも
のである。

【図9】 図8に示す走査線の幅狭部の様子を示す断面
図である。

【図10】 図2と同趣旨の図であって、同図とはTF
Tアレイ基板上に溝が形成されている点及び該溝内に走
査線の一部が埋め込まれている点等について異なる態様
を示すものである。

【図11】 図10に示す走査線の幅狭部の様子を示す
断面図である。

【図12】 図10のT−T´断面図である。

【図13】 横電界の発生機構について説明するための
説明図である。

【図14】 図2と同趣旨の図であって、同図とはTF
Tアレイ基板上に溝が形成されている点及び走査線の幅
狭部が第1間隙の中央から外れて形成されている点等に
ついて異なる態様を示すものである。

【図15】 図14のT−T´断面図である。

【図16】 図2と同趣旨の図であって、同図とはデー
タ線の形態が異なるものを示す図である。

【図17】 図16のP−P´断面図である。

【図18】 図16のQ−Q´断面図である。

【図19】 図16のR−R´断面図である。

【図20】 本発明の実施形態の電気光学装置における
TFTアレイ基板を、その上に形成された各構成要素と
ともに対向基板の側から見た平面図である。

【図21】 図20のH−H´断面図である。

【図22】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。

【符号の説明】

1a…半導体層 1a´…チャネル領域 330a、330a´、340a、350a、360a
…走査線 331a、331a´、341a、351a、361a
…幅広部 332a、332a´、342a、352a、362a
…幅狭部 3G1、3G1´、3G2…溝 352aB…埋め込み部 352aNB…非埋め込み部 430…段差 9a…画素電極 10…TFTアレイ基板 16…配向膜 30…TFT 50…液晶層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/78 617K Fターム(参考) 2H092 GA13 GA26 GA29 GA30 GA59 HA04 JA24 JA25 JA38 JA42 JA46 JB05 JB23 JB26 JB32 JB35 JB51 JB53 JB54 JB56 JB63 JB64 JB68 KA04 KB25 MA01 MA13 MA17 NA07 NA11 NA17 NA25 PA02 PA06 PA09 RA05 3K007 BB06 CA00 DB03 GA00 5C094 AA25 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 EA05 FA01 5F110 AA30 BB02 CC02 DD02 DD03 DD05 DD21 EE09 EE24 EE28 EE37 GG02 GG12 GG13 GG15 HJ13 HL03 HM14 HM15 NN03 NN04 NN71 NN72 NN73 QQ16 QQ19

