JP2003252635A - Method and apparatus for manufacturing porous base material - Google Patents
Method and apparatus for manufacturing porous base materialInfo
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- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、原料ガスの燃焼に
より合成されたガラス微粒子を堆積させて多孔質母材を
得る光ファイバ用の多孔質母材の製造方法および製造装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for producing a porous preform for an optical fiber, in which glass fine particles synthesized by burning a raw material gas are deposited to obtain a porous preform.
【０００２】[0002]
【従来の技術】通信用のシングルモード光ファイバを製
造するための半製品である多孔質母材は、一般に、Ｓｉ
Ｃｌ4やＧｅＣｌ4などの原料ガスをバーナで燃焼させて
ガラス微粒子とし、得られたガラス微粒子をターゲット
上やパイプ状基材の内壁に堆積させることによって、製
造されている。原料ガスとなる物質の多くは、常温では
液体であるので、原料ガスを得るためには、適切な気化
容器を原料ガスの種類ごとに１基ずつ以上用意し、該気
化容器中に液体原料を供給し、この液体原料を沸点以上
に加熱するか、アルゴンガスなどのキャリアガスを強制
通気させるバブリング法などにより、前記液体原料を気
化させる方法が用いられている。2. Description of the Related Art A porous base material which is a semi-finished product for producing a single mode optical fiber for communication is generally made of Si.
It is manufactured by burning a raw material gas such as Cl 4 or GeCl 4 with a burner to form glass fine particles, and depositing the obtained glass fine particles on the target or on the inner wall of the pipe-shaped substrate. Since most of the materials used as the source gas are liquid at room temperature, in order to obtain the source gas, one or more suitable vaporization containers are prepared for each type of source gas, and the liquid source is placed in the vaporization container. A method of vaporizing the liquid raw material by supplying the liquid raw material, heating the liquid raw material to a boiling point or higher, or by bubbling a carrier gas such as argon gas by force is used.
【０００３】そして、原料ガスをバーナに供給する際、
マスフローコントローラー（ＭＦＣ）を用いて該原料ガ
スの流量を制御することが一般的である。また、原料ガ
スの気化容器からバーナまでの間に配設された配管は、
原料ガスの凝縮を防止するため、適切な熱源や熱媒を用
いて保温するようにされている（例えば、特許３１８６
４４６号公報参照）。When the raw material gas is supplied to the burner,
It is common to control the flow rate of the source gas using a mass flow controller (MFC). Also, the pipes arranged between the vaporization container of the source gas and the burner are
In order to prevent the raw material gas from condensing, the heat is kept using an appropriate heat source or heat medium (for example, Patent 3186).
446).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】近年、波長多重伝送
（ＷＤＭ）が普及するにつれ、必要な特性を得るため
に、光ファイバの屈折率分布の設計も複雑化し、屈折率
制御の要求精度が高くなっている。従来の製造方法で
は、気温の季節変動や、配管の保温ムラなどにより、原
料ガスの温度が変動するのを避けることができず、原料
ガスの温度変動による流量制御の精度低下が起こる場合
があるという問題がある。With the recent spread of wavelength division multiplex transmission (WDM), the design of the refractive index distribution of an optical fiber has become complicated in order to obtain the required characteristics, and the required accuracy of refractive index control is high. Has become. In the conventional manufacturing method, it is unavoidable that the temperature of the raw material gas fluctuates due to seasonal fluctuations in temperature and uneven heat retention of the piping, and the accuracy of flow rate control may deteriorate due to the fluctuation of the raw material gas temperature. There is a problem.
