JP2003261655A - ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
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- C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境酸素によるドーピングを起こしにくく、
溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを
用いたデバイスを提供する。 【解決手段】 下記式のポリチオフェンを含むエレクト
ロニックデバイスである。 【化１】 式中、Ｒは側鎖を示し、ｍは置換基Ｒの数を示し、Ａは
二価結合基であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれモノマー
セグメント中における、Ｒｍ置換チエニレン、非置換チ
エニレン、及び二価結合基Ａの数を示し、ｚは０又は１
であり、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメント
の数又は重合度を示す。
溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを
用いたデバイスを提供する。 【解決手段】 下記式のポリチオフェンを含むエレクト
ロニックデバイスである。 【化１】 式中、Ｒは側鎖を示し、ｍは置換基Ｒの数を示し、Ａは
二価結合基であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれモノマー
セグメント中における、Ｒｍ置換チエニレン、非置換チ
エニレン、及び二価結合基Ａの数を示し、ｚは０又は１
であり、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメント
の数又は重合度を示す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的に、ポリチオ
フェン類とその使用に関する。より詳細には、本発明は
実施の形態において、特定の繰り返しチエニレン単位が
アルキルなどの側鎖を持ち、この側鎖がポリチオフェン
主鎖上に位置規則性（レジオレギュラ：regioregular）
に配列したポリチオフェン類であって、例えば薄膜電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）の活性半導体材料として有
用なポリチオフェン類に関する。
フェン類とその使用に関する。より詳細には、本発明は
実施の形態において、特定の繰り返しチエニレン単位が
アルキルなどの側鎖を持ち、この側鎖がポリチオフェン
主鎖上に位置規則性（レジオレギュラ：regioregular）
に配列したポリチオフェン類であって、例えば薄膜電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）の活性半導体材料として有
用なポリチオフェン類に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性半導
体材料として有用な、ある種のポリチオフェン類などの
半導体ポリマーが報告されている。これらのポリマーの
多くは有機溶媒に多少の溶解度を持つため、スピンコー
ティング、溶液キャスティング、浸漬塗布、スクリーン
印刷、スタンプ印刷、ジェット印刷等の溶液処理によっ
てＴＦＴ内の半導体チャネル層に加工することができ
る。通常の溶液処理によって加工できることは、水素化
アモルファスシリコンＴＦＴなどのシリコンベースのデ
バイスに特有なコストの高い従来のフォトリソグラフ処
理に比べ、その製造をより簡単かつ低コストにする。更
に、ポリマーＴＦＴと呼ばれる、優れた機械的耐久性と
構造可撓性とを備えた、ポリチオフェン類などのポリマ
ー材料から作られたトランジスタが望まれている。プラ
スチック基板上の可撓性ＴＦＴの製造のためには、優れ
た機械的耐久性と構造可撓性が非常に望ましい。可撓性
ＴＦＴは、構造可撓性と機械的耐久性の特性を通常必要
とする電子的デバイスの設計を可能にすると考えられ
る。有機又はポリマートランジスタ要素と共にプラスチ
ック基板を用いれば、従来の堅牢なシリコンＴＦＴを、
機械的により頑丈で、構造可撓性のポリマーＴＦＴ設計
に代えることができる。後者は、大面積画像センサ、電
子ペーパー、その他の表示媒体など、大面積デバイスに
とって特に価値がある。また、スマートカード、無線周
波データキャリア（ＲＦＩＤ）タグ、メモリ／記憶デバ
イスなどの低価格のマイクロエレクトロニクス用の集積
回路論理素子にポリマーＴＦＴを用いると、その機械的
耐久性が大きく向上し、その使用可能寿命が長くなる。
しかし半導体ポリチオフェン類の多くは、周囲の酸素に
よって酸化的にドープされ、導電率が増大してしまうた
め空気に触れると安定ではないと考えられる。この結
果、これらの材料から製造したデバイスのオフ電流は大
きくなり、そのため電流オン／オフ比は小さくなる。従
ってこれらの材料の多くは、材料加工とデバイス製造の
間に環境酸素を排除して酸化的ドーピングを起こさな
い、あるいは最小とするよう厳重に注意しなければなら
ない。この予防措置は製造コストを押し上げるため、特
に大面積デバイスのための、アモルファスシリコン技術
に代わる経済的な技術としてのある種のポリマーＴＦＴ
の魅力が削がれてしまう。これら及びその他の欠点は、
本発明の実施の形態において回避され、あるいは最小と
なる。
体材料として有用な、ある種のポリチオフェン類などの
半導体ポリマーが報告されている。これらのポリマーの
多くは有機溶媒に多少の溶解度を持つため、スピンコー
ティング、溶液キャスティング、浸漬塗布、スクリーン
印刷、スタンプ印刷、ジェット印刷等の溶液処理によっ
てＴＦＴ内の半導体チャネル層に加工することができ
る。通常の溶液処理によって加工できることは、水素化
アモルファスシリコンＴＦＴなどのシリコンベースのデ
バイスに特有なコストの高い従来のフォトリソグラフ処
理に比べ、その製造をより簡単かつ低コストにする。更
に、ポリマーＴＦＴと呼ばれる、優れた機械的耐久性と
構造可撓性とを備えた、ポリチオフェン類などのポリマ
ー材料から作られたトランジスタが望まれている。プラ
スチック基板上の可撓性ＴＦＴの製造のためには、優れ
た機械的耐久性と構造可撓性が非常に望ましい。可撓性
ＴＦＴは、構造可撓性と機械的耐久性の特性を通常必要
とする電子的デバイスの設計を可能にすると考えられ
る。有機又はポリマートランジスタ要素と共にプラスチ
ック基板を用いれば、従来の堅牢なシリコンＴＦＴを、
機械的により頑丈で、構造可撓性のポリマーＴＦＴ設計
に代えることができる。後者は、大面積画像センサ、電
子ペーパー、その他の表示媒体など、大面積デバイスに
とって特に価値がある。また、スマートカード、無線周
波データキャリア（ＲＦＩＤ）タグ、メモリ／記憶デバ
イスなどの低価格のマイクロエレクトロニクス用の集積
回路論理素子にポリマーＴＦＴを用いると、その機械的
耐久性が大きく向上し、その使用可能寿命が長くなる。
しかし半導体ポリチオフェン類の多くは、周囲の酸素に
よって酸化的にドープされ、導電率が増大してしまうた
め空気に触れると安定ではないと考えられる。この結
果、これらの材料から製造したデバイスのオフ電流は大
きくなり、そのため電流オン／オフ比は小さくなる。従
ってこれらの材料の多くは、材料加工とデバイス製造の
間に環境酸素を排除して酸化的ドーピングを起こさな
い、あるいは最小とするよう厳重に注意しなければなら
ない。この予防措置は製造コストを押し上げるため、特
に大面積デバイスのための、アモルファスシリコン技術
に代わる経済的な技術としてのある種のポリマーＴＦＴ
の魅力が削がれてしまう。これら及びその他の欠点は、
本発明の実施の形態において回避され、あるいは最小と
なる。
【０００３】なお、薄膜トランジスタＴＦＴに用いられ
る有機半導体材料がいくつか例示されている（非特許文
献１から非特許文献３、特許文献１から特許文献５）。
る有機半導体材料がいくつか例示されている（非特許文
献１から非特許文献３、特許文献１から特許文献５）。
【０００４】
【非特許文献１】Ｄ．Ｊ．Ｇｕｎｄｌａｃｈらの“Ｐｅ
ｎｔａｃｏｎｅ ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ−ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒ
ｄｏｒｉｎｇ ａｎｄ ｍｏｂｉｌｉｔｙ”，ＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ． Ｖｏ
ｌ．１８， ｐ．８７（１９９７）
ｎｔａｃｏｎｅ ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ−ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒ
ｄｏｒｉｎｇ ａｎｄ ｍｏｂｉｌｉｔｙ”，ＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ． Ｖｏ
ｌ．１８， ｐ．８７（１９９７）
【非特許文献２】Ｆ．Ｇａｒｎｉｅｒらの“Ｍｏｌｅｃ
ｕｌａｒ ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｏｆ ｏｒｇａｎ
ｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：Ｄｅｓｉｇｎｏ
ｆ ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｉｎ ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ
ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ”，Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｖｏｌ．１１５，ｐ．８７１６（１９９３）
ｕｌａｒ ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｏｆ ｏｒｇａｎ
ｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：Ｄｅｓｉｇｎｏ
ｆ ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｉｎ ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ
ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ”，Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｖｏｌ．１１５，ｐ．８７１６（１９９３）
【非特許文献３】Ｚ．Ｂａｏらの“Ｓｏｌｕｂｌｅ ａ
ｎｄ ｐｒｏｃｅｓｓａｂｌｅｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａ
ｒ ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｆ
ｏｒ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｗ
ｉｔｈ ｈｉｇｈ ｍｏｂｉｌｉｔｙ”，Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６９，Ｐ．４１０８（１９
９６）
ｎｄ ｐｒｏｃｅｓｓａｂｌｅｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａ
ｒ ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｆ
ｏｒ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｗ
ｉｔｈ ｈｉｇｈ ｍｏｂｉｌｉｔｙ”，Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６９，Ｐ．４１０８（１９
９６）
【特許文献１】米国特許第６，１５０，１９１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，１０７，１１７号明細書
【特許文献３】米国特許第５，９６９，３７６号明細書
【特許文献４】米国特許第５，６１９，３５７号明細書
【特許文献５】米国特許第５，７７７，０７０号明細書
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴデバイスのよう
な超小型電子装置用途に用いることができ、さらに有機
溶媒に対してある程度の溶解性を有し溶液処理が可能で
あるポリチオフェン類などの有機半導体材料が未だ提供
されていない。
な超小型電子装置用途に用いることができ、さらに有機
溶媒に対してある程度の溶解性を有し溶液処理が可能で
あるポリチオフェン類などの有機半導体材料が未だ提供
されていない。
【０００６】また、酸素に対して強い耐光性を有し、比
較的高い電流オン／オフ非を示すエレクトロニックデバ
イスが望まれている。
較的高い電流オン／オフ非を示すエレクトロニックデバ
イスが望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の様々な代表的な
実施の形態を図１〜図４に示す。ここでは薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）構造体中のチャネル材料としてポリチオ
フェン類を用いている。
実施の形態を図１〜図４に示す。ここでは薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）構造体中のチャネル材料としてポリチオ
フェン類を用いている。
【０００８】本発明の特徴は、ＴＦＴデバイスのような
超小形電子デバイスの用途に有用な、ポリチオフェン類
などの半導体ポリマーの提供である。
超小形電子デバイスの用途に有用な、ポリチオフェン類
などの半導体ポリマーの提供である。
【０００９】本発明の別の特徴は、その薄膜の吸収スペ
クトルから求めたバンドギャップが約１．５〜約３ｅＶ
であるポリチオフェン類の提供であり、このポリチオフ
ェン類は、ＴＦＴ半導体チャネル層材料としての使用に
適する。
クトルから求めたバンドギャップが約１．５〜約３ｅＶ
であるポリチオフェン類の提供であり、このポリチオフ
ェン類は、ＴＦＴ半導体チャネル層材料としての使用に
適する。
【００１０】更にまた本発明の特徴は、超小形電子装置
の構成要素体として有用なポリチオフェン類の提供であ
り、このポリチオフェン類は、ジクロロメタン、テトラ
ヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ロベンゼン等の一般的な有機溶媒に適度な、例えば約
０.１重量％以上の溶解度を持ち、このためこれらの構
成要素体を、スピンコーティング、スクリーン印刷、ス
タンプ印刷、浸漬塗布、溶液キャスティング、ジェット
印刷等の溶液処理によって経済的に製造することができ
る。
の構成要素体として有用なポリチオフェン類の提供であ
り、このポリチオフェン類は、ジクロロメタン、テトラ
ヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ロベンゼン等の一般的な有機溶媒に適度な、例えば約
０.１重量％以上の溶解度を持ち、このためこれらの構
成要素体を、スピンコーティング、スクリーン印刷、ス
タンプ印刷、浸漬塗布、溶液キャスティング、ジェット
印刷等の溶液処理によって経済的に製造することができ
る。
【００１１】更に別の本発明の特徴は、ポリチオフェン
チャネル層を持ち、その層の導電率が約１０-6〜約１０
-9Ｓ／ｃｍ（ジーメンス／センチメートル）であるＴＦ
Ｔなどのエレクトロニックデバイスの提供である。
チャネル層を持ち、その層の導電率が約１０-6〜約１０
-9Ｓ／ｃｍ（ジーメンス／センチメートル）であるＴＦ
Ｔなどのエレクトロニックデバイスの提供である。
【００１２】また更に本発明の特徴は、ポリチオフェン
類とそれを用いたデバイスの提供であり、このデバイス
は酸素の悪影響に対して強い抵抗性を示し、すなわちこ
のデバイスは比較的高い電流オン／オフ比を示し、その
性能は実質的に、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフ
ェン−２,５−ジイル）などの位置規則性ポリチオフェ
ン類から製造した同様のデバイスのように急激に低下す
ることがない。
類とそれを用いたデバイスの提供であり、このデバイス
は酸素の悪影響に対して強い抵抗性を示し、すなわちこ
のデバイスは比較的高い電流オン／オフ比を示し、その
性能は実質的に、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフ
ェン−２,５−ジイル）などの位置規則性ポリチオフェ
