JP2003234333A - Machining method and apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、加工方法及び装置
に関し、特にレジストマスクを不要とするノンコンタク
トマスク加工手段や、マイクロプラズマ源を用いた加工
手段に特徴がある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and apparatus, and is particularly characterized by a non-contact mask processing means that does not require a resist mask and a processing means using a microplasma source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、表面に薄膜が形成された基板に
代表される被処理物にパターンニング加工を行う場合、
レジストプロセスが用いられる。その一例を図６に示
す。図６において、まず、被処理物２５の表面に感光性
レジスト２６を塗布する（ａ）。次に、露光機を用いて
露光した後現像すると、レジスト２６が所望の形状にパ
ターンニングできる（ｂ）。そして、被処理物２５を真
空容器内に載置し、真空容器内にプラズマを発生させ、
レジスト２６をマスクとして被処理物２５をエッチング
加工すると、被処理物２５の表面が所望の形状にパター
ニングされる（ｃ）。最後に、レジスト２６を酸素プラ
ズマや有機溶剤などで除去することで、加工が完了する
（ｄ）。2. Description of the Related Art Generally, when a patterning process is performed on an object to be processed represented by a substrate having a thin film formed on the surface thereof,
A resist process is used. An example thereof is shown in FIG. In FIG. 6, first, a photosensitive resist 26 is applied to the surface of the object to be processed 25 (a). Next, the resist 26 can be patterned into a desired shape by developing after exposing using an exposing machine (b). Then, the object to be processed 25 is placed in the vacuum container, plasma is generated in the vacuum container,
When the object to be processed 25 is etched using the resist 26 as a mask, the surface of the object to be processed 25 is patterned into a desired shape (c). Finally, the resist 26 is removed by oxygen plasma, an organic solvent, or the like to complete the processing (d).
【０００３】以上のようなレジストプロセスは、微細パ
ターンを精度良く形成するのに適しているため、半導体
などの電子デバイスの製造において重要な役割を果たす
に至った。また、工程が複雑であるという欠点もある。Since the resist process as described above is suitable for forming fine patterns with high precision, it has played an important role in the manufacture of electronic devices such as semiconductors. There is also a drawback that the process is complicated.
【０００４】そこで、レジストプロセスを用いない新し
い加工方法が検討されている。その一例として、図７に
ノンコンタクトマスクエッチングの概念図を示す。真空
容器１内に配置された電極７上に被処理物８を載置し、
真空容器１内にガス供給装置２よりガスを供給しつつ、
排気装置３により真空容器１内を排気し、真空容器１内
を所定の圧力に制御しながら、プラズマ源用高周波電源
４より、プラズマ源としての誘電板５上に配置されたコ
イル６に高周波電力を供給することにより、真空容器１
内にプラズマを発生させ、被処理物８の近傍に配置させ
たマスク９に設けられた微小な貫通穴を通じてプラズマ
から漏れ出る活性粒子を被処理物８に作用させ、被処理
物を加工する方法である。Therefore, a new processing method that does not use a resist process is being studied. As an example, FIG. 7 shows a conceptual diagram of non-contact mask etching. The object to be treated 8 is placed on the electrode 7 arranged in the vacuum container 1,
While supplying gas from the gas supply device 2 into the vacuum container 1,
The inside of the vacuum container 1 is evacuated by the exhaust device 3, and while controlling the inside of the vacuum container 1 to a predetermined pressure, the high frequency power source 4 for the plasma source applies high frequency power to the coil 6 arranged on the dielectric plate 5 as the plasma source. By supplying the vacuum container 1
A method of processing an object by generating plasma therein and causing active particles leaking from the plasma to act on the object 8 through minute through holes provided in a mask 9 arranged in the vicinity of the object 8 to be processed. Is.
【０００５】また、別例として、図８にマイクロプラズ
マエッチングの概念図を示す。被処理物８の近傍に配置
することが可能なマイクロプラズマ源１７に高周波電力
を供給してマイクロプラズマを発生させ、マイクロプラ
ズマから漏れ出る活性粒子を被処理物８に作用させ、被
処理物を加工する方法である。As another example, FIG. 8 shows a conceptual diagram of microplasma etching. High-frequency power is supplied to the microplasma source 17 that can be arranged in the vicinity of the object to be processed 8 to generate microplasma, and the active particles leaking from the microplasma are caused to act on the object to be processed 8, It is a method of processing.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
で述べた被処理物の加工において、この被処理物の表面
に形成されるパターンニング形状を制御することが困難
であるという問題が生じることがある。その結果、加工
精度が低下するという問題点があった。However, in the processing of the object to be processed described in the conventional example, it may be difficult to control the patterning shape formed on the surface of the object to be processed. is there. As a result, there is a problem that the processing accuracy is lowered.
【０００７】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、パタ
ーンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた加
工方法及び装置を提供することを目的としている。In view of the above conventional problems, it is an object of the present invention to provide a processing method and apparatus capable of controlling a patterning shape and having excellent processing accuracy.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願の第１発明の加工方
法は、真空容器内に被処理物を載置し、真空容器内にガ
スを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定
の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、被処理物の近傍に配置させたマスクに設けられた微
小な貫通穴を通じてプラズマから漏れ出る活性粒子を被
処理物に作用させ、被処理物を加工する加工方法であっ
て、マスクと被処理物との距離を徐々に変化させつつ被
処理物をエッチング加工することを特徴とする。A processing method according to the first invention of the present application is to place an object to be processed in a vacuum container, exhaust the inside of the vacuum container while supplying gas into the vacuum container, While controlling the pressure to a predetermined pressure, plasma is generated in the vacuum container, and active particles leaking from the plasma are made to act on the object to be processed through minute through holes provided in a mask arranged near the object to be processed. A processing method for processing an object to be processed, characterized in that the object to be processed is etched while gradually changing the distance between the mask and the object to be processed.
