JP2003233635A - Logic model creation method and apparatus - Google Patents

Logic model creation method and apparatus

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JP2003233635A
JP2003233635A JP2002029329A JP2002029329A JP2003233635A JP 2003233635 A JP2003233635 A JP 2003233635A JP 2002029329 A JP2002029329 A JP 2002029329A JP 2002029329 A JP2002029329 A JP 2002029329A JP 2003233635 A JP2003233635 A JP 2003233635A
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Japan
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circuit
mtcmos
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cmos
cmos circuit
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JP2002029329A
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Japanese (ja)
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Yukito Kawabe
幸仁 川辺
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a logic model creation method capable of performing logic simulation at the function level of the whole circuit including the standby state and operative state of a CMOS circuit for making MTCMOS or at the gate level without correcting the description of the CMOS circuit describing the function level specifications or gate level specifications during normal operation. <P>SOLUTION: The MTCMOS circuit is grasped as a host hierarchical block of the CMOS circuit in the MTCMOS circuit, a digital circuit for performing logic verification is hierarchically divided into blocks and described, and in the specification description of the CMOS circuit in the MTCMOS circuit, the logic operation when a power supply interrupt transistor is in the on-state is described, and in the specification description of the MTCMOS circuit, included is the description to the effect that during the operation, a signal value of a signal line connected to an input pin is applied to the input pin, and during the standby operation, an undefined value is applied to the input pin. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、MTCMOS(Mu
ltithreshold-Voltage CMOS)回路を含むデジタル回路
の機能レベルやゲートレベルでの論理シミュレーション
を行う場合に使用して好適な論理モデル作成方法および
装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to MTCMOS (Mu
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a logic model creating method and apparatus suitable for use when performing a logic simulation at a functional level or a gate level of a digital circuit including an ltithreshold-Voltage CMOS) circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSIの高集積化、高性能化が進
むにつれ、その消費電力を如何に低減するかが重要な課
題となってきている。回路動作中のトランジスタの動作
速度の低下を抑えつつ、待機時のリーク電流を低減する
方法として、MTCMOS技術が取り入れられつつあ
る。MTCMOS技術については、たとえば、論文「1-
VPower Suply High-Speed Digital Circuit Technology
with Multithreshold-Voltage CMOS(IEEE JOURNAL OF
SOLID-STATE CIRCUIT. VOL.30. NO.8, AUGUST 199
5)」等に紹介されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the integration and performance of LSIs have increased, how to reduce the power consumption has become an important issue. MTCMOS technology is being adopted as a method for reducing the leakage current during standby while suppressing a decrease in the operating speed of the transistor during circuit operation. Regarding MTCMOS technology, for example, the paper “1-
VPower Suply High-Speed Digital Circuit Technology
with Multithreshold-Voltage CMOS (IEEE JOURNAL OF
SOLID-STATE CIRCUIT.VOL.30.NO.8, AUGUST 199
5) ”etc.

【0003】図15はMTCMOS回路の例を示す回路
図である。図15中、1は相対的に閾値電圧の低いMO
Sトランジスタで構成されたCMOS回路、2は相対的
に閾値電圧の高い(OFF時のリーク電流が小さい)電
源遮断用トランジスタ、3は実際の電源線、4は仮想電
源線、5は実際のグラウンド線であり、電源遮断用トラ
ンジスタ2は、待機/動作を制御する信号によってO
N、OFFが制御され、待機時にはOFF、動作時には
ONとされる。
FIG. 15 is a circuit diagram showing an example of an MTCMOS circuit. In FIG. 15, 1 is an MO having a relatively low threshold voltage.
A CMOS circuit composed of S-transistors, 2 has a relatively high threshold voltage (leakage current when turned off) is a power cutoff transistor, 3 is an actual power line, 4 is a virtual power line, and 5 is an actual ground. The power cutoff transistor 2 is turned on by a signal for controlling standby / operation.
N and OFF are controlled, and are OFF during standby and ON during operation.

【0004】すなわち、このMTCMOS回路は、高速
動作を確保するために相対的に閾値電圧の低いMOSト
ランジスタで構成されたCMOS回路1の電源端子1A
を仮想電源線4に接続すると共に、仮想電源線4と実際
の電源線3との間には相対的に閾値電圧の高い電源遮断
用トランジスタ2を設け、待機時は、電源遮断用トラン
ジスタ2をOFFとすることによってCMOS回路1の
待機時のリーク電流を抑制するというものである。
That is, this MTCMOS circuit is a power supply terminal 1A of a CMOS circuit 1 which is composed of MOS transistors having a relatively low threshold voltage in order to ensure high-speed operation.
Is connected to the virtual power supply line 4, and a power supply cutoff transistor 2 having a relatively high threshold voltage is provided between the virtual power supply line 4 and the actual power supply line 3 and the power supply cutoff transistor 2 is connected during standby. By turning it off, the leakage current of the CMOS circuit 1 during standby is suppressed.

【0005】また、CMOS回路1の電源端子1Aを仮
想電源線4に接続し、仮想電源線4と実際の電源線3と
の間に待機/動作を制御する信号によってON、OFF
が制御される相対的に閾値電圧の高い電源遮断用トラン
ジスタ2を設ける代わりに、CMOS回路1のグラウン
ド端子1Bを仮想グラウンド線に接続し、仮想グラウン
ド線と実際のグラウンド線5との間に制御信号によって
ON、OFFが制御される相対的に閾値電圧の高い電源
遮断用トランジスタを設ける構成とされることもある。
Further, the power supply terminal 1A of the CMOS circuit 1 is connected to the virtual power supply line 4 and turned on / off by a signal for controlling standby / operation between the virtual power supply line 4 and the actual power supply line 3.
Instead of providing the power-supply cutoff transistor 2 having a relatively high threshold voltage, the ground terminal 1B of the CMOS circuit 1 is connected to a virtual ground line, and control is performed between the virtual ground line and the actual ground line 5. There may be a configuration in which a power cutoff transistor having a relatively high threshold voltage whose ON / OFF is controlled by a signal is provided.

【0006】更に、CMOS回路1の電源端子1Aを仮
想電源線4に接続し、仮想電源線4と実際の電源線3と
の間に待機/動作を制御する信号によってON、OFF
が制御される相対的に閾値電圧の高い電源遮断用トラン
ジスタ2を設けると共に、CMOS回路1のグラウンド
端子1Bを仮想グラウンド線に接続し、仮想グラウンド
線と実際のグラウンド線5との間に待機/動作を制御す
る信号によってON、OFFが制御される相対的に閾値
電圧の高い電源遮断用トランジスタを設ける構成とされ
ることもある。
Further, the power supply terminal 1A of the CMOS circuit 1 is connected to the virtual power supply line 4 and turned on / off by a signal for controlling standby / operation between the virtual power supply line 4 and the actual power supply line 3.
Is provided with a power supply cutoff transistor 2 having a relatively high threshold voltage, the ground terminal 1B of the CMOS circuit 1 is connected to a virtual ground line, and a standby / standby is provided between the virtual ground line and the actual ground line 5. In some cases, a power cutoff transistor having a relatively high threshold voltage, which is turned on and off by a signal for controlling the operation, may be provided.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ここで、たとえば、図
16Aに示すように、CMOS回路からなる複数の機能
ブロック6−1〜6−Nを持ち、各機能ブロック6−1
〜6−Nの待機条件が異なるものである大規模集積回路
について、図16Bに示すように、MTCMOS方式を
採用することによって各機能ブロック6−1〜6−Nの
低消費電力化を図ろうとする場合、各機能ブロック6−
1〜6−Nのスタンバイ/復帰時の不定状態のシミュレ
ーションを含めて、論理シミュレータで論理検証をしな
がら設計を進めていくことが重要となる。
Here, for example, as shown in FIG. 16A, each of the functional blocks 6-1 has a plurality of functional blocks 6-1 to 6-N composed of a CMOS circuit.
16B, the large-scale integrated circuit having different standby conditions of 6 to 6-N uses the MTCMOS method as shown in FIG. 16B to reduce the power consumption of each of the functional blocks 6-1 to 6-N. Each functional block 6-
It is important to proceed with the design while verifying the logic with the logic simulator, including the simulation of the indefinite state at the time of standby / return of 1 to 6-N.