ン類から製造した同様のデバイスのように急激に低下す
ることがない。
【００１３】また別の本発明の特徴は、特殊な構造的特
徴を持ち、これにより適当な加工条件下において分子が
自己配列し、またその構造的特徴がデバイス性能の安定
性をも向上させるようなポリチオフェン類の提供であ
る。適当な分子配列は、効率良く電荷キャリアを移動さ
せて高い電気的性能を得るために重要な、薄膜中のより
高次の分子構造配列を可能とする。
徴を持ち、これにより適当な加工条件下において分子が
自己配列し、またその構造的特徴がデバイス性能の安定
性をも向上させるようなポリチオフェン類の提供であ
る。適当な分子配列は、効率良く電荷キャリアを移動さ
せて高い電気的性能を得るために重要な、薄膜中のより
高次の分子構造配列を可能とする。
【００１４】より詳細には、本発明は下記化４の構造式
（Ｉ）で示される、又はこれに包含されるポリチオフェ
ン類に関するものである。
（Ｉ）で示される、又はこれに包含されるポリチオフェ
ン類に関するものである。
【００１５】
【化７】
式中、例えば、Ｒは側鎖であって、例えば、アルキルと
アルキル誘導体とを含み、アルキル誘導体は、アルコキ
シアルキル、シロキシ置換アルキル、パーフルオロなど
のパーハロアルキル、オリゴエチレンオキシドなどのポ
リエーテル、ポリシロキシ等であり、Ａは二価結合基で
あって、例えば、フェニレン、ビフェニレン、フェナン
トレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニ
レン、オリゴアリーレン、メチレン、ポリメチレン、ジ
アルキルメチレン、ジオキシアルキレン、ジオキシアリ
ーレン、オリゴエチレンオキシド等のアリーレンから成
る群より選ばれ、ｍは側鎖の数であって、例えば１又は
２であり、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｒ置換チエニレン及び
非置換チエニレン部分の数であり、ｚは二価結合基の数
であって、通常０又は１であり、Ｒ置換及び非置換チエ
ニレン部分と二価結合基との相対位置、及びｎはセグメ
ントの数を示す。モノマーセグメント中のＡは、構造式
（Ｉ）に示されるもの、つまり、例えば、ＴＦＴデバイ
スの半導体層として下記化５の構造式（II）に図示した
ポリチオフェン類（Ｉ）とは異なっても良い。
アルキル誘導体とを含み、アルキル誘導体は、アルコキ
シアルキル、シロキシ置換アルキル、パーフルオロなど
のパーハロアルキル、オリゴエチレンオキシドなどのポ
リエーテル、ポリシロキシ等であり、Ａは二価結合基で
あって、例えば、フェニレン、ビフェニレン、フェナン
トレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニ
レン、オリゴアリーレン、メチレン、ポリメチレン、ジ
アルキルメチレン、ジオキシアルキレン、ジオキシアリ
ーレン、オリゴエチレンオキシド等のアリーレンから成
る群より選ばれ、ｍは側鎖の数であって、例えば１又は
２であり、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｒ置換チエニレン及び
非置換チエニレン部分の数であり、ｚは二価結合基の数
であって、通常０又は１であり、Ｒ置換及び非置換チエ
ニレン部分と二価結合基との相対位置、及びｎはセグメ
ントの数を示す。モノマーセグメント中のＡは、構造式
（Ｉ）に示されるもの、つまり、例えば、ＴＦＴデバイ
スの半導体層として下記化５の構造式（II）に図示した
ポリチオフェン類（Ｉ）とは異なっても良い。
【００１６】
【化８】
式中、Ｒは側鎖であって、例えば、アルコキシアルキ
ル、シロキシ置換アルキル、パーフルオロなどのパーハ
ロアルキル、オリゴエチレンオキシドなどのポリエーテ
ル、ポリシロキシ誘導体、等のアルキル誘導体を含み、
ａは約０〜約５の整数（又は数）であり、ｂ、ｃ、及び
ｄは、約１〜約５の整数であり、ｎは重合度であって、
約５〜５，０００以上、より詳細には約１０〜約１，０
００とすることができ、このときこのポリチオフェン類
の、いずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマ
トグラフ法より求めた、数平均分子量（Ｍn）は、例え
ば、約２，０００〜約１０万、より詳細には約４，００
０〜５万であり、その重量平均分子量（Ｍw）は約４，
０００〜約５０万、より詳細には約５，０００〜約１０
万とすることができる。ポリチオフェン類（Ｉ）及び
（II）の側鎖の例としては、アルキル、アルコキシルア
ルキル、ポリエーテル鎖、パーハロアルキル、ポリシロ
キシ鎖等が挙げられ、アルキルは例えば、炭素数約１〜
約２５、より詳細には約４〜約１２（この範囲の数を全
て含む。例えば、４、５、６、７、８、９、１０、１
１、及び１２）の、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプ
チル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、それらの異性体、それらの混合物等であり、アルコ
キシアルキルは例えば、炭素数約２〜約３０の、例え
ば、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシペン
チル、メトキシヘキシル、メトキシヘプチル等であり、
ポリエーテル鎖はポリエチレンオキシドなどであり、パ
ーハロアルキルはパーフルオロアルキルなどであり、ポ
リシロキシ鎖はトリアルキルシロキシアルキル誘導体な
どである。
ル、シロキシ置換アルキル、パーフルオロなどのパーハ
ロアルキル、オリゴエチレンオキシドなどのポリエーテ
ル、ポリシロキシ誘導体、等のアルキル誘導体を含み、
ａは約０〜約５の整数（又は数）であり、ｂ、ｃ、及び
ｄは、約１〜約５の整数であり、ｎは重合度であって、
約５〜５，０００以上、より詳細には約１０〜約１，０
００とすることができ、このときこのポリチオフェン類
の、いずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマ
トグラフ法より求めた、数平均分子量（Ｍn）は、例え
ば、約２，０００〜約１０万、より詳細には約４，００
０〜５万であり、その重量平均分子量（Ｍw）は約４，
０００〜約５０万、より詳細には約５，０００〜約１０
万とすることができる。ポリチオフェン類（Ｉ）及び
（II）の側鎖の例としては、アルキル、アルコキシルア
ルキル、ポリエーテル鎖、パーハロアルキル、ポリシロ
キシ鎖等が挙げられ、アルキルは例えば、炭素数約１〜
約２５、より詳細には約４〜約１２（この範囲の数を全
て含む。例えば、４、５、６、７、８、９、１０、１
１、及び１２）の、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプ
チル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、それらの異性体、それらの混合物等であり、アルコ
キシアルキルは例えば、炭素数約２〜約３０の、例え
ば、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシペン
チル、メトキシヘキシル、メトキシヘプチル等であり、
ポリエーテル鎖はポリエチレンオキシドなどであり、パ
ーハロアルキルはパーフルオロアルキルなどであり、ポ
リシロキシ鎖はトリアルキルシロキシアルキル誘導体な
どである。
【００１７】ポリチオフェン類の具体例は、ｎが本件に
明示のものである。
明示のものである。
【００１８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【００１９】
【発明の実施の形態】実施の形態においてこのポリチオ
フェン類は、一般的な被覆用溶媒に可溶であり、例え
ば、実施の形態において、ジクロロメタン、１，２−ジ
クロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレ
ン、メシチレン、クロロベンゼン等の溶媒に約０．１重
量％以上、より詳細には約０．５〜約５重量％の溶解度
を持つ。更に、本発明の実施の形態のポリチオフェン類
をＴＦＴデバイスの半導体チャネル層に加工すると安定
した導電率となり、一般的な４プローブ伝導率測定法に
よれば、例えば、約１０-9〜約１０-6Ｓ／ｃｍ、より詳
細には約１０-8〜約１０-7Ｓ／ｃｍである。更に、ポリ
チオフェン類（II）は、後述の、ポリチオフェン（II-
e）の４本のポリマー鎖を図示した構造式IIIに示すよう
に、ポリチオフェン主鎖上に位置規則性に並んだ側鎖を
含んでいる。（II）に計画的に配置された側鎖は、側鎖
の適切な配列を促進し、薄膜中により高次の微小構造ド
メインを形成することができる。これらのポリチオフェ
ン類は、溶液から、例えば約１０〜約５００ｎｍの薄膜
に製造すると、密に積み重なったラメラ構造を形成し、
これは導電性で効率良く電荷キャリヤを移動すると考え
られる。（II）中に組み込まれた非置換チエニレン部分
は多少の回転自由度を持つため、酸化的ドーピングを十
分に抑制する程度にポリチオフェン系に広がるπ共役を
妨げる。従って、これらの材料は周囲条件下でより安定
であり、これらのポリチオフェン類から製造したデバイ
スは、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフェン−２，
５−ジイル）などの位置規則性ポリチオフェン類のもの
より機能的により安定である。保護しなくても、前述の
安定な材料とデバイスは通常数週間以上も安定である。
これに対し、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフェン
−２，５−ジイル）の場合、周囲の酸素に曝すと数日、
あるいは数時間で劣化してしまう。このように、本発明
の実施の形態のポリチオフェン類から製造したデバイス
は、高い電流オン／オフ比を持ち、その性能特性は実質
的に、材料調製、デバイス製造、及び評価の間に周囲の
酸素を排除するよう厳重な操作上の対策を講じなくと
も、ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）
のものほど急激には変化しない。実施の形態において本
発明のポリチオフェンは酸化的ドーピングに対して安定
であり、特に低コストデバイスの製造にとっては、通常
不活性雰囲気中で扱う必要がないためその加工がより単
純かつ低コストであり、その製造を大規模な製造工程に
応用することができる。
フェン類は、一般的な被覆用溶媒に可溶であり、例え
ば、実施の形態において、ジクロロメタン、１，２−ジ
クロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレ
ン、メシチレン、クロロベンゼン等の溶媒に約０．１重
量％以上、より詳細には約０．５〜約５重量％の溶解度
を持つ。更に、本発明の実施の形態のポリチオフェン類
をＴＦＴデバイスの半導体チャネル層に加工すると安定
した導電率となり、一般的な４プローブ伝導率測定法に
よれば、例えば、約１０-9〜約１０-6Ｓ／ｃｍ、より詳
細には約１０-8〜約１０-7Ｓ／ｃｍである。更に、ポリ
チオフェン類（II）は、後述の、ポリチオフェン（II-
e）の４本のポリマー鎖を図示した構造式IIIに示すよう
に、ポリチオフェン主鎖上に位置規則性に並んだ側鎖を
含んでいる。（II）に計画的に配置された側鎖は、側鎖
の適切な配列を促進し、薄膜中により高次の微小構造ド
メインを形成することができる。これらのポリチオフェ
ン類は、溶液から、例えば約１０〜約５００ｎｍの薄膜
に製造すると、密に積み重なったラメラ構造を形成し、
これは導電性で効率良く電荷キャリヤを移動すると考え
られる。（II）中に組み込まれた非置換チエニレン部分
は多少の回転自由度を持つため、酸化的ドーピングを十
分に抑制する程度にポリチオフェン系に広がるπ共役を
妨げる。従って、これらの材料は周囲条件下でより安定
であり、これらのポリチオフェン類から製造したデバイ
スは、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフェン−２，
５−ジイル）などの位置規則性ポリチオフェン類のもの
より機能的により安定である。保護しなくても、前述の
安定な材料とデバイスは通常数週間以上も安定である。
これに対し、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフェン
−２，５−ジイル）の場合、周囲の酸素に曝すと数日、
あるいは数時間で劣化してしまう。このように、本発明
の実施の形態のポリチオフェン類から製造したデバイス
は、高い電流オン／オフ比を持ち、その性能特性は実質
的に、材料調製、デバイス製造、及び評価の間に周囲の
酸素を排除するよう厳重な操作上の対策を講じなくと
も、ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）
のものほど急激には変化しない。実施の形態において本
発明のポリチオフェンは酸化的ドーピングに対して安定
であり、特に低コストデバイスの製造にとっては、通常
不活性雰囲気中で扱う必要がないためその加工がより単
純かつ低コストであり、その製造を大規模な製造工程に
応用することができる。
【００２０】
【化１３】
本発明のポリチオフェン類の調製は、スキーム１に描か
れた一般的な方法に従って、（IIIa）又は（IIIｂ）な
どの適切に組み立てられたオリゴチオフェンモノマーか
らのポリチオフェン（IV）の調製を参照して説明するこ
とができる。ポリチオフェン（IV）は、ポリチオフェン
（II）のａ＝０、ｂ＝ｄ＝１の場合である。モノマー
（IIIa）は、３−Ｒ−チエニル−２−マグネシウム＝ブ
ロミドと、５，５’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェ
ンとの反応から容易に得ることができる。モノマー（II
Ia）又は（IIIｂ）は、末端チエニレン単位上に計画的
に配置された側鎖を持つため、重合すると、生成するポ
リチオフェン（IV）は、その主鎖上に位置規則的に並ん
だ側鎖を有する。位置規則性カップリング反応が必要な
ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）など
の位置規則性ポリチオフェン類の調製とは異なり、本発
明のポリチオフェン類は、位置規則性の複雑さの無い通
常の重合法により調製できる。詳細には、ポリチオフェ
ン（IV）の調製には、（IIIa）のＦｅＣｌ3を介在させ
た酸化的カップリングを用いると良い。
れた一般的な方法に従って、（IIIa）又は（IIIｂ）な
どの適切に組み立てられたオリゴチオフェンモノマーか
らのポリチオフェン（IV）の調製を参照して説明するこ
とができる。ポリチオフェン（IV）は、ポリチオフェン
（II）のａ＝０、ｂ＝ｄ＝１の場合である。モノマー
（IIIa）は、３−Ｒ−チエニル−２−マグネシウム＝ブ
ロミドと、５，５’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェ
ンとの反応から容易に得ることができる。モノマー（II
Ia）又は（IIIｂ）は、末端チエニレン単位上に計画的
に配置された側鎖を持つため、重合すると、生成するポ
リチオフェン（IV）は、その主鎖上に位置規則的に並ん
だ側鎖を有する。位置規則性カップリング反応が必要な
ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）など
の位置規則性ポリチオフェン類の調製とは異なり、本発
明のポリチオフェン類は、位置規則性の複雑さの無い通
常の重合法により調製できる。詳細には、ポリチオフェ
ン（IV）の調製には、（IIIa）のＦｅＣｌ3を介在させ
た酸化的カップリングを用いると良い。
【００２１】
【化１４】
この重合は通常、クロロホルムなどの塩化物溶媒に溶解
した１モル等量の（IIIa）を、同じ塩化物溶媒に懸濁し
た約１〜約５モル当量の無水ＦｅＣｌ3に加えることに
より行う。得られた混合物を、乾燥空気気流中、あるい
は乾燥空気の泡をゆっくり反応混合物中に通しながら、
約２５〜約６０℃の温度で、約３０分〜約４８時間反応
させる。反応後、反応混合物を水又は希塩酸水溶液で洗
い、希アンモニア水溶液と約１５分〜１時間撹拌した後
に水で洗い、非溶剤から沈殿させ、また必要に応じて、
メタノール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の
適当な溶媒を用いてソックスレー抽出によりポリチオフ
ェン生成物を抽出し、ポリマー生成物を単離することが
できる。こうして得られたポリチオフェン生成物は、メ
タノールやアセトンなどの適当な溶媒からの沈殿により
更に精製可能である。
した１モル等量の（IIIa）を、同じ塩化物溶媒に懸濁し
た約１〜約５モル当量の無水ＦｅＣｌ3に加えることに
より行う。得られた混合物を、乾燥空気気流中、あるい
は乾燥空気の泡をゆっくり反応混合物中に通しながら、
約２５〜約６０℃の温度で、約３０分〜約４８時間反応