【０００９】本願の第１発明の加工方法において、好適
には、マスクと被処理物との距離を徐々に大きくしてい
くことが望ましい。あるいは、マスクと被処理物との距
離を徐々に小さくしていってもよい。In the processing method of the first invention of the present application, it is preferable that the distance between the mask and the object to be processed be gradually increased. Alternatively, the distance between the mask and the object to be processed may be gradually reduced.
【００１０】また、好適には、マスクが導電体であり、
かつ、マスクに負の直流電圧を印加することが望まし
い。あるいは、マスクが導電体であり、かつ、マスクに
高周波電力を印加してもよい。あるいは、マスクが導電
体に絶縁体のコーティングを施したものであり、かつ、
マスクに高周波電力を印加してもよい。あるいは、被処
理物を載置するための電極に高周波電力を印加してもよ
い。Further, preferably, the mask is a conductor,
Moreover, it is desirable to apply a negative DC voltage to the mask. Alternatively, the mask may be a conductor and high frequency power may be applied to the mask. Alternatively, the mask is a conductor coated with an insulator, and
High frequency power may be applied to the mask. Alternatively, high frequency power may be applied to the electrode on which the object to be processed is placed.
【００１１】本願の第２発明の加工方法は、被処理物の
近傍に配置させたマイクロプラズマ源に高周波電力を印
加することにより、マイクロプラズマを発生させ、マイ
クロプラズマから漏れ出る活性粒子を被処理物に作用さ
せ、被処理物を加工する加工方法であって、マイクロプ
ラズマ源と被処理物との距離を徐々に変化させつつ被処
理物をエッチング加工することを特徴とする。In the processing method of the second invention of the present application, by applying high-frequency power to a microplasma source arranged near the object to be processed, microplasma is generated and active particles leaking from the microplasma are processed. A processing method for processing an object to be processed by acting on the object, characterized by etching the object to be processed while gradually changing the distance between the microplasma source and the object to be processed.
【００１２】本願の第２発明の加工方法において、好適
には、マイクロプラズマ源と被処理物との距離を徐々に
大きくしていくことが望ましい。あるいは、マイクロプ
ラズマ源と被処理物との距離を徐々に小さくしていって
もよい。In the processing method of the second invention of the present application, it is preferable that the distance between the microplasma source and the object to be processed is gradually increased. Alternatively, the distance between the microplasma source and the object to be processed may be gradually reduced.
【００１３】また、好適には、被処理物を載置するため
の電極に高周波電力を印加することが望ましい。Further, it is preferable that high frequency power is applied to the electrode on which the object to be processed is placed.
【００１４】本願の第３発明の加工装置は、真空容器
と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置
と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器
内にプラズマを発生させるためのプラズマ源と、被処理
物の近傍に配置させることができ、かつ、微小な貫通穴
が設けられたマスクと、マスクと被処理物との距離を計
測するための距離計測装置と、マスクと被処理物との距
離を変化させることができる距離制御装置とを備えたこ
とを特徴とする。A processing apparatus according to a third invention of the present application is a vacuum container, a gas supply device for supplying a gas into the vacuum container, an exhaust device for exhausting the inside of the vacuum container, and a plasma in the vacuum container. A plasma source for generating, a mask that can be arranged in the vicinity of the object to be processed, and is provided with a minute through hole, and a distance measuring device for measuring the distance between the mask and the object to be processed. And a distance control device capable of changing the distance between the mask and the object to be processed.
【００１５】本願の第３発明の加工装置において、好適
には、距離制御装置は、真空容器内に発生させたプラズ
マを停止することなく動作可能であることが望ましい。In the processing apparatus of the third invention of the present application, it is preferable that the distance control device can operate without stopping the plasma generated in the vacuum container.
【００１６】また、好適には、マスクと被処理物の距離
を徐々に大きく、または徐々に小さくするよう、プログ
ラム可能であることが望ましい。It is also desirable that the mask be programmable so that the distance between the mask and the object to be processed is gradually increased or decreased.
【００１７】また、好適には、マスクが導電体であり、
かつ、マスクに負の直流電圧を印加するための直流電源
を備えることが望ましい。あるいは、マスクが導電体で
あり、かつ、マスクに高周波電力を印加するための高周
波電源を備えてもよい。あるいは、マスクが導電体に絶
縁体のコーティングを施したものであり、かつ、マスク
に高周波電力を印加するための高周波電源を備えてもよ
い。あるいは、被処理物を載置するための電極に高周波
電力を印加するための高周波電源を備えてもよい。Preferably, the mask is a conductor,
Further, it is desirable to provide a DC power supply for applying a negative DC voltage to the mask. Alternatively, the mask may be a conductor, and a high frequency power source for applying high frequency power to the mask may be provided. Alternatively, the mask may be a conductor coated with an insulator, and the mask may be provided with a high frequency power source for applying high frequency power. Alternatively, a high frequency power source for applying high frequency power to the electrode on which the object to be processed is placed may be provided.
【００１８】本願の第４発明の加工装置は、被処理物の
近傍に配置させることができるマイクロプラズマ源と、
マイクロプラズマ源に高周波電力を印加するための高周
波電源と、マイクロプラズマ源と被処理物との距離を計
測するための距離計測装置と、マイクロプラズマ源と被
処理物との距離を変化させることができる距離制御装置
とを備えたことを特徴とする。The processing apparatus of the fourth invention of the present application is a microplasma source which can be arranged in the vicinity of an object to be processed,
A high-frequency power source for applying high-frequency power to the microplasma source, a distance measuring device for measuring the distance between the microplasma source and the object to be processed, and a distance between the microplasma source and the object to be processed can be changed. And a distance control device capable of controlling the distance.
【００１９】本願の第４発明の加工装置において、好適
には、距離制御装置は、発生させたマイクロプラズマを
停止することなく動作可能であることが望ましい。In the processing apparatus of the fourth invention of the present application, it is preferable that the distance control apparatus can operate without stopping the generated microplasma.