【0008】なお、図16中、7は実際の電源線、8は
実際のグラウンド線、9−1、9−2、9−Nは仮想電
源線、10−1、10−2、10−Nは相対的に閾値電
圧の高い電源遮断用トランジスタ、S1、S2、SNは
機能ブロック6−1、6−2、6−Nの待機/動作を制
御する信号、11は制御信号S1〜SNを出力するブロ
ックであり、常に動作状態とされるブロックである。
In FIG. 16, 7 is an actual power line, 8 is an actual ground line, 9-1, 9-2, 9-N are virtual power lines, 10-1, 10-2, 10-N. Is a power cutoff transistor having a relatively high threshold voltage, S1, S2 and SN are signals for controlling standby / operation of the functional blocks 6-1, 6-2 and 6-N, and 11 is output control signals S1 to SN It is a block that is always operated.

【0009】しかし、VHDLやverilog-HDL等、現
在、集積回路の設計で広く使われているハードウエア記
述言語では、たとえば、図17に示すような機能レベル
記述や図18に示すようなゲートレベル記述で電源を遮
断することによって特定の機能ブロックの全信号が不定
状態になるという仕様を簡潔に記述するのは難しい。
However, in hardware description languages such as VHDL and verilog-HDL which are widely used at present in the design of integrated circuits, for example, a function level description as shown in FIG. 17 and a gate level as shown in FIG. In the description, it is difficult to briefly describe the specification that turning off the power supply causes all signals of a specific functional block to be in an undefined state.

【0010】たとえば、電源遮断用トランジスタのON
/OFFを制御する或る制御信号Sが“1”の時には、
図17や図18に示す仕様通りの動作が行われ、制御信
号Sが“0”の時には、図17や図18に示すブロック
“sample”内部の全内部状態と出力信号を不定状態にす
るという仕様を簡潔に記述するのは難しい。
For example, turning on the power-off transistor
When a certain control signal S for controlling ON / OFF is "1",
When the operation according to the specifications shown in FIGS. 17 and 18 is performed and the control signal S is “0”, all internal states and output signals inside the block “sample” shown in FIGS. 17 and 18 are said to be indefinite. It is difficult to describe the specifications concisely.

【0011】仮に、機能ブロック内の個々の動作記述を
修正し、そのような動作を記述したとしても、個々の論
理記述にそのような特殊な記述があると、論理合成ツー
ル等、その先の設計段階のCADソフトで通常の論理回
路と同様に設計を行うことが困難となってしまう。
Even if each behavioral description in a functional block is modified and such behavior is described, if such a special description is included in each logic description, a logic synthesis tool, etc. It becomes difficult to design with CAD software at the design stage like a normal logic circuit.

【0012】ここで、トランジスタレベルでの仕様記述
を行う場合には、電源遮断用トランジスタがOFFにな
った際の振る舞いもシミュレーションすることができる
が、機能レベル記述やゲートレベル記述に比べて記述量
が増え、しかも、シミュレーションにも多くの時間を要
するため、大規模集積回路においては、論理検証をトラ
ンジスタレベルの仕様記述で行うのは現実的ではない。
Here, when the specification description is made at the transistor level, the behavior when the power cutoff transistor is turned off can be simulated, but the amount of description is larger than that of the function level description or the gate level description. In addition, since it requires more time for simulation, it is not realistic to perform logic verification by transistor level specification description in a large scale integrated circuit.

【0013】このため、従来においては、MTCMOS
方式による電源遮断動作を含まない記述で回路全体の動
作検証を行い、MTCMOS化される機能ブロックが電
源遮断される場合の動作検証は、その機能ブロックをブ
ラックボックスに置き換えて実行するといった方法が行
われてきた。しかし、このような方法では、複数の機能
ブロックが電源遮断される場合の検証や、遮断/復帰時
の過度的な動作の検証などが不充分であるという問題点
があった。
Therefore, the MTCMOS has been conventionally used.
The operation verification of the entire circuit is performed by the description that does not include the power cutoff operation by the method, and the operation verification when the power supply of the functional block to be MTCMOS is cut off is performed by replacing the functional block with a black box. I've been told. However, in such a method, there is a problem that the verification in the case where the power supply of a plurality of functional blocks is shut off, the verification of the excessive operation at the time of shutting down / restoring, and the like are insufficient.

【0014】本発明は、かかる点に鑑み、MTCMOS
化するCMOS回路が電源の遮断によって不定状態にな
る現象を表現できないハードウエア記述言語であって
も、通常動作時の機能レベル仕様やゲートレベル仕様が
記述されたCMOS回路の記述には修正を加えることな
く、MTCMOS化するCMOS回路の待機状態および
動作状態を含めた回路全体の機能レベル又はゲートレベ
ルでの論理シミュレーションを行い、MTCMOS回路
を含むデジタル回路の論理検証に要する時間の短縮化と
論理検証の正確度の向上を図ることができるようにした
論理モデル作成方法を提供することを第1の目的とし、
MTCMOS化するCMOS回路を含むデジタル回路の
論理仕様から、MTCMOS動作対応のハードウエア記
述言語からなる論理モデルを容易に作成することができ
るようにした論理モデル作成装置を提供することを第2
の目的とする。
The present invention has been made in view of the above points.
Even if the hardware description language cannot express the phenomenon that the CMOS circuit to be converted into an indefinite state due to power-off, correction is added to the description of the CMOS circuit in which the functional level specifications and gate level specifications during normal operation are described. Without performing a logic simulation at a functional level or a gate level of the entire circuit including a standby state and an operating state of a CMOS circuit to be converted to MTCMOS, shortening the time required for logic verification of a digital circuit including an MTCMOS circuit and logic verification The first object is to provide a logical model creating method capable of improving the accuracy of
A second object of the present invention is to provide a logical model creation device capable of easily creating a logical model composed of a hardware description language compatible with MTCMOS operation from the logical specifications of a digital circuit including a CMOS circuit for MTCMOS conversion.
The purpose of.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の論理モデル作成
方法は、MTCMOS回路を含むデジタル回路のハード
ウエア記述言語による論理モデル作成方法であって、前
記MTCMOS回路を前記MTCMOS回路内のCMO
S回路の上位階層ブロックとして把握し、前記デジタル
回路を階層的にブロック分割して記述するものとし、前
記CMOS回路の仕様記述には、電源遮断用トランジス
タがオン時の論理動作を記述し、前記MTCMOS回路
の仕様記述には、動作時は入力ピンに繋がる信号線の信
号値を入力ピンに印加し、待機時は不定値を入力ピンに
印加する旨の記述を含めるというものである。
A logical model creating method of the present invention is a method for creating a logical model of a digital circuit including an MTCMOS circuit by a hardware description language, wherein the MTCMOS circuit is a CMO in the MTCMOS circuit.
It is assumed that the digital circuit is hierarchically divided into blocks and described as an upper hierarchical block of the S circuit, and the specification description of the CMOS circuit describes the logical operation when the power cutoff transistor is on. The specification description of the MTCMOS circuit includes a description that a signal value of a signal line connected to the input pin is applied to the input pin during operation and an undefined value is applied to the input pin during standby.