【０００５】このように、流量制御の精度が低下したま
ま多孔質母材の製造を行うと、ガラス微粒子の生成量に
ムラが生じることにより、多孔質母材が不均質になるこ
とがある。このため、該多孔質母材の脱水、焼結により
得られるガラス母材に脈理が発生し、特性の変動が大き
くなり、不良品が増加する。さらに、多孔質母材の大型
化に伴って原料ガスの使用量が大幅に増加し、製造時間
がより長時間になると、この流量制御の精度低下の影響
はますます無視できないものとなり、問題である。As described above, when the porous base material is manufactured while the accuracy of the flow rate control is lowered, the porous base material may become non-homogeneous due to unevenness in the production amount of glass fine particles. For this reason, striae occur in the glass base material obtained by dehydration and sintering of the porous base material, the variation of the characteristics increases, and the number of defective products increases. Furthermore, as the amount of raw material gas used increases significantly with the increase in size of the porous base material, and the manufacturing time becomes longer, the effect of this decrease in flow control accuracy becomes more and more non-negligible. is there.
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、原料ガスの流量制御を高精度にて行うことがで
き、多孔質母材や、該多孔質母材から得られるガラス母
材の特性変動を小さく抑制しうる多孔質母材の製造方法
及び製造装置を提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above problems, and is capable of controlling the flow rate of a raw material gas with high accuracy, and a porous preform and a glass preform obtained from the porous preform. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for manufacturing a porous base material capable of suppressing the characteristic fluctuations of 1.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記課題は、流量制御装
置を恒温槽内に設置して、該恒温槽内の原料ガスの温度
を±１℃以内に制御するとともに、前記恒温槽内の原料
ガスの温度と、気化容器からバーナまでを連絡する配管
内の原料ガスの温度とを、気化容器内における原料ガス
の温度より高くすることによって解決される。これによ
り、原料ガスの流量制御を高精度にて行うことができ、
多孔質母材やガラス母材の脈理の発生や特性変動を抑制
することができる。The above object is to install a flow rate control device in a constant temperature tank to control the temperature of the raw material gas in the constant temperature tank to within ± 1 ° C., and to supply the raw material in the constant temperature tank. This is solved by making the temperature of the gas and the temperature of the raw material gas in the pipe that connects the vaporization container to the burner higher than the temperature of the raw material gas in the vaporization container. This makes it possible to control the flow rate of the raw material gas with high accuracy,
It is possible to suppress the occurrence of striae and the variation in characteristics of the porous base material and the glass base material.
【０００８】さらに、前記恒温槽を原料ガスの種類ごと
に１基ずつ設け、かつ、同種の原料ガスのための流量制
御装置を同一の恒温槽中に設置して温度制御を行うこと
が好ましい。これにより、同種の原料ガスに対する流量
制御装置は、同一の恒温槽中により、同一の一定温度に
制御されるようになるので、複数の流量制御装置の間
で、温度差のため流量制御にずれが生じることが抑えら
れ、原料ガスの流量制御の精度が一層向上する。Further, it is preferable that one thermostat is provided for each type of raw material gas, and that a flow rate control device for the same kind of raw material gas is installed in the same thermostat to perform temperature control. As a result, the flow rate control devices for the same kind of raw material gas are controlled to the same constant temperature in the same constant temperature bath, so that there is a temperature difference between the plurality of flow rate control devices, causing a shift in flow rate control. Is suppressed and the accuracy of flow rate control of the raw material gas is further improved.