させる。反応後、反応混合物を水又は希塩酸水溶液で洗
い、希アンモニア水溶液と約１５分〜１時間撹拌した後
に水で洗い、非溶剤から沈殿させ、また必要に応じて、
メタノール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の
適当な溶媒を用いてソックスレー抽出によりポリチオフ
ェン生成物を抽出し、ポリマー生成物を単離することが
できる。こうして得られたポリチオフェン生成物は、メ
タノールやアセトンなどの適当な溶媒からの沈殿により
更に精製可能である。
【００２２】本発明の態様は次のとおりである。下記の
化学式のポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイ
スである。
化学式のポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイ
スである。
【００２３】
【化１５】
式中、Ｒは側鎖を示し、ｍは置換基Ｒの数を示し、Ａは
二価結合基であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれモノマー
セグメント中における、Ｒｍ置換チエニレン、非置換チ
エニレン、及び二価結合基Ａの数を示し、ｚは０又は１
であり、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメント
の数又は重合度を示す。；基板と、ゲート電極と、ゲー
ト誘電体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース
／ドレイン電極とゲート誘電体層とに接した半導体層
と、を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるデバイス
であって、半導体層はポリチオフェンを含み、式中、Ｒ
は、アルコキシアルキル、シロキシ置換アルキル、パー
ハロアルキル、又はポリエーテルであり、Ａは、炭素数
約６〜約４０のアリーレンから成る群より選ばれる二価
結合基であり、ｍは１又は２であり、ｘ及びｙはそれぞ
れ、Ｒ置換チエニレン及び非置換チエニレン部分の数で
あってそれぞれ１〜５であり、ｚは０又は１であって二
価結合基の数を示し、ｎはモノマーセグメントの数を示
す。；ｎは約５〜約５，０００であり、ポリチオフェン
の、いずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマ
トグラフ法より求めた、数平均分子量（Ｍn）は約２，
０００〜約１０万であり、重量平均分子量（Ｍw）は約
４，０００〜５０万以上であるデバイス。；Ｒは１〜約
２０の炭素原子を含むアルキルであり、ｎは約１０〜約
１，０００であり、Ｍnは約４，０００〜約５万であ
り、Ｍwは約５，０００〜約１０万であるデバイス。；
アルキル側鎖Ｒは６〜約１２の炭素原子を含むデバイ
ス。；アルキル側鎖Ｒは、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、又はドデシルであるデバイス。；側鎖Ｒは炭素数約
２〜約１５のパーフルオロアルキルであるデバイス。；
側鎖Ｒは、トリメチルシロキシアルキル、トリエチルシ
ロキシアルキルであるシロキシアルキルであって、アル
キルは必要に応じて約４〜約１０の炭素を含み、アルキ
ルはブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、又はオク
チルであるデバイス。；二価結合基Ａは炭素数約６〜約
４０のアリーレンであるデバイス。；二価結合基Ａは、
フェニレン、ビフェニレン、フェナントレニレン、９，
１０−ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、
メチレン、ポリメチレン、ジオキシアルキレン、ジオキ
シアリーレン、及びオリゴエチレンオキシドから成る群
より選ばれるＴＦＴデバイス。；下記化学式により示さ
れるポリチオフェンを含む薄膜トランジスタ。
二価結合基であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれモノマー
セグメント中における、Ｒｍ置換チエニレン、非置換チ
エニレン、及び二価結合基Ａの数を示し、ｚは０又は１
であり、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメント
の数又は重合度を示す。；基板と、ゲート電極と、ゲー
ト誘電体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース
／ドレイン電極とゲート誘電体層とに接した半導体層
と、を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるデバイス
であって、半導体層はポリチオフェンを含み、式中、Ｒ
は、アルコキシアルキル、シロキシ置換アルキル、パー
ハロアルキル、又はポリエーテルであり、Ａは、炭素数
約６〜約４０のアリーレンから成る群より選ばれる二価
結合基であり、ｍは１又は２であり、ｘ及びｙはそれぞ
れ、Ｒ置換チエニレン及び非置換チエニレン部分の数で
あってそれぞれ１〜５であり、ｚは０又は１であって二
価結合基の数を示し、ｎはモノマーセグメントの数を示
す。；ｎは約５〜約５，０００であり、ポリチオフェン
の、いずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマ
トグラフ法より求めた、数平均分子量（Ｍn）は約２，
０００〜約１０万であり、重量平均分子量（Ｍw）は約
４，０００〜５０万以上であるデバイス。；Ｒは１〜約
２０の炭素原子を含むアルキルであり、ｎは約１０〜約
１，０００であり、Ｍnは約４，０００〜約５万であ
り、Ｍwは約５，０００〜約１０万であるデバイス。；
アルキル側鎖Ｒは６〜約１２の炭素原子を含むデバイ
ス。；アルキル側鎖Ｒは、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、又はドデシルであるデバイス。；側鎖Ｒは炭素数約
２〜約１５のパーフルオロアルキルであるデバイス。；
側鎖Ｒは、トリメチルシロキシアルキル、トリエチルシ
ロキシアルキルであるシロキシアルキルであって、アル
キルは必要に応じて約４〜約１０の炭素を含み、アルキ
ルはブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、又はオク
チルであるデバイス。；二価結合基Ａは炭素数約６〜約
４０のアリーレンであるデバイス。；二価結合基Ａは、
フェニレン、ビフェニレン、フェナントレニレン、９，
１０−ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、
メチレン、ポリメチレン、ジオキシアルキレン、ジオキ
シアリーレン、及びオリゴエチレンオキシドから成る群
より選ばれるＴＦＴデバイス。；下記化学式により示さ
れるポリチオフェンを含む薄膜トランジスタ。
【００２４】
【化１６】
式中、Ｒは側鎖であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはチエニレ
ン部分の数を示し、ｎは重合度である。；Ｒは約１〜約
２０の炭素原子を含むアルキルであるデバイス。；Ｒは
約６〜約１２の炭素原子を含むアルキルであるデバイ
ス。；Ｒは、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、又はドデシル
であるデバイス。；ｂ及びｄは約１〜約５であるデバイ
ス。；ｂ及びｄは約１〜約３であるデバイス。；ａは約
０〜約５であり、ｃは約１〜約５であり、又はａは約０
〜約３であり、ｃは約１〜約３であるデバイス。；下記
構造式（IV）で示されるポリチオフェンを含む薄膜トラ
ンジスタ。；
ン部分の数を示し、ｎは重合度である。；Ｒは約１〜約
２０の炭素原子を含むアルキルであるデバイス。；Ｒは
約６〜約１２の炭素原子を含むアルキルであるデバイ
ス。；Ｒは、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、又はドデシル
であるデバイス。；ｂ及びｄは約１〜約５であるデバイ
ス。；ｂ及びｄは約１〜約３であるデバイス。；ａは約
０〜約５であり、ｃは約１〜約５であり、又はａは約０
〜約３であり、ｃは約１〜約３であるデバイス。；下記
構造式（IV）で示されるポリチオフェンを含む薄膜トラ
ンジスタ。；
【００２５】
【化１７】
本願に示す上述したポリチオフェン類（II-a）〜（II-
o）から成る群より選ばれるポリチオフェンを含む薄膜
トランジスタデバイス。；本願に示す（II-a）〜（II-
e）から成る群より選ばれるポリチオフェンを含む薄膜
トランジスタ。；ｎは約５〜約５，０００の数であるデ
バイス。；ｎは約５〜約３，０００の数であるデバイ
ス。；Ｒは、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、
デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデ
シル、又はペンタデシル等であり、ｍ＝１、ｘ＝ｙ＝
２、ｚ＝０又は１であるデバイス。；Ｒは、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ド
デシル、トリデシル、テトラデシル、又はペンタデシル
であり、ｍ＝１、ｘ＝ｙ＝２、ｚ＝０又は１であるデバ
イス。；使用するポリチオフェンは約２，０００〜約１
０万のＭnと、約４，０００〜約５０万のＭwとを有する
デバイス。；使用するポリチオフェンは約２，０００〜
約１０万のＭnと、約４，０００〜約１００万のＭwとを
有するデバイス。；ポリチオフェンは下記構造式（II-
a）〜（II-e）から成る群より選ばれ、式中、ｎは約５
０〜約３，０００の数であるデバイス。；
o）から成る群より選ばれるポリチオフェンを含む薄膜
トランジスタデバイス。；本願に示す（II-a）〜（II-
e）から成る群より選ばれるポリチオフェンを含む薄膜
トランジスタ。；ｎは約５〜約５，０００の数であるデ
バイス。；ｎは約５〜約３，０００の数であるデバイ
ス。；Ｒは、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、
デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデ
シル、又はペンタデシル等であり、ｍ＝１、ｘ＝ｙ＝
２、ｚ＝０又は１であるデバイス。；Ｒは、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ド
デシル、トリデシル、テトラデシル、又はペンタデシル
であり、ｍ＝１、ｘ＝ｙ＝２、ｚ＝０又は１であるデバ
イス。；使用するポリチオフェンは約２，０００〜約１
０万のＭnと、約４，０００〜約５０万のＭwとを有する
デバイス。；使用するポリチオフェンは約２，０００〜
約１０万のＭnと、約４，０００〜約１００万のＭwとを
有するデバイス。；ポリチオフェンは下記構造式（II-
a）〜（II-e）から成る群より選ばれ、式中、ｎは約５
０〜約３，０００の数であるデバイス。；
【００２６】
【化１８】
【化１９】
基板は、ポリエステル、ポリカーボネート、又はポリイ
ミドであるプラスチックシートであり、ゲート、ソー
ス、及びドレイン電極はそれぞれ独立して、金、ニッケ
ル、アルミニウム、プラチナ、酸化インジウムチタン、
又は導電性ポリマーを含み、ゲートは、窒化ケイ素又は
酸化ケイ素を含む誘電体層であるＴＦＴデバイス。；基
板はガラス又はプラスチックシートであり、ゲート、ソ
ース、及びドレイン電極はそれぞれ金を含み、ゲート誘
電体層は、ポリ（メタクリレート）、又はポリ（ビニル
フェノール）である有機ポリマーを含むＴＦＴデバイ
ス。；ポリチオフェン層は、スピンコーティング、スタ
ンプ印刷、スクリーン印刷、又はジェット印刷である溶
液処理により形成されるデバイス。；ゲート、ソース、
及びドレイン電極、ゲート誘電体、半導体層は、スピン
コーティング、溶液キャスティング、スタンプ印刷、ス
クリーン印刷、又はジェット印刷である溶液処理により
形成されるデバイス。；基板は、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、又はポリイミドであるプラスチックシート
であり、ゲート、ソース、及びドレイン電極は、ポリス
チレンスルホナートをドープしたポリ（３，４−エチレ
ンジオキシチオフェン）である有機導電性ポリマー、又
は、ポリマーバインダ中に銀をコロイド状に分散させた
導電性インキ／ペースト化合物から製造され、ゲート誘
電体層は、有機ポリマー又は無機酸化物粒子−ポリマー
複合材であるＴＦＴデバイス。；ＴＦＴなどのエレクト
ロニックデバイスを含むデバイス又はデバイス類。
ミドであるプラスチックシートであり、ゲート、ソー
ス、及びドレイン電極はそれぞれ独立して、金、ニッケ
ル、アルミニウム、プラチナ、酸化インジウムチタン、
又は導電性ポリマーを含み、ゲートは、窒化ケイ素又は
酸化ケイ素を含む誘電体層であるＴＦＴデバイス。；基
板はガラス又はプラスチックシートであり、ゲート、ソ
ース、及びドレイン電極はそれぞれ金を含み、ゲート誘
電体層は、ポリ（メタクリレート）、又はポリ（ビニル
フェノール）である有機ポリマーを含むＴＦＴデバイ
ス。；ポリチオフェン層は、スピンコーティング、スタ
ンプ印刷、スクリーン印刷、又はジェット印刷である溶
液処理により形成されるデバイス。；ゲート、ソース、
及びドレイン電極、ゲート誘電体、半導体層は、スピン
コーティング、溶液キャスティング、スタンプ印刷、ス
クリーン印刷、又はジェット印刷である溶液処理により
形成されるデバイス。；基板は、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、又はポリイミドであるプラスチックシート
であり、ゲート、ソース、及びドレイン電極は、ポリス
チレンスルホナートをドープしたポリ（３，４−エチレ
ンジオキシチオフェン）である有機導電性ポリマー、又
は、ポリマーバインダ中に銀をコロイド状に分散させた
導電性インキ／ペースト化合物から製造され、ゲート誘
電体層は、有機ポリマー又は無機酸化物粒子−ポリマー
複合材であるＴＦＴデバイス。；ＴＦＴなどのエレクト
ロニックデバイスを含むデバイス又はデバイス類。
【００２７】図１は、基板１６と、それに接した金属接
点１８（ゲート電極）と、絶縁性誘電体層１４の層と、
その上に置かれた２つの金属接点２０及び２２（ソース
及びドレイン電極）とを含むＴＦＴ構造体１０の概略図
である。ゲート電極は、その一部又はゲート全体が誘電
体層１４と接している。金属接点２０及び２２の上と間
にはポリチオフェン半導体層１２がある。ゲート電極
は、基板中、誘電体層中などのどこに含まれていても良
い。
点１８（ゲート電極）と、絶縁性誘電体層１４の層と、
その上に置かれた２つの金属接点２０及び２２（ソース
及びドレイン電極）とを含むＴＦＴ構造体１０の概略図
である。ゲート電極は、その一部又はゲート全体が誘電
体層１４と接している。金属接点２０及び２２の上と間
にはポリチオフェン半導体層１２がある。ゲート電極
は、基板中、誘電体層中などのどこに含まれていても良
い。
【００２８】図２は、基板３６と、ゲート電極３８と、
ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、絶縁性誘電体
層３４と、ポリチオフェン半導体層３２とを含む、別の
ＴＦＴ構造体３０の概略図である。
ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、絶縁性誘電体
層３４と、ポリチオフェン半導体層３２とを含む、別の
ＴＦＴ構造体３０の概略図である。
【００２９】図３は、ゲート電極として作用することの
できる高濃度ｎ−ドープシリコンウエハ５６と、熱によ
り生成した酸化ケイ素誘電体層５４と、ポリチオフェン
半導体層５２と、その上に置かれたソース電極６０とド
レイン電極６２と、ゲート電極接点６４とを含む、更な
るＴＦＴ構造体５０の概略図である。
できる高濃度ｎ−ドープシリコンウエハ５６と、熱によ
り生成した酸化ケイ素誘電体層５４と、ポリチオフェン
半導体層５２と、その上に置かれたソース電極６０とド
レイン電極６２と、ゲート電極接点６４とを含む、更な
るＴＦＴ構造体５０の概略図である。
【００３０】図４は、基板７６と、ゲート電極７８と、
ソース電極８０と、ドレイン電極８２と、ポリチオフェ
ン半導体層７２と、絶縁性誘電体層７４とを含む、ＴＦ
Ｔ構造体７０の概略図である。
ソース電極８０と、ドレイン電極８２と、ポリチオフェ
ン半導体層７２と、絶縁性誘電体層７４とを含む、ＴＦ
Ｔ構造体７０の概略図である。
【００３１】本発明の一部の実施の形態では、必要に応
じて、図１〜図４の各トランジスタ構造体の上に保護層
を加えても良い。図４のＴＦＴ構造体では、絶縁性誘電
体層７４は保護層としても機能する。
じて、図１〜図４の各トランジスタ構造体の上に保護層
を加えても良い。図４のＴＦＴ構造体では、絶縁性誘電
体層７４は保護層としても機能する。