【0016】本発明の論理モデル作成方法によれば、M
TCMOS化するCMOS回路の仕様記述には、待機時
の動作を記述しないが、MTCMOS回路の仕様記述に
は、待機時は不定値を入力ピンに印加する旨の記述を含
めるとしているので、電源を遮断した場合の動作記述を
しているのと同等となる。したがって、電源の遮断によ
ってMTCMOS化されるCMOS回路が不定状態にな
る現象を表現できないハードウエア記述言語であって
も、通常動作時の機能レベル仕様やゲートレベル仕様が
記述されたMTCMOS化されるCMOS回路の記述に
は修正を加えることなく、MTCMOS化されるCMO
S回路の待機状態および動作状態を含めた回路全体の機
能レベル又はゲートレベルでの論理シミュレーションを
行うことができる。
According to the logical model creating method of the present invention, M
Although the specification description of the CMOS circuit to be TCMOS-ized does not describe the operation at the time of standby, the specification description of the MTCMOS circuit includes the statement that an undefined value is applied to the input pin at the time of standby. It is equivalent to describing the behavior when it is blocked. Therefore, even in a hardware description language that cannot express a phenomenon in which a CMOS circuit that is made into an MTCMOS by powering off is indefinite, a CMOS that is made into an MTCMOS in which functional level specifications and gate level specifications during normal operation are described CMO that is implemented in MTCMOS without any modification to the circuit description
It is possible to perform a logic simulation at the functional level or the gate level of the entire circuit including the standby state and the operating state of the S circuit.

【0017】本発明の論理モデル作成装置は、MTCM
OS化するCMOS回路を含むデジタル回路のハードウ
エア記述言語による論理モデルを作成する論理モデル作
成装置であって、デジタル回路のMTCMOS動作未記
述のハードウエア記述言語による記述中のMTCMOS
化するCMOS回路の上位階層部分にMTCMOS化す
るCMOS回路のMTCMOS動作部のハードウエア記
述言語による記述を組み込むことができるように、MT
CMOS化するCMOS回路の上位階層の記述を変換す
る上位階層記述変換手段と、デジタル回路のMTCMO
S動作未記述のハードウエア記述言語による記述と、M
TCMOS化するCMOS回路と電源遮断用トランジス
タの制御信号名との対応関係を記述したMTCMOS関
連情報に基づいて、MTCMOS化するCMOS回路の
MTCMOS動作部のハードウエア記述言語による記述
を自動生成するMTCMOS動作記述自動生成手段を有
するというものである。
The logical model creating apparatus of the present invention is an MTCM.
A logical model creating device for creating a logical model of a digital circuit including a CMOS circuit to be converted into an OS in a hardware description language, wherein MTCMOS is not described in the hardware description language of MTCMOS operation of the digital circuit.
In order to be able to incorporate the description in the hardware description language of the MTCMOS operation unit of the CMOS circuit to be converted into MTCMOS into the upper layer portion of the CMOS circuit to be converted into MT
Upper layer description conversion means for converting the upper layer description of a CMOS circuit to be CMOSized, and MTCMO of a digital circuit
A description in a hardware description language in which S behavior is not described, and M
MTCMOS operation for automatically generating a description in the hardware description language of the MTCMOS operation unit of the CMOS circuit for MTCMOS based on the MTCMOS related information describing the correspondence relationship between the CMOS circuit for TCMOS conversion and the control signal name of the power-off transistor It has an automatic description generation means.

【0018】本発明の論理モデル作成装置によれば、上
位階層記述変換手段と、MTCMOS動作記述自動生成
手段を備えているので、MTCMOS化するCMOS回
路を含むデジタル回路の論理仕様から、MTCMOS動
作対応のデジタル回路のHDL記述からなる論理モデル
を容易に作成することができる。
According to the logical model creating apparatus of the present invention, since the upper layer description converting means and the MTCMOS behavioral description automatic generating means are provided, it is possible to correspond to the MTCMOS behavior from the logical specifications of the digital circuit including the CMOS circuit to be MTCMOS. It is possible to easily create a logical model composed of the HDL description of the digital circuit.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1は本発明の論理モデル作成方
法の一実施形態を示すフローチャートである。本発明の
論理モデル作成方法の一実施形態においては、まず、待
機条件を異にする、すなわち、電源遮断用トランジスタ
のON/OFFを制御する制御信号を異にするMTCM
OS回路をそれぞれその内部のCMOS回路の上位階層
ブロックとして把握し、論理検証を行うデジタル回路を
階層的にブロック分割する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a flow chart showing an embodiment of a logical model creating method of the present invention. In one embodiment of the logical model creating method of the present invention, first, an MTCM in which a standby condition is different, that is, a control signal for controlling ON / OFF of a power cutoff transistor is different.
Each OS circuit is grasped as an upper hierarchical block of a CMOS circuit inside the OS circuit, and a digital circuit for logical verification is hierarchically divided into blocks.

【0020】図2は論理検証を行うデジタル回路のブロ
ック分割を具体的に説明するためのブロック回路図であ
る。図2中、12は論理検証を行う回路全体、13、1
4は部分回路であり、部分回路13は、電源遮断用トラ
ンジスタのON/OFFを制御する制御信号を異にする
MTCMOS回路15、16と、MTCMOS化しない
CMOS回路17を含む部分回路である。なお、18、
19はそれぞれMTCMOS回路15、16内のCMO
S回路である。また、部分回路14はMTCMOS回路
であり、20、21は電源遮断用トランジスタのON/
OFFを制御する制御信号を同一とするCMOS回路で
ある。
FIG. 2 is a block circuit diagram for specifically explaining block division of a digital circuit for performing logic verification. In FIG. 2, 12 is the entire circuit for performing logic verification, 13, 1
Reference numeral 4 denotes a partial circuit, and the partial circuit 13 is a partial circuit including MTCMOS circuits 15 and 16 having different control signals for controlling ON / OFF of the power cutoff transistor, and a CMOS circuit 17 not converted to MTCMOS. In addition, 18,
19 is a CMO in the MTCMOS circuits 15 and 16, respectively.
It is an S circuit. Further, the partial circuit 14 is an MTCMOS circuit, and 20 and 21 are for turning on / off the power cutoff transistor
It is a CMOS circuit in which the control signals for controlling OFF are the same.