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、 一定の方向に延びる走査線及び該走査線に交差する方向
    に延びるデータ線と、 前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応して設け
    られた薄膜トランジスタと、 該薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極とを
    備え、 前記走査線は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域に
    対向する部分にゲート電極としての幅広部を有するとと
    もに他の部分に幅狭部を有していることを特徴とする電
    気光学装置。
  2. 【請求項2】 前記幅広部は、前記幅狭部から延設され
    て形成されている部分を含むことを特徴とする請求項1
    に記載の電気光学装置。
  3. 【請求項3】 前記幅広部は、前記幅狭部に接続されて
    形成されている部分を含むことを特徴とする請求項1又
    は2に記載の電気光学装置。
  4. 【請求項4】 前記走査線は、前記チャネル領域の延在
    する方向と交わる方向に延在しており、前記幅広部は、
    当該チャネル領域の延在する方向の一方又は両方に延在
    していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一
    項に記載の電気光学装置。
  5. 【請求項5】 前記画素電極は、マトリクス状の配列が
    なされてなり、前記チャネル領域は、平面的に見て前記
    走査線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長
    手状の第1間隙と、前記データ線を挟んで相隣接する画
    素電極間を縫って延びる長手状の第2間隙とが交わる交
    点領域内に形成されていることを特徴とする請求項1乃
    至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  6. 【請求項6】 前記幅狭部は、前記第1間隙の中央より
    もずれた位置に形成され、 前記幅広部は、前記交点領域内において前記第1間隙の
    中央に形成されていることを特徴とする請求項5に記載
    の電気光学装置。
  7. 【請求項7】 前記幅広部は、前記交点領域内において
    前記第2間隙の中央に形成されていることを特徴とする
    請求項6に記載の電気光学装置。
  8. 【請求項8】 前記基板には、前記走査線に沿って溝が
    掘られており、前記走査線は該溝内に直接又は層間絶縁
    膜を介して少なくとも部分的に埋め込まれていることを
    特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気
    光学装置。
  9. 【請求項9】 前記幅狭部は、前記溝内に埋め込まれて
    いるとともに前記走査線に沿って延びる埋め込み部分
    と、前記溝内に埋め込まれないとともに前記埋め込み部
    と並んで前記走査線に沿って延びる非埋め込み部分とを
    有し、 該非埋め込み部分の存在によって、前記画素電極の下地
    は、前記走査線に沿って盛り上がっていることを特徴と
    する請求項8に記載の電気光学装置。
  10. 【請求項10】 前記画素電極に接続されており蓄積容
    量を構成する画素電位側容量電極と、 該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置され
    ており前記蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含
    む容量線とを更に備えてなり、 前記容量線は、前記走査線に沿って延びる本線部と前記
    データ線に沿って延びる部分とを有し、 前記容量線における前記データ線に沿って延びる部分の
    幅は、当該データ線の幅と同一又はより広く形成されて
    いることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に
    記載の電気光学装置。
  11. 【請求項11】 前記データ線は、前記薄膜トランジス
    タに重なる部分が局所的に幅広に形成されており、 前記容量線における前記データ線に沿って延びる部分の
    幅は、 前記データ線における幅広に形成されていない部分の幅
    より広く且つ前記データ線における前記幅広に形成され
    た部分の幅と同一に形成されていることを特徴とする請
    求項10に記載の電気光学装置。
  12. 【請求項12】 前記データ線は、前記薄膜トランジス
    タに重なる部分が局所的に幅広に形成されており、 前記容量線における前記データ線に沿って延びる部分の
    幅は、 前記データ線における幅広に形成されていない部分の幅
    より広く且つ前記データ線における前記幅広に形成され
    た部分の幅より狭く形成されていることを特徴とする請
    求項10に記載の電気光学装置。
  13. 【請求項13】 前記容量線は、前記薄膜トランジスタ
    と前記データ線との間の積層位置に配置されており、 前記データ線は、前記薄膜トランジスタに重なる部分に
    加えて、前記薄膜トランジスタとの接続用のコンタクト
    ホールが設けられた部分が、幅広に形成されていること
    を特徴とする請求項11又は12に記載の電気光学装
    置。
  14. 【請求項14】 前記データ線は、前記薄膜トランジス
    タごとに、前記薄膜トランジスタに重なる部分から前記
    コンタクトホールが設けられた部分までが連続して幅広
    に形成されていることを特徴とする請求項11又は12
    に記載の電気光学装置。
  15. 【請求項15】 前記基板に電気光学物質を介して対向
    配置された他の基板と、 該他の基板上に形成された遮光膜とを更に備えてなり、 前記データ線及び前記容量線における前記データ線に沿
    って延びる部分の幅は、前記遮光膜の幅よりも狭いこと
    を特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の
    電気光学装置。
  16. 【請求項16】 請求項1乃至15のいずれか一項に記
    載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子
    機器。
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TW91137174A TWI259303B (en) 2002-01-07 2002-12-24 Electro-optical device and electronic apparatus
CN 03100218 CN1216316C (zh) 2002-01-07 2003-01-06 电光装置及电子设备
KR20030000563A KR100516250B1 (ko) 2002-01-07 2003-01-06 전기 광학 장치 및 전자 기기
US11/290,589 US7502079B2 (en) 2002-01-07 2005-12-01 Electro-optical device and electronic apparatus
US12/320,647 US7859603B2 (en) 2002-01-07 2009-01-30 Electro-optical device and electronic apparatus