【００２０】また、好適には、マイクロプラズマ源と被
処理物の距離を徐々に大きく、または徐々に小さくする
よう、プログラム可能であることが望ましい。Further, it is preferable that the distance between the microplasma source and the object to be processed is programmable so that the distance between the microplasma source and the object to be processed can be gradually increased or decreased.
【００２１】また、好適には、被処理物を載置するため
の電極に高周波電力を印加するための高周波電源を備え
ることが望ましい。Further, it is preferable that a high-frequency power source for applying high-frequency power to be provided on the electrode on which the object to be processed is placed.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１実施形態について、図１乃至図３を参照して説明
する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００２３】図１に、本発明の第１実施形態に係る誘導
結合型プラズマ源を搭載した加工装置の断面図を示す。
図１において、真空容器１内にガス供給装置２から所定
のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポン
プ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保
ちながら、コイル用高周波電源４により周波数１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ源としての誘電板５
上のコイル６に供給することにより、真空容器１内にプ
ラズマが発生する。電極７上には、被処理物としての基
板８が載置される。アルミニウム（導体）製のマスク９
は、基板８の近傍に配置され、マスク９には微小な貫通
穴が設けられている。マスク用高周波電源１０より、マ
スク９に５００ｋＨｚの高周波電力を供給することがで
きる。マスク９の端部に距離計測装置としてのレーザー
変位計１１が設けられており、基板８とマスク９との距
離が計測できる。レーザー変位計１１により得られた情
報は、距離制御装置としてのモーター１２にフィードバ
ックされ、ギアボックス１３を介してマスク９の位置を
変化させることにより、基板８とマスク９の距離が所望
の値に保たれる。また、シーケンサ１４により、マスク
９と基板８の距離を徐々に大きく、または徐々に小さく
するよう、プログラム可能となっている。FIG. 1 shows a sectional view of a processing apparatus equipped with an inductively coupled plasma source according to the first embodiment of the present invention.
In FIG. 1, while introducing a predetermined gas from the gas supply device 2 into the vacuum container 1, the gas is evacuated by the turbo molecular pump 3 as an evacuation device, and while maintaining the interior of the vacuum container 1 at a predetermined pressure, the coil high frequency Frequency 13.5 by power supply 4
High frequency power of 6MHz is applied to the dielectric plate 5 as a plasma source.
By supplying the upper coil 6, plasma is generated in the vacuum container 1. A substrate 8 as an object to be processed is placed on the electrode 7. Aluminum (conductor) mask 9
Are arranged in the vicinity of the substrate 8, and the mask 9 is provided with minute through holes. The mask high-frequency power source 10 can supply high-frequency power of 500 kHz to the mask 9. A laser displacement meter 11 as a distance measuring device is provided at the end of the mask 9, and the distance between the substrate 8 and the mask 9 can be measured. The information obtained by the laser displacement meter 11 is fed back to the motor 12 as a distance control device, and the position of the mask 9 is changed via the gear box 13 to set the distance between the substrate 8 and the mask 9 to a desired value. To be kept. The sequencer 14 is programmable so that the distance between the mask 9 and the substrate 8 is gradually increased or decreased.
【００２４】図２に、本発明の第１実施形態に係る被処
理物の加工方法の概念図を示す。マスク９には微小な貫
通穴１５が多数設けられており、マスク９に印加される
高周波電力の影響により、マスク９の表面にはイオンシ
ースが形成される。イオンシースにおいて、プラズマ中
の活性粒子であるイオン１６はマスク９の方向に加速さ
れるが、貫通穴１４を通じて漏れ出たイオン１６が、基
板８に高い運動エネルギーをもって衝突する。この作用
により、基板８或いは基板８上に形成された薄膜などが
エッチング加工され、マスク形状が転写される。FIG. 2 shows a conceptual diagram of a method of processing an object to be processed according to the first embodiment of the present invention. A large number of minute through holes 15 are provided in the mask 9, and an ion sheath is formed on the surface of the mask 9 under the influence of high-frequency power applied to the mask 9. In the ion sheath, the ions 16 which are the active particles in the plasma are accelerated toward the mask 9, but the ions 16 leaking through the through holes 14 collide with the substrate 8 with high kinetic energy. By this action, the substrate 8 or a thin film formed on the substrate 8 is etched, and the mask shape is transferred.
【００２５】このとき、マスク９と基板８との距離を徐
々に大きくしていくと、貫通穴１５から基板８へ向かう
イオン束の広がりにより、基板８上の被エッチング領域
が大きくなってくる。その結果、図３に示すような順テ
ーパー形状を得ることが可能となる。なお、真空容器１
内に発生させたプラズマを停止することなく、モーター
１２の動作を行えるよう、レーザー変位計１１からのフ
ィードバック用信号線等にはシールド対策が施されてい
る。At this time, if the distance between the mask 9 and the substrate 8 is gradually increased, the region to be etched on the substrate 8 becomes larger due to the spread of the ion flux from the through hole 15 toward the substrate 8. As a result, it becomes possible to obtain a forward tapered shape as shown in FIG. The vacuum container 1
The signal line for feedback from the laser displacement meter 11 is shielded so that the motor 12 can be operated without stopping the plasma generated inside.
【００２６】マスク９と基板８との距離を徐々に小さく
した場合も、同様の順テーパー形状を得ることができ
る。Even when the distance between the mask 9 and the substrate 8 is gradually reduced, the same forward tapered shape can be obtained.
【００２７】以下に、具体的な加工条件の一例を示す。
４フッ化炭素ガスを１００ｓｃｃｍ供給し、真空容器１
内の圧力を１Ｐａに保ちながら、コイル６に１０００Ｗ
の高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生
させる。マスク９に２００Ｗの高周波電力を供給しつ
つ、マスク９と基板８の距離を１００μｍ／分の速度で
５０μｍから３５０μｍまで３分間で変化させながら、
基板８上に形成された多結晶シリコン膜のエッチングを
行った。このとき、多結晶シリコン膜が６００ｎｍエッ
チングされ、断面形状は順テーパー形状であった。ま
た、パターン底の寸法とパターン表面の寸法の差は１．
２μｍであり、テーパー角は４５度であった。An example of specific processing conditions will be shown below.