【０００９】
［発明の詳細な説明］本発明を好適な実施の形態により
説明する。図１は、本発明の多孔質母材の製造装置の一
例を示す図である。本実施の形態においては、ＶＡＤ法
により多孔質母材を製造する。図１において、符号１は
第１の気化容器である。第１の気化容器１には、図示し
ない供給手段から液体のＳｉＣｌ4が供給されており、
このＳｉＣｌ4を適切な加熱手段を用いた加熱や、アル
ゴンなどのキャリアガスのバブリングによって気化さ
せ、ＳｉＣｌ4ガスを発生させるようになっている。ま
た、符号２は、第２の気化容器である。第２の気化容器
２には、図示しない供給手段から液体のＧｅＣｌ4が供
給されており、このＧｅＣｌ4を適切な加熱や、アルゴ
ンなどのキャリアガスのバブリングによって気化させ、
ＧｅＣｌ4ガスを発生させるようになっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described with reference to preferred embodiments. FIG. 1 is a diagram showing an example of a porous base material manufacturing apparatus of the present invention. In the present embodiment, the porous base material is manufactured by the VAD method. In FIG. 1, reference numeral 1 is a first vaporization container. Liquid SiCl 4 is supplied to the first vaporization container 1 from a supply means (not shown),
This SiCl 4 is vaporized by heating using an appropriate heating means or bubbling a carrier gas such as argon to generate SiCl 4 gas. Reference numeral 2 is a second vaporization container. Liquid GeCl 4 is supplied to the second vaporization container 2 from a supply means (not shown), and this GeCl 4 is vaporized by appropriate heating or bubbling of a carrier gas such as argon,
It is designed to generate GeCl 4 gas.
【００１０】このようにして得られたＳｉＣｌ4ガスお
よびＧｅＣｌ4ガスは、それぞれ第１および第２の配管
２１、２２を介して、第１〜第３の流量制御装置３〜５
に送られる。第１の流量制御装置３は、コア用バーナ６
に送られるＳｉＣｌ4ガスの流量を制御するためのもの
である。第２の流量制御装置４は、クラッド用バーナ７
に送られるＳｉＣｌ4ガスの流量を制御するためのもの
である。第３の流量制御装置５は、コア用バーナ６に送
られるＧｅＣｌ4の流量を制御するためのものである。The SiCl 4 gas and the GeCl 4 gas thus obtained are passed through the first and second pipes 21 and 22, respectively, to the first to third flow rate control devices 3 to 5.
Sent to. The first flow control device 3 includes the burner 6 for the core.
It is for controlling the flow rate of the SiCl 4 gas sent to the. The second flow control device 4 includes a burner 7 for cladding.
It is for controlling the flow rate of the SiCl 4 gas sent to the. The third flow rate control device 5 is for controlling the flow rate of GeCl 4 sent to the core burner 6.
【００１１】そして、第１の流量制御装置３により流量
制御されたＳｉＣｌ4ガスと、第３の流量制御装置５に
より流量制御されたＧｅＣｌ4ガスとは、第３の配管２
３を介してコア用バーナ６に送られるようになってい
る。また、第２の流量制御装置４により流量制御された
ＳｉＣｌ4ガスは、第４の配管２４を介してクラッド用
バーナ７に送られるようになっている。The SiCl 4 gas whose flow rate is controlled by the first flow rate control device 3 and the GeCl 4 gas whose flow rate is controlled by the third flow rate control device 5 are connected to the third pipe 2
3 to the core burner 6. Further, the SiCl 4 gas whose flow rate is controlled by the second flow rate control device 4 is sent to the cladding burner 7 through the fourth pipe 24.
【００１２】コア用バーナ６およびクラッド用バーナ７
は、それぞれの原料ガスを燃焼させてガラス微粒子を合
成するためのものである。そして、合成されたガラス微
粒子は、ターゲット８上に堆積し、多孔質母材９を形成
するようになっている。ターゲット８は、図１において
は、ＶＡＤ法に見られるように、鉛直に垂下された棒材
として示している。そして、図示しない支持手段によっ
て把持されており、不図示の駆動手段によって上下動お
よび軸回転が可能となっている。Burner 6 for core and burner 7 for clad
Is for combusting the respective raw material gases to synthesize the glass fine particles. Then, the synthesized glass fine particles are deposited on the target 8 to form the porous base material 9. The target 8 is shown in FIG. 1 as a vertically suspended bar as seen in the VAD method. It is gripped by a support means (not shown), and can be vertically moved and rotated by a drive means (not shown).