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TW (1) TWI259303B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7554120B2 (en) 2006-08-24 2009-06-30 Seiko Epson Corporation Circuit board for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7583329B2 (en) 2007-02-01 2009-09-01 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, electro-optical device and electronic apparatus
US7616275B2 (en) 2007-02-07 2009-11-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
US7830465B2 (en) 2007-09-10 2010-11-09 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7839461B2 (en) 2007-02-16 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, method of manufacturing the same, electro-optical device and electronic apparatus
US7910926B2 (en) 2007-08-28 2011-03-22 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2011133604A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
US8129807B2 (en) 2008-09-25 2012-03-06 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US8168982B2 (en) 2006-07-24 2012-05-01 Seiko Epson Corporation Substrate for electro-optical device with light shielding section having various widths, electro-optical device, and electronic apparatus

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4071652B2 (ja) * 2002-03-04 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 有機el発光表示装置
JP3958306B2 (ja) * 2003-09-02 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4055764B2 (ja) * 2004-01-26 2008-03-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101056013B1 (ko) * 2004-08-03 2011-08-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100685427B1 (ko) * 2004-11-26 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20060070346A (ko) * 2004-12-20 2006-06-23 삼성전자주식회사 표시 장치
US8167393B2 (en) * 2005-01-14 2012-05-01 Cabot Corporation Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same
WO2008136158A1 (ja) * 2007-04-24 2008-11-13 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置用基板、表示装置及び配線基板
KR101596963B1 (ko) * 2009-09-29 2016-02-23 엘지디스플레이 주식회사 입체영상표시장치
JP5919636B2 (ja) * 2011-04-01 2016-05-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法
US9468906B2 (en) 2012-03-02 2016-10-18 Basf Se Porous inorganic body
JP6701777B2 (ja) * 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
CN107479295B (zh) * 2017-08-21 2020-05-15 武汉天马微电子有限公司 显示面板、制作显示面板的方法及显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4239346A (en) * 1979-05-23 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Compact liquid crystal display system
JP2622183B2 (ja) * 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
JP2825715B2 (ja) 1992-10-06 1998-11-18 シャープ株式会社 化合物半導体ウエハの製造方法
US5610739A (en) 1994-05-31 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels
TW321731B (ja) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
US5831694A (en) * 1995-06-14 1998-11-03 Hitachi, Ltd. TFT panel for high resolution- and large size- liquid crystal display
TW479151B (en) * 1996-10-16 2002-03-11 Seiko Epson Corp Substrate for liquid crystal device, the liquid crystal device and projection-type display
JP3092623B1 (ja) 1999-07-16 2000-09-25 松下電器産業株式会社 炭酸ガスの回収トラップ容器
JP2001209070A (ja) 2000-01-27 2001-08-03 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP3979010B2 (ja) 2000-03-17 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びプロジェクタ
JP3596471B2 (ja) 2000-03-27 2004-12-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、その製造方法および電子機器
WO2001081994A1 (fr) 2000-04-21 2001-11-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique, affichage par projection et procede de fabrication dudit dispositif electro-optique
JP3731447B2 (ja) 2000-06-15 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法
KR100684580B1 (ko) 2000-07-12 2007-02-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8168982B2 (en) 2006-07-24 2012-05-01 Seiko Epson Corporation Substrate for electro-optical device with light shielding section having various widths, electro-optical device, and electronic apparatus
US7554120B2 (en) 2006-08-24 2009-06-30 Seiko Epson Corporation Circuit board for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7583329B2 (en) 2007-02-01 2009-09-01 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, electro-optical device and electronic apparatus
US7616275B2 (en) 2007-02-07 2009-11-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
US7839461B2 (en) 2007-02-16 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Electro-optical device substrate, method of manufacturing the same, electro-optical device and electronic apparatus
US7910926B2 (en) 2007-08-28 2011-03-22 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7830465B2 (en) 2007-09-10 2010-11-09 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US8129807B2 (en) 2008-09-25 2012-03-06 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2011133604A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器

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