Supply 100 sccm of carbon tetrafluoride gas, vacuum container 1
1000W on the coil 6 while keeping the internal pressure at 1Pa
Is supplied to generate plasma in the vacuum container 1. While supplying high-frequency power of 200 W to the mask 9, while changing the distance between the mask 9 and the substrate 8 from 50 μm to 350 μm at a speed of 100 μm / min in 3 minutes,
The polycrystalline silicon film formed on the substrate 8 was etched. At this time, the polycrystalline silicon film was etched by 600 nm and the cross-sectional shape was a forward tapered shape. Further, the difference between the size of the pattern bottom and the size of the pattern surface is 1.
It was 2 μm and the taper angle was 45 degrees.
【００２８】以上述べた本発明の第１実施形態におい
て、真空容器内にプラズマを発生させるために、誘導結
合型プラズマ源を用いた場合を例示したが、アンテナ式
プラズマ源、マイクロ波プラズマ源、平行平板型プラズ
マ源、電子サイクロトロン共鳴型プラズマ源など、様々
なプラズマ源を用いることができる。In the first embodiment of the present invention described above, the case where the inductively coupled plasma source is used to generate the plasma in the vacuum container is illustrated, but the antenna type plasma source, the microwave plasma source, Various plasma sources such as a parallel plate type plasma source and an electron cyclotron resonance type plasma source can be used.
【００２９】また、マスクが導体であり、かつ、マスク
に高周波電力を印加する場合を例示したが、マスクに負
の直流電圧を印加してもよい。或いは、絶縁体のコーテ
ィングを施されたマスクに、高周波電力を印加してもよ
い。或いは、被処理物を載置するための電極に高周波電
力を印加することによっても、同様の加工を行うことが
できる。Although the mask is a conductor and a high frequency power is applied to the mask, a negative DC voltage may be applied to the mask. Alternatively, high frequency power may be applied to a mask coated with an insulator. Alternatively, the same processing can be performed by applying high-frequency power to the electrode on which the object to be processed is placed.
【００３０】（第２の実施形態）次に、本発明の第２実
施形態について、図３乃至図５を参照して説明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００３１】図４に、本発明の第２実施形態に係るマイ
クロプラズマ源を搭載した加工装置の断面図を示す。図
４において、電極１８上に載置された被処理物としての
基板８の近傍に、マイクロプラズマ源１７が配置され、
マイクロプラズマ源１７に１００ＭＨｚの高周波電力を
印加することにより、マイクロプラズマが発生する。こ
のマイクロプラズマから漏れ出る活性粒子を基板８に作
用させ、基板８を加工することができる。マイクロプラ
ズマ源１７の端部に距離計測装置としてのレーザー変位
計１１が設けられており、基板８とマイクロプラズマ源
１７との距離が計測できる。レーザー変位計１１により
得られた情報は、距離制御装置としてのモーター１２に
フィードバックされ、ギアボックス１３を介してマイク
ロプラズマ源１７の位置を変化させることにより、基板
８とマイクロプラズマ源１７の距離が所望の値に保たれ
る。また、シーケンサ１４には、マイクロプラズマ源１
７と基板８の距離を徐々に大きく、または徐々に小さく
なるようにプログラムが組み込まれている。FIG. 4 shows a sectional view of a processing apparatus equipped with a microplasma source according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, a microplasma source 17 is arranged in the vicinity of a substrate 8 as an object to be processed placed on an electrode 18,
Microplasma is generated by applying high-frequency power of 100 MHz to the microplasma source 17. The active particles leaking from the microplasma can act on the substrate 8 to process the substrate 8. A laser displacement meter 11 as a distance measuring device is provided at the end of the microplasma source 17, and the distance between the substrate 8 and the microplasma source 17 can be measured. The information obtained by the laser displacement meter 11 is fed back to the motor 12 as a distance control device, and the position of the microplasma source 17 is changed via the gear box 13, so that the distance between the substrate 8 and the microplasma source 17 is changed. It is kept at the desired value. The sequencer 14 also includes a microplasma source 1
A program is incorporated to gradually increase or decrease the distance between 7 and the substrate 8.
【００３２】図５は、マイクロプラズマ源１７を図４の
破線Ａで切った断面図である。２枚の石英ガラス板１９
及び２０が接着され、その間にキャピラリ２１が形成さ
れている。反応ガスはキャピラリ２１の内部に導入さ
れ、基板８に向かってマイクロプラズマとなって噴出さ
れる。高周波電極２２と接地電極２３が石英ガラス板１
９及び２０の両側に設けられ、高周波電極２２には高周
波電源２４より高周波電力が供給される。マイクロプラ
ズマ源１７は１Ｐａから数気圧まで動作可能であるが、
典型的には１０3Ｐａから大気圧までの範囲の圧力で動
作する。FIG. 5 is a sectional view of the microplasma source 17 taken along the broken line A in FIG. Two quartz glass plates 19
And 20 are bonded together, and a capillary 21 is formed therebetween. The reaction gas is introduced into the capillary 21, and is ejected as microplasma toward the substrate 8. The high frequency electrode 22 and the ground electrode 23 are the quartz glass plate 1
High frequency power is supplied from a high frequency power supply 24 to the high frequency electrodes 22 provided on both sides of 9 and 20. The microplasma source 17 can operate from 1 Pa to several atmospheres,
It typically operates at pressures in the range of 10 3 Pa to atmospheric pressure.