【００１３】本実施の形態においては、ＳｉＣｌ4ガス
の流量を制御するための第１および第２の流量制御装置
３、４は、第１の恒温槽１０内に設置されている。そし
て、ＧｅＣｌ4ガスの流量を制御するための第３の流量
制御装置５は、第２の恒温槽１１内に設置されている。
ここで、第１の恒温槽１０の内部は、第１の気化容器１
中のＳｉＣｌ4ガスの温度より高い温度にて一定に制御
されている。また、第２の恒温槽１１の内部は、第２の
気化容器２中のＧｅＣｌ4の温度より高い温度にて一定
に制御されている。In the present embodiment, the first and second flow rate control devices 3 and 4 for controlling the flow rate of the SiCl 4 gas are installed in the first constant temperature bath 10. A third flow rate control device 5 for controlling the flow rate of GeCl 4 gas is installed in the second constant temperature bath 11.
Here, the inside of the first constant temperature bath 10 is the first vaporization container 1
The temperature is controlled to be constant at a temperature higher than the temperature of the SiCl 4 gas inside. Further, the inside of the second constant temperature bath 11 is constantly controlled at a temperature higher than the temperature of GeCl 4 in the second vaporization container 2.
【００１４】第１および第２の恒温槽１０、１１として
は、適切な寸法の槽と、適切な加熱手段、冷却または放
熱手段、および温度制御手段とを備え、前記槽内の温度
を、所定の温度を中心として、±１℃の範囲内に保つこ
とができる装置が用いられる。これらの恒温槽１０、１
１は、少なくとも流量制御装置を収容することができる
大きさが必要である。また、あまりに小さいと、原料ガ
スの流れが該恒温槽の内部を通過する時間が短くなり、
各流量制御装置３〜５を通過する際の原料ガスの温度変
動を十分に抑制することが困難になる。The first and second constant temperature baths 10 and 11 are provided with baths having appropriate dimensions, proper heating means, cooling or heat radiating means, and temperature control means, and the temperature inside the baths is predetermined. A device that can keep the temperature within the range of ± 1 ° C. is used. These constant temperature baths 10, 1
1 needs to be large enough to accommodate at least the flow rate control device. On the other hand, if it is too small, the time for which the flow of the raw material gas passes through the inside of the constant temperature bath becomes short,
It becomes difficult to sufficiently suppress the temperature fluctuation of the raw material gas when passing through each of the flow rate control devices 3 to 5.
【００１５】さらに、第１〜第４の配管２１〜２４の温
度は、原料ガスの再凝縮を防止するため、第１および第
２の気化容器１、２内の原料ガスの温度より高くされて
いる。これらの配管２１〜２４を加熱するための手段と
しては、例えば、電気ヒータなどの熱源や、熱水などの
熱媒が挙げられる。また、配管の周囲に断熱材などの層
を形成して、保温効果を高めてもよい。前記気化容器
１、２中の原料ガスの温度と、温度差としては、少なく
とも１０℃以上高くすることが好ましい。各配管２１〜
２４の温度制御は、特に厳密に行う必要はなく、例えば
変動幅が±５℃以下で、気化容器１、２のガス温度より
１０℃以上高ければよい。Further, the temperature of the first to fourth pipes 21 to 24 is set higher than the temperature of the raw material gas in the first and second vaporization vessels 1 and 2 in order to prevent recondensation of the raw material gas. There is. Examples of means for heating these pipes 21 to 24 include a heat source such as an electric heater and a heat medium such as hot water. In addition, a layer such as a heat insulating material may be formed around the pipe to enhance the heat retention effect. It is preferable that the temperature difference between the temperature of the raw material gas in the vaporization vessels 1 and 2 and the temperature difference be at least 10 ° C. or higher. Each pipe 21-
It is not necessary to strictly control the temperature of 24, for example, the fluctuation range may be ± 5 ° C. or less and may be higher than the gas temperature of the vaporization vessels 1 and 2 by 10 ° C. or more.