【００３２】実施の形態において、また更に本発明とそ
の図を参照するなら、基板層は一般に、目的とする用途
に応じて、様々な適当な形のシリコンを含むシリコン材
料、ガラス板、プラスチックフィルム又はシート、等で
ある。構造可撓性のデバイスでは、例えば、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリイミドシート等のプラスチ
ック基板を用いる。基板の厚さは、例えば約１０μｍ〜
１０ｍｍ以上であり、詳細な厚さは、可撓性のプラスチ
ック基板では約５０〜約１００μｍ、ガラス又はシリコ
ンなどの堅牢な基板では約１〜約１０ｍｍである。
の図を参照するなら、基板層は一般に、目的とする用途
に応じて、様々な適当な形のシリコンを含むシリコン材
料、ガラス板、プラスチックフィルム又はシート、等で
ある。構造可撓性のデバイスでは、例えば、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリイミドシート等のプラスチ
ック基板を用いる。基板の厚さは、例えば約１０μｍ〜
１０ｍｍ以上であり、詳細な厚さは、可撓性のプラスチ
ック基板では約５０〜約１００μｍ、ガラス又はシリコ
ンなどの堅牢な基板では約１〜約１０ｍｍである。
【００３３】ゲート電極をソース及びドレイン電極と隔
てることができ、半導体層に接している絶縁性誘電体層
は一般に、無機材料膜、有機ポリマー膜、又は有機−無
機複合材料膜とすることができる。誘電体層の厚さは、
例えば約１０ｎｍ〜約１μｍ、より詳細な厚さは約１０
０〜約５００ｎｍである。誘電体層に適した無機材料の
具体例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ
ニウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウ
ム、等が挙げられ、誘電体層に適した有機ポリマーの具
体例としては、ポリエステル類、ポリカーボネート類、
ポリ（ビニルフェノール）、ポリイミド類、ポリスチレ
ン、ポリ（メタクリレート）類、ポリ（アクリレート）
類、エポキシ樹脂、等が挙げられ、無機−有機複合材料
の具体例としては、ポリエステル、ポリイミド、エポキ
シ樹脂等のポリマー中に分散した超微小金属酸化物粒子
などが挙げられる。絶縁性誘電体層の厚さは通常、使用
する誘電体材料の比誘電率に応じて約５０〜約５００ｎ
ｍである。より詳細には、誘電体材料は例えば約３以上
の比誘電率を持つため、約３００ｎｍの適当な誘電体の
厚さがあれば望ましい静電容量、例えば約１０-9〜約１
０-7Ｆ／ｃｍ2とすることができる。
てることができ、半導体層に接している絶縁性誘電体層
は一般に、無機材料膜、有機ポリマー膜、又は有機−無
機複合材料膜とすることができる。誘電体層の厚さは、
例えば約１０ｎｍ〜約１μｍ、より詳細な厚さは約１０
０〜約５００ｎｍである。誘電体層に適した無機材料の
具体例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ
ニウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウ
ム、等が挙げられ、誘電体層に適した有機ポリマーの具
体例としては、ポリエステル類、ポリカーボネート類、
ポリ（ビニルフェノール）、ポリイミド類、ポリスチレ
ン、ポリ（メタクリレート）類、ポリ（アクリレート）
類、エポキシ樹脂、等が挙げられ、無機−有機複合材料
の具体例としては、ポリエステル、ポリイミド、エポキ
シ樹脂等のポリマー中に分散した超微小金属酸化物粒子
などが挙げられる。絶縁性誘電体層の厚さは通常、使用
する誘電体材料の比誘電率に応じて約５０〜約５００ｎ
ｍである。より詳細には、誘電体材料は例えば約３以上
の比誘電率を持つため、約３００ｎｍの適当な誘電体の
厚さがあれば望ましい静電容量、例えば約１０-9〜約１
０-7Ｆ／ｃｍ2とすることができる。
【００３４】例えば誘電体層とソース／ドレイン電極と
の間に接して、本願に述べるポリチオフェン類を含む活
性半導体層を置く。このとき、この層の厚さは通常、例
えば約１０ｎｍ〜約１μｍ、又は約４０〜約１００ｎｍ
である。この層は通常、本発明のポリチオフェン類の溶
液からスピンコーティング、キャスティング、スクリー
ン、スタンプ、又はジェット印刷などの溶液処理によっ
て製造可能である。
の間に接して、本願に述べるポリチオフェン類を含む活
性半導体層を置く。このとき、この層の厚さは通常、例
えば約１０ｎｍ〜約１μｍ、又は約４０〜約１００ｎｍ
である。この層は通常、本発明のポリチオフェン類の溶
液からスピンコーティング、キャスティング、スクリー
ン、スタンプ、又はジェット印刷などの溶液処理によっ
て製造可能である。
【００３５】ゲート電極は、金属薄膜、導電性ポリマー
膜、導電性インキ又はペーストから作った導電性膜、あ
るいは基板自体（例えば、高濃度にドープしたシリコ
ン）とすることができる。ゲート電極材料の例として
は、アルミニウム、金、クロム、酸化インジウムスズ、
導電性ポリマー類、導電性インキ／ペースト等が挙げら
れるが、これらに限るものではない。導電性ポリマー
は、ポリスチレンスルホナートをドープしたポリ（３，
４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＳＳ／ＰＥＤＯ
Ｔ）などであり、導電性インキ／ペーストは、カーボン
ブラック／グラファイト又はコロイド状の銀をポリマー
バインダ中に分散したもの（例えば、アチソン・コロイ
ズ社（Acheson Colloids Company）製のエレクトロダグ
（ELECTRODAG））や、銀を充填した導電性熱可塑性イン
キ（ノエル・インダストリーズ（NoelleIndustries）
製）である。ゲート層は、真空蒸着、金属又は導電性金
属酸化物のスパッタリング、導電性ポリマー溶液又は導
電性インキあるいは分散液のスピンコーティング、キャ
スティング、又は印刷による塗布によって調製可能であ
る。ゲート電極層の厚さは、例えば約１０ｎｍ〜約１０
μｍであり、詳細な厚さは例えば、金属薄膜では約１０
〜約２００ｎｍ、ポリマー導電体では約１〜約１０μｍ
である。
膜、導電性インキ又はペーストから作った導電性膜、あ
るいは基板自体（例えば、高濃度にドープしたシリコ
ン）とすることができる。ゲート電極材料の例として
は、アルミニウム、金、クロム、酸化インジウムスズ、
導電性ポリマー類、導電性インキ／ペースト等が挙げら
れるが、これらに限るものではない。導電性ポリマー
は、ポリスチレンスルホナートをドープしたポリ（３，
４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＳＳ／ＰＥＤＯ
Ｔ）などであり、導電性インキ／ペーストは、カーボン
ブラック／グラファイト又はコロイド状の銀をポリマー
バインダ中に分散したもの（例えば、アチソン・コロイ
ズ社（Acheson Colloids Company）製のエレクトロダグ
（ELECTRODAG））や、銀を充填した導電性熱可塑性イン
キ（ノエル・インダストリーズ（NoelleIndustries）
製）である。ゲート層は、真空蒸着、金属又は導電性金
属酸化物のスパッタリング、導電性ポリマー溶液又は導
電性インキあるいは分散液のスピンコーティング、キャ
スティング、又は印刷による塗布によって調製可能であ
る。ゲート電極層の厚さは、例えば約１０ｎｍ〜約１０
μｍであり、詳細な厚さは例えば、金属薄膜では約１０
〜約２００ｎｍ、ポリマー導電体では約１〜約１０μｍ
である。
【００３６】ソース及びドレイン電極層は、半導体層に
対して低抵抗オーム接触となる材料から製造することが
できる。ソース及びドレイン電極としての使用に適した
典型的な材料は、金、ニッケル、アルミニウム、プラチ
ナ、導電性ポリマー、導電性インキなどのゲート電極材
料として挙げられたものなどである。この層の典型的な
厚さは、例えば、約４０ｎｍ〜約１μｍであり、より詳
細な厚さは約１００〜約４００ｎｍである。ＴＦＴデバ
イスは、幅Ｗ、長さＬの半導体チャネルを含む。半導体
チャネル幅は例えば約１０μｍ〜約５ｍｍであり、詳細
なチャネル幅は約１００μｍ〜約１ｍｍである。半導体
チャネル長さは例えば約１μｍ〜約１ｍｍであり、より
詳細なチャネル長さは約５〜約１００μｍである。
対して低抵抗オーム接触となる材料から製造することが
できる。ソース及びドレイン電極としての使用に適した
典型的な材料は、金、ニッケル、アルミニウム、プラチ
ナ、導電性ポリマー、導電性インキなどのゲート電極材
料として挙げられたものなどである。この層の典型的な
厚さは、例えば、約４０ｎｍ〜約１μｍであり、より詳
細な厚さは約１００〜約４００ｎｍである。ＴＦＴデバ
イスは、幅Ｗ、長さＬの半導体チャネルを含む。半導体
チャネル幅は例えば約１０μｍ〜約５ｍｍであり、詳細
なチャネル幅は約１００μｍ〜約１ｍｍである。半導体
チャネル長さは例えば約１μｍ〜約１ｍｍであり、より
詳細なチャネル長さは約５〜約１００μｍである。
【００３７】ソース電極は接地しており、通常約＋１０
〜約−８０ボルトの電圧をゲート電極に印加したとき
に、半導体チャネルを通って移動する電荷キャリヤを集
めるため、通常、例えば約０〜約−８０ボルトのバイア
ス電圧をドレイン電極に印加する。
〜約−８０ボルトの電圧をゲート電極に印加したとき
に、半導体チャネルを通って移動する電荷キャリヤを集
めるため、通常、例えば約０〜約−８０ボルトのバイア
ス電圧をドレイン電極に印加する。
【００３８】
【実施例】ａ）デバイスの製造：例えば図３に図示した
トップコンタクト型薄膜トランジスタ構造体を用いた。
トップコンタクト型薄膜トランジスタ構造体を用いた。
【００３９】この供試デバイスは、ｎ−ドープシリコン
ウエハと、その上に熱生成させた厚さ約１１０ｎｍの酸
化ケイ素層とを含む。ウエハがゲート電極として機能す
る一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働き、その
静電容量は約３２ｎＦ／ｃｍ 2（ナノファラッド／平方
センチメートル）であった。デバイスの製造は周囲条件
で行い、周囲の酸素、湿気、又は光への材料及びデバイ
スの暴露を防止する対策は何ら講じなかった。シリコン
ウエハをまずメタノールで清浄にし、空気乾燥後、０．
０１Ｍの１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラ
ザンのジクロロメタン溶液に、室温（約２３〜約２５
℃）で３０分間浸した。次にこのウエハをジクロロメタ
ンで洗い、乾燥した。次に、厚さ約３０〜約１００ｎｍ
の供試半導体ポリチオフェン層を、速さ１，０００ｒｐ
ｍ、約３５秒間のスピンコーティングにより、酸化ケイ
素誘電体層の上に塗布し、真空中８０℃で２０時間乾燥
した。半導体層の製造に使用した溶液は、適当な溶媒に
溶解した１重量％のポリチオフェンを含み、使用前に
０．４５μｍのフィルタで濾過した。その後、金のソー
ス及びドレイン電極を、半導体ポリチオフェン層の上
に、様々なチャネル長さと幅のシャドウマスクを通して
真空蒸着し、様々な大きさの一連のトランジスタを製作
した。念のため製造後のデバイスは、評価の前後には相
対湿度約３０％の乾燥雰囲気中、暗所で保存した。
ウエハと、その上に熱生成させた厚さ約１１０ｎｍの酸
化ケイ素層とを含む。ウエハがゲート電極として機能す
る一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働き、その
静電容量は約３２ｎＦ／ｃｍ 2（ナノファラッド／平方
センチメートル）であった。デバイスの製造は周囲条件
で行い、周囲の酸素、湿気、又は光への材料及びデバイ
スの暴露を防止する対策は何ら講じなかった。シリコン
ウエハをまずメタノールで清浄にし、空気乾燥後、０．
０１Ｍの１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラ
ザンのジクロロメタン溶液に、室温（約２３〜約２５
℃）で３０分間浸した。次にこのウエハをジクロロメタ
ンで洗い、乾燥した。次に、厚さ約３０〜約１００ｎｍ
の供試半導体ポリチオフェン層を、速さ１，０００ｒｐ
ｍ、約３５秒間のスピンコーティングにより、酸化ケイ
素誘電体層の上に塗布し、真空中８０℃で２０時間乾燥
した。半導体層の製造に使用した溶液は、適当な溶媒に
溶解した１重量％のポリチオフェンを含み、使用前に
０．４５μｍのフィルタで濾過した。その後、金のソー
ス及びドレイン電極を、半導体ポリチオフェン層の上
に、様々なチャネル長さと幅のシャドウマスクを通して
真空蒸着し、様々な大きさの一連のトランジスタを製作
した。念のため製造後のデバイスは、評価の前後には相
対湿度約３０％の乾燥雰囲気中、暗所で保存した。
【００４０】ｂ）ＴＦＴデバイスの特性評価：電界効果
トランジスタの性能を、キースリー（Keithley）４２０
０ＳＣＳ半導体特性評価デバイスを用いて、暗箱中周囲
条件で評価した。キャリヤ移動度（μ）は、飽和領域
（ゲート電圧、ＶG＜ソース−ドレイン電圧、ＶSD）に
おけるデータより、下記の式（１）に従って計算した。
トランジスタの性能を、キースリー（Keithley）４２０
０ＳＣＳ半導体特性評価デバイスを用いて、暗箱中周囲
条件で評価した。キャリヤ移動度（μ）は、飽和領域
（ゲート電圧、ＶG＜ソース−ドレイン電圧、ＶSD）に
おけるデータより、下記の式（１）に従って計算した。
【００４１】
【数１】
ＩSD＝Ｃiμ（Ｗ／２Ｌ）（ＶG−ＶT）2 （１）
式中、ＩSDは飽和領域におけるドレイン電流であり、Ｗ
とＬはそれぞれ半導体チャネルの幅と長さであり、Ｃi
はゲート誘電体層の単位面積当たりの静電容量であり、
ＶG及びＶTはそれぞれ、ゲート電圧及びしきい電圧であ
る。このデバイスのＶTは、飽和領域におけるＩSDの平
方根と、測定データからＩSD＝０を外挿して求めたデバ
イスのＶGとの関係から求めた。
とＬはそれぞれ半導体チャネルの幅と長さであり、Ｃi
はゲート誘電体層の単位面積当たりの静電容量であり、
ＶG及びＶTはそれぞれ、ゲート電圧及びしきい電圧であ
る。このデバイスのＶTは、飽和領域におけるＩSDの平
方根と、測定データからＩSD＝０を外挿して求めたデバ
イスのＶGとの関係から求めた。
【００４２】電界効果トランジスタのもうひとつの特性
は、その電流オン／オフ比である。これはゲート電圧Ｖ
Gがドレイン電圧ＶDと等しいかそれ以上であるときの飽
和ソース−ドレイン電流と、ゲート電圧ＶGがゼロの時
のソース−ドレイン電流との比である。
は、その電流オン／オフ比である。これはゲート電圧Ｖ
Gがドレイン電圧ＶDと等しいかそれ以上であるときの飽
和ソース−ドレイン電流と、ゲート電圧ＶGがゼロの時
のソース−ドレイン電流との比である。
【００４３】比較例
公知の位置規則性ポリチオフェン、一般にＰ３ＨＴとし
て知られるポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジ
イル）を用いて、一連の比較用の薄膜トランジスタを製
作した。この材料はアルドリッチ・ケミカル（Aldrich
Chemical）より購入し、そのクロロベンゼン溶液からメ
タノールへの沈殿を３回繰り返して精製した。
て知られるポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジ
イル）を用いて、一連の比較用の薄膜トランジスタを製
作した。この材料はアルドリッチ・ケミカル（Aldrich
Chemical）より購入し、そのクロロベンゼン溶液からメ
タノールへの沈殿を３回繰り返して精製した。
【００４４】前述の手法に従い、周囲条件下でデバイス
を製作した。Ｗ＝５，０００μｍ、Ｌ＝６０μｍの大き
さのトランジスタを用い、５個以上のトランジスタから
得た平均特性値は次のとおりである。
を製作した。Ｗ＝５，０００μｍ、Ｌ＝６０μｍの大き
さのトランジスタを用い、５個以上のトランジスタから
得た平均特性値は次のとおりである。
【００４５】移動度：１〜１．２×１０-2ｃｍ2／Ｖ．
ｓｅｃ 初期電流オン／オフ比：１．５〜２．１×１０3 ５日後の電流オン／オフ比：５〜１０
ｓｅｃ 初期電流オン／オフ比：１．５〜２．１×１０3 ５日後の電流オン／オフ比：５〜１０
【００４６】観察された初期電流オン／オフ比が低いの
は、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）
が酸化的ドーピングを受け易く、すなわち環境酸素の存
在下ではポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイ
ル）が不安定であることを示している。僅か５日のうち
に電流オン／オフ比が甚だしく減少するのも、周囲条件
でのポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）
の機能不安定性を更に裏付けている。
は、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）
が酸化的ドーピングを受け易く、すなわち環境酸素の存