【0021】例えば、図2に示すデジタル回路をブロッ
ク分割する場合には、回路全体12を最上位階層ブロッ
ク、部分回路13、14を回路全体12の下位階層ブロ
ック、MTCMOS回路15、16およびCMOS回路
17を部分回路13の下位階層ブロック、CMOS回路
18をMTCMOS回路15の下位階層ブロック、CM
OS回路19をMTCMOS回路16の下位階層ブロッ
ク、CMOS回路20、21を部分回路14の下位階層
ブロックとし、各ブロック12〜21をハードウエア記
述の単位とする。
For example, when the digital circuit shown in FIG. 2 is divided into blocks, the entire circuit 12 is the uppermost hierarchical block, the partial circuits 13 and 14 are lower hierarchical blocks of the entire circuit 12, the MTCMOS circuits 15 and 16 and the CMOS circuit. Reference numeral 17 denotes a lower hierarchical block of the partial circuit 13, CMOS circuit 18 denotes a lower hierarchical block of the MTCMOS circuit 15, CM
The OS circuit 19 is a lower hierarchical block of the MTCMOS circuit 16, the CMOS circuits 20 and 21 are lower hierarchical blocks of the partial circuit 14, and each of the blocks 12 to 21 is a unit of hardware description.

【0022】本発明の論理モデル作成方法の一実施形態
では、回路全体をブロック分割した後、MTCMOS回
路およびCMOS回路のハードウエア記述を作成する。
ここで、MTCMOS化しないCMOS回路の論理仕様
は、その論理動作を機能レベル又はゲートレベルで記述
し、MTCMOS回路内のCMOS回路の論理仕様は、
電源遮断用トランジスタがオン時の論理動作を機能レベ
ル又はゲートレベルで記述する。
In one embodiment of the logical model creating method of the present invention, the entire circuit is divided into blocks, and then the hardware description of the MTCMOS circuit and the CMOS circuit is created.
Here, the logic specification of a CMOS circuit which is not converted to MTCMOS describes the logic operation at the function level or the gate level, and the logic specification of the CMOS circuit in the MTCMOS circuit is
The logic operation when the power cutoff transistor is turned on is described by the functional level or the gate level.

【0023】また、MTCMOS回路の仕様は、以下の
条件A、B、Cを満足させるように記述する。(A)内
部に含まれるCMOS回路を下位階層ブロックとして持
つと共に、内部に含まれるCMOS回路と同一の入出力
信号と、電源遮断用トランジスタのON/OFFを制御
する制御信号と、制御信号以外の入力信号の数と同数の
2対1セレクタを持つものとする。(B)MTCMOS
回路の出力信号は、MTCMOS回路内でCMOS回路
の出力信号の中の対応する出力信号と繋がるものとす
る。
The specifications of the MTCMOS circuit are described so as to satisfy the following conditions A, B, and C. (A) A CMOS circuit included in the inside is provided as a lower hierarchical block, and the same input / output signal as the CMOS circuit included in the inside, a control signal for controlling ON / OFF of the power cutoff transistor, and a signal other than the control signal It is assumed that there are as many 2-to-1 selectors as there are input signals. (B) MTCMOS
The output signal of the circuit is assumed to be connected to the corresponding output signal of the output signals of the CMOS circuit in the MTCMOS circuit.

【0024】(C)2対1セレクタは、一方の被選択入
力端子に制御信号以外の入力信号の中の対応する入力信
号が入力され、他方の被選択入力端子には不定値がセッ
トされ、出力端子はCMOS回路の対応する入力端子に
繋がれ、制御信号が電源遮断用トランジスタをONとす
る時には一方の被選択入力端子に入力されている入力信
号の信号値を出力し、制御信号が電源遮断用トランジス
タをOFFとする時には他方の被選択入力端子にセット
されている不定値を出力するものとする。
(C) In the 2-to-1 selector, one of the selected input terminals receives a corresponding input signal among the input signals other than the control signal, and the other selected input terminal is set to an undefined value. The output terminal is connected to the corresponding input terminal of the CMOS circuit, and when the control signal turns on the power cutoff transistor, the signal value of the input signal input to one of the selected input terminals is output, and the control signal is the power supply. When the cutoff transistor is turned off, an undefined value set in the other selected input terminal is output.

【0025】図3〜図5は本発明の論理モデル作成方法
の一実施形態を具体的に説明するための図であり、図3
は論理検証を行うデジタル回路を示す回路図、図4は本
発明の論理モデル作成方法の一実施形態を適用して作成
した図3に示すデジタル回路の論理モデルの要部を示す
図、図5は図4に示す論理モデルの内容を示すブロック
回路図である。
3 to 5 are views for specifically explaining one embodiment of the logical model creating method of the present invention.
5 is a circuit diagram showing a digital circuit for performing logic verification, FIG. 4 is a diagram showing a main part of a logic model of the digital circuit shown in FIG. 3, which is created by applying an embodiment of a logic model creating method of the present invention, FIG. FIG. 5 is a block circuit diagram showing the contents of the logical model shown in FIG.

【0026】図3中、22は実際のVDD電源線、23
は実際のGND(グラウンド)線、24−1は制御信号
signal_1によって待機/動作が制御されるMTCMOS
回路、25−1は制御信号signal_1によってON/OF
Fが制御される電源遮断用トランジスタ(PチャネルM
OSトランジスタ)、26−1は仮想VDD電源線、2
7−1はMTCMOS化されるCMOS回路、in1、
…、inNは入力信号、out1、…、outMは出力信号であ
る。
In FIG. 3, reference numeral 22 is an actual VDD power supply line, and 23.
Is an actual GND (ground) line, 24-1 is a control signal
MTCMOS whose standby / operation is controlled by signal_1
Circuit, 25-1 is ON / OF by control signal signal_1
Power supply cut-off transistor (P channel M
OS transistor), 26-1 is a virtual VDD power supply line, 2
7-1 is a CMOS circuit in MTCMOS, in1,
..., inN is an input signal, out1, ..., outM is an output signal.

【0027】24−2は制御信号signal_2によって待機
/動作が制御されるMTCMOS回路、25−2は制御
信号signal_2によってON/OFFが制御される電源遮
断用トランジスタ(PチャネルMOSトランジスタ)、
26−2は仮想VDD電源線、27−2はMTCMOS
化されるCMOS回路、in1、…、inNは入力信号、out
1、…、outMは出力信号である。また、27−3は制御
信号signal_1、signal_2を発生する制御信号発生回路で
あり、常に動作状態とされる回路である。
Numeral 24-2 is an MTCMOS circuit whose standby / operation is controlled by a control signal signal_2, 25-2 is a power cut-off transistor (P-channel MOS transistor) whose ON / OFF is controlled by a control signal signal_2,
26-2 is a virtual VDD power supply line, 27-2 is MTCMOS
, InN are input signals, out
1, ..., outM are output signals. 27-3 is a control signal generation circuit that generates control signals signal_1 and signal_2, and is a circuit that is always in an operating state.

【0028】図3に示すデジタル回路の場合、回路全体
を最上位階層ブロック、MTCMOS回路24−1、2
4−2および制御信号発生回路27−3を最上位階層ブ
ロックの下位階層ブロック、CMOS回路27−1をM
TCMOS回路24−1の下位階層ブロック、CMOS
回路27−2をMTCMOS回路24−2の下位階層ブ
ロックとする。
In the case of the digital circuit shown in FIG. 3, the entire circuit is the top hierarchical block, the MTCMOS circuits 24-1 and 2-2.
4-2 and the control signal generation circuit 27-3 are lower hierarchical blocks of the uppermost hierarchical block, and the CMOS circuit 27-1 is M
Lower layer block of TCMOS circuit 24-1, CMOS
The circuit 27-2 is a lower hierarchical block of the MTCMOS circuit 24-2.