【００３３】このとき、マイクロプラズマ源１７と基板
８との距離を徐々に大きくしていくと、マイクロプラズ
マ源１７から基板８へ向かう活性粒子の流れの広がりに
より、基板８上の被エッチング領域が大きくなってく
る。その結果、図３に示すような順テーパー形状を得る
ことが可能となる。なお、発生させたマイクロプラズマ
を停止することなく、モーター１２の動作を行えるよ
う、レーザー変位計１１からのフィードバック用信号線
等にはシールド対策が施されている。At this time, when the distance between the microplasma source 17 and the substrate 8 is gradually increased, the flow of active particles from the microplasma source 17 to the substrate 8 spreads so that the region to be etched on the substrate 8 is removed. Getting bigger. As a result, it becomes possible to obtain a forward tapered shape as shown in FIG. The feedback signal line from the laser displacement meter 11 is shielded so that the motor 12 can be operated without stopping the generated microplasma.
【００３４】マイクロプラズマ源１７と基板８との距離
を徐々に小さくした場合も、同様の順テーパー形状を得
ることができる。Even when the distance between the microplasma source 17 and the substrate 8 is gradually reduced, the same forward tapered shape can be obtained.
【００３５】以下に、具体的な加工条件の一例を示す。
６フッ化硫黄ガスを５％含むヘリウムガスを２ｓｌｍ供
給し、大気圧下でマイクロプラズマ源１７に１０Ｗの高
周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させ
る。マイクロプラズマ源１７と基板８の距離を２００μ
ｍ／分の速度で５００μｍから１０００μｍまで２．５
分間で変化させながら、シリコン基板８のエッチングを
行った。このとき、シリコン基板が５μｍエッチングさ
れ、断面形状は順テーパー形状であった。また、パター
ン底の寸法とパターン表面の寸法の差は１０μｍであ
り、テーパー角は４５度であった。An example of specific processing conditions will be shown below.
2 slm of helium gas containing 5% of sulfur hexafluoride gas is supplied, and high-frequency power of 10 W is supplied to the microplasma source 17 under atmospheric pressure to generate plasma in the vacuum container 1. The distance between the microplasma source 17 and the substrate 8 is 200 μ
2.5 from 500μm to 1000μm at speed of m / min
The silicon substrate 8 was etched while being changed over a period of time. At this time, the silicon substrate was etched by 5 μm and the cross-sectional shape was a forward tapered shape. The difference between the size of the pattern bottom and the size of the pattern surface was 10 μm, and the taper angle was 45 degrees.
【００３６】以上述べた本発明の第２実施形態におい
て、マイクロプラズマ源として平行平板型キャピラリタ
イプのものを用いる場合を例示したが、誘導結合型キャ
ピラリタイプなど、他方式のキャピラリタイプや、マイ
クロギャップ方式、誘導結合型チューブタイプなど、様
々なマイクロプラズマ源を用いることができる。In the second embodiment of the present invention described above, the case where the parallel plate type capillary type is used as the microplasma source is illustrated, but other types of capillary type such as the inductive coupling type capillary type and the micro gap type are used. Various types of microplasma sources such as a system and an inductively coupled tube type can be used.
【００３７】また、被処理物を載置するための電極に高
周波電力を印加することにより、マイクロプラズマ中の
イオンを引き込む作用を強めることも可能である。It is also possible to enhance the action of attracting ions in the microplasma by applying high-frequency power to the electrode on which the object to be processed is placed.
【００３８】以上述べた本発明の実施形態においては、
本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ源
の構造及び配置等に関して様々なバリエーションのうち
の一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、
ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考えら
れることは、いうまでもない。In the embodiment of the present invention described above,
Only a part of various variations regarding the shape of the vacuum container, the structure and arrangement of the plasma source, and the like are merely exemplified in the application range of the present invention. In applying the present invention,
It goes without saying that various variations other than those exemplified here are conceivable.
【００３９】また、多結晶シリコンやシリコン基板をエ
ッチング加工する場合を例示したが、加工対象はこれら
に限定されるものではなく、本発明は、種々の基板の加
工、または、種々の膜がコーティングされた被処理物の
加工に適用できる。Further, the case of etching the polycrystalline silicon or the silicon substrate has been exemplified, but the object to be processed is not limited to these, and the present invention processes various substrates or coats various films. It can be applied to the processing of processed objects.
【００４０】また、エッチング加工に際して４フッ化炭
素や６フッ化硫黄ガスを用いる場合を例示したが、ガス
はこれに限定されるものではなく、被処理物の材質に応
じて、マスクまたはマイクロプラズマ源を構成する物質
とのエッチング選択比が高められるガスを選定すること
ができる。Although the case where carbon tetrafluoride or sulfur hexafluoride gas is used in the etching process has been exemplified, the gas is not limited to this, and a mask or microplasma is used depending on the material of the object to be processed. It is possible to select a gas that enhances the etching selection ratio with respect to the substance forming the source.
【００４１】また、距離計測装置としてレーザー変位計
を用いる場合を例示したが、接触式センサや、原子間力
を利用した非接触センサなどを利用することもできる。
これらは、可能なコストと必要な精度に応じて選択する
ことができる。Further, although the case where the laser displacement meter is used as the distance measuring device has been exemplified, a contact type sensor, a non-contact sensor utilizing an atomic force, or the like can also be used.
These can be selected according to the possible cost and the required accuracy.