【００１６】図１に示す製造装置を用いて、多孔質母材
９を製造するためには、恒温槽１０、１１により流量制
御装置の温度制御を行うことを除き、従来と同様の手法
により実施できる。すなわち、第１および第２の気化容
器１、２を用いて、ＳｉＣｌ 4ガスおよびＧｅＣｌ4ガス
を発生させ、これらの原料ガスを、第１〜第３の流量制
御装置３〜５を用いて流量制御しながら、コア用バーナ
６またはクラッド用バーナ７に送って燃焼させて、ガラ
ス微粒子を合成させ、ガラス微粒子をターゲット８上に
堆積させ成長させることによって、多孔質母材９を製造
することができる。Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, a porous base material
In order to manufacture 9, the flow rate is controlled by the constant temperature baths 10 and 11.
The same method as the conventional method except that the temperature of the control device is controlled
Can be implemented by That is, the first and second vaporization volumes
Using vessels 1 and 2, SiCl FourGas and GeClFourgas
Is generated, and these source gases are controlled by the first to third flow rate control.
Burner for core while controlling the flow rate using control devices 3-5
6 or burner 7 for clad to burn and burn
Fine particles are synthesized and glass fine particles are placed on the target 8.
Produce porous matrix 9 by depositing and growing
can do.
【００１７】得られた多孔質母材９は、適切な手法を用
いて、脱水、焼結させて透明化することによりガラス母
材とすることができる。さらにこのガラス母材は周知の
手法により加熱溶融させて紡糸することにより、光ファ
イバとすることができる。The obtained porous base material 9 can be made into a glass base material by dehydration and sintering to make it transparent by an appropriate method. Further, this glass base material can be made into an optical fiber by heating and melting it by a known method and spinning it.
【００１８】上述の実施形態においては、ＶＡＤ法によ
る多孔質母材９の製造方法について説明したが、本発明
の多孔質母材９の製造方法は、ガラス微粒子を合成する
ための原料ガスが、液体原料を気化させて得られるもの
であれば、いかなる方法にも適用することができる。こ
のような方法としては、例えば、気相軸付け法（ＶＡＤ
法）、外付け法（ＯＶＤ法）、内付け法（ＣＶＤ法、Ｍ
ＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法）が挙げられる。例えば、外付け
法では、石英ガラス棒などのガラスロッドを用い、該ガ
ラスロッドの外周上にガラス微粒子を堆積させることに
よって多孔質母材を製造することができる。また、内付
け法では、石英ガラス管などのパイプ状基材を用い、該
パイプ状基材の内壁にガラス微粒子を堆積させることに
よって多孔質母材を製造することができる。In the above embodiment, the method of manufacturing the porous base material 9 by the VAD method has been described. However, in the method of manufacturing the porous base material 9 of the present invention, the raw material gas for synthesizing the glass fine particles is Any method can be applied as long as it is obtained by vaporizing a liquid raw material. As such a method, for example, a vapor phase axial method (VAD
Method), external attachment method (OVD method), internal attachment method (CVD method, M
CVD method, PCVD method). For example, in the external attachment method, a porous rod can be manufactured by using a glass rod such as a quartz glass rod and depositing glass particles on the outer periphery of the glass rod. In the internal attachment method, a porous base material can be manufactured by using a pipe-shaped base material such as a quartz glass tube and depositing glass fine particles on the inner wall of the pipe-shaped base material.