在下ではポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイ
ル）が不安定であることを示している。僅か５日のうち
に電流オン／オフ比が甚だしく減少するのも、周囲条件
でのポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）
の機能不安定性を更に裏付けている。
【００４７】実施例
（ａ）ポリ［５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエ
ニル）−２，２’−ジチオフェン］（II-e）の合成：
（II-e）の調製に用いるモノマー、５，５’−ビス（３
−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェン
を次のように合成した。
ニル）−２，２’−ジチオフェン］（II-e）の合成：
（II-e）の調製に用いるモノマー、５，５’−ビス（３
−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェン
を次のように合成した。
【００４８】不活性アルゴン雰囲気中、１００ｍｌの丸
底フラスコ中で、１０ｍｌのＴＨＦ（テトラヒドロフラ
ン）に懸濁したマグネシウム細片（１．２６ｇ、５１．
８３ｍｍｏｌ）を攪拌機で撹拌しながら、これに４０ｍ
ｌの無水ＴＨＦに溶解した２−ブロモ−３−ドデシルチ
オフェン（１１．５ｇ、３４．９２ｍｍｏｌ）の溶液
を、２０分間かけてゆっくり加えた。得られた混合物
を、約２２〜約２５℃の室温で２時間撹拌し、次に５０
℃で２０分間加熱後室温まで放冷した。この得られた混
合物をカニューレを用いて、不活性雰囲気中、２５０ｍ
ｌの丸底フラスコ中の、８０ｍｌの無水ＴＨＦに溶解し
た５，５’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェン（４．
５ｇ、１３．８８ｍｍｏｌ）と、［１，３−ビス（ジフ
ェニルホスフィノプロパン）］ジクロロニッケル（II）
（０．１８９ｇ、０．３５ｍｍｏｌ）との混合物に加
え、４８時間還流した。次に、反応混合物を２００ｍｌ
の酢酸エチルで希釈し、水で２回洗い、５％塩酸（ＨＣ
ｌ）水溶液で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒留去後に得られた暗茶色のシロップ状物質を、シリカ
ゲルを用いたカラムクロマトグラフ法で精製し、黄色結
晶の５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−
２，２’−ジチオフェン（収率５５％、融点５８．９
℃）を得た。
底フラスコ中で、１０ｍｌのＴＨＦ（テトラヒドロフラ
ン）に懸濁したマグネシウム細片（１．２６ｇ、５１．
８３ｍｍｏｌ）を攪拌機で撹拌しながら、これに４０ｍ
ｌの無水ＴＨＦに溶解した２−ブロモ−３−ドデシルチ
オフェン（１１．５ｇ、３４．９２ｍｍｏｌ）の溶液
を、２０分間かけてゆっくり加えた。得られた混合物
を、約２２〜約２５℃の室温で２時間撹拌し、次に５０
℃で２０分間加熱後室温まで放冷した。この得られた混
合物をカニューレを用いて、不活性雰囲気中、２５０ｍ
ｌの丸底フラスコ中の、８０ｍｌの無水ＴＨＦに溶解し
た５，５’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェン（４．
５ｇ、１３．８８ｍｍｏｌ）と、［１，３−ビス（ジフ
ェニルホスフィノプロパン）］ジクロロニッケル（II）
（０．１８９ｇ、０．３５ｍｍｏｌ）との混合物に加
え、４８時間還流した。次に、反応混合物を２００ｍｌ
の酢酸エチルで希釈し、水で２回洗い、５％塩酸（ＨＣ
ｌ）水溶液で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒留去後に得られた暗茶色のシロップ状物質を、シリカ
ゲルを用いたカラムクロマトグラフ法で精製し、黄色結
晶の５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−
２，２’−ジチオフェン（収率５５％、融点５８．９
℃）を得た。
【００４９】上記で得られた化合物のＮＭＲスペクトル
を、室温において、ブルカ（Bruker）ＤＰＸ３００ＮＭ
Ｒスペクトロメータを用いて測定した。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．１８（ｄ，Ｊ＝５．
４Ｈｚ，２Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２
Ｈ），７．０２（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９
４（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），２．７８（ｔ，４
Ｈ），１．６５（ｑ，１．６５Ｈｚ，４Ｈ），１．２８
（ｂｓ，３６Ｈ），０．８８（ｍ，６Ｈ）
を、室温において、ブルカ（Bruker）ＤＰＸ３００ＮＭ
Ｒスペクトロメータを用いて測定した。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．１８（ｄ，Ｊ＝５．
４Ｈｚ，２Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２
Ｈ），７．０２（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９
４（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），２．７８（ｔ，４
Ｈ），１．６５（ｑ，１．６５Ｈｚ，４Ｈ），１．２８
（ｂｓ，３６Ｈ），０．８８（ｍ，６Ｈ）
【００５０】５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエ
ニル）−２，２’−ジチオフェンの重合は、次のよう
に、ＦｅＣｌ3を介在させた酸化的カップリング反応に
より行った。
ニル）−２，２’−ジチオフェンの重合は、次のよう
に、ＦｅＣｌ3を介在させた酸化的カップリング反応に
より行った。
【００５１】乾燥雰囲気中、５０ｍｌの丸底フラスコ中
で、３ｍｌのクロロホルムに加えたＦｅＣｌ3（０．４
０ｇ、２．４７ｍｍｏｌ）の混合物を良く撹拌しなが
ら、これに７ｍｌのクロロホルムに溶解した５，５’−
ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ジチ
オフェン（０．５０ｇ，０．７５ｍｍｏｌ）の溶液を約
１０分間かけてゆっくりと加えた。得られた混合物を乾
燥空気気流中、５０℃で１時間、次に４０℃で２４時間
加熱した。重合後、この混合物を２０ｍｌのトルエンで
希釈し、水で３回洗った。有機相を分け、２００ｍｌの
７．５％アンモニア水溶液と１時間半撹拌し、水で３回
洗った後、メタノール中に注いで粗ポリチオフェン生成
物を沈殿させた。後者を、メタノール、ヘキサン、及び
クロロベンゼンを用いたソックスレー抽出により精製し
た。ポリスチレン標準との比較より求めたＭwは２７，
３００、Ｍnは１６，９００であった。
で、３ｍｌのクロロホルムに加えたＦｅＣｌ3（０．４
０ｇ、２．４７ｍｍｏｌ）の混合物を良く撹拌しなが
ら、これに７ｍｌのクロロホルムに溶解した５，５’−
ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ジチ
オフェン（０．５０ｇ，０．７５ｍｍｏｌ）の溶液を約
１０分間かけてゆっくりと加えた。得られた混合物を乾
燥空気気流中、５０℃で１時間、次に４０℃で２４時間
加熱した。重合後、この混合物を２０ｍｌのトルエンで
希釈し、水で３回洗った。有機相を分け、２００ｍｌの
７．５％アンモニア水溶液と１時間半撹拌し、水で３回
洗った後、メタノール中に注いで粗ポリチオフェン生成
物を沈殿させた。後者を、メタノール、ヘキサン、及び
クロロベンゼンを用いたソックスレー抽出により精製し
た。ポリスチレン標準との比較より求めたＭwは２７，
３００、Ｍnは１６，９００であった。
【００５２】次のポリチオフェン類を用いて、クロロベ
ンゼンに溶解した１重量％のポリチオフェンの溶液をス
ピンコーティングし、真空中８０℃で２０時間乾燥し
て、薄膜トランジスタデバイスを本件に述べるように製
造した。デバイス製造の間、周囲の酸素、湿気、又は光
を除くような対策は取らなかった。Ｗ＝５，０００μ
ｍ、Ｌ＝６０μｍの大きさのトランジスタを用いて、各
ポリチオフェンについて５個以上の別々のトランジスタ
からの平均特性値を次の表１にまとめた。
ンゼンに溶解した１重量％のポリチオフェンの溶液をス
ピンコーティングし、真空中８０℃で２０時間乾燥し
て、薄膜トランジスタデバイスを本件に述べるように製
造した。デバイス製造の間、周囲の酸素、湿気、又は光
を除くような対策は取らなかった。Ｗ＝５，０００μ
ｍ、Ｌ＝６０μｍの大きさのトランジスタを用いて、各
ポリチオフェンについて５個以上の別々のトランジスタ
からの平均特性値を次の表１にまとめた。
【００５３】
【表１】
【００５４】更に、本発明のＭw２７，３００のポリチ
オフェンを用いたデバイスの、４０日後の平均電流オン
／オフ比は、例えば、約１×１０5であった。
オフェンを用いたデバイスの、４０日後の平均電流オン
／オフ比は、例えば、約１×１０5であった。
【００５５】例えば、本デバイスの初期電流オン／オフ
比が高く、電流オン／オフ比の低下が遅いことから、本
発明のポリチオフェン半導体層が安定であることが示さ
れた。
比が高く、電流オン／オフ比の低下が遅いことから、本
発明のポリチオフェン半導体層が安定であることが示さ
れた。
【図１】 本発明によるポリチオフェン類を用いた実施
の形態のＴＦＴ構造体の概略図である。
の形態のＴＦＴ構造体の概略図である。
【図２】 本発明によるポリチオフェン類を用いた実施
の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
【図３】 本発明によるポリチオフェン類を用いた実施
の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
【図４】 本発明によるポリチオフェン類を用いた実施
の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
１０ ＴＦＴ構造体、１２ ポリチオフェン半導体層、
１４ 絶縁性誘電体層、１６ 基板、１８，２０，２２
金属接点、３０ ＴＦＴ構造体、３２ ポリチオフェ
ン半導体層、３４ 絶縁性誘電体層、３６ 基板、３８
ゲート電極、４０ ソース電極、４２ ドレイン電
極、５０ ＴＦＴ構造体、５２ ポリチオフェン半導体
層、５４ 酸化ケイ素誘電体層、５６ シリコンウエ
ハ、６０ ソース電極、６２ ドレイン電極、７０ Ｔ
ＦＴ構造体、７２ ポリチオフェン半導体層、７４ 絶
縁性誘電体層、７６ 基板、７８ ゲート電極、８０
ソース電極、８２ ドレイン電極。
１４ 絶縁性誘電体層、１６ 基板、１８，２０，２２
金属接点、３０ ＴＦＴ構造体、３２ ポリチオフェ
ン半導体層、３４ 絶縁性誘電体層、３６ 基板、３８
ゲート電極、４０ ソース電極、４２ ドレイン電
極、５０ ＴＦＴ構造体、５２ ポリチオフェン半導体
層、５４ 酸化ケイ素誘電体層、５６ シリコンウエ
ハ、６０ ソース電極、６２ ドレイン電極、７０ Ｔ
ＦＴ構造体、７２ ポリチオフェン半導体層、７４ 絶
縁性誘電体層、７６ 基板、７８ ゲート電極、８０
ソース電極、８２ ドレイン電極。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 リュ ジャング
カナダ オンタリオ オークヴィル スピ
アーズ ロード 41 アパートメント
502
(72)発明者 ユー キ
カナダ オンタリオ ミッシソーガ グレ
ン エリン ドライブ 6650 ＃607
(72)発明者 イリアン ウー
カナダ オンタリオ ミッシソーガ ボナ
ー ロード 2360 アパートメント 1004
Ｆターム(参考） 4J032 BA04 BB01 BC03 BD07 CG01
5F110 AA05 AA16 CC03 CC05 CC07
DD01 DD02 DD05 EE01 EE02
EE03 EE07 EE08 EE42 EE43
EE44 FF01 FF02 FF03 FF05
FF27 GG05 GG06 GG25 GG28
GG29 GG42 HK01 HK02 HK03
HK07 HK32 QQ06
Claims (10)
- 【請求項１】 ポリチオフェンを含むエレクトロニック
デバイスであって、前記ポリチオフェンは下記の構造式
を持ち、 【化１】 式中、Ｒは側鎖を示し、ｍは置換基Ｒの数を示し、Ａは
二価結合基であり、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれモノマー
セグメント中における、Ｒｍ置換チエニレン、非置換チ
エニレン、及び二価結合基Ａの数を示し、ｚは０又は１
であり、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメント
の数又は重合度を示すことを特徴とするエレクトロニッ
クデバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載のデバイスであって、前
記デバイスは、基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層
と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース／ドレ
イン電極と前記ゲート誘電体層とに接した半導体層と、
を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、前記半導体
層は前記ポリチオフェンを含み、式中、Ｒは、アルコキ
シアルキル、シロキシ置換アルキル、パーハロアルキ
ル、又はポリエーテルであり、Ａは、炭素数約６〜約４
０のアリーレンから成る群より選ばれる二価結合基であ
り、ｍは１又は２であり、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｒ置換
チエニレン及び非置換チエニレン部分の数であってそれ
ぞれ１〜５であり、ｚは０又は１であって二価結合基の
数を示し、ｎはモノマーセグメントの数を示すことを特
徴とするデバイス。 - 【請求項３】 請求項１に記載のデバイスであって、ｎ
は約５〜約５，０００であり、いずれもポリスチレン標
準を用いたゲル浸透クロマトグラフ法より求めた、ポリ
チオフェンの数平均分子量（Ｍn）は約２，０００〜約
１０万であり、ポリチオフェンの重量平均分子量
（Ｍw）は約４，０００〜５０万以上であることを特徴
とするデバイス。 - 【請求項４】 請求項１に記載のデバイスであって、側
鎖Ｒは、トリメチルシロキシアルキル、トリエチルシロ
キシアルキルであるシロキシアルキルであって、アルキ
ルは必要に応じて約４〜約１０の炭素を含み、前記アル
キルは、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、又は
オクチルであることを特徴とするデバイス。 - 【請求項５】 請求項１に記載のデバイスであって、前
記デバイスは薄膜トランジスタであって、前記ポリチオ
フェンは下記式で示され、 【化２】 式中、Ｒは側鎖であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはチエニレ
ン部分の数を示し、ｎは重合度であることを特徴とする
デバイス。 - 【請求項６】 下記式のポリチオフェン類（II-a）〜
（II-o）から成る群より選ばれるポリチオフェンを含む
ことを特徴とする薄膜トランジスタデバイス。 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 - 【請求項７】 請求項１に記載のデバイスであって、ｎ
は約５〜約５，０００の数であることを特徴とするデバ
イス。 - 【請求項８】 請求項５に記載のデバイスであって、ｎ
は約５〜約５，０００の数であることを特徴とするデバ
イス。 - 【請求項９】 請求項１に記載のデバイスであって、Ｒ
は、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、又
はペンタデシルであり、ｍ＝１、ｘ＝ｙ＝２、ｚ＝０又
は１であることを特徴とするデバイス。 - 【請求項１０】 請求項２に記載のデバイスであって、
前記基板は、ポリエステル、ポリカーボネート、又はポ
リイミドであるプラスチックシートであり、前記ゲー
ト、ソース、及びドレイン電極はそれぞれ独立して、
金、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、酸化インジウ
ムチタン、又は導電性ポリマーを含み、前記ゲートは、
窒化ケイ素又は酸化ケイ素を含む誘電体層であることを