【0029】ここで、例えば、図3に示すデジタル回路
の全体をTOP、MTCMOS回路24−1、24−2を
それぞれblock1_MT、block2_MT、CMOS回路27−
1、27−2をそれぞれblock1、block2、制御信号発生
回路27−3をblock3と記述するものとすると、TOP、b
lock1_MT、block2_MT、block1、block2、block3の仕様
を図4に示すように記述することにより、図3に示すデ
ジタル回路の機能レベル又はゲートレベルの論理シミュ
レーション用の論理モデルを作成することができる。
Here, for example, the entire digital circuit shown in FIG. 3 is TOP, the MTCMOS circuits 24-1 and 24-2 are block1_MT, block2_MT, and CMOS circuit 27-, respectively.
1 and 27-2 are described as block1 and block2 respectively, and the control signal generation circuit 27-3 is described as block3, TOP and b
By describing the specifications of lock1_MT, block2_MT, block1, block2, and block3 as shown in FIG. 4, it is possible to create a logic model for functional level or gate level logic simulation of the digital circuit shown in FIG.

【0030】なお、図3に示すデジタル回路について、
本発明の論理モデル作成方法の一実施形態に従って作成
した図4に示す論理モデルをブロック図に直すと、図5
に示すようになる。図5中、28−1、…、28−N、
29−1、…、29−Nは2対1セレクタである。
Regarding the digital circuit shown in FIG.
5 is a block diagram of the logical model shown in FIG. 4 created according to the embodiment of the logical model creating method of the present invention.
As shown in. In FIG. 5, 28-1, ..., 28-N,
29-1, ..., 29-N are 2-to-1 selectors.

【0031】以上のように、本発明の論理モデル作成方
法の一実施形態によれば、MTCMOS化されるCMO
S回路の仕様記述には、待機時の動作を記述しないが、
MTCMOS回路の仕様記述には、待機時は不定値を入
力ピンに印加する旨の記述を含め、電源を遮断した場合
と同等の動作記述をするとしたことにより、MTCMO
S化するCMOS回路が電源の遮断によって不定状態に
なる現象を表現できないハードウエア記述言語であって
も、通常動作時の機能レベル仕様やゲートレベル仕様が
記述されたCMOS回路の記述には修正を加えることな
く、MTCMOS化するCMOS回路の待機状態および
動作状態を含めた回路全体の機能レベル又はゲートレベ
ルでの論理シミュレーションを行い、MTCMOS回路
を含むデジタル回路の論理検証に要する時間の短縮化と
論理検証の正確度の向上を図ることができる。
As described above, according to the embodiment of the logical model creating method of the present invention, the CMO is formed into MTCMOS.
Although the standby operation is not described in the specification description of the S circuit,
Since the MTCMOS circuit specification description includes the description that an undefined value is applied to the input pin in the standby state and the operation description equivalent to that when the power is cut off, MTCMO
Even in a hardware description language that cannot express the phenomenon that a CMOS circuit to be converted into an indefinite state due to power-off, please correct the description of the CMOS circuit in which the functional level specifications and gate level specifications during normal operation are described. Without adding, a logic simulation is performed at the functional level or the gate level of the entire circuit including the standby state and the operating state of the CMOS circuit to be MTCMOS-ized, thereby shortening the time required for logic verification of the digital circuit including the MTCMOS circuit and reducing the logic. The accuracy of verification can be improved.

【0032】図6は本発明の論理モデル作成方法の一実
施形態を使用したデジタル回路の検証CADフローを示
すフローチャートである。この論理検証CADフロー
は、一方において、デジタル回路全体の論理仕様に基づ
いて、本発明の論理モデル作成方法の一実施形態を適用
してデジタル回路全体をハードウエア記述言語で仕様を
記述し(ステップS1)、他方において、信号印加タイ
ミング、入力ベクター、出力期待値などを含む同デジタ
ル回路の検証仕様に基づいて、ハードウエア記述言語で
検証シーケンスを記述し(ステップS2)、そして、ハ
ードウエア記述言語で記述された検証モデル全体をHD
Lシミュレータに印加して論理検証を行うというもので
ある。
FIG. 6 is a flow chart showing a verification CAD flow of a digital circuit using an embodiment of the logical model creating method of the present invention. On the other hand, in this logic verification CAD flow, based on the logic specifications of the entire digital circuit, one embodiment of the logic model creating method of the present invention is applied to describe the specifications of the whole digital circuit in a hardware description language (step S1), on the other hand, the verification sequence is described in the hardware description language based on the verification specifications of the digital circuit including the signal application timing, the input vector, the expected output value, etc. (step S2), and the hardware description language The entire verification model described in
It is applied to the L simulator to perform logic verification.

【0033】ここで、図6のステップS1(本発明の論
理モデル作成方法の一実施形態を適用してデジタル回路
全体をHDLで記述する工程)は、例えば、図7に示す
ように行うこともできる。まず、MTCMOS化するブ
ロック(CMOS回路)を含むデジタル回路の論理仕様
から、デジタル回路全体を階層的にブロック分割し、通
常動作時(電源遮断用トランジスタのON時)のデジタ
ル回路全体のHDL記述、すなわち、MTCMOS動作
未記述のデジタル回路全体のHDL記述F1を作成する
(ステップP1)。
Here, step S1 of FIG. 6 (a step of applying the embodiment of the logical model creating method of the present invention to describe the entire digital circuit in HDL) may be performed as shown in FIG. 7, for example. it can. First, the entire digital circuit is hierarchically divided into blocks based on the logical specifications of the digital circuit including the block (CMOS circuit) to be converted into MTCMOS, and the HDL description of the entire digital circuit during normal operation (when the power cutoff transistor is turned on), That is, the HDL description F1 of the entire digital circuit in which the MTCMOS operation is not described is created (step P1).

【0034】次に、ステップP1で作成したMTCMO
S動作未記述のデジタル回路全体のHDL記述F1とデ
ジタル回路の論理仕様に含まれるMTCMOS関連情報
(MTCMOS化するブロックのブロック名と電源遮断
用トランジスタの制御信号名との対応関係の情報)F2
に基づいて、MTCMOS論理の自動挿入を行い、MT
CMOS動作対応のデジタル回路全体のHDL記述F3
を作成する(ステップP2)。このMTCMOS動作対
応のデジタル回路全体のHDL記述F3と検証仕様のH
DL記述とでデジタル回路のMTCMOS動作対応のシ
ミュレーションを行うことができる。
Next, the MTCMO created in step P1
HDL description F1 of the entire digital circuit in which S operation is not described, and MTCMOS related information (information on the correspondence relationship between the block name of the block to be MTCMOS-ized and the control signal name of the power-off transistor) included in the logic specifications of the digital circuit F2
MTCMOS logic is automatically inserted based on
HDL description F3 of the entire digital circuit compatible with CMOS operation
Is created (step P2). This HDL description F3 of the entire digital circuit compatible with MTCMOS operation and H of the verification specification
With the DL description, a simulation corresponding to the MTCMOS operation of a digital circuit can be performed.