【００１９】また、多孔質母材９の種類にも制限はな
く、シングルモード光ファイバ用多孔質母材、分散シフ
ト光ファイバ用多孔質母材、カットオフシフト光ファイ
バ用多孔質母材、分散補償光ファイバ用多孔質母材な
ど、いかなる光ファイバのための多孔質母材でもよい。
それぞれ、適切な手段により、ガラスの組成や屈折率分
布などを制御することによって製造することができる。
原料ガスとなる物質としては、常温で液体であり、気化
させて燃焼させることによりガラス化するものであり、
シングルモード光ファイバの製造に使用されうるもので
あれば、いずれの物質にも適用可能である。このような
物質としては、ＳｉＣｌ4、ＧｅＣｌ4の他、例えば、Ｐ
ＯＣｌ3、ＢＢｒ3などが例示される。The type of the porous preform 9 is not limited, and the single-mode optical fiber porous preform, the dispersion shift optical fiber porous preform, the cutoff shift optical fiber porous preform, the dispersion It may be a porous preform for any optical fiber, such as a compensating optical fiber preform.
Each can be manufactured by controlling the composition of glass, the refractive index distribution, etc. by an appropriate means.
The substance that becomes the raw material gas is a liquid at normal temperature, which is vitrified by vaporizing and burning,
Any material can be used as long as it can be used to manufacture a single mode optical fiber. Examples of such a substance include SiCl 4 , GeCl 4 , and, for example, P
OCl 3 , BBr 3 and the like are exemplified.
【００２０】本発明の多孔質母材の製造方法を用いるこ
とにより、原料ガスの流量制御が高精度にて行うことが
できるので、ガラスの組成や屈折率分布などの制御も、
精度良く行うことができる。従って、特性の優れた光フ
ァイバを得ることができる。By using the method for producing a porous base material according to the present invention, the flow rate of a raw material gas can be controlled with high accuracy, so that the composition of glass and the distribution of refractive index can be controlled.
It can be done accurately. Therefore, an optical fiber having excellent characteristics can be obtained.
【００２１】次に、具体例により本発明を詳しく説明す
る。いずれの具体例においても、第１の気化容器１は、
液体のＳｉＣｌ4からＳｉＣｌ4ガスを発生させるための
ものであり、第２の気化容器２は、液体のＧｅＣｌ4か
らＧｅＣｌ4ガスを発生させるためのものである。Next, the present invention will be described in detail with reference to specific examples. In any specific example, the first vaporization container 1 is
It is for generating SiCl 4 gas from liquid SiCl 4 , and the second vaporization container 2 is for generating GeCl 4 gas from liquid GeCl 4 .
【００２２】（実施例１）図１に示す装置を用いて、シ
ングルモード光ファイバ用の多孔質母材９を製造した。
第１の気化容器１の温度を７５℃、第１の恒温槽１０の
温度を８５℃、第２の気化容器２の温度を９５℃、第２
の恒温槽１１の温度を１１０℃、各配管２１〜２４の温
度を１２０℃とした。第１および第２の恒温槽１０、１
１の温度変動はいずれも最大１℃であった。また、配管
２１〜２４の温度変動はいずれも最大１℃であった。Example 1 Using the apparatus shown in FIG. 1, a porous preform 9 for a single mode optical fiber was manufactured.
The temperature of the first vaporization container 1 is 75 ° C., the temperature of the first constant temperature bath 10 is 85 ° C., the temperature of the second vaporization container 2 is 95 ° C., the second
The temperature of the constant temperature bath 11 was 110 ° C., and the temperature of each of the pipes 21 to 24 was 120 ° C. First and second constant temperature baths 10, 1
The maximum temperature fluctuation of 1 was 1 ° C. In addition, the temperature fluctuations of the pipes 21 to 24 were all 1 ° C. at maximum.
【００２３】このようにして得られた多孔質母材９を脱
水焼結してガラス母材を製造した。そして、このガラス
母材を歪測定器にて検査したところ、脈理は検出されな
かった。さらに、このガラス母材からシングルモード光
ファイバを製造したところ、特性の優れた光ファイバを
得ることができた。The porous base material 9 thus obtained was dehydrated and sintered to produce a glass base material. When the glass base material was inspected with a strain measuring instrument, no striae were detected. Furthermore, when a single mode optical fiber was manufactured from this glass base material, an optical fiber with excellent characteristics could be obtained.