特徴とするデバイス。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/042,358 US6770904B2 (en) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US10/042,358 | 2002-01-11 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003261655A true JP2003261655A (ja) | 2003-09-19 |
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|---|---|---|---|
| JP2003003065A Expired - Fee Related JP4520093B2 (ja) | 2002-01-11 | 2003-01-09 | ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1329475B1 (ja) |
| JP (1) | JP4520093B2 (ja) |
| DE (1) | DE60312055T2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003264327A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-09-19 | Xerox Corp | ポリチオフェン類を用いたデバイス |
| JP2003292588A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-10-15 | Xerox Corp | ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス |
| WO2005122277A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機薄膜トランジスタ |
| WO2005122278A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機半導体薄膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006008679A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-12 | Xerox Corp | 小分子チオフェン化合物の製造方法 |
| JP2006013483A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-12 | Xerox Corp | 小分子チオフェン化合物を備える装置 |
| JP2006036755A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-02-09 | Xerox Corp | 二価結合を有する小分子チオフェン化合物を備える装置 |
| JP2006060116A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 |
| JP2007059685A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ |
| JP2008153667A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Xerox Corp | ポリチオフェン電子デバイス |
| JPWO2006098121A1 (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法 |
| US7462726B2 (en) | 2004-01-27 | 2008-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Conjugated thiophene compound comprising perfluorinated and alkylated sidechains, conductive organic thin film containing the compound, and field-effect type organic transistor employing the thin film |
| WO2010110200A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 三洋化成工業株式会社 | 導電性コーティング組成物及び導電性コーティング膜の製造方法 |
| KR20110021275A (ko) * | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터 |
| KR20110093297A (ko) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터와 전자 소자 |
| WO2013035564A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及び有機トランジスタ |
| JP5692228B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2015-04-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子およびそれを用いた太陽電池 |
Families Citing this family (102)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770904B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-03 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US6885146B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates |
| US6890868B2 (en) * | 2002-10-17 | 2005-05-10 | Xerox Corporation | Process for depositing gelable composition that includes dissolving gelable composition in liquid with agitating to disrupt gelling |
| US20040119049A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Martin Heeney | Mono-, oligo- and poly-bis(thienyl) arylenes and their use as charge transport materials |
| GB0229191D0 (en) * | 2002-12-14 | 2003-01-22 | Plastic Logic Ltd | Embossing of polymer devices |
| US7973313B2 (en) * | 2003-02-24 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container |
| JP2005019955A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
| CN1823425A (zh) * | 2003-07-10 | 2006-08-23 | 松下电器产业株式会社 | 有机薄膜晶体管及其制造方法、以及使用了它的有源矩阵型显示器和无线识别标签 |
| US7049629B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-05-23 | Xerox Corporation | Semiconductor polymers and devices thereof |
| US7169883B2 (en) * | 2003-08-22 | 2007-01-30 | Xerox Corporation | Polymers |
| DE10340644B4 (de) * | 2003-09-03 | 2010-10-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik |
| US8450723B2 (en) * | 2003-11-04 | 2013-05-28 | Alcatel Lucent | Apparatus having an aromatic dielectric and an aromatic organic semiconductor including an alkyl chain |
| US7768405B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101137797B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 집적회로장치의 제조방법, 비접촉형 박막집적회로장치 및 그 제조 방법, 비접촉형 박막 집적회로장치를 가지는 아이디 태그 및 동전 |
| US20050175861A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-11 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes |
| WO2005088289A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Detection of no with a semi-conducting compound and a sensor and device to detect no |
| GB0410921D0 (en) * | 2004-05-14 | 2004-06-16 | Plastic Logic Ltd | Self-aligned active layer island |
| DE602005017384D1 (de) | 2004-05-18 | 2009-12-10 | Merck Patent Gmbh | Mono-, oligo- und polythienoä3,2-büthiophene |
| EP1753768A1 (en) * | 2004-06-09 | 2007-02-21 | Merck Patent GmbH | POLYMERISABLE THIENO¬3,2-b|THIOPHENES |
| US7105375B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-09-12 | Xerox Corporation | Reverse printing |
| KR100691319B1 (ko) * | 2004-09-15 | 2007-03-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| US7270694B2 (en) | 2004-10-05 | 2007-09-18 | Xerox Corporation | Stabilized silver nanoparticles and their use |
| US7170093B2 (en) * | 2004-11-05 | 2007-01-30 | Xerox Corporation | Dielectric materials for electronic devices |
| US7619242B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-11-17 | Xerox Corporation | Celluloses and devices thereof |
| US7321021B2 (en) * | 2005-03-22 | 2008-01-22 | Xerox Corporation | Removing impurities from polythiophene |
| US8089062B2 (en) * | 2005-03-23 | 2012-01-03 | Xerox Corporation | Wax encapsulated electronic devices |
| US7282735B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-10-16 | Xerox Corporation | TFT having a fluorocarbon-containing layer |
| US20060231908A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Xerox Corporation | Multilayer gate dielectric |
| US20060273303A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-07 | Xerox Corporation. | Organic thin film transistors with multilayer electrodes |
| US7306969B2 (en) * | 2005-07-22 | 2007-12-11 | Xerox Corporation | Methods to minimize contact resistance |
| KR100695013B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-03-16 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
| US9024298B2 (en) | 2005-07-26 | 2015-05-05 | Xerox Corporation | Encapsulation layer for electronic devices |
| EP1925044A2 (en) * | 2005-08-01 | 2008-05-28 | Plextronics, Inc. | Latent doping of conducting polymers |
| US7314908B2 (en) * | 2005-11-18 | 2008-01-01 | Xerox Corporation | Polythiophene processes |
| KR100659112B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
| EP1951787B1 (en) * | 2005-11-24 | 2011-02-23 | Merck Patent GmbH | Regioregular polyselenophenes |
| US7425723B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-09-16 | Xerox Corporation | Organic thin-film transistors |
| US7632703B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-12-15 | Xerox Corporation | Organic thin-film transistors |
| US7345303B2 (en) * | 2005-12-22 | 2008-03-18 | Xerox Corporation | Organic thin-film transistors |
| US7816146B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-10-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Passive electronic devices |
| US8637138B2 (en) | 2005-12-27 | 2014-01-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Layered structures on thin substrates |
| US7784173B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-08-31 | Palo Alto Research Center Incorporated | Producing layered structures using printing |
| US7847052B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-12-07 | Xerox Corporation | Linked arylamine polymers |