【0035】図8は本発明の論理モデル作成装置の一実
施形態の構成図であり、図7に示すステップP2(MT
CMOS論理の自動挿入工程)を実現するものである。
本発明の論理モデル作成装置の一実施形態は、上位階層
記述変換手段31とMTCMOS動作記述自動生成手段
32を有している。
FIG. 8 is a block diagram of an embodiment of the logical model creating apparatus according to the present invention. Step P2 (MT) shown in FIG.
It realizes an automatic insertion process of CMOS logic).
An embodiment of the logical model creation device of the present invention has a higher layer description conversion means 31 and an MTCMOS behavioral description automatic generation means 32.

【0036】上位階層記述変換手段31は、MTCMO
S動作未記述のデジタル回路全体のHDL記述F1と、
MTCMOS関連情報F2に基づいて、MTCMOS動
作未記述のデジタル回路全体のHDL記述中のMTCM
OS化するブロックの上位階層部分にMTCMOS化す
るブロックのMTCMOS動作部のHDL記述を組み込
むことができるように、MTCMOS動作未記述のデジ
タル回路全体のHDL記述中のMTCMOS化するブロ
ックの上位階層の記述を変換するものである。
The upper layer description conversion means 31 is an MTCMO.
HDL description F1 of the entire digital circuit in which S behavior is not described,
MTCM in the HDL description of the entire digital circuit in which the MTCMOS operation is not described, based on the MTCMOS related information F2
A description of the upper layer of the block to be converted to MTCMOS in the HDL description of the entire digital circuit in which MTCMOS operation has not been described so that the HDL description of the MTCMOS operation unit of the block to be converted to MTCMOS can be incorporated in the upper layer portion of the block to be OS. Is to convert.

【0037】具体的には、上位階層記述変換手段31
は、MTCMOS動作未記述のデジタル回路全体のHD
L記述F1に含まれているMTCMOS化するブロック
を上位階層ブロックが呼び出している記述部分中の、M
TCMOS化するブロック名をMTCMOS動作を記述
するブロック(MTCMOS動作記述生成手段32で生
成)のブロック名に置き換え、電源遮断用トランジスタ
の制御信号名を入力に追加することにより、MTCMO
S動作未記述のデジタル回路全体のHDL記述F1にM
TCMOS化するブロックのMTCMOS動作部のHD
L記述を組み込むための修正を施したデジタル回路全体
のHDL記述F4を生成するものである。
Specifically, the upper hierarchy description conversion means 31
Is the HD of the entire digital circuit without MTCMOS operation
In the description part in which the block to be converted to MTCMOS included in the L description F1 is called by the upper hierarchical block, M
By replacing the block name to be converted to TCMOS with the block name of the block describing the MTCMOS operation (generated by the MTCMOS operation description generation means 32) and adding the control signal name of the power cutoff transistor to the input, the MTCMO.
S Adds M to the HDL description F1 of the entire digital circuit that has not been described.
HD of the MTCMOS operation unit of the block to be converted to TCMOS
The HDL description F4 of the entire digital circuit, which has been modified to incorporate the L description, is generated.

【0038】MTCMOS動作記述自動生成手段32
は、MTCMOS動作未記述のデジタル回路全体のHD
L記述F1およびMTCMOS関連情報F2に基づい
て、MTCMOS化する各ブロックの入出力信号名を抽
出し、各ブロックについて、「ブロック名」、「入出力
信号名」、「電源遮断用トランジスタの制御信号名」を
基に、MTCMOS化するブロックのMTCMOS動作
部のHDL記述F5を自動生成するものである。
MTCMOS behavior description automatic generation means 32
Is the HD of the entire digital circuit without MTCMOS operation
Based on the L description F1 and the MTCMOS related information F2, the input / output signal name of each block to be converted into MTCMOS is extracted, and for each block, “block name”, “input / output signal name”, and “control signal of power cutoff transistor”. Based on the "name", the HDL description F5 of the MTCMOS operation unit of the block to be converted to MTCMOS is automatically generated.

【0039】ここに、MTCMOS動作未記述のデジタ
ル回路全体のHDL記述F1にMTCMOS化するブロ
ックのMTCMOS動作部のHDL記述を組み込むため
の修正を施したデジタル回路全体のHDL記述F4と、
MTCMOS化するブロックのMTCMOS動作部のH
DL記述F5とで、MTCMOS動作対応のデジタル回
路全体のHDL記述F3が構成されることになる。
Here, an HDL description F4 of the entire digital circuit, which has been modified to incorporate the HDL description of the MTCMOS operation part of the block to be MTCMOS into the HDL description F1 of the entire digital circuit in which the MTCMOS operation has not been described,
H of the MTCMOS operation part of the block to be converted to MTCMOS
The DL description F5 constitutes the HDL description F3 of the entire digital circuit compatible with MTCMOS operation.

【0040】なお、本発明の論理モデル作成装置の一実
施形態は、コンピュータを上位階層記述変換手段31お
よびMTCMOS動作記述自動生成手段32として機能
させるための内容を含むプログラムを使用することによ
り、コンピュータで実現することができる。
It should be noted that one embodiment of the logical model creating apparatus of the present invention uses a program including contents for causing the computer to function as the upper layer description conversion means 31 and the MTCMOS behavioral description automatic generation means 32. Can be achieved with.

【0041】図9〜図14は本発明の論理モデル作成装
置の一実施形態の動作を具体的に説明するための図であ
り、図9はMTCMOS動作対応のHDL記述の論理モ
デルを作成しようとするサンプル回路topの構成図であ
る。
9 to 14 are diagrams for specifically explaining the operation of the embodiment of the logical model creating apparatus of the present invention. FIG. 9 is intended to create a logical model of an HDL description compatible with MTCMOS operation. It is a block diagram of the sample circuit top which does.

【0042】図9中、block1、block2はMTCMOS化
するブロック、block3はMTCMOS化しないブロッ
ク、i1、i2、i3はblock1の入力信号、i4、i5はblock2の
入力信号、i6、i7はblock3の入力信号、o1、o2はblock1
の出力信号、o3はblock2の出力信号、s1、s2は電源遮断
段用トランジスタの制御信号である。
In FIG. 9, block1 and block2 are blocks to be converted to MTCMOS, block3 is a block not to be converted to MTCMOS, i1, i2 and i3 are input signals of block1, i4 and i5 are input signals of block2, and i6 and i7 are input of block3. Signal, o1, o2 is block1
, O3 is the output signal of block2, and s1 and s2 are the control signals for the power-off stage transistors.

【0043】この例の場合、サンプル回路topのMTC
MOS動作未記述のHDL記述F1は図10に示すよう
に記述され、サンプル回路topのMTCMOS関連情報
F2は図11に示すように記述される。
In the case of this example, the MTC of the sample circuit top
The HDL description F1 in which the MOS operation is not described is described as shown in FIG. 10, and the MTCMOS related information F2 of the sample circuit top is described as shown in FIG.