【００２４】（比較例１）第１および第２の恒温槽１
０、１１を使用しない以外は、実施例１に用いたのと同
様の装置を用いて多孔質母材９を製造した。この際、第
１〜第３の流量制御装置３〜５の周辺の気温変動はいず
れも最大２℃であった。得られた多孔質母材９を脱水焼
結してガラス母材を製造した。そして、このガラス母材
を歪測定器にて検査したところ、脈理が検出された。こ
のガラス母材からシングルモード光ファイバを製造した
ところ、所々に気泡などの欠陥を有するものとなった。Comparative Example 1 First and second constant temperature baths 1
A porous base material 9 was manufactured using the same apparatus as that used in Example 1 except that 0 and 11 were not used. At this time, the temperature variations around the first to third flow rate control devices 3 to 5 were all 2 ° C. at the maximum. The obtained porous base material 9 was dehydrated and sintered to produce a glass base material. When the glass base material was inspected with a strain measuring instrument, striae were detected. When a single mode optical fiber was manufactured from this glass base material, it had defects such as bubbles in some places.
【００２５】（比較例２）第１および第２の恒温槽１
０、１１を使用しない以外は、実施例１に用いたのと同
様の装置を用いて多孔質母材９を製造した。この際、第
１〜第３の流量制御装置３〜５の周辺の気温変動は最大
５℃であった。得られた多孔質母材９を脱水焼結してガ
ラス母材を製造した。そして、このガラス母材を歪測定
器にて検査したところ、脈理が検出された。このガラス
母材からシングルモード光ファイバを製造したところ、
所々に気泡などの欠陥を有するものとなった。(Comparative Example 2) First and second constant temperature baths 1
A porous base material 9 was manufactured using the same apparatus as that used in Example 1 except that 0 and 11 were not used. At this time, the maximum ambient temperature fluctuation around the first to third flow rate control devices 3 to 5 was 5 ° C. The obtained porous base material 9 was dehydrated and sintered to produce a glass base material. When the glass base material was inspected with a strain measuring instrument, striae were detected. When a single mode optical fiber was manufactured from this glass base material,
It had defects such as bubbles in some places.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多孔質母
材の製造方法および製造装置によれば、流量制御装置に
よる原料ガスの流量制御を極めて高い精度にて行うこと
ができるので、ガラスの組成や屈折率分布などの制御
も、精度良く行うことができる。この多孔質母材をファ
イバ化することにより、特性の優れた光ファイバを得る
ことができる。As described above, according to the method and apparatus for manufacturing a porous base material of the present invention, the flow rate control device can control the flow rate of the raw material gas with extremely high accuracy. It is possible to accurately control the composition and refractive index distribution of the above. By making this porous base material into a fiber, an optical fiber having excellent characteristics can be obtained.
【図１】 本発明の多孔質母材の製造装置の一例を示す
概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of an apparatus for producing a porous base material according to the present invention.
【図２】 従来の多孔質母材の製造装置の一例を示す概
略図である。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a conventional porous base material manufacturing apparatus.
１…第１の気化容器、２…第２の気化容器、３…第１の
流量制御装置、４…第２の流量制御装置、５…第３の流
量制御装置、６…コア用バーナ、７…クラッド用バー
ナ、８…ターゲット、９…多孔質母材、１０…第１の恒
温槽、１１…第２の恒温槽、２１…第１の配管、２２…
第２の配管、２３…第３の配管、２４…第４の配管。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st vaporization container, 2 ... 2nd vaporization container, 3 ... 1st flow control device, 4 ... 2nd flow control device, 5 ... 3rd flow control device, 6 ... Burner for cores, 7 ... Clad burner, 8 ... Target, 9 ... Porous base material, 10 ... First constant temperature bath, 11 ... Second constant temperature bath, 21 ... First piping, 22 ...