| US7517476B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-04-14 | Xerox Corporation | Polydiazaacenes |
| US7619055B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-11-17 | Xerox Corporation | Linked arylamine polymers and electronic devices generated therefrom |
| US8049205B2 (en) * | 2006-04-06 | 2011-11-01 | Xerox Corporation | Poly(alkynylthiophene)s and electronic devices generated therefrom |
| US7557370B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-07-07 | Xerox Corporation | Heteroacene polymers and electronic devices generated therefrom |
| US7586120B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-09-08 | Xerox Corporation | Ethynylene acene polymers and electronic devices generated therefrom |
| US7372071B2 (en) * | 2006-04-06 | 2008-05-13 | Xerox Corporation | Functionalized heteroacenes and electronic devices generated therefrom |
| US7563860B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-07-21 | Xerox Corporation | Semiconductors and electronic devices generated therefrom |
| US7517477B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-04-14 | Xerox Corporation | Polydiazaacenes and electronic devices generated therefrom |
| US7449715B2 (en) * | 2006-04-06 | 2008-11-11 | Xerox Corporation | Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom |
| US7705111B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-04-27 | Xerox Corporation | Poly(alkynylthiophene)s |
| US7795373B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-09-14 | Xerox Corporation | Ethynylene acene polymers |
| US7615607B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-11-10 | Xerox Corporation | Semiconductor polymers |
| US7550760B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-06-23 | Xerox Corporation | Polyacenes and electronic devices generated therefrom |
| US8334391B2 (en) * | 2006-04-06 | 2012-12-18 | Xerox Corporation | Functionalized heteroacenes |
| TWI323039B (en) * | 2006-10-24 | 2010-04-01 | Micro-casting lithography and method for fabrication of organic thin film transistor | |
| US7820782B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-10-26 | Xerox Corporation | Poly(dithienylbenzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene) polymers |
| US7834132B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-11-16 | Xerox Corporation | Electronic devices |
| US7923718B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-04-12 | Xerox Corporation | Organic thin film transistor with dual layer electrodes |
| US7816469B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-10-19 | Xerox Corporation | Process for producing polymer nanodispersions |
| US7718998B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-05-18 | Xerox Corporation | Thiophene electronic devices |
| TWI335341B (en) * | 2006-12-22 | 2011-01-01 | Ind Tech Res Inst | Polythiophene derivatives |
| KR100943146B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2010-02-18 | 주식회사 엘지화학 | 티아졸로티아졸 유도체를 이용한 유기 트랜지스터 및 이의제조방법 |
| KR100847987B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-07-22 | 삼성전자주식회사 | 탄소나노튜브용 분산제 및 이를 포함하는 탄소나노튜브조성물 |
| US7754510B2 (en) | 2007-04-02 | 2010-07-13 | Xerox Corporation | Phase-separated dielectric structure fabrication process |
| US7795614B2 (en) | 2007-04-02 | 2010-09-14 | Xerox Corporation | Device with phase-separated dielectric structure |
| US7652339B2 (en) * | 2007-04-06 | 2010-01-26 | Xerox Corporation | Ambipolar transistor design |
| CN101689607A (zh) * | 2007-06-28 | 2010-03-31 | 3M创新有限公司 | 结合界面导电簇的薄膜晶体管 |
| US20090142482A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Xerox Corporation | Methods of Printing Conductive Silver Features |
| US20090148600A1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Xerox Corporation | Metal Nanoparticles Stabilized With a Carboxylic Acid-Organoamine Complex |
| US20090224011A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Sperbeck Bryanlee P | Method of and an apparatus for assisting in putting on and taking off a wet suit used by water enthusiasts |
| US7573063B1 (en) | 2008-05-15 | 2009-08-11 | Xerox Corporation | Organic thin film transistors |
| US8272458B2 (en) * | 2008-06-12 | 2012-09-25 | Nackerud Alan L | Drill bit with replaceable blade members |
| US8298314B2 (en) * | 2008-08-18 | 2012-10-30 | Xerox Corporation | Silver nanoparticles and process for producing same |
| US8419822B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-04-16 | Xerox Corporation | Methods for producing carboxylic acid stabilized silver nanoparticles |
| US7821068B2 (en) | 2008-08-18 | 2010-10-26 | Xerox Corporation | Device and process involving pinhole undercut area |
| US8052895B2 (en) * | 2008-10-09 | 2011-11-08 | Xerox Corporation | Semiconducting ink formulation |
| US7837903B2 (en) * | 2008-12-10 | 2010-11-23 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices comprising the same |
| US8834965B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-09-16 | Xerox Corporation | Organoamine stabilized silver nanoparticles and process for producing same |
| US7935278B2 (en) | 2009-03-05 | 2011-05-03 | Xerox Corporation | Feature forming process using acid-containing composition |
| US20100233361A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Xerox Corporation | Metal nanoparticle composition with improved adhesion |
| US9166167B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-10-20 | Agency For Science, Technology And Research | P-type materials and organic electronic devices |
| KR101867784B1 (ko) | 2009-08-28 | 2018-06-15 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 폴리머 반도체, 소자 및 이를 제조하는 방법 |
| US8164089B2 (en) * | 2009-10-08 | 2012-04-24 | Xerox Corporation | Electronic device |
| US8304512B2 (en) * | 2010-01-19 | 2012-11-06 | Xerox Corporation | Benzodithiophene based materials compositions |
| US8366971B2 (en) | 2010-04-02 | 2013-02-05 | Xerox Corporation | Additive for robust metal ink formulations |
| US9076975B2 (en) | 2010-04-27 | 2015-07-07 | Xerox Corporation | Dielectric composition for thin-film transistors |
| US8765025B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-07-01 | Xerox Corporation | Silver nanoparticle composition comprising solvents with specific hansen solubility parameters |
| US8147908B2 (en) | 2010-06-09 | 2012-04-03 | Xerox Corporation | Increased throughput for large-scale production of low melt organoamine stabilized silver nano-particles |
| US8158032B2 (en) | 2010-08-20 | 2012-04-17 | Xerox Corporation | Silver nanoparticle ink composition for highly conductive features with enhanced mechanical properties |
| US8623447B2 (en) | 2010-12-01 | 2014-01-07 | Xerox Corporation | Method for coating dielectric composition for fabricating thin-film transistors |
| US8742403B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Xanthene based semiconductor compositions |
| US8586134B2 (en) | 2011-05-06 | 2013-11-19 | Xerox Corporation | Method of fabricating high-resolution features |
| US20130029034A1 (en) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Xerox Corporation | Process for producing silver nanoparticles |
| KR101963229B1 (ko) * | 2011-12-05 | 2019-03-29 | 삼성전자주식회사 | 접을 수 있는 박막 트랜지스터 |
| US8569443B1 (en) | 2012-12-18 | 2013-10-29 | Xerox Corporation | Copolythiophene semiconductors for electronic device applications |
| US9525135B2 (en) | 2013-01-28 | 2016-12-20 | Xerox Corporation | Thixotropic composition |
| WO2015100141A2 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Rieke Metals, Inc. | Polythiophenes with high mobility |