【0044】図12は上位階層記述変換手段31から出
力されるHDL記述F4を示す図であり、上位階層記述
変換手段31では、図10に示すMTCMOS動作未記
述のデジタル回路全体のHDL記述F1と図11に示す
MTCMOS関連情報F2とに基づいて、MTCMOS
動作未記述のデジタル回路全体のHDL記述F1にMT
CMOS化するブロックblock1、block2のMTCMOS
動作部のHDL記述を組み込むための修正を施したデジ
タル回路全体のHDL記述F4を生成する。本例では、
block1をMTCMOS化したblock1_MTがblock1の上位
階層のブロックとして記述され、block2をMTCMOS
化したblock2_MTがblock2の上位階層のブロックとして
記述されている。
FIG. 12 is a diagram showing the HDL description F4 output from the upper layer description converting means 31. In the upper layer description converting means 31, the HDL description F1 of the entire digital circuit in which the MTCMOS operation is not described is shown in FIG. Based on the MTCMOS related information F2 shown in FIG.
MT in the HDL description F1 of the entire digital circuit in which no operation is described
MTCMOS of blocks block1 and block2 to be CMOS
An HDL description F4 of the entire digital circuit, which has been modified to incorporate the HDL description of the operation unit, is generated. In this example,
block1_MT obtained by converting block1 into MTCMOS is described as a block in the upper hierarchy of block1, and block2 is MTCMOS.
The converted block2_MT is described as a block in the upper hierarchy of block2.

【0045】図13はMTCMOS動作記述自動生成手
段32から出力されるHDL記述F5を示す図であり、
MTCMOS動作記述自動生成手段32では、図10に
示すMTCMOS動作未記述のデジタル回路全体のHD
L記述F1および図11に示すMTCMOS関連情報F
2に基づいて、図13に示すような、MTCMOS化す
るブロックのMTCMOS動作部のHDL記述F5が作
成される。
FIG. 13 is a diagram showing the HDL description F5 output from the MTCMOS behavioral description automatic generation means 32.
In the MTCMOS operation description automatic generation means 32, the HD of the entire digital circuit in which the MTCMOS operation is not described is shown in FIG.
L description F1 and MTCMOS related information F shown in FIG.
Based on 2, the HDL description F5 of the MTCMOS operation unit of the block to be converted to MTCMOS is created as shown in FIG.

【0046】ここに、図12に示すMTCMOS動作部
のHDL記述を組み込むための修正を施したデジタル回
路全体のHDL記述F4と、図13に示すMTCMOS
化ブロックのMTCMOS動作部のHDL記述F5と
で、MTCMOS動作対応のデジタル回路全体のHDL
記述F3が構成されることになり、図14に示すような
デジタル回路が表現されることになる。
Here, the HDL description F4 of the entire digital circuit, which is modified to incorporate the HDL description of the MTCMOS operation unit shown in FIG. 12, and the MTCMOS shown in FIG.
HDL description F5 of the MTCMOS operation part of the integrated block and the HDL of the entire digital circuit compatible with the MTCMOS operation.
The description F3 is configured, and a digital circuit as shown in FIG. 14 is expressed.

【0047】以上のように、本発明の論理モデル作成装
置の一実施形態によれば、上位階層記述変換手段31と
MTCMOS動作記述自動生成手段32を備えているの
で、MTCMOS動作対応のデジタル回路のHDL記述
からなる論理モデルを容易に作成することができる。
As described above, according to the embodiment of the logical model creating apparatus of the present invention, since the upper layer description converting means 31 and the MTCMOS behavioral description automatic generating means 32 are provided, a digital circuit compatible with MTCMOS behavior is provided. A logical model composed of HDL description can be easily created.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように、本発明の論理モデル作成
方法によれば、MTCMOS化するCMOS回路が電源
の遮断によって不定状態になる現象を表現できないハー
ドウエア記述言語であっても、通常動作時の機能レベル
仕様やゲートレベル仕様が記述されたCMOS回路の記
述には修正を加えることなく、MTCMOS化するCM
OS回路の待機状態および動作状態を含めた回路全体の
機能レベル又はゲートレベルでの論理シミュレーション
を行い、MTCMOS回路を含むデジタル回路の論理検
証に要する時間の短縮化と論理検証の正確度の向上を図
ることができる。
As described above, according to the logical model creating method of the present invention, even if the hardware description language cannot express the phenomenon that the CMOS circuit to be MTCMOS becomes indefinite due to the power-off, the normal operation can be performed. CM to be converted to MTCMOS without any modification to the description of the CMOS circuit in which the functional level specifications and gate level specifications are described.
A logic simulation is performed at the functional level or the gate level of the entire circuit including the standby state and the operating state of the OS circuit to shorten the time required for the logic verification of the digital circuit including the MTCMOS circuit and improve the accuracy of the logic verification. Can be planned.

【0049】また、本発明の論理モデル作成装置によれ
ば、MTCMOS化するCMOS回路を含むデジタル回
路の論理仕様から、MTCMOS動作対応のハードウエ
ア言語記述からなる論理モデルを容易に作成することが
できる。
Further, according to the logical model creating apparatus of the present invention, it is possible to easily create a logical model composed of a hardware language description compatible with MTCMOS operation from the logical specifications of a digital circuit including a CMOS circuit to be MTCMOS. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の論理モデル作成方法の一実施形態を示
すフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of a logical model creation method of the present invention.

【図2】本発明の論理モデル作成方法の一実施形態で行
うとしている論理検証を行うデジタル回路のブロック分
割を具体的に説明するためのブロック回路図である。
FIG. 2 is a block circuit diagram for specifically explaining block division of a digital circuit for performing logic verification, which is supposed to be performed in one embodiment of the logic model creating method of the present invention.

【図3】論理検証を行うデジタル回路を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a digital circuit that performs logic verification.

【図4】本発明の論理モデル作成方法の一実施形態を適
用して作成した図3に示すデジタル回路の論理モデルの
要部を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a main part of a logical model of the digital circuit shown in FIG. 3 created by applying an embodiment of a logical model creating method of the present invention.

【図5】図4に示す論理モデルの内容を示すブロック回
路図である。
5 is a block circuit diagram showing the contents of the logical model shown in FIG.

【図6】本発明の論理モデル作成方法の一実施形態を使
用したデジタル回路の論理検証CADフローを示すフロ
ーチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing a logic verification CAD flow of a digital circuit using an embodiment of the logic model creating method of the present invention.

【図7】図6のステップS1の他の実現例を示すフロー
チャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing another implementation example of step S1 of FIG.

【図8】本発明の論理モデル作成装置の一実施形態の構
成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram of an embodiment of a logical model creation device of the present invention.

【図9】MTCMOS動作対応のHDL記述の論理モデ
ルを作成しようとするサンプル回路の構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a sample circuit for creating a logical model of HDL description corresponding to MTCMOS operation.

【図10】図9に示すサンプル回路のMTCMOS動作
未記述のHDL記述を示す図である。
10 is a diagram showing an HDL description in which the MTCMOS operation of the sample circuit shown in FIG. 9 is not described.

【図11】図9に示すサンプル回路のMTCMOS関連
情報を示す図である。
11 is a diagram showing MTCMOS related information of the sample circuit shown in FIG. 9;

【図12】本発明の論理モデル作成装置が備える上位階
層記述変換手段から出力されるHDL記述を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram showing an HDL description output from an upper layer description conversion means included in the logical model creation device of the present invention.

【図13】本発明の論理モデル作成装置が備えるMTC
MOS動作記述自動生成手段から出力されるHDL記述
を示す図である。
FIG. 13 is an MTC provided in the logical model creation device of the present invention.
It is a figure which shows the HDL description output from the MOS behavioral description automatic generation means.

【図14】MTCMOS動作対応のデジタル回路全体の
HDL記述により表現されるデジタル回路を示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing a digital circuit represented by an HDL description of the entire digital circuit compatible with MTCMOS operation.