【００４２】また、マスクまたはマイクロプラズマ源と
被処理物の距離を変化させながらエッチング加工する場
合を例示したが、プラズマが停止している状態で距離を
変化させる工程と、ある距離に保ちながらプラズマを発
生させて加工する工程を繰り返してもよい。或いは、プ
ラズマを継続して発生させながら、マスクまたは基板を
載置する電極に印加する高周波電力または直流電力を停
止した状態で距離を変化させる工程と、ある距離に保ち
ながらマスクまたは基板を載置する電極に高周波電力ま
たは直流電力を供給して加工する工程を繰り返してもよ
い。Further, the case where the etching process is performed while changing the distance between the mask or the microplasma source and the object to be processed has been exemplified, but the step of changing the distance while the plasma is stopped and the plasma while keeping a certain distance You may repeat the process of generating and processing. Alternatively, a step of changing the distance while continuously generating plasma and stopping the high frequency power or the direct current power applied to the electrode on which the mask or the substrate is placed, and the step of placing the mask or the substrate while keeping the distance The process of supplying high frequency power or direct current power to the electrode to be processed may be repeated.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第１発明の加工方法によれば、真空容器内に被処理物を
載置し、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排
気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容
器内にプラズマを発生させ、被処理物の近傍に配置させ
たマスクに設けられた微小な貫通穴を通じてプラズマか
ら漏れ出る活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を
加工する加工方法であって、マスクと被処理物との距離
を徐々に変化させつつ被処理物をエッチング加工するた
め、パターンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に
優れた加工を行うことができる。As is apparent from the above description, according to the processing method of the first invention of the present application, the object to be processed is placed in the vacuum container, and the gas is supplied into the vacuum container while the inside of the vacuum container is being supplied. While controlling the inside of the vacuum container to a predetermined pressure, plasma is generated inside the vacuum container, and active particles leaking from the plasma through minute through holes provided in the mask placed near the object to be processed. Is a processing method for processing an object to be processed, in which the object to be processed is etched while gradually changing the distance between the mask and the object to be processed, so that the patterning shape can be controlled, In addition, it is possible to perform processing with excellent processing accuracy.
【００４４】また、本願の第２発明の加工方法によれ
ば、被処理物の近傍に配置させたマイクロプラズマ源に
高周波電力を印加することにより、マイクロプラズマを
発生させ、マイクロプラズマから漏れ出る活性粒子を被
処理物に作用させ、被処理物を加工する加工方法であっ
て、マイクロプラズマ源と被処理物との距離を徐々に変
化させつつ被処理物をエッチング加工するため、パター
ンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた加工
を行うことができる。Further, according to the processing method of the second invention of the present application, by applying high-frequency power to the microplasma source arranged in the vicinity of the object to be processed, microplasma is generated and the activity leaking from the microplasma is activated. This is a processing method of processing particles by causing particles to act on the object to be processed, and etching the object to be processed while gradually changing the distance between the microplasma source and the object to be processed. It is possible to control and perform processing with excellent processing accuracy.
【００４５】また、本願の第３発明の加工装置によれ
ば、真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガ
ス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置
と、真空容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ
源と、被処理物の近傍に配置させることができ、かつ、
微小な貫通穴が設けられたマスクと、マスクと被処理物
との距離を計測するための距離計測装置と、マスクと被
処理物との距離を変化させることができる距離制御装置
とを備えるため、パターンニング形状を制御でき、か
つ、加工精度に優れた加工を行うことができる。Further, according to the processing apparatus of the third invention of the present application, a vacuum container, a gas supply device for supplying a gas into the vacuum container, an exhaust device for exhausting the inside of the vacuum container, and a vacuum container. A plasma source for generating plasma inside, and can be arranged near the object to be processed, and
Since a mask having minute through holes is provided, a distance measuring device for measuring the distance between the mask and the object to be processed, and a distance control device capable of changing the distance between the mask and the object to be processed It is possible to control the patterning shape and perform processing with excellent processing accuracy.
【００４６】また、本願の第４発明の加工装置によれ
ば、被処理物の近傍に配置させることができるマイクロ
プラズマ源と、マイクロプラズマ源に高周波電力を印加
するための高周波電源と、マイクロプラズマ源と被処理
物との距離を計測するための距離計測装置と、マイクロ
プラズマ源と被処理物との距離を変化させることができ
る距離制御装置とを備えるため、パターンニング形状を
制御でき、かつ、加工精度に優れた加工を行うことがで
きる。Further, according to the processing apparatus of the fourth invention of the present application, a microplasma source that can be arranged in the vicinity of the object to be processed, a high frequency power source for applying high frequency power to the microplasma source, and a microplasma. Since the distance measuring device for measuring the distance between the source and the object to be processed and the distance control device capable of changing the distance between the microplasma source and the object to be processed, the patterning shape can be controlled, and It is possible to perform processing with excellent processing accuracy.
【図１】本発明の第１実施形態に係る加工装置の構成を
示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施形態に係る被処理物の加工方
法の概念図FIG. 2 is a conceptual diagram of a method for processing an object to be processed according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態における加工形状を示す図FIG. 3 is a diagram showing a processed shape in the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施形態に係る加工装置の構成を
示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing a configuration of a processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２実施形態に係るマイクロプラズマ
源の断面図FIG. 5 is a sectional view of a microplasma source according to a second embodiment of the present invention.
【図６】従来例で用いたパターンニング工程を示す図FIG. 6 is a diagram showing a patterning process used in a conventional example.
【図７】従来例で用いた加工装置の構成を示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing the configuration of a processing apparatus used in a conventional example.
【図８】従来例で用いた加工装置の構成を示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing the configuration of a processing apparatus used in a conventional example.
１ 真空容器 ２ ガス供給装置 ３ ターボ分子ポンプ ４ コイル用高周波電源 ５ 誘電板 ６ コイル ７ 電極 ８ 基板 ９ マスク １０ マスク用高周波電源 １１ レーザー変位計 １２ モーター １３ ギアボックス １４ シーケンサ 1 vacuum container 2 gas supply device 3 Turbo molecular pump High frequency power supply for 4 coils 5 Dielectric plate 6 coils 7 electrodes 8 substrates 9 mask 10 High frequency power supply for mask 11 Laser displacement meter 12 motors 13 gearbox 14 Sequencer
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１４年１０月１日（２００２．１０．
１）[Submission date] October 1, 2002 (2002.10.