2nd piping, 23 ... 3rd piping, 24 ... 4th piping.
フロントページの続き (72)発明者 内山 圭祐 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 (72)発明者 後藤 孝和 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 (72)発明者 藤巻 宗久 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 (72)発明者 堀越 雅博 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 (72)発明者 原田 光一 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 Ｆターム(参考） 4G014 AH12 4G021 EA01 EB07 EB26 Continued front page (72) Inventor Keisuke Uchiyama Fuji Co., Ltd. 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Kura Sakura Office (72) Inventor Takakazu Goto Fuji Co., Ltd. 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Kura Sakura Office (72) Inventor Munehisa Fujimaki Fuji Co., Ltd. 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Kura Sakura Office (72) Inventor Masahiro Horikoshi Fuji Co., Ltd. 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Kura Sakura Office (72) Inventor Koichi Harada Fuji Co., Ltd. 1440 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Kura Sakura Office F-term (reference) 4G014 AH12 4G021 EA01 EB07 EB26
Claims (4)
料ガスを得、この原料ガスを流量制御装置により所定の
流量としてバーナに供給し、該バーナによって燃焼させ
ることによってガラス微粒子を合成し、このガラス微粒
子を堆積させて多孔質母材を製造する多孔質母材の製造
方法において、 前記流量制御装置を恒温槽内に設置して該恒温槽内の原
料ガスの温度を±１℃以内に制御するとともに、前記恒
温槽内の原料ガスの温度と、前記気化容器からバーナま
でを連絡する配管内の原料ガスの温度とを、前記気化容
器内における原料ガスの温度より高くすることを特徴と
する多孔質母材の製造方法。1. A liquid raw material is vaporized in a vaporization container to obtain a raw material gas, the raw material gas is supplied to a burner at a predetermined flow rate by a flow rate control device, and is burned by the burner to synthesize glass fine particles. In a method for producing a porous base material, in which glass particles are deposited to produce a porous base material, the flow rate control device is installed in a constant temperature tank to control the temperature of the raw material gas in the constant temperature tank within ± 1 ° C. In addition, the temperature of the raw material gas in the constant temperature bath and the temperature of the raw material gas in the pipe connecting the vaporization container to the burner are set higher than the temperature of the raw material gas in the vaporization container. A method for manufacturing a porous base material.
ずつ設け、かつ、同種の原料ガスのための各流量制御装
置を、同一の恒温槽中に設置して温度制御を行うことを
特徴とする請求項１に記載の多孔質母材の製造方法。2. A constant temperature bath is provided for each type of raw material gas, and flow rate control devices for the same type raw material gas are installed in the same constant temperature bath for temperature control. The method for producing a porous base material according to claim 1, wherein the porous base material is manufactured.
めの気化容器と、前記原料ガスを燃焼させてガラス微粒
子を合成するためのバーナと、前記原料ガスを前記気化
容器から前記バーナまで送るための配管と、前記原料ガ
スの流量を制御するための流量制御装置と、該流量制御
装置の周囲の温度を±１℃以内に制御するための恒温槽
とを備えることを特徴とする多孔質母材の製造装置。3. A vaporization container for vaporizing a liquid raw material to obtain a raw material gas, a burner for combusting the raw material gas to synthesize glass particles, and sending the raw material gas from the vaporization container to the burner. And a flow control device for controlling the flow rate of the raw material gas, and a constant temperature bath for controlling the temperature around the flow control device within ± 1 ° C. Base material manufacturing equipment.
基ずつ設けられ、かつ、同種の原料ガスのための各流量
制御装置は、同じ恒温槽中に設置されていることを特徴
とする請求項３に記載の多孔質母材の製造装置。4. The constant temperature bath is provided for each type of raw material gas.
The porous base material manufacturing apparatus according to claim 3, wherein each of the flow rate control devices provided for each of the bases and for the same type of raw material gas is installed in the same constant temperature chamber.
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