| CN103772665B (zh) * | 2014-01-23 | 2016-03-23 | 中国科学院化学研究所 | 一种聚噻吩衍生物及其制备方法与应用 |
| KR101741535B1 (ko) | 2015-06-19 | 2017-05-30 | 포항공과대학교 산학협력단 | 티오펜 유도체를 포함하는 공중합체 주사슬의 배향 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08505167A (ja) * | 1992-12-29 | 1996-06-04 | リュークスウニヴェルシテート テ グロニンゲン | 多重ブロック共重合体を基材とする波長可変性発光ダイオード、それに適した重合体およびオリゴマー |
| JPH08508311A (ja) * | 1993-03-31 | 1996-09-03 | シス バイオ インターナショナル | 導電性ポリマー／ヌクレオチドコポリマー、その製造方法及びその用途 |
| JPH10190001A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Lucent Technol Inc | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2003264327A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-09-19 | Xerox Corp | ポリチオフェン類を用いたデバイス |
| JP2003292588A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-10-15 | Xerox Corp | ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8302541A (nl) * | 1983-07-15 | 1985-02-01 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US5069823A (en) * | 1989-03-29 | 1991-12-03 | Agency Of Industrial Science And Technology | Thiophene compound and method for production thereof |
| JP2813428B2 (ja) * | 1989-08-17 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置 |
| FR2664430B1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
| US6320200B1 (en) * | 1992-06-01 | 2001-11-20 | Yale University | Sub-nanoscale electronic devices and processes |
| US5619357A (en) | 1995-06-06 | 1997-04-08 | International Business Machines Corporation | Flat panel display containing black matrix polymer |
| US6242561B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-06-05 | Basf Aktiengesellschaft | Substituted polythiophenes, processes for their preparation their use |
| US5969376A (en) | 1996-08-23 | 1999-10-19 | Lucent Technologies Inc. | Organic thin film transistor having a phthalocyanine semiconductor layer |
| US5777070A (en) | 1997-10-23 | 1998-07-07 | The Dow Chemical Company | Process for preparing conjugated polymers |
| JP2000068065A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6506438B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
| US6498114B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
| US6608323B2 (en) * | 2000-07-24 | 2003-08-19 | Northwestern University | n-type thiophene semiconductors |
| TW541855B (en) * | 2001-04-27 | 2003-07-11 | Sumitomo Chemical Co | Polymeric fluorescent substance and polymer light-emitting device using the same |
| US7074886B2 (en) | 2001-05-07 | 2006-07-11 | E. I. Du Pont De Memours And Company | Electroactive fluorene polymers having perfluoroalkyl groups, process for preparing such polymers and devices made with such polymers |
| US6872801B2 (en) * | 2002-01-11 | 2005-03-29 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6770904B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-03 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US6777529B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-17 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| EP2090416A1 (de) | 2008-02-12 | 2009-08-19 | Till Isensee | Verfahren zur Herstellung eines Dosendeckels |
-
2002
- 2002-01-11 US US10/042,358 patent/US6770904B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-09 JP JP2003003065A patent/JP4520093B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-10 EP EP03000413A patent/EP1329475B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-10 DE DE60312055T patent/DE60312055T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-27 US US10/832,503 patent/US7282733B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-27 US US10/832,504 patent/US7132682B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-11-17 US US11/561,032 patent/US7767999B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-07-25 US US11/782,812 patent/US8067264B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-05-20 US US12/783,595 patent/US8039833B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08505167A (ja) * | 1992-12-29 | 1996-06-04 | リュークスウニヴェルシテート テ グロニンゲン | 多重ブロック共重合体を基材とする波長可変性発光ダイオード、それに適した重合体およびオリゴマー |
| JPH08508311A (ja) * | 1993-03-31 | 1996-09-03 | シス バイオ インターナショナル | 導電性ポリマー／ヌクレオチドコポリマー、その製造方法及びその用途 |
| JPH10190001A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Lucent Technol Inc | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2003264327A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-09-19 | Xerox Corp | ポリチオフェン類を用いたデバイス |
| JP2003292588A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-10-15 | Xerox Corp | ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003292588A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-10-15 | Xerox Corp | ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス |
| JP4530613B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2010-08-25 | ゼロックス コーポレイション | ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス |
| JP4530616B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2010-08-25 | ゼロックス コーポレイション | ポリチオフェン類を用いたデバイス |
| JP2003264327A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-09-19 | Xerox Corp | ポリチオフェン類を用いたデバイス |
| US7462726B2 (en) | 2004-01-27 | 2008-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Conjugated thiophene compound comprising perfluorinated and alkylated sidechains, conductive organic thin film containing the compound, and field-effect type organic transistor employing the thin film |
| WO2005122277A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機薄膜トランジスタ |
| WO2005122278A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機半導体薄膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006008679A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-12 | Xerox Corp | 小分子チオフェン化合物の製造方法 |
| JP2006013483A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-12 | Xerox Corp | 小分子チオフェン化合物を備える装置 |
| JP2006036755A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-02-09 | Xerox Corp | 二価結合を有する小分子チオフェン化合物を備える装置 |
| JP2006060116A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 |
| JPWO2006098121A1 (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法 |
| JP2007059685A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ |
| JP2008153667A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Xerox Corp | ポリチオフェン電子デバイス |
| WO2010110200A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 三洋化成工業株式会社 | 導電性コーティング組成物及び導電性コーティング膜の製造方法 |
| JP2010248487A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-11-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | 導電性コーティング組成物及び導電性コーティング膜の製造方法 |
| KR20110021275A (ko) * | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터 |
| KR101644048B1 (ko) * | 2009-08-25 | 2016-07-29 | 삼성전자 주식회사 | 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터 |
| KR20110093297A (ko) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터와 전자 소자 |
| KR101675073B1 (ko) | 2010-02-12 | 2016-11-10 | 삼성전자 주식회사 | 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 트랜지스터와 전자 소자 |
| JP5692228B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2015-04-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子およびそれを用いた太陽電池 |
| WO2013035564A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及び有機トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6770904B2 (en) | 2004-08-03 |
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| DE60312055D1 (de) | 2007-04-12 |
| EP1329475A1 (en) | 2003-07-23 |
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| DE60312055T2 (de) | 2007-06-21 |
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| Liu et al. | Ong |
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