1)
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項８[Name of item to be corrected] Claim 8
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項１１[Name of item to be corrected] Claim 11
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項１９[Name of item to be corrected] Claim 19
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項２２[Name of item to be corrected] Claim 22
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正５】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１１[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１１】本願の第２発明の加工方法は、被処理物を
載置する電極、または、前記被処理物の近傍に配置され
たマイクロプラズマ源に高周波電力を印加することでマ
イクロプラズマを発生させ、マイクロプラズマから噴出
される活性粒子を被処理物に曝すことで、前記被処理物
を処理する加工方法であって、マイクロプラズマ源と被
処理物との距離を徐々に変化させつつ被処理物をエッチ
ング加工することを特徴とする。[0011] processing method of the second aspect of the present invention is an object to be processed
By applying high-frequency power to an electrode to be placed or a microplasma source arranged near the object to be processed, microplasma is generated, and active particles ejected from the microplasma are exposed to the object to be processed. A processing method for processing the object to be processed, characterized in that the object to be processed is etched while gradually changing a distance between the microplasma source and the object to be processed.
【手続補正６】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１３[Correction target item name] 0013
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１３】また、好適には、被処理物を載置する電極
とマイクロプラズマ源の両方に高周波電力を印加するこ
とが望ましい。Further, preferably, an electrode on which an object to be processed is placed
It is desirable to apply high frequency power to both the microplasma source and the microplasma source .
【手続補正７】[Procedure Amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１８[Correction target item name] 0018
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１８】本願の第４発明の加工装置は、被処理物の
近傍に配置されたマイクロプラズマ源と、前記被処理物
を載置する電極、または、マイクロプラズマ源に高周波
電力を印加する高周波電源と、前記マイクロプラズマ源
と前記被処理物との距離を計測する距離計測装置と、前
記マイクロプラズマ源と前記被処理物との距離を変化さ
せる距離制御装置とを備えたことを特徴とする。The processing apparatus of the fourth invention of the present application is a microplasma source arranged near an object to be processed, and the object to be processed.
Placing the electrode, or a high frequency power source for applying RF power to the micro-plasma source, a distance measuring device for measuring a distance between the micro-plasma source and the object to be processed, before
The change of the distance of the serial micro plasma source and the object to be processed
And a distance control device for controlling the distance .
【手続補正８】[Procedure Amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２１[Correction target item name] 0021
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２１】また、好適には、被処理物を載置する電極
とマイクロプラズマ源の両方に高周波電力を印加する複
数の高周波電源を備えたことが望ましい。Further, preferably, an electrode on which the object to be processed is placed
Double a high-frequency power is applied to both the micro-plasma source with
It is desirable to have several high frequency power supplies .
【手続補正９】[Procedure Amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００４４[Correction target item name] 0044
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００４４】また、本願の第２発明の加工方法によれ
ば、被処理物を載置する電極、または、前記被処理物の
近傍に配置されたマイクロプラズマ源に高周波電力を印
加することでマイクロプラズマを発生させ、マイクロプ
ラズマから噴出される活性粒子を被処理物に曝すこと
で、前記被処理物を処理する加工方法であって、マイク
ロプラズマ源と被処理物との距離を変化させつつ被処理
物をエッチング加工するため、パターンニング形状を制
御でき、かつ、加工精度に優れた加工を行うことができ
る。Further, according to the processing method of the second invention of the present application, the high frequency power is applied to the electrode on which the object to be processed is placed or the microplasma source arranged in the vicinity of the object to be processed. A processing method for treating an object by generating plasma and exposing active particles ejected from the microplasma to the object, wherein the distance between the microplasma source and the object is changed. Since the processed object is processed by etching, the patterning shape can be controlled and the processing can be performed with excellent processing accuracy.
【手続補正１０】[Procedure Amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００４６[Correction target item name] 0046
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００４６】また、本願の第４発明の加工装置によれ
ば、被処理物の近傍に配置されたマイクロプラズマ源
と、前記被処理物を載置する電極、または、マイクロプ
ラズマ源に高周波電力を印加する高周波電源と、前記マ
イクロプラズマ源と前記被処理物との距離を計測する距
離計測装置と、前記マイクロプラズマ源と前記被処理物
との距離を変化させる距離制御装置とを備えるため、パ
ターンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた
加工を行うことができる。According to the processing apparatus of the fourth invention of the present application,
Placed near the object to be processedMicro Plasma Source
When,An electrode on which the object to be processed is placed, orMicrop
Applying high frequency power to the plasma sourceHigh frequency power supplyWhen,The aboveMa
With icroplasma sourceThe aboveMeasures the distance to the object to be processedDistance
Distance measuring deviceWhen,The aboveWith micro plasma sourceThe aboveObject to be processed
Change the distance betweenDistance control deviceTo provide
The turning shape can be controlled and the machining accuracy is excellent.
Processing can be performed.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｈ０５Ｈ 1/30 Ｈ０５Ｈ 1/30 1/46 Ｌ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 １０１Ｃ (72)発明者 矢代 陽一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA03 BA08 BB29 BB31 BC27 2H097 BA02 BA10 BB04 CA11 GA45 LA10 4G075 AA30 BC06 CA25 CA47 DA02 EB01 FA01 FC11 FC15 5F004 AA09 BA20 BB18 EA38 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G03F 7/20 521 H05H 1/30 H05H 1/30 1/46 L 1/46 H01L 21/302 101C (72 ) Inventor Yoichiro Yashiro, 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Prefecture F-term (reference) inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. BB18 EA38
Claims (22)
所定の圧力に制御しながら、真空容器内の電極に載置さ
れた被処理物に対向して設けられたコイルに高周波電力
を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、 プラズマ中に存在する活性粒子を前記被処理物の近傍に
配置されたマスクの微小な貫通穴を通じて被処理物に曝
すことで、前記被処理物を処理する加工方法であって、 マスクと被処理物との距離を変化させつつ被処理物をエ
ッチング加工することを特徴とする加工方法。1. A gas is evacuated while supplying gas into the vacuum container,
While controlling the pressure to a predetermined level, high-frequency power is supplied to the coil provided facing the object placed on the electrode in the vacuum container to generate plasma in the vacuum container. A processing method for treating an object to be treated by exposing the existing active particles to the object to be treated through a minute through hole of a mask arranged in the vicinity of the object to be treated, comprising a mask and the object to be treated. A processing method comprising etching an object to be processed while changing a distance.