【図15】MTCMOS回路の例を示す回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram showing an example of an MTCMOS circuit.

【図16】デジタル回路の例を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram illustrating an example of a digital circuit.

【図17】機能レベル記述の例を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing an example of a function level description.

【図18】ゲートレベル記述の例を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing an example of a gate level description.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S1、S2 制御信号 28−1、28−N、29−1、29−N 2対1セレ
クタ
S1, S2 control signals 28-1, 28-N, 29-1, 29-N 2 to 1 selector

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】MTCMOS回路を含むデジタル回路のハ
ードウエア記述言語による論理モデルを作成する論理モ
デル作成方法であって、 前記MTCMOS回路を前記MTCMOS回路内のCM
OS回路の上位階層ブロックとして把握し、前記デジタ
ル回路を階層的にブロック分割して記述するものとし、 前記CMOS回路の仕様記述には、電源遮断用トランジ
スタがオン時の論理動作を記述し、 前記MTCMOS回路の仕様記述には、動作時は入力ピ
ンに繋がる信号線の信号値を前記入力ピンに印加し、待
機時は不定値を前記入力ピンに印加する旨の記述を含め
ることを特徴とする論理モデル作成方法。
1. A logical model creating method for creating a logical model of a digital circuit including an MTCMOS circuit in a hardware description language, wherein the MTCMOS circuit is a CM in the MTCMOS circuit.
It is assumed that the digital circuit is hierarchically divided into blocks and described as an upper hierarchical block of an OS circuit, and the specification description of the CMOS circuit describes a logical operation when a power cutoff transistor is turned on. The specification description of the MTCMOS circuit includes a description that a signal value of a signal line connected to an input pin is applied to the input pin during operation, and an undefined value is applied to the input pin during standby. How to create a logical model.
【請求項2】前記MTCMOS回路の仕様記述は、 前記CMOS回路を下位階層ブロックとして持つと共
に、前記CMOS回路と同一の入出力信号と、前記電源
遮断用トランジスタの制御信号と、該制御信号以外の入
力信号の数と同数の2対1セレクタを持ち、 前記MTCMOS回路の出力信号は、前記MTCMOS
回路内で前記CMOS回路の出力信号の中の対応する出
力信号と繋がり、 前記2対1セレクタは、一方の被選択入力端子に前記制
御信号以外の入力信号の中の対応する入力信号が入力さ
れ、他方の被選択入力端子には不定値がセットされ、出
力端子を前記CMOS回路の入力端子の中の対応する入
力端子に繋がれ、前記制御信号が前記電源遮断用トラン
ジスタをオンとする時には、前記一方の被選択入力端子
に入力される入力信号の信号値を出力し、前記制御信号
が前記電源遮断用トランジスタをオフとする時には、前
記他方の被選択入力端子にセットされている不定値を出
力する旨の記述を含むことを特徴とする請求項1記載の
論理モデル作成方法。
2. The MTCMOS circuit specification description has the CMOS circuit as a lower hierarchical block, and has the same input / output signal as the CMOS circuit, a control signal for the power shutoff transistor, and a signal other than the control signal. The output signals of the MTCMOS circuit have the same number of 2-to-1 selectors as the number of input signals.
The two-to-one selector is connected to a corresponding output signal of the output signals of the CMOS circuit in the circuit, and a corresponding input signal of the input signals other than the control signal is input to one of the selected input terminals. , An undefined value is set in the other selected input terminal, the output terminal is connected to the corresponding input terminal in the input terminals of the CMOS circuit, and the control signal turns on the power cutoff transistor, When the control signal outputs the signal value of the input signal input to the one selected input terminal and turns off the power cutoff transistor, an undefined value set in the other selected input terminal is output. The logical model creating method according to claim 1, further comprising a description indicating that the logical model is to be output.
【請求項3】前記CMOS回路の仕様記述は、ゲートレ
ベル記述でなされていることを特徴とする請求項1記載
の論理モデル作成方法。
3. The logic model creating method according to claim 1, wherein the specification description of the CMOS circuit is a gate level description.
【請求項4】MTCMOS化するCMOS回路を含むデ
ジタル回路のハードウエア記述言語による論理モデルを
作成する論理モデル作成装置であって、 前記デジタル回路のMTCMOS動作未記述のハードウ
エア記述言語による記述中の前記CMOS回路の上位階
層部分に前記CMOS回路のMTCMOS動作部のハー
ドウエア記述言語による記述を組み込むことができるよ
うに、前記上位階層の記述を変換する上位階層記述変換
手段と、 前記デジタル回路のMTCMOS動作未記述のハードウ
エア記述言語による記述と、前記CMOS回路と電源遮
断用トランジスタの制御信号名との対応関係を記述した
MTCMOS関連情報に基づいて、前記CMOS回路の
MTCMOS動作部のハードウエア記述言語による記述
を自動生成するMTCMOS動作記述自動生成手段を有
することを特徴とする論理モデル作成装置。
4. A logic model creating device for creating a logic model of a digital circuit including a CMOS circuit to be MTCMOS in a hardware description language, wherein the digital circuit is described in a hardware description language in which MTCMOS operation is not described. An upper layer description converting means for converting the description of the upper layer so that the description in the hardware description language of the MTCMOS operation unit of the CMOS circuit can be incorporated in the upper layer portion of the CMOS circuit, and the MTCMOS of the digital circuit. The hardware description language of the MTCMOS operation unit of the CMOS circuit is based on the MTCMOS related information describing the correspondence between the description in the hardware description language in which the operation is not described and the control signal name of the CMOS circuit and the power cutoff transistor. To automatically generate a description in Logical model creating apparatus characterized by having an OS operation description automatic generation means.
【請求項5】コンピュータにMTCMOS化するCMO
S回路を含むデジタル回路のハードウエア記述言語によ
る論理モデルを作成させるためのプログラムであって、 前記コンピュータを、前記デジタル回路のMTCMOS
動作未記述のハードウエア記述言語による記述中の前記
CMOS回路の上位階層部分に前記CMOS回路のMT
CMOS動作部のハードウエア記述言語による記述を組
み込むことができるように、前記上位階層の記述を変換
する上位階層記述変換手段、および、前記デジタル回路
のMTCMOS動作未記述のハードウエア記述言語によ
る記述と、前記CMOS回路と電源遮断用トランジスタ
の制御信号名との対応関係を記述したMTCMOS関連
情報に基づいて、前記CMOS回路のMTCMOS動作
部のハードウエア記述言語による記述を自動生成するM
TCMOS動作記述自動生成手段として機能させるため
の内容を含むことを特徴とするプログラム。
5. A CMO for implementing MTCMOS in a computer
A program for creating a logical model of a digital circuit including an S circuit in a hardware description language, wherein the computer is an MTCMOS of the digital circuit.
The MT of the CMOS circuit is added to the upper layer portion of the CMOS circuit being described by the hardware description language in which the operation is not described.
An upper layer description conversion means for converting the description of the upper layer so that the description in the hardware description language of the CMOS operation unit can be incorporated; and a description in the hardware description language of the digital circuit in which the MTCMOS operation is not described. , M that automatically generates a description in the hardware description language of the MTCMOS operation unit of the CMOS circuit based on the MTCMOS related information that describes the correspondence relationship between the CMOS circuit and the control signal name of the power cutoff transistor.
A program including contents for functioning as TCMOS behavior description automatic generation means.
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