くすることを特徴とする請求項１記載の加工方法。2. The processing method according to claim 1, wherein the distance between the mask and the object to be processed is gradually increased.
くすることを特徴とする請求項１記載の加工方法。3. The processing method according to claim 1, wherein the distance between the mask and the object to be processed is gradually reduced.
負の直流電圧を印加することを特徴とする請求項１記載
の加工方法。4. The processing method according to claim 1, wherein the mask is a conductor and a negative DC voltage is applied to the mask.
高周波電力を印加することを特徴とする請求項１記載の
加工方法。5. The processing method according to claim 1, wherein the mask is a conductor, and high frequency power is applied to the mask.
を施したものであり、かつ、マスクに高周波電力を印加
することを特徴とする請求項１記載の加工方法。6. The processing method according to claim 1, wherein the mask is a conductor coated with an insulator, and high-frequency power is applied to the mask.
電力を印加することを特徴とする請求項１記載の加工方
法。7. The processing method according to claim 1, wherein high-frequency power is applied to the electrode on which the object to be processed is placed.
ラズマ源に高周波電力を印加することでマイクロプラズ
マを発生させ、マイクロプラズマから噴出される活性粒
子を被処理物に曝すことで、前記被処理物を処理する加
工方法であって、 マイクロプラズマ源と被処理物との距離を変化させつつ
被処理物をエッチング加工することを特徴とする加工方
法。8. A microplasma is generated by applying a high-frequency power to a microplasma source arranged near the object to be treated, and the active particles ejected from the microplasma are exposed to the object to be treated. A processing method for processing an object to be processed, which comprises etching the object to be processed while changing a distance between the microplasma source and the object to be processed.
を徐々に大きくしていくことを特徴とする請求項８記載
の加工方法。9. The processing method according to claim 8, wherein the distance between the microplasma source and the object to be processed is gradually increased.
離を徐々に小さくしていくことを特徴とする請求項８記
載の加工方法。10. The processing method according to claim 8, wherein the distance between the microplasma source and the object to be processed is gradually reduced.
波電力を印加することを特徴とする請求項８記載の加工
方法。11. The processing method according to claim 8, wherein high frequency power is applied to an electrode on which the object to be processed is placed.
するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するため
の排気装置と、真空容器内にプラズマを発生させるため
のプラズマ源と、被処理物の近傍に配置させることがで
き、かつ、微小な貫通穴が設けられたマスクと、マスク
と被処理物との距離を計測するための距離計測装置と、
マスクと被処理物との距離を変化させることができる距
離制御装置とを備えたことを特徴とする加工装置。12. A vacuum container, a gas supply device for supplying gas into the vacuum container, an exhaust device for exhausting the interior of the vacuum container, and a plasma source for generating plasma in the vacuum container, A mask that can be arranged in the vicinity of the object to be processed and has a minute through hole, and a distance measuring device for measuring the distance between the mask and the object to be processed,
A processing apparatus comprising: a distance control device capable of changing a distance between a mask and an object to be processed.
せたプラズマを停止することなく動作可能であることを
特徴とする請求項１２記載の加工装置。13. The processing apparatus according to claim 12, wherein the distance control device can operate without stopping the plasma generated in the vacuum container.
く、または徐々に小さくするようプログラム可能である
ことを特徴とする請求項１２記載の加工装置。14. The processing apparatus according to claim 12, wherein the processing apparatus is programmable so that the distance between the mask and the object to be processed is gradually increased or decreased.
に負の直流電圧を印加するための直流電源を備えたこと
を特徴とする請求項１２記載の加工装置。15. The processing apparatus according to claim 12, wherein the mask is a conductor and is provided with a DC power source for applying a negative DC voltage to the mask.
に高周波電力を印加するための高周波電源を備えたこと
を特徴とする請求項１２記載の加工装置。16. The processing apparatus according to claim 12, wherein the mask is a conductor and is provided with a high frequency power source for applying high frequency power to the mask.
グを施したものであり、かつ、マスクに高周波電力を印
加するための高周波電源を備えたことを特徴とする請求
項１２記載の加工装置。17. The processing apparatus according to claim 12, wherein the mask is a conductor coated with an insulator, and a high frequency power source for applying high frequency power to the mask is provided.
波電力を印加するための高周波電源を備えたことを特徴
とする請求項１２記載の加工装置。18. The processing apparatus according to claim 12, further comprising a high-frequency power source for applying high-frequency power to an electrode on which the object to be processed is placed.
きるマイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源に高周
波電力を印加するための高周波電源と、マイクロプラズ
マ源と被処理物との距離を計測するための距離計測装置
と、マイクロプラズマ源と被処理物との距離を変化させ
ることができる距離制御装置とを備えたことを特徴とす
る加工装置。19. A microplasma source that can be disposed in the vicinity of an object to be processed, a high-frequency power source for applying high-frequency power to the microplasma source, and a distance between the microplasma source and the object to be processed. And a distance control device capable of changing the distance between the microplasma source and the object to be processed.
プラズマを停止することなく動作可能であることを特徴
とする請求項１９記載の加工装置。20. The processing apparatus according to claim 19, wherein the distance control device can operate without stopping the generated microplasma.
を徐々に大きく、または徐々に小さくするよう、プログ
ラム可能であることを特徴とする請求項１９記載の加工
装置。21. The processing apparatus according to claim 19, wherein the processing apparatus is programmable so as to gradually increase or decrease the distance between the microplasma source and the object to be processed.
波電力を印加するための高周波電源を備えたことを特徴
とする請求項１９記載の加工装置。22. The processing apparatus according to claim 19, further comprising a high-frequency power source for applying a high-frequency power to the electrode on which the object to be processed is placed.
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